特開 2024-175774 半導体製造装置、塗布装置および半導体装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024175774

(43)【公開日】2024-12-19

(54)【発明の名称】半導体製造装置、塗布装置および半導体装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/52 20060101AFI20241212BHJP

【ＦＩ】

H01L21/52 G

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023093766

(22)【出願日】2023-06-07

(71)【出願人】

【識別番号】515085901

【氏名又は名称】ファスフォードテクノロジ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000350

【氏名又は名称】ポレール弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】藤森 由樹

(72)【発明者】

【氏名】中島 宜久

【テーマコード（参考）】

5F047

【Ｆターム（参考）】

5F047AA17

5F047BA01

5F047BA32

5F047BB11

5F047BB16

5F047FA01

5F047FA08

5F047FA14

5F047FA22

5F047FA77

5F047FA83

(57)【要約】

【課題】塗布パターンの設定を容易にすることが可能な技術を提供することにある。
【解決手段】半導体製造装置は、基板を保持するステージと、認識カメラと、前記ステージの上方に移動可能に設けられるノズルと、前記ノズルによってペーストが塗布された基板にダイをボンドするボンドヘッドと、前記認識カメラで前記ステージ上に保持される基板を撮影して基板画像を取得し、前記基板画像と選択された塗布パターンを重ねて画面に表示するよう構成される制御装置と、を備える。
【選択図】図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を保持するステージと、
認識カメラと、
前記ステージの上方に塗布パターンに従って移動可能に設けられるノズルと、
前記ノズルによってペーストが塗布された基板にダイをボンドするボンドヘッドと、
前記認識カメラで前記ステージ上に保持される基板を撮影して基板画像を取得し、前記基板画像と選択された塗布パターンを重ねて画面に表示するよう構成される制御装置と、
を備える半導体製造装置。

【請求項2】

請求項１の半導体製造装置において、
前記制御装置は、ペーストの試験塗布を行い、塗布後の複数の時間経過におけるペーストの平面形状を前記認識カメラで撮影してそれぞれのペースト画像を登録するよう構成される半導体製造装置。

【請求項3】

請求項２の半導体製造装置において、
前記制御装置は、前記ペースト画像から設定された塗布後の経過時間に対応するペースト画像を取得して前記基板画像と前記塗布パターンに重ねて前記画面に表示するよう構成される半導体製造装置。

【請求項4】

請求項２の半導体製造装置において、
前記制御装置は、さらに、塗布後の複数の時間経過におけるペーストの側面形状を認識カメラで撮影してそれぞれのペーストの高さ情報を登録するよう構成される半導体製造装置。

【請求項5】

請求項４の半導体製造装置において、
前記制御装置は、前記ペースト画像から設定された塗布後の経過時間に対応するペースト画像および高さ情報を取得して前記基板画像と前記塗布パターンに重ねて前記画面に表示するよう構成される半導体製造装置。

【請求項6】

基板を保持するステージと、
認識カメラと、
前記ステージの上方に塗布パターンに従って移動可能に設けられるノズルと、
前記認識カメラで前記ステージ上に保持される基板を撮影して基板画像を取得し、前記基板画像と選択された塗布パターンを重ねて画面に表示するよう構成される制御装置と、
を備える塗布装置。

【請求項7】

基板を保持するステージと、認識カメラと、前記ステージの上方に塗布パターンに従って移動可能に設けられるノズルと、前記認識カメラで前記ステージ上に保持される基板を撮影して基板画像を取得し、前記基板画像と選択された塗布パターンを重ねて画面に表示するよう構成される制御装置と、を備える半導体製造装置に基板を搬入する工程と、
前記基板に前記ノズルによってペーストを塗布する塗布工程と、
ペーストが塗布された前記基板にダイをボンドするボンディング工程と、
を有する半導体装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は半導体製造装置に関し、例えば、塗布装置を備えるダイボンダに適用可能である。

【背景技術】

【0002】

半導体装置の製造工程の一工程として、ウエハから分割されたダイがピックアップされ、ペーストが塗布された部材にピックアップされたダイがボンドされることがある。ここで、ペーストは液体状の接着剤であり、例えば、樹脂ペーストや半田である。シリンジの先端のノズルからペーストが射出され、ノズルの軌跡（塗布パターン）に従ってペーストが塗布される（例えば、特開２０２０－４８１２号公報）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２０－４８１２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ダイの形状やサイズによって必要とされる塗布パターンが異なるため、塗布パターンをダイに応じて設定する必要がある。適切な設定が行われない場合には良好な塗布品質が得られないことがある。

【0005】

本開示は、塗布パターンの設定を容易にすることが可能な技術を提供することにある。その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
すなわち、半導体製造装置は、基板を保持するステージと、認識カメラと、前記ステージの上方に移動可能に設けられるノズルと、前記ノズルによってペーストが塗布された基板にダイをボンドするボンドヘッドと、前記認識カメラで前記ステージ上に保持される基板を撮影して基板画像を取得し、前記基板画像と選択された塗布パターンを重ねて画面に表示するよう構成される制御装置と、を備える。

【発明の効果】

【0007】

本開示によれば、塗布パターンの設定を容易にすることが可能である。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は実施形態におけるダイボンダの概略を示す上面図である。

【図2】図２は図１において矢印Ａ方向から見たときの概略構成を説明する図である。

【図3】図３は図１に示すプリフォーム部の概略を示す側面図である。

【図4】図４は図１に示すダイボンダの制御系の概略構成を示すブロック図である。

【図5】図５は図１に示すダイボンダを用いた半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。

【図6】図６は塗布パターンの設定画面を示す図である。

【図7】図７は図６に示す設定画面に表示されるリードフレームおよび塗布パターン例を示す図である。

【図8】図８は塗布されたペースト形状の経時変化を示す図である。

【図9】図９は図８に示すペーストの輪郭画像を示す図である。

【図10】図１０は第一変形例における塗布パターンの設定画面を示す図である。

【図11】図１１は実施形態および第一変形例における設定画面の表示方法を説明する図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、実施形態および変形例について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し、繰り返しの説明を省略することがある。なお、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。

【0010】

半導体製造装置の一態様としてのダイボンダの構成について図１から図３を用いて説明する。図１は実施形態におけるダイボンダの概略を示す上面図である。図２は図１において矢印Ａ方向から見たときの概略構成を説明する図である。図３は図１に示すプリフォーム部の概略を示す側面図である。

【0011】

ダイボンダ１は、大別して、ウエハ供給部１０と、ピックアップ部２０と、中間ステージ部３０と、プリフォーム部９０と、ボンディング部４０と、搬送部５０と、基板供給部６０と、基板搬出部７０と、制御部（制御装置、コントローラ）８０と、を有する。Ｙ２－Ｙ１方向がダイボンダ１の前後方向であり、Ｘ２－Ｘ１方向が左右方向であり、Ｚ１－Ｚ２方向が上下方向である。ウエハ供給部１０がダイボンダ１の前側に配置され、ボンディング部４０が後側に配置される。

【0012】

ウエハ供給部１０は、ウエハカセットリフタ１１と、ウエハ保持台１２と、剥離ユニット１３と、ウエハ認識カメラ１４と、を有する。

【0013】

ウエハカセットリフタ１１は複数のウエハリングＷＲが格納されるウエハカセット（不図示）をウエハ搬送高さまで上下動させる。図示しないウエハ修正シュートによりウエハカセットリフタ１１から供給されるウエハリングＷＲのアライメントが行われる。図示しないウエハエキストラクタによりウエハリングＷＲをウエハカセットから取出してウエハ保持台１２に供給したり、ウエハ保持台１２から取り出してウエハカセットに収納したりする。

【0014】

ダイシングテープＤＴ上にウエハＷが接着（貼付）されており、そのウエハＷは複数のダイＤに分割されている。ダイシングテープＤＴはウエハリングＷＲに保持されている。ウエハＷは、例えば、半導体ウエハやガラスウエハであり、ダイＤは半導体チップやガラスチップ、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）である。

【0015】

ウエハ保持台１２は図示しないＸＹテーブルおよび駆動部によってＸ１－Ｘ２方向およびＹ１－Ｙ２方向に移動し、ピックアップするダイＤを剥離ユニット１３の位置に移動させる。ウエハ保持台１２は図示しない駆動部によってＸＹ平面内においてウエハリングＷＲを回転させる。剥離ユニット１３は図示しない駆動部によってＺ１－Ｚ２方向に移動する。剥離ユニット１３はダイシングテープＤＴからダイＤを剥離する。

【0016】

ウエハ認識カメラ１４はウエハＷからピックアップするダイＤのピックアップ位置を把握したり、ダイＤの表面検査をしたりする。

【0017】

ピックアップ部２０は、ピックアップヘッド２１と、Ｙ駆動部２３と、を有する。ピックアップヘッド２１には、剥離されたダイＤを先端に吸着保持するコレット２２が設けられる。ピックアップヘッド２１はウエハ供給部１０からダイＤをピックアップし、中間ステージ３１に載置する。Ｙ駆動部２３はピックアップヘッド２１をＹ１－Ｙ２方向に移動させる。ピックアップ部２０は、ピックアップヘッド２１を昇降、回転及びＸ１－Ｘ２方向に移動させる各駆動部（不図示）を有する。

【0018】

中間ステージ部３０は、ダイＤが載置される中間ステージ３１と、中間ステージ３１上のダイＤを認識するためのステージ認識カメラ３４と、を有する。中間ステージ３１は載置されたダイＤを吸着する吸引孔を備える。載置されたダイＤは中間ステージ３１に一時的に保持される。

【0019】

プリフォーム部９０は、シリンジ９１と、駆動部９３と、認識カメラとしてのプリフォームカメラ９４と、プリフォームステージ９６と、を有する。シリンジ９１は下部の先端にノズル９２を有する。シリンジ９１は搬送部５０によりプリフォームステージ９６に搬送されてきた基板Ｓにペーストを塗布する。駆動部９３はシリンジ９１をＸ１－Ｘ２方向、Ｙ１－Ｙ２方向およびＺ１－Ｚ２方向に動かす。基板Ｓは、例えば、配線基板や金属薄板で形成されるリードフレーム、ガラス基板等である。

【0020】

プリフォームカメラ９４はシリンジ９１によって基板Ｓに塗布されたペーストの位置等を把握する。プリフォームステージ９６はペーストを基板Ｓに塗布する際に上昇し、基板Ｓを下方から支える。プリフォームステージ９６は基板Ｓを真空吸着するための吸着孔（不図示）を有し、基板Ｓを固定することが可能である。

【0021】

ボンディング部４０は、ボンドヘッド４１と、Ｙ駆動部４３と、基板認識カメラ４４と、ボンドステージ４６と、を有する。ボンドヘッド４１にはダイＤを先端に吸着保持するコレット４２が設けられる。Ｙ駆動部４３はボンドヘッド４１をＹ１－Ｙ２方向に移動させる。基板認識カメラ４４は基板ＳのパッケージエリアＰの位置認識マーク（図示せず）を撮像し、ボンド位置を認識する。ここで、基板Ｓには、最終的に一つのパッケージとなる、複数の製品エリア（以下、パッケージエリアＰという。）が形成されている。位置認識マークはパッケージエリアＰごとに設けられる。ボンドステージ４６は、基板ＳにダイＤが載置される際、上昇させられ、基板Ｓを下方から支える。ボンドステージ４６は基板Ｓを真空吸着するための吸引口（不図示）を有し、基板Ｓを固定することが可能である。ボンドステージ４６は基板Ｓを加熱する加熱部（不図示）を有する。ボンディング部４０は、ボンドヘッド４１を昇降、回転及びＸ１－Ｘ２方向に移動させる各駆動部（不図示）を有する。

【0022】

このような構成によって、ボンドヘッド４１は、ステージ認識カメラ３４の撮像データに基づいてピックアップ位置・姿勢を補正し、中間ステージ３１からダイＤをピックアップする。そして、ボンドヘッド４１は、基板認識カメラ４４の撮像データに基づいて、搬送されてくる基板Ｓのペーストが塗布されたパッケージエリアＰ上にダイＤをボンド（載置して接着）する。

【0023】

搬送部５０は、基板Ｓを掴み搬送する搬送爪５１と、基板Ｓが移動する一対の搬送レーン５２と、を有する。基板Ｓは、搬送レーン５２に設けられた搬送爪５１の図示しないナットを搬送レーン５２に沿って設けられた図示しないボールネジで駆動することによってＸ１－Ｘ２方向に移動する。このような構成によって、基板Ｓは、基板供給部６０から搬送レーン５２に沿ってボンド位置まで移動し、ボンド後、基板搬出部７０まで移動して、基板搬出部７０に基板Ｓを渡す。

【0024】

基板供給部６０は、搬送治具に格納されて搬入された基板Ｓを搬送治具から取り出して搬送部５０に供給する。基板搬出部７０は、搬送部５０により搬送された基板Ｓを搬送治具に格納する。

【0025】

ダイボンダ１の制御系について図４を用いて説明する。図４は図１に示すダイボンダの制御系の概略構成を示すブロック図である。

【0026】

制御系８は制御部８０と駆動部８６と信号部８７と光学系８８とを備える。制御部８０は、大別して、主としてＣＰＵ（Central Processing Unit）で構成される制御・演算装置８１と、記憶装置８２と、入出力装置８３と、バスライン８４と、電源部８５とを有する。記憶装置８２は主記憶装置８２ａと補助記憶装置８２ｂとを有する。主記憶装置８２ａは、処理プログラムなどを記憶しているＲＡＭ（Random Access Memory）で構成される。補助記憶装置８２ｂは制御に必要な制御データや画像データ等を記憶しているＨＤＤ（Hard Disk Drive）やＳＳＤ（Solid State Drive）等で構成される。

【0027】

入出力装置８３は、ダイボンダ１の装置状態や情報等を表示するモニタ８３ａと、オペレータの指示を入力するタッチパネル８３ｂと、モニタ８３ａを操作するマウス８３ｃと、光学系８８からの画像データを取り込む画像取込装置８３ｄと、を有する。入出力装置８３は、さらに、モータ制御装置８３ｅと、Ｉ／Ｏ信号制御装置８３ｆと、を有する。モータ制御装置８３ｅは、ウエハ供給部１０のＸＹテーブルやボンディング部４０のボンドヘッドテーブルのＺＹ駆動軸等の駆動部８６を制御する。Ｉ／Ｏ信号制御装置８３ｆは信号部８７から信号を取り込んだり、信号部８７を制御したりする。信号部８７は、種々のセンサ、照明装置などの明るさを制御するスイッチやボリューム等を含む。制御・演算装置８１はバスライン８４を介して必要なデータを取込み、演算し、ピックアップヘッド２１等の制御や、モニタ８３ａ等に情報を送る。

【0028】

制御・演算装置８１は画像取込装置８３ｄを介して光学系８８で撮像した画像データを記憶装置８２に保存する。光学系８８には、ウエハ認識カメラ１４、ステージ認識カメラ３４、基板認識カメラ４４およびプリフォームカメラ９４が含まれる。光学系８８で使用するカメラは光強度や色を数値化する。保存した画像データに基づいてプログラムしたソフトウェアにより、制御・演算装置８１はダイＤおよび基板Ｓの位置決め、ペーストの塗布パターンの検査並びにダイＤおよび基板Ｓの表面検査を行う。制御・演算装置８１は算出したダイＤおよび基板Ｓの位置に基づいてソフトウェアによりモータ制御装置８３ｅを介して駆動部８６を動かす。このプロセスにより、制御・演算装置８１はウエハＷ上のダイＤの位置決めを行い、ウエハ供給部１０、ピックアップ部２０およびボンディング部４０の駆動部で動作させダイＤを基板ＳのパッケージエリアＰ上にボンドする。

【0029】

ダイボンダ１を用いた半導体装置の製造工程の一工程であるボンド工程（半導体装置の製造方法）について図５を用いて説明する。図５は図１に示すダイボンダを用いた半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。以下の説明において、ダイボンダ１を構成する各部の動作は制御部８０により制御される。

【0030】

（ウエハ搬入：工程Ｓ１）
ウエハリングＷＲがウエハカセットリフタ１１のウエハカセットに供給される。供給されたウエハリングＷＲがウエハ保持台１２に供給される。

【0031】

（基板搬入：工程Ｓ２）
基板Ｓが格納された搬送治具が基板供給部６０に供給される。基板供給部６０で搬送治具から基板Ｓが取り出され、基板Ｓが搬送爪５１に固定される。

【0032】

（ピックアップ：工程Ｓ３）
工程Ｓ１後、所望するダイＤをダイシングテープＤＴからピックアップできるようにウエハ保持台１２が動かされる。ウエハ認識カメラ１４によってダイＤが撮影され、撮影によって取得された画像データに基づいてダイＤの位置決めおよび表面検査が行われる。画像データが画像処理されることによって、ダイボンダのダイ位置基準点からのウエハ保持台１２上のダイＤのずれ量（Ｘ、Ｙ、θ方向）が算出されて位置決めが行われる。なお、ダイ位置基準点は、予め、ウエハ保持台１２の所定の位置を装置の初期設定として保持されている。画像データが画像処理されることによって、ダイＤの表面検査が行われる。

【0033】

位置決めされたダイＤは剥離ユニット１３およびピックアップヘッド２１によってダイシングテープＤＴから剥離される。ダイシングテープＤＴから剥離されたダイＤは、ピックアップヘッド２１に設けられたコレット２２に吸着、保持されて、中間ステージ３１に搬送されて載置される。

【0034】

ステージ認識カメラ３４によって中間ステージ３１の上のダイＤが撮影され、撮影により取得された画像データに基づいてダイＤの位置決めおよび表面検査が行われる。画像データが画像処理されることによって、ダイボンダ１のダイ位置基準点からの中間ステージ３１上のダイＤのずれ量（Ｘ、Ｙ、θ方向）が算出されて位置決めが行われる。なお、ダイ位置基準点は、予め、中間ステージ３１の所定の位置を装置の初期設定として保持されている。画像データが画像処理されることによって、ダイＤの表面検査が行われる。

【0035】

ダイＤを中間ステージ３１に搬送したピックアップヘッド２１はウエハ供給部１０に戻される。上述した手順に従って、次のダイＤがダイシングテープＤＴから剥離され、以後同様の手順に従ってダイシングテープＤＴから１個ずつダイＤが剥離される。

【0036】

（プリフォーム：工程Ｓ４）
Ｓ２工程後、搬送部５０によって基板Ｓがプリフォームステージ９６に搬送される。プリフォームカメラ９４によって塗布前の基板Ｓの表面が撮影され、撮影によって取得された画像データに基づいてペーストを塗布すべき面が確認される。塗布すべき面に問題なければ、プリフォームステージ９６により支持された基板Ｓのペーストが塗布される位置が確認されて位置決めされる。位置決めはパターンマッチングなどで行われる。

【0037】

ペーストがシリンジ９１の先端のノズル９２から射出され、ノズル９２の軌跡に従って基板Ｓに塗布される。シリンジ９１に収納されているペーストが基板Ｓに塗布される際、例えば、エアパルス方式のディスペンサから一定の時間、空気等の加圧気体がシリンジ９１の上部から供給されて、所定量のペーストが吐出される。ノズル９２が基板Ｓに近接された状態で、シリンジ９１がＸＹ平面内で２次元的に走査（描画動作）される。

【0038】

プリフォームカメラ９４によって塗布されたペーストが撮影される。撮影によって取得された画像に基づいてペーストが正確に塗布されているかどうかが確認されて、塗布されたペーストの検査（外観検査）が行われる。すなわち、外観検査では、塗布されたペーストが基板Ｓの所定位置に所定の形状で所定量だけ塗布されているかが確認される。検査内容は、例えば、ペーストの有無、塗布面積、塗布形状（過不足、はみ出し）などである。検査は二値化処理にてペーストの領域を分離後に画素数を数える方法のほか、差分による比較、パターンマッチングによるスコアを比較する方法などで行われる。

【0039】

（ボンド：工程Ｓ５）
塗布に問題なければ搬送部５０によって基板Ｓがボンドステージ４６に搬送される。ボンドステージ４６上に載置された基板Ｓが基板認識カメラ４４によって撮影され、撮影によって画像データが取得される。画像データが画像処理されることによって、ダイボンダの基板位置基準点からの基板Ｓのずれ量（Ｘ、Ｙ、θ方向）が算出される。なお、基板位置基準点は、予め、ボンディング部４０の所定の位置を装置の初期設定として保持されている。

【0040】

工程Ｓ３において算出された中間ステージ３１上のダイＤのずれ量からボンドヘッド４１の吸着位置が補正されてダイＤがコレット４２によって吸着される。中間ステージ３１からダイＤを吸着したボンドヘッド４１によってボンドステージ４６に支持された基板Ｓの所定箇所にダイＤがボンドされる。基板認識カメラ４４によって基板ＳにボンドされたダイＤが撮影され、撮影によって取得された画像データに基づいてダイＤが所望の位置にボンドされたかどうか等の検査が行われる。

【0041】

ダイＤを基板Ｓにボンドしたボンドヘッド４１は中間ステージ３１に戻される。上述した手順に従って、次のダイＤが中間ステージ３１からピックアップされ、基板Ｓにボンドされる。これが繰り返されて基板ＳのすべてのパッケージエリアＰにダイＤがボンドされる。

【0042】

（基板搬出：工程Ｓ６）
ダイＤがボンドされた基板Ｓが基板搬出部７０に搬送される。基板搬出部７０で搬送爪５１から基板Ｓが取り出されて搬送治具に格納される。ダイボンダ１から基板Ｓが格納されている搬送治具が搬出される。

【0043】

上述したように、ダイＤは、基板Ｓ上に実装され、ダイボンダ１から搬出される。その後、例えば、ダイＤが実装された基板Ｓが格納された搬送治具がワイヤボンディング工程に搬送され、ダイＤの電極はＡｕワイヤ等を介して基板Ｓの電極と電気的に接続される。そして、基板Ｓがモールド工程に搬送され、ダイＤとＡｕワイヤとをモールド樹脂（図示せず）で封止することによって、半導体パッケージが完成する。

【0044】

積層ボンドする場合は、ワイヤボンディング工程に続いて、ダイＤが実装された基板Ｓを載置格納した搬送治具がダイボンダに搬入されて基板Ｓ上に実装されたダイＤの上にダイＤが積層される。そして、ダイボンダから搬出された後、ワイヤボンディング工程でＡｕワイヤを介して基板Ｓの電極と電気的に接続される。第二段目より上のダイＤは、上述した方法でダイシングテープＤＴから剥離された後、ボンディング部に搬送されてダイＤの上に積層される。上記工程が所定回数繰り返された後、基板Ｓがモールド工程に搬送され、複数個のダイＤとＡｕワイヤとをモールド樹脂（図示せず）で封止することによって、積層パッケージが完成する。

【0045】

ペーストの塗布パターンの設定について図６および図７を用いて説明する。図６は塗布パターンの設定画面を示す図である。図７は図６に示す設定画面に表示されるリードフレームおよび塗布パターン例を示す図である。以下、基板ＳとしてリードフレームＬＦを例に説明する。

【0046】

上述したように、シリンジ９１の描画動作によってペーストがシリンジ９１の先端のノズル９２から射出され、ノズル９２の軌跡に従って基板ＳのパッケージエリアＰの所定箇所（リードフレームＬＦのダイ載置部としてのタブＴＢの所定箇所）に塗布される。ノズル９２の軌跡、すなわち、塗布パターンは、例えば、×印形状や十字形状などである。

【0047】

上述したように、ダイの形状やサイズ、ペーストが塗布される部材等によって必要とされる塗布パターンが異なるため、塗布パターンをダイや部材に応じて設定する必要がある。

【0048】

本実施形態では、塗布パターンの設定時において、図６に示すように、操作画面（設定画面）としてのタッチパネル８３ｂにリードフレームＬＦのタブＴＢおよび塗布パターンＰＡＰが表示される。

【0049】

より具体的には、事前（塗布パターンの設定時前）に、制御部８０は、プリフォームカメラ９４によってリードフレームＬＦのタブＴＢを撮影して、図７に示すようなリードフレームＬＦのタブＴＢの画像を記憶装置８２に保存しておく（ステップＳ１１）。

【0050】

塗布パターンの設定時に、制御部８０は、設定画面に図７に示すようなリードフレームＬＦのタブＴＢの画像を表示する（ステップＳ１２）。

【0051】

塗布パターンＰＡＰは、設定画面上で入力される（ステップＳ１３）。入力は、例えば、予め登録された塗布パターンから選択してもよいし、数値入力で行ってもよい。また、外部機器から通信などでダイボンダへ入力するようにしてもよい。

【0052】

次に、図６に示すように、制御部は、設定画面に表示したリードフレームＬＦのタブＴＢのサイズと同一比率の塗布パターンＰＡＰをリードフレームＬＦのタブＴＢの画像の上に重ねて表示する（ステップＳ１４）。

【0053】

ダイボンダの操作者は画面を見ながらペーストの位置やサイズを調整する。その際、必要に応じてステップＳ１３，Ｓ１４を繰り返す。問題が無ければペースト形状を決定し、生産（塗布）を開始する。

【0054】

本実施形態によれば、実際のリードフレームＬＦのタブＴＢの画像上に塗布パターンＰＡＰを表示するので、視覚的にタブＴＢ内でどういう塗布パターンになるか確認することが可能となる。これにより、視覚的にタブサイズと塗布パターンのサイズを比較することが可能となり、ペースト塗布のミスを事前に防止できる。また、タブＴＢと塗布パターンＰＡＰのサイズの比率を把握しやすくなるため、ユーザビリティが向上する。

【0055】

＜変形例＞
以下、実施形態の代表的な変形例について、幾つか例示する。以下の変形例の説明において、上述の実施形態にて説明されているものと同様の構成および機能を有する部分に対しては、上述の実施形態と同様の符号が用いられ得るものとする。そして、かかる部分の説明については、技術的に矛盾しない範囲内において、上述の実施形態における説明が適宜援用され得るものとする。また、上述の実施形態の一部、および、複数の変形例の全部または一部が、技術的に矛盾しない範囲内において、適宜、複合的に適用され得る。

【0056】

（第一変形例）
第一変形例における塗布パターンの設定について図８から図１１を用いて説明する。図８は塗布されたペースト形状の経時変化を示す図である。図９は図８に示すペーストの輪郭画像を示す図である。図１０は第一変形例における塗布パターンの設定画面を示す図である。図１１は実施形態および第一変形例における設定画面の表示方法を説明する図である。

【0057】

リードフレームＬＦのタブＴＢにペーストＰＡを塗布すると、図８に示すように、時間経過とともにペーストＰＡが広がっていく。

【0058】

事前（連続動作前、生産動作前、塗布パターン設定前）に、制御部８０は、ペーストＰＡのリードフレームＬＦのタブＴＢへの試験塗布を実施する。制御部８０は、塗布と同時に経過時間の測定を開始する。制御部８０は、測定している経過時間が所定時間になった時、プリフォームカメラ９４を用いてペーストＰＡの画像を取得し、記憶装置８２に格納して登録する（ステップＳ２１）。これにより、ペーストの平面形状の経時変化の画像が登録される。

【0059】

例えば、制御部８０は、所定時間がｔａの時に、リードフレームＬＦに塗布されたペーストＰＡをプリフォームカメラ９４で撮影して図８のｔ＝ｔａに示す画像が登録される。その後、制御部８０は、所定時間がｔｂの時に、リードフレームＬＦに塗布されたペーストＰＡをプリフォームカメラ９４で撮影して図８のｔ＝ｔｂに示す画像が登録される。その後、所定時間がｔｃの時に、リードフレームＬＦに塗布されたペーストＰＡをプリフォームカメラ９４で撮影して図８のｔ＝ｔｃに示す画像が登録される。

【0060】

次に、制御部８０は、登録されたペーストの経時変化の画像から、図９に示すような、ｔ＝ｔａ、ｔｂ、ｔｃにおけるペーストの輪郭画像ＣＴａ，ＣＴｂ，ＣＴｃを生成して登録する（ステップＳ２２）。

【0061】

設定されたペースト塗布後の経過時間に対応するペーストの画像を登録された輪郭画像ＣＴａ～ＣＴｃの中から選択して、ステップＳ１４で表示された画像に重ねて表示する（ステップＳ２３）。選択方法は、表示された画像を直接選択してもよいし、シークバーをスクロールして経過時間を切り替え、対応する経過時間の画像を表示し選択してもよい。

【0062】

ダイボンダの操作者は画面を見ながらペーストの位置やサイズを調整する。その際、必要に応じてステップＳ１３，Ｓ１４，Ｓ２３を繰り返す。問題が無ければペースト形状を決定し、生産（塗布）を開始する。

【0063】

第一変形例によれば、ペーストの経時変化も併せて表示するため、ボンディング直前のペースト形状を確認しながら塗布パターンを決定できる。実際に塗られた後のペーストの形状をタブと共に表示するので、視覚的にタブサイズと塗布パターンのサイズを比較することが可能となり、ペースト塗布のミスを事前に防止できる。また、ダイをボンディングする直前のペースト形状がタブ内でどうなっているかも塗布前に確認できるので、ダイをボンドした後のペーストのはみ出しなどを事前に予想することによって、適切な塗布形状を設定できるので塗布品質を上げられる。

【0064】

（第二変形例）
ペーストの平面形状の経時変化の予測に加えて高さの情報も重ねて表示するようにしてもよい。

【0065】

例えば、第一変形例のステップＳ２１において、さらに、制御部８０は、測定している経過時間が所定時間になった時、ペーストを真横から位置を変えたプリフォームカメラ９４または別のカメラによって撮影してペーストＰＡの側面形状の画像を取得し、記憶装置８２に格納して登録する。これにより、ペーストの高さ情報を含む立体形状の経時変化の画像が登録される。

【0066】

次に、ステップＳ２２において、さらに、制御部８０は、ペーストの輪郭画像ＣＴａ，ＣＴｂ，ＣＴｃに高さ情報である等高線を追加した画像やヒートマップ画像などを生成して登録する。

【0067】

ステップＳ２３において、設定されたペースト塗布後の経過時間に対応するペーストの画像を高さ情報が追加された画像の中から選択して、ステップＳ１４で表示された画像に重ねて表示する。

【0068】

（第三変形例）
第一変形例のステップＳ２１，Ｓ２２において登録されるペーストの平面形状の経時変化の画像および第二変形例において登録されるペーストの立体形状の経時変化の画像の少なくとも一つを記憶装置８２に登録しておく。新たにペースト塗布条件を決めた際に記憶装置８２へ登録されているか検索した後に、登録されていない場合にステップＳ２１，Ｓ２２を行うようにしてもよい。

【0069】

以上、本開示者らによってなされた開示を実施形態および変形例に基づき具体的に説明したが、本開示は、上記実施形態および変形例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。

【0070】

実施形態では、ウエハ供給部１０とボンディング部４０との間に中間ステージ部３０を設け、ピックアップヘッド２１でウエハ供給部１０からピックアップしたダイＤを中間ステージ３１に載置し、ボンドヘッド４１で中間ステージ３１から再度ダイＤをピックアップし、搬送されてきた基板Ｓにボンドする例を説明した。ボンドヘッド４１でウエハ供給部１０からピックアップしたダイＤを基板Ｓにボンドするようにしてもよい。

【符号の説明】

【0071】

１・・・ダイボンダ（半導体製造装置）
９２・・・ノズル
９４・・・プリフォームカメラ（認識カメラ）
９６・・・プリフォームステージ（ステージ）
８０・・・制御部（制御装置）

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】