特開 2024-49153 エピタキシャル成長用サセプタ及びエピタキシャルウェーハの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024049153

(43)【公開日】2024-04-09

(54)【発明の名称】エピタキシャル成長用サセプタ及びエピタキシャルウェーハの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/205 20060101AFI20240402BHJP

   H01L 21/683 20060101ALI20240402BHJP

   C23C 16/46 20060101ALI20240402BHJP

【ＦＩ】

H01L21/205

H01L21/68 N

C23C16/46

【審査請求】有

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022155446

(22)【出願日】2022-09-28

(11)【特許番号】

(45)【特許公報発行日】2023-05-18

(71)【出願人】

【識別番号】000190149

【氏名又は名称】信越半導体株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100102532

【弁理士】

【氏名又は名称】好宮 幹夫

(74)【代理人】

【識別番号】100194881

【弁理士】

【氏名又は名称】小林 俊弘

(74)【代理人】

【識別番号】100215142

【弁理士】

【氏名又は名称】大塚 徹

(72)【発明者】

【氏名】永井 隼人

【テーマコード（参考）】

4K030

5F045

5F131

【Ｆターム（参考）】

4K030GA02

4K030JA01

4K030JA03

4K030JA20

4K030KA23

5F045AF13

5F045BB02

5F045EM02

5F131AA02

5F131BA03

5F131CA06

5F131EB53

5F131EB57

5F131EB78

5F131EB84

(57)【要約】

【課題】
主表面を（１１０）とするウェーハ（基板）を用いて、高平坦な（１１０）エピタキシャルウェーハを製造可能なエピタキシャル成長用サセプタ及びエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
主表面が（１１０）面のウェーハにエピタキシャル成長を行うためのサセプタであって、ウェーハを載置するためのポケットと、前記ポケットを囲む外周部と、を有し、前記外周部には、平坦部と、前記ポケットに隣接した部分であって、前記平坦部の上面より突出した部分を有する隆起部と、が設けられるとともに、前記ウェーハを前記ポケットに載置した際に、前記ウェーハの上面の高さが、前記平坦部の上面の高さの上に位置するように前記ポケットが設計されているものであることを特徴とするエピタキシャル成長用サセプタ。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

主表面が（１１０）面のウェーハにエピタキシャル成長を行うためのサセプタであって、
ウェーハを載置するためのポケットと、前記ポケットを囲む外周部と、を有し、
前記外周部には、平坦部と、前記ポケットに隣接した部分であって、前記平坦部の上面より突出した部分を有する隆起部と、が設けられるとともに、
前記ウェーハを前記ポケットに載置した際に、前記ウェーハの上面の高さが、前記平坦部の上面の高さの上に位置するように前記ポケットが設計されているものであることを特徴とするエピタキシャル成長用サセプタ。

【請求項2】

前記外周部に、前記ポケットに隣接した部分であって、前記平坦部の上面より凹んだ部分を有する陥没部が設けられているものであることを特徴とする請求項１に記載のエピタキシャル成長用サセプタ。

【請求項3】

前記ウェーハを前記ポケットに載置した際に、前記ウェーハの下面の位置から前記平坦部の上面までのポケット高さが、前記ウェーハの厚みの半分以上となるものであることを特徴とする請求項１に記載のエピタキシャル成長用サセプタ。

【請求項4】

前記ウェーハを前記ポケットに載置した際に、前記ウェーハの下面の位置から前記平坦部の上面までのポケット高さと前記ウェーハの厚みの差が０．３０ｍｍ以内となるものであることを特徴とする請求項１に記載のエピタキシャル成長用サセプタ。

【請求項5】

前記ウェーハを前記ポケットに載置した際に、前記ウェーハの下面の位置から前記陥没部の下端までのポケット高さが、前記ウェーハの厚みの半分以上となるものであることを特徴とする請求項２に記載のエピタキシャル成長用サセプタ。

【請求項6】

前記ウェーハを前記ポケットに載置した際に、前記ウェーハの下面の位置から前記陥没部の下端までのポケット高さと前記ウェーハの厚みの差が０．３０ｍｍ以内となるものであることを特徴とする請求項２に記載のエピタキシャル成長用サセプタ。

【請求項7】

請求項１に記載のエピタキシャル成長用サセプタを用いて、主表面が（１１０）面のウェーハ表面上にエピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法であって、
前記エピタキシャル成長用サセプタのポケットにウェーハを載置し、前記隆起部に前記ウェーハの表面の（１１０）面に隣接する｛１１１｝面の方向を対向させるように配置してから、気相成長を行う工程を有することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、エピタキシャル成長用サセプタ及びエピタキシャルウェーハの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年の半導体素子の回路線幅の微細化に伴い、最先端デバイス用ウェーハについて最外周領域まで高平坦なウェーハが要求されるようになってきている。
これまでは（１００）を主表面とするエピタキシャルウェーハが用いられてきており、特許文献１で示すような（１００）面のウェーハを主たる対象としたサセプタが開発されてきた。しかし、昨今ではデバイスの特性上、特許文献２で示すように主表面が（１００）以外の大直径エピタキシャルウェーハの要求がなされるようになっている。しかしながら、最外周領域の局所的な成長速度が隣接する方位の影響を受けて変化するため、主表面に合わせたサセプタの設計が求められている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１０－４０５３４号公報

【特許文献2】特開２０２１－３４４１０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

昨今の最先端デバイス向けに、主表面を（１１０）とするエピタキシャルウェーハの要求が増えてきており、高平坦化が重要となってきている。しかし、（１００）ウェーハと結晶方位が異なるため、（１００）用に開発されたサセプタを用いても、ＥＳＦＱＲ ＭＡＸやＦｒｏｎｔ ＺＤＤといった複数のウェーハ平坦度の指標を同時に平坦化することが難しい。

【0005】

特許文献１では、ウェーハを収容する凹部（ポケット）がウェーハ厚みより深く、側壁に突出部を設けることを特徴としたサセプタが提案されている。一般に側壁を高くすると、ウェーハ最外周部へプロセスガスが供給されにくくなり気相成長が抑制されることから、外周にかけてエピ膜厚が薄くなっていき、平坦度指標の１つであるＦｒｏｎｔ ＺＤＤはマイナス側にシフトする。ここで、（１１０）ウェーハのＦｒｏｎｔ ＺＤＤは（１００）エピウェーハと比較してマイナス側に振れやすいため、上記提案のサセプタを使用した場合、外周の落ち込みが大きくなり、たとえ突出部を（１１０）用に合わせた場合でもＦｒｏｎｔ ＺＤＤを改善することが難しい。

【0006】

特許文献２では、特に主表面を（１１１）面とするサセプタについて述べられているが、こちらについても最外周部の成長速度が速い地点と遅い地点が異なっており、ＥＳＦＱＲを平坦にすることが難しい。

【0007】

本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、主表面を（１１０）とするウェーハ（基板）を用いて、高平坦な（１１０）エピタキシャルウェーハを製造可能なエピタキシャル成長用サセプタ及びエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明は、上記目的を達成するためになされたものであり、主表面が（１１０）面のウェーハにエピタキシャル成長を行うためのサセプタであって、ウェーハを載置するためのポケットと、前記ポケットを囲む外周部と、を有し、前記外周部には、平坦部と、前記ポケットに隣接した部分であって、前記平坦部の上面より突出した部分を有する隆起部と、が設けられるとともに、前記ウェーハを前記ポケットに載置した際に、前記ウェーハの上面の高さが、前記平坦部の上面の高さの上に位置するように前記ポケットが設計されているものであることを特徴とするエピタキシャル成長用サセプタを提供する。

【0009】

このようなエピタキシャル成長用サセプタによれば、主表面を（１１０）とするウェーハを用いて、高平坦な（１１０）エピタキシャルウェーハを製造できるものとなる。

【0010】

このとき、前記外周部に、前記ポケットに隣接した部分であって、前記平坦部の上面より凹んだ部分を有する陥没部が設けられているものとすることができる。

【0011】

これにより、主表面を（１１０）とするウェーハを用いて、より確実に、高平坦な（１１０）エピタキシャルウェーハを製造できるものとなる。

【0012】

このとき、前記ウェーハを前記ポケットに載置した際に、前記ウェーハの下面の位置から前記平坦部の上面までのポケット高さが、前記ウェーハの厚みの半分以上となるものとすることができる。

【0013】

これにより、主表面を（１１０）とするウェーハを用いて、より確実に、高平坦な（１１０）エピタキシャルウェーハを製造できるものとなる。

【0014】

このとき、前記ウェーハを前記ポケットに載置した際に、前記ウェーハの下面の位置から前記平坦部の上面までのポケット高さと前記ウェーハの厚みの差が０．３０ｍｍ以内となるものとすることができる。

【0015】

これにより、主表面を（１１０）とするウェーハを用いて、より確実に、高平坦な（１１０）エピタキシャルウェーハを製造できるものとなる。

【0016】

このとき、前記ウェーハを前記ポケットに載置した際に、前記ウェーハの下面の位置から前記陥没部の下端までのポケット高さが、前記ウェーハの厚みの半分以上となるものとすることができる。

【0017】

これにより、主表面を（１１０）とするウェーハを用いて、より確実に、高平坦な（１１０）エピタキシャルウェーハを製造できるものとなる。

【0018】

このとき、前記ウェーハを前記ポケットに載置した際に、前記ウェーハの下面の位置から前記陥没部の下端までのポケット高さと前記ウェーハの厚みの差が０．３０ｍｍ以内となるものとすることができる。

【0019】

これにより、主表面を（１１０）とするウェーハを用いて、より確実に、高平坦な（１１０）エピタキシャルウェーハを製造できるものとなる。

【0020】

本発明は、上記目的を達成するためになされたものであり、先に記載のエピタキシャル成長用サセプタを用いて、主表面が（１１０）面のウェーハ表面上にエピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法であって、前記エピタキシャル成長用サセプタのポケットにウェーハを載置し、前記隆起部に前記ウェーハの表面の（１１０）面に隣接する｛１１１｝面の方向を対向させるように配置してから、気相成長を行う工程を有することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。

【0021】

このようなエピタキシャルウェーハの製造方法によれば、主表面を（１１０）とするウェーハを用いて、高平坦な（１１０）エピタキシャルウェーハを製造できる。

【発明の効果】

【0022】

以上のように、本発明のエピタキシャル成長用サセプタによれば、主表面を（１１０）とするウェーハを用いて、高平坦な（１１０）エピタキシャルウェーハを製造できるものとなる。
本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法によれば、主表面を（１１０）とするウェーハを用いて、高平坦な（１１０）エピタキシャルウェーハを製造することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1】本発明の実施形態に係るエピタキシャル成長用サセプタの平面図（ａ）とＡ－Ａ線における断面図（ｂ）である。

【図2】実施例１サセプタとウェーハの高さの関係を示す概略図である。

【図3】実施例１サセプタにおいて中心側から見た隆起部を示す概略図である。

【図4】エピタキシャル成長に用いたウェーハの概略図であって、ウェーハ表面と隣接する方位（００１）ノッチの場合の図である。

【図5】比較例１サセプタとウェーハの高さの関係を示す概略図である。

【図6】比較例１サセプタにおいて中心側から見た概略図である。

【図7】実施例２サセプタとウェーハの高さの関係を示す概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0024】

以下、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

【0025】

上述のように、主表面を（１１０）とするウェーハを用いて、高平坦な（１１０）エピタキシャルウェーハを製造できるエピタキシャル成長用サセプタ及びエピタキシャルウェーハの製造方法が求められていた。

【0026】

本発明者は、上記課題について鋭意検討を重ねた結果、主表面が（１１０）面のウェーハにエピタキシャル成長を行うためのサセプタであって、ウェーハを載置するためのポケットと、前記ポケットを囲む外周部と、を有し、前記外周部には、平坦部と、前記ポケットに隣接した部分であって、前記平坦部の上面より突出した部分を有する隆起部と、が設けられるとともに、前記ウェーハを前記ポケットに載置した際に、前記ウェーハの上面の高さが、前記平坦部の上面の高さの上に位置するように前記ポケットが設計されているものであることを特徴とするエピタキシャル成長用サセプタにより、主表面を（１１０）とするウェーハを用いて、高平坦な（１１０）エピタキシャルウェーハを製造できることを見出し、本発明を完成した。

【0027】

以下、本発明の実施形態に係るエピタキシャル成長用サセプタ及びエピタキシャルウェーハの製造方法について説明する。

【0028】

（エピタキシャル成長用サセプタ）
図１（ａ）に、本発明の実施形態に係るエピタキシャル成長用サセプタの平面図を示す。また、図１（ｂ）に、本発明の実施形態に係るエピタキシャル成長用サセプタの断面図を示す。
図１（ａ）、（ｂ）に示されるように、本発明の実施形態に係るエピタキシャル成長用サセプタ１は、ウェーハＷを載置するためのポケット１０と、ポケット１０を囲む外周部１２とを有する。

【0029】

外周部１２には、平坦部１４と、ポケット１０に隣接した部分であって、平坦部１４の上面より突出した部分を有する隆起部１６と、が設けられている。
ウェーハＷを載置するための凹状のポケット１０について、ウェーハＷを載置した際に｛１１１｝面が存在する方向の少なくとも一部に隆起部１６を設ける。
｛１１１｝面の方向は局所的に成長速度が速いため、隆起部により成長速度を抑制できる。

【0030】

ポケット１０は、ウェーハＷをポケット１０に載置した際に、ウェーハＷの上面の高さが、平坦部１４の上面の高さの上に位置するように設計されている（ウェーハＷの上面が平坦部１４より突出している）。
少なくとも｛１００｝面が存在する方向の一部は、ウェーハＷが載置された際に、ウェーハＷの表面が、ポケット側面より高くなるように設計する。
｛１００｝方向は相対的に成長速度が遅く、外周にかけて落ち込みが発生しやすく、Ｆｒｏｎｔ ＺＤＤをマイナス側にシフトさせる効果が強いため、ウェーハ表面がポケット側面の高さより高くなることで、外周落ち込みによるＦｒｏｎｔ ＺＤＤのマイナス側へのシフトを抑制できる。

【0031】

本発明の実施形態に係るエピタキシャル成長用サセプタは、ウェーハＷを載置するためのポケット１０の他、ウェーハＷ昇降のためのリフトピンを設置するための貫通孔（図示略）が設けられており、搬送機構とリフトピンの昇降によってポケット１０にウェーハＷが載置される。
ポケット１０には、裏面側デポを抑制する形状や、オートドープを抑制する貫通孔などが設けられていてもよい。

【0032】

ウェーハＷをポケット１０に載置した際に、ウェーハＷの下面の位置から平坦部１４の上面までのポケット高さが、ウェーハＷの厚みの半分以上であるものであることが好ましい。また、ポケット１０に載置した際に、ウェーハＷの下面の位置から平坦部１４の上面までのポケット高さとウェーハＷの厚みの差が０．３０ｍｍ以内となるものであることがより好ましい。このような高さ位置関係とすることで、エピタキシャルウェーハをより高平坦なものとすることができる。
ポケット側面の高さが低すぎる場合、プロセスガスがウェーハ裏面に回り込みやすくなり、ウェーハ裏面の品質が悪化してしまう。

【0033】

外周部１２に、ポケット１０に隣接した部分であって、前記平坦部の上面より凹んだ部分を有する陥没部が設けられているものであることが好ましい。
ポケット１０の｛１００｝方向にあたる方向に対して、局所的な陥没部を設けることで、この部分の成長速度を速め、より効果的にＦｒｏｎｔ ＺＤＤのマイナス側へのシフトを抑制できる。

【0034】

ウェーハＷをポケット１０に載置した際に、ウェーハＷの下面の位置から前記陥没部の下端までのポケット高さが、ウェーハＷの厚みの半分以上であるものであることが好ましい。また、ウェーハＷをポケット１０に載置した際に、ウェーハＷの下面の位置から前記陥没部の下端までのポケット高さとウェーハＷの厚みの差が０．３０ｍｍ以内でなるものであることがより好ましい。
ポケット側面の高さが低すぎる場合、プロセスガスがウェーハ裏面に回り込みやすくなり、ウェーハ裏面の品質が悪化してしまう。

【0035】

（エピタキシャルウェーハの製造方法）
次に、本発明の実施形態に係るエピタキシャルウェーハの製造方法について説明する。
本発明の実施形態に係るエピタキシャルウェーハの製造方法は、エピタキシャル成長用サセプタ１を用いて、ウェーハ表面上にエピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法である。
エピタキシャル成長用サセプタ１のポケット１０にウェーハＷを載置し、隆起部１６にウェーハＷの表面の（１１０）面に隣接する｛１１１｝面の方向を対向させるように配置してから、気相成長を行う工程を有する。

【0036】

隆起部により｛１１１｝面の方向の成長速度を抑制できるとともに、ウェーハ表面をポケット側面の高さより高くすることにより、｛１００｝方向の成長速度の遅さによる外周落ち込みによるＦｒｏｎｔ ＺＤＤのマイナス側へのシフトを抑制できるので、主表面を（１１０）とするウェーハを用いて、高平坦な（１１０）エピタキシャルウェーハを製造できる。

【実施例0037】

以下、実施例を挙げて本発明について具体的に説明するが、これは本発明を限定するものではない。

【0038】

（実施例１）
図２は、実施例１サセプタとウェーハの高さの関係を示す概略図である。
まず、平坦部の高さが０．６４７ｍｍで、隆起部の最大高さが０．８１２ｍｍとなるように設計された実施例１サセプタを準備した。

【0039】

図３は、実施例１サセプタにおいて中心側から見た隆起部を示す概略図である。
この隆起部は円周方向中心の最も高い仮想地点に向かって高くなるように、かつ中心の最も高い仮想地点から±４０°の範囲で設けた。

【0040】

図４は、エピタキシャル成長に用いたウェーハの概略図であって、ウェーハ表面と隣接する方位（００１）ノッチの場合の図である。
エピタキシャル成長に用いたウェーハは、主表面（１１０）かつ厚みは０．７７５±０．０１ｍｍとした。
ウェーハをサセプタに載置した際に、平坦部のポケット部がウェーハ表面より低くなった。そして、サセプタの隆起部に（１１０）ウェーハの｛１１１｝面方向を対向させて配置した。

【0041】

こうして、本発明のサセプタをチャンバーに取り付け、あらかじめ洗浄を行った主表面を（１１０）とするウェーハに対してエピタキシャル成長を行って、実施例１サンプルを作製した後、フラットネス測定を行って品質評価を行った。

【0042】

（比較例１）
図５は、比較例１サセプタとウェーハの高さの関係を示す概略図である。
図６は、比較例１サセプタにおいて中心側から見た概略図である。
ポケット内にウェーハが載置された際に、全周方向にポケット高さが０．８３０ｍｍとなるように設計された外周部に隆起部を持たない比較例１サセプタを準備した。

【0043】

反応するウェーハは、主表面（１１０）かつ厚みは０．７７５±０．０１ｍｍとし、ウェーハをサセプタに載置した際に、全周にわたってウェーハ表面がポケット部より低くなった。

【0044】

このサセプタをチャンバーに取り付け、あらかじめ洗浄を行った主表面を（１１０）とするウェーハに対してエピタキシャル成長を行って、比較例１サンプルを作製した後、フラットネス測定を行って品質評価を行った。

【0045】

品質評価の結果、外周部の平坦度指標であるＥＳＦＱＲ ＭＡＸは、比較例１サンプルが平均０．０２２μｍであったのに対し、実施例１サンプルは０．０１８μｍで、１８％の改善効果が確認された。また、Ｆｒｏｎｔ ＺＤＤについても比較例１サンプルが－２５．７ｎｍ／ｍｍ^２であったのに対し、実施例１サンプルは－１４．９ｎｍ／ｍｍ^２で、約１０ｎｍ／ｍｍ^２程度プラス側にシフトする効果が得られた。

【0046】

（実施例２）
図７は、実施例２サセプタとウェーハの高さの関係を示す概略図である。
まず、平坦部の高さが０．６４７ｍｍで、隆起部の最大高さが０．８１２ｍｍとなる他、下端の高さが０．４９７ｍｍの陥没部を有するように設計された実施例２サセプタを準備した。

【0047】

このサセプタをチャンバーに取り付け、あらかじめ洗浄を行った主表面を（１１０）とするウェーハに対してエピタキシャル成長を行って、実施例２サンプルを作製した後、フラットネス測定を行って品質評価を行った。このとき、隆起部に（１１０）ウェーハの｛１１１｝面方向を対向させ、陥没部に（１１０）ウェーハの｛１００｝面方向を対向させて配置した。

【0048】

品質評価の結果、外周部の平坦度指標であるＥＳＦＱＲ ＭＡＸは、実施例２サンプルは０．０１６μｍで、改善効果が確認された。また、Ｆｒｏｎｔ ＺＤＤについても、実施例２サンプルは－１２．９ｎｍ／ｍｍ^２で、プラス側にシフトする効果が得られた。

【0049】

本明細書は、以下の態様を包含する。
［１］：主表面が（１１０）面のウェーハにエピタキシャル成長を行うためのサセプタであって、ウェーハを載置するためのポケットと、前記ポケットを囲む外周部と、を有し、前記外周部には、平坦部と、前記ポケットに隣接した部分であって、前記平坦部の上面より突出した部分を有する隆起部と、が設けられるとともに、前記ウェーハを前記ポケットに載置した際に、前記ウェーハの上面の高さが、前記平坦部の上面の高さの上に位置するように前記ポケットが設計されているものであることを特徴とするエピタキシャル成長用サセプタ。
［２］：前記外周部に、前記ポケットに隣接した部分であって、前記平坦部の上面より凹んだ部分を有する陥没部が設けられているものであることを特徴とする上記［１］のエピタキシャル成長用サセプタ。
［３］：前記ウェーハを前記ポケットに載置した際に、前記ウェーハの下面の位置から前記平坦部の上面までのポケット高さが、前記ウェーハの厚みの半分以上となるものであることを特徴とする上記［１］又は上記［２］のエピタキシャル成長用サセプタ。
［４］：前記ウェーハを前記ポケットに載置した際に、前記ウェーハの下面の位置から前記平坦部の上面までのポケット高さと前記ウェーハの厚みの差が０．３０ｍｍ以内となるものであることを特徴とする上記［１］～上記［３］のいずれかのエピタキシャル成長用サセプタ。
［５］：前記ウェーハを前記ポケットに載置した際に、前記ウェーハの下面の位置から前記陥没部の下端までのポケット高さが、前記ウェーハの厚みの半分以上となるものであることを特徴とする上記［２］のエピタキシャル成長用サセプタ。
［６］：前記ウェーハを前記ポケットに載置した際に、前記ウェーハの下面の位置から前記陥没部の下端までのポケット高さと前記ウェーハの厚みの差が０．３０ｍｍ以内となるものであることを特徴とする上記［２］のエピタキシャル成長用サセプタ。
［７］：上記［１］～上記［６］のいずれかのエピタキシャル成長用サセプタを用いて、主表面が（１１０）面のウェーハ表面上にエピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法であって、前記エピタキシャル成長用サセプタのポケットにウェーハを載置し、前記隆起部に前記ウェーハの表面の（１１０）面に隣接する｛１１１｝面の方向を対向させるように配置してから、気相成長を行う工程を有することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。

【0050】

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

【符号の説明】

【0051】

１…エピタキシャル成長用サセプタ、 １０…ポケット、 １２…外周部、 １４…平坦部、 １６…隆起部、 Ｗ…ウェーハ。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【手続補正書】

【提出日】2023-03-17

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【請求項1】

主表面が（１１０）面のウェーハにエピタキシャル成長を行うためのサセプタであって、
ウェーハを載置するためのポケットと、前記ポケットを囲む外周部と、を有し、
前記外周部には、平坦部と、前記ポケットに隣接した部分であって、前記平坦部の上面より突出した部分を有する隆起部と、前記ポケットに隣接した部分であって、前記平坦部の上面より凹んだ部分を有する陥没部が設けられるとともに、
前記ウェーハを前記ポケットに載置した際に、前記ウェーハの上面の高さが、前記平坦部の上面の高さの上に位置するように前記ポケットが設計されているものであることを特徴とするエピタキシャル成長用サセプタ。

【請求項2】

前記ウェーハを前記ポケットに載置した際に、前記ウェーハの下面の位置から前記平坦部の上面までのポケット高さが、前記ウェーハの厚みの半分以上となるものであることを特徴とする請求項１に記載のエピタキシャル成長用サセプタ。

【請求項3】

前記ウェーハを前記ポケットに載置した際に、前記ウェーハの下面の位置から前記平坦部の上面までのポケット高さと前記ウェーハの厚みの差が０．３０ｍｍ以内となるものであることを特徴とする請求項１に記載のエピタキシャル成長用サセプタ。

【請求項4】

前記ウェーハを前記ポケットに載置した際に、前記ウェーハの下面の位置から前記陥没部の下端までのポケット高さが、前記ウェーハの厚みの半分以上となるものであることを特徴とする請求項１に記載のエピタキシャル成長用サセプタ。

【請求項5】

前記ウェーハを前記ポケットに載置した際に、前記ウェーハの下面の位置から前記陥没部の下端までのポケット高さと前記ウェーハの厚みの差が０．３０ｍｍ以内となるものであることを特徴とする請求項１に記載のエピタキシャル成長用サセプタ。

【請求項6】

請求項１に記載のエピタキシャル成長用サセプタを用いて、主表面が（１１０）面のウェーハ表面上にエピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法であって、
前記エピタキシャル成長用サセプタのポケットにウェーハを載置し、前記隆起部に前記ウェーハの表面の（１１０）面に隣接する｛１１１｝面の方向を対向させるように配置してから、気相成長を行う工程を有することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。