特開 2024-35169 反応チャンバ用システムおよび装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024035169

(43)【公開日】2024-03-13

(54)【発明の名称】反応チャンバ用システムおよび装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/31 20060101AFI20240306BHJP

   C23C 16/46 20060101ALI20240306BHJP

【ＦＩ】

H01L21/31 B

C23C16/46

【審査請求】未請求

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

【外国語出願】

(21)【出願番号】P 2023139030

(22)【出願日】2023-08-29

(31)【優先権主張番号】63/403,232

(32)【優先日】2022-09-01

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(71)【出願人】

【識別番号】519237203

【氏名又は名称】エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(74)【代理人】

【識別番号】100133400

【弁理士】

【氏名又は名称】阿部 達彦

(72)【発明者】

【氏名】ジェシカ・アケミ・シマダ・ダ・シルヴァ

(72)【発明者】

【氏名】マイケル・シュモッツァー

【テーマコード（参考）】

4K030

5F045

【Ｆターム（参考）】

4K030CA04

4K030EA06

4K030GA02

4K030JA03

4K030KA12

4K030KA23

4K030LA15

5F045DP03

5F045EF05

5F045EF15

5F045EK07

5F045EM09

5F045EM10

5F045GB05

(57)【要約】

【課題】本技術の様々な実施形態は、反応チャンバ用のシステムおよび装置を提供しうる。
【解決手段】システムおよび装置は、反応チャンバの下部チャンバとシャワーヘッドとの間に配置されたスペーサープレートを有する反応チャンバを包含してもよい。活性発熱体は、スペーサープレート内に埋め込まれてもよい。スペーサープレートに隣接して配置された流れ制御リングは、スペーサープレート発熱体からの導電によって加熱される。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

反応チャンバであって、
側壁と、前記側壁に連結された底部パネルと、前記底部パネルに対向して配置された、かつ前記側壁に連結されたシャワーヘッドとによって画定された内部空間であって、前記側壁が、第一の円周を有する円形形状を形成する内向き面を備える、内部空間と、
前記側壁に統合された、かつ発熱体を備える、かつ前記側壁から、および前記内部空間の中に外向きに延在し、前記側壁の前記内向き面の前記第一の円周全体に沿って延在するリップを備える、スペーサープレートと、
前記スペーサープレートと直接接触して位置付けられた流れ制御リングであって、前記スペーサープレートの外縁全体に沿って延在する、流れ制御リングと、を備える反応チャンバ。

【請求項2】

前記発熱体が前記スペーサープレート内に埋め込まれている、請求項１に記載の反応チャンバ。

【請求項3】

前記流れ制御リングが、前記スペーサープレートから、および前記内部空間の中に外向きに延在する、請求項１に記載の反応チャンバ。

【請求項4】

前記流れ制御リングが、前記スペーサープレートの前記円周よりも小さい円周を有する、請求項３に記載の反応チャンバ。

【請求項5】

前記流れ制御リングが前記スペーサーと直接接触している、請求項１に記載の反応チャンバ。

【請求項6】

前記発熱体が抵抗発熱体を含む、請求項１に記載の反応チャンバ。

【請求項7】

前記発熱体が、前記スペーサープレートの前記円周全体に沿って延在する単一の要素である、請求項１に記載の反応チャンバ。

【請求項8】

前記発熱体が複数の発熱体を備え、前記発熱体が互いに等距離の間隔を置いている、請求項１に記載の反応チャンバ。

【請求項9】

各発熱体が、前記他の発熱体に対して独立して制御されるように構成されている、請求項８に記載の反応チャンバ。

【請求項10】

反応チャンバであって、
側壁と、前記側壁に連結された底部パネルと、前記底部パネルに対向して配置された、かつ前記側壁に連結されたシャワーヘッドとによって画定された内部空間であって、側壁が、第一の円周を有する円形形状を形成する内向き面を備える、内部空間と、
前記側壁の前記内向き面から前記内部空間の中に延在する、かつ第二の円周を有するスペーサープレートと、
前記スペーサープレート内に埋め込まれた発熱体と、
前記スペーサープレートと直接接触して位置付けられた流れ制御リングであって、前記スペーサープレートの外縁全体に沿って延在し、前記第二の円周よりも小さい第三の円周を有する、流れ制御リングと、を備える、反応チャンバ。

【請求項11】

前記発熱体が、前記スペーサープレートの前記円周全体に沿って延在する単一の要素である、請求項１０に記載の反応チャンバ。

【請求項12】

前記発熱体が複数の発熱体を備え、前記発熱体が互いに等距離の間隔を置いている、請求項１０に記載の反応チャンバ。

【請求項13】

各発熱体が、前記他の発熱体に対して独立して制御されるように構成されている、請求項１２に記載の反応チャンバ。

【請求項14】

前記発熱体が抵抗発熱体を含む、請求項１０に記載の反応チャンバ。

【請求項15】

システムであって、
反応チャンバであって、
第一の円周を有する円形形状を形成する内向き面を含む側壁と、
前記側壁に連結された底部パネルと、
前記底部パネルに対向して配置された、かつ前記側壁に連結されたシャワーヘッドと、によって画定された内部空間と、
前記側壁の前記内向き面から前記内部空間の中に延在するスペーサープレートであって、前記側壁の前記内向き面の前記第一の円周全体に沿って延在する、スペーサープレートと、
前記スペーサープレート内に埋め込まれた発熱体と、
前記スペーサープレートと直接接触して位置付けられた流れ制御リングであって、前記スペーサープレートの外縁から前記内部空間の中に延在し、第二の円周を有する、流れ制御リングと、
前記内部空間の中に配置された、かつ前記流れ制御リングに隣接するサセプタであって、上面を備える、サセプタと、
前記サセプタの前記上面上に配置された、かつ前記サセプタの前記上面を完全に覆うキャップであって、前記流れ制御リングに隣接し、かつ前記流れ制御リングから間隔を置いている、キャップと、を備える反応チャンバを備えるシステム。

【請求項16】

前記発熱体が、前記第一の円周全体に沿って延在する単一の要素である、請求項１５に記載のシステム。

【請求項17】

前記発熱体が複数の発熱体を備え、前記発熱体が互いに等距離の間隔を置いている、請求項１５に記載のシステム。

【請求項18】

各発熱体が、前記他の発熱体に対して独立して制御されるように構成されている、請求項１７に記載のシステム。

【請求項19】

前記流れ制御リングの前記第二の円周が、前記側壁の前記第一の円周よりも小さい、請求項１５に記載のシステム。

【請求項20】

前記発熱体が抵抗発熱体を含む、請求項１５に記載のシステム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は概して、例えば半導体ウエハの製造で使用される反応器システムに関する。より具体的に、本開示は、サセプタを囲む様々な構成要素に活性加熱を提供することによって、サセプタ上の改善された温度プロファイルを提供するシステムおよび装置に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体製造プロセス中、サセプタおよび／またはウエハの端にて熱損失が発生しうる。サセプタおよび／またはウエハ上の不均一な温度プロファイルは、ウエハの堆積不均一性および／または貧弱な電気的特性をもたらしうる。

【発明の概要】

【0003】

本技術の様々な実施形態は、反応チャンバ用のシステムおよび装置を提供しうる。システムおよび装置は、反応チャンバの下部チャンバとシャワーヘッドとの間に配置されたスペーサープレートを有する反応チャンバを包含してもよい。活性発熱体は、スペーサープレート内に埋め込まれてもよい。スペーサープレートに隣接して配置された流れ制御リングは、スペーサープレート発熱体からの導電によって加熱される。

【0004】

一つの実施形態において、反応チャンバは、側壁と、側壁に連結された底部パネルと、底部パネルに対向して配置された、かつ側壁に連結されたシャワーヘッドとによって画定された内部空間であって、側壁が、第一の円周を有する円形形状を形成する内向き面を備える、内部空間と、側壁に統合された、かつ発熱体を備え、側壁から、および内部空間の中に外向きに延在し、側壁の内向き面の第一の円周全体に沿って延在するリップを備える、スペーサープレートと、スペーサープレートと直接接触して位置付けられた流れ制御リングであって、スペーサープレートの外縁全体に沿って延在する、流れ制御リングとを備える。

【0005】

別の実施形態において、反応チャンバは、側壁と、側壁に連結された底部パネルと、底部パネルに対向して配置された、かつ側壁に連結されたシャワーヘッドとによって画定された内部空間であって、側壁が、第一の円周を有する円形形状を形成する内向き面を備える、内部空間と、側壁の内向き面から内部空間の中に延在し、第二の円周を有する、スペーサープレートと、スペーサープレート内に埋め込まれた発熱体と、スペーサープレートと直接接触して位置付けられた流れ制御リングであって、スペーサープレートの外縁全体に沿って延在し、第二の円周よりも小さい第三の円周を有する、流れ制御リングとを備える。

【0006】

さらに別の実施形態において、システムは、反応チャンバであって、第一の円周を有する円形形状を形成する内向き面を備える側壁と、側壁に連結された底部パネルと、底部パネルに対向して配置された、かつ側壁に連結されたシャワーヘッドとによって画定された内部空間と、側壁の内向き面から内部空間の中に延在するスペーサープレートであって、側壁の内向き面の第一の円周全体に沿って延在する、スペーサープレートと、スペーサープレート内に埋め込まれた発熱体と、スペーサープレートと直接接触して位置付けられた流れ制御リングであって、スペーサープレートの外縁から内部空間の中に延在し、第二の円周を有する、流れ制御リングと、内部空間の中に配置された、かつ流れ制御リングに隣接するサセプタであって、上面を備えるサセプタと、サセプタの上面上に配置された、かつサセプタの上面を完全に覆うキャップであって、流れ制御リングに隣接し、かつ流れ制御リングから間隔を置いている、キャップと、を備える反応チャンバを備える。

【図面の簡単な説明】

【0007】

本技術のより完全な理解は、以下の例示的な図面に関連して考慮される場合、詳細な説明を参照することによって得られる場合がある。以下の図において、同様の参照番号は、図全体を通して同様の要素および工程を指す。

【0008】

【図1】図１は、本技術の例示的な一実施形態によるシステムを典型的に図示する。

【図2】図２は、本技術の例示的な一実施形態によるシステムを典型的に図示する。

【図3】図３は、本技術の例示的な一実施形態によるシステムの一部分の上面図を典型的に図示する。

【図4】図４は、本技術の例示的な一実施形態によるシステムの一部分の上面図を典型的に図示する。

【図5】図５は、本技術の例示的な一実施形態によるシステムの一部分の上面図を典型的に図示する。

【図6】図６は、本技術の例示的な一実施形態によるシステムの一部分の上面図を典型的に図示する。

【図7】図７は、本技術の例示的な一実施形態によるピクセルデータの読取値を典型的に図示する。

【図8】図８は、本技術の例示的な一実施形態によるシステムの一部分の上面図を典型的に図示する。

【図9】図９は、本技術の例示的な一実施形態によるシステムの一部分の断面図を典型的に図示する。

【図10】図１０は、本技術の例示的な一実施形態によるシステムの一部分の断面図を典型的に図示する。

【図11】図１１は、本技術の例示的な一実施形態によるシステムの一部分の断面図を典型的に図示する。

【図12】図１２は、本技術の例示的な一実施形態によるシステムの一部分の断面図を典型的に図示する。

【発明を実施するための形態】

【0009】

本技術は、機能ブロックの構成要素および様々な処理工程に関して記述されうる。こうした機能ブロックは、特定された機能を実施するように、かつ様々な結果を達成するように構成された、任意の数の構成要素によって実現されてもよい。例えば、本技術は、様々なサセプタ、サセプタキャップ、流れ制御リング、シャワーヘッド、発熱体を採用しうる。さらに、本技術は、反応チャンバに前駆体を送達する、反応チャンバから前駆体を除去する、サセプタを加熱する、およびこれに類することを行うための、任意の数の従来的な技術を採用してもよい。

【0010】

図１および図２を参照すると、例示的なシステム１００は、ウエハ１５０などの基板を処理するための反応チャンバ１０３を備えてもよい。反応チャンバ１０３は、内向き面１７０（これは内部空間の外周を画定する）を有する、垂直に配向された側壁１０５と、水平に配向された底面１１８と、シャワーヘッド１１０とによって画定された内部空間１０２を備えてもよい。例示的な一実施形態において、内向き面１７０は、第一の円周を有する円形形状を有してもよい。システム１００は、様々な前駆体を反応チャンバ１０３に送達するために入口１８０をさらに備えてもよい。

【0011】

シャワーヘッド１１０は、入口１８０からウエハ１５０に向かって前駆体を流すように構成された複数の貫通孔１２０を備える固定具１１５を備えてもよい。シャワーヘッド１１０は、側壁１０５に隣接して位置付けられ、側壁１０５によって支持されてもよい。様々な実施形態において、シャワーヘッド１１０は、側壁１０５から分離されてもよい。

【0012】

システム１００は、反応チャンバ１０３の内部空間１０２内に配置された、かつウエハ１５０を支持するように構成されたサセプタ１２５をさらに備えてもよい。サセプタ１２５は、台座１３５によって支持されたプレート１３０を備えてもよい。様々な実施形態において、サセプタ１２５は、ｚ軸（Ｚ）に沿って上下に移動するように構成されてもよい。図１および図２は、最上の位置にあるサセプタ１２５を示す。様々な実施形態において、プレート１３０は、セラミック（アルミナ、ＡｌＯｘ）、または金属（例えば、ステンレス鋼、ハステロイなど）から形成されてもよい。プレート１３０は、水平に配向されている、かつ固定具１１５の直接下に位置付けられている上面１３０を備えてもよい。

【0013】

様々な実施形態において、システム１００は、プレート１３０の上面１１２上に配置されたサセプタキャップ１４０をさらに備えてもよい。サセプタキャップ１４０は、プレート１３０の上面１１２を完全に覆ってもよい。さらに、サセプタキャップ１４０は、プレート１３０の外周縁１１６の下方および周りに延在してもよい。さらに、サセプタキャップ１４０は、外周縁１１６から離れて、反応チャンバ１０３の側壁１０５に向かって延在してもよい。様々な実施形態において、サセプタキャップ１４０は、ウエハ１５０を受容するために陥凹部を備えてもよい。様々な実施形態において、サセプタキャップ１４０は、チタンもしくは任意の他の適切な金属などの金属、または石英などの他の適切な材料から形成されてもよい。

【0014】

様々な実施形態において、反応チャンバ１０３は、側壁１０５内に統合されたスペーサープレート１５５をさらに備えてもよい。スペーサープレート１５５は、シャワーヘッド１１０と交わる側壁の領域によって画定されてもよく、プレート１３０および／またはサセプタキャップ１４０の寸法（例えば、高さ）に基づく高さＨを有してもよい。様々な実施形態において、スペーサープレート１５５は、内向き面１４０から離れて内部空間１０２の中に延在するリップ１６５をさらに備えてもよい。リップ１６５は、内部空間１０２の外周全体に延在してもよい。

【0015】

様々な実施形態において、反応チャンバ１０３は、スペーサープレート１５５に隣接する流れ制御リング１６０をさらに備えてもよい。一部の実施形態において、流れ制御リング１６０は、流れ制御リングがスペーサープレート１５５に対して移動しうるように、スペーサープレート１５５のリップ１６５上に置かれてもよい。言い換えれば、流れ制御リング１６０は、スペーサープレート１５５に固定または結合されていない。しかしながら、他の実施形態において、流れ制御リング１６０は、流れ制御リング１６０がスペーサープレート１５５に対して移動しないように、スペーサープレート１５５上に固定または統合されてもよい。

【0016】

様々な実施形態において、およびサセプタキャップが使用される場合において、流れ制御リング１６０は、（サセプタ１２５が最上の位置にある時に）サセプタキャップ１４０に隣接してもよい。さらに、流れ制御リング１６０は、間隙１７５によってサセプタキャップ１４０から分離されてもよい。間隙１７５は、流れ制御リング１６０の縁、およびサセプタキャップ１４０の縁によって形成されてもよい。図示の通り、流れ制御リング１６０の縁とサセプタキャップ１４０の縁とは垂直に配向されているが、縁は角度付きである可能性があり、または角度付きの、垂直の、および／または水平なセクションの組み合わせである可能性がある。間隙１７５は、０ｍｍ～１ｍｍの範囲であってもよい。例えば、間隙１７５は約０．５ｍｍであってもよい。

【0017】

様々な実施形態において、かつサセプタキャップが使用されない場合において、流れ制御リング１６０は、（サセプタ１２５が最上の位置にある時に）サセプタ１２５のプレート１３０に隣接してもよい。さらに、流れ制御リング１６０は、間隙１７５によってプレート１３０から分離されてもよい。この場合において、間隙１７５は、流れ制御リング１６０の縁、およびサセプタ１２５のプレート１３０の縁によって形成されてもよい。図示の通り、流れ制御リング１６０の縁とサセプタキャップ１４０の縁とは垂直に配向されているが、縁は角度付きである可能性があり、または角度付きの、垂直の、および／または水平なセクションの組み合わせである可能性がある。間隙１７５は、０ｍｍ～１ｍｍの範囲であってもよい。例えば、間隙１７５は約０．５ｍｍであってもよい。

【0018】

様々な実施形態において、システム１００は、一つ以上の構成要素への活性加熱と、他の構成要素への間接加熱とを提供するために、発熱体１８５をさらに備えてもよい。例示的な一実施形態において、発熱体１８５は、スペーサープレート１５５の中に配置されてもよく、またはスペーサープレート１５５上に配置されてもよい。例えば、一部の実施形態において、発熱体１８５は、スペーサープレート１５５および／または側壁１０５内に埋め込まれて（すなわち、囲まれて）もよい。追加的に、または別の方法として、発熱体１８５は、側壁１０５のスペーサープレート１５５部分の外表面１９５に取り付けられてもよい。様々な実施形態において、発熱体１８５は、ワイヤ、カートリッジ、または他の適切な形状／形態であってもよい。様々な実施形態において、発熱体１８５は、金属材料、または任意の他の適切な発熱体タイプから形成された抵抗発熱体を備えてもよい。

【0019】

図３を参照すると、様々な実施形態において、スペーサープレート１５５は第一の円周Ｃ１を有してもよく、流れ制御リング１６０は第二の円周Ｃ２を有してもよく、サセプタ１４０またはサセプタキャップ１３０は第三の円周Ｃ３を有してもよい。第二の円周Ｃ２は、第一の円周Ｃ１よりも小さく、第三の円周Ｃ３よりも大きくてもよい。第一の円周Ｃ３は、第二の円周Ｃ２および第三の円周Ｃ３よりも大きくてもよい。言い換えれば、Ｃ１＞Ｃ２＞Ｃ３である。

【0020】

例示的な一実施形態において、発熱体１８５は、スペーサープレート１５５の第一の円周全体に沿って延在する単一のワイヤを備えてもよい。この場合において、発熱体１８５は、第一の円周Ｃ１よりも大きい円周を有する円形パターンを有してもよい。別の方法として、および図７を参照すると、発熱体１８５は、蛇行パターン、ジグザグパターン、または任意の他の適切なパターンを有してもよい。

【0021】

様々な実施形態において、および図４を参照すると、発熱体１８５は、スペーサープレート１５５の第一の円周全体に沿って延在する複数の発熱体を備えてもよい。例えば、発熱体１８５は、第一の発熱体１８５（ａ）および第二の発熱体１８５（ｂ）を備えてもよい。本実施形態において、第一の発熱体１８５（ａ）は、スペーサープレート１５５の半分に沿って半円形状を形成してもよく、その一方で第二の発熱体１８５（ｂ）は、スペーサープレート１５５の残りの半分に沿って半円を形成してもよい。一部の実施形態において、第一の発熱体１８５（ａ）は、第二の発熱体１８５（ｂ）に対して独立して制御されてもよい。例えば、第一の発熱体１８５（ａ）は、第一の温度に設定されてもよく、その一方で第二の発熱体１８５（ｂ）は、第一の温度と異なる第二の温度に設定されてもよい。別の方法として、第一の発熱体１８５（ａ）および第二の発熱体１８５（ｂ）は、両方とも同じ温度に設定されるように同時に制御されてもよい。

【0022】

様々な実施形態において、および図５を参照すると、発熱体１８５は、発熱体１８５（ａ）～１８５（ｗ）などの三つ以上の発熱体を備えてもよい。本実施形態において、複数の発熱体１８５（ａ）～１８５（ｗ）は、スペーサープレート１５５内に配置されていて、かつ互いに等距離に配置されてもよい。一部の実施形態において、複数の発熱体１８５（ａ）～１８５（ｗ）は独立して制御されてもよい。例えば、第一の発熱体１８５（ａ）は、第一の温度に設定されてもよく、その一方で第二の発熱体１８５（ｂ）は、第一の温度と異なる第二の温度に設定されてもよい。別の方法として、複数の発熱体１８５（ａ）～１８５（ｗ）は、すべてが同じ温度に設定されるように同時に制御されてもよい。本実施形態において、発熱体１８５（ａ）～１８５（ｗ）は、カートリッジスタイルの発熱体であってもよい。

【0023】

様々な実施形態において、および図６を参照すると、発熱体１８５は、発熱体１８５（ａ）～１８５（ｘ）などの三つ以上の発熱体を備えてもよい。本実施形態において、複数の発熱体１８５（ａ）～１８５（ｘ）は、スペーサープレート１５５内に配置されている。発熱体１８５（ａ）～１８５（ｗ）は、第一の円周Ｃ１（図３）に沿って、および互いに等距離を置いて位置付けられてもよい。発熱体１８５（ｘ）などの複数の発熱体からの一つの発熱体は、第一の円周Ｃ１に沿って、かつ残りの発熱体（例えば、発熱体１８５（ａ）～１８５（ｗ））に隣接して位置付けられてもよい。一部の実施形態において、複数の発熱体１８５（ａ）～１８５（ｘ）は、独立して制御されてもよい。例えば、一つの発熱体（例えば、発熱体１８５（ｘ））は、第一の温度に設定されてもよく、その一方で残りの発熱体のうちの少なくとも一つは、第一の温度と異なる第二の温度に設定されてもよい。さらに、一連の残りの発熱体（例えば、１８５（ａ）～１８５（ｗ））内で、これらの発熱体の各々は独立して制御されてもよい。例えば、第一の発熱体１８５（ａ）は第一の温度に設定されてもよく、その一方で第二の発熱体１８５（ｂ）は第一の温度と異なる第二の温度に設定されてもよい。別の方法として、複数の発熱体１８５（ａ）～１８５（ｗ）は、すべてが同じ温度に設定されるように、同時に制御されてもよい。本実施形態において、発熱体１８５（ａ）～１８５（ｗ）は、カートリッジスタイルの発熱体であってもよく、その一方で発熱体１８５（ｘ）は、ワイヤスタイルの発熱体であってもよい。

【0024】

様々な実施形態において、および図９と図１０を参照すると、発熱体１８５は、スペーサープレート１５５内に形成されたチャネルの中に配置されてもよい。一つの実施形態において、および図９を参照すると、チャネル９００は、スペーサープレート１５５の内向き面１７０内に形成されてもよい。

【0025】

追加的に、または別の方法として、および図１２を参照すると、発熱体１８５は、スペーサープレート１５５の外表面１９５上に形成されたチャネル１２００の中に配置されてもよい。本チャネル１２００は、チャネル９００（図９）および／またはチャネル１０００（以下に説明）などの他のチャネルとともに使用されてもよい。

【0026】

追加的に、または別の方法として、および図１０を参照すると、複数の発熱体を備える場合、システム１００は、チャネル１０００（ａ）および１０００（ｂ）などの複数のチャネルを備えてもよい。本実施形態において、各チャネル１０００（ａ）、１０００（ｂ）は、発熱体１８５（ａ）および１８５（ｂ）などのそれぞれの発熱体を包含するために使用される。

【0027】

様々な実施形態において、および図８と図１１を参照すると、システム１００は、発熱体８００（ａ）～８００（ｗ）などの複数の外部発熱体を備えてもよい。複数の外部発熱体８００（ａ）～８００（ｗ）は、スペーサープレート１５５の外表面１９５に直接固定または接着されてもよい。様々な実施形態において、複数の外部発熱体８００（ａ）～８００（ｗ）は、上述の発熱体１８５のいずれかとともに使用されてもよく、または単独で使用されてもよい。

【0028】

様々な実施形態において、システム１００は、サセプタ１２５のプレート１３０および／またはスペーサープレート１５５など、様々な構造の温度を監視するために、一つ以上の温度センサ（図示せず）（例えば、熱電対）を備えてもよい。様々な実施形態において、温度センサは、サセプタ１２５のプレート１３０および／またはスペーサープレート１５５内に埋め込まれてもよい。様々な実施形態において、温度センサは、特定の発熱体の位置の温度を監視するために、特定の発熱体の近く、またはそれに隣接して配置された複数の温度センサを含んでもよい。温度センサによって発生された信号および／または温度データは、一つ以上の発熱体１８５または外部発熱体８００を制御するために使用されてもよい。

【0029】

様々な実施形態において、システム１００は、温度センサおよび／または発熱体１８５と通信するコントローラ（図示せず）をさらに備えてもよい。コントローラは、温度センサから温度データを受信するように、かつ温度データに従って発熱体を制御するように構成されてもよい。例えば、コントローラは、温度データおよびその一つ以上の発熱体に対する所望の温度に基づいて、一つ以上の発熱体の温度を増加または減少させてもよい。

【0030】

システム１００が発熱体１８５に給電するために様々な電気接続（図示せず）および電源（図示せず）をさらに備えうることを当業者は理解するであろう。

【0031】

動作中、一つ以上の発熱体１８５は所望の温度に加熱され、リップ１６５を含むスペーサープレート１５５の全体的な加熱をもたらす。流れ制御リング１６０はスペーサープレート１５５と物理的に接触しているため、流れ制御リング１６０は、伝導加熱を介して発熱体１８５によって加熱される。次いで、流れ制御リング１６０からの熱は、（間隙１７５によって）対流加熱を介して、サセプタキャップ１４０またはプレート１３０に伝達される。流れ制御リング１６０およびスペーサープレート１５５を介したサセプタキャップ１４０またはプレート１３０の加熱はサセプタキャップ１４０またはプレート１３０にわたって、改善された温度制御を提供することができ、従ってウエハ１５０の縁での熱損失を改善しうる。この熱制御、および熱源の組み合わせは、ウエハ１５０にわたる堆積均一性を改善することができ、ウエハ１５０の電気的特性の改善をもたらす。

【0032】

例示的な一動作において、温度センサからの信号および／または温度データは、コントローラ（図示せず）に送信されてもよい。コントローラは、一つ以上の発熱体を動的に制御するために、温度データを利用するように構成されてもよい。例えば、１２時の位置にある温度センサは、１２時の位置にある温度がＸ°Ｃであることを示す第一の信号をコントローラに送信してもよい。６時の位置にある温度センサは、６時の位置にある温度がＹ°Ｃ（ここで、Ｘ≠Ｙ）であることを示す第二の信号を（順番に、または同時に）コントローラに送信してもよい。１２時および６時の位置に均一な温度を有することが望ましい場合、コントローラは次に、より低い温度を示した温度センサの隣にある／それに隣接する一つ以上の発熱体を増加させるように動作してもよい。様々な実施形態において、コントローラは、様々な場所に定置された任意の数の温度センサから、任意の数の信号を受信してもよい。さらに、コントローラは、任意の数の発熱体の温度を増減して所望の熱プロファイルを達成するために、任意の数の温度センサから温度データ／信号を受信し、複数の温度データ／信号を利用してもよい。上述の通り、様々な実施形態において、直接隣接する発熱体の温度が所望の熱プロファイルに基づいて、同じままである、増加する、または減少する一方で、一つの発熱体の温度が増加されうるように、各発熱体は個別に制御されてもよい。

【0033】

前述の説明において、本技術は特定の例示的な実施形態を参照して説明されている。示された、かつ記述された特定の実装は、本技術およびその最良の形態の例示であり、本技術の範囲をいかなるやり方でも、別の方法で限定することを意図していない。実際、簡潔のために、方法およびシステムの従来の製造、関連、調製、および他の機能的態様を詳細に記述していない場合がある。さらに、様々な図に示された接続線は、様々な要素間の例示的な機能的関係および／または工程を表すことが意図されている。多くの代替的もしくは追加の機能的関係、もしくは物理的接続が実際のシステムにおいて存在してもよい。

【0034】

本技術については、具体的な例示的な実施形態を参照して説明してきた。しかしながら、本技術の範囲から逸脱することなく、様々な修正および変更がなされてもよい。説明および図面は、制限的な態様というよりは例示的な態様として見なされ、そのような修正はすべて、本技術の範囲内に含まれることが意図されている。従って、本技術の範囲は、上述の特定の実施例のみによってではなく、記載の一般的な実施形態およびその法的等価物によって決定されるべきである。例えば、任意の方法またはプロセスの実施形態に列挙された工程は、別段の明示的な指定がない限り、任意の順序で実行されてもよく、特定の実施例に提示された明示的な順序に限定されない。さらに、任意の装置の実施形態に列挙された構成要素および／または要素は、本技術と実質的に同じ結果を生成するために、様々な順列で組み立てられてもよく、または別の方法で動作可能に構成されてもよく、従って特定の実施例に列挙された特定の構成に限定されない。

【0035】

恩恵、他の利点、および問題に対する解決策が、特定の実施形態に関して上述されている。特定の恩恵、利点、問題に対する解決策、または何らかの特定の恩恵、利点、もしくは解決策を生じさせる場合がある、またはより顕著にさせる場合がある何らかの要素は、しかしながら、重要な、必要とされる、または必須の特徴もしくは要素であると解釈されない。

【0036】

「含む、備える（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」、「含んでいる、備えている（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、またはその任意の変形語は、要素のリストを含むプロセス、方法、物品、組成物、または装置が、それらの要素のみを含むだけでなく、明示的に列挙されていない、またはそのようなプロセス、方法、物品、組成物、または装置に固有の他の要素を含んでもよいように、非限定的包含を指すことが意図されている。本技術の実践において使用される上述の構造、配置、用途、割合、要素、材料、または構成要素の他の組み合わせおよび／または修正は、具体的に列挙されていないものに加えて、それらの一般原理から逸脱することなく、様々であってもよく、または別の方法で特定の環境、製造仕様、設計パラメータ、または他の動作要件に具体的に適合されてもよい。

【0037】

本技術については、例示的な一実施形態を参照して上述されている。しかしながら、本技術の範囲から逸脱することなく、その例示的な実施形態に変更および修正がなされてもよい。これらおよび他の変更または修正は、以下の特許請求の範囲で表される通り、本技術の範囲内に含まれることが意図されている。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【外国語明細書】