特開 2024-44808 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024044808

(43)【公開日】2024-04-02

(54)【発明の名称】基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/268 20060101AFI20240326BHJP

【ＦＩ】

H01L21/268 Z

H01L21/268 G

【審査請求】有

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022150565

(22)【出願日】2022-09-21

(71)【出願人】

【識別番号】318009126

【氏名又は名称】株式会社ＫＯＫＵＳＡＩ ＥＬＥＣＴＲＩＣ

(74)【代理人】

【識別番号】110000350

【氏名又は名称】ポレール弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】山本 克彦

(57)【要約】

【課題】均一な基板処理を行うことが可能となる技術を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、前記処理室内に電磁波を供給する電磁波発生器と、冷却ガスを供給する方向を調整して前記基板に前記冷却ガスを供給するガス供給部と、を備える。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を処理する処理室と、
前記処理室内に電磁波を供給する電磁波発生器と、
冷却ガスを供給する方向を調整して前記基板に前記冷却ガスを供給するガス供給部と、
を備える基板処理装置。

【請求項2】

前記ガス供給部は、
前記冷却ガスを供給する第１ノズルと、
前記冷却ガスを供給する第２ノズルと、
前記第１ノズルと前記第２ノズルの間に湾曲部と、
を備える請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記湾曲部は、円弧状の板であり、前記基板の方向に湾曲している請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記第１ノズルと前記第２ノズルは、前記湾曲部の方向に対して前記冷却ガスを供給する請求項２又は３に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記ガス供給部は複数の前記基板間に前記冷却ガスを供給する請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記第１ノズルと前記第２ノズルとから供給される前記冷却ガスの流量を制御して、前記基板に対して供給される前記冷却ガスの方向を調整することが可能なよう構成される制御部を更に有する請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記基板の温度を測定する測定部を更に備え、
前記制御部は、前記測定部の測定結果に基づいて、前記冷却ガスの方向を調整することが可能なよう構成される請求項６に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記制御部は、前記基板の温度を測定し、前記基板の温度が高い箇所に向けて、前記冷却ガスを供給することが可能なよう構成される請求項７に記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記第１ノズルと前記第２ノズルは、複数の前記基板に対して前記冷却ガスを供給することが可能なように複数の孔を備える請求項５に記載の基板処理装置。

【請求項10】

前記第１ノズルと前記第２ノズルは、複数の前記基板に対して前記冷却ガスを供給することが可能なようにスリットを備える請求項５に記載の基板処理装置。

【請求項11】

前記ガス供給部は、前記冷却ガスを供給するノズルを備え、
前記ノズルを回転させる回転部を更に備える請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項12】

前記ガス供給部は複数の前記基板間に前記冷却ガスを供給する請求項１１に記載の基板処理装置。

【請求項13】

前記回転部を制御して、前記基板に対して供給される前記冷却ガスの方向を調整することが可能なよう構成される制御部を更に有する請求項１２に記載の基板処理装置。

【請求項14】

前記基板の温度を測定する測定部を備え、
前記制御部は、前記測定部の測定結果に基づいて、前記冷却ガスの方向を調整することが可能なよう構成される請求項１３に記載の基板処理装置。

【請求項15】

前記制御部は、前記測定部の測定結果に基づいて、前記基板の温度が一番高い箇所に向けて、前記冷却ガスを供給することが可能なよう構成される請求項１４に記載の基板処理装置。

【請求項16】

前記ノズルは、複数の前記基板に対して前記冷却ガスを供給することが可能なように複数の孔を備える請求項１２に記載の基板処理装置。

【請求項17】

前記ノズルは、複数の前記基板に対して前記冷却ガスを供給することが可能なようにスリットを備える請求項１２に記載の基板処理装置。

【請求項18】

前記基板の温度を測定する測定部を備え、
前記制御部は、前記測定部の測定結果に基づいて、前記回転部を制御して前記冷却ガスの方向を調整することが可能なよう構成される請求項１３に記載の基板処理装置。

【請求項19】

基板を処理する処理室と、前記処理室内に電磁波を供給する電磁波発生器と、冷却ガスを供給する方向を調整して前記基板に前記冷却ガスを供給するガス供給部と、を備える基板処理装置の前記処理室に前記電磁波を供給する工程と、
前記基板に前記冷却ガスを供給する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。

【請求項20】

基板を処理する処理室と、前記処理室内に電磁波を供給する電磁波発生器と、冷却ガスを供給する方向を調整して前記基板に前記冷却ガスを供給するガス供給部と、を備える基板処理装置の前記処理室に前記電磁波を供給する手順と、
前記基板に前記冷却ガスを供給する手順と、
をコンピュータにより前記基板処理装置に実行させるプログラム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラムに関するものである。

【背景技術】

【0002】

半導体装置の製造工程の一工程として、例えば、加熱装置を用いて処理室内の基板を加熱し、基板の表面に成膜された薄膜中の組成や結晶構造を変化させるアニール処理がある（例えば、特許文献１）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１５－７００４５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

アニール処理では、基板を均一に加熱することができず、対象膜の均一な処理ができないことがある。

【0005】

本開示は、均一な基板処理を行うことが可能となる技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一態様によれば、
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に電磁波を供給する電磁波発生器と、
冷却ガスを供給する方向を調整して前記基板に前記冷却ガスを供給するガス供給部と、
を備える技術が提供される。

【発明の効果】

【0007】

本開示によれば、均一な基板処理を行うことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本開示における第１の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の枚葉型処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を縦断面図で示す図である。

【図2】本開示で好適に用いられる基板処理装置のコントローラの概略構成図である。

【図3】本開示における基板処理のフローを示す図である。

【図4】本開示における基板のキャリア密度と温度の関係性を示した図である。

【図5】本開示におけるガス供給部の概略構成図である。

【図6】（ａ）図５に示すガス供給部においてノズル１０５ａからのガスの流量がノズル１０５ｂからのガスの流量よりも大きい場合のガスフローを示す上面図である。（ｂ）図５に示すガス供給部においてノズル１０５ａからのガスの流量とノズル１０５ｂからのガスの流量とが等しい場合のガスフローを示す上面図である。（ｃ）図５に示すガス供給部においてノズル１０５ａからのガスの流量がノズル１０５ｂからのガスの流量よりも小さい場合のガスフローを示す上面図である。

【図7】（ａ）本開示における第１の実施形態の変形例１を示した図である。（ｂ）本開示における第１の実施形態の変形例２を示した図である。

【図8】本開示における第２の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の枚葉型処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を縦断面図で示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

＜本開示の第１の実施形態＞
以下に本開示の第１の実施形態について、主に、図１から図５、図６（ａ）から図６（ｃ）、図７（ａ）および図７（ｂ）を参照しつつ説明する。なお、以下の説明において用いられる図面は、いずれも模式的なものであり、図面に示される、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実のものとは必ずしも一致していない。また、複数の図面の相互間においても、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は必ずしも一致していない。

【0010】

（１）基板処理装置の構成
本実施の形態において、本開示に係る基板処理装置１００は、基板としてのウエハに各種の熱処理を施す枚葉式熱処理装置として構成されている。

【0011】

（処理室）
図１に示すように、本実施形態に係る基板処理装置１００は、金属などの電磁波を反射する材料で構成されるキャビティとしてのケース１０２と、ケース１０２の内部に収容され、垂直方向の上下端部が開放された筒形状の反応管１０３を有している。反応管１０３は、石英などの電磁波を透過する材料で構成される。また、金属材料で構成されたキャップフランジ（閉塞板）１０４が、封止部材（シール部材）としてのＯリング２２０を介して反応管１０３の上端と当接されて反応管の上端を閉塞する。主にケース１０２と反応管１０３、および、キャップフランジ１０４によってシリコンウエハ等の基板を処理する処理容器を構成し、特に反応管１０３の内側空間を処理室２０１として構成している。

【0012】

反応管１０３の下方には載置台２１０が設けられており、載置台２１０の上面には、ウエハ２００を保持する基板保持具（基板保持部）としてのボート２１７が載置されている。ボート２１７には、処理対象としてのウエハ２００と、例えばダミーウエハなどの石英板やシリコンプレート（Ｓｉ板）などで形成されたウエハ２００の温度を維持（保温）するための断熱板１０１ａ、１０１ｂが、所定の間隔でウエハ２００を挟み込むようにウエハ２００の上下にそれぞれ保持されている。また、載置台２１０の側壁には、載置台２１０の径方向に向かって突出した図示しない突出部が載置台２１０の底面側に設けられる。この突出部が、処理室２０１と後述する搬送空間２０３との間に設けられる図示しないしきり板と接近または接触することで処理室２０１内の雰囲気が搬送空間２０３内へ移動することや、搬送空間２０３内の雰囲気が処理室２０１内へ移動することを抑制する。

【0013】

ここで、断熱板１０１ａ、１０１ｂは基板処理温度に応じて複数枚ずつ設置してもよい。このように複数枚ずつ設置することによってウエハ２００が載置されている領域において放熱されることを抑制することが可能となり、ウエハ２００の面内または面間温度均一性を向上させることが可能となる。また、ボート２１７の端板（天井板）には、温度センサ２６３の測定窓が設けられており、温度センサ２６３によって断熱板１０１ａの表面温度が測定され、測定された温度に基づいてウエハ２００の処理温度が制御される。本明細書における処理温度とはウエハ２００の温度または処理室２０１内の温度のことを意味する。

【0014】

上部容器としてのケース１０２は、例えば横断面が円形であり、平らな密閉容器として構成されている。また、下部容器としての搬送容器２０２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）やステンレス（ＳＵＳ）などの金属材料または、石英などにより構成されている。処理容器の下方には、基板としてのシリコンウエハ等のウエハ２００を搬送する搬送空間２０３が形成されている。なお、ケース１０２に囲まれた空間、または、反応管１０３に囲まれた空間であって、ケース１０２の底部よりも上方の空間を処理室２０１又は反応エリア２０１と称する。搬送容器２０２に囲まれた空間であって、ケース１０２の底部よりも下方の空間を搬送エリア２０３と称する場合もある。

【0015】

搬送容器２０２の側面には、ゲートバルブ２０５に隣接した基板搬入出口２０６が設けられており、ウエハ２は基板搬入出口２０６を介して図示しない基板搬送室との間を移動する。

【0016】

ケース１０２の側面には、電磁波導入ポート６５３－１、６５３－２が穿設されている。電磁波導入ポート６５３－１、６５３－２のそれぞれには処理室２０１内にマイクロ波を供給するための導波管６５４－１、６５４－２の一端が接続されている。導波管６５４－１、６５４－２の他端のそれぞれには処理室２０１内に電磁波を供給して加熱する加熱源としてのマイクロ波発振器（電磁波源）６５５－１、６５５－２が接続されている。

【0017】

ここで、電磁波導入ポート６５３－１、６５３－２、導波管６５４－１、６５４－２、マイクロ波発振器６５５－１、６５５－２は、一般的な説明等をする場合には、それぞれを代表して電磁波導入ポート６５３、導波管６５４、マイクロ波発振器６５５と記載する。

【0018】

載置台２１０は回転軸としてのシャフト２５５によって支持される。シャフト２５５は、搬送容器２０２の底部を貫通しており、更には搬送容器２０２の外部で回転、昇降動作を行う駆動機構２６７に接続されている。駆動機構２６７を作動させてシャフト２５５及び載置台２１０を回転、昇降させることにより、ボート２１７上に載置されるウエハ２００を回転または昇降させることが可能となっている。なお、シャフト２５５下端部の周囲はベローズ２１２により覆われており、処理室２０１および搬送空間２０３内は気密に保持されている。

【0019】

載置台２１０は、ウエハ２００の搬送時には、載置台上面が基板搬入出口２０６の位置（ウエハ搬送位置）となるよう下降し、ウエハ２００の処理時には図１で示されるように、ウエハ２００が処理室２０１内の処理位置（ウエハ処理位置）まで上昇する。

【0020】

（排気部）
処理室２０１の下方であって、載置台２１０の外周側には、処理室２０１の雰囲気を排気する排気部が設けられている。図１に示すように、排気部には排気口２２１が設けられている。排気口２２１には排気管２３１が接続されており、排気管２３１には、処理室２０１内の圧力に応じて弁開度を制御するＡＰＣバルブなどの圧力調整器２４４、真空ポンプ２４６が順に直列に接続されている。

【0021】

ここで、圧力調整器２４４は、処理室２０１内の圧力情報（後述する圧力センサ２４５からのフィードバック信号）を受信して排気量を調整することができるものであればＡＰＣバルブに限らず、通常の開閉バルブと圧力調整弁を併用するように構成されていてもよい。

【0022】

主に、排気口２２１、排気管２３１、圧力調整器２４４により排気部（排気系または排気ラインとも称する）が構成される。なお、処理室２０１を囲むように排気路を設け、ウエハ２００の全周からガスを排気可能に構成してもよい。また、排気部の構成に、真空ポンプ２４６を加えるようにしてもよい。

【0023】

（ガス供給部）
反応管１０３の内側には不活性ガス、原料ガス、反応ガスなどの各種基板処理のための処理ガスを処理室２０１内に供給するための第１ノズルとしてのノズル１０５ａおよび第２ノズルとしてのノズル１０５ｂがケース１０２の下面を介して設けられている。ノズル１０５ａ，１０５ｂには、ガス供給管２３２ａ，２３２ｂが接続されている。ガス供給管２３２ａ，２３２ｂには、上流から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ａ，２４１ｂ、開閉弁であるバルブ２４３ａ，２４３ｂが設けられている。ガス供給管２３２ａ，２３２ｂの上流側には、例えば不活性ガス源が接続され、ＭＦＣ２４１ａ，２４１ｂ、バルブ２４３ａ，２４３ｂ、ノズル１０５ａ，１０５ｂを介して処理室２０１内へ供給される。不活性ガスは、後述するように、ウエハ２００を冷却する冷却ガスとして用いられる。基板処理の際に複数種類のガスを使用する場合には、使用するガスの種類に応じて複数のノズルが独立して設けられるように構成されていても良い。主に、ガス供給管２３２ａ，２３２ｂ、ＭＦＣ２４１ａ，２４１ｂ、バルブ２４３ａ，２４３ｂによりガス供給部（ガス供給系とも称する）が構成される。ノズル１０５ａ，１０５ｂおよび後述する円弧状の板１０７をガス供給部に含めてもよい。

【0024】

（ノズル）
図５に示すように、ノズル１０５ａとノズル１０５ｂとの間に湾曲部としての円弧状の板１０７が設けられている。ノズル１０５ａ，１０５ｂおよび円弧状の板１０７は、例えば石英で構成されている。ノズル１０５ａ，１０５ｂの側面にはガスを供給するガス供給孔１０６ａ，１０６ｂが設けられている。ガス供給孔１０６ａ，１０６ｂは円弧状の板１０７の方向（円弧状の板１０７の円弧の接線方向）を向くように開口し、ウエハ２００の表面と平行にガスを供給する。このガス供給孔１０６ａ，１０６ｂは反応管１０３の下部から上部にわたってスリットまたは複数の孔の列が設けられて構成される。複数の孔の列が設けられる場合は、それぞれの孔が同一の開口面積を有し、さらに同じ開口ピッチで設けられている。

【0025】

ガス供給部はガスの流量を制御することによりガスを供給する方向を調整することが可能である。これについて図５、図６（ａ）から図６（ｃ）を用いて説明する。

【0026】

図５に示すように、ガス供給部１１０としてのノズル１０５ａ，１０５ｂのガス供給孔１０６ａ，１０６ｂから円弧状の板１０７の円弧の接線方向に噴き出された第１ガス１０８ａおよび第２ガス１０８ｂはコアンダ効果により円弧状の板１０７の板面に沿って供給される。円弧状の板１０７はウエハ２００の方向に凸になるように湾曲しているので、第１ガス１０８ａと第２ガス１０８ｂとが合成された第３ガス１０８ｃは円弧状の板１０７の板面の法線方向に沿ってウエハ２００に噴き出される。第３ガス１０８ｃは断熱板１０１ａとウエハ２００間および断熱板１０１ｂとウエハ２００間に供給される。なお、ボート２１７がウエハ２００を複数多段に保持する場合は、第３ガス１０８ｃはウエハ２００間に供給される。第１ガス１０８ａおよび第２ガス１０８ｂの流量をＭＦＣ２４１ａ，２４１ｂで調整することにより、第３ガス１０８ｃの噴き出し方向を調整することが可能である。

【0027】

例えば、図６（ａ）に示すように、ノズル１０５ａから噴き出される第１ガス１０８ａの流量がノズル１０５ｂから噴き出される第２ガス１０８ｂの流量よりも大きい場合、第３ガス１０８ｃはウエハ２００の中心方向（矢印Ｃの方向）よりも左側の方向（ノズル１０５ｂ側の方向）に噴き出される。

【0028】

図６（ｂ）に示すように、ノズル１０５ａから噴き出される第１ガス１０８ａの流量をとノズル１０５ｂから噴き出される第２ガス１０８ｂの流量と等しい場合、第３ガス１０８ｃはウエハ２００の中心方向（矢印Ｃの方向）に噴き出される。

【0029】

図６（ｃ）に示すように、ノズル１０５ａから噴き出される第１ガス１０８ａの流量がノズル１０５ｂから噴き出される第２ガス１０８ｂの流量よりも小さい場合、第３ガス１０８ｃはウエハ２００の中心方向（矢印Ｃの方向）よりも右側の方向（ノズル１０５ａ側の方向）に噴き出される。

【0030】

第３ガス１０８ｃは第１ガス１０８ａと第２ガス１０８ｂとが合成されるので、第３ガス１０８ｃの流量は、第１ガス１０８ａの流量と第２ガス１０８ｂの流量の内大きい方の流量よりも増加する。第１ガス１０８ａの流量をＦＡ、第２ガス１０８ｂの流量をＦＢ、第３ガス１０８ｃの流量をＦＣとすると、ＦＣ＝ＦＡ＋ＦＢ－αとなる。ここで、αはロス分である。

【0031】

（温度センサ）
キャップフランジ１０４には、非接触式の温度検出器（測定部）として温度センサ２６３が設置されている。温度センサ２６３により検出された温度情報に基づき後述するマイクロ波発振器６５５の出力やＭＦＣ２４１ａ，２４１ｂの開度を調整することで、基板を加熱し、基板温度が所望の温度分布となる。温度センサ２６３は、例えばＩＲ（Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）センサなどの放射温度計で構成されている。

【0032】

なお、基板の温度を測定する方法として、上述した放射温度計に限らず、熱電対を用いて温度測定を行ってもよいし、熱電対と放射温度計を併用して温度測定を行ってもよい。ただし、熱電対を用いて温度測定を行った場合、熱電対の測温精度を向上させるために処理ウエハ２００の近傍に配置して温度測定を行う必要がある。このことから、後述するマイクロ波発振器から供給されたマイクロ波によって熱電対自体が加熱されてしまうため、放射温度計を温度センサ２６３として用いることが好ましい。

【0033】

また、温度センサ２６３は、キャップフランジ１０４に設けることに限らず、載置台２１０に設けるようにしてもよい。このように構成することによって、上端が閉塞された反応管を用いることが可能となり、処理室２０１に供給されるマイクロ波や処理ガス等が漏洩する可能性を低減することが可能となる。

【0034】

また、温度センサ２６３は、キャップフランジ１０４や載置台２１０に直接設置するだけでなく、キャップフランジ１０４や載置台２１０に設けられた測定窓からの放射光を鏡等で反射させて間接的に測定するように構成されていてもよい。このように構成することによって、温度センサ２６３を設置する場所の制限を緩和することが可能となる。

【0035】

（マイクロ波供給部）
ケース１０２の側壁には電磁波導入ポート６５３－１、６５３－２が設置されている。電磁波導入ポート６５３－１、６５３－２のそれぞれには処理室２０１内に電磁波を供給するための導波管６５４－１、６５４－２のそれぞれの一端が接続されている。導波管６５４－１、６５４－２それぞれの他端には処理室２０１内に電磁波を供給して加熱する加熱源としてのマイクロ波発振器（電磁波源、電磁波発生器）６５５－１、６５５－２が接続されている。マイクロ波発振器６５５－１、６５５－２はマイクロ波などの電磁波を導波管６５４－１、６５４－２にそれぞれ供給する。また、マイクロ波発振器６５５－１、６５５－２は、マグネトロンやクライストロンなどが用いられる。マイクロ波発振器６５５によって生じる電磁波の周波数は、好ましくは１３．５６ＭＨｚ以上２４．１２５ＧＨｚ以下の周波数範囲となるように制御される。さらに好適には、２．４５ＧＨｚまたは５．８ＧＨｚの周波数となるように制御されることが好ましい。

【0036】

また、本実施形態において、マイクロ波発振器６５５は、ケース１０２の側面に２つ配置されるように記載されているが、これに限らず、１つ以上設けられていればよい。

【0037】

また、マイクロ波発振器６５５は、ケース１０２の対向する側面等の異なる側面に設けられるように配置してもよい。このように構成することによって、後述するマイクロ波がウエハ２００上で部分的に吸収される領域が生じることを抑制することが可能となる。すなわち、ウエハ２００が部分的に加熱されることを抑制することが可能となり、ウエハ２００の面内温度均一性を向上させることが可能となる。

【0038】

主に、マイクロ波発振器６５５－１、６５５－２、導波管６５４－１、６５４－２および電磁波導入ポート６５３－１、６５３－２によってマイクロ波供給部（電磁波供給装置、電磁波供給部、マイクロ波供給装置）としての加熱装置が構成される。

【0039】

マイクロ波発振器６５５－１、６５５－２それぞれには後述するコントローラ１２１が接続されている。コントローラ１２１には処理室２０１内に収容される断熱板１０１ａまたは１０１ｂ、若しくはウエハ２００の温度を測定する温度センサ２６３が接続されている。温度センサ２６３は、断熱板１０１ａまたは１０１ｂ、若しくはウエハ２００の温度を測定してコントローラ１２１に送信し、コントローラ１２１によってマイクロ波発振器６５５－１、６５５－２の出力を制御し、ウエハ２００の加熱を制御する。

【0040】

ここで、マイクロ波発振器６５５－１、６５５－２は、コントローラ１２１から送信される同一の制御信号によって制御される。しかし、これに限らず、マイクロ波発振器６５５－１、６５５－２それぞれにコントローラ１２１から個別の制御信号を送信することでマイクロ波発振器６５５－１、６５５－２が個々に制御されるように構成してもよい。

【0041】

（制御装置）
図２に示すように、制御部（制御手段）であるコントローラ１２１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１２１ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、内部バス１２１ｅを介して、ＣＰＵ１２１ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ１２１には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置１２２が接続されている。

【0042】

記憶装置１２１ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置１２１ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述するノズルのエッチング処理や成膜処理の手順や条件等が記載されたエッチングレシピやプロセスレシピ等が、読み出し可能に格納されている。エッチングレシピやプロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ１２１に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単に、プログラムともいう。また、エッチングレシピやプロセスレシピを、単にレシピともいう。本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、レシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。ＲＡＭ１２１ｂは、ＣＰＵ１２１ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。

【0043】

Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、上述のＭＦＣ２４１ａ，２４１ｂ、バルブ２４３ａ，２４３ｂ、圧力センサ２４５、ＡＰＣバルブ２４４、真空ポンプ２４６、温度センサ２６３、駆動機構２６７、マイクロ波発振器６５５等に接続されている。

【0044】

ＣＰＵ１２１ａは、記憶装置１２１ｃから制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置１２２からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置１２１ｃからレシピを読み出すように構成されている。ＣＰＵ１２１ａは、読み出したレシピの内容に沿うように、ＭＦＣ２４１ａ，２４１ｂによる各種ガスの流量調整動作、バルブ２４３ａ，２４３ｂの開閉動作、ＡＰＣバルブ２４４の開閉動作および圧力センサ２４５に基づくＡＰＣバルブ２４４による圧力調整動作、真空ポンプ２４６の起動および停止、温度センサ２６３に基づくマイクロ波発振器の出力調整動作、駆動機構２６７による載置台２１０（またはボート２１７）の回転および回転速度調節動作、または、昇降動作等を制御することが可能なように構成されている。

【0045】

コントローラ１２１は、外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）１２３に格納された上述のプログラムを、コンピュータにインストールすることにより構成することができる。記憶装置１２１ｃや外部記憶装置１２３は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成されている。以下、これらを総称して、単に、記録媒体ともいう。本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置１２１ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置１２３単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。なお、コンピュータへのプログラムの提供は、外部記憶装置１２３を用いず、インターネットや専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。

【0046】

（２）基板処理工程
次に、上述の基板処理装置１００の処理炉を用いて、半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、例えば、基板上に形成されたシリコン（Ｓｉ）含有膜としてのアモルファスシリコン膜の改質（結晶化）方法の一例について図３に示した処理フローに沿って説明する。以下の説明において、基板処理装置１００を構成する各部の動作はコントローラ１２１により制御される。

【0047】

ここで、本明細書において「ウエハ」という言葉を用いた場合は、「ウエハ（プロダクトウエハ）そのもの」を意味する場合や、「ウエハとその表面に形成された所定の層や膜等との積層体（集合体）」を意味する場合がある。すなわち、表面に形成された所定の層や膜等を含めてウエハと称する場合、後述する「ターゲット基板（ターゲットウエハ）」または後述する「ダミー基板（ダミーウエハ）」もしくは「ターゲット基板（ターゲットウエハ）とダミー基板（ダミーウエハ）の両方」を意味する場合がある。また、本明細書において「ウエハの表面」という言葉を用いた場合は、上述した「ウエハ」の定義を用いた「ウエハそのものの表面（露出面）」を意味する場合や、「ウエハ上に形成された所定の層や膜等の表面、すなわち、積層体としてのウエハの最表面」を意味する場合がある。

【0048】

従って、本明細書において「ウエハに対して所定のガスを供給する」と記載した場合は、上述した「ウエハ」の定義を用いた「ウエハそのものの表面（露出面）に対して所定のガスを供給する」ことを意味する場合や、「ウエハ上に形成されている層や膜等に対して、すなわち、積層体としてのウエハの最表面に対して所定のガスを給する」ことを意味する場合がある。また、本明細書において「ウエハ上に所定の層（または膜）を形成する」と記載した場合は、「ウエハそのものの表面（露出面）上に所定の層（または膜）を形成する」ことを意味する場合や、「ウエハ上に形成されている層や膜等の上、すなわち、積層体としてのウエハの最表面の上に所定の層（または膜）を形成する」ことを意味する場合がある。

【0049】

また、本明細書において「基板」という言葉を用いた場合も、「ウエハ」という言葉を用いた場合と同義である。

【0050】

（Ｓ３０１：基板搬入工程）
図１に示されているように、所定枚数のウエハ２００がボート２１７に移載されると、駆動機構２６７は、載置台２１０を上昇させることでボート２１７を反応管１０３内側の処理室２０１に搬入（ボートローディング）する。

【0051】

（Ｓ３０２：炉内圧力・温度調整工程）
処理室２０１内へのボート２１７の搬入が完了したら、処理室２０１内が所定の圧力（例えば１０～１０２０００Ｐａ）となるよう処理室２０１内の雰囲気を制御する。具体的には、真空ポンプ２４６により排気しつつ、圧力センサ２４５により検出された圧力情報に基づいて圧力調整器２４４の弁開度をフィードバック制御し、処理室２０１内を所定の圧力とする。また、同時に予備加熱としてマイクロ波供給部を制御し、所定の温度まで加熱を行うように制御してもよい。
なお、本明細書における「１０～１０２０００Ｐａ」のような数値範囲の表記は、下限値および上限値がその範囲に含まれることを意味する。よって、例えば、「１０～１０２０００Ｐａ」とは「１０Ｐａ以上１０２０００Ｐａ以下」を意味する。他の数値範囲についても同様である。

【0052】

（Ｓ３０３：不活性ガス供給工程）
駆動機構２６７は、シャフト２５５を回転させ、載置台２１０上のボート２１７を介してウエハ２００を回転させる。このとき、不活性ガスがガス供給管２３２ａ，２３２ｂを介してノズル１０５ａ，１０５ｂから供給される。処理室２０１内の圧力は０Ｐａ以上２０００００Ｐａ以下の範囲となる所定の値であって、例えば１０１３００Ｐａ以上１０１６００Ｐａ以下となるように調整される。

【0053】

不活性ガスとしては、例えば、窒素（Ｎ_２）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、キセノン（Ｘｅ）ガス等の希ガスを用いることができる。この点は、後述する各工程においても同様である。

【0054】

（Ｓ３０４：基板処理工程）
処理室２０１内を所定の圧力となるように維持すると、マイクロ波発振器６５５－１、６５５－２はウエハ２００を１００℃以上７００℃以下の温度帯に加熱する。好適には２００℃以上６００℃以下の温度帯となるように加熱し、さらに好適には、２００℃以上４００℃以下となるように加熱する。ウエハ２００が１００℃より低い温度で処理しようとした場合や、７００℃よりも高い温度で処理しようとした場合、ウエハ２００がマイクロ波を吸収し難くなってしまい、ウエハ２００を効率的に加熱することができなくなってしまう。

【0055】

ウエハ２００の温度は、断熱板１０１ａの表面温度を温度センサ２６３によって測定した値から、記憶装置１２１ｃまたは外部記憶装置１２２に予め記憶された温度変換データによって推測される。マイクロ波発振器６５５－１、６５５－２は、導波管６５４－１と６５４－２を介して電磁波導入ポート６５３－１と６５３－２からマイクロ波を処理室２０１内に供給する。処理室２０１内に供給されたマイクロ波はウエハ２００に入射して効率的に吸収されるために、ウエハ２００を極めて効果的に加熱することが可能となる。

【0056】

マイクロ波発振器６５５を制御することでウエハ２００を上述した所定の処理温度まで加熱すると、予め定められた時間、当該処理温度を維持する。このようにマイクロ波発振器６５５を制御することでマイクロ波ウエハ２００の表面上に形成されたアモルファスシリコン膜の改質処理を行う。

【0057】

ここで、ウエハ２００を効率よく加熱する、すなわち、ウエハ２００がマイクロ波を効率よく吸収させるためには、ウエハ２００のキャリア密度とキャリア温度依存性について検討する必要がある。図４に示すように、縦軸をキャリア密度（導電率に比例）（ｌｎ ｎ）、横軸を温度（１／Ｔ）としたウエハ２００のキャリア密度の温度依存性の一例を示した場合、温度によって、領域（Ａ）、領域（Ｂ）、領域（Ｃ）に分けることができる。ウエハ２００がシリコン（Ｓｉ）基板である場合、例えば領域（Ａ）と（Ｂ）を分ける温度は３２７℃、領域（Ｂ）と（Ｃ）とを分ける温度は－７３℃である。図４から明らかであるように、領域（Ａ）と（Ｃ）は温度上昇とともに、キャリア密度も大きく上昇するが、領域（Ｂ）は温度が上昇した場合であっても、キャリア密度は大きく上昇しない。

【0058】

ウエハ２００の単位時間当たりの発熱量はウエハ２００のキャリア密度に比例するため、キャリア密度が変動するとそれに伴って発熱量も変化する。このため、キャリア密度の変化が大きい領域（Ａ）で、マイクロ波加熱を行った場合、温度変化に応じてキャリア密度が増加する割合が大きいため、照射されるマイクロ波の電力が同じでも、ウエハ２００の昇温速度が大きくなる。したがって、領域（Ａ）において、マイクロ波による加熱が行われることが好ましい。

【0059】

また、領域（Ａ）は、上述したようにウエハ２００の昇温速度が大きいため、マイクロ波が局所的に集中すると、集中した箇所が高温となりウエハ２００の面内で部分的に温度差が大きくなり、熱膨張差でウエハ２００が変形してしまう。このため、領域（Ａ）の温度帯でマイクロ波による加熱を行いつつウエハ２００を冷却することで、ウエハ２００の面内温度差を小さくしてウエハ２００が変形することを抑制しつつ、ウエハ２００の改質処理速度を向上させることが可能となる。

【0060】

温度センサ２６３によって測定した温度、または、上述した予め記憶された温度変換データによって推測された温度に応じてガス供給部を制御するようにしてもよい。すなわち、加熱されたウエハ２００の温度が所定の目標温度よりも高い温度となったタイミングでガス供給部、具体的にはＭＦＣ２４１ａ，２４１ｂの開度を大きくして冷却ガスの流量を増加させ、ウエハ２００を冷却する。逆にウエハ２００の温度が所定の目標温度よりも低い温度となったタイミングでＭＦＣ２４１ａ，２４１ｂの開度を小さくして冷却ガスの流量を低下させ、ウエハ２００を加熱する。このようにマイクロ波供給部とガス供給部を制御することによって、ガス供給部のみを詳細に制御することで足りるため、ウエハ２００の温度制御を単純化することが可能となる。

【0061】

例えば、冷却ガスの流量（第３ガス１０８ｃの流量）が１ｓｌｍ以上５０ｓｌｍ以下となるようにＭＦＣ２４１ａ，２４１ｂを制御することが好ましい。冷却ガスの流量が１ｓｌｍ以下であると、ウエハ２００に冷却ガスが届かない。冷却ガスの流量が５０ｓｌｍ以上となると、冷却ガスが浪費したり、ウエハ２００が冷却しすぎたりする。

【0062】

また、温度センサ２６３によって測定した温度、または、上述した予め記憶された温度変換データによって推測された温度に基づいて、ＭＦＣ２４１ａ，２４１ｂにより流量を制御することにより冷却ガスの供給方向を調整して、ウエハ２００上での温度が一番高い箇所に向けて冷却ガスを供給するようにしてもよい。これにより、面内均一性を調整することが可能である。

【0063】

以上のようにウエハ２００を加熱処理することによってウエハ２００表面上に形成されているアモルファスシリコン膜がポリシリコン膜へと改質（結晶化）されることとなる。すなわち、ウエハ２００を均一に改質することが可能となる。

【0064】

予め設定された処理時間が経過すると、ボート２１７の回転、ガスの供給、マイクロ波の供給および排気管の排気が停止する。

【0065】

基板処理工程の終了後、不活性ガスを供給し、処理室２０１内の圧力を大気圧に復帰する。

【0066】

（Ｓ３０５：基板搬出工程）
処理室２０１内の圧力を大気圧復帰させた後に、駆動機構２６７は載置台２１０を下降させることにより、炉口を開口するとともに、ボート２１７を搬送空間２０３に搬出（ボートアンローディング）する。その後ボートに載置されているウエハ２００を搬送空間２０３の外部に位置する搬送室に搬出する。

【0067】

以上の動作が繰り返されることにより、ウエハ２００が改質処理されることとなる。

【0068】

（３）本実施形態による効果
本実施形態によれば以下に示す１つまたは複数の効果を奏する。

【0069】

（ａ）冷却ガスの噴き出し方向を調整可能であるので、ウエハ面内の温度均一性を向上させることが可能となる。

【0070】

（ｂ）ガスの流量によりガスの噴き出し方向を変えるので、制御部による調整が可能である。ノズルの方向を手動で調整する場合よりもノズルの方向の再現性を確保することが可能となる。

【0071】

（ｃ）ガスの流量によりガスの噴き出し方向を調整するので、ノズル方向を変化させるメカ機構（すなわち、機械的な可動部）が不要となる。メカ機構を反応管１０３内に設ける場合のマイクロ波の電磁界分布に及ぼす影響を抑制することが可能となる。

【0072】

（４）第１の実施形態の変形例
本実施形態における基板処理装置は、上述の態様に限定されず、以下に示す変形例のように変更することができる。なお、本変形例において、第１の実施形態と同一の機能を有する構成要素には、同一の参照番号を付し、説明を省略する。

【0073】

（変形例１）
図７（ａ）に示すように、第１の実施形態における変形例１は、ボート２１７がウエハ２００を複数多段に保持可能に構成している。具体的には、ボート２１７に保持された断熱板１０１ａと１０１ｂの間に複数枚のウエハ２００を所定の間隔で水平多段に保持するように構成し、上述した基板処理工程の順番で保持された複数枚のウエハ２００が均等に処理される。このように構成することによって、一度の処理で複数枚のウエハ２００が処理可能となり、基板処理のスループットを向上させることが可能となる。なお、ガス供給孔１０６ａ，１０６ｂは反応管１０３の下部から上部にわたってスリットまたは複数の孔の列が設けられて構成されるので、ノズル１０５ａ，１０５ｂおよび円弧状の板１０７からウエハ２００間にガスが供給される。これにより、ウエハ間の温度均一性を向上させることが可能となる。

【0074】

ここで、図７（ａ）では、複数枚のウエハ２００は断熱板１０１ａ、１０１ｂの間に挟まれるように保持されているが、これに限らず、複数のウエハ２００それぞれを複数の断熱板１０１ａ、１０１ｂで挟み込んで保持するように構成してもよい。この場合、断熱板１０１ａと１０１ｂも複数枚設けられることとなる。このように構成することによって、第１の実施形態と比較してウエハ２００をより早く加熱することが可能となるばかりでなく、ウエハ面内の温度均一性を向上させることが可能となる。

【0075】

（変形例２）
図７（ｂ）に示すように、第１の実施形態における変形例２は、ボート２１７を挟んでノズル１０５に対向する位置に排気用の排気ノズル６０１を設置するように構成している。ガス供給ノズル側に面する排気ノズル６０１の側面には処理室２０１内の雰囲気を排気するための排気口が設けられ、排気ノズル６０１の下流側には排気管２３１が接続されている。このように構成することによって、処理室２０１内の圧力が大気圧または微加圧の状態であっても、ウエハ側面から水平に冷却ガスを供給し、水平なガス流れを形成することが可能となり、ウエハ２００を均一に冷却することが可能となる。したがって、ウエハ面内の温度均一性を向上させることが可能となる。

【0076】

＜本開示の第２の実施形態＞
次に本開示の第２の実施形態について図８を用いて説明する。

【0077】

第２の実施形態において、本開示における基板処理装置が第１の実施形態と異なる点は、ガス供給部が二本のノズルおよび円弧状の板を設けずにガス供給部としてのノズル１０５を回転する回転部２６８が設けられる点である。なお、本実施形態において、第１の実施形態と同一の機能を有する構成要素には、同一の参照番号を付し、説明を省略する。

【0078】

本実施形態は、反応管１０３の内側には不活性ガス、原料ガス、反応ガスなどの各種基板処理のための処理ガスを処理室２０１内に供給するためのノズル１０５がケース１０２の下面を介して設けられている。ノズル１０５の側面にはガスを供給するガス供給孔１０６が設けられている。ガス供給孔１０６はウエハ２００の表面と平行にガスを供給する。このガス供給孔１０６は反応管１０３の下部から上部にわたってスリットまたは複数の孔の列が設けられて構成される。複数の孔の列が設けられる場合は、それぞれの孔が同一の開口面積を有し、さらに同じ開口ピッチで設けられている。ノズル１０５から噴き出される冷却ガスは断熱板１０１ａとウエハ２００間および断熱板１０１ｂとウエハ２００間に供給される。なお、ボート２１７がウエハ２００を複数多段に保持する場合は、冷却ガスはウエハ２００間に供給される。

【0079】

ノズル１０５には、後述する回転部２６８を介してガス供給管２３２が接続されている。ガス供給管２３２には、上流から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１、開閉弁であるバルブ２４３が設けられている。ガス供給管２３２の上流側には、例えば不活性ガス源が接続され、ＭＦＣ２４１、バルブ２４３を介して処理室２０１内へ供給される。基板処理の際に複数種類のガスを使用する場合には、ガス供給管２３２のバルブ２４３よりも下流側に上流方向から順に、ＭＦＣおよび開バルブが設けられたガス供給管が接続されていてもよいし、使用するガスの種類に応じて複数のノズルが独立して設けられるように構成されていても良い。主に、ガス供給管２３２、ＭＦＣ２４１、バルブ２４３によりガス供給部（ガス供給系とも称する）が構成される。ノズル１０５および回転部２６８の少なくとも一つをガス供給部に含めてもよい。

【0080】

反応管１０３の下方であって搬送容器２０２の外周側には、ノズル１０５の回転を行う回転部２６８が設けられている。コントローラ１２１が回転部２６８を作動させてノズル１０５を回転させることによりガス供給孔１０６から噴き出される冷却ガスの方向を調整することが可能である。また、コントローラ１２１は、温度センサ２６３の測定結果に基づいて、回転部２６８を制御して冷却ガスの方向を調整することが可能である。このように構成することによって、第１の実施形態と同様の効果を得られるだけでなく、反応管１０３内の装置構造を複雑化することなく第１の実施形態と比べてガス供給部の制御を単純化することが可能となる。メカ機構である回転部を反応管１０３内に設けない場合、マイクロ波の電磁界分布に及ぼす影響を抑制することが可能となる。

【0081】

以上、本開示を実施形態に沿って説明してきたが、上述の各実施形態や各変形例等は、適宜組み合わせて用いることができ、その効果も得ることができる。このときの処理手順、処理条件は、例えば、上述の態様や変形例の処理手順、処理条件と同様とすることができる。

【0082】

また、例えば、上述の各実施形態では、シリコンを主成分とする膜として、アモルファスシリコン膜をポリシリコン膜に改質する処理について記載したが、これに限らず、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、水素（Ｈ）のうち、少なくとも１つ以上を含むガスを供給させて、ウエハ２００の表面に形成された膜を改質しても良い。例えば、ウエハ２００に、高誘電体膜としてのハフニウム酸化膜（ＨｆｘＯｙ膜）が形成されている場合に、Ｏを含むガスを供給しながらマイクロ波を供給して加熱させることによって、ハフニウム酸化膜中の欠損した酸素を補充し、高誘電体膜の特性を向上させることができる。また、窒素ガス（Ｎ_２ガス）を供給しながらマイクロ波を供給して加熱させることによって、ハフニウム酸化膜中の未結晶化部分を結晶化し、高誘電体膜の特性を向上さることができる。

【0083】

なお、ここでは、ハフニウム酸化膜について示したが、これに限らず、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、イットリウム（Ｙ）、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、カルシウム（Ｃａ）、鉛（Ｐｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の少なくともいずれかを含む金属元素を含む酸化膜、すなわち、金属系酸化膜を形成する場合においても、好適に適用可能である。すなわち、上述の成膜シーケンスは、ウエハ２００上に、Ｔｉ膜、ＴｉＮ膜、ＴｉＯＣＮ膜、ＴｉＯＣ膜、ＴｉＯＮ膜、ＴｉＯ膜、ＺｒＮ膜、ＺｒＯＣＮ膜、ＺｒＯＣ膜、ＺｒＯＮ膜、ＺｒＯ膜、ＨｆＯＣＮ膜、ＨｆＯＣ膜、ＨｆＯＮ膜、ＨｆＯ膜、ＴａＯＣＮ膜、ＴａＯＣ膜、ＴａＯＮ膜、ＴａＯ膜、ＮｂＯＣＮ膜、ＮｂＯＣ膜、ＮｂＯＮ膜、ＮｂＯ膜、ＡｌＯＣＮ膜、ＡｌＯＣ膜、ＡｌＯＮ膜、ＡｌＯ膜、ＭｏＯＣＮ膜、ＭｏＯＣ膜、ＭｏＯＮ膜、ＭｏＯ膜、Ｗ膜、ＷＯＣＮ膜、ＷＯＣ膜、ＷＯＮ膜、ＷＯ膜を形成する場合にも、好適に適用することが可能となる。

【0084】

また、高誘電体膜に限らず、不純物がドーピングされたシリコンを主成分とする膜を加熱させるようにしてもよい。シリコンを主成分とする膜としては、ＳｉＮ膜、ＳｉＯ膜、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＯＣＮ膜、ＳｉＯＮ膜等のＳｉ系酸化膜、Ｅｐｉ－Ｓｉ膜、Ｅｐｉ－ＳｉＧｅ膜等がある。不純物としては、例えば、ボロン（Ｂ）、Ｃ、Ｎ、Ａｌ、リン（Ｐ）、ガリウム（Ｇａ）、砒素（Ａｓ）などの少なくとも１つ以上を含む。なお、上述したシリコンを主成分とする膜や金属酸化膜の他、Ｅｐｉ－Ｇｅ膜や、３－５族元素を用いて形成する膜を加熱するようにしてもよい。

【0085】

また、メタクリル酸メチル樹脂（Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ：ＰＭＭＡ）、エポキシ樹脂、ノボラック樹脂、ポリビニルフェニール樹脂などの少なくともいずれかをベースとするレジスト膜であってもよい。

【0086】

また、上述では、半導体装置の製造工程の一工程について記したが、これに限らず、液晶パネルの製造工程のパターニング処理、太陽電池の製造工程のパターニング処理や、パワーデバイスの製造工程のパターニング処理などの、基板を処理する技術にも適用可能である。

【0087】

上述の態様では、一度に１枚または数枚の基板を処理する枚葉式の基板処理装置を用いて膜を形成する例について説明した。本開示は上述の態様に限定されず、例えば、一度に複数枚の基板を処理するバッチ式の基板処理装置を用いて膜を形成する場合にも、好適に適用することができる。また、上述の態様では、コールドウォール型の処理炉を有する基板処理装置を用いて膜を形成する例について説明した。本開示は上述の態様に限定されず、ホットウォール型の処理炉を有する基板処理装置を用いて膜を形成する場合にも、好適に適用することができる。

【0088】

これらの基板処理装置を用いる場合においても、上述の態様や変形例と同様な処理手順、処理条件にて各処理を行うことができ、上述の態様や変形例と同様の効果が得られる。

【符号の説明】

【0089】

１００・・・基板処理装置
１１０・・・ガス供給部
２０１・・・処理室
６５５・・・マイクロ波発振器（電磁波発生器）

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】