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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024173956
(43)【公開日】2024-12-13
(54)【発明の名称】基板処理方法および基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20241206BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 648G
H01L21/304 651B
H01L21/304 651Z
H01L21/304 648A
H01L21/304 643A
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024163309
(22)【出願日】2024-09-20
(62)【分割の表示】P 2024524772の分割
【原出願日】2023-05-23
(31)【優先権主張番号】P 2022089346
(32)【優先日】2022-06-01
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2023062590
(32)【優先日】2023-04-07
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002147
【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】江村 智文
(72)【発明者】
【氏名】吉村 晶仁
(72)【発明者】
【氏名】後藤 修平
(72)【発明者】
【氏名】井原 亨
(72)【発明者】
【氏名】福井 祥吾
(57)【要約】
【課題】基板の歩留まりを向上させることができる技術を提供する。
【解決手段】本開示の一態様による基板処理方法は、液処理工程と、搬送工程と、超臨界工程と、を含む。液処理工程は、液処理部において基板に対して液処理を行い、基板の上面を濡らす。搬送工程は、上面が濡れた基板を液処理部から超臨界処理部に搬送する。超臨界工程は、超臨界処理部において上面が濡れた基板を超臨界流体で処理する。また、液処理工程は、基板の超臨界処理部への搬送が不可であると判定された場合、基板への処理液の供給を継続する。
【選択図】図６
【解決手段】本開示の一態様による基板処理方法は、液処理工程と、搬送工程と、超臨界工程と、を含む。液処理工程は、液処理部において基板に対して液処理を行い、基板の上面を濡らす。搬送工程は、上面が濡れた基板を液処理部から超臨界処理部に搬送する。超臨界工程は、超臨界処理部において上面が濡れた基板を超臨界流体で処理する。また、液処理工程は、基板の超臨界処理部への搬送が不可であると判定された場合、基板への処理液の供給を継続する。
【選択図】図６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
液処理部において基板に対して液処理を行い、前記基板の上面を濡らす液処理工程と、
上面が濡れた前記基板を前記液処理部から超臨界処理部に搬送する搬送工程と、
前記超臨界処理部において上面が濡れた前記基板を超臨界流体で処理する超臨界工程と、
を含み、
前記液処理工程は、前記基板の前記超臨界処理部への搬送が不可であると判定された場合、前記基板への処理液の供給を継続する
基板処理方法。
上面が濡れた前記基板を前記液処理部から超臨界処理部に搬送する搬送工程と、
前記超臨界処理部において上面が濡れた前記基板を超臨界流体で処理する超臨界工程と、
を含み、
前記液処理工程は、前記基板の前記超臨界処理部への搬送が不可であると判定された場合、前記基板への処理液の供給を継続する
基板処理方法。
【請求項2】
前記液処理工程は、複数の前記液処理部で行われ、
前記超臨界工程は、複数の前記超臨界処理部で行われ、
前記液処理工程は、前記基板の前記超臨界処理部への搬送が不可であると判定された場合、前記基板が属するプロジェクトが終了するまでの間、前記基板への処理液の供給を継続する
請求項１に記載の基板処理方法。
前記超臨界工程は、複数の前記超臨界処理部で行われ、
前記液処理工程は、前記基板の前記超臨界処理部への搬送が不可であると判定された場合、前記基板が属するプロジェクトが終了するまでの間、前記基板への処理液の供給を継続する
請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項3】
前記搬送工程は、前記プロジェクトが終了した際、搬送が不可であると判定された前記超臨界処理部とは異なる前記超臨界処理部に搬送が可能であると判定された場合、異なる前記超臨界処理部に前記基板を搬送する。
請求項２に記載の基板処理方法。
請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項4】
異なる前記超臨界処理部に搬送された前記基板は、後の処理において警告基板として扱われる
請求項３に記載の基板処理方法。
請求項３に記載の基板処理方法。
【請求項5】
前記液処理工程は、処理液の供給を開始してから供給を停止するまでの間に、前記基板の前記超臨界処理部への搬送が不可であると判定された場合、前記基板への処理液の供給を継続する
請求項１～４のいずれか一つに記載の基板処理方法。
請求項１～４のいずれか一つに記載の基板処理方法。
【請求項6】
前記液処理工程は、処理液の供給を停止した後に、前記基板の前記超臨界処理部への搬送が不可であると判定された場合、前記基板への処理液の供給を再開する
請求項１～４のいずれか一つに記載の基板処理方法。
請求項１～４のいずれか一つに記載の基板処理方法。
【請求項7】
前記基板の前記超臨界処理部への搬送が可能であると判定された場合、前記液処理工程における前記基板の上面を濡らす工程が行われ、次に前記搬送工程が行われる
請求項１～４のいずれか一つに記載の基板処理方法。
請求項１～４のいずれか一つに記載の基板処理方法。
【請求項8】
前記液処理工程は、前記基板の前記超臨界処理部への搬送が不可であると判定された場合、前記基板への処理液の供給を所与の時間継続して行い、前記所与の時間以上の時間が経過した場合は、前記基板への処理液の供給を中止する
請求項１～４のいずれか一つに記載の基板処理方法。
請求項１～４のいずれか一つに記載の基板処理方法。
【請求項9】
前記液処理工程は、前記基板の前記超臨界処理部への搬送が不可であると判定された場合、前記基板への処理液の供給を断続的に継続する
請求項１～４のいずれか一つに記載の基板処理方法。
請求項１～４のいずれか一つに記載の基板処理方法。
【請求項10】
前記基板への処理液の供給を断続的に継続する場合、前記基板への処理液の供給が中断される時間は、前記基板の上面から揮発する量が前記基板の上面における液膜の量よりも少なくなる時間である
請求項９に記載の基板処理方法。
請求項９に記載の基板処理方法。
【請求項11】
前記搬送工程は、複数の前記超臨界処理部のうち、搬送が可能であると判定された前記超臨界処理部を選択して行われる
請求項１～４のいずれか一つに記載の基板処理方法。
請求項１～４のいずれか一つに記載の基板処理方法。
【請求項12】
基板に対して液処理を行う液処理部と、
前記基板を超臨界流体で処理する超臨界処理部と、
前記液処理部から前記超臨界処理部に前記基板を搬送する搬送部と、
各部を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記液処理部において前記基板の上面を濡らし、
前記搬送部によって上面が濡れた前記基板を前記液処理部から前記超臨界処理部に搬送し、
前記超臨界処理部において上面が濡れた前記基板を超臨界流体で処理し、
前記基板の前記超臨界処理部への搬送が不可であると判定された場合、前記液処理部において前記基板への処理液の供給を継続する
基板処理装置。
前記基板を超臨界流体で処理する超臨界処理部と、
前記液処理部から前記超臨界処理部に前記基板を搬送する搬送部と、
各部を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記液処理部において前記基板の上面を濡らし、
前記搬送部によって上面が濡れた前記基板を前記液処理部から前記超臨界処理部に搬送し、
前記超臨界処理部において上面が濡れた前記基板を超臨界流体で処理し、
前記基板の前記超臨界処理部への搬送が不可であると判定された場合、前記液処理部において前記基板への処理液の供給を継続する
基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
開示の実施形態は、基板処理方法および基板処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、半導体ウェハ（以下、ウェハと呼称する。）などの基板の上面に乾燥防止用の液膜を形成し、かかる液膜が形成された基板を超臨界状態の処理流体に接触させて乾燥処理を行う基板処理装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１３－１２５３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、基板の歩留まりを向上させることができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一態様による基板処理方法は、液処理工程と、搬送工程と、超臨界工程と、を含む。液処理工程は、液処理部において基板に対して液処理を行い、前記基板の上面を濡らす。搬送工程は、上面が濡れた前記基板を前記液処理部から超臨界処理部に搬送する。超臨界工程は、前記超臨界処理部において上面が濡れた前記基板を超臨界流体で処理する。また、前記液処理工程は、前記基板の前記超臨界処理部への搬送が不可であると判定された場合、前記基板への処理液の供給を継続する。
【発明の効果】
【0006】
本開示によれば、基板の歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理方法および基板処理装置の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により本開示が限定されるものではない。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。さらに、図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。
【0009】
従来、半導体ウェハ（以下、ウェハと呼称する。）などの基板の上面に乾燥防止用の液膜を形成し、かかる液膜が形成された基板を超臨界状態の処理流体に接触させて乾燥処理を行う基板処理装置が知られている。
【0010】
しかしながら、上面に液膜が形成された基板が乾燥ユニットに搬送されるタイミングで、かかる搬送ユニットに不具合が生じていると、かかる不具合が復旧するまでそのまま待機しなければならない。
【0011】
そして、待機している間に液膜が乾燥するなどして、基板上面の液膜状態が変化した場合、その後の乾燥処理において基板上に形成されているパターンが倒れるなどの不具合が発生することから、基板の歩留まりが低下してしまう恐れがあった。
【0012】
そこで、上述の問題点を克服し、基板の歩留まりを向上させることができる技術の実現が期待されている。
【0013】
＜基板処理システムの構成＞
まず、実施形態に係る基板処理システム１（基板処理装置の一例）の構成について、図１および図２を参照しながら説明する。図１は、実施形態に係る基板処理システム１を上方から見た模式的な断面図である。また、図２は、実施形態に係る基板処理システム１を側方から見た模式的な断面図である。なお、以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
まず、実施形態に係る基板処理システム１（基板処理装置の一例）の構成について、図１および図２を参照しながら説明する。図１は、実施形態に係る基板処理システム１を上方から見た模式的な断面図である。また、図２は、実施形態に係る基板処理システム１を側方から見た模式的な断面図である。なお、以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【0014】
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
【0015】
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の半導体ウェハＷ（以下、「ウェハＷ」とも記載する。）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。ウェハＷは、基板の一例である。
【0016】
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられる。搬送部１２の内部には、搬送装置１３と受渡部１４とが配置される。
【0017】
搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
【0018】
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送ブロック４と、複数の処理ブロック５とを備える。
【0019】
搬送ブロック４は、搬送エリア１５と、搬送装置１６とを備える。搬送エリア１５は、たとえば、搬入出ステーション２および処理ステーション３の並び方向（Ｘ軸方向）に沿って延在する直方体状の領域である。搬送エリア１５には、搬送装置１６が配置される。
【0020】
搬送装置１６は、搬送部の一例であり、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、搬送装置１６は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と複数の処理ブロック５との間でウェハＷの搬送を行う。
【0021】
複数の処理ブロック５は、搬送エリア１５の一方側において搬送エリア１５に隣接して配置される。具体的には、複数の処理ブロック５は、搬入出ステーション２および処理ステーション３の並び方向（Ｘ軸方向）に直交する方向（Ｙ軸方向）における搬送エリア１５の一方側（図ではＹ軸負方向側）に配置される。
【0022】
また、図２に示すように、複数の処理ブロック５は、鉛直方向に沿って多段に配置される。実施形態において、複数の処理ブロック５の段数は３段であるが、複数の処理ブロック５の段数は３段に限定されない。
【0023】
このように、実施形態に係る基板処理システム１において、複数の処理ブロック５は、搬送ブロック４の一方側において多段に配置される。そして、各段に配置された処理ブロック５と受渡部１４との間で行われるウェハＷの搬送は、搬送ブロック４に配置された共通の搬送装置１６によって行われる。
【0024】
各処理ブロック５は、液処理ユニット１７と、乾燥ユニット１８とを備える。液処理ユニット１７は液処理部の一例であり、乾燥ユニット１８は超臨界処理部の一例である。
【0025】
液処理ユニット１７は、ウェハＷのパターン形成面である上面を洗浄する処理を行う。さらに、液処理ユニット１７は、薬液処理後のウェハＷの上面に液膜を形成する処理を行う。液処理ユニット１７の構成については後述する。
【0026】
乾燥ユニット１８は、液膜形成処理後のウェハＷに対して超臨界乾燥処理を行う。具体的には、乾燥ユニット１８は、液膜形成処理後のウェハＷを超臨界状態の処理流体（以下、「超臨界流体」とも呼称する。）と接触させることによって、かかるウェハＷを乾燥させる。
【0027】
なお、以下に説明する実施形態では、乾燥ユニット１８で行われる処理として超臨界乾燥処理を行う例について示すが、乾燥ユニット１８で行われる処理は超臨界乾燥処理に限られず、超臨界流体によってウェハＷを改質する処理などであってもよい。乾燥ユニット１８の構成については後述する。
【0028】
なお、図１および図２には図示していないが、基板処理システム１は、乾燥ユニット１８に対して処理流体を供給する供給ユニットを有する。具体的には、かかる供給ユニットは、流量計、流量調整器、背圧弁、ヒータなどを含む供給機器群と、供給機器群を収容する筐体とを備える。実施形態において、供給ユニットは、処理流体としてＣＯ２を乾燥ユニット１８に供給する。
【0029】
液処理ユニット１７および乾燥ユニット１８は、搬送エリア１５に沿って（すなわち、Ｘ軸方向に沿って）並べられる。液処理ユニット１７および乾燥ユニット１８のうち、液処理ユニット１７は、搬入出ステーション２に近い位置に配置され、乾燥ユニット１８は、搬入出ステーション２から遠い位置に配置される。
【0030】
このように、各処理ブロック５は、液処理ユニット１７および乾燥ユニット１８をそれぞれ１つずつ備える。すなわち、基板処理システム１には、液処理ユニット１７および乾燥ユニット１８が同じ数だけ設けられる。
【0031】
図１に示すように、基板処理システム１は、制御装置６を備える。制御装置６は、たとえばコンピュータであり、制御部６１と記憶部６２とを備える。
【0032】
制御部６１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力ポートなどを有するマイクロコンピュータや各種の回路を含む。かかるマイクロコンピュータのＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、搬送装置１３、１６、液処理ユニット１７および乾燥ユニット１８などの制御を実現する。
【0033】
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記憶されていたものであって、その記憶媒体から制御装置６の記憶部６２にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
【0034】
記憶部６２は、たとえば、ＲＡＭ、フラッシュメモリ（Flash Memory）などの半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置によって実現される。
【0035】
＜液処理ユニットの構成＞
次に、液処理ユニット１７の構成について、図３を参照しながら説明する。図３は、液処理ユニット１７の構成例を示す図である。液処理ユニット１７は、たとえば、スピン洗浄によりウェハＷを１枚ずつ洗浄する枚葉式の洗浄装置として構成される。
次に、液処理ユニット１７の構成について、図３を参照しながら説明する。図３は、液処理ユニット１７の構成例を示す図である。液処理ユニット１７は、たとえば、スピン洗浄によりウェハＷを１枚ずつ洗浄する枚葉式の洗浄装置として構成される。
【0036】
図３に示すように、液処理ユニット１７は、処理空間を形成するアウターチャンバー２３内に配置されたウェハ保持機構２５にてウェハＷをほぼ水平に保持し、このウェハ保持機構２５を鉛直軸周りに回転させることによりウェハＷを回転させる。
【0037】
そして、液処理ユニット１７は、回転するウェハＷの上方にノズルアーム２６を進入させ、かかるノズルアーム２６の先端部に設けられる薬液ノズル２６ａから薬液やリンス液を予め定められた順に供給することにより、ウェハＷ上面の洗浄処理を行う。
【0038】
また、液処理ユニット１７には、ウェハ保持機構２５の内部にも薬液供給路２５ａが形成されている。そして、かかる薬液供給路２５ａから供給された薬液やリンス液によって、ウェハＷの下面も洗浄される。
【0039】
洗浄処理は、たとえば、最初にアルカリ性の薬液であるＳＣ１液（アンモニアと過酸化水素水の混合液）によるパーティクルや有機性の汚染物質の除去が行われる。次に、リンス液である脱イオン水（DeIonized Water：以下、「ＤＩＷ」とも記載する。）によるリンス洗浄が行われる。
【0040】
次に、酸性薬液である希フッ酸水溶液（Diluted HydroFluoric acid：以下、「ＤＨＦ」とも記載する。）による自然酸化膜の除去が行われ、次に、ＤＩＷによるリンス洗浄が行われる。
【0041】
上述の各種薬液は、アウターチャンバー２３や、アウターチャンバー２３内に配置されるインナーカップ２４に受け止められて、アウターチャンバー２３の底部に設けられる排液口２３ａや、インナーカップ２４の底部に設けられる排液口２４ａから排出される。さらに、アウターチャンバー２３内の雰囲気は、アウターチャンバー２３の底部に設けられる排気口２３ｂから排気される。
【0042】
液膜形成処理は、洗浄処理におけるリンス処理の後に行われる。具体的には、液処理ユニット１７は、ウェハ保持機構２５を回転させながら、ウェハＷの上面および下面に液体状態のＩＰＡ（以下、「ＩＰＡ液体」とも呼称する）を供給する。これにより、ウェハＷの両面に残存するＤＩＷがＩＰＡに置換される。その後、液処理ユニット１７は、ウェハ保持機構２５の回転を緩やかに停止する。
【0043】
液膜形成処理を終えたウェハＷは、その上面にＩＰＡ液体の液膜が形成された状態のまま、ウェハ保持機構２５に設けられた不図示の受け渡し機構により搬送装置１６に受け渡され、液処理ユニット１７から搬出される。
【0044】
ウェハＷ上に形成された液膜は、液処理ユニット１７から乾燥ユニット１８へのウェハＷの搬送中や、乾燥ユニット１８への搬入動作中に、ウェハＷ上面の液体が蒸発（気化）することによってパターン倒れが発生することを防止する。
【0045】
【0046】
乾燥ユニット１８は、本体３１と、保持板３２と、蓋部材３３とを有する。筐体状の本体３１には、ウェハＷを搬入出するための開口部３４が形成される。保持板３２は、処理対象のウェハＷを水平方向に保持する。蓋部材３３は、かかる保持板３２を支持するとともに、ウェハＷを本体３１内に搬入したときに、開口部３４を密閉する。
【0047】
本体３１は、たとえば直径３００（ｍｍ）のウェハＷを収容可能な処理空間が内部に形成された容器であり、その壁部には、供給ポート３５、３６と排出ポート３７とが設けられる。供給ポート３５、３６および排出ポート３７は、それぞれ、乾燥ユニット１８に超臨界流体を流通させるための供給流路および排出流路に接続されている。
【0048】
供給ポート３５は、筐体状の本体３１において、開口部３４とは反対側の側面に接続されている。また、供給ポート３６は、本体３１の底面に接続されている。さらに、排出ポート３７は、開口部３４の下方側に接続されている。なお、図４には２つの供給ポート３５、３６と１つの排出ポート３７が図示されているが、供給ポート３５、３６や排出ポート３７の数は特に限定されない。
【0049】
また、本体３１の内部には、流体供給ヘッダー３８、３９と、流体排出ヘッダー４０とが設けられる。そして、流体供給ヘッダー３８、３９には複数の供給口がかかる流体供給ヘッダー３８，３９の長手方向に並んで形成され、流体排出ヘッダー４０には複数の排出口がかかる流体排出ヘッダー４０の長手方向に並んで形成される。
【0050】
流体供給ヘッダー３８は、供給ポート３５に接続され、筐体状の本体３１内部において、開口部３４とは反対側の側面に隣接して設けられる。また、流体供給ヘッダー３８に並んで形成される複数の供給口は、開口部３４側を向いている。
【0051】
流体供給ヘッダー３９は、供給ポート３６に接続され、筐体状の本体３１内部における底面の中央部に設けられる。また、流体供給ヘッダー３９に並んで形成される複数の供給口は、上方を向いている。
【0052】
流体排出ヘッダー４０は、排出ポート３７に接続され、筐体状の本体３１内部において、開口部３４側の側面に隣接するとともに、開口部３４より下方に設けられる。また、流体排出ヘッダー４０に並んで形成される複数の排出口は、上方を向いている。
【0053】
流体供給ヘッダー３８、３９は、超臨界流体を本体３１内に供給する。また、流体排出ヘッダー４０は、本体３１内の超臨界流体を本体３１の外部に導いて排出する。なお、流体排出ヘッダー４０を介して本体３１の外部に排出される超臨界流体には、ウェハＷの上面から超臨界状態の超臨界流体に溶け込んだＩＰＡ液体が含まれる。
【0054】
かかる乾燥ユニット１８内において、ウェハＷ上に形成されているパターンの間のＩＰＡ液体は、高圧状態（たとえば、１６（ＭＰａ））である超臨界流体と接触することで、徐々に超臨界流体に溶解し、パターンの間は徐々に超臨界流体と置き換わる。そして、最終的には、超臨界流体のみによってパターンの間が満たされる。
【0055】
そして、パターンの間からＩＰＡ液体が除去された後に、本体３１内部の圧力を高圧状態から大気圧まで減圧することによって、ＣＯ２は超臨界状態から気体状態に変化し、パターンの間は気体のみによって占められる。このようにしてパターンの間のＩＰＡ液体は除去され、ウェハＷの乾燥処理が完了する。
【0056】
ここで、超臨界流体は、液体（たとえばＩＰＡ液体）と比べて粘度が小さく、また液体を溶解する能力も高いことに加え、超臨界流体と平衡状態にある液体や気体との間で界面が存在しない。これにより、超臨界流体を用いた乾燥処理では、表面張力の影響を受けることなく液体を乾燥させることができる。したがって、実施形態によれば、乾燥処理の際にパターンが倒れることを抑制することができる。
【0057】
なお、実施形態では、乾燥防止用の液体としてＩＰＡ液体を用い、処理流体として超臨界状態のＣＯ２を用いた例について示しているが、ＩＰＡ以外の液体を乾燥防止用の液体として用いてもよいし、超臨界状態のＣＯ２以外の流体を処理流体として用いてもよい。
【0058】
＜基板処理フロー＞
次に、上述した基板処理システム１におけるウェハＷの処理フローについて、図５～図８を参照しながら説明する。図５は、実施形態に係る基板処理システム１において実行される一連の基板処理の手順を示すフローチャートである。図５～図８に示す一連の基板処理は、制御部６１の制御に従って実行される。
次に、上述した基板処理システム１におけるウェハＷの処理フローについて、図５～図８を参照しながら説明する。図５は、実施形態に係る基板処理システム１において実行される一連の基板処理の手順を示すフローチャートである。図５～図８に示す一連の基板処理は、制御部６１の制御に従って実行される。
【0059】
【0060】
基板処理システム１では、まず、搬送装置１３がキャリアＣからウェハＷを取り出して受渡部１４へ載置する（ステップＳ１０１）。具体的には、搬送装置１３は、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４へ載置する。
【0061】
つづいて、基板処理システム１では、第１搬送処理が行われる（ステップＳ１０２）。第１搬送処理は、搬送装置１６がウェハＷを受渡部１４から取り出して液処理ユニット１７に搬送する処理である。
【0062】
具体的には、搬送装置１６は、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４からウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを処理ブロック５の液処理ユニット１７に搬送する。
【0063】
つづいて、基板処理システム１では、液処理ユニット１７において液処理が行われる（ステップＳ１０３）。具体的には、液処理ユニット１７は、たとえば、ウェハＷのパターン形成面である上面に各種の薬液やリンス液を供給することにより、ウェハＷの上面からパーティクルや自然酸化膜などを除去する。
【0064】
つづいて、液処理ユニット１７は、たとえば、洗浄処理後のウェハＷの上面にＩＰＡ液体を供給することにより、ウェハＷの上面にＩＰＡ液体による液膜を形成する（すなわち、ウェハＷの上面をＩＰＡ液体で濡らす）。かかる液処理の詳細については後述する。
【0065】
つづいて、基板処理システム１では、第２搬送処理が行われる（ステップＳ１０４）。かかる第２搬送処理は、搬送装置１６が上面に液膜が形成されたウェハＷを液処理ユニット１７から取り出して乾燥ユニット１８に搬送する処理である。
【0066】
具体的には、搬送装置１６は、ウェハ保持機構を用いて液処理ユニット１７から取り出し、取り出したウェハＷを処理ブロック５の対応する乾燥ユニット１８に搬送する。
【0067】
つづいて、基板処理システム１では、乾燥ユニット１８において乾燥処理が行われる（ステップＳ１０５）。かかる乾燥処理において、乾燥ユニット１８は、上面に液膜が形成されたウェハＷを超臨界流体と接触させることによってウェハＷを乾燥させる。
【0068】
つづいて、基板処理システム１では、第３搬送処理が行われる（ステップＳ１０６）。かかる第３搬送処理は、搬送装置１６が乾燥処理後のウェハＷを乾燥ユニット１８から取り出して受渡部１４に搬送する処理である。
【0069】
具体的には、搬送装置１６は、ウェハ保持機構を用いて乾燥ユニット１８からウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。
【0070】
つづいて、基板処理システム１では、搬送装置１３が受渡部１４からウェハＷを取り出してキャリアＣへ搬出する（ステップＳ１０７）。具体的には、搬送装置１３は、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４からウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷをキャリアＣへ載置する。かかる搬出処理を終えると、１枚のウェハＷについての一連の基板処理が終了する。
【0071】
図６は、実施形態に係る基板処理システム１において実行される液処理（ステップＳ１０３）の手順を示すフローチャートである。図６に示すように、実施形態に係る液処理では、まず、制御部６１が、液処理ユニット１７において、薬液ノズル２６ａおよび薬液供給路２５ａから薬液をウェハＷに供給する薬液処理を行う（ステップＳ２０１）。
【0072】
かかるステップＳ２０１の処理では、たとえば、ウェハＷの上面および下面にＳＣ１液が供給されることで、ウェハＷからパーティクルや有機性の汚染物質が除去される。
【0073】
次に、制御部６１は、液処理ユニット１７において、薬液ノズル２６ａおよび薬液供給路２５ａからリンス液をウェハＷに供給するリンス処理を行う（ステップＳ２０２）。かかるステップＳ２０２の処理では、たとえば、ウェハＷの上面および下面にＤＩＷが供給されることで、ウェハＷに付着するＳＣ１液などが洗い流される。
【0074】
次に、制御部６１は、液処理ユニット１７において、薬液ノズル２６ａおよび薬液供給路２５ａから薬液をウェハＷに供給する薬液処理を行う（ステップＳ２０３）。かかるステップＳ２０３の処理では、たとえば、ウェハＷの上面および下面にＤＨＦが供給されることで、ウェハＷの自然酸化膜が除去される。
【0075】
次に、制御部６１は、液処理ユニット１７において、薬液ノズル２６ａおよび薬液供給路２５ａからリンス液をウェハＷに供給するリンス処理を行う（ステップＳ２０４）。かかるステップＳ２０４の処理では、たとえば、ウェハＷの上面および下面にＤＩＷが供給されることで、ウェハＷに付着するＤＨＦなどが洗い流される。
【0076】
次に、制御部６１は、液処理ユニット１７で液処理されるウェハＷが、対応する乾燥ユニット１８（例えば、ウェハＷが処理される液処理ユニット１７と同じ処理ブロック５に位置する乾燥ユニット１８）に搬送可能であるか否かを判定する（ステップＳ２０５）。
【0077】
そして、対応する乾燥ユニット１８にウェハＷが搬送可能である場合（ステップＳ２０５，Ｙｅｓ）、制御部６１は、薬液ノズル２６ａからＩＰＡ液体をウェハＷに供給して、ウェハＷの上面にＩＰＡ液体の液膜を形成する液盛り処理を行う（ステップＳ２０６）。これにより、ウェハＷの上面がＩＰＡ液体によって濡れた状態となる。
【0078】
次に、制御部６１は、液処理ユニット１７で液処理されるウェハＷが、対応する乾燥ユニット１８に搬送可能であるか否かを判定する（ステップＳ２０７）。
【0079】
そして、対応する乾燥ユニット１８にウェハＷが搬送可能である場合（ステップＳ２０７，Ｙｅｓ）、制御部６１は、一連の液処理を終了し、図５に示した第２搬送処理（ステップＳ１０４）に移行する。
【0080】
一方で、上述のステップＳ２０５の処理において、対応する乾燥ユニット１８にウェハＷが搬送可能でない場合（ステップＳ２０５，Ｎｏ）、例えば対応する乾燥ユニット１８が不具合等で動作できない場合、制御部６１は、液供給処理を行う（ステップＳ２０８）。
【0081】
同様に、上述のステップＳ２０７の処理において、対応する乾燥ユニット１８にウェハＷが搬送可能でない場合（ステップＳ２０７，Ｎｏ）、制御部６１は、液供給処理を行う（ステップＳ２０８）。
【0082】
かかる液供給処理は、液処理ユニット１７において、ウェハＷへの処理液の供給を継続する処理である。これにより、対応する乾燥ユニット１８に搬送できず、液処理ユニット１７で待機状態にあるウェハＷにおいて、上面の乾燥を抑制することができる。
【0083】
したがって、実施形態によれば、ウェハＷ上に形成されているパターンが倒れるなどの不具合を抑制できるため、ウェハＷの歩留まりを向上させることができる。
【0084】
この液供給処理においてウェハＷに供給される処理液は、たとえば、ＤＩＷ、ＩＰＡおよび希釈ＩＰＡ（すなわち、ＤＩＷとＩＰＡとの混合液）のいずれかであるとよい。これにより、ウェハＷの上面の状態を変化させることなく、上面の乾燥を抑制することができる。したがって、実施形態によれば、ウェハＷの歩留まりをさらに向上させることができる。
【0085】
また、この液供給処理においてウェハＷに供給される処理液を、コストが安くかつ乾燥しにくいＤＩＷにすることで、処理液の使用量を減らすことができるため、液供給処理におけるコストを低減することができる。
【0086】
なお、本開示において、液供給処理にてウェハＷに供給される処理液は、ＤＩＷ、ＩＰＡおよび希釈ＩＰＡに限られず、ウェハＷの上面の状態を変化させない処理液であればどのような処理液であってもよい。
【0087】
また、この液供給処理では、処理液をウェハＷの上面に連続して供給してもよいし、断続的に供給してもよい。たとえば、液供給処理において処理液を連続して供給することで、ウェハＷ上面の乾燥をより確実に防止することができる。
【0088】
また、液供給処理において処理液を断続的に供給することで、処理液の使用量を減らすことができるため、液供給処理におけるコストを低減することができる。
【0089】
さらに、ウェハＷの上面への処理液の供給を断続的に継続する場合、ウェハＷへの処理液の供給が中断される時間は、ウェハＷの上面から揮発する量がウェハＷの上面における液膜の量よりも少なくなる時間であるとよい。これにより、ウェハＷ上面の乾燥をより確実に防止することができる。
【0090】
図６の説明に戻る。ステップＳ２０８の処理につづいて、制御部６１は、液処理ユニット１７で処理液の供給が継続されるウェハＷが、対応する乾燥ユニット１８に搬送可能であるか否かを判定する（ステップＳ２０９）。
【0091】
そして、対応する乾燥ユニット１８にウェハＷが搬送可能である場合（ステップＳ２０９，Ｙｅｓ）、ステップＳ２０６の処理に移行する。
【0092】
一方で、対応する乾燥ユニット１８にウェハＷが搬送可能でない場合（ステップＳ２０９，Ｎｏ）、制御部６１は、ウェハＷへの処理液の供給の継続時間が、所与の時間経過したか否かを判定する（ステップＳ２１０）。
【0093】
そして、ウェハＷへの処理液の供給の継続時間が所与の時間経過していない場合（ステップＳ２１０，Ｎｏ）、ステップＳ２０８の処理に戻る。
【0094】
一方で、ウェハＷへの処理液の供給の継続時間が所与の時間経過している場合（ステップＳ２１０，Ｙｅｓ）、制御部６１は、乾燥ユニット１８の復旧の目処が立たないとみなし、待機するウェハＷを強制的に基板処理システム１から搬出する（ステップＳ２１１）。これにより、無駄な処理液の使用を抑制することができる。
【0095】
そして、待機するウェハＷを強制的に基板処理システム１から搬出し、一連の液処理が終了する。なおこの場合、ウェハＷに対する乾燥処理（ステップＳ１０５）は行われなくてもよい。
【0096】
また、実施形態では、上述のステップＳ２０９の処理において、対応する乾燥ユニット１８にウェハＷが搬送可能でない場合、ウェハＷが待機する液処理ユニット１７と対応しない乾燥ユニット１８にウェハＷが搬送可能であるか否かを判定してもよい。
【0097】
たとえば、１つのキャリアＣに収容される複数枚（たとえば、２５枚）のウェハＷは、複数の処理ブロック５のそれぞれに紐付けられ、各処理ブロック５において順番に処理される。
【0098】
そして、実施形態では、不具合等が生じていない処理ブロック５において全てのウェハＷの処理が完了した後に、不具合等が生じている処理ブロック５の液処理ユニット１７に待機するウェハＷを、別の処理ブロック５の乾燥ユニット１８に搬送してもよい。
【0099】
これにより、ある処理ブロック５の乾燥ユニット１８について復旧の目処が立っていない場合でも、液処理ユニット１７に待機するウェハＷを問題無く乾燥処理することができる。したがって、実施形態によれば、ウェハＷの歩留まりをさらに向上させることができる。
【0100】
【0101】
図７に示すように、別の一例に係る液処理では、まず、制御部６１が、液処理ユニット１７において、薬液ノズル２６ａおよび薬液供給路２５ａから薬液をウェハＷに供給する薬液処理を行う（ステップＳ３０１）。
【0102】
次に、制御部６１は、液処理ユニット１７において、薬液ノズル２６ａおよび薬液供給路２５ａからリンス液をウェハＷに供給するリンス処理を行う（ステップＳ３０２）。
【0103】
次に、制御部６１は、液処理ユニット１７において、薬液ノズル２６ａおよび薬液供給路２５ａから薬液をウェハＷに供給する薬液処理を行う（ステップＳ３０３）。
【0104】
次に、制御部６１は、液処理ユニット１７において、薬液ノズル２６ａおよび薬液供給路２５ａからリンス液をウェハＷに供給するリンス処理を行う（ステップＳ３０４）。
【0105】
次に、制御部６１は、液処理ユニット１７で液処理されるウェハＷが、対応する乾燥ユニット１８（例えば、ウェハＷが処理される液処理ユニット１７と同じ処理ブロック５に位置する乾燥ユニット１８）に搬送可能であるか否かを判定する（ステップＳ３０５）。
【0106】
そして、対応する乾燥ユニット１８にウェハＷが搬送可能である場合（ステップＳ３０５，Ｙｅｓ）、制御部６１は、薬液ノズル２６ａからＩＰＡ液体をウェハＷに供給して、ウェハＷの上面にＩＰＡ液体の液膜を形成する液盛り処理を行う（ステップＳ３０６）。
【0107】
次に、制御部６１は、液処理ユニット１７で液処理されるウェハＷが、対応する乾燥ユニット１８に搬送可能であるか否かを判定する（ステップＳ３０７）。
【0108】
そして、対応する乾燥ユニット１８にウェハＷが搬送可能である場合（ステップＳ３０７，Ｙｅｓ）、制御部６１は、一連の液処理を終了し、図５に示した第２搬送処理（ステップＳ１０４）に移行する。
【0109】
一方で、上述のステップＳ３０５の処理にて、対応する乾燥ユニット１８にウェハＷが搬送可能でない場合（ステップＳ３０５，Ｎｏ）、例えば対応する乾燥ユニット１８が不具合等で動作できない場合、制御部６１は、液供給処理を行う（ステップＳ３０８）。
【0110】
同様に、上述のステップＳ３０７の処理において、対応する乾燥ユニット１８にウェハＷが搬送可能でない場合（ステップＳ３０７，Ｎｏ）、制御部６１は、液供給処理を行う（ステップＳ３０８）。
【0111】
ここまで説明したステップＳ３０１～Ｓ３０８の処理は、上述のステップＳ２０１～Ｓ２０８の処理と同様であるため、詳細な説明は省略する。
【0112】
ステップＳ３０８の処理につづいて、制御部６１は、液処理ユニット１７で処理液の供給が継続されるウェハＷが、対応する乾燥ユニット１８に搬送可能であるか否かを判定する（ステップＳ３０９）。
【0113】
そして、対応する乾燥ユニット１８にウェハＷが搬送可能である場合（ステップＳ３０９，Ｙｅｓ）、ステップＳ３０６の処理に移行する。
【0114】
一方で、対応する乾燥ユニット１８にウェハＷが搬送可能でない場合（ステップＳ３０９，Ｎｏ）、制御部６１は、かかるウェハＷが属するプロジェクトが終了したか否かを判定する（ステップＳ３１０）。
【0115】
ここで、ウェハＷが属するプロジェクトの概念を含め、基板処理システム１において複数のウェハＷが処理される際の流れの一例について、図８も参照しながら説明する。図８は、実施形態の基板処理システム１において実行される基板処理の別の一例を説明するための図である。
【0116】
なお、図８の例では、１つの基板処理システム１に液処理ユニット１７および乾燥ユニット１８が３つずつ設けられ、それぞれ液処理ユニットＡ～Ｃおよび乾燥ユニットＡ～Ｃと呼称される。
【0117】
そして、図８に示すように、「液処理ユニットＡ」と「乾燥ユニットＡ」とが互いに対応し、「液処理ユニットＢ」と「乾燥ユニットＢ」とが互いに対応し、「液処理ユニットＣ」と「乾燥ユニットＣ」とが互いに対応する。互いに対応する液処理ユニット１７および乾燥ユニット１８は、たとえば、同じ処理ブロック５（図２参照）に位置する。
【0118】
また、図８の例では、理解を容易にするため、１つのキャリアＣに収容されるウェハＷの枚数を９枚とする（図では、ウェハＡ１～Ａ９と記載される）。そして、制御部６１（図１参照）は、たとえば、１つのキャリアＣごとに１つのプロジェクトを設定して、かかるプロジェクトの中で対応するキャリアＣに収容される９枚のウェハＷをまとめて処理する。
【0119】
図８の例では、１つのプロジェクトが立ち上がると、制御部６１（図１参照）は、搬送装置１６（図１参照）を制御して、ウェハＡ１を液処理ユニットＡに搬送する（ステップＳ１０２）。そして、制御部６１は、かかる液処理ユニットＡでウェハＡ１に液処理を行う（ステップＳ１０３）。
【0120】
次に、制御部６１は、搬送装置１６を制御して、ウェハＡ２を液処理ユニットＢに搬送する（ステップＳ１０２）。そして、制御部６１は、かかる液処理ユニットＢでウェハＡ２に液処理を行う（ステップＳ１０３）。
【0121】
次に、制御部６１は、搬送装置１６を制御して、ウェハＡ３を液処理ユニットＣに搬送する（ステップＳ１０２）。そして、制御部６１は、かかる液処理ユニットＣでウェハＡ３に液処理を行う（ステップＳ１０３）。
【0122】
次に、制御部６１は、所与の液処理が完了したウェハＡ１を、搬送装置１６を制御して、液処理ユニットＡから乾燥ユニットＡに搬送する（ステップＳ１０４）。そして、制御部６１は、かかる乾燥ユニットＡでウェハＡ１に乾燥処理を行う（ステップＳ１０５）。
【0123】
次に、制御部６１は、所与の液処理が完了したウェハＡ２を、搬送装置１６を制御して、液処理ユニットＢから乾燥ユニットＢに搬送する（ステップＳ１０４）。そして、制御部６１は、かかる乾燥ユニットＢでウェハＡ２に乾燥処理を行う（ステップＳ１０５）。
【0124】
次に、制御部６１は、所与の液処理が完了したウェハＡ３を、搬送装置１６を制御して、液処理ユニットＣから乾燥ユニットＣに搬送する（ステップＳ１０４）。そして、制御部６１は、かかる乾燥ユニットＣでウェハＡ３に乾燥処理を行う（ステップＳ１０５）。
【0125】
このように、実施形態では、制御部６１が、液処理ユニット１７で液処理を行ったウェハＷを、対応する乾燥ユニット１８に搬送して、かかる乾燥ユニット１８で乾燥処理を行う。
【0126】
これにより、複数のウェハＷの間で液処理ユニット１７から乾燥ユニット１８までの搬送時間がばらつくことを低減できる。したがって、実施形態によれば、複数のウェハＷの間で乾燥処理を開始する際の液膜状態を揃えることができるため、基板処理システム１における基板処理の歩留まりを向上させることができる。
【0127】
図８の説明に戻る。次に、制御部６１は、搬送装置１６を制御して、ウェハＡ４を液処理ユニットＡに搬送する（ステップＳ１０２）。そして、制御部６１は、かかる液処理ユニットＡでウェハＡ４に液処理を行う（ステップＳ１０３）。
【0128】
次に、制御部６１は、搬送装置１６を制御して、ウェハＡ５を液処理ユニットＢに搬送する（ステップＳ１０２）。そして、制御部６１は、かかる液処理ユニットＢでウェハＡ５に液処理を行う（ステップＳ１０３）。
【0129】
次に、制御部６１は、搬送装置１６を制御して、ウェハＡ６を液処理ユニットＣに搬送する（ステップＳ１０２）。そして、制御部６１は、かかる液処理ユニットＣでウェハＡ６に液処理を行う（ステップＳ１０３）。
【0130】
次に、制御部６１は、所与の液処理が完了したウェハＡ４を、搬送装置１６を制御して、液処理ユニットＡから乾燥ユニットＡに搬送する（ステップＳ１０４）。そして、制御部６１は、かかる乾燥ユニットＡでウェハＡ４に乾燥処理を行う（ステップＳ１０５）。
【0131】
次に、制御部６１は、搬送装置１６を制御して、ウェハＡ７を液処理ユニットＡに搬送する（ステップＳ１０２）。そして、制御部６１は、かかる液処理ユニットＡでウェハＡ７に液処理を行う（ステップＳ１０３）。
【0132】
ここで、図８の例では、ウェハＡ４を乾燥処理中の乾燥ユニットＡにトラブルが発生したとする。この場合、制御部６１は、この乾燥ユニットＡに対応する液処理ユニットＡで液処理中のウェハＡ７が、乾燥ユニットＡに搬送できないと判定する（ステップＳ３０５、Ｎｏ）。
【0133】
そこで、制御部６１は、このウェハＡ７に対して、液処理ユニットＡにおいて所定の液供給処理を行う（ステップＳ３０８）。たとえば、図８の例では、所定の液処理（ステップＳ３０１～Ｓ３０４）が終了したウェハＡ７に対して、液供給処理としてＤＩＷを供給する。
【0134】
また、ウェハＡ７に対する各種の処理と並行して、制御部６１は、所与の液処理が完了したウェハＡ５を、搬送装置１６を制御して、液処理ユニットＢから乾燥ユニットＢに搬送する（ステップＳ１０４）。そして、制御部６１は、かかる乾燥ユニットＢでウェハＡ５に乾燥処理を行う（ステップＳ１０５）。
【0135】
次に、制御部６１は、所与の液処理が完了したウェハＡ６を、搬送装置１６を制御して、液処理ユニットＣから乾燥ユニットＣに搬送する（ステップＳ１０４）。そして、制御部６１は、かかる乾燥ユニットＣでウェハＡ６に乾燥処理を行う（ステップＳ１０５）。
【0136】
次に、制御部６１は、搬送装置１６を制御して、ウェハＡ８を液処理ユニットＢに搬送する（ステップＳ１０２）。そして、制御部６１は、かかる液処理ユニットＢでウェハＡ８に液処理を行う（ステップＳ１０３）。
【0137】
次に、制御部６１は、搬送装置１６を制御して、ウェハＡ９を液処理ユニットＣに搬送する（ステップＳ１０２）。そして、制御部６１は、かかる液処理ユニットＣでウェハＡ９に液処理を行う（ステップＳ１０３）。
【0138】
次に、制御部６１は、所与の液処理が完了したウェハＡ８を、搬送装置１６を制御して、液処理ユニットＢから乾燥ユニットＢに搬送する（ステップＳ１０４）。そして、制御部６１は、かかる乾燥ユニットＢでウェハＡ８に乾燥処理を行う（ステップＳ１０５）。
【0139】
次に、制御部６１は、所与の液処理が完了したウェハＡ９を、搬送装置１６を制御して、液処理ユニットＣから乾燥ユニットＣに搬送する（ステップＳ１０４）。そして、制御部６１は、かかる乾燥ユニットＣでウェハＡ９に乾燥処理を行う（ステップＳ１０５）。
【0140】
そして、乾燥処理が終了したウェハＡ９が搬送装置１６によって乾燥ユニットＣから搬出されたところで、ウェハＡ１～Ａ９に対する１つのプロジェクトが終了する。
【0141】
ここで、図８の例では、このプロジェクトが終了した時点においても、乾燥ユニットＡのトラブルが継続している。そこで、図７に示すように、制御部６１は、液処理ユニットＡに位置するウェハＡ７が、対応する乾燥ユニットＡに搬送できないと判定する（ステップＳ３０９，Ｎｏ）と共に、ウェハＡ７が属するプロジェクトが終了したと判定する（ステップＳ３１０，Ｙｅｓ）。
【0142】
次に、制御部６１は、液処理ユニットＡに位置するウェハＡ７が、対応する乾燥ユニットＡとは別の乾燥ユニットＢまたは乾燥ユニットＣに搬送できるか否かを判定する（ステップＳ３１１）。
【0143】
そして、別の乾燥ユニットＢまたは乾燥ユニットＣに搬送できると判定された場合（ステップＳ３１１，Ｙｅｓ）、制御部６１は、ウェハＡ７の上面にＩＰＡ液体の液膜を形成する液盛り処理を行う（ステップＳ３１２）。そして、制御部６１は、一連の液処理を終了し、図５に示した第２搬送処理（ステップＳ１０４）に移行する。
【0144】
図８の例では、ステップＳ３１１の処理において、別の乾燥ユニットＢに搬送できると判定されたため、プロジェクトが終了した時点から、制御部６１は、ウェハＡ７に対して液盛り処理を行う。
【0145】
そして、制御部６１は、搬送装置１６を制御して、液盛り処理が終了したウェハＡ７を乾燥ユニットＢに搬送し（ステップＳ１０４）、かかる乾燥ユニットＢでウェハＡ７に乾燥処理を行う（ステップＳ１０５）。
【0146】
これにより、複数の乾燥ユニット１８のうち、１台がトラブルなどで動作できない場合でも、かかる乾燥ユニット１８で処理予定のウェハＷを救済することができる。したがって、実施形態によれば、ウェハＷの歩留まりをさらに向上させることができる。
【0147】
また、実施形態では、液処理ユニットＡ１で待機するウェハＡ７とは異なるウェハＡ８、Ａ９をウェハＡ７よりも先に処理することで、ウェハＡ７が別の乾燥ユニットＢで先に処理されることによって、ウェハＡ８、Ａ９の処理時間が乱れることを抑制できる。したがって、実施形態によれば、ウェハＷの歩留まりをさらに向上させることができる。
【0148】
なお、実施形態では、上述のように対応する乾燥ユニットＡとは別の乾燥ユニットＢ、Ｃで乾燥処理されたウェハＡ７を警告基板として扱ってもよい。これにより、他のウェハＷとは異なるプロセス処理をこの警告基板に対して行うことができるため、ウェハＷの歩留まりをさらに向上させることができる。
【0149】
図７の説明に戻る。ステップＳ３１１の処理において、別の乾燥ユニットＢ、Ｃに搬送できないと判定された場合（ステップＳ３１１，Ｎｏ）、制御部６１は、すべての乾燥ユニットＡ～Ｃの復旧の目処が立たないとみなす。そして、制御部６１は、液処理ユニットＡで待機するウェハＡ７を強制的に基板処理システム１から搬出する（ステップＳ３１３）。これにより、無駄な処理液の使用を抑制することができる。
【0150】
また、実施形態では、ユーザがステップＳ２０９およびステップＳ３１１の処理を目視で行い、ステップＳ２１１およびステップＳ３１３の処理を手動で行ってもよい。一方で、ステップＳ２０９の処理やステップＳ２１１の処理およびステップＳ３１３を制御部６１が自動的に実施することで、ユーザが基板処理システム１から離れている場合でも、無駄な処理液の使用を抑制することができる。
【0151】
実施形態では、図５に示した第２搬送処理の最中に、搬送予定の乾燥ユニット１８にウェハＷが搬送できないと判定された場合、搬送中のウェハＷを液処理ユニット１７に戻して、かかるウェハＷに液供給処理（ステップＳ２０８、Ｓ３０８）を実施してもよい。
【0152】
これにより、ウェハＷの上面の乾燥を抑制できるため、ウェハＷの歩留まりを向上させることができる。
【0153】
実施形態に係る基板処理方法は、液処理工程（ステップＳ１０３）と、搬送工程（ステップＳ１０４）と、超臨界工程（ステップＳ１０５）と、を含む。液処理工程（ステップＳ１０３）は、液処理部（液処理ユニット１７）において基板（ウェハＷ）に対して液処理を行い、基板（ウェハＷ）の上面を濡らす。搬送工程（ステップＳ１０４）は、上面が濡れた基板（ウェハＷ）を液処理部（液処理ユニット１７）から超臨界処理部（乾燥ユニット１８）に搬送する。超臨界工程（ステップＳ１０５）は、超臨界処理部（乾燥ユニット１８）において上面が濡れた基板（ウェハＷ）を超臨界流体で処理する。また、液処理工程（ステップＳ１０３）は、基板（ウェハＷ）の超臨界処理部（乾燥ユニット１８）への搬送が不可であると判定された場合、基板（ウェハＷ）への処理液の供給を継続する。これにより、ウェハＷの歩留まりを向上させることができる。
【0154】
また、実施形態に係る基板処理方法において、液処理工程（ステップＳ１０３）は、複数の液処理部（液処理ユニット１７）で行われ、超臨界工程（ステップＳ１０５）は、複数の超臨界処理部（乾燥ユニット１８）で行われる。また、液処理工程（ステップＳ１０３）は、基板（ウェハＷ）の超臨界処理部（乾燥ユニット１８）への搬送が不可であると判定された場合、基板（ウェハＷ）が属するプロジェクトが終了するまでの間、基板（ウェハＷ）への処理液の供給を継続する。これにより、ウェハＷの歩留まりを向上させることができる。
【0155】
また、実施形態に係る基板処理方法において、搬送工程（ステップＳ１０４）は、プロジェクトが終了した際、搬送が不可であると判定された超臨界処理部とは異なる超臨界処理部に搬送が可能であると判定された場合、異なる超臨界処理部に基板を搬送する。これにより、ウェハＷの歩留まりを向上させることができる。
【0156】
また、実施形態に係る基板処理方法において、異なる超臨界処理部（乾燥ユニット１８）に搬送された基板（ウェハＷ）は、後の処理において警告基板として扱われる。これにより、ウェハＷの歩留まりを向上させることができる。
【0157】
また、実施形態に係る基板処理方法において、液処理工程（ステップＳ１０３）は、処理液の供給を開始してから供給を停止するまでの間に、基板の超臨界処理部（乾燥ユニット１８）への搬送が不可であると判定された場合、基板への処理液の供給を継続する。これにより、ウェハＷの歩留まりを向上させることができる。
【0158】
また、実施形態に係る基板処理方法において、液処理工程（ステップＳ１０３）は、処理液の供給を停止した後に、基板（ウェハＷ）の超臨界処理部（乾燥ユニット１８）への搬送が不可であると判定された場合、基板（ウェハＷ）への処理液の供給を再開する。これにより、ウェハＷの歩留まりを向上させることができる。
【0159】
また、実施形態に係る基板処理方法において、基板の超臨界処理部への搬送が可能であると判定された場合、液処理工程（ステップＳ１０３）における基板の上面を濡らす工程（ステップＳ２０６）が行われ、次に搬送工程（ステップＳ１０５）が行われる。これにより、無駄な処理液の使用を抑制することができる。
【0160】
また、実施形態に係る基板処理方法において、液処理工程（ステップＳ１０３）は、基板（ウェハＷ）の超臨界処理部（乾燥ユニット１８）への搬送が不可であると判定された場合、基板（ウェハＷ）への処理液の供給を所与の時間継続して行う。そして、所与の時間以上の時間が経過した場合は、基板（ウェハＷ）への処理液の供給を中止する。これにより、無駄な処理液の使用を抑制することができる。
【0161】
また、実施形態に係る基板処理方法において、液処理工程（ステップＳ１０３）は、基板（ウェハＷ）の超臨界処理部（乾燥ユニット１８）への搬送が不可であると判定された場合、基板（ウェハＷ）への処理液の供給を断続的に継続する。これにより、液供給処理におけるコストを低減することができる。
【0162】
また、実施形態に係る基板処理方法において、基板（ウェハＷ）への処理液の供給を断続的に継続する場合、基板（ウェハＷ）への処理液の供給が中断される時間は、基板の上面から揮発する量が基板の上面における液膜の量よりも少なくなる時間である。これにより、ウェハＷ上面の乾燥をより確実に防止することができる。
【0163】
また、実施形態に係る基板処理方法において、搬送工程（ステップＳ１０５）は、複数の超臨界処理部（乾燥ユニット１８）のうち、搬送が可能であると判定された超臨界処理部（乾燥ユニット１８）を選択して行われる。これにより、ウェハＷの歩留まりをさらに向上させることができる。
【0164】
また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）は、液処理部（液処理ユニット１７）と、超臨界処理部（乾燥ユニット１８）と、搬送部（搬送装置１６）と、制御部６１と、を備える。液処理部（液処理ユニット１７）は、基板（ウェハＷ）に対して液処理を行う。超臨界処理部（乾燥ユニット１８）は、基板（ウェハＷ）を超臨界流体で処理する。搬送部（搬送装置１６）は、液処理部（液処理ユニット１７）から超臨界処理部（乾燥ユニット１８）に基板（ウェハＷ）を搬送する。制御部６１は、各部を制御する。また、制御部６１は、液処理部（液処理ユニット１７）において基板（ウェハＷ）の上面を濡らし、搬送部（搬送装置１６）によって上面が濡れた基板（ウェハＷ）を液処理部（液処理ユニット１７）から超臨界処理部（乾燥ユニット１８）に搬送する。また、制御部６１は、超臨界処理部（乾燥ユニット１８）において上面が濡れた基板（ウェハＷ）を超臨界流体で処理する。また、制御部６１は、基板（ウェハＷ）の超臨界処理部（乾燥ユニット１８）への搬送が不可であると判定された場合、液処理部（液処理ユニット１７）において基板（ウェハＷ）への処理液の供給を継続する。これにより、ウェハＷの歩留まりを向上させることができる。
【0165】
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。たとえば、上記の実施形態では、搬送装置１６が１つ設けられる基板処理システム１について示したが、搬送装置１６の数は１つに限られない。たとえば、複数ペアの液処理ユニット１７および乾燥ユニット１８ごとに共通に設けられれば、搬送装置１６は複数であってもよい。
【0166】
また、上記の実施形態では、１つのキャリアＣごとに１つのプロジェクトが設定されて、かかるプロジェクト単位で複数のウェハＷを処理する例について示したが、本開示はかかる例に限られない。たとえば、複数のキャリアＣに対して１つのプロジェクトが設定されてもよいし、１つのキャリアＣに対して複数のプロジェクトが設定されてもよい。
【0167】
今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【符号の説明】
【0168】
Ｗ ウェハ（基板の一例）
１ 基板処理システム（基板処理装置の一例）
１６ 搬送装置（搬送部の一例）
１７ 液処理ユニット（液処理部の一例）
１８ 乾燥ユニット（超臨界処理部の一例）
６１ 制御部
１ 基板処理システム（基板処理装置の一例）
１６ 搬送装置（搬送部の一例）
１７ 液処理ユニット（液処理部の一例）
１８ 乾燥ユニット（超臨界処理部の一例）
６１ 制御部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】