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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024005532
(43)【公開日】2024-01-17
(54)【発明の名称】導電性フィルム
(51)【国際特許分類】
G06F 3/041 20060101AFI20240110BHJP
【ＦＩ】
G06F3/041 490
G06F3/041 495
【審査請求】未請求
【請求項の数】5
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022105745
(22)【出願日】2022-06-30
(71)【出願人】
【識別番号】306037311
【氏名又は名称】富士フイルム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100152984
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 秀明
(74)【代理人】
【識別番号】100148080
【弁理士】
【氏名又は名称】三橋 史生
(72)【発明者】
【氏名】伊藤 滋英
(57)【要約】
【課題】金属配線の線見えを抑制し、視認性の向上を図った導電性フィルムを提供する。
【解決手段】基板と、板上に配置され、金属配線からなる導電層とを有する、導電性フィルムであって、金属配線の幅が２μｍ以下であり、金属配線の高さが１μｍ以下であり、金属配線が、基板側から、金属層と、第１黒化層と、第２黒化層とをこの順に有する。第１黒化層及び第２黒化層は金属原子と、酸素原子及び窒素原子からなる群から選択される少なくとも１種とを含む層であり、第１黒化層は、第１黒化層の厚み方向の中間位置における金属原子の含有量が、第２黒化層の厚み方向の中間位置における金属原子の含有量よりも多い。
【選択図】図３
【解決手段】基板と、板上に配置され、金属配線からなる導電層とを有する、導電性フィルムであって、金属配線の幅が２μｍ以下であり、金属配線の高さが１μｍ以下であり、金属配線が、基板側から、金属層と、第１黒化層と、第２黒化層とをこの順に有する。第１黒化層及び第２黒化層は金属原子と、酸素原子及び窒素原子からなる群から選択される少なくとも１種とを含む層であり、第１黒化層は、第１黒化層の厚み方向の中間位置における金属原子の含有量が、第２黒化層の厚み方向の中間位置における金属原子の含有量よりも多い。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
前記基板上に配置され、金属配線からなる導電層とを有する、導電性フィルムであって、
前記金属配線の幅が２μｍ以下であり、前記金属配線の高さが１μｍ以下であり、
前記金属配線が、前記基板側から、金属層と、第１黒化層と、第２黒化層とをこの順に有し、
前記第１黒化層及び前記第２黒化層は、金属原子と、酸素原子及び窒素原子からなる群から選択される少なくとも１種とを含む層であり、
前記第１黒化層は、前記第１黒化層の厚み方向の中間位置における前記金属原子の含有量が、前記第２黒化層の厚み方向の中間位置における前記金属原子の含有量よりも多い、導電性フィルム。
前記基板上に配置され、金属配線からなる導電層とを有する、導電性フィルムであって、
前記金属配線の幅が２μｍ以下であり、前記金属配線の高さが１μｍ以下であり、
前記金属配線が、前記基板側から、金属層と、第１黒化層と、第２黒化層とをこの順に有し、
前記第１黒化層及び前記第２黒化層は、金属原子と、酸素原子及び窒素原子からなる群から選択される少なくとも１種とを含む層であり、
前記第１黒化層は、前記第１黒化層の厚み方向の中間位置における前記金属原子の含有量が、前記第２黒化層の厚み方向の中間位置における前記金属原子の含有量よりも多い、導電性フィルム。
【請求項2】
前記金属層の側面に配置された、第３黒化層をさらに有し、
前記第３黒化層は、金属原子と、酸素原子及び窒素原子からなる群から選択される少なくとも１種とを含む層である、請求項１に記載の導電性フィルム。
前記第３黒化層は、金属原子と、酸素原子及び窒素原子からなる群から選択される少なくとも１種とを含む層である、請求項１に記載の導電性フィルム。
【請求項3】
前記第２黒化層の厚みが、前記第１黒化層の厚みよりも厚い、請求項１又は２に記載の導電性フィルム。
【請求項4】
前記第２黒化層の厚みが、１０～５０ｎｍである、請求項１又は２に記載の導電性フィルム。
【請求項5】
前記金属原子が、Ｃｕを含む、請求項１又は２に記載の導電性フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、タッチパネル等に利用される導電性フィルムに関する。
【背景技術】
【0002】
タブレット型コンピュータ及びスマートフォン等の携帯情報機器を始めとした各種の電子機器において、液晶表示装置等の表示装置と組み合わせて用いられ、指、スタイラスペン等を画面に接触又は近接させることにより電子機器への入力操作を行うタッチパネルがある。
タッチパネルは、通常、指及びスタイラスペン等によるタッチ操作を検出するための複数の検出電極等が形成された導電性フィルムがタッチセンサーとして用いられている。導電性フィルムの検出電極はＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化インジウムスズ）等の透明導電性酸化物又は金属等により形成される。金属は透明導電性酸化物に比べてパターニングがしやすく、屈曲性に優れ、電気抵抗値がより低い等の利点がある。このため、導電性フィルムにおいて銅又は銀等の金属が、検出電極を構成する金属配線に用いられている。
タッチパネルは、通常、指及びスタイラスペン等によるタッチ操作を検出するための複数の検出電極等が形成された導電性フィルムがタッチセンサーとして用いられている。導電性フィルムの検出電極はＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化インジウムスズ）等の透明導電性酸化物又は金属等により形成される。金属は透明導電性酸化物に比べてパターニングがしやすく、屈曲性に優れ、電気抵抗値がより低い等の利点がある。このため、導電性フィルムにおいて銅又は銀等の金属が、検出電極を構成する金属配線に用いられている。
【0003】
例えば、特許文献１に、透明フィルム基材の少なくとも片面に酸化銅と銅とが順に薄膜形成され、酸化銅と銅が共に１～１０μｍの線幅に導電パターンが形成された透明導電積層体の製造方法が記載されている。酸化銅膜と銅膜とはスパッタリング法を用いて形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１５－１３３２５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
特許文献１の酸化銅膜と銅膜とが積層された透明導電積層体を、タッチパネルのタッチセンサーに用いた場合、導電パターンの銅膜の部分がタッチパネルの使用者に視認されやすく、視認性が悪い。特許文献１の導電パターンは上述の金属配線に相当し、透明導電積層体は導電性フィルムに相当する。
導電パターンが使用者に視認される現象のことを「線見え」と呼ぶこともある。
タッチセンサーの視認性の観点から、導電性フィルムの金属配線が視認されないことが望まれていることから、導電性フィルムの金属配線の線見えを抑制することが望まれている。
導電パターンが使用者に視認される現象のことを「線見え」と呼ぶこともある。
タッチセンサーの視認性の観点から、導電性フィルムの金属配線が視認されないことが望まれていることから、導電性フィルムの金属配線の線見えを抑制することが望まれている。
【0006】
本発明の目的は、金属配線の線見えを抑制し、視認性の向上を図った導電性フィルムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上述の目的を達成するために、発明［１］は、基板と、基板上に配置され、金属配線からなる導電層とを有する、導電性フィルムであって、金属配線の幅が２μｍ以下であり、金属配線の高さが１μｍ以下であり、金属配線が、基板側から、金属層と、第１黒化層と、第２黒化層とをこの順に有し、第１黒化層及び第２黒化層は、金属原子と、酸素原子及び窒素原子からなる群から選択される少なくとも１種とを含む層であり、第１黒化層は、第１黒化層の厚み方向の中間位置における金属原子の含有量が、第２黒化層の厚み方向の中間位置における金属原子の含有量よりも多い、導電性フィルムを提供するものである。
発明［２］は、金属層の側面に配置された、第３黒化層をさらに有し、第３黒化層は、金属原子と、酸素原子及び窒素原子からなる群から選択される少なくとも１種とを含む層である、発明［１］に記載の導電性フィルム。
発明［２］は、金属層の側面に配置された、第３黒化層をさらに有し、第３黒化層は、金属原子と、酸素原子及び窒素原子からなる群から選択される少なくとも１種とを含む層である、発明［１］に記載の導電性フィルム。
【0008】
発明［３］は、第２黒化層の厚みが、第１黒化層の厚みよりも厚い、発明［１］又は［２］に記載の導電性フィルム。
発明［４］は、第２黒化層の厚みが、１０～５０ｎｍである、発明［１］～［３］のいずれか１つに記載の導電性フィルム。
発明［５］は、金属原子が、Ｃｕを含む、発明［１］～［４］のいずれか１つに記載の導電性フィルム。
発明［４］は、第２黒化層の厚みが、１０～５０ｎｍである、発明［１］～［３］のいずれか１つに記載の導電性フィルム。
発明［５］は、金属原子が、Ｃｕを含む、発明［１］～［４］のいずれか１つに記載の導電性フィルム。
【発明の効果】
【0009】
本発明によれば、金属配線の線見えを抑制し、視認性が良好な導電性フィルムを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】本発明の実施形態の導電性フィルムを有する画像表示装置の第１の例を示す模式的断面図である。
【図2】本発明の実施形態の導電性フィルムの第１の例を示す模式的平面図である。
【図3】本発明の実施形態の導電性フィルムの第１の例を示す模式的断面図である。
【図4】本発明の実施形態の導電性フィルムの第２の例を示す模式的断面図である。
【図5】本発明の実施形態の導電性フィルムの電極構成を示す模式図である。
【図6】本発明の実施形態の導電性フィルムのメッシュパターンの形状の一例を示す模式図である。
【図7】本発明の実施形態の導電性フィルムを有する画像表示装置の第２の例を示す模式的断面図である。
【図8】本発明の実施形態の導電性フィルムの第１の例の製造方法の一工程を示す模式的断面図である。
【図9】本発明の実施形態の導電性フィルムの第１の例の製造方法の一工程を示す模式的断面図である。
【図10】本発明の実施形態の導電性フィルムの第１の例の製造方法の一工程を示す模式的断面図である。
【図11】本発明の実施形態の導電性フィルムの第２の例の製造方法の一工程を示す模式的断面図である。
【図12】本発明の実施形態の導電性フィルムの第２の例の製造方法の一工程を示す模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の導電性フィルムを詳細に説明する。
なお、以下に説明する図は、本発明を説明するための例示的なものであり、以下に示す図に本発明が限定されるものではない。
なお、以下において数値範囲を示す「～」とは両側に記載された数値を含む。例えば、εが数値εα～数値εβとは、εの範囲は数値εαと数値εαを含む範囲であり、数学記号で示せばεα≦ε≦εαである。
「平行」、及び「直交」等の角度は、特に記載がなければ、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
なお、以下に説明する図は、本発明を説明するための例示的なものであり、以下に示す図に本発明が限定されるものではない。
なお、以下において数値範囲を示す「～」とは両側に記載された数値を含む。例えば、εが数値εα～数値εβとは、εの範囲は数値εαと数値εαを含む範囲であり、数学記号で示せばεα≦ε≦εαである。
「平行」、及び「直交」等の角度は、特に記載がなければ、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
【0012】
透明とは、特に断りがなければ、光透過率が、波長３８０～７８０ｎｍの可視光波長域において、４０％以上のことであり、好ましくは８０％以上、より好ましくは９０％以上のことである。
光透過率は、ＪＩＳ（日本産業規格） Ｋ ７３７５：２００８に規定される「プラスチック－全光線透過率及び全光線反射率の求め方」を用いて測定されるものである。
また、絶縁とは、特に断りがなければ、電気的な絶縁を意味する。絶縁基板は、電気絶縁性を有する基板であり、使用する用途に応じた電気抵抗を有する。例えば、絶縁基板の両面に導電線が形成された場合、両面に形成された導電線同士は導通しない。
光透過率は、ＪＩＳ（日本産業規格） Ｋ ７３７５：２００８に規定される「プラスチック－全光線透過率及び全光線反射率の求め方」を用いて測定されるものである。
また、絶縁とは、特に断りがなければ、電気的な絶縁を意味する。絶縁基板は、電気絶縁性を有する基板であり、使用する用途に応じた電気抵抗を有する。例えば、絶縁基板の両面に導電線が形成された場合、両面に形成された導電線同士は導通しない。
【0013】
（画像表示装置の第１の例）
図１は本発明の実施形態の導電性フィルムを有する画像表示装置の第１の例を示す模式的断面図である。
図１に示す第１例の画像表示装置１０は、タッチパネル１２と、画像表示部１４とを有し、画像表示部１４の表示面１４ａ側にタッチパネル１２が積層されたものである。画像表示装置１０は、画像表示部１４に表示された画像等の領域にタッチしたことを検出することができる。
画像表示装置１０では、タッチパネル１２と画像表示部１４とは第１の透明絶縁層１５を介して積層されている。タッチパネル１２は、導電性フィルム１８上に第２の透明絶縁層１７を介してカバー層１６が設けられている。第１の透明絶縁層１５は、画像表示部１４の表示面１４ａ全域に設けられている。例えば、カバー層１６の表面１６ａ側から見た場合、導電性フィルム１８と第２の透明絶縁層１７とは同じ大きさである。また、カバー層１６の表面１６ａ側から見た場合、画像表示部１４は導電性フィルム１８よりも小さく、画像表示部１４と第１の透明絶縁層１５とが同じ大きさである。
画像表示装置１０では、画像表示部１４の表示面１４ａに表示された表示物（図示せず）が視認できるように画像表示部１４の表示面１４ａ側に配置される第１の透明絶縁層１５、導電性フィルム１８、第２の透明絶縁層１７及びカバー層１６はいずれも透明であることが好ましい。
図１は本発明の実施形態の導電性フィルムを有する画像表示装置の第１の例を示す模式的断面図である。
図１に示す第１例の画像表示装置１０は、タッチパネル１２と、画像表示部１４とを有し、画像表示部１４の表示面１４ａ側にタッチパネル１２が積層されたものである。画像表示装置１０は、画像表示部１４に表示された画像等の領域にタッチしたことを検出することができる。
画像表示装置１０では、タッチパネル１２と画像表示部１４とは第１の透明絶縁層１５を介して積層されている。タッチパネル１２は、導電性フィルム１８上に第２の透明絶縁層１７を介してカバー層１６が設けられている。第１の透明絶縁層１５は、画像表示部１４の表示面１４ａ全域に設けられている。例えば、カバー層１６の表面１６ａ側から見た場合、導電性フィルム１８と第２の透明絶縁層１７とは同じ大きさである。また、カバー層１６の表面１６ａ側から見た場合、画像表示部１４は導電性フィルム１８よりも小さく、画像表示部１４と第１の透明絶縁層１５とが同じ大きさである。
画像表示装置１０では、画像表示部１４の表示面１４ａに表示された表示物（図示せず）が視認できるように画像表示部１４の表示面１４ａ側に配置される第１の透明絶縁層１５、導電性フィルム１８、第２の透明絶縁層１７及びカバー層１６はいずれも透明であることが好ましい。
【0014】
カバー層１６は、ガラスで構成されていれば、カバーガラスと呼ばれる。
カバー層１６の表面１６ａが、画像表示装置１０のタッチ面であり、操作面となる。画像表示装置１０は、カバー層１６の表面１６ａを操作面として入力操作される。なお、タッチ面とは、指又はスタイラスペン等が接触する面である。カバー層１６の表面１６ａが、画像表示部１４の表示面１４ａに表示された表示物（図示せず）の視認面となる。
画像表示部１４の裏面１４ｂにコントローラ１３が設けられている。導電性フィルム１８とコントローラ１３とが、例えば、フレキシブル回路基板１９等の可撓性を有する配線部材で電気的に接続されている。
カバー層１６の表面１６ａが、画像表示装置１０のタッチ面であり、操作面となる。画像表示装置１０は、カバー層１６の表面１６ａを操作面として入力操作される。なお、タッチ面とは、指又はスタイラスペン等が接触する面である。カバー層１６の表面１６ａが、画像表示部１４の表示面１４ａに表示された表示物（図示せず）の視認面となる。
画像表示部１４の裏面１４ｂにコントローラ１３が設けられている。導電性フィルム１８とコントローラ１３とが、例えば、フレキシブル回路基板１９等の可撓性を有する配線部材で電気的に接続されている。
【0015】
カバー層１６の裏面１６ｂに、遮光機能を有する加飾層（図示せず）を設けてもよい。加飾層は、例えば、カバー層１６の表面１６ａ側から見た場合における、カバー層１６の外縁に沿って設けられる。加飾層が設けられている領域は額縁部と呼ばれる。額縁部は加飾層により、その下側にある構成物、例えば、後述する導電性フィルム１８の電極端子及び周辺配線を視認させない。
【0016】
コントローラ１３はタッチ面であるカバー層１６の表面１６ａの指等の接触の検出に利用される公知のものにより構成される。タッチパネル１２が静電容量方式の場合、タッチ面であるカバー層１６の表面１６ａの指等の接触により、導電性フィルム１８において静電容量が変化した位置がコントローラ１３で検出される。静電容量方式のタッチパネルには、相互容量方式のタッチパネル及び自己容量方式のタッチパネルがあるが、特に限定されるものではない。
【0017】
カバー層１６は、導電性フィルム１８を保護するものである。カバー層１６は、その構成は、特に限定されるものではない。カバー層１６は、画像表示部１４の表示面１４ａに表示された表示物（図示せず）が視認できるように透明であることが好ましい。カバー層１６は、例えば、ガラス板、化学強化ガラス、及び無アルカリガラス等で構成される。カバー層１６の厚みはそれぞれの用途に応じて適宜選択することが好ましい。カバー層１６は、ガラス板以外に、プラスチックフィルム及びプラスチック板等が用いられる。
上述のプラスチックフィルム及びプラスチック板の原料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル類；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン、ＥＶＡ（酢酸ビニル共重合ポリエチレン）等のポリオレフィン樹脂；ビニル系樹脂；その他、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、（メタ）アクリル樹脂、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、シクロオレフィン系樹脂（ＣＯＰ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、フルオレン誘導体、及び、結晶性ＣＯＰ等を用いることができる。
なお、（メタ）アクリル樹脂とは、アクリル樹脂とメタクリル樹脂とを含む総称である。
また、カバー層１６は、偏光板、又は円偏光板等を有する構成でもよい。
カバー層１６の表面１６ａは、上述のようにタッチ面となるため、必要に応じて表面１６ａにハードコート層を設けてもよい。なお、カバー層１６の厚みとしては、例えば、０．１～１．３ｍｍであり、特に０．１～０．７ｍｍが好ましい。
上述のプラスチックフィルム及びプラスチック板の原料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル類；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン、ＥＶＡ（酢酸ビニル共重合ポリエチレン）等のポリオレフィン樹脂；ビニル系樹脂；その他、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、（メタ）アクリル樹脂、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、シクロオレフィン系樹脂（ＣＯＰ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、フルオレン誘導体、及び、結晶性ＣＯＰ等を用いることができる。
なお、（メタ）アクリル樹脂とは、アクリル樹脂とメタクリル樹脂とを含む総称である。
また、カバー層１６は、偏光板、又は円偏光板等を有する構成でもよい。
カバー層１６の表面１６ａは、上述のようにタッチ面となるため、必要に応じて表面１６ａにハードコート層を設けてもよい。なお、カバー層１６の厚みとしては、例えば、０．１～１．３ｍｍであり、特に０．１～０．７ｍｍが好ましい。
【0018】
第１の透明絶縁層１５は、透明であり、かつ電気絶縁性を有するものであり、かつ安定してタッチパネル１２と画像表示部１４とを固定することができれば、その構成は、特に限定されるものではない。第１の透明絶縁層１５としては、例えば、光学的に透明な粘着剤（ＯＣＡ、Optical Clear Adhesive）及びＵＶ（Ultra Violet）硬化樹脂等の光学的に透明な樹脂（ＯＣＲ、Optical Clear Resin）を用いることができる。また、第１の透明絶縁層１５は部分的に中空でもよい。
なお、第１の透明絶縁層１５を設けることなく、画像表示部１４の表示面１４ａ上に隙間をあけてタッチパネル１２を離間して設ける構成でもよい。この隙間のことをエアギャップともいう。
また、第２の透明絶縁層１７は、透明であり、かつ電気絶縁性を有するものであり、かつ安定して導電性フィルム１８とカバー層１６とを固定することができれば、その構成は、特に限定されるものではない。第２の透明絶縁層１７は第１の透明絶縁層１５と同じものを用いることができる。
なお、第１の透明絶縁層１５を設けることなく、画像表示部１４の表示面１４ａ上に隙間をあけてタッチパネル１２を離間して設ける構成でもよい。この隙間のことをエアギャップともいう。
また、第２の透明絶縁層１７は、透明であり、かつ電気絶縁性を有するものであり、かつ安定して導電性フィルム１８とカバー層１６とを固定することができれば、その構成は、特に限定されるものではない。第２の透明絶縁層１７は第１の透明絶縁層１５と同じものを用いることができる。
【0019】
画像表示部１４は、画像等の表示物を表示する表示面１４ａを備えるものであり、例えば、液晶表示装置である。画像表示部１４は、液晶表示装置に限定されるものではなく、有機ＥＬ（Organic electro luminescence）表示装置でもよい。画像表示部１４は、上述のもの以外に、陰極線管（ＣＲＴ）表示装置、真空蛍光ディスプレイ（ＶＦＤ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、表面電界ディスプレイ（ＳＥＤ）、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ）、及び電子ペーパー等を利用することができる。
画像表示部１４は、その用途に応じたものが適宜利用されるが、画像表示装置１０の厚みを薄く構成するために、液晶表示パネル、及び有機ＥＬパネル等のパネルの形態とすることが好ましい。
画像表示部１４は、その用途に応じたものが適宜利用されるが、画像表示装置１０の厚みを薄く構成するために、液晶表示パネル、及び有機ＥＬパネル等のパネルの形態とすることが好ましい。
【0020】
（タッチパネル）
以下、タッチパネル１２について図１及び図２を用いて説明する。
図２は本発明の実施形態の導電性フィルムの一例を示す模式的平面図である。なお、図２において、図１に示す画像表示装置１０と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
タッチパネル１２は、コントローラ１３と、導電性フィルム１８と、カバー層１６とを有する。導電性フィルム１８は、タッチセンサーとして機能するものである。
導電性フィルム１８は、例えば、基板２４と、基板２４の表面２４ａ上に配置された金属配線３５（図３参照）と、金属配線３５を被覆する透明絶縁層２７（図１参照）とを有する。
以下、タッチパネル１２について図１及び図２を用いて説明する。
図２は本発明の実施形態の導電性フィルムの一例を示す模式的平面図である。なお、図２において、図１に示す画像表示装置１０と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
タッチパネル１２は、コントローラ１３と、導電性フィルム１８と、カバー層１６とを有する。導電性フィルム１８は、タッチセンサーとして機能するものである。
導電性フィルム１８は、例えば、基板２４と、基板２４の表面２４ａ上に配置された金属配線３５（図３参照）と、金属配線３５を被覆する透明絶縁層２７（図１参照）とを有する。
【0021】
基板２４の表面２４ａには、複数の第１検出電極３０を有する第１検出電極層２９Ａと、一端が第１検出電極層２９Ａの第１検出電極３０に電気的に接続され、他端に第１外部接続端子２６ａが設けられた複数の第１周辺配線２３ａとを有する第１導電層１１Ａが設けられている。第１導電層１１Ａが透明絶縁層２７により被覆されている。
第１検出電極３０は金属配線３５（図３参照）により構成される。第１検出電極３０を構成する金属配線３５のことを第１の金属配線という。第１の金属配線は、基板２４の表面２４ａに配置されている。
第１検出電極３０は金属配線３５（図３参照）により構成される。第１検出電極３０を構成する金属配線３５のことを第１の金属配線という。第１の金属配線は、基板２４の表面２４ａに配置されている。
【0022】
第１外部接続端子２６ａには、フレキシブル回路基板１９が電気的に接続されて、コントローラ１３と接続されている。
また、透明絶縁層２７上に、さらに金属配線３５が配置されている。第２検出電極３２は金属配線３５により構成される。
透明絶縁層２７上に、複数の第２検出電極３２を有する第２検出電極層２９Ｂと、一端が第２検出電極３２に電気的に接続され、他端に第２外部接続端子２６ｂが設けられた複数の第２周辺配線２３ｂとを有する第２導電層１１Ｂを有する。第１導電層１１Ａと同じく、第２外部接続端子２６ｂには、フレキシブル回路基板１９が電気的に接続されて、コントローラ１３と接続されている。
第２検出電極３２は金属配線３５（図３参照）により構成される。第２検出電極３２を構成する金属配線３５のことを第２の金属配線という。第２の金属配線は、透明絶縁層２７上に配置されている。上述のように、第１検出電極３０では、第１の金属配線といい、第２検出電極３２では第２の金属配線という。第１の金属配線と第２の金属配線とをまとめて、金属配線３５という。特に断りがなければ、金属配線３５は、第１の金属配線と第２の金属配線とを含む。
また、透明絶縁層２７上に、さらに金属配線３５が配置されている。第２検出電極３２は金属配線３５により構成される。
透明絶縁層２７上に、複数の第２検出電極３２を有する第２検出電極層２９Ｂと、一端が第２検出電極３２に電気的に接続され、他端に第２外部接続端子２６ｂが設けられた複数の第２周辺配線２３ｂとを有する第２導電層１１Ｂを有する。第１導電層１１Ａと同じく、第２外部接続端子２６ｂには、フレキシブル回路基板１９が電気的に接続されて、コントローラ１３と接続されている。
第２検出電極３２は金属配線３５（図３参照）により構成される。第２検出電極３２を構成する金属配線３５のことを第２の金属配線という。第２の金属配線は、透明絶縁層２７上に配置されている。上述のように、第１検出電極３０では、第１の金属配線といい、第２検出電極３２では第２の金属配線という。第１の金属配線と第２の金属配線とをまとめて、金属配線３５という。特に断りがなければ、金属配線３５は、第１の金属配線と第２の金属配線とを含む。
【0023】
（導電性フィルム）
導電性フィルム１８について、図２及び図３を用いて説明する。図３は本発明の実施形態の導電性フィルムの第１の例を示す模式的断面図である。なお、図３において、図１に示す画像表示装置１０と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
図２に示す導電性フィルム１８は、タッチパネル１２のタッチセンサーと機能する部位であり、使用者によって入力操作が可能な検出領域Ｅ１である検出部２０と、検出領域Ｅ１の外側に位置する周辺領域Ｅ２に周辺配線部２２とを有する。
検出部２０は、例えば、第１検出電極層２９Ａと第２検出電極層２９Ｂとを有する。第１検出電極層２９Ａと第２検出電極層２９Ｂとは、透明絶縁層２７を介して配置されている。第１検出電極層２９Ａと第２検出電極層２９Ｂとは透明絶縁層２７により電気的に絶縁される。透明絶縁層２７は電気的な絶縁層として機能する。
第１検出電極層２９Ａは、複数の第１検出電極３０と隣接した第１検出電極３０間に配置され、第１検出電極３０と絶縁された複数の第１ダミー電極３１ａとを有する。
導電性フィルム１８について、図２及び図３を用いて説明する。図３は本発明の実施形態の導電性フィルムの第１の例を示す模式的断面図である。なお、図３において、図１に示す画像表示装置１０と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
図２に示す導電性フィルム１８は、タッチパネル１２のタッチセンサーと機能する部位であり、使用者によって入力操作が可能な検出領域Ｅ１である検出部２０と、検出領域Ｅ１の外側に位置する周辺領域Ｅ２に周辺配線部２２とを有する。
検出部２０は、例えば、第１検出電極層２９Ａと第２検出電極層２９Ｂとを有する。第１検出電極層２９Ａと第２検出電極層２９Ｂとは、透明絶縁層２７を介して配置されている。第１検出電極層２９Ａと第２検出電極層２９Ｂとは透明絶縁層２７により電気的に絶縁される。透明絶縁層２７は電気的な絶縁層として機能する。
第１検出電極層２９Ａは、複数の第１検出電極３０と隣接した第１検出電極３０間に配置され、第１検出電極３０と絶縁された複数の第１ダミー電極３１ａとを有する。
【0024】
複数の第１検出電極３０は、互いに平行にＸ方向に延びる帯状の電極であり、互いにＸ方向と直交するＹ方向に間隔をあけて、互いにＹ方向において電気的に絶縁された状態で基板２４の表面２４ａ（図１参照）上に設けられている。また、複数の第１ダミー電極３１ａは、第１検出電極３０間に配置され、第１検出電極３０と電気的に絶縁された状態で基板２４の表面２４ａ（図１参照）上に設けられている。第１検出電極３０は、それぞれＸ方向の少なくとも一端に第１電極端子３３が設けられている。
第２検出電極層２９Ｂは、複数の第２検出電極３２と隣接した第２検出電極３２間に配置され、第２検出電極３２と絶縁された複数の第２ダミー電極３１ｂとを有する。複数の第２検出電極３２は、互いに平行にＹ方向に延びる帯状の電極であり、互いにＸ方向に間隔をあけて、互いにＸ方向において電気的に絶縁された状態で透明絶縁層２７の表面２７ａ（図１参照）上に設けられている。また、複数の第２ダミー電極３１ｂは、第２検出電極３２間に配置され、第２検出電極３２と電気的に絶縁された状態で透明絶縁層２７の表面２７ａ（図１参照）上に設けられている。第２検出電極３２は、それぞれＹ方向の一方の端に第２電極端子３４が設けられている。
第２検出電極層２９Ｂは、複数の第２検出電極３２と隣接した第２検出電極３２間に配置され、第２検出電極３２と絶縁された複数の第２ダミー電極３１ｂとを有する。複数の第２検出電極３２は、互いに平行にＹ方向に延びる帯状の電極であり、互いにＸ方向に間隔をあけて、互いにＸ方向において電気的に絶縁された状態で透明絶縁層２７の表面２７ａ（図１参照）上に設けられている。また、複数の第２ダミー電極３１ｂは、第２検出電極３２間に配置され、第２検出電極３２と電気的に絶縁された状態で透明絶縁層２７の表面２７ａ（図１参照）上に設けられている。第２検出電極３２は、それぞれＹ方向の一方の端に第２電極端子３４が設けられている。
【0025】
複数の第１検出電極３０と複数の第２検出電極３２とは、直交して設けられているが、上述のように透明絶縁層２７により互いに電気的に絶縁されている。
なお、第１検出電極３０及び第２検出電極３２における第１ダミー電極３１ａ及び第２ダミー電極３１ｂは、第１検出電極３０又は第２検出電極３２と断線部により分断されており、電気的に接続されていない領域である。このため、上述のように、複数の第１検出電極３０は互いにＹ方向において電気的に絶縁された状態であり、複数の第２検出電極３２は互いにＸ方向において電気的に絶縁された状態である。図２に示すように検出部２０では、第１検出電極３０が６つ、第２検出電極３２が５つ設けられているが、その数は特に限定されるものではなく複数あればよい。
なお、第１検出電極３０及び第２検出電極３２における第１ダミー電極３１ａ及び第２ダミー電極３１ｂは、第１検出電極３０又は第２検出電極３２と断線部により分断されており、電気的に接続されていない領域である。このため、上述のように、複数の第１検出電極３０は互いにＹ方向において電気的に絶縁された状態であり、複数の第２検出電極３２は互いにＸ方向において電気的に絶縁された状態である。図２に示すように検出部２０では、第１検出電極３０が６つ、第２検出電極３２が５つ設けられているが、その数は特に限定されるものではなく複数あればよい。
【0026】
第１検出電極層２９Ａと第２検出電極層２９Ｂとは、上述のように金属配線３５（図３参照）により構成される。第１検出電極３０及び第２検出電極３２が、金属配線３５によるメッシュパターンを有する金属メッシュである場合、第１ダミー電極３１ａ及び第２ダミー電極３１ｂも金属配線３５によるメッシュパターンを有する金属メッシュである。
第１検出電極３０の電極幅及び第２検出電極３２の電極幅は、例えば、１～５ｍｍであり、電極間ピッチは３～６ｍｍである。第１検出電極３０の電極幅はＹ方向の最大長さであり、第２検出電極３２の電極幅はＸ方向の最大長さである。
第１検出電極３０の電極幅及び第２検出電極３２の電極幅は、例えば、１～５ｍｍであり、電極間ピッチは３～６ｍｍである。第１検出電極３０の電極幅はＹ方向の最大長さであり、第２検出電極３２の電極幅はＸ方向の最大長さである。
【0027】
周辺配線部２２は、第１検出電極３０及び第２検出電極３２にタッチ駆動信号及びタッチ検出信号をコントローラ１３から送信又は伝達するための配線である周辺配線（第１周辺配線２３ａ、第２周辺配線２３ｂ）が配置された領域である。周辺配線部２２は、複数の第１周辺配線２３ａ及び複数の第２周辺配線２３ｂを有する。第１周辺配線２３ａは、一端が第１電極端子３３を介して第１検出電極３０に電気的に接続され、他端が第１外部接続端子２６ａに電気的に接続されている。また、第２周辺配線２３ｂは、一端が第２電極端子３４を介して第２検出電極３２に電気的に接続されて、他端が第２外部接続端子２６ｂに電気的に接続されている。
なお、第１電極端子３３、及び第２電極端子３４は、塗潰し膜形状でもよく、特開２０１３－１２７６５８号公報に示されるようなメッシュ形状でもよい。第１電極端子３３及び第２電極端子３４の幅の好ましい範囲は、それぞれ第１検出電極３０及び第２検出電極３２の電極幅の１/３倍以上１．２倍以下である。
なお、第１電極端子３３、及び第２電極端子３４は、塗潰し膜形状でもよく、特開２０１３－１２７６５８号公報に示されるようなメッシュ形状でもよい。第１電極端子３３及び第２電極端子３４の幅の好ましい範囲は、それぞれ第１検出電極３０及び第２検出電極３２の電極幅の１/３倍以上１．２倍以下である。
【0028】
第１導電層１１Ａの第１検出電極３０と第１ダミー電極３１ａと第１電極端子３３と第１周辺配線２３ａとは、電気抵抗、及び断線の発生しにくさの等の観点から一体構成であることが好ましく、さらには同じ金属材料で形成することがより好ましい。この場合、第１導電層１１Ａは、例えば、リソグラフィ法等により形成される。
同じく、第２導電層１１Ｂの第２検出電極３２と第２ダミー電極３１ｂと第２電極端子３４と第２周辺配線２３ｂとは、電気抵抗、及び断線の発生しにくさの等の観点から一体構成であることが好ましく、さらには同じ金属材料で形成することがより好ましい。この場合、第２導電層１１Ｂは、例えば、リソグラフィ法等により形成される。
同じく、第２導電層１１Ｂの第２検出電極３２と第２ダミー電極３１ｂと第２電極端子３４と第２周辺配線２３ｂとは、電気抵抗、及び断線の発生しにくさの等の観点から一体構成であることが好ましく、さらには同じ金属材料で形成することがより好ましい。この場合、第２導電層１１Ｂは、例えば、リソグラフィ法等により形成される。
【0029】
なお、図３では一部を省略し、基板２４と、第１検出電極層２９Ａの第１検出電極３０の金属配線３５とを示している。図３に示す金属配線３５は、第１の金属配線である。
導電性フィルム１８の金属配線３５は、幅Ｗｃが２μｍ以下であり、金属配線３５の高さｔｃが１μｍ以下である。金属配線３５の幅Ｗｃは、厚み方向Ｄｔと直交する方向における金属配線３５の長さである。金属配線３５の高さｔｃは、厚み方向Ｄｔにおける金属配線３５の長さである。厚み方向Ｄｔは、基板２４の表面２４ａに垂直な方向である。
導電性フィルム１８の金属配線３５は、幅Ｗｃが２μｍ以下であり、金属配線３５の高さｔｃが１μｍ以下である。金属配線３５の幅Ｗｃは、厚み方向Ｄｔと直交する方向における金属配線３５の長さである。金属配線３５の高さｔｃは、厚み方向Ｄｔにおける金属配線３５の長さである。厚み方向Ｄｔは、基板２４の表面２４ａに垂直な方向である。
【0030】
金属配線３５は、基板２４側から、金属層４０と、第１黒化層４２と、第２黒化層４４とをこの順に有する。
第１黒化層４２及び第２黒化層４４は、金属原子と、酸素原子及び窒素原子からなる群から選択される少なくとも１種とを含む層である。例えば、金属原子が銅原子である場合、第１黒化層４２及び第２黒化層４４は、酸化銅、窒化銅又は酸窒化銅で構成されることが好ましい。なお、金属原子は、１種に限定されるものではなく、複数種であってもよく、例えば、金属原子は、銅とニッケルである。
第１黒化層４２は、第１黒化層４２の厚み方向Ｄｔの中間位置における金属原子の含有量が、第２黒化層４４の厚み方向Ｄｔの中間位置における金属原子の含有量よりも多い。金属原子が複数種の場合、金属原子の含有量は、複数種の金属原子の合計の含有量である。
第１黒化層４２において、第１黒化層４２の厚み方向Ｄｔの中間位置における金属原子の含有量は、６０～９０原子％が好ましく、７０～８５原子％がより好ましい。
第２黒化層４４において、第２黒化層４４の厚み方向Ｄｔの中間位置における金属原子の含有量は、４０～７０原子％が好ましく、５０～６５原子％がより好ましい。
第１黒化層４２及び第２黒化層４４は、金属原子と、酸素原子及び窒素原子からなる群から選択される少なくとも１種とを含む層である。例えば、金属原子が銅原子である場合、第１黒化層４２及び第２黒化層４４は、酸化銅、窒化銅又は酸窒化銅で構成されることが好ましい。なお、金属原子は、１種に限定されるものではなく、複数種であってもよく、例えば、金属原子は、銅とニッケルである。
第１黒化層４２は、第１黒化層４２の厚み方向Ｄｔの中間位置における金属原子の含有量が、第２黒化層４４の厚み方向Ｄｔの中間位置における金属原子の含有量よりも多い。金属原子が複数種の場合、金属原子の含有量は、複数種の金属原子の合計の含有量である。
第１黒化層４２において、第１黒化層４２の厚み方向Ｄｔの中間位置における金属原子の含有量は、６０～９０原子％が好ましく、７０～８５原子％がより好ましい。
第２黒化層４４において、第２黒化層４４の厚み方向Ｄｔの中間位置における金属原子の含有量は、４０～７０原子％が好ましく、５０～６５原子％がより好ましい。
【0031】
第１黒化層４２の厚み方向Ｄｔの中間位置とは、厚み方向Ｄｔにおける第１黒化層４２の厚みｔａの半分の位置である。
第２黒化層４４の厚み方向Ｄｔの中間位置とは、厚み方向Ｄｔにおける第２黒化層４４の厚みｔｂの半分の位置である。
第１黒化層４２及び第２黒化層４４は、金属配線３５を視認しにくくして、線見えを抑制するためのものである。第１黒化層４２及び第２黒化層４４により、金属配線３５反射率が小さくなって、金属配線３５が視認されにくくなり、金属配線３５の視認性が向上する。
第２黒化層４４の厚み方向Ｄｔの中間位置とは、厚み方向Ｄｔにおける第２黒化層４４の厚みｔｂの半分の位置である。
第１黒化層４２及び第２黒化層４４は、金属配線３５を視認しにくくして、線見えを抑制するためのものである。第１黒化層４２及び第２黒化層４４により、金属配線３５反射率が小さくなって、金属配線３５が視認されにくくなり、金属配線３５の視認性が向上する。
【0032】
第１黒化層４２の厚みｔａは、５０～１００ｎｍであることが好ましい。第１黒化層４２の厚みｔａは、厚み方向Ｄｔにおける第１黒化層４２の長さである。
第２黒化層４４の厚みｔｂは、１０～５０ｎｍであることが好ましい。第２黒化層４４の厚みｔｂは、厚み方向Ｄｔにおける第２黒化層４４の長さである。
また、第２黒化層４４は第１黒化層４２よりも厚いと、金属配線３５が見えにくくなるため、好ましい。
金属配線３５の幅Ｗｃ、金属配線３５の高さｔｃ、第１黒化層４２の厚みｔａ及び第２黒化層４４の厚みｔｂは、いずれも平均値である。金属配線３５の幅Ｗｃ、金属配線３５の高さｔｃ、第１黒化層４２の厚みｔａ及び第２黒化層４４の厚みｔｂの測定方法については後述する。
第２黒化層４４の厚みｔｂは、１０～５０ｎｍであることが好ましい。第２黒化層４４の厚みｔｂは、厚み方向Ｄｔにおける第２黒化層４４の長さである。
また、第２黒化層４４は第１黒化層４２よりも厚いと、金属配線３５が見えにくくなるため、好ましい。
金属配線３５の幅Ｗｃ、金属配線３５の高さｔｃ、第１黒化層４２の厚みｔａ及び第２黒化層４４の厚みｔｂは、いずれも平均値である。金属配線３５の幅Ｗｃ、金属配線３５の高さｔｃ、第１黒化層４２の厚みｔａ及び第２黒化層４４の厚みｔｂの測定方法については後述する。
【0033】
また、金属配線３５と基板２４との界面、すなわち、金属層４０と基板２４の表面２４ａとの間に、基板２４と金属層４０との密着性を向上させる密着層（図示せず）を設けてもよい。例えば、金属配線３５が銅で構成される場合、密着層は酸化銅で構成されることが好ましい。密着層を設けることにより、金属配線３５と基板２４との密着性を向上させ、金属配線３５を基板２４の表面２４ａ上に安定して配置できる。
【0034】
図４は本発明の実施形態の導電性フィルムの第２の例を示す模式的断面図である。図４において、図３に示す導電性フィルム１８と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
導電性フィルム１８において、金属配線３５は、図３に示す構成に限定されるものではなく、例えば、図４に示すように金属層４０の側面４０ｃに配置された、第３黒化層４６をさらに有する構成でもよい。第３黒化層４６は、金属配線３５を視認しにくくして、線見えを抑制するためのものである。
第３黒化層４６は、第１黒化層４２及び第２黒化層４４と同様に、金属原子と、酸素原子及び窒素原子からなる群から選択される少なくとも１種とを含む層である。
第１黒化層４２及び第２黒化層４４に加え、図４に示すように金属層４０の側面４０ｃに第３黒化層４６を有する金属配線３５は、図３に示す金属配線３５に比して、金属層４０の側面４０ｃの反射率が小さく、金属配線３５が更に視認されにくくなり、金属配線３５の視認性が更に向上する。
導電性フィルム１８において、金属配線３５は、図３に示す構成に限定されるものではなく、例えば、図４に示すように金属層４０の側面４０ｃに配置された、第３黒化層４６をさらに有する構成でもよい。第３黒化層４６は、金属配線３５を視認しにくくして、線見えを抑制するためのものである。
第３黒化層４６は、第１黒化層４２及び第２黒化層４４と同様に、金属原子と、酸素原子及び窒素原子からなる群から選択される少なくとも１種とを含む層である。
第１黒化層４２及び第２黒化層４４に加え、図４に示すように金属層４０の側面４０ｃに第３黒化層４６を有する金属配線３５は、図３に示す金属配線３５に比して、金属層４０の側面４０ｃの反射率が小さく、金属配線３５が更に視認されにくくなり、金属配線３５の視認性が更に向上する。
【0035】
また、例えば、第３黒化層４６は、第３黒化層４６の厚み方向Ｄｔの中間位置における金属原子の含有量が、上述の第２黒化層４４の厚み方向Ｄｔの中間位置における金属原子の含有量よりも多い。
また、例えば、第３黒化層４６は、第１黒化層４２よりも金属原子の含有量が多くてもよい。
第３黒化層４６において、第３黒化層４６の厚み方向Ｄｔの中間位置における金属原子の含有量は、８０～９０原子％が好ましく、８０～８５原子％がより好ましい。
また、例えば、第３黒化層４６は、第１黒化層４２よりも金属原子の含有量が多くてもよい。
第３黒化層４６において、第３黒化層４６の厚み方向Ｄｔの中間位置における金属原子の含有量は、８０～９０原子％が好ましく、８０～８５原子％がより好ましい。
【0036】
金属配線３５の高さｔｃは１μｍ以下であると電気抵抗が小さいが、金属配線３５の電気抵抗がより小さくなるため、２００～９００ｎｍが好ましく、より好ましくは３００以上６００ｎｍ未満である。
金属配線３５の高さｔｃは低いほど好ましい。その理由は、より幅が狭い金属配線３５をエッチングによりパターニングする際、金属配線３５の高さが低く、すなわち、厚みが薄く、厚み方向のエッチングが一瞬で進むほど、横方向のオーバーエッチング及びアンダーカットの制御がしやすくなるためである。
金属配線３５の幅Ｗｃは２μｍ以下であると、視認されにくくなり、視認性が優れる。また、金属配線３５の幅Ｗｃは２μｍ以下であると、モアレが見えにくくなる。
金属配線３５の幅Ｗｃは、下限値については、導電性が保たれる範囲であれば狭いほど好ましい。加工プロセスでの擦り等の耐久性を考慮すると、金属配線３５の幅Ｗｃは１μｍ以上が好ましい。
また、後述するが、例えば、金属配線３５によりメッシュパターン（図５参照）が構成されており、金属配線３５はメッシュパターン状（図５参照）に配置される。
金属配線３５の高さｔｃは低いほど好ましい。その理由は、より幅が狭い金属配線３５をエッチングによりパターニングする際、金属配線３５の高さが低く、すなわち、厚みが薄く、厚み方向のエッチングが一瞬で進むほど、横方向のオーバーエッチング及びアンダーカットの制御がしやすくなるためである。
金属配線３５の幅Ｗｃは２μｍ以下であると、視認されにくくなり、視認性が優れる。また、金属配線３５の幅Ｗｃは２μｍ以下であると、モアレが見えにくくなる。
金属配線３５の幅Ｗｃは、下限値については、導電性が保たれる範囲であれば狭いほど好ましい。加工プロセスでの擦り等の耐久性を考慮すると、金属配線３５の幅Ｗｃは１μｍ以上が好ましい。
また、後述するが、例えば、金属配線３５によりメッシュパターン（図５参照）が構成されており、金属配線３５はメッシュパターン状（図５参照）に配置される。
【0037】
ここで、スマートフォンに対してサイズの大きいタブレット又はノートＰＣ（personal computer）に搭載されるタッチパネルには、指又はスタイラスペン等の接触又は近接によるタッチ操作を検出されるために、金属配線３５の電気抵抗として、より低い細線抵抗が求められる。
指又はスタイラスペン等の操作に遅れが生じないためには、細線抵抗は８０Ω/ｍｍ以下が好ましく、６０Ω/ｍｍ以下がより好ましく、４０Ω/ｍｍ以下がさらに好ましく、３０Ω/ｍｍ以下が特に好ましい。
上述の金属配線の細線抵抗は、金属配線の電気抵抗を測定し、１ｍｍ長の電気抵抗に規格化（Ω／ｍｍ）したものである。電気抵抗は、例えば、抵抗計(日置電機株式会社製 ＲＭ３５４４)により測定できる。
指又はスタイラスペン等の操作に遅れが生じないためには、細線抵抗は８０Ω/ｍｍ以下が好ましく、６０Ω/ｍｍ以下がより好ましく、４０Ω/ｍｍ以下がさらに好ましく、３０Ω/ｍｍ以下が特に好ましい。
上述の金属配線の細線抵抗は、金属配線の電気抵抗を測定し、１ｍｍ長の電気抵抗に規格化（Ω／ｍｍ）したものである。電気抵抗は、例えば、抵抗計(日置電機株式会社製 ＲＭ３５４４)により測定できる。
【0038】
例えば、意匠性向上のためにディスプレイ周辺の額縁を狭くする狭額縁化のために、導電性フィルム１８は、図２に示す周辺配線部２２の折曲げ領域Ｂｆで、第１外部接続端子２６ａ及び第２外部接続端子２６ｂを外側にして折り曲げられる。第１外部接続端子２６ａ及び第２外部接続端子２６ｂに電気的に接続されたフレキシブル回路基板１９が画像表示部１４の表示面１４ａ側とは反対の裏面１４ｂ側に配置される。
なお、第１周辺配線２３ａ及び第２周辺配線２３ｂは、後述のように金属配線３５で構成することができる。
なお、第１周辺配線２３ａ及び第２周辺配線２３ｂは、後述のように金属配線３５で構成することができる。
【0039】
なお、透明絶縁層２７の厚みは１．０～５．０μｍであることが好ましい。透明絶縁層２７の厚みが１．０～５．０μｍであれば、絶縁性と折り曲げ性を両立できる。また、透明絶縁層２７の厚みは２～５μｍであることがより好ましく、２．５～４．５μｍであることがさらに好ましい。
透明絶縁層２７の厚みは、導電性フィルム１８を切断し、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて切断断面の断面画像を用いて測定する。断面画像において、透明絶縁層に該当する画像領域について、透明絶縁層の厚みに相当する長さを１０箇所測定し、１０箇所の測定値の平均値を求める。透明絶縁層の厚みは、上述の１０箇所の測定値の平均値である。
透明絶縁層２７の厚みは、導電性フィルム１８を切断し、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて切断断面の断面画像を用いて測定する。断面画像において、透明絶縁層に該当する画像領域について、透明絶縁層の厚みに相当する長さを１０箇所測定し、１０箇所の測定値の平均値を求める。透明絶縁層の厚みは、上述の１０箇所の測定値の平均値である。
【0040】
以下、導電性フィルム及びタッチパネルの各部について説明する。
＜基板＞
基板は、金属配線を支持するものであり、第１検出電極、及び金属配線で構成される第２検出電極を支持する。また、基板は、第１周辺配線、及び第２周辺配線を支持する。また、基板の両面のうち、一方の面に第１検出電極が配置され、他方の面に第２検出電極が配置されていれば、第１検出電極と第２検出電極とを電気的に絶縁する。基板には、例えば、透明絶縁基板が用いられる。基板の材料としては、例えば、透明樹脂材料及び透明無機材料等が挙げられる。基板は、厚みが２０～５０μｍであることが好ましい。
＜基板＞
基板は、金属配線を支持するものであり、第１検出電極、及び金属配線で構成される第２検出電極を支持する。また、基板は、第１周辺配線、及び第２周辺配線を支持する。また、基板の両面のうち、一方の面に第１検出電極が配置され、他方の面に第２検出電極が配置されていれば、第１検出電極と第２検出電極とを電気的に絶縁する。基板には、例えば、透明絶縁基板が用いられる。基板の材料としては、例えば、透明樹脂材料及び透明無機材料等が挙げられる。基板は、厚みが２０～５０μｍであることが好ましい。
【0041】
基板としては、コスト面からポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムが好ましい。耐熱性が必要な場合は、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム又はポリイミド系フィルムが使用できる。この他、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン系樹脂、メタクリル系樹脂、環状ポリオレフィン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、アクリロニトリル－（ポリ）スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂）、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリ（メタ）アクリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、又はポリアミドイミド系樹脂等から製造される厚みが２０～５０μｍの範囲のフィルムを、基板として使用できる。
基板の全光線透過率は、４０～１００％であることが好ましく、８５～１００％がより好ましい。全光透過率は、例えば、ＪＩＳ Ｋ ７３７５：２００８に規定される「プラスチック－全光線透過率及び全光線反射率の求め方」を用いて測定されるものである。
基板の全光線透過率は、４０～１００％であることが好ましく、８５～１００％がより好ましい。全光透過率は、例えば、ＪＩＳ Ｋ ７３７５：２００８に規定される「プラスチック－全光線透過率及び全光線反射率の求め方」を用いて測定されるものである。
【0042】
＜金属配線＞
金属配線３５は、上述のように第１検出電極３０（図２参照）と、第２検出電極３２（図２参照）とを構成するものである。上述の第１導電層１１Ａ及び第２導電層１１Ｂは金属配線からなる。金属配線３５の形成方法は後に説明する。
金属配線３５の金属層４０に含まれる金属としては、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、及びアルミニウム（Ａｌ）等の金属又は合金等が挙げられる。なかでも、金属配線の導電性が優れる理由から、金属層４０に含まれる金属は、銀又は銅であることが好ましく、銅又は銅合金がより好ましい。また、金属配線３５の金属層４０は、金属単体で構成されることに限定されるものではなく、酸化物等の層を含まない金属だけの多層構造であってもよい。
金属配線３５は、上述のように第１検出電極３０（図２参照）と、第２検出電極３２（図２参照）とを構成するものである。上述の第１導電層１１Ａ及び第２導電層１１Ｂは金属配線からなる。金属配線３５の形成方法は後に説明する。
金属配線３５の金属層４０に含まれる金属としては、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、及びアルミニウム（Ａｌ）等の金属又は合金等が挙げられる。なかでも、金属配線の導電性が優れる理由から、金属層４０に含まれる金属は、銀又は銅であることが好ましく、銅又は銅合金がより好ましい。また、金属配線３５の金属層４０は、金属単体で構成されることに限定されるものではなく、酸化物等の層を含まない金属だけの多層構造であってもよい。
【0043】
金属層を銅で構成する場合、例えば、厚みが１０～３０μｍの表面が平滑な電解銅箔若しくは圧延銅箔を接着剤を介して基板に積層したものを用いるか、又は蒸着法によりフィルムに厚みが２μｍ程度の銅層を形成したものを使用する。
銅箔をエッチングして形成する銅線の線幅は銅箔の厚みよりは細くできないので、所望の線幅から銅箔のタイプを決める必要がある。線幅が１０μｍ程度以下と薄くなる場合には、基板に蒸着した銅薄膜を用いることが好ましい。
銅箔のパターニングには定法のフォトリソグラフィー法を使用する。
先ず、レジストを銅箔の上に２μｍ程度の厚みで塗布し、メッシュ部を構成するストライプパターンと引出し用電極パターン他を備えたフォトマスクを使用して近接露光する。現像してレジストパターンを形成し、約６０℃の塩化第二鉄溶液で開口部分に露呈した銅箔をエッチング除去して、銅配線パターンを形成する。
基板の両面に金属配線を形成する場合、配線パターンは重ならないので、上述の加工を基板の表面と裏面とに、それぞれ別々に、又は同時に行う。
銅箔をエッチングして形成する銅線の線幅は銅箔の厚みよりは細くできないので、所望の線幅から銅箔のタイプを決める必要がある。線幅が１０μｍ程度以下と薄くなる場合には、基板に蒸着した銅薄膜を用いることが好ましい。
銅箔のパターニングには定法のフォトリソグラフィー法を使用する。
先ず、レジストを銅箔の上に２μｍ程度の厚みで塗布し、メッシュ部を構成するストライプパターンと引出し用電極パターン他を備えたフォトマスクを使用して近接露光する。現像してレジストパターンを形成し、約６０℃の塩化第二鉄溶液で開口部分に露呈した銅箔をエッチング除去して、銅配線パターンを形成する。
基板の両面に金属配線を形成する場合、配線パターンは重ならないので、上述の加工を基板の表面と裏面とに、それぞれ別々に、又は同時に行う。
【0044】
ストライプパターンの銅配線パターンに直交する方向に、同じピッチのストライプパターンの銅配線パターンを形成する場合、交差部では、重なった上下の銅配線がショートしないように、最初に形成した銅配線パターン上に絶縁層を形成する必要がある。この場合、最初の銅配線パターンのフォトリソグラフィー法に用いた銅配線上に残っているレジストを剥離した後に、改めて絶縁用のレジストパターンを形成してもよいし、銅配線上に残っているレジストを絶縁層に利用することもできる。
銅配線パターンを上下に重ねて形成する場合では、ネガ型レジストとポジ型レジストとで対応が若干異なるが、目標はいずれも残ったレジストを、エッチング形成された銅配線の側面を被覆し、かつ裾を引くように変形させることである。このような形態にしておかないと後続する銅配線とショートしたり断線する恐れがあるからである。銅配線の厚みは２．０μｍ以下が好ましい。厚すぎるとレジストが軟化して流動しても側面を被覆できない恐れがあるからである。
銅配線パターンを上下に重ねて形成する場合では、ネガ型レジストとポジ型レジストとで対応が若干異なるが、目標はいずれも残ったレジストを、エッチング形成された銅配線の側面を被覆し、かつ裾を引くように変形させることである。このような形態にしておかないと後続する銅配線とショートしたり断線する恐れがあるからである。銅配線の厚みは２．０μｍ以下が好ましい。厚すぎるとレジストが軟化して流動しても側面を被覆できない恐れがあるからである。
【0045】
ポジ型レジストについては、レジストを加熱して融点以上になれば流動化してダレて所望の形態が得られ、同時に光反応性が消失する。加熱する前に再露光と現像を行って、交差部以外のレジストを除去してから加熱処理をしてもよく、不要なレジストが配線上に残らない。
【0046】
レジストにネガ型レジストを用いた場合、ネガ型レジストについては、硬化して融点が高くなっている可能性があるため、不十分な硬化状態で最初の銅配線の形成を行うことが考えられる。あるいは、紫外線吸収剤を添加する等して銅箔上のレジストの表面を優先的に硬化させて、基部に向けてサイドエッチが入るように現像することが好ましい。きのこ状のレジストパターンとなるが、銅箔のエッチング後にはレジストが庇のようになっているので、あまり温度を上げずとも側面の被覆ができる。
交差部をこのような形態にしておいてから、直交方向の銅配線パターンをフォトリソ法で形成する。２回目の銅箔形成方法は特に規定するものではないが、蒸着法が好ましい。また、エッチングについては、基板の表面と裏面とに対して同時に行うことが可能であり、望ましい加工法である。
交差部をこのような形態にしておいてから、直交方向の銅配線パターンをフォトリソ法で形成する。２回目の銅箔形成方法は特に規定するものではないが、蒸着法が好ましい。また、エッチングについては、基板の表面と裏面とに対して同時に行うことが可能であり、望ましい加工法である。
【0047】
［第１黒化層、第２黒化層、及び第３黒化層］
また、上述のように金属配線は、第１黒化層及び第２黒化層を有する。さらには、第３黒化層も有する。
第１黒化層及び第２黒化層は、金属原子と、酸素原子及び窒素原子からなる群から選択される少なくとも１種とを含む層である。
第３黒化層は、金属原子と、酸素原子及び窒素原子からなる群から選択される少なくとも１種とを含む層である。
金属原子は、例えば、Ｃｕである。また、金属原子は、１種に限定されるものではなく、複数種であってもよく、Ｃｕ以外に、例えば、Ｎｉをさらに含んでもよい。
また、上述のように金属配線は、第１黒化層及び第２黒化層を有する。さらには、第３黒化層も有する。
第１黒化層及び第２黒化層は、金属原子と、酸素原子及び窒素原子からなる群から選択される少なくとも１種とを含む層である。
第３黒化層は、金属原子と、酸素原子及び窒素原子からなる群から選択される少なくとも１種とを含む層である。
金属原子は、例えば、Ｃｕである。また、金属原子は、１種に限定されるものではなく、複数種であってもよく、Ｃｕ以外に、例えば、Ｎｉをさらに含んでもよい。
【0048】
（金属の分析手法）
第１黒化層、第２黒化層、及び第３黒化層の金属原子の含有量（原子％）は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いて決定することができる。このとき、エッチングを併用することにより、黒化層の表面下の異なる深さにおける金属原子の含有量（原子％）を決定することができる。
第１黒化層、第２黒化層、及び第３黒化層の金属原子の含有量の測定装置には、例えば、ＧＣ－ＩＢ／ＸＰＳ（ガスクラスターイオンビームＸＰＳ）が用いられる。
第１黒化層、第２黒化層、及び第３黒化層の金属原子の含有量（原子％）は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いて決定することができる。このとき、エッチングを併用することにより、黒化層の表面下の異なる深さにおける金属原子の含有量（原子％）を決定することができる。
第１黒化層、第２黒化層、及び第３黒化層の金属原子の含有量の測定装置には、例えば、ＧＣ－ＩＢ／ＸＰＳ（ガスクラスターイオンビームＸＰＳ）が用いられる。
【0049】
（装置及び条件）
ＧＣ－ＩＢ／ＸＰＳとして適した装置は、Physical Electronics, Inc.のVersa Probe II ＸＰＳ装置（ＵＬＶＡＣ－ＰＨＩ株式会社製）である。単色化Ａｌ Ｋα Ｘ線源（１４８６．６ｅＶ、１５Ｗ、２５ＫＶ イオンビームのスポットサイズ直径１００μｍ、ラスターサイズ３００μｍ×３００μｍ）を使用することが好ましい。電荷補償のため、測定時に低エネルギー電子とＡｒイオンを流すことがある。
ＧＣ－ＩＢ／ＸＰＳとして適した装置は、Physical Electronics, Inc.のVersa Probe II ＸＰＳ装置（ＵＬＶＡＣ－ＰＨＩ株式会社製）である。単色化Ａｌ Ｋα Ｘ線源（１４８６．６ｅＶ、１５Ｗ、２５ＫＶ イオンビームのスポットサイズ直径１００μｍ、ラスターサイズ３００μｍ×３００μｍ）を使用することが好ましい。電荷補償のため、測定時に低エネルギー電子とＡｒイオンを流すことがある。
【0050】
（深さ方向の組成分析）
金属配線３５の深さ方向、すなわち、金属配線３５の厚み方向Ｄｔの分析には、Ａｒガスクラスタービーム（５ｋＶ、２０ｎＡ，２ｍｍ×２ｍｍ）によりエッチングしながら、組成分析することができる。
この分析から、第１黒化層、第２黒化層、及び第３黒化層の金属原子の含有量（原子％）及び黒化層中に存在する他の元素、例えば、酸素及び窒素の含有量（原子％）を測定することができる。
金属配線３５の深さ方向、すなわち、金属配線３５の厚み方向Ｄｔの分析には、Ａｒガスクラスタービーム（５ｋＶ、２０ｎＡ，２ｍｍ×２ｍｍ）によりエッチングしながら、組成分析することができる。
この分析から、第１黒化層、第２黒化層、及び第３黒化層の金属原子の含有量（原子％）及び黒化層中に存在する他の元素、例えば、酸素及び窒素の含有量（原子％）を測定することができる。
【0051】
金属配線３５の表層から、エッチングしながら、金属配線３５の深さ方向の金属原子、酸素原子、及び窒素原子の組成を測定する。金属、例えば、Ｃｕと酸素との組成比のプロファイルから、第１黒化層及び第２黒化層の各層の厚み方向の中間位置における組成を読み取り、金属原子の含有量（原子％）を得る。
第３黒化層については、第３黒化層の厚み方向Ｄｔの中間位置における組成を読み取り、金属原子の含有量（原子％）を得る。
このようにして、第１黒化層４２、第２黒化層４４及び第３黒化層の金属原子、酸素原子及び窒素原子の含有量（原子％）を測定する。
第３黒化層については、第３黒化層の厚み方向Ｄｔの中間位置における組成を読み取り、金属原子の含有量（原子％）を得る。
このようにして、第１黒化層４２、第２黒化層４４及び第３黒化層の金属原子、酸素原子及び窒素原子の含有量（原子％）を測定する。
【0052】
＜金属配線の測定＞
以下に示す（導電処理工程）及び（切削加工及び観察工程）を行うことにより、金属配線を測定する。
以下に示す（導電処理工程）及び（切削加工及び観察工程）を行うことにより、金属配線を測定する。
【0053】
（導電処理工程）
真空蒸着装置（日本電子株式会社製ＩＢ－２９５１０ＶＥＴ）を用いて第１導電層１１Ａに、１０ｎｍの厚みのカーボンを蒸着する。続いて、スパッタ蒸着装置（株式会社日立社製Ｅ－１０３０型イオンスパッタ）を用いて１０ｎｍの厚みのカーボンの上から１０ｎｍの厚みの白金を蒸着する。
真空蒸着装置（日本電子株式会社製ＩＢ－２９５１０ＶＥＴ）を用いて第１導電層１１Ａに、１０ｎｍの厚みのカーボンを蒸着する。続いて、スパッタ蒸着装置（株式会社日立社製Ｅ－１０３０型イオンスパッタ）を用いて１０ｎｍの厚みのカーボンの上から１０ｎｍの厚みの白金を蒸着する。
【0054】
（切削加工及び観察工程）
ＦＩＢ（Focused Ion Beam）－ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）複合装置（サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製Ｈｅｌｉｏｓ６００ｉ）のＦＩＢ機能を用いて、金属配線に対して断面切削加工を行う。これにより、金属配線が延びる方向に対して直交する面に沿って切断された金属配線の断面を露出させる。
さらに、上述のＦＩＢ－ＳＥＭ複合装置のＳＥＭ機能を用いて、２次電子像と反射電子像により、露出された断面を観察し、厚みを測定する。
ランダムに抽出した１０箇所の金属配線の各層の厚みを、同様に測定し、各層の平均値を、それぞれの層の厚みとする。上述の方法で測定したＳＥＭの断面像とＸＰＳプロファイルデータから、最終的な各層の厚みを決定する。具体的には、ＳＥＭの断面観察から、各層の色味差により各層の界面を判断して、各層の膜厚を得る。層の組成によっては界面を特定しにくいことがありＸＰＳを併用する。ＸＰＳでは、表面からエッチングしつつ深さ方向の特定の元素、例えば、Ｃｕ及びＯの原子％を測定し、Ｃｕ／Ｏ比が変化する部分を界面と判断する。ＸＰＳにより界面と判断した位置を、ＳＥＭの断面画像に基づいて特定した界面の位置と照らし合わせて各層の膜厚を決定する。
このようにして、金属配線３５の幅Ｗｃ、金属配線３５の高さｔｃ、第１黒化層４２の厚みｔａ及び第２黒化層４４の厚みｔｂを測定する。
ＦＩＢ（Focused Ion Beam）－ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）複合装置（サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製Ｈｅｌｉｏｓ６００ｉ）のＦＩＢ機能を用いて、金属配線に対して断面切削加工を行う。これにより、金属配線が延びる方向に対して直交する面に沿って切断された金属配線の断面を露出させる。
さらに、上述のＦＩＢ－ＳＥＭ複合装置のＳＥＭ機能を用いて、２次電子像と反射電子像により、露出された断面を観察し、厚みを測定する。
ランダムに抽出した１０箇所の金属配線の各層の厚みを、同様に測定し、各層の平均値を、それぞれの層の厚みとする。上述の方法で測定したＳＥＭの断面像とＸＰＳプロファイルデータから、最終的な各層の厚みを決定する。具体的には、ＳＥＭの断面観察から、各層の色味差により各層の界面を判断して、各層の膜厚を得る。層の組成によっては界面を特定しにくいことがありＸＰＳを併用する。ＸＰＳでは、表面からエッチングしつつ深さ方向の特定の元素、例えば、Ｃｕ及びＯの原子％を測定し、Ｃｕ／Ｏ比が変化する部分を界面と判断する。ＸＰＳにより界面と判断した位置を、ＳＥＭの断面画像に基づいて特定した界面の位置と照らし合わせて各層の膜厚を決定する。
このようにして、金属配線３５の幅Ｗｃ、金属配線３５の高さｔｃ、第１黒化層４２の厚みｔａ及び第２黒化層４４の厚みｔｂを測定する。
【0055】
なお、ＸＰＳを用いて金属配線の組成の定量を行う場合、金属配線の幅が細いと組成の測定が困難である。このため、金属配線と同じ層構成の組成分析用パターンを、金属配線の形成時に形成して、組成分析用パターンの組成を測定して、金属配線の組成の定量を行ってもよい。組成分析用パターンとしては、例えば、塗潰しパターンが用いられる。
また、第３黒化層４６は、金属層４０の側面４０ｃに配置される側面層である。厚みが薄いと組成の測定が困難であるため、斜め切削法を用いて、第３黒化層４６を拡張して、測定を行うこともできる。
また、第３黒化層４６は、金属層４０の側面４０ｃに配置される側面層である。厚みが薄いと組成の測定が困難であるため、斜め切削法を用いて、第３黒化層４６を拡張して、測定を行うこともできる。
【0056】
［メッシュパターン］
第１検出電極３０及び第２検出電極３２は、上述のように金属配線３５により構成される。第１検出電極３０及び第２検出電極３２により、例えば、図５に示すように複数の金属配線３５が交差してなるメッシュパターンが構成される。
第１検出電極と第２検出電極において、金属配線３５により構成されるメッシュパターンは、可視光透過率の点から、その開口率は９０％以上であることが好ましく、９５％以上であることがより好ましい。開口率とは、導電層を設けられた領域において金属配線を除いた透過性部分、すなわち、開口部が導電層を設けられた領域全体に占める割合に相当する。
なお、第１周辺配線２３ａ及び第２周辺配線２３ｂについても、第１検出電極３０及び第２検出電極３２と同じ構成とすることができ、金属配線３５で構成することができる。第１周辺配線２３ａ及び第２周辺配線２３ｂは、複数の金属配線３５が交差してなるメッシュパターンを有するものであってもよい。
第１検出電極３０及び第２検出電極３２は、上述のように金属配線３５により構成される。第１検出電極３０及び第２検出電極３２により、例えば、図５に示すように複数の金属配線３５が交差してなるメッシュパターンが構成される。
第１検出電極と第２検出電極において、金属配線３５により構成されるメッシュパターンは、可視光透過率の点から、その開口率は９０％以上であることが好ましく、９５％以上であることがより好ましい。開口率とは、導電層を設けられた領域において金属配線を除いた透過性部分、すなわち、開口部が導電層を設けられた領域全体に占める割合に相当する。
なお、第１周辺配線２３ａ及び第２周辺配線２３ｂについても、第１検出電極３０及び第２検出電極３２と同じ構成とすることができ、金属配線３５で構成することができる。第１周辺配線２３ａ及び第２周辺配線２３ｂは、複数の金属配線３５が交差してなるメッシュパターンを有するものであってもよい。
【0057】
第１検出電極３０及び第２検出電極３２、並びに第１周辺配線２３ａ及び第２周辺配線２３ｂを、メッシュパターンを有する構成とする場合、メッシュパターンのパターンは特に制限されず、正三角形、二等辺三角形、直角三角形等の三角形、正方形、長方形、菱形、平行四辺形、台形等の四角形、（正）六角形、（正）八角形等の（正）ｎ角形、円、楕円、星形等を組み合わせた幾何学図形であることが好ましい。
メッシュパターンのメッシュとは、図６に示すように、交差する金属配線３５により構成される複数の開口部３６を含んでいる形状を意図する。開口部３６は、金属配線３５で囲まれる開口領域である。図６において、開口部３６は、菱形の形状を有しているが、他の形状であってもよい。例えば、多角形状（例えば、三角形、四角形、六角形、及び、ランダムな多角形）としてもよい。また、一辺の形状を直線状の他、湾曲形状にしてもよいし、円弧状にしてもよい。円弧状とする場合は、例えば、対向する二辺については、外方に凸の円弧状とし、他の対向する二辺については、内方に凸の円弧状としてもよい。また、各辺の形状を、外方に凸の円弧と内方に凸の円弧が連続した波線形状としてもよい。もちろん、各辺の形状を、サイン曲線にしてもよい。メッシュパターンとしては、特に限定されるものでなく、ランダムなパターンでも規則的なパターンでもよく、合同な形状が複数繰り返し配置された規則的なメッシュパターンでもよい。
メッシュパターンのメッシュとは、図６に示すように、交差する金属配線３５により構成される複数の開口部３６を含んでいる形状を意図する。開口部３６は、金属配線３５で囲まれる開口領域である。図６において、開口部３６は、菱形の形状を有しているが、他の形状であってもよい。例えば、多角形状（例えば、三角形、四角形、六角形、及び、ランダムな多角形）としてもよい。また、一辺の形状を直線状の他、湾曲形状にしてもよいし、円弧状にしてもよい。円弧状とする場合は、例えば、対向する二辺については、外方に凸の円弧状とし、他の対向する二辺については、内方に凸の円弧状としてもよい。また、各辺の形状を、外方に凸の円弧と内方に凸の円弧が連続した波線形状としてもよい。もちろん、各辺の形状を、サイン曲線にしてもよい。メッシュパターンとしては、特に限定されるものでなく、ランダムなパターンでも規則的なパターンでもよく、合同な形状が複数繰り返し配置された規則的なメッシュパターンでもよい。
【0058】
メッシュパターンとしては、同じ菱形格子を有する規則的なメッシュパターンが好ましい。その菱形の一辺の長さ、すなわち、開口部３６の一辺の長さＷは、５０～１５００μｍが好ましく、１５０～８００μｍがより好ましく、２００～６００μｍが視認性の観点から更に好ましい。開口部３６の一辺の長さＷが上述の範囲である場合には、さらに透明性も良好に保つことが可能であり、導電性フィルム１８（図１参照）を画像表示部１４（図１参照）の表示面１４ａ（図１参照）上に取り付けた際に、違和感なく表示を視認することができる。
なお、金属配線のメッシュパターンは光学顕微鏡（株式会社キーエンス製デジタルマイクロスコープＶＨＸ－７０００）を用いて観察及び測定ができる。
なお、金属配線のメッシュパターンは光学顕微鏡（株式会社キーエンス製デジタルマイクロスコープＶＨＸ－７０００）を用いて観察及び測定ができる。
【0059】
（画像表示装置の第２の例）
画像表示装置は、図１に示す画像表示装置１０に限定されるものではない。以下に、画像表示装置１０の第２の例について説明する。
図７は本発明の実施形態の導電性フィルムを有する画像表示装置の第２の例を示す模式的断面図である。なお、図７において、図１～図３に示す構成と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
図７に示す第２の例の画像表示装置１０ａは、図１に示す画像表示装置１０に比して、基板２４の両方の面、それぞれに第１検出電極層２９Ａと第２検出電極層２９Ｂとが設けられている点が異なる。基板２４の表面２４ａ上に第２検出電極層２９Ｂが設けられ、基板２４の裏面２４ｂ上に第１検出電極層２９Ａが設けられている。基板２４により第１検出電極層２９Ａと第２検出電極層２９Ｂとが電気的に絶縁される。すなわち、第１検出電極３０と第２検出電極３２とが、基板２４により電気的に絶縁される。
画像表示装置は、図１に示す画像表示装置１０に限定されるものではない。以下に、画像表示装置１０の第２の例について説明する。
図７は本発明の実施形態の導電性フィルムを有する画像表示装置の第２の例を示す模式的断面図である。なお、図７において、図１～図３に示す構成と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
図７に示す第２の例の画像表示装置１０ａは、図１に示す画像表示装置１０に比して、基板２４の両方の面、それぞれに第１検出電極層２９Ａと第２検出電極層２９Ｂとが設けられている点が異なる。基板２４の表面２４ａ上に第２検出電極層２９Ｂが設けられ、基板２４の裏面２４ｂ上に第１検出電極層２９Ａが設けられている。基板２４により第１検出電極層２９Ａと第２検出電極層２９Ｂとが電気的に絶縁される。すなわち、第１検出電極３０と第２検出電極３２とが、基板２４により電気的に絶縁される。
【0060】
画像表示装置１０ａでは、第１検出電極層２９Ａ及び第１周辺配線２３ａ上の周辺配線絶縁層５０を覆う透明絶縁層５２が設けられている。基板２４の表面２４ａ上に第２検出電極層２９Ｂを覆う透明絶縁層２７が設けられており、透明絶縁層２７上にカバー層１６が設けられている。透明絶縁層５２に、表示面１４ａを向けて画像表示部１４が接続されている。透明絶縁層５２は、上述の透明絶縁層２７と同じ構成である。第１検出電極層２９Ａを構成する第１の金属配線及び第２検出電極層２９Ｂを構成する第２の金属配線は、いずれも図３又は図４に示す金属配線３５と同じ構成である。図３又は図４に示す基板２４の表面２４ａと裏面２４ｂとに金属配線３５が配置される。基板２４の裏面２４ｂに配置される金属配線３５は、基板２４の裏面２４ｂ側から金属層４０と、第１黒化層４２と、第２黒化層４４との順で配置されている。
【0061】
周辺配線絶縁層５０は第１周辺配線２３ａ上に取出し配線のマイグレーション及び腐食を防止する目的で形成されるものである。周辺配線絶縁層５０としては、例えば、（メタ）アクリル樹脂、ウレタン樹脂等の有機膜が用いられる。周辺配線絶縁層５０の膜厚は１～３０μｍが好ましい。
【0062】
以下、金属配線の形成方法について説明する。
（金属配線の形成方法）
金属配線の形成方法は、特に限定されるものではない。金属配線の形成方法には、例えば、めっき法、印刷法及び蒸着法等が適宜利用可能である。
図８～１０は本発明の実施形態の導電性フィルムの第１の例の製造方法を工程順に示す模式的断面図である。
図８に示すように基板２４の表面２４ａに、金属膜４７を形成する。金属膜４７は、金属配線３５の金属層４０になるものであり、例えば、Ｃｕ膜である。金属膜４７は、例えば、スパッタリングを用いて形成する。スパッタリングは、特に限定されるものではなく、例えば、反応性ＲＦ（高周波）スパッタリングが例示される。
（金属配線の形成方法）
金属配線の形成方法は、特に限定されるものではない。金属配線の形成方法には、例えば、めっき法、印刷法及び蒸着法等が適宜利用可能である。
図８～１０は本発明の実施形態の導電性フィルムの第１の例の製造方法を工程順に示す模式的断面図である。
図８に示すように基板２４の表面２４ａに、金属膜４７を形成する。金属膜４７は、金属配線３５の金属層４０になるものであり、例えば、Ｃｕ膜である。金属膜４７は、例えば、スパッタリングを用いて形成する。スパッタリングは、特に限定されるものではなく、例えば、反応性ＲＦ（高周波）スパッタリングが例示される。
【0063】
次に、図９に示すように、金属膜４７上に、第１の黒化膜４８を形成する。第１の黒化膜４８は、第１黒化層４２になるものであり、例えば、Ｃｕ２Ｏ膜である。Ｃｕ２Ｏ膜は、例えば、反応性ＲＦスパッタリングにより形成される。
例えば、第１の黒化膜４８を反応性ＲＦスパッタリングにより形成する際に、原料ガスに酸素（Ｏ２）ガス及び窒素（Ｎ２）ガスのうち、少なくとも一方を用いることにより、第１黒化層４２について、酸素原子及び窒素原子のうち、少なくとも一方を含む構成にできる。
また、第１の黒化膜４８を反応性ＲＦスパッタリングにより形成する際に、ターゲットにＣｕとＮｉとの合金を用いることにより、第１黒化層４２について、金属原子としてＣｕとＮｉとを含む構成にできる。
例えば、第１の黒化膜４８を反応性ＲＦスパッタリングにより形成する際に、原料ガスに酸素（Ｏ２）ガス及び窒素（Ｎ２）ガスのうち、少なくとも一方を用いることにより、第１黒化層４２について、酸素原子及び窒素原子のうち、少なくとも一方を含む構成にできる。
また、第１の黒化膜４８を反応性ＲＦスパッタリングにより形成する際に、ターゲットにＣｕとＮｉとの合金を用いることにより、第１黒化層４２について、金属原子としてＣｕとＮｉとを含む構成にできる。
【0064】
次に、図１０に示すように、第１の黒化膜４８上に第２の黒化膜４９を形成する。第２の黒化膜４９は、第２黒化層４４になるものであり、例えば、Ｃｕ２Ｏ膜である。Ｃｕ２Ｏ膜は、例えば、黒化処理又は反応性ＲＦスパッタリングにより形成される。
黒化処理は、図９に示す状態の基板２４を、予め定めた時間、黒化液に浸漬させる処理である。なお、黒化液としては、例えば、酸化剤３０重量％、苛性ソーダ６重量％程度の水溶液、及びＢＯ－７７７０Ｖ（商品名 メック株式会社製）を使用できる。
例えば、第２の黒化膜４９を反応性ＲＦスパッタリングにより形成する際に、原料ガスに酸素（Ｏ２）ガス及び窒素（Ｎ２）ガスのうち、少なくとも一方を用いることにより、第２黒化層４４について、酸素原子及び窒素原子のうち、少なくとも一方を含む構成にできる。
また、第２の黒化膜４９を反応性ＲＦスパッタリングにより形成する際に、ターゲットにＣｕとＮｉとの合金を用いることにより、第２黒化層４４について、金属原子としてＣｕとＮｉとを含む構成にできる。
黒化処理は、図９に示す状態の基板２４を、予め定めた時間、黒化液に浸漬させる処理である。なお、黒化液としては、例えば、酸化剤３０重量％、苛性ソーダ６重量％程度の水溶液、及びＢＯ－７７７０Ｖ（商品名 メック株式会社製）を使用できる。
例えば、第２の黒化膜４９を反応性ＲＦスパッタリングにより形成する際に、原料ガスに酸素（Ｏ２）ガス及び窒素（Ｎ２）ガスのうち、少なくとも一方を用いることにより、第２黒化層４４について、酸素原子及び窒素原子のうち、少なくとも一方を含む構成にできる。
また、第２の黒化膜４９を反応性ＲＦスパッタリングにより形成する際に、ターゲットにＣｕとＮｉとの合金を用いることにより、第２黒化層４４について、金属原子としてＣｕとＮｉとを含む構成にできる。
【0065】
図１０に示すように基板２４の表面２４ａに金属膜４７、第１の黒化膜４８及び第２の黒化膜４９を積層された状態で、フォトリソグラフィー法を用いて、金属膜４７、第１の黒化膜４８及び第２の黒化膜４９をパターニングして、例えば、図３に示す金属配線３５を形成する。パターニングにより、金属配線３５は、例えば、メッシュパターン（図５参照）に形成される。
【0066】
上述では、金属配線３５を基板２４の表面２４ａに形成することを例にして説明したが、金属配線３５を基板２４の表面２４ａ及び裏面２４ｂに形成する場合、金属膜４７、第１の黒化膜４８及び第２の黒化膜４９を、基板２４の表面２４ａと同様に裏面２４ｂに形成する。そして、基板２４の表面２４ａ及び裏面２４ｂに、それぞれ金属膜４７、第１の黒化膜４８及び第２の黒化膜４９が積層された状態で、フォトリソグラフィー法を用いて、金属膜４７、第１の黒化膜４８及び第２の黒化膜４９をパターニングして、基板２４の表面２４ａ及び裏面２４ｂに金属配線３５（図３参照）を形成する。
【0067】
また、図４に示す金属配線３５は、例えば、以下のようにして形成できる。
図１１及び１２は、本発明の実施形態の導電性フィルムの第２の例の製造方法を工程順に示す模式的断面図である。なお、図１１及び１２において、図３及び図４に示す導電性フィルム１８と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
図４に示す金属配線３５は、図３に示す金属配線３５に比して、金属層４０の側面４０ｃに第３黒化層４６が形成されたものである。
図１１及び１２は、本発明の実施形態の導電性フィルムの第２の例の製造方法を工程順に示す模式的断面図である。なお、図１１及び１２において、図３及び図４に示す導電性フィルム１８と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
図４に示す金属配線３５は、図３に示す金属配線３５に比して、金属層４０の側面４０ｃに第３黒化層４６が形成されたものである。
【0068】
図４に示す金属配線３５の形成では、上述の図９に示すように基板２４に金属膜４７及び第１の黒化膜４８が形成された状態で、フォトリソグラフィー法を用いて、金属膜４７及び第１の黒化膜４８を、パターニングして、例えば、図１１に示す金属配線層３７を形成する。パターニングにより、金属配線層３７は、例えば、メッシュパターン（図５参照）に形成される。金属配線層３７は、金属層４０と第１黒化層４２とが積層されたものである。
次に、図１１に示す金属配線層３７に対して、図１２に示すように、第３黒化層４６を形成する。第３黒化層４６は、例えば、黒化処理又は反応性ＲＦスパッタリングにより形成する。第３黒化層４６を形成する際に、第１黒化層４２上に、第２黒化層４４も形成される。このようにして、図４に示す金属配線３５が形成される。
次に、図１１に示す金属配線層３７に対して、図１２に示すように、第３黒化層４６を形成する。第３黒化層４６は、例えば、黒化処理又は反応性ＲＦスパッタリングにより形成する。第３黒化層４６を形成する際に、第１黒化層４２上に、第２黒化層４４も形成される。このようにして、図４に示す金属配線３５が形成される。
【0069】
上述では、金属配線３５を基板２４の表面２４ａに形成することを例にして説明したが、金属配線３５を基板２４の表面２４ａ及び裏面２４ｂに形成する場合、金属膜４７、及び第１の黒化膜４８を、基板２４の表面２４ａと同様に裏面２４ｂに形成する。そして、基板２４の表面２４ａ及び裏面２４ｂに、それぞれ金属膜４７、及び第１の黒化膜４８が積層された状態で、フォトリソグラフィー法を用いて、金属膜４７、及び第１の黒化膜４８をパターニングして、基板２４の表面２４ａ及び裏面２４ｂに金属配線層３７（図１１参照）を形成する。そして、例えば、黒化処理又は反応性ＲＦスパッタリングにより第３黒化層４６を形成する。このようして、基板２４の表面２４ａ及び裏面２４ｂに、第１黒化層４２、第２黒化層４４及び第３黒化層４６を有する金属配線３５（図４参照）を形成する。
【0070】
なお、スパッタリングを用いた金属配線３５の形成方法を説明したが、これに限定されるものではない。金属配線３５の形成方法には、公知の方法が利用できる。例えば、めっき法、印刷法、塗布法、インクジェット法、コーティング法、及びディップ法等のウェットプロセスを用いる方法、抵抗加熱法及びＥＢ（電子ビーム）法等の蒸着法、並びにスパッタ法及びＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等のドライプロセスを用いる方法等が挙げられる。上述の製膜方法の中でもスパッタリングが好ましく適用される。
金属膜、第１の黒化膜４８及び第２の黒化膜４９をフォトリソグラフィー法を利用して、エッチング加工することにより所望のパターンに金属配線を形成できる。
金属膜、第１の黒化膜４８及び第２の黒化膜４９をフォトリソグラフィー法を利用して、エッチング加工することにより所望のパターンに金属配線を形成できる。
【0071】
次に、めっき法よる金属配線の形成方法について説明する。例えば、金属膜４７は、基板上にめっき法を用いて形成することができる。この場合、少なくとも金属微粒子を含有する触媒インクを基材上に形成した後に、基材を無電解めっき浴に浸漬し、金属膜として、金属めっき膜を形成する。より具体的には、特開２０１４－１５９６２０号公報に記載の金属被膜基材の製造方法を利用することができる。また、少なくとも金属触媒前駆体と相互作用しうる官能基を有する樹脂組成物を基材上にパターン状に形成した後、触媒又は触媒前駆体を付与し、基材を無電解めっき浴に浸漬し、金属膜として、金属めっき膜を形成する。より具体的には、特開２０１２－１４４７６１号公報に記載の金属被膜基材の製造方法を応用することができる。パターン状には、メッシュパターンが含まれる。
【0072】
めっき法は無電解めっきのみでもよく、無電解めっき後電解めっきを行ってもよい。めっき法にはアディティブ法を用いることができる。
アディティブ法とは、透明基板上の金属配線を形成したい部分にのみめっき処理等を施すことにより、金属配線を形成する方法である。生産性等の点から、アディティブ方法が好ましい。
金属配線の形成には、サブトラクティブ方法を用いることもできる。サブトラクティブ方法とは、透明基板上に導電層を形成して、例えば、化学エッチング処理等のエッチング処理により不要部分を除去して、金属配線を形成する方法である。
アディティブ法とは、透明基板上の金属配線を形成したい部分にのみめっき処理等を施すことにより、金属配線を形成する方法である。生産性等の点から、アディティブ方法が好ましい。
金属配線の形成には、サブトラクティブ方法を用いることもできる。サブトラクティブ方法とは、透明基板上に導電層を形成して、例えば、化学エッチング処理等のエッチング処理により不要部分を除去して、金属配線を形成する方法である。
【0073】
印刷法よる金属配線の形成方法について説明する。例えば、印刷法により、金属膜４７を基板上に形成することができる。この場合、まず、導電性粉末を含有する導電性ペーストを基板に塗布し、その後、加熱処理を施すことにより金属膜を形成することができる。導電性ペーストとしては、より具体的には、特開２０１１－２８９８５号公報に記載の導電性ペーストを利用することができる。
蒸着法よる金属配線の形成方法について説明する。例えば、蒸着法により、金属膜４７を基板上に形成することができる。この場合、まず、蒸着により、銅等の金属膜を形成する。金属膜は、蒸着以外にも、電解銅箔が利用可能である。より具体的には、特開２０１４－２９６１４号公報に記載の銅配線を形成する工程を利用することができる。
蒸着法よる金属配線の形成方法について説明する。例えば、蒸着法により、金属膜４７を基板上に形成することができる。この場合、まず、蒸着により、銅等の金属膜を形成する。金属膜は、蒸着以外にも、電解銅箔が利用可能である。より具体的には、特開２０１４－２９６１４号公報に記載の銅配線を形成する工程を利用することができる。
【0074】
フォトリソグラフィー法とは、レジスト塗布、レジスト膜の形成、レジスト膜の露光、現像及びリンス、並びに金属膜、第１の黒化膜４８及び第２の黒化膜４９のエッチング、及びレジスト膜の剥離の各工程を経ることにより、金属膜、第１の黒化膜４８及び第２の黒化膜４９を所望のパターンに加工する手法である。従来公知の一般的なフォトリソグラフィー法を適宜利用することができる。例えば、レジストとしてはポジ型又はネガ型のいずれのレジストを用いることができる。また、レジスト塗布後、必要に応じて予備加熱又はプリベークを実施することができる。露光に際しては、所望のパターンを有するパターンマスクを配置し、その上から、用いたレジストに適合する波長の光、一般には紫外線を照射する。露光後、用いたレジストに適合する現像液で現像を行うことができる。現像後、水等のリンス液で現像を止めるとともに洗浄を行うことにより、レジストパターンが形成される。レジストパターンは、例えば、メッシュパターンに対応するパターンである。
【0075】
次いで、形成されたレジストパターンを必要に応じて前処理又はポストベークを実施した後、エッチングにより、金属膜、第１の黒化膜４８及び第２の黒化膜４９にレジストパターンに応じたパターンが形成される。エッチング液としては、塩化第二鉄水溶液等銅のエッチング液として使用可能なものを適宜選択することができる。エッチング後、残留するレジスト膜を剥離することにより、所望のパターンを有する金属配線が得られる。フォトリソグラフィー法は、当業者に一般に認識されている方法であり、その具体的な適用態様は当業者であれば所期の目的に応じて容易に選定することができる。
【0076】
＜透明絶縁層＞
透明絶縁層２７は、第１の金属配線上を被覆する層であり、透明で電気絶縁性を有する。透明絶縁層２７は、上述の第１の透明絶縁層１５及び第２の透明絶縁層１７とは異なるものである。
透明絶縁層２７は、導電性フィルム１８の使用時に、本来電気的に絶縁状態にある金属配線３５同士を導通させることなく電気絶縁性を維持することができれば、特に限定されるものではない。透明絶縁層２７は、例えば、二酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、及び酸化アルミ等の無機物により形成される。また、透明絶縁層２７は、例えば、（メタ）アクリル樹脂、ウレタン樹脂、及びポリイミド樹脂等の有機物により形成される。透明絶縁層２７は、形成の容易さ、膜厚の制御の容易さから、有機物であることが好ましく、特に（メタ）アクリル樹脂が好ましい。
透明絶縁層を形成するためには、後述するように透明絶縁層形成用組成物を用いることが好ましい。
透明絶縁層形成用組成物に含まれる成分は特に制限されないが、モノマーを含むことが好ましい。モノマーとしては、（メタ）アクリロイル基を有する重合性化合物が好ましく、（メタ）アクリロイル基を有する多官能重合性化合物（（メタ）アクリロイル基を２以上有する重合性化合物））がより好ましい。
透明絶縁層形成用組成物は、上記モノマー以外に、重合開始剤及び溶媒を含んでいてもよい。
透明絶縁層形成用組成物中におけるモノマーの含有量は特に制限されないが、透明絶縁層形成用組成物中の溶媒を除いた成分の合計量に対して、４０～９５質量％が好ましい。
透明絶縁層形成用組成物中における重合開始剤の含有量は特に制限されないが、透明絶縁層形成用組成物中の溶媒を除いた成分の合計量に対して、０．１～１０質量％が好ましい。
透明絶縁層２７は、第１の金属配線上を被覆する層であり、透明で電気絶縁性を有する。透明絶縁層２７は、上述の第１の透明絶縁層１５及び第２の透明絶縁層１７とは異なるものである。
透明絶縁層２７は、導電性フィルム１８の使用時に、本来電気的に絶縁状態にある金属配線３５同士を導通させることなく電気絶縁性を維持することができれば、特に限定されるものではない。透明絶縁層２７は、例えば、二酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、及び酸化アルミ等の無機物により形成される。また、透明絶縁層２７は、例えば、（メタ）アクリル樹脂、ウレタン樹脂、及びポリイミド樹脂等の有機物により形成される。透明絶縁層２７は、形成の容易さ、膜厚の制御の容易さから、有機物であることが好ましく、特に（メタ）アクリル樹脂が好ましい。
透明絶縁層を形成するためには、後述するように透明絶縁層形成用組成物を用いることが好ましい。
透明絶縁層形成用組成物に含まれる成分は特に制限されないが、モノマーを含むことが好ましい。モノマーとしては、（メタ）アクリロイル基を有する重合性化合物が好ましく、（メタ）アクリロイル基を有する多官能重合性化合物（（メタ）アクリロイル基を２以上有する重合性化合物））がより好ましい。
透明絶縁層形成用組成物は、上記モノマー以外に、重合開始剤及び溶媒を含んでいてもよい。
透明絶縁層形成用組成物中におけるモノマーの含有量は特に制限されないが、透明絶縁層形成用組成物中の溶媒を除いた成分の合計量に対して、４０～９５質量％が好ましい。
透明絶縁層形成用組成物中における重合開始剤の含有量は特に制限されないが、透明絶縁層形成用組成物中の溶媒を除いた成分の合計量に対して、０．１～１０質量％が好ましい。
【0077】
（導電性フィルムの製造方法）
以下、導電性フィルム１８の製造方法について説明する。
基板上に第１の金属配線を形成する第１の工程と、第１の金属配線を被覆する透明絶縁層を形成する第２の工程とを有する。
例えば、基板に、例えば、ＰＥＴ基板を用いる。
第１の工程は、基板２４の表面２４ａに、第１の金属配線を形成する工程であるが、第１の金属配線は、上述の金属配線の形成方法により形成されるため、その詳細な説明は省略する。なお、金属配線３５によりメッシュパターン（図５参照）を形成するために第２の工程では、第１の金属配線をメッシュパターン状（図５参照）に形成する工程を含むことが好ましい。メッシュパターン状に形成する工程も、上述の金属配線の形成方法の通りであるため、その詳細な説明は省略する。
第１の金属配線により第１検出電極３０（図２参照）が形成される。基板２４の表面２４ａ上に第１検出電極３０（図２参照）が形成される。
以下、導電性フィルム１８の製造方法について説明する。
基板上に第１の金属配線を形成する第１の工程と、第１の金属配線を被覆する透明絶縁層を形成する第２の工程とを有する。
例えば、基板に、例えば、ＰＥＴ基板を用いる。
第１の工程は、基板２４の表面２４ａに、第１の金属配線を形成する工程であるが、第１の金属配線は、上述の金属配線の形成方法により形成されるため、その詳細な説明は省略する。なお、金属配線３５によりメッシュパターン（図５参照）を形成するために第２の工程では、第１の金属配線をメッシュパターン状（図５参照）に形成する工程を含むことが好ましい。メッシュパターン状に形成する工程も、上述の金属配線の形成方法の通りであるため、その詳細な説明は省略する。
第１の金属配線により第１検出電極３０（図２参照）が形成される。基板２４の表面２４ａ上に第１検出電極３０（図２参照）が形成される。
【0078】
第２の工程は、第１の金属配線を被覆する透明絶縁層２７を形成する工程である。透明絶縁層２７は、例えば、（メタ）アクリル樹脂が用いられる。上述のように透明絶縁層２７の厚みは、１．０～５．０μｍであることが好ましい。
透明絶縁層２７の形成方法は、特に限定されるものでない。透明絶縁層を形成する方法（塗布法）、又は仮基板上に透明絶縁層を形成して、金属配線を被覆するように基板２４の表面２４ａに転写する方法（転写法）等が挙げられる。
第２の工程は、透明絶縁層形成用組成物を、第１の金属配線上に塗布して、透明絶縁層２７を形成する工程であることが好ましい。すなわち、透明絶縁層２７は、厚みの制御がしやすい観点からは、塗布法を用いることが好ましい。
透明絶縁層形成用組成物を塗布する塗布法は、特に限定されるものでなく、公知の方法、例えば、グラビアコーター、コンマコーター、バーコーター、ナイフコーター、ダイコーター若しくはロールコーター等の塗布法式、インクジェット方式、又はスクリーン印刷方式等を使用できる。
なお、塗布後、必要に応じて硬化処理を実施してもよい。硬化処理としては、光硬化処理及び加熱処理が挙げられる。
透明絶縁層２７の形成方法は、特に限定されるものでない。透明絶縁層を形成する方法（塗布法）、又は仮基板上に透明絶縁層を形成して、金属配線を被覆するように基板２４の表面２４ａに転写する方法（転写法）等が挙げられる。
第２の工程は、透明絶縁層形成用組成物を、第１の金属配線上に塗布して、透明絶縁層２７を形成する工程であることが好ましい。すなわち、透明絶縁層２７は、厚みの制御がしやすい観点からは、塗布法を用いることが好ましい。
透明絶縁層形成用組成物を塗布する塗布法は、特に限定されるものでなく、公知の方法、例えば、グラビアコーター、コンマコーター、バーコーター、ナイフコーター、ダイコーター若しくはロールコーター等の塗布法式、インクジェット方式、又はスクリーン印刷方式等を使用できる。
なお、塗布後、必要に応じて硬化処理を実施してもよい。硬化処理としては、光硬化処理及び加熱処理が挙げられる。
【0079】
なお、導電性フィルムの構成応じて、透明絶縁層２７上に、さらに第２の金属配線を形成する第３の工程を有してもよい。
第３の工程の第２の金属配線は、上述の金属配線の形成方法により形成されるため、その詳細な説明は省略する。なお、金属配線３５によりメッシュパターン（図５参照）を形成するために、第３の工程でも、第２の金属配線をメッシュパターン状（図５参照）に形成してもよい。第２の金属配線により第２検出電極３２（図２参照）が形成される。透明絶縁層２７上に第２検出電極が形成される。また、第３の工程では、第２の金属配線により、第２検出電極３２に電気的に接続される第２周辺配線２３ｂも形成される。
第２検出電極３２及び第２周辺配線２３ｂ上に第２の透明絶縁層１７を形成してもよい。第２の透明絶縁層１７は、例えば、光学的に透明な粘着剤（ＯＣＡ）が用いられ、柔軟性を有する。なお、第２の透明絶縁層１７上にシールド電極を設けてもよい。
第３の工程の第２の金属配線は、上述の金属配線の形成方法により形成されるため、その詳細な説明は省略する。なお、金属配線３５によりメッシュパターン（図５参照）を形成するために、第３の工程でも、第２の金属配線をメッシュパターン状（図５参照）に形成してもよい。第２の金属配線により第２検出電極３２（図２参照）が形成される。透明絶縁層２７上に第２検出電極が形成される。また、第３の工程では、第２の金属配線により、第２検出電極３２に電気的に接続される第２周辺配線２３ｂも形成される。
第２検出電極３２及び第２周辺配線２３ｂ上に第２の透明絶縁層１７を形成してもよい。第２の透明絶縁層１７は、例えば、光学的に透明な粘着剤（ＯＣＡ）が用いられ、柔軟性を有する。なお、第２の透明絶縁層１７上にシールド電極を設けてもよい。
【0080】
本発明は、基本的に以上のように構成されるものである。以上、本発明の導電性フィルムについて詳細に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良又は変更をしてもよいのはもちろんである。
【実施例0081】
以下に実施例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、物質量とその割合、及び、操作等は本発明の趣旨から逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下の実施例に限定されるものではない。
【0082】
以下、実施例１～６及び比較例１の導電性フィルムについて説明する。
（実施例１）
実施例１の導電性フィルムについて説明する。
まず、基板として、厚み５０μｍのＰＥＴ基板（東洋紡株式会社製、コスモシャイン（登録商標）Ａ４３００）を準備した。
（実施例１）
実施例１の導電性フィルムについて説明する。
まず、基板として、厚み５０μｍのＰＥＴ基板（東洋紡株式会社製、コスモシャイン（登録商標）Ａ４３００）を準備した。
【0083】
次に、基板上に銅膜を、以下のようにして、反応性ＲＦスパッタリングを用いて形成した。ターゲットとして銅を用い、原料ガスとして、アルゴン（Ａｒ）ガス（流量２７０ｓｃｃｍ（４５６．３×１０－３Ｐａ・ｍ３／ｓｅｃ））をスパッタ装置内に導入しながら、製膜室内圧力が０．４Ｐａ、パワー密度が４．２Ｗ／ｃｍ２、製膜中の温度が９０℃の条件で、製膜を行なった。得られた銅膜の膜厚は、５００ｎｍであった。銅膜は、金属層になるものである。
【0084】
次に、基板上に形成した銅膜上に、厚み５０ｎｍのＣｕ２Ｏ膜を、以下のようにして、反応性ＲＦスパッタリングを用いて形成した。ターゲットとして銅を用い、原料ガスとして、Ａｒガスと酸素（Ｏ２）ガスを使用した。Ｃｕ２Ｏ膜が第１黒化層になるものである。
続いて、Ｃｕ２Ｏ膜上に、レジストフィルムを貼合し、マスクを用いて配線パターンを露光した。そして、レジストフィルムにおいて未硬化部分のレジストを除去した。その後、銅膜とＣｕ２Ｏ膜との積層膜をエッチングして、金属配線パターンを形成した。エッチングには、サンハヤト株式会社製 エッチング液Ｈ－１０００Ａ（型番、塩化第二鉄液）を用いた。
続いて、Ｃｕ２Ｏ膜上に、レジストフィルムを貼合し、マスクを用いて配線パターンを露光した。そして、レジストフィルムにおいて未硬化部分のレジストを除去した。その後、銅膜とＣｕ２Ｏ膜との積層膜をエッチングして、金属配線パターンを形成した。エッチングには、サンハヤト株式会社製 エッチング液Ｈ－１０００Ａ（型番、塩化第二鉄液）を用いた。
【0085】
金属配線パターンを形成した後、基板を、黒化液に浸漬して、Ｃｕ２Ｏ膜の表面に、ＣｕＯ層を厚み３０ｎｍになるよう形成した。ＣｕＯ層が第２黒化層である。なお、浸漬時間、黒化液の濃度、及び黒化液の温度により、ＣｕＯ層の厚みを制御した。同時に銅膜の側面に、第３黒化層であるＣｕ２Ｏ層が形成される。このようにして、第１黒化層、第２黒化層及び第３黒化層を有する金属配線を形成した。
なお、黒化処理には、黒化液として、ＢＯ－７７７０Ｖ（商品名 メック株式会社製）を使用した。
なお、黒化処理には、黒化液として、ＢＯ－７７７０Ｖ（商品名 メック株式会社製）を使用した。
【0086】
（実施例２）
実施例２は、実施例１に比して、黒化処理の時間を長くして、最表面のＣｕＯ層の厚み、すなわち、第２黒化層の厚みが４０ｎｍになるように黒化処理した点が異なる以外は、実施例１と同じとした。
（実施例３）
実施例３は、実施例１に比して、基板上の銅膜上に、厚み５０ｎｍのＣｕＯＮ膜を形成した点が異なる以外は、実施例１と同じとした。実施例３は、第１黒化層をＣｕＯＮ層で構成した。
ＣｕＯＮ層は、反応性ＲＦスパッタリングを用いて形成した。ターゲットにＣｕを用い、原料ガスに、Ａｒガス、窒素（Ｎ２）ガス、及びＯ２ガスを使用した。
（実施例４）
実施例４は、実施例１に比して、基板上の銅膜上に、厚み５０ｎｍのＣｕＮｉＯ膜を形成した点が異なる以外は、実施例１と同じとした。実施例４は、第１黒化層をＣｕＯＮ層で構成した。
ＣｕＮｉＯ層は、反応性ＲＦスパッタリングを用いて形成した。ターゲットにＣｕＮｉ合金を用い、原料ガスに、Ａｒガス、及びＯ２ガスを使用した。
実施例２は、実施例１に比して、黒化処理の時間を長くして、最表面のＣｕＯ層の厚み、すなわち、第２黒化層の厚みが４０ｎｍになるように黒化処理した点が異なる以外は、実施例１と同じとした。
（実施例３）
実施例３は、実施例１に比して、基板上の銅膜上に、厚み５０ｎｍのＣｕＯＮ膜を形成した点が異なる以外は、実施例１と同じとした。実施例３は、第１黒化層をＣｕＯＮ層で構成した。
ＣｕＯＮ層は、反応性ＲＦスパッタリングを用いて形成した。ターゲットにＣｕを用い、原料ガスに、Ａｒガス、窒素（Ｎ２）ガス、及びＯ２ガスを使用した。
（実施例４）
実施例４は、実施例１に比して、基板上の銅膜上に、厚み５０ｎｍのＣｕＮｉＯ膜を形成した点が異なる以外は、実施例１と同じとした。実施例４は、第１黒化層をＣｕＯＮ層で構成した。
ＣｕＮｉＯ層は、反応性ＲＦスパッタリングを用いて形成した。ターゲットにＣｕＮｉ合金を用い、原料ガスに、Ａｒガス、及びＯ２ガスを使用した。
【0087】
（実施例５）
実施例５は、実施例１に比して、基板上に銅膜、及びＣｕＯ膜を形成した後、金属配線パターンを形成する前に、黒化処理を行い、ＣｕＯ膜上にＣｕ２Ｏ膜を形成した。その後、金属配線パターンを形成した点以外は、実施例１と同じとした。実施例５は、銅膜、すなわち、金属層の側面に第３黒化層がない構成である。
（実施例６）
実施例６は、実施例１に比して、黒化処理の時間を短くして、最表面のＣｕＯ層の厚み、すなわち、第２黒化層の厚みが２０ｎｍになるように黒化処理した点が異なる以外は、実施例１と同じとした。
実施例５は、実施例１に比して、基板上に銅膜、及びＣｕＯ膜を形成した後、金属配線パターンを形成する前に、黒化処理を行い、ＣｕＯ膜上にＣｕ２Ｏ膜を形成した。その後、金属配線パターンを形成した点以外は、実施例１と同じとした。実施例５は、銅膜、すなわち、金属層の側面に第３黒化層がない構成である。
（実施例６）
実施例６は、実施例１に比して、黒化処理の時間を短くして、最表面のＣｕＯ層の厚み、すなわち、第２黒化層の厚みが２０ｎｍになるように黒化処理した点が異なる以外は、実施例１と同じとした。
【0088】
（比較例１）
比較例１は、実施例１に比して、第２黒化層及び第３黒化層がない点が異なる以外は、実施例１と同じとした。
比較例１では、実施例１と同様にして、厚み５００ｎｍの銅膜を形成し、銅膜上に厚み５０ｎｍのＣｕ２Ｏ層を形成した。
比較例１は、実施例１に比して、第２黒化層及び第３黒化層がない点が異なる以外は、実施例１と同じとした。
比較例１では、実施例１と同様にして、厚み５００ｎｍの銅膜を形成し、銅膜上に厚み５０ｎｍのＣｕ２Ｏ層を形成した。
【0089】
＜金属配線の金属組成比の定量＞
ＸＰＳを用いて金属配線の組成の定量を行うが、金属配線の幅が細いと組成の測定が困難である。このため、予め、基板上に組成分析用パターンとして、５ｍｍ×５ｍｍの塗潰しパターンを形成した。金属配線の金属組成の定量のために、組成分析用パターンの組成を測定した。
なお、第３黒化層である側面層の組成は、厚みが薄いと組成の測定が困難であるため、斜め切削法を用いて、側面層を拡張して、測定を行うこともできる。
ＧＣアルゴン－ＩＢ（ガスクラスターイオンビーム）により、金属配線の表面からエッチンクしながら、金属配線３５の深さ方向の組成を測定した。
表層から、ＣｕＯ層（第２黒化層に相当）、Ｃｕ２Ｏ層（第１黒化層に相当）及びＣｕ層（金属層に相当）の順に観測される。組成変化から各層の境界を決め、厚み方向の中間位置の組成を、ＣｕＯ層、Ｃｕ２Ｏ層及びＣｕ層の各組成として採用した。
ＸＰＳを用いて金属配線の組成の定量を行うが、金属配線の幅が細いと組成の測定が困難である。このため、予め、基板上に組成分析用パターンとして、５ｍｍ×５ｍｍの塗潰しパターンを形成した。金属配線の金属組成の定量のために、組成分析用パターンの組成を測定した。
なお、第３黒化層である側面層の組成は、厚みが薄いと組成の測定が困難であるため、斜め切削法を用いて、側面層を拡張して、測定を行うこともできる。
ＧＣアルゴン－ＩＢ（ガスクラスターイオンビーム）により、金属配線の表面からエッチンクしながら、金属配線３５の深さ方向の組成を測定した。
表層から、ＣｕＯ層（第２黒化層に相当）、Ｃｕ２Ｏ層（第１黒化層に相当）及びＣｕ層（金属層に相当）の順に観測される。組成変化から各層の境界を決め、厚み方向の中間位置の組成を、ＣｕＯ層、Ｃｕ２Ｏ層及びＣｕ層の各組成として採用した。
【0090】
（金属原子の含有量（原子％）の分析手法）
黒化層の金属原子の含有量（原子％）は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いて決定することができる。このとき、エッチングを併用することにより、黒化層の表面下の異なる深さにおける金属原子の含有量（原子％）を決定した。
黒化層の金属原子の含有量の測定装置には、例えば、ＧＣ－ＩＢ／ＸＰＳ（ガスクラスターイオンビームＸＰＳ）を用いた。
黒化層の金属原子の含有量（原子％）は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いて決定することができる。このとき、エッチングを併用することにより、黒化層の表面下の異なる深さにおける金属原子の含有量（原子％）を決定した。
黒化層の金属原子の含有量の測定装置には、例えば、ＧＣ－ＩＢ／ＸＰＳ（ガスクラスターイオンビームＸＰＳ）を用いた。
【0091】
（装置及び条件）
ＧＣ－ＩＢ／ＸＰＳとして適した装置は、Physical Electronics, Inc.のVersa Probe II ＸＰＳ装置（ＵＬＶＡＣ－ＰＨＩ株式会社製）である。単色化Ａｌ Ｋα Ｘ線源（１４８６．６ｅＶ、１５Ｗ、２５ＫＶ イオンビームのスポットサイズ直径１００μｍ、ラスターサイズ３００μｍ×３００μｍ）を使用することが好ましい。電荷補償のため、測定時に低エネルギー電子とＡｒイオンを流すことがある。
ＧＣ－ＩＢ／ＸＰＳとして適した装置は、Physical Electronics, Inc.のVersa Probe II ＸＰＳ装置（ＵＬＶＡＣ－ＰＨＩ株式会社製）である。単色化Ａｌ Ｋα Ｘ線源（１４８６．６ｅＶ、１５Ｗ、２５ＫＶ イオンビームのスポットサイズ直径１００μｍ、ラスターサイズ３００μｍ×３００μｍ）を使用することが好ましい。電荷補償のため、測定時に低エネルギー電子とＡｒイオンを流すことがある。
【0092】
（深さ方向の組成分析）
金属配線３５の深さ方向、すなわち、厚み方向Ｄｔの分析には、Ａｒガスクラスタービーム（５ｋＶ、２０ｎＡ，２ｍｍ×２ｍｍ）によりエッチングしながら、組成分析した。
この分析から、第１黒化層、第２黒化層、及び第３黒化層の金属原子の含有量（原子％）を測定し、第１黒化層、第２黒化層、及び第３黒化層中に存在する他の元素、例えば、酸素及び窒素を測定した。
金属配線３５の深さ方向、すなわち、厚み方向Ｄｔの分析には、Ａｒガスクラスタービーム（５ｋＶ、２０ｎＡ，２ｍｍ×２ｍｍ）によりエッチングしながら、組成分析した。
この分析から、第１黒化層、第２黒化層、及び第３黒化層の金属原子の含有量（原子％）を測定し、第１黒化層、第２黒化層、及び第３黒化層中に存在する他の元素、例えば、酸素及び窒素を測定した。
【0093】
表層から、エッチングしながら、金属配線３５の深さ方向の金属原子、酸素原子、及び窒素原子の組成を測定する。金属、例えば、Ｃｕと酸素との組成比のプロファイルから、第１黒化層及び第２黒化層の各層の厚み方向の中間位置における組成を読み取り、金属原子の含有量（原子％）とした。
第３黒化層については、厚み方向Ｄｔの中間位置における組成を読み取り、金属原子の含有量（原子％）とした。
第３黒化層については、厚み方向Ｄｔの中間位置における組成を読み取り、金属原子の含有量（原子％）とした。
【0094】
＜金属配線の測定＞
以下に示す（導電処理工程）及び（切削加工及び観察工程）を行うことにより、金属配線を測定した。
以下に示す（導電処理工程）及び（切削加工及び観察工程）を行うことにより、金属配線を測定した。
【0095】
（導電処理工程）
真空蒸着装置（日本電子株式会社製ＩＢ－２９５１０ＶＥＴ）を用いて第１導電層１１Ａに、１０ｎｍの厚みのカーボンを蒸着した。続いて、スパッタ蒸着装置（株式会社日立社製Ｅ－１０３０型イオンスパッタ）を用いて１０ｎｍの厚みのカーボンの上から１０ｎｍの厚みの白金（Ｐｔ）を蒸着した。
真空蒸着装置（日本電子株式会社製ＩＢ－２９５１０ＶＥＴ）を用いて第１導電層１１Ａに、１０ｎｍの厚みのカーボンを蒸着した。続いて、スパッタ蒸着装置（株式会社日立社製Ｅ－１０３０型イオンスパッタ）を用いて１０ｎｍの厚みのカーボンの上から１０ｎｍの厚みの白金（Ｐｔ）を蒸着した。
【0096】
（切削加工及び観察工程）
ＦＩＢ（Focused Ion Beam）－ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）複合装置（サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製Ｈｅｌｉｏｓ６００ｉ）のＦＩＢ機能を用いて、表面保護膜としてＰｔのＣＶＤ膜（５００ｎｍ厚）を形成したのち、Ｇａ＋加速電圧３０ｋＶの条件下で、金属配線に対して断面切削加工を行った。これにより、金属配線が延びる方向に対して直交する面に沿って切断して、金属配線の断面を露出させた。
ＦＩＢ（Focused Ion Beam）－ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）複合装置（サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製Ｈｅｌｉｏｓ６００ｉ）のＦＩＢ機能を用いて、表面保護膜としてＰｔのＣＶＤ膜（５００ｎｍ厚）を形成したのち、Ｇａ＋加速電圧３０ｋＶの条件下で、金属配線に対して断面切削加工を行った。これにより、金属配線が延びる方向に対して直交する面に沿って切断して、金属配線の断面を露出させた。
【0097】
さらに、上述のＦＩＢ－ＳＥＭ複合装置のＳＥＭ機能を用いて、加速電圧１ｋＶ、プローブ電流８６ｐＡ、Ｗ．Ｄ．（Working Distance）４ｍｍの条件下で、２次電子像と反射電子像により、露出された断面を観察し、厚みを測定した。なお、上述の「Ｗ．Ｄ．」とは、ＳＥＭの対物レンズと、試料、この場合、金属配線の断面との間の距離のことである。
ランダムに抽出した１０箇所の金属配線の各層の厚みを、同様に測定し、各層の平均値を、それぞれの層の厚みとした。上述の方法で測定したＳＥＭの断面像とＸＰＳプロファイルデータから、最終的な各層の厚みを決定した。具体的には、ＳＥＭの断面観察から、Ｃｕ層、Ｃｕ２Ｏ層、及びＣｕＯ層の色味差により各層の界面を判断して、Ｃｕ層、Ｃｕ２Ｏ層、及びＣｕＯ層の膜厚を得た。Ｃｕ２Ｏ層とＣｕＯ層との界面は特定しにくいため、ＸＰＳを併用した。ＸＰＳでは、表面からエッチングしつつ深さ方向のＣｕとＯの原子％を測定し、Ｃｕ／Ｏ比が変化する部分を界面と判断した。ＸＰＳにより界面と判断した位置を、ＳＥＭの断面画像に基づいて特定した界面の位置と照らし合わせて各層膜厚を決定した。
ランダムに抽出した１０箇所の金属配線の各層の厚みを、同様に測定し、各層の平均値を、それぞれの層の厚みとした。上述の方法で測定したＳＥＭの断面像とＸＰＳプロファイルデータから、最終的な各層の厚みを決定した。具体的には、ＳＥＭの断面観察から、Ｃｕ層、Ｃｕ２Ｏ層、及びＣｕＯ層の色味差により各層の界面を判断して、Ｃｕ層、Ｃｕ２Ｏ層、及びＣｕＯ層の膜厚を得た。Ｃｕ２Ｏ層とＣｕＯ層との界面は特定しにくいため、ＸＰＳを併用した。ＸＰＳでは、表面からエッチングしつつ深さ方向のＣｕとＯの原子％を測定し、Ｃｕ／Ｏ比が変化する部分を界面と判断した。ＸＰＳにより界面と判断した位置を、ＳＥＭの断面画像に基づいて特定した界面の位置と照らし合わせて各層膜厚を決定した。
【0098】
本実施例では、実施例１～６及び比較例１の導電性フィルムについて、配線抵抗及び視認性を評価した。配線抵抗及び視認性の評価結果を下記表１に示す。以下、配線抵抗及び視認性について説明する。
【0099】
＜配線抵抗＞
配線抵抗は、金属配線を形成した後、金属配線の電気抵抗を測定し、１ｍｍ長の電気抵抗に規格化（Ω／ｍｍ）した。これを１０本の金属配線で実施し、１０本の金属配線の平均値を配線抵抗とした。金属配線の電気抵抗は、抵抗計(日置電機株式会社製 ＲＭ３５４４)を用いて測定した。
配線抵抗は、金属配線を形成した後、金属配線の電気抵抗を測定し、１ｍｍ長の電気抵抗に規格化（Ω／ｍｍ）した。これを１０本の金属配線で実施し、１０本の金属配線の平均値を配線抵抗とした。金属配線の電気抵抗は、抵抗計(日置電機株式会社製 ＲＭ３５４４)を用いて測定した。
【0100】
＜視認性＞
実施例１～６及び比較例１の導電性フィルムの、それぞれにおいて配線面側にＯＣＡ（Optical Clear Adhesive）を介してガラスを貼合した。基板の配線面の反対側の反対面にＯＣＡを介して黒紙を貼合して、実施例１～６及び比較例１の視認性の評価用のサンプルを作製した。サンプルを、蛍光灯下でガラス面側から角度を変えて観察した。視認性については２０人の評価者により判定した。２０人の評価者の観察結果を、下記評価基準に基づいて評価して、視認性を評価した。
評価基準
「Ａ」：２０人中、１人も金属細線を認識できない。
「Ｂ」：２０人中、１人以上４人以下が金属細線を認識できた。
「Ｃ」：２０人中、５人以上１０人未満が金属細線を認識できた。
「Ｄ」：２０人中、１０人以上が金属細線を認識できた。
なお、評価「Ｄ」は実用上問題があるレベルであり、評価「Ｃ」以上が実用上問題ないレベル、評価「Ｂ」は優れたレベル、評価「Ａ」はとても優れたレベルである。
実施例１～６及び比較例１の導電性フィルムの、それぞれにおいて配線面側にＯＣＡ（Optical Clear Adhesive）を介してガラスを貼合した。基板の配線面の反対側の反対面にＯＣＡを介して黒紙を貼合して、実施例１～６及び比較例１の視認性の評価用のサンプルを作製した。サンプルを、蛍光灯下でガラス面側から角度を変えて観察した。視認性については２０人の評価者により判定した。２０人の評価者の観察結果を、下記評価基準に基づいて評価して、視認性を評価した。
評価基準
「Ａ」：２０人中、１人も金属細線を認識できない。
「Ｂ」：２０人中、１人以上４人以下が金属細線を認識できた。
「Ｃ」：２０人中、５人以上１０人未満が金属細線を認識できた。
「Ｄ」：２０人中、１０人以上が金属細線を認識できた。
なお、評価「Ｄ」は実用上問題があるレベルであり、評価「Ｃ」以上が実用上問題ないレベル、評価「Ｂ」は優れたレベル、評価「Ａ」はとても優れたレベルである。
【0101】
【表1】
【0102】
表１に示すように、実施例１～６は、比較例１に比して視認性が良好であった。
比較例１は第２黒化層がなく、金属配線が見え、視認性が悪かった。
実施例１～６の比較から、第３黒化層がある方が線が更に見えにくく、視認性が更に良好であった。また、第２黒化層は第１黒化層よりも厚い方が見えにくく、視認性が良好であった。
比較例１は第２黒化層がなく、金属配線が見え、視認性が悪かった。
実施例１～６の比較から、第３黒化層がある方が線が更に見えにくく、視認性が更に良好であった。また、第２黒化層は第１黒化層よりも厚い方が見えにくく、視認性が良好であった。
【符号の説明】
【0103】
１０、１０ａ 画像表示装置
１１Ａ 第１導電層
１１Ｂ 第２導電層
１２ タッチパネル
１３ コントローラ
１４ 画像表示部
１４ａ 表示面
１４ｂ 裏面
１５ 第１の透明絶縁層
１６ カバー層
１６ａ 表面
１６ｂ 裏面
１７ 第２の透明絶縁層
１８ 導電性フィルム
１９ フレキシブル回路基板
２０ 検出部
２２ 周辺配線部
２３ａ 第１周辺配線
２３ｂ 第２周辺配線
２４ 基板
２４ａ 表面
２４ｂ 裏面
２６ａ 第１外部接続端子
２６ｂ 第２外部接続端子
２７ 透明絶縁層
２７ａ 表面
２９Ａ 第１検出電極層
２９Ｂ 第２検出電極層
３０ 第１検出電極
３１ａ 第１ダミー電極
３１ｂ 第２ダミー電極
３２ 第２検出電極
３３ 第１電極端子
３４ 第２電極端子
３５ 金属配線
３６ 開口部
３７ 金属配線層
４０ 金属層
４０ｃ 側面
４２ 第１黒化層
４４ 第２黒化層
４６ 第３黒化層
４７ 金属膜
４８ 第１の黒化膜
４９ 第２の黒化膜
５０ 周辺配線絶縁層
５２ 透明絶縁層
Ｂｆ 折曲げ領域
Ｄｔ 厚み方向
Ｅ１ 検出領域
Ｅ２ 周辺領域
ｔａ、ｔｂ 厚み
ｔｃ 高さ
１１Ａ 第１導電層
１１Ｂ 第２導電層
１２ タッチパネル
１３ コントローラ
１４ 画像表示部
１４ａ 表示面
１４ｂ 裏面
１５ 第１の透明絶縁層
１６ カバー層
１６ａ 表面
１６ｂ 裏面
１７ 第２の透明絶縁層
１８ 導電性フィルム
１９ フレキシブル回路基板
２０ 検出部
２２ 周辺配線部
２３ａ 第１周辺配線
２３ｂ 第２周辺配線
２４ 基板
２４ａ 表面
２４ｂ 裏面
２６ａ 第１外部接続端子
２６ｂ 第２外部接続端子
２７ 透明絶縁層
２７ａ 表面
２９Ａ 第１検出電極層
２９Ｂ 第２検出電極層
３０ 第１検出電極
３１ａ 第１ダミー電極
３１ｂ 第２ダミー電極
３２ 第２検出電極
３３ 第１電極端子
３４ 第２電極端子
３５ 金属配線
３６ 開口部
３７ 金属配線層
４０ 金属層
４０ｃ 側面
４２ 第１黒化層
４４ 第２黒化層
４６ 第３黒化層
４７ 金属膜
４８ 第１の黒化膜
４９ 第２の黒化膜
５０ 周辺配線絶縁層
５２ 透明絶縁層
Ｂｆ 折曲げ領域
Ｄｔ 厚み方向
Ｅ１ 検出領域
Ｅ２ 周辺領域
ｔａ、ｔｂ 厚み
ｔｃ 高さ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】