特開 2024-177975 被加工物の処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024177975

(43)【公開日】2024-12-24

(54)【発明の名称】被加工物の処理方法

(51)【国際特許分類】

   B24B 41/06 20120101AFI20241217BHJP

   H01L 21/683 20060101ALI20241217BHJP

   B24B 7/04 20060101ALI20241217BHJP

   B23Q 3/08 20060101ALI20241217BHJP

【ＦＩ】

B24B41/06 L

H01L21/68 N

B24B7/04 A

B23Q3/08 Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】3

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023096423

(22)【出願日】2023-06-12

(71)【出願人】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】須藤 雄二郎

【テーマコード（参考）】

3C016

3C034

3C043

5F131

【Ｆターム（参考）】

3C016DA15

3C034AA08

3C034BB73

3C043BA03

3C043BA16

3C043CC04

3C043DD02

3C043DD04

3C043DD05

5F131AA02

5F131BA32

5F131CA06

5F131CA12

5F131EA05

5F131EB03

5F131EC34

5F131EC62

5F131EC63

5F131EC72

(57)【要約】

【課題】被加工物を薄化する際に、加工品質を維持しつつ製造コストの抑制が可能な被加工物の処理方法を提供すること。
【解決手段】被加工物の処理方法は、貫通孔を有する支持基板と、熱可塑性樹脂を含むシートとを準備する準備ステップ１０１と、シートの表面側に被加工物の表面をシートの裏面側に支持基板の一方の面をそれぞれ対面させ、シートを加熱することで、シートを介して被加工物と支持基板とを熱圧着し固定する固定ステップ１０２と、被加工物が固定された支持基板を保持テーブルで保持し、被加工物の裏面を研削加工する加工ステップ１０３と、支持基板の他方の面から貫通孔を介して流体を供給することで、支持基板とシートとの間に隙間を形成して支持基板をシートから剥離する支持基板剥離ステップ１０４と、被加工物からシートを剥離するシート剥離ステップ１０５とを備える。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

被加工物の処理方法であって、
少なくとも１つの貫通孔を有する支持基板と、熱可塑性樹脂を含むシートと、を準備する準備ステップと、
該シートの表面側に被加工物の一方の面を、該シートの裏面側に該支持基板の一方の面をそれぞれ対面させ、該シートを加熱することで、該シートを介して該被加工物と該支持基板とを熱圧着し固定する固定ステップと、
被加工物が固定された該支持基板を保持テーブルで保持し、該被加工物の他方の面を加工する加工ステップと、
該加工ステップを実施した後、該支持基板の他方の面から該貫通孔を介して流体を供給することで、該支持基板と該シートとの間に隙間を形成して該支持基板を該シートから剥離する支持基板剥離ステップと、
該被加工物から該シートを剥離するシート剥離ステップと、
を備えることを特徴とする、被加工物の処理方法。

【請求項2】

該固定ステップでは、熱可塑性樹脂を含むシートを該支持基板の他方の面側に更に対面させた状態で該シートを加熱することで、該支持基板の他方の面側にも該シートを固定することを特徴とする、請求項１に記載の被加工物の処理方法。

【請求項3】

該貫通孔は、該支持基板に複数形成され、
該支持基板の外周領域に形成される貫通孔の密度が該支持基板の中央領域に形成される貫通孔の密度より高くなるように設定されることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の被加工物の処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、被加工物の処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体デバイスの製造プロセスでは、デバイスを所望の厚さにするために、個々のデバイスに分割される前の半導体ウエーハの段階で半導体ウエーハの裏面を研削して薄化する工程が実施されている。

【0003】

近年では、半導体デバイスを搭載する装置の小型化により、デバイスチップを極力薄くすることが要求されている。薄化した半導体ウエーハは取り扱いが困難になるため、研削前に半導体ウエーハの表面側を支持基板に貼り付け、研削後にこの支持基板から半導体ウエーハを剥離する方法が用いられる。

【0004】

ここで、支持基板の貼り付け方法として、加熱により溶融した固形ワックスを用いてワックス膜を作り、このワックス膜を介して半導体ウエーハと支持基板を固定する手法が知られている。

【0005】

ところが、この方法は、作業者の熟練度によってワックスの膜厚が不均一になったり、エアやパーティクルを噛み込んだりしてしまい、研磨後に凹部やうねりを発生することがある。

【0006】

また、研削後にワックスを除去するための洗浄工程が必要となり、その際にウエーハを破損するリスクも問題視されていた。

【0007】

また、スピンコート法を用いてワックス膜を形成する方法も知られている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0008】

【特許文献1】特開平６－２７５５０３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0009】

しかしながら、特許文献１に示された方法では、前述の方法と比較して膜厚は一様になるものの、ワックスを浪費するため製造コストが上がってしまうという問題がある。

【0010】

本発明は、上記事実に鑑みてなされたものであり、その目的は、被加工物を薄化する際に、加工品質を維持しつつ製造コストの抑制が可能な被加工物の処理方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0011】

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の被加工物の処理方法は、被加工物の処理方法であって、少なくとも１つの貫通孔を有する支持基板と、熱可塑性樹脂を含むシートと、を準備する準備ステップと、該シートの表面側に被加工物の一方の面を、該シートの裏面側に該支持基板の一方の面をそれぞれ対面させ、該シートを加熱することで、該シートを介して該被加工物と該支持基板とを熱圧着し固定する固定ステップと、被加工物が固定された該支持基板を保持テーブルで保持し、該被加工物の他方の面を加工する加工ステップと、該加工ステップを実施した後、該支持基板の他方の面から該貫通孔を介して流体を供給することで、該支持基板と該シートとの間に隙間を形成して該支持基板を該シートから剥離する支持基板剥離ステップと、該被加工物から該シートを剥離するシート剥離ステップと、を備えることを特徴とする。

【0012】

前記被加工物の処理方法において、該固定ステップでは、熱可塑性樹脂を含むシートを該支持基板の他方の面側に更に対面させた状態で該シートを加熱することで、該支持基板の他方の面側にも該シートを固定しても良い。

【0013】

前記被加工物の処理方法において、該貫通孔は、該支持基板に複数形成され、該支持基板の外周領域に形成される貫通孔の密度が該支持基板の中央領域に形成される貫通孔の密度より高くなるように設定されても良い。

【発明の効果】

【0014】

本発明は、被加工物を薄化する際に、加工品質を維持しつつ製造コストの抑制が可能になるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】図１は、実施形態１に係る被加工物の処理方法の処理対象の被加工物の一例を模式的に示す斜視図である。

【図2】図２は、実施形態１に係る被加工物の処理方法の流れを示すフローチャートである。

【図3】図３は、図２に示された被加工物の処理方法の準備ステップにおいて準備される支持基板と、シート等を示す斜視図である。

【図4】図４は、図３に示された支持基板の変形例１を示す平面図である。

【図5】図５は、図３に示された支持基板の変形例２を示す平面図である。

【図6】図６は、図３に示された支持基板の変形例３を示す平面図である。

【図7】図７は、図３に示された支持基板の変形例４を示す平面図である。

【図8】図８は、図２に示された被加工物の処理方法の固定ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。

【図9】図９は、図２に示された被加工物の処理方法の加工ステップを模式的に示す側面図である。

【図10】図１０は、図２に示された被加工物の処理方法の支持基板剥離ステップにおいて第２シートを剥離する状態を模式的に示す側面図である。

【図11】図１１は、図２に示された被加工物の処理方法の支持基板剥離ステップにおいて支持基板をシートから剥離する状態を模式的に示す側面図である。

【図12】図１２は、図２に示された被加工物の処理方法のシート剥離ステップを模式的に示す側面図である。

【図13】図１３は、実施形態２に係る被加工物の処理方法の支持基板剥離ステップを模式的に一部断面で示す側面図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

【0017】

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係る被加工物の処理方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係る被加工物の処理方法の処理対象の被加工物の一例を模式的に示す斜視図である。図２は、実施形態１に係る被加工物の処理方法の流れを示すフローチャートである。

【0018】

（被加工物）
実施形態１に係る被加工物の処理方法は、図１に示す被加工物１に研削加工を施して、被加工物１を所定の仕上げ厚さ２まで薄化する方法である。実施形態１に係る被加工物の処理方法の処理対象の被加工物１は、実施形態１では、ＳｉＣ（炭化ケイ素）又はＧａＡｓ（ガリウム砒素）などを基板３とする円板状の半導体ウエーハ等のウエーハである。

【0019】

被加工物１は、図１に示すように、表面４の複数の分割予定ライン５によって区画された領域にそれぞれデバイス６が形成されている。デバイス６は、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）又はＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路、又は各種のメモリ（半導体記憶装置）である。

【0020】

（被加工物の処理方法）
実施形態１に係る被加工物の処理方法は、前述した被加工物１に研削加工を施す処理方法である。実施形態１に係る被加工物の処理方法は、図２に示すように、準備ステップ１０１と、固定ステップ１０２と、加工ステップ１０３と、支持基板剥離ステップ１０４と、シート剥離ステップ１０５とを備える。

【0021】

（準備ステップ）
図３は、図２に示された被加工物の処理方法の準備ステップにおいて準備される支持基板と、シート等を示す斜視図である。図４は、図３に示された支持基板の変形例１を示す平面図である。図５は、図３に示された支持基板の変形例２を示す平面図である。図６は、図３に示された支持基板の変形例３を示す平面図である。図７は、図３に示された支持基板の変形例４を示す平面図である。

【0022】

準備ステップ１０１は、少なくとも１つの貫通孔１１を有する支持基板１０と、熱可塑性樹脂を含むシート２０と、を準備するステップである。実施形態１において、準備ステップ１０１では、図３に示すように、前述した被加工物１に加え、支持基板１０と、シート２０とを準備する。

【0023】

支持基板１０は、厚みが一定で硬質な材料で構成されて、剛性の高い基板である。実施形態１では、支持基板１０は、サファイア等で構成され、厚さが研削加工前の被加工物１の厚さよりも厚く、かつ被加工物１と同径の円板状に形成されている。実施形態１において、支持基板１０は、厚み方向に貫通した貫通孔１１を複数有している。実施形態１において、支持基板１０は、貫通孔１１を平面視の中央に一つ設け、外縁部に周方向に等間隔に複数（８つ）設けている。

【0024】

このように、実施形態１において、支持基板１０の外周領域である外縁部に形成される貫通孔１１の密度が支持基板１０の中央領域である中央に形成される貫通孔１１の密度より高くなるように設定されている。なお、貫通孔１１の密度とは、支持基板１０の両面１２，１３の単位面積あたりの貫通孔１１の数である。

【0025】

しかしながら、本発明では、支持基板１０は、貫通孔１１を少なくとも一つ有していれば、貫通孔１１の数及び配置が、図４、図５、図６及び図７に示すように、実施形態１のものに限定されない。図４に示す変形例１では、支持基板１０は、貫通孔１１を中央に一つのみ設けている。図５に示す変形例２では、支持基板１０は、貫通孔１１を中央に一つ設け、中央から外縁に向かって放射上でかつ径方向に等間隔に貫通孔１１を設けている。図６に示す変形例３では、支持基板１０は、貫通孔１１を中央に一つ設け、外縁部に周方向に等間隔に貫通孔１１を設けている。図７に示す変形例４では、支持基板１０は、互いに直交する２方向に等間隔に貫通孔１１を設けている。また、貫通孔１１は、大きすぎると研削加工時に貫通孔１１の形状が被加工物１に転写されてしまう恐れがあり、また、小さすぎると流体６３を適切に供給できず支持基板１０の剥離がうまくいかない可能性がある。このため、本発明では、貫通孔１１は、研削加工時に貫通孔１１の形状が被加工物１に転写されることなく、流体６３を適切に供給でき支持基板１０を剥離することができる大きさであるのが望ましい。

【0026】

シート２０は、熱可塑性樹脂を含み、可撓性を有している。実施形態１において、シート２０を構成する熱可塑性樹脂は、具体的には、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ビニル系樹脂、ポリアセタール、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ（４－メチル－１－ペンテン）、ポリ（１－ブテン）等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル、ナイロン－６、ナイロン－６６、ポリメタキシレンアジパミド等のポリアミド、ポリアクリレート、ポリメタアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリエーテルイミド、ポリアクリロニトリル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレン、エーテルポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、熱可塑性ポリウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、エチレン－不飽和カルボン酸共重合樹脂、エチレン－酢酸ビニル共重合樹脂、アイオノマー、エチレン－酢酸ビニル－無水マレイン酸三元共重合樹脂、エチレン－酢酸ビニル共重合体ケン化樹脂、並びに、エチレン－ビニルアルコール共重合樹脂等から選択される一種または二種以上を挙げることができる。

【0027】

上記のエチレン－不飽和カルボン酸共重合体を構成する不飽和カルボン酸は、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、イタコン酸、マレイン酸モノメチル、マレイン酸モノエチル、無水マレイン酸、及び、無水イタコン酸等が例示される。ここで、エチレン－不飽和カルボン酸共重合体は、エチレンと不飽和カルボン酸の２元共重合体のみならず、更に他の単量体が共重合された多元共重合体を包含するものである。エチレン－不飽和カルボン酸共重合体に共重合されていてもよい上記他の単量体としては、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルのようなビニルエステル、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸ｎ－ブチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸イソブチル、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチルのような不飽和カルボン酸エステルなどが例示される。

【0028】

また、実施形態１において、シート２０は、前述した熱可塑性樹脂の成分、分子量等が適宜調整されることで、軟化点が０℃以上でかつ３００℃以下（望ましくは、８０℃以上でかつ１００℃以下）に調整されている。実施形態１では、シート２０の１０℃から３０℃での貯蔵弾性率は１×１０^６（Ｐａ）以上でかつ１×１０^９（Ｐａ）以下であり、加熱時（貼着時）の温度８０℃から１００℃での貯蔵弾性率は１×１０^６（Ｐａ）以上でかつ１×１０^７（Ｐａ）以下である。

【0029】

また、実施形態１において、シート２０は、厚さが１５０μｍであり、被加工物１及び支持基板１０と同形の円板状に形成されている。

【0030】

（固定ステップ）
図８は、図２に示された被加工物の処理方法の固定ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。固定ステップ１０２は、シート２０の表面２１側に被加工物１の一方の面である表面４を、シート２０の裏面２２側に支持基板１０の一方の面１２をそれぞれ対面させ、シート２０を加熱することで、シート２０を介して被加工物１と支持基板１０とを熱圧着し固定するステップである。

【0031】

実施形態１において、固定ステップ１０２では、シート２０の表面２１に被加工物１の表面４を対面させ、シート２０の裏面２２に支持基板１０の一方の面１２を対面させる。更に、実施形態１において、固定ステップ１０２では、図８に示すように、支持基板１０の他方の面１３にシート２０と同じ構成の第２シート３０の表面を対面させて、第２シート３０の裏面を固定装置４０の加熱テーブル４１の平坦な保持面４２に重ねて、保持面４２に第２シート３０、支持基板１０、シート２０及び被加工物１を順に重ねる。

【0032】

実施形態１において、固定ステップ１０２では、被加工物１の他方の面である裏面７に押圧部材４３の平坦な押圧面４４を重ね、加熱テーブル４１に内蔵されたヒータ４５と、押圧部材４３に内蔵されたヒータ４６をシート２０，３０の軟化点を超えかつ融点を下回る温度に加熱しながら、保持面４２と押圧面４４との距離を予め定められた所定の距離に維持して、押圧部材４３で被加工物１、シート２０、支持基板１０及び第２シート３０を保持面４２に向けて押圧する。

【0033】

すると、ヒータ４５，４６にシート２０，３０が軟化点を超えかつ融点を下回る温度に加熱されて、軟化し、シート２０が被加工物１の表面４と支持基板１０の一方の面１２に接着し、第２シート３０が支持基板１０の他方の面１３に接着する。シート２０の表面２１が被加工物１の表面４に熱圧着し、シート２０の裏面２２が支持基板１０の一方の面１２に熱圧着するとともに、第２シート３０が支持基板１０の他方の面１３に熱圧着し、被加工物１、シート２０、支持基板１０及び第２シート３０が一体化して、これらが互いに固定される。このように、実施形態１において、固定ステップ１０２では、熱可塑性樹脂を含むシートである第２シート３０を支持基板１０の他方の面１３側に更に対面させた状態で第２シート３０を加熱することで、支持基板１０の他方の面１３側にも第２シート３０を固定する。

【0034】

なお、本発明では、第２シート３０を設けなくても良い。また、本発明では、ヒータ４５，４６のうちいずれか一方のみが設けられていれば良い。また、本発明では、押圧部材４３の代わりに、被加工物１の裏面７上を転動しながら被加工物１等を保持面４２に向けて押圧する転動ローラを用いても良い。また、本発明では、被加工物１、シート２０、支持基板１０及び第２シート３０を真空チャンバ内に挿入して、これらの間を真空引きすること等により互いに固定しても良い。

【0035】

（加工ステップ）
図９は、図２に示された被加工物の処理方法の加工ステップを模式的に示す側面図である。加工ステップ１０３は、被加工物１が固定された支持基板１０を保持テーブル５１で保持し、被加工物１の他方の面である裏面７を研削加工するステップである。実施形態１において、加工ステップ１０３では、被加工物１の裏面７を研削加工する。

【0036】

実施形態１において、加工ステップ１０３では、研削装置５０が第２シート３０を介して支持基板１０の他方の面１３側を保持テーブル５１の保持面５２に吸引保持する。実施形態１において、加工ステップ１０３では、図９に示すように、研削装置５０がスピンドル５３により研削ホイール５４を軸心回りに回転しかつ保持テーブル５１を軸心回りに回転するとともに、図示しない研削液ノズルから研削液を供給しつつ、研削ホイール５４の研削砥石５５を被加工物１の裏面７に当接させて保持テーブル５１に所定の送り速度で近づけて、研削砥石５５で被加工物１の裏面７を研削する。

【0037】

実施形態１において、加工ステップ１０３では、研削装置５０が被加工物１の厚さが仕上げ厚さ２になるまで、被加工物１の裏面７を研削する。実施形態１において、加工ステップ１０３では、研削装置５０が被加工物１の厚さが仕上げ厚さ２になると、研削ホイール５４を被加工物１の裏面７から遠ざける。

【0038】

（支持基板剥離ステップ）
図１０は、図２に示された被加工物の処理方法の支持基板剥離ステップにおいて第２シートを剥離する状態を模式的に示す側面図である。図１１は、図２に示された被加工物の処理方法の支持基板剥離ステップにおいて支持基板をシートから剥離する状態を模式的に示す側面図である。

【0039】

支持基板剥離ステップ１０４は、加工ステップ１０３を実施した後、支持基板１０の他方の面１３から貫通孔１１を介して流体６３を供給することで、支持基板１０とシート２０との間に隙間を形成して支持基板１０をシート２０から剥離するステップである。実施形態１において、支持基板剥離ステップ１０４では、被加工物１の裏面７を剥離装置６０の吸着ユニット６１の平坦な吸着面６２に吸引保持し、互いに一体となった被加工物１、シート２０、支持基板１０及び第２シート３０を保持テーブル５１の保持面５２から持ち上げる。

【0040】

実施形態１において、支持基板剥離ステップ１０４では、図１０に示すように、第２シート３０を端から順に支持基板１０の他方の面１３から剥離する。すると、貫通孔１１が支持基板１０の他方の面１３側に開口する。実施形態１において、支持基板剥離ステップ１０４では、図１１に示すように、剥離装置６０が、貫通孔１１の他方の面１３側の開口から貫通孔１１内に水とエアの少なくとも一方を含む流体６３を供給する。すると、シート２０の裏面２２と支持基板１０との間に隙間が生じる。その後、支持基板剥離ステップ１０４では、シート２０から支持基板１０を剥離する。

【0041】

なお、本発明において、支持基板剥離ステップ１０４では、加工ステップ１０３後に互いに一体となった被加工物１、シート２０、支持基板１０及び第２シート３０を上下反転して、被加工物１の裏面７を保持ユニットで保持し、上側から第２シート３０の剥離と流体６３の供給を実施してもよい。なお、本発明では、支持基板剥離ステップ１０４において、流体６３を供給するだけで支持基板１０が剥がれない場合には、吸引保持と離隔させることで支持基板１０を剥がしても良い。

【0042】

（シート剥離ステップ）
図１２は、図２に示された被加工物の処理方法のシート剥離ステップを模式的に示す側面図である。シート剥離ステップ１０５は、被加工物１からシート２０を剥離するステップである。実施形態１において、シート剥離ステップ１０５では、図１２に示すように、被加工物１の裏面７を剥離装置６０の吸着ユニット６１の平坦な吸着面６２に吸引保持した状態で、シート２０を端から順に被加工物１の表面４から剥離する。

【0043】

以上説明した実施形態１に係る被加工物の処理方法は、貫通孔１１が形成された支持基板１０と被加工物１とを熱可塑性樹脂を含むシート２０を介して固定した後、加工ステップ１０３を実施する。このように、実施形態１に係る被加工物の処理方法は、シート２０を支持基板１０と被加工物１に熱圧着して固定するので、作業者の熟練度に依存せず精度の良いこれらの固定が可能となり、ワックスを浪費することがない。

【0044】

また、実施形態１に係る被加工物の処理方法は、加工ステップ１０３後、被加工物１を吸引保持した状態で、支持基板１０に形成された貫通孔１１から流体６３を供給することで、支持基板１０とシート２０との間に隙間を形成して、シート２０から支持基板１０を剥離する。このために、実施形態１に係る被加工物の処理方法は、被加工物１からシート２０を剥離する際に、被加工物１が撓むことを抑制でき、被加工物１の破損を抑制できるとともに、支持基板１０を容易に剥離できるので、生産性が向上する。

【0045】

その結果、実施形態１に係る被加工物の処理方法は、被加工物１を薄化する際に、加工品質を維持しつつ製造コストの抑制が可能になるという効果を奏する。

【0046】

〔実施形態２〕
実施形態２に係る被加工物の処理方法を図面に基づいて説明する。図１３は、実施形態２に係る被加工物の処理方法の支持基板剥離ステップを模式的に一部断面で示す側面図である。なお、図１３は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

【0047】

実施形態２に係る被加工物の処理方法は、支持基板剥離ステップ１０４が異なること以外、実施形態１と同じである。実施形態２において、支持基板剥離ステップ１０４では、図１３に示すように、支持基板１０の他方の面１３を多孔質材であるポーラスセラミック等で構成された保持テーブル７０の平坦な保持面７１に載置する。実施形態２において、支持基板剥離ステップ１０４では、保持テーブル７０の基台７２に設けられた流路７３を通して保持面７１に流体６３を供給して、保持面７１から貫通孔１１に流体６３を供給して、シート２０と支持基板１０との間に隙間を形成する。その後、実施形態２において、支持基板剥離ステップ１０４では、シート２０から支持基板１０を剥離する。

【0048】

実施形態２に係る被加工物の処理方法は、貫通孔１１が形成された支持基板１０と被加工物１とを熱可塑性樹脂を含むシート２０を介して固定した後、加工ステップ１０３を実施し、その後、支持基板１０に形成された貫通孔１１から流体６３を供給することで、支持基板１０とシート２０との間に隙間を形成して、シート２０から支持基板１０を剥離する。その結果、実施形態２に係る被加工物の処理方法は、実施形態１と同様に、被加工物１を薄化する際に、加工品質を維持しつつ製造コストの抑制が可能になるという効果を奏する。

【0049】

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。

【符号の説明】

【0050】

１ 被加工物
４ 表面（一方の面）
７ 裏面（他方の面）
１０ 支持基板
１１ 貫通孔
１２ 一方の面
１３ 他方の面
２０ シート
２１ 表面
２２ 裏面
３０ 第２シート（シート）
５１ 保持テーブル
６３ 流体
１０１ 準備ステップ
１０２ 固定ステップ
１０３ 加工ステップ
１０４ 支持基板剥離ステップ
１０５ シート剥離ステップ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】