特開 2024-171303 推定装置、推定方法、及びプログラム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024171303

(43)【公開日】2024-12-11

(54)【発明の名称】推定装置、推定方法、及びプログラム

(51)【国際特許分類】

   G01C 17/28 20060101AFI20241204BHJP

【ＦＩ】

G01C17/28

【審査請求】未請求

【請求項の数】15

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024005749

(22)【出願日】2024-01-18

(31)【優先権主張番号】P 2023088107

(32)【優先日】2023-05-29

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】303046277

【氏名又は名称】旭化成エレクトロニクス株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000877

【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】蓬田 拓夢

(72)【発明者】

【氏名】鈴木 淑正

(57)【要約】      （修正有）

【課題】第１部分に対する第２部分の位置及び姿勢の少なくとも一方を推定する推定装置を提供する。
【解決手段】第１部分に対する第２部分の位置及び姿勢の少なくとも一方を推定する推定装置は、磁気センサにより測定された第１部分に対する第２部分の位置または姿勢に応じた第１測定値に基づく第１値と、ジャイロセンサにより測定された第１部分に対する第２部分の位置または姿勢に応じた第２測定値に基づく第２値との差分を導出する導出部と、第１値及び第２値の少なくとも一方と、差分とに基づいて、第１部分に対する第２部分の位置及び姿勢を推定する推定部とを備える。
【選択図】図１３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１部分と、第２部分と、前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢の少なくとも一方を変更させる可動機構と、前記第１部分及び前記第２部分の一方に設けられる磁気センサと、前記第１部分及び前記第２部分の他方に設けられ、前記磁気センサにより測定される磁場を提供する磁石部と、ジャイロセンサとを備える装置における前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢の少なくとも一方を推定する推定装置であって、
前記磁気センサにより測定された前記第１部分に対する前記第２部分の位置または姿勢に応じた第１測定値に基づく第１値と、前記ジャイロセンサにより測定された前記第１部分に対する前記第２部分の位置または姿勢に応じた第２測定値に基づく第２値との差分を導出する導出部と、
前記第１値及び前記第２値の少なくとも一方と、前記差分とに基づいて、前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢を推定する推定部と
を備える推定装置。

【請求項2】

前記推定部は、前記差分に基づいて前記第１値及び前記第２値の少なくとも一方を選択し、選択された前記第１値及び前記第２値の前記少なくとも一方に基づいて、前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢を推定する、請求項１に記載の推定装置。

【請求項3】

前記推定部は、
前記差分が閾値より小さい場合、前記第１値に基づいて、前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢を推定し、
前記差分が前記閾値以上の場合、前記第２値に基づいて、前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢を推定する、請求項１に記載の推定装置。

【請求項4】

前記推定部は、
前記差分が前記閾値以上の場合、前回の推定結果と、前記第２値とに基づいて、前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢を推定する、請求項３に記載の推定装置。

【請求項5】

前記推定部は、
前記差分に基づく第１の重み付けの前記第１値と、前記差分に基づく第２の重み付けの前記第２値とに基づいて、前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢を推定する、請求項１に記載の推定装置。

【請求項6】

前記差分が大きくなることに対応して、前記第１の重み付けが小さくなり、かつ前記第２の重み付けが大きくなる、請求項５に記載の推定装置。

【請求項7】

前記推定部は、前記差分が閾値より小さい場合、前記第１値と、前記磁気センサにより測定される第１測定値に基づく第１値と前記第１部分に対する前記第２部分の位置または姿勢との関係を示す関係情報とに基づいて、前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢を推定する、請求項１に記載の推定装置。

【請求項8】

前記推定部は、前記差分が前記閾値より小さい状態から前記閾値以上の状態になって前記第２値に基づく前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢の推定を開始した時点から予め定められた期間経過するまでの間、前記差分が前記閾値以上の場合には、前記第２値に基づく前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢の推定を継続し、前記時点から前記予め定められた期間経過した後、前記差分が依然として前記閾値以上の状態の場合には、前記第１値に基づく前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢の推定に切り替える、請求項３に記載の推定装置。

【請求項9】

前記導出部は、前記第１値と前記第２値との単位を合わせた後、前記第１値と前記第２値との差分を導出する、請求項１に記載の推定装置。

【請求項10】

前記単位は、角度、磁束密度、角度の変化量、磁束密度の変化量、または角速度である、請求項９に記載の推定装置。

【請求項11】

前記第１値は、前記第１測定値を角度に変換した値または角速度に変換した値に基づく、請求項１に記載の推定装置。

【請求項12】

前記第２値は、前記第２測定値を角度に変換した値、磁場に変換した値、または角度に変換した値を磁場に変換した値、あるいは前記第２測定値を積分した値に基づく、請求項１に記載の推定装置。

【請求項13】

前記第１値または前記第２値は、前記推定部による推定結果に基づく値に基づく、請求項１に記載の推定装置。

【請求項14】

第１部分と、第２部分と、前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢の少なくとも一方を変更させる可動機構と、前記第１部分及び前記第２部分の一方に設けられる磁気センサと、前記第１部分及び前記第２部分の他方に設けられ、前記磁気センサにより測定される磁場を提供する磁石部と、ジャイロセンサとを備える装置における前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢の少なくとも一方を推定する推定方法であって、
前記磁気センサにより測定された前記第１部分に対する前記第２部分の位置または姿勢に応じた第１測定値に基づく第１値と、前記ジャイロセンサにより測定された前記第１部分に対する前記第２部分の位置または姿勢に応じた第２測定値に基づく第２値との差分を導出する段階と、
前記第１値及び前記第２値の少なくとも一方と、前記差分とに基づいて、前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢を推定する段階と
を備える推定方法。

【請求項15】

第１部分と、第２部分と、前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢の少なくとも一方を変更させる可動機構と、前記第１部分及び前記第２部分の一方に設けられる磁気センサと、前記第１部分及び前記第２部分の他方に設けられ、前記磁気センサにより測定される磁場を提供する磁石部と、ジャイロセンサとを備える装置における前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢の少なくとも一方を推定する推定装置としてコンピュータを機能させるためのプログラムであって、
前記磁気センサにより測定された前記第１部分に対する前記第２部分の位置または姿勢に応じた第１測定値に基づく第１値と、前記ジャイロセンサにより測定された前記第１部分に対する前記第２部分の位置または姿勢に応じた第２測定値に基づく第２値との差分を導出する段階と、
前記第１値及び前記第２値の少なくとも一方と、前記差分とに基づいて、前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢を推定する段階と
を前記コンピュータに実行させる、プログラム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、推定装置、推定方法、及びプログラムに関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、モーションセンサに基づく第１角度と第１角度の状態に関連した第１指標と、磁気センサに基づく第２角度と第２角度の状態に関連した第２指標とに基づいて、第１角度または第２角度のうちの少なくとも１つに基づいて、折り曲げ角度を判断することが記載されている。特許文献２には、モーションセンサ及び磁気センサを用いて角度を決定する方法において、角度が予め定められた不感帯にある場合には、モーションセンサを用いて角度を決定することが記載されている。
［先行技術文献］
［特許文献］
［特許文献１］ 米国特許第１１３００９９５号明細書
［特許文献２］ 国際公開第２０２１／１０１１７１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

第１部分に対する第２部分の位置または姿勢の推定の精度をより向上させることが望まれている。

【課題を解決するための手段】

【0004】

本発明の一態様に係る推定装置は、第１部分と、第２部分と、前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢の少なくとも一方を変更させる可動機構と、前記第１部分及び前記第２部分の一方に設けられる磁気センサと、前記第１部分及び前記第２部分の他方に設けられ、前記磁気センサにより測定される磁場を提供する磁石部と、ジャイロセンサとを備える装置における前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢の少なくとも一方を推定する推定装置でよい。前記推定装置は、前記磁気センサにより測定された前記第１部分に対する前記第２部分の位置または姿勢に応じた第１測定値に基づく第１値と、前記ジャイロセンサにより測定された前記第１部分に対する前記第２部分の位置または姿勢に応じた第２測定値に基づく第２値との差分を導出する導出部を備えてよい。前記推定装置は、前記第１値及び前記第２値の少なくとも一方と、前記差分とに基づいて、前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢を推定する推定部を備えてよい。

【0005】

前記推定装置において、前記推定部は、前記差分に基づいて前記第１値及び前記第２値の少なくとも一方を選択し、選択された前記第１値及び前記第２値の前記少なくとも一方に基づいて、前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢を推定してよい。

【0006】

いずれかの前記推定装置において、前記推定部は、前記差分が閾値より小さい場合、前記第１値に基づいて、前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢を推定してよい。前記推定部は、前記差分が前記閾値以上の場合、前記第２値に基づいて、前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢を推定してよい。

【0007】

いずれかの前記推定装置において、前記推定部は、前記差分が前記閾値以上の場合、前回の推定結果と、前記第２値とに基づいて、前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢を推定してよい。

【0008】

いずれかの前記推定装置において、前記推定部は、前記差分に基づく第１の重み付けの前記第１値と、前記差分に基づく第２の重み付けの前記第２値とに基づいて、前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢を推定してよい。

【0009】

いずれかの前記推定装置において、前記差分が大きくなることに対応して、前記第１の重み付けが小さくなり、かつ前記第２の重み付けが大きくなってよい。

【0010】

いずれかの前記推定装置において、前記推定部は、前記差分が閾値より小さい場合、前記第１値と、前記磁気センサにより測定される第１測定値に基づく第１値と前記第１部分に対する前記第２部分の位置または姿勢との関係を示す関係情報とに基づいて、前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢を推定してよい。

【0011】

いずれかの前記推定装置において、前記第１値は、前記第１測定値を角度に変換した値または角速度に変換した値に基づいてよい。

【0012】

いずれかの前記推定装置において、前記第２値は、前記第２測定値を角度に変換した値、磁場に変換した値、または角度に変換した磁場に変換した値、あるいは前記第２測定値を積分した値に基づいてよい。

【0013】

いずれかの前記推定装置において、前記第１値または前記第２値は、前記推定部による推定結果に基づく値に基づいてよい。

【0014】

いずれかの前記推定装置において、前記推定部は、前記差分が前記閾値より小さい状態から前記閾値以上の状態になって前記第２値に基づく前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢の推定を開始した時点から予め定められた期間経過するまでの間、前記差分が前記閾値以上の場合には、前記第２値に基づく前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢の推定を継続し、前記時点から前記予め定められた期間経過した後、前記差分が依然として前記閾値以上の状態の場合には、前記第１値に基づく前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢の推定に切り替えてよい。

【0015】

いずれかの前記推定装置において、前記導出部は、前記第１値と前記第２値との単位を合わせた後、前記第１値と前記第２値との差分を導出してよい。

【0016】

いずれかの前記推定装置において、前記単位は、角度、磁束密度、角度の変化量、磁束密度の変化量、または角速度でよい。

【0017】

本発明の一態様に係る推定方法は、第１部分と、第２部分と、前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢の少なくとも一方を変更させる可動機構と、前記第１部分及び前記第２部分の一方に設けられる磁気センサと、前記第１部分及び前記第２部分の他方に設けられ、前記磁気センサにより測定される磁場を提供する磁石部と、ジャイロセンサとを備える装置における前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢の少なくとも一方を推定する推定方法でよい。前記推定方法は、前記磁気センサにより測定された前記第１部分に対する前記第２部分の位置または姿勢に応じた第１測定値に基づく第１値と、前記ジャイロセンサにより測定された前記第１部分に対する前記第２部分の位置または姿勢に応じた第２測定値に基づく第２値との差分を導出する段階を備えてよい。前記推定方法は、前記第１値及び前記第２値の少なくとも一方と、前記差分とに基づいて、前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢を推定する段階を備えてよい。

【0018】

本発明の一態様に係るプログラムは、第１部分と、第２部分と、前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢の少なくとも一方を変更させる可動機構と、前記第１部分及び前記第２部分の一方に設けられる磁気センサと、前記第１部分及び前記第２部分の他方に設けられ、前記磁気センサにより測定される磁場を提供する磁石部と、ジャイロセンサとを備える装置における前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢の少なくとも一方を推定する推定装置としてコンピュータを機能させるためのプログラムでよい。前記プログラムは、前記磁気センサにより測定された前記第１部分に対する前記第２部分の位置または姿勢に応じた第１測定値に基づく第１値と、前記ジャイロセンサにより測定された前記第１部分に対する前記第２部分の位置または姿勢に応じた第２測定値に基づく第２値との差分を導出する段階を前記コンピュータに実行させてよい。前記プログラムは、前記第１値及び前記第２値の少なくとも一方と、前記差分とに基づいて、前記第１部分に対する前記第２部分の位置及び姿勢を推定する段階を前記コンピュータに実行させてよい。

【0019】

なお、上記の発明の概要は、本発明の特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。

【図面の簡単な説明】

【0020】

【図1】折り畳み端末の外観斜視図の一例を示す図である。

【図2】第１部分と第２部分とが折り畳まれた状態の折り畳み端末の外観斜視図の一例を示す図である。

【図3】第１部分と第２部分とが折り畳まれていない状態の折り畳み端末の外観斜視図の一例を示す図である。

【図4】折り畳み端末の回路構成を模式的に示す図である。

【図5】推定装置の機能ブロックの一例を示す図である。

【図6】磁場の強さと、第１部分と第２部分との成す角度との関係を示す参照テーブルの一例を示す図である。

【図7】ジャイロセンサに測定値に基づく角度の積分誤差について説明するための図である。

【図8】加速度センサを用いた角度の推定について説明するための図である。

【図9】加速度センサを用いた角度の推定について説明するための図である。

【図10】推定部が推定に用いるセンサの時間的な変化の様子を示す図である。

【図11A】磁気センサのみで角度の推定を行った場合の角度の期待値と、推定結果の角度との時間的な変化の一例を示す図である。

【図11B】図１１Ａにおける期待値と推定結果の角度との角度誤差の時間的な変化の一例を示す図である。

【図12A】角度の期待値と、本実施形態における推定部で推定される角度との時間的な変化の一例を示す図である。

【図12B】図１２Ａにおける期待値と推定結果の角度との角度誤差の時間的な変化の一例を示す図である。

【図13】推定部が角度の推定を行う手順の一例を示すフローチャートである。

【図14】導出部が差分を導出する手順の他の例を示すフローチャートである。

【図15】導出部が差分を導出する手順の他の例を示すフローチャートである。

【図16】推定部が角度の推定を行う手順の他の一例を示すフローチャートである。

【図17】推定部が角度の推定を行う手順の他の一例を示すフローチャートである。

【図18A】推定部が第１部分に対する第２部分の位置を推定する装置の縮んだ状態を示す図である。

【図18B】推定部が第１部分に対する第２部分の位置を推定する装置の伸びた状態を示す図である。

【図19】ハードウェア構成の一例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0021】

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。

【0022】

図１は、折り畳み端末１０の外観斜視図の一例を示す。折り畳み端末１０は、スマートフォン、携帯電話、タブレット、ノートパソコン、および小型パソコン等の携帯端末でよい。折り畳み端末１０は、折り曲げ可能なディスプレイ１４を備える。ディスプレイ１４は、有機ＥＬディスプレイでよい。

【0023】

折り畳み端末１０は、第１部分１１、第２部分１２、及びヒンジ機構１６を備える。ヒンジ機構１６は、第２部分１２に対して第１部分１１を折り畳み可能に結合する。ヒンジ機構１６は、Ｘ軸に沿った回転軸１８を中心に第１部分１１を第２部分１２に対して回転可能に結合する。第１部分１１、及び第２部分１２は、折り畳み端末１０の筐体の一部である。第１部分１１と第２部分１２とは一体的に構成されてよい。第１部分１１が第２部分１２に対して折り畳まれた状態から折り畳まれていない状態まで変化することで、第１部分１１と第２部分１２との成す角度θが０度から１８０度まで変化する。

【0024】

図２は、第１部分１１と第２部分１２とが折り畳まれた状態の折り畳み端末１０の外観斜視図の一例を示す。すなわち、第１部分１１と第２部分１２との成す角度が０度の状態で、第１部分１１が第２部分１２に対して閉状態を示す。

【0025】

図３は、第１部分１１と第２部分１２とが折り畳まれていない状態の折り畳み端末１０の外観斜視図の一例を示す。すなわち、第１部分１１と第２部分１２との成す角度が１８０度の状態で、第１部分１１が第２部分１２に対して開状態を示す。

【0026】

図４は、折り畳み端末１０の回路構成を模式的に示す。折り畳み端末１０は、磁石部２０、磁気センサ３０、ジャイロセンサ４０、及び推定装置１００を備える。磁気センサ３０、推定装置１００、及びジャイロセンサ４０は、第１部分１１に設けられる。磁石部２０は、ヒンジ機構１６に設けられる。ヒンジ機構１６は、第１部分１１及び第２部分１２の少なくとも一方の一部を構成してよい。磁石部２０は、第２部分１２に設けられてもよい。磁気センサ３０、ジャイロセンサ４０、及び推定装置１００の少なくとも1つは、第２部分１２に設けられてもよい。磁気センサ３０が、ヒンジ機構１６に設けられ、磁石部２０が、第１部分１１または第２部分１２に設けられてもよい。磁気センサ３０が第１部分１１及び第２部分１２の一方に設けられ、ジャイロセンサセンサ４０が第１部分１１及び第２部分１２の他方に設けられてもよい。なお、磁石部２０、磁気センサ３０、ジャイロセンサ４０、及び推定装置１００の配置は上記には限定されない。磁石部２０、磁気センサ３０、ジャイロセンサ４０、及び推定装置１００は、推定装置１００が第１部分１１と第２部分１２との成す角度を推定できるのであれば、任意の位置に配置されてよい。

【0027】

磁気センサ３０は、３軸（Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸）方向の磁場の強さ（磁束密度）を検出する。磁気センサ３０は、磁場の強さに応じた電圧または電流を出力する。磁気センサ３０は、ホール素子でよい。第１部分１１が、第２部分１２に対して折り畳まれる過程で、磁気センサ３０と磁石部２０との位置関係が変化し、磁気センサ３０で検出される磁石部２０の磁場の強さが変化する。すなわち、第１部分１１と第２部分１２との成す角度によって、磁気センサ３０で検出される磁場の強さが変化する。ジャイロセンサ４０は、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸に沿った軸を中心とする折り畳み端末１０の角速度を検出する。折り畳み端末１０は、ジャイロセンサ４０として機能する慣性計測装置（ＩＭＵ）を備えてもよい。ＩＭＵは、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸に沿った軸を中心とする折り畳み端末１０の角速度、並びに折り畳み端末１０のＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸方向の折り畳み端末１０の加速度を検出する。

【0028】

推定装置１００は、磁気センサ３０で検出される磁場の強さ（磁束密度）、及びジャイロセンサ４０で検出される角速度の少なくとも一方に基づいて、第１部分１１と第２部分１２との位置関係を推定する。推定装置１００は、磁気センサ３０で検出される磁場の強さ（磁束密度）、及びジャイロセンサ４０で検出される角速度の少なくとも一方に基づいて、第１部分１１と第２部分１２との成す角度を推定する。

【0029】

折り畳み端末１０は、推定装置１００により推定された角度に基づいて、予め定められた動作を実行してよい。折り畳み端末１０は、推定装置１００により推定された角度に基づいて、第１部分１１の表示部分と、第２部分１２の表示部分とに異なる画像を表示させてよい。例えば、折り畳み端末１０は、推定装置１００により推定された角度が９０度から１２０度などの予め定められた角度範囲に含まれる場合、第２部分１２の表示部分にキーボードなどの操作機能を表示させ、第１部分１１の表示部分に操作機能により操作された内容に応じた画像、例えば、文書、映像などを表示させる表示機能を表示させてよい。

【0030】

図５は、推定装置１００の機能ブロックの一例を示す。推定装置１００は、制御部１１０、記憶部１２０、及び通信Ｉ／Ｆ１３０を備える。制御部１１０は、ＣＰＵまたはＭＰＵなどのマイクロプロセッサ、ＭＣＵなどのマイクロコントローラなどにより構成されてよい。制御部１１０は、ＳｏＣ（システムオンチップ）で構成されてよい。記憶部１２０は、コンピュータ可読可能な記録媒体でよく、ＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ（登録商標）、及びＵＳＢメモリなどのフラッシュメモリの少なくとも１つを含んでよい。通信Ｉ／Ｆ１３０は、磁気センサ３０、及びジャイロセンサ４０と通信するインタフェースである。

【0031】

制御部１１０は、導出部１１２、及び推定部１１４を有する。ここで、推定部１１４は、第１部分１１に対する第２部分１２の成す角度θと磁場の強さとの関係を示す関係情報と、磁気センサ３０の出力結果とに基づいて、第１部分１１と第２部分１２との成す角度を推定することが考えられる。

【0032】

関係情報は、例えば、図６に示すように、磁場の強さと、第１部分１１と第２部分１２との成す角度θとの関係を示す参照テーブル（離散）Ｆ１、または予め定められた多項式で表される参照テーブル（連続）Ｆ２でよい。関係情報は、例えば、磁場の強さに応じた角度θを示す関数を示す情報でよい。関係情報は、磁場の強さ及び角度θを変数とするｎ次多項式（ｎは正の整数）を示す情報でよい。関係情報は、磁場の強さ及び角度θを変数とする３次多項式を示す情報でよい。３次多項式は、Ｙ＝ａＸ^３＋ｂＸ^２＋ｃＸ＋ｄで表されてよい。Ｘは、角度θ、Ｙは、磁場の強さを示す。ａ，ｂ，ｃ，ｄは、定数である。関係情報は、予め記憶部１２０に記憶させておいてよい。関係情報は、折り畳み端末１０の出荷前に実験結果に従って生成されてよい。

【0033】

しかし、実際に磁気センサ３０で測定される測定値は、実線Ｌ１で示すように、第１部分１１と第２部分１２とが折り畳まれた状態から、第１部分１１と第２部分１２とが折り畳まれていない状態まで変化する場合と、第１部分１１と第２部分１２とが折り畳まれていない状態から第１部分１１と第２部分１２とが折り畳まれた状態まで変化する場合とで、磁場の強さと、第１部分１１と第２部分１２との成す角度θとの関係は、同一とはならない場合がある。すなわち、磁場の強さと、第１部分１１と第２部分１２との成す角度θとの関係は、ヒステリシスを有する場合がある。ヒステリシスは、磁気ヒステリシスの影響により生じ得る。また、折り畳み端末１０の開閉動作の際に、ヒンジの力のかかり具合により、磁石部２０と、磁気センサ３０との位置関係が微妙に変化することがある。この影響も、磁気センサ３０が測定する磁場の強さに、ヒステリシスとして現れることがある。したがって、推定部１１４が、図６に示すような参照テーブル（離散）Ｆ１、または参照テーブル（連続）Ｆ２のみに基づいて、第１部分１１と第２部分１２との成す角度θを精度よく推定できない場合がある。

【0034】

また、推定部１１４は、ジャイロセンサ４０で測定される測定値に基づいて、第１部分１１に対する第２部分１２の成す角度θを推定することが考えられる。ジャイロセンサ４０で測定される測定値は、角速度である。ジャイロセンサ４０で測定される測定値を用いる場合は、推定部１１４は、角速度を積分することにより、相対的な角度変化量を導出し、その角度変化量を前回の推定角度に加算することで、第１部分１１と第２部分１２との成す角度を推定することが考えられる。しかし、角速度を積分することで誤差が蓄積される。したがって、図７に示すように、推定部１１４が推定を開始してからの時間に比例して、誤差θ_{ｏｆｆｓｅｔ}は、大きくなる。すなわち、ジャイロセンサ４０で測定される測定値を用いた角度の推定は、推定部１１４が推定を開始してからの時間によって精度が低下する場合がある。なお、図７に示す例では、推定部１１４が推定を開始してからの時間に比例して、誤差θ_{ｏｆｆｓｅｔ}がマイナス方向に大きくなっている。しかし、誤差θ_{ｏｆｆｓｅｔ}はプラス方向に大きくなる場合もある。

【0035】

さらに、折り畳み端末１０が２つの加速度センサ５０ａ、５０ｂを有する場合、推定部１１４は、２つの加速度センサのそれぞれにより測定される加速度ベクトルの成す角度に基づいて絶対角度を導出することで、第１部分１１と第２部分１２との成す角度を推定することが考えられる。この手法では、図８に示すように、２つの加速度センサで測定される加速度ベクトルのそれぞれが異なる重力方向の成分を有する場合には、推定部１１４は、第１部分１１と第２部分１２との成す角度を推定できる。しかし、図９に示すように、第１部分１１及び第２部分１２の姿勢によっては、２つの加速度センサ５０ａ、５０ｂで測定される加速度ベクトルのそれぞれが異なる重力方向の成分を有さない場合がある。この場合には、推定部１１４は、第１部分１１と第２部分１２との成す角度を推定できない。

【0036】

以上のように、磁気センサ３０、ジャイロセンサ４０、及び加速度センサ５０ａ、５０ｂのそれぞれで、第１部分１１と第２部分１２との成す角度を精度よく推定できない場合がある。

【0037】

そこで、本実施形態では、推定部１１４が、磁気センサ３０により測定される測定値ｍ（μＴ）と、ジャイロセンサ４０により測定される測定値ω_ｇ（ｒａｄ/ｓ）との少なくとも一方に基づいて、より精度よく第１部分１１に対する第２部分１２の姿勢、すなわち、第１部分１１と第２部分１２との成す角度を推定する。

【0038】

ここで、磁気センサ３０の測定値ｍと、第１部分１１に対する第２部分１２の成す角度θとの関係は、上記の通り、ヒステリシスを有する場合がある。しかし、ヒステリシスを有する角度は、一部の角度範囲である場合が多い。ヒステリシスを有さない角度範囲では、推定部１１４は、磁気センサ３０の測定値ｍに基づいて、精度よく第１部分１１と第２部分１２との成す角度θを推定できる可能性が高い。

【0039】

また、ジャイロセンサ４０の測定値ω_ｇを用いる場合、推定部１１４は、前回の推定結果である前回の角度θ_ｔ－１に、今回の測定値ω_ｇに基づく角度の変化量Δθ_ｇを加算することで、第１部分１１に対する第２部分１２の成す角度θを推定することになる。すなわち、推定部１１４が、比較的正確に角度を推定した後、長時間経過せずに、ジャイロセンサ４０により測定された測定値ω_ｇを用いて、角度を推定する場合、積分の誤差は少ない。よって、長時間経過しない場合には、推定部１１４は、精度よく第１部分１１と第２部分１２との成す角度θを推定できる可能性が高い。

【0040】

そこで、推定部１１４は、ヒステリシスを有さない角度範囲では、磁気センサ３０の測定値ｍを優先的に用いて、第１部分１１と第２部分１２との成す角度θを推定する。一方、推定部１１４は、ヒステリシスを有する角度範囲では、ジャイロセンサ４０の測定値ω_ｇを優先的に用いて、第１部分１１に対する第２部分１２の成す角度θを推定する。

【0041】

導出部１１２は、折り畳み端末１０の開閉状態がヒステリシスを有する角度範囲にあるかどうかを判断するために、磁気センサ３０により測定された第１部分１１に対する第２部分１２の姿勢に応じた測定値ｍと、ジャイロセンサ４０により測定された第１部分１１に対する第２部分１２の姿勢に応じた測定値ω_ｇとの差分ｄｉｆｆを導出する。

【0042】

導出部１１２は、測定値ｍと測定値ω_ｇとの単位を合わせた後、測定値ｍと測定値ω_ｇとの差分ｄｉｆｆを導出する。測定値ｍと測定値ω_ｇとの単位を合わせた後の値は、測定値ｍに基づく第１値及び測定値ω_ｇに基づく第２値の一例である。単位は、角度（度）、磁束密度（磁場の強さ）（μＴ）、角度の変化量（度）、磁束密度の変化量（μＴ／ｓ）、角速度（ｒａｇ／ｓ）または角速度（度／ｓ）である。ここで、角度（度）とは、第１部分１１と第２部分１２との成す角度、つまり絶対角度である。角度の変化量（度）は、第１部分１１と第２部分１２との成す前回の角度と、第１部分１１と第２部分１２との成す今回の角度との差を示す角度、つまり相対角度である。

【0043】

推定部１１４は、測定値ｍ及び測定値ω_ｇの少なくとも一方と、差分ｄｉｆｆとに基づいて、第１部分１１に対する第２部分１２の姿勢、すなわち、第１部分１１に対する第２部分１２の成す角度θを推定する。推定部１１４は、差分ｄｉｆｆに基づいて測定値ｍ及び測定値ω_ｇの少なくとも一方を選択し、選択された測定値ｍ及び測定値ω_ｇの少なくとも一方に基づいて、第１部分１１に対する第２部分１２の姿勢を推定する。

【0044】

推定部１１４が推定に用いる測定値ω_ｇが、長時間経過せずにジャイロセンサ４０により測定された測定値ω_ｇであれば、推定部１１４は、その測定値ω_ｇに基づいて、精度よく第１部分１１に対する第２部分１２の姿勢を推定できる。ヒステリシスを有さない角度範囲では、推定部１１４は、磁気センサ３０の測定値ｍに基づいて、精度よく第１部分１１に対する第２部分１２の姿勢を推定できる。したがって、差分ｄｉｆｆの大きさは小さくなる。一方で、ヒステリシスを有する角度範囲では、推定部１１４は、磁気センサ３０の測定値ｍに基づいて精度よく姿勢を推定できない。したがって、差分ｄｉｆｆの大きさは大きくなる。以上より、差分ｄｉｆｆが磁場ヒステリシスの大きさに相当する。そのため、差分ｄｉｆｆが大きいほど、折り畳み端末１０の開閉状態がヒステリシスを有する角度範囲にある可能性が高い。そこで、推定部１１４は、差分ｄｉｆｆが閾値ｔｈより小さい場合、磁気センサ３０の測定値ｍに基づいて、第１部分１１に対する第２部分の姿勢を推定してよい。推定部１１４は、差分ｄｉｆｆが閾値ｔｈより小さい場合、推定時点の測定値ｍと、図６に示すような磁気センサ３０により測定される測定値ｍと第１部分１１に対する第２部分１２の姿勢（角度）との関係を示す関係情報（参照テーブル）とに基づいて、第１部分１１に対する第２部分１２の姿勢を推定してよい。

【0045】

推定部１１４は、差分ｄｉｆｆが閾値ｔｈ以上の場合、ジャイロセンサ４０の測定値ω_ｇに基づいて、第１部分１１に対する第２部分１２の姿勢を推定してよい。推定部１１４は、差分ｄｉｆｆが閾値ｔｈ以上の場合、前回の推定結果と、測定値ω_ｇとに基づいて、第１部分１１に対する第２部分１２の姿勢を推定してよい。

【0046】

推定部１１４は、差分ｄｉｆｆに基づく第１の重み付けの測定値ｍと、差分ｄｉｆｆに基づく第２の重み付けの測定値ω_ｇとに基づいて、第１部分１１に対する第２部分１２の姿勢を推定してよい。差分ｄｉｆｆが大きくなることに対応して、第１の重み付けが小さくなり、かつ第２の重み付けが大きくなる。推定部１１４は、差分ｄｉｆｆをパラメータとする予め定められた関数ｆ（ｄｉｆｆ）に従って重み付けを導出してよい。推定部１１４は、カルマンフィルタにより実現されてよい。この場合、カルマンゲインが、重み付けに相当する。

【0047】

図１０は、折り畳み端末１０を閉じた状態から開いた状態まで第２部分１２を第１部分１１に対して回転させた場合に、推定部１１４が推定に用いるセンサの時間的な変化の様子を示す。破線Ｌ１１は、磁気センサ３０の測定値ｍに基づいて推定される角度の時間的な変化を示す。破線Ｌ１２は、ジャイロセンサ４０の測定値ω_ｇの積分値に基づいて推定される角度の時間的な変化を示す。破線Ｌ１０は、実際の第１部分１１に対する第２部分１２の角度の時間的な変化を示す。実線Ｌ１３は、推定部１１４が、差分ｄｉｆｆに応じて推定に用いるセンサを切り替えた場合の推定結果に対応する角度の時間的な変化を示す。

【0048】

閉じた状態の折り畳み端末１０が開き始め、時間ｔ１に達するまでは、差分ｄｉｆｆは閾値ｔｈより小さい。すなわち、ヒステリシスの影響は小さい。そのため、推定部１１４は、参照テーブルを参照して、磁気センサ３０の測定値ｍに対応する角度θ_ｍを特定することで、第１部分１１に対する第２部分１２の角度を推定する。時間ｔ１を経過すると、差分ｄｉｆｆが閾値ｔｈ以上になる。そのため、推定部１１４は、前回の推定結果である前回の角度θ_ｔ－１に、ジャイロセンサ４０により測定された今回の角度変化量Δθ_ｔを加算して今回の角度θ_ｇを導出することで、第１部分１１に対する第２部分１２の角度を推定する。その後、時間ｔ２に達すると再び、差分ｄｉｆｆは閾値ｔｈより小さくなる。そのため、推定部１１４は、再び、参照テーブルを参照して、磁気センサ３０の測定値ｍに対応する角度θ_ｍを特定することで、第１部分１１に対する第２部分１２の角度を推定する。このように、推定部１１４が、差分ｄｉｆｆに応じて推定に用いるセンサを切り替えた場合、磁気センサ３０だけを用いた場合、またはジャイロセンサ４０だけを用いた場合に比べて、より精度よく第１部分１１に対する第２部分１２の角度を推定できる。

【0049】

図１１Ａ及び図１１Ｂは、磁気センサ３０のみを用いて推定部１１４が第１部分１１に対する第２部分１２の角度を推定した場合のシミュレーション結果の一例を示す。図１１Ａは、推定部１１４で推定されるべき角度の期待値と、推定部１１４で推定された角度との時間的な変化を示す。図１１Ｂは、期待値と推定された角度との角度誤差の時間的な変化を示す。

【0050】

図１２Ａ及び図１２Ｂは、推定部１１４が差分ｄｉｆｆに応じて推定に用いるセンサを切り替えて第１部分１１に対する第２部分１２の角度を推定した場合のシミュレーション結果の一例を示す。図１２Ａは、推定部１１４で推定されるべき角度の期待値と、推定部１１４で推定された角度との時間的な変化を示す。図１２Ｂは、期待値と推定された角度との角度誤差の時間的な変化を示す。

【0051】

図１１Ｂと図１２Ｂとを比較するとわかる通り、推定部１１４が差分ｄｉｆｆに応じて推定に用いるセンサを切り替えることで、角度誤差を抑制できる。

【0052】

ここで、推定部１１４が、ヒステリシスを有する角度範囲で長時間、ジャイロセンサ４０の測定値ω_ｇのみに基づいて第１部分１１に対する第２部分１２の角度を推定する場合、積分値の誤差が蓄積され、角度誤差が大きくなり、推定部１１４の推定の精度が再び悪化する可能性がある。

【0053】

そこで、推定部１１４は、差分ｄｉｆｆが閾値ｔｈより小さい状態から閾値ｔｈ以上の状態になってジャイロセンサ４０の測定値ω_ｇに基づく第１部分１１に対する第２部分１２の姿勢の推定を開始した推定開始時点から予め定められた期間経過するまでの間、差分ｄｉｆｆが閾値ｔｈ以上の場合には、測定値ω_ｇに基づく第１部分１１に対する第２部分１２の姿勢の推定を継続する。推定部１１４は、推定開始時点から予め定められた期間経過した後、差分ｄｉｆｆが依然として閾値ｔｈ以上の状態の場合には、磁気センサ３０の測定値ｍに基づく第１部分１１に対する第２部分１２の姿勢の推定に切り替える。これにより、ヒステリシスを有する角度範囲で長時間、ジャイロセンサ４０の測定値ω_ｇのみに基づいて第１部分１１に対する第２部分１２の角度を推定した場合に生じる角度誤差の増大を防ぐことができる。

【0054】

図１３は、推定部１１４が角度の推定を行う手順の一例を示すフローチャートである。導出部１１２が、磁気センサ３０の測定値ｍ（μＴ）を磁場の強さから参照テーブルに従って角度θ_ｍ（度）に変換する（Ｓ１００）。角度θ_ｍは、測定値ｍに基づく第１値の一例である。また、角度θ_ｍは、測定値ｍを角度に変換した値に基づく第１値の一例である。また、導出部１１２は、ジャイロセンサ４０により測定された測定値ω_ｇ（ｒａｄ／ｓ）を積分することで角度の変化量Δθ_ｇ（度）を導出する（Ｓ１０１）。導出部１１２は、推定部１１４により推定された前回の角度θ_ｔ－１（度）に、ジャイロセンサ４０により測定された測定値ω_ｇ（ｒａｄ／ｓ）を積分することで得られる角度の変化量Δθ_ｇ（度）を加算することで、ジャイロセンサ４０の測定値ω_ｇ（ｒａｄ／ｓ）に基づく角度θ_ｇ（度）を導出する（Ｓ１０２）。角度θ_ｇは、測定値ω_ｇに基づく第２値の一例である。また、角度θ_ｇは、測定値ω_ｇを積分した値に基づく第２値の一例である。また、角度θ_ｇは、推定部１１４の推定結果に基づく値に基づく第２値の一例である。

【0055】

次いで、導出部１１２は、角度θ_ｍと角度θ_ｇとの差分ｄｉｆｆを導出する（Ｓ１０４）。推定部１１４は、差分ｄｉｆｆが閾値ｔｈ以上か否かを判定する（Ｓ１０６）。

【0056】

推定部１１４は、θ_ｔ＝ＩＤ×θ_ｍ＋（１－ＩＤ）×θ_ｇに従って、第１部分１１に対する第２部分１２の角度θ_ｔを推定する。ＩＤは、実数である。ＩＤ×θ_ｍは、差分ｄｉｆに基づく第１の重み付けの測定値ｍの一例である。（１－ＩＤ）×θ_ｇは、差分ｄｉｆｆに基づく第２の重み付けの測定値ω_ｇの一例である。差分ｄｉｆｆが閾値ｔｈ以上である場合、推定部１１４は、第１部分１１に対する第２部分１２の角度がヒステリシス領域内であると判断し、ＩＤ＝０とする（Ｓ１０８）。よって、推定部１１４は、ジャイロセンサ４０の測定値ω_ｇに基づく角度θ_ｇを第１部分１１に対する第２部分１２の今回の角度θ_ｔ（度）として推定する（Ｓ１１０）。

【0057】

差分ｄｉｆｆが閾値ｔｈより小さい場合、推定部１１４は、第１部分１１に対する第２部分１２の角度がヒステリシス領域外であると判断し、ＩＤ＝１とする（Ｓ１１２）。よって、推定部１１４は、磁気センサ３０の測定値ｍに基づく角度θ_ｍを第１部分１１に対する第２部分１２の今回の角度θ_ｔとして推定する（Ｓ１１４）。

【0058】

以上のとおり、上記の手順によれば、推定部１１４は、角度がヒステリシス領域内であれば、ジャイロセンサ４０の測定値ω_ｇに基づく角度θ_ｇで、第１部分１１に対する第２部分１２の角度θ_ｔを推定する。一方、推定部１１４は、角度がヒステリシス領域外であれば、磁気センサ３０の測定値ｍに基づく角度θ_ｍで、第１部分１１に対する第２部分１２の角度θ_ｔを推定する。これにより、推定部１１４は、磁場のヒステリシスによる影響をジャイロセンサにより低減し、ジャイロの積分誤差の影響を磁気センサにより低減することで、ヒステリシス及び積分誤差の影響を避けて、精度よく第１部分１１に対する第２部分１２の角度θ_ｔを推定できる。

【0059】

図１４は、導出部１１２が差分ｄｉｆｆを導出する手順の他の例を示すフローチャートである。差分ｄｉｆｆの単位が、磁場の強さ（μＴ）である点で、差分ｄｉｆｆの単位が（度）である図１３の手順と異なる。

【0060】

導出部１１２は、ジャイロセンサ４０により測定された測定値ω_ｇ（ｒａｄ／ｓ）を積分することで角度の変化量Δθ_ｇ（度）を導出する（Ｓ１０１ａ）。導出部１１２は、ジャイロセンサ４０の測定値ω_ｇ（ｒａｄ／ｓ）を積分することで得られる角度の変化量Δθ_ｇ（度）に、推定部１１４により推定された前回の角度θ_ｔ－１（度）を加算することで、ジャイロセンサ４０の測定値ω_ｇ（ｒａｄ／ｓ）に基づく角度θ_ｇ（度）を導出する（Ｓ１０２ａ）。さらに、導出部１１２は、参照テーブルを参照して、角度θ_ｇ（度）を磁場の強さｍ_ｇ（μＴ）に変換する（Ｓ１０３ａ）。磁場の強さｍ_ｇは、測定値ω_ｇに基づく第２値の一例である。また、磁場の強さｍ_ｇは、測定値ω_ｇを積分した値に基づく第２値の一例である。また、磁場の強さｍ_ｇは、推定部１１４の推定結果に基づく値に基づく第２値の一例である。また、磁場の強さｍ_ｇは、測定値ω_ｇを磁場に変換した値に基づく第２値の一例である。次いで、導出部１１２は、磁気センサ３０により測定された測定値ｍ（μＴ）に相当する磁場の強さｍ（μＴ）と、ジャイロセンサ４０の測定値ω_ｇ（ｒａｄ／ｓ）に基づく磁場の強さｍ_ｇ（μＴ）との差分を差分ｄｉｆｆとして導出する（Ｓ１０４ａ）。磁場の強さｍは、測定値ｍに基づく第１値の一例である。以下の手順は、図１３に示すステップＳ１０６以降と同じでよい。

【0061】

図１５は、導出部１１２が差分ｄｉｆｆを導出する手順の他の例を示すフローチャートである。差分ｄｉｆｆの単位が、角速度（ｒａｄ/ｓ）である点で、差分ｄｉｆｆの単位が（度）である図１３、磁場の強さ（μＴ）である図１４の手順と異なる。なお、角速度の単位は、ｒａｄ／ｓではなく、角度／ｓでもよい。

【0062】

導出部１１２は、磁気センサ３０の測定値ｍ（μＴ）を参照テーブルに従って角度θ_ｍ（度）に変換する（Ｓ１００ｂ）。さらに、導出部１１２は、角度θ_ｍ（度）から推定部１１４により推定された前回の角度θ_ｔ－１（度）を減算することでΔθ_ｍ（度）を導出する（Ｓ１０１ｂ）。導出部１１２は、（Δθ_ｍ／Δｔ）×（π／１８０）を導出することで、磁気センサ３０の測定値ｍに基づく角速度ω_ｍ（ｒａｄ／ｓ）を導出する（Ｓ１０２ｂ）。角速度ω_ｍは、測定値ｍに基づく第１値の一例である。角速度ω_ｍは、測定値ｍに基づく第１値の一例である。また、角速度ω_ｍは、推定部１１４の推定結果に基づく値に基づく第１値の一例である。また、角速度ω_ｍは、測定値ｍを角速度に変換した値に基づく第１値の一例である。また、角速度ω_ｍは、測定値ｍを角度に変換した値に基づく第１値の一例である。続いて、導出部１１２は、磁気センサ３０の測定値ｍに基づく角速度ω_ｍ（ｒａｄ／ｓ）と、磁気センサ３０の測定値（角速度）ω_ｇ（ｒａｄ／ｓ）との差分を差分ｄｉｆｆとして導出する（Ｓ１０４ｂ）。角速度ω_ｍは、測定値ω_ｇに基づく第２値の一例である。以下の手順は、図１３に示すステップＳ１０６以降と同じでよい。

【0063】

図１６は、推定部１１４が角度の推定を行う手順の他の一例を示すフローチャートである。

【0064】

導出部１１２は、ジャイロセンサ４０により測定された測定値ω_ｇ（ｒａｄ／ｓ）を積分することで角度の変化量Δθ_ｇ（度）を導出する（Ｓ２００）。導出部１１２は、ジャイロセンサ４０の測定値ω_ｇ（ｒａｄ／ｓ）を積分することで得られる角度の変化量Δθ_ｇ（度）に、推定部１１４により推定された前回の角度θ_ｔ－１（度）を加算することで、ジャイロセンサ４０の測定値ω_ｇに基づく予測角度θ_ｐｒｅｄ（度）を導出する（Ｓ２０１）。さらに、導出部１１２は、予測角度θ_ｐｒｅｄ（度）を参照テーブルに従って予測の磁場の強さｍ_ｐｒｅｄ（μＴ）に変換する（Ｓ２０２）。磁場の強さｍ_ｐｒｅｄは、測定値ω_ｇに基づく第２値の一例である。また、磁場の強さｍ_ｐｒｅｄは、測定値ω_ｇを積分した値に基づく第２値の一例である。また、磁場の強さｍ_ｐｒｅｄは、推定部１１４による推定結果に基づく値に基づく第２値の一例である。また、磁場の強さｍ_ｐｒｅｄは、測定値ω_ｇを磁場に変換した値に基づく第２値の一例である。次いで、導出部１１２は、磁気センサ３０の測定値ｍ（μＴ）と、ジャイロセンサ４０の測定値ω_ｇ（ｒａｄ／ｓ）に基づく予測の磁場の強さｍ_ｐｒｅｄ（μＴ）との差分を差分ｄｉｆｆとして導出する（Ｓ２０４）。測定値ｍは、測定値ｍに基づく第１値の一例である。

【0065】

導出部１１２は、差分ｄｉｆｆ（μＴ）に基づき、予測角度θ_ｐｒｅｄを補正するための補正量を導出するための重み付けＩＤ（度／μＴ）を予め定められた関数ｆ（ｄｉｆｆ）＝ＩＤに従って、導出する（Ｓ２０６）。ＩＤは、実数である。導出部１１２は、差分ｄｉｆｆ（μＴ）にＩＤ（度／μＴ）を乗算することで、補正量θ_ｃｏｒｒ（度）を導出する（Ｓ２０８）。推定部１１４は、予測角度θ_ｐｒｅｄ（度）に補正量θ_ｃｏｒｒ（度）を加算することで補正して、第１部分１１に対する第２部分１２の今回の角度θ_ｔ（度）として推定する（Ｓ２１０）。予め定められた関数ｆ（ｄｉｆｆ）は、差分ｄｉｆｆが大きくなることに対応して、ＩＤ（μＴ）が小さくなるような関数である。

【0066】

以上の手順により、推定部１１４は、磁気センサ３０の測定値ω_ｇに基づく予測角度θ_ｐｒｅｄを、差分ｄｉｆｆの大きさに基づく補正量θ_ｃｏｒｒで補正して、角度θ_ｔを推定する。これにより、磁場のヒステリシスによる影響をジャイロセンサ４０により低減し、ジャイロ４０の積分誤差の影響を磁気センサ３０により低減することで、推定部１１４は、ヒステリシスの影響または積分誤差の影響を抑えて、精度よく第１部分１１に対する第２部分１２の角度θ_ｔを推定できる。

【0067】

図１７は、推定部１１４が角度の推定を行う手順の他の一例を示すフローチャートである。

【0068】

導出部１１２は、磁気センサ３０の測定値ｍ（μＴ）を参照テーブルに従って角度θ_ｍ（度）に変換する（Ｓ３００）。また、導出部１１２は、ジャイロセンサ４０により測定された測定値ω_ｇ（ｒａｄ／ｓ）を積分することで角度の変化量Δθ_ｇ（度）を導出する（Ｓ３０１）。角度の変化量Δθ_ｇは、測定値ω_ｇに基づく第２値の一例である。また、角度の変化量Δθ_ｇは、測定値ω_ｇを積分した値に基づく第２値の一例である。導出部１１２は、角度θ_ｍ（度）から推定部１１４により推定された前回の角度θ_ｔ－１（度）を減算して、磁気センサ３０の測定値ｍ（度）に基づく角度の変化量Δθ_ｍ（度）を導出する（Ｓ３０２）。変化量Δθ_ｍは、測定値ｍに基づく第１値の一例である。また、変化量Δθ_ｍは、推定部１１４による推定結果に基づく値に基づく第１値の一例である。また、変化量Δθ_ｍは、測定値ｍを角速度に変換した値に基づく第１値の一例である。また、変化量Δθ_ｍは、測定値ｍを角度に変換した値に基づく第１値の一例である。導出部１１２は、磁気センサ３０の測定値ｍ（μＴ）に基づく角度の変化量Δθ_ｍ（度）と、ジャイロセンサ４０の測定値ω_ｇ（ｒａｄ／ｓ）を積分することで得られる角度の変化量Δθ_ｇ（度）との差分を差分ｄｉｆｆとして算出する。

【0069】

導出部１１２は、予め定められた関数ｆ（ｄｉｆｆ）＝ＩＤに従って角度の変化量Δθ（度）を導出するための重み付けを導出する（Ｓ３０６）。推定部１１４は、Δθ＝ＩＤ×Δθ_ｍ＋（１－ＩＤ）×Δθ_ｇに従って、角度の変化量Δθ（度）を導出する（Ｓ３０８）。予め定められた関数ｆ（ｄｉｆｆ）は、差分ｄｉｆｆが大きくなることに対応して、ＩＤが小さくなるような関数である。ＩＤは、実数である。

【0070】

推定部１１４は、角度θ_ｍ（度）から推定部１１４により推定された前回の角度θ_ｔ－１（度）に角度の変化量Δθ（度）を加算することで、第１部分１１に対する第２部分１２の今回の角度θ_ｔ（度）を推定する（Ｓ３１０）。

【0071】

以上の手順により、推定部１１４は、差分ｄｉｆｆに基づく重み付けで、磁気センサ３０の測定値ｍに基づく角度の変化量Δθ_ｍと、ジャイロセンサ４０の測定値ω_ｇに基づく角度の変化量Δθ_ｇとをそれぞれ重み付けてして、角度θ_ｔを推定する。これにより、推定部１１４は、磁場のヒステリシスによる影響をジャイロセンサ４０により低減し、ジャイロ４０の積分誤差の影響を磁気センサ３０により低減することで、ヒステリシスの影響または積分誤差の影響を抑えて、精度よく第１部分１１に対する第２部分１２の角度θ_ｔを推定できる。

【0072】

なお、本実施形態では、推定部１１４は、第１部分１１に対する第２部分１２の姿勢（角度）を推定する例について説明する。しかし、推定部１１４は、第１部分１１に対する第２部分１２の位置を推定してもよい。

【0073】

図１８Ａ及び図１８Ｂは、推定部１１４が第１部分１１に対する第２部分１２の位置を推定する装置１０Ａの一例を示す。装置１０Ａは、ディスプレイの表示画面が伸び縮みするローラブルスマートフォンである。第２部分１２は、第１部分１１に対してＸ軸の方向に沿って移動する。第１部分及び第２部分１２は、表示部を構成してよい。第２部分１２は、第１部分１１に対して図１８Ａに示す第１状態（縮んだ状態）から、図１８Ｂに示す第２状態（伸びた状態）まで、Ｘ軸の方向に沿って移動してよい。これにより、表示画面５０のＸ方向の幅が伸び縮みする。表示画面５０は、例えば、Ｙ軸に沿った回転軸を中心に巻き取り可能な有機ＥＬディスプレイなど薄型のディスプレイでよい。

【0074】

このような装置１０Ａの場合、ジャイロセンサ４０は、回転軸に設けて、第２部分１２が第１部分１１に対してＸ軸方向に移動することに応じて、回転軸とともにＹ軸方向に沿った軸を中心に回転してよい。

【0075】

図１９は、本発明の複数の態様が全体的または部分的に具現化してよいコンピュータ１２００の一例を示す。コンピュータ１２００にインストールされたプログラムは、コンピュータ１２００に、本発明の実施形態に係る装置に関連付けられるオペレーションまたは当該装置の１または複数の「部」として機能させることができる。または、当該プログラムは、コンピュータ１２００に当該オペレーションまたは当該１または複数の「部」を実行させることができる。当該プログラムは、コンピュータ１２００に、本発明の実施形態に係るプロセスまたは当該プロセスの段階を実行させることができる。そのようなプログラムは、コンピュータ１２００に、本明細書に記載のフローチャート及びブロック図のブロックのうちのいくつかまたは全てに関連付けられた特定のオペレーションを実行させるべく、ＣＰＵ１２１２によって実行されてよい。

【0076】

本実施形態によるコンピュータ１２００は、ＣＰＵ１２１２、及びＲＡＭ１２１４を含み、それらはホストコントローラ１２１０によって相互に接続されている。コンピュータ１２００はまた、通信インタフェース１２２２、入力／出力ユニットを含み、それらは入力／出力コントローラ１２２０を介してホストコントローラ１２１０に接続されている。コンピュータ１２００はまた、ＲＯＭ１２３０を含む。ＣＰＵ１２１２は、ＲＯＭ１２３０及びＲＡＭ１２１４内に格納されたプログラムに従い動作し、それにより各ユニットを制御する。

【0077】

通信インタフェース１２２２は、ネットワークを介して他の電子デバイスと通信する。ハードディスクドライブが、コンピュータ１２００内のＣＰＵ１２１２によって使用されるプログラム及びデータを格納してよい。ＲＯＭ１２３０はその中に、アクティブ化時にコンピュータ１２００によって実行されるブートプログラム等、及び／またはコンピュータ１２００のハードウェアに依存するプログラムを格納する。プログラムが、ＣＤ－ＲＯＭ、ＵＳＢメモリまたはＩＣカードのようなコンピュータ可読記憶媒体またはネットワークを介して提供される。プログラムは、コンピュータ可読記憶媒体の例でもあるＲＡＭ１２１４、またはＲＯＭ１２３０にインストールされ、ＣＰＵ１２１２によって実行される。これらのプログラム内に記述される情報処理は、コンピュータ１２００に読み取られ、プログラムと、上記様々なタイプのハードウェアリソースとの間の連携をもたらす。装置または方法が、コンピュータ１２００の使用に従い情報のオペレーションまたは処理を実現することによって構成されてよい。

【0078】

例えば、通信がコンピュータ１２００及び外部デバイス間で実行される場合、ＣＰＵ１２１２は、ＲＡＭ１２１４にロードされた通信プログラムを実行し、通信プログラムに記述された処理に基づいて、通信インタフェース１２２２に対し、通信処理を命令してよい。通信インタフェース１２２２は、ＣＰＵ１２１２の制御の下、ＲＡＭ１２１４、またはＵＳＢメモリのような記憶媒体内に提供される送信バッファ領域に格納された送信データを読み取り、読み取られた送信データをネットワークに送信し、またはネットワークから受信した受信データを記憶媒体上に提供される受信バッファ領域等に書き込む。

【0079】

また、ＣＰＵ１２１２は、ＵＳＢメモリ等のような外部記憶媒体に格納されたファイルまたはデータベースの全部または必要な部分がＲＡＭ１２１４に読み取られるようにし、ＲＡＭ１２１４上のデータに対し様々なタイプの処理を実行してよい。ＣＰＵ１２１２は次に、処理されたデータを外部記憶媒体にライトバックしてよい。

【0080】

様々なタイプのプログラム、データ、テーブル、及びデータベースのような様々なタイプの情報が記憶媒体に格納され、情報処理を受けてよい。ＣＰＵ１２１２は、ＲＡＭ１２１４から読み取られたデータに対し、本開示の随所に記載され、プログラムの命令シーケンスによって指定される様々なタイプのオペレーション、情報処理、条件判断、条件分岐、無条件分岐、情報の検索／置換等を含む、様々なタイプの処理を実行してよく、結果をＲＡＭ１２１４に対しライトバックする。また、ＣＰＵ１２１２は、記憶媒体内のファイル、データベース等における情報を検索してよい。例えば、各々が第２の属性の属性値に関連付けられた第１の属性の属性値を有する複数のエントリが記憶媒体内に格納される場合、ＣＰＵ１２１２は、第１の属性の属性値が指定される、条件に一致するエントリを当該複数のエントリの中から検索し、当該エントリ内に格納された第２の属性の属性値を読み取り、それにより予め定められた条件を満たす第１の属性に関連付けられた第２の属性の属性値を取得してよい。

【0081】

上で説明したプログラムまたはソフトウェアモジュールは、コンピュータ１２００上またはコンピュータ１２００近傍のコンピュータ可読記憶媒体に格納されてよい。また、専用通信ネットワークまたはインターネットに接続されたサーバーシステム内に提供されるハードディスクまたはＲＡＭのような記憶媒体が、コンピュータ可読記憶媒体として使用可能であり、それによりプログラムを、ネットワークを介してコンピュータ１２００に提供する。

【0082】

コンピュータ可読媒体は、適切なデバイスによって実行される命令を格納可能な任意の有形なデバイスを含んでよい。その結果、そこに格納される命令を有するコンピュータ可読媒体は、フローチャートまたはブロック図で指定された操作を実行するための手段を作成すべく実行され得る命令を含む、製品を備えることになる。コンピュータ可読媒体の例としては、電子記憶媒体、磁気記憶媒体、光記憶媒体、電磁記憶媒体、半導体記憶媒体等が含まれてよい。コンピュータ可読媒体のより具体的な例としては、フロッピー（登録商標）ディスク、ディスケット、ハードディスク、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、リードオンリメモリ（ＲＯＭ）、消去可能プログラマブルリードオンリメモリ（ＥＰＲＯＭまたはフラッシュメモリ）、電気的消去可能プログラマブルリードオンリメモリ（ＥＥＰＲＯＭ）、静的ランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）、コンパクトディスクリードオンリメモリ（ＣＤ-ＲＯＭ）、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）、ブルーレイ（ＲＴＭ）ディスク、メモリスティック、集積回路カード等が含まれてよい。

【0083】

コンピュータ可読命令は、１または複数のプログラミング言語の任意の組み合わせで記述されたソースコードまたはオブジェクトコードの何れかを含んでよい。ソースコードまたはオブジェクトコードは、従来の手続型プログラミング言語を含む。従来の手続型プログラミング言語は、アセンブラ命令、命令セットアーキテクチャ（ＩＳＡ）命令、マシン命令、マシン依存命令、マイクロコード、ファームウェア命令、状態設定データ、またはＳｍａｌｌｔａｌｋ（登録商標）、ＪＡＶＡ（登録商標）、Ｃ＋＋等のようなオブジェクト指向プログラミング言語、及び「Ｃ」プログラミング言語または同様のプログラミング言語でよい。コンピュータ可読命令は、汎用コンピュータ、特殊目的のコンピュータ、若しくは他のプログラム可能なデータ処理装置のプロセッサまたはプログラマブル回路に対し、ローカルにまたはローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、インターネット等のようなワイドエリアネットワーク（ＷＡＮ）を介して提供されてよい。プロセッサまたはプログラマブル回路は、フローチャートまたはブロック図で指定された操作を実行するための手段を作成すべく、コンピュータ可読命令を実行してよい。プロセッサの例としては、コンピュータプロセッサ、処理ユニット、マイクロプロセッサ、デジタル信号プロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ等を含む。

【0084】

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。

【0085】

特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。

【符号の説明】

【0086】

１０ 端末
１０Ａ 装置
１１ 第１部分
１２ 第２部分
１４ ディスプレイ
１６ ヒンジ機構
１８ 回転軸
２０ 磁石部
３０ 磁気センサ
４０ ジャイロセンサ
５０ 表示画面
５０ａ 加速度センサ
１００ 推定装置
１１０ 制御部
１１２ 導出部
１１４ 推定部
１２０ 記憶部
１３０ 通信Ｉ／Ｆ
１２００ コンピュータ
１２１０ ホストコントローラ
１２１２ ＣＰＵ
１２１４ ＲＡＭ
１２２０ 入力／出力コントローラ
１２２２ 通信インタフェース
１２３０ ＲＯＭ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11A】

【図11B】

【図12A】

【図12B】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18A】

【図18B】

【図19】