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特開2024-24161ウェーハの片面研磨方法、ウェーハの製造方法、およびウェーハの片面研磨装置
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024024161
(43)【公開日】2024-02-22
(54)【発明の名称】ウェーハの片面研磨方法、ウェーハの製造方法、およびウェーハの片面研磨装置
(51)【国際特許分類】
B24B 37/005 20120101AFI20240215BHJP
B24B 37/12 20120101ALI20240215BHJP
B24B 37/24 20120101ALI20240215BHJP
B24B 37/30 20120101ALI20240215BHJP
B24B 53/00 20060101ALI20240215BHJP
B24B 53/017 20120101ALI20240215BHJP
B24B 53/12 20060101ALI20240215BHJP
H01L 21/304 20060101ALI20240215BHJP
【ＦＩ】
B24B37/005 Z
B24B37/12 D
B24B37/24 A
B24B37/30 Z
B24B53/00 A
B24B53/017 A
B24B53/12 Z
H01L21/304 622F
H01L21/304 622R
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022126785
(22)【出願日】2022-08-09
(71)【出願人】
【識別番号】302006854
【氏名又は名称】株式会社ＳＵＭＣＯ
(74)【代理人】
【識別番号】110000637
【氏名又は名称】弁理士法人樹之下知的財産事務所
(72)【発明者】
【氏名】杉森 勝久
(72)【発明者】
【氏名】荒木 卓也
(72)【発明者】
【氏名】大久保 翔平
【テーマコード（参考）】
3C047
3C158
5F057
【Ｆターム（参考）】
3C047AA05
3C047AA34
3C047EE04
3C158AA07
3C158AA19
3C158AB01
3C158AB04
3C158AB06
3C158BA05
3C158BA07
3C158BC01
3C158BC03
3C158CB01
3C158CB10
3C158DA17
3C158EA12
3C158EB01
3C158EB20
5F057AA02
5F057AA24
5F057BA11
5F057BB03
5F057CA02
5F057CA03
5F057CA11
5F057CA19
5F057CA25
5F057DA05
5F057DA08
5F057DA15
5F057DA28
5F057DA38
5F057EB02
5F057EB06
5F057EB07
5F057EB13
5F057EB24
5F057EB30
5F057FA14
5F057FA20
5F057FA37
5F057FA42
5F057GA02
5F057GA16
5F057GA27
(57)【要約】
【課題】所望の形状のウェーハを得ることができるウェーハの片面研磨方法を提供すること。
【解決手段】ウェーハの片面研磨方法は、研磨ヘッドに保持されたウェーハを当該ウェーハよりも大きいスウェードタイプの研磨パッドに押し付けて、前記研磨ヘッドおよび前記研磨パッドを回転させることにより、前記ウェーハを研磨する片面研磨装置を用いるウェーハの片面研磨方法であって、研磨後の前記ウェーハの目標形状に応じた前記研磨パッドの径方向の圧縮率分布を求める圧縮率分布演算工程と、前記圧縮率分布を有するように前記研磨パッドを調整する研磨パッド調整工程と、前記圧縮率分布を有する前記研磨パッドを用いて前記ウェーハを研磨する研磨工程と、を備える。
【選択図】図５
【解決手段】ウェーハの片面研磨方法は、研磨ヘッドに保持されたウェーハを当該ウェーハよりも大きいスウェードタイプの研磨パッドに押し付けて、前記研磨ヘッドおよび前記研磨パッドを回転させることにより、前記ウェーハを研磨する片面研磨装置を用いるウェーハの片面研磨方法であって、研磨後の前記ウェーハの目標形状に応じた前記研磨パッドの径方向の圧縮率分布を求める圧縮率分布演算工程と、前記圧縮率分布を有するように前記研磨パッドを調整する研磨パッド調整工程と、前記圧縮率分布を有する前記研磨パッドを用いて前記ウェーハを研磨する研磨工程と、を備える。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
研磨ヘッドに保持されたウェーハを当該ウェーハよりも大きいスウェードタイプの研磨パッドに押し付けて、前記研磨ヘッドおよび前記研磨パッドを回転させることにより、前記ウェーハを研磨する片面研磨装置を用いるウェーハの片面研磨方法であって、
研磨後の前記ウェーハの目標形状に応じた前記研磨パッドの径方向の圧縮率分布を求める圧縮率分布演算工程と、
前記圧縮率分布を有するように前記研磨パッドを調整する研磨パッド調整工程と、
前記圧縮率分布を有する前記研磨パッドを用いて前記ウェーハを研磨する研磨工程と、を備える、ウェーハの片面研磨方法。
研磨後の前記ウェーハの目標形状に応じた前記研磨パッドの径方向の圧縮率分布を求める圧縮率分布演算工程と、
前記圧縮率分布を有するように前記研磨パッドを調整する研磨パッド調整工程と、
前記圧縮率分布を有する前記研磨パッドを用いて前記ウェーハを研磨する研磨工程と、を備える、ウェーハの片面研磨方法。
【請求項2】
請求項１に記載のウェーハの片面研磨方法において、
前記研磨パッド調整工程は、前記研磨パッドを回転させつつブラシを前記研磨パッドに押し付けることにより、他の領域とは異なる圧縮率の円環状の領域を前記研磨パッドに形成する、ウェーハの片面研磨方法。
前記研磨パッド調整工程は、前記研磨パッドを回転させつつブラシを前記研磨パッドに押し付けることにより、他の領域とは異なる圧縮率の円環状の領域を前記研磨パッドに形成する、ウェーハの片面研磨方法。
【請求項3】
請求項２に記載のウェーハの片面研磨方法において、
前記研磨パッド調整工程は、前記圧縮率分布を有する領域の厚さが実質的に等しくなるように、前記円環状の領域を形成する、ウェーハの片面研磨方法。
前記研磨パッド調整工程は、前記圧縮率分布を有する領域の厚さが実質的に等しくなるように、前記円環状の領域を形成する、ウェーハの片面研磨方法。
【請求項4】
請求項２または請求項３に記載のウェーハの片面研磨方法において、
前記研磨工程は、前記ウェーハが前記研磨パッドの回転中心よりも外側に位置する状態で前記ウェーハを研磨し、
前記研磨パッド調整工程は、前記ブラシを用いて１つの円環状の領域を形成し、
前記円環状の領域は、前記研磨パッドの前記回転中心を０％の位置、前記ウェーハにおける前記回転中心から最も遠い外縁上の位置を１００％の位置とした場合、９９％の位置よりも外側かつ１００％の位置よりも内側の位置を内縁とする領域であって、内側の領域よりも圧縮率が大きい領域である、ウェーハの片面研磨方法。
前記研磨工程は、前記ウェーハが前記研磨パッドの回転中心よりも外側に位置する状態で前記ウェーハを研磨し、
前記研磨パッド調整工程は、前記ブラシを用いて１つの円環状の領域を形成し、
前記円環状の領域は、前記研磨パッドの前記回転中心を０％の位置、前記ウェーハにおける前記回転中心から最も遠い外縁上の位置を１００％の位置とした場合、９９％の位置よりも外側かつ１００％の位置よりも内側の位置を内縁とする領域であって、内側の領域よりも圧縮率が大きい領域である、ウェーハの片面研磨方法。
【請求項5】
請求項４に記載のウェーハの片面研磨方法において、
前記ウェーハの目標形状の指標は、ＥＳＦＱＲである、ウェーハの片面研磨方法。
前記ウェーハの目標形状の指標は、ＥＳＦＱＲである、ウェーハの片面研磨方法。
【請求項6】
請求項２または請求項３に記載のウェーハの片面研磨方法において、
前記研磨工程は、前記ウェーハが前記研磨パッドの回転中心よりも外側に位置する状態で前記ウェーハを研磨し、
前記研磨パッド調整工程は、互いに圧縮率が異なる３つ以上の領域が径方向に並ぶように、前記ブラシを用いて円環状の領域を形成し、
前記圧縮率が異なる３つ以上の領域のうち内側から３番目の領域は、前記研磨パッドの前記回転中心を０％の位置、前記ウェーハにおける前記回転中心から最も遠い外縁上の位置を１００％の位置とした場合、１００％の位置よりも内側の位置を内縁とする円環状の領域である、ウェーハの片面研磨方法。
前記研磨工程は、前記ウェーハが前記研磨パッドの回転中心よりも外側に位置する状態で前記ウェーハを研磨し、
前記研磨パッド調整工程は、互いに圧縮率が異なる３つ以上の領域が径方向に並ぶように、前記ブラシを用いて円環状の領域を形成し、
前記圧縮率が異なる３つ以上の領域のうち内側から３番目の領域は、前記研磨パッドの前記回転中心を０％の位置、前記ウェーハにおける前記回転中心から最も遠い外縁上の位置を１００％の位置とした場合、１００％の位置よりも内側の位置を内縁とする円環状の領域である、ウェーハの片面研磨方法。
【請求項7】
請求項６に記載のウェーハの片面研磨方法において、
前記ウェーハの目標形状の指標は、ＧＢＩＲである、ウェーハの片面研磨方法。
前記ウェーハの目標形状の指標は、ＧＢＩＲである、ウェーハの片面研磨方法。
【請求項8】
請求項１に記載のウェーハの片面研磨方法において、
複数の前記片面研磨装置がそれぞれ備える前記研磨パッドの圧縮率分布を互いに異ならせるように、互いに異なる前記目標形状に基づく前記圧縮率分布演算工程および前記研磨パッド調整工程を、前記複数の片面研磨装置に対して行う研磨装置準備工程と、
研磨対象のウェーハを設定目標形状にすることができる前記片面研磨装置を、前記複数の片面研磨装置の中から選択する研磨装置選択工程と、を備え、
前記研磨工程は、前記研磨装置選択工程で選択された前記片面研磨装置を用いて、前記ウェーハを研磨する、ウェーハの片面研磨方法。
複数の前記片面研磨装置がそれぞれ備える前記研磨パッドの圧縮率分布を互いに異ならせるように、互いに異なる前記目標形状に基づく前記圧縮率分布演算工程および前記研磨パッド調整工程を、前記複数の片面研磨装置に対して行う研磨装置準備工程と、
研磨対象のウェーハを設定目標形状にすることができる前記片面研磨装置を、前記複数の片面研磨装置の中から選択する研磨装置選択工程と、を備え、
前記研磨工程は、前記研磨装置選択工程で選択された前記片面研磨装置を用いて、前記ウェーハを研磨する、ウェーハの片面研磨方法。
【請求項9】
ウェーハの製造方法であって、
前記ウェーハを仕上げ加工する仕上げ工程を備え、
前記仕上げ工程において、請求項１に記載のウェーハの片面研磨方法により、前記ウェーハを研磨する、ウェーハの製造方法。
前記ウェーハを仕上げ加工する仕上げ工程を備え、
前記仕上げ工程において、請求項１に記載のウェーハの片面研磨方法により、前記ウェーハを研磨する、ウェーハの製造方法。
【請求項10】
研磨ヘッドに保持されたウェーハを当該ウェーハよりも大きいスウェードタイプの研磨パッドに押し付けて、前記研磨ヘッドおよび前記研磨パッドを回転させることにより、前記ウェーハを研磨する片面研磨装置であって、
前記研磨パッドを調整する研磨パッド調整部と、
前記研磨ヘッドおよび前記研磨パッドを回転させる回転駆動部と、
制御装置と、を備え、
前記制御装置は、
研磨後の前記ウェーハの目標形状に応じた前記研磨パッドの径方向の圧縮率分布を求める圧縮率分布演算部と、
前記研磨パッド調整部を制御して、前記圧縮率分布を有するように前記研磨パッドを調整する研磨パッド調整制御部と、
前記回転駆動部を制御して、前記圧縮率分布を有する前記研磨パッドを用いて前記ウェーハを研磨する研磨制御部と、を備える、ウェーハの片面研磨装置。
前記研磨パッドを調整する研磨パッド調整部と、
前記研磨ヘッドおよび前記研磨パッドを回転させる回転駆動部と、
制御装置と、を備え、
前記制御装置は、
研磨後の前記ウェーハの目標形状に応じた前記研磨パッドの径方向の圧縮率分布を求める圧縮率分布演算部と、
前記研磨パッド調整部を制御して、前記圧縮率分布を有するように前記研磨パッドを調整する研磨パッド調整制御部と、
前記回転駆動部を制御して、前記圧縮率分布を有する前記研磨パッドを用いて前記ウェーハを研磨する研磨制御部と、を備える、ウェーハの片面研磨装置。
【請求項11】
請求項１０に記載のウェーハの片面研磨装置において、
前記研磨パッド調整部は、ブラシを備え、
前記研磨パッド調整制御部は、前記研磨パッド調整部を制御して、前記研磨パッドを回転させつつ前記ブラシを前記研磨パッドに押し付けることにより、他の領域とは異なる圧縮率の円環状の領域を形成する、ウェーハの片面研磨装置。
前記研磨パッド調整部は、ブラシを備え、
前記研磨パッド調整制御部は、前記研磨パッド調整部を制御して、前記研磨パッドを回転させつつ前記ブラシを前記研磨パッドに押し付けることにより、他の領域とは異なる圧縮率の円環状の領域を形成する、ウェーハの片面研磨装置。
【請求項12】
請求項１１に記載のウェーハの片面研磨装置において、
前記研磨パッド調整部は、前記ブラシの位置を調整する位置調整部を備え、
前記研磨パッド調整制御部は、前記位置調整部を制御して、前記圧縮率に応じた高さ位置に前記ブラシを位置させる、ウェーハの片面研磨装置。
前記研磨パッド調整部は、前記ブラシの位置を調整する位置調整部を備え、
前記研磨パッド調整制御部は、前記位置調整部を制御して、前記圧縮率に応じた高さ位置に前記ブラシを位置させる、ウェーハの片面研磨装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ウェーハの片面研磨方法、ウェーハの製造方法、およびウェーハの片面研磨装置に関する。
【背景技術】
【0002】
研磨パッドを用いてウェーハの片面を研磨するに際し、研磨パッドの表面の物性が取り代に影響を与えることが知られている。このような影響に対応するための技術として、表面粗さと圧縮率との比が特定の範囲の研磨パッドを使用して、研磨性能を向上させる技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。他の技術として、研磨パッドが配置された定盤の回転数と、定盤の半径方向へのコンディショニングヘッドの移動速度とを、コンディショニングヘッドの定盤の中心からの距離に応じて制御することにより、研磨パッド表面を均一にコンディショニングする技術が知られている（例えば、特許文献２参照）。さらに他の技術として、研磨布の表面の位置に応じて表面形状の修正量を変えることにより、ウェーハに作用する圧力の偏りを是正するように研磨布の表面形状を修正する技術が知られている（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００３－１４２４３７号公報
【特許文献2】特開２０１７－０６４８７４号公報
【特許文献3】特開２００２－１８７０５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、特にウェーハ周辺部のＥＳＦＱＲ（Edge Site flatness Front reference least sQuare Deviation）のような、ウェーハの形状の精度に対する要求が高くなるにつれて、特許文献１～３に記載の技術のように、研磨パッドの全体の圧縮率または表面形状を均一にするだけでは、所望の形状のウェーハを得ることが困難になってきている。
【0005】
本発明は、所望の形状のウェーハを得ることができるウェーハの片面研磨方法、ウェーハの製造方法、およびウェーハの片面研磨装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明のウェーハの片面研磨方法は、研磨ヘッドに保持されたウェーハを当該ウェーハよりも大きいスウェードタイプの研磨パッドに押し付けて、前記研磨ヘッドおよび前記研磨パッドを回転させることにより、前記ウェーハを研磨する片面研磨装置を用いるウェーハの片面研磨方法であって、研磨後の前記ウェーハの目標形状に応じた前記研磨パッドの径方向の圧縮率分布を求める圧縮率分布演算工程と、前記圧縮率分布を有するように前記研磨パッドを調整する研磨パッド調整工程と、前記圧縮率分布を有する前記研磨パッドを用いて前記ウェーハを研磨する研磨工程と、を備える。
【0007】
本発明のウェーハの片面研磨方法において、前記研磨パッド調整工程は、前記研磨パッドを回転させつつブラシを前記研磨パッドに押し付けることにより、他の領域とは異なる圧縮率の円環状の領域を前記研磨パッドに形成する、ことが好ましい。
【0008】
本発明のウェーハの片面研磨方法において、前記研磨パッド調整工程は、前記圧縮率分布を有する領域の厚さが実質的に等しくなるように、前記円環状の領域を形成する、ことが好ましい。
【0009】
本発明のウェーハの片面研磨方法において、前記研磨工程は、前記ウェーハが前記研磨パッドの回転中心よりも外側に位置する状態で前記ウェーハを研磨し、前記研磨パッド調整工程は、前記ブラシを用いて１つの円環状の領域を形成し、前記円環状の領域は、前記研磨パッドの前記回転中心を０％の位置、前記ウェーハにおける前記回転中心から最も遠い外縁上の位置を１００％の位置とした場合、９９％の位置よりも外側かつ１００％の位置よりも内側の位置を内縁とする領域であって、内側の領域よりも圧縮率が大きい領域である、ことが好ましい。
【0010】
本発明のウェーハの片面研磨方法において、前記ウェーハの目標形状の指標は、ＥＳＦＱＲである、ことが好ましい。
【0011】
本発明のウェーハの片面研磨方法において、前記研磨工程は、前記ウェーハが前記研磨パッドの回転中心よりも外側に位置する状態で前記ウェーハを研磨し、前記研磨パッド調整工程は、互いに圧縮率が異なる３つ以上の領域が径方向に並ぶように、前記ブラシを用いて円環状の領域を形成し、前記圧縮率が異なる３つ以上の領域のうち内側から３番目の領域は、前記研磨パッドの前記回転中心を０％の位置、前記ウェーハにおける前記回転中心から最も遠い外縁上の位置を１００％の位置とした場合、１００％の位置よりも内側の位置を内縁とする円環状の領域である、ことが好ましい。
【0012】
本発明のウェーハの片面研磨方法において、前記ウェーハの目標形状の指標は、ＧＢＩＲである、ことが好ましい。
【0013】
本発明のウェーハの片面研磨方法において、複数の前記片面研磨装置がそれぞれ備える前記研磨パッドの圧縮率分布を互いに異ならせるように、互いに異なる前記目標形状に基づく前記圧縮率分布演算工程および前記研磨パッド調整工程を、前記複数の片面研磨装置に対して行う研磨装置準備工程と、研磨対象のウェーハを設定目標形状にすることができる前記片面研磨装置を、前記複数の片面研磨装置の中から選択する研磨装置選択工程と、を備え、前記研磨工程は、前記研磨装置選択工程で選択された前記片面研磨装置を用いて、前記ウェーハを研磨する、ことが好ましい。
【0014】
本発明のウェーハの製造方法は、前記ウェーハを仕上げ加工する仕上げ工程を備え、前記仕上げ工程において、上述のウェーハの片面研磨方法により、前記ウェーハを研磨する。
【0015】
本発明のウェーハの片面研磨装置は、研磨ヘッドに保持されたウェーハを当該ウェーハよりも大きいスウェードタイプの研磨パッドに押し付けて、前記研磨ヘッドおよび前記研磨パッドを回転させることにより、前記ウェーハを研磨する片面研磨装置であって、前記研磨パッドを調整する研磨パッド調整部と、前記研磨ヘッドおよび前記研磨パッドを回転させる回転駆動部と、制御装置と、を備え、前記制御装置は、研磨後の前記ウェーハの目標形状に応じた前記研磨パッドの径方向の圧縮率分布を求める圧縮率分布演算部と、前記研磨パッド調整部を制御して、前記圧縮率分布を有するように前記研磨パッドを調整する研磨パッド調整制御部と、前記回転駆動部を制御して、前記圧縮率分布を有する前記研磨パッドを用いて前記ウェーハを研磨する研磨制御部と、を備える。
【0016】
本発明のウェーハの片面研磨装置において、前記研磨パッド調整部は、ブラシを備え、前記研磨パッド調整制御部は、前記研磨パッド調整部を制御して、前記研磨パッドを回転させつつ前記ブラシを前記研磨パッドに押し付けることにより、他の領域とは異なる圧縮率の円環状の領域を形成する、ことが好ましい。
【0017】
本発明のウェーハの片面研磨装置において、前記研磨パッド調整部は、前記ブラシの位置を調整する位置調整部を備え、前記研磨パッド調整制御部は、前記位置調整部を制御して、前記圧縮率に応じた高さ位置に前記ブラシを位置させる、ことが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【図1】第１実施形態および第２実施形態に係る片面研磨装置の概略構成を示す模式図である。
【図2】第１，第２実施形態に係る研磨パッドの調整方法を示す平面図である。
【図3】第１，第２実施形態に係る制御装置の概略構成を示すブロック図である。
【図4】第１，第２実施形態に係るウェーハの製造方法を示すフローチャートである。
【図5】第１実施形態に係る片面仕上げ工程を示すフローチャートである。
【図6】第１，第２実施形態に係る研磨パッドの圧縮率分布の一例を示す模式図である。
【図7】第２実施形態に係る片面仕上げ工程を示すフローチャートである。
【図8】実施例２に係る研磨パッドの圧縮率分布と研磨後のウェーハの形状との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0019】
［第１実施形態］
以下、本発明の第１実施形態について説明する。
以下、本発明の第１実施形態について説明する。
【0020】
＜片面研磨装置の構成＞
まず、添付図面を参照しながら、本発明の第１実施形態に係る片面研磨装置１について説明する。
図１に示す片面研磨装置１は、ウェーハＷの片面（被研磨面Ｗ１）を研磨する（以下、片面研磨装置１における研磨を「片面研磨」という場合がある）。片面研磨装置１は、研磨部２と、研磨パッド調整部４と、制御装置５と、を備える。
まず、添付図面を参照しながら、本発明の第１実施形態に係る片面研磨装置１について説明する。
図１に示す片面研磨装置１は、ウェーハＷの片面（被研磨面Ｗ１）を研磨する（以下、片面研磨装置１における研磨を「片面研磨」という場合がある）。片面研磨装置１は、研磨部２と、研磨パッド調整部４と、制御装置５と、を備える。
【0021】
研磨部２は、研磨ヘッド２１と、ヘッド保持部２２と、ヘッド昇降部２３と、回転駆動部としてのヘッド駆動部２４と、定盤２５と、研磨パッド２６と、回転駆動部としての定盤駆動部２７と、ウェーハ加圧力調整部２８と、研磨液供給部２９と、を備える。
なお、研磨部２が備える研磨ヘッド２１は１つでも良いが、本実施形態では研磨部２が複数の研磨ヘッド２１を備える構成を例示する。
なお、研磨部２が備える研磨ヘッド２１は１つでも良いが、本実施形態では研磨部２が複数の研磨ヘッド２１を備える構成を例示する。
【0022】
各研磨ヘッド２１は、円板状に形成されている。各研磨ヘッド２１は、水の表面張力等により、ウェーハＷの被研磨面Ｗ１（表面）とは反対側の面（裏面）を保持する。
【0023】
研磨ヘッド２１の下面には、当該下面全体を覆うようにバックパッド２１１が配置されている。バックパッド２１１は、例えば多孔質樹脂材により構成され、水等の液体を含むことができる。
【0024】
バックパッド２１１の下面の外周部には、リング状のリテーナリング２１２が配置されている。リテーナリング２１２は、当該リテーナリング２１２の内部に位置するウェーハＷの外周端部に接触し、バックパッド２１１と研磨パッド２６の隙間から外れないようにウェーハＷを保持する。
【0025】
各研磨ヘッド２１の上面中央には、円柱状のヘッド回転軸部材２１３が配置されている。
【0026】
ヘッド保持部２２は、各研磨ヘッド２１のヘッド回転軸部材２１３の上端側の部位を、当該ヘッド回転軸部材２１３がその軸周りに回転できるように保持する。ヘッド保持部２２は、複数の研磨ヘッド２１が所定の円の円周上に等間隔で並ぶように、ヘッド回転軸部材２１３を保持する。
【0027】
ヘッド昇降部２３は、ヘッド保持部２２を昇降させる。
【0028】
ヘッド駆動部２４は、ヘッド保持部２２の内部に配置されている。ヘッド駆動部２４は、例えばモータにより構成され、当該モータの回転軸に接続されたヘッド回転軸部材２１３を回転させる。
【0029】
定盤２５は、円板状に形成され、複数の研磨ヘッド２１の下方に配置されている。定盤２５の下面中央には、円柱状の定盤回転軸部材２５１が配置されている。
【0030】
研磨パッド２６は、定盤２５の上面に貼り付けられている。研磨パッド２６は、ウェーハＷよりも大きい円形状に形成され、複数の研磨ヘッド２１に保持されたウェーハＷを同時に研磨できるように構成されている。研磨パッド２６は、スウェードタイプの軟質の研磨パッドである。研磨パッド２６の圧縮率は、例えば２３％以上３６％以下である。研磨パッド２６は、ナップ（Ｎａｐ）層を備える。ウェーハＷの被研磨面Ｗ１が所定の力で研磨パッド２６のナップ層に押圧されることにより、ウェーハＷの研磨が行われる。
ここで、ナップ層とは、発泡により形成された多数の孔を有する層をいう。
ここで、ナップ層とは、発泡により形成された多数の孔を有する層をいう。
【0031】
定盤駆動部２７は、例えばモータにより構成され、当該モータの回転軸に接続された定盤回転軸部材２５１を、研磨ヘッド２１の回転方向と同じ方向または逆方向に回転させる。
【0032】
ウェーハ加圧力調整部２８は、固定加圧方式の装置であり、ウェーハＷを研磨パッド２６に押圧する圧力を調整する。固定加圧方式では、シリンダ加圧によって研磨ヘッド２１全体が押し下げられ、研磨ヘッド２１がバックパッド２１１を介してウェーハＷの上面に押し付けられることにより、ウェーハＷの被研磨面Ｗ１が研磨パッド２６に押し付けられる。
【0033】
研磨液供給部２９は、ノズル２９１により、研磨パッド２６にスラリー状の研磨液を供給する。この研磨液を用いて、ウェーハＷの被研磨面Ｗ１が研磨される。
【0034】
なお、研磨部３に、各研磨ヘッド２１を研磨パッド２６の研磨面に対して平行な方向に揺動させる揺動駆動部を設けても良い。例えば、揺動駆動部は、ヘッド昇降部２３を保持し、ウェーハＷの研磨中に当該ヘッド昇降部２３を一方向に沿って往復させる（例えば、図１における左右方向に往復させる）ことにより、各研磨ヘッド２１を当該研磨ヘッド２１の回転軸Ｄを中心に揺動させる。
このような揺動駆動部を用いて、研磨時に研磨ヘッド２１を揺動させることにより、後述する所定の調整領域により研磨されるウェーハＷ外周部の幅を調整することができ、所望の形状のウェーハＷを得ることができる。
このような揺動駆動部を用いて、研磨時に研磨ヘッド２１を揺動させることにより、後述する所定の調整領域により研磨されるウェーハＷ外周部の幅を調整することができ、所望の形状のウェーハＷを得ることができる。
【0035】
研磨パッド調整部４は、研磨パッド２６が径方向の圧縮率分布を有するように、研磨パッド２６を調整する。研磨パッド２６における調整された領域は、圧縮率が大きくなり、軟らかくなる。
研磨パッド調整部４は、ブラシ保持部４１と、ブラシ４２と、位置調整部４３と、上述した定盤２５および定盤駆動部２７と、を備える。
研磨パッド調整部４は、ブラシ保持部４１と、ブラシ４２と、位置調整部４３と、上述した定盤２５および定盤駆動部２７と、を備える。
【0036】
ブラシ保持部４１は、上下に延びる棒状のブラシ回動軸部材４１１を備える。ブラシ回動軸部材４１１の上端には、水平方向に延びる保持アーム４１２が配置されている。
【0037】
ブラシ４２は、保持アーム４１２の先端側の部位に配置されている。ブラシ４２は、円形状に束ねられた複数のナイロン製の毛により構成され、平面視で研磨パッド２６の表面よりも小さい形状に形成されている。
詳しくは後述するが、ブラシ４２が押し付けられた研磨パッド２６を回転させることにより、研磨パッド２６におけるブラシ４２との接触領域の圧縮率が高くなり、研磨パッド２６に圧縮率分布が形成される。
ブラシ４２としては、圧縮率分布の分解能を向上させる観点から、束ねられた毛により構成される円柱状の直径が５ｍｍ以下であることが好ましい。また、ブラシ４２の毛の長さは、ブラシ４２を研磨パッド２６に押し付けた際の毛の変形による圧縮率のばらつき抑制の観点から、０．５ｍｍ以上１５ｍｍ以下であることが好ましい。
詳しくは後述するが、ブラシ４２が押し付けられた研磨パッド２６を回転させることにより、研磨パッド２６におけるブラシ４２との接触領域の圧縮率が高くなり、研磨パッド２６に圧縮率分布が形成される。
ブラシ４２としては、圧縮率分布の分解能を向上させる観点から、束ねられた毛により構成される円柱状の直径が５ｍｍ以下であることが好ましい。また、ブラシ４２の毛の長さは、ブラシ４２を研磨パッド２６に押し付けた際の毛の変形による圧縮率のばらつき抑制の観点から、０．５ｍｍ以上１５ｍｍ以下であることが好ましい。
【0038】
位置調整部４３は、ブラシ４２の位置を調整する。位置調整部４３は、ブラシ回動軸部材４１１を昇降させることにより、ブラシ４２の高さ位置を調整する。位置調整部４３は、ブラシ回動軸部材４１１をその軸周りに回転させることにより、研磨パッド２６上におけるブラシ４２の水平方向の位置を調整する。
【0039】
ここで、研磨パッド調整部４を用いて、圧縮率分布を有するように研磨パッド２６を調整する方法について説明する。
位置調整部４３は、制御装置５の制御に基づいて、図２に示すように、保持アーム４１２を実線で示す位置に位置させた状態で、ブラシ４２を研磨パッド２６に押し付ける。次に、定盤駆動部２７は、制御装置５の制御に基づいて、定盤２５を回転させる。この定盤２５の回転に伴い、研磨パッド２６における二点鎖線で示される円環状の第１調整領域２６１が調整される。
また、保持アーム４１２を二点鎖線で示す位置に位置させた状態でブラシ４２を研磨パッド２６に押し付けて、定盤２５を回転させると、研磨パッド２６における二点鎖線で示す円環状の第５調整領域２６５が調整される。
さらに、研磨パッド２６におけるブラシ４２が押し付けられる位置を所定の位置に設定することにより、それぞれ二点鎖線で示す第２調整領域２６２、第３調整領域２６３および第４調整領域２６４が調整される。
位置調整部４３は、制御装置５の制御に基づいて、図２に示すように、保持アーム４１２を実線で示す位置に位置させた状態で、ブラシ４２を研磨パッド２６に押し付ける。次に、定盤駆動部２７は、制御装置５の制御に基づいて、定盤２５を回転させる。この定盤２５の回転に伴い、研磨パッド２６における二点鎖線で示される円環状の第１調整領域２６１が調整される。
また、保持アーム４１２を二点鎖線で示す位置に位置させた状態でブラシ４２を研磨パッド２６に押し付けて、定盤２５を回転させると、研磨パッド２６における二点鎖線で示す円環状の第５調整領域２６５が調整される。
さらに、研磨パッド２６におけるブラシ４２が押し付けられる位置を所定の位置に設定することにより、それぞれ二点鎖線で示す第２調整領域２６２、第３調整領域２６３および第４調整領域２６４が調整される。
【0040】
調整された領域（調整領域）の圧縮率は、調整されていない領域（未調整領域）の圧縮率、例えば第１調整領域２６１の内側に位置する未調整領域２６０の圧縮率よりも大きくなる。
また、調整領域の圧縮率は、ブラシ４２の研磨パッド２６に対する押し付け量が大きいほど（ブラシ４２の高さ位置が低いほど）大きくなる。
また、調整領域の圧縮率は、ブラシ４２の研磨パッド２６に対する押し付け量が同じ場合、調整時間が長くなるほど大きくなる。
また、未調整領域および各調整領域の厚さは、ブラシ４２の研磨パッド２６に対する押し付け量に関係なく実質的に等しくなる。
このように、研磨パッド調整部４は、互いに圧縮率が異なる領域が研磨パッド２６の径方向に並び、かつ圧縮率分布を有する領域の厚さが実質的に等しくなるように、円環状の調整領域を研磨パッド２６に形成することができる。つまり、圧縮率分布とは、圧縮率が異なる円環状の調整領域により形成された分布のことである。
また、調整領域の圧縮率は、ブラシ４２の研磨パッド２６に対する押し付け量が大きいほど（ブラシ４２の高さ位置が低いほど）大きくなる。
また、調整領域の圧縮率は、ブラシ４２の研磨パッド２６に対する押し付け量が同じ場合、調整時間が長くなるほど大きくなる。
また、未調整領域および各調整領域の厚さは、ブラシ４２の研磨パッド２６に対する押し付け量に関係なく実質的に等しくなる。
このように、研磨パッド調整部４は、互いに圧縮率が異なる領域が研磨パッド２６の径方向に並び、かつ圧縮率分布を有する領域の厚さが実質的に等しくなるように、円環状の調整領域を研磨パッド２６に形成することができる。つまり、圧縮率分布とは、圧縮率が異なる円環状の調整領域により形成された分布のことである。
【0041】
また、研磨パッド２６における圧縮率が高い領域ほど、研磨時の取り代が小さくなる。
したがって、例えば、外側の領域の圧縮率が内側の領域の圧縮率よりも高くなるように、研磨パッド２６に圧縮率分布を形成することにより、ウェーハＷにおける外側の領域の取り代を内側の領域の取り代よりも小さくすることができる。
したがって、例えば、外側の領域の圧縮率が内側の領域の圧縮率よりも高くなるように、研磨パッド２６に圧縮率分布を形成することにより、ウェーハＷにおける外側の領域の取り代を内側の領域の取り代よりも小さくすることができる。
【0042】
なお、図２には、圧縮率が互いに異なる円環状の調整領域が５つの場合を例示したが、１つ以上４つ以下であっても良いし、６つ以上であっても良い。
また、複数の調整領域の幅は、同じであっても良いし、異なっていても良い。
また、圧縮率分布は、外側の領域の圧縮率が内側の領域の圧縮率よりも大きくなるように形成されても良いし、外側の領域の圧縮率が内側の領域の圧縮率よりも小さくなるように形成されても良い。
また、ブラシ４２を水平方向に移動させながら、研磨パッド２６全体を調整しても良い。研磨パッド２６全体を調整する場合、平面視で研磨パッド２６と同じ大きさまたは研磨パッド２６より大きいブラシを用いても良い。また、平面視で大きさが異なる複数のブラシ４２を保持アーム４１２に取り付けておき、研磨パッド２６の調整領域の大きさに応じて、ブラシ４２を選択しても良い。
また、複数の調整領域の幅は、同じであっても良いし、異なっていても良い。
また、圧縮率分布は、外側の領域の圧縮率が内側の領域の圧縮率よりも大きくなるように形成されても良いし、外側の領域の圧縮率が内側の領域の圧縮率よりも小さくなるように形成されても良い。
また、ブラシ４２を水平方向に移動させながら、研磨パッド２６全体を調整しても良い。研磨パッド２６全体を調整する場合、平面視で研磨パッド２６と同じ大きさまたは研磨パッド２６より大きいブラシを用いても良い。また、平面視で大きさが異なる複数のブラシ４２を保持アーム４１２に取り付けておき、研磨パッド２６の調整領域の大きさに応じて、ブラシ４２を選択しても良い。
【0043】
制御装置５は、研磨部２および研磨パッド調整部４を制御する。図３に示すように、制御装置５は、入力部５１と、記憶部５２と、制御部５３と、を備える。
【0044】
入力部５１は、例えばタッチパネルまたは物理ボタンにより構成されている。入力部５１は、例えば作業者によるウェーハＷの研磨に関する各種設定の入力操作に用いられ、入力操作に対応する信号を制御部５３へ出力する。
入力される設定としては、ウェーハＷにおける被研磨面Ｗ１の目標形状（以下、「ウェーハＷの目標形状」と言う場合がある）を例示することができる。
なお、入力部５１は、制御装置５に接続された外部ネットワークから、ウェーハＷの研磨に関する各種設定情報を取得しても良い。
入力される設定としては、ウェーハＷにおける被研磨面Ｗ１の目標形状（以下、「ウェーハＷの目標形状」と言う場合がある）を例示することができる。
なお、入力部５１は、制御装置５に接続された外部ネットワークから、ウェーハＷの研磨に関する各種設定情報を取得しても良い。
【0045】
ここで、ウェーハＷの目標形状を表す指標としては、ＥＳＦＱＲ、ＺＤＤ（Z-height Double Differentiation）およびＧＢＩＲ（Global flatness Back reference Ideal Range）を例示することができる。
【0046】
ＥＳＦＱＲは、ウェーハＷの外周部（エッジ）でのサイトフラットネスを示す指標である。ＧＢＩＲは、ウェーハＷのグローバルフラットネスを示す指標である。ＥＳＦＱＲおよびＧＢＩＲは、平坦度測定装置（例えば、ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製：Ｗａｆｅｒ ｓｉｇｈｔ ２）により測定される。
【0047】
ＥＳＦＱＲは、ウェーハＷの外周部を多数（例えば７２個）の扇形の領域（サイト）に分割し、サイト内でのデータを最小二乗法にて算出したサイト内平面を基準とし、このサイト内平面からの変位量のことであり、各サイトは１つのデータを持つ。
【0048】
ＺＤＤは、ウェーハＷの外周部近傍の傾きの変化（曲率）を表す指標である。ＺＤＤは、ウェーハＷの中心から最外周までのウェーハＷ表面の変位プロファイルを、二次微分することにより得られる。
ＺＤＤが正の値の場合は、はねる方向に表面が変位していることを示し、反対に負の値の場合はダレ方向に表面が変位していることを示す。ＺＤＤの値が０に近いほど、ウェーハＷの外周部近傍の傾きがない（平坦である）ことを示す。
ＺＤＤが正の値の場合は、はねる方向に表面が変位していることを示し、反対に負の値の場合はダレ方向に表面が変位していることを示す。ＺＤＤの値が０に近いほど、ウェーハＷの外周部近傍の傾きがない（平坦である）ことを示す。
【0049】
記憶部５２は、例えばウェーハＷの研磨に関する各種情報を制御部５３で読み取り可能に記憶する。ウェーハＷの研磨に関する情報としては、研磨パッド２６の圧縮率分布の演算に用いられる第１相関情報と、研磨パッド２６の調整条件の演算に用いられる第２相関情報と、を例示することができる。
なお、第１相関情報および第２相関情報を、例えば片面研磨装置１から離れた場所に設置されたサーバ装置に格納しても良い。この場合、サーバ装置に格納された情報を、複数の片面研磨装置１で利用できるようにしても良い。
なお、第１相関情報および第２相関情報を、例えば片面研磨装置１から離れた場所に設置されたサーバ装置に格納しても良い。この場合、サーバ装置に格納された情報を、複数の片面研磨装置１で利用できるようにしても良い。
【0050】
第１相関情報は、予め設定された研磨条件（例えばウェーハＷを研磨パッド２６に押圧する圧力または研磨時間）における、研磨パッド２６の径方向の圧縮率分布と、片面研磨後におけるウェーハＷの形状と、の相関を表す。
ここで、片面研磨前におけるウェーハＷの形状が常に同じであれば、第１相関情報は、上述した構成で良い。しかし、片面研磨前におけるウェーハＷの形状が異なることがある場合、第１相関情報として、研磨パッド２６の径方向の圧縮率分布と、片面研磨前後におけるウェーハＷの形状と、の相関関係を表す情報を適用しても良い。
また、研磨条件が常に同じであれば、第１相関情報は、上述した構成で良い。しかし、研磨条件が異なることがある場合、第１相関情報として、研磨条件と、研磨パッド２６の径方向の圧縮率分布と、片面研磨前後（または片面研磨後）におけるウェーハＷの形状と、の相関関係を表す情報を適用しても良い。
ここで、片面研磨前におけるウェーハＷの形状が常に同じであれば、第１相関情報は、上述した構成で良い。しかし、片面研磨前におけるウェーハＷの形状が異なることがある場合、第１相関情報として、研磨パッド２６の径方向の圧縮率分布と、片面研磨前後におけるウェーハＷの形状と、の相関関係を表す情報を適用しても良い。
また、研磨条件が常に同じであれば、第１相関情報は、上述した構成で良い。しかし、研磨条件が異なることがある場合、第１相関情報として、研磨条件と、研磨パッド２６の径方向の圧縮率分布と、片面研磨前後（または片面研磨後）におけるウェーハＷの形状と、の相関関係を表す情報を適用しても良い。
【0051】
第２相関情報は、研磨パッド２６の径方向の圧縮率分布と、研磨パッド２６の調整条件と、の相関を表す。第２相関情報に含まれる調整条件としては、ブラシ４２の研磨パッド２６に対する押し付け位置、押し付け量および調整時間を例示することができる。
なお、調整条件に、ブラシ４２の大きさまたは毛の硬さがさらに含まれていても良い。
なお、調整条件に、ブラシ４２の大きさまたは毛の硬さがさらに含まれていても良い。
【0052】
なお、上述の第１相関情報および第２相関情報は、テーブル構造を有する情報であっても良いし、関数で表される情報であっても良い。
【0053】
制御部５３は、ＣＰＵを備え、記憶部５２に格納されたプログラムをＣＰＵが実行することにより各種機能を実現する。制御部５３は、情報取得部５３１と、圧縮率分布演算部５３２と、研磨パッド調整条件演算部５３３と、研磨パッド調整制御部５３４と、研磨制御部５３５と、を備える。
【0054】
情報取得部５３１は、記憶部５２から第１相関情報および第２相関情報を取得する。
情報取得部５３１は、例えば、入力部５１を用いて設定されたウェーハＷの目標形状を表す目標形状情報を取得する。
情報取得部５３１は、例えば、入力部５１を用いて設定されたウェーハＷの目標形状を表す目標形状情報を取得する。
【0055】
圧縮率分布演算部５３２は、情報取得部５３１で取得された目標形状情報および第１相関情報に基づいて、片面研磨後のウェーハＷの目標形状に応じた研磨パッド２６の径方向の圧縮率分布を求める。
【0056】
なお、片面研磨前におけるウェーハＷの形状が異なることがある場合、圧縮率分布演算部５３２は、片面研磨前におけるウェーハＷの形状も含む第１相関情報に基づいて、研磨パッド２６の径方向の圧縮率分布を求めても良い。この場合、情報取得部５３１は、片面研磨前の形状を表す情報を入力部５１から取得しても良いし、形状の測定装置から取得しても良い。
また、研磨条件が異なることがある場合、圧縮率分布演算部５３２は、研磨条件も含む第１相関情報に基づいて、研磨パッド２６の径方向の圧縮率分布を求めても良い。この場合、情報取得部５３１は、研磨条件を表す情報を入力部５１から取得しても良い。
また、研磨条件が異なることがある場合、圧縮率分布演算部５３２は、研磨条件も含む第１相関情報に基づいて、研磨パッド２６の径方向の圧縮率分布を求めても良い。この場合、情報取得部５３１は、研磨条件を表す情報を入力部５１から取得しても良い。
【0057】
研磨パッド調整条件演算部５３３は、情報取得部５３１で取得された第２相関情報に基づいて、研磨パッド２６の圧縮率分布を、圧縮率分布演算部５３２で求められた圧縮率分布にするための調整条件を求める。
【0058】
研磨パッド調整制御部５３４は、研磨パッド調整条件演算部５３３で求められた調整条件に基づき研磨パッド２６を調整するように、研磨パッド調整部４を制御する。
【0059】
研磨制御部５３５は、研磨部２を制御して、研磨ヘッド２１および研磨パッド２６を回転させることにより、ウェーハＷの被研磨面Ｗ１を研磨する。
【0060】
＜ウェーハの製造方法＞
次に、片面研磨装置１を用いるウェーハＷの片面研磨方法を含むウェーハＷの製造方法について説明する。
図４に示すように、ウェーハＷの製造方法は、引き上げ工程（ステップＳ１）と、ブロック加工工程（ステップＳ２）と、スライス工程（ステップＳ３）と、前処理工程（ステップＳ４）と、両面同時研磨工程（ステップＳ５）と、仕上げ工程としての片面仕上げ工程（ステップＳ６）と、洗浄工程（ステップＳ７）と、ウェーハ最終検査工程（ステップＳ８）と、を備える。
次に、片面研磨装置１を用いるウェーハＷの片面研磨方法を含むウェーハＷの製造方法について説明する。
図４に示すように、ウェーハＷの製造方法は、引き上げ工程（ステップＳ１）と、ブロック加工工程（ステップＳ２）と、スライス工程（ステップＳ３）と、前処理工程（ステップＳ４）と、両面同時研磨工程（ステップＳ５）と、仕上げ工程としての片面仕上げ工程（ステップＳ６）と、洗浄工程（ステップＳ７）と、ウェーハ最終検査工程（ステップＳ８）と、を備える。
【0061】
ステップＳ１の引き上げ工程では、チョクラルスキー法を用いて、シリコン融液から円柱状のシリコン単結晶を引き上げる。
【0062】
ステップＳ２のブロック加工工程では、単結晶インゴットの外周研削を行い、結晶方位に応じてノッチ加工を行う。そして、例えばバンドソーにより、単結晶インゴットを複数のブロックに切断する。
【0063】
ステップＳ３のスライス工程では、内周刃切断機やワイヤーソーにより、ブロックが例えば厚さ１ｍｍ程度の複数のウェーハＷにスライスされる。
【0064】
ステップＳ４の前処理工程では、面取り加工を行うとともに、ウェーハＷ両面が平行になるように、例えばアルミナ研磨材等で粗研磨（ラッピング）を行う。そして、必要に応じてエッチング等を施した後、ウェーハＷ表面の凹凸をなくす平坦化加工を行う。
【0065】
ステップＳ５の両面同時研磨工程では、前処理が行われたウェーハＷに対して平坦度を高くする鏡面仕上げを行う。例えばコロイダルシリカ液等を用いて両面研磨（ポリッシング）を行い、平坦度をさらに高くし、所定平坦度のウェーハＷを得る。
【0066】
ステップＳ６の片面仕上げ工程は、本発明のウェーハＷの片面研磨方法を含む。片面仕上げ工程では、片面研磨装置１を用いて、両面同時研磨工程で得られたウェーハＷの被研磨面Ｗ１を研磨する。
片面仕上げ工程により研磨加工を施すことで、ウェーハＷの被研磨面Ｗ１の傷およびダメージを除去すると同時に、被研磨面Ｗ１の表面粗さを整えることができる。
片面仕上げ工程の詳細については後述する。
片面仕上げ工程により研磨加工を施すことで、ウェーハＷの被研磨面Ｗ１の傷およびダメージを除去すると同時に、被研磨面Ｗ１の表面粗さを整えることができる。
片面仕上げ工程の詳細については後述する。
【0067】
ステップＳ７の洗浄工程では、例えばアルカリ性溶液等により、片面仕上げ工程で得られたウェーハＷを洗浄する。
【0068】
ステップＳ８のウェーハ最終検査工程では、ウェーハ表面検査装置等を用いて、ウェーハＷ上に存在する表面パーティクルまたは傷等を検査する。品質上必要な検査が行われた後、合格品は、梱包され、出荷される。
【0069】
次に、ステップＳ６の片面仕上げ工程の詳細について説明する。
図５に示すように、片面仕上げ工程は、相関情報取得工程（ステップＳ６１）と、目標形状情報取得工程（ステップＳ６２）と、圧縮率分布演算工程（ステップＳ６３）と、研磨パッド調整条件演算工程（ステップＳ６４）と、研磨パッド調整工程（ステップＳ６５）と、ウェーハセット工程（ステップＳ６６）と、研磨工程（ステップＳ６７）と、ウェーハ取り出し工程（ステップＳ６８）と、を備える。
図５に示すように、片面仕上げ工程は、相関情報取得工程（ステップＳ６１）と、目標形状情報取得工程（ステップＳ６２）と、圧縮率分布演算工程（ステップＳ６３）と、研磨パッド調整条件演算工程（ステップＳ６４）と、研磨パッド調整工程（ステップＳ６５）と、ウェーハセット工程（ステップＳ６６）と、研磨工程（ステップＳ６７）と、ウェーハ取り出し工程（ステップＳ６８）と、を備える。
【0070】
ステップＳ６１の相関情報取得工程では、制御部５３の情報取得部５３１は、記憶部５２から第１相関情報および第２相関情報を取得する。
【0071】
ステップＳ６２の目標形状情報取得工程では、情報取得部５３１は、作業者による入力部５１の入力操作に基づく目標形状情報を取得する。例えば、情報取得部５３１は、ＥＳＦＱＲ、ＺＤＤまたはＧＢＩＲを表す情報を目標形状情報として取得する。なお、情報取得部５３１は、入力部５１を介して外部ネットワークから目標形状情報を取得しても良い。
【0072】
ステップＳ６３の圧縮率分布演算工程では、圧縮率分布演算部５３２は、相関情報取得工程で取得された第１相関情報と、目標形状取得工程で取得された目標形状情報とに基づいて、片面研磨後のウェーハＷの形状を目標形状にするための研磨パッド２６の圧縮率分布を求める。
【0073】
ここで、目標形状情報が表す指標がＥＳＦＱＲまたはＺＤＤの場合、ステップＳ６５の工程により形成される互い異なる圧縮率を有する複数の領域は、２つの領域から構成され、図６に示すように、調整されていない円形状の１つの未調整領域２６Ａと、未調整領域２６Ａを囲む円環状に調整された１つの調整領域２６Ｂと、を含むことが好ましい。
一方、目標形状情報が表す指標がＥＳＦＱＲの場合、調整領域２６Ｂは、研磨パッド２６の回転中心Ｃを０％の位置、ウェーハＷにおける研磨パッド２６の回転中心Ｃから最も遠い外縁上の位置を１００％の位置とした場合、９９％の位置よりも外側かつ１００％の位置よりも内側の位置を内縁とする円環状の領域であって、内側の未調整領域２６Ａよりも圧縮率が大きい領域であることが好ましい。
なお、目標形状情報が表す指標がＺＤＤの場合、調整領域２６Ｂは、ＥＳＦＱＲの場合と同じ位置に形成されても良いし、ＥＳＦＱＲの場合よりも内側または外側に形成されても良い。
調整領域２６Ｂの圧縮率および幅は、目標形状情報により表されるＥＳＦＱＲまたはＺＤＤの値に応じて異なる。
一方、目標形状情報が表す指標がＥＳＦＱＲの場合、調整領域２６Ｂは、研磨パッド２６の回転中心Ｃを０％の位置、ウェーハＷにおける研磨パッド２６の回転中心Ｃから最も遠い外縁上の位置を１００％の位置とした場合、９９％の位置よりも外側かつ１００％の位置よりも内側の位置を内縁とする円環状の領域であって、内側の未調整領域２６Ａよりも圧縮率が大きい領域であることが好ましい。
なお、目標形状情報が表す指標がＺＤＤの場合、調整領域２６Ｂは、ＥＳＦＱＲの場合と同じ位置に形成されても良いし、ＥＳＦＱＲの場合よりも内側または外側に形成されても良い。
調整領域２６Ｂの圧縮率および幅は、目標形状情報により表されるＥＳＦＱＲまたはＺＤＤの値に応じて異なる。
【0074】
ここで、研磨部２が揺動駆動部を備える場合における上記１００％の位置について具体的に説明すると、研磨部２が１つの研磨ヘッド２１を備える場合、揺動幅の中心に研磨ヘッド２１が配置されている場合のウェーハＷにおける、研磨パッド２６の回転中心Ｃから最も遠い外縁上の位置が、１００％の位置となる。
また、研磨部２が複数の研磨ヘッド２１を備える場合、揺動幅の中心に各研磨ヘッド２１が配置されている場合のウェーハＷにおける、研磨パッド２６の回転中心Ｃから最も遠い外縁上の位置が、１００％の位置となる。別の表現を用いると、複数の研磨ヘッド２１の中心が研磨パッド２６の中心から等距離にある場合のウェーハＷにおける、研磨パッド２６の回転中心Ｃから最も遠い外縁上の位置が、１００％の位置となる。
また、研磨部２が複数の研磨ヘッド２１を備える場合、揺動幅の中心に各研磨ヘッド２１が配置されている場合のウェーハＷにおける、研磨パッド２６の回転中心Ｃから最も遠い外縁上の位置が、１００％の位置となる。別の表現を用いると、複数の研磨ヘッド２１の中心が研磨パッド２６の中心から等距離にある場合のウェーハＷにおける、研磨パッド２６の回転中心Ｃから最も遠い外縁上の位置が、１００％の位置となる。
【0075】
このような圧縮率分布の研磨パッド２６を用いる研磨により、未調整領域２６Ａで研磨されるウェーハＷ外周部を除く領域の取り代を、ほぼ同じにすることができる一方で、調整領域２６Ｂで研磨されるウェーハＷ外周部の取り代を、その内側の領域よりも小さくすることができる。特に、調整領域２６Ｂを９９％の位置よりも外側かつ１００％の位置よりも内側の位置を内縁とする円環状の領域にして、研磨パッド２６におけるウェーハＷ外周部に接触する領域のみを調整することにより、ウェーハＷ全体の形状に影響を与えることなく、ＥＳＦＱＲまたはＺＤＤ等の外周部形状を制御することができる。
なお、調整領域２６Ｂの外縁の位置は、特に限定されないが、図６では、１２０％の位置である場合を示している。
なお、調整領域２６Ｂの外縁の位置は、特に限定されないが、図６では、１２０％の位置である場合を示している。
【0076】
また、目標形状情報が表す指標がＧＢＩＲの場合、ステップＳ６５の工程により形成される互い異なる圧縮率を有する複数の領域は、３つ以上の領域を含み、内側から３番目の領域は、研磨パッド２６の回転中心Ｃを０％の位置、ウェーハＷにおける研磨パッド２６の回転中心Ｃから最も遠い外縁上の位置を１００％の位置とした場合、１００％の位置よりも内側の位置を内縁とする円環状の領域であることが好ましい。例えば中心が０％の位置であり外縁が２５％の位置の円形状の未調整領域、内縁が２５％の位置であり外縁が５５％の位置の円環状の第１調整領域、および内縁が５５％の位置であり外縁が１２０％の位置の円環状の第２調整領域の圧縮率が、互いに異なることが好ましい。
各調整領域２６Ｂの圧縮率および幅は、目標形状情報により表されるＧＢＩＲの値に応じて異なる。
各調整領域２６Ｂの圧縮率および幅は、目標形状情報により表されるＧＢＩＲの値に応じて異なる。
【0077】
このような圧縮率分布の研磨パッド２６を用いる研磨により、径方向の各領域で研磨されるウェーハＷの取り代を、外側の領域に向かうにしたがって段階的に小さくすることができ、ウェーハＷの形状を細かく制御することができる。
【0078】
なお、中心が０％の位置であり外縁が２５％の位置の円形状の領域を、調整領域にしても良い。
また、内縁が２５％の位置であり外縁が５５％の位置の円環状の領域を、未調整領域にしても良い。この場合、ウェーハＷの中心部の取り代を小さくすることもできる。
上述のように研磨パッド２６の圧縮率分布を変更することにより、ウェーハＷの取り代の分布をウェーハＷ面内で変化させることができる。また、ウェーハＷの研磨前形状にあわせて圧縮率分布を選択することにより、より平坦なウェーハＷを製造することができる。
また、内縁が２５％の位置であり外縁が５５％の位置の円環状の領域を、未調整領域にしても良い。この場合、ウェーハＷの中心部の取り代を小さくすることもできる。
上述のように研磨パッド２６の圧縮率分布を変更することにより、ウェーハＷの取り代の分布をウェーハＷ面内で変化させることができる。また、ウェーハＷの研磨前形状にあわせて圧縮率分布を選択することにより、より平坦なウェーハＷを製造することができる。
【0079】
ステップＳ６４の研磨パッド調整条件演算工程では、研磨パッド調整条件演算部５３３は、相関情報取得工程で取得された第２相関情報に基づいて、研磨パッド２６の圧縮率分布を、圧縮率分布演算工程で求められた圧縮率分布にするための調整条件を求める。
【0080】
ステップＳ６５の研磨パッド調整工程では、研磨パッド調整制御部５３４は、研磨パッド調整条件演算工程で求められた調整条件に基づき、研磨パッド調整部４の位置調整部４３および定盤駆動部２７を制御して、研磨パッド２６を調整する。
この研磨パッド調整工程により、ウェーハＷの形状を目標形状にすることができる研磨パッド２６が得られる。
この研磨パッド調整工程により、ウェーハＷの形状を目標形状にすることができる研磨パッド２６が得られる。
【0081】
ステップＳ６６のウェーハセット工程では、両面同時研磨工程で得られたウェーハＷを片面研磨装置１にセットする。
【0082】
ステップＳ６７の研磨工程では、研磨制御部５３５は、予め設定された研磨条件に基づき、研磨部２のヘッド昇降部２３、ヘッド駆動部２４、定盤駆動部２７、ウェーハ加圧力調整部２８および研磨液供給部２９を制御して、研磨パッド調整工程で調整された研磨パッド２６を用いてウェーハＷを研磨する。
この研磨工程により、目標形状のウェーハＷが得られる。
この研磨工程により、目標形状のウェーハＷが得られる。
【0083】
ステップＳ６８のウェーハ取り出し工程では、片面研磨装置１からウェーハＷが取り出される。取り出されたウェーハＷは、ステップＳ７の洗浄工程で洗浄される。
【0084】
＜第１実施形態の効果＞
第１実施形態によれば、片面研磨装置１は、研磨後のウェーハＷを目標形状にすることができる研磨パッド２６の径方向の圧縮率分布を求める圧縮率分布演算工程と、求められた圧縮率分布を有するように研磨パッド２６を調整する研磨パッド調整工程と、調整された研磨パッド２６を用いてウェーハＷを研磨する研磨工程と、を備える。
このように、研磨パッド２６の径方向の圧縮率分布をウェーハＷの目標形状に合わせて調整することにより、当該研磨パッド２６を用いた研磨により所望の形状のウェーハＷを得ることができる。
第１実施形態によれば、片面研磨装置１は、研磨後のウェーハＷを目標形状にすることができる研磨パッド２６の径方向の圧縮率分布を求める圧縮率分布演算工程と、求められた圧縮率分布を有するように研磨パッド２６を調整する研磨パッド調整工程と、調整された研磨パッド２６を用いてウェーハＷを研磨する研磨工程と、を備える。
このように、研磨パッド２６の径方向の圧縮率分布をウェーハＷの目標形状に合わせて調整することにより、当該研磨パッド２６を用いた研磨により所望の形状のウェーハＷを得ることができる。
【0085】
研磨パッド２６として、スウェードタイプの研磨バッドを用いている。
このため、研磨パッド２６に圧縮率分布を容易に形成することができる。
このため、研磨パッド２６に圧縮率分布を容易に形成することができる。
【0086】
研磨パッド２６に圧縮率分布を形成する方法として、スウェードタイプの研磨パッド２６を回転させつつ、ブラシ４２を研磨パッド２６に押し付けることにより、他の領域とは異なる圧縮率の円環状の領域を形成する方法を用いている。
このため、ブラシ４２を用いて研磨パッド２６を回転させるだけの簡単な方法で、研磨パッド２６に圧縮率分布を形成することができる。
特に、砥石のように研磨パッド２６を削る構成ではなく、毛が変形するブラシ４２を用いてスウェードタイプの研磨パッド２６を調整することにより、研磨パッド２６の厚さを実質的に変化させることなく圧縮率を微調整することができる。また、砥石を用いて研磨パッド２６を調整する場合、砥石成分が研磨パッド２６に付着することによるＬＰＤ（Light Point Defect）の悪化が発生するおそれがあるが、ブラシ４２を用いることにより、ＬＰＤの悪化を抑制することができる。
このため、ブラシ４２を用いて研磨パッド２６を回転させるだけの簡単な方法で、研磨パッド２６に圧縮率分布を形成することができる。
特に、砥石のように研磨パッド２６を削る構成ではなく、毛が変形するブラシ４２を用いてスウェードタイプの研磨パッド２６を調整することにより、研磨パッド２６の厚さを実質的に変化させることなく圧縮率を微調整することができる。また、砥石を用いて研磨パッド２６を調整する場合、砥石成分が研磨パッド２６に付着することによるＬＰＤ（Light Point Defect）の悪化が発生するおそれがあるが、ブラシ４２を用いることにより、ＬＰＤの悪化を抑制することができる。
【0087】
ウェーハＷの目標形状を表す指標としてＥＳＦＱＲが設定された場合、研磨パッド調整部４は、研磨パッド調整制御部５３４の制御に基づいて、互いに圧縮率が異なる円形状の未調整領域２６Ａと円環状の調整領域２６Ｂとを含むように、円環状の領域を研磨パッド２６に形成することが好ましい。この場合、調整領域２６Ｂは、９９％の位置よりも外側かつ１００％の位置よりも内側の位置を内縁とする円環状に、未調整領域２６Ａよりも圧縮率が大きくなるように形成される。
このような構成により、ウェーハＷ外周部の形状をより高精度に制御することができる。
このような構成により、ウェーハＷ外周部の形状をより高精度に制御することができる。
【0088】
ウェーハＷの目標形状を表す指標としてＧＢＩＲが設定された場合、研磨パッド調整部４は、研磨パッド調整制御部５３４の制御に基づいて、互いに圧縮率が異なる３つ以上の領域が径方向に並ぶように、円環状の領域を研磨パッド２６に形成することが好ましい。
このような構成により、ウェーハＷ全体の形状をより高精度に制御することができる。
このような構成により、ウェーハＷ全体の形状をより高精度に制御することができる。
【0089】
研磨パッド調整部４は、研磨パッド調整制御部５３４の制御に基づいて、圧縮率に応じた高さ位置にブラシ４２を位置させる。
このため、ブラシ４２の高さ位置を調整するだけの簡単な方法で、研磨パッド２６の圧縮率を高精度に制御することかできる。その結果、ウェーハＷの形状をより高精度に制御することができる。
このため、ブラシ４２の高さ位置を調整するだけの簡単な方法で、研磨パッド２６の圧縮率を高精度に制御することかできる。その結果、ウェーハＷの形状をより高精度に制御することができる。
【0090】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
第２実施形態では、複数の片面研磨装置１を用いて、ウェーハＷの被研磨面Ｗ１を互い異なる形状に研磨する構成について説明する。
なお、第２実施形態で用いる片面研磨装置１の構成は、第１実施形態の片面研磨装置１と同じであるため、ウェーハＷの片面研磨方法を含むウェーハＷの製造方法について説明する。また、ウェーハＷの製造方法の説明において、第１実施形態と同じ工程については、同一名称および同一符号を付し、説明を簡略にする。
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
第２実施形態では、複数の片面研磨装置１を用いて、ウェーハＷの被研磨面Ｗ１を互い異なる形状に研磨する構成について説明する。
なお、第２実施形態で用いる片面研磨装置１の構成は、第１実施形態の片面研磨装置１と同じであるため、ウェーハＷの片面研磨方法を含むウェーハＷの製造方法について説明する。また、ウェーハＷの製造方法の説明において、第１実施形態と同じ工程については、同一名称および同一符号を付し、説明を簡略にする。
【0091】
図４に示すように、第２実施形態のウェーハＷの製造方法は、仕上げ工程としての片面仕上げ工程（ステップＳ９）のみが第１実施形態の製造方法と異なる。
【0092】
図７に示すように、第２実施形態の片面仕上げ工程は、研磨装置準備工程（ステップＳ９１）と、研磨装置選択工程（ステップＳ９２）と、ウェーハセット工程（ステップＳ９３）と、研磨工程（ステップＳ６７）と、ウェーハ取り出し工程（ステップＳ６８）と、を備える。
【0093】
ステップＳ９１の研磨装置準備工程では、複数の片面研磨装置１がそれぞれ備える研磨パッド２６の圧縮率分布を互いに異ならせるように、互いに異なる目標形状に基づく相関情報取得工程（ステップＳ６１）、目標形状情報取得工程（ステップＳ６２）、圧縮率分布演算工程（ステップＳ６３）、研磨パッド調整条件演算工程（ステップＳ６４）および研磨パッド調整工程（ステップＳ６５）を、複数の片面研磨装置１に対して行う。
この研磨装置準備工程により、例えば、３台の片面研磨装置１を用いる場合、互いに異なる３つの目標形状に基づく各工程を行うことにより、互いに圧縮率分布が異なる研磨パッド２６を有する３台の片面研磨装置１を準備することができる。
この研磨装置準備工程により、例えば、３台の片面研磨装置１を用いる場合、互いに異なる３つの目標形状に基づく各工程を行うことにより、互いに圧縮率分布が異なる研磨パッド２６を有する３台の片面研磨装置１を準備することができる。
【0094】
なお、第１相関情報および第２相関情報を、各片面研磨装置１の記憶部５２に格納せずに、サーバ装置に格納し、各片面研磨装置１の情報取得部５３１がサーバ装置から第１相関情報および第２相関情報を取得するようにしても良い。
また、各片面研磨装置１の情報取得部５３１は、各片面研磨装置１の入力部５１から目標形状情報を取得しても良い。
また、複数の片面研磨装置１を一括管理する管理装置に作業者が目標形状を設定入力し、当該設定入力に対応する目標形状情報を情報取得部５３１が取得するようにしても良い。
また、各片面研磨装置１の情報取得部５３１は、各片面研磨装置１の入力部５１から目標形状情報を取得しても良い。
また、複数の片面研磨装置１を一括管理する管理装置に作業者が目標形状を設定入力し、当該設定入力に対応する目標形状情報を情報取得部５３１が取得するようにしても良い。
【0095】
ステップＳ９２の研磨装置選択工程では、研磨対象のウェーハＷを設定目標形状にするための片面研磨装置１を、複数の片面研磨装置１の中から選択する。
片面研磨装置１の選択は、管理装置に作業者が設定目標形状を設定入力し、当該設定入力に対応する情報に基づいて、管理装置が行っても良い。
また、片面研磨装置１の選択は、作業者の判断により片面研磨装置１の選択が行われても良い。
片面研磨装置１の選択は、管理装置に作業者が設定目標形状を設定入力し、当該設定入力に対応する情報に基づいて、管理装置が行っても良い。
また、片面研磨装置１の選択は、作業者の判断により片面研磨装置１の選択が行われても良い。
【0096】
ステップＳ９３のウェーハセット工程では、両面同時研磨工程で得られたウェーハＷを、研磨装置選択工程で選択された片面研磨装置１にセットする。
【0097】
ステップＳ６７の研磨工程およびステップＳ６８のウェーハ取り出し工程は、研磨装置選択工程で選択された片面研磨装置１において行われる。
【0098】
＜第２実施形態の効果＞
第２実施形態によれば、複数の片面研磨装置１がそれぞれ有する研磨パッド２６の径方向の圧縮率分布を互いに異なるように調整し、設定目標形状に応じて選択された片面研磨装置１を用いてウェーハＷを研磨する。
このため、互いに異なる所望の形状のウェーハＷを同時に得ることができる。
第２実施形態によれば、複数の片面研磨装置１がそれぞれ有する研磨パッド２６の径方向の圧縮率分布を互いに異なるように調整し、設定目標形状に応じて選択された片面研磨装置１を用いてウェーハＷを研磨する。
このため、互いに異なる所望の形状のウェーハＷを同時に得ることができる。
【0099】
［変形例］
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の種々の改良並びに設計の変更等があっても本発明に含まれる。
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の種々の改良並びに設計の変更等があっても本発明に含まれる。
【0100】
例えば、研磨パッド２６に他の領域とは異なる圧縮率の円環状の領域を形成する方法として、ブラシ４２を固定して研磨パッド２６を回転させる方法を例示したが、研磨パッド２６を回転させずに、または研磨パッド２６を回転させつつ、円を描くようにブラシ４２を移動させても良い。
【0101】
研磨パッド２６に対するブラシ４２の押し付け量を調整する方法として、研磨パッド２６の高さ位置を固定してブラシ４２の高さ位置を調整する方法を例示したが、ブラシ４２の高さ位置を固定して、または高さ位置を変更させつつ、研磨パッド２６の高さ位置を変更させても良い。
【実施例0102】
次に、本発明の実施例について説明する。なお、本発明は実施例に限定されるもので
はない。
はない。
【0103】
［実施例１：研磨パッドの調整時間と調整後の研磨パッドの性状との関係］
まず、第１実施形態の片面研磨装置１を準備した。また、以下の特性を有するスウェードタイプの複数の研磨パッド２６を準備した。
研磨パッド２６の厚さ：０．９４ｍｍ
研磨パッド２６の圧縮率：２６．６％
まず、第１実施形態の片面研磨装置１を準備した。また、以下の特性を有するスウェードタイプの複数の研磨パッド２６を準備した。
研磨パッド２６の厚さ：０．９４ｍｍ
研磨パッド２６の圧縮率：２６．６％
【0104】
片面研磨装置１に、上記研磨パッド２６と、ナイロン製の毛の長さが５ｍｍのブラシ４２とを取り付けた。
図６に示す調整領域２６Ｂを調整するように、ブラシ４２の水平方向の位置を調整した。このときの調整領域２６Ｂの内縁の位置は、９９．７％の位置であり、外縁の位置は１２０％の位置である。
また、研磨パッド２６に対するブラシ４２の押し付け量が０．５ｍｍになるように、ブラシ４２の高さ位置を調整した。ブラシ４２の押し付け量は、毛が曲がっていない状態で毛の先端が研磨パッド２６に接している状態が０ｍｍである。
図６に示す調整領域２６Ｂを調整するように、ブラシ４２の水平方向の位置を調整した。このときの調整領域２６Ｂの内縁の位置は、９９．７％の位置であり、外縁の位置は１２０％の位置である。
また、研磨パッド２６に対するブラシ４２の押し付け量が０．５ｍｍになるように、ブラシ４２の高さ位置を調整した。ブラシ４２の押し付け量は、毛が曲がっていない状態で毛の先端が研磨パッド２６に接している状態が０ｍｍである。
【0105】
そして、定盤２５を回転させて３０秒間の調整を行い、実施例１－１の研磨パッド２６を得た。
また、片面研磨装置１の研磨パッド２６を、全体が調整されていない研磨パッド２６に交換した後、調整時間を６０秒にしたこと以外は実施例１－１の研磨パッド２６と同じ条件で、研磨パッド２６の調整を行い、実施例１－２の研磨パッド２６を得た。
また、片面研磨装置１の研磨パッド２６を、全体が調整されていない研磨パッド２６に交換した後、調整時間を６０秒にしたこと以外は実施例１－１の研磨パッド２６と同じ条件で、研磨パッド２６の調整を行い、実施例１－２の研磨パッド２６を得た。
【0106】
実施例１－１，１－２の研磨パッド２６における外周部（調整領域）の厚さおよび圧縮率を測定した。その結果を表１に示す。
なお、比較例１の研磨パッド２６は、全体が調整されていない研磨パッド２６である。
なお、比較例１の研磨パッド２６は、全体が調整されていない研磨パッド２６である。
【0107】
【表1】
【0108】
表１に示すように、研磨パッド２６の外周部が調整されているか否か、または調整時間の長さに関係なく、研磨パッド２６の外周部の厚さがほとんど同じである一方で、調整時間が長くなるほど、研磨パッド２６の圧縮率が大きくなることが確認できた。
このことから、調整時間の長さを調整することにより、研磨パッド２６全体の厚さを変えることなく圧縮率を調整できることが確認できた。
このことから、調整時間の長さを調整することにより、研磨パッド２６全体の厚さを変えることなく圧縮率を調整できることが確認できた。
【0109】
［実施例２：研磨パッドの圧縮率分布と研磨後のウェーハの形状との関係］
まず、直径が３００ｍｍの複数のウェーハＷであって、被研磨面Ｗ１が同じ形状を有する複数のウェーハＷを準備した。また、比較例１の研磨パッド２６（全体の圧縮率が２６．６％で均一の研磨パッド２６）を片面研磨装置１に取り付けた。そして、予め設定された研磨条件でウェーハＷを研磨して、比較例２のウェーハＷを得た。
また、実施例１－１の研磨パッド２６（中心から９９．７％の位置までの領域の圧縮率が２６．６％、９９．７％の位置から１２０％の位置までの領域の圧縮率が２７．３％の研磨パッド２６）を用いたこと以外は比較例２のウェーハＷと同じ条件で別のウェーハＷを研磨して、実施例２－１のウェーハＷを得た。
同様に、実施例１－２の研磨パッド２６（中心から９９．７％の位置までの領域の圧縮率が２６．６％、９９．７％の位置から１２０％の位置までの圧縮率が２７．８％の研磨パッド２６）を用いたこと以外は比較例２のウェーハＷと同じ条件で、さらに別のウェーハＷを研磨して、実施例２－２のウェーハＷを得た。
まず、直径が３００ｍｍの複数のウェーハＷであって、被研磨面Ｗ１が同じ形状を有する複数のウェーハＷを準備した。また、比較例１の研磨パッド２６（全体の圧縮率が２６．６％で均一の研磨パッド２６）を片面研磨装置１に取り付けた。そして、予め設定された研磨条件でウェーハＷを研磨して、比較例２のウェーハＷを得た。
また、実施例１－１の研磨パッド２６（中心から９９．７％の位置までの領域の圧縮率が２６．６％、９９．７％の位置から１２０％の位置までの領域の圧縮率が２７．３％の研磨パッド２６）を用いたこと以外は比較例２のウェーハＷと同じ条件で別のウェーハＷを研磨して、実施例２－１のウェーハＷを得た。
同様に、実施例１－２の研磨パッド２６（中心から９９．７％の位置までの領域の圧縮率が２６．６％、９９．７％の位置から１２０％の位置までの圧縮率が２７．８％の研磨パッド２６）を用いたこと以外は比較例２のウェーハＷと同じ条件で、さらに別のウェーハＷを研磨して、実施例２－２のウェーハＷを得た。
【0110】
そして、比較例２および実施例２－１，２－２のウェーハＷの研磨取り代形状を測定した。その測定結果を、図８に示す。
なお、図８に示されるグラフにおける横軸は、ウェーハＷ中心からの距離を表し、縦軸は、研磨前後のウェーハＷ厚さの差分プロファイルを算出し、その差分プロファイルにおいて、サイト内で最小二乗法により求められた基準面からの変位量を示す。
なお、図８に示されるグラフにおける横軸は、ウェーハＷ中心からの距離を表し、縦軸は、研磨前後のウェーハＷ厚さの差分プロファイルを算出し、その差分プロファイルにおいて、サイト内で最小二乗法により求められた基準面からの変位量を示す。
【0111】
図８に示すように、実施例２－２のウェーハＷ外周部の取り代が最も少なく、比較例２のウェーハＷ外周部の取り代が最も多いことが確認できた。換言すると、実施例２－２のウェーハＷ外周部の平坦度が最も高く、比較例２のウェーハＷ外周部の平坦度が最も低いことが確認できた。
【0112】
また、ＥＳＦＱＲ＿ｍａｘ＿１ｍｍおよび被研磨面Ｗ１のＺＤＤを測定した。その測定結果を表２に示す。
なお、ＥＳＦＱＲ＿ｍａｘ＿１ｍｍとは、各サイトの外縁から１ｍｍの範囲を除く領域を測定対象とした場合における各サイトの変位量のうち、最も大きい変位量を表す。
なお、ＥＳＦＱＲ＿ｍａｘ＿１ｍｍとは、各サイトの外縁から１ｍｍの範囲を除く領域を測定対象とした場合における各サイトの変位量のうち、最も大きい変位量を表す。
【0113】
【表2】
【0114】
表２に示すように、実施例２－２のＥＳＦＱＲ＿ｍａｘ＿１ｍｍおよびＺＤＤの絶対値が最も小さく、比較例２のＥＳＦＱＲ＿ｍａｘ＿１ｍｍおよびＺＤＤの絶対値が最も大きくなることが確認できた。
【0115】
図８および表２に示す結果から、研磨パッド２６外周部の圧縮率を、その内側の領域と比べて大きくするほど、外周部の取り代が小さくなり、被研磨面Ｗ１の平坦度が高くなることが確認できた。
【0116】
［実施例３：研磨パッドに対するブラシの押し付け量と調整後の研磨パッドの性状との関係］
まず、以下の特性を有するスウェードタイプの複数の研磨パッド２６を準備した。
研磨パッド２６の厚さ：０．９３ｍｍ
研磨パッド２６の圧縮率：２４．７％
まず、以下の特性を有するスウェードタイプの複数の研磨パッド２６を準備した。
研磨パッド２６の厚さ：０．９３ｍｍ
研磨パッド２６の圧縮率：２４．７％
【0117】
片面研磨装置１に、上記研磨パッド２６と、ナイロン製の毛の長さが５ｍｍのブラシ４２とを取り付けた。実施例１と同じ位置および形状の調整領域２６Ｂを調整するように、ブラシ４２の水平方向の位置を調整した。また、研磨パッド２６に対するブラシ４２の押し付け量が０．５ｍｍになるように、ブラシ４２の高さ位置を調整した。
【0118】
そして、定盤２５を回転させて３０秒間の調整を行い、実施例３－１の研磨パッド２６を得た。
また、片面研磨装置１の研磨パッド２６を、全体が調整されていない研磨パッド２６に交換した後、押し付け量を０．８ｍｍにしたこと以外は実施例３－１の研磨パッド２６と同じ条件で調整を行い、実施例３－２の研磨パッド２６を得た。
さらに、片面研磨装置１の研磨パッド２６を、全体が調整されていない研磨パッド２６に交換した後、押し付け量を１．１ｍｍにしたこと以外は実施例３－１の研磨パッド２６と同じ条件で調整を行い、実施例３－３の研磨パッド２６を得た。
また、片面研磨装置１の研磨パッド２６を、全体が調整されていない研磨パッド２６に交換した後、押し付け量を０．８ｍｍにしたこと以外は実施例３－１の研磨パッド２６と同じ条件で調整を行い、実施例３－２の研磨パッド２６を得た。
さらに、片面研磨装置１の研磨パッド２６を、全体が調整されていない研磨パッド２６に交換した後、押し付け量を１．１ｍｍにしたこと以外は実施例３－１の研磨パッド２６と同じ条件で調整を行い、実施例３－３の研磨パッド２６を得た。
【0119】
実施例３－１，３－２，３－３の研磨パッド２６における外周部（調整領域）の厚さおよび圧縮率を測定した。その結果を表３に示す。
なお、比較例３の研磨パッド２６は、全体が調整されていない研磨パッド２６である。
なお、比較例３の研磨パッド２６は、全体が調整されていない研磨パッド２６である。
【0120】
【表3】
【0121】
表３に示すように、研磨パッド２６の外周部が調整されているか否か、またはブラシ４２の押し付け量の大きさに関係なく、研磨パッド２６の外周部の厚さがほとんど同じである一方で、押し付け量が大きくなるほど、研磨パッド２６の圧縮率が大きくなることが確認できた。
このことから、研磨パッド２６に対するブラシ４２の押し付け量を調整することにより、研磨パッド２６全体の厚さを変えることなく圧縮率を調整できることが確認できた。
また、実施例１の結果を考慮に入れると、研磨パッド２６に対するブラシ４２の押し付け量に加えて、調整時間の長さを調整することにより、研磨パッド２６全体厚さを変えることなく、圧縮率をより細かく調整できることが確認できた。
このことから、研磨パッド２６に対するブラシ４２の押し付け量を調整することにより、研磨パッド２６全体の厚さを変えることなく圧縮率を調整できることが確認できた。
また、実施例１の結果を考慮に入れると、研磨パッド２６に対するブラシ４２の押し付け量に加えて、調整時間の長さを調整することにより、研磨パッド２６全体厚さを変えることなく、圧縮率をより細かく調整できることが確認できた。
【0122】
［実施例４：研磨パッドに対するブラシの押し付け量と研磨後のウェーハの形状との関係］
まず、直径が３００ｍｍの複数のウェーハＷであって、被研磨面Ｗ１が同じ形状を有する複数のウェーハＷを準備した。また、比較例３の研磨パッド２６（全体の圧縮率が２４．７％で均一の研磨パッド２６）を片面研磨装置１に取り付けた。
そして、実施例２と同じ研磨条件でウェーハＷを研磨して、比較例４のウェーハＷを得た。
また、実施例３－１の研磨パッド２６（中心から９９．７％の位置までの領域の圧縮率が２４．７％、９９．７％の位置から１２０％の位置までの圧縮率が２６．５％の研磨パッド２６）を用いたこと以外は比較例４のウェーハＷと同じ条件で、別のウェーハＷを研磨して、実施例４－１のウェーハＷを得た。
同様に、実施例３－２の研磨パッド２６（中心から９９．７％の位置までの領域の圧縮率が２４．７％、９９．７％の位置から１２０％の位置までの領域の圧縮率が２６．８％の研磨パッド２６）を用いたこと以外は比較例４のウェーハＷと同じ条件で、さらに別のウェーハＷを研磨して、実施例４－２のウェーハＷを得た。
また、実施例３－３の研磨パッド２６（中心から９９．７％の位置までの領域の圧縮率が２４．７％、９９．７％の位置から１２０％の位置までの領域の圧縮率が２７．２％の研磨パッド２６）を用いたこと以外は比較例４のウェーハＷと同じ条件で、さらに別のウェーハＷを研磨して、実施例４－３のウェーハＷを得た。
まず、直径が３００ｍｍの複数のウェーハＷであって、被研磨面Ｗ１が同じ形状を有する複数のウェーハＷを準備した。また、比較例３の研磨パッド２６（全体の圧縮率が２４．７％で均一の研磨パッド２６）を片面研磨装置１に取り付けた。
そして、実施例２と同じ研磨条件でウェーハＷを研磨して、比較例４のウェーハＷを得た。
また、実施例３－１の研磨パッド２６（中心から９９．７％の位置までの領域の圧縮率が２４．７％、９９．７％の位置から１２０％の位置までの圧縮率が２６．５％の研磨パッド２６）を用いたこと以外は比較例４のウェーハＷと同じ条件で、別のウェーハＷを研磨して、実施例４－１のウェーハＷを得た。
同様に、実施例３－２の研磨パッド２６（中心から９９．７％の位置までの領域の圧縮率が２４．７％、９９．７％の位置から１２０％の位置までの領域の圧縮率が２６．８％の研磨パッド２６）を用いたこと以外は比較例４のウェーハＷと同じ条件で、さらに別のウェーハＷを研磨して、実施例４－２のウェーハＷを得た。
また、実施例３－３の研磨パッド２６（中心から９９．７％の位置までの領域の圧縮率が２４．７％、９９．７％の位置から１２０％の位置までの領域の圧縮率が２７．２％の研磨パッド２６）を用いたこと以外は比較例４のウェーハＷと同じ条件で、さらに別のウェーハＷを研磨して、実施例４－３のウェーハＷを得た。
【0123】
そして、比較例４および実施例３－１，３－２，３－３のウェーハＷにおけるＥＳＦＱＲ＿ｍａｘ＿１ｍｍおよび被研磨面Ｗ１のＺＤＤを測定した。その測定結果を表４に示す。
【0124】
【表4】
【0125】
表４に示すように、ＥＳＦＱＲ＿ｍａｘ＿１ｍｍおよびＺＤＤの絶対値は、比較例４、実施例４－１、実施例４－２、実施例４－３の順に小さくなることが確認できた。
このことから、実施例２と同様に、研磨パッド２６外周部の圧縮率を、その内側の領域と比べて大きくするほど、外周部の取り代が小さくなり、被研磨面Ｗ１の平坦度が高くなることが確認できた。
このことから、実施例２と同様に、研磨パッド２６外周部の圧縮率を、その内側の領域と比べて大きくするほど、外周部の取り代が小さくなり、被研磨面Ｗ１の平坦度が高くなることが確認できた。
【符号の説明】
【0126】
１…片面研磨装置、４…研磨パッド調整部、５…制御装置、２１…研磨ヘッド、２４…ヘッド駆動部（回転駆動部）、２６…研磨パッド、２７…定盤駆動部（回転駆動部）、４２…ブラシ、４３…位置調整部、５３２…圧縮率分布演算部、５３３…研磨パッド調整条件演算部、５３４…研磨パッド調整制御部、５３５…研磨制御部、Ｗ…ウェーハ。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】