特開 2024-27761 真空処理装置及び真空処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024027761

(43)【公開日】2024-03-01

(54)【発明の名称】真空処理装置及び真空処理方法

(51)【国際特許分類】

   C23C 14/00 20060101AFI20240222BHJP

   C23C 14/56 20060101ALI20240222BHJP

【ＦＩ】

C23C14/00 B

C23C14/56 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022130843

(22)【出願日】2022-08-19

(71)【出願人】

【識別番号】000231464

【氏名又は名称】株式会社アルバック

(74)【代理人】

【識別番号】110003339

【氏名又は名称】弁理士法人南青山国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】木本 孝仁

(72)【発明者】

【氏名】佐藤 昌敏

【テーマコード（参考）】

4K029

【Ｆターム（参考）】

4K029AA02

4K029AA11

4K029AA25

4K029BA02

4K029CA01

4K029DA09

4K029DA10

4K029DB03

4K029DB18

4K029DB19

4K029DB21

4K029HA01

4K029JA10

4K029KA03

(57)【要約】

【課題】基材の損傷または基材の皺を抑制する。
【解決手段】真空処理装置は、巻出ローラと、巻取ローラと、主ローラと、成膜源と、除去機構とを具備する。巻出ローラは、成膜面と上記成膜面とは反対側の非成膜面とを有する基材を繰り出す。上記巻取ローラは、上記基材を巻き取る。上記主ローラは、上記基材が搬送される方向において、上記巻出ローラと上記巻取ローラとの間に設けられ、上記非成膜面に当接する外周面を有する。上記成膜源は、上記非成膜面に当接する上記主ローラの上記外周面に対向する。上記除去機構は、上記基材から露出された上記外周面に付着した上記成膜源からの成膜材料を除去する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

成膜面と前記成膜面とは反対側の非成膜面とを有する基材を繰り出す巻出ローラと、
前記基材を巻き取る巻取ローラと、
前記基材が搬送される方向において、前記巻出ローラと前記巻取ローラとの間に設けられ、前記非成膜面に当接する外周面を有する主ローラと、
前記非成膜面に当接する前記主ローラの前記外周面に対向する成膜源と、
前記基材から露出された前記外周面に付着した前記成膜源からの成膜材料を除去する除去機構と
を具備する真空処理装置。

【請求項2】

請求項１に記載された真空処理装置であって、
前記主ローラは、前記成膜源と前記除去機構との間に配置された
真空処理装置。

【請求項3】

請求項１または２に記載された真空処理装置であって、
前記除去機構は、前記外周面から飛遊する前記成膜材料を捕捉する捕捉機構を含む
真空処理装置。

【請求項4】

請求項１または２に記載された真空処理装置であって、
前記除去機構は、前記外周面に付着した前記成膜材料を加熱する加熱部または前記外周面に付着した前記成膜材料を研削する研削部を含む
真空処理装置。

【請求項5】

請求項４に記載された真空処理装置であって、
前記加熱部は、レーザ加熱またはランプ加熱によって前記成膜材料を加熱する
真空処理装置。

【請求項6】

成膜面と前記成膜面とは反対側の非成膜面とを有する基材を繰り出す巻出ローラと、前記基材を巻き取る巻取ローラと、前記基材が搬送される方向において、前記巻出ローラと前記巻取ローラとの間に設けられ、前記非成膜面に当接する外周面を有する主ローラと、前記非成膜面に当接する前記主ローラの前記外周面に対向する成膜源とを用いて前記成膜面に前記成膜源の成膜材料を成膜し、
前記基材から露出された前記外周面に付着した前記成膜材料を除去する
真空処理方法。

【請求項7】

請求項６に記載された真空処理方法であって、
前記主ローラが回転する１回転ごとに、前記外周面に付着した前記成膜材料を除去する
真空処理方法。

【請求項8】

請求項６または７に記載された真空処理方法であって、
前記外周面から飛遊する前記成膜材料を捕捉機構を用いて捕捉する
真空処理方法。

【請求項9】

請求項６または７に記載された真空処理方法であって、
前記外周面に付着した前記成膜材料を加熱または研削で除去する
真空処理方法。

【請求項10】

請求項９に記載された真空処理方法であって、
前記加熱をレーザ加熱またはランプ加熱によって行う
真空処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、真空処理装置及び真空処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

長尺状のフィルム（成膜用の基材）を減圧雰囲気で主ローラに巻回しながらフィルムに被膜を形成する、所謂ロール・トゥ・ロール方式の成膜装置がある。このような成膜装置では、成膜源と、主ローラに巻回されたフィルムとの間に、例えば、主ローラの両側部を覆うマスクを配置することがある（例えば、特許文献１参照）。マスクを用いることにより、フィルムの所定の部分に被膜が形成されることになる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００９－０１９２４６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、マスクは、主ローラまたはフィルムと接触しないように主ローラから所定の距離を隔てて配置される。マスクが主ローラから所定の距離を隔てて配置されると、マスクと主ローラとの間には必然的に空隙が形成される。このため、成膜源から放出された成膜材料がマスクと基材であるフィルムとの間に回り込む場合がある。このような回り込んだ成膜材料が主ローラ上に堆積すると、主ローラに巻回された基材が堆積膜によって損傷を受けたり、主ローラに巻回された基材に皺が発生したりする。

【0005】

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、基材の損傷または基材の皺を抑制する真空処理装置及び真空処理方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る真空処理装置は、巻出ローラと、巻取ローラと、主ローラと、成膜源と、除去機構とを具備する。
巻出ローラは、成膜面と上記成膜面とは反対側の非成膜面とを有する基材を繰り出す。
上記巻取ローラは、上記基材を巻き取る。
上記主ローラは、上記基材が搬送される方向において、上記巻出ローラと上記巻取ローラとの間に設けられ、上記非成膜面に当接する外周面を有する。
上記成膜源は、上記非成膜面に当接する上記主ローラの上記外周面に対向する。
上記除去機構は、上記基材から露出された上記外周面に付着した上記成膜源からの成膜材料を除去する。

【0007】

このような真空処理装置によれば、基材の損傷または基材の皺が抑制される。

【0008】

上記真空処理装置においては、上記主ローラは、上記成膜源と上記除去機構との間に配置されてもよい。

【0009】

このような真空処理装置によれば、基材の損傷または基材の皺が抑制される。

【0010】

上記真空処理装置においては、上記除去機構は、上記外周面から飛遊する上記成膜材料を捕捉する捕捉機構を含んでもよい。

【0011】

このような真空処理装置によれば、基材の損傷または基材の皺が抑制される。

【0012】

上記真空処理装置においては、上記除去機構は、上記外周面に付着した上記成膜材料を加熱する加熱部または上記外周面に付着した上記成膜材料を研削する研削部を含んでもよい。

【0013】

このような真空処理装置によれば、基材の損傷または基材の皺が抑制される。

【0014】

上記真空処理装置においては、上記加熱部は、レーザ加熱またはランプ加熱によって上記成膜材料を加熱してもよい。

【0015】

このような真空処理装置によれば、基材の損傷または基材の皺が抑制される。

【0016】

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る真空処理方法では、成膜面と上記成膜面とは反対側の非成膜面とを有する基材を繰り出す巻出ローラと、上記基材を巻き取る巻取ローラと、上記基材が搬送される方向において、上記巻出ローラと上記巻取ローラとの間に設けられ、上記非成膜面に当接する外周面を有する主ローラと、上記非成膜面に当接する上記主ローラの上記外周面に対向する成膜源とを用いて上記成膜面に上記成膜源の成膜材料を成膜し、
上記基材から露出された上記外周面に付着した上記成膜材料を除去する。

【0017】

このような真空処理方法によれば、基材の損傷または基材の皺が抑制される。

【0018】

上記真空処理方法においては、上記主ローラが回転する１回転ごとに、上記外周面に付着した上記成膜材料を除去してもよい。

【0019】

このような真空処理方法によれば、基材の損傷または基材の皺が抑制される。

【0020】

上記真空処理方法においては、上記外周面から飛遊する上記成膜材料を捕捉機構を用いて捕捉してもよい。

【0021】

このような真空処理方法によれば、基材の損傷または基材の皺が抑制される。

【0022】

上記真空処理方法においては、上記外周面に付着した上記成膜材料を加熱または研削で除去してもよい。

【0023】

このような真空処理方法によれば、基材の損傷または基材の皺が抑制される。

【0024】

上記真空処理方法においては、上記加熱をレーザ加熱またはランプ加熱によって行ってもよい。

【0025】

このような真空処理方法によれば、基材の損傷または基材の皺が抑制される。

【発明の効果】

【0026】

以上述べたように、本発明によれば、基材の損傷または基材の皺を抑制する真空処理装置及び真空処理方法が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0027】

【図1】本実施形態に係る真空処理装置の一例を示す模式図である。

【図2】図（ａ）は、図１に示す一点鎖線Ｃ１に沿って基材、被膜、マスク、及び主ローラを切断した場合の模式的断面、図（ｂ）は、図１に示す一点鎖線Ｃ２に沿って主ローラ及び余剰膜を切断した場合の模式的断面、図（ｃ）は、図１に示す一点鎖線Ｃ３に沿って主ローラを切断した場合の模式的断面、図（ｄ）は、図１に示す一点鎖線Ｃ４に沿って主ローラを切断した場合の模式的断面である。

【図3】図（ａ）は、除去機構の変形例を示す模式図である。図（ｂ）は、除去機構の別の変形例を示す模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0028】

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。各図面には、ＸＹＺ軸座標が導入される場合がある。また、同一の部材または同一の機能を有する部材には同一の符号を付す場合があり、その部材を説明した後には適宜説明を省略する場合がある。また、以下に示す数値は例示であり、この例に限らない。

【0029】

図１は、本実施形態に係る真空処理装置の一例を示す模式図である。図１に例示された真空処理装置１は、大気圧未満の減圧雰囲気の条件下で長尺状の基材９０に被膜を形成するロール・トゥ・ロール方式の真空処理装置である。また、真空処理装置１は、基材９０から露出された主ローラ４０に付着した余剰の被膜を除去することができる。図１では、主ローラ４０の中心軸４０ｃの方向がＹ軸方向とされ、成膜源２０から主ローラ４０に向かう方向がＺ軸方向とされる。Ｙ軸方向とＺ軸方向とに直交する方向がＸ軸方向とされる。

【0030】

真空処理装置１は、真空槽１０と、成膜源２０と、マスク３０と、主ローラ４０と、巻出ローラ４１と、巻取ローラ４２と、除去機構（除膜機構）５０と、排気機構７０とを具備する。主ローラ４０と巻出ローラ４１との間、または、主ローラ４０と巻取ローラ４２との間には、基材９０をガイドするガイドローラ（不図示）が設けられてもよい。真空処理装置１は、主ローラ４０、巻出ローラ４１、巻取ローラ４２、及びガイドローラのそれぞれを回転する回転駆動機構（不図示）を備える。また、真空処理装置１は、真空槽１０にガスを供給するガス供給機構を備えてもよい。

【0031】

基材９０は、真空槽１０内で巻出ローラ４１から主ローラ４０、主ローラ４０から巻取ローラ４２に所定の搬送速度で搬送される。例えば、基材９０は、巻出ローラ４１に巻かれ、巻出ローラ４１から主ローラ４０に繰り出される。巻出ローラ４１から主ローラ４０に繰り出された基材９０は、主ローラ４０によって巻回搬送され、巻取ローラ４２によって巻き取られる。主ローラ４０によって巻回搬送された基材９０には、成膜源２０から放出された成膜材料が堆積して、基材９０に被膜が形成される。

【0032】

真空槽１０は、密閉構造を有する。真空槽１０は、真空ポンプＰ１を有する排気機構７０によって、所定の減圧雰囲気に維持可能となる。真空処理装置１は、例えば、成膜室１１と、処理室１２とを有する。成膜室１１と処理室１２とは、仕切壁１３によって区分けされる。真空槽１０は、図１の例では、成膜源２０と、マスク３０と、主ローラ４０と、巻出ローラ４１と、巻取ローラ４２と、除去機構５０とを収容する。

【0033】

仕切壁１３には、主ローラ４０が仕切壁１３に接触せずに処理室１２から、主ローラ４０の一部が成膜室１１に入り込めるように開口１４が設けられている。また、仕切壁１３に開口１４が設けられることによって、主ローラ４０と仕切壁１３との間に隙間が形成される。主ローラ４０に巻回搬送された基材９０は、この隙間を通じて、処理室１２と成膜室１１との間を通過する。

【0034】

成膜源２０は、成膜室１１に設けられる。成膜源２０は、例えば、蒸発源を含む。成膜源２０は、主ローラ４０の外周面４０１に対向する。成膜源２０は、抵抗加熱式蒸発源、誘導加熱式蒸発源、または電子ビーム加熱式蒸発源等で構成される。成膜源２０からは、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属等の成膜材料が主ローラ４０に向けて蒸発する。成膜材料は、例えば、Ｌｉ、Ｎａ等のアルカリ金属、Ｍｇ、Ｃａ等のアルカリ土類金属等を含む。基材９０に形成される被膜の厚みは、２０μｍ以下である。この被膜がＬｉ膜の場合、この被膜は、例えば、リチウム電池の負極に適用される。

【0035】

成膜室１１は、排気機構７０に接続される。成膜室１１は、排気機構７０によって減圧状態を維持する。処理室１２は、開口１４を介して成膜室１１と連通する。成膜室１１が排気されると、開口１４を介して処理室１２が排気される。図１の例では、処理室１２には排気機構７０に接続されていない。これにより、成膜室１１が排気されると成膜室１１よりも処理室１２の方が高圧となる圧力差が生じる。この圧力差によって、成膜源２０からの蒸気流２１（成膜材料）が開口１４を通じて処理室１２に侵入することが抑制される。なお、必要に応じて、処理室１２を排気機構で排気してもよい。

【0036】

成膜源２０と、主ローラ４０との間には、マスク３０が設置される。マスク３０は、処理室１２から成膜室１１に突き出た主ローラ４０の外周面４０１に沿って配置される。マスク３０と主ローラ４０との間には、主ローラ４０によって巻回搬送された基材９０が通過する。基材９０とマスク３０との間は、例えば、１ｍｍ～１０ｍｍに設定される。

【0037】

主ローラ４０は、基材９０が搬送される方向（搬送されている基材９０に沿った方向）において、巻出ローラ４１と巻取ローラ４２との間に設けられる。主ローラ４０は、成膜源２０と除去機構５０との間に配置される。主ローラ４０の一部は、成膜室１１に配置され、残りの部分が処理室１２に配置される。主ローラ４０は、成膜源２０に対向する。主ローラ４０は、例えば、反時計回りに回転する。本実施形態では、主ローラ４０が回転する方向を回転方向Ｒとする。

【0038】

主ローラ４０は、ステンレス鋼、鉄、アルミニウム等の金属材料で筒状に構成される。主ローラ４０の内部には、例えば、温調機構（不図示）が設けられてもよい。主ローラ４０の中心軸４０ｃの方向の幅は、基材９０の幅よりも大きく設定される。主ローラ４０は、巻出ローラ４１によって巻き出された基材９０を巻回搬送し、被膜が形成された基材９０を巻取ローラ４２に向けて繰り出す。

【0039】

巻出ローラ４１は、処理室１２に設けられる。巻出ローラ４１には、基材９０が予め巻回される。巻出ローラ４１は、その中心軸周りに所定の回転速度で矢印方向に回転する。巻出ローラ４１は、基材９０を主ローラ４０に向けて繰り出す。

【0040】

巻取ローラ４２は、処理室１２に設けられる。巻取ローラ４２は、その中心軸周りに所定の回転速度で矢印方向に回転する。巻取ローラ４２は、主ローラ４０によって巻回搬送され、成膜材料が堆積した基材９０を巻き取る。

【0041】

基材９０は、成膜面９０１と、成膜面９０１とは反対側であって主ローラ４０の外周面４０１に当接する非成膜面（裏面）９０２とを有する。成膜面９０１は、成膜源２０に対向する。成膜面９０１には、成膜源２０から放出される蒸気流２１が堆積して、主ローラ４０上で基材９０の成膜面９０１に被膜が形成される。

【0042】

基材９０は、シート状且つ長尺状のフィルムである（厚み：５０μｍ以下）。基材９０は、可撓性を有する。例えば、基材９０は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、ＳＵＳ鋼等の帯状の金属箔、ＯＰＰ（延伸ポリプロピレン）樹脂、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）樹脂、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイト）樹脂、ＰＩ（ポリイミド）樹脂等の帯状のフィルムである。

【0043】

除去機構５０は、処理室１２に設けられる。除去機構５０は、加熱部５１と、捕捉機構５２とを含む。除去機構５０は、巻出ローラ４１と巻取ローラ４２との間に設けられる。また、除去機構５０は、主ローラ４０またはマスク３０を挟んで、成膜源２０とは反対側に設けられる。除去機構５０は、主ローラ４０に対向する。除去機構５０は、基材９０から露出された主ローラ４０の外周面４０１に付着した成膜材料を真空槽１０内で除去する。

【0044】

加熱部５１は、主ローラ４０の外周面４０１に付着した成膜材料を加熱する。例えば、加熱部５１は、レーザ光５１０を発する。すなわち、加熱部５１は、レーザ加熱によって外周面４０１に付着した成膜材料を加熱する。なお、加熱部５１は、真空槽１０の内部に限らず、真空槽１０の外部に設けられてもよい。この場合、加熱部５１から発せられるレーザ光は、真空槽１０に設けられた窓部材（不図示）を介して真空槽１０の内部に入射される。なお、加熱部５１は、複数設けられてもよい。また、レーザ光５１０は、中心軸４０ｃの方向に走査されてもよい。

【0045】

加熱部５１によって加熱され、外周面４０１から飛遊する成膜材料は、捕捉機構５２によって捕捉される。捕捉機構５２は、例えば、真空槽１０から交換可能な防着板５２０を含む。外周面４０１から飛遊する成膜材料が防着板５２０に付着することにより、該成膜材料が捕捉機構５２に捕捉される。処理室１２においては、巻出ローラ４１から主ローラ４０に繰り出された基材９０、または、主ローラ４０から巻取ローラ４２に巻き取られる基材９０への成膜材料の付着が防止される。

【0046】

真空処理装置１を用いて、基材９０の成膜面９０１に成膜源２０の成膜材料を成膜しながら、基材９０から露出された主ローラ４０の外周面４０１に付着した成膜材料を除去する動作について説明する。

【0047】

図２（ａ）には、図１に示す一点鎖線Ｃ１に沿って基材、被膜、マスク、及び主ローラを切断した場合の模式的断面が示されている。

【0048】

一点鎖線Ｃ１の位置においては、マスク３０は、主ローラ４０の一部（例えば、両端部分）を遮蔽し、残りの部分である基材９０を成膜源２０（図１）に向けて露出させる。これにより、蒸気流２１は、マスク３０によって遮蔽され、蒸気流２１が基材９０に優先的に堆積し、基材９０に被膜９１が形成される。

【0049】

ここで、マスク３０と基材９０との間には隙間８０が形成されている。このため、隙間８０を介して主ローラ４０に向けて蒸気流２１が流れ込み、マスク３０から露出された主ローラ４０の外周面４０１に成膜材料が付着する場合がある。マスク３０から露出された外周面４０１に堆積した成膜材料を余剰膜（堆積膜）９１０とする。

【0050】

図２（ｂ）には、図１に示す一点鎖線Ｃ２に沿って主ローラ及び余剰膜を切断した場合の模式的断面が示されている。

【0051】

一点鎖線Ｃ２の位置では、基材９０と被膜９１とが巻取ローラ４２によって巻き取られ、基材９０と被膜９１とが主ローラ４０から離れる。これにより、主ローラ４０の外周面４１０には、余剰膜９１０が残存する。

【0052】

このような状態を放置すると、主ローラ４０が一点鎖線Ｃ２の位置から１周した後には、余剰膜９１０の上にさらに成膜材料が堆積して余剰膜９１０の厚みが増すことになる。そして、この作用が繰り返されると、主ローラ４０の外周面４１０には、厚い余剰膜９１０が形成されることになる。

【0053】

主ローラ４０の外周面４１０に厚い余剰膜９１０が形成された状態のまま、主ローラ４０が基材９０を巻回搬送すると、主ローラ４０に巻回された基材９０が余剰膜９１０に乗り上げ、基材９０に段差が形成されて基材９０が損傷を受けたり、あるいは、主ローラ４０で巻回搬送される基材９０に皺が発生したりする。

【0054】

図２（ｃ）には、図１に示す一点鎖線Ｃ３に沿って主ローラを切断した場合の模式的断面が示されている。

【0055】

本実施形態では、除去機構５０によって、余剰膜９１０を除去する。例えば、一点鎖線Ｃ３の位置では、主ローラ４０の外周面４１０に形成された余剰膜９１０に加熱部５１からのレーザ光５１０が照射される。これにより、余剰膜９１０が加熱されて、余剰膜９１０が蒸気流２２となって主ローラ４０から離れていく。そして、外周面４０１から飛遊する蒸気流２２は、捕捉機構５２（図１）によって捕捉される。これにより、余剰膜９１０は、主ローラ４０から除去される。

【0056】

図２（ｄ）には、図１に示す一点鎖線Ｃ４に沿って主ローラを切断した場合の模式的断面が示されている。一点鎖線Ｃ４の位置では、外周面４０１に付着した余剰膜９１０が主ローラ４０から除去されている。この後、余剰膜９１０が除去された主ローラ４０によって基材９０が巻回搬送され、図２（ａ）から図２（ｄ）に示す動作が繰り返される。

【0057】

なお、余剰膜９１０への加熱処理は、主ローラ４０が回転する１回転ごとに実行してもよく、主ローラ４０が回転する数周回に１回の割合で実行してもよい。

【0058】

このような真空処理方法によれば、主ローラ４０の外周面４１０に余剰膜９１０が形成されることなく、余剰膜９１０が除去された主ローラ４０によって基材９０が巻回搬送されて基材９０に被膜９１が形成されることになる。この結果、主ローラ４０に巻回された基材９０が余剰膜９１０によって損傷を受けたり、主ローラ４０で巻回搬送される基材９０に皺が発生したりすることが回避される。

【0059】

図３（ａ）は、除去機構の変形例を示す模式図である。

【0060】

図３（ａ）に示す除去機構５０は、赤外線ランプによる加熱部５３と、捕捉機構５２とを有する。主ローラ４０の外周面４１０に堆積した余剰膜９１０は、レーザ加熱に限らず、ランプ加熱によって行ってもよい。また、加熱部５３は、赤外線ランプ自らによって加熱されるため、加熱部５２に成膜材料が堆積することはない。

【0061】

図３（ｂ）は、除去機構の別の変形例を示す模式図である。

【0062】

図３（ｂ）では、除去機構として主ローラ４０の外周面４０１に付着した成膜材料を研削する研削部５４が例示される。主ローラ４０の外周面４１０に堆積した余剰膜９１０は、レーザ加熱、ランプ加熱に限らず、研削によって除去してもよい。研削部５４は、主ローラ４０に損傷を与えないように、例えば、樹脂材で構成される。

【0063】

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。各実施形態は、独立の形態とは限らず、技術的に可能な限り複合することができる。

【符号の説明】

【0064】

１…真空処理装置
１０…真空槽
１１…成膜室
１２…処理室
１３…仕切壁
１４…開口
２０…成膜源
２１…蒸気流
３０…マスク
４０…主ローラ
４０ｃ…中心軸
４１…巻出ローラ
４２…巻取ローラ
５０…除去機構
５１、５３…加熱部
５２…捕捉機構
５４…研削部
７０…排気機構
８０…隙間
９０…基材
４０１…外周面
５１０…レーザ光
５２０…防着板
９０１…成膜面
９０２…非成膜面
９１０…余剰膜

【図1】

【図2】

【図3】