特開 2024-30274 発光装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024030274

(43)【公開日】2024-03-07

(54)【発明の名称】発光装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/48 20100101AFI20240229BHJP

   H01L 33/60 20100101ALI20240229BHJP

   H01L 33/62 20100101ALI20240229BHJP

   H01L 33/50 20100101ALI20240229BHJP

【ＦＩ】

H01L33/48

H01L33/60

H01L33/62

H01L33/50

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022133035

(22)【出願日】2022-08-24

(71)【出願人】

【識別番号】000226057

【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100108062

【弁理士】

【氏名又は名称】日向寺 雅彦

(74)【代理人】

【識別番号】100168332

【弁理士】

【氏名又は名称】小崎 純一

(74)【代理人】

【識別番号】100172188

【弁理士】

【氏名又は名称】内田 敬人

(72)【発明者】

【氏名】橋詰 研志

【テーマコード（参考）】

5F142

【Ｆターム（参考）】

5F142AA02

5F142AA22

5F142BA02

5F142BA32

5F142CA02

5F142CA11

5F142CB01

5F142CB03

5F142CB12

5F142CB13

5F142CD02

5F142CE03

5F142DA13

5F142DA14

5F142DA21

5F142FA30

(57)【要約】

【課題】正面方向への光取り出し効率を向上できる発光装置を提供すること。
【解決手段】発光装置は、第１面と、第１面の反対側に位置する第２面と、第１側面とを有する透光性部材と、第１面に対向する第３面と、第３面の反対側に位置する第４面と、第２側面とを有する第１半導体構造体と、第２面に対向する第５面と、第６面と、第３側面とを有する第２半導体構造体と、透光性部材の第１側面と、第１半導体構造体の第２側面とを覆う光反射性部材と、第１半導体構造体の第４面側に配置され、第１半導体構造体と電気的に接続された第１電極と、第２半導体構造体の第６面側に配置され、第２半導体構造体と電気的に接続された第２電極と、光反射性部材の上面に配置され、第２電極と電気的に接続された第１配線部と、を備える。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１面と、第１方向において前記第１面の反対側に位置する第２面と、前記第１面と前記第２面とを接続する第１側面とを有する透光性部材と、
前記第１面に対向する第３面と、前記第１方向において前記第３面の反対側に位置する第４面と、前記第３面と前記第４面とを接続する第２側面とを有する第１半導体構造体と、
前記第２面に対向する第５面と、前記第１方向において前記第５面の反対側に位置する第６面と、前記第５面と前記第６面とを接続する第３側面とを有する第２半導体構造体と、
前記透光性部材の前記第１側面と、前記第１半導体構造体の前記第２側面とを覆う光反射性部材と、
前記第１半導体構造体の前記第４面側に配置され、前記第１半導体構造体と電気的に接続された第１電極と、
前記第２半導体構造体の前記第６面側に配置され、前記第２半導体構造体と電気的に接続された第２電極と、
前記光反射性部材の上面に配置され、前記第２電極と電気的に接続された第１配線部と、
を備える、発光装置。

【請求項2】

前記第１半導体構造体は、第１ｎ側層と、第１ｐ側層と、前記第１ｎ側層と前記第１ｐ側層との間に位置する第１活性層とを有し、
前記第１電極は、前記第１ｎ側層と電気的に接続された第１ｎ側電極と、前記第１ｐ側層と電気的に接続された第１ｐ側電極とを有し、
前記第２半導体構造体は、第２ｎ側層と、第２ｐ側層と、前記第２ｎ側層と前記第２ｐ側層との間に位置する第２活性層とを有し、
前記第２ｐ側層上に透光性導電層が配置され、
前記第２電極は、前記第２ｎ側層と電気的に接続された第２ｎ側電極と、前記透光性導電層と電気的に接続された第２ｐ側電極とを有する、請求項１に記載の発光装置。

【請求項3】

上面視において、前記第２ｎ側電極及び前記第２ｐ側電極は、前記第１半導体構造体の前記第１活性層の外縁よりも外側に位置している、請求項２に記載の発光装置。

【請求項4】

上面視において、前記光反射性部材は、前記透光性部材の周囲及び前記第１半導体構造体の周囲を囲んで配置されている、請求項１～３のいずれか１つに記載の発光装置。

【請求項5】

基板と、
前記基板上に配置され、前記第１電極と電気的に接続された第１導電部と、
前記基板上に配置された第２導電部と、
前記第１配線部と前記第２導電部とを接続する導電性のワイヤと、
をさらに備え、
上面視において、前記ワイヤは、前記第１半導体構造体及び前記第２半導体構造体と重ならない、請求項１～３のいずれか１つに記載の発光装置。

【請求項6】

上面視において、前記第１電極と前記第２電極とは重ならない、請求項１～３のいずれか１つに記載の発光装置。

【請求項7】

前記透光性部材は、蛍光体を含み、
前記第１半導体構造体と前記透光性部材との間に位置する第１誘電体多層膜と、
前記第２半導体構造体と前記透光性部材との間に位置する第１透光性基板と、
をさらに備える、請求項１～３のいずれか１つに記載の発光装置。

【請求項8】

前記光反射性部材の側面は、前記透光性部材の前記第１側面を覆う第１側面部と、前記第１方向において前記第１側面部と前記上面との間に位置する第２側面部とを有する、請求項１～３のいずれか１つに記載の発光装置。

【請求項9】

前記光反射性部材の前記第２側面部の一部は、前記第１方向において前記第２電極の上面よりも前記光反射性部材の前記上面側に位置している、請求項８に記載の発光装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、発光装置に関する。

【背景技術】

【0002】

例えば、特許文献１には、２つのＬＥＤダイの間に１つの蛍光体層を配置した構成を有するＬＥＤ装置が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１３－０９８４２７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示に係る実施形態は、正面方向への光取り出し効率を向上できる発光装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様によれば、発光装置は、第１面と、第１方向において前記第１面の反対側に位置する第２面と、前記第１面と前記第２面とを接続する第１側面とを有する透光性部材と、前記第１面に対向する第３面と、前記第１方向において前記第３面の反対側に位置する第４面と、前記第３面と前記第４面とを接続する第２側面とを有する第１半導体構造体と、前記第２面に対向する第５面と、前記第１方向において前記第５面の反対側に位置する第６面と、前記第５面と前記第６面とを接続する第３側面とを有する第２半導体構造体と、前記透光性部材の前記第１側面と、前記第１半導体構造体の前記第２側面とを覆う光反射性部材と、前記第１半導体構造体の前記第４面側に配置され、前記第１半導体構造体と電気的に接続された第１電極と、前記第２半導体構造体の前記第６面側に配置され、前記第２半導体構造体と電気的に接続された第２電極と、前記光反射性部材の上面に配置され、前記第２電極と電気的に接続された第１配線部と、を備える。

【発明の効果】

【0006】

本開示に係る実施形態によれば、正面方向への光取り出し効率を向上できる発光装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】実施形態の発光装置の模式断面図である。

【図2】実施形態の発光部の模式上面図である。

【図3】図２のIII-III線における発光部の模式断面図である。

【図4A】実施形態の第１発光素子の模式断面図である。

【図4B】実施形態の第２発光素子の模式断面図である。

【図5】実施形態の第１変形例による発光部の模式断面図である。

【図6】実施形態の第２変形例による発光部の一部の模式断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、図面を参照し、実施形態の発光装置について説明する。実施形態に記載されている構成部の寸法、材料、形状、相対的配置などは、特定的な記載がない限り、それのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさ、位置関係などは、説明を明確にするため誇張していることがある。また、以下の説明において、同一の名称、符号については、同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。また、断面図として、切断面のみを示す端面図を示す場合がある。

【0009】

以下の説明において、特定の方向又は位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、及びそれらの用語を含む別の用語）を用いる場合がある。しかしながら、それらの用語は、参照した図面における相対的な方向又は位置を分かり易さのために用いているに過ぎない。参照した図面における「上」、「下」等の用語による相対的な方向又は位置の関係が同一であれば、本開示以外の図面、実際の製品等において、参照した図面と同一の配置でなくてもよい。本明細書において「上（又は下）」と表現する位置関係は、例えば、２つの部材があると仮定した場合に、２つの部材が接している場合と、２つの部材が接しておらず一方の部材が他方の部材の上方（又は下方）に位置している場合を含む。また、本明細書において「平行」とは、２つの直線、辺、面等が延長しても交わらない場合だけでなく、２つの直線、辺、面等がなす角度が１０°以内の範囲で交わる場合も含む。また、本明細書において、部材が被覆対象を覆うとは、部材が被覆対象に接して被覆対象を直接覆う場合と、部材が被覆対象に非接触で被覆対象を間接的に覆う場合を含む。

【0010】

以下に示す図でＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸により方向を示す場合がある。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は、互いに直交する。例えば、本明細書において、Ｚ軸に沿う方向を第１方向Ｚ、Ｘ軸に沿う方向を第２方向Ｘ、Ｙ軸に沿う方向を第３方向Ｙとする。実施形態の発光装置の発光面はＸＹ平面に平行であり、Ｚ軸は発光装置の発光面に直交する。また、Ｚ軸のプラス方向を相対的に上方、マイナス方向を相対的に下方とする。また、本明細書において、発光装置の正面方向とは、Ｚ軸のプラス方向を表す。また、本明細書において、面方向とは、ＸＹ平面に平行な方向を表す。

【0011】

図１は、実施形態の発光装置１の模式断面図である。図１に示すように、実施形態の発光装置１は、発光部１０１を備える。図２は発光部１０１の模式上面図であり、図３は図２のIII-III線における発光部１０１の模式断面図である。

【0012】

発光部１０１は、透光性部材３０と、第１発光素子１０と、第２発光素子２０と、光反射性部材６０と、第１配線部７１とを有する。

【0013】

＜透光性部材＞
図３に示すように、透光性部材３０は、第１面３０ａと、第１方向Ｚにおいて第１面３０ａの反対側に位置する第２面３０ｂと、第１面３０ａと第２面３０ｂとを接続する第１側面３０ｃとを有する。透光性部材３０の上面視の形状は特に限定されない。透光性部材３０の上面視の形状は、例えば、正方形、長方形等の四角形状とすることができる。図２に示す例では、透光性部材３０は、正方形状を有している。透光性部材３０の第１側面３０ｃは、第２方向Ｘに対して垂直であってもよいし、傾斜していてもよい。透光性部材３０は、第１発光素子１０と第２発光素子２０を支持する。透光性部材３０は、第１方向Ｚにおいて、第１発光素子１０と、第２発光素子２０と、の間に位置している。

【0014】

透光性部材３０は、第１発光素子１０が発する光及び第２発光素子２０が発する光に対して高い透光性を有する。透光性部材３０が高い透光性を有するとは、発光素子が発する光の発光ピーク波長に対して、５０％以上、好ましくは６０％以上、さらに好ましくは８０％以上の透光率を有することである。透光性部材３０として、例えば、透光性樹脂、ガラス、セラミックス等を用いることできる。透光性樹脂の材料としては、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フッ素樹脂の１種以上を含む樹脂を用いることができる。

【0015】

また、透光性部材３０は、入射された光の少なくとも一部を波長変換可能な蛍光体を含むことができる。蛍光体として、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、（Ｙ，Ｇｄ）_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｌｕ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｔｂ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）、ＣＣＡ系蛍光体（例えば、Ｃａ_１０（ＰＯ_４）_６Ｃｌ_２：Ｅｕ）、ＳＡＥ系蛍光体（例えば、Ｓｒ_４Ａｌ_１４Ｏ_２５：Ｅｕ）、クロロシリケート系蛍光体（例えば、Ｃａ_８ＭｇＳｉ_４Ｏ_１６Ｃｌ_２：Ｅｕ）、シリケート系蛍光体（例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ）、βサイアロン系蛍光体（例えば、（Ｓｉ，Ａｌ）_３（Ｏ，Ｎ）_４：Ｅｕ）若しくはαサイアロン系蛍光体（例えば、Ｃａ（Ｓｉ，Ａｌ）_１２（Ｏ，Ｎ）_１６：Ｅｕ）等の酸窒化物系蛍光体、ＬＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｌａ，Ｙ）_３Ｓｉ_６Ｎ_１１：Ｃｅ）、ＢＳＥＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｂａ，Ｓｒ）_２Ｓｉ_５Ｎ_８：Ｅｕ）、ＳＬＡ系蛍光体（例えば、ＳｒＬｉＡｌ_３Ｎ_４：Ｅｕ）、ＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、ＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ）若しくはＳＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ）等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（例えば、Ｋ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ）、ＫＳＡＦ系蛍光体（例えば、Ｋ_２（Ｓｉ_１－ｘＡｌ_ｘ）Ｆ_６－ｘ：Ｍｎ ここで、ｘは、０＜ｘ＜１を満たす。）若しくはＭＧＦ系蛍光体（例えば、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ_２・ＧｅＯ_２：Ｍｎ）等のフッ化物系蛍光体、ペロブスカイト構造を有する量子ドット（例えば、（Ｃｓ，ＦＡ，ＭＡ）（Ｐｂ，Ｓｎ）（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）_３ ここで、ＦＡとＭＡは、それぞれホルムアミジニウムとメチルアンモニウムを表す。）、ＩＩ－ＶＩ族量子ドット（例えば、ＣｄＳｅ）、ＩＩＩ－Ｖ族量子ドット（例えば、ＩｎＰ）、又はカルコパイライト構造を有する量子ドット（例えば、（Ａｇ，Ｃｕ）（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）_２）等を用いることができる。透光性部材３０は、単一種の蛍光体を含んでいてもよいし、複数の種類の蛍光体を含んでいてもよい。

【0016】

蛍光体を含有する透光性部材３０としては、透光性樹脂、ガラス、セラミックス等の成形体である透光層の表面に蛍光体を含有する樹脂層等の蛍光体含有層を配置させたものでもよい。また、蛍光体の焼結体や、透光性樹脂、ガラス、セラミックス等に蛍光体粉末を含有させたものでもよい。蛍光体を含有する透光性部材３０は、例えば、蛍光体と酸化アルミニウム等の透光性材料とを焼結させたものを用いてもよい。透光性材料を用いずに蛍光体の粉末を焼結させることにより形成される実質的に蛍光体のみかなるものを用いてもよい。蛍光体を含有する透光性部材３０は、イットリウム・アルミニウム・ガーネットの焼結体であることが好ましい。

【0017】

＜第１発光素子＞
図４Ａに示すように、第１発光素子１０は、第１半導体構造体１１を有する。第１半導体構造体１１は、第３面１１ａと、第１方向Ｚにおいて第３面１１ａの反対側に位置する第４面１１ｂと、第３面１１ａと第４面１１ｂとを接続する第２側面１１ｃとを有する。第１半導体構造体１１は、第２透光性基板４２上に配置されている。図３に示すように、第３面１１ａは、透光性部材３０の第１面３０ａに対向する。図３に示す例では、第３面１１ａは、第２透光性基板４２を介して、透光性部材３０の第１面３０ａに対向している。第２方向Ｘにおいて、第２透光性基板４２の外形の大きさは、透光性部材３０の外形の大きさと同一、または、透光性部材３０の外形の大きさよりも小さい。第１方向Ｚにおいて、第１半導体構造体１１の第２側面１１ｃは、透光性部材３０の第１側面３０ｃと、同一平面上に位置していてもよい。第１半導体構造体１１において、第３面１１ａが光の主な取り出し面として機能する。

【0018】

第２透光性基板４２は、例えば、サファイア基板を用いることができる。第２透光性基板４２の第１方向Ｚにおける厚さは、透光性部材３０の第１方向Ｚにおける厚さよりも薄い。透光性部材３０の第１方向Ｚにおける厚さは、１００μｍ以上２００μｍ以下である。第２透光性基板４２の第１方向Ｚにおける厚さは、１０μｍ以上５０μｍ以下である。例えば、透光性部材３０の第１方向Ｚにおける厚さは、１８０μｍであり、第２透光性基板４２の第１方向Ｚにおける厚さは３０μｍである。

【0019】

第２透光性基板４２と透光性部材３０とは、直接接合されている。直接接合には、例えば、表面活性化接合法を用いることができる。例えば、第２透光性基板４２がサファイア基板であり、透光性部材３０が酸化アルミニウムを含む部材からなる場合、第２透光性基板４２と透光性部材３０との接合は、実質的に同質材料同士の接合となり、第２透光性基板４２と透光性部材３０との接合強度を高くできる。なお、第１半導体構造体１１の第３面１１ａと透光性部材３０の第１面３０ａとを、第２透光性基板４２を介さずに、接合してもよい。この場合、発光部１０１の第１方向Ｚの高さを、第２透光性基板４２を介している場合よりも低減できる。

【0020】

図４Ａに示すように、第１半導体構造体１１は、第１ｎ側層１２と、第１ｐ側層１４と、第１方向Ｚにおいて第１ｎ側層１２と第１ｐ側層１４との間に位置する第１活性層１３とを有する。第３面１１ａは、第１ｎ側層１２の上面である。第４面１１ｂは、第１領域１１ｂ１と、第２領域１１ｂ２と、第３領域１１ｂ３とを有する。第１領域１１ｂ１は、第１ｐ側層１４の下面である。第２領域１１ｂ２及び第３領域１１ｂ３は、第１活性層１３及び第１ｐ側層１４から露出する第１ｎ側層１２の下面である。第３領域１１ｂ３は、上面視において第１半導体構造体１１の外周部に位置する。なお、第１活性層１３の厚さは第１ｎ側層１２及び第１ｐ側層１４の厚さに比べて薄いため、各図において、第１活性層１３は線で表している。

【0021】

第１発光素子１０は、第１電極５１をさらに有する。第１電極５１は、第１半導体構造体１１の第４面１１ｂ側に配置され、第１半導体構造体１１と電気的に接続されている。第１電極５１を通じて、第１半導体構造体１１に電流が供給される。第１電極５１は、第１ｎ側層１２と電気的に接続された第１ｎ側電極５１ｎと、第１ｐ側層１４と電気的に接続された第１ｐ側電極５１ｐとを有する。

【0022】

図４Ａに示すように、第１ｎ側電極５１ｎと、第１ｐ側電極５１ｐとは、第２透光性基板４２の外縁よりも、第２透光性基板４２の中心に近い位置に配置されている。図２に示すように、上面視において、第２ｎ側電極５２ｎ及び第２ｐ側電極５２ｐは、第１半導体構造体１１の第１活性層１３の外縁１３ａよりも外側に位置することが好ましい。これにより、第１活性層１３からの光が、第２ｎ側電極５２ｎ及び第２ｐ側電極５２ｐによって遮られにくくなり、正面方向への光取り出し効率を向上できる。

【0023】

第１電極５１の材料として、例えば、銅、金、ニッケルを用いることができる。第１電極５１は、上記の金属材料の単層としてもよいし、複数の金属層を有する積層構造としてもよい。

【0024】

例えば、第１ｎ側電極５１ｎは、第１ｎ側配線層１９を介して、第１ｎ側層１２と電気的に接続されている。第１ｎ側配線層１９は、第２領域１１ｂ２において第１ｎ側層１２と電気的に接続されている。第１ｎ側配線層１９は、第３領域１１ｂ３において第１ｎ側層１２と電気的に接続されてもよい。第１ｎ側電極５１ｎは、第１領域１１ｂ１の下方において第１ｎ側配線層１９に接している。

【0025】

第１ｎ側配線層１９の材料として、例えば、銀、アルミニウム、ニッケル、ロジウム、金、銅、チタン、プラチナ、パラジウム、モリブデン、クロム、タングステン、またはそれらの金属を主成分とする合金を好適に用いることができる。また、第１ｎ側配線層１９は、上記の金属材料の単層としてもよいし、複数の金属層を有する積層構造としてもよい。

【0026】

例えば、第１ｐ側電極５１ｐは、第１ｐ側配線層１８及び光反射性導電層１５を介して、第１ｐ側層１４と電気的に接続されている。光反射性導電層１５は、第１領域１１ｂ１において第１ｐ側層１４の下面に配置され、第１ｐ側層１４と電気的に接続されている。第１ｐ側配線層１８は、第１方向Ｚにおいて光反射性導電層１５と第１ｐ側電極５１ｐとの間に位置し、光反射性導電層１５及び第１ｐ側電極５１ｐに接している。第１ｐ側電極５１ｐは、第１領域１１ｂ１の下方において第１ｐ側配線層１８に接している。

【0027】

光反射性導電層１５は、第１発光素子１０が発する光及び第２発光素子２０が発する光に対して高い反射性を有する。ここで、光反射性導電層１５が高い反射性を有するとは、発光素子が発する光の発光ピーク波長に対して、５０％以上、好ましくは６０％以上の反射率を有することである。光反射性導電層１５は、例えば、銀またはアルミニウムを含む金属層を用いることができる。第１ｐ側配線層１８は、例えば、第１ｎ側配線層１９の材料と同じ材料を用いることができる。

【0028】

第１絶縁膜１７は、例えば、第１方向Ｚにおいて、第１半導体構造体１１の第４面１１ｂと第１ｐ側配線層１８との間、第１半導体構造体１１の第４面１１ｂと第１ｎ側配線層１９との間、光反射性導電層１５と第１ｐ側配線層１８との間、及び光反射性導電層１５と第１ｎ側配線層１９との間に配置されている。また、第１絶縁膜１７は、第２方向Ｘにおいて、第１ｐ側配線層１８と第１ｎ側配線層１９との間、及び光反射性導電層１５と第１ｎ側配線層１９との間に配置されている。第１絶縁膜１７として、例えば、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜を用いることができる。第１絶縁膜１７は、単層膜としてもよいし、複数の絶縁膜を有する積層膜としてもよい。

【0029】

また、第４面１１ｂ側に、第１ｐ側配線層１８及び第１ｎ側配線層１９を覆う保護樹脂９１が配置される。保護樹脂９１は、第１活性層１３が発する光の発光ピーク波長に対して高い反射性を有することが好ましい。ここで、保護樹脂９１が高い反射性を有するとは、発光素子が発する光の発光ピーク波長に対して、５０％以上、好ましくは６０％以上の反射率を有することである。第１ｐ側電極５１ｐの下面及び第１ｎ側電極５１ｎの下面は、保護樹脂９１から露出する。保護樹脂９１は、単層としてもよいし、積層構造でもよい。保護樹脂９１は、例えば、誘電体多層膜、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜を用いることができる。誘電体多層膜は、例えば、分布ブラッグ反射膜（ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector））を用いることができる。具体的には屈折率の異なる２種以上の誘電体膜を、波長／４ｎ（ｎは屈折率）の厚みで交互に積層した膜であり、所定の波長の光を高効率に反射できる。誘電体膜としては、酸化ケイ素、酸化ニオブ、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化タンタル等が挙げられる。誘電体多層膜は、例えば、酸化ケイ素膜と酸化ニオブ膜とを交互に積層したものが挙げられる。例えば、低屈折率層及び高屈折率層の膜厚や材料を変えることによって、反射率及び／又は透過率を制御することができる。

【0030】

＜第２発光素子＞
図４Ｂに示すように、第２発光素子２０は、第２半導体構造体２１を有する。第２半導体構造体２１は、第５面２１ａと、第１方向Ｚにおいて第５面２１ａの反対側に位置する第６面２１ｂと、第５面２１ａと第６面２１ｂとを接続する第３側面２１ｃとを有する。図３に示すように、第５面２１ａは、透光性部材３０の第２面３０ｂに対向する。第２半導体構造体２１は、第１透光性基板４１上に配置されている。図３に示す例では、第５面２１ａは、第１透光性基板４１を介して、透光性部材３０の第２面３０ｂに対向している。第２方向Ｘにおいて、第１透光性基板４１の外形の大きさは、透光性部材３０の外形の大きさと同一、または、透光性部材３０の外形の大きさよりも小さい。第１方向Ｚにおいて、第２発光素子２０の第３側面２１ｃは、透光性部材３０の第１側面３０ｃとは、同一平面上に位置していてもよい。後述する光反射性部材の配置し易さの観点から、第１透光性基板４１の外形と、透光性部材３０の外形とは、同じ大きさであることが好ましい。また、第１透光性基板４１の外形と、透光性部材３０の外形と、第２透光性基板４２の外形とは、同じ大きさであることがさらに好ましい。第２半導体構造体２１において第６面２１ｂが光の主な取り出し面として機能する。

【0031】

また、例えば、第１透光性基板４１は、例えば、サファイア基板を用いることができる。第１透光性基板４１の第１方向Ｚにおける厚さは、透光性部材３０の第１方向Ｚにおける厚さよりも薄い。第１透光性基板４１の第１方向Ｚにおける厚さは、１０μｍ以上５０μｍ以下である。例えば、第１透光性基板４１の第１方向Ｚにおける厚さは、３０μｍである。

【0032】

第１透光性基板４１と透光性部材３０とは、直接接合されている。例えば、第１透光性基板４１がサファイア基板であり、透光性部材３０が酸化アルミニウムを含む部材からなる場合、第１透光性基板４１と透光性部材３０との接合は、実質的に同質材料同士の接合となり、第１透光性基板４１と透光性部材３０との接合強度を高くできる。なお、第２半導体構造体２１の第５面２１ａと透光性部材３０の第２面３０ｂとを、第１透光性基板４１を介さずに、接合してもよい。この場合、発光部１０１の第１方向Ｚの高さを低減できる。

【0033】

図４Ｂに示すように、第２半導体構造体２１は、第２ｎ側層２２と、第２ｐ側層２４と、第１方向Ｚにおいて第２ｎ側層２２と第２ｐ側層２４との間に位置する第２活性層２３とを有する。第５面２１ａは、第２ｎ側層２２の下面である。第６面２１ｂは、第４領域２１ｂ１と第５領域２１ｂ２とを有する。第４領域２１ｂ１は、第２ｐ側層２４の上面である。第５領域２１ｂ２は、第２活性層２３及び第２ｐ側層２４から露出する第２ｎ側層２２の上面である。なお、第２活性層２３の厚さは第２ｎ側層２２及び第２ｐ側層２４の厚さに比べて薄いため、第１活性層１３と同様に、各図において、第２活性層２３は線で表している。

【0034】

第２発光素子２０は、第２電極５２をさらに有する。第２電極５２は、第２半導体構造体２１の第６面２１ｂ側に配置され、第２半導体構造体２１と電気的に接続されている。第２電極５２は、第２ｎ側層２２と電気的に接続された第２ｎ側電極５２ｎと、第２ｐ側層２４と電気的に接続された第２ｐ側電極５２ｐとを有する。第２ｎ側電極５２ｎは、第５領域２１ｂ２において、第２ｎ側層２２と電気的に接続されている。

【0035】

図４Ｂに示すように、第２ｎ側電極５２ｎと、第２ｐ側電極５２ｐとは、第１透光性基板４１の中心よりも、第１透光性基板４１の外縁に近い位置に配置されている。図２に示すように、上面視において、第１発光素子１０の第１電極５１と、第２発光素子２０の第２電極５２とは重ならないことが好ましい。これにより、第１半導体構造体１１において強発光しやすい第１電極５１が配置された領域からの光が、第２電極５２によって遮られにくくなり、正面方向への光取り出し効率を向上できる。

【0036】

第２電極５２の材料として、例えば、第１電極５１と同じ材料を用いることができる。

【0037】

第２発光素子２０は、第２ｐ側層２４上に配置された透光性導電層２５をさらに有する。透光性導電層２５は、第４領域２１ｂ１において第２ｐ側層２４に接している。第２ｐ側電極５２ｐは、透光性導電層２５の一部２５ａに接している。したがって、第２ｐ側電極５２ｐは、透光性導電層２５を介して、第２ｐ側層２４と電気的に接続されている。

【0038】

透光性導電層２５は、第２ｐ側電極５２ｐを通じて供給される電流を、第２半導体構造体２１の面方向に広げる電流拡散の機能を有する。透光性導電層２５は、第１発光素子１０からの光及び第２発光素子２０からの光に対する透光性を有する。

【0039】

透光性導電層２５は、導電性を有する金属酸化物から形成されることが好ましい。透光性導電層２５の材料として、例えば、亜鉛、インジウム、スズ、ガリウム及びチタンからなる群から選択された少なくとも１種の元素を含む酸化物を用いることができる。例えば、透光性導電層２５は、酸化インジウムスズや酸化亜鉛を用いることができる。酸化インジウムスズや酸化亜鉛は、可視光に対して高い透光性を有し、導電率の高い材料であることから、第２ｐ側層２４の上面の略全面を覆うのに好適な材料である。

【0040】

第２ｐ側電極５２ｐが接する透光性導電層２５の一部２５ａと、第２ｐ側層２４の上面との間には第２絶縁膜２６が配置され、透光性導電層２５の一部２５ａは第２ｐ側層２４の上面に接していない。これにより、第２ｐ側電極５２ｐの下方の領域において、電流が流れにくくなり、第２ｐ側電極５２ｐの下方の領域において第２活性層２３が発光しにくくなるため、第２ｐ側電極５２ｐによる光の吸収を低減することができる。よって、発光装置１の光取り出し効率を向上することができる。第２絶縁膜２６として、例えば、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜を用いることができる。

【0041】

透光性導電層２５の上面、及び第２半導体構造体２１の第６面２１ｂは、保護膜２７に覆われている。保護膜２７として、例えば、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜を用いることができる。

【0042】

第１半導体構造体１１及び第２半導体構造体２１は、窒化物半導体からなる。本明細書において「窒化物半導体」とは、例えば、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１－ｘ－ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）なる化学式において組成比ｘ及びｙをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。また、上記化学式において、Ｎ（窒素）以外のＶ族元素もさらに含むもの、導電型などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むものも「窒化物半導体」に含まれるものとする。

【0043】

第１活性層１３及び第２活性層２３は、光を発する発光層である。第１活性層１３及び第２活性層２３は、例えば複数の障壁層と、複数の井戸層を含むＭＱＷ（Multiple Quantum well）構造を有する。第１活性層１３の発光ピーク波長と、第２活性層２３の発光ピーク波長とは、同じでも、異なっていてもよい。第１ｎ側層１２及び第２ｎ側層２２は、ｎ型不純物を含む半導体層を有する。第１ｐ側層１４及び第２ｐ側層２４は、ｐ型不純物を含む半導体層を有する。

【0044】

＜光反射性部材＞
光反射性部材６０は、少なくとも、透光性部材３０の第１側面３０ｃと、第１半導体構造体１１の第２側面１１ｃとを覆う。これにより、第１側面３０ｃと、第２側面１１ｃとに向かう光を光反射性部材６０により反射させ、正面方向への光取り出し効率を向上できる。また、透光性部材３０が蛍光体を含む場合、透光性部材３０の周囲（断面視では、透光性部材３０の第１側面３０ｃ）に向かう光を光反射性部材６０によって正面方向に反射させることで、色むらを低減することができる。光反射性部材６０によって第１側面３０ｃが覆われていない場合、蛍光体によって波長変換された光が第１側面３０ｃから出射されやすくなり、透光性部材３０の周囲において、色むらが生じやすい。光反射性部材６０によって第１側面３０ｃを覆うことで、正面方向に波長変換された光を反射させ、色むらを低減することができる。光反射性部材６０は、透光性部材３０の第１側面３０ｃを直接または間接的に覆う。光反射性部材６０は、第１半導体構造体１１の第２側面１１ｃを直接または間接的に覆う。例えば、第１半導体構造体１１の第２側面１１ｃに保護樹脂９１の一部が位置し、光反射性部材６０は、第２側面１１ｃを、保護樹脂９１を介して間接的に覆ってもよい。また、保護樹脂９１の代わりに、光反射性部材６０を第１半導体構造体１１の第４面１１ｂ側に配置してもよい。また、光反射性部材６０は、第２透光性基板４２の側面を覆っている。これにより、第２透光性基板４２の周囲（断面視では、第２透光性基板４２の側面）へ向かう光を光反射性部材６０で反射させ、正面方向への光取り出し効率をより向上できる。

【0045】

光反射性部材６０は、第１発光素子１０が発する光及び第２発光素子２０が発する光に対して高い反射性を有する。光反射性部材６０が高い反射性を有するとは、発光素子が発する光の発光ピーク波長に対して６０％以上の反射率を有することを意味し、７０％以上、さらに好ましくは８０％以上の反射率を有することがより好ましい。また、透光性部材３０が蛍光体を含む場合には、光反射性部材６０は蛍光体が発する光に対する反射性を有する。

【0046】

図２に示すように、上面視において、光反射性部材６０の外縁６０Ａ～６０Ｄが、発光部１０１の外縁を構成する。光反射性部材６０は、上面視において、第２方向Ｘに延びる第１外縁６０Ａと、第１外縁６０Ａと第３方向Ｙにおいて離れて位置し、第２方向Ｘに延びる第２外縁６０Ｂと、第３方向Ｙに延びる第３外縁６０Ｃと、第３外縁６０Ｃと第２方向Ｘにおいて離れて位置し、第３方向Ｙに延びる第４外縁６０Ｄとを有する。

【0047】

上面視において、図２に示すように、光反射性部材６０は、第２半導体構造体２１と接するように配置されている。上面視において、第２半導体構造体２１は、第２方向Ｘに延びる第１素子外縁２１Ａと、第１素子外縁２１Ａと第３方向Ｙにおいて離れて位置し、第２方向Ｘに延びる第２素子外縁２１Ｂと、第３方向Ｙに延びる第３素子外縁２１Ｃと、第３素子外縁２１Ｃと第２方向Ｘにおいて離れて位置し、第３方向Ｙに延びる第４素子外縁２１Ｄとを有する。なお、上面視において、光反射性部材６０と、第２半導体構造体２１とは、離隔していてもよい。

【0048】

上面視において、光反射性部材６０の上面６０ａは、光反射性部材６０の外縁６０Ａ～６０Ｄと、第２半導体構造体２１の素子外縁２１Ａ～２１Ｄとの間に位置する。光反射性部材６０の上面６０ａは、第２方向Ｘに対して平行であってもよいし、傾斜していてもよい。後述する第１配線部を配置しやすくするという観点から、光反射性部材６０の上面６０ａは、平坦に近い面であることが好ましい。第１方向Ｚにおいて、光反射性部材６０の上面６０ａの高さは、透光性部材３０の第１側面３０ｃの上端の高さと同一、または、高いことが好ましい。

【0049】

図３に示すように、光反射性部材６０は、第２半導体構造体２１の第３側面２１ｃを覆うことが好ましい。すなわち、光反射性部材６０の側面（内側の側面）は、透光性部材３０の第１側面３０ｃを覆う第１側面部６０ｂと、第１方向Ｚにおいて第１側面部６０ｂと上面６０ａとの間に位置する第２側面部６０ｃとを有する。第２側面部６０ｃが、第２半導体構造体２１の第３側面２１ｃを直接または間接的に覆う。これにより、第２半導体構造体２１の周囲（断面視では、第２半導体構造体２１の第３側面２１ｃ）へ向かう光を光反射性部材６０で反射させ、正面方向への光取り出し効率をより向上できる。

【0050】

第２半導体構造体２１と透光性部材３０との間に第１透光性基板４１を配置する場合には、光反射性部材６０は、第１透光性基板４１の側面も覆うことが好ましい。これにより、第１透光性基板４１の周囲（断面視では、第１透光性基板４１の側面）へ向かう光を光反射性部材６０で反射させ、正面方向への光取り出し効率をより向上できる。

【0051】

光反射性部材６０は、母材の樹脂と、樹脂中に含まれる光反射性物質の粒子とを含む。樹脂としては、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フッ素樹脂の１種以上を含む樹脂が挙げられる。光反射性物質としては、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト及びこれらの組み合わせなどが挙げられる。光反射性物質の平均粒子径は、例えば０．０５μｍ以上３０μｍ以下が挙げられる。光反射性部材６０は、顔料、カーボンブラック等の光吸収材、蛍光体等の波長変換部材をさらに含んでいてもよい。光反射性部材６０において、光反射性物質の粒子は、部分的に又は全体として偏在して配置されていてもよいが、分散して配置されていることが好ましい。光反射性部材６０における光反射性物質の含有量は、得ようとする発光装置の特性等によって適宜調整することができる。例えば、光反射性物質の含有量を３０ｗｔ％以上とすることが好ましい。光反射性部材６０は、放熱性に優れる材料を用いてもよい。例えば、光反射性部材６０の熱伝導率は０．２Ｗ／ｍ・Ｋ以上が好ましく、１Ｗ／ｍ・Ｋ以上がより好ましい。光反射性部材６０の熱伝導率を高く設定することにより発光部１０１の放熱性を向上させることができる。

【0052】

＜第１配線部＞
第１配線部７１は、光反射性部材６０の上面６０ａに配置され、第２電極５２と電気的に接続されている。第１配線部７１は、第２電極５２を通じて、第２半導体構造体２１に電流を供給する。第１配線部７１は、第２ｐ側電極５２ｐと電気的に接続された第１ｐ側配線部７１ｐと、第２ｎ側電極５２ｎと電気的に接続された第１ｎ側配線部７１ｎとを有する。

【0053】

図２に示すように、上面視において、第１ｐ側配線部７１ｐは、第２半導体構造体２１の第１素子外縁２１Ａと第３素子外縁２１Ｃとが形成する第１角部２１Ｅの近くに位置する。第１ｎ側配線部７１ｎは、第２半導体構造体２１の第２素子外縁２１Ｂと第４素子外縁２１Ｄとが形成する第２角部２１Ｆの近くに位置する。第１ｐ側配線部７１ｐと第１ｎ側配線部７１ｎは、上面視において四角形状の第２半導体構造体２１の対角位置に配置されている。これにより、第１角部２１Ｅまたは第２角部２１Ｆの一方に近い領域に、第１ｐ側配線部７１ｐと第１ｎ側配線部７１ｎとが配置されている場合と比べて、第２半導体構造体２１の面方向の電流密度の分布偏りを低減できる。

【0054】

例えば、第１配線部７１は、第２配線部７２を介して、第２電極５２と電気的に接続される。第２配線部７２は、上面視において、第２電極５２と重なるように配置され、第１配線部７１に接続されている。上面視において、第１配線部７１と、第２配線部７２と、は、隣り合って配置されている。第２配線部７２は、第２ｐ側配線部７２ｐと第２ｎ側配線部７２ｎとを有する。第１ｐ側配線部７１ｐは、第２ｐ側配線部７２ｐを介して、第２ｐ側電極５２ｐと電気的に接続され、第１ｎ側配線部７１ｎは、第２ｎ側配線部７２ｎを介して、第２ｎ側電極５２ｎと電気的に接続される。図３に示すように、第２ｐ側配線部７２ｐは第２ｐ側電極５２ｐの上面に接し、第２ｎ側配線部７２ｎは第２ｎ側電極５２ｎの上面に接する。

【0055】

例えば、図２に示すように、上面視において、第２ｐ側電極５２ｐは第１角部２１Ｅの近くの位置から第２方向Ｘ及び第３方向Ｙに延びている。上面視において、第２ｐ側配線部７２ｐは、第１ｐ側配線部７１ｐから、第２ｐ側電極５２ｐ上を第２方向Ｘ及び第３方向Ｙに延びている。上面視において、第２ｎ側電極５２ｎは第２角部２１Ｆの近くの位置から第２方向Ｘ及び第３方向Ｙに延びている。上面視において、第２ｎ側配線部７２ｎは、第１ｎ側配線部７１ｎから、第２ｎ側電極５２ｎ上を第２方向Ｘ及び第３方向Ｙに延びている。

【0056】

第１配線部７１及び第２配線部７２の材料として、例えば、金、アルミニウム、銀、銅、タングステン、チタン、プラチナ、ニッケル、パラジウム、鉄、錫等の金属又はそれらの少なくとも一種を含む合金等を用いることができる。第１配線部７１及び第２配線部７２は、上記の金属材料の単層としてもよいし、複数の金属層を有する積層構造としてもよい。第１配線部７１及び第２配線部７２は、部分的に異なる材料で構成されていてもよい。また、例えば、第２ｐ側配線部７２ｐは、第１ｐ側配線部７１ｐと同じ材料で一体に形成され、第２ｎ側配線部７２ｎは、第１ｎ側配線部７１ｎと同じ材料で一体に形成されていてもよい。

【0057】

第１電極５１及び第１配線部７１を通じて、発光部１０１に電力が供給される。図１は、発光部１０１に電力を供給するための構成の一例を示す。この例によれば、発光装置１は、基板２００と、基板２００上に配置され、第１電極５１と電気的に接続された第１導電部２０１と、基板２００上に配置された第２導電部２０２と、第１配線部７１と第２導電部２０２とを接続する導電性のワイヤ８１、８２とをさらに備える。ワイヤ８１、８２は、例えば、金、アルミニウム、銅、銀等の金属材料を用いることができる。また、基板２００は、例えば、ガラスエポキシ、樹脂、セラミックスなどの絶縁性部材、シリコンなどの半導体部材、銅などの導電性部材等を用いることができる。

【0058】

第１導電部２０１は、第１ｐ側電極５１ｐと接合された第１ｐ側導電部２０１ｐと、第１ｎ側電極５１ｎと接合された第１ｎ側導電部２０１ｎとを有する。

【0059】

第２導電部２０２は、第２ｐ側導電部２０２ｐと、第２ｎ側導電部２０２ｎとを有する。第１ｐ側配線部７１ｐと第２ｐ側導電部２０２ｐとは、ワイヤ８１を介して電気的に接続されている。ワイヤ８１の第１端部８１ａが、光反射性部材６０の上面６０ａにおいて第１ｐ側配線部７１ｐに接合している。ワイヤ８１の第２端部８１ｂが、第２ｐ側導電部２０２ｐに接合している。第１ｎ側配線部７１ｎと第２ｎ側導電部２０２ｎとは、ワイヤ８２を介して電気的に接続されている。ワイヤ８２の第３端部８２ａが、光反射性部材６０の上面６０ａにおいて第１ｎ側配線部７１ｎに接合している。ワイヤ８２の第４端部８２ｂが、第２ｎ側導電部２０２ｎに接合している。

【0060】

発光装置１は、第１活性層１３を含む第１半導体構造体１１と、第２活性層２３を含む第２半導体構造体２１とを、透光性部材３０を介して、第１方向Ｚに積層した構成を有する。そして、第１活性層１３と第２活性層２３の両方を発光させた場合には、発光装置１の単位面積当たりの正面方向（プラスＺ方向）への光取り出し効率を向上できる。

【0061】

また、第１活性層１３と第２活性層２３は、それぞれ独立して発光制御可能である。例えば、第１活性層１３と第２活性層２３の両方を発光させる第１駆動モード、第１活性層１３を発光させ、第２活性層２３を発光させない第２駆動モード、第２活性層２３を発光させ、第１活性層１３を発光させない第３駆動モードの３つの駆動モードを選択可能である。そして、第１活性層１３の発光ピーク波長と第２活性層２３の発光ピーク波長とを異ならせた場合には、駆動モードの選択により、発光装置１の色調を制御できる。また、第１駆動モードにおいて、第１活性層１３と第２活性層２３のそれぞれに供給する電力を制御することで、発光装置１の色調を制御できる。第１活性層１３と、第２活性層２３とは、可視光、紫外光を発することができる。第１活性層１３と、第２活性層２３とは、例えば、６１０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲の発光ピーク波長の光、４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の範囲の発光ピーク波長の光、４９５ｎｍ以上５６５ｎｍ以下の範囲の発光ピーク波長の光を発することができる。第１活性層１３及び第２活性層２３の発光ピーク波長は、同じでもよいし、異なっていてもよい。第１活性層１３の発光ピーク波長と第２活性層２３との発光ピーク波長とが異なる場合、第２活性層２３の発光ピーク波長は、第１活性層１３の発光ピーク波長より短いことが好ましい。これにより、第１活性層１３が発する光が、第２活性層２３により吸収されることを低減することができる。例えば、第１活性層１３は、４９５ｎｍ以上５６５ｎｍ以下の範囲の発光ピーク波長の光を発し、第２活性層２３は、４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の範囲の発光ピーク波長の光を発する。

【0062】

図１に示すように、第１半導体構造体１１は、第１ｐ側層１４の表面を下方の基板２００側に向けた状態で配置されている。第１半導体構造体１１の第１活性層１３から上方に向かった光は、透光性部材３０及び第２発光素子２０を透過して、発光装置１の正面方向に取り出される。光反射性導電層１５及び保護樹脂９１によって、第１活性層１３から下方に向かった光を上方に反射させることができ、発光装置１の正面方向への光取り出し効率を向上できる。光反射性部材６０によって、第１活性層１３から光反射性部材６０に向かった光を上方に反射させることができ、発光装置１の正面方向への光取り出し効率を向上できる。

【0063】

第２半導体構造体２１は、第２ｐ側層２４の表面を上方（発光装置１の正面方向）に向けた状態で配置されている。第２半導体構造体２１の第２活性層２３から上方に向かった光は、透光性導電層２５及び保護膜２７を透過して、発光装置１の正面方向に取り出される。また、光反射性部材６０、光反射性導電層１５、及び保護樹脂９１によって、第２活性層２３から下方（光反射性部材６０に向かう斜め下方も含む）に向かった光を上方に反射させることができ、発光装置１の正面方向への光取り出し効率を向上できる。

【0064】

図２に示す発光部１０１の上面視において、第１半導体構造体１１、第２半導体構造体２１、及び透光性部材３０が位置する領域３００（網掛けがなされた領域）が、発光する領域である。金属材料からなる第１配線部７１、第２配線部７２、及び第２電極５２は、発光装置１の正面方向への光取り出し効率を低下させる遮光体となる。そのため、発光部１０１からの光は、領域３００における第２配線部７２及び第２電極５２が配置されていない領域から、正面方向（プラスＺ方向）に主に取り出される。

【0065】

上面視において、光反射性部材６０は、領域３００の周囲を囲んで配置されることが好ましい。すなわち、上面視において、光反射性部材６０は、透光性部材３０の周囲及び第１半導体構造体１１の周囲を囲んで配置される。これにより、透光性部材３０の周囲及び第１半導体構造体１１の周囲へ向かう光を光反射性部材６０で上方に反射でき、正面方向への光取り出し効率を向上できる。

【0066】

本実施形態によれば、第１配線部７１を光反射性部材６０の上面６０ａに配置している。これにより、上面視において、領域３００と第１配線部７１とが重ならず、第１配線部７１により光が遮られにくくなるため、発光装置１の正面方向への光取り出し効率を向上させることができる。また、光反射性部材６０の上面６０ａに第１配線部７１を配置しているので、遮光体となるワイヤ８１の第１端部８１ａ、ワイヤ８２の第３端部８２ａも、光反射性部材６０の上面６０ａに配置される。すなわち、上面視において、発光装置１の発光面側に位置する電力供給部が、光反射性部材６０の上面６０ａに位置し、領域３００の外側に位置する。これにより、発光面側の電力供給部が領域３００からの光の取り出しの妨げにならず、正面方向への光取り出し効率を向上できる。

【0067】

図２に示すように、上面視において、ワイヤ８１は、第１ｐ側配線部７１ｐに接合された第１端部８１ａから、光反射性部材６０の外縁６０Ａ～６０Ｄの外側に延び、第１半導体構造体１１及び第２半導体構造体２１が配置された領域３００と重ならないことが好ましい。ワイヤ８２も、上面視において、第１ｎ側配線部７１ｎに接合された第３端部８２ａから、光反射性部材６０の外縁６０Ａ～６０Ｄの外側に延び、第１半導体構造体１１及び第２半導体構造体２１が配置された領域３００と重ならないことが好ましい。これにより、ワイヤ８１、８２が領域３００からの光の取り出しの妨げにならず、正面方向への光取り出し効率を向上できる。

【0068】

第１透光性基板４１の屈折率と第２透光性基板４２の屈折率とが異なる場合、第１透光性基板４１と第２透光性基板４２とを直接接合すると、第１透光性基板４１と第２透光性基板４２との界面で反射しやすくなる。第１透光性基板４１の屈折率と第２透光性基板４２の屈折率とが異なる場合には、第１透光性基板４１と第２透光性基板４２との間に、第１透光性基板４１の屈折率と第２透光性基板４２の屈折率との間の屈折率を有する透光性部材３０を配置することが好ましい。これにより、透光性部材３０を反射防止膜として機能させ、正面方向への光取り出し効率を向上させることができる。

【0069】

第１活性層１３の発光ピーク波長と第２活性層２３の発光ピーク波長とが異なる場合、以下に示すような特性を持つ透光性部材３０を配置することが好ましい。透光性部材３０に、例えば、第１活性層１３の発光波長域の光は透過させやすく、第２活性層２３の発光波長域の光は反射しやすい特性を持たせる。このような特性を持つことで、正面方向への光取り出し効率を向上させることができる。例えば、第１活性層１３の発光ピーク波長が、第２活性層２３の発光ピーク波長よりも長いと、第１活性層１３は第２活性層２３の発光波長域の光を吸収しやすい。この場合に、上記特性の透光性部材３０を配置することで、第２活性層２３から第１活性層１３に向かう光を透光性部材３０により反射させ、第１活性層１３による第２活性層２３の光の吸収を低減できるため、正面方向への光取り出し効率を向上させることができる。

【0070】

図５は、実施形態の第１変形例による発光部の模式断面図である。第１変形例は、第１半導体構造体１１と透光性部材３０との間に、第２透光性基板４２ではなく第１誘電体多層膜４３が配置されている点で、図１に示す実施形態の発光装置１と異なっている。その他の点に関して、第１変形例は、図１に示す実施形態の発光装置１と基本的に同じ構造を有する。

【0071】

図５に示す例では、第１誘電体多層膜４３は、第１半導体構造体１１の第３面１１ａに配置されている。または、第１誘電体多層膜４３は、第２透光性基板４２と透光性部材３０との間に配置されていてもよい。

【0072】

第１変形例の透光性部材３０は、蛍光体を含んでいる。第１誘電体多層膜４３は、第１活性層１３からの光に対しては低反射で、透光性部材３０からの光に対しては高反射である。すなわち、第１誘電体多層膜４３は、透光性部材３０からの光に対しては、第１活性層１３からの光に対する反射率よりも高い反射率を有する。換言すると、第１誘電体多層膜４３は、第１活性層１３からの光に対しては、透光性部材３０からの光に対する透過率よりも高い透過率を有する。したがって、第１活性層１３からの光は第１誘電体多層膜４３を透過して透光性部材３０に含まれる蛍光体を励起させやすくなるとともに、透光性部材３０の発する光（波長変換光）は第１誘電体多層膜４３によって正面方向に反射されやすくなる。これにより、波長変換光が透光性部材３０内で内部散乱や内部吸収により損失する割合を低減でき、波長変換光の外部への取り出し効率を向上できる。

【0073】

第１誘電体多層膜４３は、上述した保護樹脂９１として誘電体多層膜を配置する場合と同様の材料を用いることができる。

【0074】

なお、第１活性層１３の発光ピーク波長と第２活性層２３の発光ピーク波長とが異なる場合、第１誘電体多層膜４３は、第１活性層１３からの光は透過し、第２活性層２３からの光は反射する機能を有することが好ましい。

【0075】

図６は、実施形態の第２変形例による発光部の一部の模式断面図である。第２変形例は、第１方向Ｚにおいて、光反射性部材６０の第２側面部６０ｃの一部が第２ｐ側電極５２ｐの上面５２ａよりも光反射性部材６０の上面６０ａ側に位置している点で、図１に示す実施形態の発光装置１と異なっている。その他の点に関して、第１変形例は、図１に示す実施形態の発光装置１と基本的に同じ構造を有する。この場合、第２活性層２３から第２ｐ側電極５２ｐ側に向かった光を、光反射性部材６０の第２側面部６０ｃで正面方向に反射しやすくなり、正面方向への光取り出し効率をより向上できる。

【0076】

図６に示すように、第１方向Ｚにおいて第２ｐ側電極５２ｐの上面５２ａよりも光反射性部材６０の上面６０ａ側に位置する光反射性部材６０の第２側面部６０ｃの一部に、第１ｐ側配線部７１ｐを配置してよい。

【0077】

本開示の実施形態は、以下の発光装置を含む。

【0078】

［項１］
第１面と、第１方向において前記第１面の反対側に位置する第２面と、前記第１面と前記第２面とを接続する第１側面とを有する透光性部材と、
前記第１面に対向する第３面と、前記第１方向において前記第３面の反対側に位置する第４面と、前記第３面と前記第４面とを接続する第２側面とを有する第１半導体構造体と、
前記第２面に対向する第５面と、前記第１方向において前記第５面の反対側に位置する第６面と、前記第５面と前記第６面とを接続する第３側面とを有する第２半導体構造体と、
前記透光性部材の前記第１側面と、前記第１半導体構造体の前記第２側面とを覆う光反射性部材と、
前記第１半導体構造体の前記第４面側に配置され、前記第１半導体構造体と電気的に接続された第１電極と、
前記第２半導体構造体の前記第６面側に配置され、前記第２半導体構造体と電気的に接続された第２電極と、
前記光反射性部材の上面に配置され、前記第２電極と電気的に接続された第１配線部と、
を備える、発光装置。
［項２］
前記第１半導体構造体は、第１ｎ側層と、第１ｐ側層と、前記第１ｎ側層と前記第１ｐ側層との間に位置する第１活性層とを有し、
前記第１電極は、前記第１ｎ側層と電気的に接続された第１ｎ側電極と、前記第１ｐ側層と電気的に接続された第１ｐ側電極とを有し、
前記第２半導体構造体は、第２ｎ側層と、第２ｐ側層と、前記第２ｎ側層と前記第２ｐ側層との間に位置する第２活性層とを有し、
前記第２ｐ側層上に透光性導電層が配置され、
前記第２電極は、前記第２ｎ側層と電気的に接続された第２ｎ側電極と、前記透光性導電層と電気的に接続された第２ｐ側電極とを有する、項１に記載の発光装置。
［項３］
上面視において、前記第２ｎ側電極及び前記第２ｐ側電極は、前記第１半導体構造体の前記第１活性層の外縁よりも外側に位置している、項２に記載の発光装置。
［項４］
上面視において、前記光反射性部材は、前記透光性部材の周囲及び前記第１半導体構造体の周囲を囲んで配置されている、項１～３のいずれか１つに記載の発光装置。
［項５］
基板と、
前記基板上に配置され、前記第１電極と電気的に接続された第１導電部と、
前記基板上に配置された第２導電部と、
前記第１配線部と前記第２導電部とを接続する導電性のワイヤと、
をさらに備え、
上面視において、前記ワイヤは、前記第１半導体構造体及び前記第２半導体構造体と重ならない、項１～４のいずれか１つに記載の発光装置。
［項６］
上面視において、前記第１電極と前記第２電極とは重ならない、項１～５のいずれか１つに記載の発光装置。
［項７］
前記透光性部材は、蛍光体を含み、
前記第１半導体構造体と前記透光性部材との間に位置する第１誘電体多層膜と、
前記第２半導体構造体と前記透光性部材との間に位置する第１透光性基板と、
をさらに備える、項１～６のいずれか１つに記載の発光装置。
［項８］
前記光反射性部材の側面は、前記透光性部材の前記第１側面を覆う第１側面部と、前記第１方向において前記第１側面部と前記上面との間に位置する第２側面部とを有する、項１～７のいずれか１つに記載の発光装置。
［項９］
前記光反射性部材の前記第２側面部の一部は、前記第１方向において前記第２電極の上面よりも前記光反射性部材の前記上面側に位置している、項８に記載の発光装置。

【0079】

以上、具体例を参照しつつ、本開示の実施形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。本発明の上述した実施形態を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての形態も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものである。

【符号の説明】

【0080】

１…発光装置、１０…第１発光素子、１１…第１半導体構造体、１１ａ…第３面、１１ｂ…第４面、１１ｃ…第２側面、１２…第１ｎ側層、１３…第１活性層、１４…第１ｐ側層、２０…第２発光素子、２１…第２半導体構造体、２１ａ…第５面、２１ｂ…第６面、２１ｃ…第３側面、２２…第２ｎ側層、２３…第２活性層、２４…第２ｐ側層、２５…透光性導電層、３０…透光性部材、３０ａ…第１面、３０ｂ…第２面、３０ｃ…第１側面、４１…第１透光性基板、４２…第２透光性基板、４３…第１誘電体多層膜、５１…第１電極、５１ｎ…第１ｎ側電極、５１ｐ…第１ｐ側電極、５２…第２電極、５２ｎ…第２ｎ側電極、５２ｐ…第２ｐ側電極、６０…光反射性部材、６０ａ…上面、６０ｂ…第１側面部、６０ｃ…第２側面部、７１…第１配線部、７１ｎ…第１ｎ側配線部、７１ｐ…第１ｐ側配線部、７２…第２配線部、７２ｎ…第２ｎ側配線部、７２ｐ…第２ｐ側配線部、８１～８２…ワイヤ、９１…保護樹脂、１０１…発光部、２００…基板、２０１…第１導電部、２０２…第２導電部、３００…領域

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図5】

【図6】