特開 2024-52414 インダクタ素子、インダクタ素子を作製する方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024052414

(43)【公開日】2024-04-11

(54)【発明の名称】インダクタ素子、インダクタ素子を作製する方法

(51)【国際特許分類】

   H01F 17/04 20060101AFI20240404BHJP

   H01F 17/00 20060101ALI20240404BHJP

   H01F 27/29 20060101ALI20240404BHJP

   H01F 41/04 20060101ALI20240404BHJP

【ＦＩ】

H01F17/04 F

H01F17/00 B

H01F27/29 123

H01F41/04 C

H01F27/29 P

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022159112

(22)【出願日】2022-09-30

(71)【出願人】

【識別番号】308033711

【氏名又は名称】ラピスセミコンダクタ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001519

【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】黒木 康平

【テーマコード（参考）】

5E062

5E070

【Ｆターム（参考）】

5E062DD01

5E062FF01

5E070AA01

5E070AB01

5E070CB12

(57)【要約】

【課題】反りを低減できる構造を有するインダクタンス素子を提供する。
【解決手段】インダクタ素子１１は、第１エリア１３ｂ及び第１エリア１３ｂを囲む第２エリア１３ｃを有する主面を有する支持体１３と、主面の第１エリア１３ｂの内に配置された第１樹脂体１５と、支持体１３の主面の上に位置するインダクタ１７と、を備え、第１樹脂体１５は、主面の第１エリア１３ｂの内に配置された第１軟磁性体層２１及び第２軟磁性体層２３を含み、インダクタ１７は、第１軟磁性体層２１と第２軟磁性体層２３との間に位置し、第１軟磁性体層２１は、第１絶縁性樹脂体２１ａと、第１絶縁性樹脂体２１ａに囲まれる複数の第１磁性体２１ｂ、２１ｃを含み、第２軟磁性体層２３は、第２絶縁性樹脂体２３ａと、第２絶縁性樹脂体２３ａに囲まれる複数の第２磁性体２３ｂ、２３ｃとを含む。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１エリア及び前記第１エリアを囲む第２エリアを含む主面を有する支持体と、
前記主面の前記第１エリアの内に配置された第１樹脂体と、
前記支持体の前記主面の上に位置するインダクタと、
を備え、
前記第１樹脂体は、前記主面の前記第１エリアの内に配置された第１軟磁性体層及び第２軟磁性体層を含み、
前記インダクタは、前記第１軟磁性体層と前記第２軟磁性体層との間に位置し、
前記第１軟磁性体層は、第１絶縁性樹脂体と、前記第１絶縁性樹脂体に囲まれる複数の第１磁性体とを含み、
前記第２軟磁性体層は、第２絶縁性樹脂体と、前記第２絶縁性樹脂体に囲まれる複数の第２磁性体とを含む、
インダクタ素子。

【請求項2】

前記インダクタは、インダクタンスを生成するように構成されたパターンを有すると共に前記主面に沿って延在する導電層を含み、
前記導電層は、前記第１エリアの内に位置する第１部分と、前記第２エリアの内に位置する第２部分とを有し、
前記インダクタ素子は、前記第２部分の上に位置する外端電極を更に備える、
請求項１に記載されたインダクタ素子。

【請求項3】

前記インダクタ素子は、前記第１部分の上に位置する内端電極を更に備え、
前記導電層の前記第１部分は、前記第１軟磁性体層の上に位置し、
前記導電層は、前記主面の前記第１エリアと前記第２エリアとの間に位置する第３部分を更に有し、
前記導電層の前記第３部分は、前記第１エリアと前記第２エリアとの境界を横切って前記第１部分及び前記第２部分を繋ぐ、
請求項２に記載されたインダクタ素子。

【請求項4】

前記第２軟磁性体層は、前記第１部分の上に位置すると共に前記導電層の前記第１部分に到達する開口を有し、
前記内端電極は、前記第２軟磁性体層が前記内端電極の側面の一部分を覆うように、前記第２軟磁性体層の前記開口に位置する、
請求項３に記載されたインダクタ素子。

【請求項5】

前記パターンは、前記第１エリアの上に位置する内端及び前記第２エリアの上に位置する外端を有する渦巻き形状を有する、
請求項２に記載されたインダクタ素子。

【請求項6】

前記第１エリア及び前記第２エリアの上に設けられ、前記外端電極の側面を覆う第２樹脂体を更に備え、
前記内端電極は、前記第１樹脂体内によって覆われる下部分と前記第１樹脂体の外側に位置する上部分とを有し、
前記第２樹脂体は、前記外端電極の前記上部分を覆う、
請求項３に記載されたインダクタ素子。

【請求項7】

インダクタ素子を形成する方法であって、
第１エリアと前記第１エリアを囲む第２エリアを有する主面を含む基板を準備することと、
前記基板の前記第１エリアの上に第１軟磁性体層を形成することと、
前記第１軟磁性体層を形成した後に、前記第１エリアの上に位置する第１部分及び前記第２エリアの上に位置する第２部分を有すると共に前記基板の前記第１エリア及び前記第２エリアにわたって延在する導電層を形成することと、
前記導電層の前記第２部分の上に外端電極を形成することと、
前記導電層を形成した後に、前記基板の前記第１エリアに第２軟磁性体層を形成することと、
を備え、
前記第１軟磁性体層は、第１絶縁性樹脂体と、前記第１絶縁性樹脂体に囲まれる複数の第１軟磁性体とを含み、
前記第２軟磁性体層は、第２絶縁性樹脂体と、前記第２絶縁性樹脂体に囲まれる複数の第２軟磁性体とを含む、
インダクタ素子を作製する方法。

【請求項8】

前記導電層を形成した後であって前記基板の前記第２エリアに前記第２軟磁性体層を形成するに先立って、前記導電層の前記第１部分の上に内端電極を形成することを更に備え、
前記第２軟磁性体層は、前記内端電極の側面を部分的に覆う、
請求項７に記載されたインダクタ素子を作製する方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、インダクタ素子、及びインダクタ素子を作製する方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、ウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ：Wafer Level Package）を開示する。具体的には、特許文献１は、樹脂多層デバイスを開示し、樹脂多層デバイスは、キャパシタとインダクタまたは／およびバランとを有する。樹脂多層デバイスは、例えば無線通信機器の高周波回路に用いられる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１０－２６８３０４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

半導体基板といった支持体の上に多層の又は厚膜の樹脂層を形成することは、製造プロセスにおいては、ウエハの反りの原因になる可能性があり、また半導体チップにおいては、半導体チップを薄くすることに伴って反りの原因になる可能性がある。

【0005】

本発明は、反りを低減できる構造を有するインダクタンス素子、及び反りを低減できるインダクタンス素子を作製する方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の第１側面に係るインダクタ素子は、第１エリア及び前記第１エリアを囲む第２エリアを含む主面を有する支持体と、前記主面の前記第１エリアの内に配置された第１樹脂体と、
前記支持体の前記主面の上に位置するインダクタと、を備え、前記第１樹脂体は、前記主面の前記第１エリアの内に配置された第１軟磁性体層及び第２軟磁性体層を含み、前記インダクタは、前記第１軟磁性体層と前記第２軟磁性体層との間に位置し、前記第１軟磁性体層は、第１絶縁性樹脂体と、前記第１絶縁性樹脂体に囲まれる複数の第１磁性体とを含み、前記第２軟磁性体層は、第２絶縁性樹脂体と、前記第２絶縁性樹脂体に囲まれる複数の第２磁性体とを含む。

【0007】

本発明の第２側面に係るインダクタ素子を作製する方法は、第１エリアと前記第１エリアを囲む第２エリアを有する主面を含む基板を準備することと、前記基板の前記第１エリアの上に第１軟磁性体層を形成することと、前記第１軟磁性体層を形成した後に、前記第１エリアの上に位置する第１部分及び前記第２エリアの上に位置する第２部分を有すると共に前記基板の前記第１エリア及び前記第２エリアにわたって延在する導電層を形成することと、前記導電層の前記第２部分の上に外端電極を形成することと、前記導電層を形成した後に、前記基板の前記第１エリアに第２軟磁性体層を形成することと、を備え、前記第１軟磁性体層は、第１絶縁性樹脂体と、前記第１絶縁性樹脂体に囲まれる複数の第１軟磁性体とを含み、前記第２軟磁性体層は、第２絶縁性樹脂体と、前記第２絶縁性樹脂体に囲まれる複数の第２軟磁性体とを含む。

【発明の効果】

【0008】

上記の側面によれば、反りを低減できる構造を有するインダクタンス素子、及び反りを低減できるインダクタンス素子を作製する方法が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】図１（ａ）は、本実施の形態に係るインダクタ素子を概略的に示す図面である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＩｂ－Ｉｂ線に沿って取られた断面において、本実施の形態に係るインダクタ素子を概略的に示す図面である。

【図2】図２は、本実施の形態に係るインダクタ素子の導電層及び第１軟磁性体層を図１（ａ）のＩｂ－Ｉｂ線に沿ってとられた断面において示す図面である。

【図3】図３は、本実施の形態に係るインダクタ素子の導電層及び軟磁性体層を図１（ａ）のＩｂ－Ｉｂ線に沿ってとられた断面において示す図面である。

【図4】図４（ａ）は、図１（ａ）に従う素子の製造プロセスにおける一素子区画を示す平面図である。図４（ｂ）は、製造プロセスにおける図１（ａ）のＩｂ－Ｉｂ線に対応する断面を示す図面である。

【図5】図５（ａ）は、図１（ａ）に従う素子の製造プロセスにおける一素子区画を示す平面図である。図５（ｂ）は、製造プロセスにおける図１（ａ）のＩｂ－Ｉｂ線に対応する断面を示す図面である。

【図6】図６（ａ）は、図１（ａ）に従う素子の製造プロセスにおける一素子区画を示す平面図である。図６（ｂ）は、製造プロセスにおける図１（ａ）のＩｂ－Ｉｂ線に対応する断面を示す図面である。

【図7】図７（ａ）は、図１（ａ）に従う素子の製造プロセスにおける一素子区画を示す平面図である。図７（ｂ）は、製造プロセスにおける図１（ａ）のＩｂ－Ｉｂ線に対応する断面を示す図面である。

【図8】図８（ａ）は、図１（ａ）に従う素子の製造プロセスにおける一素子区画を示す平面図である。図８（ｂ）は、製造プロセスにおける図１（ａ）のＩｂ－Ｉｂ線に対応する断面を示す図面である。

【図9】図９（ａ）は、図１（ａ）に従う素子の製造プロセスにおける一素子区画を示す平面図である。図９（ｂ）は、製造プロセスにおける図１（ａ）のＩｂ－Ｉｂ線に対応する断面を示す図面である。

【図10】図１０（ａ）は、図１（ａ）に従う素子の製造プロセスにおける一素子区画を示す平面図である。図１０（ｂ）は、製造プロセスにおける図１（ａ）のＩｂ－Ｉｂ線に対応する断面を示す図面である。

【図11】図１１（ａ）は、図１（ａ）に従う素子の製造プロセスにおける一素子区画を示す平面図である。図１１（ｂ）は、製造プロセスにおける図１（ａ）のＩｂ－Ｉｂ線に対応する断面を示す図面である。

【図12】図１２（ａ）は、図１（ａ）に従う素子の製造プロセスにおける一素子区画を示す平面図である。図１２（ｂ）は、製造プロセスにおける図１（ａ）のＩｂ－Ｉｂ線に対応する断面を示す図面である。

【図13】図１３（ａ）は、図１（ａ）に従う素子の製造プロセスにおける一素子区画を示す平面図である。図１３（ｂ）は、製造プロセスにおける図１（ａ）のＩｂ－Ｉｂ線に対応する断面を示す図面である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、図面を参照して本発明を実施するための各実施の形態について説明する。同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付して重複する説明を省略する。

【0011】

図１（ａ）は、本実施の形態に係るインダクタ素子を概略的に示す図面である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＩｂ－Ｉｂ線に沿って取られた断面において、本実施の形態に係るインダクタ素子を概略的に示す図面である。

【0012】

インダクタ素子１１は、支持体１３、第１樹脂体１５、及びインダクタ１７を備える。

【0013】

支持体１３は、主面１３ａ及び裏面１３ｄを有し、主面１３ａは、主面１３ａの反対側に位置する。主面１３ａは、第１エリア１３ｂ及び第２エリア１３ｃを有し、第２エリア１３ｃは、第１エリアを囲む。第１樹脂体１５は、主面１３ａの第１エリア１３ｂの内に位置する。インダクタ１７は、導電体からなり、また支持体１３の主面１３ａの上に位置する。第１樹脂体１５は、少なくとも第１軟磁性体層２１及び第２軟磁性体層２３を含むことができ、第１軟磁性体層２１及び第２軟磁性体層２３は、主面１３ａの第１エリア１３ｂの内に少なくとも一部が重なって配置される。

【0014】

インダクタ１７は、第１軟磁性体層２１と第２軟磁性体層２３との間に設けられる。第１軟磁性体層２１は、第１絶縁性樹脂体２１ａと、第１絶縁性樹脂体２１ａに囲まれる複数の第１磁性体２１ｂ、２１ｃとを含み、第１磁性体２１ｂ、２１ｃは、第１絶縁性樹脂体２１ａによって分散配置されている。第２軟磁性体層２３は、第２絶縁性樹脂体２３ａと、第２絶縁性樹脂体２３ａに囲まれる複数の第２磁性体２３ｂ、２３ｃとを含み、第２磁性体２３ｂ、２３ｃは、第２絶縁性樹脂体２３ａによって分散配置されている。

【0015】

インダクタ素子１１によれば、第１軟磁性体層２１及び第２軟磁性体層２３は、インダクタ１７の両側からインダクタ１７を挟んで、大気より大きな透磁率をインダクタ１７の周囲に提供する。第１軟磁性体層２１及び第２軟磁性体層２３の各々における絶縁性樹脂体（２１ａ、２３ａ）は、該樹脂体内において磁性体（例えば、磁性体片、磁性体粒、磁性粉又は磁性フィラー）を分散配置することを可能にして、第１軟磁性体層２１及び第２軟磁性体層２３の各々における透磁率の不均一性を低減できる。また、第１軟磁性体層２１及び第２軟磁性体層２３の各々は、インダクタ１７の周囲に絶縁領域（２１ａ、２３ｂ）を形成する。さらに、第１軟磁性体層２１及び第２軟磁性体層２３の各々において磁性体（２１ｂ、２３ｂ）の密度は、該軟磁性体層内の磁性体の数珠つなぎによりインダクタ１７の短絡が生じない程度の値であることができる。磁性体（２１ｂ、２３ｂ）のサイズの上限は、該軟磁性体層内の磁性体を介するインダクタ１７の短絡が生じない程度の値であることができ、例えば１００マイクロメートル以下であることができる。第１軟磁性体層２１の厚さを大きくすることは、磁性体（２１ｂ、２３ｂ）のサイズの上限を緩和することを可能にする。

【0016】

絶縁性樹脂体（２１ａ、２３ａ）は、例えばディスペンサーによって基板上に供給できる樹脂の硬化物からなることができ、このような樹脂は、熱硬化剤を含む。必要な場合には、熱硬化剤に替えて、又は熱硬化剤に加えて紫外線硬化剤を含むことができる。

【0017】

第１磁性体２１ｂ、２１ｃ及び第２磁性体２３ｂ、２３ｃは、磁性材を含むことができる。具体的には、第１磁性体２１ｂ、２１ｃ及び第２磁性体２３ｂ、２３ｃは、磁性金属元素を含むことができ、或いはフェライトといった磁性酸化物を含むことができる。

【0018】

支持体１３は、例えば半導体領域１４ａを含むことができ、また半導体領域１４ａの上に位置する絶縁性の無機物又は有機物の絶縁体領域１４ｂを含むことができる。半導体領域１４ａは、例えばシリコン、炭化シリコン、ゲルマニウム、及びシリコンゲルマニウムであることができる。本実施例では、支持体１３の主面１３ａは、絶縁体領域１４ｂによって提供されることができる。半導体領域１４ａは、例えば一又は複数の半導体装置１４ｃを含むことができる。

【0019】

インダクタ１７は、主面１３ａに沿って延在する導電層１８を含み、導電層１８は、インダクタンスを生成するように構成されたパターンを有する。導電層１８は、例えば銅を含むことができる。インダクタ素子１１によれば、インダクタンスは、導電層１８のパターンによって生成されて、例えば二次元のインダクタ１７が提供される。インダクタ１７のインダクタンスは、導電層１８のインダクタ主要部１８ａによって提供される。図１（ａ）に示されるように、インダクタ主要部１８ａは、例えば二次元の渦巻き形状を有する。導電層１８は、第１エリア１３ｂ上に位置する第１部分１８ｂと第２エリア１３ｃ上に位置する第２部分１８ｃとを有する。

【0020】

インダクタ素子１１は、外端電極２５を更に備えることができ、外端電極２５は、本実施例では、第２エリア１３ｃ内（第２部分１８ｃ上）に位置する。また、外端電極２５は、第１樹脂体１５から離れている。外端電極２５が導電層１８の第２部分１８ｃ上に位置すると、外端電極２５を形成するために第１軟磁性体層２１及び第１軟磁性体層２３の加工が行われない。

【0021】

インダクタ素子１１は、内端電極２７を更に備えることができ、内端電極２７は、本実施例では、導電層１８の第１部分１８ｂ上に位置する。導電層１８の第１部分１８ｂは、第１軟磁性体層２１上に位置し、また第２軟磁性体層２３の下に位置する。

【0022】

図２は、本実施の形態に係るインダクタ素子１１の導電層１８及び第１軟磁性体層２１をＩｂ－Ｉｂ線に沿ってとられた断面において示す図面である。

【0023】

図２では、理解を容易にするために、支持体１３上に設けられた導電層１８及び第１軟磁性体層２１が描かれている。第１軟磁性体層２１は、主面１３ａの第１エリア１３ｂにおいて、裾部２２ａと、裾部２２ａに囲まれた中央部２２ｂを含む。裾部２２ａは、中央部２２ｂの上面２２ｃに比べて傾斜しており、これによって第１軟磁性体層２１の厚さが裾部２２ａにおいて徐々に薄くなることを可能にする。裾部２２ａの側面２２ｓは、中央部２２ｂの上面２２ｃに対してなめらかに傾斜しており、第１軟磁性体層２１を第１エリア１３ｂ内に配置するために、第１軟磁性体層２１の厚さの変化は、裾部２２ａにおいて引き起こされる。中央部２２ｂの上面２２ｃは、裾部２２ａの側面２２ｓに比べて実質的に平坦になっている。図２に示される断面において、中央部２２ｂの上面２２ｃのサイズは、中央部２２ｂから主面１３ａに沿って延出する裾部２２ａのサイズに比べて５倍以上又は１０倍以上であることができる。このようなサイズの比率であれば、中央部２２ｂには、インダクタ素子１１の導電層１８の配置に適切なサイズが提供される。

【0024】

図１（ａ）、図１（ｂ）及び図２を参照すると、本実施例では、導電層１８のインダクタ主要部１８ａは、中央部２２ｂの上面２２ｃ内に配置されることができる。裾部２２ａの側面２２ｓは、導電層１８の厚さを超える程度の急激な段差、例えば切り立った崖形状を含まず、また、第１軟磁性体層２１内の第１磁性体２１ｂ、２１ｃは、第１軟磁性体層２１の上側表面に実質的に現れることなく、第１絶縁性樹脂体２１ａに覆われていることがよい。

【0025】

導電層１８は、第１エリア１３ｂ及び第２エリア１３ｃの上に位置する第３部分１８ｄを更に備え、第３部分１８ｄは、第１エリア１３ｂ及び第２エリア１３ｃの境界を横切って第１部分１８ｂ及び第２部分１８ｃを繋ぐ。外端電極２５及び内端電極２７は、それぞれ、外端２０ｂ及び内端２０ａに接続される。

【0026】

インダクタ素子１１によれば、渦巻き形状の導電層１８、並びにこの導電層１８のインダクタ主要部１８ａを挟む第１軟磁性体層２１及び第２軟磁性体層２３の組み合わせは、大きなインダクタンスを提供できる。

【0027】

具体的には、導電層１８は、第１エリア１３ｂの内に位置する第１部分１８ｂ（図２参照）と、第２エリア１３ｃの内に位置する第２部分１８ｃ（図２参照）とを有する。また、導電層１８のパターンは、第１エリア１３ｂの上に位置する内端２０ａ（図１参照）及び第２エリア１３ｃの上に位置する外端２０ｂ（図１参照）を有する。

【0028】

本実施例は、インダクタ主要部１８ａは、渦巻き形状を有しており、導電層１８は、渦巻き形状の内端２０ａから内端２０ａを囲むように右回り及び左回りのいずれか一方で延在している。インダクタ主要部１８ａは、内端２０ａを囲むように周回する複数の周回部分を有する。導電層１８における複数の周回部分は、渦巻き形状における最も内側の内側部分と最も外側の外側部分とを有する。第１軟磁性体層２１及び第２軟磁性体層２３の少なくとも一方が、周回部分の間に位置して、磁束の閉じ込めに寄与する。導電層１８が、内側部分と外側部分との間に一又は複数の中間の周回部分を有する。

【0029】

図３は、本実施の形態に係るインダクタ素子の導電層１８及び軟磁性体層２１、２３をＩｂ－Ｉｂ線に沿ってとられた断面において示す図面である。図２では、理解を容易にするために、支持体１３上に設けられた導電層１８、第１軟磁性体層２１、第２軟磁性体層２３及び内端電極２７が描かれている。第２軟磁性体層２３は、主面１３ａの第１エリア１３ｂにおいて、裾部２４ａと、裾部２４ａに囲まれた中央部２４ｂを含む。裾部２４ａは、中央部２４ｂの上面２４ｃに比べて傾斜しており、これによって第２軟磁性体層２３の厚さが裾部２４ａにおいて徐々に薄くなることを可能にする。裾部２４ａの側面２４ｓは、中央部２４ｂの上面２４ｃに対してなめらかに傾斜しており、第２軟磁性体層２３を第１エリア１３ｂ内に配置するために、第２軟磁性体層２３の厚さの変化は、裾部２４ａにおいて引き起こされる。中央部２４ｂの上面２４ｃは、裾部２４ａの側面２４ｓに比べて実質的に平坦になっている。図３に示される断面において、中央部２２ｂの上面２２ｃのサイズは、中央部２４ｂから第１軟磁性体層２１の表面に沿って延在する裾部２４ａのサイズに比べて５倍以上又は１０倍以上であることができる。このようなサイズの比率であれば、中央部２４ｂには、インダクタ素子１１の導電層１８の被覆に適切なサイズが提供される。

【0030】

第２軟磁性体層２３は、開口２３ｈを有し、開口２３ｈは、導電層１８の第１部分１８ｂ上に位置する。また、開口２３ｈは、導電層１８の第１部分１８ｂに到達する。内端電極２７は、第２軟磁性体層２３が内端電極２７の側面２７ｓの一部分を覆うように、第２軟磁性体層２３の開口２３ｈ内を延在して、導電層１８に到達する。具体的には、第２軟磁性体層２３が内端電極２７の形成の後に形成されるので、第２軟磁性体層２３の開口２３ｈは内端電極２７の形状に一致するように形作られる。これ故に、開口２３ｈのサイズは、導電層１８の断面形状に合わされて、内端電極２７の側面２７ｓの下部分は、開口２３ｈの側面２３ｓに密着する。内端電極２７の側面２７ｓの上部分は、第２軟磁性体層２３に覆われていない。インダクタ素子１１によれば、内端電極２７は、第２軟磁性体層２３の開口２３ｈを介して導電層１８に導通する。

【0031】

一方、外端電極２５が第１樹脂体１５から離れているので、第１樹脂体１５を加工を行うことなく外端電極２５を形成できる。

【0032】

図１を参照すると、インダクタ素子１１は、第２樹脂体２９を更に備えることができ、第２樹脂体２９は、第１エリア１３ｂ及び第２エリア１３ｃ上に設けられ、具体的には支持体１３の全面に設けられることができる。第２樹脂体２９は、第１樹脂体１５を覆う。第２樹脂体２９は、外端電極２５の側面２５ｓを覆い、また内端電極２７の側面２７ｓの上側部分を覆う。第２樹脂体２９は、例えばエポキシ、ポリイミドとった被覆樹脂を備える被覆体であることができる。外端電極２５及び内端電極２７の上面は、第２樹脂体２９に覆われることがなく、露出される。

【0033】

インダクタ素子１１によれば、軟磁性体層を含む第１樹脂体１５が第２エリア１３ｃ上に設けられることを避けながら、主面１３ａの第１エリア１３ｂ及び第２エリア１３ｃの上に第２樹脂体２９を設けることができる。第２樹脂体２９が、軟磁性体を含む第１樹脂体１５の全体を覆って、第１樹脂体１５を保護できる。

【0034】

本実施例では、インダクタ素子１１は、外端電極２５及び内端電極２７の各々の上端に位置する半田ボール（例えばＡｕＳｎ）といった接続電極３０を備えることができる。

【0035】

図４（ａ）から図１３（ｂ）は、本実施の形態に係るインダクタ素子を作製する方法における主要な工程を示す図面である。引き続く説明において、インダクタ素子１１の製造には、支持体１３ではなくウエハサイズの基板を用いるけれども、簡単のための支持体１３を参照して説明する。これ故に、図４（ａ）から図１３（ｂ）の各々は、一素子区画を示す。図４（ａ）から図１３（ａ）の各々は、図１（ａ）に従う素子の製造プロセスにおける平面図を示し、図４（ｂ）から図１３（ｂ）の各々は、図１（ｂ）に従う素子の製造プロセスにおける断面図を示す。

【0036】

図４（ａ）及び図４（ｂ）を参照すると、主面１３ａを含む支持体１３（基板）を準備する。主面１３ａは、第１エリア１３ｂと第２エリアを有する。準備の後に、支持体１３の第１エリア１３ｂ上に第１軟磁性体層２１を形成する。第１軟磁性体層２１の形成は、以下の手順に従う。

【0037】

まず、第１軟磁性体層２１のための未硬化の第１軟磁性体樹脂液３１を準備すると共に、支持体１３の第１エリア１３ｂ内に限定して、第１軟磁性体樹脂液３１を配置する。この配置は、第１エリア１３ｂ内に、例えば第１軟磁性体樹脂液３１を滴下すること、印刷すること、又は塗布することといった様々な方法によって可能になる。本実施例では、ディスペンサー３３ａを用いて第１軟磁性体樹脂液３１を第１エリア１３ｂ内に配置する。

【0038】

図５（ａ）及び図５（ｂ）を参照すると、第１軟磁性体樹脂液３１を第１エリア１３ｂ内に配置した後に、次いで、第１軟磁性体樹脂液３１を硬化させて第１軟磁性体層２１を得る。硬化には、本実施例では、熱処理を用いられる。具体的には、熱処理装置３３ｂ（例えばベーク装置）内に、第１軟磁性体樹脂液３１を備える支持体１３を配置して、熱処理により第１軟磁性体樹脂液３１から第１軟磁性体層２１を生成する。

【0039】

図６（ａ）及び図６（ｂ）を参照すると、第１軟磁性体層２１を形成した後に、インダクタ１７のためのパターンを有する導電層１８を形成する。導電層１８は、支持体１３の第１エリア１３ｂの上に位置する第１部分１８ｂ及び第２エリア１３ｃの上に位置する支持体１３の第２部分１８ｃを有する。また、導電層１８は、第１エリア１３ｂ及び第２エリア１３ｃの境界を横切って延在する。導電層１８のパターン形成は、例えば導電膜の堆積及びパターン形成によって行われる。導電膜の堆積は、例えばスパッタリング法によって金属、例えばチタンを堆積することによって行われる。パターン形成は、例えばフォトリソグラフィ及びエッチングによって行われることができ、或いはリフトオフ法を用いることができる。

【0040】

図７（ａ）及び図７（ｂ）を参照すると、本実施例では、導電層１８上に外端電極２５及び内端電極２７を形成する。外端電極２５及び内端電極２７は、それぞれの工程において別々に形成されることが出来るけれども、ここでは、単一の工程において外端電極２５及び内端電極２７が一緒に形成される。外端電極２５及び内端電極２７は、それぞれ、導電層１８の第１部分１８ｂ及び第２部分１８ｂの上に形成される。外端電極２５及び内端電極２７の形成は、例えば電解メッキ法によって行われる。具体的には、支持体１３の全面にシード層ＳＤを形成した後に、外端電極２５及び内端電極２７のためのパターンを有するレジスト膜を形成する。支持体１３及びレジスト膜を電解メッキ液に浸漬して、電流を流しながら金属の析出を引き起こす。本実施例では、電解メッキ法により、銅ポストＰＴを形成する。

【0041】

図８（ａ）及び図８（ｂ）を参照すると、外端電極２５及び内端電極２７を形成した後に、支持体１３の第１エリア１３ｂに第２軟磁性体層２３を形成する。第２軟磁性体層２３の形成は、以下の手順に従う。

【0042】

まず、第２軟磁性体層２３のための未硬化の第１軟磁性体樹脂液３５を準備すると共に、支持体１３の第１エリア１３ｂ内に限定して、第２軟磁性体樹脂液３５を配置する。この配置は、第１エリア１３ｂ内に、例えば第２軟磁性体３５を滴下すること、印刷すること、又は塗布することといった様々な方法によって可能になる。本実施例では、ディスペンサー３３ｃを用いて第２軟磁性体樹脂液３５を第１エリア１３ｂ内に配置する。

【0043】

図９（ａ）及び図９（ｂ）を参照すると、第２軟磁性体樹脂液３５を第１エリア１３ｂ内に配置した後に、次いで、第２軟磁性体樹脂液３５を硬化させて第２軟磁性体層２３を得る。硬化には、本実施例では、熱処理を用いられる。具体的には、熱処理装置３３ｄ（例えばベーク装置）内に、第２軟磁性体樹脂液３５を備える支持体１３を配置して、熱処理により第２軟磁性体樹脂液３５から第２軟磁性体層２３を生成する。

【0044】

図１０（ａ）及び図１０（ｂ）を参照すると、第１樹脂体１５を形成した後に、支持体１３の全面に厚膜の封止膜３７を形成する。封止膜３７は、例えばエポキシ樹脂であることができる。封止膜３７は、例えばスピン塗布により形成されることができる。封止膜３７は、熱処理により硬化される。引き続く説明において、硬化された封止膜に参照符号「３７」を付する。厚膜の封止膜３７は、外端電極２５及び内端電極２７を埋め込むような厚さを有する。

【0045】

図１１（ａ）及び図１１（ｂ）を参照すると、厚膜の封止膜３７を研磨して、外端電極２５及び内端電極２７の上端を露出させる。研磨により、厚膜の封止膜３７は封止体３９になる。封止体３９は、例えば３００マイクロメートル程度以下の厚さを有することができる。第１軟磁性体層２１は、例えば１００マイクロメートル程度以下の厚さを有することができる。第２軟磁性体層２３は、例えば１００マイクロメートル程度以下の厚さを有することができる。また、第１軟磁性体層２１は、例えば４０マイクロメートル程度以上の厚さを有することができる。第２軟磁性体層２３は、例えば４０マイクロメートル程度以上の厚さを有することができる。第２軟磁性体層２３は、インダクタを封止体３９から隔置することを可能にする。

【0046】

図１２（ａ）及び図１２（ｂ）を参照すると、封止体３９を形成した後に、外端電極２５及び内端電極２７の露出された上端に電極４１を形成する。電極４１は、例えば半田ボールを含むことができる。

【0047】

図１３（ａ）及び図１３（ｂ）を参照すると、封止体３９を形成した後に、支持体１３（基板）の裏面を研磨して、支持体１３に所望の厚さを提供する。外端電極２５及び内端電極２７の側面は、封止体３９によって覆われている。製造に用いるウエハは、例えば７００マイクロメートル程度の厚さを有することができる。支持体１３は、例えば２００マイクロメートル程度以下の厚さを有することができる。

【0048】

この作製方法によれば、第１軟磁性体層２１を第１エリア１３ｂに形成した後に、インダクタ１７の導電層１８を形成すると共に、インダクタ１７の導電層１８を形成した後に、第２軟磁性体層２３を第１エリア１３ｂに形成する。導電層１８のうちの少なくともインダクタ主要部１８ａが、第１軟磁性体層２１と第２軟磁性体層２３との間に設けられる。外端電極２５は、第１軟磁性体層２１及び第２軟磁性体層２３から離れている。第１軟磁性体層２１及び第２軟磁性体層２３が形成される領域が主面１３ａの全面に比べて少ないので、支持体１３（基板、ウエハ）の反りが低減される。

【0049】

外端電極２５は、第１軟磁性体層２１及び第２軟磁性体層２３の加工無しに形成される。この作製方法によれば、内端電極２７は、第１軟磁性体層及び第２軟磁性体層の加工無しに形成される。

【0050】

以上説明したように、本実施の形態によれば、反りを低減できる構造を有するインダクタンス素子、及び反りを低減できるインダクタンス素子を作製する方法が提供される。

【0051】

本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。そして、それらはすべて、本発明の技術思想に含まれるものである。

【符号の説明】

【0052】

１１・・・インダクタ素子、１３・・・支持体、１３ａ・・・主面、１３ｂ・・・エリア、１３ｂ・・・第１エリア、１３ｃ・・・第２エリア、１３ｄ・・・裏面、１４ａ・・・半導体領域、１４ｂ・・・絶縁性無機物領域、１４ｃ・・・半導体装置、１５・・・樹脂体、１７・・・インダクタ、１８・・・導電層、１８ａ・・・インダクタ主要部、１８ｂ・・・第１部分、１８ｃ・・・第２部分、１８ｄ・・・第３部分、２０ａ・・・内端、２０ｂ・・・外端、２１・・・第１軟磁性体層、２１ａ・・・第１絶縁性樹脂体、２１ｂ、２１ｃ・・・第１磁性体、２２ａ・・・裾部、２２ｂ・・・中央部、２２ｃ・・・上面、２２ｓ・・・側面、２３・・・第２軟磁性体層、２３ａ・・・第２絶縁性樹脂体、２３ｂ、２３ｃ・・・第２磁性体、２３ｈ・・・開口、２４ａ・・・裾部、２４ｂ・・・中央部、２４ｃ・・・上面、２４ｓ・・・側面、２５・・・外端電極、２５ｓ・・・側面、２７・・・内端電極、２７ｓ・・・側面、２９・・・被覆体、３１・・・第１軟磁性体樹脂液、３１・・・第２軟磁性体、３３ａ、３３ｃ・・・ディスペンサー、３３ｂ、３３ｄ・・・熱処理装置、３５・・・第２軟磁性体、３５・・・第２軟磁性体樹脂液、３７・・・封止膜、３９・・・封止体、３０、４１・・・電極

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】