特開 2024-171862 ウェーハの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024171862

(43)【公開日】2024-12-12

(54)【発明の名称】ウェーハの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20241205BHJP

   B23K 26/53 20140101ALI20241205BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 611Z

B23K26/53

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023089125

(22)【出願日】2023-05-30

(71)【出願人】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】100075384

【弁理士】

【氏名又は名称】松本 昂

(74)【代理人】

【識別番号】100172281

【弁理士】

【氏名又は名称】岡本 知広

(74)【代理人】

【識別番号】100206553

【弁理士】

【氏名又は名称】笠原 崇廣

(74)【代理人】

【識別番号】100189773

【弁理士】

【氏名又は名称】岡本 英哲

(74)【代理人】

【識別番号】100184055

【弁理士】

【氏名又は名称】岡野 貴之

(74)【代理人】

【識別番号】100185959

【弁理士】

【氏名又は名称】今藤 敏和

(72)【発明者】

【氏名】森 一輝

【テーマコード（参考）】

4E168

5F057

【Ｆターム（参考）】

4E168AE01

4E168CB07

4E168DA02

4E168DA24

4E168DA43

4E168HA01

4E168JA13

5F057AA42

5F057BA01

5F057BB09

5F057CA02

5F057DA19

5F057DA20

5F057DA22

5F057DA26

5F057DA31

5F057EB26

5F057FA13

(57)【要約】

【課題】剥離層を形成する際に各々線状であり互いに平行に配置された複数の第１改質層の間の各々に第２改質層を形成する場合に比べて、被加工物における材料の損失を低減する。
【解決手段】被加工物を透過する波長を有するパルス状のレーザービームの集光点を被加工物の所定の深さに位置付けて、被加工物の厚さ方向と直交する第１方向に沿って被加工物とレーザービームの集光点とを相対的に移動させる加工送りと、被加工物と集光レンズとを厚さ方向及び第１方向に直交する第２方向に沿って相対的に移動させる割り出し送りと、を交互に繰り返すことで、複数の剥離層を形成する剥離層形成工程と、剥離層形成工程で形成された複数の剥離層のうち少なくとも１つの剥離層における改質層にレーザービームを照射するクラック進展工程と、複数の剥離層を起点として被加工物からウェーハを剥離する剥離工程と、を備えるウェーハの製造方法を提供する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

インゴット又は単結晶基板である被加工物から該被加工物の厚さ未満の厚さを有するウェーハを製造するウェーハの製造方法であって、
該被加工物を透過する波長を有するパルス状のレーザービームの集光点が該被加工物の所定の深さに位置する様に、該レーザービームを集光する集光レンズを所定の高さ位置に調整した状態で、該被加工物の厚さ方向と直交する第１方向に沿って該被加工物と該レーザービームの集光点とを相対的に移動させる加工送りと、該被加工物と該集光レンズとを該厚さ方向及び該第１方向とそれぞれ直交する第２方向に沿って相対的に移動させる割り出し送りと、を交互に繰り返すことで、該被加工物の内部において該第１方向に沿って延在する改質層と、該改質層から進展するクラックと、をそれぞれ含む複数の剥離層を形成する剥離層形成工程と、
該剥離層形成工程で形成された該複数の剥離層のうち少なくとも１つの剥離層における改質層の長手方向に沿って該少なくとも１つの剥離層における改質層に該レーザービームを照射することで、該少なくとも１つの剥離層における改質層から進展しているクラックの更なる進展と、該少なくとも１つの剥離層における改質層からの新たなクラックの進展と、の一方又は両方を行わせるクラック進展工程と、
該複数の剥離層を起点として該被加工物から該ウェーハを剥離する剥離工程と、を備えることを特徴とするウェーハの製造方法。

【請求項2】

該クラック進展工程では、該第２方向に並んでいる複数の剥離層のうち所定本数おきの各剥離層における改質層に該レーザービームを照射することを特徴とする請求項１に記載のウェーハの製造方法。

【請求項3】

該クラック進展工程では、該レーザービームの照射が省略された改質層が無い様に該第２方向で連続する第１本数の各剥離層における改質層に該レーザービームを照射する照射工程と、該第２方向で連続する該第１本数の剥離層に該第２方向で隣接する第２本数の各剥離層における改質層に対しては該レーザービームの照射を省略する非照射工程と、を該第２方向で繰り返すことを特徴とする請求項１に記載のウェーハの製造方法。

【請求項4】

該クラック進展工程では、該剥離層形成工程において該被加工物に照射する該レーザービームの出力以下の出力を有する該レーザービームを該被加工物に照射することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のウェーハの製造方法。

【請求項5】

該クラック進展工程では、該剥離層形成工程における該レーザービームの集光点の高さ位置と同じ高さ位置に該レーザービームの集光点の高さ位置を調整した上で、該被加工物に該レーザービームを照射することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のウェーハの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、インゴット又は単結晶基板である被加工物から該被加工物の厚さ未満の厚さを有するウェーハを製造するウェーハの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

炭化ケイ素（以下、ＳｉＣ）等の化合物半導体のインゴットからウェーハを切り出す手段としてワイヤーソーが知られている（例えば、特許文献１参照）。しかし、インゴットから切り出されるウェーハの厚さに対してワイヤーソーの切り代は比較的大きい。更に、切り出されたウェーハの表面を平坦化するために、ラッピング等を行う必要もある。

【0003】

この様に、ワイヤーソーを用いる場合、インゴットにおいてウェーハとなる体積に対して廃棄される体積が比較的多いので、ワイヤーソーを用いたインゴットからウェーハの切り出しは、生産性が比較的低いという問題がある。

【0004】

これに対して、ウェーハの生産性を向上させるために、化合物半導体のインゴットを透過する波長を有するパルス状のレーザービームを用いてインゴットの内部の所定深さに機械的強度が脆弱な剥離層を複数形成した後、当該複数の剥離層を起点としてインゴットからウェーハを剥離する手法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。

【0005】

具体的には、まず、レーザービームの集光点をインゴットの内部の所定深さに位置付けた状態で、当該集光点に対してインゴットをインゴットの厚さ方向と直交する加工送り方向に沿って相対的に移動させることで、改質層と、改質層を起点に延伸するクラックと、を含む１つの剥離層をインゴットの内部に形成する。

【0006】

この１つの剥離層を形成した後、加工送り方向及びインゴットの厚さ方向と直交する割り出し送り方向に沿って所定距離だけインゴットを移動させる。そして、集光点に対してインゴットを再度加工送りすることで、同様に、剥離層を形成する。

【0007】

この様にして、複数の剥離層を形成した後、複数の剥離層を起点にインゴットからウェーハを剥離する。次いで、複数の剥離層にそれぞれ接するウェーハの剥離面とインゴットの被剥離面とに残存する凹凸を、研削、研磨等により除去する。

【0008】

剥離層の厚さは、ワイヤーソーの切り代に比べて薄く、また、剥離後のラッピングも不要であるので、レーザービームを利用して化合物半導体のインゴットからウェーハを剥離する場合、ワイヤーソーを用いる場合に比べて、廃棄されるインゴットの体積（即ち、材料の損失）を低減できる。

【0009】

しかし、インゴット、単結晶基板等の被加工物からウェーハを剥離する際における更なる材料の損失の低減が求められている。レーザー加工における被加工物の材料の損失は、主として、被加工物の厚さ方向に進展して形成されたクラックの長さに応じて増加する。

【0010】

被加工物に照射されるレーザービームの平均出力が高いほど、改質層が形成され易いが、その反面、クラックが被加工物の厚さ方向に進展し易くなる（即ち、レーザービームによるダメージが高くなる）。

【0011】

そこで、材料の損失を低減する加工方法として、レーザービームの平均出力を低減し、その代わりに、割り出し送り方向における改質層の間隔を狭くすることが検討されている（例えば、特許文献３参照）。

【0012】

特許文献３に記載のレーザー加工方法では、まず、インゴットの内部の所定深さ位置に各々線状であり互いに平行に配置された複数の第１改質層を形成し、次に、各第１改質層の間に線状の第２改質層を形成する。

【0013】

しかし、当該加工方法では、第２改質層を形成する際に、２つの第１改質層をつなぐ様に形成されているクラックによってレーザービームが反射されて、ウェーハとなる領域がこの反射光によりダメージを受けることで、かえって材料の損失が増加する場合がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0014】

【特許文献1】特開平９－２６２８２６号公報

【特許文献2】特開２０１６－１１１１４３号公報

【特許文献3】特表２０２２－５１７５４３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0015】

本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、剥離層を形成する際に各々線状であり互いに平行に配置された複数の第１改質層の間の各々に第２改質層を形成する場合に比べて、被加工物における材料の損失を低減することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0016】

本発明の一態様によれば、インゴット又は単結晶基板である被加工物から該被加工物の厚さ未満の厚さを有するウェーハを製造するウェーハの製造方法であって、該被加工物を透過する波長を有するパルス状のレーザービームの集光点が該被加工物の所定の深さに位置する様に、該レーザービームを集光する集光レンズを所定の高さ位置に調整した状態で、該被加工物の厚さ方向と直交する第１方向に沿って該被加工物と該レーザービームの集光点とを相対的に移動させる加工送りと、該被加工物と該集光レンズとを該厚さ方向及び該第１方向とそれぞれ直交する第２方向に沿って相対的に移動させる割り出し送りと、を交互に繰り返すことで、該被加工物の内部において該第１方向に沿って延在する改質層と、該改質層から進展するクラックと、をそれぞれ含む複数の剥離層を形成する剥離層形成工程と、該剥離層形成工程で形成された該複数の剥離層のうち少なくとも１つの剥離層における改質層の長手方向に沿って該少なくとも１つの剥離層における改質層に該レーザービームを照射することで、該少なくとも１つの剥離層における改質層から進展しているクラックの更なる進展と、該少なくとも１つの剥離層における改質層からの新たなクラックの進展と、の一方又は両方を行わせるクラック進展工程と、該複数の剥離層を起点として該被加工物から該ウェーハを剥離する剥離工程と、を備えるウェーハの製造方法が提供される。

【0017】

好ましくは、該クラック進展工程では、該第２方向に並んでいる複数の剥離層のうち所定本数おきの各剥離層における改質層に該レーザービームを照射する。

【0018】

また、好ましくは、該クラック進展工程では、該レーザービームの照射が省略された改質層が無い様に該第２方向で連続する第１本数の各剥離層における改質層に該レーザービームを照射する照射工程と、該第２方向で連続する該第１本数の剥離層に該第２方向で隣接する第２本数の各剥離層における改質層に対しては該レーザービームの照射を省略する非照射工程と、を該第２方向で繰り返す。

【0019】

また、好ましくは、該クラック進展工程では、該剥離層形成工程において該被加工物に照射する該レーザービームの出力以下の出力を有する該レーザービームを該被加工物に照射する。

【0020】

また、好ましくは、該クラック進展工程では、該剥離層形成工程における該レーザービームの集光点の高さ位置と同じ高さ位置に該レーザービームの集光点の高さ位置を調整した上で、該被加工物に該レーザービームを照射する。

【発明の効果】

【0021】

本発明の一態様に係るウェーハの製造方法では、剥離層形成工程で形成された改質層に沿ってレーザービームを照射することで、当該改質層から進展しているクラックの更なる進展と、当該改質層からの新たなクラックの進展と、の一方又は両方を行わせる（クラック進展工程）。

【0022】

それゆえ、クラック進展工程では、２つの第１改質層の間にレーザービームを照射する際に２つの第１改質層の間に形成されているクラックによってレーザービームが反射されることが無いので、被加工物における材料の損失を低減できる。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1】ＳｉＣウェーハの製造方法のフロー図である。

【図2】図２（Ａ）はＳｉＣインゴットの平面図であり、図２（Ｂ）はＳｉＣインゴットの斜視図である。

【図3】レーザー加工装置の概要図である。

【図4】図４（Ａ）は剥離層形成工程の概要を示す平面図であり、図４（Ｂ）は剥離層形成工程で形成された複数の剥離層を示す平面図である。

【図5】クラック進展工程の一部を示す断面図である。

【図6】クラック進展工程の全体を示す平面図である。

【図7】図７（Ａ）はクラックが進展する様子を示す断面図であり、図７（Ｂ）はオフ角を有するＳｉＣインゴットにおいてクラックが進展する様子を示す断面図である。

【図8】図８（Ａ）は剥離工程の概要を示す図であり、図８（Ｂ）は剥離工程後のＳｉＣインゴット及びＳｉＣウェーハを示す図である。

【図9】クラックで反射されるレーザービームを示すＳｉＣインゴットの断面図である。

【図10】第１変形例に係るクラック進展工程を示す平面図である。

【図11】第２変形例に係るクラック進展工程を示す平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0024】

添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るＳｉＣウェーハ１１（図８（Ｂ）参照）の製造方法のフロー図である。図１に示す様に、本実施形態におけるＳｉＣウェーハ１１の製造方法では、保持工程Ｓ１０、剥離層形成工程Ｓ２０、クラック進展工程Ｓ３０及び剥離工程Ｓ４０を順に行う。

【0025】

まず、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）を参照し、ＳｉＣウェーハ１１を製造する際に使用されるＳｉＣインゴット（被加工物）１３について説明する。図２（Ａ）は、ＳｉＣインゴット１３の平面図であり、図２（Ｂ）は、ＳｉＣインゴット１３の斜視図である。

【0026】

ＳｉＣインゴット１３は、六方晶の結晶構造を有するＳｉＣの単結晶である。但し、ＳｉＣインゴット１３の導電型は、特段限定されない。ＳｉＣインゴット１３は、ｐ型であってもよく、ｎ型であってもよい。

【0027】

本実施形態のＳｉＣインゴット１３は、４インチ（約１００ｍｍ）の径と、５００μｍの厚さと、を有するが、径及び厚さはこの値に限定されない。ＳｉＣインゴット１３は、厚さ方向１３ｃにおいて反対側に位置する第１面１３ａ及び第２面１３ｂを有する。

【0028】

本実施形態のＳｉＣインゴット１３は、オフ角を有さない。本明細書では、ミラー・ブラベー指数を用いて、結晶面及び結晶方位を特定する。第１面１３ａは、（０００１）で表され、第２面１３ｂは、（０００－１）で表される。

【0029】

また、ＳｉＣインゴット１３の側部には、ＳｉＣウェーハ１１のオリエンテーションフラットとなる平坦面１３ｄが形成されている。本実施形態の平坦面１３ｄは、（－１１００）で表される。

【0030】

特定の結晶面は（）を用いて表現され、結晶構造の対照性に起因して互いに等価である結晶面は｛｝を用いて表現される。同様に、特定の結晶方位は［］を用いて表現され、互いに等価である結晶方位は〈〉を用いて表現される。なお、マイナスを伴う指数は、指数の上にバーが付された指数と等しい。

【0031】

図２（Ａ）に示す平面視において、平坦面１３ｄに対して直交する第１方向Ａ１は、［－１１００］と平行である。第１面１３ａと平坦面１３ｄとの交差により形成される直線と平行な第２方向Ａ２は、［１１－２０］と平行である。また、第１方向Ａ１及び第２方向Ａ２に直交する第３方向Ａ３（厚さ方向１３ｃ）は、［０００１］と平行である。

【0032】

但し、上述の様に、本実施形態のＳｉＣインゴット１３はオフ角を有さないので、第１方向Ａ１は、第３方向Ａ３と平行な＜０００１＞に直交する任意の方向であってもよい。この場合、第２方向Ａ２は、第１方向Ａ１及び第３方向Ａ３と直交する方向である。

【0033】

これに対して、ＳｉＣインゴット１３がオフ角を有する場合には、第１方向Ａ１は、オフ角が形成される方向（例えば、＜１１－２０＞）と＜０００１＞とに直交する方向（例えば、＜－１１００＞）に設定されるが、当該方向に対して±５°以内（例えば、＜－１１００＞±５°以内）に設定されてもよい。

【0034】

なお、ＳｉＣインゴット１３がオフ角を有する場合にオフ角が形成される方向とは、ＳｉＣインゴット１３の第１面１３ａの法線ベクトルと、ＳｉＣインゴット１３の［０００１］と、が成す所定平面内において、［０００１］と直交する方向と読み替えてもよい。

【0035】

次に、図３を参照し、ＳｉＣインゴット１３に対してレーザー加工を施すためのレーザー加工装置２について説明する。図３は、レーザー加工装置２の概要図である。図３では、複数の構成要素を、機能ブロックや簡略化された形状で示す。

【0036】

図３に示すＸ軸方向（加工送り方向）、Ｙ軸方向（割り出し送り方向）、及び、Ｚ軸方向（高さ方向）は、互いに直交している。後述する様に、Ｘ軸方向は、第１方向Ａ１と略平行に配置される。これに伴い、Ｙ軸方向は、第２方向Ａ２と略平行に配置され、Ｚ軸方向は、第３方向Ａ３及び厚さ方向１３ｃと略平行に配置される。

【0037】

なお、Ｘ軸方向は、互いに逆向きの＋Ｘ方向及び－Ｘ方向と平行である。同様に、Ｙ軸方向は、互いに逆向きの＋Ｙ方向及び－Ｙ方向と平行であり、Ｚ軸方向は、互いに逆向きの＋Ｚ方向及び－Ｚ方向と平行である。

【0038】

レーザー加工装置２は、円盤状のチャックテーブル４を有する。チャックテーブル４は、ステンレス鋼等の金属で形成された円盤状の枠体を有する。枠体の中央部には枠体の径よりも小径の円盤状の凹部（不図示）が形成されている。この凹部には、多孔質セラミックスで形成された円盤状の多孔質板（不図示）が固定されていている。

【0039】

枠体には、所定の流路（不図示）が形成されており、所定の流路には、管部（不図示）等を介して真空ポンプ等の吸引源（不図示）が接続されている。吸引源で生じた負圧が多孔質板に伝達されると、多孔質板の上面には負圧が生じる。

【0040】

枠体の環状の上面と、多孔質板の円形の上面とは、略面一且つ略平坦となっており、ＳｉＣインゴット１３を吸引保持するための保持面４ａとして機能する。保持面４ａは、ＸＹ平面と略平行に配置されている。

【0041】

チャックテーブル４の下部には、チャックテーブル４を回転させる回転駆動機構（不図示）が設けられている。回転駆動機構は、Ｚ軸方向に沿う所定の回転軸を回転中心としてチャックテーブル４を任意の角度回転させることができる。

【0042】

チャックテーブル４及び回転駆動機構は、水平方向移動機構（不図示）で支持されている。水平方向移動機構は、それぞれボールねじ式のＸ軸方向移動機構及びＹ軸方向移動機構を含み、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に沿ってチャックテーブル４及び回転駆動機構を移動させることができる。

【0043】

保持面４ａの上方には、レーザービーム照射ユニット６が設けられている。レーザービーム照射ユニット６は、レーザー発振器８を含む。レーザー発振器８は、例えば、レーザー媒質としてＮｄ：ＹＡＧ、Ｎｄ：ＹＶＯ_４等を有する。

【0044】

レーザー発振器８からは、ＳｉＣインゴット１３を透過する波長（例えば、１０６４ｎｍ）を有するパルス状のレーザービームＬを生成する。レーザー発振器８から出射したレーザービームＬは、アッテネータ等を有する調整器１０においてパワーが調整された後、集光器１２に進入する。

【0045】

集光器１２内の上部には、レーザービームＬの進行方向を変えるためのミラー１４が設けられており、集光器１２内の下部には、レーザービームＬを集光させる集光レンズ１６が設けられている。なお、集光レンズ１６は、集光器１２内に固定されていてもよく、アクチュエータ（不図示）により移動可能な態様で集光器１２内に固定されてもよい。

【0046】

ミラー１４で反射されたレーザービームＬは、集光レンズ１６を経て、保持面４ａで保持されたＳｉＣインゴット１３の内部の所定深さに集光される。集光器１２には、ボールねじ式のＺ軸方向移動機構（不図示）が連結されており、集光器１２をＺ軸方向に沿って移動させれば、レーザービームＬの集光点ＰをＺ軸方向に沿って移動させることができる。

【0047】

集光点ＰをＳｉＣインゴット１３の所定深さに位置付けた上で、集光点Ｐとチャックテーブル４とをＸ軸方向に沿って移動させることで、集光点Ｐの軌跡に沿って改質層１５（図４（Ｂ）参照）が形成される。

【0048】

改質層１５は、単結晶ＳｉＣがアモルファスシリコンとアモルファスカーボンとに変化した領域を含み、ＳｉＣインゴット１３においてレーザービームＬが照射されていない領域に比べて結晶性が変化した比較的脆弱な領域である。

【0049】

特に、レーザービームＬの集光点Ｐが第３方向Ａ３で互いに重なる様に、繰り返し周波数、加工送り速度、集光点Ｐのスポットサイズ等を調整することで、単結晶ＳｉＣの吸収係数に比べて非常に大きい吸収係数を有するアモルファスカーボンによりレーザービームＬが吸収され、第３方向Ａ３よりも第２方向Ａ２に広がる扁平な領域に改質層１５が形成される。

【0050】

改質層１５が形成されたＳｉＣインゴット１３の深さ位置では、主として第２方向Ａ２に略沿う様に改質層１５からクラック１７（図４（Ｂ）参照）が進展する。クラック１７は、直線状に形成された改質層１５の第２方向Ａ２における両側から、主として第２方向Ａ２に略沿う様に進展する。

【0051】

集光器１２の近傍には、集光器１２と共にＺ軸方向移動によって移動可能な態様で顕微鏡カメラユニット（不図示）が設けられている。顕微鏡カメラユニットは、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等の発光素子を含む光源と、ＣＣＤ（Charge-Coupled Device）イメージセンサ、ＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）イメージセンサ等の固体撮像素子と、を有する。

【0052】

上述のチャックテーブル４、回転駆動機構、水平方向移動機構、レーザービーム照射ユニット６等の動作は、不図示のコントローラにより制御される。コントローラは、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）に代表されるプロセッサ（処理装置）と、メモリ（記憶装置）と、を含むコンピュータによって構成されている。

【0053】

メモリは、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）等の主記憶装置と、フラッシュメモリ等の補助記憶装置と、を含む。補助記憶装置には、所定のプログラムを含むソフトウェアが記憶されている。このソフトウェアに従いプロセッサ等を動作させることによって、コントローラの機能が実現される。

【0054】

次に、図１に示す手順に従って、ＳｉＣウェーハ１１の製造方法について説明する。まず、図３に示す様に、第２面１３ｂと保持面４ａとが接する様にＳｉＣインゴット１３を保持面４ａに載置し、第２面１３ｂを保持面４ａで吸引保持する（保持工程Ｓ１０）。

【0055】

保持工程Ｓ１０の後、改質層１５及びクラック１７をそれぞれ含む複数の剥離層１９（図４（Ａ）参照）をＳｉＣインゴット１３の内部に形成する（剥離層形成工程Ｓ２０）。図４（Ａ）は、剥離層形成工程Ｓ２０の概要を示すＳｉＣインゴット１３の平面図である。

【0056】

図４（Ａ）以降において、第１面１３ａを平面視した場合の第１面１３ａ上の矢印は、集光点Ｐの軌跡を意味する。また、第１面１３ａの平面視において、改質層１５にはドットを付し、クラック１７には斜線を付して示す。更に、集光点Ｐが既に移動した経路を実線で示し、これから集光点Ｐが移動する経路を破線で示す。

【0057】

剥離層形成工程Ｓ２０では、まず、顕微鏡カメラユニットを用いて平坦面１３ｄの向きを特定し、回転駆動機構でチャックテーブル４を回転させることでＸＹ平面におけるＳｉＣインゴット１３の向きを調整する。本例では、平坦面１３ｄに直交する第１方向Ａ１をＸ軸方向と略平行にする。

【0058】

次いで、集光点ＰがＳｉＣインゴット１３の第２方向Ａ２の端部領域（図４（Ａ）に示すＳｉＣインゴット１３において紙面下側の一部）を第１方向Ａ１に沿って横断する様にチャックテーブル４のＸＹ平面での位置を調整すると共に、集光点ＰがＳｉＣインゴット１３の所定の深さに位置する様に集光レンズ１６の高さを調整する。

【0059】

集光点Ｐの深さ位置は、例えば、第１面１３ａ（即ち、ＳｉＣインゴット１３の上面）から４００μｍに設定されるが、製造されるＳｉＣウェーハ１１の厚さに応じて、集光点Ｐの深さ位置は、適宜調整される。

【0060】

上述の様に、集光点Ｐの位置を調整した状態で、ＳｉＣインゴット１３と集光点ＰとをＸ軸方向に沿って相対的に移動させる加工送りを行う。本例では、奇数回目の加工送り時に、ＳｉＣインゴット１３に対して集光点Ｐを＋Ｘ方向に移動させる。

【0061】

この相対移動により第１面１３ａを横断する様に集光点Ｐを加工送りした後、ＳｉＣインゴット１３と集光レンズ１６とをＹ軸方向に沿って所定距離だけ相対的に移動させる割り出し送りを行う。割り出し送り量は、例えば、３００μｍに設定され、本例では、ＳｉＣインゴット１３に対して集光点Ｐを＋Ｙ方向に移動させる。

【0062】

なお、通常、割り出し送り時には、レーザービームＬの照射を継続するが、一時的にレーザービームＬの照射を停止してもよい。割り出し送りの後、再度、加工送りを行うが、スループットを向上させるために、本例では、偶数回目の加工送り時に、ＳｉＣインゴット１３に対して集光点Ｐを－Ｘ方向に移動させる。

【0063】

この様に、加工送りと、割り出し送りと、を交互に繰り返すことで、ＳｉＣインゴット１３の内部において第１方向Ａ１に沿って延在する改質層１５と、改質層１５から進展するクラック１７と、をそれぞれ含む複数の剥離層１９を形成する。

【0064】

図４（Ｂ）は、剥離層形成工程Ｓ２０で形成された複数の剥離層１９を示すＳｉＣインゴット１３の平面図である。剥離層形成工程Ｓ２０の後、クラック進展工程Ｓ３０を行う。図５は、クラック進展工程Ｓ３０の一部を示すＳｉＣインゴット１３の断面図であり、図６は、クラック進展工程Ｓ３０の全体を示すＳｉＣインゴット１３の平面図である。

【0065】

クラック進展工程Ｓ３０では、集光レンズ１６の高さ位置を剥離層形成工程Ｓ２０における集光レンズ１６の高さ位置と同じとする。つまり、剥離層形成工程Ｓ２０における集光点Ｐの高さ位置と同じ高さ位置に集光点Ｐの高さ位置を調整した上で、ＳｉＣインゴット１３内に形成された改質層１５にレーザービームＬを照射する。

【0066】

なお、本明細書において、剥離層形成工程Ｓ２０における集光点Ｐの高さ位置とクラック進展工程Ｓ３０における集光点Ｐの高さ位置とを同じ高さにするとは、厚さ方向１３ｃにおける集光点Ｐの高さ位置が両工程で±１μｍ以内にあることを意味する。

【0067】

クラック進展工程Ｓ３０では、剥離層形成工程Ｓ２０で形成された複数の剥離層１９のうち少なくとも１つの剥離層１９における改質層１５の長手方向に沿って、当該改質層１５の一端から他端まで当該改質層１５にレーザービームＬを照射する。

【0068】

これにより、当該改質層１５から進展しているクラック１７の更なる進展と、当該改質層１５からの新たなクラック１７の進展と、の一方又は両方を行わせる。

【0069】

改質層１５は、単結晶ＳｉＣに比べて吸収係数が非常に大きいアモルファスカーボンを含むので、改質層１５に照射されるレーザービームＬは十分に改質層１５に吸収される。この吸収されたエネルギーが、既存のクラック１７の進展、及び／又は、新たなクラック１７の進展に寄与する。

【0070】

図７（Ａ）は、クラック進展工程Ｓ３０でクラック１７が進展する様子を示すＳｉＣインゴット１３の断面図である。クラック１７はｃ面（本実施形態では、第１面１３ａが（０００１）、即ち、ｃ面である）に沿って進展し、第２方向Ａ２で隣り合う改質層１５間でクラック１７同士がつながる。

【0071】

なお、ＳｉＣインゴット１３がオフ角を有する場合には、ｃ面の法線であるｃ軸と、第１面１３ａに対する法線とが、平行ではなく所定の角度を形成する。図７（Ｂ）は、オフ角を有するＳｉＣインゴット１３でクラック１７が進展する様子を示すＳｉＣインゴット１３の断面図である。

【0072】

クラック１７はｃ面（即ち、ＳｉＣインゴット１３の劈開面）に沿って進展するので、ＳｉＣインゴット１３がオフ角を有する場合には、図７（Ｂ）に示す様に、クラック１７もオフ角に応じて傾く。剥離層形成工程Ｓ２０及びクラック進展工程Ｓ３０のそれぞれにおける加工条件の一例を下記に示す。

【0073】

レーザービームの波長 ：１０６５ｎｍ
レーザービームの繰り返し周波数：１２０ｋＨｚ
加工送り速度 ：７８５ｍｍ／ｓ
割り出し送り量 ：１５０μｍ
平均出力 ：９．５Ｗ
集光レンズの開口数（Ｎ．Ａ．）：０．８
集光点の深さ位置 ：４００μｍ（第１面１３ａからの深さ）
パス数 ：１

【0074】

本実施形態のクラック進展工程Ｓ３０では、図９の比較例に示す様に２つの第１改質層１５ａの間にレーザービームＬを照射する際に２つの第１改質層１５ａの間に形成されているクラック１７によってレーザービームＬが反射されることが無い。

【0075】

この様に、クラック１７でのレーザービームＬの反射光によりＳｉＣウェーハ１１がダメージを受けることを防止できるので、複数の第１改質層１５ａの間の各々にレーザービームＬを照射して第２改質層１５ｂを形成する場合に比べて、ＳｉＣインゴット１３における材料の損失を低減できる。

【0076】

なお、クラック進展工程Ｓ３０では、剥離層形成工程Ｓ２０においてＳｉＣインゴット１３に照射するレーザービームＬの出力以下の出力を有するパルス状のレーザービームＬをＳｉＣインゴット１３に照射してもよい。

【0077】

例えば、剥離層形成工程Ｓ２０ではレーザービームＬの平均出力を９．５Ｗとするが、クラック進展工程Ｓ３０ではレーザービームＬの平均出力を９．０Ｗとする。この様に、クラック進展工程Ｓ３０での平均出力を剥離層形成工程Ｓ２０での平均出力よりも下げても、レーザービームＬはアモルファスカーボンを含む改質層１５に吸収され、吸収されたエネルギーがクラック１７の進展に使用される。

【0078】

なお、クラック１７が進展する方向は、第２方向Ａ２の成分が主ではあるが、第１方向Ａ１の成分も含む。それゆえ、クラック１７が進展すると、クラック１７同士が互いにつながる。

【0079】

クラック進展工程Ｓ３０において、剥離層形成工程Ｓ２０でのレーザービームＬの出力以下の出力を有するレーザービームＬを使用することで、剥離層形成工程Ｓ２０でのレーザービームＬの出力よりも大きな出力を有するレーザービームＬを使用する場合に比べて、厚さ方向１３ｃに沿ってクラック１７が形成される可能性を低減できる。

【0080】

上述の様に、厚さ方向１３ｃに沿って形成されるクラック１７は、研削、研磨等によりＳｉＣウェーハ１１から除去する必要があるので、クラック進展工程Ｓ３０におけるレーザービームＬの出力の低減は、廃棄されるインゴットの体積（即ち、材料の損失）の低減につながる。

【0081】

ところで、本実施形態におけるクラック進展工程Ｓ３０での集光点Ｐの軌跡は、剥離層形成工程Ｓ２０での集光点Ｐの軌跡と同じであるが、集光点Ｐの移動順序は、剥離層形成工程Ｓ２０とクラック進展工程Ｓ３０とで異なっていてもよい。但し、本実施形態のクラック進展工程Ｓ３０において、集光点Ｐは各改質層１５を１回通る（即ち、パス数は１である）。

【0082】

クラック進展工程Ｓ３０の後、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示す様に剥離装置２０を用いて、上述の複数の剥離層１９を起点としてＳｉＣインゴット１３からＳｉＣウェーハ１１を剥離する（剥離工程Ｓ４０）。図８（Ａ）は、剥離工程Ｓ４０の概要を示す図である。

【0083】

剥離装置２０は、上述のチャックテーブル４と略同径のチャックテーブル２２を有する。チャックテーブル２２の構造は、チャックテーブル４と略同じであり、チャックテーブル２２の上面は、ＳｉＣインゴット１３を吸引保持する保持面２２ａとして機能する。

【0084】

チャックテーブル２２の上方には、剥離ユニット２４が設けられている。剥離ユニット２４は、長手部がＺ軸方向に沿って配置された円柱状の可動部２６を有する。可動部２６には、Ｚ軸方向移動機構（不図示）が連結されている。

【0085】

Ｚ軸方向移動機構は、例えば、ボールねじ式の移動機構であるが、他のアクチュエータで構成されてもよい。Ｚ軸方向移動機構により、可動部２６は、Ｚ軸方向に沿って移動可能である。

【0086】

可動部２６の底部には、円盤状の吸引ヘッド２８が設けられている。吸引ヘッド２８は、チャックテーブル２２と同様に、枠体及び多孔質板を有する。枠体及び多孔質板の下面は、略面一且つＸＹ平面と略平行に配置されており、保持面２８ａとして機能する。

【0087】

剥離工程Ｓ４０では、複数の剥離層１９が形成されたＳｉＣインゴット１３の第２面１３ｂをチャックテーブル２２の保持面２２ａで吸引保持すると共に、吸引ヘッド２８の保持面２８ａで第１面１３ａを吸引保持する。

【0088】

次いで、ＳｉＣインゴット１３に外力を付与する。外力の付与は、例えば、ＳｉＣインゴット１３の側面に対して複数の剥離層１９の高さ位置に楔（不図示）を打ち込むことで行われる。楔はＳｉＣインゴット１３側面の一箇所だけでなく、ＳｉＣインゴット１３の周方向に沿って複数箇所に打ち込む方が好ましい。

【0089】

外力を付与することで、複数の剥離層１９が形成されている深さ位置において、主として上述の第２方向Ａ２に沿ってクラック１７が更に進展する。なお、楔の打ち込みに代えて、ＳｉＣインゴット１３に対して超音波（即ち、２０ｋＨｚを超える周波数帯域の弾性振動波）を印加することで、外力を付与してもよい。

【0090】

超音波を印加する場合、吸引ヘッド２８の保持面２８ａで第１面１３ａを吸引保持する前に、第１面１３ａ側に純水等の液体を介して超音波を印加する。具体的には、超音波が印加された液体をノズルからＳｉＣインゴット１３に噴射する、又は、液体を介してホーンから第１面１３ａ側に超音波を印加する。

【0091】

なお、ノズル又はホーンを用いる場合、まず、第１面１３ａ側における直径５ｍｍから５０ｍｍ程度の局所的な領域に、超音波を利用して外力を印加する。次いで、ノズル又はホーンと、チャックテーブル２２と、を相対的に移動させることで、第１面１３ａ側の他の領域に外力を印加する。

【0092】

この様に、外力を印加する領域を第１面１３ａ側において徐々に広げることで、改質領域間のクラック１７を第１面１３ａに沿って進展させることができる。外力の付与により、隣接する改質領域間でクラック１７が更に進展し、複数の剥離層１９の機械的強度は、ＳｉＣインゴット１３の複数の剥離層１９以外の領域に比べて更に弱くなる。

【0093】

外力付与後、吸引ヘッド２８を上昇させる（即ち、＋Ｚ方向に移動させる）。なお、吸引ヘッド２８の上昇と並行して、上述した外力の付与を行ってもよい。吸引ヘッド２８の上昇に伴って、複数の剥離層１９を起点としてＳｉＣインゴット１３からＳｉＣウェーハ１１が剥離される。

【0094】

図８（Ｂ）は、剥離工程Ｓ４０後のＳｉＣインゴット１３及びＳｉＣウェーハ１１を示す図である。保持工程Ｓ１０から剥離工程Ｓ４０を経た場合に、廃棄されるＳｉＣインゴット１３の体積は、厚さ方向１３ｃで５０μｍから８０μｍ程度の厚さに対応する。

【0095】

剥離工程Ｓ４０後、ＳｉＣウェーハ１１の剥離面とＳｉＣインゴット１３の被剥離面とに残存する凹凸を、研削、研磨等により除去する。この様にして、ＳｉＣインゴット１３の厚さ（即ち、第１面１３ａ及び第２面１３ｂ間の距離）未満の厚さを有するＳｉＣウェーハ１１が製造される。

【0096】

ＳｉＣインゴット１３から更にＳｉＣウェーハ１１を製造する場合（図１のＳ５０でＹＥＳ）、剥離層形成工程Ｓ２０に戻る。これに対して、ＳｉＣウェーハ１１を更には製造しない場合（図１のＳ５０でＮＯ）、フローを終了する。

【0097】

ところで、図１から図８（Ｂ）では、ＳｉＣインゴット１３に代えて、保持工程Ｓ１０から剥離工程Ｓ４０を同様に経ることで、ＳｉＣ単結晶基板（被加工物）からＳｉＣ単結晶基板の厚さ未満の厚さを有するＳｉＣウェーハ１１を製造することもできる。

【0098】

ＳｉＣ単結晶基板は、ＳｉＣの単結晶基板で構成されている所謂自立型の基板であってもよいし、種結晶となるＳｉＣウェーハ１１上に形成されたＳｉＣのエピタキシャル成長層を有する基板であってもよい。

【0099】

（比較例）次に、図９を参照して、上述の特許文献３に対応する比較例について説明する。図９は、２つの第１改質層１５ａの間に照射されたレーザービームＬがクラック１７で反射される様子を示すＳｉＣインゴット１３の断面図である。

【0100】

比較例では、２つの第１改質層１５ａをつなぐ様にクラック１７が形成されていることがあり、第２改質層１５ｂを形成する際に、クラック１７によってレーザービームＬが反射されると、この反射光によりＳｉＣウェーハ１１となる領域がダメージを受ける。

【0101】

図９では、第２改質層１５ｂを破線で示しており、この第２改質層１５ｂ上にダメージ領域２１が形成される。ダメージ領域２１はＳｉＣウェーハ１１から除去されるので、ダメージ領域２１が形成されると、上述の実施形態に比べてＳｉＣインゴット１３における材料の損失が増加する。

【0102】

なお、図９では、ＳｉＣインゴット１３がオフ角を有する場合を示しているが、オフ角を有しない場合も同様に、２つの第１改質層１５ａをつなぐ様に形成されたクラック１７でレーザービームＬが反射されるという問題が生じ得る。

【0103】

これに対して、上述のクラック進展工程Ｓ３０では、剥離層形成工程Ｓ２０で形成された改質層１５にレーザービームＬを照射するので、クラック１７でレーザービームＬが反射されるという問題が基本的には生じない。

【0104】

（第１変形例）次に、図１０を参照し、クラック進展工程Ｓ３０の第１変形例について説明する。図１０は、第１変形例に係るクラック進展工程Ｓ３０を示すＳｉＣインゴット１３の平面図である。

【0105】

第１変形例に係るクラック進展工程Ｓ３０では、全ての改質層１５にレーザービームＬを照射するのではなく、第２方向Ａ２に並んでいる複数の剥離層１９のうち所定本数おきの各剥離層１９における改質層１５にレーザービームＬを照射する。より具体的には、第２方向Ａ２に並んでいる複数の改質層１５に対して１本おきにレーザービームＬを照射する。

【0106】

第１変形例においても、上述の実施形態と同様に既に形成されている改質層１５にレーザービームＬを照射するので、複数の第１改質層１５ａの間の各々にレーザービームＬを照射して第２改質層１５ｂを形成する場合（図９参照）に比べて、ＳｉＣインゴット１３における材料の損失を低減できる。

【0107】

また、第１変形例では、上述の実施形態に比べて、クラック進展工程Ｓ３０でレーザービームＬを照射する改質層１５の本数が少ないのでレーザー加工に要する時間を短縮できることに加えて、後述する実験結果で示す様に、ＳｉＣインゴット１３における材料の損失を低減できるという利点もある。

【0108】

なお、図１０では、複数の改質層１５に対して１本おきにレーザービームＬを照射するが、剥離層形成工程Ｓ２０における割り出し送り量、ＳｉＣインゴット１３の径等に応じて、複数の改質層１５に対してＮ本おきにレーザービームＬを照射してもよい（Ｎは２以上の自然数）。

【0109】

（実験例）次に、複数の加工条件でＳｉＣインゴット１３からＳｉＣウェーハ１１を製造した場合におけるＳｉＣインゴット１３の材料の損失を調べた実験結果（下記の表１）について説明する。なお、表１に記載の改質層１５のピッチは、割り出し送り方向での改質層１５の幅の中心線同士の割り出し送り方向における間隔である。

【0110】

材料の損失は、ＳｉＣウェーハ１１の剥離後にＳｉＣウェーハ１１及びＳｉＣインゴット１３に対して研削を施すことで最終的に廃棄されるＳｉＣインゴット１３の体積を、厚さ方向１３ｃの長さに換算することで算出した。

【0111】

なお、ＳｉＣウェーハ１１及びＳｉＣインゴット１３に残存する剥離層１９は、色、反射率等に基づいて光学的な観察により判定できるところ、光学的な観察に基づいて剥離層１９が除去されるまでＳｉＣウェーハ１１及びＳｉＣインゴット１３を研削した。

【0112】

【表1】

【0113】

実験Ａは、上述の実施形態に従い、保持工程Ｓ１０から剥離工程Ｓ４０までを経て、ＳｉＣインゴット１３からＳｉＣウェーハ１１を剥離した。剥離層形成工程Ｓ２０及びクラック進展工程Ｓ３０では、上述の加工条件でレーザー加工を行った。

【0114】

実験Ｂは、上述の第１変形例（図１０参照）に対応する。実験Ｂでは、剥離層形成工程Ｓ２０及びクラック進展工程Ｓ３０において平均出力を９．０Ｗとした以外は、上述の加工条件を採用した。また、クラック進展工程Ｓ３０では、上述の様に複数の改質層１５に対して１本おきにレーザービームＬを照射した。

【0115】

実験Ｃは、上述の比較例（図９参照）に対応する。実験Ｃでは、剥離層形成工程Ｓ２０及びクラック進展工程Ｓ３０において平均出力を９．０Ｗとした以外は、上述の加工条件を採用した。但し、実験Ｃでは、剥離層形成工程Ｓ２０を２回に分けて行った。

【0116】

つまり、割り出し送り量を３００μｍとして、複数の第１改質層１５ａを形成する１回目の剥離層形成工程Ｓ２０を行った後、隣接する２つの第１改質層１５ａの中間領域の各々に第２改質層１５ｂを形成する２回目の剥離層形成工程Ｓ２０を行った。

【0117】

但し、２回目の剥離層形成工程Ｓ２０では、第１改質層１５ａに対して第２改質層１５ｂが第２方向Ａ２で１５０μｍだけずれる様に、第２改質層１５ｂの形成開始位置を調整した。また、２回目の剥離層形成工程Ｓ２０での割り出し送り量は、１回目の剥離層形成工程Ｓ２０と同様に３００μｍとした。これにより、第２方向Ａ２に沿って１５０μｍのピッチで改質層１５を形成した。なお、実験Ｃでは、クラック進展工程Ｓ３０を行っていない。

【0118】

実験Ｄは、複数の剥離層１９を形成した後、複数の剥離層１９を起点としてＳｉＣインゴット１３からＳｉＣウェーハ１１を剥離する一般的な手法に相当する。実験Ｄでは、剥離層形成工程Ｓ２０でのレーザービームＬの平均出力を１１．５Ｗと比較的高くした以外は、上述の加工条件を採用した。なお、実験Ｄでも、クラック進展工程Ｓ３０を行っていない。

【0119】

ところで、実験ＡからＤにおいて、剥離層形成工程Ｓ２０でのレーザービームＬの平均出力は、ＳｉＣインゴット１３からＳｉＣウェーハ１１を剥離することができた最小の平均出力である。実験ＡからＤでは、表１に示す平均出力よりも低い平均出力を用いて複数の剥離層１９を形成した後、ＳｉＣインゴット１３からＳｉＣウェーハ１１の剥離を試みたが、この場合、ＳｉＣインゴット１３からＳｉＣウェーハ１１を剥離できなかった。

【0120】

つまり、表１に示す剥離層形成工程Ｓ２０でのレーザービームＬの平均出力は、平均出力以外の加工条件を固定した場合において、ＳｉＣインゴット１３からＳｉＣウェーハ１１を剥離可能なレーザービームＬの平均出力の最小値（即ち、下限値）である。

【0121】

なお、実験Ａ及びＢにおいて、表１に示す平均出力よりも低い平均出力を用いる場合、剥離層形成工程Ｓ２０及びクラック進展工程Ｓ３０の両工程でのレーザービームＬの平均出力は同じとした。

【0122】

実験Ａ及びＢでは、実験Ｃ及びＤに比べてＳｉＣインゴット１３の材料の損失を低減できた。特に、実験Ｂの様に、クラック進展工程Ｓ３０においてレーザービームＬの照射領域を間引く方が材料の損失を低減するのには効果的であった。

【0123】

（第２変形例）次に、図１１を参照し、クラック進展工程Ｓ３０の第２変形例について説明する。図１１は、第２変形例に係るクラック進展工程Ｓ３０を示すＳｉＣインゴット１３の平面図である。

【0124】

第２変形例に係るクラック進展工程Ｓ３０では、複数の改質層１５に対して１本おきにレーザービームＬを照射するのではなく、第２方向Ａ２における最初の３つの改質層１５にレーザービームＬを照射した後、次の１つの改質層１５にはレーザービームＬを照射せずにスキップする。

【0125】

そして、同様に、第２方向Ａ２における次の３つの改質層１５にレーザービームＬを照射した後、続く１つの改質層１５にはレーザービームＬを照射せずにスキップする。この様にして、クラック進展工程Ｓ３０でレーザービームＬが照射される複数の改質層１５と、クラック進展工程Ｓ３０でレーザービームＬが照射されない１以上の改質層１５とが、第２方向Ａ２において交互に配置される。

【0126】

つまり、第２変形例のクラック進展工程Ｓ３０では、レーザービームＬの照射が省略された改質層１５が無い様に第２方向Ａ２で連続する第１本数の各剥離層１９における改質層１５にレーザービームＬを照射する照射工程と、第２方向Ａ２で連続する第１本数の剥離層１９に第２方向Ａ２で隣接する第２本数の各剥離層１９における改質層１５に対してはレーザービームＬの照射を省略する非照射工程と、を第２方向Ａ２で繰り返す。

【0127】

なお、図１１に示す例では、第１本数が３本であり、第２本数が１本であるが、剥離層形成工程Ｓ２０における割り出し送り量、ＳｉＣインゴット１３の径等に応じて、照射工程の第１本数と、非照射工程の第２本数とを、適宜変更してもよい。第１本数は、２以上の自然数であってよく、第２本数は、自然数であればよい。

【0128】

第２変形例においても、上述の実施形態と同様に、図９の比較例の様に複数の第１改質層１５ａの間の各々にレーザービームＬを照射して第２改質層１５ｂを形成する場合に比べて、ＳｉＣインゴット１３における材料の損失を低減できる。

【0129】

その他、上述の実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。それぞれ上述の実施形態並びに第１及び第２変形例では、剥離層形成工程Ｓ２０とクラック進展工程Ｓ３０とで、集光点Ｐの高さ位置を同じ（即ち、±１μｍ以内）とした。

【0130】

しかし、クラック進展工程Ｓ３０での集光点Ｐの高さ位置は、必ずしも剥離層形成工程Ｓ２０と同じでなくてもよい。その場合であっても、クラック進展工程Ｓ３０において改質層１５に照射されたレーザービームＬは、アモルファスカーボンにより十分に吸収される。但し、剥離層形成工程Ｓ２０とクラック進展工程Ｓ３０とで、集光点Ｐの高さ位置を同じとする方が製造工程上は簡便である。

【符号の説明】

【0131】

２：レーザー加工装置
４：チャックテーブル、４ａ：保持面
６：レーザービーム照射ユニット、８：レーザー発振器、１０：調整器
１１：ＳｉＣウェーハ
１３：ＳｉＣインゴット（被加工物）
１３ａ：第１面、１３ｂ：第２面、１３ｃ：厚さ方向、１３ｄ：平坦面
１２：集光器、１４：ミラー、１６：集光レンズ
１５：改質層、１５ａ：第１改質層、１５ｂ：第２改質層
１７：クラック、１９：剥離層
２０：剥離装置
２１：ダメージ領域
２２：チャックテーブル、２２ａ：保持面
２４：剥離ユニット、２６：可動部
２８：吸引ヘッド、２８ａ：保持面
Ａ１：第１方向、Ａ２：第２方向、Ａ３：第３方向
Ｌ：レーザービーム、Ｐ：集光点
Ｓ１０：保持工程、Ｓ２０：剥離層形成工程
Ｓ３０：クラック進展工程、Ｓ４０：剥離工程

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】