特開 2024-176498 半導体ウエーハの処理システム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024176498

(43)【公開日】2024-12-19

(54)【発明の名称】半導体ウエーハの処理システム

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/301 20060101AFI20241212BHJP

   B24B 41/06 20120101ALI20241212BHJP

   B24B 27/06 20060101ALI20241212BHJP

   B23Q 37/00 20060101ALI20241212BHJP

   B23K 26/00 20140101ALI20241212BHJP

【ＦＩ】

H01L21/78 F

B24B41/06 Z

B24B27/06 M

B23Q37/00 Z

B23K26/00 G

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023095059

(22)【出願日】2023-06-08

(71)【出願人】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】田中 万平

(72)【発明者】

【氏名】寺師 健太郎

(72)【発明者】

【氏名】安田 剛樹

(72)【発明者】

【氏名】杉山 洋輔

(72)【発明者】

【氏名】松岡 伸太郎

【テーマコード（参考）】

3C034

3C042

3C158

4E168

5F063

【Ｆターム（参考）】

3C034AA08

3C034AA13

3C034AA19

3C034BB73

3C034DD10

3C034DD20

3C042RF01

3C158AA03

3C158AB04

3C158CB05

3C158DA17

4E168JA12

4E168JA13

5F063AA43

5F063DD01

5F063DD09

5F063DD17

(57)【要約】

【課題】複数の処理装置を設置する場合でもコストの高騰を抑制することができる半導体ウエーハの処理システムを提供すること。
【解決手段】半導体ウエーハの処理システム１は、半導体ウエーハを保持する保持テーブルと、保持テーブルに保持された半導体ウエーハを処理する処理ユニット３０と、を含む処理装置１０が、一方向であるＸ軸方向に並んで複数台設置され、複数の処理装置１０は、共通のモニタ１１０によって操作され、共通の制御ユニット１００によって制御される。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体ウエーハを保持する保持テーブルと、
該保持テーブルに保持された半導体ウエーハを処理する処理ユニットと、
を含む処理装置が、一方向に並んで複数台設置され、
複数の該処理装置は、共通のモニタによって操作され、
共通の制御ユニットによって制御される半導体ウエーハの処理システム。

【請求項2】

該一方向に延在し、複数の該処理装置を覆うカバーをさらに備える請求項１に記載の半導体ウエーハの処理システム。

【請求項3】

該処理ユニットは、半導体ウエーハに対して、加工、洗浄、膜形成、検査、撮像、支持部材の貼り付け、支持部材の剥離、の少なくともいずれかを行う請求項１または請求項２に記載の半導体ウエーハの処理システム。

【請求項4】

該処理ユニットは、回転可能なスピンドルと、該スピンドルの先端に固定されたマウントと、該マウントに支持され半導体ウエーハを加工する加工工具と、を含み、
該加工工具は、切削ブレード、バイト刃、研削ホイール、研磨パッドの少なくともいずれかである請求項１または請求項２に記載の半導体ウエーハの処理システム。

【請求項5】

該処理ユニットは、半導体ウエーハにレーザ光線を照射するレーザ光線照射ユニットである請求項１または請求項２に記載の半導体ウエーハの処理システム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体ウエーハの処理システムに関する。

【背景技術】

【0002】

処理装置は、保持テーブルと、処理ユニットと、を含む処理装置と、制御ユニットと、モニタと、を含んで構成されている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２１－００２２５６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

前述した特許文献１等に示された処理装置を複数設置すると、コストがかかっていた。

【0005】

本発明の目的は、複数の処理装置を設置する場合でもコストの高騰を抑制することができる半導体ウエーハの処理システムを提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の半導体ウエーハの処理システムは、半導体ウエーハを保持する保持テーブルと、該保持テーブルに保持された半導体ウエーハを処理する処理ユニットと、を含む処理装置が、一方向に並んで複数台設置され、複数の該処理装置は、共通のモニタによって操作され、共通の制御ユニットによって制御されることを特徴とする。

【0007】

前記半導体ウエーハの処理システムにおいて、該一方向に延在し、複数の該処理装置を覆うカバーをさらに備えても良い。

【0008】

前記半導体ウエーハの処理システムにおいて、該処理ユニットは、半導体ウエーハに対して、加工、洗浄、膜形成、検査、撮像、支持部材の貼り付け、支持部材の剥離、の少なくともいずれかを行っても良い。

【0009】

前記半導体ウエーハの処理システムにおいて、該処理ユニットは、回転可能なスピンドルと、該スピンドルの先端に固定されたマウントと、該マウントに支持され半導体ウエーハを加工する加工工具と、を含み、該加工工具は、切削ブレード、バイト刃、研削ホイール、研磨パッドの少なくともいずれかでも良い。

【0010】

前記半導体ウエーハの処理システムにおいて、該処理ユニットは、半導体ウエーハにレーザ光線を照射するレーザ光線照射ユニットでも良い。

【発明の効果】

【0011】

本発明は、複数の処理装置を設置する場合でもコストの高騰を抑制することができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】図１は、実施形態１に係る半導体ウエーハの処理システムの構成例を模式的に示す斜視図である。

【図2】図２は、図１に示された半導体ウエーハの処理システムの処理装置の構成例を模式的に示す斜視図である。

【図3】図３は、図２に示された処理装置の処理ユニットの構成例を模式的に示す側面図である。

【図4】図４は、図１に示された半導体ウエーハの処理システムのモニタの表示例を示す正面図である。

【図5】図５は、実施形態２に係る半導体ウエーハの処理システムの加工室カバー内を模式的に示す平面図である。

【図6】図６は、図５に示す半導体ウエーハの処理システムの保持テーブルを移動した例を模式的に示す平面図である。

【図7】図７は、図５に示す半導体ウエーハの処理システムのいずれかの処理装置の処理ユニットで切削加工する例を一部断面で模式的に示す正面図である。

【図8】図８は、図５に示す半導体ウエーハの処理システムの他のいずれかの処理装置の処理ユニットで切削加工する例を一部断面で模式的に示す正面図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

【0014】

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係る半導体ウエーハの処理システムを図面に基いて説明する。図１は、実施形態１に係る半導体ウエーハの処理システムの構成例を模式的に示す斜視図である。図２は、図１に示された半導体ウエーハの処理システムの処理装置の構成例を模式的に示す斜視図である。図３は、図２に示された処理装置の処理ユニットの構成例を模式的に示す側面図である。図４は、図１に示された半導体ウエーハの処理システムのモニタの表示例を示す正面図である。

【0015】

（半導体ウエーハの処理システム）
半導体ウエーハの処理システム１は、図１に示すように、複数の処理装置１０と、一つの制御ユニット１００と、一つのモニタ１１０と、一つの入力ユニット１２０とを備える。処理装置１０は、図２に示す半導体ウエーハ２００を処理する装置であって、実施形態１では、半導体ウエーハ２００を切削加工する加工装置である。

【0016】

実施形態１において、処理装置１０の処理対象である半導体ウエーハ２００は、シリコン、又はガリウムなどを基板とする円板状に形成され、表面２０１の格子状に形成された複数の分割予定ライン２０２によって格子状に区画された領域にデバイス２０３が形成されている。デバイス２０３は、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）又はＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路、又は半導体メモリ（半導体記憶装置）である。実施形態１において、半導体ウエーハ２００は、外径よりも大径な円板状でかつ外縁部に環状フレーム２０６が貼着されたテープ２０５の中央部に裏面２０４が貼着されて、処理装置１０により切削加工される。

【0017】

処理装置１０は、図２に示すように、半導体ウエーハ２００を保持面２１で吸引保持する保持テーブル２０と、保持テーブル２０が保持する半導体ウエーハ２００を処理する処理ユニット３０と、保持テーブル２０に保持された半導体ウエーハ２００を撮影する撮像ユニット４０とを含む。また、処理装置１０は、図２に示すように、保持テーブル２０と処理ユニット３０とを相対的に移動させる移動ユニット５０を備える。

【0018】

移動ユニット５０は、保持テーブル２０を水平方向と平行なＸ軸方向に加工送りするＸ軸移動ユニット５１と、処理ユニット３０を水平方向と平行でかつＸ軸方向に直交するＹ軸方向に割り出し送りするＹ軸移動ユニット５２と、処理ユニット３０をＸ軸方向とＹ軸方向との双方と直交する鉛直方向に平行なＺ軸方向に切り込み送りするＺ軸移動ユニット５３と、保持テーブル２０をＺ軸方向と平行な軸心回りに回転する回転移動ユニット５４とを備える。

【0019】

Ｘ軸移動ユニット５１は、保持テーブル２０を加工送り方向であるＸ軸方向に移動させることで、保持テーブル２０と処理ユニット３０とを相対的にＸ軸方向に沿って加工送りするものである。Ｘ軸移動ユニット５１は、装置本体１１に設置されている。

【0020】

Ｙ軸移動ユニット５２は、処理ユニット３０を割り出し送り方向であるＹ軸方向に移動させることで、保持テーブル２０と処理ユニット３０とを相対的にＹ軸方向に沿って割り出し送りするものである。Ｙ軸移動ユニット５２は、装置本体１１から立設した門型の支持フレーム１２に設置されている。

【0021】

Ｚ軸移動ユニット５３は、処理ユニット３０を切り込み送り方向であるＺ軸方向に移動させることで、保持テーブル２０と処理ユニット３０とを相対的にＺ軸方向に沿って切り込み送りするものである。Ｚ軸移動ユニット５３は、Ｙ軸移動ユニット５２によりＹ軸方向に移動される移動フレーム１３に設置されている。回転移動ユニット５４は、Ｘ軸移動ユニット５１に支持され、保持テーブル２０を支持して、保持テーブル２０とともにＸ軸方向に移動自在に配設されている。

【0022】

Ｘ軸移動ユニット５１、Ｙ軸移動ユニット５２及びＺ軸移動ユニット５３は、軸心回りに回転自在に設けられた周知のボールねじ、ボールねじを軸心回りに回転させる周知のモータ及び保持テーブル２０又は処理ユニット３０をＸ軸方向、Ｙ軸方向又はＺ軸方向に移動自在に支持する周知のガイドレールを備える。回転移動ユニット５４は、保持テーブル２０を軸心回りに回転するモータ等を備えている。

【0023】

保持テーブル２０は、円盤形状であり、半導体ウエーハ２００を保持する保持面２１がポーラスセラミック等から形成されている。また、保持テーブル２０は、Ｘ軸移動ユニット５１により処理ユニット３０の下方の加工領域と、処理ユニット３０の下方から離間して半導体ウエーハ２００が搬入出される搬入出領域とに亘ってＸ軸方向に移動自在に設けられ、かつ回転移動ユニット５４によりＺ軸方向と平行な軸心回りに回転自在に設けられている。

【0024】

保持テーブル２０は、図示しない真空吸引源と接続され、真空吸引源により吸引されることで、保持面２１に載置された半導体ウエーハ２００を吸引、保持する。実施形態１では、保持テーブル２０は、テープ２０５を介して半導体ウエーハ２００の裏面２０４側を吸引、保持する。また、保持テーブル２０の周囲には、図２に示すように、環状フレーム２０６をクランプするクランプ部２２が複数設けられている。

【0025】

実施形態１において、処理ユニット３０は、保持テーブル２０で保持された半導体ウエーハ２００を切削ブレード３１で切削加工する切削ユニットである。処理ユニット３０は、保持テーブル２０に保持された半導体ウエーハ２００に対して、Ｙ軸移動ユニット５２によりＹ軸方向に移動自在に設けられ、かつ、Ｚ軸移動ユニット５３によりＺ軸方向に移動自在に設けられている。

【0026】

処理ユニット３０は、Ｙ軸移動ユニット５２、Ｚ軸移動ユニット５３などを介して、装置本体１１から立設した門型の支持フレーム１２に設けられている。処理ユニット３０は、それぞれ、Ｙ軸移動ユニット５２及びＺ軸移動ユニット５３により、保持テーブル２０の保持面２１の任意の位置に切削ブレード３１を位置付け可能となっている。

【0027】

処理ユニット３０は、図２及び図３に示すように、Ｙ軸移動ユニット５２及びＺ軸移動ユニット５３によりＹ軸方向及びＺ軸方向に移動自在に設けられたスピンドルハウジング３２と、スピンドルハウジング３２にＹ軸方向と平行な軸心回りに回転自在に支持され、かつ図示しないスピンドルモータにより軸心回りに回転されるスピンドル３３（図３のみに示す）と、スピンドル３３の先端に固定されたマウント３４（図３のみに示す）と、マウント３４に支持されてスピンドル３３の先端に装着されて半導体ウエーハ２００を切削加工する加工工具である切削ブレード３１とを含む。

【0028】

切削ブレード３１は、略リング形状を有する極薄の切削砥石である。実施形態１において、切削ブレード３１は、半導体ウエーハ２００を切削する円環状の切り刃と、切り刃を外縁に支持しかつスピンドル２３に着脱自在に装着される円環状の環状基台とを備えている。切り刃は、ダイヤモンドやＣＢＮ（Cubic Boron Nitride）等の砥粒と、金属や樹脂等のボンド材（結合材）とを備える。なお、本発明では、切削ブレード３１は、切り刃のみからなる所謂ワッシャーブレードでも良い。

【0029】

スピンドルハウジング３２は、Ｚ軸移動ユニット５３によりＺ軸方向に移動自在に支持され、Ｚ軸移動ユニット５３を介してＹ軸移動ユニット５２によりＹ軸方向に移動自在に支持されている。スピンドルハウジング３２は、スピンドル２３の先端部を除く部分及び図示しないスピンドルモータ等を収容し、スピンドル２３を軸心回りに回転可能に支持する。

【0030】

スピンドル２３は、切削ブレード３１を先端に固定するものである。スピンドル２３は、図示しないスピンドルモータにより回転されるとともに、先端部がスピンドルハウジング３２の先端面より突出している。スピンドル２３の先端部は、先端に向かうにしたがって徐々に細く形成されており、マウント３４を介して切削ブレード３１が装着される。

【0031】

処理ユニット３０のスピンドル２３及び切削ブレード３１の軸心は、Ｙ軸方向と平行に設定されている。

【0032】

撮像ユニット４０は、処理ユニット３０と一体的に移動するように、処理ユニット３０に固定されている。撮像ユニット４０は、保持テーブル２０に保持された切削前の半導体ウエーハ２００の分割すべき領域を撮影する撮像素子を備えている。撮像素子は、例えば、ＣＣＤ（Charge-Coupled Device）撮像素子又はＣＭＯＳ（Complementary MOS）撮像素子である。撮像ユニット４０は、保持テーブル２０に保持された半導体ウエーハ２００を撮影して、半導体ウエーハ２００と切削ブレード３１との位置合わせを行なうアライメントを遂行するため等の画像を得、得た画像を制御ユニット１００に出力する。

【0033】

また、処理装置１０は、保持テーブル２０のＸ軸方向の位置を検出するため図示しないＸ軸方向位置検出ユニットと、処理ユニット３０のＹ軸方向の位置を検出するための図示しないＹ軸方向位置検出ユニットと、処理ユニット３０のＺ軸方向の位置を検出するためのＺ軸方向位置検出ユニットとを備える。Ｘ軸方向位置検出ユニット及びＹ軸方向位置検出ユニットは、Ｘ軸方向、又はＹ軸方向と平行なリニアスケールと、読み取りヘッドとにより構成することができる。

【0034】

また、Ｚ軸方向位置検出ユニットは、Ｚ軸移動ユニット５３のモータのパルスで処理ユニット３０のＺ軸方向の位置を検出する。Ｘ軸方向位置検出ユニット、Ｙ軸方向位置検出ユニット及びＺ軸方向位置検出ユニットは、保持テーブル２０のＸ軸方向、処理ユニット３０の切削ブレード３１の切り刃の下端のＹ軸方向又はＺ軸方向の位置を検出して、検出結果を制御ユニット１００に出力する。なお、実施形態１では、処理装置１０の各構成要素のＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向の位置は、予め定められた図示しない基準位置を基準とした位置で定められる。なお、Ｚ軸方向の基準位置は、切削ブレード３１の切り刃の下端が保持面２１と同一平面上に位置する処理ユニット３０の位置である。

【0035】

前述した構成の処理装置１０は、オペレータ等により加工条件が制御ユニット１００に登録され、切削加工前の半導体ウエーハ２００が保持テーブル２０の保持面２１に載置されて、制御ユニット１００がオペレータから加工動作の開始指示を受け付けると加工動作を開始する。実施形態１において、加工動作では、処理装置１０は、制御ユニット１００が保持テーブル２０の保持面２１にテープ２０５を介して半導体ウエーハ２００の裏面２０４側を吸引保持するとともに、クランプ部２２で環状フレーム２０６をクランプする。

【0036】

実施形態１において、加工動作では、処理装置１０は、制御ユニット１００がスピンドル２３を軸心回りに回転し、移動ユニット５０を制御して保持テーブル２０を加工領域に向かって移動して、撮像ユニット４０が半導体ウエーハ２００を撮影して、撮像ユニット４０が撮影して得た画像に基づいて、アライメントを遂行する。実施形態１において、加工動作では、処理装置１０は、制御ユニット１００が移動ユニット５０及び切削ユニット２０等を制御して、分割予定ライン２０２に沿って半導体ウエーハ２００と処理ユニット３０とを相対的に移動させながら、切削ブレード３１を各分割予定ライン２０２に切り込ませて半導体ウエーハ２００を個々のデバイス２０３に分割する。

【0037】

実施形態１において、加工動作では、処理装置１０は、半導体ウエーハ２００の全ての分割予定ラインを切削すると、制御ユニット１００が、移動ユニット５０を制御して保持テーブル２０を搬入出領域に移動させて、制御ユニット１００保持テーブル２０の吸引保持を停止して、加工動作を終了する。

【0038】

実施形態１において、半導体ウエーハの処理システム１は、処理装置１０が一方向であるＸ軸方向に並んで複数台（実施形態１では、４台）設置されている。実施形態１に係る半導体ウエーハの処理システム１は、複数の処理装置１０を覆う一つのカバー２を更に備える。カバー２は、図１に示すように、平板状に形成されかつ少なくとも二つ以上の処理装置１０にわたってＸ軸方向に延在した２枚の第１カバー部材３と、２枚の第１カバー部材３のＸ軸方向の両縁を連結した２枚の第２カバー部材４とを備えて、複数の処理装置１０の装置本体１１の下方を覆っている。なお、カバー２は全ての処理装置１０を一つのカバー２で覆う事が最もコストが削減できるが、少なくとも二つ以上の処理装置１０を一つのカバー２で覆い、複数のカバー２同士を連結していても良い。この場合も従来の一つの処理装置１０につき一枚のカバー２という設計よりもカバー２の数を減らしコストを削減する効果がある。

【0039】

また、実施形態１では、半導体ウエーハの処理システム１は、各処理装置１０の装置本体１１の上方即ち加工領域及び搬入出領域が加工室カバー５で覆われて、処理装置１０の装置本体１１の上方間が仕切板６により仕切られている。このため、実施形態１では、保持テーブル２０が各処理装置１０の装置本体１１上でＸ軸方向に移動して、複数の処理装置１０の装置本体１１上を跨って移動することが規制されている。また、実施形態１では、半導体ウエーハの処理システム１は、各加工領域が図示しない排気用のダクトに連結している。

【0040】

制御ユニット１００は、複数の処理装置１０の各構成要素をそれぞれ制御して、半導体ウエーハ２００に対する加工動作を処理装置１０に実施させるものである。即ち、実施形態１において、複数の処理装置１０は、共通の制御ユニット１００によって制御される。なお、制御ユニット１００は、ＣＰＵ（central processing unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read only memory）又はＲＡＭ（random access memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有するコンピュータである。制御ユニット１００の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、各処理装置１０を制御するための制御信号を、入出力インターフェース装置を介して各処理装置１０の各構成要素に出力する。

【0041】

モニタ１１０は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される表示ユニットである。モニタ１１０は、複数の処理装置１０のうち任意の処理装置１０を選択するための図４に例示する選択画面１１１と、選択画面１１１で選択された処理装置１０の各種の情報や加工条件を設定するための装置画面などを表示可能である。なお、図４に示された選択画面１１１は、各処理装置１０を符号１０－１，１０－２，１０－３，１０－４で示している。

【0042】

入力ユニット１２０は、オペレータが加工条件などを登録する際に用いるものであって、実施形態１では、モニタ１１０に設けられたタッチパネルにより構成される。入力ユニット１２０は、例えば、図４に示された選択画面１１１に表示された処理装置１０－１，１０－２，１０－３，１０－４のうち任意のものを操作することで選択することができる。なお、図４に示された選択画面１１１は、網掛けで示す処理装置１０が選択された例を示している。このように、実施形態１では、複数の処理装置１０は、一つのモニタ１１０に設けられた一つの入力ユニット１２０によって操作される。

【0043】

また、半導体ウエーハの処理システム１は、音と光の少なくとも一方を発して、オペレータに報知する報知ユニット１３０を備えている。

【0044】

以上のように説明した実施形態１に係る半導体ウエーハの処理システム１は、複数の処理装置１０が共通のモニタ１１０によって操作されかつ共通の制御ユニット１００によって制御されるので、複数の処理装置１０を設置する場合でもコストの高騰を抑制することができるという効果を奏する。

【0045】

また、実施形態１に係る半導体ウエーハの処理システム１は、処理装置１０がＸ軸方向に並んで複数台設置されて、複数の処理装置１０がそれぞれカバーで覆われるのではなく、複数の処理装置１０にわたって一つのカバー２で覆っているので、安価を図ることができる。

【0046】

また、独立した処理装置１０を並べて複数設置する場合は、処理装置１０の間に隙間が必要であるが、実施形態１に係る半導体ウエーハの処理システム１は、処理装置１０の間に仕切板６を設けているのみであるため、独立した処理装置１０を隣接して設置するよりも設置面積を小さくできる。

【0047】

〔実施形態２〕
実施形態２に係る半導体ウエーハの処理システムを図面に基いて説明する。図５は、実施形態２に係る半導体ウエーハの処理システムの加工室カバー内を模式的に示す平面図である。図６は、図５に示す半導体ウエーハの処理システムの保持テーブルを移動した例を模式的に示す平面図である。図７は、図５に示す半導体ウエーハの処理システムのいずれかの処理装置の処理ユニットで切削加工する例を一部断面で模式的に示す正面図である。図８は、図５に示す半導体ウエーハの処理システムの他のいずれかの処理装置の処理ユニットで切削加工する例を一部断面で模式的に示す正面図である。図５、図６、図７及び図８は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

【0048】

実施形態２に係る半導体ウエーハの処理システム１は、図５及び図６に示すように、仕切板６に保持テーブル２０を通すことが可能な開口７が設けられ、全ての処理装置１０の保持テーブル２０が共通のシャフトモーター５５でＸ軸移動ユニット５１及び回転移動ユニット５４毎、Ｘ軸方向に移動自在に設けられて、各保持テーブル２０が複数の処理装置１０の装置本体１１上を跨って移動することが許容されている。即ち、実施形態２に係る半導体ウエーハの処理システム１は、図６に示すように、複数の処理装置１０のうちいずれかの装置本体１１上に複数の保持テーブル２０を位置付けて、いずれかの処理ユニット３０が複数の保持テーブル２０に保持された半導体ウエーハ２００を切削加工することができる。

【0049】

なお、シャフトモーター５５は、複数の処理装置１０の装置本体１１上にＸ軸方向に沿って直線状に形成され、かつＮ極同士、Ｓ極同士を接合した複数の磁石からなるシャフト軸５６と、シャフト軸５６を内側に通し各保持テーブル２０をＸ軸方向に移動自在に支持したＸ軸移動ユニット５１に固定されているとともにコイルを内蔵したスライダ５７とを備えている。シャフトモーター５５は、スライダ５７のコイルに電流が供給されることで、各保持テーブル２０を互いに独立してシャフト軸５６の長手方向に沿って移動させる。

【0050】

また、実施形態２に係る半導体ウエーハの処理システム１は、複数の処理装置１０のうちいずれかの処理ユニット３０の切削ブレード３１で図７に示すように半導体ウエーハ２００の基板の厚み方向の中央まで切削加工して切削溝２０７を形成した後、他のいずれかの処理ユニット３０の切削ブレード３１で図８に示すように切削溝２０７の底を切削加工することができる。即ち、実施形態２に係る半導体ウエーハの処理システムは、図７及び図８に示すように、所謂ステップ加工を実施して、半導体ウエーハ２００を個々のデバイス２０３に分割することができる。

【0051】

実施形態２に係る半導体ウエーハの処理システム１は、複数の処理装置１０が共通のモニタ１１０によって操作されかつ共通の制御ユニット１００によって制御されるので、実施形態１と同様に、複数の処理装置１０を設置する場合でもコストの高騰を抑制することができるという効果を奏する。

【0052】

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、処理ユニット３０は、切削ユニットに限らず、半導体ウエーハ２００に対して、バイト切削加工、研削加工、研磨加工、洗浄、膜形成、検査、撮像、テープなどの支持部材の貼り付け、テープななど支持部材の剥離を行う処理ユニットでも良い。このように、本発明では、処理ユニット３０は、加工、洗浄、膜形成、検査、撮像、支持部材の貼り付け、支持部材の剥離の少なくともいずれかを行うものであれば良い。

【0053】

即ち、本発明では、処理ユニット３０は、被加工物に任意の検査を施す検査ユニット、撮像ユニット、テープを被加工物に貼り付けるテープ貼り機、またテープ剥離機、被加工物に樹脂などの保護膜を形成する保護膜形成ユニットなどの種類の異なる任意のものでも良い。

【0054】

また、本発明では、処理ユニット３０は、半導体ウエーハ２００に透過性又は吸収性を有する波長のレーザ光線を照射するレーザ光線照射ユニットでも良く、半導体ウエーハ２００に加圧された液体を噴射する高圧水洗浄ノズル、プラズマ発生源となど液体やガスなどの加工媒体を供給する処理ユニットでも良い。

【0055】

また、本発明では、処理ユニット３０の加工工具は、切削ブレード３１に限らず、バイト工具、研削ホイール、研磨パッドなどでも良い。このように、本発明では、加工工具は、切削ブレード３１、バイト刃、研削ホイール、研磨パッドの少なくともいずれかでも良い。

【符号の説明】

【0056】

１ 半導体ウエーハの処理システム
２ カバー
１０ 処理装置
２０ 保持テーブル
３０ 処理ユニット
３１ 切削ブレード（加工工具）
３３ スピンドル
３４ マウント
１００ 制御ユニット
１１０ モニタ
２００ 半導体ウエーハ
２０５ テープ（支持部材）
Ｘ 一方向

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】