特開 2024-2229 基板処理方法、および、基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024002229

(43)【公開日】2024-01-11

(54)【発明の名称】基板処理方法、および、基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   C23C 14/00 20060101AFI20231228BHJP

   H01L 21/677 20060101ALI20231228BHJP

【ＦＩ】

C23C14/00 B

H01L21/68 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022101301

(22)【出願日】2022-06-23

(71)【出願人】

【識別番号】000231464

【氏名又は名称】株式会社アルバック

(74)【代理人】

【識別番号】100105957

【弁理士】

【氏名又は名称】恩田 誠

(74)【代理人】

【識別番号】100068755

【弁理士】

【氏名又は名称】恩田 博宣

(72)【発明者】

【氏名】高橋 鉄兵

(72)【発明者】

【氏名】佐々木 俊介

(72)【発明者】

【氏名】前平 謙

【テーマコード（参考）】

4K029

5F131

【Ｆターム（参考）】

4K029BA01

4K029CA05

4K029DA09

4K029DC34

4K029DC35

4K029KA01

5F131AA02

5F131BA03

5F131BA04

5F131BA19

5F131BB04

5F131CA12

5F131CA32

5F131DA33

5F131DA36

5F131DA42

5F131DB32

5F131EA03

5F131EA25

5F131EB11

5F131EB18

5F131EB62

5F131EB78

5F131EB81

5F131EB82

5F131JA08

5F131JA16

5F131JA22

5F131JA27

5F131JA36

(57)【要約】

【課題】処理室内の異物を除電することを可能とした基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】第１スパッタ室１２Ａ外の除電通路に含まれる搬送室１１において第１スパッタ室１２Ａ内に位置する異物を除電するためのプラズマを生成すること、および、プラズマに含まれる荷電粒子が第１スパッタ室１２Ａ内に到達するように第１スパッタ室１２Ａ内の圧力を除電通路内の圧力以上にし、第１スパッタ室１２Ａ内に到達した荷電粒子によって第１スパッタ室１２Ａ内の異物を除電することを含む。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

処理室外の除電通路において前記処理室内に位置する異物を除電するためのプラズマを生成すること、および、
前記プラズマに含まれる荷電粒子が前記処理室内に到達するように前記処理室内の圧力を前記除電通路内の圧力以上にし、前記処理室内に到達した前記荷電粒子によって前記処理室内の前記異物を除電すること、を含む
基板処理方法。

【請求項2】

除電された前記異物を前記処理室内から前記処理室外に排出することをさらに含む
請求項１に記載の基板処理方法。

【請求項3】

前記異物を除電することは、第１流量のガスを前記処理室内に導入することを含み、
前記異物を前記処理室外に排出することは、前記第１流量よりも大きい第２流量のガスを前記処理室内に導入することを含む
請求項２に記載の基板処理方法。

【請求項4】

前記異物を前記処理室外に排出することは、ガス導入口からガスを導入し、かつ、排気口から前記処理室内を排気することを含み、
前記ガス導入口と前記排気口とは、前記処理室が備える一対の壁部が対向する方向に沿って並んでいる
請求項２または３に記載の基板処理方法。

【請求項5】

処理室と、
前記処理室に接続された除電通路と、
前記除電通路内にプラズマを生成し、前記プラズマ中の荷電粒子が前記処理室内に到達するように前記処理室内の圧力を前記除電通路内の圧力以上に調整する除電部と、を備える
基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板処理方法、および、基板処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体装置の製造装置の一例は、処理室と処理室に接続されたエアロック室とを備えている。エアロック室は、除電器と電極板とを備えている。半導体装置の製造装置では、まず、処理前の基板が搬入される前、かつ、減圧前のエアロック室において、除電器が作動される。これにより、エアロック室の内壁に付着した異物が除電される。次いで、エアロック室が減圧されることによって、除電された異物がエアロック室外に排気される。そして、大気圧に昇圧されたエアロック室に処理前の基板が搬入された後に、基板の帯電量に応じた電圧が電極板に印加され、これによって、基板に付着した異物が、電極板に向けて移動する。このように、半導体装置の製造装置では、エアロック室の内壁に付着した異物と、処理前の基板に付着した異物とが除去される（例えば、特許文献１を参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００２－３５３０８６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、エアロック室において基板から異物を除去する処理が行われた後であっても、異物の一部は基板に付着し続けるから、基板が処理室に搬入されることに伴って、処理室内に異物も搬入される。処理室内に搬入された異物は、基板から脱離した後に処理室内を浮遊する場合がある。こうした異物は、処理室内に搬入された基板に付着することによって、半導体装置の歩留まりを低下させる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

上記課題を解決するための基板処理方法は、処理室外の除電通路において前記処理室内に位置する異物を除電するためのプラズマを生成すること、および、前記プラズマに含まれる荷電粒子が前記処理室内に到達するように前記処理室内の圧力を前記除電通路内の圧力以上にし、前記処理室内に到達した前記荷電粒子によって前記処理室内の前記異物を除電すること、を含む。

【0006】

上記課題を解決するための基板処理装置は、処理室と、前記処理室に接続された除電通路と、前記除電通路内にプラズマを生成し、前記プラズマ中の荷電粒子が前記処理室内に到達するように前記処理室内の圧力を前記除電通路内の圧力以上に調整する除電部と、を備える。

【0007】

上記基板処理方法および基板処理装置によれば、処理室内の圧力が除電通路内の圧力以上であるから、除電通路内の異物が処理室内に到達することを抑えながら、除電通路内で生成されたプラズマを処理室内に供給することによって処理室内の異物を除電することが可能である。

【0008】

上記基板処理方法において、除電された前記異物を前記処理室内から前記処理室外に排出することをさらに含んでもよい。この基板処理方法によれば、除電された異物を処理室内から排出するから、除電された異物が再び処理室内を浮遊することが抑えられる。

【0009】

上記基板処理方法において、前記異物を除電することは、第１流量のガスを前記処理室内に導入することを含み、前記異物を前記処理室外に排出することは、前記第１流量よりも大きい第２流量のガスを前記処理室内に導入することを含んでもよい。この基板処理方法によれば、第２流量のガスを処理室内に導入するから、除電された異物が、処理室内における流体の流れによって移動しやすくなる。これにより、異物が、処理室外に排出されやすくなる。

【0010】

上記基板処理方法において前記異物を前記処理室外に排出することは、ガス導入口からガスを導入し、かつ、排気口から前記処理室内を排気することを含み、前記ガス導入口と前記排気口とは、前記処理室が備える一対の壁部が対向する方向に沿って並んでいてもよい。この基板処理方法によれば、一対の壁部が対向する方向に沿って流体の流れを生じさせることによって、処理室内の異物を排気口に向けて移動させることが可能である。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】第１実施形態の基板処理装置であるクラスタツール型のスパッタ装置の構造を模式的に示すブロック図である。

【図2】図１が示すスパッタ装置が備える搬送室および第１スパッタ室の構造を模式的に示すブロック図である。

【図3】第１実施形態の基板処理方法を説明するためのフローチャートである。

【図4】基板の各部における電圧値と経過時間との関係を示すグラフである。

【図5】基板の各部における電圧値と経過時間との関係を示すグラフである。

【図6】第２実施形態の基板処理装置の構造を模式的に示すブロック図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

［第１実施形態］
図１から図５を参照して、基板処理方法および基板処理装置の第１実施形態を説明する。

【0013】

［基板処理装置］
図１および図２を参照して、基板処理装置を説明する。以下では、基板処理装置の一例であるクラスタツール型のスパッタ装置を説明する。

【0014】

図１が示すように、クラスタツール型のスパッタ装置１０は、搬送室１１と、２つのスパッタ室１２、搬出入室１３、および、２つの基板処理室１４を備えている。スパッタ装置１０は、２つのスパッタ室１２として第１スパッタ室１２Ａと第２スパッタ室１２Ｂとを備えている。搬送室１１は、除電通路に含まれる。第１スパッタ室１２Ａおよび第２スパッタ室１２Ｂは、処理室の一例である。

【0015】

各処理室１２Ａ，１２Ｂ，１３，１４は、搬送室１１に接続されている。搬送室１１と各処理室１２Ａ，１２Ｂ，１３，１４との間にはゲートバルブが位置している。ゲートバルブが開くことによって、搬送室１１が画定する搬送空間と、各処理室１２Ａ，１２Ｂ，１３，１４が画定する空間とが連通される。これに対して、ゲートバルブが閉じることによって、搬送室１１の搬送空間と、各処理室１２Ａ，１２Ｂ，１３，１４とが、互いから隔てられる。

【0016】

搬送室１１は、搬送ロボット１１Ｒを備えている。搬送ロボット１１Ｒは、搬送室１１に接続された各処理室と搬送室１１との間での基板の搬送が可能であるように構成されている。搬送室１１は、搬送室１１が画定する搬送空間内を排気する排気部１１Ｅを備えている。搬送室１１は、搬送空間内にプラズマを生成するプラズマ生成部１１Ｐを備えている。プラズマ生成部１１Ｐは、例えば、搬送室１１を上面視した場合に、搬送室１１の中央に位置してよい。

【0017】

搬出入室１３は、処理前の基板をスパッタ装置１０外からスパッタ装置１０内に搬入し、かつ、処理後の基板をスパッタ装置１０内からスパッタ装置１０外に搬出することが可能に構成されている。搬出入室１３は、排気部１３Ｅを備えている。基板の搬入時には、搬出入室１３が搬送室１１から隔てられた状態で、搬出入室１３の搬出入口が開かれ、これによって搬出入室１３が大気に開放される。次いで、搬出入口から処理前の基板が搬入された後に、搬出入口が閉じられる。続いて、搬出入室１３内が排気部１３Ｅによって排気され、これによって、搬出入室１３内が搬送室１１と同程度まで減圧される。これに対して、基板の搬出時には、処理後の基板が搬送室１１から搬出入室１３に搬入された後に、搬出入室１３と搬送室１１との間に位置するゲートバルブが閉じられる。次いで、搬出入室１３内が大気圧まで昇圧された後、搬出入室１３の搬出入口が開かれる。そして、搬出入口から処理後の基板がスパッタ装置１０外に搬出される。

【0018】

各スパッタ室１２Ａ，１２Ｂは、カソード２０を備えている。各スパッタ室１２Ａ，１２Ｂは、カソード２０を用いたスパッタ処理によって、基板の表面に薄膜を形成することが可能に構成されている。各スパッタ室１２Ａ，１２Ｂは、スパッタ室１２Ａ，１２Ｂが画定する処理空間内を排気する排気部１２ＡＥ，１２ＢＥを備えている。

【0019】

各基板処理室１４は、基板に対して所定の処理を行うことが可能に構成されている。基板処理室１４において行われる処理は、スパッタ室１２Ａ，１２Ｂでの成膜が行われる前に基板に対して行われる前処理でもよいし、スパッタ室１２Ａ，１２Ｂでの成膜が行われた後に基板に対して行われる後処理でもよい。前処理および後処理は、例えば、加熱処理または冷却処理などであってよい。各基板処理室１４は、基板処理室１４が画定する処理空間内を排気する排気部１４Ｅを備えている。なお、各基板処理室１４も処理室の一例である。

【0020】

図２を参照して、搬送室１１および第１スパッタ室１２Ａをより詳しく説明する。なお、図２では、図示の便宜上、プラズマ生成部１１Ｐと第１スパッタ室１２Ａとの間の距離が、図１におけるプラズマ生成部１１Ｐと第１スパッタ室１２Ａとの間の距離よりも短い。

【0021】

図２が示すように、搬送室１１は、基板Ｓｂが搬送される搬送空間１１Ｓを画定している。第１スパッタ室１２Ａは、搬送空間１１Ｓに連通されるように構成された第１処理空間１２ＡＳを画定している。

【0022】

搬送室１１には、第１スパッタ室１２Ａが、連通部１０Ｐによって接続されている。連通部１０Ｐは、搬送室１１の搬送空間１１Ｓと、第１スパッタ室１２Ａの第１処理空間１２ＡＳに接続されている。連通部１０Ｐには、ゲートバルブ１０Ｇが位置している。ゲートバルブ１０Ｇが開くことによって、第１処理空間１２ＡＳが、連通部１０Ｐを介して搬送空間１１Ｓに連通される。これに対して、ゲートバルブ１０Ｇが閉じることによって、第１処理空間１２ＡＳが、搬送空間１１Ｓから隔てられる。連通部１０Ｐは、搬送室１１とともに除電通路に含まれる。

【0023】

搬送室１１は、搬送空間１１Ｓを画定する真空槽１１Ｃを備えている。搬送室１１は、上述したようにプラズマ生成部１１Ｐを備えている。プラズマ生成部１１Ｐは、搬送空間１１Ｓ内にプラズマを生成する。プラズマ生成部１１Ｐは、例えば、マイクロ波プラズマ源である。

【0024】

搬送室１１は、さらにガス導入部１１Ａを備えている。ガス導入部１１Ａは、真空槽１１Ｃが有するガス導入口である。ガス導入部１１Ａには、マスフローコントローラーを介してスパッタ装置１０外に位置するガスボンベが接続されている。ガス導入部１１Ａは、所定流量のガスを真空槽１１Ｃ内に導入する。ガス導入部１１Ａによって導入されるガスは、不活性ガスである。不活性ガスは、例えば希ガスであってよい。希ガスは、例えばアルゴンガスまたはヘリウムガスであってよい。

【0025】

搬送空間１１Ｓ内は、上述した排気部１１Ｅ（図１参照）による排気と、ガス導入部１１Ａから導入されるガスとによって、所定の圧力に調整される。搬送空間１１Ｓ内の圧力は、例えば１×１０^－３Ｐａ以上１×１０^－１Ｐａ以下であってよい。

【0026】

第１スパッタ室１２Ａは、第１処理空間１２ＡＳを画定する真空槽１２ＡＣを備えている。第１スパッタ室１２Ａは、上述したように、カソード２０を備えている。カソード２０は、ターゲット２１とバッキングプレート２２とを含んでいる。ターゲット２１は、例えば金属、金属化合物、または、金属と金属化合物との混合物から形成される。ターゲット２１は、基板Ｓｂへの成膜時にスパッタされる被スパッタ面を備えている。バッキングプレート２２は、ターゲット２１に接合されている。バッキングプレート２２は、導電性を有している。カソード２０は、第１処理空間１２ＡＳを画定する側壁部の一面に取り付けられている。カソード２０のうち、少なくともターゲット２１の被スパッタ面が、第１処理空間１２ＡＳに露出している。

【0027】

バッキングプレート２２には、ターゲット電源２３が接続されている。ターゲット電源２３がバッキングプレート２２に電圧を印加することによって、バッキングプレート２２に接続されたターゲット２１に電圧が印加される。ターゲット電源２３は、例えば、直流電源でもよいし、交流電源でもよい。

【0028】

第１スパッタ室１２Ａは、支持部３１と吸着部３２とを備えている。支持部３１は、基板Ｓｂを支持する支持面３１Ｆを備えている。支持面３１Ｆは、基板Ｓｂにおいて支持面３１Ｆに接触する面を形成する材料とは異なる材料から形成されている。例えば、支持面３１Ｆが酸化アルミニウムから形成され、かつ、基板Ｓｂがガラス基板であってよい。例えば、支持部３１は平板状を有し、かつ、支持面３１Ｆは支持部３１が備える１つの平面である。

【0029】

吸着部３２は、支持部３１内に位置している。吸着部３２は、支持面３１Ｆに位置するＳｂ基板を支持面３１Ｆに静電吸着する。吸着部３２は、静電気力を用いて基板Ｓｂを吸着する静電チャックである。

【0030】

第１スパッタ室１２Ａは、位置変更部３３を備えている。位置変更部３３は、カソード２０に対する支持部３１の位置を変えることが可能に構成されている。位置変更部３３は、第１位置と第２位置との間において支持部３１の位置を変える。支持部３１が第１位置に位置する際には、カソード２０に対して支持面３１Ｆがほぼ直交する。すなわち、支持部３１が第１位置に位置する際には、支持面３１Ｆがほぼ水平方向に沿って位置している。これに対して、支持部３１が第２位置に位置する際には、カソード２０に対して支持面３１Ｆがほぼ平行である。すなわち、支持部３１が第２位置に位置する際には、支持面３１Ｆがほぼ鉛直方向に沿って位置している。

【0031】

第１スパッタ室１２Ａは、第１除電用ガス導入部３４Ａおよび第２除電用ガス導入部３４Ｂをさらに備えている。各除電用ガス導入部３４Ａ，３４Ｂは、真空槽１２ＡＣが有するガス導入口である。除電用ガス導入部３４Ａ，３４Ｂには、マスフローコントローラーを介してスパッタ装置１０外に位置するガスボンベが接続されている。なお、２つの除電用ガス導入部３４Ａ，３４Ｂに対して１つのマスフローコントローラーが接続されてもよいし、２つの除電用ガス導入部３４Ａ，３４Ｂに対して共通する１つのマスフローコントローラーが接続されてもよい。

【0032】

除電用ガス導入部３４Ａ，３４Ｂは、所定流量の除電用ガスを真空槽１２ＡＣ内に導入する。除電用ガス導入部３４Ａ，３４Ｂによって導入される除電用ガスは、不活性ガスである。不活性ガスは、例えば希ガスであってよい。希ガスは、例えばアルゴンガスまたはヘリウムガスであってよい。除電用ガス導入部３４Ａ，３４Ｂが導入する除電用ガスは、搬送室１１のガス導入部１１Ａが導入するガスと同一のガスであることが好ましい。

【0033】

真空槽１２ＡＣ内において、第１除電用ガス導入部３４Ａの位置が第１位置であり、第２除電用ガス導入部３４Ｂの位置が第２位置である。支持部３１は、支持面３１Ｆが広がる平面と対向する視点から見て、第１位置と第２位置とが支持面３１Ｆを挟むことが可能に構成されている。すなわち、支持部３１が第１位置に位置し、これによって支持面３１Ｆがほぼ水平方向に沿って位置する場合に、支持面３１Ｆと対向する視点から見て、第１除電用ガス導入部３４Ａと第２除電用ガス導入部３４Ｂとが、支持面３１Ｆを挟んでいる。

【0034】

真空槽１２ＡＣは、鉛直方向において互いに対向する一対の壁部を備えている。一対の壁部は、上壁部と下壁部とから構成されている。第１除電用ガス導入部３４Ａおよび第２除電用ガス導入部３４Ｂは、下壁部に位置している。各除電用ガス導入部３４Ａ，３４Ｂは、鉛直方向における下方から上方に向かう方向に沿って、第１処理空間１２ＡＳ内にガスを導入する。

【0035】

真空槽１２ＡＣは、排気部１２ＡＥが接続される排気口３６をさらに備えている。支持面３１Ｆがほぼ水平方向に沿って位置する場合に、支持面３１Ｆと対向する視点から見て、排気口３６、第１除電用ガス導入部３４Ａ、および、第２除電用ガス導入部３４Ｂは、１つの直線上に位置することが好ましい。

【0036】

真空槽１２ＡＣは、互いに対向する一対の側壁部をさらに備えている。各側壁部は、鉛直方向に沿って延びる壁部であり、かつ、上述した上壁部と下壁部とに接続されている。除電用ガス導入部３４Ａ，３４Ｂの一方と排気口３６とは、一対の側壁部が対向する方向に沿って並んでいることが好ましい。除電用ガス導入部３４Ａ，３４Ｂの一方は一方の側壁部の近傍に位置し、排気口３６は他方の側壁部の近傍に位置することが好ましい。なお、第１スパッタ室１２Ａは、ガス導入部を複数備えることが好ましい。複数のガス導入部は、一対の側壁部が対向する方向に直交する方向において、側壁部に沿って位置することが好ましい。

【0037】

第１スパッタ室１２Ａ内の除電が行われる際には、第１処理空間１２ＡＳ内は、排気部１２ＡＥによる排気と、除電用ガス導入部３４Ａ，３４Ｂから導入される除電用ガスとによって、所定の圧力に調整される。第１処理空間１２ＡＳ内の圧力は、搬送空間１１Ｓ内の圧力以上である。第１処理空間１２ＡＳ内の圧力は、例えば１×１０^－１Ｐａ以上１×１０^１Ｐａ以下であってよい。

【0038】

第１スパッタ室１２Ａは、成膜用ガス導入部３５をさらに備えている。成膜用ガス導入部３５は、真空槽１２ＡＣが有するガス導入口である。成膜用ガス導入部３５は、マスフローコントローラーを介してスパッタ装置１０外に位置するガスボンベに接続されている。成膜用ガス導入部３５は、プラズマ生成用ガスを第１処理空間１２ＡＳ内に導入する。プラズマ生成用ガスは、例えば不活性ガスでもよいし、不活性ガスと反応性ガスとの混合ガスでもよい。成膜用ガス導入部３５が導入するプラズマ生成用ガスは、除電用ガス導入部３４Ａ，３４Ｂが導入するガスと同一のガスであることが好ましい。

【0039】

支持部３１が第２位置に位置し、これによって支持面３１Ｆがほぼ鉛直方向に沿って位置する場合に、水平面と対向する視点から見て、成膜用ガス導入部３５は、支持部３１とターゲット２１との間に位置することが好ましい。成膜用ガス導入部３５は、真空槽１２ＡＣの上壁部に位置している。成膜用ガス導入部３５は、鉛直方向における上方から下方に向かう方向に沿って、第１処理空間１２ＡＳ内にガスを導入する。

【0040】

基板Ｓｂに対する成膜が行われる際には、第１処理空間１２ＡＳ内は、排気部１２ＡＥによる排気と、成膜用ガス導入部３５から導入されるプラズマ生成用ガスとによって、所定の圧力に調整される。第１処理空間１２ＡＳ内の圧力は、例えば１×１０^－１Ｐａ以上１×１０^１Ｐａ以下であってよい。成膜時における第１処理空間１２ＡＳ内の圧力は、第１スパッタ室１２Ａ内の除電時における第１処理空間１２ＡＳ内の圧力と同一であることが好ましい。

【0041】

［基板処理方法］
図３を参照して、基板処理方法を説明する。
本開示の基板処理方法は、プラズマを生成すること、および、処理室内の異物を除電することを含んでいる。プラズマを生成することでは、処理室外の除電通路において処理室内に位置する異物を除電するためのプラズマを生成する。処理室内の異物を除電することでは、プラズマに含まれる荷電粒子が処理室内に到達するように処理室内の圧力を除電通路内の圧力以上にし、処理室内に到達した荷電粒子によって処理室内の異物を除電する。

【0042】

本開示の基板処理方法によれば、処理室内の圧力が除電通路内の圧力以上であるから、除電通路内の異物が処理室内に到達することを抑えながら、除電通路内で生成されたプラズマを処理室内に供給することによって処理室内の異物を除電することが可能である。以下、図面を参照して、基板処理方法を詳しく説明する。

【0043】

基板処理方法は、基板搬入工程（ステップＳ１１）、成膜工程（ステップＳ１２）、基板搬出工程（ステップＳ１３）、および、除電処理工程（ステップＳ１４）を備えている。なお、本実施形態の除電処理工程では、排出処理工程も兼ねている。すなわち、本実施形態では、除電処理と排出処理とが同時に行われる。

【0044】

なお、基板搬入工程が行われる前に、搬送空間１１Ｓ内の圧力は、例えば１×１０^－３Ｐａ以上１×１０^－１Ｐａ以下の範囲内に含まれる圧力に調整されている。これに対して、第１処理空間１２ＡＳ内の圧力は、例えば１×１０^－１Ｐａ以上１×１０^１Ｐａ以下の範囲内に含まれる圧力に調整されている。なお、搬送空間１１Ｓ内の圧力は、ガス導入部１１Ａからのガスの導入と、排気部１１Ｅによる排気とによって所定の圧力に調整されている。一方で、第１処理空間１２ＡＳ内の圧力は、除電用ガス導入部３４Ａ，３４Ｂからのガスの導入と、排気部１２ＡＥによる排気とによって所定の圧力に調整されている。

【0045】

基板搬入工程では、まず、搬送ロボット１１Ｒが、搬送室１１内に位置する処理前の基板Ｓｂを第１スパッタ室１２Ａ内に搬送する。この際に、搬送室１１を第１スパッタ室１２Ａに接続する連通部１０Ｐに位置するゲートバルブ１０Ｇが開いている。次いで、搬送ロボット１１Ｒは、第１位置に位置する支持部３１の支持面３１Ｆに基板Ｓｂに載置する。その後、ゲートバルブ１０Ｇが閉じられる。そして、吸着部３２が支持面３１Ｆ上に位置する基板Ｓｂを支持面３１Ｆに吸着する。

【0046】

成膜工程では、まず、除電用ガス導入部３４Ａ，３４Ｂからのガス導入を、成膜用ガス導入部３５からのガス導入に切り替える。なお、除電用ガス導入部３４Ａ，３４Ｂから導入されるガスの総流量と、成膜用ガス導入部３５から導入されるガスの流量とは同一であることが好ましい。これにより、ガス導入の切り替え前後において、第１処理空間１２ＡＳ内の圧力が変動することが抑えられる。

【0047】

次いで、位置変更部３３が、支持部３１の位置を第１位置から第２位置に変える。そして、ターゲット電源２３がバッキングプレート２２に電圧を印加することによって、ターゲット２１の周りに位置するガスから、プラズマが生成される。これにより、ターゲット２１の被スパッタ面がスパッタされる。結果として、被スパッタ面から基板Ｓｂに向けて飛行したスパッタ粒子により、基板Ｓｂに薄膜が形成される。ターゲット２１に対する電圧の印加が所定時間にわたって継続されると、ターゲット電源２３がバッキングプレート２２に対する電圧の印加を停止する。その後、位置変更部３３が、支持部３１の位置を第２位置から第１位置に変える。

【0048】

基板搬出工程では、まず、吸着部３２が、支持面３１Ｆに対する基板Ｓｂの吸着を解除する。次いで、成膜用ガス導入部３５からのガス導入を除電用ガス導入部３４Ａ，３４Ｂからのガス導入に切り替える。なお、除電用ガス導入部３４Ａ，３４Ｂから導入されるガスの総流量と、成膜用ガス導入部３５から導入されるガスの流量とは同一であることが好ましい。これにより、ガス導入の切り替え前後において、第１処理空間１２ＡＳ内の圧力が変動することが抑えられる。

【0049】

続いて、ゲートバルブ１０Ｇが開かれた後に、搬送ロボット１１Ｒが支持部３１から処理後の基板Ｓｂを受け取る。そして、搬送ロボット１１Ｒが第１スパッタ室１２Ａから搬送室１１に処理後の基板Ｓｂを搬出する。

【0050】

除電処理工程では、ゲートバルブ１０Ｇが開いた状態で、プラズマ生成部１１Ｐが搬送空間１１Ｓ内のガスからプラズマを生成する。プラズマ中に含まれる荷電粒子は、搬送空間１１Ｓ内および第１処理空間１２ＡＳ内に位置する粒子に衝突することによって、連通部１０Ｐを通じて搬送空間１１Ｓから第１処理空間１２ＡＳに向けて移動する。この際に、第１処理空間１２ＡＳの搬送空間１１Ｓ内の圧力以上であるから、搬送空間１１Ｓから第１処理空間１２ＡＳに向けた異物の移動が抑えられる。荷電粒子を搬送空間１１Ｓから第１処理空間１２ＡＳに移動させ、かつ、搬送空間１１Ｓ内の異物を第１処理空間１２ＡＳに移動させないことは、各空間での圧力、および、当該圧力下における粒子の平均自由行程における差によって実現される。

【0051】

これにより、搬送空間１１Ｓ内に生成されたプラズマが第１処理空間１２ＡＳ内に供給されるから、第１処理空間１２ＡＳ内を浮遊する帯電した異物、および、真空槽１１Ｃに付着した帯電した異物などがプラズマ中の荷電粒子によって除電される。このように、本実施形態では、除電部が、プラズマ生成部１１Ｐ、ガス導入部１１Ａ、排気部１１Ｅ、除電用ガス導入部３４Ａ，３４Ｂ、および、排気部１２ＡＥを含んでいる。除電部は、除電通路内にプラズマを生成し、プラズマ中の荷電粒子が第１スパッタ室１２Ａ内に到達するように第１スパッタ室１２Ａ内の圧力を除電通路内の圧力以上に調整する。

【0052】

除電処理では、第１処理空間１２ＡＳ内に導入される除電用ガスによって排気口３６に向けて流体が流れることにより、除電された異物の少なくとも一部が流体の流れによって排気口３６に向けて移動する。これにより、除電された異物が第１スパッタ室１２Ａ内から第１スパッタ室１２Ａ外に排出される。このように、本実施形態の基板処理方法によれば、除電された異物を第１スパッタ室１２Ａ内から排出するから、除電された異物が再び第１スパッタ室１２Ａ内を浮遊することが抑えられる。

【0053】

また、除電用ガス導入部３４Ａ，３４Ｂと排気口３６とが一対の側壁部が対向する方向に沿って並ぶことによって、一対の側壁部が対向する方向において流体の流れを生じさせる。そのため、第１スパッタ室１２Ａ内の異物を排気口３６に向けて移動させることが可能である。

【0054】

なお、異物を除電する際に第１スパッタ室１２Ａ内に導入されるガスの総流量が第１流量である場合に、異物を第１スパッタ室１２Ａ外に排出する排出処理工程は、第１流量よりも大きい第２流量のガスを第１スパッタ室１２Ａ内に導入することを含むことが好ましい。この場合には、プラズマ生成部１１Ｐによるプラズマの生成を終了した後に、第１スパッタ室１２Ａ内に除電用ガス導入部３４Ａ，３４Ｂから導入するガスの総流量を第１流量から第２流量に変更すればよい。これにより、第２流量のガスを第１スパッタ室１２Ａ内に導入するから、除電された異物が、第１スパッタ室１２Ａ内における流体の流れによって移動しやすくなる。結果として、異物が、第１スパッタ室１２Ａ外に排出されやすくなる。

【0055】

また、上述した第２スパッタ室１２Ｂは、第１スパッタ室１２Ａと同様の構成を有している。すなわち、スパッタ装置１０は、除電通路に含まれる搬送室１１に接続される第２スパッタ室１２Ｂをさらに備えている。除電部は、除電通路に含まれる搬送室１１内にプラズマを生成し、プラズマ中の荷電粒子が第２スパッタ室１２Ｂ内に到達するように第２スパッタ室１２Ｂ内の圧力を除電通路内の圧力以上に調整する。除電部は、上述した第２スパッタ室１２Ｂの排気部１２ＢＥと、第２スパッタ室１２Ｂが備える除電用ガス導入部とを含む。

【0056】

この場合には、１つの除電部を用いて第１スパッタ室１２Ａ内の除電と第２スパッタ室１２Ｂ内の除電とを行うことが可能である。そのため、スパッタ装置１０が処理室ごとに除電部を備える場合に比べて、スパッタ装置１０を構成する部品の点数を減らすことが可能である。

【0057】

なお、除電部が除電するための荷電粒子を生成する生成部としてプラズマ生成部１１Ｐを備えるから、上述した構成の実現が可能である。例えば、除電部が紫外線を照射することによって処理室を除電する場合に比べて、プラズマ生成部１１Ｐが生成したプラズマが供給される範囲が相対的に広い。そのため、１つのプラズマ生成部のみを含む除電部によって、複数の処理室内を除電することが可能である。紫外線を照射することによって処理室内の除電を行う場合には、紫外線を照射する照射部が、処理室毎に１つ以上必要とされ、かつ、各照射部が処理室内に位置することが必要とされる。

【0058】

［試験例１］
図４および図５を参照して試験例１を説明する。
第１スパッタ室と搬送室とを備えるクラスタツール型のスパッタ装置において、搬送室を上面視した場合に、搬送室の中央にプラズマ生成部を取り付けた。次いで、第１スパッタ室内に位置する支持体に帯電プレートを取り付けた。この際に、四角形状を有した支持面の４隅のそれぞれに１つの帯電プレートを取り付けた。そして、第１スパッタ室と搬送室との間に位置するゲートバルブを開けた状態で、プラズマ生成部を用いて搬送室内にプラズマを生成した。帯電プレートの電圧値をプラズマ生成時から監視した。

【0059】

図４は、第１スパッタ室内の圧力を１×１０^－３Ｐａに調整し、かつ、搬送室内の圧力を１×１０^－２Ｐａに調整した際の帯電プレートにおける電圧値の経時変化を示すグラフである。図５は、第１スパッタ室内の圧力を０．３Ｐａに調整し、かつ、搬送室内の圧力を１×１０^－１Ｐａに調整した際の帯電プレートにおける電圧値の経時変化を示すグラフである。なお、４つの帯電プレートのうち、帯電プレートＣとプラズマ生成部との間の距離が最も小さく、帯電プレートＤとプラズマ生成部との間の距離が２番目に小さい。また、４つの帯電プレートのうち、帯電プレートＢとプラズマ生成部との間の距離が２番目に大きく、帯電プレートＡとプラズマ生成部との間の距離が最も大きい。

【0060】

図４が示すように、第１スパッタ室内の圧力が搬送室内の圧力よりも低い場合には、プラズマ生成部からの距離が小さい帯電プレートほど、帯電プレートが除電されやすいことが認められた。また、プラズマ生成部に最も近い帯電プレートであっても、帯電プレートの電圧値が－１００Ｖに到達するまでに１５０秒以上を要することが認められた。また、除電処理の開始から２００秒が経過した時点においても、帯電プレートＡの電圧値はおよそ－６００Ｖであり、帯電プレートＢの電圧値はおよそ－４００Ｖであり、帯電プレートＤの電圧値はおよそ－２００Ｖであることが認められた。

【0061】

図５が示すように、第１スパッタ室内の圧力が搬送室内の圧力よりも高い場合には、除電処理の開始から２００秒が経過した時点において、全ての帯電プレートにおいて、電圧値が－２００Ｖを下回ることが認められた。また、第１スパッタ室内の圧力が搬送室内の圧力よりも低い場合と、第１スパッタ室内の圧力が搬送室内の圧力よりも高い場合とにおいて、同一の帯電プレートの電圧値を比べたところ、以下の事項が認められた。すなわち、いずれの帯電プレートにおいても、第１スパッタ室内の圧力が搬送室内の圧力よりも高い場合に、除電処理の開始時点から１００秒後までにおける電圧値の絶対値が低下する速度が高い、あるいは、第１スパッタ室内の圧力が搬送室内の圧力よりも低い場合と同程度であることが認められた。

【0062】

このように、第１スパッタ室内の圧力が搬送室内の圧力よりも低い場合に比べて、第１スパッタ室内の圧力が搬送室内の圧力よりも高い場合に、搬送室内で生成されたプラズマ中の荷電粒子が第１スパッタ室内に到達しやすいことが認められた。また、第１スパッタ室内の圧力が搬送室内の圧力よりも高い場合に、荷電粒子の到達量が第１スパッタ室内においてばらつきにくいことが認められた。

【0063】

［試験例２］
［試験例２‐１］
まず、試験例１において用いたクラスタツール型のスパッタ装置を用いて、処理前の基板を搬送室から第１スパッタ室内に搬入した後に、基板を支持部に載置した。その後、基板を第１スパッタ室から搬送室に搬出した。基板をスパッタ装置外に搬出し、次いで、搬出された基板に付着した異物の数を計数した。当該処理を３枚の基板に対して行った。

【0064】

次に、同一のスパッタ装置を用いて、処理前の基板を搬送室から第１スパッタ室内に搬入する前に、除電処理を行った。なお、除電処理において、第１スパッタ室内の圧力を０．３Ｐａに調整し、かつ、搬送室内の圧力を１×１０^－１Ｐａに調整した。また、除電処理において、第１スパッタ室および搬送室の両方に、アルゴンガスを導入した。次いで、処理前の基板を搬送室から第１スパッタ室内に搬入した後に、基板を支持部に載置した。その後、基板を第１スパッタ室から搬送室に搬出した。基板をスパッタ装置外に搬出し、次いで、搬出された基板に付着した異物の数を計数した。当該処理を３枚の基板に対して行った。

【0065】

除電処理を行わない場合には、基板に付着した異物のうち、５μｍ以上の大きさを有した異物の個数における平均値が２７０個であり、２０μｍ以上の大きさを有した異物の個数における平均値が３０．３個であることが認められた。これに対して、除電処理を行った場合には、基板に付着した異物のうち、５μｍ以上の大きさを有した異物の個数における平均値が１９７個であり、２０μｍ以上の大きさを有した異物の個数における平均値は１９．７個であることが認められた。

【0066】

このように、試験例２‐１の結果によれば、除電処理を行うことによって、基板に付着する異物の量を減らすことが可能であることが認められた。

【0067】

［試験例２‐２］
試験例２‐１において、基板に対して成膜処理を行った以外は、試験例２‐１と同様の処理を行った。すなわち、試験例２‐２ではまず、処理前の基板を搬送室から第１スパッタ室内に搬入した後に、基板を支持部に載置した。その後、第１スパッタ室内のターゲットをスパッタすることによって、基板に薄膜を形成した。続いて、基板を第１スパッタ室から搬送室に搬出した。基板をスパッタ装置外に搬出し、次いで、搬出された基板に付着した異物の数を計数した。当該処理を３枚の基板に対して行った。

【0068】

なお、成膜処理における条件を以下のように設定した。
・ターゲット アルミニウム
・スパッタガス アルゴンガス
・第１スパッタ室内の圧力 ０．３Ｐａ

【0069】

次に、同一のスパッタ装置を用いて、処理前の基板を搬送室から第１スパッタ室内に搬入する前に、除電処理を行った。なお、除電処理において、第１スパッタ室内の圧力を０．３Ｐａに調整し、かつ、搬送室内の圧力を１×１０^－１Ｐａに調整した。次いで、処理前の基板を搬送室から第１スパッタ室内に搬入した後に、基板を支持部に載置した。その後、第１スパッタ室内のターゲットをスパッタすることによって、基板に薄膜を形成した。続いて、基板を第１スパッタ室から搬送室に搬出した。基板をスパッタ装置外に搬出し、次いで、搬出された基板に付着した異物の数を計数した。当該処理を３枚の基板に対して行った。

【0070】

除電処理を行わない場合には、基板に付着した異物のうち、５μｍ以上の大きさを有した異物の個数における平均値が２２６個であり、２０μｍ以上の大きさを有した異物の個数における平均値が１３．３個であることが認められた。これに対して、除電処理を行った場合には、基板に付着した異物のうち、５μｍ以上の大きさを有した異物の個数における平均値が１６２個であり、２０μｍ以上の大きさを有した異物の個数における平均値が５．０個であることが認められた。

【0071】

このように、試験例２‐２の結果によれば、除電処理を行うことによって、基板に付着する異物の量を減らすことが可能であることが認められた。
以上説明したように、基板処理方法および基板処理装置の第１実施形態によれば、以下に記載の効果を得ることができる。

【0072】

（１‐１）第１スパッタ室１２Ａ内の圧力が除電通路内の圧力以上である。そのため、除電通路内の異物が第１スパッタ室１２Ａ内に到達することを抑えながら、除電通路内で生成されたプラズマを第１スパッタ室１２Ａ内に供給することによって、第１スパッタ室１２Ａ内の異物を除電することが可能である。

【0073】

（１‐２）除電された異物を第１スパッタ室１２Ａ内から排出するから、除電された異物が再び第１スパッタ室１２Ａ内を浮遊することが抑えられる。
（１‐３）第２流量のガスを第１スパッタ室１２Ａ内に導入する場合には、除電された異物が、第１スパッタ室１２Ａ内における流体の流れによって移動しやすくなる。これによって、異物が、第１スパッタ室１２Ａ外に排出されやすくなる。

【0074】

（１‐４）一対の壁部が対向する方向に沿って流体の流れを生じさせることによって、第１スパッタ室１２Ａ内の異物を排気口３６に向けて移動させることが可能である。

【0075】

［第２実施形態］
図６を参照して、基板処理方法、および、基板処理装置の第２実施形態を説明する。
［基板処理装置］
図６を参照して、基板処理装置を説明する。以下では、基板処理装置の一例であるスパッタ装置を説明する。

【0076】

図６が示すように、スパッタ装置４０は、スパッタ室４１と除電通路４２とを備えている。スパッタ室４１は、基板Ｓｂに対するスパッタ処理を行う空間を画定する真空槽４１Ｃを備えている。除電通路４２は、真空槽４１Ｃが有する除電口４３に接続されている。除電通路４２は、真空槽４１Ｃが画定する空間外に位置している。

【0077】

除電通路４２には、プラズマ生成部４４が取り付けられている。プラズマ生成部４４は、例えばマイクロ波プラズマ源である。プラズマ生成部４４は、除電通路４２内にプラズマを生成することが可能に構成されている。除電通路４２は、除電バルブ４２Ａを備えている。除電バルブ４２Ａが開くことによって、除電通路４２が真空槽４１Ｃに接続される。これに対して、除電バルブ４２Ａが閉じることによって、除電通路４２が真空槽４１Ｃから隔てられる。

【0078】

スパッタ装置４０は、排気部４５を備えている。排気部４５は、真空槽４１Ｃが有する排気口４６に接続されている。排気部４５は、排気バルブ４５Ａ、第１排気ポンプ４５Ｂ、第２排気ポンプ４５Ｃ、および、排気通路４５Ｄを備えている。排気部４５によって流体が排気される方向において、排気バルブ４５Ａが最も下流に位置し、かつ、第２排気ポンプ４５Ｃが最も上流に位置している。第２排気ポンプ４５Ｃは、排気通路４５Ｄによって第１排気ポンプ４５Ｂに接続されている。排気通路４５Ｄには、除電通路４２が接続されている。排気バルブ４５Ａは、例えばバタフライバルブであってよい。第１排気ポンプ４５Ｂは、例えばターボ分子ポンプであってよい。第２排気ポンプ４５Ｃは、例えばドライポンプであってよい。

【0079】

真空槽４１Ｃ内には、基板Ｓｂを支持する支持部４７が位置している。真空槽４１Ｃのうち、支持部４７と対向する位置にカソード５０が取り付けられている。カソード５０は、ターゲット５１とバッキングプレート５２とを含んでいる。ターゲット５１は、例えば金属、金属化合物、または、金属と金属化合物との混合物から形成される。ターゲット５１は、基板Ｓｂへの成膜時にスパッタされる被スパッタ面を備えている。バッキングプレート５２は、ターゲット５１に接合されている。バッキングプレート５２は、導電性を有している。カソード５０のうち、少なくともターゲット５１の被スパッタ面が、真空槽４１Ｃが画定する空間に露出している。

【0080】

バッキングプレート５２には、ターゲット電源５３が接続されている。ターゲット電源５３がバッキングプレート５２に電圧を印加することによって、バッキングプレート５２に接続されたターゲット５１に電圧が印加される。ターゲット電源５３は、例えば、直流電源でもよいし、交流電源でもよい。

【0081】

真空槽４１Ｃは、ガス導入口４８を有している。ガス導入口４８には、マスフローコントローラーを介してスパッタ装置４０外に位置するガスボンベが接続されている。ガス導入口４８は、所定流量のガスを真空槽４１Ｃ内に導入する。ガス導入口４８によって導入されるガスは、例えば不活性ガスであってよい。不活性ガスは、例えば希ガスであってよい。希ガスは、例えばアルゴンガスまたはヘリウムガスであってよい。なお、ガス導入口４８から導入されるガスは、反応性ガスを含んでもよい。反応性ガスは、例えば酸素ガスなどであってよい。

【0082】

ガス導入口４８から導入されるガスは、第１のガスと第２のガスとの間で切り替えられてもよい。例えば、ターゲット５１をスパッタし、これによって基板Ｓｂに薄膜を形成する際に第１のガスを用いる一方で、真空槽４１Ｃ内の異物を除電する際に第２のガスを用いてもよい。この場合には、例えば第１のガスが不活性ガスと反応性ガスとの混合ガスであり、かつ、第２のガスが不活性ガスであってよい。

【0083】

真空槽４１Ｃは、互いに対向する一対の側壁部を備えている。各側壁部は、鉛直方向に沿って延びる壁部であり、かつ、上壁部と下壁部とに接続されている。ガス導入口４８と除電口４３とは、一対の側壁部が対向する方向に沿って並んでいる。ガス導入口４８の一方は一方の側壁部の近傍に位置し、除電口４３は他方の側壁部に位置することが好ましい。なお、スパッタ室４１は、ガス導入口を複数備えることが好ましい。複数のガス導入口は、側壁部が対向する方向に直交する方向において、側壁部に沿って位置することが好ましい。

【0084】

真空槽４１Ｃが画定する空間の圧力は、ガス導入口４８から導入されるガスと、排気口４６を通じた排気部４５の排気とによって、第１の圧力に調整される。第１の圧力は、例えば１×１０^－１Ｐａ以上１×１０^１Ｐａ以下の範囲内に含まれる圧力である。これに対して、排気通路４５Ｄの圧力は、排気部４５によって第１の圧力以下の圧力である第２の圧力に調整される。第２の圧力は、例えば１×１０^－３Ｐａ以上１×１０^－１Ｐａ以下の範囲内に含まれる圧力である。

【0085】

［基板処理方法］
本実施形態の基板処理方法は、上述した第１実施形態の基板処理方法と同様に、基板搬入工程、成膜工程、基板搬出工程、および、除電処理工程を備えている。なお、本実施形態の除電処理工程は、第１実施形態の除電処理工程と同様に、排出処理工程も兼ねている。なお、搬出入工程が行われる前に、排気バルブ４５Ａが開かれ、かつ、除電バルブ４２Ａが閉じられた状態で、排気部４５が駆動される。排気部４５の駆動時には、まず、第２排気ポンプ４５Ｃが駆動され、続いて、真空槽４１Ｃ内の圧力が所定の圧力まで減圧されると、第１排気ポンプ４５Ｂが駆動される。これにより、真空槽４１Ｃ内がさらに減圧される。

【0086】

基板搬入工程では、図示されない真空槽４１Ｃの搬出入口が開かれる。次いで、搬出入口から真空槽４１Ｃ内に基板Ｓｂが搬入され、かつ、搬入された基板Ｓｂが支持部４７に載置される。なお、真空槽４１Ｃの搬出入口は、減圧が可能に構成された搬出入室に接続されるから、真空槽４１Ｃに対する処理前の基板Ｓｂの搬入と、処理後の基板Ｓｂの搬出とによって、真空槽４１Ｃ内は大気に暴露されない。

【0087】

成膜工程では、まず、ガス導入口４８から所定流量のガスが導入される。これにより、真空槽４１Ｃ内の圧力が第１の圧力に調整される。次いで、ターゲット電源５３がバッキングプレート５２を介してターゲット５１に電圧を印加することによって、ターゲット５１の周りにプラズマが生成される。これにより、ターゲット５１の被スパッタ面がスパッタされるから、被スパッタ面からスパッタ粒子が放出される。結果として、スパッタ粒子が基板Ｓｂに到達することによって基板Ｓｂに薄膜が形成される。ガスの導入が所定期間わたって継続された後、ガスの導入と電圧の印加とが停止される。これにより、所定の厚さを有した薄膜が基板Ｓｂに形成される。

【0088】

基板搬出工程では、上述した真空槽４１Ｃの搬出入口が開かれる。次いで、搬出入口から真空槽４１Ｃ外に基板Ｓｂが搬出される。
除電処理工程では、まず、排気バルブ４５Ａが閉じられ、かつ、除電バルブ４２Ａが開かれる。次いで、ガス導入口４８から真空槽４１Ｃ内にガスが導入され、これによって、真空槽４１Ｃ内の圧力が第１の圧力に調整される。この際に、排気通路４５Ｄ内の圧力は、第１の圧力以下の圧力である第２圧力に調整される。そのため、除電通路４２内の圧力は、真空槽４１Ｃから排気通路４５Ｄに向かう方向に沿って低下する。

【0089】

次いで、プラズマ生成部４４が除電通路４２内にプラズマを生成する。この際に、除電通路４２内には除電口４３を通じて真空槽４１Ｃ内に導入されたガスの一部が導入されるから、当該ガスからプラズマが生成される。プラズマ中に含まれる荷電粒子は、除電通路４２内および真空槽４１Ｃ内に位置する粒子に衝突することによって、除電通路４２から真空槽４１Ｃに向けて移動する。この際に、真空槽４１Ｃ内の圧力が除電通路４２内の圧力以上であるから除電通路４２から真空槽４１Ｃに向けた異物の移動が抑えられる。荷電粒子を除電通路４２から真空槽４１Ｃに移動させ、かつ、除電通路４２内の異物を真空槽４１Ｃに移動させないことは、各空間での圧力、および、当該圧力下における粒子の平均自由行程における差によって実現される。

【0090】

これにより、除電通路４２内に生成されたプラズマが真空槽４１Ｃ内に供給されるから、真空槽４１Ｃ内を浮遊する帯電した異物、および、真空槽４１Ｃに付着した帯電した異物などがプラズマ中の荷電粒子によって除電される。このように、本実施形態では、除電部が、プラズマ生成部４４、排気部４５、および、ガス導入口４８を含んでいる。

【0091】

また、除電処理では、真空槽４１Ｃ内に導入されるガスによって除電口４３に向けて流体が流れることにより、除電された異物が流体の流れによって除電口４３に向けて移動する。これにより、除電された異物が真空槽４１Ｃ内から真空槽４１Ｃ外に排出される。

【0092】

本実施形態では、プラズマ生成部４４が生成した荷電粒子が真空槽４１Ｃに向けて移動する通路と、除電された異物が排出される通路とが同一である。すなわち、荷電粒子と異物とはともに、同一の除電通路４２を通過する。そのため、異物が除電通路４２に向けて移動する際にも荷電粒子と衝突する可能性があるから、異物の除電が不十分であることが抑えられる。

【0093】

なお、異物を除電する際にスパッタ室４１内に導入されるガスの流量が第１流量である場合に、異物をスパッタ室４１外に排出する排出処理工程は、第１流量よりも大きい第２流量のガスをスパッタ室４１内に導入することを含むことが好ましい。この場合には、プラズマ生成部４４によるプラズマの生成を終了した後に、真空槽４１Ｃ内にガス導入口４８から導入するガスの総流量を第１流量から第２流量に変更すればよい。これにより、第２流量のガスを真空槽４１Ｃ内に導入するから、除電された異物が、真空槽４１Ｃ内における流体の流れによって移動しやすくなる。結果として、異物が、真空槽４１Ｃ外に排出されやすくなる。

【0094】

また、ガス導入口４８と除電口４３とが一対の側壁部が対向する方向に沿って並ぶことによって、一対の側壁部が対向する方向において流体の流れを生じさせるから、スパッタ室４１内の異物を除電口４３に向けて移動させることが可能である。

【0095】

以上説明したように、基板処理方法および基板処理装置の第２実施形態によれば、上述した（１‐１）から（１‐４）に加えて、以下に記載の効果を得ることができる。
（２‐１）荷電粒子が移動する通路と異物が排出される通路とが同一であるから、異物が除電通路４２に向けて移動する際にも荷電粒子と衝突する可能性がある。これにより、異物の除電が不十分であることが抑えられる。

【0096】

［変更例］
なお、上述した各実施形態は、以下のように変更して実施することができる。
［除電処理工程］
・各実施形態において、基板処理方法では、基板Ｓｂに対する成膜を繰り返す場合に、最初の基板Ｓｂを搬入する前に除電処理を行ってもよい。

【0097】

・各実施形態において、除電処理工程では、異物の除電を行う一方で、異物の排出を行わなくてもよい。例えば、排気部の排気流量、および、処理室内に導入するガスの流量の少なくとも一方を調整することによって、異物の除電時に生じる異物の排出を抑えることが可能である。

【0098】

［基板処理方法］
・第１実施形態において、除電処理を行う際には、排気部１１Ｅによる搬送空間１１Ｓ内の排気が省略されてもよい。この場合であっても、連通部１０Ｐのコンダクタンスが十分に高ければ、ゲートバルブ１０Ｇを開放することによって、第１処理空間１２ＡＳと搬送空間１１Ｓ内との両方を、第１スパッタ室１２Ａが備える排気部１２ＡＥによって排気することが可能である。そして、ガス導入部１１Ａから導入されるガスの流量と、除電用ガス導入部３４Ａ，３４Ｂから導入するガスの流量を調整することによって、第１処理空間１２ＡＳ内の圧力を搬送空間１１Ｓ内の圧力以上の大きさに調整することは可能である。

【0099】

［スパッタ装置］
・第１実施形態において、スパッタ装置１０は、搬送室１１と第１スパッタ室１２Ａのみを備えてもよい。この場合であっても、上述した（１‐１）に準じた効果を得ることは可能である。

【0100】

［基板処理装置］
・各実施形態において、基板処理装置は、スパッタ装置に限らず、例えば他の方法によって基板Ｓｂに薄膜を形成する装置であってもよい。例えば、基板処理装置は、ＣＶＤ装置または真空蒸着装置などであってもよい。また、各実施形態において、基板処理装置は、基板Ｓｂに対する成膜を行う装置に限らず、基板Ｓｂに対して他の処理を行う装置であってもよい。例えば、基板処理装置は、例えばエッチング装置などであってもよい。いずれの装置であっても、処理室と処理室外に位置する除電通路とを備え、かつ、除電通路内にプラズマを生成することが可能に構成された装置であればよい。

【符号の説明】

【0101】

１０，４０…スパッタ装置
１１…搬送室
１１Ｐ，４４…プラズマ生成部
１２，４１…スパッタ室
１２Ａ…第１スパッタ室
１２Ｂ…第２スパッタ室
４２…除電通路

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】