特開 2024-21481 配線基板集合体、配線基板及び配線基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024021481

(43)【公開日】2024-02-16

(54)【発明の名称】配線基板集合体、配線基板及び配線基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/02 20060101AFI20240208BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20240208BHJP

【ＦＩ】

H05K1/02 G

H05K3/46 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022124328

(22)【出願日】2022-08-03

(71)【出願人】

【識別番号】000190688

【氏名又は名称】新光電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】唐澤 裕

(72)【発明者】

【氏名】宮澤 諒

【テーマコード（参考）】

5E316

5E338

【Ｆターム（参考）】

5E316AA43

5E316AA60

5E316CC09

5E316CC10

5E316CC32

5E316GG18

5E316HH31

5E338AA03

5E338AA18

5E338BB42

5E338BB47

5E338EE27

5E338EE33

5E338EE60

(57)【要約】      （修正有）

【課題】切断時の損傷及び剥離の発生を抑制する配線基板集合体、配線基板及び配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板集合体は、配線構造体と、配線構造体の表面の配線層を被覆し配線を保護するソルダーレジスト層１３０と、を有する。ソルダーレジスト層は、配線を保護するため配線構造体の表面を被覆するとともに、配線構造体の表面の切断領域ＣＲに対応して表面の所定領域を露出させるスリット１３２を備える。スリット１３２の縁部１３２ａに対応する最外絶縁層の縁部が波状に蛇行する。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

配線層と、絶縁層とからなる配線構造体と、
前記配線構造体の表面を被覆するとともに、前記配線構造体の表面の所定領域を露出させるスリットを備える最外絶縁層と
を有し、
前記スリットの縁部に対応する前記最外絶縁層の縁部が波状に蛇行する
ことを特徴とする配線基板集合体。

【請求項2】

前記最外絶縁層の縁部は、
互いに連結される複数の円弧からなる波、三角波、方形波及び台形波から選択される少なくとも一つの波を含む波状に蛇行する
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板集合体。

【請求項3】

前記最外絶縁層の縁部を構成する複数の凸部分は、
前記所定領域の周縁と接する位置に頂部を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板集合体。

【請求項4】

前記最外絶縁層の縁部を構成する複数の凸部分の少なくとも一つは、
前記複数の凸部分の少なくとも他の一つとはサイズが異なる
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板集合体。

【請求項5】

前記最外絶縁層は、互いに交差する複数の前記スリットを備え、
前記最外絶縁層の縁部を構成する複数の凸部分の少なくとも一つは、
互いに交差する複数の前記スリットによって形成される角部に対向して位置する
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板集合体。

【請求項6】

配線層と、絶縁層とからなる配線構造体と、
前記配線構造体の表面を被覆する最外絶縁層と
を有し、
前記最外絶縁層は、
前記配線構造体の表面の周縁に沿って形成され、波状に蛇行する側面を有することを特徴とする配線基板。

【請求項7】

配線層と、絶縁層とからなる配線構造体を形成し、
前記配線構造体の表面を被覆するとともに、前記配線構造体の表面の所定領域を露出させるスリットを備える最外絶縁層を形成し、
前記スリットから露出する前記所定領域において前記配線構造体を切断して個片化する工程を有し、
前記最外絶縁層を形成する工程は、
前記スリットの縁部に対応する前記最外絶縁層の縁部を波状に蛇行させる
ことを特徴とする配線基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板集合体、配線基板及び配線基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、半導体チップを実装するための配線基板は、単体で製造されるのではなく、複数の配線基板が配列された集合体として製造される。集合体として製造された複数の配線基板は、例えばダイサー又はスライサー等の切断器具によって切断されて個片化される。個片化により得られる個々の配線基板が半導体チップを搭載するための配線基板となる。

【0003】

集合体が個片化される際には、配線基板の配線構造体を被覆するソルダーレジスト層が配線構造体とともに切断器具によって切断されるのが一般的である。ソルダーレジスト層においては、切断器具との接触によって欠けやクラック等の損傷が発生するおそれがある。これに対し、配線構造体の表面の切断される切断領域に対応してソルダーレジスト層に切断器具よりも幅が広い直線状のスリットを形成し、かかる直線状のスリットから露出する切断領域において配線構造体を切断して集合体の個片化を行うことが考えられている。ソルダーレジスト層における直線状のスリットから露出する切断領域において配線構造体を切断することにより、ソルダーレジスト層と切断器具との接触を回避してソルダーレジスト層の損傷の発生を抑制することができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００１－１６０５９７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、ソルダーレジスト層における直線状のスリットから露出する切断領域において配線構造体を切断する場合には、ソルダーレジスト層と配線構造体との剥離が発生するおそれがあるという問題がある。具体的には、ソルダーレジスト層における直線状のスリットから露出する切断領域においては、配線構造体の表面がソルダーレジスト層によって覆われておらず、切断器具から配線構造体に作用する負荷がソルダーレジスト層から離れる方向に増大する。結果として、ソルダーレジスト層と配線構造体とが剥離してしまう。

【0006】

また、ソルダーレジスト層と切断器具の接触を避けるために、スリットが切断領域よりも広く形成される構造（特許文献１に記載の構造）では、切断器具から配線構造体に作用する負荷がソルダーレジスト層で保護されていない配線構造体表面に付与される。よって、ソルダーレジスト層で保護されていない配線構造体表面に欠けやクラック等の損傷が発生する恐れがある。

【0007】

開示の技術は、上記に鑑みてなされたものであって、切断時の損傷及び剥離の発生を抑制することができる配線基板集合体、配線基板及び配線基板の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本願の開示する配線基板集合体は、一つの態様において、配線構造体と、絶縁層とを有する。絶縁層は、配線構造体の表面を被覆するとともに、前配線構造体の表面の所定領域を露出させるスリットを備える。スリットの縁部に対応する最外絶縁層の縁部が波状に蛇行する。

【発明の効果】

【0009】

本願の開示する配線基板集合体の一つの態様によれば、切断時の損傷及び剥離の発生を抑制することができる、という効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】図１は、実施形態に係る配線基板集合体の構成を示す断面模式図である。

【図2】図２は、実施形態に係る配線基板集合体の構成を示す平面図である。

【図3】図３は、スリットの形状を拡大して示す図である。

【図4】図４は、ソルダーレジスト層の縁部の形状の他の例を示す図である。

【図5】図５は、ソルダーレジスト層の縁部の形状の他の例を示す図である。

【図6】図６は、実施形態に係る配線基板集合体及び配線基板の製造方法を示すフローチャートである。

【図7】図７は、コア基板形成工程の具体例を示す図である。

【図8】図８は、ビルドアップ工程の具体例を示す図である。

【図9】図９は、ソルダーレジスト層形成工程の具体例を示す図である。

【図10】図１０は、スリットの形成を説明する図である。

【図11】図１１は、端子形成工程の具体例を示す図である。

【図12】図１２は、実施形態に係る配線基板の構成を示す平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下に、本願の開示する配線基板集合体、配線基板及び配線基板の製造方法の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施形態により開示技術が限定されるものではない。

【0012】

図１は、実施形態に係る配線基板集合体１００の構成を示す断面模式図である。配線基板集合体１００は、複数の配線基板１００ａが配列された集合体である。配線基板集合体１００として製造された複数の配線基板１００ａは、例えば格子状に形成された切断領域ＣＲにおいて、例えばダイサー又はスライサー等の切断器具によって切断されて個片化される。

【0013】

配線基板集合体１００は、積層構造となっており、コア基板１１０、配線構造体１２０及びソルダーレジスト層１３０、１４０を有する。以下においては、図１に示すように、ソルダーレジスト層１４０が最下層であり、ソルダーレジスト層１３０が最上層であるものとして説明するが、配線基板集合体１００は、例えば上下反転して用いられてもよく、任意の姿勢で用いられてよい。

【0014】

コア基板１１０は、板状の絶縁体である基材１１１の両面に、金属のめっきにより配線層１１３が形成されたものである。両面の配線層１１３は、必要に応じて基材１１１を貫通するビア１１２によって接続される。

【0015】

配線構造体１２０は、絶縁性の絶縁層１２１と導電性の配線層１２２とを備える層が積層されたものである。絶縁層１２１は、例えばエポキシ樹脂及びポリイミド樹脂等の絶縁性の樹脂を用いて形成される。また、配線層１２２は、例えば銅や銅合金などの金属を用いて形成される。図１においては、コア基板１１０の上方の配線構造体１２０内に２層が積層され、コア基板１１０の下方の配線構造体１２０内に２層が積層されているが、積層される層の数は１層又は３層以上であってもよい。絶縁層１２１を介して隣接する配線層１１３、１２２は、必要に応じて絶縁層１２１を貫通するビア１２３によって接続される。

【0016】

ソルダーレジスト層１３０は、配線構造体１２０の表面の配線層１２２を被覆し、配線を保護する層である。ソルダーレジスト層１３０は、例えばアクリル樹脂及びポリイミド樹脂等の絶縁性の感光性樹脂からなる層であり、絶縁層の１つである。ソルダーレジスト層１３０は、最外絶縁層の一例である。

【0017】

配線基板集合体１００のソルダーレジスト層１３０側は、例えば半導体チップなどの電子部品が搭載される面である。半導体チップが搭載される位置においては、ソルダーレジスト層１３０に開口部１３１が形成される。ソルダーレジスト層１３０は、感光性樹脂を用いて形成されるため、露光・現像により開口部１３１を形成することが可能である。そして、開口部１３１には、配線構造体１２０の配線層１２２と半導体チップの電極とを接続する接続端子１５０が形成される。

【0018】

また、ソルダーレジスト層１３０は、配線構造体１２０の表面の切断領域ＣＲに対応してスリット１３２を備えている。スリット１３２においては、配線構造体１２０の表面の切断領域ＣＲが露出している。ソルダーレジスト層１３０は、感光性樹脂を用いて形成されるため、露光・現像により開口部１３１とともにスリット１３２を形成することが可能である。

【0019】

ソルダーレジスト層１４０は、ソルダーレジスト層１３０と同様に、配線構造体１２０の表面の配線層１２２を被覆し、配線を保護する層である。ソルダーレジスト層１４０は、例えばアクリル樹脂及びポリイミド樹脂等の絶縁性の感光性樹脂からなる層であり、絶縁層の１つである。ソルダーレジスト層１４０は、最外絶縁層の一例である。

【0020】

配線基板集合体１００のソルダーレジスト層１４０側は、外部の部品や機器などに接続される面である。外部の部品や機器と電気的に接続する外部接続端子が形成される位置においては、ソルダーレジスト層１４０に開口部１４１が形成され、開口部１４１から配線構造体１２０の配線層１２２が露出する。開口部１４１には、例えばはんだボールなどの外部接続端子が形成される。ソルダーレジスト層１４０は、感光性樹脂を用いて形成されるため、露光・現像により開口部１４１を形成することが可能である。

【0021】

また、ソルダーレジスト層１４０は、配線構造体１２０の表面の切断領域ＣＲに対応してスリット１４２を備えている。スリット１４２においては、配線構造体１２０の表面の切断領域ＣＲが露出している。ソルダーレジスト層１４０は、感光性樹脂を用いて形成されるため、露光・現像により開口部１４１とともにスリット１４２を形成することが可能である。

【0022】

図２は、実施形態に係る配線基板集合体１００の構成を示す平面図である。図２においては、配線基板集合体１００をソルダーレジスト層１３０側から見た上面図が示されている。図２に示すように、ソルダーレジスト層１３０には、格子状に形成された切断領域ＣＲに沿って複数のスリット１３２が形成されている。複数のスリット１３２は、互いに交差している。

【0023】

図３は、スリット１３２の形状を拡大して示す図である。図３においては、図２のＡの部分が拡大して示されている。なお、ここでは、ソルダーレジスト層１３０におけるスリット１３２の形状を説明するが、ソルダーレジスト層１４０におけるスリット１４２もスリット１３２と同様の形状を有する。

【0024】

図３に示すように、スリット１３２の縁部に対応する、ソルダーレジスト層１３０の縁部１３２ａは、波状に蛇行する形状を有する。縁部１３２ａが波状に蛇行するソルダーレジスト層１３０は、縁部が蛇行していないソルダーレジスト層と比べて、ソルダーレジスト層１３０と配線構造体１２０の表面の切断領域ＣＲの周縁との接触面積が小さいため、切断器具からソルダーレジスト層１３０に作用する摩擦力が小さい。

【0025】

すなわち、スリット１３２から露出する切断領域ＣＲにおいて配線構造体１２０が切断器具によって切断される際、スリット１３２の縁部に対応するソルダーレジスト層１３０の縁部１３２ａと切断器具とが接触する。このとき、ソルダーレジスト層１３０の縁部１３２ａが波状に蛇行しているため、切断器具からソルダーレジスト層１３０に作用する摩擦力は比較的に小さく、切断器具からソルダーレジスト層１３０に作用する負荷はそれほど大きくならない。結果として、ソルダーレジスト層１３０の損傷及び剥離の発生を抑制することができる。また、ソルダーレジスト層１３０の剥離を防止することができるため、切断領域ＣＲよりも外側において配線構造体１２０の表面とソルダーレジスト層１３０との密着性が維持される。さらに、配線構造体１２０をソルダーレジスト層１３０が保護するため、配線構造体１２０表面の欠けやクラックを防ぐことができる。

【0026】

また、スリット１３２の縁部に対応するソルダーレジスト層１３０の縁部１３２ａは、互いに連結される複数の円弧からなる波を含む波状に蛇行している。具体的には、ソルダーレジスト層１３０の縁部１３２ａは、半円弧状の複数の凸部分を互いに連結させて構成される。スリット１３２の縁部に対応するソルダーレジスト層１３０の縁部１３２ａが互いに連結される複数の円弧からなる波を含む波状に蛇行することにより、ソルダーレジスト層１３０と配線構造体１２０の表面の切断領域ＣＲの周縁との接触面積が小さくなる。

【0027】

また、ソルダーレジスト層１３０の縁部１３２ａを構成する複数の凸部分は、切断領域ＣＲの周縁と接する位置に頂点を有している。これにより、ソルダーレジスト層１３０と配線構造体１２０の表面の切断領域ＣＲの周縁との接触面積を最小化することができる。

【0028】

また、ソルダーレジスト層１３０の縁部１３２ａを構成する複数の凸部分の少なくとも一つの凸部分１３２ａ１は、互いに交差する複数のスリット１３２によって形成される角部に対向して位置している。これにより、互いに交差する複数のスリット１３２によって形成される角部付近において、ソルダーレジスト層１３０と配線構造体１２０との剥離の発生が抑制され、結果として、配線構造体１２０の表面とソルダーレジスト層１３０との密着性が維持される。

【0029】

なお、スリット１３２の縁部に対応するソルダーレジスト層１３０の縁部１３２ａの形状は、波状に蛇行する形状であれば、他の種々の形状であってもよい。図４及び図５は、ソルダーレジスト層１３０の縁部１３２ａの形状の他の例を示す図である。例えば、図４に示すように、ソルダーレジスト層１３０の縁部１３２ａの形状は、波状に蛇行し、且つソルダーレジスト層１３０の凸部分１３２ａ１が省略された形状であってもよい。換言すれば、ソルダーレジスト層１３０の縁部１３２ａは、互いに交差する複数のスリット１３２によって形成される角部に対向する角部を有さない形状であってもよい。ソルダーレジスト層１３０の縁部１３２ａが角部を有さないことにより、切断器具との接触によるソルダーレジスト層１３０の剥がれ、欠け及びクラックを抑制することができる。

【0030】

また、例えば、図５に示すように、ソルダーレジスト層１３０の縁部１３２ａは、三角波を含む波状であってもよい。また、図示を省略するが、ソルダーレジスト層１３０の縁部１３２ａは、互いに連結される複数の円弧からなる波、三角波、方形波及び台形波から選択される少なくとも一つの波を含む波状に蛇行してもよい。また、ソルダーレジスト層１３０の縁部１３２ａを構成する複数の凸部分の少なくとも一つは、複数の凸部分の少なくとも他の一つとはサイズが異なっていてもよい。

【0031】

次に、上記のように構成された配線基板集合体１００及び配線基板１００ａの製造方法について、具体的に例を挙げながら、図６を参照して説明する。図６は、実施形態に係る配線基板集合体１００及び配線基板１００ａの製造方法を示すフローチャートである。

【0032】

まず、配線基板集合体１００の支持部材となるコア基板１１０が形成される（ステップＳ１０１）。具体的には、例えば図７に示すように、板状の絶縁体である基材１１１に、基材１１１を貫通するビア１１２が形成されるとともに、基材１１１の両面に例えば銅などの金属の配線層１１３が例えば銅箔又は銅めっきにより形成される。図７は、コア基板形成工程の具体例を示す図である。基材１１１の両面の配線層１１３は、必要に応じて、例えば銅などの金属のめっきによって形成されたビア１１２によって接続されている。基材１１１としては、例えばガラス織布等の補強材にエポキシ樹脂等の絶縁樹脂を含浸させたものを用いることが可能である。補強材としては、ガラス織布の他にも、ガラス不織布、アラミド織布又はアラミド不織布などを用いることができる。また、絶縁樹脂としては、エポキシ樹脂の他にも、ポリイミド樹脂又はシアネート樹脂などを用いることができる。

【0033】

なお、コア基板１１０の上面及び下面には、切断領域ＣＲの幅と同じ間隔だけ離れて互いに隣り合う複数の配線基板形成領域１００ｂが設定されており、各配線基板形成領域１００ｂに配線基板１００ａが形成される。すなわち、１つのコア基板１１０を用いて複数の配線基板１００ａが形成される。

【0034】

そして、コア基板１１０の上面及び下面にビルドアップ法によって配線構造体１２０が形成される（ステップＳ１０２）。具体的には、例えば図８に示すように、コア基板１１０の上面及び下面に絶縁層１２１が形成され、絶縁層１２１の表面に配線層１２２が形成される。図８は、ビルドアップ工程の具体例を示す図である。絶縁層１２１は、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂等の絶縁樹脂を用いて形成される。また、配線層１２２は、例えば銅などの金属のめっきによって形成される。

【0035】

コア基板１１０の配線層１１３と配線層１２２との間、又は隣接する層の配線層１２２の間は、必要に応じて、例えば銅などの金属のめっきによって形成されたビア１２３によって接続される。絶縁層１２１及び配線層１２２は、コア基板１１０の上面及び下面にそれぞれ複数積層されてもよい。

【0036】

配線構造体１２０が形成されると、配線構造体１２０の表面の配線層１２２がソルダーレジスト層１３０、１４０によって被覆される（ステップＳ１０３）。すなわち、コア基板１１０の上面に積層された配線構造体１２０の表面の配線層１２２がソルダーレジスト層１３０によって被覆され、コア基板１１０の下面に積層された配線構造体１２０の表面の配線層１２２がソルダーレジスト層１４０によって被覆される。

【0037】

そして、例えば図９に示すように、半導体チップが搭載される側のソルダーレジスト層１３０には、半導体チップとの接続端子が設けられる位置に開口部１３１が形成される。開口部１３１の底には、配線構造体１２０の表面の配線層１２２が露出する。図９は、ソルダーレジスト層形成工程の具体例を示す図である。また、ソルダーレジスト層１３０には、配線構造体１２０の表面の切断領域ＣＲに対応する位置にスリット１３２が形成される。スリット１３２の底には、配線構造体１２０の表面の切断領域ＣＲが露出する。

【0038】

一方、外部の部品や機器と接続される側のソルダーレジスト層１４０には、外部接続端子が設けられる位置に開口部１４１が形成される。開口部１４１の底には、配線構造体１２０の表面の配線層１２２が露出する。また、ソルダーレジスト層１４０には、配線構造体１２０の表面の切断領域ＣＲに対応する位置にスリット１４２が形成される。スリット１４２の底には、配線構造体１２０の表面の切断領域ＣＲが露出する。

【0039】

ソルダーレジスト層１３０、１４０として感光性樹脂が用いられるため、露光・現像によって開口部１３１及びスリット１３２、または開口部１４１及び１４２を同時に形成することが可能である。また、ソルダーレジスト層１３０に対する露光・現像と、ソルダーレジスト層１４０に対する露光・現像とは、個別に実行されてもよい。

【0040】

図１０は、スリット１３２の形成を説明する図である。例えば図１０上側に示すように、スリット１３２（及び開口部１３１）の形状に合わせてソルダーレジスト層１３０の表面にパターンマスクが形成され、露光が行われることにより、パターンマスクが形成されていない部分のソルダーレジスト層１３０が硬化される。具体的には、スリット１３２（及び開口部１３１）が形成されない領域について、ソルダーレジスト層１３０が硬化される。ソルダーレジスト層１３０の露光により硬化される部分は、現像後に残存する残存部となる。

【0041】

露光によりソルダーレジスト層１３０が硬化されると、現像が行われ、硬化された残存部のみが配線構造体１２０の表面に残存する。すなわち、例えば図１０下側に示すように、ソルダーレジスト層１３０の残存部が配線構造体１２０の表面を被覆し、残存部以外の部分では、配線構造体１２０の表面の切断領域ＣＲを露出させるスリット１３２が形成される。このスリット１３２の縁部に対応するソルダーレジスト層１３０の縁部１３２ａは、波状に蛇行している。

【0042】

そして、ソルダーレジスト層１３０の開口部１３１に、半導体チップを接続するための接続端子が形成される（ステップＳ１０４）。すなわち、開口部１３１には例えば銅めっきによって接続端子１５０が形成される。ここまでの工程により、例えば図１１に示すように、複数の配線基板１００ａを含む配線基板集合体１００が得られる。図１１は、端子形成工程の具体例を示す図である。なお、必要に応じて、ソルダーレジスト層１３０側には半導体チップが搭載され、接続端子１５０と半導体チップの電極とが例えばはんだ等によって接合されてもよい。

【0043】

そして、個々の配線基板１００ａを切り離す個片化が行われる（ステップＳ１０５）。具体的には、図１１に示す配線基板集合体１００が、スリット１３２から露出する切断領域ＣＲにおいて、例えばダイサー又はスライサー等の切断器具によって切断されることにより、複数の配線基板１００ａが得られる。このとき、スリット１３２の縁部に対応するソルダーレジスト層１３０の縁部１３２ａ（図３参照）が波状に蛇行しているため、切断器具からソルダーレジスト層１３０に作用する摩擦力は比較的に小さく、切断器具からソルダーレジスト層１３０に作用する負荷はそれほど大きくならない。結果として、ソルダーレジスト層１３０の損傷及び剥離の発生を抑制することができる。また、ソルダーレジスト層１３０の剥離を防止することができるため、切断領域ＣＲよりも外側において配線構造体１２０の表面とソルダーレジスト層１３０との密着性が維持される。さらに、配線構造体１２０をソルダーレジスト層１３０が保護するため、配線構造体１２０表面の欠けやクラックを防ぐことができる。

【0044】

個々の配線基板１００ａにおいては、例えば図１２に示すように、ソルダーレジスト層１３０の側面が配線構造体１２０の表面の周縁１２０ａに沿って形成されており、波状に蛇行している。図１２は、実施形態に係る配線基板１００ａの構成を示す平面図である。なお、図示を省略するが、個々の配線基板１００ａにおいては、ソルダーレジスト層１４０の側面が、ソルダーレジスト層１３０の側面と同様に配線構造体１２０の表面の周縁１２０ａに沿って形成されており、波状に蛇行している。

【0045】

以上のように、実施形態に係る配線基板集合体（例えば、配線基板集合体１００）は、配線構造体（例えば、配線構造体１２０）と、最外絶縁層（例えば、ソルダーレジスト層１３０、１４０）とを有する。配線構造体は、配線層（例えば、配線層１２２）と、絶縁層（例えば、絶縁層１２１）とからなる。最外絶縁層は、配線構造体の表面を被覆するとともに、配線構造体の表面の所定領域（例えば、切断領域ＣＲ）を露出させるスリット（例えば、スリット１３２、１４２）を備える。スリットの縁部に対応する最外絶縁層の縁部が波状に蛇行する。これにより、実施形態に係る配線基板集合体によれば、切断時の損傷及び剥離の発生を抑制することができる。

【0046】

また、スリットの縁部に対応する最外絶縁層の縁部は、互いに連結される複数の円弧からなる波、三角波、方形波及び台形波から選択される少なくとも一つの波を含む波状に蛇行してもよい。これにより、実施形態に係る配線基板集合体によれば、最外絶縁層（例えば、ソルダーレジスト層１３０、１４０）と配線構造体の表面の切断領域の周縁との接触面積が小さくなる。また、実施形態に係る配線基板集合体によれば、配線構造体の外周が最外絶縁層によって覆われていない従来例と比べて、配線構造体上面の欠けやクラックを防ぐことができる。

【0047】

また、最外絶縁層の縁部を構成する複数の凸部分は、所定領域の周縁と接する位置に頂部を有していてもよい。これにより、実施形態に係る配線基板集合体によれば、最外絶縁層（例えば、ソルダーレジスト層１３０、１４０）と配線構造体の表面の切断領域の周縁との接触面積を最小化することができる。

【0048】

また、最外絶縁層の縁部を構成する複数の凸部分の少なくとも一つは、複数の凸部分の少なくとも他の一つとはサイズが異なっていてもよい。これにより、実施形態に係る配線基板集合体によれば、切断時の損傷及び剥離の発生をより抑制することができる。

【0049】

また、最外絶縁層は、互いに交差する複数のスリットを備えてもよい。スリットの縁部に対応する最外絶縁層の縁部を構成する複数の凸部分の少なくとも一つ（例えば、凸部分１３２ａ１）は、互いに交差する複数のスリットによって形成される角部に対向して位置してもよい。これにより、実施形態に係る配線基板集合体によれば、互いに交差する複数のスリットによって形成される角部付近において、最外絶縁層（例えば、ソルダーレジスト層１３０、１４０）と配線構造体との剥離の発生を抑制することができる。

【符号の説明】

【0050】

１００ 配線基板集合体
１００ａ 配線基板
１１０ コア基板
１２０ 配線構造体
１２０ａ 周縁
１３０、１４０ ソルダーレジスト層
１３２、１４２ スリット
１３２ａ 縁部
１３２ａ１ 凸部分
ＣＲ 切断領域

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】