特開2024-45348基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法及びプログラム
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024045348
(43)【公開日】2024-04-02
(54)【発明の名称】基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法及びプログラム
(51)【国際特許分類】
H01L 21/31 20060101AFI20240326BHJP
H01L 21/22 20060101ALI20240326BHJP
H01L 21/677 20060101ALI20240326BHJP
C23C 16/44 20060101ALI20240326BHJP
【ＦＩ】
H01L21/31 B
H01L21/22 511Z
H01L21/68 A
C23C16/44 B
【審査請求】有
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024011250
(22)【出願日】2024-01-29
(62)【分割の表示】P 2022163483の分割
【原出願日】2016-06-30
(71)【出願人】
【識別番号】318009126
【氏名又は名称】株式会社ＫＯＫＵＳＡＩ ＥＬＥＣＴＲＩＣ
(74)【代理人】
【識別番号】110000350
【氏名又は名称】ポレール弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】上村 大義
(72)【発明者】
【氏名】野上 孝志
(72)【発明者】
【氏名】谷山 智志
(57)【要約】
【課題】メンテナンスエリアを確保しつつフットプリントを低減させる。
【解決手段】第１の供給系は、第２の処理モジュールとは反対側の第１の処理モジュールの外側側面と前記第１の供給系の外側側面とが平坦になるように設けられ、第２の供給系は、第１の処理モジュールとは反対側の第２の処理モジュールの外側側面と第２の供給系の外側側面とが平坦になるように設けられ、第１の排気ボックスと第２の排気ボックスは、第１の処理モジュール及び第２の処理モジュールの後方に形成されるメンテナンスエリアを介在して対向する。
【選択図】図１
【解決手段】第１の供給系は、第２の処理モジュールとは反対側の第１の処理モジュールの外側側面と前記第１の供給系の外側側面とが平坦になるように設けられ、第２の供給系は、第１の処理モジュールとは反対側の第２の処理モジュールの外側側面と第２の供給系の外側側面とが平坦になるように設けられ、第１の排気ボックスと第２の排気ボックスは、第１の処理モジュール及び第２の処理モジュールの後方に形成されるメンテナンスエリアを介在して対向する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を処理する第１の処理容器を有する第１の処理モジュールと、
前記第１の処理モジュールの側面に隣接して配置され、基板を処理する第２の処理容器を有する第２の処理モジュールと、
前記第１の処理容器内に処理ガスを供給する第１の供給系を含み、前記第１の処理モジュールの背面に隣接して配置される第１のユーティリティ系と、
前記第２の処理容器内に処理ガスを供給する第２の供給系を含み、前記第２の処理モジュールの背面に隣接して配置される第２のユーティリティ系と、
前記第１の処理容器内を排気する第１の排気系と、
前記第２の処理容器内を排気する第２の排気系と、
前記第１の排気系の少なくとも一部を収納する第１の排気ボックスと、
前記第２の排気系の少なくとも一部を収納する第２の排気ボックスと、
を備え、
前記第１の供給系は、前記第２の処理モジュールとは反対側の前記第１の処理モジュールの外側側面と前記第１の供給系の外側側面とが平坦になるように設けられ、前記第２の供給系は、前記第１の処理モジュールとは反対側の前記第２の処理モジュールの外側側面と前記第２の供給系の外側側面とが平坦になるように設けられ、
前記第１の排気ボックスと前記第２の排気ボックスは、前記第１の処理モジュール及び前記第２の処理モジュールの後方に形成されるメンテナンスエリアを介在して対向する基板処理装置。
前記第１の処理モジュールの側面に隣接して配置され、基板を処理する第２の処理容器を有する第２の処理モジュールと、
前記第１の処理容器内に処理ガスを供給する第１の供給系を含み、前記第１の処理モジュールの背面に隣接して配置される第１のユーティリティ系と、
前記第２の処理容器内に処理ガスを供給する第２の供給系を含み、前記第２の処理モジュールの背面に隣接して配置される第２のユーティリティ系と、
前記第１の処理容器内を排気する第１の排気系と、
前記第２の処理容器内を排気する第２の排気系と、
前記第１の排気系の少なくとも一部を収納する第１の排気ボックスと、
前記第２の排気系の少なくとも一部を収納する第２の排気ボックスと、
を備え、
前記第１の供給系は、前記第２の処理モジュールとは反対側の前記第１の処理モジュールの外側側面と前記第１の供給系の外側側面とが平坦になるように設けられ、前記第２の供給系は、前記第１の処理モジュールとは反対側の前記第２の処理モジュールの外側側面と前記第２の供給系の外側側面とが平坦になるように設けられ、
前記第１の排気ボックスと前記第２の排気ボックスは、前記第１の処理モジュール及び前記第２の処理モジュールの後方に形成されるメンテナンスエリアを介在して対向する基板処理装置。
【請求項2】
請求項１において、
前記メンテナンスエリアに面するように前記第１の処理モジュールに設けられ、前記第２の処理モジュールに向かい回転することによって開かれることが可能に構成された第１のメンテナンス扉と、
前記メンテナンスエリアに面するように前記第２の処理モジュールに設けられ、前記第１の処理モジュールに向かい回転することによって開かれることが可能に構成された第２のメンテナンス扉と、をさらに備える基板処理装置。
前記メンテナンスエリアに面するように前記第１の処理モジュールに設けられ、前記第２の処理モジュールに向かい回転することによって開かれることが可能に構成された第１のメンテナンス扉と、
前記メンテナンスエリアに面するように前記第２の処理モジュールに設けられ、前記第１の処理モジュールに向かい回転することによって開かれることが可能に構成された第２のメンテナンス扉と、をさらに備える基板処理装置。
【請求項3】
請求項１において、
前記第１の排気ボックスは前記第１のユーティリティ系の一部を構成し、前記第２の排気ボックスは前記第２のユーティリティ系の一部を構成する基板処理装置。
前記第１の排気ボックスは前記第１のユーティリティ系の一部を構成し、前記第２の排気ボックスは前記第２のユーティリティ系の一部を構成する基板処理装置。
【請求項4】
請求項１において、
前記第１のユーティリティ系の前記第１の処理モジュールの背面に隣接した側での幅は、前記第１の処理モジュールに隣接した側と反対側の幅より小さく形成され、
前記第２のユーティリティ系の前記第２の処理モジュールの背面に隣接した側での幅は、前記第２の処理モジュールに隣接した側と反対側の幅より小さく形成される基板処理装置。
前記第１のユーティリティ系の前記第１の処理モジュールの背面に隣接した側での幅は、前記第１の処理モジュールに隣接した側と反対側の幅より小さく形成され、
前記第２のユーティリティ系の前記第２の処理モジュールの背面に隣接した側での幅は、前記第２の処理モジュールに隣接した側と反対側の幅より小さく形成される基板処理装置。
【請求項5】
請求項１において、
前記第１及び第２の処理容器は、前記第１及び第２の処理容器に設けられる排気管が前記第１及び第２の排気系の方向を向くように設けられる基板処理装置。
前記第１及び第２の処理容器は、前記第１及び第２の処理容器に設けられる排気管が前記第１及び第２の排気系の方向を向くように設けられる基板処理装置。
【請求項6】
請求項５において、
前記第１の処理容器で処理されるウエハと、前記第２の処理容器で処理されるウエハは、互いに反対方向に回転される基板処理装置。
前記第１の処理容器で処理されるウエハと、前記第２の処理容器で処理されるウエハは、互いに反対方向に回転される基板処理装置。
【請求項7】
請求項１において、
前記第１のユーティリティ系には、前記第１の排気系及び前記第１の供給系よりも後方にコントローラが設けられ、
前記第２のユーティリティ系には、前記第２の排気系及び前記第２の供給系よりも後方にコントローラが設けられる基板処理装置。
前記第１のユーティリティ系には、前記第１の排気系及び前記第１の供給系よりも後方にコントローラが設けられ、
前記第２のユーティリティ系には、前記第２の排気系及び前記第２の供給系よりも後方にコントローラが設けられる基板処理装置。
【請求項8】
請求項１において、
前記第１の処理モジュールと前記第２の処理モジュールは、前記第１の処理モジュールと前記第２の処理モジュールの隣接面に対して面対称に配置され、
前記第１のユーティリティ系と前記第２のユーティリティ系は、前記隣接面に対して面対称に配置される基板処理装置。
前記第１の処理モジュールと前記第２の処理モジュールは、前記第１の処理モジュールと前記第２の処理モジュールの隣接面に対して面対称に配置され、
前記第１のユーティリティ系と前記第２のユーティリティ系は、前記隣接面に対して面対称に配置される基板処理装置。
【請求項9】
請求項１において、
前記第１の処理容器と前記第１の供給系との間の配管に設けられる第１のファイナルバルブと、
前記第２の処理容器と前記第２の供給系との間の配管に設けられる第２のファイナルバルブと、を備え、
前記第１のファイナルバルブから前記第１の処理容器への配管長と、前記第２のファイナルバルブから前記第２の処理容器への配管長は等しい基板処理装置。
前記第１の処理容器と前記第１の供給系との間の配管に設けられる第１のファイナルバルブと、
前記第２の処理容器と前記第２の供給系との間の配管に設けられる第２のファイナルバルブと、を備え、
前記第１のファイナルバルブから前記第１の処理容器への配管長と、前記第２のファイナルバルブから前記第２の処理容器への配管長は等しい基板処理装置。
【請求項10】
請求項１において、
前記メンテナンスエリアは、前記第１の処理モジュール及び前記第２の処理モジュールの後方に一体に形成される基板処理装置。
前記メンテナンスエリアは、前記第１の処理モジュール及び前記第２の処理モジュールの後方に一体に形成される基板処理装置。
【請求項11】
第１の処理モジュールの第１の処理容器内の基板に対して、前記第１の処理モジュールの背面に隣接して配置される第１のユーティリティ系が備える、前記第１の処理容器内に処理ガスを供給する第１の供給系からガスを供給しつつ、第１の排気ボックスに少なくとも一部が収納された第１の排気系によって前記第１の処理容器内を排気し、前記基板を処理する第１の処理工程と、
前記第１の処理モジュールの側面に隣接して配置された第２の処理モジュールの第２の処理容器内の基板に対して、前記第２の処理モジュールの背面に隣接して配置される第２のユーティリティ系が備える、前記第２の処理容器内に処理ガスを供給する第２の供給系からガスを供給しつつ、第２の排気ボックスに少なくとも一部が収納された第２の排気系によって前記第２の処理容器内を排気し、前記基板を処理する第２の処理工程と、
を有し、
前記第１の供給系は、前記第２の処理モジュールとは反対側の前記第１の処理モジュールの外側側面と前記第１の供給系の外側側面とが平坦になるように設けられ、前記第２の供給系は、前記第１の処理モジュールとは反対側の前記第２の処理モジュールの外側側面と前記第２の供給系の外側側面とが平坦になるように設けられ、
前記第１の排気ボックスと前記第２の排気ボックスは、前記第１の処理モジュール及び前記第２の処理モジュールの後方に形成されるメンテナンスエリアを介在して対向する半導体装置の製造方法。
前記第１の処理モジュールの側面に隣接して配置された第２の処理モジュールの第２の処理容器内の基板に対して、前記第２の処理モジュールの背面に隣接して配置される第２のユーティリティ系が備える、前記第２の処理容器内に処理ガスを供給する第２の供給系からガスを供給しつつ、第２の排気ボックスに少なくとも一部が収納された第２の排気系によって前記第２の処理容器内を排気し、前記基板を処理する第２の処理工程と、
を有し、
前記第１の供給系は、前記第２の処理モジュールとは反対側の前記第１の処理モジュールの外側側面と前記第１の供給系の外側側面とが平坦になるように設けられ、前記第２の供給系は、前記第１の処理モジュールとは反対側の前記第２の処理モジュールの外側側面と前記第２の供給系の外側側面とが平坦になるように設けられ、
前記第１の排気ボックスと前記第２の排気ボックスは、前記第１の処理モジュール及び前記第２の処理モジュールの後方に形成されるメンテナンスエリアを介在して対向する半導体装置の製造方法。
【請求項12】
請求項１１において、
前記第１の処理容器の下方に配置される第１の搬送室内をメンテナンスする工程をさらに有し、
前記メンテナンスする工程と前記第２の処理工程とを同時に行う半導体装置の製造方法。
前記第１の処理容器の下方に配置される第１の搬送室内をメンテナンスする工程をさらに有し、
前記メンテナンスする工程と前記第２の処理工程とを同時に行う半導体装置の製造方法。
【請求項13】
請求項１２において、
前記第１の処理容器から前記第２の処理容器に、移載室を介して前記基板を搬送する工程をさらに有し、
前記メンテナンスする工程は、
前記第１の搬送室内の圧力を前記移載室の圧力よりも低い圧力に維持しつつ、前記第１の搬送室内の酸素濃度を大気中の酸素濃度以上の酸素濃度に上昇させるステップと、
前記第１の搬送室の背面に形成されたメンテナンス扉を開放するステップと、
を有する半導体装置の製造方法。
前記第１の処理容器から前記第２の処理容器に、移載室を介して前記基板を搬送する工程をさらに有し、
前記メンテナンスする工程は、
前記第１の搬送室内の圧力を前記移載室の圧力よりも低い圧力に維持しつつ、前記第１の搬送室内の酸素濃度を大気中の酸素濃度以上の酸素濃度に上昇させるステップと、
前記第１の搬送室の背面に形成されたメンテナンス扉を開放するステップと、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項14】
請求項１１において、
前記第１の処理工程では、前記第１の処理容器と前記第１の供給系との間の配管に設けられる第１のファイナルバルブを介して、前記ガスが供給され、
前記第２の処理工程では、前記第２の処理容器と前記第２の供給系との間の配管の、前記第２の処理容器までの距離が前記第１の処理容器と前記第１のファイナルバルブとの間の距離と等しくなる位置に設けられる第２のファイナルバルブを介して、前記ガスが供給される半導体装置の製造方法。
前記第１の処理工程では、前記第１の処理容器と前記第１の供給系との間の配管に設けられる第１のファイナルバルブを介して、前記ガスが供給され、
前記第２の処理工程では、前記第２の処理容器と前記第２の供給系との間の配管の、前記第２の処理容器までの距離が前記第１の処理容器と前記第１のファイナルバルブとの間の距離と等しくなる位置に設けられる第２のファイナルバルブを介して、前記ガスが供給される半導体装置の製造方法。
【請求項15】
第１の処理モジュールの背面に隣接して配置され第１の供給系を備える第１のユーティリティと、前記第１の処理モジュールの側面側に隣接して配置される第２の処理モジュールの背面に隣接して配置され第２の供給系を備える第２のユーティリティと、前記第１の処理モジュール及び前記第２の処理モジュールの後方に形成されるメンテナンスエリアを介在して対向して配置される第１の排気ボックス及び第２の排気ボックスと、を備え、前記第１の供給系は前記第２の処理モジュールとは反対側の前記第１の処理モジュールの外側側面と前記第１の供給系の外側側面とが平坦になるように設けられ、前記第２の供給系は、前記第１の処理モジュールとは反対側の前記第２の処理モジュールの外側側面と前記第２の供給系の外側側面とが平坦になるように設けられた基板処理装置を用意する工程と、
前記第１の処理モジュールの第１の処理容器内に処理ガスを供給する前記第１の供給系が、前記第１の処理容器内の基板に対してガスを供給しつつ、前記第１の排気ボックスに少なくとも一部が収納された第１の排気系によって前記第１の処理容器内を排気し、前記基板を処理する第１の処理工程と、
前記第２の処理モジュールの第２の処理容器内に処理ガスを供給する前記第２の供給系が、前記第２の処理容器内の基板に対してガスを供給しつつ、前記第２の排気ボックスに少なくとも一部が収納された第２の排気系によって前記第２の処理容器内を排気し、前記基板を処理する第２の処理工程と、
を有する基板処理方法。
前記第１の処理モジュールの第１の処理容器内に処理ガスを供給する前記第１の供給系が、前記第１の処理容器内の基板に対してガスを供給しつつ、前記第１の排気ボックスに少なくとも一部が収納された第１の排気系によって前記第１の処理容器内を排気し、前記基板を処理する第１の処理工程と、
前記第２の処理モジュールの第２の処理容器内に処理ガスを供給する前記第２の供給系が、前記第２の処理容器内の基板に対してガスを供給しつつ、前記第２の排気ボックスに少なくとも一部が収納された第２の排気系によって前記第２の処理容器内を排気し、前記基板を処理する第２の処理工程と、
を有する基板処理方法。
【請求項16】
第１の処理モジュールの背面に隣接して配置され第１の供給系を備える第１のユーティリティと、前記第１の処理モジュールの側面側に隣接して配置される第２の処理モジュールの背面に隣接して配置され第２の供給系を備える第２のユーティリティと、前記第１の処理モジュール及び前記第２の処理モジュールの後方に形成されるメンテナンスエリアを介在して対向して配置される第１の排気ボックス及び第２の排気ボックスと、を備え、前記第１の供給系は前記第２の処理モジュールとは反対側の前記第１の処理モジュールの外側側面と前記第１の供給系の外側側面とが平坦になるように設けられ、前記第２の供給系は、前記第１の処理モジュールとは反対側の前記第２の処理モジュールの外側側面と前記第２の供給系の外側側面とが平坦になるように設けられた基板処理装置に、
前記第１の処理モジュールの第１の処理容器内に処理ガスを供給する前記第１の供給系が、前記第１の処理容器内の基板に対してガスを供給しつつ、前記第１の排気ボックスに少なくとも一部が収納された第１の排気系によって前記第１の処理容器内を排気し、前記基板を処理する第１の処理工程と、
前記第２の処理モジュールの第２の処理容器内に処理ガスを供給する前記第２の供給系が、前記第２の処理容器内の基板に対してガスを供給しつつ、前記第２の排気ボックスに少なくとも一部が収納された第２の排気系によって前記第２の処理容器内を排気し、前記基板を処理する第２の処理工程と、
を行わせるコンピュータ読み取り可能な記録媒体に格納されたプログラム。
前記第１の処理モジュールの第１の処理容器内に処理ガスを供給する前記第１の供給系が、前記第１の処理容器内の基板に対してガスを供給しつつ、前記第１の排気ボックスに少なくとも一部が収納された第１の排気系によって前記第１の処理容器内を排気し、前記基板を処理する第１の処理工程と、
前記第２の処理モジュールの第２の処理容器内に処理ガスを供給する前記第２の供給系が、前記第２の処理容器内の基板に対してガスを供給しつつ、前記第２の排気ボックスに少なくとも一部が収納された第２の排気系によって前記第２の処理容器内を排気し、前記基板を処理する第２の処理工程と、
を行わせるコンピュータ読み取り可能な記録媒体に格納されたプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法及びプログラムに関するものである。
【背景技術】
【0002】
半導体装置（デバイス）の製造工程における基板処理では、例えば、複数枚の基板を一括して処理する縦型基板処理装置が使用されている。基板処理装置のメンテナンスの際には、基板処理装置周辺にメンテナンスエリアを確保する必要があり、メンテナンスエリアを確保するために、基板処理装置のフットプリントが大きくなってしまう場合がある（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１０－２８３３５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、メンテナンスエリアを確保しつつフットプリントを低減させることが可能な技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の一態様によれば、
基板を処理する第１の処理容器を有する第１の処理モジュールと、
前記第１の処理モジュールの側面に隣接して配置され、基板を処理する第２の処理容器を有する第２の処理モジュールと、
前記第１の処理容器内に処理ガスを供給する第１の供給系を含み、前記第１の処理モジュールの背面に隣接して配置される第１のユーティリティ系と、
前記第２の処理容器内に処理ガスを供給する第２の供給系を含み、前記第２の処理モジュールの背面に隣接して配置される第２のユーティリティ系と、
前記第１の処理容器内を排気する第１の排気系と、
前記第２の処理容器内を排気する第２の排気系と、
前記第１の排気系の少なくとも一部を収納する第１の排気ボックスと、
前記第２の排気系の少なくとも一部を収納する第２の排気ボックスと、
を備え、
前記第１の供給系は、前記第２の処理モジュールとは反対側の前記第１の処理モジュールの外側側面と前記第１の供給系の外側側面とが平坦になるように設けられ、前記第２の供給系は、前記第１の処理モジュールとは反対側の前記第２の処理モジュールの外側側面と前記第２の供給系の外側側面とが平坦になるように設けられ、
前記第１の排気ボックスと前記第２の排気ボックスは、前記第１の処理モジュール及び前記第２の処理モジュールの後方に形成されるメンテナンスエリアを介在して対向する技術が提供される。
基板を処理する第１の処理容器を有する第１の処理モジュールと、
前記第１の処理モジュールの側面に隣接して配置され、基板を処理する第２の処理容器を有する第２の処理モジュールと、
前記第１の処理容器内に処理ガスを供給する第１の供給系を含み、前記第１の処理モジュールの背面に隣接して配置される第１のユーティリティ系と、
前記第２の処理容器内に処理ガスを供給する第２の供給系を含み、前記第２の処理モジュールの背面に隣接して配置される第２のユーティリティ系と、
前記第１の処理容器内を排気する第１の排気系と、
前記第２の処理容器内を排気する第２の排気系と、
前記第１の排気系の少なくとも一部を収納する第１の排気ボックスと、
前記第２の排気系の少なくとも一部を収納する第２の排気ボックスと、
を備え、
前記第１の供給系は、前記第２の処理モジュールとは反対側の前記第１の処理モジュールの外側側面と前記第１の供給系の外側側面とが平坦になるように設けられ、前記第２の供給系は、前記第１の処理モジュールとは反対側の前記第２の処理モジュールの外側側面と前記第２の供給系の外側側面とが平坦になるように設けられ、
前記第１の排気ボックスと前記第２の排気ボックスは、前記第１の処理モジュール及び前記第２の処理モジュールの後方に形成されるメンテナンスエリアを介在して対向する技術が提供される。
【発明の効果】
【0006】
本発明によれば、メンテナンスエリアを確保しつつフットプリントを低減させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】本発明の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の一例を概略的に示す上面図である。
【図2】本発明の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の一例を概略的に示す縦断面図である。
【図3】本発明の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の一例を概略的に示す縦断面図である。
【図4】本発明の実施形態で好適に用いられる処理炉の一例を概略的に示す縦断面図である。
【図5】本発明の実施形態で好適に用いられる処理モジュールの一例を概略的に示す横断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、図面を参照しながら、本発明の限定的でない例示の実施形態について説明する。全図面中、同一または対応する構成については、同一または対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。また、後述する収納室９側を正面側（前側）、後述する搬送室６Ａ、６Ｂ側を背面側（後ろ側）とする。さらに、後述する処理モジュール３Ａ、３Ｂの境界線（隣接面）に向う側を内側、境界線から離れる側を外側とする。
【0009】
本実施形態において、基板処理装置は、半導体装置（デバイス）の製造方法における製造工程の一工程として熱処理等の基板処理工程を実施する縦型基板処理装置（以下、処理装置と称する）２として構成されている。
【0010】
図１、２に示すように、処理装置２は隣接する２つの処理モジュール３Ａ、３Ｂを備えている。処理モジュール３Ａは、処理炉４Ａと搬送室６Ａにより構成される。処理モジュール３Ｂは、処理炉４Ｂと搬送室６Ｂにより構成される。処理炉４Ａ、４Ｂの下方には、搬送室６Ａ、６Ｂがそれぞれ配置されている。搬送室６Ａ、６Ｂの正面側に隣接して、ウエハＷを移載する移載機７を備える移載室８が配置されている。移載室８の正面側には、ウエハＷを複数枚収納するポッド（フープ）５を収納する収納室９が連結されている。収納室９の全面にはＩ／Ｏポート２２が設置され、Ｉ／Ｏポート２２を介して処理装置２内外にポッド５が搬入出される。
【0011】
搬送室６Ａ、６Ｂと移載室８との境界壁（隣接面）には、ゲートバルブ９０Ａ、９０Ｂがそれぞれ設置される。移載室８内および搬送室６Ａ、６Ｂ内には圧力検知器がそれぞれに設置されており、移載室８内の圧力は、搬送室６Ａ、６Ｂ内の圧力よりも低くなるように設定されている。また、移載室８内および搬送室６Ａ、６Ｂ内には酸素濃度検知器がそれぞれに設置されており、移載室８Ａ内および搬送室６Ａ、６Ｂ内の酸素濃度は大気中における酸素濃度よりも低く維持されている。移載室８の天井部には、移載室８内にクリーンエアを供給するクリーンユニット６２Ｃが設置されており、移載室８内にクリーンエアとして、例えば、不活性ガスを循環させるように構成されている。移載室８内を不活性ガスにて循環パージすることにより、移載室８内を清浄な雰囲気とすることができる。このような構成により、移載室８内に搬送室６Ａ、６Ｂ内のパーティクル等が混入することを抑制することができ、移載室８内および搬送室６Ａ、６Ｂ内でウエハＷ上に自然酸化膜が形成されることを抑制することができる。
【0012】
処理モジュール３Ａおよび処理モジュール３Ｂは同一の構成を備えるため、以下においては、代表して処理モジュール３Ａについてのみ説明する。
【0013】
図４に示すように、処理炉４Ａは、円筒形状の反応管１０Ａと、反応管１０Ａの外周に設置された加熱手段（加熱機構）としてのヒータ１２Ａとを備える。反応管は、例えば石英やＳｉＣにより形成される。反応管１０Ａの内部には、基板としてのウエハＷを処理する処理室１４Ａが形成される。反応管１０Ａには、温度検出器としての温度検出部１６Ａが設置される。温度検出部１６Ａは、反応管１０Ａの内壁に沿って立設されている。
【0014】
基板処理に使用されるガスは、ガス供給系としてのガス供給機構３４Ａによって処理室１４Ａ内に供給される。ガス供給機構３４Ａが供給するガスは、成膜される膜の種類に応じて換えられる。ここでは、ガス供給機構３４Ａは、原料ガス供給部、反応ガス供給部および不活性ガス供給部を含む。ガス供給機構３４Ａは後述する供給ボックス７２Ａに収納されている。
【0015】
原料ガス供給部は、ガス供給管３６ａを備え、ガス供給管３６ａには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）３８ａおよび開閉弁であるバルブ４０ａが設けられている。ガス供給管３６ａはマニホールド１８の側壁を貫通するノズル４４ａに接続される。ノズル４４ａは、反応管１０内に上下方向に沿って立設し、ボート２６に保持されるウエハＷに向かって開口する複数の供給孔が形成されている。ノズル４４ａの供給孔を通してウエハＷに対して原料ガスが供給される。
【0016】
以下、同様の構成にて、反応ガス供給部からは、供給管３６ｂ、ＭＦＣ３８ｂ、バルブ４０ｂおよびノズル４４ｂを介して、反応ガスがウエハＷに対して供給される。不活性ガス供給部からは、供給管３６ｃ、３６ｄ、ＭＦＣ３８ｃ、３８ｄ、バルブ４０ｃ、４０ｄおよびノズル４４ａ、４４ｂを介して、ウエハＷに対して不活性ガスが供給される。
【0017】
反応管１０Ａの下端開口部には、円筒形のマニホールド１８Ａが、Ｏリング等のシール部材を介して連結され、反応管１０Ａの下端を支持している。マニホールド１８Ａの下端開口部は円盤状の蓋部２２Ａによって開閉される。蓋部２２Ａの上面にはＯリング等のシール部材が設置されており、これにより、反応管１０Ａ内と外気とが気密にシールされる。蓋部２２Ａ上には断熱部２４Ａが載置される。
【0018】
マニホールド１８Ａには、排気管４６Ａが取り付けられている。排気管４６Ａには、処理室１４Ａ内の圧力を検出する圧力検出器（圧力検出部）としての圧力センサ４８Ａおよび圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ４０Ａを介して、真空排気装置としての真空ポンプ５２Ａが接続されている。このような構成により、処理室１４Ａ内の圧力を処理に応じた処理圧力とすることができる。主に、排気管４６Ａ、ＡＰＣバルブ４０Ａ、圧力センサ４８Ａにより、排気系Ａが構成される。排気系Ａは後述する排気ボックス７４Ａに収納されている。
【0019】
処理室１４Ａは、複数枚、例えば２５～１５０枚のウエハＷを垂直に棚状に支持する基板保持具としてのボート２６Ａを内部に収納する。ボート２６Ａは、蓋部２２Ａおよび断熱部２４Ａを貫通する回転軸２８Ａにより、断熱部２４Ａの上方に支持される。回転軸２８Ａは蓋部２２Ａの下方に設置された回転機構３０Ａに接続されており、回転軸２８Ａは反応管１０Ａの内部を気密にシールした状態で回転可能に構成される。蓋部２２は昇降機構としてのボートエレベータ３２Ａにより上下方向に駆動される。これにより、ボート２６Ａおよび蓋部２２Ａが一体的に昇降され、反応管１０Ａに対してボート２６Ａが搬入出される。
【0020】
ボート２６ＡへのウエハＷの移載は搬送室６Ａで行われる。図３に示すように、搬送室６Ａ内の一側面（搬送室６Ａの外側側面、搬送室６Ｂに面する側面と反対側の側面）には、クリーンユニット６０Ａが設置されており、搬送室６Ａ内にクリーンエア（例えば、不活性ガス）を循環させるように構成されている。搬送室６Ａ内に供給された不活性ガスは、ボート２６Ａを挟んでクリーンユニット６０Ａと対面する側面（搬送室６Ｂに面する側面）に設置された排気部６２Ａによって搬送室６Ａ内から排気され、クリーンユニット６０Ａから搬送室６Ａ内に再供給される（循環パージ）。搬送室６Ａ内の圧力は移載室８内の圧力よりも低くなるように設定されている。また、搬送室６Ａ内の酸素濃度は、大気中における酸素濃度よりも低くなるように設定されている。このような構成により、ウエハＷの搬送作業中にウエハＷ上に自然酸化膜が形成されることを抑制することができる。
【0021】
回転機構３０Ａ、ボートエレベータ３２Ａ、ガス供給機構３４ＡのＭＦＣ３８ａ～ｄおよびバルブ４０ａ～ｄ、ＡＰＣバルブ５０Ａには、これらを制御するコントローラ１００が接続される。コントローラ１００は、例えば、ＣＰＵを備えたマイクロプロセッサ（コンピュータ）からなり、処理装置２の動作を制御するよう構成される。コントローラ１００には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置１０２が接続されている。コントローラ１００は、処理モジュール３Ａと処理モジュール３Ｂとで夫々に１つずつ設置されても良いし、共通して１つ設置されても良い。
【0022】
コントローラ１００には記憶媒体としての記憶部１０４が接続されている。記憶部１０４には、処理装置１０の動作を制御する制御プログラムや、処理条件に応じて処理装置２の各構成部に処理を実行させるためのプログラム（レシピとも言う）が、読み出し可能に格納される。
【0023】
記憶部１０４は、コントローラ１００に内蔵された記憶装置（ハードディスクやフラッシュメモリ）であってもよいし、可搬性の外部記録装置（磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）であってもよい。また、コンピュータへのプログラムの提供は、インターネットや専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。プログラムは、必要に応じて、入出力装置１０２からの指示等にて記憶部１０４から読み出され、読み出されたレシピに従った処理をコントローラ１００が実行することで、処理装置２は、コントローラ１００の制御のもと、所望の処理を実行する。コントローラ１００は、コントローラボックス７６Ａ、７６Ｂに収納される。
【0024】
次に、上述の処理装置２を用い、基板上に膜を形成する処理（成膜処理）について説明する。ここでは、ウエハＷに対して、原料ガスとしてＤＣＳ（ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ：ジクロロシラン）ガスと、反応ガスとしてＯ2 （酸素）ガスとを供給することで、ウエハＷ上にシリコン酸化（ＳｉＯ2）膜を形成する例について説明する。なお、以下の説明において、処理装置２を構成する各部の動作はコントローラ１００により制御される。
【0025】
（ウエハチャージおよびボートロード）
ゲートバルブ９０Ａを開き、ボート２０Ａに対してウエハＷを搬送する。複数枚のウエハＷがボート２６Ａに装填（ウエハチャージ）されると、ゲートバルブ９０Ａが閉じられる。ボート２６Ａは、ボートエレベータ３２Ａによって処理室１４内に搬入（ボートロード）され、反応管１０Ａの下部開口は蓋部２２Ａによって気密に閉塞（シール）された状態となる。
ゲートバルブ９０Ａを開き、ボート２０Ａに対してウエハＷを搬送する。複数枚のウエハＷがボート２６Ａに装填（ウエハチャージ）されると、ゲートバルブ９０Ａが閉じられる。ボート２６Ａは、ボートエレベータ３２Ａによって処理室１４内に搬入（ボートロード）され、反応管１０Ａの下部開口は蓋部２２Ａによって気密に閉塞（シール）された状態となる。
【0026】
（圧力調整および温度調整）
処理室１４Ａ内が所定の圧力（真空度）となるように、真空ポンプ５２Ａによって真空排気（減圧排気）される。処理室１４Ａ内の圧力は、圧力センサ４８Ａで測定され、この測定された圧力情報に基づきＡＰＣバルブ５０Ａが、フィードバック制御される。また、処理室１４Ａ内のウエハＷが所定の温度となるように、ヒータ１２Ａによって加熱される。この際、処理室１４Ａが所定の温度分布となるように、温度検出部１６Ａが検出した温度情報に基づきヒータ１２Ａへの通電具合がフィードバック制御される。また、回転機構３０Ａによるボート２６ＡおよびウエハＷの回転を開始する。
処理室１４Ａ内が所定の圧力（真空度）となるように、真空ポンプ５２Ａによって真空排気（減圧排気）される。処理室１４Ａ内の圧力は、圧力センサ４８Ａで測定され、この測定された圧力情報に基づきＡＰＣバルブ５０Ａが、フィードバック制御される。また、処理室１４Ａ内のウエハＷが所定の温度となるように、ヒータ１２Ａによって加熱される。この際、処理室１４Ａが所定の温度分布となるように、温度検出部１６Ａが検出した温度情報に基づきヒータ１２Ａへの通電具合がフィードバック制御される。また、回転機構３０Ａによるボート２６ＡおよびウエハＷの回転を開始する。
【0027】
（成膜処理）
［原料ガス供給工程］
処理室１４Ａ内の温度が予め設定された処理温度に安定すると、処理室１４Ａ内のウエハＷに対してＤＣＳガスを供給する。ＤＣＳガスは、ＭＦＣ３８ａにて所望の流量となるように制御され、ガス供給管３６ａおよびノズル４４ａを介して処理室１４Ａ内に供給される。
［原料ガス供給工程］
処理室１４Ａ内の温度が予め設定された処理温度に安定すると、処理室１４Ａ内のウエハＷに対してＤＣＳガスを供給する。ＤＣＳガスは、ＭＦＣ３８ａにて所望の流量となるように制御され、ガス供給管３６ａおよびノズル４４ａを介して処理室１４Ａ内に供給される。
【0028】
［原料ガス排気工程］
次に、ＤＣＳガスの供給を停止し、真空ポンプ５２Ａにより処理室１４Ａ内を真空排気する。この時、不活性ガス供給部から不活性ガスとしてＮ２ガスを処理室１４Ａ内に供給しても良い（不活性ガスパージ）。
次に、ＤＣＳガスの供給を停止し、真空ポンプ５２Ａにより処理室１４Ａ内を真空排気する。この時、不活性ガス供給部から不活性ガスとしてＮ２ガスを処理室１４Ａ内に供給しても良い（不活性ガスパージ）。
【0029】
［反応ガス供給工程］
次に、処理室１４Ａ内のウエハＷに対してＯ2ガスを供給する。Ｏ2ガスは、ＭＦＣ３８ｂにて所望の流量となるように制御され、ガス供給管３６ｂおよびノズル４４ｂを介して処理室１４Ａ内に供給される。
次に、処理室１４Ａ内のウエハＷに対してＯ2ガスを供給する。Ｏ2ガスは、ＭＦＣ３８ｂにて所望の流量となるように制御され、ガス供給管３６ｂおよびノズル４４ｂを介して処理室１４Ａ内に供給される。
【0030】
［反応ガス排気工程］
次に、Ｏ2ガスの供給を停止し、真空ポンプ５２Ａにより処理室１４Ａ内を真空排気する。この時、不活性ガス供給部からＮ２ガスを処理室１４Ａ内に供給しても良い（不活性ガスパージ）。
次に、Ｏ2ガスの供給を停止し、真空ポンプ５２Ａにより処理室１４Ａ内を真空排気する。この時、不活性ガス供給部からＮ２ガスを処理室１４Ａ内に供給しても良い（不活性ガスパージ）。
【0031】
上述した４つの工程を行うサイクルを所定回数（１回以上）行うことにより、ウエハＷ上に、所定組成および所定膜厚のＳｉＯ2膜を形成することができる。
【0032】
（ボートアンロードおよびウエハディスチャージ）
所定膜厚の膜を形成した後、不活性ガス供給部からＮ２ガスが供給され、処理室１４Ａ内がＮ２ガスに置換されると共に、処理室１４Ａの圧力が常圧に復帰される。その後、ボートエレベータ３２Ａにより蓋部２２Ａが降下されて、ボート２６Ａが反応管１０Ａから搬出（ボートアンロード）される。その後、処理済ウエハＷはボート２６Ａより取出される（ウエハディスチャージ）。
所定膜厚の膜を形成した後、不活性ガス供給部からＮ２ガスが供給され、処理室１４Ａ内がＮ２ガスに置換されると共に、処理室１４Ａの圧力が常圧に復帰される。その後、ボートエレベータ３２Ａにより蓋部２２Ａが降下されて、ボート２６Ａが反応管１０Ａから搬出（ボートアンロード）される。その後、処理済ウエハＷはボート２６Ａより取出される（ウエハディスチャージ）。
【0033】
その後、ウエハＷはポッド５に収納され処理装置２外に搬出されても良いし、処理炉４Ｂへ搬送され、例えば、アニール等の基板処理が連続して行われても良い。処理炉４ＡでのウエハＷの処理後に連続して処理炉４ＢでウエハＷの処理を行う場合、ゲートバルブ９０Ａおよび９０Ｂを開とし、ボート２６Ａからボート２６ＢへウエハＷが直接搬送される。その後の処理炉４Ｂ内へのウエハＷの搬入出は、上述の処理炉４Ａによる基板処理と同様の手順にて行われる。また、処理炉４Ｂ内での基板処理は、例えば、上述の処理炉４Ａによる基板処理と同様の手順にて行われる。
【0034】
ウエハＷにＳｉＯ2膜を形成する際の処理条件としては、例えば、下記が例示される。
処理温度（ウエハ温度）：３００℃～７００℃、
処理圧力（処理室内圧力）１Ｐａ～４０００Ｐａ、
ＤＣＳガス：１００ｓｃｃｍ～１００００ｓｃｃｍ、
Ｏ2ガス：１００ｓｃｃｍ～１００００ｓｃｃｍ、
Ｎ2ガス：１００ｓｃｃｍ～１００００ｓｃｃｍ、
それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内の値に設定することで、成膜処理を適正に進行させることが可能となる。
処理温度（ウエハ温度）：３００℃～７００℃、
処理圧力（処理室内圧力）１Ｐａ～４０００Ｐａ、
ＤＣＳガス：１００ｓｃｃｍ～１００００ｓｃｃｍ、
Ｏ2ガス：１００ｓｃｃｍ～１００００ｓｃｃｍ、
Ｎ2ガス：１００ｓｃｃｍ～１００００ｓｃｃｍ、
それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内の値に設定することで、成膜処理を適正に進行させることが可能となる。
【0035】
次に、処理装置２の背面構成について説明する。
例えば、ボート２６が破損した場合には、ボート２６を交換する必要がある。また、反応管１０が破損した場合や、反応管１０のクリーニングが必要な場合は、反応管１０を取り外す必要がある。このように、搬送室６や処理炉４におけるメンテナンスを実施する場合には、処理装置２の背面側のメンテナンスエリアからメンテナンスを行う。
例えば、ボート２６が破損した場合には、ボート２６を交換する必要がある。また、反応管１０が破損した場合や、反応管１０のクリーニングが必要な場合は、反応管１０を取り外す必要がある。このように、搬送室６や処理炉４におけるメンテナンスを実施する場合には、処理装置２の背面側のメンテナンスエリアからメンテナンスを行う。
【0036】
図１に示すように、搬送室６Ａ、６Ｂの背面側には、メンテナンス口７８Ａ、７８Ｂがそれぞれ形成されている。メンテナンス口７８Ａは搬送室６Ａの搬送室６Ｂ側に形成され、メンテナンス口７８Ｂは搬送室６Ｂの搬送室６Ａ側に形成される。メンテナンス口７８Ａ、７８Ｂはメンテナンス扉８０Ａ、８０Ｂにより開閉される。メンテナンス扉８０Ａ、８０Ｂはヒンジ８２Ａ、８２Ｂを基軸として回動可能に構成される。ヒンジ８２Ａは搬送室６Ａの搬送室６Ｂ側に設置され、ヒンジ８２Ｂは搬送室６Ｂの搬送室６Ａ側に設置される。すなわち、ヒンジ８２Ａ、８２Ｂは搬送室６Ａ、６Ｂの背面側の隣接面に位置する内側角部付近に互いに隣接するように設置される。メンテナンスエリアは処理モジュール３Ａ背面における処理モジュール３Ｂ側と処理モジュール３Ｂ背面における処理モジュール３Ａ側とに形成されている。
【0037】
想像線で示すように、メンテナンス扉８０Ａ、８０Ｂがヒンジ８２Ａ、８２Ｂを中心にして搬送室６Ａ、６Ｂの背面側後方に水平に回動されることにより、背面メンテナンス口７８Ａ、７８Ｂが開かれる。メンテナンス扉８０Ａは、搬送室６Ａに向かって左開きに１８０°まで開放可能なように構成される。メンテナンス扉８０Ｂは、搬送室６Ｂに向かって右開きに１８０°まで開放可能なように構成される。すなわち、搬送室６Ａに向かって、メンテナンス扉８０Ａは時計回りに回動し、メンテナンス扉８０Ｂは反時計回りに回動する。言い換えれば、メンテナンス扉８０Ａ、８０Ｂは、互いに反対方向に回動される。メンテナンス扉８０Ａ、８０Ｂは取外し可能に構成されており、取り外してメンテナンスを行っても良い。
【0038】
搬送室６Ａ、６Ｂの背面近傍には、ユーティリティ系７０Ａ、７０Ｂが設置されている。ユーティリティ系７０Ａ、７０Ｂはメンテナンスリアを介在して対向して配置される。ユーティリティ系７０Ａ、７０Ｂのメンテナンスを行う際は、ユーティリティ系７０Ａ、７０Ｂの内側、すなわち、ユーティリティ系７０Ａ、７０Ｂの間の空間（メンテナンスエリア）から行う。ユーティリティ系７０Ａ、７０Ｂは、筐体側（搬送室６Ａ、６Ｂ側）からそれぞれ順に、排気ボックス７４Ａ、７４Ｂ、供給ボックス７２Ａ、７２Ｂ、コントローラボックス７６Ａ、７６Ｂで構成されている。ユーティリティ系７０Ａ、７０Ｂの各ボックスのメンテナンス口はそれぞれ内側（メンテナンスエリア側）に形成されている。すなわち、ユーティリティ系７０Ａ、７０Ｂの各ボックスのメンテナンス口は互いに向かい合うように形成されている。
【0039】
排気ボックス７４Ａは、搬送室６Ａの背面における搬送室６Ｂとは反対側に位置する外側角部に配置される。排気ボックス７４Ｂは、搬送室６Ｂの背面における搬送室６Ａとは反対側に位置する外側角部に配置される。すなわち、排気ボックス７４Ａ、７４Ｂは、搬送室６Ａ、６Ｂの外側側面と排気ボックス７４Ａ、７４Ｂの外側側面とが平面に接続するように、平坦に（なめらかに）設置される。供給ボックス７２Ａは、排気ボックス７４Ａの搬送室６Ａに隣接する側と反対側に隣接して配置される。供給ボックス７２Ｂは、排気ボックス７４Ｂの搬送室６Ｂに隣接する側と反対側に隣接して配置される。
【0040】
上面視において、排気ボックス７４Ａ、７４Ｂの厚さ（短辺方向の幅）は供給ボックス７２Ａ、７２Ｂの厚さより小さくなっている。言い換えれば、排気ボックス７４Ａ、７４Ｂよりも供給ボックス７２Ａ、７２Ｂの方が、メンテナンスエリア側に突出している。供給ボックス７２Ａ、７２Ｂ内には、ガス集積システムや多数の付帯設備が配置されているため、排気ボックス７２Ａ、７２Ｂよりも厚さが大きくなってしまうことがある。そこで、排気ボックス７２Ａ、７２Ｂを筐体側に設置することにより、メンテナンス扉８０Ａ，８０Ｂ前のメンテナンスエリアを広く確保することができる。すなわち、上面視において、供給ボックス７２Ａ、７２Ｂ間の距離よりも、排気ボックス７４Ａ、７４Ｂ間の距離の方が大きくなっているため、供給ボックス７２Ａ，７２Ｂを筐体側に設置するよりも、排気ボックス７４Ａ、７４Ｂを筐体側に設置した方が、メンテナンススペースを広く確保することができる。
【0041】
図３に示すように、ガス供給機構３４Ａ、３４Ｂのファイナルバルブ（ガス供給系の最下段に位置するバルブ４０ａ、４０ｂ）は、排気ボックス７４Ａ、７４Ｂの上方に配置されている。好ましくは、排気ボックス７４Ａ、７４Ｂの真上（直上）に配置されている。このような構成により、供給ボックス７２Ａ、７２Ｂを筐体側から離れたところに設置しても、ファイナルバルブから処理室内への配管長を短くすることができるため、成膜の品質を向上させることができる。
【0042】
図５に示すように、処理モジュール３Ａ、３Ｂおよびユーティリティ系７０Ａ、７０Ｂの各構成は、処理モジュール３Ａ、３Ｂの隣接面Ｓ１に対して面対称に配置されている。排気管４６Ａ、４６Ｂはそれぞれが角部方向を臨むように、すなわち、排気管４６Ａ、４６Ｂが、排気ボックス７４Ａ、７４Ｂ方向を臨むように反応管１０Ａ、１０Ｂが設置される。また、ファイナルバルブからノズルまでの配管長が、処理モジュール３Ａ、３Ｂで略同じ長さとなるように配管が配置されている。さらに、図５中の矢印で示すように、ウエハＷの回転方向も処理炉４Ａ、４Ｂにおいて互いに反対方向となるように構成される。
【0043】
次に、処理装置２のメンテナンスについて説明する。
搬送室６Ａ内が不活性ガスで循環パージされている場合、メンテナンス扉８０Ａを開放できないようにインターロックが設定されている。また、搬送室６Ａ内の酸素濃度が大気圧における酸素濃度よりも低い場合も、メンテナンス扉８０Ａを開放できないようにインターロックが設定されている。メンテナンス扉８０Ｂに関しても同様である。さらに、メンテナンス扉８０Ａ、８０Ｂを開いているときは、ゲートバルブ９０Ａ、９０Ｂを開放できないようにインターロックが設定されている。メンテナンス扉８０Ａ、８０Ｂが開の状態でゲートバルブ９０Ａ、９０Ｂを開とする場合は、処理装置２全体をメンテナンスモードとした上で、別途設置されているメンテナンススイッチをオンとすることにより、ゲートバルブ９０Ａ、９０Ｂに関するインターロックが解除され、ゲートバルブ９０Ａ、９０Ｂを開とすることができる。
搬送室６Ａ内が不活性ガスで循環パージされている場合、メンテナンス扉８０Ａを開放できないようにインターロックが設定されている。また、搬送室６Ａ内の酸素濃度が大気圧における酸素濃度よりも低い場合も、メンテナンス扉８０Ａを開放できないようにインターロックが設定されている。メンテナンス扉８０Ｂに関しても同様である。さらに、メンテナンス扉８０Ａ、８０Ｂを開いているときは、ゲートバルブ９０Ａ、９０Ｂを開放できないようにインターロックが設定されている。メンテナンス扉８０Ａ、８０Ｂが開の状態でゲートバルブ９０Ａ、９０Ｂを開とする場合は、処理装置２全体をメンテナンスモードとした上で、別途設置されているメンテナンススイッチをオンとすることにより、ゲートバルブ９０Ａ、９０Ｂに関するインターロックが解除され、ゲートバルブ９０Ａ、９０Ｂを開とすることができる。
【0044】
メンテナンス扉８０Ａを開ける際は、搬送室６Ａ内の酸素濃度を大気中における酸素濃度以上、好ましくは、大気中における酸素濃度まで上昇させるために、クリーンユニット６２Ａから搬送室６Ａ内に大気雰囲気を流入させる。この時、搬送室６Ａ内の圧力が、移載室８内の圧力よりも高くならないように、搬送室６Ａ内の循環パージを解除し、搬送室６Ａ内の雰囲気を搬送室６Ａ外に排気するとともに、クリーンユニット６２Ａのファンの回転数を循環パージ時の回転数よりも落とし、搬送室６Ａ内への大気の流入量を制御する。このように制御することにより、搬送室６Ａ内の酸素濃度を上昇させつつ、搬送室６Ａ内の圧力を移載室８内の圧力よりも低く維持することができる。
【0045】
搬送室６Ａ内の酸素濃度が大気圧中における酸素濃度と同等となると、インターロックが解除され、メンテナンス扉８０Ａを開けることができる。この時、搬送室６Ａ内の酸素濃度が大気圧中における酸素濃度と同等であっても、搬送室６Ａ内の圧力が移載室８内の圧力よりも高い場合は、メンテナンス扉８０Ａを開放できないように設定されている。メンテナンス扉８０Ａが開放されると、クリーンユニット６２Ａのファンの回転数を、少なくとも循環パージ時の回転数よりも大きくする。より好適には、クリーンユニット６２Ａのファンの回転数を最大とする。
【0046】
移載室９内のメンテナンスは、移載室９の前方であって、ポッドオープナが設置されていない部分に形成されたメンテナンス口７８Ｃから行われる。メンテナンス口７８Ｃはメンテナンス扉によって開閉されるよう構成されている。上述のように、処理装置２全体をメンテナンスモードとした際は、ゲートバルブ９０Ａ、９０Ｂを開として、ゲートバルブ９０Ａ、９０Ｂ側よりメンテナンスすることも出来る。すなわち、移載室８内のメンテナンスは、装置正面からでも装置背面からでも、どちらからでも実施することができる。
【0047】
＜本実施形態による効果＞
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果が得られる。
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果が得られる。
【0048】
（１）ユーティリティ系を筐体側から排気ボックス、供給ボックスと配置することにより、処理装置背面のメンテナンスエリアを広くすることができる。このような構成により、搬送室背面のメンテナンス口を広く形成することができ、メンテナンス性を向上させることができる。また、処理装置背面のメンテナンスエリアを広くすることで、装置の両側にメンテナンスエリアを確保する必要がないため、装置のフットプリントを低減させることができる。
【0049】
（２）左右の処理モジュールのユーティリティ系を処理装置の両外側側面に互いに対面して設置することにより、装置背面の空間を左右の処理モジュール共通のメンテナンスエリアとして使用することが可能となる。例えば、従来の装置においては、装置背面の両端に供給ボックスと排気ボックスとを対面するように設置していることがある。このような構成の装置を２つ並べた場合、２つ装置の境界線で、一方の排気ボックスと他方の供給ボックスとが隣接することになる。これに対して本実施形態によれば、２つの処理モジュールの境界線において、ユーティリティ系が配置されていないため、メンテナンスエリアを広く確保することができる。
【0050】
（３）ガス供給系のファイナルバルブを排気ボックスの上方に設置することにより、ファイナルバルブから処理室までの配管長を短くすることができる。すなわち、ガス供給時のガス遅延や流量変動等を抑制することができ、成膜の品質を向上させることができる。通常、成膜の品質は、ガス流量やガス圧力等のガス供給条件に影響されるため、反応管内にガスを安定して供給するために供給ボックスを筐体近くに設置することが好まれる。しかしながら、本発明においては、ファイナルバルブを反応管の近くに設置することにより、成膜の品質に悪影響を及ぼすことなく、筐体から離れた位置に供給ボックスを配置することが可能となる。また、排気ボックスを処理容器（反応管）から延在される排気管よりも下方に配置し、その直上にファイナルバルブを配置することにより、処理室までの配管長を短くできる。さらに、ファイナルバルブを排気ボックスの直上に設置することにより、ファイナルバルブの交換等のメンテナンスが容易となる。
【0051】
（４）処理モジュールの境界を境として線対称に各構成を設置することにより、左右の処理モジュールでの成膜の品質のばらつきを抑制することができる。すなわち、処理モジュール内の各構成、ユーティリティ系、ガス供給管配置や排気配管配置を線対称に設置することにより、供給ボックスから反応管への配管長や、反応管から排気ボックスへの配管長を左右の処理モジュールで略同一とすることができる。これにより、左右の処理モジュールにおいて同様の条件で成膜を実施することができ、成膜の品質を揃えることができるため、生産性を向上させることができる。
【0052】
（５）メンテナンス扉を２つの処理モジュールの境界側に設置し、他方の処理モジュールに向けて回動するように構成することにより、メンテナンス扉を１８０度開放することができ、また、搬送室背面のメンテナンス口を広く形成することができるため、メンテナンス性を向上させることができる。
【0053】
（６）一方の処理モジュールで基板処理を行いつつ、他方の処理モジュールや移載室内のメンテナンスをすることが可能となる。これにより、成膜処理を停止せずにメンテナンスができるため、装置の稼働率を上昇させることができ、生産性を向上させることができる。
【0054】
(７)一方の処理モジュールのメンテナンス扉を開放する際、搬送室内の圧力を移載室内の圧力よりも低く維持しつつ、搬送室内の酸素濃度を大気圧における酸素濃度へ上昇させることにより、移載室側への搬送室から移載室への雰囲気の流入を抑制することができる。また、メンテナンス扉を開放後は搬送室内のクリーンユニットのファンの回転数を循環パージ時よりも上げることにより、メンテナンス扉開放後（搬送室を大気開放後）も、搬送室内から移載室内へ雰囲気が流入することを抑制することができる。このような構成により、一方の処理モジュールでメンテナンス扉を開放したとしても、他方の処理モジュールを稼働させ続けることが可能となる。すなわち、搬送室でメンテナンスを行っていても、移載室内の清浄雰囲気を保つことができ、また、移載室内の酸素濃度の上昇を抑制することができるため、稼働中の処理モジュールに悪影響を及ぼすことなく、停止中の処理モジュールをメンテナンスすることができる。これにより、一方の処理モジュールを稼働させた状態で他方の処理モジュールのメンテナンスをすることができるため、メンテナンスの際に処理装置全体の稼働を停止させる必要がなく、生産性を向上させることができる。
【0055】
以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。しかしながら、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【0056】
例えば、上述の実施形態では、原料ガスとしてＤＣＳガスを用いる例について説明したが、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、原料ガスとしては、ＤＣＳガスの他、ＨＣＤ（Ｓｉ２Ｃｌ６：ヘキサクロロジシラン）ガス、ＭＣＳ（ＳｉＨ３Ｃｌ：モノクロロシラン）ガス、ＴＣＳ（ＳｉＨＣｌ３：トリクロロシラン）ガス等の無機系ハロシラン原料ガスや、３ＤＭＡＳ（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３Ｈ：トリスジメチルアミノシラン）ガス、ＢＴＢＡＳ（ＳｉＨ２［ＮＨ（Ｃ４Ｈ９）］２：ビスターシャリブチルアミノシラン）ガス等のハロゲン基非含有のアミノ系（アミン系）シラン原料ガスや、ＭＳ（ＳｉＨ４：モノシラン）ガス、ＤＳ（Ｓｉ２Ｈ６：ジシラン）ガス等のハロゲン基非含有の無機系シラン原料ガスを用いることができる。
【0057】
例えば、上述の実施形態では、ＳｉＯ2膜を形成する例について説明した。しかしながら、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、これらの他、もしくは、これらに加え、アンモニア（ＮＨ３）ガス等の窒素（Ｎ）含有ガス（窒化ガス）、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）ガス等の炭素（Ｃ）含有ガス、三塩化硼素（ＢＣｌ３）ガス等の硼素（Ｂ）含有ガス等を用い、ＳｉＮ膜、ＳｉＯＮ膜、ＳｉＯＣＮ膜、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＣＮ膜、ＳｉＢＮ膜、ＳｉＢＣＮ膜等を形成することができる。これらの成膜を行う場合においても、上述の実施形態と同様な処理条件にて成膜を行うことができ、上述の実施形態と同様の効果が得られる。
【0058】
また例えば、本発明は、ウエハＷ上に、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の金属元素を含む膜、すなわち、金属系膜を形成する場合においても、好適に適用可能である。
【0059】
上述の実施形態では、ウエハＷ上に膜を堆積させる例について説明したが、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、ウエハＷやウエハＷ上に形成された膜等に対して、酸化処理、拡散処理、アニール処理、エッチング処理等の処理を行う場合にも、好適に適用可能である。
【0060】
また、上述の実施形態や変形例は、適宜組み合わせて用いることができる。このときの処理条件は、例えば上述の実施形態や変形例と同様な処理条件とすることができる。
【符号の説明】
【0061】
３・・・処理モジュール
７２・・・供給ボックス
７４・・・排気ボックス
７６・・・コントローラボックス
７２・・・供給ボックス
７４・・・排気ボックス
７６・・・コントローラボックス
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】