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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024173780
(43)【公開日】2024-12-12
(54)【発明の名称】積層体及び積層体の製造方法
(51)【国際特許分類】
B32B 15/082 20060101AFI20241205BHJP
C08G 65/336 20060101ALI20241205BHJP
B32B 27/00 20060101ALI20241205BHJP
B32B 27/30 20060101ALI20241205BHJP
C09D 5/00 20060101ALI20241205BHJP
C09D 201/06 20060101ALI20241205BHJP
C09K 3/18 20060101ALI20241205BHJP
【ＦＩ】
B32B15/082 B
C08G65/336
B32B27/00 101
B32B27/30 D
C09D5/00 D
C09D201/06
C09K3/18 102
C09K3/18 104
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024086604
(22)【出願日】2024-05-28
(31)【優先権主張番号】P 2023089280
(32)【優先日】2023-05-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000000044
【氏名又は名称】ＡＧＣ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001519
【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】関 満
(72)【発明者】
【氏名】原 弘之
【テーマコード（参考）】
4F100
4H020
4J005
4J038
【Ｆターム（参考）】
4F100AB04A
4F100AH02C
4F100AK17B
4F100AK52B
4F100BA03
4F100BA07
4F100BA10A
4F100BA10B
4F100EJ65C
4F100GB48
4F100JA07C
4F100JB06
4F100JK09
4F100JL06B
4F100YY00C
4H020AA06
4H020BA22
4H020BA34
4H020BA36
4J005AA09
4J005BA00
4J005BD00
4J005BD08
4J038JC22
4J038NA01
4J038NA12
4J038PB06
(57)【要約】
【課題】積層体の表面における耐摩耗性の向上と外観不良の抑制とを両立した積層体を提供すること。
【解決手段】積層体は、表面の少なくとも一部が金属である基材と、ポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖と反応性シリル基とを有する化合物を用いて形成される防汚層と、前記基材と防汚層との間に設けられ、多価ホスホン酸化合物を用いて形成されるプライマー部位と、を有し、前記プライマー部位は、前記基材の表面における前記金属の少なくとも一部に接し、かつ、前記防汚層の少なくとも一部に接する。
【選択図】なし
【解決手段】積層体は、表面の少なくとも一部が金属である基材と、ポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖と反応性シリル基とを有する化合物を用いて形成される防汚層と、前記基材と防汚層との間に設けられ、多価ホスホン酸化合物を用いて形成されるプライマー部位と、を有し、前記プライマー部位は、前記基材の表面における前記金属の少なくとも一部に接し、かつ、前記防汚層の少なくとも一部に接する。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
表面の少なくとも一部が金属である基材と、
ポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖と反応性シリル基とを有する化合物を用いて形成される防汚層と、
前記基材と防汚層との間に設けられ、多価ホスホン酸化合物を用いて形成されるプライマー部位と、
を有し、
前記プライマー部位は、前記基材の表面における前記金属の少なくとも一部に接し、かつ、前記防汚層の少なくとも一部に接する、積層体。
ポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖と反応性シリル基とを有する化合物を用いて形成される防汚層と、
前記基材と防汚層との間に設けられ、多価ホスホン酸化合物を用いて形成されるプライマー部位と、
を有し、
前記プライマー部位は、前記基材の表面における前記金属の少なくとも一部に接し、かつ、前記防汚層の少なくとも一部に接する、積層体。
【請求項2】
前記多価ホスホン酸化合物の分子量は１，０００以下である、請求項１に記載の積層体。
【請求項3】
前記多価ホスホン酸化合物は、２つのホスホン酸基と炭素原子に結合するＯＨ基とを有する化合物、及び、３つ以上のホスホン酸基を有する化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含む、請求項１又は２に記載の積層体。
【請求項4】
前記多価ホスホン酸化合物は、エチドロン酸、フィチン酸、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、４－アミノ－１－ヒドロキシブタン－１，１－ジホスホン酸、及びグリシン－Ｎ，Ｎ－ビス（メチレンホスホン酸）からなる群より選択される少なくとも１種を含む、請求項１又は２に記載の積層体。
【請求項5】
蛍光Ｘ線分光法により算出される前記プライマー部位におけるリン原子の強度は、０．２ｋｃｐｓ以上である、請求項１又は２に記載の積層体。
【請求項6】
表面の少なくとも一部が金属である基材の前記表面に、多価ホスホン酸化合物と溶剤とを含む液状組成物を塗布し、塗布された前記液状組成物から前記溶剤を除去することで、前記基材の表面における前記金属の少なくとも一部に接する第１の部位を得ることと、
前記第１の部位が設けられた前記基材の表面に、ポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖と反応性シリル基とを有する化合物を含む組成物を用いて、前記第１の部位から得られるプライマー部位に接する防汚層を形成することと、
を含む、積層体の製造方法。
前記第１の部位が設けられた前記基材の表面に、ポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖と反応性シリル基とを有する化合物を含む組成物を用いて、前記第１の部位から得られるプライマー部位に接する防汚層を形成することと、
を含む、積層体の製造方法。
【請求項7】
前記多価ホスホン酸化合物の分子量は１，０００以下である、請求項６に記載の積層体の製造方法。
【請求項8】
前記多価ホスホン酸化合物は、２つのホスホン酸基と炭素原子に結合するＯＨ基とを有する化合物、及び、３つ以上のホスホン酸基を有する化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含む、請求項６又は７に記載の積層体の製造方法。
【請求項9】
前記多価ホスホン酸化合物は、エチドロン酸、フィチン酸、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、４－アミノ－１－ヒドロキシブタン－１，１－ジホスホン酸、及びグリシン－Ｎ，Ｎ－ビス（メチレンホスホン酸）からなる群より選択される少なくとも１種を含む、請求項６又は７に記載の積層体の製造方法。
【請求項10】
前記液状組成物における前記多価ホスホン酸化合物の含有率は０．３質量％以上である、請求項６又は７に記載の積層体の製造方法。
【請求項11】
前記液状組成物は、前記多価ホスホン酸化合物以外の界面活性剤を含まない、請求項６又は７に記載の積層体の製造方法。
【請求項12】
第１の部位が設けられる前における前記基材の前記表面は、水の接触角が７０度未満である、請求項６又は７に記載の積層体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、積層体及び積層体の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
各種基材の表面に撥水撥油性を付与するために、基材の表面に表面張力の低い防汚層を設けることで、汚れの付着を抑制したり、付着した汚れを除去しやすくしたりする性質、すなわち、防汚性を向上させることが知られている。
【0003】
防汚層の形成に用いる化合物としては、例えば含フッ素シラン化合物が挙げられる。一方、表面の少なくとも一部に金属を含む基材に、含フッ素シラン化合物を用いて形成される防汚層を直接設けると、防汚層表面の洗浄や摩擦を繰り返すことで防汚性が低下することがあった。
上記防汚性の低下を抑制する方法として、特許文献１では、基材と防汚層との間に、加水分解性シリル基を３０質量％以上の割合で含有しフッ素原子を含まず質量平均分子量が５００～２００，０００であるシラン化合物を用いてプライマー層を設ける方法が提案されている。
上記防汚性の低下を抑制する方法として、特許文献１では、基材と防汚層との間に、加水分解性シリル基を３０質量％以上の割合で含有しフッ素原子を含まず質量平均分子量が５００～２００，０００であるシラン化合物を用いてプライマー層を設ける方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】国際公開第２０１９／２４００９３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明者によれば、表面の少なくとも一部が金属である基材の表面に、特許文献１に記載のシラン化合物を用いたプライマー層を介して防汚層を設けた積層体とすると、積層体の表面における外観不良が発生することがあることが分かった。
【0006】
本開示はこのような事情に鑑みてなされたものであり、本発明の一実施形態が解決しようとする課題は、積層体の表面における耐摩耗性の向上と外観不良の抑制とを両立した積層体及び積層体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
前記課題を達成するための具体的手段は以下の通りである。
＜１＞
表面の少なくとも一部が金属である基材と、
ポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖と反応性シリル基とを有する化合物を用いて形成される防汚層と、
前記基材と防汚層との間に設けられ、多価ホスホン酸化合物を用いて形成されるプライマー部位と、
を有し、
前記プライマー部位は、前記基材の表面における前記金属の少なくとも一部に接し、かつ、前記防汚層の少なくとも一部に接する、積層体。
＜２＞
前記多価ホスホン酸化合物の分子量は１，０００以下である、＜１＞に記載の積層体。＜３＞
前記多価ホスホン酸化合物は、２つのホスホン酸基と炭素原子に結合するＯＨ基とを有する化合物、及び、３つ以上のホスホン酸基を有する化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含む、＜１＞又は＜２＞に記載の積層体。
＜４＞
前記多価ホスホン酸化合物は、エチドロン酸、フィチン酸、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、４－アミノ－１－ヒドロキシブタン－１，１－ジホスホン酸、及びグリシン－Ｎ，Ｎ－ビス（メチレンホスホン酸）からなる群より選択される少なくとも１種を含む、＜１＞～＜３＞のいずれか１つに記載の積層体。
＜５＞
蛍光Ｘ線分光法により算出される前記プライマー部位におけるリン原子の強度は、０．２ｋｃｐｓ以上である、＜１＞～＜４＞のいずれか１つに記載の積層体。
＜６＞
表面の少なくとも一部が金属である基材の前記表面に、多価ホスホン酸化合物と溶剤とを含む液状組成物を塗布し、塗布された前記液状組成物から前記溶剤を除去することで、前記基材の表面における前記金属の少なくとも一部に接する第１の部位を得ることと、
前記第１の部位が設けられた前記基材の表面に、ポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖と反応性シリル基とを有する化合物を含む組成物を用いて、前記第１の部位から得られるプライマー部位に接する防汚層を形成することと、
を含む、積層体の製造方法。
＜７＞
前記多価ホスホン酸化合物の分子量は１，０００以下である、＜６＞に記載の積層体の製造方法。
＜８＞
前記多価ホスホン酸化合物は、２つのホスホン酸基と炭素原子に結合するＯＨ基とを有する化合物、及び、３つ以上のホスホン酸基を有する化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含む、＜６＞又は＜７＞に記載の積層体の製造方法。
＜９＞
前記多価ホスホン酸化合物は、エチドロン酸、フィチン酸、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、４－アミノ－１－ヒドロキシブタン－１，１－ジホスホン酸、及びグリシン－Ｎ，Ｎ－ビス（メチレンホスホン酸）からなる群より選択される少なくとも１種を含む、＜６＞～＜８＞のいずれか１つに記載の積層体の製造方法。
＜１０＞
前記液状組成物における前記多価ホスホン酸化合物の含有率は０．３質量％以上である、＜６＞～＜９＞のいずれか１つに記載の積層体の製造方法。
＜１１＞
前記液状組成物は、前記多価ホスホン酸化合物以外の界面活性剤を含まない、＜６＞～＜１０＞のいずれか１つに記載の積層体の製造方法。
＜１２＞
第１の部位が設けられる前における前記基材の前記表面は、水の接触角が７０度未満である、＜６＞～＜１１＞のいずれか１つに記載の積層体の製造方法。
＜１＞
表面の少なくとも一部が金属である基材と、
ポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖と反応性シリル基とを有する化合物を用いて形成される防汚層と、
前記基材と防汚層との間に設けられ、多価ホスホン酸化合物を用いて形成されるプライマー部位と、
を有し、
前記プライマー部位は、前記基材の表面における前記金属の少なくとも一部に接し、かつ、前記防汚層の少なくとも一部に接する、積層体。
＜２＞
前記多価ホスホン酸化合物の分子量は１，０００以下である、＜１＞に記載の積層体。＜３＞
前記多価ホスホン酸化合物は、２つのホスホン酸基と炭素原子に結合するＯＨ基とを有する化合物、及び、３つ以上のホスホン酸基を有する化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含む、＜１＞又は＜２＞に記載の積層体。
＜４＞
前記多価ホスホン酸化合物は、エチドロン酸、フィチン酸、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、４－アミノ－１－ヒドロキシブタン－１，１－ジホスホン酸、及びグリシン－Ｎ，Ｎ－ビス（メチレンホスホン酸）からなる群より選択される少なくとも１種を含む、＜１＞～＜３＞のいずれか１つに記載の積層体。
＜５＞
蛍光Ｘ線分光法により算出される前記プライマー部位におけるリン原子の強度は、０．２ｋｃｐｓ以上である、＜１＞～＜４＞のいずれか１つに記載の積層体。
＜６＞
表面の少なくとも一部が金属である基材の前記表面に、多価ホスホン酸化合物と溶剤とを含む液状組成物を塗布し、塗布された前記液状組成物から前記溶剤を除去することで、前記基材の表面における前記金属の少なくとも一部に接する第１の部位を得ることと、
前記第１の部位が設けられた前記基材の表面に、ポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖と反応性シリル基とを有する化合物を含む組成物を用いて、前記第１の部位から得られるプライマー部位に接する防汚層を形成することと、
を含む、積層体の製造方法。
＜７＞
前記多価ホスホン酸化合物の分子量は１，０００以下である、＜６＞に記載の積層体の製造方法。
＜８＞
前記多価ホスホン酸化合物は、２つのホスホン酸基と炭素原子に結合するＯＨ基とを有する化合物、及び、３つ以上のホスホン酸基を有する化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含む、＜６＞又は＜７＞に記載の積層体の製造方法。
＜９＞
前記多価ホスホン酸化合物は、エチドロン酸、フィチン酸、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、４－アミノ－１－ヒドロキシブタン－１，１－ジホスホン酸、及びグリシン－Ｎ，Ｎ－ビス（メチレンホスホン酸）からなる群より選択される少なくとも１種を含む、＜６＞～＜８＞のいずれか１つに記載の積層体の製造方法。
＜１０＞
前記液状組成物における前記多価ホスホン酸化合物の含有率は０．３質量％以上である、＜６＞～＜９＞のいずれか１つに記載の積層体の製造方法。
＜１１＞
前記液状組成物は、前記多価ホスホン酸化合物以外の界面活性剤を含まない、＜６＞～＜１０＞のいずれか１つに記載の積層体の製造方法。
＜１２＞
第１の部位が設けられる前における前記基材の前記表面は、水の接触角が７０度未満である、＜６＞～＜１１＞のいずれか１つに記載の積層体の製造方法。
【発明の効果】
【0008】
本発明の一実施形態によれば、積層体の表面における耐摩耗性の向上と外観不良の抑制とを両立した積層体及び積層体の製造方法が提供される。
【発明を実施するための形態】
【0009】
本開示において「～」を用いて示された数値範囲には、「～」の前後に記載される数値がそれぞれ最小値及び最大値として含まれる。
本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい
。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
本開示における以下の用語の意味は、以下の通りである。
本開示において、式（１）で表される化合物を化合物（１）と記す。他の式で表される化合物、基等もこれに準ずる。
ペルフルオロアルキル基とは、アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換された基を意味する。また、フルオロアルキル基とは、パーシャルフルオロアルキル基とペルフルオロアルキル基とを合わせた総称である。パーシャルフルオロアルキル基とは、水素原子の１個以上がフッ素原子で置換され、かつ、水素原子を１個以上有するアルキル基である。すなわち、フルオロアルキル基は、１個以上のフッ素原子を有するアルキル基である。
本開示における数平均分子量（Ｍｎ）は、ポリスチレンを標準物質としてゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）法で測定される値である。
本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい
。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
本開示における以下の用語の意味は、以下の通りである。
本開示において、式（１）で表される化合物を化合物（１）と記す。他の式で表される化合物、基等もこれに準ずる。
ペルフルオロアルキル基とは、アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換された基を意味する。また、フルオロアルキル基とは、パーシャルフルオロアルキル基とペルフルオロアルキル基とを合わせた総称である。パーシャルフルオロアルキル基とは、水素原子の１個以上がフッ素原子で置換され、かつ、水素原子を１個以上有するアルキル基である。すなわち、フルオロアルキル基は、１個以上のフッ素原子を有するアルキル基である。
本開示における数平均分子量（Ｍｎ）は、ポリスチレンを標準物質としてゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）法で測定される値である。
【0010】
［積層体］
本開示の積層体は、表面の少なくとも一部が金属である基材と、ポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖と反応性シリル基とを有する化合物を用いて形成される防汚層と、前記基材と防汚層との間に設けられ、多価ホスホン酸化合物を用いて形成されるプライマー部位と、を有し、前記プライマー部位は、前記基材の表面における前記金属の少なくとも一部に接し、かつ、前記防汚層の少なくとも一部に接する。以下、ポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖と反応性シリル基とを有する化合物を「特定含フッ素化合物」ともいう。
本開示の積層体は、上記構成であることにより、積層体の表面における耐摩耗性の向上と外観不良の抑制との両立が実現される。その理由は以下のように推測される。
本開示の積層体は、表面の少なくとも一部が金属である基材と、ポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖と反応性シリル基とを有する化合物を用いて形成される防汚層と、前記基材と防汚層との間に設けられ、多価ホスホン酸化合物を用いて形成されるプライマー部位と、を有し、前記プライマー部位は、前記基材の表面における前記金属の少なくとも一部に接し、かつ、前記防汚層の少なくとも一部に接する。以下、ポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖と反応性シリル基とを有する化合物を「特定含フッ素化合物」ともいう。
本開示の積層体は、上記構成であることにより、積層体の表面における耐摩耗性の向上と外観不良の抑制との両立が実現される。その理由は以下のように推測される。
【0011】
特許文献１に記載のシラン化合物を用いたプライマー層を介して、表面の少なくとも一部が金属である基材の表面に防汚層を設けた積層体とすると、積層体の表面における耐摩耗性は向上するものの、外観不良が発生することがある。上記外観不良は、プライマー層による光の干渉に起因するものと推測される。
これに対して、本開示の積層体では、多価ホスホン酸化合物を用いて形成されるプライマー部位が、基材の表面における金属の少なくとも一部と、防汚層の少なくとも一部と、の両方に接する。そして、多価ホスホン酸化合物が有するホスホン酸基が基材の表面における金属と反応するとともに、多価ホスホン酸化合物が有するＯＨ基が特定含フッ素化合物の反応性シリル基と反応すると考えられる。そのため、基材の表面における金属とプライマー部位との界面及びプライマー部位と防汚層との界面の両方において化学的な結合が生じ、金属と防汚層との密着性が向上することで積層体の表面における耐摩耗性が向上すると推測される。加えて、多価ホスホン酸化合物が分子レベルで基材の表面における金属及び防汚層の両方に結合していることで、光の干渉が起こりにくく、外観不良が抑制されるものと推測される。
以下、本開示の積層体を構成する基材、プライマー部位、及び防汚層について、それぞれ説明する。
これに対して、本開示の積層体では、多価ホスホン酸化合物を用いて形成されるプライマー部位が、基材の表面における金属の少なくとも一部と、防汚層の少なくとも一部と、の両方に接する。そして、多価ホスホン酸化合物が有するホスホン酸基が基材の表面における金属と反応するとともに、多価ホスホン酸化合物が有するＯＨ基が特定含フッ素化合物の反応性シリル基と反応すると考えられる。そのため、基材の表面における金属とプライマー部位との界面及びプライマー部位と防汚層との界面の両方において化学的な結合が生じ、金属と防汚層との密着性が向上することで積層体の表面における耐摩耗性が向上すると推測される。加えて、多価ホスホン酸化合物が分子レベルで基材の表面における金属及び防汚層の両方に結合していることで、光の干渉が起こりにくく、外観不良が抑制されるものと推測される。
以下、本開示の積層体を構成する基材、プライマー部位、及び防汚層について、それぞれ説明する。
【0012】
（基材）
基材は、表面の少なくとも一部が金属である。基材は、表面の一部が金属であってもよく、表面の全部が金属であってもよい。
基材は、表面の少なくとも一部が金属である。基材は、表面の一部が金属であってもよく、表面の全部が金属であってもよい。
【0013】
基材は、例えば、全体が単一の金属からなる構成であってもよく、金属からなる層（以下、「金属層」ともいう。）が複数積層された積層体であってもよい。さらには、金属層と、金属以外の無機材料からなる層（以下、「無機材料層」ともいう。）及び／又は有機材料からなる層（以下、「有機材料層」ともいう。）と、の積層体であって、表層の１層が金属層である積層体であってもよい。又は、基材の表面が、同一面内において、金属からなる領域と、金属以外の無機材料及び／又は有機材料からなる領域と、を有する構成であってもよい。金属層又は有機材料層の表面の少なくとも一部に金属めっきを施した基材であってもよい。
【0014】
基材の形状は、特に限定されず、板状、フィルム（薄膜）状、棒状、筒状等が挙げられる。基材が板状である場合、平板であってもよく、主面の一部又は全部が曲率を有する形状であってもよい。また、表面形状は平滑であってもよく、凹凸があってもよい。
基材の表面における金属は、１種でも２種以上でもよい。
基材の表面における金属としては、室温（２５℃）で固体の金属、合金等が、特に制限なく挙げられる。
基材の表面における金属は、１種でも２種以上でもよい。
基材の表面における金属としては、室温（２５℃）で固体の金属、合金等が、特に制限なく挙げられる。
【0015】
基材の表面における金属としては、クロム、鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、亜鉛、スズ、炭素鋼、鉛、チタン、金、銀、これらの合金等が挙げられる。合金としては、ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ３０３、ＳＵＳ３１７、ＳＵＳ４０３等のステンレス鋼、真鍮（黄銅）、青銅、白銅、丹銅、赤銅、洋銀、ジュラルミン、はんだ等が挙げられる。また、基材が金属層又は有機材料層の表面の少なくとも一部に金属めっきを施した基材である場合、金属めっきとしては、ニッケル・クロムメッキ、ニッケルメッキ、クロムメッキ、亜鉛メッキ等の表面が挙げられる。
【0016】
（プライマー部位）
プライマー部位は、基材と防汚層との間に設けられ、基材の表面における金属の少なくとも一部に接している。プライマー部位は、基材の表面のうち、金属の少なくとも一部に接していればよく、金属の全部に接してもよく、基材の表面の全体に接してもよい。基材の表面の一部が金属以外の材質である場合、プライマー部位は、金属の少なくとも一部と前記金属以外の材質の少なくとも一部との両方に接していてもよい。
プライマー部位は、基材と防汚層との間に設けられ、基材の表面における金属の少なくとも一部に接している。プライマー部位は、基材の表面のうち、金属の少なくとも一部に接していればよく、金属の全部に接してもよく、基材の表面の全体に接してもよい。基材の表面の一部が金属以外の材質である場合、プライマー部位は、金属の少なくとも一部と前記金属以外の材質の少なくとも一部との両方に接していてもよい。
【0017】
プライマー部位を形成する多価ホスホン酸化合物は、基材の表面における金属と、防汚層の形成に用いられる特定含フッ素化合物の反応性シリル基と、の両方と反応した反応生成物の状態で存在する。つまり、プライマー部位は、多価ホスホン酸化合物の反応生成物を含有する。
【0018】
プライマー部位は、１種のみの多価ホスホン酸化合物の反応生成物を含有してもよく、２種以上の多価ホスホン酸化合物の反応生成物を含有してもよい。プライマー部位は、多価ホスホン酸化合物の反応生成物以外の他の成分を含んでもよい。他の成分としては、多価ホスホン酸化合物以外のキレート剤等が挙げられる。プライマー部位全体に占める多価ホスホン酸化合物の反応生成物の含有率は、防汚層の耐摩耗性向上及び外観不良抑制の観点から、８０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましく、９５質量％以上がさらに好ましく、１００質量％であってもよい。
【0019】
プライマー部位は、多価ホスホン酸化合物以外の界面活性剤を実質的に含有しないことが好ましい。以下、多価ホスホン酸化合物以外の界面活性剤を「他の界面活性剤」ともいう。界面活性剤は、分子内に、水になじみやすい部位（親水基）と、油になじみやすい部位（親油基）と、を持つ化合物である。他の界面活性剤を実質的に含有しないとは、プライマー部位全体に対する他の界面活性剤の含有率が１質量％以下であることを意味する。プライマー部位が他の界面活性剤を実質的に含有しないことで、他の界面活性剤の作用による防汚層表面の接触角の低下が抑制され、接触角の低下に伴う防汚性の低下及び耐摩耗性の低下が抑制される。プライマー部位全体に対する他の界面活性剤の含有率は、０．５質量％以下が好ましく、０．２質量％以下がより好ましい。
以下、プライマー部位の形成に用いる多価ホスホン酸化合物について説明する。
以下、プライマー部位の形成に用いる多価ホスホン酸化合物について説明する。
【0020】
＜多価ホスホン酸化合物＞
多価ホスホン酸化合物は、２つ以上のホスホン酸基を有する化合物であれば特に限定されるものではない。多価ホスホン酸化合物の１分子が有するホスホン酸基の数は、２以上であり、例えば２～８が挙げられ、防汚層の耐摩耗性向上の観点から２～６が好ましく、２～４がより好ましく、３がさらに好ましい。
多価ホスホン酸化合物は、２つ以上のホスホン酸基を有する化合物であれば特に限定されるものではない。多価ホスホン酸化合物の１分子が有するホスホン酸基の数は、２以上であり、例えば２～８が挙げられ、防汚層の耐摩耗性向上の観点から２～６が好ましく、２～４がより好ましく、３がさらに好ましい。
【0021】
多価ホスホン酸化合物としては、２つ以上のホスホン酸基が連結基を介して結合した化合物が挙げられる。連結基としては、アルキレン基、２級アミノ基、３級アミノ基、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、これらの組み合わせ等が挙げられる。アルキレン基は、直鎖状、分岐鎖状、及び環状のいずれであってもよい。アルキレン基は、ホスホン酸基以外の置換基を有してもよい。ホスホン酸基以外の置換基としては、ＯＨ基、１級アミノ基、カルボキシ基、イソシアナート基等が挙げられる。
連結基は、置換又は無置換のアルキレン基、置換又は無置換のアルキレン基とエーテル結合との組み合わせ、及び置換又は無置換のアルキレン基と３級アミノ基との組み合わせが好ましく、ＯＨ基で置換されたアルキレン基、無置換の環状アルキレンとエーテル結合、無置換のアルキレン基と３級アミノ基との組み合わせとの組み合わせがより好ましく、無置換のアルキレン基と３級アミノ基との組み合わせがさらに好ましい。
連結基は、置換又は無置換のアルキレン基、置換又は無置換のアルキレン基とエーテル結合との組み合わせ、及び置換又は無置換のアルキレン基と３級アミノ基との組み合わせが好ましく、ＯＨ基で置換されたアルキレン基、無置換の環状アルキレンとエーテル結合、無置換のアルキレン基と３級アミノ基との組み合わせとの組み合わせがより好ましく、無置換のアルキレン基と３級アミノ基との組み合わせがさらに好ましい。
【0022】
連結基は、炭素原子を含むことが好ましい。つまり、多価ホスホン酸化合物は、２つ以上のホスホン酸基を有する、有機化合物が好ましい。連結基の総炭素数としては、例えば１～１２が挙げられ、防汚層の耐摩耗性向上の観点から２～９が好ましく、２～６がより好ましい。上記連結基の総炭素数は、例えば連結基が２以上のアルキレン基及びカルボキシ基を有する場合、前記２以上のアルキレン基に含まれる炭素原子の数及び前記カルボキシ基に含まれる炭素原子の数を合計した値を示す。
【0023】
多価ホスホン酸化合物は、防汚層の耐摩耗性向上の観点から２つのホスホン酸基と炭素原子に結合するＯＨ基とを有する化合物、及び、３つ以上のホスホン酸基を有する化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。炭素原子に結合するＯＨ基は、アルキレン基の炭素原子に直接結合するＯＨ基であってもよく、カルボキシ基の一部を構成するＯＨ基であってもよい。
【0024】
多価ホスホン酸化合物の分子量は、防汚層の耐摩耗性向上及び外観不良抑制の観点から、１，０００以下が好ましく、８５０以下がより好ましく、７００以下がさらに好ましい。多価ホスホン酸化合物の分子量は、防汚層の耐摩耗性向上の観点から、１２０以上が好ましく、１５０以上がより好ましく、１８０以上がさらに好ましい。多価ホスホン酸化合物の分子量は、化合物の化学構造から算出される。
【0025】
多価ホスホン酸化合物は、防汚層の耐摩耗性向上及び外観不良抑制の観点から、下記式（Ｐ）で表される化合物が好ましい。
Ｑｐ－［ＰＯ（ＯＨ）２］ｒ …（Ｐ）
式（Ｐ）中、Ｑｐはｒ価の有機連結基であり、ｒは２～６の整数である。
Ｑｐ－［ＰＯ（ＯＨ）２］ｒ …（Ｐ）
式（Ｐ）中、Ｑｐはｒ価の有機連結基であり、ｒは２～６の整数である。
【0026】
式（Ｐ）中のｒは、２～８の整数が好ましく、３がより好ましい。
式（Ｐ）中のＱｐで表されるｒ価の有機連結基としては、前述の多価ホスホン酸化合物が有する連結基の例のうち、少なくともアルキレン基を含むものが挙げられる。
式（Ｐ）中のＱｐで表されるｒ価の有機連結基として、具体的には、下記式（ＱＰ１）～（ＱＰ５）で表される連結基が挙げられる。式中、Ｒ１１は１価の基を表し、Ｒ２１～Ｒ２６はそれぞれ独立に水素原子、１価の基、又は基＊ＱＰ２－Ｏ－＊Ｐを表し、Ｒ２１～Ｒ２６のうち２つ以上の基は基＊ＱＰ２－Ｏ－＊Ｐであり、Ｒ４１は水素原子、１価の基、又は＊ＱＰ３－（ＣＨ２）ｐ３３－＊Ｐを表し、Ｒ５１～Ｒ５４はそれぞれ独立に水素原子、１価の基、又は基＊ＱＰ４－（ＣＨ２）ｐ４２－＊Ｐを表し、Ｒ５１～Ｒ５４のうち２つ以上の基は基＊ＱＰ４－（ＣＨ２）ｐ４２－＊Ｐであり、Ｒ７１～Ｒ７５はそれぞれ独立に水素原子、１価の基、又は基＊ＱＰ５－（ＣＨ２）ｐ５３－＊Ｐを表し、Ｒ７１～Ｒ７５のうち２つ以上の基は基＊ＱＰ５－（ＣＨ２）ｐ５３－＊Ｐであり、ｐ３１～
ｐ３３、ｐ４１～ｐ４２、及びｐ５１～ｐ５３はそれぞれ独立に１～３の整数を表し、＊Ｐはホスホン酸基（ＰＯ（ＯＨ）２）への結合部位を表し、後述する＊Ｐも全て同様である。また、＊ＱＰ２は式（ＱＰ２）中の炭素原子への結合部位を表し、＊ＱＰ３は式（ＱＰ３）中の窒素原子への結合部位を表し、＊ＱＰ４は式（ＱＰ４）中の窒素原子への結合部位を表し、＊ＱＰ５は式（ＱＰ５）中の窒素原子への結合部位を表す。
式（Ｐ）中のＱｐで表されるｒ価の有機連結基としては、前述の多価ホスホン酸化合物が有する連結基の例のうち、少なくともアルキレン基を含むものが挙げられる。
式（Ｐ）中のＱｐで表されるｒ価の有機連結基として、具体的には、下記式（ＱＰ１）～（ＱＰ５）で表される連結基が挙げられる。式中、Ｒ１１は１価の基を表し、Ｒ２１～Ｒ２６はそれぞれ独立に水素原子、１価の基、又は基＊ＱＰ２－Ｏ－＊Ｐを表し、Ｒ２１～Ｒ２６のうち２つ以上の基は基＊ＱＰ２－Ｏ－＊Ｐであり、Ｒ４１は水素原子、１価の基、又は＊ＱＰ３－（ＣＨ２）ｐ３３－＊Ｐを表し、Ｒ５１～Ｒ５４はそれぞれ独立に水素原子、１価の基、又は基＊ＱＰ４－（ＣＨ２）ｐ４２－＊Ｐを表し、Ｒ５１～Ｒ５４のうち２つ以上の基は基＊ＱＰ４－（ＣＨ２）ｐ４２－＊Ｐであり、Ｒ７１～Ｒ７５はそれぞれ独立に水素原子、１価の基、又は基＊ＱＰ５－（ＣＨ２）ｐ５３－＊Ｐを表し、Ｒ７１～Ｒ７５のうち２つ以上の基は基＊ＱＰ５－（ＣＨ２）ｐ５３－＊Ｐであり、ｐ３１～
ｐ３３、ｐ４１～ｐ４２、及びｐ５１～ｐ５３はそれぞれ独立に１～３の整数を表し、＊Ｐはホスホン酸基（ＰＯ（ＯＨ）２）への結合部位を表し、後述する＊Ｐも全て同様である。また、＊ＱＰ２は式（ＱＰ２）中の炭素原子への結合部位を表し、＊ＱＰ３は式（ＱＰ３）中の窒素原子への結合部位を表し、＊ＱＰ４は式（ＱＰ４）中の窒素原子への結合部位を表し、＊ＱＰ５は式（ＱＰ５）中の窒素原子への結合部位を表す。
【0027】
【化1】
【0028】
式（ＱＰ１）中のＲ１１で表される１価の基としては、例えば有機基が挙げられ、具体的には、基＊ＱＰ１－（ＣＨ２）ｐ１１－Ｒ１２等が挙げられる。＊ＱＰ１は式（ＱＰ１）中の炭素原子への結合部位を表し、Ｒ１２は水素原子、アミノ基、カルボキシ基、又はイソシアナート基を表し、ｐ１１は１～３の整数を表す。Ｒ１２は、水素原子又はアミノ基が好ましく、水素原子がより好ましい。ｐ１１は、１～２が好ましく、１がより好ましい。
Ｒ１１で表される１価の基は、基＊ＱＰ１－（ＣＨ２）ｐ１１－Ｈ又は基＊ＱＰ１－（ＣＨ２）ｐ１１－ＮＨ２が好ましく、基＊ＱＰ１－ＣＨ２－Ｈ又は基＊ＱＰ１－（ＣＨ２）３－ＮＨ２がより好ましく、基＊ＱＰ１－ＣＨ３がさらに好ましい。
Ｒ１１で表される１価の基は、基＊ＱＰ１－（ＣＨ２）ｐ１１－Ｈ又は基＊ＱＰ１－（ＣＨ２）ｐ１１－ＮＨ２が好ましく、基＊ＱＰ１－ＣＨ２－Ｈ又は基＊ＱＰ１－（ＣＨ２）３－ＮＨ２がより好ましく、基＊ＱＰ１－ＣＨ３がさらに好ましい。
【0029】
式（ＱＰ２）中のＲ２１～Ｒ２６で表される１価の基としては、それぞれ独立に、基＊ＱＰ２－（ＣＨ２）ｐ２１－Ｒ２７等が挙げられる。＊ＱＰ２は式（ＱＰ２）中の炭素原子への結合部位を表し、Ｒ２７は水素原子、アミノ基、カルボキシ基、又はイソシアナート基を表し、ｐ２１は１～３の整数を表す。
式（ＱＰ２）中のＲ２１～Ｒ２６のうち２つ以上の基は基＊ＱＰ２－Ｏ－＊Ｐであり、基＊ＱＰ２－Ｏ－＊Ｐは３つ以上であってもよく、６つが好ましい。つまり、式（ＱＰ２）は、Ｒ２１～Ｒ２６のいずれもが基＊ＱＰ２－Ｏ－＊Ｐである連結基が好ましい。
基＊ＱＰ２－Ｏ－＊Ｐが２つの場合、その２つの基はオルト、メタ、及びパラのいずれの位置関係であってもよい。
式（ＱＰ２）中のＲ２１～Ｒ２６のうち２つ以上の基は基＊ＱＰ２－Ｏ－＊Ｐであり、基＊ＱＰ２－Ｏ－＊Ｐは３つ以上であってもよく、６つが好ましい。つまり、式（ＱＰ２）は、Ｒ２１～Ｒ２６のいずれもが基＊ＱＰ２－Ｏ－＊Ｐである連結基が好ましい。
基＊ＱＰ２－Ｏ－＊Ｐが２つの場合、その２つの基はオルト、メタ、及びパラのいずれの位置関係であってもよい。
【0030】
式（ＱＰ３）中のＲ４１で表される１価の基としては、例えば有機基が挙げられ、具体的には、基＊ＱＰ３－（ＣＨ２）ｐ３４－Ｒ４２等が挙げられる。＊ＱＰ３は式（ＱＰ３）中の窒素原子への結合部位を表し、Ｒ４２は水素原子、アミノ基、カルボキシ基、又はイソシアナート基を表し、ｐ３４は１～３の整数を表す。ｐ３１～ｐ３４は、それぞれ独立に、１～２が好ましく、１がより好ましい。
【0031】
式（ＱＰ４）中のＲ５１～Ｒ５４で表される１価の基としては、それぞれ独立に、例えば有機基が挙げられ、具体的には、基＊ＱＰ４－（ＣＨ２）ｐ４３－Ｒ５５等が挙げられる。＊ＱＰ４は式（ＱＰ４）中の窒素原子への結合部位を表し、Ｒ５５は水素原子、アミノ基、カルボキシ基、又はイソシアナート基を表し、ｐ４３は１～３の整数を表す。ｐ４１は、１～２が好ましく、２がより好ましい。ｐ４２～ｐ４３はそれぞれ独立に、１～２が好ましく、１がより好ましい。
式（ＱＰ４）中のＲ５１～Ｒ５４のうち２つ以上の基は基＊ＱＰ４－（ＣＨ２）ｐ４２－＊Ｐであり、基＊ＱＰ４－（ＣＨ２）ｐ４２－＊Ｐは３つ以上であってもよく、４つが好ましい。つまり、式（ＱＰ４）は、Ｒ５１～Ｒ５４のいずれもが基＊ＱＰ４－（ＣＨ２）ｐ４２－＊Ｐである連結基が好ましい。
式（ＱＰ４）中のＲ５１～Ｒ５４のうち２つ以上の基は基＊ＱＰ４－（ＣＨ２）ｐ４２－＊Ｐであり、基＊ＱＰ４－（ＣＨ２）ｐ４２－＊Ｐは３つ以上であってもよく、４つが好ましい。つまり、式（ＱＰ４）は、Ｒ５１～Ｒ５４のいずれもが基＊ＱＰ４－（ＣＨ２）ｐ４２－＊Ｐである連結基が好ましい。
【0032】
式（ＱＰ５）中のＲ７１～Ｒ７５で表される１価の基としては、それぞれ独立に、例えば有機基が挙げられ、具体的には、基＊ＱＰ５－（ＣＨ２）ｐ５４－Ｒ７６等が挙げられる。＊ＱＰ５は式（ＱＰ５）中の窒素原子への結合部位を表し、Ｒ７６は水素原子、アミノ基、カルボキシ基、又はイソシアナート基を表し、ｐ５４は１～３の整数を表す。ｐ５１及びｐ５２はそれぞれ独立に、１～２が好ましく、２がより好ましい。ｐ５３～ｐ５４はそれぞれ独立に、１～２が好ましく、１がより好ましい。
式（ＱＰ５）中のＲ７１～Ｒ７５のうち２つ以上の基は基＊ＱＰ５－（ＣＨ２）ｐ５３－＊Ｐであり、基＊ＱＰ５－（ＣＨ２）ｐ５３－＊Ｐは３つ以上であってもよく、５つが好ましい。つまり、式（ＱＰ５）は、Ｒ７１～Ｒ７５のいずれもが基＊ＱＰ５－（ＣＨ２）ｐ５３－＊Ｐである連結基が好ましい。
式（ＱＰ５）中のＲ７１～Ｒ７５のうち２つ以上の基は基＊ＱＰ５－（ＣＨ２）ｐ５３－＊Ｐであり、基＊ＱＰ５－（ＣＨ２）ｐ５３－＊Ｐは３つ以上であってもよく、５つが好ましい。つまり、式（ＱＰ５）は、Ｒ７１～Ｒ７５のいずれもが基＊ＱＰ５－（ＣＨ２）ｐ５３－＊Ｐである連結基が好ましい。
【0033】
多価ホスホン酸化合物は、防汚層の耐摩耗性向上及び外観不良抑制の観点から、これらのなかでも、エチドロン酸、フィチン酸、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、４－アミノ－１－ヒドロキシブタン－１，１－ジホスホン酸、及びグリシン－Ｎ，Ｎ－ビス（メチレンホスホン酸）からなる群より選択される少なくとも１種を含むことが好ましく、エチドロン酸、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）及びフィチン酸からなる群より選択される少なくとも１種を含むことがより好ましく、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）を含むことがさらに好ましい。
【0034】
蛍光Ｘ線分光法により算出されるプライマー部位におけるリン原子の強度は、防汚層の耐摩耗性向上の観点から、０．２ｋｃｐｓ以上が好ましく、０．５ｋｃｐｓ以上がより好ましく、１ｋｃｐｓ以上がさらに好ましい。プライマー部位におけるリン原子の強度の上限値は、特に限定されず、例えば１０ｋｃｐｓが挙げられる。
【0035】
「蛍光Ｘ線分光法により算出されるプライマー部位におけるリン原子の強度」は、以下のように算出される。
蛍光Ｘ線分光法分析装置であるＺＳＸ ＰｒｉｍｕｓＩＶ（ＲＩＧＡＫＵ社製）を用いて、３６．５℃条件下で、プライマー部位を形成する前の基材の、ＥＺスキャンによるＰ－Ｋａ線から得られるリン原子のＸ線強度（単位：ｋｃｐｓ、以下「強度１」ともいう）を測定する。次いで、同様にして、プライマー部位を形成した基材の、ＥＺスキャンによるＰ－Ｋａ線から得られるリン原子のＸ線強度（単位：ｋｃｐｓ、以下「強度２」ともいう）を測定する。「蛍光Ｘ線分光法により算出されるプライマー部位におけるリン原子の強度」は（強度２－強度１）で算出される。
蛍光Ｘ線分光法分析装置であるＺＳＸ ＰｒｉｍｕｓＩＶ（ＲＩＧＡＫＵ社製）を用いて、３６．５℃条件下で、プライマー部位を形成する前の基材の、ＥＺスキャンによるＰ－Ｋａ線から得られるリン原子のＸ線強度（単位：ｋｃｐｓ、以下「強度１」ともいう）を測定する。次いで、同様にして、プライマー部位を形成した基材の、ＥＺスキャンによるＰ－Ｋａ線から得られるリン原子のＸ線強度（単位：ｋｃｐｓ、以下「強度２」ともいう）を測定する。「蛍光Ｘ線分光法により算出されるプライマー部位におけるリン原子の強度」は（強度２－強度１）で算出される。
【0036】
（防汚層）
防汚層は、特定含フッ素化合物を用いて形成される層である。防汚層は、プライマー部位の少なくとも一部に接して設けられる。プライマー部位が基材の表面の一部のみに設けられている場合、防汚層は、プライマー部位と、基材の表面のうちプライマー部位が設けられていない領域と、の両方に接して設けられてもよい。
防汚層は、基材の表面全体に設けられていることが好ましい。
防汚層は、特定含フッ素化合物を用いて形成される層である。防汚層は、プライマー部位の少なくとも一部に接して設けられる。プライマー部位が基材の表面の一部のみに設けられている場合、防汚層は、プライマー部位と、基材の表面のうちプライマー部位が設けられていない領域と、の両方に接して設けられてもよい。
防汚層は、基材の表面全体に設けられていることが好ましい。
【0037】
防汚層は、特定含フッ素化合物の反応生成物を含有する。
防汚層は、１種のみの特定含フッ素化合物の反応生成物を含有してもよく、２種以上の特定含フッ素化合物の反応生成物を含有してもよい。防汚層は、特定含フッ素化合物の反応生成物以外の他の成分を含んでもよい。他の成分としては、特定含フッ素化合物以外の加水分解性シラン化合物、含フッ素オイル、シリカ、アルミナ、ジルコニア、チタニア等の金属酸化物の微粒子、染料、顔料、防汚性材料、硬化触媒、各種樹脂等が挙げられる。防汚層全体に占める特定含フッ素化合物の反応生成物の含有率は、防汚層の耐摩耗性向上の観点から、５０質量％以上が好ましく、８０質量％以上がより好ましく、９０質量％以上がさらに好ましく、９５質量％以上が特に好ましく、１００質量％であってもよい。
防汚層は、１種のみの特定含フッ素化合物の反応生成物を含有してもよく、２種以上の特定含フッ素化合物の反応生成物を含有してもよい。防汚層は、特定含フッ素化合物の反応生成物以外の他の成分を含んでもよい。他の成分としては、特定含フッ素化合物以外の加水分解性シラン化合物、含フッ素オイル、シリカ、アルミナ、ジルコニア、チタニア等の金属酸化物の微粒子、染料、顔料、防汚性材料、硬化触媒、各種樹脂等が挙げられる。防汚層全体に占める特定含フッ素化合物の反応生成物の含有率は、防汚層の耐摩耗性向上の観点から、５０質量％以上が好ましく、８０質量％以上がより好ましく、９０質量％以上がさらに好ましく、９５質量％以上が特に好ましく、１００質量％であってもよい。
【0038】
前記含フッ素オイルとしては、下記式で表される化合物が挙げられる。
式：Ｒｆ５－（ＯＣ４Ｆ８）ａ’－（ＯＣ３Ｆ６）ｂ’－（ＯＣ２Ｆ４）ｃ’－（ＯＣＦ２）ｄ’－Ｒｆ６
上記式中、Ｒｆ５及びＲｆ６は、それぞれ独立して、１以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１～１６アルキル基であり、ａ’及びｂ’は、それぞれ独立して０～３０の整数であり、ｃ’及びｄ’は、それぞれ独立して１～２００の整数であり、ａ’、ｂ’、ｃ’、及びｄ’の和は少なくとも５以上であり、添字ａ’、ｂ’、ｃ’、又はｄ’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。
式：Ｒｆ５－（ＯＣ４Ｆ８）ａ’－（ＯＣ３Ｆ６）ｂ’－（ＯＣ２Ｆ４）ｃ’－（ＯＣＦ２）ｄ’－Ｒｆ６
上記式中、Ｒｆ５及びＲｆ６は、それぞれ独立して、１以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１～１６アルキル基であり、ａ’及びｂ’は、それぞれ独立して０～３０の整数であり、ｃ’及びｄ’は、それぞれ独立して１～２００の整数であり、ａ’、ｂ’、ｃ’、及びｄ’の和は少なくとも５以上であり、添字ａ’、ｂ’、ｃ’、又はｄ’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。
【0039】
含フッ素オイルは市販品でもよく、Ｓｏｌｖａｙ Ｓｏｌｅｘｉｓ社製のＦＯＭＢＬＩＮ Ｍ（ＦＯＭＢＬＩＮ Ｍ０３、Ｍ０７、Ｍ１５、Ｍ３０、Ｍ６０、Ｍ１００等）、ＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ（ＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ０３、Ｚ１５、Ｚ２５、Ｚ６０等）、ＦＯＭＢＬＩＮ Ｙ（ＦＯＭＢＬＩＮ Ｙ０４、Ｙ０６、Ｙ１５、Ｙ２５、Ｙ４５、ＹＵ７００、ＹＲ、ＹＰＬ１５００、ＹＲ１８００等）、ダイキン工業社製のＤＥＭＮＵＭ（ＤＥＭＮＵＭ Ｓ２０、Ｓ６５、Ｓ１００等）、Ｃｈｅｍｏｕｒｓ社製のＫＲＹＴＯＸ（ＫＲＹＴＯＸ １４３ＡＢ、１４３ＡＸ、１４３ＡＣ、１４３ＡＤ等）等が挙げられる。
【0040】
防汚層が含フッ素オイルを含む場合、その含有量は、特定含フッ素化合物の１００質量部に対して１～５０質量部が好ましく、１～４０質量部がより好ましく、１～３０質量部が特に好ましい。
以下、防汚層の形成に用いる特定含フッ素化合物について説明する。
以下、防汚層の形成に用いる特定含フッ素化合物について説明する。
【0041】
＜特定含フッ素化合物＞
特定含フッ素化合物は、ポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖と反応性シリル基とを有する化合物であれば特に限定されるものではない。
特定含フッ素化合物は、ポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖と反応性シリル基とを有する化合物であれば特に限定されるものではない。
【0042】
反応性シリル基とは、Ｓｉ原子に反応性基が結合した基を意味する。反応性基としては、加水分解性基又は水酸基が好ましい。
加水分解性基とは、加水分解反応により水酸基となる基である。すなわち、Ｓｉ－Ｌで表される加水分解性を有するシリル基は、加水分解反応によりＳｉ－ＯＨで表されるシラノール基となる。シラノール基は、さらにシラノール基間で反応してＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を形成する。また、シラノール基は、基材の表面に存在する酸化物に由来するシラノール基と脱水縮合反応して、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を形成できる。
加水分解性基としては、例えば、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシアルキレンオキシ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、アミノ基、－Ｏ－Ｎ＝ＣＲｒ ２、及びイソシアナート基が挙げられる。アルコキシ基としては、炭素数１～４のアルコキシ基が好ましい。アリールオキシ基は、炭素数３～１０のアリールオキシ基であることが好ましい。ただし、アリールオキシ基のアリール基は、ヘテロアリール基を含む。アルコキシアルキレンオキシ基は、炭素数１～１０のアルキレンオキシ基の炭素原子に炭素数１～４のアルコキシ基が結合した基が好ましく、具体的には２－メトキシエトキシ基等が挙げられる。ハロゲン原子は、塩素原子であることが好ましい。アシル基は、炭素数１～６のアシル基であることが好ましい。アシルオキシ基は、炭素数１～６のアシルオキシ基であることが好ましい。Ｒｒはそれぞれ独立に、炭素数１～１０のアルキル基である。
均一な膜を作製しやすく、耐久性に優れる観点からは、反応性シリル基としてはアルコキシシリル基又はトリクロロシリル基が好ましい。プライマー部位との反応において生じる副生物の取り扱いやすさの観点から、反応性シリル基は、アルコキシシリル基であることがより好ましい。アルコキシシリル基としてはジアルコキシシリル基又はトリアルコキシシリル基が好ましく、トリアルコキシシリル基がより好ましい。
加水分解性基とは、加水分解反応により水酸基となる基である。すなわち、Ｓｉ－Ｌで表される加水分解性を有するシリル基は、加水分解反応によりＳｉ－ＯＨで表されるシラノール基となる。シラノール基は、さらにシラノール基間で反応してＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を形成する。また、シラノール基は、基材の表面に存在する酸化物に由来するシラノール基と脱水縮合反応して、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を形成できる。
加水分解性基としては、例えば、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシアルキレンオキシ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、アミノ基、－Ｏ－Ｎ＝ＣＲｒ ２、及びイソシアナート基が挙げられる。アルコキシ基としては、炭素数１～４のアルコキシ基が好ましい。アリールオキシ基は、炭素数３～１０のアリールオキシ基であることが好ましい。ただし、アリールオキシ基のアリール基は、ヘテロアリール基を含む。アルコキシアルキレンオキシ基は、炭素数１～１０のアルキレンオキシ基の炭素原子に炭素数１～４のアルコキシ基が結合した基が好ましく、具体的には２－メトキシエトキシ基等が挙げられる。ハロゲン原子は、塩素原子であることが好ましい。アシル基は、炭素数１～６のアシル基であることが好ましい。アシルオキシ基は、炭素数１～６のアシルオキシ基であることが好ましい。Ｒｒはそれぞれ独立に、炭素数１～１０のアルキル基である。
均一な膜を作製しやすく、耐久性に優れる観点からは、反応性シリル基としてはアルコキシシリル基又はトリクロロシリル基が好ましい。プライマー部位との反応において生じる副生物の取り扱いやすさの観点から、反応性シリル基は、アルコキシシリル基であることがより好ましい。アルコキシシリル基としてはジアルコキシシリル基又はトリアルコキシシリル基が好ましく、トリアルコキシシリル基がより好ましい。
【0043】
特定含フッ素化合物が有する反応性シリル基の数は、１以上であり、防汚層の耐摩耗性をより向上させる観点から、１～１８が好ましく、２～１２がより好ましく、２～８がさらに好ましい。特定含フッ素化合物が有する反応性シリル基の数は、１であってもよい。
【0044】
反応性シリル基としては、下記式（１）で表される基が好ましい。
－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ …（１）
－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ …（１）
【0045】
式（１）中、Ｒはそれぞれ独立に１価の炭化水素基であり、Ｌはそれぞれ独立に加水分解性基又は水酸基であり、ｎは０～２の整数である。
【0046】
基（１）が１分子中に複数ある場合、複数の基（１）は、同じであってもよく、互いに異なっていてもよい。原料の入手容易性、及び、特定含フッ素化合物の製造容易性の観点からは、複数の基（１）は、同じであることが好ましい。
【0047】
Ｒは、それぞれ独立に１価の炭化水素基であり、１価の飽和炭化水素基が好ましい。Ｒの炭素数は、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２がさらに好ましい。
【0048】
Ｌは、それぞれ独立に加水分解性基又は水酸基である。
加水分解性基としては、上述したものが好ましい。
加水分解性基としては、上述したものが好ましい。
【0049】
中でも、Ｌは、特定含フッ素化合物の製造容易性の観点から、アルコキシ基又はハロゲン原子が好ましく、炭素数１～４のアルコキシ基又はハロゲン原子が好ましい。Ｌは、塗布時のアウトガスが少なく、特定含フッ素化合物の保存安定性がより優れる点から、炭素数１～４のアルコキシ基が好ましい。特定含フッ素化合物の長期の保存安定性が必要な場合には、Ｌは、エトキシ基がより好ましい。塗布後の反応時間を短時間とする場合には、Ｌは、メトキシ基がより好ましい。式（１）において、Ｌの少なくとも１つが上記基であることが好ましく、Ｌのすべてが上記基であることがより好ましい。
【0050】
ｎは、０～２の整数であり、０又は１が好ましく、０がより好ましい。Ｌが複数存在することによって、防汚層の基材への密着性がより強固になる。
ｎが１以下である場合、１分子中に存在する複数のＬは、同じであってもよく、互いに異なっていてもよい。原料の入手容易性、及び、特定含フッ素化合物の製造容易性の観点から、複数のＬは同じであることが好ましい。ｎが２である場合、１分子中に存在する複数のＲは同じであってもよく、互いに異なっていてもよい。原料の入手容易性、及び、特定含フッ素化合物の製造容易性の観点から、複数のＲは同じであることが好ましい。
ｎが１以下である場合、１分子中に存在する複数のＬは、同じであってもよく、互いに異なっていてもよい。原料の入手容易性、及び、特定含フッ素化合物の製造容易性の観点から、複数のＬは同じであることが好ましい。ｎが２である場合、１分子中に存在する複数のＲは同じであってもよく、互いに異なっていてもよい。原料の入手容易性、及び、特定含フッ素化合物の製造容易性の観点から、複数のＲは同じであることが好ましい。
【0051】
ポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖は、下記式（２）で表される。
（ＯＸ）ｍ …（２）
（ＯＸ）ｍ …（２）
【0052】
式（２）中、Ｘは、１個以上のフッ素原子を有するフルオロアルキレン基である。
【0053】
フルオロアルキレン基の炭素数は、防汚層の耐候性及び耐食性を向上させる観点から、１～６が好ましく、２～４がより好ましい。
フルオロアルキレン基は、直鎖状、分岐鎖状、及び環状のいずれであってもよい。
フルオロアルキレン基におけるフッ素原子の数は、防汚層の耐食性を向上させる点から、炭素原子の数の１倍～２倍が好ましく、１．７倍～２倍がより好ましい。
中でも、フルオロアルキレン基は、フルオロアルキレン基中の全ての水素原子がフッ素原子に置換された基（すなわち、ペルフルオロアルキレン基）が好ましい。
フルオロアルキレン基は、直鎖状、分岐鎖状、及び環状のいずれであってもよい。
フルオロアルキレン基におけるフッ素原子の数は、防汚層の耐食性を向上させる点から、炭素原子の数の１倍～２倍が好ましく、１．７倍～２倍がより好ましい。
中でも、フルオロアルキレン基は、フルオロアルキレン基中の全ての水素原子がフッ素原子に置換された基（すなわち、ペルフルオロアルキレン基）が好ましい。
【0054】
（ＯＸ）の具体例としては、－ＯＣＨＦ－、－ＯＣＦ２ＣＨＦ－、－ＯＣＨＦＣＦ２－、－ＯＣＦ２ＣＨ２－、－ＯＣＨ２ＣＦ２－、－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨＦ－、－ＯＣＨＦＣＦ２ＣＦ２－、－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２－、－ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２－、－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２－、－ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２－、－ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２－、－ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、－ＯＣＦ２－、－ＯＣＦ２ＣＦ２－、－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、－ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２－、－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、－ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＣＦ２－、－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、－Ｏ－ｃｙｃｌｏＣ４Ｆ６－、－Ｏ－ｃｙｃｌｏＣ５Ｆ８－、及び－Ｏ－ｃｙｃｌｏＣ６Ｆ１０－が挙げられる。
ここで、－ｃｙｃｌｏＣ４Ｆ６－は、ペルフルオロシクロブタンジイル基を意味する。ペルフルオロシクロブタンジイル基としては、ペルフルオロシクロブタン－１，２－ジイル基、及びペルフルオロシクロブタン－１，３－ジイル基が挙げられる。－ｃｙｃｌｏＣ５Ｆ８－は、ペルフルオロシクロペンタンジイル基を意味する。ペルフルオロシクロペンタンジイル基としては、ペルフルオロシクロペンタン－１，２－ジイル基、及びペルフルオロシクロペンタン－１，３－ジイル基が挙げられる。－ｃｙｃｌｏＣ６Ｆ１０－は、ペルフルオロシクロヘキサンジイル基を意味する。ペルフルオロシクロヘキサンジイル基としては、ペルフルオロシクロヘキサン－１，２－ジイル基、ペルフルオロシクロヘキサン－１，３－ジイル基、及びペルフルオロシクロヘキサン－１，４－ジイル基が挙げられる。
ここで、－ｃｙｃｌｏＣ４Ｆ６－は、ペルフルオロシクロブタンジイル基を意味する。ペルフルオロシクロブタンジイル基としては、ペルフルオロシクロブタン－１，２－ジイル基、及びペルフルオロシクロブタン－１，３－ジイル基が挙げられる。－ｃｙｃｌｏＣ５Ｆ８－は、ペルフルオロシクロペンタンジイル基を意味する。ペルフルオロシクロペンタンジイル基としては、ペルフルオロシクロペンタン－１，２－ジイル基、及びペルフルオロシクロペンタン－１，３－ジイル基が挙げられる。－ｃｙｃｌｏＣ６Ｆ１０－は、ペルフルオロシクロヘキサンジイル基を意味する。ペルフルオロシクロヘキサンジイル基としては、ペルフルオロシクロヘキサン－１，２－ジイル基、ペルフルオロシクロヘキサン－１，３－ジイル基、及びペルフルオロシクロヘキサン－１，４－ジイル基が挙げられる。
【0055】
（ＯＸ）の繰り返し数ｍは、２以上の整数であり、２～２００の整数がより好ましく、５～１５０の整数がさらに好ましく、５～１００の整数が特に好ましく、１０～５０の整数が最も好ましい。
【0056】
（ＯＸ）ｍは、２種以上の（ＯＸ）を含んでいてもよい。
２種以上の（ＯＸ）の結合順序は限定されず、ランダム、交互、及びブロックのいずれに配置されていてもよい。
２種以上の（ＯＸ）を含むとは、特定含フッ素化合物中において、炭素数の異なる２種以上の（ＯＸ）が存在すること、水素原子数が異なる２種以上の（ＯＸ）が存在すること、水素原子の位置が異なる２種以上の（ＯＸ）が存在すること、及び、炭素数が同一であっても側鎖の有無や側鎖の種類（例えば、側鎖の数、側鎖の炭素数等）が異なる２種以上の（ＯＸ）が存在することをいう。
２種以上の（ＯＸ）の配置については、例えば、｛（ＯＣＦ２）ｍ２１（ＯＣＦ２ＣＦ
２）ｍ２２｝で表される構造は、ｍ２１個の（ＯＣＦ２）とｍ２２個の（ＯＣＦ２ＣＦ２）とがランダムに配置されていることを表す。また、（ＯＣＦ２ＣＦ２－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍ２５で表される構造は、ｍ２５個の（ＯＣＦ２ＣＦ２）とｍ２５個の（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）とが交互に配置されていることを表す。
２種以上の（ＯＸ）の結合順序は限定されず、ランダム、交互、及びブロックのいずれに配置されていてもよい。
２種以上の（ＯＸ）を含むとは、特定含フッ素化合物中において、炭素数の異なる２種以上の（ＯＸ）が存在すること、水素原子数が異なる２種以上の（ＯＸ）が存在すること、水素原子の位置が異なる２種以上の（ＯＸ）が存在すること、及び、炭素数が同一であっても側鎖の有無や側鎖の種類（例えば、側鎖の数、側鎖の炭素数等）が異なる２種以上の（ＯＸ）が存在することをいう。
２種以上の（ＯＸ）の配置については、例えば、｛（ＯＣＦ２）ｍ２１（ＯＣＦ２ＣＦ
２）ｍ２２｝で表される構造は、ｍ２１個の（ＯＣＦ２）とｍ２２個の（ＯＣＦ２ＣＦ２）とがランダムに配置されていることを表す。また、（ＯＣＦ２ＣＦ２－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍ２５で表される構造は、ｍ２５個の（ＯＣＦ２ＣＦ２）とｍ２５個の（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）とが交互に配置されていることを表す。
【0057】
中でも、（ＯＸ）ｍは、［（ＯＣＨｍａＦ（２－ｍａ））ｍ１１（ＯＣ２ＨｍｂＦ（４－ｍｂ））ｍ１２（ＯＣ３ＨｍｃＦ（６－ｍｃ））ｍ１３（ＯＣ４ＨｍｄＦ（８－ｍｄ））ｍ１４（ＯＣ５ＨｍｅＦ（１０－ｍｅ））ｍ１５（ＯＣ６ＨｍｆＦ（１２－ｍｆ））ｍ１６（Ｏ－ｃｙｃｌｏＣ４ＨｍｇＦ（６－ｍｇ））ｍ１７（Ｏ－ｃｙｃｌｏＣ５ＨｍｈＦ（８－ｍｈ））ｍ１８（Ｏ－ｃｙｃｌｏＣ６ＨｍｉＦ（１０－ｍｉ））ｍ１９］が好ましい。ここで、－ｃｙｃｌｏＣ４ＨｍｇＦ（６－ｍｇ）は、フルオロシクロブタン－ジイル基を意味する。フルオロシクロブタン－ジイル基としては、フルオロシクロブタン－１，２－ジイル基、及びフルオロシクロブタン－１，３－ジイル基が挙げられる。－ｃｙｃｌｏＣ５ＨｍｈＦ（８－ｍｈ）は、フルオロシクロペンタンジイル基を意味する。フルオロシクロペンタンジイル基としては、フルオロシクロペンタン－１，２－ジイル基、及びフルオロシクロペンタン－１，３－ジイル基が挙げられる。－ｃｙｃｌｏＣ６ＨｍｉＦ（１０－ｍｉ）は、フルオロシクロヘキサンジイル基を意味する。フルオロシクロヘキサンジイル基としては、フルオロシクロヘキサン－１，２－ジイル基、フルオロシクロヘキサン－１，３－ジイル基、及びフルオロシクロヘキサン－１，４－ジイル基が挙げられる。
ｍａは０又は１であり、ｍｂは０～３の整数であり、ｍｃは０～５の整数であり、ｍｄは０～７の整数であり、ｍｅは０～９の整数であり、ｍｆは０～１１の整数であり、ｍｇは０～５の整数であり、ｍｈは０～７の整数であり、ｍｉは０～９の整数である。
ｍ１１、ｍ１２、ｍ１３、ｍ１４、ｍ１５、ｍ１６、ｍ１７、ｍ１８、及びｍ１９は、それぞれ独立に、０以上の整数であり、１００以下が好ましい。
ｍ１１＋ｍ１２＋ｍ１３＋ｍ１４＋ｍ１５＋ｍ１６＋ｍ１７＋ｍ１８＋ｍ１９は２以上の整数であり、２～２００の整数がより好ましく、５～１５０の整数がより好ましく、５～１００の整数がさらに好ましく、１０～５０の整数が特に好ましい。
ｍａは０又は１であり、ｍｂは０～３の整数であり、ｍｃは０～５の整数であり、ｍｄは０～７の整数であり、ｍｅは０～９の整数であり、ｍｆは０～１１の整数であり、ｍｇは０～５の整数であり、ｍｈは０～７の整数であり、ｍｉは０～９の整数である。
ｍ１１、ｍ１２、ｍ１３、ｍ１４、ｍ１５、ｍ１６、ｍ１７、ｍ１８、及びｍ１９は、それぞれ独立に、０以上の整数であり、１００以下が好ましい。
ｍ１１＋ｍ１２＋ｍ１３＋ｍ１４＋ｍ１５＋ｍ１６＋ｍ１７＋ｍ１８＋ｍ１９は２以上の整数であり、２～２００の整数がより好ましく、５～１５０の整数がより好ましく、５～１００の整数がさらに好ましく、１０～５０の整数が特に好ましい。
【0058】
中でも、ｍ１２は２以上の整数が好ましく、２～２００の整数が特に好ましい。
また、Ｃ３ＨｍｃＦ（６－ｍｃ）、Ｃ４ＨｍｄＦ（８－ｍｄ）、Ｃ５ＨｍｅＦ（１０－ｍｅ）、及びＣ６ＨｍｆＦ（１２－ｍｆ）は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよいが、防汚層の耐摩耗性を向上させる観点から、直鎖状が好ましい。
また、Ｃ３ＨｍｃＦ（６－ｍｃ）、Ｃ４ＨｍｄＦ（８－ｍｄ）、Ｃ５ＨｍｅＦ（１０－ｍｅ）、及びＣ６ＨｍｆＦ（１２－ｍｆ）は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよいが、防汚層の耐摩耗性を向上させる観点から、直鎖状が好ましい。
【0059】
なお、上記式は単位の種類とその数を表すものであり、単位の配列を表すものではない。すなわち、ｍ１１～ｍ１９は単位の数を表すものであり、例えば、（ＯＣＨｍａＦ（２－ｍａ））ｍ１１は、（ＯＣＨｍａＦ（２－ｍａ））単位がｍ１１個連続したブロックを表すものではない。同様に、（ＯＣＨｍａＦ（２－ｍａ））～（Ｏ－ｃｙｃｌｏＣ６ＨｍｉＦ（１０－ｍｉ））の記載順は、その記載順にそれらが配列していることを表すものではない。
上記式において、ｍ１１～ｍ１９の２以上が０でない場合（すなわち、（ＯＸ）ｍが２種以上の単位から構成されている場合）、異なる単位の配列は、ランダム配列、交互配列、ブロック配列、及びそれら配列の組合せのいずれであってもよい。
さらに、上記各単位も、また、その単位が２以上含まれている場合、それらの単位は異なっていてもよい。例えば、ｍ１１が２以上の場合、複数の（ＯＣＨｍａＦ（２－ｍａ））は同一であっても異なっていてもよい。
上記式において、ｍ１１～ｍ１９の２以上が０でない場合（すなわち、（ＯＸ）ｍが２種以上の単位から構成されている場合）、異なる単位の配列は、ランダム配列、交互配列、ブロック配列、及びそれら配列の組合せのいずれであってもよい。
さらに、上記各単位も、また、その単位が２以上含まれている場合、それらの単位は異なっていてもよい。例えば、ｍ１１が２以上の場合、複数の（ＯＣＨｍａＦ（２－ｍａ））は同一であっても異なっていてもよい。
【0060】
（ＯＸ）ｍは、下記の構造を有することが好ましい。
｛（ＯＣＦ２）ｍ２１（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｍ２２｝、
（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｍ２３、
（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍ２４、
（ＯＣＦ２ＣＦ２－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍ２５、
（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍ２６（ＯＣＦ２）ｍ２７、
（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍ２６（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｍ２７、
（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍ２６（ＯＣＦ２）ｍ２７、
（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍ２６（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｍ２７、
（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－ＯＣＦ２）ｍ２８、
（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－ＯＣＦ２ＣＦ２）ｍ２８、
（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－ＯＣＦ２）ｍ２８、
（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－ＯＣＦ２ＣＦ２）ｍ２８、
（ＯＣＦ２－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍ２８、
（ＯＣＦ２－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍ２８、
（ＯＣＦ２ＣＦ２－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍ２８、
（ＯＣＦ２ＣＦ２－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍ２８。
ただし、ｍ２１は１以上の整数であり、ｍ２２は１以上の整数であり、ｍ２１＋ｍ２２は２～５００の整数であり、ｍ２３及びｍ２４はそれぞれ独立に、２～５００の整数であり、ｍ２５は、１～２５０の整数であり、ｍ２６及びｍ２７はそれぞれ独立に、１以上の整数であり、ｍ２６＋ｍ２７は、２～５００の整数であり、ｍ２８は、１～２５０の整数である。
｛（ＯＣＦ２）ｍ２１（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｍ２２｝、
（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｍ２３、
（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍ２４、
（ＯＣＦ２ＣＦ２－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍ２５、
（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍ２６（ＯＣＦ２）ｍ２７、
（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍ２６（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｍ２７、
（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍ２６（ＯＣＦ２）ｍ２７、
（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍ２６（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｍ２７、
（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－ＯＣＦ２）ｍ２８、
（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－ＯＣＦ２ＣＦ２）ｍ２８、
（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－ＯＣＦ２）ｍ２８、
（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－ＯＣＦ２ＣＦ２）ｍ２８、
（ＯＣＦ２－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍ２８、
（ＯＣＦ２－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍ２８、
（ＯＣＦ２ＣＦ２－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍ２８、
（ＯＣＦ２ＣＦ２－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍ２８。
ただし、ｍ２１は１以上の整数であり、ｍ２２は１以上の整数であり、ｍ２１＋ｍ２２は２～５００の整数であり、ｍ２３及びｍ２４はそれぞれ独立に、２～５００の整数であり、ｍ２５は、１～２５０の整数であり、ｍ２６及びｍ２７はそれぞれ独立に、１以上の整数であり、ｍ２６＋ｍ２７は、２～５００の整数であり、ｍ２８は、１～２５０の整数である。
【0061】
（ＯＸ）ｍは、特定含フッ素化合物の製造容易性の観点から、下記構造を有することがより好ましい。
｛（ＯＣＦ２）ｍ２１（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｍ２２｝、
（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍ２４、
（ＯＣＦ２ＣＦ２）２｛（ＯＣＦ２）ｍ２１（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｍ２２－２｝、
（ＯＣＦ２ＣＦ２－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍ２５－１ＯＣＦ２ＣＦ２、
（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－ＯＣＦ２）ｍ２８、
（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－ＯＣＦ２）ｍ２８、
（ＯＣＦ２ＣＦ２－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍ２８－１ＯＣＦ２ＣＦ２、
（ＯＣＦ２ＣＦ２－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍ２８－１ＯＣＦ２ＣＦ２。
ただし、ｍ２２－２、ｍ２５－１、及びｍ２８－１については、１以上の整数となるように、ｍ２２、ｍ２５、及びｍ２８の数が選択される。
｛（ＯＣＦ２）ｍ２１（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｍ２２｝、
（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍ２４、
（ＯＣＦ２ＣＦ２）２｛（ＯＣＦ２）ｍ２１（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｍ２２－２｝、
（ＯＣＦ２ＣＦ２－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍ２５－１ＯＣＦ２ＣＦ２、
（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－ＯＣＦ２）ｍ２８、
（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－ＯＣＦ２）ｍ２８、
（ＯＣＦ２ＣＦ２－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍ２８－１ＯＣＦ２ＣＦ２、
（ＯＣＦ２ＣＦ２－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍ２８－１ＯＣＦ２ＣＦ２。
ただし、ｍ２２－２、ｍ２５－１、及びｍ２８－１については、１以上の整数となるように、ｍ２２、ｍ２５、及びｍ２８の数が選択される。
【0062】
中でも、防汚層の耐摩耗性がより優れる点から、（ＯＸ）ｍは、｛（ＯＣＦ２）ｍ２１（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｍ２２｝が好ましい。
｛（ＯＣＦ２）ｍ２１（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｍ２２｝において、ｍ２２／ｍ２１は、防汚層の耐摩耗性がより優れる点から、０．１～１０が好ましく、０．２～５．０がより好ましく、０．２～２．０がさらに好ましく、０．２～１．５が特に好ましく、０．２～０．８５が最も好ましい。
｛（ＯＣＦ２）ｍ２１（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｍ２２｝において、ｍ２２／ｍ２１は、防汚層の耐摩耗性がより優れる点から、０．１～１０が好ましく、０．２～５．０がより好ましく、０．２～２．０がさらに好ましく、０．２～１．５が特に好ましく、０．２～０．８５が最も好ましい。
【0063】
ポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖の数平均分子量（Ｍｎ）は、１，０００～２０，０００が好ましく、１，５００～１５，０００がより好ましく、２，０００～１０，０００が特に好ましい。
Ｍｎが１，０００以上であれば、特定含フッ素化合物の分子鎖の流動性及びフッ素含有量が高くなるので、防汚層の耐摩耗性がより優れる。
Ｍｎが１，０００以上であれば、特定含フッ素化合物の分子鎖の流動性及びフッ素含有量が高くなるので、防汚層の耐摩耗性がより優れる。
【0064】
特定含フッ素化合物は、防汚層の耐摩耗性により優れる点で、下記式（３）で表される化合物が好ましい。
［Ａ－（ＯＸ）ｍ－］ｊＹ１［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇ …（３）
［Ａ－（ＯＸ）ｍ－］ｊＹ１［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇ …（３）
【0065】
式（３）中、Ａは、ペルフルオロアルキル基又は－Ｙ２［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｋであり、Ｙ１は（ｊ＋ｇ）価の連結基であり、Ｙ２は（ｋ＋１）価の連結基であり、ｊは１以上の整数であり、ｇは１以上の整数であり、ｋは１以上の整数であり、Ｒ、Ｌ、ｎ、Ｘ、及びｍの定義は、上述の通りである。
【0066】
ペルフルオロアルキル基中の炭素数は、防汚層の耐摩耗性がより優れる点から、１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６がさらに好ましく、１～３が特に好ましい。
ペルフルオロアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、及び環状のいずれであってもよい。
ただし、Ａが－Ｙ２［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｋである場合、ｊは１～３が好ましい。
ペルフルオロアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、及び環状のいずれであってもよい。
ただし、Ａが－Ｙ２［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｋである場合、ｊは１～３が好ましい。
【0067】
ペルフルオロアルキル基としては、例えば、ＣＦ３－、ＣＦ３ＣＦ２－、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２－、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、及びＣＦ３ＣＦ（ＣＦ３）－が挙げられる。
ペルフルオロアルキル基としては、防汚層の撥水性がより優れる点から、ＣＦ３－、ＣＦ３ＣＦ２－、又はＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２－が好ましい。
ペルフルオロアルキル基としては、防汚層の撥水性がより優れる点から、ＣＦ３－、ＣＦ３ＣＦ２－、又はＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２－が好ましい。
【0068】
Ｙ２は、（ｋ＋１）価の連結基である。
Ｙ２としては、本開示の効果を損なわない基であればよく、例えば、エーテル性酸素原子又は２価のオルガノポリシロキサン残基を有していてもよいアルキレン基、炭素原子、窒素原子、ケイ素原子、２～８価のオルガノポリシロキサン残基、及び、後述する式（３－１Ａ）、式（３－１Ｂ）、式（３－１Ａ－１）～（３－１Ａ－７）からＳｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎを除いた基が挙げられる。
また、Ｙ２は、後述する基（ｇ２－１）～基（ｇ２－１４）であってもよい。
Ｙ２としては、本開示の効果を損なわない基であればよく、例えば、エーテル性酸素原子又は２価のオルガノポリシロキサン残基を有していてもよいアルキレン基、炭素原子、窒素原子、ケイ素原子、２～８価のオルガノポリシロキサン残基、及び、後述する式（３－１Ａ）、式（３－１Ｂ）、式（３－１Ａ－１）～（３－１Ａ－７）からＳｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎを除いた基が挙げられる。
また、Ｙ２は、後述する基（ｇ２－１）～基（ｇ２－１４）であってもよい。
【0069】
Ｙ１は、（ｊ＋ｇ）価の連結基である。
Ｙ１は、本開示の効果を損なわない基であればよく、例えば、エーテル性酸素原子又は２価のオルガノポリシロキサン残基を有していてもよいアルキレン基、炭素原子、窒素原子、ケイ素原子、２～８価のオルガノポリシロキサン残基、及び、後述する式（３－１Ａ）、式（３－１Ｂ）、式（３－１Ａ－１）～（３－１Ａ－７）からＳｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎを除いた基が挙げられる。
また、Ｙ１は、後述する基（ｇ２－１）～（ｇ２－１４）であってもよい。
Ｙ１は、本開示の効果を損なわない基であればよく、例えば、エーテル性酸素原子又は２価のオルガノポリシロキサン残基を有していてもよいアルキレン基、炭素原子、窒素原子、ケイ素原子、２～８価のオルガノポリシロキサン残基、及び、後述する式（３－１Ａ）、式（３－１Ｂ）、式（３－１Ａ－１）～（３－１Ａ－７）からＳｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎを除いた基が挙げられる。
また、Ｙ１は、後述する基（ｇ２－１）～（ｇ２－１４）であってもよい。
【0070】
ｊは、１以上の整数である。防汚層の撥水性がより優れる点から、ｊは１～６が好ましい。特定含フッ素化合物を製造しやすい点から、ｊは１が特に好ましい。
【0071】
ｇは、１以上の整数である。防汚層の耐摩耗性がより優れる点からは、ｇは、１～１５が好ましく、１～６がより好ましく、２～４がさらに好ましく、２又は３が特に好ましい。一方で、防汚層の防汚性がより優れる点からは、ｇは、１～３が好ましく、１又は２がより好ましく、１が特に好ましい。
【0072】
ｋは、１以上の整数である。防汚層の耐摩耗性がより優れる点からは、ｋは、１～１５が好ましく、１～６がより好ましく、２～４がさらに好ましく、２又は３が特に好ましい。一方で、防汚層の防汚性がより優れる点からは、ｋは、１～３が好ましく、１又は２がより好ましく、１が特に好ましい。
Ａが－Ｙ２［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｋの場合、防汚層の耐摩耗性がより優れる点からは、ｋ＋ｇは、２～２５が好ましく、４～１８がより好ましく、６～１２が特に好ましい。一方で、防汚層の防汚性がより優れる点からは、ｋ＋ｇは、２～６が好ましく、２～４がより好ましく、２が特に好ましい。
Ａが－Ｙ２［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｋの場合、防汚層の耐摩耗性がより優れる点からは、ｋ＋ｇは、２～２５が好ましく、４～１８がより好ましく、６～１２が特に好ましい。一方で、防汚層の防汚性がより優れる点からは、ｋ＋ｇは、２～６が好ましく、２～４がより好ましく、２が特に好ましい。
【0073】
化合物（３）が［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］を複数有する場合、複数の［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］は同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
【0074】
化合物（３）としては、防汚層の耐摩耗性がより優れる点から、下式（３－１）で表される化合物及び下式（３－２）で表される化合物が好ましく、下式（３－２）で表される化合物が特に好ましい。
［Ｒｆ1－（ＯＸ）ｍ－］ｊ１Ｙ１０［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇ１ …（３－１
）
［Ｌ３－ｎ（Ｒ）ｎＳｉ－］ｋ２Ｙ１２－（ＯＸ）ｍ－Ｙ１１［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇ２ …（３－２）
［Ｒｆ1－（ＯＸ）ｍ－］ｊ１Ｙ１０［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇ１ …（３－１
）
［Ｌ３－ｎ（Ｒ）ｎＳｉ－］ｋ２Ｙ１２－（ＯＸ）ｍ－Ｙ１１［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇ２ …（３－２）
【0075】
式（３－１）中、Ｘ、Ｌ、Ｒ、ｍ、ｎの定義は、式（３）中の各基の定義と同義である。Ｙ１０は、（ｊ１＋ｇ１）価の連結基であり、その具体例は式（３）中のＹ１と同じである。Ｒｆ1は、ペルフルオロアルキル基であり、ペルフルオロアルキル基の好適態様及び具体例は上述の通りである。ｊ１及びｇ１はそれぞれ、式（３）中のｊ及びｇの定義と同義である。
【0076】
式（３－２）中、Ｘ、Ｌ、Ｒ、ｍ、ｎの定義は、式（３）中の各基の定義と同義である。Ｙ１１は、（ｇ２＋１）価の連結基であり、その具体例は式（３）中のＹ１と同じである。Ｙ１２は、（ｋ２＋１）価の連結基であり、その具体例は式（３）中のＹ１と同じである。ｋ２及びｇ２はそれぞれ、式（３）におけるｋ及びｇの定義と同義である。
化合物（３－１）が［Ｒｆ1－（ＯＸ）ｍ－］を複数有する場合、複数の［Ｒｆ1－（ＯＸ）ｍ－］は同一であっても異なっていてもよい。化合物（３－１）及び化合物（３－２）が［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］を複数有する場合、複数の［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］は同一であっても異なっていてもよい。
化合物（３－１）が［Ｒｆ1－（ＯＸ）ｍ－］を複数有する場合、複数の［Ｒｆ1－（ＯＸ）ｍ－］は同一であっても異なっていてもよい。化合物（３－１）及び化合物（３－２）が［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］を複数有する場合、複数の［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］は同一であっても異なっていてもよい。
【0077】
式（３－１）における－Ｙ１０［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇ１で表される基、並びに、式（３－２）における－Ｙ１１［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇ２で表される基及びＹ１２［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｋ２で表される基はそれぞれ、基（３－１Ａ）又は基（３－１Ｂ）が好ましい。
【0078】
－Ｑａ－Ｘ３１（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）ｈ（－Ｒ３１）ｉ …（３－１Ａ）
－Ｑｃ－［ＣＨ２Ｃ（Ｒ３２）（－Ｑｄ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）］ｙ－Ｒ３３ …（３－１Ｂ）
なお、式（３－１Ａ）及び式（３－１Ｂ）中、Ｒ、Ｌ、及びｎの定義は、上述した通りである。
－Ｑｃ－［ＣＨ２Ｃ（Ｒ３２）（－Ｑｄ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）］ｙ－Ｒ３３ …（３－１Ｂ）
なお、式（３－１Ａ）及び式（３－１Ｂ）中、Ｒ、Ｌ、及びｎの定義は、上述した通りである。
【0079】
Ｑａは、単結合又は２価の連結基である。
２価の連結基としては、例えば、２価の炭化水素基、２価の複素環基、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ２－、－Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｓｉ（Ｒａ）２－、及びこれらを２種以上組み合わせた基が挙げられる。
上記２価の炭化水素基としては、２価の飽和炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基であってもよい。２価の飽和炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、又は環状であってもよく、例えば、アルキレン基が挙げられる。その炭素数は、１～２０が好ましい。また、２価の芳香族炭化水素基としては、炭素数５～２０のものが好ましく、例えば、フェニレン基が挙げられる。それ以外にも、炭素数２～２０のアルケニレン基、炭素数２～２０のアルキニレン基であってもよい。
上記Ｒａは、アルキル基（好ましくは炭素数１～１０）又はフェニル基である。上記Ｒｄは、水素原子又はアルキル基（好ましくは炭素数１～１０）である。
なお、上記これらを２種以上組み合わせた基としては、例えば、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－ＳＯ２Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）ＳＯ２－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－を有するアルキレン基、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）－を有するアルキレン基、エーテル性酸素原子を有するアルキレン基、－ＯＣ（Ｏ）－を有するアルキレン基、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－を有するアルキレン基、－ＳＯ２Ｎ（Ｒｄ）－を有するアルキレン基、アルキレン基－Ｓｉ（Ｒａ）２－フェニレン基－Ｓｉ（Ｒａ）２が挙げられる。
２価の連結基としては、例えば、２価の炭化水素基、２価の複素環基、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ２－、－Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｓｉ（Ｒａ）２－、及びこれらを２種以上組み合わせた基が挙げられる。
上記２価の炭化水素基としては、２価の飽和炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基であってもよい。２価の飽和炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、又は環状であってもよく、例えば、アルキレン基が挙げられる。その炭素数は、１～２０が好ましい。また、２価の芳香族炭化水素基としては、炭素数５～２０のものが好ましく、例えば、フェニレン基が挙げられる。それ以外にも、炭素数２～２０のアルケニレン基、炭素数２～２０のアルキニレン基であってもよい。
上記Ｒａは、アルキル基（好ましくは炭素数１～１０）又はフェニル基である。上記Ｒｄは、水素原子又はアルキル基（好ましくは炭素数１～１０）である。
なお、上記これらを２種以上組み合わせた基としては、例えば、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－ＳＯ２Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）ＳＯ２－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－を有するアルキレン基、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）－を有するアルキレン基、エーテル性酸素原子を有するアルキレン基、－ＯＣ（Ｏ）－を有するアルキレン基、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－を有するアルキレン基、－ＳＯ２Ｎ（Ｒｄ）－を有するアルキレン基、アルキレン基－Ｓｉ（Ｒａ）２－フェニレン基－Ｓｉ（Ｒａ）２が挙げられる。
【0080】
Ｘ３１は、単結合、アルキレン基、炭素原子、窒素原子、ケイ素原子、２～８価のオルガノポリシロキサン残基、又は（ｈ＋ｉ＋１）価の環を有する基である。
なお、上記アルキレン基は、－Ｏ－、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基、又はジアルキルシリレン基を有していてもよい。アルキレン基は、－Ｏ－、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基、及びジアルキルシリレン基からなる群から選択される基を複数有していてもよい。
Ｘ３１で表されるアルキレン基の炭素数は、１～２０が好ましく、１～１０が特に好ましい。
２～８価のオルガノポリシロキサン残基としては、２価のオルガノポリシロキサン残基、及び、後述する（ｗ２＋１）価のオルガノポリシロキサン残基が挙げられる。
式（３－１Ａ）中、Ｘ３１が（ｈ＋ｉ＋１）価の環を有する基である場合、Ｑａ、（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）、及びＲ３１は、該環を構成する原子に直接結合している。ただし、該環はオルガノポリシロキサン環以外の環である。
Ｘ３１における環は、単環、縮合多環、橋かけ環、スピロ環、及び集合多環のいずれであってもよく、環を構成する原子は、炭素原子のみからなる炭素環でもよく、２価以上の原子価を有するヘテロ原子と炭素原子とからなるヘテロ環でもよい。また、環を構成する原子間の結合は、単結合であってもよく、多重結合であってもよい。さらに、環は芳香族性の環であってもよく、非芳香族性の環であってもよい。
単環としては、４員環～８員環が好ましく、５員環及び６員環がより好ましい。縮合多環としては、４員環～８員環の２以上が縮合した縮合多環が好ましく、５員環及び６員環から選ばれる環の２又は３個結合した縮合多環、並びに５員環及び６員環から選ばれる環の１又は２個と４員環１個が結合した縮合多環がより好ましい。橋かけ環としては、５員環又は６員環を最大の環とする橋かけ環が好ましく、スピロ環としては、４員環～６員環の２つからなるスピロ環が好ましい。集合多環としては、５員環及び６員環から選ばれる環の２又は３個が単結合、炭素原子の１～３個、又は原子価が２若しくは３のヘテロ原子１個を介して結合した集合多環が好ましい。なお、集合多環においては、各環にＱａ、（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）及びＲ３１（ｉ＝１以上の場合）のいずれかが結合していることが好ましい。
上記環を構成するヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子、及びイオウ原子が好ましく、窒素原子及び酸素原子がより好ましい。環を構成するヘテロ原子の数は３個以下が好ましい。また、環を構成するヘテロ原子の数が２個以上の場合、それらのヘテロ原子は異なっていてもよい。
なお、上記アルキレン基は、－Ｏ－、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基、又はジアルキルシリレン基を有していてもよい。アルキレン基は、－Ｏ－、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基、及びジアルキルシリレン基からなる群から選択される基を複数有していてもよい。
Ｘ３１で表されるアルキレン基の炭素数は、１～２０が好ましく、１～１０が特に好ましい。
２～８価のオルガノポリシロキサン残基としては、２価のオルガノポリシロキサン残基、及び、後述する（ｗ２＋１）価のオルガノポリシロキサン残基が挙げられる。
式（３－１Ａ）中、Ｘ３１が（ｈ＋ｉ＋１）価の環を有する基である場合、Ｑａ、（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）、及びＲ３１は、該環を構成する原子に直接結合している。ただし、該環はオルガノポリシロキサン環以外の環である。
Ｘ３１における環は、単環、縮合多環、橋かけ環、スピロ環、及び集合多環のいずれであってもよく、環を構成する原子は、炭素原子のみからなる炭素環でもよく、２価以上の原子価を有するヘテロ原子と炭素原子とからなるヘテロ環でもよい。また、環を構成する原子間の結合は、単結合であってもよく、多重結合であってもよい。さらに、環は芳香族性の環であってもよく、非芳香族性の環であってもよい。
単環としては、４員環～８員環が好ましく、５員環及び６員環がより好ましい。縮合多環としては、４員環～８員環の２以上が縮合した縮合多環が好ましく、５員環及び６員環から選ばれる環の２又は３個結合した縮合多環、並びに５員環及び６員環から選ばれる環の１又は２個と４員環１個が結合した縮合多環がより好ましい。橋かけ環としては、５員環又は６員環を最大の環とする橋かけ環が好ましく、スピロ環としては、４員環～６員環の２つからなるスピロ環が好ましい。集合多環としては、５員環及び６員環から選ばれる環の２又は３個が単結合、炭素原子の１～３個、又は原子価が２若しくは３のヘテロ原子１個を介して結合した集合多環が好ましい。なお、集合多環においては、各環にＱａ、（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）及びＲ３１（ｉ＝１以上の場合）のいずれかが結合していることが好ましい。
上記環を構成するヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子、及びイオウ原子が好ましく、窒素原子及び酸素原子がより好ましい。環を構成するヘテロ原子の数は３個以下が好ましい。また、環を構成するヘテロ原子の数が２個以上の場合、それらのヘテロ原子は異なっていてもよい。
【0081】
Ｘ３１における環としては、化合物が製造しやすく、防汚層の耐摩耗性がさらに優れる点から、３～８員環の脂肪族環、ベンゼン環、３～８員環のヘテロ環、これらの環のうちの２又は３個が縮合した縮合多環、５員環又は６員環を最大の環とする橋かけ環、及び、これらの環のうちの２つ以上を有し、連結基が単結合、炭素数３以下のアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子である集合多環からなる群から選ばれる１種が好ましい。
好ましい環は、ベンゼン環、５員又は６員の脂肪族環、窒素原子又は酸素原子を有する５員又は６員のヘテロ環、及び、５員又は６員の炭素環と４～６員のヘテロ環との縮合多環である。
具体的な環としては、以下に示す環と、１，３－シクロヘキサジエン環、１，４－シクロヘキサジエン環、アントラセン環、シクロプロパン環、デカヒドロナフタレン環、ノルボルネン環、ノルボルナジエン環、フラン環、ピロール環、チオフェン環、ピラジン環、モルホリン環、アジリジン環、イソキノリン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピラン環、ピリダジン環、ピリミジン環、及びインデン環が挙げられる。なお、以下には、オキソ基（＝Ｏ）を有する環も示す。
好ましい環は、ベンゼン環、５員又は６員の脂肪族環、窒素原子又は酸素原子を有する５員又は６員のヘテロ環、及び、５員又は６員の炭素環と４～６員のヘテロ環との縮合多環である。
具体的な環としては、以下に示す環と、１，３－シクロヘキサジエン環、１，４－シクロヘキサジエン環、アントラセン環、シクロプロパン環、デカヒドロナフタレン環、ノルボルネン環、ノルボルナジエン環、フラン環、ピロール環、チオフェン環、ピラジン環、モルホリン環、アジリジン環、イソキノリン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピラン環、ピリダジン環、ピリミジン環、及びインデン環が挙げられる。なお、以下には、オキソ基（＝Ｏ）を有する環も示す。
【0082】
【化2】
【0083】
Ｘ３１における環を構成する原子の環を構成しない結合手は、Ｑａ、（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）又はＲ３１に結合する結合手である。残余の結合手がある場合には、残余の結合手は、水素原子又は置換基に結合している。該置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基（炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子を含んでいてもよい。）、シクロアルキル基、アルケニル基、アリル基、アルコキシ基、オキソ基（＝Ｏ）等が挙げられる。
また、環を構成する炭素原子の１個が、Ｑａ、（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）又はＲ３１に結合する結合手を２つ有する場合、その１個の炭素原子にＱａと（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）とが結合していてもよく、２つの（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）が結合していてもよい。Ｑａと、（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）又はＲ３１とは別の環構成原子に結合していることが好ましい。ｈ個の（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）はそれぞれ別個の環構成原子に結合してもよく、そのうちの２個は１個の環構成炭素原子に結合してもよく、さらに２個の（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）が結合した環構成炭素原子は２個以上存在してもよい。ｉ個のＲ３１はそれぞれ別個の環構成原子に結合してもよく、そのうちの２個は１個の環構成炭素原子に結合してもよく、さらに２個のＲ３１が結合した環構成炭素原子は２個以上存在してもよい。
また、環を構成する炭素原子の１個が、Ｑａ、（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）又はＲ３１に結合する結合手を２つ有する場合、その１個の炭素原子にＱａと（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）とが結合していてもよく、２つの（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）が結合していてもよい。Ｑａと、（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）又はＲ３１とは別の環構成原子に結合していることが好ましい。ｈ個の（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）はそれぞれ別個の環構成原子に結合してもよく、そのうちの２個は１個の環構成炭素原子に結合してもよく、さらに２個の（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）が結合した環構成炭素原子は２個以上存在してもよい。ｉ個のＲ３１はそれぞれ別個の環構成原子に結合してもよく、そのうちの２個は１個の環構成炭素原子に結合してもよく、さらに２個のＲ３１が結合した環構成炭素原子は２個以上存在してもよい。
【0084】
Ｑｂは、単結合又は２価の連結基である。
２価の連結基の定義は、上述したＱａで説明した定義と同義である。
２価の連結基の定義は、上述したＱａで説明した定義と同義である。
【0085】
Ｒ３１は、水素原子、水酸基又はアルキル基である。
アルキル基の炭素数は、１～５が好ましく、１～３がより好ましく、１が特に好ましい。
アルキル基の炭素数は、１～５が好ましく、１～３がより好ましく、１が特に好ましい。
【0086】
Ｘ３１が単結合又はアルキレン基の場合、ｈは１、ｉは０であり、
Ｘ３１が窒素原子の場合、ｈは１～２の整数であり、ｉは０～１の整数であり、ｈ＋ｉ＝２を満たし、
Ｘ３１が炭素原子又はケイ素原子の場合、ｈは１～３の整数であり、ｉは０～２の整数であり、ｈ＋ｉ＝３を満たし、
Ｘ３１が２～８価のオルガノポリシロキサン残基の場合、ｈは１～７の整数であり、ｉは０～６の整数であり、ｈ＋ｉ＝１～７を満たす。
Ｘ３１が（ｈ＋ｉ＋１）価の環を有する基の場合、ｈは１～７の整数であり、ｉは０～６の整数であり、ｈ＋ｉ＝１～７を満たす。
（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）が２個以上ある場合は、２個以上の（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ３１が２個以上ある場合は、２個以上の（－Ｒ３１）は、同一であっても異なっていてもよい。
Ｘ３１が窒素原子の場合、ｈは１～２の整数であり、ｉは０～１の整数であり、ｈ＋ｉ＝２を満たし、
Ｘ３１が炭素原子又はケイ素原子の場合、ｈは１～３の整数であり、ｉは０～２の整数であり、ｈ＋ｉ＝３を満たし、
Ｘ３１が２～８価のオルガノポリシロキサン残基の場合、ｈは１～７の整数であり、ｉは０～６の整数であり、ｈ＋ｉ＝１～７を満たす。
Ｘ３１が（ｈ＋ｉ＋１）価の環を有する基の場合、ｈは１～７の整数であり、ｉは０～６の整数であり、ｈ＋ｉ＝１～７を満たす。
（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）が２個以上ある場合は、２個以上の（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ３１が２個以上ある場合は、２個以上の（－Ｒ３１）は、同一であっても異なっていてもよい。
【0087】
Ｑｃは、単結合又は２価の連結基である。
２価の連結基の定義は、上述したＱａで説明した定義と同義である。
エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
２価の連結基の定義は、上述したＱａで説明した定義と同義である。
エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
【0088】
Ｒ３２は、水素原子又は炭素数１～１０のアルキル基であり、化合物を製造しやすい点から、水素原子が好ましい。
アルキル基としては、メチル基が好ましい。
アルキル基としては、メチル基が好ましい。
【0089】
Ｑｄは、単結合又はアルキレン基である。アルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、１～６が特に好ましい。化合物を製造しやすい点から、Ｑｄは、単結合又はＣＨ２－が好ましい。
【0090】
Ｒ３３は、水素原子又はハロゲン原子であり、化合物を製造しやすい点から、水素原子が好ましい。
【0091】
ｙは、１～１０の整数であり、１～６の整数が好ましい。
２個以上の［ＣＨ２Ｃ（Ｒ３２）（－Ｑｄ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）］は、同一であっても異なっていてもよい。
２個以上の［ＣＨ２Ｃ（Ｒ３２）（－Ｑｄ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）］は、同一であっても異なっていてもよい。
【0092】
基（３－１Ａ）としては、基（３－１Ａ－１）～（３－１Ａ－７）が好ましい。
－（Ｘ３２）ｓ１－Ｑｂ１－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ …（３－１Ａ－１）
－（Ｘ３３）ｓ２－Ｑａ２－Ｎ［－Ｑｂ２－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］２ …（３－１Ａ－２）
－Ｑａ３－Ｓｉ（Ｒｇ）［－Ｑｂ３－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］２ …（３－１Ａ－３）
－［Ｑｅ］ｓ４－Ｑａ４－（Ｏ）ｔ４－Ｃ［－（Ｏ）ｕ４－Ｑｂ４－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］３－ｗ１（－Ｒ３１）ｗ１ …（３－１Ａ－４）
－Ｑａ５－Ｓｉ［－Ｑｂ５－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］３ …（３－１Ａ－５）
－［Ｑｅ］ｖ－Ｑａ６－Ｚａ［－Ｑｂ６－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｗ２ …（３－１Ａ－６）
－［Ｑｅ］ｓ４－Ｑａ４－（Ｏ）ｔ４－Ｚｃ［－（Ｏ－Ｑｂ４）ｕ４－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｗ３（－ＯＨ）ｗ４ …（３－１Ａ－７）
なお、式（３－１Ａ－１）～（３－１Ａ－７）中、Ｒ、Ｌ、及びｎの定義は、上述した通りである。
－（Ｘ３２）ｓ１－Ｑｂ１－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ …（３－１Ａ－１）
－（Ｘ３３）ｓ２－Ｑａ２－Ｎ［－Ｑｂ２－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］２ …（３－１Ａ－２）
－Ｑａ３－Ｓｉ（Ｒｇ）［－Ｑｂ３－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］２ …（３－１Ａ－３）
－［Ｑｅ］ｓ４－Ｑａ４－（Ｏ）ｔ４－Ｃ［－（Ｏ）ｕ４－Ｑｂ４－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］３－ｗ１（－Ｒ３１）ｗ１ …（３－１Ａ－４）
－Ｑａ５－Ｓｉ［－Ｑｂ５－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］３ …（３－１Ａ－５）
－［Ｑｅ］ｖ－Ｑａ６－Ｚａ［－Ｑｂ６－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｗ２ …（３－１Ａ－６）
－［Ｑｅ］ｓ４－Ｑａ４－（Ｏ）ｔ４－Ｚｃ［－（Ｏ－Ｑｂ４）ｕ４－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｗ３（－ＯＨ）ｗ４ …（３－１Ａ－７）
なお、式（３－１Ａ－１）～（３－１Ａ－７）中、Ｒ、Ｌ、及びｎの定義は、上述した通りである。
【0093】
基（３－１Ａ－１）において、Ｘ３２は、－Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＳＯ２Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）ＳＯ２－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）－、又は－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－である（ただし、式中のＮはＱｂ１に結合する）。
Ｒｄの定義は、上述した通りである。
ｓ１は、０又は１である。
Ｒｄの定義は、上述した通りである。
ｓ１は、０又は１である。
【0094】
Ｑｂ１は、アルキレン基である。なお、アルキレン基は、－Ｏ－、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基、又はジアルキルシリレン基を有していてもよい。アルキレン基は、－Ｏ－、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基、及びジアルキルシリレン基からなる群から選択される基を複数有していてもよい。
なお、アルキレン基が－Ｏ－、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基、又はジアルキルシリレン基を有する場合、炭素原子－炭素原子間にこれらの基を有することが好ましい。
Ｑｂ１で表されるアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
なお、アルキレン基が－Ｏ－、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基、又はジアルキルシリレン基を有する場合、炭素原子－炭素原子間にこれらの基を有することが好ましい。
Ｑｂ１で表されるアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
【0095】
Ｑｂ１としては、ｓ１が０の場合は、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい。（Ｘ３２）ｓ１が－Ｏ－の場合は、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい。（Ｘ３２）ｓ１が－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－の場合は、炭素数２～６のアルキレン基が好ましい（ただし、式中のＮはＱｂ１に結合する）。Ｑｂ１がこれらの基であると化合物が製造しやすい。
【0096】
基（３－１Ａ－１）の具体例としては、以下の基が挙げられる。下記式中、＊は、（ＯＸ）ｍとの結合位置を表す。
【0097】
【化3】
【0098】
基（３－１Ａ－２）において、Ｘ３３は、－Ｏ－、－ＮＨ－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）－、－ＳＯ２Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）ＳＯ２－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、又は－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－である。
Ｒｄの定義は、上述した通りである。
Ｒｄの定義は、上述した通りである。
【0099】
Ｑａ２は、単結合、アルキレン基、－Ｃ（Ｏ）－、又は、炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－ＳＯ２Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）ＳＯ２－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、若しくは－ＮＨ－を有する基である。
Ｑａ２で表されるアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、１～６が特に好ましい。
Ｑａ２で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－ＳＯ２Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）ＳＯ２－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、又は－ＮＨ－を有する基の炭素数は、２～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑａ２で表されるアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、１～６が特に好ましい。
Ｑａ２で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－ＳＯ２Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）ＳＯ２－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、又は－ＮＨ－を有する基の炭素数は、２～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
【0100】
Ｑａ２は、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＮＨＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２－、又は－Ｃ（Ｏ）－が好ましい。
【0101】
ｓ２は、０又は１（ただし、Ｑａ２が単結合の場合は０である。）である。化合物を製造しやすい点から、０が好ましい。
【0102】
Ｑｂ２は、アルキレン基、又は、炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間に、２価のオルガノポリシロキサン残基、エーテル性酸素原子、若しくは－ＮＨ－を有する基である。
Ｑｂ２で表されるアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑｂ２で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間に、２価のオルガノポリシロキサン残基、エーテル性酸素原子、又は－ＮＨ－を有する基の炭素数は、２～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑｂ２で表されるアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑｂ２で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間に、２価のオルガノポリシロキサン残基、エーテル性酸素原子、又は－ＮＨ－を有する基の炭素数は、２～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
【0103】
Ｑｂ２としては、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい（ただし、右側がＳｉに結合する。）。
【0104】
２個の［－Ｑｂ２－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。
【0105】
基（３－１Ａ－２）の具体例としては、以下の基が挙げられる。下記式中、＊は、（ＯＸ）ｍとの結合位置を表す。
【0106】
【化4】
【0107】
基（３－１Ａ－３）において、Ｑａ３は、単結合、又は、エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基であり、化合物を製造しやすい点から、単結合が好ましい。
エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
【0108】
Ｒｇは、水素原子、水酸基、又はアルキル基である。Ｒｇで表されるアルキル基の炭素数は、１～４が好ましい。
【0109】
Ｑｂ３は、アルキレン基、又は、炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子若しくは２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基である。
Ｑｂ３で表されるアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑｂ３で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子又は２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基の炭素数は、２～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑｂ３は、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、又は－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい。
Ｑｂ３で表されるアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑｂ３で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子又は２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基の炭素数は、２～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑｂ３は、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、又は－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい。
【0110】
２個の［－Ｑｂ３－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。
【0111】
基（３－１Ａ－３）の具体例としては、以下の基が挙げられる。下記式中、＊は、（ＯＸ）ｍとの結合位置を表す。
【0112】
【化5】
【0113】
基（３－１Ａ－４）において、Ｑｅは、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）－、－ＳＯ２Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）ＳＯ２－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、又は－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－である。
Ｒ３１の定義は、上述した通りである。
ｓ４は、０又は１である。
Ｑａ４は、単結合、又は、エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基である。
エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
ｔ４は、０又は１（ただし、Ｑａ４が単結合の場合は０である。）である。
－Ｑａ４－（Ｏ）ｔ４－としては、化合物を製造しやすい点から、ｓ４が０の場合は、単結合、－ＣＨ２Ｏ－、－ＣＨ２ＯＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２－が好ましく（ただし、左側が（ＯＸ）ｍに結合する。）、ｓ４が１の場合は、単結合、－ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい。
Ｒ３１の定義は、上述した通りである。
ｓ４は、０又は１である。
Ｑａ４は、単結合、又は、エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基である。
エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
ｔ４は、０又は１（ただし、Ｑａ４が単結合の場合は０である。）である。
－Ｑａ４－（Ｏ）ｔ４－としては、化合物を製造しやすい点から、ｓ４が０の場合は、単結合、－ＣＨ２Ｏ－、－ＣＨ２ＯＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２－が好ましく（ただし、左側が（ＯＸ）ｍに結合する。）、ｓ４が１の場合は、単結合、－ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい。
【0114】
Ｑｂ４は、アルキレン基であり、上記アルキレン基は－Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－（Ｒｄの定義は、上述した通りである。）、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基、又はジアルキルシリレン基を有していてもよい。
なお、アルキレン基が－Ｏ－又はシルフェニレン骨格基を有する場合、炭素原子－炭素原子間に－Ｏ－又はシルフェニレン骨格基を有することが好ましい。また、アルキレン基が－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、ジアルキルシリレン基、又は２価のオルガノポリシロキサン残基を有する場合、炭素原子－炭素原子間又は（Ｏ）ｕ４と結合する側の末端にこれらの基を有することが好ましい。
Ｑｂ４で表されるアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
なお、アルキレン基が－Ｏ－又はシルフェニレン骨格基を有する場合、炭素原子－炭素原子間に－Ｏ－又はシルフェニレン骨格基を有することが好ましい。また、アルキレン基が－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、ジアルキルシリレン基、又は２価のオルガノポリシロキサン残基を有する場合、炭素原子－炭素原子間又は（Ｏ）ｕ４と結合する側の末端にこれらの基を有することが好ましい。
Ｑｂ４で表されるアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
【0115】
ｕ４は、０又は１である。
－（Ｏ）ｕ４－Ｑｂ４－としては、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＣＨ３）２ＰｈＳｉ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい（ただし、右側がＳｉに結合する。）。
－（Ｏ）ｕ４－Ｑｂ４－としては、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＣＨ３）２ＰｈＳｉ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい（ただし、右側がＳｉに結合する。）。
【0116】
ｗ１は、０～２の整数であり、０又は１が好ましく、０が特に好ましい。
［－（Ｏ）ｕ４－Ｑｂ４－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］が２個以上ある場合は、２個以上の［－（Ｏ）ｕ４－Ｑｂ４－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。
Ｒ３１が２個以上ある場合は、２個以上の（－Ｒ３１）は、同一であっても異なっていてもよい。
［－（Ｏ）ｕ４－Ｑｂ４－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］が２個以上ある場合は、２個以上の［－（Ｏ）ｕ４－Ｑｂ４－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。
Ｒ３１が２個以上ある場合は、２個以上の（－Ｒ３１）は、同一であっても異なっていてもよい。
【0117】
基（３－１Ａ－４）の具体例としては、以下の基が挙げられる。下記式中、＊は、（ＯＸ）ｍとの結合位置を表す。
【0118】
【化6】
【0119】
【化7】
【0120】
基（３－１Ａ－５）において、Ｑａ５は、エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基である。
エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑａ５としては、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい（ただし、右側がＳｉに結合する。）。
エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑａ５としては、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい（ただし、右側がＳｉに結合する。）。
【0121】
Ｑｂ５は、アルキレン基、又は、炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子若しくは２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基である。
Ｑｂ５で表されるアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑｂ５で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子又は２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基の炭素数は、２～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑｂ５としては、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい（ただし、右側がＳｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎに結合する。）。
Ｑｂ５で表されるアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑｂ５で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子又は２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基の炭素数は、２～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑｂ５としては、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい（ただし、右側がＳｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎに結合する。）。
【0122】
３個の［－Ｑｂ５－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。
【0123】
基（３－１Ａ－５）の具体例としては、以下の基が挙げられる。下記式中、＊は、（ＯＸ）ｍとの結合位置を表す。
【0124】
【化8】
【0125】
基（３－１Ａ－６）中のＱｅの定義は、上述の基（３－１Ａ－４）において定義した通りである。
ｖは、０又は１である。
ｖは、０又は１である。
【0126】
Ｑａ６は、エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基である。
エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑａ６としては、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい（ただし、右側がＺａに結合する。）。
エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑａ６としては、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい（ただし、右側がＺａに結合する。）。
【0127】
Ｚａは、（ｗ２＋１）価のオルガノポリシロキサン残基である。
ｗ２は、２～７の整数である。
（ｗ２＋１）価のオルガノポリシロキサン残基としては、下記の基が挙げられる。ただし、下式におけるＲａは、上述の通りである。
ｗ２は、２～７の整数である。
（ｗ２＋１）価のオルガノポリシロキサン残基としては、下記の基が挙げられる。ただし、下式におけるＲａは、上述の通りである。
【0128】
【化9】
【0129】
Ｑｂ６は、アルキレン基、又は、炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子若しくは２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基である。
Ｑｂ６で表されるアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑｂ６で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子又は２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基の炭素数は、２～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑｂ６としては、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい。
ｗ２個の［－Ｑｂ６－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。
基（３－１Ａ－６）の具体例としては、以下の基が挙げられる。下記式中、＊は、（ＯＸ）ｍとの結合位置を表す。
Ｑｂ６で表されるアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑｂ６で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子又は２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基の炭素数は、２～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑｂ６としては、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい。
ｗ２個の［－Ｑｂ６－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。
基（３－１Ａ－６）の具体例としては、以下の基が挙げられる。下記式中、＊は、（ＯＸ）ｍとの結合位置を表す。
【0130】
【化10】
【0131】
基（３－１Ａ－７）において、Ｚｃは（ｗ３＋ｗ４＋１）価の炭化水素基である。
ｗ３は、４以上の整数である。
ｗ４は、０以上の整数である。
Ｑｅ、ｓ４、Ｑａ４、ｔ４、Ｑｂ４、及びｕ４の定義及び好ましい範囲は基（３－１Ａ－４）中の各符号の定義と同じである。
ｗ３は、４以上の整数である。
ｗ４は、０以上の整数である。
Ｑｅ、ｓ４、Ｑａ４、ｔ４、Ｑｂ４、及びｕ４の定義及び好ましい範囲は基（３－１Ａ－４）中の各符号の定義と同じである。
【0132】
Ｚｃは炭化水素鎖からなってもよく、炭化水素鎖の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子を有してもよく、炭化水素鎖からなることが好ましい。
Ｚｃの価数は５～１０価が好ましく、５～８価がより好ましく、５～６価がさらに好ましい。
Ｚｃの炭素数は７～５０が好ましく、１０～４０がより好ましく、１５～３０がさらに好ましい。
ｗ３は、４～１０が好ましく、４～８がより好ましく、４～５がさらに好ましい。
ｗ４は、０～１０が好ましく、０～８がより好ましく、０がさらに好ましい。
［－（Ｏ－Ｑｂ４）ｕ４－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］が２個以上ある場合は、２個以上の［－（Ｏ－Ｑｂ４）ｕ４－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。
Ｚｃの価数は５～１０価が好ましく、５～８価がより好ましく、５～６価がさらに好ましい。
Ｚｃの炭素数は７～５０が好ましく、１０～４０がより好ましく、１５～３０がさらに好ましい。
ｗ３は、４～１０が好ましく、４～８がより好ましく、４～５がさらに好ましい。
ｗ４は、０～１０が好ましく、０～８がより好ましく、０がさらに好ましい。
［－（Ｏ－Ｑｂ４）ｕ４－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］が２個以上ある場合は、２個以上の［－（Ｏ－Ｑｂ４）ｕ４－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。
【0133】
基（３－１Ａ－７）の具体例としては、以下の基が挙げられる。下記式中、＊は、（ＯＸ）ｍとの結合位置を表す。
【0134】
【化11】
【0135】
式（３－１）におけるＹ１０は、基（ｇ２－１）（ただし、ｊ１＝ｄ１＋ｄ３、ｇ１＝ｄ２＋ｄ４である。）、基（ｇ２－２）（ただし、ｊ１＝ｅ１、ｇ１＝ｅ２である。）、基（ｇ２－３）（ただし、ｊ１＝１、ｇ１＝２である。）、基（ｇ２－４）（ただし、ｊ１＝ｈ１、ｇ１＝ｈ２である。）、基（ｇ２－５）（ただし、ｊ１＝ｉ１、ｇ１＝ｉ２である。）、基（ｇ２－６）（ただし、ｊ１＝１、ｇ１＝１である。）、又は基（ｇ２－７）（ただし、ｊ１＝１、ｇ１＝ｉ３である。）であってもよい。
また、式（３－２）におけるＹ１１及びＹ１２はそれぞれ独立に、基（ｇ２－１）（ただし、ｇ２＝ｄ２＋ｄ４、ｋ２＝ｄ２＋ｄ４である。）、基（ｇ２－２）（ただし、ｇ２＝ｅ２、ｋ２＝ｅ２である。）、基（ｇ２－３）（ただし、ｇ２＝２、ｋ２＝２である。）、基（ｇ２－４）（ただし、ｇ２＝ｈ２、ｋ２＝ｈ２である。）、基（ｇ２－５）（ただし、ｇ２＝ｉ２、ｋ２＝ｉ２である。）、基（ｇ２－６）（ただし、ｇ２＝１、ｋ２＝１である。）、又は基（ｇ２－７）（ただし、ｇ２＝ｉ３、ｋ２＝ｉ３である。）であってもよい。
また、式（３－２）におけるＹ１１及びＹ１２はそれぞれ独立に、基（ｇ２－１）（ただし、ｇ２＝ｄ２＋ｄ４、ｋ２＝ｄ２＋ｄ４である。）、基（ｇ２－２）（ただし、ｇ２＝ｅ２、ｋ２＝ｅ２である。）、基（ｇ２－３）（ただし、ｇ２＝２、ｋ２＝２である。）、基（ｇ２－４）（ただし、ｇ２＝ｈ２、ｋ２＝ｈ２である。）、基（ｇ２－５）（ただし、ｇ２＝ｉ２、ｋ２＝ｉ２である。）、基（ｇ２－６）（ただし、ｇ２＝１、ｋ２＝１である。）、又は基（ｇ２－７）（ただし、ｇ２＝ｉ３、ｋ２＝ｉ３である。）であってもよい。
【0136】
【化12】
【0137】
（－Ａ１－Ｑ１２－）ｅ１Ｃ（Ｒｅ２）４－ｅ１－ｅ２（－Ｑ２２－）ｅ２ …（ｇ２－２）
－Ａ１－Ｑ１３－Ｎ（－Ｑ２３－）２ …（ｇ２－３）
（－Ａ１－Ｑ１４－）ｈ１Ｚ１（－Ｑ２４－）ｈ２ …（ｇ２－４）
（－Ａ１－Ｑ１５－）ｉ１Ｓｉ（Ｒｅ３）４－ｉ１－ｉ２（－Ｑ２５－）ｉ２ …（ｇ２－５）
－Ａ１－Ｑ２６－ （ｇ２－６）
－Ａ１－Ｑ１２－ＣＨ（－Ｑ２２－）－Ｓｉ（Ｒｅ３）３－ｉ３（－Ｑ２５－）ｉ３
…（ｇ２－７）
－Ａ１－Ｑ１３－Ｎ（－Ｑ２３－）２ …（ｇ２－３）
（－Ａ１－Ｑ１４－）ｈ１Ｚ１（－Ｑ２４－）ｈ２ …（ｇ２－４）
（－Ａ１－Ｑ１５－）ｉ１Ｓｉ（Ｒｅ３）４－ｉ１－ｉ２（－Ｑ２５－）ｉ２ …（ｇ２－５）
－Ａ１－Ｑ２６－ （ｇ２－６）
－Ａ１－Ｑ１２－ＣＨ（－Ｑ２２－）－Ｓｉ（Ｒｅ３）３－ｉ３（－Ｑ２５－）ｉ３
…（ｇ２－７）
【0138】
ただし、式（ｇ２－１）～（ｇ２－７）においては、Ａ１側が（ＯＸ）ｍに接続し、Ｑ２２、Ｑ２３、Ｑ２４、Ｑ２５、又はＱ２６側が［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］に接続する。
Ａ１は、単結合、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＯＣ（Ｏ）Ｏ－、－ＮＨＣ（Ｏ）Ｏ－、－ＮＨＣ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｏ－、又はＳＯ２ＮＲ６－である。
Ｑ１１は、単結合、－Ｏ－、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－、又はＯ－を有する基である。
Ｑ１２は、単結合、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－、又はＯ－を有する基であり、Ｙ１０、Ｙ１１、又はＹ１２がＱ１２を２以上有する場合、２以上のＱ１２は同一であっても異なっていてもよい。
Ｑ１３は、単結合（ただし、Ａ１は－Ｃ（Ｏ）－である。）、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－、若しくはＯ－を有する基、又はアルキレン基のＮ側の末端に－Ｃ（Ｏ）－を有する基である。
Ｑ１４は、Ｑ１４が結合するＺ１における原子が炭素原子の場合、Ｑ１２であり、Ｑ１４が結合するＺ１における原子が窒素原子の場合、Ｑ１３であり、Ｙ１０、Ｙ１１、又は
Ｙ１２がＱ１４を２以上有する場合、２以上のＱ１４は同一であっても異なっていてもよい。
Ｑ１５は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－、又はＯ－を有する基であり、Ｙ１０、Ｙ１１、又はＹ１２がＱ１５を２以上有する場合、２以上のＱ１５は同一であっても異なっていてもよい。
Ｑ２２は、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－、又はＯ－を有する基、アルキレン基のＳｉに接続しない側の末端に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－、又はＯ－を有する基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－、又はＯ－を有しかつＳｉに接続しない側の末端に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－、又はＯ－を有する基であり、Ｙ１０、Ｙ１１、又はＹ１２がＱ２２を２以上有する場合、２以上のＱ２２は同一であっても異なっていてもよい。
Ｑ２３は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－、又はＯ－を有する基であり、２個のＱ２３は同一であっても異なっていてもよい。
Ｑ２４は、Ｑ２４が結合するＺ１における原子が炭素原子の場合、Ｑ２２であり、Ｑ２４が結合するＺ１における原子が窒素原子の場合、Ｑ２３であり、Ｙ１０、Ｙ１１、又はＹ１２がＱ２４を２以上有する場合、２以上のＱ２４は同一であっても異なっていてもよい。
Ｑ２５は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－、又はＯ－を有する基であり、Ｙ１０、Ｙ１１、又はＹ１２がＱ２５を２以上有する場合、２以上のＱ２５は同一であっても異なっていてもよい。
Ｑ２６は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－、又はＯ－を有する基である。
Ｚ１は、Ｑ１４が直接結合する炭素原子又は窒素原子を有しかつＱ２４が直接結合する炭素原子又は窒素原子を有するｈ１＋ｈ２価の環構造を有する基である。
Ｒｅ１は、水素原子又はアルキル基であり、Ｙ１０、Ｙ１１、又はＹ１２がＲｅ１を２以上有する場合、２以上のＲｅ１は同一であっても異なっていてもよい。
Ｒｅ２は、水素原子、水酸基、アルキル基、又はアシルオキシ基である。
Ｒｅ３は、アルキル基である。Ｒ６は、水素原子、炭素数１～６のアルキル基、又はフェニル基である。
Ａ１は、単結合、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＯＣ（Ｏ）Ｏ－、－ＮＨＣ（Ｏ）Ｏ－、－ＮＨＣ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｏ－、又はＳＯ２ＮＲ６－である。
Ｑ１１は、単結合、－Ｏ－、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－、又はＯ－を有する基である。
Ｑ１２は、単結合、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－、又はＯ－を有する基であり、Ｙ１０、Ｙ１１、又はＹ１２がＱ１２を２以上有する場合、２以上のＱ１２は同一であっても異なっていてもよい。
Ｑ１３は、単結合（ただし、Ａ１は－Ｃ（Ｏ）－である。）、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－、若しくはＯ－を有する基、又はアルキレン基のＮ側の末端に－Ｃ（Ｏ）－を有する基である。
Ｑ１４は、Ｑ１４が結合するＺ１における原子が炭素原子の場合、Ｑ１２であり、Ｑ１４が結合するＺ１における原子が窒素原子の場合、Ｑ１３であり、Ｙ１０、Ｙ１１、又は
Ｙ１２がＱ１４を２以上有する場合、２以上のＱ１４は同一であっても異なっていてもよい。
Ｑ１５は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－、又はＯ－を有する基であり、Ｙ１０、Ｙ１１、又はＹ１２がＱ１５を２以上有する場合、２以上のＱ１５は同一であっても異なっていてもよい。
Ｑ２２は、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－、又はＯ－を有する基、アルキレン基のＳｉに接続しない側の末端に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－、又はＯ－を有する基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－、又はＯ－を有しかつＳｉに接続しない側の末端に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－、又はＯ－を有する基であり、Ｙ１０、Ｙ１１、又はＹ１２がＱ２２を２以上有する場合、２以上のＱ２２は同一であっても異なっていてもよい。
Ｑ２３は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－、又はＯ－を有する基であり、２個のＱ２３は同一であっても異なっていてもよい。
Ｑ２４は、Ｑ２４が結合するＺ１における原子が炭素原子の場合、Ｑ２２であり、Ｑ２４が結合するＺ１における原子が窒素原子の場合、Ｑ２３であり、Ｙ１０、Ｙ１１、又はＹ１２がＱ２４を２以上有する場合、２以上のＱ２４は同一であっても異なっていてもよい。
Ｑ２５は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－、又はＯ－を有する基であり、Ｙ１０、Ｙ１１、又はＹ１２がＱ２５を２以上有する場合、２以上のＱ２５は同一であっても異なっていてもよい。
Ｑ２６は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－、又はＯ－を有する基である。
Ｚ１は、Ｑ１４が直接結合する炭素原子又は窒素原子を有しかつＱ２４が直接結合する炭素原子又は窒素原子を有するｈ１＋ｈ２価の環構造を有する基である。
Ｒｅ１は、水素原子又はアルキル基であり、Ｙ１０、Ｙ１１、又はＹ１２がＲｅ１を２以上有する場合、２以上のＲｅ１は同一であっても異なっていてもよい。
Ｒｅ２は、水素原子、水酸基、アルキル基、又はアシルオキシ基である。
Ｒｅ３は、アルキル基である。Ｒ６は、水素原子、炭素数１～６のアルキル基、又はフェニル基である。
【0139】
ｄ１は、０～３の整数であり、１又は２が好ましい。ｄ２は、０～３の整数であり、１又は２が好ましい。ｄ１＋ｄ２は、１～３の整数である。
ｄ３は、０～３の整数であり、０又は１が好ましい。ｄ４は、０～３の整数であり、２又は３が好ましい。ｄ３＋ｄ４は、１～３の整数である。
ｄ１＋ｄ３は、Ｙ１０においては１～５の整数であり、１又は２が好ましく、Ｙ１１及びＹ１２においては１である。
ｄ２＋ｄ４は、Ｙ１０においては１～５の整数であり、４又は５が好ましく、Ｙ１１及びＹ１２においては３～５の整数であり、４又は５が好ましい。
ｅ１＋ｅ２は、３又は４である。ｅ１は、Ｙ１０においては１～３の整数であり、１又は２が好ましく、Ｙ１１及びＹ１２においては１である。ｅ２は、Ｙ１０においては１～３の整数であり、２又は３が好ましく、Ｙ１１及びＹ１２においては２又は３である。
ｈ１は、Ｙ１０においては１以上の整数であり、１又は２が好ましく、Ｙ１１及びＹ１２においては１である。ｈ２は、１以上の整数であり、２又は３が好ましい。
ｉ１＋ｉ２は、３又は４である。ｉ１は、Ｙ１０においては１～３の整数であり、１又は２が好ましく、Ｙ１１及びＹ１２においては１である。ｉ２は、Ｙ１０においては１～３の整数であり、２又は３が好ましく、Ｙ１１及びＹ１２においては２又は３である。
ｉ３は、２又は３である。
ｄ３は、０～３の整数であり、０又は１が好ましい。ｄ４は、０～３の整数であり、２又は３が好ましい。ｄ３＋ｄ４は、１～３の整数である。
ｄ１＋ｄ３は、Ｙ１０においては１～５の整数であり、１又は２が好ましく、Ｙ１１及びＹ１２においては１である。
ｄ２＋ｄ４は、Ｙ１０においては１～５の整数であり、４又は５が好ましく、Ｙ１１及びＹ１２においては３～５の整数であり、４又は５が好ましい。
ｅ１＋ｅ２は、３又は４である。ｅ１は、Ｙ１０においては１～３の整数であり、１又は２が好ましく、Ｙ１１及びＹ１２においては１である。ｅ２は、Ｙ１０においては１～３の整数であり、２又は３が好ましく、Ｙ１１及びＹ１２においては２又は３である。
ｈ１は、Ｙ１０においては１以上の整数であり、１又は２が好ましく、Ｙ１１及びＹ１２においては１である。ｈ２は、１以上の整数であり、２又は３が好ましい。
ｉ１＋ｉ２は、３又は４である。ｉ１は、Ｙ１０においては１～３の整数であり、１又は２が好ましく、Ｙ１１及びＹ１２においては１である。ｉ２は、Ｙ１０においては１～３の整数であり、２又は３が好ましく、Ｙ１１及びＹ１２においては２又は３である。
ｉ３は、２又は３である。
【0140】
Ｑ１１、Ｑ１２、Ｑ１３、Ｑ１４、Ｑ１５、Ｑ２２、Ｑ２３、Ｑ２４、Ｑ２５、及びＱ２６のアルキレン基の炭素数は、化合物（３－１）及び化合物（３－２）を製造しやすい点、及び防汚層の耐摩耗性がさらに優れる点から、１～１０が好ましく、１～６がより好ましく、１～４が特に好ましい。ただし、炭素原子－炭素原子間に特定の結合を有する場合のアルキレン基の炭素数の下限値は２である。
【0141】
Ｚ１における環構造としては、上述した環構造が挙げられ、好ましい形態も同様である。なお、Ｚ１における環構造にはＱ１４やＱ２４が直接結合するため、例えば、環構造にアルキレン基が連結して、そのアルキレン基にＱ１４やＱ２４が連結することはない。
【0142】
Ｒｅ１、Ｒｅ２、又はＲｅ３のアルキル基の炭素数は、化合物（３－１）及び化合物（３－２）を製造しやすい点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が特に好ましい。
Ｒｅ２のアシルオキシ基のアルキル基部分の炭素数は、化合物（３－１）及び化合物（３－２）を製造しやすい点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が特に好ましい。
ｈ１は、化合物（３－１）及び化合物（３－２）を製造しやすい点、並びに、防汚層の耐摩耗性がさらに優れる点から、１～６が好ましく、１～４がより好ましく、１又は２がさらに好ましく、１が特に好ましい。
ｈ２としては、化合物（３－１）及び化合物（３－２）を製造しやすい点、並びに、防汚層の耐摩耗性がさらに優れる点から、２～６が好ましく、２～４がより好ましく、２又は３が特に好ましい。
Ｒｅ２のアシルオキシ基のアルキル基部分の炭素数は、化合物（３－１）及び化合物（３－２）を製造しやすい点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が特に好ましい。
ｈ１は、化合物（３－１）及び化合物（３－２）を製造しやすい点、並びに、防汚層の耐摩耗性がさらに優れる点から、１～６が好ましく、１～４がより好ましく、１又は２がさらに好ましく、１が特に好ましい。
ｈ２としては、化合物（３－１）及び化合物（３－２）を製造しやすい点、並びに、防汚層の耐摩耗性がさらに優れる点から、２～６が好ましく、２～４がより好ましく、２又は３が特に好ましい。
【0143】
Ｙ１０の他の形態としては、基（ｇ２－８）（ただし、ｊ１＝ｄ１＋ｄ３、ｇ１＝ｄ２×ｋ３＋ｄ４×ｋ３である。）、基（ｇ２－９）（ただし、ｊ１＝ｅ１、ｇ１＝ｅ２×ｋ３である。）、基（ｇ２－１０）（ただし、ｊ１＝１、ｇ１＝２×ｋ３である。）、基（ｇ２－１１）（ただし、ｊ１＝ｈ１、ｇ１＝ｈ２×ｋ３である。）、基（ｇ２－１２）（ただし、ｊ１＝ｉ１、ｇ１＝ｉ２×ｋ３である。）、基（ｇ２－１３）（ただし、ｊ１＝１、ｇ１＝ｋ３である。）、又は基（ｇ２－１４）（ただし、ｊ１＝１、ｇ１＝ｉ３×ｋ３である。）が挙げられる。
Ｙ１１及びＹ１２の他の形態としては、基（ｇ２－８）（ただし、ｋ２＝ｄ２×ｋ３、ｇ２＝ｄ４×ｋ３である。）、基（ｇ２－９）（ただし、ｋ２＝ｅ２×ｋ３、ｇ２＝ｅ２×ｋ３である。）、基（ｇ２－１０）（ただし、ｋ２＝２×ｋ３、ｇ２＝２×ｋ３である。）、基（ｇ２－１１）（ただし、ｋ２＝ｈ２×ｋ３、ｇ２＝ｈ２×ｋ３である。）、基（ｇ２－１２）（ただし、ｋ２＝ｉ２×ｋ３、ｇ２＝ｉ２×ｋ３である。）、基（ｇ２－１３）（ただし、ｋ２＝ｋ３、ｇ２＝ｋ３である。）、又は基（ｇ２－１４）（ただし、ｋ２＝ｉ３×ｋ３、ｇ２＝ｉ３×ｋ３である。）が挙げられる。
Ｙ１１及びＹ１２の他の形態としては、基（ｇ２－８）（ただし、ｋ２＝ｄ２×ｋ３、ｇ２＝ｄ４×ｋ３である。）、基（ｇ２－９）（ただし、ｋ２＝ｅ２×ｋ３、ｇ２＝ｅ２×ｋ３である。）、基（ｇ２－１０）（ただし、ｋ２＝２×ｋ３、ｇ２＝２×ｋ３である。）、基（ｇ２－１１）（ただし、ｋ２＝ｈ２×ｋ３、ｇ２＝ｈ２×ｋ３である。）、基（ｇ２－１２）（ただし、ｋ２＝ｉ２×ｋ３、ｇ２＝ｉ２×ｋ３である。）、基（ｇ２－１３）（ただし、ｋ２＝ｋ３、ｇ２＝ｋ３である。）、又は基（ｇ２－１４）（ただし、ｋ２＝ｉ３×ｋ３、ｇ２＝ｉ３×ｋ３である。）が挙げられる。
【0144】
【化13】
【0145】
（－Ａ１－Ｑ１２－）ｅ１Ｃ（Ｒｅ２）４－ｅ１－ｅ２（－Ｑ２２－Ｇ１）ｅ２ …（ｇ２－９）
－Ａ１－Ｑ１３－Ｎ（－Ｑ２３－Ｇ１）２ …（ｇ２－１０）
（－Ａ１－Ｑ１４－）ｈ１Ｚ１（－Ｑ２４－Ｇ１）ｈ２ …（ｇ２－１１）
（－Ａ１－Ｑ１５－）ｉ１Ｓｉ（Ｒｅ３）４－ｉ１－ｉ２（－Ｑ２５－Ｇ１）ｉ２ …（ｇ２－１２）
－Ａ１－Ｑ２６－Ｇ１ …（ｇ２－１３）
－Ａ１－Ｑ１２－ＣＨ（－Ｑ２２－Ｇ１）－Ｓｉ（Ｒｅ３）３－ｉ３（－Ｑ２５－Ｇ１）ｉ３ …（ｇ２－１４）
－Ａ１－Ｑ１３－Ｎ（－Ｑ２３－Ｇ１）２ …（ｇ２－１０）
（－Ａ１－Ｑ１４－）ｈ１Ｚ１（－Ｑ２４－Ｇ１）ｈ２ …（ｇ２－１１）
（－Ａ１－Ｑ１５－）ｉ１Ｓｉ（Ｒｅ３）４－ｉ１－ｉ２（－Ｑ２５－Ｇ１）ｉ２ …（ｇ２－１２）
－Ａ１－Ｑ２６－Ｇ１ …（ｇ２－１３）
－Ａ１－Ｑ１２－ＣＨ（－Ｑ２２－Ｇ１）－Ｓｉ（Ｒｅ３）３－ｉ３（－Ｑ２５－Ｇ１）ｉ３ …（ｇ２－１４）
【0146】
ただし、式（ｇ２－８）～（ｇ２－１４）においては、Ａ１側が（ＯＸ）ｍに接続し、Ｇ１側が［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］に接続する。Ｇ１は、基（ｇ３）であり、Ｙ１０、Ｙ１１、又はＹ１２が有する２以上のＧ１は同一であっても異なっていてもよい。Ｇ１以外の符号は、式（ｇ２－１）～（ｇ２－７）における符号と同じである。
－Ｓｉ（Ｒ８）３－ｋ３（－Ｑ３－）ｋ３ …（ｇ３）
ただし、式（ｇ３）においては、Ｓｉ側がＱ２２、Ｑ２３、Ｑ２４、Ｑ２５、及びＱ２６に接続し、Ｑ３側が［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］に接続する。Ｒ８は、アルキル基である。Ｑ３は、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－、若しくは－Ｏ－を有する基、又は（ＯＳｉ（Ｒ９）２）ｐ－Ｏ－であり、２以上のＱ３は同一であっても異なっていてもよい。ｋ３は、２又は３である。Ｒ６は、水素原子、炭素数１～６のアルキル基、又はフェニル基である。Ｒ９は、アルキル基、フェニル基、又はアルコキシ基であり、２個のＲ９は同一であっても異なっていてもよい。ｐは、０～５の整数であり、ｐが２以上の場合、２以上の（ＯＳｉ（Ｒ９）２）は同一であっても異なっていてもよい。
－Ｓｉ（Ｒ８）３－ｋ３（－Ｑ３－）ｋ３ …（ｇ３）
ただし、式（ｇ３）においては、Ｓｉ側がＱ２２、Ｑ２３、Ｑ２４、Ｑ２５、及びＱ２６に接続し、Ｑ３側が［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］に接続する。Ｒ８は、アルキル基である。Ｑ３は、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－、若しくは－Ｏ－を有する基、又は（ＯＳｉ（Ｒ９）２）ｐ－Ｏ－であり、２以上のＱ３は同一であっても異なっていてもよい。ｋ３は、２又は３である。Ｒ６は、水素原子、炭素数１～６のアルキル基、又はフェニル基である。Ｒ９は、アルキル基、フェニル基、又はアルコキシ基であり、２個のＲ９は同一であっても異なっていてもよい。ｐは、０～５の整数であり、ｐが２以上の場合、２以上の（ＯＳｉ（Ｒ９）２）は同一であっても異なっていてもよい。
【0147】
Ｑ３のアルキレン基の炭素数は、化合物（３－１）及び化合物（３－２）を製造しやすい点、並びに、防汚層の耐摩耗性がさらに優れる点から、１～１０が好ましく、１～６がより好ましく、１～４が特に好ましい。ただし、炭素原子－炭素原子間に特定の結合を有する場合のアルキレン基の炭素数の下限値は２である。
Ｒ８のアルキル基の炭素数は、化合物（３－１）及び化合物（３－２）を製造しやすい点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が特に好ましい。
Ｒ９のアルキル基の炭素数は、化合物（３－１）及び化合物（３－２）を製造しやすい点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が特に好ましい。
Ｒ９のアルコキシ基の炭素数は、化合物（３－１）及び化合物（３－２）の保存安定性に優れる点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が特に好ましい。
ｐは、０又は１が好ましい。
Ｒ８のアルキル基の炭素数は、化合物（３－１）及び化合物（３－２）を製造しやすい点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が特に好ましい。
Ｒ９のアルキル基の炭素数は、化合物（３－１）及び化合物（３－２）を製造しやすい点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が特に好ましい。
Ｒ９のアルコキシ基の炭素数は、化合物（３－１）及び化合物（３－２）の保存安定性に優れる点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が特に好ましい。
ｐは、０又は１が好ましい。
【0148】
化合物（３－１）及び化合物（３－２）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。下式の化合物は、工業的に製造しやすく、取扱いやすく、防汚層の耐摩耗性がさらに優れる点から好ましい。下式の化合物におけるＲｆ及びＱｆはそれぞれ、上述した式（３－１）における［Ｒｆ１－（ＯＸ）ｍ－］及び式（３－２）における－（ＯＸ）ｍ－と同様であり、好ましい形態も同様である。
【0149】
Ｙ１０が基（ｇ２－１）である化合物（３－１）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。
【0150】
【化14】
【0151】
Ｙ１０が基（ｇ２－２）である化合物（３－１）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。
【0152】
【化15】
【0153】
【化16】
【0154】
Ｙ１０が基（ｇ２－３）である化合物（３－１）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。
【0155】
【化17】
【0156】
Ｙ１０が基（ｇ２－４）である化合物（３－１）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。
【0157】
【化18】
【0158】
Ｙ１０が基（ｇ２－５）である化合物（３－１）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。
【0159】
【化19】
【0160】
Ｙ１０が基（ｇ２－６）である化合物（３－１）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。
【0161】
【化20】
【0162】
Ｙ１０が基（ｇ２－７）である化合物（３－１）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。
【0163】
【化21】
【0164】
Ｙ１０が基（ｇ２－８）である化合物（３－１）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。
【0165】
【化22】
【0166】
Ｙ１０が基（ｇ２－９）である化合物（３－１）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。
【0167】
【化23】
【0168】
Ｙ１０が基（ｇ２－１０）である化合物（３－１）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。
【0169】
【化24】
【0170】
Ｙ１０が基（ｇ２－１１）である化合物（３－１）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。
【0171】
【化25】
【0172】
【化26】
【0173】
Ｙ１０が基（ｇ２－１２）である化合物（３－１）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。
【0174】
【化27】
【0175】
Ｙ１０が基（ｇ２－１３）である化合物（３－１）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。
【0176】
【化28】
【0177】
Ｙ１０が基（ｇ２－１４）である化合物（３－１）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。
【0178】
【化29】
【0179】
Ｙ１１及びＹ１２が基（ｇ２－１）である化合物（３－２）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。
【0180】
【化30】
【0181】
Ｙ１１及びＹ１２が基（ｇ２－２）である化合物（３－２）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。
【0182】
【化31】
【0183】
【化32】
【0184】
Ｙ１１及びＹ１２が基（ｇ２－３）である化合物（３－２）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。
【0185】
【化33】
【0186】
Ｙ１１及びＹ１２が基（ｇ２－４）である化合物（３－２）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。
【0187】
【化34】
【0188】
Ｙ１１及びＹ１２が基（ｇ２－５）である化合物（３－２）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。
【0189】
【化35】
【0190】
Ｙ１１及びＹ１２が基（ｇ２－６）である化合物（３－２）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。
【0191】
【化36】
【0192】
Ｙ１１及びＹ１２が基（ｇ２－７）である化合物（３－２）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。
【0193】
【化37】
【0194】
Ｙ１１及びＹ１２が基（ｇ２－９）である化合物（３－２）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。
【0195】
【化38】
【0196】
特定含フッ素化合物の具体例としては、下記の文献に記載のものが挙げられる。
特開平１１－０２９５８５号公報に記載のパーフルオロポリエーテル変性アミノシラン。
特許第２８７４７１５号公報に記載のケイ素含有有機含フッ素ポリマー。
特開２０００－１４４０９７号公報に記載の有機ケイ素化合物。
特開２０００－３２７７７２号公報に記載のパーフルオロポリエーテル変性アミノシラン。
特表２００２－５０６８８７号公報に記載のフッ素化シロキサン。
特表２００８－５３４６９６号公報に記載の有機シリコーン化合物。
特許第４１３８９３６号公報に記載のフッ素化変性水素含有重合体。
米国特許出願公開第２０１０／０１２９６７２号明細書、国際公開第２０１４／１２６０６４号、特開２０１４－０７０１６３号公報に記載の化合物。
国際公開第２０１１／０６００４７号、国際公開第２０１１／０５９４３０号に記載のオルガノシリコン化合物。
国際公開第２０１２／０６４６４９号に記載の含フッ素オルガノシラン化合物。
特開２０１２－７２２７２号公報に記載のフルオロオキシアルキレン基含有ポリマー。
国際公開第２０１３／０４２７３２号、国際公開第２０１３／１２１９８４号、国際公開第２０１３／１２１９８５号、国際公開第２０１３／１２１９８６号、国際公開第２０１４／１６３００４号、特開２０１４－０８０４７３号公報、国際公開第２０１５／０８７９０２号、国際公開第２０１７／０３８８３０号、国際公開第２０１７／０３８８３２号、国際公開第２０１７／１８７７７５号に記載の含フッ素エーテル化合物。
特開２０１４－２１８６３９号公報、国際公開第２０１７／０２２４３７号、国際公開第２０１８／０７９７４３号、国際公開第２０１８／１４３４３３号に記載のパーフルオロ（ポリ）エーテル含有シラン化合物。
特開２０１５－１９９９０６号公報、特開２０１６－２０４６５６号公報、特開２０１６－２１０８５４号公報、特開２０１６－２２２８５９号公報に記載のフルオロポリエーテル基含有ポリマー変性シラン。
国際公開第２０１８／２１６６３０号、国際公開第２０１９／０３９２２６号、国際公開第２０１９／０３９３４１号、国際公開第２０１９／０３９１８６号、国際公開第２０１９／０４４４７９号、特開２０１９－４４１５８号公報、特願２０１７－２５１６１１に記載の含フッ素エーテル化合物。
特開平１１－０２９５８５号公報に記載のパーフルオロポリエーテル変性アミノシラン。
特許第２８７４７１５号公報に記載のケイ素含有有機含フッ素ポリマー。
特開２０００－１４４０９７号公報に記載の有機ケイ素化合物。
特開２０００－３２７７７２号公報に記載のパーフルオロポリエーテル変性アミノシラン。
特表２００２－５０６８８７号公報に記載のフッ素化シロキサン。
特表２００８－５３４６９６号公報に記載の有機シリコーン化合物。
特許第４１３８９３６号公報に記載のフッ素化変性水素含有重合体。
米国特許出願公開第２０１０／０１２９６７２号明細書、国際公開第２０１４／１２６０６４号、特開２０１４－０７０１６３号公報に記載の化合物。
国際公開第２０１１／０６００４７号、国際公開第２０１１／０５９４３０号に記載のオルガノシリコン化合物。
国際公開第２０１２／０６４６４９号に記載の含フッ素オルガノシラン化合物。
特開２０１２－７２２７２号公報に記載のフルオロオキシアルキレン基含有ポリマー。
国際公開第２０１３／０４２７３２号、国際公開第２０１３／１２１９８４号、国際公開第２０１３／１２１９８５号、国際公開第２０１３／１２１９８６号、国際公開第２０１４／１６３００４号、特開２０１４－０８０４７３号公報、国際公開第２０１５／０８７９０２号、国際公開第２０１７／０３８８３０号、国際公開第２０１７／０３８８３２号、国際公開第２０１７／１８７７７５号に記載の含フッ素エーテル化合物。
特開２０１４－２１８６３９号公報、国際公開第２０１７／０２２４３７号、国際公開第２０１８／０７９７４３号、国際公開第２０１８／１４３４３３号に記載のパーフルオロ（ポリ）エーテル含有シラン化合物。
特開２０１５－１９９９０６号公報、特開２０１６－２０４６５６号公報、特開２０１６－２１０８５４号公報、特開２０１６－２２２８５９号公報に記載のフルオロポリエーテル基含有ポリマー変性シラン。
国際公開第２０１８／２１６６３０号、国際公開第２０１９／０３９２２６号、国際公開第２０１９／０３９３４１号、国際公開第２０１９／０３９１８６号、国際公開第２０１９／０４４４７９号、特開２０１９－４４１５８号公報、特願２０１７－２５１６１１に記載の含フッ素エーテル化合物。
【0197】
特定含フッ素化合物は市販品を用いてもよい。市販品としては、信越化学工業社製のＫＹ－１００シリーズ（ＫＹ－１７８、ＫＹ－１８５、ＫＹ－１９５等）、ＡＧＣ社製のＡｆｌｕｉｄ（登録商標）Ｓ５５０、ダイキン工業社製のオプツール（登録商標）ＤＳＸ、オプツール（登録商標）ＡＥＳ、オプツール（登録商標）ＵＦ５０３、オプツール（登録商標）ＵＤ５０９、オプツール（登録商標）ＵＤ１２０等が挙げられる。
【0198】
特定含フッ素化合物の数平均分子量（Ｍｎ）は、１，０００～２０，０００が好ましく、２，０００～１８，０００がより好ましく、３，０００～１５，０００が特に好ましい。
Ｍｎが１，０００以上であれば、特定含フッ素化合物の分子鎖の流動性及びフッ素含有量が高くなるので、特定含フッ素化合物の防汚性がより優れる。Ｍｎが２０，０００以下であれば、粘性を適切な範囲内に調節しやすく、また溶解性が向上するので、成膜時のハンドリング性が優れる。
Ｍｎが１，０００以上であれば、特定含フッ素化合物の分子鎖の流動性及びフッ素含有量が高くなるので、特定含フッ素化合物の防汚性がより優れる。Ｍｎが２０，０００以下であれば、粘性を適切な範囲内に調節しやすく、また溶解性が向上するので、成膜時のハンドリング性が優れる。
【0199】
防汚層の表面、つまり防汚層におけるプライマー部位とは反対側の面における水の接触角は、防汚性の観点から、１００度以上が好ましく、１０５度以上がより好ましい。
水の接触角は、測定対象である表面に約２μＬの蒸留水を垂らし、接触角測定装置（製品名「ＤＭ－５００」、協和界面科学社製）を用いて測定する。測定対象である表面の５箇所で測定を行い、その平均値を算出する。接触角の算出には２θ法を用いる。以下同様である。
水の接触角は、測定対象である表面に約２μＬの蒸留水を垂らし、接触角測定装置（製品名「ＤＭ－５００」、協和界面科学社製）を用いて測定する。測定対象である表面の５箇所で測定を行い、その平均値を算出する。接触角の算出には２θ法を用いる。以下同様である。
【0200】
本開示の積層体は、基材とプライマー部位と防汚層とを少なくとも有していればよく、基材、プライマー部位、及び防汚層以外の他の部材を有してもよい。
【0201】
［積層体の製造方法］
本開示の積層体の製造方法は、表面の少なくとも一部が金属である基材の表面に、多価ホスホン酸化合物と溶剤とを含む液状組成物を塗布し、塗布された液状組成物から溶剤を除去することで、基材の表面における金属の少なくとも一部に接する第１の部位を得ること（以下「第１の部位形成工程」ともいう）と、第１の部位が設けられた基材の表面に、ポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖と反応性シリル基とを有する化合物を含む組成物を用いて、第１の部位から得られるプライマー部位に接する防汚層を形成すること（以下「防汚層形成工程」ともいう）と、を含む。
本開示の積層体の製造方法では、第１の部位形成工程を経た後に防汚層形成工程を経ることで、第１の部位が特定含フッ素化合物の反応性シリル基と反応して前述のプライマー部位となり、プライマー部位に接する前述の防汚層が形成される。なお、基材、多価ホスホン酸化合物、及び特定含フッ素化合物の詳細は、前述の通りである。
本開示の積層体の製造方法は、表面の少なくとも一部が金属である基材の表面に、多価ホスホン酸化合物と溶剤とを含む液状組成物を塗布し、塗布された液状組成物から溶剤を除去することで、基材の表面における金属の少なくとも一部に接する第１の部位を得ること（以下「第１の部位形成工程」ともいう）と、第１の部位が設けられた基材の表面に、ポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖と反応性シリル基とを有する化合物を含む組成物を用いて、第１の部位から得られるプライマー部位に接する防汚層を形成すること（以下「防汚層形成工程」ともいう）と、を含む。
本開示の積層体の製造方法では、第１の部位形成工程を経た後に防汚層形成工程を経ることで、第１の部位が特定含フッ素化合物の反応性シリル基と反応して前述のプライマー部位となり、プライマー部位に接する前述の防汚層が形成される。なお、基材、多価ホスホン酸化合物、及び特定含フッ素化合物の詳細は、前述の通りである。
【0202】
本開示の積層体の製造方法は、必要に応じて他の工程をさらに含んでもよい。他の工程としては、例えば、第１の部位形成工程の前に、基材の表面を処理することで、基材の表面における水の接触角を下げる基材表面処理工程等が挙げられる。
【0203】
（基材表面処理工程）
基材表面処理工程は、必要に応じて第１の部位形成工程の前に行われる。基材表面処理工程により基材の表面における水の接触角を下げることで、その後に行われる第１の部位形成工程において液状組成物が基材の表面に付着しやすくなる。そして、液状組成物が基材の表面に付着しやすくなることで、第１の部位が形成されやすく、表面における耐摩耗性が高い積層体が得られやすくなる。
基材表面処理工程における基材の表面の処理は、表面における水の接触角が下がる処理であれば特に限定されず、湿式処理であってもよく、乾式処理であってもよい。
基材表面処理工程は、必要に応じて第１の部位形成工程の前に行われる。基材表面処理工程により基材の表面における水の接触角を下げることで、その後に行われる第１の部位形成工程において液状組成物が基材の表面に付着しやすくなる。そして、液状組成物が基材の表面に付着しやすくなることで、第１の部位が形成されやすく、表面における耐摩耗性が高い積層体が得られやすくなる。
基材表面処理工程における基材の表面の処理は、表面における水の接触角が下がる処理であれば特に限定されず、湿式処理であってもよく、乾式処理であってもよい。
【0204】
湿式処理としては、液状の洗浄剤による洗浄が挙げられ、超音波洗浄機を用いた洗浄、液状の洗浄剤を含浸させた織布、不織布、紙、多孔質基材等での拭き上げによる洗浄等が挙げられる。液状の洗浄剤による洗浄を行った後に、前記洗浄剤を除去する工程を経てもよい。液状の洗浄剤としては、アセトン等の有機溶剤、アルカリ洗浄剤、中性洗浄剤、フッ素系溶剤等が挙げられる。
乾式処理としては、コロナ処理、プラズマ処理等が挙げられる。
乾式処理としては、コロナ処理、プラズマ処理等が挙げられる。
【0205】
（第１の部位形成工程）
第１の部位形成工程では、基材の表面に、多価ホスホン酸化合物と溶剤とを含む液状組成物を塗布し、塗布された液状組成物から溶剤を除去することで、基材の表面における金属の少なくとも一部に接する第１の部位を得る。以下、多価ホスホン酸化合物と溶剤とを含む液状組成物を「第１の組成物」ともいい、第１の組成物に含まれる溶剤を「第１の溶剤」ともいう。
ここで、第１の部位が設けられる前における基材の表面における水の接触角は、表面における耐摩耗性が高い積層体を得る観点から、７０度未満が好ましく、６０度以下がより好ましく、４０度以下がさらに好ましい。基材の表面における水の接触角の下限値は、特に限定されず、例えば５度が挙げられる。
準備した基材の表面における水の接触角が所望の値よりも大きい場合は、基材表面処理工程を経ることで水の接触角を上記範囲内とした上で、第１の部位の形成を行ってもよい。一方、準備した基材の表面における水の接触角が所望の値である場合は、基材表面処理工程を経ずに、第１の部位の形成を行ってもよい。
第１の部位形成工程では、基材の表面に、多価ホスホン酸化合物と溶剤とを含む液状組成物を塗布し、塗布された液状組成物から溶剤を除去することで、基材の表面における金属の少なくとも一部に接する第１の部位を得る。以下、多価ホスホン酸化合物と溶剤とを含む液状組成物を「第１の組成物」ともいい、第１の組成物に含まれる溶剤を「第１の溶剤」ともいう。
ここで、第１の部位が設けられる前における基材の表面における水の接触角は、表面における耐摩耗性が高い積層体を得る観点から、７０度未満が好ましく、６０度以下がより好ましく、４０度以下がさらに好ましい。基材の表面における水の接触角の下限値は、特に限定されず、例えば５度が挙げられる。
準備した基材の表面における水の接触角が所望の値よりも大きい場合は、基材表面処理工程を経ることで水の接触角を上記範囲内とした上で、第１の部位の形成を行ってもよい。一方、準備した基材の表面における水の接触角が所望の値である場合は、基材表面処理工程を経ずに、第１の部位の形成を行ってもよい。
【0206】
第１の部位形成工程に用いる第１の組成物は、多価ホスホン酸化合物と第１の溶剤とを含み、必要に応じて他の成分を含んでもよい。他の成分としては、浸透剤、ホスホン酸と塩を形成しうる化合物等が挙げられる。第１の組成物全体に占める多価ホスホン酸化合物及び第１の溶剤の合計含有率は、積層体の表面における耐摩耗性向上及び外観不良抑制の観点から、８０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましく、９５質量％以上がさらに好ましく、１００質量％であってもよい。
【0207】
第１の組成物における多価ホスホン酸化合物の含有率は、積層体の表面における耐摩耗性向上の観点から、０．３質量％以上が好ましく、０．６質量％以上がより好ましく、３質量％以上がさらに好ましい。第１の組成物における多価ホスホン酸化合物の含有率の上限値は、特に限定されるものではなく、例えば３０質量％が挙げられる。
【0208】
第１の溶剤は、多価ホスホン酸化合物の溶解性に優れる観点から極性溶剤が好ましい。第１の溶剤は、１種の化合物の単体からなってもよく、２種以上の化合物からなる混合溶剤であってもよい。
第１の溶剤としては、水、極性有機溶剤が挙げられる。
極性有機溶剤としては、アルコール系有機溶剤、ケトン系有機溶剤、エステル系有機溶剤、塩素系有機溶剤等が挙げられる。
第１の溶剤としては、水、極性有機溶剤が挙げられる。
極性有機溶剤としては、アルコール系有機溶剤、ケトン系有機溶剤、エステル系有機溶剤、塩素系有機溶剤等が挙げられる。
【0209】
アルコール系有機溶剤としては、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール（ＩＰＡ）等が挙げられる。
ケトン系有機溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等が挙げられる。
エステル系有機溶剤としては、酢酸エチル、酢酸ブチル等が挙げられる。
塩素系有機溶剤としては、１，１－ジクロロエタン、１，２－ジクロロエタン、１，１，２－トリクロロエタン、１，１，１，２－テトラクロロエタン、１，１，２，２－テトラクロロエタン、ペンタクロロエタン、１，１－ジクロロエチレン、（Ｚ）－１，２－ジクロロエチレン、（Ｅ）－１，２－ジクロロエチレン、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロメタン等が挙げられる。
ケトン系有機溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等が挙げられる。
エステル系有機溶剤としては、酢酸エチル、酢酸ブチル等が挙げられる。
塩素系有機溶剤としては、１，１－ジクロロエタン、１，２－ジクロロエタン、１，１，２－トリクロロエタン、１，１，１，２－テトラクロロエタン、１，１，２，２－テトラクロロエタン、ペンタクロロエタン、１，１－ジクロロエチレン、（Ｚ）－１，２－ジクロロエチレン、（Ｅ）－１，２－ジクロロエチレン、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロメタン等が挙げられる。
【0210】
第１の溶剤は、これらのなかでも、多価ホスホン酸化合物の溶解性に優れる観点及び基材の表面における濡れ広がりやすさの観点から、水、アルコール系有機溶剤が好ましく、水、イソプロパノールがより好ましく、イソプロパノールがさらに好ましい。
【0211】
第１の組成物は、他の界面活性剤を実質的に含有しないことが好ましい。他の界面活性剤を実質的に含有しないとは、第１の組成物全体に対する他の界面活性剤の含有率が１質量％以下であることを意味する。第１の組成物が他の界面活性剤を実質的に含有しないことで、プライマー部位に残留する他の界面活性剤の作用により第２の組成物が付与されにくくなることが抑制され、防汚性及び耐摩耗性の高い積層体が得られやすくなる。第１の組成物全体に対する他の界面活性剤の含有率は、０．５質量％以下が好ましく、０．２質量％以下がより好ましい。プライマー部位に他の界面活性剤が残留することを抑制する観点から、特にポリオキシアルキレンアルキルエーテルからなる界面活性剤を実質的に含有しないことが好ましい。
【0212】
第１の組成物は、上記各成分を混合することで製造できる。
第１の組成物を基材の表面に塗布する方法としては、公知の手法が挙げられ、具体的には、スピンコート法、ワイプコート法、スプレーコート法、スキージーコート法、ディップコート法、ダイコート法、インクジェット法、フローコート法、ロールコート法、キャスト法、ラングミュア・ブロジェット法、グラビアコート法等が挙げられる。また、塗布方法は、手塗り、刷毛塗り等の簡易な方法であってもよい。
第１の組成物を基材の表面に塗布する方法としては、公知の手法が挙げられ、具体的には、スピンコート法、ワイプコート法、スプレーコート法、スキージーコート法、ディップコート法、ダイコート法、インクジェット法、フローコート法、ロールコート法、キャスト法、ラングミュア・ブロジェット法、グラビアコート法等が挙げられる。また、塗布方法は、手塗り、刷毛塗り等の簡易な方法であってもよい。
【0213】
基材の表面に塗布された第１の組成物から第１の溶剤を除去する方法としては、第１の組成物が塗布された基材を静置する方法等が挙げられる。基材の静置は、例えば、温度１０～４０℃、湿度５～９５％、圧力０．０１～０．１ＭＰａの環境下で、１～６０分間行われる。
第１の溶剤の除去では、基材の表面に塗布された第１の組成物に含まれる第１の溶剤の少なくとも一部が除去されればよく、第１の溶剤がすべて除去されていてもよい。
第１の溶剤の除去では、基材の表面に塗布された第１の組成物に含まれる第１の溶剤の少なくとも一部が除去されればよく、第１の溶剤がすべて除去されていてもよい。
【0214】
第１の部位形成工程において形成された第１の部位の厚さとしては、例えば２００ｎｍ以下が挙げられ、３～２００ｎｍであってもよく、５～８０ｎｍ以下であってもよい。つまり、積層体におけるプライマー部位の厚さとしては、例えば２００ｎｍ以下が挙げられ、３～２００ｎｍであってもよく、５～８０ｎｍであってもよい。
第１の部位又はプライマー部位の厚さは、例えば薄膜解析用Ｘ線回折計ＡＴＸＧ（ＲＩＧＡＫＵ社製）を用いて、Ｘ線反射率法によって反射Ｘ線の干渉パターンを得て、該干渉パターンの振動周期から算出できる。
第１の部位又はプライマー部位の厚さは、例えば薄膜解析用Ｘ線回折計ＡＴＸＧ（ＲＩＧＡＫＵ社製）を用いて、Ｘ線反射率法によって反射Ｘ線の干渉パターンを得て、該干渉パターンの振動周期から算出できる。
【0215】
（防汚層形成工程）
防汚層形成工程では、第１の部位が設けられた基材の表面に、特定含フッ素化合物を含む組成物を用いて、第１の部位から得られるプライマー部位に接する防汚層を形成する。以下、特定含フッ素化合物を含む組成物を「第２の組成物」ともいう。防汚層は、下記の方法で形成できる。
・特定含フッ素化合物からなる第２の組成物又は特定含フッ素化合物と特定含フッ素化合物以外の成分とを含む第２の組成物を用いたドライコーティング法によって、第１の部位が設けられた基材の表面を処理し、任意に後述する後処理を行い、防汚層を得る方法。
・ウェットコーティング法によって第２の組成物を第１の部位が設けられた基材の表面に塗布し、乾燥させて、任意に後述する後処理を行い、防汚層を得る方法。
防汚層形成工程では、第１の部位が設けられた基材の表面に、特定含フッ素化合物を含む組成物を用いて、第１の部位から得られるプライマー部位に接する防汚層を形成する。以下、特定含フッ素化合物を含む組成物を「第２の組成物」ともいう。防汚層は、下記の方法で形成できる。
・特定含フッ素化合物からなる第２の組成物又は特定含フッ素化合物と特定含フッ素化合物以外の成分とを含む第２の組成物を用いたドライコーティング法によって、第１の部位が設けられた基材の表面を処理し、任意に後述する後処理を行い、防汚層を得る方法。
・ウェットコーティング法によって第２の組成物を第１の部位が設けられた基材の表面に塗布し、乾燥させて、任意に後述する後処理を行い、防汚層を得る方法。
【0216】
ドライコーティング法としては、真空蒸着、ＣＶＤ、スパッタリング等の手法が挙げられる。特定含フッ素化合物の分解を抑える点、及び装置の簡便さの点から、真空蒸着が好適に利用できる。真空蒸着時には、鉄や鋼等の金属多孔体に、第２の溶剤を含む第２の組成物を含浸させたペレット状物質を使用してもよい。ペレット状物質は、第２の溶剤を含む第２の組成物を金属多孔体に含浸させた後、乾燥により第２の溶剤を除去したものであってもよい。
真空蒸着法は、抵抗加熱法、電子ビーム加熱法、高周波誘導加熱法、反応性蒸着、分子線エピタキシー法、ホットウォール蒸着法、イオンプレーティング法、クラスターイオンビーム法等に細分できるが、いずれの方法も適用できる。特定含フッ素化合物の分解を抑制する点、及び装置の簡便さの点から、抵抗加熱法が好適に利用できる。真空蒸着装置は特に制限なく、公知の装置が利用できる。
真空蒸着法は、抵抗加熱法、電子ビーム加熱法、高周波誘導加熱法、反応性蒸着、分子線エピタキシー法、ホットウォール蒸着法、イオンプレーティング法、クラスターイオンビーム法等に細分できるが、いずれの方法も適用できる。特定含フッ素化合物の分解を抑制する点、及び装置の簡便さの点から、抵抗加熱法が好適に利用できる。真空蒸着装置は特に制限なく、公知の装置が利用できる。
【0217】
ウェットコーティング法としては、例えば、スピンコート法、ワイプコート法、スプレーコート法、スキージーコート法、ディップコート法、ダイコート法、インクジェット法、フローコート法、ロールコート法、キャスト法、ラングミュア・ブロジェット法、グラビアコート法が挙げられる。
【0218】
後処理としては、積層体の摩擦に対する耐久性を向上させるために行う、特定含フッ素化合物と第１の部位との反応を促進するための操作が挙げられる。該操作としては、加熱、加湿、光照射等が挙げられる。
【0219】
また、後処理としては、第１の部位から得られるプライマー部位と化学結合していない特定含フッ素化合物を、除去する操作も挙げられる。プライマー部位と化学結合していない特定含フッ素化合物を除去する具体的な方法としては、例えば、溶剤、例えば第２の溶剤をかけ流す方法や、溶剤、例えば第２の溶剤をしみ込ませた布でふき取る方法が挙げられる。
【0220】
防汚層の厚さとしては、例えば１０～１００ｎｍが挙げられ、１０～５０ｎｍであってもよい。防汚層の厚さの測定は、第１の部位又はプライマー部位の厚さの測定方法と同様に行われる。
【0221】
＜第２の組成物＞
第２の組成物は、特定含フッ素化合物を１種のみ含んでもよく、２種以上含んでもよい。
第２の組成物は、特定含フッ素化合物をそのままの状態、つまりモノマーの状態で含んでもよく、部分加水分解縮合物、つまりオリゴマーの状態で含んでもよく、モノマーとオリゴマーの混合物として含んでもよい。第２の組成物が２種以上の特定含フッ素化合物を含む場合、２種以上の化合物の部分加水分解共縮合物、つまりコオリゴマーの状態で含んでもよい。
以下、第２の組成物が特定含フッ素化合物を含むとは、そのままの状態である特定含フッ素化合物に加えて、特定含フッ素化合物のオリゴマー及びコオリゴマーを包括して含むことを意味する。
第２の組成物は、特定含フッ素化合物を１種のみ含んでもよく、２種以上含んでもよい。
第２の組成物は、特定含フッ素化合物をそのままの状態、つまりモノマーの状態で含んでもよく、部分加水分解縮合物、つまりオリゴマーの状態で含んでもよく、モノマーとオリゴマーの混合物として含んでもよい。第２の組成物が２種以上の特定含フッ素化合物を含む場合、２種以上の化合物の部分加水分解共縮合物、つまりコオリゴマーの状態で含んでもよい。
以下、第２の組成物が特定含フッ素化合物を含むとは、そのままの状態である特定含フッ素化合物に加えて、特定含フッ素化合物のオリゴマー及びコオリゴマーを包括して含むことを意味する。
【0222】
第２の組成物は、溶剤を含まない組成物であってもよく、特定含フッ素化合物と溶剤とを含む液状組成物であってもよい。以下、第２の組成物に含まれる溶剤を「第２の溶剤」ともいう。
第２の組成物は、特定含フッ素化合物及び溶剤以外の他の成分を含んでもよい。他の成分としては、反応性シリル基の加水分解と縮合反応を促進する酸触媒、塩基性触媒等の公知の添加剤、加水分解性基を有する金属化合物等の添加剤；特定含フッ素化合物の製造工程で生成した副生成物等の不純物：等が挙げられる。
第２の組成物に含まれる特定含フッ素化合物の含有量は、第２の組成物全量に対して、０．００１～４０質量％が好ましく、０．０１～２０質量％がより好ましく、０．１～１０質量％がさらに好ましい。第２の組成物が第２の溶剤を含む場合、特定含フッ素化合物の含有量は、第２の組成物全量に対して、０．０１～１０質量％であってもよく、０．０２～５質量％であってもよく、０．０３～３質量％であってもよく、０．０５～２質量％であってもよい。
第２の組成物は、特定含フッ素化合物及び溶剤以外の他の成分を含んでもよい。他の成分としては、反応性シリル基の加水分解と縮合反応を促進する酸触媒、塩基性触媒等の公知の添加剤、加水分解性基を有する金属化合物等の添加剤；特定含フッ素化合物の製造工程で生成した副生成物等の不純物：等が挙げられる。
第２の組成物に含まれる特定含フッ素化合物の含有量は、第２の組成物全量に対して、０．００１～４０質量％が好ましく、０．０１～２０質量％がより好ましく、０．１～１０質量％がさらに好ましい。第２の組成物が第２の溶剤を含む場合、特定含フッ素化合物の含有量は、第２の組成物全量に対して、０．０１～１０質量％であってもよく、０．０２～５質量％であってもよく、０．０３～３質量％であってもよく、０．０５～２質量％であってもよい。
【0223】
第２の組成物が第２の溶剤を含む場合、第２の組成物は、液状であればよく、溶液であってもよく、分散液であってもよい。第２の溶剤は、液状であることが好ましい。
【0224】
第２の溶剤としては、有機溶剤が好ましい。有機溶剤は、フッ素系有機溶剤であってもよく、非フッ素系有機溶剤であってもよく、両溶剤を含んでもよい。また、第２の溶剤は１種の化合物であってもよいし、２種以上の混合物であってもよい。
フッ素系有機溶剤としては、フッ素化アルカン、フッ素化アルケン、フッ素化芳香族化合物、フルオロアルキルエーテル、フッ素化アルキルアミン、フルオロアルコール等が挙げられる。
フッ素系有機溶剤としては、フッ素化アルカン、フッ素化アルケン、フッ素化芳香族化合物、フルオロアルキルエーテル、フッ素化アルキルアミン、フルオロアルコール等が挙げられる。
【0225】
フッ素化アルカンとしては、炭素数４～８の化合物が好ましい。市販品としては、例えば、Ｃ６Ｆ１３Ｈ（ＡＣ－２０００：製品名、ＡＧＣ社製）、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ５（ＡＣ－６０００：製品名、ＡＧＣ社製）、Ｃ２Ｆ５ＣＨＦＣＨＦＣＦ３（バートレル：製品名、Ｃｈｅｍｏｕｒｓ社製）等が挙げられる。また、１，１，１，３，３－ペンタフルオロブタン、１，１，１，２，２，３，４，５，５，５－デカフルオロペンタン、１，１，２，２，３，３，４－ヘプタフルオロシクロペンタン、１，１，１，２，２，３，３，４，４－ノナフルオロヘキサン等も使用できる。
【0226】
フッ素化アルケンとしては、（Ｅ）－１－クロロ－３，３，３－トリフルオロ－１－プロペン、（Ｚ）－１－クロロ－３，３，３－トリフルオロ－１－プロペン、１，１－ジクロロ－２，３，３，３－テトラフルオロ－１－プロペン、（Ｅ）－１－クロロ－２，３，３，３－テトラフルオロ－１－プロペン、（Ｚ）－１－クロロ－２，３，３，３－テトラフルオロ－１－プロペン、（Ｚ）－１，１，１，４，４，４－ヘキサフルオロ－２－ブテン、（Ｅ）－１，１，１，４，４，４－ヘキサフルオロ－２－ブテン、下式で記載されるアルキルペルフルオロアルケニルエーテル（式中、Ｒ３は、ＣＨ３、Ｃ２Ｈ５、又はこれらの混合であり、ｙ１及びｙ２は、独立に、０、１、２、又は３であり、ｙ１＋ｙ２＝０、１、２、又は３である。）等が挙げられる。
【0227】
ＣＦ３（ＣＦ２）ｙ１ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ３）（ＣＦ２）ｙ２ＣＦ３、
ＣＦ３（ＣＦ２）ｙ１Ｃ（ＯＲ３）＝ＣＦＣＦ２（ＣＦ２）ｙ２ＣＦ３、
ＣＦ３ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ３）（ＣＦ２）ｙ１（ＣＦ２）ｙ２ＣＦ３、
ＣＦ３（ＣＦ２）ｙ１ＣＦ＝Ｃ（ＯＲ３）ＣＦ２（ＣＦ２）ｙ２ＣＦ。
ＣＦ３（ＣＦ２）ｙ１Ｃ（ＯＲ３）＝ＣＦＣＦ２（ＣＦ２）ｙ２ＣＦ３、
ＣＦ３ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ３）（ＣＦ２）ｙ１（ＣＦ２）ｙ２ＣＦ３、
ＣＦ３（ＣＦ２）ｙ１ＣＦ＝Ｃ（ＯＲ３）ＣＦ２（ＣＦ２）ｙ２ＣＦ。
【0228】
フッ素化芳香族化合物としては、例えばヘキサフルオロベンゼン、トリフルオロメチルベンゼン、ペルフルオロトルエン、オルト－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、メタ－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、パラ－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン等が挙げられる。
フルオロアルキルエーテルとしては、炭素数４～１２の化合物が好ましい。市販品としては、例えば、ＣＦ３ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｈ（ＡＥ－３０００：製品名、ＡＧＣ社製）、Ｃ４Ｆ９ＯＣＨ３（ノベック－７１００：製品名、３Ｍ社製）、Ｃ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５（ノベック－７２００：製品名、３Ｍ社製）、Ｃ６Ｆ１３ＯＣＨ３（ノベック－７３００：製品名、３Ｍ社製）、パーフルオロ（２－ブチルテトラヒドロフラン）等が挙げられる。
フルオロアルキルエーテルとしては、炭素数４～１２の化合物が好ましい。市販品としては、例えば、ＣＦ３ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｈ（ＡＥ－３０００：製品名、ＡＧＣ社製）、Ｃ４Ｆ９ＯＣＨ３（ノベック－７１００：製品名、３Ｍ社製）、Ｃ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５（ノベック－７２００：製品名、３Ｍ社製）、Ｃ６Ｆ１３ＯＣＨ３（ノベック－７３００：製品名、３Ｍ社製）、パーフルオロ（２－ブチルテトラヒドロフラン）等が挙げられる。
【0229】
フッ素化アルキルアミンとしては、例えばペルフルオロトリプロピルアミン、ペルフルオロトリブチルアミン、パーフルオロトリペンチルアミン等が挙げられる。フルオロアルコールとしては、例えば２，２，３，３－テトラフルオロプロパノール、２，２，２－トリフルオロエタノール、ヘキサフルオロイソプロパノール等が挙げられる。
フッ素系有機溶剤としては、第２のシラン化合物の溶解性の点で、フッ素化アルカン、フッ素化芳香族化合物、フルオロアルキルエーテルが好ましく、フルオロアルキルエーテルが特に好ましい。
フッ素系有機溶剤としては、第２のシラン化合物の溶解性の点で、フッ素化アルカン、フッ素化芳香族化合物、フルオロアルキルエーテルが好ましく、フルオロアルキルエーテルが特に好ましい。
【0230】
非フッ素系有機溶剤としては、水素原子及び炭素原子のみからなる化合物と、水素原子、炭素原子及び酸素原子のみからなる化合物が好ましい。その例としては、炭化水素系有機溶剤、アルコール系有機溶剤、ケトン系有機溶剤、エーテル系有機溶剤、エステル系有機溶剤、塩素系溶剤が挙げられる。
【0231】
炭化水素系有機溶剤としては、ヘキサン、へプタン、シクロヘキサン、石油ベンジン、トルエン、キシレン等が好ましい。
アルコール系有機溶剤としては、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール等が好ましい。
アルコール系有機溶剤としては、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール等が好ましい。
【0232】
ケトン系有機溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等が好ましい。
エーテル系有機溶剤としては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラエチレングリコールジメチルエーテル等が好ましい。エステル系有機溶剤としては、酢酸エチル、酢酸ブチル等が好ましい。
エーテル系有機溶剤としては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラエチレングリコールジメチルエーテル等が好ましい。エステル系有機溶剤としては、酢酸エチル、酢酸ブチル等が好ましい。
【0233】
塩素系溶剤としては、１，１－ジクロロエタン、１，２－ジクロロエタン、１，１，２－トリクロロエタン、１，１，１，２－テトラクロロエタン、１，１，２，２－テトラクロロエタン、ペンタクロロエタン、１，１－ジクロロエチレン、（Ｚ）－１，２－ジクロロエチレン、（Ｅ）－１，２－ジクロロエチレン、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロメタン等が好ましい。
非フッ素系有機溶剤としては、第２のシラン化合物の溶解性の点で、ケトン系有機溶剤が特に好ましい。
非フッ素系有機溶剤としては、第２のシラン化合物の溶解性の点で、ケトン系有機溶剤が特に好ましい。
【0234】
第２の組成物が第２の溶剤を含む場合、第２の組成物中の固形分の含有割合（固形分濃度）は、０．００１～３０質量％が好ましく、０．０１～２０質量％が特に好ましい。第２の組成物の固形分濃度は、加熱前の第２の組成物の質量と、１２０℃の対流式乾燥機にて４時間加熱した後の質量とから算出する値である。
【実施例0235】
以下に実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、例１～９、１６、及び２０～２３が実施例であり、例１０～１５及び１７～１９が比較例である。
【0236】
＜基材＞
ステンレス基材（材質：ＳＵＳ３０４、寸法：７５ｍｍ×７５ｍｍ×１ｍｍ）に対し、洗浄剤としてアセトンを使用し、超音波洗浄機を用いて４０ｋＨｚの周波数にて１０分間洗浄を行った。洗浄後の基材の表面に対してエアーブローを行い基材表面の洗浄剤を除去後、乾いた不織布（ベンコットン）にて５０回拭き上げを行うことで、基材１を得た。
洗浄剤としてアセトンの代わりにアルカリ洗浄剤（ＨＤＭ－１、横浜油脂工業製）の５質量％水溶液を用いた以外は、基材１と同様にして、基材２を得た。
ステンレス基材の代わりにガラス基材（材質：無アルカリガラス、寸法：７５ｍｍ×７５ｍｍ×１ｍｍ）を用いた以外は、基材１と同様にして、基材３を得た。
基材１～３の表面における水の接触角を、それぞれ前述の方法により測定したところ、いずれも７０度未満であった。表面における水の接触角は、具体的には、基材１に関しては５０～６９度、基材２に関しては２０～４０度、基材３に関しては４５度であった。
ステンレス基材（材質：ＳＵＳ３０４、寸法：７５ｍｍ×７５ｍｍ×１ｍｍ）に対し、洗浄剤としてアセトンを使用し、超音波洗浄機を用いて４０ｋＨｚの周波数にて１０分間洗浄を行った。洗浄後の基材の表面に対してエアーブローを行い基材表面の洗浄剤を除去後、乾いた不織布（ベンコットン）にて５０回拭き上げを行うことで、基材１を得た。
洗浄剤としてアセトンの代わりにアルカリ洗浄剤（ＨＤＭ－１、横浜油脂工業製）の５質量％水溶液を用いた以外は、基材１と同様にして、基材２を得た。
ステンレス基材の代わりにガラス基材（材質：無アルカリガラス、寸法：７５ｍｍ×７５ｍｍ×１ｍｍ）を用いた以外は、基材１と同様にして、基材３を得た。
基材１～３の表面における水の接触角を、それぞれ前述の方法により測定したところ、いずれも７０度未満であった。表面における水の接触角は、具体的には、基材１に関しては５０～６９度、基材２に関しては２０～４０度、基材３に関しては４５度であった。
【0237】
＜防汚剤＞
化合物（Ａ１）：国際公開第２０２０／０７１３３０号の記載に従って合成した。式中のｎは１３、数平均分子量は５，０３５である。
化合物（Ａ２）：国際公開第２０１３／１２１９８４号の記載に従って合成した。式中のｎは１４、数平均分子量は５，２２０である。
化合物（Ａ３）：特開２０１４－２１８６３９号公報の合成例１１～１５の記載に従って合成した。式中のｍは１８、ｎは２２、数平均分子量は４，６００である。なお、ｍ個の（ＣＦ２Ｏ）鎖と、ｎ個の（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）鎖とはランダムに配列されている。
化合物（Ａ４）：特開２０１５－１９９９０６号公報の実施例１の記載に従って合成した。式中のｍは２０、ｎは２３、数平均分子量は４，４７０である。なお、ｍ個の（ＣＦ２Ｏ）鎖と、ｎ個の（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）鎖とはランダムに配列されている。
化合物（Ａ１）～（Ａ４）のそれぞれについて、濃度が０．３質量％となるよう、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ５（製品名ＡＣ－６０００、ＡＧＣ社製）で希釈して、それぞれ防汚剤１～４とした。
化合物（Ａ１）：国際公開第２０２０／０７１３３０号の記載に従って合成した。式中のｎは１３、数平均分子量は５，０３５である。
化合物（Ａ２）：国際公開第２０１３／１２１９８４号の記載に従って合成した。式中のｎは１４、数平均分子量は５，２２０である。
化合物（Ａ３）：特開２０１４－２１８６３９号公報の合成例１１～１５の記載に従って合成した。式中のｍは１８、ｎは２２、数平均分子量は４，６００である。なお、ｍ個の（ＣＦ２Ｏ）鎖と、ｎ個の（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）鎖とはランダムに配列されている。
化合物（Ａ４）：特開２０１５－１９９９０６号公報の実施例１の記載に従って合成した。式中のｍは２０、ｎは２３、数平均分子量は４，４７０である。なお、ｍ個の（ＣＦ２Ｏ）鎖と、ｎ個の（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）鎖とはランダムに配列されている。
化合物（Ａ１）～（Ａ４）のそれぞれについて、濃度が０．３質量％となるよう、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ５（製品名ＡＣ－６０００、ＡＧＣ社製）で希釈して、それぞれ防汚剤１～４とした。
【0238】
【化39】
【0239】
＜例１～１３、１６、１８～２３＞
表１に示す第１の化合物を、表１に示す濃度となるように、表１に示す第１の溶剤に加え、室温（２５℃）下で撹拌することで、プライマー剤を得た。
表１に示す基材の表面に対し、得られたプライマー剤を用いて、スピンコートにより、３０秒間かけて回転数を０ｒｐｍから５００ｒｐｍまで上昇させた後、回転数を５００ｒｐｍに維持してさらに３０秒間回転させて、塗工を行った。
次いで、プライマー剤を塗工した後の基材を、イオン交換水を張った浴に５秒間浸漬し、浸漬後の表面をエアーブローで水滴除去した後、室温（２５℃）で１５分静置し、第１の部位を得た。
表１に示す第１の化合物を、表１に示す濃度となるように、表１に示す第１の溶剤に加え、室温（２５℃）下で撹拌することで、プライマー剤を得た。
表１に示す基材の表面に対し、得られたプライマー剤を用いて、スピンコートにより、３０秒間かけて回転数を０ｒｐｍから５００ｒｐｍまで上昇させた後、回転数を５００ｒｐｍに維持してさらに３０秒間回転させて、塗工を行った。
次いで、プライマー剤を塗工した後の基材を、イオン交換水を張った浴に５秒間浸漬し、浸漬後の表面をエアーブローで水滴除去した後、室温（２５℃）で１５分静置し、第１の部位を得た。
【0240】
その後、第１の部位が形成された基材の表面に対し、表１に示す防汚剤を、スピンコートにより、３０秒間かけて回転数を０ｒｐｍから５００ｒｐｍ／３０秒まで上昇させた後、回転数を５００ｒｐｍに維持してさらに３０秒間回転させて、塗工を行った。
次いで、防汚剤を塗工した後、室温（２５℃）で３６時間養生することで、防汚層を得た。その後、防汚層の表面に対し、ＡＣ－６０００を染み込ませたベンコットンで５０回拭き上げを行い、積層体を作製した。
次いで、防汚剤を塗工した後、室温（２５℃）で３６時間養生することで、防汚層を得た。その後、防汚層の表面に対し、ＡＣ－６０００を染み込ませたベンコットンで５０回拭き上げを行い、積層体を作製した。
【0241】
表１中、「ＥＤＴＡ」はエチレンジアミン四酢酸、「コルコートＮ－１０３Ｘ」はコルコート株式会社製のシロキサン（製品名コルコート）、「ＩＰＡ」はイソプロパノール、「ＡＴＭＰ」はニトロトリス（メチレンホスホン酸）を表す。
【0242】
＜例１４＞
第１の部位を形成せず、基材の表面に防汚層を直接形成した以外は、例１と同様にして、積層体を作製した。
＜例１５＞
防汚層を形成しなかった以外は、例３と同様にして、積層体を作製した。
＜例１７＞
第１の部位を形成せず、基材の表面に防汚層を直接形成した以外は、例１６と同様にして、積層体を作製した。
第１の部位を形成せず、基材の表面に防汚層を直接形成した以外は、例１と同様にして、積層体を作製した。
＜例１５＞
防汚層を形成しなかった以外は、例３と同様にして、積層体を作製した。
＜例１７＞
第１の部位を形成せず、基材の表面に防汚層を直接形成した以外は、例１６と同様にして、積層体を作製した。
【0243】
＜測定＞
得られた積層体について、前述の方法により、蛍光Ｘ線分光法により算出されるプライマー部位におけるリン原子の強度を測定し、未塗工基材からの増加量として算出した。結果を表１（表中「リン原子蛍光Ｘ線強度（Ｋｃｐｓ）」に示す。
得られた積層体について、前述の方法により、蛍光Ｘ線分光法により算出されるプライマー部位におけるリン原子の強度を測定し、未塗工基材からの増加量として算出した。結果を表１（表中「リン原子蛍光Ｘ線強度（Ｋｃｐｓ）」に示す。
【0244】
＜評価 外観＞
積層体とする前の基材の表面と、得られた積層体の表面と、を目視で確認して比較し、下記基準に基づいて評価した。結果を表１に示す。
Ａ：層の形成前後で外観に変化なし
Ｂ：層の形成後に腐食又は塗りムラが残存
積層体とする前の基材の表面と、得られた積層体の表面と、を目視で確認して比較し、下記基準に基づいて評価した。結果を表１に示す。
Ａ：層の形成前後で外観に変化なし
Ｂ：層の形成後に腐食又は塗りムラが残存
【0245】
＜評価 初期接触角＞
得られた積層体の表面における初期の水の接触角を、前述の方法により測定し、下記基準に基づいて評価した。結果を表１に示す。
Ａ：初期の接触角が１００度以上である
Ｂ：初期の接触角が１００度未満である
得られた積層体の表面における初期の水の接触角を、前述の方法により測定し、下記基準に基づいて評価した。結果を表１に示す。
Ａ：初期の接触角が１００度以上である
Ｂ：初期の接触角が１００度未満である
【0246】
＜評価 擦り耐久性＞
得られた積層体の表面に対し、ＪＩＳ Ｌ ０８４９：２０１３（ＩＳＯ １０５－Ｘ１２：２００１）に準拠して往復式平面摩擦試験機（大栄精機社製ＰＡ－３００Ａ）を用い、金巾（３０号）を荷重：１ｋｇ／ｃｍ２、速度：１分間あたり６０往復、振幅：４０ｍｍで往復摩擦し、所定の回数毎に上述した方法で水接触角を測定し、下記基準に基づいて評価した。結果を表１に示す。
Ａ：金巾擦り ５万回で接触角１００度以上
Ｂ：金巾擦り ３万回で接触角１００度以上、５万回で１００度未満
Ｃ：金巾擦り １万回で接触角１００度以上、３万回で１００度未満
Ｄ：金巾擦り １万回で接触角１００度未満
得られた積層体の表面に対し、ＪＩＳ Ｌ ０８４９：２０１３（ＩＳＯ １０５－Ｘ１２：２００１）に準拠して往復式平面摩擦試験機（大栄精機社製ＰＡ－３００Ａ）を用い、金巾（３０号）を荷重：１ｋｇ／ｃｍ２、速度：１分間あたり６０往復、振幅：４０ｍｍで往復摩擦し、所定の回数毎に上述した方法で水接触角を測定し、下記基準に基づいて評価した。結果を表１に示す。
Ａ：金巾擦り ５万回で接触角１００度以上
Ｂ：金巾擦り ３万回で接触角１００度以上、５万回で１００度未満
Ｃ：金巾擦り １万回で接触角１００度以上、３万回で１００度未満
Ｄ：金巾擦り １万回で接触角１００度未満
【0247】
【表1】
【0248】
表１に示されるように、例１～９、１６、及び２０～２３では、例１０～１５及び１７～１９に比べて、層の形成前後で外観に変化が無く、かつ、擦り耐久性も高かった。つまり、例１～９、１６、及び２０～２３では、防汚層の耐摩耗性の向上と外観不良の抑制との両立を実現していた。
【産業上の利用可能性】
【0249】
本開示の積層体は、例えば、スマートフォン等の筐体、家電用品、蛇口や配管等の水洗金具、エレベーター壁、ドアノブ、手すり、ラック等の広範囲の分野おいて使用できる。