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特開2024-29257磁気テープ、磁気テープカートリッジおよび磁気テープ装置
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024029257
(43)【公開日】2024-03-05
(54)【発明の名称】磁気テープ、磁気テープカートリッジおよび磁気テープ装置
(51)【国際特許分類】
G11B 5/70 20060101AFI20240227BHJP
G11B 5/78 20060101ALI20240227BHJP
G11B 5/73 20060101ALI20240227BHJP
G11B 5/708 20060101ALI20240227BHJP
G11B 5/738 20060101ALI20240227BHJP
G11B 5/735 20060101ALI20240227BHJP
G11B 23/037 20060101ALI20240227BHJP
G11B 23/027 20060101ALI20240227BHJP
G11B 5/84 20060101ALI20240227BHJP
G11B 21/10 20060101ALI20240227BHJP
G11B 5/596 20060101ALI20240227BHJP
G11B 15/43 20060101ALN20240227BHJP
【ＦＩ】
G11B5/70
G11B5/78
G11B5/73
G11B5/708
G11B5/738
G11B5/735
G11B23/037
G11B23/027
G11B5/84 C
G11B21/10 A
G11B5/596
G11B15/43
【審査請求】有
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024006552
(22)【出願日】2024-01-19
(62)【分割の表示】P 2023041354の分割
【原出願日】2020-01-31
(71)【出願人】
【識別番号】306037311
【氏名又は名称】富士フイルム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000109
【氏名又は名称】弁理士法人特許事務所サイクス
(72)【発明者】
【氏名】黒川 拓都
(72)【発明者】
【氏名】佐野 直樹
(72)【発明者】
【氏名】笠田 成人
(57)【要約】
【課題】磁気テープの長手方向にかかるテンションを調整することによって磁気テープの幅方向の寸法を制御して記録および／または再生を行う際の走行安定性に優れる磁気テープの提供。
【解決手段】磁性層の表面においてｎ－ヘキサン洗浄後に求められるスペーシングＳ０．１とスペーシングＳ１．６との差分（Ｓ０．１－Ｓ１．６）は３２ｎｍ以下である磁気テープ。Ｓ０．１は磁性層の表面においてｎ－ヘキサン洗浄後に複数の異なる圧力の押圧下でそれぞれ光干渉法によってスペーシング測定を行い得られた圧力とスペーシングとの関係式から０．１ａｔｍの押圧下でのスペーシングとして求められた値、Ｓ１．６は磁性層の表面においてｎ－ヘキサン洗浄後に１．６ａｔｍの押圧下で光干渉法によって測定されたスペーシングである。この磁気テープを含む磁気テープカートリッジおよび磁気テープ装置。
【選択図】なし
【解決手段】磁性層の表面においてｎ－ヘキサン洗浄後に求められるスペーシングＳ０．１とスペーシングＳ１．６との差分（Ｓ０．１－Ｓ１．６）は３２ｎｍ以下である磁気テープ。Ｓ０．１は磁性層の表面においてｎ－ヘキサン洗浄後に複数の異なる圧力の押圧下でそれぞれ光干渉法によってスペーシング測定を行い得られた圧力とスペーシングとの関係式から０．１ａｔｍの押圧下でのスペーシングとして求められた値、Ｓ１．６は磁性層の表面においてｎ－ヘキサン洗浄後に１．６ａｔｍの押圧下で光干渉法によって測定されたスペーシングである。この磁気テープを含む磁気テープカートリッジおよび磁気テープ装置。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
非磁性支持体と、強磁性粉末を含む磁性層と、を有し、
前記非磁性支持体は、ポリエチレンテレフタレートおよびポリエチレンナフタレートからなる群から選択される１種以上を含み、
前記磁性層の表面においてｎ－ヘキサン洗浄後に求められるスペーシングＳ０．１とスペーシングＳ１．６との差分、Ｓ０．１－Ｓ１．６、は３２ｎｍ以下であり、
前記スペーシングＳ０．１は、前記磁性層の表面においてｎ－ヘキサン洗浄後に複数の異なる圧力の押圧下でそれぞれ光干渉法によってスペーシング測定を行い得られた圧力とスペーシングとの関係式から、０．１ａｔｍの押圧下でのスペーシングとして求められた値であり、
前記スペーシングＳ１．６は、前記磁性層の表面においてｎ－ヘキサン洗浄後に１．６ａｔｍの押圧下で光干渉法によって測定されたスペーシングである、磁気テープ。
前記非磁性支持体は、ポリエチレンテレフタレートおよびポリエチレンナフタレートからなる群から選択される１種以上を含み、
前記磁性層の表面においてｎ－ヘキサン洗浄後に求められるスペーシングＳ０．１とスペーシングＳ１．６との差分、Ｓ０．１－Ｓ１．６、は３２ｎｍ以下であり、
前記スペーシングＳ０．１は、前記磁性層の表面においてｎ－ヘキサン洗浄後に複数の異なる圧力の押圧下でそれぞれ光干渉法によってスペーシング測定を行い得られた圧力とスペーシングとの関係式から、０．１ａｔｍの押圧下でのスペーシングとして求められた値であり、
前記スペーシングＳ１．６は、前記磁性層の表面においてｎ－ヘキサン洗浄後に１．６ａｔｍの押圧下で光干渉法によって測定されたスペーシングである、磁気テープ。
【請求項2】
前記差分は３０ｎｍ以下である、請求項１に記載の磁気テープ。
【請求項3】
前記差分は１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下である、請求項１または２に記載の磁気テープ。
【請求項4】
前記磁性層は、無機酸化物系粒子を含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の磁気テープ。
【請求項5】
前記無機酸化物系粒子は、無機酸化物とポリマーとの複合粒子である、請求項４に記載の磁気テープ。
【請求項6】
前記非磁性支持体と前記磁性層との間に、非磁性粉末を含む非磁性層を有する、請求項１～５のいずれか１項に記載の磁気テープ。
【請求項7】
前記非磁性支持体の前記磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末を含むバックコート層を有する、請求項１～６のいずれか１項に記載の磁気テープ。
【請求項8】
テープ厚みが５．３μｍ以下である、請求項１～７のいずれか１項に記載の磁気テープ。
【請求項9】
請求項１～８のいずれか１項に記載の磁気テープを含む磁気テープカートリッジ。
【請求項10】
請求項９に記載の磁気テープカートリッジを含む磁気テープ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、磁気テープ、磁気テープカートリッジおよび磁気テープ装置に関する。
【背景技術】
【0002】
磁気記録媒体にはテープ状のものとディスク状のものがあり、データバックアップ、アーカイブ等のデータストレージ用途には、テープ状の磁気記録媒体、即ち磁気テープが主に用いられている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特許第６５９０１０４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
磁気テープへのデータの記録は、通常、磁気テープ装置（通常、「ドライブ」と呼ばれる。）内で磁気テープを走行させ、磁気ヘッドを磁気テープのデータバンドに追従させてデータバンド上にデータを記録することにより行われる。これにより、データバンドにデータトラックが形成される。また、記録されたデータの再生時には、磁気テープ装置内で磁気テープを走行させ、磁気ヘッドを磁気テープのデータバンドに追従させてデータバンド上に記録されたデータの読み取りを行う。
【0005】
以上のような記録および／または再生において磁気ヘッドが磁気テープのデータバンドに追従する精度を高めるために、サーボ信号を利用してヘッドトラッキングを行うシステム（以下、「サーボシステム」と記載する。）が実用化されている。
更に、サーボ信号を利用して走行中の磁気テープの幅方向の寸法情報を取得し、取得された寸法情報に応じて磁気テープの長手方向にかかるテンションを調整することによって、磁気テープの幅方向の寸法を制御することも行われている（一例として、特許文献１の段落０１７０参照）。上記のテンション調整は、記録または再生時、磁気テープの幅変形によってデータを記録または再生するための磁気ヘッドが狙いのトラック位置からずれてしまい、記録済データの上書き、再生不良等の現象が発生してしまうことを抑制することに寄与し得ると考えられる。更に、そのようなテンション調整を行いながら磁気テープを磁気テープ装置内で走行させてデータの記録および／または再生する際、磁気テープの走行安定性が高いことは、上記現象の発生をより一層抑制することにつながると期待される。
更に、サーボ信号を利用して走行中の磁気テープの幅方向の寸法情報を取得し、取得された寸法情報に応じて磁気テープの長手方向にかかるテンションを調整することによって、磁気テープの幅方向の寸法を制御することも行われている（一例として、特許文献１の段落０１７０参照）。上記のテンション調整は、記録または再生時、磁気テープの幅変形によってデータを記録または再生するための磁気ヘッドが狙いのトラック位置からずれてしまい、記録済データの上書き、再生不良等の現象が発生してしまうことを抑制することに寄与し得ると考えられる。更に、そのようなテンション調整を行いながら磁気テープを磁気テープ装置内で走行させてデータの記録および／または再生する際、磁気テープの走行安定性が高いことは、上記現象の発生をより一層抑制することにつながると期待される。
【0006】
以上に鑑み本発明の一態様は、磁気テープの長手方向にかかるテンションを調整することによって磁気テープの幅方向の寸法を制御して記録および／または再生を行う際の走行安定性に優れる磁気テープを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一態様は、
非磁性支持体と、強磁性粉末を含む磁性層と、を有し、
上記磁性層の表面においてｎ－ヘキサン洗浄後に求められるスペーシングＳ０．１とスペーシングＳ１．６との差分（Ｓ０．１－Ｓ１．６）は３２ｎｍ以下であり、
上記スペーシングＳ０．１は、上記磁性層の表面においてｎ－ヘキサン洗浄後に複数の異なる圧力の押圧下でそれぞれ光干渉法によってスペーシング測定を行い得られた圧力とスペーシングとの関係式から、０．１ａｔｍの押圧下でのスペーシングとして求められた値であり、
上記スペーシングＳ１．６は、上記磁性層の表面においてｎ－ヘキサン洗浄後に１．６ａｔｍの押圧下で光干渉法によって測定されたスペーシングである、磁気テープ、
に関する。以下において、上記差分（Ｓ０．１－Ｓ１．６）を、単に「差分」とも記載する。また、１ａｔｍ＝１０１３２５Ｐａ（パスカル）である。
非磁性支持体と、強磁性粉末を含む磁性層と、を有し、
上記磁性層の表面においてｎ－ヘキサン洗浄後に求められるスペーシングＳ０．１とスペーシングＳ１．６との差分（Ｓ０．１－Ｓ１．６）は３２ｎｍ以下であり、
上記スペーシングＳ０．１は、上記磁性層の表面においてｎ－ヘキサン洗浄後に複数の異なる圧力の押圧下でそれぞれ光干渉法によってスペーシング測定を行い得られた圧力とスペーシングとの関係式から、０．１ａｔｍの押圧下でのスペーシングとして求められた値であり、
上記スペーシングＳ１．６は、上記磁性層の表面においてｎ－ヘキサン洗浄後に１．６ａｔｍの押圧下で光干渉法によって測定されたスペーシングである、磁気テープ、
に関する。以下において、上記差分（Ｓ０．１－Ｓ１．６）を、単に「差分」とも記載する。また、１ａｔｍ＝１０１３２５Ｐａ（パスカル）である。
【0008】
一形態では、上記差分は、３０ｎｍ以下であることができる。
【0009】
一形態では、上記差分は、１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることができる。
【0010】
一形態では、上記磁性層は、無機酸化物系粒子を含むことができる。
【0011】
一形態では、上記無機酸化物系粒子は、無機酸化物とポリマーとの複合粒子であることができる。
【0012】
一形態では、上記磁気テープは、上記非磁性支持体と上記磁性層との間に、非磁性粉末を含む非磁性層を有することができる。
【0013】
一形態では、上記磁気テープは、上記非磁性支持体の上記磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末を含むバックコート層を有することができる。
【0014】
一形態では、上記磁気テープのテープ厚みは、５．３μｍ以下であることができる。
【0015】
本発明の一態様は、上記磁気テープを含む磁気テープカートリッジに関する。
【0016】
本発明の一態様は、上記磁気テープカートリッジを含む磁気テープ装置に関する。
【発明の効果】
【0017】
本発明の一態様によれば、磁気テープの長手方向にかかるテンションを調整することによって磁気テープの幅方向の寸法を制御して記録および／または再生を行う際の走行安定性に優れる磁気テープを提供することができる。また、本発明の一態様によれば、上記磁気テープを含む磁気テープカートリッジおよび上記磁気テープカートリッジを含む磁気テープ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【図1】データバンドおよびサーボバンドの配置例を示す。
【図2】ＬＴＯ（Ｌｉｎｅａｒ Ｔａｐｅ－Ｏｐｅｎ） Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットテープのサーボパターン配置例を示す。
【図3】磁気テープ装置の一例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【0019】
［磁気テープ］
本発明の一態様は、非磁性支持体と、強磁性粉末を含む磁性層と、を有し、上記磁性層の表面においてｎ－ヘキサン洗浄後に求められるスペーシングＳ０．１とスペーシングＳ１．６との差分（Ｓ０．１－Ｓ１．６）は３２ｎｍ以下である磁気テープに関する。上記スペーシングＳ０．１は、上記磁性層の表面においてｎ－ヘキサン洗浄後に複数の異なる圧力の押圧下でそれぞれ光干渉法によってスペーシング測定を行い得られた圧力とスペーシングとの関係式から、０．１ａｔｍの押圧下でのスペーシングとして求められた値である。上記スペーシングＳ１．６は、上記磁性層の表面においてｎ－ヘキサン洗浄後に１．６ａｔｍの押圧下で光干渉法によって測定されたスペーシングである。
本発明の一態様は、非磁性支持体と、強磁性粉末を含む磁性層と、を有し、上記磁性層の表面においてｎ－ヘキサン洗浄後に求められるスペーシングＳ０．１とスペーシングＳ１．６との差分（Ｓ０．１－Ｓ１．６）は３２ｎｍ以下である磁気テープに関する。上記スペーシングＳ０．１は、上記磁性層の表面においてｎ－ヘキサン洗浄後に複数の異なる圧力の押圧下でそれぞれ光干渉法によってスペーシング測定を行い得られた圧力とスペーシングとの関係式から、０．１ａｔｍの押圧下でのスペーシングとして求められた値である。上記スペーシングＳ１．６は、上記磁性層の表面においてｎ－ヘキサン洗浄後に１．６ａｔｍの押圧下で光干渉法によって測定されたスペーシングである。
【0020】
本発明および本明細書において、「ｎ－ヘキサン洗浄」とは、磁気テープから切り出した試料片を液温２０～２５℃のフレッシュなｎ－ヘキサン（２００ｇ）に浸漬して１００秒間超音波洗浄（超音波出力：４０ｋＨｚ）することをいうものとする。洗浄対象の磁気テープから、長さ５ｃｍの試料片を切り出してｎ－ヘキサン洗浄に付す。磁気テープの幅および磁気テープから切り出される試料片の幅は、通常、１／２インチである。１／２インチ幅以外の磁気テープについても、長さ５ｃｍの試料片を切り出してｎ－ヘキサン洗浄に付せばよい。以下に詳述するスペーシングの測定は、ｎ－ヘキサン洗浄後の試料片を、温度２３℃相対湿度５０％の環境下に２４時間放置した後に行うものとする。
【0021】
本発明および本明細書において、磁気テープの「磁性層（の）表面」とは、磁気テープの磁性層側表面と同義である。
【0022】
本発明および本明細書において、「スペーシングＳ０．１」および「スペーシングＳ１．６」は、以下の方法によって求められる値である。
スペーシングＳ０．１を求めるために、上記磁性層の表面において、ｎ－ヘキサン洗浄後に複数の異なる圧力の押圧下でそれぞれ光干渉法によってスペーシング測定を行い、圧力とスペーシングとの関係式を得る。詳しくは、以下の方法によって上記関係式を得る。上記の複数の異なる圧力は、０．５ａｔｍ、０．６ａｔｍ、０．８ａｔｍ、１．０ａｔｍ、１．３ａｔｍおよび１．６ａｔｍである。
磁気テープ（詳しくは上記の試料片。以下同様。）と透明な板状部材（例えばガラス板等）を、磁気テープの磁性層表面が透明な板状部材と対向するように重ね合わせた状態で、磁気テープの磁性層側とは反対側から、０．５ａｔｍの圧力で押圧部材を押しつける。この状態で、透明な板状部材を介して磁気テープの磁性層表面に光を照射し（照射領域：１５００００～２０００００μｍ２）、磁気テープの磁性層表面からの反射光と透明な板状部材の磁気テープ側表面からの反射光との光路差によって発生する干渉光の強度（例えば干渉縞画像のコントラスト）に基づき、磁気テープの磁性層表面と透明な板状部材の磁気テープ側表面との間のスペーシング（距離）を求める。ここで照射される光は特に限定されるものではない。照射される光が、複数波長の光を含む白色光のように、比較的広範な波長範囲にわたり発光波長を有する光の場合には、透明な板状部材と反射光を受光する受光部との間に、干渉フィルタ等の特定波長の光または特定波長域以外の光を選択的にカットする機能を有する部材を配置し、反射光の中の一部の波長の光または一部の波長域の光を選択的に受光部に入射させる。照射させる光が単一の発光ピークを有する光（いわゆる単色光）の場合には、上記の部材は用いなくてもよい。受光部に入射させる光の波長は、一例として、例えば５００～７００ｎｍの範囲にあることができる。ただし、受光部に入射させる光の波長は、上記範囲に限定されるものではない。また、透明な板状部材は、この部材を介して磁気テープに光を照射し干渉光が得られる程度に、照射される光を透過する透明性を有する部材であればよい。
上記スペーシングの測定により得られる干渉縞画像を３０００００ポイントに分割して各ポイントのスペーシング（磁気テープの磁性層表面と透明な板状部材の磁気テープ側表面との間の距離）を求め、これをヒストグラムとし、このヒストグラムにおける最頻値を、０．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングとする。
同じ磁気テープから試料片を５つ切り出し、各試料片について、ｎ－ヘキサン洗浄後に０．５ａｔｍの圧力で押圧部材を押し付けてスペーシングを求め、更に圧力を高めて、順次、０．６ａｔｍの押圧下、０．８ａｔｍの押圧下、１．０ａｔｍの押圧下、１．３ａｔｍの押圧下、１．６ａｔｍの押圧下で上記方法により、各押圧下で測定されるスペーシングを求める。
こうして求めた各押圧下でのスペーシングの値を押圧時の圧力に対してプロットし、下記式１：
（式１） ｈ＝ｃ１ｐｃ２
に対して最小二乗法によりフィッティングする。式１中、ｈは平均スペーシング、ｐは押圧時の圧力、ｃ１およびｃ２はフィッティングパラメータであり、フィッティングによってＣ１およびＣ２が求められる。
こうして求められたＣ１およびＣ２を使用して、圧力とスペーシングとの関係式が導出される。即ち、圧力ｐの押圧下でのスペーシングをＳｐとすると、関係式は、「Ｓｐ＝Ｃ１（ｐ）Ｃ２」である。したがって、圧力０．１ａｔｍの押圧下でのスペーシングＳ０．１は、下記式２：
（式２） Ｓ０．１＝Ｃ１（０．１）Ｃ２
により算出される。こうして５つの試料片について、それぞれ関係式の導出および導出された関係式を使用してＳ０．１の算出を行う。５つの試料片についてそれぞれ算出されたＳ０．１の算術平均を、測定対象の磁気テープのＳ０．１とする。
スペーシングＳ１．６については、５つの試料片について、それぞれ上記関係式を得るために行われた１．６ａｔｍの押圧下での測定により得られたスペーシングの測定値の算術平均を、測定対象の磁気テープのＳ１．６とする。
そして、こうして求められたＳ０．１とＳ１．６との差分として、測定対象の磁気テープの差分（Ｓ０．１－Ｓ１．６）を求める。
以上のスペーシングの測定は、例えばＭｉｃｒｏ Ｐｈｙｓｉｃｓ社製Ｔａｐｅ Ｓｐａｃｉｎｇ Ａｎａｌｙｚｅｒ等の市販のテープスペーシングアナライザー（ＴＳＡ；Ｔａｐｅ Ｓｐａｃｉｎｇ Ａｎａｌｙｚｅｒ）を用いて行うことができる。実施例におけるスペーシングの測定は、Ｍｉｃｒｏ Ｐｈｙｓｉｃｓ社製Ｔａｐｅ Ｓｐａｃｉｎｇ Ａｎａｌｙｚｅｒを用いて実施した。
スペーシングＳ０．１を求めるために、上記磁性層の表面において、ｎ－ヘキサン洗浄後に複数の異なる圧力の押圧下でそれぞれ光干渉法によってスペーシング測定を行い、圧力とスペーシングとの関係式を得る。詳しくは、以下の方法によって上記関係式を得る。上記の複数の異なる圧力は、０．５ａｔｍ、０．６ａｔｍ、０．８ａｔｍ、１．０ａｔｍ、１．３ａｔｍおよび１．６ａｔｍである。
磁気テープ（詳しくは上記の試料片。以下同様。）と透明な板状部材（例えばガラス板等）を、磁気テープの磁性層表面が透明な板状部材と対向するように重ね合わせた状態で、磁気テープの磁性層側とは反対側から、０．５ａｔｍの圧力で押圧部材を押しつける。この状態で、透明な板状部材を介して磁気テープの磁性層表面に光を照射し（照射領域：１５００００～２０００００μｍ２）、磁気テープの磁性層表面からの反射光と透明な板状部材の磁気テープ側表面からの反射光との光路差によって発生する干渉光の強度（例えば干渉縞画像のコントラスト）に基づき、磁気テープの磁性層表面と透明な板状部材の磁気テープ側表面との間のスペーシング（距離）を求める。ここで照射される光は特に限定されるものではない。照射される光が、複数波長の光を含む白色光のように、比較的広範な波長範囲にわたり発光波長を有する光の場合には、透明な板状部材と反射光を受光する受光部との間に、干渉フィルタ等の特定波長の光または特定波長域以外の光を選択的にカットする機能を有する部材を配置し、反射光の中の一部の波長の光または一部の波長域の光を選択的に受光部に入射させる。照射させる光が単一の発光ピークを有する光（いわゆる単色光）の場合には、上記の部材は用いなくてもよい。受光部に入射させる光の波長は、一例として、例えば５００～７００ｎｍの範囲にあることができる。ただし、受光部に入射させる光の波長は、上記範囲に限定されるものではない。また、透明な板状部材は、この部材を介して磁気テープに光を照射し干渉光が得られる程度に、照射される光を透過する透明性を有する部材であればよい。
上記スペーシングの測定により得られる干渉縞画像を３０００００ポイントに分割して各ポイントのスペーシング（磁気テープの磁性層表面と透明な板状部材の磁気テープ側表面との間の距離）を求め、これをヒストグラムとし、このヒストグラムにおける最頻値を、０．５ａｔｍの押圧下で測定されるスペーシングとする。
同じ磁気テープから試料片を５つ切り出し、各試料片について、ｎ－ヘキサン洗浄後に０．５ａｔｍの圧力で押圧部材を押し付けてスペーシングを求め、更に圧力を高めて、順次、０．６ａｔｍの押圧下、０．８ａｔｍの押圧下、１．０ａｔｍの押圧下、１．３ａｔｍの押圧下、１．６ａｔｍの押圧下で上記方法により、各押圧下で測定されるスペーシングを求める。
こうして求めた各押圧下でのスペーシングの値を押圧時の圧力に対してプロットし、下記式１：
（式１） ｈ＝ｃ１ｐｃ２
に対して最小二乗法によりフィッティングする。式１中、ｈは平均スペーシング、ｐは押圧時の圧力、ｃ１およびｃ２はフィッティングパラメータであり、フィッティングによってＣ１およびＣ２が求められる。
こうして求められたＣ１およびＣ２を使用して、圧力とスペーシングとの関係式が導出される。即ち、圧力ｐの押圧下でのスペーシングをＳｐとすると、関係式は、「Ｓｐ＝Ｃ１（ｐ）Ｃ２」である。したがって、圧力０．１ａｔｍの押圧下でのスペーシングＳ０．１は、下記式２：
（式２） Ｓ０．１＝Ｃ１（０．１）Ｃ２
により算出される。こうして５つの試料片について、それぞれ関係式の導出および導出された関係式を使用してＳ０．１の算出を行う。５つの試料片についてそれぞれ算出されたＳ０．１の算術平均を、測定対象の磁気テープのＳ０．１とする。
スペーシングＳ１．６については、５つの試料片について、それぞれ上記関係式を得るために行われた１．６ａｔｍの押圧下での測定により得られたスペーシングの測定値の算術平均を、測定対象の磁気テープのＳ１．６とする。
そして、こうして求められたＳ０．１とＳ１．６との差分として、測定対象の磁気テープの差分（Ｓ０．１－Ｓ１．６）を求める。
以上のスペーシングの測定は、例えばＭｉｃｒｏ Ｐｈｙｓｉｃｓ社製Ｔａｐｅ Ｓｐａｃｉｎｇ Ａｎａｌｙｚｅｒ等の市販のテープスペーシングアナライザー（ＴＳＡ；Ｔａｐｅ Ｓｐａｃｉｎｇ Ａｎａｌｙｚｅｒ）を用いて行うことができる。実施例におけるスペーシングの測定は、Ｍｉｃｒｏ Ｐｈｙｓｉｃｓ社製Ｔａｐｅ Ｓｐａｃｉｎｇ Ａｎａｌｙｚｅｒを用いて実施した。
【0023】
上記磁気テープにおいて、以上の方法により求められる差分（Ｓ０．１－Ｓ１．６）は、３２ｎｍ以下である。このことが、磁気テープの長手方向にかかるテンションを調整することによって磁気テープの幅方向の寸法を制御して記録および／または再生を行う際の走行安定性（以下、単に「走行安定性」とも記載する。）の向上に寄与し得ると、本発明者は推察している。詳しくは、以下の通りである。
磁気テープの長手方向にかかるテンションを調整することによって磁気テープの幅方向の寸法を制御する磁気テープ装置では、より大きなテンションを磁気テープの長手方向にかけるほど、磁気テープの幅方向の寸法をより大きく収縮させることができ（即ち、より幅狭にすることができ）、そのテンションを小さくするほど、その収縮の程度を小さくすることができる。こうして磁気テープの長手方向にかけるテンションを調整することによって、磁気テープの幅方向の寸法を制御することができる。
一方、磁気テープへのデータの記録および記録されたデータの再生は、通常、磁気テープの磁性層表面と磁気ヘッドとを接触させて摺動させることによって行われる。上記のようなテンション調整が行われる場合、磁気テープの長手方向に加わるテンションは変動し得る。これにより磁気テープ装置内で走行する磁気テープと磁気ヘッドとの接触状態も変動し得るため、磁気ヘッドとの接触により磁性層表面に加わる圧力も変動し得る。磁性層表面には、通常、突起が存在し、かかる突起は、磁性層表面が磁気ヘッドと接触（いわゆる真実接触）する部分を少なくすることによって磁性層表面と磁気ヘッドとの摺動時の摩擦係数を低くすることに寄与し得る。しかし、そのような突起の高さが、磁性層表面に加わる圧力が変わることによって大きく変化してしまうと、磁性層表面と磁気ヘッドとの接触状態は大きく変化してしまう。そのような大きな変化が生じることを抑制できれば、走行安定性を高めることができると考えられる。この点に関して、上記方法により求められるＳ０．１とＳ１．６との差分（Ｓ０．１－Ｓ１．６）が３２ｎｍ以下と小さいことは、磁性層表面に加わる圧力が変化しても、磁性層表面の突起の高さに大きな変化が生じ難いことを示していると推察される。このことが、走行安定性向上につながると、本発明者は推察している。
ただし、上記推察に本発明は限定されない。ところで、スペーシングＳ０．１およびスペーシングＳ１．６に関する圧力について、本発明では、圧力の例示的な値として０．１ａｔｍおよび１．６ａｔｍを採用したものであって、磁気ヘッドとの摺動時に上記磁気テープの磁性層表面に加わる圧力は上記圧力に限定されない。上記圧力を採用して求められた上記差分を制御することにより、磁気テープの長手方向にかかるテンションを調整することによって磁気テープの幅方向の寸法を制御して記録および／または再生を行う際の走行安定性を向上させることが可能になることは、本発明者の鋭意検討の結果、新たに見出されたことである。
磁気テープの長手方向にかかるテンションを調整することによって磁気テープの幅方向の寸法を制御する磁気テープ装置では、より大きなテンションを磁気テープの長手方向にかけるほど、磁気テープの幅方向の寸法をより大きく収縮させることができ（即ち、より幅狭にすることができ）、そのテンションを小さくするほど、その収縮の程度を小さくすることができる。こうして磁気テープの長手方向にかけるテンションを調整することによって、磁気テープの幅方向の寸法を制御することができる。
一方、磁気テープへのデータの記録および記録されたデータの再生は、通常、磁気テープの磁性層表面と磁気ヘッドとを接触させて摺動させることによって行われる。上記のようなテンション調整が行われる場合、磁気テープの長手方向に加わるテンションは変動し得る。これにより磁気テープ装置内で走行する磁気テープと磁気ヘッドとの接触状態も変動し得るため、磁気ヘッドとの接触により磁性層表面に加わる圧力も変動し得る。磁性層表面には、通常、突起が存在し、かかる突起は、磁性層表面が磁気ヘッドと接触（いわゆる真実接触）する部分を少なくすることによって磁性層表面と磁気ヘッドとの摺動時の摩擦係数を低くすることに寄与し得る。しかし、そのような突起の高さが、磁性層表面に加わる圧力が変わることによって大きく変化してしまうと、磁性層表面と磁気ヘッドとの接触状態は大きく変化してしまう。そのような大きな変化が生じることを抑制できれば、走行安定性を高めることができると考えられる。この点に関して、上記方法により求められるＳ０．１とＳ１．６との差分（Ｓ０．１－Ｓ１．６）が３２ｎｍ以下と小さいことは、磁性層表面に加わる圧力が変化しても、磁性層表面の突起の高さに大きな変化が生じ難いことを示していると推察される。このことが、走行安定性向上につながると、本発明者は推察している。
ただし、上記推察に本発明は限定されない。ところで、スペーシングＳ０．１およびスペーシングＳ１．６に関する圧力について、本発明では、圧力の例示的な値として０．１ａｔｍおよび１．６ａｔｍを採用したものであって、磁気ヘッドとの摺動時に上記磁気テープの磁性層表面に加わる圧力は上記圧力に限定されない。上記圧力を採用して求められた上記差分を制御することにより、磁気テープの長手方向にかかるテンションを調整することによって磁気テープの幅方向の寸法を制御して記録および／または再生を行う際の走行安定性を向上させることが可能になることは、本発明者の鋭意検討の結果、新たに見出されたことである。
【0024】
以下、上記磁気テープについて、更に詳細に説明する。
【0025】
＜磁性層＞
（差分（Ｓ０．１－Ｓ１．６））
上記磁気テープの差分（Ｓ０．１－Ｓ１．６）は、３２ｎｍ以下であり、走行安定性をより一層向上させる観点から、３１ｎｍ以下であることが好ましく、３０ｎｍ以下であることがより好ましく、２９ｎｍ以下であることが更に好ましく、２８ｎｍ以下であることが一層好ましく、２７ｎｍ以下であることがより一層好ましく、２６ｎｍ以下であることが更に一層好ましく、２５ｎｍ以下であることが更により一層好ましく、２４ｎｍ以下であることがなお一層好ましく、２３ｎｍ以下であることがなおより一層好ましく、２２ｎｍ以下であることがなお更により一層好ましい。また、上記差分は、例えば、０ｎｍ超、１ｎｍ以上、３ｎｍ以上、５ｎｍ以上または１０ｎｍ以上であることができる。上記差分が小さいほど、走行安定性向上の観点から好ましい。上記差分は、磁性層表面に突起を形成することができる非磁性フィラー（以下、「突起形成剤」と記載する。）の種類および磁気テープの製造条件によって制御することができる。この点の詳細は後述する。
（差分（Ｓ０．１－Ｓ１．６））
上記磁気テープの差分（Ｓ０．１－Ｓ１．６）は、３２ｎｍ以下であり、走行安定性をより一層向上させる観点から、３１ｎｍ以下であることが好ましく、３０ｎｍ以下であることがより好ましく、２９ｎｍ以下であることが更に好ましく、２８ｎｍ以下であることが一層好ましく、２７ｎｍ以下であることがより一層好ましく、２６ｎｍ以下であることが更に一層好ましく、２５ｎｍ以下であることが更により一層好ましく、２４ｎｍ以下であることがなお一層好ましく、２３ｎｍ以下であることがなおより一層好ましく、２２ｎｍ以下であることがなお更により一層好ましい。また、上記差分は、例えば、０ｎｍ超、１ｎｍ以上、３ｎｍ以上、５ｎｍ以上または１０ｎｍ以上であることができる。上記差分が小さいほど、走行安定性向上の観点から好ましい。上記差分は、磁性層表面に突起を形成することができる非磁性フィラー（以下、「突起形成剤」と記載する。）の種類および磁気テープの製造条件によって制御することができる。この点の詳細は後述する。
【0026】
上記磁気テープのＳ０．１およびＳ１．６は、差分（Ｓ０．１－Ｓ１．６）が３２ｎｍ以下であれば特に限定されるものではない。一方、電磁変換特性の向上の観点からは、Ｓ０．１は、７０ｎｍ以下であることが好ましく、６０ｎｍ以下であることがより好ましく、５０ｎｍ以下であることが更に好ましく、４０ｎｍ以下であることが一層好ましい。また、主に磁気ヘッドとの摺動初期の摩擦係数を低く抑える観点からは、Ｓ０．１は、１０ｎｍ以上であることが好ましく、１５ｎｍ以上であることがより好ましく、２０ｎｍ以上であることが更に好ましく、２５ｎｍ以上であることが一層好ましい。また、Ｓ１．６は、１ｎｍ以上であることが好ましく、３ｎｍ以上であることがより好ましく、５ｎｍ以上であることが更に好ましく、７ｎｍ以上であることが一層好ましい。また、Ｓ１．６は、例えば、３０ｎｍ以下、２５ｎｍ以下、２０ｎｍ以下または１５ｎｍ以下であることができる。
【0027】
（強磁性粉末）
磁性層に含まれる強磁性粉末としては、各種磁気記録媒体の磁性層において用いられる強磁性粉末として公知の強磁性粉末を一種または二種以上組み合わせて使用することができる。強磁性粉末として平均粒子サイズの小さいものを使用することは記録密度向上の観点から好ましい。この点から、強磁性粉末の平均粒子サイズは５０ｎｍ以下であることが好ましく、４５ｎｍ以下であることがより好ましく、４０ｎｍ以下であることが更に好ましく、３５ｎｍ以下であることが一層好ましく、３０ｎｍ以下であることがより一層好ましく、２５ｎｍ以下であることが更に一層好ましく、２０ｎｍ以下であることがなお一層好ましい。一方、磁化の安定性の観点からは、強磁性粉末の平均粒子サイズは５ｎｍ以上であることが好ましく、８ｎｍ以上であることがより好ましく、１０ｎｍ以上であることが更に好ましく、１５ｎｍ以上であることが一層好ましく、２０ｎｍ以上であることがより一層好ましい。
磁性層に含まれる強磁性粉末としては、各種磁気記録媒体の磁性層において用いられる強磁性粉末として公知の強磁性粉末を一種または二種以上組み合わせて使用することができる。強磁性粉末として平均粒子サイズの小さいものを使用することは記録密度向上の観点から好ましい。この点から、強磁性粉末の平均粒子サイズは５０ｎｍ以下であることが好ましく、４５ｎｍ以下であることがより好ましく、４０ｎｍ以下であることが更に好ましく、３５ｎｍ以下であることが一層好ましく、３０ｎｍ以下であることがより一層好ましく、２５ｎｍ以下であることが更に一層好ましく、２０ｎｍ以下であることがなお一層好ましい。一方、磁化の安定性の観点からは、強磁性粉末の平均粒子サイズは５ｎｍ以上であることが好ましく、８ｎｍ以上であることがより好ましく、１０ｎｍ以上であることが更に好ましく、１５ｎｍ以上であることが一層好ましく、２０ｎｍ以上であることがより一層好ましい。
【0028】
六方晶フェライト粉末
強磁性粉末の好ましい具体例としては、六方晶フェライト粉末を挙げることができる。六方晶フェライト粉末の詳細については、例えば、特開２０１１－２２５４１７号公報の段落００１２～００３０、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１３４～０１３６、特開２０１２－２０４７２６号公報の段落００１３～００３０および特開２０１５－１２７９８５号公報の段落００２９～００８４を参照できる。
強磁性粉末の好ましい具体例としては、六方晶フェライト粉末を挙げることができる。六方晶フェライト粉末の詳細については、例えば、特開２０１１－２２５４１７号公報の段落００１２～００３０、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１３４～０１３６、特開２０１２－２０４７２６号公報の段落００１３～００３０および特開２０１５－１２７９８５号公報の段落００２９～００８４を参照できる。
【0029】
本発明および本明細書において、「六方晶フェライト粉末」とは、Ｘ線回折分析によって、主相として六方晶フェライト型の結晶構造が検出される強磁性粉末をいうものとする。主相とは、Ｘ線回折分析によって得られるＸ線回折スペクトルにおいて最も高強度の回折ピークが帰属する構造をいう。例えば、Ｘ線回折分析によって得られるＸ線回折スペクトルにおいて最も高強度の回折ピークが六方晶フェライト型の結晶構造に帰属される場合、六方晶フェライト型の結晶構造が主相として検出されたと判断するものとする。Ｘ線回折分析によって単一の構造のみが検出された場合には、この検出された構造を主相とする。六方晶フェライト型の結晶構造は、構成原子として、少なくとも鉄原子、二価金属原子および酸素原子を含む。二価金属原子とは、イオンとして二価のカチオンになり得る金属原子であり、ストロンチウム原子、バリウム原子、カルシウム原子等のアルカリ土類金属原子、鉛原子等を挙げることができる。本発明および本明細書において、六方晶ストロンチウムフェライト粉末とは、この粉末に含まれる主な二価金属原子がストロンチウム原子であるものをいい、六方晶バリウムフェライト粉末とは、この粉末に含まれる主な二価金属原子がバリウム原子であるものをいう。主な二価金属原子とは、この粉末に含まれる二価金属原子の中で、原子％基準で最も多くを占める二価金属原子をいうものとする。ただし、上記の二価金属原子には、希土類原子は包含されないものとする。本発明および本明細書における「希土類原子」は、スカンジウム原子（Ｓｃ）、イットリウム原子（Ｙ）、およびランタノイド原子からなる群から選択される。ランタノイド原子は、ランタン原子（Ｌａ）、セリウム原子（Ｃｅ）、プラセオジム原子（Ｐｒ）、ネオジム原子（Ｎｄ）、プロメチウム原子（Ｐｍ）、サマリウム原子（Ｓｍ）、ユウロピウム原子（Ｅｕ）、ガドリニウム原子（Ｇｄ）、テルビウム原子（Ｔｂ）、ジスプロシウム原子（Ｄｙ）、ホルミウム原子（Ｈｏ）、エルビウム原子（Ｅｒ）、ツリウム原子（Ｔｍ）、イッテルビウム原子（Ｙｂ）、およびルテチウム原子（Ｌｕ）からなる群から選択される。
【0030】
以下に、六方晶フェライト粉末の一態様である六方晶ストロンチウムフェライト粉末について、更に詳細に説明する。
【0031】
六方晶ストロンチウムフェライト粉末の活性化体積は、好ましくは８００～１６００ｎｍ３の範囲である。上記範囲の活性化体積を示す微粒子化された六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、優れた電磁変換特性を発揮する磁気テープの作製のために好適である。六方晶ストロンチウムフェライト粉末の活性化体積は、好ましくは８００ｎｍ３以上であり、例えば８５０ｎｍ３以上であることもできる。また、電磁変換特性の更なる向上の観点から、六方晶ストロンチウムフェライト粉末の活性化体積は、１５００ｎｍ３以下であることがより好ましく、１４００ｎｍ３以下であることが更に好ましく、１３００ｎｍ３以下であることが一層好ましく、１２００ｎｍ３以下であることがより一層好ましく、１１００ｎｍ３以下であることが更により一層好ましい。六方晶バリウムフェライト粉末の活性化体積についても、同様である。
【0032】
「活性化体積」とは、磁化反転の単位であって、粒子の磁気的な大きさを示す指標である。本発明および本明細書に記載の活性化体積および後述の異方性定数Ｋｕは、振動試料型磁力計を用いて保磁力Ｈｃ測定部の磁場スイープ速度３分と３０分とで測定し（測定温度：２３℃±１℃）、以下のＨｃと活性化体積Ｖとの関係式から求められる値である。なお異方性定数Ｋｕの単位に関して、１ｅｒｇ／ｃｃ＝１．０×１０－１Ｊ／ｍ３である。
Ｈｃ＝２Ｋｕ／Ｍｓ｛１－［（ｋＴ／ＫｕＶ）ｌｎ（Ａｔ／０．６９３）］１／２｝
［上記式中、Ｋｕ：異方性定数（単位：Ｊ／ｍ３）、Ｍｓ：飽和磁化（単位：ｋＡ／ｍ）、ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度（単位：Ｋ）、Ｖ：活性化体積（単位：ｃｍ３）、Ａ：スピン歳差周波数（単位：ｓ－１）、ｔ：磁界反転時間（単位：ｓ）］
Ｈｃ＝２Ｋｕ／Ｍｓ｛１－［（ｋＴ／ＫｕＶ）ｌｎ（Ａｔ／０．６９３）］１／２｝
［上記式中、Ｋｕ：異方性定数（単位：Ｊ／ｍ３）、Ｍｓ：飽和磁化（単位：ｋＡ／ｍ）、ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度（単位：Ｋ）、Ｖ：活性化体積（単位：ｃｍ３）、Ａ：スピン歳差周波数（単位：ｓ－１）、ｔ：磁界反転時間（単位：ｓ）］
【0033】
熱揺らぎの低減、換言すれば熱的安定性の向上の指標としては、異方性定数Ｋｕを挙げることができる。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、好ましくは１．８×１０５Ｊ／ｍ３以上のＫｕを有することができ、より好ましくは２．０×１０５Ｊ／ｍ３以上のＫｕを有することができる。また、六方晶ストロンチウムフェライト粉末のＫｕは、例えば２．５×１０５Ｊ／ｍ３以下であることができる。ただしＫｕが高いほど熱的安定性が高いことを意味し好ましいため、上記例示した値に限定されるものではない。
【0034】
六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、希土類原子を含んでいてもよく、含まなくてもよい。六方晶ストロンチウムフェライト粉末が希土類原子を含む場合、鉄原子１００原子％に対して、０．５～５．０原子％の含有率（バルク含有率）で希土類原子を含むことが好ましい。希土類原子を含む六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、一態様では、希土類原子表層部偏在性を有することができる。本発明および本明細書における「希土類原子表層部偏在性」とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を酸により部分溶解して得られた溶解液中の鉄原子１００原子％に対する希土類原子含有率（以下、「希土類原子表層部含有率」または希土類原子に関して単に「表層部含有率」と記載する。）が、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を酸により全溶解して得られた溶解液中の鉄原子１００原子％に対する希土類原子含有率（以下、「希土類原子バルク含有率」または希土類原子に関して単に「バルク含有率」と記載する。）と、
希土類原子表層部含有率／希土類原子バルク含有率＞１．０
の比率を満たすことを意味する。後述の六方晶ストロンチウムフェライト粉末の希土類原子含有率とは、希土類原子バルク含有率と同義である。これに対し、酸を用いる部分溶解は六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部を溶解するため、部分溶解により得られる溶解液中の希土類原子含有率とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部における希土類原子含有率である。希土類原子表層部含有率が、「希土類原子表層部含有率／希土類原子バルク含有率＞１．０」の比率を満たすことは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子において、希土類原子が表層部に偏在（即ち内部より多く存在）していることを意味する。本発明および本明細書における表層部とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表面から内部に向かう一部領域を意味する。
希土類原子表層部含有率／希土類原子バルク含有率＞１．０
の比率を満たすことを意味する。後述の六方晶ストロンチウムフェライト粉末の希土類原子含有率とは、希土類原子バルク含有率と同義である。これに対し、酸を用いる部分溶解は六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部を溶解するため、部分溶解により得られる溶解液中の希土類原子含有率とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部における希土類原子含有率である。希土類原子表層部含有率が、「希土類原子表層部含有率／希土類原子バルク含有率＞１．０」の比率を満たすことは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子において、希土類原子が表層部に偏在（即ち内部より多く存在）していることを意味する。本発明および本明細書における表層部とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表面から内部に向かう一部領域を意味する。
【0035】
六方晶ストロンチウムフェライト粉末が希土類原子を含む場合、希土類原子含有率（バルク含有率）は、鉄原子１００原子％に対して０．５～５．０原子％の範囲であることが好ましい。上記範囲のバルク含有率で希土類原子を含み、かつ六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に希土類原子が偏在していることは、繰り返し再生における再生出力の低下を抑制することに寄与すると考えられる。これは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末が上記範囲のバルク含有率で希土類原子を含み、かつ六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に希土類原子が偏在していることにより、異方性定数Ｋｕを高めることができるためと推察される。異方性定数Ｋｕは、この値が高いほど、いわゆる熱揺らぎと呼ばれる現象の発生を抑制すること（換言すれば熱的安定性を向上させること）ができる。熱揺らぎの発生が抑制されることにより、繰り返し再生における再生出力の低下を抑制することができる。六方晶ストロンチウムフェライト粉末の粒子表層部に希土類原子が偏在することが、表層部の結晶格子内の鉄（Ｆｅ）のサイトのスピンを安定化することに寄与し、これにより異方性定数Ｋｕが高まるのではないかと推察される。
また、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末を磁性層の強磁性粉末として用いることは、磁気ヘッドとの摺動によって磁性層表面が削れることを抑制することにも寄与すると推察される。即ち、磁気テープの走行耐久性の向上にも、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末が寄与し得ると推察される。これは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表面に希土類原子が偏在することが、粒子表面と磁性層に含まれる有機物質（例えば、結合剤および／または添加剤）との相互作用の向上に寄与し、その結果、磁性層の強度が向上するためではないかと推察される。
繰り返し再生における再生出力の低下をより一層抑制する観点および／または走行耐久性の更なる向上の観点からは、希土類原子含有率（バルク含有率）は、０．５～４．５原子％の範囲であることがより好ましく、１．０～４．５原子％の範囲であることが更に好ましく、１．５～４．５原子％の範囲であることが一層好ましい。
また、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末を磁性層の強磁性粉末として用いることは、磁気ヘッドとの摺動によって磁性層表面が削れることを抑制することにも寄与すると推察される。即ち、磁気テープの走行耐久性の向上にも、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末が寄与し得ると推察される。これは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表面に希土類原子が偏在することが、粒子表面と磁性層に含まれる有機物質（例えば、結合剤および／または添加剤）との相互作用の向上に寄与し、その結果、磁性層の強度が向上するためではないかと推察される。
繰り返し再生における再生出力の低下をより一層抑制する観点および／または走行耐久性の更なる向上の観点からは、希土類原子含有率（バルク含有率）は、０．５～４．５原子％の範囲であることがより好ましく、１．０～４．５原子％の範囲であることが更に好ましく、１．５～４．５原子％の範囲であることが一層好ましい。
【0036】
上記バルク含有率は、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を全溶解して求められる含有率である。なお本発明および本明細書において、特記しない限り、原子について含有率とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を全溶解して求められるバルク含有率をいうものとする。希土類原子を含む六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、希土類原子として一種の希土類原子のみ含んでもよく、二種以上の希土類原子を含んでもよい。二種以上の希土類原子を含む場合の上記バルク含有率とは、二種以上の希土類原子の合計について求められる。この点は、本発明および本明細書における他の成分についても同様である。即ち、特記しない限り、ある成分は、一種のみ用いてもよく、二種以上用いてもよい。二種以上用いられる場合の含有量または含有率とは、二種以上の合計についていうものとする。
【0037】
六方晶ストロンチウムフェライト粉末が希土類原子を含む場合、含まれる希土類原子は、希土類原子のいずれか一種以上であればよい。繰り返し再生における再生出力の低下をより一層抑制する観点から好ましい希土類原子としては、ネオジム原子、サマリウム原子、イットリウム原子およびジスプロシウム原子を挙げることができ、ネオジム原子、サマリウム原子およびイットリウム原子がより好ましく、ネオジム原子が更に好ましい。
【0038】
希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末において、希土類原子は六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に偏在していればよく、偏在の程度は限定されるものではない。例えば、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末について、後述する溶解条件で部分溶解して求められた希土類原子の表層部含有率と後述する溶解条件で全溶解して求められた希土類原子のバルク含有率との比率、「表層部含有率／バルク含有率」は１．０超であり、１．５以上であることができる。「表層部含有率／バルク含有率」が１．０より大きいことは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子において、希土類原子が表層部に偏在（即ち内部より多く存在）していることを意味する。また、後述する溶解条件で部分溶解して求められた希土類原子の表層部含有率と後述する溶解条件で全溶解して求められた希土類原子のバルク含有率との比率、「表層部含有率／バルク含有率」は、例えば、１０．０以下、９．０以下、８．０以下、７．０以下、６．０以下、５．０以下、または４．０以下であることができる。ただし、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末において、希土類原子は六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に偏在していればよく、上記の「表層部含有率／バルク含有率」は、例示した上限または下限に限定されるものではない。
【0039】
六方晶ストロンチウムフェライト粉末の部分溶解および全溶解について、以下に説明する。粉末として存在している六方晶ストロンチウムフェライト粉末については、部分溶解および全溶解する試料粉末は、同一ロットの粉末から採取する。一方、磁気テープの磁性層に含まれている六方晶ストロンチウムフェライト粉末については、磁性層から取り出した六方晶ストロンチウムフェライト粉末の一部を部分溶解に付し、他の一部を全溶解に付す。磁性層からの六方晶ストロンチウムフェライト粉末の取り出しは、例えば、特開２０１５－９１７４７号公報の段落００３２に記載の方法によって行うことができる。
上記部分溶解とは、溶解終了時に液中に六方晶ストロンチウムフェライト粉末の残留が目視で確認できる程度に溶解することをいう。例えば、部分溶解により、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子について、粒子全体を１００質量％として１０～２０質量％の領域を溶解することができる。一方、上記全溶解とは、溶解終了時に液中に六方晶ストロンチウムフェライト粉末の残留が目視で確認されない状態まで溶解することをいう。
上記部分溶解および表層部含有率の測定は、例えば、以下の方法により行われる。ただし、下記の試料粉末量等の溶解条件は例示であって、部分溶解および全溶解が可能な溶解条件を任意に採用できる。
試料粉末１２ｍｇおよび１ｍｏｌ／Ｌ塩酸１０ｍＬを入れた容器（例えばビーカー）を、設定温度７０℃のホットプレート上で１時間保持する。得られた溶解液を０．１μｍのメンブレンフィルタでろ過する。こうして得られたろ液の元素分析を誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）分析装置によって行う。こうして、鉄原子１００原子％に対する希土類原子の表層部含有率を求めることができる。元素分析により複数種の希土類原子が検出された場合には、全希土類原子の合計含有率を、表層部含有率とする。この点は、バルク含有率の測定においても、同様である。
一方、上記全溶解およびバルク含有率の測定は、例えば、以下の方法により行われる。
試料粉末１２ｍｇおよび４ｍｏｌ／Ｌ塩酸１０ｍＬを入れた容器（例えばビーカー）を、設定温度８０℃のホットプレート上で３時間保持する。その後は上記の部分溶解および表層部含有率の測定と同様に行い、鉄原子１００原子％に対するバルク含有率を求めることができる。
上記部分溶解とは、溶解終了時に液中に六方晶ストロンチウムフェライト粉末の残留が目視で確認できる程度に溶解することをいう。例えば、部分溶解により、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子について、粒子全体を１００質量％として１０～２０質量％の領域を溶解することができる。一方、上記全溶解とは、溶解終了時に液中に六方晶ストロンチウムフェライト粉末の残留が目視で確認されない状態まで溶解することをいう。
上記部分溶解および表層部含有率の測定は、例えば、以下の方法により行われる。ただし、下記の試料粉末量等の溶解条件は例示であって、部分溶解および全溶解が可能な溶解条件を任意に採用できる。
試料粉末１２ｍｇおよび１ｍｏｌ／Ｌ塩酸１０ｍＬを入れた容器（例えばビーカー）を、設定温度７０℃のホットプレート上で１時間保持する。得られた溶解液を０．１μｍのメンブレンフィルタでろ過する。こうして得られたろ液の元素分析を誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）分析装置によって行う。こうして、鉄原子１００原子％に対する希土類原子の表層部含有率を求めることができる。元素分析により複数種の希土類原子が検出された場合には、全希土類原子の合計含有率を、表層部含有率とする。この点は、バルク含有率の測定においても、同様である。
一方、上記全溶解およびバルク含有率の測定は、例えば、以下の方法により行われる。
試料粉末１２ｍｇおよび４ｍｏｌ／Ｌ塩酸１０ｍＬを入れた容器（例えばビーカー）を、設定温度８０℃のホットプレート上で３時間保持する。その後は上記の部分溶解および表層部含有率の測定と同様に行い、鉄原子１００原子％に対するバルク含有率を求めることができる。
【0040】
磁気テープに記録されたデータを再生する際の再生出力を高める観点から、磁気テープに含まれる強磁性粉末の質量磁化σｓが高いことは望ましい。この点に関して、希土類原子を含むものの希土類原子表層部偏在性を持たない六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、希土類原子を含まない六方晶ストロンチウムフェライト粉末と比べてσｓが大きく低下する傾向が見られた。これに対し、そのようなσｓの大きな低下を抑制するうえでも、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末は好ましいと考えられる。一態様では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末のσｓは、４５Ａ・ｍ２／ｋｇ以上であることができ、４７Ａ・ｍ２／ｋｇ以上であることもできる。一方、σｓは、ノイズ低減の観点からは、８０Ａ・ｍ２／ｋｇ以下であることが好ましく、６０Ａ・ｍ２／ｋｇ以下であることがより好ましい。σｓは、振動試料型磁力計等の磁気特性を測定可能な公知の測定装置を用いて測定することができる。本発明および本明細書において、特記しない限り、質量磁化σｓは、磁場強度１５ｋＯｅで測定される値とする。１［ｋＯｅ］＝１０６／４π［Ａ／ｍ］である。
【0041】
六方晶ストロンチウムフェライト粉末の構成原子の含有率（バルク含有率）に関して、ストロンチウム原子含有率は、鉄原子１００原子％に対して、例えば２．０～１５．０原子％の範囲であることができる。一態様では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、この粉末に含まれる二価金属原子がストロンチウム原子のみであることができる。また他の一態様では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、ストロンチウム原子に加えて一種以上の他の二価金属原子を含むこともできる。例えば、バリウム原子および／またはカルシウム原子を含むことができる。ストロンチウム原子以外の他の二価金属原子が含まれる場合、六方晶ストロンチウムフェライト粉末におけるバリウム原子含有率およびカルシウム原子含有率は、それぞれ、例えば、鉄原子１００原子％に対して、０．０５～５．０原子％の範囲であることができる。
【0042】
六方晶フェライトの結晶構造としては、マグネトプランバイト型（「Ｍ型」とも呼ばれる。）、Ｗ型、Ｙ型およびＺ型が知られている。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、いずれの結晶構造を取るものであってもよい。結晶構造は、Ｘ線回折分析によって確認することができる。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、Ｘ線回折分析によって、単一の結晶構造または二種以上の結晶構造が検出されるものであることができる。例えば一態様では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、Ｘ線回折分析によってＭ型の結晶構造のみが検出されるものであることができる。例えば、Ｍ型の六方晶フェライトは、ＡＦｅ１２Ｏ１９の組成式で表される。ここでＡは二価金属原子を表し、六方晶ストロンチウムフェライト粉末がＭ型である場合、Ａはストロンチウム原子（Ｓｒ）のみであるか、またはＡとして複数の二価金属原子が含まれる場合には、上記の通り原子％基準で最も多くをストロンチウム原子（Ｓｒ）が占める。六方晶ストロンチウムフェライト粉末の二価金属原子含有率は、通常、六方晶フェライトの結晶構造の種類により定まるものであり、特に限定されるものではない。鉄原子含有率および酸素原子含有率についても、同様である。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、少なくとも、鉄原子、ストロンチウム原子および酸素原子を含み、更に希土類原子を含むこともできる。更に、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、これら原子以外の原子を含んでもよく、含まなくてもよい。一例として、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、アルミニウム原子（Ａｌ）を含むものであってもよい。アルミニウム原子の含有率は、鉄原子１００原子％に対して、例えば０．５～１０．０原子％であることができる。繰り返し再生における再生出力低下をより一層抑制する観点からは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、鉄原子、ストロンチウム原子、酸素原子および希土類原子を含み、これら原子以外の原子の含有率が、鉄原子１００原子％に対して、１０．０原子％以下であることが好ましく、０～５．０原子％の範囲であることがより好ましく、０原子％であってもよい。即ち、一態様では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、鉄原子、ストロンチウム原子、酸素原子および希土類原子以外の原子を含まなくてもよい。上記の原子％で表示される含有率は、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を全溶解して求められる各原子の含有率（単位：質量％）を、各原子の原子量を用いて原子％表示の値に換算して求められる。また、本発明および本明細書において、ある原子について「含まない」とは、全溶解してＩＣＰ分析装置により測定される含有率が０質量％であることをいう。ＩＣＰ分析装置の検出限界は、通常、質量基準で０．０１ｐｐｍ（ｐａｒｔｓ ｐｅｒ ｍｉｌｌｉｏｎ）以下である。上記の「含まない」とは、ＩＣＰ分析装置の検出限界未満の量で含まれることを包含する意味で用いるものとする。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、一態様では、ビスマス原子（Ｂｉ）を含まないものであることができる。
【0043】
金属粉末
強磁性粉末の好ましい具体例としては、強磁性金属粉末を挙げることもできる。強磁性金属粉末の詳細については、例えば特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１３７～０１４１および特開２００５－２５１３５１号公報の段落０００９～００２３を参照できる。
強磁性粉末の好ましい具体例としては、強磁性金属粉末を挙げることもできる。強磁性金属粉末の詳細については、例えば特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１３７～０１４１および特開２００５－２５１３５１号公報の段落０００９～００２３を参照できる。
【0044】
ε－酸化鉄粉末
強磁性粉末の好ましい具体例としては、ε－酸化鉄粉末を挙げることもできる。本発明および本明細書において、「ε－酸化鉄粉末」とは、Ｘ線回折分析によって、主相としてε－酸化鉄型の結晶構造が検出される強磁性粉末をいうものとする。例えば、Ｘ線回折分析によって得られるＸ線回折スペクトルにおいて最も高強度の回折ピークがε－酸化鉄型の結晶構造に帰属される場合、ε－酸化鉄型の結晶構造が主相として検出されたと判断するものとする。ε－酸化鉄粉末の製造方法としては、ゲーサイトから作製する方法、逆ミセル法等が知られている。上記製造方法は、いずれも公知である。また、Ｆｅの一部がＧａ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ等の置換原子によって置換されたε－酸化鉄粉末を製造する方法については、例えば、Ｊ． Ｊｐｎ． Ｓｏｃ． Ｐｏｗｄｅｒ Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ Ｖｏｌ． ６１ Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ， Ｎｏ． Ｓ１， ｐｐ． Ｓ２８０－Ｓ２８４、Ｊ． Ｍａｔｅｒ． Ｃｈｅｍ． Ｃ， ２０１３， １， ｐｐ．５２００－５２０６等を参照できる。ただし、上記磁気テープの磁性層において強磁性粉末として使用可能なε－酸化鉄粉末の製造方法は、ここで挙げた方法に限定されない。
強磁性粉末の好ましい具体例としては、ε－酸化鉄粉末を挙げることもできる。本発明および本明細書において、「ε－酸化鉄粉末」とは、Ｘ線回折分析によって、主相としてε－酸化鉄型の結晶構造が検出される強磁性粉末をいうものとする。例えば、Ｘ線回折分析によって得られるＸ線回折スペクトルにおいて最も高強度の回折ピークがε－酸化鉄型の結晶構造に帰属される場合、ε－酸化鉄型の結晶構造が主相として検出されたと判断するものとする。ε－酸化鉄粉末の製造方法としては、ゲーサイトから作製する方法、逆ミセル法等が知られている。上記製造方法は、いずれも公知である。また、Ｆｅの一部がＧａ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ等の置換原子によって置換されたε－酸化鉄粉末を製造する方法については、例えば、Ｊ． Ｊｐｎ． Ｓｏｃ． Ｐｏｗｄｅｒ Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ Ｖｏｌ． ６１ Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ， Ｎｏ． Ｓ１， ｐｐ． Ｓ２８０－Ｓ２８４、Ｊ． Ｍａｔｅｒ． Ｃｈｅｍ． Ｃ， ２０１３， １， ｐｐ．５２００－５２０６等を参照できる。ただし、上記磁気テープの磁性層において強磁性粉末として使用可能なε－酸化鉄粉末の製造方法は、ここで挙げた方法に限定されない。
【0045】
ε－酸化鉄粉末の活性化体積は、好ましくは３００～１５００ｎｍ３の範囲である。上記範囲の活性化体積を示す微粒子化されたε－酸化鉄粉末は、優れた電磁変換特性を発揮する磁気テープの作製のために好適である。ε－酸化鉄粉末の活性化体積は、好ましくは３００ｎｍ３以上であり、例えば５００ｎｍ３以上であることもできる。また、電磁変換特性の更なる向上の観点から、ε－酸化鉄粉末の活性化体積は、１４００ｎｍ３以下であることがより好ましく、１３００ｎｍ３以下であることが更に好ましく、１２００ｎｍ３以下であることが一層好ましく、１１００ｎｍ３以下であることがより一層好ましい。
【0046】
熱揺らぎの低減、換言すれば熱的安定性の向上の指標としては、異方性定数Ｋｕを挙げることができる。ε－酸化鉄粉末は、好ましくは３．０×１０４Ｊ／ｍ３以上のＫｕを有することができ、より好ましくは８．０×１０４Ｊ／ｍ３以上のＫｕを有することができる。また、ε－酸化鉄粉末のＫｕは、例えば３．０×１０５Ｊ／ｍ３以下であることができる。ただしＫｕが高いほど熱的安定性が高いことを意味し、好ましいため、上記例示した値に限定されるものではない。
【0047】
磁気テープに記録されたデータを再生する際の再生出力を高める観点から、磁気テープに含まれる強磁性粉末の質量磁化σｓが高いことは望ましい。この点に関して、一態様では、ε－酸化鉄粉末のσｓは、８Ａ・ｍ２／ｋｇ以上であることができ、１２Ａ・ｍ２／ｋｇ以上であることもできる。一方、ε－酸化鉄粉末のσｓは、ノイズ低減の観点からは、４０Ａ・ｍ２／ｋｇ以下であることが好ましく、３５Ａ・ｍ２／ｋｇ以下であることがより好ましい。
【0048】
本発明および本明細書において、特記しない限り、強磁性粉末等の各種粉末の平均粒子サイズは、透過型電子顕微鏡を用いて、以下の方法により測定される値とする。
粉末を、透過型電子顕微鏡を用いて撮影倍率１０００００倍で撮影し、総倍率５０００００倍になるように印画紙にプリントして粉末を構成する粒子の写真を得る。得られた粒子の写真から目的の粒子を選びデジタイザーで粒子の輪郭をトレースし粒子（一次粒子）のサイズを測定する。一次粒子とは、凝集のない独立した粒子をいう。
以上の測定を、無作為に抽出した５００個の粒子について行う。こうして得られた５００個の粒子の粒子サイズの算術平均を、粉末の平均粒子サイズとする。上記透過型電子顕微鏡としては、例えば日立製透過型電子顕微鏡Ｈ－９０００型を用いることができる。また、粒子サイズの測定は、公知の画像解析ソフト、例えばカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ－４００を用いて行うことができる。後述の実施例に示す平均粒子サイズは、特記しない限り、透過型電子顕微鏡として日立製透過型電子顕微鏡Ｈ－９０００型、画像解析ソフトとしてカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ－４００を用いて測定された値である。本発明および本明細書において、粉末とは、複数の粒子の集合を意味する。例えば、強磁性粉末とは、複数の強磁性粒子の集合を意味する。また、複数の粒子の集合とは、集合を構成する粒子が直接接触している態様に限定されず、後述する結合剤、添加剤等が、粒子同士の間に介在している態様も包含される。粒子との語が、粉末を表すために用いられることもある。
粉末を、透過型電子顕微鏡を用いて撮影倍率１０００００倍で撮影し、総倍率５０００００倍になるように印画紙にプリントして粉末を構成する粒子の写真を得る。得られた粒子の写真から目的の粒子を選びデジタイザーで粒子の輪郭をトレースし粒子（一次粒子）のサイズを測定する。一次粒子とは、凝集のない独立した粒子をいう。
以上の測定を、無作為に抽出した５００個の粒子について行う。こうして得られた５００個の粒子の粒子サイズの算術平均を、粉末の平均粒子サイズとする。上記透過型電子顕微鏡としては、例えば日立製透過型電子顕微鏡Ｈ－９０００型を用いることができる。また、粒子サイズの測定は、公知の画像解析ソフト、例えばカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ－４００を用いて行うことができる。後述の実施例に示す平均粒子サイズは、特記しない限り、透過型電子顕微鏡として日立製透過型電子顕微鏡Ｈ－９０００型、画像解析ソフトとしてカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ－４００を用いて測定された値である。本発明および本明細書において、粉末とは、複数の粒子の集合を意味する。例えば、強磁性粉末とは、複数の強磁性粒子の集合を意味する。また、複数の粒子の集合とは、集合を構成する粒子が直接接触している態様に限定されず、後述する結合剤、添加剤等が、粒子同士の間に介在している態様も包含される。粒子との語が、粉末を表すために用いられることもある。
【0049】
粒子サイズ測定のために磁気テープから試料粉末を採取する方法としては、例えば特開２０１１－０４８８７８号公報の段落００１５に記載の方法を採用することができる。
【0050】
本発明および本明細書において、特記しない限り、粉末を構成する粒子のサイズ（粒子サイズ）は、上記の粒子写真において観察される粒子の形状が、
（１）針状、紡錘状、柱状（ただし、高さが底面の最大長径より大きい）等の場合は、粒子を構成する長軸の長さ、即ち長軸長で表され、
（２）板状または柱状（ただし、厚みまたは高さが板面または底面の最大長径より小さい）の場合は、その板面または底面の最大長径で表され、
（３）球形、多面体状、不特定形等であって、かつ形状から粒子を構成する長軸を特定できない場合は、円相当径で表される。円相当径とは、円投影法で求められるものを言う。
（１）針状、紡錘状、柱状（ただし、高さが底面の最大長径より大きい）等の場合は、粒子を構成する長軸の長さ、即ち長軸長で表され、
（２）板状または柱状（ただし、厚みまたは高さが板面または底面の最大長径より小さい）の場合は、その板面または底面の最大長径で表され、
（３）球形、多面体状、不特定形等であって、かつ形状から粒子を構成する長軸を特定できない場合は、円相当径で表される。円相当径とは、円投影法で求められるものを言う。
【0051】
また、粉末の平均針状比は、上記測定において粒子の短軸の長さ、即ち短軸長を測定し、各粒子の（長軸長／短軸長）の値を求め、上記５００個の粒子について得た値の算術平均を指す。ここで、特記しない限り、短軸長とは、上記粒子サイズの定義で（１）の場合は、粒子を構成する短軸の長さを、同じく（２）の場合は、厚みまたは高さを各々指し、（３）の場合は、長軸と短軸の区別がないから、（長軸長／短軸長）は、便宜上１とみなす。
そして、特記しない限り、粒子の形状が特定の場合、例えば、上記粒子サイズの定義（１）の場合、平均粒子サイズは平均長軸長であり、同定義（２）の場合、平均粒子サイズは平均板径である。同定義（３）の場合、平均粒子サイズは、平均直径（平均粒径、平均粒子径ともいう）である。
そして、特記しない限り、粒子の形状が特定の場合、例えば、上記粒子サイズの定義（１）の場合、平均粒子サイズは平均長軸長であり、同定義（２）の場合、平均粒子サイズは平均板径である。同定義（３）の場合、平均粒子サイズは、平均直径（平均粒径、平均粒子径ともいう）である。
【0052】
磁性層における強磁性粉末の含有量（充填率）は、好ましくは５０～９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０～９０質量％の範囲である。磁性層において強磁性粉末の充填率が高いことは、記録密度向上の観点から好ましい。
【0053】
（結合剤）
上記磁気テープは塗布型の磁気テープであることができ、磁性層に結合剤を含むことができる。結合剤とは、一種以上の樹脂である。結合剤としては、塗布型磁気記録媒体の結合剤として通常使用される各種樹脂を用いることができる。例えば、結合剤としては、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン、アクリロニトリル、メチルメタクリレート等を共重合したアクリル樹脂、ニトロセルロース等のセルロース樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルキラール樹脂等から選ばれる樹脂を単独で用いるか、または複数の樹脂を混合して用いることができる。これらの中で好ましいものはポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、セルロース樹脂、および塩化ビニル樹脂である。これらの樹脂は、ホモポリマーでもよく、コポリマー（共重合体）でもよい。これらの樹脂は、後述する非磁性層および／またはバックコート層においても結合剤として使用することができる。以上の結合剤については、特開２０１０－２４１１３号公報の段落００２８～００３１を参照できる。また、結合剤は、電子線硬化型樹脂等の放射線硬化型樹脂であってもよい。放射線硬化型樹脂については、特開２０１１－０４８８７８号公報の段落００４４～００４５を参照できる。
結合剤として使用される樹脂の平均分子量は、重量平均分子量として、例えば１０，０００以上２００，０００以下であることができる。本発明および本明細書における重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって、下記測定条件により測定された値をポリスチレン換算して求められる値である。後述の実施例に示す結合剤の重量平均分子量は、下記測定条件によって測定された値をポリスチレン換算して求めた値である。結合剤は、強磁性粉末１００．０質量部に対して、例えば１．０～３０．０質量部の量で使用することができる。
ＧＰＣ装置：ＨＬＣ－８１２０（東ソー社製）
カラム：ＴＳＫ ｇｅｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＸＬ－Ｍ（東ソー社製、７．８ｍｍ
ＩＤ(Ｉｎｎｅｒ Ｄｉａｍｅｔｅｒ)×３０．０ｃｍ）
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
上記磁気テープは塗布型の磁気テープであることができ、磁性層に結合剤を含むことができる。結合剤とは、一種以上の樹脂である。結合剤としては、塗布型磁気記録媒体の結合剤として通常使用される各種樹脂を用いることができる。例えば、結合剤としては、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン、アクリロニトリル、メチルメタクリレート等を共重合したアクリル樹脂、ニトロセルロース等のセルロース樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルキラール樹脂等から選ばれる樹脂を単独で用いるか、または複数の樹脂を混合して用いることができる。これらの中で好ましいものはポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、セルロース樹脂、および塩化ビニル樹脂である。これらの樹脂は、ホモポリマーでもよく、コポリマー（共重合体）でもよい。これらの樹脂は、後述する非磁性層および／またはバックコート層においても結合剤として使用することができる。以上の結合剤については、特開２０１０－２４１１３号公報の段落００２８～００３１を参照できる。また、結合剤は、電子線硬化型樹脂等の放射線硬化型樹脂であってもよい。放射線硬化型樹脂については、特開２０１１－０４８８７８号公報の段落００４４～００４５を参照できる。
結合剤として使用される樹脂の平均分子量は、重量平均分子量として、例えば１０，０００以上２００，０００以下であることができる。本発明および本明細書における重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって、下記測定条件により測定された値をポリスチレン換算して求められる値である。後述の実施例に示す結合剤の重量平均分子量は、下記測定条件によって測定された値をポリスチレン換算して求めた値である。結合剤は、強磁性粉末１００．０質量部に対して、例えば１．０～３０．０質量部の量で使用することができる。
ＧＰＣ装置：ＨＬＣ－８１２０（東ソー社製）
カラム：ＴＳＫ ｇｅｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＸＬ－Ｍ（東ソー社製、７．８ｍｍ
ＩＤ(Ｉｎｎｅｒ Ｄｉａｍｅｔｅｒ)×３０．０ｃｍ）
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
【0054】
（硬化剤）
また、結合剤とともに硬化剤を使用することもできる。硬化剤は、一態様では加熱により硬化反応（架橋反応）が進行する化合物である熱硬化性化合物であることができ、他の一態様では光照射により硬化反応（架橋反応）が進行する光硬化性化合物であることができる。硬化剤は、磁気テープの製造工程の中で硬化反応が進行することにより、少なくとも一部は、結合剤等の他の成分と反応（架橋）した状態で磁性層に含まれ得る。好ましい硬化剤は、熱硬化性化合物であり、ポリイソシアネートが好適である。ポリイソシアネートの詳細については、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１２４～０１２５を参照できる。硬化剤は、磁性層形成用組成物中に、結合剤１００．０質量部に対して例えば０～８０．０質量部、磁性層等の各層の強度向上の観点からは好ましくは５０．０～８０．０質量部の量で使用することができる。
また、結合剤とともに硬化剤を使用することもできる。硬化剤は、一態様では加熱により硬化反応（架橋反応）が進行する化合物である熱硬化性化合物であることができ、他の一態様では光照射により硬化反応（架橋反応）が進行する光硬化性化合物であることができる。硬化剤は、磁気テープの製造工程の中で硬化反応が進行することにより、少なくとも一部は、結合剤等の他の成分と反応（架橋）した状態で磁性層に含まれ得る。好ましい硬化剤は、熱硬化性化合物であり、ポリイソシアネートが好適である。ポリイソシアネートの詳細については、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１２４～０１２５を参照できる。硬化剤は、磁性層形成用組成物中に、結合剤１００．０質量部に対して例えば０～８０．０質量部、磁性層等の各層の強度向上の観点からは好ましくは５０．０～８０．０質量部の量で使用することができる。
【0055】
（その他の成分）
磁性層には、必要に応じて一種以上の添加剤が含まれていてもよい。添加剤は、所望の性質に応じて市販品を適宜選択して使用することができる。または、公知の方法で合成された化合物を添加剤として使用することもできる。添加剤の一例としては、上記の硬化剤が挙げられる。また、磁性層に含まれ得る添加剤としては、非磁性フィラー、潤滑剤、分散剤、分散助剤、防黴剤、帯電防止剤、酸化防止剤等を挙げることができる非磁性フィラーとは、非磁性粒子または非磁性粉末と同義である。非磁性フィラーとしては、突起形成剤、および研磨剤として機能することができる非磁性フィラー（以下、「研磨剤」と記載する。）を挙げることができる。また、添加剤としては、特開２０１６－０５１４９３号公報の段落００３０～００８０に記載されている各種ポリマー等の公知の添加剤を用いることもできる。
磁性層には、必要に応じて一種以上の添加剤が含まれていてもよい。添加剤は、所望の性質に応じて市販品を適宜選択して使用することができる。または、公知の方法で合成された化合物を添加剤として使用することもできる。添加剤の一例としては、上記の硬化剤が挙げられる。また、磁性層に含まれ得る添加剤としては、非磁性フィラー、潤滑剤、分散剤、分散助剤、防黴剤、帯電防止剤、酸化防止剤等を挙げることができる非磁性フィラーとは、非磁性粒子または非磁性粉末と同義である。非磁性フィラーとしては、突起形成剤、および研磨剤として機能することができる非磁性フィラー（以下、「研磨剤」と記載する。）を挙げることができる。また、添加剤としては、特開２０１６－０５１４９３号公報の段落００３０～００８０に記載されている各種ポリマー等の公知の添加剤を用いることもできる。
【0056】
非磁性フィラーの一形態である突起形成剤としては、無機物質の粒子を用いることができ、有機物質の粒子を用いることもでき、無機物質と有機物質との複合粒子を用いることもできる。無機物質としては、金属酸化物等の無機酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物等を挙げることができ、無機酸化物が好ましい。一態様では、突起形成剤は、無機酸化物系粒子であることができる。ここで「系」とは、「含む」との意味で用いられる。無機酸化物系粒子の一態様は、無機酸化物からなる粒子である。また、無機酸化物系粒子の他の一態様は、無機酸化物と有機物質との複合粒子であり、具体例としては、無機酸化物とポリマーとの複合粒子を挙げることができる。そのような粒子としては、例えば、無機酸化物粒子の表面にポリマーが結合した粒子を挙げることができる。
【0057】
上記のＳ０．１は、主に突起形成剤の粒子サイズにより制御することができる。突起形成剤の平均粒子サイズは、例えば３０～３００ｎｍであることができ、４０～２００ｎｍであることが好ましい。また、磁気テープの製造条件によって、主にＳ０．１を制御することができる。一方、Ｓ１．６については、突起形成剤の粒子サイズに加えて、突起形成剤の形状によって制御することができる。粒子の形状が真球に近い粒子ほど、大きな圧力が加えられた際に働く押し込み抵抗が小さいため、磁性層内部に押し込まれやすくなり、Ｓ１．６は小さくなりやすい。これに対し、粒子の形状が真球から離れた形状、例えばいわゆる異形と呼ばれる形状であると、大きな圧力が加えられた際に大きな押し込み抵抗が働きやすいため、磁性層内部に押し込まれ難くなり、Ｓ１．６は大きくなりやすい。また、粒子表面が不均質であり表面平滑性が低い粒子も、大きな圧力が加えられた際に大きな押し込み抵抗が働きやすいため、磁性層内部に押し込まれ難くなり、Ｓ１．６は大きくなりやすい。そしてＳ０．１およびＳ１．６を制御することにより、差分（Ｓ０．１－Ｓ１．６）を３２ｎｍ以下にすることができる。
【0058】
非磁性フィラーの他の一形態である研磨剤は、好ましくはモース硬度８超の非磁性粉末であり、モース硬度９以上の非磁性粉末であることがより好ましい。これに対し、突起形成剤のモース硬度は、例えば８以下または７以下であることができる。なおモース硬度の最大値は、ダイヤモンドの１０である。具体的には、研磨剤としては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、炭化ケイ素、ボロンカーバイド（Ｂ４Ｃ）、ＳｉＯ２、ＴｉＣ、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、酸化セリウム、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化鉄、ダイヤモンド等の粉末を挙げることができ、中でもα－アルミナ等のアルミナ粉末および炭化ケイ素粉末が好ましい。また、研磨剤の平均粒子サイズは、例えば３０～３００ｎｍの範囲であることができ、５０～２００ｎｍの範囲であることが好ましい。
【0059】
また、突起形成剤および研磨剤が、それらの機能をより良好に発揮することができるという観点から、磁性層における突起形成剤の含有量は、強磁性粉末１００．０質量部に対して、０．１～５．０質量部であることが好ましく、０．３～３．５質量部であることがより好ましい。一方、研磨剤については、磁性層における含有量は、強磁性粉末１００．０質量部に対して１．０～２０．０質量部であることが好ましく、３．０～１５．０質量部であることがより好ましく、４．０～１０．０質量部であることが更に好ましい。
【0060】
研磨剤を含む磁性層に使用され得る添加剤の一例としては、特開２０１３－１３１２８５号公報の段落００１２～００２２に記載の分散剤を、磁性層形成用組成物における研磨剤の分散性を向上させるための分散剤として挙げることができる。また、分散剤については、特開２０１２－１３３８３７号公報の段落００６１および００７１を参照できる。分散剤は、非磁性層に含まれていてもよい。非磁性層に含まれ得る分散剤については、特開２０１２－１３３８３７号公報の段落００６１を参照できる。
【0061】
磁性層に含まれ得る添加剤の一態様である潤滑剤としては、脂肪酸、脂肪酸エステルおよび脂肪酸アミドからなる群から選択される一種以上の潤滑剤を挙げることができる。上記のＳ０．１およびＳ１．６は、ｎ－ヘキサン洗浄後の磁性層表面においてスペーシング測定を行い求められる値である。スペーシング測定時に押圧される磁性層の表面に潤滑剤の液膜が存在すると、この液膜の厚み分、測定されるスペーシングは狭くなってしまう。これに対し、押圧時に液膜として存在し得る潤滑剤は、ｎ－ヘキサン洗浄によって除去できると推察される。したがって、ｎ－ヘキサン洗浄後にスペーシングを測定することにより、磁性層表面の突起の存在状態（突起の高さ）と良好に対応する値としてスペーシングの値を得ることができると考えられる。
【0062】
脂肪酸としては、例えば、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ベヘン酸、エルカ酸、エライジン酸等を挙げることができ、ステアリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸が好ましく、ステアリン酸がより好ましい。脂肪酸は、金属塩等の塩の形態で磁性層に含まれていてもよい。
脂肪酸エステルとしては、例えば、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ベヘン酸、エルカ酸、エライジン酸等のエステルを挙げることができる。具体例としては、例えば、ミリスチン酸ブチル、パルミチン酸ブチル、ステアリン酸ブチル（ブチルステアレート）、ネオペンチルグリコールジオレエート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンジステアレート、ソルビタントリステアレート、オレイン酸オレイル、ステアリン酸イソセチル、ステアリン酸イソトリデシル、ステアリン酸オクチル、ステアリン酸イソオクチル、ステアリン酸アミル、ステアリン酸ブトキシエチル等を挙げることができる。
脂肪酸アミドとしては、上記の各種脂肪酸のアミド、例えば、ラウリン酸アミド、ミリスチン酸アミド、パルミチン酸アミド、ステアリン酸アミド等を挙げることができる。
脂肪酸と脂肪酸の誘導体（アミドおよびエステル等）については、脂肪酸誘導体の脂肪酸由来部位は、併用される脂肪酸と同様または類似の構造を有することが好ましい。例えば、一例として、脂肪酸としてステアリン酸を用いる場合にステアリン酸エステルおよび／またはステアリン酸アミドを使用することは好ましい。
磁性層の脂肪酸含有量は、強磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０～１０.０質量部であり、好ましくは０．１～１０.０質量部であり、より好ましくは１．０～７．０質量部である。磁性層の脂肪酸エステル含有量は、強磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０～１０．０質量部であり、好ましくは０．１～１０.０質量部であり、より好ましくは１．０～７．０質量部である。磁性層の脂肪酸アミド含有量は、強磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０～３.０質量部であり、好ましくは０～２．０質量部であり、より好ましくは０～１．０質量部である。
また、上記磁気テープが非磁性支持体と磁性層との間に非磁性層を有する場合、非磁性層の脂肪酸含有量は、非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０～１０．０質量部であり、好ましくは１．０～１０．０質量部であり、より好ましくは１．０～７．０質量部である。非磁性層の脂肪酸エステル含有量は、非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０～１５．０質量部であり、好ましくは０．１～１０．０質量部である。非磁性層の脂肪酸アミド含有量は、非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０～３．０質量部であり、好ましくは０～１．０質量部である。
脂肪酸エステルとしては、例えば、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ベヘン酸、エルカ酸、エライジン酸等のエステルを挙げることができる。具体例としては、例えば、ミリスチン酸ブチル、パルミチン酸ブチル、ステアリン酸ブチル（ブチルステアレート）、ネオペンチルグリコールジオレエート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンジステアレート、ソルビタントリステアレート、オレイン酸オレイル、ステアリン酸イソセチル、ステアリン酸イソトリデシル、ステアリン酸オクチル、ステアリン酸イソオクチル、ステアリン酸アミル、ステアリン酸ブトキシエチル等を挙げることができる。
脂肪酸アミドとしては、上記の各種脂肪酸のアミド、例えば、ラウリン酸アミド、ミリスチン酸アミド、パルミチン酸アミド、ステアリン酸アミド等を挙げることができる。
脂肪酸と脂肪酸の誘導体（アミドおよびエステル等）については、脂肪酸誘導体の脂肪酸由来部位は、併用される脂肪酸と同様または類似の構造を有することが好ましい。例えば、一例として、脂肪酸としてステアリン酸を用いる場合にステアリン酸エステルおよび／またはステアリン酸アミドを使用することは好ましい。
磁性層の脂肪酸含有量は、強磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０～１０.０質量部であり、好ましくは０．１～１０.０質量部であり、より好ましくは１．０～７．０質量部である。磁性層の脂肪酸エステル含有量は、強磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０～１０．０質量部であり、好ましくは０．１～１０.０質量部であり、より好ましくは１．０～７．０質量部である。磁性層の脂肪酸アミド含有量は、強磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０～３.０質量部であり、好ましくは０～２．０質量部であり、より好ましくは０～１．０質量部である。
また、上記磁気テープが非磁性支持体と磁性層との間に非磁性層を有する場合、非磁性層の脂肪酸含有量は、非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０～１０．０質量部であり、好ましくは１．０～１０．０質量部であり、より好ましくは１．０～７．０質量部である。非磁性層の脂肪酸エステル含有量は、非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０～１５．０質量部であり、好ましくは０．１～１０．０質量部である。非磁性層の脂肪酸アミド含有量は、非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０～３．０質量部であり、好ましくは０～１．０質量部である。
【0063】
＜非磁性層＞
次に非磁性層について説明する。上記磁気テープは、非磁性支持体上に直接磁性層を有していてもよく、非磁性支持体と磁性層との間に非磁性粉末を含む非磁性層を有していてもよい。非磁性層に使用される非磁性粉末は、無機物質の粉末（無機粉末）でも有機物質の粉末（有機粉末）でもよい。また、カーボンブラック等も使用できる。無機物質としては、例えば金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物等が挙げられる。これらの非磁性粉末は、市販品として入手可能であり、公知の方法で製造することもできる。その詳細については、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１４６～０１５０を参照できる。非磁性層に使用可能なカーボンブラックについては、特開２０１０－２４１１３号公報の段落００４０～００４１も参照できる。非磁性層における非磁性粉末の含有量（充填率）は、好ましくは５０～９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０～９０質量％の範囲である。
次に非磁性層について説明する。上記磁気テープは、非磁性支持体上に直接磁性層を有していてもよく、非磁性支持体と磁性層との間に非磁性粉末を含む非磁性層を有していてもよい。非磁性層に使用される非磁性粉末は、無機物質の粉末（無機粉末）でも有機物質の粉末（有機粉末）でもよい。また、カーボンブラック等も使用できる。無機物質としては、例えば金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物等が挙げられる。これらの非磁性粉末は、市販品として入手可能であり、公知の方法で製造することもできる。その詳細については、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１４６～０１５０を参照できる。非磁性層に使用可能なカーボンブラックについては、特開２０１０－２４１１３号公報の段落００４０～００４１も参照できる。非磁性層における非磁性粉末の含有量（充填率）は、好ましくは５０～９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０～９０質量％の範囲である。
【0064】
非磁性層は、結合剤を含むことができ、添加剤を含むこともできる。非磁性層の結合剤、添加剤等のその他詳細については、非磁性層に関する公知技術を適用できる。また、例えば、結合剤の種類および含有量、添加剤の種類および含有量等に関しては、磁性層に関する公知技術も適用できる。
【0065】
上記磁気テープの非磁性層には、非磁性粉末とともに、例えば不純物として、または意図的に、少量の強磁性粉末を含む実質的に非磁性な層も包含されるものとする。ここで実質的に非磁性な層とは、この層の残留磁束密度が１０ｍＴ以下であるか、保磁力が７．９６ｋＡ／ｍ（１００Ｏｅ）以下であるか、または、残留磁束密度が１０ｍＴ以下であり、かつ保磁力が７．９６ｋＡ／ｍ（１００Ｏｅ）以下である層をいうものとする。非磁性層は、残留磁束密度および保磁力を持たないことが好ましい。
【0066】
＜非磁性支持体＞
次に、非磁性支持体について説明する。非磁性支持体（以下、単に「支持体」とも記載する。）としては、二軸延伸を行ったポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリアミドイミド、芳香族ポリアミド等の公知のものが挙げられる。これらの中でもポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミドが好ましい。これらの支持体には、あらかじめコロナ放電、プラズマ処理、易接着処理、加熱処理等を行ってもよい。
次に、非磁性支持体について説明する。非磁性支持体（以下、単に「支持体」とも記載する。）としては、二軸延伸を行ったポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリアミドイミド、芳香族ポリアミド等の公知のものが挙げられる。これらの中でもポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミドが好ましい。これらの支持体には、あらかじめコロナ放電、プラズマ処理、易接着処理、加熱処理等を行ってもよい。
【0067】
＜バックコート層＞
上記テープは、非磁性支持体の磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末を含むバックコート層を有することもでき、有さないこともできる。バックコート層には、カーボンブラックおよび無機粉末の一方または両方が含有されていることが好ましい。バックコート層は、結合剤を含むことができ、添加剤を含むこともできる。バックコート層の結合剤、添加剤等の詳細については、バックコート層に関する公知技術を適用することができ、磁性層および／または非磁性層に関する公知技術を適用することもできる。例えば、特開２００６－３３１６２５号公報の段落００１８～００２０および米国特許第７，０２９，７７４号明細書の第４欄６５行目～第５欄３８行目の記載を、バックコート層について参照できる。
上記テープは、非磁性支持体の磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末を含むバックコート層を有することもでき、有さないこともできる。バックコート層には、カーボンブラックおよび無機粉末の一方または両方が含有されていることが好ましい。バックコート層は、結合剤を含むことができ、添加剤を含むこともできる。バックコート層の結合剤、添加剤等の詳細については、バックコート層に関する公知技術を適用することができ、磁性層および／または非磁性層に関する公知技術を適用することもできる。例えば、特開２００６－３３１６２５号公報の段落００１８～００２０および米国特許第７，０２９，７７４号明細書の第４欄６５行目～第５欄３８行目の記載を、バックコート層について参照できる。
【0068】
＜各種厚み＞
磁気テープの厚み（総厚）に関して、近年の情報量の莫大な増大に伴い、磁気テープには記録容量を高めること（高容量化）が求められている。高容量化のための手段としては、磁気テープの厚みを薄くし、磁気テープカートリッジ１巻あたりに収容される磁気テープ長を増すことが挙げられる。この点から、上記磁気テープの厚み（総厚）は、５．６μｍ以下であることが好ましく、５．５μｍ以下であることがより好ましく、５．４μｍ以下であることがより好ましく、５．３μｍ以下であることが更に好ましい。また、ハンドリングの容易性の観点からは、磁気テープの厚みは３．０μｍ以上であることが好ましく、３．５μｍ以上であることがより好ましい。
磁気テープの厚み（総厚）に関して、近年の情報量の莫大な増大に伴い、磁気テープには記録容量を高めること（高容量化）が求められている。高容量化のための手段としては、磁気テープの厚みを薄くし、磁気テープカートリッジ１巻あたりに収容される磁気テープ長を増すことが挙げられる。この点から、上記磁気テープの厚み（総厚）は、５．６μｍ以下であることが好ましく、５．５μｍ以下であることがより好ましく、５．４μｍ以下であることがより好ましく、５．３μｍ以下であることが更に好ましい。また、ハンドリングの容易性の観点からは、磁気テープの厚みは３．０μｍ以上であることが好ましく、３．５μｍ以上であることがより好ましい。
【0069】
磁気テープの厚み（総厚）は、以下の方法によって測定することができる。
磁気テープの任意の部分からテープサンプル（例えば長さ５～１０ｃｍ）を１０枚切り出し、これらテープサンプルを重ねて厚みを測定する。測定された厚みを１０分の１して得られた値（テープサンプル１枚当たりの厚み）を、テープ厚みとする。上記厚み測定は、０．１μｍオーダーでの厚み測定が可能な公知の測定器を用いて行うことができる。
磁気テープの任意の部分からテープサンプル（例えば長さ５～１０ｃｍ）を１０枚切り出し、これらテープサンプルを重ねて厚みを測定する。測定された厚みを１０分の１して得られた値（テープサンプル１枚当たりの厚み）を、テープ厚みとする。上記厚み測定は、０．１μｍオーダーでの厚み測定が可能な公知の測定器を用いて行うことができる。
【0070】
非磁性支持体の厚みは、好ましくは３．０～５．０μｍである。
磁性層の厚みは、用いる磁気ヘッドの飽和磁化量、ヘッドギャップ長、記録信号の帯域等に応じて最適化することができ、一般には０．０１μｍ～０．１５μｍであり、高密度記録化の観点から、好ましくは０．０２μｍ～０．１２μｍであり、更に好ましくは０．０３μｍ～０．１μｍである。磁性層は少なくとも一層あればよく、磁性層を異なる磁気特性を有する二層以上に分離してもかまわず、公知の重層磁性層に関する構成が適用できる。二層以上に分離する場合の磁性層の厚みとは、これらの層の合計厚みとする。
非磁性層の厚みは、例えば０．１～１．５μｍであり、０．１～１．０μｍであることが好ましい。
バックコート層の厚みは、０．９μｍ以下が好ましく、０．１～０．７μｍが更に好ましい。
磁性層の厚み等の各種厚みは、以下の方法により求めることができる。
磁気テープの厚み方向の断面を、イオンビームにより露出させた後、露出した断面において走査型電子顕微鏡による断面観察を行う。断面観察において任意の２箇所において求められた厚みの算術平均として、各種厚みを求めることができる。または、各種厚みは、製造条件等から算出される設計厚みとして求めることもできる。
磁性層の厚みは、用いる磁気ヘッドの飽和磁化量、ヘッドギャップ長、記録信号の帯域等に応じて最適化することができ、一般には０．０１μｍ～０．１５μｍであり、高密度記録化の観点から、好ましくは０．０２μｍ～０．１２μｍであり、更に好ましくは０．０３μｍ～０．１μｍである。磁性層は少なくとも一層あればよく、磁性層を異なる磁気特性を有する二層以上に分離してもかまわず、公知の重層磁性層に関する構成が適用できる。二層以上に分離する場合の磁性層の厚みとは、これらの層の合計厚みとする。
非磁性層の厚みは、例えば０．１～１．５μｍであり、０．１～１．０μｍであることが好ましい。
バックコート層の厚みは、０．９μｍ以下が好ましく、０．１～０．７μｍが更に好ましい。
磁性層の厚み等の各種厚みは、以下の方法により求めることができる。
磁気テープの厚み方向の断面を、イオンビームにより露出させた後、露出した断面において走査型電子顕微鏡による断面観察を行う。断面観察において任意の２箇所において求められた厚みの算術平均として、各種厚みを求めることができる。または、各種厚みは、製造条件等から算出される設計厚みとして求めることもできる。
【0071】
＜製造方法＞
（各層形成用組成物の調製）
磁性層、非磁性層またはバックコート層を形成するための組成物は、先に説明した各種成分とともに、通常、溶媒を含む。溶媒としては、塗布型磁気記録媒体を製造するために一般に使用される各種有機溶媒を用いることができる。中でも、塗布型磁気記録媒体に通常使用される結合剤の溶解性の観点からは、各層形成用組成物には、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン、テトラヒドロフラン等のケトン溶媒の一種以上が含まれることが好ましい。各層形成用組成物における溶媒量は特に限定されるものではなく、通常の塗布型磁気記録媒体の各層形成用組成物と同様にすることができる。また、各層形成用組成物を調製する工程は、通常、少なくとも混練工程、分散工程、およびこれらの工程の前後に必要に応じて設けた混合工程を含むことができる。個々の工程はそれぞれ２段階以上に分かれていてもかまわない。各層形成用組成物の調製に用いられる成分は、どの工程の最初または途中で添加してもかまわない。また、個々の成分を２つ以上の工程で分割して添加してもかまわない。例えば、結合剤を混練工程、分散工程、および分散後の粘度調整のための混合工程で分割して投入してもよい。上記磁気テープの製造工程では、従来の公知の製造技術を一部または全部の工程において用いることができる。混練工程では、オープンニーダ、連続ニーダ、加圧ニーダ、エクストルーダ等の強い混練力をもつニーダを使用することが好ましい。これらの混練処理の詳細については特開平１－１０６３３８号公報および特開平１－７９２７４号公報に記載されている。また、各層形成用組成物を分散させるために、ガラスビーズおよび／またはその他のビーズを用いることができる。このような分散ビーズとしては、高比重の分散ビーズであるジルコニアビーズ、チタニアビーズ、およびスチールビーズが好適である。これら分散ビーズは、粒径（ビーズ径）と充填率を最適化して用いることが好ましい。分散機は公知のものを使用することができる。各層形成用組成物を、塗布工程に付す前に公知の方法によってろ過してもよい。ろ過は、例えばフィルタろ過によって行うことができる。ろ過に用いるフィルタとしては、例えば孔径０．０１～３μｍのフィルタ（例えばガラス繊維製フィルタ、ポリプロピレン製フィルタ等）を用いることができる。
（各層形成用組成物の調製）
磁性層、非磁性層またはバックコート層を形成するための組成物は、先に説明した各種成分とともに、通常、溶媒を含む。溶媒としては、塗布型磁気記録媒体を製造するために一般に使用される各種有機溶媒を用いることができる。中でも、塗布型磁気記録媒体に通常使用される結合剤の溶解性の観点からは、各層形成用組成物には、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン、テトラヒドロフラン等のケトン溶媒の一種以上が含まれることが好ましい。各層形成用組成物における溶媒量は特に限定されるものではなく、通常の塗布型磁気記録媒体の各層形成用組成物と同様にすることができる。また、各層形成用組成物を調製する工程は、通常、少なくとも混練工程、分散工程、およびこれらの工程の前後に必要に応じて設けた混合工程を含むことができる。個々の工程はそれぞれ２段階以上に分かれていてもかまわない。各層形成用組成物の調製に用いられる成分は、どの工程の最初または途中で添加してもかまわない。また、個々の成分を２つ以上の工程で分割して添加してもかまわない。例えば、結合剤を混練工程、分散工程、および分散後の粘度調整のための混合工程で分割して投入してもよい。上記磁気テープの製造工程では、従来の公知の製造技術を一部または全部の工程において用いることができる。混練工程では、オープンニーダ、連続ニーダ、加圧ニーダ、エクストルーダ等の強い混練力をもつニーダを使用することが好ましい。これらの混練処理の詳細については特開平１－１０６３３８号公報および特開平１－７９２７４号公報に記載されている。また、各層形成用組成物を分散させるために、ガラスビーズおよび／またはその他のビーズを用いることができる。このような分散ビーズとしては、高比重の分散ビーズであるジルコニアビーズ、チタニアビーズ、およびスチールビーズが好適である。これら分散ビーズは、粒径（ビーズ径）と充填率を最適化して用いることが好ましい。分散機は公知のものを使用することができる。各層形成用組成物を、塗布工程に付す前に公知の方法によってろ過してもよい。ろ過は、例えばフィルタろ過によって行うことができる。ろ過に用いるフィルタとしては、例えば孔径０．０１～３μｍのフィルタ（例えばガラス繊維製フィルタ、ポリプロピレン製フィルタ等）を用いることができる。
【0072】
（塗布工程）
磁性層は、磁性層形成用組成物を、例えば、非磁性支持体上に直接塗布するか、または非磁性層形成用組成物と逐次もしくは同時に重層塗布することにより形成することができる。配向処理を行う態様では、磁性層形成用組成物の塗布層が湿潤状態にあるうちに、配向ゾーンにおいて塗布層に対して配向処理が行われる。配向処理については、特開２０１０－２４１１３号公報の段落００５２の記載をはじめとする各種公知技術を適用することができる。例えば、垂直配向処理は、異極対向磁石を用いる方法等の公知の方法によって行うことができる。配向ゾーンでは、乾燥風の温度、風量および／または配向ゾーンにおける搬送速度によって塗布層の乾燥速度を制御することができる。また、配向ゾーンに搬送する前に塗布層を予備乾燥させてもよい。
バックコート層は、バックコート層形成用組成物を、非磁性支持体の磁性層を有する（または磁性層が追って設けられる）側とは反対側に塗布することにより形成することができる。各層形成のための塗布の詳細については、特開２０１０－２３１８４３号公報の段落００６６を参照できる。
磁性層は、磁性層形成用組成物を、例えば、非磁性支持体上に直接塗布するか、または非磁性層形成用組成物と逐次もしくは同時に重層塗布することにより形成することができる。配向処理を行う態様では、磁性層形成用組成物の塗布層が湿潤状態にあるうちに、配向ゾーンにおいて塗布層に対して配向処理が行われる。配向処理については、特開２０１０－２４１１３号公報の段落００５２の記載をはじめとする各種公知技術を適用することができる。例えば、垂直配向処理は、異極対向磁石を用いる方法等の公知の方法によって行うことができる。配向ゾーンでは、乾燥風の温度、風量および／または配向ゾーンにおける搬送速度によって塗布層の乾燥速度を制御することができる。また、配向ゾーンに搬送する前に塗布層を予備乾燥させてもよい。
バックコート層は、バックコート層形成用組成物を、非磁性支持体の磁性層を有する（または磁性層が追って設けられる）側とは反対側に塗布することにより形成することができる。各層形成のための塗布の詳細については、特開２０１０－２３１８４３号公報の段落００６６を参照できる。
【0073】
（その他の工程）
上記塗布工程を行った後、通常、磁気テープの表面平滑性を高めるためにカレンダ処理が施される。カレンダ条件を強化するほど、製造される磁気テープにおいて突起形成剤により形成される磁性層表面の突起の高さは低くなる傾向がある。これにより、例えばＳ０．１を小さくすることができる。カレンダ条件としては、カレンダロールの種類および段数、カレンダ圧力、カレンダ温度（カレンダロールの表面温度）、カレンダ速度等を挙げることができる。カレンダ圧力は、例えば２００～５００ｋＮ／ｍ、好ましくは２５０～３５０ｋＮ／ｍであり、カレンダ温度は、例えば７０～１２０℃、好ましくは８０～１００℃であり、カレンダ速度は、例えば５０～３００ｍ／ｍｉｎ、好ましくは８０～２００ｍ／ｍｉｎである。また、カレンダロールとして表面が硬いロールを使用するほど、また段数を増やすほど、磁性層表面は平滑化する傾向があるためカレンダロールの組み合わせおよび段数によって磁性層表面の突起の高さを調整することもできる。
磁気テープ製造のためのその他の各種工程については、特開２０１０－２３１８４３号公報の段落００６７～００７０を参照できる。
各種工程を経ることによって、長尺状の磁気テープ原反を得ることができる。得られた磁気テープ原反は、公知の裁断機によって、磁気テープカートリッジに収容すべき磁気テープの幅に裁断（スリット）される。上記の幅は規格にしたがい決定でき、通常、１／２インチである。１／２インチ＝１２．６５ｍｍである。
スリットして得られた磁気テープには、通常、サーボパターンが形成される。
上記塗布工程を行った後、通常、磁気テープの表面平滑性を高めるためにカレンダ処理が施される。カレンダ条件を強化するほど、製造される磁気テープにおいて突起形成剤により形成される磁性層表面の突起の高さは低くなる傾向がある。これにより、例えばＳ０．１を小さくすることができる。カレンダ条件としては、カレンダロールの種類および段数、カレンダ圧力、カレンダ温度（カレンダロールの表面温度）、カレンダ速度等を挙げることができる。カレンダ圧力は、例えば２００～５００ｋＮ／ｍ、好ましくは２５０～３５０ｋＮ／ｍであり、カレンダ温度は、例えば７０～１２０℃、好ましくは８０～１００℃であり、カレンダ速度は、例えば５０～３００ｍ／ｍｉｎ、好ましくは８０～２００ｍ／ｍｉｎである。また、カレンダロールとして表面が硬いロールを使用するほど、また段数を増やすほど、磁性層表面は平滑化する傾向があるためカレンダロールの組み合わせおよび段数によって磁性層表面の突起の高さを調整することもできる。
磁気テープ製造のためのその他の各種工程については、特開２０１０－２３１８４３号公報の段落００６７～００７０を参照できる。
各種工程を経ることによって、長尺状の磁気テープ原反を得ることができる。得られた磁気テープ原反は、公知の裁断機によって、磁気テープカートリッジに収容すべき磁気テープの幅に裁断（スリット）される。上記の幅は規格にしたがい決定でき、通常、１／２インチである。１／２インチ＝１２．６５ｍｍである。
スリットして得られた磁気テープには、通常、サーボパターンが形成される。
【0074】
（サーボパターンの形成）
「サーボパターンの形成」は、「サーボ信号の記録」ということもできる。以下に、サーボパターンの形成について説明する。
「サーボパターンの形成」は、「サーボ信号の記録」ということもできる。以下に、サーボパターンの形成について説明する。
【0075】
サーボパターンは、通常、磁気テープの長手方向に沿って形成される。サーボ信号を利用する制御（サーボ制御）の方式としては、タイミングベースサーボ（ＴＢＳ）、アンプリチュードサーボ、周波数サーボ等が挙げられる。
【0076】
ＥＣＭＡ（Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｅｒｓ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）―３１９（Ｊｕｎｅ ２００１）に示される通り、ＬＴＯ（Ｌｉｎｅａｒ Ｔａｐｅ－Ｏｐｅｎ）規格に準拠した磁気テープ（一般に「ＬＴＯテープ」と呼ばれる。）では、タイミングベースサーボ方式が採用されている。このタイミングベースサーボ方式において、サーボパターンは、互いに非平行な一対の磁気ストライプ（「サーボストライプ」とも呼ばれる。）が、磁気テープの長手方向に連続的に複数配置されることによって構成されている。本発明および本明細書において、「タイミングベースサーボパターン」とは、タイミングベースサーボ方式のサーボシステムにおけるヘッドトラッキングを可能とするサーボパターンをいう。上記のように、サーボパターンが互いに非平行な一対の磁気ストライプにより構成される理由は、サーボパターン上を通過するサーボ信号読み取り素子に、その通過位置を教えるためである。具体的には、上記の一対の磁気ストライプは、その間隔が磁気テープの幅方向に沿って連続的に変化するように形成されており、サーボ信号読み取り素子がその間隔を読み取ることによって、サーボパターンとサーボ信号読み取り素子との相対位置を知ることができる。この相対位置の情報が、データトラックのトラッキングを可能にする。そのために、サーボパターン上には、通常、磁気テープの幅方向に沿って、複数のサーボトラックが設定されている。
【0077】
サーボバンドは、磁気テープの長手方向に連続するサーボパターンにより構成される。このサーボバンドは、通常、磁気テープに複数本設けられる。例えば、ＬＴＯテープにおいて、その数は５本である。隣接する２本のサーボバンドに挟まれた領域が、データバンドである。データバンドは、複数のデータトラックで構成されており、各データトラックは、各サーボトラックに対応している。
【0078】
また、一形態では、特開２００４－３１８９８３号公報に示されているように、各サーボバンドには、サーボバンドの番号を示す情報（「サーボバンドＩＤ（ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）」または「ＵＤＩＭ（Ｕｎｉｑｕｅ ＤａｔａＢａｎｄ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ Ｍｅｔｈｏｄ）情報」とも呼ばれる。）が埋め込まれている。このサーボバンドＩＤは、サーボバンド中に複数ある一対のサーボストライプのうちの特定のものを、その位置が磁気テープの長手方向に相対的に変位するように、ずらすことによって記録されている。具体的には、複数ある一対のサーボストライプのうちの特定のもののずらし方を、サーボバンド毎に変えている。これにより、記録されたサーボバンドＩＤはサーボバンド毎にユニークなものとなるため、一つのサーボバンドをサーボ信号読み取り素子で読み取るだけで、そのサーボバンドを一意に（ｕｎｉｑｕｅｌｙ）特定することができる。
【0079】
なお、サーボバンドを一意に特定する方法には、ＥＣＭＡ―３１９（Ｊｕｎｅ ２００１）に示されているようなスタッガード方式を用いたものもある。このスタッガード方式では、磁気テープの長手方向に連続的に複数配置された、互いに非平行な一対の磁気ストライプ（サーボストライプ）の群を、サーボバンド毎に磁気テープの長手方向にずらすように記録する。隣接するサーボバンド間における、このずらし方の組み合わせは、磁気テープ全体においてユニークなものとされているため、２つのサーボ信号読み取り素子によりサーボパターンを読み取る際に、サーボバンドを一意に特定することも可能となっている。
【0080】
また、各サーボバンドには、ＥＣＭＡ―３１９（Ｊｕｎｅ ２００１）に示されている通り、通常、磁気テープの長手方向の位置を示す情報（「ＬＰＯＳ（Ｌｏｎｇｉｔｕｄｉｎａｌ Ｐｏｓｉｔｉｏｎ）情報」とも呼ばれる。）も埋め込まれている。このＬＰＯＳ情報も、ＵＤＩＭ情報と同様に、一対のサーボストライプの位置を、磁気テープの長手方向にずらすことによって記録されている。ただし、ＵＤＩＭ情報とは異なり、このＬＰＯＳ情報では、各サーボバンドに同じ信号が記録されている。
【0081】
上記のＵＤＩＭ情報およびＬＰＯＳ情報とは異なる他の情報を、サーボバンドに埋め込むことも可能である。この場合、埋め込まれる情報は、ＵＤＩＭ情報のようにサーボバンド毎に異なるものであってもよいし、ＬＰＯＳ情報のようにすべてのサーボバンドに共通のものであってもよい。
また、サーボバンドに情報を埋め込む方法としては、上記以外の方法を採用することも可能である。例えば、一対のサーボストライプの群の中から、所定の対を間引くことによって、所定のコードを記録するようにしてもよい。
また、サーボバンドに情報を埋め込む方法としては、上記以外の方法を採用することも可能である。例えば、一対のサーボストライプの群の中から、所定の対を間引くことによって、所定のコードを記録するようにしてもよい。
【0082】
サーボパターン形成用ヘッドは、サーボライトヘッドと呼ばれる。サーボライトヘッドは、通常、上記一対の磁気ストライプに対応した一対のギャップを、サーボバンドの数だけ有する。通常、各一対のギャップには、それぞれコアとコイルが接続されており、コイルに電流パルスを供給することによって、コアに発生した磁界が、一対のギャップに漏れ磁界を生じさせることができる。サーボパターンの形成の際には、サーボライトヘッド上に磁気テープを走行させながら電流パルスを入力することによって、一対のギャップに対応した磁気パターンを磁気テープに転写させて、サーボパターンを形成することができる。各ギャップの幅は、形成されるサーボパターンの密度に応じて適宜設定することができる。各ギャップの幅は、例えば、１μｍ以下、１～１０μｍ、１０μｍ以上等に設定可能である。
【0083】
磁気テープにサーボパターンを形成する前には、磁気テープに対して、通常、消磁（イレース）処理が施される。このイレース処理は、直流磁石または交流磁石を用いて、磁気テープに一様な磁界を加えることによって行うことができる。イレース処理には、ＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）イレースとＡＣ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ Ｃｕｒｒｅｎｔ）イレースとがある。ＡＣイレースは、磁気テープに印加する磁界の方向を反転させながら、その磁界の強度を徐々に下げることによって行われる。一方、ＤＣイレースは、磁気テープに一方向の磁界を加えることによって行われる。ＤＣイレースには、更に２つの方法がある。第一の方法は、磁気テープの長手方向に沿って一方向の磁界を加える、水平ＤＣイレースである。第二の方法は、磁気テープの厚み方向に沿って一方向の磁界を加える、垂直ＤＣイレースである。イレース処理は、磁気テープ全体に対して行ってもよいし、磁気テープのサーボバンド毎に行ってもよい。
【0084】
形成されるサーボパターンの磁界の向きは、イレースの向きに応じて決まる。例えば、磁気テープに水平ＤＣイレースが施されている場合、サーボパターンの形成は、磁界の向きがイレースの向きと反対になるように行われる。これにより、サーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号の出力を、大きくすることができる。なお、特開２０１２－５３９４０号公報に示されている通り、垂直ＤＣイレースされた磁気テープに、上記ギャップを用いた磁気パターンの転写を行った場合、形成されたサーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号は、単極パルス形状となる。一方、水平ＤＣイレースされた磁気テープに、上記ギャップを用いた磁気パターンの転写を行った場合、形成されたサーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号は、双極パルス形状となる。
【0085】
［磁気テープカートリッジ］
本発明の一態様は、上記磁気テープを含む磁気テープカートリッジに関する。
本発明の一態様は、上記磁気テープを含む磁気テープカートリッジに関する。
【0086】
上記磁気テープカートリッジに含まれる磁気テープの詳細は、先に記載した通りである。
【0087】
磁気テープカートリッジでは、一般に、カートリッジ本体内部に磁気テープがリールに巻き取られた状態で収容されている。リールは、カートリッジ本体内部に回転可能に備えられている。磁気テープカートリッジとしては、カートリッジ本体内部にリールを１つ具備する単リール型の磁気テープカートリッジおよびカートリッジ本体内部にリールを２つ具備する双リール型の磁気テープカートリッジが広く用いられている。単リール型の磁気テープカートリッジは、磁気テープへのデータの記録および／または再生のために磁気テープ装置に装着されると、磁気テープカートリッジから磁気テープが引き出されて磁気テープ装置側のリールに巻き取られる。磁気テープカートリッジから巻き取りリールまでの磁気テープ搬送経路には、磁気ヘッドが配置されている。磁気テープカートリッジ側のリール（供給リール）と磁気テープ装置側のリール（巻き取りリール）との間で、磁気テープの送り出しと巻き取りが行われる。この間、磁気ヘッドと磁気テープの磁性層表面とが接触し摺動することにより、データの記録および／または再生が行われる。これに対し、双リール型の磁気テープカートリッジは、供給リールと巻き取りリールの両リールが、磁気テープカートリッジ内部に具備されている。
【0088】
上記磁気テープカートリッジは、一形態では、カートリッジメモリを含むことができる。カートリッジメモリは、例えば不揮発メモリであることができ、テンション調整情報が既に記録されているメモリであるか、またはテンション調整情報が記録されるメモリであることができる。テンション調整情報は、磁気テープの長手方向にかかるテンションを調整するための情報である。カートリッジメモリについては、後述の記載も参照できる。
【0089】
上記磁気テープおよび磁気テープカートリッジは、磁気テープの長手方向にかかるテンションを調整することによって磁気テープの幅方向の寸法を制御する磁気テープ装置（換言すれば磁気記録再生システム）において、好適に使用され得る。
【0090】
［磁気テープ装置］
本発明の一態様は、磁気テープカートリッジを含む磁気テープ装置に関する。上記磁気テープ装置において、磁気テープへのデータの記録および／または磁気テープに記録されたデータの再生は、磁気テープの磁性層表面と磁気ヘッドとを接触させて摺動させることにより行うことができる。上記磁気テープ装置は、本発明の一態様にかかる磁気テープカートリッジを着脱可能に含むことができる。
本発明の一態様は、磁気テープカートリッジを含む磁気テープ装置に関する。上記磁気テープ装置において、磁気テープへのデータの記録および／または磁気テープに記録されたデータの再生は、磁気テープの磁性層表面と磁気ヘッドとを接触させて摺動させることにより行うことができる。上記磁気テープ装置は、本発明の一態様にかかる磁気テープカートリッジを着脱可能に含むことができる。
【0091】
上記磁気テープカートリッジは、磁気ヘッドを備えた磁気テープ装置に装着させ、データの記録および／または再生を行うために用いることができる。本発明および本明細書において、「磁気テープ装置」とは、磁気テープへのデータの記録および磁気テープに記録されたデータの再生の少なくとも一方を行うことができる装置を意味するものとする。かかる装置は、一般にドライブと呼ばれる。上記磁気テープ装置に含まれる磁気ヘッドは、磁気テープへのデータの記録を行うことができる記録ヘッドであることができ、磁気テープに記録されたデータの再生を行うことができる再生ヘッドであることもできる。また、上記磁気テープ装置は、一形態では、別々の磁気ヘッドとして、記録ヘッドと再生ヘッドの両方を含むことができる。他の一形態では、上記磁気テープ装置に含まれる磁気ヘッドは、記録素子と再生素子の両方を１つの磁気ヘッドに備えた構成を有することもできる。再生ヘッドとしては、磁気テープに記録された情報を感度よく読み取ることができる磁気抵抗効果型（ＭＲ；Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子を再生素子として含む磁気ヘッド（ＭＲヘッド）が好ましい。ＭＲヘッドとしては、公知の各種ＭＲヘッド（例えば、ＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッド、ＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッド等）を用いることができる。また、データの記録および／またはデータの再生を行う磁気ヘッドには、サーボパターン読み取り素子が含まれていてもよい。または、データの記録および／またはデータの再生を行う磁気ヘッドとは別のヘッドとして、サーボパターン読み取り素子を備えた磁気ヘッド（サーボヘッド）が上記磁気テープ装置に含まれていてもよい。例えば、データの記録および／または記録されたデータの再生を行う磁気ヘッド（以下、「記録再生ヘッド」とも呼ぶ。）は、サーボ信号読み取り素子を２つ含むことができ、２つのサーボ信号読み取り素子のそれぞれが、データバンドを挟んで隣り合う２本のサーボバンドを同時に読み取ることができる。２つのサーボ信号読み取り素子の間に、１つまたは複数のデータ用素子を配置することができる。データの記録のための素子（記録素子）とデータの再生のための素子（再生素子）を、「データ用素子」と総称する。
【0092】
再生素子として再生素子幅が狭い再生素子を使用してデータの再生を行うことにより、高密度記録されたデータを高感度に再生することができる。この観点から、再生素子の再生素子幅は、０．８μｍ以下であることが好ましい。再生素子の再生素子幅は、例えば０．３μｍ以上であることができる。ただし、この値を下回ることも上記観点からは好ましい。
他方、再生素子幅が狭くなるほど、オフトラックに起因する再生不良等の現象が発生し易くなる。このような現象の発生を抑制するために、磁気テープの長手方向にかかるテンションを調整することによって、磁気テープの幅方向の寸法を制御する磁気テープ装置は好ましい。
ここで「再生素子幅」とは、再生素子幅の物理的な寸法をいうものとする。かかる物理的な寸法は、光学顕微鏡、走査型電子顕微鏡等により測定が可能である。
他方、再生素子幅が狭くなるほど、オフトラックに起因する再生不良等の現象が発生し易くなる。このような現象の発生を抑制するために、磁気テープの長手方向にかかるテンションを調整することによって、磁気テープの幅方向の寸法を制御する磁気テープ装置は好ましい。
ここで「再生素子幅」とは、再生素子幅の物理的な寸法をいうものとする。かかる物理的な寸法は、光学顕微鏡、走査型電子顕微鏡等により測定が可能である。
【0093】
データの記録および／または記録されたデータの再生の際には、まず、サーボ信号を用いたトラッキングを行うことができる。即ち、サーボ信号読み取り素子を所定のサーボトラックに追従させることによって、データ用素子が、目的とするデータトラック上を通過するように制御することができる。データトラックの移動は、サーボ信号読み取り素子が読み取るサーボトラックを、テープ幅方向に変更することにより行われる。
また、記録再生ヘッドは、他のデータバンドに対する記録および／または再生を行うことも可能である。その際には、先に記載したＵＤＩＭ情報を利用してサーボ信号読み取り素子を所定のサーボバンドに移動させ、そのサーボバンドに対するトラッキングを開始すればよい。
また、記録再生ヘッドは、他のデータバンドに対する記録および／または再生を行うことも可能である。その際には、先に記載したＵＤＩＭ情報を利用してサーボ信号読み取り素子を所定のサーボバンドに移動させ、そのサーボバンドに対するトラッキングを開始すればよい。
【0094】
図１に、データバンドおよびサーボバンドの配置例を示す。図１中、磁気テープＭＴの磁性層には、複数のサーボバンド１が、ガイドバンド３に挟まれて配置されている。２本のサーボバンドに挟まれた複数の領域２が、データバンドである。サーボパターンは、磁化領域であって、サーボライトヘッドにより磁性層の特定の領域を磁化することによって形成される。サーボライトヘッドにより磁化する領域（サーボパターンを形成する位置）は規格により定められている。例えば業界標準規格であるＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットテープには、磁気テープ製造時に、図２に示すようにテープ幅方向に対して傾斜した複数のサーボパターンが、サーボバンド上に形成される。詳しくは、図２中、サーボバンド１上のサーボフレームＳＦは、サーボサブフレーム１（ＳＳＦ１）およびサーボサブフレーム２（ＳＳＦ２）から構成される。サーボサブフレーム１は、Ａバースト（図２中、符号Ａ）およびＢバースト（図２中、符号Ｂ）から構成される。ＡバーストはサーボパターンＡ１～Ａ５から構成され、ＢバーストはサーボパターンＢ１～Ｂ５から構成される。一方、サーボサブフレーム２は、Ｃバースト（図２中、符号Ｃ）およびＤバースト（図２中、符号Ｄ）から構成される。ＣバーストはサーボパターンＣ１～Ｃ４から構成され、ＤバーストはサーボパターンＤ１～Ｄ４から構成される。このような１８本のサーボパターンが５本と４本のセットで、５、５、４、４、の配列で並べられたサブフレームに配置され、サーボフレームを識別するために用いられる。図２には、説明のために１つのサーボフレームを示した。ただし、実際には、タイミングベースサーボ方式のヘッドトラッキングが行われる磁気テープの磁性層には、各サーボバンドに、複数のサーボフレームが走行方向に配置されている。図２中、矢印は走行方向を示している。例えば、ＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットテープは、通常、磁性層の各サーボバンドに、テープ長１ｍあたり５０００以上のサーボフレームを有する。
【0095】
磁気テープ装置は、磁気テープの長手方向にかかるテンションを調整することによって、磁気テープの幅方向の寸法を制御するためのテンション調整機構を有することが好ましい。以下に、図３を参照して、かかる磁気テープ装置の一例について説明する。ただし本発明は、図３に示す例に限定されるものではない。
【0096】
＜磁気テープ装置の構成＞
図３に示す磁気テープ装置１０は、制御装置１１からの命令により記録再生ヘッドユニット１２を制御し、磁気テープＭＴへのデータの記録および再生を行う。
磁気テープ装置１０は、磁気テープカートリッジリールと巻取りリールを回転制御するスピンドルモーター１７Ａ、１７Ｂおよびそれらの駆動装置１８Ａ、１８Ｂから磁気テープの長手方向に加わるテンションの検出および調整が可能な構成を有している。
磁気テープ装置１０は、磁気テープカートリッジ１３を装填可能な構成を有している。
磁気テープ装置１０は、磁気テープカートリッジ１３内のカートリッジメモリ１３１について読み取りおよび書き込みが可能なカートリッジメモリリードライト装置１４を有している。
磁気テープ装置１０に装着された磁気テープカートリッジ１３からは、磁気テープＭＴの端部またはリーダーピンが自動のローディング機構または手動により引き出され、磁気テープＭＴの磁性層表面が記録再生ヘッドユニット１２の記録再生ヘッド表面に接する向きでガイドローラー１５Ａ、１５Ｂを通して記録再生ヘッド上をパスし、磁気テープＭＴが巻取りリール１６に巻き取られる。
制御装置１１からの信号によりスピンドルモーター１７Ａとスピンドルモーター１７Ｂの回転およびトルクが制御され、磁気テープＭＴが任意の速度とテンションで走行される。テープ速度の制御には、磁気テープ上に予め形成されたサーボパターンを利用することができる。テンションの検出のために、磁気テープカートリッジ１３と巻取りリール１６との間にテンション検出機構を設けてもよい。テンションの制御は、スピンドルモーター１７Ａおよび１７Ｂによる制御の他に、ガイドローラー１５Ａおよび１５Ｂを用いて行ってもよい。
カートリッジメモリリードライト装置１４は、制御装置１１からの命令により、カートリッジメモリ１３１の情報の読み出しと書き込みが可能に構成されている。カートリッジメモリリードライト装置１４とカートリッジメモリ１３１との間の通信方式としては、例えば、ＩＳＯ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｏｒｇａｎｉｚａｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｓｔａｎｄａｒｄｉｚａｔｉｏｎ）１４４４３方式を採用できる。
図３に示す磁気テープ装置１０は、制御装置１１からの命令により記録再生ヘッドユニット１２を制御し、磁気テープＭＴへのデータの記録および再生を行う。
磁気テープ装置１０は、磁気テープカートリッジリールと巻取りリールを回転制御するスピンドルモーター１７Ａ、１７Ｂおよびそれらの駆動装置１８Ａ、１８Ｂから磁気テープの長手方向に加わるテンションの検出および調整が可能な構成を有している。
磁気テープ装置１０は、磁気テープカートリッジ１３を装填可能な構成を有している。
磁気テープ装置１０は、磁気テープカートリッジ１３内のカートリッジメモリ１３１について読み取りおよび書き込みが可能なカートリッジメモリリードライト装置１４を有している。
磁気テープ装置１０に装着された磁気テープカートリッジ１３からは、磁気テープＭＴの端部またはリーダーピンが自動のローディング機構または手動により引き出され、磁気テープＭＴの磁性層表面が記録再生ヘッドユニット１２の記録再生ヘッド表面に接する向きでガイドローラー１５Ａ、１５Ｂを通して記録再生ヘッド上をパスし、磁気テープＭＴが巻取りリール１６に巻き取られる。
制御装置１１からの信号によりスピンドルモーター１７Ａとスピンドルモーター１７Ｂの回転およびトルクが制御され、磁気テープＭＴが任意の速度とテンションで走行される。テープ速度の制御には、磁気テープ上に予め形成されたサーボパターンを利用することができる。テンションの検出のために、磁気テープカートリッジ１３と巻取りリール１６との間にテンション検出機構を設けてもよい。テンションの制御は、スピンドルモーター１７Ａおよび１７Ｂによる制御の他に、ガイドローラー１５Ａおよび１５Ｂを用いて行ってもよい。
カートリッジメモリリードライト装置１４は、制御装置１１からの命令により、カートリッジメモリ１３１の情報の読み出しと書き込みが可能に構成されている。カートリッジメモリリードライト装置１４とカートリッジメモリ１３１との間の通信方式としては、例えば、ＩＳＯ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｏｒｇａｎｉｚａｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｓｔａｎｄａｒｄｉｚａｔｉｏｎ）１４４４３方式を採用できる。
【0097】
制御装置１１は、例えば、制御部、記憶部、通信部等を含む。
【0098】
記録再生ヘッドユニット１２は、例えば、記録再生ヘッド、記録再生ヘッドのトラック幅方向の位置を調整するサーボトラッキングアクチュエータ、記録再生アンプ１９、制御装置１１と接続するためのコネクタケーブル等から構成される。記録再生ヘッドは、例えば、磁気テープにデータを記録する記録素子、磁気テープのデータを再生する再生素子および磁気テープ上に記録されたサーボ信号を読み取るサーボ信号読み取り素子から構成される。１つの磁気ヘッド内に、記録素子、再生素子、サーボ信号読み取り素子は、例えば、それぞれ１個以上搭載されている。または、磁気テープの走行方向に応じた複数の磁気ヘッド内に別々にそれぞれの素子を有していてもよい。
【0099】
記録再生ヘッドユニット１２は、制御装置１１からの命令に応じて、磁気テープＭＴに対してデータを記録することが可能に構成されている。また、制御装置１１からの命令に応じて、磁気テープＭＴに記録されたデータを再生することが可能に構成されている。
【0100】
制御装置１１は、磁気テープＭＴの走行時にサーボバンドから読み取られるサーボ信号から磁気テープの走行位置を求め、狙いの走行位置（トラック位置）に記録素子および／または再生素子が位置するように、サーボトラッキングアクチュエータを制御する機構を有している。このトラック位置の制御は、例えば、フィードバック制御により行われる。
制御装置１１は、磁気テープＭＴの走行時に隣り合う２本のサーボバンドから読み取られるサーボ信号から、サーボバンド間隔を求める機構を有している。またサーボバンド間隔が狙いの値になるように、スピンドルモーター１７Ａおよびスピンドルモーター１７Ｂのトルクおよび／またはガイドローラー１５Ａおよび１５Ｂを制御して磁気テープの長手方向のテンションを制御する機構を有している。このテンションの制御は、例えば、フィードバック制御により行われる。また、制御装置１１は、求めたサーボバンド間隔の情報を、制御装置１１の内部の記憶部、カートリッジメモリ１３１、外部の接続機器等に保存することができる。
制御装置１１は、磁気テープＭＴの走行時に隣り合う２本のサーボバンドから読み取られるサーボ信号から、サーボバンド間隔を求める機構を有している。またサーボバンド間隔が狙いの値になるように、スピンドルモーター１７Ａおよびスピンドルモーター１７Ｂのトルクおよび／またはガイドローラー１５Ａおよび１５Ｂを制御して磁気テープの長手方向のテンションを制御する機構を有している。このテンションの制御は、例えば、フィードバック制御により行われる。また、制御装置１１は、求めたサーボバンド間隔の情報を、制御装置１１の内部の記憶部、カートリッジメモリ１３１、外部の接続機器等に保存することができる。
【実施例0101】
以下に、本発明を実施例に基づき説明する。但し、本発明は実施例に示す態様に限定されるものではない。以下に記載の「部」は、「質量部」を示す。また、以下に記載の工程および評価は、特記しない限り、雰囲気温度２３℃±１℃の環境において行った。以下に記載の「ｅｑ」は、当量（ ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ）であり、ＳＩ単位に換算不可の単位である。
【0102】
実施例または比較例の磁気テープの製造のために使用した突起形成剤は、以下の通りである。突起形成剤１および突起形成剤３は、粒子表面の表面平滑性が低い粒子である。突起形成剤２の粒子形状は繭状の形状である。突起形成剤４の粒子形状は真球に近い形状である。
突起形成剤１：キャボット社製ＡＴＬＡＳ（シリカとポリマーとの複合粒子）、平均粒子サイズ１００ｎｍ
突起形成剤２：キャボット社製ＴＧＣ６０２０Ｎ（シリカ粒子）、平均粒子サイズ１４０ｎｍ
突起形成剤３：日揮触媒化成社製Ｃａｔａｌｏｉｄ（シリカ粒子の水分散ゾル；後述の突起形成剤液調製のための突起形成剤として、上記水分散ゾルを加熱して溶媒を除去して得られた乾固物を使用）、平均粒子サイズ１２０ｎｍ
突起形成剤４：扶桑化学工業社製ＰＬ－１０Ｌ（シリカ粒子の水分散ゾル；後述の突起形成剤液調製のための突起形成剤として、上記水分散ゾルを加熱して溶媒を除去して得られた乾固物を使用）、平均粒子サイズ１３０ｎｍ
突起形成剤１：キャボット社製ＡＴＬＡＳ（シリカとポリマーとの複合粒子）、平均粒子サイズ１００ｎｍ
突起形成剤２：キャボット社製ＴＧＣ６０２０Ｎ（シリカ粒子）、平均粒子サイズ１４０ｎｍ
突起形成剤３：日揮触媒化成社製Ｃａｔａｌｏｉｄ（シリカ粒子の水分散ゾル；後述の突起形成剤液調製のための突起形成剤として、上記水分散ゾルを加熱して溶媒を除去して得られた乾固物を使用）、平均粒子サイズ１２０ｎｍ
突起形成剤４：扶桑化学工業社製ＰＬ－１０Ｌ（シリカ粒子の水分散ゾル；後述の突起形成剤液調製のための突起形成剤として、上記水分散ゾルを加熱して溶媒を除去して得られた乾固物を使用）、平均粒子サイズ１３０ｎｍ
【0103】
表１中、「ＢａＦｅ」は、六方晶バリウムフェライト粉末（保磁力Ｈｃ：１９６ｋＡ／ｍ、平均粒子サイズ（平均板径）２４ｎｍ）である。
【0104】
表１中、「ＳｒＦｅ１」は、以下の方法により作製された六方晶ストロンチウムフェライト粉末である。
ＳｒＣＯ３を１７０７ｇ、Ｈ３ＢＯ３を６８７ｇ、Ｆｅ２Ｏ３を１１２０ｇ、Ａｌ（ＯＨ）３を４５ｇ、ＢａＣＯ３を２４ｇ、ＣａＣＯ３を１３ｇ、およびＮｄ２Ｏ３を２３５ｇ秤量し、ミキサーにて混合し原料混合物を得た。
得られた原料混合物を、白金ルツボで溶融温度１３９０℃で溶融し、融液を撹拌しつつ白金ルツボの底に設けた出湯口を加熱し、融液を約６ｇ／秒で棒状に出湯させた。出湯液を水冷双ローラーで圧延急冷して非晶質体を作製した。
作製した非晶質体２８０ｇを電気炉に仕込み、昇温速度３．５℃／分にて６３５℃（結晶化温度）まで昇温し、同温度で５時間保持して六方晶ストロンチウムフェライト粒子を析出（結晶化）させた。
次いで六方晶ストロンチウムフェライト粒子を含む上記で得られた結晶化物を乳鉢で粗粉砕し、ガラス瓶に粒径１ｍｍのジルコニアビーズ１０００ｇおよび濃度１％の酢酸水溶液８００ｍｌを加えてペイントシェーカーにて３時間分散処理を行った。その後、得られた分散液をビーズと分離させステンレスビーカーに入れた。分散液を液温１００℃で３時間静置させてガラス成分の溶解処理を行った後、遠心分離器で沈澱させてデカンテーションを繰り返して洗浄し、炉内温度１１０℃の加熱炉内で６時間乾燥させて六方晶ストロンチウムフェライト粉末を得た。
上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末の平均粒子サイズは１８ｎｍ、活性化体積は９０２ｎｍ３、異方性定数Ｋｕは２.２×１０５Ｊ／ｍ３、質量磁化σｓは４９Ａ・ｍ２／ｋｇであった。
上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末から試料粉末を１２ｍｇ採取し、この試料粉末を先に例示した溶解条件によって部分溶解して得られたろ液の元素分析をＩＣＰ分析装置によって行い、ネオジム原子の表層部含有率を求めた。
別途、上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末から試料粉末を１２ｍｇ採取し、この試料粉末を先に例示した溶解条件によって全溶解して得られたろ液の元素分析をＩＣＰ分析装置によって行い、ネオジム原子のバルク含有率を求めた。
上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末の鉄原子１００原子％に対するネオジム原子の含有率（バルク含有率）は、２．９原子％であった。また、ネオジム原子の表層部含有率は８．０原子％であった。表層部含有率とバルク含有率との比率、「表層部含有率／バルク含有率」は２．８であり、ネオジム原子が粒子の表層に偏在していることが確認された。
上記で得られた粉末が六方晶フェライトの結晶構造を示すことは、ＣｕＫα線を電圧４５ｋＶかつ強度４０ｍＡの条件で走査し、下記条件でＸ線回折パターンを測定すること（Ｘ線回折分析）により確認した。上記で得られた粉末は、マグネトプランバイト型（Ｍ型）の六方晶フェライトの結晶構造を示した。また、Ｘ線回折分析により検出された結晶相は、マグネトプランバイト型の単一相であった。
ＰＡＮａｌｙｔｉｃａｌ Ｘ’Ｐｅｒｔ Ｐｒｏ回折計、ＰＩＸｃｅｌ検出器
入射ビームおよび回折ビームのＳｏｌｌｅｒスリット：０．０１７ラジアン
分散スリットの固定角：１／４度
マスク：１０ｍｍ
散乱防止スリット：１／４度
測定モード：連続
１段階あたりの測定時間：３秒
測定速度：毎秒０．０１７度
測定ステップ：０．０５度
ＳｒＣＯ３を１７０７ｇ、Ｈ３ＢＯ３を６８７ｇ、Ｆｅ２Ｏ３を１１２０ｇ、Ａｌ（ＯＨ）３を４５ｇ、ＢａＣＯ３を２４ｇ、ＣａＣＯ３を１３ｇ、およびＮｄ２Ｏ３を２３５ｇ秤量し、ミキサーにて混合し原料混合物を得た。
得られた原料混合物を、白金ルツボで溶融温度１３９０℃で溶融し、融液を撹拌しつつ白金ルツボの底に設けた出湯口を加熱し、融液を約６ｇ／秒で棒状に出湯させた。出湯液を水冷双ローラーで圧延急冷して非晶質体を作製した。
作製した非晶質体２８０ｇを電気炉に仕込み、昇温速度３．５℃／分にて６３５℃（結晶化温度）まで昇温し、同温度で５時間保持して六方晶ストロンチウムフェライト粒子を析出（結晶化）させた。
次いで六方晶ストロンチウムフェライト粒子を含む上記で得られた結晶化物を乳鉢で粗粉砕し、ガラス瓶に粒径１ｍｍのジルコニアビーズ１０００ｇおよび濃度１％の酢酸水溶液８００ｍｌを加えてペイントシェーカーにて３時間分散処理を行った。その後、得られた分散液をビーズと分離させステンレスビーカーに入れた。分散液を液温１００℃で３時間静置させてガラス成分の溶解処理を行った後、遠心分離器で沈澱させてデカンテーションを繰り返して洗浄し、炉内温度１１０℃の加熱炉内で６時間乾燥させて六方晶ストロンチウムフェライト粉末を得た。
上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末の平均粒子サイズは１８ｎｍ、活性化体積は９０２ｎｍ３、異方性定数Ｋｕは２.２×１０５Ｊ／ｍ３、質量磁化σｓは４９Ａ・ｍ２／ｋｇであった。
上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末から試料粉末を１２ｍｇ採取し、この試料粉末を先に例示した溶解条件によって部分溶解して得られたろ液の元素分析をＩＣＰ分析装置によって行い、ネオジム原子の表層部含有率を求めた。
別途、上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末から試料粉末を１２ｍｇ採取し、この試料粉末を先に例示した溶解条件によって全溶解して得られたろ液の元素分析をＩＣＰ分析装置によって行い、ネオジム原子のバルク含有率を求めた。
上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末の鉄原子１００原子％に対するネオジム原子の含有率（バルク含有率）は、２．９原子％であった。また、ネオジム原子の表層部含有率は８．０原子％であった。表層部含有率とバルク含有率との比率、「表層部含有率／バルク含有率」は２．８であり、ネオジム原子が粒子の表層に偏在していることが確認された。
上記で得られた粉末が六方晶フェライトの結晶構造を示すことは、ＣｕＫα線を電圧４５ｋＶかつ強度４０ｍＡの条件で走査し、下記条件でＸ線回折パターンを測定すること（Ｘ線回折分析）により確認した。上記で得られた粉末は、マグネトプランバイト型（Ｍ型）の六方晶フェライトの結晶構造を示した。また、Ｘ線回折分析により検出された結晶相は、マグネトプランバイト型の単一相であった。
ＰＡＮａｌｙｔｉｃａｌ Ｘ’Ｐｅｒｔ Ｐｒｏ回折計、ＰＩＸｃｅｌ検出器
入射ビームおよび回折ビームのＳｏｌｌｅｒスリット：０．０１７ラジアン
分散スリットの固定角：１／４度
マスク：１０ｍｍ
散乱防止スリット：１／４度
測定モード：連続
１段階あたりの測定時間：３秒
測定速度：毎秒０．０１７度
測定ステップ：０．０５度
【0105】
表１中、「ＳｒＦｅ２」は、以下の方法により作製された六方晶ストロンチウムフェライト粉末である。
ＳｒＣＯ３を１７２５ｇ、Ｈ３ＢＯ３を６６６ｇ、Ｆｅ２Ｏ３を１３３２ｇ、Ａｌ（ＯＨ）３を５２ｇ、ＣａＣＯ３を３４ｇ、ＢａＣＯ３を１４１ｇ秤量し、ミキサーにて混合し原料混合物を得た。
得られた原料混合物を、白金ルツボで溶融温度１３８０℃で溶融し、融液を撹拌しつつ白金ルツボの底に設けた出湯口を加熱し、融液を約６ｇ／秒で棒状に出湯させた。出湯液を水冷双ロールで急冷圧延して非晶質体を作製した。
得られた非晶質体２８０ｇを電気炉に仕込み、６４５℃（結晶化温度）まで昇温し、同温度で５時間保持し六方晶ストロンチウムフェライト粒子を析出（結晶化）させた。
次いで六方晶ストロンチウムフェライト粒子を含む上記で得られた結晶化物を乳鉢で粗粉砕し、ガラス瓶に粒径１ｍｍのジルコニアビーズ１０００ｇおよび濃度１％の酢酸水溶液８００ｍｌを加えてペイントシェーカーにて３時間分散処理を行った。その後、得られた分散液をビーズと分離させステンレスビーカーに入れた。分散液を液温１００℃で３時間静置させてガラス成分の溶解処理を行った後、遠心分離器で沈澱させてデカンテーションを繰り返して洗浄し、炉内温度１１０℃の加熱炉内で６時間乾燥させて六方晶ストロンチウムフェライト粉末を得た。
得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末の平均粒子サイズは１９ｎｍ、活性化体積は１１０２ｎｍ３、異方性定数Ｋｕは２.０×１０５Ｊ／ｍ３、質量磁化σｓは５０Ａ・ｍ２／ｋｇであった。
ＳｒＣＯ３を１７２５ｇ、Ｈ３ＢＯ３を６６６ｇ、Ｆｅ２Ｏ３を１３３２ｇ、Ａｌ（ＯＨ）３を５２ｇ、ＣａＣＯ３を３４ｇ、ＢａＣＯ３を１４１ｇ秤量し、ミキサーにて混合し原料混合物を得た。
得られた原料混合物を、白金ルツボで溶融温度１３８０℃で溶融し、融液を撹拌しつつ白金ルツボの底に設けた出湯口を加熱し、融液を約６ｇ／秒で棒状に出湯させた。出湯液を水冷双ロールで急冷圧延して非晶質体を作製した。
得られた非晶質体２８０ｇを電気炉に仕込み、６４５℃（結晶化温度）まで昇温し、同温度で５時間保持し六方晶ストロンチウムフェライト粒子を析出（結晶化）させた。
次いで六方晶ストロンチウムフェライト粒子を含む上記で得られた結晶化物を乳鉢で粗粉砕し、ガラス瓶に粒径１ｍｍのジルコニアビーズ１０００ｇおよび濃度１％の酢酸水溶液８００ｍｌを加えてペイントシェーカーにて３時間分散処理を行った。その後、得られた分散液をビーズと分離させステンレスビーカーに入れた。分散液を液温１００℃で３時間静置させてガラス成分の溶解処理を行った後、遠心分離器で沈澱させてデカンテーションを繰り返して洗浄し、炉内温度１１０℃の加熱炉内で６時間乾燥させて六方晶ストロンチウムフェライト粉末を得た。
得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末の平均粒子サイズは１９ｎｍ、活性化体積は１１０２ｎｍ３、異方性定数Ｋｕは２.０×１０５Ｊ／ｍ３、質量磁化σｓは５０Ａ・ｍ２／ｋｇであった。
【0106】
表１中、「ε－酸化鉄」は、以下の方法により作製されたε－酸化鉄粉末である。
純水９０ｇに、硝酸鉄（ＩＩＩ）９水和物８．３ｇ、硝酸ガリウム（ＩＩＩ）８水和物１．３ｇ、硝酸コバルト（ＩＩ）６水和物１９０ｍｇ、硫酸チタン（ＩＶ）１５０ｍｇ、およびポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）１．５ｇを溶解させたものを、マグネチックスターラーを用いて撹拌しながら、大気雰囲気中、雰囲気温度２５℃の条件下で、濃度２５％のアンモニア水溶液４．０ｇを添加し、雰囲気温度２５℃の温度条件のまま２時間撹拌した。得られた溶液に、クエン酸１ｇを純水９ｇに溶解させて得たクエン酸溶液を加え、１時間撹拌した。撹拌後に沈殿した粉末を遠心分離によって採集し、純水で洗浄し、炉内温度８０℃の加熱炉内で乾燥させた。
乾燥させた粉末に純水８００ｇを加えて再度粉末を水に分散させて分散液を得た。得られた分散液を液温５０℃に昇温し、撹拌しながら濃度２５％アンモニア水溶液を４０ｇ滴下した。５０℃の温度を保ったまま１時間撹拌した後、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）１４ｍＬを滴下し、２４時間撹拌した。得られた反応溶液に、硫酸アンモニウム５０ｇを加え、沈殿した粉末を遠心分離によって採集し、純水で洗浄し、炉内温度８０℃の加熱炉内で２４時間乾燥させ、強磁性粉末の前駆体を得た。
得られた強磁性粉末の前駆体を、大気雰囲気下、炉内温度１０００℃の加熱炉内に装填し、４時間の加熱処理を施した。
加熱処理した強磁性粉末の前駆体を、４ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液中に投入し、液温を７０℃に維持して２４時間撹拌することにより、加熱処理した強磁性粉末の前駆体から不純物であるケイ酸化合物を除去した。
その後、遠心分離処理により、ケイ酸化合物を除去した強磁性粉末を採集し、純水で洗浄を行い、強磁性粉末を得た。
得られた強磁性粉末の組成を高周波誘導結合プラズマ発光分光分析(ＩＣＰ－ＯＥＳ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ－Ｏｐｔｉｃａｌ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により確認したところ、Ｇａ、ＣｏおよびＴｉ置換型ε－酸化鉄（ε－Ｇａ０．２８Ｃｏ０．０５Ｔｉ０．０５Ｆｅ１．６２Ｏ３）であった。また、先にＳｒＦｅ１について記載した条件と同様の条件でＸ線回折分析を行い、Ｘ線回折パターンのピークから、得られた強磁性粉末が、α相およびγ相の結晶構造を含まない、ε相の単相の結晶構造（ε－酸化鉄型の結晶構造）を有することを確認した。
得られたε－酸化鉄粉末の平均粒子サイズは１２ｎｍ、活性化体積は７４６ｎｍ３、異方性定数Ｋｕは１．２×１０５Ｊ／ｍ３、質量磁化σｓは１６Ａ・ｍ２／ｋｇであった。
純水９０ｇに、硝酸鉄（ＩＩＩ）９水和物８．３ｇ、硝酸ガリウム（ＩＩＩ）８水和物１．３ｇ、硝酸コバルト（ＩＩ）６水和物１９０ｍｇ、硫酸チタン（ＩＶ）１５０ｍｇ、およびポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）１．５ｇを溶解させたものを、マグネチックスターラーを用いて撹拌しながら、大気雰囲気中、雰囲気温度２５℃の条件下で、濃度２５％のアンモニア水溶液４．０ｇを添加し、雰囲気温度２５℃の温度条件のまま２時間撹拌した。得られた溶液に、クエン酸１ｇを純水９ｇに溶解させて得たクエン酸溶液を加え、１時間撹拌した。撹拌後に沈殿した粉末を遠心分離によって採集し、純水で洗浄し、炉内温度８０℃の加熱炉内で乾燥させた。
乾燥させた粉末に純水８００ｇを加えて再度粉末を水に分散させて分散液を得た。得られた分散液を液温５０℃に昇温し、撹拌しながら濃度２５％アンモニア水溶液を４０ｇ滴下した。５０℃の温度を保ったまま１時間撹拌した後、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）１４ｍＬを滴下し、２４時間撹拌した。得られた反応溶液に、硫酸アンモニウム５０ｇを加え、沈殿した粉末を遠心分離によって採集し、純水で洗浄し、炉内温度８０℃の加熱炉内で２４時間乾燥させ、強磁性粉末の前駆体を得た。
得られた強磁性粉末の前駆体を、大気雰囲気下、炉内温度１０００℃の加熱炉内に装填し、４時間の加熱処理を施した。
加熱処理した強磁性粉末の前駆体を、４ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液中に投入し、液温を７０℃に維持して２４時間撹拌することにより、加熱処理した強磁性粉末の前駆体から不純物であるケイ酸化合物を除去した。
その後、遠心分離処理により、ケイ酸化合物を除去した強磁性粉末を採集し、純水で洗浄を行い、強磁性粉末を得た。
得られた強磁性粉末の組成を高周波誘導結合プラズマ発光分光分析(ＩＣＰ－ＯＥＳ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ－Ｏｐｔｉｃａｌ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により確認したところ、Ｇａ、ＣｏおよびＴｉ置換型ε－酸化鉄（ε－Ｇａ０．２８Ｃｏ０．０５Ｔｉ０．０５Ｆｅ１．６２Ｏ３）であった。また、先にＳｒＦｅ１について記載した条件と同様の条件でＸ線回折分析を行い、Ｘ線回折パターンのピークから、得られた強磁性粉末が、α相およびγ相の結晶構造を含まない、ε相の単相の結晶構造（ε－酸化鉄型の結晶構造）を有することを確認した。
得られたε－酸化鉄粉末の平均粒子サイズは１２ｎｍ、活性化体積は７４６ｎｍ３、異方性定数Ｋｕは１．２×１０５Ｊ／ｍ３、質量磁化σｓは１６Ａ・ｍ２／ｋｇであった。
【0107】
上記の六方晶ストロンチウムフェライト粉末およびε－酸化鉄粉末の活性化体積および異方性定数Ｋｕは、各強磁性粉末について、振動試料型磁力計（東英工業社製）を用いて、先に記載の方法により求められた値である。
また、質量磁化σｓは、振動試料型磁力計（東英工業社製）を用いて磁場強度１５ｋＯｅで測定された値である。
また、質量磁化σｓは、振動試料型磁力計（東英工業社製）を用いて磁場強度１５ｋＯｅで測定された値である。
【0108】
［実施例１］
＜磁性層形成用組成物＞
（磁性液）
強磁性粉末（表１参照）：１００．０部
オレイン酸：２．０部
塩化ビニル共重合体（カネカ社製ＭＲ－１０４）：１０．０部
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂：４．０部
(重量平均分子量７００００、ＳＯ３Ｎａ基：０．０７ｍｅｑ／ｇ)
添加剤Ａ：１０．０部
メチルエチルケトン：１５０．０部
シクロヘキサノン：１５０．０部
（研磨剤液）
α－アルミナ（平均粒子サイズ：１１０ｎｍ）：６．０部
塩化ビニル共重合体（カネカ社製ＭＲ１１０）：０．７部
シクロヘキサノン：２０．０部
（突起形成剤液）
突起形成剤（表１参照）：１．３部 メチルエチルケトン：９．０部
シクロヘキサノン：６．０部
（潤滑剤および硬化剤液）
ステアリン酸：３．０部
ステアリン酸アミド：０．３部
ステアリン酸ブチル：６．０部
メチルエチルケトン：１１０．０部
シクロヘキサノン：１１０．０部
ポリイソシアネート（東ソー社製コロネート（登録商標）Ｌ）：３．０部
＜磁性層形成用組成物＞
（磁性液）
強磁性粉末（表１参照）：１００．０部
オレイン酸：２．０部
塩化ビニル共重合体（カネカ社製ＭＲ－１０４）：１０．０部
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂：４．０部
(重量平均分子量７００００、ＳＯ３Ｎａ基：０．０７ｍｅｑ／ｇ)
添加剤Ａ：１０．０部
メチルエチルケトン：１５０．０部
シクロヘキサノン：１５０．０部
（研磨剤液）
α－アルミナ（平均粒子サイズ：１１０ｎｍ）：６．０部
塩化ビニル共重合体（カネカ社製ＭＲ１１０）：０．７部
シクロヘキサノン：２０．０部
（突起形成剤液）
突起形成剤（表１参照）：１．３部 メチルエチルケトン：９．０部
シクロヘキサノン：６．０部
（潤滑剤および硬化剤液）
ステアリン酸：３．０部
ステアリン酸アミド：０．３部
ステアリン酸ブチル：６．０部
メチルエチルケトン：１１０．０部
シクロヘキサノン：１１０．０部
ポリイソシアネート（東ソー社製コロネート（登録商標）Ｌ）：３．０部
【0109】
上記の添加剤Ａは、特開２０１６－０５１４９３号公報の段落０１１５～０１２３に記載の方法により合成されたポリマーである。
【0110】
＜非磁性層形成用組成物＞
非磁性無機粉末（α－酸化鉄）：８０．０部
（平均粒子サイズ：０．１５μｍ、平均針状比：７、ＢＥＴ（Ｂｒｕｎａｕｅｒ－Ｅｍｍｅｔｔ－Ｔｅｌｌｅｒ）比表面積：５２ｍ２／ｇ）
カーボンブラック（平均粒子サイズ：２０ｎｍ）：２０．０部
電子線硬化型塩化ビニル共重合体：１３．０部
電子線硬化型ポリウレタン樹脂：６．０部
フェニルホスホン酸：３．０部
シクロヘキサノン：１４０．０部
メチルエチルケトン：１７０．０部
ブチルステアレート：２．０部
ステアリン酸：１．０部
非磁性無機粉末（α－酸化鉄）：８０．０部
（平均粒子サイズ：０．１５μｍ、平均針状比：７、ＢＥＴ（Ｂｒｕｎａｕｅｒ－Ｅｍｍｅｔｔ－Ｔｅｌｌｅｒ）比表面積：５２ｍ２／ｇ）
カーボンブラック（平均粒子サイズ：２０ｎｍ）：２０．０部
電子線硬化型塩化ビニル共重合体：１３．０部
電子線硬化型ポリウレタン樹脂：６．０部
フェニルホスホン酸：３．０部
シクロヘキサノン：１４０．０部
メチルエチルケトン：１７０．０部
ブチルステアレート：２．０部
ステアリン酸：１．０部
【0111】
＜バックコート層形成用組成物＞
非磁性無機粉末（α－酸化鉄）：８０．０部
（平均粒子サイズ：０．１５μｍ、平均針状比：７、ＢＥＴ比表面積：５２ｍ2／ｇ）
カーボンブラック（平均粒子サイズ：２０ｎｍ）：２０．０部
カーボンブラック（平均粒子サイズ：１００ｎｍ）：３．０部
塩化ビニル共重合体：１３．０部
スルホン酸基含有ポリウレタン樹脂：６．０部
フェニルホスホン酸：３．０部
シクロヘキサノン：１４０．０部
メチルエチルケトン：１７０．０部
ステアリン酸：３．０部
ポリイソシアネート（東ソー社製コロネート）：５．０部
メチルエチルケトン：４００．０部
非磁性無機粉末（α－酸化鉄）：８０．０部
（平均粒子サイズ：０．１５μｍ、平均針状比：７、ＢＥＴ比表面積：５２ｍ2／ｇ）
カーボンブラック（平均粒子サイズ：２０ｎｍ）：２０．０部
カーボンブラック（平均粒子サイズ：１００ｎｍ）：３．０部
塩化ビニル共重合体：１３．０部
スルホン酸基含有ポリウレタン樹脂：６．０部
フェニルホスホン酸：３．０部
シクロヘキサノン：１４０．０部
メチルエチルケトン：１７０．０部
ステアリン酸：３．０部
ポリイソシアネート（東ソー社製コロネート）：５．０部
メチルエチルケトン：４００．０部
【0112】
＜各層形成用組成物の調製＞
磁性層形成用組成物は、以下の方法によって調製した。
上記磁性液の成分をオープンニーダにより混練および希釈処理した後、横型ビーズミル分散機により、粒径０．５ｍｍのジルコニア（ＺｒＯ2）ビーズ（以下、「Ｚｒビーズ」と記載する）を用い、ビーズ充填率８０体積％およびローター先端周速１０ｍ／秒で、１パスあたりの滞留時間を２分間とし、１２パスの分散処理を行った。
研磨剤液は、上記研磨剤液の成分を混合した後、粒径１ｍｍのＺｒビーズとともに縦型サンドミル分散機に入れ、ビーズ体積／（研磨剤液体積＋ビーズ体積）が６０％になるように調整し、１８０分間サンドミル分散処理を行い、処理後の液を取り出し、フロー式の超音波分散ろ過装置を用いて、超音波分散ろ過処理を施した。
磁性液、研磨剤液、突起形成剤液、ならびに潤滑剤および硬化剤液を、ディゾルバー撹拌機に導入し、周速１０ｍ／秒で３０分間撹拌した後、フロー式超音波分散機により流量７．５ｋｇ／分で３パス処理した後に、孔径１μｍのフィルタでろ過して磁性層形成用組成物を調製した。
磁性層形成用組成物は、以下の方法によって調製した。
上記磁性液の成分をオープンニーダにより混練および希釈処理した後、横型ビーズミル分散機により、粒径０．５ｍｍのジルコニア（ＺｒＯ2）ビーズ（以下、「Ｚｒビーズ」と記載する）を用い、ビーズ充填率８０体積％およびローター先端周速１０ｍ／秒で、１パスあたりの滞留時間を２分間とし、１２パスの分散処理を行った。
研磨剤液は、上記研磨剤液の成分を混合した後、粒径１ｍｍのＺｒビーズとともに縦型サンドミル分散機に入れ、ビーズ体積／（研磨剤液体積＋ビーズ体積）が６０％になるように調整し、１８０分間サンドミル分散処理を行い、処理後の液を取り出し、フロー式の超音波分散ろ過装置を用いて、超音波分散ろ過処理を施した。
磁性液、研磨剤液、突起形成剤液、ならびに潤滑剤および硬化剤液を、ディゾルバー撹拌機に導入し、周速１０ｍ／秒で３０分間撹拌した後、フロー式超音波分散機により流量７．５ｋｇ／分で３パス処理した後に、孔径１μｍのフィルタでろ過して磁性層形成用組成物を調製した。
【0113】
非磁性層形成用組成物は以下の方法によって調製した。
潤滑剤（ブチルステアレートおよびステアリン酸）を除く上記成分をオープンニーダにより混練および希釈処理して、その後、横型ビーズミル分散機により分散処理を実施した。その後、潤滑剤（ブチルステアレートおよびステアリン酸）を添加して、ディゾルバー撹拌機にて撹拌して混合処理を施して非磁性層形成用組成物を調製した。
潤滑剤（ブチルステアレートおよびステアリン酸）を除く上記成分をオープンニーダにより混練および希釈処理して、その後、横型ビーズミル分散機により分散処理を実施した。その後、潤滑剤（ブチルステアレートおよびステアリン酸）を添加して、ディゾルバー撹拌機にて撹拌して混合処理を施して非磁性層形成用組成物を調製した。
【0114】
バックコート層形成用組成物は以下の方法によって調製した。
潤滑剤（ステアリン酸）、ポリイソシアネートおよびメチルエチルケトン（４００．０部）を除く上記成分をオープンニーダにより混練および希釈処理して、その後、横型ビーズミル分散機により分散処理を実施した。その後、潤滑剤（ステアリン酸）、ポリイソシアネートおよびメチルエチルケトン（４００．０部）を添加して、ディゾルバー撹拌機にて撹拌して混合処理を施し、バックコート層形成用組成物を調製した。
潤滑剤（ステアリン酸）、ポリイソシアネートおよびメチルエチルケトン（４００．０部）を除く上記成分をオープンニーダにより混練および希釈処理して、その後、横型ビーズミル分散機により分散処理を実施した。その後、潤滑剤（ステアリン酸）、ポリイソシアネートおよびメチルエチルケトン（４００．０部）を添加して、ディゾルバー撹拌機にて撹拌して混合処理を施し、バックコート層形成用組成物を調製した。
【0115】
＜磁気テープおよび磁気テープカートリッジの作製＞
厚み４．２μｍの二軸延伸ポリエチレンナフタレート支持体上に、乾燥後の厚みが０．７μｍになるように非磁性層形成用組成物を塗布し乾燥させた後、１２５ｋＶの加速電圧で４０ｋＧｙのエネルギーとなるように電子線を照射した。その上に乾燥後の厚みが０．１μｍになるように磁性層形成用組成物を塗布し乾燥させ、更にバックコート層形成用組成物を支持体の非磁性層と磁性層を形成した表面とは反対側の表面に乾燥後の厚みが０．３μｍになるように塗布し乾燥させた。
その後、金属ロールのみから構成される７段のカレンダロールを用いて、カレンダ速度８０ｍ／ｍｉｎ、線圧２９４ｋＮ／ｍ、および表１に示すカレンダ温度でカレンダ処理を行った。その後、雰囲気温度７０℃の環境で３６時間加熱処理を行った。加熱処理後、１／２インチ幅にスリットし、スリット品の送り出し、巻き取り装置を持った装置に不織布とカミソリブレードが磁性層表面に押し当たるように取り付けたテープクリーニング装置で磁性層の表面のクリーニングを行い、磁気テープを得た。
得られた磁気テープの磁性層に市販のサーボライターによってサーボ信号を記録することにより、ＬＴＯ（Ｌｉｎｅａｒ Ｔａｐｅ－Ｏｐｅｎ） Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがう配置でデータバンド、サーボバンド、およびガイドバンドを有し、かつサーボバンド上にＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがう配置および形状のサーボパターン（タイミングベースサーボパターン）を有する磁気テープを得た。こうして形成されたサーボパターンは、ＪＩＳ（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ） Ｘ６１７５：２００６およびＳｔａｎｄａｒｄ ＥＣＭＡ－３１９（Ｊｕｎｅ ２００１）の記載にしたがうサーボパターンである。サーボバンドの合計本数は５、データバンドの合計本数は４である。 こうしてサーボ信号が記録された磁気テープ（長さ９６０ｍ）を、磁気テープカートリッジ（ＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍ８データカートリッジ）のリールに巻き取った。
こうして、磁気テープがリールに巻装された実施例１の磁気テープカートリッジを作製した。
厚み４．２μｍの二軸延伸ポリエチレンナフタレート支持体上に、乾燥後の厚みが０．７μｍになるように非磁性層形成用組成物を塗布し乾燥させた後、１２５ｋＶの加速電圧で４０ｋＧｙのエネルギーとなるように電子線を照射した。その上に乾燥後の厚みが０．１μｍになるように磁性層形成用組成物を塗布し乾燥させ、更にバックコート層形成用組成物を支持体の非磁性層と磁性層を形成した表面とは反対側の表面に乾燥後の厚みが０．３μｍになるように塗布し乾燥させた。
その後、金属ロールのみから構成される７段のカレンダロールを用いて、カレンダ速度８０ｍ／ｍｉｎ、線圧２９４ｋＮ／ｍ、および表１に示すカレンダ温度でカレンダ処理を行った。その後、雰囲気温度７０℃の環境で３６時間加熱処理を行った。加熱処理後、１／２インチ幅にスリットし、スリット品の送り出し、巻き取り装置を持った装置に不織布とカミソリブレードが磁性層表面に押し当たるように取り付けたテープクリーニング装置で磁性層の表面のクリーニングを行い、磁気テープを得た。
得られた磁気テープの磁性層に市販のサーボライターによってサーボ信号を記録することにより、ＬＴＯ（Ｌｉｎｅａｒ Ｔａｐｅ－Ｏｐｅｎ） Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがう配置でデータバンド、サーボバンド、およびガイドバンドを有し、かつサーボバンド上にＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがう配置および形状のサーボパターン（タイミングベースサーボパターン）を有する磁気テープを得た。こうして形成されたサーボパターンは、ＪＩＳ（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ） Ｘ６１７５：２００６およびＳｔａｎｄａｒｄ ＥＣＭＡ－３１９（Ｊｕｎｅ ２００１）の記載にしたがうサーボパターンである。サーボバンドの合計本数は５、データバンドの合計本数は４である。 こうしてサーボ信号が記録された磁気テープ（長さ９６０ｍ）を、磁気テープカートリッジ（ＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍ８データカートリッジ）のリールに巻き取った。
こうして、磁気テープがリールに巻装された実施例１の磁気テープカートリッジを作製した。
【0116】
［実施例２～１０、比較例１、２］
強磁性粉末の種類、突起形成剤の種類および／またはカレンダ温度を表１に示すように変更した点以外、実施例１と同じ方法により磁気テープおよび磁気テープカートリッジを得た。
強磁性粉末の種類、突起形成剤の種類および／またはカレンダ温度を表１に示すように変更した点以外、実施例１と同じ方法により磁気テープおよび磁気テープカートリッジを得た。
【0117】
［走行安定性の評価］
実施例および比較例の各磁気テープカートリッジを用いて、データの記録および再生を、図３に示した構成の磁気テープ装置を用いて行った。記録再生ヘッドユニットに搭載された記録再生ヘッドは、再生素子（再生素子幅：０．８μｍ）および記録素子を３２チャンネル以上有し、その両側にサーボ信号読み取り素子を有する。
以下の方法により、データの記録および再生を行い、再生中の走行安定性を評価した。
磁気テープ装置に磁気テープカートリッジをセットし、磁気テープをローディングする。次にサーボトラッキングを行いながら記録再生ヘッドユニットにより磁気テープに特定のデータパターンを有する疑似ランダムデータの記録を行う。その際のテープ長手方向にかけるテンションは一定値とする。データの記録と同時に、テープ全長のサーボバンド間隔の値を長手位置の１ｍ毎に測定し、カートリッジメモリに記録する。
次に、サーボトラッキングを行いながら記録再生ヘッドユニットにより磁気テープに記録されたデータの再生を行う。その際、再生と同時にサーボバンド間隔の値を測定し、カートリッジメモリに記録された情報に基づき、同じ長手位置における記録時のサーボバンド間隔との差分の絶対値が０に近づくように、テープ長手方向にかけるテンションを制御する。再生時は、サーボバンド間隔の測定とそれに基づいたテンション制御がリアルタイムに連続して行われる。
上記再生中にサーボ信号読み取り素子により得られたサーボ信号に基づく幅方向の読み取り位置ＰＥＳ（Ｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｅｒｒｏｒ Ｓｉｇｎａｌ）の標準偏差（以下、「σＰＥＳ」と呼ぶ。）を指標として、走行安定性を評価した。
ＰＥＳは、以下の方法によって求められる。
ＰＥＳを求めるためには、サーボパターンの寸法が必要である。サーボパターンの寸法の規格は、ＬＴＯの世代によって異なる。そこでまず、磁気力顕微鏡等を用いて、ＡバーストとＣバーストの対応する４ストライプ間の平均距離ＡＣ、およびサーボパターンのアジマス角αを計測する。
１ ＬＰＯＳワードの長さにわたるＡバーストとＢバーストに対応する５ストライプ間の平均時間をａと定義する。１ ＬＰＯＳワードの長さにわたるＡバーストとＣバーストの対応する４ストライプの平均時間をｂと定義する。このとき、ＡＣ×（１／２－ａ／ｂ）／（２×ｔａｎ（α））で定義される値が、１ ＬＰＯＳワードの長さにわたってサーボ信号読み取り素子により得られたサーボ信号に基づく幅方向の読み取り位置ＰＥＳ（Ｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｅｒｒｏｒ Ｓｉｇｎａｌ）である。磁気テープについて、磁気テープカートリッジのリールに巻き取られた側の末端を内側末端、その反対側の末端を外側末端と呼び、外側末端を０ｍとして、３０ｍ～２００ｍの長さに亘るテープ長手方向の領域について、上記方法で求めたＰＥＳの標準偏差（σＰＥＳ）を算出した。σＰＥＳが７０ｎｍ未満であれば、走行安定性に優れると判断できる。
実施例および比較例の各磁気テープカートリッジを用いて、データの記録および再生を、図３に示した構成の磁気テープ装置を用いて行った。記録再生ヘッドユニットに搭載された記録再生ヘッドは、再生素子（再生素子幅：０．８μｍ）および記録素子を３２チャンネル以上有し、その両側にサーボ信号読み取り素子を有する。
以下の方法により、データの記録および再生を行い、再生中の走行安定性を評価した。
磁気テープ装置に磁気テープカートリッジをセットし、磁気テープをローディングする。次にサーボトラッキングを行いながら記録再生ヘッドユニットにより磁気テープに特定のデータパターンを有する疑似ランダムデータの記録を行う。その際のテープ長手方向にかけるテンションは一定値とする。データの記録と同時に、テープ全長のサーボバンド間隔の値を長手位置の１ｍ毎に測定し、カートリッジメモリに記録する。
次に、サーボトラッキングを行いながら記録再生ヘッドユニットにより磁気テープに記録されたデータの再生を行う。その際、再生と同時にサーボバンド間隔の値を測定し、カートリッジメモリに記録された情報に基づき、同じ長手位置における記録時のサーボバンド間隔との差分の絶対値が０に近づくように、テープ長手方向にかけるテンションを制御する。再生時は、サーボバンド間隔の測定とそれに基づいたテンション制御がリアルタイムに連続して行われる。
上記再生中にサーボ信号読み取り素子により得られたサーボ信号に基づく幅方向の読み取り位置ＰＥＳ（Ｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｅｒｒｏｒ Ｓｉｇｎａｌ）の標準偏差（以下、「σＰＥＳ」と呼ぶ。）を指標として、走行安定性を評価した。
ＰＥＳは、以下の方法によって求められる。
ＰＥＳを求めるためには、サーボパターンの寸法が必要である。サーボパターンの寸法の規格は、ＬＴＯの世代によって異なる。そこでまず、磁気力顕微鏡等を用いて、ＡバーストとＣバーストの対応する４ストライプ間の平均距離ＡＣ、およびサーボパターンのアジマス角αを計測する。
１ ＬＰＯＳワードの長さにわたるＡバーストとＢバーストに対応する５ストライプ間の平均時間をａと定義する。１ ＬＰＯＳワードの長さにわたるＡバーストとＣバーストの対応する４ストライプの平均時間をｂと定義する。このとき、ＡＣ×（１／２－ａ／ｂ）／（２×ｔａｎ（α））で定義される値が、１ ＬＰＯＳワードの長さにわたってサーボ信号読み取り素子により得られたサーボ信号に基づく幅方向の読み取り位置ＰＥＳ（Ｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｅｒｒｏｒ Ｓｉｇｎａｌ）である。磁気テープについて、磁気テープカートリッジのリールに巻き取られた側の末端を内側末端、その反対側の末端を外側末端と呼び、外側末端を０ｍとして、３０ｍ～２００ｍの長さに亘るテープ長手方向の領域について、上記方法で求めたＰＥＳの標準偏差（σＰＥＳ）を算出した。σＰＥＳが７０ｎｍ未満であれば、走行安定性に優れると判断できる。
【0118】
［磁気テープの評価］
（１）差分（Ｓ０．１－Ｓ１．６）
ＴＳＡ（Ｔａｐｅ Ｓｐａｃｉｎｇ Ａｎａｌｙｚｅｒ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｈｙｓｉｃｓ社製））を用いて、以下の方法により、０．５ａｔｍ、０．６ａｔｍ、０．８ａｔｍ、１．０ａｔｍ、１．３ａｔｍおよび１．６ａｔｍの押圧下でのスペーシング測定を順次行った。
実施例および比較例の各磁気テープから長さ５ｃｍの試料片を５つ切り出し、先に記載した方法により各試料片のｎ－ヘキサン洗浄を行った。ｎ－ヘキサン洗浄後の磁気テープ（即ち上記試料片）の磁性層表面上に、ＴＳＡに備えられたガラス板（Ｔｈｏｒｌａｂｓ，Ｉｎｃ．社製ガラス板（型番：ＷＧ１０５３０））を配置した状態で、押圧部材としてＴＳＡに備えられているウレタン製の半球を用いて、この半球を磁気テープのバックコート層表面に０．５ａｔｍの圧力で押しつけた。この状態で、ＴＳＡに備えられているストロボスコープから白色光を、ガラス板を通して磁気テープの磁性層表面の一定領域（１５００００～２０００００μｍ２）に照射し、得られる反射光を、干渉フィルタ（波長６３３ｎｍの光を選択的に透過するフィルタ）を通してＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ－Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）で受光することで、この領域の凹凸で生じた干渉縞画像を得た。
この画像を３０００００ポイントに分割して各ポイントのガラス板の磁気テープ側の表面から磁気テープの磁性層表面までの距離（スペーシング）を求めこれをヒストグラムとし、ヒストグラムの最頻値を０．５ａｔｍの押圧下でのスペーシングとして求めた。
同じ試料片を更に圧力を高めて押圧し、順次、０．６ａｔｍの押圧下、０．８ａｔｍの押圧下、１．０ａｔｍの押圧下、１．３ａｔｍの押圧下、１．６ａｔｍの押圧下で上記方法により、各押圧下で測定されるスペーシングを求めた。
こうして求めた各押圧下でのスペーシングの値から、各試料片について、先に示したように式１および式２を導出し、導出された式２によりＳ０．１を算出した。こうして５つの試料片について算出されたＳ０．１の算術平均を、測定対象の磁気テープのＳ０．１とした。
また、５つの試料片について、それぞれ上記で行われた１．６ａｔｍの押圧下での測定により得られたスペーシングの測定値の算術平均を、測定対象の磁気テープのＳ１．６とした。
そして、こうして求められたＳ０．１とＳ１．６との差分として、測定対象の磁気テープの差分（Ｓ０．１－Ｓ１．６）を求めた。
上記で求められた値を表１に示す。
（１）差分（Ｓ０．１－Ｓ１．６）
ＴＳＡ（Ｔａｐｅ Ｓｐａｃｉｎｇ Ａｎａｌｙｚｅｒ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｈｙｓｉｃｓ社製））を用いて、以下の方法により、０．５ａｔｍ、０．６ａｔｍ、０．８ａｔｍ、１．０ａｔｍ、１．３ａｔｍおよび１．６ａｔｍの押圧下でのスペーシング測定を順次行った。
実施例および比較例の各磁気テープから長さ５ｃｍの試料片を５つ切り出し、先に記載した方法により各試料片のｎ－ヘキサン洗浄を行った。ｎ－ヘキサン洗浄後の磁気テープ（即ち上記試料片）の磁性層表面上に、ＴＳＡに備えられたガラス板（Ｔｈｏｒｌａｂｓ，Ｉｎｃ．社製ガラス板（型番：ＷＧ１０５３０））を配置した状態で、押圧部材としてＴＳＡに備えられているウレタン製の半球を用いて、この半球を磁気テープのバックコート層表面に０．５ａｔｍの圧力で押しつけた。この状態で、ＴＳＡに備えられているストロボスコープから白色光を、ガラス板を通して磁気テープの磁性層表面の一定領域（１５００００～２０００００μｍ２）に照射し、得られる反射光を、干渉フィルタ（波長６３３ｎｍの光を選択的に透過するフィルタ）を通してＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ－Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）で受光することで、この領域の凹凸で生じた干渉縞画像を得た。
この画像を３０００００ポイントに分割して各ポイントのガラス板の磁気テープ側の表面から磁気テープの磁性層表面までの距離（スペーシング）を求めこれをヒストグラムとし、ヒストグラムの最頻値を０．５ａｔｍの押圧下でのスペーシングとして求めた。
同じ試料片を更に圧力を高めて押圧し、順次、０．６ａｔｍの押圧下、０．８ａｔｍの押圧下、１．０ａｔｍの押圧下、１．３ａｔｍの押圧下、１．６ａｔｍの押圧下で上記方法により、各押圧下で測定されるスペーシングを求めた。
こうして求めた各押圧下でのスペーシングの値から、各試料片について、先に示したように式１および式２を導出し、導出された式２によりＳ０．１を算出した。こうして５つの試料片について算出されたＳ０．１の算術平均を、測定対象の磁気テープのＳ０．１とした。
また、５つの試料片について、それぞれ上記で行われた１．６ａｔｍの押圧下での測定により得られたスペーシングの測定値の算術平均を、測定対象の磁気テープのＳ１．６とした。
そして、こうして求められたＳ０．１とＳ１．６との差分として、測定対象の磁気テープの差分（Ｓ０．１－Ｓ１．６）を求めた。
上記で求められた値を表１に示す。
【0119】
（２）テープ厚み
実施例および比較例の各磁気テープカートリッジから取りだした磁気テープの任意の部分からテープサンプル（長さ５ｃｍ）を１０枚切り出し、これらテープサンプルを重ねて厚みを測定した。厚みの測定は、ＭＡＲＨ社製Ｍｉｌｌｉｍａｒ １２４０コンパクトアンプとＭｉｌｌｉｍａｒ １３０１誘導プローブのデジタル厚み計を用いて行った。測定された厚みを１０分の１して得られた値（テープサンプル１枚当たりの厚み）を、テープ厚みとした。各磁気テープについて、テープ厚みは、いずれも５．３μｍであった。
実施例および比較例の各磁気テープカートリッジから取りだした磁気テープの任意の部分からテープサンプル（長さ５ｃｍ）を１０枚切り出し、これらテープサンプルを重ねて厚みを測定した。厚みの測定は、ＭＡＲＨ社製Ｍｉｌｌｉｍａｒ １２４０コンパクトアンプとＭｉｌｌｉｍａｒ １３０１誘導プローブのデジタル厚み計を用いて行った。測定された厚みを１０分の１して得られた値（テープサンプル１枚当たりの厚み）を、テープ厚みとした。各磁気テープについて、テープ厚みは、いずれも５．３μｍであった。
【0120】
以上の結果を、表１に示す。
【0121】
【表1】
【0122】
表１に示す結果から、実施例の磁気テープが、磁気テープの長手方向にかかるテンションを調整することによって磁気テープの幅方向の寸法を制御する磁気テープ装置において、優れた走行安定性を示すことができる磁気テープであることが確認できる。
【産業上の利用可能性】
【0123】
本発明の一態様は、各種データストレージの技術分野において有用である。
【図1】
【図2】
【図3】
