知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024177732
(43)【公開日】2024-12-24
(54)【発明の名称】メモリモジュールおよび形状測定機
(51)【国際特許分類】
G11C 5/14 20060101AFI20241217BHJP
G06F 1/26 20060101ALI20241217BHJP
【ＦＩ】
G11C5/14 100
G06F1/26 303
【審査請求】未請求
【請求項の数】5
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023096033
(22)【出願日】2023-06-12
(71)【出願人】
【識別番号】000137694
【氏名又は名称】株式会社ミツトヨ
(74)【代理人】
【識別番号】110000637
【氏名又は名称】弁理士法人樹之下知的財産事務所
(72)【発明者】
【氏名】高橋 千尋
(72)【発明者】
【氏名】金松 敏裕
【テーマコード（参考）】
5B011
【Ｆターム（参考）】
5B011DA02
5B011DB01
5B011DB21
5B011EA05
5B011EA10
5B011JA03
(57)【要約】
【課題】バッテリの消費を抑制可能なメモリモジュールにおいて、揮発性メモリの不具合発生を抑制する
【解決手段】メモリモジュール１は、揮発性メモリであるＳＲＡＭ１３２と、バッテリ１２の電力をＳＲＡＭ１３２に供給する電力供給経路Ｌ１と、ＳＲＡＭ１３２に対して並列な関係で電力供給経路Ｌ１に接続された第１コンデンサ３１と、第１コンデンサ３１に対して並列な関係で電力供給経路Ｌ１に接続された放電抵抗３３と、電力供給経路Ｌ１をバッテリに接続するオン状態と、電力供給経路Ｌ１を放電切替経路Ｌ２に接続するオフ状態とを切り替えるバッテリスイッチ４１と、バッテリスイッチ４１がオン状態からオフ状態に切り替えられ、かつ、電力供給経路Ｌ１からバッテリスイッチ４１を介して放電切替経路Ｌ２に任意の電荷が流入する間、放電抵抗３３をグランドに接続する放電スイッチ４２と、を備える
【選択図】図２
【解決手段】メモリモジュール１は、揮発性メモリであるＳＲＡＭ１３２と、バッテリ１２の電力をＳＲＡＭ１３２に供給する電力供給経路Ｌ１と、ＳＲＡＭ１３２に対して並列な関係で電力供給経路Ｌ１に接続された第１コンデンサ３１と、第１コンデンサ３１に対して並列な関係で電力供給経路Ｌ１に接続された放電抵抗３３と、電力供給経路Ｌ１をバッテリに接続するオン状態と、電力供給経路Ｌ１を放電切替経路Ｌ２に接続するオフ状態とを切り替えるバッテリスイッチ４１と、バッテリスイッチ４１がオン状態からオフ状態に切り替えられ、かつ、電力供給経路Ｌ１からバッテリスイッチ４１を介して放電切替経路Ｌ２に任意の電荷が流入する間、放電抵抗３３をグランドに接続する放電スイッチ４２と、を備える
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
揮発性メモリと、
バッテリの電力を前記揮発性メモリに供給する電力供給経路と、
前記揮発性メモリに対して並列な関係で前記電力供給経路に接続された第１コンデンサと、
前記第１コンデンサに対して並列な関係で前記電力供給経路に接続された放電抵抗と、
前記電力供給経路を前記バッテリに接続するオン状態と、前記電力供給経路を放電切替経路に接続するオフ状態とを切り替えるバッテリスイッチと、
前記バッテリスイッチが前記オン状態から前記オフ状態に切り替えられ、かつ、前記電力供給経路から前記バッテリスイッチを介して前記放電切替経路に任意の電荷が流入する間、前記放電抵抗をグランドに接続する放電スイッチと、を備える、メモリモジュール。
バッテリの電力を前記揮発性メモリに供給する電力供給経路と、
前記揮発性メモリに対して並列な関係で前記電力供給経路に接続された第１コンデンサと、
前記第１コンデンサに対して並列な関係で前記電力供給経路に接続された放電抵抗と、
前記電力供給経路を前記バッテリに接続するオン状態と、前記電力供給経路を放電切替経路に接続するオフ状態とを切り替えるバッテリスイッチと、
前記バッテリスイッチが前記オン状態から前記オフ状態に切り替えられ、かつ、前記電力供給経路から前記バッテリスイッチを介して前記放電切替経路に任意の電荷が流入する間、前記放電抵抗をグランドに接続する放電スイッチと、を備える、メモリモジュール。
【請求項2】
前記電力供給経路に設けられ、かつ、前記第１コンデンサから前記バッテリへの電流の逆流を防止するダイオードと、
前記ダイオードの上流側において、前記第１コンデンサに対して並列な関係で前記電力供給経路に接続された第２コンデンサと、をさらに備える、請求項１に記載のメモリモジュール。
前記ダイオードの上流側において、前記第１コンデンサに対して並列な関係で前記電力供給経路に接続された第２コンデンサと、をさらに備える、請求項１に記載のメモリモジュール。
【請求項3】
前記放電スイッチは、前記放電切替経路に接続された制御端子を有し、かつ、前記放電抵抗と前記グランドとの間に接続された半導体スイッチである、請求項１に記載のメモリモジュール。
【請求項4】
前記放電スイッチは、
前記放電切替経路に設けられた発光ダイオードと、
前記放電抵抗と前記グランドとの間に接続され、前記発光ダイオードから光信号を受光するフォトトランジスタと、を有する、請求項１に記載のメモリモジュール。
前記放電切替経路に設けられた発光ダイオードと、
前記放電抵抗と前記グランドとの間に接続され、前記発光ダイオードから光信号を受光するフォトトランジスタと、を有する、請求項１に記載のメモリモジュール。
【請求項5】
ワークの表面粗さを測定する形状測定機であって、
請求項１～４のいずれか一項に記載のメモリモジュールと、
前記揮発性メモリに電力を供給する前記バッテリと、
前記揮発性メモリに保存された測定条件に基づいて測定処理を行うプロセッサと、を含み、
前記バッテリスイッチが前記オフ状態から前記オン状態に切り替えられた場合、前記プロセッサは、前記測定条件のデフォルトデータを前記揮発性メモリに書き込む、形状測定機。
請求項１～４のいずれか一項に記載のメモリモジュールと、
前記揮発性メモリに電力を供給する前記バッテリと、
前記揮発性メモリに保存された測定条件に基づいて測定処理を行うプロセッサと、を含み、
前記バッテリスイッチが前記オフ状態から前記オン状態に切り替えられた場合、前記プロセッサは、前記測定条件のデフォルトデータを前記揮発性メモリに書き込む、形状測定機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、揮発性メモリを有するメモリモジュールおよび形状測定機に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、プログラムやデータを一時的に格納するメモリとして、ＳＲＡＭやＤＲＡＭなどの揮発性メモリが利用される。この揮発性メモリは、素早い応答性を有するが、電力供給を受けない状態ではデータを保持できない。そこで、外部電源が遮断された場合には、バッテリの電力を利用することで揮発性メモリのデータを維持する電子機器が存在する（例えば特許文献１参照）。
【0003】
また、従来、ワークの表面粗さを測定する形状測定機では、測定動作を行うために、種々の設定パラメータを含む測定条件を必要とする（例えば特許文献２参照）。このような測定条件は、上述したような揮発性メモリに書き込まれることで、素早い測定動作を可能にする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開平６－２６６４７６号公報
【特許文献2】特開２０２２－８９１０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
一般に、特許文献１に開示されるようなバッテリを有する電子機器では、電子機器を長期間使用しない場合、バッテリの消費を抑制するためにバッテリの電力を遮断することが望ましい。本発明者らは、揮発性メモリに対するバッテリの電力遮断に関して検討したところ、以下の問題を見出した。
まず、揮発性メモリと、バッテリと揮発性メモリとの間の接続をオンオフするバッテリスイッチとを有するメモリモジュールを想定する。このメモリモジュールにおいて、バッテリスイッチがオンからオフに切り替えられた場合、揮発性メモリの電圧は、メモリモジュール内のコンデンサなどの影響を受けることで緩やかに降下する。ここで、揮発性メモリの電圧がデータ保持可能な電圧値を下回った直後にバッテリスイッチがオフからオンに切り替えられた場合、揮発性メモリのデータが部分的に消失しつつ完全に消去されない状態で電源が再投入されることがある。このような場合、プロセッサが揮発性メモリの部分的なデータ消失を検出できないまま再起動され、正常な出力を実行できないことがある。
特に、電子機器が特許文献２のような形状測定機である場合には、プロセッサが揮発性メモリに書き込まれているはずの測定条件を読み取ることができず、エラーが生じるという問題が生じる。
まず、揮発性メモリと、バッテリと揮発性メモリとの間の接続をオンオフするバッテリスイッチとを有するメモリモジュールを想定する。このメモリモジュールにおいて、バッテリスイッチがオンからオフに切り替えられた場合、揮発性メモリの電圧は、メモリモジュール内のコンデンサなどの影響を受けることで緩やかに降下する。ここで、揮発性メモリの電圧がデータ保持可能な電圧値を下回った直後にバッテリスイッチがオフからオンに切り替えられた場合、揮発性メモリのデータが部分的に消失しつつ完全に消去されない状態で電源が再投入されることがある。このような場合、プロセッサが揮発性メモリの部分的なデータ消失を検出できないまま再起動され、正常な出力を実行できないことがある。
特に、電子機器が特許文献２のような形状測定機である場合には、プロセッサが揮発性メモリに書き込まれているはずの測定条件を読み取ることができず、エラーが生じるという問題が生じる。
【0006】
本発明は、バッテリの消費を抑制可能なメモリモジュールおよび形状測定機において、揮発性メモリの不具合発生を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一態様に係るメモリモジュールは、揮発性メモリと、バッテリの電力を前記揮発性メモリに供給する電力供給経路と、前記揮発性メモリに対して並列な関係で前記電力供給経路に接続された第１コンデンサと、前記第１コンデンサに対して並列な関係で前記電力供給経路に接続された放電抵抗と、前記電力供給経路を前記バッテリに接続するオン状態と、前記電力供給経路を放電切替経路に接続するオフ状態とを切り替えるバッテリスイッチと、前記バッテリスイッチが前記オン状態から前記オフ状態に切り替えられ、かつ、前記電力供給経路から前記バッテリスイッチを介して前記放電切替経路に任意の電荷が流入する間、前記放電抵抗をグランドに接続する放電スイッチと、を備える。
このような構成では、バッテリスイッチがオン状態からオフ状態に切り替えられると、放電抵抗がグランドに接続されることで、第１コンデンサが放電抵抗により放電される。その結果、揮発性メモリに加わる電圧が急速に低下するため、揮発性メモリのデータが素早く消去される。よって、バッテリスイッチが連続的に切り替え操作された場合において、揮発性メモリに対するバッテリの電力遮断後、当該電力が再投入される前に、揮発性メモリのデータを完全に消去することができる。これにより、揮発性メモリのデータが部分的に消失した状態で電力を再投入されることを抑制でき、揮発性メモリにおける不完全なデータ消失状態という不具合の発生を抑制できる。
このような構成では、バッテリスイッチがオン状態からオフ状態に切り替えられると、放電抵抗がグランドに接続されることで、第１コンデンサが放電抵抗により放電される。その結果、揮発性メモリに加わる電圧が急速に低下するため、揮発性メモリのデータが素早く消去される。よって、バッテリスイッチが連続的に切り替え操作された場合において、揮発性メモリに対するバッテリの電力遮断後、当該電力が再投入される前に、揮発性メモリのデータを完全に消去することができる。これにより、揮発性メモリのデータが部分的に消失した状態で電力を再投入されることを抑制でき、揮発性メモリにおける不完全なデータ消失状態という不具合の発生を抑制できる。
【0008】
本発明の一態様に係るメモリモジュールは、前記電力供給経路に設けられ、かつ、前記第１コンデンサから前記バッテリへの電流の逆流を防止するダイオードと、前記ダイオードの上流側において、前記第１コンデンサに対して並列な関係で前記電力供給経路に接続された第２コンデンサと、をさらに備えることが好ましい。
このような構成では、第２コンデンサに蓄積された電荷を利用して放電スイッチが好適にオン動作することができる。
このような構成では、第２コンデンサに蓄積された電荷を利用して放電スイッチが好適にオン動作することができる。
【0009】
本発明の一態様に係るメモリモジュールにおいて、前記放電スイッチは、前記放電切替経路に接続された制御端子を有し、かつ、前記放電抵抗と前記グランドとの間に接続された半導体スイッチであってもよい。
【0010】
本発明の一態様に係るメモリモジュールにおいて、前記放電スイッチは、前記放電切替経路に設けられた発光ダイオードと、前記放電抵抗と前記グランドとの間に接続され、前記発光ダイオードから光信号を受光するフォトトランジスタと、を有してもよい。
【0011】
本発明の一態様に係る形状測定機は、ワークの表面粗さを測定する形状測定機であって、上述のいずれかに記載のメモリモジュールと、前記揮発性メモリに電力を供給する前記バッテリと、前記揮発性メモリに保存された測定条件に基づいて測定処理を行うプロセッサと、を含み、前記バッテリスイッチが前記オフ状態から前記オン状態に切り替えられた場合、前記プロセッサは、前記測定条件のデフォルトデータを前記揮発性メモリに書き込む。
このような構成では、上述のメモリモジュールの効果により、揮発性メモリの不完全なデータ消失状態の発生が抑制されるため、プロセッサの再起動時、測定条件のデフォルトデータを揮発性メモリに正常に書き込むことができる。このため、形状測定機は、再起動によるエラーを出すことなく、正常に測定動作を行うことができる。
このような構成では、上述のメモリモジュールの効果により、揮発性メモリの不完全なデータ消失状態の発生が抑制されるため、プロセッサの再起動時、測定条件のデフォルトデータを揮発性メモリに正常に書き込むことができる。このため、形状測定機は、再起動によるエラーを出すことなく、正常に測定動作を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】第１実施形態のメモリモジュールを含む形状測定機を模式的に示す図であって、バッテリスイッチのオン状態（形状測定機の通常使用状態）を説明する図。
【図2】第１実施形態のメモリモジュールを含む形状測定機を模式的に示す図であって、バッテリスイッチのオフ状態（形状測定機の長期保存状態）を説明する図。
【図3】第２実施形態のメモリモジュールを含む形状測定機を模式的に示す図。
【図4】第３実施形態のメモリモジュールを含む形状測定機を模式的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【0013】
［第１実施形態］
以下、本発明の第１実施形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本実施形態に係るメモリモジュール１を含んで構成された形状測定機１０を模式的に示す。この形状測定機１０は、ワーク表面の粗さを測定する装置であり、図１に示すように、メモリモジュール１、電源入力端子１１、バッテリ１２、制御部１３、電源部１４、および、動作部１５を備える。なお、本実施形態の形状測定機１０は、バッテリ１２から供給される電力により任意の場所での測定を可能とする小型の可搬型機器である。
以下、本発明の第１実施形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本実施形態に係るメモリモジュール１を含んで構成された形状測定機１０を模式的に示す。この形状測定機１０は、ワーク表面の粗さを測定する装置であり、図１に示すように、メモリモジュール１、電源入力端子１１、バッテリ１２、制御部１３、電源部１４、および、動作部１５を備える。なお、本実施形態の形状測定機１０は、バッテリ１２から供給される電力により任意の場所での測定を可能とする小型の可搬型機器である。
【0014】
電源入力端子１１は、例えばＵＳＢ端子であり、商用電源に接続されたＡＣアダプタ１６などに接続される。ＡＣアダプタ１６は、入力された商用電源の交流を直流に変換し、変換後の直流を電源電力として電源入力端子１１に供給する。電源入力端子１１は、ＡＣアダプタ１６から入力された電源電力を各供給先へ出力可能である。
【0015】
バッテリ１２は、形状測定機１０に内蔵された二次電池である。バッテリ１２は、電源入力端子１１と同様、電源電力を各供給先へ出力可能である。
なお、電源入力端子１１およびバッテリ１２は、電源入力端子１１に接続される第１ダイオード２１と、バッテリ１２に接続される第２ダイオード２２と共に、ＯＲ回路を構成しており、いずれか電圧が高い方が電源電力を供給する。例えば、電源入力端子１１がＡＣアダプタ１６に接続されているときには、電源入力端子１１からの電源電力が供給され、バッテリ１２は消費されない。また、電源入力端子１１がＡＣアダプタ１６から取り外されると、バッテリ１２から電源電力がシームレスに供給される。
なお、電源入力端子１１およびバッテリ１２は、電源入力端子１１に接続される第１ダイオード２１と、バッテリ１２に接続される第２ダイオード２２と共に、ＯＲ回路を構成しており、いずれか電圧が高い方が電源電力を供給する。例えば、電源入力端子１１がＡＣアダプタ１６に接続されているときには、電源入力端子１１からの電源電力が供給され、バッテリ１２は消費されない。また、電源入力端子１１がＡＣアダプタ１６から取り外されると、バッテリ１２から電源電力がシームレスに供給される。
【0016】
制御部１３は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１３１、揮発性メモリであるＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）１３２、および、不揮発性メモリであるＲＯＭ（Read Only Memory）などを備える。なお、図１では、各種メモリのうち、ＳＲＡＭ１３２のみを例示し、他の図示を省略している。
ＣＰＵ１３１は、本発明のプロセッサであり、ＲＯＭに記憶されているシステムプログラムなどの各種処理プログラムを直接読み出し、読み出したプログラムに従って測定処理を行う。また、ＳＲＡＭ１３２は、キャッシュメモリを構成し、ＣＰＵ１３１は、必要なデータをＳＲＡＭ１３２に保存する。ＣＰＵ１３１は、ＳＲＡＭ１３２に保存されたデータに基づいて測定処理を高速で実行できる。なお、測定処理としては、動作部１５を制御するための処理や動作部１５から取得されたデータに基づく演算処理などが挙げられる。
ＣＰＵ１３１は、本発明のプロセッサであり、ＲＯＭに記憶されているシステムプログラムなどの各種処理プログラムを直接読み出し、読み出したプログラムに従って測定処理を行う。また、ＳＲＡＭ１３２は、キャッシュメモリを構成し、ＣＰＵ１３１は、必要なデータをＳＲＡＭ１３２に保存する。ＣＰＵ１３１は、ＳＲＡＭ１３２に保存されたデータに基づいて測定処理を高速で実行できる。なお、測定処理としては、動作部１５を制御するための処理や動作部１５から取得されたデータに基づく演算処理などが挙げられる。
【0017】
本実施形態では、ＳＲＡＭ１３２に保存されるデータとして、１以上の設定パラメータを含む測定条件が挙げられる。設定パラメータとしては、粗さ規格の種類、粗さパラメータの種類、プローブの移動速度、測定レンジ、評価長さ、データに適用するフィルタ、および、校正係数などが挙げられる。測定条件のデフォルトデータは、ＲＯＭに予め記憶されている。
また、ＳＲＡＭ１３２は、保存データ消失判別用のデータ領域を含むものとする。ＣＰＵ１３１は、起動時、ＳＲＡＭ１３２における保存データ消失判別用のデータ領域の有無を判定することで、ＳＲＡＭ１３２におけるデータ消失を検知できる。ＣＰＵ１３１は、ＳＲＡＭ１３２におけるデータ消失を検知した場合、測定条件のデフォルトデータや保存データ消失判別用データ領域を含む初期データをＳＲＡＭ１３２に保存する。
また、ＳＲＡＭ１３２は、保存データ消失判別用のデータ領域を含むものとする。ＣＰＵ１３１は、起動時、ＳＲＡＭ１３２における保存データ消失判別用のデータ領域の有無を判定することで、ＳＲＡＭ１３２におけるデータ消失を検知できる。ＣＰＵ１３１は、ＳＲＡＭ１３２におけるデータ消失を検知した場合、測定条件のデフォルトデータや保存データ消失判別用データ領域を含む初期データをＳＲＡＭ１３２に保存する。
【0018】
電源部１４は、例えばレギュレータにより構成され、電源入力端子１１またはバッテリ１２から電源電力を受けることで、ＣＰＵ１３１や動作部１５等へ安定した電力を供給する。この電源部１４は、電力供給の有無を切り替えるスイッチを含んで構成される。
【0019】
動作部１５は、ＣＰＵ１３１により制御されることで、形状測定機１０の所期の機能である測定動作を行う負荷である。具体的には、動作部１５は、ワーク表面の変位を検出するプローブ、プローブの移動機構、および、ＣＰＵ１３１で演算された測定結果を出力する出力部などを含む。なお、動作部１５の構成は、従来と略同様の構成を利用できるため、ここでの詳細な説明は省略する。
【0020】
本実施形態のメモリモジュール１は、上述のＳＲＡＭ１３２を含んで構成される。このメモリモジュール１は、上述のＳＲＡＭ１３２と、バッテリ１２の電力をＳＲＡＭ１３２に供給する電力供給経路Ｌ１と、互いに並列な関係で電力供給経路Ｌ１に接続される第１コンデンサ３１、第２コンデンサ３２および放電抵抗３３と、バッテリ１２の接続をオンオフするバッテリスイッチ４１と、放電抵抗３３のグランド接続をオンオフする放電スイッチ４２と、放電スイッチ４２をオン動作させるための放電切替経路Ｌ２と、を備える。
なお、図示は省略するが、メモリモジュール１は、上述の各要素が搭載された回路基板を備える。この回路基板には、メモリモジュール１以外の要素（例えば電源入力端子１１、制御部１３のＳＲＡＭ１３２以外の要素、電源部１４など）が搭載されてもよい。
なお、図示は省略するが、メモリモジュール１は、上述の各要素が搭載された回路基板を備える。この回路基板には、メモリモジュール１以外の要素（例えば電源入力端子１１、制御部１３のＳＲＡＭ１３２以外の要素、電源部１４など）が搭載されてもよい。
【0021】
電力供給経路Ｌ１の一端は、バッテリスイッチ４１の基点４１１に接続され、電力供給経路Ｌ１の他端は、ＳＲＡＭ１３２に接続されている。また、電力供給経路Ｌ１上には、上述のＯＲ回路に含まれる第２ダイオード２２が設けられる。この第２ダイオード２２は、本発明のダイオードに相当し、バッテリ１２への電流の逆流を防止する。なお、電源入力端子１１および電源部１４は、電力供給経路Ｌ１における第２ダイオード２２の下流側に接続される。
【0022】
第１コンデンサ３１は、第２ダイオード２２の下流側において、ＳＲＡＭ１３２に対して並列な関係で電力供給経路Ｌ１に接続され、ＳＲＡＭ１３２に供給される電圧の平滑化を行なう
第２コンデンサ３２は、第２ダイオード２２の上流側において、第１コンデンサ３１に対して並列な関係で電力供給経路Ｌ１に接続されている。
第２コンデンサ３２は、第２ダイオード２２の上流側において、第１コンデンサ３１に対して並列な関係で電力供給経路Ｌ１に接続されている。
【0023】
放電抵抗３３は、第２ダイオード２２の下流側において、第１コンデンサ３１に対して並列な関係で電力供給経路Ｌ１に接続される。放電抵抗３３は、バッテリスイッチ４１がオフ状態に切り替えられ、放電スイッチ４２がグランドに接続されたとき、第１コンデンサ３１および第２コンデンサ３２の電荷を放電可能である。
【0024】
バッテリスイッチ４１は、電力供給経路Ｌ１をバッテリ１２または放電切替経路Ｌ２に選択的に接続する１回路２接点スイッチである。具体的には、バッテリスイッチ４１は、電力供給経路Ｌ１に接続される基点４１１と、バッテリ１２に電気的に接続される切替点４１２と、放電切替経路Ｌ２の一端に接続される切替点４１３とを有する。このバッテリスイッチ４１は、電力供給経路Ｌ１をバッテリ１２に電気的に接続するオン状態（図１参照）と、電力供給経路Ｌ１を放電切替経路Ｌ２に電気的に接続するオフ状態（図２参照）とを切り替える。また、バッテリスイッチ４１は、手動切替スイッチであり、バッテリスイッチ４１の切り替えは、例えば形状測定機１０に設けられたボタンやスライドスイッチなどの操作部（図示省略）に対するユーザ操作に応じて実行される。
なお、形状測定機１０が通常に使用可能である期間、電源部１４のオンオフ状態に関わらず、バッテリスイッチ４１は常にオン状態に維持される。また、形状測定機１０が長期保存される際、電源部１４がオフ状態にされた後、バッテリスイッチ４１がオン状態からオフ状態に切り替えられる。すなわち、バッテリスイッチ４１は、形状測定機１０の通常使用状態と長期保存状態とを切り替えるスイッチである。
なお、形状測定機１０が通常に使用可能である期間、電源部１４のオンオフ状態に関わらず、バッテリスイッチ４１は常にオン状態に維持される。また、形状測定機１０が長期保存される際、電源部１４がオフ状態にされた後、バッテリスイッチ４１がオン状態からオフ状態に切り替えられる。すなわち、バッテリスイッチ４１は、形状測定機１０の通常使用状態と長期保存状態とを切り替えるスイッチである。
【0025】
放電スイッチ４２は、例えばＮｃｈＭＯＳＦＥＴにより構成される半導体スイッチであり、放電抵抗３３とグランドとの間に接続されている。この放電スイッチ４２は、放電切替経路Ｌ２に接続された制御端子となるゲート端子Ｇと、放電抵抗３３に直列接続されたドレイン端子Ｄと、グランド接続されたソース端子Ｓとを有する。ゲート端子Ｇとソース端子Ｓとの間に電圧が加わると、ドレイン端子Ｄからソース端子Ｓに電流が流れる。すなわち、放電スイッチ４２は、ゲート端子Ｇに加わる電圧の有無により、放電抵抗３３とグランドとを切り離す開放状態と、放電抵抗３３をグランドに接続する短絡状態とを切り替え可能である。
なお、図１において、放電スイッチ４２は、放電抵抗３３の下流側に直列接続されているが、放電抵抗３３の上流側に直列接続されていてもよい。
なお、図１において、放電スイッチ４２は、放電抵抗３３の下流側に直列接続されているが、放電抵抗３３の上流側に直列接続されていてもよい。
【0026】
放電切替経路Ｌ２の一端は、バッテリスイッチ４１の切替点４１３に接続され、放電切替経路Ｌ２の他端は、放電スイッチ４２のゲート端子Ｇに接続されている。また、放電切替経路Ｌ２の中間部は、抵抗３４を介してグランド接続されている。この抵抗３４は、バッテリスイッチ４１がオン状態（図１参照）であるときに、放電スイッチ４２のゲート端子Ｇの電位を確実にグランド電位にするためのプルダウン抵抗である。
【0027】
次に、メモリモジュール１の動作について説明する。なお、以下の説明では、電源入力端子１１がＡＣアダプタ１６に接続されておらず（またはＡＣアダプタ１６が商用電源に接続されておらず）、電源入力端子１１から電源電力が遮断されているものとする。
【0028】
まず、図１に示すように、バッテリスイッチ４１がオン状態である場合、バッテリ１２から供給される電力がＳＲＡＭ１３２に供給される。これにより、ＳＲＡＭ１３２は、種々の設定パラメータを含む測定条件を保存する。また、第１コンデンサ３１および第２コンデンサ３２のそれぞれは、バッテリ１２から供給される電力により充電されつつ、当該電力からノイズ成分を取り除く。
この場合において、放電スイッチ４２のゲート端子Ｇはグランド電位に保たれるため、放電スイッチ４２は開放状態に保たれ、放電抵抗３３に電流が流れない。これにより、放電抵抗３３による無駄な電力消費を抑制できる。
この場合において、放電スイッチ４２のゲート端子Ｇはグランド電位に保たれるため、放電スイッチ４２は開放状態に保たれ、放電抵抗３３に電流が流れない。これにより、放電抵抗３３による無駄な電力消費を抑制できる。
【0029】
ユーザは、形状測定機１０を長期間使用しない場合など、電源部１４をオフ状態にした後、バッテリ１２の電力を遮断するための操作を行う。この操作に応じて、バッテリスイッチ４１は、図２に示すようなオフ状態に切り替えられる。
【0030】
バッテリスイッチ４１がオン状態からオフ状態に切り替えられたとき、メモリモジュール１の各要素が搭載された回路基板の電荷が放出される。このうち、特に第２コンデンサ３２から放出された電荷が電力供給経路Ｌ１およびバッテリスイッチ４１を介して放電切替経路Ｌ２に流入し、放電スイッチ４２のゲート端子Ｇとドレイン端子Ｄとの間に電圧を加える（図２の矢印Ｒ１参照）。これにより、放電スイッチ４２が短絡状態になり、第１コンデンサ３１が放電抵抗３３により放電される（図２の矢印Ｒ２参照）。なお、放電スイッチ４２が短絡状態のとき、第２コンデンサ３２も放電抵抗３３により放電される（図２の矢印Ｒ３参照）。その結果、回路基板に残存する電荷が急速に放電され、ＳＲＡＭ１３２に加わる電圧が急速に低下するため、ＳＲＡＭ１３２のデータが素早く消去される。
【0031】
その後、ユーザがバッテリスイッチ４１をオン状態に切り替えた場合、バッテリ１２の電力はＳＲＡＭ１３２等に再び供給される。その後、電源部１４がオン状態に切り替えられると、ＣＰＵ１３１は、ＳＲＡＭ１３２における保存データ消失判別用データ領域の有無を判定する。ＣＰＵ１３１は、ＳＲＡＭ１３２に当該データ領域が無いと判定した場合、ＳＲＡＭ１３２におけるデータ消失を検知し、測定条件のデフォルトデータや保存データ消失判別用データ領域を含む初期データをＳＲＡＭ１３２に保存する。これにより、ＣＰＵ１３１が正常に再起動する。
【0032】
以上に説明した本実施形態のメモリモジュール１によれば、バッテリスイッチ４１が連続的に切り替え操作された場合において、ＳＲＡＭ１３２に対するバッテリ１２の電力遮断後、当該電力が再投入される前に、ＳＲＡＭ１３２のデータを完全に消去することができる。これにより、ＳＲＡＭ１３２のデータが部分的に消失した状態で電力を再投入されることを抑制でき、ＳＲＡＭ１３２における不完全なデータ消失状態という不具合の発生を抑制できる。その結果、ＣＰＵ１３１がＳＲＡＭ１３２におけるデータ有無を正しく判別することができ、正常に再起動することができる。
【0033】
また、本実施形態のメモリモジュール１では、バッテリスイッチ４１がオフされると、メモリモジュール１内の電荷放出を利用して放電スイッチ４２が自動的にオンされ、時間経過によって放電スイッチ４２が自動的にオフされる。このため、放電スイッチ４２をオンオフ操作するためのコントローラが不要である。これにより、メモリモジュール１を低コストで構成できる。また、コントローラのための電源も不要であるため、消費電力を好適に抑制できる。
【0034】
また、本実施形態のメモリモジュール１は、第２ダイオード２２によりバッテリ１２への電流の逆流を防止しつつ、第２ダイオード２２の上流側の第２コンデンサ３２に蓄積された電荷を利用することで、放電スイッチ４２を好適にオン動作させることができる。
【0035】
本実施形態において、放電スイッチ４２は、オン動作するために必要なゲートソース間電圧Ｖｇｓが十分に小さいＭＯＳＦＥＴなどの半導体スイッチであることが好ましい。これにより、放電スイッチ４２のオン期間を好適に確保できる。
また、放電スイッチ４２がオン動作するために必要なゲートソース間電圧Ｖｇｓは、ＳＲＡＭ１３２のデータ保持可能電圧よりも小さいことが好ましい。これにより、第１コンデンサ３１の電圧がＳＲＡＭ１３２のデータ保持可能電圧以下に減少するまでの間、放電スイッチ４２を短絡状態に維持することができ、ＳＲＡＭ１３２のデータを素早く消去できる。
また、放電スイッチ４２がオン動作するために必要なゲートソース間電圧Ｖｇｓは、ＳＲＡＭ１３２のデータ保持可能電圧よりも小さいことが好ましい。これにより、第１コンデンサ３１の電圧がＳＲＡＭ１３２のデータ保持可能電圧以下に減少するまでの間、放電スイッチ４２を短絡状態に維持することができ、ＳＲＡＭ１３２のデータを素早く消去できる。
【0036】
本実施形態のメモリモジュール１は、電源遮断時にＳＲＡＭ１３２のデータを保持するのではなく、迅速なデータ消去を行うものであるため、大容量のコンデンサを必要としない。このため、本実施形態のメモリモジュール１は、小型の形状測定機１０に対して好適に利用することができる。
【0037】
本実施形態の形状測定機１０では、上述したようにＳＲＡＭ１３２の不完全なデータ消失状態の発生が抑制されるため、ＣＰＵ１３１の再起動時、測定条件のデフォルトデータをＳＲＡＭ１３２に正常に書き込むことができる。このため、形状測定機１０は、再起動によるエラーを出すことなく、正常に測定動作を行うことができる。
【0038】
［第２実施形態］
第２実施形態の形状測定機１０Ａについて図３に基づいて説明する。なお、第２実施形態の形状測定機１０Ａは、第１実施形態の形状測定機１０とほぼ同様の構成を有する。以下では、第１実施形態と同様の構成には同一符号を利用し、その説明を省略または簡略化する。
第２実施形態の形状測定機１０Ａについて図３に基づいて説明する。なお、第２実施形態の形状測定機１０Ａは、第１実施形態の形状測定機１０とほぼ同様の構成を有する。以下では、第１実施形態と同様の構成には同一符号を利用し、その説明を省略または簡略化する。
【0039】
第２実施形態の形状測定機１０Ａでは、動作部１５（図３における図示省略）の動作電圧と、制御部１３の動作電圧とが互いに異なる。そこで、形状測定機１０Ａは、図３に示すように、電源入力端子１１から供給される電源電力を制御部１３用に電圧変換する第１電圧変換部５１と、電圧変換前の当該電源電力を動作部１５に供給する第１電源部１４Ａと、バッテリ１２から供給される電源電力を制御部１３用に電圧変換する第２電圧変換部５２と、変換前の当該電源電力を動作部１５に供給する第２電源部１４Ｂと、第１電圧変換部５１または第２電圧変換部５２で電圧変換された電源電力をＣＰＵ１３１などに供給する第３電源部１４Ｃとを備える。なお、第１電圧変換部５１は、電源入力端子１１と第１ダイオード２１との間に接続された電圧変換回路であり、第２電圧変換部５２は、バッテリ１２と第２ダイオード２２との間に接続された電圧変換回路である。
【0040】
第２実施形態に係るメモリモジュール１Ａにおいて、ＳＲＡＭ１３２は、第２電圧変換部５２で電圧変換された電源電力を供給される。また、放電切替経路Ｌ２には、放電スイッチ４２のゲート端子Ｇに加わる電圧を調整する分圧用の抵抗３５が設けられている。
【0041】
以上の第２実施形態に係るメモリモジュール１Ａは、第１実施形態のメモリモジュール１と同様の動作が可能である。
具体的には、電源入力端子１１からの電源電力が遮断された状態において、バッテリスイッチ４１がオン状態からオフ状態に切り替えられると、主に第２コンデンサ３２の蓄積電荷により、放電スイッチ４２のゲート端子Ｇに電圧が加えられる（図３の矢印Ｒ１参照）。これにより、放電スイッチ４２が短絡状態になり、第１コンデンサ３１が放電抵抗３３により放電される（図３の矢印Ｒ２参照）。なお、放電スイッチ４２が短絡状態のとき、第２コンデンサ３２も放電抵抗３３により放電される（図３の矢印Ｒ３参照）。その結果、ＳＲＡＭ１３２に加わる電圧が急速に低下するため、ＳＲＡＭ１３２のデータが素早く消去される。
したがって、第２実施形態の形状測定機１０Ａは、第１実施形態の形状測定機１０と同様、再起動によるエラーを出すことなく、正常に測定動作を行うことができる。
具体的には、電源入力端子１１からの電源電力が遮断された状態において、バッテリスイッチ４１がオン状態からオフ状態に切り替えられると、主に第２コンデンサ３２の蓄積電荷により、放電スイッチ４２のゲート端子Ｇに電圧が加えられる（図３の矢印Ｒ１参照）。これにより、放電スイッチ４２が短絡状態になり、第１コンデンサ３１が放電抵抗３３により放電される（図３の矢印Ｒ２参照）。なお、放電スイッチ４２が短絡状態のとき、第２コンデンサ３２も放電抵抗３３により放電される（図３の矢印Ｒ３参照）。その結果、ＳＲＡＭ１３２に加わる電圧が急速に低下するため、ＳＲＡＭ１３２のデータが素早く消去される。
したがって、第２実施形態の形状測定機１０Ａは、第１実施形態の形状測定機１０と同様、再起動によるエラーを出すことなく、正常に測定動作を行うことができる。
【0042】
［第３実施形態］
第３実施形態の形状測定機１０Ｂについて図４に基づいて説明する。なお、第３実施形態の形状測定機１０Ｂは、放電スイッチ４２Ａの構成以外、第１実施形態の形状測定機１０とほぼ同様の構成を有する。以下では、第１実施形態と同様の構成には同一符号を利用し、その説明を省略または簡略化する。
第３実施形態の形状測定機１０Ｂについて図４に基づいて説明する。なお、第３実施形態の形状測定機１０Ｂは、放電スイッチ４２Ａの構成以外、第１実施形態の形状測定機１０とほぼ同様の構成を有する。以下では、第１実施形態と同様の構成には同一符号を利用し、その説明を省略または簡略化する。
【0043】
第３実施形態の放電スイッチ４２Ａは、フォトカプラにより構成される。具体的には、放電スイッチ４２Ａは、放電切替経路Ｌ２に設けられた発光ダイオード４２１と、放電抵抗３３とグランドとの間に接続され、発光ダイオード４２１から光信号を受光するフォトトランジスタ４２２とを備える。発光ダイオード４２１に電流が流れると、発光ダイオード４２１が発光する。フォトトランジスタ４２２は、発光ダイオード４２１の光を受光する間、放電抵抗３３に電流が流れる短絡状態となる。すなわち、フォトトランジスタ４２２は、発光ダイオード４２１の発光有無により、放電抵抗３３とグランドとを切り離す開放状態と、放電抵抗３３をグランドに接続する短絡状態とを切り替え可能である。
なお、第３実施形態の放電切替経路Ｌ２の一端は、バッテリスイッチ４１の切替点４１３に接続され、放電切替経路Ｌ２の他端は、グランド接続されている。
なお、第３実施形態の放電切替経路Ｌ２の一端は、バッテリスイッチ４１の切替点４１３に接続され、放電切替経路Ｌ２の他端は、グランド接続されている。
【0044】
以上の第３実施形態に係るメモリモジュール１Ｂは、第１実施形態のメモリモジュール１と同様の動作が可能である。
具体的には、電源入力端子１１からの電源電力が遮断された状態において、バッテリスイッチ４１がオン状態からオフ状態に切り替えられると、主に第２コンデンサ３２の蓄積電荷が発光ダイオード４２１に流れ、発光ダイオード４２１が発光する（図４の矢印Ｒ１参照）。これにより、フォトトランジスタ４２２が短絡状態になり、第１コンデンサ３１が放電抵抗３３により放電される（図４の矢印Ｒ２参照）。なお、フォトトランジスタ４２２が短絡状態のとき、第２コンデンサ３２も放電抵抗３３により放電される（図４の矢印Ｒ３参照）。その結果、ＳＲＡＭ１３２に加わる電圧が急速に低下するため、ＳＲＡＭ１３２のデータが素早く消去される。
したがって、第３実施形態の形状測定機１０Ｂは、第１実施形態の形状測定機１０と同様、再起動によるエラーを出すことなく、正常に測定動作を行うことができる。
具体的には、電源入力端子１１からの電源電力が遮断された状態において、バッテリスイッチ４１がオン状態からオフ状態に切り替えられると、主に第２コンデンサ３２の蓄積電荷が発光ダイオード４２１に流れ、発光ダイオード４２１が発光する（図４の矢印Ｒ１参照）。これにより、フォトトランジスタ４２２が短絡状態になり、第１コンデンサ３１が放電抵抗３３により放電される（図４の矢印Ｒ２参照）。なお、フォトトランジスタ４２２が短絡状態のとき、第２コンデンサ３２も放電抵抗３３により放電される（図４の矢印Ｒ３参照）。その結果、ＳＲＡＭ１３２に加わる電圧が急速に低下するため、ＳＲＡＭ１３２のデータが素早く消去される。
したがって、第３実施形態の形状測定機１０Ｂは、第１実施形態の形状測定機１０と同様、再起動によるエラーを出すことなく、正常に測定動作を行うことができる。
【0045】
［変形例］
本発明は上述の各実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形および改良等によって得られる構成は本発明に含まれるものである。
本発明は上述の各実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形および改良等によって得られる構成は本発明に含まれるものである。
【0046】
上記各実施形態の形状測定機１０，１０Ａ，１０Ｂは、バッテリ１２およびＡＣアダプタ１６という２つの電源間で電源切り替えを行うために、ＯＲ回路を構成するダイオード２１，２２を備えており、電圧が高い方の電源を優先消費する。この変形例として形状測定機１０，１０Ａ，１０Ｂは、ＯＲ回路の替わりに、バッテリ１２およびＡＣアダプタ１６という２つの電源間での電源切り替えを制御する優先電源切り替え機能ＩＣを備えてもよい。この優先電源切り替え機能ＩＣは、バッテリ１２およびＡＣアダプタ１６のうち、低い側の電源を優先消費する機能を有してもよい。あるいは、形状測定機１０，１０Ａ，１０Ｂは、電源切り替えを行うための他の手段（回路や半導体等）を備えてもよい。
また、上記各実施形態の形状測定機１０，１０Ａ，１０Ｂは、バッテリ１２およびＡＣアダプタ１６による２系統の電源経路を備えるが、少なくともバッテリ１２による電源経路を備えるものであればよい。
また、上記各実施形態の形状測定機１０，１０Ａ，１０Ｂは、バッテリ１２およびＡＣアダプタ１６による２系統の電源経路を備えるが、少なくともバッテリ１２による電源経路を備えるものであればよい。
【0047】
上記各実施形態のメモリモジュール１，１Ａ，１Ｂは、本発明の揮発性メモリとして、キャッシュを構成するＳＲＡＭ１３２を備えるが、本発明はこれに限定されない。例えば、ＳＲＡＭ１３２は、キャッシュ以外のバッファなどを構成するものであってもよい。また、本発明の揮発性メモリは、ＤＲＡＭなど、ＳＲＡＭ以外のメモリであってもよい。
【0048】
上記各実施形態のバッテリスイッチ４１は、手動切替スイッチであるが、他の制御回路など制御される電子切替スイッチであってもよい。
【0049】
上記各実施形態では、放電スイッチ４２，４２ＡがＮｃｈＭＯＳＦＥＴまたはフォトカプラである場合を例示しているが、本発明はこれに限定されない。例えば、第１，第２実施形態における放電スイッチ４２は、バイポーラトランジスタや、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）など、他の半導体スイッチであってもよい。
【0050】
上記各実施形態では、主に第２コンデンサ３２に蓄積された電荷により、放電スイッチ４２が短絡状態に切り替えられることを説明しているが、本発明はこれに限定されない。例えば、電力供給経路Ｌ１に接続される他のコンデンサなどの蓄積電荷により、放電スイッチ４２が短絡状態に切り替えられてもよい。
【0051】
上記各実施形態では、形状測定機１０，１０Ａ，１０Ｂについて説明しているが、本発明のメモリモジュールは、他の任意の電子機器に適用可能である。また、本発明のメモリモジュールが適用される任意の電子機器において、バッテリは、少なくとも揮発性メモリに電力を供給するものであればよい。
【符号の説明】
【0052】
１，１Ａ，１Ｂ…メモリモジュール、１０，１０Ａ，１０Ｂ…形状測定機、１１…電源入力端子、１２…バッテリ、１３…制御部、１３１…ＣＰＵ（プロセッサ）、１３２…ＳＲＡＭ（揮発性メモリ）、１４…電源部、１４Ａ…第１電源部、１４Ｂ…第２電源部、１４Ｃ…第３電源部、１５…動作部、１６…ＡＣアダプタ、２１…第１ダイオード、２２…第２ダイオード、３１…第１コンデンサ、３２…第２コンデンサ、３３…放電抵抗、３４…抵抗、３５…抵抗、４１…バッテリスイッチ、４１１…基点、４１２…切替点、４１３…切替点、４２，４２Ａ…放電スイッチ、４２１…発光ダイオード、４２２…フォトトランジスタ、５１…第１電圧変換部、５２…第２電圧変換部、Ｄ…ドレイン端子、Ｇ…ゲート端子、Ｌ１…電力供給経路、Ｌ２…放電切替経路、Ｓ…ソース端子。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】