特開 2024-176396 成膜装置、制御方法及び電子デバイスの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024176396

(43)【公開日】2024-12-19

(54)【発明の名称】成膜装置、制御方法及び電子デバイスの製造方法

(51)【国際特許分類】

   C23C 14/24 20060101AFI20241212BHJP

   H10K 50/10 20230101ALI20241212BHJP

   H10K 71/16 20230101ALI20241212BHJP

【ＦＩ】

C23C14/24 G

C23C14/24 C

H10K50/10

H10K71/16

【審査請求】未請求

【請求項の数】15

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023094898

(22)【出願日】2023-06-08

(71)【出願人】

【識別番号】591065413

【氏名又は名称】キヤノントッキ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110003281

【氏名又は名称】弁理士法人大塚国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】風間 良秋

(72)【発明者】

【氏名】菅原 由季

(72)【発明者】

【氏名】杉本 美悠

【テーマコード（参考）】

3K107

4K029

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC45

3K107GG04

3K107GG28

3K107GG32

3K107GG33

3K107GG34

3K107GG43

4K029AA09

4K029AA24

4K029BA62

4K029BB03

4K029BD01

4K029CA01

4K029DA12

4K029DA13

4K029DB06

4K029DB14

4K029DB23

4K029HA04

4K029JA06

4K029KA01

4K029KA09

(57)【要約】

【課題】複数層の成膜を効率的に行える技術を提供する。
【解決手段】所定方向に配列され、基板に蒸着物質を放出する複数の蒸着源、及び、前記基板に対して前記複数の蒸着源を開閉する複数のシャッタ、を有する蒸着手段と、成膜時に、前記基板と前記蒸着手段とを前記所定方向に相対的に移動する移動手段と、前記複数のシャッタの開閉を制御する制御手段と、を備えた成膜装置であって、前記複数の蒸着源は、放出する蒸着物質の種類が互いに異なる複数の蒸着源を含み、前記制御手段は、前記基板に積層される蒸着物質の種類とその積層順序とに基づいて、成膜時における各シャッタの開閉を制御する。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

所定方向に配列され、基板に蒸着物質を放出する複数の蒸着源、及び、前記基板に対して前記複数の蒸着源を開閉する複数のシャッタ、を有する蒸着手段と、
成膜時に、前記基板と前記蒸着手段とを前記所定方向に相対的に移動する移動手段と、
前記複数のシャッタの開閉を制御する制御手段と、
を備えた成膜装置であって、
前記複数の蒸着源は、放出する蒸着物質の種類が互いに異なる複数の蒸着源を含み、
前記制御手段は、前記基板に積層される蒸着物質の種類とその積層順序とに基づいて、成膜時における各シャッタの開閉を制御する、
ことを特徴とする成膜装置。

【請求項2】

請求項１に記載の成膜装置であって、
前記移動手段は、前記基板と前記蒸着手段とを前記所定方向の第一の方向と反対の第二の方向とに相対的に移動可能であり、
前記制御手段は、前記基板に積層される蒸着物質の種類とその積層順序と、前記基板と前記蒸着手段との相対移動方向が前記第一の方向か前記第二の方向かとに基づいて、成膜時における各シャッタの開閉を制御する、
ことを特徴とする成膜装置。

【請求項3】

請求項１に記載の成膜装置であって、
前記制御手段は、
前記基板に積層される種類の蒸着物質が、前記基板に対する前記蒸着手段の相対移動方向の先頭側から、前記積層順序で放出されるように、成膜時における各シャッタの開閉を制御する、
ことを特徴とする成膜装置。

【請求項4】

請求項１に記載の成膜装置であって、
前記複数の蒸着源は、前記所定方向に配列された、
第一の蒸着物質を放出する第一の蒸着源と、
第二の蒸着物質を放出する第二の蒸着源と、
前記第二の蒸着源と放出領域が重なるように第三の蒸着物質を放出する第三の蒸着源と、
前記第一の蒸着物質を放出する第四の蒸着源と、を備える、
ことを特徴とする成膜装置。

【請求項5】

請求項４に記載の成膜装置であって、
前記制御手段は、成膜時において、前記基板に対して前記第一乃至第四の蒸着源を開放するように各シャッタの開閉を制御する、
ことを特徴とする成膜装置。

【請求項6】

請求項４に記載の成膜装置であって、
前記制御手段は、成膜時において、前記基板に対して前記第一の蒸着源を閉鎖し、前記第二乃至第四の蒸着源を開放するように各シャッタの開閉を制御する、
ことを特徴とする成膜装置。

【請求項7】

請求項４に記載の成膜装置であって、
前記制御手段は、成膜時において、前記基板に対して前記第四の蒸着源を閉鎖し、前記第一乃至第三の蒸着源を開放するように各シャッタの開閉を制御する、
ことを特徴とする成膜装置。

【請求項8】

請求項４に記載の成膜装置であって、
前記制御手段は、成膜時において、前記基板に対して前記第一及び第四の蒸着源を閉鎖し、前記第三及び第四の蒸着源を開放するように各シャッタの開閉を制御する、
ことを特徴とする成膜装置。

【請求項9】

請求項１に記載の成膜装置であって、
前記蒸着源毎に前記シャッタが設けられている、
ことを特徴とする成膜装置。

【請求項10】

請求項１に記載の成膜装置であって、
前記複数のシャッタは、回動式のシャッタと、スライド式のシャッタとを含む、
ことを特徴とする成膜装置。

【請求項11】

請求項４に記載の成膜装置であって、
前記複数のシャッタは、
前記基板に対して前記第一の蒸着源を開閉する第一のシャッタと、
前記基板に対して前記第二の蒸着源を開閉する第二のシャッタと、
前記基板に対して前記第三の蒸着源を開閉する第三のシャッタと、
前記基板に対して前記第四の蒸着源を開閉する第四のシャッタと、を備えることを特徴とする成膜装置。

【請求項12】

請求項１１に記載の成膜装置であって、
前記第二のシャッタ及び前記第三のシャッタは、回動式のシャッタであり、
前記第一のシャッタ及び前記第四のシャッタは、スライド式のシャッタである、
ことを特徴とする成膜装置。

【請求項13】

請求項１１に記載の成膜装置であって、
前記第一乃至第四のシャッタは、いずれも回転式のシャッタである、
ことを特徴とする成膜装置。

【請求項14】

所定方向に配列され、基板に蒸着物質を放出する複数の蒸着源、及び、前記基板に対して前記複数の蒸着源を開閉する複数のシャッタ、を有する蒸着手段と、成膜時に、前記基板と前記蒸着手段とを前記所定方向に相対的に移動する移動手段と、を備えた成膜装置の制御方法であって、
前記複数の蒸着源は、放出する蒸着物質の種類が互いに異なる複数の蒸着源を含み、
前記制御方法は、前記基板に積層される蒸着物質の種類とその積層順序とに基づいて、成膜時における各シャッタの開閉を制御する工程を備える、
ことを特徴とする制御方法。

【請求項15】

請求項１に記載の成膜装置によって基板に成膜する成膜工程を含む、
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は基板の成膜技術に関する。

【背景技術】

【0002】

有機ＥＬディスプレイ等の製造においては、蒸発源から放出された蒸着物質が基板に付着することで基板に膜が形成される。特許文献１には、基板と複数の蒸発源とを相対的に移動して基板に膜を成膜する技術が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１７－０１４６１６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

複数層の膜を基板に成膜する場合、作業の効率化が求められる。膜単位で成膜室を構成する場合、基板を各成膜室に順番に搬送する必要があり、時間がかかる。また、膜単位で基板と蒸着源との相対的な移動を繰り返す構成では、膜の積層数に応じて移動回数が増えるため、やはり時間がかかる。積層される膜の種類や積層順序が異なる場合もあり、多様な成膜に対応できることが望ましい。

【0005】

本発明は、複数層の成膜を効率的に行える技術を提供するものである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明によれば、
所定方向に配列され、基板に蒸着物質を放出する複数の蒸着源、及び、前記基板に対して前記複数の蒸着源を開閉する複数のシャッタ、を有する蒸着手段と、
成膜時に、前記基板と前記蒸着手段とを前記所定方向に相対的に移動する移動手段と、
前記複数のシャッタの開閉を制御する制御手段と、
を備えた成膜装置であって、
前記複数の蒸着源は、放出する蒸着物質の種類が互いに異なる複数の蒸着源を含み、
前記制御手段は、前記基板に積層される蒸着物質の種類とその積層順序とに基づいて、成膜時における各シャッタの開閉を制御する、
ことを特徴とする成膜装置が提供される。

【発明の効果】

【0007】

本発明によれば、複数層の成膜を効率的に行える技術を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】成膜システムの構成を模式的に示す平面図。

【図2】本発明の一実施形態に係る成膜装置の構成を模式的に示す平面図。

【図3】図２の成膜装置の正面図。

【図4】蒸発ユニットの構成を説明する図。

【図5】シャッタの開閉による蒸着物質の放出態様の例を示す図。

【図6】成膜時における蒸着ユニットの移動の例を示す図。

【図7】成膜時における蒸着ユニットの移動の例を示す図。

【図8】（Ａ）は目標積層構造の例を示す図、（Ｂ）はシャッタの制御例を示す図、（Ｃ）は図８（Ｂ）のＰ１部の拡大図。

【図9】（Ａ）はシャッタの制御例を示す図、（Ｂ）は図９（Ａ）のＰ２部の拡大図。

【図10】（Ａ）は目標積層構造の例を示す図、（Ｂ）はシャッタの制御例を示す図、（Ｃ）は図１０（Ｂ）のＰ３部の拡大図。

【図11】（Ａ）はシャッタの制御例を示す図、（Ｂ）は図１１（Ａ）のＰ４部の拡大図。

【図12】（Ａ）は目標積層構造の例を示す図、（Ｂ）はシャッタの制御例を示す図、（Ｃ）は図１２（Ｂ）のＰ５部の拡大図。

【図13】（Ａ）はシャッタの制御例を示す図、（Ｂ）は図１３（Ａ）のＰ６部の拡大図。

【図14】成膜時における蒸着ユニットの別の移動の例を示す図。

【図15】成膜時における蒸着ユニットの別の移動の例を示す図。

【図16】別の実施形態に係る成膜装置の構成を模式的に示す平面図。

【図17】図１６の成膜装置の正面図。

【図18】成膜時における蒸着ユニットの移動の例を示す図。

【図19】成膜時における蒸着ユニットの移動の例を示す図。

【図20】（Ａ）は目標積層構造の例を示す図、（Ｂ）はシャッタの制御例を示す図、（Ｃ）は図２０（Ｂ）のＰ１１部の拡大図。

【図21】（Ａ）はシャッタの制御例を示す図、（Ｂ）は図２１（Ａ）のＰ１２部の拡大図。

【図22】（Ａ）はシャッタの制御例を示す図、（Ｂ）は図２２（Ａ）のＰ１３部の拡大図。

【図23】（Ａ）はシャッタの制御例を示す図、（Ｂ）は図２３（Ａ）のＰ１４部の拡大図。

【図24】（Ａ）は有機ＥＬ表示装置の全体図、（Ｂ）は１画素の断面構造を示す図。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

【0010】

＜第一実施形態＞
＜成膜システムの概要＞
図１は、成膜システムＳＹの構成を模式的に示す平面図である。成膜システムＳＹは、搬入されてくる矩形の基板１００に対して、本発明の一実施形態に係る成膜装置１で成膜処理を行い、処理後の基板を搬出するシステムである。例えば、成膜システムＳＹが１つ、又は、複数並んで設けられることで電子デバイスの製造ラインが構成される。電子デバイスとしては、例えばスマートフォン用の有機ＥＬ表示装置の表示パネルが挙げられる。成膜システムＳＹは、成膜装置１、搬入室６０、基板搬送室６２、搬出室６４及びマスクストック室６６を含む。成膜装置１は二つ設けられている。

【0011】

搬入室６０には、成膜装置１において成膜が行われる基板１００が搬入される。基板搬送室６２には、基板１００を搬送する搬送ロボット６２０が設けられる。搬送ロボット６２０は、搬入室６０に搬入された基板１００を成膜装置１に搬送する。また、搬送ロボット６２０は、成膜装置１において成膜処理が終了した基板１００を搬出室６４に搬送する。搬送ロボット６２０により搬出室６４に搬送された基板１００は、搬出室６４から成膜システムＳＹの外部に搬出される。マスクストック室６６には、成膜装置１での成膜に用いられるマスク１０１がストックされる。マスクストック室６６にストックされるマスク１０１は、搬送ロボット６２０により成膜装置１に搬送される。

【0012】

成膜システムＳＹを構成する成膜装置１及び各室の内部は、真空ポンプ等の排気機構により真空状態に維持される。なお、本実施形態において「真空」とは、大気圧より低い圧力の気体で満たされた状態、換言すれば減圧状態をいう。

【0013】

成膜システムＳＹの制御系は、ホストコンピュータとしてシステム全体を制御する上位装置２００と、成膜装置１を制御する制御ユニット４３と、基板搬送室６２（搬送ロボット６２０等）を制御する制御ユニット２０１とを含み、これらは有線又は無線の通信回線を介して通信可能である。上位装置２００は、基板１００に関する情報や搬送タイミング等の指示を各制御ユニット４３、２０１に送信し、各制御ユニット４３、２０１は受信した指示に基づき各構成を制御する。

【0014】

制御ユニット４３は、成膜装置１の全体を制御する電子回路である。制御ユニット４３は、例えば、処理部、記憶部、入出力インタフェース（Ｉ／Ｏ）、通信部を備える。処理部は、ＣＰＵに代表されるプロセッサであり、記憶部に記憶されたプログラムを実行して成膜装置１を制御する。記憶部は、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ＨＤＤ等の記憶デバイスであり、処理部が実行するプログラムの他、各種の制御情報を記憶する。入出力インタフェースは、処理部と外部デバイス（モータ等のアクチュエータやセンサ）との間の信号を送受信するインタフェースである。通信部は通信回線を介して上位装置２００や他の制御ユニット２０１等と通信を行う通信デバイスである。制御ユニット２０１も制御ユニット４３と同様の構成の電子回路である。

【0015】

＜成膜装置＞
図２は、成膜装置１の構成を模式的に示す平面図である。図３は、図２の成膜装置１の正面図である。なお、図２において、成膜ステージ３０Ａ及び３０Ｂはその図示が省略されている。以下の図において矢印Ｘ及びＹは互いに直交する水平方向を示し、矢印Ｚは上下方向（鉛直方向）を示す。

【0016】

成膜装置１は、例えば、スマートフォン用の有機ＥＬ表示装置などの表示装置（フラットパネルディスプレイ等が含まれる）、薄膜太陽電池、有機光電変換素子（有機薄膜撮像素子）等の電子デバイス、光学部材等を製造する製造装置に適用可能であり、特に、有機ＥＬパネルを製造する製造装置に適用可能である。成膜装置１で蒸着が行われる基板１００の材質としては、ガラス、樹脂、金属等を適宜選択可能であり、ガラス上にポリイミド等の樹脂層が形成されたものが好適に用いられる。蒸着物質としては、有機材料、無機材料（金属、金属酸化物など）などが用いられる。

【0017】

成膜装置１は、蒸着ユニット１０と、移動ユニット２２及び２４と、複数の成膜ステージ３０Ａ及び３０Ｂと、を備える。蒸着ユニット１０、移動ユニット２２及び２４、及び、成膜ステージ３０Ａ及び３０Ｂは、真空に維持されるチャンバ４５の内部に配置される。本実施形態では、複数の成膜ステージ３０Ａ及び３０Ｂがチャンバ４５内の上部にＹ方向に離間して設けられており、その下方に蒸着ユニット１０及び移動ユニット２２及び２４が設けられている。また、チャンバ４５には、搬送ロボット６２０によってＸ方向に基板１００の搬入、搬出を行うための複数の基板搬入出口４４Ａ及び４４Ｂが設けられている。

【0018】

（成膜ステージ）
成膜ステージ３０Ａ及び３０Ｂは、成膜対象である基板１００と、マスク１０１とを支持するとともにこれらの位置調整を行うステージである。以下の説明では便宜的に、成膜ステージ３０Ａに支持される基板１００及びマスク１０１を基板１００Ａ、マスク１０１Ａと表記し、成膜ステージ３０Ｂに支持される基板１００及びマスク１０１を基板１００Ｂ、マスク１０１Ｂと表記する。

【0019】

成膜ステージ３０Ａは、基板支持部３２Ａと、マスク支持部３４Ａと、支柱３５Ａと、アライメント機構３６Ａとを含む。

【0020】

基板支持部３２Ａは、搬送ロボット６２０により搬入される基板１００Ａを支持する。本実施形態では、基板支持部３２Ａは、基板１００Ａの短辺がＹ方向、基板１００Ａの長辺がＸ向に延びるように基板１００Ａを支持する。本実施形態の場合、基板支持部３２Ａは、基板１００Ａの縁を基板１００Ａの下側から支持する爪状の載置部を有する。しかしながら、基板支持部３２Ａは、基板１００Ａの縁を挟持することで基板を支持してもよいし、静電チャック又は粘着チャック等によって基板１００Ａを吸着することで基板１００Ａを支持してもよい。

【0021】

基板支持部３２Ａは、アライメント機構３６Ａが備える昇降機構により昇降可能であり、搬送ロボット６２０から受け取った基板１００Ａをマスク支持部３４Ａに支持されたマスク１０１Ａの上に重ね合わせることができる。昇降機構には、ボールねじ機構等の公知の技術を用いることができる。

【0022】

マスク支持部３４Ａは、マスク１０１Ａを支持する。マスク支持部３４Ａは、支柱３５Ａによってチャンバ４５に支持される。マスク１０１Ａやマスク支持部３４Ａには、基板１００Ａをマスク１０１Ａの上に重ね合わせる際に基板支持部３２Ａとの干渉を回避する切り欠き部（不図示）が形成されている。

【0023】

アライメント機構３６Ａは、基板１００Ａとマスク１０１Ａとのアライメントを行う。アライメント機構３６Ａは、基板支持部３２Ａとマスク支持部３４Ａの水平方向の相対位置を調整することで、基板支持部３２Ａに支持された基板１００Ａとマスク支持部３２に支持されたマスク１０１Ａとのアライメントを行う。

【0024】

アライメント機構３６Ａの具体的な構造例について公知の技術を用いることができるため、詳細な説明は省略する。一例として、アライメント機構３６Ａは、不図示のカメラにより基板１００Ａ及びマスク１０１Ａに形成されたアライメント用のマークを検知する。そして、アライメント機構３６Ａは、基板１００Ａに形成されたマークにより算出される基板１００Ａの位置と、マスク１０１Ａに形成されたマークにより算出されるマスク１０１Ａの位置の関係が所定の条件を満たすように、基板１００Ａ及びマスク１０１Ａの位置関係を調整する。

【0025】

アライメント機構３６Ａによるアライメントが終了すると、基板支持部３２Ａは支持している基板１００Ａをマスク１０１Ａの上に重ね合わせる。基板１００Ａ及びマスク１０１Ａが重ね合わせられた状態で、蒸着ユニット１０による基板１００Ａに対する成膜が行われる。

【0026】

成膜ステージ３０Ｂは、成膜ステージ３０Ａと同様の構成を有する。すなわち、成膜ステージ３０Ｂは、基板支持部３２Ｂ、マスク支持部３４Ｂ、支柱３５Ｂ及びアライメント機構３６Ｂを有し、これらは基板支持部３２Ａ、マスク支持部３４Ａ、支柱３５Ａ及びアライメント機構３６Ａと同様の構成である。

【0027】

本実施形態の成膜装置１は、複数の成膜ステージ３０Ａ及び３０Ｂを有するいわゆるデュアルステージ式の成膜装置である。例えば、成膜ステージ３０Ａにおいて基板１００Ａに対して蒸着が行われている間に、成膜ステージ３０Ｂにおいて基板１００Ｂ及びマスク１０１Ｂのアライメントを行うことができ、成膜プロセスを効率的に実行することができる。

【0028】

（蒸着ユニット）
次に、蒸着ユニット１０について説明する。図４は、蒸着ユニット１０の構成を説明するための図であって、蒸着ユニット１０を横（Ｙ方向）から見た模式図である。蒸着ユニット１０は、移動しながら蒸着物質を放出して基板１００に成膜を行う。蒸着ユニット１０は、上方が開放されたケース１４に区画して収容された複数の蒸着源（蒸発源）１１Ａ～１１Ｄを備えている。複数の蒸着源１１Ａ～１１Ｄは所定方向（Ｘ方向）に配列されている。各蒸着源１１Ａ～１１Ｄは、蒸着物質（蒸発物質）を収容する収容部や、収容部内の蒸着物質を加熱するヒータ等を含む。

【0029】

各蒸着源１１Ａ～１１Ｄは、Ｙ方向に配列された複数の放出口１１ａを有するラインソースであり、放出口１１ａから上方へ蒸着物質を放出する。各蒸着源１１Ａ～１１Ｄの蒸着物質の放出領域は、基板１００の幅相当の範囲をカバーしている。

【0030】

本実施形態の場合、蒸着ユニット１０は４つの蒸着源１１Ａ～１１Ｄを備えている。しかし、蒸着源の数は５以上でもよく、３以下であってもよい。４つの蒸着源１１Ａ～１１Ｄは、放出する蒸着物質の種類が互いに異なる複数の蒸着源を含む。４つの蒸着源１１Ａ～１１Ｄが放出する蒸着物質の種類を、物質ＭＡ、ＭＢ、ＭＣ、ＭＤと表記する。本実施形態の場合、蒸着ユニット１０を有機材料用蒸発源として使用する場合を想定する。一例として、本実施形態では、物質ＭＡ～ＭＣは互いに異なる種類の蒸着物質であり、物質ＭＡと物質ＭＤとは同じ種類の蒸着物質である。より具体的に述べれば、物質ＭＡおよび物質ＭＤは同一材料のホスト材、物質ＭＢ、物質ＭＣは、共蒸着材料（例えば物質ＭＢ：ホスト材料、物質ＭＣ：ドーパント材料）である。なお、蒸着ユニット１０を無機材料用蒸発源として使用することも可能である。

【0031】

蒸着ユニット１０は、通路形成部材１３を備える。通路形成部材１３は、各蒸着源１１Ａ～１１Ｄから放出される蒸着物質が基板１００に到達する通路を形成する部材であり、基板１００に対する各蒸着源１１Ａ～１１Ｄの蒸着物質の放出領域を規制する規制部材であると共に、蒸着物質がチャンバ４５の壁面に付着することを防止する防着部材である。本実施形態の場合、通路形成部材１３は、３つの通路１３ａ～１３ｃを形成する。

【0032】

通路１３ａは、蒸着源１１Ａから放出される蒸着物質が基板１００に到達する通路であり、他の蒸着源１１Ｂ～１１Ｄと蒸着物質が混ざらないように形成される。通路１３ｂは、蒸着源１１Ｂ及び１１Ｃから放出される蒸着物質が基板１００に到達する通路であり、他の蒸着源１１Ａ及び１１Ｄと蒸着物質が混ざらないように形成される。本実施形態の場合、蒸着源１１Ｂ及び１１Ｃの各蒸着物質の放出領域が重なるよう、これらで通路１３ｂを共用し、これらの蒸着源から放出される蒸着物質（ＭＢ、ＭＣ）は混合して基板１００に到達することになる。しかし、これらに個別の通路を設ける構成も採用可能である。通路１３ｃは、蒸着源１１Ｄから放出される蒸着物質が基板１００に到達する通路であり、他の蒸着源１１Ａ～１１Ｃと蒸着物質が混ざらないように形成される。

【0033】

蒸着ユニット１０は、複数のシャッタ１２Ａ～１２Ｄを備えている。シャッタ１２Ａ～１２Ｄは基板１００に対して蒸着源１１Ａ～１１Ｄを開閉する。本実施形態の場合、蒸着源毎にシャッタが設けられている。蒸着源１１Ａにはシャッタ１２Ａが設けられている。蒸着源１１Ｂにはシャッタ１２Ｂが設けられている。蒸着源１１Ｃにはシャッタ１２Ｃが設けられている。蒸着源１１Ｄにはシャッタ１２Ｄが設けられている。

【0034】

シャッタ１２Ａは、モータ１２ａを駆動源として開閉され、開放状態では蒸着源１１Ａから放出される蒸着物質が基板１００に到達することを許容し、閉鎖状態では蒸着源１１Ａから放出される蒸着物質が基板１００に到達することを規制する。図４は開放状態を示している。シャッタ１２Ａはスライド式のシャッタであり、Ｄ１方向（Ｘ方向）に平行移動する。

【0035】

シャッタ１２Ｂは、モータ１２ｂを駆動源として開閉され、開放状態では蒸着源１１Ｂから放出される蒸着物質が基板１００に到達することを許容し、閉鎖状態では蒸着源１１Ｂから放出される蒸着物質が基板１００に到達することを規制する。図４は開放状態を示している。シャッタ１２Ｂは回動式のシャッタであり、Ｄ２方向（Ｙ方向の軸の周方向）に回動する。

【0036】

シャッタ１２Ｃは、モータ１２ｃを駆動源として開閉され、開放状態では蒸着源１１Ｃから放出される蒸着物質が基板１００に到達することを許容し、閉鎖状態では蒸着源１１Ｃから放出される蒸着物質が基板１００に到達することを規制する。図４は開放状態を示している。シャッタ１２Ｃは回動式のシャッタであり、Ｄ３方向（Ｙ方向の軸の周方向）に回動する。

【0037】

シャッタ１２Ｄは、モータ１２ｄを駆動源として開閉され、開放状態では蒸着源１１Ｄから放出される蒸着物質が基板１００に到達することを許容し、閉鎖状態では蒸着源１１Ｄから放出される蒸着物質が基板１００に到達することを規制する。図４は開放状態を示している。シャッタ１２Ｄはスライド式のシャッタであり、Ｄ４方向（Ｘ方向）に平行移動する。

【0038】

本実施形態では、蒸着源毎にシャッタを設けたので、蒸着源毎に蒸着物質の基板１００への到達と遮断とを制御できる。しかし、例えば、本実施形態では蒸着源１１Ｂと蒸着源１１Ｃとでは、それらの蒸着物質を混合して基板１００に蒸着することを予定しているため、個別ではなく共通の１つのシャッタを設けてもよい。

【0039】

また、本実施形態では、駆動方式の異なるシャッタを設けており、シャッタ１２Ａ及び１２Ｄはスライド式、シャッタ１２Ｂ及び１２Ｃは回動式である。シャッタ１２Ａ～１２Ｄには蒸着物質が付着する。開閉動作において、スライド式のシャッタは回動式のシャッタよりも、付着した蒸着物質が落下する可能性が低い。開閉頻度が多いシャッタについてはスライド式のシャッタが有利である。例えば、本実施形態では、シャッタ１２Ａ及び１２Ｄにおいて開閉頻度が多いことを想定して、これらがスライド式のシャッタとされている。

【0040】

尤も、シャッタ１２Ａ～１２Ｄの全てを回動式のシャッタとしてもよく、或いは、シャッタ１２Ａ～１２Ｄの全てをスライド式のシャッタとしてもよい。

【0041】

図５は、シャッタ１２Ａ～１２Ｄの開閉による蒸着物質の放出態様の例を示している。状態ＳＴ１はシャッタ１２Ａ～１２Ｄを全て開放した状態を示している。基板１００には、蒸着源１１Ａ及び１１Ｄから放出される蒸着物質ＭＡ、ＭＤが蒸着し、また、蒸着源１１Ｂ及び１１Ｃから放出される蒸着物質ＭＢ及びＭＣの混合物が蒸着する。状態ＳＴ２はシャッタ１２Ａ～１２Ｄを全て閉鎖した状態を示している。基板１００には蒸着物質が到達しない。

【0042】

状態ＳＴ３はシャッタ１２Ｂ～１２Ｄを開放し、シャッタ１２Ａを閉鎖した状態を示している。基板１００には、蒸着源１１Ｄから放出される蒸着物質ＭＤが蒸着し、また、蒸着源１１Ｂ及び１１Ｃから放出される蒸着物質ＭＢ及びＭＣの混合物が蒸着する。状態ＳＴ４はシャッタ１２Ａ～１２Ｃを開放し、シャッタ１２Ｄを閉鎖した状態を示している。基板１００には、蒸着源１１Ａから放出される蒸着物質ＭＡが蒸着し、また、蒸着源１１Ｂ及び１１Ｃから放出される蒸着物質ＭＢ及びＭＣの混合物が蒸着する。

【0043】

状態ＳＴ５はシャッタ１２Ｂ及び１２Ｃを開放し、シャッタ１２Ａ及び１２Ｂを閉鎖した状態を示している。基板１００には、蒸着源１１Ｂ及び１１Ｃから放出される蒸着物質ＭＢ及びＭＣの混合物が蒸着する。状態ＳＴ６はシャッタ１２Ａ、１２Ｂ及び１２Ｄを開放し、シャッタ１２Ｃを閉鎖した状態を示している。基板１００には、蒸着源１１Ａ及び１１Ｄから放出される蒸着物質ＭＡ、ＭＤが蒸着し、また、蒸着源１１Ｂから放出される蒸着物質ＭＢが蒸着する。

【0044】

（移動ユニット）
再び図２及び図３を参照する。成膜装置１は、成膜時に基板１００に対して蒸着ユニット１０をＸ方向に移動する移動ユニット２２を備える。また、成膜装置１は、蒸着ユニット１０及び移動ユニット２２を成膜ステージ３０Ａと３０Ｂとの間でＹ方向に移動する移動ユニット２４を備える。

【0045】

移動ユニット２２は、蒸着ユニット１０に設けられる構成要素として、モータ２２１と、モータ２２１により回転する軸部材に取り付けられたピニオン２２２と、ガイド部材２２３とを含む。また、移動ユニット２２は、枠部材２２４と、枠部材２２４の上面に形成され、ピニオン２２２と噛み合うラック２２５と、ガイド部材２２３が摺動するガイドレール２２６とを含む。ラック２２５及びガイドレール２２６は、Ｘ方向に延設されている。ガイド部材２２３はガイドレール２２６と係合し、ガイドレール２２６上をＸ方向にスライドする。蒸着ユニット１０は、モータ２２１の駆動により回転するピニオン２２２が、ラック２２５と噛み合うことで、ガイドレール２２６に沿ってＸ方向に往復することができる。蒸着ユニット１０の移動範囲は、基板１００の全長をカバーする。

【0046】

移動ユニット２４は、Ｙ方向に延び、Ｘ方向に離間する２つの支持部材２４１Ａ及び２４１Ｂを含む。２つの支持部材２４１Ａ及び２４１Ｂは、移動ユニット２２の枠部材２２４の短辺を支持している。移動ユニット２４は、不図示のモータ及びラック・アンド・ピニオン機構等の駆動機構を含み、２つの支持部材２４１Ａ及び２４１Ｂに対して枠部材２２４をＹ方向に移動させることにより、蒸着ユニット１０及び移動ユニット２２をＹ方向に往復させる。

【0047】

＜成膜動作＞
制御ユニット４３が実行する成膜装置１の制御例について説明する。図６及び図７は成膜時における蒸着ユニット１０の移動の例を示す図である。各図において、矢印Ｘ１とＸ２とは、Ｘ方向のうちの一方方向と反対方向とを示し、矢印Ｙ１とＹ２とは、Ｙ方向のうちの一方方向と反対方向とを示している。

【0048】

図６の状態ＳＴ１１は、蒸着ユニット１０が初期位置に位置している状態を示す。初期位置に蒸着ユニット１０は、平面視で成膜ステージ３０Ａに支持された基板１００ＡとＸ方向に並ぶように位置している。

【0049】

基板１００Ａに対する成膜を開始する。閉鎖状態とされているシャッタ１２Ａ～１２Ｄの開閉状態を個別にセットした上で、移動ユニット２２によって蒸着ユニット１０を状態ＳＴ１２に示すようにＸ１方向に移動する。基板１００Ａに対して蒸着ユニット１０が相対的に移動しながら、蒸着物質が基板１００Ａに放出されることで、基板１００Ａに蒸着物質が成膜される。

【0050】

次に、シャッタ１２Ａ～１２Ｄの開閉状態を個別にセットした上で、移動ユニット２２によって蒸着ユニット１０を状態ＳＴ１３に示すようにＸ２方向に移動する。基板１００Ａに対して蒸着ユニット１０が相対的に移動しながら、蒸着物質が基板１００Ａに放出されることで、基板１００Ａに蒸着物質が成膜される。移動後、シャッタ１２Ａ～１２Ｄは全て閉鎖状態とされる。

【0051】

このように本実施形態では、基板１００Ａに対して蒸着ユニット１０をＸ方向に往復させることで、基板１００Ａに２回の成膜が可能である。

【0052】

次に、成膜ステージ３０Ｂに支持された基板１００Ｂの成膜動作に移行する。状態ＳＴ１４に示すように、移動ユニット２４によって蒸着ユニット１０及び移動ユニット２２をＹ１方向に移動する。蒸着ユニット１０は、平面視で成膜ステージ３０Ｂに支持された基板１００ＢとＸ方向に並ぶ位置まで移動される。

【0053】

基板１００Ｂに対する成膜を開始する。閉鎖状態とされているシャッタ１２Ａ～１２Ｄの開閉状態を個別にセットした上で、移動ユニット２２によって蒸着ユニット１０を状態ＳＴ１５に示すようにＸ１方向に移動する。基板１００Ｂに対して蒸着ユニット１０が相対的に移動しながら、蒸着物質が基板１００Ｂに放出されることで、基板１００Ｂに蒸着物質が成膜される。また、並行して、成膜ステージ３０Ａでは成膜済みの基板１００Ａを２枚目の基板１００Ａと入れ替える作業を行うことができる。

【0054】

次に、シャッタ１２Ａ～１２Ｄの開閉状態を個別にセットした上で、移動ユニット２２によって蒸着ユニット１０を状態ＳＴ１６に示すようにＸ２方向に移動する。基板１００Ｂに対して蒸着ユニット１０が相対的に移動しながら、蒸着物質が基板１００Ｂに放出されることで、基板１００Ｂに蒸着物質が成膜される。移動後、シャッタ１２Ａ～１２Ｄは全て閉鎖状態とされる。

【0055】

このように本実施形態では、基板１００Ｂに対して蒸着ユニット１０をＸ方向に往復させることで、基板１００Ｂにも２回の成膜が可能である。

【0056】

次に、成膜ステージ３０Ａに支持された基板１００Ａの成膜動作に移行する。状態ＳＴ１７に示すように、移動ユニット２４によって蒸着ユニット１０及び移動ユニット２２をＹ２方向に移動する。蒸着ユニット１０は、初期位置に戻る。

【0057】

２枚目の基板１００Ａに対する成膜を開始する。閉鎖状態とされているシャッタ１２Ａ～１２Ｄの開閉状態を個別にセットした上で、移動ユニット２２によって蒸着ユニット１０を状態ＳＴ１８に示すようにＸ１方向に移動する。基板１００Ａに対して蒸着ユニット１０が相対的に移動しながら、蒸着物質が基板１００Ａに放出されることで、基板１００Ａに蒸着物質が成膜される。また、並行して、成膜ステージ３０Ｂでは成膜済みの基板１００Ｂを２枚目の基板１００Ｂと入れ替える作業を行うことができる。

【0058】

状態ＳＴ１８は状態ＳＴ１２と同じ状態である。以降、同様の手順で成膜ステージ３０Ａと成膜ステージ３０Ｂとで交互に基板１００が成膜されていくことになる。

【0059】

（シャッタの開閉制御と成膜例）
シャッタ１２Ａ～１２Ｄの開閉制御と基板１００の成膜例について説明する。制御ユニット４３は、基板１００に積層される蒸着物質の種類とその積層順序とに基づいて、成膜時における各シャッタ１２Ａ～１２Ｄの開閉を制御する。また、図６及び図７に例示したように、基板１００に対して蒸着ユニット１０をＸ方向に往復させることで、基板１００に２回の成膜を行う場合、蒸着ユニット１０の移動方向（Ｘ１方向かＸ２方向か）にも基づいて、成膜時における各シャッタ１２Ａ～１２Ｄの開閉を制御する。

【0060】

図８（Ａ）～図９（Ｂ）を参照して制御例について説明する。図８（Ａ）は、基板１００に対する成膜制御の目標積層構造を例示している。この目標積層構造の情報は、例えば、上位装置２００から制御ユニット４３に対して指示され、制御ユニット４３はこの情報に基づいてシャッタ１２Ａ～１２Ｄの開閉制御を行う。図８（Ａ）の目標積層構造の積層順序は、基板１００の側から順に、蒸着物質ＭＡの膜、蒸着物質ＭＢ及びＭＣの混合膜、蒸着物質ＭＡの膜、蒸着物質ＭＡの膜、蒸着物質ＭＢ及びＭＣの混合膜、蒸着物質ＭＡの膜という順序である。

【0061】

図６の状態ＳＴ１１～ＳＴ１３で説明した基板１００Ａに対する成膜動作を例にして、図８（Ａ）の成膜を実行する場合について説明する。図８（Ａ）の目標積層構造は、成膜材料で分類すると５層構造であるが（蒸着物質ＭＡが２層連続している箇所がある。）、成膜回数で分類すれば６層構造である。ここでは、状態ＳＴ１２の１回目の成膜で３層分を成膜し、状態ＳＴ１３の２回目の成膜で３層分を成膜する。

【0062】

状態ＳＴ１１の初期位置において、制御ユニット４３はシャッタ１２Ａ～１２Ｄの開閉をセットする。１回目の成膜での蒸着ユニット１０の移動方向はＸ１方向である。したがって、基板１００Ａに対する相対移動方向（Ｘ１方向）で先頭側となるのは蒸着源１１Ａの側である。状態ＳＴ１２の１回目の成膜では、基板１００Ａの側から順に、蒸着物質ＭＡの膜、蒸着物質ＭＢ及びＭＣの混合膜、蒸着物質ＭＡの膜が成膜できればよい。したがって、基板１００Ａに対して、蒸着源１１Ａから放出される蒸着物質ＭＡ、蒸着源１１Ｂ及び１１Ｃから放出される蒸着物質ＭＢ及びＭＣ、蒸着源１１Ｄから放出される蒸着物質ＭＤ（本実施形態では蒸着物質ＭＡ）が、この順番で基板１００Ａに付着すればよいことになる。そこで、シャッタ１２Ａ～１２Ｄは全て開放状態にセットされる。

【0063】

図８（Ｂ）は状態ＳＴ１２の１回目の成膜途中の状態を示し、図８（Ｃ）は図８（Ｂ）のＰ１部の拡大図である。シャッタ１２Ａ～１２Ｄは全て開放状態にセットされて蒸着ユニット１０がＸ１方向に移動する。蒸着源１１Ａが移動方向の先頭に位置しているので、基板１００Ａには最初に蒸着物質ＭＡの膜が成膜され、その上に、蒸着源１１Ｂ及び１１Ｃからの蒸着物質ＭＢ及びＭＣの混合膜が成膜される。更にその上に、移動方向で最も後方に位置している蒸着源１１Ｄからの蒸着物質ＭＤ（ＭＡ）の膜が成膜される。こうして、基板１００Ａには最初の３層分の膜が成膜される。

【0064】

次に、状態ＳＴ１３の２回目の成膜に移行する。２回目の成膜での蒸着ユニット１０の移動方向はＸ２方向である。したがって、基板１００Ａに対する相対移動方向（Ｘ２方向）で先頭側となるのは蒸着源１１Ｄの側である。２回目の成膜では、基板１００Ａの側から順に、蒸着物質ＭＡの膜、蒸着物質ＭＢ及びＭＣの混合膜、蒸着物質ＭＡの膜が成膜できればよい。したがって、基板１００Ａに対して、蒸着源１１Ｄから放出される蒸着物質ＭＤ（ＭＡ）、蒸着源１１Ｂ及び１１Ｃから放出される蒸着物質ＭＢ及びＭＣ、蒸着源１１Ａから放出される蒸着物質ＭＡが、この順番で基板１００Ａに付着すればよいことになる。そこで、シャッタ１２Ａ～１２Ｄは全て開放状態にセットされる。

【0065】

図９（Ａ）は状態ＳＴ１３の２回目の成膜途中の状態を示し、図９（Ｂ）は図９（Ａ）のＰ２部の拡大図である。シャッタ１２Ａ～１２Ｄは全て開放状態にセットされて蒸着ユニット１０がＸ２方向に移動する。蒸着源１１Ｄが移動方向の先頭に位置しているので、基板１００Ａには最初に蒸着物質ＭＤ（ＭＡ）の膜が成膜され、その上に、蒸着源１１Ｂ及び１１Ｃからの蒸着物質ＭＢ及びＭＣの混合膜が成膜される。更にその上に、移動方向で最も後方に位置している蒸着源１１Ａからの蒸着物質ＭＡの膜が成膜される。こうして、基板１００Ａには残りの３層分の膜が成膜される。以上により、基板１００Ａの成膜が完了する。

【0066】

図１０（Ａ）～図１１（Ｂ）を参照して別の制御例について説明する。図１０（Ａ）は、基板１００に対する成膜制御の目標積層構造を例示しており、積層順序は、基板１００の側から順に、蒸着物質ＭＡの膜、蒸着物質ＭＢ及びＭＣの混合膜、蒸着物質ＭＡの膜、蒸着物質ＭＢ及びＭＣの混合膜という順序である。

【0067】

図６の状態ＳＴ１１～ＳＴ１３で説明した基板１００Ａに対する成膜動作を例にして、図１０（Ａ）の成膜を実行する場合について説明する。図１０（Ａ）の目標積層構造は、４層構造である。そこで、状態ＳＴ１２の１回目の成膜で２層分を成膜し、状態ＳＴ１３の２回目の成膜で２層分を成膜する。

【0068】

状態ＳＴ１１の初期位置において、制御ユニット４３はシャッタ１２Ａ～１２Ｄの開閉をセットする。１回目の成膜での蒸着ユニット１０の移動方向はＸ１方向である。したがって、基板１００Ａに対する相対移動方向（Ｘ１方向）で先頭側となるのは蒸着源１１Ａの側である。状態ＳＴ１２の１回目の成膜では、基板１００Ａの側から順に、蒸着物質ＭＡの膜、蒸着物質ＭＢ及びＭＣの混合膜が成膜できればよい。したがって、基板１００Ａに対して、蒸着源１１Ａから放出される蒸着物質ＭＡ、蒸着源１１Ｂ及び１１Ｃから放出される蒸着物質ＭＢ及びＭＣが、この順番で基板１００Ａに付着すればよいことになる。そこで、シャッタ１２Ａ～１２Ｃが開放状態に、シャッタ１２Ｄが閉鎖状態にセットされる。

【0069】

図１０（Ｂ）は状態ＳＴ１２の１回目の成膜途中の状態を示し、図１０（Ｃ）は図１０（Ｂ）のＰ３部の拡大図である。シャッタ１２Ａ～１２Ｃが開放状態に、シャッタ１２Ｄが閉鎖状態にセットされて蒸着ユニット１０がＸ１方向に移動する。蒸着源１１Ａが移動方向の先頭に位置しているので、基板１００Ａには最初に蒸着物質ＭＡの膜が成膜され、その上に、蒸着源１１Ｂ及び１１Ｃからの蒸着物質ＭＢ及びＭＣの混合膜が成膜される。こうして、基板１００Ａには最初の２層分の膜が成膜される。

【0070】

次に、状態ＳＴ１３の２回目の成膜に移行する。２回目の成膜での蒸着ユニット１０の移動方向はＸ２方向である。したがって、基板１００Ａに対する相対移動方向（Ｘ２方向）で先頭側となるのは蒸着源１１Ｄの側である。２回目の成膜では、基板１００Ａの側から順に、蒸着物質ＭＡの膜、蒸着物質ＭＢ及びＭＣの混合膜が成膜できればよい。したがって、基板１００Ａに対して、蒸着源１１Ｄから放出される蒸着物質ＭＤ（ＭＡ）、蒸着源１１Ｂ及び１１Ｃから放出される蒸着物質ＭＢ及びＭＣが、この順番で基板１００Ａに付着すればよいことになる。そこで、シャッタ１２Ｂ～１２Ｄが開放状態に、シャッタ１２Ａが閉鎖状態にセットされる。

【0071】

図１１（Ａ）は状態ＳＴ１３の２回目の成膜途中の状態を示し、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）のＰ４部の拡大図である。シャッタ１２Ｂ～１２Ｄは開放状態に、シャッタ１２Ａは閉鎖状態にセットされて蒸着ユニット１０がＸ２方向に移動する。蒸着源１１Ｄが移動方向の先頭に位置しているので、基板１００Ａには最初に蒸着物質ＭＤ（ＭＡ）の膜が成膜され、その上に、蒸着源１１Ｂ及び１１Ｃからの蒸着物質ＭＢ及びＭＣの混合膜が成膜される。こうして、基板１００Ａには残りの２層分の膜が成膜される。以上により基板１００Ａの成膜が完了する。

【0072】

図１２（Ａ）～図１３（Ｂ）を参照して更に別の制御例について説明する。図１２（Ａ）は、基板１００に対する成膜制御の目標積層構造を例示しており、積層順序は、基板１００の側から順に、蒸着物質ＭＡの膜、蒸着物質ＭＢ及びＭＣの混合膜、蒸着物質ＭＢ及びＭＣの混合膜という順序である。

【0073】

図６の状態ＳＴ１１～ＳＴ１３で説明した基板１００Ａに対する成膜動作を例にして、図１２（Ａ）の成膜を実行する場合について説明する。図１２（Ａ）の目標積層構造は、３層構造である。そこで、状態ＳＴ１２の１回目の成膜で２層分を成膜し、状態ＳＴ１３の２回目の成膜で１層分を成膜する。

【0074】

状態ＳＴ１１の初期位置において、制御ユニット４３はシャッタ１２Ａ～１２Ｄの開閉をセットする。１回目の成膜での蒸着ユニット１０の移動方向はＸ１方向である。したがって、基板１００Ａに対する相対移動方向（Ｘ１方向）で先頭側となるのは蒸着源１１Ａの側である。状態ＳＴ１２の１回目の成膜では、基板１００Ａの側から順に、蒸着物質ＭＡの膜、蒸着物質ＭＢ及びＭＣの混合膜が成膜できればよい。したがって、基板１００Ａに対して、蒸着源１１Ａから放出される蒸着物質ＭＡ、蒸着源１１Ｂ及び１１Ｃから放出される蒸着物質ＭＢ及びＭＣが、この順番で基板１００Ａに付着すればよいことになる。そこで、シャッタ１２Ａ～１２Ｃが開放状態に、シャッタ１２Ｄが閉鎖状態にセットされる。

【0075】

図１２（Ｂ）は状態ＳＴ１２の１回目の成膜途中の状態を示し、図１２（Ｃ）は図１２（Ｂ）のＰ５部の拡大図である。シャッタ１２Ａ～１２Ｃが開放状態に、シャッタ１２Ｄが閉鎖状態にセットされて蒸着ユニット１０がＸ１方向に移動する。蒸着源１１Ａが移動方向の先頭に位置しているので、基板１００Ａには最初に蒸着物質ＭＡの膜が成膜され、その上に、蒸着源１１Ｂ及び１１Ｃからの蒸着物質ＭＢ及びＭＣの混合膜が成膜される。こうして、基板１００Ａには最初の２層分の膜が成膜される。

【0076】

次に、状態ＳＴ１３の２回目の成膜に移行する。２回目の成膜での蒸着ユニット１０の移動方向はＸ２方向である。したがって、基板１００Ａに対する相対移動方向（Ｘ２方向）で先頭側となるのは蒸着源１１Ｄの側である。２回目の成膜では、蒸着物質ＭＢ及びＭＣの混合膜が成膜できればよい。したがって、基板１００Ａに対して、蒸着源１１Ｂ及び１１Ｃから放出される蒸着物質ＭＢ及びＭＣが基板１００Ａに付着すればよいことになる。そこで、シャッタ１２Ｂ及び１２Ｃが開放状態に、シャッタ１２Ａ及び１２Ｄが閉鎖状態にセットされる。

【0077】

図１３（Ａ）は状態ＳＴ１３の２回目の成膜途中の状態を示し、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）のＰ６部の拡大図である。シャッタ１２Ｂ及び１２Ｃは開放状態に、シャッタ１２Ａ及び１２Ｄは閉鎖状態にセットされて蒸着ユニット１０がＸ２方向に移動する。基板１００Ａには蒸着源１１Ｂ及び１１Ｃからの蒸着物質ＭＢ及びＭＣの混合膜が成膜される。こうして、基板１００Ａには残りの１層分の膜が成膜される。以上により基板１００Ａの成膜が完了する。

【0078】

このように本実施形態では、シャッタ１２Ａ～１２Ｄの開閉制御によって、１回の成膜動作で複数層の成膜を可能としつつ、目標とする膜の種類と積層順序に対応することができ、多様な成膜に対応できる。したがって、複数層の成膜を効率的に行うことができる。

【0079】

＜第二実施形態＞
成膜の際、基板１００と蒸着ユニット１０とは蒸着源１１Ａ～１１Ｄの配列方向（Ｘ方向）に相対的に移動可能であればよい。第一実施形態では、成膜の際、基板１００の位置を固定し、蒸着ユニット１０をＸ方向に移動した。しかし、蒸着ユニット１０の位置を固定し、基板１００をＸ方向に移動してもよい。或いは、蒸着ユニット１０と、基板１００との双方を、Ｘ方向で互いに逆方向に移動してもよい。

【0080】

＜第三実施形態＞
第一実施形態では、基板１００に対して蒸着ユニット１０をＸ方向に往復することで、２回の成膜を行った。しかし、基板１００に対して蒸着ユニット１０をＸ１方向、又は、Ｘ２方向に移動して、１回の成膜を行ってもよい。図１４及び図１５は成膜時における蒸着ユニット１０の移動の別の例を示す図である。

【0081】

図１４の状態ＳＴ２１は、蒸着ユニット１０が初期位置に位置している状態を示す。基板１００Ａに対する成膜を開始する。閉鎖状態とされているシャッタ１２Ａ～１２Ｄの開閉状態を個別にセットした上で、移動ユニット２２によって蒸着ユニット１０を状態ＳＴ２２に示すようにＸ１方向に移動する。基板１００Ａに対して蒸着ユニット１０が相対的に移動しながら、蒸着物質が基板１００Ａに放出されることで、基板１００Ａに蒸着物質が成膜される。移動後、シャッタ１２Ａ～１２Ｄは全て閉鎖状態とされる。基板１００Ａに対する成膜はこれで完了する。

【0082】

次に、成膜ステージ３０Ｂに支持された基板１００Ｂの成膜動作に移行する。状態ＳＴ２３に示すように、移動ユニット２４によって蒸着ユニット１０及び移動ユニット２２をＹ１方向に移動する。蒸着ユニット１０は、平面視で成膜ステージ３０Ｂに支持された基板１００ＢとＸ方向に並ぶ位置まで移動される。

【0083】

基板１００Ｂに対する成膜を開始する。閉鎖状態とされているシャッタ１２Ａ～１２Ｄの開閉状態を個別にセットした上で、移動ユニット２２によって蒸着ユニット１０を状態ＳＴ２４に示すようにＸ２方向に移動する。基板１００Ｂに対して蒸着ユニット１０が相対的に移動しながら、蒸着物質が基板１００Ｂに放出されることで、基板１００Ｂに蒸着物質が成膜される。また、並行して、成膜ステージ３０Ａでは成膜済みの基板１００Ａを２枚目の基板１００Ａと入れ替える作業を行うことができる。移動後、シャッタ１２Ａ～１２Ｄは全て閉鎖状態とされる。基板１００Ｂに対する成膜はこれで完了する。

【0084】

次に、成膜ステージ３０Ａに支持された基板１００Ａの成膜動作に移行する。状態ＳＴ２５に示すように、移動ユニット２４によって蒸着ユニット１０及び移動ユニット２２をＹ２方向に移動する。蒸着ユニット１０は、初期位置に戻る。

【0085】

次に、シャッタ１２Ａ～１２Ｄの開閉状態を個別にセットした上で、移動ユニット２２によって蒸着ユニット１０を状態ＳＴ２６に示すようにＸ１方向に移動する。基板１００Ａに対して蒸着ユニット１０が相対的に移動しながら、蒸着物質が基板１００Ａに放出されることで、基板１００Ａに蒸着物質が成膜される。また、並行して、成膜ステージ３０Ｂでは成膜済みの基板１００Ｂを２枚目の基板１００Ｂと入れ替える作業を行うことができる。移動後、シャッタ１２Ａ～１２Ｄは全て閉鎖状態とされる。

【0086】

状態ＳＴ２６は状態ＳＴ２２と同じ状態である。以降、同様の手順で成膜ステージ３０Ａと成膜ステージ３０Ｂとで交互に基板１００が成膜されていくことになる。

【0087】

＜第四実施形態＞
蒸着ユニット１０が、成膜時に基板１００Ａ及び１００Ｂを横断する方向に移動する構成であってもよい。図１６は、本実施形態における成膜装置１の構成を模式的に示す平面図であり、図１７は、図１６の成膜装置１の正面図である。以下、第一実施形態と実質的に同じ構成については同じ符号を付して説明を省略し、異なる構成について説明する。

【0088】

本実施形態では、移動ユニット２２によって蒸着ユニット１０はＹ方向にのみ移動され、第一実施形態の移動ユニット２４に相当する構成はない。

【0089】

蒸着ユニット１０はＸ方向に延設されており、蒸着源１１Ａ～１１ＤはＹ方向に配列されている。図１６及び図１７では図示を省略しているが、各蒸着源１１Ａ～１１Ｄには第一実施形態で説明したシャッタ１２Ａ～１２Ｄが設けられているが、その開閉方向に関し、シャッタ１２Ａとシャッタ１２ＤはＹ方向に平行移動し、シャッタ１２Ｂとシャッタ１２ＣはＸ方向の軸の周方向に回動する。

【0090】

図１６及び図１７は、蒸着ユニット１０が初期位置に位置している状態を示している。本実施形態では、蒸着ユニット１０の初期位置は、Ｙ方向で成膜ステージ３０Ａと成膜ステージ３０Ｂとの間の位置（基板１００Ａと基板１００Ｂとの間の位置）である。

【0091】

＜制御例＞
図１８及び図１９は成膜時における蒸着ユニット１０の移動の例を示す図である。各図において、矢印Ｙ１１とＹ１２とは、Ｙ方向のうちの一方方向と反対方向とを示している。

【0092】

図１８の状態ＳＴ３１は、蒸着ユニット１０が初期位置に位置している状態を示す。初期位置に蒸着ユニット１０は、平面視で成膜ステージ３０Ａに支持された基板１００Ａと成膜ステージ３０Ｂに支持された基板１００Ｂとの間に、これらの基板と並ぶように位置している。

【0093】

基板１００Ｂに対する成膜を開始する。閉鎖状態とされているシャッタ１２Ａ～１２Ｄの開閉状態を個別にセットした上で、移動ユニット２２によって蒸着ユニット１０を状態ＳＴ３２に示すようにＹ１１方向に移動する。基板１００Ｂに対して蒸着ユニット１０が相対的に移動しながら、蒸着物質が基板１００Ｂに放出されることで、基板１００Ｂに蒸着物質が成膜される。

【0094】

次に、シャッタ１２Ａ～１２Ｄの開閉状態を個別にセットした上で、移動ユニット２２によって蒸着ユニット１０を状態ＳＴ３３に示すようにＹ１２方向に移動する。基板１００Ｂに対して蒸着ユニット１０が相対的に移動しながら、蒸着物質が基板１００Ｂに放出されることで、基板１００Ｂに蒸着物質が成膜される。蒸着ユニット１０が初期位置に戻ると、シャッタ１２Ａ～１２Ｄは全て閉鎖状態とされる。

【0095】

このように本実施形態では、基板１００Ｂに対して蒸着ユニット１０をＹ方向に往復させることで、基板１００Ｂに２回の成膜が可能である。

【0096】

次に、基板１００Ａに対する成膜を開始する。閉鎖状態とされているシャッタ１２Ａ～１２Ｄの開閉状態を個別にセットした上で、移動ユニット２２によって蒸着ユニット１０を状態ＳＴ３４に示すようにＹ１２方向に移動する。基板１００Ａに対して蒸着ユニット１０が相対的に移動しながら、蒸着物質が基板１００Ａに放出されることで、基板１００Ａに蒸着物質が成膜される。

【0097】

次に、シャッタ１２Ａ～１２Ｄの開閉状態を個別にセットした上で、移動ユニット２２によって蒸着ユニット１０を状態ＳＴ３５に示すようにＹ１１方向に移動する。基板１００Ａに対して蒸着ユニット１０が相対的に移動しながら、蒸着物質が基板１００Ａに放出されることで、基板１００Ａに蒸着物質が成膜される。また、並行して、成膜ステージ３０Ｂでは成膜済みの基板１００Ｂを２枚目の基板１００Ｂと入れ替える作業を行うことができる。蒸着ユニット１０が初期位置に戻ると、シャッタ１２Ａ～１２Ｄは全て閉鎖状態とされる。

【0098】

このように本実施形態では、基板１００Ａに対して蒸着ユニット１０をＹ方向に往復させることで、基板１００Ａにも２回の成膜が可能である。

【0099】

次に、２枚目の基板１００Ｂに対する成膜を開始する。閉鎖状態とされているシャッタ１２Ａ～１２Ｄの開閉状態を個別にセットした上で、移動ユニット２２によって蒸着ユニット１０を状態ＳＴ３６に示すようにＹ１１方向に移動する。基板１００Ｂに対して蒸着ユニット１０が相対的に移動しながら、蒸着物質が基板１００Ｂに放出されることで、基板１００Ｂに蒸着物質が成膜される。

【0100】

次に、シャッタ１２Ａ～１２Ｄの開閉状態を個別にセットした上で、移動ユニット２２によって蒸着ユニット１０を状態ＳＴ３７に示すようにＹ１２方向に移動する。基板１００Ｂに対して蒸着ユニット１０が相対的に移動しながら、蒸着物質が基板１００Ｂに放出されることで、基板１００Ｂに蒸着物質が成膜される。また、並行して、成膜ステージ３０Ａでは成膜済みの基板１００Ａを２枚目の基板１００Ａと入れ替える作業を行うことができる。蒸着ユニット１０が初期位置に戻ると、シャッタ１２Ａ～１２Ｄは全て閉鎖状態とされる。

【0101】

状態ＳＴ３７は状態ＳＴ３３と同じ状態である。以降、同様の手順で成膜ステージ３０Ｂと成膜ステージ３０Ａとで交互に基板１００が成膜されていくことになる。

【0102】

次に、シャッタ１２Ａ～１２Ｄの開閉制御と基板１００の成膜例について説明する。図２０（Ａ）は、基板１００に対する成膜制御の目標積層構造を例示している。図２０（Ａ）の目標積層構造の積層順序は、基板１００の側から順に、蒸着物質ＭＡの膜、蒸着物質ＭＢ及びＭＣの混合膜という順序である。

【0103】

図１８～図１９の状態ＳＴ３１～ＳＴ３３で説明した基板１００Ｂに対する成膜動作及び状態ＳＴ３４～ＳＴ３５を例にして、図２０（Ａ）の成膜を実行する場合について説明する。図２０（Ａ）の目標積層構造は、２層構造である。そこで、１回目の成膜で１層分を成膜し、２回目の成膜で残り１層分を成膜する。

【0104】

まず、基板１００Ｂの成膜を行う。状態ＳＴ３１の初期位置において、制御ユニット４３はシャッタ１２Ａ～１２Ｄの開閉をセットする。基板１００Ｂに対する１回目の成膜での蒸着ユニット１０の移動方向はＹ１１方向である。したがって、基板１００Ｂに対する相対移動方向（Ｙ１１方向）で先頭側となるのは蒸着源１１Ａの側である。状態ＳＴ３２の１回目の成膜では、蒸着物質ＭＡの膜が成膜できればよい。したがって、基板１００Ｂに対して、蒸着源１１Ａから放出される蒸着物質ＭＡが基板１００Ｂに付着すればよいことになる。そこで、シャッタ１２Ａのみが開放状態に、残りのシャッタ１２Ｂ～１２Ｄが閉鎖状態にセットされる。

【0105】

図２０（Ｂ）は状態ＳＴ３２の１回目の成膜途中の状態を示し、図２０（Ｃ）は図２０（Ｂ）のＰ１１部の拡大図である。シャッタ１２Ａ～１２Ｄはシャッタ１２Ａのみが開放状態にセットされて蒸着ユニット１０がＹ１１方向に移動する。基板１００Ｂには蒸着物質ＭＡの膜が成膜される。

【0106】

次に、状態ＳＴ３３の２回目の成膜に移行する。２回目の成膜での蒸着ユニット１０の移動方向はＹ１２方向である。したがって、基板１００Ｂに対する相対移動方向（Ｙ１２方向）で先頭側となるのは蒸着源１１Ｄの側である。２回目の成膜では、蒸着物質ＭＢ及びＭＣの混合膜が成膜できればよい。したがって、基板１００Ｂに対して、蒸着源１１Ｂ及び１１Ｃから放出される蒸着物質ＭＢ及びＭＣが基板１００Ｂに付着すればよいことになる。そこで、シャッタ１２Ｂ及び１２Ｃが開放状態に、残りのシャッタ１２Ａ及び１２Ｄは閉鎖状態にセットされる。

【0107】

図２１（Ａ）は状態ＳＴ３３の２回目の成膜途中の状態を示し、図２１（Ｂ）は図２１（Ａ）のＰ１２部の拡大図である。シャッタ１２Ａ～１２Ｄは、シャッタ１２Ｂ及び１２Ｃが開放状態にセットされて蒸着ユニット１０がＹ１２方向に移動する。基板１００Ｂには、１回目に成膜された蒸着物質ＭＡの膜の上に、蒸着源１１Ｂ及び１１Ｃからの蒸着物質ＭＢ及びＭＣの混合膜が成膜される。こうして、基板１００Ｂには残りの１層分の膜が成膜される。以上により、基板１００Ｂの成膜が完了する。

【0108】

続いて基板１００Ａの成膜に移行する。状態ＳＴ３３の初期位置において、制御ユニット４３はシャッタ１２Ａ～１２Ｄの開閉をセットする。基板１００Ａに対する１回目の成膜での蒸着ユニット１０の移動方向はＹ１２方向である。したがって、基板１００Ａに対する相対移動方向（Ｙ１２方向）で先頭側となるのは蒸着源１１Ｄの側である。状態ＳＴ３４の１回目の成膜では、蒸着物質ＭＡの膜が成膜できればよい。したがって、基板１００Ａに対して、蒸着源１１Ｄから放出される蒸着物質ＭＡが基板１００Ａに付着すればよいことになる。そこで、シャッタ１２Ｄのみが開放状態に、残りのシャッタ１２Ａ～１２Ｃが閉鎖状態にセットされる。

【0109】

図２２（Ａ）は状態ＳＴ３４の１回目の成膜途中の状態を示し、図２２（Ｂ）は図２２（Ａ）のＰ１３部の拡大図である。シャッタ１２Ａ～１２Ｄはシャッタ１２Ｄのみが開放状態にセットされて蒸着ユニット１０がＹ１２方向に移動する。基板１００Ａには蒸着物質ＭＤ（ＭＡ）の膜が成膜される。

【0110】

次に、状態ＳＴ３５の２回目の成膜に移行する。２回目の成膜での蒸着ユニット１０の移動方向はＹ１１方向である。したがって、基板１００Ａに対する相対移動方向（Ｙ１１方向）で先頭側となるのは蒸着源１１Ａの側である。２回目の成膜では、蒸着物質ＭＢ及びＭＣの混合膜が成膜できればよい。したがって、基板１００Ａに対して、蒸着源１１Ｂ及び１１Ｃから放出される蒸着物質ＭＢ及びＭＣが基板１００Ａに付着すればよいことになる。そこで、シャッタ１２Ｂ及び１２Ｃが開放状態に、残りのシャッタ１２Ａ及び１２Ｄは閉鎖状態にセットされる。

【0111】

図２２（Ａ）は状態ＳＴ３３の２回目の成膜途中の状態を示し、図２２（Ｂ）は図２２（Ａ）のＰ１４部の拡大図である。シャッタ１２Ａ～１２Ｄは、シャッタ１２Ｂ及び１２Ｃが開放状態にセットされて蒸着ユニット１０がＹ１２方向に移動する。基板１００Ａには、１回目に成膜された蒸着物質ＭＡの膜の上に、蒸着源１１Ｂ及び１１Ｃからの蒸着物質ＭＢ及びＭＣの混合膜が成膜される。こうして、基板１００Ａには残りの１層分の膜が成膜される。以上により、基板１００Ａの成膜も完了する。

【0112】

このように本実施形態では、基板１００Ａ及び基板１００Ｂに対して、連続的な成膜が可能である。上記の例は、基板１００Ａ及び基板１００Ｂに対して、同じ積層構造の成膜を行う例であるが、シャッタ１２Ａ～１２Ｄの開閉制御によって、基板１００Ａと基板１００Ｂとで異なる積層構造の成膜を連続的に行うことも可能である。

【0113】

また、本実施形態では蒸着ユニット１０の初期位置を、Ｙ方向で成膜ステージ３０Ａと成膜ステージ３０Ｂとの間の位置（基板１００Ａと基板１００Ｂとの間の位置）とした。蒸着ユニット１０の初期位置は、この位置の他に、成膜ステージ３０Ａよりも左側の位置や成膜ステージ３０Ｂよりも右側の位置としてもよい。但し、本実施形態のように、成膜ステージ３０Ａと成膜ステージ３０Ｂとの間の位置とすることで、基板１００Ａ、基板１００Ｂを連続的に成膜する際に、同じ積層構造の膜を各基板に対して蒸着ユニット１０を一往復することで成膜することができ、より短時間で成膜することができる。

【0114】

＜第五実施形態＞
次に、電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成及び製造方法を例示する。この例の場合、図１に例示した成膜システムＳＹが製造ライン上に複数設けられる。

【0115】

まず、製造する有機ＥＬ表示装置について説明する。図２４（Ａ）は有機ＥＬ表示装置５０の全体図、図２４（Ｂ）は１画素の断面構造を示す図である。

【0116】

図２４（Ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置５０の表示領域５１には、発光素子を複数備える画素５２がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。

【0117】

なお、ここでいう画素とは、表示領域５１において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。カラー有機ＥＬ表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第１発光素子５２Ｒ、第２発光素子５２Ｇ、第３発光素子５２Ｂの複数の副画素の組み合わせにより画素５２が構成されている。画素５２は、赤色（Ｒ）発光素子と緑色（Ｇ）発光素子と青色（Ｂ）発光素子の３種類の副画素の組み合わせで構成されることが多いが、これに限定はされない。画素５２は少なくとも１種類の副画素を含めばよく、２種類以上の副画素を含むことが好ましく、３種類以上の副画素を含むことがより好ましい。画素５２を構成する副画素としては、例えば、赤色（Ｒ）発光素子と緑色（Ｇ）発光素子と青色（Ｂ）発光素子と黄色（Ｙ）発光素子の４種類の副画素の組み合わせでもよい。

【0118】

図２４（Ｂ）は、図２４（Ａ）のＡ－Ｂ線における部分断面模式図である。画素５２は、基板５３上に、第１の電極（陽極）５４と、正孔輸送層５５と、赤色層５６Ｒ・緑色層５６Ｇ・青色層５６Ｂのいずれかと、電子輸送層５７と、第２の電極（陰極）５８と、を備える有機ＥＬ素子で構成される複数の副画素を有している。これらのうち、正孔輸送層５５、赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂ、電子輸送層５７が有機層に当たる。赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子（有機ＥＬ素子と記述する場合もある）に対応するパターンに形成されている。

【0119】

また、第１の電極５４は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層５５と電子輸送層５７と第２の電極５８は、複数の発光素子５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂにわたって共通で形成されていてもよいし、発光素子ごとに形成されていてもよい。すなわち、図２４（Ｂ）に示すように正孔輸送層５５が複数の副画素領域にわたって共通の層として形成された上に赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂが副画素領域ごとに分離して形成され、さらにその上に電子輸送層５７と第２の電極５８が複数の副画素領域にわたって共通の層として形成されていてもよい。

【0120】

なお、近接した第１の電極５４の間でのショートを防ぐために、第１の電極５４間に絶縁層５９が設けられている。さらに、有機ＥＬ層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するための保護層６０が設けられている。

【0121】

図２４（Ｂ）では正孔輸送層５５や電子輸送層５７が一つの層で示されているが、有機ＥＬ表示素子の構造によって、正孔ブロック層や電子ブロック層を有する複数の層で形成されてもよい。また、第１の電極５４と正孔輸送層５５との間には第１の電極５４から正孔輸送層５５への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成してもよい。同様に、第２の電極５８と電子輸送層５７の間にも電子注入層を形成してもよい。

【0122】

赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂのそれぞれは、単一の発光層で形成されていてもよいし、複数の層を積層することで形成されていてもよい。例えば、赤色層５６Ｒを２層で構成し、上側の層を赤色の発光層で形成し、下側の層を正孔輸送層又は電子ブロック層で形成してもよい。あるいは、下側の層を赤色の発光層で形成し、上側の層を電子輸送層又は正孔ブロック層で形成してもよい。このように発光層の下側又は上側に層を設けることで、発光層における発光位置を調整し、光路長を調整することによって、発光素子の色純度を向上させる効果がある。

【0123】

なお、ここでは赤色層５６Ｒの例を示したが、緑色層５６Ｇや青色層５６Ｂでも同様の構造を採用してもよい。また、積層数は２層以上としてもよい。さらに、発光層と電子ブロック層のように異なる材料の層が積層されてもよいし、例えば発光層を２層以上積層するなど、同じ材料の層が積層されてもよい。

【0124】

次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。ここでは、赤色層５６Ｒが下側層５６Ｒ１と上側層５６Ｒ２の２層からなり、緑色層５６Ｇと青色層５６Ｂは単一の発光層からなる場合を想定する。

【0125】

まず、有機ＥＬ表示装置を駆動するための回路（不図示）及び第１の電極５４が形成された基板５３を準備する。なお、基板５３の材質は特に限定はされず、ガラス、プラスチック、金属などで構成することができる。本実施形態においては、基板５３として、ガラス基板上にポリイミドのフィルムが積層された基板を用いる。

【0126】

第１の電極５４が形成された基板５３の上にアクリル又はポリイミド等の樹脂層をバーコートやスピンコートでコートし、樹脂層をリソグラフィ法により、第１の電極５４が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層５９を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。なお、本実施形態では、絶縁層５９の形成までは大型基板に対して処理が行われ、絶縁層５９の形成後に、基板５３を分割する分割工程が実行される。

【0127】

絶縁層５９がパターニングされた基板５３を第１の成膜装置１に搬入し、正孔輸送層５５を、表示領域の第１の電極５４の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層５５は、最終的に１つ１つの有機ＥＬ表示装置のパネル部分となる表示領域５１ごとに開口が形成されたマスクを用いて成膜される。

【0128】

次に、正孔輸送層５５までが形成された基板５３を第２の成膜装置１に搬入する。基板５３とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、正孔輸送層５５の上の、基板５３の赤色を発する素子を配置する部分（赤色の副画素を形成する領域）に、赤色層５６Ｒを成膜する。ここで、第２の成膜室で用いるマスクは、有機ＥＬ表示装置の副画素となる基板５３上における複数の領域のうち、赤色の副画素となる複数の領域にのみ開口が形成された高精細マスクである。これにより、赤色発光層を含む赤色層５６Ｒは、基板５３上の複数の副画素となる領域のうちの赤色の副画素となる領域のみに成膜される。換言すれば、赤色層５６Ｒは、基板５３上の複数の副画素となる領域のうちの青色の副画素となる領域や緑色の副画素となる領域には成膜されずに、赤色の副画素となる領域に選択的に成膜される。

【0129】

赤色層５６Ｒの成膜と同様に、第３の成膜装置１において緑色層５６Ｇを成膜し、さらに第４の成膜装置１において青色層５６Ｂを成膜する。赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂの成膜が完了した後、第５の成膜装置１において表示領域５１の全体に電子輸送層５７を成膜する。電子輸送層５７は、３色の層５６Ｒ、５６Ｇ、５６Ｂに共通の層として形成される。

【0130】

電子輸送層５７までが形成された基板を第６の成膜装置１に移動し、第２の電極５８を成膜する。本実施形態では、第１の成膜装置１～第６の成膜装置１では真空蒸着によって各層の成膜を行う。しかし、本発明はこれに限定はされず、例えば第６の成膜装置１における第２の電極５８の成膜はスパッタによって成膜するようにしてもよい。その後、第２の電極５８までが形成された基板を封止装置に移動してプラズマＣＶＤによって保護層６０を成膜して（封止工程）、有機ＥＬ表示装置５０が完成する。なお、ここでは保護層６０をＣＶＤ法によって形成するものとしたが、これに限定はされず、ＡＬＤ法やインクジェット法によって形成してもよい。

【0131】

発明は上記の実施形態に制限されるものではなく、発明の要旨の範囲内で、種々の変形・変更が可能である。

【符号の説明】

【0132】

１：成膜装置、１０：蒸着ユニット、１１Ａ～１１Ｄ：蒸着源、１２Ａ～１２Ｄ シャッタ、４３：制御ユニット

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】