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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024001969
(43)【公開日】2024-01-11
(54)【発明の名称】発光装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 33/48 20100101AFI20231228BHJP
【ＦＩ】
H01L33/48
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022100861
(22)【出願日】2022-06-23
(71)【出願人】
【識別番号】000226057
【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100108062
【弁理士】
【氏名又は名称】日向寺 雅彦
(74)【代理人】
【識別番号】100168332
【弁理士】
【氏名又は名称】小崎 純一
(74)【代理人】
【識別番号】100172188
【弁理士】
【氏名又は名称】内田 敬人
(72)【発明者】
【氏名】山岡 賢介
(72)【発明者】
【氏名】由宇 広樹
【テーマコード（参考）】
5F142
【Ｆターム（参考）】
5F142AA02
5F142AA66
5F142AA76
5F142BA32
5F142CB23
5F142CD02
5F142CD15
5F142CF13
5F142CF23
5F142CG24
5F142DA13
5F142FA14
5F142FA21
5F142FA24
5F142FA32
(57)【要約】
【課題】信頼性が高い発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置の製造方法は、第１構造体を準備する工程と、第２構造体を準備する工程と、発光素子を移載する工程と、を備える。第１構造体は、第１基板、第１基板の第１面に配置された剥離層、および、剥離層を介して第１基板に固定された１以上の発光素子を含む。発光素子は剥離層に対向する第３面および第３面の反対側の第４面を有する。平面視で第４面は第３面よりも大きい。平面視で剥離層は第４面を内包する。第２構造体は第２基板を含む。発光素子を移載する工程においては、第１基板の第１面を第２基板の上面に対向させた状態で、第１基板の第２面側から剥離層にレーザ光を照射することにより、剥離層を除去して、発光素子を第１基板から第２基板に移載する。
【選択図】図１０
【解決手段】発光装置の製造方法は、第１構造体を準備する工程と、第２構造体を準備する工程と、発光素子を移載する工程と、を備える。第１構造体は、第１基板、第１基板の第１面に配置された剥離層、および、剥離層を介して第１基板に固定された１以上の発光素子を含む。発光素子は剥離層に対向する第３面および第３面の反対側の第４面を有する。平面視で第４面は第３面よりも大きい。平面視で剥離層は第４面を内包する。第２構造体は第２基板を含む。発光素子を移載する工程においては、第１基板の第１面を第２基板の上面に対向させた状態で、第１基板の第２面側から剥離層にレーザ光を照射することにより、剥離層を除去して、発光素子を第１基板から第２基板に移載する。
【選択図】図１０
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１面および前記第１面の反対側の第２面を有する第１基板、前記第１面に配置された剥離層、および、前記剥離層を介して前記第１基板の前記第１面側に固定された１以上の発光素子を含み、前記１以上の発光素子は前記剥離層に対向する第３面および前記第３面の反対側の第４面を有し、平面視で前記第４面は前記第３面よりも大きく、平面視で前記剥離層は前記第４面を内包する第１構造体を準備する工程と、
上面を有する第２基板を含む第２構造体を準備する工程と、
前記１以上の発光素子が前記第１基板と前記第２基板の間に配置されるように前記第１基板の前記第１面を前記第２基板の前記上面に対向させた状態で、前記第１基板の前記第２面側から前記剥離層にレーザ光を照射することにより、前記剥離層を除去して、前記１以上の発光素子を前記第１基板から前記第２基板に移載する工程と、
を備えた発光装置の製造方法。
上面を有する第２基板を含む第２構造体を準備する工程と、
前記１以上の発光素子が前記第１基板と前記第２基板の間に配置されるように前記第１基板の前記第１面を前記第２基板の前記上面に対向させた状態で、前記第１基板の前記第２面側から前記剥離層にレーザ光を照射することにより、前記剥離層を除去して、前記１以上の発光素子を前記第１基板から前記第２基板に移載する工程と、
を備えた発光装置の製造方法。
【請求項2】
前記１以上の発光素子は複数の前記発光素子であり、
前記剥離層は、それぞれが各前記発光素子と対をなして配置される複数の層を有し、
平面視で、各前記層は各前記発光素子の前記第４面を内包する請求項１に記載の発光装置の製造方法。
前記剥離層は、それぞれが各前記発光素子と対をなして配置される複数の層を有し、
平面視で、各前記層は各前記発光素子の前記第４面を内包する請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項3】
前記１以上の発光素子は複数の前記発光素子であり、
平面視で、前記剥離層は前記複数の発光素子の全ての前記第４面を内包する請求項１に記載の発光装置の製造方法。
平面視で、前記剥離層は前記複数の発光素子の全ての前記第４面を内包する請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項4】
前記第１構造体は、前記剥離層と前記発光素子との間に配置された光減衰層をさらに含み、
前記移載する工程の後、前記光減衰層を除去する工程をさらに備えた請求項１～３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
前記移載する工程の後、前記光減衰層を除去する工程をさらに備えた請求項１～３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項5】
前記発光素子は、前記第３面と前記第４面とを接続する第５面をさらに有し、
前記光減衰層は前記第５面を覆う請求項４に記載の発光装置の製造方法。
前記光減衰層は前記第５面を覆う請求項４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項6】
前記第１構造体は、前記剥離層と前記光減衰層との間に配置された接着層をさらに含む請求項４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項7】
前記第１構造体を準備する工程は、
支持基板、前記支持基板上に配置された１以上の半導体積層体、前記１以上の半導体積層体の前記支持基板と対向する面の反対側の面に配置された電極部、ならびに、前記支持基板上であって、各前記半導体積層体および各前記電極部の周囲に配置され各前記半導体積層体および各前記電極部を保持する前記光減衰層を含み、前記電極部の電極面が前記光減衰層から露出する第３構造体を準備する工程と、
前記第１基板および前記剥離層を含む第４構造体を準備する工程と、
前記第３構造体における前記電極部の前記電極面と前記第４構造体における前記剥離層とを対向させた状態で、前記電極部の前記電極面を前記剥離層に接着する工程と、
前記接着する工程の後、前記支持基板を除去する工程と、
を有する請求項４に記載の発光装置の製造方法。
支持基板、前記支持基板上に配置された１以上の半導体積層体、前記１以上の半導体積層体の前記支持基板と対向する面の反対側の面に配置された電極部、ならびに、前記支持基板上であって、各前記半導体積層体および各前記電極部の周囲に配置され各前記半導体積層体および各前記電極部を保持する前記光減衰層を含み、前記電極部の電極面が前記光減衰層から露出する第３構造体を準備する工程と、
前記第１基板および前記剥離層を含む第４構造体を準備する工程と、
前記第３構造体における前記電極部の前記電極面と前記第４構造体における前記剥離層とを対向させた状態で、前記電極部の前記電極面を前記剥離層に接着する工程と、
前記接着する工程の後、前記支持基板を除去する工程と、
を有する請求項４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項8】
前記１以上の発光素子は複数の前記発光素子であり、
前記移載する工程においては、前記剥離層における前記複数の発光素子のそれぞれに対応する部分にガルバノ方式でレーザ光の出射方向を制御しながら前記レーザ光を照射する請求項１～３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
前記移載する工程においては、前記剥離層における前記複数の発光素子のそれぞれに対応する部分にガルバノ方式でレーザ光の出射方向を制御しながら前記レーザ光を照射する請求項１～３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項9】
前記レーザ光は、前記発光素子の前記第３面に対して斜めに照射される請求項８に記載の発光装置の製造方法。
【請求項10】
前記レーザ光の強度分布はトップハット型である請求項８に記載の発光装置の製造方法。
【請求項11】
前記第２構造体は前記第２基板の上面側に配置される粘着層をさらに含み、
前記移載する工程において、前記１以上の発光素子を前記粘着層を介して前記第２基板に接着させる請求項１～３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
前記移載する工程において、前記１以上の発光素子を前記粘着層を介して前記第２基板に接着させる請求項１～３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示の実施形態は、発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、基板上に複数の発光素子が配置された発光装置が開示されている。このような発光装置では、信頼性の向上が要求されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１０－２５１３５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示の実施形態は、信頼性が高い発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施形態に係る発光装置の製造方法は、第１構造体を準備する工程と、第２構造体を準備する工程と、発光素子を移載する工程と、を備える。前記第１構造体は、第１面および前記第１面の反対側の第２面を有する第１基板、前記第１面に配置された剥離層、および、前記剥離層を介して前記第１基板の前記第１面側に固定された１以上の前記発光素子を含む。前記１以上の発光素子は前記剥離層に対向する第３面および前記第３面の反対側の第４面を有する。平面視で前記第４面は前記第３面よりも大きい。平面視で前記剥離層は前記第４面を内包する。前記第２構造体は、上面を有する第２基板を含む。前記発光素子を移載する工程においては、前記１以上の発光素子が前記第１基板と前記第２基板の間に配置されるように前記第１基板の前記第１面を前記第２基板の前記上面に対向させた状態で、前記第１基板の前記第２面側から前記剥離層にレーザ光を照射することにより、前記剥離層を除去して、前記１以上の発光素子を前記第１基板から前記第２基板に移載する。
【発明の効果】
【0006】
本開示の実施形態によれば、信頼性が高い発光装置の製造方法を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を模式的に示す端面図である。
【図2】第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を模式的に示す端面図である。
【図3】第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を模式的に示す端面図である。
【図4】第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を模式的に示す端面図である。
【図5】第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を模式的に示す端面図である。
【図6】第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を模式的に示す端面図である。
【図7】第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を模式的に示す平面図である。
【図9】第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を模式的に示す端面図である。
【図10】第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を模式的に示す端面図である。
【図11】第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を模式的に示す端面図である。
【図12】第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を模式的に示す端面図である。
【図13】第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を模式的に示す端面図である。
【図14】第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を模式的に示す端面図である。
【図15】第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を模式的に示す端面図である。
【図16A】発光素子の移載後のリワーク工程を模式的に示す端面図である。
【図16B】発光素子の移載後のリワーク工程を模式的に示す端面図である。
【図16C】発光素子の移載後のリワーク工程を模式的に示す端面図である。
【図16D】発光素子の移載後のリワーク工程を模式的に示す端面図である。
【図17】第１の実施形態の第１の変形例に係る発光装置の製造方法を模式的に示す端面図である。
【図18】第１の実施形態の第１の変形例に係る発光装置の製造方法を模式的に示す端面図である。
【図19】第１の実施形態の第２の変形例において使用するガルバノレーザ装置を模式的に示す図である。
【図20】第１の実施形態の第２の変形例に係る発光装置の製造方法を模式的に示す端面図である。
【図21】レーザ光の強度分布を示す図である。
【図22】第２の実施形態に係る発光装置を模式的に示す斜め上側から見た斜視図である。
【図23】第２の実施形態に係る発光装置を模式的に示す斜め下側から見た斜視図である。
【図27A】第２の実施形態に係る発光装置の製造方法を模式的に示す端面図である。
【図27B】第２の実施形態に係る発光装置の製造方法を模式的に示す端面図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、図面を参照しながら、本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。以下では、本実施形態の技術思想を具現化するための形態を例示するものであって、以下に限定するものではない。また、実施形態に記載されている構成部の寸法、材質、形状、又はその相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本開示の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさ又は位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。また、以下の説明において、同一の名称又は符号については、同一もしくは同質の部材を示しており詳細説明を適宜省略する。また、断面図として、切断面のみを示す端面図を示す場合がある。
【0009】
以下の説明において、特定の方向又は位置を示す用語（例えば、「上」、「下」及びそれらの用語を含む別の用語）を用いる場合がある。しかしながら、それらの用語は、参照した図面における相対的な方向又は位置を分かり易さのために用いているに過ぎない。参照した図面における「上」、「下」等の用語による相対的な方向又は位置の関係が同一であれば、本開示以外の図面や実際の製品等において、参照した図面と同一の配置でなくてもよい。本明細書において「上（または下）」と表現する位置関係は、例えば、２つの部材があると仮定した場合に、２つの部材が接している場合と、２つの部材が接しておらず一方の部材が他方の部材の上方（または下方）に位置している場合と、の双方を含む場合がある。また、複数に分割される各層に対して分割前と分割後で同じ用語を用いることがある。
【0010】
＜第１の実施形態＞
図１～図６は、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す端面図である。
図７は、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。
図８は、図７に示すVIII－VIII線による端面図である。
図９～図１５は、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す端面図である。
図１～図６は、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す端面図である。
図７は、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。
図８は、図７に示すVIII－VIII線による端面図である。
図９～図１５は、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す端面図である。
【0011】
第１の実施形態に係る発光装置１の製造方法は、第１構造体１０を準備する工程と、第２構造体２０を準備する工程と、発光素子５０を移載する工程と、を備える。
【0012】
（第１構造体を準備する工程）
第１構造体１０を準備する工程は、第３構造体３０を準備する工程と、第４構造体４０を準備する工程と、第３構造体３０と第４構造体４０とを接着させる工程と、支持基板６０を除去する工程と、を含む。また、上記により準備される第１構造体１０は、第１面１１ａおよび第２面１１ｂを有する第１基板１１、第１面１１ａに配置された剥離層１２、および第１基板１１の第１面１１ａ側に剥離層１２を介して固定された１以上の発光素子５０を含む。
以下、詳細に各工程を説明する。
第１構造体１０を準備する工程は、第３構造体３０を準備する工程と、第４構造体４０を準備する工程と、第３構造体３０と第４構造体４０とを接着させる工程と、支持基板６０を除去する工程と、を含む。また、上記により準備される第１構造体１０は、第１面１１ａおよび第２面１１ｂを有する第１基板１１、第１面１１ａに配置された剥離層１２、および第１基板１１の第１面１１ａ側に剥離層１２を介して固定された１以上の発光素子５０を含む。
以下、詳細に各工程を説明する。
【0013】
先ず、図１に示すように、支持基板６０と、支持基板６０の上面６０ａ上に配置される１以上の発光素子５０と、を準備する。支持基板６０は、例えばシリコン基板またはサファイア基板である。支持基板６０は、成長基板であってよい。支持基板６０は、上面６０ａを有し、例えば平板状の基板である。１以上の発光素子５０となる部分の形成方法は、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法により支持基板６０の上面６０ａに半導体積層膜を成長させ、その上に電極部５２を形成する。次に、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法などのドライエッチングやウェットエッチングにより半導体積層膜の一部を除去する。これにより、１以上の発光素子５０となる部分（以下、単に「発光素子５０」ともいう。）が形成される。１以上の発光素子５０は、例えば、平面視において互いに直交する２方向に沿って行列状に配列されている。
【0014】
発光素子５０は、半導体積層体５１および電極部５２を含む。半導体構造体１０は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）などの窒化物半導体を含む。半導体構造体１０は、ｐ型層と、ｎ型層と、ｐ型層とｎ型層との間に位置する発光層とを含む。発光層は、例えば、複数の障壁層と複数の井戸層とを含み、障壁層と井戸層とが交互に積層された多重量子井戸構造とすることができる。電極部５２は、ｐ型層に接続されたｐ側電極と、ｎ型層に接続されたｎ側電極を含む。電極部５２は、半導体積層体５１の反対側にある電極面５２ａを有する。
【0015】
発光素子５０は、支持基板６０と対向する第４面５０ｂ、第４面５０ｂの反対側の第３面５０ａ、および第３面５０ａと第４面５０ｂとを接続する第５面５０ｃを有する。電極部５２は第３面５０ａ側に配置されている。第５面５０ｃは、凹部または凸部を含んでいてよい。
【0016】
平面視で、第４面５０ｂは第３面５０ａよりも大きい。また、平面視で、第４面５０ｂの外形は、第３面５０ａの外形の外側に位置する。第３面５０ａの平面積に対する第４面５０ｂの平面積は、例えば、１．１倍～２倍であり、１．１倍～１．５倍であることが好ましく、１．１倍～１．２倍であることがより好ましい。第１の実施形態では、第５面５０ｃは支持基板６０の上面６０ａに直交する方向に対して傾斜している。一例では、発光素子５０の形状は四角錐台形である。発光素子５０の形状が四角錐台形である場合、第４面５０ｂは四角錐台形の下面、第３面５０ａは四角錐台形の上面、第５面５０ｃは四角錐台形の側面に対応する。
【0017】
次に、図２に示すように、支持基板６０の上面６０ａ上に光減衰層１３を配置する。光減衰層１３は、半導体積層体５１および電極部５２を覆う。第１の実施形態では、光減衰層１３は、隣り合う発光素子５０間の支持基板６０の上面６０ａと、発光素子５０の第３面５０ａおよび第５面５０ｃと、を被覆しており、半導体積層体５１および電極部５２を内包している。光減衰層１３は、例えば、樹脂部材である。光減衰層１３は、例えば、黒色の樹脂部材であってよい。光減衰層１３は、例えば、主成分として、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、又はポリイミド樹脂を含むことができる。
【0018】
次に、図３に示すように、電極部５２の上方に配置されている光減衰層１３を除去する。光減衰層１３の除去は、例えば、研削装置を用いて行う。このとき、光減衰層１３が除去されると共に、電極部５２も電極面５２ａ側から除去されて、電極部５２に新たな電極面５２ｂが形成される。電極部５２の上方に配置されている光減衰層１３を除去することで、電極部５２の電極面５２ｂが光減衰層１３から露出する。第１の実施形態では、電極部５２の電極面５２ｂ、各発光素子５０の電極面５２ｂ間に入り込む光減衰層１３の上面、および隣り合う発光素子５０間に入り込む光減衰層１３の上面は同一面上に位置している。このようにして、第３構造体３０が準備される。
【0019】
第３構造体３０は、支持基板６０、支持基板６０上に配置される１以上の発光素子５０、および光減衰層１３を含む。光減衰層１３は、各発光素子５０の周囲に配置され、各発光素子５０を保持する。光減衰層１３は、各発光素子５０の電極部５２間、および、隣り合う発光素子５０間に入り込んでいる。光減衰層１３は、後の工程で支持基板６０を除去する際に、各発光素子５０が離散することを抑制し、発光素子５０の位置を固定する役割を有する。電極部５２の電極面５２ｂは光減衰層１３から露出している。
【0020】
次に、図４に示すように、第４構造体４０を準備する。第４構造体４０を準備する工程は、第３構造体３０を準備する工程の前でもよく、後でもよく、または同時でもよい。第４構造体４０は、第１基板１１および剥離層１２を含む。第１基板１１は、後述するレーザ光８０を透過可能な基板であり、例えば、サファイア基板である。第１基板１１は、第１面１１ａと第１面１１ａの反対側にある第２面１１ｂを有する。剥離層１２は、第１基板１１の第１面１１ａ上に配置されている。剥離層１２は、例えば、後述するレーザ光８０を吸収しレーザーアブレーションにより除去可能な部材であればよく、例えば感光性樹脂である。
【0021】
次に、図５に示すように、第３構造体３０における電極部５２の電極面５２ｂと、第４構造体４０における剥離層１２とを対向させた状態で、接着層７０を介して電極部５２の電極面５２ｂと剥離層１２とを接着する。接着層７０は、上面において、第３構造体３０の電極部５２の電極面５２ｂ、各発光素子５０の電極部５２間に入り込む光減衰層１３、および隣り合う発光素子５０間に入り込む光減衰層１３と接している。また、接着層７０は、下面において、剥離層１２の上面と接している。
【0022】
接着層７０は、例えばシート状の部材である。第３構造体３０と第４構造体４０を接着する直前の状態において、接着層７０は、第３構造体３０側に配置されていてもよく、第４構造体４０側に配置されていてもよい。接着層７０は、公知の部材から形成されてよい。接着層７０は、例えばシリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂や、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、メチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂などの熱可塑性樹脂を主成分として含む。
【0023】
次に、図６に示すように、支持基板６０を除去する。支持基板６０は、例えば、ＬＬＯ（Laser Lift Off）法、研削、研磨、エッチング等の方法によって除去することができる。これにより、支持基板６０を除去した側の面において、発光素子５０の第４面５０ｂおよび発光素子５０間の光減衰層１３が外部に露出する。
【0024】
次に、図７および図８に示すように、光減衰層１３、接着層７０および剥離層１２を選択的に除去して、発光素子５０毎に個片化する。光減衰層１３等の選択的な除去は、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法や、ＲＩＥ法などのエッチングにより行う。第１の実施形態では、隣り合う発光素子５０間において、光減衰層１３、接着層７０および剥離層１２が分割される。これにより、隣り合う発光素子５０間において、第１基板１１の上面１１ａが外部に露出している。また、複数の層１２ａに分割された各層１２ａは、発光素子５０と対をなして配置されている。このようにして、第１構造体１０が準備される。第１構造体１０において、剥離層１２は複数の層１２ａの総称である。
【0025】
第１構造体１０は、第１基板１１および複数の構造体１５を含む。第１基板１１は第１面１１ａおよび第１面１１ａの反対側にある第２面１１ｂを有する。複数の構造体１５は、第１基板１１の第１面１１ａ上に配置されている。構造体１５は、第１基板１１の第１面１１ａ側から順に、剥離層１２の層１２ａ、接着層７０および発光素子５０を含み、発光素子５０の周囲に配置される光減衰層１３を含む。剥離層１２は、第１基板１１の第１面１１ａに配置されている。また、発光素子５０は接着層７０および剥離層１２の層１２ａを介して、第１基板１１の第１面１１ａ側に固定されている。光減衰層１３は、接着層７０と発光素子５０との間に配置されている。また、光減衰層１３は、発光素子５０の第３面５０ａおよび第５面５０ｃを覆い、第４面５０ｂは覆っていない。接着層７０は剥離層１２と光減衰層１３との間、および、剥離層１２と発光素子５０との間に配置されている。
【0026】
発光素子５０は、剥離層１２に対向する第３面５０ａ、第３面５０ａの反対側の第４面５０ｂ、および第３面５０ａと第４面５０ｂとを接続する第５面５０ｃを有する。発光素子５０の第３面５０ａ側には電極部５２が配置されており、電極部５２の電極面５２ｂは接着層７０に接している。平面視で、第４面５０ｂは第３面５０ａよりも大きい。また、平面視で、剥離層１２の各層１２ａは、発光素子５０の第４面５０ｂを内包する。
【0027】
（第２構造体を準備する工程）
次に、図９に示すように、第２構造体２０を準備する。第２構造体２０を準備する工程は、第１構造体１０を準備する工程の前でもよく、後でもよく、または同時でもよい。第２構造体２０は、第２基板２１および粘着層２２を含む。第２基板２１は、例えばガラス基板である。第２基板２１は上面２１ａを有し、粘着層２２は第２基板２１の上面２１ａに配置されている。粘着層２２は、例えば、シリコーン系樹脂やアクリル系樹脂を母材として含む樹脂部材を用いることができる。
次に、図９に示すように、第２構造体２０を準備する。第２構造体２０を準備する工程は、第１構造体１０を準備する工程の前でもよく、後でもよく、または同時でもよい。第２構造体２０は、第２基板２１および粘着層２２を含む。第２基板２１は、例えばガラス基板である。第２基板２１は上面２１ａを有し、粘着層２２は第２基板２１の上面２１ａに配置されている。粘着層２２は、例えば、シリコーン系樹脂やアクリル系樹脂を母材として含む樹脂部材を用いることができる。
【0028】
（発光素子を移載する工程）
次に、図１０に示すように、第１構造体１０を第２構造体２０に対向させる。具体的には、発光素子５０が第１基板１１と第２基板２１との間に配置されるように、第１基板１１の第１面１１ａと第２基板２１の上面２１ａとを対向させる。このとき、第１構造体１０は第２構造体２０から離隔して配置される。すなわち、発光素子５０は粘着層２２から離隔している。
次に、図１０に示すように、第１構造体１０を第２構造体２０に対向させる。具体的には、発光素子５０が第１基板１１と第２基板２１との間に配置されるように、第１基板１１の第１面１１ａと第２基板２１の上面２１ａとを対向させる。このとき、第１構造体１０は第２構造体２０から離隔して配置される。すなわち、発光素子５０は粘着層２２から離隔している。
【0029】
この状態で、第１基板１１の第２面１１ｂ側から、剥離層１２に対してレーザ光８０を照射する。レーザ光８０は、第１基板１１を透過し、剥離層１２を除去することができる光である。レーザ光８０の照射は、例えば中長波レーザを使用して行われる。レーザ光８０は、例えば、１５０ｎｍ以上１６００ｎｍ以下の波長範囲に発光ピーク波長を有する光であり、１５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長範囲に発光ピーク波長を有する光であることが好ましく、２５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の波長範囲に発光ピーク波長を有する光であることがさらに好ましい。レーザ光８０は、第１基板１１の第２面１１ｂから第１面１１ａに向かう方向において第１基板１１を透過して、剥離層１２に到達する。レーザ光８０は、例えば、１回の照射において、１つの層１２ａのみに照射される。なお、レーザ光８０は、１回の照射において、２つ以上の層１２ａに照射されてもよく、すべての層１２ａに対して照射されてもよい。また、レーザ光８０は、各層１２ａに対して２回以上照射されてもよい。
【0030】
これにより、図１１に示すように、レーザ光８０が照射された剥離層１２の層１２ａが除去される。この場合の除去は、例えば、剥離層１２の層１２ａが昇華し消失する形態を含む。層１２ａが昇華して除去される場合、発光素子５０が第１基板１１から離れると共に、層１２ａの昇華に伴う体積膨張により、発光素子５０が第２基板２１に向かって付勢される。この結果、発光素子５０は第１基板１１から第２基板２１に向けて移動する。なお、第１基板１１を第２基板２１の上方に配置した場合には、発光素子５０は重力によっても第２基板２１に向けて付勢される。なお、発光素子５０が移載される限りにおいて、剥離層１２の層１２ａは、すべてが除去されてもよく、一部のみが除去されてもよい。また、レーザ光８０により、剥離層１２に加えて、剥離層１２の下方に配置される接着層７０の少なくとも一部を除去してもよい。
【0031】
第１基板１１から離れた発光素子５０は第２構造体２０の粘着層２２に到達し、粘着層２２を介して第２基板２１に接着される。以後、剥離層１２のその他の層１２ａに対してレーザ光８０の照射を繰り返すことにより、複数の発光素子５０を順次、第１基板１１から第２基板２１に移動させる。このようにして、１以上の発光素子５０は第１基板１１から第２基板２１に移載される。なお、光減衰層１３および接着層７０の少なくとも一部は、発光素子５０上に残存している。
【0032】
次に、図１２に示すように、光減衰層１３を除去する。光減衰層１３を除去する方法は、例えば、ＲＩＥ法などのエッチング法である。光減衰層１３を除去することで、光減衰層１３上に配置されている接着層７０も同時に除去される。なお、ＲＩＥ法で光減衰層１３を除去した後に、純水等を用いて洗浄工程を行ってもよい。
【0033】
次に、図１３に示すように、第２基板２１上に配置された発光素子５０を配線基板３１上に配置する。具体的には、上面に配線を有する配線基板３１を準備し、発光素子５０の電極部５２を下にした状態で発光素子５０を配線基板３１の上面上に配置する。発光素子５０の電極部５２と配線基板３１上の配線とが電気的に接続される。発光素子５０の電極部５２および配線基板３１上の配線の電気的な接続は、例えば接合部材を介して行われる。接合部材は、例えば、金または銅からなる。
【0034】
次に、図１４に示すように、粘着層２２とともに第２基板２１を除去する。このようにして、本実施形態に係る発光装置１が製造される。なお、発光装置１は、後述する第２の実施形態のように、発光素子５０からの光の少なくとも一部を波長変換する蛍光体を含む蛍光体部材や、発光素子５０の周囲に配置される光反射性の高い樹脂部材を備えていてもよい。
【0035】
第１構造体１０、第２構造体２０、第３構造体３０および第４構造体４０は、上記製造により準備してもよく、また譲受等により準備してもよい。
【0036】
また、図１５に示すように、レーザ光８０を照射する工程において、一部の発光素子５０に対してレーザ光を照射しなくてもよい。具体的には、発光装置１を製造する工程は、第１構造体１０を準備する工程において、各発光素子５０の検査を行い、この検査で不良となる発光素子５０Ｎを検出する工程と、１以上の発光素子を移載する工程において、検査において不良と判定された発光素子５０Ｎに対応する剥離層１２の層１２ａ以外の層１２ａに対してレーザ光８０を照射する工程と、を備えていてよい。検査は、発光素子５０の外観を検査する外観検査であってもよく、発光素子５０の電気的特性を評価する電気的特性評価であってもよい。これにより、不良の発光素子５０Ｎの移載は行わず、それ以外の良品の発光素子５０のみを移載することができる。このようにして、外観検査等において不良と判定された発光素子５０Ｎを除去できるため、良品の発光素子５０のみを後の工程で使用することができる。なお、同様に、良品となる発光素子５０を検査で検出し、良品となる発光素子５０に対応する剥離層１２の層１２ａに対してレーザ光８０を照射して、良品となる発光素子５０のみを移載してもよい。
【0037】
また、発光装置１を製造する工程は、１以上の発光素子５０を移載する工程の後に、リワーク工程をさらに含んでいてよい。リワーク工程は、移載後の第２基板２１上の発光素子５０の移載状態を検査し、移載状態が不良の発光素子５０Ｒまたは発光素子５０が配置されていない領域Ｒを検出する工程と、移載状態が不良の発光素子５０Ｒがある場合はこの発光素子５０Ｒを除去する工程と、除去された発光素子５０Ｒが配置されていた領域または発光素子５０が配置されていない領域Ｒに新たな発光素子５０を配置する工程と、を含む。
【0038】
図１６Ａ～図１６Ｄは、発光素子の移載後のリワーク工程を示す端面図である。
具体的には、図１６Ａに示すように、移載後の第２基板２１上の発光素子５０の移載状態を検査し、移載状態が不良の発光素子５０Ｒまたは発光素子５０が配置されていない領域Ｒを検出する。移載状態が不良の発光素子５０Ｒは、移載後の位置が基準位置からいずれかの方向にずれている発光素子を含んでいる。また、領域Ｒは、本来、発光素子５０が配置されているべき領域であるが、実際には発光素子５０が配置されていない領域である。まずは、外観検査することにより、このような移載状態が不良の発光素子５０Ｒおよび領域Ｒを検出する。
具体的には、図１６Ａに示すように、移載後の第２基板２１上の発光素子５０の移載状態を検査し、移載状態が不良の発光素子５０Ｒまたは発光素子５０が配置されていない領域Ｒを検出する。移載状態が不良の発光素子５０Ｒは、移載後の位置が基準位置からいずれかの方向にずれている発光素子を含んでいる。また、領域Ｒは、本来、発光素子５０が配置されているべき領域であるが、実際には発光素子５０が配置されていない領域である。まずは、外観検査することにより、このような移載状態が不良の発光素子５０Ｒおよび領域Ｒを検出する。
【0039】
次に、移載状態が不良の発光素子５０Ｒを含む場合は、図１６Ｂに示すように、移載状態が不良の発光素子５０Ｒを除去する。発光素子５０Ｒを除去する方法は、例えば、粘着シート８５を介して押圧部８６を発光素子５０Ｒに押し付けることにより、発光素子５０Ｒを粘着シート８５に接着させる。次に、押圧部８６及び粘着シート８５を第２基板２１から離す。これにより、発光素子５０Ｒが粘着シート８５と共に第２基板２１から除去される。
【0040】
次に、図１６Ｃに示すように、除去された発光素子５０Ｒが配置されていた領域または領域Ｒに新たな発光素子５０を配置する。新たな発光素子５０を配置する方法は、例えば、新たな発光素子５０を含む第１構造体１０を準備し、発光素子５０Ｒが配置されていた領域または領域Ｒに対応する発光素子５０に対してレーザ光８０を照射して、再度移載工程を行う。これにより、図１６Ｄに示すように、第２基板２１上における発光素子５０が配置されるべき全ての領域に、良品の発光素子５０が配置される。
【0041】
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態に係る発光装置１においては、発光素子５０の第４面５０ｂが第３面５０ａよりも大きい。また、第５面５０ｃは、第３面５０ａに対して傾斜し、かつ、第３面５０ａから第４面５０ｂに向かう方向において広がるように設けられている。これにより、発光素子５０の発光層からの光が、第５面５０ｃで効率的に反射されることになり、発光面である第４面５０ｂに向かいやすい。この結果、発光装置１は光の取り出し効率が高くなる。
本実施形態に係る発光装置１においては、発光素子５０の第４面５０ｂが第３面５０ａよりも大きい。また、第５面５０ｃは、第３面５０ａに対して傾斜し、かつ、第３面５０ａから第４面５０ｂに向かう方向において広がるように設けられている。これにより、発光素子５０の発光層からの光が、第５面５０ｃで効率的に反射されることになり、発光面である第４面５０ｂに向かいやすい。この結果、発光装置１は光の取り出し効率が高くなる。
【0042】
また、レーザ光を照射する工程において、平面視で剥離層１２の層１２ａは発光素子５０の第４面５０ｂを内包する。そのため、層１２ａが除去されるまで、発光素子５０はレーザ光８０に直接照射されることがない。これにより、レーザ光８０による発光素子５０の損傷を抑制できる。この結果、発光装置１は信頼性が向上する。
【0043】
さらに、本実施形態においては、レーザ光８０を照射する工程において、光減衰層１３が発光素子５０の第３面５０ａおよび第５面５０ｃを覆っているため、層１２ａを透過したレーザ光８０の一部が光減衰層１３において吸収される。この結果、発光素子５０に到達するレーザ光８０が減少し、発光素子５０の損傷を抑制できる。これによっても、発光装置１の信頼性が向上する。
【0044】
＜第１の実施形態の第１の変形例＞
図１７および図１８は、本変形例に係る発光装置の製造方法を示す端面図である。
本変形例は、剥離層１２が一枚の連続層となっている点で、第１の実施形態と異なる。本変形例では、第１構造体１０において、剥離層１２は、複数の層１２ａに分割されておらず、１枚の連続層となっている。
図１７および図１８は、本変形例に係る発光装置の製造方法を示す端面図である。
本変形例は、剥離層１２が一枚の連続層となっている点で、第１の実施形態と異なる。本変形例では、第１構造体１０において、剥離層１２は、複数の層１２ａに分割されておらず、１枚の連続層となっている。
【0045】
本変形例における剥離層１２は、例えば、図７および図８に示す工程において、光減衰層１３および接着層７０をエッチングする際に、剥離層１２を完全に分割しないようにエッチングすることで形成される。剥離層１２は、連続した層であればよく、厚さ方向の一部がエッチング等により除去されていてもよい。この場合、平面視で、剥離層１２は第１構造体１０に含まれる複数の発光素子５０の全ての第４面５０ｂを内包する。
【0046】
そして、剥離層１２における１つの発光素子５０に対応する部分１２ｂに、レーザ光８０を照射する。これにより、図１８に示すように、剥離層１２の部分１２ｂが昇華し、発光素子５０が第１基板１１から第２基板２１に移動する。本変形例における上記以外の製造方法、構成および作用効果は、第１の実施形態と同様である。
【0047】
＜第１の実施形態の第２の変形例＞
図１９は、本変形例において使用するガルバノ方式のレーザ装置を示す図である。
図２０は、本変形例に係る発光装置の製造方法を示す端面図である。
図２１は、レーザ光の強度分布を示す図である。
図１９は、本変形例において使用するガルバノ方式のレーザ装置を示す図である。
図２０は、本変形例に係る発光装置の製造方法を示す端面図である。
図２１は、レーザ光の強度分布を示す図である。
【0048】
本変形例は、レーザ光８０を照射する工程において、ガルバノ方式のレーザ装置を用いる点で、第１の実施形態と異なる。具体的には、レーザ光８０を照射する工程において、ガルバノ方式でレーザ光８０の出射方向を制御しながら、剥離層１２における複数の発光素子５０のそれぞれに対応する部分にレーザ光８０を照射する。
【0049】
図１９に示すように、ガルバノ方式のレーザ照射装置９０においては、例えば２つのガルバノミラー９１および９２と、レンズ９３が設けられている。レーザ照射装置９０から見てレーザ光８０が入射する方向を「Ｘ方向」とし、第１構造体１０の上面からレンズ９３に向かう方向を「Ｚ方向」とし、Ｘ方向およびＺ方向と直交する方向を「Ｙ方向」とする。
【0050】
ガルバノミラー９１はＺ方向に延びる回転軸９１ｃを中心に任意の角度に回転可能である。ガルバノミラー９２は、Ｘ方向に延びる回転軸９２ｃを中心に任意の角度に回転可能である。レンズ９３は、ガルバノミラー９２から出射したレーザ光が入射する位置に配置されている。
【0051】
ガルバノミラー９１には、Ｘ方向からレーザ光８０が入射する。ガルバノミラー９１は、レーザ光８０の反射方向を、Ｙ方向について制御する。ガルバノミラー９１によって反射されたレーザ光８０はガルバノミラー９２に入射する。ガルバノミラー９２は、レーザ光８０の反射方向を、Ｘ方向について制御する。ガルバノミラー９２によって反射されたレーザ光８０は、レンズ９３によって照射対象位置に集光される。本変形例においては、照射対象位置には第１構造体１０が配置される。
【0052】
図２０に示すように、ガルバノ方式のレーザ照射装置９０から出射されたレーザ光８０は、剥離層１２における各発光素子５０に対応する部分、例えば、層１２ａに順次照射される。これにより、層１２ａが除去され、発光素子５０は第１構造体１０から第２構造体２０に移動する。
【0053】
ガルバノ方式のレーザ照射装置９０を用いる場合、レーザ光８０の照射可能領域の端部側に配置された発光素子５０に対しては、この発光素子５０の第３面５０ａに対して、レーザ光８０は斜めに照射される。この場合、レーザ光８０は、発光素子５０の第５面５０ｃに照射されやすくなる。しかし、本開示の発光装置の製造方法においては、第５面５０ｃ上に光減衰層１３を配置することで、斜めに照射されるレーザ光８０を光減衰層１３で効果的に吸収することができる。これにより、レーザ光８０による発光素子５０の損傷を抑制することができる。
【0054】
第１の実施形態と同様に、第１構造体１０において不良の発光素子５０Ｎが検出されている場合には、良品の発光素子５０に対応する剥離層１２の層１２ａに対してのみレーザ光８０を照射してよい。ガルバノ方式のレーザ照射装置９０においては、照射対象を選択して照射を行うことができるため、良品の発光素子５０を効率良く選択的に照射することができる。ガルバノ方式のレーザ照射装置９０では、２枚のガルバノミラーの角度を変化させることで任意の発光素子に対してレーザ光を照射することができるため、例えばノズルを移動させながらレーザ光を照射するレーザ照射装置と比べてレーザ光の照射にかかる時間を短縮することができる。
【0055】
また、第１の実施形態と同様に、１以上の発光素子５０を移載する工程の後に、リワーク工程をさらに含んでいてよい。リワーク工程における新たな発光素子５０を配置する工程においても、ガルバノ方式のレーザ照射装置９０を用いて選択的に移載することができる。
【0056】
図２１に示すように、レーザ光８０の強度分布はトップハット型であることが好ましい。これにより、剥離層１２の昇華の過程が安定し、発光素子５０の移載の精度が向上する。例えば、第２基板２１における発光素子５０の移載位置の精度を向上させると共に、発光素子５０が第２基板２１に到達したときに発光素子５０が傾斜することを抑制できる。本変形例における上記以外の製造方法、構成および作用効果は、第１の実施形態と同様である。
【0057】
＜第２の実施形態＞
第２の実施形態は、前述の第１の実施形態に係る発光装置の製造方法の具体例である。
第２の実施形態は、前述の第１の実施形態に係る発光装置の製造方法の具体例である。
【0058】
先ず、本実施形態に係る発光装置の構成について説明する。
図２２は、本実施形態に係る発光装置を模式的に示す斜め上側から見た斜視図である。
図２３は、本実施形態に係る発光装置を模式的に示す斜め下側から見た斜視図である。
図２４は、図２２の領域XXIVを示す一部拡大上面図である。
図２５は、図２２に示すXXV－XXV線による断面図である。
図２６Ａは、図２５の領域XXVIAを示す一部拡大断面図である。
図２６Ｂは、図２６Ａの領域XXVIBを示す一部拡大断面図である。
図２２は、本実施形態に係る発光装置を模式的に示す斜め上側から見た斜視図である。
図２３は、本実施形態に係る発光装置を模式的に示す斜め下側から見た斜視図である。
図２４は、図２２の領域XXIVを示す一部拡大上面図である。
図２５は、図２２に示すXXV－XXV線による断面図である。
図２６Ａは、図２５の領域XXVIAを示す一部拡大断面図である。
図２６Ｂは、図２６Ａの領域XXVIBを示す一部拡大断面図である。
【0059】
本実施形態においては、説明の便宜上、ＸＹＺ直交座標を採用する。パッケージ基板１１０の長手方向を「Ｘ方向」とし、短手方向を「Ｙ方向」とし、厚さ方向を「Ｚ方向」とする。Ｚ方向のうち、パッケージ基板１１０の下面１１０ｂから上面１１０ａに向かう方向を「上」ともいい、その逆方向を「下」ともいうが、この表現も便宜的なものであり、重力の方向とは無関係である。
【0060】
図２２～図２４に示すように、本実施形態に係る発光装置１０１は、パッケージ基板１１０と、パッケージ基板１１０の上面上に配置される配線基板１２０と、配線基板１２０の上面上に配置される複数の発光素子１３０と、発光素子１３０間に配置されるとともに発光素子１３０の側面を被覆する光反射性部材１４０と、複数の発光素子１３０の上方に配置される波長変換部材１５０と、パッケージ基板１１０と配線基板１２０とを電気的に接続する複数のワイヤ１６０と、ワイヤ１６０を被覆する被覆部材１７０と、を備える。なお、図２２においては、図示の便宜上、被覆部材１７０の一部および波長変換部材１５０の一部を省略しており、ワイヤ１６０の一部および発光素子１３０の一部を可視化している。
【0061】
パッケージ基板１１０の平面視の形状は、例えば、矩形である。パッケージ基板１１０は、例えば、母材としてセラミックス又は樹脂等の絶縁基体１１１を含む。パッケージ基板１１０は、パッケージ基板１１０の上面１１０ａに複数の第１パッド１１２を含み、下面１１０ｂに複数の第２パッド１１３を含む。第１パッド１１２および第２パッド１１３は、絶縁基体１１１の内部に配置された銅（Ｃｕ）等の導電性のビア等により電気的に接続されている。
【0062】
また、パッケージ基板１１０の上面１１０ａおよび下面１１０ｂには、例えば、銅からなる放熱部１１４が露出している。放熱部１１４には、例えば、熱伝導性に優れるアルミニウムや銅等の材料を用いることができる。平面視で、放熱部１１４はパッケージ基板１１０の中央部に配置されている。第１パッド１１２および第２パッド１１３は、Ｙ方向において、放熱部１１４の両側に配置されている。第１パッド１１２および第２パッド１１３は、例えば、パッケージ基板１１０の長辺に沿って配列されている。
【0063】
配線基板１２０は、パッケージ基板１１０の放熱部１１４上に配置されている。配線基板１２０は、例えば、集積回路が内蔵されたシリコン基板であり、例えば、特定用途向け集積回路基板（Application Specific Integrated Circuit基板：ＡＳＩＣ基板）である。配線基板１２０の下面は、放熱部１１４の上面に、例えば接合部材を介して接合されている。接合部材には、例えば、シリコーン銀ペーストを用いる。配線基板１２０の上面１２１の中央部には、各発光素子１３０に対応する電極が配置されている。また、配線基板１２０の上面１２１の外周部には、外部接続用パッド１２２が配置されている。
【0064】
ワイヤ１６０は、パッケージ基板１１０の第１パッド１１２と、配線基板１２０の外部接続用パッド１２２とに接続されている。ワイヤ１６０は、例えば、金（Ａｕ）からなる。例えば、ワイヤ１６０の数は第１パッド１１２および外部接続用パッド１２２の数と同じである。
【0065】
被覆部材１７０の平面視の形状は、配線基板１２０の外縁に沿った枠状である。被覆部材１７０は、パッケージ基板１１０の上面および配線基板１２０の上面に配置され、パッケージ基板１１０の第１パッド１１２、ワイヤ１６０および配線基板１２０の外部接続用パッド１２２を覆っている。平面視において、被覆部材１７０は中央部が開口する枠状であり、被覆部材１７０の開口から波長変換部材１５０が露出している。
【0066】
図２５に示すように、被覆部材１７０は、被覆部材１７０の外枠を構成する第１樹脂枠１７１と、被覆部材１７０の内枠を構成する第２樹脂枠１７２と、第１樹脂枠１７１と第２樹脂枠１７２との間に配置された保護樹脂部１７３と、を含む。第１樹脂枠１７１は、パッケージ基板１１０に配置されている。第２樹脂枠１７２は、配線基板１２０上に配置されている。保護樹脂部１７３は、パッケージ基板１１０の上面、配線基板１２０の上面およびワイヤ１６０の表面を連続して覆っている。第１樹脂枠１７１および第２樹脂枠１７２は、例えば、透光性樹脂である。保護樹脂部１７３においては、例えば、母材となる透光性樹脂中に光反射性物質が含有されている。透光性樹脂には、例えば、ジメチルシリコーン樹脂を用いることができる。光反射性物質は、例えば、酸化アルミニウムである。
【0067】
図２２、図２４、図２５に示すように、複数の発光素子１３０は、配線基板１２０の上面１２１の中央部上に配置されている。複数の発光素子１３０は、例えば行列状に配列されている。一例では、発光素子１３０が６４行６４列に配列されたセグメントが４つ配置されており、発光素子１３０は合計で１６，３８４個配置されている。一例では、各発光素子１３０のサイズは、４０μｍ以上５０μｍ以下である。一例では、隣り合う発光素子１３０間の距離は４μｍ以上８μｍ以下である。発光素子１３０は、配線基板１２０の上面１２１に露出した電極に接続されている。発光素子１３０は、例えば、発光ダイオードであり、例えば、青色の光を出射する。
【0068】
図２６Ａに示すように、発光素子１３０は、上面１３１と、上面１３１と反対側の下面１３２と、上面１３１と下面１３２との間に配置された側面１３３と、を有する。上面１３１は第４面に相当し、下面１３２は第３面に相当し、側面１３３は第５面に相当する。側面１３３は、下面１３２から上面１３１に向かって広がるように傾斜している。側面１３３は、４面配置されている。発光素子１３０の下面１３２は配線基板１２０の上面１２１に対向している。発光素子１３０は、接合部１３９を介して、配線基板１２０の電極に接続されている。このため、発光素子１３０の下面１３２は配線基板１２０の上面１２１から離れている。接合部１３９は、例えば、金または銅からなる。
【0069】
光反射性部材１４０は、配線基板１２０の上面１２１と発光素子１３０の下面１３２との間、および、隣接する発光素子１３０の側面１３３間に配置されている。光反射性部材１４０においては、母材１４１中に、光反射性物質１４２が含まれている。光反射性部材１４０における光反射性物質１４２の濃度は、５０質量％以上７０質量％以下であることが好ましく、例えば、６０質量％である。母材１４１は、例えば、ジメチルシリコーン樹脂である。光反射性物質１４２は、例えば、酸化チタンである。
【0070】
波長変換部材１５０は、発光素子１３０の上面１３１および光反射性部材１４０の上面１４３を被覆している。波長変換部材１５０は、発光素子１３０の上面１３１、側面１３３の上部、および、光反射性部材１４０の上面１４３に接している。波長変換部材１５０においては、母材１５１中に、蛍光体１５２が含まれている。母材１５１は、例えば、ジメチルシリコーン樹脂である。蛍光体１５２は、例えば、ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet：イットリウム・アルミニウム・ガーネット）を含み、発光素子１３０からの青色の光を吸収して、黄色の光を放射する。
【0071】
図２６Ｂに示すように、隣り合う発光素子１３０間において、光反射性部材１４０の上面１４３は、Ｚ方向、すなわち、配線基板１２０から波長変換部材１５０に向かう方向において、発光素子１３０の上面１３１と下面１３２との間に位置する。これにより、発光素子１３０の側面１３３のうち、下部は光反射性部材１４０によって被覆され、上部は波長変換部材１５０によって被覆される。
【0072】
次に、第２実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。
図２７Ａ及び図２７Ｂは、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す端面図である。
本実施形態に係る発光装置の製造方法は、配線基板１２０の上面上に配置された１以上の発光素子１３０を準備する素子準備工程と、発光素子１３０の側面を光反射性部材１４０で被覆する光反射性部材配置工程と、配線基板１２０をパッケージ基板１１０の上面上に配置する基板配置工程と、パッケージ基板１１０の第１パッド１１２と配線基板１２０の外部接続用パッド１２２とをワイヤ１６０で電気的に接続するワイヤ接続工程と、複数の発光素子１３０上に波長変換部材１５０を配置する波長変換部材配置工程と、ワイヤ１６０を被覆する被覆部材１７０を配置する被覆部材配置工程と、を備える。
図２７Ａ及び図２７Ｂは、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す端面図である。
本実施形態に係る発光装置の製造方法は、配線基板１２０の上面上に配置された１以上の発光素子１３０を準備する素子準備工程と、発光素子１３０の側面を光反射性部材１４０で被覆する光反射性部材配置工程と、配線基板１２０をパッケージ基板１１０の上面上に配置する基板配置工程と、パッケージ基板１１０の第１パッド１１２と配線基板１２０の外部接続用パッド１２２とをワイヤ１６０で電気的に接続するワイヤ接続工程と、複数の発光素子１３０上に波長変換部材１５０を配置する波長変換部材配置工程と、ワイヤ１６０を被覆する被覆部材１７０を配置する被覆部材配置工程と、を備える。
【0073】
（素子準備工程）
素子準備工程は、第１の実施形態と同様であるため、第１の実施形態の図を参照して説明する。先ず、図１に示すように、支持基板６０上に複数の発光素子１３０（第１の実施形態では発光素子５０）を形成する。次に、図２～図８に示す工程により、発光素子１３０を含む第１構造体１０を作製する。このとき、平面視で、発光素子１３０の上面１３１（第４面）は下面１３２（第３面）よりも大きく、剥離層１２は発光素子１３０の上面１３１を内包する。一方、図９に示すように、第２基板２１を含む第２構造体２０を作製する。
素子準備工程は、第１の実施形態と同様であるため、第１の実施形態の図を参照して説明する。先ず、図１に示すように、支持基板６０上に複数の発光素子１３０（第１の実施形態では発光素子５０）を形成する。次に、図２～図８に示す工程により、発光素子１３０を含む第１構造体１０を作製する。このとき、平面視で、発光素子１３０の上面１３１（第４面）は下面１３２（第３面）よりも大きく、剥離層１２は発光素子１３０の上面１３１を内包する。一方、図９に示すように、第２基板２１を含む第２構造体２０を作製する。
【0074】
次に、図１０および図１１に示すように、レーザ光８０を照射することにより剥離層１２の一部を除去して、発光素子１３０を第１基板１１から第２基板２１に移載する。レーザ光８０の照射には、ガルバノ方式のレーザ照射装置９０を用いてもよい。次に、図１２に示すように、光減衰層１３を除去する。次に、図１３に示すように、発光素子１３０を第２基板２１から配線基板１２０（第１の実施形態では配線基板３１）に移載する。このようにして、図１４に示すように、配線基板１２０の上面上に配置された１以上の発光素子１３０を準備することができる。
【0075】
（光反射性部材配置工程）
次に、図２７Ａに示すように、配線基板１２０の上面１２１において、１以上の発光素子１３０が配置された領域を囲むようにレジスト膜１８１を配置する。レジスト膜１８１の形状は、例えば、平面視で枠状とし、レジスト膜１８１の厚さは発光素子１３０の高さと同程度とする。
次に、図２７Ａに示すように、配線基板１２０の上面１２１において、１以上の発光素子１３０が配置された領域を囲むようにレジスト膜１８１を配置する。レジスト膜１８１の形状は、例えば、平面視で枠状とし、レジスト膜１８１の厚さは発光素子１３０の高さと同程度とする。
【0076】
次に、複数の発光素子１３０上に未硬化の光反射性樹脂材料１８２を配置する。未硬化の光反射性樹脂材料１８２は、例えば、透光性の樹脂材料からなる母材と、母材中に含有された光反射性物質とを含む。
【0077】
次に、配線基板１２０の上面に対して略垂直な方向からノズル２００を用いて気体１８３を噴射しつつ、ノズル２００を水平方向に移動させる。このように、気体１８３を配線基板１２０の上面１２１に吹き付けることにより、未硬化の光反射性樹脂材料１８２が水平方向に沿って延ばし拡げられる。ノズル２００の移動は、例えば複数回繰り返してもよい。これにより、未硬化の光反射性樹脂材料１８２を配線基板１２０と発光素子１３０との間、および、発光素子１３０間に配置することができる。
【0078】
次に、発光素子１３０の上面上に配置された光反射性樹脂材料１８２を除去する。光反射性樹脂材料１８２を除去する方法は、例えば、図２７Ｂに示すように、発光素子１３０の上面上に配置された光反射性樹脂材料１８２に対して、ノズル２０１から固体の二酸化炭素１８４を吹き付けることにより除去する。その後、ウェットエッチング等によりレジスト膜１８１を除去する。
【0079】
（基板配置工程）
次に、図２２に示すように、パッケージ基板１１０上に配線基板１２０を配置する。好ましくは、パッケージ基板１１０の中央部に配置されている放熱部１１４上に配線基板１２０を配置する。配線基板１２０は、金属ペースト等の公知の接合部材を介してパッケージ基板１１０に固定することができる。接合部材としては、例えば、シリコーン銀ペーストが挙げられる。
次に、図２２に示すように、パッケージ基板１１０上に配線基板１２０を配置する。好ましくは、パッケージ基板１１０の中央部に配置されている放熱部１１４上に配線基板１２０を配置する。配線基板１２０は、金属ペースト等の公知の接合部材を介してパッケージ基板１１０に固定することができる。接合部材としては、例えば、シリコーン銀ペーストが挙げられる。
【0080】
（ワイヤ接続工程）
次に、パッケージ基板１１０上の第１パッド１１２と配線基板１２０上の外部接続用パッド１２２とをワイヤ１６０で電気的に接続する。ワイヤ接続工程は、配線基板１２０上に設けられる外部接続用パッド１２２にワイヤ１６０の一端を接続した後、パッケージ基板１１０上に設けられる第１パッド１１２にワイヤ１６０の他端を接続させることが好ましい。上記の順番でワイヤ１６０を接続させることで、ワイヤの頂部１６０を外部接続用パッド１２２の近くに配置させやすくなる。これにより、後述する被覆部材配置工程において、ワイヤ１６０の下方に配置される樹脂量が抑えられ、被覆部材１７０の熱膨張に起因したワイヤの断線を抑制することができる。
次に、パッケージ基板１１０上の第１パッド１１２と配線基板１２０上の外部接続用パッド１２２とをワイヤ１６０で電気的に接続する。ワイヤ接続工程は、配線基板１２０上に設けられる外部接続用パッド１２２にワイヤ１６０の一端を接続した後、パッケージ基板１１０上に設けられる第１パッド１１２にワイヤ１６０の他端を接続させることが好ましい。上記の順番でワイヤ１６０を接続させることで、ワイヤの頂部１６０を外部接続用パッド１２２の近くに配置させやすくなる。これにより、後述する被覆部材配置工程において、ワイヤ１６０の下方に配置される樹脂量が抑えられ、被覆部材１７０の熱膨張に起因したワイヤの断線を抑制することができる。
【0081】
（波長変換部材配置工程）
次に、複数の発光素子１３０上に波長変換部材１５０を配置する。波長変換部材配置工程は、例えば、予め所定の大きさに加工されたシート状の波長変換部材１５０を準備し、発光素子１３０上に波長変換部材１５０を配置する。波長変換部材１５０は、発光素子１３０上に、樹脂等の接着剤を介して固定されてもよく、また接着剤を介さずに波長変換部材１５０のタック性等を利用して固定されてもよい。
次に、複数の発光素子１３０上に波長変換部材１５０を配置する。波長変換部材配置工程は、例えば、予め所定の大きさに加工されたシート状の波長変換部材１５０を準備し、発光素子１３０上に波長変換部材１５０を配置する。波長変換部材１５０は、発光素子１３０上に、樹脂等の接着剤を介して固定されてもよく、また接着剤を介さずに波長変換部材１５０のタック性等を利用して固定されてもよい。
【0082】
（被覆部材配置工程）
次に、ワイヤ１６０を被覆する被覆部材１７０を配置する。被覆部材配置工程は、第１樹脂枠１７１を形成する工程と、第２樹脂枠１７２を形成する工程と、保護樹脂部１７３を形成する工程と、を備える。
次に、ワイヤ１６０を被覆する被覆部材１７０を配置する。被覆部材配置工程は、第１樹脂枠１７１を形成する工程と、第２樹脂枠１７２を形成する工程と、保護樹脂部１７３を形成する工程と、を備える。
【0083】
第１樹脂枠１７１を形成する工程は、配線基板１２０の上面１２１における複数の発光素子１３０が配置される領域と外部接続用パッド１２２との間において、複数の発光素子１３０が配置される領域に沿うように未硬化の第１樹脂材料を配置する。第１樹脂材料の配置は、例えば、ディスペンサを用いて行うことができる。また、第１樹脂材料は、例えば、透光性の樹脂材料である。
【0084】
第２樹脂枠１７２を形成する工程は、パッケージ基板１１０の上面において第１パッド１１２の外側に未硬化の第２樹脂材料を配置する。第２樹脂材料の配置は、例えば、ディスペンサを用いて行うことができる。また、第２樹脂材料は、例えば、透光性の樹脂材料である。なお、第１樹脂材料と第２樹脂材料は同じ樹脂材料を用いることが好ましい。これにより、第１樹脂枠形成工程と第２樹脂枠形成工程において、樹脂材料を入れ替える等の工程を省略することができ、製造におけるタクトを短くすることができる。
【0085】
次に、第１樹脂材料（第１樹脂枠１７１）と第２樹脂材料（第２樹脂枠１７２）との間において、ワイヤ１６０を被覆するように未硬化の保護樹脂を配置する。保護樹脂の配置は、例えば、ディスペンサを用いて行うことができる。また、保護樹脂は、例えば、酸化チタン等の光反射性物質を含む光反射性を有する樹脂材料である。保護樹脂は、例えば、第１樹脂材料および第２樹脂材料よりも低粘度の樹脂を用いることができる。保護樹脂は、配線基板１２０とパッケージ基板１１０とに亘って配置され、配線基板１２０の側面を被覆する。
【0086】
その後、加熱工程により、第１樹脂材料、第２樹脂材料および保護樹脂を固化し、第１樹脂枠１７１、第２樹脂枠１７２および保護樹脂部１７３を含む被覆部材１７０を形成する。これにより、ワイヤ１６０を保護する被覆部材１７０が形成される。
このようにして、本実施形態に係る発光装置１０１が製造される。
このようにして、本実施形態に係る発光装置１０１が製造される。
【0087】
本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態に係る発光装置１０１においても、発光素子１３０の側面１３３（第５面）は、下面１３２（第３面）に対して傾斜し、かつ、下面１３２（第３面）から上面１３１（第４面）に向かう方向において広がるように設けられている。これにより、発光素子１３０の発光層１８２において発生した光が、側面１３３で効率的に反射されることになり、発光面である上面１３１に向かいやすい。この結果、発光装置１０１は光の取り出し効率が高くなる。
本実施形態に係る発光装置１０１においても、発光素子１３０の側面１３３（第５面）は、下面１３２（第３面）に対して傾斜し、かつ、下面１３２（第３面）から上面１３１（第４面）に向かう方向において広がるように設けられている。これにより、発光素子１３０の発光層１８２において発生した光が、側面１３３で効率的に反射されることになり、発光面である上面１３１に向かいやすい。この結果、発光装置１０１は光の取り出し効率が高くなる。
【0088】
また、図１０に示す工程において、平面視で剥離層１２は発光素子１３０の上面１３１を内包するため、レーザ光８０による発光素子１３０の損傷を抑制できる。さらに、発光素子１３０の下面１３２および側面１３３を光減衰層１３によって覆うため、レーザ光８０による発光素子１３０の損傷をより一層抑制できる。この結果、発光装置１０１は発光素子１３０の損傷が少なく、信頼性が高い。
【0089】
前述の各実施形態およびその変形例は、本開示を具現化した例であり、本開示はこれらの実施形態および変形例には限定されない。例えば、前述の各実施形態および各変形例において、いくつかの構成要素又は工程を追加、削除又は変更したものも本開示に含まれる。また、前述の各実施形態および各変形例は、相互に組み合わせて実施することができる。
【0090】
実施形態は、以下の態様を含む。
【0091】
（付記１）
第１面および前記第１面の反対側の第２面を有する第１基板、前記第１面に配置された剥離層、および、前記剥離層を介して前記第１基板の前記第１面側に固定された１以上の発光素子を含み、前記１以上の発光素子は前記剥離層に対向する第３面および前記第３面の反対側の第４面を有し、平面視で前記第４面は前記第３面よりも大きく、平面視で前記剥離層は前記第４面を内包する第１構造体を準備する工程と、
上面を有する第２基板を含む第２構造体を準備する工程と、
前記１以上の発光素子が前記第１基板と前記第２基板の間に配置されるように前記第１基板の前記第１面を前記第２基板の前記上面に対向させた状態で、前記第１基板の前記第２面側から前記剥離層にレーザ光を照射することにより、前記剥離層を除去して、前記１以上の発光素子を前記第１基板から前記第２基板に移載する工程と、
を備えた発光装置の製造方法。
第１面および前記第１面の反対側の第２面を有する第１基板、前記第１面に配置された剥離層、および、前記剥離層を介して前記第１基板の前記第１面側に固定された１以上の発光素子を含み、前記１以上の発光素子は前記剥離層に対向する第３面および前記第３面の反対側の第４面を有し、平面視で前記第４面は前記第３面よりも大きく、平面視で前記剥離層は前記第４面を内包する第１構造体を準備する工程と、
上面を有する第２基板を含む第２構造体を準備する工程と、
前記１以上の発光素子が前記第１基板と前記第２基板の間に配置されるように前記第１基板の前記第１面を前記第２基板の前記上面に対向させた状態で、前記第１基板の前記第２面側から前記剥離層にレーザ光を照射することにより、前記剥離層を除去して、前記１以上の発光素子を前記第１基板から前記第２基板に移載する工程と、
を備えた発光装置の製造方法。
【0092】
（付記２）
前記１以上の発光素子は複数の前記発光素子であり、
前記剥離層は、それぞれが各前記発光素子と対をなして配置される複数の層を有し、
平面視で、各前記層は各前記発光素子の前記第４面を内包する付記１に記載の発光装置の製造方法。
前記１以上の発光素子は複数の前記発光素子であり、
前記剥離層は、それぞれが各前記発光素子と対をなして配置される複数の層を有し、
平面視で、各前記層は各前記発光素子の前記第４面を内包する付記１に記載の発光装置の製造方法。
【0093】
（付記３）
前記１以上の発光素子は複数の前記発光素子であり、
平面視で、前記剥離層は前記複数の発光素子の全ての前記第４面を内包する付記１に記載の発光装置の製造方法。
前記１以上の発光素子は複数の前記発光素子であり、
平面視で、前記剥離層は前記複数の発光素子の全ての前記第４面を内包する付記１に記載の発光装置の製造方法。
【0094】
（付記４）
前記第１構造体は、前記剥離層と前記発光素子との間に配置された光減衰層をさらに含み、
前記移載する工程の後、前記光減衰層を除去する工程をさらに備えた付記１～３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
前記第１構造体は、前記剥離層と前記発光素子との間に配置された光減衰層をさらに含み、
前記移載する工程の後、前記光減衰層を除去する工程をさらに備えた付記１～３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【0095】
（付記５）
前記発光素子は、前記第３面と前記第４面とを接続する第５面をさらに有し、
前記光減衰層は前記第５面を覆う付記４に記載の発光装置の製造方法。
前記発光素子は、前記第３面と前記第４面とを接続する第５面をさらに有し、
前記光減衰層は前記第５面を覆う付記４に記載の発光装置の製造方法。
【0096】
（付記６）
前記第１構造体は、前記剥離層と前記光減衰層との間に配置された接着層をさらに含む付記４または５に記載の発光装置の製造方法。
前記第１構造体は、前記剥離層と前記光減衰層との間に配置された接着層をさらに含む付記４または５に記載の発光装置の製造方法。
【0097】
（付記７）
前記第１構造体を準備する工程は、
支持基板、前記支持基板上に配置された１以上の半導体積層体、前記１以上の半導体積層体の前記支持基板と対向する面の反対側の面に配置された電極部、ならびに、前記支持基板上であって、各前記半導体積層体および各前記電極部の周囲に配置され各前記半導体積層体および各前記電極部を保持する前記光減衰層を含み、前記電極部の電極面が前記光減衰層から露出する第３構造体を準備する工程と、
前記第１基板および前記剥離層を含む第４構造体を準備する工程と、
前記第３構造体における前記電極部の前記電極面と前記第４構造体における前記剥離層とを対向させた状態で、前記電極部の前記電極面を前記剥離層に接着する工程と、
前記接着する工程の後、前記支持基板を除去する工程と、
を有する付記４～６のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
前記第１構造体を準備する工程は、
支持基板、前記支持基板上に配置された１以上の半導体積層体、前記１以上の半導体積層体の前記支持基板と対向する面の反対側の面に配置された電極部、ならびに、前記支持基板上であって、各前記半導体積層体および各前記電極部の周囲に配置され各前記半導体積層体および各前記電極部を保持する前記光減衰層を含み、前記電極部の電極面が前記光減衰層から露出する第３構造体を準備する工程と、
前記第１基板および前記剥離層を含む第４構造体を準備する工程と、
前記第３構造体における前記電極部の前記電極面と前記第４構造体における前記剥離層とを対向させた状態で、前記電極部の前記電極面を前記剥離層に接着する工程と、
前記接着する工程の後、前記支持基板を除去する工程と、
を有する付記４～６のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
【0098】
（付記８）
前記１以上の発光素子は複数の前記発光素子であり、
前記移載する工程においては、前記剥離層における前記複数の発光素子のそれぞれに対応する部分にガルバノ方式でレーザ光の出射方向を制御しながら前記レーザ光を照射する付記１～７のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
前記１以上の発光素子は複数の前記発光素子であり、
前記移載する工程においては、前記剥離層における前記複数の発光素子のそれぞれに対応する部分にガルバノ方式でレーザ光の出射方向を制御しながら前記レーザ光を照射する付記１～７のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【0099】
（付記９）
前記レーザ光は、前記発光素子の前記第３面に対して斜めに照射される付記８に記載の発光装置の製造方法。
前記レーザ光は、前記発光素子の前記第３面に対して斜めに照射される付記８に記載の発光装置の製造方法。
【0100】
（付記１０）
前記レーザ光の強度分布はトップハット型である付記８または９に記載の発光装置の製造方法。
前記レーザ光の強度分布はトップハット型である付記８または９に記載の発光装置の製造方法。
【0101】
（付記１１）
前記第２構造体は前記第２基板の上面側に配置される粘着層をさらに含み、
前記移載する工程において、前記１以上の発光素子を前記粘着層を介して前記第２基板に接着させる付記１～１０のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
前記第２構造体は前記第２基板の上面側に配置される粘着層をさらに含み、
前記移載する工程において、前記１以上の発光素子を前記粘着層を介して前記第２基板に接着させる付記１～１０のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【産業上の利用可能性】
【0102】
本開示は、例えば、車載ヘッドライト、液晶ディスプレイのバックライト装置、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、またはプロジェクタ装置等に利用することができる。
【符号の説明】
【0103】
１ 発光装置
１０ 第１構造体
１１ 第１基板
１１ａ 第１面
１１ｂ 第２面
１２ 剥離層
１２ａ 層 分割された複数の層１２ａ、発光素子５０と対をなして配置される層１２ａ
１２ｂ 部分 剥離層１２における１つの発光素子５０に対応する部分１２ｂ
１３ 光減衰層
１５ 構造体
２０ 第２構造体
２１ 第２基板
２１ａ 上面
２２ 粘着層
３０ 第３構造体
３１ 配線基板
４０ 第４構造体
５０ 発光素子
５０ａ 第３面
５０ｂ 第４面
５０ｃ 第５面
５０Ｎ 不良の発光素子
５１ 半導体積層体
５２ 電極部
５２ａ、５２ｂ 電極面
６０ 支持基板
６０ａ 上面
７０ 接着層
８０ レーザ光
８５ 粘着シート
８６ 押圧部
９０ レーザ照射装置
９１、９２ ガルバノミラー
９１ｃ、９２ｃ 回転軸
９３ レンズ
１０１ 発光装置
１１０ パッケージ基板
１１０ａ 上面
１１０ｂ 下面
１１１ 絶縁基体
１１２ 第１パッド
１１３ 第２パッド
１１４ 放熱部
１２０ 配線基板
１２１ 上面
１２２ 外部接続用パッド
１３０ 発光素子
１３１ 上面
１３２ 下面
１３３ 側面
１３９ 接合部
１４０ 第１樹脂
１４１ 母材
１４２ 光反射性物質
１４３ 上面
１５０ 第２樹脂
１５１ 母材
１５２ 蛍光体
１６０ ワイヤ
１７０ 第３樹脂
１７１ 第１樹脂枠
１７２ 第２樹脂枠
１７３ 保護樹脂部
１８１ レジスト膜
１８２ 光反射性樹脂材料
１８３ 気体
１８４ 固体の二酸化炭素
２００、２０１ ノズル
１０ 第１構造体
１１ 第１基板
１１ａ 第１面
１１ｂ 第２面
１２ 剥離層
１２ａ 層 分割された複数の層１２ａ、発光素子５０と対をなして配置される層１２ａ
１２ｂ 部分 剥離層１２における１つの発光素子５０に対応する部分１２ｂ
１３ 光減衰層
１５ 構造体
２０ 第２構造体
２１ 第２基板
２１ａ 上面
２２ 粘着層
３０ 第３構造体
３１ 配線基板
４０ 第４構造体
５０ 発光素子
５０ａ 第３面
５０ｂ 第４面
５０ｃ 第５面
５０Ｎ 不良の発光素子
５１ 半導体積層体
５２ 電極部
５２ａ、５２ｂ 電極面
６０ 支持基板
６０ａ 上面
７０ 接着層
８０ レーザ光
８５ 粘着シート
８６ 押圧部
９０ レーザ照射装置
９１、９２ ガルバノミラー
９１ｃ、９２ｃ 回転軸
９３ レンズ
１０１ 発光装置
１１０ パッケージ基板
１１０ａ 上面
１１０ｂ 下面
１１１ 絶縁基体
１１２ 第１パッド
１１３ 第２パッド
１１４ 放熱部
１２０ 配線基板
１２１ 上面
１２２ 外部接続用パッド
１３０ 発光素子
１３１ 上面
１３２ 下面
１３３ 側面
１３９ 接合部
１４０ 第１樹脂
１４１ 母材
１４２ 光反射性物質
１４３ 上面
１５０ 第２樹脂
１５１ 母材
１５２ 蛍光体
１６０ ワイヤ
１７０ 第３樹脂
１７１ 第１樹脂枠
１７２ 第２樹脂枠
１７３ 保護樹脂部
１８１ レジスト膜
１８２ 光反射性樹脂材料
１８３ 気体
１８４ 固体の二酸化炭素
２００、２０１ ノズル
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16A】
【図16B】
【図16C】
【図16D】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26A】
【図26B】
【図27A】
【図27B】