特開 2024-41739 メッシュ完全性検査

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024041739

(43)【公開日】2024-03-27

(54)【発明の名称】メッシュ完全性検査

(51)【国際特許分類】

   H01J 37/09 20060101AFI20240319BHJP

   H01J 37/305 20060101ALI20240319BHJP

   G03F 1/72 20120101ALI20240319BHJP

【ＦＩ】

H01J37/09 Z

H01J37/305 B

G03F1/72

【審査請求】有

【請求項の数】24

【出願形態】ＯＬ

【外国語出願】

(21)【出願番号】P 2023148948

(22)【出願日】2023-09-14

(31)【優先権主張番号】10 2022 209 644.4

(32)【優先日】2022-09-14

(33)【優先権主張国・地域又は機関】DE

(71)【出願人】

【識別番号】503263355

【氏名又は名称】カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー

(74)【代理人】

【識別番号】100094569

【弁理士】

【氏名又は名称】田中 伸一郎

(74)【代理人】

【識別番号】100109070

【弁理士】

【氏名又は名称】須田 洋之

(74)【代理人】

【識別番号】100067013

【弁理士】

【氏名又は名称】大塚 文昭

(74)【代理人】

【識別番号】100120525

【弁理士】

【氏名又は名称】近藤 直樹

(74)【代理人】

【識別番号】100139712

【弁理士】

【氏名又は名称】那須 威夫

(74)【代理人】

【識別番号】100141553

【弁理士】

【氏名又は名称】鈴木 信彦

(74)【代理人】

【識別番号】100151987

【弁理士】

【氏名又は名称】谷口 信行

(72)【発明者】

【氏名】ダヴィド レムリ

(72)【発明者】

【氏名】ミヒャエル ブダッハ

(72)【発明者】

【氏名】ヤン ギュントナー

(72)【発明者】

【氏名】フラン－フェリクス ショッチュ

【テーマコード（参考）】

2H195

5C101

【Ｆターム（参考）】

2H195BD35

2H195BD36

2H195BD40

5C101AA27

5C101BB08

5C101EE40

5C101EE57

5C101GG20

5C101HH50

5C101LL06

(57)【要約】

【課題】遮蔽要素によるサンプルへの損傷を部分的にしか防止し得ない問題を緩和すること。
【解決手段】本願は、サンプル位置と粒子ビーム源（１０１）との間の電界を遮蔽するための粒子ビーム装置（１００）の遮蔽要素（Ｃ）を特性化するための方法に関する。この方法は、遮蔽要素のサンプル位置に対向する側に、遮蔽要素を特性化するための手段（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３）を配置することを含む。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

サンプル位置と粒子ビーム源（１０１）との間の電界を遮蔽するための粒子ビーム装置（１００）の遮蔽要素（Ｃ）を特性化するための方法であって、
前記遮蔽要素の前記サンプル位置に対向する側に、前記遮蔽要素を特性化するための手段（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３）を配置することを含む、方法。

【請求項2】

前記特性化手段（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３）によって少なくとも部分的に、前記遮蔽要素（Ｃ）の前記サンプル位置に対向する側を特性化することをさらに含む、請求項１に記載の方法。

【請求項3】

前記特性化することが、前記遮蔽要素（Ｃ）のトポロジを取り込むことを含み、前記トポロジが、前記遮蔽要素の前記サンプル位置に対向する側で取り込まれる、請求項２に記載の方法。

【請求項4】

前記特性化することが、前記トポロジおよび前記取り込みトポロジの目標状態に少なくとも部分的に基づいて、前記トポロジの異常を判定することを含む、請求項２または３に記載の方法。

【請求項5】

前記特性化することが、前記遮蔽要素が前記サンプル位置に延入しているかを判定することをさらに含む、請求項２～４のいずれかに記載の方法。

【請求項6】

前記特性化手段が、前記トポロジを測定するためのセンサ（Ｓ１）を備え、前記トポロジの前記取り込みが、前記センサを用いた前記トポロジの測定に少なくとも部分的に基づく、請求項３～５のいずれかに記載の方法。

【請求項7】

前記センサ（Ｓ１）が、共焦点センサを含み、前記トポロジの前記測定が、共焦点測定原理に少なくとも部分的に基づく、請求項６に記載の方法。

【請求項8】

前記センサ（Ｓ１）が、干渉センサを含み、前記トポロジの前記測定が、干渉測定原理に少なくとも部分的に基づく、請求項６または７に記載の方法。

【請求項9】

前記特性化手段（Ｓ２、Ｓ３）が、前記遮蔽要素から所定の距離に配置され、前記所定の距離が、サンプルと前記遮蔽要素との間の目標距離（ｄ０）に対応する、請求項１～８のいずれかに記載の方法。

【請求項10】

前記特性化手段の前記遮蔽要素との接触の有無を検出することをさらに含む、請求項９に記載の方法。

【請求項11】

前記特性化手段が、少なくとも部分的に導電性であり、前記検出が、前記接触がある前記特性化手段および前記遮蔽要素を流れる電流の検出を含む、請求項１０に記載の方法。

【請求項12】

前記サンプル位置の前記サンプルの表面と平行な横方向（Ｌ）に前記特性化手段（Ｓ２、Ｓ３）を移動させることをさらに含む、請求項９～１１のいずれかに記載の方法。

【請求項13】

前記特性化手段（Ｓ３）が、前記横方向（Ｌ）に移動可能に備え付けられた接触面（６０２）を含み、
前記トポロジの前記取り込みが、
前記特性化手段を前記横方向に所定の距離だけ第１の位置から第２の位置まで移動させることと、
前記特性化手段の前記横方向の前記移動による前記接触面の距離を確定することと、
をさらに含む、請求項１２に記載の方法。

【請求項14】

前記接触面（６０２）が前記所定の距離だけシフトした場合、前記接触がないことを検出することと、
前記接触面が前記所定の距離だけシフトしていない場合、前記接触があることを検出することと、
をさらに含む、請求項１３に記載の方法。

【請求項15】

前記距離の前記確定が、
前記特性化手段の前記第１の位置における前記接触面の基準構造体の第１の像を記録することと、
前記特性化手段の前記第２の位置における前記接触面の前記基準構造体の第２の像を記録することと、
前記第１の像における前記基準構造体と前記第２の像における前記基準構造体との間の距離を決定して、前記接触面の前記距離を確定することと、
を含む、請求項１３または１４に記載の方法。

【請求項16】

前記横方向（Ｌ）の前記移動による前記特性化手段上の擦過痕（Ｋ）を検出することをさらに含む、請求項１１～１５のいずれかに記載の方法。

【請求項17】

粒子ビーム装置の遮蔽要素（Ｃ）を特性化するための特性化手段であり、前記遮蔽要素が、サンプル位置と粒子ビーム源（１０１）との間の電界を遮蔽するように配置された、特性化手段であって、
前記遮蔽要素のトポロジおよび／または前記遮蔽要素に接触する移動可能な、好ましくはばね式の接触面（４０２、６０２）を取り込むためのセンサ（Ｓ１）を備え、
前記粒子ビーム装置のサンプルホルダーに備え付けられるように構成された、特性化手段。

【請求項18】

基部（４０１、６０１）をさらに備え、
前記接触面（４０２、６０２）が、好ましくはばね要素を介して、前記接触面と垂直に前記基部に移動可能に結合された、請求項１７に記載の特性化手段。

【請求項19】

前記接触面（６０２）が、好ましくはばね要素を介して、前記接触面（６０２）の平面に沿って前記基部（６０１）に移動可能に結合された、請求項１７または１８に記載の特性化手段。

【請求項20】

前記接触面（４０２、６０２）が、前記基部（４０１、６０１）に関して第１の平面（Ｅ１）および第２の平面（Ｅ２）を有し、
前記第１の平面が、前記第２の平面の下側にあり、
前記第２の平面が、前記遮蔽要素の周囲領域と一致するように寸法規定された、請求項１７～１９のいずれかに記載の特性化手段。

【請求項21】

サンプルを粒子ビームで照射するための粒子ビーム装置であって、
電界を遮蔽するための遮蔽要素（Ｃ）であり、サンプル位置と粒子ビーム源（１０１）との間に配置された、遮蔽要素（Ｃ）と、
請求項１７～２０のいずれかに記載の前記遮蔽要素を特性化するための特性化手段であり、前記遮蔽要素の前記サンプル位置に対向する側に配置された、特性化手段と、
を備えた、粒子ビーム装置。

【請求項22】

リソグラフィマスクの修復用に設計された、請求項２１に記載の粒子ビーム装置。

【請求項23】

コンピュータおよび／または請求項２１もしくは２２に記載の粒子ビーム装置により実行された場合に、請求項１～１６のいずれかに記載の方法を前記コンピュータおよび／または前記粒子ビーム装置に実行させる命令を含むコンピュータプログラム。

【請求項24】

サンプルを粒子ビームで照射するための粒子ビーム装置であって、請求項２３に記載のコンピュータプログラムを含む、粒子ビーム装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願は、２０２２年９月１４日にドイツ特許商標庁へ出願されたドイツ特許出願ＤＥ １０ ２０２２ ２０９ ６４４．４「Ｍｅｓｈ Ｉｎｔｅｇｒｉｔｙ Ｃｈｅｃｋ」の優先権を主張するものである。この点に関しては、当該出願ＤＥ １０ ２０２２ ２０９ ６４４．４を参照するものとし、その内容を本願に援用する。

【0002】

本発明は、粒子ビーム装置の遮蔽要素を特性化するための方法、遮蔽要素を特性化するための手段、粒子ビーム装置、および対応するコンピュータプログラムに関する。

【背景技術】

【0003】

粒子ビーム源からの粒子ビームがサンプルに向けられる装置が知られている。たとえば、粒子ビームを供給することにより、（たとえば、電子顕微鏡によって）プロセス中のサンプルを観察することができる。ただし、サンプルには、粒子ビーム誘起プロセス（たとえば、粒子ビーム誘起エッチングおよび／または堆積）においても粒子ビームが照射され得る。

【0004】

ここで、サンプルと粒子ビーム源との間に遮蔽要素を配置することが知られている。遮蔽要素は、たとえばサンプルを起点とする電界を空間的に制限するのに使用可能である。このため、遮蔽要素が通例、サンプルからある距離（可能な限り近く）に配置されることにより、電界が入射粒子ビームに及ぼす影響を低く抑えることができる。特に、粒子ビームが荷電粒子（たとえば、電子および／またはイオン）を有する場合は、電界と相互作用し得るため、遮蔽要素を使用可能である。この相互作用は、遮蔽要素によって空間的に制限され得ることから、たとえば粒子ビームの無制御なビーム偏向が最小限に抑えられる。

【0005】

ＤＥ１０２０２０１２４３０７Ａには、粒子ビームでサンプルの分析および／または処理を行うための装置が記載されている。この装置は、サンプルに蓄積された電荷により生成される電界を遮蔽するための遮蔽要素を有し、この遮蔽要素は、粒子ビームが通過してサンプルに至る貫通開口を有する。

【0006】

ただし、遮蔽要素は必ずしも、好適な目標状態を有することができるとは限らない。たとえば、装置の組み立ておよび／または保守における通常の運用によって、目標状態からの異状が起こり得る。たとえば、遮蔽要素は、サンプルを損傷させ得るような欠陥および／または変形を有する場合がある。これを回避するため、たとえば粒子ビームによって遮蔽要素を観察することにより異状を推測することは、これまでに既知の手順である。ただし、遮蔽要素のすべての領域に粒子ビームでアクセスできるわけではなく、これは、遮蔽要素を必ずしも正確に分析できるわけではないことを意味する。

【0007】

したがって、これまでの手法では、遮蔽要素によるサンプルへの損傷を部分的にしか防止し得ない。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0008】

【特許文献1】ＤＥ１０２０２０１２４３０７Ａ

【発明の概要】

【0009】

そこで、本発明の目的は、この問題を緩和することである。

【0010】

この目的は、本発明の種々態様によって、少なくとも部分的に達成される。

【0011】

第１の態様は、サンプル位置と粒子ビーム源との間の電界を遮蔽するための粒子ビーム装置の遮蔽要素を特性化するための方法に関する。この方法は、遮蔽要素のサンプル位置に対向する側に、遮蔽要素を特性化するための手段を配置することを含む。

【0012】

このように、本発明は、遮蔽要素のサンプルに対向する側をアクセス可能にして、遮蔽要素の特性化を可能にし得る。

【0013】

遮蔽要素のサンプルに対向する側は、サンプル側とも称し得る。また、本明細書において、遮蔽要素の粒子ビーム源に対向する側は、粒子ビーム源からの粒子ビームが入射し得ることから、遮蔽要素の入射側とも称し得る。

【0014】

したがって、この方法は、遮蔽要素の有利な特性化を可能にし得る。たとえば、これまでの手法では、（たとえば、粒子ビームによる像記録によって）特性化できるのはせいぜい、遮蔽要素の入射側の表面だけであった。ただし、遮蔽要素の入射側の異状（たとえば、欠陥）が運用中に必ずしも、サンプルに損傷を与えるとは限らない。たとえば、入射側の欠陥（たとえば、入射側に配設された粒子）は、サンプルと遮蔽要素との間ではなく、遮蔽要素と粒子ビーム源との間に配置されていることから、サンプルに対して機械的な影響を及ぼすことができない場合も考えられる。このため、入射側の特性化によって必ずしも、遮蔽要素が運用中にサンプルに損傷を及ぼし得るかの判定に必要なすべての情報を提供できるとは限らない。入射側のみの特性化の場合、サンプル側の特性は、せいぜい再構成によって確定できる程度である。ただし、遮蔽要素は、サンプル側を再構成できないように部分領域を含む場合もあるし、そのように全体が構成されている場合もある。この場合、遮蔽要素の入射側の特性化は、サンプル側の異状に関して「闇雲」に行われることになる。

【0015】

ただし、実際のところ、サンプルへの損傷の原因となるのは、遮蔽要素のサンプル側の表面上の異状と考えられる。これは、サンプルの表面と直接、相互作用し得るためである。第一には、遮蔽要素のサンプル側の表面がサンプルの表面に直接対向しているため、直接的な相互作用が発生する。第二に、粒子ビーム装置の運用中は、遮蔽要素が通例、サンプルの至近に配置される。これにより、たとえばサンプルを起点とする電界が粒子ビームに及ぼす影響が空間的に制限され得る。ただし、至近であることから、遮蔽要素のサンプル側の異状によって、はるかに容易にサンプルが損傷または損害を受ける可能性がある。たとえば、遮蔽要素のサンプル側の異状には、サンプルの表面を擦過し得る欠陥部位を含む場合がある。あるいは、遮蔽要素の欠陥部位がサンプルの表面に不要な粒子を導入してしまう場合もある。

【0016】

本発明は、サンプル側の直接的および／または完全な特性化を可能にし得る。特性化手段がサンプル側に配置されており、遮蔽要素のサンプル側の表面へのアクセスが妨げられないためである。したがって、遮蔽要素のサンプル側に関する信頼性の高い情報が得られる。

【0017】

たとえば、特性化手段は、粒子ビーム装置において静的に配置され得る。たとえば、特性化手段は、粒子ビーム装置において、（たとえば、当該特性手段を別途シフトさせることなく）遮蔽要素のサンプル側の特性化が可能となるように固定され得る（または、取り付けられている）。

【0018】

たとえば、配置には、特性化手段の粒子ビーム装置への最初の導入を含むことができる。その後、特性化手段は、遮蔽要素のサンプル側の位置となるように、粒子ビーム装置においてさらに配置され得る。

【0019】

配置は、たとえば特性化手段が載置および／または固定される配置手段（たとえば、ポジショナ）によって実行され得る。たとえば、配置手段は、粒子ビーム装置内で空間的に変位可能なサンプルホルダーおよび／またはステージを備えることができる。また、たとえば特性化手段をサンプルホルダーにしっかりと組み込むことも可能である。

【0020】

一例において、この方法は、特性化手段によって少なくとも部分的に、遮蔽要素のサンプル位置に対向する側を特性化することを含む。これにより、遮蔽要素のサンプル側の表面は、サンプル側の特性化手段の配置によって好適に特性化され得る。配置および／または特性化は、たとえば粒子ビーム装置の技術的評価、保全措置、技術的サービス等の一部として起こり得る。

【0021】

一例として、特性化することは、遮蔽要素のトポロジを取り込むことを含み、トポロジは、遮蔽要素のサンプル位置に対向する側で取り込まれる。たとえば、トポロジには、遮蔽要素のサンプル側の高さプロファイルを含むことができる。高さプロファイルには、たとえば遮蔽要素のサンプル側の第１の（空間）座標に関する第１の高さ値および第２の（空間）座標に関する第２の高さ値を少なくとも含むことができる。これに応じて、高さプロファイルには、少なくとも３つの高さ値、少なくとも４つの高さ値、少なくとも５つの高さ値、および／または少なくとも１０個の高さ値をさらに含むことができる。他の例においては、高さプロファイルの代わりに、単一の高さ値だけをトポロジとして記録することも可能である（たとえば、最大値または最小値）。

【0022】

また、トポロジの取り込みには、たとえば取り込まれた高さプロファイルの内挿および／または外挿を含むことができる。

【0023】

たとえば、トポロジの取り込みには、トポロジの基準平面として機能し得る基準平面を取り込むことを含むことも可能である。

【0024】

一例において、特性化することは、トポロジおよび取り込みトポロジの目標状態に少なくとも部分的に基づいて、トポロジの異常を判定することを含む。たとえば、取り込みトポロジは、トポロジの目標状態と比較され得る。たとえば、目標状態には、取り込みトポロジからの異状が決定された特徴的なトポロジ（たとえば、特徴的な高さプロファイル）を含み得る。たとえば、取り込み高さプロファイルのコースを高さプロファイルの目標状態のコースと比較して、欠陥が異常として目標コースを変化させたかを判定することができる。たとえば、欠陥は、トポロジにおける特徴的ではない（局所的な）高さおよび／または特徴的ではない（局所的な）窪みの原因となって、その旨を示すことができる。さらに、目標状態には、特徴的なトポロジの目標値（たとえば、トポロジの最大および／または最小の目標値、基準平面に対する特徴的なトポロジの高さの目標値等）を含むこともできる。

【0025】

一例において、特性化することは、遮蔽要素がサンプル位置に延入しているかを判定することを含む。サンプル位置には、粒子ビーム装置におけるサンプル（または、その表面）の位置を含むことができ、たとえばサンプルの処理および／または観察時には、このサンプル位置が採用される。ここで、サンプル位置は、サンプル位置のサンプルの表面と遮蔽要素との間の距離に対応することができる。サンプル位置への延入には、遮蔽要素がサンプル位置のサンプルの表面に延入すること、または、サンプル位置のサンプルの表面が及ぶ平面に延入すること（あるいは、サンプルが挿入された場合に延入すること）を含むことができる。遮蔽要素がサンプル位置に延入しているものと判定された場合は、遮蔽要素およびサンプル位置のサンプルの接触が想定される。遮蔽要素がサンプル位置に延入しているかの判定は、取り込みトポロジに少なくとも部分的に基づき得る。たとえば、サンプル位置（または、サンプル位置のサンプルの表面の遮蔽要素からの距離）は、トポロジのコースと比較され得る。

【0026】

したがって、この方法は、取り込みトポロジに少なくとも部分的に基づいて、遮蔽要素がサンプル位置のサンプルに接触しているか（または、接触していたか）の判定に使用され得る。

【0027】

一例において、特性化手段は、トポロジを測定するためのセンサを備え、トポロジの取り込みは、センサを用いたトポロジの測定に少なくとも部分的に基づく。ここで、センサは、粒子ビーム装置に通信結合され得る。また、たとえば装置を介してセンサを設定することも可能であるし、粒子ビーム装置を介してデータ（たとえば、トポロジの測定結果）を受信することも可能である。たとえば、粒子ビーム装置は、（たとえば、評価ユニットによって）測定結果を評価することができる。また、センサは、（たとえば、ケーブル経由および／または無線で）外部装置にも結合され得る。たとえば、この方法の場合は、粒子ビーム装置のチャンバを開放して、遮蔽要素のサンプル側への特性化手段のアクセスを可能にすることも考えられる。そして、センサが粒子ビーム装置内に配置され、そのケーブルが開放チャンバを介して外部装置に接続され得る。外部装置には、たとえば評価ユニット、コンピュータ等を含み得る。

【0028】

一例において、センサは、共焦点センサを含み、トポロジの測定は、共焦点測定原理に少なくとも部分的に基づく。

【0029】

一例において、センサは、干渉センサを含み、トポロジの測定は、干渉測定原理に少なくとも部分的に基づく。

【0030】

センサによって測定を実行するため（たとえば、共焦点測定原理および／または干渉測定原理に従った測定のため）、センサを空間的に変位させることが必要となり得る。したがって、この方法は、特性化手段（たとえば、センサ）をサンプルおよび／またはサンプルホルダーに取り付けることを含むことができる。これにより、特性化手段は、トポロジの測定のため好適に配置され得る。たとえば、共焦点センサが遮蔽要素のサンプル側の表面を（たとえば、規定の測定距離で）１点ずつ測定する共焦点測定原理に従った測定が必要となり得る。表面の１点ずつの走査は、特性化手段の対応する配置によって可能となり、特性化手段は、測定プロセスに対して調整および制御され得る。たとえば、特性化手段の配置は、粒子ビーム装置および／または外部装置がセンサと通信結合されている場合、粒子ビーム装置および／または外部装置によって測定中に制御され得る。さらに、測定のため、特性化手段を（たとえば、オペレータが）手動で配置することも考えられる。

【0031】

一例において、特性化手段は、遮蔽要素から所定の距離に配置可能であり、所定の距離は、サンプルと遮蔽要素との間の目標距離に対応する。この場合、目標距離は、遮蔽要素のサンプル側の表面からサンプルの表面までの距離に対応し得る。そして、目標距離は、特定のサンプル位置のサンプルと遮蔽要素との間の距離に対応し得る。したがって、この場合、特性化手段は、遮蔽要素からのサンプルの目標距離で発生し得る影響を受ける可能性がある。このため、特性化手段によって、たとえば（本明細書に記載のような）遮蔽要素がサンプル位置に延入しているかを直接「テスト」することができる。

【0032】

一例において、この方法は、特性化手段と遮蔽要素との間の接触の有無を検出することをさらに含む。検出することは、たとえばトポロジを取り込むことも意味することが了解され得る。接触がある場合は、遮蔽要素の少なくとも１つのトポロジ段階が特性化手段に接触する。

【0033】

一例において、検出は、接触がある場合に生じる接触信号を検出することを含む。

【0034】

一例において、この方法は、遮蔽要素の方向への特性化手段の接近よって、遮蔽要素から所定の距離に特性化手段を配置することを含む。接近中に接触信号が検出された場合は、たとえば遮蔽要素の損傷を防止するため、遮蔽要素の方向へのさらなる接近を中断することができる。

【0035】

一例において、特性化手段は、（たとえば、ばね要素を介して）垂直方向に移動可能に備え付けられている。遮蔽要素の方向への接近は、（特性化手段に対して）垂直方向にもたらされ得る。接近中に接触が発生した場合は、接近移動と反対の特性化手段の移動が起こり得る。したがって、接触中の遮蔽要素および／または特性化手段への損傷が最小限に抑えられる。

【0036】

一例において、特性化手段は、少なくとも部分的に導電性であり、検出は、接触がある特性化手段および遮蔽要素を流れる電流の検出を含む。ここで、接触信号は、粒子ビーム装置により与えられ得る。たとえば、遮蔽要素のサンプルおよび／またはサンプルホルダーとの接触を検出するように装置を構成することが考えられる。この検出は、この接触中に遮蔽要素ならびにサンプルおよび／もしくはサンプルホルダーを流れる電流の検出に少なくとも部分的に基づくことができる。少なくとも部分的に導電性の特性化手段を設けることによって、この機能は、（本明細書に記載のような）遮蔽要素の特性化に使用可能である。また、接触信号は、粒子ビーム装置から、たとえば特性化手段の接近（および、配置）を制御する外部装置にも伝達され得る。

【0037】

一例において、この方法は、サンプル位置のサンプルの表面と平行な横方向に特性化手段を移動させることをさらに含む。横方向の移動は、たとえば所定の距離でもたらされ得る。たとえば、接近後の移動が横方向に起こり得る。たとえば、所定の距離で接触信号がない場合は、横方向移動の場合（または、横方向移動の後）にもこれが当てはまるかが確認され得る。また、横方向移動中は、遮蔽要素の特性（たとえば、遮蔽要素のトポロジ）に関する結論を出すため、接触信号（または、その有無）が記録され得る。

【0038】

一例において、特性化手段は、（たとえば、ばね要素を介して）横方向に移動可能に備え付けられた接触面を含む。トポロジを取り込むことは、特性化手段を横方向に所定の距離（または、所定の移動距離）だけ第１の位置から第２の位置まで移動させることと、特性化手段の横方向の移動による接触面の距離（または、移動距離）を確定することと、をさらに含み得る。

【0039】

特性化手段の接触面が移動可能に備え付けられる横方向は、特性化手段の（本明細書に記載の）垂直方向と垂直であってもよい。したがって、横方向は、特性化手段の水平方向（または、水平軸）に対応し得る。

【0040】

特性化手段の移動は、特性化手段を備え付け可能なサンプルホルダーによって実行（たとえば、規定）され得る。この場合は、（サンプルホルダーの）所定の移動距離を粒子ビーム装置に入力可能であり、これに応じて特性化手段（または、サンプルホルダー）を移動させる。

【0041】

本例においては、横方向移動可能に備え付けられた接触面が特性化手段の横方向移動に従って付随して移動するかが判定され得る。これは、たとえば特性化手段の所定の移動距離が接触面の確定移動距離に（実質的に）対応する場合である。遮蔽要素のサンプル側の表面は、各移動距離を比較することによって特性化され得る。他の例において、この方法では、上記の代替または追加として、特性化手段が横方向に移動し、これに付随して接触面が移動および／または（完全に）移動するか（または、移動したか）がテストされることを含む。

【0042】

一例において、この方法は、接触面が所定の距離だけシフトした場合、接触がないことを検出することをさらに含む。この場合は、横方向移動可能に備え付けられた接触面が遮蔽要素の影響（たとえば、接触）を受けないものと推測され得る。したがって、遮蔽要素が特性化手段と（不要に）接触しないことが検出され得る。

【0043】

さらに、この方法は、接触面が所定の移動距離だけシフトしていない場合（または、たとえば一切もしくは大きくはシフトしていない場合）、接触があることを検出することを含むことができる。この場合は、横方向移動可能に備え付けられた接触面が遮蔽要素の影響（たとえば、接触）を受けるものと推測され得る。したがって、遮蔽要素が特性化手段と（不要に）接触することが検出され得る。さらに、接触面の所定の移動距離と確定移動距離との間の逸脱の閾値を起点として、接触があることを検出することも考えられる。たとえば、接触があることは、接触面の移動距離が所定の移動距離から少なくとも１％、少なくとも２％、少なくとも３％、および／または少なくとも５％だけ逸脱している場合に検出され得る。

【0044】

一例において、移動距離を確定することは、特性化手段の第１の位置における接触面の基準構造体の第１の像を記録することと、特性化手段の第２の位置における接触面の基準構造体の第２の像を記録することと、第１の像における基準構造体と第２の像における基準構造体との間の距離を決定して、接触面の移動距離を確定することと、を含む。

【0045】

ここで、像は、粒子ビーム装置の粒子ビームによって記録され得る（たとえば、像には、粒子ビーム像（たとえば、走査型力電子像）を含むことができる）。さらに、像は、粒子ビーム装置の光学系によっても記録され得る（たとえば、像には、光学像を含むことができる）。

【0046】

ここで、基準構造体には、特性化手段の表面上の好適な構造体を含むことができる。たとえば、基準構造体は、この方法の目標とする様態で特性化手段に備え付けられていてもよい。たとえば、基準構造体には、特性化構造体の表面上の特徴的な構造体（たとえば、縁部、表面構造体、粒子等）を含むことができる。

【0047】

一例において、この方法は、横方向の移動による特性化手段上の擦過痕を検出することをさらに含む。

【0048】

擦過痕は、たとえば粒子ビーム装置においてその場検出され得る。ここでは、たとえば１つおよび／または複数の粒子ビーム像（たとえば、１つまたは複数の走査型力電子像）が粒子ビーム装置によって記録され得る。さらに、（本明細書に記載のような）横方向と垂直に１つまたは複数の粒子ビーム像を記録することも考えられる。したがって、擦過痕がある場合は、１つまたは複数の粒子ビーム像が擦過痕と（実質的に）垂直となる。粒子ビーム像において擦過痕の一部が検出された場合は、擦過痕を完全に記録するため、１つまたは複数の粒子ビーム像が擦過痕に沿って記録され得る。粒子ビーム像は、たとえば長さ寸法が４μｍ未満、６μｍ未満、１０μｍ未満、２０μｍ未満、および／または１００μｍ未満の視野を備えることができる。ここで、長さ寸法は、ｘ方向ひいてはｙ方向の寸法を意味することが了解され得る。

【0049】

別の例においては、（たとえば、光線または光子線を活用して）光学系により擦過痕を検出することも考えられる。たとえば、光学系が粒子ビーム装置に含まれることにより、ここでは、擦過痕の検出がその場でも起こり得る。さらには、光学系によって、検出を装置の外側で行うことも考えられる。ここで、この方法は、（本明細書に記載のような）特性化の後、粒子ビーム装置から特性化手段を取り出すことを含むことができる。その後、擦過痕を検出するため、（外部）光学系による特性化手段の分析が起こり得る。

【0050】

第２の態様は、粒子ビーム装置の遮蔽要素を特性化するための特性化手段であり、電界を遮蔽するための遮蔽要素が、サンプル位置と粒子ビーム源との間に配置された、特性化手段に関する。この特性化手段は、遮蔽要素のトポロジおよび／または遮蔽要素に接触する移動可能な、好ましくはばね式の接触面を取り込むためのセンサを備えることができる。さらに、この特性化手段は、粒子ビーム装置のサンプルホルダーに備え付けられるように構成されていてもよい。

【0051】

たとえば、特性化手段の形状によって、サンプルホルダーとの密着結合が保証され得る。別の例において、特性化手段の下面は、（たとえば、サンプルとの接着を確実にサポートし得る対応する凹凸によって）サンプルホルダーへの確実な取り付けが意図され得る。

【0052】

さらに、たとえば、特性化手段は、装置のサンプルホルダーに備え付けられ得るサンプルに備え付けられるように構成されていてもよい。

【0053】

たとえば、サンプルには、マスクブランクを含むことができる。マスクブランクには、たとえば（マイクロおよび／またはナノ）リソグラフィ（たとえば、ｉラインリソグラフィ、ＤＵＶリソグラフィ、ＥＵＶリソグラフィ等）のマスク用のマスクブランクを含むことができる。粒子ビーム装置は、たとえば（たとえば、マスク修復のため）リソグラフィマスクを観察および／または処理するように構成され得る。

【0054】

一例において、この特性化手段は、基部をさらに備え、接触面は、好ましくはばね要素を介して、当該接触面と垂直に基部に移動可能に結合されている。たとえば、基部は、フレーム構造体を含み得る。ここで、フレーム構造体の下面は、接触面の反対に配置されていてもよい。この下面には、基部（または、基部の下面）と垂直に接触面を結合する少なくとも１つのばね要素が備え付けられ得る。たとえば、ばね要素は、ばねを含むことができる。また、２つ以上のばねから成るばねシステムも考えられる。さらに、フレーム構造体には、下面と垂直に備え付けられた側面構造体を含むことができる。たとえば、側面構造体は、当該側面構造体および下面が一体構造体を形成するように、下面から延伸可能である。側面構造体は、接触面の領域に、接触面と平行に形成され得る保持領域を含むことができる。保持領域は、接触面をその周囲領域において少なくとも部分的に（確実に）囲むことができる。保持領域は、下面を起点とする垂直方向の接触面の撓みの制限に使用可能である。たとえば、ばね要素は、保持領域に対して、（規定の）力が接触面を介して垂直方向に印加されるように構成されていてもよい。このため、１つの平面において規定された接触面が確保され得るが、垂直方向の力が印加された場合には、下面の方向にも創出する可能性がある。接触面の創出によって、遮蔽要素がこのようにいくらか保護されるため、これは、（たとえば、本明細書に記載のような接近中の）遮蔽要素との接触等の場合に好都合となり得る。

【0055】

一例において、接触面は、好ましくはばね要素を介して、当該接触面の平面に沿って基部に移動可能に結合されている。たとえば、接触面は、ばね要素を介して、基部の側面構造体に結合され得る。これは、接触面の平面または側面構造体と垂直な平面における接触面の懸架を保証し得る。したがって、接触面は、下面の平面と平行に、移動可能に備え付けられ得る。これにより、（本明細書に記載のような）特性化手段の横方向移動中の接触の検出を可能にすることができる。たとえば、接触面が遮蔽要素との接触によって保持または固定される場合、特性化手段の基部は、移動可能な結合のため、接触面の平面に沿って移動し続けることができる。ただし、接触面の移動は、（少なくとも部分的に）妨げられることになる。したがって、接触がある場合、基部の移動距離は、接触面の移動距離には対応しなくなる。このように、（本明細書に記載のような）接触の有無が推測されるようになっていてもよい。

【0056】

一例において、接触面は、基部に関して第１の平面および第２の平面を有し、第１の平面は、第２の平面の下側にあり、第２の平面は、遮蔽要素の周囲領域と一致するように寸法規定されている。平面の空間的配置には、基部（たとえば、基部の下面）を基準とすることができる。したがって、下側の第１の平面は、（本明細書に記載の方法における使用の場合）上側の第２の平面よりも遮蔽要素からの距離を大きくすることができる。本明細書に記載の方法においては、２つの平面によって安全マージンが可能となる。たとえば、遮蔽要素から所定の距離で特性化手段を配置する場合は、第１の平面の表面に対して所定の距離を選択することができる。したがって、遮蔽要素の周囲領域における異状は、第２の平面を介して検出される可能性が高くなる。第２の平面は、第１の平面よりも遮蔽要素に近いためである。特に、第２の平面は、（本明細書に記載のような）接近中に遮蔽要素と通常よりも早く接触する可能性がある。

【0057】

たとえば、遮蔽要素は（通常）、周囲領域の保持要素を備えることができる。保持要素は、たとえば遮蔽要素の他の要素よりも幾何学的に幅広の構造体を有することができ、たとえば遮蔽要素の接続要素として作用することができる。たとえば、保持要素は、比較的薄いメッシュ構造体を遮蔽要素の内側領域に固定するように構成されていてもよい。たとえば、保持要素は、（たとえば、遮蔽要素の他の要素とは対照的に）好ましくはサンプル位置に延入するトポロジを有することができる。たとえば、保持要素は、その表面が遮蔽要素よりもサンプル位置（または、サンプルホルダー）に近くなるように成形されていてもよい。したがって、保持要素の領域（すなわち、周囲領域）における欠陥または異状がより高い確率でサンプル位置のサンプルに影響を及ぼす可能性がある。

【0058】

また、第２および第１の平面の漸近的変化によって、運用中の遮蔽要素および／またはサンプルの傾斜も考慮され得る。傾斜の場合は、たとえば遮蔽要素の周囲領域における遮蔽要素のサンプルとの接触が予想される。したがって、漸近的変化のため、上側の第２の平面は、安全マージンとして作用し得る。特性化手段が（第１の要素の表面を起点として）遮蔽要素から所定の距離で接触が検出されない場合、たとえばこれは、わずかに傾斜している場合とも想定され得る。第２の平面は、所定の距離において、接触を一切起こさないためである。

【0059】

また、第１の要素は、たとえば遮蔽要素のメッシュ構造体（または、中心領域）と一致するように寸法規定され得ることにも留意するものとする。

【0060】

また、本発明の一態様は、第１の態様に係る方法における特性化手段として、第２の態様に係る特性化手段のうちの少なくとも１つの使用を含むことに留意するものとする。

【0061】

別の態様は、第１の態様に係る方法における特性化手段として、トポロジを測定するように構成されたセンサの使用に関する。

【0062】

第３の態様は、サンプルを粒子ビームで照射するための粒子ビーム装置であって、電界を遮蔽するための遮蔽要素であり、サンプル位置と粒子ビーム源との間に配置された、遮蔽要素と、第２の態様に係る遮蔽要素を特性化するための特性化手段であり、遮蔽要素のサンプル位置に対向する側に配置された、特性化手段と、を備えた、粒子ビーム装置に関する。粒子ビーム装置には、たとえばリソグラフィマスクの修復用の粒子ビーム装置を含むことができる。たとえば、粒子ビーム装置は、（たとえば、自動、半自動、および／または手動修復プロセスの一部としての）マスク修復を実行するように構成されていてもよい。

【0063】

特性化手段は、粒子ビーム装置において、たとえば永久的または長期間にわたって組み込み得る。ただし、特性化手段は、（本明細書に記載のような）遮蔽要素の特性化の一部として、短期間または規定の期間にわたって粒子ビーム装置に含まれる可能性もある。

【0064】

粒子ビーム装置の粒子ビーム源は、たとえば荷電粒子（たとえば、電子および／またはイオン）を含む粒子ビームを放出可能である。さらに、粒子ビーム装置は、（たとえば、電子像を記録するための電子によって）粒子ビームによりサンプルを観察するように構成されていてもよい。さらに、粒子ビーム装置は、（たとえば、マスク修復の一部として）サンプルの粒子ビーム誘起エッチングおよび／またはサンプル上の材料の粒子ビーム誘起堆積用に構成されていてもよい。たとえば、粒子ビーム装置は、ＥＵＶリソグラフィ、ＤＵＶリソグラフィ用のマスクの修復、および／または他種のリソグラフィ法用のマスクの修復に使用可能である。

【0065】

第４の態様は、コンピュータおよび／または第３の態様に係る粒子ビーム装置により実行された場合に、第１の態様に係る方法をコンピュータおよび／または粒子ビーム装置に実行させる命令を含むコンピュータプログラムに関する。

【0066】

上記の代替または追加として、コンピュータプログラムは、本明細書に記載の他の方法ステップの実行または本明細書に記載のような装置（もしくは、システム）の機能の実行もしくは実施のための命令を含むことができる。たとえば、コンピュータプログラムは、上記方法のステップおよび／または上記装置の機能が（自動的に）実行され得るように、上記装置（または、システム）の特定の構成要素（または、手段）が開ループまたは閉ループで制御されるようにすることができる。したがって、上記装置は、コンピュータプログラムならびに当該装置の構成要素（もしくは、手段）へのインターフェースに基づいて、開ループおよび／または閉ループにて制御され得る。

【0067】

第５の態様は、サンプルを粒子ビームで照射するための粒子ビーム装置であって、第４の態様に係るコンピュータプログラムを含む、粒子ビーム装置に関する。たとえば、粒子ビーム装置は、コンピュータプログラムを含む（または、格納する）（不揮発性）メモリを備えることができる。第５の態様の粒子ビーム装置には、たとえば第３の態様に係る粒子ビーム装置および（本明細書に記載のような）特性化手段を含むことができる。

【0068】

別の態様は、本明細書に記載の装置であって、当該装置の少なくとも部分的に自動化された制御のためのコンピュータプログラムを含むメモリを有する、装置に関する。さらに、一態様の装置は、コンピュータプログラムを実行するための手段を有することができる。あるいは、コンピュータプログラムを他の場所（たとえば、クラウド）に格納することも可能であり、また、他の場所でのプログラムの実行に起因する命令を受信するための手段のみを装置が有することも可能である。いずれにしろ、これにより、たとえばシステムおよび／または装置内において、上記方法を自動的または自律的に実行させることができる。このため、たとえば手動手段による介入が最小限に抑えられ、装置（または、システム）の運用中の複雑性が抑えられる。

【0069】

さらに、本明細書に記載の方法のうちの１つが実行される場合のプロトコルを生成することも考えられる。プロトコルは、たとえば上記方法中の本明細書に記載のパラメータ（たとえば、特性化手段の位置、取り込みトポロジ、制御信号等）のうちの１つを含むことができる。そして、プロトコルは、たとえば後で（たとえば、誤差評価、監査、サービス行為等の一部として）上記方法の実行を可能にするとともに、その詳細（たとえば、特性化手段の位置）の取得を可能にし得る。プロトコルは、たとえばデバイスおよび／またはコンピュータに格納され得るプロトコルファイル（たとえば、ログファイル）を含み得る。

【0070】

本明細書に記載の方法（または、コンピュータプログラム）の特徴（および、例）は、前述の装置（または、システム）に対応して適用されるようになっていてもよいし、適用可能であってもよい。本明細書に記載の装置（または、システム）の特徴（および、例）は、本明細書に記載の方法（または、コンピュータプログラム）に対応して適用されるようになっていてもよいし、適用可能であってもよい。

【0071】

以下の詳細な説明は、図面を参照して、本発明の技術的背景情報および実施例を記載する。

【図面の簡単な説明】

【0072】

【図1】遮蔽要素およびサンプル位置のサンプルを含む粒子ビーム装置の模式側面図である。

【図2】サンプルに延入した遮蔽要素の欠陥の模式側面図である。

【図3】遮蔽要素を特性化するための第１の手段の模式側面図である。

【図4】欠陥のない遮蔽要素から所定の距離にある第２の特性化手段の模式側面図である。

【図5】欠陥を有する遮蔽要素から所定の距離にある第２の特性化手段の模式側面図である。

【図6】欠陥のない遮蔽要素から所定の距離にある第３の特性化手段の模式側面図である。

【図7】欠陥を有する遮蔽要素から所定の距離にある第３の特性化手段の模式側面図である。

【図8】粒子ビーム装置によって遮蔽要素を特性化するための手段上の擦過痕の分析の模式平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0073】

図１は、遮蔽要素およびサンプル位置のサンプルを有する粒子ビーム装置の模式側面図である。粒子ビーム装置１００は、粒子ビーム源１０１を含むことができる。粒子ビーム源１０１は、たとえば指向性粒子ビームＥを放出可能である。粒子ビームＥは、荷電粒子（たとえば、電子および／またはイオン）を含むことができる。粒子ビーム装置は、粒子ビームＥを目標とする様態で（たとえば、粒子ビームＥの目標とする偏向、集束、補正等に向けて）制御する手段をさらに備えることができる。この場合、粒子ビームＥは、サンプルＭに向けられることができる。図１は、サンプルＭの例示的なサンプル位置を示している。

【0074】

装置１００は、粒子ビーム源１０１とサンプル位置との間に遮蔽要素Ｃを有することができる。遮蔽要素Ｃは、サンプルＭを起点とし得る電界を遮蔽するのに使用可能である。電界は、たとえば粒子ビームＥの照射によってサンプル上に蓄積された電荷により生じ得る。たとえば、導入された電荷がサンプルホルダーを介して必ずしも排出されるわけではないため、電界がサンプルＭから発生し得る。電界は、遮蔽要素Ｃによって、サンプルＭと遮蔽要素Ｃとの間の空間に制限され得る。このため、粒子ビームＥ（または、その荷電粒子）は、遮蔽要素Ｃと粒子ビーム源１０１との間の領域において、電界から遮蔽され得る。したがって、粒子ビームの無制御なオフセットが防止され得る。遮蔽要素は、たとえばＤＥ１０２０２０１２４３０７Ａ１に開示のように設計され得る。

【0075】

遮蔽要素Ｃは、メッシュ要素Ｎを含むことができる。メッシュ要素Ｎは、１つまたは複数の開口を含み得る。たとえば、メッシュ要素Ｎは、シングルピンホール絞りの形態の開口を含むことができる。たとえば、遮蔽要素Ｃは、たとえば１つまたは複数のメッシュの形態の１つまたは複数の開口を含むこともできる。メッシュ要素Ｎの開口は、任意の形状（たとえば、円形状、多角形状、正方形状、六角形状、ハニカム形状等）を含むことができる。メッシュ要素Ｎの開口は、少なくとも１つの方向において、５０マイクロメートル未満の寸法を有することができる。また、メッシュ要素Ｎの開口は、少なくとも１つの方向において、３０マイクロメートル未満、２０マイクロメートル未満、または１０マイクロメートル未満の寸法を有することも考えられる。メッシュ要素Ｎの開口の寸法は、少なくとも１つの方向において、５μｍ～３０μｍの範囲となり得るのが好ましい。さらに、メッシュ要素Ｎの複数の開口の特性は、互いに異なり得る（たとえば、第１の開口が直径５０μｍの円形開口で、第２の開口が直径１０μｍの円形開口であってもよい）。

【0076】

メッシュの形成材料は、電界の遮蔽を可能にするため、導電性とすることができる。たとえば、メッシュ要素Ｎの材料は、金、ニッケル、パラジウム、白金、イリジウムのうちの少なくとも１つを含むことができる。たとえば、メッシュ要素Ｎの厚さは、１ｎｍ～１００μｍ、１０ｎｍ～１００μｍ、１００ｎｍ～５０μｍ、１μｍ～３０μｍ、５μｍ～１５μｍの範囲となり得る。

【0077】

遮蔽要素Ｃは、保持要素Ｈをさらに備えることができる。メッシュ要素Ｎは、保持要素Ｈに固定可能である。保持要素Ｈは、メッシュ要素Ｎと比較して、少なくとも１つの空間的寸法を広くすることができる。これにより、保持要素Ｈに対するメッシュ要素Ｎの安定した固定が可能となり得る。

【0078】

メッシュ要素Ｎの中央には、貫通開口１０２が配置され得る。その特性は、メッシュ要素Ｎの開口について本明細書に記載の特性に対応することができる。たとえば、貫通開口１０２は、少なくとも１つの方向において、５０μｍ未満の寸法を含むことができる。たとえば、粒子ビームＥは、貫通開口１０２を通ってサンプルＭに入射するようにアライメント可能である。貫通開口１０２は、ここに規定の（たとえば、規定の開口を含む）メッシュを含むことができ、これは具体的に、粒子ビームＥを通過させ得るように構成されている。さらに、貫通開口１０２（または、貫通開口１０２の領域におけるメッシュ要素Ｎの領域）は、サンプル側に凸状で湾曲したものとすることができる。また、貫通開口１０２が配置されるメッシュ要素Ｎの領域は、三角形または三角錐の形態にて設計する（たとえば、三角形または三角錐の頂点がサンプル／サンプルホルダー側を指す）ことも考えられる。たとえば、この場合、貫通開口１０２は、三角形または三角錐の頂点を含むことができる。

【0079】

メッシュ要素Ｎは、たとえば少なくとも１ｍｍ、少なくとも２ｍｍ、少なくとも３ｍｍ、少なくとも５ｍｍ、および／または少なくとも１０ｍｍの直径を有することができる。直径は、保持要素Ｈの第１の側から保持要素Ｈの反対側まで規定され、その間にメッシュ要素Ｎが備え付けられていてもよい。

【0080】

サンプルＭは、遮蔽要素Ｃから所定のサンプル距離ｄ０に配置されていてもよい。図１の例において、所定のサンプル距離ｄ０は、遮蔽要素Ｃの基準点としての貫通開口１０２とサンプルＭの表面との間の最短距離として規定される。ただし、遮蔽要素Ｃのその他任意の基準点を使用して所定のサンプル距離ｄ０を規定することも考えられる。

【0081】

所定のサンプル距離ｄ０は、遮蔽要素からのサンプルＭの目標距離に対応し得る。目標距離ｄ０は、サンプルが処理される作動距離に対応し得る。たとえば、目標距離は、少なくとも５μｍ、少なくとも１０μｍ、少なくとも１５μｍ、少なくとも２０μｍ、および／または少なくとも５０μｍとすることができる。また、目標距離は、たとえば５μｍ～１００μｍの範囲の規定値を有し得る。

【0082】

たとえば、粒子ビーム装置１００は、サンプルＭの修復用に構成されていてもよい。サンプルを処理する場合には、たとえば粒子ビーム誘起エッチングおよび／または堆積が実行されるとともに、粒子ビームによるサンプルの観察がなされ得る。

【0083】

たとえば、粒子ビーム装置１００には、マスク修復装置を含むことができる。この場合、サンプルＭには、リソグラフィ対象を含むことができる。たとえば、サンプルＭには、任意のリソグラフィ法（たとえば、ＥＵＶリソグラフィ、ＤＵＶリソグラフィ、ｉラインリソグラフィ、ナノインプリントリソグラフィ等）に適したリソグラフィマスクを含み得る。一例において、リソグラフィマスクには、ＥＵＶマスク、ＤＵＶマスク、ｉラインリソグラフィマスク、および／またはナノインプリントスタンプを含むことができる。また、リソグラフィ対象には、バイナリマスク（たとえば、クロムマスク、ＯＭＯＧマスク）、位相マスク（たとえば、クロムフリー位相マスク、交互位相マスク（たとえば、リム位相マスク））、ハーフトーン位相マスク、トリトーン位相マスク、および／またはレチクル（たとえば、ペリクル付き）を含むことができる。リソグラフィマスクは、たとえば半導体チップの生産のためのリソグラフィ法において使用することができる。

【0084】

図２は、サンプルＭに延入した遮蔽要素の欠陥Ｄの模式側面図である。たとえば、欠陥Ｄは、遮蔽要素Ｃの保持要素Ｈのサンプル側の領域に配置されていてもよい。したがって、欠陥Ｄは、粒子ビームＥにより検出され得ない。欠陥Ｄは、たとえば製造誤差、サービス行為、および／または保全措置によって生じ得る。図２において、サンプルＭは、遮蔽要素Ｃから目標距離ｄ０に配置されている。ただし、この作動距離においては、欠陥ＤがサンプルＭに接触する可能性がある。すなわち、この場合は、遮蔽要素ＣとサンプルＭとが不必要に接触する。この接触によって、局所的な力がサンプルＭの表面に作用する場合がある。これは、接触によって不良部位ＫがサンプルＭ上にもたらされ得ることを意味する。不良部位Ｋには、たとえば擦過痕および／または局所的な窪みを含むことができる。ただし、産業環境においては、サンプルの損傷を確実に防止することが必要となり得る。たとえば、これは、マスク修復において非常に重要であり、防止しなければ不良部位がリソグラフィでウェハに転移する可能性もある。さらに、サンプルＭと遮蔽要素Ｃとの間の無制御な接触Ｋによって、遮蔽要素Ｃが損傷を受ける可能性もある。したがって、遮蔽要素から目標距離でのサンプルの接触は回避されるべきである。これは、本明細書に記載の本発明に係る遮蔽要素Ｃの特性化によって保証され得る。

【0085】

図３は、遮蔽要素を特性化するための第１の手段の模式側面図である。第１の手段は、共焦点センサＳ１を備えることができる（たとえば、共焦点センサＳ１として設計可能である）。共焦点センサＳ１は、サンプルＭに備え付け可能である。サンプルＭは、リソグラフィマスク用の（非構造化）マスクブランクを含むことができる。たとえば、共焦点センサＳ１は、結合手段（たとえば、接着剤、接着層等）を介してサンプルＭに備え付けられ得る。また、共焦点センサＳ１をサンプルＭ上に緩く載置することも可能であり、たとえば、共焦点センサＳ１の下面を粗くして、共焦点センサＳ１の安定した（たとえば、センサの横滑りがない）配置を保証することも考えられる。共焦点センサＳ１は、特性化を目的として、遮蔽要素のサンプル位置に対向する側に配置され得る。したがって、欠陥部位が確実に検出され得る。とりわけ、遮蔽要素Ｃの保持要素Ｈのサンプル側の欠陥が検出され得る。共焦点センサＳ１は、当該共焦点センサＳ１を備えたサンプルＭが備え付けられるサンプルホルダーによって配置され得る。共焦点センサＳ１は一般的に、サンプルホルダーに収容されるように構成可能である。

【0086】

特に、共焦点センサＳ１は、遮蔽要素Ｃのサンプル側のトポロジの測定を可能にし得る。共焦点センサＳ１は、共焦点測定原理に従った測定の実行に使用可能である。共焦点センサＳ１は、この目的で、光Ｌを遮蔽要素Ｃ上に測定光として集束させ得る光源を備えることができる。さらに、共焦点センサＳ１は、遮蔽要素Ｃで反射された光を検出する検出器を備えることができる。検出器および光源は、共焦点測定原理に必要な構成要素を備え得る。たとえば、検出器は、共焦点測定を可能にするため、中間像面用のピンホール絞りを有することができる。たとえば、光Ｌのビームの偏向によって、共焦点測定のための遮蔽要素Ｃの表面の１点ずつの走査が実行され得る。さらに、共焦点センサＳ１の配置によって、１点ずつの走査を行うことも考えられる。ここで、図３に示すように、共焦点センサＳ１は、遮蔽要素Ｃのサンプル側から測定距離ｄに配置可能である。その後、共焦点センサＳ１は、サンプル位置のサンプルの表面と平行な横方向に沿って変位可能である。ここで、図３においては、横方向をｘ軸によって示している。このように、共焦点センサＳ１の横方向配置によって、遮蔽要素Ｃのサンプル側の表面の１点ずつの走査が可能となる。共焦点センサＳ１は、ケーブル３０１を介して、外部装置および／または粒子ビーム装置に通信結合可能である。たとえば、このように、共焦点測定のための配置およびセンサ取り込みの調整を保証することができる。

【0087】

一例において、共焦点センサＳ１は、外部装置に接続されている。外部装置は、共焦点測定において粒子ビーム装置のサンプルホルダーがこれに応じて当該外部装置によって制御され得るように、粒子ビーム装置に結合されていてもよい。別の例においては、サンプルホルダーのみが外部装置に結合され、外部装置によって制御されることにより走査のための共焦点測定が行われ得る。別の例において、共焦点センサＳ１は、粒子ビーム装置に通信結合されている。ここで、サンプルホルダーは、共焦点測定のため粒子ビーム装置により制御され得る。

【0088】

さらに、第１の手段が共焦点センサＳ１以外のセンサを含むことも考えられる。たとえば、干渉センサも使用可能であって、これに応じて干渉測定原理に基づいてトポロジが取り込まれ得る。また、遮蔽要素の光学像を記録可能な光学センサ（たとえば、ＣＣＤセンサ）も考えられる。さらに、第１の特性化手段に含まれる異なるセンサの組み合わせも考えられる。たとえば、この目的で、複数のセンサがサンプルＭに備え付けられ得る。たとえば、適用可能な各測定原理に従った複数の測定が使用される場合もある。

【0089】

図４は、欠陥のない遮蔽要素Ｃから所定の距離ｄ０にある第２の特性化手段の模式側面図である。第２の手段は、第１のマイクロ構造体Ｓ２を含むことができる。第１のマイクロ構造体Ｓ２は、基部４０１を含むことができる。基部４０１は、たとえばサンプルホルダー上に存在し得る下面４１０を含むことができる。基部４０１としては、たとえば図４に示すように、フレーム構造体の形態が可能である。マイクロ構造体Ｓ２は、垂直方向に（図４のｚ軸に沿って）基部４０１に結合された接触面４０２を含むことができる。特性化においては、そのプロセス中に、接触面４０２が（本明細書に記載のような）遮蔽要素Ｃに接触し得る。接触面４０２は、第１のばねＦ１および第２のばねＦ２を介して、垂直方向に（下面４１０と垂直に）基部４０１に結合され得る。下面４１０の方向の力が接触面に印加された場合、接触面は、これに応じて下面４１０の方向に撓んだり移動したりする可能性がある。

【0090】

この点、接触面４０２は、第１の平面Ｅ１および第２の平面Ｅ２を含むことができる。第１の平面Ｅ１は、（基部４０１の下面または指定のｚ方向に関して）第２の平面Ｅ２の下方に配置され得る。第１の平面Ｅ１は、特性化手段の特性化位置において、遮蔽要素Ｃのメッシュ要素Ｎの中心領域の反対側となるように寸法規定され得る。第２の平面Ｅ２は、特性化位置において遮蔽要素Ｃの周囲領域（たとえば、保持要素Ｈおよびメッシュ要素Ｎの部分領域を含む）と一致するように寸法規定され得る。したがって、平面の寸法規定は、遮蔽要素の寸法と整合され得る。

【0091】

第１のマイクロ構造体Ｓ２は、側面構造体４０３をさらに含むことができる。側面構造体４０３は、基部４０１の下面４１０から垂直に延伸可能である。側面構造体４０３は、（本明細書に記載のような）接触面４０２の領域に形成された保持領域４０４を含むことができる。保持領域４０４は、接触面４０２とぴったりと嵌め合うように寸法規定され得る。接触面４０２は、保持領域４０４を介して規定された様態で（ｚ方向に）固定され得る。保持領域４０４がｚ軸の正方向の接触面の移動を空間的に制限し得るためである（たとえば、ｚ軸の正方向の移動は、第１のばねＦ１および／または第２のばねＦ２の力によってもたらされ得る）。

【0092】

第１のマイクロ構造体Ｓ２は、（少なくとも部分的に）導電性とすることができる。このため、第１のマイクロ構造体Ｓ２は、（本明細書に記載のような）方法を可能にし得る。たとえば、第１のマイクロ構造体Ｓ２によって、遮蔽要素から所定の距離における第１のマイクロ構造体の接触の有無が検出され得る。所定の距離（たとえば、粒子ビーム装置によるサンプル処理中のサンプルの目標距離）は、たとえば（本明細書に記載のような）傾斜および／または安全マージンを考慮に入れるため、第１の平面Ｅ１に関して選択され得る。

【0093】

図５は、欠陥Ｄを有する遮蔽要素から所定の距離にある第２の特性化手段の模式側面図である。本例においては、第１のマイクロ構造体Ｓ２がｚ方向において遮蔽要素Ｃに近づけられている。遮蔽要素Ｃの欠陥Ｄは、所定のサンプル距離ｄ０にある接触面４０２に接触する。ただし、所定のサンプル距離ｄ０より大きなサンプル距離であっても、欠陥Ｄが接触面４０２に接触するように設計することも考えられる。本明細書に記載の通り、接触によって、遮蔽要素Ｃおよび第１のマイクロ構造体Ｓ２に電流が流れ得る。たとえば、電流は、サンプルホルダーから第１のマイクロ構造体Ｓ２を通り、遮蔽要素Ｃを介して粒子ビーム装置１００に流れ得る。電流が流れる場合は、このため接触または接触信号の存在が判定され得る。したがって、遮蔽要素Ｃへのさらなる接近を中断することができる。この方法は、たとえば接触の場合に第１のマイクロ構造体Ｓ２のｚ位置を確定し、それに応じてサンプル距離を確定することを含むことができる。このため、たとえば実際のサンプルが遮蔽要素に接触することになるサンプル距離が決定され得る。さらに、この方法は、所定のサンプル距離（または、より大きなサンプル距離）における接触の存在に基づいて、遮蔽要素Ｃの修復および／または評価を実現することを含むことができる。

【0094】

図６は、欠陥のない遮蔽要素から所定の距離にある第３の特性化手段の模式側面図である。第３の手段は、第２のマイクロ構造体Ｓ３を含むことができる。第１のマイクロ構造体Ｓ２と同様に、第２のマイクロ構造体Ｓ３は、基部６０１を含むことができる。たとえば、第２のマイクロ構造体Ｓ３は同様に、側面構造体６０３および保持領域６０４を含むことができる。第２のマイクロ構造体Ｓ３は、接触面６０２を有し得る。接触面６０２は、当該接触面６０２の平面に沿って基部６０１に移動可能に結合され得る。図６において、接触面６０２は、ｘ方向（または、横方向Ｌ）に移動可能に備え付けられている。移動可能な備え付けは、たとえば少なくとも１つのばね要素によってもたらされ得る。このため、第２のマイクロ構造体Ｓ３は、第１の横方向ばねＦ１’および第２の横方向ばねＦ２’を含むことができる。第１の横方向ばねＦ１’は、側面構造体６０３の第１の側と接触面６０２の第１の周囲領域との間に備え付けられ得る。したがって、第２の横方向ばねＦ２’は、第２のマイクロ構造体Ｓ３の反対側において、側面構造体の第２の側と接触面６０２の第２の周囲領域との間に備え付けられ得る。このように、接触面６０２は、ばねＦ１’およびＦ２’を介して、横方向Ｌに移動可能に備え付けられ得る。

【0095】

さらに、第１のマイクロ構造体Ｓ２の特徴はすべて、マイクロ構造体Ｓ３に含まれ得る（その逆もまた同様である）。このため、たとえば図６においては、第１のマイクロ構造体Ｓ２と同じように、接触面６０２が第１の平面および第２の平面を同様に有することが分かる。また、接触面６０２は、（基部６０１の下面と垂直な）ｚ方向にも移動可能に備え付けられ得ることに留意するものとする。たとえば、これは、図５に図示および記載のようなばねシステムによって可能となり得る。

【0096】

図６の例において、接触面６０２は、遮蔽要素から所定のサンプル距離ｄ０に配置されている。本例において、遮蔽要素Ｃには最初、欠陥も異状もない。ここで、第２のマイクロ構造体Ｓ３の全体が第１の位置から第２の位置までｘ方向に所定の距離だけ移動すると、これに付随して接触面も移動する。たとえば、マイクロ構造体Ｓ３の全体は、サンプルホルダーとともに移動し得る。この結果、基部６０１がある距離だけ進行し、接触面６０２がある距離だけ進行する。遮蔽要素Ｃと接触面６０２との間に接触がなければ、ｘ方向の摂動力が接触面６０２に影響しないため、両進行距離が同じとなり得る。これは、図６において明らかである。接触面６０２が基部に対して対称に配置されているためである。ただし、たとえば遮蔽要素Ｃの欠陥がサンプル位置に延入している場合は、接触面６０２が影響を受ける可能性がある。これを検出することにより、遮蔽要素のサンプル側を特性化することができる。

【0097】

そして、図７は、欠陥Ｄを有する遮蔽要素から所定の距離にある第３の特性化手段の模式側面図である。欠陥Ｄは、サンプル位置に延入することで接触面６０２と相互作用し得る。欠陥Ｄは、たとえばｘ方向の移動中の接触面６０２に反対の作用を及ぼし得る。ただし、ばねＦ１’およびＦ２’があることから、欠陥Ｄは基部６０１の移動に反対の作用を及ぼし得ないか、または、最小限にしか及ぼし得ない。図７は、第２のマイクロ構造体Ｓ３がｘ方向（または、横方向）に所定の距離だけ移動した後の様子を示し得る。接触面は、これに付随して基部６０１と同じ距離だけ移動しているわけではないことが分かる。したがって、接触面６０２はもはや、基部６０１に対して対称に配置されていない。また、第２の横方向ばねＦ２’は、ｘ方向の接触面６０２の移動の妨害によって圧縮され得ることも明らかである。これとは対照的に、第１の横方向ばねＦ１’は伸長可能である。

【0098】

接触面６０２の移動距離と基部６０１の移動距離との間の差は、本明細書に記載の通りにもたらされ得る。たとえば、基部６０１は、サンプルホルダーによって、第１の位置から第２の位置まで規定の距離だけ移動し得る。このプロセスにおいて接触面が進行する距離は、たとえば（本明細書に記載のような）第１の位置における接触面の粒子ビーム像と第２の位置における接触面の粒子ビーム像との比較によって追跡され得る。粒子ビーム像は、粒子ビームＥによって記録可能であり、たとえば走査電子像が記録され得る。

【0099】

さらに、第２のマイクロ構造体Ｓ３は、（少なくとも部分的に）導電性とすることができる。このため、（本明細書に記載のような）遮蔽要素Ｃおよび第２のマイクロ構造体Ｓ３を流れる電流に基づく接触信号も同様に検出され得る。

【0100】

図８は、粒子ビーム装置１００によって遮蔽要素Ｃを特性化するための手段上の擦過痕Ｋの分析の模式平面図である。擦過痕の分析は、たとえば（本明細書に記載のような）第２および／または第３の特性化手段による特性化方法の代替または追加として実行され得る。例示的な方法にはまず、擦過痕が必要に応じて生成されるように、特性化手段を移動させることを含むことができる。たとえば、特性化手段はまず、遮蔽要素Ｃから所定のサンプル距離（すなわち、目標距離）に配置され得る。この最初の位置は、ゼロのｘ値およびゼロのｙ値と関連付けられていてもよく、ｘ方向およびｙ方向は、特性化手段の表面と平行であってもよい。そして、特性化手段は、第１の正のｘ位置（たとえば、ｘ＝＋ｖａｌ）まで移動し得る。そして、特性化手段は、たとえば第１のｘ位置と同じ絶対値を有する第２の負のｘ位置（たとえば、ｘ＝－ｖａｌ）まで移動し得る。第１または第２のｘ位置の絶対値は、遮蔽要素Ｃが延びる長さに対応し得る。たとえば、遮蔽要素Ｃの長さ（および、幅）は、１ｍｍ～１０ｍｍの範囲となり得る。このように、特性化手段は、遮蔽要素の長さ（または、幅）に関して、たとえば±ｘ（たとえば、ｘ方向に±３ｍｍ、±４ｍｍ、±１０ｍｍ）だけシフトし得る。そして、擦過痕Ｋの分析は、ｙ軸に沿って、ｘ方向と垂直に実行され得る。したがって、この分析は、「擦過方向」と垂直に実行され得る。特に、この分析は、粒子ビーム装置１００によって、１つまたは複数の粒子ビーム像によりその場で実行され得る。擦過痕Ｋが検出された場合は、遮蔽要素Ｃが所定のサンプル距離のサンプルと接触することが想定され得る。したがって、遮蔽要素の特性化の一部として、接触の存在が検出され得る。

【0101】

たとえば、粒子ビーム装置１００の視野Ｉは、遮蔽要素Ｃの長さ寸法よりも小さい場合があることに留意するものとする。たとえば、視野Ｉは、マイクロメートルの範囲（たとえば、１μｍ×１μｍ、６μｍ×６μｍ、１０μｍ×１０μｍ等）となり得る一方、遮蔽要素Ｃの長さ寸法は、（本明細書に記載のような）ミリメートルの範囲となり得る。この場合は、視野Ｉにわたって粒子ビーム像がこうして記録され得るものの、考え得る擦過痕Ｋの全長にわたるわけではない。「擦過プロセス」中に遮蔽要素Ｃに曝された表面を完全に記録するには、多数の粒子ビーム像が必要となる。たとえば、表面は、画素の態様の２次元で記録する必要があるため、非常に長い時間を要することになる。

【0102】

ただし、例示的な方法によれば、接触が存在する場合は、擦過痕が（実質的に）ある方向（たとえば、ｘ方向）に沿って延びることが想定され得る。それと垂直な関連位置（たとえば、Ｙ位置）のみが不明である。

【0103】

したがって、この方法では、ｘ方向と垂直（すなわち、考え得る擦過痕Ｋと垂直）なラインが複数の粒子ビーム像にわたって分析され得る。たとえば、このラインは、ｘ＝０でｙ方向に沿って規定されていてもよい。このため、擦過方向と垂直な長さＬにわたって、複数の粒子ビーム像が記録され得る。粒子ビーム像において擦過痕の部分領域が検出された場合は、これに応じて、たとえば擦過痕の方向に他の像を介して擦過痕Ｋが追跡され得る。遮蔽要素Ｃの長さに沿って±ｘだけ特性化手段を移動させることにより、擦過痕Ｋをもたらす接触が存在する場合は、擦過痕Ｋが遮蔽要素Ｃの長さ領域のｙ座標と交差することが保証され得る。したがって、視野が制限される場合でも、ｙ方向のラインの評価によって、擦過痕Ｋを好適に見つけて分析することができる。また、たとえば擦過なしマスクブランクを特性化手段として粒子ビーム装置に導入することも可能であることに留意するものとする。

【符号の説明】

【0104】

１００ 粒子ビーム装置
１０１ 粒子ビーム源
１０２ 貫通開口
３０１ ケーブル
４０１ 基部
４０２ 接触面
４０３ 側面構造体
４０４ 保持領域
４１０ 下面
６０１ 基部
６０２ 接触面
６０３ 側面構造体
６０４ 保持領域
Ｃ 遮蔽要素
Ｄ 欠陥
Ｅ 粒子ビーム
Ｅ１ 第１の平面
Ｅ２ 第２の平面
Ｆ１ 第１のばね
Ｆ１’ 第１の横方向ばね
Ｆ２ 第２のばね
Ｆ２’ 第２の横方向ばね
Ｈ 保持要素
Ｉ 視野
Ｋ 不良部位、擦過痕
Ｌ 光、横方向、長さ
Ｍ サンプル
Ｎ メッシュ要素
Ｓ１ 共焦点センサ
Ｓ２ 第１のマイクロ構造体
Ｓ３ 第２のマイクロ構造体
ｄ０ 所定のサンプル距離
ｄ 測定距離

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【手続補正書】

【提出日】2024-01-15

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

サンプル位置と粒子ビーム源（１０１）との間の電界を遮蔽するための粒子ビーム装置（１００）の遮蔽要素（Ｃ）を特性化するための方法であって、
前記遮蔽要素の前記サンプル位置に対向する側に、前記遮蔽要素を特性化するための手段（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３）を配置することを含む、方法。

【請求項2】

前記特性化手段（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３）によって少なくとも部分的に、前記遮蔽要素（Ｃ）の前記サンプル位置に対向する側を特性化することをさらに含む、請求項１に記載の方法。

【請求項3】

前記特性化することが、前記遮蔽要素（Ｃ）のトポロジを取り込むことを含み、前記トポロジが、前記遮蔽要素の前記サンプル位置に対向する側で取り込まれる、請求項２に記載の方法。

【請求項4】

前記特性化することが、前記トポロジおよび前記取り込みトポロジの目標状態に少なくとも部分的に基づいて、前記トポロジの異常を判定することを含む、請求項２または３に記載の方法。

【請求項5】

前記特性化することが、前記遮蔽要素が前記サンプル位置に延入しているかを判定することをさらに含む、請求項２または３に記載の方法。

【請求項6】

前記特性化手段が、前記トポロジを測定するためのセンサ（Ｓ１）を備え、前記トポロジの前記取り込みが、前記センサを用いた前記トポロジの測定に少なくとも部分的に基づく、請求項３に記載の方法。

【請求項7】

前記センサ（Ｓ１）が、共焦点センサを含み、前記トポロジの前記測定が、共焦点測定原理に少なくとも部分的に基づく、請求項６に記載の方法。

【請求項8】

前記センサ（Ｓ１）が、干渉センサを含み、前記トポロジの前記測定が、干渉測定原理に少なくとも部分的に基づく、請求項６または７に記載の方法。

【請求項9】

前記特性化手段（Ｓ２、Ｓ３）が、前記遮蔽要素から所定の距離に配置され、前記所定の距離が、サンプルと前記遮蔽要素との間の目標距離（ｄ０）に対応する、請求項１または２に記載の方法。

【請求項10】

前記特性化手段の前記遮蔽要素との接触の有無を検出することをさらに含む、請求項９に記載の方法。

【請求項11】

前記特性化手段が、少なくとも部分的に導電性であり、前記検出が、前記接触がある前記特性化手段および前記遮蔽要素を流れる電流の検出を含む、請求項１０に記載の方法。

【請求項12】

前記サンプル位置の前記サンプルの表面と平行な横方向（Ｌ）に前記特性化手段（Ｓ２、Ｓ３）を移動させることをさらに含む、請求項９に記載の方法。

【請求項13】

前記特性化手段（Ｓ３）が、前記横方向（Ｌ）に移動可能に備え付けられた接触面（６０２）を含み、
前記トポロジの前記取り込みが、
前記特性化手段を前記横方向に所定の距離だけ第１の位置から第２の位置まで移動させることと、
前記特性化手段の前記横方向の前記移動による前記接触面の距離を確定することと、
をさらに含む、請求項１２に記載の方法。

【請求項14】

前記接触面（６０２）が前記所定の距離だけシフトした場合、前記接触がないことを検出することと、
前記接触面が前記所定の距離だけシフトしていない場合、前記接触があることを検出することと、
をさらに含む、請求項１３に記載の方法。

【請求項15】

前記距離の前記確定が、
前記特性化手段の前記第１の位置における前記接触面の基準構造体の第１の像を記録することと、
前記特性化手段の前記第２の位置における前記接触面の前記基準構造体の第２の像を記録することと、
前記第１の像における前記基準構造体と前記第２の像における前記基準構造体との間の距離を決定して、前記接触面の前記距離を確定することと、
を含む、請求項１３に記載の方法。

【請求項16】

前記横方向（Ｌ）の前記移動による前記特性化手段上の擦過痕（Ｋ）を検出することをさらに含む、請求項１１に記載の方法。

【請求項17】

粒子ビーム装置の遮蔽要素（Ｃ）を特性化するための特性化手段であり、前記遮蔽要素が、サンプル位置と粒子ビーム源（１０１）との間の電界を遮蔽するように配置された、特性化手段であって、
前記遮蔽要素のトポロジおよび／または前記遮蔽要素に接触する移動可能な、好ましくはばね式の接触面（４０２、６０２）を取り込むためのセンサ（Ｓ１）を備え、
前記粒子ビーム装置のサンプルホルダーに備え付けられるように構成された、特性化手段。

【請求項18】

基部（４０１、６０１）をさらに備え、
前記接触面（４０２、６０２）が、好ましくはばね要素を介して、前記接触面と垂直に前記基部に移動可能に結合された、請求項１７に記載の特性化手段。

【請求項19】

前記接触面（６０２）が、好ましくはばね要素を介して、前記接触面（６０２）の平面に沿って前記基部（６０１）に移動可能に結合された、請求項１７または１８に記載の特性化手段。

【請求項20】

前記接触面（４０２、６０２）が、前記基部（４０１、６０１）に関して第１の平面（Ｅ１）および第２の平面（Ｅ２）を有し、
前記第１の平面が、前記第２の平面の下側にあり、
前記第２の平面が、前記遮蔽要素の周囲領域と一致するように寸法規定された、請求項１７または１８に記載の特性化手段。

【請求項21】

サンプルを粒子ビームで照射するための粒子ビーム装置であって、
電界を遮蔽するための遮蔽要素（Ｃ）であり、サンプル位置と粒子ビーム源（１０１）との間に配置された、遮蔽要素（Ｃ）と、
請求項１７に記載の前記遮蔽要素を特性化するための特性化手段であり、前記遮蔽要素の前記サンプル位置に対向する側に配置された、特性化手段と、
を備えた、粒子ビーム装置。

【請求項22】

リソグラフィマスクの修復用に設計された、請求項２１に記載の粒子ビーム装置。

【請求項23】

コンピュータおよび／または請求項２１に記載の粒子ビーム装置により実行された場合に、請求項１に記載の方法を前記コンピュータおよび／または前記粒子ビーム装置に実行させる命令を含むコンピュータプログラム。

【請求項24】

サンプルを粒子ビームで照射するための粒子ビーム装置であって、請求項２３に記載のコンピュータプログラムを含む、粒子ビーム装置。

【外国語明細書】