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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024005445
(43)【公開日】2024-01-17
(54)【発明の名称】発光装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01S 5/062 20060101AFI20240110BHJP
H01S 5/042 20060101ALI20240110BHJP
H01L 33/00 20100101ALI20240110BHJP
H01L 33/36 20100101ALI20240110BHJP
【ＦＩ】
H01S5/062
H01S5/042 612
H01L33/00 K
H01L33/36
【審査請求】未請求
【請求項の数】5
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022105627
(22)【出願日】2022-06-30
(71)【出願人】
【識別番号】000226057
【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100108062
【弁理士】
【氏名又は名称】日向寺 雅彦
(74)【代理人】
【識別番号】100168332
【弁理士】
【氏名又は名称】小崎 純一
(74)【代理人】
【識別番号】100172188
【弁理士】
【氏名又は名称】内田 敬人
(72)【発明者】
【氏名】▲蔭▼山 弘明
【テーマコード（参考）】
5F173
5F241
【Ｆターム（参考）】
5F173ZM01
5F173ZP01
5F173ZQ01
5F173ZR02
5F241AA46
(57)【要約】
【課題】発光装置の評価を容易に行うことができる発光装置の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】発光装置の製造方法は、基板、および第１導電型の第１半導体層と、第２導電型の第２半導体層とそれぞれ電気的に接続された第１端子、第２端子と、を含む複数の半導体部を含む構造体を準備する。複数の半導体部を被覆し、第１端子および第２端子を露出させる絶縁性部材を形成する。半導体部の上方に位置し、配列方向において、隣り合う２つの半導体部の第１端子と第２端子とをそれぞれ接続し、複数の半導体部を直列に接続する配線を形成する。上面視において、１つの配線の面積は、１つの第１端子の面積および１つの第２端子の面積のそれぞれよりも大きい。配線に治具を接触させることで、複数の配線により接続される複数の半導体部の電気的特性を評価する。絶縁性部材および複数の配線を除去する。
【選択図】図２
【解決手段】発光装置の製造方法は、基板、および第１導電型の第１半導体層と、第２導電型の第２半導体層とそれぞれ電気的に接続された第１端子、第２端子と、を含む複数の半導体部を含む構造体を準備する。複数の半導体部を被覆し、第１端子および第２端子を露出させる絶縁性部材を形成する。半導体部の上方に位置し、配列方向において、隣り合う２つの半導体部の第１端子と第２端子とをそれぞれ接続し、複数の半導体部を直列に接続する配線を形成する。上面視において、１つの配線の面積は、１つの第１端子の面積および１つの第２端子の面積のそれぞれよりも大きい。配線に治具を接触させることで、複数の配線により接続される複数の半導体部の電気的特性を評価する。絶縁性部材および複数の配線を除去する。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、前記基板上に配列された複数の半導体部であって、それぞれが、第１導電型の第１半導体層と、第２導電型の第２半導体層と、前記第１半導体層と電気的に接続された第１端子と、前記第２半導体層と電気的に接続された第２端子と、を含む複数の半導体部と、を含む構造体を準備する工程と、
前記複数の半導体部を被覆し、前記第１端子および前記第２端子を露出させる絶縁性部材を形成する工程と、
前記半導体部の上方に位置し、前記配列方向において、隣り合う２つの前記半導体部の前記第１端子と前記第２端子とをそれぞれ接続し、複数の前記半導体部を直列に接続する配線を形成する工程であって、上面視において、１つの前記配線の面積は、１つの前記第１端子の面積および１つの前記第２端子の面積のそれぞれよりも大きい、配線を形成する工程と、
前記配線に治具を接触させることで、前記複数の配線により接続される複数の前記半導体部の電気的特性を評価する工程と、
前記絶縁性部材および前記複数の配線を除去する工程と、
を備える、発光装置の製造方法。
前記複数の半導体部を被覆し、前記第１端子および前記第２端子を露出させる絶縁性部材を形成する工程と、
前記半導体部の上方に位置し、前記配列方向において、隣り合う２つの前記半導体部の前記第１端子と前記第２端子とをそれぞれ接続し、複数の前記半導体部を直列に接続する配線を形成する工程であって、上面視において、１つの前記配線の面積は、１つの前記第１端子の面積および１つの前記第２端子の面積のそれぞれよりも大きい、配線を形成する工程と、
前記配線に治具を接触させることで、前記複数の配線により接続される複数の前記半導体部の電気的特性を評価する工程と、
前記絶縁性部材および前記複数の配線を除去する工程と、
を備える、発光装置の製造方法。
【請求項2】
前記評価する工程において、前記直列に接続された前記複数の半導体部の電気的特性が基準を満たさない場合、前記複数の配線のうち隣り合う２つの配線に治具を接触させることで、前記直列に接続された前記複数の半導体部のそれぞれについて個別に電気的特性を評価する、請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項3】
前記絶縁性部材および前記配線を除去する工程の後、前記個別に電気的特性を評価する工程において、電気的特性が前記基準を満たさないと評価された前記半導体部を前記基板から除去し、前記半導体部が除去された領域に電気的特性が前記基準を満たす半導体部を配置する工程を
さらに備える、請求項２に記載の発光装置の製造方法。
さらに備える、請求項２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項4】
上面視において、前記半導体部の形状は矩形状であり、
上面視における前記半導体部の面積は、１００μｍ２以上２５００μｍ２以下である、請求項１に記載の発光装置の製造方法。
上面視における前記半導体部の面積は、１００μｍ２以上２５００μｍ２以下である、請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項5】
前記複数の前記半導体部は、前記基板上に行列状に配置される、請求項１～４のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、デバイス上に配列された多数の面発光レーザの一方の電極を短絡パターンにより短絡させ、短絡パターンと、面発光レーザにおける共通電極と、の間に電圧を印加して面発光レーザの個別評価を行う技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００５－１２９５８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の実施形態は、発光装置の評価を容易に行うことができる発光装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の一実施形態に係る発光装置の製造方法は、基板と、前記基板上に配列された複数の半導体部であって、それぞれが、第１導電型の第１半導体層と、第２導電型の第２半導体層と、前記第１半導体層と電気的に接続された第１端子と、前記第２半導体層と電気的に接続された第２端子と、を含む複数の半導体部と、を含む構造体を準備する工程と、前記複数の半導体部を被覆し、前記第１端子および前記第２端子を露出させる絶縁性部材を形成する工程と、前記半導体部の上方に位置し、前記配列方向において、隣り合う２つの前記半導体部の前記第１端子と前記第２端子とをそれぞれ接続し、複数の前記半導体部を直列に接続する配線を形成する工程であって、上面視において、１つの前記配線の面積は、１つの前記第１端子の面積および１つの前記第２端子の面積のそれぞれよりも大きい、配線を形成する工程と、前記配線に治具を接触させることで、前記複数の配線により接続される複数の前記半導体部の電気的特性を評価する工程と、前記絶縁性部材および前記複数の配線を除去する工程と、を備える。
【発明の効果】
【0006】
本発明の一実施形態に係る発光装置の製造方法によれば、発光装置の評価を容易に行うことができる発光装置の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図2】実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を説明するための模式断面図である。
【図3】構造体の一部を示す模式上面図である。
【図4】治具が接触する領域の一例を示す図である。
【図5】実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を説明するための模式断面図である。
【図6】実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を説明するための模式断面図である。
【図7】実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を説明するための模式断面図である。
【図8】構造体の一部を示す模式上面図である。
【図9】治具が接触する領域の一例を示す図である。
【図10】電気的特性の評価処理の一例を示すサブフローチャートである。
【図11】半導体部の配置の一例を示す模式上面図である。
【図12】電気的特性の評価の一例を説明するための図である。
【図13】電気的特性のグループ毎の評価の結果の一例を示す図である。
【図14】電気的特性の評価の一例を説明するための図である。
【図15】電気的特性の個別評価の結果の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下に、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【0009】
図１は、実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。図２は、実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を説明するための模式断面図である。図２は、図３のＩ－Ｉ断面の一部の一例を示す図である。図３は、構造体の一部を示す模式上面図である。
【0010】
図１および図２に示すように、まず、構造体２１０を準備する工程を行う（ステップＳＴ１０１）。図２に示すように、構造体２１０は、基板１０２と、基板１０２上に配列される複数の半導体部１０１と、を含む。複数の半導体部１０１それぞれが、第１導電型の第１半導体層１１と、第２導電型の第２半導体層１２と、第１半導体層１１と電気的に接続された第１端子Ｐ１と、第２半導体層１２と電気的に接続された第２端子Ｐ２と、を含む。基板１０２に対して垂直な方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの軸をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向およびＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。以下、図２を参照して、半導体部１０１の構成をより詳細に説明する。
【0011】
構造体２１０を準備する工程は、基板１０２上に半導体構造体１０を形成する工程を有する。基板１０２として、サファイアやスピネル（ＭｇＡ１２Ｏ４）のような絶縁性基板を用いることができる。また、基板１０２として、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃを含む）、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、Ｓｉなどの導電性の基板を用いても良い。
【0012】
半導体構造体１０は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）などの窒化物半導体を含む。半導体構造体１０は、第１半導体層１１と、第２半導体層１２と、第１半導体層１１と第２半導体層１２との間に位置する活性層１３とを有する。例えば、第１半導体層１１は、ｎ型半導体層を含むｎ側半導体層であり、第２半導体層１２は、ｐ型半導体層を含むｐ側半導体層である。活性層１３は、光を発する発光層である。例えば、活性層１３は、複数の障壁層と複数の井戸層とを含み、障壁層と井戸層とが交互に積層された多重量子井戸構造とすることができる。
【0013】
例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法により、基板１０２上に、第１半導体層１１、活性層１３、および第２半導体層１２が順に形成される。
【0014】
半導体構造体１０は、第１面１０ｆａと、第１面１０ｆａの反対側に位置する第２面１０ｆｂとを有する。また、半導体構造体１０に溝８０が形成されており、半導体構造体１０には溝８０に露出する側面１０ｃが形成される。溝８０は、第２半導体層１２側から半導体構造体１０の一部を除去することで形成される。図２に示すように、溝８０は、第１面１０ｆａには達しないように形成される。なお、溝８０は、第１面１０ｆａには達するように形成してもよい。半導体構造体１０は、例えば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法などのドライエッチングやウェットエッチングにより除去することができる。
【0015】
半導体構造体１０の第２面１０ｆｂは、第１部分１０ｆｂ１と第２部分１０ｆｂ２とを有する。第１部分１０ｆｂ１は、第２面１０ｆｂにおける第２半導体層１２の表面（図２において第２半導体層１２の上面）である。第２部分１０ｆｂ２は、第２面１０ｆｂにおける第１半導体層１１の表面（図２において第１半導体層１１の上面）である。なお、半導体構造体１０の第２面１０ｆｂは、第１部分１０ｆｂ１と第２部分１０ｆｂ２とを接続する面も有し、第１部分１０ｆｂ１と第２部分１０ｆｂ２とを接続する面は、第１半導体層１１の側面、第２半導体層１２の側面、および、活性層１３の側面からなる。
【0016】
構造体２１０を準備する工程は、電流拡散層１５を形成する工程をさらに有する。電流拡散層１５は、例えば、スパッタ法、蒸着法などの方法で形成することができる。電流拡散層１５は、半導体構造体１０の第２面１０ｆｂの第１部分１０ｆｂ１上に配置される。電流拡散層１５は、導電性を有する。電流拡散層１５の材料として、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＡＺＯ（Aluminum Zinc Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、Ｇａ２Ｏ３などの酸化膜を用いることができる。電流拡散層１５は、後述する第２電極３２を通じて供給される電流を第２半導体層１２の面方向に拡散させる。
【0017】
構造体２１０を準備する工程は、第１電極３１および第２電極３２を形成する工程をさらに有する。第１電極３１および第２電極３２は、例えば、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などの方法で形成することができる。第１電極３１は、半導体構造体１０の第２面１０ｆｂの第２部分１０ｆｂ２上に配置され、第１半導体層１１と電気的に接続される。第２電極３２は、電流拡散層１５上に配置され、電流拡散層１５を通じて第２半導体層１２と電気的に接続される。なお、電流拡散層１５のみを第２電極３２として用いてもよい。第１電極３１および第２電極３２は、例えば、Ｔｉ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ、Ａｇ、ＲｈまたはＲｕを含む単層の金属層、または、これら金属層のうち少なくとも２つを含む積層構造である。
【0018】
構造体２１０を準備する工程は、第１反射層４０を形成する工程をさらに有する。第１反射層４０は、例えば、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法などの方法で形成することができる。第１反射層４０は、半導体構造体１０の第２面１０ｆｂ、電流拡散層１５、第１電極３１、および第２電極３２を覆う。
【0019】
第１反射層４０は、活性層１３からの光に対して高い光反射性を有する。第１反射層４０は、例えば、活性層１３からの光のピーク波長に対して７０％以上、好ましくは８０％以上、さらに好ましくは９０％以上の光反射性を有する。第１反射層４０は、例えば、誘電体多層膜を含む。誘電体多層膜は、例えば、交互に積層された酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層と酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）層とを含む。第１反射層４０は、例えば、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下のＳｉＯ２層を形成した後、この上に誘電体多層膜として、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下のＮｂ２Ｏ５層と１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下のＳｉＯ２層のペアを２以上６以下のペア数で形成することが好ましい。第１反射層４０の各層の膜厚および各層の積層数を、このように設定することで、活性層１３からの光に対して高い光反射性を有する第１反射層４０とすることができる。例えば、第１反射層４０は、３００ｎｍのＳｉＯ２層を形成した後、この上に５２ｎｍのＮｂ２Ｏ５層と８３ｎｍのＳｉＯ２層のペアを３ペア形成することができる。第１反射層４０として、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などの材料を用いることができる。
【0020】
構造体２１０を準備する工程は、第２反射層５０を形成する工程をさらに有する。第２反射層５０は、例えば、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法などの方法で形成することができる。第２反射層５０は、第１反射層４０の表面（図２において第１反射層４０の上面）に配置される。第２反射層５０は、例えば金属層である。第２反射層５０は、例えば、Ａｌ層、Ｔｉ層、またはこれらの積層構造を含む。
【0021】
構造体２１０を準備する工程は、第１絶縁膜６１を形成する工程をさらに有する。第１絶縁膜６１は、例えば、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法などの方法で形成することができる。第１絶縁膜６１は、半導体構造体１０の側面１０ｃおよび第２面１０ｆｂを覆う。また、第１絶縁膜６１は、溝８０の底部に露出する第１半導体層１１の上面を覆う。また、第１絶縁膜６１は、第２面１０ｆｂ側に配置された電流拡散層１５、第１電極３１、第２電極３２、第１反射層４０、および第２反射層５０を覆う。第１絶縁膜６１は、活性層１３からの光に対する透過性を有する。第１絶縁膜６１は、例えば、シリコン酸化膜である。図２に示す例においては、第１反射層４０に、第１電極３１を露出させる開口と、第２電極３２を露出させる開口と、が設けられた状態で、第１絶縁膜６１を形成している。
【0022】
構造体２１０を準備する工程は、第１絶縁膜６１に、第１電極３１の一部を第１絶縁膜６１から露出させる第１開口部４１と、第２電極３２の一部を第１絶縁膜６１から露出させる第２開口部４２とを形成する工程をさらに有する。第１開口部４１は、第１反射層４０の第１電極３１を露出させる開口と重なる位置に形成される。第２開口部４２は、第１反射層４０の第２電極３２を露出させる開口と重なる位置に形成される。
【0023】
構造体２１０を準備する工程は、第１導電部材７１および第２導電部材７２を形成する工程をさらに有する。第１導電部材７１および第２導電部材７２は、第１絶縁膜６１の表面（図２において第１絶縁膜６１の上面）において、互いに離隔して配置される。
【0024】
第１導電部材７１の一部は、第１開口部４１を通じて、第１電極３１と電気的に接続される。第２導電部材７２の一部は、第２開口部４２を通じて、第２電極３２と電気的に接続される。第１導電部材７１および第２導電部材７２は、例えば、チタン（Ｔｉ）層、ロジウム（Ｒｈ）層、ルテニウム（Ｒｕ）層、プラチナ（Ｐｔ）層、金（Ａｕ）層、またはこれらの金属層のうち少なくとも２つの金属層を含む積層構造を含む。
【0025】
図２に示すように、構造体２１０は、第１端子Ｐ１を含む。第１端子Ｐ１は、半導体構造体１０と電気的に接続される。この例では、第１端子Ｐ１は、第２導電部材７２の上に配置され、第２導電部材７２および第２電極３２を介して、第１半導体層１１と電気的に接続される。
【0026】
構造体２１０は、第２端子Ｐ２を含む。第２端子Ｐ２は、半導体構造体１０と電気的に接続される。この例では、第１端子Ｐ２は、第１導電部材７１の上に配置され、第１導電部材７１および第１電極３１を介して、第１半導体層１１と電気的に接続される。
【0027】
第１端子Ｐ１および第２端子Ｐ２は、例えば、半導体部１０１の電極として機能する。第１端子Ｐ１と、第２端子Ｐ２と、の間に電圧を印加することで、発光層Ｐ１から光が出射する。第１端子Ｐ１および第２端子Ｐ２の材料は、例えば、金（Ａｕ）、Ｃｕ（銅）である。
【0028】
例えば、後述する図１１に示すように、構造体２１０の上面視において、既述の複数の半導体部１０が基板１０２上に行列状に配置される。図３では、行列状に配置される複数の半導体部１０の一部として、４行４列に配置される１６個の半導体部１０１を示す。隣り合う２つの半導体部１０１間の最短距離は、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下である。
【0029】
複数の半導体部１０１は、Ｘ軸方向に沿って、第１端子Ｐ１、第２端子Ｐ２がこの順に並ぶように配列される。この状態において、Ｘ軸方向、およびＹ軸方向ともに、隣り合う２つの半導体部１０１は、電気的に接続されていない。したがって、半導体部１０の電気的特性を評価する場合、１つの半導体部１０１の第１端子Ｐ１と、第２端子Ｐ２と、にそれぞれ治具を接触させることにより、当該半導体部１０の電気的特性を評価する必要がある。このように、半導体部１０１の電気的評価は、複数の半導体部１０１の評価を個別に行う必要がある。
【0030】
図４は、治具を接触させる半導体部１０１の領域の一例を示す図である。
半導体部１０１は、上面視において、矩形状である。半導体部１０１の一辺は、例えば、１０μｍ以上５０μｍ以下である。したがって、半導体部１０１の上面視における面積は、例えば、１００μｍ２以上２５００μｍ２以下である。例えば、半導体部１０１は、上面視において、一辺が５０μｍの矩形状であり、その面積は、２５００μｍ２である。上面視において、第１端子Ｐ１、および第２端子Ｐ２の面積は、それぞれ、半導体部１０の面積よりも小さい。また、第１端子Ｐ１、および第２端子Ｐ２には、例えば第１絶縁膜６１に形成された開口に対応する凹部を有する場合があり、凹部が位置する部分には治具の線端を正確に接触させることが難しい。このため、第１端子Ｐ１、および第２端子Ｐ２の上面のうち、治具を接触させるために用いる上面は、第１端子Ｐ１、および第２端子Ｐ２の凹部を除く上面とすることが好ましい。第１端子Ｐ１、および第２端子Ｐ２の上面のうち、治具を接触させるために用いる上面の領域は、図４に示すように、例えば、第１端子Ｐ１の領域Ａ１、第２端子の領域Ａ２である。この第１端子Ｐ１の領域Ａ１の面積は、第１端子Ｐ１の面積の半分程度である。また、第２端子Ｐ２の領域Ａ２の面積は、第２端子Ｐ２の面積の半分程度である。このため、治具の先端を第１端子Ｐ１、および第２端子Ｐ２に正確に接触させることが難しい。この影響は、半導体部１０１の大きさが小さくなる程、顕著に現れる。
半導体部１０１は、上面視において、矩形状である。半導体部１０１の一辺は、例えば、１０μｍ以上５０μｍ以下である。したがって、半導体部１０１の上面視における面積は、例えば、１００μｍ２以上２５００μｍ２以下である。例えば、半導体部１０１は、上面視において、一辺が５０μｍの矩形状であり、その面積は、２５００μｍ２である。上面視において、第１端子Ｐ１、および第２端子Ｐ２の面積は、それぞれ、半導体部１０の面積よりも小さい。また、第１端子Ｐ１、および第２端子Ｐ２には、例えば第１絶縁膜６１に形成された開口に対応する凹部を有する場合があり、凹部が位置する部分には治具の線端を正確に接触させることが難しい。このため、第１端子Ｐ１、および第２端子Ｐ２の上面のうち、治具を接触させるために用いる上面は、第１端子Ｐ１、および第２端子Ｐ２の凹部を除く上面とすることが好ましい。第１端子Ｐ１、および第２端子Ｐ２の上面のうち、治具を接触させるために用いる上面の領域は、図４に示すように、例えば、第１端子Ｐ１の領域Ａ１、第２端子の領域Ａ２である。この第１端子Ｐ１の領域Ａ１の面積は、第１端子Ｐ１の面積の半分程度である。また、第２端子Ｐ２の領域Ａ２の面積は、第２端子Ｐ２の面積の半分程度である。このため、治具の先端を第１端子Ｐ１、および第２端子Ｐ２に正確に接触させることが難しい。この影響は、半導体部１０１の大きさが小さくなる程、顕著に現れる。
【0031】
本実施形態では、既述した構造体２１０に対して、以下の方法により、複数の半導体部１０１の電気的特性の評価を行う。
【0032】
図１および図５に示すように、絶縁性部材２２０を形成する工程を行う（ＳＴ１０２）。
複数の半導体部１０１、第１端子Ｐ１、および第２端子Ｐ２を覆うように、絶縁性部材を形成する。絶縁性部材は、例えば、レジストである。絶縁性部材を形成した後、形成した絶縁性部材の一部、第１端子Ｐ１の一部、および第２端子Ｐ２の端子の一部を除去し、絶縁性部材から第１端子Ｐ１の上面、および第２端子Ｐ２の上面を露出させる。図５は、発光装置の製造方法の一例を説明するための模式断面図である。図５に示すように、構造体２１０の上面を被覆する絶縁性部材２２０から、第１端子Ｐ１の上面、および第２端子Ｐ２の上面が露出される。第１端子Ｐ１、および第２端子Ｐ２上に絶縁性部材により埋設した後、例えば、研削などにより第１端子Ｐ１、および第２端子Ｐ２の表面を露出する。これにより、第１端子Ｐ１の上面、および第２端子Ｐ２の上面は、単純に第１端子、および第２端子を形成した場合と比較して、平坦性が高くなる。このため、第１端子Ｐ１、および第２端子Ｐ２は、例えば、実装基板との接続に使用する場合、接合性を向上させることができる。
複数の半導体部１０１、第１端子Ｐ１、および第２端子Ｐ２を覆うように、絶縁性部材を形成する。絶縁性部材は、例えば、レジストである。絶縁性部材を形成した後、形成した絶縁性部材の一部、第１端子Ｐ１の一部、および第２端子Ｐ２の端子の一部を除去し、絶縁性部材から第１端子Ｐ１の上面、および第２端子Ｐ２の上面を露出させる。図５は、発光装置の製造方法の一例を説明するための模式断面図である。図５に示すように、構造体２１０の上面を被覆する絶縁性部材２２０から、第１端子Ｐ１の上面、および第２端子Ｐ２の上面が露出される。第１端子Ｐ１、および第２端子Ｐ２上に絶縁性部材により埋設した後、例えば、研削などにより第１端子Ｐ１、および第２端子Ｐ２の表面を露出する。これにより、第１端子Ｐ１の上面、および第２端子Ｐ２の上面は、単純に第１端子、および第２端子を形成した場合と比較して、平坦性が高くなる。このため、第１端子Ｐ１、および第２端子Ｐ２は、例えば、実装基板との接続に使用する場合、接合性を向上させることができる。
【0033】
【0034】
１つの半導体部１０１における、第１端子Ｐ１の上面と、第２端子Ｐ２の上面と、の間に位置する絶縁性部材２２０上に、レジスト２３０をそれぞれ形成する。これにより、Ｘ軸方向において、隣り合う半導体部１０１の第１端子Ｐ１と、第２端子Ｐ２と、の間の領域それぞれにレジスト２３０が形成される。
【0035】
レジスト２３０を形成した後、Ｘ軸方向に沿って配列される半導体部１０１を連続して覆うようにシード層２４０を形成する。シード層２４０は、隣り合う半導体部１０１の第１端子Ｐ１、第２端子Ｐ２、およびレジスト２３０を覆うように形成する。このとき、シード層２４０により、１つの半導体部１０１の第１端子Ｐ１および第２端子Ｐ２は短絡して接続される。また、Ｘ軸方向に配列される複数の半導体部１０１は、１つのシード層２４０により電気的に接続される。シード層２４０は、例えば、スパッタリング法やめっき法により形成される。上面視において、Ｙ軸方向のシード層２４０の幅は、レジスト２３０、第１端子Ｐ１、および第２端子Ｐ２のＹ軸方向の幅と、ほぼ同じである。Ｙ軸方向において、隣り合う２つの半導体部１０１間には、シード層２４０は、形成されない。例えば、シード層２４０の材料は、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、プラチナ（Ｐｔ）である。
【0036】
シード層２４０を形成した後、シード層２４０上に導電層２５０を形成する。導電層２５０は、導電性の材料であればよい。導電層２５０は、例えば、スパッタリング法やめっき法により形成される。例えば、導電層２５０の材料は、金（Ａｕ）、Ｃｕ（銅）である。これにより、図６に示す構造体２１０が形成される。
【0037】
次に、図１および図７に示すように、シード層２４０および導電層２５０を除去する工程を行う（ＳＴ１０４）。具体的には、図６に示したレジスト２３０を覆っている、シード層２４０の一部、および導電層２５０の一部を除去することで、図７に示すように、シード層２４０および導電層２５０からレジスト２３０が露出する。また、この工程により、レジスト２３０と、導電層２５０と、の間においては、導電層２５０からシード層２４０が露出する。シード層２４０、および導電層２５０の除去は、例えば、研削、研磨により行う。なお、シード層２４０、および導電層２５０を除去する際、レジスト２３０の一部が除去されてもよい。
【0038】
図８は、図７に示したシード層２４０および導電層２５０を除去した後の構造体２１０の一部を示す模式上面図である。
図８に示すように、Ｘ軸方向に沿って配列される複数の半導体部１０１は、配線２５０ａによって電気的に接続される。配線２５０ａは、図７に示したシード層２４０および導電層２５０を除去する工程により形成される。したがって、Ｘ軸方向に沿って配列された複数の半導体部１０１は、直列接続される。一方、Ｙ軸方向において、各半導体部１０１間には、シード層２４０が形成されず、導電層２５０が形成されない。このため、Ｙ軸方向において隣り合う、各半導体部１０１間は、電気的に接続されない。
図８に示すように、Ｘ軸方向に沿って配列される複数の半導体部１０１は、配線２５０ａによって電気的に接続される。配線２５０ａは、図７に示したシード層２４０および導電層２５０を除去する工程により形成される。したがって、Ｘ軸方向に沿って配列された複数の半導体部１０１は、直列接続される。一方、Ｙ軸方向において、各半導体部１０１間には、シード層２４０が形成されず、導電層２５０が形成されない。このため、Ｙ軸方向において隣り合う、各半導体部１０１間は、電気的に接続されない。
【0039】
図９は、図７，図８に示した各半導体部１０１において、治具を接触させる領域の一例を示す図である。
図８、図９に示すように、Ｘ軸方向において、半導体部１０１の第１端子Ｐ１と、この半導体部１０１とＸ軸方向で隣り合う半導体部１０１の第２端子Ｐ２と、が配線２５０ａにより電気的に接続されている。配線２５０ａの面積は、上面視において、第１端子Ｐ１の面積および第２端子Ｐ２の面積のそれぞれよりも大きい。上面視において、配線２５０ａの面積は、例えば、第１端子Ｐ１の面積の２倍以上５倍以下である。配線２５０ａに治具の先端を接触させることにより、半導体部１０１の電気的特性を評価することが可能になる。既述の図３で説明した治具の先端が接触する領域Ａ１，Ａ２と比較すると、図９に示す配線２５０ａの領域は、数倍程度大きくなり、治具の先端を接触させやすくなる。
図８、図９に示すように、Ｘ軸方向において、半導体部１０１の第１端子Ｐ１と、この半導体部１０１とＸ軸方向で隣り合う半導体部１０１の第２端子Ｐ２と、が配線２５０ａにより電気的に接続されている。配線２５０ａの面積は、上面視において、第１端子Ｐ１の面積および第２端子Ｐ２の面積のそれぞれよりも大きい。上面視において、配線２５０ａの面積は、例えば、第１端子Ｐ１の面積の２倍以上５倍以下である。配線２５０ａに治具の先端を接触させることにより、半導体部１０１の電気的特性を評価することが可能になる。既述の図３で説明した治具の先端が接触する領域Ａ１，Ａ２と比較すると、図９に示す配線２５０ａの領域は、数倍程度大きくなり、治具の先端を接触させやすくなる。
【0040】
次に、図１および図１０に示すように、各半導体部１０１の電気的特性を評価する（ＳＴ１０５）。図１０は、電気的特性の評価処理の一例を示すサブフローチャートである。半導体部１０１の電気的特性は、治具により評価される。治具は、例えば、後述する図１２で示すプローブ針ＰＢ１，ＰＢ２を含むプローブ装置ＰＢである。以下、治具は、プローブ装置ＰＢとして説明する。プローブ装置ＰＢの各プローブ針ＰＢ１，ＰＢ２を配線２５０ａにそれぞれ接触させることにより、プローブ装置ＰＢは、プローブ針ＰＢ１，ＰＢ２が接触した間で電気的に接続された１又は２以上の半導体部１０１の電気的特性を評価することが可能になる。
【0041】
図１０に示すように、プローブ装置ＰＢは、例えば、直列接続された４つの半導体部１０１の電気的特性を評価する（ＳＴ１１１）。直列接続された４つの半導体部１０１は、例えば、グループＧとして管理される。なお、グループＧに含まれる半導体部１０１の数は、４つに限るものではない。グループＧに含まれる半導体部１０の数は、例えば、３個以上５０個以下としてもよい。
【0042】
図１１は、構造体２１０上に含まれる各半導体部１０１の配置の一例を示す図である。
半導体部１０１は、３つの種類１０ａ，１０ｂ，１０ｃで区別される。この３種類の内容は、種類１０ａがＴＥＧ（テスト・エレメント・グループ）である。種類１０ｂがグループＧに対する評価対象、種類１０ｃが個別の評価対象である。種類１０ａであるＴＥＧは、半導体部１０１の電気的特性を評価する場合に、構造体２１０上の半導体部１０の位置を確認するために用いられる。図１１において、種類１０ａが設定される半導体部１０１を黒い四角で示す。種類１０ｂは、例えば、直列接続された複数の半導体部１０１のうち後述する実装基板に実装する工程で実装に用いられる半導体部１０１である。種類１０ｂの半導体部１０１は、斜線の四角で示す。種類１０ｃは、例えば、後述する複数の半導体部１０１のうち評価ＮＧの半導体部１０１を除去し、評価ＯＫの半導体部１０１に置き換える際に使用する半導体部１０１である。種類１０ｃの半導体部１０１は、ドットのハッチングを付した四角で示す。これらの構造体２１０上の複数の半導体部１０１の配置、種類、評価する順序は、例えば、予めプローブ装置ＰＢに記憶される。なお、図１１において、半導体部１０１の配置、および種類をわかりやすくするため、各半導体部１０１を接続する配線２５０ａ等については、図示を省略している。これらの図示の省略は、後述する図１３，図１５も同様である。
半導体部１０１は、３つの種類１０ａ，１０ｂ，１０ｃで区別される。この３種類の内容は、種類１０ａがＴＥＧ（テスト・エレメント・グループ）である。種類１０ｂがグループＧに対する評価対象、種類１０ｃが個別の評価対象である。種類１０ａであるＴＥＧは、半導体部１０１の電気的特性を評価する場合に、構造体２１０上の半導体部１０の位置を確認するために用いられる。図１１において、種類１０ａが設定される半導体部１０１を黒い四角で示す。種類１０ｂは、例えば、直列接続された複数の半導体部１０１のうち後述する実装基板に実装する工程で実装に用いられる半導体部１０１である。種類１０ｂの半導体部１０１は、斜線の四角で示す。種類１０ｃは、例えば、後述する複数の半導体部１０１のうち評価ＮＧの半導体部１０１を除去し、評価ＯＫの半導体部１０１に置き換える際に使用する半導体部１０１である。種類１０ｃの半導体部１０１は、ドットのハッチングを付した四角で示す。これらの構造体２１０上の複数の半導体部１０１の配置、種類、評価する順序は、例えば、予めプローブ装置ＰＢに記憶される。なお、図１１において、半導体部１０１の配置、および種類をわかりやすくするため、各半導体部１０１を接続する配線２５０ａ等については、図示を省略している。これらの図示の省略は、後述する図１３，図１５も同様である。
【0043】
図１２は、グループＧに含まれる４つの半導体部１０１の電気的特性を評価する場合を説明するための図である。
図１２に示すように、Ｘ軸方向において、グループＧに含まれる半導体部１０１を直列接続する複数の配線２５０ａのうち、最も上側の配線２５０ａにプローブ装置ＰＢのプローブ針ＰＢ１の先端を接触させ、グループＧに含まれる半導体部１０１を直列接続する複数の配線２５０ａのうち、最も下側の配線２５０ａにプローブ針ＰＢ２を接触させる。これにより、グループＧ内の直列接続された４つの半導体部１０１の電気的特性の評価が可能になる。つまり、４つの半導体部１０１を一度に評価することが可能になる。評価結果は、例えば、当該グループＧに含まれる半導体部１０１の位置と対応づけてプローブ装置ＰＢの所定のメモリに記憶する（ＳＴ１１２）。評価結果は、例えば、予め定められた基準を満たす場合に評価ＯＫとなり、基準を満たさない場合に評価ＮＧとなる。ここで、基準は、例えば、各プローブ針ＰＢ１，ＰＢ２に所定値の電流を流した場合に、各半導体部１０１が所定の明るさで発光したか否かである。
図１２に示すように、Ｘ軸方向において、グループＧに含まれる半導体部１０１を直列接続する複数の配線２５０ａのうち、最も上側の配線２５０ａにプローブ装置ＰＢのプローブ針ＰＢ１の先端を接触させ、グループＧに含まれる半導体部１０１を直列接続する複数の配線２５０ａのうち、最も下側の配線２５０ａにプローブ針ＰＢ２を接触させる。これにより、グループＧ内の直列接続された４つの半導体部１０１の電気的特性の評価が可能になる。つまり、４つの半導体部１０１を一度に評価することが可能になる。評価結果は、例えば、当該グループＧに含まれる半導体部１０１の位置と対応づけてプローブ装置ＰＢの所定のメモリに記憶する（ＳＴ１１２）。評価結果は、例えば、予め定められた基準を満たす場合に評価ＯＫとなり、基準を満たさない場合に評価ＮＧとなる。ここで、基準は、例えば、各プローブ針ＰＢ１，ＰＢ２に所定値の電流を流した場合に、各半導体部１０１が所定の明るさで発光したか否かである。
【0044】
次に、グループＧの電気的特性の評価が終了したか否かを判定する（ＳＴ１１３）。プローブ装置ＰＢは、各グループＧを予め定められた順序に従って、電気的特性の評価を行い、全てのグループＧの評価が終了したか否かを判定する。各グループＧの測定がすべて完了した場合にＹＥＳと判定し、まだ測定すべきグループＧが残っている場合にＮＯと判定する。ＳＴ１１３にて、ＮＯと判定した場合、次の評価対象となるグループＧに対して、プローブ装置ＰＢは、プローブ針ＰＢ１，ＰＢ２を移動した後、当該グループＧの電気的特性を評価する。これにより、プローブ装置ＰＢは、グループＧごとの電気的特性の評価を得ることができる。
【0045】
ＳＴ１１３にて、ＹＥＳと判定した場合、評価ＮＧのグループＧに含まれる４つの半導体部１０１、および種類１０ｃに区別されている半導体部１０１をそれぞれ個別に評価する（ＳＴ１１４）。
【0046】
図１３は、例えば、グループＧ１～Ｇ５が評価ＮＧだった場合を示す。例えば、グループＧ１～Ｇ５の評価結果が評価ＮＧだった場合、各グループＧ１～Ｇ５において、隣り合う２つの配線２５０ａにプローブ針ＰＢ１，ＰＢ２を順次接触させる。これにより、プローブ装置ＰＢは、各グループＧ１～Ｇ５に含まれる各半導体部１０１のそれぞれについて個別に電気的特性を評価することが可能になる。これらの評価に加え、種類１０ｃに区別されている半導体部１０１についても、プローブ装置ＰＢは、それぞれ個別に電気的特性を評価する。また、例えば、プローブ装置ＰＢは、評価ＮＧとなったグループＧに含まれる半導体部１０１の電気的特性を評価した後、または、その評価の前に、種類１０ｃに区別されている半導体部１０１の電気的特性を評価する。
【0047】
図１４は、半導体部１０１の電気的特性を個別に評価する場合を説明するための図である。
個別に半導体部１０１の電気的特性を評価する場合、プローブ装置ＰＢは、評価対象となる半導体部１０１の第１端子Ｐ１上に形成された配線２５０ａ、および第２端子Ｐ２上に形成された配線２５０ａに、それぞれ、プローブ針ＰＢ１，ＰＢ２を接触させる。これにより、当該半導体部１０１の電気的特性を評価する。
個別に半導体部１０１の電気的特性を評価する場合、プローブ装置ＰＢは、評価対象となる半導体部１０１の第１端子Ｐ１上に形成された配線２５０ａ、および第２端子Ｐ２上に形成された配線２５０ａに、それぞれ、プローブ針ＰＢ１，ＰＢ２を接触させる。これにより、当該半導体部１０１の電気的特性を評価する。
【0048】
次に、プローブ装置ＰＢは、評価結果を記憶する（ＳＴ１１５）。評価した半導体部１０１の位置と対応付けて評価結果が記憶される。これにより、当該半導体部１０１の電気的特性の個別評価が得られる。
【0049】
次に、プローブ装置ＰＢは、電気的特性の個別評価が終了したか否かを判定する（ＳＴ１１６）。ＳＴ１１６にて、ＮＯと判定した場合、プローブ装置ＰＢは、次の半導体部１０１に形成された２つの配線２５０ａに、プローブ針ＰＢ１，ＰＢ２をそれぞれ移動して、当該半導体部１０１の電気的特性の個別評価を行う。一方、ステップＳＴ１１６にて、ＹＥＳと判定した場合、この処理を終了する。これにより、評価ＮＧとなった各グループ内の各半導体部１０１、および評価対象（個別）に区分された半導体部１０１の電気的特性の評価を個別に得ることができる。これに加え、既述ステップＳＴ１１２の処理で得られたグループ毎の評価結果により、構造体２１０に含まれる複数の半導体部１０１の電気的特性の評価結果を得ることができる。
【0050】
図１５は、電気的特性の個別評価の結果の一例を示す図である。
図１５に、評価ＯＫの半導体部１０１である半導体部１０ｄ、評価ＮＧの半導体部１０１である半導体部ｇ１１，ｇ２２，ｇ３１，ｇ４２，ｇ４３，ｇ５３を示す。つまり、グループＧ１～Ｇ５のうち、半導体部ｇ１１，ｇ２２，ｇ３１，ｇ４２，ｇ４３，ｇ５３がそれぞれ評価ＮＧであったことを示す。また、種類１０ｃに区別された半導体部１０１は、全て評価ＯＫだったことを示す。
図１５に、評価ＯＫの半導体部１０１である半導体部１０ｄ、評価ＮＧの半導体部１０１である半導体部ｇ１１，ｇ２２，ｇ３１，ｇ４２，ｇ４３，ｇ５３を示す。つまり、グループＧ１～Ｇ５のうち、半導体部ｇ１１，ｇ２２，ｇ３１，ｇ４２，ｇ４３，ｇ５３がそれぞれ評価ＮＧであったことを示す。また、種類１０ｃに区別された半導体部１０１は、全て評価ＯＫだったことを示す。
【0051】
このように、複数の半導体部１０１の電気的特性の評価が完了した後、図１に示すように、絶縁性部材および配線を除去する（ＳＴ１０６）。例えば、構造体２１０の上面側を研削することにより、レジスト２３０、シード層２４０、および導電層２５０を除去する。これにより、構造体２１０は、絶縁性部材２２０から第１端子Ｐ１、第２端子Ｐ２の上面が露出した状態になる。つまり、構造体２１０は、既述の図５と同じ状態になる。この状態から、さらに、例えば、剥離剤を用いて絶縁性部材２２０を剥離する。これにより、構造体２１０は、図２に示した状態に戻る。なお、半導体部１０の小型化するために、さらに、構造体２１０から第１端子Ｐ１および第２端子Ｐ２を除去してもよい。
【0052】
次に、図１に示すように、半導体部を除去する（ＳＴ１０７）。より詳細には、電気的特性が基準を満たさないと評価された半導体部１０１を除去する。つまり、上記ステップＳＴ１１４の処理において、電気的特性の半導体部１０１の個別評価により、評価ＮＧとなった半導体部１０１を除去する。半導体部１０１を除去する工程により、後述する実装基板に実装する工程において、実装する工程で用いる複数の半導体部１０１から評価ＮＧの半導体部１０１を除去する。半導体部を除去する工程において、まず、支持基板に構造体２１０の上面側を接合した後、基板１０２を除去する工程を行う。基板１０２の除去は、例えば、レーザリフトオフ法により行う。次に、基板１０２を除去することで露出された第１半導体層１１を研磨し、それぞれが離隔した複数の半導体部１０１に分離する工程を行う。第１半導体層１１の研磨は、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法により行う。その後、支持基板上に位置する複数の半導体部１０１を別の支持基板に転写する工程を行う。転写された複数の半導体部１０１は、後述する実装基板に実装する工程において、実装基板に実装される半導体部１０１である。転写する工程において、評価ＯＫの半導体部１０１のみを転写し、評価ＮＧの半導体部１０１は転写しないようにする。これにより、実装する工程で用いる複数の半導体部１０１はＯＫの半導体部１０１のみで構成される。また、評価ＯＫの半導体部１０１と、評価ＮＧの半導体部１０１とを含む複数の半導体部１０１を一括して転写した後、転写された複数の半導体部１０１のうち評価ＮＧの半導体部１０１を除去し、除去した位置に評価ＯＫの半導体部１０１を配置し置き換えてもよい。これにより、実装する工程で用いる複数の半導体部１０１は評価ＯＫの半導体部１０１のみで構成される。
【0053】
次に、実装基板に実装する（ＳＴ１０８）。例えば、導電性の配線が配置された実装基板に、複数の半導体部１０１の第１端子Ｐ１および第２端子Ｐ２のそれぞれが配線に接続されるように実装する。その後、複数の半導体部１０１から支持基板を剥離する。このようにして、実装基板と、実装基板に実装された複数の半導体部１０１とを有する発光装置が完成する。なお、複数の半導体部１０１を実装基板に実装した後、半導体部１０１間に光反射性を有する樹脂を充填してよい。また複数の半導体部１０１を覆うように蛍光体を含む波長変換部材を配置してもよい。
【0054】
半導体部１０１の除去は、実装基板に実装する工程の後で行ってもよい。まず、電気的特性が基準を満たさないと評価された半導体部１０１の位置を記憶する。次に、プローブ装置に接続された記憶装置に評価ＮＧとなった半導体部１０１の位置情報を記憶する。複数の半導体部１０１を実装基板に実装した後、記憶装置に記憶した位置情報に基づいて、評価ＮＧの半導体部１０１を除去する。その後、半導体部１０１を除去した位置に、評価ＯＫの半導体部１０１を配置する。このように、評価ＮＧの半導体部１０１を評価ＯＫの半導体部１０１に交換して、発光装置を完成させてもよい。
【0055】
この実施形態の発光装置の製造方法によると、配線２５０ａの面積が第１端子Ｐ１および第２端子Ｐ２の面積よりも大きく、治具を接触させやすいため、半導体部１０の電気的特性の評価を容易に行うことができる。また、半導体部１０１の電気的特性を行うときに、まず、複数のグループＧに含まれる４つの半導体部１０１の電気的特性を評価する。その後、評価ＮＧと評価されたグループＧに含まれる半導体部１０１、およびグループＧに含まれない半導体部１０１を個別に評価する。このため、複数の半導体部１０１の電気的特性を効率よく評価することができる。したがって、発光装置に含まれる半導体部１０１の電気的特性の評価を容易に行うことができる。
【0056】
以上、本発明に係る発光装置の製造方法について、発明を実施するための形態によって具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。
【0057】
実施形態は、以下の態様を含む。
【0058】
（付記１）
基板と、前記基板上に配列された複数の半導体部であって、それぞれが、第１導電型の第１半導体層と、第２導電型の第２半導体層と、前記第１半導体層と電気的に接続された第１端子と、前記第２半導体層と電気的に接続された第２端子と、を含む複数の半導体部と、を含む構造体を準備する工程と、
前記複数の半導体部を被覆し、前記第１端子および前記第２端子を露出させる絶縁性部材を形成する工程と、
前記半導体部の上方に位置し、前記配列方向において、隣り合う２つの前記半導体部の前記第１端子と前記第２端子とをそれぞれ接続し、複数の前記半導体部を直列に接続する配線を形成する工程であって、上面視において、１つの前記配線の面積は、１つの前記第１端子の面積および１つの前記第２端子の面積のそれぞれよりも大きい、配線を形成する工程と、
前記配線に治具を接触させることで、前記複数の配線により接続される複数の前記半導体部の電気的特性を評価する工程と、
前記絶縁性部材および前記複数の配線を除去する工程と、
を備える、発光装置の製造方法。
基板と、前記基板上に配列された複数の半導体部であって、それぞれが、第１導電型の第１半導体層と、第２導電型の第２半導体層と、前記第１半導体層と電気的に接続された第１端子と、前記第２半導体層と電気的に接続された第２端子と、を含む複数の半導体部と、を含む構造体を準備する工程と、
前記複数の半導体部を被覆し、前記第１端子および前記第２端子を露出させる絶縁性部材を形成する工程と、
前記半導体部の上方に位置し、前記配列方向において、隣り合う２つの前記半導体部の前記第１端子と前記第２端子とをそれぞれ接続し、複数の前記半導体部を直列に接続する配線を形成する工程であって、上面視において、１つの前記配線の面積は、１つの前記第１端子の面積および１つの前記第２端子の面積のそれぞれよりも大きい、配線を形成する工程と、
前記配線に治具を接触させることで、前記複数の配線により接続される複数の前記半導体部の電気的特性を評価する工程と、
前記絶縁性部材および前記複数の配線を除去する工程と、
を備える、発光装置の製造方法。
【0059】
（付記２）
前記評価する工程において、前記直列に接続された前記複数の半導体部の電気的特性が基準を満たさない場合、前記複数の配線のうち隣り合う２つの配線に治具を接触させることで、前記直列に接続された前記複数の半導体部のそれぞれについて個別に電気的特性を評価する、付記１に記載の発光装置の製造方法。
前記評価する工程において、前記直列に接続された前記複数の半導体部の電気的特性が基準を満たさない場合、前記複数の配線のうち隣り合う２つの配線に治具を接触させることで、前記直列に接続された前記複数の半導体部のそれぞれについて個別に電気的特性を評価する、付記１に記載の発光装置の製造方法。
【0060】
（付記３）
前記絶縁性部材および前記配線を除去する工程の後、前記個別に電気的特性を評価する工程において、電気的特性が前記基準を満たさないと評価された前記半導体部を前記基板から除去し、前記半導体部が除去された領域に電気的特性が前記基準を満たす半導体部を配置する工程を
さらに備える、付記２に記載の発光装置の製造方法。
前記絶縁性部材および前記配線を除去する工程の後、前記個別に電気的特性を評価する工程において、電気的特性が前記基準を満たさないと評価された前記半導体部を前記基板から除去し、前記半導体部が除去された領域に電気的特性が前記基準を満たす半導体部を配置する工程を
さらに備える、付記２に記載の発光装置の製造方法。
【0061】
（付記４）
上面視において、前記半導体部の形状は矩形状であり、
上面視における前記半導体部の面積は、１００μｍ２以上２５００μｍ２以下である、付記１～３のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
上面視において、前記半導体部の形状は矩形状であり、
上面視における前記半導体部の面積は、１００μｍ２以上２５００μｍ２以下である、付記１～３のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
【0062】
（付記５）
前記複数の前記半導体部は、前記基板上に行列状に配置される、付記１～４のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
前記複数の前記半導体部は、前記基板上に行列状に配置される、付記１～４のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
【符号の説明】
【0063】
１０…半導体構造体、１０ｄ…評価ＯＫの半導体部、１０１…半導体部、１０２…基板、２１０…構造体、２２０…絶縁性部材、２３０…レジスト、２４０…シード層、２５０…導電層、２５０ａ…配線、Ｇ，Ｇ１～Ｇ５…グループ、ｇ１１，ｇ２２，ｇ３１，ｇ４２，ｇ４３，ｇ５３…評価ＮＧの半導体部、ＰＢ…プローブ装置、ＰＢ１，ＰＢ２…プローブ針
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】