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特開2024-4285マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024004285
(43)【公開日】2024-01-16
(54)【発明の名称】マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/027 20060101AFI20240109BHJP
【ＦＩ】
H01L21/30 541D
H01L21/30 541W
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022103875
(22)【出願日】2022-06-28
(71)【出願人】
【識別番号】504162958
【氏名又は名称】株式会社ニューフレアテクノロジー
(74)【代理人】
【識別番号】100119035
【弁理士】
【氏名又は名称】池上 徹真
(74)【代理人】
【識別番号】100141036
【弁理士】
【氏名又は名称】須藤 章
(74)【代理人】
【識別番号】100178984
【弁理士】
【氏名又は名称】高下 雅弘
(72)【発明者】
【氏名】松本 裕史
【テーマコード（参考）】
5F056
【Ｆターム（参考）】
5F056AA07
5F056AA20
5F056CB14
5F056CB22
5F056CD16
5F056EA02
5F056EA04
5F056EA05
5F056EA06
5F056EA14
(57)【要約】 （修正有）
【課題】マルチビーム描画における位置ずれを低減。
【解決手段】第１方向の幅を有する照射領域３４内でマルチビームを偏向させるとともに、照射領域を第１方向に直交する第２方向に移動させながら、試料面上の描画領域を第１方向に所定サイズの幅で分割した各ストライプ領域３２を描画する工程と、第ｋ番目のストライプ領域の描画中に、照射領域を第１方向に所定の拡張幅で拡張された第ｋ番目の拡張領域を、マルチビームを偏向させるとともに第２方向に移動させながら描画する工程と、第ｋ番目のストライプ領域と一部が重なるように、第ｋ番目のストライプ領域から拡張幅とは異なるずらし量で第１方向にずらした第ｋ＋１番目のストライプ領域を描画する工程と、第ｋ＋１番目のストライプ領域を描画中に、照射領域を第１方向に拡張幅で拡張された第ｋ＋１番目の拡張領域を、マルチビームを偏向させるとともに第２方向に移動させながら描画する工程と、を備える。
【選択図】図１０
【解決手段】第１方向の幅を有する照射領域３４内でマルチビームを偏向させるとともに、照射領域を第１方向に直交する第２方向に移動させながら、試料面上の描画領域を第１方向に所定サイズの幅で分割した各ストライプ領域３２を描画する工程と、第ｋ番目のストライプ領域の描画中に、照射領域を第１方向に所定の拡張幅で拡張された第ｋ番目の拡張領域を、マルチビームを偏向させるとともに第２方向に移動させながら描画する工程と、第ｋ番目のストライプ領域と一部が重なるように、第ｋ番目のストライプ領域から拡張幅とは異なるずらし量で第１方向にずらした第ｋ＋１番目のストライプ領域を描画する工程と、第ｋ＋１番目のストライプ領域を描画中に、照射領域を第１方向に拡張幅で拡張された第ｋ＋１番目の拡張領域を、マルチビームを偏向させるとともに第２方向に移動させながら描画する工程と、を備える。
【選択図】図１０
【特許請求の範囲】
【請求項1】
設計上のマルチ荷電粒子ビームの照射領域の第１の方向の幅が所定サイズである前記照射領域内で前記マルチ荷電粒子ビームを偏向させるとともに、前記照射領域を前記第１の方向に直交する第２の方向に移動させながら、試料面上の描画領域を前記第１の方向に前記所定サイズの幅で分割した各ストライプ領域を描画する工程と、
第ｋ番目（ｋは１以上の整数）のストライプ領域の描画中に、前記照射領域を前記第１の方向に所定の拡張幅で拡張された第ｋ番目の拡張領域を、前記マルチ荷電粒子ビームを偏向させるとともに前記第２の方向に移動させながら描画する工程と、
前記第ｋ番目のストライプ領域と一部が重なるように、前記第ｋ番目のストライプ領域から前記拡張幅とは異なるずらし量で前記第１の方向にずらした第ｋ＋１番目のストライプ領域を描画する工程と、
前記第ｋ＋１番目のストライプ領域を描画中に、前記照射領域を前記第１の方向に前記拡張幅で拡張された第ｋ＋１番目の拡張領域を、前記マルチ荷電粒子ビームを偏向させるとともに前記第２の方向に移動させながら描画する工程と、
を備えたことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
第ｋ番目（ｋは１以上の整数）のストライプ領域の描画中に、前記照射領域を前記第１の方向に所定の拡張幅で拡張された第ｋ番目の拡張領域を、前記マルチ荷電粒子ビームを偏向させるとともに前記第２の方向に移動させながら描画する工程と、
前記第ｋ番目のストライプ領域と一部が重なるように、前記第ｋ番目のストライプ領域から前記拡張幅とは異なるずらし量で前記第１の方向にずらした第ｋ＋１番目のストライプ領域を描画する工程と、
前記第ｋ＋１番目のストライプ領域を描画中に、前記照射領域を前記第１の方向に前記拡張幅で拡張された第ｋ＋１番目の拡張領域を、前記マルチ荷電粒子ビームを偏向させるとともに前記第２の方向に移動させながら描画する工程と、
を備えたことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項2】
前記試料はステージ上に載置され、
前記第ｋ番目のストライプ領域を描画中、前記ステージは、前記第２の方向の逆方向に移動し、前記照射領域が前記ステージの移動に追従するようにトラッキング制御が行われ、
前記照射領域の偏向は、前記トラッキング制御をリセットするトラッキングリセット時に行われることを特徴とする請求項１記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
前記第ｋ番目のストライプ領域を描画中、前記ステージは、前記第２の方向の逆方向に移動し、前記照射領域が前記ステージの移動に追従するようにトラッキング制御が行われ、
前記照射領域の偏向は、前記トラッキング制御をリセットするトラッキングリセット時に行われることを特徴とする請求項１記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項3】
前記各ストライプ領域内の前記マルチ荷電粒子ビームの前記試料面上におけるビーム間ピッチサイズで囲まれる各サブ照射領域内は、当該照射領域が偏向されていない状態で描画される画素と、当該照射領域が偏向された状態で描画される画素との組み合わせにより露光されることを特徴とする請求項１又は２記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項4】
前記拡張幅は、前記ずらし量の１／２に設定されることを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項5】
前記描画領域には、前記ずらし量でストライプ領域をずらしながら行う前記マルチ荷電粒子ビームの露光による多重描画が行われ、
前記第ｋ番目のストライプ領域の描画中に前記第ｋ番目の拡張領域で描画される画素と、前記ｋ番目の拡張領域と重なり合う第ｋ＋ｎ番目（ｎは２以上の整数）の拡張領域で描画される画素と、が重ならないように前記マルチ荷電粒子ビームの照射位置が制御されることを特徴とする請求項１～４のいずれかに記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
前記第ｋ番目のストライプ領域の描画中に前記第ｋ番目の拡張領域で描画される画素と、前記ｋ番目の拡張領域と重なり合う第ｋ＋ｎ番目（ｎは２以上の整数）の拡張領域で描画される画素と、が重ならないように前記マルチ荷電粒子ビームの照射位置が制御されることを特徴とする請求項１～４のいずれかに記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項6】
試料が載置されるステージと、マルチ荷電粒子ビームを偏向する偏向器と、を有し、前記マルチ荷電粒子ビームで前記試料にパターンを描画する描画機構と、
前記描画機構による描画動作を制御する描画制御部と、
を備え、
前記描画制御部は、
設計上のマルチ荷電粒子ビームの照射領域の第１の方向の幅が所定サイズである前記照射領域内で前記マルチ荷電粒子ビームを偏向させるとともに、前記照射領域を前記第１の方向に直交する第２の方向に移動させながら、試料面上の描画領域を第１の方向に前記所定サイズの幅で分割した各ストライプ領域を描画するように制御し、
前記第ｋ番目のストライプ領域を描画中に、前記照射領域を前記第１の方向に所定の拡張幅で拡張された第ｋ番目の拡張領域を、前記マルチ荷電粒子ビームを偏向させるとともに前記第２の方向に移動させながら描画するように制御し、
前記第ｋ番目のストライプ領域と一部が重なるように、前記第ｋ番目のストライプ領域から前記拡張幅とは異なるずらし量で前記第１の方向にずらした第ｋ＋１番目のストライプ領域を描画するように制御し、
前記第ｋ＋１番目のストライプ領域を描画中に、前記照射領域を前記第１の方向に前記拡張幅で拡張された第ｋ＋１番目の拡張領域を、前記マルチ荷電粒子ビームを偏向させるとともに前記第２の方向に移動させながら描画するように制御する、
ことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
前記描画機構による描画動作を制御する描画制御部と、
を備え、
前記描画制御部は、
設計上のマルチ荷電粒子ビームの照射領域の第１の方向の幅が所定サイズである前記照射領域内で前記マルチ荷電粒子ビームを偏向させるとともに、前記照射領域を前記第１の方向に直交する第２の方向に移動させながら、試料面上の描画領域を第１の方向に前記所定サイズの幅で分割した各ストライプ領域を描画するように制御し、
前記第ｋ番目のストライプ領域を描画中に、前記照射領域を前記第１の方向に所定の拡張幅で拡張された第ｋ番目の拡張領域を、前記マルチ荷電粒子ビームを偏向させるとともに前記第２の方向に移動させながら描画するように制御し、
前記第ｋ番目のストライプ領域と一部が重なるように、前記第ｋ番目のストライプ領域から前記拡張幅とは異なるずらし量で前記第１の方向にずらした第ｋ＋１番目のストライプ領域を描画するように制御し、
前記第ｋ＋１番目のストライプ領域を描画中に、前記照射領域を前記第１の方向に前記拡張幅で拡張された第ｋ＋１番目の拡張領域を、前記マルチ荷電粒子ビームを偏向させるとともに前記第２の方向に移動させながら描画するように制御する、
ことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置に係り、例えば、マルチビーム描画装置における基板面上で生じるビームアレイの位置ずれを補正する手法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、ウェハ等へ電子線を使って描画することが行われている。
【0003】
例えば、マルチビームを使った描画装置がある。１本の電子ビームで描画する場合に比べて、マルチビームを用いることで一度に多くのビームを照射できるのでスループットを大幅に向上させることができる。かかるマルチビーム方式の描画装置では、例えば、電子銃から放出された電子ビームを複数の穴を持ったマスクに通してマルチビームを形成し、各々、ブランキング制御され、遮蔽されなかった各ビームが光学系で縮小され、偏向器で偏向され試料上の所望の位置へと照射される。
【0004】
ここで、マルチビーム描画では、基板上に照射されるビームアレイ同士を高精度に繋ぎ合わせることが描画精度にとって重要となる。そのため、描画前にマークスキャンを行って基板上でのビームアレイ形状を測定する（例えば、特許文献１参照）。ビームアレイ形状のリニア成分のうち、ｙ方向のずれを示すＹＹリニア成分と、ｙ方向を維持しながらｘ方向にずれる斜めのずれを示すＸＹリニア成分は、ｙ方向に照射領域をずらしながら行う多重描画のパス数（多重回数）を増やすことによって平均化効果を高めることができるものの、描画時間の増加を抑制するためには、パス数の増加分、ステージ速度を速くする必要が生じてしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２０１７－２２０６１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明の一態様は、マルチビーム描画におけるビームアレイ形状のリニア成分のずれに伴う位置ずれを多重描画のパス数による平均化効果による低減よりもさらに低減することが可能な方法および描画装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一態様のマルチ荷電粒子ビーム描画方法は、
設計上のマルチ荷電粒子ビームの照射領域の第１の方向の幅が所定サイズである照射領域内でマルチ荷電粒子ビームを偏向させるとともに、照射領域を第１の方向に直交する第２の方向に移動させながら、試料面上の描画領域を第１の方向に所定サイズの幅で分割した各ストライプ領域を描画する工程と、
第ｋ番目（ｋは１以上の整数）のストライプ領域の描画中に、照射領域を第１の方向に所定の拡張幅で拡張された第ｋ番目の拡張領域を、マルチ荷電粒子ビームを偏向させるとともに第２の方向に移動させながら描画する工程と、
第ｋ番目のストライプ領域と一部が重なるように、第ｋ番目のストライプ領域から拡張幅とは異なるずらし量で第１の方向にずらした第ｋ＋１番目のストライプ領域を描画する工程と、
第ｋ＋１番目のストライプ領域を描画中に、照射領域を第１の方向に拡張幅で拡張された第ｋ＋１番目の拡張領域を、マルチ荷電粒子ビームを偏向させるとともに第２の方向に移動させながら描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
設計上のマルチ荷電粒子ビームの照射領域の第１の方向の幅が所定サイズである照射領域内でマルチ荷電粒子ビームを偏向させるとともに、照射領域を第１の方向に直交する第２の方向に移動させながら、試料面上の描画領域を第１の方向に所定サイズの幅で分割した各ストライプ領域を描画する工程と、
第ｋ番目（ｋは１以上の整数）のストライプ領域の描画中に、照射領域を第１の方向に所定の拡張幅で拡張された第ｋ番目の拡張領域を、マルチ荷電粒子ビームを偏向させるとともに第２の方向に移動させながら描画する工程と、
第ｋ番目のストライプ領域と一部が重なるように、第ｋ番目のストライプ領域から拡張幅とは異なるずらし量で第１の方向にずらした第ｋ＋１番目のストライプ領域を描画する工程と、
第ｋ＋１番目のストライプ領域を描画中に、照射領域を第１の方向に拡張幅で拡張された第ｋ＋１番目の拡張領域を、マルチ荷電粒子ビームを偏向させるとともに第２の方向に移動させながら描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【0008】
また、試料はステージ上に載置され、
第ｋ番目のストライプ領域を描画中、ステージは、第２の方向の逆方向に移動し、照射領域がステージの移動に追従するようにトラッキング制御が行われ、
照射領域の偏向は、トラッキング制御をリセットするトラッキングリセット時に行われると好適である。
第ｋ番目のストライプ領域を描画中、ステージは、第２の方向の逆方向に移動し、照射領域がステージの移動に追従するようにトラッキング制御が行われ、
照射領域の偏向は、トラッキング制御をリセットするトラッキングリセット時に行われると好適である。
【0009】
また、各ストライプ領域内のマルチ荷電粒子ビームの試料面上におけるビーム間ピッチサイズで囲まれる各サブ照射領域内は、当該照射領域が偏向されていない状態で描画される画素と、当該照射領域が偏向された状態で描画される画素との組み合わせにより露光されると好適である。
【0010】
また、拡張幅は、ずらし量の１／２に設定されると好適である。
【0011】
また、描画領域には、ずらし量でストライプ領域をずらしながら行うマルチ荷電粒子ビームの露光による多重描画が行われ、
第ｋ番目のストライプ領域の描画中に第ｋ番目の拡張領域で描画される画素と、ｋ番目の拡張領域と重なり合う第ｋ＋ｎ番目（ｎは２以上の整数）の拡張領域で描画される画素と、が重ならないようにマルチ荷電粒子ビームの照射位置が制御されると好適である。
第ｋ番目のストライプ領域の描画中に第ｋ番目の拡張領域で描画される画素と、ｋ番目の拡張領域と重なり合う第ｋ＋ｎ番目（ｎは２以上の整数）の拡張領域で描画される画素と、が重ならないようにマルチ荷電粒子ビームの照射位置が制御されると好適である。
【0012】
本発明の一態様のマルチ荷電粒子ビーム描画装置は、
試料が載置されるステージと、マルチ荷電粒子ビームを偏向する偏向器と、を有し、マルチ荷電粒子ビームで前記試料にパターンを描画する描画機構と、
描画機構による描画動作を制御する描画制御部と、
を備え、
描画制御部は、
設計上のマルチ荷電粒子ビームの照射領域の第１の方向の幅が所定サイズである照射領域内でマルチ荷電粒子ビームを偏向させるとともに、照射領域を第１の方向に直交する第２の方向に移動させながら、試料面上の描画領域を第１の方向に所定サイズの幅で分割した各ストライプ領域を描画するように制御し、
第ｋ番目のストライプ領域を描画中に、照射領域を第１の方向に所定の拡張幅で拡張された第ｋ番目の拡張領域を、マルチ荷電粒子ビームを偏向させるとともに第２の方向に移動させながら描画するように制御し、
第ｋ番目のストライプ領域と一部が重なるように、第ｋ番目のストライプ領域から拡張幅とは異なるずらし量で第１の方向にずらした第ｋ＋１番目のストライプ領域を描画するように制御し、
第ｋ＋１番目のストライプ領域を描画中に、照射領域を第１の方向に拡張幅で拡張された第ｋ＋１番目の拡張領域を、マルチ荷電粒子ビームを偏向させるとともに第２の方向に移動させながら描画するように制御する、
ことを特徴とする。
試料が載置されるステージと、マルチ荷電粒子ビームを偏向する偏向器と、を有し、マルチ荷電粒子ビームで前記試料にパターンを描画する描画機構と、
描画機構による描画動作を制御する描画制御部と、
を備え、
描画制御部は、
設計上のマルチ荷電粒子ビームの照射領域の第１の方向の幅が所定サイズである照射領域内でマルチ荷電粒子ビームを偏向させるとともに、照射領域を第１の方向に直交する第２の方向に移動させながら、試料面上の描画領域を第１の方向に所定サイズの幅で分割した各ストライプ領域を描画するように制御し、
第ｋ番目のストライプ領域を描画中に、照射領域を第１の方向に所定の拡張幅で拡張された第ｋ番目の拡張領域を、マルチ荷電粒子ビームを偏向させるとともに第２の方向に移動させながら描画するように制御し、
第ｋ番目のストライプ領域と一部が重なるように、第ｋ番目のストライプ領域から拡張幅とは異なるずらし量で第１の方向にずらした第ｋ＋１番目のストライプ領域を描画するように制御し、
第ｋ＋１番目のストライプ領域を描画中に、照射領域を第１の方向に拡張幅で拡張された第ｋ＋１番目の拡張領域を、マルチ荷電粒子ビームを偏向させるとともに第２の方向に移動させながら描画するように制御する、
ことを特徴とする。
【発明の効果】
【0013】
本発明の一態様によれば、マルチビーム描画におけるビームアレイ形状のリニア成分のずれに伴う位置ずれを多重描画のパス数による平均化効果による低減よりもさらに低減できる。
【図面の簡単な説明】
【0014】
【図1】実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
【図2】実施の形態１における成形アパーチャアレイ基板の構成を示す概念図である。
【図3】実施の形態１におけるブランキングアパーチャアレイ機構の構成を示す断面図である。
【図4】実施の形態１における描画動作の一例を説明するための概念図である。
【図5】実施の形態１におけるリニア成分のパラメータを示す図である。
【図6】実施の形態１の比較例におけるずらし多重描画を説明するための図である。
【図7】実施の形態１の比較例におけるｙ方向の位置ずれ量の平均化の一例を説明するための図である。
【図8】実施の形態１における描画方法の要部工程の一例を示すフローチャート図である。
【図9】実実施の形態１における描画シーケンスの一例の主偏向と副偏向のタイムチャートを示す図である。
【図10】実施の形態１における描画シーケンスの一例の一部を示している。
【図11】実施の形態１における描画シーケンスの一例の続き部分を示している。
【図12】実施の形態１における描画シーケンスの他の一例の主偏向と副偏向のタイムチャートを示す図である。
【図13】実施の形態１における描画シーケンスの他の一例の一部を示している。
【図14】実施の形態１における描画シーケンスの他の一例の続き部分を示している。
【図15】実施の形態１における描画シーケンスの他の一例の一部を示している。
【図16】実施の形態１における描画シーケンスの他の一例の続き部分を示している。
【図17】実施の形態１の比較例における順に描画される３つのストライプ領域で描画される画素の一例を示す図である。
【図18】実施の形態１における順に描画される３つのストライプ領域で描画される画素の一例を示す図である。
【図19】実施の形態１におけるｙ方向の位置ずれ量の平均化の一例を説明するための図である。
【図20】実施の形態１における偏向器の構成を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【0015】
以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。
【0016】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。図１において、描画装置１００は、描画機構１５０と制御系回路１６０を備えている。描画装置１００は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の一例であると共に、マルチ荷電粒子ビーム露光装置の一例である。描画機構１５０は、電子鏡筒１０２（電子ビームカラム）と描画室１０３を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、成形アパーチャアレイ基板２０３、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４、縮小レンズ２０５、制限アパーチャ基板２０６、対物レンズ２０７、主偏向器２０８、及び副偏向器２０９、が配置されている。
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。図１において、描画装置１００は、描画機構１５０と制御系回路１６０を備えている。描画装置１００は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の一例であると共に、マルチ荷電粒子ビーム露光装置の一例である。描画機構１５０は、電子鏡筒１０２（電子ビームカラム）と描画室１０３を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、成形アパーチャアレイ基板２０３、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４、縮小レンズ２０５、制限アパーチャ基板２０６、対物レンズ２０７、主偏向器２０８、及び副偏向器２０９、が配置されている。
【0017】
描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５が配置される。ＸＹステージ１０５上には、描画時（露光時）には描画対象基板となるマスク等の試料１０１が配置される。試料１０１には、半導体装置を製造する際の露光用マスク、或いは、半導体装置が製造される半導体基板（シリコンウェハ）等が含まれる。また、試料１０１には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。ＸＹステージ１０５上には、さらに、ＸＹステージ１０５の位置測定用のミラー２１０が配置される。
【0018】
制御系回路１６０は、制御計算機１１０、メモリ１１２、偏向制御回路１３０、デジタル・アナログ変換（ＤＡＣ）アンプユニット１３２，１３４、レンズ制御回路１３６、ステージ制御機構１３８、ステージ位置測定器１３９及び磁気ディスク装置等の記憶装置１４０，１４２を有している。制御計算機１１０、メモリ１１２、偏向制御回路１３０、レンズ制御回路１３６、ステージ制御機構１３８、ステージ位置測定器１３９及び記憶装置１４０，１４２は、図示しないバスを介して互いに接続されている。偏向制御回路１３０には、ＤＡＣアンプユニット１３２，１３４及びブランキングアパーチャアレイ機構２０４が接続されている。副偏向器２０９は、４極以上の電極により構成され、電極毎にＤＡＣアンプ１３２を介して偏向制御回路１３０により制御される。主偏向器２０８は、４極以上の電極により構成され、電極毎にＤＡＣアンプ１３４を介して偏向制御回路１３０により制御される。照明レンズ２０２、縮小レンズ２０５、及び対物レンズ２０７といったレンズ群は、レンズ制御回路１３６により制御される。ＸＹステージ１０５の位置はステージ制御機構１３８によって制御される図示しない各軸のモータの駆動によって制御される。ステージ位置測定器１３９は、ミラー２１０からの反射光を受光することによって、レーザ干渉法の原理でＸＹステージ１０５の位置を測長する。
【0019】
制御計算機１１０内には、ずらし量設定部５０，拡張幅設定部５２、描画データ処理部７０、描画制御部７２、及び転送処理部７４が配置される。ずらし量設定部５０，拡張幅設定部５２、描画データ処理部７０、描画制御部７２、及び転送処理部７４といった各「～部」は、処理回路を有する。かかる処理回路は、例えば、電気回路、コンピュータ、プロセッサ、回路基板、量子回路、或いは、半導体装置を含む。各「～部」は、共通する処理回路（同じ処理回路）を用いても良いし、或いは異なる処理回路（別々の処理回路）を用いても良い。ずらし量設定部５０，拡張幅設定部５２、描画データ処理部７０、描画制御部７２、及び転送処理部７４に入出力される情報および演算中の情報はメモリ１１２にその都度格納される。
【0020】
描画装置１００の描画動作は、描画制御部７２によって制御される。また、各ショットの照射時間データの偏向制御回路１３０への転送処理は、転送処理部７４によって制御される。
【0021】
また、描画装置１００の外部から描画データ（チップデータ）が入力され、記憶装置１４０に格納される。チップデータには、チップパターンを構成する複数の図形パターンの情報が定義される。具体的には、図形パターン毎に、例えば、図形コード、座標、及びサイズ等が定義される。
【0022】
ここで、図１では、実施の形態１を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。
【0023】
図２は、実施の形態１における成形アパーチャアレイ基板の構成を示す概念図である。図２において、成形アパーチャアレイ基板２０３には、縦（ｙ方向）ｐ列×横（ｘ方向）ｑ列（ｐ，ｑ≧２）の穴（開口部）２２が所定の配列ピッチでマトリクス状に形成されている。図２の例では、例えば、縦横（ｘ，ｙ方向）に５１２×５１２列の穴２２が形成される場合を示している。穴２２の数は、これに限るものではない。例えば、３２×３２列の穴２２が形成される場合であっても構わない。各穴２２は、共に同じ寸法形状の矩形で形成される。或いは、同じ直径の円形であっても構わない。これらの複数の穴２２を電子ビーム２００の一部がそれぞれ通過することで、マルチビーム２０が形成されることになる。言い換えれば、成形アパーチャアレイ基板２０３は、マルチビーム２０を形成する。
【0024】
図３は、実施の形態１におけるブランキングアパーチャアレイ機構の構成を示す断面図である。ブランキングアパーチャアレイ機構２０４は、図３に示すように、支持台３３上にシリコン等からなる半導体基板を用いたブランキングアパーチャアレイ基板３１が配置される。ブランキングアパーチャアレイ基板３１の中央部のメンブレン領域３３０には、図２に示した成形アパーチャアレイ基板２０３の各穴２２に対応する位置にマルチビーム２０のそれぞれのビームの通過用の通過孔２５（開口部）が開口される。そして、複数の通過孔２５のうち対応する通過孔２５を挟んで対向する位置に制御電極２４と対向電極２６の組（ブランカー：ブランキング偏向器）がそれぞれ配置される。また、各通過孔２５の近傍のブランキングアパーチャアレイ基板３１内部には、各通過孔２５用の制御電極２４に偏向電圧を印加する制御回路４１（ロジック回路）が配置される。各ビーム用の対向電極２６は、グランド接続される。
【0025】
制御回路４１内には、図示しないアンプ（スイッチング回路の一例）が配置される。アンプの一例として、スイッチング回路となるＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ ＭＯＳ）インバータ回路が配置される。ＣＭＯＳインバータ回路の入力（ＩＮ）には、閾値電圧よりも低くなるＬ（ｌｏｗ）電位（例えばグランド電位）と、閾値電圧以上となるＨ（ｈｉｇｈ）電位（例えば、１．５Ｖ）とのいずれかが制御信号として印加される。実施の形態１では、ＣＭＯＳインバータ回路の入力（ＩＮ）にＬ電位が印加される状態では、制御回路４１に印加されるＣＭＯＳインバータ回路の出力（ＯＵＴ）は正電位（Ｖｄｄ）となり、対向電極２６のグランド電位との電位差による電界により対応ビームを偏向し、制限アパーチャ基板２０６で遮蔽することでビームＯＦＦになるように制御する。一方、ＣＭＯＳインバータ回路の入力（ＩＮ）にＨ電位が印加される状態（アクティブ状態）では、ＣＭＯＳインバータ回路の出力（ＯＵＴ）はグランド電位となり、対向電極２６のグランド電位との電位差が無くなり対応ビームを偏向しないので制限アパーチャ基板２０６を通過することでビームＯＮになるように制御する。かかる偏向によってブランキング制御される。
【0026】
次に、描画機構１５０の動作の具体例について説明する。電子銃２０１（放出源）から放出された電子ビーム２００は、照明レンズ２０２によりほぼ垂直に成形アパーチャアレイ基板２０３全体を照明する。成形アパーチャアレイ基板２０３には、矩形の複数の穴２２（開口部）が形成され、電子ビーム２００は、すべての複数の穴２２が含まれる領域を照明する。複数の穴２２の位置に照射された電子ビーム２００の各一部が、かかる成形アパーチャアレイ基板２０３の複数の穴２２をそれぞれ通過することによって、例えば矩形形状のマルチビーム（複数の電子ビーム）２０が形成される。かかるマルチビーム２０は、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４のそれぞれ対応するブランカー内を通過する。かかるブランカーは、それぞれ、設定された描画時間（照射時間）の間、ビームがＯＮ状態になるように個別に通過するビームをブランキング制御する。
【0027】
ブランキングアパーチャアレイ機構２０４を通過したマルチビーム２０は、縮小レンズ２０５によって、縮小され、制限アパーチャ基板２０６に形成された中心の穴に向かって進む。ここで、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４のブランカーによって偏向された電子ビームは、制限アパーチャ基板２０６の中心の穴から位置がはずれ、制限アパーチャ基板２０６によって遮蔽される。一方、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４のブランカーによって偏向されなかった電子ビームは、図１に示すように制限アパーチャ基板２０６の中心の穴を通過する。このように、制限アパーチャ基板２０６は、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４のブランカーによってビームＯＦＦの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽する。そして、ビームＯＮになってからビームＯＦＦになるまでに形成された、制限アパーチャ基板２０６を通過したビームにより、１回分のショットの各ビームが形成される。制限アパーチャ基板２０６を通過したマルチビーム２０は、対物レンズ２０７により焦点が合わされ、所望の縮小率のパターン像となり、主偏向器２０８及び副偏向器２０９によって、制限アパーチャ基板２０６を通過したマルチビーム２０全体が同方向にまとめて偏向され、各ビームの試料１０１上のそれぞれの照射位置に照射される。また、例えばＸＹステージ１０５が連続移動している時、ビームの照射位置がＸＹステージ１０５の移動に追従するように主偏向器２０８によってトラッキング制御が行われる。一度に照射されるマルチビーム２０は、理想的には成形アパーチャアレイ基板２０３の複数の穴２２の配列ピッチに上述した所望の縮小率を乗じたピッチで並ぶことになる。
【0028】
図４は、実施の形態１における描画動作の一例を説明するための概念図である。図４に示すように、試料１０１の描画領域３０（太線）は、例えば、ｙ方向に向かって所定の幅で短冊状の複数のストライプ領域３２に仮想分割される。図４の例では、試料１０１の描画領域３０が、例えばｙ方向に、１回のマルチビーム２０の照射で照射可能な設計上の照射領域３４（描画フィールド）のサイズと実質同じ幅サイズで複数のストライプ領域３２に分割された場合を示している。設計上のマルチビーム２０の照射領域３４のｘ方向のサイズは、ｘ方向のビーム数×ｘ方向のビーム間ピッチで定義できる。矩形の照射領域３４のｙ方向のサイズは、ｙ方向のビーム数×ｙ方向のビーム間ピッチで定義できる。なお、設計上の照射領域は、ビームアレイの全部を描画に使うときのみならず一部を描画に使う場合も含む。
【0029】
ここで、後述するように、実施の形態１では、各ストライプ領域３２を描画中に、ｙ方向にマルチビーム２０の照射領域３４をシフトするＹ偏向を行う。そのため、Ｙ偏向された状態では、偏向される方向と逆方向のストライプ領域３２の端部付近の領域に描画されずに残る箇所が生じてしまう。そのため、かかる箇所を描画するために、第１のストライプレイヤについては、図４に示すように、描画領域３０の端部から－ｙ方向に１つ余分にストライプ領域３２を設定すると好適である。これにより－ｙ方向に１つ余分に設定されたストライプ領域３２を描画中にＹ偏向された状態で上述した描画されずに残る箇所を描画できる。
【0030】
また、図４の例では、ｙ方向にストライプ領域３２の幅の１／２のサイズのずらし量で位置をずらしながら多重描画を行う場合を示している。かかる場合のｙ方向へのずらし多重度Ｎは、Ｎ＝２となる。そのため、第１のストライプレイヤからｙ方向にストライプ領域３２の幅の１／２のサイズのずらし量で位置をずらした第２のストライプレイヤを設定する。このように、図４の例では、第１のストライプレイヤと第２のストライプレイヤとの２つのストライプレイヤが設定される。以下、描画動作の一例を説明する。
【0031】
まず、ＸＹステージ１０５を移動させて、第１のストライプレイヤの第１番目のストライプ領域３２の左端、或いはさらに左側の位置にマルチビーム２０の照射領域３４が位置するように調整し、第１のストライプレイヤの第１番目のストライプ領域３２の描画（多重描画の１パス目）が行われる。第１のストライプレイヤの第１番目のストライプ領域３２を描画する際には、ＸＹステージ１０５を例えば－ｘ方向に移動させることにより、相対的にｘ方向へと描画を進めていく。ＸＹステージ１０５は例えば等速で連続移動させる。第１のストライプレイヤの第１番目のストライプ領域３２の描画終了後、ステージ位置を－ｙ方向にストライプ領域３２の幅の１／２のサイズのずらし量だけ移動させる。これにより、描画されるストライプ領域３２をｙ方向にストライプ領域３２の幅の１／２のサイズのずらし量だけずらす。
【0032】
そして、次に、第２のストライプレイヤの第１番目のストライプ領域３２の左端、或いはさらに左側の位置にマルチビーム２０の照射領域３４が位置するように調整し、ＸＹステージ１０５を例えば－ｘ方向に移動させることにより、相対的にｘ方向へと描画を進めていくことにより、第２のストライプレイヤの第１番目のストライプ領域３２の描画（多重描画の２パス目）が行われる。このように、描画されるストライプ領域３２をｙ方向にストライプ領域３２の幅の１／２のサイズのずらし量だけずらしながら、第１のストライプレイヤのストライプ領域３２と第２のストライプレイヤのストライプ領域３２とを交互に描画していくことで、ｙ方向に２回ずつの多重描画を行う。
【0033】
各ストライプ領域３２を描画中に、ｙ方向にマルチビーム２０の照射領域３４をシフトするＹ偏向については後述する。なお、ｘ方向に描画を進める際にさらに多重描画を行っても構わない。
【0034】
また、図４の例では、同じ方向に向かって各ストライプ領域３２の描画を進める場合を示したが、これに限るものではない。例えば、ｘ方向へと描画を進めたストライプ領域３２の次に描画するストライプ領域３２については、ＸＹステージ１０５を例えばｘ方向に移動させることにより、－ｘ方向に向かって描画を行う場合であっても構わない。このように交互に向きを変えながら描画することでステージ移動時間を短くでき、ひいては描画時間を短縮できる。１回のショットでは、成形アパーチャアレイ基板２０３の各穴２２を通過することによって形成されたマルチビームによって、最大で各穴２２と同数の複数のショットパターンが一度に形成される。
【0035】
また、図４の例では、ストライプ領域３２の幅の１／２のサイズのずらし量でｙ方向にずらしながら各ストライプレイヤのストライプ領域３２を描画する、ｙ方向に２回ずつの多重描画を行う場合を示したが、これに限るものではない。例えば、ストライプ領域３２の幅の１／４のサイズのずらし量でｙ方向に位置をずらしながら多重描画を行う場合であっても構わない。かかる場合のｙ方向へのずらし多重度Ｎは、Ｎ＝４となる。その他のずらし量であっても構わない。ｙ方向へのずらし多重度はずらし量に応じて設定される。
【0036】
図５は、実施の形態１におけるリニア成分のパラメータを示す図である。図５において、設計上の矩形のビームアレイ形状を点線で示している。ＸＸリニア成分は、設計上のビームアレイ形状に対してｘ方向に広がる（或いは狭くなる）ｘ方向のずれ成分を示す。ＹＹリニア成分は、設計上のビームアレイ形状に対してｙ方向に広がる（或いは狭くなる）ｙ方向のずれ成分を示す。ＸＹリニア成分は、設計上のビームアレイ形状に対してｙ方向を維持しながらｘ方向にずれる斜めのずれ成分を示す。ＹＸリニア成分は、設計上のビームアレイ形状に対してｘ方向を維持しながらｙ方向にずれる斜めのずれ成分を示す。そして、設計上のビームアレイ形状に対してｘ方向に広がる（或いは狭くなる）量に依存するリニア成分パラメータをＡＸＸで示す。設計上のビームアレイ形状に対してｙ方向に広がる（或いは狭くなる）量に依存するリニア成分パラメータをＡＹＹで示す。設計上のビームアレイ形状に対してｙ方向に延びる辺がｘ方向に傾く傾き量に依存するリニア成分パラメータをＡＸＹで示す。設計上のビームアレイ形状に対してｘ方向に延びる辺がｙ方向に傾く傾き量に依存するリニア成分パラメータをＡＹＸで示す。
【0037】
ビームアレイ形状内の各点のｘ座標Ｘは、設計上の座標（ｘ，ｙ）を用いて、次の式（１－１）で近似できる。同様に、ビームアレイ形状内の各点のｙ座標Ｙは、設計上の座標（ｘ，ｙ）を用いて、次の式（１－２）で近似できる。
（１－１） Ｘ＝ＡＸＸ・ｘ＋ＡＸＹ・ｙ
（１－２） Ｙ＝ＡＹＸ・ｘ＋ＡＹＹ・ｙ
（１－１） Ｘ＝ＡＸＸ・ｘ＋ＡＸＹ・ｙ
（１－２） Ｙ＝ＡＹＸ・ｘ＋ＡＹＹ・ｙ
【0038】
図６は、実施の形態１の比較例におけるずらし多重描画を説明するための図である。図６において設計上のビームアレイ形状（点線）は、設計上のマルチビーム２０の照射領域３４の形状と同じになる。図６の例では、リニア成分ＹＹとリニア成分ＸＹのずれが生じたビームアレイ形状３８（実線）が示されている。例えば、ｋ番目のストライプ領域（例えば第１ストライプレイヤ）を描画した後は、設定されたずらし量でｙ方向に位置をずらしたｋ＋１番目のストライプ領域（例えば第２ストライプレイヤ）を描画する。これにより、ｋ番目のストライプ領域の上半分の領域は、２回の多重描画を行ったことになる。これにより、ｙ方向の位置ずれ量が照射領域をずらした２回の描画で平均化され、１／２に低減される。
【0039】
図７は、実施の形態１の比較例におけるｙ方向の位置ずれ量の平均化の一例を説明するための図である。図７の例では、例えばリニア成分ＹＹのずれが生じたビームアレイ形状のマルチビーム２０で多重描画した場合を示している。設計形状よりもｙ方向に広がる位置ずれが生じたビームアレイ形状の場合、ビームアレイ形状内の各位置のうち、ｙ方向の中央部では位置ずれが生じない。ｙ方向の端部では正の位置ずれが生じる。－ｙ方向の端部では符号を反転させた同じ量の負の位置ずれが生じる。ストライプ領域３２の幅の１／２のサイズのずらし量で多重描画する場合、図７（ａ）に示す第１ストライプレイヤの描画（多重描画の１パス目）による位置ずれ量と、図７（ｂ）に示す第２ストライプレイヤの描画（多重描画の２パス目）による位置ずれ量とが合成されることによって平均化され、図７（ｃ）に示すように位置ずれ量の絶対値が１／２に低減できる。ｙ方向に照射領域をずらしながら４回多重を行えば、位置ずれ量を１／４に低減できる。
【0040】
このように、ｙ方向に照射領域をずらしながら行う多重描画のパス数（多重回数）を増やすことによって平均化効果を高めることができる。しかしながら、多重描画のパス数を増やすと、描画時間の増加につながる。描画時間の増加を抑制するためには、パス数の増加分、ステージ速度を速くする必要が生じてしまう。そこで、実施の形態１では、各ストライプ領域３２を描画中に、ｙ方向にマルチビーム２０の照射領域３４をシフトするＹ偏向に行う。以下、具体的に説明する。
【0041】
図８は、実施の形態１における描画方法の要部工程の一例を示すフローチャート図である。図８において、実施の形態１における描画方法は、ずらし量設定工程（Ｓ１０２）と、拡張幅設定工程（Ｓ１０４）と、ストライプ領域描画及び拡張領域描画工程（Ｓ１１０）と、位置ずらし工程（Ｓ１２２）と、判定工程（Ｓ１２４）と、いう一連の工程を実施する。
【0042】
ストライプ描画及び拡張領域描画工程（Ｓ１１０）は、内部工程として、ショット工程（Ｓ１１２）と、主偏向シフト（Ｙ偏向）工程（Ｓ１１４）と、ショット工程（Ｓ１１６）と、主偏向シフトリセット（Ｙ偏向リセット）工程（Ｓ１１８）と、判定工程（Ｓ１２０）と、いう一連の工程を実施する。
【0043】
ずらし量設定工程（Ｓ１０２）として、ずらし量設定部５０は、ｙ方向に位置をずらしながら行う多重描画のずらし量を設定する。以下、図４の例に合わせて、ストライプ領域３２のｙ方向幅の１／２の量の場合を一例として説明する。
【0044】
拡張幅設定工程（Ｓ１０４）として、拡張幅設定部５２は、Ｙ偏向を行うことにより拡張するストライプ領域３２の拡張領域の幅（拡張幅）を設定する。拡張幅は、ずらし量とは異なるサイズに設定される。拡張幅は、ずらし量よりも小さいサイズに設定されると好適である。拡張幅は、ずらし量の１／２に設定されるとより好ましい。
【0045】
ストライプ描画及び拡張領域描画工程（Ｓ１１０）として、まず、描画データ処理部７０は、記憶装置１４０に格納されたチップデータ（描画データ）を読み込み、画素毎の照射時間データを生成する。照射時間データは、予め設定された描画シーケンスに沿ってショット順に並び替えられる。照射時間データは、記憶装置１４２に格納される。転送処理部７４は、ショット順に照射時間データを偏向制御回路１３０に転送する。描画機構１５０は、マルチビーム２０で試料１０１にパターンを描画する。描画制御部７２は、描画機構１５０による描画動作を制御する。
【0046】
まず、描画制御部７２による制御のもと、描画機構１５０は、描画対象の試料１０１の第ｋ番目（ｋは１以上の整数）のストライプ領域３２及び拡張領域にパターンを描画する。言い換えれば、描画機構１５０は、設計上のマルチビーム２０の照射領域３４のｙ方向（第１方向）の幅が所定サイズである照射領域３４内でマルチビーム２０を偏向させるとともに、照射領域３４をｙ方向に直交するｘ方向（第２の方向）に移動させながら、試料１０１面上の描画領域をｙ方向に所定サイズの幅で分割した各ストライプ領域３２を描画する。さらに、描画機構１５０は、第ｋ番目（ｋは１以上の整数）のストライプ領域３２の描画中に、照射領域をｙ方向に所定の拡張幅で拡張された第ｋ番目の拡張領域３４を、マルチビーム２０を偏向させるとともにｘ方向に移動させながら描画する。さらに言い換えれば、描画機構１５０は、第ｋ番目（ｋは１以上の整数）のストライプ領域３２の描画中に、ｙ方向に拡張幅分偏向させた照射領域３４内でマルチビーム２０を偏向しながら第ｋ番目の拡張領域を描画する。具体的には、以下のように動作する。
【0047】
ショット工程（Ｓ１１２）として、描画制御部７２による制御のもと、描画機構１５０は、マルチビーム２０の照射領域３４内でマルチビーム２０を偏向しながら、ｙ方向（第１の方向）の幅がマルチビーム２０の設計上の照射領域３４の幅サイズでｙ方向に直交するｘ方向（第２の方向）の幅がｙ方向の幅サイズよりも長い、試料１０１上の第ｋ番目のストライプ領域３２をマルチビーム２０で描画する。
【0048】
図９は、実施の形態１における描画シーケンスの一例の主偏向と副偏向のタイムチャートを示す図である。
図１０は、実施の形態１における描画シーケンスの一例の一部を示している。図１０の例では、４×４本のマルチビーム２０を用いる場合を示している。また、試料面上においてｘ，ｙ方向にマルチビーム２０のビーム間ピッチのサイズで囲まれた矩形の領域で１つのサブ照射領域２９（ピッチセル）を構成する。図９及び図１０の例では、各サブ照射領域２９は、例えば２×２画素で構成される場合を示している。図９及び図１０の例では、かかるサブ照射領域２９内を左下、右上、右下、及び左上の順で描画する描画シーケンスが用いられる。図９及び図１０の例では、各サブ照射領域２９内を４つの異なるビームで描画する場合を示している。
図１０は、実施の形態１における描画シーケンスの一例の一部を示している。図１０の例では、４×４本のマルチビーム２０を用いる場合を示している。また、試料面上においてｘ，ｙ方向にマルチビーム２０のビーム間ピッチのサイズで囲まれた矩形の領域で１つのサブ照射領域２９（ピッチセル）を構成する。図９及び図１０の例では、各サブ照射領域２９は、例えば２×２画素で構成される場合を示している。図９及び図１０の例では、かかるサブ照射領域２９内を左下、右上、右下、及び左上の順で描画する描画シーケンスが用いられる。図９及び図１０の例では、各サブ照射領域２９内を４つの異なるビームで描画する場合を示している。
【0049】
各ストライプ領域３２を描画中、ＸＹステージ１０５は、照射領域３４を相対的に移動させるため、照射領域３４の移動方向とは逆方向である－ｘ方向（若しくはｘ方向）に移動する。そして、各ストライプ領域３２を描画中、マルチビーム２０の照射領域３４がＸＹステージ１０５の移動に追従するようにトラッキング制御が行われる。具体的には、例えば１画素を描画（露光）する間、照射領域３４がＸＹステージ１０５の移動によって試料１０１との相対位置がずれないように、主偏向器２０８によってマルチビーム２０全体をｘ方向に一括偏向することによって、照射領域３４をＸＹステージ１０５の移動に追従させる。言い換えれば、トラッキング制御が行われる。
図１０の例では、各サブ照射領域２９内の１／４（照射に用いられるビーム本数分の１）の領域（１画素）を描画する間に、ＸＹステージ１０５が、２画素分の距離Ｌだけ移動する速度で、連続移動する描画動作を行う場合を示している。
図１０の例では、各サブ照射領域２９内の１／４（照射に用いられるビーム本数分の１）の領域（１画素）を描画する間に、ＸＹステージ１０５が、２画素分の距離Ｌだけ移動する速度で、連続移動する描画動作を行う場合を示している。
【0050】
ショットサイクルは、１回のビームショットの最大照射時間と偏向器のＤＡＣアンプの整定時間との合計時間となる。１画素の描画毎にトラッキングリセットを行うトラッキングサイクルは、１回のビームショットの最大照射時間と同じ時間を用いることができる。１回のビームショットの最大照射時間は、予め設定される。例えば、ドーズ変調等を含めた描画処理の全ショットにおいて最大となる照射時間を最大照射時間として設定すればよい。
【0051】
トラッキング制御は、例えば、主偏向器２０８によるｘ方向の偏向（主偏向Ｘ）により制御される。１回のトラッキングサイクルが終了するとトラッキングリセットして、前回のトラッキング開始位置に戻る。図９及び図１０の例では、主偏向Ｘとして、マルチビーム２０の１ショット毎に、トラッキング制御をリセットする。照射領域３４内のマルチビーム２０の照射位置のシフトは、副偏向器２０９によるｘ方向の偏向（副偏向Ｘ）とｙ方向の偏向（副偏向Ｙ）との組み合わせにより制御される。
【0052】
そして、描画制御部７２による制御のもと、描画機構１５０は、各ストライプ領域３２を描画中に、さらに、マルチビーム２０の照射領域３４をビーム偏向によってｙ方向に移動させることにより、ｙ方向に拡張したストライプ領域３２の拡張領域３７をマルチビーム２０で描画する。各拡張領域３７へのビーム偏向は、トラッキング制御をリセットするトラッキングリセット時に行われる。図９及び図１０の例では、各サブ照射領域２９内の４つの画素を照射する４回のショットのうち、３回目のショットと４回目のショットにおいて、拡張領域３７の描画が行われる。
【0053】
図１０（ａ）において、ショット１として、主偏向Ｘにてトラッキング制御が行われている間に、各ビームが、マルチビーム２０の照射領域３４内の担当するサブ照射領域２９内の左下の画素を照射する。
【0054】
ショット１の最大照射時間が経過した時点でトラッキング制御をリセットする。ショット１のトラッキングサイクルの間にＸＹステージ１０５は２画素分の距離だけ移動している。よって、トラッキングリセットによって、照射領域３４は、ｘ方向に２画素分移動する。
【0055】
なお、ショット１にて、各サブ照射領域２９の左下の画素の描画は終了している。そのため、トラッキングリセットした後に、次回のトラッキングサイクルにおいてまず副偏向器２０９は、各サブ照射領域２９のまだ描画されていない右上の画素を描画するようにビームの描画位置を合わせる（シフトする）ように偏向する。
【0056】
図１０（ｂ）において、ショット２として、主偏向Ｘにてトラッキング制御が行われている間に、各ビームが、マルチビーム２０の照射領域３４内の担当するサブ照射領域２９内の右上の画素を照射する。
【0057】
ショット２の最大照射時間が経過した時点でトラッキング制御をリセットする。ショット２のトラッキングサイクルの間にＸＹステージ１０５は２画素分の距離だけ移動している。よって、トラッキングリセットによって、照射領域３４は、ｘ方向に２画素分移動する。
【0058】
なお、ショット２にて、各サブ照射領域２９の右上の画素の描画は終了している。そのため、トラッキングリセットした後に、次回のトラッキングサイクルにおいてまず副偏向器２０９は、各サブ照射領域２９のまだ描画されていない右下の画素を描画するようにビームの描画位置を合わせる（シフトする）ように偏向する。
【0059】
主偏向シフト（Ｙ偏向）工程（Ｓ１１４）として、ショット２後のトラッキングリセットに合わせて、設定された拡張幅だけ主偏向器２０８にてｙ方向にマルチビーム２０の照射領域３４をシフトするように偏向する（Ｙ偏向：主偏向Ｙ）。言い換えれば、照射領域３４の偏向は、トラッキング制御をリセットするトラッキングリセット時に行われる。図１０（ｂ）の例では、拡張幅として、２画素分のサイズだけｙ方向にマルチビーム２０の照射領域３４をシフトする。
【0060】
ショット工程（Ｓ１１６）として、Ｙ偏向によりマルチビーム２０の照射領域３４がｙ方向に拡張幅だけ偏向された状態で、第ｋ番目のストライプ領域３２の描画と共に、ｙ方向に拡張した第ｋ番目のストライプ領域３２の拡張領域３７をマルチビーム２０で描画する。言い換えれば、第ｋ番目のストライプ領域３２を描画中に、さらに、マルチビーム２０の照射領域３４をビーム偏向によってｙ方向に移動させることにより、ｙ方向に拡張した第ｋ番目のストライプ領域３２の拡張領域３７をマルチビーム２０で描画する。具体的には、以下のように動作する。
【0061】
図１０（ｃ）に示すように、ショット３として、主偏向Ｘにてトラッキング制御が行われている間に、各ビームが、マルチビーム２０の照射領域３４内の担当するサブ照射領域２９内の右下の画素を照射する。照射領域３４のシフトによって、拡張領域３７に照射位置が移動した各ビームが、第ｋ番目のストライプ領域３２の拡張領域３７内の担当するサブ照射領域２９の右下の画素を照射する。拡張領域３７に照射位置が移動せずに第ｋ番目のストライプ領域３２内に照射位置が残った各ビームが、第ｋ番目のストライプ領域３２内の担当するサブ照射領域２９の右下の画素を照射する。
【0062】
ショット３の最大照射時間が経過した時点でトラッキング制御をリセットする。ショット３のトラッキングサイクルの間にＸＹステージ１０５は２画素分の距離だけ移動している。よって、トラッキングリセットによって、照射領域３４は、ｘ方向に２画素分移動する。
【0063】
なお、ショット３にて、各サブ照射領域２９の右下の画素の描画は終了している。そのため、トラッキングリセットした後に、次回のトラッキングサイクルにおいてまず副偏向器２０９は、各サブ照射領域２９のまだ描画されていない左上の画素を描画するようにビームの描画位置を合わせる（シフトする）ように偏向する。
【0064】
図１０（ｄ）において、ショット４として、主偏向Ｘにてトラッキング制御が行われている間に、各ビームが、マルチビーム２０の照射領域３４内の担当するサブ照射領域２９内の左上の画素を照射する。なお、ショット４では、Ｙ偏向によりマルチビーム２０の照射領域３４がｙ方向に拡張幅だけ偏向された状態なので、第ｋ番目のストライプ領域３２を描画中に、さらに、第ｋ番目のストライプ領域３２の拡張領域３７をマルチビーム２０で描画する。具体的には、拡張領域３７に照射位置が移動した各ビームが、第ｋ番目のストライプ領域３２の拡張領域３７内の担当するサブ照射領域２９の左上の画素を照射する。拡張領域３７に照射位置が移動せずに第ｋ番目のストライプ領域３２内に照射位置が残った各ビームが、第ｋ番目のストライプ領域３２内の担当するサブ照射領域２９の左上の画素を照射する。
【0065】
各ストライプ領域３２内のマルチビーム２０の試料１０１面上におけるビーム間ピッチサイズで囲まれる各サブ照射領域２９内は、当該照射領域３４が偏向されていない状態で描画される画素と、当該照射領域３４が偏向された状態で描画される画素との組み合わせにより露光される。具体的には、各ストライプ領域３２内のマルチビーム２０の試料１０１面上におけるビーム間ピッチサイズで囲まれる各サブ照射領域２９内は、当該ストライプ領域３２の拡張領域３７へのビーム偏向が為されていない状態でのビームショット（ここでは、ショット１とショット２）と当該ストライプ領域３２の拡張領域３７へのビーム偏向が為された状態でのビームショット（ここでは、ショット３とショット４）との組み合わせにより露光される。
【0066】
ショット４の最大照射時間が経過した時点でトラッキング制御をリセットする。ショット４のトラッキングサイクルの間にＸＹステージ１０５は２画素分の距離だけ移動している。よって、トラッキングリセットによって、照射領域３４は、ｘ方向に２画素分移動する。
【0067】
主偏向シフトリセット（Ｙ偏向リセット）工程（Ｓ１１８）として、ショット４後のトラッキングリセットに合わせて、Ｙ偏向によりマルチビーム２０の照射領域３４がｙ方向に拡張幅だけ偏向された状態をリセットする（Ｙ偏向リセット）。Ｙ偏向リセットによって、拡張幅だけ主偏向器２０８にて－ｙ方向にマルチビーム２０の照射領域３４をシフトするように偏向する。
【0068】
なお、ショット４にて、各サブ照射領域２９の４つの画素の描画は終了している。そのため、トラッキングリセットした後に、次回のトラッキングサイクルにおいてまず副偏向器２０９は、各サブ照射領域２９の最初に描画された左下の画素を描画するようにビームの描画位置を合わせる（シフトする）ように偏向する。
【0069】
判定工程（Ｓ１２０）として、描画制御部７２は、第ｋ番目のストライプ領域３２の描画が終了したかどうかを判定する。終了した場合には、位置ずらし工程（Ｓ１２２）に進む。まだ、終了していない場合には、ショット工程（Ｓ１１２）に戻り、第ｋ番目のストライプ領域３２の描画が終了するまで、ショット工程（Ｓ１１２）から判定工程（Ｓ１２０）までを繰り返す。図１０（ｄ）の状態では、まだ第ｋ番目のストライプ領域３２の描画が終了していないので、以下に説明するように、ショット工程（Ｓ１１２）から判定工程（Ｓ１２０）までを繰り返す。
【0070】
【0071】
図１１（ａ）において、ショット５として、ショット１と同様、主偏向Ｘにてトラッキング制御が行われている間に、各ビームが、マルチビーム２０の照射領域３４内の担当するサブ照射領域２９内の左下の画素を照射する。
【0072】
ショット５の最大照射時間が経過した時点でトラッキング制御をリセットする。ショット５のトラッキングサイクルの間にＸＹステージ１０５は２画素分の距離だけ移動している。よって、トラッキングリセットによって、照射領域３４は、ｘ方向に２画素分移動する。
【0073】
なお、ショット５にて、各サブ照射領域２９の左下の画素の描画は終了している。そのため、トラッキングリセットした後に、次回のトラッキングサイクルにおいてまず副偏向器２０９は、各サブ照射領域２９のまだ描画されていない右上の画素を描画するようにビームの描画位置を合わせる（シフトする）ように偏向する。
【0074】
図１１（ｂ）において、ショット６として、ショット２と同様、主偏向Ｘにてトラッキング制御が行われている間に、各ビームが、マルチビーム２０の照射領域３４内の担当するサブ照射領域２９内の右上の画素を照射する。
【0075】
ショット６の最大照射時間が経過した時点でトラッキング制御をリセットする。ショット２のトラッキングサイクルの間にＸＹステージ１０５は２画素分の距離だけ移動している。よって、トラッキングリセットによって、照射領域３４は、ｘ方向に２画素分移動する。
【0076】
なお、ショット６にて、各サブ照射領域２９の右上の画素の描画は終了している。そのため、トラッキングリセットした後に、次回のトラッキングサイクルにおいてまず副偏向器２０９は、各サブ照射領域２９のまだ描画されていない右下の画素を描画するようにビームの描画位置を合わせる（シフトする）ように偏向する。
【0077】
図１１（ｂ）の例では、さらに、トラッキングリセットに合わせて、設定された拡張幅だけ主偏向器２０８にてｙ方向にマルチビーム２０の照射領域３４をシフトするように偏向する（Ｙ偏向：主偏向Ｙ）。図１１（ｂ）の例では、拡張幅として、２画素分のサイズだけｙ方向にマルチビーム２０の照射領域３４をシフトする。
【0078】
このように、ショット５，６は、ショット１，２と同様の動作を行う。言い換えれば、第ｋ番目のストライプ領域３２の描画が終了するまで、ショット１～４の動作を繰り返す。これにより、第ｋ番目のストライプ領域３２の描画と、第ｋ番目のストライプ領域３２の拡張領域３７の描画とを行う。図１１（ｃ）では、ショット８の実施後の状態を示している。
【0079】
以上により、第ｋ番目のストライプ領域３２の各画素が描画される。また、第ｋ番目のストライプ領域３２の拡張領域３７の一部の画素が描画される。なお、Ｙ偏向の偏向方向（ｙ方向）と逆方向（－ｙ方向）側の第ｋ番目のストライプ領域３２の端部から拡張幅と同じ幅分の第ｋ番目のストライプ領域３２の領域部分については、図１１（ｃ）に示すように、Ｙ偏向による照射領域３４がｙ方向にシフトしたことによって描画されずに残る画素が存在することになる。描画されずに残る画素は、拡張領域３７で描画される画素と対応する位置関係になる。図１１（ｃ）の例では、拡張領域３７の各サブ照射領域２９の２×２の４つの画素のうち右下（ショット３＋４（ｍ－１））の画素と左上（ショット４＋４（ｍ－１））の画素が描画される。これに対応するように、第ｋ番目のストライプ領域３２の下部の描画されずに残る画素については、各サブ照射領域２９の２×２の４つの画素のうち左下（ショット１＋４（ｍ－１））の画素と右上（ショット２＋４（ｍ－１））の画素となる。ｍは１以上の整数。
【0080】
位置ずらし工程（Ｓ１２２）として、描画制御部７２により制御されたステージ制御機構１３８は、拡張領域３７のｙ方向の幅サイズ（拡張幅）とは異なるずらし量で第ｋ番目のストライプ領域３２から第ｋ番目のストライプ領域３２と一部が重なるようにｙ方向にずらした第ｋ＋１番目のストライプ領域３２にマルチビーム２０の照射領域３４が位置するようにＸＹステージ１０５を移動させる。ここでは、第ｋ番目のストライプ領域３２から、既に設定されたずらし量でｙ方向にずれた第ｋ＋１番目のストライプ領域３２に、マルチビーム２０の照射領域３４が位置ずるようにＸＹステージ１０５を移動させる。図１０及び図１１の例では、ストライプ領域３２のｙ方向幅の１／２がずらし量として設定される。第ｋ番目のストライプ領域３２が例えば第１ストライプレイヤであれば、第ｋ＋１番目のストライプ領域３２は第２ストライプレイヤとなる。このように、ずらし量での位置ずらしによって、描画対象となるストライプ領域３２のストライプレイヤが変更される。
【0081】
判定工程（Ｓ１２４）として、描画制御部７２は、すべてのストライプ領域３２の多重描画が終了したかどうかを判定する。まだ、多重描画が実施されていないストライプ領域３２が残っている場合には、ストライプ描画及び拡張領域描画工程（Ｓ１１０）に戻り、すべてのストライプ領域３２の多重描画が終了するまで、ストライプ描画及び拡張領域描画工程（Ｓ１１０）から判定工程（Ｓ１２４）までの各工程を繰り返す。
【0082】
よって、第ｋ番目のストライプ領域３２のストライプ描画及び拡張領域描画工程（Ｓ１１０）の次は、第ｋ番目のストライプ領域３２からずらし量だけｙ方向にずらした第ｋ＋１番目のストライプ領域３２のストライプ描画及び拡張領域描画工程（Ｓ１１０）を実施する。言い換えれば、描画機構１５０は、第ｋ番目のストライプ領域３２と一部が重なるように、第ｋ番目のストライプ領域から拡張幅とは異なるずらし量でｙ方向にずらした第ｋ＋１番目のストライプ領域３２を描画する。さらに、描画機構１５０は、第ｋ＋１番目のストライプ領域を描画中に、照射領域３４をｙ方向に拡張幅で拡張された第ｋ＋１番目の拡張領域を、マルチビーム２０を偏向させるとともにｘ方向に移動させながら描画する。さらに言い換えれば、描画機構１５０は、第ｋ＋１番目のストライプ領域を描画中に、ｙ方向に偏向させた照射領域３４内でマルチビーム２０を偏向しながら第ｋ＋１番目の拡張領域を描画する。以下、具体的に説明する。
【0083】
第ｋ＋１番目のストライプ領域３２のショット工程（Ｓ１１２）では、描画制御部７２による制御のもと、描画機構１５０は、拡張領域３７のｙ方向の幅サイズとは異なるずらし量で第ｋ番目のストライプ領域３２から第ｋ番目のストライプ領域３２と一部が重なるようにｙ方向にずらした第ｋ＋１番目のストライプ領域３２をマルチビーム２０で描画する。描画の仕方は、第ｋ番目のストライプ領域３２を描画する場合と同様である。
【0084】
第ｋ＋１番目のストライプ領域３２の主偏向シフト（Ｙ偏向）工程（Ｓ１１４）では、ショット２後のトラッキングリセットに合わせて、設定された拡張幅だけ主偏向器２０８にてｙ方向にマルチビーム２０の照射領域３４をシフトするように偏向する（Ｙ偏向：主偏向Ｙ）。図１０（ｂ）の例では、拡張幅として、２画素分のサイズだけｙ方向にマルチビーム２０の照射領域３４をシフトする。Ｙ偏向の仕方は、第ｋ番目のストライプ領域３２を描画中に実施したＹ偏向の仕方と同様である。
【0085】
第ｋ＋１番目のストライプ領域３２のショット工程（Ｓ１１６）において、描画制御部７２による制御のもと、描画機構１５０は、Ｙ偏向によりマルチビーム２０の照射領域３４がｙ方向に拡張幅だけ偏向された状態で、第ｋ＋１番目のストライプ領域３２を描画中に、マルチビーム２０の照射領域３４をビーム偏向によってｙ方向に移動させることにより、ｙ方向に拡張した第ｋ＋１番目のストライプ領域３２の拡張領域３７をマルチビーム２０で描画する。描画の仕方は、第ｋ番目のストライプ領域３２を描画する場合と同様である。
【0086】
以上のように、第１ストライプレイヤのストライプ領域３２と第２ストライプレイヤのストライプ領域３２とを交互に並べた第１番目のストライプ領域３２から第ｎ番目のストライプ領域３２（ｋ＝１～ｎ）を順に描画することで、試料１０１の描画領域３０には、設定されたずらし量でストライプ領域をずらしながら行うマルチビーム２０の露光による多重描画が行われる。なお、図９の各種偏向量は各時刻での偏向量の相対値を表しており絶対値を表すものではない。例えば主偏向Ｙは図１１の例ではゼロと＋Ｙ方向に２画素分の偏向量を切り変えてもよいし、－Ｙ方向に１画素分、＋Ｙ方向に１画素分の偏向量を切り変えても良い。
【0087】
図１２は、実施の形態１における描画シーケンスの他の一例の主偏向と副偏向のタイムチャートを示す図である。
図１３は、実施の形態１における描画シーケンスの他の一例の一部を示している。
図１４は、実施の形態１における描画シーケンスの他の一例の続き部分を示している。図１２～図１４の例では、図９～図１１の例と同様、各ストライプ領域３２を描画中に、さらに、マルチビーム２０の照射領域３４をビーム偏向によってｙ方向に移動させることにより、ｙ方向に拡張したストライプ領域３２の拡張領域３７をマルチビーム２０で描画する。各拡張領域３７へのビーム偏向は、トラッキング制御をリセットするトラッキングリセット時に行われる。図１２～図１４の例では、各サブ照射領域２９内の４つの画素を照射する４回のショットのうち、２回目のショットと３回目のショットにおいて、拡張領域３７の描画が行われる。その他の点は、図９～図１１の例と同様である。
図１３は、実施の形態１における描画シーケンスの他の一例の一部を示している。
図１４は、実施の形態１における描画シーケンスの他の一例の続き部分を示している。図１２～図１４の例では、図９～図１１の例と同様、各ストライプ領域３２を描画中に、さらに、マルチビーム２０の照射領域３４をビーム偏向によってｙ方向に移動させることにより、ｙ方向に拡張したストライプ領域３２の拡張領域３７をマルチビーム２０で描画する。各拡張領域３７へのビーム偏向は、トラッキング制御をリセットするトラッキングリセット時に行われる。図１２～図１４の例では、各サブ照射領域２９内の４つの画素を照射する４回のショットのうち、２回目のショットと３回目のショットにおいて、拡張領域３７の描画が行われる。その他の点は、図９～図１１の例と同様である。
【0088】
ショット工程（Ｓ１１２）として、図１３（ａ）に示すように、ショット１として、主偏向Ｘにてトラッキング制御が行われている間に、各ビームが、マルチビーム２０の照射領域３４内の担当するサブ照射領域２９内の左下の画素を照射する。
【0089】
ショット１の最大照射時間が経過した時点でトラッキング制御をリセットする。ショット１のトラッキングサイクルの間にＸＹステージ１０５は２画素分の距離だけ移動している。よって、トラッキングリセットによって、照射領域３４は、ｘ方向に２画素分移動する。
【0090】
なお、ショット１にて、各サブ照射領域２９の左下の画素の描画は終了している。そのため、トラッキングリセットした後に、次回のトラッキングサイクルにおいてまず副偏向器２０９は、各サブ照射領域２９のまだ描画されていない右上の画素を描画するようにビームの描画位置を合わせる（シフトする）ように偏向する。
【0091】
主偏向シフト（Ｙ偏向）工程（Ｓ１１４）として、ショット１後のトラッキングリセットに合わせて、設定された拡張幅だけ主偏向器２０８にてｙ方向にマルチビーム２０の照射領域３４をシフトするように偏向する（Ｙ偏向：主偏向Ｙ）。図１３（ａ）の例では、拡張幅として、２画素分のサイズだけｙ方向にマルチビーム２０の照射領域３４をシフトする。
【0092】
ショット工程（Ｓ１１６）として、描画制御部７２による制御のもと、描画機構１５０は、Ｙ偏向によりマルチビーム２０の照射領域３４がｙ方向に拡張幅だけ偏向された状態で、第ｋ番目のストライプ領域３２の描画と共に、ｙ方向に拡張した第ｋ番目のストライプ領域３２の拡張領域３７をマルチビーム２０で描画する。
【0093】
図１３（ｂ）に示すように、ショット２として、主偏向Ｘにてトラッキング制御が行われている間に、各ビームが、マルチビーム２０の照射領域３４内の担当するサブ照射領域２９内の右上の画素を照射する。照射領域３４のシフトによって、拡張領域３７に照射位置が移動した各ビームが、第ｋ番目のストライプ領域３２の拡張領域３７内の担当するサブ照射領域２９の右上の画素を照射する。拡張領域３７に照射位置が移動せずに第ｋ番目のストライプ領域３２内に照射位置が残った各ビームが、第ｋ番目のストライプ領域３２内の担当するサブ照射領域２９の右上の画素を照射する。
【0094】
ショット２の最大照射時間が経過した時点でトラッキング制御をリセットする。ショット１のトラッキングサイクルの間にＸＹステージ１０５は２画素分の距離だけ移動している。よって、トラッキングリセットによって、照射領域３４は、ｘ方向に２画素分移動する。
【0095】
図１３（ｃ）において、ショット３として、主偏向Ｘにてトラッキング制御が行われている間に、各ビームが、マルチビーム２０の照射領域３４内の担当するサブ照射領域２９内の右下の画素を照射する。なお、ショット３では、Ｙ偏向によりマルチビーム２０の照射領域３４がｙ方向に拡張幅だけ偏向された状態なので、第ｋ番目のストライプ領域３２を描画中に、さらに、第ｋ番目のストライプ領域３２の拡張領域３７をマルチビーム２０で描画する。具体的には、拡張領域３７に照射位置が移動した各ビームが、第ｋ番目のストライプ領域３２の拡張領域３７内の担当するサブ照射領域２９の右下の画素を照射する。拡張領域３７に照射位置が移動せずに第ｋ番目のストライプ領域３２内に照射位置が残った各ビームが、第ｋ番目のストライプ領域３２内の担当するサブ照射領域２９の右下の画素を照射する。
【0096】
ショット３の最大照射時間が経過した時点でトラッキング制御をリセットする。ショット３のトラッキングサイクルの間にＸＹステージ１０５は２画素分の距離だけ移動している。よって、トラッキングリセットによって、照射領域３４は、ｘ方向に２画素分移動する。
【0097】
主偏向シフトリセット（Ｙ偏向リセット）工程（Ｓ１１８）として、ショット３後のトラッキングリセットに合わせて、Ｙ偏向によりマルチビーム２０の照射領域３４がｙ方向に拡張幅だけ偏向された状態をリセットする（Ｙ偏向リセット）。Ｙ偏向リセットによって、拡張幅だけ主偏向器２０８にて－ｙ方向にマルチビーム２０の照射領域３４をシフトするように偏向する。
【0098】
判定工程（Ｓ１２０）として、描画制御部７２は、第ｋ番目のストライプ領域３２の描画が終了したかどうかを判定する。終了した場合には、位置ずらし工程（Ｓ１２２）に進む。まだ、終了していない場合には、ショット工程（Ｓ１１２）に戻り、第ｋ番目のストライプ領域３２の描画が終了するまで、ショット工程（Ｓ１１２）から判定工程（Ｓ１２０）までを繰り返す。
【0099】
図１４（ａ）において、ショット４として、主偏向Ｘにてトラッキング制御が行われている間に、各ビームが、マルチビーム２０の照射領域３４内の担当するサブ照射領域２９内の左上の画素を照射する。
【0100】
ショット４の最大照射時間が経過した時点でトラッキング制御をリセットする。ショット４のトラッキングサイクルの間にＸＹステージ１０５は２画素分の距離だけ移動している。よって、トラッキングリセットによって、照射領域３４は、ｘ方向に２画素分移動する。
【0101】
なお、ショット４にて、各サブ照射領域２９の４つの画素の描画は終了している。そのため、トラッキングリセットした後に、次回のトラッキングサイクルにおいてまず副偏向器２０９は、各サブ照射領域２９の最初に描画された左下の画素を描画するようにビームの描画位置を合わせる（シフトする）ように偏向する。
【0102】
図１４（ｂ）において、ショット５として、ショット１と同様、主偏向Ｘにてトラッキング制御が行われている間に、各ビームが、マルチビーム２０の照射領域３４内の担当するサブ照射領域２９内の左下の画素を照射する。
【0103】
ショット５の最大照射時間が経過した時点でトラッキング制御をリセットする。ショット５のトラッキングサイクルの間にＸＹステージ１０５は２画素分の距離だけ移動している。よって、トラッキングリセットによって、照射領域３４は、ｘ方向に２画素分移動する。
【0104】
なお、ショット５にて、各サブ照射領域２９の左下の画素の描画は終了している。そのため、トラッキングリセットした後に、次回のトラッキングサイクルにおいてまず副偏向器２０９は、各サブ照射領域２９のまだ描画されていない右上の画素を描画するようにビームの描画位置を合わせる（シフトする）ように偏向する。
【0105】
主偏向シフト（Ｙ偏向）工程（Ｓ１１４）として、ショット５後のトラッキングリセットに合わせて、設定された拡張幅だけ主偏向器２０８にてｙ方向にマルチビーム２０の照射領域３４をシフトするように偏向する（Ｙ偏向：主偏向Ｙ）。図１４（ｂ）の例では、拡張幅として、２画素分のサイズだけｙ方向にマルチビーム２０の照射領域３４をシフトする。
【0106】
このように、ショット５は、ショット１と同様の動作を行う。言い換えれば、第ｋ番目のストライプ領域３２の描画が終了するまで、ショット１～４の動作を繰り返す。これにより、第ｋ番目のストライプ領域３２の描画と、第ｋ番目のストライプ領域３２の拡張領域３７の描画とを行う。図１４（ｃ）では、ショット８の実施後の状態を示している。
【0107】
以上により、第ｋ番目のストライプ領域３２の各画素が描画される。また、第ｋ番目のストライプ領域３２の拡張領域３７の一部の画素が描画される。なお、Ｙ偏向の偏向方向（ｙ方向）と逆方向（－ｙ方向）側の第ｋ番目のストライプ領域３２の端部から拡張幅と同じ幅分の第ｋ番目のストライプ領域３２の領域部分については、図１４（ｃ）に示すように、Ｙ偏向による照射領域３４がｙ方向にシフトしたことによって描画されずに残る画素が存在することになる。ショット順序のうちＹ偏向しているショットが異なると、拡張領域３７で描画される画素の位置が異なる。かかる場合でも、描画されずに残る画素は、拡張領域３７で描画される画素と対応する位置関係になる。図１４（ｃ）の例では、拡張領域３７の各サブ照射領域２９の２×２の４つの画素のうち右上（ショット２＋４（ｍ－１））の画素と右下（ショット３＋４（ｍ－１））の画素が描画される。これに対応するように、第ｋ番目のストライプ領域３２の下部の描画されずに残る画素については、各サブ照射領域２９の２×２の４つの画素のうち左下（ショット１＋４（ｍ－１））の画素と左上（ショット４＋４（ｍ－１））の画素となる。
【0108】
位置ずらし工程（Ｓ１２２）として、描画制御部７２により制御されたステージ制御機構１３８は、拡張領域３７のｙ方向の幅サイズ（拡張幅）とは異なるずらし量で第ｋ番目のストライプ領域３２から第ｋ番目のストライプ領域３２と一部が重なるようにｙ方向にずらした第ｋ＋１番目のストライプ領域３２にマルチビーム２０の照射領域３４が位置するようにＸＹステージ１０５を移動させる。
【0109】
判定工程（Ｓ１２４）として、描画制御部７２は、すべてのストライプ領域３２の多重描画が終了したかどうかを判定する。まだ、多重描画が実施されていないストライプ領域３２が残っている場合には、ストライプ描画及び拡張領域描画工程（Ｓ１１０）に戻り、すべてのストライプ領域３２の多重描画が終了するまで、ストライプ描画及び拡張領域描画工程（Ｓ１１０）から判定工程（Ｓ１２４）までの各工程を繰り返す。
【0110】
よって、第ｋ番目のストライプ領域３２のストライプ描画及び拡張領域描画工程（Ｓ１１０）の次は、第ｋ番目のストライプ領域３２からずらし量だけｙ方向にずらした第ｋ＋１番目のストライプ領域３２のストライプ描画及び拡張領域描画工程（Ｓ１１０）を実施する。
【0111】
上述した例では、各サブ照射領域２９が２×２の４画素で構成される場合を説明したが、これに限るものではない。以下、例えば、各サブ照射領域２９が４×４の１６画素で構成される場合を説明する。なお、各サブ照射領域２９内の画素配列数は、さらに別の数であっても構わない。
【0112】
図１５は、実施の形態１における描画シーケンスの他の一例の一部を示している。
図１６は、実施の形態１における描画シーケンスの他の一例の続き部分を示している。図１５及び図１６の例では、２×２本のマルチビーム２０を用いる場合を示している。また、各サブ照射領域２９は、例えば４×４画素で構成される場合を示している。図１５、及び図１６の例では、各サブ照射領域２９内を、例えば、左から１列目かつ下から１段目、左から３列目かつ下から３段目、左から３列目かつ下から１段目、左から１列目かつ下から３段目、左から２列目かつ下から２段目、左から４列目かつ下から２段目、左から４列目かつ下から４段目、左から２列目かつ下から４段目、左から２列目かつ下から１段目、左から４列目かつ下から３段目、左から４列目かつ下から１段目、左から２列目かつ下から３段目、左から１列目かつ下から２段目、左から３列目かつ下から２段目、左から３列目かつ下から４段目、及び左から１列目かつ下から４段目、の順で描画する描画シーケンスが用いられる。図１５及び図１６の例では、４×４の１６画素のうち８画素を描画するまでを示している。図１５及び図１６の例では、各サブ照射領域２９内を４つの異なるビームで描画する場合を示している。
図１６は、実施の形態１における描画シーケンスの他の一例の続き部分を示している。図１５及び図１６の例では、２×２本のマルチビーム２０を用いる場合を示している。また、各サブ照射領域２９は、例えば４×４画素で構成される場合を示している。図１５、及び図１６の例では、各サブ照射領域２９内を、例えば、左から１列目かつ下から１段目、左から３列目かつ下から３段目、左から３列目かつ下から１段目、左から１列目かつ下から３段目、左から２列目かつ下から２段目、左から４列目かつ下から２段目、左から４列目かつ下から４段目、左から２列目かつ下から４段目、左から２列目かつ下から１段目、左から４列目かつ下から３段目、左から４列目かつ下から１段目、左から２列目かつ下から３段目、左から１列目かつ下から２段目、左から３列目かつ下から２段目、左から３列目かつ下から４段目、及び左から１列目かつ下から４段目、の順で描画する描画シーケンスが用いられる。図１５及び図１６の例では、４×４の１６画素のうち８画素を描画するまでを示している。図１５及び図１６の例では、各サブ照射領域２９内を４つの異なるビームで描画する場合を示している。
【0113】
各ストライプ領域３２を描画中、ＸＹステージ１０５は、ｘ方向（若しくは－ｘ方向）に移動する。そして、各ストライプ領域３２を描画中、マルチビーム２０の照射領域３４がＸＹステージ１０５の移動に追従するようにトラッキング制御が行われる。図１５及び図１６の例では、各サブ照射領域２９内の１／４（照射に用いられるビーム本数分の１）の領域（４画素）を描画する間に、ＸＹステージ１０５が、２画素分の距離だけ移動する速度で、連続移動する描画動作を行う場合を示している。
【0114】
そして、各ストライプ領域３２を描画中に、さらに、マルチビーム２０の照射領域３４をビーム偏向によってｙ方向に移動させることにより、ｙ方向に拡張したストライプ領域３２の拡張領域３７をマルチビーム２０で描画する。各拡張領域３７へのビーム偏向は、トラッキング制御をリセットするトラッキングリセット時に行われる。図１５及び図１６の例では、各サブ照射領域２９内の１６個の画素を照射する１６回のショットのうち、９～１６回目のショットにおいて、拡張領域３７の描画が行われる。
【0115】
図１５（ａ）において、ショット１として、主偏向Ｘにてトラッキング制御が行われている間に、各ビームが、マルチビーム２０の照射領域３４内の担当するサブ照射領域２９内の左から１列目かつ下から１段目の画素を照射する。
【0116】
トラッキング制御が継続している間に、副偏向器２０９は、副偏向Ｘ，Ｙにて、各ビームの照射位置を担当するサブ照射領域２９内の左から３列目かつ下から３段目にシフトする。
【0117】
図１５（ｂ）において、ショット２として、主偏向Ｘにてトラッキング制御が行われている間に、各ビームが、マルチビーム２０の照射領域３４内の担当するサブ照射領域２９内の左から３列目かつ下から３段目の画素を照射する。
【0118】
トラッキング制御が継続している間に、副偏向器２０９は、副偏向Ｘ，Ｙにて、各ビームの照射位置を担当するサブ照射領域２９内の左から３列目かつ下から１段目にシフトする。
【0119】
そして、図示しないショット３として、主偏向Ｘにてトラッキング制御が行われている間に、各ビームが、マルチビーム２０の照射領域３４内の担当するサブ照射領域２９内の左から３列目かつ下から１段目の画素を照射する。
【0120】
トラッキング制御が継続している間に、副偏向器２０９は、副偏向Ｘ，Ｙにて、各ビームの照射位置を担当するサブ照射領域２９内の左から１列目かつ下から３段目にシフトする。
【0121】
図１５（ｃ）において、ショット４として、主偏向Ｘにてトラッキング制御が行われている間に、各ビームが、マルチビーム２０の照射領域３４内の担当するサブ照射領域２９内の左から１列目かつ下から３段目の画素を照射する。
【0122】
以上のように、４×４画素のサブ照射領域２９では、１回目のトラッキング制御中に、サブ照射領域２９内で副偏向位置をシフトしながら４ショット行うことにより、図１０（ａ）に示すショット１と同じ状態にできる。
【0123】
ショット４の最大照射時間が経過した時点でトラッキング制御をリセットする。ショット１～４のトラッキングサイクルの間にＸＹステージ１０５は２画素分の距離Ｌだけ移動している。よって、トラッキングリセットによって、照射領域３４は、ｘ方向に２画素分移動する。
【0124】
なお、トラッキングリセットした後に、次回のトラッキングサイクルにおいてまず副偏向器２０９は、各サブ照射領域２９のまだ描画されていない左から２列目かつ下から２段目の画素を描画するようにビームの描画位置を合わせる（シフトする）ように偏向する。
【0125】
図１６（ｂ）において、ショット５として、主偏向Ｘにてトラッキング制御が行われている間に、各ビームが、マルチビーム２０の照射領域３４内の担当するサブ照射領域２９内の左から２列目かつ下から２段目の画素を照射する。
【0126】
トラッキング制御が継続している間に、副偏向器２０９は、副偏向Ｘ，Ｙにて、各ビームの照射位置を担当するサブ照射領域２９内の左から４列目かつ下から２段目にシフトする。
【0127】
図１５（ｂ）において、ショット６として、主偏向Ｘにてトラッキング制御が行われている間に、各ビームが、マルチビーム２０の照射領域３４内の担当するサブ照射領域２９内の左から４列目かつ下から２段目の画素を照射する。
【0128】
トラッキング制御が継続している間に、副偏向器２０９は、副偏向Ｘ，Ｙにて、各ビームの照射位置を担当するサブ照射領域２９内の左から４列目かつ下から４段目にシフトする。
【0129】
そして、図示しないショット７として、主偏向Ｘにてトラッキング制御が行われている間に、各ビームが、マルチビーム２０の照射領域３４内の担当するサブ照射領域２９内の左から４列目かつ下から４段目の画素を照射する。
【0130】
トラッキング制御が継続している間に、副偏向器２０９は、副偏向Ｘ，Ｙにて、各ビームの照射位置を担当するサブ照射領域２９内の左から２列目かつ下から４段目にシフトする。
【0131】
図１６（ｃ）において、ショット４として、主偏向Ｘにてトラッキング制御が行われている間に、各ビームが、マルチビーム２０の照射領域３４内の担当するサブ照射領域２９内の左から２列目かつ下から４段目の画素を照射する。
【0132】
以上のように、４×４画素のサブ照射領域２９では、２回目のトラッキング制御中に、サブ照射領域２９内で副偏向位置をシフトしながら４ショット行うことにより、図１０（ｂ）に示すショット２と同じ状態にできる。
【0133】
主偏向シフト（Ｙ偏向）工程（Ｓ１１４）として、ショット８後のトラッキングリセットに合わせて、設定された拡張幅だけ主偏向器２０８にてｙ方向にマルチビーム２０の照射領域３４をシフトするように偏向する（Ｙ偏向：主偏向Ｙ）。図１６（ｃ）の例では、拡張幅として、２画素分のサイズだけｙ方向にマルチビーム２０の照射領域３４をシフトする。
【0134】
そして、４×４画素のサブ照射領域２９では、Ｙ偏向によりマルチビーム２０の照射領域３４がｙ方向に拡張幅だけ偏向された状態で、図示しない３回目のトラッキング制御中に、サブ照射領域２９内で副偏向位置をシフトしながら、左から２列目かつ下から１段目の画素、左から４列目かつ下から３段目の画素、左から４列目かつ下から１段目の画素、左から２列目かつ下から３段目の画素の４ショット（ショット９～１２）を行うことにより、図１０（ｃ）に示すショット３と同じ状態にできる。
【0135】
そして、４×４画素のサブ照射領域２９では、Ｙ偏向によりマルチビーム２０の照射領域３４がｙ方向に拡張幅だけ偏向された状態で、図示しない４回目のトラッキング制御中に、サブ照射領域２９内で副偏向位置をシフトしながら、左から１列目かつ下から２段目の画素、左から３列目かつ下から２段目の画素、左から３列目かつ下から４段目の画素、及び左から１列目かつ下から４段目の画素の４ショット（ショット１３～１６）を行うことにより、図１０（ｄ）に示すショット４と同じ状態にできる。
【0136】
ショット１６の最大照射時間が経過した時点でトラッキング制御をリセットする。ショット１３～１６のトラッキングサイクルの間にＸＹステージ１０５は２画素分の距離Ｌだけ移動している。よって、トラッキングリセットによって、照射領域３４は、ｘ方向に２画素分移動する。
【0137】
主偏向シフトリセット（Ｙ偏向リセット）工程（Ｓ１１８）として、ショット１６後のトラッキングリセットに合わせて、Ｙ偏向によりマルチビーム２０の照射領域３４がｙ方向に拡張幅だけ偏向された状態をリセットする（Ｙ偏向リセット）。Ｙ偏向リセットによって、拡張幅だけ主偏向器２０８にて－ｙ方向にマルチビーム２０の照射領域３４をシフトするように偏向する。
【0138】
【0139】
そして、第ｋ番目のストライプ領域３２の描画が終了した後、位置ずらし工程（Ｓ１２２）として、拡張領域３７のｙ方向の幅サイズ（拡張幅）とは異なるずらし量で第ｋ番目のストライプ領域３２から第ｋ番目のストライプ領域３２と一部が重なるようにｙ方向にずらした第ｋ＋１番目のストライプ領域３２にマルチビーム２０の照射領域３４が位置するようにＸＹステージ１０５を移動させる。
【0140】
そして、第ｋ＋１番目のストライプ領域３２について、第ｋ番目のストライプ領域３２の描画と同様の描画を行う。
【0141】
以上のように、第１ストライプレイヤのストライプ領域３２と第２ストライプレイヤのストライプ領域３２とを交互に並べた第１番目のストライプ領域３２から第ｎ番目のストライプ領域３２（ｋ＝１～ｎ）を順に描画することで、試料１０１の描画領域３０には、設定されたずらし量でストライプ領域をずらしながら行うマルチビーム２０の露光による多重描画が行われる。
【0142】
図１７は、実施の形態１の比較例における順に描画される３つのストライプ領域で描画される画素の一例を示す図である。図１７の例では、第ｋ番目のストライプ領域３２を描画する場合の照射領域３４と同サイズの矩形領域３５内で描画される画素を示している。同様に、ずらし量Ｌでずらした第ｋ＋１番目のストライプ領域３２を描画する場合の照射領域３４と同サイズの矩形領域３５内で描画される画素を示している。同様に、ずらし量Ｌでずらした第ｋ＋２番目のストライプ領域３２を描画する場合の照射領域３４と同サイズの矩形領域３５内で描画される画素を示している。図１７の例では、ずらし量Ｌとして、ストライプ領域の幅の１／２のサイズを用いる場合を示している。図１７の例では、図面を見やすくするために、重ならないように各ストライプ領域の矩形領域３５をｘ方向にずらして示しているが、ｘ方向の位置は同じ位置の矩形領域３５を示している。第ｋ番目のストライプ領域３２の矩形領域３５の上半分の各画素は、ｙ方向に照射領域３４をずらした第ｋ＋１番目のストライプ領域３２の矩形領域３５の下半分の描画によって２回の多重描画になっている。同様に、第ｋ＋１番目のストライプ領域３２の矩形領域３５の上半分の各画素は、ｙ方向に照射領域３４をずらした第ｋ＋２番目のストライプ領域３２の矩形領域３５の下半分の描画によって２回の多重描画になっている。第ｋ番目のストライプ領域３２の矩形領域３５の下半分についても、図示しない第ｋ－１番目のストライプ領域３２の矩形領域３５の上半分の描画によって２回の多重描画になる。第ｋ＋２番目のストライプ領域３２の矩形領域３５の上半分についても、図示しない第ｋ＋３番目のストライプ領域３２の矩形領域３５の下半分の描画によって２回の多重描画になる。このように、比較例では、いずれの画素についてもｙ方向に照射領域３４をずらした２回の多重描画になる。よって、図７（ｃ）に示したように、２回の平均化によりｙ方向の位置ずれ誤差を１／２にできる。
【0143】
図１８は、実施の形態１における順に描画される３つのストライプ領域で描画される画素の一例を示す図である。図１８の例では、第ｋ番目のストライプ領域３２を描画する場合の照射領域３４と同サイズの矩形領域３５内で描画される画素と、第ｋ番目のストライプ領域３２の拡張領域３７内で描画される画素とを示している。同様に、第ｋ＋１番目のストライプ領域３２を描画する場合の照射領域３４と同サイズの矩形領域３５内で描画される画素と、第ｋ＋１番目のストライプ領域３２の拡張領域３７内で描画される画素とを示している。同様に、第ｋ＋２番目のストライプ領域３２を描画する場合の照射領域３４と同サイズの矩形領域３５内で描画される画素と、第ｋ＋２番目のストライプ領域３２の拡張領域３７内で描画される画素とを示している。図１８の例では、図面を見やすくするために、重ならないように各ストライプ領域の矩形領域３５をｘ方向にずらして示しているが、ｘ方向の位置は同じ位置の矩形領域３５を示している。
【0144】
第ｋ番目のストライプ領域３２の描画中と同時期に第ｋ番目のストライプ領域３２の拡張領域３７で描画される画素と、第ｋ番目のストライプ領域３２と重ならずに隣接するストライプ領域３２（図１８の例では、第ｋ＋２番目のストライプ領域３２）を描画する場合の第ｋ番目のストライプ領域３２の拡張領域３７に相当する領域部分の描画される画素と、が重ならないようにマルチビームの照射位置が制御される。言い換えれば、第ｋ番目のストライプ領域３２の描画中に第ｋ番目の拡張領域で描画される画素と、ｋ番目の拡張領域と重なり合う第ｋ＋ｎ番目（ｎは２以上の整数）の拡張領域で描画される画素と、が重ならないようにマルチビーム２０の照射位置が制御される。多重描画のずらし量Ｌがストライプ領域３２の幅の１／２の場合には、第ｋ番目のストライプ領域３２の拡張領域３７で描画されずに残る画素は、２つ隣の第ｋ＋２番目のストライプ領域３２を描画する際に描画されることになる。なお、第ｋ番目のストライプ領域３２の拡張領域３７で描画されずに残る画素を描画するストライプ領域３２は、多重描画のずらし量Ｌに応じて変化する。例えば、多重描画のずらし量Ｌがストライプ領域３２の幅の１／４に設定される場合には、第ｋ番目のストライプ領域３２の拡張領域３７で描画されずに残る画素は、４つ隣の第ｋ＋４番目のストライプ領域３２を描画する際に描画されることになる。
【0145】
第ｋ番目のストライプ領域３２の矩形領域３５の上半分の各画素は、ｙ方向に照射領域３４をずらした第ｋ＋１番目のストライプ領域３２の矩形領域３５の下半分の描画によって２回の多重描画になっている。さらに、第ｋ番目のストライプ領域３２の矩形領域３５の上半分の各画素は、Ｙ偏向によって、周囲の画素（例えば、ｘ方向に隣接する画素）は、ｙ方向に照射領域３４をずらした状態で描画される。同様に、第ｋ＋１番目のストライプ領域３２の矩形領域３５の下半分の各画素は、Ｙ偏向によって、周囲の画素（例えば、ｘ方向に隣接する画素）は、ｙ方向に照射領域３４をずらした状態で描画される。
なお、第ｋ＋１番目のストライプ領域３２の矩形領域３５の下半分の画素の一部はＹ偏向によって描画されない画素が存在するが、かかる画素は、図示しない第ｋ－１番目のストライプ領域３２の拡張領域３７で描画される。よって、第ｋ番目のストライプ領域３２の矩形領域３５の上半分の各画素は、ｙ方向に２回の位置をずらした照射領域３４で描画される２回の多重描画と、ｙ方向に２回の位置をずらした照射領域３４で描画される隣接画素との組み合わせとなる。よって、４回の平均化と同等の効果を発揮する。
なお、第ｋ＋１番目のストライプ領域３２の矩形領域３５の下半分の画素の一部はＹ偏向によって描画されない画素が存在するが、かかる画素は、図示しない第ｋ－１番目のストライプ領域３２の拡張領域３７で描画される。よって、第ｋ番目のストライプ領域３２の矩形領域３５の上半分の各画素は、ｙ方向に２回の位置をずらした照射領域３４で描画される２回の多重描画と、ｙ方向に２回の位置をずらした照射領域３４で描画される隣接画素との組み合わせとなる。よって、４回の平均化と同等の効果を発揮する。
【0146】
同様に、第ｋ＋１番目のストライプ領域３２の矩形領域３５の上半分の各画素は、ｙ方向に照射領域３４をずらした第ｋ＋２番目のストライプ領域３２の矩形領域３５の下半分の描画によって２回の多重描画になっている。さらに、第ｋ＋１番目のストライプ領域３２の矩形領域３５の上半分の各画素は、Ｙ偏向によって、周囲の画素（例えば、ｘ方向に隣接する画素）は、ｙ方向に照射領域３４をずらした状態で描画される。同様に、第ｋ＋２番目のストライプ領域３２の矩形領域３５の下半分の各画素は、Ｙ偏向によって、周囲の画素（例えば、ｘ方向に隣接する画素）は、ｙ方向に照射領域３４をずらした状態で描画される。よって、第ｋ＋１番目のストライプ領域３２の矩形領域３５の上半分の各画素は、ｙ方向に２回の位置をずらした照射領域３４で描画される２回の多重描画と、ｙ方向に２回の位置をずらした照射領域３４で描画される隣接画素との組み合わせとなる。よって、４回の平均化と同等の効果を発揮する。
【0147】
図１９は、実施の形態１におけるｙ方向の位置ずれ量の平均化の一例を説明するための図である。図１９の例では、例えばリニア成分ＹＹのずれが生じたビームアレイ形状のマルチビーム２０で多重描画した場合を示している。設計形状よりもｙ方向に広がる位置ずれが生じたビームアレイ形状の場合、上述したようにビームアレイ形状内の各位置のうち、ｙ方向の中央部では位置ずれが生じない。ｙ方向の端部では正の位置ずれが生じる。－ｙ方向の端部では符号を反転させた同じ量の負の位置ずれが生じる。各ストライプ領域３２の描画中に拡張幅ＤでＹ偏向を行いながらストライプ領域３２の幅の１／２のサイズのずらし量Ｌで多重描画する場合、図１９（ａ）に示す第１ストライプレイヤの描画（多重描画の１パス目）による位置ずれ量と、Ｙ偏向でｙ方向に照射領域３４の位置がずれた状態での第１ストライプレイヤの描画による位置ずれ量と、図１９（ｂ）に示す第２ストライプレイヤの描画（多重描画の２パス目）による位置ずれ量と、Ｙ偏向でｙ方向に照射領域３４の位置がずれた状態での第２ストライプレイヤの描画による位置ずれ量と、が合成されることによって平均化される。多重描画のずらし量ＬとＹ偏向の拡張幅Ｄとを異なるサイズにすることで、図１９（ｃ）に示すように４回の平均化ができる。よって、位置ずれ量の絶対値を図７（ｃ）の場合よりも小さくできる。さらに、拡張幅Ｄをずらし量Ｌの１／２に設定することで、４回の平均化による位置ずれ量の絶対値を１／４に低減できる。
【0148】
図２０は、実施の形態１における偏向器の構成を説明するための図である。図１の例では、図２０（ａ）に示すように、主偏向器と副偏向器との２段偏向により、マルチビーム２０を偏向する。主偏向器２０８の各電極には、それぞれ主偏向アンプ（ＤＡＣアンプ１３４）から電位が印加される。同様に、副偏向器の各電極には、それぞれ副偏向アンプ（ＤＡＣアンプ１３２）から電位が印加される。上述したように、主偏向器２０８では、ｘ方向のトラッキング制御（主偏向Ｘ）とｙ方向のＹ偏向制御（主偏向Ｙ）を行う。副偏向器２０９で、サブ照射領域２９内での各ビームの照射位置（２×２画素の左下、右上、右下、及び左上の各照射位置）のｘ方向の偏向制御（副偏向Ｘ）とサブ照射領域２９内での各ビームの照射位置（２×２画素の左下、右上、右下、及び左上の各照射位置）のｙ方向の偏向制御（副偏向Ｙ）とを行う。
【0149】
偏向器の構成はこれに限るものではない。例えば、図２０（ｂ）に示すように１段の偏向器ですべての偏向制御を行っても良い。すなわち、かかる１段の偏向器で、ｘ方向のトラッキング制御（主偏向Ｘ）とｙ方向のＹ偏向制御（主偏向Ｙ）と、サブ照射領域２９内での各ビームの照射位置（２×２画素の左下、右上、右下、及び左上の各照射位置）のｘ方向の偏向制御（副偏向Ｘ）とサブ照射領域２９内での各ビームの照射位置（２×２画素の左下、右上、右下、及び左上の各照射位置）のｙ方向の偏向制御（副偏向Ｙ）とを行う。図２０（ｂ）に示す偏向器の各電極には、それぞれ偏向アンプから電位が印加される。
【0150】
或いは、例えば、図２０（ｃ）に示すように３段の偏向器を用いて構成しても良い。例えば、マルチビーム２０の軌道上の上流側から副偏向器、トラッキング偏向器、及び主偏向器の順で配置される。主偏向器の各電極には、それぞれ主偏向アンプから電位が印加される。トラッキング偏向器の各電極には、それぞれトラッキング偏向アンプから電位が印加される。副偏向器の各電極には、それぞれ副偏向アンプから電位が印加される。主偏向器では、ｙ方向のＹ偏向制御（主偏向Ｙ）を行う。トラッキング偏向器では、ｘ方向のトラッキング制御（主偏向Ｘ）を行う。副偏向器２０９では、サブ照射領域２９内での各ビームの照射位置（２×２画素の左下、右上、右下、及び左上の各照射位置）のｘ方向の偏向制御（副偏向Ｘ）とサブ照射領域２９内での各ビームの照射位置（２×２画素の左下、右上、右下、及び左上の各照射位置）のｙ方向の偏向制御（副偏向Ｙ）とを行う。
【0151】
以上のように、実施の形態１によれば、マルチビーム描画におけるビームアレイ形状のリニア成分のずれに伴う位置ずれを多重描画のパス数による平均化効果による低減よりもさらに低減できる。
【0152】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【0153】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
【0154】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全てのマルチ荷電粒子ビーム描画装置およびマルチ荷電粒子ビーム描画方法は、本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【0155】
１０ ビーム
２０ マルチビーム
２２ 穴
２３ 電極
２４ 制御電極
２５ 通過孔
２６ 対向電極
３６ 画素
２９ サブ照射領域
３２ ストライプ領域
３４ 照射領域
４１ 制御回路
５０ ずらし量設定部
５２ 拡張幅設定部
７０ 描画データ処理部
７２ 描画制御部
７４ 転送処理部
１００ 描画装置
１０１ 試料
１０２ 電子鏡筒
１０３ 描画室
１０５ ＸＹステージ
１１０ 制御計算機
１１２ メモリ
１３０ 偏向制御回路
１３２，１３４ ＤＡＣアンプユニット
１３６ レンズ制御回路
１３８ ステージ制御機構
１３９ ステージ位置測定器
１４０，１４２ 記憶装置
１５０ 描画機構
１６０ 制御系回路
２００ 電子ビーム
２０１ 電子銃
２０２ 照明レンズ
２０３ 成形アパーチャアレイ基板
２０４ ブランキングアパーチャアレイ機構
２０５ 縮小レンズ
２０６ 制限アパーチャ基板
２０７ 対物レンズ
２０８ 主偏向器
２０９ 副偏向器
２１０ ミラー
３３０ メンブレン領域
２０ マルチビーム
２２ 穴
２３ 電極
２４ 制御電極
２５ 通過孔
２６ 対向電極
３６ 画素
２９ サブ照射領域
３２ ストライプ領域
３４ 照射領域
４１ 制御回路
５０ ずらし量設定部
５２ 拡張幅設定部
７０ 描画データ処理部
７２ 描画制御部
７４ 転送処理部
１００ 描画装置
１０１ 試料
１０２ 電子鏡筒
１０３ 描画室
１０５ ＸＹステージ
１１０ 制御計算機
１１２ メモリ
１３０ 偏向制御回路
１３２，１３４ ＤＡＣアンプユニット
１３６ レンズ制御回路
１３８ ステージ制御機構
１３９ ステージ位置測定器
１４０，１４２ 記憶装置
１５０ 描画機構
１６０ 制御系回路
２００ 電子ビーム
２０１ 電子銃
２０２ 照明レンズ
２０３ 成形アパーチャアレイ基板
２０４ ブランキングアパーチャアレイ機構
２０５ 縮小レンズ
２０６ 制限アパーチャ基板
２０７ 対物レンズ
２０８ 主偏向器
２０９ 副偏向器
２１０ ミラー
３３０ メンブレン領域
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】