特開 2024-55884 基板処理モジュールおよびワークピースを移動させる方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024055884

(43)【公開日】2024-04-19

(54)【発明の名称】基板処理モジュールおよびワークピースを移動させる方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/677 20060101AFI20240412BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 A

【審査請求】有

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

【外国語出願】

(21)【出願番号】P 2024000515

(22)【出願日】2024-01-05

(62)【分割の表示】P 2023501062の分割

【原出願日】2021-04-09

(31)【優先権主張番号】16/923,792

(32)【優先日】2020-07-08

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(71)【出願人】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】100094569

【弁理士】

【氏名又は名称】田中 伸一郎

(74)【代理人】

【識別番号】100103610

【弁理士】

【氏名又は名称】▲吉▼田 和彦

(74)【代理人】

【識別番号】100109070

【弁理士】

【氏名又は名称】須田 洋之

(74)【代理人】

【識別番号】100067013

【弁理士】

【氏名又は名称】大塚 文昭

(74)【代理人】

【氏名又は名称】上杉 浩

(74)【代理人】

【識別番号】100120525

【弁理士】

【氏名又は名称】近藤 直樹

(74)【代理人】

【識別番号】100139712

【弁理士】

【氏名又は名称】那須 威夫

(74)【代理人】

【識別番号】100141553

【弁理士】

【氏名又は名称】鈴木 信彦

(72)【発明者】

【氏名】サヴァンダイア キランクマール ニーラサンドラ

(72)【発明者】

【氏名】イエドラ スリニヴァーサ ラオ

(72)【発明者】

【氏名】ブレゾツキー トーマス

(57)【要約】

【課題】基板処理モジュールと、ワークピースを移動させる方法とを提供する。
【解決手段】基板処理モジュールは、シャッタスタックおよび２つのプロセスステーションを含む。シャッタスタックは、プロセスステーション間に配置されている。ワークピースを移動させる方法は、支持部分を第１の場所からシャッタスタックまで第１の方向に移動させること、シャッタスタックからワークピースを取り出すこと、および支持部分を第２の場所まで移動させることを含む。この移送チャンバアセンブリおよび方法は、ワークピースをシャッタスタックまで移動させること、およびワークピースをシャッタスタックから２つのプロセスステーションまで移動させることを可能にする。基板処理モジュールの中心移送ロボットは、基板とシャッタディスクの両方を把持するように構成されており、通常は２つのロボットが必要とされるであろうときに１つのロボットで済ますことを可能にする。
【選択図】図２Ａ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

１つまたは複数のワークピースを格納するように構成されたシャッタスタックであり、前記１つまたは複数のワークピースが、基板またはシャッタディスクの１つまたは複数を含み、前記シャッタスタックが、
シャッタベース、
前記シャッタベースに結合された１つまたは複数のシャッタディスク支持体であり、前記１つまたは複数のシャッタディスク支持体の各々がシャッタディスクを支持するように構成された、前記１つまたは複数のシャッタディスク支持体、および
前記シャッタベースに結合された基板支持体であり、前記基板支持体が基板を支持するように構成された、前記基板支持体
を備える、前記シャッタスタックと、
２つのプロセスステーションであり、前記処理ステーション間に前記シャッタスタックが配置された、前記２つのプロセスステーションと
を備える基板処理モジュール。

【請求項2】

前記シャッタスタックが、
前記シャッタベースに結合されたシャッタアクチュエータであり、前記シャッタアクチュエータが前記シャッタベースを移動させるように構成された、前記シャッタアクチュエータ
をさらに備える、請求項１に記載の基板処理モジュール。

【請求項3】

前記プロセスステーションの各々が源アセンブリを備える、請求項１に記載の基板処理モジュール。

【請求項4】

前記源アセンブリが、ターゲット、マグネトロンアセンブリ、リッドおよびスパッタリング電力供給源を備える、請求項３に記載の基板処理モジュール。

【請求項5】

１つまたは複数のワークピースを格納するように構成されたシャッタスタックであり、前記１つまたは複数のワークピースが、基板またはシャッタディスクの１つまたは複数を含み、前記シャッタスタックが、
シャッタベース、
前記シャッタベースに結合された１つまたは複数のシャッタディスク支持体であり、前記１つまたは複数のシャッタディスク支持体の各々がシャッタディスクを支持するように構成された、前記１つまたは複数のシャッタディスク支持体、および
前記シャッタベースに結合された基板支持体であり、前記基板支持体が基板を支持するように構成された前記基板支持体、
を備える、前記シャッタスタックと、
２つのプロセスステーションであり、前記プロセスステーション間に前記シャッタスタックが配置された、前記２つのプロセスステーションと、
前記１つまたは複数のワークピースの少なくとも１つを前記シャッタスタックから前記プロセスステーションの１つに移送するように構成された１つまたは複数の支持部分を備える中心移送ロボットと
を備える基板処理モジュール。

【請求項6】

前記シャッタスタックが、
前記シャッタベースに結合されたシャッタアクチュエータであり、前記シャッタアクチュエータが前記シャッタベースを移動させるように構成された、前記シャッタアクチュエータ
をさらに備える、請求項５に記載の基板処理モジュール。

【請求項7】

前記プロセスステーションの各々が源アセンブリを備える、請求項５に記載の基板処理モジュール。

【請求項8】

前記源アセンブリが、ターゲット、マグネトロンアセンブリ、リッドおよびスパッタリング電力供給源を備える、請求項７に記載の基板処理モジュール。

【請求項9】

前記１つまたは複数の支持部分の各々が、前記基板および前記シャッタディスクを掴持するように構成されている、請求項５に記載の基板処理モジュール。

【請求項10】

前記支持部分の各々が、前記支持部分を前記中心移送ロボットに対して移動させるように構成された支持部分アクチュエータを備える、請求項９に記載の移送チャンバアセンブリ。

【請求項11】

ワークピースを移動させる方法であって、
支持部分を第１の場所からシャッタスタックまで第１の方向に移動させること、
前記シャッタスタックから、基板またはシャッタディスクである前記ワークピースを取り出すこと、および
前記支持部分を第２の場所まで移動させること
を含む方法。

【請求項12】

前記支持部分が、前記基板および前記シャッタディスクを掴持するように構成されている、請求項１１に記載の方法。

【請求項13】

前記第２の場所がプロセスステーションを備える、請求項１１に記載の方法。

【請求項14】

前記プロセスステーションが、
頂部装置、および
上チャンバ
を備える、請求項１３に記載の方法。

【請求項15】

前記支持部分が支持部分アクチュエータを備え、前記ワークピースを取り出すことが、
前記第１の方向に対して垂直な第２の方向に前記支持部分を移動させること
を含む、請求項１１に記載の方法。

【請求項16】

前記シャッタスタックから前記ワークピースを取り出すことが、
（１）前記シャッタスタックから前記シャッタディスクを取り出すこと、または
（２）前記シャッタスタックから前記基板を取り出すこと
のいずれかを含み、前記シャッタディスクを取り出すことと前記基板を取り出すことが、前記第２の方向の異なる高さで実行される、
請求項１５に記載の方法。

【請求項17】

前記シャッタスタックが、
シャッタベースと、
前記シャッタベースに結合されたシャッタアクチュエータであり、前記シャッタアクチュエータが、前記第１の方向に対して垂直な第２の方向に前記シャッタベースを移動させるように構成された、前記シャッタアクチュエータと
を備える、請求項１１に記載の方法。

【請求項18】

前記シャッタスタックが、
前記シャッタベースに結合された１つまたは複数のシャッタディスク支持体であり、前記１つまたは複数のシャッタディスク支持体の各々がシャッタディスクを支持するように構成された、前記１つまたは複数のシャッタディスク支持体と、
前記シャッタベースに結合された基板支持体であり、前記基板支持体が基板を支持するように構成された、前記基板支持体と
をさらに備える、請求項１７に記載の方法。

【請求項19】

前記シャッタスタックから前記ワークピースを取り出すことが、
（１）前記シャッタスタックから前記シャッタディスクを取り出すこと、または
（２）前記シャッタスタックから前記基板を取り出すこと
のいずれかを含み、前記シャッタディスクを取り出すことと前記基板を取り出すことが、前記第２の方向の異なる高さで実行される、
請求項１８に記載の方法。

【請求項20】

前記支持部分が、
第１の掴持器、および
第２の掴持器
を備える、請求項１８に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示の実施形態は一般に装置および方法に関し、より詳細には、基板処理モジュールと、ワークピースを移動させる方法とに関する。

【背景技術】

【0002】

従来のクラスタツールは、基板処理中に１つまたは複数プロセスを実行するように構成されている。例えば、クラスタツールは、基板に対して物理的気相堆積（ＰＶＤ）プロセスを実行するためのＰＶＤチャンバ、基板に対して原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスを実行するためのＡＬＤチャンバ、基板に対して化学気相堆積（ＣＶＤ）プロセスを実行するためのＣＶＤチャンバ、および／または他の１つもしくは複数の処理チャンバを含みうる。

【0003】

上述のクラスタツールは、システム内のさまざまな処理チャンバに基板およびシャッタディスクなどのワークピースを移動させるため、ならびにシステム内のさまざまな処理チャンバとの間で基板およびシャッタディスクなどのワークピースを移動させるための移送システムを含む。例えば、基板またはシャッタディスクのいずれかを掴持するために、多数のアームを有するカルーセルシステムが使用される。カルーセルシステムを回転させると、ワークピースは、クラスタツール内のさまざまな処理チャンバに移動したり、クラスタツール内のさまざまな処理チャンバから移動したりする。カルーセルは通常、掴持する所望のワークピースに応じて、異なる形態および機能を有する異なる掴持アームを有する。

【0004】

この技術の１つの欠点は、カルーセルは通常、基板またはシャッタディスクのいずれかを掴持するように設計されており、このことが、多数のタイプのカルーセルまたは把持アームの使用につながることである。さらに、ワークピースを格納するシャッタガレージはしばしばクラスタツールの非高真空部分に位置し、ワークピースをスタックからツールの他の部分に移送するときには真空をポンプダウンする必要がある。

【0005】

したがって、求められているのは、単一の移送システムを使用して基板とシャッタディスクの両方を移送することができる基板処理モジュールである。

【発明の概要】

【0006】

本明細書に開示された実施形態は、基板処理モジュールと、ワークピースを移動させる方法とを含む。この基板処理モジュールおよび方法は、同じ移送システムを使用してシャッタディスクおよび基板を移動させることを可能にする。

【0007】

一実施形態では、移送チャンバアセンブリが提供される。移送チャンバアセンブリは、シャッタスタックおよび２つの処理領域を含む。シャッタスタックは、処理領域間に配置されている。シャッタスタックは、１つまたは複数のワークピースを格納するように構成されている。１つまたは複数のワークピースは基板またはシャッタディスクを含む。シャッタスタックは、シャッタベース、１つまたは複数のシャッタディスク支持体および基板支持体を含む。１つまたは複数のシャッタディスク支持体はシャッタベースに結合されている。１つまたは複数のシャッタディスク支持体は、シャッタディスクを支持するように構成されている。基板支持体はシャッタベースに結合されている。基板支持体は、基板を支持するように構成されている。

【0008】

別の実施形態では、移送チャンバアセンブリが提供される。移送チャンバアセンブリは、シャッタスタック、２つの処理領域および中心移送デバイスを含む。シャッタスタックは、処理領域間に配置されている。シャッタスタックは、１つまたは複数のワークピースを格納するように構成されている。１つまたは複数のワークピースは基板またはシャッタディスクを含む。シャッタスタックは、シャッタベース、１つまたは複数のシャッタディスク支持体および基板支持体を含む。１つまたは複数のシャッタディスク支持体はシャッタベースに結合されている。１つまたは複数のシャッタディスク支持体は、シャッタディスクを支持するように構成されている。基板支持体はシャッタベースに結合されている。基板支持体は、基板を支持するように構成されている。中心移送デバイスは１つまたは複数の移送アームを含む。移送アームは、１つまたは複数のワークピースの少なくとも１つをシャッタスタックから処理領域の１つに移送するように構成されている。

【0009】

さらに別の実施形態では、ワークピースを移動させる方法が提供される。この方法は、外側端部を第１の場所からシャッタスタックまで第１の方向に移動させること、シャッタスタックからワークピースを取り出すこと、および外側端部を第２の場所まで移動させることを含む。ワークピースは基板またはシャッタディスクである。

【0010】

上に挙げた本開示の特徴を詳細に理解することができるように、そのうちのいくつかが添付図面に示されている実施形態を参照することによって、上に概要を簡単に示した開示がより具体的に説明されていることがある。しかしながら、添付図面は、例示的な実施形態だけを示しており、したがって、添付図面を、本開示の範囲を限定するものとみなすべきではなく、添付図面は、等しく有効な他の実施形態を受け入れる可能性があることに留意すべきである。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1A】本明細書に開示された方法および／または装置の使用によって形成および／または処理された複数の膜層がその上に堆積した基板の部分断面図である。

【図1B】本明細書に開示された方法および／または装置の使用によって形成および／または処理された堆積材料層で覆われ、内張りされ、埋められた特徴がその上に形成された基板の部分断面図である。

【図2A】１つまたは複数の実施形態による、基板を処理するためのプロセスステーションをその中に含む処理モジュールを含む処理システムの平面図である。

【図2B】１つまたは複数の実施形態による、基板を処理するためのプロセスステーションを各々がその中に含む複数の処理モジュールを含む処理システムの代替形態の平面図である。

【図3A】１つまたは複数の実施形態による、図２Ａの処理モジュールの等角図である。

【図3B】１つまたは複数の実施形態による、図２Ａの処理モジュールの平面図である。

【図4A】１つまたは複数の実施形態による、処理モジュールのプロセスステーションの下方の移送位置にある基板支持体を示す、図２Ａの処理モジュールの部分の部分断面図である。

【図4B】１つまたは複数の実施形態による、密閉された基板プロセスボリュームをそれによって形成するためにプロセス位置まで持ち上げられた基板支持体を示す、図２Ａの処理モジュールの部分断面図である。

【図4C】１つまたは複数の実施形態による、処理モジュールのプロセスステーションの下方の移送位置にある基板支持体の代替構成を示す、図２Ａの処理モジュールの部分の部分断面図である。

【図4D】１つまたは複数の実施形態による、密閉された基板プロセスボリュームをそれによって形成するためにプロセス位置まで持ち上げられた図４Ｃに示された基板支持体の代替構成を示す、図２Ａの処理モジュールの部分断面図である。

【図5A】１つまたは複数の実施形態による、図２Ａの処理モジュール内のプロセスステーション間で基板を移動させるのに役立つロボットの概略平面図である。

【図5B】１つまたは複数の実施形態による、図５Ａのロボットの一実施態様の等角図である。

【図5C】１つまたは複数の実施形態による、図５Ａおよび５Ｂのロボット構成の代替ロボット構成の平面図である。

【図6】１つまたは複数の実施形態による、図４Ｂの処理モジュールのプロセスステーションの部分断面図である。

【図7A】１つまたは複数の実施形態による、源アセンブリの処理面と処理モジュール内に配置された基板支持面との共平面性（ｃｏ－ｐｌａｎａｒｉｔｙ）を維持するのに役立つ構造支持アセンブリを含む処理モジュールの等角図である。

【図7B】１つまたは複数の実施形態による、図７Ａに示された処理モジュールのチャンバ上壁に配置された構造支持アセンブリの拡大等角図である。

【図8】１つまたは複数の実施形態による、図７Ａに示された切断線８－８に沿って形成された処理モジュールの側断面図である。

【図9A】１つまたは複数の実施形態による、図２Ａの処理モジュールの代替構成の平面図である。

【図9B】１つまたは複数の実施形態による、処理モジュール内でのパドルロボットの運動経路を示す、図９Ａの処理モジュールの本体下部の平面図である。

【図10A】いくつかの実施形態による、スカートおよび静電チャック（ＥＳＣ）の上に配置されたシャッタディスクの側面図である。

【図10B】いくつかの実施形態による、スカートおよび静電チャック（ＥＳＣ）の上に配置されたシャッタディスクの側面図である。

【図10C】いくつかの実施形態による、スカートおよび静電チャック（ＥＳＣ）の上に配置されたシャッタディスクの側面図である。

【図10D】一実施形態による、シャッタディスクの上面図である。

【図11A】一実施形態による、支持部分の上面図である。

【図11B】一実施形態による、支持部分の側面図である。

【図11C】いくつかの実施形態による、支持部分の運動を示す図である。

【図11D】いくつかの実施形態による、支持部分の運動を示す図である。

【図12A】一実施形態による、第１の位置にあるシャッタスタックを示す図である。

【図12B】一実施形態による、第２の位置にあるシャッタスタックを示す図である。

【図12C】いくつかの実施形態による、第１の位置にあるシャッタスタックを示す図である。

【図12D】いくつかの実施形態による、第１の位置にあるシャッタスタックを示す図である。

【図13】一実施形態による、ワークピースを移動させるための方法の操作の流れ図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

理解を容易にするため、可能な場合には、図に共通する同一の要素を示すために、同一の参照符号を使用した。特段の言及がなくとも、１つの実施形態の要素および特徴を、別の実施形態に有益に組み込むことができることが企図される。

【0013】

本明細書に開示された実施形態は、基板処理モジュールと、ワークピースを移動させる方法とを含む。基板処理モジュールは、シャッタスタックおよび２つの処理領域を含む。シャッタスタックは、処理領域間に配置されている。ワークピースを移動させる方法は、支持部分を第１の場所からシャッタスタックまで第１の方向に移動させること、シャッタスタックからワークピースを取り出すこと、および支持部分を第２の場所まで移動させることを含む。この基板処理モジュールおよび方法は、ワークピースをシャッタスタックまで移動させること、およびワークピースをシャッタスタックから２つの処理領域まで移動させることを可能にする。基板処理モジュールの中心移送ロボットは、基板とシャッタディスクの両方を把持するように構成されており、通常は２つのロボットが必要とされるであろうときに１つのロボットで済ますことを可能にする。シャッタスタックを高真空環境に置くことは、基板をシャッタスタックから処理領域まで移送するときに真空をポンプアップおよびポンプダウンする必要性を低下させる。本開示の実施形態は、限定はされないが、基板およびシャッタディスクを同じ装置で移送するのに役立ちうる。

【0014】

本明細書に記載された開示の一実施形態では、図２Ａに示された基板処理システムが、フロントエンド２２０としても知られている大気圧または周囲圧力インプットおよびアウトプットハンドリングステーション、多数のプロセスステーション２６０がその上に配置された基板処理モジュール２５０、ならびに少なくとも１つの中間セクション２０２を含む。フロントエンド２２０もしくは処理モジュール２５０から中間セクション２０２に基板が移送され、または中間セクション２０２からフロントエンド２２０もしくは処理モジュール２５０に基板が移送される。本明細書に記載された開示は一般に、６つのプロセスステーションを含む処理モジュールを示しているが、この構成が、本明細書に記載された発明の範囲を限定することは意図されていない。これは、代替として、処理モジュール２５０が、２つ以上のプロセスステーション２６０、例えば４つ以上のプロセスステーション２６０（例えば図９Ａ～９Ｂ）、８つ以上のプロセスステーション２６０、１０個以上のプロセスステーション２６０またはさらには１２個以上のプロセスステーション２６０を含むことがありうるためである。しかしながら、オンチップインダクタ（Ｏｎ ｃｈｉｐ Ｉｎｄｕｃｔｏｒ）用途、光学膜スタック用途、ハードマスク用途、パターン形成用途およびメモリ用途などの多層膜スタックを含む次世代デバイスを形成するのに使用されるプロセスシーケンスでは、形成される層の数、およびそれぞれの層を形成するのに使用される同様の処理時間のために、６つまたは１２個のプロセスステーションを含む処理モジュール２５０の構成が、当技術分野で知られているより従来的な設計に比べて基板スループット、システムフットプリントおよびＣｏＯを向上させると考えられる。

【0015】

図２Ａおよび２Ｂの処理システム２００などの処理システムは、基板Ｓの表面に１つまたは複数の薄膜を形成するため、および／または基板Ｓ上の以前に形成もしくは処理された層上に１つまたは複数の薄膜を形成するために使用される。図１Ａは、複数の薄膜層１０２および１０３がその上に形成された基板Ｓの部分１０１を示しており、図１Ｂは、基板Ｓの導電層１２１上に形成された以前に形成された層１２２の上に広がる複数の膜層を示している。

【0016】

図１Ａには、基板Ｓの部分１０１上に、または基板Ｓ上に以前に形成された層上に順番に積層された複数の膜層１０４が示されている。例えば、基板処理モジュール２５０内の６つのプロセスステーション２６０Ａ～２６０Ｆにアクセスすることが可能な図２Ａの処理システムを使用して、基板上に複数の第１の薄膜層１０２および複数の第２の薄膜層１０３を順番に堆積させることができるような態様で、基板を、それぞれのプロセスステーション２６０の中心場所を通る想像上の円２５２（図３Ｂ）の円周に沿って順番に移動させることができる。それぞれのプロセスステーション２６０Ａ～２６０Ｆは、堆積プロセス、例えばＰＶＤ、ＣＶＤ、ＡＬＤ（原子層堆積）もしくは他のタイプの堆積プロセスまたはエッチングプロセスを可能にするように独立してまたは同じように構成されたものとすることができる。例えば、基板上に金属層１０２Ａ～１０２Ｃを堆積させることができ、金属層１０２Ａ～１０２Ｃは金属からなるものとすることができ、基板上に反応性金属層１０３Ａ～１０３Ｃを堆積させることができ、反応性金属層１０３Ａ～１０３Ｃは反応性金属（例えば金属窒化物）からなるものとすることができ、反応性金属層１０３Ａ～１０３Ｃの金属は金属層１０２Ａ～１０２Ｃの金属と同じ金属である。この例では、処理モジュール２５０で実行される基板処理シーケンス中に、そのプロセスシーケンスが、金属層を形成し、続いて反応性金属層を形成することを可能にするような態様で、プロセスステーション２６０Ｂ、２６０Ｄおよび２６０Ｆが、反応性ＰＶＤ堆積プロセスを使用することによって、基板の露出した表面に反応性金属層１０３Ａ～１０３Ｃ（例えばＴａＮ、ＴｉＮ、ＡｌＮまたはＳｉＮ層）を形成するために使用され、プロセスステーション２６０Ａ、２６０Ｃおよび２６０Ｅが、非反応性ＰＶＤ堆積プロセスを使用することによって、純金属層１０２Ａ～１０２Ｃ（例えばＴａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｓｉ層）を形成するために使用される。プロセスステーション２６０Ａ～２６０Ｆの全てのプロセスステーションで基板を順番に移動させ、処理することによって、純金属／反応性金属／純金属／反応性金属／純金属／反応性金属の多層膜スタックを形成することができる。あるいは、薄膜層１０２および１０３の基材を異なる材料とすることもでき、その場合には、第１のタイプの材料と第２のタイプの材料の互層を形成するために、プロセスステーション２６０Ａ、２６０Ｃおよび２６０Ｅで第１の材料タイプのスパッタリングターゲットがスパッタリングされ、プロセスステーション２６０Ｂ、２６０Ｄおよび２６０Ｆで第２のタイプのターゲットがスパッタリングされる。ここでは、例えば、金属層１０２Ａ～１０２Ｃと誘電体層１０３Ａ～１０３Ｃの互層、または金属層１０２Ａ～１０２Ｃと半導体層１０３Ａ～１０３Ｃの互層、例えばモリブデンとケイ素の互層を形成することができる。同様に、同じ材料の多層膜を形成することもでき、その場合には、層１０２Ａ～１０２Ｃおよび１０３Ａ～１０３Ｃの全てが同じ材料であり、それぞれのプロセスステーションに基板を順番に移動させて、それぞれのプロセスステーション２６０で基板上に同じ材料を堆積させる。スパッタターゲット材料および処理パラメータ（例えば処理圧力）の選択、ならびにプロセスステーション２６０内でプラズマを形成するのに使用するガスの性質を不活性にするのかまたは反応性にするのかの選択は、その上に形成される膜スタック内の膜の材料および材料特性を制御する柔軟性を処理システム２００のユーザまたはオペレータに与えるような形で、ユーザが選択可能である。スタック層堆積プロセス（例えば薄膜層１０２および１０３を形成するためのプロセス）が同様のチャンバ処理時間を有する図１Ａに示されているような反復スタック層の構成を形成するために使用される基板処理シーケンスでは、本明細書に開示された１つまたは複数のシステム構成および方法を使用したときに、スループットのかなりの増大およびＣｏＯの改善が観察されることが分かった。一例では、９０秒未満の処理時間、例えば５秒から９０秒の間の処理時間を有するスタック層堆積プロセスを含む基板処理シーケンスは、後にさらに論じる、本明細書に記載されたアーキテクチャを使用して達成されるより短い基板移送オーバヘッド時間の追加と組み合わせたときに、現在の従来の処理システム設計よりもかなり有利になることが分かった。

【0017】

処理モジュール２５０にロードされた基板がそれぞれのプロセスステーション２６０Ａ～２６０Ｆで処理される必要はない。例えば、プロセスステーション２６０Ａ～２６０Ｆのそれぞれのプロセスステーションは同じスパッタターゲット材料を使用することができ、プロセスステーション２６０の数に等しい数の基板が処理モジュール２５０にロードされ、それぞれの基板は、基板上に同じ材料膜層を堆積させるために異なる１つのプロセスステーション２６０で処理される。その後、これらの基板は全て処理モジュール２５０から取り出され、処理モジュール２５０に等しい数の基板が再びロードされ、これらのそれぞれの基板の処理は、プロセスステーションの異なる単一の１つによって実行される。あるいは、想像上の円の円周に沿って配列された隣り合うそれぞれのプロセスステーションで異なるプロセスが実行される。例えば、第１のタイプの膜層を堆積させる第１の堆積プロセスがプロセスステーション２６０Ａ、２６０Ｃおよび２６０Ｅで実行され、第２のタイプの膜層を堆積させる第２の堆積プロセスがプロセスステーション２６０Ａ、２６０Ｃおよび２６０Ｅで実行される。しかしながら、このケースでは、個々の基板が２つのプロセスステーション２６０だけにさらされる。例えば、第１の基板はプロセスステーション２６０Ａおよび２６０Ｂだけにさらされ、第２の基板はプロセスステーション２６０Ｃおよび２６０Ｄだけにさらされ、第３の基板はプロセスステーション２６０Ｅおよび２６０Ｆだけにさらされる。次いで基板は取り出される。同様に、システム内でのそれぞれの基板プロセスを、最高で全てのプロセスステーション２６０で処理することもでき、それぞれのプロセスステーション２６０で実行されるプロセスは、同じプロセスとすることができ、または残りのプロセスステーション２６０の１つもしくは全てのプロセスステーションとは異なるプロセスとすることができる。

【0018】

図１Ｂを参照すると、誘電体層１２２の内側に延びる特徴１２６が示されている。ここで、この特徴、例えばトレンチ、コンタクトまたはビアは、パターン形成されたマスク（図示せず）を通して誘電体層１２２をパターンエッチングするなどによって、誘電体層１２２内に誘電体層１２２を貫いて形成されたものである。図１Ｂでは、特徴１２６が、ビア開口１２８の中に配置された導電性ビアであり、ビア開口１２８は、基板（図示せず）上に以前に形成されたその下の導電層１２１、例えば集積回路デバイスで使用される銅層まで下方に延びている。ビア開口１２８の中に特徴１２６を形成するために、最初に、誘電体層１２２の上面またはフィールド１２７の上、ビア開口１２８の側壁の上、および導電層１２１のビア開口１２８の底に露出した部分の上に、バリア層１２３が形成される。バリア層１２３は、単一の材料層、または積み重なった２種類以上の異なる材料を含むことができる。例えば、タンタル膜層とそれに続く窒化タンタル膜層の２重層を使用することができ、２重層のそれぞれの副層は、図２Ａのプロセスステーション２６０Ａ～２６０Ｆの１つまたは複数で形成することができる。次いで、以前に堆積させたバリア層１２３の上にシード層１２４、例えば銅の薄層が形成される。シード層１２４は、処理システム２００とは別の銅めっきツールでシード層１２４の上に銅層１２５をめっきするのを促進するために使用される。ここで、処理システム２００を使用して、プロセスステーション２６０Ａ、２６０Ｂで、同じ基板上にタンタルターゲットからタンタル２重層をスパッタリングすることができ、次いで、プロセスステーション２６０Ｃ、２６０Ｄで、不活性ガス－窒素ガスプラズマ中でのタンタルターゲットの反応性スパッタリングによってタンタル層上に窒化タンタル層を堆積させて、タンタル層上に窒化タンタル層を形成することができ、プロセスステーション２６０Ｅ、２６０Ｆで、不活性ガスプラズマ中で銅ターゲットをスパッタリングすることによって、窒化タンタル層の上に銅シード層が形成される。あるいは、プロセスステーション２６０Ａまたは２６０Ｄで基板上にタンタル層を堆積させること、プロセスステーション２６０Ｂまたは２６０Ｅで基板上に窒化タンタル層を堆積させること、およびプロセスステーション２６０Ｃまたは２６０Ｆで基板上に銅シード層を堆積させられることもできる。この構成では、プロセスステーション２６０Ａ～２６０Ｃで第１の基板が順番に処理され、プロセスステーション２６０Ｄ～２６０Ｆで第２の基板が順番に処理される。後にさらに論じるが、一群の処理シーケンスで材料を堆積させる目的に使用される、図１Ｂに示されているような基板処理シーケンスは、本明細書に開示されたシステム設計および方法の１つまたは複数を使用したときに、スループットのかなりの増大を達成すると考えられる。

【0019】

図２Ａを再び参照すると、処理システム２００は一般に、処理モジュール２５０、処理モジュール２５０とフロントエンド２２０との間に結合された中間セクション２０２、およびシステムコントローラ２９９を含む。図２Ａに示されているとおり、中間セクション２０２は、一対のロードロックチャンバ２３０Ａ、２３０Ｂおよび一対の中間ロボットチャンバ２８０Ａ、２８０Ｂを含む。ロードロックチャンバ２３０Ａ、２３０Ｂはそれぞれ別々に、ロードロックチャンバの１つの側面の対応するそれぞれの第１のバルブ２２５Ａ、２２５Ｂを通してフロントエンド２２０に接続されており、対応するそれぞれの第２のバルブ２３５Ａ、２３５Ｂを通してそれぞれ中間ロボットチャンバ２８０Ａ、２８０Ｂの１つに接続されている。動作中に、フロントエンド２２０のフロントエンドロボット（図示せず）が、フロントエンド２２０からロードロックチャンバ２３０Ａもしくは２３０Ｂに基板を移動させ、またはロードロックチャンバ２３０Ａ、２３０Ｂから基板を取り出す。次いで、ロードロックチャンバ２３０Ａ、２３０Ｂのうちの１つの関連ロードロックチャンバに接続された関連中間ロボットチャンバ２８０Ａ、２８０Ｂのうちの１つの中間ロボットチャンバ内の中間ロボット２８５Ａ、２８５Ｂが、ロードロックチャンバ２３０Ａまたはロードロックチャンバ２３０Ｂから対応する中間ロボットチャンバ２８０Ａ、２８０Ｂに基板を移動させる。一実施形態では、中間セクション２０２がさらに、中間ロボットチャンバ２８０に接続された前洗浄／ガス抜きチャンバ２９２、例えば、中間ロボットチャンバ２８０Ａに接続された前洗浄／ガス抜きチャンバ２９２Ａおよび中間ロボットチャンバ２８０Ｂに接続された前洗浄／ガス抜きチャンバ２９２Ｂを含む。フロントエンド２２０からロードロックチャンバ２３０Ａ、２３０Ｂの１つにロードされた基板は、関連中間ロボット２８５Ａまたは２８５Ｂによって、ロードロックチャンバ２３０Ａまたは２３０Ｂから前洗浄／ガス抜きチャンバ２９２Ａまたは２９２Ｂ内に移動する。前洗浄／ガス抜きチャンバ２９２Ａ、２９２Ｂ内で、基板は、吸着した水分または揮発可能な他の材料を基板から揮発させるために加熱され、基板上の残留汚染物材料を除去するプラズマエッチングプロセスにかけられる。その後、基板は、適切な関連中間ロボット２８５Ａまたは２８５Ｂによって、対応する中間ロボットチャンバ２８０Ａまたは２８０Ｂに戻され、次いで、基板処理モジュール２５０のプロセスステーション２６０、ここではプロセスステーション２６０Ａまたは２６０Ｆの基板支持体６７２（図４Ａ、Ｂ）上に移動する。いくつかの実施形態では、図４Ａおよび４Ｂに示されているように、一旦、基板支持体６７２上に置かれると、基板Ｓは、処理モジュール２５０でのその全ての処理が完了するまで基板支持体６７２上に留まる。

【0020】

ここで、ロードロックチャンバ２３０Ａ、２３０Ｂ内の圧力を大気圧よりも低い約１０^-3トル程度の圧力に低下させるため、ロードロックチャンバ２３０Ａおよびロードロックチャンバ２３０Ｂはそれぞれ真空ポンプ（図示せず）、例えば荒引きポンプ（ｒｏｕｇｈｉｎｇ ｐｕｍｐ）に接続されており、ポンプの出力は排気ダクト（図示せず）に接続されている。ロードロックチャンバ内の圧力を低下させるため、それぞれのロードロックチャンバ２３０Ａまたは２３０Ｂを、それ専用の真空ポンプ、または処理システム２００内の１つもしくは複数の構成要素と共用の真空ポンプ、または真空ポンプ以外のハウスイグゾースト（ｈｏｕｓｅ ｅｘｈａｕｓｔ）に接続することができる。それぞれの場合に、第１のバルブ２２５Ａまたは２２５Ｂがそれぞれ開いており、ロードロックチャンバ２３０Ａ、２３０Ｂの内部が大気圧または周囲圧力条件にさらされているときに、真空ポンプまたはハウスイグゾーストに接続されたロードロックチャンバ２３０Ａ、２３０Ｂのポンピング出口を、ロードロックチャンバ２３０Ａ、２３０Ｂの内部ボリュームから分離する、または実質的に分離するため、ポンプまたはハウスイグゾーストへのロードロックチャンバ２３０Ａ、２３０Ｂの排気管上にバルブ（図示せず）を提供することができる。

【0021】

例えば前洗浄／ガス抜きチャンバ２９２Ｂ内で基板が処理された後、中間ロボット２８５Ｂが前洗浄／ガス抜きチャンバ２９２Ｂから基板を取り出す。処理モジュール２５０の壁に形成された開口５０４Ｂ（図３Ａおよび４Ａ）を露出させるために、中間ロボットチャンバ２８０Ｂと処理モジュール２５０の間に配置されたプロセスチャンババルブ２４４Ｂが開かれ、中間ロボット２８５Ｂが、開口５０４Ｂを通して処理モジュール２５０のプロセスステーション２６０Ｆに基板を移動させ、プロセスステーション２６０Ｆで基板が受け取られて、処理モジュール２５０のプロセスステーションのうちの１つまたは複数のプロセスステーション内で処理される。同様に、フロントエンド２２０からロードロックチャンバ２３０Ａを通して前洗浄／ガス抜きチャンバ２９２Ａに基板を移動させ、次いで、プロセスチャンババルブ２４４Ａ（図２Ａ）および処理モジュール２５０の壁の開口５０４Ａを通して処理モジュール２５０に基板を移動させて、プロセスステーション２６０Ａで受け取られるようにすることもできる。あるいは、プロセスチャンババルブ２４４Ａ、２４４Ｂをなくし、中間ロボットチャンバ２８０Ａ、２８０Ｂを処理モジュール２５０の内部と遮断なしに直接に流体連結することもできる。

【0022】

ロードロックチャンバ２３０Ａ、２３０Ｂおよび中間ロボットチャンバ２８０Ａ、２８０Ｂはそれぞれ、フロントエンド２２０から処理モジュール２５０内へ、および処理モジュール２５０からフロントエンド２２０内へ基板を渡すように構成されている。したがって、第１の中間ロボットチャンバ２８０Ａについて言うと、処理モジュール２５０のプロセスステーション２６０Ａに配置された基板を取り出すために、プロセスチャンババルブ２４４Ａが開かれ、中間ロボット２８５Ａがプロセスステーション２６０Ａから基板を取り出し、中間ロボットチャンバ２８０Ａとロードロックチャンバ２３０Ａとの間に接続された開いた第２のバルブ２３５Ａを通して基板を移動させて、ロードロックチャンバ２３０Ａに入れる。基板を載せて移動させた中間ロボット２８５Ａのエンドエフェクタはロードロックチャンバ２３０Ａから退き、ロードロックチャンバ２３０Ａの第２のバルブ２３５Ａが閉じられ、任意選択で、ロードロックチャンバ２３０Ａの内部ボリュームが、ロードロックチャンバ２３０Ａに接続された真空ポンプから分離される。次いで、ロードロックチャンバ２３０Ａに接続された第１のバルブ２２５Ａが開かれ、フロントエンド２２０のロボットが、ロードロックチャンバ２３０Ａ内の基板をピックアップし、基板を、格納場所、例えば、フロントエンド２２０内に位置するまたはフロントエンド２２０の側壁に接続されたカセットまたはフロントオープニングユニフィイドポッド（ｆｒｏｎｔ－ｏｐｅｎｉｎｇ ｕｎｉｆｉｅｄ ｐｏｄ）（ＦＯＵＰ）２１０に移動させる。同様に、中間ロボットチャンバ２８０Ｂ、中間ロボット２８５Ｂ、ロードロックチャンバ２３０Ｂならびにロードロックチャンバ２３０Ｂの関連バルブ２３５Ｂおよび２２５Ｂを使用して、基板を、プロセスステーション２６０Ｆの場所からフロントエンド２２０に移動させることもできる。処理モジュール２５０からフロントエンド２２０へ基板を移動させる間、フロントエンド２２０へ移動中の基板が通過する中間ロボットチャンバ２８０Ａ、２８０Ｂに接続された前洗浄／ガス抜きチャンバ２９２Ａ、２９２Ｂ内に異なる基板を置いておくことができる。それぞれの前洗浄／ガス抜きチャンバ２９２Ａ、２９２Ｂは、その前洗浄／ガス抜きチャンバが取り付けられた中間ロボットチャンバ２８０Ａ、２８０Ｂからバルブによって分離されているため、対応するそれぞれの前洗浄／ガス抜きチャンバ２９２Ａ、２９２Ｂ内での基板の処理を妨げることのない、処理モジュール２５０からフロントエンド２２０への異なる基板の通過を保証することができる。

【0023】

システムコントローラ２９９は、処理システム２００内にある自動化された構成要素の動作および操作パラメータを制御する。一般に、この処理システムによる基板の移動の大部分は、システムコントローラ２９９によって送られたコマンドの使用により、本明細書に開示された自動化されたさまざまなデバイスを使用して実行される。システムコントローラ２９９は、処理システム２００内にある１つまたは複数の構成要素を制御するために使用される汎用コンピュータである。システムコントローラ２９９は一般に、本明細書に開示された処理シーケンスのうちの１つまたは複数の処理シーケンスの制御および自動化を容易にするように設計されており、通常は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）（図示せず）、メモリ（図示せず）および支援回路（またはＩ／Ｏ）（図示せず）を含む。ＣＰＵに命令するために、ソフトウェア命令およびデータを符号化し、メモリ（例えば非一過性コンピュータ可読媒体）に記憶することができる。システムコントローラ内の処理ユニットが読むことができるプログラム（またはコンピュータ命令）が、処理システム内でどのタスクが実行可能かを判定する。例えば、非一過性コンピュータ可読媒体は、処理ユニットによって実行されたときに本明細書に記載された方法の１つまたは複数を実行するように構成されたプログラムを含む。このプログラムは、基板の移動、支持および／または位置決めならびに実行中のさまざまなプロセス方策タスクおよびさまざまな処理モジュールプロセス方策ステップの監視、実行および制御に関するタスクを実行するための符号を含むことが好ましい。

【0024】

図２Ｂを参照すると、処理システム２００Ａの代替構造が示されており、この構造では、ロードロックチャンバ２３０Ａ、２３０Ｂと１つまたは複数の処理モジュール２５０との間に移送チャンバ２４０が置かれている。本明細書の開示の範囲を限定することは意図されていないが、図２Ｂに示された処理システム２００Ａは、別個の中間ロボットチャンバ２８０Ａ、２８０Ｂまたは前洗浄／ガス抜きチャンバ２９２Ａ、２９２Ｂを含んでいない。ここで、移送チャンバロボット２４２がその中に位置する中間移送チャンバ２４０を使用することによって、単一のフロントエンド２２０に多数の処理モジュール２５０を接続することが可能である。ここで、平面図で見たときに移送チャンバ２４０は全体に矩形であり、全体に平面の４つの垂直壁２４６を含み、そのうちの３つの壁には処理モジュール２５０が取り付けられており、第４の壁には、それぞれ第２のバルブ２３５Ａ、２３５Ｂおよびプロセスチャンババルブ２４４Ａ、２４４Ｂを通してロードロックチャンバ２３０Ａ、２３０Ｂが接続されている。ここで、ロードロックチャンバ２３０Ａ、２３０Ｂのそれぞれの第２のバルブ２３５Ａ、２３５Ｂが閉じられている間に、フロントエンドロボットが、ロードロックチャンバ２３０Ａ、２３０Ｂの１つに基板を入れた後、次いで、ロードロックチャンバ２３０Ａ、２３０Ｂのそれぞれの第１のバルブ２２５Ａ、２２５Ｂが閉じられ、ロードロックチャンバ２３０Ａ、２３０Ｂの第２のバルブ２３５Ａ、２３５Ｂが開かれ、移送チャンバロボット２４２（図２Ｂでは概略的に示されている）が、ロードロックチャンバ２３０Ａまたは２３０Ｂから基板を取り出し、処理システムバルブ２４８を通して、基板を、処理モジュール２５０の第１のプロセスステーション２６０Ａの１つに入れる。処理システムバルブ２４８は、ステーション２６０Ａでその処理モジュール内に基板を移動させたり、その処理モジュールから基板を移動させたりするために選択的に開くことができ、処理モジュール２５０の内部ボリューム（例えば移送領域４０１）から移送チャンバ２４０の内部ボリュームを分離するために閉じることができる。

【0025】

処理システム２００Ａ内には、図２Ａの処理システム２００の場合のような中間ロボットチャンバ２８０Ａ、２８０Ｂおよび／または前洗浄／ガス抜きチャンバ２９２Ａ、２９２Ｂがないため、基板上に膜層を堆積させる前に前洗浄プロセスを実行することを可能にするため、基板の前洗浄は、プロセスステーション２６０Ａなど、処理モジュール２５０の１つまたは複数で実行される。

【0026】

図２Ａ、３Ａ～３Ｂ、４Ａ～４Ｂ、５および８を参照すると、処理モジュール２５０内の構成要素および処理モジュール２５０の内部領域の追加の詳細が示されている。図４Ａおよび４Ｂに示されているように、処理モジュール２５０の上壁６１６の中心開口７１３（図２Ａ、３Ｂおよび８）の上には、取外し可能な中心カバー６９０が広がっている。中心カバー６９０が取外し可能であるのは、処理モジュール２５０の中心移送ロボット２４５のサービス作業を実行するために処理モジュール２５０の内部移送領域４０１にアクセスすることを可能にするためである。少なくとも１つの基板移送開口、ならびに図３Ａおよび４Ａ～４Ｂの処理モジュール２５０の場合には２つの基板移送開口５０４Ａ、５０４Ｂが、周囲壁６１９の外面から内側に処理モジュール２５０の移送領域４０１内へ延びている。移送開口５０４Ａ、５０４Ｂは、中間ロボット２８５Ａ、２８５Ｂまたは中心移送ロボット２４５が、処理モジュール２５０の外側に配置された基板を、中心移送ロボット２４５の支持アーム３０８上に配置された基板支持体６７２上の位置に移送することを可能にする。あるいは、移送開口５０４Ａ、５０４Ｂは、中間ロボット２８５Ａ、２８５Ｂまたは中心移送ロボット２４５が、中心移送ロボット２４５の支持アーム３０８上に配置された基板支持体６７２から基板を除去することを可能にする。

【0027】

図４Ａおよび４Ｂには、図２Ａおよび３Ａ～３Ｂのプロセスステーション２６０Ｆが示されており、処理モジュール２５０のプロセスステーション２６０Ｆ内へ開口５０４Ｂが開いている。この例では、開口５０４Ａの場所が、プロセスステーション２６０Ａに隣接する場所に対応する。処理モジュール２５０は、中心移送ロボット２４５（図３Ａ、３Ｂ）を含むように構成されており、中心移送ロボット２４５から半径方向に複数の支持アーム３０８が延びている。いくつかの実施形態では、図５Ａに示されているように、支持アーム３０８の数が、処理モジュール２５０のプロセスステーション２６０の数に等しい。しかしながら、中心移送ロボット２４５の支持アーム３０８の数を、処理モジュール２５０のプロセスステーション２６０の数よりも少なくすること、またはプロセスステーション２６０の数よりも多くすることもできる。一実施形態では、移送領域内で一度により多くの基板を移送することを可能にするため、ならびに／または一部の支持アーム３０８が、追加のハードウェア構成要素、例えばＰＶＤターゲットの表面から汚染を除去するためのＰＶＤペースティング操作を実行するために使用されるペースティングディスク（ｐａｓｔｉｎｇ ｄｉｓｃ）および／もしくはシャッタディスク（図示せず）を支持することを可能にするために、支持アーム３０８の数がプロセスステーション２６０の数よりも多い。ＰＶＤペースティング操作は通常、プロセスステーション２６０内で、同じ基板プロセスステーション２６０で実行される２つの基板ＰＶＤ堆積プロセス間に実行される。

【0028】

プロセスステーション２６０は、中心軸２５３（すなわちＺ方向に平行な軸）を中心とする、その中心が中心軸２５３と一致するような態様の想像上の円２５２（図３Ｂ）に沿って配列されており、円周方向に互いから等間隔に配置されている。例えば、プロセスステーション２６０ＦがＰＶＤタイプのプロセスステーション２６０であある場合、ＰＶＤターゲットの中心は想像上の円２５２の部分上にあり、残りのプロセスステーション２６０Ａ～２６０Ｅのターゲットの中心は、想像上の円２５２に沿って円周方向に互いから等間隔に配置される。想像上の円２５２に沿って測定した隣り合う２つのプロセスステーション２６０の中心間の円周方向の間隔は、約７００ｍｍ～約１０００ｍｍの間、例えば８００ｍｍ～９００ｍｍの間とすることができる。いくつかの実施形態では、想像上の円２５２に沿って測定した隣り合う２つのプロセスステーション２６０の中心間の円周方向の間隔を、基板の直径（例えば直径１５０ｍｍ、２００ｍｍ、３００ｍｍまたは４５０ｍｍの基板）の約１倍～約２倍の間など、処理システム内で処理している基板の直径の約０．５倍超、処理システム内で処理している基板の直径の約３倍未満とすることができる。

【0029】

図３Ａ～３Ｂ、４Ａ～４Ｂおよび５Ａ～５Ｂを参照すると、中心移送ロボット２４５は、中心支持体３０５を含むカルーセル型のロボットアセンブリ５０１であり、中心支持体３０５には、ねじファスナ（図示せず）などによって支持アーム３０８の近位端５６１が固定されている。中心支持体３０５は、処理モジュール２５０の下方に配置されたカルーセルモータ４５７（図４Ａ～４Ｂおよび８）によって回転し、下壁６１８（図４Ａ）に結合されたステッパモータまたはサーボモータを含むことができる。カルーセルモータ４５７はドライブシャフト４５７Ａを含むことができる。カルーセルモータ４５７のドライブシャフトが回転したときに、中心支持体３０５およびそれぞれの支持アーム３０８を、中心軸２５３を中心とする弧に沿って回転させるように、ドライブシャフト４５７Ａは中心支持体３０５に結合されており、中心軸２５３と一致している。本明細書では、カルーセルモータ４５７によって支持アーム３０８および基板支持体６７２が回転したときに支持アーム３０８および基板支持体６７２が通る回転ボリュームの最上位面を一般に移送平面と呼び、移送平面は図４ＡのＸ－Ｙ平面に対して平行である。中心支持体３０５およびそれぞれの支持アーム３０８は、真空ポンプ４５４によって別々に排気される移送領域４０１内に配置されており、真空ポンプ４５４は、処理モジュール２５０の移送領域４０１内の圧力を所望の圧力に維持することができるターボポンプ、クライオポンプ、荒引きポンプまたは他の有用なデバイスとすることができる。中心支持体３０５は一般に、下モノリス（ｌｏｗｅｒ ｍｏｎｏｌｉｔｈ）７２０の下壁６１８に形成された中心開口７２３（図８）の上に配置されている。後にさらに論じるが、プロセスステーション２６０で実行中のプロセスを移送領域４０１とは異なる真空圧力で制御および実行することができ、プロセスステーション２６０で実行中のプロセスが、移送領域４０１または隣接して配置された他のプロセスステーション２６０を汚染する懸念なしに異なるさまざまな処理ガスを使用することができるように、プロセスステーション２６０の移送領域４０１および処理領域４６０を別々に分離することが可能である。

【0030】

いくつかの実施形態では、支持アーム３０８が、プロセスステーション２６０の処理領域で処理する基板を支持するように構成された基板支持体６７２を支持するように構成されている。支持アーム３０８上に配置された基板支持体６７２上に配置された基板は、想像上の円２５２の部分の上に基板の中心が、その上への基板の配置の許容限界の範囲内で配置されるように配置される。同様に、それぞれの支持アーム３０８の基板支持体が置かれた領域または支持部分５６０（図４Ａ）も、中心支持体３０５を中心軸２５３の周りで回転させたときに支持部分５６０が中心軸２５３の周りを旋回した際に支持部分５６０の中心が想像上の円２５２の上を移動することを可能にするために、想像上の円２５２（図３Ｂおよび５Ａ）と整列している。

【0031】

プロセスステーション２６０、真空ポンプ２６５および中心移送ロボット２４５に加えて、図３Ｂはさらに、基板処理モジュール２５０内に配置された１つまたは複数のシャッタスタック３１０を開示している。シャッタスタック３１０は、いずれかのプロセスステーション２６０と隣り合うプロセスステーション２６０との間に配置することができる。いくつかの実施形態では、シャッタスタック３１０の数が基板処理モジュール２５０内のプロセスステーション２６０の数と等しくなるように、基板処理モジュール２５０内に多数のシャッタスタック３１０が配置されている。いくつかの実施形態では、６つのプロセスステーション２６０の各々の間に１つのシャッタスタック３１０が配置されるような態様で、６つのシャッタスタック３１０が配置される。シャッタスタック３１０は、中心移送ロボット２４５の半径方向外側に配置することができる。いくつかの実施形態では、中心移送ロボット２４５の複数の支持部分５６０がさらに、基板をシャッタスタック３１０に移送するように、および基板をシャッタスタック３１０から移送するように構成されている。複数の支持部分５６０は、中心移送ロボット２４５から少なくとも部分的にシャッタスタック３１０の上方または下方まで半径方向外側に延びることができる。

【0032】

シャッタスタック３１０は、基板処理モジュール２５０にシャッタディスクを提供することができる。シャッタディスクは、プロセスステーション２６０を構成しているチャンバの初期バーニング中にプロセスステーション２６０のプリコンディショニングを実行する目的に利用することができ、またはターゲットもしくはプロセスキット洗浄のためにインシトゥ（その場）で使用することができる。シャッタディスクを、プロセスステーション２６０内のペーストプロセスに対して使用することができるようにすることもできる。ペーストプロセスは、欠陥または存続期間に起因する他の性能上の影響を低減させるために、存在する材料（ターゲットもしくはガス）を使用してまたは新たな材料（例えばガス）を追加して、プロセスステーション２６０内の全てのプロセス環境表面の上にブランクカバー（ｂｌａｎｋ ｃｏｖｅｒ）膜を形成するインシトゥ（その場）コンディショニングプロセスステップである。シャッタディスクは、シャッタディスクがなければ普通はそのプロセスにさらされないであろう表面を保護するために使用される。

【0033】

プロセスステーション２６０内での処理操作と処理操作の間に、シャッタスタック３１０を使用して基板を格納することもできる。この実施形態では、第２のプロセスステーション２６０に移動させる前または基板処理モジュール２５０の外へ移送する前に、基板を、プロセスステーション２６０の１つからシャッタスタック３１０に移動させる。この実施形態は、１つもしくは複数の処理操作が他のプロセスよりも完了により多くの時間をとるときに基板処理モジュール２５０内での渋滞を防ぐ際に、または後続の処理操作の前に基板を休ませることが有益である場合に有益である。いくつかの実施形態では、シャッタスタック３１０の１つまたは複数がシャッタディスクを提供するために使用され、一方で、残りのシャッタスタックが、処理操作と処理操作の間に基板を格納する目的に使用される。いくつかの実施形態では、シャッタスタック３１０が、プロセスステーション２６０間で基板が冷却またはアニール化されるような態様の冷却またはアニールチャンバである。いくつかの実施形態では、基板処理モジュール２５０に存在するシャッタスタック３１０の数だけ支持部分５６０の数が増やされる。

【0034】

プロセスステーション２６０の外側にシャッタスタック３３０を配置すると、シャッタスタックの中に含まれるシャッタディスクおよび／または基板を、基板処理モジュール２５０の真空を中断することなく輸送することが可能になる。真空を中断する必要性が低下すると、基板処理モジュール２５０の処理時間が短縮し、ユーザのコストが低減する。シャッタスタック３１０の追加の詳細が下の図１２Ａ～１２Ｄに関する議論に示されている。

【0035】

図５Ｂを参照すると、図２Ａおよび２Ｂのプロセスステーション２６０Ａ～２６０Ｆ間で基板支持体６７２を移送するのに有用な中心移送ロボットの一構成が示されている。ここで、中心支持体３０５は、中心に位置する貫通開口５００を含み、貫通開口５００は中心軸２５３を中心にして広がっており、中心支持体３０５を中心軸２５３の周りで回転させるために、貫通開口５００の中に、処理モジュール２５０の下方に配置されたカルーセルモータ４５７（図４Ａ）のドライブシャフト４５７Ａが接続されている。それぞれの支持アーム３０８は、支持部分５６０と近位端５６１との間に配置された延長アーム部分５０６を含む。延長アーム部分５０６は、中心軸２５３から延びる半径の両側に全体に平行に延びる重量低減および熱伝導低減用の少なくとも１つ、ここでは２つの切抜き領域５１０を有する。いくつかの構成では、延長アーム部分５０６が、平面図で見たときにｃ字形の端部領域５０８で終わり、支持部分５６０の部分を形成する。いくつかの構成では、ｃ字形の端部領域５０８が、ｃ字形の端部領域５０８が部分的に取り囲む貫通開口５１８の直径５２０よりも小さな距離だけ離隔した対向する端部５１４、５１６を含む。レイアウトが全体に円形である基板支持体６７２の周囲フランジ６７０（図４Ａ）は内径および外径を有し、周囲フランジ６７０は、プロセスステーション２６０間の基板支持体６７２の移動中に、およびプロセスステーション２６０で基板支持体６７２が支持部分５６０から持ち上げられる前に、支持部分５６０の上に載るように構成されている。

【0036】

図４Ａ～４Ｂを参照すると、いくつかの実施形態では、支持アーム３０８が、支持アーム３０８の上面および支持部分５６０内に配置された複数の電気コンタクト４５３（図４Ｂ）を含む。電気コンタクト４５３は、基板支持体６７２が支持アーム３０８上に支持されている間、基板支持体６７２の本体６４３（図６）内に形成された１つまたは複数の電気要素に電力を供給する目的に使用される。したがって、本体６２３と電気コンタクト６７３との組合せを静電チャック（ＥＳＣ）と考えることができる。基板支持体６７２内に形成された１つまたは複数の電気要素は、基板支持体６７２の下面に形成された２つ以上の電気コンタクト６７３（図４Ａ）に結合された抵抗加熱要素６４２（図６）、および／または基板支持体６７２の下面に形成された２つ以上の追加の電気コンタクト６７３に別々に結合された１つもしくは複数のチャッキング電極６４１（図６）を含むことができる。図４Ａ～４Ｂに概略的に示されているとおり、カルーセルモータ４５７によって支持アーム３０８が回転している間、電気コンタクト４５３への電気接続がなされることを可能にするように適合されたスリップリング４５６の使用によって、電気コンタクト４５３は、ＤＣチャッキング電力供給源４５８および／またはヒータ電力供給源４５９などの１つまたは複数の電源に電気的に結合されている。これらの１つまたは複数の電源を電気コンタクト４５３に接続するために多数の導体またはワイヤ４５５が使用される。導体またはワイヤ４５５は、ドライブシャフト４５７Ａ、中心支持体３０５、および処理モジュール２５０の移送領域４０１内に配置された支持アーム３０８を通して配線される。例えば、電力供給源４５８に結合された３本のワイヤおよび電力供給源４５９に結合された２本のワイヤが、それらのワイヤをそれぞれ電気コンタクト４５３に別々に接続することができるようにそれぞれの支持アーム３０８を通して提供される。したがって、移送領域４０１内で基板Ｓおよび基板支持体６７２が移送されている間、基板を基板支持体６７２にチャックされたままにすることができ、所望の温度を維持することができるように、基板支持体６７２が支持部分５６０上に配置されているときには、基板支持体６７２の電気コンタクト６７３が支持アーム３０８の電気コンタクト４５３に電気的に結合される。移送プロセス中に基板Ｓをチャックおよび加熱することができる能力は、移送プロセス中に、基板を失う懸念なしに、カルーセルモータ４５７によってより大きな回転速度を達成することを可能にし、それぞれのプロセスステーション２６０で実行されるプロセスとプロセスの間、基板の温度を一貫して維持することを可能にする。

【0037】

図５Ｃは、２つのエンドエフェクタ５３０、５３２を含むデュアルアームロボット５４０である代替ロボット構造を含む中心移送ロボット２４５の平面図である。デュアルアームロボット５４０を含む中心移送ロボット２４５は、処理モジュール２５０で実行される基板処理シーケンスが、想像上の円２５２に沿って延びる経路に沿って基板を両方向に順番に移送することを含まない場合、または想像上の円２５２に沿って延びる経路に沿って基板を両方向に順番に移送することを必要としない場合に有用となりうる。処理モジュール２５０のこの構成では、基板支持体６７２が、それぞれの基板支持体６７２がプロセスステーション２６０の下のＸ－Ｙ平面内の１つの位置に維持されるような態様で、横方向平面（すなわちＸ－Ｙ平面）内で移動可能である必要はなく、処理中に、基板は、デュアルアームロボット５４０によって、横方向に固定された基板支持体６７２間で移送される。

【0038】

いくつかの実施形態では、デュアルアームロボット５４０の２つのエンドエフェクタ５３０、５３２が独立して動作可能であり、エンドエフェクタ５３０、５３２は中心軸５０５から延びており、中心軸５０５の周りを円弧状にスイング運動する。中心軸５０５は、Ｚ方向に（例えば図５Ｃの平面に対して垂直に）延びており、通常は処理モジュール２５０の中心軸２５３と一致する。それぞれのエンドエフェクタ５３０、５３２は中心ハブ５３６に動作可能に結合されており、中心ハブ５３６は、中心軸５０５の周りをそれぞれ独立して回転することができる回転可能な上ハブおよび回転可能な下ハブ（図示せず）からなる。エンドエフェクタ５３０は、第１のフォーク５３７ａおよび第１のアーム５３８を含む。第１のハブアーム５４２は、第１の端部が中心ハブ５３６に結合されており、エンドエフェクタ５３６ａから遠い端部が、第１のリスト接続５４４のところで第１のアーム５３８に結合されている。第１のリスト接続５４４によって、第１のアームは、第１のエンドエフェクタ５３０が第１のリスト軸Ω₁の周りを回転することを可能にするために、第１のリスト軸Ω₁の周りをピボット回転することが可能である。同様に、第１のハブアームが中心軸５０５の周りを円弧状に運動することによって、第１のリスト接続５４４、したがって第１のリスト軸Ω₁も中心軸５０５の周りを旋回することができる。エンドエフェクタ５３２は、第２のフォーク５３７ｂおよび第２のアーム５４６を含む。第２のハブアーム５４８は、第１の端部が回転可能な上ハブに結合されており、第２のエンドエフェクタ５３２から遠い端部が、第２のリスト接続５５０のところで第２のアーム５４６に結合されている。第２のリスト接続５５０によって、第２のアーム５４６は、第２のエンドエフェクタ５３２が第２のリスト軸Ω₂の周りを回転することを可能にするために、第２のリスト軸Ω₂の周りをピボット回転することが可能である。同様に、第２のハブアーム５４８が中心軸５０５の周りを円弧状に運動することによって、第２のリスト接続５５０、したがって第２のリスト軸Ω₂も中心軸５０５の周りを旋回することができる。さらに、第１および第２のエンドエフェクタ５３０、５３２は、それぞれ回転可能な上ハブおよび回転可能な下ハブを通して中心ハブ５３６に動作可能に接続されているため、エンドエフェクタ５３０、５３２のフォーク５３７ａ、５３７ｂは、例えば、フォーク５３７ａまたは５３７ｂの一方が基板支持体６７２から基板を受け取り、後退させ、その間に、フォーク５３７ａまたは５３７ｂのもう一方が、第１の基板が基板支持体６７２から取り外された後に基板支持体６７２上に基板を置くために、異なる基板を、処理モジュール２５０の内側に移動させるために、互いに垂直方向に重なることができる。

【0039】

第１および第２のエンドエフェクタ５３０、５３２のフォーク５３７ａ、５３７ｂはそれぞれ、アーム（第１のアーム５３８および第１のハブアーム５４２または第２のアーム５４６および第２のハブアーム５４８）がともに整列したときに、すなわちアームが一緒に直線経路を形成したときに、中心軸５０５から最大距離だけ延びることができる。アームのこの向きでは、第１および第２のフォーク５３７ａまたは５３７ｂの一方が、基板支持体６７２に対して基板を受け取りまたは残すためのロードまたはアンロード位置にある。この位置から、中心軸５０５の周りの上または下ハブの円弧状の運動、および対応する第１のリスト軸Ω₁または第２のリスト軸Ω₂の周りの第１または第２のアーム５３８、５４６の一方の円弧状の運動によって、対応するフォーク５３７ａまたは５３７ｂは中心ハブ５３６に向かって後退する。処理モジュール２５０内にデュアルアームロボット５４０を置き、中心軸２５３の場所に中心軸５０５を置くことにより、フォーク５３７ａ、５３７ｂは、互いに独立して、プロセスステーション２６０Ａ～Ｆのうちの任意のプロセスステーションの任意の基板支持体６７２にアクセスするように動作することが可能である。したがって、デュアルアームロボット５４０の構造のロボットを使用すると、想像上の円２５２に沿った中間のどのプロセスステーション２６０Ａ～２６０Ｆも通過することなく、プロセスステーション２６０Ａ～Ｆのうちの任意のプロセスステーションからプロセスステーション２６０Ａ～２６０Ｆのうちの他の任意のプロセスステーションに基板を移動させることができる。

【0040】

図４Ａ～４Ｂおよび６は、プロセスステーション２６０Ｆおよび処理モジュール２５０の部分の断面図を含んでおり、これらの図は、処理モジュール２５０内に配置することができるプロセスステーションのさまざまな構成要素および属性を全般的に示すことが意図されている。これらの図に示されたプロセスステーション２６０Ｆの構成はＰＶＤ堆積プロセスを実行するように適合されているが、このプロセスステーション構成が、本明細書に記載された開示の範囲を限定することは意図されていない。これは、上記のとおり、処理モジュール２５０内のプロセスステーション２６０の１つまたは複数を、ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、ＡＬＤ、ＰＥＡＬＤ、エッチング、熱プロセス（例えばＲＴＰ、アニール、冷却、熱管理制御）または他の有用な半導体もしくは平面ディスプレイパネル基板処理ステップを実行するように適合させることができるためである。しかしながら、ＰＶＤ堆積プロセスを実行するように構成されたプロセスステーションを主に含む処理モジュール２５０、またはＰＶＤ堆積プロセスを実行するように構成されたプロセスステーションだけを含む処理モジュール２５０は、プロセス相互汚染の低い可能性（例えば残留ガス相互汚染の低い可能性）およびＰＶＤプロセスによって一般的に達成されるより高い堆積速度のため、いくつかの半導体デバイス形成用途において、他の堆積およびエッチングプロセスを利用する他の処理モジュール構成よりも有利であると考えられる。

【0041】

プロセスステーション２６０は一般に、源アセンブリ４７０、プロセスキットアセンブリ４８０および基板支持体作動アセンブリ４９０を含み、これらは、一緒に使用されたときに、プロセスステーション２６０の処理領域４６０内で所望のプロセスを実行することを可能にする。本明細書に記載された開示のさまざまな実施形態において、それぞれのプロセスステーション２６０内の処理領域４６０は、処理モジュール２５０の移送領域４０１から別々に分離可能であるように構成されており、したがって、電磁エネルギー、蒸気、ガスまたは他の望ましくない汚染物が、基板、および隣り合うプロセスステーションでまたは移送領域４０１内で実行されているプロセスに悪影響を与えることを実質的に防ぐ。移送領域４０１から分離されているとき、処理領域４６０は一般に、プロセスステーション２６０内で実行される基板処理ステップの間、源アセンブリ４７０の１つまたは複数の処理面、プロセスキットアセンブリ４８０内の１つまたは複数の処理領域構成要素６８５および基板支持体６７２によって囲われる。

【0042】

上で論じ、図４Ａに示したとおり、プロセスステーション２６０Ｆの源アセンブリ４７０は、ＰＶＤ堆積プロセスを実行するように構成されている。この構成では、源アセンブリ４７０が、ターゲット４７２、マグネトロンアセンブリ４７１、源アセンブリ壁４７３、リッド４７４およびスパッタリング電力供給源４７５を含む。この構成では、ＰＶＤターゲット４７２の処理面４７２Ａが一般に、処理領域４６０の上部の少なくとも一部分を画定する。マグネトロンアセンブリ４７１は、処理中にマグネトロン回転モータ４７６の使用によってマグネトロン４７１Ａが回転するマグネトロン領域４７９を含む。ターゲット４７２およびマグネトロンアセンブリ４７１は通常、流体再循環デバイス（図示せず）からマグネトロン領域４７９に冷却流体（例えばＤＩ水）を供給することによって冷却される。ＰＶＤ堆積プロセス中に処理領域４６０で実行されるスパッタリングプロセスを促進するため、マグネトロン４７１Ａは、ターゲット４７２の処理面４７２Ａの下方に広がる磁場を発生させるように構成された複数の磁石４７１Ｂを含む。

【0043】

ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、ＡＬＤ、ＰＥＡＬＤ、エッチングまたは熱プロセスを実行するように適合されたプロセスステーション２６０の代替構成では、源アセンブリ４７０が一般に、異なるハードウェア構成要素を含む。一例において、ＰＥＣＶＤ堆積プロセスまたはエッチングプロセスを実行するように適合されたプロセスステーションの源アセンブリ４７０は通常、処理中に前駆体ガスまたはエッチングガスを処理領域４６０内に、プロセスステーション２６０内に配置された基板の表面にわたって供給するように構成されたガス分配プレートまたはシャワーヘッドを含む。この構成では、処理領域４６０の少なくとも一部分を画定する１つまたは複数の処理面が、ガス分配プレートまたはシャワーヘッドの下面（例えば処理領域と接する面）である。この構成では、マグネトロンアセンブリ４７１およびターゲットが使用されず、スパッタリング電力供給源４７５の代わりに、ガス分配プレートをバイアスするように構成されたＲＦ電力供給源を使用することができる。

【0044】

基板支持体作動アセンブリ４９０は、ペデスタルリフトアセンブリ４９１およびペデスタルアセンブリ４９２を含む。ペデスタルリフトアセンブリ４９１は、リフトアクチュエータアセンブリ７６８およびリフト装着アセンブリ７６６を含み、リフト装着アセンブリ７６６は処理モジュール２５０の下壁６１８に結合されている。リフトアクチュエータアセンブリ７６８は、ステッパまたはサーボモータ作動の親ねじアセンブリ、リニアモータアセンブリ、空気圧シリンダ作動のアセンブリ、または他の従来の機械式直線的作動機構を含むことができる。動作中、リフトアクチュエータアセンブリ７６８およびリフト装着アセンブリ７６６は、リフトアクチュエータアセンブリ７６８内にある１つまたは複数の機械式アクチュエータ（例えばサーボモータ、ステッパモータ、リニアモータ）の使用によって、ペデスタルアセンブリ４９２を、支持アーム３０８の垂直方向（Ｚ方向）下方に配置された移送位置（図４Ａ）（すなわち移送平面）、および支持アーム３０８の垂直方向上方の処理位置（図４Ｂ）に配置するように構成されている。リフトアクチュエータアセンブリ７６８は、ペデスタルシャフト４９２Ａに結合されており、ペデスタルシャフト４９２Ａは、リフトアクチュエータアセンブリ７６８によってペデスタルシャフト４９２Ａが平行移動するときにペデスタルシャフト４９２Ａを案内するために下壁６１８に結合された軸受（図示せず）によって支持されている。真空ポンプ４５４の使用によって移送領域４０１内に生み出された真空環境が通常動作の間維持されるような態様のシールを、ペデスタルシャフト４９２Ａの外径と下壁６１８の部分との間に形成するために、ベローズアセンブリ（図示せず）が使用される。それぞれのプロセスステーション２６０内の望ましい処理位置に基板Ｓおよび基板支持体６７２を正確に配置するように構成された別個の専用ペデスタルリフトアセンブリ４９１であって、さらに、プロセスステーション２６０内の源アセンブリ４７０（例えばターゲット４７２）内の構成要素と別々に望ましく整列することができる別個の専用ペデスタルリフトアセンブリ４９１の使用は、別々にアライメントおよび調整することができない単一の支持構造体上に多数の基板を配置する従来の設計よりもかなり有利であると考えられる。源アセンブリ４７０の構成要素に対する基板Ｓの位置決めおよびアライメントに関する重要性および問題の一例が後に図７Ａおよび７Ｂに関してさらに論じられる。

【0045】

ペデスタルアセンブリ４９２は、ペデスタルシャフト４９２Ａに結合されたプレート支持要素４９３に結合された支持プレートアセンブリ４９４を含む。ペデスタルアセンブリ４９２は、ヒータ電源４９８、静電チャック電源４９９および裏側ガス源４９７を含む。

【0046】

いくつかの実施形態では、支持プレートアセンブリ４９４が、支持プレート４９４Ａの上面に配置された複数の電気コンタクト４９６（図４Ａ）を含む。ヒータ電源４９８および静電チャック電源４９９はそれぞれ、電気コンタクト４９６のうちの２つ以上の電気コンタクトに電気的に結合されている。電気コンタクト４９６は、支持プレート４９４Ａによって基板支持体６７２が支持アーム３０８の支持部分５６０から持ち上げられたときに、基板支持体６７２内に形成された１つまたは複数の電気要素に電力を供給するために使用される。電気コンタクト４９６は、基板支持体６７２の下面に形成された電気コンタクト６７３と対合するように構成されている。いくつかの実施形態では、基板支持体６７２の下面に形成された別個の一組の電気コンタクト６７３が、支持プレート４９４Ａの電気コンタクト４９６と対合するように構成されている。一実施形態では、この別個の一組の電気コンタクト６７３が、支持アーム３０８の電気コンタクト４５３と対合するように構成された電気コンタクト６７３から物理的に分離されている。この構成では、基板支持体６７２が、基板支持体６７２に埋め込まれた電気要素（例えば抵抗加熱要素、チャッキング電極）と同様の電気接続を生成するようにそれぞれが適合された別個の２組のコンタクトを含む。基板支持体６７２内に配置された抵抗加熱要素は、ヒータ電源４９８の出力に結合された支持プレート４９４Ａの２つ以上の電気コンタクト４９６と基板支持体６７２が処理位置（図４Ｂ）に配置されたときに電気的に連結する２つ以上の電気コンタクト６７３に結合されている。基板支持体６７２内に配置された１つまたは複数のチャッキング電極は、支持プレート４９４Ａの２つ以上の電気コンタクト４９６と電気的に連結する２つ以上の電気コンタクト６７３に結合されている。一例では、ヒータ電源４９８の出力に結合された３本のワイヤおよび静電チャック電源４９９に結合された２本のワイヤが、それらのワイヤをそれらの対応するそれぞれの対合電気コンタクト４９６に別々に接続することができるようにペデスタルシャフト４９２Ａを通して提供される。いくつかの実施形態では、少なくとも部分的に、基板支持体６７２がプロセスステーション２６０内の処理位置に配置されたときに電気コンタクト６７３の表面がそれぞれの電気コンタクト４９６の対合面を押すことを基板支持体６７２の重量の一部が可能にすることによって、電気コンタクト４９６とそれらの対応するそれぞれの対合電気コンタクト６７３との間に信頼性の高い分離可能な電気接続が形成される。したがって、処理中に基板支持体６７２が支持プレート４９４Ａ上に配置されている間、基板支持体６７２によって基板をチャックおよび加熱することを可能にすること。

【0047】

いくつかの実施形態では、支持プレートアセンブリ４９４が、基板支持体６７２の裏側に形成された裏側ガスポート６７１の周囲に形成された裏側ガス受取り面と対合するように構成された分離可能な裏側ガス接続４９５を含む。裏側ガス接続４９５は裏側ガス源４９７に結合されており、裏側ガス源４９７は、処理中に、基板支持体６７２に形成された裏側ガスポート６７１に裏側ガス（例えばＮ₂、Ｈｅ、Ａｒ）を供給するように構成されており、裏側ガスポート６７１は、基板支持体６７２に形成されたガス通路と、基板支持体６７２の基板受取り面に配置された基板と基板支持体６７２との間に形成された空間とに接続されている。したがって、分離可能な裏側ガス接続４９５は、基板支持体６７２が支持プレート４９４Ａ上に配置されたときに基板支持体６７２の裏側ガス受取り面に密封可能に繰り返し接続されるように、および支持プレート４９４Ａが移送位置（すなわち支持アーム３０８の下方）にあるときに基板支持体６７２から分離されるように構成されている。いくつかの実施形態では、少なくとも部分的に、基板支持体６７２がプロセスステーション２６０内の処理位置に配置されたときに基板支持体６７２の重量の一部が分離可能な裏側ガス接続４９５の表面を押すことによって形成された再現可能な気密シールを形成するために、分離可能な裏側ガス接続４９５が、裏側ガス受取り面の研摩された対合面と対合するように構成された機械加工された金属シール面またはコンプライアントな（ｃｏｍｐｌｉａｎｔ）シール面を含む。

【0048】

図４Ａ～４Ｂおよび６に示されているように、プロセスキットアセンブリ４８０は一般に、処理モジュール２５０のチャンバ上壁６１６のプロセスステーション上開口７３４の上および／またはプロセスステーション上開口７３４内に配置された複数の処理領域構成要素６８５およびシーリングアセンブリ４８５を含む。図４Ａ～４Ｂおよび６に開示されたプロセスステーション２６０の構成例では、処理領域構成要素６８５が、ベースプレート４８１、プロセス領域シールド４８２、分離リング４８３、ステーション壁４８４、カバーリング４８６、堆積リング４８８および内側シールド４８９を含み、これらの構成要素は一緒に、プロセスステーション２６０の処理領域４６０を少なくとも部分的に画定する。ベースプレート４８１は、プロセス領域シールド４８２、分離リング４８３、ステーション壁４８４、シーリングアセンブリ４８５、カバーリング４８６、堆積リング４８８および内側シールド４８９を支持するように構成されており、ベースプレート４８１は、これらの構成要素が、１つのアセンブリとして、配置されること、および処理モジュール２５０の上壁６１６に形成された中心開口７１３から除去されることを可能にする。誘電体材料から形成された分離リング４８３は、ターゲット４７２を支持するように、およびベースプレート４８１上に配置されたステーション壁４８４上に配置されるように構成されている。分離リング４８３は、ターゲット４７２がスパッタリング電力供給源４７５によってバイアスされたときに、ターゲット４７２を、接地されたステーション壁４８４から電気的に分離するために使用される。

【0049】

プロセスキットアセンブリ４８０はさらに、通常の処理中に大気ガスが処理領域４６０に入ることを防ぐために使用される複数のシーリング要素１００１（例えばＯリング）を含む。さらに、処理の間、処理領域４６０を外部環境から分離することを可能にするために、源アセンブリ４７０は、シーリング要素１００１を使用することによってプロセスキットアセンブリ４８０の一部分とシールを形成するように構成されており、プロセスキットアセンブリ４８０は、同様にシーリング要素１００１を使用することによってチャンバ上壁６１６の上面とシールを形成するように構成されている。

【0050】

ステーション壁４８４は、真空ポンプ２６５に結合された第１のポート４８４Ａを含み、第１のポート４８４Ａは、シールド４８９の上部、ターゲット４７２の下面ならびに分離リング４８３およびステーション壁４８４の部分間に形成された周囲間隙を通して処理中に処理領域４６０から排気するように構成されている。ステーション壁４８４はさらに、ガス源６９９に結合された第２のポート４８４Ｂを含み、第２のポート４８４Ｂは、処理中に周囲プレナム４８４Ｃを通して処理領域４６０に１種または数種のプロセスガス（例えばＡｒ、Ｎ₂）を供給するように構成されている。

【0051】

プロセス領域シールド４８２はステーション壁４８４の下部に配置されている。プロセス領域シールド４８２は通常、ターゲット４７２からスパッタリングされた堆積物を集めるため、処理領域４６０の一部分を囲うため、およびいくつかの構成では、図６に示されているように、シーリングアセンブリ４８５を支持するために使用される。この構成では、プロセス領域シールド４８２が、その上にプロセス領域シールド４８２が支持されているステーション壁４８４の表面４８４Ｄにシールを形成するように適合されており、同様に、シーリングアセンブリ４８５の下プレート４８５Ｂの表面４８５Ｄとプロセス領域シールド４８２の下面４８２Ａとの間にシールを形成するように適合されている。プロセス領域シールド４８２とステーション壁４８４の部分との間に形成されたシール、およびプロセス領域シールド４８２と下プレート４８５Ｂの部分との間に形成されたシールはそれぞれ、Ｏリング（図示せず）、溶接または従来の他のシーリング方法を使用することによって形成することができる。

【0052】

いくつかの実施形態では、シーリングアセンブリ４８５が、上プレート４８５Ａ、下プレート４８５Ｂ、および上プレート４８５Ａと下プレート４８５Ｂの間に配置されたコンプライアントな部材４８５Ｃを含む。いくつかの実施形態では、図６に示されているように、コンプライアントな部材４８５Ｃが、垂直方向（すなわちＺ方向）などの少なくとも１つの方向にコンプライアントであるように構成され、処理中にガスがそれを通り抜けることを防ぐように構成されたフレキシブルなベローズアセンブリを含む。このフレキシブルなベローズアセンブリは、反対端が上プレート４８５Ａおよび下プレート４８５Ｂに密封可能に溶接されたステンレス鋼またはインコネルベローズアセンブリとすることができる。

【0053】

処理中、基板および基板支持体６７２が図４Ｂおよび６に示されているように源アセンブリ４７０の下方の処理位置に配置されているときに、本明細書ではともに基板支持体６７２の「シーリング部分」と呼ぶ、基板支持体６７２または基板支持体６７２に取り付けられた構成要素の一部分は、シーリングアセンブリ４８５の一部分と「シール」を形成して、処理領域４６０を移送領域４１０から実質的に流体分離するように適合されている。したがって、図４Ａ～４Ｂおよび６に開示されたプロセスステーション２６０の構成例では、基板支持体６７２、ターゲット４７２、シーリングアセンブリ４８５、ならびにプロセス領域シールド４８２、ステーション壁４８４および分離リング４８３を含む複数の処理領域構成要素６８５が、処理領域４６０を実質的に囲い、処理領域４６０を画定する。いくつかの実施形態では、基板支持体６７２のシーリング部分とシーリングアセンブリ４８５の上プレート４８５Ａとの間に形成されるこの「シール」が、基板支持体６７２のシーリング部分の表面とシーリングアセンブリ４８５のこの部分の表面との間の物理的接触によって形成されたシーリング領域４８７に形成される。いくつかの低温用途では、このシールが、基板支持体６７２のシーリング部分の表面とシーリングアセンブリ４８５のこの部分の表面との間の境界面に配置されたワイパシール、ｕカップシールまたはＯリング（図示せず）を使用することによって形成される。２００℃よりも高い温度での用途などのいくつかの高温用途では、このシールが、基板支持体６７２のシーリング部分とシーリングアセンブリ４８５のこの部分との間の境界面に形成された金属－金属または金属－セラミック接触によって形成される。いくつかの実施形態では、基板支持体作動アセンブリ４９０のリフトアクチュエータアセンブリ７６８を使用することによって基板支持体６７２のシーリング部分がシーリングアセンブリ４８５のこの部分の表面と接触して置かれたときに垂直方向に伸ばされるように、シーリングアセンブリ４８５のフレキシブルなベローズアセンブリが構成されている。フレキシブルなベローズアセンブリのコンプライアントな性質は、基板支持体６７２のシーリング部分の表面とシーリングアセンブリ４８５のこの部分の表面との間のミスアライメントまたは平面性の差を小さくして、シーリング領域４８７のところに信頼性の高い再現可能なシールを多くのサイクルにわたって形成することができるようにすることを可能にする。図４Ａ～４Ｄおよび６に示されているように、基板支持体６７２のシーリング部分、シーリングアセンブリ４８５のシーリング部分、基板の処理面および源アセンブリ４７０の下面（例えばターゲット４７２の下面）の実質的に平行な向き／アライメントはさらに、信頼性の高い再現可能なシールを形成することを可能にし、その一方でさらに、処理中に、基板の処理面と源アセンブリ４７０の下面との間の角アライメント（ａｎｇｕｌａｒ ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）が容易に形成されかつ／または維持されることを可能にする。基板の処理面と源アセンブリ４７０の下面との間の角ミスアライメント（ａｎｇｕｌａｒ ｍｉｓａｌｉｇｎｍｅｎｔ）に関する問題は、後に図７Ａ～７Ｂおよび８に関してさらに論じられる。

【0054】

しかしながら、いくつかの代替実施形態では、シーリングアセンブリ４８５が単純に、基板支持体６７２が処理位置に配置されたときに基板支持体６７２のシーリング面とプロセス領域シールド４８２の下面４８２Ａとの間にシールを形成するためにそれらの間の境界面に配置されたワイパシール、ｕカップシールまたはＯリング（図示せず）を備える。この構成では、処理ステップ中に基板支持体が処理位置に配置されている間、シーリング面と下面４８２Ａとの間にシールを形成することができるように、シーリング面が形成された部分の基板支持体６７２の直径がプロセス領域シールド４８２の内径よりも大きい。

【0055】

第１のプロセスステーション２６０で基板処理ステップを実行した後、基板Ｓおよび基板支持体６７２は、基板Ｓおよび基板支持体６７２が支持アーム３０８上に位置するように下げられる。次いで、中心移送ロボット２４５が、中心支持体３０５を、中心支持体３０５を貫いて延びる中心軸２５３の周りで回転させて、支持アーム３０８、基板Ｓおよび基板支持体６７２を弧に沿ってスイング運動させ、それによって基板支持体６７２および基板Ｓを第２のプロセスステーション２６０の下方の位置に移動させる。この位置で、基板Ｓは、同じ基板支持体６７２上で、その第２のプロセスステーション２６０専用のペデスタルリフトアセンブリ４９１によって処理位置まで再び持ち上げられる。基板Ｓの処理が完了した後、基板Ｓおよび基板支持体６７２は、支持アーム３０８の端部に戻され、次のプロセスステーション２６０に移送される。次いで、基板Ｓおよび基板支持体６７２を持ち上げ、基板Ｓを処理し、基板Ｓおよび基板支持体６７２を下げ、基板支持体６７２および基板Ｓを移送するこの処理サイクルを複数回、繰り返すことができる。

【0056】

処理モジュール２５０内での基板Ｓおよび基板支持体６７２の移送シーケンス中、それぞれのプロセスステーション２６０の処理領域４６０は移送領域４０１と直接に連結している。この構造設計は、より従来的な設計に見られる、移送領域からそれぞれのプロセスステーションを分離する専用のスリットバルブの必要性を排除することによりシステムコストを低減させ、したがって、さらに、基板を移送するのに必要なステップの数を減らすことにより基板移送オーバヘッド時間を短縮する（すなわちスループットを増大させる）と同時に、処理領域４６０の圧力と移送領域４０１の圧力とを平衡させること、および処理モジュール２５０の全体にわたって所望のベース圧力をより容易にかつより速く達成することも可能にする。本明細書に開示されたシステム設計はさらに、従来の処理システム設計では必要な別個の処理チャンバ構造体（例えば溶接された別個の区画）および支持ハードウェア（例えば個々の支持フレーム、スリットバルブなど）の必要性を排除することによって、複雑さおよびコストを低減させる。さらに、それぞれのプロセスステーション２６０に配置された基板支持体作動アセンブリ４９０によって、基板支持体６７２の移動および位置を、システムコントローラ２９９（図２Ａ）から送られたコマンドに基づいて制御することによって、それぞれのプロセスステーション２６０の処理領域４６０を別々にかつ選択的に分離することができるため、この設計および移送シーケンスは追加の利点をさらに提供する。例えば、プロセスステーション２６０Ａおよび２６０Ｂ内の処理位置に基板Ｓおよび基板支持体６７２を配置することによって、これらのプロセスステーションで基板を別々に処理し、その間、プロセスステーション２６０Ｃ、２６０Ｄ、２６０Ｅおよび２６０Ｆは、これらの位置にある基板支持体６７２が移送位置にあり続けることによって非分離状態を維持し、したがって、これらのプロセスステーションにおいて処理領域４６０と移送領域４０１との間の流体連結を可能にすることが望ましいことがある。

【0057】

図４Ｃ～４Ｄは、一実施形態による、プロセスステーション２６０Ｆの代替構成を含む処理モジュール２５０の概略断面図である。この構成では、処理モジュール２５０が、支持チャックアセンブリ５９０の基板支持面５９１Ａに１つまたは複数の基板を移送し置くように構成された複数の支持アーム３０９を含む代替構成の中心移送ロボット２４５を含む。基板支持面５９１Ａは、ペデスタルリフトアセンブリ４９１に取り付けられた支持チャックアセンブリ５９０上に形成されている。

【0058】

図４Ｃは、基板受取り位置ないし基板移送位置に配置された支持チャックアセンブリ５９０を示している。図４Ｄは、基板処理位置に配置されている間の支持チャックアセンブリ５９０を示している。図４Ｃ～４Ｄに示された支持チャックアセンブリ５９０の構成は、支持チャックアセンブリ５９０の基板支持要素５９１が単一のプロセスステーション２６０の専用基板支持要素であるような態様で、基板支持要素５９１が、ペデスタルリフトアセンブリ４９１の構成要素に取り付けられた状態を維持する設計であって、支持チャックアセンブリ５９０の基板支持要素５９１が、基板受取り位置と処理位置の間で基板を移動させるなど基板を垂直に移動させることだけに制限された設計を示している。

【0059】

支持チャックアセンブリ５９０はプレート支持体５９４を含み、プレート支持体５９４は、基板支持要素５９１を支持および保持するように構成されており、ペデスタルシャフト５９２Ａに結合されている。支持チャックアセンブリ５９０は、ヒータ電源４９８、静電チャック電源４９９および裏側ガス源４９７を含む。ヒータ電源４９８および／または静電チャック電源４９９はそれぞれ、基板支持要素５９１内に形成された１つまたは複数の電気要素に電気的に結合されている。この構成では、基板支持要素５９１の本体が、その中に埋め込まれた１つまたは複数の抵抗加熱要素を含む。この抵抗加熱要素は、基板支持要素５９１の本体内に配置されており、ヒータ電源４９８の出力接続に電気的に連結されている。基板支持要素５９１の本体内に配置された１つまたは複数のチャッキング電極は電源４９９に電気的に連結されている。一例では、ヒータ電源４９８の出力に結合された３本のワイヤおよび電源４９９に結合された２本のワイヤが、それらのワイヤをそれらの対応するそれぞれの電機要素に別々に接続することができるようにペデスタルシャフト５９２Ａを通して提供される。

【0060】

支持チャックアセンブリ５９０は、基板支持要素５９１内に形成された裏側ガスポート５９５を含む。裏側ガスポート５９５は裏側ガス源４９７に結合されており、裏側ガス源４９７は、処理中に、基板支持要素５９１に形成されたガス通路と、基板と基板支持要素５９１の表面との間に形成された空間とに裏側ガス（例えばＮ₂、Ｈｅ、Ａｒ）を供給するように構成されている。

【0061】

上で同様に論じたとおり、処理中、基板および支持チャックアセンブリ５９０が源アセンブリ４７０の下方の処理位置に配置されているときに（図４Ｄ）、支持チャックアセンブリ５９０または支持チャックアセンブリ５９０に取り付けられた構成要素の一部分は、シーリングアセンブリ４８５の一部分と「シール」を形成して、処理領域４６０を移送領域４１０から実質的に流体分離するように適合されたシーリング面５９６を含む。いくつかの実施形態では、シーリング面５９６とシーリングアセンブリ４８５の上プレート４８５Ａとの間に形成されるこの「シール」が、シーリング面５９６の表面とシーリングアセンブリ４８５のこの部分の表面との間でなされた物理的接触によってシーリング領域４８７内に形成される。上で同様に論じたとおり、いくつかの低温用途では、このシールが、支持チャックアセンブリ５９０のシーリング面５９６とシーリングアセンブリ４８５のこの部分の表面との間の境界面に配置されたワイパシール、ｕカップシールまたはＯリング（図示せず）の使用によって形成される。さらに、２００℃よりも高い温度での用途などのいくつかの高温用途では、このシールが、支持チャックアセンブリ５９０のシーリング面５９６のこの部分とシーリングアセンブリ４８５のこの部分との間の境界面に形成された金属－金属または金属－セラミック接触によって形成される。

【0062】

図４Ｃを参照すると、中心移送ロボット２４５は、１つまたは複数の基板をピックアップし、支持チャックアセンブリ５９０の基板支持面５９１Ａに置くように構成された複数の支持アーム３０９を含む。一実施形態では、中心移送ロボット２４５が、中心支持体３０５および中心支持体３０５に取り付けられた複数の支持アーム３０９を、少なくとも、移送位置から移送位置の下方の基板ドロップオフ位置までＺ方向に上げ下げするように構成されたリフトアクチュエータ５９９を含む。支持アーム３０９は、プロセスステーション２６０間で基板および基板支持体６７２を移送するように構成されているのではなく、プロセスステーション２６０間で基板を移送するように構成されている点を除いて、上で説明した支持アーム３０８と同じように装着、成形および構成されている。一実施形態では、それぞれの支持アーム３０９が、支持アーム３０９の下面に配置された複数の基板支持要素３０９Ａを含み、そのため、基板支持要素３０９Ａの支持面３０９Ｃ上に支持された基板を、基板支持要素５９１の支持面５９１Ａ上にじかに配置することができる。支持アーム３０９が可能な全ての基板を受け取り移送することができることを保証するために、対向する基板支持要素３０９Ａの内縁３０９Ｂは、基板の可能な最小外寸法よりも短い距離だけ隔てて配置されている。基板が支持面５９１Ａ上に配置された後に基板支持要素３０９Ａが基板支持要素５９１と接触したりまたは基板支持要素５９１を妨げたりしないように、および支持アームを中心軸２５３の周りで回転させて、支持アーム３０９を、支持チャックアセンブリ５９０の上ではない位置まで移動させることができるように、基板支持要素５９１の上面および上部の切抜き部（図示せず）が、基板支持要素３０９Ａの向きと一致するように構成されている。

【0063】

支持アーム３０９の基板支持要素３０９Ａの部分と同様のロボットアーム構成またはロボットアームの端部を、中間ロボット２８５Ａ、２８５Ｂのエンドエフェクタの部分として利用して、基板支持要素５９１の支持面５９１Ａでまたはその代わりに基板支持体６７２の本体６４３の支持面６７４で基板をピックアップおよびドロップオフすることもできる。同様に、上で論じたとおり、一実施形態では、中間ロボット２８５Ａ、２８５Ｂが、移送位置および移送位置の下方の基板ドロップオフ位置まで、ならびに移送位置および移送位置の下方の基板ドロップオフ位置から中間ロボット２８５Ａ、２８５Ｂのエンドエフェクタ（図示せず）を少なくとも上げ下げするように構成されたリフト機構（図示せず）を含む。基板が基板支持要素５９１または基板支持体６７２上に配置された後に基板支持要素３０９Ａが基板支持要素５９１または基板支持体６７２と接触したりまたは基板支持要素５９１または基板支持体６７２を妨げたりしないように、および支持チャックアセンブリ５９０の上または基板支持体６７２の上ではない位置からエンドエフェクタが後退するように、基板支持要素５９１または基板支持体６７２の上面および上部の１つまたは複数の切抜き部（図示せず）は、中間ロボット２８５Ａ、２８５Ｂのエンドエフェクタ（図示せず）上に配置された基板支持要素３０９Ａの向きと一致するように構成されている。

【0064】

図４Ｃに示された支持要素３０９Ａのような支持要素を有するロボットエンドエフェクタの使用を含む処理システム２００は、基板交換操作中に基板を基板支持面から分離する目的に当技術分野で一般的に使用されている別個の基板リフトアセンブリ（例えばリフトピン、リフトフープ（ｌｉｆｔ ｈｏｏｐ）およびリフトアクチュエータ）を使用する必要なしに、基板支持体６７２または支持体チャックアセンブリ５９０の基板支持面に基板を配置することを可能にするため、有用であることが分かっている。プロセスステーション２６０のコストおよび複雑さを低減させると同時に、このタイプのロボットエンドエフェクタの使用はさらに、基板受取り面に配置された基板にリフトアセンブリ構成要素（例えばリフトピン）がアクセスすることを可能にするために必要な穴を基板支持体６７２または支持チャックアセンブリ５９０に形成する必要性を排除し、さらに、処理中に処理領域４６０を移送領域４０１から流体分離するために、基板支持体６７２または支持チャックアセンブリ５９０に形成された穴を密閉する必要性も排除する。したがって、本明細書に記載された実施形態の１つまたは複数では、基板支持体６７２または支持チャックアセンブリ５９０が、基板リフト構成要素を受け入れるために使用される貫通穴（例えばリフトピン穴）を含んでおらず、いくつかのケースでは、基板支持体６７２または支持チャックアセンブリ５９０が、処理中に基板に裏側ガスを供給するために使用される単一の貫通穴、例えば裏側ガスポート６７１または裏側ガスポート５９５だけを含むことができる。

【0065】

図４Ｃ～４Ｄに示された代替プロセスステーション構成は、基板と一緒に基板支持体を移動させることを含まない基板移送シーケンスを含むが、それにもかかわらず、このケースの処理モジュール２５０は、移送領域４０１および処理領域４６０の上述の構造構成および利点と同じ基本的な構造構成および利点を含む。例えば、それぞれのプロセスステーション２６０の基板支持体作動アセンブリ４９０によって、支持チャックアセンブリ５９０の移動および位置を、システムコントローラ２９９（図２Ａ）から送られたコマンドに基づいて制御することによって、それぞれのプロセスステーション２６０の処理領域４６０を別々にかつ選択的に分離することができる。

【0066】

図１Ａおよび１Ｂに関して上で論じたとおり、それぞれのプロセスステーション２６０Ａ～２６０Ｆは、基板上で所望のプロセスを別々に実行するように構成されている。一例では、処理モジュール２５０内の複数のプロセスステーションで堆積プロセスが別々に実行される。この別々に実行される堆積プロセスは、プロセスステーション２６０Ａ～２６０Ｆで基板を順番に処理するときにＰＶＤプロセスによって基板上に順番に層を堆積させることを含むことがある。ＰＶＤ堆積プロセスまたはスパッタプロセス中に、電力供給源４７５によってターゲット４７２にバイアスが印加される。ターゲットにバイアスを印加すると、ガス源６９９から供給されたスパッタリングガスに供給された印加バイアスによって形成されたイオン化されたガス原子がターゲットの表面に衝突することによって、ターゲット４７２の面からターゲット材料の一部が放出される。放出またはスパッタリングされた材料の束は、形成された処理領域４６０の下部ならびに基板Ｓおよびプロセスキットアセンブリ４８０のシールド（例えば内側シールド４８９、プロセス領域シールド４８２）の表面に向かって一般に進む、ターゲット材料のイオン化された原子および中性原子を含む。ターゲット４７２の表面から放出されたイオン化されたターゲット原子の束の方向は、接地することによって、あるいは基板支持体６７２に形成された電極の１つに直流（ＤＣ）または高周波（ＲＦ）バイアスを印加することによって変化させることができる。したがって、いくつかの実施形態では、ヒータ電源４９８および静電チャック電源４９９が、基板支持体６７２内に配置された１つまたは複数のチャッキング電極または加熱要素にバイアスを印加するように構成されたＤＣまたはＲＦ電力供給源を含む。基板支持要素５９１内に配置されたチャッキング電極は一般に、基板支持体６７２の基板支持面に配置された誘電体材料のすぐ下（例えば０．１ｍｍ～１ｍｍ）に配置される。しかしながら、処理中にスパッタリングされた原子の全てをイオン化することはできないため、およびＰＶＤチャンバの構造構成のために、ＰＶＤプロセスは見通し線（ｌｉｎｅ－ｏｆ－ｓｉｇｈｔ）堆積プロセスであると考えられる。見通し線堆積プロセスは、ウエハ内（ｗｉｔｈｉｎ－ｗａｆｅｒ）（ＷＩＷ）堆積均一性の観点から、ＰＶＤ堆積プロセス中に、ターゲットの形状および基板の表面に対するターゲット４７２の平行度の影響を受ける堆積プロセスである。一例では、基板の一縁のターゲット－基板間隔が基板の反対縁に比べて小さいと、角ミスアライメントのために基板にわたって厚さが変動する。したがって、図７Ａ～７Ｂに関して後に論じるとおり、外部周囲圧力領域４０３（図４Ａ）と移送領域４０１および処理領域４６０との間に生じた圧力差に起因するチャンバ上壁６１６および下壁６１８の歪みによって、処理中に、ターゲット４７２の表面は、保守作業中など起こる移送領域４０１および処理領域４６０内に真空圧が提供されていないときに比べて撓み、基板支持体６７２の表面に対してある角度をなすようになる傾向がある。それぞれのプロセスステーション２６０内のターゲット４７２のこの撓みは、基板サイズが増大したとき（例えば≧３００ｍｍ）に、基板を移送領域４０１内に配置しプロセスステーション２６０間で移送することを可能にするためにチャンバ上壁６１６および下壁６１８がＸ－Ｙ平面内で広がる必要がある大きな全体スパン（例えば直径＞３ｍ）によって、処理モジュール２５０のサイズが増大したときにも増大する。チャンバ上壁６１６および下壁６１８の歪みの影響を最小化するため、処理モジュール２５０が真空下（例えば１０トル～１０^-8トル）にあるのかまたは周囲圧力（例えば７６０トル）にあるのかにかかわらず、チャンバ上壁６１６および下壁６１８の歪みを最小化し、プロセスステーション２６０Ａ～２６０Ｆの源アセンブリ４７０の互いに対する平行度を改善するために、構造支持アセンブリ７１０が使用される。

【0067】

プロセスステーション２６０でＰＶＤ処理ステップを実行した後、ターゲット４７２上のバイアス電圧はゼロに戻され、発生させたプラズマは消滅し、図４Ａおよび４Ｂに示された実施形態に関して上で論じたとおり、基板Ｓおよび基板支持体６７２は下げられて、支持アーム３０８上に戻される。

【0068】

堆積プロセスに加えて、プロセスステーション内で、１つまたは複数のターゲットペースティングプロセス（例えば、酸化物層または反応性スパッタリングによって形成された層をターゲットの表面から洗浄すること）および／またはチャンバ洗浄プロセスを追加的に実行することができる。一例では、基板の代わりにペースティングディスクおよび／またはシャッタディスク（例えば基板サイズの金属ディスク）上でＰＶＤ堆積プロセスを実行してターゲット４７２の表面を洗浄することを可能にするために、ペースティングプロセス中に、ペースティングディスクおよび／またはシャッタディスクをペデスタルリフトアセンブリ４９１上に配置し、ペデスタルリフトアセンブリ４９１によって処理位置まで移動させる。

【0069】

次に図７Ａ、７Ｂおよび８を参照すると、処理モジュール２５０の追加の構造および詳細が示されている。ここで、図７Ａに示されているように、処理モジュール２５０は、処理モジュール２５０の下部または基部を形成する下モノリス７２０、および下モノリス７２０に対して密封され、下モノリス７２０上に支持された上モノリス７２２を含む。いくつかの実施形態では、下モノリス７２０と上モノリス７２２の間の境界面に真空気密接合を形成するために、下モノリス７２０と上モノリス７２２が、ある望ましい手段によって一緒に溶接、ろう付けまたは融着されている。いくつかの実施形態では、下モノリス７２０が、７つの小側面（ｓｉｄｅ ｆａｃｅｔ）（図２Ａ）を有する全体にプレート状の構造を有し、下壁６１８を含み、下壁６１８が、中心領域内に配置された中心凹み７２４（図８）内に配置された中心開口７２３、および複数のプロセスステーション下開口７２５（図８には２つのプロセスステーション下開口が示されている）を含み、複数のプロセスステーション下開口７２５はそれぞれプロセスステーション２６０の場所に対応する。下壁６１８を貫いて下壁６１８から下方へ複数のペデスタルアセンブリ４９２が延びており、図８にはそのうちの２つが示されている。下モノリス７２０および上モノリス７２２を支持し、床（図示せず）の上方の所望の垂直位置に処理モジュール２５０を配置するために、支持フレーム７２８を含む下支持構造体７２７が使用されている。

【0070】

いくつかの実施形態では、上モノリス７２２が、下モノリス７２０の小側面と整合する８つの小側面（図２Ａ）を有する全体にプレート状の構造を有する。チャンバ上壁６１６を含む上主要部７１１は、中心領域内に配置された中心開口７１３（図８）、および複数のプロセスステーション上開口７３４（図４Ａ～４Ｄ、７Ｂおよび８）を含み、複数のプロセスステーション上開口７３４はそれぞれ、プロセスステーション２６０のプロセスキットアセンブリ４８０および源アセンブリ４７０が配置された場所に対応する。直径が約０．５よりも小さく、０．３よりも大きい直径比（ｄｉａｍｅｔｅｒ ｒａｔｉｏ）の範囲に収まるような態様の中心開口７１３をチャンバ上壁６１６に形成することは、中心開口７１３を通した処理モジュール２５０の中心領域へのユーザアクセス可能性を可能にすること、および、驚くべきことに、チャンバ上壁６１６の中心から材料が除去されることにより、処理中の（例えば真空下での）チャンバ上壁６１６の歪みを不都合に増大させないことが分かった。直径比は、中心開口の直径と周囲領域７２１の内面７２１Ａにおける移送領域４０１の外周の直径（すなわちチャンバ上壁６１６の支持されていない長さ）との比によって定義される。この構成では、取外し可能な中心カバー６９０が中心開口７１３の上に広がっているが、取外し可能な中心カバー６９０は一般にチャンバ上壁６１６に結合されておらず、またはチャンバ上壁６１６に追加の構造支持を提供する目的に使用されない。取外し可能な中心カバー６９０は、真空ポンプ４５４によって移送領域４０１が真空状態に維持されているときに外部環境ガスが移送領域４０１に漏入することを防ぐシール（図示せず）を含む。下モノリス７２０および上モノリス７２２の周囲領域７２１の内面７２１Ａは移送領域４０１の外縁を形成する。アクセス開口５０４Ａ、５０４Ｂは、内面７２１Ａの一部分を貫き、上モノリス７２２の壁の一部分（図４Ａ～４Ｄ）または下モノリス７２０の壁の一部分（図示せず）のいずれかを貫いて延びている。

【0071】

上で論じたとおり、周囲圧力領域４０３と移送領域４０１および処理領域４６０との間に生じた圧力差に起因するチャンバ上壁６１６および下壁６１８の歪みによって、処理中に、源アセンブリ４７０の部分（例えばターゲット４７２の表面）は撓み、基板支持体６７２の表面に対してある角度をなすようになる傾向がある。チャンバ上壁６１６および下壁６１８の歪みを最小化するため、処理モジュール２５０が真空下にあるのかまたは周囲圧力にあるのかにかかわらず、チャンバ上壁６１６および／または下壁６１８の歪みを最小化し、源アセンブリ４７０の平行度を改善するために、構造支持アセンブリ７１０が使用される。製造上の限界、コストの限界、ならびに組み立てられた上モノリス７２２および下モノリス７２０の輸送に関する限界のため、チャンバ上壁６１６は通常、５０ミリメートル（ｍｍ）～１００ｍｍの間の平均壁厚（Ｚ方向）を有し、さらに下壁６１８は、７５ｍｍ～１５０ｍｍの間の平均壁厚（Ｚ方向）を有する。ここで、この平行度の保証に役立てるため、上モノリス７２２は、上支持要素７０１と複数の装着要素７０２とを含む構造支持アセンブリ７１０を含み、複数の装着要素７０２はそれぞれ、チャンバ上壁６１６に結合された第１の端部を有する。いくつかの実施形態では、装着要素７０２をボルト締めすることによって、装着要素７０２を溶接することによって、またはさらには装着要素７０２をチャンバ上壁６１６の部分として一体的に形成することによって、装着要素７０２の第１の端部がチャンバ上壁６１６に結合されている。この装着要素７０２のアレイは、チャンバ上壁６１６上のプロセスステーション２６０の各々の間に配置されており、プロセスステーション２６０の各々の間でチャンバ上壁６１６に結合されている。いくつかの実施形態では、この装着要素のアレイがそれぞれ、隣り合う２つのプロセスステーション開口間に延びる半径方向７３５に配置された半径方向位置で第１の壁に結合された第１の端部を有する。一例では、図７Ｂに示されているように、それぞれの装着要素の半径方向位置が、プロセスステーション開口のそれぞれの対間に延びる半径方向７３５に沿って配置されており、プロセスステーション上開口７３４よりも中心に近い半径方向位置（例えば中心軸２５３から延びるより小さな半径のところ）に配置されている。いくつかの構成では、装着要素７０２が垂直セクション７１４Ａ（図８）を含み、さらに、中心軸２５３から半径方向に延びる半径方向セクション７１４Ｂ（図７Ｂ）を含む。

【0072】

いくつかの実施形態では、チャンバ上壁６１６の撓みを最小化するために、上支持要素７０１が一般に、それぞれの装着要素７０２の第２の端部に結合されたトロイド形の構造要素を含む。図７Ａ～７Ｂに示されているように、いくつかの構成では、このトロイド形が完全なトロイドではなく、１つまたは複数の小面（例えば６つの小面が示されている）ならびに１つまたは複数の平らな装着面（例えば頂面および底面）を含むことができる。上支持要素７０１は、装着要素７０２をボルト（すなわちボルト７０３）で締めることによって、装着要素７０２を溶接することによって、またはさらには装着要素７０２を上支持要素７０１の部分として一体的に形成することによって、装着要素７０２の各々に結合されている。装着要素７０２の垂直セクション７１４Ａは、チャンバ上壁６１６の装着面（例えば露出した頂面）から約１５０ｍｍ～約４５０ｍｍの間の距離８０８のところに上支持要素７０１を配置するように構成されている。チャンバ上壁６１６を支持し、適用された真空圧（例えば約１４．７ｐｓｉｇ）によって誘起された荷重を打ち消してチャンバ上壁６１６の歪みを最小化するため、上支持要素７０１の断面は、図８に示されているように、少なくともその面積慣性モーメント（ａｒｅａ ｍｏｍｅｎｔ ｏｆ ｉｎｅｒｔｉａ）によって所望の追加の剛性をチャンバ上壁６１６に提供するように構成された断面高さ８０６および断面幅８０７を含む。一例では、移送領域４０１が例えば１トルよりも低い圧力、例えば１０^-3トル～１０^-8トルの間の圧力に維持されていることにより処理中に適用された真空圧によって、直径３メートルのチャンバ上壁６１６が、合計約７１６，０００Ｎ（１６１，０００ポンド）の力を受ける。いくつかの実施形態では、上支持要素７０１および装着要素７０２が、上モノリス７２２および下モノリス７２０の構成要素（例えばチャンバ上壁６１６および下壁６１８）を形成するために使用される材料と同じ材料、例えばアルミニウム材料（例えば６０６１Ａｌ）から形成されている。いくつかの実施形態では、上支持要素７０１および装着要素７０２が、上モノリス７２２および下モノリス７２０の構成要素を形成するために使用される材料より大きな弾性率（Ｅ）を有する材料、例えばステンレス鋼材料（例えば３０４ＳＳＴ、３１６ＳＳＴ）から形成されており、上モノリス７２２および下モノリス７２０の構成要素がアルミニウム材料から形成されている。一例では、上支持要素７０１が、約５０ｍｍ～約１２５ｍｍの間の断面高さ８０６、約７５ｍｍ～約２００ｍｍの間の断面幅８０７を有し、約７５０ｍｍ～約９００ｍｍの間の内径を有する中心開口８０５を有する。この構成では、上支持要素７０１が、中心開口８０５の内径よりも小さな直径を有する中心開口７１３、例えば中心開口８０５の内径の８５％未満または中心開口８０５の内径の９５％未満の直径を有する中心開口７１３をチャンバ上壁６１６内に含むチャンバ上壁６１６に加えられた、真空によって誘起された荷重に耐えるように構成されている。いくつかの実施形態では、構造支持アセンブリ７１０とチャンバ上壁６１６の構造との組合せが、Ｘ－Ｙ平面に対して平行な横方向平面８０１（図８）に対するターゲット４７２の処理面４７２Ａの角撓み（ａｎｇｕｌａｒ ｄｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）または角ミスアライメントを、ターゲット４７２の中心を中心とする３００ｍｍの直径（例えばラン（ｒｕｎ））を横切って縁－縁間（ライズ（ｒｉｓｅ））で測定された約０．１ｍｍ～約０．２５ｍｍの間の傾斜角（例えば約０．０２から０．０５度の間の角度）まで最小化するように構成されている。いくつかの実施形態では、構造支持アセンブリ７１０とチャンバ上壁６１６の構造との組合せが、基板支持体６７２上に配置された基板Ｓの露出した表面に対するターゲット４７２の処理面４７２Ａの角ミスアライメントを、基板Ｓの３００ｍｍの直径（例えばラン）を横切って縁－縁間（例えばライズ）で測定された約０．１ｍｍ～約１ｍｍの間の傾斜角（例えば約０．０２から０．２度の間の角度）まで最小化するように構成されている。本明細書に記載された開示の範囲を限定することを意図してはいないが、いくつかのケースでは、処理面４７２Ａと横方向平面８０１との間の角ミスアライメントが、チャンバ上壁６１６の撓み（例えば１次曲げモード形状（１^st ｂｅｎｄｉｎｇ ｍｏｄｅ ｓｈａｐｅ））により、中心軸から延びる半径方向に沿って最大となりうる。

【0073】

図８には示されていないが、いくつかの実施形態では、チャンバ上壁６１６に構造支持アセンブリ７１０が結合されているのと同様に、下壁６１８に第２の構造支持アセンブリ７１０が結合されている。したがって、いくつかの実施形態では、処理モジュール２５０内の移送領域４０１が真空下にあるのかまたは周囲圧力にあるのかにかかわらず、全てのプロセスステーション２６０の源アセンブリ４７０の平行度を改善するために、処理モジュール２５０が、チャンバ上壁６１６上の第１の構造支持アセンブリ７１０および下壁６１８上の第２の構造支持アセンブリ７１０を含むことができる。

【0074】

図９Ａおよび９Ｂは、上で主に説明した６プロセスステーション構成とは異なる、４つのプロセスステーションを含む処理モジュール２５０の代替構成の例を示している。したがって、図９Ａおよび９Ｂは、パドルロボット処理モジュール９００である、追加の処理モジュール構想を示している。この構成では、本明細書の図２Ａ～８のプロセスステーション２６０と同じ全体構成をそれぞれが有する４つのプロセスステーション２６０が提供されるが、それらとは対照的に、これらの４つのプロセスステーションは矩形の筺体９０２の四隅に位置しており、図４Ｃ～４Ｄに関する説明と同様に、基板支持体６７２Ａ～６７２Ｄは、１つのプロセスステーション２６０から別のプロセスステーション２６０へ移動しない。矩形の筺体９０２は、上で説明した上モノリス７２２および下モノリス７２０と同様に構成された上本体９０４および下本体９０６を含む。図９Ａは、パドルロボット処理モジュール９００の上本体９０４および下本体９０６を含み、図９Ｂは、パドルロボット処理モジュール９００の下本体９０６部分だけを含む。上本体９０４は、それぞれのプロセスステーション２６０Ａ～２６０Ｄの源アセンブリ４７０およびプロセスキットアセンブリ４８０を支持するように構成されたチャンバ上壁を含む。下本体９０６も同様に、それぞれのプロセスステーション２６０Ａ～２６０Ｄ内の支持チャックアセンブリ５９０を支持するように構成された下壁を含む。

【0075】

パドルロボット処理モジュール９００の４つの壁のうちの共通する１つの壁に、第１および第２のプロセスチャンババルブ２４４Ａ、２４４Ｂが、図２Ａの中間ロボット２８５などのロボットを使用することによってそれらのバルブを通して第１の基板支持体６７２Ａ上に基板をロードすることができるような態様で位置する。次いで、第１のプロセスステーション２６０Ａ内の処理位置まで基板支持体６７２Ａが持ち上げられ、スパッタリングされた膜層を基板上に堆積させることなどによって基板が処理される。次いで、次のプロセスステーション２６０Ｂでの処理のために、第１のパドルロボット９０８Ａによって基板支持体６７２Ａから基板支持体６７２Ｂに基板を移動させることができる。あるいは、第１の基板支持体６７２Ａ上に第１の基板をロードし、次いで、第１の基板支持体６７２Ａ上で処理することなく、この第１の基板を、第１のパドルロボット９０８Ａによって第２の基板支持体６７２Ｂに移動させることもでき、次いで、第１の基板支持体６７２Ａ上で処理するために第２の基板が第１の基板支持体６７２Ａ上にロードされる。同様に、第２のパドルロボット９０８Ｂが、第４の基板支持体６７２Ｄと第３の基板支持体６７２Ｃとの間で追加の２つの基板を移動させることもできる。対応するそれぞれのプロセスステーションにおいて第１および第２の基板上で実行される処理、および、場合によっては、対応するそれぞれのプロセスステーションにおいて追加の基板上で追加的に実行される処理を、同時にまたは実質的に同時に実行することができる。

【0076】

それぞれのパドルロボット９０８Ａ、９０８Ｂは回転可能なベース９１０Ａ、９１０Ｂを含み、回転可能なベース９１０Ａ、９１０Ｂからは、パドルエンドエフェクタ９１４Ａ、９１４Ｂで終わるパドルアーム９１２Ａ、９１２Ｂが延びている。回転可能なベース９１０Ａ、Ｂは、矩形の筺体の下方のモータ（図示せず）に接続されており、それぞれの基板支持体６７２Ａ～Ｄのうちの１つの基板支持体上にパドルエンドエフェクタ９１４Ａ、９１４Ｂを配置するように回転可能である。さらに、そこを通ってパドルエンドエフェクタ９１４Ａ、９１４Ｂがスイング運動する円弧状の経路９９５に沿って、レストステーション（ｒｅｓｔ ｓｔａｔｉｏｎ）９１６Ａ～Ｄが、プロセスステーション２６０での処理と処理の間にまたはプロセスステーション２６０間で直接に基板をレストステーション９１６Ａ～Ｄに格納することができるような態様で配置されている。

【0077】

図１０Ａ～Ｃは、いくつかの実施形態による、スカート６８０および静電チャック（ＥＳＣ）６２２の上に配置されたシャッタディスク１３００ａ、１３００ｂ、１３００ｃの側面図を示している。例えば、スカート６８０は、図６に関して上で説明したカバーリング４８６とすることができる。スカート６８０はスカート特徴６８０ａ～ｃを含む。例えば、ＥＳＣは、図６に関して上で説明した本体６４３を含むことができる。

【0078】

シャッタディスク１３００ａ、１３００ｂ、１３００ｃは、その下の構成要素（例えば本体６４３）を不必要な堆積から保護するように構成されている。示されているとおり、シャッタディスク１３００ａ、１３００ｂ、１３００ｃは、ディスク本体１３０１および１つまたは複数のディスク特徴１３１０ａ～ｃを含む。ディスク本体１３０１は、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム－ケイ素－炭素（ＡｌＳｉＣ）、ステンレス鋼（ＳＳＴ）、アルミニウム（Ａｌ）およびこれらの任意の組合せなど、シャッタディスクに対して当技術分野で使用されている任意の材料を含むことができる。ディスク特徴１３１０ａ（図１０Ａ）は、シャッタディスク１３００ａの底面１３３０において、本体１３０１が、シャッタディスクの頂面１３３１よりもシャッタディスクの中心からさらに突き出るような態様の丸みのある部分を含む。ディスク特徴１３１０ｂ（図１０Ｂ）は、シャッタディスク１３００ｂの底面１３３０において、本体１３０１が、シャッタディスクの頂面１３３１とだいたい同じ距離だけシャッタディスクの中心から突き出るような態様の丸みのある部分を含む。ディスク特徴１３１０ｃ（図１０Ｃ）は、シャッタディスク１３００ａの底面１３３０において、本体１３０１が、シャッタディスクの頂面１３３１よりもシャッタディスクの中心からさらに突き出るような態様の丸みのある部分を含む。さらに、ディスク特徴１３１０ｃは底面１３３０の下方に延びるリップを含む。ディスク特徴１３１０ａ、１３１０ｂ、１３１０ｃは、ディスク本体１３０１の縁の周りに均一に配置することができ、または縁のいくつかの部分にだけに配置することができる。一実施形態によれば、シャッタディスクが、ディスク特徴１３１０ａ、１３１０ｂの２つ以上を含む。

【0079】

ディスク特徴１３１０ａ～ｃは、高温処理中のディスク本体１３０１の応力低減を可能にする。例えば、ディスク特徴１３１０ａ～ｃは、シャッタディスク１３００ａ～ｃが反り（ｂｏｗｉｎｇ）を経験した場合にディスク本体１３０１の応力を低減させる。シャッタディスク１３００ａ～ｃは、シャッタディスクが反りを経験した場合でもシャッタディスクがなおもＥＳＣおよびスカートを保護するような態様でＥＳＣおよびスカート上に置かれるようなサイズを有する。いくつかのケースでは、反りが、温度の急速な上昇および／または低下によって起こる。例えば、シャッタディスク１３００～ｃは、約１ｍｍまでまたはそれ以上の反りに耐えるように構成されている。この反りは、頂面１３３１に向かう方向の反りまたは頂面から遠ざかる方向の反りとすることができる。さらに、シャッタディスク１３００ａ～ｃは、本体１３０１の少なくとも１つのポートの約０．５ｍｍまでまたはそれ以上の横向きの（ｓｉｄｅｗａｙｓ）（すなわち底面１３３０および頂面１３３１に対して垂直な）膨張またはシフトに耐えるように構成されている。

【0080】

図１０Ｄは、いくつかの実施形態による、シャッタディスク１３００ａ～ｃのうちの１つのシャッタディスクの上面図を示している。シャッタディスク１３００ａ～ｃは、本体１３０１の側面から本体の中心Ｃまで延びる複数の長い溝１３２０を含む。シャッタディスク１３００ａ～ｃは、本体１３０１の側面から本体の中心Ｃまで延びる複数の短い溝１３２１を含む。長い溝１３２０の長さは、短い溝１３２１の長さに等しいかまたは短い溝１３２１の長さよりも長い。長い溝１３２０および短い溝１３２１は、まっすぐな経路など、任意の経路をたどることができる。図１０Ｄに示されているように、長い溝１３２０および短い溝１３２１は弧曲線を有する。この弧曲線は、約１０°など任意の角度を有することができる。長い溝１３２０および短い溝１３２１は約０．２５ｍｍ～約０．５０ｍｍの深さを有することができる。

【0081】

長い溝１３２０および短い溝１３２１は、長い溝および短い溝自体の中に材料を堆積させることなく堆積材料を導いて下方の構成要素から遠ざけ、それらの構成要素をさらに保護する。長い溝１３２０および短い溝１３２１は、堆積材料を運んで下方の構成要素から遠ざけ、それらの構成要素をさらに保護する。長い溝１３２０および短い溝１３２１は堆積平面に対して傾斜角を有する。

【0082】

シャッタディスク１３００ａ～ｃは、約３００ｍｍまたはそれ以上の直径を有することができる。この大きな直径は、たとえシャッタディスク１３００ａ～ｃがそりを経験した場合であってもその下の構成要素を保護することを可能にする。このことは、特に約５０００ｎｍまたはそれ以上の厚い膜厚の堆積に関して、サービス寿命を延長し、保護された構成要素の交換を先延ばしにすることによって所有コストを低減させる。

【0083】

図１１Ａは、一実施形態による、支持部分（あるいは移送システムとも呼ぶ）５６０の側面図を示している。図１１Ｂは、一実施形態による、支持部分５６０の上面図を示している。示されているとおり、支持部分５６０は、支持部分本体１４０５、第１の掴持器（ｇｒａｓｐｅｒ）１４０１、第２の掴持器１４０２および支持部分アクチュエータ１４１０を含む。第１および第２の掴持器１４０１、１４０２はそれぞれ支持部分本体１４０５に結合されている。第１の掴持器１４０１および第２の掴持器１４０２は、ワークピース（例えば基板Ｓまたはシャッタディスク１３００ａ～ｃの１つ）を掴持するように構成されている。支持部分５６０は、移送中、ワークピースの回転向きを一定に保つように構成されている。基板上のある部分にだけ堆積させた層を有する基板についてはワークピースの一定で一貫した回転向きが望ましい。

【0084】

いくつかの実施形態では、第１の掴持器１４０１および第２の掴持器１４０２が、第１の掴持器および第２の掴持器上にワークピースがしっかりと着座するような態様の水平な表面を含む。他の実施形態では、第１の掴持器１４０１および第２の掴持器１４０２が、ワークピースを支持部分５６０に固定するための留め具または他の機構（図示せず）を含む。支持部分アクチュエータ１４１０は、支持部分５６０を中心支持体３０５（図５Ｂ）に対してＺ方向に移動させるように構成されている。支持部分アクチュエータ１４１０は、空気圧アクチュエータ、電気モータ、液圧アクチュエータ、ステップモータ、ブラシモータまたは他の適当なアクチュエータなど、当技術分野で使用されている任意のアクチュエータを含むことができる。いくつかの実施形態では、中心支持体３０５の全体がＺ方向に移動し、したがって支持部分５６０がＺ方向に移動する。

【0085】

図１１Ｃは、一実施形態による、支持部分５６０の運動を示している。支持部分５６０は第１の位置１４２０から始まる。第１の位置１４２０において、支持部分５６０は、シャッタディスクまたは基板を掴持していない。

【0086】

次いで、支持部分５６０を第２の位置１４２１まで移動させる。例えば、カルーセルモータ４５７によって中心移送ロボット２４５（図５Ｂ）を回転させて、支持部分５６０が第２の位置１４２１まで回転するようにする。第２の位置１４２１は、支持部分５６０がシャッタディスク（例えば図１０Ａ～Ｄのシャッタディスク１３００ａ～ｃの１つ）を掴持することができるように位置している。いくつかの実施形態では、このシャッタディスクがシャッタスタック３１０の中に配置されている。支持部分アクチュエータ１４１０は、シャッタディスクを掴持するために支持部分５６０をＺ方向に移動させるように構成されている。いくつかの実施形態では、リフトアクチュエータ５９９によって中心支持体３０５の全体がＺ方向に移動し、したがって支持部分５６０が、シャッタディスクを掴持するためにＺ方向に移動する。

【0087】

次いで、支持部分５６０を第３の位置１４２２まで移動させる。例えば、カルーセルモータ４５７によって中心移送ロボット２４５（図５Ｂ）を回転させて、支持部分５６０が第３の位置１４２２まで回転するようにする。例えば、第３の位置１４２２は処理エリア（例えばプロセスステーション２６０）内に位置している。支持部分アクチュエータ１４１０は、シャッタディスクを処理エリアに置くために支持部分５６０をＺ方向に移動させるように構成されている。いくつかの実施形態では、リフトアクチュエータ５９９によって中心支持体３０５の全体がＺ方向に移動し、したがって支持部分５６０が、シャッタディスクを置くためにＺ方向に移動する。

【0088】

図１１Ｄは、一実施形態による、支持部分５６０の運動を示している。支持部分５６０は第１の位置１４２０から始まる。第１の位置１４２０において、支持部分５６０は、シャッタディスクまたは基板を掴持していない。

【0089】

次いで、支持部分５６０を第２の位置１４２１まで移動させる。例えば、カルーセルモータ４５７によって中心移送ロボット２４５（図５Ｂ）を回転させて、支持部分５６０が第２の位置１４２１まで回転するようにする。第２の位置１４２１は、支持部分５６０が基板（例えば基板Ｓ）を掴持することができるように位置している。いくつかの実施形態では、この基板がシャッタスタック３１０の中に配置されている。支持部分アクチュエータ１４１０は、基板を掴持するために支持部分５６０をＺ方向に移動させるように構成されている。いくつかの実施形態では、リフトアクチュエータ５９９によって中心支持体３０５の全体がＺ方向に移動し、したがって支持部分５６０が、基板を掴持するためにＺ方向に移動する。

【0090】

次いで、支持部分５６０を第３の位置１４２２まで移動させる。例えば、中心移送ロボット２４５（図５Ｂ）を回転させて、支持部分５６０が第３の位置１４２２まで回転するようにする。例えば、第３の位置１４２２は処理エリア（例えばプロセスステーション２６０）内に位置している。支持部分アクチュエータ１４１０は、基板を処理エリアに置くために支持部分５６０をＺ方向に移動させるように構成されている。いくつかの実施形態では、リフトアクチュエータ５９９によって中心支持体３０５の全体がＺ方向に移動し、したがって支持部分５６０が、基板を置くためにＺ方向に移動する。

【0091】

図１１Ｃおよび１１Ｄに示されたどちらの例でも他の位置を含めることができる。例えば４つ、５つまたはさらには６つ以上の位置に支持部分５６０を移動させる。それぞれの位置は、約０°から約３６０°までの任意の角度の刻みで配置することができる。支持部分５６０は、１つの位置から別の位置まで一様に移動することができ、またはこの外側端部は段階的に移動することができる。

【0092】

いくつかの実施形態では、第１の位置１４２０が２次処理領域（例えば別のプロセスステーション２６０）に位置する。これらの実施形態では、第２の位置１４２１を迂回することができ、したがって、基板Ｓは、２次処理領域から第２の位置１４２１の処理領域に移動する。これらの実施形態は、最初に２次処理領域で処理し、次に処理領域で処理する基板の２段階処理を可能にする。

【0093】

図１２Ａは、一実施形態による、第１の位置１５９１にあるシャッタスタック１５００Ａを示している。シャッタスタック１５００Ａは、１つまたは複数のシャッタディスク１３００および１つまたは複数の基板Ｓを保持するように構成されている。いくつかの実施形態では、シャッタスタック１５００Ａが基板Ｓだけを含む。いくつかの実施形態では、シャッタスタック１５００Ａが、１つまたは複数シャッタディスク１３００ａ～ｃだけを含む。このシャッタスタック１５００Ａを、上で説明したシャッタスタック３３０の代わりに使用することができる。

【0094】

示されているとおり、シャッタスタック１５００Ａは、スタックベース１５０２、１つまたは複数シャッタディスク支持体１５０５、基板支持体１５０１およびスタックアクチュエータ１５０３を含む。１つまたは複数のシャッタディスク支持体１５０５および基板支持体１５０１はスタックベース１５０２に結合されている。１つまたは複数のシャッタディスク支持体１５０５は、シャッタディスク１３００ａ～ｃを支持するように構成されている。基板支持体１５０１は、基板Ｓを支持するように構成されている。スタックアクチュエータ１５０３はスタックベース１５０２に結合されている。スタックアクチュエータ１５０３は、スタックベース１５０２を所望の方向に移動させるように構成されている。例えば、スタックアクチュエータ１５０３は、スタックベース１５０２をＺ方向に移動させるように構成されている。スタックアクチュエータ１５０３は、空気圧アクチュエータ、電気モータ、液圧アクチュエータ、ステップモータ、ブラシモータまたは他の適当なアクチュエータなど、当技術分野で使用されている任意のアクチュエータを含むことができる。

【0095】

一組のシャッタディスク支持体１５０５および対応するシャッタディスク１３００だけが示されているが、シャッタスタック１５００Ａは、任意の組数のシャッタディスク支持体１５０５および同じ数の対応するシャッタディスク１３００ａ～ｃを含むことができることが理解される。同様に、１つの基板支持体１５０１および対応する基板Ｓだけが示されているが、シャッタスタック１５００Ａは、任意の組数の基板支持体１５０１および同じ数の対応する基板Ｓを含むことができることが理解される。

【0096】

図１２Ａに示された第１の位置１５９１では、支持部分５６０がシャッタディスク１３００ａ～ｃを掴持している。基板支持体１５０１の上部１５０１Ｔとシャッタディスク支持体１５０５との間の間隔は、スタックベース１５０２と上部との間に支持部分５６０が収まるような間隔である。

【0097】

図１２Ｂは、一実施形態による、第２の位置１５９２にあるシャッタスタック１５００Ａを示している。第２の位置１５９２は、第１の位置１５９１に比べて低い高さにある。図１２Ｂに示された第２の位置１５９２では支持部分５６０が基板Ｓを掴持している。したがって、シャッタスタック１５００Ａは、支持部分５６０が基板Ｓまたはシャッタディスク１３００のいずれかを掴持することができるように構成されている。

【0098】

図１２ＡおよびＢには２つの位置１５９１、１５９２だけが示されているが、任意の数のシャッタスタック１５００Ａの位置が可能であることを理解すべきである。例えば、多数の基板支持体１５０１を含むシャッタスタック１５００Ａの構成では、それぞれの位置がスタックベース１５０２を異なる高さに含むシャッタスタックの多数の位置が可能である。さらに、シャッタスタック１５００Ａは、ワークピースのＺ方向の移動の増強された制御を可能にするリフトピン（図示せず）を含むこともできる。

【0099】

図１２Ｃは、一実施形態による、第１の位置１５９３にあるシャッタスタック１５００Ｂを示している。このシャッタスタック１５００Ｂを、上で説明したシャッタスタック３３０の代わりに使用することができる。シャッタスタック１５００Ｂはシャッタスタック１５００Ｂと同様であるが、シャッタスタック１５００Ｂはスタックアクチュエータを含まない。すなわち、シャッタスタック１５００Ｂは単一の位置１５９３にセットされている。その代わりに、図１２Ｄに示されているように、支持部分５６０が、シャッタスタック１５００Ｂに対してＺ方向に移動する。例えば、支持部分アクチュエータ１４１０（図１１ＡおよびＢ）を使用して支持部分５６０を移動させる。いくつかの実施形態では、リフトアクチュエータ５９９によって中心支持体３０５の全体がＺ方向に移動し、したがって支持部分５６０がＺ方向に移動する。いくつかの実施形態では、図１５Ｃおよび１５Ｄのアクチュエータがシャッタスタック１５００Ａとともに使用され、したがって、シャッタスタックおよび外側端部１０３２がそれぞれ、シャッタディスク１３００ａ～ｃおよび／または基板Ｓを掴持するために協調して機能する。

【0100】

シャッタスタック１５００Ａ、１５００Ｂはそれぞれ、真空を中断することなくワークピース（すなわち基板およびシャッタディスク）を取り出すことを可能にする。真空を中断し回復させるのに費やされる時間を短縮すると、クラスタツールのスループットが増大する。さらに、いくつかの実施形態によれば、シャッタスタック１５００Ａ、１５００Ｂが、放射冷却システムなどの冷却システムを含む。この冷却システムは、シャッタディスク１３００ａ～ｃの温度を下げ、シャッタディスクの耐用寿命を延ばし、ユーザの所有コストを低減させる。シャッタスタック１５００Ａ、１５００Ｂはさらに１つまたは複数センサ（図示せず）を含むことができる。これらのセンサは、支持部分５６０がシャッタスタックに配置されたときに支持部分に通知する。

【0101】

図１３は、一実施形態による、ワークピースを移動させるための方法１６００の操作の流れ図である。方法１６００の操作は、図１１Ａ～Ｄ、１２Ａ～Ｄおよび１３に関して説明されるが、この方法の操作をいかなる順序であれ実行するように構成されたシステムは、本明細書に記載された実施形態の範囲に含まれることを当業者は理解するであろう。方法１６００の実施形態は、図２Ａおよび２Ｂの基板処理モジュール２５０などの本明細書に記載されたシステムおよびシステム動作の１つまたは複数と組み合わせて使用することができる。方法１６００は、システムコントローラのプロセッサによって実行されたときに移送チャンバアセンブリにこの方法を実行させる命令を含むコンピュータ可読媒体として、基板処理モジュール２５０のシステムコントローラ２９９に格納することができ、または基板処理モジュール２５０のシステムコントローラ２９９からアクセス可能とすることができる。方法１６００の全体を、超高真空（ｕｌｔｒａｈｉｇｈ ｖａｃｕｕｍ）（ＵＨＶ）環境などの真空環境で実行することができる。

【0102】

方法１６００は操作１６１０から始まり、操作１６１０で、支持部分（例えば支持部分５６０）を第１の場所（例えば第１の位置１４２０）からシャッタスタック（例えば第２の位置１４２１に配置されたシャッタスタック３１０、１５００Ａまたは１５００Ｂ）まで第１の方向に移動させる。第１の方向は直線とすることができ、または円弧状の経路に沿った方向とすることができる。一実施形態によれば、支持部分は、シャッタディスクおよび基板を掴持するように構成されている。一実施形態によれば、支持部分は、中心移送ロボット（例えば中心移送ロボット２４５）の部分である。

【0103】

操作１６２０で、支持部分が、シャッタスタックからワークピース（例えばシャッタディスク１３００または基板Ｓ）を取り出す。いくつかの実施形態によれば、操作１６２０は、第１の方向に対して垂直な第２の方向に支持部分を移動させることを含む。例えば、（図１２ＣおよびＤに示されているように）シャッタスタックに対して支持部分を移動させる。一実施形態によれば、ワークピースを取り出すことは、シャッタスタックからシャッタディスクを取り出すこと、またはシャッタスタックから基板を取り出すことのいずれかを含み、シャッタディスクを取り出すことと基板を取り出すことは、第２の方向の異なる高さで実行される。

【0104】

いくつかの実施形態によれば、操作１６２０は、シャッタスタックを第２の方向に移動させることを含む。例えば、（図１２Ａおよび１２Ｂに示されているように）支持部分に対してシャッタスタックを移動させる。一実施形態によれば、ワークピースを取り出すことは、シャッタスタックからシャッタディスクを取り出すこと、またはシャッタスタックから基板を取り出すことのいずれかを含み、シャッタディスクを取り出すことと基板を取り出すことは、第２の方向の異なる高さで実行される。

【0105】

いくつかの実施形態では、操作１６２０が、支持部分を第２の方向に移動させることと、シャッタスタックを第２の方向に移動させることの両方を含む。

【0106】

操作１６３０で、支持部分が第２の場所（例えば第３の位置１４２２）に移動する。第２の場所は処理領域（例えばプロセスステーション２６０）を含む。

【0107】

複数のワークピースを用いて方法１６００を実行することができることを理解すべきである。例えば、中心移送ロボットは多数の支持部分を含み、したがって多数のワークピースを同時に移動させることができる。さらに、方法１６００は、支持部分を以前の位置（例えば第１の位置１４２０、第２の位置１４２１）に戻すことを含むことができる。例えば、操作１６３０の後、基板が処理領域に置かれているときに、支持部分は、第２の位置に戻ってシャッタディスクを取り出し、そのシャッタディスクを処理領域に置く。

【0108】

上で説明したとおり、基板処理モジュールと、ワークピースを移動させる方法とが提供される。基板処理モジュールは、シャッタスタックおよび２つの処理領域を含む。シャッタスタックは、処理領域間に配置されている。ワークピースを移動させる方法は、支持部分を第１の場所からシャッタスタックまで第１の方向に移動させること、シャッタスタックからワークピースを取り出すこと、および支持部分を第２の場所まで移動させることを含む。この基板処理モジュールおよび方法は、ワークピースをシャッタスタックまで移動させること、およびワークピースをシャッタスタックから２つの処理領域まで移動させることを可能にする。

【0109】

基板処理モジュールの中心移送ロボットは、基板とシャッタディスクの両方を把持するように構成されており、通常は２つのロボットが必要とされるであろうときに１つのロボットで済ますことを可能にする。シャッタスタックを高真空環境に置くことは、基板をシャッタスタックから処理領域まで移送するときに真空をポンプアップおよびポンプダウンする必要性を低下させる。

【0110】

以上の説明は、本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的範囲を逸脱しない範囲で、本開示の他の実施形態および追加の実施形態が考案される可能性があり、本開示の範囲は、添付の特許請求項によって決定される。

【図1A】

【図1B】

【図2A】

【図2B】

【図3A】

【図3B】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図6】

【図7A】

【図7B】

【図8】

【図9A】

【図9B】

【図10A】

【図10B】

【図10C】

【図10D】

【図11A】

【図11B】

【図11C】

【図11D】

【図12A】

【図12B】

【図12C】

【図12D】

【図13】

【手続補正書】

【提出日】2024-03-04

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

移送領域を少なくとも部分的に画定する複数の壁を含む処理モジュールであり、前記複数の壁が、
第１の中心開口と、前記第１の中心開口を取り囲むプロセスステーション上開口のアレイとを含む第１の壁、および
第２の中心開口と、前記第２の中心開口を取り囲むプロセスステーション下開口のアレイとを含み、前記処理モジュールの前記第１の壁とは反対側に配置された第２の壁、
を備える、処理モジュールと、
前記第２の中心開口を覆って前記移送領域内に配置された中心支持体、
前記中心支持体に結合されて、前記中心支持体から、中心軸から広がる半径方向に延びる複数の支持アーム、および
前記中心支持体および前記複数の支持アームを前記中心軸の周りで回転させるように構成されたアクチュエータ、
を備える中心ロボットと、
前記第１の壁に配置された２つ以上のプロセスステーションであり、各プロセスステーションが、前記プロセスステーション上開口の１つの上に配置されて、
源アセンブリ、および
複数の処理領域構成要素およびシーリングアセンブリを含むプロセスキットアセンブリ、および
前記第２の壁に結合されたアクチュエータを含む基板支持体作動アセンブリ、
を備える、２つ以上のプロセスステーションと、
基板受取り面と、前記基板受取り面内に配置された１つまたは複数の電気要素とを有する本体を含む基板支持体であり、前記基板支持体作動アセンブリの前記アクチュエータを使用することによって、移送位置から処理位置へ移送されるように構成され、前記移送位置が前記複数の支持アームの下方に配置され、前記処理位置が前記複数の支持アームの上方に配置されている、基板支持体と
を備える基板処理システム。

【請求項2】

前記２つ以上のプロセスステーションにおける前記源アセンブリの少なくとも１つが物理的気相堆積（ＰＶＤ）ターゲットを備える、請求項１に記載の基板処理システム。

【請求項3】

前記２つ以上のプロセスステーションの１つにおける源アセンブリがシャワーヘッドを備える、請求項２に記載の基板処理システム。

【請求項4】

前記基板支持体上に形成されたシーリング面が、前記基板支持体が前記処理位置に配置されたときに前記シーリングアセンブリとシールを形成するように構成され、前記形成されたシールが、処理領域を前記移送領域から流体分離するように構成される、請求項１に記載の基板処理システム。

【請求項5】

前記基板支持体が、第１のプレートと、第２のプレートと、前記第１のプレートおよび前記第２のプレートに結合されたコンプライアントな部材と、をさらに備え、
前記第１のプレートの表面が、前記基板支持体が前記処理位置に配置されたときに、前記基板支持体上に形成されたシーリング面と接触するように構成され、前記第２のプレートの表面が、前記複数の処理領域構成要素の１つに結合されて、前記複数の処理領域構成要素の前記１つとシールを形成する、請求項１に記載の基板処理システム。

【請求項6】

前記第１のプレートの前記表面が前記シーリング面と接触したときに、前記第１のプレートの前記表面が、前記源アセンブリの下面と実質的に平行である、請求項５に記載の基板処理システム。

【請求項7】

前記中心ロボットが、電源に電気的に結合されるように構成された複数の支持アーム電気コンタクトをさらに含む各支持アームの支持領域をさらに備え、
前記基板支持体が、前記１つまたは複数の電気要素に電気的に結合された複数の基板支持体電気コンタクトをさらに含み、
前記基板支持体が前記複数の支持アームのうちのある支持アームの支持領域上に配置されたときに、前記複数の支持アーム電気コンタクトが、それぞれ前記基板支持体電気コンタクトの異なる電気コンタクトと接触するように構成される、請求項１に記載の基板処理システム。

【請求項8】

基板またはシャッタディスクの１つまたは複数を含む１つまたは複数のワークピースを格納するように構成されたシャッタスタックをさらに備え、前記シャッタスタックが、
シャッタベースと、
前記シャッタベースに結合された１つまたは複数のシャッタディスク支持体であり、前記１つまたは複数のシャッタディスク支持体の各々がシャッタディスクを支持するように構成された、１つまたは複数のシャッタディスク支持体と
を含み、
前記基板支持体が、前記シャッタベースに結合されて、前記基板受取り面上に基板を支持するように構成され、
前記シャッタスタックが、前記２つ以上のプロセスステーションのうちの２つの間に配置される、請求項１に記載の基板処理システム。

【請求項9】

移送領域を少なくとも部分的に画定する複数の壁を含む処理モジュールであり、前記複数の壁が、
第１の中心開口と、前記第１の中心開口を取り囲むプロセスステーション開口のアレイとを含む第１の壁、および
第２の中心開口を含み、前記処理モジュールの前記第１の壁とは反対側に配置された第２の壁、
を備える、処理モジュールと、
前記第１の壁に配置された２つ以上のプロセスステーションであり、前記２つ以上のプロセスステーションの各プロセスステーションが、前記プロセスステーション開口の１つの上に別々に配置されて、
前記プロセスステーションの処理領域に隣接して水平面と平行関係で配置された処理面を含む源アセンブリ、
を備える、２つ以上のプロセスステーションと、
トロイド形および装着面を有する支持要素、および
前記支持要素と前記処理モジュールの前記第１の壁との間に配置された装着要素のアレイ、
を備えた構造支持アセンブリであり、各装着要素が、
前記プロセスステーション開口のアレイの２つの隣接するプロセスステーション開口間に延びる半径方向線上の半径方向位置において前記第１の壁に結合された第１の端部、および
前記支持要素の前記装着面に結合された第２の端部、
を含む、構造支持アセンブリと、
を備え、
前記移送領域において真空圧力が発生したときに、前記構造支持アセンブリが、前記第１の壁の撓み、および前記水平面に対する前記処理面の角ミスアライメントを低減する、基板処理システム。

【請求項10】

前記源アセンブリが物理的気相堆積（ＰＶＤ）ターゲットをさらに含み、前記処理面が前記物理的気相堆積（ＰＶＤ）ターゲットの表面によって画定される、請求項９に記載の基板処理システム。

【請求項11】

前記源アセンブリがシャワーヘッドをさらに含み、前記処理面が前記シャワーヘッドの表面によって画定される、請求項９に記載の基板処理システム。

【請求項12】

前記処理モジュールの前記複数の壁がアルミニウム材料を含み、前記支持要素および装着要素のアレイが、前記アルミニウム材料よりも高い弾性率を有する、請求項９に記載の基板処理システム。

【請求項13】

前記支持要素が、前記第１の中心開口の直径よりも大きな内径を有する、請求項９に記載の基板処理システム。

【請求項14】

前記２つ以上のプロセスステーションが、
複数の処理領域構成要素およびシーリングアセンブリを含むプロセスキットアセンブリ、および
前記第２の壁に結合されたアクチュエータによって位置決め可能な支持プレートアセンブリを含む基板支持体作動アセンブリ、
をさらに備え、前記基板処理システムが、
シーリング面と、基板受取り面および前記基板受取り面内に配置された１つまたは複数の電気要素を有する本体とをそれぞれが含む複数の基板支持体であり、前記シーリング面が、前記基板支持体が処理位置に配置されたときに前記シーリングアセンブリとシールを形成するように構成され、前記形成されたシールが、処理領域を前記移送領域から流体分離するように構成される、基板支持体
をさらに備える、請求項９に記載の基板処理システム。

【請求項15】

前記基板支持体の前記シーリング面が、前記源アセンブリの前記処理面および前記水平面と実質的に平行である、請求項１４に記載の基板処理システム。

【請求項16】

移送領域を少なくとも部分的に画定する複数の壁を含む処理モジュールであり、前記複数の壁が、
中心軸を取り囲むプロセスステーション開口のアレイを含む第１の壁、および
中心開口を含み、前記処理モジュールの前記第１の壁とは反対側に配置された第２の壁、
を備える、処理モジュールと、
前記第１の壁に配置された２つ以上のプロセスステーションであり、前記２つ以上のプロセスステーションの各プロセスステーションが、前記プロセスステーション開口の１つの上に別々に配置されて、
源アセンブリ、
複数の処理領域構成要素およびシーリングアセンブリを含むプロセスキットアセンブリ、および
前記第２の壁に結合されたアクチュエータによって位置決め可能な支持プレートアセンブリを含む基板支持体作動アセンブリ、
を備える、２つ以上のプロセスステーションと、
前記移送領域内の基板を移送するように構成された中心ロボットであり、
第１の端部が中心支持体に結合され、第２の端部に支持領域を含む複数の支持アーム、および
前記中心支持体および前記複数の支持アームを前記中心軸の周りで回転させるように構成されたアクチュエータ、
を備え、前記支持アームが前記中心軸の周りで回転するときに、各支持アームの前記支持領域がプロセスステーション開口の下方に位置決め可能である、中心ロボットと、
シーリング面と、基板受取り面および前記基板受取り面内に配置された１つまたは複数の電気要素を有する本体とをそれぞれが含む複数の基板支持体であり、
前記中心ロボットによって前記移送領域内で基板が移送されているときに、前記支持アームのそれぞれの支持領域上に基板支持体が配置され、
前記アクチュエータによって前記２つ以上のプロセスステーションのうちのあるプロセスステーション内の処理位置に基板が配置されたときに、前記基板支持体が前記支持プレートアセンブリ上に配置されて前記支持アームの前記支持領域から分離される、複数の基板支持体と、
を備える基板処理システム。

【請求項17】

前記複数の基板支持体が前記アクチュエータによって前記複数の支持アームのうちのある支持アームの前記支持領域から前記処理位置に移送されるときに、前記複数の基板支持体の前記基板支持体が、前記アクチュエータに結合された支持プレート上に配置され、
前記基板支持体が、前記１つまたは複数の電気要素に電気的に結合された複数の基板支持体電気コンタクトをさらに含み、
前記支持プレートが、前記基板支持体が前記支持プレート上に配置されたときに前記基板支持体電気コンタクトの異なる電気コンタクトに接触するようにそれぞれ構成された複数の支持プレート電気コンタクトを含む、請求項１６に記載の基板処理システム。

【請求項18】

前記複数の基板支持体のうちのある基板支持体の表面上に配置された受取り面と実質的な流体密封シールを形成するように構成されたシーリング面を含む分離可能なガス接続をさらに備え、前記分離可能なガス接続は、ガス源に結合されるように構成される、請求項１７に記載の基板処理システム。

【請求項19】

前記源アセンブリが物理的気相堆積（ＰＶＤ）ターゲットをさらに含み、前記処理面が前記物理的気相堆積（ＰＶＤ）ターゲットの表面によって画定される、請求項１７に記載の基板処理システム。

【請求項20】

前記源アセンブリがシャワーヘッドをさらに含み、前記処理面が前記シャワーヘッドの表面によって画定される、請求項１９に記載の基板処理システム。

【外国語明細書】