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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024041420
(43)【公開日】2024-03-27
(54)【発明の名称】成膜装置、成膜方法及び電子デバイスの製造方法
(51)【国際特許分類】
C23C 14/24 20060101AFI20240319BHJP
【ＦＩ】
C23C14/24 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】14
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022146238
(22)【出願日】2022-09-14
(71)【出願人】
【識別番号】591065413
【氏名又は名称】キヤノントッキ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110003281
【氏名又は名称】弁理士法人大塚国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】長岡 健
(72)【発明者】
【氏名】市原 正浩
【テーマコード（参考）】
4K029
【Ｆターム（参考）】
4K029DB12
4K029DB18
(57)【要約】
【課題】基板に対して移動しながら成膜を行う蒸発源において、蒸着材料の蒸着レートの安定性低下を抑制する技術を提供すること。
【解決手段】成膜装置は、蒸着材料を収容する加熱可能な材料容器を有し、移動しながら基板に対して成膜を行う蒸発源と、蒸発源の移動を制御する制御手段と、を備える。制御手段は、蒸発源が基板に成膜する成膜範囲及び成膜範囲の領域外である非成膜範囲において、蒸発源を移動させ、非成膜範囲において、材料容器内の蒸着材料に振動を与える振動付与動作を蒸発源に実行させる。
【選択図】図８
【解決手段】成膜装置は、蒸着材料を収容する加熱可能な材料容器を有し、移動しながら基板に対して成膜を行う蒸発源と、蒸発源の移動を制御する制御手段と、を備える。制御手段は、蒸発源が基板に成膜する成膜範囲及び成膜範囲の領域外である非成膜範囲において、蒸発源を移動させ、非成膜範囲において、材料容器内の蒸着材料に振動を与える振動付与動作を蒸発源に実行させる。
【選択図】図８
【特許請求の範囲】
【請求項1】
蒸着材料を収容する加熱可能な材料容器を有し、移動しながら基板に対して成膜を行う蒸発源と、
前記蒸発源の移動を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記蒸発源が前記基板に成膜する成膜範囲及び前記成膜範囲の領域外である非成膜範囲において、前記蒸発源を移動させることが可能であり、
前記制御手段は、前記非成膜範囲での前記蒸発源の移動において、前記材料容器内の前記蒸着材料に振動を与える振動付与動作を前記蒸発源に実行させる、
ことを特徴とする成膜装置。
前記蒸発源の移動を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記蒸発源が前記基板に成膜する成膜範囲及び前記成膜範囲の領域外である非成膜範囲において、前記蒸発源を移動させることが可能であり、
前記制御手段は、前記非成膜範囲での前記蒸発源の移動において、前記材料容器内の前記蒸着材料に振動を与える振動付与動作を前記蒸発源に実行させる、
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項2】
請求項１に記載の成膜装置であって、
前記制御手段は、前記振動付与動作において、前記蒸発源が加速又は減速の少なくともいずれかを繰り返すように、前記蒸発源を移動させる、
ことを特徴とする成膜装置。
前記制御手段は、前記振動付与動作において、前記蒸発源が加速又は減速の少なくともいずれかを繰り返すように、前記蒸発源を移動させる、
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項3】
請求項２に記載の成膜装置であって、
前記制御手段は、前記振動付与動作において、前記蒸発源が所定の方向に移動しながら加速及び減速を繰り返すように、前記蒸発源を移動させる、
ことを特徴とする成膜装置。
前記制御手段は、前記振動付与動作において、前記蒸発源が所定の方向に移動しながら加速及び減速を繰り返すように、前記蒸発源を移動させる、
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項4】
請求項３に記載の成膜装置であって、
前記制御手段は、
前記成膜範囲において、前記蒸発源を第１の方向に移動させる第１の移動制御と、
前記非成膜範囲において、前記蒸発源を前記第１の方向に交差する第２の方向に移動させる第２の移動制御と、
を実行可能である、
ことを特徴とする成膜装置。
前記制御手段は、
前記成膜範囲において、前記蒸発源を第１の方向に移動させる第１の移動制御と、
前記非成膜範囲において、前記蒸発源を前記第１の方向に交差する第２の方向に移動させる第２の移動制御と、
を実行可能である、
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項5】
請求項４に記載の成膜装置であって、
前記制御手段は、前記第１の移動制御と前記第２の移動制御との間に、前記非成膜範囲において前記蒸発源を前記第１の方向に移動させながら前記蒸発源に前記振動付与動作を実行させる、
ことを特徴とする成膜装置。
前記制御手段は、前記第１の移動制御と前記第２の移動制御との間に、前記非成膜範囲において前記蒸発源を前記第１の方向に移動させながら前記蒸発源に前記振動付与動作を実行させる、
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項6】
請求項４に記載の成膜装置であって、
前記制御手段は、前記第２の移動制御において前記蒸発源に前記振動付与動作を実行させる、
ことを特徴とする成膜装置。
前記制御手段は、前記第２の移動制御において前記蒸発源に前記振動付与動作を実行させる、
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項7】
請求項１に記載の成膜装置であって、
前記制御手段は、前記振動付与動作において、前記蒸発源が前進及び後退を繰り返すように、前記蒸発源を移動させる、
ことを特徴とする成膜装置。
前記制御手段は、前記振動付与動作において、前記蒸発源が前進及び後退を繰り返すように、前記蒸発源を移動させる、
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項8】
請求項１～７のいずれか一項に記載の成膜装置であって、
前記蒸発源は、前記非成膜範囲において第１の加速度で第１の速度まで加速した状態で前記成膜範囲に進入し、
前記振動付与動作において前記材料容器内の前記蒸着材料に振動を与えるために前記蒸発源にかかる加速度の絶対値は、前記第１の加速度よりも大きい、
ことを特徴とする成膜装置。
前記蒸発源は、前記非成膜範囲において第１の加速度で第１の速度まで加速した状態で前記成膜範囲に進入し、
前記振動付与動作において前記材料容器内の前記蒸着材料に振動を与えるために前記蒸発源にかかる加速度の絶対値は、前記第１の加速度よりも大きい、
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項9】
請求項１～７のいずれか一項に記載の成膜装置であって、
前記蒸発源は、前記成膜範囲において第１の速度で移動しながら成膜を行い、
前記振動付与動作において、前記第１の速度よりも大きい速度と、前記第１の速度よりも小さい速度との間で加減速を繰り返す、
ことを特徴とする成膜装置。
前記蒸発源は、前記成膜範囲において第１の速度で移動しながら成膜を行い、
前記振動付与動作において、前記第１の速度よりも大きい速度と、前記第１の速度よりも小さい速度との間で加減速を繰り返す、
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項10】
請求項１～７のいずれか一項に記載の成膜装置であって、
前記基板は半導体ウエハである、
ことを特徴とする成膜装置。
前記基板は半導体ウエハである、
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項11】
蒸着材料を収容する加熱可能な材料容器を有し、移動しながら基板に対して成膜を行う蒸発源と、
前記蒸発源の移動を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記蒸発源が前記基板に成膜する成膜範囲及び前記成膜範囲の領域外である非成膜範囲において、前記蒸発源を移動させることが可能であり、
前記制御手段は、前記非成膜範囲において所定の方向に移動しながら加速又は減速の少なくともいずれかを繰り返すように、前記蒸発源を移動させる制御を実行する、
ことを特徴とする成膜装置。
前記蒸発源の移動を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記蒸発源が前記基板に成膜する成膜範囲及び前記成膜範囲の領域外である非成膜範囲において、前記蒸発源を移動させることが可能であり、
前記制御手段は、前記非成膜範囲において所定の方向に移動しながら加速又は減速の少なくともいずれかを繰り返すように、前記蒸発源を移動させる制御を実行する、
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項12】
蒸着材料を収容する加熱可能な材料容器を有する蒸発源を備えた成膜装置の成膜方法であって、
前記蒸発源が移動しながら基板に対して成膜を行う成膜工程と、
前記蒸発源の移動を制御する制御工程と、を含み、
前記制御工程では、前記蒸発源が前記基板に成膜する成膜範囲及び前記成膜範囲の領域外である非成膜範囲において、前記蒸発源を移動させることが可能であり、
前記制御工程では、前記蒸発源が前記非成膜範囲において所定の方向に移動しながら加速又は減速の少なくともいずれかを繰り返すように、前記蒸発源を移動させる制御を実行する、
ことを特徴とする成膜方法。
前記蒸発源が移動しながら基板に対して成膜を行う成膜工程と、
前記蒸発源の移動を制御する制御工程と、を含み、
前記制御工程では、前記蒸発源が前記基板に成膜する成膜範囲及び前記成膜範囲の領域外である非成膜範囲において、前記蒸発源を移動させることが可能であり、
前記制御工程では、前記蒸発源が前記非成膜範囲において所定の方向に移動しながら加速又は減速の少なくともいずれかを繰り返すように、前記蒸発源を移動させる制御を実行する、
ことを特徴とする成膜方法。
【請求項13】
蒸着材料を収容する加熱可能な材料容器を有する蒸発源を備えた成膜装置の成膜方法であって、
前記蒸発源が移動しながら基板に対して成膜を行う成膜工程と、
前記蒸発源の移動を制御する制御工程と、を含み、
前記制御工程では、前記蒸発源が前記基板に成膜する成膜範囲及び前記成膜範囲の領域外である非成膜範囲において、前記蒸発源を移動させることが可能であり、
前記制御工程では、前記非成膜範囲での前記蒸発源の移動において、前記材料容器内の前記蒸着材料に振動を与える振動付与動作を前記蒸発源に実行させる、
ことを特徴とする成膜方法。
前記蒸発源が移動しながら基板に対して成膜を行う成膜工程と、
前記蒸発源の移動を制御する制御工程と、を含み、
前記制御工程では、前記蒸発源が前記基板に成膜する成膜範囲及び前記成膜範囲の領域外である非成膜範囲において、前記蒸発源を移動させることが可能であり、
前記制御工程では、前記非成膜範囲での前記蒸発源の移動において、前記材料容器内の前記蒸着材料に振動を与える振動付与動作を前記蒸発源に実行させる、
ことを特徴とする成膜方法。
【請求項14】
請求項１２又は１３に記載の成膜方法により基板に成膜を行うことを含む電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、成膜装置、成膜方法及び電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
有機ＥＬ(organic electro-luminescence:OEL)表示装置等の製造設備として、基板に対する成膜を行う装置が知られている。一例として、特許文献１には、有機化合物などの蒸着材料を収容する容器を備えた蒸着源が基板に対して移動しながら蒸着を行うことが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００９－２９９１７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、蒸発源において容器に収容された蒸着材料は、例えば容器壁面からの輻射熱を受けることで昇華して容器から放出される。しかしながら、容器内の蒸着材料が少なくなると、輻射熱の影響により蒸着材料の形状が不安定な状態となり蒸着材料が崩れてしまう恐れがある。崩れた蒸着材料が容器壁面に接触すると、輻射熱の影響で蒸着材料の突沸が生じ、蒸着材料の蒸着レートに影響を及ぼすことがある。とりわけ、基板に対して移動しながら成膜を行う蒸発源においては、成膜中に容器が移動しているため、蒸着材料が崩れることによる突沸の発生頻度が高くなることが考えられる。
【0005】
本発明は、基板に対して移動しながら成膜を行う蒸発源において、蒸着材料の突沸の発生を抑制して蒸着材料の蒸着レートの安定性低下を抑制する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明によれば、
蒸着材料を収容する加熱可能な材料容器を有し、移動しながら基板に対して成膜を行う蒸発源と、
前記蒸発源の移動を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記蒸発源が前記基板に成膜する成膜範囲及び前記成膜範囲の領域外である非成膜範囲において、前記蒸発源を移動させることが可能であり、
前記制御手段は、前記非成膜範囲での前記蒸発源の移動において、前記材料容器内の前記蒸着材料に振動を与える振動付与動作を前記蒸発源に実行させる、
ことを特徴とする成膜装置が提供される。
蒸着材料を収容する加熱可能な材料容器を有し、移動しながら基板に対して成膜を行う蒸発源と、
前記蒸発源の移動を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記蒸発源が前記基板に成膜する成膜範囲及び前記成膜範囲の領域外である非成膜範囲において、前記蒸発源を移動させることが可能であり、
前記制御手段は、前記非成膜範囲での前記蒸発源の移動において、前記材料容器内の前記蒸着材料に振動を与える振動付与動作を前記蒸発源に実行させる、
ことを特徴とする成膜装置が提供される。
【発明の効果】
【0007】
本発明によれば、基板に対して移動しながら成膜を行う蒸発源において、蒸着材料の突沸の発生を抑制して蒸着材料の蒸着レートの安定性低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】一実施形態に係る成膜システムのレイアウト図である。
【図2】一実施形態に係る成膜装置の構成を模式的に示す正面図である。
【図3】一実施形態に係る蒸発源の構成を模式的に示す断面図である。
【図4】一実施形態に係る移動ユニットの構成を模式的に示す平面図である。
【図5】蒸発源の移動範囲及び基板Ｗの成膜エリアを説明するための図である。
【図6】成膜時の蒸発源の移動経路を示す図である。
【図7】材料容器内の蒸着材料の突沸について説明するための図である。
【図8】蒸発源の動作を説明するための図である。
【図9】材料容器内の蒸着材料の突沸の抑制について説明するための図である。
【図10】蒸発源の動作を説明するための図である。
【図11】蒸発源の動作を説明するための図である。
【図12】（Ａ）は有機ＥＬ表示装置の全体図、（Ｂ）は１画素の断面構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
【0010】
また、各図において矢印Ｚは上下方向（重力方向）を示し、矢印Ｘ及び矢印Ｙは互いに直交する水平方向を示す。
【0011】
＜第一実施形態＞
＜成膜システムの概要（図１）＞
図１は成膜システム１のレイアウト図である。成膜システム１は基板Ｗに対して成膜する装置である。例えば複数の成膜システム１がＸ方向に沿って並んで設けられることで、電子デバイスの製造ラインが構成される。電子デバイスとしては、例えば、ＶＲ－ＨＭＤ(Virtual Reality Head Mount Display)用の有機ＥＬ表示装置の表示パネルが挙げられる。ＶＲ－ＨＭＤ用の表示パネルの製造ラインとして成膜システム１が用いられる場合、成膜システム１は基板Ｗとしての半導体ウエハに有機ＥＬ素子の形成のための成膜を行う。成膜システム１によって成膜が行われた半導体ウエハは、下流の工程で素子形成領域の間の領域（スクライブ領域）に沿って切り出され、複数の小さなサイズのパネルが形成される。半導体ウエハとしては、シリコンウエハ、シリコンカーバイドウエハ等が挙げられる。成膜システム１は、パス室２１ａ、２１ｂと、基板搬送室２２と、成膜室２３と、マスク搬送室２４と、マスクストック室２５と、ロードロック室２６と、制御部４とを含む。
＜成膜システムの概要（図１）＞
図１は成膜システム１のレイアウト図である。成膜システム１は基板Ｗに対して成膜する装置である。例えば複数の成膜システム１がＸ方向に沿って並んで設けられることで、電子デバイスの製造ラインが構成される。電子デバイスとしては、例えば、ＶＲ－ＨＭＤ(Virtual Reality Head Mount Display)用の有機ＥＬ表示装置の表示パネルが挙げられる。ＶＲ－ＨＭＤ用の表示パネルの製造ラインとして成膜システム１が用いられる場合、成膜システム１は基板Ｗとしての半導体ウエハに有機ＥＬ素子の形成のための成膜を行う。成膜システム１によって成膜が行われた半導体ウエハは、下流の工程で素子形成領域の間の領域（スクライブ領域）に沿って切り出され、複数の小さなサイズのパネルが形成される。半導体ウエハとしては、シリコンウエハ、シリコンカーバイドウエハ等が挙げられる。成膜システム１は、パス室２１ａ、２１ｂと、基板搬送室２２と、成膜室２３と、マスク搬送室２４と、マスクストック室２５と、ロードロック室２６と、制御部４とを含む。
【0012】
パス室２１ａには、成膜システム１において成膜が行われる基板Ｗが搬入される。基板搬送室２２には、基板Ｗを搬送する搬送ロボット２２１が設けられる。搬送ロボット２２１は、パス室２１ａに搬入された基板Ｗを成膜室２３に搬送する。成膜室２３に搬送された基板Ｗには、後述の成膜装置３により成膜処理が施される。また、基板搬送室２２の搬送ロボット２２１は、成膜室２３において成膜処理が終了した基板Ｗをパス室２１ｂに搬入する。パス室２１ｂに搬入された基板Ｗは、成膜システム１の外部に搬出される。なお、成膜システム１が複数並んで設けられる場合には、基板Ｗの流れ方向（Ｘ方向）で上流側の成膜システム１のパス室２１ｂが下流側の成膜システム１のパス室２１ａを兼ねていてもよい。また、マスク搬送室２４には、マスクＭを搬送する不図示の搬送ロボットが設けられている。マスクストック室２５には、成膜室２３での成膜処理に用いられるマスクＭがストックされる。ロードロック室２６は、成膜システム１の各室内を大気開放することなくマスクＭの出し入れを行うための室である。成膜システム１で用いられるマスクＭは、ロードロック室２６を介して成膜システム１の外部から搬入される。マスク搬送室２４の搬送ロボットは、成膜室２３、マスク搬送室２４、マスクストック室２５及びロードロック室２６の間でマスクＭの搬送を行う。
【0013】
また、成膜システム１は、各構成要素の動作を制御する制御部４を含む。例えば、制御部４は、ＣＰＵに代表されるプロセッサ、ＲＡＭ、ＲＯＭ等のメモリ及び各種インタフェースを有する１つ以上の制御装置を含む。例えば、制御部４の各制御装置は、ＲＯＭに記憶されたプログラムをＲＡＭに読み出して実行することで、成膜システム１における各種の処理を実現する。なお、例えば成膜システム１を統括的に制御するホストコンピュータ等が、成膜システム１の各構成要素の動作を直接制御する態様も採用可能である。
【0014】
また、成膜システム１を構成する各室の内部は、不図示の真空ポンプ等の排気機構により真空状態に維持される。なお、本実施形態において「真空」とは、大気圧より低い圧力の気体で満たされた状態、換言すれば減圧状態をいう。
【0015】
＜成膜装置（図２）＞
図２は、一実施形態に係る成膜装置３の構成を模式的に示す正面図である。成膜装置３は、基板支持部３１と、マスク支持部３２と、マグネット３３と、蒸発源３４ａ～３４ｃと、移動ユニット３５と、制限板３６と、防着板３７と、アライメントカメラ３８と、を含む。以下、蒸発源３４ａ～３４ｃについて特に区別しない場合に蒸発源３４と表記する。
図２は、一実施形態に係る成膜装置３の構成を模式的に示す正面図である。成膜装置３は、基板支持部３１と、マスク支持部３２と、マグネット３３と、蒸発源３４ａ～３４ｃと、移動ユニット３５と、制限板３６と、防着板３７と、アライメントカメラ３８と、を含む。以下、蒸発源３４ａ～３４ｃについて特に区別しない場合に蒸発源３４と表記する。
【0016】
基板支持部３１は、基板Ｗを支持する。本実施形態では基板支持部３１は静電チャックであり、基板Ｗを吸着して支持する。しかしながら、基板支持部３１としては公知の技術を適宜採用可能である。例えば、基板支持部３１は、複数の受け爪によって基板Ｗの縁を下側から支持してもよいし、粘着チャック等によって基板Ｗを吸着して支持してもよい。
【0017】
マスク支持部３２は、マスクＭを支持する。本実施形態では、マスク支持部３２は、受け爪３２１によってマスクＭを下側から支持する。マグネット３３は、マスク支持部３２に支持されたマスクＭを磁力で引きつけることによって、基板ＷとマスクＭとの密着性を向上させるためのものである。また、基板支持部３１又はマスク支持部３２の少なくとも一方は、ボールねじ機構等の公知の機構により上下方向に移動可能に構成されてもよい。これにより、基板ＷとマスクＭとの接近及び離間を行うことができる。
【0018】
蒸発源３４は、移動しながら蒸着材料を放出して基板Ｗに成膜を行う。移動ユニット３５は、蒸発源３４を移動する。蒸発源３４及び移動ユニット３５については後述する。
【0019】
制限板３６は、蒸発源３４から放出される蒸着材料の放出範囲を制限するための板である。防着板３７は、蒸発源３４から放出された蒸着材料の基板Ｗ等への付着を抑制する板である。防着板３７は、蒸着材料の基板Ｗ等への付着を許容する開状態（図２の状態）と、蒸着材料の基板Ｗ等への付着を抑制するために基板Ｗの下方に位置する閉状態との間でＸ方向に変位可能である。
【0020】
アライメントカメラ３８は、基板ＷとマスクＭとのアライメントに用いられるカメラである。本実施形態では、成膜装置３は、基板支持部３１に支持された基板Ｗとマスク支持部３２に支持されたマスクＭの相対位置を調整するための不図示のアライメント機構を含む。例えば、制御部４は、アライメントカメラ３８の撮影画像から基板Ｗ及びマスクＭに形成されたアライメントマークを検出して基板Ｗ及びマスクＭの位置関係を特定する。そして、制御部４は、基板Ｗ及びマスクＭの位置関係が所定の条件を満たすように、アライメント機構を制御してこれらの位置関係を調整する。
【0021】
【0022】
材料容器３４１は、内部に蒸着材料を収容する。材料容器３４１の上部には、蒸発又は昇華した蒸着材料が放出される放出部３４１１が形成されている。放出部３４１１は、本実施形態では材料容器３４１の上面に形成された開口（放出口）だが、筒状の部材等であってもよい。また、放出部３４１１が材料容器３４１に設けられてもよい。
【0023】
加熱部３４２は、材料容器３４１に収容された蒸着材料を加熱する。加熱部３４２は、材料容器３４１を覆うように設けられる。本実施形態では加熱部３４２として電熱線を用いたシーズヒータが使用されており、図３にはシーズヒータの電熱線が材料容器３４１の周囲に巻き付けられたときの断面が示されている。
【0024】
加熱部３４２による蒸着材料の加熱は、制御部４によって制御される。図２に示すように、本実施形態では、蒸発源３４ａ～３４ｃは、それぞれ独立に材料容器３４１及び加熱部３４２を有している。よって、制御部４は、蒸発源３４ａ～３４ｃによる蒸着材料の蒸発をそれぞれ独立に制御することができる。
【0025】
なお、本実施形態では、Ｘ方向に離間した複数（３つ）の蒸発源３４ａ～３４ｃが設けられている。しかしながら、蒸発源３４の数は２つ以下であってもよいし、４つ以上であってもよい。また、複数の蒸発源３４が収容する蒸着材料は同一であってよいし、一部の蒸発源３４が他と異なる蒸着材料を収容してもよいし、全ての蒸発源３４が互いに異なる材料を収容してもよい。例えばこれらの蒸発源３４ａ～３４ｃのうち、Ｘ方向において中央の蒸発源３４ｂがホスト材料を収容し、その両側の蒸発源３４ａ、３４ｃがドーパント材料を収容してもよい。これにより、ホスト材料の蒸着粒子とドーパント材料の蒸着粒子とを共蒸着して、発光層を形成することができる。
【0026】
＜移動ユニット（図２、図４）＞
図２及び図４を参照し、移動ユニット３５について説明する。図４は、移動ユニット３５の構成を模式的に示す平面図である。移動ユニット３５は、一対の可動レール３５１と、一対の固定レール３５２と、アーム部材３５３と、アーム部材３５４と、駆動源３５５とを有する。アーム部材３５３の一端は駆動源３５５に連結されており、駆動源３５５によって旋回する。アーム部材３５３の他端はアーム部材３５４の一端と回動自在に連結されており、アーム部材３５４の他端は蒸発源３４の底部に回動自在に連結されている。
図２及び図４を参照し、移動ユニット３５について説明する。図４は、移動ユニット３５の構成を模式的に示す平面図である。移動ユニット３５は、一対の可動レール３５１と、一対の固定レール３５２と、アーム部材３５３と、アーム部材３５４と、駆動源３５５とを有する。アーム部材３５３の一端は駆動源３５５に連結されており、駆動源３５５によって旋回する。アーム部材３５３の他端はアーム部材３５４の一端と回動自在に連結されており、アーム部材３５４の他端は蒸発源３４の底部に回動自在に連結されている。
【0027】
一対の可動レール３５１は、蒸発源３４のＸ方向の移動を案内する。各可動レール３５１はＸ方向に延設されており、一対の可動レール３５１は互いにＹ方向に離間している。一対の固定レール３５２は、一対の可動レール３５１のＹ方向の移動を案内する。各固定レール３５２は、移動不能に固定されており、Ｘ方向に延設されている。一対の固定レール３５２は互いにＸ方向に離間している。駆動源３５５の駆動により、アーム部材３５３及びアーム部材３５４の姿勢が変化することによって、蒸発源３４は基板Ｗの下方においてＸＹ方向に移動することができる。
【0028】
＜蒸発源の成膜範囲及び基板の成膜エリア（図５～図６）＞
図５は、蒸発源３４の移動範囲及び基板Ｗの成膜エリアを説明するための図である。本実施形態では、蒸発源３４は移動ユニット３５によりＸ方向（第１の方向）に移動しながら基板Ｗに対して成膜を行う。
図５は、蒸発源３４の移動範囲及び基板Ｗの成膜エリアを説明するための図である。本実施形態では、蒸発源３４は移動ユニット３５によりＸ方向（第１の方向）に移動しながら基板Ｗに対して成膜を行う。
【0029】
蒸発源３４のＸ方向の移動範囲は、蒸発源３４から放出された蒸着材料が基板Ｗに付着する成膜範囲Ｒ１と、成膜範囲外の非成膜範囲Ｒ２に分けられる。なお、図５では、蒸発源３４ａ～３４ｃのＸ方向の中心位置を基準として各範囲が境界づけられている。成膜範囲Ｒ１は、基板Ｗの成膜エリアＡ１と、基板Ｗの高さにおいて蒸発源３４から放出された蒸着材料が到達する領域である有効成膜エリアＡ２とがＸ方向に重複する範囲である。また、非成膜範囲Ｒ２は、成膜エリアＡ１と、有効成膜エリアＡ２とがＸ方向に重複しない範囲である。また、非成膜範囲Ｒ２は、成膜範囲Ｒ１のＸ方向負側の非成膜範囲Ｒ２１と、成膜範囲Ｒ１のＸ方向正側の非成膜範囲Ｒ２２とを含む。
【0030】
図５の例では、蒸発源３４のＸ方向の位置ＰＯＳ２と位置ＰＯＳ３との間が成膜範囲Ｒ１となる。また、位置ＰＯＳ２と位置ＰＯＳ２よりＸ方向負側の位置ＰＯＳ１との間が非成膜範囲Ｒ２１となり、位置ＰＯＳ３と位置ＰＯＳ３よりＸ方向正側の位置ＰＯＳ４が非成膜範囲Ｒ２２となる。
【0031】
例えば、蒸発源３４は、移動ユニット３５によってＸ方向正側に向かって移動しながら成膜する場合、まず非成膜範囲Ｒ２１において成膜時の速度まで加速する。そして、蒸発源３４は、速度が一定になった状態で成膜範囲Ｒ１に進入する。その後、蒸発源３４は、非成膜範囲Ｒ２２に進入してから減速する。これで、１回（１スキャン）分の成膜が終了する。このように、非成膜範囲Ｒ２において加速及び減速を行うことによって、成膜範囲Ｒ１における速度を一定にすることができる。よって、基板Ｗに形成される薄膜のＸ方向の厚さのばらつきを抑制することができる。
【0032】
図６は、成膜時の蒸発源３４の移動経路を示す図である。基板Ｗには、複数の素子形成領域ｗ１が形成されている。蒸発源３４は、全ての素子形成領域ｗ１に対して成膜を行うために、Ｘ方向に移動しながらの成膜（スキャン成膜）と、非成膜範囲でのＹ方向（第２の方向）の移動（スライド）とを繰り返す。図６の例では、成膜エリアＡ１は４つのエリアＡ１１～Ａ１４に分けられる。蒸発源３４は、１回のスキャン成膜ごとに４つのエリアＡ１１～Ａ１４のうちの１つのエリアに対して成膜を行う。
【0033】
＜蒸着材料の突沸（図７）＞
図７は、材料容器３４１内の蒸着材料の突沸について説明するための図である。状態ＳＴ１は材料容器３４１内に蒸着材料を補充した後の状態であり、状態ＳＴ２は成膜処理の実行により材料容器３４１内の蒸着材料の一部が放出された状態である。材料容器３４１に収容された蒸着材料は、加熱部３４２により加熱された容器壁面からの輻射熱を受けることで昇華又は蒸発して容器から放出される。材料容器３４１内の蒸着材料は容器壁面に接した（或いは近接した）部分から先に放出されていくことになるため、蒸着が進むと蒸着材料の形状が不安定な状態となり蒸着材料が崩れてしまう恐れがある。崩れた蒸着材料が容器壁面に接触すると、輻射熱の影響で蒸着材料の突沸が生じ、蒸着材料の蒸着レートに影響を及ぼすことがある。とりわけ、本実施形態のように基板に対して移動しながら成膜を行う蒸発源においては、成膜中に容器が移動しているため、蒸着材料が崩れることによる突沸の発生頻度が高くなることが考えられる。そこで、本実施形態では、以下の動作を行うことで蒸着材料の突沸を抑制する。
図７は、材料容器３４１内の蒸着材料の突沸について説明するための図である。状態ＳＴ１は材料容器３４１内に蒸着材料を補充した後の状態であり、状態ＳＴ２は成膜処理の実行により材料容器３４１内の蒸着材料の一部が放出された状態である。材料容器３４１に収容された蒸着材料は、加熱部３４２により加熱された容器壁面からの輻射熱を受けることで昇華又は蒸発して容器から放出される。材料容器３４１内の蒸着材料は容器壁面に接した（或いは近接した）部分から先に放出されていくことになるため、蒸着が進むと蒸着材料の形状が不安定な状態となり蒸着材料が崩れてしまう恐れがある。崩れた蒸着材料が容器壁面に接触すると、輻射熱の影響で蒸着材料の突沸が生じ、蒸着材料の蒸着レートに影響を及ぼすことがある。とりわけ、本実施形態のように基板に対して移動しながら成膜を行う蒸発源においては、成膜中に容器が移動しているため、蒸着材料が崩れることによる突沸の発生頻度が高くなることが考えられる。そこで、本実施形態では、以下の動作を行うことで蒸着材料の突沸を抑制する。
【0034】
＜動作説明（図８）＞
図８は、蒸発源３４の動作を説明するための図である。グラフ８０１は、Ｘ方向への１回の成膜における、時刻に対するＸ方向の速度を示すグラフである。グラフ８０２は、時刻に対するＸ方向の加速度を示すグラフである。ここで、時刻ｔ０は、蒸発源３４が移動を開始する時刻である。このとき、蒸発源３４は、初期位置としての位置ＰＯＳ１に位置しているものとする。また、時刻ｔ１は、蒸発源３４が位置ＰＯＳ２に到達した時刻である。時刻ｔ２は、蒸発源３４が位置ＰＯＳ３に到達した時刻である。時刻ｔ３は、蒸発源３４が位置ＰＯＳ４に到達した時刻である。つまり、蒸発源３４は、時刻ｔ０～ｔ１、及びｔ２～３において非成膜範囲Ｒ２を移動し、時刻ｔ１～ｔ２において成膜範囲Ｒ１を移動している。また、本実施形態では、制御部４が移動ユニット３５を制御することによって、蒸発源３４が以下で説明するように動作する。
図８は、蒸発源３４の動作を説明するための図である。グラフ８０１は、Ｘ方向への１回の成膜における、時刻に対するＸ方向の速度を示すグラフである。グラフ８０２は、時刻に対するＸ方向の加速度を示すグラフである。ここで、時刻ｔ０は、蒸発源３４が移動を開始する時刻である。このとき、蒸発源３４は、初期位置としての位置ＰＯＳ１に位置しているものとする。また、時刻ｔ１は、蒸発源３４が位置ＰＯＳ２に到達した時刻である。時刻ｔ２は、蒸発源３４が位置ＰＯＳ３に到達した時刻である。時刻ｔ３は、蒸発源３４が位置ＰＯＳ４に到達した時刻である。つまり、蒸発源３４は、時刻ｔ０～ｔ１、及びｔ２～３において非成膜範囲Ｒ２を移動し、時刻ｔ１～ｔ２において成膜範囲Ｒ１を移動している。また、本実施形態では、制御部４が移動ユニット３５を制御することによって、蒸発源３４が以下で説明するように動作する。
【0035】
時刻ｔ０～ｔ１において、蒸発源３４は、非成膜範囲Ｒ２１内で成膜時の速度ｖ１まで加速する。ここでは、蒸発源３４の加速度ａ１は一定値（＜０）であるが、蒸発源３４のか速度は一定でなくてもよい。蒸発源３４が位置ＰＯＳ２に到達する前に蒸発源３４が速度ｖ１となるので、蒸発源３４は基板Ｗへの成膜の開始時から一定の速度で移動でき、基板Ｗに形成される膜の膜厚の変動を抑制することができる。その後、時刻ｔ１～ｔ２において、蒸発源３４は、成膜範囲Ｒ１を一定の速度ｖ１で移動する。
【0036】
時刻ｔ２～ｔ３において、蒸発源３４は、非成膜範囲Ｒ２２を移動する。このとき、蒸発源３４は、加速と減速を繰り返した後に停止する。これは、蒸発源３４の材料容器３４１に収容された蒸着材料に振動を与えるための動作（振動付与動作と表記することがある）である。すなわち、制御部４は、非成膜範囲Ｒ２２において、材料容器３４１内の蒸着材料に振動が与える振動付与動作を蒸発源３４に実行させる。このように、本実施形態によれば、制御部４による制御によって実行される蒸発源３４の振動付与動作によって、蒸着材料の形状を均質化して、蒸着材料の突沸を抑制することができる。
【0037】
図９は、材料容器３４１内の蒸着材料の突沸の抑制について説明するための図である。材料容器３４１内の蒸着材料の形状が不安定になった状態（状態ＳＴ２）で、蒸発源３４の加速及び減速によって蒸着材料に振動が与えられると、蒸着材料の形状が均質化される（状態ＳＴ３）これにより、蒸着材料が崩れて材料容器３４１の壁面に接触することによる突沸の発生を抑制することができる。なお、状態ＳＴ２から状態ＳＴ３へ移行する過程で蒸着材料が崩れて材料容器３４１の壁面に接触することも考えられる。しかし、本実施形態では、材料容器３４１内の蒸着材料に振動を与えるための動作が非成膜範囲Ｒ２において行われる。よって、蒸発源３４が成膜範囲Ｒ１に進入する際には蒸着材料の形状が均質化した状態（状態ＳＴ３）となっているので、基板Ｗに対する成膜を行っている間に蒸着材料の突沸が発生することを抑制することができる。すなわち、成膜結果に対する蒸着材料の突沸の影響を低減することができる。
【0038】
また、本実施形態では、振動付与動作において蒸発源３４にかかる加速度ａ２の絶対値は、前述した加速度ａ１の絶対値よりも大きい。これにより、材料容器３４１内の蒸着材料に対して効果的に振動を与えることができる。また、本実施形態では、振動付与動作において、蒸発源３４は、成膜時の速度ｖ１よりも大きい速度ｖ２と、速度ｖ１よりも小さい速度ｖ３（＝０）との間で加減速を繰り返す。このような蒸発源３４の動作によっても、材料容器３４１内の蒸着材料に対して効果的に振動を与えることができる。なお、速度ｖ３は０より大きい値であってもよい。
【0039】
＜他の実施形態＞
図１０は、蒸発源の動作を説明するための図である。詳しくは、蒸発源３４の材料容器３４１内の蒸着材料に対する振動付与動作の他の例を示す図である。グラフ１００１～１００４は、Ｘ方向への１回の成膜における、時刻に対するＸ方向の速度を示すグラフである。
図１０は、蒸発源の動作を説明するための図である。詳しくは、蒸発源３４の材料容器３４１内の蒸着材料に対する振動付与動作の他の例を示す図である。グラフ１００１～１００４は、Ｘ方向への１回の成膜における、時刻に対するＸ方向の速度を示すグラフである。
【0040】
グラフ１００１は、蒸発源３４の加速は行わずに、減速を繰り返す例を示している。このような速度変化によっても、材料容器３４１内の蒸着材料に対して振動を与えることができる。このように、材料容器３４１内の蒸着材料に対して振動を与える動作として、加速又は減速の少なくともいずれかが繰り返されてもよい。一例として、非成膜範囲Ｒ２１において蒸発源３４が速度ｖ１に達するまでに、減速を行わずに加速と等速での移動を繰り返してもよい。
【0041】
グラフ１００２は、蒸発源３４の急減速を１回のみ行う例を示している。すなわち、蒸発源３４を急停止させることによって、材料容器３４１内の蒸着材料に対して振動を与える。このとき、減速度の値（加速度の絶対値）を、加速度ａ１（図８）の値よりも大きくなるように設定してもよい。成膜開始時や方向切り替え時等のいわゆる通常の成膜動作における加速又は減速よりも大きな加減又は減速を行うことによって、材料容器３４１内の蒸着材料に対して効果的に振動を与えることができる。
【0042】
グラフ１００３は、加速及び減速を行いながら、平均としては徐々に減速していく例を示している。このように、加速及び減速を繰り返す際の速度の極大値及び極小値は一定でなくてもよい。
【0043】
グラフ１００４は、蒸発源３４が前進及び後退を繰り返す例を示している。すなわち、蒸発源３４は、例えばＸ方向正側に進みながら振動付与動作を行うのではなく、所定の位置で前進及び後退を繰り返すことによって振動付与動作を行ってもよい。或いは、前進及び後退を繰り返しながら、トータルで前進する態様も採用可能である。
【0044】
また、グラフ１００１～１００４においては、蒸発源３４が成膜範囲Ｒ１を通過した後の非成膜範囲Ｒ２２において振動付与動作を行う例が示されている。しかし、振動付与動作が成膜範囲Ｒ１へ進入する前の非成膜範囲Ｒ２１で行われてもよいし、非成膜範囲Ｒ２１及び非成膜範囲Ｒ２２の両方で行われてもよい。
【0045】
また、図８及び図１０の例では、蒸発源３４がＸ方向に進みながらＸ方向の加速及び減速を行うことによって材料容器３４１内の蒸着材料に振動を付与している。しかしながら、蒸発源３４は、Ｙ方向の加速及び減速によって蒸着材料に振動を付与してもよい。すなわち、蒸発源３４が非成膜範囲Ｒ２において所定の方向に移動しながら加速又は減速することによって、材料容器３４１内の蒸着材料に振動が与えられてもよい。
【0046】
図１１は、蒸発源の動作を説明するための図である。詳しくは、蒸発源３４の材料容器３４１内の蒸着材料に対する振動付与動作の他の例を示す図である。図１１は、成膜システム１を上方から見た場合の、蒸発源３４の移動経路とマスクＭとの位置関係を模式的に示している。この例では、蒸発源３４は、成膜範囲Ｒ１の通過後に、位置ＰＯＳ３から位置ＰＯＳ４へＸ方向に移動しながらＹ方向の正側及び負側への移動を交互に繰り返している。このように、主な進行方向とは交差する方向に加速及び減速を繰り返すことによって、材料容器３４１内の蒸着材料に振動を付与してもよい。
【0047】
また、蒸発源３４は、例えば図１１の位置ＰＯＳ１又は位置ＰＯＳ４においてＹ方向に移動しながら振動付与動作を行ってもよい。すなわち、Ｙ方向に移動しながら、Ｘ方向又はＹ方向への加減速を繰り返すことによって材料容器３４１内の蒸着材料に対して振動を付与してもよい。
【0048】
また、上記実施形態の成膜装置３は基板Ｗとしての半導体ウエハに対して成膜を行うが、他の種類の基板に成膜を行う成膜装置に対しても上記実施形態の特徴を適用可能である。例えば、第６世代（Ｇ６）のフルサイズ（約１５００ｍｍ×約１８５０ｍｍ）又はハーフカットサイズ（約１５００ｍｍ×約９２５ｍｍ）の矩形の基板等大型のガラス基板等に対して成膜を行う成膜装置であってもよい。
【0049】
＜電子デバイスの製造方法＞
次に、電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成及び製造方法を例示する。
次に、電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成及び製造方法を例示する。
【0050】
【0051】
図１２（Ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置５０の表示領域５１には、発光素子を複数備える画素５２がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。
【0052】
なお、ここでいう画素とは、表示領域５１において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。カラー有機ＥＬ表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第１発光素子５２Ｒ、第２発光素子５２Ｇ、第３発光素子５２Ｂの複数の副画素の組み合わせにより画素５２が構成されている。画素５２は、赤色（Ｒ）発光素子と緑色（Ｇ）発光素子と青色（Ｂ）発光素子の３種類の副画素の組み合わせで構成されることが多いが、これに限定はされない。画素５２は少なくとも１種類の副画素を含めばよく、２種類以上の副画素を含むことが好ましく、３種類以上の副画素を含むことがより好ましい。画素５２を構成する副画素としては、例えば、赤色（Ｒ）発光素子と緑色（Ｇ）発光素子と青色（Ｂ）発光素子と黄色（Ｙ）発光素子の４種類の副画素の組み合わせでもよい。
【0053】
図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）のＡ－Ｂ線における部分断面模式図である。画素５２は、基板５３上に、第１の電極（陽極）５４と、正孔輸送層５５と、赤色層５６Ｒ・緑色層５６Ｇ・青色層５６Ｂのいずれかと、電子輸送層５７と、第２の電極（陰極）５８と、を備える有機ＥＬ素子で構成される複数の副画素を有している。これらのうち、正孔輸送層５５、赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂ、電子輸送層５７が有機層に当たる。赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子（有機ＥＬ素子と記述する場合もある）に対応するパターンに形成されている。
【0054】
また、第１の電極５４は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層５５と電子輸送層５７と第２の電極５８は、複数の発光素子５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂにわたって共通で形成されていてもよいし、発光素子ごとに形成されていてもよい。すなわち、図１２（Ｂ）に示すように正孔輸送層５５が複数の副画素領域にわたって共通の層として形成された上に赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂが副画素領域ごとに分離して形成され、さらにその上に電子輸送層５７と第２の電極５８が複数の副画素領域にわたって共通の層として形成されていてもよい。
【0055】
なお、近接した第１の電極５４の間でのショートを防ぐために、第１の電極５４間に絶縁層５９が設けられている。さらに、有機ＥＬ層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するための保護層６０が設けられている。
【0056】
図１２（Ｂ）では正孔輸送層５５や電子輸送層５７が一つの層で示されているが、有機ＥＬ表示素子の構造によって、正孔ブロック層や電子ブロック層を有する複数の層で形成されてもよい。また、第１の電極５４と正孔輸送層５５との間には第１の電極５４から正孔輸送層５５への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成してもよい。同様に、第２の電極５８と電子輸送層５７の間にも電子注入層を形成してもよい。
【0057】
赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂのそれぞれは、単一の発光層で形成されていてもよいし、複数の層を積層することで形成されていてもよい。例えば、赤色層５６Ｒを２層で構成し、上側の層を赤色の発光層で形成し、下側の層を正孔輸送層又は電子ブロック層で形成してもよい。あるいは、下側の層を赤色の発光層で形成し、上側の層を電子輸送層又は正孔ブロック層で形成してもよい。このように発光層の下側又は上側に層を設けることで、発光層における発光位置を調整し、光路長を調整することによって、発光素子の色純度を向上させる効果がある。
【0058】
なお、ここでは赤色層５６Ｒの例を示したが、緑色層５６Ｇや青色層５６Ｂでも同様の構造を採用してもよい。また、積層数は２層以上としてもよい。さらに、発光層と電子ブロック層のように異なる材料の層が積層されてもよいし、例えば発光層を２層以上積層するなど、同じ材料の層が積層されてもよい。
【0059】
次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。ここでは、赤色層５６Ｒが下側層５６Ｒ１と上側層５６Ｒ２の２層からなり、緑色層５６Ｇと青色層５６Ｂは単一の発光層からなる場合を想定する。
【0060】
まず、有機ＥＬ表示装置を駆動するための回路（不図示）及び第１の電極５４が形成された基板５３を準備する。なお、基板５３の材質は特に限定はされず、ガラス、プラスチック、金属などで構成することができる。本実施形態においては、基板５３として、ガラス基板上にポリイミドのフィルムが積層された基板を用いる。
【0061】
第１の電極５４が形成された基板５３の上にアクリル又はポリイミド等の樹脂層をバーコートやスピンコートでコートし、樹脂層をリソグラフィ法により、第１の電極５４が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層５９を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。
【0062】
絶縁層５９がパターニングされた基板５３を第１の成膜室に搬入し、正孔輸送層５５を、表示領域の第１電極５４の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層５５は、最終的に１つ１つの有機ＥＬ表示装置のパネル部分となる表示領域５１ごとに開口が形成されたマスクを用いて成膜される。
【0063】
次に、正孔輸送層５５までが形成された基板５３を第２の成膜室に搬入する。基板５３とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、正孔輸送層５５の上の、基板５３の赤色を発する素子を配置する部分（赤色の副画素を形成する領域）に、赤色層５６Ｒを成膜する。ここで、第２の成膜室で用いるマスクは、有機ＥＬ表示装置の副画素となる基板５３上における複数の領域のうち、赤色の副画素となる複数の領域にのみ開口が形成された高精細マスクである。これにより、赤色発光層を含む赤色層５６Ｒは、基板５３上の複数の副画素となる領域のうちの赤色の副画素となる領域のみに成膜される。換言すれば、赤色層５６Ｒは、基板５３上の複数の副画素となる領域のうちの青色の副画素となる領域や緑色の副画素となる領域には成膜されずに、赤色の副画素となる領域に選択的に成膜される。
【0064】
赤色層５６Ｒの成膜と同様に、第３の成膜室において緑色層５６Ｇを成膜し、さらに第４の成膜室において青色層５６Ｂを成膜する。赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂの成膜が完了した後、第５の成膜室において表示領域５１の全体に電子輸送層５７を成膜する。電子輸送層５７は、３色の層５６Ｒ、５６Ｇ、５６Ｂに共通の層として形成される。
【0065】
電子輸送層５７までが形成された基板を第６の成膜室に移動し、第２電極５８を成膜する。本実施形態では、第１の成膜室～第６の成膜室では真空蒸着によって各層の成膜を行う。しかし、本発明はこれに限定はされず、例えば第６の成膜室における第２電極５８の成膜はスパッタによって成膜するようにしてもよい。その後、第２電極６８までが形成された基板を封止装置に移動してプラズマＣＶＤによって保護層６０を成膜して（封止工程）、有機ＥＬ表示装置５０が完成する。なお、ここでは保護層６０をＣＶＤ法によって形成するものとしたが、これに限定はされず、ＡＬＤ法やインクジェット法によって形成してもよい。
【0066】
ここで、第１の成膜室～第６の成膜室での成膜は、形成されるそれぞれの層のパターンに対応した開口が形成されたマスクを用いて成膜される。成膜の際には、基板５３とマスクとの相対的な位置調整（アライメント）を行った後に、マスクの上に基板５３を載置して成膜が行われる。
【0067】
発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。
【符号の説明】
【0068】
１：成膜システム、２３：成膜室、３：成膜装置、３４：蒸発源、３５：移動ユニット
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】