特開 2024-17283 気相成長装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024017283

(43)【公開日】2024-02-08

(54)【発明の名称】気相成長装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/205 20060101AFI20240201BHJP

   C23C 16/44 20060101ALI20240201BHJP

【ＦＩ】

H01L21/205

C23C16/44 E

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022119820

(22)【出願日】2022-07-27

(71)【出願人】

【識別番号】504162958

【氏名又は名称】株式会社ニューフレアテクノロジー

(74)【代理人】

【識別番号】100120031

【弁理士】

【氏名又は名称】宮嶋 学

(74)【代理人】

【識別番号】100107582

【弁理士】

【氏名又は名称】関根 毅

(74)【代理人】

【識別番号】100120385

【弁理士】

【氏名又は名称】鈴木 健之

(74)【代理人】

【識別番号】100217940

【弁理士】

【氏名又は名称】三並 大悟

(72)【発明者】

【氏名】原口 貴史

(72)【発明者】

【氏名】石川 幸孝

(72)【発明者】

【氏名】高橋 英志

(72)【発明者】

【氏名】家近 泰

【テーマコード（参考）】

4K030

5F045

【Ｆターム（参考）】

4K030AA11

4K030AA13

4K030AA17

4K030AA18

4K030BA02

4K030BA08

4K030BA11

4K030BA38

4K030CA04

4K030CA12

4K030EA11

4K030KA05

5F045AA04

5F045AB09

5F045AB14

5F045AB17

5F045AC08

5F045AC12

5F045AC15

5F045AD01

5F045AE01

5F045AE29

5F045AF03

5F045AF09

5F045BB10

5F045DP03

5F045DP28

5F045DQ10

5F045EF05

5F045EF20

5F045EK07

(57)【要約】

【課題】排気管内に着脱可能に挿入される内管の装着を安定させることが可能な気相成長装置を提供する。
【解決手段】一実施形態に係る気相成長装置は、基板に成膜処理を行う反応容器と、成膜処理で発生した排気ガスが反応容器から流入する少なくとも１本以上の排気管と、排気管内に着脱可能に挿入される内管と、排気管内に装着された内管を保持する保持部と、を備える。
【選択図】 図２Ｂ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板に成膜処理を行う反応容器と、
前記成膜処理で発生した排気ガスが前記反応容器から流入する少なくとも１本以上の排気管と、
前記排気管内に着脱可能に挿入される内管と、
前記排気管内に装着された前記内管を保持する保持部と、
を備える気相成長装置。

【請求項2】

前記排気管は、前記反応容器に固定される第１排気管と、前記第１排気管に連結される第２排気管と、を含み、
前記内管は、前記第１排気管内に挿入され、
前記保持部は、前記第１排気管と前記第２排気管との連結部分に配置されている、請求項１に記載の気相成長装置。

【請求項3】

前記反応容器と前記第１排気管との間に設けられた石英管をさらに備え、
前記石英管の外周部の端部には、溝部が形成され、
前記内管の端部が前記溝部に嵌合されている、請求項２に記載の気相成長装置。

【請求項4】

前記排気管は、前記反応容器に固定される第１排気管と、前記第１排気管に連結される第２排気管と、を含み、
前記内管は、前記第１排気管内に挿入され、
前記保持部は、前記第１排気管の端部と前記内管の外周部とを嵌合する嵌合部と、を有する、請求項１に記載の気相成長装置。

【請求項5】

前記内管は、前記排気管内に丸めた形状で挿入される弾性プレートで構成され、
前記保持部は、弾性変形する、請求項１に記載の気相成長装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、気相成長装置に関する。

【背景技術】

【0002】

高品質な半導体膜を成膜する方法として、気相成長によりウェハ（基板）上に単結晶膜を成長させるエピタキシャル成長技術がある。

【0003】

このエピタキシャル成長技術を用いる気相成長装置では、常圧又は減圧に保持された反応容器内の支持部でウェハを支持し、加熱する。次に、成膜の原料となる反応ガスを、ウェハ上に供給する。ウェハの表面では反応ガスの熱反応等が生じ、エピタキシャル単結晶膜が成膜される。

【0004】

特にＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition Method：有機金属気相成長法）による成膜後の排気ガスには、反応副生成物が多く含まれる。この反応副生成物は、反応容器に連通する排気管内に堆積する。そのため、排気管内に堆積した反応副生成物を除去するメンテナンス作業が必要になる。このメンテナンス作業の手間取ると、気相成長装置の停止時間が長くなる。気相成長装置の長時間の停止は、スループットの低下を招く。

【0005】

そこで、排気管内に内管を装着する技術が提案されている。この技術では、内管が着脱可能に排気管内に挿入されている。これにより、排気管内に堆積した反応副生成物を除去する作業が不要になるため、メンテナンス作業時間を短縮することができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開平７－２８３１４４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

上記のように内管が排気管内に着脱可能に挿入される場合、排気管内における内管の装着が安定しないと、例えば排気管が直管である場合、内管の落下等の不具合が起こり得る。

【0008】

本発明の実施形態は、排気管内に着脱可能に挿入される内管の装着を安定させることが可能な気相成長装置を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0009】

一実施形態に係る気相成長装置は、基板に成膜処理を行う反応容器と、成膜処理で発生した排気ガスが反応容器から流入する少なくとも１本以上の排気管と、排気管内に着脱可能に挿入される内管と、排気管内に装着された内管を保持する保持部と、を備える。

【発明の効果】

【0010】

本発明によれば、排気管内に着脱可能に挿入される内管の装着を安定させることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】第１実施形態に係る気相成長装置の概略的な構成を示す図である。

【図2A】排気部の外観を示す斜視図である。

【図2B】排気部を分解した斜視図である。

【図3】第１実施形態に係る気相成長装置の排気部の構成を示す断面図である。

【図4】第１実施形態に係る排気部の一部を拡大した断面図である。

【図5A】第１実施形態に係る保持部の平面図である。

【図5B】保持部の変形例を示す平面図である。

【図6】第２実施形態に係る保持部２５の構造を説明するための斜視図である。

【図7A】変形例に係る支持部の平面図である。

【図7B】変形例に係る支持部の平面図である。

【図7C】変形例に係る支持部の平面図である。

【図8】第３実施形態に係る第１排気管の斜視図である。

【図9A】第３実施形態に係る内管の斜視図である。

【図9B】変形例に係る内管の斜視図である。

【図10】第４実施形態に係る内管を概略的に示す斜視図である。

【図11】は、第４実施形態に係る内管の一部を第３排気管から取り出した状態を示す斜視図である。

【図12】第４実施形態に係る内管の断面図である。

【図13】第４実施形態に係る気相成長装置が稼働しているときの内管の形状を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。

【0013】

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る気相成長装置１の模式図である。本実施形態に係る気相成長装置１は、例えば、ＭＯＣＶＤ法を用いる縦型の枚葉型のエピタキシャル成長装置である。気相成長装置１では、ウェハ（基板）Ｗ上に、ＧａＮ（窒化ガリウム）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＡｌＧａＮ（窒化アルミニウムガリウム）、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）等のＩＩＩ－Ｖ族の窒化物系半導体の単結晶膜を成長することができる。具体的には、気相成長装置１は、成膜部１００および排気部２００を有する。以下、各部の構成について説明する。

【0014】

成膜部１００は、反応容器１０と、回転ベース１１と、回転リング１２と、回転機構１３と、ガス供給機構１４と、支持部１５と、ガス供給口１６と、排気口１７と、シャワープレート１８と、加熱機構１９と、を有する。

【0015】

気相成長装置１では、膜の成長は、反応容器１０内で行われる。反応容器１０内には、ウェハＷを載置可能でウェハＷをウェハＷの周方向に回転する支持部１５が設けられている。ウェハＷは、例えばＳｉ（シリコン）ウェハやサファイヤウェハである。支持部１５としては、例えば中心に開口部を有し、周縁で基板を支持するホルダが用いられる。なお、支持部１５としては、開口部のないサセプタを用いてもよい。

【0016】

支持部１５には、例えば、ウェハＷを支持部１５から脱着させるための、突き上げピン（不図示）が設けられている。支持部１５は、回転リング１２上に設けられている。回転リング１２は、回転ベース１１を介して回転機構１３に接続されている。回転機構は、例えばモーターである。

【0017】

加熱機構１９は、回転リング１２の内部に設けられている。加熱機構１９は、外部電源（不図示）からの電力供給によって発熱する。これにより、加熱機構１９は、ウェハＷを裏面から加熱する。加熱機構１９は、例えば抵抗加熱ヒーターである。

【0018】

また、成膜部１００には、基板搬入口（不図示）および基板搬出口（不図示）も設けられている。基板搬入口は、反応容器１０内部へのウェハＷの搬入に用いられる。一方、基板搬出口は、反応容器１０外部へのウェハＷの搬出に用いられる。

【0019】

ウェハＷの搬出入には、例えば、ロボットハンド（不図示）が用いられる。ロボットハンドを用いて搬入されたウェハＷは、反応容器１０の内部において支持部１５に支持される。なお、ウェハＷの搬出入の方法はこれに限定されない。

【0020】

ガス供給機構１４は、反応容器１０内にプロセスガスを供給する。ガス供給機構１４は、例えば、ガス生成部、ガスボンベ、排気管、調整弁、マスフローコントローラなどの流量制御機器（不図示）を有する。

【0021】

上記プロセスガスには、例えば、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、アンモニア（ＮＨ３）ガス、窒素（Ｎ_２）ガス、水素（Ｈ_２）ガスなどが用いられる。

【0022】

プロセスガスは、反応容器１０の上部に設けられたガス供給口１６から供給される。反応容器１０内に供給されたプロセスガスは、シャワープレート１８を通過後にウェハＷ上に供給され、成膜に用いられる。その後、余剰のプロセスガス及び成膜により生じた反応副生成物が、反応容器１０の底部に設けられた排気口１７から排気部２００へ排出される。ここで、排気部２００の構造について説明する。

【0023】

図２Ａは、排気部２００の外観を示す斜視図である。また、図２Ｂは、排気部２００を分解した斜視図である。図２Ａおよび図２Ｂに示すように、排気部２００は、ベースプレート２０と、石英管２１と、第１排気管２２と、第２排気管２３と、内管２４と、保持部２５と、を有する。なお、本実施形態に係る排気部２００には、石英管２１～保持部２５の各部品がそれぞれ２つずつ設けられているが、各部品の数は、２つに限定されず、少なくとも１つ以上であればよい。

【0024】

ベースプレート２０は、反応容器１０の底部に固定されている環状板である。ベースプレート２０における内周部と外周部との間には、石英管２１が鉛直方向に貫通する貫通穴（不図示）や、第１排気管２２を取り付けるためのねじ穴（不図示）が設けられている。

【0025】

石英管２１は、反応容器１０の底部からベースプレート２０を貫通して第１排気管２２まで鉛直方向に延びる直管である。石英管２１の上端開口部は、反応容器１０の排気口１７に連通している。また、石英管２１の下端開口部は、第１排気管２２に連通している。

【0026】

第１排気管２２は、石英管２１から第２排気管２３まで鉛直方向延びる直管である。第１排気管２２は、例えば、ねじ付きボルト等の固定部材によってベースプレート２０に取り付けられる。すなわち、第１排気管２２は、ベースプレート２０を介して反応容器１０の底部に固定される。

【0027】

第２排気管２３は、第１排気管２２に連結されている。第２排気管２３は、一方向に湾曲した曲管である。なお、第２排気管２３の形状は、曲管に限定されず直管であってもよい。

【0028】

内管２４は、第１排気管２２内に配置される直管である。内管２４の外径は、第１排気管２２の内径とほぼ同じである。これにより、内管２４の外周面と第１排気管２２の内周面とを密着させることができる。内管２４は、例えばフッ素樹脂コーティングが表面に施されたステンレス管で製造することができる。

【0029】

図３は、第１実施形態に係る気相成長装置１の排気部２００の構成を示す断面図である。また、図４は、第１実施形態に係る排気部２００の一部を拡大した断面図である。

【0030】

図４に示すように、石英管２１の外周部の下部には、溝部２１１が形成されている。この溝部２１１には、内管２４の上端部２４１が嵌合されている。これにより、内管２４の上端部と石英管２１の下端部とが接する連結部分では、内管２４が石英管２１の外側に位置する。そのため、石英管２１からの排気ガスＧの漏れを回避することができる。

【0031】

図５Ａは、第１実施形態に係る保持部２５の平面図である。また、図５Ｂは、保持部２５の変形例を示す平面図である。

【0032】

図５Ａに示す保持部２５には、突起部２５３が開口部２５１の周縁に沿って設けられている。この突起部２５３によって、内管２４は、第１排気管２２内で支持されている（図５参照）。なお、突起部２５３は、連続していることが後述するように排気ガスＧの漏れ回避の観点では好ましい。しかし、本実施形態の保持部２５では、図５Ｂに示すように、複数の突起部２５３が開口部２５１の周縁に設けられていてもよい。

【0033】

上記のように構成された気相成長装置１において、成膜部１００の成膜処理により生じた反応副生成物を含む排気ガスＧは、石英管２１、第１排気管２２内に配置された内管２４、および第２排気管２３を流れる。この場合、反応副生成物が排気ガスＧの流路に堆積するため、メンテナンス作業が必要になる。

【0034】

以上説明した本実施形態によれば、内管２４が第１排気管２２内に着脱可能に挿入されている。このとき、内管２４の立位姿勢は保持部２５によって保持される。これにより、第１排気管２２内における内管２４の装着状態を安定させることが可能となる。

【0035】

また、本実施形態では、内管２４が第１排気管２２内に配置されている。そのため、メンテナンス作業時には、石英管２１から内管２４を引き抜くことによって、第１排気管２２をベースプレート２０に固定するためのボルト２６を取り外す作業が不要になる。すなわち、第１排気管２２を取り外す作業が不要になる。これにより、メンテナンス作業時間を短縮することができる。

【0036】

また、反応副生成物を除去した内管２４を第１排気管２２内に再び挿入する際には、内管２４の上端部２４１を石英管２１の溝部２１１に嵌め込むことによって、排気ガスＧの漏れを回避できる。また、内管２４の上端部２４１が石英管２１に固定されるとともに、内管２４の下端部が保持部２５の突起部２５３によって支持される。これにより、内管２４の保持機能がさらに強化される。

【0037】

したがって、本実施形態によれば、第１排気管２２内における内管２４の装着安定性を向上させることに加えて、石英管２１からの排気ガスＧの漏れも回避することが可能となる。

【0038】

（第２実施形態）
図６は、第２実施形態に係る保持部２５の構造を説明するための斜視図である。図６では、上述した第１実施形態と同様の構成要素には同じ符号を付し、重複する説明は省略する。

【0039】

図６に示すように、本実施形態に係る保持部２５は、第１排気管２２と第２排気管２３との連結部分に配置されている。この保持部２５は、排気ガスＧを通過させる開口部２５１と、開口部２５１の内部空間を分割するように互いに交差する２本のワイヤ２５２と、を有する。第１排気管２２内に配置された内管２４は、２本のワイヤ２５２によって、支持されている。なお、保持部２５は、第１排気管２２内に装着された内管２４を保持可能な構造であればよく、図６に示す構造に限定されない。

【0040】

図７Ａ～図７Ｃは、変形例に係る保持部２５の平面図である。図７Ａに示す保持部２５Ａでは、開口部２５１内に１本のワイヤ２５２が設けられている。また、図７Ｂに示す保持部２５Ｂでは、複数本のワイヤ２５２が、開口部２５１内にストライプ状に張り巡らされている。さらに、図７Ｃに示す保持部２５Ｃでは、複数本のワイヤ２５２が、開口部２５１内に格子状（網目状）に張り巡らされている。

【0041】

上記のように構成された本実施形態に係る気相成長装置においても、排気ガスＧは、石英管２１、第１排気管２２内に配置された内管２４、および第２排気管２３を流れる。そのため、反応副生成物が排気ガスＧの流路に堆積するため、メンテナンス作業が必要になる。

【0042】

本実施形態でも、第１実施形態と同様に、内管２４が第１排気管２２内に配置されている。そのため、メンテナンス作業時には、第２排気管２３および保持部２５を取り外せば、第１排気管２２から内管２４を容易に取り出すことができる。すなわち、第１排気管２２を取り外す作業が不要になる。これにより、メンテナンス作業時間を短縮することができる。

【0043】

また、本実施形態では、内管２４の表面には、フッ素樹脂コーティングが施されている。そのため、メンテナンス作業では、表面に堆積した反応副生成物を容易に除去することができる。これにより、メンテナンス作業時間をさらに短縮することができる。

【0044】

反応副生成物が除去された内管２４は、第１排気管２２内に再び挿入される。このとき、第１排気管２２内に装着された内管２４は、保持部２５によって保持される。

【0045】

以上説明した本実施形態によれば、内管２４が第１排気管２２内に着脱可能に挿入されている。このとき、内管２４の立位姿勢は保持部２５によって保持される。これにより、第１排気管２２内における内管２４の装着状態を安定させることが可能となる。

【0046】

（第３実施形態）
第３実施形態に係る気相成長装置について説明する。本実施形態に係る気相成長装置では、第１排気管２２内における内管２４の保持機構が第１実施形態および第２実施形態と異なる。以下、本実施形態における内管２４の保持機構について説明する。

【0047】

図８は、第３実施形態に係る第１排気管２２の斜視図である。図８に示すように、本実施形態では、切り欠き部２２１が、第１排気管２２の下端部に形成されている。なお、図８では、互いに対向する２つの切り欠き部２２１が形成されているが、切り欠き部２２１の数は、特に限定されない。

【0048】

図９Ａは、第３実施形態に係る内管２４の斜視図である。図９Ａに示すように、本実施形態では、キー形状の突起部２４２が、内管２４の外周部の下部に形成されている。内管２４が第１排気管２２内に挿入されると、突起部２４２が切り欠き部２２１に嵌合される。すなわち、突起部２４２および切り欠き部２２１は、第１排気管２２の端部と内管２４の外周部とを嵌合する嵌合部として機能する。これにより、内管２４は、第１排気管２２内に装着される。一方、内管２４を鉛直方向（重力方向）の力で引くと、第１排気管２２から内管２４を取り外すことができる。

【0049】

図９Ｂは、変形例に係る内管２４の斜視図である。図９Ｂに示す内管２４の外周部の下部には、ピン形状の突起部２４３が形成されている。この場合、第１排気管２２の切り欠き部２２１は、突起部２４３に嵌合する形状となっている。

【0050】

なお、第１排気管２２の上端部に突起部を設け、内管２４の端部に切り欠き部を設けて嵌合させもよい。この場合、この突起部およびこの切り欠き部が、第１排気管２２の端部と内管２４の外周部とを嵌合する嵌合部として機能する。また、切り欠き部を鉤状とし、第１排気管２２と内管２４を回転させることで第１排気管２２に内管２４を保持してもよい。この場合、回転させて鉛直方向（重力方向）の力で引くことで、第１排気管２２から内管２４を取り外すことができる。

【0051】

上述した本実施形態によれば、第１排気管２２に設けられた切り欠き部２２１と内管２４に設けられた突起部２４２が嵌合することによって、第１排気管２２内における内管２４の装着状態が保持される。すなわち、切り欠き部２２１および突起部２４２が内管２４の装着状態を保持する保持部として機能する。そのため、本実施形態では、第１実施形態および第２実施形態で説明した保持部２５が不要になる。その結果、メンテナンス作業で取り外す部品が削減されるため、内管２４の着脱作業がさらに容易になる。その結果、メンテナンス時間をさらに短縮することができる。さらに、第１排気管２２と第２排気管２３との連結部分に部品（保持部２５）が無いため、内管２４から第２排気管２３へ排気ガスＧをよりスムーズに流すことが可能となる。

【0052】

なお、本実施形態では、内管２４は、鉛直方向に配置されている第１排気管２２内に挿入されるが、水平方向に配置される水平管に挿入されてもよい。この場合、この水平管に内管２４の突起部に嵌合する切り欠き部を形成することによって、内管２４の位置を安定させることができる。

【0053】

（第４実施形態）
図１０は、第４実施形態に係る内管２４を概略的に示す斜視図である。本実施形態では、内管２４は、第３排気管２７に着脱可能に挿入されている。第３排気管２７は、複数の第２排気管２３に連結された合流管であり、水平方向に配置されている。本実施形態に係る内管２４は、第３排気管２７内に弾性プレートを丸めた形状で挿入される。弾性プレートは、例えば数ｍｍ程の厚さを有し、排気ガスＧに含まれる反応副生成物が付着する弾性材料で構成されている。

【0054】

図１１は、第４実施形態に係る内管２４の一部を第３排気管２７から取り出した状態を示す斜視図である。図１１に示すように、内管２４には、第２排気管２３との連結部分に開口部２４４が形成されている。第２排気管２３から流出した排気ガスＧは、開口部２４４を通じて内管２４内に流入する。

【0055】

図１２は、第４実施形態に係る内管２４の断面図である。本実施形態では、内管２４は、その外径ｄが第３排気管２７の内径Ｄよりも小さくなるように丸めた形状で第３排気管２７内に挿入される。弾性プレートを丸めた形状は、保持部２５４によって保持される。保持部２５４は、弾性プレートの両端を接続している。保持部２５４は、例えば形状記憶合金によって構成されている。なお、図１０および図１１では、保持部２５４の記載は省略している。

【0056】

図１３は、第４実施形態に係る気相成長装置が稼働しているときの内管２４の形状を示す断面図である。気相成長装置が稼働しているとき、高温の排気ガスＧが内管２４を流れるため、保持部２５４が加熱される。保持部２５４が形状記憶合金で構成されている場合には、予め保持部２５４の形状を高温時に内管２４が第３排気管２７の内面に密着するように形状記憶させておく。すなわち、高温時には、保持部２５４が元の形状に回復するように変形する。

【0057】

保持部２５４の変形に伴って、内管２４は第３排気管２７内で広がるように弾性変形する。その結果、図１３に示すように、内管２４の外周面と第３排気管２７の内周面との隙間が狭まって、両者はほぼ密着する。

【0058】

一方、気相成長装置が停止し、メンテナンス作業時には、内管２４の温度が常温に下がるため、保持部２５４は、変形しようとする力を失う。その結果、図１２に示すように、内管２４は、第３排気管２７との密着が解除される。これにより、内管２４をスムーズに取り出したり挿入したりすることができる。

【0059】

以上説明した本実施形態によれば、弾性プレートを丸めた形状を有する内管２４の両端が、熱変形する保持部２５４で接続されている。これにより、第３排気管２７内に内管２４の安定した装着状態を保持できるとともに、容易に内管２４を脱着することができるようになる。

【0060】

また、本実施形態では、内管２４を渦巻ばね状の弾性プレートとすることで、保持部２５４を兼ねることができる。すなわち、第３排気管２７内に内管２４を弾性変形させて挿入し、挿入後第３排気管２７内に広がることで第３排気管２７内に密着させて保持してもよい。

【0061】

本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。この実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

【符号の説明】

【0062】

１、２：気相成長装置
１０：反応容器
２１：石英管
２２：第１排気管
２３：第２排気管
２４：内管
２５、２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃ、２５４：保持部
２７：第３排気管
２１１：溝部
２２１：切り欠き部
２４２、２４３：突起部
２４１：上端部

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図6】

【図7A】

【図7B】

【図7C】

【図8】

【図9A】

【図9B】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】