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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024040031
(43)【公開日】2024-03-25
(54)【発明の名称】基板処理装置及び保護層の形成方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20240315BHJP
H01L 21/02 20060101ALI20240315BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 644A
H01L21/304 644Z
H01L21/304 643A
H01L21/02 B
H01L21/304 622P
【審査請求】未請求
【請求項の数】14
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022144843
(22)【出願日】2022-09-12
(71)【出願人】
【識別番号】000000239
【氏名又は名称】株式会社荏原製作所
(74)【代理人】
【識別番号】100106208
【弁理士】
【氏名又は名称】宮前 徹
(74)【代理人】
【識別番号】100146710
【弁理士】
【氏名又は名称】鐘ヶ江 幸男
(74)【代理人】
【識別番号】100186613
【弁理士】
【氏名又は名称】渡邊 誠
(72)【発明者】
【氏名】藤方 淳平
【テーマコード（参考）】
5F057
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F057AA08
5F057AA21
5F057BA15
5F057BA21
5F057BB03
5F057BB23
5F057CA12
5F057CA25
5F057DA03
5F057DA40
5F057EC13
5F057FA02
5F057FA28
5F057FA37
5F057FA45
5F157AA62
5F157AA73
5F157AA96
5F157AB16
5F157AB33
5F157AB90
5F157AC13
5F157AC15
5F157BA07
5F157BA08
5F157BA13
5F157BA31
5F157BB23
5F157CB03
5F157CC03
5F157CF02
5F157CF14
5F157CF60
(57)【要約】
【課題】本開示は、研磨工程後の金属領域の表面を酸化や研磨後の工程で生じる切り屑やパーティクルの接合表面への付着から保護できるような基板処理装置及び保護層の形成方法を提供する。
【解決手段】本開示に係る基板処理装置は、半導体の基板を研磨するための研磨装置と、シランカップリング剤又は樹脂保護膜剤を使用して基板の表面に保護層を形成するための保護層形成装置と、制御装置と、を備え、制御装置は、研磨装置が基板の研磨を終了した後に、保護層形成装置が基板に保護層を形成するように、研磨装置及び保護層形成装置を制御する。
【選択図】図１
【解決手段】本開示に係る基板処理装置は、半導体の基板を研磨するための研磨装置と、シランカップリング剤又は樹脂保護膜剤を使用して基板の表面に保護層を形成するための保護層形成装置と、制御装置と、を備え、制御装置は、研磨装置が基板の研磨を終了した後に、保護層形成装置が基板に保護層を形成するように、研磨装置及び保護層形成装置を制御する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体の基板を研磨するための研磨装置と、
シランカップリング剤又は樹脂保護膜剤を使用して前記基板の表面に保護層を形成するための保護層形成装置と、
制御装置と、を備え、
前記制御装置は、前記研磨装置が前記基板の研磨を終了した後に、前記保護層形成装置が前記基板に前記保護層を形成するように、前記研磨装置及び前記保護層形成装置を制御する、
基板処理装置。
シランカップリング剤又は樹脂保護膜剤を使用して前記基板の表面に保護層を形成するための保護層形成装置と、
制御装置と、を備え、
前記制御装置は、前記研磨装置が前記基板の研磨を終了した後に、前記保護層形成装置が前記基板に前記保護層を形成するように、前記研磨装置及び前記保護層形成装置を制御する、
基板処理装置。
【請求項2】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記保護層形成装置は、前記シランカップリング剤を使用して前記保護層を形成するように構成されている、
基板処理装置。
前記保護層形成装置は、前記シランカップリング剤を使用して前記保護層を形成するように構成されている、
基板処理装置。
【請求項3】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記保護層形成装置は、前記樹脂保護膜剤を使用して前記保護層を形成するように構成されている、
基板処理装置。
前記保護層形成装置は、前記樹脂保護膜剤を使用して前記保護層を形成するように構成されている、
基板処理装置。
【請求項4】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記制御装置は、前記研磨装置の研磨の終了時から、前記保護層形成装置の前記保護層の形成の開始時までの時間が、１０分以内となるように、前記研磨装置及び前記保護層形成装置を制御する、
基板処理装置。
前記制御装置は、前記研磨装置の研磨の終了時から、前記保護層形成装置の前記保護層の形成の開始時までの時間が、１０分以内となるように、前記研磨装置及び前記保護層形成装置を制御する、
基板処理装置。
【請求項5】
請求項４に記載の基板処理装置において、
前記研磨装置は、研磨パッドを備え、
前記研磨装置の研磨の終了時は、前記研磨パッドが前記基板から離れた時である、
基板処理装置。
前記研磨装置は、研磨パッドを備え、
前記研磨装置の研磨の終了時は、前記研磨パッドが前記基板から離れた時である、
基板処理装置。
【請求項6】
請求項１又は４に記載の基板処理装置において、
前記保護層形成装置は、
前記基板に前記シランカップリング剤又は前記樹脂保護膜剤を塗布するための塗布装置と、
前記基板を加熱するためのベイク装置と、
を有する、
基板処理装置。
前記保護層形成装置は、
前記基板に前記シランカップリング剤又は前記樹脂保護膜剤を塗布するための塗布装置と、
前記基板を加熱するためのベイク装置と、
を有する、
基板処理装置。
【請求項7】
請求項６に記載の基板処理装置において、
前記塗布装置は、
前記基板を回転させて乾燥させるためのテーブルと、
前記塗布装置内に設置されている前記基板に前記シランカップリング剤又は前記樹脂保護膜剤を供給するためのノズルと、
前記ノズルから前記基板に供給される前記シランカップリング剤又は前記樹脂保護膜剤の流量を調整するための開閉弁と、
を有し、
前記制御装置は、前記基板の中央部の乾燥後且つ前記基板の外周部の乾燥前に、前記ノズルに前記シランカップリング剤又は前記樹脂保護膜剤を前記基板に供給させるように
、前記開閉弁を制御する、
基板処理装置
前記塗布装置は、
前記基板を回転させて乾燥させるためのテーブルと、
前記塗布装置内に設置されている前記基板に前記シランカップリング剤又は前記樹脂保護膜剤を供給するためのノズルと、
前記ノズルから前記基板に供給される前記シランカップリング剤又は前記樹脂保護膜剤の流量を調整するための開閉弁と、
を有し、
前記制御装置は、前記基板の中央部の乾燥後且つ前記基板の外周部の乾燥前に、前記ノズルに前記シランカップリング剤又は前記樹脂保護膜剤を前記基板に供給させるように
、前記開閉弁を制御する、
基板処理装置
【請求項8】
請求項６に記載の基板処理装置において、
前記塗布装置は、
前記基板が設置されるためのバフテーブルと、
前記バフテーブルに設置されている前記基板と接触し、前記基板をバフ洗浄するためのバフパッドと、
前記バフテーブルに設置されている前記基板に前記シランカップリング剤又は前記樹脂保護膜剤を供給するための剤ノズルと、
を有する、
基板処理装置。
前記塗布装置は、
前記基板が設置されるためのバフテーブルと、
前記バフテーブルに設置されている前記基板と接触し、前記基板をバフ洗浄するためのバフパッドと、
前記バフテーブルに設置されている前記基板に前記シランカップリング剤又は前記樹脂保護膜剤を供給するための剤ノズルと、
を有する、
基板処理装置。
【請求項9】
請求項４を引用する請求項６に記載の基板処理装置において、
前記保護層の形成の開始時は、前記基板に前記シランカップリング剤又は前記樹脂保護膜剤が接触した時である、
基板処理装置。
前記保護層の形成の開始時は、前記基板に前記シランカップリング剤又は前記樹脂保護膜剤が接触した時である、
基板処理装置。
【請求項10】
請求項１又は４に記載の基板処理装置において、
前記保護層形成装置は、
前記基板を収容するためのロードロックチャンバと、
前記ロードロックチャンバとシャッターを介して接続され、前記基板を収容するための真空チャンバと、
前記ロードロックチャンバの内部及び前記真空チャンバの内部の気体を真空引きするための真空ポンプと、
前記真空チャンバの内部に前記シランカップリング剤を供給するためのシランカップリング剤供給装置と、
前記真空チャンバの内部でプラズマを発生させるためのプラズマ発生装置と、
を有する、
基板処理装置。
前記保護層形成装置は、
前記基板を収容するためのロードロックチャンバと、
前記ロードロックチャンバとシャッターを介して接続され、前記基板を収容するための真空チャンバと、
前記ロードロックチャンバの内部及び前記真空チャンバの内部の気体を真空引きするための真空ポンプと、
前記真空チャンバの内部に前記シランカップリング剤を供給するためのシランカップリング剤供給装置と、
前記真空チャンバの内部でプラズマを発生させるためのプラズマ発生装置と、
を有する、
基板処理装置。
【請求項11】
請求項４を引用する請求項１０に記載の基板処理装置において、
前記保護層の形成の開始時は、前記基板が収容された前記ロードロックチャンバへの真空引きが開始した時である、
基板処理装置。
前記保護層の形成の開始時は、前記基板が収容された前記ロードロックチャンバへの真空引きが開始した時である、
基板処理装置。
【請求項12】
請求項１又は２に記載の基板処理装置において、
前記基板に金属領域を形成するためのめっき装置をさらに備える、
基板処理装置。
前記基板に金属領域を形成するためのめっき装置をさらに備える、
基板処理装置。
【請求項13】
請求項１又は２に記載の基板処理装置において、
２つの前記基板を接合させるための接合装置をさらに備え、
前記接合装置は、
前記基板のうちの１つである第１基板を把持するための上部チャックと、
前記基板のうちの別の１つである第２基板を把持するための下部チャックと、
前記上部チャックが把持する前記第１基板及び前記前記チャックが把持する前記第２基板を撮影するためのカメラと、
前記上部チャック及び前記下部チャックのうち少なくとも一方を移動させるための移動装置と、
を備える、
基板処理装置。
２つの前記基板を接合させるための接合装置をさらに備え、
前記接合装置は、
前記基板のうちの１つである第１基板を把持するための上部チャックと、
前記基板のうちの別の１つである第２基板を把持するための下部チャックと、
前記上部チャックが把持する前記第１基板及び前記前記チャックが把持する前記第２基板を撮影するためのカメラと、
前記上部チャック及び前記下部チャックのうち少なくとも一方を移動させるための移動装置と、
を備える、
基板処理装置。
【請求項14】
金属領域を有する半導体の基板を研磨する第１工程と、
前記第１工程の後に、シランカップリング剤又は樹脂保護膜剤を使用して前記基板の表面に保護層を形成する第２工程と、
を有する、保護層の形成方法。
前記第１工程の後に、シランカップリング剤又は樹脂保護膜剤を使用して前記基板の表面に保護層を形成する第２工程と、
を有する、保護層の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板処理装置及び保護層の形成方法に関する。
【背景技術】
【0002】
エレクトロニクスの分野では、半導体の基板を接合する技術が用いられている。例えば、複数のウェハを積層するＷａｆｅｒ ｏｎ Ｗａｆｅｒ（ＷｏＷ）として、特許文献１や特許文献２には、このような半導体の基板を接合する技術が開示されている。また、ウェハに分割したチップを積層するＣｈｉｐ ｏｎ Ｗａｆｅｒ（ＣｏＷ）として、特許文献３にはこのような半導体基板を接合する技術が開示されている。
【0003】
特許文献１が開示する金属領域を有する接合面を有する基板同士を接合する方法は、金属領域を有する接合面を研磨するステップと、研磨された接合面に対し表面活性化処理を行い、かつ親水化処理を行うステップと、基板の接合面同士を貼り合わせて基板接合体を形成するステップと、基板接合体を加熱して金属を固相拡散するステップと、を含む。
【0004】
また、特許文献２や特許文献３が開示する２つの基板を接合する方法は、２つの基板の接合面の少なくとも一方を親水化する親水化処理工程と、親水化処理工程の後、２つの基板を接合する接合工程と、を含む。
【0005】
特許文献４や特許文献５が開示するウェハのダイシング工程及びその後の工程でチップ表面に切り屑やパーティクルが付着することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特許第６４２５３１７号公報
【特許文献2】特許第６３８８２７２号公報
【特許文献3】特許第６３３７４００号公報
【特許文献4】特許第３１５４１９４号公報
【特許文献5】特開２０２１－１９０５５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
上述したように、特許文献１の基板の接合方法は、研磨工程（研磨するステップ）と、接合工程（表面活性化処理を行いかつ親水化処理を行うステップ～金属を固相拡散するステップ）とを有している。基板の接合が行われる際には、必要に応じて、研磨工程後の基板を一時的に保管する場合がある。このような場合に、研磨工程から接合工程までの間の時間が長いと、金属領域が空気中の酸素と反応し、金属領域の表面に酸化膜が形成される虞がある。そして、金属領域の表面に酸化膜が形成された場合、接合される２枚の基板の間の金属領域同士の接続で接触不良等の不具合が生じ得る。
【0008】
また、特許文献２の基板を接合する方法においても、研磨工程から長い時間が経った基板が接合される場合には、特許文献１の方法と同様の問題が発生し得る。
【0009】
また、ウェハにチップを積層するＣｏＷには、研磨されたウェハをチップに分割するためのダイシング工程が含まれる。特許文献４に開示されるダイシング工程では、ダイシング工程中の切削加工で生じた切粉やパーティクルがチップの接合表面に付着する問題が発生し得る。
【0010】
これらの理由から、研磨工程後の金属領域の表面を酸化から保護したり、切り屑やパーティクルの付着から保護したりできるような装置や方法が求められている。
【0011】
そこで、本開示は、研磨工程後の金属領域の表面を酸化や研磨後の工程で生じる切り屑やパーティクルの接合表面への付着から保護できるような基板処理装置及び保護層の形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0012】
一実施形態に係る基板処理装置は、半導体の基板を研磨するための研磨装置と、シランカップリング剤又は樹脂保護膜剤を使用して前記基板の表面に保護層を形成するための保護層形成装置と、制御装置と、を備え、前記制御装置は、前記研磨装置が前記基板の研磨を終了した後に、前記保護層形成装置が前記基板に前記保護層を形成するように、前記研磨装置及び前記保護層形成装置を制御する。
【0013】
一実施形態に係る保護層の形成方法は、半導体の基板を研磨する第１工程と、前記第１工程の後に、シランカップリング剤又は樹脂保護膜剤を使用して前記基板の表面に保護層を形成する第２工程と、を有する。
【図面の簡単な説明】
【0014】
【発明を実施するための形態】
【0015】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一または相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
【0016】
＜基板処理装置１００Ａ＞
図１は、本開示の実施形態に係る基板処理装置１００Ａの全体構成を示す平面図である。基板処理装置１００Ａは、半導体の基板Ｗに処理を行うための装置である。特に、基板処理装置１００Ａは、絶縁領域と、めっきや蒸着等の堆積法によりその表面に形成された銅（Ｃｕ）等の金属領域とを有する基板Ｗに対して処理を行うが、絶縁領域のみを有する基板Ｗに対して処理を行ってもよい。なお、半導体の基板Ｗには、シリコンウェハ、ガラスウェハ、石英ウェハ等のウェハが含まれる。図１を参照すると、基板処理装置１００Ａは、ロード／アンロードモジュール２００と、研磨モジュール３００と、洗浄モジュール４００と、ベイク装置６００と、を備える。さらに、基板処理装置１００Ａは、ロード／アンロードモジュール２００、研磨モジュール３００、洗浄モジュール４００及びベイク装置６００の動作を制御するための制御装置９００Ａを備える。
図１は、本開示の実施形態に係る基板処理装置１００Ａの全体構成を示す平面図である。基板処理装置１００Ａは、半導体の基板Ｗに処理を行うための装置である。特に、基板処理装置１００Ａは、絶縁領域と、めっきや蒸着等の堆積法によりその表面に形成された銅（Ｃｕ）等の金属領域とを有する基板Ｗに対して処理を行うが、絶縁領域のみを有する基板Ｗに対して処理を行ってもよい。なお、半導体の基板Ｗには、シリコンウェハ、ガラスウェハ、石英ウェハ等のウェハが含まれる。図１を参照すると、基板処理装置１００Ａは、ロード／アンロードモジュール２００と、研磨モジュール３００と、洗浄モジュール４００と、ベイク装置６００と、を備える。さらに、基板処理装置１００Ａは、ロード／アンロードモジュール２００、研磨モジュール３００、洗浄モジュール４００及びベイク装置６００の動作を制御するための制御装置９００Ａを備える。
【0017】
ロード／アンロードモジュール２００は、基板Ｗを複数枚収容できるキャリアに収容された基板Ｗを基板処理装置１００Ａ内へ搬送する処理と、基板処理装置１００Ａで処理された後の基板Ｗを基板処理装置１００Ａからキャリアへ収容する処理とを行う。研磨モジュール３００は、基板Ｗを研磨する機能を有する。洗浄モジュール４００は、研磨された基板Ｗを洗浄する機能を有する。ベイク装置６００は、基板Ｗを加熱する機能を有する。
【0018】
さらに、基板処理装置１００Ａは、トランスポータ１０２と、搬送ロボット２２２とトランスポータ１０２との間で基板Ｗの受け渡しを行う搬送装置（図示省略）と、研磨モジュール３００で研磨された基板Ｗを洗浄モジュール４００に搬送するための搬送装置（図示省略）と、を備える。以下、基板処理装置１００Ａの各部の構成について説明する。
【0019】
＜ロード／アンロードモジュール２００＞
ロード／アンロードモジュール２００は、多数の基板Ｗをストックするためのウェハカセットが載置される２つ以上（基板処理装置１００Ａでは４つ）のフロントロード部２２０を備える。これらのフロントロード部２２０は、基板処理装置１００Ａの幅方向（長手方向と垂直な方向）に沿って配列される。フロントロード部２２０は、オープンカセット、ＳＭＩＦ（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）ポッド、又はＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）を搭載できるように構成されている。ＳＭＩＦ及びＦＯＵＰは、内部にウェハカセットを収容し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。
ロード／アンロードモジュール２００は、多数の基板Ｗをストックするためのウェハカセットが載置される２つ以上（基板処理装置１００Ａでは４つ）のフロントロード部２２０を備える。これらのフロントロード部２２０は、基板処理装置１００Ａの幅方向（長手方向と垂直な方向）に沿って配列される。フロントロード部２２０は、オープンカセット、ＳＭＩＦ（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）ポッド、又はＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）を搭載できるように構成されている。ＳＭＩＦ及びＦＯＵＰは、内部にウェハカセットを収容し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。
【0020】
また、ロード／アンロードモジュール２００は、フロントロード部２２０の並びに沿って移動可能な搬送ロボット２２２を備える。搬送ロボット２２２は、それぞれのフロントロード部２２０に搭載された基板Ｗにアクセスできるように構成されている。
【0021】
＜トランスポータ１０２＞
図１に示されるように、トランスポータ１０２は、第１研磨装置３０２Ａ及び第２研磨装置３０２Ｂが配列する方向に沿った６つの搬送位置（ロード／アンロードモジュール２００側から順番に第１搬送位置ＴＰ１、第２搬送位置ＴＰ２、第３搬送位置ＴＰ３、第４搬送位置ＴＰ４、第５搬送位置ＴＰ５、第６搬送位置ＴＰ６とする）の間で基板Ｗを搬送できるように構成されている。
図１に示されるように、トランスポータ１０２は、第１研磨装置３０２Ａ及び第２研磨装置３０２Ｂが配列する方向に沿った６つの搬送位置（ロード／アンロードモジュール２００側から順番に第１搬送位置ＴＰ１、第２搬送位置ＴＰ２、第３搬送位置ＴＰ３、第４搬送位置ＴＰ４、第５搬送位置ＴＰ５、第６搬送位置ＴＰ６とする）の間で基板Ｗを搬送できるように構成されている。
【0022】
＜研磨モジュール３００＞
研磨モジュール３００において、基板Ｗの研磨（平坦化）が行われる。研磨モジュール３００は、第１研磨装置（ＣＭＰ装置）３０２Ａ及び第２研磨装置（ＣＭＰ装置）３０２Ｂを備える。第１研磨装置３０２Ａ及び第２研磨装置３０２Ｂは、基板Ｗを研磨するための装置であり、基板処理装置１００Ａの長手方向に沿って配列される。第１研磨装置３０２Ａ及び第２研磨装置３０２Ｂは、互いに同一の構成を有しているため、単に研磨装置と呼ぶ場合があり、以下、説明の重複を避けるために第１研磨装置３０２Ａについてのみ説明する。
研磨モジュール３００において、基板Ｗの研磨（平坦化）が行われる。研磨モジュール３００は、第１研磨装置（ＣＭＰ装置）３０２Ａ及び第２研磨装置（ＣＭＰ装置）３０２Ｂを備える。第１研磨装置３０２Ａ及び第２研磨装置３０２Ｂは、基板Ｗを研磨するための装置であり、基板処理装置１００Ａの長手方向に沿って配列される。第１研磨装置３０２Ａ及び第２研磨装置３０２Ｂは、互いに同一の構成を有しているため、単に研磨装置と呼ぶ場合があり、以下、説明の重複を避けるために第１研磨装置３０２Ａについてのみ説明する。
【0023】
図２は、第１研磨装置３０２Ａを模式的に示す斜視図である。図１及び図２に示すように、第１研磨装置３０２Ａは、一例として、研磨面を有する研磨パッド３１０と、研磨テーブル３３０と、トップリング３３１と、研磨液供給ノズル３３２（図２参照）と、ドレッサ（図示省略）と、アトマイザ（図示省略）と、を備える。トップリング３３１は、基板Ｗを保持する機能を有し、基板Ｗを研磨パッド３１０に押し当てることができる。これにより、基板Ｗが、研磨パッド３１０に押圧されて研磨される。また、研磨液供給ノズル３３２（図２参照）は、研磨パッド３１０に研磨液やドレッシング液（例えば、純水）を供給する機能を有する。ドレッサは、研磨パッド３１０の研磨面のドレッシングを行う機
能を有する。アトマイザは、液体（例えば純水）と気体（例えば窒素ガス）の混合流体又は液体（例えば純水）を噴射して研磨面上のスラリや研磨生成物、及びドレッシングによるパッド残渣を除去する機能を有する。
能を有する。アトマイザは、液体（例えば純水）と気体（例えば窒素ガス）の混合流体又は液体（例えば純水）を噴射して研磨面上のスラリや研磨生成物、及びドレッシングによるパッド残渣を除去する機能を有する。
【0024】
図２に示されるように、トップリング３３１は、トップリングシャフト３３６に支持される。研磨テーブル３３０の上面には研磨パッド３１０が取付けられている。研磨パッド３１０の上面は、基板Ｗを研磨する研磨面を形成する。トップリング３３１及び研磨テーブル３３０は、矢印で示すように、その軸心周りに回転できるように構成される。基板Ｗは、トップリング３３１の下面に真空吸着により保持される。研磨時には、研磨液供給ノズル３３２から研磨パッド３１０の研磨面に研磨液が供給された状態で、研磨対象である基板Ｗがトップリング３３１により研磨パッド３１０の研磨面に押圧されて研磨される。
【0025】
第１研磨装置３０２Ａのトップリング３３１は、トップリングヘッドのスイング動作により研磨位置と第４搬送位置ＴＰ４との間を移動する（図１参照）。したがって、トップリング３３１への基板Ｗの受け渡しは第４搬送位置ＴＰ４で行われる。同様に、第２研磨装置３０２Ｂのトップリング３３１は研磨位置と第５搬送位置ＴＰ５との間を移動し、トップリング３３１への基板Ｗの受け渡しは第５搬送位置ＴＰ５で行われる。
【0026】
＜洗浄モジュール４００＞
図１を参照すると、一例として、洗浄モジュール４００は、バフ洗浄装置４２０Ａと、塗布装置５００と、乾燥装置４０４と、を備える。さらに、洗浄モジュール４００は、バフ洗浄装置４２０Ａ、塗布装置５００及び乾燥装置４０４の間で基板Ｗを搬送するための搬送装置（図示省略）を備える。洗浄モジュール４００は、必要に応じて、基板Ｗを洗浄するための既知の洗浄装置も備えてもよい。以下、洗浄モジュール４００の各構成について説明する。
図１を参照すると、一例として、洗浄モジュール４００は、バフ洗浄装置４２０Ａと、塗布装置５００と、乾燥装置４０４と、を備える。さらに、洗浄モジュール４００は、バフ洗浄装置４２０Ａ、塗布装置５００及び乾燥装置４０４の間で基板Ｗを搬送するための搬送装置（図示省略）を備える。洗浄モジュール４００は、必要に応じて、基板Ｗを洗浄するための既知の洗浄装置も備えてもよい。以下、洗浄モジュール４００の各構成について説明する。
【0027】
＜乾燥装置４０４＞
乾燥装置４０４は、既知の方法により基板Ｗを高速回転させるステージを有している。また、フィルタを有しており、既知の方法により清浄な空気を基板Ｗに供給できるように構成してもよい。そして、乾燥装置４０４は、基板Ｗを高速に回転させることで、基板Ｗを乾燥させると事ができる。同時に、空気を基板Ｗに供給することで、基板Ｗを短時間で乾燥させることができる。
乾燥装置４０４は、既知の方法により基板Ｗを高速回転させるステージを有している。また、フィルタを有しており、既知の方法により清浄な空気を基板Ｗに供給できるように構成してもよい。そして、乾燥装置４０４は、基板Ｗを高速に回転させることで、基板Ｗを乾燥させると事ができる。同時に、空気を基板Ｗに供給することで、基板Ｗを短時間で乾燥させることができる。
【0028】
＜バフ洗浄装置４２０Ａ＞
図３は、バフ洗浄装置４２０Ａを模式的に示す斜視図である。図３に示すように、バフ洗浄装置４２０Ａは、基板Ｗが設置されるバフテーブル４２２と、基板Ｗの処理面に処理を行うためのバフパッド４２４が取り付けられたバフヘッド４２６と、バフヘッド４２６を保持するアーム４３０と、処理液を供給するための処理液供給系統４７０と、バフパッド４２４のコンディショニング（目立て）を行うためのコンディショニング部４６０と、を備える。処理液は、純水、洗浄薬液、及び、スラリのような研磨液、の少なくとも１つを含む。また、バフパッド４２４は、例えば発泡ポリウレタン系のハードパッド、スウェード系のソフトパッド、又は、スポンジなどで形成される。バフパッド４２４の種類は処理対象物の材質や除去すべき汚染物の状態に対して適宜選択すれば良い。また、これらのバフパッド４２４の表面には、例えば同心円状溝やＸＹ溝、渦巻き溝、放射状溝といった溝形状が施されていても良い。更に、バフパッド４２４を貫通する穴を少なくとも１つ以上バフパッド４２４内に設け、本穴を通して処理液を供給しても良い。また、バフパッド４２４に、例えばＰＶＡスポンジのような処理液が浸透可能なスポンジ状の材料を使用しても良い。
図３は、バフ洗浄装置４２０Ａを模式的に示す斜視図である。図３に示すように、バフ洗浄装置４２０Ａは、基板Ｗが設置されるバフテーブル４２２と、基板Ｗの処理面に処理を行うためのバフパッド４２４が取り付けられたバフヘッド４２６と、バフヘッド４２６を保持するアーム４３０と、処理液を供給するための処理液供給系統４７０と、バフパッド４２４のコンディショニング（目立て）を行うためのコンディショニング部４６０と、を備える。処理液は、純水、洗浄薬液、及び、スラリのような研磨液、の少なくとも１つを含む。また、バフパッド４２４は、例えば発泡ポリウレタン系のハードパッド、スウェード系のソフトパッド、又は、スポンジなどで形成される。バフパッド４２４の種類は処理対象物の材質や除去すべき汚染物の状態に対して適宜選択すれば良い。また、これらのバフパッド４２４の表面には、例えば同心円状溝やＸＹ溝、渦巻き溝、放射状溝といった溝形状が施されていても良い。更に、バフパッド４２４を貫通する穴を少なくとも１つ以上バフパッド４２４内に設け、本穴を通して処理液を供給しても良い。また、バフパッド４２４に、例えばＰＶＡスポンジのような処理液が浸透可能なスポンジ状の材料を使用しても良い。
【0029】
バフテーブル４２２は、基板Ｗを吸着する機構を有し、基板Ｗを保持する。また、バフ
テーブル４２２は、モーター４３２によって回転軸Ａ周りに回転できるように構成されている。バフパッド４２４は、バフヘッド４２６の基板Ｗに対向する面に取り付けられる。バフヘッド４２６は、図示していない駆動機構によって回転軸Ｂ周りに回転できるように構成されている。また、バフヘッド４２６は、バフパッド４２４を基板Ｗの処理面に押圧できるように構成されている。アーム４３０は、モーター４３１（図５参照）によって移動し、その結果、バフヘッド４２６は矢印Ｃの方向に移動可能である。また、アーム４３０は、バフパッド４２４がコンディショニング部４６０に対向する位置までバフヘッド４２６を移動できるように構成されている。
テーブル４２２は、モーター４３２によって回転軸Ａ周りに回転できるように構成されている。バフパッド４２４は、バフヘッド４２６の基板Ｗに対向する面に取り付けられる。バフヘッド４２６は、図示していない駆動機構によって回転軸Ｂ周りに回転できるように構成されている。また、バフヘッド４２６は、バフパッド４２４を基板Ｗの処理面に押圧できるように構成されている。アーム４３０は、モーター４３１（図５参照）によって移動し、その結果、バフヘッド４２６は矢印Ｃの方向に移動可能である。また、アーム４３０は、バフパッド４２４がコンディショニング部４６０に対向する位置までバフヘッド４２６を移動できるように構成されている。
【0030】
コンディショニング部４６０は、バフパッド４２４の表面をコンディショニングするように構成されている。コンディショニング部４６０は、ドレステーブル４６２と、ドレステーブル４６２に設置されたドレッサ４６４と、を備える。ドレステーブル４６２は、図示していない駆動機構によって回転軸Ｄ周りに回転できる。ドレッサ４６４は、ダイヤモンド砥粒がバフパッド４２４との接触面の全面もしくは一部に配置されたダイヤドレッサ、樹脂製のブラシ毛がバフパッド４２４との接触面の全面もしくは一部に配置されたブラシドレッサ、又はこれらの組み合わせで形成される。
【0031】
バフ洗浄装置４２０Ａは、バフパッド４２４のコンディショニングを行う際には、バフパッド４２４がドレッサ４６４に対向する位置になるまでアーム４３０を旋回させる。バフ洗浄装置４２０Ａは、ドレステーブル４６２を回転軸Ｄ周りに回転させるとともにバフヘッド４２６を回転させ、バフパッド４２４をドレッサ４６４に押し付けることによって、バフパッド４２４のコンディショニングを行う。
【0032】
処理液供給系統４７０は、基板Ｗの処理面に純水を供給するための純水ノズル４７２を備える。純水ノズル４７２は、純水配管４７４を介して純水供給源４７６に接続される。純水配管４７４には、純水配管４７４を開閉することができる開閉弁４７８が設けられる。制御装置９００Ａは、開閉弁４７８の開閉を制御することにより、任意のタイミングで基板Ｗの処理面に純水を供給することができる。
【0033】
また、処理液供給系統４７０は、基板Ｗの処理面に薬液（Ｃｈｅｍｉ）を供給するための薬液ノズル４８０を備える。薬液ノズル４８０は、薬液配管４８２を介して薬液供給源４８３に接続される。薬液配管４８２には、薬液配管４８２を開閉することができる開閉弁４８４が設けられる。制御装置９００Ａは、開閉弁４８４の開閉を制御することにより、任意のタイミングで基板Ｗの処理面に薬液を供給することができる。
【0034】
さらに、バフ洗浄装置４２０Ａは、アーム４３０、バフヘッド４２６、及び、バフパッド４２４を介して、基板Ｗの処理面に、純水、薬液、又はスラリ等の研磨液を選択的に供給できるように構成されている。
【0035】
すなわち、純水配管４７４における純水供給源４７６と開閉弁４７８との間からは分岐純水配管４７４ａが分岐する。また、薬液配管４８２における薬液供給源４８３と開閉弁４８４との間からは分岐薬液配管４８２ａが分岐する。分岐純水配管４７４ａ、分岐薬液配管４８２ａ、及び、研磨液供給源４８６に接続された研磨液配管４８８は、液供給配管４９０に合流する。分岐純水配管４７４ａには、分岐純水配管４７４ａを開閉することができる開閉弁４９２が設けられる。分岐薬液配管４８２ａには、分岐薬液配管４８２ａを開閉することができる開閉弁４９４が設けられる。研磨液配管４８８には、研磨液配管４８８を開閉することができる開閉弁４９５が設けられる。
【0036】
液供給配管４９０の第１端部は、分岐純水配管４７４ａ、分岐薬液配管４８２ａ、及び、研磨液配管４８８、の３系統の配管に接続される。液供給配管４９０は、アーム４３０
の内部、バフヘッド４２６の中央、及び、バフパッド４２４の中央を通って延伸する。液供給配管４９０の第２端部は、基板Ｗの処理面に向けて開口する。制御装置９００Ａは、開閉弁４９２、開閉弁４９４、及び、開閉弁４９５、の開閉を制御することにより、任意のタイミングで、基板Ｗの処理面に純水、薬液、スラリ等の研磨液のいずれか１つ、又はこれらの任意の組み合わせの混合液を供給できる。
の内部、バフヘッド４２６の中央、及び、バフパッド４２４の中央を通って延伸する。液供給配管４９０の第２端部は、基板Ｗの処理面に向けて開口する。制御装置９００Ａは、開閉弁４９２、開閉弁４９４、及び、開閉弁４９５、の開閉を制御することにより、任意のタイミングで、基板Ｗの処理面に純水、薬液、スラリ等の研磨液のいずれか１つ、又はこれらの任意の組み合わせの混合液を供給できる。
【0037】
バフ洗浄装置４２０Ａは、液供給配管４９０を介して基板Ｗに処理液を供給するとともにバフテーブル４２２を回転軸Ａ周りに回転させ、バフパッド４２４を基板Ｗの処理面に押圧し、バフヘッド４２６を回転軸Ｂ周りに回転させながら矢印Ｃ方向に揺動することによって、基板Ｗにバフ洗浄を行うことができる。
【0038】
＜塗布装置５００＞
図４は、塗布装置５００の概略構成を示す図である。塗布装置５００は、基板Ｗにシランカップリング剤又は樹脂保護膜剤を塗布するための装置である。なお、塗布装置５００及びベイク装置６００は、保護層形成装置に含まれる。図４を参照すると、塗布装置５００は、基板Ｗを保持するためのテーブル５０２と、テーブル５０２を回転させるためのモーター５０４と、リンス水ノズル５０６と、リンス水配管５０８と、開閉弁５１０と、ノズル５１２と、配管５１４と、開閉弁５１６と、を備える。
図４は、塗布装置５００の概略構成を示す図である。塗布装置５００は、基板Ｗにシランカップリング剤又は樹脂保護膜剤を塗布するための装置である。なお、塗布装置５００及びベイク装置６００は、保護層形成装置に含まれる。図４を参照すると、塗布装置５００は、基板Ｗを保持するためのテーブル５０２と、テーブル５０２を回転させるためのモーター５０４と、リンス水ノズル５０６と、リンス水配管５０８と、開閉弁５１０と、ノズル５１２と、配管５１４と、開閉弁５１６と、を備える。
【0039】
リンス水ノズル５０６は、リンス水配管５０８を介してリンス水供給源５１８に接続される。リンス水配管５０８には、リンス水配管５０８を開閉することができる開閉弁５１０が設けられる。制御装置９００Ａは、開閉弁５１０の開閉を制御することにより、任意のタイミングで基板Ｗの処理面にリンス水（例えば、純水）を供給することができる。
【0040】
また、ノズル５１２は、配管５１４を介して供給源５２０に接続される。供給源５２０は、シランカップリング剤又は樹脂保護膜剤を供給できるように構成されている。配管５１４には、配管５１４を開閉することができる開閉弁５１６が設けられる。制御装置９００Ａは、開閉弁５１６の開閉を制御することにより、任意のタイミングで基板Ｗの処理面にシランカップリング剤又は樹脂保護膜剤を供給することができる。なお、基板Ｗに供給されるシランカップリング剤は、特に限定されないが、チオール基を有するカップリング剤であることが好ましい。また、樹脂保護膜剤は、特に限定されないが、ポリビニルアルコールやポリエチレングリコールなど水溶性樹脂を基材とするものが好ましい。
【0041】
金属領域の表面に酸化膜の形成を最小限にするためには、乾燥後に空気中の酸素に触れる時間を最短にすることが好ましい。通常、リンス後のスピン回転による乾燥では中央部から乾燥が始まるため、基板Ｗの外周部まで乾燥した時には、中央部と外周部で乾燥後の時間に差が生じてしまう。このために、開閉弁５１０の開閉を制御することでリンス水を停止し、スピン回転で乾燥した直後の中央部に、開閉弁５１６の開閉を制御して、シランカップリング剤又は樹脂保護膜剤を供給することで、基板Ｗの乾燥直後にシランカップリング剤又は樹脂保護膜剤を基板Ｗ全域に塗布が可能となる。
【0042】
塗布装置５００では、基板Ｗの中央部の乾燥後且つ基板Ｗの外周部の乾燥前に、ノズル５１２にシランカップリング剤又は樹脂保護膜剤を基板Ｗに供給させるように、制御装置９００Ａが開閉弁５１６を制御するように構成されている。これにより、基板Ｗが乾燥した直後にシランカップリング剤又は樹脂保護膜剤が基板Ｗに塗布される。その結果、基板処理装置１００Ａは、基板Ｗの金属領域の表面の酸化膜の形成を最小限に抑えられる。
【0043】
＜バフ洗浄装置４２０Ｂ＞
上述したように基板処理装置１００Ａは、塗布装置５００を備えていが、基板処理装置１００Ａが塗布装置５００を備える代わりに、バフ研磨装置が、塗布装置５００の機能を
兼ねてもよい。すなわち、バフ研磨装置が、基板Ｗにシランカップリング剤又は樹脂保護膜剤を供給する機能を有していてもよい。このようなバフ研磨装置は、塗布装置とも呼ばれる。図５は、本開示の別の実施形態に係るバフ洗浄装置４２０Ｂの概略構成を示す図である。バフ洗浄装置４２０Ｂは、基板Ｗにシランカップリング剤又は樹脂保護膜剤を供給する機能を有している。図５を参照すると、バフ洗浄装置４２０Ｂは、ノズル４９６と、配管４９７と、開閉弁４９８と、を備える。
上述したように基板処理装置１００Ａは、塗布装置５００を備えていが、基板処理装置１００Ａが塗布装置５００を備える代わりに、バフ研磨装置が、塗布装置５００の機能を
兼ねてもよい。すなわち、バフ研磨装置が、基板Ｗにシランカップリング剤又は樹脂保護膜剤を供給する機能を有していてもよい。このようなバフ研磨装置は、塗布装置とも呼ばれる。図５は、本開示の別の実施形態に係るバフ洗浄装置４２０Ｂの概略構成を示す図である。バフ洗浄装置４２０Ｂは、基板Ｗにシランカップリング剤又は樹脂保護膜剤を供給する機能を有している。図５を参照すると、バフ洗浄装置４２０Ｂは、ノズル４９６と、配管４９７と、開閉弁４９８と、を備える。
【0044】
ノズル４９６は、配管４９７を介して供給源４９９に接続される。供給源４９９は、シランカップリング剤又は樹脂保護膜剤を供給できるように構成されている。配管４９７には、配管４９７を開閉することができる開閉弁４９８が設けられる。制御装置９００Ａは、開閉弁４９８の開閉を制御することにより、任意のタイミングで基板Ｗの処理面にシランカップリング剤又は樹脂保護膜剤を供給することができる。なお、バフ洗浄装置４２０Ｂは、バフ洗浄装置４２０Ａが備える構成をさらに備えていてもよい。
【0045】
上述したように、基板Ｗにシランカップリング剤又は樹脂保護膜剤を塗布するための装置として、塗布装置５００及びバフ洗浄装置４２０Ｂを説明したが、基板処理装置１００Ａは、基板Ｗにシランカップリング剤又は樹脂保護膜剤を塗布できる任意の塗布装置を、塗布装置５００及びバフ洗浄装置４２０Ｂに代えて備えていてもよい。例えば、基板処理装置１００Ａは、シランカップリング剤又は樹脂保護膜剤を収容した槽を有する塗布装置を備えてもよい。このような塗布装置の場合、基板Ｗは、シランカップリング剤又は樹脂保護膜剤を収容した槽に入れられて、基板Ｗにシランカップリング剤又は樹脂保護膜剤が塗布される。
【0046】
＜ベイク装置６００＞
次いで、図６を参照する。図６は、ベイク装置６００の概略構成を示すブロック図である。図６に示されるように、ベイク装置６００は、ヒーター室６０２と、ロードアンロード冷却室６０４と、ヒーター６０６と、ヒーター電源６０８と、シャッター６１０と、を備える。
次いで、図６を参照する。図６は、ベイク装置６００の概略構成を示すブロック図である。図６に示されるように、ベイク装置６００は、ヒーター室６０２と、ロードアンロード冷却室６０４と、ヒーター６０６と、ヒーター電源６０８と、シャッター６１０と、を備える。
【0047】
ヒーター室６０２及びロードアンロード冷却室６０４は、複数の基板Ｗを収容できるように構成されている。ヒーター６０６は、ヒーター電源６０８から電力が供給されると、ヒーター室６０２の内部を加熱するように構成されている。シャッター６１０は、ヒーター室６０２とロードアンロード冷却室６０４との間の通路に設けられている。ヒーター室６０２は、シャッター６１０が閉じられると断熱されるように構成されている。
【0048】
＜制御装置９００Ａ＞
制御装置９００Ａは、第２研磨装置３０２Ｂが基板Ｗの研磨を終了した後に、塗布装置５００及びベイク装置６００が後述する方法により基板Ｗに保護層を形成するように、第２研磨装置３０２Ｂ、塗布装置５００及びベイク装置６００を制御するように構成されている。
制御装置９００Ａは、第２研磨装置３０２Ｂが基板Ｗの研磨を終了した後に、塗布装置５００及びベイク装置６００が後述する方法により基板Ｗに保護層を形成するように、第２研磨装置３０２Ｂ、塗布装置５００及びベイク装置６００を制御するように構成されている。
【0049】
＜基板処理装置１００Ａの動作＞
次に、図１を参照しつつ、基板処理装置１００Ａの動作の一例について説明する。基板処理装置１００Ａが動作を開始すると、まず、搬送ロボット２２２が、フロントロード部２２０に載置されたウェハカセットから基板Ｗを取り出す。次いで、搬送ロボット２２２が保持している基板Ｗが、トランスポータ１０２に受け渡される。次いで、トランスポータ１０２は、第４搬送位置ＴＰ４に基板Ｗを搬送する。
次に、図１を参照しつつ、基板処理装置１００Ａの動作の一例について説明する。基板処理装置１００Ａが動作を開始すると、まず、搬送ロボット２２２が、フロントロード部２２０に載置されたウェハカセットから基板Ｗを取り出す。次いで、搬送ロボット２２２が保持している基板Ｗが、トランスポータ１０２に受け渡される。次いで、トランスポータ１０２は、第４搬送位置ＴＰ４に基板Ｗを搬送する。
【0050】
次いで、第１研磨装置３０２Ａのトップリング３３１は、第４搬送位置ＴＰ４に載置されている基板Ｗを保持し、基板Ｗを研磨パッド３１０と対向する位置まで搬送する。次い
で、トップリング３３１が、基板Ｗを研磨パッド３１０の研磨面に押圧し、基板Ｗが研磨される。なお、研磨時には、研磨液供給ノズル３３２から研磨パッド３１０の研磨面に研磨液が供給される。次いで、トップリング３３１が、上方向へ移動する。これにより、研磨パッド３１０が基板Ｗから離れて、第１研磨装置３０２Ａでの研磨が終了する。第１研磨装置３０２Ａでの研磨が終了すると、トップリング３３１は、第４搬送位置ＴＰ４に基板Ｗを戻す。次いで、トランスポータ１０２は、第４搬送位置ＴＰ４に載置されている基板Ｗを第５搬送位置ＴＰ５に移動させる。
で、トップリング３３１が、基板Ｗを研磨パッド３１０の研磨面に押圧し、基板Ｗが研磨される。なお、研磨時には、研磨液供給ノズル３３２から研磨パッド３１０の研磨面に研磨液が供給される。次いで、トップリング３３１が、上方向へ移動する。これにより、研磨パッド３１０が基板Ｗから離れて、第１研磨装置３０２Ａでの研磨が終了する。第１研磨装置３０２Ａでの研磨が終了すると、トップリング３３１は、第４搬送位置ＴＰ４に基板Ｗを戻す。次いで、トランスポータ１０２は、第４搬送位置ＴＰ４に載置されている基板Ｗを第５搬送位置ＴＰ５に移動させる。
【0051】
次いで、第２研磨装置３０２Ｂのトップリング３３１は、第５搬送位置ＴＰ５に載置されている基板Ｗを保持し、基板Ｗを研磨パッド３１０と対向する位置まで搬送する。次いで、トップリング３３１が、基板Ｗを研磨パッド３１０の研磨面に押圧し、基板Ｗが研磨される。次いで、トップリング３３１が、上方向へ移動する。これにより、研磨パッド３１０が基板Ｗから離れて、第２研磨装置３０２Ｂでの研磨が終了する。第２研磨装置３０２Ｂでの研磨が終了すると、トップリング３３１は、第５搬送位置ＴＰ５に基板Ｗを戻す。このように、基板処理装置１００Ａでは、基板Ｗが２段階に分けて研磨される。このため、基板Ｗは、１段階しか研磨されないものよりも、研磨面（処理面）が平坦になる。
【0052】
次いで、基板Ｗは、バフ洗浄装置４２０Ａに搬送されて、バフテーブル４２２に保持される（図３参照）。次いで、薬液ノズル４８０が洗浄薬液を基板Ｗに供給する。次いで、バフパッド４２４が基板Ｗに接触し、バフヘッド４２６及びバフテーブル４２２が回転する。このとき、バフヘッド４２６は基板Ｗの面内において水平運動を行う。これにより、基板Ｗがバフ洗浄される。次いで、純水ノズル４７２が基板Ｗに純水を供給している間に、バフパッド４２４が基板Ｗに接触し、バフヘッド４２６及びバフテーブル４２２が回転する。これにより、洗浄薬液が基板Ｗから洗い流される。次いで、バフヘッド４２６が、上方向へ移動する。これにより、バフヘッド４２６が基板Ｗから離れて、バフ洗浄装置４２０Ａでのバフ洗浄が終了する。なお、必要に応じて、バフ洗浄の後に、基板Ｗはさらに純水で洗浄されてもよい。
【0053】
次いで、基板Ｗは、塗布装置５００に搬送され、テーブル５０２に保持される（図４参照）。次いで、テーブル５０２が回転している状態で、リンス水ノズル５０６がリンス水を基板Ｗに供給する。このとき、リンス水として、脱気された純水や、ＣＯ２バブルが付加された純水が使用される。これにより、リンス水として普通の水が用いられるときよりも、基板Ｗの金属領域が酸化することが抑止される。次いで、リンス水ノズル５０６からのリンス水の供給が停止し、テーブル５０２がさらに回転して、基板Ｗがスピン乾燥される。次いで、テーブル５０２が回転している状態で、ノズル５１２がシランカップリング剤又は樹脂保護膜剤を基板Ｗに供給する。これにより、シランカップリング剤又は樹脂保護膜剤が基板Ｗに塗布される。その後、シランカップリング剤又は樹脂保護膜剤の供給が停止し、テーブル５０２の回転が停止する。
【0054】
次いで、基板Ｗは、ベイク装置６００に搬送され、ロードアンロード冷却室６０４に収容される（図６参照）。次いで、シャッター６１０が開き、基板Ｗが、ロードアンロード冷却室６０４からヒーター室６０２に移される。その後、基板Ｗは、一例として、１００±３０度で１分から１０分の間、加熱される。これにより、シランカップリング剤又は樹脂保護膜剤と基板Ｗの表面とが化学反応により結合され、基板Ｗの表面にシランカップリング剤又は樹脂保護膜剤から形成された保護層が形成される。次いで、基板Ｗは、ロードアンロード冷却室６０４に戻されて冷却される。その後、冷却された基板Ｗは乾燥装置４０４に搬送される。なお、必要に応じて、基板Ｗが乾燥装置４０４に搬送される前に、基板Ｗはさらに洗浄されてもよい。
【0055】
乾燥装置４０４に搬送された基板Ｗは、乾燥装置４０４により乾燥される。そして、乾
燥した基板Ｗは、フロントロード部２２０に載置されたウェハカセットに戻される。以上が、基板処理装置１００Ａの動作の一例である。
燥した基板Ｗは、フロントロード部２２０に載置されたウェハカセットに戻される。以上が、基板処理装置１００Ａの動作の一例である。
【0056】
上述したように、基板処理装置１００Ａは、研磨された半導体の基板Ｗの表面に保護層を形成できる。基板Ｗの金属領域は、保護層によって、大気中の酸素から保護されて酸化しない。すなわち、基板処理装置１００Ａは、研磨工程後の基板Ｗの金属領域の表面を酸化から保護できる。
【0057】
また、基板Ｗの金属領域と絶縁領域の表面をＣＭＰ工程（研磨工程）から基板接合に至る工程で、保護層によってパーティクルなどから保護できる。
【0058】
また、シランカップリング剤や樹脂保護膜剤が使用されて形成される層は接合機能を有していることが知られている。このため、保護層が形成された基板Ｗ同士が重ね合わされることによって、２つの基板Ｗは接合される。すなわち、基板処理装置１００Ａにより保護層が形成された基板Ｗは、従来の技術において基板Ｗを接合するために必要であった表面活性化処理及び親水化処理が施されることなく、他の基板Ｗと接合できる。
【0059】
なお、接合された基板Ｗは、約４００℃に加熱されるアニール処理が施されてもよい。アニール処理が施されることにより、２つの基板Ｗの金属領域の間の空間が塞がり、２つの基板Ｗの金属領域同士が良好に結合される。
【0060】
さらに、基板処理装置１００Ａでは、制御装置９００Ａは、第２研磨装置３０２Ｂの研磨の終了時から、保護層の形成の開始時までの時間が１０分以内となるように、第２研磨装置３０２Ｂ、塗布装置５００及びベイク装置６００を制御するように構成されている。なお、第２研磨装置３０２Ｂの研磨の終了時は、研磨パッド３１０が基板Ｗから離れた時である。また、保護層の形成の開始時は、基板Ｗにシランカップリング剤又は樹脂保護膜剤が接触した時である。
【0061】
基板処理装置１００Ａはこのような制御装置９００Ａを備えるため、研磨の終了時から１０分以内に保護層の形成が開始する。これにより、基板Ｗの金属領域が酸化する前に保護層が形成される。つまり、基板処理装置１００Ａは、研磨後の基板Ｗの金属領域が酸化する前に保護層を形成できる。
【0062】
＜基板処理装置１００Ｂ＞
図７は、本開示の別の実施形態に係る基板処理装置１００Ｂの全体構成を示す平面図である。図７を参照すると、基板処理装置１００Ｂは、ロード／アンロードモジュール２００と、研磨モジュール３００と、洗浄モジュール４００と、保護層形成装置７００と、を備える。さらに、基板処理装置１００Ａは、ロード／アンロードモジュール２００、研磨モジュール３００、洗浄モジュール４００及び保護層形成装置７００の動作を制御するための制御装置９００Ｂを備える。
図７は、本開示の別の実施形態に係る基板処理装置１００Ｂの全体構成を示す平面図である。図７を参照すると、基板処理装置１００Ｂは、ロード／アンロードモジュール２００と、研磨モジュール３００と、洗浄モジュール４００と、保護層形成装置７００と、を備える。さらに、基板処理装置１００Ａは、ロード／アンロードモジュール２００、研磨モジュール３００、洗浄モジュール４００及び保護層形成装置７００の動作を制御するための制御装置９００Ｂを備える。
【0063】
＜保護層形成装置７００＞
図８は、保護層形成装置７００を模式的に示すブロック図である。図８を参照すると、保護層形成装置７００は、ロードロックチャンバ７０２と、真空チャンバ７０４と、真空ポンプ７０６と、シランカップリング剤供給装置７２０と、プラズマ発生装置７０８と、プラズマ電源７１０と、シャッター７１２とを備える。
図８は、保護層形成装置７００を模式的に示すブロック図である。図８を参照すると、保護層形成装置７００は、ロードロックチャンバ７０２と、真空チャンバ７０４と、真空ポンプ７０６と、シランカップリング剤供給装置７２０と、プラズマ発生装置７０８と、プラズマ電源７１０と、シャッター７１２とを備える。
【0064】
ロードロックチャンバ７０２及び真空チャンバ７０４は、基板Ｗを収容できるように構成されている。ロードロックチャンバ７０２及び真空チャンバ７０４は、互いにシャッター７１２を介して接続されている。真空ポンプ７０６は、ロードロックチャンバ７０２の
内部及び真空チャンバ７０４の内部の気体を真空引きできるように構成されている。
内部及び真空チャンバ７０４の内部の気体を真空引きできるように構成されている。
【0065】
シランカップリング剤供給装置７２０は、材料供給源７２２と真空チャンバ７０４とを接続する配管７２４と、配管７２４を流れる流体の流量を調整するためのマスフローコントローラー７２６とを備える。材料供給源７２２は、気体状態のシランカップリング剤を、配管７２４を介して真空チャンバ７０４に供給するように構成されている。シランカップリング剤供給装置７２０は、このような構成を有するため、真空チャンバ７０４の内部に気体状態のシランカップリング剤を所定の流量で供給できる。また、プラズマ発生装置７０８は、プラズマ電源７１０から供給された電力を使用して、既知の方法で真空チャンバ７０４の内部でプラズマを発生させることができるように構成されている。
【0066】
＜基板処理装置１００Ｂの動作＞
次に、図７を参照しつつ、基板処理装置１００Ｂの動作の一例について説明する。基板処理装置１００Ｂが動作を開始すると、まず、搬送ロボット２２２が、フロントロード部２２０に載置されたウェハカセットから基板Ｗを取り出す。次いで、搬送ロボット２２２が保持している基板Ｗが、トランスポータ１０２に受け渡される。次いで、トランスポータ１０２は、第４搬送位置ＴＰ４に基板Ｗを搬送する。
次に、図７を参照しつつ、基板処理装置１００Ｂの動作の一例について説明する。基板処理装置１００Ｂが動作を開始すると、まず、搬送ロボット２２２が、フロントロード部２２０に載置されたウェハカセットから基板Ｗを取り出す。次いで、搬送ロボット２２２が保持している基板Ｗが、トランスポータ１０２に受け渡される。次いで、トランスポータ１０２は、第４搬送位置ＴＰ４に基板Ｗを搬送する。
【0067】
次いで、第１研磨装置３０２Ａのトップリング３３１は、第４搬送位置ＴＰ４に載置されている基板Ｗを保持し、基板Ｗを研磨パッド３１０と対向する位置まで搬送する。次いで、トップリング３３１が、基板Ｗを研磨パッド３１０の研磨面に押圧し、基板Ｗが研磨される。なお、研磨時には、研磨液供給ノズル３３２から研磨パッド３１０の研磨面に研磨液が供給される。次いで、トップリング３３１が、上方向へ移動する。これにより、研磨パッド３１０が基板Ｗから離れて、第１研磨装置３０２Ａでの研磨が終了する。第１研磨装置３０２Ａでの研磨が終了すると、トップリング３３１は、第４搬送位置ＴＰ４に基板Ｗを戻す。次いで、トランスポータ１０２は、第４搬送位置ＴＰ４に載置されている基板Ｗを第５搬送位置ＴＰ５に移動させる。
【0068】
次いで、第２研磨装置３０２Ｂのトップリング３３１は、第５搬送位置ＴＰ５に載置されている基板Ｗを保持し、基板Ｗを研磨パッド３１０と対向する位置まで搬送する。次いで、トップリング３３１が、基板Ｗを研磨パッド３１０の研磨面に押圧し、基板Ｗが研磨される。次いで、トップリング３３１が、上方向へ移動する。これにより、研磨パッド３１０が基板Ｗから離れて、第２研磨装置３０２Ｂでの研磨が終了する。第２研磨装置３０２Ｂでの研磨が終了すると、トップリング３３１は、第５搬送位置ＴＰ５に基板Ｗを戻す。
【0069】
次いで、基板Ｗは、バフ洗浄装置４２０Ａに搬送されて、バフ洗浄される。その後、必要に応じて、洗浄モジュール４００において、さらに基板Ｗは洗浄される。次いで、洗浄された基板Ｗは、乾燥装置４０４に搬送される。そして、基板Ｗは、乾燥装置４０４により乾燥される。
【0070】
次いで、乾燥した基板Ｗは、保護層形成装置７００に搬送される。保護層形成装置７００に搬送された基板Ｗは、まず、ロードロックチャンバ７０２に収容される（図８参照）。次いで、真空ポンプ７０６が、ロードロックチャンバ７０２の内部の気体を吸引し、ロードロックチャンバ７０２への真空引きが開始される。次いで、シャッター７１２が開き、基板Ｗが、ロードロックチャンバ７０２から真空チャンバ７０４へ移動する。なお、真空チャンバ７０４は、予め真空引きされている。次いで、真空チャンバ７０４の内部にプラズマ発生用のガスが供給され、プラズマ発生装置７０８が、プラズマ発生用のガスを使用してプラズマを発生させる。そして、このプラズマによって、基板Ｗの表面がプラズマ処理される。なお、プラズマ発生用のガスは、一例として、アルゴン、窒素、空気、水蒸
気、二酸化炭素の何れか、又は、これらのうち２種以上を混合した気体である。
気、二酸化炭素の何れか、又は、これらのうち２種以上を混合した気体である。
【0071】
基板Ｗへのプラズマ処理が終了すると、シランカップリング剤供給装置７２０が、真空チャンバ７０４の内部に気体状態のシランカップリング剤を供給する。これにより、基板Ｗがシランカップリング剤に暴露されて、基板Ｗの表面に保護層が形成される。
【0072】
その後、保護層が形成された基板Ｗは、フロントロード部２２０に載置されたウェハカセットに戻される。以上が、基板処理装置１００Ｂの動作の一例である。
【0073】
このように基板処理装置１００Ｂも、基板処理装置１００Ａと同様に、研磨された半導体の基板Ｗの表面に保護層を形成できる。すなわち、基板処理装置１００Ｂは、研磨工程後の基板Ｗの金属領域の表面を酸化から保護できる。
【0074】
さらに、基板処理装置１００Ｂでは、制御装置９００Ｂは、第２研磨装置３０２Ｂの研磨の終了時から、保護層の形成の開始時までの時間が、１０分以内となるように、第２研磨装置３０２Ｂ及び保護層形成装置７００を制御するように構成されている。なお、第２研磨装置３０２Ｂの研磨の終了時は、研磨パッド３１０が基板Ｗから離れた時である。また、保護層の形成の開始時は保護層の形成の開始時は、基板Ｗが収容されたロードロックチャンバ７０２への真空引きが開始した時である。
【0075】
制御装置９００Ｂがこのように構成されているため、基板処理装置１００Ｂは、基板処理装置１００Ａと同様に研磨後の基板Ｗの金属領域が酸化する前に保護層を形成できる。
【0076】
＜基板処理装置１００Ｃ＞
図９は、本開示の別の実施形態に係る基板処理装置１００Ｃの全体構成を示す平面図である。図９を参照すると、基板処理装置１００Ｃは、ロード／アンロードモジュール２００と、研磨モジュール３００と、洗浄モジュール４００と、保護層形成装置７００と、めっき装置１０４と、を備える。さらに、基板処理装置１００Ｃは、ロード／アンロードモジュール２００、研磨モジュール３００、洗浄モジュール４００、保護層形成装置７００及びめっき装置１０４の動作を制御するための制御装置９００Ｃを備える。めっき装置１０４は、既知の方法で基板Ｗの表面にめっき処理を施せるように構成されている。
図９は、本開示の別の実施形態に係る基板処理装置１００Ｃの全体構成を示す平面図である。図９を参照すると、基板処理装置１００Ｃは、ロード／アンロードモジュール２００と、研磨モジュール３００と、洗浄モジュール４００と、保護層形成装置７００と、めっき装置１０４と、を備える。さらに、基板処理装置１００Ｃは、ロード／アンロードモジュール２００、研磨モジュール３００、洗浄モジュール４００、保護層形成装置７００及びめっき装置１０４の動作を制御するための制御装置９００Ｃを備える。めっき装置１０４は、既知の方法で基板Ｗの表面にめっき処理を施せるように構成されている。
【0077】
基板処理装置１００Ｃは、めっき装置１０４を備える点が基板処理装置１００Ｂと異なる。基板処理装置１００Ｃは、めっき装置１０４を使用して、基板Ｗの表面に金属領域を形成できる。
【0078】
＜基板処理装置１００Ｄ＞
図１０は、本開示の別の実施形態に係る基板処理装置１００Ｄの全体構成を示す平面図である。図１０を参照すると、基板処理装置１００Ｄは、ロード／アンロードモジュール２００と、研磨モジュール３００と、洗浄モジュール４００と、保護層形成装置７００と、接合装置８００と、を備える。さらに、基板処理装置１００Ｄは、ロード／アンロードモジュール２００、研磨モジュール３００、洗浄モジュール４００、保護層形成装置７００及び接合装置８００の動作を制御するための制御装置９００Ｄを備える。基板処理装置１００Ｄは、接合装置８００を備える点が基板処理装置１００Ｂと異なる。
図１０は、本開示の別の実施形態に係る基板処理装置１００Ｄの全体構成を示す平面図である。図１０を参照すると、基板処理装置１００Ｄは、ロード／アンロードモジュール２００と、研磨モジュール３００と、洗浄モジュール４００と、保護層形成装置７００と、接合装置８００と、を備える。さらに、基板処理装置１００Ｄは、ロード／アンロードモジュール２００、研磨モジュール３００、洗浄モジュール４００、保護層形成装置７００及び接合装置８００の動作を制御するための制御装置９００Ｄを備える。基板処理装置１００Ｄは、接合装置８００を備える点が基板処理装置１００Ｂと異なる。
【0079】
＜接合装置８００＞
図１１は、接合装置８００を模式的に示す斜視図である。図１１を参照すると、接合装置８００は、上部チャック８０２と、下部チャック８０４と、２つのカメラ８０６Ａ，８０６Ｂと、２つの光源８０８Ａ，８０８Ｂと、移動装置８１０Ａ，８１０Ｂと、を備える。
上部チャック８０２は、第１基板Ｗ１を把持できるように構成されている。他方、下部チャック８０４は、第２基板Ｗ２を把持できるように構成されている。２つのカメラ８０６Ａ，８０６Ｂは、それぞれ、上部チャック８０２に形成された孔８１２Ａ，８１２Ｂから、第１基板Ｗ１及び第２基板Ｗ２を撮影できるように構成されている。２つの光源８０８Ａ，８０８Ｂは、それぞれ撮影に必要な光をカメラ８０６Ａ，８０６Ｂに提供する。また、移動装置８１０Ａは、上部チャック８０２を移動させることができるように構成されている。他方、移動装置８１０Ｂは、下部チャック８０４を移動させることができるように構成されている。
図１１は、接合装置８００を模式的に示す斜視図である。図１１を参照すると、接合装置８００は、上部チャック８０２と、下部チャック８０４と、２つのカメラ８０６Ａ，８０６Ｂと、２つの光源８０８Ａ，８０８Ｂと、移動装置８１０Ａ，８１０Ｂと、を備える。
上部チャック８０２は、第１基板Ｗ１を把持できるように構成されている。他方、下部チャック８０４は、第２基板Ｗ２を把持できるように構成されている。２つのカメラ８０６Ａ，８０６Ｂは、それぞれ、上部チャック８０２に形成された孔８１２Ａ，８１２Ｂから、第１基板Ｗ１及び第２基板Ｗ２を撮影できるように構成されている。２つの光源８０８Ａ，８０８Ｂは、それぞれ撮影に必要な光をカメラ８０６Ａ，８０６Ｂに提供する。また、移動装置８１０Ａは、上部チャック８０２を移動させることができるように構成されている。他方、移動装置８１０Ｂは、下部チャック８０４を移動させることができるように構成されている。
【0080】
次に、接合装置８００の動作について説明する。まず、上部チャック８０２が第１基板Ｗ１を把持し、下部チャック８０４が第２基板Ｗ２を把持する。次いで、移動装置８１０Ａ，８１０Ｂが、２つのカメラ８０６Ａ，８０６Ｂが第１基板Ｗ１及び第２基板Ｗ２を撮影できるようになる位置まで、上部チャック８０２及び下部チャック８０４を水平に移動させる。次いで、２つのカメラ８０６Ａ，８０６Ｂが第１基板Ｗ１及び第２基板Ｗ２を撮影する。このとき、第１基板Ｗ１及び第２基板Ｗ２につけられているアライメントマークから、第１基板Ｗ１及び第２基板Ｗ２の位置関係が認識できる。次いで、移動装置８１０Ａ，８１０Ｂが、第１基板Ｗ１のアライメントマークと第２基板Ｗ２のアライメントマークが一致するように、上部チャック８０２及び下部チャック８０４を水平に移動させる。次いで、上部チャック８０２が、下部チャック８０４に近づく方向へ移動する。これにより、第１基板Ｗ１が、第２基板Ｗ２に接触して接合する。このように、接合装置８００は、第１基板Ｗ１及び第２基板Ｗ２を接合できる。別言すると、基板処理装置１００Ｄは、２つの基板Ｗを接合できる。
【0081】
［付記］
上記の実施の形態の一部または全部は、以下の付記のようにも記載され得るが、以下には限られない。
上記の実施の形態の一部または全部は、以下の付記のようにも記載され得るが、以下には限られない。
【0082】
（付記１）
付記１に係る基板処理装置は、半導体の基板を研磨するための研磨装置と、シランカップリング剤又は樹脂保護膜剤を使用して前記基板の表面に保護層を形成するための保護層形成装置と、制御装置と、を備え、前記制御装置は、前記研磨装置が前記基板の研磨を終了した後に、前記保護層形成装置が前記基板に前記保護層を形成するように、前記研磨装置及び前記保護層形成装置を制御する。
付記１に係る基板処理装置は、半導体の基板を研磨するための研磨装置と、シランカップリング剤又は樹脂保護膜剤を使用して前記基板の表面に保護層を形成するための保護層形成装置と、制御装置と、を備え、前記制御装置は、前記研磨装置が前記基板の研磨を終了した後に、前記保護層形成装置が前記基板に前記保護層を形成するように、前記研磨装置及び前記保護層形成装置を制御する。
【0083】
付記１の基板処理装置は、研磨された半導体の基板の表面に保護層を形成する。これにより、基板の金属領域は、大気中の酸素から保護されて酸化しない。すなわち、この基板処理装置は、研磨工程後の基板の金属領域の表面を酸化から保護できる。さらに、基板の表面は保護層によって保護され、切り屑やパーティクルの基板の表面への付着が抑止される。また、シランカップリング剤又は樹脂保護膜剤が使用されて形成される保護層は接合機能を有している。このため、保護層が形成された基板は、従来基板を接合するために必要であった表面活性化処理及び親水化処理が施されることなく、他の基板と接合できる。
【0084】
（付記２）
付記２に係る基板処理装置によれば、付記１に記載の基板処理装置において、前記保護層形成装置は、前記シランカップリング剤を使用して前記保護層を形成するように構成されている。
付記２に係る基板処理装置によれば、付記１に記載の基板処理装置において、前記保護層形成装置は、前記シランカップリング剤を使用して前記保護層を形成するように構成されている。
【0085】
（付記３）
付記３に係る基板処理装置によれば、付記１に記載の基板処理装置において、前記保護層形成装置は、前記樹脂保護膜剤を使用して前記保護層を形成するように構成されている
。
付記３に係る基板処理装置によれば、付記１に記載の基板処理装置において、前記保護層形成装置は、前記樹脂保護膜剤を使用して前記保護層を形成するように構成されている
。
【0086】
（付記４）
付記４に係る基板処理装置によれば、付記１に記載の基板処理装置において、前記制御装置は、前記研磨装置の研磨の終了時から、前記保護層形成装置の前記保護層の形成の開始時までの時間が、１０分以内となるように、前記研磨装置及び前記保護層形成装置を制御する。
付記４に係る基板処理装置によれば、付記１に記載の基板処理装置において、前記制御装置は、前記研磨装置の研磨の終了時から、前記保護層形成装置の前記保護層の形成の開始時までの時間が、１０分以内となるように、前記研磨装置及び前記保護層形成装置を制御する。
【0087】
付記４に係る基板処理装置では、研磨の終了時から１０分以内に保護層の形成が開始する。これにより、基板の金属領域が酸化する前に保護層が形成される。つまり、この基板処理装置は、研磨後の基板の金属領域が酸化する前に保護層を形成できる。
【0088】
（付記５）
付記５に係る基板処理装置によれば、付記４に記載の基板処理装置において、前記研磨装置は、研磨パッドを備え、前記研磨装置の研磨の終了時は、前記研磨パッドが前記基板から離れた時である。
付記５に係る基板処理装置によれば、付記４に記載の基板処理装置において、前記研磨装置は、研磨パッドを備え、前記研磨装置の研磨の終了時は、前記研磨パッドが前記基板から離れた時である。
【0089】
（付記６）
付記６に係る基板処理装置によれば、付記１又は４に記載の基板処理装置において、前記保護層形成装置は、前記基板に前記シランカップリング剤又は前記樹脂保護膜剤を塗布するための塗布装置と、前記基板を加熱するためのベイク装置と、を有する。
付記６に係る基板処理装置によれば、付記１又は４に記載の基板処理装置において、前記保護層形成装置は、前記基板に前記シランカップリング剤又は前記樹脂保護膜剤を塗布するための塗布装置と、前記基板を加熱するためのベイク装置と、を有する。
【0090】
付記６に係る基板処理装置は、基板にシランカップリング剤又は前記樹脂保護膜剤を塗布し、その後この基板を加熱することで、保護層を形成できる。すなわち、この基板処理装置は、プラズマ処理を用いらない簡便なプロセス工程で保護層を形成できる。
【0091】
（付記７）
付記７に係る基板処理装置によれば、付記６に記載の基板処理装置において、前記塗布装置は、前記基板を回転させて乾燥させるためのテーブルと、前記塗布装置内に設置されている前記基板に前記シランカップリング剤又は前記樹脂保護膜剤を供給するためのノズルと、前記ノズルから前記基板に供給される前記シランカップリング剤又は前記樹脂保護膜剤の流量を調整するための開閉弁と、を有し、前記制御装置は、前記基板の中央部の乾燥後且つ前記基板の外周部の乾燥前に、前記ノズルに前記シランカップリング剤又は前記樹脂保護膜剤を前記基板に供給させるように、前記開閉弁を制御する。
付記７に係る基板処理装置によれば、付記６に記載の基板処理装置において、前記塗布装置は、前記基板を回転させて乾燥させるためのテーブルと、前記塗布装置内に設置されている前記基板に前記シランカップリング剤又は前記樹脂保護膜剤を供給するためのノズルと、前記ノズルから前記基板に供給される前記シランカップリング剤又は前記樹脂保護膜剤の流量を調整するための開閉弁と、を有し、前記制御装置は、前記基板の中央部の乾燥後且つ前記基板の外周部の乾燥前に、前記ノズルに前記シランカップリング剤又は前記樹脂保護膜剤を前記基板に供給させるように、前記開閉弁を制御する。
【0092】
付記７に係る基板処理装置は、基板の乾燥後に基板の表面が酸素に触れる時間をより短くすることができ、基板の金属領域の表面の酸化膜の形成を抑えられる。
【0093】
（付記８）
付記８に係る基板処理装置よれば、付記６に記載の基板処理装置において、前記塗布装置は、前記基板が設置されるためのバフテーブルと、前記バフテーブルに設置されている前記基板と接触し、前記基板をバフ洗浄するためのバフパッドと、前記バフテーブルに設置されている前記基板に前記シランカップリング剤又は前記樹脂保護膜剤を供給するためのノズルと、を有する。
付記８に係る基板処理装置よれば、付記６に記載の基板処理装置において、前記塗布装置は、前記基板が設置されるためのバフテーブルと、前記バフテーブルに設置されている前記基板と接触し、前記基板をバフ洗浄するためのバフパッドと、前記バフテーブルに設置されている前記基板に前記シランカップリング剤又は前記樹脂保護膜剤を供給するためのノズルと、を有する。
【0094】
付記８に係る基板処理装置は、塗布装置が、バフ洗浄を行うことができる。すなわち、この基板処理装置では、塗布装置が、バフ洗浄装置を兼ねる。
【0095】
（付記９）
付記９に係る基板処理装置によれば、付記４を引用する付記６に記載の基板処理装置に
おいて、前記保護層の形成の開始時は、前記基板に前記シランカップリング剤又は前記樹脂保護膜剤が接触した時である。
付記９に係る基板処理装置によれば、付記４を引用する付記６に記載の基板処理装置に
おいて、前記保護層の形成の開始時は、前記基板に前記シランカップリング剤又は前記樹脂保護膜剤が接触した時である。
【0096】
（付記１０）
付記１０に係る基板処理装置によれば、付記１又は４に記載の基板処理装置において、前記保護層形成装置は、前記基板を収容するためのロードロックチャンバと、前記ロードロックチャンバとシャッターを介して接続され、前記基板を収容するための真空チャンバと、前記ロードロックチャンバの内部及び前記真空チャンバの内部の気体を真空引きするための真空ポンプと、前記真空チャンバの内部に前記シランカップリング剤を供給するためのシランカップリング剤供給装置と、前記真空チャンバの内部でプラズマを発生させるためのプラズマ発生装置と、を有する。
付記１０に係る基板処理装置によれば、付記１又は４に記載の基板処理装置において、前記保護層形成装置は、前記基板を収容するためのロードロックチャンバと、前記ロードロックチャンバとシャッターを介して接続され、前記基板を収容するための真空チャンバと、前記ロードロックチャンバの内部及び前記真空チャンバの内部の気体を真空引きするための真空ポンプと、前記真空チャンバの内部に前記シランカップリング剤を供給するためのシランカップリング剤供給装置と、前記真空チャンバの内部でプラズマを発生させるためのプラズマ発生装置と、を有する。
【0097】
付記１０に係る基板処理装置は、基板が入れられた真空チャンバの内部でプラズマを発生させている状態で、真空チャンバの内部にシランカップリング剤を供給できる。これにより、基板の表面に保護層が形成される。つまり、この基板処理装置は、プラズマ処理を用いて保護層を形成できる。
【0098】
（付記１１）
付記１１に係る基板処理装置によれば、付記４を引用する付記１０に記載の基板処理装置において、前記保護層の形成の開始時は、前記基板が収容された前記ロードロックチャンバへの真空引きが開始した時である。
付記１１に係る基板処理装置によれば、付記４を引用する付記１０に記載の基板処理装置において、前記保護層の形成の開始時は、前記基板が収容された前記ロードロックチャンバへの真空引きが開始した時である。
【0099】
（付記１２）
付記１２に係る基板処理装置は、付記１又は２に記載の基板処理装置において、前記基板に金属領域を形成するためのめっき装置をさらに備える。
付記１２に係る基板処理装置は、付記１又は２に記載の基板処理装置において、前記基板に金属領域を形成するためのめっき装置をさらに備える。
【0100】
付記１２に係る基板処理装置は、基板に金属領域を形成できる。
【0101】
（付記１３）
付記１３に係る基板処理装置は、付記１又は２に記載の基板処理装置において、２つの前記基板を接合させるための接合装置をさらに備え、前記接合装置は、前記基板のうちの１つである第１基板を把持するための上部チャックと、前記基板のうちの別の１つである第２基板を把持するための下部チャックと、前記上部チャックが把持する前記第１基板及び前記前記チャックが把持する前記第２基板を撮影するためのカメラと、前記上部チャック及び前記下部チャックのうち少なくとも一方を移動させるための移動装置と、を備える。
付記１３に係る基板処理装置は、付記１又は２に記載の基板処理装置において、２つの前記基板を接合させるための接合装置をさらに備え、前記接合装置は、前記基板のうちの１つである第１基板を把持するための上部チャックと、前記基板のうちの別の１つである第２基板を把持するための下部チャックと、前記上部チャックが把持する前記第１基板及び前記前記チャックが把持する前記第２基板を撮影するためのカメラと、前記上部チャック及び前記下部チャックのうち少なくとも一方を移動させるための移動装置と、を備える。
【0102】
付記１３に係る基板処理装置は、２つの基板を接合できる。
【0103】
（付記１４）
付記１４に係る保護層の形成方法は、金属領域を有する半導体の基板を研磨する第１工程と、前記第１工程の後に、シランカップリング剤又は樹脂保護膜剤を使用して前記基板の表面に保護層を形成する第２工程と、を有する。
付記１４に係る保護層の形成方法は、金属領域を有する半導体の基板を研磨する第１工程と、前記第１工程の後に、シランカップリング剤又は樹脂保護膜剤を使用して前記基板の表面に保護層を形成する第２工程と、を有する。
【0104】
請求項１４の基板処理装置は、請求項１の基板処理装置と同様の効果を奏する。すなわち、この保護層の形成方法は、研磨工程後の基板の金属領域の表面を酸化から保護できる。さらに、基板の表面は保護層によって保護され、切り屑やパーティクルの基板の表面への付着が抑止される。また、この方法により保護層が形成された基板は、従来基板を接合するために必要であった表面活性化処理及び親水化処理が施されることなく、他の基板と接合できる。
【0105】
以上、本発明の実施形態とそれに係る各変形例について説明したが、上述した各例は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではないことは言うまでもない。本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で、適宜変更、改良することができ、本発明にその等価物は含まれる。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲及び明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、又は省略が可能である。
【符号の説明】
【0106】
１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ：基板処理装置
１０４：めっき装置
３０２Ａ：第１研磨装置（研磨装置）
３０２Ｂ：第２研磨装置（研磨装置）
３１０：研磨パッド
４２０Ａ，４２０Ｂ：バフ洗浄装置
４２２：バフテーブル
４２４：バフパッド
４９６：ノズル
５００：塗布装置
６００：ベイク装置
７００：保護層形成装置
７０２：ロードロックチャンバ
７０４：真空チャンバ
７０６：真空ポンプ
７０８：プラズマ発生装置
７２０：シランカップリング剤供給装置
８００：接合装置
８０２：上部チャック
８０４：下部チャック
８０６Ａ，８０６Ｂ：カメラ
８１０Ａ，８１０Ｂ：移動装置
９００Ａ，９００Ｂ，９００Ｃ，９００Ｄ：制御装置
Ｗ：基板
Ｗ１：第１基板
Ｗ２：第２基板
１０４：めっき装置
３０２Ａ：第１研磨装置（研磨装置）
３０２Ｂ：第２研磨装置（研磨装置）
３１０：研磨パッド
４２０Ａ，４２０Ｂ：バフ洗浄装置
４２２：バフテーブル
４２４：バフパッド
４９６：ノズル
５００：塗布装置
６００：ベイク装置
７００：保護層形成装置
７０２：ロードロックチャンバ
７０４：真空チャンバ
７０６：真空ポンプ
７０８：プラズマ発生装置
７２０：シランカップリング剤供給装置
８００：接合装置
８０２：上部チャック
８０４：下部チャック
８０６Ａ，８０６Ｂ：カメラ
８１０Ａ，８１０Ｂ：移動装置
９００Ａ，９００Ｂ，９００Ｃ，９００Ｄ：制御装置
Ｗ：基板
Ｗ１：第１基板
Ｗ２：第２基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】