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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024049313
(43)【公開日】2024-04-09
(54)【発明の名称】アンチヒューズ素子及び発光装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/82 20060101AFI20240402BHJP
H01S 5/0239 20210101ALI20240402BHJP
H05B 45/40 20200101ALI20240402BHJP
H05B 45/54 20200101ALI20240402BHJP
H01C 13/00 20060101ALI20240402BHJP
【ＦＩ】
H01L21/82 F
H01S5/0239
H05B45/40
H05B45/54
H01C13/00 F
H01C13/00 Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023089120
(22)【出願日】2023-05-30
(31)【優先権主張番号】P 2022154688
(32)【優先日】2022-09-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000226057
【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000202
【氏名又は名称】弁理士法人新樹グローバル・アイピー
(72)【発明者】
【氏名】笠井 久嗣
【テーマコード（参考）】
3K273
5F064
5F173
【Ｆターム（参考）】
3K273AA10
3K273BA33
3K273CA01
3K273EA06
3K273EA25
3K273EA41
3K273EA42
3K273GA28
3K273GA29
3K273HA16
3K273HA17
5F064FF28
5F064FF34
5F064FF46
5F173MA10
5F173MB03
5F173MC18
5F173MD35
5F173MD43
5F173MD59
5F173MD64
5F173ME02
5F173ME03
5F173ME22
5F173ME32
5F173ME33
5F173MF03
5F173MF28
5F173MF39
(57)【要約】
【課題】アンチヒューズ素子が絶縁破壊した場合において、所期の箇所に通電経路を発生可能なアンチヒューズ素子及びそれを用いた発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】第１電極と、前記第１電極上に配置された絶縁層と、前記絶縁層上に配置された第２電極とを備え、前記絶縁層は、厚みの薄い第１領域と、前記第１領域よりも厚みの厚い第２領域とを有し、前記第２電極の外縁は、上面視において、前記絶縁層の外縁よりも内側に位置するアンチヒューズ素子。
【選択図】図１
【解決手段】第１電極と、前記第１電極上に配置された絶縁層と、前記絶縁層上に配置された第２電極とを備え、前記絶縁層は、厚みの薄い第１領域と、前記第１領域よりも厚みの厚い第２領域とを有し、前記第２電極の外縁は、上面視において、前記絶縁層の外縁よりも内側に位置するアンチヒューズ素子。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１電極と、前記第１電極上に配置された絶縁層と、前記絶縁層上に配置された第２電極とを備え、
前記絶縁層は、厚みの薄い第１領域と、前記第１領域よりも厚みの厚い第２領域とを有し、
前記第２電極の外縁は、上面視において、前記絶縁層の外縁よりも内側に位置するアンチヒューズ素子。
前記絶縁層は、厚みの薄い第１領域と、前記第１領域よりも厚みの厚い第２領域とを有し、
前記第２電極の外縁は、上面視において、前記絶縁層の外縁よりも内側に位置するアンチヒューズ素子。
【請求項2】
前記第１領域は、上面視において、前記第２領域に包囲されている請求項１に記載のアンチヒューズ素子。
【請求項3】
前記第２電極及び前記絶縁層の一部は、外部に露出している請求項２に記載のアンチヒューズ素子。
【請求項4】
前記第２電極は、上面視において、角が面取りされた四角形である請求項１に記載のアンチヒューズ素子。
【請求項5】
前記第１領域を通過する少なくとも１つの断面において、前記第２領域は、厚みが一定であり、かつ前記第２領域上において、前記第２電極の厚みが一定である請求項１に記載のアンチヒューズ素子。
【請求項6】
さらに、前記第２電極に接続された電流供給部材を備え、前記電流供給部材は、前記第２領域の上方にのみ配置されている請求項１に記載のアンチヒューズ素子。
【請求項7】
さらに導電性の基板を備え、前記第１電極が前記基板上に配置されており、
前記導電性の基板の外縁は、上面視において、前記第１電極の外縁よりも外側に位置する請求項１に記載のアンチヒューズ素子。
前記導電性の基板の外縁は、上面視において、前記第１電極の外縁よりも外側に位置する請求項１に記載のアンチヒューズ素子。
【請求項8】
前記基板は、前記第１電極の外縁と一致する第１縁部と、前記第１電極の外縁よりも外側に位置する第２縁部とを、厚み方向に備える請求項７に記載のアンチヒューズ素子。
【請求項9】
請求項１～８のいずれかに記載のアンチヒューズ素子と、
発光素子と、を備える発光装置。
発光素子と、を備える発光装置。
【請求項10】
前記発光素子は半導体レーザ素子である請求項９に記載の発光装置。
【請求項11】
上面視において、前記アンチヒューズ素子は、前記半導体レーザ素子の出射するレーザ光の光軸を含む仮想直線を避けた領域に配置されている請求項１０に記載の発光装置。
【請求項12】
前記アンチヒューズ素子と前記半導体レーザ素子とが並列接続されており、該並列接続された前記アンチヒューズ素子と前記半導体レーザ素子との組が複数直列接続されている請求項１１に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、アンチヒューズ素子及び発光装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、大電流を流す発光素子並びに直列又は並列に接続した複数の発光素子等を搭載した発光装置が用いられている。例えば、発光素子などが通電不能となった際、自らが絶縁破壊を起こすことによって新たな通電経路となるアンチヒューズ素子を発光素子とともに併設した発光装置の開発が実現されつつある（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】国際公開第２０１５／０６０２７８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかし、アンチヒューズ素子における絶縁層の厚みが不均一となった場合、絶縁破壊が望ましくない位置で発生してしまう虞がある。とりわけ、ワイヤ等の電流供給部材によってアンチヒューズ素子に給電を行う場合、その絶縁破壊部分に電流が集中することとなり、絶縁破壊部周辺の温度が高くなり電流供給部材が溶融するなどの不具合が懸念される。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本願において開示されるアンチヒューズ素子は、第１電極と、前記第１電極上に配置された絶縁層と、前記絶縁層上に配置された第２電極とを備え、前記絶縁層は、厚みの薄い第１領域と、前記第１領域よりも厚みの厚い第２領域とを有し、前記第２電極の外縁は、上面視において、前記絶縁層の外縁よりも内側に位置する。
本願において開示される発光装置は、上記アンチヒューズ素子と、発光素子とを備える。
本願において開示される発光装置は、上記アンチヒューズ素子と、発光素子とを備える。
【発明の効果】
【0006】
本発明によれば、アンチヒューズ素子が絶縁破壊した場合において、所期の箇所に通電経路を発生可能なアンチヒューズ素子及びそれを用いた発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
本明細書または特許請求の範囲において、三角形や四角形などの多角形に関しては、多角形の隅に角丸め、面取り、角取り、丸取り等の加工が施された形状、辺の中間部分に加工が施された形状も含めて、多角形と呼ぶ。多角形に限らず、長方形、台形、円形、凹凸等、特定の形状を表す言葉についても同様である。
また、本明細書または特許請求の範囲において、ある構成要素に関し、これに該当するものが複数あり、それぞれを区別して表現する場合に、その構成要素に「第１」、「第２」等と付すことがある。
以下に、図面を参照しながら、本発明を実施するための形態を説明する。ただし、示される形態は、本発明の技術思想が具体化されたものではあるが、本発明を限定するものではない。以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、重複した説明は適宜省略することがある。各図面が示す部材の大きさ及び位置関係等は、理解の便宜を図るために誇張していることがある。
以下の説明においては、第２電極が配置された側を上、第１電極が配置された側を下と称することがあり、上面視とは、第２電極側から見た場合を指す。
また、本明細書または特許請求の範囲において、ある構成要素に関し、これに該当するものが複数あり、それぞれを区別して表現する場合に、その構成要素に「第１」、「第２」等と付すことがある。
以下に、図面を参照しながら、本発明を実施するための形態を説明する。ただし、示される形態は、本発明の技術思想が具体化されたものではあるが、本発明を限定するものではない。以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、重複した説明は適宜省略することがある。各図面が示す部材の大きさ及び位置関係等は、理解の便宜を図るために誇張していることがある。
以下の説明においては、第２電極が配置された側を上、第１電極が配置された側を下と称することがあり、上面視とは、第２電極側から見た場合を指す。
【0009】
＜実施形態１：アンチヒューズ素子＞
実施形態１のアンチヒューズ素子１０は、図１（ｂ）に示すように、第１電極１と、この第１電極１上に配置された絶縁層３と、この絶縁層３上に配置された第２電極２とを備える。絶縁層３は、厚みの薄い第１領域３１と、第１領域３１よりも厚みの厚い第２領域３２とを有する。これによれば、アンチヒューズ素子１０が絶縁破壊した場合において、所期の箇所に通電経路を発生可能なアンチヒューズ素子１０を得ることができる。
絶縁破壊が生じる電圧は、絶縁層３が厚いほど大きくなる。従って、絶縁層に厚みの薄い第１領域を設け、その領域を通電箇所とすることによって、通電箇所を、予め設定された所定の位置に制御することが可能となる。その結果、絶縁破壊部に電流が集中して、破壊部周辺が昇温することがあっても、例えば、通電箇所を電流供給部材４１の接続部位を避けて設定することにより、電流供給部材４１の近傍において、熱による電流供給部材４１の溶融や損傷を効果的に抑制することができる。
実施形態１のアンチヒューズ素子１０は、図１（ｂ）に示すように、第１電極１と、この第１電極１上に配置された絶縁層３と、この絶縁層３上に配置された第２電極２とを備える。絶縁層３は、厚みの薄い第１領域３１と、第１領域３１よりも厚みの厚い第２領域３２とを有する。これによれば、アンチヒューズ素子１０が絶縁破壊した場合において、所期の箇所に通電経路を発生可能なアンチヒューズ素子１０を得ることができる。
絶縁破壊が生じる電圧は、絶縁層３が厚いほど大きくなる。従って、絶縁層に厚みの薄い第１領域を設け、その領域を通電箇所とすることによって、通電箇所を、予め設定された所定の位置に制御することが可能となる。その結果、絶縁破壊部に電流が集中して、破壊部周辺が昇温することがあっても、例えば、通電箇所を電流供給部材４１の接続部位を避けて設定することにより、電流供給部材４１の近傍において、熱による電流供給部材４１の溶融や損傷を効果的に抑制することができる。
【0010】
（第１電極及び第２電極）
第１電極１及び第２電極２は、絶縁層３を挟んで配置されている。例えば、図１（ｂ）に示すように、第１電極１は、基板４上に配置され、絶縁層３が第１電極１上に配置され、第２電極２は、絶縁層３上に配置することができる。この場合、第２電極２は、外部に露出していることが好ましい。ここで、外部に露出しているとは、絶縁層３及び後述する電流供給部材４１と接触していない部分が、絶縁層、保護膜、半導体層、導電層等のいずれにも被覆されておらず、周辺雰囲気に晒されていることを意味する。特に、絶縁層３及び後述する電流供給部材４１と接触していないすべての部分が、絶縁層、保護膜、半導体層、導電層等のいずれにも被覆されていないことが好ましい。これにより、第２電極２に後述する電流供給部材４１を設ける際のハンドリングが容易となる。
第１電極１及び第２電極２の平面形状は、例えば、円又は楕円、三角形、四角形、六角形及び八角形等の多角形又はこれらの角が面取りされた形状、これらの形状が組み合わせられた形状等、種々の形状が挙げられる。特に、四角形の角が面取りされた結果、形状が厳密には八角形となる場合があるが、このような場合も角が面取りされた四角形と呼称することがある。第１電極１及び第２電極２は、同じ平面形状であってもよい。図１（ａ）においては、第１電極１は四角形、第２電極２は、面取りされた四角形である。ここで、面取りとは角を斜めに削るＣ面取り、及び角を丸めるＲ面取りを含む。第２電極２が面取りされた形状である場合、面取りの程度は、第２電極２の大きさによって適宜設定することができる。例えば、第２電極２が、以下の大きさである場合、Ｒ５以上Ｒ８０以下が挙げられ、Ｒ１０以上Ｒ６０以下が好ましい。ここでのＲの単位はμｍである。第２電極２が面取りされた形状である場合は面取りされていない場合に比べ、図形の頂点近傍に印加される電界強度の局所的な緩和を図ることができる。
第１電極１及び第２電極２は、絶縁層３を挟んで配置されている。例えば、図１（ｂ）に示すように、第１電極１は、基板４上に配置され、絶縁層３が第１電極１上に配置され、第２電極２は、絶縁層３上に配置することができる。この場合、第２電極２は、外部に露出していることが好ましい。ここで、外部に露出しているとは、絶縁層３及び後述する電流供給部材４１と接触していない部分が、絶縁層、保護膜、半導体層、導電層等のいずれにも被覆されておらず、周辺雰囲気に晒されていることを意味する。特に、絶縁層３及び後述する電流供給部材４１と接触していないすべての部分が、絶縁層、保護膜、半導体層、導電層等のいずれにも被覆されていないことが好ましい。これにより、第２電極２に後述する電流供給部材４１を設ける際のハンドリングが容易となる。
第１電極１及び第２電極２の平面形状は、例えば、円又は楕円、三角形、四角形、六角形及び八角形等の多角形又はこれらの角が面取りされた形状、これらの形状が組み合わせられた形状等、種々の形状が挙げられる。特に、四角形の角が面取りされた結果、形状が厳密には八角形となる場合があるが、このような場合も角が面取りされた四角形と呼称することがある。第１電極１及び第２電極２は、同じ平面形状であってもよい。図１（ａ）においては、第１電極１は四角形、第２電極２は、面取りされた四角形である。ここで、面取りとは角を斜めに削るＣ面取り、及び角を丸めるＲ面取りを含む。第２電極２が面取りされた形状である場合、面取りの程度は、第２電極２の大きさによって適宜設定することができる。例えば、第２電極２が、以下の大きさである場合、Ｒ５以上Ｒ８０以下が挙げられ、Ｒ１０以上Ｒ６０以下が好ましい。ここでのＲの単位はμｍである。第２電極２が面取りされた形状である場合は面取りされていない場合に比べ、図形の頂点近傍に印加される電界強度の局所的な緩和を図ることができる。
【0011】
上面視で、第１電極１と第２電極２とは、同じ面積であってもよいし、異なる面積であってもよい。図１（ａ）においては、第２電極２は、第１電極１よりも面積が小さい。なお、図１（ａ）におけるハッチングは、第１電極１と第２電極２を区別しやすくするためのものであって、断面図であることを表すものではない。また、上面視において、第２電極２の外縁２ａの一部又は全部が、第１電極１の外縁１ａよりも内側に配置されていることが好ましい。なかでも、図１（ａ）においては、第２電極２の外縁２ａの全部が、第１電極１の外縁１ａよりも内側に配置されている。このような構造とすることで、絶縁層３の外縁において第１電極１と第２電極２が短絡することを抑制できる。この場合、第１電極１の平面積は、第２電極２の平面積の１０５％以上２００％以下が挙げられ、１１０％以上１８０％以下が好ましく、１２０％以上１７０％以下がより好ましい。具体的には、第１電極１は、３５０μｍ×１０００μｍ又はそれに相当する大きさ以下が挙げられ、２８０μｍ×９００μｍ又はそれに相当する大きさ以下が好ましく、２７０μｍ×５２０μｍ又はそれに相当する大きさ以下がより好ましい。このような大きさとすることで、アンチヒューズ素子１０全体の大きさを小型化することができる。また、第１電極１は、１９０μｍ×３５０μｍ又はそれに相当する大きさ以上が挙げられ、２００μｍ×３６０μｍ又はそれに相当する大きさ以上が好ましく、２４０μｍ×４００μｍ又はそれに相当する大きさ以上がより好ましい。このような大きさとすることで、アンチヒューズ素子１０に流れる電流密度が過剰となることを抑制できる。
【0012】
第２電極２は、２８０μｍ×９００μｍ又はそれに相当する大きさ以下が挙げられ、２５０μｍ×５００μｍ又はそれに相当する大きさ以下が好ましく、２００μｍ×４５０μｍ又はそれに相当する大きさ以下がより好ましい。このような大きさとすることで、アンチヒューズ素子１０全体の大きさを小型化することができる。また、第２電極２は、１２０μｍ×２８０μｍ又はそれに相当する大きさ以上が挙げられ、１３０μｍ×２９０μｍ又はそれに相当する大きさ以上が好ましく、１７０μｍ×３３０μｍ又はそれに相当する大きさ以上がより好ましい。このような大きさとすることで、後述する電流供給部材４１を配置するスペースを確保することができる。特に、電流供給部材４１を複数配置する場合、電流供給部材４１同士の間隔を広げることができる。加えて、第２電極２の上面に、後述するように、電流供給部材４１を複数の箇所で接続するためのスペースを確保しやすくすることができる。
【0013】
第１電極１及び第２電極２の膜厚は、それぞれ、全面にわたって同じ厚みであってもよいし、一部に凹凸を有していてもよいし、一部において異なる厚みであってもよく、印加する電圧等によって適宜設定することができる。なかでも、第１電極１は、断面視において、厚みが一定であることが好ましく、上面は平坦であることが好ましい。第１電極１は、例えば、０．１μｍ以上１０μｍ以下の厚みを有することが挙げられ、０．１μｍ以上１μｍ以下が好ましい。この厚さとすることで、第１電極１の導体抵抗をより低くしつつ、絶縁層３が絶縁破壊した後の第１電極１と第２電極２との通電をより安定させることができる。また、第２電極２は、断面視において、後述する絶縁層３の第２領域３２上における厚みが一定であることが好ましく、上面が平坦であることがより好ましく、全面にわたって同じ厚みであることがさらに好ましい。ここで、厚みが一定とは、第１電極１および第２電極２の厚みが所期の値から±１０％の範囲に収まっていることを指す。これにより、電界強度の局所集中を抑制することができる。また、第２電極２は、後述する絶縁層３の第１領域３１上において、凹みがあることが好ましい。これによって、第１領域３１の位置をアンチヒューズ素子の上方から視認することができる。第２電極２は、例えば、１μｍ以上２０μｍ以下の厚みを有することが挙げられ、２μｍ以上８μｍ以下が好ましい。この範囲の厚みとすることで、抵抗の上昇を低減することができる。また、この範囲の厚みとすることで、後述するように第２電極２に電流供給部材４１が複数の箇所で接続されている場合に、複数の電流供給部材４１に電流を分散させやすくすることができる。また、電流供給部材４１を第２電極２に接続する場合に、図２Ａ及び２Ｂに示すように、接合領域２２を、第１領域３１の上方から避けるように設定することが容易となる。なお、図２Ａ及び図２Ｂにおけるハッチングは、第１電極１と第２電極２を区別しやすくするためのものであって、断面図であることを表すものではない。
【0014】
第１電極１は、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｓｉ等の金属又はこれらの合金を含む単層構造又は多層構造とすることができる。具体的にはＲｈ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｒｕ／Ｔｉ、Ｔｉ／Ａｌ－Ｓｉ／Ｔａ／Ｒｕ、Ｒｈ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｐｔ／Ａｕ／Ｔｉ、Ｐｔ／Ａｕ／Ｃｒ、Ｐｔ／Ａｕ／Ｖ、Ｐｔ／Ａｕ／Ｎｉ、Ｐｔ／Ａｕ／Ｚｒ、Ｐｔ／Ａｕ／Ｈｆ等の多層構造とすることができる。多層構造である場合、絶縁層３側に配置される金属は絶縁層３との密着性のよい金属であることが好ましく、例えばＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｈｆであることが好ましい。特に、第１電極１は、基板４側がＰｔ、絶縁層３側がＴｉであるような、Ｐｔ／Ａｕ／Ｔｉの積層構造となっていることが好ましい。このような構成とすることで、第１電極１と絶縁層３との密着性を向上させることができる。
【0015】
第２電極２は、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｓｉ等の金属又はこれらの合金を含む単層構造又は多層構造とすることができる。具体的には、Ｔｉ／Ｒｈ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｗ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｒｈ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｒｕ／Ｔｉ、Ｔｉ／Ａｌ－Ｓｉ／Ｔａ／Ｒｕ、Ｒｈ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｒｕ／Ｎｉ／Ａｕ等の多層構造とすることができる。多層構造である場合、絶縁層３側に配置される金属は絶縁層３との密着性のよい金属であることが好ましく、例えばＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｈｆであることが好ましい。また、第２電極２の上面に電流供給部材４１を設ける場合、電流供給部材４１側に電流供給部材４１との接合性がよい金属、例えばＡｕが設けられることが好ましい。さらに、中間に配置される金属としてはＰｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒであることが好ましい。特に、第２電極２は、絶縁層３側がＴｉ、上面側がＡｕであるような、Ｔｉ／Ｐｕ／Ａｕの多層構造となっていることが好ましい。このような構成とすることで、第２電極２と絶縁層３との密着性を向上させ、第２電極２と電流供給部材４１との密着性を向上させることができる。
【0016】
第２電極２の上面には、電流供給部材４１が接続されていることが好ましい。なかでも、複数の電流供給部材４１が複数の箇所で第２電極２の上面に接続されていることがより好ましい。電流供給部材４１が複数設けられていると、電流供給部材４１の溶断などによる電流の遮断をより高い確率で抑制することができる。
電流供給部材４１としては、例えば、線状のワイヤ等が挙げられる。電流供給部材４１は、Ａｕ等の金属で構成されていてもよい。電流供給部材４１が接続される接合領域２２は、図２Ａ及び２Ｂに示すように、絶縁層３の第２領域３２の上方にのみ配置されていることが好ましい。言い換えると、電流供給部材４１の接合領域２２は、後述するように、絶縁層３の第１領域３１の上方には配置されていないことが好ましい。アンチヒューズ素子１０が絶縁破壊した場合、絶縁層３の第１領域３１に電流および熱が集中し、絶縁層３の第２領域３２は比較的低い温度となる。そのため、絶縁層３の第２領域３２の上方にのみ電流供給部材４１を設けることで、熱に起因する電流供給部材４１の溶断等を抑制することができる。
電流供給部材４１としては、例えば、線状のワイヤ等が挙げられる。電流供給部材４１は、Ａｕ等の金属で構成されていてもよい。電流供給部材４１が接続される接合領域２２は、図２Ａ及び２Ｂに示すように、絶縁層３の第２領域３２の上方にのみ配置されていることが好ましい。言い換えると、電流供給部材４１の接合領域２２は、後述するように、絶縁層３の第１領域３１の上方には配置されていないことが好ましい。アンチヒューズ素子１０が絶縁破壊した場合、絶縁層３の第１領域３１に電流および熱が集中し、絶縁層３の第２領域３２は比較的低い温度となる。そのため、絶縁層３の第２領域３２の上方にのみ電流供給部材４１を設けることで、熱に起因する電流供給部材４１の溶断等を抑制することができる。
【0017】
第１電極１又は第２電極２が配置される基板４は、絶縁基板、半導体基板、導電性基板等のいずれでもよいが、導電性基板であることが好ましい。導電性基板とすることで、基板４を配線経路として利用することが可能となる。また、基板４は高い放熱性を有することが好ましい。高い放熱性を有することで、アンチヒューズ素子１０の温度が高温となることを抑制し、アンチヒューズ素子１０の破壊電圧及び／又は破壊箇所を制御することが容易となる。また、第１電極１が導電性基板上に配置されていることがより好ましい。導電性基板は、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｓｉ等の金属、又はこれらの合金を含む単層構造又は多層構造とすることができる。また、導電性基板は、シリコン、ＳｉＣ等の半導体を含む単層構造又は多層構造であってもよい。
基板４の厚みは、用いる材料及び第１電極１及び第２電極２等の厚みによって適宜設定することができる。例えば、５０μｍ以上１５０μｍ以下が挙げられる。基板４は、第１電極１が配置される上面に隣接する側面において、凹凸を有していてもよい。図１においては、基板４は上面側の第１縁部４ａ及び下面側の第２縁部４ｂを有する。上面視において、第１縁部４ａは、第２縁部４ｂよりも内側に配置されている。このような構成とすることで、接着剤等が基板４を包囲した場合でも、接着剤等が第１縁部４ａへ到達することを抑制できる。また、基板４は、第１電極１の外縁１ａと一致する第１縁部４ａと、第１電極１の外縁１ａよりも外側に位置する第２縁部４ｂとを、厚み方向に備えることができる。ただし、基板４の上面側において、第２縁部４ｂは、第１電極１の外縁１ａと一致していてもよいし、外縁１ａよりも内側にあってもよいし、外側にあってもよい。また、基板４は、その断面において、図１（ｂ）に示すように、側面に１つの段差があってもよいし、２以上の段差があってもよい。
基板４の厚みは、用いる材料及び第１電極１及び第２電極２等の厚みによって適宜設定することができる。例えば、５０μｍ以上１５０μｍ以下が挙げられる。基板４は、第１電極１が配置される上面に隣接する側面において、凹凸を有していてもよい。図１においては、基板４は上面側の第１縁部４ａ及び下面側の第２縁部４ｂを有する。上面視において、第１縁部４ａは、第２縁部４ｂよりも内側に配置されている。このような構成とすることで、接着剤等が基板４を包囲した場合でも、接着剤等が第１縁部４ａへ到達することを抑制できる。また、基板４は、第１電極１の外縁１ａと一致する第１縁部４ａと、第１電極１の外縁１ａよりも外側に位置する第２縁部４ｂとを、厚み方向に備えることができる。ただし、基板４の上面側において、第２縁部４ｂは、第１電極１の外縁１ａと一致していてもよいし、外縁１ａよりも内側にあってもよいし、外側にあってもよい。また、基板４は、その断面において、図１（ｂ）に示すように、側面に１つの段差があってもよいし、２以上の段差があってもよい。
【0018】
図１（ｂ）においては、第１電極１が基板４上に配置され、第１電極１は、基板４よりも小さい。また、基板４の上面側の第２縁部４ｂは、上面視において、第１電極１の外縁１ａよりも外側に位置する。この場合、上面視で、第２縁部４ｂに囲まれる領域の面積は、第１電極１の平面積の１００％以上２００％以下が挙げられ、１１０％以上１８０％以下が好ましく、１２０％以上１７０％以下がより好ましい。基板４の上面視における大きさ（第２縁部４ｂの大きさ）は、任意に設定することができる。例えば、４００μｍ×１０５０μｍ又はそれに相当する大きさ以下が挙げられ、３３０μｍ×９５０μｍ又はそれに相当する大きさ以下が好ましく、３２０μｍ×５７０μｍ又はそれに相当する大きさ以下がより好ましい。また、基板４の上面視における大きさは、２３０μｍ×３９０μｍ又はそれに相当する大きさ以上が挙げられ、２４０μｍ×４００μｍ又はそれに相当する大きさ以上が好ましく、２８０μｍ×５４０μｍ又はそれに相当する大きさ以上がより好ましい。このような大きさとすることで、アンチヒューズ素子１０のハンドリング性を高めることができる。
基板４は、絶縁層３が配置される面と反対側の面に、裏面電極５が配置されていることが好ましい。このような構成とすることで、アンチヒューズ素子１０を後述するサブマウント３３や底部３９等に表面実装することができる。表面実装を行うことでアンチヒューズ素子１０の放熱性を向上させ、アンチヒューズ素子１０の動作電圧を安定させることができる。
基板４は、絶縁層３が配置される面と反対側の面に、裏面電極５が配置されていることが好ましい。このような構成とすることで、アンチヒューズ素子１０を後述するサブマウント３３や底部３９等に表面実装することができる。表面実装を行うことでアンチヒューズ素子１０の放熱性を向上させ、アンチヒューズ素子１０の動作電圧を安定させることができる。
【0019】
（絶縁層）
絶縁層３は、第１電極１及び第２電極２の間に配置されている。言い換えると、絶縁層３は、第１電極１及び第２電極２の双方に接して配置されている。特に、絶縁層３と第２電極２との間に他の部材が介在していないことが好ましい。この場合、第２電極２の表面形状を、絶縁層３の表面形状に近付けることができる。これにより、例えば第１領域３１の厚みが第２領域３２よりも薄い場合に、第１領域３１と第２領域３２との境界がより明瞭になる。そのため、第２電極２上に電流供給部材４１を接続する場合に、接続箇所の視認性を向上させることができる。
絶縁層３は、第１領域３１と、第１領域３１よりも厚みの厚い第２領域３２とを有する。絶縁層３が、第２領域３２よりも厚みの薄い第１領域３１を有することにより、絶縁破壊する位置を、第１領域３１として、任意に設定することが可能となる。第１領域３１は、１つの絶縁層３に対して、１つのみ配置することが好ましい。これにより、確実な絶縁破壊の位置設定が可能となる。
絶縁層３は、第１電極１及び第２電極２の間に配置されている。言い換えると、絶縁層３は、第１電極１及び第２電極２の双方に接して配置されている。特に、絶縁層３と第２電極２との間に他の部材が介在していないことが好ましい。この場合、第２電極２の表面形状を、絶縁層３の表面形状に近付けることができる。これにより、例えば第１領域３１の厚みが第２領域３２よりも薄い場合に、第１領域３１と第２領域３２との境界がより明瞭になる。そのため、第２電極２上に電流供給部材４１を接続する場合に、接続箇所の視認性を向上させることができる。
絶縁層３は、第１領域３１と、第１領域３１よりも厚みの厚い第２領域３２とを有する。絶縁層３が、第２領域３２よりも厚みの薄い第１領域３１を有することにより、絶縁破壊する位置を、第１領域３１として、任意に設定することが可能となる。第１領域３１は、１つの絶縁層３に対して、１つのみ配置することが好ましい。これにより、確実な絶縁破壊の位置設定が可能となる。
【0020】
第１領域３１は、上面視において、その一部又は全部が第２領域３２に包囲されていることが好ましく、第１領域３１の全部が第２領域３２に包囲されていることが好ましい。このような構成とすることで、第１領域３１で発生した熱の影響を第２領域３２により緩和することができる。図２Ａに示したように、上面視で、第１領域３１は、例えば、第２電極２の中央又はその近傍に配置してもよい。また、上面視で、第１領域３１は、図２Ｂに示したように、第２電極２の辺の近傍に配置してもよい。第２電極２が長辺と短辺を有する長方形である場合、長方形の２つの対角線の交点よりも１つの短辺に近い領域のみに第１領域３１を配置してもよい。第２電極２が厳密な長方形ではなく、例えば角が面取りされたような形状である場合、面取りがなされていない長方形を基準として対角線を決定することができる。このような配置によって、第２電極２の上面に電流供給部材４１の接合領域２２のためのスペースを確保しやすくすることができる。
【0021】
絶縁層３の第１領域３１と第２領域３２とにおける厚みの差は、用いる絶縁層３の材料等によって適宜設定することができる。絶縁層３をＳｉＯ２によって形成する場合、第１領域３１の厚みは、例えば、第２領域３２の厚みの６０％以上８０％以下が挙げられる。具体的には、第２領域３２における絶縁層３の厚みは、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下が挙げられ、８ｎｍ以上２０ｎｍ以下が好ましい。また、第２領域３２における絶縁層３の厚みは、第１領域３１における絶縁層３の厚みよりも５ｎｍ大きいことが好ましい。従って、第１領域３１における絶縁層３の厚みは、１０ｎｍ以上９０ｎｍ以下が挙げられ、１３ｎｍ以上２５ｎｍ以下が好ましい。
第１領域３１を通過する少なくとも１つの断面において、第２領域３２は厚みが一定であることが好ましく、第２領域３２は全域にわたって厚みが一定であることがより好ましい。ここで、一定とは、第２領域３２の厚みが所期の値から±１０％の範囲に収まっていることを指す。このような構成とすることで、アンチヒューズ素子１０の破壊電圧及び／又は破壊箇所を制御しやすくなる。
第１領域３１を通過する少なくとも１つの断面において、第２領域３２は厚みが一定であることが好ましく、第２領域３２は全域にわたって厚みが一定であることがより好ましい。ここで、一定とは、第２領域３２の厚みが所期の値から±１０％の範囲に収まっていることを指す。このような構成とすることで、アンチヒューズ素子１０の破壊電圧及び／又は破壊箇所を制御しやすくなる。
【0022】
第１領域３１は上面視で円形であることが好ましく、それ以外の形状であってもよい。第１領域３１の上面視における大きさは、絶縁層３全体の０．１％以上３０％以下が挙げられ、０．５％以上１５％以下が好ましい。具体的には、第１領域３１の上面視における大きさは、直径４００μｍ又はそれに相当する大きさ以下が挙げられ、直径１００μｍ又はそれに相当する大きさ以下が好ましく、直径２０μｍ又はそれに相当する大きさ以下がより好ましい。また、直径１０μｍ又はそれに相当する大きさ以上が挙げられ、直径１５μｍ又はそれに相当する大きさがより好ましい。このような構造によって、第２電極２の上面に電流供給部材４１の接合領域２２のためスペースを確保しやすくすることができる。第２領域３２の上面視の形状は、絶縁層３の形状及び第１領域３１の形状等に応じて適宜設定することができる。
絶縁層３の平面形状は、例えば、円又は楕円、三角形、四角形、六角形及び八角形等の多角形又はこれらの角が面取りされた形状、これらの形状が組み合わせられた形状等、種々の形状が挙げられる。ここで、面取りとは角を斜めに削るＣ面取り、及び角を丸めるＲ面取りを含む。特に、四角形の角が面取りされた結果、形状が厳密には八角形となる場合があるが、このような場合も角が面取りされた四角形と呼称することがある。絶縁層３は特に、角が面取りされた四角形であることが好ましい。このような構成とすることで、図形の頂点近傍に印加される電界強度の局所的な緩和を図ることができる。
絶縁層３の平面形状は、例えば、円又は楕円、三角形、四角形、六角形及び八角形等の多角形又はこれらの角が面取りされた形状、これらの形状が組み合わせられた形状等、種々の形状が挙げられる。ここで、面取りとは角を斜めに削るＣ面取り、及び角を丸めるＲ面取りを含む。特に、四角形の角が面取りされた結果、形状が厳密には八角形となる場合があるが、このような場合も角が面取りされた四角形と呼称することがある。絶縁層３は特に、角が面取りされた四角形であることが好ましい。このような構成とすることで、図形の頂点近傍に印加される電界強度の局所的な緩和を図ることができる。
【0023】
絶縁層３は、上面視における大きさは、第１電極１より小さくてもよいし、第１電極１と同じでもよい。また、上面視で、絶縁層３は第１電極１の外縁内に収まっている。これにより、アンチヒューズ素子１０の小型化を図ることができる。更に、絶縁層３は、上面視で、第２電極２よりも大きくてもよいし、第２電極２と同じでもよい。なかでも、上面視における大きさが、第１電極１と同じでありかつ第２電極２よりも大きいことが好ましい。言い換えると、絶縁層３及び第１電極１の外縁が一致し、第２電極２の外縁２ａが、絶縁層３の外縁３ａの内側にあることが好ましい。従って、絶縁層３の一部は、第２電極２とともに、外部に露出していることが好ましい。このような構成とすることで、第１電極１と第２電極２が短絡することを抑制できる。ここで、絶縁層３の一部とは、絶縁層３の第２電極２側の上面の一部であってもよいし、上面に隣接する側面の一部又は全部であってもよい。なかでも、絶縁層３の上面の一部と側面の全部が外部に露出していることがより好ましい。
絶縁層３は、例えば、ＳｉＯ２、シリコン酸化膜、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＡｌＯxＮy、ＳｉＮ、ＳｉＮｘ等の単層又は多層構造の層が挙げられる。なかでも、ＳｉＯ２またはシリコン酸化膜が好ましい。絶縁層３を絶縁破壊耐性の高いＳｉＯ２またはシリコン酸化膜によって形成することで、絶縁層３の厚みを薄くすることができ、小型化および材料の節約をすることができる。
絶縁層３は、例えば、ＳｉＯ２、シリコン酸化膜、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＡｌＯxＮy、ＳｉＮ、ＳｉＮｘ等の単層又は多層構造の層が挙げられる。なかでも、ＳｉＯ２またはシリコン酸化膜が好ましい。絶縁層３を絶縁破壊耐性の高いＳｉＯ２またはシリコン酸化膜によって形成することで、絶縁層３の厚みを薄くすることができ、小型化および材料の節約をすることができる。
【0024】
＜実施形態２：発光装置＞
実施形態２の発光装置３０は、図３Ｂ及び３Ｃに示すように、上述したアンチヒューズ素子１０と、発光素子２０とを備える。これらアンチヒューズ素子１０及び発光素子２０は、導電層４６を有するパッケージ４３内の気密封止された閉空間に配置されていることが好ましい。
発光装置３０においては、１つの発光素子に対して１つのアンチヒューズ素子が配置されていることが好ましく、複数の発光素子が配置される場合には、各発光素子に対してそれぞれアンチヒューズ素子が配置される。このような構成とすることで、何れの発光素子が電流不通となった場合でもアンチヒューズ素子の働きにより発光装置全体の導通を維持することができる。
発光装置３０は、さらに、サブマウント３３、光反射部材３４、保護素子３５、光学部材４４等を有していてもよい。
実施形態２の発光装置３０は、図３Ｂ及び３Ｃに示すように、上述したアンチヒューズ素子１０と、発光素子２０とを備える。これらアンチヒューズ素子１０及び発光素子２０は、導電層４６を有するパッケージ４３内の気密封止された閉空間に配置されていることが好ましい。
発光装置３０においては、１つの発光素子に対して１つのアンチヒューズ素子が配置されていることが好ましく、複数の発光素子が配置される場合には、各発光素子に対してそれぞれアンチヒューズ素子が配置される。このような構成とすることで、何れの発光素子が電流不通となった場合でもアンチヒューズ素子の働きにより発光装置全体の導通を維持することができる。
発光装置３０は、さらに、サブマウント３３、光反射部材３４、保護素子３５、光学部材４４等を有していてもよい。
【0025】
（発光素子）
発光素子２０は、発光ダイオード、半導体レーザ素子等を用いることができる。なかでも、発光素子は、半導体レーザ素子（以下、「半導体レーザ素子２０」ということがある。）が好ましい。
発光素子、特に半導体レーザ素子は、上面視で長方形の外形を有するものが挙げられる。この場合、長方形の２つの短辺のうちの一辺と交わる側面が、半導体レーザ素子から出射される光の出射端面となる。半導体レーザ素子の上面及び下面は、出射端面よりも面積が大きい。
半導体レーザ素子から出射される光（レーザ光）は拡がりを有し、光の出射端面と平行な面において楕円形状のファーフィールドパターン（以下「ＦＦＰ」という。）を形成する。ＦＦＰとは、出射端面から離れた位置における出射光の形状及び光強度分布である。ここで、ＦＦＰの楕円形状の中心を通る直線を、半導体レーザ素子の光軸と呼び、ＦＦＰの楕円形状の中心を通る光、言い換えると、ＦＦＰの光強度分布においてピーク強度の光を、光軸を進む光と呼ぶ。ＦＦＰの光強度分布において、ピーク強度値に対して１／ｅ２以上の強度を有する光を、主要部分の光と呼ぶ。半導体レーザ素子から出射される光のＦＦＰの形状は、活性層を含む複数の半導体層の層方向よりも、それに垂直な積層方向の方が長い楕円形状である。層方向をＦＦＰの水平方向、積層方向をＦＦＰの垂直方向という。ＦＦＰの光強度分布に基づき、光強度分布の半値全幅に相当する角度を、その半導体レーザ素子の光の拡がり角とする。ＦＦＰの垂直方向における光の拡がり角を垂直方向の拡がり角、ＦＦＰの水平方向における光の拡がり角を水平方向の拡がり角という。
発光素子２０は、発光ダイオード、半導体レーザ素子等を用いることができる。なかでも、発光素子は、半導体レーザ素子（以下、「半導体レーザ素子２０」ということがある。）が好ましい。
発光素子、特に半導体レーザ素子は、上面視で長方形の外形を有するものが挙げられる。この場合、長方形の２つの短辺のうちの一辺と交わる側面が、半導体レーザ素子から出射される光の出射端面となる。半導体レーザ素子の上面及び下面は、出射端面よりも面積が大きい。
半導体レーザ素子から出射される光（レーザ光）は拡がりを有し、光の出射端面と平行な面において楕円形状のファーフィールドパターン（以下「ＦＦＰ」という。）を形成する。ＦＦＰとは、出射端面から離れた位置における出射光の形状及び光強度分布である。ここで、ＦＦＰの楕円形状の中心を通る直線を、半導体レーザ素子の光軸と呼び、ＦＦＰの楕円形状の中心を通る光、言い換えると、ＦＦＰの光強度分布においてピーク強度の光を、光軸を進む光と呼ぶ。ＦＦＰの光強度分布において、ピーク強度値に対して１／ｅ２以上の強度を有する光を、主要部分の光と呼ぶ。半導体レーザ素子から出射される光のＦＦＰの形状は、活性層を含む複数の半導体層の層方向よりも、それに垂直な積層方向の方が長い楕円形状である。層方向をＦＦＰの水平方向、積層方向をＦＦＰの垂直方向という。ＦＦＰの光強度分布に基づき、光強度分布の半値全幅に相当する角度を、その半導体レーザ素子の光の拡がり角とする。ＦＦＰの垂直方向における光の拡がり角を垂直方向の拡がり角、ＦＦＰの水平方向における光の拡がり角を水平方向の拡がり角という。
【0026】
半導体レーザ素子は、例えば、青色の光を出射する半導体レーザ素子、緑色の光を出射する半導体レーザ素子、赤色の光を出射する半導体レーザ素子、また、これら以外の光を出射する半導体レーザ素子を採用することができる。青色の光とは、その発光ピーク波長が４２０ｎｍ～４９４ｎｍの範囲内にある光、緑色の光とは、その発光ピーク波長が４９５ｎｍ～５７０ｎｍの範囲内にある光、赤色の光とは、その発光ピーク波長が６０５ｎｍ～７５０ｎｍの範囲内にある光を指す。
青色の光を発する半導体レーザ素子及び緑色の光を発する半導体レーザ素子としては、窒化物半導体を含む半導体レーザ素子が挙げられる。窒化物半導体は、例えば、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、及びＡｌＧａＮ等の半導体層を用いることができる。赤色の光を発する半導体レーザ素子は、ＩｎＡｌＧａＰ系、ＧａＩｎＰ系、ＡｌＧａＡｓ系の半導体層を含むものが挙げられる。
半導体レーザ素子２０は、１つのエミッターを有するシングルエミッター、２つ以上のエミッターを有するマルチエミッター等のいずれであってもよい。半導体レーザ素子が複数のエミッターを有する場合、それぞれのエミッターに係る出射端面から、楕円形状のＦＦＰを形成するレーザ光が出射される。
発光素子、特に、半導体レーザ素子は、放熱性等の観点から、サブマウントの上に配置されていることが好ましい。
青色の光を発する半導体レーザ素子及び緑色の光を発する半導体レーザ素子としては、窒化物半導体を含む半導体レーザ素子が挙げられる。窒化物半導体は、例えば、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、及びＡｌＧａＮ等の半導体層を用いることができる。赤色の光を発する半導体レーザ素子は、ＩｎＡｌＧａＰ系、ＧａＩｎＰ系、ＡｌＧａＡｓ系の半導体層を含むものが挙げられる。
半導体レーザ素子２０は、１つのエミッターを有するシングルエミッター、２つ以上のエミッターを有するマルチエミッター等のいずれであってもよい。半導体レーザ素子が複数のエミッターを有する場合、それぞれのエミッターに係る出射端面から、楕円形状のＦＦＰを形成するレーザ光が出射される。
発光素子、特に、半導体レーザ素子は、放熱性等の観点から、サブマウントの上に配置されていることが好ましい。
【0027】
（サブマウント）
サブマウント３３は、２つの接合面を有する。サブマウント３３は、２つの接合面が互いに平行な円柱、四角柱等の多角形柱の形状であることが好ましい。なかでも、直方体であるものが好ましい。サブマウント３３は、例えば、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、又は炭化ケイ素等を用いて形成することができる。接合面には、接合のための金属膜が設けられていることが好ましい。
サブマウント３３は、２つの接合面を有する。サブマウント３３は、２つの接合面が互いに平行な円柱、四角柱等の多角形柱の形状であることが好ましい。なかでも、直方体であるものが好ましい。サブマウント３３は、例えば、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、又は炭化ケイ素等を用いて形成することができる。接合面には、接合のための金属膜が設けられていることが好ましい。
【0028】
（パッケージ）
パッケージ４３は、アンチヒューズ素子１０と、発光素子２０とを、気密封止された閉空間に配置するための部材であって、例えば、基部３７及び蓋部材３８を有する。
基部３７は、アンチヒューズ素子１０及び発光素子２０等が配置される底部３９と、底部３９を囲う壁部４０とを有する。つまり、基部３７は凹部を有し、凹部が底部３９と壁部４０とによって構成されている。上面視において、基部３７の外形は円、楕円、四角形等の多角形等の種々の形状が挙げられ、凹部の外形も、同様にこれらの種々の形状であるものが挙げられる。なかでも矩形であるものが好ましい。底部３９は、平板形状であるものが好ましい。壁部４０は、底部の外周から、アンチヒューズ素子及び発光素子等の高さよりも高くなるように、アンチヒューズ素子及び発光素子等の上方側に延びている。壁部４０は、平板状に延びていてもよいし、１以上の段差４０ａを有していていもよい。
パッケージ４３は、アンチヒューズ素子１０と、発光素子２０とを、気密封止された閉空間に配置するための部材であって、例えば、基部３７及び蓋部材３８を有する。
基部３７は、アンチヒューズ素子１０及び発光素子２０等が配置される底部３９と、底部３９を囲う壁部４０とを有する。つまり、基部３７は凹部を有し、凹部が底部３９と壁部４０とによって構成されている。上面視において、基部３７の外形は円、楕円、四角形等の多角形等の種々の形状が挙げられ、凹部の外形も、同様にこれらの種々の形状であるものが挙げられる。なかでも矩形であるものが好ましい。底部３９は、平板形状であるものが好ましい。壁部４０は、底部の外周から、アンチヒューズ素子及び発光素子等の高さよりも高くなるように、アンチヒューズ素子及び発光素子等の上方側に延びている。壁部４０は、平板状に延びていてもよいし、１以上の段差４０ａを有していていもよい。
【0029】
底部３９と壁部４０とは、同じ材料によって一体的に形成したものであってもよいし、異なる材料、例えば、壁部はセラミック、底部は金属によって形成したものであってもよい。セラミックとしては、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、炭化ケイ素等が挙げられる。金属としては、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ等、複合物として、銅モリブデン、銅－ダイヤモンド複合材料、銅タングステン等を用いることができる。この場合、底部３９に採用される金属は、壁部４０に採用されるセラミックよりも放熱性に優れたもの、熱伝導率の高いものが好ましい。
【0030】
蓋部材３８は、所定の雰囲気下で基部３７に接合され、この閉空間が気密封止された空間となる。気密封止された空間内に半導体レーザ素子２０等を配置することにより、集塵による品質劣化を抑制することができる。気密封止するために、蓋部材３８は、基部３７に、例えば、金属接合材等によって、接合されている。金属接合材としては、ＡｕＳｎなどの金属ろう、はんだ等が挙げられる。
蓋部材３８は、下面と、上面とを有する。蓋部材３８は、例えば、平板形状であることが好ましく、上面視において、基部３７の外形に相当する外形を有するものが好ましい。また、蓋部材３８は、光を透過する透光性を有するものが好ましい。ここで、透光性とは、パッケージ内に収容される発光素子が出射する光の透過率が５０％以上であるものが挙げられ、６０％以上、７０％以上、８０％以上のものが好ましい。ただし、蓋部材３８は、一部にのみ透光性の領域を有するものであってもよい。透光性の領域は、発光素子２０から出射される光を透過させるように、形状および個数を適切に選んで設けることができる。例えば図３Ａに示すように、透光性の領域を対応する発光素子２０の数だけ設けてもよい。また、蓋部材３８には、表面上の一部の領域に、金属膜が設けられているものが好ましい。この金属膜は、他の構成要素との接合のために設けられる。従って、金属膜が設けられる領域の一部または全部が、他の構成要素と接合する接合領域となる。なかでも、金属膜は、蓋部材３８の基部３７との対向する面（以下、「下面」という）に設けられ、蓋部材３８の外縁に沿って、環状に設けられるものが好ましい。
蓋部材３８は、サファイア、ガラス等によって形成することができる。サファイアは透光性を有しており、比較的屈折率が高く、比較的強度も高い材料である。金属膜は、例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕで形成することができる。
蓋部材３８における透光性を有する領域には、波長変換部材が配置されていてもよい。波長変換部材は、当該分野で公知の蛍光体を含有させることができる。
蓋部材３８は、下面と、上面とを有する。蓋部材３８は、例えば、平板形状であることが好ましく、上面視において、基部３７の外形に相当する外形を有するものが好ましい。また、蓋部材３８は、光を透過する透光性を有するものが好ましい。ここで、透光性とは、パッケージ内に収容される発光素子が出射する光の透過率が５０％以上であるものが挙げられ、６０％以上、７０％以上、８０％以上のものが好ましい。ただし、蓋部材３８は、一部にのみ透光性の領域を有するものであってもよい。透光性の領域は、発光素子２０から出射される光を透過させるように、形状および個数を適切に選んで設けることができる。例えば図３Ａに示すように、透光性の領域を対応する発光素子２０の数だけ設けてもよい。また、蓋部材３８には、表面上の一部の領域に、金属膜が設けられているものが好ましい。この金属膜は、他の構成要素との接合のために設けられる。従って、金属膜が設けられる領域の一部または全部が、他の構成要素と接合する接合領域となる。なかでも、金属膜は、蓋部材３８の基部３７との対向する面（以下、「下面」という）に設けられ、蓋部材３８の外縁に沿って、環状に設けられるものが好ましい。
蓋部材３８は、サファイア、ガラス等によって形成することができる。サファイアは透光性を有しており、比較的屈折率が高く、比較的強度も高い材料である。金属膜は、例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕで形成することができる。
蓋部材３８における透光性を有する領域には、波長変換部材が配置されていてもよい。波長変換部材は、当該分野で公知の蛍光体を含有させることができる。
【0031】
パッケージにおける基部３７、特に、底部３９、任意に壁部４０の上面等において、導電層４６が設けられ、これにより、アンチヒューズ素子１０及び発光素子２０等の電気的な接続が図られる。図３Ｃおいては、導電層４６は、壁部４０の段差４０ａの上面に配置されている。なお、図３Ｃにおいては、見やすさのためワイヤ等の部材を省略している。導電層４６の形状、厚み及び材料等は、当該分野で公知のものを使用することができる。
導電層４６には、アンチヒューズ素子１０及び発光素子２０等に接続された電流供給部材４１が接続されている。アンチヒューズ素子１０に接続する電流供給部材４１の本数は２本乃至４本が好ましいが、それ以外の本数であってもよい。このような本数とすることで、アンチヒューズ素子に大きな電流が流れた場合でも、各々の電流供給部材４１に電流が分散するため、安定して動作する可能性を高めることができる。電流供給部材４１は、例えば、線状の形状とするものが挙げられ、例えば、金属のワイヤであることが好ましい。金属には、例えば、金、アルミニウム、銀、銅、これらの合金等を用いることができる。
パッケージ４３における導電層４６及び電流供給部材４１によって、図４に示すように、アンチヒューズ素子１０と発光素子２０とを、並列に接続することができる。また、このような並列接続されたアンチヒューズ素子１０と発光素子２０との組が複数配列されている場合には、それらは並列接続又は直列接続することができ、なかでも、直列接続されていることが好ましい。直列接続されていることで、複数の発光素子２０のうち１つが不通となった場合に、対応するアンチヒューズ素子に電圧が集中し、アンチヒューズ素子が導通するのに十分な電圧を確保することができる。
また、後述するように、発光装置が保護素子としてツェナーダイオードを備える場合には、図３Ｂに示すように、複数のアンチヒューズ素子１０と発光素子２０との組に対して、ツェナーダイオードを、並列に接続することが好ましい。このような構成とすることで、装置全体を逆電流による破壊から保護することができる。
導電層４６には、アンチヒューズ素子１０及び発光素子２０等に接続された電流供給部材４１が接続されている。アンチヒューズ素子１０に接続する電流供給部材４１の本数は２本乃至４本が好ましいが、それ以外の本数であってもよい。このような本数とすることで、アンチヒューズ素子に大きな電流が流れた場合でも、各々の電流供給部材４１に電流が分散するため、安定して動作する可能性を高めることができる。電流供給部材４１は、例えば、線状の形状とするものが挙げられ、例えば、金属のワイヤであることが好ましい。金属には、例えば、金、アルミニウム、銀、銅、これらの合金等を用いることができる。
パッケージ４３における導電層４６及び電流供給部材４１によって、図４に示すように、アンチヒューズ素子１０と発光素子２０とを、並列に接続することができる。また、このような並列接続されたアンチヒューズ素子１０と発光素子２０との組が複数配列されている場合には、それらは並列接続又は直列接続することができ、なかでも、直列接続されていることが好ましい。直列接続されていることで、複数の発光素子２０のうち１つが不通となった場合に、対応するアンチヒューズ素子に電圧が集中し、アンチヒューズ素子が導通するのに十分な電圧を確保することができる。
また、後述するように、発光装置が保護素子としてツェナーダイオードを備える場合には、図３Ｂに示すように、複数のアンチヒューズ素子１０と発光素子２０との組に対して、ツェナーダイオードを、並列に接続することが好ましい。このような構成とすることで、装置全体を逆電流による破壊から保護することができる。
【0032】
図３Ｂに示す発光装置３０には、パッケージ内に、５つの半導体レーザ素子２０が、５つのアンチヒューズ素子１０とそれぞれ一組となって、一方向に配列されている。
パッケージ４３内におけるアンチヒューズ素子１０及び半導体レーザ素子２０の配置は、それらの数及び大きさ、パッケージの形状及び大きさ等によって適宜設定することができる。例えば、図３Ｄに示すように、上面視において、アンチヒューズ素子１０は、半導体レーザ素子２０から出射するレーザ光の光軸Ａを含む仮想直線を避けた領域に配置されていることが好ましい。言い換えると、出射端面から出射されるレーザ光の光軸Ａの延長線に、アンチヒューズ素子の一部又は全部が交わらないように、アンチヒューズ素子が配置されていることが好ましい。特に、アンチヒューズ素子１０の半導体レーザ素子２０に近い側の側面１０Ａが、半導体レーザ素子２０の光軸に平行な側面の延長線Ｃよりも側方、つまり、半導体レーザ素子２０から離れる方向Ｘに配置されていることが好ましい。これにより、半導体レーザ素子の光の漏れに起因するアンチヒューズ素子１０の劣化を抑制することができる。アンチヒューズ素子１０は、半導体レーザ素子２０の背面側に配置することができる。ここで、背面とは、半導体レーザ素子２０において、半導体レーザ素子２０の出射端面から最も遠い面であり、背面側とは、半導体レーザ素子２０の出射端面よりも背面に近い領域を指す。
パッケージ４３内におけるアンチヒューズ素子１０及び半導体レーザ素子２０の配置は、それらの数及び大きさ、パッケージの形状及び大きさ等によって適宜設定することができる。例えば、図３Ｄに示すように、上面視において、アンチヒューズ素子１０は、半導体レーザ素子２０から出射するレーザ光の光軸Ａを含む仮想直線を避けた領域に配置されていることが好ましい。言い換えると、出射端面から出射されるレーザ光の光軸Ａの延長線に、アンチヒューズ素子の一部又は全部が交わらないように、アンチヒューズ素子が配置されていることが好ましい。特に、アンチヒューズ素子１０の半導体レーザ素子２０に近い側の側面１０Ａが、半導体レーザ素子２０の光軸に平行な側面の延長線Ｃよりも側方、つまり、半導体レーザ素子２０から離れる方向Ｘに配置されていることが好ましい。これにより、半導体レーザ素子の光の漏れに起因するアンチヒューズ素子１０の劣化を抑制することができる。アンチヒューズ素子１０は、半導体レーザ素子２０の背面側に配置することができる。ここで、背面とは、半導体レーザ素子２０において、半導体レーザ素子２０の出射端面から最も遠い面であり、背面側とは、半導体レーザ素子２０の出射端面よりも背面に近い領域を指す。
【0033】
（光反射部材）
光反射部材３４は、光を反射する光反射面３４ａを有する。光反射面３４ａは、下面及びこれを配置するパッケージ４３の底部３９の表面に対して傾斜している。例えば、光反射面３４ａは、下面に対して２０度以上８０度以下、例えば、４５度の傾斜角をなす傾斜面に設けられる。光反射面３４ａは、平面形状、曲面形状のいずれであってもよい。曲面形状の場合、局所的に下面から見て垂直又は平行な部分を有することがある。光反射面３４ａは、なかでも、平面形状であるものが好ましい。
光反射部材３４は、ガラス、金属等を用いて形成することができる。具体的には、石英若、ＢＫ７（硼珪酸ガラス）等のガラス、アルミニウム等の金属、Ｓｉを主材料として含むものを用いて形成することができる。光反射面は、例えば、Ａｇ、Ａｌ等の金属、Ｔａ２Ｏ５／ＳｉＯ２、ＴｉＯ２／ＳｉＯ２、Ｎｂ２／ＳｉＯ２等の誘電体多層膜を用いて形成することができる。光反射面３４ａは、反射させるレーザ光のピーク波長に対する光反射率は、９９％以上の光反射率を実現するものが挙げられ、９５％以上、９０％以上であってもよい。
光反射部材３４は、光を反射する光反射面３４ａを有する。光反射面３４ａは、下面及びこれを配置するパッケージ４３の底部３９の表面に対して傾斜している。例えば、光反射面３４ａは、下面に対して２０度以上８０度以下、例えば、４５度の傾斜角をなす傾斜面に設けられる。光反射面３４ａは、平面形状、曲面形状のいずれであってもよい。曲面形状の場合、局所的に下面から見て垂直又は平行な部分を有することがある。光反射面３４ａは、なかでも、平面形状であるものが好ましい。
光反射部材３４は、ガラス、金属等を用いて形成することができる。具体的には、石英若、ＢＫ７（硼珪酸ガラス）等のガラス、アルミニウム等の金属、Ｓｉを主材料として含むものを用いて形成することができる。光反射面は、例えば、Ａｇ、Ａｌ等の金属、Ｔａ２Ｏ５／ＳｉＯ２、ＴｉＯ２／ＳｉＯ２、Ｎｂ２／ＳｉＯ２等の誘電体多層膜を用いて形成することができる。光反射面３４ａは、反射させるレーザ光のピーク波長に対する光反射率は、９９％以上の光反射率を実現するものが挙げられ、９５％以上、９０％以上であってもよい。
【0034】
（光学部材４４）
光学部材４４は、発光装置３０において、パッケージ４３の蓋部材３８の上に配置され、集光等、任意の配光を行うための部材である。
光学部材４４は、上面と、下面と、側面とを有し、レンズ面４４ａを有していてもよい。レンズ面４４ａは、上面又は下面のいずれかに形成されていることが好ましい。例えば、光学部材４４は、全体として、平板形状の一面にドーム型等のレンズ面４４ａが配されたような形状が挙げられる。レンズ面４４ａは、１つのドーム型のレンズによって形成されていてもよいし、図３Ｅに示すように、複数のレンズ面４４ａが連なった形状、複数のレンズが並列された形状等のいずれであってもよい。光学部材４４は、平板形状の部分とレンズとが一体となって形成されていてもよいし、別体のものを接合したものであってもよい。光学部材４４は、例えば、上面視において、その外形は、基部３７と同様、種々の形状であってもよいが、矩形であるものが好ましい。
光学部材４４は、透光性を有し、レンズ面４４ａ及びそれ以外の部分においても透光性を有するものが好ましい。光学部材４４は、例えば、ＢＫ７等のガラスを用いて形成することができる。
光学部材４４は、発光装置３０において、パッケージ４３の蓋部材３８の上に配置され、集光等、任意の配光を行うための部材である。
光学部材４４は、上面と、下面と、側面とを有し、レンズ面４４ａを有していてもよい。レンズ面４４ａは、上面又は下面のいずれかに形成されていることが好ましい。例えば、光学部材４４は、全体として、平板形状の一面にドーム型等のレンズ面４４ａが配されたような形状が挙げられる。レンズ面４４ａは、１つのドーム型のレンズによって形成されていてもよいし、図３Ｅに示すように、複数のレンズ面４４ａが連なった形状、複数のレンズが並列された形状等のいずれであってもよい。光学部材４４は、平板形状の部分とレンズとが一体となって形成されていてもよいし、別体のものを接合したものであってもよい。光学部材４４は、例えば、上面視において、その外形は、基部３７と同様、種々の形状であってもよいが、矩形であるものが好ましい。
光学部材４４は、透光性を有し、レンズ面４４ａ及びそれ以外の部分においても透光性を有するものが好ましい。光学部材４４は、例えば、ＢＫ７等のガラスを用いて形成することができる。
【0035】
（保護素子）
保護素子３５は、特定の素子（例えば半導体レーザ素子２０）に過剰な電流が流れて破壊されることを抑制する素子である。保護素子としては、例えば、ツェナーダイオードが挙げられる。ツェナーダイオードは、Ｓｉで形成されたものであってもよい。
発光装置３０が保護素子３５を有する場合、保護素子３５は、発光装置３０に対して１つのみ設けられてもよいし、各半導体レーザ素子２０につき１つずつ設けられてもよい。保護素子３５が各半導体レーザ素子２０につき１つずつ設けられる場合、アンチヒューズ素子１０と同様に、半導体レーザ素子２０から出射するレーザ光の光軸Ａを含む仮想直線を避けた領域に配置されていることが好ましい。例えば、保護素子３５は、半導体レーザ素子２０の背面側であって、光軸Ａを含む直線を基準としてアンチヒューズ素子１０とは反対側に配置することができる。このような配置にすることで、半導体レーザ素子２０の光の漏れに起因する保護素子３５の劣化を抑制することができる。
保護素子３５は、特定の素子（例えば半導体レーザ素子２０）に過剰な電流が流れて破壊されることを抑制する素子である。保護素子としては、例えば、ツェナーダイオードが挙げられる。ツェナーダイオードは、Ｓｉで形成されたものであってもよい。
発光装置３０が保護素子３５を有する場合、保護素子３５は、発光装置３０に対して１つのみ設けられてもよいし、各半導体レーザ素子２０につき１つずつ設けられてもよい。保護素子３５が各半導体レーザ素子２０につき１つずつ設けられる場合、アンチヒューズ素子１０と同様に、半導体レーザ素子２０から出射するレーザ光の光軸Ａを含む仮想直線を避けた領域に配置されていることが好ましい。例えば、保護素子３５は、半導体レーザ素子２０の背面側であって、光軸Ａを含む直線を基準としてアンチヒューズ素子１０とは反対側に配置することができる。このような配置にすることで、半導体レーザ素子２０の光の漏れに起因する保護素子３５の劣化を抑制することができる。
【0036】
（発光装置の動作）
発光装置３０には、パッケージ４３内に、５つの半導体レーザ素子２０が直列接続されており、各々の半導体レーザ素子２０に対してアンチヒューズ素子１０が並列接続されている。発光装置３０の通常の駆動時には半導体レーザ素子２０のみに電流が流れ、アンチヒューズ素子１０に対して電流は流れない。
もしアンチヒューズ素子１０が接続されていなかった場合、半導体レーザ素子２０のうちどれか１つに故障が生じ、電流が不通となると、直列接続されている他の半導体レーザ素子２０のすべてが電流不通となり、すべての半導体レーザ素子２０が消灯してしまう。
一方、アンチヒューズ素子１０が並列接続されていた場合、何れかの半導体レーザ素子２０に故障が生じ、電流が不通となると、並列接続されているアンチヒューズ素子１０に過剰な電流が供給され、絶縁破壊を起こし導通状態となる。その結果、故障を生じていない他の半導体レーザ素子２０に対しては電流供給状態が維持され、点灯を保ったままとなる。
発光装置３０には、パッケージ４３内に、５つの半導体レーザ素子２０が直列接続されており、各々の半導体レーザ素子２０に対してアンチヒューズ素子１０が並列接続されている。発光装置３０の通常の駆動時には半導体レーザ素子２０のみに電流が流れ、アンチヒューズ素子１０に対して電流は流れない。
もしアンチヒューズ素子１０が接続されていなかった場合、半導体レーザ素子２０のうちどれか１つに故障が生じ、電流が不通となると、直列接続されている他の半導体レーザ素子２０のすべてが電流不通となり、すべての半導体レーザ素子２０が消灯してしまう。
一方、アンチヒューズ素子１０が並列接続されていた場合、何れかの半導体レーザ素子２０に故障が生じ、電流が不通となると、並列接続されているアンチヒューズ素子１０に過剰な電流が供給され、絶縁破壊を起こし導通状態となる。その結果、故障を生じていない他の半導体レーザ素子２０に対しては電流供給状態が維持され、点灯を保ったままとなる。
【0037】
以上の実施形態に加えて、さらに以下の付記を開示する。
（付記１）
第１電極と、前記第１電極上に配置された絶縁層と、前記絶縁層上に配置された第２電極とを備え、
前記絶縁層は、厚みの薄い第１領域と、前記第１領域よりも厚みの厚い第２領域とを有し、
前記第２電極の外縁は、上面視において、前記絶縁層の外縁よりも内側に位置するアンチヒューズ素子。
（付記２）
前記第１領域は、上面視において、前記第２領域に包囲されている付記１に記載のアンチヒューズ素子。
（付記３）
前記第２電極及び前記絶縁層の一部は、外部に露出している付記１または２に記載のアンチヒューズ素子。
（付記４）
前記第２電極は、上面視において、角が面取りされた四角形である付記１から３のいずれかに記載のアンチヒューズ素子。
（付記５）
前記第１領域を通過する少なくとも１つの断面において、前記第２領域は、厚みが一定であり、かつ前記第２領域上において、前記第２電極の厚みが一定である付記１から４のいずれかに記載のアンチヒューズ素子。
（付記６）
さらに、前記第２電極に接続された電流供給部材を備え、前記電流供給部材は、前記第２領域の上方にのみ配置されている付記１から５のいずれかに記載のアンチヒューズ素子。
（付記７）
さらに導電性の基板を備え、前記第１電極が前記基板上に配置されており、
前記導電性の基板の外縁は、上面視において、前記第１電極の外縁よりも外側に位置する付記１から６のいずれかに記載のアンチヒューズ素子。
（付記８）
前記基板は、前記第１電極の外縁と一致する第１縁部と、前記第１電極の外縁よりも外側に位置する第２縁部とを、厚み方向に備える付記１から７のいずれかに記載のアンチヒューズ素子。
（付記９）
付記１～８のいずれかに記載のアンチヒューズ素子と、
発光素子と、を備える発光装置。
（付記１０）
前記発光素子は半導体レーザ素子である付記９に記載の発光装置。
（付記１１）
上面視において、前記アンチヒューズ素子は、前記半導体レーザ素子の出射するレーザ光の光軸を含む仮想直線を避けた領域に配置されている付記１０に記載の発光装置。
（付記１２）
前記アンチヒューズ素子と前記半導体レーザ素子とが並列接続されており、該並列接続された前記アンチヒューズ素子と前記半導体レーザ素子との組が複数直列接続されている付記１０または１１に記載の発光装置。
（付記１）
第１電極と、前記第１電極上に配置された絶縁層と、前記絶縁層上に配置された第２電極とを備え、
前記絶縁層は、厚みの薄い第１領域と、前記第１領域よりも厚みの厚い第２領域とを有し、
前記第２電極の外縁は、上面視において、前記絶縁層の外縁よりも内側に位置するアンチヒューズ素子。
（付記２）
前記第１領域は、上面視において、前記第２領域に包囲されている付記１に記載のアンチヒューズ素子。
（付記３）
前記第２電極及び前記絶縁層の一部は、外部に露出している付記１または２に記載のアンチヒューズ素子。
（付記４）
前記第２電極は、上面視において、角が面取りされた四角形である付記１から３のいずれかに記載のアンチヒューズ素子。
（付記５）
前記第１領域を通過する少なくとも１つの断面において、前記第２領域は、厚みが一定であり、かつ前記第２領域上において、前記第２電極の厚みが一定である付記１から４のいずれかに記載のアンチヒューズ素子。
（付記６）
さらに、前記第２電極に接続された電流供給部材を備え、前記電流供給部材は、前記第２領域の上方にのみ配置されている付記１から５のいずれかに記載のアンチヒューズ素子。
（付記７）
さらに導電性の基板を備え、前記第１電極が前記基板上に配置されており、
前記導電性の基板の外縁は、上面視において、前記第１電極の外縁よりも外側に位置する付記１から６のいずれかに記載のアンチヒューズ素子。
（付記８）
前記基板は、前記第１電極の外縁と一致する第１縁部と、前記第１電極の外縁よりも外側に位置する第２縁部とを、厚み方向に備える付記１から７のいずれかに記載のアンチヒューズ素子。
（付記９）
付記１～８のいずれかに記載のアンチヒューズ素子と、
発光素子と、を備える発光装置。
（付記１０）
前記発光素子は半導体レーザ素子である付記９に記載の発光装置。
（付記１１）
上面視において、前記アンチヒューズ素子は、前記半導体レーザ素子の出射するレーザ光の光軸を含む仮想直線を避けた領域に配置されている付記１０に記載の発光装置。
（付記１２）
前記アンチヒューズ素子と前記半導体レーザ素子とが並列接続されており、該並列接続された前記アンチヒューズ素子と前記半導体レーザ素子との組が複数直列接続されている付記１０または１１に記載の発光装置。
【産業上の利用可能性】
【0038】
各実施形態に記載の発光装置は、プロジェクタ、車載ヘッドライト、ヘッドマウントディスプレイ、照明、ディスプレイ等に使用することができる。
【符号の説明】
【0039】
１ 第１電極
１ａ 外縁
２ 第２電極
２ａ 外縁
３ 絶縁層
３ａ 外縁
４ 基板
４ａ 第１縁部
４ｂ 第２縁部
５ 裏面電極
１０ アンチヒューズ素子
１０Ａ 側面
２０ 発光素子／半導体レーザ素子
２２ 接合領域
３０ 発光装置
３１ 第１領域
３２ 第２領域
３３ サブマウント
３４ 光反射部材
３４ａ 光反射面
３５ 保護素子
３７ 基部
３８ 蓋部材
３９ 底部
４０ 壁部
４０ａ 段差
４１ 電流供給部材
４３ パッケージ
４４ 光学部材
４４ａ レンズ面
４６ 導電層
１ａ 外縁
２ 第２電極
２ａ 外縁
３ 絶縁層
３ａ 外縁
４ 基板
４ａ 第１縁部
４ｂ 第２縁部
５ 裏面電極
１０ アンチヒューズ素子
１０Ａ 側面
２０ 発光素子／半導体レーザ素子
２２ 接合領域
３０ 発光装置
３１ 第１領域
３２ 第２領域
３３ サブマウント
３４ 光反射部材
３４ａ 光反射面
３５ 保護素子
３７ 基部
３８ 蓋部材
３９ 底部
４０ 壁部
４０ａ 段差
４１ 電流供給部材
４３ パッケージ
４４ 光学部材
４４ａ レンズ面
４６ 導電層
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図3E】
【図4】
