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特開2024-180105アントラセン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、及び照明装置
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024180105
(43)【公開日】2024-12-26
(54)【発明の名称】アントラセン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、及び照明装置
(51)【国際特許分類】
C07D 251/24 20060101AFI20241219BHJP
C09K 11/06 20060101ALI20241219BHJP
H10K 50/11 20230101ALI20241219BHJP
H10K 50/15 20230101ALI20241219BHJP
H10K 59/00 20230101ALI20241219BHJP
H10K 59/10 20230101ALI20241219BHJP
H10K 85/60 20230101ALI20241219BHJP
C07B 61/00 20060101ALN20241219BHJP
【ＦＩ】
C07D251/24 CSP
C09K11/06 640
H10K50/11
H10K50/15
H10K59/00
H10K59/10
H10K85/60
C07B61/00 300
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023099559
(22)【出願日】2023-06-16
(71)【出願人】
【識別番号】000004352
【氏名又は名称】日本放送協会
(74)【代理人】
【識別番号】100147485
【弁理士】
【氏名又は名称】杉村 憲司
(74)【代理人】
【識別番号】230118913
【弁護士】
【氏名又は名称】杉村 光嗣
(74)【代理人】
【識別番号】100164471
【弁理士】
【氏名又は名称】岡野 大和
(74)【代理人】
【識別番号】100119530
【弁理士】
【氏名又は名称】冨田 和幸
(72)【発明者】
【氏名】大野 拓
(72)【発明者】
【氏名】深川 弘彦
(72)【発明者】
【氏名】佐々木 翼
(72)【発明者】
【氏名】岡田 拓也
【テーマコード（参考）】
3K107
4H039
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107BB02
3K107CC07
3K107CC12
3K107DD53
3K107DD59
3K107DD71
3K107FF13
3K107FF19
4H039CA41
4H039CD20
4H039CD90
(57)【要約】 （修正有）
【課題】電子親和力が大きく、発光特性に優れたアントラセン誘導体を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）：
［式（１）中、Ｘは、水素、シアノ基等であり、但し、Ｘの少なくとも２つはシアノ基であり、Ｒは、水素、又は炭素数１～１０のアルキル基等である。］で表されることを特徴とする、アントラセン誘導体である。
【選択図】なし
【解決手段】下記一般式（１）：
［式（１）中、Ｘは、水素、シアノ基等であり、但し、Ｘの少なくとも２つはシアノ基であり、Ｒは、水素、又は炭素数１～１０のアルキル基等である。］で表されることを特徴とする、アントラセン誘導体である。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
下記一般式（１）：
［一般式（１）中、Ｘは、それぞれ独立して水素、又はシアノ基、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよく、但し、Ｘの少なくとも２つはシアノ基であり、
Ｒは、それぞれ独立して水素、又は炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよい。］で表されることを特徴とする、アントラセン誘導体。
【化1】
Ｒは、それぞれ独立して水素、又は炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよい。］で表されることを特徴とする、アントラセン誘導体。
【請求項2】
陽極と、発光層と、陰極と、をこの順に具える有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記発光層が、請求項１に記載のアントラセン誘導体を含むことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。
前記発光層が、請求項１に記載のアントラセン誘導体を含むことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項3】
前記発光層が、更に、前記アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料を含む、請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項4】
前記陽極と前記発光層との間に、更に正孔輸送層を具え、
前記正孔輸送層が、前記アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料を含む、請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
前記正孔輸送層が、前記アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料を含む、請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項5】
請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具えることを特徴とする、表示装置。
【請求項6】
請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具えることを特徴とする、照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、アントラセン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス（以下、エレクトロルミネッセンス（電界発光）を「ＥＬ」と記す場合がある。）素子、表示装置、及び照明装置に関する。
【背景技術】
【0002】
アントラセン誘導体、テトラセン誘導体等の縮合環化合物は、その電子的特性から機能性電子素子素材として注目されている。該縮合環化合物は、高い発光の量子収率を示すため、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層材料として広く使われている（例えば、非特許文献１～３参照）。
【0003】
また、上記の縮合環化合物は、三重項－三重項消滅を利用することで、電流励起により生成する三重項励起状態も、一重項励起状態からの発光として取り出すことができる（例えば、非特許文献３及び４参照）。
【0004】
この特長を利用して、近年、有機エレクトロルミネッセンス素子を低い印加電圧で発光させる取り組みが精力的に行われている。例えば、テトラセン誘導体であるルブレンをドナーに用い、アクセプターとして電子親和力が大きいフラーレンを用いて、その界面で形成される励起錯体（エキサイプレックス）のエネルギーを、三重項－三重項消滅を経て、有機エレクトロルミネッセンス素子において、ルブレンの一重項励起状態の発光として取り出せることが報告されている（例えば、非特許文献３及び５参照）。
【0005】
このルブレンとアクセプターを組み合わせた有機エレクトロルミネッセンス素子においては、ルブレンの最高占有軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギーであるイオン化ポテンシャルと、アクセプターであるフラーレンの最低非占有軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー差が小さく、その小さいエネルギー差で励起状態を形成できるため、低い印加電圧で発光に寄与する励起状態を生成させることができる。一般的な有機エレクトロルミネッセンス素子では、一つの分子で電荷を再結合させるため、発光に寄与する励起状態を生成させるためにはバンドギャップのエネルギーに相当する印加電圧が必要であるが、ルブレンとアクセプターの励起錯体を利用した有機エレクトロルミネッセンス素子では、より低電圧で発光が得られる（例えば、非特許文献１～３及び５参照）。
【0006】
しかしながら、三重項－三重項消滅が起こる材料として、ルブレン等のテトラセン誘導体を用いた場合、材料のピーク波長が５５０ｎｍ以上となるため、橙色や赤色の発光しか得ることができない。青色や緑色の発光を得るためには、アントラセン誘導体など、より発光波長が短い縮合環化合物が必要となる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0007】
【非特許文献1】Ｘｉａｎｇｙａｎｇ Ｔａｎｇ， Ｑｉｎｇ Ｂａｉ， Ｔｏｎｇ Ｓｈａｎ， Ｊｉｎｙｕ Ｌｉ， Ｙｕ Ｇａｏ， Ｆｕｔｏｎｇ Ｌｉｕ， Ｈｕｉ Ｌｉｕ， Ｑｉｍｉｎｇ Ｐｅｎｇ， Ｂｉｎｇ Ｙａｎｇ， Ｆｅｎｇ Ｌｉ， ａｎｄ Ｐｉｎｇ Ｌｕ，Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，２８：１７０５８１３，ＤＯＩ：１０．１００２／ａｄｆｍ．２０１７０５８１３
【非特許文献2】Ｆｕｔｏｎｇ Ｌｉｕ，外８名，「Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｃ」，第７巻，２０１９年，ｐ１４８８１，ＤＯＩ：１０．１０３９／ｃ９ｔｃ０５０４０ｊ
【非特許文献3】Ｓｅｂａｓｔｉａｎ Ｅｎｇｍａｎｎ，外５名，「Ｎａｔｕｒｅ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ」，第１０巻，２０１９年，ｐ２２７，ｄｏｉ．ｏｒｇ／１０．１０３８／ｓ４１４６７－０１８－０８０７５－ｚ
【非特許文献4】Ｙｏｕｎ Ｊｕｅ Ｂａｅ，外９名，「Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｓｏｃｉｅｔｙ」，２０１８年，第１４０巻，ｐ１５１４０，ＤＯＩ：１０．１０２１／ｊａｃｓ．８ｂ０７４９８
【非特許文献5】Ｓｅｉｉｃｈｉｒｏ Ｉｚａｗａ，外３名，ＤＯＩ：１０．２６４３４／ｃｈｅｍｒｘｉｖ．１４６８５４１７．ｖ１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
上記非特許文献１及び２においては、シアノ基やトリフェニルトリアジン基といった、アクセプター性の置換基をアントラセン誘導体に導入することで、電子親和力が比較的大きいアントラセン誘導体が実現できている。これらアントラセン誘導体とドナー性材料との間で形成される励起錯体を利用することで、低電圧で駆動する青色や緑色の有機エレクトロルミネッセンス素子を実現できる可能性がある。しかしながら、さらなる低電圧化に向けては、電子親和力がより大きいアントラセン誘導体が必要である。
【0009】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、電子親和力が大きく、発光特性に優れたアントラセン誘導体を提供することを課題とする。
また、本発明は、かかるアントラセン誘導体を用いた、駆動電圧が低い有機ＥＬ素子、表示装置及び照明装置を提供することを更なる課題とする。
また、本発明は、かかるアントラセン誘導体を用いた、駆動電圧が低い有機ＥＬ素子、表示装置及び照明装置を提供することを更なる課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明者らは、電子親和力が大きく、発光特性に優れたアントラセン誘導体について種々検討したところ、フタロニトリル部位（２つ以上のシアノ基を有する）と、ジフェニルトリアジン部位と、をアントラセン環に繋げることにより、上記課題をみごとに解決できることに想到し、本発明に到達したものである。
即ち、上記課題を解決する本発明のアントラセン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、及び照明装置の要旨構成は、以下の通りである。
即ち、上記課題を解決する本発明のアントラセン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、及び照明装置の要旨構成は、以下の通りである。
【0011】
［１］ 下記一般式（１）：
［一般式（１）中、Ｘは、それぞれ独立して水素、又はシアノ基、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよく、但し、Ｘの少なくとも２つはシアノ基であり、
Ｒは、それぞれ独立して水素、又は炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよい。］で表されることを特徴とする、アントラセン誘導体。
上記［１］に記載の本発明のアントラセン誘導体は、電子親和力が大きく（例えば、電子親和力の計算値が２ｅＶ以上）、発光特性に優れる。
【化1】
Ｒは、それぞれ独立して水素、又は炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよい。］で表されることを特徴とする、アントラセン誘導体。
上記［１］に記載の本発明のアントラセン誘導体は、電子親和力が大きく（例えば、電子親和力の計算値が２ｅＶ以上）、発光特性に優れる。
【0012】
［２］ 陽極と、発光層と、陰極と、をこの順に具える有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記発光層が、［１］に記載のアントラセン誘導体を含むことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。
上記［２］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子は、駆動電圧が低い。
前記発光層が、［１］に記載のアントラセン誘導体を含むことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。
上記［２］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子は、駆動電圧が低い。
【0013】
［３］ 前記発光層が、更に、前記アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料を含む、［２］に記載有機エレクトロルミネッセンス素子。
上記［３］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子は、駆動電圧が更に低い。
上記［３］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子は、駆動電圧が更に低い。
【0014】
［４］ 前記陽極と前記発光層との間に、更に正孔輸送層を具え、
前記正孔輸送層が、前記アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料を含む、［２］又は［３］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
上記［４］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子は、駆動電圧が更に低い。
前記正孔輸送層が、前記アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料を含む、［２］又は［３］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
上記［４］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子は、駆動電圧が更に低い。
【0015】
［５］ ［２］～［４］のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具えることを特徴とする、表示装置。
上記［５］に記載の本発明の表示装置は、低い印加電圧で発光する。
上記［５］に記載の本発明の表示装置は、低い印加電圧で発光する。
【0016】
［６］ ［２］～［４］のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具えることを特徴とする、照明装置。
上記［６］に記載の本発明の照明装置は、低い印加電圧で発光する。
上記［６］に記載の本発明の照明装置は、低い印加電圧で発光する。
【発明の効果】
【0017】
本発明によれば、電子親和力が大きく、発光特性に優れたアントラセン誘導体を提供することができる。
また、本発明によれば、かかるアントラセン誘導体を用いた、駆動電圧が低い有機ＥＬ素子、表示装置及び照明装置を提供することができる。
また、本発明によれば、かかるアントラセン誘導体を用いた、駆動電圧が低い有機ＥＬ素子、表示装置及び照明装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【図1】本発明の有機ＥＬ素子の構造の一例を示した概略図である。
【図2】本発明の有機ＥＬ素子の一例内のエネルギー準位を示した概略図である。
【図3】本発明のアントラセン誘導体の発光機構の一例である、励起錯体からのエネルギー移動と、三重項－三重項消滅と、を活用した一重項励起状態からの発光を示した概略図である。
【図4】一般的な有機ＥＬ素子の構造の一例と、その中のエネルギー準位を示した概略図である。
【図5】本発明の有機ＥＬ素子の構造の他の一例を示した概略図である。
【図6】本発明のアントラセン誘導体の発光機構の他の一例である、励起錯体からのエネルギー移動と、三重項－三重項消滅と、一重項励起状態からのエネルギー移動と、を利用した発光を示した概略図である。
【図7】式（１－１）で表わされるアントラセン誘導体のＮＭＲスペクトルである。
【図8】実施例１及び比較例１で製造した、各種有機ＥＬ素子の（ａ）電流密度－電圧特性、（ｂ）輝度－電圧特性、及び（ｃ）ＥＬスペクトルを測定した結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0019】
以下に、本発明のアントラセン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、及び照明装置を、その実施形態に基づき、詳細に例示説明する。
なお、以下において記載する本発明の個々の好ましい形態を２つ以上組み合わせたものもまた、本発明の好ましい形態である。
なお、以下において記載する本発明の個々の好ましい形態を２つ以上組み合わせたものもまた、本発明の好ましい形態である。
【0020】
＜アントラセン誘導体＞
本発明のアントラセン誘導体は、下記一般式（１）：
［一般式（１）中、Ｘは、それぞれ独立して水素、又はシアノ基、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよく、但し、Ｘの少なくとも２つはシアノ基であり、
Ｒは、それぞれ独立して水素、又は炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよい。］で表されることを特徴とする。
本発明のアントラセン誘導体は、下記一般式（１）：
【化2】
Ｒは、それぞれ独立して水素、又は炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよい。］で表されることを特徴とする。
【0021】
上記一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体は、フタロニトリル部位（２つ以上のシアノ基を有する）と、ジフェニルトリアジン部位と、をアントラセン環に繋げた構造を有し、電子親和力が大きく（例えば、電子親和力の計算値が２ｅＶ以上）、発光特性に優れる。
【0022】
上記一般式（１）中のＸは、それぞれ独立して水素、又はシアノ基、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよく、但し、Ｘの少なくとも２つはシアノ基（－ＣＮ）である。
アクセプター性の置換基であるシアノ基を２つ以上有するフタロニトリル部位をアントラセン環に繋げることにより、電子親和力が大きくなり、発光特性に優れたアントラセン誘導体が得られる。
アクセプター性の置換基であるシアノ基を２つ以上有するフタロニトリル部位をアントラセン環に繋げることにより、電子親和力が大きくなり、発光特性に優れたアントラセン誘導体が得られる。
【0023】
なお、５つのＸの内のシアノ基の数は、２つ以上であり、また、３つ以下が好ましく、２つが特に好ましい。５つのＸの内のシアノ基の数が、３つ以下の場合、発光波長が短波長化し、また、２つの場合、発光波長が更に短波長化する。
また、Ｘの内のいずれがシアノ基であってもよいが、アントラセン環への結合位置に対して、メタ位のＸの少なくとも一方がシアノ基であることが好ましく、メタ位のＸの両方がシアノ基であること更に好ましい。
また、Ｘの内のいずれがシアノ基であってもよいが、アントラセン環への結合位置に対して、メタ位のＸの少なくとも一方がシアノ基であることが好ましく、メタ位のＸの両方がシアノ基であること更に好ましい。
【0024】
また、上記一般式（１）中のＲは、それぞれ独立して水素、又は炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～１０のアシル基、炭素数７～２０のアラルキル基、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基からなる群から選択される１価の置換基であり、隣接する置換基が一体となって環を形成してもよい。
ジフェニルトリアジン部位をアントラセン環に繋げることにより、電子親和力が更に大きくなる。
ジフェニルトリアジン部位をアントラセン環に繋げることにより、電子親和力が更に大きくなる。
【0025】
上記一般式（１）中のＸ及びＲに関して、炭素数１～１０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基等が挙げられ、炭素数１～１０のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基等が挙げられ、炭素数１～１０のアルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、ノニルチオ基等が挙げられ、炭素数１～１０のアルキルアミノ基としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、ノニルアミノ基等が挙げられ、炭素数２～１０のアシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等が挙げられ、炭素数７～２０のアラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基等が挙げられ、置換若しくは未置換の炭素数６～３０の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、２，６－キシリル基、メシチル基、デュリル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、トルイル基、アニシル基、フルオロフェニル基、ジフェニルアミノフェニル基、ジメチルアミノフェニル基、ジエチルアミノフェニル基、ピリジルフェニル基、フェナンスレニル基等が挙げられ、置換若しくは未置換の炭素数３～３０の芳香族６員複素環基としては、ピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基等が挙げられる。
【0026】
上記一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体として、具体的には、以下の構造式（１－１）～（１－５）の化合物が挙げられる。
【化3】
【0027】
上記一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体は、公知の方法で合成して得ることができる。一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体の合成方法は、特に限定されるものではないが、その一例を以下に示す。
【0028】
まず、ハロゲン基（「ハロゲノ基」とも呼ぶ。）と複数のカルボキシル基を有するベンゼン誘導体を準備する。該ベンゼン誘導体としては、５－ブロモイソフタル酸、４－ブロモイソフタル酸、２－ブロモイソフタル酸、２－ブロモテレフタル酸等が挙げられる。前記ハロゲン基と複数のカルボキシル基を有するベンゼン誘導体のカルボキシル基を塩素化し、カルボン酸塩化物（酸クロリド）を得る。ここで、カルボキシル基の塩素化には、塩化オキサリル［（ＣＯＣｌ）２］、塩化チオニル（ＳＯＣｌ２）等を使用できる。
次に、前記カルボン酸塩化物をアミド化し、アミド化合物を得る。ここで、カルボン酸塩化物のアミド化には、ｔ－ブチルアミン等のアミン化合物を使用できる。
次に、前記アミド化合物をニトリル化して、ハロゲン基と複数のシアノ基を有するベンゼン誘導体を得る。ここで、アミド化合物のニトリル化には、塩化チオニル（ＳＯＣｌ２）等を使用できる。
次に、前記ハロゲン基と複数のシアノ基を有するベンゼン誘導体に、ピナコラートボリル基等のボリル基を導入して、複数のシアノ基を有する有機ホウ素化合物を得る。ここで、ボリル基の導入には、ビス（ピナコラート）ジボロン等を使用できる。
次に、前記カルボン酸塩化物をアミド化し、アミド化合物を得る。ここで、カルボン酸塩化物のアミド化には、ｔ－ブチルアミン等のアミン化合物を使用できる。
次に、前記アミド化合物をニトリル化して、ハロゲン基と複数のシアノ基を有するベンゼン誘導体を得る。ここで、アミド化合物のニトリル化には、塩化チオニル（ＳＯＣｌ２）等を使用できる。
次に、前記ハロゲン基と複数のシアノ基を有するベンゼン誘導体に、ピナコラートボリル基等のボリル基を導入して、複数のシアノ基を有する有機ホウ素化合物を得る。ここで、ボリル基の導入には、ビス（ピナコラート）ジボロン等を使用できる。
【0029】
一方、ハロゲン基と２つのフェニル基を有するトリアジン化合物を準備する。該トリアジン化合物としては、２－クロロ－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン等が挙げられる。前記トリアジン化合物と、９－アントラセンボロン酸等のアントラセン環を有するホウ素化合物と、をＳｕｚｕｋｉカップリングさせることで、ジフェニルトリアジン部位を有するアントラセン誘導体を得る。
次に、前記ジフェニルトリアジン部位を有するアントラセン誘導体を、Ｎ－ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ）等でブロモ化し、ジフェニルトリアジン部位とブロモ基を有するアントラセン誘導体を得る。
次に、前記ジフェニルトリアジン部位を有するアントラセン誘導体を、Ｎ－ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ）等でブロモ化し、ジフェニルトリアジン部位とブロモ基を有するアントラセン誘導体を得る。
【0030】
上記のようにして得た複数のシアノ基を有する有機ホウ素化合物と、ジフェニルトリアジン部位とブロモ基を有するアントラセン誘導体と、をＳｕｚｕｋｉカップリングさせることで、上記一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体を製造することができる。ここで、複数のシアノ基を有する有機ホウ素化合物と、ジフェニルトリアジン部位とブロモ基を有するアントラセン誘導体と、のＳｕｚｕｋｉカップリングは、例えば、Ｓ－Ｐｈｏｓ｛ジシクロヘキシル（２’，６’－ジメトキシ－［１，１’－ビフェニル］－２－イル）ホスフィン｝等の配位子と、パラジウム触媒と、塩基の存在下で、実施できる。
【0031】
また、前記Ｓｕｚｕｋｉカップリングは、例えば、酢酸パラジウム［Ｐｄ（ＯＡｃ）２］、Ｐｄ２（ｄｂａ）３、Ｐｄ（Ｐｈ３Ｐ）４、Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ２等のパラジウム触媒と、リン酸三カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム等の塩基の存在下で、実施できる。
【0032】
＜有機エレクトロルミネッセンス素子＞
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極と、発光層と、陰極と、をこの順に具える有機エレクトロルミネッセンス素子であって、発光層が、上記一般式（１）で表されるアントラセン誘導体を含むことを特徴とする。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極と、発光層と、陰極と、をこの順に具える有機エレクトロルミネッセンス素子であって、発光層が、上記一般式（１）で表されるアントラセン誘導体を含むことを特徴とする。
【0033】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、上記一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体が大きな電子親和力を有するため、発光層が一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体を含むことで、低い印加電圧で発光を得ることが可能である。
【0034】
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、上記一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体が大きな電子親和力を有するため、該アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料と前記アントラセン誘導体とが励起錯体を形成するように、隣接させたり（即ち、発光層が一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体を含み、正孔輸送層等の発光層に隣接する層が、該アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料を含む）、又は混合する（即ち、発光層が一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体と、該アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料を含む）ことで、より低い印加電圧で発光を得ることが可能である。
ここで、一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体と、該アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料のイオン化エネルギー（「イオン化ポテンシャル（ＩＰ）」とも呼ぶ。）は、計算値であり、主にＧａｕｓｓｉａｎ ０９プログラムを用いて密度汎関数法により計算し、以下の条件［Ｂ３ＬＹＰ／６－３１Ｇ （ｄ，ｐ）］で計算した値である。
ここで、一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体と、該アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料のイオン化エネルギー（「イオン化ポテンシャル（ＩＰ）」とも呼ぶ。）は、計算値であり、主にＧａｕｓｓｉａｎ ０９プログラムを用いて密度汎関数法により計算し、以下の条件［Ｂ３ＬＹＰ／６－３１Ｇ （ｄ，ｐ）］で計算した値である。
【0035】
次に、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の一態様を、図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、本発明の有機ＥＬ素子の構造の一例を示した概略図である。図１に示す有機ＥＬ素子１は、基板２上に、陽極３と、正孔注入層４と、正孔輸送層５と、発光層６と、電子注入層７と、陰極８とがこの順に形成された積層構造を有する。
【0036】
また、図１に示す有機エレクトロルミネッセンス素子１内のエネルギー準位を図２に示す。有機ＥＬ素子１においては、アントラセン誘導体（発光層６）中に注入されてきた電子と、アントラセン誘導体よりもイオン化ポテンシャルが小さい正孔輸送層５に注入された正孔とが、励起錯体を形成することで、電流が流れて発光する。このとき、発光に必要な電圧は、アントラセン誘導体の電子親和力（ＥＡ）と正孔輸送層５の材料のイオン化ポテンシャル（ＩＰ）のエネルギー差で決まるが、発光層６であるアントラセン誘導体の電子親和力が大きいため、このエネルギー差が小さくなり、発光に必要な外部印加電圧が低下する。
【0037】
次に、図３に励起錯体の形成から発光に至るまでのエネルギー移動の過程を示す。励起錯体の形成に必要な外部電圧が小さいということは、得られる励起錯体の光のエネルギーは大きくない。しかしながら、励起錯体の形成に関わるアントラセン誘導体の三重項エネルギーがこの励起錯体の励起状態のエネルギーよりも小さければ、励起錯体のエネルギーは、アントラセン誘導体の三重項励起状態にエネルギー移動する。アントラセン誘導体は三重項－三重項消滅を利用することで、一重項励起状態を生成することが良く知られているため、この特性を利用することで、一重項励起状態を生成させ、そこからの発光を得ることができる。ここで、一重項励起状態からの発光は、励起錯体の光に比べて、エネルギーが大きい。
【0038】
次に、励起錯体の形成を利用しない、一般的な有機エレクトロルミネッセンス素子の構成とエネルギー準位を図４に示す。図４に示す有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板の上に、陽極と、正孔注入層と、正孔輸送層と、電子阻止層と、発光層と、正孔阻止層と、電子輸送層と、電子注入層と、陰極と、がこの順に形成された積層構造を有する。一般的な有機エレクトロルミネッセンス素子においては、発光層材料で直接電子と正孔を再結合させて励起状態を形成するため、発光層材料のバンドギャップに近い外部電圧を印加することが必要である。この外部電圧は、図１～図３に示す有機ＥＬ素子よりも、発光に必要な電圧が高い。また、有機ＥＬ素子内にエネルギー準位が異なる多数の材料を用いると、デバイス内にエネルギー差が生じ、電圧の上昇につながる。従って、低電圧化のためには、図１～図３に示すようなアントラセン誘導体と他の材料との励起錯体を利用することが有効である。但し、本発明のアントラセン誘導体は、高い発光効率を示すことが期待されるため、図４に示すような形で発光層等に用いることも可能である。
【0039】
【0040】
また、本実施形態の有機ＥＬ素子１は、図５に示すように、基板２上に陰極８を有する逆構造の有機ＥＬ素子としてもよい。図５に示す有機ＥＬ素子１は、基板２上に、陰極８と、電子注入層７と、発光層６と、正孔輸送層５と、正孔注入層４と、陽極３とがこの順に形成された積層構造を有する。
【0041】
また、本実施形態の有機ＥＬ素子１は、有機ＥＬ素子を構成する層の一部を、無機化合物を用いて形成した有機無機ハイブリッド型の有機電界発光素子（ＨＯＩＬＥＤ素子）であってもよい。
【0042】
「基板」
基板２の材料としては、樹脂材料、ガラス材料等が挙げられる。
基板２に用いられる樹脂材料としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレート等が挙げられる。基板２の材料として、樹脂材料を用いた場合、柔軟性に優れた有機ＥＬ素子１が得られるため好ましい。
基板２に用いられるガラス材料としては、石英ガラス、ソーダガラス等が挙げられる。
基板２の材料としては、樹脂材料、ガラス材料等が挙げられる。
基板２に用いられる樹脂材料としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレート等が挙げられる。基板２の材料として、樹脂材料を用いた場合、柔軟性に優れた有機ＥＬ素子１が得られるため好ましい。
基板２に用いられるガラス材料としては、石英ガラス、ソーダガラス等が挙げられる。
【0043】
有機ＥＬ素子１がボトムエミッション型のものである場合には、基板２の材料として、透明基板を用いる。
有機ＥＬ素子１がトップエミッション型のものである場合には、基板２の材料として、透明基板だけでなく、不透明基板を用いてもよい。不透明基板としては、例えば、アルミナのようなセラミックス材料からなる基板、ステンレス鋼のような金属板の表面に酸化膜（絶縁膜）を形成した基板、樹脂材料で構成された基板等が挙げられる。
有機ＥＬ素子１がトップエミッション型のものである場合には、基板２の材料として、透明基板だけでなく、不透明基板を用いてもよい。不透明基板としては、例えば、アルミナのようなセラミックス材料からなる基板、ステンレス鋼のような金属板の表面に酸化膜（絶縁膜）を形成した基板、樹脂材料で構成された基板等が挙げられる。
【0044】
基板２の平均厚さは、基板２の材料等に応じて決定でき、０．１～３０ｍｍであることが好ましく、０．１～１０ｍｍであることがより好ましい。基板２の平均厚さは、デジタルマルチメーター、ノギスにより測定できる。
【0045】
「陽極」
図１に示す陽極３は、基板２上に直接接触して形成されているが、図５に示すような逆構造の有機ＥＬ素子の場合は、基板２上に直接接触して形成されていなくてもよい。
陽極３の材料としては、ＩＴＯ（インジウム酸化錫）、ＩＺＯ（インジウム酸化亜鉛）、ＦＴＯ（フッ素酸化錫）、Ｉｎ３Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｓｂ含有ＳｎＯ２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物の導電材料が挙げられる。この中でも、陽極３の材料として、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＦＴＯを用いることが好ましい。
陽極３の平均厚さは、特に制限されないが、１０～５００ｎｍであることが好ましく、１００～２００ｎｍであることがより好ましい。
陽極３の平均厚さは、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定できる。
図１に示す陽極３は、基板２上に直接接触して形成されているが、図５に示すような逆構造の有機ＥＬ素子の場合は、基板２上に直接接触して形成されていなくてもよい。
陽極３の材料としては、ＩＴＯ（インジウム酸化錫）、ＩＺＯ（インジウム酸化亜鉛）、ＦＴＯ（フッ素酸化錫）、Ｉｎ３Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｓｂ含有ＳｎＯ２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物の導電材料が挙げられる。この中でも、陽極３の材料として、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＦＴＯを用いることが好ましい。
陽極３の平均厚さは、特に制限されないが、１０～５００ｎｍであることが好ましく、１００～２００ｎｍであることがより好ましい。
陽極３の平均厚さは、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定できる。
【0046】
「正孔注入層」
正孔注入層４は、無機材料からなるものであってもよいし、有機材料からなるものであってもよい。無機材料は、有機材料と比較して安定であるため、有機材料を用いた場合と比較して、酸素や水に対する高い耐性が得られ易い。
無機材料としては、特に制限されないが、例えば、酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、酸化モリブテン（ＭｏＯ３）、酸化ルテニウム（ＲｕＯ２）等の金属酸化物を１種又は２種以上を用いることができる。
有機材料としては、ジピラジノ［２，３－ｆ：２’，３’－ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ－ＣＮ）や２，３，５，６－テトラフルオロ－７，７，８，８－テトラシアノ－キノジメタン（Ｆ４－ＴＣＮＱ）等を用いることができる。また、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）等の高分子材料も用いることができる。
正孔注入層４の平均厚さは、特に限定されないが、１～１０００ｎｍであることが好ましく、５～５０ｎｍであることがより好ましい。
正孔注入層４の平均厚さは、水晶振動子膜厚計により成膜時に測定することができる。
正孔注入層４は、無機材料からなるものであってもよいし、有機材料からなるものであってもよい。無機材料は、有機材料と比較して安定であるため、有機材料を用いた場合と比較して、酸素や水に対する高い耐性が得られ易い。
無機材料としては、特に制限されないが、例えば、酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、酸化モリブテン（ＭｏＯ３）、酸化ルテニウム（ＲｕＯ２）等の金属酸化物を１種又は２種以上を用いることができる。
有機材料としては、ジピラジノ［２，３－ｆ：２’，３’－ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ－ＣＮ）や２，３，５，６－テトラフルオロ－７，７，８，８－テトラシアノ－キノジメタン（Ｆ４－ＴＣＮＱ）等を用いることができる。また、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）等の高分子材料も用いることができる。
正孔注入層４の平均厚さは、特に限定されないが、１～１０００ｎｍであることが好ましく、５～５０ｎｍであることがより好ましい。
正孔注入層４の平均厚さは、水晶振動子膜厚計により成膜時に測定することができる。
【0047】
「正孔輸送層」
正孔輸送層５は、上述の通り、アントラセン誘導体と励起錯体を形成する有機化合物を含むことが好ましく、上記一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料を含むことが更に好ましい。後述するように、発光層６は、上記一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体を含むため、正孔輸送層５が、該アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料を含む場合、発光層６と正孔輸送層５の界面で励起錯体が形成され、有機ＥＬ素子１の駆動電圧を更に低くできる。
正孔輸送層５は、上述の通り、アントラセン誘導体と励起錯体を形成する有機化合物を含むことが好ましく、上記一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料を含むことが更に好ましい。後述するように、発光層６は、上記一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体を含むため、正孔輸送層５が、該アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料を含む場合、発光層６と正孔輸送層５の界面で励起錯体が形成され、有機ＥＬ素子１の駆動電圧を更に低くできる。
【0048】
正孔輸送層５に用いる正孔輸送性有機材料としては、励起錯体を形成する材料のうち、ＩＰ及びＥＡが小さい材料（ドナー性の高い材料）を用いることが好ましい。具体的には、トリアリールアミン、カルバゾール、フェノキサジン、フェナジン、アクリジン、アザジベンゾピレン、ジュロリジン骨格等、ドナー性が高い分子構造を含む材料が好ましい。より具体的には、以下に示す、ｍ－ＭＴＤＡＴＡ、ＴＰＴ－１、ＴＡＰＣ、ＴＰＤＩ、ＨＮ－Ｄ１、ＨＮ－Ｄ２、Ｎ－ＴＰＡ、ＥＨ４４、ＰＨＺ－２Ｎａｐｈ、ＴＢＤＩ、ＨＴ－０１、Ｎ－ＤＰＡ、ｓｐｉｒｏ－ＭｅＯ－ＴＡＤ、Ｔｒｉｓ－ＰＣｚ、α－ＮＰＤ、ＴｃＴａ、２－ＳＦ－ＤＭＡＣ、２－ＳＦ－ＰＨＸ、ＳＦ－ＢＣｚ、ＦＡＴＰＡ等が好ましい。
【化4-1】
【化4-2】
【化4-3】
【0049】
上記ドナー性の高い材料のＩＰ／ＥＡの計算値を表１に示す。
【0050】
【表1】
【0051】
上記ＩＰ／ＥＡの計算値は、主にＧａｕｓｓｉａｎ ０９プログラムを用いて密度汎関数法により計算し、以下の条件［Ｂ３ＬＹＰ／６－３１Ｇ （ｄ，ｐ）］で計算した。
また、幾つかの材料について、紫外光電子分光法（ＵＰＳ）により求めたＩＰの実測値を示す。このように、ＩＰの実測値と計算値には強い相関関係が見られる。
また、幾つかの材料について、紫外光電子分光法（ＵＰＳ）により求めたＩＰの実測値を示す。このように、ＩＰの実測値と計算値には強い相関関係が見られる。
【0052】
正孔輸送層５に含まれる有機化合物は、密度汎関数法を用いて算出したイオン化ポテンシャル（ＩＰ）の計算値が３．７４～５．０８ｅＶであるか、イオン化ポテンシャル（ＩＰ）の実測値が４．４～５．８ｅＶであることが好ましい。
正孔輸送層５の平均厚さは、特に限定されないが、１０～１５０ｎｍであることが好ましく、２０～１００ｎｍであることがより好ましい。
正孔輸送層５の平均厚さは、例えば、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定することができる。
正孔輸送層５の平均厚さは、特に限定されないが、１０～１５０ｎｍであることが好ましく、２０～１００ｎｍであることがより好ましい。
正孔輸送層５の平均厚さは、例えば、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定することができる。
【0053】
「発光層」
発光層６は、上述の通り、本発明のアントラセン誘導体を含む。また、発光層６は、更に、前記アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料を含んでもよい。発光層６が、上記一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体と、該アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料を含む場合、励起錯体が形成される。
発光層６は、上述の通り、本発明のアントラセン誘導体を含む。また、発光層６は、更に、前記アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料を含んでもよい。発光層６が、上記一般式（１）で表わされるアントラセン誘導体と、該アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料を含む場合、励起錯体が形成される。
【0054】
前記アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料としては、「正孔輸送層５」の項で挙げたＩＰ及びＥＡが小さい材料（ドナー性の高い材料）が好ましく、ｍ－ＭＴＤＡＴＡ、ＴＰＴ－１、ＴＡＰＣ、ＴＰＤＩ、ＨＮ－Ｄ１、ＨＮ－Ｄ２、Ｎ－ＴＰＡ、ＥＨ４４、ＰＨＺ－２Ｎａｐｈ、ＴＢＤＩ、ＨＴ－０１、Ｎ－ＤＰＡ、ｓｐｉｒｏ－ＭｅＯ－ＴＡＤ、Ｔｒｉｓ－ＰＣｚ、α－ＮＰＤ、ＴｃＴａ、２－ＳＦ－ＤＭＡＣ、２－ＳＦ－ＰＨＸ、ＳＦ－ＢＣｚ、ＦＡＴＰＡ等が更に好ましい。
ここで、発光層６における、前記アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料の含有量は、前記アントラセン誘導体に対して、１０～５０質量％の範囲が好ましい。
ここで、発光層６における、前記アントラセン誘導体よりもイオン化エネルギーが小さい材料の含有量は、前記アントラセン誘導体に対して、１０～５０質量％の範囲が好ましい。
【0055】
発光層６においては、図３に示すようにアントラセン誘導体の発光を取り出すこともできる一方、図６に示す通り、アントラセン誘導体（又は励起錯体）を発光層６のホストとして用いて、別の発光ドーパントの発光を取り出すことも可能である。この場合、ホストに対するドーパントとして、イリジウム錯体や白金錯体等の燐光発光材料、蛍光発光材料、熱活性化遅延蛍光材料等を、前記発光層６に混合してもよい。ドーパントの混合比は、アントラセン誘導体（又は励起錯体）に対して２０質量％以下が好ましく、より好ましくは１０質量％以下である。
【0056】
前記蛍光発光材料としては、８－ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４－メチル－８－キノリノレート）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｍｑ３）、８－ヒドロキシキノリン亜鉛（Ｚｎｑ２）等の各種金属錯体；ジスチリルベンゼン（ＤＳＢ）、ジアミノジスチリルベンゼン（ＤＡＤＳＢ）等のベンゼン系化合物；ナフタレン、ナイルレッド等のナフタレン系化合物；フェナントレン等のフェナントレン系化合物；クリセン、６－ニトロクリセン等のクリセン系化合物；ペリレン、Ｎ，Ｎ’－ビス（２，５－ジ－ｔ－ブチルフェニル）－３，４，９，１０－ペリレン－ジ－カルボキシイミド（ＢＰＰＣ）等のペリレン系化合物；コロネン等のコロネン系化合物；アントラセン、ビススチリルアントラセン等のアントラセン系化合物；ピレン、ＢＤ－１等のピレン系化合物；４－（ジ－シアノメチレン）－２－メチル－６－（パラ－ジメチルアミノスチリル）－４Ｈ－ピラン（ＤＣＭ）等のピラン系化合物；アクリジン等のアクリジン系化合物；スチルベン等のスチルベン系化合物；２，５－ジベンゾオキサゾールチオフェン等のチオフェン系化合物；ベンゾオキサゾール等のベンゾオキサゾール系化合物；ベンゾイミダゾール等のベンゾイミダゾール系化合物；２，２’－（パラ－フェニレンジビニレン）－ビスベンゾチアゾール等のベンゾチアゾール系化合物；ビスチリル（１，４－ジフェニル－１，３－ブタジエン）、テトラフェニルブタジエン等のブタジエン系化合物；ナフタルイミド等のナフタルイミド系化合物；クマリン等のクマリン系化合物；ペリノン等のペリノン系化合物；オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；アルダジン系化合物；１，２，３，４，５－ペンタフェニル－１，３－シクロペンタジエン（ＰＰＣＰ）等のシクロペンタジエン系化合物；キナクリドン、キナクリドンレッド等のキナクリドン系化合物；ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン等のピリジン系化合物；２，２’，７，７’－テトラフェニル－９，９’－スピロビフルオレン等のスピロ化合物等が挙げられる。
【0057】
前記熱活性化遅延蛍光材料としては、２，４，５，６－テトラ（９－カルバゾール）－イソフタロニトリル（４ＣｚＩＰＮ）、４，５－ジ（９－カルバゾール）－フタロニトリル（２ＣｚＰＮ）、３，４，５，６－テトラ（９－カルバゾール）－フタロニトリル（４ＣｚＰＮ）、２，３，５，６－テトラ（９－カルバゾール）－テレフタロニトリル（４ＣｚＴＰＮ）、２，３，５，６－テトラ（３，６－ジメチル－９－カルバゾール）－テレフタロニトリル（４ＣｚＴＰＮ－Ｍｅ）、２，３，５，６－テトラ（３，６－ジフェニル－９－カルバゾール）－テレフタロニトリル（４ＣｚＴＰＮ－Ｐｈ）等が挙げられ、更には、特開２０１２－１９３３５２号公報、国際公開第２０１１／０７０９６３号に記載の化合物等が挙げられる。
【0058】
発光層６の平均厚さは、特に限定されないが、１０～１５０ｎｍであることが好ましく、２０～１００ｎｍであることがより好ましい。
発光層６の平均厚さは、触針式段差計により測定してもよいし、水晶振動子膜厚計により発光層６の成膜時に測定してもよい。
発光層６の平均厚さは、触針式段差計により測定してもよいし、水晶振動子膜厚計により発光層６の成膜時に測定してもよい。
【0059】
「電子注入層」
電子注入層７は、アルカリ金属やアルカリ土類金属全般等の仕事関数が小さい材料全般、リチウムキノリン、フッ素化リチウム、炭酸セシウム、炭酸カルシウム等の仕事関数が小さい金属を含む化合物、下記一般式（２）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物、又は下記一般式（３）で表される構造を有する化合物などを用いることができる。
電子注入層７は、アルカリ金属やアルカリ土類金属全般等の仕事関数が小さい材料全般、リチウムキノリン、フッ素化リチウム、炭酸セシウム、炭酸カルシウム等の仕事関数が小さい金属を含む化合物、下記一般式（２）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物、又は下記一般式（３）で表される構造を有する化合物などを用いることができる。
【0060】
【化5】
【0061】
【化6】
【0062】
上記一般式（２）におけるＲ１は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アリールアルキレン基、２～４価の鎖状または環状炭化水素基、又は、これらの基を２つ以上組み合わせてできる基、これらの基の１つ若しくは２つ以上と窒素原子とを組み合わせてできる基を表す。
芳香族炭化水素基、芳香族複素環基としては、炭素数３～３０のものが好ましく、炭素数４～２４のものがより好ましく、炭素数５～２０のものがさらに好ましい。
芳香族炭化水素基としては、ベンゼン等の１つの芳香環のみからなる化合物；ビフェニル、ジフェニルベンゼン等の複数の芳香環が１つの炭素原子同士で直接結合した化合物；ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン等の縮合環式芳香族炭化水素化合物のいずれかの芳香環から水素原子を１～４個除いてできる基が挙げられる。
芳香族複素環基としては、チオフェン、フラン、ピロール、オキサゾール、オキサジアゾール、チアゾール、チアジアゾール、イミダゾール、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン等の１つの芳香族複素環のみからなる化合物；これらの１つの芳香族複素環のみからなる化合物が１つの炭素原子同士で複数直接結合した化合物（ビピリジン等）；キノリン、キノキサリン、ベンゾチオフェン、ベンゾチアゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、インドール、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、アクリジン、フェナントロリン等の縮合環式複素芳香族炭化水素化合物のいずれかの芳香族複素環から水素原子を１～４個除いてできる基が挙げられる。
アリールアルキレン基としては、上記芳香族炭化水素基と炭素数１～３のアルキレン基とを組み合わせた基が挙げられる。
２～４価の鎖状または環状炭化水素基としては、炭素数１～１２のものが好ましく、炭素数１～６のものがより好ましく、炭素数１～４のものがさらに好ましい。鎖状炭化水素基は直鎖状のものであってもよく、分岐鎖状のものであってもよい。
また、Ｒ１は上記芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アリールアルキレン基、２～４価の鎖状炭化水素基を２つ以上組み合わせてできる基でもよい。
更に、Ｒ１は上記芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アリールアルキレン基、２～４価の鎖状炭化水素基の１つ若しくは２つ以上と窒素原子とを組み合わせてできる基であってもよい。そのような基としては、例えば、トリメチルアミン等のトリアルキルアミンやトリフェニルアミンから水素原子を１～４個除いてできる基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基、芳香族複素環基としては、炭素数３～３０のものが好ましく、炭素数４～２４のものがより好ましく、炭素数５～２０のものがさらに好ましい。
芳香族炭化水素基としては、ベンゼン等の１つの芳香環のみからなる化合物；ビフェニル、ジフェニルベンゼン等の複数の芳香環が１つの炭素原子同士で直接結合した化合物；ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン等の縮合環式芳香族炭化水素化合物のいずれかの芳香環から水素原子を１～４個除いてできる基が挙げられる。
芳香族複素環基としては、チオフェン、フラン、ピロール、オキサゾール、オキサジアゾール、チアゾール、チアジアゾール、イミダゾール、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン等の１つの芳香族複素環のみからなる化合物；これらの１つの芳香族複素環のみからなる化合物が１つの炭素原子同士で複数直接結合した化合物（ビピリジン等）；キノリン、キノキサリン、ベンゾチオフェン、ベンゾチアゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、インドール、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、アクリジン、フェナントロリン等の縮合環式複素芳香族炭化水素化合物のいずれかの芳香族複素環から水素原子を１～４個除いてできる基が挙げられる。
アリールアルキレン基としては、上記芳香族炭化水素基と炭素数１～３のアルキレン基とを組み合わせた基が挙げられる。
２～４価の鎖状または環状炭化水素基としては、炭素数１～１２のものが好ましく、炭素数１～６のものがより好ましく、炭素数１～４のものがさらに好ましい。鎖状炭化水素基は直鎖状のものであってもよく、分岐鎖状のものであってもよい。
また、Ｒ１は上記芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アリールアルキレン基、２～４価の鎖状炭化水素基を２つ以上組み合わせてできる基でもよい。
更に、Ｒ１は上記芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アリールアルキレン基、２～４価の鎖状炭化水素基の１つ若しくは２つ以上と窒素原子とを組み合わせてできる基であってもよい。そのような基としては、例えば、トリメチルアミン等のトリアルキルアミンやトリフェニルアミンから水素原子を１～４個除いてできる基等が挙げられる。
【0063】
上記芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、又は、アリールアルキレン基は、１価の置換基を１つ又は２つ以上有していてもよい。
１価の置換基としては、フッ素原子；フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基等の炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等の炭素数５～７の環状アルキル基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基等の炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状アルコキシ基；ニトロ基；シアノ基；メチルアミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の炭素数１～１０のアルキル基を有するアルキルアミノ基；ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基等の環状アミノ基；ジフェニルアミノ基、カルバゾリル基等のジアリールアミノ基；アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等のアシル基；スチリル基等の炭素数２～３０のアルケニル基；フッ素原子等のハロゲン原子や炭素数１～２０のアルキル基、アルコキシ基、アミノ基等で置換されていてもよい炭素数５～２０のアリール基（アリール基の具体例は、上記芳香族炭化水素基と同様）；フッ素原子等のハロゲン原子や炭素数１～２０のアルキル基、アルコキシ基、アミノ基等で置換されていてもよい炭素数４～４０の窒素原子、硫黄原子、酸素原子のいずれか１つ以上を含む複素環基（複素環基は、１つの環のみからなるものであってもよく、１つの芳香族複素環のみからなる化合物が１つの炭素原子同士で複数直接結合した化合物であってもよく、縮合複素環基であってもよい。複素環基の具体例には、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、インドール環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、カルバゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、ベンゾチアジアゾール環、フェナントリジン環等の芳香族複素環基の具体例が含まれる。）；エステル基、チオエーテル基等が挙げられる。なお、これらの基は、ハロゲン原子やヘテロ元素、アルキル基、芳香環等で置換されていてもよい。
１価の置換基としては、フッ素原子；フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基等の炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等の炭素数５～７の環状アルキル基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基等の炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状アルコキシ基；ニトロ基；シアノ基；メチルアミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の炭素数１～１０のアルキル基を有するアルキルアミノ基；ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基等の環状アミノ基；ジフェニルアミノ基、カルバゾリル基等のジアリールアミノ基；アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等のアシル基；スチリル基等の炭素数２～３０のアルケニル基；フッ素原子等のハロゲン原子や炭素数１～２０のアルキル基、アルコキシ基、アミノ基等で置換されていてもよい炭素数５～２０のアリール基（アリール基の具体例は、上記芳香族炭化水素基と同様）；フッ素原子等のハロゲン原子や炭素数１～２０のアルキル基、アルコキシ基、アミノ基等で置換されていてもよい炭素数４～４０の窒素原子、硫黄原子、酸素原子のいずれか１つ以上を含む複素環基（複素環基は、１つの環のみからなるものであってもよく、１つの芳香族複素環のみからなる化合物が１つの炭素原子同士で複数直接結合した化合物であってもよく、縮合複素環基であってもよい。複素環基の具体例には、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、インドール環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、カルバゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、ベンゾチアジアゾール環、フェナントリジン環等の芳香族複素環基の具体例が含まれる。）；エステル基、チオエーテル基等が挙げられる。なお、これらの基は、ハロゲン原子やヘテロ元素、アルキル基、芳香環等で置換されていてもよい。
【0064】
上記一般式（２）におけるｎ１は、１～４の整数であるが、２又は３であることが好ましい。
【0065】
上記一般式（２）で表される化合物は、ヨウ素、臭素、塩素、フッ素を有するハロゲン化合物と、ヘキサヒドロピリミドピリミジンとを原料とし、Ｕｌｌｍａｎｎカップリング反応、Ｂｕｃｈｗａｌｄ－Ｈａｒｔｗｉｇアミノ化反応又は求核置換反応等により合成することができる。
【0066】
上記一般式（３）におけるＸ１、Ｘ２は、同一又は異なって、置換基を有していてもよい窒素原子、酸素原子、硫黄原子又は２価の連結基を表す。
２価の連結基としては、２価の炭化水素基及び炭化水素基の炭素原子の一部が窒素原子、酸素原子、硫黄原子のいずれかのヘテロ原子で置換された基が挙げられる。
炭化水素基としては、炭素数１～６のものが好ましく、炭素数１、２、又は６のものがより好ましい。
炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状及びこれらを組み合わせたもののいずれのものであってもよい。
２価の炭化水素基は、飽和炭化水素基であるアルキレン基でもよく、アルケニレン基、アルキニレン基等の不飽和炭化水素基でもよい。
２価の連結基としては、２価の炭化水素基及び炭化水素基の炭素原子の一部が窒素原子、酸素原子、硫黄原子のいずれかのヘテロ原子で置換された基が挙げられる。
炭化水素基としては、炭素数１～６のものが好ましく、炭素数１、２、又は６のものがより好ましい。
炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状及びこれらを組み合わせたもののいずれのものであってもよい。
２価の炭化水素基は、飽和炭化水素基であるアルキレン基でもよく、アルケニレン基、アルキニレン基等の不飽和炭化水素基でもよい。
【0067】
上記一般式（３）におけるＬは、直接結合またはｐ価の連結基を表す。なお、Ｌが直接結合となるのは、ｐが２の場合のみである。
ｐ価の連結基としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、炭素原子の他、炭化水素基や炭化水素基の炭素原子の一部が窒素原子、酸素原子、硫黄原子のいずれかのヘテロ原子で置換された基から水素原子をｐ個除いてできる基が挙げられる。
ｐ価の連結基が炭素原子を有するものである場合、炭素数１～３０のものが好ましい。より好ましくは、炭素数１～２０のものである。
炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状及びこれらを組み合わせたもののいずれのものであってもよい。
炭化水素基としては、飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基のいずれのものであってもよい。
芳香族炭化水素基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、トリフェニレン環、ピレン環、フルオレン環、インデン環等の芳香族化合物から水素原子を除いてできる基が挙げられる。
ｐ価の連結基としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、炭素原子の他、炭化水素基や炭化水素基の炭素原子の一部が窒素原子、酸素原子、硫黄原子のいずれかのヘテロ原子で置換された基から水素原子をｐ個除いてできる基が挙げられる。
ｐ価の連結基が炭素原子を有するものである場合、炭素数１～３０のものが好ましい。より好ましくは、炭素数１～２０のものである。
炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状及びこれらを組み合わせたもののいずれのものであってもよい。
炭化水素基としては、飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基のいずれのものであってもよい。
芳香族炭化水素基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、トリフェニレン環、ピレン環、フルオレン環、インデン環等の芳香族化合物から水素原子を除いてできる基が挙げられる。
【0068】
上記一般式（３）におけるＲ２～Ｒ４は、同一又は異なって、１価の置換基を表す。また、ｍ１～ｍ３は、同一又は異なって、０～３の数を表す。
１価の置換基としては、フッ素原子；フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基等の炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等の炭素数５～７の環状アルキル基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基等の炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状アルコキシ基；ニトロ基；シアノ基；メチルアミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の炭素数１～１０のアルキル基を有するアルキルアミノ基；ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基等の環状アミノ基；ジフェニルアミノ基、カルバゾリル基等のジアリールアミノ基；アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等のアシル基；スチリル基等の炭素数２～３０のアルケニル基；フッ素原子等のハロゲン原子や炭素数１～２０のアルキル基、アルコキシ基、アミノ基等で置換されていてもよい炭素数５～２０のアリール基（アリール基の具体例は、上記芳香族炭化水素基と同様）；フッ素原子等のハロゲン原子や炭素数１～２０のアルキル基、アルコキシ基、アミノ基等で置換されていてもよい炭素数４～４０の窒素原子、硫黄原子、酸素原子のいずれか１つ以上を含む複素環基（複素環基は、１つの環のみからなるものであってもよく、１つの芳香族複素環のみからなる化合物が１つの炭素原子同士で複数直接結合した化合物であってもよく、縮合複素環基であってもよい。複素環基の具体例には、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、インドール環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、カルバゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、ベンゾチアジアゾール環、フェナントリジン環等の芳香族複素環基の具体例が含まれる。）；エステル基、チオエーテル基等が挙げられる。なお、これらの基は、ハロゲン原子やヘテロ元素、アルキル基、芳香環等で置換されていてもよい。
１価の置換基としては、フッ素原子；フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基等の炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等の炭素数５～７の環状アルキル基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基等の炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状アルコキシ基；ニトロ基；シアノ基；メチルアミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の炭素数１～１０のアルキル基を有するアルキルアミノ基；ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基等の環状アミノ基；ジフェニルアミノ基、カルバゾリル基等のジアリールアミノ基；アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等のアシル基；スチリル基等の炭素数２～３０のアルケニル基；フッ素原子等のハロゲン原子や炭素数１～２０のアルキル基、アルコキシ基、アミノ基等で置換されていてもよい炭素数５～２０のアリール基（アリール基の具体例は、上記芳香族炭化水素基と同様）；フッ素原子等のハロゲン原子や炭素数１～２０のアルキル基、アルコキシ基、アミノ基等で置換されていてもよい炭素数４～４０の窒素原子、硫黄原子、酸素原子のいずれか１つ以上を含む複素環基（複素環基は、１つの環のみからなるものであってもよく、１つの芳香族複素環のみからなる化合物が１つの炭素原子同士で複数直接結合した化合物であってもよく、縮合複素環基であってもよい。複素環基の具体例には、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、インドール環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、カルバゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、ベンゾチアジアゾール環、フェナントリジン環等の芳香族複素環基の具体例が含まれる。）；エステル基、チオエーテル基等が挙げられる。なお、これらの基は、ハロゲン原子やヘテロ元素、アルキル基、芳香環等で置換されていてもよい。
【0069】
上記一般式（３）におけるｐは、１～４の数を表すが、１～３の数であることが好ましい。
また、上記一般式（３）におけるｎ２は、０又は１の数を表すが、０であることが好ましい。
また、上記一般式（３）におけるｎ２は、０又は１の数を表すが、０であることが好ましい。
【0070】
電子注入層７の平均厚さは、０．５～１００ｎｍであることが好ましく、１～１０ｎｍであることがより好ましい。電子注入層７は塗料組成物を塗布する方法、もしくは、真空蒸着法を用いて共蒸着することにより形成可能である。
電子注入層７の平均厚さは、例えば、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定できる。
電子注入層７の平均厚さは、例えば、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定できる。
【0071】
「陰極」
陰極８に用いられる材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌまたはこれらを含む合金等が挙げられる。この中でも、陰極８の材料として、ＩＴＯ、ＩＺＯ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌを用いることが好ましい。
陰極８の平均厚さは、特に限定されないが、１０～１０００ｎｍであることが好ましく、３０～１５０ｎｍであることがより好ましい。また、陰極８の材料として不透過な材料を用いる場合でも、例えば、平均厚さを１０～３０ｎｍ程度にすることで、トップエミッション型の有機ＥＬ素子における透明な陰極として使用できる。
陰極８の平均厚さは、水晶振動子膜厚計により陰極８の成膜時に測定できる。
陰極８に用いられる材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌまたはこれらを含む合金等が挙げられる。この中でも、陰極８の材料として、ＩＴＯ、ＩＺＯ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌを用いることが好ましい。
陰極８の平均厚さは、特に限定されないが、１０～１０００ｎｍであることが好ましく、３０～１５０ｎｍであることがより好ましい。また、陰極８の材料として不透過な材料を用いる場合でも、例えば、平均厚さを１０～３０ｎｍ程度にすることで、トップエミッション型の有機ＥＬ素子における透明な陰極として使用できる。
陰極８の平均厚さは、水晶振動子膜厚計により陰極８の成膜時に測定できる。
【0072】
特に図５に示す逆構造の有機ＥＬ素子においては、陰極８上に無機の酸化物からなる層を製膜したものも、陰極の一部として取り扱う。
この場合に用いる酸化物は、半導体もしくは絶縁体積層薄膜の層である。具体的には、単体の金属酸化物からなる層、二種類以上の金属酸化物を混合した層と単体の金属酸化物からなる層のいずれか一方または両方を積層した層、二種類以上の金属酸化物を混合した層のいずれであってもよい。
この場合に用いる酸化物は、半導体もしくは絶縁体積層薄膜の層である。具体的には、単体の金属酸化物からなる層、二種類以上の金属酸化物を混合した層と単体の金属酸化物からなる層のいずれか一方または両方を積層した層、二種類以上の金属酸化物を混合した層のいずれであってもよい。
【0073】
無機の酸化物を形成する金属酸化物を構成する金属元素としては、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、インジウム、ガリウム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、カドミウム、アルミニウム、ケイ素が挙げられる。
【0074】
無機の酸化物からなる層が、二種類以上の金属酸化物を混合した層を含む場合、金属酸化物を構成する金属元素の少なくとも一つが、マグネシウム、アルミニウム、カルシウム、ジルコニウム、ハフニウム、ケイ素、チタン、亜鉛からなる層であることが好ましい。
無機の酸化物からなる層が、単体の金属酸化物からなる層である場合、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化亜鉛からなる群から選ばれる金属酸化物からなる層であることが好ましい。
無機の酸化物からなる層が、単体の金属酸化物からなる層である場合、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化亜鉛からなる群から選ばれる金属酸化物からなる層であることが好ましい。
【0075】
無機の酸化物からなる層が、二種類以上の金属酸化物を混合した層と単体の金属酸化物からなる層のいずれか一方または両方を積層した層、または二種類以上の金属酸化物を混合した層である場合、酸化チタン／酸化亜鉛、酸化チタン／酸化マグネシウム、酸化チタン／酸化ジルコニウム、酸化チタン／酸化アルミニウム、酸化チタン／酸化ハフニウム、酸化チタン／酸化ケイ素、酸化亜鉛／酸化マグネシウム、酸化亜鉛／酸化ジルコニウム、酸化亜鉛／酸化ハフニウム、酸化亜鉛／酸化ケイ素、酸化カルシウム／酸化アルミニウム、から選ばれる二種の金属酸化物の組合せを積層及び／又は混合したもの、酸化チタン／酸化亜鉛／酸化マグネシウム、酸化チタン／酸化亜鉛／酸化ジルコニウム、酸化チタン／酸化亜鉛／酸化アルミニウム、酸化チタン／酸化亜鉛／酸化ハフニウム、酸化チタン／酸化亜鉛／酸化ケイ素、酸化インジウム／酸化ガリウム／酸化亜鉛、から選ばれる三種の金属酸化物の組合せを積層及び／又は混合したもの等が挙げられる。
【0076】
無機の酸化物は、特殊な組成として良好な特性を示す酸化物半導体であるＩＧＺＯ（酸化インジウムガリウム亜鉛）及び／又はエレクトライドである１２ＣａＯ・７Ａｌ２Ｏ３を含むものであってもよい。
無機の酸化物を成膜する場合の平均厚さは、特に限定されないが、１～１０００ｎｍであることが好ましく、２～１００ｎｍであることがより好ましい。
無機の酸化物からなる層の平均厚さは、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定できる。
無機の酸化物を成膜する場合の平均厚さは、特に限定されないが、１～１０００ｎｍであることが好ましく、２～１００ｎｍであることがより好ましい。
無機の酸化物からなる層の平均厚さは、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定できる。
【0077】
「封止」
有機ＥＬ素子１は、必要に応じて、封止されていてもよい。
例えば、有機ＥＬ素子１は、有機ＥＬ素子１を収容する凹状の空間を有する封止容器（不図示）と、封止容器の縁部と基板２とを接着する接着剤とによって封止されていてもよい。また、封止容器に有機ＥＬ素子１を収容し、紫外線（ＵＶ）硬化樹脂などからなるシール材を充填することにより封止してもよい。
有機ＥＬ素子１は、必要に応じて、封止されていてもよい。
例えば、有機ＥＬ素子１は、有機ＥＬ素子１を収容する凹状の空間を有する封止容器（不図示）と、封止容器の縁部と基板２とを接着する接着剤とによって封止されていてもよい。また、封止容器に有機ＥＬ素子１を収容し、紫外線（ＵＶ）硬化樹脂などからなるシール材を充填することにより封止してもよい。
【0078】
封止容器又は封止部材を用いて有機ＥＬ素子１を封止する場合、封止容器内又は封止部材の内側に、水分を吸収する乾燥材を配置してもよい。また、封止容器又は封止部材として、水分を吸収する材料を用いてもよい。また、封止された封止容器内又は封止部材の内側には、空間が形成されていてもよい。
【0079】
有機ＥＬ素子１を封止する場合に用いる封止容器又は封止部材の材料としては、樹脂材料、ガラス材料等を用いることができる。封止容器又は封止部材に用いられる樹脂材料及びガラス材料としては、基板２に用いる材料と同様のものが挙げられる。
【0080】
「有機ＥＬ素子の製造方法」
次に、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の一例として、有機ＥＬ素子１の製造方法を説明する。
次に、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の一例として、有機ＥＬ素子１の製造方法を説明する。
【0081】
有機ＥＬ素子１を製造するには、まず、基板２上に陽極３を形成する。
陽極３は、スパッタ法、真空蒸着法、ゾルゲル法、スプレー熱分解（ＳＰＤ）法、原子層堆積（ＡＬＤ）法、気相成膜法、液相成膜法等により形成することができる。陽極３の形成には、金属箔を接合する方法を用いてもよい。
陽極３は、スパッタ法、真空蒸着法、ゾルゲル法、スプレー熱分解（ＳＰＤ）法、原子層堆積（ＡＬＤ）法、気相成膜法、液相成膜法等により形成することができる。陽極３の形成には、金属箔を接合する方法を用いてもよい。
【0082】
次に、陽極３上に、正孔注入層４、正孔輸送層５、発光層６、電子注入層７をこの順で形成する。
正孔注入層４、正孔輸送層５、発光層６、電子注入層７の形成方法は、特に限定されず、正孔注入層４、正孔輸送層５、発光層６、電子注入７のそれぞれに用いられる材料の特性に合わせて、従来公知の種々の形成方法を適宜用いることができる。
具体的には、正孔注入層４、正孔輸送層５、発光層６、電子注入層７の各層を形成する方法として、正孔注入層４、正孔輸送層５、発光層６、電子注入層７となる有機化合物を含む有機化合物溶液を塗布する塗布法、真空蒸着法、ＥＳＤＵＳ（Ｅｖａｐｏｒａｔｉｖｅ Ｓｐｒａｙ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｆｒｏｍ Ｕｌｔｒａ－ｄｉｌｕｔｅ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）法等が挙げられる。
正孔注入層４、正孔輸送層５、発光層６、電子注入層７の形成方法は、特に限定されず、正孔注入層４、正孔輸送層５、発光層６、電子注入７のそれぞれに用いられる材料の特性に合わせて、従来公知の種々の形成方法を適宜用いることができる。
具体的には、正孔注入層４、正孔輸送層５、発光層６、電子注入層７の各層を形成する方法として、正孔注入層４、正孔輸送層５、発光層６、電子注入層７となる有機化合物を含む有機化合物溶液を塗布する塗布法、真空蒸着法、ＥＳＤＵＳ（Ｅｖａｐｏｒａｔｉｖｅ Ｓｐｒａｙ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｆｒｏｍ Ｕｌｔｒａ－ｄｉｌｕｔｅ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）法等が挙げられる。
【0083】
次に、電子注入層７上に、陰極８を形成する。陰極８は、例えば、陽極３と同様にして形成できる。
【0084】
図５に示す逆構造の有機ＥＬ素子を作製する場合、順序が逆となる。なお、図５に示す逆構造の有機ＥＬ素子において、陰極８上に無機の酸化物からなる層を形成する場合、酸化物は、例えば、スプレー熱分解法、ゾルゲル法、スパッタ法、真空蒸着法等の方法を用いて形成する。
以上の工程により、有機ＥＬ素子１が得られる。
以上の工程により、有機ＥＬ素子１が得られる。
【0085】
「封止方法」
有機ＥＬ素子１を封止する場合には、有機ＥＬ素子の封止に用いられる通常の方法を使用して封止できる。
有機ＥＬ素子１を封止する場合には、有機ＥＬ素子の封止に用いられる通常の方法を使用して封止できる。
【0086】
＜表示装置、照明装置＞
本実施形態の有機ＥＬ素子１は、発光効率が高い上記一般式（１）で表されるアントラセン誘導体を利用して発光を得るため、好ましくは、電子親和力が大きいアントラセン誘導体と他のイオン化ポテンシャルが小さい有機材料との間で形成される励起錯体を利用して発光を得るため、小さなエネルギーで電荷の再結合が可能となる。従って、駆動電圧の低い有機ＥＬ素子１となる。
本実施形態の有機ＥＬ素子１は、発光効率が高い上記一般式（１）で表されるアントラセン誘導体を利用して発光を得るため、好ましくは、電子親和力が大きいアントラセン誘導体と他のイオン化ポテンシャルが小さい有機材料との間で形成される励起錯体を利用して発光を得るため、小さなエネルギーで電荷の再結合が可能となる。従って、駆動電圧の低い有機ＥＬ素子１となる。
【0087】
本発明の有機ＥＬ素子は、発光層等の材料を適宜選択することによって発光色を変化させることができるし、カラーフィルター等を併用して所望の発光色を得ることもできる。そのため、本発明の有機ＥＬ素子は、表示装置の発光部位や照明装置として好適に用いることができる。
【0088】
本発明の表示装置は、その簡易な素子構造により生産性に優れ、駆動電圧が低い本発明の有機ＥＬ素子を具える。このため、表示装置として好ましいものである。
また、本発明の照明装置は、その単純な素子構造により生産性に優れ、駆動電圧が低い本発明の有機ＥＬ素子を具える。このため、照明装置として好ましいものである。
また、本発明の照明装置は、その単純な素子構造により生産性に優れ、駆動電圧が低い本発明の有機ＥＬ素子を具える。このため、照明装置として好ましいものである。
【実施例0089】
以下に、実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明は下記の実施例に何ら限定されるものではない。
【0090】
＜アントラセン誘導体の合成＞
以下の反応スキームに従って、式（１－１）で表されるアントラセン誘導体を合成した。
以下の反応スキームに従って、式（１－１）で表されるアントラセン誘導体を合成した。
【化7-1】
【化7-2】
【0091】
「式（４－３）で表される化合物の合成工程」
アルゴン雰囲気下、３００ｍＬ反応器に、式（４－１）で表される５－ブロモイソフタル酸（１０．４ｇ，４２．４ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、無水ジクロロメタン（１００ｍＬ）を加え、この懸濁液にオキザリルクロリド（１０．９ｍＬ，１２．７ｍｍｏｌ，３．０ｅｑ．）、ＤＭＦ（３滴）を添加した。この懸濁液を、室温下、発泡が治まるまで１８時間撹拌した後、濃縮し、残渣にトルエン（１００ｍＬ×２）を加えて再度濃縮し、薄黄色の粘稠な液体である式（４－２）で表される化合物（１２．４ｇ，ｅｘｃｅｓｓ）を得た。この残渣にＴＨＦ（１００ｍＬ）、ｉＰｒ２ＮＥｔ（１７．８ｍＬ，１２７ｍｍｏｌ，３．０ｅｑ．）を加え、氷冷した。内温５℃にてｔ－ブチルアミン（１１．２ｍＬ，１０６ｍｍｏｌ，２．５ｅｑ．）を１５分かけて滴下し、冷却バスを付けたまま３時間かけて室温まで昇温させた。この懸濁液を０．５Ｎ塩酸水溶液（１００ｍＬ）にてクエンチし、酢酸エチル（１００ｍＬ×２）にて抽出し、有機層を合わせて飽和重曹水、飽和食塩水にて順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムにて乾燥、濃縮し、無色の固体である式（４－３）で表される化合物（１４．５ｇ，４０．８ｍｍｏｌ，９６％）を得た。
アルゴン雰囲気下、３００ｍＬ反応器に、式（４－１）で表される５－ブロモイソフタル酸（１０．４ｇ，４２．４ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、無水ジクロロメタン（１００ｍＬ）を加え、この懸濁液にオキザリルクロリド（１０．９ｍＬ，１２．７ｍｍｏｌ，３．０ｅｑ．）、ＤＭＦ（３滴）を添加した。この懸濁液を、室温下、発泡が治まるまで１８時間撹拌した後、濃縮し、残渣にトルエン（１００ｍＬ×２）を加えて再度濃縮し、薄黄色の粘稠な液体である式（４－２）で表される化合物（１２．４ｇ，ｅｘｃｅｓｓ）を得た。この残渣にＴＨＦ（１００ｍＬ）、ｉＰｒ２ＮＥｔ（１７．８ｍＬ，１２７ｍｍｏｌ，３．０ｅｑ．）を加え、氷冷した。内温５℃にてｔ－ブチルアミン（１１．２ｍＬ，１０６ｍｍｏｌ，２．５ｅｑ．）を１５分かけて滴下し、冷却バスを付けたまま３時間かけて室温まで昇温させた。この懸濁液を０．５Ｎ塩酸水溶液（１００ｍＬ）にてクエンチし、酢酸エチル（１００ｍＬ×２）にて抽出し、有機層を合わせて飽和重曹水、飽和食塩水にて順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムにて乾燥、濃縮し、無色の固体である式（４－３）で表される化合物（１４．５ｇ，４０．８ｍｍｏｌ，９６％）を得た。
【0092】
「式（４－４）で表される化合物の合成工程」
アルゴン雰囲気下、３００ｍＬ反応器に、式（４－３）で表される化合物（１４．５ｇ，６．４１ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、塩化チオニル（６４ｍＬ，８８３ｍｍｏｌ，２１ｅｑ．）を加え、バス温８５℃に昇温して、同温で３日間加熱還流した。これを濃縮し、残渣にトルエン（１００ｍＬ×２）を加えて共沸させた。この薄褐色固体にヘプタン（６０ｍＬ）を加え、７０℃に加熱し、分散洗浄、放冷、濾過した。濾取物にＴＨＦ（２０ｍＬ）を加え、７０℃にて完溶後、ＩＰＥ（２０ｍＬ）をゆっくり加え、固体を析出させた後、放冷、濾過し、高真空下４０℃で乾燥し、無色の固体である式（４－４）で表される化合物（７．０ｇ，３３．８ｍｍｏｌ，８２％）を得た。
アルゴン雰囲気下、３００ｍＬ反応器に、式（４－３）で表される化合物（１４．５ｇ，６．４１ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、塩化チオニル（６４ｍＬ，８８３ｍｍｏｌ，２１ｅｑ．）を加え、バス温８５℃に昇温して、同温で３日間加熱還流した。これを濃縮し、残渣にトルエン（１００ｍＬ×２）を加えて共沸させた。この薄褐色固体にヘプタン（６０ｍＬ）を加え、７０℃に加熱し、分散洗浄、放冷、濾過した。濾取物にＴＨＦ（２０ｍＬ）を加え、７０℃にて完溶後、ＩＰＥ（２０ｍＬ）をゆっくり加え、固体を析出させた後、放冷、濾過し、高真空下４０℃で乾燥し、無色の固体である式（４－４）で表される化合物（７．０ｇ，３３．８ｍｍｏｌ，８２％）を得た。
【0093】
「式（４－５）で表される化合物の合成工程１」
アルゴン雰囲気下、１００ｍＬ反応器に、式（４－４）で表される化合物（１．０ｇ，４．８３ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、ビスピナコールジボラン（１．８４ｇ，７．２４ｍｍｏｌ，１．５ｅｑ．）、Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ２（４０ｍｇ，０．０４８３ｍｍｏｌ，０．０１ｅｑ．）、酢酸カリウム（１．０４ｇ，１０．６ｍｍｏｌ，２．２ｅｑ．）、脱気した酢酸イソプロピル（２５ｍＬ）を加え、バス温９０℃で６時間加熱撹拌した。放冷後、この黒褐色懸濁液をセライト濾過し、濾床を酢酸エチルにて洗浄し、濾液を濃縮して、黒褐色の固体（２．６９ｇ）を得た。これをカラム精製（ＳｉＯ２＝６５ｇ，ヘキサン／酢酸エチル＝２／１→１／１）し、粘稠な固体（１．１１ｇ）を得た。これをＩＰＥ（ｃａ．８ｍＬ）にて加熱分散洗浄し、放冷後、析出した固体を濾過し、濾床をヘプタンで洗浄し、高真空下５０℃で乾燥し、無色の固体である式（４－５）で表される化合物（０．７９ｇ，３．１１ｍｍｏｌ，６４％）を得た。
アルゴン雰囲気下、１００ｍＬ反応器に、式（４－４）で表される化合物（１．０ｇ，４．８３ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、ビスピナコールジボラン（１．８４ｇ，７．２４ｍｍｏｌ，１．５ｅｑ．）、Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ２（４０ｍｇ，０．０４８３ｍｍｏｌ，０．０１ｅｑ．）、酢酸カリウム（１．０４ｇ，１０．６ｍｍｏｌ，２．２ｅｑ．）、脱気した酢酸イソプロピル（２５ｍＬ）を加え、バス温９０℃で６時間加熱撹拌した。放冷後、この黒褐色懸濁液をセライト濾過し、濾床を酢酸エチルにて洗浄し、濾液を濃縮して、黒褐色の固体（２．６９ｇ）を得た。これをカラム精製（ＳｉＯ２＝６５ｇ，ヘキサン／酢酸エチル＝２／１→１／１）し、粘稠な固体（１．１１ｇ）を得た。これをＩＰＥ（ｃａ．８ｍＬ）にて加熱分散洗浄し、放冷後、析出した固体を濾過し、濾床をヘプタンで洗浄し、高真空下５０℃で乾燥し、無色の固体である式（４－５）で表される化合物（０．７９ｇ，３．１１ｍｍｏｌ，６４％）を得た。
【0094】
「式（４－５）で表される化合物の合成工程２」
アルゴン雰囲気下、３００ｍＬ反応器に、式（４－４）で表される化合物（３．６ｇ，１７．４ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、ビスピナコールジボラン（６．６２ｇ，２６．１ｍｍｏｌ，１．５ｅｑ．）、Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ２（１４２ｍｇ，０．１７４ｍｍｏｌ，０．０１ｅｑ．）、酢酸カリウム（３．７５ｇ，３８．２ｍｍｏｌ，２．２ｅｑ．）、脱気した酢酸イソプロピル（９０ｍＬ）を加え、バス温９０℃で８時間加熱撹拌した。放冷後、この黒褐色懸濁液をセライト濾過し、濾床を酢酸エチルにて洗浄し、濾液を濃縮して、黒褐色の固体（９．６１ｇ）を得た。これをカラム精製（ＳｉＯ２＝１５０ｇ，ヘキサン／酢酸エチル＝２／１→１／１）し、粘稠な固体（４．８６ｇ）を得た。これをＩＰＥ（ｃａ．３０ｍＬ）にて加熱分散洗浄し、放冷後、析出した固体を濾過し、濾床をヘプタンで洗浄し、高真空下５０℃で乾燥し無色の固体である式（４－５）で表される化合物（３．２２ｇ，１２．６ｍｍｏｌ，７２％）を得た。
上記の「式（４－５）で表される化合物の合成工程１」と「式（４－５）で表される化合物の合成工程２」で得られた化合物を混合して、以下の「式（１－１）で表されるアントラセン誘導体の合成工程」に使用した。
アルゴン雰囲気下、３００ｍＬ反応器に、式（４－４）で表される化合物（３．６ｇ，１７．４ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、ビスピナコールジボラン（６．６２ｇ，２６．１ｍｍｏｌ，１．５ｅｑ．）、Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ２（１４２ｍｇ，０．１７４ｍｍｏｌ，０．０１ｅｑ．）、酢酸カリウム（３．７５ｇ，３８．２ｍｍｏｌ，２．２ｅｑ．）、脱気した酢酸イソプロピル（９０ｍＬ）を加え、バス温９０℃で８時間加熱撹拌した。放冷後、この黒褐色懸濁液をセライト濾過し、濾床を酢酸エチルにて洗浄し、濾液を濃縮して、黒褐色の固体（９．６１ｇ）を得た。これをカラム精製（ＳｉＯ２＝１５０ｇ，ヘキサン／酢酸エチル＝２／１→１／１）し、粘稠な固体（４．８６ｇ）を得た。これをＩＰＥ（ｃａ．３０ｍＬ）にて加熱分散洗浄し、放冷後、析出した固体を濾過し、濾床をヘプタンで洗浄し、高真空下５０℃で乾燥し無色の固体である式（４－５）で表される化合物（３．２２ｇ，１２．６ｍｍｏｌ，７２％）を得た。
上記の「式（４－５）で表される化合物の合成工程１」と「式（４－５）で表される化合物の合成工程２」で得られた化合物を混合して、以下の「式（１－１）で表されるアントラセン誘導体の合成工程」に使用した。
【0095】
「式（５－２）で表される化合物の合成工程」
アルゴン雰囲気下、２００ｍＬ反応器に、式（５－１）で表される２－クロロ－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（２．６７ｇ，１０．０ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、９－アントラセンボロン酸（２．４４ｇ，１１．０ｍｍｏｌ，１．１ｅｑ．）、Ｐｄ（Ｐｈ３Ｐ）４（０．２３１ｇ，０．２０ｍｍｏｌ，０．０２ｅｑ．）、炭酸水素ナトリウム（３．３６ｇ，４０．０ｍｍｏｌ，４．０ｅｑ．）、脱気トルエン（４０ｍＬ）、脱気蒸留水（４０ｍＬ）、脱気エタノール（１５ｍＬ）を加えた。この懸濁液をバス温８０℃に昇温して、８時間加熱撹拌した。放冷後、この褐色懸濁液にヘプタン（４０ｍＬ）を加え撹拌し、不溶物を濾過し、濾床を市水、メタノールにてかけ洗いし、高真空下６０℃で乾燥し、グレーの粉末（４．２６ｇ）を得た。これを加熱トルエン（３００ｍＬ）にて溶解させた後、ガレオンアースＶＲ－２（３０ｇ）を加え、１５分間８０℃にて撹拌し、これをセライト濾過し、濾床をトルエンにてかけ洗いし、濾液を濃縮して、薄黄色の粉末を得た。これをエタノールにて分散洗浄濾過し、メタノールにてかけ洗いし、高真空下６０℃で乾燥して、薄黄色の固体である式（５－２）で表される化合物（３．２ｇ，７．８ｍｍｏｌ，７８％，純度良くない）を得た。
アルゴン雰囲気下、２００ｍＬ反応器に、式（５－１）で表される２－クロロ－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（２．６７ｇ，１０．０ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、９－アントラセンボロン酸（２．４４ｇ，１１．０ｍｍｏｌ，１．１ｅｑ．）、Ｐｄ（Ｐｈ３Ｐ）４（０．２３１ｇ，０．２０ｍｍｏｌ，０．０２ｅｑ．）、炭酸水素ナトリウム（３．３６ｇ，４０．０ｍｍｏｌ，４．０ｅｑ．）、脱気トルエン（４０ｍＬ）、脱気蒸留水（４０ｍＬ）、脱気エタノール（１５ｍＬ）を加えた。この懸濁液をバス温８０℃に昇温して、８時間加熱撹拌した。放冷後、この褐色懸濁液にヘプタン（４０ｍＬ）を加え撹拌し、不溶物を濾過し、濾床を市水、メタノールにてかけ洗いし、高真空下６０℃で乾燥し、グレーの粉末（４．２６ｇ）を得た。これを加熱トルエン（３００ｍＬ）にて溶解させた後、ガレオンアースＶＲ－２（３０ｇ）を加え、１５分間８０℃にて撹拌し、これをセライト濾過し、濾床をトルエンにてかけ洗いし、濾液を濃縮して、薄黄色の粉末を得た。これをエタノールにて分散洗浄濾過し、メタノールにてかけ洗いし、高真空下６０℃で乾燥して、薄黄色の固体である式（５－２）で表される化合物（３．２ｇ，７．８ｍｍｏｌ，７８％，純度良くない）を得た。
【0096】
「式（５－３）で表される化合物の合成工程」
２００ｍＬ反応器に、式（５－２）で表される化合物（３．２ｇ，７．８１ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、ＮＢＳ（１．６７ｇ，９．３８ｍｍｏｌ，１．２ｅｑ．）、クロロホルム（６４ｍＬ）を加えた。この懸濁液をバス温７０℃で８時間加熱撹拌した。この懸濁液を濃縮し、残渣にメタノール（５０ｍＬ）を加え、５０℃にて３０分間撹拌し、放冷後、この懸濁液を濾過し、濾取した固体を再度エタノールにて超音波洗浄、濾過し、高真空下７０℃で乾燥して、黄色固体（３．９６ｇ，ｗｅｔ．）を得た。１Ｈ－ＮＭＲにて分析したところ、不純物が多かったので、これに酢酸エチル（３０ｍＬ）を加え、超音波分散洗浄、濾過し、高真空下６０℃で乾燥して、黄色の固体である式（５－３）で表される化合物（３．３５ｇ，６．８６ｍｍｏｌ，８７％）を得た。
２００ｍＬ反応器に、式（５－２）で表される化合物（３．２ｇ，７．８１ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、ＮＢＳ（１．６７ｇ，９．３８ｍｍｏｌ，１．２ｅｑ．）、クロロホルム（６４ｍＬ）を加えた。この懸濁液をバス温７０℃で８時間加熱撹拌した。この懸濁液を濃縮し、残渣にメタノール（５０ｍＬ）を加え、５０℃にて３０分間撹拌し、放冷後、この懸濁液を濾過し、濾取した固体を再度エタノールにて超音波洗浄、濾過し、高真空下７０℃で乾燥して、黄色固体（３．９６ｇ，ｗｅｔ．）を得た。１Ｈ－ＮＭＲにて分析したところ、不純物が多かったので、これに酢酸エチル（３０ｍＬ）を加え、超音波分散洗浄、濾過し、高真空下６０℃で乾燥して、黄色の固体である式（５－３）で表される化合物（３．３５ｇ，６．８６ｍｍｏｌ，８７％）を得た。
【0097】
「式（１－１）で表されるアントラセン誘導体の合成工程」
１００ｍＬ反応器に、式（５－３）で表される化合物（１．７７ｇ，３．６３ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、式（４－５）で表される化合物（１．２ｇ，４．７２ｍｍｏｌ，１．３ｅｑ．）、リン酸三カリウム（２．３ｇ，１０．９ｍｍｏｌ，３．０ｅｑ．）、脱気トルエン（３５ｍＬ）を加えた。この懸濁液を減圧下で脱気した後、Ｐｄ２（ｄｂａ）３（４１ｍｇ，０．１８１ｍｍｏｌ，０．０５ｅｑ．）、Ｓ－Ｐｈｏｓ（０．１７９ｇ，０．４３６ｍｍｏｌ，０．１２ｅｑ．）を加え、再度減圧下で脱気した。この懸濁液をバス温１２０℃で６時間加熱撹拌した。この懸濁液をトルエン（２００ｍＬ）に加え、８０℃に昇温し、析出した固体をセライト濾過した。濾床をトルエン（５０ｍＬ）にてかけ洗いし、濾液にガレオンアースＶＲ－２（５ｇ）を加え、バス温約８０℃に加熱し、熱いままセライト濾過した。濾液を濃縮し、残渣に酢酸エチル（２０ｍＬ）を加え、加熱分散洗浄、濾過し、濾液を濃縮して、黄色粉末（１．７６ｇ）を得た。この残渣にトルエン（３０ｍＬ）を加え、加熱放冷にて再結晶し、黄色固体を得た。これを高真空下８０℃で乾燥して、黄色固体である式（１－１）で表されるアントラセン誘導体（１．１９ｇ，２．２２ｍｍｏｌ，６１％）を得た。生成物の１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを図７に示す。
１００ｍＬ反応器に、式（５－３）で表される化合物（１．７７ｇ，３．６３ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、式（４－５）で表される化合物（１．２ｇ，４．７２ｍｍｏｌ，１．３ｅｑ．）、リン酸三カリウム（２．３ｇ，１０．９ｍｍｏｌ，３．０ｅｑ．）、脱気トルエン（３５ｍＬ）を加えた。この懸濁液を減圧下で脱気した後、Ｐｄ２（ｄｂａ）３（４１ｍｇ，０．１８１ｍｍｏｌ，０．０５ｅｑ．）、Ｓ－Ｐｈｏｓ（０．１７９ｇ，０．４３６ｍｍｏｌ，０．１２ｅｑ．）を加え、再度減圧下で脱気した。この懸濁液をバス温１２０℃で６時間加熱撹拌した。この懸濁液をトルエン（２００ｍＬ）に加え、８０℃に昇温し、析出した固体をセライト濾過した。濾床をトルエン（５０ｍＬ）にてかけ洗いし、濾液にガレオンアースＶＲ－２（５ｇ）を加え、バス温約８０℃に加熱し、熱いままセライト濾過した。濾液を濃縮し、残渣に酢酸エチル（２０ｍＬ）を加え、加熱分散洗浄、濾過し、濾液を濃縮して、黄色粉末（１．７６ｇ）を得た。この残渣にトルエン（３０ｍＬ）を加え、加熱放冷にて再結晶し、黄色固体を得た。これを高真空下８０℃で乾燥して、黄色固体である式（１－１）で表されるアントラセン誘導体（１．１９ｇ，２．２２ｍｍｏｌ，６１％）を得た。生成物の１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを図７に示す。
【0098】
「実施例１」
（有機ＥＬ素子の作製）
以下に示す方法により、有機ＥＬ素子１を製造し、評価した。
（有機ＥＬ素子の作製）
以下に示す方法により、有機ＥＬ素子１を製造し、評価した。
【0099】
［工程１］
基板２として、ＩＴＯからなる幅３ｍｍにパターニングされた電極（陽極３）を有する平均厚さ０．７ｍｍの市販の透明ガラス基板を用意した。
そして、陽極３を有する基板２を、アセトン中、イソプロパノール中でそれぞれ１０分間ずつ超音波洗浄し、イソプロパノール中で５分間煮沸した。その後、陽極３を有する基板２を、イソプロパノール中から取り出し、窒素ブローにより乾燥させ、ＵＶオゾン洗浄を２０分間行った。
基板２として、ＩＴＯからなる幅３ｍｍにパターニングされた電極（陽極３）を有する平均厚さ０．７ｍｍの市販の透明ガラス基板を用意した。
そして、陽極３を有する基板２を、アセトン中、イソプロパノール中でそれぞれ１０分間ずつ超音波洗浄し、イソプロパノール中で５分間煮沸した。その後、陽極３を有する基板２を、イソプロパノール中から取り出し、窒素ブローにより乾燥させ、ＵＶオゾン洗浄を２０分間行った。
【0100】
［工程２］
［工程１］において洗浄した陽極３の形成されている基板２を、スピンコーターにセットし、正孔注入層４として、へレウス社製正孔注入材料「Ｃｌｅｖｉｏｓ ＨＩＬ１．３Ｎ」をスピンコート、大気中で加熱処理を施し、１０ｎｍの正孔注入層４を成膜した。
［工程１］において洗浄した陽極３の形成されている基板２を、スピンコーターにセットし、正孔注入層４として、へレウス社製正孔注入材料「Ｃｌｅｖｉｏｓ ＨＩＬ１．３Ｎ」をスピンコート、大気中で加熱処理を施し、１０ｎｍの正孔注入層４を成膜した。
【0101】
［工程３］
次に、正孔注入層４までの各層が形成された基板２を、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。真空蒸着装置のチャンバー内を１×１０－５Ｐａの圧力となるまで減圧した。
正孔注入層４上に正孔輸送層５として、まず、下記構造式：
で表される２－ＳＦ－ＰＨＸ（イオン化エネルギー（計算値）＝４．５５ｅＶ）と、ノバレッド社のｐ型ドーパントであるＮＤＰ－９を質量比９：１で３０ｎｍ蒸着し、その後、２－ＳＦ－ＰＨＸを１０ｎｍ蒸着した。更に、発光層６として、構造式（１－１）で表されるアントラセン誘導体（電子親和力（計算値）＝２．３０ｅＶ、イオン化エネルギー（計算値）＝５．７０ｅＶ）を３０ｎｍ蒸着した膜を形成した。
次に、正孔注入層４までの各層が形成された基板２を、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。真空蒸着装置のチャンバー内を１×１０－５Ｐａの圧力となるまで減圧した。
正孔注入層４上に正孔輸送層５として、まず、下記構造式：
【化8】
【0102】
発光層６を製膜した後に、電子注入層７として、下記構造式（２－１）で表される化合物を３ｎｍ蒸着した。
なお、上記構造式（２－１）で表される化合物は、Ｔ．Ｓａｓａｋｉ， Ｍ．Ｈａｓｅｇａｗａ， Ｋ．Ｉｎａｇａｋｉ， Ｈ．Ｉｔｏ， Ｋ．Ｓｕｚｕｋｉ， Ｔ．Ｏｏｎｏ， Ｋ．Ｍｏｒｉｉ， Ｔ．Ｓｈｉｍｉｚｕ ａｎｄ Ｈ．Ｆｕｋａｇａｗａ， Ｎａｔｕｒｅ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，１２，ｐｐ．２７０６．１，ＤＯＩ：１０．１０３８／ｓ４１４６７－０２１－２３０６７－２に記載の方法に従って合成した。
【化9】
【0103】
次に、電子注入層７まで形成した基板２上に、真空蒸着法によりアルミニウムからなる膜厚１００ｎｍの陰極８を成膜した。
なお、陰極８は、ステンレス製の蒸着マスクを用いて蒸着面が幅３ｍｍの帯状になるように形成し、作製した有機ＥＬ素子の発光面積を９ｍｍ２とした。
なお、陰極８は、ステンレス製の蒸着マスクを用いて蒸着面が幅３ｍｍの帯状になるように形成し、作製した有機ＥＬ素子の発光面積を９ｍｍ２とした。
【0104】
［工程４］
次に、陰極８までの各層を形成した基板２を、凹状の空間を有するガラスキャップ（封止容器）に収容し、紫外線（ＵＶ）硬化樹脂からなるシール材を充填することにより封止し、実施例１の有機ＥＬ素子を得た。
次に、陰極８までの各層を形成した基板２を、凹状の空間を有するガラスキャップ（封止容器）に収容し、紫外線（ＵＶ）硬化樹脂からなるシール材を充填することにより封止し、実施例１の有機ＥＬ素子を得た。
【0105】
「比較例１」
発光層６に用いる材料を、ベンゾニトリル含むことで、９－（１－ナフチル）－１０－（２－ナフチル）アントラセン等の単純芳香族アントラセン誘導体よりも電子親和力が大きい、下記構造式（６－１）で表される化合物（非特許文献１記載）としたこと以外は、実施例１と同様にして、比較例１の有機ＥＬ素子を作製した。
発光層６に用いる材料を、ベンゾニトリル含むことで、９－（１－ナフチル）－１０－（２－ナフチル）アントラセン等の単純芳香族アントラセン誘導体よりも電子親和力が大きい、下記構造式（６－１）で表される化合物（非特許文献１記載）としたこと以外は、実施例１と同様にして、比較例１の有機ＥＬ素子を作製した。
【化10】
【0106】
（有機ＥＬ素子の特性評価）
このようにして得られた実施例及び比較例の素子に対して、ケースレー社製の「２４００型ソースメーター」を用いて電圧を印加し、コニカミノルタ社製の「ＬＳ－１００」を用いて輝度を測定し、印加電圧と輝度の関係を調べた。また、印加電圧と電流密度の関係、及び発光スペクトルを調べた。これらの結果を図８に示す。
このようにして得られた実施例及び比較例の素子に対して、ケースレー社製の「２４００型ソースメーター」を用いて電圧を印加し、コニカミノルタ社製の「ＬＳ－１００」を用いて輝度を測定し、印加電圧と輝度の関係を調べた。また、印加電圧と電流密度の関係、及び発光スペクトルを調べた。これらの結果を図８に示す。
【0107】
図８（ａ）に、実施例１および比較例１の印加電圧－電流密度特性を示す。
実施例１の方が比較例１よりも低い印加電圧で電流の立ち上がりが観測できた。これは発光層６に用いた材料の電子親和力が、構造式（６－１）で表される化合物よりも、構造式（１－１）で表されるアントラセン誘導体の方が大きいことに起因する。
実施例１の方が比較例１よりも低い印加電圧で電流の立ち上がりが観測できた。これは発光層６に用いた材料の電子親和力が、構造式（６－１）で表される化合物よりも、構造式（１－１）で表されるアントラセン誘導体の方が大きいことに起因する。
【0108】
【産業上の利用可能性】
【0109】
本発明のアントラセン誘導体は、有機ＥＬ素子等の発光素子の形成に利用できる。
【符号の説明】
【0110】
１：有機ＥＬ素子、 ２：基板、 ３：陽極、 ４：正孔注入層、 ５：正孔輸送層、 ６：発光層、 ７：電子注入層、 ８：陰極
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】