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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024020968
(43)【公開日】2024-02-15
(54)【発明の名称】極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法
(51)【国際特許分類】
G03F 7/20 20060101AFI20240207BHJP
H05G 2/00 20060101ALI20240207BHJP
【ＦＩ】
G03F7/20 503
G03F7/20 521
H05G2/00 K
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022123546
(22)【出願日】2022-08-02
(71)【出願人】
【識別番号】300073919
【氏名又は名称】ギガフォトン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100105212
【弁理士】
【氏名又は名称】保坂 延寿
(72)【発明者】
【氏名】中野 真生
(72)【発明者】
【氏名】若林 理
【テーマコード（参考）】
2H197
4C092
【Ｆターム（参考）】
2H197AA10
2H197BA03
2H197BA11
2H197CA10
2H197CB16
2H197CC16
2H197DC02
2H197DC12
2H197GA01
2H197GA04
2H197GA05
2H197GA12
2H197GA17
2H197GA18
2H197GA20
2H197GA24
2H197HA03
4C092AA06
4C092AA15
4C092AB10
4C092AC09
(57)【要約】 （修正有）
【課題】ＥＵＶ光のパルスエネルギー安定性が悪化することを抑制し得る、また合体不良が抑制されることでターゲット物質のデブリが発生することが抑制され得る極端紫外光生成装置を提供する。
【解決手段】極端紫外光生成装置は、固体ターゲット物質を溶融させて液体ターゲット物質を生成するタンクと、タンク内の液体ターゲット物質から液滴ターゲットを連続的に生成して、パルスレーザ光が集光するプラズマ生成領域に向けて出力するノズルと、を含み、液滴ターゲットを含む複数の液滴ターゲットが合体するように複数の液滴ターゲットに速度差を与える液滴ターゲット生成装置と、複数の液滴ターゲットがプラズマ生成領域に到達するまでに複数の液滴ターゲットの合体が完了するような１回の補給量の固体ターゲット物質をタンクに補給する固体ターゲット補給装置と、を備える。
【選択図】図１３
【解決手段】極端紫外光生成装置は、固体ターゲット物質を溶融させて液体ターゲット物質を生成するタンクと、タンク内の液体ターゲット物質から液滴ターゲットを連続的に生成して、パルスレーザ光が集光するプラズマ生成領域に向けて出力するノズルと、を含み、液滴ターゲットを含む複数の液滴ターゲットが合体するように複数の液滴ターゲットに速度差を与える液滴ターゲット生成装置と、複数の液滴ターゲットがプラズマ生成領域に到達するまでに複数の液滴ターゲットの合体が完了するような１回の補給量の固体ターゲット物質をタンクに補給する固体ターゲット補給装置と、を備える。
【選択図】図１３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
固体ターゲット物質を溶融させて液体ターゲット物質を生成するタンクと、前記タンク内の液体ターゲット物質から液滴ターゲットを連続的に生成して、パルスレーザ光が集光するプラズマ生成領域に向けて出力するノズルと、を含み、前記液滴ターゲットを含む複数の液滴ターゲットが合体するように前記複数の液滴ターゲットに速度差を与える液滴ターゲット生成装置と、
前記複数の液滴ターゲットが前記プラズマ生成領域に到達するまでに前記複数の液滴ターゲットの合体が完了するような１回の補給量の固体ターゲット物質を前記タンクに補給する固体ターゲット補給装置と、
を備える、極端紫外光生成装置。
前記複数の液滴ターゲットが前記プラズマ生成領域に到達するまでに前記複数の液滴ターゲットの合体が完了するような１回の補給量の固体ターゲット物質を前記タンクに補給する固体ターゲット補給装置と、
を備える、極端紫外光生成装置。
【請求項2】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記補給量を記憶し、記憶した前記補給量に従って前記固体ターゲット補給装置を制御するプロセッサをさらに備える、極端紫外光生成装置。
前記補給量を記憶し、記憶した前記補給量に従って前記固体ターゲット補給装置を制御するプロセッサをさらに備える、極端紫外光生成装置。
【請求項3】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記複数の液滴ターゲットの合体の状態を、前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の補給と同期して検出する検出装置と、
前記検出装置の検出結果に基づいて前記補給量を決定し、前記補給量に従って前記固体ターゲット補給装置を制御するプロセッサと、
をさらに備える、極端紫外光生成装置。
前記複数の液滴ターゲットの合体の状態を、前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の補給と同期して検出する検出装置と、
前記検出装置の検出結果に基づいて前記補給量を決定し、前記補給量に従って前記固体ターゲット補給装置を制御するプロセッサと、
をさらに備える、極端紫外光生成装置。
【請求項4】
請求項３に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記検出装置は、前記液滴ターゲットの通過信号を出力する光センサを含む、
極端紫外光生成装置。
前記検出装置は、前記液滴ターゲットの通過信号を出力する光センサを含む、
極端紫外光生成装置。
【請求項5】
請求項４に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記プロセッサは、前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の試行補給量を増加させながら、前記光センサから出力された液滴ターゲットの通過信号を前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の補給と同期して取得し、前記液滴ターゲットの合体が完了している場合の前記試行補給量の最大値を前記補給量として決定する、
極端紫外光生成装置。
前記プロセッサは、前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の試行補給量を増加させながら、前記光センサから出力された液滴ターゲットの通過信号を前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の補給と同期して取得し、前記液滴ターゲットの合体が完了している場合の前記試行補給量の最大値を前記補給量として決定する、
極端紫外光生成装置。
【請求項6】
請求項３に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記検出装置は、前記液滴ターゲットを撮像するイメージセンサを含む、
極端紫外光生成装置。
前記検出装置は、前記液滴ターゲットを撮像するイメージセンサを含む、
極端紫外光生成装置。
【請求項7】
請求項６に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記プロセッサは、前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の試行補給量を増加させながら、前記イメージセンサで撮像された液滴ターゲットの画像を前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の補給と同期して取得し、前記液滴ターゲットの合体が完了している場合の前記試行補給量の最大値を前記補給量として決定する、
極端紫外光生成装置。
前記プロセッサは、前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の試行補給量を増加させながら、前記イメージセンサで撮像された液滴ターゲットの画像を前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の補給と同期して取得し、前記液滴ターゲットの合体が完了している場合の前記試行補給量の最大値を前記補給量として決定する、
極端紫外光生成装置。
【請求項8】
請求項３に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記検出装置は、前記プラズマ生成領域で生成される極端紫外光の状態を検出するＥＵＶセンサを含む、
極端紫外光生成装置。
前記検出装置は、前記プラズマ生成領域で生成される極端紫外光の状態を検出するＥＵＶセンサを含む、
極端紫外光生成装置。
【請求項9】
請求項８に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記プロセッサは、前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の試行補給量を増加させながら、前記ＥＵＶセンサで計測された極端紫外光のパルスエネルギーを前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の補給と同期して取得し、前記パルスエネルギーの安定性が許容範囲内である場合の前記試行補給量の最大値を前記補給量として決定する、
極端紫外光生成装置。
前記プロセッサは、前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の試行補給量を増加させながら、前記ＥＵＶセンサで計測された極端紫外光のパルスエネルギーを前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の補給と同期して取得し、前記パルスエネルギーの安定性が許容範囲内である場合の前記試行補給量の最大値を前記補給量として決定する、
極端紫外光生成装置。
【請求項10】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
プロセッサをさらに備え、
前記液滴ターゲット生成装置は、前記タンク及び前記ノズルの少なくとも１つに配置されたヒーターをさらに含み、
前記プロセッサは、前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の補給と同期して、前記ヒーターに供給される電力を一時的に変更する、
極端紫外光生成装置。
プロセッサをさらに備え、
前記液滴ターゲット生成装置は、前記タンク及び前記ノズルの少なくとも１つに配置されたヒーターをさらに含み、
前記プロセッサは、前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の補給と同期して、前記ヒーターに供給される電力を一時的に変更する、
極端紫外光生成装置。
【請求項11】
請求項１０に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記複数の液滴ターゲットの合体の状態を、前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の補給及び前記電力の変更と同期して検出する検出装置をさらに備え、
前記プロセッサは、前記検出装置の検出結果に基づいて前記補給量を決定して前記固体ターゲット補給装置を制御する、
極端紫外光生成装置。
前記複数の液滴ターゲットの合体の状態を、前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の補給及び前記電力の変更と同期して検出する検出装置をさらに備え、
前記プロセッサは、前記検出装置の検出結果に基づいて前記補給量を決定して前記固体ターゲット補給装置を制御する、
極端紫外光生成装置。
【請求項12】
請求項１１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記プロセッサは、前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の試行補給量を増加させながら、前記検出装置から出力された検出結果を前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の補給及び前記電力の変更と同期して取得し、前記液滴ターゲットの合体が完了している場合の前記試行補給量の最大値を前記補給量として決定する、
極端紫外光生成装置。
前記プロセッサは、前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の試行補給量を増加させながら、前記検出装置から出力された検出結果を前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の補給及び前記電力の変更と同期して取得し、前記液滴ターゲットの合体が完了している場合の前記試行補給量の最大値を前記補給量として決定する、
極端紫外光生成装置。
【請求項13】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
プロセッサをさらに備え、
前記液滴ターゲット生成装置は、前記ノズルに振動を与える加振装置をさらに含み、
前記プロセッサは、前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の補給と同期して、前記加振装置に入力される駆動波形を一時的に変更する、
極端紫外光生成装置。
プロセッサをさらに備え、
前記液滴ターゲット生成装置は、前記ノズルに振動を与える加振装置をさらに含み、
前記プロセッサは、前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の補給と同期して、前記加振装置に入力される駆動波形を一時的に変更する、
極端紫外光生成装置。
【請求項14】
請求項１３に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記駆動波形は矩形波であり、
前記プロセッサは、前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の補給と同期して、前記矩形波のデューティを変更する、
極端紫外光生成装置。
前記駆動波形は矩形波であり、
前記プロセッサは、前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の補給と同期して、前記矩形波のデューティを変更する、
極端紫外光生成装置。
【請求項15】
請求項１３に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記駆動波形は搬送波を変調して得られた被変調波であり、
前記プロセッサは、前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の補給と同期して、前記搬送波のパラメータ及び変調のパラメータの少なくとも１つを変更する、
極端紫外光生成装置。
前記駆動波形は搬送波を変調して得られた被変調波であり、
前記プロセッサは、前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の補給と同期して、前記搬送波のパラメータ及び変調のパラメータの少なくとも１つを変更する、
極端紫外光生成装置。
【請求項16】
請求項１３に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記複数の液滴ターゲットの合体の状態を、前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の補給及び前記駆動波形の変更と同期して検出する検出装置をさらに備え、
前記プロセッサは、前記検出装置の検出結果に基づいて前記補給量を決定して前記固体ターゲット補給装置を制御する、
極端紫外光生成装置。
前記複数の液滴ターゲットの合体の状態を、前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の補給及び前記駆動波形の変更と同期して検出する検出装置をさらに備え、
前記プロセッサは、前記検出装置の検出結果に基づいて前記補給量を決定して前記固体ターゲット補給装置を制御する、
極端紫外光生成装置。
【請求項17】
請求項１６に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記プロセッサは、前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の試行補給量を増加させながら、前記検出装置から出力された検出結果を前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の補給及び前記駆動波形の変更と同期して取得し、前記液滴ターゲットの合体が完了している場合の前記試行補給量の最大値を前記補給量として決定する、
極端紫外光生成装置。
前記プロセッサは、前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の試行補給量を増加させながら、前記検出装置から出力された検出結果を前記固体ターゲット補給装置から前記タンクへの固体ターゲット物質の補給及び前記駆動波形の変更と同期して取得し、前記液滴ターゲットの合体が完了している場合の前記試行補給量の最大値を前記補給量として決定する、
極端紫外光生成装置。
【請求項18】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記固体ターゲット補給装置は、前記補給量の固体ターゲット物質を収容する収容部を含み、前記収容部に収容された固体ターゲット物質を前記タンクに移動させることで、前記補給量の固体ターゲット物質を前記タンクに補給する
極端紫外光生成装置。
前記固体ターゲット補給装置は、前記補給量の固体ターゲット物質を収容する収容部を含み、前記収容部に収容された固体ターゲット物質を前記タンクに移動させることで、前記補給量の固体ターゲット物質を前記タンクに補給する
極端紫外光生成装置。
【請求項19】
電子デバイスの製造方法であって、
固体ターゲット物質を溶融させて液体ターゲット物質を生成するタンクと、前記タンク内の液体ターゲット物質から液滴ターゲットを連続的に生成して、パルスレーザ光が集光するプラズマ生成領域に向けて出力するノズルと、を含み、前記液滴ターゲットを含む複数の液滴ターゲットが合体するように前記複数の液滴ターゲットに速度差を与える液滴ターゲット生成装置と、
前記複数の液滴ターゲットが前記プラズマ生成領域に到達するまでに前記複数の液滴ターゲットの合体が完了するような１回の補給量の固体ターゲット物質を前記タンクに補給する固体ターゲット補給装置と、
を備える極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成し、
極端紫外光を露光装置に出力し、
電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光する
ことを含む、電子デバイスの製造方法。
固体ターゲット物質を溶融させて液体ターゲット物質を生成するタンクと、前記タンク内の液体ターゲット物質から液滴ターゲットを連続的に生成して、パルスレーザ光が集光するプラズマ生成領域に向けて出力するノズルと、を含み、前記液滴ターゲットを含む複数の液滴ターゲットが合体するように前記複数の液滴ターゲットに速度差を与える液滴ターゲット生成装置と、
前記複数の液滴ターゲットが前記プラズマ生成領域に到達するまでに前記複数の液滴ターゲットの合体が完了するような１回の補給量の固体ターゲット物質を前記タンクに補給する固体ターゲット補給装置と、
を備える極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成し、
極端紫外光を露光装置に出力し、
電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光する
ことを含む、電子デバイスの製造方法。
【請求項20】
電子デバイスの製造方法であって、
固体ターゲット物質を溶融させて液体ターゲット物質を生成するタンクと、前記タンク内の液体ターゲット物質から液滴ターゲットを連続的に生成して、パルスレーザ光が集光するプラズマ生成領域に向けて出力するノズルと、を含み、前記液滴ターゲットを含む複数の液滴ターゲットが合体するように前記複数の液滴ターゲットに速度差を与える液滴ターゲット生成装置と、
前記複数の液滴ターゲットが前記プラズマ生成領域に到達するまでに前記複数の液滴ターゲットの合体が完了するような１回の補給量の固体ターゲット物質を前記タンクに補給する固体ターゲット補給装置と、
を備える極端紫外光生成装置によって生成した極端紫外光をマスクに照射してマスクの欠陥を検査し、
前記検査の結果を用いてマスクを選定し、
前記選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写する
ことを含む、電子デバイスの製造方法。
固体ターゲット物質を溶融させて液体ターゲット物質を生成するタンクと、前記タンク内の液体ターゲット物質から液滴ターゲットを連続的に生成して、パルスレーザ光が集光するプラズマ生成領域に向けて出力するノズルと、を含み、前記液滴ターゲットを含む複数の液滴ターゲットが合体するように前記複数の液滴ターゲットに速度差を与える液滴ターゲット生成装置と、
前記複数の液滴ターゲットが前記プラズマ生成領域に到達するまでに前記複数の液滴ターゲットの合体が完了するような１回の補給量の固体ターゲット物質を前記タンクに補給する固体ターゲット補給装置と、
を備える極端紫外光生成装置によって生成した極端紫外光をマスクに照射してマスクの欠陥を検査し、
前記検査の結果を用いてマスクを選定し、
前記選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写する
ことを含む、電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、１０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長約１３ｎｍの極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するＥＵＶ光生成装置と縮小投影反射光学系(reduced projection reflection optics)とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【0003】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にパルスレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置の開発が進んでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１５－０５３２９２号公報
【特許文献2】米国特許出願公開第２０１３／０２２１５８７号明細書
【特許文献3】米国特許出願公開第２０２０／０３６３７２８号明細書
【特許文献4】米国特許出願公開第２００６／０１３３９６７号明細書
【特許文献5】実公昭６２－０３６０５８号公報
【概要】
【0005】
本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、固体ターゲット物質を溶融させて液体ターゲット物質を生成するタンクと、タンク内の液体ターゲット物質から液滴ターゲットを連続的に生成して、パルスレーザ光が集光するプラズマ生成領域に向けて出力するノズルと、を含み、液滴ターゲットを含む複数の液滴ターゲットが合体するように複数の液滴ターゲットに速度差を与える液滴ターゲット生成装置と、複数の液滴ターゲットがプラズマ生成領域に到達するまでに複数の液滴ターゲットの合体が完了するような１回の補給量の固体ターゲット物質をタンクに補給する固体ターゲット補給装置と、を備える。
【0006】
本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、固体ターゲット物質を溶融させて液体ターゲット物質を生成するタンクと、タンク内の液体ターゲット物質から液滴ターゲットを連続的に生成して、パルスレーザ光が集光するプラズマ生成領域に向けて出力するノズルと、を含み、液滴ターゲットを含む複数の液滴ターゲットが合体するように複数の液滴ターゲットに速度差を与える液滴ターゲット生成装置と、複数の液滴ターゲットがプラズマ生成領域に到達するまでに複数の液滴ターゲットの合体が完了するような１回の補給量の固体ターゲット物質をタンクに補給する固体ターゲット補給装置と、を備える極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成し、極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光することを含む。
【0007】
本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、固体ターゲット物質を溶融させて液体ターゲット物質を生成するタンクと、タンク内の液体ターゲット物質から液滴ターゲットを連続的に生成して、パルスレーザ光が集光するプラズマ生成領域に向けて出力するノズルと、を含み、液滴ターゲットを含む複数の液滴ターゲットが合体するように複数の液滴ターゲットに速度差を与える液滴ターゲット生成装置と、複数の液滴ターゲットがプラズマ生成領域に到達するまでに複数の液滴ターゲットの合体が完了するような１回の補給量の固体ターゲット物質をタンクに補給する固体ターゲット補給装置と、を備える極端紫外光生成装置によって生成した極端紫外光をマスクに照射してマスクの欠陥を検査し、検査の結果を用いてマスクを選定し、選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写することを含む。
【図面の簡単な説明】
【0008】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【実施形態】
【0009】
＜内容＞
１．ＥＵＶ光生成システム１１の全体説明
１．１ 構成
１．２ 動作
２．比較例
２．１ 構成
２．１．１ 固体ターゲット補給装置８
２．１．２ 液滴ターゲット生成装置２６
２．１．３ ＣＷレーザ光源４１及び通過センサユニット４２
２．１．４ パルス光源４３及び撮像ユニット４４
２．１．５ ＥＵＶセンサ４０
２．１．６ ＥＵＶ光利用装置プロセッサ６５
２．２ 各種プロセッサの動作
２．２．１ 概要
２．２．２ ＥＵＶ光生成プロセッサ５の動作
２．２．３ 液滴ターゲット生成プロセッサ２６５の動作
２．２．４ 固体ターゲット補給プロセッサ８５の動作
２．３ 比較例の課題
３．ターゲット計測結果を用いて設定される補給量Ｑｔ
３．１ 構成
３．２ 各種プロセッサの動作
３．２．１ 概要
３．２．２ ＥＵＶ光生成プロセッサ５の動作
３．２．３ 補給量Ｑｔの下限値の計算例
３．２．４ 固体ターゲット補給プロセッサ８５の動作
３．３ 作用
４．ターゲット計測システムを用いて設定される補給量Ｑｔ
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用
５．ＥＵＶ光のパルスエネルギー安定性Ｅσに基づいて設定される補給量Ｑｔ
５．１ 各種プロセッサの動作
５．１．１ 概要
５．１．２ ＥＵＶ光生成プロセッサ５の動作
５．１．３ 固体ターゲット補給プロセッサ８５の動作
５．２ 作用
６．固体ターゲット物質２７ａの補給時のタンク２６０の温度制御
６．１ 構成
６．２ 各種プロセッサの動作
６．２．１ 概要
６．２．２ ＥＵＶ光生成プロセッサ５の動作
６．２．３ 液滴ターゲット生成プロセッサ２６５の動作
６．３ 第２の実施形態への適用
６．４ 第３の実施形態への適用
６．５ 作用
７．固体ターゲット物質２７ａの補給時の駆動波形のデューティ制御
７．１ 構成
７．２ 各種プロセッサの動作
７．２．１ 概要
７．２．２ ＥＵＶ光生成プロセッサ５の動作
７．２．３ 液滴ターゲット生成プロセッサ２６５の動作
７．３ 作用
８．固体ターゲット物質２７ａの補給時の駆動波形の変調制御
８．１ 構成
８．２ 各種プロセッサの動作
８．２．１ 概要
８．２．２ ＥＵＶ光生成プロセッサ５の動作
８．２．３ 液滴ターゲット生成プロセッサ２６５の動作
８．２．４ 被変調波の例
８．２．４．１ ＰＭ変調波Ｖｐｍ（ｔ）
８．２．４．２ ＦＭ変調波Ｖｆｍ（ｔ）
８．２．４．３ ＡＭ変調波Ｖａｍ（ｔ）
８．３ 作用
９．その他
９．１ 固体ターゲット補給装置８の計量器８２
９．２ １回の補給量Ｑｔが固定された固体ターゲット補給装置８
９．３ シャッタ８３１を含むロードロック装置８３
９．４ 小タンク２６０ｓｔ及びノズル２６６にそれぞれヒーター２６７ｓｔ及び２６７ｎｚが配置された液滴ターゲット生成装置２６
９．５ 圧力調節器２６１
９．６ ＥＵＶ光利用装置６
９．７ 補足
１．ＥＵＶ光生成システム１１の全体説明
１．１ 構成
１．２ 動作
２．比較例
２．１ 構成
２．１．１ 固体ターゲット補給装置８
２．１．２ 液滴ターゲット生成装置２６
２．１．３ ＣＷレーザ光源４１及び通過センサユニット４２
２．１．４ パルス光源４３及び撮像ユニット４４
２．１．５ ＥＵＶセンサ４０
２．１．６ ＥＵＶ光利用装置プロセッサ６５
２．２ 各種プロセッサの動作
２．２．１ 概要
２．２．２ ＥＵＶ光生成プロセッサ５の動作
２．２．３ 液滴ターゲット生成プロセッサ２６５の動作
２．２．４ 固体ターゲット補給プロセッサ８５の動作
２．３ 比較例の課題
３．ターゲット計測結果を用いて設定される補給量Ｑｔ
３．１ 構成
３．２ 各種プロセッサの動作
３．２．１ 概要
３．２．２ ＥＵＶ光生成プロセッサ５の動作
３．２．３ 補給量Ｑｔの下限値の計算例
３．２．４ 固体ターゲット補給プロセッサ８５の動作
３．３ 作用
４．ターゲット計測システムを用いて設定される補給量Ｑｔ
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用
５．ＥＵＶ光のパルスエネルギー安定性Ｅσに基づいて設定される補給量Ｑｔ
５．１ 各種プロセッサの動作
５．１．１ 概要
５．１．２ ＥＵＶ光生成プロセッサ５の動作
５．１．３ 固体ターゲット補給プロセッサ８５の動作
５．２ 作用
６．固体ターゲット物質２７ａの補給時のタンク２６０の温度制御
６．１ 構成
６．２ 各種プロセッサの動作
６．２．１ 概要
６．２．２ ＥＵＶ光生成プロセッサ５の動作
６．２．３ 液滴ターゲット生成プロセッサ２６５の動作
６．３ 第２の実施形態への適用
６．４ 第３の実施形態への適用
６．５ 作用
７．固体ターゲット物質２７ａの補給時の駆動波形のデューティ制御
７．１ 構成
７．２ 各種プロセッサの動作
７．２．１ 概要
７．２．２ ＥＵＶ光生成プロセッサ５の動作
７．２．３ 液滴ターゲット生成プロセッサ２６５の動作
７．３ 作用
８．固体ターゲット物質２７ａの補給時の駆動波形の変調制御
８．１ 構成
８．２ 各種プロセッサの動作
８．２．１ 概要
８．２．２ ＥＵＶ光生成プロセッサ５の動作
８．２．３ 液滴ターゲット生成プロセッサ２６５の動作
８．２．４ 被変調波の例
８．２．４．１ ＰＭ変調波Ｖｐｍ（ｔ）
８．２．４．２ ＦＭ変調波Ｖｆｍ（ｔ）
８．２．４．３ ＡＭ変調波Ｖａｍ（ｔ）
８．３ 作用
９．その他
９．１ 固体ターゲット補給装置８の計量器８２
９．２ １回の補給量Ｑｔが固定された固体ターゲット補給装置８
９．３ シャッタ８３１を含むロードロック装置８３
９．４ 小タンク２６０ｓｔ及びノズル２６６にそれぞれヒーター２６７ｓｔ及び２６７ｎｚが配置された液滴ターゲット生成装置２６
９．５ 圧力調節器２６１
９．６ ＥＵＶ光利用装置６
９．７ 補足
【0010】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【0011】
１．ＥＵＶ光生成システム１１の全体説明
１．１ 構成
図１に、ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ装置３とともに用いられる。本開示においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２及び液滴ターゲット生成装置２６を含む。チャンバ２は、密閉可能な容器である。液滴ターゲット生成装置２６は、ターゲット物質を含むターゲット２７をチャンバ２内部に供給する。ターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよい。
１．１ 構成
図１に、ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ装置３とともに用いられる。本開示においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２及び液滴ターゲット生成装置２６を含む。チャンバ２は、密閉可能な容器である。液滴ターゲット生成装置２６は、ターゲット物質を含むターゲット２７をチャンバ２内部に供給する。ターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよい。
【0012】
チャンバ２の壁には、貫通孔が備えられている。その貫通孔は、ウインドウ２１によって塞がれ、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過する。チャンバ２の内部には、回転楕円面形状の反射面を備えたＥＵＶ集光ミラー２３が配置される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を備える。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点２９２に位置するように配置される。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が備えられ、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過する。
【0013】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成プロセッサ５、ターゲットセンサ４等を含む。ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、制御プログラムが記憶されたメモリ５０１と、制御プログラムを実行するＣＰＵ（central processing unit）５０２と、を含む処理装置である。ＥＵＶ光生成プロセッサ５は本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。ターゲットセンサ４は、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度の内の少なくとも１つを検出する。ターゲットセンサ４は、撮像機能を備えてもよい。
【0014】
また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部とＥＵＶ光利用装置６の内部とを連通させる接続部２９を含む。ＥＵＶ光利用装置６の例については、図５４及び図５５を参照しながら後述する。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が備えられる。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点に位置するように配置される。
【0015】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光伝送装置３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含む。レーザ光伝送装置３４は、パルスレーザ光３２の伝送状態を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備える。
【0016】
１．２ 動作
図１を参照して、ＥＵＶ光生成システム１１の動作を説明する。レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光伝送装置３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射する。パルスレーザ光３２は、レーザ光路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３としてターゲット２７に照射される。
図１を参照して、ＥＵＶ光生成システム１１の動作を説明する。レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光伝送装置３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射する。パルスレーザ光３２は、レーザ光路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３としてターゲット２７に照射される。
【0017】
液滴ターゲット生成装置２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力する。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３が照射される。パルスレーザ光３３が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射される。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって他の波長域の光に比べて高い反射率で反射される。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光を含む反射光２５２は、中間集光点２９２で集光され、ＥＵＶ光利用装置６に出力される。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
【0018】
ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体を制御する。ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、ターゲットセンサ４の検出結果を処理する。ターゲットセンサ４の検出結果に基づいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御する。さらに、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御する。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
【0019】
２．比較例
２．１ 構成
図２は、比較例に係るＥＵＶ光生成システム１１のうちの液滴ターゲット生成装置２６及びその周辺の構成を示す。本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。液滴ターゲット生成装置２６は、固体ターゲット補給装置８、ＥＵＶセンサ４０、ＣＷレーザ光源４１、通過センサユニット４２、パルス光源４３、及び撮像ユニット４４とともに用いられる。通過センサユニット４２及び撮像ユニット４４は本開示における検出装置に相当する。
２．１ 構成
図２は、比較例に係るＥＵＶ光生成システム１１のうちの液滴ターゲット生成装置２６及びその周辺の構成を示す。本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。液滴ターゲット生成装置２６は、固体ターゲット補給装置８、ＥＵＶセンサ４０、ＣＷレーザ光源４１、通過センサユニット４２、パルス光源４３、及び撮像ユニット４４とともに用いられる。通過センサユニット４２及び撮像ユニット４４は本開示における検出装置に相当する。
【0020】
２．１．１ 固体ターゲット補給装置８
固体ターゲット補給装置８は、固体ターゲット容器８１と、計量器８２と、ロードロック装置８３と、固体ターゲット補給プロセッサ８５と、を含む。固体ターゲット補給プロセッサ８５は図示しないメモリ及びＣＰＵを含み、その構成はＥＵＶ光生成プロセッサ５と同様である。
固体ターゲット補給装置８は、固体ターゲット容器８１と、計量器８２と、ロードロック装置８３と、固体ターゲット補給プロセッサ８５と、を含む。固体ターゲット補給プロセッサ８５は図示しないメモリ及びＣＰＵを含み、その構成はＥＵＶ光生成プロセッサ５と同様である。
【0021】
固体ターゲット容器８１は、スズなどの固体ターゲット物質２７ａを収容する容器である。固体ターゲット物質２７ａは、例えば、互いにほぼ同じ大きさの球形の粒であってもよい。あるいは、球形以外の形状の粒、ペレット、あるいはインゴットであってもよい。固体ターゲット容器８１の内部の温度はターゲット物質の融点より低い温度である。固体ターゲット容器８１の内部の圧力は、大気圧と同程度である。
【0022】
計量器８２は固体ターゲット容器８１の下端に配置されている。固体ターゲット容器８１は、計量器８２を介して供給管８６に接続され、供給管８６はロードロック装置８３に接続されている。ロードロック装置８３はさらに供給管８７に接続され、供給管８７は液滴ターゲット生成装置２６のタンク２６０に接続されている。
【0023】
計量器８２は、通常時は固体ターゲット容器８１から供給管８６への固体ターゲット物質２７ａの供給を止めている。
計量器８２は、固体ターゲット物質２７ａを計量しながら供給管８６へ移動させることができる。固体ターゲット物質２７ａの計量は、固体ターゲット物質２７ａの粒の数を数えることを含む。計量された固体ターゲット物質２７ａは重力によって移動し、供給管８６を通過してロードロック装置８３に移動する。計量器８２は、予め決められた量の固体ターゲット物質２７ａを通過させたら、固体ターゲット物質２７ａの通過を止める。１回の固体ターゲット補給量ＱｔはＥＵＶ光生成プロセッサ５によって設定される。
計量器８２は、固体ターゲット物質２７ａを計量しながら供給管８６へ移動させることができる。固体ターゲット物質２７ａの計量は、固体ターゲット物質２７ａの粒の数を数えることを含む。計量された固体ターゲット物質２７ａは重力によって移動し、供給管８６を通過してロードロック装置８３に移動する。計量器８２は、予め決められた量の固体ターゲット物質２７ａを通過させたら、固体ターゲット物質２７ａの通過を止める。１回の固体ターゲット補給量ＱｔはＥＵＶ光生成プロセッサ５によって設定される。
【0024】
図３は、ロードロック装置８３の構成例を概略的に示す。ロードロック装置８３は、圧力調節器８８と、ロードロック室８９と、を含み、供給管８６及び８７の間に配置されている。供給管８６には入口バルブ８６１が配置され、供給管８７には出口バルブ８７１が配置されている。圧力調節器８８は、ロードロック室８９と図示しない不活性ガスボンベとの間に配管を介して接続される。ロードロック室８９はさらに図示しない排気ポンプに接続されてもよい。ロードロック室８９は、計量器８２から供給される固体ターゲット物質２７ａを収容可能に構成されている。ロードロック室８９の内部の温度はターゲット物質の融点より低い温度である。
【0025】
入口バルブ８６１及び出口バルブ８７１は、一方を開く前に必ず他方を閉じるように、固体ターゲット補給プロセッサ８５によって制御される。入口バルブ８６１を開いた状態で固体ターゲット物質２７ａを計量器８２からロードロック室８９へ移動させることができる。固体ターゲット物質２７ａがロードロック室８９に収容され、入口バルブ８６１及び出口バルブ８７１が閉じられた状態で、ロードロック室８９の内部を液滴ターゲット生成装置２６のタンク２６０の内部と同じ圧力とするよう、圧力調節器８８が固体ターゲット補給プロセッサ８５によって制御される。その後、出口バルブ８７１を開くと、固体ターゲット物質２７ａをロードロック室８９からタンク２６０へ移動させることができる。これにより、タンク２６０内の圧力の変動が抑制される。
【0026】
２．１．２ 液滴ターゲット生成装置２６
図２を再び参照し、液滴ターゲット生成装置２６は、タンク２６０と、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５と、ノズル２６６と、ヒーター２６７と、温度センサ２６８と、加振装置２６９と、を含む。液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、図示しないメモリ及びＣＰＵを含み、その構成はＥＵＶ光生成プロセッサ５と同様である。
図２を再び参照し、液滴ターゲット生成装置２６は、タンク２６０と、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５と、ノズル２６６と、ヒーター２６７と、温度センサ２６８と、加振装置２６９と、を含む。液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、図示しないメモリ及びＣＰＵを含み、その構成はＥＵＶ光生成プロセッサ５と同様である。
【0027】
タンク２６０は、ロードロック室８９から供給管８７を介して供給されるターゲット物質を収容する容器である。タンク２６０は、供給管８７の一部を介して圧力調節器２６１に接続されている。圧力調節器２６１は液滴ターゲット生成装置２６の外部のガスボンベＧ１に接続されている。ガスボンベＧ１は、アルゴンガス、ヘリウムガスなどの高圧の希ガスを加圧ガスとして収容している。液滴ターゲット生成プロセッサ２６５が圧力調節器２６１を制御することにより、タンク２６０の内部の圧力が所定の圧力に調節される。所定の圧力は、ガスボンベＧ１から供給されたガスの圧力より低く、大気圧より高い圧力である。
【0028】
ヒーター２６７はタンク２６０に取り付けられている。ヒーター２６７は、ヒーター電源２６３に接続される。タンク２６０に配置された温度センサ２６８の出力に基づいて液滴ターゲット生成プロセッサ２６５が温度調節器２６２を制御し、温度調節器２６２がヒーター電源２６３を制御することにより、タンク２６０の内部の温度が制御される。これにより、タンク２６０において固体ターゲット物質２７ａが溶融されて液体ターゲット物質２７ｂとなる。タンク２６０の目標温度ＴｔはＥＵＶ光生成プロセッサ５によってターゲット物質の融点より高い温度に設定される。なお、図示しない別のヒーターがノズル２６６に取り付けられてもよい。
【0029】
タンク２６０にはレベルセンサＬＶが配置されている。レベルセンサＬＶは、タンク２６０内の液体ターゲット物質２７ｂの残量が下限値以下になった場合に、固体ターゲット物質２７ａの補給を要求する信号を生成する。この信号は固体ターゲット補給プロセッサ８５に送信される。
【0030】
ノズル２６６は、タンク２６０の重力方向における下端部に配置されている。ノズル２６６の先端は、チャンバ２（図１参照）の内部に開口している。ノズル２６６には圧電素子を含む加振装置２６９が取り付けられ、加振装置２６９は駆動電源２６４に接続されている。駆動電源２６４は液滴ターゲット生成プロセッサ２６５によって制御される。タンク２６０の内部の液体ターゲット物質２７ｂは、圧力調節器２６１から供給されるガスの圧力とチャンバ２の内部の圧力との差によって、ノズル２６６の先端の開口から吐出される。加振装置２６９によってノズル２６６に振動を与えると、ノズル２６６から吐出されたジェット状の液体ターゲット物質２７ｂは液滴状に分離され、液滴ターゲット２７１となる。
【0031】
図４は、ノズル２６６の加振装置２６９に与えられる駆動電圧の波形図である。横軸は時間ｔを示し、縦軸は電圧Ｖを示す。駆動電圧は矩形波で与えられてもよい。駆動電圧の周期をＴｃとし、繰り返し周波数をｆとすると、周期Ｔｃは１／ｆで与えられる。駆動電圧の１周期あたりのオン時間をＴｏｎとする。（Ｔｏｎ／Ｔｃ）×１００で与えられる比率を駆動波形のデューティＤと呼ぶ。デューティＤを変更する場合は、周期Ｔｃは変更せずにオン時間Ｔｏｎを変更する。
【0032】
図５は、複数の液滴ターゲット２７１が合体する様子を模式的に示す。加振装置２６９に与えられる駆動波形を調整することで、複数の液滴ターゲット２７１にわずかな速度差が生じ得る。複数の液滴ターゲット２７１に速度差が生じると、隣り合う液滴ターゲット同士が合体して合体ターゲット２７２を生成し得る。合体ターゲット２７２は、さらに隣接する液滴ターゲット２７１と合体する。合体ターゲット２７２の前後に液滴ターゲット２７１がなくなった状態を合体完了といい、このときの合体ターゲット２７２がターゲット２７に相当する。合体完了の前に合体ターゲット２７２の前後に存在していた液滴ターゲット２７１をサテライトという。
【0033】
ノズル２６６の先端から合体完了した最初のターゲット２７までの距離を合体距離Ｌｃとする。合体完了したターゲット２７の速度をＶｄとすると、合体完了したターゲット２７間の間隔である合体完了ターゲット間距離Ｌｄは以下の式で与えられる。
Ｌｄ＝Ｖｄ・Ｔｃ
このように、駆動電圧の周期Ｔｃに応じて合体完了ターゲット間距離Ｌｄが決まる。
Ｌｄ＝Ｖｄ・Ｔｃ
このように、駆動電圧の周期Ｔｃに応じて合体完了ターゲット間距離Ｌｄが決まる。
【0034】
２．１．３ ＣＷレーザ光源４１及び通過センサユニット４２
図２を再び参照し、ＣＷレーザ光源４１及び通過センサユニット４２は、ターゲット２７又は液滴ターゲット２７１の軌道を挟んで互いに反対側に配置されている。
図２を再び参照し、ＣＷレーザ光源４１及び通過センサユニット４２は、ターゲット２７又は液滴ターゲット２７１の軌道を挟んで互いに反対側に配置されている。
【0035】
ＣＷレーザ光源４１は、ＣＷレーザ４１３と、集光レンズ４１１と、を含む。集光レンズ４１１は、ＣＷレーザ４１３から出力されたレーザ光をターゲット２７又は液滴ターゲット２７１の軌道及びその周辺に集光する。
【0036】
通過センサユニット４２は、受光光学系４２１と、光センサ４２３と、を含む。受光光学系４２１は、ターゲット２７又は液滴ターゲット２７１の軌道を通った光を光センサ４２３の受光部に導く。ＣＷレーザ４１３から出力されたレーザ光の光路をターゲット２７又は液滴ターゲット２７１が通過すると、レーザ光の一部がターゲット２７又は液滴ターゲット２７１によって遮られ、光センサ４２３が受光する光の強度が低下する。これによりターゲット２７又は液滴ターゲット２７１の通過タイミングが検出され、通過タイミング信号がＥＵＶ光生成プロセッサ５に出力される。
【0037】
２．１．４ パルス光源４３及び撮像ユニット４４
パルス光源４３及び撮像ユニット４４は、プラズマ生成領域２５を挟んで互いに反対側に配置されている。
パルス光源４３及び撮像ユニット４４は、プラズマ生成領域２５を挟んで互いに反対側に配置されている。
【0038】
パルス光源４３は、フラッシュランプ４３３と、コリメータレンズ４３１と、を含む。フラッシュランプ４３３は、通過センサユニット４２で検出された通過タイミングに対して所定の遅延時間でフラッシュ発光するように、ＥＵＶ光生成プロセッサ５によって制御される。この遅延時間は、ＥＵＶ光生成プロセッサ５がフラッシュランプ４３３との間に接続された図示しない遅延回路を介して制御信号を送信することで実現される。コリメータレンズ４３１は、フラッシュランプ４３３からの出力光がプラズマ生成領域２５及びその周辺に照射されるようにその出力光を平行光とする。
【0039】
撮像ユニット４４は、転写光学系４４１と、シャッタ４４２と、イメージセンサ４４３と、を含む。転写光学系４４１は、プラズマ生成領域２５に到達したターゲット２７又は液滴ターゲット２７１の反転像がイメージセンサ４４３の受光面に形成されるように配置されている。シャッタ４４２は、フラッシュ発光と同期して所定時間だけ開くように、ＥＵＶ光生成プロセッサ５によって制御される。イメージセンサ４４３は、その受光面に入射する光の強度分布データを画像として出力する。ターゲット２７がプラズマ生成領域２５に位置しているとき、ターゲット２７の反転像に相当する部分が暗く、他は明るい画像となる。これによりターゲット２７又は液滴ターゲット２７１の画像がＥＵＶ光生成プロセッサ５に出力される。
【0040】
２．１．５ ＥＵＶセンサ４０
ＥＵＶセンサ４０は、プラズマ生成領域２５に受光面を向けられた図示しないエネルギー計測器と、プラズマ生成領域２５とエネルギー計測器との間に配置された図示しないＥＵＶ光透過フィルタと、を含む。レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１が、簡略化して図示されたレーザ光集光ミラー２２によってパルスレーザ光３３として集光され、プラズマ生成領域２５に到達したターゲット２７に照射されると、ＥＵＶ光が生成される。ＥＵＶセンサ４０は、プラズマ生成領域２５から放出されたＥＵＶ光のパルスエネルギーＥｅｕｖ（ｋ）を検出し、ＥＵＶ光生成プロセッサ５に出力する。
ＥＵＶセンサ４０は、プラズマ生成領域２５に受光面を向けられた図示しないエネルギー計測器と、プラズマ生成領域２５とエネルギー計測器との間に配置された図示しないＥＵＶ光透過フィルタと、を含む。レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１が、簡略化して図示されたレーザ光集光ミラー２２によってパルスレーザ光３３として集光され、プラズマ生成領域２５に到達したターゲット２７に照射されると、ＥＵＶ光が生成される。ＥＵＶセンサ４０は、プラズマ生成領域２５から放出されたＥＵＶ光のパルスエネルギーＥｅｕｖ（ｋ）を検出し、ＥＵＶ光生成プロセッサ５に出力する。
【0041】
２．１．６ ＥＵＶ光利用装置プロセッサ６５
ＥＵＶ光利用装置６（図１参照）は、ＥＵＶ光利用装置プロセッサ６５を含む。ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、ＥＵＶ光利用装置プロセッサ６５との間で信号を送受信し、ＥＵＶ光利用装置６にＥＵＶ光を出力するか否かを決定する。
ＥＵＶ光利用装置６（図１参照）は、ＥＵＶ光利用装置プロセッサ６５を含む。ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、ＥＵＶ光利用装置プロセッサ６５との間で信号を送受信し、ＥＵＶ光利用装置６にＥＵＶ光を出力するか否かを決定する。
【0042】
２．２ 各種プロセッサの動作
２．２．１ 概要
図６～図１２を参照しながら、比較例におけるＥＵＶ光生成プロセッサ５、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５、及び固体ターゲット補給プロセッサ８５の動作を説明する。これらのプロセッサは互いに信号を送受信しながら連携して動作する。
２．２．１ 概要
図６～図１２を参照しながら、比較例におけるＥＵＶ光生成プロセッサ５、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５、及び固体ターゲット補給プロセッサ８５の動作を説明する。これらのプロセッサは互いに信号を送受信しながら連携して動作する。
【0043】
図６は、比較例におけるＥＵＶ光生成プロセッサ５、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５、及び固体ターゲット補給プロセッサ８５による連携の概要を示すタイムチャートである。図６においては上端から下方へ向かって時間が経過する。ＥＵＶ光生成プロセッサ５の動作は、図７～図９を参照しながら説明するように、Ｓ１２００（液滴ターゲット生成装置２６を起動）、Ｓ１３００（固体ターゲット補給装置８を起動）、及びＳ２１００（ＥＵＶ光を生成）を含む。
【0044】
Ｓ１２００において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５はタンク２６０の目標温度Ｔｔを液滴ターゲット生成プロセッサ２６５に送信する。液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、図１０及び図１１を参照しながら説明するように、Ｓ３３６において目標温度Ｔｔに従った制御を行い、タンク２６０の温度Ｔが安定したらフラグＦ１＝１をＥＵＶ光生成プロセッサ５に送信する。ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、フラグＦ１＝１を受信したらＳ１２００の処理を終了する。但し、その後も液滴ターゲット生成プロセッサ２６５の処理は続けられて、タンク２６０の温度Ｔが維持される。
【0045】
Ｓ１３００において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は１回の固体ターゲット補給量ＱｔをＮ０・Ｑｍｉｎに設定し、固体ターゲット補給プロセッサ８５に送信する。固体ターゲット補給プロセッサ８５は、図１２を参照しながら説明するように、タンク２６０内の残量が下限値以下になると、補給量Ｑｔの固体ターゲット物質２７ａをタンク２６０に移動させる。その後も固体ターゲット補給プロセッサ８５の処理は続けられて、タンク２６０内の残量が減れば固体ターゲット物質２７ａが補給される。
【0046】
Ｓ２１００において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５はＥＵＶ光生成装置１を制御してＥＵＶ光を生成させ、ＥＵＶ光利用装置６に出力させる。この動作は、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５及び固体ターゲット補給プロセッサ８５の動作とともに、ＥＵＶ光利用装置６からＥＵＶ光停止信号を受信するまで繰り返される。
【0047】
２．２．２ ＥＵＶ光生成プロセッサ５の動作
図７は、比較例におけるＥＵＶ光生成プロセッサ５の動作を示すフローチャートである。
Ｓ１０００において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、ＥＵＶ光利用装置６へＥＵＶ光生成ＮＧ信号を出力する。ＥＵＶ光生成ＮＧ信号は後述のＳ１８００で解除されるまで有効な信号である。
図７は、比較例におけるＥＵＶ光生成プロセッサ５の動作を示すフローチャートである。
Ｓ１０００において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、ＥＵＶ光利用装置６へＥＵＶ光生成ＮＧ信号を出力する。ＥＵＶ光生成ＮＧ信号は後述のＳ１８００で解除されるまで有効な信号である。
【0048】
Ｓ１１００において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、ＥＵＶ光生成装置１を起動させる。ＥＵＶ光生成装置１の起動は以下の動作を含む。
（ａ）ＥＵＶセンサ４０、ＣＷレーザ光源４１、通過センサユニット４２、パルス光源４３、撮像ユニット４４等の各種装置の起動
（ｂ）パルス光源４３及び撮像ユニット４４等の各種遅延時間の設定
（ｃ）ＥＵＶ光の目標パルスエネルギーの設定
（ｄ）レーザ装置３の起動
（ａ）ＥＵＶセンサ４０、ＣＷレーザ光源４１、通過センサユニット４２、パルス光源４３、撮像ユニット４４等の各種装置の起動
（ｂ）パルス光源４３及び撮像ユニット４４等の各種遅延時間の設定
（ｃ）ＥＵＶ光の目標パルスエネルギーの設定
（ｄ）レーザ装置３の起動
【0049】
Ｓ１２００において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、液滴ターゲット生成装置２６を起動させる。Ｓ１２００の詳細については図８を参照しながら説明する。
Ｓ１３００において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、固体ターゲット補給装置８を起動させる。Ｓ１３００の詳細については図９を参照しながら説明する。
Ｓ１３００において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、固体ターゲット補給装置８を起動させる。Ｓ１３００の詳細については図９を参照しながら説明する。
【0050】
Ｓ１５００において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、ＥＵＶ光生成装置１を制御してＥＵＶ光を生成させる。ＥＵＶ光の生成は以下の動作を含む。
（ａ）レーザ装置３への発光トリガの出力
（ｂ）ＥＵＶ光のパルスエネルギーＥｅｕｖ（ｋ）の計測
（ｃ）ＥＵＶ光のパルスエネルギーＥｅｕｖ（ｋ）の計測結果に基づくパルスレーザ光のパルスエネルギーのフィードバック制御
但し、Ｓ１５００においては図示しないシャッタを閉じておき、ＥＵＶ光利用装置６にはＥＵＶ光を出力させない。
（ａ）レーザ装置３への発光トリガの出力
（ｂ）ＥＵＶ光のパルスエネルギーＥｅｕｖ（ｋ）の計測
（ｃ）ＥＵＶ光のパルスエネルギーＥｅｕｖ（ｋ）の計測結果に基づくパルスレーザ光のパルスエネルギーのフィードバック制御
但し、Ｓ１５００においては図示しないシャッタを閉じておき、ＥＵＶ光利用装置６にはＥＵＶ光を出力させない。
【0051】
Ｓ１６００において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、ＥＵＶ光がＯＫであるか、例えばＥＵＶ光のパルスエネルギーＥｅｕｖ（ｋ）が安定しているか否かを判定する。ＥＵＶ光がＯＫでない場合（Ｓ１６００：ＮＯ）、ＥＵＶ光生成プロセッサ５はＳ１５００に処理を戻す。ＥＵＶ光がＯＫである場合（Ｓ１６００：ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成プロセッサ５はＳ１８００に処理を進める。本開示のフローチャートに含まれる分岐において、「Ｎ」はＮＯの場合の分岐先を示し、「Ｙ」はＹＥＳの場合の分岐先を示す。
【0052】
Ｓ１８００において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、ＥＵＶ光利用装置６へＥＵＶ光生成ＯＫ信号を出力する。Ｓ１０００のＥＵＶ光生成ＮＧ信号は解除される。
Ｓ１９００において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、ＥＵＶ光利用装置６からＥＵＶ光生成信号を受信したか否かを判定する。ＥＵＶ光生成信号を受信していない場合（Ｓ１９００：ＮＯ）、受信するまで待機する。ＥＵＶ光生成信号を受信した場合（Ｓ１９００：ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成プロセッサ５はＳ２１００に処理を進める。
Ｓ１９００において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、ＥＵＶ光利用装置６からＥＵＶ光生成信号を受信したか否かを判定する。ＥＵＶ光生成信号を受信していない場合（Ｓ１９００：ＮＯ）、受信するまで待機する。ＥＵＶ光生成信号を受信した場合（Ｓ１９００：ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成プロセッサ５はＳ２１００に処理を進める。
【0053】
Ｓ２１００において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５はＥＵＶ光生成装置１を制御してＥＵＶ光を生成させる。この処理はＳ１５００と同様である。但し、Ｓ２１００においては図示しないシャッタを開け、ＥＵＶ光利用装置６にＥＵＶ光を出力させる。
【0054】
Ｓ２２００において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、ＥＵＶ光利用装置６からＥＵＶ光停止信号を受信したか否かを判定する。ＥＵＶ光停止信号を受信していない場合（Ｓ２２００：ＮＯ）、ＥＵＶ光生成プロセッサ５はＳ２１００に処理を戻す。ＥＵＶ光停止信号を受信した場合（Ｓ２２００：ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は本フローチャートの処理を終了する。
【0055】
図８は、液滴ターゲット生成装置２６を起動させる動作の詳細を示すフローチャートである。図８は図７のＳ１２００のサブルーチンに相当する。
Ｓ１２０１において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、液滴ターゲット生成装置２６の各種機器を起動させる。
Ｓ１２０１において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、液滴ターゲット生成装置２６の各種機器を起動させる。
【0056】
Ｓ１２０２において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、タンク２６０の目標温度ＴｔをＴ０に設定し、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５に送信する。ターゲット物質がスズである場合、Ｔ０は例えば２６０℃である。
Ｓ１２０４において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、タンク２６０の目標圧力ＰｔをＰ０に設定し、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５に送信する。
Ｓ１２０５において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、加振装置２６９に与えられる駆動電圧の駆動波形のデューティＤｔをＤ０に設定し、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５に送信する。
Ｓ１２０２～Ｓ１２０５で設定された値に従い、図１０及び図１１において液滴ターゲット生成プロセッサ２６５の処理が行われる。
Ｓ１２０４において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、タンク２６０の目標圧力ＰｔをＰ０に設定し、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５に送信する。
Ｓ１２０５において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、加振装置２６９に与えられる駆動電圧の駆動波形のデューティＤｔをＤ０に設定し、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５に送信する。
Ｓ１２０２～Ｓ１２０５で設定された値に従い、図１０及び図１１において液滴ターゲット生成プロセッサ２６５の処理が行われる。
【0057】
Ｓ１２０７において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、タンク２６０の温度Ｔ及び圧力Ｐがそれぞれの目標値で安定したか否かを判定する。具体的には液滴ターゲット生成プロセッサ２６５からフラグＦ１の値を受信する。フラグＦ１＝０であれば（Ｓ１２０７：ＮＯ）、温度Ｔ及び圧力Ｐが安定するまで待機する。フラグＦ１＝１であれば（Ｓ１２０７：ＹＥＳ）、温度Ｔ及び圧力Ｐが安定したと判定し、本フローチャートの処理を終了して図７に示される処理に戻る。
【0058】
図９は、固体ターゲット補給装置８を起動させる動作の詳細を示すフローチャートである。図９は図７のＳ１３００のサブルーチンに相当する。
Ｓ１３０１において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、固体ターゲット補給装置８の各種機器を起動させる。
Ｓ１３３１において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、１回の固体ターゲット補給量ＱｔをＮ０・Ｑｍｉｎに設定し、設定された値を固体ターゲット補給プロセッサ８５に送信する。Ｑｍｉｎは固体ターゲット物質２７ａの１個あたりの質量であり、Ｎ０は１回の補給量として設定された固体ターゲット物質２７ａの粒の個数である。
Ｓ１３３１で設定された値に従い、図１２において固体ターゲット補給プロセッサ８５の処理が行われる。
Ｓ１３３１の後、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、本フローチャートの処理を終了して図７に示される処理に戻る。
Ｓ１３０１において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、固体ターゲット補給装置８の各種機器を起動させる。
Ｓ１３３１において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、１回の固体ターゲット補給量ＱｔをＮ０・Ｑｍｉｎに設定し、設定された値を固体ターゲット補給プロセッサ８５に送信する。Ｑｍｉｎは固体ターゲット物質２７ａの１個あたりの質量であり、Ｎ０は１回の補給量として設定された固体ターゲット物質２７ａの粒の個数である。
Ｓ１３３１で設定された値に従い、図１２において固体ターゲット補給プロセッサ８５の処理が行われる。
Ｓ１３３１の後、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、本フローチャートの処理を終了して図７に示される処理に戻る。
【0059】
２．２．３ 液滴ターゲット生成プロセッサ２６５の動作
図１０は、比較例における液滴ターゲット生成プロセッサ２６５の動作を示すフローチャートである。
Ｓ３００において、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、ＥＵＶ光生成プロセッサ５から目標温度Ｔｔ、目標圧力Ｐｔ、及びデューティＤｔを受信する。
図１０は、比較例における液滴ターゲット生成プロセッサ２６５の動作を示すフローチャートである。
Ｓ３００において、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、ＥＵＶ光生成プロセッサ５から目標温度Ｔｔ、目標圧力Ｐｔ、及びデューティＤｔを受信する。
【0060】
Ｓ３３０において、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、タンク２６０の温度Ｔ及び圧力Ｐ、及び駆動波形のデューティＤを制御する。Ｓ３３０の詳細については図１１を参照しながら説明する。
Ｓ３４０において、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、温度Ｔ及び圧力Ｐがそれぞれの目標値で安定したか否かを判定する。温度Ｔ及び圧力Ｐが安定していない場合（Ｓ３４０：ＮＯ）、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、Ｓ３５０においてフラグＦ１を０に設定し、Ｓ３３０に戻る。温度Ｔ及び圧力Ｐが安定した場合（Ｓ３４０：ＹＥＳ）、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、Ｓ３６０においてフラグＦ１を１に設定し、Ｓ３７０に処理を進める。
Ｓ３４０において、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、温度Ｔ及び圧力Ｐがそれぞれの目標値で安定したか否かを判定する。温度Ｔ及び圧力Ｐが安定していない場合（Ｓ３４０：ＮＯ）、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、Ｓ３５０においてフラグＦ１を０に設定し、Ｓ３３０に戻る。温度Ｔ及び圧力Ｐが安定した場合（Ｓ３４０：ＹＥＳ）、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、Ｓ３６０においてフラグＦ１を１に設定し、Ｓ３７０に処理を進める。
【0061】
Ｓ３７０において、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、液滴ターゲット２７１の生成を終了するか否かを判定する。ＥＵＶ光生成プロセッサ５がＥＵＶ光利用装置６からＥＵＶ光停止信号を受信した場合は液滴ターゲット２７１の生成を終了し（Ｓ３７０：ＹＥＳ）、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は本フローチャートの処理を終了する。液滴ターゲット２７１の生成を終了しない場合（Ｓ３７０：ＮＯ）、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５はＳ３３０に処理を戻す。すなわち、温度Ｔ及び圧力Ｐが安定した後であっても（Ｓ３４０：ＹＥＳ）、液滴ターゲット２７１の生成が行われる限りは、温度Ｔ、圧力Ｐ、及びデューティＤの制御（Ｓ３３０）が行われる。
【0062】
図１１は、タンク２６０の温度Ｔ及び圧力Ｐ、及び駆動波形のデューティＤを制御する動作の詳細を示すフローチャートである。図１１は図１０のＳ３３０のサブルーチンに相当する。
液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、Ｓ３３６においてタンク２６０の温度Ｔが目標温度Ｔｔに近づくように温度調節器２６２を制御し、Ｓ３３７において、タンク２６０の圧力Ｐが目標圧力Ｐｔに近づくように圧力調節器２６１を制御し、Ｓ３３８において、デューティＤがＤｔとなるように駆動波形を制御する。
その後、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は本フローチャートの処理を終了し、図１０に示される処理に戻る。
液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、Ｓ３３６においてタンク２６０の温度Ｔが目標温度Ｔｔに近づくように温度調節器２６２を制御し、Ｓ３３７において、タンク２６０の圧力Ｐが目標圧力Ｐｔに近づくように圧力調節器２６１を制御し、Ｓ３３８において、デューティＤがＤｔとなるように駆動波形を制御する。
その後、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は本フローチャートの処理を終了し、図１０に示される処理に戻る。
【0063】
２．２．４ 固体ターゲット補給プロセッサ８５の動作
図１２は、比較例における固体ターゲット補給プロセッサ８５の動作を示すフローチャートである。
図１２は、比較例における固体ターゲット補給プロセッサ８５の動作を示すフローチャートである。
【0064】
Ｓ５００において、固体ターゲット補給プロセッサ８５は、ロードロック室８９（図３参照）の入口バルブ８６１及び出口バルブ８７１を閉め、ロードロック室８９の内部を大気圧の気体で満たす。
【0065】
Ｓ５０２において、固体ターゲット補給プロセッサ８５は、一回の固体ターゲット補給量ＱｔをＥＵＶ光生成プロセッサ５から受信して記憶する。比較例のように、補給量Ｑｔが固体ターゲット補給装置８の起動時（図９参照）に１回設定されるだけである場合は、補給量Ｑｔを受信するのは最初の１回だけでもよい。補給量Ｑｔがその後更新される本開示の処理については後述する。
【0066】
Ｓ５０４において、固体ターゲット補給プロセッサ８５は、タンク２６０内の液体ターゲット物質２７ｂの残量が下限値以下になったか否かを判定する。残量が下限値より多い場合（Ｓ５０４：ＮＯ）、固体ターゲット補給プロセッサ８５は、Ｓ５０２に処理を戻す。残量が下限値以下になった場合（Ｓ５０４：ＹＥＳ）、固体ターゲット補給プロセッサ８５は、Ｓ５０６に処理を進める。
【0067】
Ｓ５０６において、固体ターゲット補給プロセッサ８５は、入口バルブ８６１を開け、ロードロック室８９に補給量Ｑｔの固体ターゲット物質２７ａを移動させる。
Ｓ５０８において、固体ターゲット補給プロセッサ８５は、入口バルブ８６１を閉め、ロードロック室８９内の気体を排気する。ここで、ロードロック室８９内が大気で満たされていた場合は、ほとんどの大気が排気されるような圧力となるまで排気してもよい。その後、固体ターゲット補給プロセッサ８５はロードロック室８９を不活性ガスで目標圧力Ｐｔまで加圧するよう圧力調節器８８を制御する。
Ｓ５０８において、固体ターゲット補給プロセッサ８５は、入口バルブ８６１を閉め、ロードロック室８９内の気体を排気する。ここで、ロードロック室８９内が大気で満たされていた場合は、ほとんどの大気が排気されるような圧力となるまで排気してもよい。その後、固体ターゲット補給プロセッサ８５はロードロック室８９を不活性ガスで目標圧力Ｐｔまで加圧するよう圧力調節器８８を制御する。
【0068】
Ｓ５１０において、固体ターゲット補給プロセッサ８５は、出口バルブ８７１を開け、液滴ターゲット生成装置２６のタンク２６０に補給量Ｑｔの固体ターゲット物質２７ａを移動させる。ロードロック室８９が目標圧力Ｐｔまで加圧されているので、出口バルブ８７１を開けたときのタンク２６０内の圧力変動は抑制される。
Ｓ５１２において、固体ターゲット補給プロセッサ８５は、出口バルブ８７１を閉め、ロードロック室８９を大気圧の気体で満たす。
Ｓ５１２において、固体ターゲット補給プロセッサ８５は、出口バルブ８７１を閉め、ロードロック室８９を大気圧の気体で満たす。
【0069】
Ｓ５１４において、固体ターゲット補給プロセッサ８５は、固体ターゲット補給制御を終了するか否かを判定する。ＥＵＶ光生成プロセッサ５がＥＵＶ光利用装置６からＥＵＶ光停止信号を受信した場合は固体ターゲットの補給を終了し（Ｓ５１４：ＹＥＳ）、固体ターゲット補給プロセッサ８５は本フローチャートの処理を終了する。固体ターゲットの補給を終了しない場合（Ｓ５１４：ＮＯ）、固体ターゲット補給プロセッサ８５はＳ５０２に処理を戻す。すなわち、固体ターゲット物質２７ａを一度補給した後であっても、タンク２６０内の残量が再度下限値以下になれば、固体ターゲット物質２７ａの補給が行われる。
【0070】
２．３ 比較例の課題
ロードロック装置８３に含まれる入口バルブ８６１及び出口バルブ８７１の寿命は開閉回数に依存する。開閉回数はできるだけ少ないことが望ましいため、１回の固体ターゲット補給量Ｑｔはできるだけ大きいことが望ましい。
ロードロック装置８３に含まれる入口バルブ８６１及び出口バルブ８７１の寿命は開閉回数に依存する。開閉回数はできるだけ少ないことが望ましいため、１回の固体ターゲット補給量Ｑｔはできるだけ大きいことが望ましい。
【0071】
しかし、補給量Ｑｔを大きくし過ぎると、液滴ターゲット２７１の合体不良が生じることがわかった。液滴ターゲット２７１の合体不良とは、液滴ターゲット生成装置２６のノズル２６６の先端の開口からプラズマ生成領域２５までの距離よりも、液滴ターゲット２７１の合体距離Ｌｃ（図５参照）が長くなる現象である。この場合、プラズマ生成領域２５において合体完了していない合体ターゲット２７２又は液滴ターゲット２７１にパルスレーザ光３３が照射されることになる。
【0072】
液滴ターゲット２７１の合体不良が生じると、ＥＵＶ光のパルスエネルギーＥｅｕｖ（ｋ）が意図せずに変動してしまう。ＥＵＶ光利用装置６が露光装置である場合は露光性能に、ＥＵＶ光利用装置６が検査装置である場合は検査性能に、それぞれ悪影響を及ぼす可能性がある。
また、液滴ターゲット２７１の合体不良が生じると、プラズマ化されないターゲット物質のデブリが多く発生し、チャンバ２内の光学部品を汚染する可能性がある。
また、液滴ターゲット２７１の合体不良が生じると、プラズマ化されないターゲット物質のデブリが多く発生し、チャンバ２内の光学部品を汚染する可能性がある。
【0073】
以下に説明する幾つかの実施形態においては、液滴ターゲット２７１がプラズマ生成領域２５に到達するまでに液滴ターゲット２７１の合体が完了するような１回の補給量Ｑｔの固体ターゲット物質２７ａをタンク２６０に補給する。
【0074】
３．ターゲット計測結果を用いて設定される補給量Ｑｔ
３．１ 構成
図１３は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１のうちの液滴ターゲット生成装置２６及びその周辺の構成を示す。第１の実施形態においては、固体ターゲット補給プロセッサ８５からＥＵＶ光生成プロセッサ５に向けて固体ターゲット補給信号を送信する信号線が設けられている。他の点については、第１の実施形態の構成は比較例と同様である。
３．１ 構成
図１３は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１のうちの液滴ターゲット生成装置２６及びその周辺の構成を示す。第１の実施形態においては、固体ターゲット補給プロセッサ８５からＥＵＶ光生成プロセッサ５に向けて固体ターゲット補給信号を送信する信号線が設けられている。他の点については、第１の実施形態の構成は比較例と同様である。
【0075】
３．２ 各種プロセッサの動作
３．２．１ 概要
図１４～図２０を参照しながら、第１の実施形態におけるＥＵＶ光生成プロセッサ５、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５、及び固体ターゲット補給プロセッサ８５の動作を説明する。
３．２．１ 概要
図１４～図２０を参照しながら、第１の実施形態におけるＥＵＶ光生成プロセッサ５、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５、及び固体ターゲット補給プロセッサ８５の動作を説明する。
【0076】
図１４は、第１の実施形態におけるＥＵＶ光生成プロセッサ５、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５、及び固体ターゲット補給プロセッサ８５による連携の概要を示すタイムチャートである。
【0077】
ＥＵＶ光生成プロセッサ５がＳ１２００において液滴ターゲット生成装置２６を起動させる処理、及び液滴ターゲット生成プロセッサ２６５がＳ３３６において目標温度Ｔｔに従った制御を行う処理は、比較例と同様である。
【0078】
ＥＵＶ光生成プロセッサ５の動作は、図１５～図１９を参照しながら説明するように、Ｓ１３００ａ（固体ターゲット補給装置８を起動）に含まれるＳ１３０６ａ（試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎの送信）、Ｓ１３１０ａ（液滴ターゲット２７１の計測）、及びＳ１３２８ａ（補給量Ｎｍａｘ・Ｑｍｉｎの送信）を含む。
【0079】
（ａ）Ｓ１３０６ａにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は１回の固体ターゲット補給量Ｑｔを試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎに設定し、固体ターゲット補給プロセッサ８５に送信する。
（ｂ）固体ターゲット補給プロセッサ８５は、図２０を参照しながら説明するように、タンク２６０内の残量が下限値以下になると、試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎに設定された補給量Ｑｔの固体ターゲット物質２７ａをタンク２６０に移動させ、併せて固体ターゲット補給信号を送信する。
（ｃ）固体ターゲット補給信号を受信したＥＵＶ光生成プロセッサ５は、Ｓ１３１０ａにおいて合体ターゲット２７２を計測し、合体が完了しているか否かを判定する。
（ｂ）固体ターゲット補給プロセッサ８５は、図２０を参照しながら説明するように、タンク２６０内の残量が下限値以下になると、試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎに設定された補給量Ｑｔの固体ターゲット物質２７ａをタンク２６０に移動させ、併せて固体ターゲット補給信号を送信する。
（ｃ）固体ターゲット補給信号を受信したＥＵＶ光生成プロセッサ５は、Ｓ１３１０ａにおいて合体ターゲット２７２を計測し、合体が完了しているか否かを判定する。
【0080】
その後、Ｎの値に１を加算して（ａ）～（ｃ）の動作を行うことが繰り返される。
Ｓ１３２８ａにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は１回の固体ターゲット補給量ＱｔをＮｍａｘ・Ｑｍｉｎに設定し、固体ターゲット補給プロセッサ８５に送信する。
Ｓ１３２８ａにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は１回の固体ターゲット補給量ＱｔをＮｍａｘ・Ｑｍｉｎに設定し、固体ターゲット補給プロセッサ８５に送信する。
【0081】
ＥＵＶ光生成プロセッサ５がＳ２１００においてＥＵＶ光を生成させる処理は、比較例と同様である。固体ターゲット補給プロセッサ８５は、タンク２６０内の残量が下限値以下になると、Ｎｍａｘ・Ｑｍｉｎに設定された補給量Ｑｔの固体ターゲット物質２７ａをタンク２６０に移動させる。これらの動作は、ＥＵＶ光利用装置６からＥＵＶ光停止信号を受信するまで繰り返される。
【0082】
３．２．２ ＥＵＶ光生成プロセッサ５の動作
図１５は、第１の実施形態におけるＥＵＶ光生成プロセッサ５の動作を示すフローチャートである。比較例と第１の実施形態との違いは、固体ターゲット補給装置８を起動させる処理として、Ｓ１３００の代わりにＳ１３００ａの処理が行われる点である。
図１５は、第１の実施形態におけるＥＵＶ光生成プロセッサ５の動作を示すフローチャートである。比較例と第１の実施形態との違いは、固体ターゲット補給装置８を起動させる処理として、Ｓ１３００の代わりにＳ１３００ａの処理が行われる点である。
【0083】
図１６は、固体ターゲット補給装置８を起動させる動作の詳細を示すフローチャートである。図１６は図１５のＳ１３００ａのサブルーチンに相当する。
Ｓ１３０１において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、比較例と同様に各種機器を起動させる。
Ｓ１３０１において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、比較例と同様に各種機器を起動させる。
【0084】
Ｓ１３０２ａにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、固体ターゲット物質２７ａの粒の個数を示すカウンタＮの値を０にセットし、Ｎの値が０である場合の合体状態を示すフラグＦ（Ｎ）を０にセットする。
【0085】
Ｓ１３０４ａにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、Ｎの値に１を加算してＮの値を更新する。
Ｓ１３０６ａにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、１回の固体ターゲット補給量Ｑｔを試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎに設定し、設定された値を固体ターゲット補給プロセッサ８５に送信する。
Ｓ１３０６ａにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、１回の固体ターゲット補給量Ｑｔを試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎに設定し、設定された値を固体ターゲット補給プロセッサ８５に送信する。
【0086】
Ｓ１３０８ａにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、固体ターゲット補給信号を固体ターゲット補給プロセッサ８５から受信したか否かを判定する。固体ターゲット補給信号を受信していない場合（Ｓ１３０８ａ：ＮＯ）、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は固体ターゲット補給信号を受信するまで待機する。固体ターゲット補給信号を受信した場合（Ｓ１３０８ａ：ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成プロセッサ５はＳ１３１０ａに処理を進める。
【0087】
Ｓ１３１０ａにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、合体ターゲット２７２を計測し、合体の状態を検出する。合体不良であればフラグＦ（Ｎ）＝０が設定され、合体完了であればフラグＦ（Ｎ）＝１が設定される。Ｓ１３１０ａの詳細については図１７～図１９を参照しながら説明する。
【0088】
Ｓ１３２１ａにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、前回のフラグＦ（Ｎ－１）及び今回のフラグＦ（Ｎ）の値がそれぞれ０及び１であるか否かを判定する。Ｆ（Ｎ－１）及びＦ（Ｎ）の値がそれぞれ０及び１である場合（Ｓ１３２１ａ：ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成プロセッサ５はＳ１３２２ａに処理を進める。それ以外の場合（Ｓ１３２１ａ：ＮＯ）、ＥＵＶ光生成プロセッサ５はＳ１３２４ａに処理を進める。
【0089】
Ｓ１３２２ａにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、合体完了となる固体ターゲット物質２７ａの粒の個数の最小値Ｎｍｉｎを現在のＮの値に設定する。最小値Ｎｍｉｎは、Ｓ１３０４ａにおいてＮを１ずつ増加させながら合体の状態を計測し、Ｓ１３２１ａにおいて合体不良（Ｆ（Ｎ－１）＝０）から合体完了（Ｆ（Ｎ）＝１）となったときのＮの値である。
なお、第１の実施形態においては、１回の固体ターゲット補給量Ｑｔを決定するために合体ターゲット２７２を計測するとき（Ｓ１３１０ａ）に、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５の処理は変更されない点で第４の実施形態と異なる。このため、Ｎ＝１で合体完了となり、最小値Ｎｍｉｎは１となる可能性が高い。
なお、第１の実施形態においては、１回の固体ターゲット補給量Ｑｔを決定するために合体ターゲット２７２を計測するとき（Ｓ１３１０ａ）に、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５の処理は変更されない点で第４の実施形態と異なる。このため、Ｎ＝１で合体完了となり、最小値Ｎｍｉｎは１となる可能性が高い。
【0090】
Ｓ１３２４ａにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、前回のフラグＦ（Ｎ－１）及び今回のフラグＦ（Ｎ）の値がそれぞれ１及び０であるか否かを判定する。Ｆ（Ｎ－１）及びＦ（Ｎ）の値がそれぞれ１及び０である場合（Ｓ１３２４ａ：ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成プロセッサ５はＳ１３２６ａに処理を進める。それ以外の場合（Ｓ１３２４ａ：ＮＯ）、ＥＵＶ光生成プロセッサ５はＳ１３０４ａに処理を戻す。
【0091】
Ｓ１３２６ａにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、合体完了となる固体ターゲット物質２７ａの粒の個数の最大値Ｎｍａｘを前回のＮの値であるＮ－１に設定する。最大値Ｎｍａｘは、Ｓ１３０４ａにおいてＮを１ずつ増加させながら合体の状態を計測し、Ｓ１３２４ａにおいて合体完了（Ｆ（Ｎ－１）＝１）から合体不良（Ｆ（Ｎ）＝０）となったときのＮ－１の値である。
【0092】
Ｓ１３２８ａにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、１回の固体ターゲット補給量ＱｔをＮｍａｘ・Ｑｍｉｎに設定し、設定された値を固体ターゲット補給プロセッサ８５に送信する。
Ｓ１３２８ａの後、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は本フローチャートの処理を終了し、図１５に示される処理に戻る。
Ｓ１３２８ａの後、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は本フローチャートの処理を終了し、図１５に示される処理に戻る。
【0093】
図１７は、合体ターゲット２７２を計測する動作の詳細を示すフローチャートである。図１７は図１６のＳ１３１０ａのサブルーチンに相当する。
Ｓ１３１１ａにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、ターゲット通過信号の時間波形を計測する。
Ｓ１３１１ａにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、ターゲット通過信号の時間波形を計測する。
【0094】
Ｓ１３１３ａにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、ターゲット通過信号からサテライトが観測されたか否かを判定する。
サテライトが観測された場合（Ｓ１３１３ａ：ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は処理をＳ１３１４ａに進める。Ｓ１３１４ａにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は合体不良と判定し、フラグＦ（Ｎ）の値を０に設定する。
サテライトが観測されなかった場合（Ｓ１３１３ａ：ＮＯ）、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は処理をＳ１３１５ａに進める。Ｓ１３１５ａにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は合体完了と判定し、フラグＦ（Ｎ）の値を１に設定する。
サテライトが観測された場合（Ｓ１３１３ａ：ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は処理をＳ１３１４ａに進める。Ｓ１３１４ａにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は合体不良と判定し、フラグＦ（Ｎ）の値を０に設定する。
サテライトが観測されなかった場合（Ｓ１３１３ａ：ＮＯ）、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は処理をＳ１３１５ａに進める。Ｓ１３１５ａにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は合体完了と判定し、フラグＦ（Ｎ）の値を１に設定する。
【0095】
Ｓ１３１４ａ又はＳ１３１５ａの後、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は本フローチャートの処理を終了し、図１６に示される処理に戻る。
【0096】
図１８は、ターゲット通過信号の時間波形の例を示すグラフである。図１８の横軸は時間ｔを示し、縦軸は光強度Ｉを示す。ターゲット通過信号の時間波形は、通常時は高い光強度Ｉを有するが、液滴ターゲット２７１又は合体ターゲット２７２が通過するときだけ光強度Ｉが低くなる。図１８に示されるように、光強度Ｉが大幅に下がった部分の前後に、光強度Ｉがわずかに下がった部分を含むようなターゲット通過信号を得た場合には、合体ターゲット２７２の前後にサテライトである液滴ターゲット２７１があるので、Ｓ１３１４ａにおいて合体不良と判断される。
【0097】
図１９は、合体ターゲット２７２を計測する他の動作を示すフローチャートである。図１９は図１６のＳ１３１０ａのサブルーチンに相当する。
Ｓ１３１２ａにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、合体ターゲット２７２及びその付近の画像を取得する。
Ｓ１３１３ａ～Ｓ１３１５ａの処理は、図１７を参照しながら説明したのと同様である。
Ｓ１３１２ａにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、合体ターゲット２７２及びその付近の画像を取得する。
Ｓ１３１３ａ～Ｓ１３１５ａの処理は、図１７を参照しながら説明したのと同様である。
【0098】
３．２．３ 補給量Ｑｔの下限値の計算例
図１６～図１９においては、液滴ターゲット２７１の合体が完了する試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎの最大値Ｎｍａｘ・Ｑｍｉｎを１回の固体ターゲット物質２７ａの補給量Ｑｔとする場合について説明したが、補給量Ｑｔはこれに限定されない。ロードロック装置８３に含まれる入口バルブ８６１及び出口バルブ８７１の寿命が十分に長い場合、補給量Ｑｔは、Ｎｍｉｎ・Ｑｍｉｎ以上、Ｎｍａｘ・Ｑｍｉｎ以下の範囲内であればよい。Ｎｍｉｎ・Ｑｍｉｎは、液滴ターゲット２７１の合体が完了する試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎの最小値であり、Ｓ１３２２ａで得られたＮｍｉｎを用いて算出される。
図１６～図１９においては、液滴ターゲット２７１の合体が完了する試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎの最大値Ｎｍａｘ・Ｑｍｉｎを１回の固体ターゲット物質２７ａの補給量Ｑｔとする場合について説明したが、補給量Ｑｔはこれに限定されない。ロードロック装置８３に含まれる入口バルブ８６１及び出口バルブ８７１の寿命が十分に長い場合、補給量Ｑｔは、Ｎｍｉｎ・Ｑｍｉｎ以上、Ｎｍａｘ・Ｑｍｉｎ以下の範囲内であればよい。Ｎｍｉｎ・Ｑｍｉｎは、液滴ターゲット２７１の合体が完了する試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎの最小値であり、Ｓ１３２２ａで得られたＮｍｉｎを用いて算出される。
【0099】
固体ターゲット物質２７ａの補給タイミングは、レベルセンサＬＶの出力に基づいて決定される場合について説明したが、本開示はこれに限定されない。補給周期Ｔｓを予め設定しておき、前回の補給から補給周期Ｔｓの時間が経過したか否かに基づいて、固体ターゲット物質２７ａの補給タイミングが決定されてもよい。
【0100】
ノズル２６６における単位時間当たりの液体ターゲット物質２７ｂの吐出量Ｑｖは、タンク２６０の内部とチャンバ２の内部との圧力差やノズル２６６の開口の大きさが変わらなければ一定である。従って、補給周期Ｔｓは、以下の式で算出できる。
Ｔｓ＝Ｑｔ／Ｑｖ
Ｔｓ＝Ｑｔ／Ｑｖ
【0101】
ロードロック装置８３に含まれる入口バルブ８６１及び出口バルブ８７１の開閉可能回数、すなわちこれらのバルブの寿命をＮｂ回とする。これらのバルブを補給周期Ｔｓで開閉したとき、これらのバルブの寿命期間Ｌｉｆｅは以下の式で算出できる。
Ｌｉｆｅ＝Ｔｓ・Ｎｂ
＝（Ｑｔ／Ｑｖ）・Ｎｂ
Ｌｉｆｅ＝Ｔｓ・Ｎｂ
＝（Ｑｔ／Ｑｖ）・Ｎｂ
【0102】
そこで、補給量Ｑｔは以下の式で与えられる。
Ｑｔ＝（Ｌｉｆｅ／Ｎｂ）・Ｑｖ
ロードロック装置８３の交換周期を１年間以上としたい場合、固体ターゲット物質２７ａの補給量Ｑｔの最小値Ｑ１ｙは以下のように算出できる。
Ｑ１ｙ＝（３６５・２４・３６００／Ｎｂ）・Ｑｖ
Ｑｔ＝（Ｌｉｆｅ／Ｎｂ）・Ｑｖ
ロードロック装置８３の交換周期を１年間以上としたい場合、固体ターゲット物質２７ａの補給量Ｑｔの最小値Ｑ１ｙは以下のように算出できる。
Ｑ１ｙ＝（３６５・２４・３６００／Ｎｂ）・Ｑｖ
【0103】
３．２．４ 固体ターゲット補給プロセッサ８５の動作
図２０は、第１の実施形態における固体ターゲット補給プロセッサ８５の動作を示すフローチャートである。比較例と第１の実施形態との違いは、Ｓ５１０において固体ターゲット物質２７ａを移動させた後、第１の実施形態においては、Ｓ５１１ａにおいて固体ターゲット補給信号をＥＵＶ光生成プロセッサ５へ送信する処理が加わっている点である。
他の点については、第１の実施形態は比較例と同様である。
図２０は、第１の実施形態における固体ターゲット補給プロセッサ８５の動作を示すフローチャートである。比較例と第１の実施形態との違いは、Ｓ５１０において固体ターゲット物質２７ａを移動させた後、第１の実施形態においては、Ｓ５１１ａにおいて固体ターゲット補給信号をＥＵＶ光生成プロセッサ５へ送信する処理が加わっている点である。
他の点については、第１の実施形態は比較例と同様である。
【0104】
３．３ 作用
（１）第１の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成装置１は、液滴ターゲット生成装置２６と、固体ターゲット補給装置８と、を備える。液滴ターゲット生成装置２６は、固体ターゲット物質２７ａを溶融させて液体ターゲット物質２７ｂを生成するタンク２６０と、タンク２６０内の液体ターゲット物質２７ｂから液滴ターゲット２７１を連続的に生成して、パルスレーザ光３３が集光するプラズマ生成領域２５に向けて出力するノズル２６６と、を含み、複数の液滴ターゲット２７１が合体するように複数の液滴ターゲット２７１に速度差を与える。固体ターゲット補給装置８は、複数の液滴ターゲット２７１がプラズマ生成領域２５に到達するまでに複数の液滴ターゲット２７１の合体が完了するような１回の補給量Ｑｔの固体ターゲット物質２７ａをタンク２６０に補給する。
これによれば、固体ターゲット物質２７ａをタンク２６０に供給した際に液滴ターゲット２７１の合体不良が抑制されるような補給量Ｑｔとすることにより、ＥＵＶ光のパルスエネルギー安定性Ｅσが悪化することを抑制し得る。
また、合体不良が抑制されるので、ターゲット物質のデブリが発生することが抑制され得る。
ターゲット物質をスズとした場合、プラズマ生成領域２５に到達するまでに合体が完了する１回の固体ターゲット物質２７ａの補給量Ｑｔの望ましい範囲は、体積では０．１１２ｃｍ３以上０．３３６ｃｍ３以下、質量では０．８２５ｇ以上２．４７５ｇ以下と表される。
（１）第１の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成装置１は、液滴ターゲット生成装置２６と、固体ターゲット補給装置８と、を備える。液滴ターゲット生成装置２６は、固体ターゲット物質２７ａを溶融させて液体ターゲット物質２７ｂを生成するタンク２６０と、タンク２６０内の液体ターゲット物質２７ｂから液滴ターゲット２７１を連続的に生成して、パルスレーザ光３３が集光するプラズマ生成領域２５に向けて出力するノズル２６６と、を含み、複数の液滴ターゲット２７１が合体するように複数の液滴ターゲット２７１に速度差を与える。固体ターゲット補給装置８は、複数の液滴ターゲット２７１がプラズマ生成領域２５に到達するまでに複数の液滴ターゲット２７１の合体が完了するような１回の補給量Ｑｔの固体ターゲット物質２７ａをタンク２６０に補給する。
これによれば、固体ターゲット物質２７ａをタンク２６０に供給した際に液滴ターゲット２７１の合体不良が抑制されるような補給量Ｑｔとすることにより、ＥＵＶ光のパルスエネルギー安定性Ｅσが悪化することを抑制し得る。
また、合体不良が抑制されるので、ターゲット物質のデブリが発生することが抑制され得る。
ターゲット物質をスズとした場合、プラズマ生成領域２５に到達するまでに合体が完了する１回の固体ターゲット物質２７ａの補給量Ｑｔの望ましい範囲は、体積では０．１１２ｃｍ３以上０．３３６ｃｍ３以下、質量では０．８２５ｇ以上２．４７５ｇ以下と表される。
【0105】
（２）第１の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成装置１は、補給量Ｑｔを記憶し、記憶した補給量Ｑｔに従って固体ターゲット補給装置８を制御する固体ターゲット補給プロセッサ８５を備える。
これによれば、補給量Ｑｔを制御することで、ＥＵＶ光生成装置１の運転環境の変化に柔軟に対応できる。
これによれば、補給量Ｑｔを制御することで、ＥＵＶ光生成装置１の運転環境の変化に柔軟に対応できる。
【0106】
（３）第１の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成装置１は、通過センサユニット４２又は撮像ユニット４４と、ＥＵＶ光生成プロセッサ５と、固体ターゲット補給プロセッサ８５と、を備える。通過センサユニット４２又は撮像ユニット４４は、複数の液滴ターゲット２７１の合体の状態を、固体ターゲット補給装置８からタンク２６０への固体ターゲット物質２７ａの補給と同期して検出する。ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、通過センサユニット４２又は撮像ユニット４４の検出結果に基づいて補給量Ｑｔを決定し、固体ターゲット補給プロセッサ８５は、補給量Ｑｔに従って固体ターゲット補給装置８を制御する。
これによれば、液滴ターゲット２７１の合体の状態を検出し、検出結果に基づいて補給量Ｑｔを決定することで、適切な補給量Ｑｔを決定できる。
これによれば、液滴ターゲット２７１の合体の状態を検出し、検出結果に基づいて補給量Ｑｔを決定することで、適切な補給量Ｑｔを決定できる。
【0107】
（４）第１の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成装置１は、液滴ターゲット２７１の通過信号を出力する光センサ４２３を含む。
これによれば、ＥＵＶ光を生成しなくても、光センサ４２３によりサテライトの有無を観察することにより、合体の状態を直接計測して適切な補給量Ｑｔを決定できる。
これによれば、ＥＵＶ光を生成しなくても、光センサ４２３によりサテライトの有無を観察することにより、合体の状態を直接計測して適切な補給量Ｑｔを決定できる。
【0108】
（５）第１の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、固体ターゲット補給装置８からタンク２６０への固体ターゲット物質２７ａの試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎを増加させながら、光センサ４２３から出力された液滴ターゲット２７１の通過信号を固体ターゲット補給装置８からタンク２６０への固体ターゲット物質２７ａの補給と同期して取得する。ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、液滴ターゲット２７１の合体が完了している場合の試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎの最大値Ｎｍａｘ・Ｑｍｉｎを補給量Ｑｔとして決定する。
これによれば、試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎを増加させながら光センサ４２３で合体の状態を計測することにより、合体が完了する補給量Ｑｔの範囲を正確に求めることができる。そして、合体が完了している場合の試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎの最大値Ｎｍａｘ・Ｑｍｉｎを１回の補給量Ｑｔとすることで、補給回数が多くなることを抑制して固体ターゲット補給装置８の寿命低下を抑制し得る。
これによれば、試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎを増加させながら光センサ４２３で合体の状態を計測することにより、合体が完了する補給量Ｑｔの範囲を正確に求めることができる。そして、合体が完了している場合の試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎの最大値Ｎｍａｘ・Ｑｍｉｎを１回の補給量Ｑｔとすることで、補給回数が多くなることを抑制して固体ターゲット補給装置８の寿命低下を抑制し得る。
【0109】
（６）第１の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成装置１は、液滴ターゲット２７１を撮像するイメージセンサ４４３を含む。
これによれば、ＥＵＶ光を生成しなくても、イメージセンサ４４３によりサテライトの有無を観察することにより、合体の状態を直接計測して適切な補給量Ｑｔを決定できる。
これによれば、ＥＵＶ光を生成しなくても、イメージセンサ４４３によりサテライトの有無を観察することにより、合体の状態を直接計測して適切な補給量Ｑｔを決定できる。
【0110】
（７）第１の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、固体ターゲット補給装置８からタンク２６０への固体ターゲット物質２７ａの試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎを増加させながら、イメージセンサ４４３で撮像された液滴ターゲット２７１の画像を固体ターゲット補給装置８からタンク２６０への固体ターゲット物質２７ａの補給と同期して取得する。ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、液滴ターゲット２７１の合体が完了している場合の試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎの最大値Ｎｍａｘ・Ｑｍｉｎを補給量Ｑｔとして決定する。
これによれば、試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎを増加させながらイメージセンサ４４３で合体の状態を計測することにより、合体が完了する補給量Ｑｔの範囲を正確に求めることができる。そして、合体が完了している場合の試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎの最大値Ｎｍａｘ・Ｑｍｉｎを１回の補給量Ｑｔとすることで、補給回数が多くなることを抑制して固体ターゲット補給装置８の寿命低下を抑制し得る。
その他の点については、第１の実施形態は比較例と同様である。
これによれば、試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎを増加させながらイメージセンサ４４３で合体の状態を計測することにより、合体が完了する補給量Ｑｔの範囲を正確に求めることができる。そして、合体が完了している場合の試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎの最大値Ｎｍａｘ・Ｑｍｉｎを１回の補給量Ｑｔとすることで、補給回数が多くなることを抑制して固体ターゲット補給装置８の寿命低下を抑制し得る。
その他の点については、第１の実施形態は比較例と同様である。
【0111】
４．ターゲット計測システムを用いて設定される補給量Ｑｔ
４．１ 構成
図２１は、第２の実施形態において用いられるターゲット計測システムの構成を概略的に示す。ターゲット計測システムは、液滴ターゲット生成装置２６、固体ターゲット補給装置８、ＣＷレーザ光源４１、及び通過センサユニット４２を含む。これらの構成要素は第１の実施形態と同様である。さらに、ターゲット計測システムは、ＥＵＶ光生成プロセッサ５の代わりにこれと同様の構成を有するターゲット検査プロセッサ７５を含む。
ターゲット計測システムは、ＥＵＶ光を生成するために必要な構成要素の一部を備えていなくてもよい。例えば、ターゲット計測システムは、レーザ装置３、レーザ光集光ミラー２２等を含まなくてよい。
４．１ 構成
図２１は、第２の実施形態において用いられるターゲット計測システムの構成を概略的に示す。ターゲット計測システムは、液滴ターゲット生成装置２６、固体ターゲット補給装置８、ＣＷレーザ光源４１、及び通過センサユニット４２を含む。これらの構成要素は第１の実施形態と同様である。さらに、ターゲット計測システムは、ＥＵＶ光生成プロセッサ５の代わりにこれと同様の構成を有するターゲット検査プロセッサ７５を含む。
ターゲット計測システムは、ＥＵＶ光を生成するために必要な構成要素の一部を備えていなくてもよい。例えば、ターゲット計測システムは、レーザ装置３、レーザ光集光ミラー２２等を含まなくてよい。
【0112】
４．２ 動作
図２２は、第２の実施形態におけるターゲット検査プロセッサ７５の動作を示すフローチャートである。ターゲット検査プロセッサ７５は、ＥＵＶ光の生成のための処理は行わない。図１５におけるＳ１０００、Ｓ１１００、Ｓ１５００～Ｓ２２００の処理は、図２２においては行われない点で、第１及び第２の実施形態の処理は異なる。
図２２は、第２の実施形態におけるターゲット検査プロセッサ７５の動作を示すフローチャートである。ターゲット検査プロセッサ７５は、ＥＵＶ光の生成のための処理は行わない。図１５におけるＳ１０００、Ｓ１１００、Ｓ１５００～Ｓ２２００の処理は、図２２においては行われない点で、第１及び第２の実施形態の処理は異なる。
【0113】
図２２のＳ１２００において、ターゲット検査プロセッサ７５は、液滴ターゲット生成装置２６を起動させる。この処理は、ターゲット検査プロセッサ７５が行うこと以外の点については比較例において対応する処理と同様である。
Ｓ１３００ａにおいて、ターゲット検査プロセッサ７５は、固体ターゲット補給装置８を起動させる。この処理は、ターゲット検査プロセッサ７５が行うこと以外の点については第１の実施形態において対応する処理と同様である。
Ｓ２４００ｂにおいて、ターゲット検査プロセッサ７５は、１回の固体ターゲット補給量Ｑｔをパラメータ保存サーバー９５に送信する。
Ｓ１３００ａにおいて、ターゲット検査プロセッサ７５は、固体ターゲット補給装置８を起動させる。この処理は、ターゲット検査プロセッサ７５が行うこと以外の点については第１の実施形態において対応する処理と同様である。
Ｓ２４００ｂにおいて、ターゲット検査プロセッサ７５は、１回の固体ターゲット補給量Ｑｔをパラメータ保存サーバー９５に送信する。
【0114】
ＥＵＶ光生成装置１のＥＵＶ光生成プロセッサ５は、パラメータ保存サーバー９５から１回の固体ターゲット補給量Ｑｔを受信し、この補給量Ｑｔを当該ＥＵＶ光生成装置１に含まれる固体ターゲット補給プロセッサ８５に送信することで、液滴ターゲット２７１の合体不良が起こらないような補給量Ｑｔを設定することができる。
他の点については、第２の実施形態は第１の実施形態と同様である
他の点については、第２の実施形態は第１の実施形態と同様である
【0115】
４．３ 作用
第２の実施形態によれば、ターゲット計測システムを用いて液滴ターゲット２７１の合体の状態を検出し、検出結果に基づいて補給量Ｑｔを決定できる。この補給量Ｑｔは、同型の液滴ターゲット生成装置２６を備えたＥＵＶ光生成装置１における固体ターゲット物質２７ａの補給量Ｑｔとして使用できる。
その他の点については、第２の実施形態は第１の実施形態と同様である。
第２の実施形態によれば、ターゲット計測システムを用いて液滴ターゲット２７１の合体の状態を検出し、検出結果に基づいて補給量Ｑｔを決定できる。この補給量Ｑｔは、同型の液滴ターゲット生成装置２６を備えたＥＵＶ光生成装置１における固体ターゲット物質２７ａの補給量Ｑｔとして使用できる。
その他の点については、第２の実施形態は第１の実施形態と同様である。
【0116】
５．ＥＵＶ光のパルスエネルギー安定性Ｅσに基づいて設定される補給量Ｑｔ
５．１ 各種プロセッサの動作
５．１．１ 概要
図２３は、第３の実施形態におけるＥＵＶ光生成プロセッサ５、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５、及び固体ターゲット補給プロセッサ８５による連携の概要を示すタイムチャートである。第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１の構成は第１の実施形態と同様である。
５．１ 各種プロセッサの動作
５．１．１ 概要
図２３は、第３の実施形態におけるＥＵＶ光生成プロセッサ５、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５、及び固体ターゲット補給プロセッサ８５による連携の概要を示すタイムチャートである。第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１の構成は第１の実施形態と同様である。
【0117】
図２３において、ＥＵＶ光生成プロセッサ５がＳ１２００において液滴ターゲット生成装置２６を起動させる処理、及び液滴ターゲット生成プロセッサ２６５がＳ３３６において目標温度Ｔｔに従った制御を行う処理は、比較例と同様である。
【0118】
Ｓ１３００（固体ターゲット補給装置８を起動）においては比較例と同様に１回の固体ターゲット補給量ＱｔがＮ０・Ｑｍｉｎに設定される。その後、ＥＵＶ光の生成が行われ、Ｓ１７００ｃ（１回の固体ターゲット補給量Ｑｔを再設定）に含まれるＳ１７０６ａ（試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎの送信）、Ｓ１７１０ｃ（ＥＵＶ光のパルスエネルギー安定性Ｅσを計測）、及びＳ１７２８ａ（補給量Ｎｍａｘ・Ｑｍｉｎの送信）が行われる。
【0119】
ＥＵＶ光生成プロセッサ５がＳ２１００においてＥＵＶ光を生成させる処理は、比較例と同様である。
【0120】
５．１．２ ＥＵＶ光生成プロセッサ５の動作
図２４は、第３の実施形態におけるＥＵＶ光生成プロセッサ５の動作を示すフローチャートである。比較例と第３の実施形態との違いは、Ｓ１６００においてＥＵＶ光がＯＫとなった後、Ｓ１７００ｃの処理が行われる点である。
図２４は、第３の実施形態におけるＥＵＶ光生成プロセッサ５の動作を示すフローチャートである。比較例と第３の実施形態との違いは、Ｓ１６００においてＥＵＶ光がＯＫとなった後、Ｓ１７００ｃの処理が行われる点である。
【0121】
図２５は、１回の固体ターゲット補給量Ｑｔを再設定する動作の詳細を示すフローチャートである。図２５は図２４のＳ１７００ｃのサブルーチンに相当する。
Ｓ１７０１ｃにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、ＥＵＶ光生成装置１にＥＵＶ光の生成を開始させる。ＥＵＶ光の生成はＳ１７２９ｃまで続けられる。
Ｓ１７０１ｃにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、ＥＵＶ光生成装置１にＥＵＶ光の生成を開始させる。ＥＵＶ光の生成はＳ１７２９ｃまで続けられる。
【0122】
Ｓ１７０２ａからＳ１７０８ａまでの処理は、第１の実施形態（図１６参照）におけるＳ１３０２ａからＳ１３０８ａまでの処理と同様である。
Ｓ１７０８ａにおいて固体ターゲット補給信号を受信した場合、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、Ｓ１７１０ｃにおいてＥＵＶ光のパルスエネルギー安定性Ｅσを計測する。パルスエネルギー安定性Ｅσから合体の状態が判定され、合体不良であればフラグＦ（Ｎ）＝０が設定され、合体完了であればフラグＦ（Ｎ）＝１が設定される。Ｓ１７１０ｃの詳細については図２６を参照しながら説明する。
Ｓ１７０８ａにおいて固体ターゲット補給信号を受信した場合、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、Ｓ１７１０ｃにおいてＥＵＶ光のパルスエネルギー安定性Ｅσを計測する。パルスエネルギー安定性Ｅσから合体の状態が判定され、合体不良であればフラグＦ（Ｎ）＝０が設定され、合体完了であればフラグＦ（Ｎ）＝１が設定される。Ｓ１７１０ｃの詳細については図２６を参照しながら説明する。
【0123】
Ｓ１７２１ａからＳ１７２８ａまでの処理は、第１の実施形態（図１６参照）におけるＳ１３２１ａからＳ１３２８ａまでの処理と同様である。
Ｓ１７２８ａにおいて１回の固体ターゲット補給量ＱｔをＮｍａｘ・Ｑｍｉｎに設定した後、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、Ｓ１７２９ｃにおいてＥＵＶ光の生成を終了させる。
Ｓ１７２９ｃの後、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は本フローチャートの処理を終了し、図２４に示される処理に戻る。
Ｓ１７２８ａにおいて１回の固体ターゲット補給量ＱｔをＮｍａｘ・Ｑｍｉｎに設定した後、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、Ｓ１７２９ｃにおいてＥＵＶ光の生成を終了させる。
Ｓ１７２９ｃの後、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は本フローチャートの処理を終了し、図２４に示される処理に戻る。
【0124】
図２６は、ＥＵＶ光のパルスエネルギー安定性Ｅσを計測する動作の詳細を示すフローチャートである。図２６は図２５のＳ１７１０ｃのサブルーチンに相当する。
Ｓ１７１１ｃにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、ＥＵＶ光のパルス数をカウントするカウンタｋの値を０にセットする。
Ｓ１７１１ｃにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、ＥＵＶ光のパルス数をカウントするカウンタｋの値を０にセットする。
【0125】
Ｓ１７１２ｃにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、レーザ装置３に発光トリガを出力したか否かを判定する。発光トリガを出力していない場合（Ｓ１７１２ｃ：ＮＯ）、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は発光トリガを出力するまで待機する。発光トリガを出力した場合（Ｓ１７１２ｃ：ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成プロセッサ５はＳ１７１３ｃに処理を進める。
【0126】
Ｓ１７１３ｃにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、カウンタｋの値に１を加算してｋの値を更新する。
Ｓ１７１４ｃにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、ＥＵＶセンサ４０によって、ＥＵＶ光のパルスエネルギーＥｅｕｖ（ｋ）を計測する。
Ｓ１７１４ｃにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、ＥＵＶセンサ４０によって、ＥＵＶ光のパルスエネルギーＥｅｕｖ（ｋ）を計測する。
【0127】
Ｓ１７１５ｃにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、カウンタｋの値がｋｍａｘ以上であるか否かを判定する。カウンタｋの値がｋｍａｘ未満である場合（Ｓ１７１５ｃ：ＮＯ）、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、Ｓ１７１２ｃに処理を戻す。カウンタｋの値がｋｍａｘ以上である場合（Ｓ１７１５ｃ：ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、Ｓ１７１６ｃに処理を進める。
【0128】
Ｓ１７１６ｃにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、ＥＵＶ光のパルスエネルギーＥｅｕｖ（ｋ）のｋｍａｘ個の値の平均値Ｅｅｕｖａｖ及び標準偏差Ｅｅｕｖσを算出する。
Ｓ１７１７ｃにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、ＥＵＶ光のパルスエネルギー安定性Ｅσを以下の式により算出する。
Ｅσ＝Ｅｅｕｖσ／Ｅｅｕｖａｖ×１００％
Ｓ１７１７ｃにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、ＥＵＶ光のパルスエネルギー安定性Ｅσを以下の式により算出する。
Ｅσ＝Ｅｅｕｖσ／Ｅｅｕｖａｖ×１００％
【0129】
Ｓ１７１８ｃにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、ＥＵＶ光のパルスエネルギー安定性Ｅσが許容範囲内であるか、例えば閾値Ｅσｔｒ以下であるか否かを判定する。
パルスエネルギー安定性Ｅσが許容範囲内でない場合（Ｓ１７１８ｃ：ＮＯ）、ＥＵＶ光生成プロセッサ５はＳ１７１９ｃに処理を進める。Ｓ１７１９ｃにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は合体不良と判定し、フラグＦ（Ｎ）の値を０に設定する。
パルスエネルギー安定性Ｅσが許容範囲内である場合（Ｓ１７１８ｃ：ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成プロセッサ５はＳ１７２０ｃに処理を進める。Ｓ１７２０ｃにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は合体完了と判定し、フラグＦ（Ｎ）の値を１に設定する。
パルスエネルギー安定性Ｅσが許容範囲内でない場合（Ｓ１７１８ｃ：ＮＯ）、ＥＵＶ光生成プロセッサ５はＳ１７１９ｃに処理を進める。Ｓ１７１９ｃにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は合体不良と判定し、フラグＦ（Ｎ）の値を０に設定する。
パルスエネルギー安定性Ｅσが許容範囲内である場合（Ｓ１７１８ｃ：ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成プロセッサ５はＳ１７２０ｃに処理を進める。Ｓ１７２０ｃにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は合体完了と判定し、フラグＦ（Ｎ）の値を１に設定する。
【0130】
Ｓ１７１９ｃ又はＳ１７２０ｃの後、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は本フローチャートの処理を終了し、図２５に示される処理に戻る。
【0131】
５．１．３ 固体ターゲット補給プロセッサ８５の動作
１回の固体ターゲット補給量Ｑｔを受信した固体ターゲット補給プロセッサ８５の動作は、第１の実施形態と同様である。
１回の固体ターゲット補給量Ｑｔを受信した固体ターゲット補給プロセッサ８５の動作は、第１の実施形態と同様である。
【0132】
５．２ 作用
（８）第３の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成装置１は、プラズマ生成領域２５で生成されるＥＵＶ光の状態を検出するＥＵＶセンサ４０を含む。
これによれば、ＥＵＶ光の状態を検出することにより、光センサ４２３やイメージセンサ４４３の信号からサテライトを検出する信号処理を行わなくても合体の状態を検出し、適切な補給量Ｑｔを決定できる。
（８）第３の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成装置１は、プラズマ生成領域２５で生成されるＥＵＶ光の状態を検出するＥＵＶセンサ４０を含む。
これによれば、ＥＵＶ光の状態を検出することにより、光センサ４２３やイメージセンサ４４３の信号からサテライトを検出する信号処理を行わなくても合体の状態を検出し、適切な補給量Ｑｔを決定できる。
【0133】
（９）第３の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、固体ターゲット補給装置８からタンク２６０への固体ターゲット物質２７ａの試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎを増加させながら、ＥＵＶセンサ４０で計測されたＥＵＶ光のパルスエネルギーＥｅｕｖ（ｋ）を固体ターゲット補給装置８からタンク２６０への固体ターゲット物質２７ａの補給と同期して取得する。ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、パルスエネルギー安定性Ｅσが許容範囲内である場合の試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎの最大値Ｎｍａｘ・Ｑｍｉｎを補給量Ｑｔとして決定する。
これによれば、試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎを増加させながらＥＵＶ光のパルスエネルギー安定性Ｅσを計測することにより、合体が完了する補給量Ｑｔの範囲を適切に求めることができる。そして、パルスエネルギー安定性Ｅσが許容範囲内である場合の試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎの最大値Ｎｍａｘ・Ｑｍｉｎを１回の補給量Ｑｔとすることで、補給回数が多くなることを抑制して固体ターゲット補給装置８の寿命低下を抑制し得る。
その他の点については、第３の実施形態は第１の実施形態と同様である。
これによれば、試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎを増加させながらＥＵＶ光のパルスエネルギー安定性Ｅσを計測することにより、合体が完了する補給量Ｑｔの範囲を適切に求めることができる。そして、パルスエネルギー安定性Ｅσが許容範囲内である場合の試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎの最大値Ｎｍａｘ・Ｑｍｉｎを１回の補給量Ｑｔとすることで、補給回数が多くなることを抑制して固体ターゲット補給装置８の寿命低下を抑制し得る。
その他の点については、第３の実施形態は第１の実施形態と同様である。
【0134】
６．固体ターゲット物質２７ａの補給時のタンク２６０の温度制御
６．１ 構成
図２７は、第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１のうちの液滴ターゲット生成装置２６及びその周辺の構成を示す。第４の実施形態においては、固体ターゲット補給プロセッサ８５から出力された固体ターゲット補給信号がＥＵＶ光生成プロセッサ５だけでなく液滴ターゲット生成プロセッサ２６５にも入力されるように信号線が設けられている。また、ＥＵＶ光生成プロセッサ５から液滴ターゲット生成プロセッサ２６５に向けて加熱関数Ｈ（ｔ）を送信する別の信号線が設けられている。他の点については、第４の実施形態の構成は第１の実施形態と同様である。
６．１ 構成
図２７は、第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１のうちの液滴ターゲット生成装置２６及びその周辺の構成を示す。第４の実施形態においては、固体ターゲット補給プロセッサ８５から出力された固体ターゲット補給信号がＥＵＶ光生成プロセッサ５だけでなく液滴ターゲット生成プロセッサ２６５にも入力されるように信号線が設けられている。また、ＥＵＶ光生成プロセッサ５から液滴ターゲット生成プロセッサ２６５に向けて加熱関数Ｈ（ｔ）を送信する別の信号線が設けられている。他の点については、第４の実施形態の構成は第１の実施形態と同様である。
【0135】
６．２ 各種プロセッサの動作
６．２．１ 概要
図２８は、第４の実施形態におけるＥＵＶ光生成プロセッサ５、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５、及び固体ターゲット補給プロセッサ８５による連携の概要を示すタイムチャートである。
６．２．１ 概要
図２８は、第４の実施形態におけるＥＵＶ光生成プロセッサ５、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５、及び固体ターゲット補給プロセッサ８５による連携の概要を示すタイムチャートである。
【0136】
図２８に示されるように、Ｓ１２００ｄにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、タンク２６０の目標温度Ｔｔに加えて加熱関数Ｈ（ｔ）を液滴ターゲット生成プロセッサ２６５に送信する。液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、Ｓ３３６において目標温度Ｔｔに従った制御を行う。
【0137】
固体ターゲット補給プロセッサ８５から出力された固体ターゲット補給信号は、ＥＵＶ光生成プロセッサ５だけでなく液滴ターゲット生成プロセッサ２６５にも入力される。固体ターゲット補給信号を受信した液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、Ｓ３３４ｄにおいてヒーター２６７に供給される電力を一時的に大きくするよう加熱関数Ｈ（ｔ）に従って制御する。Ｓ３３４ｄの後、Ｓ３３６において液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は目標温度Ｔｔに従った制御を行う。
【0138】
その後、固体ターゲット補給プロセッサ８５から固体ターゲット補給信号が出力されるたびに、Ｓ３３４ｄによる制御が一時的に行われ、その後Ｓ３３６による制御が行われる。Ｓ３３４ｄによる一時的な制御は、ＥＵＶ光生成プロセッサ５が１回の固体ターゲット補給量Ｑｔを決定するために合体ターゲット２７２を計測するとき（Ｓ１３１０ａ）にも、１回の固体ターゲット補給量ＱｔがＮｍａｘ・Ｑｍｉｎに決定された後、ＥＵＶ光を生成させるとき（Ｓ２１００）にも行われる。
【0139】
６．２．２ ＥＵＶ光生成プロセッサ５の動作
図２９は、第４の実施形態におけるＥＵＶ光生成プロセッサ５の動作を示すフローチャートである。第１の実施形態と第４の実施形態の違いは、液滴ターゲット生成装置２６を起動させる処理として、Ｓ１２００の代わりにＳ１２００ｄの処理が行われる点である。
Ｓ１３００ａの処理は第１の実施形態と同様である。なお、第４の実施形態においては、１回の固体ターゲット補給量Ｑｔを決定するために合体ターゲット２７２を計測するとき（Ｓ１３１０ａ）に、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５の処理がＳ３３４ｄにおいて一時的に変更される。このため、Ｎ＝１で合体完了とはならず、最小値Ｎｍｉｎが１より大きい値となる可能性がある。
図２９は、第４の実施形態におけるＥＵＶ光生成プロセッサ５の動作を示すフローチャートである。第１の実施形態と第４の実施形態の違いは、液滴ターゲット生成装置２６を起動させる処理として、Ｓ１２００の代わりにＳ１２００ｄの処理が行われる点である。
Ｓ１３００ａの処理は第１の実施形態と同様である。なお、第４の実施形態においては、１回の固体ターゲット補給量Ｑｔを決定するために合体ターゲット２７２を計測するとき（Ｓ１３１０ａ）に、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５の処理がＳ３３４ｄにおいて一時的に変更される。このため、Ｎ＝１で合体完了とはならず、最小値Ｎｍｉｎが１より大きい値となる可能性がある。
【0140】
図３０は、液滴ターゲット生成装置２６を起動させる動作の詳細を示すフローチャートである。図３０は図２９のＳ１２００ｄのサブルーチンに相当する。
第４の実施形態においては、比較例及び第１の実施形態において液滴ターゲット生成プロセッサ２６５に送信した目標値に加えて、固体ターゲット補給時の加熱関数Ｈ（ｔ）も液滴ターゲット生成プロセッサ２６５に送信する（Ｓ１２０３ｄ）。
他の点については、図３０の処理は図８と同様である。
第４の実施形態においては、比較例及び第１の実施形態において液滴ターゲット生成プロセッサ２６５に送信した目標値に加えて、固体ターゲット補給時の加熱関数Ｈ（ｔ）も液滴ターゲット生成プロセッサ２６５に送信する（Ｓ１２０３ｄ）。
他の点については、図３０の処理は図８と同様である。
【0141】
図３１は、加熱関数Ｈ（ｔ）の例を示すグラフである。加熱関数Ｈ（ｔ）は、例えば、時間ｔに対するヒーター電力Ｗの関数である。固体ターゲット補給信号を受信した時の時間ｔを０とする。加熱関数Ｈ（ｔ）は、時間ｔが０からｔｅ１となるまでの一定時間に、ヒーター電力Ｗを一定値とするような関数であってもよい。
【0142】
６．２．３ 液滴ターゲット生成プロセッサ２６５の動作
図３２は、第４の実施形態における液滴ターゲット生成プロセッサ２６５の動作を示すフローチャートである。第４の実施形態においては、Ｓ３００において受信した目標値に加えて、Ｓ３１０ｄにおいて固体ターゲット補給時の加熱関数Ｈ（ｔ）も受信する。さらに、Ｓ３２０ｄにおいて、タイマーｔの初期値をｔｅ１に設定する。ここではタイマーｔの動作をスタートすることはなく、初期値の設定のみ行う。
図３２は、第４の実施形態における液滴ターゲット生成プロセッサ２６５の動作を示すフローチャートである。第４の実施形態においては、Ｓ３００において受信した目標値に加えて、Ｓ３１０ｄにおいて固体ターゲット補給時の加熱関数Ｈ（ｔ）も受信する。さらに、Ｓ３２０ｄにおいて、タイマーｔの初期値をｔｅ１に設定する。ここではタイマーｔの動作をスタートすることはなく、初期値の設定のみ行う。
【0143】
比較例及び第１の実施形態においては、タンク２６０の温度Ｔ、圧力Ｐ、及び駆動波形のデューティＤを制御する処理としてＳ３３０の処理が行われるのに対し、第４の実施形態においてはＳ３３０ｄの処理が行われる。図３３を参照しながら説明するように、Ｓ３３０ｄにおいては、タイマーｔの値に応じて、Ｓ３３６の処理を行うか、Ｓ３３４ｄの処理を行うかが選択される。
その他の点については、図３２は図１０と同様である。
その他の点については、図３２は図１０と同様である。
【0144】
【0145】
Ｓ３３１ｄにおいて、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、固体ターゲット補給プロセッサ８５から固体ターゲット補給信号を受信したか否かを判定する。
【0146】
固体ターゲット補給信号を受信していない場合（Ｓ３３１ｄ：ＮＯ）、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５はＳ３３３ｄに処理を進める。
【0147】
固体ターゲット補給信号を受信した場合（Ｓ３３１ｄ：ＹＥＳ）、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５はＳ３３２ｄに処理を進める。
Ｓ３３２ｄにおいて、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、タイマーｔをリセット及びスタートする。すなわち、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、タイマーｔの値を０にリセットし、その後の時間の経過に応じたタイマーｔの更新をスタートする。
Ｓ３３２ｄの後、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、Ｓ３３３ｄに処理を進める。
Ｓ３３２ｄにおいて、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、タイマーｔをリセット及びスタートする。すなわち、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、タイマーｔの値を０にリセットし、その後の時間の経過に応じたタイマーｔの更新をスタートする。
Ｓ３３２ｄの後、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、Ｓ３３３ｄに処理を進める。
【0148】
Ｓ３３３ｄにおいて、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、タイマーｔの値がｔｅ１以上であるか否かを判定する。
【0149】
タイマーｔの値がｔｅ１以上である場合（Ｓ３３３ｄ：ＹＥＳ）、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、Ｓ３３６に処理を進めてタンク２６０の温度Ｔが目標温度Ｔｔに近づくように温度調節器２６２を制御する。タイマーｔの値がｔｅ１以上である場合（Ｓ３３３ｄ：ＹＥＳ）とは、タイマーｔの値がｔｅ１に設定された後（Ｓ３２０ｄ）、タイマーｔが一度もリセットされていない場合と、タイマーｔがリセットスタート（Ｓ３３２ｄ）されてから時間ｔｅ１が経過した場合と、のいずれかである。
【0150】
タイマーｔの値がｔｅ１未満である場合（Ｓ３３３ｄ：ＮＯ）、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、Ｓ３３４ｄに処理を進めて加熱関数Ｈ（ｔ）に従って温度調節器２６２を制御する。タイマーｔの値がｔｅ１未満である場合（Ｓ３３３ｄ：ＮＯ）とは、タイマーｔがリセットスタート（Ｓ３３２ｄ）されてから時間ｔｅ１が経過していない場合である。これにより、固体ターゲット補給信号を受信してから一定期間だけ、加熱関数Ｈ（ｔ）に従った制御が行われる。
【0151】
Ｓ３３４ｄ又はＳ３３６の後、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５はＳ３３７に処理を進める。Ｓ３３７及びＳ３３８の処理は、図１１を参照しながら説明したものと同様である。Ｓ３３８の後、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は本フローチャートの処理を終了し、図３２に示される処理に戻る。
他の点については、第４の実施形態は第１の実施形態と同様である。
他の点については、第４の実施形態は第１の実施形態と同様である。
【0152】
６．３ 第２の実施形態への適用
図３４は、第２の実施形態において固体ターゲット物質２７ａの補給時にタンク２６０の温度制御を行う場合のフローチャートである。第２の実施形態に第４の実施形態の温度制御を適用するには、図２１に示される構成において固体ターゲット補給プロセッサ８５から出力された固体ターゲット補給信号がターゲット検査プロセッサ７５だけでなく液滴ターゲット生成プロセッサ２６５にも入力されるように信号線を追加し、また、ターゲット検査プロセッサ７５から液滴ターゲット生成プロセッサ２６５に向けて加熱関数Ｈ（ｔ）を送信する別の信号線を追加すればよい。
図３４は、第２の実施形態において固体ターゲット物質２７ａの補給時にタンク２６０の温度制御を行う場合のフローチャートである。第２の実施形態に第４の実施形態の温度制御を適用するには、図２１に示される構成において固体ターゲット補給プロセッサ８５から出力された固体ターゲット補給信号がターゲット検査プロセッサ７５だけでなく液滴ターゲット生成プロセッサ２６５にも入力されるように信号線を追加し、また、ターゲット検査プロセッサ７５から液滴ターゲット生成プロセッサ２６５に向けて加熱関数Ｈ（ｔ）を送信する別の信号線を追加すればよい。
【0153】
図３４に示されるように、図２２のＳ１２００をＳ１２００ｄ（図２９及び図３０参照）に置き換えることにより、第２の実施形態において固体ターゲット物質２７ａの補給時にタンク２６０の温度制御を行うことができる。
液滴ターゲット生成プロセッサ２６５の処理は図３２及び図３３と同様でよい。
固体ターゲット補給プロセッサ８５の処理は図２０と同様でよい。
液滴ターゲット生成プロセッサ２６５の処理は図３２及び図３３と同様でよい。
固体ターゲット補給プロセッサ８５の処理は図２０と同様でよい。
【0154】
６．４ 第３の実施形態への適用
図３５は、第３の実施形態において固体ターゲット物質２７ａの補給時にタンク２６０の温度制御を行う場合のフローチャートである。
図３５に示されるように、図２４のＳ１２００をＳ１２００ｄ（図２９及び図３０参照）に置き換えることにより、第３の実施形態において固体ターゲット物質２７ａの補給時にタンク２６０の温度制御を行うことができる。
液滴ターゲット生成プロセッサ２６５の処理は図３２及び図３３と同様でよい。
固体ターゲット補給プロセッサ８５の処理は図２０と同様でよい。
図３５は、第３の実施形態において固体ターゲット物質２７ａの補給時にタンク２６０の温度制御を行う場合のフローチャートである。
図３５に示されるように、図２４のＳ１２００をＳ１２００ｄ（図２９及び図３０参照）に置き換えることにより、第３の実施形態において固体ターゲット物質２７ａの補給時にタンク２６０の温度制御を行うことができる。
液滴ターゲット生成プロセッサ２６５の処理は図３２及び図３３と同様でよい。
固体ターゲット補給プロセッサ８５の処理は図２０と同様でよい。
【0155】
６．５ 作用
（１０）第４の実施形態によれば、液滴ターゲット生成装置２６は、タンク２６０及びノズル２６６の少なくとも１つに配置されたヒーター２６７をさらに含む。液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、固体ターゲット補給装置８からタンク２６０への固体ターゲット物質２７ａの補給と同期して、ヒーター２６７に供給される電力を一時的に変更する。
これによれば、固体ターゲット物質２７ａの補給と同期して、ヒーター２６７に供給される電力を一時的に変更することで、合体が完了する補給量Ｑｔの最小値と最大値が共に大きくなり、１回でより多くの補給量Ｑｔの固体ターゲット物質２７ａをタンク２６０に供給し得る。
（１０）第４の実施形態によれば、液滴ターゲット生成装置２６は、タンク２６０及びノズル２６６の少なくとも１つに配置されたヒーター２６７をさらに含む。液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、固体ターゲット補給装置８からタンク２６０への固体ターゲット物質２７ａの補給と同期して、ヒーター２６７に供給される電力を一時的に変更する。
これによれば、固体ターゲット物質２７ａの補給と同期して、ヒーター２６７に供給される電力を一時的に変更することで、合体が完了する補給量Ｑｔの最小値と最大値が共に大きくなり、１回でより多くの補給量Ｑｔの固体ターゲット物質２７ａをタンク２６０に供給し得る。
【0156】
（１１）第４の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成装置１は、複数の液滴ターゲット２７１の合体の状態を、固体ターゲット補給装置８からタンク２６０への固体ターゲット物質２７ａの補給及び電力の変更と同期して検出する通過センサユニット４２又は撮像ユニット４４を備える。ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、通過センサユニット４２又は撮像ユニット４４の検出結果に基づいて補給量Ｑｔを決定し、固体ターゲット補給プロセッサ８５は固体ターゲット補給装置８を制御する。
これによれば、電力の変更と同期して合体の状態を検出し、検出結果に基づいて補給量Ｑｔを決定することで、適切な補給量Ｑｔを決定できる。
これによれば、電力の変更と同期して合体の状態を検出し、検出結果に基づいて補給量Ｑｔを決定することで、適切な補給量Ｑｔを決定できる。
【0157】
（１２）第４の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、固体ターゲット補給装置８からタンク２６０への固体ターゲット物質２７ａの試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎを増加させながら、通過センサユニット４２又は撮像ユニット４４から出力された検出結果を固体ターゲット補給装置８からタンク２６０への固体ターゲット物質２７ａの補給及び電力の変更と同期して取得する。ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、液滴ターゲット２７１の合体が完了している場合の試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎの最大値Ｎｍａｘ・Ｑｍｉｎを補給量Ｑｔとして決定する。
これによれば、試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎを増加させながら合体の状態を計測することにより、合体が完了する補給量Ｑｔの範囲を正確に求めることができる。そして、合体が完了している場合の試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎの最大値Ｎｍａｘ・Ｑｍｉｎを１回の補給量Ｑｔとすることで、補給回数が多くなることを抑制して固体ターゲット補給装置８の寿命低下を抑制し得る。
その他の点については、第４の実施形態は第１の実施形態と同様である。
これによれば、試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎを増加させながら合体の状態を計測することにより、合体が完了する補給量Ｑｔの範囲を正確に求めることができる。そして、合体が完了している場合の試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎの最大値Ｎｍａｘ・Ｑｍｉｎを１回の補給量Ｑｔとすることで、補給回数が多くなることを抑制して固体ターゲット補給装置８の寿命低下を抑制し得る。
その他の点については、第４の実施形態は第１の実施形態と同様である。
【0158】
７．固体ターゲット物質２７ａの補給時の駆動波形のデューティ制御
７．１ 構成
図３６は、第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１のうちの液滴ターゲット生成装置２６及びその周辺の構成を示す。第５の実施形態においては、ＥＵＶ光生成プロセッサ５から液滴ターゲット生成プロセッサ２６５に向けて加熱関数Ｈ（ｔ）の代わりにデューティ変更関数Ｄ（ｔ）を送信する信号線が設けられている。他の点については、第５の実施形態の構成は第４の実施形態と同様である。
７．１ 構成
図３６は、第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１のうちの液滴ターゲット生成装置２６及びその周辺の構成を示す。第５の実施形態においては、ＥＵＶ光生成プロセッサ５から液滴ターゲット生成プロセッサ２６５に向けて加熱関数Ｈ（ｔ）の代わりにデューティ変更関数Ｄ（ｔ）を送信する信号線が設けられている。他の点については、第５の実施形態の構成は第４の実施形態と同様である。
【0159】
７．２ 各種プロセッサの動作
７．２．１ 概要
図３７は、第５の実施形態におけるＥＵＶ光生成プロセッサ５、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５、及び固体ターゲット補給プロセッサ８５による連携の概要を示すタイムチャートである。
７．２．１ 概要
図３７は、第５の実施形態におけるＥＵＶ光生成プロセッサ５、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５、及び固体ターゲット補給プロセッサ８５による連携の概要を示すタイムチャートである。
【0160】
図３７に示されるように、Ｓ１２００ｄにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、駆動波形のデューティＤｔとデューティ変更関数Ｄ（ｔ）とを液滴ターゲット生成プロセッサ２６５に送信する。液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、Ｓ３３５ｅにおいてデューティＤｔに従った制御を行う。
【0161】
固体ターゲット補給信号を受信した液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、Ｓ３３４ｅにおいて駆動波形のデューティＤを一時的に変更するようデューティ変更関数Ｄ（ｔ）に従って制御する。Ｓ３３４ｅの後、Ｓ３３５ｅにおいて液滴ターゲット生成プロセッサ２６５はデューティＤｔに従った制御を行う。
【0162】
その後、固体ターゲット補給プロセッサ８５から固体ターゲット補給信号が出力されるたびに、Ｓ３３４ｅによる制御が一時的に行われ、その後Ｓ３３５ｅによる制御が行われる。Ｓ３３４ｅによる一時的な制御は、ＥＵＶ光生成プロセッサ５が１回の固体ターゲット補給量Ｑｔを決定するために合体ターゲット２７２を計測するとき（Ｓ１３１０ａ）にも、１回の固体ターゲット補給量ＱｔがＮｍａｘ・Ｑｍｉｎに決定された後、ＥＵＶ光を生成させるとき（Ｓ２１００）にも行われる。
【0163】
７．２．２ ＥＵＶ光生成プロセッサ５の動作
図３８は、液滴ターゲット生成装置２６を起動させる動作の詳細を示すフローチャートである。ＥＵＶ光生成プロセッサ５の基本的な動作は図２９を参照しながら説明したものと同様である。図３８は図２９のＳ１２００ｄのサブルーチンに相当する。
第５の実施形態においては、固体ターゲット補給時の加熱関数Ｈ（ｔ）の代わりに、固体ターゲット補給時のデューティ変更関数Ｄ（ｔ）を液滴ターゲット生成プロセッサ２６５に送信する（Ｓ１２０６ｅ）。
図３８は、液滴ターゲット生成装置２６を起動させる動作の詳細を示すフローチャートである。ＥＵＶ光生成プロセッサ５の基本的な動作は図２９を参照しながら説明したものと同様である。図３８は図２９のＳ１２００ｄのサブルーチンに相当する。
第５の実施形態においては、固体ターゲット補給時の加熱関数Ｈ（ｔ）の代わりに、固体ターゲット補給時のデューティ変更関数Ｄ（ｔ）を液滴ターゲット生成プロセッサ２６５に送信する（Ｓ１２０６ｅ）。
【0164】
図３９は、デューティ変更関数Ｄ（ｔ）の例を示すグラフである。デューティ変更関数Ｄ（ｔ）は、時間ｔに対するデューティＤの関数である。デューティ変更関数Ｄ（ｔ）は、時間ｔが０からｔｅ１となるまでの一定時間に、デューティＤをもとのデューティＤ０と異なる値に変更する関数であってもよい。
【0165】
７．２．３ 液滴ターゲット生成プロセッサ２６５の動作
図４０は、第５の実施形態における液滴ターゲット生成プロセッサ２６５の動作を示すフローチャートである。第５の実施形態においては、Ｓ３００において受信した目標値に加えて、Ｓ３１０ｅにおいて固体ターゲット補給時のデューティ変更関数Ｄ（ｔ）も受信する。
図４０は、第５の実施形態における液滴ターゲット生成プロセッサ２６５の動作を示すフローチャートである。第５の実施形態においては、Ｓ３００において受信した目標値に加えて、Ｓ３１０ｅにおいて固体ターゲット補給時のデューティ変更関数Ｄ（ｔ）も受信する。
【0166】
【0167】
【0168】
Ｓ３３３ｄにおいて、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、タイマーｔの値がｔｅ１以上であるか否かを判定する。
【0169】
タイマーｔの値がｔｅ１以上である場合（Ｓ３３３ｄ：ＹＥＳ）、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、Ｓ３３５ｅに処理を進めてデューティＤがＤｔとなるように加振装置２６９の駆動波形を制御する。
【0170】
タイマーｔの値がｔｅ１未満である場合（Ｓ３３３ｄ：ＮＯ）、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、Ｓ３３４ｅに処理を進めてデューティ変更関数Ｄ（ｔ）に従って駆動波形のデューティＤを制御する。
【0171】
Ｓ３３４ｅ又はＳ３３５ｅの後、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５はＳ３３６に処理を進める。Ｓ３３６及びＳ３３７の処理は、図１１を参照しながら説明したものと同様である。Ｓ３３７の後、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は本フローチャートの処理を終了し、図４０に示される処理に戻る。
【0172】
７．３ 作用
（１３）第５の実施形態によれば、液滴ターゲット生成装置２６が、ノズル２６６に振動を与える加振装置２６９をさらに含む。液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、固体ターゲット補給装置８からタンク２６０への固体ターゲット物質２７ａの補給と同期して、加振装置２６９に入力される駆動波形を一時的に変更する。
これによれば、固体ターゲット物質２７ａの補給と同期して、加振装置２６９に入力される駆動波形を一時的に変更することで、合体が完了する補給量Ｑｔの最小値と最大値が共に大きくなり、１回でより多くの補給量Ｑｔの固体ターゲット物質２７ａをタンク２６０に供給し得る。
（１３）第５の実施形態によれば、液滴ターゲット生成装置２６が、ノズル２６６に振動を与える加振装置２６９をさらに含む。液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、固体ターゲット補給装置８からタンク２６０への固体ターゲット物質２７ａの補給と同期して、加振装置２６９に入力される駆動波形を一時的に変更する。
これによれば、固体ターゲット物質２７ａの補給と同期して、加振装置２６９に入力される駆動波形を一時的に変更することで、合体が完了する補給量Ｑｔの最小値と最大値が共に大きくなり、１回でより多くの補給量Ｑｔの固体ターゲット物質２７ａをタンク２６０に供給し得る。
【0173】
（１４）第５の実施形態によれば、駆動波形は矩形波であり、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、固体ターゲット補給装置８からタンク２６０への固体ターゲット物質２７ａの補給と同期して、矩形波のデューティＤを変更する。
これによれば、矩形波のデューティＤを変更することで、簡素な処理で駆動波形の変更を行い得る。
その他の点については、第５の実施形態は第４の実施形態と同様である。
これによれば、矩形波のデューティＤを変更することで、簡素な処理で駆動波形の変更を行い得る。
その他の点については、第５の実施形態は第４の実施形態と同様である。
【0174】
８．固体ターゲット物質２７ａの補給時の駆動波形の変調制御
８．１ 構成
図４２は、第６の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１のうちの液滴ターゲット生成装置２６及びその周辺の構成を示す。第６の実施形態において、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、駆動電源２６４に与える駆動信号の駆動波形として、変調により生成された被変調波を生成する。そして、固体ターゲット補給信号に同期して、搬送波周波数ｆｃ等の変調パラメータを変更することで駆動波形を一時的に変更する。以下では搬送波周波数ｆｃを変更する場合について説明した後、それ以外の変調パラメータを変更する場合について説明する。
８．１ 構成
図４２は、第６の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１のうちの液滴ターゲット生成装置２６及びその周辺の構成を示す。第６の実施形態において、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、駆動電源２６４に与える駆動信号の駆動波形として、変調により生成された被変調波を生成する。そして、固体ターゲット補給信号に同期して、搬送波周波数ｆｃ等の変調パラメータを変更することで駆動波形を一時的に変更する。以下では搬送波周波数ｆｃを変更する場合について説明した後、それ以外の変調パラメータを変更する場合について説明する。
【0175】
図４２に示されるように、第６の実施形態においては、ＥＵＶ光生成プロセッサ５から液滴ターゲット生成プロセッサ２６５に向けて加熱関数Ｈ（ｔ）の代わりに搬送波周波数変更関数ｆｃ（ｔ）を送信する信号線が設けられている。他の点については、第６の実施形態の構成は第４の実施形態と同様である。
【0176】
８．２ 各種プロセッサの動作
８．２．１ 概要
図４３は、第６の実施形態におけるＥＵＶ光生成プロセッサ５、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５、及び固体ターゲット補給プロセッサ８５による連携の概要を示すタイムチャートである。
８．２．１ 概要
図４３は、第６の実施形態におけるＥＵＶ光生成プロセッサ５、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５、及び固体ターゲット補給プロセッサ８５による連携の概要を示すタイムチャートである。
【0177】
図４３に示されるように、Ｓ１２００ｄにおいて、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、搬送波周波数ｆｃと搬送波周波数変更関数ｆｃ（ｔ）とを液滴ターゲット生成プロセッサ２６５に送信する。液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、Ｓ３３５ｆにおいて搬送波周波数ｆｃに従った制御を行う。
【0178】
固体ターゲット補給信号を受信した液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、Ｓ３３４ｆにおいて搬送波周波数ｆｃを一時的に変更するよう搬送波周波数変更関数ｆｃ（ｔ）に従って制御する。Ｓ３３４ｆの後、Ｓ３３５ｆにおいて液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は搬送波周波数ｆｃに従った制御を行う。
【0179】
その後、固体ターゲット補給プロセッサ８５から固体ターゲット補給信号が出力されるたびに、Ｓ３３４ｆによる制御が一時的に行われ、その後Ｓ３３５ｆによる制御が行われる。Ｓ３３４ｆによる一時的な制御は、ＥＵＶ光生成プロセッサ５が１回の固体ターゲット補給量Ｑｔを決定するために合体ターゲット２７２を計測するとき（Ｓ１３１０ａ）にも、１回の固体ターゲット補給量ＱｔがＮｍａｘ・Ｑｍｉｎに決定された後、ＥＵＶ光を生成させるとき（Ｓ２１００）にも行われる。
【0180】
８．２．２ ＥＵＶ光生成プロセッサ５の動作
図４４は、液滴ターゲット生成装置２６を起動させる動作の詳細を示すフローチャートである。ＥＵＶ光生成プロセッサ５の基本的な動作は図２９を参照しながら説明したものと同様である。図４４は図２９のＳ１２００ｄのサブルーチンに相当する。
第６の実施形態においては、駆動波形のデューティＤの代わりに、搬送波周波数ｆｃを液滴ターゲット生成プロセッサ２６５に送信する（Ｓ１２０５ｆ）。
第６の実施形態においては、固体ターゲット補給時の加熱関数Ｈ（ｔ）の代わりに、固体ターゲット補給時の搬送波周波数変更関数ｆｃ（ｔ）を液滴ターゲット生成プロセッサ２６５に送信する（Ｓ１２０６ｆ）。
図４４は、液滴ターゲット生成装置２６を起動させる動作の詳細を示すフローチャートである。ＥＵＶ光生成プロセッサ５の基本的な動作は図２９を参照しながら説明したものと同様である。図４４は図２９のＳ１２００ｄのサブルーチンに相当する。
第６の実施形態においては、駆動波形のデューティＤの代わりに、搬送波周波数ｆｃを液滴ターゲット生成プロセッサ２６５に送信する（Ｓ１２０５ｆ）。
第６の実施形態においては、固体ターゲット補給時の加熱関数Ｈ（ｔ）の代わりに、固体ターゲット補給時の搬送波周波数変更関数ｆｃ（ｔ）を液滴ターゲット生成プロセッサ２６５に送信する（Ｓ１２０６ｆ）。
【0181】
図４５は、搬送波周波数変更関数ｆｃ（ｔ）の例を示すグラフである。搬送波周波数変更関数ｆｃ（ｔ）は、時間ｔに対する搬送波周波数ｆｃの関数である。搬送波周波数変更関数ｆｃ（ｔ）は、時間ｔが０からｔｅ１となるまでの一定時間にわたって、搬送波周波数ｆｃをもとの搬送波周波数ｆｃ０と異なる値に変更する関数であってもよい。
【0182】
８．２．３ 液滴ターゲット生成プロセッサ２６５の動作
図４６は、第６の実施形態における液滴ターゲット生成プロセッサ２６５の動作を示すフローチャートである。第６の実施形態においては、Ｓ３００ｆにおいてデューティＤの代わりに搬送波周波数ｆｃを受信し、Ｓ３１０ｆにおいて固体ターゲット補給時の搬送波周波数変更関数ｆｃ（ｔ）を受信する。
図４６は、第６の実施形態における液滴ターゲット生成プロセッサ２６５の動作を示すフローチャートである。第６の実施形態においては、Ｓ３００ｆにおいてデューティＤの代わりに搬送波周波数ｆｃを受信し、Ｓ３１０ｆにおいて固体ターゲット補給時の搬送波周波数変更関数ｆｃ（ｔ）を受信する。
【0183】
第４の実施形態におけるＳ３３０ｄの代わりに、第６の実施形態においてはＳ３３０ｆにおいてタンク２６０の温度Ｔ及び圧力Ｐ、及び搬送波周波数ｆｃを制御する処理が行われる。
その他の点については、図４６は図３２と同様である。
その他の点については、図４６は図３２と同様である。
【0184】
【0185】
Ｓ３３３ｄにおいて、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、タイマーｔの値がｔｅ１以上であるか否かを判定する。
【0186】
タイマーｔの値がｔｅ１以上である場合（Ｓ３３３ｄ：ＹＥＳ）、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、Ｓ３３５ｆに処理を進めて搬送波周波数ｆｃがｆｃ０となるように加振装置２６９の駆動波形を制御する。
【0187】
タイマーｔの値がｔｅ１未満である場合（Ｓ３３３ｄ：ＮＯ）、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、Ｓ３３４ｆに処理を進めて搬送波周波数変更関数ｆｃ（ｔ）に従って駆動波形を制御する。
【0188】
Ｓ３３４ｆ又はＳ３３５ｆの後、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５はＳ３３６に処理を進める。Ｓ３３６及びＳ３３７の処理は、図１１を参照しながら説明したものと同様である。Ｓ３３７の後、液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は本フローチャートの処理を終了し、図４６に示される処理に戻る。
【0189】
８．２．４ 被変調波の例
液滴ターゲット生成プロセッサ２６５が駆動電源２６４に出力する駆動信号は、次の式で定義される搬送波Ｖｃ（ｔ）及び信号波Ｖｓ（ｔ）を用いて得られたものであって、搬送波Ｖｃ（ｔ）を信号波Ｖｓ（ｔ）で変調して得られた被変調波であってもよい。
Ｖｃ（ｔ）＝Ｖｃｍ×ｓｉｎ（２π×ｆｃ×ｔ）
Ｖｓ（ｔ）＝Ｖｓｍ×ｃｏｓ（２π×ｆｓ×ｔ）
ここで、Ｖｃｍは搬送波振幅であり、Ｖｓｍは信号波振幅であり、ｆｃは搬送波周波数であり、ｆｓは信号波周波数である。搬送波周波数ｆｃは信号波周波数ｆｓの倍数であり、例えば、ターゲット２７の速度をｖ［ｍ／ｓ］とし、ノズル２６６の開口径をｄ［ｍｍ］としたとき、ｖ／（ｆｃ・ｄ）で与えられる値が３以上８以下であることが望ましい。
合体完了ターゲット間距離Ｌｄは以下の式で与えられる。
Ｌｄ＝Ｖｄ／ｆｓ
このように、第６の実施形態においては信号波周波数ｆｓに応じて合体完了ターゲット間距離Ｌｄが決まる。
液滴ターゲット生成プロセッサ２６５が駆動電源２６４に出力する駆動信号は、次の式で定義される搬送波Ｖｃ（ｔ）及び信号波Ｖｓ（ｔ）を用いて得られたものであって、搬送波Ｖｃ（ｔ）を信号波Ｖｓ（ｔ）で変調して得られた被変調波であってもよい。
Ｖｃ（ｔ）＝Ｖｃｍ×ｓｉｎ（２π×ｆｃ×ｔ）
Ｖｓ（ｔ）＝Ｖｓｍ×ｃｏｓ（２π×ｆｓ×ｔ）
ここで、Ｖｃｍは搬送波振幅であり、Ｖｓｍは信号波振幅であり、ｆｃは搬送波周波数であり、ｆｓは信号波周波数である。搬送波周波数ｆｃは信号波周波数ｆｓの倍数であり、例えば、ターゲット２７の速度をｖ［ｍ／ｓ］とし、ノズル２６６の開口径をｄ［ｍｍ］としたとき、ｖ／（ｆｃ・ｄ）で与えられる値が３以上８以下であることが望ましい。
合体完了ターゲット間距離Ｌｄは以下の式で与えられる。
Ｌｄ＝Ｖｄ／ｆｓ
このように、第６の実施形態においては信号波周波数ｆｓに応じて合体完了ターゲット間距離Ｌｄが決まる。
【0190】
８．２．４．１ ＰＭ変調波Ｖｐｍ（ｔ）
駆動信号は、以下のＰＭ変調波Ｖｐｍ（ｔ）であってもよい。
Ｖｐｍ（ｔ）＝Ｖｃｍ×ｓｉｎ｛２π×ｆｃ×ｔ＋δθ×Ｖｓ（ｔ）＋φ｝
＝Ｖｃｍ×ｓｉｎ｛２π×ｆｃ×ｔ＋δθ×Ｖｓｍ×ｃｏｓ（２π×ｆｓ×ｔ）＋φ｝
ここで、δθは最大位相偏移（デビエーション）であり、最大位相偏移δθは０以上π以下である。φは位相差であり、位相差φは０以上２π以下である。
駆動信号は、以下のＰＭ変調波Ｖｐｍ（ｔ）であってもよい。
Ｖｐｍ（ｔ）＝Ｖｃｍ×ｓｉｎ｛２π×ｆｃ×ｔ＋δθ×Ｖｓ（ｔ）＋φ｝
＝Ｖｃｍ×ｓｉｎ｛２π×ｆｃ×ｔ＋δθ×Ｖｓｍ×ｃｏｓ（２π×ｆｓ×ｔ）＋φ｝
ここで、δθは最大位相偏移（デビエーション）であり、最大位相偏移δθは０以上π以下である。φは位相差であり、位相差φは０以上２π以下である。
【0191】
図４２～図４７においては、搬送波周波数ｆｃを変調パラメータとして一時的に変更する場合について説明した。すなわち、固体ターゲット補給信号を受信した後一定期間内の制御（Ｓ３３４ｆ）においては、搬送波周波数変更関数ｆｃ（ｔ）に従って搬送波周波数ｆｃが一時的に変更されることとした。
【0192】
あるいは、Ｓ３３４ｆにおいて、搬送波周波数ｆｃの代わりに最大位相偏移δθを変更することで、駆動波形を変更してもよい。この場合、搬送波周波数変更関数ｆｃ（ｔ）の代わりに最大位相偏移変更関数δθ（ｔ）に従って最大位相偏移δθが一時的に変更される。
【0193】
あるいは、Ｓ３３４ｆにおいて、搬送波周波数ｆｃの代わりに位相差φを変更することで、駆動波形を変更してもよい。この場合、搬送波周波数変更関数ｆｃ（ｔ）の代わりに位相差変更関数φ（ｔ）に従って位相差φが一時的に変更される。
【0194】
あるいは、搬送波周波数ｆｃ、最大位相偏移δθ、及び位相差φのうちの２つ以上の組み合わせを変更することで駆動波形を一時的に変更してもよい。
【0195】
８．２．４．２ ＦＭ変調波Ｖｆｍ（ｔ）
駆動信号は、以下のＦＭ変調波Ｖｆｍ（ｔ）であってもよい。
Ｖｆｍ（ｔ）＝Ｖｃｍ×ｓｉｎ｛２π×ｆｃ×ｔ＋δｆ×∫Ｖｓ（ｔ）＋φ｝
＝Ｖｃｍ×ｓｉｎ｛２π×ｆｃ×ｔ＋δｆ／ｆｓ×ｓｉｎ（２π×ｆｓ×ｔ）＋φ｝
ここで、δｆは最大周波数偏移（デビエーション）であり、最大周波数偏移δｆは０以上搬送波周波数ｆｃ以下である。φは位相差であり、位相差φは０以上２π以下である。
駆動信号は、以下のＦＭ変調波Ｖｆｍ（ｔ）であってもよい。
Ｖｆｍ（ｔ）＝Ｖｃｍ×ｓｉｎ｛２π×ｆｃ×ｔ＋δｆ×∫Ｖｓ（ｔ）＋φ｝
＝Ｖｃｍ×ｓｉｎ｛２π×ｆｃ×ｔ＋δｆ／ｆｓ×ｓｉｎ（２π×ｆｓ×ｔ）＋φ｝
ここで、δｆは最大周波数偏移（デビエーション）であり、最大周波数偏移δｆは０以上搬送波周波数ｆｃ以下である。φは位相差であり、位相差φは０以上２π以下である。
【0196】
搬送波周波数ｆｃ、最大周波数偏移δｆ、及び位相差φのうちの１つ、あるいはこれらのうちの２つ以上の組み合わせを変更することで駆動波形を一時的に変更してもよい。
【0197】
８．２．４．３ ＡＭ変調波Ｖａｍ（ｔ）
駆動信号は、以下のＡＭ変調波Ｖａｍ（ｔ）であってもよい。
Ｖａｍ（ｔ）＝｛Ｖｃｍ＋Ｖｓ（ｔ＋φ）｝×ｓｉｎ（２π×ｆｃ×ｔ）
＝｛Ｖｃｍ＋Ｖｓｍ×ｃｏｓ（２π×ｆｓ×ｔ＋φ）｝×ｓｉｎ（２π×ｆｃ×ｔ）
ここで、Ｖｓｍ／Ｖｃｍで与えられる比率を変調度といい、変調度は０以上１以下である。φは位相差である。
駆動信号は、以下のＡＭ変調波Ｖａｍ（ｔ）であってもよい。
Ｖａｍ（ｔ）＝｛Ｖｃｍ＋Ｖｓ（ｔ＋φ）｝×ｓｉｎ（２π×ｆｃ×ｔ）
＝｛Ｖｃｍ＋Ｖｓｍ×ｃｏｓ（２π×ｆｓ×ｔ＋φ）｝×ｓｉｎ（２π×ｆｃ×ｔ）
ここで、Ｖｓｍ／Ｖｃｍで与えられる比率を変調度といい、変調度は０以上１以下である。φは位相差である。
【0198】
搬送波周波数ｆｃ、変調度Ｖｓｍ／Ｖｃｍ、及び位相差φのうちの１つ、あるいはこれらのうちの２つ以上の組み合わせを変更することで駆動波形を一時的に変更してもよい。
【0199】
８．３ 作用
（１５）第６の実施形態によれば、駆動波形は搬送波Ｖｃ（ｔ）を信号波Ｖｓ（ｔ）で変調して得られた被変調波である。液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、固体ターゲット補給装置８からタンク２６０への固体ターゲット物質２７ａの補給と同期して、搬送波Ｖｃ（ｔ）のパラメータ及び信号波Ｖｓ（ｔ）のパラメータの少なくとも１つを変更する。
これによれば、搬送波Ｖｃ（ｔ）のパラメータ及び信号波Ｖｓ（ｔ）のパラメータの少なくとも１つを変更することで、簡素な処理で駆動波形の変更を行い得る。
（１５）第６の実施形態によれば、駆動波形は搬送波Ｖｃ（ｔ）を信号波Ｖｓ（ｔ）で変調して得られた被変調波である。液滴ターゲット生成プロセッサ２６５は、固体ターゲット補給装置８からタンク２６０への固体ターゲット物質２７ａの補給と同期して、搬送波Ｖｃ（ｔ）のパラメータ及び信号波Ｖｓ（ｔ）のパラメータの少なくとも１つを変更する。
これによれば、搬送波Ｖｃ（ｔ）のパラメータ及び信号波Ｖｓ（ｔ）のパラメータの少なくとも１つを変更することで、簡素な処理で駆動波形の変更を行い得る。
【0200】
（１６）第６の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成装置１は、複数の液滴ターゲット２７１の合体の状態を、固体ターゲット補給装置８からタンク２６０への固体ターゲット物質２７ａの補給及び駆動波形の変更と同期して検出する通過センサユニット４２又は撮像ユニット４４を備える。ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、通過センサユニット４２又は撮像ユニット４４の検出結果に基づいて補給量Ｑｔを決定し、固体ターゲット補給プロセッサ８５は固体ターゲット補給装置８を制御する。
これによれば、駆動波形の変更と同期して合体の状態を検出し、検出結果に基づいて補給量Ｑｔを決定することで、適切な補給量Ｑｔを決定できる。
これによれば、駆動波形の変更と同期して合体の状態を検出し、検出結果に基づいて補給量Ｑｔを決定することで、適切な補給量Ｑｔを決定できる。
【0201】
（１７）第６の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、固体ターゲット補給装置８からタンク２６０への固体ターゲット物質２７ａの試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎを増加させながら、通過センサユニット４２又は撮像ユニット４４から出力された検出結果を固体ターゲット補給装置８からタンク２６０への固体ターゲット物質２７ａの補給及び駆動波形の変更と同期して取得する。ＥＵＶ光生成プロセッサ５は、液滴ターゲット２７１の合体が完了している場合の試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎの最大値Ｎｍａｘ・Ｑｍｉｎを補給量Ｑｔとして決定する。
これによれば、試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎを増加させながら合体の状態を計測することにより、合体が完了する補給量Ｑｔの範囲を正確に求めることができる。そして、合体が完了している場合の試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎの最大値Ｎｍａｘ・Ｑｍｉｎを１回の補給量Ｑｔとすることで、補給回数が多くなることを抑制して固体ターゲット補給装置８の寿命低下を抑制し得る。
その他の点については、第６の実施形態は第４の実施形態と同様である。
これによれば、試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎを増加させながら合体の状態を計測することにより、合体が完了する補給量Ｑｔの範囲を正確に求めることができる。そして、合体が完了している場合の試行補給量Ｎ・Ｑｍｉｎの最大値Ｎｍａｘ・Ｑｍｉｎを１回の補給量Ｑｔとすることで、補給回数が多くなることを抑制して固体ターゲット補給装置８の寿命低下を抑制し得る。
その他の点については、第６の実施形態は第４の実施形態と同様である。
【0202】
９．その他
９．１ 固体ターゲット補給装置８の計量器８２
図４８は、各実施形態において用いることができる固体ターゲット補給装置８の計量器８２の構成を概略的に示す。計量器８２は、固体ターゲット容器８１と供給管８６との間に位置するシャッタ８２１と、シャッタ８２１を開閉するアクチュエータ８２２と、供給管８６の途中に配置された渦電流式センサ８２３と、を含む。アクチュエータ８２２及び渦電流式センサ８２３は固体ターゲット補給プロセッサ８５によって制御される。
９．１ 固体ターゲット補給装置８の計量器８２
図４８は、各実施形態において用いることができる固体ターゲット補給装置８の計量器８２の構成を概略的に示す。計量器８２は、固体ターゲット容器８１と供給管８６との間に位置するシャッタ８２１と、シャッタ８２１を開閉するアクチュエータ８２２と、供給管８６の途中に配置された渦電流式センサ８２３と、を含む。アクチュエータ８２２及び渦電流式センサ８２３は固体ターゲット補給プロセッサ８５によって制御される。
【0203】
渦電流式センサ８２３は、供給管８６の外側から供給管８６にむけてパルス状の第１の磁界を連続的に発生させる。第１の磁界によって供給管８６又はその内部に渦電流が発生し、渦電流によって第２の磁界が発生する。この渦電流及び第２の磁界は、供給管８６の内部に固体ターゲット物質２７ａがあるか否かによって変化する。渦電流式センサ８２３は第２の磁界を検出し、供給管８６の内部を固体ターゲット物質２７ａが通過したか否かを判定する。
渦電流式センサ８２３を用いることで、供給管８６に孔をあけなくても供給管８６の内部の固体ターゲット物質２７ａを検出できる。
渦電流式センサ８２３を用いることで、供給管８６に孔をあけなくても供給管８６の内部の固体ターゲット物質２７ａを検出できる。
【0204】
固体ターゲット補給プロセッサ８５は、渦電流式センサ８２３の出力に基づいて、１回の固体ターゲット補給量Ｑｔに相当する固体ターゲット物質２７ａが計量器８２を通過したか否かを判定する。補給量Ｑｔに相当する固体ターゲット物質２７ａが通過した場合、シャッタ８２１を閉める。
【0205】
９．２ １回の補給量Ｑｔが固定された固体ターゲット補給装置８
図４９は、各実施形態において用いることができる固体ターゲット補給装置８の代替的な構成を概略的に示す。固体ターゲット補給装置８は、供給管８７に接続された圧力容器８２６を含む。圧力容器８２６の内部には、複数の収容部８２５と、複数の収容部８２５を一体的に移動させる移動機構８２４と、が設けられている。圧力容器８２６と供給管８７との間にシャッタ８２１が配置され、シャッタ８２１はアクチュエータ８２２によって開閉されるように構成されている。移動機構８２４及びアクチュエータ８２２は固体ターゲット補給プロセッサ８５によって制御される。
図４９は、各実施形態において用いることができる固体ターゲット補給装置８の代替的な構成を概略的に示す。固体ターゲット補給装置８は、供給管８７に接続された圧力容器８２６を含む。圧力容器８２６の内部には、複数の収容部８２５と、複数の収容部８２５を一体的に移動させる移動機構８２４と、が設けられている。圧力容器８２６と供給管８７との間にシャッタ８２１が配置され、シャッタ８２１はアクチュエータ８２２によって開閉されるように構成されている。移動機構８２４及びアクチュエータ８２２は固体ターゲット補給プロセッサ８５によって制御される。
【0206】
この固体ターゲット補給装置８においては計量器８２及びロードロック装置８３が設けられていない。圧力調節器８８は配管を介して圧力容器８２６に接続され、圧力容器８２６の内部を液滴ターゲット生成装置２６のタンク２６０の内部と同じ圧力とするよう調整している。圧力容器８２６の内部の温度はターゲット物質の融点より低い温度である。
【0207】
複数の収容部８２５の各々は、第２の実施形態において説明したターゲット計測システム等の計測結果を用いて予め設定された１回の固体ターゲット補給量Ｑｔに相当する固体ターゲット物質２７ａを収容する。複数の収容部８２５のうちの１つの収容部８２５が供給管８７との接続部に位置するように移動機構８２４が複数の収容部８２５を移動させる。シャッタ８２１が開かれると、当該１つの収容部８２５に収容されていた１回の固体ターゲット補給量Ｑｔに相当する固体ターゲット物質２７ａがすべて供給管８７を通ってタンク２６０に補給される。
【0208】
このように、固体ターゲット補給装置８は、補給量Ｑｔの固体ターゲット物質２７ａを収容する収容部８２５を含み、収容部８２５に収容された固体ターゲット物質２７ａをタンク２６０に移動させることで、１回分の補給量Ｑｔの固体ターゲット物質２７ａをタンク２６０に補給してもよい。
これによれば、収容部８２５に収容された固体ターゲット物質２７ａをそのままタンク２６０に移動させるので、固体ターゲット物質２７ａの計量器８２又はその制御を省略又は簡略化し得る。
これによれば、収容部８２５に収容された固体ターゲット物質２７ａをそのままタンク２６０に移動させるので、固体ターゲット物質２７ａの計量器８２又はその制御を省略又は簡略化し得る。
【0209】
９．３ シャッタ８３１を含むロードロック装置８３
図５０及び図５１は、各実施形態において用いることができるロードロック装置８３の代替的な構成例を概略的に示す。図５０及び図５１に示されるロードロック装置８３は、図３を参照しながら説明した構成に加えて、シャッタ８３１及びアクチュエータ８３２を含む。シャッタ８３１は、ロードロック室８９の下端付近に位置する。アクチュエータ８３２は、シャッタ８３１を駆動することにより、図５０に示される閉状態と、図５１に示される開状態とに、シャッタ８３１を切り替えられるように構成されている。
図５０及び図５１は、各実施形態において用いることができるロードロック装置８３の代替的な構成例を概略的に示す。図５０及び図５１に示されるロードロック装置８３は、図３を参照しながら説明した構成に加えて、シャッタ８３１及びアクチュエータ８３２を含む。シャッタ８３１は、ロードロック室８９の下端付近に位置する。アクチュエータ８３２は、シャッタ８３１を駆動することにより、図５０に示される閉状態と、図５１に示される開状態とに、シャッタ８３１を切り替えられるように構成されている。
【0210】
図２０のＳ５０６において入口バルブ８６１を開ける前に、シャッタ８３１は閉状態とされる。入口バルブ８６１を開けて固体ターゲット物質２７ａがロードロック室８９に移動するとき、シャッタ８３１が閉状態とされているため、出口バルブ８７１に固体ターゲット物質２７ａが衝突して出口バルブ８７１が損傷することが抑制される。
Ｓ５１０において出口バルブ８７１を開けた後、シャッタ８３１が開状態とされることで、ロードロック室８９内の固体ターゲット物質２７ａは出口バルブ８７１を素通りしてタンク２６０に移動する。これにより、出口バルブ８７１が損傷することが抑制される。さらに、この例の場合は、シャッタ８３１を開けるタイミングで固体ターゲット補給信号を送信する。
Ｓ５１０において出口バルブ８７１を開けた後、シャッタ８３１が開状態とされることで、ロードロック室８９内の固体ターゲット物質２７ａは出口バルブ８７１を素通りしてタンク２６０に移動する。これにより、出口バルブ８７１が損傷することが抑制される。さらに、この例の場合は、シャッタ８３１を開けるタイミングで固体ターゲット補給信号を送信する。
【0211】
９．４ 小タンク２６０ｓｔ及びノズル２６６にそれぞれヒーター２６７ｓｔ及び２６７ｎｚが配置された液滴ターゲット生成装置２６
図５２は、各実施形態において用いることができる液滴ターゲット生成装置２６の代替的な構成例を概略的に示す。
液滴ターゲット生成装置２６は、大タンク２６０ｌｔ、小タンク２６０ｓｔ、及びノズル２６６を含む。大タンク２６０ｌｔは、固体ターゲット物質２７ａを内部で溶融させて液体ターゲット物質２７ｂとする。小タンク２６０ｓｔは、大タンク２６０ｌｔで溶融された液体ターゲット物質２７ｂをノズル２６６に向けて通過させる。ノズル２６６は、小タンク２６０ｓｔを通過した液体ターゲット物質２７ｂを吐出する。大タンク２６０ｌｔと小タンク２６０ｓｔとの間にはフィルタＦが配置されている。
図５２は、各実施形態において用いることができる液滴ターゲット生成装置２６の代替的な構成例を概略的に示す。
液滴ターゲット生成装置２６は、大タンク２６０ｌｔ、小タンク２６０ｓｔ、及びノズル２６６を含む。大タンク２６０ｌｔは、固体ターゲット物質２７ａを内部で溶融させて液体ターゲット物質２７ｂとする。小タンク２６０ｓｔは、大タンク２６０ｌｔで溶融された液体ターゲット物質２７ｂをノズル２６６に向けて通過させる。ノズル２６６は、小タンク２６０ｓｔを通過した液体ターゲット物質２７ｂを吐出する。大タンク２６０ｌｔと小タンク２６０ｓｔとの間にはフィルタＦが配置されている。
【0212】
大タンク２６０ｌｔ、小タンク２６０ｓｔ、及びノズル２６６には、それぞれヒーター２６７ｌｔ、２６７ｓｔ、及び２６７ｎｚが配置されている。ヒーター２６７ｌｔ、２６７ｓｔ、及び２６７ｎｚは、それぞれヒーター電源２６３ｌｔ、２６３ｓｔ、及び２６３ｎｚに接続されており、大タンク２６０ｌｔ、小タンク２６０ｓｔ、及びノズル２６６をターゲット物質の融点より高い所定温度にまで加熱する。温度調節器２６２が、ヒーター２６７ｌｔ、２６７ｓｔ、及び２６７ｎｚにそれぞれ配置されたセンサ２６８ｌｔ、２６８ｓｔ、及び２６８ｎｚの出力に基づいてヒーター電源２６３ｌｔ、２６３ｓｔ、及び２６３ｎｚを制御することにより、大タンク２６０ｌｔ、小タンク２６０ｓｔ、及びノズル２６６の温度が制御される。
【0213】
第４の実施形態において、少なくともノズル２６６に配置されたヒーター２６７ｎｚを、固体ターゲット物質２７ａの補給と同期した温度制御の対象としてもよい。あるいは、ノズル２６６及び小タンク２６０ｓｔに配置されたヒーター２６７ｎｚ及び２６７ｓｔをそのような温度制御の対象としてもよい。このような液滴ターゲット生成装置２６を採用する場合、固体ターゲット物質２７ａを補給した場合のノズル２６６及び小タンク２６０ｓｔの温度の安定性が改善され、サテライトの発生が抑制される。その結果、１回の固体ターゲット物質２７ａの補給量Ｑｔを多くすることができる。
【0214】
９．５ 圧力調節器２６１
図５３は、各実施形態の液滴ターゲット生成装置２６において用いることができる圧力調節器２６１の構成を概略的に示す。圧力調節器２６１は、圧力制御プロセッサ６２０と、バルブＶａ及びＶｂと、圧力計Ｐと、を含む。ロードロック装置８３に含まれる圧力調節器８８についても同様でよい。
図５３は、各実施形態の液滴ターゲット生成装置２６において用いることができる圧力調節器２６１の構成を概略的に示す。圧力調節器２６１は、圧力制御プロセッサ６２０と、バルブＶａ及びＶｂと、圧力計Ｐと、を含む。ロードロック装置８３に含まれる圧力調節器８８についても同様でよい。
【0215】
圧力制御プロセッサ６２０は、制御プログラムが記憶されたメモリ６２１と、制御プログラムを実行するＣＰＵ６２２と、を含む処理装置である。圧力制御プロセッサ６２０は本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。
【0216】
ガスボンベＧ１と図示しない排気装置との間の配管にバルブＶａ及びＶｂが配置され、バルブＶａ及びＶｂの間に、供給管８７に接続された配管Ｌ３が接続されている。配管Ｌ３に圧力計Ｐが配置されている。
【0217】
バルブＶａ及びＶｂの両方を開けるとガスボンベＧ１から排気装置へガスが漏れていくが、バルブＶａの開度とバルブＶｂの開度との関係に応じて、配管Ｌ３に供給されるガス圧が変化する。圧力計Ｐによって検出されたガス圧に基づいて圧力制御プロセッサ６２０がバルブＶａ及びＶｂを制御することにより、配管Ｌ３に供給されるガス圧を調整することができる。
【0218】
９．６ ＥＵＶ光利用装置６
図５４は、ＥＵＶ光生成システム１１に接続された露光装置６ａの構成を概略的に示す。
図５４において、ＥＵＶ光利用装置６（図１参照）としての露光装置６ａは、マスク照射部６０８とワークピース照射部６０９とを含む。マスク照射部６０８は、ＥＵＶ光生成システム１１から入射したＥＵＶ光によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部６０９は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置６ａは、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで電子デバイスを製造できる。
図５４は、ＥＵＶ光生成システム１１に接続された露光装置６ａの構成を概略的に示す。
図５４において、ＥＵＶ光利用装置６（図１参照）としての露光装置６ａは、マスク照射部６０８とワークピース照射部６０９とを含む。マスク照射部６０８は、ＥＵＶ光生成システム１１から入射したＥＵＶ光によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部６０９は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置６ａは、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで電子デバイスを製造できる。
【0219】
図５５は、ＥＵＶ光生成システム１１に接続された検査装置６ｂの構成を概略的に示す。
図５５において、ＥＵＶ光利用装置６（図１参照）としての検査装置６ｂは、照明光学系６０３と検出光学系６０６とを含む。照明光学系６０３は、ＥＵＶ光生成システム１１から入射したＥＵＶ光を反射して、マスクステージ６０４に配置されたマスク６０５を照射する。ここでいうマスク６０５はパターンが形成される前のマスクブランクスを含む。検出光学系６０６は、照明されたマスク６０５からのＥＵＶ光を反射して検出器６０７の受光面に結像させる。ＥＵＶ光を受光した検出器６０７はマスク６０５の画像を取得する。検出器６０７は例えばＴＤＩ（time delay integration）カメラである。以上のような工程によって取得したマスク６０５の画像により、マスク６０５の欠陥を検査し、検査の結果を用いて、電子デバイスの製造に適するマスクを選定する。そして、選定したマスクに形成されたパターンを、露光装置６ａを用いて感光基板上に露光転写することで電子デバイスを製造できる。
図５５において、ＥＵＶ光利用装置６（図１参照）としての検査装置６ｂは、照明光学系６０３と検出光学系６０６とを含む。照明光学系６０３は、ＥＵＶ光生成システム１１から入射したＥＵＶ光を反射して、マスクステージ６０４に配置されたマスク６０５を照射する。ここでいうマスク６０５はパターンが形成される前のマスクブランクスを含む。検出光学系６０６は、照明されたマスク６０５からのＥＵＶ光を反射して検出器６０７の受光面に結像させる。ＥＵＶ光を受光した検出器６０７はマスク６０５の画像を取得する。検出器６０７は例えばＴＤＩ（time delay integration）カメラである。以上のような工程によって取得したマスク６０５の画像により、マスク６０５の欠陥を検査し、検査の結果を用いて、電子デバイスの製造に適するマスクを選定する。そして、選定したマスクに形成されたパターンを、露光装置６ａを用いて感光基板上に露光転写することで電子デバイスを製造できる。
【0220】
９．７ 補足
上述の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
上述の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
【0221】
本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」、「有する」、「備える」、「具備する」などの用語は、「記載されたもの以外の構成要素の存在を除外しない」と解釈されるべきである。また、修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
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【図23】
【図24】
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【図28】
【図29】
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