特開 2024-174686 光導波路装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024174686

(43)【公開日】2024-12-17

(54)【発明の名称】光導波路装置

(51)【国際特許分類】

   G02B 6/122 20060101AFI20241210BHJP

   G02B 6/26 20060101ALI20241210BHJP

【ＦＩ】

G02B6/122

G02B6/26

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023092649

(22)【出願日】2023-06-05

(71)【出願人】

【識別番号】000190688

【氏名又は名称】新光電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】兼田 悠

(72)【発明者】

【氏名】堀内 拓哉

【テーマコード（参考）】

2H137

2H147

【Ｆターム（参考）】

2H137AB01

2H137BA31

2H137BA53

2H137BA55

2H137BB33

2H137DA39

2H137EA05

2H147BG11

2H147BG17

2H147DA09

2H147DA10

2H147EA09C

2H147EA13A

2H147EA13C

2H147EA14B

2H147EA16C

2H147EA17A

2H147EA17B

2H147EA19A

2H147EA19B

2H147EA20A

2H147EA20B

2H147FD08

2H147GA00

(57)【要約】

【課題】シリコンフォトニクスチップの搭載前に光導波路の検査が可能な光導波路装置を提供する。
【解決手段】本光導波路装置は、第１クラッド層と、前記第１クラッド層の上に形成された複数のコア層と、前記第１クラッド層の上に形成され、前記コア層を選択的に被覆する第２クラッド層と、を有し、前記第１クラッド層の上に、前記第２クラッド層に被覆されていない第１領域が設けられ、複数の前記コア層は、一端が前記第１領域に配置され、信号光を入出力する複数の信号用コア層と、一端及び他端が外周面に露出し、検査光を入出力する検査用コア層と、を含み、前記検査用コア層は、前記信号用コア層と同一材料により形成され、前記検査用コア層の短手方向の断面形状は、前記信号用コア層の短手方向の断面形状と同一である。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１クラッド層と、
前記第１クラッド層の上に形成された複数のコア層と、
前記第１クラッド層の上に形成され、前記コア層を選択的に被覆する第２クラッド層と、を有し、
前記第１クラッド層の上に、前記第２クラッド層に被覆されていない第１領域が設けられ、
複数の前記コア層は、
一端が前記第１領域に配置され、信号光を入出力する複数の信号用コア層と、
一端及び他端が外周面に露出し、検査光を入出力する検査用コア層と、を含み、
前記検査用コア層は、前記信号用コア層と同一材料により形成され、
前記検査用コア層の短手方向の断面形状は、前記信号用コア層の短手方向の断面形状と同一である、光導波路装置。

【請求項2】

前記第１クラッド層は、平面視で４つ以上の辺を備え、
平面視で、前記検査用コア層の少なくとも一端が位置する辺は、前記信号用コア層の他端が位置する辺と相違する、請求項１に記載の光導波路装置。

【請求項3】

平面視で、前記検査用コア層の他端が位置する辺は、前記信号用コア層の他端が位置する辺と同一である、請求項２に記載の光導波路装置。

【請求項4】

平面視で、第１辺と、前記第１辺と平行な第２辺と、を備えた突起部を有し、
平面視で、前記検査用コア層の一端は、前記第１辺に位置し、他端は前記第２辺に位置し、
平面視で、前記検査用コア層の長手方向は、前記第１辺及び前記第２辺と垂直である、請求項１に記載の光導波路装置。

【請求項5】

平面視で、前記検査用コア層は、前記第１クラッド層の角部に配置されている、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の光導波路装置。

【請求項6】

平面視で、前記検査用コア層は、前記信号用コア層と非平行な部分を含む、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の光導波路装置。

【請求項7】

前記第１領域にシリコンフォトニクスチップが配置され、
前記シリコンフォトニクスチップは、複数の前記信号用コア層の前記一端と光結合している、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の光導波路装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、光導波路装置に関する。

【背景技術】

【0002】

コア層とクラッド層とを含む光導波路を有する光導波路装置が知られている。このような光導波路装置は、シリコンフォトニクスチップが搭載されて光導波路と光結合され、各種のコンピュータやデータ通信などの装置が設置されたデータセンター等において使用される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特許２０１１－２３７５０４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上記のような光導波路装置では、シリコンフォトニクスチップが搭載されていない状態では、非破壊で光導波路の検査を行うことが困難な場合がある。しかし、シリコンフォトニクスチップが搭載された後でないと光導波路の検査ができない場合、光導波路の不良を事前に発見できない。そのため、シリコンフォトニクスチップが搭載された光導波路装置が不良品となってしまい、歩留まりの低下につながる。

【0005】

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、シリコンフォトニクスチップの搭載前に光導波路の検査が可能な光導波路装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本光導波路装置は、第１クラッド層と、前記第１クラッド層の上に形成された複数のコア層と、前記第１クラッド層の上に形成され、前記コア層を選択的に被覆する第２クラッド層と、を有し、前記第１クラッド層の上に、前記第２クラッド層に被覆されていない第１領域が設けられ、複数の前記コア層は、一端が前記第１領域に配置され、信号光を入出力する複数の信号用コア層と、一端及び他端が外周面に露出し、検査光を入出力する検査用コア層と、を含み、前記検査用コア層は、前記信号用コア層と同一材料により形成され、前記検査用コア層の短手方向の断面形状は、前記信号用コア層の短手方向の断面形状と同一である。

【発明の効果】

【0007】

開示の技術によれば、シリコンフォトニクスチップの搭載前に光導波路の検査が可能な光導波路装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】第１実施形態に係る光導波路装置を例示する図である。

【図2】検査用コア層の検査方法について説明する模式図である。

【図3】第１実施形態の変形例１に係る光導波路装置を例示する平面図である。

【図4】第１実施形態の変形例２に係る光導波路装置を例示する平面図である。

【図5】第１実施形態の変形例３に係る光導波路装置を例示する平面図である。

【図6】第１実施形態の変形例４に係る光導波路装置を例示する平面図である。

【図7】第１実施形態の変形例５に係る光導波路装置を例示する平面図である。

【図8】第１実施形態の変形例６に係る光導波路装置を例示する部分断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

【0010】

〈第１実施形態〉
［光導波路装置］
図１は、第１実施形態に係る光導波路装置を例示する図であり、図１（ａ）は、平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ－Ａ線に沿う断面図、図１（ｃ）は図１（ａ）のＢ－Ｂ線に沿う断面図である。

【0011】

図１を参照すると、光導波路装置１は、第１クラッド層２１と、信号用コア層２２ａ～２２ｄと、検査用コア層２２ｔと、第２クラッド層２３とを有する。

【0012】

第１クラッド層２１は、最下層に位置する。第１クラッド層２１の厚さは、例えば、１０μｍ～３０μｍ程度とすることができる。第１クラッド層２１の屈折率は、例えば、１．５程度とすることができる。第１クラッド層２１は、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリノルボルネン樹脂等の感光性樹脂から形成することができる。

【0013】

信号用コア層２２ａ～２２ｄは、第１クラッド層２１の上に形成されている。図示の例では、信号用コア層２２ａ～２２ｄのそれぞれは、所定間隔で並置された４つの信号用コア層を含んでいる。信号用コア層２２ａ～２２ｄのそれぞれは、１つ以上の任意の個数の信号用コア層を含むことができる。なお、光導波路装置１は、複数の信号用コア層を含んでいればよい。例えば、光導波路装置１は、１つの信号用コア層を含む信号用コア層２２ａと、１つの信号用コア層を含む信号用コア層２２ｂとを含み、信号用コア層２２ｃ及び２２ｄを含まなくてもよい。

【0014】

信号用コア層２２ａ～２２ｄは、信号光を入出力するコア層である。信号用コア層２２ａ～２２ｄにおいて、各々の信号用コア層の短手方向の断面形状は、例えば、矩形である。信号用コア層２２ａ～２２ｄにおいて、各々の信号用コア層の幅は、例えば、５μｍ～１０μｍ程度とすることができる。信号用コア層２２ａ～２２ｄにおいて、各々の信号用コア層の厚さは、例えば、５μｍ～１０μｍ程度とすることができる。信号用コア層２２ａ～２２ｄにおいて、各々の信号用コア層の屈折率は、第１クラッド層２１及び第２クラッド層２３の屈折率よりも高く、例えば、１．６程度とすることができる。信号用コア層２２ａ～２２ｄは、例えば、第１クラッド層２１の材料として例示した中から適宜選択した材料により形成することができる。

【0015】

検査用コア層２２ｔは、第１クラッド層２１の上に形成されている。図示の例では、検査用コア層２２ｔは、所定間隔で並置された３つの検査用コア層を含んでいる。検査用コア層２２ｔは、１つ以上の任意の個数の検査用コア層を含むことができる。

【0016】

検査用コア層２２ｔは、検査光を入出力するコア層である。検査用コア層２２ｔにおいて、各々の検査用コア層の短手方向の断面形状は、例えば、矩形である。検査用コア層２２ｔは、信号用コア層２２ａ～２２ｄと同一の仕様で形成されている。すなわち、検査用コア層２２ｔは、信号用コア層２２ａ～２２ｄと同一材料により形成されている。また、検査用コア層２２ｔにおける各々の検査用コア層の短手方向の断面形状は、信号用コア層２２ａ～２２ｄにおける各々の信号用コア層の短手方向の断面形状と同一である。言い換えれば、検査用コア層２２ｔにおける各々の検査用コア層の幅は、信号用コア層２２ａ～２２ｄにおける各々の信号用コア層の幅と同一である。また、検査用コア層２２ｔにおける各々の検査用コア層の厚さは、信号用コア層２２ａ～２２ｄにおける各々の信号用コア層の厚さと同一である。

【0017】

なお、検査用コア層２２ｔと信号用コア層２２ａ～２２ｄは、フィルム状部材を用いてフォトリソグラフィ法により同時に形成される。そのため、両者の幅にフォトリソグラフィ法による製造上のばらつき程度の誤差があっても同一の範囲内とする。また、両者の厚さにフィルム状部材が元々有する程度の誤差があっても同一の範囲内とする。

【0018】

第２クラッド層２３は、第１クラッド層２１の上に形成され、信号用コア層２２ａ～２２ｄ及び検査用コア層２２ｔを選択的に被覆する。必要に応じ、検査用コア層２２ｔの一部は、第２クラッド層２３から露出してもよい。第２クラッド層２３の厚さは、例えば、１０μｍ～３０μｍ程度とすることができる。第２クラッド層２３の屈折率は、例えば、１．５程度とすることができる。第２クラッド層２３は、硬化した感光性樹脂である。第２クラッド層２３は、例えば、第１クラッド層２１の材料として例示した中から適宜選択した材料により形成することができる。

【0019】

光導波路装置１では、第１クラッド層２１と、信号用コア層２２ａ～２２ｄと、第２クラッド層２３によりシングルモードの信号用光導波路２０を構成している。信号用コア層２２ａ～２２ｄにおいて、各々の信号用コア層は直線状に形成しなくてもよく、湾曲する部分を含んでいてもよい。信号用コア層２２ａ～２２ｄにおいて、隣接する信号用コア層の間隔は、一定であってもよいし、一定でなくてもよい。

【0020】

また、光導波路装置１では、第１クラッド層２１と、検査用コア層２２ｔと、第２クラッド層２３によりシングルモードの検査用光導波路２０Ｔを構成している。検査用コア層２２ｔにおいて、各々の検査用コア層は直線状に形成しなくてもよく、湾曲する部分を含んでいてもよい。検査用コア層２２ｔにおいて、隣接する検査用コア層の間隔は、一定であってもよいし、一定でなくてもよい。

【0021】

光導波路装置１は、第１クラッド層２１の上に、第２クラッド層２３に被覆されていない第１領域Ｅが設けられている。第１領域Ｅは、シリコンフォトニクスチップを搭載可能な領域である。信号用コア層２２ａ～２２ｄの一端は、第１領域Ｅに配置されている。すなわち、信号用コア層２２ａ～２２ｄの一端は、平面視で、第２クラッド層２３から露出している。

【0022】

図示の例では、信号用コア層２２ａの一端と信号用コア層２２ｂの一端とは、間隙を開けて対向している。また、信号用コア層２２ｃの一端と信号用コア層２２ｄの一端とは、間隙を開けて対向している。信号用コア層２２ａ～２２ｄの他端は、光導波路装置１の外周面（側面）に露出している。一方、検査用コア層２２ｔの一端及び他端は、光導波路装置１の外周面に露出している。

【0023】

信号用コア層２２ａ～２２ｄの一端は、光導波路装置１の外周面に露出していないため、シリコンフォトニクスチップが搭載されていない状態では、光の入出力を行うことが困難である。すなわち、シリコンフォトニクスチップが搭載されていない状態では、非破壊で信号用光導波路２０の検査を行うことが困難である。

【0024】

そこで、光導波路装置１では、信号用光導波路２０とは別に、検査用光導波路２０Ｔを設けている。検査用光導波路２０Ｔは、検査用コア層２２ｔの一端及び他端が光導波路装置１の外周面に露出しているため、容易に光の入出力を行うことが可能である。すなわち、検査用光導波路２０Ｔは、シリコンフォトニクスチップの搭載前に検査が可能である。検査用光導波路２０Ｔの検査を行うことにより、検査用コア層２２ｔの良否判定を行うことができる。その結果、検査用コア層２２ｔと同一の仕様で形成されている信号用コア層２２ａ～２２ｄの良否を高精度で推測することができる。

【0025】

図２は、検査用コア層の検査方法について説明する模式図である。図２では、発光部１１０から出射される光を検査用コア層２２ｔの一端に入射し、検査用コア層２２ｔの他端から出射される光を受光部１２０で受光する。受光部１２０で受光した光を電気信号に変換して解析することにより、検査用コア層２２ｔの検査を行うことができる。発光部１１０は、例えば、光ファイバーである。受光部１２０は、例えば、ＮＦＰ（Near Field Pattern）を検出できるカメラである。

【0026】

具体的には、例えば、検査用コア層２２ｔを導波する光がシングルモードになっているか否かを検査する。シングルモードか否かは、検査用コア層２２ｔの形成精度、すなわち検査用コア層２２ｔの幅や厚さが許容誤差の範囲内であるか否か、により決まる。そのため、検査結果がシングルモードであれば、検査用コア層２２ｔの形成精度に問題がないことを確認できる。その結果、検査用コア層２２ｔと同一の仕様で形成されている信号用コア層２２ａ～２２ｄの形成精度に問題がないことを高精度で推測することができる。その結果、シリコンフォトニクスチップが搭載された後の光導波路装置１の歩留まりを向上することができる。

【0027】

検査用コア層２２ｔは、信号用コア層２２ａ～２２ｄの設計自由度を向上するために、平面視で、第１クラッド層２１の外周付近に配置されていることが好ましく、角部に配置されていることがより好ましい。光導波路装置１では、平面視で、検査用コア層２２ｔは、第１クラッド層２１の右下の角部に配置されている。

【0028】

すなわち、光導波路装置１では、第１クラッド層２１は、平面視で４つの辺を備え、平面視で、検査用コア層２２ｔの一端が位置する辺は、信号用コア層２２ａ～２２ｄの他端が位置する辺と相違する。また、平面視で、検査用コア層２２ｔの他端が位置する辺は、信号用コア層２２ｂ及び２２ｄの他端が位置する辺と同一である。

【0029】

また、光導波路装置１では、平面視で、検査用コア層２２ｔは、信号用コア層２２ａ～２２ｄと非平行な部分を含む。具体的には、光導波路装置１では、平面視で、検査用コア層２２ｔは直線状であり、直線状の信号用コア層２２ａ～２２ｄに対して約４５度の傾斜角で配置されている。このような形態により、検査用コア層２２ｔを、平面視で、第２クラッド層２３の角部に配置しやすくなる。なお、検査用コア層２２ｔは、直線状の信号用コア層２２ａ～２２ｄに対して４５度以外の傾斜角で配置されてもよい。

【0030】

〈第１実施形態の変形例〉
第１実施形態の変形例では、検査用コア層の形状が異なる例や、シリコンフォトニクスチップを搭載する例等を示す。なお、第１実施形態の変形例において、既に説明した実施形態と同一構成部分についての説明は省略する場合がある。

【0031】

図３は、第１実施形態の変形例１に係る光導波路装置を例示する平面図である。図３に示す光導波路装置１Ａは、突起部１０を有する点が、光導波路装置１と相違する。

【0032】

光導波路装置１Ａでは、第１クラッド層２１は、平面視で４つ以上の辺を備えている。そして、平面視で、検査用コア層２２ｔの一端が位置する辺は、信号用コア層２２ａ～２２ｄの他端が位置する辺と相違する。また、平面視で、検査用コア層２２ｔの他端が位置する辺は、信号用コア層２２ａ～２２ｄの他端が位置する辺と相違する。

【0033】

光導波路装置１Ａでは、検査用コア層２２ｔは突起部１０に形成されている。突起部１０は、例えば、図１（ａ）に示す形状の光導波路装置１において、右下の角部を形成する２辺の側から、平面視で直角二等辺三角形の切り欠きを設けることで形成できる。

【0034】

突起部１０は、平面視で、第１辺１１と、第１辺１１と平行な第２辺１２と、を備えている。そして、平面視で、検査用コア層２２ｔの一端は、第１辺１１に位置し、他端は第２辺１２に位置する、平面視で、検査用コア層２２ｔの長手方向は、第１辺１１及び第２辺１２と垂直である。なお、ここでの平行や垂直は、±５度の誤差を許容するものとする。

【0035】

このような形態により、検査用コア層２２ｔの一端及び他端が第１辺１１及び第２辺１２に対して垂直になる。これにより、光導波路装置１のように、検査用コア層２２ｔの一端及び他端が第１クラッド層２１の辺に対して傾斜している場合よりも、検査用コア層２２ｔの一端を発光部１１０に近づけることができ、他端を受光部１２０に近づけることができる。その結果、検査用コア層２２ｔの検査を容易かつ高精度で実施することができる。

【0036】

図４は、第１実施形態の変形例２に係る光導波路装置を例示する平面図である。図４に示す光導波路装置１Ｂは、検査用コア層２２ｔが湾曲している点が、光導波路装置１と相違する。図５は、第１実施形態の変形例３に係る光導波路装置を例示する平面図である。図５に示す光導波路装置１Ｃは、検査用コア層２２ｔが湾曲している部分と直線状の部分とを含む点が、光導波路装置１と相違する。光導波路装置１Ｃでは、検査用コア層２２ｔは、平面視で、第１クラッド層２１の角部ではなく、外周付近に配置されている。このように、検査用コア層２２ｔの形状は直線状には限定されず、任意の形状とすることができる。

【0037】

図６は、第１実施形態の変形例４に係る光導波路装置を例示する平面図である。図６に示す光導波路装置１Ｄは、検査用コア層２２ｔが信号用コア層２２ａ～２２ｄと平行である点が、光導波路装置１と相違する。光導波路装置１Ｄでは、検査用コア層２２ｔは、平面視で、第１クラッド層２１の角部ではなく、外周付近に配置されている。このように、検査用コア層２２ｔは、光導波路装置１、１Ａ、１Ｂ、及び１Ｃのような信号用コア層２２ａ～２２ｄと非平行な部分を含む形態には限定されず、信号用コア層２２ａ～２２ｄと平行であってもよい。

【0038】

図７は、第１実施形態の変形例５に係る光導波路装置を例示する平面図である。図７に示す光導波路装置１Ｅは、シリコンフォトニクスチップ３０を有する点が、光導波路装置１と相違する。光導波路装置１Ｅは、信号用光導波路２０の両端に、信号用コア層２２ａ～２２ｄと接続されるコネクタ４０を有しているが、コネクタ４０を有していなくてもよい。

【0039】

シリコンフォトニクスチップ３０は、例えば、シリコン基板と、シリコン基板の一方の面側に設けられたシリコン導波路とを備えている。シリコン導波路は、シリコンチップに作り込まれた微細な光導波路であり、シリコンチップに光回路などを集積化するシリコンフォトニクス技術に使用される。

【0040】

シリコン基板の厚さは、例えば、１００μｍ～８００μｍ程度である。シリコン導波路は、例えば、シリコン基板上に設けられた保護膜上に設けることができる。保護膜は、例えば、ＳｉＯ_２やＳｉＯ_Ｘ等から形成することができる。保護膜の厚さは、例えば、２μｍ～６μｍ程度である。シリコン導波路は、シリコン基板に埋め込まれていてもよい。

【0041】

シリコンフォトニクスチップ３０は、シリコン導波路を信号用コア層２２ａ～２２ｄの一端側に向けて第１領域Ｅに配置され、シリコン導波路は信号用コア層２２ａ～２２ｄの一端と光結合している。シリコン導波路は信号用コア層２２ａ～２２ｄの一端と、例えば、アディアバティック結合されている。シリコン導波路がシリコン基板から信号用コア層２２ａ～２２ｄの一端側に突出している場合、シリコン導波路の一部又は全部は信号用コア層２２ａ～２２ｄに埋め込まれてもよい。シリコン導波路において、信号用コア層２２ａ～２２ｄの一端と光結合する部分は、テーパー形状になっていてもよい。

【0042】

図８は、第１実施形態の変形例６に係る光導波路装置を例示する部分断面図である。図８に示す光導波路装置１Ｆは、配線基板を有する点が、光導波路装置１Ｅと相違する。

【0043】

光導波路装置１Ｆにおいて、第１クラッド層２１、信号用コア層２２ａ～２２ｄ、検査用コア層２２ｔ、第２クラッド層２３、及びシリコンフォトニクスチップ３０は、配線基板５０上に搭載されている。光導波路装置１Ｆは、コネクタ４０を有していてもよいし、有していなくてもよい。

【0044】

配線基板５０は、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの絶縁樹脂材料から形成される。配線基板５０は、ガラスクロス等の補強部材を有していてもよい。配線基板５０は、１以上の絶縁層と１以上の配線層との積層構造であってもよい。配線基板５０は、剛性の強いリジッド基板であってもよく、剛性の弱いフレキシブル基板であってもよい。配線基板５０は、例えば、ビルドアップ基板、シリコン基板、セラミック基板等である。

【0045】

配線基板５０に半導体チップを搭載してもよい。搭載する半導体チップは、例えば、ＡＳＩＣやロジックＩＣである。また、ＰＨＹチップを搭載してもよい。ＰＨＹチップは、物理的なインターフェースを形成するチップであり、例えば、データの符号化や復号化を実施することができる。

【0046】

このように、光導波路装置は、配線基板上に搭載されてもよい。このような形態により、様々な機能を実現することができる。なお、例えば光導波路装置１のようなシリコンフォトニクスチップを有していない光導波路装置であっても、配線基板上に搭載されてよい。

【0047】

以上、好ましい実施形態について詳説したが、上述した実施形態に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施形態に種々の変形及び置換を加えることができる。

【符号の説明】

【0048】

１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ 光導波路装置
１０ 突起部
１１ 第１辺
１２ 第２辺
２０ 信号用光導波路
２０Ｔ 検査用光導波路
２１ 第１クラッド層
２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ 信号用コア層
２２ｔ 検査用コア層
２３ 第２クラッド層
３０ シリコンフォトニクスチップ
４０ コネクタ
５０ 配線基板
１１０ 発光部
１２０ 受光部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】