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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024033169
(43)【公開日】2024-03-13
(54)【発明の名称】ゲートバルブ及び基板処理装置並びに基板処理方法
(51)【国際特許分類】
F16K 27/00 20060101AFI20240306BHJP
F16K 51/02 20060101ALI20240306BHJP
C23C 16/44 20060101ALI20240306BHJP
H01L 21/3065 20060101ALI20240306BHJP
【ＦＩ】
F16K27/00 Z
F16K51/02 B
C23C16/44 B
H01L21/302 101G
【審査請求】未請求
【請求項の数】5
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022136598
(22)【出願日】2022-08-30
(71)【出願人】
【識別番号】501417929
【氏名又は名称】株式会社キッツエスシーティー
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100081293
【弁理士】
【氏名又は名称】小林 哲男
(72)【発明者】
【氏名】星野 好文
(72)【発明者】
【氏名】鈴木 海斗
(72)【発明者】
【氏名】大泉 行雄
【テーマコード（参考）】
3H051
3H066
4K030
5F004
【Ｆターム（参考）】
3H051AA03
3H051BB10
3H051CC11
3H051CC14
3H051CC16
3H051FF09
3H066AA03
3H066BA19
4K030KA10
4K030KA11
5F004AA13
5F004BC01
5F004BC03
5F004BD04
(57)【要約】
【課題】真空処理室及び真空予備室の気密性および清浄度を向上することができるゲートバルブ及び基板処理装置並びに基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ゲートバルブ３０は、真空処理室１０及び真空予備室２０の互いに対向配置した基板搬出入口２４ａの全周を取り囲む環状のシール部材２５ａ、２５ｂに対して真空処理室１０及び真空予備室２０のそれぞれに対向する側の面を当接して真空処理室１０と真空予備室２０の間を開閉自在に接続し、真空処理室１０又は真空予備室２０の少なくとも一方の基板搬出入口２４ａの全周を内外２重で取り囲むように設けたシール部材２５ａ、２５ｂの間及びゲートバルブ３０内部の１以上の部位に内外２重にして設けた他のシール部材４０ａ、４０ｂの間にシール用流路５１、５４を設け、複数のシール用流路を含んで流入口５０ａから流出口５０ｎまで連続して流れるように不活性ガスを誘導するガス流通用流路５０を備えた。
【選択図】図４
【解決手段】ゲートバルブ３０は、真空処理室１０及び真空予備室２０の互いに対向配置した基板搬出入口２４ａの全周を取り囲む環状のシール部材２５ａ、２５ｂに対して真空処理室１０及び真空予備室２０のそれぞれに対向する側の面を当接して真空処理室１０と真空予備室２０の間を開閉自在に接続し、真空処理室１０又は真空予備室２０の少なくとも一方の基板搬出入口２４ａの全周を内外２重で取り囲むように設けたシール部材２５ａ、２５ｂの間及びゲートバルブ３０内部の１以上の部位に内外２重にして設けた他のシール部材４０ａ、４０ｂの間にシール用流路５１、５４を設け、複数のシール用流路を含んで流入口５０ａから流出口５０ｎまで連続して流れるように不活性ガスを誘導するガス流通用流路５０を備えた。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
減圧自在な真空処理室及び減圧自在な真空予備室の互いに対向配置した基板搬出入口の全周を取り囲む環状のシール部材に対して前記真空処理室及び前記真空予備室のそれぞれに対向する側の面を当接して前記真空処理室と前記真空予備室の間を開閉自在に接続するゲートバルブであって、
前記真空処理室又は前記真空予備室の少なくとも一方の基板搬出入口の全周を内外２重で取り囲むように設けた前記シール部材の間、及び、当該ゲートバルブ内部の１以上の部位に内外２重にして設けた他のシール部材の間にシール用流路を設け、複数の前記シール用流路を含んで不活性ガスの流入口から流出口まで連続して流れるように前記不活性ガスを誘導するガス流通用流路を備えたことを特徴とするゲートバルブ。
前記真空処理室又は前記真空予備室の少なくとも一方の基板搬出入口の全周を内外２重で取り囲むように設けた前記シール部材の間、及び、当該ゲートバルブ内部の１以上の部位に内外２重にして設けた他のシール部材の間にシール用流路を設け、複数の前記シール用流路を含んで不活性ガスの流入口から流出口まで連続して流れるように前記不活性ガスを誘導するガス流通用流路を備えたことを特徴とするゲートバルブ。
【請求項2】
前記ガス流通用流路が、前記流入口から前記流出口まで１本に連通している請求項１に記載のゲートバルブ。
【請求項3】
前記真空予備室に内外２重にして設けたシール部材の間の前記シール用流路が、前記真空予備室の内部のシール部位に向けて不活性ガスを送り出すガス送出口と、前記真空予備室の内部のシール部位から戻された不活性ガスを受け入れるガス受入口とを有する請求項１又は２に記載のゲートバルブ。
【請求項4】
減圧自在な真空処理室と、該真空処理室の基板搬出入口が対向配置された基板搬出入口を有する減圧自在な真空予備室と、前記真空処理室及び前記真空予備室のそれぞれの基板搬出入口の全周を取り囲む環状、かつ、前記真空処理室又は前記真空予備室の少なくとも一方に内外２重にして設けたシール部材に前記真空処理室及び前記真空予備室のそれぞれに対向する側の面を当接させて前記真空処理室と前記真空予備室の間を開閉自在に接続したゲートバルブと、を備えた基板処理装置であって、
前記ゲートバルブが、前記真空処理室又は前記真空予備室の少なくとも一方に内外２重にして設けた前記シール部材の間、及び、当該ゲートバルブ内部の１以上の部位に内外２重にして設けた他のシール部材の間をシール用流路とし、複数の前記シール用流路を含んで不活性ガスの流入口から流出口まで連続して流れるように前記不活性ガスを誘導するガス流通用流路を備えたことを特徴とする基板処理装置。
前記ゲートバルブが、前記真空処理室又は前記真空予備室の少なくとも一方に内外２重にして設けた前記シール部材の間、及び、当該ゲートバルブ内部の１以上の部位に内外２重にして設けた他のシール部材の間をシール用流路とし、複数の前記シール用流路を含んで不活性ガスの流入口から流出口まで連続して流れるように前記不活性ガスを誘導するガス流通用流路を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項5】
減圧自在な真空処理室および減圧自在な真空予備室の対向配置された基板搬出入口の全周を取り囲む環状のシール部材に対して前記真空処理室及び前記真空予備室のそれぞれに対向する側の面を当接して前記真空処理室と前記真空予備室の間を開閉自在に接続したゲートバルブを通して前記真空処理室に基板を搬出入することによって該真空処理室での前記基板の処理を行う基板処理方法であって、
前記ゲートバルブによって互いに接続された前記真空処理室又は前記真空予備室の少なくとも一方に内外２重にして設けた前記シール部材の間、及び、当該ゲートバルブ内部の１以上の部位に内外２重にして設けた他のシール部材の間をシール用流路として含んで不活性ガスを流入口から流出口まで連続して流れるように誘導するガス流通用流路に前記不活性ガスを流した状態、又は、前記ガス流通用流路を真空引きした状態で、前記真空処理室又は前記真空予備室を減圧することを特徴とする基板処理方法。
前記ゲートバルブによって互いに接続された前記真空処理室又は前記真空予備室の少なくとも一方に内外２重にして設けた前記シール部材の間、及び、当該ゲートバルブ内部の１以上の部位に内外２重にして設けた他のシール部材の間をシール用流路として含んで不活性ガスを流入口から流出口まで連続して流れるように誘導するガス流通用流路に前記不活性ガスを流した状態、又は、前記ガス流通用流路を真空引きした状態で、前記真空処理室又は前記真空予備室を減圧することを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ゲートバルブ及び基板処理装置並びに基板処理方法に関し、特に、半導体ウエハ、液晶基板、太陽電池パネル用基板などの基板を処理するための真空処理室と予備真空室との間を開閉自在に接続するゲートバルブ及び基板処理装置並びに基板処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、半導体ウエハ、液晶基板、太陽電池パネル用基板等の基板の製造において、基板に対して各種の処理を施すため、各処理に対応した減圧自在な真空処理室が設けられる。 この真空処理室は、品質を安定させるため、処理内容に応じた所定の真空度や清浄度を保つ必要がある。
例えば、半導体ウエハに各種の処理を施す複数の真空処理室を有する基板処理装置では、各種の真空度に設定された真空処理室に基板を搬送して処理を施す。
このため、基板の搬出入によって真空処理室の環境が変動しないように、基板処理装置には、真空処理室と同様の真空度や清浄度に保持することができる真空予備室を真空処理室に隣接して設け、この真空予備室を経由して真空処理室に対して基板を搬出入するようにしている。
ここで、真空予備室とは、真空処理室の真空雰囲気に圧力を近づける調整を行うためのものであり、ロードロックチャンバ、トランスファチャンバと称されるもの、あるいは、その他のチャンバが含まれる。
例えば、半導体ウエハに各種の処理を施す複数の真空処理室を有する基板処理装置では、各種の真空度に設定された真空処理室に基板を搬送して処理を施す。
このため、基板の搬出入によって真空処理室の環境が変動しないように、基板処理装置には、真空処理室と同様の真空度や清浄度に保持することができる真空予備室を真空処理室に隣接して設け、この真空予備室を経由して真空処理室に対して基板を搬出入するようにしている。
ここで、真空予備室とは、真空処理室の真空雰囲気に圧力を近づける調整を行うためのものであり、ロードロックチャンバ、トランスファチャンバと称されるもの、あるいは、その他のチャンバが含まれる。
【0003】
そして、真空処理室及び真空予備室の互いに対向配置した基板搬出入口の間にはゲートバルブを設け、このゲートバルブによって真空処理室と真空予備室の間を開閉自在に接続している。
ゲートバルブは、その互いに対向配置した基板搬出入口の全周を取り囲む環状のシール部材に対して真空処理室及び真空予備室のそれぞれに対向する側の面を当接して真空処理室と真空予備室との間に設けられている。
つまり、真空処理室及び真空予備室それぞれの基板搬出入口は、全周を取り囲む環状のシール部材によって大気が入り込まないように気密に封止されている。
ゲートバルブは、その互いに対向配置した基板搬出入口の全周を取り囲む環状のシール部材に対して真空処理室及び真空予備室のそれぞれに対向する側の面を当接して真空処理室と真空予備室との間に設けられている。
つまり、真空処理室及び真空予備室それぞれの基板搬出入口は、全周を取り囲む環状のシール部材によって大気が入り込まないように気密に封止されている。
【0004】
このように基板処理装置は、真空処理Ｆ室及び真空予備室それぞれの基板搬出入口を気密に封止しつつ、ゲートバルブによって開閉自在に接続することによって、気密性を保持しながら真空処理室に対して真空予備室を介して基板を搬出入できるようになっている。
そして、基板処理装置は、ゲートバルブを開いて真空処理室に対して基板を搬出入する際、真空処理室と真空予備室との圧力差によってパーティクルが巻き上がることを防止するため、真空予備室の真空度を真空処理室と同程度に調整する。
つまり、真空予備室についても真空処理室と同程度の真空度に保持する必要があるため、真空処理室及び真空予備室の両チャンバに対して同程度の気密性が要求される。
このように真空処理室及び真空予備室の両真空室について気密性が要求される一方、真空処理室及び真空予備室それぞれの基板搬出入口を気密に封止する上述のシール部材は、フッ素系やパーフロ系等のゴムからなるため、真空室を真空引きする際、大気中の酸素を透過してしまう問題がある。
昨今の基板に対する高品質化の要求により、シール部材を透過する大気中の酸素であっても品質に悪影響を及ぼすため、シール部材を透過した酸素が真空室内に浸入すること防ぐことが基板の高品質化において重要な課題になっている。
そして、基板処理装置は、ゲートバルブを開いて真空処理室に対して基板を搬出入する際、真空処理室と真空予備室との圧力差によってパーティクルが巻き上がることを防止するため、真空予備室の真空度を真空処理室と同程度に調整する。
つまり、真空予備室についても真空処理室と同程度の真空度に保持する必要があるため、真空処理室及び真空予備室の両チャンバに対して同程度の気密性が要求される。
このように真空処理室及び真空予備室の両真空室について気密性が要求される一方、真空処理室及び真空予備室それぞれの基板搬出入口を気密に封止する上述のシール部材は、フッ素系やパーフロ系等のゴムからなるため、真空室を真空引きする際、大気中の酸素を透過してしまう問題がある。
昨今の基板に対する高品質化の要求により、シール部材を透過する大気中の酸素であっても品質に悪影響を及ぼすため、シール部材を透過した酸素が真空室内に浸入すること防ぐことが基板の高品質化において重要な課題になっている。
【0005】
例えば、特許文献１には、減圧可能なホットウォールチャンバ（真空処理室）と、このホットウォールチャンバに対して基板を搬出入する搬送アーム機構を有する減圧可能なトランスファチャンバ（真空予備室）と、これらのチャンバの間に設けられるゲートバルブ装置とを備えた基板処理装置であって、ゲートバルブ装置は、ホットウォールチャンバとの基板搬出入口と、トランスファチャンバとの基板搬出入口を有する筐体を備え、ホットウォールチャンバとトランスファチャンバのうち、より高い真空度を保持することが要求される方のチャンバの側壁と筐体の側壁との間は、そのチャンバとの基板搬出入口を第１シール部材とその外側の第２シール部材により囲んで２重シール構造とした基板処理装置が記載されている。
この基板処理装置は、これらシール部材間の隙間を筐体の内部空間に連通する少なくとも１つの連通孔を筐体の側壁に設け、２重シール構造によってシールするチャンバとの基板搬出入口を、筐体内を昇降自在な弁体によって開閉するようにし、２重シール構造によってシールするチャンバとの基板搬出入口を弁体で閉塞し、他方のチャンバとの基板搬出入口は開いたままその他方のチャンバを減圧することで、シール部材間の隙間を連通孔を介して他方のチャンバにより真空引きしている。
この基板処理装置は、これらシール部材間の隙間を筐体の内部空間に連通する少なくとも１つの連通孔を筐体の側壁に設け、２重シール構造によってシールするチャンバとの基板搬出入口を、筐体内を昇降自在な弁体によって開閉するようにし、２重シール構造によってシールするチャンバとの基板搬出入口を弁体で閉塞し、他方のチャンバとの基板搬出入口は開いたままその他方のチャンバを減圧することで、シール部材間の隙間を連通孔を介して他方のチャンバにより真空引きしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特許第５８０６８２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかしながら、特許文献１に記載の基板処理装置では、チャンバ（真空処理室又は真空予備室）を真空引きする際、外側のシール部材を透過した大気中の酸素が連通孔を通してゲートバルブ装置の筐体の内部および他方のチャンバの内部を通ってそのチャンバの排気系から排気されるようになっているため、ゲートバルブ装置の筐体内及び他方のチャンバ内に酸素が浸入し、結果的に、ゲートバルブを通して接続された両チャンバに酸素が浸入し、高品質が要求される基板に対して悪影響を及ぼすおそれがあった。
また、外側のシール部材を透過した大気中の酸素を他方のチャンバの排気系を用いて排気する際、ゲートバルブ装置の筐体内についても真空引きされるため、この筐体内に外部から大気を引込み易くなり、大気中の酸素がゲートバルブ装置の可動部等を介して筐体内に浸入した場合、その酸素が筐体内からチャンバ内に浸入して、高品質が要求される基板に対して悪影響を及ぼすおそれがあった。
このため、チャンバが高品質の基板の処理に必要な気密性を保持できなくなるおそれがあり、特にゴム等のシール部材から透過する酸素の侵入を抑制することが不可欠であった。
また、外側のシール部材を透過した大気中の酸素を他方のチャンバの排気系を用いて排気する際、ゲートバルブ装置の筐体内についても真空引きされるため、この筐体内に外部から大気を引込み易くなり、大気中の酸素がゲートバルブ装置の可動部等を介して筐体内に浸入した場合、その酸素が筐体内からチャンバ内に浸入して、高品質が要求される基板に対して悪影響を及ぼすおそれがあった。
このため、チャンバが高品質の基板の処理に必要な気密性を保持できなくなるおそれがあり、特にゴム等のシール部材から透過する酸素の侵入を抑制することが不可欠であった。
【0008】
本発明は、従来の課題を解決するために開発したものであり、その目的とするところは、真空処理室及び真空予備室の気密性を向上することができ、しかも、コンパクト化を維持しつつ、大気からシール部材を透過して真空処理室及び真空予備室内に浸入する酸素を抑制することができるゲートバルブ及び基板処理装置並びに基板処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記目的を達成するため、請求項１に係る発明は、減圧自在な真空処理室及び減圧自在な真空予備室の互いに対向配置した基板搬出入口の全周を取り囲む環状のシール部材に対して真空処理室及び真空予備室のそれぞれに対向する側の面を当接して真空処理室と真空予備室の間を開閉自在に接続するゲートバルブであって、真空処理室又は真空予備室の少なくとも一方の基板搬出入口の全周を内外２重で取り囲むように設けたシール部材の間、及び、当該ゲートバルブ内部の１以上の部位に内外２重にして設けた他のシール部材の間にシール用流路を設け、複数の前記シール用流路を含んで不活性ガスの流入口から流出口まで連続して流れるように窒素ガス等の不活性ガスを誘導するガス流通用流路を備えたゲートバルブである。
【0010】
請求項２に係る発明は、ガス流通用流路が、前記流入口から前記流出口まで１本に連通しているゲートバルブである。
【0011】
請求項３に係る発明は、真空予備室に内外２重にして設けたシール部材の間のシール用流路が、真空予備室の内部のシール部位に向けて不活性ガスを送り出すガス送出口と、真空予備室の内部のシール部位から戻された不活性ガスを受け入れるガス受入口とを有するゲートバルブである。
【0012】
上記目的を達成するため、請求項４に係る発明は、減圧自在な真空処理室と、該真空処理室の基板搬出入口が対向配置された基板搬出入口を有する減圧自在な真空予備室と、真空処理室及び真空予備室のそれぞれの基板搬出入口の全周を取り囲む環状、かつ、真空処理室又は真空予備室の少なくとも一方に内外２重にして設けたシール部材に真空処理室及び真空予備室のそれぞれに対向する側の面を当接させて真空処理室と真空予備室の間を開閉自在に接続したゲートバルブと、を備え、ゲートバルブが、真空処理室又は真空予備室の少なくとも一方に内外２重にして設けたシール部材の間、及び、当該ゲートバルブ内部の１以上の部位に内外２重にして設けた他のシール部材の間をシール用流路とし、複数のシール用流路を含んで不活性ガスの流入口から流出口まで連続して流れるように窒素ガス等の不活性ガスを誘導するガス流通用流路を備えた基板処理装置である。
【0013】
上記目的を達成するため、請求項５に係る発明は、減圧自在な真空処理室の基板搬出入口が対向配置された基板搬出入口を有する減圧自在な真空予備室を介して真空処理室に基板を搬出入することによって該真空処理室での基板の処理を行い、真空処理室と真空予備室の対向配置された基板搬出入口の全周を取り囲む環状のシール部材に対してゲートバルブの真空処理室及び真空予備室のそれぞれに対向する側の面を当接してゲートバルブによって真空処理室と真空予備室の間を開閉自在に接続し、ゲートバルブによって互いに接続された真空処理室又は真空予備室の少なくとも一方に内外２重にして設けたシール部材の間、及び、当該ゲートバルブ内部の１以上の部位に内外２重にして設けた他のシール部材の間をシール用流路として含んで不活性ガスの流入口から流出口まで連続して流れるように窒素ガス等の不活性ガスを誘導するガス流通用流路を設け、ガス流通用流路に不活性ガスを循環させた状態、又は、ガス流通用流路を真空引きした状態で、真空処理室又は真空予備室を減圧する基板処理方法である。
【発明の効果】
【0014】
請求項１に係る発明によると、真空処理室又は真空予備室の少なくとも一方の基板搬出入口の全周を内外２重で取り囲むように設けたシール部材の間、及び、当該ゲートバルブ内部の１以上の部位に内外２重にして設けた他のシール部材の間にシール用流路を設け、複数のシール用流路を含んで不活性ガスの流入口から流出口まで連続して流れるように不活性ガスを誘導するガス流通用流路を備えている。
これにより、２重のシール部材が設けられた真空処理室又は真空予備室を減圧する際に外側のシール部材を透過した大気中の酸素が、外側のシール部材と内側のシール部材との間のシール用流路に流れる窒素ガス等の不活性ガスによって内側のシール部材へ透過することを阻止されるため、外側のシール部材を透過した酸素が真空処理室又は真空予備室へ浸入することを防ぐことができる。
また、ゲートバルブの内部についても他のシール部材の間のシール用流路を流れる不活性ガスによって大気中の酸素がゲートバルブ内へ浸入することを阻止されるため、酸素がゲートバルブの内部を通して真空処理室又は真空予備室に浸入することを防ぐことができる。
さらに、外側のシール部材を透過した大気中の酸素はシール用流路の不活性ガスの流れに取り込まれ、ガス流通用流路の流出口から排出されるため、減圧処理対象となる一方の真空処理室又は真空予備室にゲートバルブを介して接続された他方の真空処理室又は真空予備室の排気系を大気中の酸素の排気に利用する必要がないため、排気系を通した真空処理室又は真空予備室への酸素の浸入を防ぎ、結果として、ゲートバルブを介して接続された真空処理室又は真空予備室についてもその酸素の浸入を防ぐことができる。
そして、流入口から流出口にかけて、複数のシール用流路を満遍なく不活性ガスを行き渡らせているため、各シール用流路にそれぞれ流入口及び流出口を有したガス流通用流路を設ける必要がない。
従って、真空処理室及び真空予備室の気密性を向上することができ、しかも、コンパクト化を維持しつつ、大気からシール部材を透過して真空処理室及び真空予備室内に浸入する酸素を抑制することができる。
これにより、２重のシール部材が設けられた真空処理室又は真空予備室を減圧する際に外側のシール部材を透過した大気中の酸素が、外側のシール部材と内側のシール部材との間のシール用流路に流れる窒素ガス等の不活性ガスによって内側のシール部材へ透過することを阻止されるため、外側のシール部材を透過した酸素が真空処理室又は真空予備室へ浸入することを防ぐことができる。
また、ゲートバルブの内部についても他のシール部材の間のシール用流路を流れる不活性ガスによって大気中の酸素がゲートバルブ内へ浸入することを阻止されるため、酸素がゲートバルブの内部を通して真空処理室又は真空予備室に浸入することを防ぐことができる。
さらに、外側のシール部材を透過した大気中の酸素はシール用流路の不活性ガスの流れに取り込まれ、ガス流通用流路の流出口から排出されるため、減圧処理対象となる一方の真空処理室又は真空予備室にゲートバルブを介して接続された他方の真空処理室又は真空予備室の排気系を大気中の酸素の排気に利用する必要がないため、排気系を通した真空処理室又は真空予備室への酸素の浸入を防ぎ、結果として、ゲートバルブを介して接続された真空処理室又は真空予備室についてもその酸素の浸入を防ぐことができる。
そして、流入口から流出口にかけて、複数のシール用流路を満遍なく不活性ガスを行き渡らせているため、各シール用流路にそれぞれ流入口及び流出口を有したガス流通用流路を設ける必要がない。
従って、真空処理室及び真空予備室の気密性を向上することができ、しかも、コンパクト化を維持しつつ、大気からシール部材を透過して真空処理室及び真空予備室内に浸入する酸素を抑制することができる。
【0015】
請求項２に係る発明によると、ガス流通用流路が、流入口から流出口まで１本に連通しているので、ガス流通用流路の分岐、合流等を原因とする不活性ガスの圧力損失の発生を防ぎ、不活性ガスが複数のシール用流路を安定した流量及び流速で流れるため、外側のシール部材を透過した酸素を安定的に取り込んで流出口から排出することができ、結果的に、大気からシール部材を透過してチャンバ内に浸入する酸素をより効果的に抑制することができる。
【0016】
請求項３に係る発明によると、真空予備室に内外２重にして設けたシール部材の間のシール用流路が、真空予備室の内部のシール部位に向けて不活性ガスを送り出すガス送出口と、真空予備室の内部のシール部位から戻された不活性ガスを受け入れるガス受入口とを有することにより、ゲートバルブに設けたガスの流入口から流出口まで連続するガス流通流路を真空予備室の内部のシール部位にも拡大できるため、簡便かつコンパクトな構成で真空予備室内部の気密性についても高めることができる。
【0017】
請求項４に係る発明によると、真空処理室と真空予備室の間を開閉自在に接続したゲートバルブを備え、このゲートバルブが、真空処理室又は真空予備室の少なくとも一方に内外２重にして設けたシール部材の間、及び、当該ゲートバルブ内部の１以上の部位に内外２重にして設けた他のシール部材の間をシール用流路とし、複数のシール用流路を含んで不活性ガスの流入口から流出口まで連続して流れるように不活性ガスを誘導するガス流通用流路を備えている。
これにより、２重のシール部材が設けられた真空処理室又は真空予備室を減圧する際に外側のシール部材を透過した大気中の酸素が、外側のシール部材と内側のシール部材との間のシール用流路に流れる窒素ガス等の不活性ガスによって内側のシール部材へ透過することを阻止されるため、外側のシール部材を透過した酸素が真空処理室又は真空予備室へ浸入することを防ぐことができる。
また、ゲートバルブの内部についても他のシール部材の間のシール用流路を流れる不活性ガスによって大気中の酸素がゲートバルブ内へ浸入することを阻止されるため、酸素がゲートバルブの内部を通して真空処理室又は真空予備室に浸入することを防ぐことができる。
さらに、外側のシール部材を透過した大気中の酸素はシール用流路の不活性ガスの流れに取り込まれ、ガス流通用流路の流出口から排出されるため、減圧処理対象となる一方の真空処理室又は真空予備室にゲートバルブを介して接続された他方の真空処理室又は真空予備室の排気系を大気中の酸素の排気に利用する必要がないため、排気系を通した真空処理室又は真空予備室への酸素の浸入を防ぎ、結果として、ゲートバルブを介して接続された真空処理室又は真空予備室についてもその酸素の浸入を防ぐことができる。
そして、流入口から流出口にかけて、複数のシール用流路を満遍なく不活性ガスを行き渡らせているため、各シール用流路にそれぞれ流入口及び流出口を有したガス流通用流路を設ける必要がない。
従って、真空処理室及び真空予備室の気密性を向上することができ、しかも、コンパクト化を維持しつつ、大気からシール部材を透過して真空処理室及び真空予備室内に浸入する酸素を抑制することができる。
これにより、２重のシール部材が設けられた真空処理室又は真空予備室を減圧する際に外側のシール部材を透過した大気中の酸素が、外側のシール部材と内側のシール部材との間のシール用流路に流れる窒素ガス等の不活性ガスによって内側のシール部材へ透過することを阻止されるため、外側のシール部材を透過した酸素が真空処理室又は真空予備室へ浸入することを防ぐことができる。
また、ゲートバルブの内部についても他のシール部材の間のシール用流路を流れる不活性ガスによって大気中の酸素がゲートバルブ内へ浸入することを阻止されるため、酸素がゲートバルブの内部を通して真空処理室又は真空予備室に浸入することを防ぐことができる。
さらに、外側のシール部材を透過した大気中の酸素はシール用流路の不活性ガスの流れに取り込まれ、ガス流通用流路の流出口から排出されるため、減圧処理対象となる一方の真空処理室又は真空予備室にゲートバルブを介して接続された他方の真空処理室又は真空予備室の排気系を大気中の酸素の排気に利用する必要がないため、排気系を通した真空処理室又は真空予備室への酸素の浸入を防ぎ、結果として、ゲートバルブを介して接続された真空処理室又は真空予備室についてもその酸素の浸入を防ぐことができる。
そして、流入口から流出口にかけて、複数のシール用流路を満遍なく不活性ガスを行き渡らせているため、各シール用流路にそれぞれ流入口及び流出口を有したガス流通用流路を設ける必要がない。
従って、真空処理室及び真空予備室の気密性を向上することができ、しかも、コンパクト化を維持しつつ、大気からシール部材を透過して真空処理室及び真空予備室内に浸入する酸素を抑制することができる。
【0018】
請求項５に係る発明によると、ゲートバルブによって互いに接続された真空処理室又は真空予備室の少なくとも一方に内外２重にして設けたシール部材の間、及び、当該ゲートバルブ内部の１以上の部位に内外２重にして設けた他のシール部材の間をシール用流路として含んで不活性ガスを流入口から流出口まで連続して流れるように誘導するガス流通用流路に不活性ガスを流した状態、又は、ガス流通用流路を真空引きした状態で、真空処理室又は真空予備室を減圧している。
これにより、２重のシール部材が設けられた真空処理室又は真空予備室を減圧する際に外側のシール部材を透過した大気中の酸素が、外側のシール部材と内側のシール部材との間のシール用流路に流れる窒素ガス等の不活性ガスによって内側のシール部材へ透過することを阻止されるため、外側のシール部材を透過した酸素が真空処理室又は真空予備室へ浸入することを防ぐことができる。
また、ゲートバルブの内部についても他のシール部材の間のシール用流路を流れる不活性ガスによって大気中の酸素がゲートバルブ内へ浸入することを阻止されるため、酸素がゲートバルブの内部を通して真空処理室又は真空予備室に浸入することを防ぐことができる。
さらに、外側のシール部材を透過した大気中の酸素はシール用流路の不活性ガスの流れに取り込まれ、ガス流通用流路の流出口から排出されるため、減圧処理対象となる一方の真空処理室又は真空予備室にゲートバルブを介して接続された他方の真空処理室又は真空予備室の排気系を大気中の酸素の排気に利用する必要がないため、排気系を通した真空処理室又は真空予備室への大気中の酸素の浸入を防ぎ、結果として、ゲートバルブを介して接続された真空処理室又は真空予備室についてもその酸素の浸入を防ぐことができる。
そして、流入口から流出口にかけて、複数のシール用流路を満遍なく不活性ガスを行き渡らせているため、各シール用流路にそれぞれ流入口及び流出口を有したガス流通用流路を設ける必要がない。
従って、真空処理室及び真空予備室の気密性を向上することができ、しかも、コンパクト化を維持しつつ、大気からシール部材を透過して真空処理室及び真空予備室内に浸入する酸素を抑制することができる。
これにより、２重のシール部材が設けられた真空処理室又は真空予備室を減圧する際に外側のシール部材を透過した大気中の酸素が、外側のシール部材と内側のシール部材との間のシール用流路に流れる窒素ガス等の不活性ガスによって内側のシール部材へ透過することを阻止されるため、外側のシール部材を透過した酸素が真空処理室又は真空予備室へ浸入することを防ぐことができる。
また、ゲートバルブの内部についても他のシール部材の間のシール用流路を流れる不活性ガスによって大気中の酸素がゲートバルブ内へ浸入することを阻止されるため、酸素がゲートバルブの内部を通して真空処理室又は真空予備室に浸入することを防ぐことができる。
さらに、外側のシール部材を透過した大気中の酸素はシール用流路の不活性ガスの流れに取り込まれ、ガス流通用流路の流出口から排出されるため、減圧処理対象となる一方の真空処理室又は真空予備室にゲートバルブを介して接続された他方の真空処理室又は真空予備室の排気系を大気中の酸素の排気に利用する必要がないため、排気系を通した真空処理室又は真空予備室への大気中の酸素の浸入を防ぎ、結果として、ゲートバルブを介して接続された真空処理室又は真空予備室についてもその酸素の浸入を防ぐことができる。
そして、流入口から流出口にかけて、複数のシール用流路を満遍なく不活性ガスを行き渡らせているため、各シール用流路にそれぞれ流入口及び流出口を有したガス流通用流路を設ける必要がない。
従って、真空処理室及び真空予備室の気密性を向上することができ、しかも、コンパクト化を維持しつつ、大気からシール部材を透過して真空処理室及び真空予備室内に浸入する酸素を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0019】
【図1】実施形態に係るゲートバルブ及びそれを組み込んだ基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図4】ゲートバルブの構成をより詳細に説明するための図である。
【図5】（ａ）がゲートバルブの第１のシール用流路及び第３のシール用流路周辺を示す斜視断面図であり、（ｂ）がゲートバルブの第１のシール用流路及び第３のシール用流路周辺を示す正面断面図である。
【図7】ゲートバルブのボンネットの表面位置における断面図である。
【図8】ゲートバルブのチャンバ側の面における基板搬出入口周辺を示す図である。
【図9】ボディカバーの底面より僅かに上方位置におけるゲートバルブの断面図である。
【図10】実施形態の変形例１に係るゲートバルブを組み込んだ基板処理装置の概略構成を説明するための図である。
【図11】実施形態の変形例２に係るゲートバルブを組み込んだ基板処理装置の概略構成を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【0020】
本発明に係るゲートバルブ及び基板処理装置並びに基板処理方法の実施形態を図１～図９に基づいて詳細に説明する。
なお、以下に示す実施形態により本開示が限定されるものではない。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。さらに、図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。
図１は、本発明の実施形態に係るゲートバルブ３０及びそれを組み込んだ基板処理装置１の概略構成を示す図である。図２は、図１に示す基板処理装置１のゲートバルブ３０、プロセスチャンバ１０及びトランスファチャンバ２０の構成をより詳細に説明するための図である。図３は、図１に示すゲートバルブ３０の斜視図であり、（ａ）がプロセスチャンバ１０に対向する面から視た図であり、（ｂ）がトランスファチャンバ２０に対向する面から視た斜視図である。図４は、ゲートバルブ３０の構成をより詳細に説明するための図である。図５は、（ａ）がゲートバルブ３０の第１のシール用流路５１及び第３のシール用流路５３周辺を示す斜視断面図であり、（ｂ）がゲートバルブ３０の第１のシール用流路５１及び第３のシール用流路５３周辺を示す正面断面図である。図６は、（ａ）が図５（ｂ）におけるゲートバルブ３０のＡ－Ａ線断面図であり、（ｂ）が図５（ｂ）におけるゲートバルブ３０のＢ－Ｂ線断面図である。図７は、ゲートバルブ３０のボンネット３３の表面位置における断面図である。図８は、ゲートバルブ３０のトランスファチャンバ２０側の面における基板搬出入口３２ｂ周辺を示す図である。図９は、ボディカバー３１の底面より僅かに上方位置におけるゲートバルブ３０の断面図である。
なお、図１では、基板の投入も含めた全体の処理を説明するため、基板処理装置１に加えて基板供給・収納装置Ｄについても示す。
また、図３～図９では、説明を分かりやすくするために、互いに直交する３軸の方向を表面方向（Ｓ）、背面方向（Ｂａ）、上面方向（Ｔ）、そして底面方向（Ｂо）と定義している。
また、図６（ｂ）では、説明を分かりやすくするため、ボンネット３３を省略し、ボンネット３３の裏面に形成された溝５３ａ、シール用流路流入口５３ｂ及びシール用流路流出口５３ｃのみ仮想線で示している。
なお、以下に示す実施形態により本開示が限定されるものではない。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。さらに、図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。
図１は、本発明の実施形態に係るゲートバルブ３０及びそれを組み込んだ基板処理装置１の概略構成を示す図である。図２は、図１に示す基板処理装置１のゲートバルブ３０、プロセスチャンバ１０及びトランスファチャンバ２０の構成をより詳細に説明するための図である。図３は、図１に示すゲートバルブ３０の斜視図であり、（ａ）がプロセスチャンバ１０に対向する面から視た図であり、（ｂ）がトランスファチャンバ２０に対向する面から視た斜視図である。図４は、ゲートバルブ３０の構成をより詳細に説明するための図である。図５は、（ａ）がゲートバルブ３０の第１のシール用流路５１及び第３のシール用流路５３周辺を示す斜視断面図であり、（ｂ）がゲートバルブ３０の第１のシール用流路５１及び第３のシール用流路５３周辺を示す正面断面図である。図６は、（ａ）が図５（ｂ）におけるゲートバルブ３０のＡ－Ａ線断面図であり、（ｂ）が図５（ｂ）におけるゲートバルブ３０のＢ－Ｂ線断面図である。図７は、ゲートバルブ３０のボンネット３３の表面位置における断面図である。図８は、ゲートバルブ３０のトランスファチャンバ２０側の面における基板搬出入口３２ｂ周辺を示す図である。図９は、ボディカバー３１の底面より僅かに上方位置におけるゲートバルブ３０の断面図である。
なお、図１では、基板の投入も含めた全体の処理を説明するため、基板処理装置１に加えて基板供給・収納装置Ｄについても示す。
また、図３～図９では、説明を分かりやすくするために、互いに直交する３軸の方向を表面方向（Ｓ）、背面方向（Ｂａ）、上面方向（Ｔ）、そして底面方向（Ｂо）と定義している。
また、図６（ｂ）では、説明を分かりやすくするため、ボンネット３３を省略し、ボンネット３３の裏面に形成された溝５３ａ、シール用流路流入口５３ｂ及びシール用流路流出口５３ｃのみ仮想線で示している。
【0021】
本発明の実施形態に係る基板処理装置１は、大気雰囲気の基板供給・収納装置Ｄに対してロードロックチャンバ６０を介して接続し、基板供給・収納装置Ｄから供給された基板である半導体ウエハＷに対して成膜処理やエッチング処理などの処理を施し、処理を施した半導体ウエハＷを基板供給・収納装置Ｄに戻して収納するように構成されている。
つまり、基板処理装置１および基板供給・収納装置Ｄは、半導体ウエハＷの供給から、半導体ウエハＷの処理、そして、処理済みの半導体ウエハＷの収納にいたるまでの一連の半導体製造プロセスを行う基板処理システムを構成している。
以下に本発明の実施形態に係る基板処理装置１について、基板処理システムの一部を構成する基板供給・収納装置Ｄを交えて説明する。
つまり、基板処理装置１および基板供給・収納装置Ｄは、半導体ウエハＷの供給から、半導体ウエハＷの処理、そして、処理済みの半導体ウエハＷの収納にいたるまでの一連の半導体製造プロセスを行う基板処理システムを構成している。
以下に本発明の実施形態に係る基板処理装置１について、基板処理システムの一部を構成する基板供給・収納装置Ｄを交えて説明する。
【0022】
＜基板処理装置１の全体構成＞
基板処理装置１は、真空処理室としての減圧自在な４つのプロセスチャンバ１０と、真空予備室としての減圧自在な１つのトランスファチャンバ２０と、各プロセスチャンバ１０とトランスファチャンバ２０の間を開閉自在に接続したゲートバルブ３０と、基板供給・収納装置ＤのローダチャンバＤ１とトランスファチャンバ２０の接続用のチャンバである２つのロードロックチャンバ６０と、基板処理装置１の各部の動作を制御する制御部７０と、を備えている。
なお、プロセスチャンバ１０の数は、４つに限らず、その他の数であってもよい。
基板処理装置１は、真空処理室としての減圧自在な４つのプロセスチャンバ１０と、真空予備室としての減圧自在な１つのトランスファチャンバ２０と、各プロセスチャンバ１０とトランスファチャンバ２０の間を開閉自在に接続したゲートバルブ３０と、基板供給・収納装置ＤのローダチャンバＤ１とトランスファチャンバ２０の接続用のチャンバである２つのロードロックチャンバ６０と、基板処理装置１の各部の動作を制御する制御部７０と、を備えている。
なお、プロセスチャンバ１０の数は、４つに限らず、その他の数であってもよい。
【0023】
＜プロセスチャンバ１０について＞
各プロセスチャンバ１０は、内部を所定の真空圧力に減圧自在、かつ、ガスを導入自在に構成されている。
プロセスチャンバ１０は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）やＹ（イットリウム）等を含む金属からなる箱型をなし、半導体ウエハＷが搬出入される基板搬出入口１１ａが形成されたチャンバ本体１１と、半導体ウエハＷの処理に必要なガスをチャンバ本体１１の内部に導入するためのガス導入系１３と、チャンバ本体１１の内部のガスを排気するための排気系１４とを有している。
各プロセスチャンバ１０は、内部を所定の真空圧力に減圧自在、かつ、ガスを導入自在に構成されている。
プロセスチャンバ１０は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）やＹ（イットリウム）等を含む金属からなる箱型をなし、半導体ウエハＷが搬出入される基板搬出入口１１ａが形成されたチャンバ本体１１と、半導体ウエハＷの処理に必要なガスをチャンバ本体１１の内部に導入するためのガス導入系１３と、チャンバ本体１１の内部のガスを排気するための排気系１４とを有している。
【0024】
このプロセスチャンバ１０は、基板搬出入口１１ａの全周を取り囲む環状のシール部材１２ａ、１２ｂが内外２重にして設けられている。
シール部材１２ａ、１２ｂは、例えば、フッ素系やパーフロ系等のゴムからなる。なお、シール部材１２ａ、１２ｂは、フッ素系やパーフロ系等のゴムに限らず、その他のゴムを用いても構わない。
シール部材１２ａ、１２ｂは、例えば、フッ素系やパーフロ系等のゴムからなる。なお、シール部材１２ａ、１２ｂは、フッ素系やパーフロ系等のゴムに限らず、その他のゴムを用いても構わない。
【0025】
ガス導入系１３は、ガス供給源１３ａと、ＭＦＣ（マスフローコントローラ）１３ｂと、ガス導入バルブ１３ｃとを有してチャンバ本体１１に接続されている。
ガス導入系１３によってプロセスチャンバ１０に導入されるガスは、例えば、Ｒｕ膜成膜の場合、常温で固体のＲｕ錯体（例えば、Ｒｕ３（ＣＯ）１２：ルテニウムカルボニウム）を加熱気化させたガス、これを気化させるのに用いるキャリアガス（例えば、ＣＯガス）、希釈ガス（例えば、Ａｒガス、Ｎ２ガス）が挙げられる。
ガス導入系１３によってプロセスチャンバ１０に導入されるガスは、例えば、Ｒｕ膜成膜の場合、常温で固体のＲｕ錯体（例えば、Ｒｕ３（ＣＯ）１２：ルテニウムカルボニウム）を加熱気化させたガス、これを気化させるのに用いるキャリアガス（例えば、ＣＯガス）、希釈ガス（例えば、Ａｒガス、Ｎ２ガス）が挙げられる。
【0026】
排気系１４は、真空ポンプ１４ａと、圧力調整バルブ１４ｂとを有してチャンバ本体１１に接続されている。
真空ポンプ１４ａは、例えば、ターボ分子ポンプなどの主ポンプとこの主ポンプに対して排気側に接続される補助ポンプとで構成し、補助ポンプによって所定の真空度まで粗引き排気を行った後、主ポンプによって更に高い真空度まで本引き排気を行う。
圧力調整バルブ１４ｂは、例えば、ＡＰＣ（Ａｕｔо Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃоｎｔｒоｌｌｅｒ）バルブを用いる。
真空ポンプ１４ａは、例えば、ターボ分子ポンプなどの主ポンプとこの主ポンプに対して排気側に接続される補助ポンプとで構成し、補助ポンプによって所定の真空度まで粗引き排気を行った後、主ポンプによって更に高い真空度まで本引き排気を行う。
圧力調整バルブ１４ｂは、例えば、ＡＰＣ（Ａｕｔо Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃоｎｔｒоｌｌｅｒ）バルブを用いる。
【0027】
＜トランスファチャンバ２０について＞
トランスファチャンバ２０は、内部を所定の真空圧力に減圧自在、かつ、ガスを導入自在に構成されている。
このトランスファチャンバ２０は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）やＹ（イットリウム）等を含む金属からなる箱型をなし、半導体ウエハＷが搬出入される基板搬出入口２１ａが一側面側に形成されたチャンバ本体２１と、半導体ウエハＷの処理に必要なガスをチャンバ本体２１の内部に導入するためのガス導入系２２と、チャンバ本体２１の内部のガスを排気するための排気系２３と、を有している。
トランスファチャンバ２０は、内部を所定の真空圧力に減圧自在、かつ、ガスを導入自在に構成されている。
このトランスファチャンバ２０は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）やＹ（イットリウム）等を含む金属からなる箱型をなし、半導体ウエハＷが搬出入される基板搬出入口２１ａが一側面側に形成されたチャンバ本体２１と、半導体ウエハＷの処理に必要なガスをチャンバ本体２１の内部に導入するためのガス導入系２２と、チャンバ本体２１の内部のガスを排気するための排気系２３と、を有している。
【0028】
本実施形態では、トランスファチャンバ２０には、チャンバ本体２１とゲートバルブ３０との間を断熱性を有して接続する断熱接続部２４が設けられている。
この断熱接続部２４は、例えば、ウレタン材及びアルミプレートを用いて構成され、基板搬出入口２１ａが形成されたチャンバ本体２１の一側面側に設けられている。
そして、断熱接続部２４は、チャンバ本体２１の基板搬出入口２１ａに連通する基板搬出入路２４ａが設けられている。この基板搬出入路２４ａのゲートバルブ３０に対向する側の端部開口が、トランスファチャンバ２０の基板搬出入口２４ｂになっている。
この断熱接続部２４は、例えば、ウレタン材及びアルミプレートを用いて構成され、基板搬出入口２１ａが形成されたチャンバ本体２１の一側面側に設けられている。
そして、断熱接続部２４は、チャンバ本体２１の基板搬出入口２１ａに連通する基板搬出入路２４ａが設けられている。この基板搬出入路２４ａのゲートバルブ３０に対向する側の端部開口が、トランスファチャンバ２０の基板搬出入口２４ｂになっている。
【0029】
この断熱接続部２４は、基板搬出入口２４ｂの全周を取り囲む環状のシール部材２５ａ、２５ｂが内外２重にして設けられている。
なお、本実施形態において、内外２重の「内外」とは、大気中の酸素の浸入方向から視て内側となる位置を「内」と定義し、外側となる位置を「外」と定義している。
シール部材２５ａ、２５ｂは、例えば、フッ素系やパーフロ系等のゴムからなる。なお、シール部材は、フッ素系やパーフロ系等のゴムに限らず、その他のゴムを用いても構わない。
なお、本実施形態において、内外２重の「内外」とは、大気中の酸素の浸入方向から視て内側となる位置を「内」と定義し、外側となる位置を「外」と定義している。
シール部材２５ａ、２５ｂは、例えば、フッ素系やパーフロ系等のゴムからなる。なお、シール部材は、フッ素系やパーフロ系等のゴムに限らず、その他のゴムを用いても構わない。
【0030】
また、断熱接続部２４には、トランスファチャンバ２０のチャンバ本体２１に対向する側の面についても、基板搬出入路２４ａの端部開口の全周を取り囲む環状のシール部材２６ａ、２６ｂが内外２重にして設けられている。
【0031】
ガス導入系２２は、ガス供給源２２ａと、ＭＦＣ（マスフローコントローラ）２２ｂと、ガス導入バルブ２２ｃとを有してトランスファチャンバ２０に接続されている。
ガス導入系２２によってトランスファチャンバ２０に導入されるガスは、パージガスや圧力調整がガスとして用いられるＡｒガス、Ｎｅガス、Ｈｅガス、Ｎ２ガスなどの不活性ガスが挙げられる。
ガス導入系２２によってトランスファチャンバ２０に導入されるガスは、パージガスや圧力調整がガスとして用いられるＡｒガス、Ｎｅガス、Ｈｅガス、Ｎ２ガスなどの不活性ガスが挙げられる。
【0032】
排気系２３は、真空ポンプ２３ａと、圧力調整バルブ２３ｂとを有してトランスファチャンバ２０に接続されている。
真空ポンプ２３ａは、例えば、ターボ分子ポンプなどの主ポンプとこの主ポンプに対して排気側に接続される補助ポンプとで構成し、補助ポンプによって所定の真空度まで粗引き排気を行った後、主ポンプによって更に高い真空度まで本引き排気を行う。
真空ポンプ２３ａは、例えば、ターボ分子ポンプなどの主ポンプとこの主ポンプに対して排気側に接続される補助ポンプとで構成し、補助ポンプによって所定の真空度まで粗引き排気を行った後、主ポンプによって更に高い真空度まで本引き排気を行う。
【0033】
このトランスファチャンバ２０内には、半導体ウエハＷを搬送する不図示のトランスファチャンバ側搬送機構が設けられ、このトランスファチャンバ側搬送機構が、各ロードロックチャンバ６０及び各プロセスチャンバ１０に対して半導体ウエハＷを搬出入する。
【0034】
＜基板供給・収納装置Ｄについて＞
基板処理システムの一部を構成する基板供給・収納装置Ｄは、ローダチャンバＤ１を有する。
ローダチャンバＤ１には、複数の半導体ウエハＷが収容自在なカセット容器によって構成された複数の基板収容部Ｄ２が隣接されている。
そして、ローダチャンバＤ１内には、半導体ウエハＷを搬送する不図示のローダチャンバ側搬送機構が設けられ、このローダチャンバ側搬送機構が各ロードロックチャンバ６０及び各基板収容部Ｄ２に対して半導体ウエハＷを搬出入する。
基板処理システムの一部を構成する基板供給・収納装置Ｄは、ローダチャンバＤ１を有する。
ローダチャンバＤ１には、複数の半導体ウエハＷが収容自在なカセット容器によって構成された複数の基板収容部Ｄ２が隣接されている。
そして、ローダチャンバＤ１内には、半導体ウエハＷを搬送する不図示のローダチャンバ側搬送機構が設けられ、このローダチャンバ側搬送機構が各ロードロックチャンバ６０及び各基板収容部Ｄ２に対して半導体ウエハＷを搬出入する。
【0035】
＜ゲートバルブ３０について＞
ゲートバルブ３０は、減圧自在なプロセスチャンバ１０及び減圧自在なトランスファチャンバ２０の互いに対向配置した基板搬出入口１１ａ、２４ｂの全周を取り囲む環状のシール部材１２ａ、１２ｂ、２５ａ、２５ｂに対してプロセスチャンバ１０及びトランスファチャンバ２０のそれぞれに対向する側の面を当接してプロセスチャンバ１０とトランスファチャンバ２０の間を開閉自在に接続する。
ゲートバルブ３０は、減圧自在なプロセスチャンバ１０及び減圧自在なトランスファチャンバ２０の互いに対向配置した基板搬出入口１１ａ、２４ｂの全周を取り囲む環状のシール部材１２ａ、１２ｂ、２５ａ、２５ｂに対してプロセスチャンバ１０及びトランスファチャンバ２０のそれぞれに対向する側の面を当接してプロセスチャンバ１０とトランスファチャンバ２０の間を開閉自在に接続する。
【0036】
ゲートバルブ３０は、ボディカバー３１と、ボディ３２と、ボンネット３３と、バルブ本体３４と、アクチュエータ３５とが上から下に向けて順に組み付けられて構成されている。
【0037】
ボディカバー３１は、板状をなし、ボディ３２の上面開口を塞ぐものである。
このボディカバー３１は、図４及び図９に示すように、ボディ３２の上面に当接される側となる裏面に内外２重にして環状のシール部材（以下、トランスファチャンバ２０のシール部材２５ａ、２５ｂと区別するため、「他のシール部材」という。）３１ａ、３１ｂが設けられ、この内外２重の他のシール部材３１ａ、３１ｂを介してボディ３２の上面開口を気密に封止しつつボディ３２に固定されるようになっている。
シール部材３１ａ、３１ｂは、例えば、フッ素系やパーフロ系等のゴムからなる。なお、シール部材は、フッ素系やパーフロ系等のゴムに限らず、その他のゴムを用いても構わない。
このボディカバー３１は、図４及び図９に示すように、ボディ３２の上面に当接される側となる裏面に内外２重にして環状のシール部材（以下、トランスファチャンバ２０のシール部材２５ａ、２５ｂと区別するため、「他のシール部材」という。）３１ａ、３１ｂが設けられ、この内外２重の他のシール部材３１ａ、３１ｂを介してボディ３２の上面開口を気密に封止しつつボディ３２に固定されるようになっている。
シール部材３１ａ、３１ｂは、例えば、フッ素系やパーフロ系等のゴムからなる。なお、シール部材は、フッ素系やパーフロ系等のゴムに限らず、その他のゴムを用いても構わない。
【0038】
ボディ３２は、上下両面が開口した箱型をなし、上面開口にボディカバー３１が組付けられ、下面開口にボンネット３３が組付けられている。
ボディ３２の表裏両面、すなわち、プロセスチャンバ１０に対向する面、及び、トランスファチャンバ２０に対向する面には、それぞれ基板搬出入口３２ａ、３２ｂが形成されている。
ボディ３２の表裏両面、すなわち、プロセスチャンバ１０に対向する面、及び、トランスファチャンバ２０に対向する面には、それぞれ基板搬出入口３２ａ、３２ｂが形成されている。
【0039】
ボンネット３３は、板状をなし、図４及び図７に示すように、ボディ３２の下面に当接される側となる表面に内外２重にして環状のシール部材（以下、トランスファチャンバ２０のシール部材２５ａ、２５ｂと区別するため、「他のシール部材」という。）３３ａ、３３ｂが設けられ、この内外２重の他のシール部材３３ａ、３３ｂを介してボディ３２の下面開口を気密に封止しつつボディ３２に固定されるようになっている。
シール部材３３ａ、３３ｂは、例えば、フッ素系やパーフロ系等のゴムからなる。なお、シール部材は、フッ素系やパーフロ系等のゴムに限らず、その他のゴムを用いても構わない。
シール部材３３ａ、３３ｂは、例えば、フッ素系やパーフロ系等のゴムからなる。なお、シール部材は、フッ素系やパーフロ系等のゴムに限らず、その他のゴムを用いても構わない。
【0040】
バルブ本体３４の内部には、弁体３６を上端部に設けたステム３７が、ボンネット３３の挿通孔を通してボディ３２側にその上端部を突出した状態で設けられている。
ステム３７は、バルブ本体３４内に昇降移動自在に設けたステムガイド３８によって支持されている。
また、バルブ本体３４は、内部にベローズ３９が設けられ、ステム３７が挿通されるボンネット３３の挿通孔を気密に封止するようになっている。
このベローズ３９は、下端がベローズリング４０を介してステム３７に固定され、上端がベローズフランジ４１を介してボンネット３３に固定されている。
ベローズリング４０には、図５（ｂ）に示すように、内周面にベローズリング４０の内周面とステム３７の外周面との間の隙間を気密に封止するため、内外２重にして他のシール部材４０ａ、４０ｂが設けられている。
なお、上述したように、本実施形態において、内外２重の「内外」とは、大気中の酸素の浸入方向から視て内側となる位置を「内」と定義し、外側となる位置を「外」と定義している。
従って、２重の他のシール部材４０ａ、４０ｂは、下方を大気中の酸素の浸入方向から視て外側とし、上方を内側として内外２重にしてステム３７の外周面に当接するように設けられている。
ステム３７は、バルブ本体３４内に昇降移動自在に設けたステムガイド３８によって支持されている。
また、バルブ本体３４は、内部にベローズ３９が設けられ、ステム３７が挿通されるボンネット３３の挿通孔を気密に封止するようになっている。
このベローズ３９は、下端がベローズリング４０を介してステム３７に固定され、上端がベローズフランジ４１を介してボンネット３３に固定されている。
ベローズリング４０には、図５（ｂ）に示すように、内周面にベローズリング４０の内周面とステム３７の外周面との間の隙間を気密に封止するため、内外２重にして他のシール部材４０ａ、４０ｂが設けられている。
なお、上述したように、本実施形態において、内外２重の「内外」とは、大気中の酸素の浸入方向から視て内側となる位置を「内」と定義し、外側となる位置を「外」と定義している。
従って、２重の他のシール部材４０ａ、４０ｂは、下方を大気中の酸素の浸入方向から視て外側とし、上方を内側として内外２重にしてステム３７の外周面に当接するように設けられている。
【0041】
ベローズフランジ４１は、図５（ａ）に示すように、シール部材（以下、トランスファチャンバ２０のシール部材２５ａ、２５ｂと区別するため、「他のシール部材」という。）４１ａ、４１ｂが径外方を外側とし、径内方を内側として内外２重にしてボンネット３３の裏面に当接するように設けられている。
ベローズリング４０及びベローズフランジ４１に用いる他のシール部材４０ａ、４０ｂ、４１ａ、４１ｂは、例えば、フッ素系やパーフロ系等のゴムからなる。なお、シール部材は、フッ素系やパーフロ系等のゴムに限らず、その他のゴムを用いても構わない。
ベローズリング４０及びベローズフランジ４１に用いる他のシール部材４０ａ、４０ｂ、４１ａ、４１ｂは、例えば、フッ素系やパーフロ系等のゴムからなる。なお、シール部材は、フッ素系やパーフロ系等のゴムに限らず、その他のゴムを用いても構わない。
【0042】
アクチュエータ３５は、ピストンヘッド３５ｂとピストンロッド３５ｃを有するエアアクチュエータからなる昇降駆動機構３５ａを有している。
ピストンロッド３５ｃは、不図示のカム機構等を介してステムガイド３８に連結することによって、ステムガイド３８を介してステム３７を昇降させるようになっている。
なお、アクチュエータ３５は、さらに不図示の水平駆動機構を有する。水平駆動機構は、プロセスチャンバ１０に対向する基板搬出入口３２ａに対して弁体３６を接離自在に移動させるものである。
ピストンロッド３５ｃは、不図示のカム機構等を介してステムガイド３８に連結することによって、ステムガイド３８を介してステム３７を昇降させるようになっている。
なお、アクチュエータ３５は、さらに不図示の水平駆動機構を有する。水平駆動機構は、プロセスチャンバ１０に対向する基板搬出入口３２ａに対して弁体３６を接離自在に移動させるものである。
【0043】
そして、ゲートバルブ３０は、ガス流通用流路５０を備えている。
ガス流通用流路５０は、トランスファチャンバ２０の基板搬出入口２４ｂの全周、より具体的には、断熱接続部２４の基板搬出入口２４ｂの全周を内外２重で取り囲むように設けたシール部材２５ａ、２５ｂの間、及び、ゲートバルブ３０内部の１以上の部位に内外２重にして設けた環状の他のシール部材３１ａ、３１ｂ、３３ａ、３３ｂ、４０ａ、４０ｂ、４１ａ、４１ｂの間にシール用流路５１、５２、５３、５４、５５を設けている。
より具体的には、ガス流通用流路５０は、シール用流路５１～５５及び後述するその他の流路５０ａ～５０ｎを有している。
そして、ガス流通用流路５０は、複数のシール用流路５１、５２、５３、５４、５５を含んで不活性ガスＧの流入口５０ａから流出口５０ｎまで連続して流れるように不活性ガスＧを誘導するものである。
本実施形態では、不活性ガスとして、Ｎ２（窒素）ガスを用いている。なお、不活性ガスは、半導体ウエハの処理に影響しないものであれば、Ｎ２（窒素）ガス以外のその他のガスを用いても構わない。例えば、Ａｒ（アルゴン）ガスを用いてもよい。
ガス流通用流路５０は、トランスファチャンバ２０の基板搬出入口２４ｂの全周、より具体的には、断熱接続部２４の基板搬出入口２４ｂの全周を内外２重で取り囲むように設けたシール部材２５ａ、２５ｂの間、及び、ゲートバルブ３０内部の１以上の部位に内外２重にして設けた環状の他のシール部材３１ａ、３１ｂ、３３ａ、３３ｂ、４０ａ、４０ｂ、４１ａ、４１ｂの間にシール用流路５１、５２、５３、５４、５５を設けている。
より具体的には、ガス流通用流路５０は、シール用流路５１～５５及び後述するその他の流路５０ａ～５０ｎを有している。
そして、ガス流通用流路５０は、複数のシール用流路５１、５２、５３、５４、５５を含んで不活性ガスＧの流入口５０ａから流出口５０ｎまで連続して流れるように不活性ガスＧを誘導するものである。
本実施形態では、不活性ガスとして、Ｎ２（窒素）ガスを用いている。なお、不活性ガスは、半導体ウエハの処理に影響しないものであれば、Ｎ２（窒素）ガス以外のその他のガスを用いても構わない。例えば、Ａｒ（アルゴン）ガスを用いてもよい。
【0044】
なお、流入口５０ａ及び流出口５０ｎは、例えば、チューブ継手を用いて、不図示のチューブを介して各接続先に接続されている。
例えば、流入口５０ａは、チューブを介して不活性ガスＧの供給源に接続され、流出口５０ｎは、チューブを介して不活性ガスＧの回収先に接続されている。
例えば、流入口５０ａは、チューブを介して不活性ガスＧの供給源に接続され、流出口５０ｎは、チューブを介して不活性ガスＧの回収先に接続されている。
【0045】
＜ガス流通用流路５０の詳細構成ついて＞
ガス流通用流路５０は、第１～第５の５つのシール用流路５１、５２、５３、５４、５５が設けられている。
以下に、ガス流通用流路５０の窒素ガスＧの流入口５０ａから流出口５０ｎまでの上流側から下流に向けて順に各シール用流路５１、５２、５３、５４、５５について説明する。
ガス流通用流路５０は、第１～第５の５つのシール用流路５１、５２、５３、５４、５５が設けられている。
以下に、ガス流通用流路５０の窒素ガスＧの流入口５０ａから流出口５０ｎまでの上流側から下流に向けて順に各シール用流路５１、５２、５３、５４、５５について説明する。
【0046】
まず、図４に示すように、流入口５０ａからガス流通用流路５０内に流入された窒素ガスＧは、上方に延びてから折り返す入口Ｌ字配管５０ｂからなる流路、そして、下方に向けて螺旋状に設けた第１螺旋配管５０ｃからなる流路を通った後、ステム３７の下端に設けたステム入口継手５０ｄからステム３７の内部に設けたステム内流路５０ｅを通ってベローズリング４０に設けた第１のシール用流路５１に流入する。
【0047】
第１のシール用流路５１は、図５（ｂ）に示すように、ベローズリング４０に設けた内外２重の他のシール部材４０ａ、４０ｂの間に設けた流路である。
より具体的には、第１のシール用流路５１は、内外２重の他のシール部材４０ａ、４０ｂの間にベローズリング４０の内周に沿って環状に形成した溝５１ａを有する。
この第１のシール用流路５１は、溝５１ａと溝５１ａの開口を塞ぐステム３７の外周面とを合わせて窒素ガスＧがステム３７の外周面に沿って環状に流れるための流路を形成している。
そして、第１のシール用流路５１は、図５（ａ）及び図６（ａ）に示すように、上流側から窒素ガスＧが流入する１つのシール用流路流入口５１ｂと、シール用流路流入口５１ｂから流入した窒素ガスＧが下流に向けて流出する１つのシール用流路流出口５１ｃと有する。
このため、第１のシール用流路５１のシール用流路流入口５１ｂから流入した窒素ガスＧは、分流してステム３７の外周面に沿ってそれぞれ半円状に流れた後、１つのシール用流路流出口５１ｃに合流して下流に向けて流出する。
より具体的には、第１のシール用流路５１は、内外２重の他のシール部材４０ａ、４０ｂの間にベローズリング４０の内周に沿って環状に形成した溝５１ａを有する。
この第１のシール用流路５１は、溝５１ａと溝５１ａの開口を塞ぐステム３７の外周面とを合わせて窒素ガスＧがステム３７の外周面に沿って環状に流れるための流路を形成している。
そして、第１のシール用流路５１は、図５（ａ）及び図６（ａ）に示すように、上流側から窒素ガスＧが流入する１つのシール用流路流入口５１ｂと、シール用流路流入口５１ｂから流入した窒素ガスＧが下流に向けて流出する１つのシール用流路流出口５１ｃと有する。
このため、第１のシール用流路５１のシール用流路流入口５１ｂから流入した窒素ガスＧは、分流してステム３７の外周面に沿ってそれぞれ半円状に流れた後、１つのシール用流路流出口５１ｃに合流して下流に向けて流出する。
【0048】
第１のシール用流路５１のシール用流路流出口５１ｃから流出した窒素ガスＧは、ステム３７の下端に設けたステム出口継手５０ｆからステム３７外に流出し、上方に向けて螺旋状に設けた第２螺旋配管５０ｇからなる流路を流れ、ボンネット３３に設けた縦孔からなる流路を通ってボンネット３３の表面に設けた第２のシール用流路５２に流入する。
【0049】
第２のシール用流路５２は、図７に示すように、ボンネット３３の表面に設けた内外２重の他のシール部材３３ａ、３３ｂの間に設けた流路である。
この第２のシール用流路５２は、ボディ３２の下面と合わせて窒素ガスＧが内外２重のシール部材３３ａ、３３ｂの間を環状に流れるための流路を形成している。
そして、第２のシール用流路５２は、３つの隔壁５２ａ、５２ｂ、５２ｃが設けられており、これら３つの隔壁５２ａ、５２ｂ、５２ｃによって第１～第３の３つの領域５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃに分けられている。
また、第１～第３の各領域５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃには、窒素ガスＧのシール用流路流入口５２Ａａ、５２Ｂａ、５２Ｃａ及びシール用流路流出口５２Ａｂ、５２Ｂｂ、５２Ｃｂが設けられている。
この第２のシール用流路５２は、ボディ３２の下面と合わせて窒素ガスＧが内外２重のシール部材３３ａ、３３ｂの間を環状に流れるための流路を形成している。
そして、第２のシール用流路５２は、３つの隔壁５２ａ、５２ｂ、５２ｃが設けられており、これら３つの隔壁５２ａ、５２ｂ、５２ｃによって第１～第３の３つの領域５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃに分けられている。
また、第１～第３の各領域５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃには、窒素ガスＧのシール用流路流入口５２Ａａ、５２Ｂａ、５２Ｃａ及びシール用流路流出口５２Ａｂ、５２Ｂｂ、５２Ｃｂが設けられている。
【0050】
第１のシール用流路５１を経由した窒素ガスＧは、まず、第２のシール用流路５２の第１の領域５２Ａのシール用流路流入口５２Ａａから流入し、第１の領域５２Ａを流れてステム３７の周辺にあるシール用流路流出口５２Ａｂからステム３７に沿った縦孔からなる流路を流れてボンネット３３の裏面側でベローズフランジ４１に設けた第３のシール用流路５３に流入する。
【0051】
第３のシール用流路５３は、図５（ｂ）及び図６（ｂ）に示すように、ベローズフランジ４１に設けた内外２重のシール部材４１ａ、４１ｂの間に設けた流路である。
より具体的には、第３のシール用流路５３は、ボンネット３３の裏面にベローズフランジ４１の２重のシール部材４１ａ、４１ｂの間となる位置に環状に形成した溝５３ａを有する。
この第３のシール用流路５３は、溝５３ａと、溝５３ａの開口を塞ぐベローズフランジ４１の上面であり内外２重の他のシール部材４１ａ、４１ｂの間の面とを合わせて窒素ガスＧを環状に流すための流路を形成している。
そして、第３のシール用流路５３は、図６（ｂ）に示すように、上流側から窒素ガスＧが流入する１つのシール用流路流入口５３ｂと、シール用流路流入口５３ｂから流入した窒素ガスＧが下流に向けて流出する１つのシール用流路流出口５３ｃとが設けられている。
これらシール用流路流入口５３ｂ及びシール用流路流出口５３ｃは、ボンネット３３の裏面に形成した溝５３ａの両端部に設けられている。
このため、第３のシール用流路５３のシール用流路流入口５３ｂから流入した窒素ガスＧは、環状の流路に沿って流れた後、シール用流路流出口５３ｃから下流に向けて流出する。
より具体的には、第３のシール用流路５３は、ボンネット３３の裏面にベローズフランジ４１の２重のシール部材４１ａ、４１ｂの間となる位置に環状に形成した溝５３ａを有する。
この第３のシール用流路５３は、溝５３ａと、溝５３ａの開口を塞ぐベローズフランジ４１の上面であり内外２重の他のシール部材４１ａ、４１ｂの間の面とを合わせて窒素ガスＧを環状に流すための流路を形成している。
そして、第３のシール用流路５３は、図６（ｂ）に示すように、上流側から窒素ガスＧが流入する１つのシール用流路流入口５３ｂと、シール用流路流入口５３ｂから流入した窒素ガスＧが下流に向けて流出する１つのシール用流路流出口５３ｃとが設けられている。
これらシール用流路流入口５３ｂ及びシール用流路流出口５３ｃは、ボンネット３３の裏面に形成した溝５３ａの両端部に設けられている。
このため、第３のシール用流路５３のシール用流路流入口５３ｂから流入した窒素ガスＧは、環状の流路に沿って流れた後、シール用流路流出口５３ｃから下流に向けて流出する。
【0052】
第３のシール用流路５３のシール用流路流出口５３ｃから流出した窒素ガスＧは、ボンネット３３の裏面から縦孔の流路を流れてボディ３２の表面、すなわち、ゲートバルブ３０とトランスファチャンバ２０とのシール面に設けた第４のシール用流路５４に流入する。
【0053】
第４のシール用流路５４は、図８に示すように、トランスファチャンバ２０に対向する側の面にトランスファチャンバ２０に設けた内外２重のシール部材２５ａ、２５ｂの間となる位置に形成された環状の溝５４ａを有する。
この第４のシール用流路５４は、トランスファチャンバ２０のゲートバルブ３０に対向する面、より具体的には、ゲートバルブ３０に対向する断熱接続部２４の面であり、内外２重のシール部材の間の面と合わせて窒素ガスＧが環状に流れるための流路を形成している。
この第４のシール用流路５４は、上下にそれぞれ隔壁５４ｂ、５４ｃが設けられており、これら２つの隔壁５４ｂ、５４ｃによって第１及び第２の２つのコの字状の領域５４Ａ、５４Ｂに分けられている。
なお、本実施形態では、トランスファチャンバ２０が、ゲートバルブ３０に設けたガス流通用流路５０に連通するガス流通用流路２７（以下、「チャンバ側ガス流通用流路」という。）を備えている。
このチャンバ側ガス流通用流路２７は、図２に示すように、断熱接続部２４の内部をゲートバルブ３０側とトランスファチャンバ２０のチャンバ本体２１側の両面で貫通した往路及び復路の２つの流路と、断熱接続部２４のトランスファチャンバ２０側の面に設けた内外２重のシール部材２６ａ、２６ｂの間の環状のチャンバ側シール用流路２７ａとを有している。
この第４のシール用流路５４は、トランスファチャンバ２０のゲートバルブ３０に対向する面、より具体的には、ゲートバルブ３０に対向する断熱接続部２４の面であり、内外２重のシール部材の間の面と合わせて窒素ガスＧが環状に流れるための流路を形成している。
この第４のシール用流路５４は、上下にそれぞれ隔壁５４ｂ、５４ｃが設けられており、これら２つの隔壁５４ｂ、５４ｃによって第１及び第２の２つのコの字状の領域５４Ａ、５４Ｂに分けられている。
なお、本実施形態では、トランスファチャンバ２０が、ゲートバルブ３０に設けたガス流通用流路５０に連通するガス流通用流路２７（以下、「チャンバ側ガス流通用流路」という。）を備えている。
このチャンバ側ガス流通用流路２７は、図２に示すように、断熱接続部２４の内部をゲートバルブ３０側とトランスファチャンバ２０のチャンバ本体２１側の両面で貫通した往路及び復路の２つの流路と、断熱接続部２４のトランスファチャンバ２０側の面に設けた内外２重のシール部材２６ａ、２６ｂの間の環状のチャンバ側シール用流路２７ａとを有している。
【0054】
第４のシール用流路５４は、このようなチャンバ側ガス流通用流路２７に連通するようになっているため、第４のシール用流路５４の第１の領域５４Ａには、第３のシール用流路５３を流れた窒素ガスＧが流入するシール用流路流入口５４Ａａと、チャンバ側ガス流通用流路２７の往路となる流路に窒素ガスＧを送出するガス送出口５４Ａｂとを設けている。
そして、第４のシール用流路５４の第２の領域５４Ｂには、チャンバ側ガス流通用流路２７のチャンバ側シール用流路２７ａを流れ、復路となる流路を流れて戻された窒素ガスＧを受け入れるガス受入口５４Ｂａと、ゲートバルブ３０の下流に向けて窒素ガスＧを流出するシール用流路流出口５４Ｂｂとを設けている。
そして、第４のシール用流路５４の第２の領域５４Ｂには、チャンバ側ガス流通用流路２７のチャンバ側シール用流路２７ａを流れ、復路となる流路を流れて戻された窒素ガスＧを受け入れるガス受入口５４Ｂａと、ゲートバルブ３０の下流に向けて窒素ガスＧを流出するシール用流路流出口５４Ｂｂとを設けている。
【0055】
窒素ガスＧは、第４のシール用流路５４の第１の領域５４Ａから、トランスファチャンバ２０のチャンバ側ガス流通用流路２７及び第４のシール用流路５４の第２の領域５４Ｂを流れてシール用流路流出口５４Ｂｂから流出し、ボンネット３３の表面に設けられた第２のシール用流路５２の第２の領域５２Ｂに流入する。
【0056】
そして、第２のシール用流路５２の第２の領域５２Ｂを流れてシール用流路流出口５２Ｂｂから流出した窒素ガスＧは、ボディ３２に設けた縦孔からなる流路５０ｈ１を上方に向けて流れてボディカバー３１の裏面に設けた第５のシール用流路５５に流入する。
【0057】
第５のシール用流路５５は、図９に示すように、ボディカバー３１の裏面に設けた内外２重の他のシール部材３１ａ、３１ｂの間に設けた流路である。
この第５のシール用流路５５は、ボディ３２の上面と合わせて窒素ガスＧが内外２重の他のシール部材３１ａ、３１ｂの間を略環状、より具体的にはＣ字状の流路を形成している。
そして、第５のシール用流路５５は、上流側から窒素ガスＧが流入する１つのシール用流路流入口５５ｂと、シール用流路流入口５５ｂから流入した窒素ガスＧが下流に向けて流出する１つのシール用流路流出口５５ｃと、これらシール用流路流入口５５ｂとシール用流路流出口５５ｃとを近傍で隔てる隔壁５５ａとを有している。
この第５のシール用流路５５は、ボディ３２の上面と合わせて窒素ガスＧが内外２重の他のシール部材３１ａ、３１ｂの間を略環状、より具体的にはＣ字状の流路を形成している。
そして、第５のシール用流路５５は、上流側から窒素ガスＧが流入する１つのシール用流路流入口５５ｂと、シール用流路流入口５５ｂから流入した窒素ガスＧが下流に向けて流出する１つのシール用流路流出口５５ｃと、これらシール用流路流入口５５ｂとシール用流路流出口５５ｃとを近傍で隔てる隔壁５５ａとを有している。
【0058】
第５のシール用流路５５に沿って環状に流れてシール用流路流出口５５ｃから流出した窒素ガスＧは、ボディ３２に設けた縦孔からなる流路５０ｈ２を下方に向けて流れてボンネット３３の表面に設けた第２のシール用流路５２の第３の領域５２Ｃを流れ、第３の領域５２Ｃの終端位置に設けたシール用流路流出口５２Ｃｂからボディ３２に縦孔からなる流路５０ｉ、さらには、ボディ３２の横孔からなる流路５０ｊ及び縦孔からなる流路５０ｋを流れて、ボンネット３３の縦孔からなる流路５０ｌを抜け、出口Ｌ字配管５０ｍからなる流路を経由してゲートバルブ３０の外部の流出口５０ｎから排気される。
【0059】
このようなガス流通用流路５０は、流入口５０ａから窒素ガスＧを流入すると、窒素ガスＧが、ベローズリング４０に設けられた第１のシール用流路５１、ボンネット３３に設けられた第２のシール用流路５２の第１の領域５２Ａ、ベローズフランジ４１に設けられた第３のシール用流路５３、ボディ３２の裏面のトランスファチャンバ２０に対向する側の面に設けられた第４のシール用流路５４の第１の領域５４Ａ、さらには、トランスファチャンバ２０に設けられたチャンバ側ガス流通用流路２７に送出されて到達したチャンバ側シール用流路２７ａ、チャンバ側ガス流通用流路２７から受け入れた第４のシール用流路５４の第２の領域５４Ｂ、ボンネット３３に設けられた第２のシール用流路５２の第２の領域５２Ｂ、ボディカバー３１に設けられた第５のシール用流路５５、最後にボンネット３３に設けられた第２のシール用流路５２の第３の領域５２Ｃを流れて流出口５０ｎから排気される。
【0060】
なお、本実施形態では、ガス流通用流路５０は、第１のシール用流路５１において、分流して流れた後、１つに合流して下流に向けて流出するようになっていたが、１本の流路で構成してもよい。例えば、第１のシール用流路を、第５のシール用流路と同様に１つの隔壁を設けてＣ字形状の１本の流路にしてもよい。
このように第１のシール用流路を１本の流路にした場合、ガス流通用流路５０は、窒素ガスＧの流入口５０ａから流出口５０ｎまで１本に連通して構成することができる。
このように第１のシール用流路を１本の流路にした場合、ガス流通用流路５０は、窒素ガスＧの流入口５０ａから流出口５０ｎまで１本に連通して構成することができる。
【0061】
本実施形態では、ゲートバルブ３０は、不図示のヒータによって弁体３６を加熱するようにしているため、ガス流通用流路５０の一部を形成している入口Ｌ字配管５０ｂ、第１螺旋配管５０ｃ、第２螺旋配管５０ｇ及び出口Ｌ字配管５０ｍは、耐熱性のＰＦＡ（Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏａｌｋｏｘｙ ａｌｋａｎｅ）チューブを用いている。
なお、入口Ｌ字配管５０ｂ、第１螺旋配管５０ｃ、第２螺旋配管５０ｇ及び出口Ｌ字配管５０ｍは、耐熱性があればその他の材質も用いても良く、耐熱性が要求されない場合には、耐熱性のいかんに関わらず各種の材質を用いてもよい。ステム３７に対する追従性を考慮すると、ウレタン等の柔軟性の高い材質を用いるとよい。
なお、入口Ｌ字配管５０ｂ、第１螺旋配管５０ｃ、第２螺旋配管５０ｇ及び出口Ｌ字配管５０ｍは、耐熱性があればその他の材質も用いても良く、耐熱性が要求されない場合には、耐熱性のいかんに関わらず各種の材質を用いてもよい。ステム３７に対する追従性を考慮すると、ウレタン等の柔軟性の高い材質を用いるとよい。
【0062】
また、本実施形態では、プロセスチャンバ１０の基板搬出入口１１ａの全周を内外２重で取り囲むように設けたシール部材１２ａ、１２ｂの間には、プロセスチャンバ１０側に設けた窒素ガスＧの供給源から窒素ガスＧが供給される不図示の流路が設けられ、この流路に窒素ガスＧが流れるようになっている。
【0063】
＜ロードロックチャンバ６０について＞
ロードロックチャンバ６０は、真空雰囲気の基板処理装置１と、大気圧雰囲気の基板供給・収納装置Ｄとの圧力調整を行うものである。
このロードロックチャンバ６０は、半導体ウエハＷが基板供給・収納装置Ｄから基板処理装置１に移動する際の搬送経路、及び、半導体ウエハＷが基板処理装置１から基板供給・収納装置Ｄに戻される際の搬送経路として２つ設けられている。
各ロードロックチャンバ６０は、減圧自在になっており、トランスファチャンバ２０、及び、ローダチャンバＤ１に対してゲートバルブ３０を介して接続されるようになっている。
ロードロックチャンバ６０は、真空雰囲気の基板処理装置１と、大気圧雰囲気の基板供給・収納装置Ｄとの圧力調整を行うものである。
このロードロックチャンバ６０は、半導体ウエハＷが基板供給・収納装置Ｄから基板処理装置１に移動する際の搬送経路、及び、半導体ウエハＷが基板処理装置１から基板供給・収納装置Ｄに戻される際の搬送経路として２つ設けられている。
各ロードロックチャンバ６０は、減圧自在になっており、トランスファチャンバ２０、及び、ローダチャンバＤ１に対してゲートバルブ３０を介して接続されるようになっている。
【0064】
＜制御部７０について＞
制御部７０は、基板処理装置１及び基板供給・収納装置Ｄに接続し、各装置の各部の動作を制御するものである。
この制御部７０は、例えば、マイクロコンピュータによって実現され、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等を備えて基板処理装置１及び基板供給・収納装置Ｄの各部を制御する不図示のコントローラと、ディスプレイ等によって実現される不図示のユーザーインターフェースと、制御プログラムなどの各種のプログラムが記憶された不図示の記憶部と、を有する。
制御部７０は、記憶部に記憶された制御プログラム等に基づいて、トランスファチャンバ側搬送機構、ローダチャンバ側搬送機構、各プロセスチャンバ１０とトランスファチャンバ２０とを接続する各ゲートバルブ３０、各ロードロックチャンバ６０とトランスファチャンバ２０とを接続する各ゲートバルブＶ１、各ロードロックチャンバ６０とローダチャンバＤ１とを接続するゲートバルブＶ２、などを制御する。
制御部７０は、基板処理装置１及び基板供給・収納装置Ｄに接続し、各装置の各部の動作を制御するものである。
この制御部７０は、例えば、マイクロコンピュータによって実現され、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等を備えて基板処理装置１及び基板供給・収納装置Ｄの各部を制御する不図示のコントローラと、ディスプレイ等によって実現される不図示のユーザーインターフェースと、制御プログラムなどの各種のプログラムが記憶された不図示の記憶部と、を有する。
制御部７０は、記憶部に記憶された制御プログラム等に基づいて、トランスファチャンバ側搬送機構、ローダチャンバ側搬送機構、各プロセスチャンバ１０とトランスファチャンバ２０とを接続する各ゲートバルブ３０、各ロードロックチャンバ６０とトランスファチャンバ２０とを接続する各ゲートバルブＶ１、各ロードロックチャンバ６０とローダチャンバＤ１とを接続するゲートバルブＶ２、などを制御する。
【0065】
＜基板処理システム全体の動作について＞
つづいて、基板処理システム全体の動作について説明する。
まず、ローダチャンバＤ１内に設けられたローダチャンバ側搬送機構によって基板収納部Ｄ２のカセット容器から処理前の半導体ウエハＷが搬出され、位置決めされた後、往路用のロードロックチャンバ６０に搬送される。
ロードロックチャンバ６０に搬送された半導体ウエハＷは、トランスファチャンバ２０内に設けられたトランスファチャンバ側搬送機構によってトランスファチャンバ２０から所定の処理に対応したプロセスチャンバ１０に搬入される。
そして、プロセスチャンバ１０内で処理が施された半導体ウエハＷは、トランスファチャンバ側搬送機構によってプロセスチャンバ１０からトランスファチャンバ２０に搬出され、他のプロセスチャンバ１０にて次の処理がある場合には、トランスファチャンバ２０から次のプロセスチャンバ１０に搬入される。
このようにして、半導体ウエハＷに対して各プロセスチャンバ１０による全ての処理が完了すると、処理済みの半導体ウエハＷは、トランスファチャンバ側搬送機構によって復路用のロードロックチャンバ６０に搬送される。
そして、復路用のロードロックチャンバ６０に搬送された処理済みの半導体ウエハＷは、ローダチャンバ側搬送機構によって基板収容部Ｄ２のカセット容器に収容される。
この基板処理システム全体の動作において、各プロセスチャンバ１０とトランスファチャンバ２０の間を接続するゲートバルブ３０は、プロセスチャンバ１０とトランスファチャンバ２０との間で半導体ウエハＷの搬出入を行うときだけ開くようになっている。
つづいて、基板処理システム全体の動作について説明する。
まず、ローダチャンバＤ１内に設けられたローダチャンバ側搬送機構によって基板収納部Ｄ２のカセット容器から処理前の半導体ウエハＷが搬出され、位置決めされた後、往路用のロードロックチャンバ６０に搬送される。
ロードロックチャンバ６０に搬送された半導体ウエハＷは、トランスファチャンバ２０内に設けられたトランスファチャンバ側搬送機構によってトランスファチャンバ２０から所定の処理に対応したプロセスチャンバ１０に搬入される。
そして、プロセスチャンバ１０内で処理が施された半導体ウエハＷは、トランスファチャンバ側搬送機構によってプロセスチャンバ１０からトランスファチャンバ２０に搬出され、他のプロセスチャンバ１０にて次の処理がある場合には、トランスファチャンバ２０から次のプロセスチャンバ１０に搬入される。
このようにして、半導体ウエハＷに対して各プロセスチャンバ１０による全ての処理が完了すると、処理済みの半導体ウエハＷは、トランスファチャンバ側搬送機構によって復路用のロードロックチャンバ６０に搬送される。
そして、復路用のロードロックチャンバ６０に搬送された処理済みの半導体ウエハＷは、ローダチャンバ側搬送機構によって基板収容部Ｄ２のカセット容器に収容される。
この基板処理システム全体の動作において、各プロセスチャンバ１０とトランスファチャンバ２０の間を接続するゲートバルブ３０は、プロセスチャンバ１０とトランスファチャンバ２０との間で半導体ウエハＷの搬出入を行うときだけ開くようになっている。
【0066】
プロセスチャンバ１０とトランスファチャンバ２０との間で半導体ウエハＷの搬出入を行うためにゲートバルブ３０を開くとき、トランスファチャンバ２０内の圧力がプロセスチャンバ１０内の圧力とほぼ同等になるように調整する。
トランスファチャンバ２０の圧力を調整するため真空引きする場合、図２に示すように、プロセスチャンバ１０の基板搬出入口１１ａをゲートバルブ３０の弁体３６によって閉じ、トランスファチャンバ２０の基板搬出入口２４ｂを開放した状態で真空引きを行う。
トランスファチャンバ２０の圧力を調整するため真空引きする場合、図２に示すように、プロセスチャンバ１０の基板搬出入口１１ａをゲートバルブ３０の弁体３６によって閉じ、トランスファチャンバ２０の基板搬出入口２４ｂを開放した状態で真空引きを行う。
【0067】
このとき、ガス流通用流路５０には、流入口５０ａから窒素ガスＧが流入され、流入口５０ａから流出口５０ｎまで不活性ガスが連続して流れた状態になっている。
つまり、上述した第１～５のシール用流路５１、５２、５３、５４、５５、さらには、チャンバ側シール用流路２７ａに窒素ガスＧが流れた状態になっている。
つまり、上述した第１～５のシール用流路５１、５２、５３、５４、５５、さらには、チャンバ側シール用流路２７ａに窒素ガスＧが流れた状態になっている。
【0068】
トランスファチャンバ２０の真空引きが完了すると、ゲートバルブ３０が開かれる。具体的には、弁体３６がアクチュエータ３５によってプロセスチャンバ１０の基板搬出入口１１ａから離れるように水平方向に移動された後、さらに下降される。
なお、ガス流通用流路５０は、弁体３６が移動するためステム３７が移動しても、第１及び第２螺旋配管５０ｃ、５０ｇによって、管に柔軟性を持たせているため、ステム３７の移動に追従するようになっている。
このようにして、ゲートバルブ３０が開くことによって、プロセスチャンバ１０とトランスファチャンバ２０との間で半導体ウエハＷの搬出入を行うことができる。
なお、ガス流通用流路５０は、弁体３６が移動するためステム３７が移動しても、第１及び第２螺旋配管５０ｃ、５０ｇによって、管に柔軟性を持たせているため、ステム３７の移動に追従するようになっている。
このようにして、ゲートバルブ３０が開くことによって、プロセスチャンバ１０とトランスファチャンバ２０との間で半導体ウエハＷの搬出入を行うことができる。
【0069】
＜実施形態の効果＞
以上のように、実施形態に係るゲートバルブ３０によると、トランスファチャンバ２０の基板搬出入口２４ｂの全周を内外２重で取り囲むように設けたシール部材２５ａ、２５ｂの間、及び、ゲートバルブ３０内部の１以上の部位に内外２重にして設けた他のシール部材３１ａ、３１ｂ、３３ａ、３３ｂ、４０ａ、４０ｂ、４１ａ、４１ｂの間に第１～第５のシール用流路５１、５２、５３、５４、５５を設け、第１～第５のシール用流路５１、５２、５３、５４、５５を含んで窒素ガスＧの流入口５０ａから流出口５０ｎまで連続して流れるように窒素ガスＧを誘導するガス流通用流路５０を備えている。
これにより、内外２重のシール部材２５ａ、２５ｂが設けられたトランスファチャンバ２０を減圧する際に外側のシール部材２５ａを透過した大気中の酸素が、外側のシール部材２５ａと内側のシール部材２５ｂとの間のシール用流路５４に流れる窒素ガスＧによって内側のシール部材２５ｂへ透過することを阻止されるため、外側のシール部材２５ａを透過した酸素がトランスファチャンバ２０へ浸入することを防ぐことができる。
また、ゲートバルブ３０の内部についても他のシール部材３１ａ、３１ｂ、３３ａ、３３ｂ、４０ａ、４０ｂ、４１ａ、４１ｂの間のシール用流路５１、５２、５３、５５を流れる窒素ガスＧによって大気中の酸素がゲートバルブ３０内へ浸入することを阻止されるため、大気中の酸素がゲートバルブ３０の内部を通してトランスファチャンバ２０に浸入することを防ぐことができる。
さらに、外側のシール部材２５ａを透過した大気中の酸素はシール用流路５４の窒素ガスＧの流れに取り込まれ、ガス流通用流路５０の流出口５０ｎから排出されるため、減圧処理対象となるトランスファチャンバ２０にゲートバルブ３０を介して接続されたプロセスチャンバ１０の排気系を大気中の酸素の排気に利用する必要がないため、排気系を通したプロセスチャンバ１０への大気の浸入を防ぎ、結果として、ゲートバルブ３０を介してプロセスチャンバ１０に接続されたトランスファチャンバ２０についてもその酸素の浸入を防ぐことができる。
そして、流入口５０ａから流出口５０ｎにかけて、複数のシール用流路５１、５２、５３、５４、５５を満遍なく窒素ガスＧを行き渡らせているため、各シール用流路５１、５２、５３、５４、５５にそれぞれ流入口及び流出口を有したガス流通用流路を設ける必要がない。
従って、真空予備室２０の気密性を向上することができ、しかも、コンパクト化を維持しつつ、大気からシール部材を透過して真空予備２０室内に浸入する酸素を抑制することができる。
以上のように、実施形態に係るゲートバルブ３０によると、トランスファチャンバ２０の基板搬出入口２４ｂの全周を内外２重で取り囲むように設けたシール部材２５ａ、２５ｂの間、及び、ゲートバルブ３０内部の１以上の部位に内外２重にして設けた他のシール部材３１ａ、３１ｂ、３３ａ、３３ｂ、４０ａ、４０ｂ、４１ａ、４１ｂの間に第１～第５のシール用流路５１、５２、５３、５４、５５を設け、第１～第５のシール用流路５１、５２、５３、５４、５５を含んで窒素ガスＧの流入口５０ａから流出口５０ｎまで連続して流れるように窒素ガスＧを誘導するガス流通用流路５０を備えている。
これにより、内外２重のシール部材２５ａ、２５ｂが設けられたトランスファチャンバ２０を減圧する際に外側のシール部材２５ａを透過した大気中の酸素が、外側のシール部材２５ａと内側のシール部材２５ｂとの間のシール用流路５４に流れる窒素ガスＧによって内側のシール部材２５ｂへ透過することを阻止されるため、外側のシール部材２５ａを透過した酸素がトランスファチャンバ２０へ浸入することを防ぐことができる。
また、ゲートバルブ３０の内部についても他のシール部材３１ａ、３１ｂ、３３ａ、３３ｂ、４０ａ、４０ｂ、４１ａ、４１ｂの間のシール用流路５１、５２、５３、５５を流れる窒素ガスＧによって大気中の酸素がゲートバルブ３０内へ浸入することを阻止されるため、大気中の酸素がゲートバルブ３０の内部を通してトランスファチャンバ２０に浸入することを防ぐことができる。
さらに、外側のシール部材２５ａを透過した大気中の酸素はシール用流路５４の窒素ガスＧの流れに取り込まれ、ガス流通用流路５０の流出口５０ｎから排出されるため、減圧処理対象となるトランスファチャンバ２０にゲートバルブ３０を介して接続されたプロセスチャンバ１０の排気系を大気中の酸素の排気に利用する必要がないため、排気系を通したプロセスチャンバ１０への大気の浸入を防ぎ、結果として、ゲートバルブ３０を介してプロセスチャンバ１０に接続されたトランスファチャンバ２０についてもその酸素の浸入を防ぐことができる。
そして、流入口５０ａから流出口５０ｎにかけて、複数のシール用流路５１、５２、５３、５４、５５を満遍なく窒素ガスＧを行き渡らせているため、各シール用流路５１、５２、５３、５４、５５にそれぞれ流入口及び流出口を有したガス流通用流路を設ける必要がない。
従って、真空予備室２０の気密性を向上することができ、しかも、コンパクト化を維持しつつ、大気からシール部材を透過して真空予備２０室内に浸入する酸素を抑制することができる。
【0070】
また、実施形態に係るゲートバルブ３０によると、ガス流通用流路５０が、流入口５０ａから流出口５０ｎまで１本に連通しているので、ガス流通用流路５０の分岐、合流等を原因とする窒素ガスＧの圧力損失の発生を防ぎ、窒素ガスＧが複数のシール用流路５１、５２、５３、５４、５５を安定した流量及び流速で流れるため、外側のシール部材２５ａ、３１ａ、３３ａ、４０ａ、４１ａを透過した酸素を安定的に取り込んで流出口５０ｎから排出することができ、結果的に、大気からシール部材を透過してトランスファチャンバ２０内に浸入する酸素をより効果的に抑制することができる。
【0071】
また、実施形態に係るゲートバルブ３０によると、トランスファチャンバ２０に内外２重にして設けたシール部材２５ａ、２５ｂの間のシール用流路５４が、トランスファチャンバ２０の内部のシール部位である断熱接続部２４の内側に内外２重にして設けたシール部材２６ａ、２６ｂの間のチャンバ側シール用流路２７ａに向けて窒素ガスＧを送り出すガス送出口５４Ａｂと、トランスファチャンバ２０の内部のシール部位から戻された窒素ガスＧを受け入れるガス受入口５４Ｂａとを有することにより、ゲートバルブ３０に設けたガスの流入口５０ａから流出口５０ｎまで連続するガス流通流路５０をトランスファチャンバ２０の内部のシール部位にも拡大できるため、簡便かつコンパクトな構成でトランスファチャンバ２０内部の気密性についても高めることができる。
【0072】
また、実施形態に係る基板処理装置１によると、プロセスチャンバ１０とトランスファチャンバ２０の間を開閉自在に接続したゲートバルブ３０を備え、このゲートバルブ３０が、トランスファチャンバ２０に内外２重にして設けたシール部材２５ａ、２５ｂの間、及び、当該ゲートバルブ３０内部の１以上の部位に内外２重にして設けた他のシール部材３１ａ、３１ｂ、３３ａ、３３ｂ、４０ａ、４０ｂ、４１ａ、４１ｂの間をシール用流路とし、第１～第５のシール用流路５１、５２、５３、５４、５５を含んで窒素ガスＧの流入口５０ａから流出口５０ｎまで連続して流れるように窒素ガスＧを誘導するガス流通用流路５０を備えている。
これにより、２重のシール部材２５ａ、２５ｂが設けられたトランスファチャンバ２０を減圧する際に外側のシール部材２５ａを透過した大気中の酸素が、外側のシール部材２５ａと内側のシール部材２５ｂとの間のシール用流路５４に流れる窒素ガスＧによって内側のシール部材２５ｂへ透過することを阻止されるため、外側のシール部材２５ａを透過した酸素がトランスファチャンバ２０へ浸入することを防ぐことができる。
また、ゲートバルブ３０の内部についても他のシール部材３１ａ、３１ｂ、３３ａ、３３ｂ、４０ａ、４０ｂ、４１ａ、４１ｂの間のシール用流路５１、５２、５３、５５を流れる窒素ガスＧによって大気中の酸素がゲートバルブ３０内へ浸入することを阻止されるため、酸素がゲートバルブ３０の内部を通してトランスファチャンバ２０に浸入することを防ぐことができる。
さらに、外側のシール部材２５ａ、３１ａ、３３ａ、４０ａ、４１ａを透過した大気中の酸素はシール用流路５１、５２、５３、５４、５５の窒素ガスＧの流れに取り込まれ、ガス流通用流路５０の流出口５０ｎから排出されるため、減圧処理対象となるトランスファチャンバ２０にゲートバルブ３０を介して接続されたプロセスチャンバ１０の排気系を大気中の酸素の排気に利用する必要がないため、排気系を通したプロセスチャンバ１０への大気中の酸素の浸入についても防ぎ、結果として、ゲートバルブ３０を介してプロセスチャンバ１０に接続されたトランスファチャンバ２０についてもその酸素の浸入を防ぐことができる。
そして、流入口５０ａから流出口５０ｎにかけて、複数のシール用流路５１、５２、５３、５４、５５を満遍なく窒素ガスＧを行き渡らせているため、各シール用流路５１、５２、５３、５４、５５にそれぞれ流入口及び流出口を有したガス流通用流路を設ける必要がない。
従って、トランスファチャンバ２０の気密性を向上することができ、しかも、コンパクト化を維持しつつ、大気からシール部材２５ａ、３１ａ、３３ａ、４０ａ、４１ａを透過してトランスファチャンバ２０内に浸入する酸素を抑制することができる。
これにより、２重のシール部材２５ａ、２５ｂが設けられたトランスファチャンバ２０を減圧する際に外側のシール部材２５ａを透過した大気中の酸素が、外側のシール部材２５ａと内側のシール部材２５ｂとの間のシール用流路５４に流れる窒素ガスＧによって内側のシール部材２５ｂへ透過することを阻止されるため、外側のシール部材２５ａを透過した酸素がトランスファチャンバ２０へ浸入することを防ぐことができる。
また、ゲートバルブ３０の内部についても他のシール部材３１ａ、３１ｂ、３３ａ、３３ｂ、４０ａ、４０ｂ、４１ａ、４１ｂの間のシール用流路５１、５２、５３、５５を流れる窒素ガスＧによって大気中の酸素がゲートバルブ３０内へ浸入することを阻止されるため、酸素がゲートバルブ３０の内部を通してトランスファチャンバ２０に浸入することを防ぐことができる。
さらに、外側のシール部材２５ａ、３１ａ、３３ａ、４０ａ、４１ａを透過した大気中の酸素はシール用流路５１、５２、５３、５４、５５の窒素ガスＧの流れに取り込まれ、ガス流通用流路５０の流出口５０ｎから排出されるため、減圧処理対象となるトランスファチャンバ２０にゲートバルブ３０を介して接続されたプロセスチャンバ１０の排気系を大気中の酸素の排気に利用する必要がないため、排気系を通したプロセスチャンバ１０への大気中の酸素の浸入についても防ぎ、結果として、ゲートバルブ３０を介してプロセスチャンバ１０に接続されたトランスファチャンバ２０についてもその酸素の浸入を防ぐことができる。
そして、流入口５０ａから流出口５０ｎにかけて、複数のシール用流路５１、５２、５３、５４、５５を満遍なく窒素ガスＧを行き渡らせているため、各シール用流路５１、５２、５３、５４、５５にそれぞれ流入口及び流出口を有したガス流通用流路を設ける必要がない。
従って、トランスファチャンバ２０の気密性を向上することができ、しかも、コンパクト化を維持しつつ、大気からシール部材２５ａ、３１ａ、３３ａ、４０ａ、４１ａを透過してトランスファチャンバ２０内に浸入する酸素を抑制することができる。
【0073】
また、実施形態に係る基板処理方法によると、ゲートバルブ３０によって互いに接続されたプロセスチャンバ１０又はトランスファチャンバ２０のトランスファチャンバ２０に内外２重にして設けたシール部材２５ａ、２５ｂの間、及び、当該ゲートバルブ３０内部の１以上の部位に内外２重にして設けた他のシール部材３１ａ、３１ｂ、３３ａ、３３ｂ、４０ａ、４０ｂ、４１ａ、４１ｂの間をシール用流路として含んで窒素ガスＧを流入口５０ａから流出口５０ｎまで連続して流れるように誘導するガス流通用流路５０に窒素ガスＧを流した状態で、トランスファチャンバ２０を減圧している。
これにより、２重のシール部材２５ａ、２５ｂが設けられたトランスファチャンバ２０を減圧する際に外側のシール部材２５ａを透過した大気中の酸素が、外側のシール部材２５ａと内側のシール部材２５ｂとの間のシール用流路５４に流れる窒素ガスＧによって内側のシール部材２５ｂへ透過することを阻止されるため、外側のシール部材２５ｂを透過した酸素がトランスファチャンバ２０へ浸入することを防ぐことができる。
また、ゲートバルブ３０の内部についても他のシール部材３１ａ、３１ｂ、３３ａ、３３ｂ、４０ａ、４０ｂ、４１ａ、４１ｂの間のシール用流路５１、５２、５３、５５を流れる窒素ガスＧによって大気中の酸素がゲートバルブ３０内へ浸入することを阻止されるため、酸素がゲートバルブ３０の内部を通してトランスファチャンバ２０に浸入することを防ぐことができる。
さらに、外側のシール部材２５ａを透過した大気中の酸素はシール用流路５４の窒素ガスＧの流れに取り込まれ、ガス流通用流路５０の流出口５０ｎから排出されるため、減圧処理対象となるトランスファチャンバ２０にゲートバルブ３０を介して接続されたプロセスチャンバ１０の排気系を大気中の酸素の排気に利用する必要がないため、排気系を通したプロセスチャンバ１０への大気中の酸素の浸入についても防ぎ、結果として、ゲートバルブ３０を介してプロセスチャンバ１０に接続されたトランスファチャンバ２０についてもその酸素の浸入を防ぐことができる。
そして、流入口５０ａから流出口５０ｎにかけて、複数のシール用流路５１、５２、５３、５４、５５を満遍なく窒素ガスＧを行き渡らせているため、各シール用流路５１、５２、５３、５４、５５にそれぞれ流入口及び流出口を有したガス流通用流路を設ける必要がない。
従って、トランスファチャンバ２０の気密性を向上することができ、しかも、コンパクト化を維持しつつ、大気からシール部材２５ａ、３１ａ、３３ａ、４０ａ、４１ａを透過してトランスファチャンバ２０内に浸入する酸素を抑制することができる。
これにより、２重のシール部材２５ａ、２５ｂが設けられたトランスファチャンバ２０を減圧する際に外側のシール部材２５ａを透過した大気中の酸素が、外側のシール部材２５ａと内側のシール部材２５ｂとの間のシール用流路５４に流れる窒素ガスＧによって内側のシール部材２５ｂへ透過することを阻止されるため、外側のシール部材２５ｂを透過した酸素がトランスファチャンバ２０へ浸入することを防ぐことができる。
また、ゲートバルブ３０の内部についても他のシール部材３１ａ、３１ｂ、３３ａ、３３ｂ、４０ａ、４０ｂ、４１ａ、４１ｂの間のシール用流路５１、５２、５３、５５を流れる窒素ガスＧによって大気中の酸素がゲートバルブ３０内へ浸入することを阻止されるため、酸素がゲートバルブ３０の内部を通してトランスファチャンバ２０に浸入することを防ぐことができる。
さらに、外側のシール部材２５ａを透過した大気中の酸素はシール用流路５４の窒素ガスＧの流れに取り込まれ、ガス流通用流路５０の流出口５０ｎから排出されるため、減圧処理対象となるトランスファチャンバ２０にゲートバルブ３０を介して接続されたプロセスチャンバ１０の排気系を大気中の酸素の排気に利用する必要がないため、排気系を通したプロセスチャンバ１０への大気中の酸素の浸入についても防ぎ、結果として、ゲートバルブ３０を介してプロセスチャンバ１０に接続されたトランスファチャンバ２０についてもその酸素の浸入を防ぐことができる。
そして、流入口５０ａから流出口５０ｎにかけて、複数のシール用流路５１、５２、５３、５４、５５を満遍なく窒素ガスＧを行き渡らせているため、各シール用流路５１、５２、５３、５４、５５にそれぞれ流入口及び流出口を有したガス流通用流路を設ける必要がない。
従って、トランスファチャンバ２０の気密性を向上することができ、しかも、コンパクト化を維持しつつ、大気からシール部材２５ａ、３１ａ、３３ａ、４０ａ、４１ａを透過してトランスファチャンバ２０内に浸入する酸素を抑制することができる。
【0074】
＜変形例１＞
つづいて、実施形態に係るゲートバルブ３０の変形例１について、図１０を参照しながら説明する。図１０は、実施形態の変形例１に係るゲートバルブ１３０を組み込んだ基板処理装置１１０の概略構成を説明するための図である。
なお、変形例１では、実施形態と同一の部位には同一の符号を付することにより重複する説明を省略する。
この変形例１のゲートバルブ１３０は、ガス流通用流路１５０の第４のシール用流路１５４がゲートバルブ１３０のプロセスチャンバ１０に対向する側の面に設けられている点で実施形態のゲートバルブ３０と異なる。
つづいて、実施形態に係るゲートバルブ３０の変形例１について、図１０を参照しながら説明する。図１０は、実施形態の変形例１に係るゲートバルブ１３０を組み込んだ基板処理装置１１０の概略構成を説明するための図である。
なお、変形例１では、実施形態と同一の部位には同一の符号を付することにより重複する説明を省略する。
この変形例１のゲートバルブ１３０は、ガス流通用流路１５０の第４のシール用流路１５４がゲートバルブ１３０のプロセスチャンバ１０に対向する側の面に設けられている点で実施形態のゲートバルブ３０と異なる。
【0075】
第４のシール用流路１５４は、図１０に示すように、プロセスチャンバ１０に対向する側の面にプロセスチャンバ１０に設けた内外２重のシール部材１２ａ、１２ｂの間となる位置に形成された環状の溝５４ａを有する。
この第４のシール用流路１５４は、プロセスチャンバ１０のゲートバルブ３０に対向する面であり内外２重のシール部材１２ａ、１２ｂの間の面と合わせて窒素ガスＧが環状に流れるための流路を形成している。
なお、この変形例１では、第４のシール用流路１５４は、２つの領域に分かれることなく１本の流路を形成し、プロセスチャンバ１０の内部を経由せずにゲートバルブ３０内に戻るようになっている。
この第４のシール用流路１５４は、プロセスチャンバ１０のゲートバルブ３０に対向する面であり内外２重のシール部材１２ａ、１２ｂの間の面と合わせて窒素ガスＧが環状に流れるための流路を形成している。
なお、この変形例１では、第４のシール用流路１５４は、２つの領域に分かれることなく１本の流路を形成し、プロセスチャンバ１０の内部を経由せずにゲートバルブ３０内に戻るようになっている。
【0076】
＜変形例１の効果＞
変形例１に係るゲートバルブ１３０によると、２重のシール部材１２ａ、１２ｂが設けられたプロセスチャンバ１０を減圧する際に外側のシール部材１２ａを透過した大気中の酸素が、外側のシール部材１２ａと内側のシール部材１２ｂとの間のシール用流路１５４に流れる窒素ガスＧによって内側のシール部材１２ｂへ透過することを阻止されるため、外側のシール部材１２ａを透過した大気中の酸素がプロセスチャンバ１０へ浸入することを防ぐことができる。
また、ゲートバルブ１３０の内部についても他のシール部材３１ａ、３１ｂ、３３ａ、３３ｂ、４０ａ、４０ｂ、４１ａ、４１ｂの間のシール用流路５１、５２、５３、５５を流れる窒素ガスＧによって大気中の酸素がゲートバルブ１３０内へ浸入することを阻止されるため、大気中の酸素がゲートバルブ１３０の内部を通してプロセスチャンバ１０に浸入することを防ぐことができる。
さらに、外側のシール部材１２ａ、３１ａ、３３ａ、４０ａ、４１ａを透過した大気はシール用流路１５４の窒素ガスＧの流れに取り込まれ、ガス流通用流路１５０の流出口５０ｎから排出されるため、減圧処理対象となるプロセスチャンバ１０にゲートバルブ１３０を介して接続されたトランスファチャンバ２０の排気系を大気中の酸素の排気に利用する必要がないため、排気系を通したトランスファチャンバ２０への大気中の酸素の浸入を防ぎ、結果として、ゲートバルブ１３０を介してトランスファチャンバ２０に接続されたプロセスチャンバ１０についてもその酸素の浸入を防ぐことができる。
そして、流入口５０ａから流出口５０ｎにかけて、複数のシール用流路５１、５２、５３、１５４、５５を満遍なく窒素ガスＧを行き渡らせているため、各シール用流路５１、５２、５３、１５４、５５にそれぞれ流入口及び流出口を有したガス流通用流路を設ける必要がない。
従って、プロセスチャンバ１０の気密性を向上することができ、しかも、コンパクト化を維持しつつ、大気からシール部材１２ａ、３１ａ、３３ａ、４０ａ、４１ａを透過してプロセスチャンバ１０内に浸入する酸素を抑制することができる。
変形例１に係るゲートバルブ１３０によると、２重のシール部材１２ａ、１２ｂが設けられたプロセスチャンバ１０を減圧する際に外側のシール部材１２ａを透過した大気中の酸素が、外側のシール部材１２ａと内側のシール部材１２ｂとの間のシール用流路１５４に流れる窒素ガスＧによって内側のシール部材１２ｂへ透過することを阻止されるため、外側のシール部材１２ａを透過した大気中の酸素がプロセスチャンバ１０へ浸入することを防ぐことができる。
また、ゲートバルブ１３０の内部についても他のシール部材３１ａ、３１ｂ、３３ａ、３３ｂ、４０ａ、４０ｂ、４１ａ、４１ｂの間のシール用流路５１、５２、５３、５５を流れる窒素ガスＧによって大気中の酸素がゲートバルブ１３０内へ浸入することを阻止されるため、大気中の酸素がゲートバルブ１３０の内部を通してプロセスチャンバ１０に浸入することを防ぐことができる。
さらに、外側のシール部材１２ａ、３１ａ、３３ａ、４０ａ、４１ａを透過した大気はシール用流路１５４の窒素ガスＧの流れに取り込まれ、ガス流通用流路１５０の流出口５０ｎから排出されるため、減圧処理対象となるプロセスチャンバ１０にゲートバルブ１３０を介して接続されたトランスファチャンバ２０の排気系を大気中の酸素の排気に利用する必要がないため、排気系を通したトランスファチャンバ２０への大気中の酸素の浸入を防ぎ、結果として、ゲートバルブ１３０を介してトランスファチャンバ２０に接続されたプロセスチャンバ１０についてもその酸素の浸入を防ぐことができる。
そして、流入口５０ａから流出口５０ｎにかけて、複数のシール用流路５１、５２、５３、１５４、５５を満遍なく窒素ガスＧを行き渡らせているため、各シール用流路５１、５２、５３、１５４、５５にそれぞれ流入口及び流出口を有したガス流通用流路を設ける必要がない。
従って、プロセスチャンバ１０の気密性を向上することができ、しかも、コンパクト化を維持しつつ、大気からシール部材１２ａ、３１ａ、３３ａ、４０ａ、４１ａを透過してプロセスチャンバ１０内に浸入する酸素を抑制することができる。
【0077】
＜変形例２＞
実施形態に係るゲートバルブ３０の変形例２について、図１１を参照しながら説明する。図１１は、実施形態の変形例２に係るゲートバルブ２３０を組み込んだ基板処理装置２１０の概略構成を説明するための図である。
なお、以下の変形例２では、実施形態と同一の部位には同一の符号を付することにより重複する説明を省略する。
変形例２のゲートバルブ２３０は、ガス流通用流路２５０に対して、トランスファチャンバ２０に対向する側の面に設けられた第４のシール用流路５４に加えて、プロセスチャンバ１０に対向する側の面についてもシール用流路２５４（以下、「チャンバ側シール用流路」という。）を設けている点、すなわち、ゲートバルブ２３０の両面にシール用流路を設けている点で実施形態のゲートバルブ３０と異なる。
実施形態に係るゲートバルブ３０の変形例２について、図１１を参照しながら説明する。図１１は、実施形態の変形例２に係るゲートバルブ２３０を組み込んだ基板処理装置２１０の概略構成を説明するための図である。
なお、以下の変形例２では、実施形態と同一の部位には同一の符号を付することにより重複する説明を省略する。
変形例２のゲートバルブ２３０は、ガス流通用流路２５０に対して、トランスファチャンバ２０に対向する側の面に設けられた第４のシール用流路５４に加えて、プロセスチャンバ１０に対向する側の面についてもシール用流路２５４（以下、「チャンバ側シール用流路」という。）を設けている点、すなわち、ゲートバルブ２３０の両面にシール用流路を設けている点で実施形態のゲートバルブ３０と異なる。
【0078】
チャンバ側シール用流路２５４は、第４のシール用流路５４を流れてゲートバルブ２３０内に戻された窒素ガスＧが流れる流路に連通した流路が、プロセスチャンバ１０の基板搬出入口１１ａの全周を内外２重で取り囲むように設けたシール部材１２ａ、１２ｂの間に設けられている。
【0079】
＜変形例２の効果＞
変形例２に係るゲートバルブ２３０によると、２重のシール部材１２ａ、１２ｂ、２５ａ、２５ｂが設けられたプロセスチャンバ１０又はトランスファチャンバ２０を減圧する際に外側のシール部材１２ａ、２５ａを透過した大気中の酸素が、外側のシール部材１２ａ、２５ａと内側のシール部材１２ｂ、２５ｂとの間のシール用流路２５４、５４に流れる窒素ガスＧによって内側のシール部材１２ｂ、２５ｂへ透過することを阻止されるため、外側のシール部材１２ａ、２５ａを透過した大気中の酸素がプロセスチャンバ１０又はトランスファチャンバ２０へ浸入することを防ぐことができる。
また、ゲートバルブ２３０の内部についても他のシール部材３１ａ、３１ｂ、３３ａ、３３ｂ、４０ａ、４０ｂ、４１ａ、４１ｂの間のシール用流路５１、５２、５３、５５を流れる窒素ガスＧによって大気中の酸素がゲートバルブ２３０内へ浸入することを阻止されるため、大気がゲートバルブ２３０の内部を通してプロセスチャンバ１０又はトランスファチャンバ２０に浸入することを防ぐことができる。
さらに、外側のシール部材１２ａ、２５ａ、３１ａ、３３ａ、４０ａ、４１ａを透過した大気中の酸素はシール用流路５１、５２、５３、５４、２５４、５５の窒素ガスＧの流れに取り込まれ、ガス流通用流路２５０の流出口５０ｎから排出されるため、減圧処理対象となる一方のプロセスチャンバ１０又はトランスファチャンバ２０にゲートバルブ２３０を介して接続された他方のプロセスチャンバ１０又はトランスファチャンバ２０の排気系を大気中の酸素の排気に利用する必要がないため、排気系を通したプロセスチャンバ１０又はトランスファチャンバ２０への大気中の酸素の浸入を防ぎ、結果として、ゲートバルブ２３０を介して接続されたプロセスチャンバ１０又はトランスファチャンバ２０についてもその酸素の浸入を防ぐことができる。
そして、流入口５０ａから流出口５０ｎにかけて、複数のシール用流路５１、５２、５３、５４、２５４、５５を満遍なく窒素ガスＧを行き渡らせているため、各シール用流路５１、５２、５３、５４、２５４、５５にそれぞれ流入口及び流出口を有したガス流通用流路を設ける必要がない。
従って、プロセスチャンバ１０及びトランスファチャンバ２０の気密性を向上することができ、しかも、コンパクト化を維持しつつ、大気からシール部材１２ａ、２５ａ、３１ａ、３３ａ、４０ａ、４１ａを透過してプロセスチャンバ１０及びトランスファチャンバ２０内に浸入する酸素を抑制することができる。
変形例２に係るゲートバルブ２３０によると、２重のシール部材１２ａ、１２ｂ、２５ａ、２５ｂが設けられたプロセスチャンバ１０又はトランスファチャンバ２０を減圧する際に外側のシール部材１２ａ、２５ａを透過した大気中の酸素が、外側のシール部材１２ａ、２５ａと内側のシール部材１２ｂ、２５ｂとの間のシール用流路２５４、５４に流れる窒素ガスＧによって内側のシール部材１２ｂ、２５ｂへ透過することを阻止されるため、外側のシール部材１２ａ、２５ａを透過した大気中の酸素がプロセスチャンバ１０又はトランスファチャンバ２０へ浸入することを防ぐことができる。
また、ゲートバルブ２３０の内部についても他のシール部材３１ａ、３１ｂ、３３ａ、３３ｂ、４０ａ、４０ｂ、４１ａ、４１ｂの間のシール用流路５１、５２、５３、５５を流れる窒素ガスＧによって大気中の酸素がゲートバルブ２３０内へ浸入することを阻止されるため、大気がゲートバルブ２３０の内部を通してプロセスチャンバ１０又はトランスファチャンバ２０に浸入することを防ぐことができる。
さらに、外側のシール部材１２ａ、２５ａ、３１ａ、３３ａ、４０ａ、４１ａを透過した大気中の酸素はシール用流路５１、５２、５３、５４、２５４、５５の窒素ガスＧの流れに取り込まれ、ガス流通用流路２５０の流出口５０ｎから排出されるため、減圧処理対象となる一方のプロセスチャンバ１０又はトランスファチャンバ２０にゲートバルブ２３０を介して接続された他方のプロセスチャンバ１０又はトランスファチャンバ２０の排気系を大気中の酸素の排気に利用する必要がないため、排気系を通したプロセスチャンバ１０又はトランスファチャンバ２０への大気中の酸素の浸入を防ぎ、結果として、ゲートバルブ２３０を介して接続されたプロセスチャンバ１０又はトランスファチャンバ２０についてもその酸素の浸入を防ぐことができる。
そして、流入口５０ａから流出口５０ｎにかけて、複数のシール用流路５１、５２、５３、５４、２５４、５５を満遍なく窒素ガスＧを行き渡らせているため、各シール用流路５１、５２、５３、５４、２５４、５５にそれぞれ流入口及び流出口を有したガス流通用流路を設ける必要がない。
従って、プロセスチャンバ１０及びトランスファチャンバ２０の気密性を向上することができ、しかも、コンパクト化を維持しつつ、大気からシール部材１２ａ、２５ａ、３１ａ、３３ａ、４０ａ、４１ａを透過してプロセスチャンバ１０及びトランスファチャンバ２０内に浸入する酸素を抑制することができる。
【0080】
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記の実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。
【0081】
例えば、上記の実施形態では、第２及び第４のシール用流路５２、５４に隔壁５２ａ、５２ｂ、５２ｃ、５４ｂ、５４ｃを設けて流路を複数の領域に分けるようにしていたが、開示された技術はこれに限定されるものではない。例えば、第４のシール用流路５４の上側の隔壁５４ｂを除き、２つの領域に分かれていた流路を１つにし、窒素ガスＧをトランスファチャンバ２０に送出することなくゲートバルブ３０内に戻すようにしてもよい。
【0082】
また、例えば、上記の実施形態では、トランスファチャンバ２０には、チャンバ本体２１とゲートバルブ３０との間を接続する断熱接続部２４が設けられていたが、トランスファチャンバ２０には断熱接続部２４を設けず、チャンバ本体２１の基板搬出入口２１ａを介してゲートバルブ３０に接続するようにしてもよい。
【0083】
また、例えば、上記の実施形態では、ガス流通用流路５０が窒素ガスＧの流入口５０ａから流出口５０ｎまで略１本（第１のシール用流路５１のみ、流路が２つに分かれている。）に連通していたが、開示された技術はこれに限定されるものではない。すなわち、ガス流通用流路５０が複数のシール用流路を含んで窒素ガスＧの流入口から流出口まで連続して流れるように窒素ガスＧを誘導することができればよい。例えば、流入口５０ａから流出口５０ｎまでの間に複数箇所で分岐するようにしても構わない。
【0084】
また、例えば、上記の実施形態では、基板処理装置１が半導体ウエハＷを処理するものであったが、開示された技術はこれに限定されるものではない。例えば、基板処理装置１が液晶基板、太陽電池パネル用基板等の基板の処理を行うものであってもよい。
【0085】
また、例えば、上記の実施形態では、ガス流通用流路５０に窒素ガスＧを流していたが、開示された技術はこれに限定されるものではない。例えば、流入口５０ａを閉じて流出口５０ｎからガス流通用流路５０を真空引きするようにしてもよい。
この場合、シール用流路５１、５２、５３、５４、５５が真空状態になるため、シール用流路５１、５２、５３、５４、５５に窒素ガスＧが流れる実施形態と同様の効果を奏することができる。
この場合、シール用流路５１、５２、５３、５４、５５が真空状態になるため、シール用流路５１、５２、５３、５４、５５に窒素ガスＧが流れる実施形態と同様の効果を奏することができる。
【0086】
今回開示された各実施形態は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形体で省略、置換、変更されてもよい。
【符号の説明】
【0087】
１、１１０、２１０ 基板処理装置
１０ プロセスチャンバ（真空処理室）
１１ チャンバ本体
１１ａ 基板搬出入口
１２ａ シール部材（外側）
１２ｂ シール部材（内側）
１３ ガス導入系
１３ａ ガス供給源
１３ｂ ＭＦＣ
１３ｃ ガス導入バルブ
１４ 排気系
１４ａ 真空ポンプ
１４ｂ 圧力調整バルブ
２０ トランスファチャンバ（真空予備室）
２１ チャンバ本体
２１ａ 基板搬出入口
２２ ガス導入系
２２ａ ガス供給源
２２ｂ ＭＦＣ
２２ｃ ガス導入バルブ
２３ 排気系
２３ａ 真空ポンプ
２３ｂ 圧力調整バルブ
２４ 断熱接続部
２４ａ 基板搬出入路
２４ｂ 基板搬出入口
２５ａ シール部材（外側）
２５ｂ シール部材（内側）
２６ａ シール部材（外側）
２６ｂ シール部材（内側）
２７ チャンバ側ガス流通用流路
２７ａ チャンバ側シール用流路
３０、１３０、２３０ ゲートバルブ
３１ ボディカバー
３１ａ （他の）シール部材（外側）
３１ｂ （他の）シール部材（内側）
３２ ボディ
３２ａ 基板搬出入口（表面）
３２ｂ 基板搬出入口（裏面）
３３ ボンネット
３３ａ （他の）シール部材（外側）
３３ｂ （他の）シール部材（内側）
３４ バルブ本体
３５ アクチュエータ
３６ 弁体
３７ ステム
３８ ステムガイド
３９ ベローズ
４０ ベローズリング
４０ａ （他の）シール部材（外側）
４０ｂ （他の）シール部材（内側）
４１ ベローズフランジ
４１ａ （他の）シール部材（外側）
４１ｂ （他の）シール部材（内側）
５０、１５０、２５０ ガス流通用流路
５０ａ 流入口
５０ｂ 入口Ｌ字配管
５０ｃ 第１螺旋配管
５０ｄ ステム入口継手
５０ｅ ステム内流路
５０ｆ ステム出口継手
５０ｇ 第２螺旋配管
５０ｈ１、５０ｈ２、５０ｉ、５０ｋ、５０ｌ 縦孔からなる流路
５０ｊ 横孔からなる流路
５０ｍ 出口Ｌ字配管
５０ｎ 流出口
５１ 第１のシール用流路
５１ａ 溝
５１ｂ シール用流路流入口
５１ｃ シール用流路流出口
５２ 第２のシール用流路
５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃ 第１～３領域
５２ａ、５２ｂ、５２ｃ 隔壁
５２Ａａ、５２Ｂａ、５２Ｃａ シール用流路流入口
５２Ａｂ、５２Ｂｂ、５２Ｃｂ シール用流路流出口
５３ 第３のシール用流路
５３ａ 溝
５３ｂ シール用流路流入口
５３ｃ シール用流路流出口
５４、１５４、２５４ 第４のシール用流路
５４Ａ 第１領域
５４Ｂ 第２領域
５４ａ 溝
５４ｂ、５４ｃ 隔壁
５４Ａａ シール用流路流入口
５４Ａｂ ガス送出口
５４Ｂａ ガス受入口
５４Ｂｂ シール用流路流出口
５５ 第５のシール用流路
５５ａ 隔壁
５５ｂ シール用流路流入口
５５ｃ シール用流路流出口
６０ ロードロックチャンバ
７０ 制御部
Ｄ 基板供給・収納装置
Ｄ１ ローダチャンバ
Ｄ２ 基板収納部
Ｖ１、Ｖ２ ゲートバルブ
Ｗ 半導体ウエハ
Ｇ 窒素ガス（不活性ガス）
１０ プロセスチャンバ（真空処理室）
１１ チャンバ本体
１１ａ 基板搬出入口
１２ａ シール部材（外側）
１２ｂ シール部材（内側）
１３ ガス導入系
１３ａ ガス供給源
１３ｂ ＭＦＣ
１３ｃ ガス導入バルブ
１４ 排気系
１４ａ 真空ポンプ
１４ｂ 圧力調整バルブ
２０ トランスファチャンバ（真空予備室）
２１ チャンバ本体
２１ａ 基板搬出入口
２２ ガス導入系
２２ａ ガス供給源
２２ｂ ＭＦＣ
２２ｃ ガス導入バルブ
２３ 排気系
２３ａ 真空ポンプ
２３ｂ 圧力調整バルブ
２４ 断熱接続部
２４ａ 基板搬出入路
２４ｂ 基板搬出入口
２５ａ シール部材（外側）
２５ｂ シール部材（内側）
２６ａ シール部材（外側）
２６ｂ シール部材（内側）
２７ チャンバ側ガス流通用流路
２７ａ チャンバ側シール用流路
３０、１３０、２３０ ゲートバルブ
３１ ボディカバー
３１ａ （他の）シール部材（外側）
３１ｂ （他の）シール部材（内側）
３２ ボディ
３２ａ 基板搬出入口（表面）
３２ｂ 基板搬出入口（裏面）
３３ ボンネット
３３ａ （他の）シール部材（外側）
３３ｂ （他の）シール部材（内側）
３４ バルブ本体
３５ アクチュエータ
３６ 弁体
３７ ステム
３８ ステムガイド
３９ ベローズ
４０ ベローズリング
４０ａ （他の）シール部材（外側）
４０ｂ （他の）シール部材（内側）
４１ ベローズフランジ
４１ａ （他の）シール部材（外側）
４１ｂ （他の）シール部材（内側）
５０、１５０、２５０ ガス流通用流路
５０ａ 流入口
５０ｂ 入口Ｌ字配管
５０ｃ 第１螺旋配管
５０ｄ ステム入口継手
５０ｅ ステム内流路
５０ｆ ステム出口継手
５０ｇ 第２螺旋配管
５０ｈ１、５０ｈ２、５０ｉ、５０ｋ、５０ｌ 縦孔からなる流路
５０ｊ 横孔からなる流路
５０ｍ 出口Ｌ字配管
５０ｎ 流出口
５１ 第１のシール用流路
５１ａ 溝
５１ｂ シール用流路流入口
５１ｃ シール用流路流出口
５２ 第２のシール用流路
５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃ 第１～３領域
５２ａ、５２ｂ、５２ｃ 隔壁
５２Ａａ、５２Ｂａ、５２Ｃａ シール用流路流入口
５２Ａｂ、５２Ｂｂ、５２Ｃｂ シール用流路流出口
５３ 第３のシール用流路
５３ａ 溝
５３ｂ シール用流路流入口
５３ｃ シール用流路流出口
５４、１５４、２５４ 第４のシール用流路
５４Ａ 第１領域
５４Ｂ 第２領域
５４ａ 溝
５４ｂ、５４ｃ 隔壁
５４Ａａ シール用流路流入口
５４Ａｂ ガス送出口
５４Ｂａ ガス受入口
５４Ｂｂ シール用流路流出口
５５ 第５のシール用流路
５５ａ 隔壁
５５ｂ シール用流路流入口
５５ｃ シール用流路流出口
６０ ロードロックチャンバ
７０ 制御部
Ｄ 基板供給・収納装置
Ｄ１ ローダチャンバ
Ｄ２ 基板収納部
Ｖ１、Ｖ２ ゲートバルブ
Ｗ 半導体ウエハ
Ｇ 窒素ガス（不活性ガス）
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】