ホーム > 特許ランキング > 日亜化学工業株式会社
知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024049537
(43)【公開日】2024-04-10
(54)【発明の名称】発光装置
(51)【国際特許分類】
H01L 33/60 20100101AFI20240403BHJP
H01L 33/38 20100101ALI20240403BHJP
【ＦＩ】
H01L33/60
H01L33/38
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022155817
(22)【出願日】2022-09-29
(71)【出願人】
【識別番号】000226057
【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100108062
【弁理士】
【氏名又は名称】日向寺 雅彦
(74)【代理人】
【識別番号】100168332
【弁理士】
【氏名又は名称】小崎 純一
(74)【代理人】
【識別番号】100172188
【弁理士】
【氏名又は名称】内田 敬人
(72)【発明者】
【氏名】粟飯原 善之
【テーマコード（参考）】
5F142
5F241
【Ｆターム（参考）】
5F142AA04
5F142BA02
5F142BA32
5F142CA11
5F142CD02
5F142CD44
5F142CD47
5F142CG03
5F142CG04
5F142CG05
5F142CG24
5F142CG32
5F142DA14
5F142FA24
5F241CA05
5F241CA40
5F241CA93
5F241CB15
(57)【要約】
【課題】光取り出し効率を向上できる発光装置を提供すること。
【解決手段】発光装置は、発光素子と光反射性部材とを備える。発光素子は、半導体構造体と、半導体構造体の側面を少なくとも覆い、ｎ側露出面を露出させる第１開口部と、ｐ側層の上面の上方に位置する第２開口部とを有する絶縁膜と、ｐ側層の上面の上方に絶縁膜を介して位置する第１部分と、第１開口部においてｎ側露出面と電気的に接続されると共に、半導体構造体の側面を覆う絶縁膜に配置され第１部分と電気的に接続された第２部分と、半導体構造体の側面を覆う絶縁膜を露出させる第３開口部とを有するｎ側電極と、第２開口部においてｐ側層と電気的に接続されたｐ側電極とを有する。光反射性部材は、第３開口部において絶縁膜と接している。
【選択図】図４
【解決手段】発光装置は、発光素子と光反射性部材とを備える。発光素子は、半導体構造体と、半導体構造体の側面を少なくとも覆い、ｎ側露出面を露出させる第１開口部と、ｐ側層の上面の上方に位置する第２開口部とを有する絶縁膜と、ｐ側層の上面の上方に絶縁膜を介して位置する第１部分と、第１開口部においてｎ側露出面と電気的に接続されると共に、半導体構造体の側面を覆う絶縁膜に配置され第１部分と電気的に接続された第２部分と、半導体構造体の側面を覆う絶縁膜を露出させる第３開口部とを有するｎ側電極と、第２開口部においてｐ側層と電気的に接続されたｐ側電極とを有する。光反射性部材は、第３開口部において絶縁膜と接している。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
発光素子と、光反射性部材とを備え、
前記発光素子は、
ｎ側層と、ｐ側層と、前記ｎ側層と前記ｐ側層との間に位置する活性層とを有する半導体構造体であって、平面視において前記ｎ側層は前記活性層及び前記ｐ側層から露出するｎ側露出面を有し、前記半導体構造体は、前記ｎ側露出面と前記ｐ側層の上面とを接続する側面を有する前記半導体構造体と、
前記半導体構造体の前記側面を少なくとも覆い、前記ｎ側露出面を露出させる第１開口部と、前記ｐ側層の前記上面の上方に位置する第２開口部と、を有する絶縁膜と、
前記ｐ側層の前記上面の上方に前記絶縁膜を介して位置する第１部分と、前記第１開口部において前記ｎ側露出面と電気的に接続されると共に、前記半導体構造体の前記側面を覆う前記絶縁膜に配置され前記第１部分と電気的に接続された第２部分と、前記半導体構造体の前記側面を覆う前記絶縁膜を露出させる第３開口部と、を有するｎ側電極と、
前記第２開口部において前記ｐ側層と電気的に接続されたｐ側電極と、
を有し、
前記光反射性部材は、前記第３開口部において前記絶縁膜と接している発光装置。
前記発光素子は、
ｎ側層と、ｐ側層と、前記ｎ側層と前記ｐ側層との間に位置する活性層とを有する半導体構造体であって、平面視において前記ｎ側層は前記活性層及び前記ｐ側層から露出するｎ側露出面を有し、前記半導体構造体は、前記ｎ側露出面と前記ｐ側層の上面とを接続する側面を有する前記半導体構造体と、
前記半導体構造体の前記側面を少なくとも覆い、前記ｎ側露出面を露出させる第１開口部と、前記ｐ側層の前記上面の上方に位置する第２開口部と、を有する絶縁膜と、
前記ｐ側層の前記上面の上方に前記絶縁膜を介して位置する第１部分と、前記第１開口部において前記ｎ側露出面と電気的に接続されると共に、前記半導体構造体の前記側面を覆う前記絶縁膜に配置され前記第１部分と電気的に接続された第２部分と、前記半導体構造体の前記側面を覆う前記絶縁膜を露出させる第３開口部と、を有するｎ側電極と、
前記第２開口部において前記ｐ側層と電気的に接続されたｐ側電極と、
を有し、
前記光反射性部材は、前記第３開口部において前記絶縁膜と接している発光装置。
【請求項2】
前記ｐ側層の前記上面と、前記ｐ側電極との間に配置され、前記ｐ側層及び前記ｐ側電極と電気的に接続された光反射性電極をさらに備える請求項１に記載の発光装置。
【請求項3】
前記光反射性電極は、前記ｎ側露出面を露出させる第４開口部を有し、
平面視において、前記第３開口部の外縁の一部は、前記第４開口部の外縁よりも外側に位置する請求項２に記載の発光装置。
平面視において、前記第３開口部の外縁の一部は、前記第４開口部の外縁よりも外側に位置する請求項２に記載の発光装置。
【請求項4】
平面視において、前記第２部分は、前記第３開口部と、前記ｐ側電極と、の間に位置している請求項１～３のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項5】
前記ｎ側層は、複数の前記ｎ側露出面を有し、
前記ｎ側電極は、１つの前記ｎ側露出面に平面視において隣り合う前記半導体構造体の前記側面の上方に位置する複数の前記第３開口部を有している、請求項１～３のいずれか１つに記載の発光装置。
前記ｎ側電極は、１つの前記ｎ側露出面に平面視において隣り合う前記半導体構造体の前記側面の上方に位置する複数の前記第３開口部を有している、請求項１～３のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項6】
前記ｐ側電極は、平面視において第１方向に延びて配置され、
平面視において、前記第２部分は、前記複数の前記第３開口部のうち、前記第１方向において隣り合う２つの前記第３開口部間に位置している請求項５に記載の発光装置。
平面視において、前記第２部分は、前記複数の前記第３開口部のうち、前記第１方向において隣り合う２つの前記第３開口部間に位置している請求項５に記載の発光装置。
【請求項7】
平面視において、前記第２部分は、前記複数の前記第３開口部のうち、前記第１方向に直交する第２方向において隣り合う２つの前記第３開口部間に位置している請求項６に記載の発光装置。
【請求項8】
前記ｐ側電極は、平面視において第１方向に延びて配置され、
前記ｎ側層は、前記第１方向に直交する第２方向において隣り合う第１ｎ側露出面と第２ｎ側露出面とを含む複数の前記ｎ側露出面を有し、
前記第２ｎ側露出面は、前記第２方向において前記第１ｎ側露出面よりも前記ｐ側電極に近い位置にあり、
前記ｎ側電極は、前記第２ｎ側露出面に隣り合う前記半導体構造体の前記側面の上方に位置し、前記第１方向において離隔した第３Ａ開口及び第３Ｂ開口を含む複数の前記第３開口部を有し、
前記第２ｎ側露出面に接続される前記第２部分は、平面視において、前記第３Ａ開口と前記第３Ｂ開口と、の間に位置しており、
前記第１ｎ側露出面に接続される前記第２部分は、平面視において、前記第２ｎ側露出面と、前記第１ｎ側露出面に隣り合う前記半導体構造体の前記側面の上方に位置する前記第３開口部と、の間に位置している請求項１～３のいずれか１つに記載の発光装置。
前記ｎ側層は、前記第１方向に直交する第２方向において隣り合う第１ｎ側露出面と第２ｎ側露出面とを含む複数の前記ｎ側露出面を有し、
前記第２ｎ側露出面は、前記第２方向において前記第１ｎ側露出面よりも前記ｐ側電極に近い位置にあり、
前記ｎ側電極は、前記第２ｎ側露出面に隣り合う前記半導体構造体の前記側面の上方に位置し、前記第１方向において離隔した第３Ａ開口及び第３Ｂ開口を含む複数の前記第３開口部を有し、
前記第２ｎ側露出面に接続される前記第２部分は、平面視において、前記第３Ａ開口と前記第３Ｂ開口と、の間に位置しており、
前記第１ｎ側露出面に接続される前記第２部分は、平面視において、前記第２ｎ側露出面と、前記第１ｎ側露出面に隣り合う前記半導体構造体の前記側面の上方に位置する前記第３開口部と、の間に位置している請求項１～３のいずれか１つに記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、発光装置に関する。
【背景技術】
【0002】
ｎ側層における、活性層及びｐ側層から露出し、ｎ側電極が接続するｎ側露出面の反対側に位置する面側から光を取り出す構造の発光装置がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特表２０１７－５３５０５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示に係る実施形態は、光取り出し効率を向上できる発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一態様によれば、発光装置は、発光素子と、光反射性部材とを備え、前記発光素子は、ｎ側層と、ｐ側層と、前記ｎ側層と前記ｐ側層との間に位置する活性層とを有する半導体構造体であって、平面視において前記ｎ側層は前記活性層及び前記ｐ側層から露出するｎ側露出面を有し、前記半導体構造体は、前記ｎ側露出面と前記ｐ側層の上面とを接続する側面を有する前記半導体構造体と、前記半導体構造体の前記側面を少なくとも覆い、前記ｎ側露出面を露出させる第１開口部と、前記ｐ側層の前記上面の上方に位置する第２開口部と、を有する絶縁膜と、前記ｐ側層の前記上面の上方に前記絶縁膜を介して位置する第１部分と、前記第１開口部において前記ｎ側露出面と電気的に接続されると共に、前記半導体構造体の前記側面を覆う前記絶縁膜に配置され前記第１部分と電気的に接続された第２部分と、前記半導体構造体の前記側面を覆う前記絶縁膜を露出させる第３開口部と、を有するｎ側電極と、前記第２開口部において前記ｐ側層と電気的に接続されたｐ側電極と、を有し、前記光反射性部材は、前記第３開口部において前記絶縁膜と接している。
【発明の効果】
【0006】
本開示に係る実施形態によれば、光取り出し効率を向上できる発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】実施形態の発光装置の模式斜視図である。
【図2】実施形態の発光装置の模式断面図である。
【図3】実施形態の発光素子の模式平面図である。
【図4】実施形態の発光装置の一部分の模式拡大断面図である。
【図5】実施形態の発光素子における１つのｎ側露出面が位置する部分の模式平面図である。
【図8】実施形態の発光素子の他の例を示す模式平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、図面を参照し、実施形態の発光装置について説明する。実施形態に記載されている構成部の寸法、材料、形状、相対的配置などは、特定的な記載がない限り、それのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさ、位置関係などは、説明を明確にするため誇張していることがある。また、以下の説明において、同一の名称、符号については、同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。また、断面図として、切断面のみを示す端面図を示す場合がある。
【0009】
以下の説明において、特定の方向又は位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、及びそれらの用語を含む別の用語）を用いる場合がある。しかしながら、それらの用語は、参照した図面における相対的な方向又は位置を分かり易さのために用いているに過ぎない。参照した図面における「上」、「下」等の用語による相対的な方向又は位置の関係が同一であれば、本開示以外の図面、実際の製品等において、参照した図面と同一の配置でなくてもよい。本明細書において「上（又は下）」と表現する位置関係は、例えば、２つの部材があると仮定した場合に、２つの部材が接している場合と、２つの部材が接しておらず一方の部材が他方の部材の上方（又は下方）に位置している場合を含む。また、特定的な記載がない限り、部材が被覆対象を覆うとは、部材が被覆対象に接して被覆対象を直接覆う場合と、部材が被覆対象に非接触で被覆対象を間接的に覆う場合を含む。
【0010】
以下に示す図でＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸により方向を示す場合がある。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は、互いに直交する。例えば、本明細書において、Ｘ軸に沿う方向を第１方向Ｘ、Ｙ軸に沿う方向を第２方向Ｙ、Ｚ軸に沿う方向を第３方向Ｚとする。
【0011】
実施形態の発光装置１は、発光素子１００と、光反射性部材２００とを備えている。発光素子１００は、半導体構造体１０と、絶縁膜２０と、ｎ側電極３０と、ｐ側電極４０と、を有する。ｎ側層１１と、ｐ側層１３と、ｎ側層１１とｐ側層１３との間に位置する活性層１２とを有する半導体構造体１０である。平面視においてｎ側層１１は活性層１２及びｐ側層１３から露出するｎ側露出面１１ａを有する。半導体構造体１０は、ｎ側露出面１１ａとｐ側層１３の上面１３ａとを接続する側面１０ａを有する。絶縁膜２０は、第１開口部２１と、第２開口部２２と、を有する。第１開口部２１は、半導体構造体１０の側面を少なくとも覆い、ｎ側露出面１１ａを露出させる。第２開口部２２は、ｐ側層１３の上面１３ａの上方に位置する。ｎ側電極３０は、第１部分３１と、第２部分３２と、第３開口部３３と、を有する。第１部分３１は、ｐ側層１３の上面１３ａの上方に絶縁膜２０を介して位置する。第２部分３２は、第１開口部２１においてｎ側露出面１１ａと電気的に接続されると共に、半導体構造体１０の側面１０ａを覆う絶縁膜２０に配置され第１部分３１と電気的に接続される。第３開口部３３は、半導体構造体１０の側面１０ａを覆う絶縁膜２０を露出させる。ｐ側電極４０は、第２開口部２２においてｐ側層１３と電気的に接続される。光反射性部材２００は、第３開口部３３において絶縁膜２０と接している。
【0012】
以下、図１～図５を参照して、実施形態の発光装置１について説明する。図１は、実施形態の発光装置１の模式斜視図である。図２は、実施形態の発光装置１の模式断面図である。図３は、発光素子１００の模式平面図である。図４は、発光素子１００の詳細な断面構造を含む発光装置１の一部分の模式拡大断面図である。図４における発光素子１００の断面は、図３のIＶ－IＶ線における断面に対応する。図５は、発光素子１００における１つのｎ側露出面１１ａが位置する部分の模式平面図である。
【0013】
図１及び図２に示すように、実施形態の発光装置１は、発光素子１００と、光反射性部材２００と、を備えている。実施形態の発光装置１は、配線基板３００と、透光性部材４００と、接着部材５００と、外部端子６００とをさらに備えることができる。以下、各構成について詳説する。
【0014】
［発光素子］
発光素子１００は、半導体構造体１０と、絶縁膜２０と、ｎ側電極３０と、ｐ側電極４０とを有する。
発光素子１００は、半導体構造体１０と、絶縁膜２０と、ｎ側電極３０と、ｐ側電極４０とを有する。
【0015】
＜半導体構造体＞
半導体構造体１０は、窒化物半導体からなる。本明細書において「窒化物半導体」とは、例えば、ＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）なる化学式において組成比ｘ及びｙをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。また、上記化学式において、Ｎ（窒素）以外のＶ族元素もさらに含むもの、導電型などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むものも「窒化物半導体」に含まれるものとする。
半導体構造体１０は、窒化物半導体からなる。本明細書において「窒化物半導体」とは、例えば、ＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）なる化学式において組成比ｘ及びｙをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。また、上記化学式において、Ｎ（窒素）以外のＶ族元素もさらに含むもの、導電型などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むものも「窒化物半導体」に含まれるものとする。
【0016】
半導体構造体１０は、ｎ側層１１と、ｐ側層１３と、活性層１２とを有する。活性層１２は、第３方向Ｚにおいて、ｎ側層１１とｐ側層１３との間に位置する。活性層１２は、光を発する発光層であり、例えば複数の障壁層と、複数の井戸層を含むＭＱＷ（Multiple Quantum well）構造を有する。活性層１２は、例えば、発光ピーク波長が２１０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の光を発する。ｎ側層１１は、ｎ型不純物を含む半導体層を有する。ｐ側層１３は、ｐ型不純物を含む半導体層を有する。
【0017】
半導体構造体１０は、基板８０上に配置される。基板８０上に、ｎ側層１１、活性層１２、及びｐ側層１３が順に形成される。基板８０として、例えば、サファイア基板を用いることができる。発光素子１００は、基板８０を有さなくてもよい。
【0018】
図３に示すように、平面視において、ｎ側層１１は、活性層１２及びｐ側層１３から露出するｎ側露出面１１ａを有する。ｎ側層１１は、例えば、複数のｎ側露出面１１ａを有する。半導体構造体１０は、光取り出し面１０ｂを有する。図４に示すように、光取り出し面１０ｂは、第３方向Ｚにおいてｎ側露出面１１ａの反対側に位置するｎ側層１１の面である。活性層１２が発する光は、主に光取り出し面１０ｂから半導体構造体１０の外部に取り出される。ｐ側層１３は、第３方向Ｚにおいて光取り出し面１０ｂの反対側に位置する上面１３ａを有する。半導体構造体１０は、ｎ側露出面１１ａとｐ側層１３の上面１３ａとを接続する側面１０ａを有する。半導体構造体１０の側面１０ａは、ｐ側層１３の側面及び活性層１２の側面を含む。また、半導体構造体１０の側面１０ａは、ｎ側露出面１１ａと接続されるｎ側層１１の側面を含む。
【0019】
＜絶縁膜＞
図４に示すように、絶縁膜２０は、半導体構造体１０の側面１０ａを少なくとも覆う。絶縁膜２０は、例えば、半導体構造体１０の側面１０ａの全面を覆っている。すなわち、絶縁膜２０は、ｐ側層１３の側面、活性層１２の側面、及びｎ側露出面１１ａと接続しているｎ側層１１の側面を覆っている。絶縁膜２０は、半導体構造体１０の側面１０ａを直接的または間接的に覆っている。例えば、絶縁膜２０は、半導体構造体１０の側面１０ａに接している。
図４に示すように、絶縁膜２０は、半導体構造体１０の側面１０ａを少なくとも覆う。絶縁膜２０は、例えば、半導体構造体１０の側面１０ａの全面を覆っている。すなわち、絶縁膜２０は、ｐ側層１３の側面、活性層１２の側面、及びｎ側露出面１１ａと接続しているｎ側層１１の側面を覆っている。絶縁膜２０は、半導体構造体１０の側面１０ａを直接的または間接的に覆っている。例えば、絶縁膜２０は、半導体構造体１０の側面１０ａに接している。
【0020】
絶縁膜２０は、さらにｎ側露出面１１ａの一部を覆っていてよい。例えば、絶縁膜２０は、上面視において、ｎ側露出面１１ａの外周部に配置されている。絶縁膜２０は、ｎ側露出面１１ａを露出させる第１開口部２１を有する。
【0021】
絶縁膜２０は、ｐ側層１３の上面１３ａの上方にも配置されている。絶縁膜２０は、ｐ側層１３の上面１３ａの上方に位置する第２開口部２２を有する。
【0022】
絶縁膜２０として、例えば、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜を用いることができる。絶縁膜２０は、単層膜または積層膜である。
【0023】
＜ｎ側電極＞
ｎ側電極３０は、ｎ側層１１と電気的に接続されている。ｎ側電極３０は、第１部分３１と第２部分３２とを有する。
ｎ側電極３０は、ｎ側層１１と電気的に接続されている。ｎ側電極３０は、第１部分３１と第２部分３２とを有する。
【0024】
図４に示すように、第１部分３１は、ｐ側層１３の上面１３ａの上方に、絶縁膜２０を介して位置する。第１部分３１をｐ側層１３の上面１３ａの上方に配置することで、後述するｎ側外部接続電極９２を、第１部分３１に配置することができる。第１部分３１の面積は、ｎ側露出面１１ａの面積（複数のｎ側露出面１１ａがある場合には、複数のｎ側露出面１１ａの全面積）よりも大きい。これにより、ｎ側外部接続電極９２を第１部分３１に容易に配置することができる。
【0025】
図４に示すように、第２部分３２は、絶縁膜２０の第１開口部２１においてｎ側露出面１１ａに接し、ｎ側露出面１１ａと電気的に接続されると共に、半導体構造体１０の側面１０ａを覆う絶縁膜２０に配置され第１部分３１と電気的に接続されている。ｎ側層１１は、ｎ側露出面１１ａと接続される第２部分３２を介して、第１部分３１と電気的に接続している。
【0026】
ｎ側電極３０とｐ側層１３の上面１３ａとの間、ｎ側電極３０とｐ側層１３の側面との間、及びｎ側電極３０と活性層１２の側面との間には絶縁膜２０が位置し、ｎ側電極３０はｐ側層１３及び活性層１２とは接続されていない。
【0027】
図４に示すように、ｎ側電極３０は、第３開口部３３をさらに有する。第３開口部３３は、半導体構造体１０の側面１０ａを覆う絶縁膜２０を露出させる。半導体構造体１０の側面１０ａを覆う絶縁膜２０の一部はｎ側電極３０の第２部分３２で覆われている。半導体構造体１０の側面１０ａを覆う絶縁膜２０において、ｎ側電極３０の第２部分３２で覆われていない部分に第３開口部３３が位置する。
【0028】
図３に示すように、ｎ側露出面１１ａの数は、第３開口部３３の数と同じである。ｎ側電極３０は、１つのｎ側露出面１１ａに対して、１つの第３開口部３３を有している。なお、複数のｎ側露出面１１ａのうち第３開口部３３が配置されていないｎ側露出面１１ａを有していてもよい。
【0029】
図５において、絶縁膜２０の第１開口部２１の外縁２１ｏ及びｎ側露出面１１ａの外縁１１ｏを、円形状の破線で表す。なお、平面視において、第１開口部２１の外縁２１ｏ及びｎ側露出面１１ａの外縁１１ｏは円形状に限らず、多角形状であってもよい。また、円形状は、真円に限らず、連続した閉曲線からなる形状も含む。
【0030】
図５において、ｎ側電極３０の第３開口部３３の外縁３３ｏを実線で表す。平面視において、第３開口部３３の外縁３３ｏは、例えば、連続する閉曲線からなる。図５に示すように、第３開口部３３の外縁３３ｏは、例えば、円の一部に円の中心に向かって凸となる曲線を有する形状である。または、平面視において、第３開口部３３の外縁３３ｏは、多角形状であってもよい。
【0031】
図５において、第３開口部３３の外縁３３ｏは、第１開口部２１の外縁２１ｏと重ならず離隔している。また、第３開口部３３の外縁３３ｏの一部は、ｎ側露出面１１ａの一部と重なっている。絶縁膜２０は、第３開口部３３の外縁３３ｏの内側の領域において露出している。ｎ側電極３０の第１部分３１及び第２部分３２は、第３開口部３３の外縁３３ｏの外側の領域に連続して配置されている。
【0032】
＜ｐ側電極＞
ｐ側電極４０は、ｐ側層１３と電気的に接続されている。図４に示すように、ｐ側電極４０は、絶縁膜２０の第２開口部２２においてｐ側層１３と電気的に接続されている。図３に示すように、ｐ側電極４０は、平面視において第１方向Ｘに延びて配置されている。第２開口部２２も平面視において第１方向Ｘに延びている。
ｐ側電極４０は、ｐ側層１３と電気的に接続されている。図４に示すように、ｐ側電極４０は、絶縁膜２０の第２開口部２２においてｐ側層１３と電気的に接続されている。図３に示すように、ｐ側電極４０は、平面視において第１方向Ｘに延びて配置されている。第２開口部２２も平面視において第１方向Ｘに延びている。
【0033】
ｐ側電極４０は、ｐ側層１３の上面１３ａの上方に配置された絶縁膜２０上に配置される。上面視において、ｐ側電極４０は、ｎ側電極３０と離れて配置される。図４に示すように、例えば、絶縁膜２０上のｐ側電極４０とｎ側電極３０との間には、光反射性部材２００が配置される。
【0034】
ｎ側電極３０及びｐ側電極４０の材料として、例えば、銀、アルミニウム、ニッケル、ロジウム、金、銅、チタン、プラチナ、パラジウム、モリブデン、クロム、タングステン、またはそれらの金属を主成分とする合金を好適に用いることができる。ｎ側電極３０の材料とｐ側電極４０の材料とは、同じとしてもよいし、異なっていてもよい。また、ｎ側電極３０及びｐ側電極４０は、上記の金属材料の単層としてもよいし、複数の金属層を有する積層構造としてもよい。
【0035】
＜光反射性電極＞
発光素子１００は、光反射性電極５０をさらに有することができる。図４に示すように、光反射性電極５０は、ｐ側層１３の上面１３ａとｐ側電極４０との間に配置され、ｐ側層１３及びｐ側電極４０と電気的に接続されている。また、光反射性電極５０は、ｐ側電極４０から供給される電流を、ｐ側層１３の面方向（ＸＹ面に平行な方向）に拡散させる機能を有する。
発光素子１００は、光反射性電極５０をさらに有することができる。図４に示すように、光反射性電極５０は、ｐ側層１３の上面１３ａとｐ側電極４０との間に配置され、ｐ側層１３及びｐ側電極４０と電気的に接続されている。また、光反射性電極５０は、ｐ側電極４０から供給される電流を、ｐ側層１３の面方向（ＸＹ面に平行な方向）に拡散させる機能を有する。
【0036】
ｐ側層１３の上面１３ａの上方に配置された絶縁膜２０は、光反射性電極５０の上面、光反射性電極５０の側面、及びｐ側層１３の上面１３ａを覆っている。
【0037】
光反射性電極５０は、例えば、活性層１２が発する光に対して高い反射性を有する。ここで、光反射性電極５０が高い反射性を有するとは、活性層１２が発する光の発光ピーク波長に対して、５０％以上、好ましくは６０％以上の反射率を有することである。光反射性電極５０は、例えば、銀またはアルミニウムを含む金属層を用いることができる。
【0038】
光反射性電極５０は、ｎ側露出面１１ａを露出させる第４開口部５１を有する。図５において、第４開口部５１の外縁５１ｏを、円形状の破線で表す。なお、平面視において、第４開口部５１の外縁５１ｏは、円形状に限らず、多角形状であってもよい。
【0039】
平面視において、光反射性電極５０の第４開口部５１の外縁５１ｏの内側に、ｎ側露出面１１ａ、及び絶縁膜２０の第１開口部２１が位置する。
【0040】
＜外部接続電極＞
発光素子１００は、ｐ側外部接続電極９１及びｎ側外部接続電極９２をさらに有することができる。図４に示すように、ｐ側外部接続電極９１は、ｐ側電極４０上に配置されている。ｐ側外部接続電極９１は、ｐ側電極４０を介して、ｐ側層１３と電気的に接続される。図３に示すように、複数のｐ側外部接続電極９１が、ｐ側電極４０が延びる方向（第１方向Ｘ）に並んで配置されている。
発光素子１００は、ｐ側外部接続電極９１及びｎ側外部接続電極９２をさらに有することができる。図４に示すように、ｐ側外部接続電極９１は、ｐ側電極４０上に配置されている。ｐ側外部接続電極９１は、ｐ側電極４０を介して、ｐ側層１３と電気的に接続される。図３に示すように、複数のｐ側外部接続電極９１が、ｐ側電極４０が延びる方向（第１方向Ｘ）に並んで配置されている。
【0041】
ｎ側外部接続電極９２は、第１部分３１上に配置されている。ｎ側外部接続電極９２は、ｎ側電極３０を介して、ｎ側層１１と電気的に接続されている。図３に示す平面視において、発光素子１００は、第１方向Ｘに延びるｐ側電極４０を挟んで第２方向Ｙに分かれた２つの領域を有する。発光素子１００の２つの領域のうちの一方を第１領域Ａ１、他方を第２領域Ａ２とする。第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２のそれぞれに、複数のｎ側外部接続電極９２が配置されている。ｎ側電極３０の第１部分３１は、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２に配置されている。図３に示すように、複数のｎ側外部接続電極９２を第１部分３１に配置することで、配線基板３００とｎ側外部接続電極９２との接触面積を大きくできるので放熱性を向上することができる。また、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２のそれぞれに、複数のｎ側露出面１１ａが配置されている。
【0042】
ｐ側外部接続電極９１及びｎ側外部接続電極９２の材料として、例えば、銅、金、ニッケルを用いることができる。ｐ側外部接続電極９１及びｎ側外部接続電極９２は、上記の金属材料の単層としてもよいし、複数の金属層を有する積層構造としてもよい。
【0043】
［光反射性部材］
光反射性部材２００は、ｎ側電極３０の第３開口部３３において絶縁膜２０と接している。光反射性部材２００は、発光素子１００の周囲に配置されている。光反射性部材２００は、少なくとも、発光素子１００の側面及び下面を覆っている。図２において、光反射性部材２００は、配線基板３００上に配置されている。また、光反射性部材２００は、配線基板３００と発光素子１００との間に配置されている。光反射性部材２００は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
光反射性部材２００は、ｎ側電極３０の第３開口部３３において絶縁膜２０と接している。光反射性部材２００は、発光素子１００の周囲に配置されている。光反射性部材２００は、少なくとも、発光素子１００の側面及び下面を覆っている。図２において、光反射性部材２００は、配線基板３００上に配置されている。また、光反射性部材２００は、配線基板３００と発光素子１００との間に配置されている。光反射性部材２００は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
【0044】
光反射性部材２００は、活性層１２が発する光に対して高い反射性を有する。ここで、光反射性部材２００が高い反射性を有するとは、活性層１２が発する光の発光ピーク波長に対して、６０％以上、好ましくは７０％以上の反射率を有することである。活性層１２が発する光に対する光反射性部材２００の吸収率は、活性層１２が発する光に対するｎ側電極３０の吸収率よりも低い。
【0045】
光反射性部材２００は、母材の樹脂と、樹脂中に含まれる光反射性物質の粒子とを含む。光反射性部材２００の樹脂としては、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フッ素樹脂の１種以上を含む樹脂が挙げられる。光反射性部材２００の光反射性物質としては、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト及びこれらの組み合わせなどが挙げられる。光反射性物質の平均粒子径は、例えば０．０５μｍ以上３０μｍ以下が挙げられる。
【0046】
光反射性部材２００は、絶縁膜２０、ｎ側電極３０、ｐ側電極４０、ｐ側外部接続電極９１の側面、及びｎ側外部接続電極９２の側面を覆っている。ｐ側外部接続電極９１におけるｐ側電極４０と接続する面の反対側の面９１ａ、及びｎ側外部接続電極９２におけるｎ側電極３０と接続する面の反対側の面９２ａは、光反射性部材２００から露出している。
【0047】
［配線基板］
発光素子１００は、配線基板３００上に配置される。配線基板３００は、絶縁基材３０１と、絶縁基材３０１上に配置された導電部材３０２と、を有する。導電部材３０２は、絶縁基材３０１の内部に位置する貫通孔内に配置された導電部を介して、後述する外部端子６００と電気的に接続されている。図２に示すように、発光素子１００におけるｐ側外部接続電極９１の面９１ａ、及びｎ側外部接続電極９２の面９２ａを含む面が、配線基板３００に対向する実装面となる。ｐ側外部接続電極９１の面９１ａ、及びｎ側外部接続電極９２の面９２ａが、例えば、はんだ等の接合部材を介して、導電部材３０２と接合される。発光素子１００が配線基板３００上に配置された状態において、半導体構造体１０の光取り出し面１０ｂは、発光素子１００の配線基板３００に実装される面の反対側に位置している。なお、ｐ側外部接続電極９１及びｎ側外部接続電極９２は、配線基板３００上に配置されていてもよい。この場合、ｐ側外部接続電極９１及びｎ側外部接続電極９２を備える配線基板３００と、発光素子１００のｎ側電極３０、ｐ側電極４０と、が接合される。
発光素子１００は、配線基板３００上に配置される。配線基板３００は、絶縁基材３０１と、絶縁基材３０１上に配置された導電部材３０２と、を有する。導電部材３０２は、絶縁基材３０１の内部に位置する貫通孔内に配置された導電部を介して、後述する外部端子６００と電気的に接続されている。図２に示すように、発光素子１００におけるｐ側外部接続電極９１の面９１ａ、及びｎ側外部接続電極９２の面９２ａを含む面が、配線基板３００に対向する実装面となる。ｐ側外部接続電極９１の面９１ａ、及びｎ側外部接続電極９２の面９２ａが、例えば、はんだ等の接合部材を介して、導電部材３０２と接合される。発光素子１００が配線基板３００上に配置された状態において、半導体構造体１０の光取り出し面１０ｂは、発光素子１００の配線基板３００に実装される面の反対側に位置している。なお、ｐ側外部接続電極９１及びｎ側外部接続電極９２は、配線基板３００上に配置されていてもよい。この場合、ｐ側外部接続電極９１及びｎ側外部接続電極９２を備える配線基板３００と、発光素子１００のｎ側電極３０、ｐ側電極４０と、が接合される。
【0048】
絶縁基材３０１の材料として、例えば、窒化アルミニウムを用いることができる。また、導電部材３０２の材料は、ｎ側外部接続電極９２及びｐ側外部接続電極９１と同様の材料を用いることができる。
【0049】
［外部端子］
配線基板３００は、外部端子６００を有していてよい。図２に示すように、外部端子６００は、配線基板３００における発光素子１００が配置された面の反対側の面に配置されている。発光素子１００のｐ側外部接続電極９１及びｎ側外部接続電極９２は、配線基板３００の導電部材３０２、貫通孔内に位置する導電部を介して、外部端子６００と電気的に接続されている。外部端子６００、配線基板３００の導電部材３０２、ｐ側外部接続電極９１、及びｎ側外部接続電極９２を介して、外部回路から発光素子１００に電力が供給される。外部端子６００の材料は、ｎ側外部接続電極９２及びｐ側外部接続電極９１と同様の材料を用いることができる。
配線基板３００は、外部端子６００を有していてよい。図２に示すように、外部端子６００は、配線基板３００における発光素子１００が配置された面の反対側の面に配置されている。発光素子１００のｐ側外部接続電極９１及びｎ側外部接続電極９２は、配線基板３００の導電部材３０２、貫通孔内に位置する導電部を介して、外部端子６００と電気的に接続されている。外部端子６００、配線基板３００の導電部材３０２、ｐ側外部接続電極９１、及びｎ側外部接続電極９２を介して、外部回路から発光素子１００に電力が供給される。外部端子６００の材料は、ｎ側外部接続電極９２及びｐ側外部接続電極９１と同様の材料を用いることができる。
【0050】
活性層１２が発する光は、主に光取り出し面１０ｂを介して、発光装置１の外部に取り出される。活性層１２から光取り出し面１０ｂに直接向かわない光は、光反射性部材２００で主に反射させて光取り出し面１０ｂに向かわせることができる。
【0051】
図４に示すように、半導体構造体１０のｎ側露出面１１ａに接続する側面１０ａにおいて、ｎ側電極３０は、第２部分３２と第３開口部３３とを有する。第２部分３２は、ｎ側露出面１１ａと第１部分３１とを電気的に接続する。また、第３開口部３３において、絶縁膜２０は、光反射性部材２００と接している。これにより、第２部分３２によってｎ側露出面１１ａと第１部分３１との電気的接続を確保しつつ、第３開口部３３においてはｎ側電極３０による光吸収を低減し、ｎ側電極３０よりも光吸収の少ない光反射性部材２００によって反射率を高めることができる。この結果、光取り出し面１０ｂからの光取り出し効率を向上させることができる。また、ｐ側層１３の上面１３ａ上に光反射性電極５０を配置した場合には、光反射性電極５０による反射によって、光取り出し面１０ｂからの光取り出し効率を向上させることができる。
【0052】
図５に示すように、平面視において、第３開口部３３の外縁３３ｏの一部（第２部分３２に隣接する部分）は、ｎ側露出面１１ａの外縁１１ｏより内側に位置することが好ましい。これにより、ｎ側露出面１１ａにおけるｎ側層１１とｎ側電極３０との接触面積を確保することができる。
【0053】
図５に示すように、平面視において、第３開口部３３の外縁３３ｏの一部（第２部分３２に隣接しない部分）は、光反射性電極５０の第４開口部５１の外縁５１ｏよりも外側に位置することが好ましい。これにより、第３開口部３３の外縁３３ｏの一部が、光反射性電極５０の第４開口部５１の外縁５１ｏよりも内側に位置する場合に比べて、半導体構造体１０の側面１０ａにおけるｎ側電極３０による光吸収を低減できる。また、平面視において、第３開口部３３の外縁３３ｏと光反射性電極５０の第４開口部５１の外縁５１ｏとが重なる部分を低減でき、検査工程において第３開口部３３と第４開口部５１との区別が容易になる。
【0054】
図３に示すように、複数の第３開口部３３は、平面視において、互いに離隔している。また、第２部分３２はそれぞれのｎ側露出面１１ａに接続されている。それぞれのｎ側露出面１１ａに接続されるそれぞれの第２部分３２は、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２に配置された第１部分３１と接続している。
【0055】
平面視において、複数のｎ側露出面１１ａのうちの少なくとも１つについて、ｎ側露出面１１ａと接続された第２部分３２は、第２方向Ｙにおいて第３開口部３３とｐ側電極４０との間に位置している。第１領域Ａ１に配置された第２部分３２は、平面視においてｎ側露出面１１ａの中心からｐ側電極４０に向かってＹ軸のマイナス方向に延びている。第２領域Ａ２に配置された第２部分３２は、平面視においてｎ側露出面１１ａの中心からｐ側電極４０に向かってＹ軸のプラス方向に延びている。平面視において、第２部分３２は、ｎ側露出面１１ａの中心と、ｐ側電極４０とを最短距離で結ぶ仮想直線を含む領域に位置する。これにより、ｐ側電極４０とｎ側露出面１１ａとの間の経路における電流損失を低減し、発光装置１の順方向電圧を低減できる。
【0056】
図６及び図７は、図５と同様の部分の他の例を示す模式平面図である。図６及び図７に示す例では、ｎ側電極３０は、１つのｎ側露出面１１ａに平面視において隣り合う半導体構造体１０の側面１０ａの上方に位置する複数の第３開口部３３を有している。
【0057】
図６に示す例では、平面視において、２つの第３開口部３３が、第１方向Ｘにおいて１つのｎ側露出面１１ａの中心を挟んで離れて位置する。平面視において、第２部分３２は、第１方向Ｘにおいて隣り合う２つの第３開口部３３の間に位置している。第２部分３２は第２方向Ｙの両端側の２箇所において第１部分３１と接続されている。これにより、１つのｎ側露出面１１ａにおいて、第１部分３１と第２部分３２とが接続されている箇所が１つである場合と比べて、第２部分３２への電流集中を低減することができる。図６において、第３開口部３３の外縁３３ｏは、第２方向Ｙに延びる略楕円形状を有している。
【0058】
また、図７に示すように、平面視において、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにおいて互いに離隔する４つの第３開口部３３が、１つのｎ側露出面１１ａの中心に対して点対称の位置に位置している。平面視において、第２部分３２は、４つの第３開口部３３のうち、第１方向Ｘにおいて隣り合う２つの第３開口部３３の間、及び第２方向Ｙにおいて隣り合う２つの第３開口部３３の間に位置している。この場合、１つのｎ側露出面１１ａにおいて、第１部分３１と第２部分３２とが接続されている箇所は、４つである。これにより、第２部分３２への電流集中を低減することができる。上面視において、第３開口部３３は、扇形の形状を有している。なお、４つの第３開口部３３の外縁３３ｏの形状は、同一でもよいし、異なっていてもよい。また、第３開口部３３は、ｎ側露出面１１ａの外縁１１ｏより外側に位置している。これにより、ｎ側層１１とｎ側電極３０との接触面積を確保することができる。
【0059】
ｎ側電極３０は、１つのｎ側露出面１１ａに平面視において隣り合う半導体構造体１０の側面１０ａの上方に位置する３つ又は５以上の第３開口部３３を有していてもよい。
【0060】
図８は、実施形態の発光素子１００の他の例を示す模式平面図である。
【0061】
ｐ側電極４０を第２方向Ｙにおいて挟んで位置する第１領域Ａ１と第２領域Ａ２のそれぞれにおいて、ｎ側層１１は、第２方向Ｙにおいて隣り合う第１ｎ側露出面１１ａ１と第２ｎ側露出面１１ａ２とを含む複数のｎ側露出面１１ａを有する。第２ｎ側露出面１１ａ２は、第２方向Ｙにおいて第１ｎ側露出面１１ａ１よりもｐ側電極４０に近い位置にある。
【0062】
ｎ側電極３０は、第２ｎ側露出面１１ａ２に隣り合う半導体構造体１０の側面１０ａの上方に位置し、第１方向Ｘにおいて離隔した第３Ａ開口３３Ａ及び第３Ｂ開口３３Ｂを含む複数の第３開口部３３を有する。第３Ａ開口３３Ａと第３Ｂ開口３３Ｂは、第１方向Ｘにおいて第２ｎ側露出面１１ａ２の中心を挟んで位置する。すなわち、１つの第２ｎ側露出面１１ａ２に隣り合う半導体構造体１０の側面１０ａの上方に、前述した図６に示す２つの第３開口部３３が位置している。第２ｎ側露出面１１ａ２に接続されるｎ側電極３０の第２部分３２は、平面視において、第３Ａ開口３３Ａと第３Ｂ開口３３Ｂとの間に位置している。第２部分３２は、第２方向Ｙにおける２箇所の端部において第１部分３１と接続されている。第１ｎ側露出面１１ａ１に接続される第２部分３２は、平面視において、第２ｎ側露出面１１ａ２と、第１ｎ側露出面１１ａ１に隣り合う半導体構造体１０の側面１０ａの上方に位置する第３開口部３３との間に位置している。
【0063】
図８において、ｐ側電極４０に近い位置にある第２ｎ側露出面１１ａ２に接続される第２部分３２は、第２方向Ｙにおける２箇所の端部において第１部分３１と接続されている。また、第２方向Ｙにおいて、第２ｎ側露出面１１ａ２よりもｐ側電極４０から遠い位置にある第１ｎ側露出面１１ａ１に接続される第２部分３２は、第２方向Ｙにおいてｐ側電極４０に近い側で第１部分３１と接続されている。これにより、ｐ側電極４０と第１ｎ側露出面１１ａ１との間の経路における電流損失を低減し、発光装置１の順方向電圧を低減できる。
【0064】
図８では、第３Ａ開口３３Ａと第３Ｂ開口３３Ｂとは、図６に示す２つの第３開口部３３と同様の形状を有している。図８では、１つの第１ｎ側露出面１１ａ１に隣り合う半導体構造体１０の側面１０ａの上方に位置する１つの第３開口部３３は、図５に示す第３開口部３３と同様の形状を有している。
【0065】
［透光性部材］
発光装置１は、発光素子１００の発光面１００ａの上方に透光性部材４００を配置していてよい。発光素子１００の発光面１００ａは、半導体構造体１０の光取り出し面１０ｂ側の面であり、発光素子１００が基板８０を含む場合には、基板８０における半導体構造体１０が配置された面の反対側に位置する面である。図１に示すように、透光性部材４００の上面４００ａは、光反射性部材２００から露出する。発光装置１において、活性層１２の発する光は、主に、透光性部材４００の上面４００ａから外部に取り出される。図２に示すように、透光性部材４００の側面は、光反射性部材２００によって覆われている。
発光装置１は、発光素子１００の発光面１００ａの上方に透光性部材４００を配置していてよい。発光素子１００の発光面１００ａは、半導体構造体１０の光取り出し面１０ｂ側の面であり、発光素子１００が基板８０を含む場合には、基板８０における半導体構造体１０が配置された面の反対側に位置する面である。図１に示すように、透光性部材４００の上面４００ａは、光反射性部材２００から露出する。発光装置１において、活性層１２の発する光は、主に、透光性部材４００の上面４００ａから外部に取り出される。図２に示すように、透光性部材４００の側面は、光反射性部材２００によって覆われている。
【0066】
透光性部材４００として、例えば、透光性樹脂、ガラス、セラミックス等を用いることできる。透光性樹脂の材料としては、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フッ素樹脂の１種以上を含む樹脂を用いることができる。
【0067】
また、透光性部材４００は、入射された光の少なくとも一部を波長変換可能な蛍光体を含むことができる。蛍光体として、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、（Ｙ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｌｕ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｔｂ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ＣＣＡ系蛍光体（例えば、Ｃａ１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ）、ＳＡＥ系蛍光体（例えば、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ）、クロロシリケート系蛍光体（例えば、Ｃａ８ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２：Ｅｕ）、シリケート系蛍光体（例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ）、βサイアロン系蛍光体（例えば、（Ｓｉ，Ａｌ）３（Ｏ，Ｎ）４：Ｅｕ）若しくはαサイアロン系蛍光体（例えば、Ｃａ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６：Ｅｕ）等の酸窒化物系蛍光体、ＬＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｌａ，Ｙ）３Ｓｉ６Ｎ１１：Ｃｅ）、ＢＳＥＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｂａ，Ｓｒ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ）、ＳＬＡ系蛍光体（例えば、ＳｒＬｉＡｌ３Ｎ４：Ｅｕ）、ＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）若しくはＳＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（例えば、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）、ＫＳＡＦ系蛍光体（例えば、Ｋ２（Ｓｉ１－ｘＡｌｘ）Ｆ６－ｘ：Ｍｎ ここで、ｘは、０＜ｘ＜１を満たす。）若しくはＭＧＦ系蛍光体（例えば、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎ）等のフッ化物系蛍光体、ペロブスカイト構造を有する量子ドット（例えば、（Ｃｓ，ＦＡ，ＭＡ）（Ｐｂ，Ｓｎ）（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）３ ここで、ＦＡとＭＡは、それぞれホルムアミジニウムとメチルアンモニウムを表す。）、ＩＩ－ＶＩ族量子ドット（例えば、ＣｄＳｅ）、ＩＩＩ－Ｖ族量子ドット（例えば、ＩｎＰ）、又はカルコパイライト構造を有する量子ドット（例えば、（Ａｇ，Ｃｕ）（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）２）等を用いることができる。透光性部材４００は、単一種の蛍光体を含んでいてもよいし、複数の種類の蛍光体を含んでいてもよい。
【0068】
蛍光体を含有する透光性部材４００としては、透光性樹脂、ガラス、セラミックス等の成形体である透光層の表面に蛍光体を含有する樹脂層等の蛍光体含有層を配置させたものでもよい。また、蛍光体の焼結体や、透光性樹脂、ガラス、セラミックス等に蛍光体粉末を含有させたものでもよい。蛍光体を含有する透光性部材４００は、例えば、蛍光体と酸化アルミニウム等の透光性材料とを焼結させたものを用いてもよい。透光性材料を用いずに蛍光体の粉末を焼結させることにより形成される実質的に蛍光体のみかなるものを用いてもよい。蛍光体を含有する透光性部材４００は、イットリウム・アルミニウム・ガーネットの焼結体であることが好ましい。
【0069】
［接着部材］
透光性部材４００は、接着部材５００によって、発光素子１００に接合することができる。接着部材５００として、透光性部材４００に用いられる樹脂と同様の樹脂を用いることができる。なお、透光性部材４００は、発光素子１００と直接接合していてもよい。図２に示すように、接着部材５００は、光反射性部材２００によって覆われている。
透光性部材４００は、接着部材５００によって、発光素子１００に接合することができる。接着部材５００として、透光性部材４００に用いられる樹脂と同様の樹脂を用いることができる。なお、透光性部材４００は、発光素子１００と直接接合していてもよい。図２に示すように、接着部材５００は、光反射性部材２００によって覆われている。
【0070】
発光装置１が接着部材５００を備える場合、光反射性部材２００は接着部材５００を覆う。なお、透光性部材４００の側面は、発光素子１００の側面を覆う光反射性部材２００とは別の被覆部材によって覆われてもよい。
【0071】
本発明の実施形態は、以下の発光装置を含む。
【0072】
［項１］
発光素子と、光反射性部材とを備え、
前記発光素子は、
ｎ側層と、ｐ側層と、前記ｎ側層と前記ｐ側層との間に位置する活性層とを有する半導体構造体であって、平面視において前記ｎ側層は前記活性層及び前記ｐ側層から露出するｎ側露出面を有し、前記半導体構造体は、前記ｎ側露出面と前記ｐ側層の上面とを接続する側面を有する前記半導体構造体と、
前記半導体構造体の前記側面を少なくとも覆い、前記ｎ側露出面を露出させる第１開口部と、前記ｐ側層の前記上面の上方に位置する第２開口部と、を有する絶縁膜と、
前記ｐ側層の前記上面の上方に前記絶縁膜を介して位置する第１部分と、前記第１開口部において前記ｎ側露出面と電気的に接続されると共に、前記半導体構造体の前記側面を覆う前記絶縁膜に配置され前記第１部分と電気的に接続された第２部分と、前記半導体構造体の前記側面を覆う前記絶縁膜を露出させる第３開口部と、を有するｎ側電極と、
前記第２開口部において前記ｐ側層と電気的に接続されたｐ側電極と、
を有し、
前記光反射性部材は、前記第３開口部において前記絶縁膜と接している発光装置。
［項２］
前記ｐ側層の前記上面と、前記ｐ側電極との間に配置され、前記ｐ側層及び前記ｐ側電極と電気的に接続された光反射性電極をさらに備える上記項１に記載の発光装置。
［項３］
前記光反射性電極は、前記ｎ側露出面を露出させる第４開口部を有し、
平面視において、前記第３開口部の外縁の一部は、前記第４開口部の外縁よりも外側に位置する上記項２に記載の発光装置。
［項４］
平面視において、前記第２部分は、前記第３開口部と、前記ｐ側電極と、の間に位置している上記項１～３のいずれか１つに記載の発光装置。
［項５］
前記ｎ側層は、複数の前記ｎ側露出面を有し、
前記ｎ側電極は、１つの前記ｎ側露出面に平面視において隣り合う前記半導体構造体の前記側面の上方に位置する複数の前記第３開口部を有している上記項１～４のいずれか１つに記載の発光装置。
［項６］
前記ｐ側電極は、平面視において第１方向に延びて配置され、
平面視において、前記第２部分は、前記複数の前記第３開口部のうち、前記第１方向において隣り合う２つの前記第３開口部間に位置している上記項５に記載の発光装置。
［項７］
平面視において、前記第２部分は、前記複数の前記第３開口部のうち、前記第１方向に直交する第２方向において隣り合う２つの前記第３開口部間に位置している上記項６に記載の発光装置。
［項８］
前記ｐ側電極は、平面視において第１方向に延びて配置され、
前記ｎ側層は、前記第１方向に直交する第２方向において隣り合う第１ｎ側露出面と第２ｎ側露出面とを含む複数の前記ｎ側露出面を有し、
前記第２ｎ側露出面は、前記第２方向において前記第１ｎ側露出面よりも前記ｐ側電極に近い位置にあり、
前記ｎ側電極は、前記第２ｎ側露出面に隣り合う前記半導体構造体の前記側面の上方に位置し、前記第１方向において離隔した第３Ａ開口及び第３Ｂ開口を含む複数の前記第３開口部を有し、
前記第２ｎ側露出面に接続される前記第２部分は、平面視において、前記第３Ａ開口と前記第３Ｂ開口と、の間に位置しており、
前記第１ｎ側露出面に接続される前記第２部分は、平面視において、前記第２ｎ側露出面と、前記第１ｎ側露出面に隣り合う前記半導体構造体の前記側面の上方に位置する前記第３開口部と、の間に位置している上記項１～３のいずれか１つに記載の発光装置。
発光素子と、光反射性部材とを備え、
前記発光素子は、
ｎ側層と、ｐ側層と、前記ｎ側層と前記ｐ側層との間に位置する活性層とを有する半導体構造体であって、平面視において前記ｎ側層は前記活性層及び前記ｐ側層から露出するｎ側露出面を有し、前記半導体構造体は、前記ｎ側露出面と前記ｐ側層の上面とを接続する側面を有する前記半導体構造体と、
前記半導体構造体の前記側面を少なくとも覆い、前記ｎ側露出面を露出させる第１開口部と、前記ｐ側層の前記上面の上方に位置する第２開口部と、を有する絶縁膜と、
前記ｐ側層の前記上面の上方に前記絶縁膜を介して位置する第１部分と、前記第１開口部において前記ｎ側露出面と電気的に接続されると共に、前記半導体構造体の前記側面を覆う前記絶縁膜に配置され前記第１部分と電気的に接続された第２部分と、前記半導体構造体の前記側面を覆う前記絶縁膜を露出させる第３開口部と、を有するｎ側電極と、
前記第２開口部において前記ｐ側層と電気的に接続されたｐ側電極と、
を有し、
前記光反射性部材は、前記第３開口部において前記絶縁膜と接している発光装置。
［項２］
前記ｐ側層の前記上面と、前記ｐ側電極との間に配置され、前記ｐ側層及び前記ｐ側電極と電気的に接続された光反射性電極をさらに備える上記項１に記載の発光装置。
［項３］
前記光反射性電極は、前記ｎ側露出面を露出させる第４開口部を有し、
平面視において、前記第３開口部の外縁の一部は、前記第４開口部の外縁よりも外側に位置する上記項２に記載の発光装置。
［項４］
平面視において、前記第２部分は、前記第３開口部と、前記ｐ側電極と、の間に位置している上記項１～３のいずれか１つに記載の発光装置。
［項５］
前記ｎ側層は、複数の前記ｎ側露出面を有し、
前記ｎ側電極は、１つの前記ｎ側露出面に平面視において隣り合う前記半導体構造体の前記側面の上方に位置する複数の前記第３開口部を有している上記項１～４のいずれか１つに記載の発光装置。
［項６］
前記ｐ側電極は、平面視において第１方向に延びて配置され、
平面視において、前記第２部分は、前記複数の前記第３開口部のうち、前記第１方向において隣り合う２つの前記第３開口部間に位置している上記項５に記載の発光装置。
［項７］
平面視において、前記第２部分は、前記複数の前記第３開口部のうち、前記第１方向に直交する第２方向において隣り合う２つの前記第３開口部間に位置している上記項６に記載の発光装置。
［項８］
前記ｐ側電極は、平面視において第１方向に延びて配置され、
前記ｎ側層は、前記第１方向に直交する第２方向において隣り合う第１ｎ側露出面と第２ｎ側露出面とを含む複数の前記ｎ側露出面を有し、
前記第２ｎ側露出面は、前記第２方向において前記第１ｎ側露出面よりも前記ｐ側電極に近い位置にあり、
前記ｎ側電極は、前記第２ｎ側露出面に隣り合う前記半導体構造体の前記側面の上方に位置し、前記第１方向において離隔した第３Ａ開口及び第３Ｂ開口を含む複数の前記第３開口部を有し、
前記第２ｎ側露出面に接続される前記第２部分は、平面視において、前記第３Ａ開口と前記第３Ｂ開口と、の間に位置しており、
前記第１ｎ側露出面に接続される前記第２部分は、平面視において、前記第２ｎ側露出面と、前記第１ｎ側露出面に隣り合う前記半導体構造体の前記側面の上方に位置する前記第３開口部と、の間に位置している上記項１～３のいずれか１つに記載の発光装置。
【0073】
以上、具体例を参照しつつ、本開示の実施形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。本開示の上述した実施形態を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての形態も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものである。
【符号の説明】
【0074】
１…発光装置、１０…半導体構造体、１０ａ…側面、１０ｂ…光取り出し面、１１…ｎ側層、１１ａ…ｎ側露出面、１１ａ１…第１ｎ側露出面、１１ａ２…第２ｎ側露出面、１２…活性層、１３…ｐ側層、２０…絶縁膜、２１…第１開口部、２２…第２開口部、３０…ｎ側電極、３１…第１部分、３２…第２部分、３３…第３開口部、３３Ａ…第３Ａ開口、３３Ｂ…第３Ｂ開口、４０…ｐ側電極、５０…光反射性電極、５１…第４開口部、８０…基板、９１…ｐ側外部接続電極、９２…ｎ側外部接続電極、１００…発光素子、２００…光反射性部材、３００…配線基板、４００…透光性部材、５００…接着部材、６００…外部端子
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】