特開 2024-178694 レーザー加工方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024178694

(43)【公開日】2024-12-25

(54)【発明の名称】レーザー加工方法

(51)【国際特許分類】

   B23K 26/364 20140101AFI20241218BHJP

   B23K 26/12 20140101ALI20241218BHJP

   H01L 21/301 20060101ALI20241218BHJP

   B23K 26/142 20140101ALI20241218BHJP

【ＦＩ】

B23K26/364

B23K26/12

H01L21/78 B

B23K26/142

【審査請求】未請求

【請求項の数】2

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023097029

(22)【出願日】2023-06-13

(71)【出願人】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】横尾 晋

(72)【発明者】

【氏名】高橋 宏行

(72)【発明者】

【氏名】平島 正隆

(72)【発明者】

【氏名】土田 高志

(72)【発明者】

【氏名】美山 遼

(72)【発明者】

【氏名】永島 崇弘

(72)【発明者】

【氏名】飯田 英一

【テーマコード（参考）】

4E168

5F063

【Ｆターム（参考）】

4E168AD01

4E168AD18

4E168CB04

4E168CB07

4E168DA43

4E168EA15

4E168EA16

4E168FB02

4E168FB06

4E168FC00

4E168GA01

4E168GA04

4E168HA01

4E168JA12

4E168JA13

4E168JA14

4E168KA13

4E168KB03

5F063AA15

5F063BA43

5F063BA45

5F063BA47

5F063BA48

5F063DD26

5F063DD31

5F063DE02

5F063DE33

5F063FF04

5F063FF52

(57)【要約】

【課題】被加工物へのデブリの付着を抑制することができるレーザー加工方法を提供すること。
【解決手段】レーザー加工方法は、被加工物にレーザービームを照射して被加工物を加工するレーザー加工方法であって、被加工物の一面側が鉛直下方向を向くように加工室内で被加工物を保持する保持ステップ１と、保持ステップ１の後に、加工室内の空気の圧力を大気圧より低い所定の圧力まで減圧する真空化ステップ２と、真空化ステップ２の後に、被加工物の一面側にレーザービームを照射するレーザー照射ステップ３と、を備える。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

被加工物にレーザービームを照射して該被加工物を加工するレーザー加工方法であって、
該被加工物の一面側が鉛直下方向を向くように加工室内で該被加工物を保持する保持ステップと、
該保持ステップの後に、該加工室内の空気の圧力を大気圧より低い所定の圧力まで減圧する真空化ステップと、
該真空化ステップの後に、該被加工物の該一面側に該レーザービームを照射するレーザー照射ステップと、
を備える
ことを特徴とするレーザー加工方法。

【請求項2】

該被加工物は、シリコン基板であり、
該レーザー照射ステップにおいて、該レーザービームが照射される該被加工物の該一面側にフッ素系ガスを供給する
ことを特徴とする請求項１に記載のレーザー加工方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、レーザー加工方法に関する。

【背景技術】

【0002】

一般に、デバイスの製造においては、半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のウエーハ等の基板の表面に格子状に配列された複数のストリート（分割予定ライン）を設定し、ストリートに区画された複数のチップ領域にＩＣ（Integrated Circuit）や、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等のデバイスが形成される。

【0003】

ウエーハをストリートに沿って分割する方法として、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザービームを分割予定ラインに沿って照射してアブレーション加工することにより、分割の起点となるレーザー加工溝を形成する方法が提案されている（特許文献１）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開平１０―３０５４２０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

ところで、アブレーション加工では、レーザービームが照射された際にデブリと呼ばれる微細な粉塵が発生し、加工室内に飛散してデバイスの表面に堆積し、デバイスの品質を低下させるという課題があった。

【0006】

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、被加工物へのデブリの付着を抑制することができるレーザー加工方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のレーザー加工方法は、被加工物にレーザービームを照射して該被加工物を加工するレーザー加工方法であって、該被加工物の一面側が鉛直下方向を向くように加工室内で該被加工物を保持する保持ステップと、該保持ステップの後に、該加工室内の空気の圧力を大気圧より低い所定の圧力まで減圧する真空化ステップと、該真空化ステップの後に、該被加工物の該一面側に該レーザービームを照射するレーザー照射ステップと、を備えることを特徴とする。

【0008】

また、本発明のレーザー加工方法において、該被加工物は、シリコン基板であり、該レーザー照射ステップにおいて、該レーザービームが照射される該被加工物の該一面側にフッ素系ガスを供給してもよい。

【発明の効果】

【0009】

本願発明は、被加工物へのデブリの付着を抑制することを抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】図１は、実施形態に係るレーザー加工方法の流れを示すフローチャートである。

【図2】図２は、加工対象の被加工物の一例を示す斜視図である。

【図3】図３は、実施形態に係るレーザー加工方法を実施するレーザー加工装置の構成例を示す模式図である。

【図4】図４は、第１変形例に係るレーザー加工方法を実施するレーザー加工装置を示す模式図である。

【図5】図５は、第２変形例に係るレーザー加工方法を実施するレーザー加工装置を示す模式図である。

【図6】図６は、第３変形例に係るレーザー加工方法を実施するレーザー加工装置を示す模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。更に、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。

【0012】

〔実施形態〕
本発明の実施形態に係るレーザー加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態に係るレーザー加工方法の流れを示すフローチャートである。図２は、加工対象の被加工物１０の一例を示す斜視図である。図３は、実施形態に係るレーザー加工方法を実施するレーザー加工装置２０の構成例を示す模式図である。実施形態のレーザー加工方法は、保持ステップ１と、真空化ステップ２と、レーザー照射ステップ３と、を備え、加工対象を図２に示す被加工物１０とし、図３に示すレーザー加工装置２０において実施される。

【0013】

まず、加工対象である被加工物１０について、一例を示して説明する。被加工物１０は、例えば、シリコン（Ｓｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）またはその他の半導体材料を基板１１とする円板状の半導体ウエーハ、光デバイスウエーハ等のウエーハである。あるいは、被加工物１０は、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）、ガラス、石英等の材料を基板１１とする円板状のウエーハである。ガラスは、例えば、アルカリガラス、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、等を含む。実施形態の被加工物１０は、シリコン基板である。

【0014】

図２に示すように、被加工物１０は、基板１１の表面１２に格子状に設定される複数の分割予定ライン１３と、分割予定ライン１３によって区画された領域に形成されたるデバイス１４と、を有する。デバイス１４は、例えば、ＩＣ、あるいはＬＳＩ等の集積回路、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、あるいはＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等のイメージセンサ、またはＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）等である。

【0015】

被加工物１０は、例えば、環状のフレームが貼着されかつ被加工物１０の外径よりも大径なテープが被加工物１０の裏面１５に貼着されて、フレームの開口内に支持された状態で搬送および加工されてもよい。被加工物１０は、分割予定ライン１３に沿って個々のデバイス１４に分割されて、デバイスチップ１６に個片化される。なお、被加工物１０は、円板状に限定されず、樹脂パッケージ基板や金属基板等その他の板状であってもよい。また、デバイスチップ１６は、正方形状に限定されず、長方形状または多角形状であってもよい。

【0016】

次に、被加工物１０に対してレーザー加工を実施するレーザー加工装置２０について、一例を示して説明する。図３に示すように、レーザー加工装置２０は、加工室２１と、保持ユニット３０と、移動ユニット４０と、レーザービーム５０を照射するレーザー照射ユニットと、を備える。なお、以下の説明において、Ｘ軸方向は、水平面における一方向であり、加工送り方向である。また、Ｙ軸方向は、水平面においてＸ軸に直交する方向であり、割り出し送り方向である。また、Ｚ軸方向は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に直交する方向であり、集光点位置調整方向である。

【0017】

加工室２１には、保持ユニット３０と、移動ユニット４０と、が収容される。加工室２１は、内部に外部とは遮断された空間２２を形成可能である。加工室２１を区画する壁部には、被加工物１０を搬入出するための開閉可能な不図示の搬入出口と、窓部２３と、排気口２４と、が形成される。

【0018】

窓部２３は、加工室２１を区画する壁部のうち、下面側の床部に形成される。窓部２３は、加工室２１の外部から保持ユニット３０の保持面３１に向かって鉛直上方向に照射されるレーザービーム５０の光路上に形成され、レーザービーム５０を透過させる。窓部２３は、例えば、例えば、ＢＫ７（ホウケイ酸塩クラウンガラス）、ＣａＦ２（フッ化カルシウム）、ＳｉＯ２（合成石英ガラス）によって構成される。

【0019】

排気口２４は、加工室２１を区画する壁部のうち、いずれかの壁部に形成され、図３に示す例では、図面左側の床面寄りの位置に形成される。排気口２４は、排気路２５を介して、不図示の真空吸引源に接続される。加工室２１が密閉されている状態において、不図示の真空吸引源が負圧を形成することにより、空間２２を減圧可能である。

【0020】

保持ユニット３０は、被加工物１０の一面（実施形態では、表面１２）側が鉛直下方向を向くように被加工物１０を保持するユニットである。実施形態の保持ユニット３０は、水平方向と平行な平面であって鉛直下方向を向く保持面３１を有する保持テーブルである。実施形態の保持ユニット３０には、不図示の高周波電源に接続された電極３２が設けられている。

【0021】

保持ユニット３０は、電極３２に高周波電源から電力が印加されて、保持面３１と被加工物１０との間に誘電分極現象を発生させ、電荷の分極による静電吸着力によって被加工物１０を保持面３１上に吸着保持する。実施形態の保持ユニット３０は、被加工物１０の裏面１５側を保持面３１で吸着保持して、表面１２側を下方に露出させる。

【0022】

移動ユニット４０は、保持ユニット３０とレーザービーム５０の集光点５１とを相対的に移動させるユニットである。移動ユニット４０は、加工送りユニット４１と、割り出し送りユニット４２と、不図示の集光点位置調整ユニットと、回転ユニット４３と、を含む。

【0023】

加工送りユニット４１は、保持ユニット３０とレーザービーム５０の集光点５１とを加工送り方向であるＸ軸方向に相対的に移動させるユニットである。加工送りユニット４１は、実施形態において、保持ユニット３０および回転ユニット４３をＸ軸方向に移動させる。加工送りユニット４１は、例えば、割り出し送りユニット４２によって、Ｙ軸方向に移動可能に設けられる。

【0024】

割り出し送りユニット４２は、保持ユニット３０とレーザービーム５０の集光点５１とを割り出し送り方向であるＹ軸方向に相対的に移動させるユニットである。割り出し送りユニット４２は、実施形態において、保持ユニット３０、回転ユニット４３、および加工送りユニット４１をＹ軸方向に移動させる。割り出し送りユニット４２は、例えば、加工室２１の天井壁に設置されている。

【0025】

不図示の集光点位置調整ユニットは、レーザービーム５０を照射するレーザー照射ユニットのうち、少なくとも集光器５２を集光点位置調整方向であるＺ軸方向に移動させるユニットである。実施形態において、集光点位置調整ユニットは、集光器５２を、加工室２１に対してＺ軸方向に移動させる。

【0026】

回転ユニット４３は、保持ユニット３０をＺ軸方向に平行な軸心回りに回転させるユニットである。回転ユニット４３は、実施形態において、加工送りユニット４１に対して保持ユニット３０を軸心回りに回転させる。

【0027】

レーザービーム５０を照射するレーザー照射ユニットは、例えば、不図示のレーザー発振器と、集光器５２と、レーザー発振器から集光器５２へレーザービーム５０を導く各種の光学部品と、を含む。レーザー発振器は、被加工物１０を加工するための所定の波長を有するレーザービーム５０を出射する。集光器５２は、レーザー発振器から出射されたレーザービーム５０を集光して、保持ユニット３０の保持面３１に保持された被加工物１０に向けて照射させる。集光器５２を通過したレーザービーム５０は、窓部２３を介して保持ユニット３０に向かって照射される。

【0028】

次に、実施形態のレーザー加工方法の各ステップについて詳細に説明する。図１に示す保持ステップ１は、図３に示すように、被加工物１０の一面（実施形態では、表面１２）側が鉛直下方向を向くように加工室２１内で被加工物１０を保持するステップである。具体的には、被加工物１０を、裏面１５側が上方を向いている状態で、図示せぬ搬送ユニット等により加工室２１内部の保持ユニット３０まで搬送する。

【0029】

次に、被加工物１０の裏面１５側を保持ユニット３０の保持面３１に当接させた状態で、不図示の高周波電源から電極３２に電力を印加し、保持面３１と被加工物１０との間に誘電分極現象を発生させ、電荷の分極による静電吸着力によって被加工物１０の裏面１５側を保持面３１上に吸着保持する。保持ユニット３０は、被加工物１０の裏面１５側を保持面３１で吸着保持して、表面１２側を下方に露出させる。

【0030】

図１に示す真空化ステップ２は、保持ステップ１の後に実施される。真空化ステップ２は、図３に示す加工室２１内の空気の圧力を大気圧より低い所定の圧力まで減圧するステップである。具体的には、まず、保持ステップ１で被加工物１０を加工室２１内部に搬送した際の不図示の搬入出口を閉塞させ、加工室２１の内部の空間２２を密閉状態とする。次に、不図示の真空吸引源を作動させて、排気口２４および排気路２５を介して空間２２を減圧させる。この際、空間２２は、１×１０^４Ｐａ（絶対圧）以下に減圧され、低圧であるほど好ましい。

【0031】

図１に示すレーザー照射ステップ３は、真空化ステップ２の後に実施される。レーザー照射ステップ３は、図３に示すように、被加工物１０の鉛直下方向を向く一面（実施形態では、表面１２）側にレーザービーム５０を照射するステップである。実施形態において、レーザービーム５０は、被加工物１０に対して吸収性を有する波長のレーザービームである。ここでは、レーザービーム５０を加工送り方向に直線状に照射して分割予定ライン１３（図２参照）に沿って直線状の溝加工を行う場合について説明するが、本発明では、例えば、環状の溝加工に適用してもよい。

【0032】

具体的には、まず、例えば、不図示の撮像ユニットで被加工物１０の表面１２を撮像すること等によって、分割予定ライン１３を検出する。次に、回転ユニット４３によって、保持ユニット３０をＺ軸回りに回転させて、加工する分割予定ライン１３が延びる方向と加工送り方向（Ｘ軸方向）を一致させる。また、加工送りユニット４１および割り出し送りユニット４２によって、分割予定ライン１３の加工開始位置をレーザービーム５０が照射される位置に位置付けるとともに、不図示の集光点位置調整ユニットによって、レーザービーム５０の集光点５１を被加工物１０の表面１２近傍に設定する。

【0033】

次に、パルス状のレーザービーム５０を照射しながら、加工送りユニット４１によって所定の送り速度で保持ユニット３０を加工送り方向（Ｘ軸方向）に移動させる。これにより、被加工物１０の表面１２において、分割予定ライン１３に沿う加工溝が形成される。次いで、割り出し送りユニット４２によって保持ユニット３０を割り出し送り方向（Ｙ軸方向）に所定距離移動させ、隣接する分割予定ライン１３をレーザービーム５０が照射される位置に位置付け、同様にレーザー加工を実施する。一方向に沿う全ての分割予定ライン１３を加工した後は、一方向に直交する分割予定ライン１３を同様にレーザービーム５０が照射される位置に位置付けてレーザー加工を実施することで、全ての分割予定ライン１３にレーザー加工溝が形成される。

【0034】

以上説明したように、実施形態に係るレーザー加工方法では、真空下において、加工対象である一面（表面１２）を鉛直下方向に向けた被加工物１０に対して、レーザービーム５０を下方から上方に向けて照射して加工を施す。ここで、レーザービーム５０の照射により被加工物１０にデブリが付着する原因は、加工点付近の空気が膨張することで飛散したデブリが、重力によって落下することと、膨張した空気が冷えて収縮することで加工点に戻されることと、であると考えられる。

【0035】

デブリの重力による落下は、レーザー加工中に、被加工物１０の加工対象である一面（表面１２）を鉛直方向に向けて保持することによって、解消できる。また、膨張した空気の収縮は、加工領域の空間２２を真空状態とすることで解消できる。したがって、実施形態のレーザー加工方法は、被加工物１０へのデブリの付着を抑制することができる。

【0036】

このため、従来のようにレーザービーム５０を透過する液状樹脂の保護膜を被加工物１０に被覆しなくても、被加工物１０にデブリが付着することを抑制でき、液状樹脂を除去するための工程の所要時間や、繰り返し利用することができない液状樹脂のコストを削減することができる。また、実施形態の方法に加え、液状樹脂の保護膜を併用することで、更に、被加工物１０へのデブリの付着を抑制することができる。

【0037】

〔第１変形例〕
次に、第１変形例に係るレーザー加工方法を図面に基づいて説明する。図４は、第１変形例に係るレーザー加工方法を実施するレーザー加工装置２０－１を示す模式図である。なお、第１変形例において使用するレーザー加工装置２０－１において、実施形態のレーザー加工装置２０と同様の構成には同様の符号を付して説明を省略する。

【0038】

第１変形例のレーザー加工方法は、加工対象の被加工物１０がシリコン基板に限定される。第１変形例のレーザー加工方法では、レーザー照射ステップ３において、レーザービーム５０が照射される被加工物１０の一面（第１変形例では、表面１２）側にフッ素系ガス６０を供給している状態でレーザービーム５０を照射する。フッ素系ガス６０は、例えば、六フッ化硫黄（ＳＦ_６）ガス、四フッ化炭素（ＣＦ_４）ガス、三フッ化窒素（ＮＦ_３）ガス等を含む。

【0039】

第１変形例において使用するレーザー加工装置２０－１は、実施形態のレーザー加工装置２０と比較して、フッ素系ガス６０を供給するガス供給ノズル６１を備える点で異なる。ガス供給ノズル６１は、加工室２１の内部に噴射口を有し、レーザービーム５０の集光点５１、すなわち加工点に向かってフッ素系ガス６０を供給する。ガス供給ノズル６１は、第１変形例において、加工室２１の床部において、窓部２３に隣接する位置に配置される。

【0040】

以上説明したように、第１変形例に係るレーザー加工方法では、加工点にフッ素系ガス６０を供給している状態でレーザービーム５０を照射する。フッ素系ガス６０は、レーザービーム５０の照射により生じたプラズマ中で分解する。フッ素系ガス６０から分解されたフッ素と、被加工物１０から生じたデブリであるシリコン微粒子と、の反応により、フッ化シリコンが気体状態で生成される。これにより、デブリが被加工物１０に再付着することを抑制することができる。

【0041】

第１変形例の様態に追加して、更に、フッ素系ガス６０を供給する際に、ガス供給ノズル６１と保持ユニット３０に保持される被加工物１０との間で、フッ素系ガス６０をプラズマ化させ、レーザー照射ステップ３におけるレーザー加工と同時にプラズマエッチングを実施してもよい。

【0042】

この場合、例えば、加工室２１を、プラズマエッチング装置のチャンバとして扱い、保持ユニット３０と加工室２１の下部との間に一対の電極を上下に対向して配置する。一対の電極は、導電性の材料で形成され、加工室２１と絶縁されるとともに高周波電源と接続する。一対の電極に高周波電源から電力を印加することで、フッ素系ガス６０がプラズマ化し、保持ユニット３０に保持される被加工物１０側に引き込まれる。これにより、被加工物１０の一面（実施形態では、表面１２）においてレーザービーム５０の照射により溶融が生じた部分を、プラズマエッチングで除去できる。

【0043】

〔第２変形例〕
次に、第２変形例に係るレーザー加工方法を図面に基づいて説明する。図５は、第２変形例に係るレーザー加工方法を実施するレーザー加工装置２０－２を示す模式図である。なお、第２変形例において使用するレーザー加工装置２０－１において、第１変形例のレーザー加工装置２０－１と同様の構成には同様の符号を付して説明を省略する。

【0044】

第２変形例のレーザー加工方法では、フッ素系ガス６０を、レーザービーム５０の光路を囲って光路と同軸で供給する。第２変形例において使用するレーザー加工装置２０－２は、集光器５２－１およびガス供給ノズル６１－１の構成が、第１変形例のレーザー加工装置２０－１の集光器５２およびガス供給ノズル６１の構成と異なるとともに、囲い２６を備える点で異なる。

【0045】

第２変形例の集光器５２－１は、加工室２１の内部に配置される。すなわち、レーザービーム５０は、窓部２３を透過した後、集光器５２－１に入射して集光される。また、ガス供給ノズル６１－１は、加工室２１の床部に設けられる。ガス供給ノズル６１－１の噴射口は、レーザービーム５０が透過する窓部２３を囲うように、環状に複数設けられる、あるいは環状に開口して設けられる。囲い２６は、ガス供給ノズル６１－１およびレーザービーム５０の光路を側方から囲うよう、加工室２１の床部から上方に向かって円錘台形状に設けられる。ガス供給ノズル６１－１から供給されるフッ素系ガス６０は、円錘台形状の囲い２６の内部に充満するとともに、円錘台形状の上端の開口２７からレーザービーム５０の集光点５１、すなわち加工点に向かって供給される。

【0046】

以上説明したように、第２変形例に係るレーザー加工方法では、フッ素系ガス６０をレーザービーム５０の集光点５１に供給する際に、レーザービーム５０の光路を囲う囲い２６を形成する。これにより、第１変形例と同様に、フッ素とシリコン微粒子であるデブリとの反応によりデブリが被加工物１０に再付着を抑制する効果に加え、加工室２１の内部側の窓部２３および集光器５２－１が、デブリによって汚染されることを抑制できるという効果を奏する。

【0047】

〔第３変形例〕
次に、第３変形例に係るレーザー加工方法を図面に基づいて説明する。図６は、第３変形例に係るレーザー加工方法を実施するレーザー加工装置２０－３を示す模式図である。なお、第３変形例において使用するレーザー加工装置２０－３において、実施形態のレーザー加工装置２０と同様の構成には同様の符号を付して説明を省略する。

【0048】

第３変形例において使用するレーザー加工装置２０－３は、実施形態のレーザー加工装置２０と比較して、加工室２１－１および移動ユニット４０－１の構成が、実施形態のレーザー加工装置２０の加工室２１および移動ユニット４０の構成と異なる。

【0049】

第３変形例の加工室２１－１は、移動ユニット４０－１の加工送りユニット４１－１および割り出し送りユニット４２－１によって、加工送り方向であるＸ軸方向および割り出し送り方向であるＹ軸方向に移動可能である。加工送りユニット４１－１は、加工室２１－１の外部に設けられ、加工室２１－１を、Ｘ軸方向に移動させる。割り出し送りユニット４２－１は、加工室２１－１および加工送りユニット４１－１を、Ｙ軸方向に移動させる。

【0050】

回転ユニット４３－１は、加工室２１－１の内部に設けられ、加工室２１－１に対して保持ユニット３０を軸心回りに回転させる。このように、第３変形例では、加工室２１－１全体が、レーザービーム５０の集光点５１に対して移動する。すなわち、加工室２１－１と集光器５２との位置が相対的に移動するため、加工室２１－１の外部から内部へレーザービーム５０を透過させる窓部２３－１は、これに合わせて、加工室２１－１の床部のほぼ全面に形成される。

【0051】

以上説明したように、第３変形例に係るレーザー加工方法では、加工室２１－１ごと加工送りおよび割り出し送りする。すなわち、加工室２１－１に対して保持ユニット３０が並進方向に固定されるため、加工室２１－１の寸法を小さくすることができる。このため、例えば、加工室２１－１の内部の空間２２の減圧が容易である。

【0052】

なお、本発明は、上記実施形態および変形例に限定されるものではない。また、実施形態と各変形例との構成は、一部を互いに置き換えてもよい。例えば、第３変形例の加工送りユニット４１－１および割り出し送りユニット４２－１が加工室２１－１の外部に設けられる構成を、第１変形例および第２変形例のレーザー加工装置２０－１、２０－２に適用してもよい。また、実施形態、第１変形例および第３変形例において、窓部２３、２３－１より加工室２１、２１－１の内側に集光器５２－１を配置してもよいし、第２変形例において、窓部２３より加工室２１の外側に集光器５２を配置してもよい。

【0053】

また、上記実施形態および変形例では、保持ユニット３０が静電吸着力によって被加工物１０を吸着保持するが、被加工物１０を前述したようにフレームおよびテープで支持した状態で加工する場合、保持ユニット３０の周囲にクランプ部材を複数配置し、クランプ部材がフレームを挟持することで、被加工物１０を保持してもよい。

【0054】

また、レーザービーム５０の集光点５１を加工送りする方法は、実施形態および変形例の加工送りユニット４１、４１－１に限定されず、レーザービーム５０を走査することによるものでもよい。すなわち、レーザービーム５０を照射するレーザー照射ユニットは、Ｙ軸方向に平行な方向に軸心を有するポリゴンミラーやガルバノミラー等の走査ユニットを有してもよい。この場合、集光器５２、５２－１は、複数枚のレンズを組み合わせた組みレンズであるｆθレンズを含む。

【符号の説明】

【0055】

１ 保持ステップ
２ 真空化ステップ
３ レーザー照射ステップ
１０ 被加工物
１１ 基板
１２ 表面（一面）
１３ 分割予定ライン
１４ デバイス
１５ 裏面
１６ デバイスチップ
２０、２０－１、２０－２、２０－３ レーザー加工装置
２１、２１－１ 加工室
２２ 空間
２３、２３－１ 窓部
２４ 排気口
２５ 排気路
２６ 囲い
２７ 開口
３０ 保持ユニット
３１ 保持面
３２ 電極
４０、４０－１ 移動ユニット
４１、４１－１ 加工送りユニット
４２、４２－１ 割り出し送りユニット
４３、４３－１ 回転ユニット
５０ レーザービーム
５１ 集光点
５２、５２－１ 集光器
６０ フッ素系ガス
６１、６１－１ ガス供給ノズル

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】