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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024178768
(43)【公開日】2024-12-25
(54)【発明の名称】基板保持装置、及び成膜装置
(51)【国際特許分類】
C23C 14/50 20060101AFI20241218BHJP
H01L 21/683 20060101ALI20241218BHJP
【ＦＩ】
C23C14/50 A
H01L21/68 N
【審査請求】未請求
【請求項の数】19
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023097158
(22)【出願日】2023-06-13
(71)【出願人】
【識別番号】591065413
【氏名又は名称】キヤノントッキ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002860
【氏名又は名称】弁理士法人秀和特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】河合 慈
(72)【発明者】
【氏名】滝沢 毅
【テーマコード（参考）】
4K029
5F131
【Ｆターム（参考）】
4K029AA09
4K029AA24
4K029BA62
4K029BD01
4K029CA01
4K029DA03
4K029DB06
4K029EA08
4K029HA01
4K029JA01
4K029JA06
4K029KA01
4K029KA09
5F131AA03
5F131AA10
5F131AA33
5F131BA03
5F131BA04
5F131BB03
5F131BB04
5F131BB05
5F131CA02
5F131CA05
5F131CA18
5F131DA33
5F131DA36
5F131DA42
5F131DA54
5F131DA62
5F131EA03
5F131EA22
5F131EA23
5F131EA24
5F131EB11
5F131EB17
5F131EB18
5F131EB63
5F131EB78
5F131EB81
5F131EB82
5F131JA16
5F131JA20
5F131JA26
5F131KA23
(57)【要約】
【課題】成膜装置において安定して温度制御を行うことができる技術を提供する。
【解決手段】基板に成膜を行う成膜装置に用いられる基板保持装置であって、基板を吸着する静電チャックＣ１と、前記静電チャックの温度調整を行うための温調媒体が内部を流れる温調管ＴＰと、を備え、静電チャックＣ１は、温調管ＴＰの少なくとも一部が静電チャックＣ１の内部に埋没されるように温調管ＴＰが設置される温調管設置部２５３を有する。
【選択図】図４
【解決手段】基板に成膜を行う成膜装置に用いられる基板保持装置であって、基板を吸着する静電チャックＣ１と、前記静電チャックの温度調整を行うための温調媒体が内部を流れる温調管ＴＰと、を備え、静電チャックＣ１は、温調管ＴＰの少なくとも一部が静電チャックＣ１の内部に埋没されるように温調管ＴＰが設置される温調管設置部２５３を有する。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板に成膜を行う成膜装置に用いられる基板保持装置であって、
基板を吸着する静電チャックと、
前記静電チャックの温度調整を行うための温調媒体が内部を流れる温調管と、
を備え、
前記静電チャックは、前記温調管の少なくとも一部が前記静電チャックの内部に埋没されるように前記温調管が設置される温調管設置部を有することを特徴とする基板保持装置。
基板を吸着する静電チャックと、
前記静電チャックの温度調整を行うための温調媒体が内部を流れる温調管と、
を備え、
前記静電チャックは、前記温調管の少なくとも一部が前記静電チャックの内部に埋没されるように前記温調管が設置される温調管設置部を有することを特徴とする基板保持装置。
【請求項2】
前記静電チャックは、基材と、前記基材に埋め込まれた電極と、を有し、
前記温調管設置部は、前記基材に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板保持装置。
前記温調管設置部は、前記基材に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板保持装置。
【請求項3】
前記温調管設置部は、前記静電チャックの基板を吸着する吸着面と反対側の面上に形成されている凹部であることを特徴とする請求項２に記載の基板保持装置。
【請求項4】
前記温調管設置部は、前記静電チャックの内部に形成されている中空部であることを特徴とする請求項２に記載の基板保持装置。
【請求項5】
前記温調管の熱伝導率は、前記基材の熱伝導率より高いことを特徴とする請求項２に記載の基板保持装置。
【請求項6】
前記温調管と前記温調管設置部との間には、熱伝導材が充填されていることを特徴とする請求項１に記載の基板保持装置。
【請求項7】
基板に成膜を行う成膜装置に用いられる基板保持装置であって、
基板を吸着する静電チャックと、
前記静電チャックの温度調整を行うための温調媒体が内部を流れる温調管と、
前記静電チャックの基板を吸着する吸着面と反対側の面に固定され、前記温調管の少なくとも一部が内部に埋没される温調管設置部材と、
を備えることを特徴とする基板保持装置。
基板を吸着する静電チャックと、
前記静電チャックの温度調整を行うための温調媒体が内部を流れる温調管と、
前記静電チャックの基板を吸着する吸着面と反対側の面に固定され、前記温調管の少なくとも一部が内部に埋没される温調管設置部材と、
を備えることを特徴とする基板保持装置。
【請求項8】
前記静電チャックと前記温調管設置部材との間に設けられる熱伝導シートを備えることを特徴とする請求項７に記載の基板保持装置。
【請求項9】
前記温調管は、複数の固定ネジによって前記静電チャックに固定されていることを特徴とする請求項７に記載の基板保持装置。
【請求項10】
前記温調管は、前記温調管設置部材の表面に形成されている凹部に設置されることを特徴とする請求項７に記載の基板保持装置。
【請求項11】
前記温調管は、前記温調管設置部材の内部に形成されている中空部に設置されることを特徴とする請求項７に記載の基板保持装置。
【請求項12】
前記温調管と前記温調管設置部材との間には、熱伝導材が充填されていることを特徴とする請求項７に記載の基板保持装置。
【請求項13】
前記熱伝導材は、接着剤又はグリスであることを特徴とする請求項６又は１２に記載の基板保持装置。
【請求項14】
前記温調媒体は、冷却液であることを特徴とする請求項１又は７に記載の基板保持装置。
【請求項15】
前記温調管に前記温調媒体を循環させる循環機構を備えることを特徴とする請求項１又は７に記載の基板保持装置。
【請求項16】
前記温調管に流す前記温調媒体の温度及び循環速度の少なくとも一方を調整する媒体調整手段を備えることを特徴とする請求項１５に記載の基板保持装置。
【請求項17】
前記静電チャックに吸着された基板に向かってマスクを引き付ける磁力を発生させる磁力発生手段を備え、
前記温調管は、非磁性体であることを特徴とする請求項１又は７に記載の基板保持装置。
前記温調管は、非磁性体であることを特徴とする請求項１又は７に記載の基板保持装置。
【請求項18】
前記静電チャックの温度を制御するためのペルチェ素子を備えた温調部材を備えることを特徴とする請求項１又は７に記載の基板保持装置。
【請求項19】
チャンバと、
前記チャンバ内に設けられる蒸発源と、
請求項１～１２のいずれか１項に記載の基板保持装置と、
前記基板保持装置の前記静電チャックに吸着された基板の被成膜面に接合されるマスクと、
を備えることを特徴とする成膜装置。
前記チャンバ内に設けられる蒸発源と、
請求項１～１２のいずれか１項に記載の基板保持装置と、
前記基板保持装置の前記静電チャックに吸着された基板の被成膜面に接合されるマスクと、
を備えることを特徴とする成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、成膜装置に用いられる基板保持装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、モニタ、テレビ、スマートフォンなどの表示画面として、有機ＥＬ表示装置などのフラットパネル表示装置が用いられている。有機ＥＬ表示装置のパネルは、２つの向かい合う電極（カソード電極、アノード電極）の間に発光を起こす有機物層が形成された構造を持つ。成膜装置を用いて有機ＥＬ表示パネルを形成する際は、成膜装置のチャンバに配置された基板ホルダによって基板の周縁部を保持し、チャンバ下部に設けられた蒸発源を加熱して金属又は有機物の蒸着材料を放出し、マスクを介して基板の下面に蒸着させる。
【0003】
ここで、周縁部を保持される基板は、その中央部が自重により撓みを生じることがある。基板サイズの大型化が進むと、上記中央部の撓みもより大きくなり、蒸着精度に対する影響も大きくなる。そのような基板の撓みを軽減するための手法として、特許文献１では、静電チャック（ＥＳＣ：Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ ｃｈｕｃｋ）を用いて基板を保持する技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１９－０９９９１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
成膜室内において蒸発源は非常に高温であり、成膜室内の他の部材と蒸発源との間には大きな温度差がある。そのため、静電チャックや基板、マスクの温度を制御することが困難であり、これらには、熱膨張による変形、サイズ変化が生じることがある。このサイズ変化の影響により、アライメント精度の低下や、膜質の低下が生じる可能性がある。
【0006】
本発明は、成膜装置において安定して温度制御を行うことができる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記課題を解決するために、本発明の基板保持装置は、
基板に成膜を行う成膜装置に用いられる基板保持装置であって、
基板を吸着する静電チャックと、
前記静電チャックの温度調整を行うための温調媒体が内部を流れる温調管と、
を備え、
前記静電チャックは、前記温調管の少なくとも一部が前記静電チャックの内部に埋没されるように前記温調管が設置される温調管設置部を有することを特徴とする。
また、上記課題を解決するために、本発明の基板保持装置は、
基板に成膜を行う成膜装置に用いられる基板保持装置であって、
基板を吸着する静電チャックと、
前記静電チャックの温度調整を行うための温調媒体が内部を流れる温調管と、
前記静電チャックの基板を吸着する吸着面と反対側の面に固定され、前記温調管の少なくとも一部が内部に埋没される温調管設置部材と、
を備えることを特徴とする。
基板に成膜を行う成膜装置に用いられる基板保持装置であって、
基板を吸着する静電チャックと、
前記静電チャックの温度調整を行うための温調媒体が内部を流れる温調管と、
を備え、
前記静電チャックは、前記温調管の少なくとも一部が前記静電チャックの内部に埋没されるように前記温調管が設置される温調管設置部を有することを特徴とする。
また、上記課題を解決するために、本発明の基板保持装置は、
基板に成膜を行う成膜装置に用いられる基板保持装置であって、
基板を吸着する静電チャックと、
前記静電チャックの温度調整を行うための温調媒体が内部を流れる温調管と、
前記静電チャックの基板を吸着する吸着面と反対側の面に固定され、前記温調管の少なくとも一部が内部に埋没される温調管設置部材と、
を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【0008】
本発明によれば、成膜装置において安定して温度制御を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】成膜装置の構成を示す模式的な平面図である。
【図2】成膜室の内部構成を示す断面図である。
【図3】有機ＥＬ表示装置の製造ラインの一例を示す模式図である。
【図4】本発明の実施例１に係る温調機構の構成を説明する模式的断面図である。
【図5】比較例に係る温調機構の構成を説明する模式的断面図である。
【図6】有機ＥＬ製造ラインにおける温調制御の一例を示す模式図である。
【図7】本発明の実施例２に係る温調機構の構成を説明する模式的断面図である。
【図8】本発明の実施例３に係る温調機構の構成を説明する模式的断面図である。
【図9】電子デバイスの製造方法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下に、本発明の実施形態について詳細に説明する。ただし、以下の実施形態は本発明の好ましい構成を例示的に示すものにすぎず、本発明の範囲をそれらの構成に限定されない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成及びソフトウェア構成、処理フロー、製造条件、寸法、材質、形状、その相対配置などは、特に特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【0011】
本発明は、基板等の成膜対象物の表面に蒸着やスパッタリングにより成膜材料の薄膜を形成する成膜装置に好適である。本発明は、温調機構、基板保持装置及び成膜装置、ならびに、これらの装置を用いた温調方法又は制御方法として捉えられる。本発明はまた、電子デバイスの製造装置やその制御方法、電子デバイスの製造方法としても捉えられる。本発明はまた、温調方法や制御方法をコンピュータに実行させるプログラムや、当該プログラムを格納した記憶媒体としても捉えられる。記憶媒体は、コンピュータにより読み取り可能な非一時的な記憶媒体であってもよい。
【0012】
本発明における基板の材料としては、ガラス、樹脂、金属、シリコンなど任意のものを利用できる。成膜材料としては、有機材料、無機材料（金属、金属酸化物）など任意のものを利用できる。以下の説明における「基板」とは、基板材料の表面に既に１つ以上の成膜が行われたものを含む。本発明の技術は、典型的には、電子デバイスや光学部材の製造装置に適用される。特に、有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬディスプレイ、それを用いた有機ＥＬ表示装置などの有機電子デバイスに好適である。本発明はまた、薄膜太陽電池、有機ＣＭＯＳイメージセンサにも利用できる。
【0013】
＜実施形態＞
（装置構成）
図１は、成膜装置１の構成を模式的に示す平面図である。ここでは、有機ＥＬディスプレイの製造ラインについて説明する。有機ＥＬディスプレイを製造する場合、製造ラインに所定のサイズの基板を搬入し、有機ＥＬや金属層の成膜を行った後、基板のカットなどの後処理工程を実施する。
（装置構成）
図１は、成膜装置１の構成を模式的に示す平面図である。ここでは、有機ＥＬディスプレイの製造ラインについて説明する。有機ＥＬディスプレイを製造する場合、製造ラインに所定のサイズの基板を搬入し、有機ＥＬや金属層の成膜を行った後、基板のカットなどの後処理工程を実施する。
【0014】
成膜装置１は、中央に配置される搬送室１３０と、搬送室１３０の周囲に配置される複数の成膜室１１０（１１０ａ～１１０ｄ）及びマスクストック室１２０（１２０ａ、１２０ｂ）を含む。成膜室１１０は、基板Ｓに対する成膜処理が行われるチャンバを備える。マスクストック室１２０は使用前後のマスクを収納する。搬送室１３０内に設置された搬送ロボット１４０は、基板ＳやマスクＭを搬送室１３０に搬入及び搬出する。搬送ロボッ
ト１４０は、例えば、多関節アームに基板ＳやマスクＭを保持するロボットハンドが取り付けられたロボットである。
ト１４０は、例えば、多関節アームに基板ＳやマスクＭを保持するロボットハンドが取り付けられたロボットである。
【0015】
パス室１５０は、基板搬送方向において上流側から流れてくる基板Ｓを搬送室１３０に搬送する。バッファ室１６０は、搬送室１３０での成膜処理が完了した基板Ｓを下流側の他の成膜クラスタに搬送する。搬送ロボット１４０は、パス室１５０から基板Ｓを受け取ると、複数の成膜室１１０のうちの一つに搬送する。搬送ロボット１４０はまた、成膜処理が完了した基板Ｓを成膜室１１０から受け取り、バッファ室１６０に搬送する。
【0016】
図１に示す成膜装置１は、１つの成膜クラスタを構成しており、上流側や下流側に別の成膜クラスタを接続することができる。パス室１５０のさらに上流側や、バッファ室１６０のさらに下流側には、基板Ｓの方向を変える旋回室１７０が設けられる。成膜室１１０、マスクストック室１２０、搬送室１３０、バッファ室１６０、旋回室１７０などの各チャンバは、製造過程で高真空状態に維持される。
【0017】
成膜装置１の複数の成膜室１１０ａ～１１０ｄにおける成膜材料は、同じであってもよく、異なっていてもよい。例えば、成膜室１１０ａ～１１０ｄそれぞれに異なる成膜材料の成膜源を配置し、基板Ｓが成膜室１１０ａ～１１０ｄを順に移動しながら積層構造を形成されるようにしてもよい。また、成膜室１１０ａ～１１０ｄに同じ成膜材料の成膜源を配置することで、複数の基板Ｓに並行して成膜を行ってもよい。また、成膜室１１０ａと１１０ｃに第１の成膜材料を、成膜室１１０ｂと１１０ｄに第２の成膜材料を配置しておき、成膜室１１０ａ又は１１０ｃで第１の層を成膜したのち、成膜室１１０ｂ又は１１０で第２の層を成膜するように制御してもよい。
【0018】
静電チャックの種類によっては、基板に導電体が付着している場合に基板の吸着力を高めることができる。そのような場合、基板のうち有機ＥＬ素子が形成される領域（典型的には基板の中央部）に、電極層となる金属材料の薄膜が既に形成されているときに効果的に吸着できる。例えば、成膜室１１０ａで電極層が成膜された基板上に、成膜室１１０ｂ～１１０ｄで有機層が順次成膜される場合、成膜室１１０ｂ～１１０ｄに静電チャックを配置すると効果的である。
【0019】
（成膜室）
図２は、成膜室１１０の内部構成を示す断面図である。成膜室１１０では、一連の成膜プロセスが行われる。一連の成膜プロセスとは例えば、搬送ロボット１４０からの基板ＳやマスクＭの受け取り、搬送ロボット１４０への基板ＳやマスクＭの受け渡し、基板ＳとマスクＭの相対的な位置関係を調整するアライメント、マスクＭへの基板Ｓの固定、成膜である。以下の説明においては、鉛直方向をＺ方向とするＸＹＺ直交座標系を用い、Ｚ軸まわりの回転をθで表す。
図２は、成膜室１１０の内部構成を示す断面図である。成膜室１１０では、一連の成膜プロセスが行われる。一連の成膜プロセスとは例えば、搬送ロボット１４０からの基板ＳやマスクＭの受け取り、搬送ロボット１４０への基板ＳやマスクＭの受け渡し、基板ＳとマスクＭの相対的な位置関係を調整するアライメント、マスクＭへの基板Ｓの固定、成膜である。以下の説明においては、鉛直方向をＺ方向とするＸＹＺ直交座標系を用い、Ｚ軸まわりの回転をθで表す。
【0020】
成膜室１１０は、チャンバ２００を有する。チャンバ２００の内部は、成膜の間、真空雰囲気、又は、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持される。チャンバ２００の内部には、静電チャックＣ、マグネット板ＭＰ、温調部材ＴＭ、温調管ＴＰ、基板支持部２１０、マスク台２２１、蒸発源２４０（成膜源）などが設けられる。
【0021】
マスクＭは、基板上に形成される薄膜パターンに対応する開口パターンを持つ。マスクＭとして例えば、パターンが形成された金属箔の周囲をフレームで支持するメタルマスクを利用できる。マスクＭは、マスク台２２１の上に設置されている。本実施例の構成では、マスクＭ上に基板Ｓが位置決めされて載置されたのち、成膜が行われる。
【0022】
基板支持部２１０は、成膜室内部に搬送されてきた基板Ｓを受け取るための、複数の受
け爪状の支持具２１０ａを有する。静電チャックＣは、成膜室内部における基板保持手段であり、基板支持部２１０に支持された基板Ｓを静電気力により吸着保持する。静電チャックＣは、基板Ｓの、マスクＭと接触する面（被成膜面）とは反対側の面に当接する。
け爪状の支持具２１０ａを有する。静電チャックＣは、成膜室内部における基板保持手段であり、基板支持部２１０に支持された基板Ｓを静電気力により吸着保持する。静電チャックＣは、基板Ｓの、マスクＭと接触する面（被成膜面）とは反対側の面に当接する。
【0023】
静電チャックＣは、セラミック等で構成された板状の基材に、金属電極などの電気回路が埋設された構造を有する。一般に静電チャックには、基板を吸着する原理に応じて、グラディエント力タイプ、クーロン力タイプ、ジョンソン・ラーベック力タイプなどの種類があるが、いずれにおいても印加する吸着電圧を高めるほど吸着力を高くすることができる。
【0024】
なお、基板支持部２１０は、支持具２１０ａに対応する押圧具を有していてもよい。支持具２１０ａと押圧具が基板Ｓの端部を挟持することで、静電チャックＣに加えて基板支持部２１０でも基板Ｓを保持できるので、基板Ｓがより安定する。
【0025】
マグネット板ＭＰは、マスクＭを引きつけ基板Ｓの被成膜面に密着、吸着させるために設けられている。静電チャックＣに吸着され相対的位置が調整（アライメント）された基板ＳをマスクＭの上面に載置した（基板Ｓの被成膜面をマスクＭに接合した）状態で、マグネット板ＭＰを静電チャックＣの上方から下降させて静電チャックＣの上面に当接させる。このとき、マグネット板ＭＰと静電チャックＣとの間に伝熱部材を設けて、伝熱部材を介してマグネット板ＭＰを静電チャックＣの上面に当接させてもよい。マグネット板ＭＰは、静電チャックＣ及び基板Ｓを挟んでマスクＭに磁力を印加する（磁気吸引力を作用させて上方（基板Ｓ側）に引き付ける）ことにより、マスクＭを基板Ｓに密着させる。
【0026】
本実施例に係る成膜装置１は、温調機構（温度制御手段）として、成膜時の基板Ｓの温度上昇を抑えて有機材料の変質や劣化を防ぐための温調ユニットＴを備える。温調ユニットＴは、一例として、温調部材ＴＭ、温調管ＴＰなどから構成されるが、具体構成については後述する。
【0027】
蒸発源２４０は、蒸着材料を収容するルツボ等の容器、ヒータ、シャッタ、駆動機構、蒸発レートモニタなどを含む成膜手段である。なお、成膜源は蒸発源には限られず、スパッタリング装置を用いてもよい。
【0028】
チャンバ２００の外側上部には、アライメントステージ２８０、静電チャック昇降機構２９１、マグネット板昇降機構２９２などが設けられる。アライメントステージ２８０は、静電チャックＣ及びマグネット板ＭＰを水平方向（ＸＹθ方向）に移動させるための機構である。静電チャック昇降機構２９１は、静電チャックＣをＺ軸方向に昇降させるための機構である。マグネット板昇降機構２９２は、マグネット板ＭＰをＺ軸方向に昇降させるための機構である。これらにより、基板Ｓの被成膜面に沿った平面に交差する方向における、静電チャックＣの基板Ｓに対する位置調整（相対距離の調整）、マグネット板ＭＰのマスクＭに対する位置調整が可能となる。
【0029】
アライメントステージ２８０は、後述する制御部２７０から送信される制御信号に従ったモータ２８１の駆動により静電チャックＣを移動させることで、静電チャックＣで吸着保持する基板ＳをＸ方向及びＹ方向に移動させ、θ方向に回転させる。なお、アライメントステージ２８０の駆動機構としては、例えばＵＶＷ方式のアクチュエータ等の既知の構成を用いることができる。
【0030】
静電チャック昇降機構２９１は、静電チャック昇降駆動用のモータ（不図示）や、静電チャック昇降駆動用のアクチュエータ（不図示）などを備え、静電チャックＣをＺ軸方向に昇降させる。マグネット板昇降機構２９２は、マグネット板昇降駆動用のモータ（不図
示）や、マグネット板昇降駆動用のアクチュエータ（不図示）などを備え、マグネット板ＭＰをＺ軸方向に昇降させる。アクチュエータは、モータの駆動力を受けて、静電チャックＣを支持するシャフトを昇降可能に構成されている。アクチュエータの具体例としては、例えば、リニアガイドや、ボールねじなどが挙げられる。
示）や、マグネット板昇降駆動用のアクチュエータ（不図示）などを備え、マグネット板ＭＰをＺ軸方向に昇降させる。アクチュエータは、モータの駆動力を受けて、静電チャックＣを支持するシャフトを昇降可能に構成されている。アクチュエータの具体例としては、例えば、リニアガイドや、ボールねじなどが挙げられる。
【0031】
静電チャック昇降機構２９１及びマグネット板昇降機構２９２は、アライメントステージ２８０に搭載されている。したがって、アライメントステージ２８０が水平方向（ＸＹθ方向）に移動することで、静電チャック昇降機構２９１及びマグネット板昇降機構２９２も（したがって、静電チャックＣとマグネット板ＭＰも）水平方向（ＸＹθ方向）に移動する。その結果、例えば、基板Ｓと静電チャックＣとの間に位置ずれが生じたような場合にも、これらの間の相対位置を調整することができる。同様に、例えば、マスクＭとマグネット板ＭＰとの間に位置ずれが生じたような場合にも、これらの間の相対位置を調整することができる。
【0032】
また、本実施例では、基板支持部２１０及びマスク台２２１は、チャンバ２００に対して、水平方向（ＸＹθ方向）には固定されているが、鉛直方向（Ｚ軸方向）には昇降可能に構成されている。基板支持部２１０及びマスク台２２１を鉛直方向に昇降させるための昇降機構は、チャンバ２００の外部上面上にアライメントステージと分離、独立されるように設けられている。
【0033】
基板支持部２１０及びマスク台２２１の昇降機構（不図示）は、チャンバ２００の外部上面に固定された、ベース板２８２とは別のベース板（不図示）に設置されており、アライメントステージ２８０とは分離、独立されている。したがって、アライメントステージ２８０が水平（ＸＹθ）方向に移動しても、基板支持部２１０及びマスク台２２１は水平（ＸＹθ）方向には移動しない。
【0034】
なお、本実施例では、（静電チャックＣの位置を調整することで）基板Ｓの位置を調整する構成としたが、基板ＳとマスクＭを相対的に位置合わせできるのであれば、マスクＭの位置を調整する構成や、基板ＳとマスクＭの両方を調整する構成でもよい。
【0035】
静電チャックＣが基板支持部２１０に支持された基板Ｓを保持する際には、まず静電チャック昇降機構２９１が静電チャックＣを下降させ、静電チャックＣを基板Ｓに当接又は十分に接近させる。そして、制御部２７０が電源２９０を制御して、静電チャックＣに埋設された電極に所定の吸着電圧を印加する。これにより静電チャックＣにより基板Ｓが保持される。
【0036】
続いてアライメントの際には、静電チャック昇降機構２９１が静電チャックＣをさらに下降させて、基板ＳをマスクＭに接近させる。そして、アライメントステージ２８０がアライメントを行う。
【0037】
ここで、本実施例における静電チャックＣは、本発明の基板保持装置を構成する要素となる。本発明の基板保持装置を構成する要素には、電源２９０や制御部２７０、静電チャック昇降機構２９１などが含まれる場合がある。後述する種々の形態の温調ユニットＴあるいは温調ユニットＴの構成要素は、本発明における温度制御手段等として、本発明の基板保持装置や成膜装置を構成する要素に含まれる。
【0038】
続いて成膜の際には、蒸発源２４０が成膜材料を放出する。成膜が完了すると、マグネット板昇降機構２９２がマグネット板ＭＰを上昇させるとともに、静電チャック昇降機構２９１が静電チャックＣを上昇させて、成膜済みの基板Ｓを搬送ロボット１４０に受け渡す。そして、静電チャックＣへの印加電圧を所定の剥離電圧（例えば０Ｖ）とすることで
、基板Ｓの保持を解除する。
、基板Ｓの保持を解除する。
【0039】
チャンバ２００の外側上部には、光学撮像を行って画像データを生成するカメラ２６２が設けられている。カメラ２６２は、チャンバ２００に設けられた真空用の封止窓を通して撮像を行う。本実施例では基板Ｓの四隅に対応する複数のカメラ２６２が設けられている。それぞれのカメラ２６２は、撮像範囲に、基板Ｓの隅部に設けられた基板アライメントマークと、マスクＭの隅部に設けられたマスクアライメントマークが含まれるように配置される。
【0040】
アライメント時には、カメラ２６２は、基板Ｓ及びマスクＭを撮像して画像データを制御部２７０に出力する。制御部２７０は撮像画像データを解析し、パターンマッチング処理などの手法により、基板アライメントマークとマスクアライメントマークの位置情報を取得する。そして、基板アライメントマークとマスクアライメントマークの位置ずれ量に基づき、基板Ｓを移動させるＸＹ方向、移動距離、回転角度θを算出する。そして、算出された移動量を、アライメントステージ２８０の各アクチュエータが備えるステッピングモータやサーボモータ等の駆動量に変換し、制御信号を生成する。なお、低解像だが広視野のラフアライメント用のカメラと、狭視野だが高解像のファインアライメント用のカメラを用いて、二段階アライメントを行ってもよい。
【0041】
制御部２７０は、不図示の制御線や無線通信を介して成膜装置１の各構成要素との間で通信を行い、各構成要素からデータを受信したり、各構成要素に信号を送って動作を制御したりする、情報処理装置である。制御部２７０は、例えば、プロセッサ、メモリ、ストレージ、Ｉ／Ｏなどを有するコンピュータにより構成可能である。この場合、制御部２７０の機能は、メモリ又はストレージに記憶されたプログラムをプロセッサが実行することにより実現される。コンピュータとしては、汎用のパーソナルコンピュータを用いてもよいし、組込型のコンピュータ又はＰＬＣ（ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｌｏｇｉｃ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）を用いてもよい。あるいは、制御部２７０の機能の一部又は全部をＡＳＩＣやＦＰＧＡのような回路で構成してもよい。なお、成膜室ごとに制御部２７０が設けられていてもよいし、１つの制御部２７０が複数の成膜室を制御してもよい。
【0042】
電源２９０は、不図示の導電線を介して成膜装置１の各構成要素に電圧を供給することが可能な高圧電源装置である。電源２９０は、制御部２７０からの指令に従って印加電圧の極性や大きさを制御する。電源２９０は、電圧供給手段と言える。静電チャックＣの電極に対する印加電圧（吸着電圧）の極性や大きさを制御することで、基板Ｓに対する吸着力を制御することができる。なお、電源２９０と制御部２７０を合わせて、成膜装置１の電源を構成すると考えてもよい。
【0043】
なお、本発明の適用対象は、上述のようなクラスタ型の成膜装置に限定されない。本発明は、複数のチャンバが真空一貫に連結され、基板キャリアに保持された基板がチャンバ間を移動しながら成膜されるようなインライン型の成膜装置にも適用できる。
【0044】
（有機ＥＬ表示装置の製造ライン）
図３に、有機ＥＬ表示装置の製造ラインの一例を示す。図３に示す製造ラインは、図１に示す４つの成膜室１１０を備えた成膜クラスタ（成膜装置）１が５つ（成膜クラスタ１－１～１～５）、２つの成膜室１１０を備えた成膜クラスタ１が１つ（成膜クラスタ１－６）、直列的に接続されたラインとなっている。
図３に、有機ＥＬ表示装置の製造ラインの一例を示す。図３に示す製造ラインは、図１に示す４つの成膜室１１０を備えた成膜クラスタ（成膜装置）１が５つ（成膜クラスタ１－１～１～５）、２つの成膜室１１０を備えた成膜クラスタ１が１つ（成膜クラスタ１－６）、直列的に接続されたラインとなっている。
【0045】
５つの成膜クラスタ１－１～１－５のうち、ライン上流の４つの成膜クラスタ１－１～１－４は、製造ラインにおいて、計８層の有機層を形成する第１の有機蒸着部１０２を構成し、各成膜クラスタにおいて２層ずつ有機層が基板Ｓに成膜される。第１の有機蒸着部
１０２のライン下流の成膜クラスタ１－５は、製造ラインにおける金属蒸着部１０３を構成し、２層の金属層が基板Ｓに成膜される。そのライン下流の成膜クラスタ１－６は、製造ラインにける第２の有機蒸着部１０４を構成し、１層の有機層が基板Ｓに成膜される。
１０２のライン下流の成膜クラスタ１－５は、製造ラインにおける金属蒸着部１０３を構成し、２層の金属層が基板Ｓに成膜される。そのライン下流の成膜クラスタ１－６は、製造ラインにける第２の有機蒸着部１０４を構成し、１層の有機層が基板Ｓに成膜される。
【0046】
有機ＥＬ表示装置の製造ラインにおいて、基板Ｓは、先ず前処理部１０１に投入され、必要な前処理工程を施された後、第１の有機蒸着部１０２、金属蒸着部１０３、第２の有機蒸着部１０４を経て、後処理工程に運ばれる。図３に示す製造ラインにおいては、基板Ｓは、例えば、図中矢印で示すＡルート、もしくはＢルートを通り、後工程に流れる。
【0047】
基板Ｓは、各蒸着部１０２～１０４において加熱される。すなわち、基板Ｓは、製造ラインを通過する過程で繰り返し加熱されることになる。一般的に、蒸着源を蒸発させるためには、有機膜の成膜では４５０℃近辺まで、金属膜の成膜では１３００℃近辺まで蒸着源が加熱される。
【0048】
仮に、上記ラインにおいて、有機蒸着室で０．１℃、金属蒸着室で０．３℃、基板Ｓが温度上昇すると仮定すると、真空環境下ではほとんど放熱しないため、前処理部１０１に２３℃で投入された基板Ｓは、１１回蒸着されて２４．５℃に上昇する。一般的なガラス基板の熱膨張率を３．８×１０＾－６／ｍ／℃とすると、１ｍあたり３．８×１０＾－６×２４．５℃＝９３．１μｍ伸びることになる。また、有機蒸着室から次の有機蒸着室に移動する際も、３．８×０．１＝０．３８μｍ／ｍ伸びることになる。大型サイズに分類されるＧ８Ｈサイズのガラス基板では、長辺が２．５ｍあり、０．１℃の温度変化でも０．３８×２．５＝０．９５μｍも伸びることになる。
【0049】
上記のようなサイズ変化が生じてしまうと、例えば、基板ＳとマスクＭとを±２．０μｍでアライメントしていたとしても、基板Ｓの伸びによるズレが生じ、アライメント精度が低下する可能性がある。さらに、アライメント精度の低下により、膜質が低下し、良好な蒸着結果が得られなくなる可能性がある。また、蒸着時の高温によるサイズ変化は、静電チャックＣにも生じ得るため、静電チャックＣのサイズ変化も重なることで、アライメント精度の低下がより増長される可能性がある。
【0050】
（温調機構）
本実施形態における成膜装置１は、上述した有機ＥＬ製造ラインにおける基板Ｓの伸びの影響を抑制すべく基板Ｓの温度を制御する手段として、基板Ｓを貼着する静電チャックＣの温度を制御する温調機構（温度調整手段）を備える。静電チャックＣを温調することで、蒸着により基板Ｓに付与される熱を、静電チャックＣを介して吸収し、基板Ｓの温度上昇を抑制する。さらには、次工程に投入される前の基板Ｓの温度を、次工程において好適な投入温度まで温度を下げてから、基板Ｓを次工程に流すことができるように制御する。なお、ここでは基板の温度が上昇する例を示しているが、搬送過程で基板の温度が低下していくこともある。その場合には、次工程において好適な投入温度まで温度を上げてから、基板Ｓを次工程に流すことができるように制御する。基板の温度を一定に保つことに限らず、各チャンバで異なる目標の基板温度に制御してもよい。目的に応じて、温度調整手段は、加熱及び冷却の両方を行うもの、加熱のみを行うもの、並びに、冷却のみを行うものが適宜採用される。
本実施形態における成膜装置１は、上述した有機ＥＬ製造ラインにおける基板Ｓの伸びの影響を抑制すべく基板Ｓの温度を制御する手段として、基板Ｓを貼着する静電チャックＣの温度を制御する温調機構（温度調整手段）を備える。静電チャックＣを温調することで、蒸着により基板Ｓに付与される熱を、静電チャックＣを介して吸収し、基板Ｓの温度上昇を抑制する。さらには、次工程に投入される前の基板Ｓの温度を、次工程において好適な投入温度まで温度を下げてから、基板Ｓを次工程に流すことができるように制御する。なお、ここでは基板の温度が上昇する例を示しているが、搬送過程で基板の温度が低下していくこともある。その場合には、次工程において好適な投入温度まで温度を上げてから、基板Ｓを次工程に流すことができるように制御する。基板の温度を一定に保つことに限らず、各チャンバで異なる目標の基板温度に制御してもよい。目的に応じて、温度調整手段は、加熱及び冷却の両方を行うもの、加熱のみを行うもの、並びに、冷却のみを行うものが適宜採用される。
【0051】
以下に、温調機構の具体的構成例として、実施例１、２に係る温調ユニットＴ１、Ｔ２と静電チャックＣ１、Ｃ２を示す。また、本実施形態の効果を説明するため、比較例に係る温調ユニットＴ０と静電チャックＣ０を示す。
【0052】
【0053】
図４（ａ）に示すように、本実施例の成膜装置１における温度調整手段は、温調ユニットＴ１を備える。温調ユニットＴ１は、温調部材ＴＭ、非磁性体金属部材ＭＭ、温調管ＴＰなどを備える。温度調整手段を構成する要素としては、温調ユニットＴ１の他、温度センサＴＳ１、温度センサＴＳ２（図２参照）、第１の伝熱部材としてのマグネット板ＭＰ、第２の伝熱部材としての静電チャックＣ１などが含まれる。
【0054】
（温調部材ＴＭ）
本実施例の温調部材ＴＭは、ペルチェ素子が組み込まれた板状の温調部材である。温調部材ＴＭは、マグネット板ＭＰと一体的に設けられており、マグネット板ＭＰとともに昇降する。具体的には、マグネット板ＭＰのベース板ＢＰの上面（静電チャックＣ１に対向する側の面とは反対側の面）に接触配置されている。
本実施例の温調部材ＴＭは、ペルチェ素子が組み込まれた板状の温調部材である。温調部材ＴＭは、マグネット板ＭＰと一体的に設けられており、マグネット板ＭＰとともに昇降する。具体的には、マグネット板ＭＰのベース板ＢＰの上面（静電チャックＣ１に対向する側の面とは反対側の面）に接触配置されている。
【0055】
また、本実施例では、温調部材ＴＭを複数分割配置している。すなわち、マグネット板ＭＰのベース板ＢＰの上面に複数の温調部材ＴＭを等間隔に配置している。なお、温調部材ＴＭがベース板ＢＰ上面の略全域に渡って接触するように、温調部材ＴＭを一枚の部材で構成してもよい。すなわち、温調部材ＴＭの構成は、図４（ａ）に示す構成に限定されない。
【0056】
ここで、ペルチェ素子は、Ｐ型半導体、Ｎ型半導体を交互に配列した板状の素子である。ペルチェ素子に直流電流を流すと、素子の両面間で熱が移動し、一方の面は発熱して温度が上がり、反対側の他方の面は吸熱して温度が下がる現象が起こる。このペルチェ素子に入力する電流の方向を切り替えることで、加熱・冷却を行うことができる。一般的に、ペルチェ素子は、温調素子の中でも応答が速く、高速でスイッチングが可能なため、高精度な温度制御が可能である。
【0057】
（非磁性体金属部材ＭＭ）
本実施例の非磁性体金属部材ＭＭは、静電チャックＣ１やマグネット板ＭＰよりも熱伝導率が高い伝熱部材である。非磁性体金属部材ＭＭは、マグネット板ＭＰのベース板ＢＰの下面に取り付けられており、静電チャックＣ１に向かって突出している。非磁性体金属部材ＭＭは、ベース板ＢＰの下面に取り付けられているマグネットＭＧよりも下方に突出しており、マグネット板ＭＰが下降すると、非磁性体金属部材ＭＭの先端面が静電チャックＣ１の上面２６１に接触した状態となる。マグネットＭＧと静電チャックＣ１の上面２６１との間には隙間が形成されるが、マグネットＭＧの高さは、マスクＭの磁力吸引力が十分確保されるように構成される。
本実施例の非磁性体金属部材ＭＭは、静電チャックＣ１やマグネット板ＭＰよりも熱伝導率が高い伝熱部材である。非磁性体金属部材ＭＭは、マグネット板ＭＰのベース板ＢＰの下面に取り付けられており、静電チャックＣ１に向かって突出している。非磁性体金属部材ＭＭは、ベース板ＢＰの下面に取り付けられているマグネットＭＧよりも下方に突出しており、マグネット板ＭＰが下降すると、非磁性体金属部材ＭＭの先端面が静電チャックＣ１の上面２６１に接触した状態となる。マグネットＭＧと静電チャックＣ１の上面２６１との間には隙間が形成されるが、マグネットＭＧの高さは、マスクＭの磁力吸引力が十分確保されるように構成される。
【0058】
マグネット板ＭＰが備える複数のマグネットＭＧは、静電チャックＣ１の上面２６１に対してその全域に満遍なく配置されず、偏った配置とされる場合が有り得る。また、温度伝達の観点からは、十分な接触面積を確保できないような配置構成となることもあり得る。すなわち、マグネット板ＭＰにおいて、少なくともマグネットＭＧは、マスクＭの磁力吸引効果の確保を第一として配置される部材である。そこで、マグネットＭＧとは別に、伝熱性確保を第一とした非磁性体金属部材ＭＭを配置することが温調の観点では好適である。
【0059】
（静電チャックＣ１）
静電チャックＣ１は、温調対象である基板Ｓと接触する部材であり、基板Ｓの温調の観点からは、基板Ｓと温調部材ＴＭとの間において熱の伝達を担う伝熱部材と捉えることができる。静電チャックＣ１は、セラミック等からなる基材２５０中に正電極２５１と負電
極２５２が埋め込まれた構成となっている。正電極２５１及び負電極２５２は、電源２９０に接続されており、制御部２７０の制御により所望の大きさの電圧を印加され、電圧の大きさに対応する吸着力を発生させて、基板Ｓを引き付ける。
静電チャックＣ１は、温調対象である基板Ｓと接触する部材であり、基板Ｓの温調の観点からは、基板Ｓと温調部材ＴＭとの間において熱の伝達を担う伝熱部材と捉えることができる。静電チャックＣ１は、セラミック等からなる基材２５０中に正電極２５１と負電
極２５２が埋め込まれた構成となっている。正電極２５１及び負電極２５２は、電源２９０に接続されており、制御部２７０の制御により所望の大きさの電圧を印加され、電圧の大きさに対応する吸着力を発生させて、基板Ｓを引き付ける。
【0060】
（温調管ＴＰ）
本実施例の静電チャックＣ１は、温調管ＴＰの一部が内部に埋没されるように温調管ＴＰが設置される温調管設置部として凹部２５３を有する。凹部２５３は、静電チャックＣ１の基材２５０の上面２６１（静電チャックＣの基板Ｓを吸着する吸着面２６０とは反対側の面）に複数設けられ、それぞれの凹部２５３に冷却手段としての温調管ＴＰが設置されている。温調管ＴＰに冷媒としての冷却液が循環することによって、静電チャックＣ１を介して基板Ｓは冷却される。すなわち、本実施例の温調管ＴＰは、基板Ｓの温調を行うための温調部材（温度制御手段）であり、温調ユニットＴ１を構成する要素である。
本実施例の静電チャックＣ１は、温調管ＴＰの一部が内部に埋没されるように温調管ＴＰが設置される温調管設置部として凹部２５３を有する。凹部２５３は、静電チャックＣ１の基材２５０の上面２６１（静電チャックＣの基板Ｓを吸着する吸着面２６０とは反対側の面）に複数設けられ、それぞれの凹部２５３に冷却手段としての温調管ＴＰが設置されている。温調管ＴＰに冷媒としての冷却液が循環することによって、静電チャックＣ１を介して基板Ｓは冷却される。すなわち、本実施例の温調管ＴＰは、基板Ｓの温調を行うための温調部材（温度制御手段）であり、温調ユニットＴ１を構成する要素である。
【0061】
なお、温調管ＴＰを流れる温度調整用の媒体（温調媒体）は、液体に限定されず気体であってもよい。また、冷却水の代わりに高温の流体を流して加熱手段として温調管ＴＰを用いることもできる。すなわち、温調管ＴＰに流す温調媒体としては、その目的に応じて様々な液体や気体を用いることができる。温調管ＴＰに温調媒体を循環させる構成としては、供給路や排出路が内部に設けられた中空回転軸を有するロータリージョイント等の既知の循環機構を用いることができる。
【0062】
図４（ｂ）は、温調管ＴＰと凹部２５３の構成を示す詳細図である。凹部２５３は、温調管ＴＰの外周面に沿って形成された溝状の設置部であり、静電チャックＣ１の上面２６１から下方に凹んでいる。上面２６１には、Ｙ方向に延伸した複数の凹部２５３が、上面２６１の非磁性体金属部材ＭＭとの接触面を避けるように、Ｘ方向に等間隔に設けられている。凹部２５３により、温調管ＴＰは外周面のおおよそ下半分が静電チャックＣ１の基材２５０に埋没する。
【0063】
温調管ＴＰは、熱伝導性接着剤やグリスを介して凹部２５３に配設される。実施例１では、熱伝導性の接着剤２３１により温調管ＴＰは凹部２５３に固定されている。温調管ＴＰと凹部２５３との間に接着剤２３１等の熱伝導材を設けることで、効率よく静電チャックＣ１を温調できる。また、温調管ＴＰの形状や材質等は特に制限されないが、冷却の観点から熱伝導率が高い材質が用いられる方が好ましい。また、実施例１のように、マグネット板ＭＰを用いてマスクＭを基板Ｓに引き付ける構成の場合、温調管ＴＰはチタン合金やアルミ合金などの非磁性体により構成されることが好ましい。
【0064】
上述のように温調管ＴＰを静電チャックＣ１に設置することにより得られる作用効果を説明するために、まずは比較例の構成について説明する。図５は、比較例の温調機構の構成を説明する模式的断面図である。比較例は、静電チャックＣ１に温調管ＴＰが設けられておらず、温調管ＴＰの代わりの温調部材として冷却板ＣＰが設けられている点で実施例１と異なる。冷却板ＣＰは、温調部材ＴＭの上面（マグネット板ＭＰに接する面とは反対側の面）に接触配置されている。すなわち、温調部材ＴＭは、マグネット板ＭＰと冷却板ＣＰとの間にＺ軸方向に挟まれた配置となっており、直接的には、マグネット板ＭＰと冷却板ＣＰとの間で熱交換を行うように構成されている。
【0065】
冷却板ＣＰは、例えば、ステンレスからなる板状の冷却部材であり、その内部に、冷媒を流す冷却管である水路ＷＰを備えている。水路ＷＰは、チャンバ２００の外部との間で冷媒としての冷却水を循環可能に構成されており、冷却板ＣＰに付与された熱を、冷却水で吸収して外部へ排出することが可能である。水路ＷＰは、冷却板ＣＰに設けた貫通孔により形成してもよいし、冷却板ＣＰの内部に管を埋没させて形成してもよい。
【0066】
比較例の構成においては、マグネット板ＭＰのベース板ＢＰや非磁性体金属部材ＭＭを介して冷却板ＣＰと静電チャックＣ０との間で熱伝達が行われる。一方、実施例１の構成においては、温調管ＴＰと静電チャックＣ１との間で直接的に熱伝達が行われるため、より効率よく静電チャックＣ１の温調を行うことができる。
【0067】
また、比較例のように部材の内部に中空部を設ける構成の場合、ベース部材に溝を形成した上で、ベース部材の上に蓋部材をかぶせるようにロウ付けや溶接により接続する製造方法が一般的である。一方、実施例１の構成では、静電チャックＣ１の基材２５０に溝を形成すればよいため、簡易な構成で効率的に温度調整可能であり、製造難易度や製造コストに利点がある。さらに、静電チャックＣに管を設けずに中空部自体を流路として使用する構成の場合、ベース部材と蓋部材の接合状態が悪いと、温調媒体が漏れる（リーク）するおそれがある。一方、実施例１は、温調媒体が温調管ＴＰの内部を通る構成のため、真空にされるチャンバ２００内で温調媒体が漏れる可能性を大幅に下げることができ、安定して成膜動作や温度制御を実行できる。
【0068】
また、実施例１の構成では、比較例のようにベース部材と蓋部材の接着面を確保する必要がないため、比較例と比較して温調管ＴＰの配置間隔を狭めることができる。ひいては、流路の数を増やして温調効率の向上を図ることができる。
【0069】
なお、実施例１では、上述の通り温調ユニットＴ１が温調部材ＴＭと温調管ＴＰの両方を有する構成としているが、必ずしも両方の部材が設けられる必要はない。例えば、高い応答性や微調整の可否が求められないような成膜環境や成膜装置構成においては、温調部材ＴＭを排して温調管ＴＰのみを設けた水冷式の温調構成としてもよい。温調部材ＴＭ（及び、これを制御する電源回路部）を排することにより、コストメリットが得られる。
【0070】
（温度センサＴＳ１）
温度センサＴＳ１（第１温度検知手段）は、静電チャックＣ１の温度を検知する温度センサであり、静電チャックＣ１の基材２５０に組み込まれており、検知温度を制御部２７０に送ることができるように構成されている。温度センサＴＳ１としては、例えば、サーミスタやダイオード等を用いることができる。
温度センサＴＳ１（第１温度検知手段）は、静電チャックＣ１の温度を検知する温度センサであり、静電チャックＣ１の基材２５０に組み込まれており、検知温度を制御部２７０に送ることができるように構成されている。温度センサＴＳ１としては、例えば、サーミスタやダイオード等を用いることができる。
【0071】
本実施例では、基板Ｓを貼着している静電チャックＣ１の温度を、常に、温度センサＴＳ１でモニタする。基板Ｓは蒸着の熱エネルギーを受けることで温度上昇し、その熱エネルギーが静電チャックＣ１に伝わる。このときの静電チャックＣ１の温度を温度センサＴＳ１で検知し、温調ユニットＴ１による冷却動作にフィードバックする。
【0072】
（温度センサＴＳ２）
温度センサＴＳ２（第２温度検知手段）は、マスクＭの温度を検知する温度センサであり、図２に示すようにチャンバ２００の側壁に設けられており、検知温度を制御部２７０に送ることができるように構成されている。温度センサＴＳ２としては、例えば、マスクＭから放出される電磁波（光）からマスクＭの温度を測定する放射温度計を用いることができる。
温度センサＴＳ２（第２温度検知手段）は、マスクＭの温度を検知する温度センサであり、図２に示すようにチャンバ２００の側壁に設けられており、検知温度を制御部２７０に送ることができるように構成されている。温度センサＴＳ２としては、例えば、マスクＭから放出される電磁波（光）からマスクＭの温度を測定する放射温度計を用いることができる。
【0073】
（温度制御部）
制御部２７０は、電源２９０から供給される電力をもとに温調部材ＴＭのペルチェ素子へ電流を流す電流供給部を備える。制御部２７０は、温度制御手段における制御部として、電流供給部が温調部材ＴＭのペルチェ素子に流す電流を制御することで、温調部材ＴＭの温度（熱交換状態）を制御する。制御部２７０は、電源２９０とともに、本発明の温度制御手段の構成（温度制御部）に含まれると考えてよい。
制御部２７０は、電源２９０から供給される電力をもとに温調部材ＴＭのペルチェ素子へ電流を流す電流供給部を備える。制御部２７０は、温度制御手段における制御部として、電流供給部が温調部材ＴＭのペルチェ素子に流す電流を制御することで、温調部材ＴＭの温度（熱交換状態）を制御する。制御部２７０は、電源２９０とともに、本発明の温度制御手段の構成（温度制御部）に含まれると考えてよい。
【0074】
制御部２７０は、温度センサＴＳ１の検知温度や温度センサＴＳ２の検知温度に基づいて、温調部材ＴＭを制御する。具体的には、例えば、基板Ｓが複数の成膜室に渡って成膜される場合において、現在の成膜室（第１成膜室）に備えられた静電チャックＣ１の温度が、次の成膜室（第２成膜室）に備えられたマスクＭの温度に近づくように制御する。この際に、次の成膜室（第２成膜室）に備えられたマスクＭの温度を、次の成膜室のチャンバ２００に備えられた温度センサＴＳ２を用いて検知する。
【0075】
すなわち、現在の成膜室（第１成膜室）の静電チャックＣ１（第１静電チャック）の温度を、現在の成膜室（第１成膜室）の静電チャックＣ１（第１静電チャック）に備えられた温度センサＴＳ１（第１温度センサ）によりモニタする。それとともに、次の成膜室（第２成膜室）のマスクＭ（第２マスク）の温度を、次の成膜室（第２成膜室）に備えられた温度センサＴＳ２（第２温度センサ）により検知する。そして、温度センサＴＳ１（第１温度センサ）の検知温度が、温度センサＴＳ２（第２温度センサ）の検知温度に近づくように、現在の成膜室（第１成膜室）の温調部材ＴＭ（第１温調部材）の電流印加を制御する。
【0076】
また、静電チャックＣ１の温度制御のため、制御部２７０によって温調管ＴＰに流れる温調媒体の温度や循環速度等を調節可能な媒体調整手段を設けてもよい。例えば、現在の成膜室（第１成膜室）に備えられた静電チャックＣ１の温度と、次の成膜室（第２成膜室）に備えられたマスクＭの温度との差が大きい場合に、温調媒体の温度を下げたり、循環速度を上げたりしてもよい。このような構成により、より効率的な温調が可能となる。
【0077】
図６は、有機ＥＬ製造ラインにおける温調制御の一例を示す模式図である。有機ＥＬ製造ラインにおいて、基板Ｓの温度を、各工程におけるチャンバ２００内の温度や各工程におけるマスクＭの温度に合わせることが要求される場合がある。図６に示すように、各成膜クラスタ１－１～１－６において、成膜条件の違い等によりマスクＭの温度が異なる場合がある。また、図３に示す本実施例の温調制御を行わない場合の基板Ｓの温度上昇との対比で理解されるように、特に、ライン後半において、基板ＳとマスクＭの温度差はより顕著なものとなる。
【0078】
本実施例によれば、静電チャックＣ１の温度、すなわち、基板Ｓの温度を、各チャンバ２００内の温度やマスクＭの温度に合わせることが可能となる。すなわち、本実施例によれば、基板Ｓの温度を、図６に示す各成膜クラスタ１－１～１－６のマスクＭの温度に合せるように制御することが可能である。
【0079】
（その他の伝熱部材）
マグネット板ＭＰは、静電チャックＣ１と接触する部材であり、温調ユニットＴの具体態様によっては、静電チャックＣ１とともに、基板Ｓと温調部材ＴＭとの間において熱の伝達を担う伝熱部材と捉えることができる。すなわち、本発明の温度制御手段の構成に含まれると考えてよい。
マグネット板ＭＰは、静電チャックＣ１と接触する部材であり、温調ユニットＴの具体態様によっては、静電チャックＣ１とともに、基板Ｓと温調部材ＴＭとの間において熱の伝達を担う伝熱部材と捉えることができる。すなわち、本発明の温度制御手段の構成に含まれると考えてよい。
【0080】
マグネット板ＭＰは、ベース板ＢＰと、複数のマグネットＭＧと、から構成される磁力発生手段である。複数のマグネットＭＧは、ベース板ＢＰの下面（ベース板ＢＰにおいて静電チャックＣ１と対向する側の面）に等間隔配置で貼り付けられている。個々のマグネットＭＧは、ベース板ＢＰの下面から静電チャックＣ１が配置される側に向かってＺ軸方向に突出する突起状に構成されており、その先端面が静電チャックＣ１の上面２６１と接触する。
【0081】
複数のマグネットＭＧは、その磁力によってマスクＭを基板Ｓに向かって（Ｚ軸方向に）引き付けるものであり、その配置は特に限定されるものではないが、例えば、マスクＭ
のフレーム形状に対応した配置が採用される場合がある。すなわち、静電チャックＣ１の上面２６１の全域に対応して満遍なく散らばった配置ではなく、偏った配置となる場合がある。
のフレーム形状に対応した配置が採用される場合がある。すなわち、静電チャックＣ１の上面２６１の全域に対応して満遍なく散らばった配置ではなく、偏った配置となる場合がある。
【0082】
（温調ユニットＴ１の構成的特徴）
本実施例の温調ユニットＴ１は、ペルチェ素子などから構成される温調部材や静電チャックＣ１に直接設置された温調管を用い、静電チャックＣ１の温度やマスクＭの温度をモニタしながら、静電チャックＣ１の温度を制御するように構成した。また、静電チャックＣ１に熱伝導部材である非磁性体金属部材ＭＭを接触させる構成とし、該金属部材を介して（該金属部材の温度を制御することで）静電チャックＣ１の温度を制御するように構成した。
本実施例の温調ユニットＴ１は、ペルチェ素子などから構成される温調部材や静電チャックＣ１に直接設置された温調管を用い、静電チャックＣ１の温度やマスクＭの温度をモニタしながら、静電チャックＣ１の温度を制御するように構成した。また、静電チャックＣ１に熱伝導部材である非磁性体金属部材ＭＭを接触させる構成とし、該金属部材を介して（該金属部材の温度を制御することで）静電チャックＣ１の温度を制御するように構成した。
【0083】
（温調制御）
温調ユニットＴ１を用いた静電チャックＣ１の温調は、マグネット板ＭＰが静電チャックＣ１から離間した位置（第１の位置）から下降し（非磁性体金属部材ＭＭを介して）静電チャックＣ１と接触する位置（第２の位置）にあるときに、最大の効果が得られる。マグネット板ＭＰを静電チャックＣ１に接触させる（下降させる）のは、成膜工程の流れの中では、アライメントされた基板ＳがマスクＭに載置された状態となった後、すなわち、マグネット板ＭＰの磁力によってマスクＭを基板Ｓに密着させる際が典型的である。
温調ユニットＴ１を用いた静電チャックＣ１の温調は、マグネット板ＭＰが静電チャックＣ１から離間した位置（第１の位置）から下降し（非磁性体金属部材ＭＭを介して）静電チャックＣ１と接触する位置（第２の位置）にあるときに、最大の効果が得られる。マグネット板ＭＰを静電チャックＣ１に接触させる（下降させる）のは、成膜工程の流れの中では、アライメントされた基板ＳがマスクＭに載置された状態となった後、すなわち、マグネット板ＭＰの磁力によってマスクＭを基板Ｓに密着させる際が典型的である。
【0084】
温調ユニットＴ１において、特に、温調部材ＴＭ（ペルチェ素子）の制御を行うタイミングや期間としては、蒸発源２４０が成膜材料を放出するとき、すなわち、基板Ｓが最も高温に曝されるときが典型的である。また、成膜終了後も、マグネット板ＭＰを静電チャックＣ１に接触させたまま、すなわち、マスクＭに基板Ｓを密着させたままとして、例えば、シャッタを備える成膜装置であればシャッタを閉じた状態として、温調を継続してもよい。あるいは、成膜中は温調せず、成膜終了後に、マグネット板ＭＰを静電チャックＣ１に接触させたままにして、初めて温調を開始するようにしてもよい。
【0085】
また、温調部材ＴＭ（ペルチェ素子）の制御による温調を、成膜動作中とは別のタイミングで行うようにしてもよい。例えば、成膜動作の前後の基板Ｓを搬送している最中に、マグネット板ＭＰを静電チャックＣ１に接触させて静電チャックＣ１の温度を制御する構成としてもよい。すなわち、マスクＭの基板Ｓへの吸着を伴わないマグネット板ＭＰの静電チャックＣ１への接触（下降）を行い、温調部材ＴＭ（ペルチェ素子）の制御による温調を行うようにしてもよい。
【0086】
また、温調ユニットＴ１による温調制御は、典型的には、基板Ｓを冷却することである。しかしながら、例えば、図５に示す成膜ラインにおいて基板Ｓの温度がマスクＭの温度に対して低くなってしまったような場合には、温調部材ＴＭのペルチェ素子の動作によって静電チャックＣ１を加熱する場合もあり得る。したがって、温調部材ＴＭとしては、ペルチェ素子を用いたものに限られず、電熱線等から構成されるヒータを用いたものであってもよい。また、温調管ＴＰに温度の高い媒体を流して静電チャックＣ１の加熱効率を向上させるように構成されていてもよい。
【0087】
また、温調ユニットＴ１による温調制御の目的の一つは、上述したように、図５に示すような一連の成膜ライン（複数の成膜室を跨いでの複数回の成膜動作）での流れにおいて、次の成膜で使用されるマスクＭの温度に合せて基板Ｓを温調することである。しかしながら、温調ユニットＴ１による温調制御の目的は、上記に限定されない。
【0088】
例えば、基板Ｓに蒸着させる膜の特性によっては、できるだけ基板Ｓの温度を下げたい、あるいは上げたい、といったことの要求がある場合がある。そのような場合には、一つ
の成膜室において、静電チャックＣ１の検知温度に基づいて静電チャックＣ１（すなわち基板Ｓ）の温度を温調ユニットＴ１により制御してよい。
の成膜室において、静電チャックＣ１の検知温度に基づいて静電チャックＣ１（すなわち基板Ｓ）の温度を温調ユニットＴ１により制御してよい。
【0089】
また、ペルチェ素子による冷却又は加熱は、温調部材ＴＭが接している部材の温度を変化させ、さらに、当該部材に接する別の部材の温度も熱伝導により連鎖的に変化させていく。すなわち、温調部材ＴＭがマグネット板ＭＰを冷却することで、マグネット板ＭＰに接した非磁性体金属部材ＭＭ、非磁性体金属部材ＭＭに接した静電チャックＣ１、静電チャックＣ１に接した基板Ｓが、順次冷却されることになる。さらに、静電チャックＣ１に設置された温調管ＴＰに冷却水が流されることによっても、温調管ＴＰ、温調管ＴＰに接した静電チャックＣ１、静電チャックＣ１に接した基板Ｓが、順次冷却されることになる。そして、当然ながら、基板Ｓに接したマスクＭも冷却されることになる（温調部材ＴＭは、上記各部材の温度を制御する温度制御手段である）。
【0090】
成膜室での熱源は、気化した成膜材料と蒸発源からの輻射熱であり、これらは主にマスクＭと基板Ｓを加熱する。基板ＳとマスクＭの温度は、最終的には、加熱エネルギーの量と静電チャックＣ１を介した冷却能力の差で変化し、また、蒸発源に近い側の温度が高くなる温度勾配は生じ得る。しかし、本実施例の温調ユニットＴ１による冷却を行う場合、冷却を行わない場合と比べれば、基板ＳとともにマスクＭの温度上昇も抑制されることになる。すなわち、本実施例の温調ユニットＴ１による温調制御は、基板Ｓの温調（冷却）が第一ではあるものの、間接的には、マスクＭの昇温抑制するものと言うこともできる。
【0091】
したがって、例えば、図５に示す成膜ラインと異なり、各成膜室内のマスクＭの温度をそれぞれ同じ温度に制御したいような場合において、本実施例の温調ユニットＴ１による温調制御を利用することも可能である。
【0092】
＜実施例２＞
図７を参照して、本発明の実施例２に係る温調ユニットＴ２について説明する。図７は、本発明の実施例２に係る温調機構の構成を説明する模式的断面図である。ここでは、実施例２の構成において、実施例１の構成とは異なる点についてのみ説明する。実施例２の構成において、実施例１の構成と同様のものについては、同じ符号を付し、説明を省略する。
図７を参照して、本発明の実施例２に係る温調ユニットＴ２について説明する。図７は、本発明の実施例２に係る温調機構の構成を説明する模式的断面図である。ここでは、実施例２の構成において、実施例１の構成とは異なる点についてのみ説明する。実施例２の構成において、実施例１の構成と同様のものについては、同じ符号を付し、説明を省略する。
【0093】
実施例２の静電チャックＣ２は、温調管ＴＰが内部に埋没されている。静電チャックＣ２の基材２５０には、実施例１の凹部２５３の代わりに、温調管ＴＰが設置される温調管設置部として、中空部２５４が複数設けられている。内部に温調管ＴＰが設置される複数の中空部２５４は、それぞれ静電チャックＣ２の基材２５０の内部で水平方向に延びている。温調管ＴＰと中空部２５４との間には、熱伝導性接着剤やグリスが充填されていてもよい。
【0094】
このような構成においても、温調媒体が温調管ＴＰの内部を通るため、中空部自体を流路として使用する構成と比較して、温調媒体が漏れる（リーク）するおそれを大きく低減させることができ、安定して温度制御を実行できる。
【0095】
また、温調管ＴＰが基材２５０の内部に完全に埋め込まれる構成とすることで、実施例１の構成と比較して、温調管ＴＰと基材２５０との接触面積を大きくできる。したがって、実施例２の構成によれば、温調管ＴＰと静電チャックＣ２との熱交換率が向上するため、温調効率を向上させることができる。すなわち、実施例２の構成は、実施例１の構成と比較して製造難度は上がるものの、温調管ＴＰによる温調効率を向上させたい場合に好適である。
【0096】
（高熱伝導シートＨＴ）
実施例２の温調ユニットＴ２は、静電チャックＣ２やマグネット板ＭＰよりも熱伝導率が高い高熱伝導部材である高熱伝導シートＨＴをマグネット板ＭＰのベース板ＢＰに取り付けた構成としている。高熱伝導シートＨＴを設ける代わり、実施例２の温調ユニットＴ２は、実施例１の温調ユニットＴ１の非磁性体金属部材ＭＭを排した構成となっている。
実施例２の温調ユニットＴ２は、静電チャックＣ２やマグネット板ＭＰよりも熱伝導率が高い高熱伝導部材である高熱伝導シートＨＴをマグネット板ＭＰのベース板ＢＰに取り付けた構成としている。高熱伝導シートＨＴを設ける代わり、実施例２の温調ユニットＴ２は、実施例１の温調ユニットＴ１の非磁性体金属部材ＭＭを排した構成となっている。
【0097】
高熱伝導シートＨＴ（高熱伝導部材）は、静電チャックＣ２やマグネット板ＭＰよりも熱伝導率が高い材料から構成されたシート状部材である。高熱伝導シートＨＴは、静電チャックＣ２の上面２６１（基板Ｓを吸着する吸着面２６０とは反対側の面）に接触配置されている。
【0098】
静電チャックＣ２よりも熱伝導率が高い高熱伝導シートＨＴが静電チャックＣ２に接触することで、静電チャックＣ２を効率良く冷却することが可能である。この冷却効果は、高熱伝導シートＨＴと静電チャックＣ２との接触面積の大小に関わらず得ることが可能であるが、接触面積が大きくなるほど、冷却効果は高くなる。
【0099】
＜実施例３＞
図８を参照して、本発明の実施例３に係る温調ユニットＴ３について説明する。図８は、本発明の実施例３に係る温調機構の構成を説明する模式的断面図である。ここでは、実施例３の構成において、実施例２の構成とは異なる点についてのみ説明する。実施例３の構成において、実施例２の構成と同様のものについては、同じ符号を付し、説明を省略する。
図８を参照して、本発明の実施例３に係る温調ユニットＴ３について説明する。図８は、本発明の実施例３に係る温調機構の構成を説明する模式的断面図である。ここでは、実施例３の構成において、実施例２の構成とは異なる点についてのみ説明する。実施例３の構成において、実施例２の構成と同様のものについては、同じ符号を付し、説明を省略する。
【0100】
実施例３に係る温調ユニットＴ３には、高熱伝導シートＨＴの上部に均熱板ＥＰが設けられている。均熱板ＥＰは、内部に温調管ＴＰが埋没される温調管設置部材である。均熱板ＥＰの内部には、温調管ＴＰが設置される温調管設置部として、中空部２５５が複数設けられている。内部に温調管ＴＰが設置される複数の中空部２５５は、それぞれ均熱板ＥＰの内部で水平方向に延びている。中空部２５５の形状は円筒に限られないが、熱伝導率の向上のため、均熱板ＥＰと温調管ＴＰの接触面積が多くなる形状であることが好ましい。温調管ＴＰと中空部２５５との間には、熱伝導性接着剤やグリスが充填されていてもよい。
【0101】
均熱板ＥＰは、複数の固定ネジ２５６によって静電チャックＣ３の基材２５０に固定されて、静電チャックＣ３の基材２５０と一体化されている。なお、高熱伝導シートＨＴを介して均熱板ＥＰを静電チャックＣ３に固定する方法はこれに限られず、接着剤等を用いて固定してもよい。均熱板ＥＰの材料としては、温調管ＴＰを設置するための溝や中空部の加工性がよく、かつ熱伝導率が高い材料であることが好ましい。
【0102】
実施例３においては温調管ＴＰが静電チャックＣ３に対して常に固定されて一体化している。したがって、実施例３の構成によれば、比較例のように冷却板ＣＰが温調部材ＴＭの上面に接触配置されて適宜静電チャックＣ０から離間される構成と比較して、より効率よく静電チャックＣ３の温調を行うことができる。このように、温調管設置部が静電チャックＣ３の内部でなく、静電チャックＣ３に固定された部材の内部に設けられ、当該部材に温調管ＴＰが埋没される構成としても、静電チャックＣ３を効率よく温調できる。
【0103】
また、実施例３の構成は、実施例１、２の構成と比較して温調管ＴＰが静電チャックＣの吸着面２６０から離れた位置に設置される。このような構成とすることで、温調管ＴＰによって静電チャックＣ３の温調を行う際に、吸着面２６０における均熱性を向上できる。さらに、均熱板ＥＰの材料を熱伝導率が高い材料とすることで、均熱板ＥＰの中における均熱性を向上することができ、ひいては静電チャックＣ３の吸着面２６０における均熱
性を向上できる。また、均熱板ＥＰの材料に、静電チャックＣの基材２５０の材料と比較してより加工性に優れる材料を選択することで、加工コストの上昇を抑制しうる。
性を向上できる。また、均熱板ＥＰの材料に、静電チャックＣの基材２５０の材料と比較してより加工性に優れる材料を選択することで、加工コストの上昇を抑制しうる。
【0104】
なお、実施例３では、温調管ＴＰが均熱板ＥＰの内部の中空部２５５に設置されていたが、均熱板ＥＰの表面に凹部を形成してその凹部に温調管ＴＰが設置される構成としてもよい。また、温調用管設置部材は、必ずしも均熱板ＥＰのように一枚の板部材で構成される必要はなく、例えば複数の部材に分割された構成や、板部材以外の部材により構成されてもよい。
【0105】
＜電子デバイスの製造方法＞
次に、本実施例に係る成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成を示し、有機ＥＬ表示装置の製造方法を例示する。
次に、本実施例に係る成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成を示し、有機ＥＬ表示装置の製造方法を例示する。
【0106】
【0107】
図９（ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置７００の表示領域７０１には、発光素子を複数備える画素７０２がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域７０１において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本実施例に係る有機ＥＬ表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第１発光素子７０２Ｒ、第２発光素子７０２Ｇ、第３発光素子７０２Ｂの組み合わせにより画素７０２が構成されている。画素７０２は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組み合わせで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも１色以上であれば特に制限されるものではない。
【0108】
図９（ｂ）は、図９（ａ）のＢ－Ｂ線における部分断面模式図である。画素７０２は、複数の発光素子からなり、各発光素子は、基板７０３上に、第１電極（陽極）７０４と、正孔輸送層７０５と、発光層７０６Ｒ、７０６Ｇ、７０６Ｂのいずれかと、電子輸送層７０７と、第２電極（陰極）７０８と、を有している。これらのうち、正孔輸送層７０５、発光層７０６Ｒ、７０６Ｇ、７０６Ｂ、電子輸送層７０７が有機層に当たる。また、本実施例では、発光層７０６Ｒは赤色を発する有機ＥＬ層、発光層７０６Ｇは緑色を発する有機ＥＬ層、発光層７０６Ｂは青色を発する有機ＥＬ層である。発光層７０６Ｒ、７０６Ｇ、７０６Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子（有機ＥＬ素子と記述する場合もある）に対応するパターンに形成されている。
【0109】
また、第１電極７０４は、発光素子毎に分離して形成されている。正孔輸送層７０５と電子輸送層７０７と第２電極７０８は、複数の発光素子７０２Ｒ、７０２Ｇ、７０２Ｂで共通に形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、第１電極７０４と第２電極７０８とが異物によってショートするのを防ぐために、第１電極７０４間に絶縁層７０９が設けられている。さらに、有機ＥＬ層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するための保護層７１０が設けられている。
【0110】
図９（ｂ）では正孔輸送層７０５や電子輸送層７０７は一つの層で示されているが、有機ＥＬ表示素子の構造によっては、正孔ブロック層や電子ブロック層を備える複数の層で形成されてもよい。また、第１電極７０４と正孔輸送層７０５との間には第１電極７０４から正孔輸送層７０５への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成することもできる。同様に、第２電極７０８と電子輸送層７０７の間にも電子注入層が形成することもできる。
【0111】
次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。
【0112】
まず、有機ＥＬ表示装置を駆動するための回路（不図示）及び第１電極７０４が形成された基板（マザーガラス）７０３を準備する。
【0113】
第１電極７０４が形成された基板７０３の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、第１電極７０４が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層７０９を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。
【0114】
絶縁層７０９がパターニングされた基板７０３を粘着部材が配置された基板キャリアに載置する。粘着部材によって、基板７０３は保持される。第１の有機材料成膜装置に搬入し、反転後、正孔輸送層７０５を、表示領域の第１電極７０４の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層７０５は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層７０５は表示領域７０１よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。
【0115】
次に、正孔輸送層７０５までが形成された基板７０３を第２の有機材料成膜装置に搬入する。基板とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、基板７０３の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層７０６Ｒを成膜する。
【0116】
発光層７０６Ｒの成膜と同様に、第３の有機材料成膜装置により緑色を発する発光層７０６Ｇを成膜し、さらに第４の有機材料成膜装置により青色を発する発光層７０６Ｂを成膜する。発光層７０６Ｒ、７０６Ｇ、７０６Ｂの成膜が完了した後、第５の成膜装置により表示領域７０１の全体に電子輸送層７０７を成膜する。電子輸送層７０７は、３色の発光層７０６Ｒ、７０６Ｇ、７０６Ｂに共通の層として形成される。
【0117】
電子輸送層７０７まで形成された基板を金属性蒸着材料成膜装置で移動させて第２電極７０８を成膜する。
【0118】
その後プラズマＣＶＤ装置に移動して保護層７１０を成膜して、基板７０３への成膜工程を完了する。反転後、粘着部材を基板７０３から剥離することで、基板キャリアから基板７０３を分離する。その後、裁断を経て有機ＥＬ表示装置７００が完成する。
【0119】
絶縁層７０９がパターニングされた基板７０３を成膜装置に搬入してから保護層７１０の成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機ＥＬ材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。したがって、本実施例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気の下で行われる。
【符号の説明】
【0120】
１…成膜装置、Ｓ…基板、Ｃ…静電チャック、ＴＭ…温調部材、ＭＰ…マグネット板、ＴＰ…温調管
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】