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特開2024-58261配線形成用部材、半導体装置の製造方法、及び硬化性樹脂フィルム
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024058261
(43)【公開日】2024-04-25
(54)【発明の名称】配線形成用部材、半導体装置の製造方法、及び硬化性樹脂フィルム
(51)【国際特許分類】
H05K 1/03 20060101AFI20240418BHJP
C08L 63/00 20060101ALI20240418BHJP
C08L 33/04 20060101ALI20240418BHJP
B32B 15/08 20060101ALI20240418BHJP
H01L 23/12 20060101ALI20240418BHJP
【ＦＩ】
H05K1/03 610H
C08L63/00 A
C08L33/04
C08L63/00 B
B32B15/08 J
H01L23/12 501P
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022165514
(22)【出願日】2022-10-14
(71)【出願人】
【識別番号】000004455
【氏名又は名称】株式会社レゾナック
(74)【代理人】
【識別番号】100088155
【弁理士】
【氏名又は名称】長谷川 芳樹
(74)【代理人】
【識別番号】100128381
【弁理士】
【氏名又は名称】清水 義憲
(74)【代理人】
【識別番号】100169454
【弁理士】
【氏名又は名称】平野 裕之
(72)【発明者】
【氏名】小川 紗瑛子
(72)【発明者】
【氏名】祖父江 省吾
(72)【発明者】
【氏名】松原 弘明
【テーマコード（参考）】
4F100
4J002
【Ｆターム（参考）】
4F100AB01B
4F100AB01D
4F100AB12E
4F100AB17B
4F100AB17D
4F100AG00A
4F100AK25C
4F100AK33C
4F100AK53C
4F100AL09C
4F100AN02C
4F100AT00A
4F100BA04
4F100BA05
4F100BA07
4F100EH66B
4F100EH66D
4F100EH66E
4F100GB43
4F100JJ03
4J002BG02X
4J002CC03Y
4J002CD00W
4J002CD05W
4J002CD06W
4J002CD07W
4J002FD010
4J002FD070
4J002FD150
4J002GF00
4J002GQ01
(57)【要約】
【課題】配線層（再配線層）を形成する際の樹脂層内で発泡を抑制することが可能な配線形成用部材を提供すること。
【解決手段】配線形成用部材１０が提供される。配線形成用部材１０は、支持部材１と、第１の金属層３ａと、樹脂層５と、第２の金属層３ｂとをこの順に備える。樹脂層５は、硬化性樹脂組成物又はその硬化物を含有する。硬化性樹脂組成物は、アクリルゴムと、エポキシ樹脂とを含む。
【選択図】図１
【解決手段】配線形成用部材１０が提供される。配線形成用部材１０は、支持部材１と、第１の金属層３ａと、樹脂層５と、第２の金属層３ｂとをこの順に備える。樹脂層５は、硬化性樹脂組成物又はその硬化物を含有する。硬化性樹脂組成物は、アクリルゴムと、エポキシ樹脂とを含む。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
支持部材と、第１の金属層と、樹脂層と、第２の金属層とをこの順に備え、
前記樹脂層が、硬化性樹脂組成物又はその硬化物を含有し、
前記硬化性樹脂組成物が、アクリルゴムと、エポキシ樹脂とを含む、
配線形成用部材。
前記樹脂層が、硬化性樹脂組成物又はその硬化物を含有し、
前記硬化性樹脂組成物が、アクリルゴムと、エポキシ樹脂とを含む、
配線形成用部材。
【請求項2】
前記硬化性樹脂組成物が、フェノール樹脂をさらに含む、
請求項１に記載の配線形成用部材。
請求項１に記載の配線形成用部材。
【請求項3】
請求項１又は２に記載の配線形成用部材を準備する工程と、
前記第２の金属層を加工して配線層を形成する工程と、
前記配線層上に半導体部材を配置し、配線層付き半導体部材を備える積層体を作製する工程と、
前記積層体の前記第１の金属層に対して前記支持部材側から少なくとも赤外光を含む光を照射して、前記支持部材と前記配線層付き半導体部材とを分離する工程と、
を備える、
半導体装置の製造方法。
前記第２の金属層を加工して配線層を形成する工程と、
前記配線層上に半導体部材を配置し、配線層付き半導体部材を備える積層体を作製する工程と、
前記積層体の前記第１の金属層に対して前記支持部材側から少なくとも赤外光を含む光を照射して、前記支持部材と前記配線層付き半導体部材とを分離する工程と、
を備える、
半導体装置の製造方法。
【請求項4】
請求項１又は２に記載の配線形成用部材を準備する工程と、
前記第２の金属層上に配線層を形成する工程と、
前記配線層上に半導体部材を配置し、配線層付き半導体部材を備える積層体を作製する工程と、
前記積層体の前記第１の金属層に対して前記支持部材側から少なくとも赤外光を含む光を照射して、前記支持部材と前記配線層付き半導体部材とを分離する工程と、
を備える、
半導体装置の製造方法。
前記第２の金属層上に配線層を形成する工程と、
前記配線層上に半導体部材を配置し、配線層付き半導体部材を備える積層体を作製する工程と、
前記積層体の前記第１の金属層に対して前記支持部材側から少なくとも赤外光を含む光を照射して、前記支持部材と前記配線層付き半導体部材とを分離する工程と、
を備える、
半導体装置の製造方法。
【請求項5】
配線層付き半導体部材の製造プロセスに用いられる硬化性樹脂フィルムであって、
前記硬化性樹脂フィルムが、アクリルゴムと、エポキシ樹脂とを含む、
硬化性樹脂フィルム。
前記硬化性樹脂フィルムが、アクリルゴムと、エポキシ樹脂とを含む、
硬化性樹脂フィルム。
【請求項6】
フェノール樹脂をさらに含む、
請求項５に記載の硬化性樹脂フィルム。
請求項５に記載の硬化性樹脂フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、配線形成用部材、半導体装置の製造方法、及び硬化性樹脂フィルムに関する。
【背景技術】
【0002】
高密度実装可能な先端パッケージの１つとして、ＦＯ－ＷＬＰ（Ｆａｎ－Ｏｕｔ Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｉｎｇ）が知られている。ＦＯ－ＷＬＰは、チップ上に形成された微細な再配線層（ＲＤＬ：Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）が、チップの外形より外側に拡張されて形成されている構造のパッケージである。ＦＯ－ＷＬＰの組み立て工程は、２つに大別することができる。１つは、チップをはじめに搭載してから再配線層を形成する方法であり、Ｃｈｉｐ Ｆｉｒｓｔ法と呼ばれる。もう１つは、再配線層をはじめに形成してからチップを搭載する方法であり、ＲＤＬ－Ｆｉｒｓｔ（Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ－Ｆｉｒｓｔ）法と呼ばれる。
【0003】
近年、ＲＤＬ－Ｆｉｒｓｔ法によるパッケージ（配線層付き半導体部材）の製造プロセスに好適に使用される配線形成用部材の開発が進められている。このような製造プロセスにおいては、支持部材上の最表面にある金属層を加工して配線層（再配線層）を形成し、又は、金属層上に配線層（再配線層）を設け、必要に応じて、半導体チップを搭載してパッケージ（配線層付き半導体部材）を作製した後に、支持部材と配線層付き半導体部材とを分離する。例えば、特許文献１には、キャリア（支持部材）と、ニッケル合金層と、炭素層と、極薄銅層とを備えるキャリア付銅箔（配線形成用部材）が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１７－１１４０７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明者らは、支持部材と、第１の金属層と、樹脂層と、第２の金属層とをこの順に備える新規な配線形成用部材の開発を進めている。ところで、本発明者らの検討によると、このような配線形成用部材においては、配線層（再配線層）を形成する（例えば、絶縁層形成時の加熱する）際に、樹脂層内でアウトガス等に起因する発泡が発生し、樹脂層で膨れが生じる場合があることが見出された。樹脂層で膨れが生じると、半導体部材の配置等の後工程が実施できない等の不具合が生じるおそれがある。
【0006】
そこで、本開示は、配線層（再配線層）を形成する際の樹脂層内の発泡を抑制することが可能な配線形成用部材を提供することを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本開示は、［１］、［２］に記載の配線形成用部材、［３］、［４］に記載の半導体装置の製造方法、及び［５］、［６］に記載の硬化性樹脂フィルムを提供する。
［１］支持部材と、第１の金属層と、樹脂層と、第２の金属層とをこの順に備え、前記樹脂層が、硬化性樹脂組成物又はその硬化物を含有し、前記硬化性樹脂組成物が、アクリルゴムと、エポキシ樹脂とを含む、配線形成用部材。
［２］前記硬化性樹脂組成物が、前記エポキシ樹脂の硬化剤をさらに含み、前記硬化剤が、フェノール樹脂である、［１］に記載の配線形成用部材。
［３］［１］又は［２］に記載の配線形成用部材を準備する工程と、前記第２の金属層を加工して配線層を形成する工程と、前記配線層上に半導体部材を配置し、配線層付き半導体部材を備える積層体を作製する工程と、前記積層体の前記第１の金属層に対して前記支持部材側から少なくとも赤外光を含む光を照射して、前記支持部材と前記配線層付き半導体部材とを分離する工程とを備える、半導体装置の製造方法。
［４］［１］又は［２］に記載の配線形成用部材を準備する工程と、前記第２の金属層上に配線層を形成する工程と、前記配線層上に半導体部材を配置し、配線層付き半導体部材を備える積層体を作製する工程と、前記積層体の前記第１の金属層に対して前記支持部材側から少なくとも赤外光を含む光を照射して、前記支持部材と前記配線層付き半導体部材とを分離する工程とを備える、半導体装置の製造方法。
［５］配線層付き半導体部材の製造プロセスに用いられる硬化性樹脂フィルムであって、前記硬化性樹脂フィルムが、アクリルゴムと、エポキシ樹脂とを含む、硬化性樹脂フィルム。
［６］フェノール樹脂をさらに含む、［５］に記載の硬化性樹脂フィルム。
［１］支持部材と、第１の金属層と、樹脂層と、第２の金属層とをこの順に備え、前記樹脂層が、硬化性樹脂組成物又はその硬化物を含有し、前記硬化性樹脂組成物が、アクリルゴムと、エポキシ樹脂とを含む、配線形成用部材。
［２］前記硬化性樹脂組成物が、前記エポキシ樹脂の硬化剤をさらに含み、前記硬化剤が、フェノール樹脂である、［１］に記載の配線形成用部材。
［３］［１］又は［２］に記載の配線形成用部材を準備する工程と、前記第２の金属層を加工して配線層を形成する工程と、前記配線層上に半導体部材を配置し、配線層付き半導体部材を備える積層体を作製する工程と、前記積層体の前記第１の金属層に対して前記支持部材側から少なくとも赤外光を含む光を照射して、前記支持部材と前記配線層付き半導体部材とを分離する工程とを備える、半導体装置の製造方法。
［４］［１］又は［２］に記載の配線形成用部材を準備する工程と、前記第２の金属層上に配線層を形成する工程と、前記配線層上に半導体部材を配置し、配線層付き半導体部材を備える積層体を作製する工程と、前記積層体の前記第１の金属層に対して前記支持部材側から少なくとも赤外光を含む光を照射して、前記支持部材と前記配線層付き半導体部材とを分離する工程とを備える、半導体装置の製造方法。
［５］配線層付き半導体部材の製造プロセスに用いられる硬化性樹脂フィルムであって、前記硬化性樹脂フィルムが、アクリルゴムと、エポキシ樹脂とを含む、硬化性樹脂フィルム。
［６］フェノール樹脂をさらに含む、［５］に記載の硬化性樹脂フィルム。
【発明の効果】
【0008】
本開示によれば、配線層（再配線層）を形成する際の樹脂層内の発泡を抑制することが可能な配線形成用部材が提供される。また、本開示によれば、このような配線形成用部材を用いた半導体装置の製造方法が提供される。さらに、本開示によれば、配線層付き半導体部材の製造プロセスに用いられる硬化性樹脂フィルムが提供される。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、図面を適宜参照しながら、本開示の実施形態について説明する。ただし、本開示は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素（ステップ等も含む）は、特に明示した場合を除き、必須ではない。各図における構成要素の大きさは概念的なものであり、構成要素間の大きさの相対的な関係は各図に示されたものに限定されない。
【0011】
本開示における数値及びその範囲についても同様であり、本開示を制限するものではない。本明細書において「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
【0012】
本明細書において「層」との語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構造に加え、一部に形成されている形状の構造も包含される。また、本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。
【0013】
本明細書において、（メタ）アクリル酸エステルは、アクリル酸エステル又はそれに対応するメタクリル酸エステルを意味する。（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリル共重合体等の他の類似表現についても同様である。
【0014】
本明細書中、以下で例示する材料は、特に断らない限り、条件に該当する範囲で、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。各成分の含有量は、各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、当該複数の物質の合計量を意味する。
【0015】
【0016】
支持部材１は、高い透過率を有し、配線形成時に受ける負荷に耐え得る板状体である。支持部材１としては、例えば、無機ガラス基板、透明樹脂基板等が挙げられる。
【0017】
支持部材１の厚さは、例えば、０．１～２．０ｍｍであってよい。支持部材１の厚さが０．１ｍｍ以上であると、ハンドリングが容易となる傾向にある。支持部材１の厚さが２．０ｍｍ以下であると、材料費を抑制することができる傾向にある。
【0018】
第１の金属層３ａは、赤外光を含む光を吸収して熱を発生する層である。第１の金属層３ａを構成する金属は、赤外光を含む光を吸収して熱を発生する金属であれば特に制限されない。このような金属としては、例えば、クロム、銅、チタン、銀、白金、金等の金属、ニッケル－クロム、ステンレス鋼、銅－亜鉛等の合金、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化ニオブ等の金属酸化物などが挙げられる。これらの中でも、第１の金属層３ａを構成する金属は、クロム、チタン、銅、アルミニウム、銀、金、又は白金であってよい。
【0019】
第１の金属層３ａは、複数の金属層から構成されていてもよい。このような第１の金属層３ａとしては、例えば、金属層（１）と金属層（２）とを支持部材１からこの順に含む層等が挙げられる。金属層（１）を構成する金属は、支持部材との密着性、成膜性、熱伝導性、低熱容量等の観点から、チタンであってよい。金属層（２）を構成する金属は、高膨張係数、高熱伝導等の観点から、銅、アルミニウム、銀、金、又は白金であってよく、銅又はアルミニウムであってもよい。
【0020】
第１の金属層３ａは、金属箔を用いて形成される金属層、又は、真空蒸着、スパッタリング等の物理気相成長（ＰＶＤ）によって形成される金属層であってよい。第１の金属層３ａは、支持部材との密着性の観点から、ＰＶＤによって形成される金属層であることが好ましい。
【0021】
第１の金属層３ａの厚さは、軽剥離性の観点から、１～５０００ｎｍ（０．００１～５μｍ）又は５０～３０００ｎｍ（０．０５～３μｍ）であってよい。第１の金属層３ａが金属層（１）と金属層（２）とから構成される層である場合、金属層（１）の厚さは、１～１０００ｎｍ（０．００１～１μｍ）、５～５００ｎｍ（０．００５～０．５μｍ）、又は１０～１００ｎｍ（０．０１～０．１μｍ）であってよく、金属層（２）の厚さは、１～５０００ｎｍ（０．００１～５μｍ）、１０～５００ｎｍ（０．０１～０．５μｍ）、又は５０～３００ｎｍ（０．０５～０．３μｍ）であってよい。
【0022】
樹脂層５は、硬化性樹脂組成物又はその硬化物を含有する。硬化性樹脂組成物は、熱又は光によって硬化する硬化性樹脂組成物であり得る。すなわち、樹脂層５は、少なくとも一部が硬化し、半硬化（Ｂステージ）状態を経て、その後に加熱処理によって硬化（Ｃステージ）状態となり得るものであってよい。
【0023】
Ｂステージとは、ある種の熱硬化性樹脂の反応において、材料がある種の液体に接触する場合には膨潤しかつ加熱する場合には軟化するが、しかし完全には溶解又は溶融しない中間段階を意味し、Ｃステージとは、ある種の熱硬化性樹脂の反応において、その材料が事実上不溶不融となる最終段階を意味する。
【0024】
硬化性樹脂組成物は、アクリルゴム（以下、「（Ａ）成分」という場合がある。）と、エポキシ樹脂（以下、「（Ｂ）成分」という場合がある。）とを含む。硬化性樹脂組成物が（Ａ）成分と、（Ｂ）成分とを含むことにより、配線層（再配線層）を形成する際の樹脂層内の発泡を抑制することが可能となる。このような効果を奏する理由は、必ずしも定かではないが、アクリルゴムはそれ自体での耐熱性が比較的高く、エポキシ樹脂は自己重合により高い耐熱性を発現することから、硬化性樹脂組成物を硬化させることにより、アウトガスの原因となる成分が減少すると推察され、これにより、硬化後の硬化性樹脂組成物を高温に曝した場合において、アウトガスの発生が抑制されると考えられる。
【0025】
硬化性樹脂組成物は、エポキシ樹脂の硬化剤として、フェノール樹脂（以下、「（Ｃ）成分」という場合がある。）をさらに含んでいてもよい。硬化性樹脂組成物は、硬化促進剤（以下、「（Ｄ）成分」という場合がある。）、無機フィラー（以下、「（Ｅ）成分」という場合がある。）、その他の成分等をさらに含んでいてもよい。
【0026】
（Ａ）成分：アクリルゴム
（Ａ）成分は、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を主成分として含有するものであってよい。（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位の含有量は、（Ａ）成分を構成する構成単位全量を基準として、例えば、７０質量％以上、８０質量％以上、又は９０質量％以上であってよい。
（Ａ）成分は、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を主成分として含有するものであってよい。（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位の含有量は、（Ａ）成分を構成する構成単位全量を基準として、例えば、７０質量％以上、８０質量％以上、又は９０質量％以上であってよい。
【0027】
（Ａ）成分は、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位として、エポキシ基（グリシジル基）、アルコール性又はフェノール性水酸基、カルボキシル基等の架橋性官能基を有する（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を含んでいてもよい。架橋性官能基は、例えば、エポキシ基（グリシジル基）であってよい。架橋性官能基を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、グリシジル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレートグリシジルエーテル、３，４－エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの中でも、架橋性官能基を有する（メタ）アクリル酸エステルは、グリシジル（メタ）アクリレートであってよい。架橋性官能基を有する（メタ）アクリル酸エステルの含有量は、（Ａ）成分を構成する構成単位全量を基準として、例えば、０．１～１０質量％、０．５～１５質量％、又は１～１０質量％であってよい。
【0028】
（Ａ）成分は、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位に加えて、アクリルニトリルに由来する構成単位をさらに含有するものであってよい。他方、（Ａ）成分は、アクリルニトリルに由来する構成単位を含有しないものであってもよい。
【0029】
（Ａ）成分のガラス転移温度（Ｔｇ）は、－５０～５０℃、－４０～２０℃、又は、－３０～０℃であってよい。（Ａ）成分のＴｇが５０℃以下であると、硬化性樹脂組成物から硬化性樹脂フィルムを形成したときに、柔軟性をより充分に確保でき、貼付性の低下をより充分に抑制できる傾向がある。（Ａ）成分のＴｇが－５０℃以上であると、硬化性樹脂組成物から硬化性樹脂フィルムを形成したときに、柔軟性が高くなり過ぎることによる取扱性及び剥離性の低下をより充分に抑制できる傾向がある。
【0030】
なお、（Ａ）成分のＴｇは、示差走査熱量計（ＤＳＣ）を用いて測定される（Ａ）成分の中間点ガラス転移温度を意味する。中間点ガラス転移温度は、例えば、昇温速度１０℃／分、測定温度－８０～８０℃の条件で熱量変化を測定し、ＪＩＳ Ｋ ７１２１：１９８７に準拠した方法によって算出することができる。
【0031】
（Ａ）成分の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０万～１２０万、２０万～１００万、又は３０万～８０万であってよい。（Ａ）成分のＭｗが１０万以上であると、硬化性樹脂組成物の耐熱性を確保し易くなる傾向がある。（Ａ）成分のＭｗが１２０万以下であると、硬化性樹脂組成物から硬化性樹脂フィルムを形成したときに、貼付性の低下を抑制できる傾向がある。
【0032】
なお、（Ａ）成分のＭｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値を意味する。
【0033】
（Ａ）成分の含有量は、硬化性樹脂組成物全量を基準として、４０～９０質量％であってよい。（Ａ）成分の含有量は、硬化性樹脂組成物全量を基準として、４５質量％以上、５０質量％以上、又は５５質量％以上であってもよく、８０質量％以下、７０質量％以下、又は６５質量％以下であってもよい。（Ａ）成分の含有量が、硬化性樹脂組成物全量を基準として、４０質量％以上であると、硬化性樹脂組成物から硬化性樹脂フィルムを形成したときに、被着体へのラミネート性により優れる傾向がある。（Ａ）成分の含有量が、硬化性樹脂組成物全量を基準として、９０質量％以下であると、耐熱性がより充分に確保され、被着体からの剥離性により優れる傾向がある。
【0034】
（Ｂ）成分：エポキシ樹脂
（Ｂ）成分は、分子内にエポキシ基を有するものであれば、特に制限なく用いることができる。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦノボラック型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリアジン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、多官能フェノール類又は多環芳香族類のジグリシジルエーテル化合物などが挙げられる。これらの中でも、（Ｂ）成分は、耐熱性及び耐候性の観点から、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、及びトリフェノールメタン型エポキシ樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいてもよい。
（Ｂ）成分は、分子内にエポキシ基を有するものであれば、特に制限なく用いることができる。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦノボラック型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリアジン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、多官能フェノール類又は多環芳香族類のジグリシジルエーテル化合物などが挙げられる。これらの中でも、（Ｂ）成分は、耐熱性及び耐候性の観点から、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、及びトリフェノールメタン型エポキシ樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいてもよい。
【0035】
（Ｂ）成分のエポキシ当量は、特に制限されないが、９０～３５０ｇ／ｅｑ又は１１０～３２０ｇ／ｅｑであってよい。（Ｂ）成分のエポキシ当量がこのような範囲にあると、硬化性樹脂フィルムのバルク強度を維持しつつ、流動性を確保することができる傾向がある。
【0036】
（Ｃ）成分：フェノール樹脂
（Ｃ）成分は、分子内にフェノール性水酸基を有するものであれば特に限定されない。フェノール樹脂としては、例えば、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール類及び／又はα－ナフトール、β－ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂；アリル化ビスフェノールＡ、アリル化ビスフェノールＦ、アリル化ナフタレンジオール、フェノールノボラック、フェノール等のフェノール類及び／又はナフトール類とジメトキシパラキシレン又はビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成されるフェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂などが挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、（Ｃ）成分は、フェノールノボラック型フェノール樹脂を含んでいてもよい。
（Ｃ）成分は、分子内にフェノール性水酸基を有するものであれば特に限定されない。フェノール樹脂としては、例えば、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール類及び／又はα－ナフトール、β－ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂；アリル化ビスフェノールＡ、アリル化ビスフェノールＦ、アリル化ナフタレンジオール、フェノールノボラック、フェノール等のフェノール類及び／又はナフトール類とジメトキシパラキシレン又はビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成されるフェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂などが挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、（Ｃ）成分は、フェノールノボラック型フェノール樹脂を含んでいてもよい。
【0037】
（Ｃ）成分の水酸基当量は、７０～３００ｇ／ｅｑ又は９０～２５０ｇ／ｅｑであってよい。（Ｃ）成分の水酸基当量が７０ｇ／ｅｑ以上であると、硬化性樹脂フィルムの貯蔵弾性率がより向上する傾向がある。（Ｃ）成分の水酸基当量が３００ｇ／ｅｑ以下であると、樹脂層内の発泡をより抑制できる傾向がある。
【0038】
（Ｂ）成分のエポキシ当量と（Ｃ）成分の水酸基当量との比（（Ｂ）成分のエポキシ当量／（Ｃ）成分の水酸基当量）は、硬化性の観点から、０．３０／０．７０～０．７０／０．３０、０．３５／０．６５～０．６５／０．３５、０．４０／０．６０～０．６０／０．４０、又は０．４５／０．５５～０．５５／０．４５であってよい。当該当量比が０．３０／０．７０以上であると、より充分な硬化性が得られる傾向がある。当該当量比が０．７０／０．３０以下であると、粘度が高くなり過ぎることを防ぐことができ、より充分な流動性を得ることができる傾向がある。
【0039】
（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の合計の含有量は、（Ａ）成分の全量１００質量部に対して、１０～７０質量部、１５～６０質量部、又は２０～５５質量部であってよい。（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の合計の含有量が、（Ａ）成分の全量１００質量部に対して、１０質量部以上であると、架橋によって貯蔵弾性率がより向上する傾向がある。（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の合計の含有量が、（Ａ）成分の全量１００質量部に対して、７０質量部以下であると、フィルム取扱性を維持できる傾向がある。
【0040】
（Ｄ）成分：硬化促進剤
（Ｄ）成分としては、例えば、イミダゾール誘導体、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２－エチル－４－メチルイミダゾール－テトラフェニルボレート、１，８－ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン－７－テトラフェニルボレート等が挙げられる。
（Ｄ）成分としては、例えば、イミダゾール誘導体、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２－エチル－４－メチルイミダゾール－テトラフェニルボレート、１，８－ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン－７－テトラフェニルボレート等が挙げられる。
【0041】
（Ｄ）成分の含有量は、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の全量１００質量部に対して、０．０１～５質量部であってよい。（Ｄ）成分の含有量がこのような範囲にあると、硬化性が向上し、耐熱性がより優れる傾向がある。
【0042】
（Ｅ）成分：無機フィラー
（Ｅ）成分としては、例えば、銀粉、金粉、銅粉等の金属フィラー；シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、セラミック等の非金属フィラーなどが挙げられる。金属フィラーは、樹脂層にチキソ性等を付与する目的で添加され得る。非金属フィラーは、樹脂層に耐熱性、剥離性、低熱膨張性、低吸湿性等を付与する目的で添加され得る。（Ｅ）成分は、非金属フィラーであってよく、例えば、シリカであってよい。（Ｅ）成分は、溶剤との分散性の観点から、その表面が表面処理剤で処理された粒子であってもよい。表面処理剤は、例えば、シランカップリング剤であってよい。
（Ｅ）成分としては、例えば、銀粉、金粉、銅粉等の金属フィラー；シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、セラミック等の非金属フィラーなどが挙げられる。金属フィラーは、樹脂層にチキソ性等を付与する目的で添加され得る。非金属フィラーは、樹脂層に耐熱性、剥離性、低熱膨張性、低吸湿性等を付与する目的で添加され得る。（Ｅ）成分は、非金属フィラーであってよく、例えば、シリカであってよい。（Ｅ）成分は、溶剤との分散性の観点から、その表面が表面処理剤で処理された粒子であってもよい。表面処理剤は、例えば、シランカップリング剤であってよい。
【0043】
（Ｅ）成分の平均粒径は、流動性の観点から、０．０１μｍ（１０ｎｍ）以上、０．０２μｍ（２０ｎｍ）以上、又は０．０３μｍ（３０ｎｍ）以上であってよく、１．０μｍ（１０００ｎｍ）以下、０．５μｍ（５００ｎｍ）以下、又は０．２μｍ（２００ｎｍ）以下であってよい。（Ｅ）成分は、平均粒径の異なる２種以上の（Ｃ）成分を組み合わせてもよい。ここで、平均粒径は、レーザー回折・散乱法によって求められる粒度分布における積算頻度５０％の粒径を意味する。なお、（Ｅ）成分の平均粒径は、（Ｅ）成分が含有される硬化性樹脂フィルムを用いることによっても求めることができる。この場合、接着フィルムを加熱して樹脂成分を分解することによって得られる残渣を溶媒に分散して分散液を作製し、これにレーザー回折・散乱法を適用して得られる粒度分布から、（Ｅ）成分の平均粒径を求めることができる。
【0044】
（Ｅ）成分の含有量は、（Ａ）成分の全量１００質量部に対して、５～３００質量部、１０～１００質量部、又は２０～５０質量部であってよい。無機フィラーの含有量がこのような範囲内にあると、耐熱性をより向上させることができる傾向がある。また、無機フィラーの含有量がこのような範囲内にあると、軽剥離性にも寄与する可能性がある。
【0045】
硬化性樹脂組成物は、有機フィラー、増感剤、酸化防止剤、離型剤等のその他の成分をさらに含んでいてもよい。
【0046】
有機フィラーとしては、例えば、カーボン、ゴム系フィラー、シリコーン系微粒子、ポリアミド微粒子、ポリイミド微粒子等が挙げられる。有機フィラーの含有量は、（Ａ）成分の全量１００質量部に対して、１～１００質量部であってよい。
【0047】
増感剤としては、例えば、アントラセン、フェナントレン、クリセン、ベンゾピレン、フルオランテン、ルブレン、ピレン、キサントン、インダンスレン、チオキサンテン－９－オン、２－イソプロピル－９Ｈ－チオキサンテン－９－オン、４－イソプロピル－９Ｈ－チオキサンテン－９－オン、１－クロロ－４‐プロポキシチオキサントン等が挙げられる。増感剤の含有量は、（Ａ）成分の全量１００質量部に対して、０．１～２０質量部であってよい。増感剤の含有量がこのような範囲内あると、硬化性樹脂組成物の特性及び薄膜性への影響が少ない傾向ある。
【0048】
酸化防止剤としては、例えば、ベンゾキノン、ハイドロキノン等のキノン誘導体、４－メトキシフェノール、４－ｔ－ブチルカテコール等のフェノール誘導体（ヒンダードフェノール誘導体）、２，２，６，６－テトラメチルピペリジン－１－オキシル、４－ヒドロキシ－２，２，６，６－テトラメチルピペリジン－１－オキシル等のアミノキシル誘導体、テトラメチルピペリジルメタクリレート等のヒンダードアミン誘導体などが挙げられる。酸化防止剤の含有量は、（Ａ）成分の全量１００質量部に対して、０．１～２０質量部であってよい。酸化防止剤の含有量がこのような範囲内にあると、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、及び（Ｃ）成分の分解を抑制し、汚染を防ぐことができる傾向ある。
【0049】
硬化性樹脂組成物の硬化物は、硬化性樹脂組成物を熱硬化（又は光硬化）させることによって得ることができる。熱硬化の条件は、例えば、２００℃以下又は１００～１８０℃で、１～１８０分又は１０～１２０分であってよい。
【0050】
硬化性樹脂組成物を１７０℃で１時間加熱することによって得られる硬化物について、２３０℃で１時間等温保持したときの重合減少率は、１質量％以下であってよい。当該重合減少率が１質量％以下であると、配線層（再配線層）を形成する際の樹脂層内の発泡を抑制することが可能となる。当該重合減少率は、０．９質量％以下、０．８質量％以下、又は０．７質量％以下であってもよい。
【0051】
当該重量減少率は、以下の手順で測定することができる。まず、硬化性樹脂組成物から厚さ３０μｍの硬化性樹脂フィルムを作製し、これを８０℃で８枚ラミネートすることにより、厚さ２４０μｍの積層フィルムを作製する。次いで、積層フィルムを１７０℃で１時間加熱し、加熱後の積層フィルムから測定用サンプルとして１０ｍｇ切り出す。示差熱熱重量計を用いて、測定用サンプルを３０℃～２３０℃まで５０分かけて昇温し、その後、２３０℃で１時間等温保持し、測定用サンプルの重量減少量を求めることによって、当該重量減少率を算出することができる。
【0052】
硬化性樹脂組成物及びその硬化物は、樹脂層５の主成分であり得る。硬化性樹脂組成物及びその硬化物の合計の含有量は、樹脂層５の全量を基準として、８０質量％以上、８５質量％以上、９０質量％以上、９５質量％以上、又は１００質量％であってよい。樹脂層５は、硬化性樹脂組成物及びその硬化物からなるものであってよい。
【0053】
樹脂層５の厚さは、応力緩和の観点から、例えば、２００μｍ以下であってよい。樹脂層５の厚さは、１～１５０μｍ又は１０～１００μｍであってもよい。
【0054】
第２の金属層３ｂは、加工されて配線層となる層又はめっき等の下地となる層である。第２の金属層３ｂを構成する金属は、銅又はチタンであってよく、銅であってもよい。
【0055】
第２の金属層３ｂは、金属箔を用いて形成される金属層、又は、真空蒸着、スパッタリング等の物理気相成長（ＰＶＤ）によって形成される金属層であってよい。金属箔は、銅箔又はチタン箔であってよく、銅箔であってもよい。
【0056】
第２の金属層３ｂが金属箔から形成される金属層である場合、第２の金属層３ｂの厚さは、取扱性の観点から、１～４０μｍ、３～３５μｍ、又は５～３０μｍであってよい。第２の金属層３ｂがＰＶＤによって形成される金属層である場合、第２の金属層３ｂの厚さは、取扱性の観点から、１～５０００ｎｍ（０．００１～５μｍ）又は５０～３０００ｎｍ（０．０５～３μｍ）であってよい。
【0057】
図１に示される配線形成用部材１０の製造方法は、所定の構成を有する部材を得ることができるのであれば特に制限されない。配線形成用部材１０は、例えば、支持部材１上に第１の金属層３ａを設ける工程（工程１Ａ）と、第１の金属層３ａ上に樹脂層５を設ける工程（工程１Ｂ）と、樹脂層５上に第２の金属層３ｂを設ける工程（工程１Ｃ）とを備える方法によって得ることができる。
【0058】
（工程１Ａ）
第１の金属層３ａは、支持部材１上に、真空蒸着、スパッタリング等の物理気相成長（ＰＶＤ）を実施することによって設けることができる。第１の金属層３ａは、支持部材１上に、電解めっき又は無電解めっきを実施することによっても設けることができる。物理気相成長によれば、支持部材１が大きな面積を有していても、支持部材１の表面を覆う第１の金属層３ａを効率的に形成することができる。
第１の金属層３ａは、支持部材１上に、真空蒸着、スパッタリング等の物理気相成長（ＰＶＤ）を実施することによって設けることができる。第１の金属層３ａは、支持部材１上に、電解めっき又は無電解めっきを実施することによっても設けることができる。物理気相成長によれば、支持部材１が大きな面積を有していても、支持部材１の表面を覆う第１の金属層３ａを効率的に形成することができる。
【0059】
（工程１Ｂ）
第１の金属層３ａ上に樹脂層５を設ける方法としては、例えば、以下の方法が挙げられる。まず、硬化性樹脂組成物の各成分を、溶剤中で撹拌、混錬等を行うことによって、溶解又は分散させ、硬化性樹脂組成物を含有する樹脂ワニスを調製する。次いで、離型処理を施した支持フィルム上に、樹脂ワニスをナイフコーター、ロールコーター、アプリケーター、コンマコーター、ダイコーター等を用いて塗工した後、加熱によって溶剤を揮発させて、支持フィルム上に、硬化性樹脂フィルムを形成する。このとき、樹脂ワニスの塗工量を調整することによって、硬化性樹脂フィルム（樹脂層５）の厚さを調整することができる。硬化性樹脂フィルムの厚さは、上記の樹脂層５の厚さと同様であってよい。次いで、第１の金属層３ａ上に、得られた硬化性樹脂フィルム（樹脂層５）をラミネーター等で貼り付けることによって、樹脂層５を設けることができる。
第１の金属層３ａ上に樹脂層５を設ける方法としては、例えば、以下の方法が挙げられる。まず、硬化性樹脂組成物の各成分を、溶剤中で撹拌、混錬等を行うことによって、溶解又は分散させ、硬化性樹脂組成物を含有する樹脂ワニスを調製する。次いで、離型処理を施した支持フィルム上に、樹脂ワニスをナイフコーター、ロールコーター、アプリケーター、コンマコーター、ダイコーター等を用いて塗工した後、加熱によって溶剤を揮発させて、支持フィルム上に、硬化性樹脂フィルムを形成する。このとき、樹脂ワニスの塗工量を調整することによって、硬化性樹脂フィルム（樹脂層５）の厚さを調整することができる。硬化性樹脂フィルムの厚さは、上記の樹脂層５の厚さと同様であってよい。次いで、第１の金属層３ａ上に、得られた硬化性樹脂フィルム（樹脂層５）をラミネーター等で貼り付けることによって、樹脂層５を設けることができる。
【0060】
樹脂ワニスで使用される溶剤は、各成分を均一に溶解又は分散し得る特性を有するものであれば特に制限されない。このような溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、ｐ－シメン等の芳香族炭化水素；ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素；メチルシクロヘキサンなどの環状アルカン；テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン等の環状エーテル；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、４－ヒドロキシ－４－メチル－２－ペンタノン等のケトン；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ－ブチロラクトン等のエステル；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の炭酸エステル；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン等のアミドなどが挙げられる。ワニス中の固形成分濃度は、ワニスの全質量を基準として、１０～８０質量％であってよい。
【0061】
樹脂ワニスを調製する際の撹拌又は混錬は、例えば、撹拌機、らいかい機、３本ロール、ボールミル、ビーズミル、ホモディスパー等を用いて行うことができる。
【0062】
支持フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル；ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン；ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリ（メタ）アクリレート、ポリスルホン、液晶ポリマのフィルム等が挙げられる。支持フィルムの厚さは、例えば、１～２５０μｍであってよい。
【0063】
支持フィルムへ塗工した樹脂ワニスから溶剤を揮発させる際の加熱条件は、使用する溶剤の種類等に合わせて適宜設定することができる。加熱条件は、例えば、４０～１６０℃で０．１～３０分であってよい。
【0064】
第１の金属層３ａに硬化性樹脂フィルム（樹脂層５）を貼り付ける方法としては、例えば、加熱プレス、ロールラミネート、真空ラミネート等の方法が挙げられる。ラミネートは、例えば、２０～１２０℃の温度条件下で行うことができる。
【0065】
第１の金属層３ａ上に樹脂層５を設ける方法の他の例としては、例えば、樹脂ワニスを第１の金属層３ａ上に直接塗工し、溶剤を加熱によって揮発させて、樹脂層５を形成する方法が挙げられる。
【0066】
（工程１Ｃ）
第２の金属層３ｂは、樹脂層５上に金属箔を配置することによって形成することができる。第２の金属層３ｂは、樹脂層５上に真空蒸着、スパッタリング等の物理気相成長（ＰＶＤ）を実施することによっても形成することができる。
第２の金属層３ｂは、樹脂層５上に金属箔を配置することによって形成することができる。第２の金属層３ｂは、樹脂層５上に真空蒸着、スパッタリング等の物理気相成長（ＰＶＤ）を実施することによっても形成することができる。
【0067】
樹脂層５上に金属箔を用いて第２の金属層３ｂを形成する場合、樹脂層５は、Ｂステージ状態であることが好ましい。また、樹脂層５は、第２の金属層３ｂを加工する前に、硬化性樹脂組成物を硬化させ、硬化性樹脂組成物の硬化物を多く含み得るＣステージ状態とすることが好ましい。
【0068】
樹脂層５上にＰＶＤを実施することによって第２の金属層３ｂを形成する場合、樹脂層５は、Ｂステージ状態であっても、硬化性樹脂組成物の硬化物を多く含み得るＣステージ状態であってもよいが、低分子成分の揮発を抑制する観点から、Ｃステージ状態であることが好ましい。樹脂層５中の硬化性樹脂組成物を熱硬化（又は光硬化）させる条件は、上記と同様であってよい。
【0069】
配線形成用部材１０は、例えば、支持部材１と第１の金属層３ａとを含む積層体Ａを作製する工程（工程１Ｄ）と、樹脂層５と第２の金属層３ｂとを含む積層体Ｂを作製する工程（工程１Ｅ）と、積層体Ａの第１の金属層３ａに積層体Ｂの樹脂層５を貼り付ける工程（工程１Ｆ）とを備える方法によっても得ることができる。
【0070】
（工程１Ｄ）
積層体Ａは、工程１Ａと同様にして、支持部材１上に第１の金属層３ａを形成することによって得ることができる。
積層体Ａは、工程１Ａと同様にして、支持部材１上に第１の金属層３ａを形成することによって得ることができる。
【0071】
（工程１Ｅ）
積層体Ｂは、工程１Ｂと同様にして、支持フィルム上に硬化性樹脂フィルム（樹脂層５）を形成し、工程１Ｃと同様にして、樹脂層５上に、第２の金属層３ｂを形成することによって得ることができる。
積層体Ｂは、工程１Ｂと同様にして、支持フィルム上に硬化性樹脂フィルム（樹脂層５）を形成し、工程１Ｃと同様にして、樹脂層５上に、第２の金属層３ｂを形成することによって得ることができる。
【0072】
（工程１Ｆ）
配線形成用部材１０は、積層体Ａの第１の金属層３ａに積層体Ｂの樹脂層５を貼り付けることによって得ることができる。積層体Ａの第１の金属層３ａに積層体Ｂの樹脂層５を貼り付ける方法は、上記の第１の金属層３ａに硬化性樹脂フィルムを貼り付ける方法と同様であってよい。
配線形成用部材１０は、積層体Ａの第１の金属層３ａに積層体Ｂの樹脂層５を貼り付けることによって得ることができる。積層体Ａの第１の金属層３ａに積層体Ｂの樹脂層５を貼り付ける方法は、上記の第１の金属層３ａに硬化性樹脂フィルムを貼り付ける方法と同様であってよい。
【0073】
このようにして、配線形成用部材１０を得ることができる。配線形成用部材１０において、樹脂層５は、硬化性樹脂組成物の硬化物を含有することが好ましい。すなわち、樹脂層５は、Ｃステージ状態にあることが好ましい。
【0074】
このような配線形成用部材１０によれば、ＲＤＬ－Ｆｉｒｓｔ法によるパッケージ（配線層付き半導体部材）の製造プロセスに好適に使用することが可能である。
【0075】
［半導体装置の製造方法］
図２及び図３は、半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。半導体装置の製造方法の一実施形態は、上記の配線形成用部材１０を準備する工程（工程１Ａ、図２（ａ）参照）と、第２の金属層３ｂを加工して配線層１１を形成する工程（工程２Ｂ、図２（ｂ）参照）と、配線層１１上に半導体部材１５を配置し、配線層付き半導体部材３０を備える積層体４０を作製する工程（工程２Ｃ、図２（ｃ）参照）と、積層体４０の第１の金属層３ａに対して支持部材１側から少なくとも赤外光を含む光Ａを照射して、支持部材１と配線層付き半導体部材３０とを分離する工程（工程２Ｄ、図３（ａ）、（ｂ）参照）とを備える。
図２及び図３は、半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。半導体装置の製造方法の一実施形態は、上記の配線形成用部材１０を準備する工程（工程１Ａ、図２（ａ）参照）と、第２の金属層３ｂを加工して配線層１１を形成する工程（工程２Ｂ、図２（ｂ）参照）と、配線層１１上に半導体部材１５を配置し、配線層付き半導体部材３０を備える積層体４０を作製する工程（工程２Ｃ、図２（ｃ）参照）と、積層体４０の第１の金属層３ａに対して支持部材１側から少なくとも赤外光を含む光Ａを照射して、支持部材１と配線層付き半導体部材３０とを分離する工程（工程２Ｄ、図３（ａ）、（ｂ）参照）とを備える。
【0076】
（工程２Ａ）
本工程では、上記の配線形成用部材１０を準備する。
本工程では、上記の配線形成用部材１０を準備する。
【0077】
（工程２Ｂ）
本工程では、第２の金属層３ｂを加工して配線層１１を形成する。第２の金属層３ｂを加工して配線層１１を形成する方法としては、例えば、サブトラクティブ法（エッチング法）等が挙げられる。
本工程では、第２の金属層３ｂを加工して配線層１１を形成する。第２の金属層３ｂを加工して配線層１１を形成する方法としては、例えば、サブトラクティブ法（エッチング法）等が挙げられる。
【0078】
サブトラクティブ法は、金属層上に、所望のパターン形状に対応した形状のエッチングレジスト層を形成し、その後の現像処理によって、レジストの除去された部分の金属層を薬液で溶解して除去することによって、所望の回路を有する配線層を形成する方法である。第２の金属層３ｂを加工して配線層１１を形成する方法としてサブトラクティブ法を適用する場合、従来公知のレジスト、薬液等を使用することができる。また、サブトラクティブ法を適用する場合、第２の金属層３ｂは、金属箔を用いて形成される金属層であってよい。
【0079】
（工程２Ｃ）
本工程では、配線層１１上に半導体部材１５を配置し、配線層付き半導体部材３０を備える積層体４０を作製する。半導体部材１５としては、例えば、半導体ウェハ、半導体ウェハを分割して得られる半導体チップ等が挙げられる。配線層１１上に配置される半導体部材１５の数は、１個であってもよく、複数であってもよい。半導体部材１５の厚さは、半導体装置の小型化、薄型化に加えて、搬送時、加工工程等の際の割れ抑制の観点から、１～１０００μｍ、１０～５００μｍ、又は２０～２００μｍであってよい。
本工程では、配線層１１上に半導体部材１５を配置し、配線層付き半導体部材３０を備える積層体４０を作製する。半導体部材１５としては、例えば、半導体ウェハ、半導体ウェハを分割して得られる半導体チップ等が挙げられる。配線層１１上に配置される半導体部材１５の数は、１個であってもよく、複数であってもよい。半導体部材１５の厚さは、半導体装置の小型化、薄型化に加えて、搬送時、加工工程等の際の割れ抑制の観点から、１～１０００μｍ、１０～５００μｍ、又は２０～２００μｍであってよい。
【0080】
半導体部材１５を配線層１１上に配置する場合、半導体部材１５が配置される面における配線層１１が形成されていない部分には、絶縁層１３が形成されていてもよい。
【0081】
絶縁層１３は、当該分野で使用される従来公知の熱硬化性樹脂材料を、例えば、スピンコーター等を用いて塗工し、熱硬化せることによって形成することができる。熱硬化の条件は、例えば、２００～３５０℃で、０．５～５時間であってよい。
【0082】
半導体部材１５は、配線層１１上に配置した後に所望の加工が実施されてもよい。半導体部材の加工は、例えば、半導体ウェハ又は半導体チップの薄化、半導体部材の分割（ダイシング）、貫通電極の形成、エッチング処理、めっきリフロー処理、スパッタリング処理、又はこれらの組み合わせを含むことができる。加工された半導体部材は、封止層で封止されていてもよい。封止層は、半導体部材（半導体装置）の製造のために通常用いられる封止材を用いて形成することができる。封止層を形成した後、封止層及び配線層を、半導体部材を１個ずつ含む複数の部分に分割してもよい。
【0083】
（工程２Ｄ）
本工程では、積層体４０の第１の金属層３ａに対して支持部材１側から少なくとも赤外光を含む光Ａを照射して、支持部材１と配線層付き半導体部材３０とを分離する。光Ａの照射によって、第１の金属層３ａが光を吸収して熱を瞬間的に発生する。発生した熱によって、樹脂層５の溶融、支持部材１と配線層付き半導体部材３０との間に生じる熱応力等が発生し得る。これらの現象が主な原因となって、例えば、界面剥離（例えば、第１の金属層３ａと樹脂層５との界面における界面剥離）、凝集剥離（例えば、樹脂層５における凝集剥離）などが発生して、支持部材１と配線層付き半導体部材３０とを分離し得る。支持部材１と配線層付き半導体部材３０とを分離するために、光Ａの照射とともに、配線層付き半導体部材３０に対して応力をわずかに加えてもよい。
本工程では、積層体４０の第１の金属層３ａに対して支持部材１側から少なくとも赤外光を含む光Ａを照射して、支持部材１と配線層付き半導体部材３０とを分離する。光Ａの照射によって、第１の金属層３ａが光を吸収して熱を瞬間的に発生する。発生した熱によって、樹脂層５の溶融、支持部材１と配線層付き半導体部材３０との間に生じる熱応力等が発生し得る。これらの現象が主な原因となって、例えば、界面剥離（例えば、第１の金属層３ａと樹脂層５との界面における界面剥離）、凝集剥離（例えば、樹脂層５における凝集剥離）などが発生して、支持部材１と配線層付き半導体部材３０とを分離し得る。支持部材１と配線層付き半導体部材３０とを分離するために、光Ａの照射とともに、配線層付き半導体部材３０に対して応力をわずかに加えてもよい。
【0084】
光Ａは、少なくとも赤外光を含む。赤外光の波長は、通常、７００ｎｍ～１ｍｍである。
【0085】
光Ａは、コヒーレント光であってよい。コヒーレント光は、可干渉性が高い、指向性が高い、単色性が高いといった性質を有する電磁波である。コヒーレント光は、同一波長で同位相の光が互いに強め合って合成されるため、強度が高い傾向を有する。レーザー光は、一般にコヒーレント光である。レーザー光は、ＹＡＧレーザー、ファイバレーザー、半導体レーザー、ヘリウムーネオンレーザー、アルゴンレーザー、エキシマレーザー等が挙げられる。レーザー光の波長は、１３００ｎｍ以下であってもよい。波長が１３００ｎｍ以下であることにより、支持部材１の光吸収が抑制され、かつ、第１の金属層３ａの光吸収が高くなるため、より低い光照射エネルギーではく離することが可能である。コヒーレント光は、パルス光であってもよい。
【0086】
光Ａは、インコヒーレント光であってよい。インコヒーレント光は、コヒーレントでない光であり、干渉縞が発生しない、可干渉性が低い、指向性が低いといった性質を有する電磁波である。インコヒーレント光は、光路長が長くなるほど、減衰する傾向を有する。太陽光、蛍光灯の光等の光は、インコヒーレント光である。インコヒーレント光は、レーザー光を除く光ということもできる。インコヒーレント光の照射面積は、一般にコヒーレント光（すなわち、レーザー光）よりも圧倒的に広いため、照射回数を少なくすることが可能である。例えば、１回の照射により、複数の配線層付き半導体部材３０の分離を生じさせ得る。インコヒーレント光は、パルス光であってもよい。
【0087】
光の光源は、特に制限されないが、キセノンランプであってよい。キセノンランプは、キセノンガスを封入した発光管での印加・放電による発光を利用したランプである。キセノンランプは、電離及び励起を繰り返しながら放電するため、紫外光領域から赤外光領域までの連続波長を安定的に有する。キセノンランプは、メタルハライドランプ等のランプと比較して始動に要する時間が短いため、工程に係る時間を大幅に短縮することができる。また、発光には、高電圧を印加する必要があるため、高熱が瞬間的に生じるが、冷却時間が短く、連続的な作業が可能な点でも、キセノンランプは有利である。
【0088】
配線層付き半導体部材３０の配線層１１上には、樹脂層５の全部又は一部が残渣として付着することがある。付着した残さは、図３（ｃ）に示されるように除去される。付着した残さは、例えば、ピールにより剥離されてもよいし、溶剤で洗浄することにより除去されてもよい。溶剤としては、エタノール、メタノール、トルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ヘキサン等が挙げられる。付着した残さの除去のために、配線層付き半導体部材３０を溶剤に浸漬させてもよいし、超音波洗浄を行ってもよい。また、付着した残さの除去のために、必要に応じて、１００℃以下程度の低温で配線層付き半導体部材３０を加熱してもよい。
【0089】
このようにして、配線層付き半導体部材３０（半導体装置５０）を得ることができる。配線層付き半導体部材３０には、例えば、図３（ｄ）に示されるように、配線層付き半導体部材３０の配線層１１上にはんだボール１７が設けられていてもよい。
【0090】
図４及び図５は、半導体装置の製造方法の他の実施形態を説明するための模式断面図である。半導体装置の製造方法の他の実施形態は、上記の配線形成用部材１０を準備する工程（工程３Ａ、図４（ａ）参照）と、第２の金属層３ｂ上に配線層１２を形成する工程（工程３Ｂ、図４（ｂ）参照）と、配線層１２上に半導体部材１５を配置し、配線層付き半導体部材６０を備える積層体７０を作製する工程（工程３Ｃ、図４（ｃ）参照）と、積層体７０の第１の金属層３ａに対して支持部材１側から少なくとも赤外光を含む光Ａを照射して、支持部材１と配線層付き半導体部材６０とを分離する工程（工程３Ｄ、図５（ａ）、（ｂ）参照）とを備える。
【0091】
（工程３Ａ）
本工程では、上記の配線形成用部材１０を準備する。
本工程では、上記の配線形成用部材１０を準備する。
【0092】
（工程３Ｂ）
本工程では、第２の金属層３ｂ上に配線層１２を形成する。第２の金属層３ｂ上に配線層１２を形成する方法としては、例えば、セミアディティブ法等が挙げられる。
本工程では、第２の金属層３ｂ上に配線層１２を形成する。第２の金属層３ｂ上に配線層１２を形成する方法としては、例えば、セミアディティブ法等が挙げられる。
【0093】
セミアディティブ法は、金属層上に所望のパターンに対応した形状のめっきレジスト層を形成し、次いで、電解めっき法によって配線層を形成した後、レジスト層を除去することによって、所望の回路を有する配線層を形成する方法である。不要な金属層は、薬液等を用いてもよいし、配線層付き半導体部材を作製した後に除去してもよい。第２の金属層３ｂ上に配線層１２を形成する方法としてセミアディティブ法を適用する場合、従来公知のレジスト、薬液等を使用することができる。また、セミアディティブ法を適用する場合、第２の金属層３ｂは、ＰＶＤによって形成される金属層であってよい。
【0094】
（工程３Ｃ）
本工程では、配線層１２上に半導体部材１５を配置し、配線層付き半導体部材６０を備える積層体７０を作製する。本工程は、工程２Ｃと同様であることから、重複する説明を省略する。
本工程では、配線層１２上に半導体部材１５を配置し、配線層付き半導体部材６０を備える積層体７０を作製する。本工程は、工程２Ｃと同様であることから、重複する説明を省略する。
【0095】
（工程３Ｄ）
本工程では、積層体７０の第１の金属層３ａに対して支持部材１側から少なくとも赤外光を含む光Ａを照射して、支持部材１と配線層付き半導体部材６０とを分離する。本工程は、工程２Ｄと同様であることから、重複する説明を省略する。
本工程では、積層体７０の第１の金属層３ａに対して支持部材１側から少なくとも赤外光を含む光Ａを照射して、支持部材１と配線層付き半導体部材６０とを分離する。本工程は、工程２Ｄと同様であることから、重複する説明を省略する。
【0096】
配線層付き半導体部材６０の配線層１２上には、第２の金属層３ｂが付着することがある。第２の金属層３ｂは、図５（ｄ）に示されるように除去される。第２の金属層３ｂは、例えば、薬液；プラズマ等によるエッチングなどにより除去されてもよい。
【0097】
このようにして、配線層付き半導体部材６０（半導体装置８０）を得ることができる。配線層付き半導体部材６０には、例えば、図５（ｅ）に示されるように、配線層付き半導体部材６０の配線層１２上にはんだボール１７が設けられていてもよい。
【0098】
［硬化性樹脂フィルム］
硬化性樹脂フィルムは、配線層付き半導体部材の製造プロセスに用いられるものであり、特に、ＲＤＬ－Ｆｉｒｓｔ法による配線層付き半導体部材の製造プロセスに用いられるものであってよい。硬化性樹脂フィルムの各成分は、上記の硬化性樹脂組成物の各成分と同様である。硬化性樹脂フィルムの製造方法は、上記の工程１Ｂの支持フィルム上に、硬化性樹脂フィルムを形成する方法と同様である。したがって、ここでは、重複する説明を省略する。
硬化性樹脂フィルムは、配線層付き半導体部材の製造プロセスに用いられるものであり、特に、ＲＤＬ－Ｆｉｒｓｔ法による配線層付き半導体部材の製造プロセスに用いられるものであってよい。硬化性樹脂フィルムの各成分は、上記の硬化性樹脂組成物の各成分と同様である。硬化性樹脂フィルムの製造方法は、上記の工程１Ｂの支持フィルム上に、硬化性樹脂フィルムを形成する方法と同様である。したがって、ここでは、重複する説明を省略する。
【実施例0099】
以下、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。
【0100】
（製造例１）
［アクリルゴムＰ－１の合成］
撹拌機、温度計、窒素置換装置（窒素流入管）、及び水分受容器付きの還流冷却器を備えた５００ｍＬのセパラブルフラスコ内に、脱イオン水２００ｇ、アクリル酸ブチル７０ｇ、メタクリル酸メチル９．５ｇ、グリシジルメタクリレート１０ｇ、２－ヒドロキシエチルメタクリレート１０ｇ、スチレン０．５ｇ、１．８質量％ポリビニルアルコール水溶液２．０４ｇ、ラウリルパーオキサイド０．４１ｇ、及びｎ－オクチルメルカプタン０．０７ｇを配合した。続いて、６０分間Ｎ２ガスを吹き込んで系内の空気を除去した後、系内温度を６５℃に昇温して３時間撹拌し、さらに９０℃に昇温して２時間撹拌して、重合を完結させた。得られた透明のビーズをろ過により分離し、脱イオン水で洗浄した後、真空乾燥機で５０℃、６時間乾燥させ、アクリルゴムＰ－１を得た。アクリルゴムＰ－１をＧＰＣで測定したところ、アクリルゴムＰ－１のＭｗはポリスチレン換算で５０万であった。また、アクリルゴムＰ－１のＴｇは－２８℃であった。
［アクリルゴムＰ－１の合成］
撹拌機、温度計、窒素置換装置（窒素流入管）、及び水分受容器付きの還流冷却器を備えた５００ｍＬのセパラブルフラスコ内に、脱イオン水２００ｇ、アクリル酸ブチル７０ｇ、メタクリル酸メチル９．５ｇ、グリシジルメタクリレート１０ｇ、２－ヒドロキシエチルメタクリレート１０ｇ、スチレン０．５ｇ、１．８質量％ポリビニルアルコール水溶液２．０４ｇ、ラウリルパーオキサイド０．４１ｇ、及びｎ－オクチルメルカプタン０．０７ｇを配合した。続いて、６０分間Ｎ２ガスを吹き込んで系内の空気を除去した後、系内温度を６５℃に昇温して３時間撹拌し、さらに９０℃に昇温して２時間撹拌して、重合を完結させた。得られた透明のビーズをろ過により分離し、脱イオン水で洗浄した後、真空乾燥機で５０℃、６時間乾燥させ、アクリルゴムＰ－１を得た。アクリルゴムＰ－１をＧＰＣで測定したところ、アクリルゴムＰ－１のＭｗはポリスチレン換算で５０万であった。また、アクリルゴムＰ－１のＴｇは－２８℃であった。
【0101】
なお、アクリルゴムＰ－１のＭｗの測定は、ＧＰＣ（東ソー株式会社製、ＳＤ－８０２２／ＤＰ－８０２０／ＲＩ－８０２０）を用い、溶離液としてテトラヒドロフランを用い、カラムとして昭和電工マテリアルズ株式会社製ＧｅｌｐａｃｋＧＬ－Ａ１５０－Ｓ／ＧＬ－Ａ１６０－Ｓを使用して行った。
【0102】
また、アクリルゴムＰ－１のＴｇは、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）（株式会社リガク製、ＤＳＣ８２３０）を用いて、昇温速度１０℃／分、測定温度－８０～８０℃の条件で熱量変化を測定し、ＪＩＳ Ｋ ７１２１：１９８７に準拠した方法によって中間点ガラス転移温度を算出し、算出した中間点ガラス転移温度をアクリルゴムＰ－１のＴｇとした。
【0103】
（実施例１～６及び比較例１、２）
［硬化性樹脂フィルムの作製］
＜原材料の準備＞
以下の原材料を準備した。
（Ａ）成分：アクリルゴム
Ａ－１：製造例１のアクリルゴムＰ－１
（Ｂ）成分：エポキシ樹脂
Ｂ－１：Ｎ－５００Ｐ－１０（商品名、ＤＩＣ株式会社製、ｏ－クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量：２０３ｇ／ｅｑ、２５℃で固形）
Ｂ－２：ＥＸＡ８３０－ＣＲＰ（商品名、ＤＩＣ株式会社製、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量：１５５～１６３ｇ／ｅｑ、２５℃で液状）
Ｂ－３：ＣＧ－５００（商品名、大阪ガスケミカル株式会社製、フルオレン型エポキシ樹脂、エポキシ当量：３１０ｇ／ｅｑ、２５℃で固形）
Ｂ－４：１０３２Ｈ６０（商品名、三菱化学株式会社製、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、エポキシ当量：１６３～１７５ｇ／ｅｑ、２５℃で固形）
（Ｃ）成分：フェノール樹脂
Ｃ－１：ＰＳＭ－４３２６（商品名、群栄化学株式会社製、フェノールノボラック樹脂、水酸基当量：１０５ｇ／ｅｑ、２５℃で固形）
（Ｄ）成分：硬化促進剤
Ｄ－１：２ＰＺ－ＣＮ（商品名、四国化成工業株式会社製、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール）
（Ｅ）成分：無機フィラー
Ｅ－１：ＹＡ－０５０Ｃ－ＨＨＧ（商品名、アドマテックス株式会社製、ビニルシランで表面処理されたシリカ、平均粒径：０．０５μｍ（５０ｎｍ））
［硬化性樹脂フィルムの作製］
＜原材料の準備＞
以下の原材料を準備した。
（Ａ）成分：アクリルゴム
Ａ－１：製造例１のアクリルゴムＰ－１
（Ｂ）成分：エポキシ樹脂
Ｂ－１：Ｎ－５００Ｐ－１０（商品名、ＤＩＣ株式会社製、ｏ－クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量：２０３ｇ／ｅｑ、２５℃で固形）
Ｂ－２：ＥＸＡ８３０－ＣＲＰ（商品名、ＤＩＣ株式会社製、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量：１５５～１６３ｇ／ｅｑ、２５℃で液状）
Ｂ－３：ＣＧ－５００（商品名、大阪ガスケミカル株式会社製、フルオレン型エポキシ樹脂、エポキシ当量：３１０ｇ／ｅｑ、２５℃で固形）
Ｂ－４：１０３２Ｈ６０（商品名、三菱化学株式会社製、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、エポキシ当量：１６３～１７５ｇ／ｅｑ、２５℃で固形）
（Ｃ）成分：フェノール樹脂
Ｃ－１：ＰＳＭ－４３２６（商品名、群栄化学株式会社製、フェノールノボラック樹脂、水酸基当量：１０５ｇ／ｅｑ、２５℃で固形）
（Ｄ）成分：硬化促進剤
Ｄ－１：２ＰＺ－ＣＮ（商品名、四国化成工業株式会社製、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール）
（Ｅ）成分：無機フィラー
Ｅ－１：ＹＡ－０５０Ｃ－ＨＨＧ（商品名、アドマテックス株式会社製、ビニルシランで表面処理されたシリカ、平均粒径：０．０５μｍ（５０ｎｍ））
【0104】
＜樹脂ワニスの調製及び硬化性樹脂フィルムの作製＞＞
表１に示す組成比（単位：質量部）にて各成分を配合し、さらにシクロヘキサノンを加え、各成分が均一になるまで撹拌して、樹脂ワニスを調製した。調製したワニスを１００メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡を行い、真空脱泡後の樹脂ワニスを、支持フィルムである、厚さ３８μｍの離型処理を施したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗布した。次いで、塗布したワニスを、９０℃で５分間、続いて１４０℃で５分間の２段階で加熱乾燥することにより、支持フィルム上に、実施例１～６及び比較例１、２の厚さ３０μｍの硬化性樹脂フィルム（樹脂層）を作製した。硬化性樹脂フィルム（樹脂層）においては、支持フィルムとは反対側の表面に、支持フィルムと同様のＰＥＴフィルムを保護フィルムとして配置した。
表１に示す組成比（単位：質量部）にて各成分を配合し、さらにシクロヘキサノンを加え、各成分が均一になるまで撹拌して、樹脂ワニスを調製した。調製したワニスを１００メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡を行い、真空脱泡後の樹脂ワニスを、支持フィルムである、厚さ３８μｍの離型処理を施したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗布した。次いで、塗布したワニスを、９０℃で５分間、続いて１４０℃で５分間の２段階で加熱乾燥することにより、支持フィルム上に、実施例１～６及び比較例１、２の厚さ３０μｍの硬化性樹脂フィルム（樹脂層）を作製した。硬化性樹脂フィルム（樹脂層）においては、支持フィルムとは反対側の表面に、支持フィルムと同様のＰＥＴフィルムを保護フィルムとして配置した。
【0105】
［硬化性樹脂フィルムの評価］
（硬化後の硬化性樹脂フィルムの重量減少率）
得られた硬化性樹脂フィルムを用いて、硬化後の硬化性樹脂フィルムの重量減少率を求めた。厚さ３０μｍの硬化性樹脂フィルムを８０℃で８枚ラミネートすることにより、厚さ２４０μｍの積層フィルムを作製した。次いで、積層フィルムを１７０℃で１時間加熱し、加熱後の積層フィルムから測定用サンプルとして１０ｍｇ切り出した。示差熱熱重量計（セイコーインスツル株式会社製、ＴＧ／ＤＴＡ２２０）を用いて、測定用サンプルを３０℃～２３０℃まで５０分かけて昇温し、その後、２３０℃で１時間等温保持し、測定用サンプルの重量減少量を求め、測定用サンプルの測定前の質量に対する重量減少率を算出した。結果を表１に示す。
（硬化後の硬化性樹脂フィルムの重量減少率）
得られた硬化性樹脂フィルムを用いて、硬化後の硬化性樹脂フィルムの重量減少率を求めた。厚さ３０μｍの硬化性樹脂フィルムを８０℃で８枚ラミネートすることにより、厚さ２４０μｍの積層フィルムを作製した。次いで、積層フィルムを１７０℃で１時間加熱し、加熱後の積層フィルムから測定用サンプルとして１０ｍｇ切り出した。示差熱熱重量計（セイコーインスツル株式会社製、ＴＧ／ＤＴＡ２２０）を用いて、測定用サンプルを３０℃～２３０℃まで５０分かけて昇温し、その後、２３０℃で１時間等温保持し、測定用サンプルの重量減少量を求め、測定用サンプルの測定前の質量に対する重量減少率を算出した。結果を表１に示す。
【0106】
（絶縁層形成後の樹脂層の観察）
・第１の金属層の作製
支持部材として、１２インチのガラス（ＦＬ－９６０、ＡＧＣ株式会社製）を準備した。準備したガラス上に、チタンを厚さ５０ｎｍとなるようにスパッタリングして金属層（１）を形成し、続いて、銅を厚さ２００ｎｍとなるようにスパッタリングして金属層（２）を形成し、二層の金属層から構成される第１の金属層を作製した。
・第１の金属層の作製
支持部材として、１２インチのガラス（ＦＬ－９６０、ＡＧＣ株式会社製）を準備した。準備したガラス上に、チタンを厚さ５０ｎｍとなるようにスパッタリングして金属層（１）を形成し、続いて、銅を厚さ２００ｎｍとなるようにスパッタリングして金属層（２）を形成し、二層の金属層から構成される第１の金属層を作製した。
【0107】
・樹脂層の作製
得られた硬化性樹脂フィルムにおいて、保護フィルムを剥離し、ラミネーター（大成ラミネーター株式会社製、ファーストラミネーターＶＡ－４００ＩＩＩ）を用いて、ラミネート温度８０℃、ラミネート速度０．５ｍ／ｓ、ラミネート圧力０．２ＭＰａの条件で、第１の金属層上に硬化性樹脂フィルムを貼り付け、樹脂層を作製した。続いて、支持フィルムを剥離し、恒温器（エスペック株式会社製、パーフェクトオーブン）内で、１７０℃で１時間加熱し、硬化性樹脂フィルム（硬化性樹脂組成物）の硬化物を含有する樹脂層を形成した。
得られた硬化性樹脂フィルムにおいて、保護フィルムを剥離し、ラミネーター（大成ラミネーター株式会社製、ファーストラミネーターＶＡ－４００ＩＩＩ）を用いて、ラミネート温度８０℃、ラミネート速度０．５ｍ／ｓ、ラミネート圧力０．２ＭＰａの条件で、第１の金属層上に硬化性樹脂フィルムを貼り付け、樹脂層を作製した。続いて、支持フィルムを剥離し、恒温器（エスペック株式会社製、パーフェクトオーブン）内で、１７０℃で１時間加熱し、硬化性樹脂フィルム（硬化性樹脂組成物）の硬化物を含有する樹脂層を形成した。
【0108】
・第２の金属層の作製
硬化性樹脂フィルム（硬化性樹脂組成物）の硬化物を含有する樹脂層上に、スパッタ装置（株式会社アルバック製、ＳＩＶ－５００）を用いて、銅を厚さ２００ｎｍとなるようにスパッタリングして第２の金属層を作製した。
硬化性樹脂フィルム（硬化性樹脂組成物）の硬化物を含有する樹脂層上に、スパッタ装置（株式会社アルバック製、ＳＩＶ－５００）を用いて、銅を厚さ２００ｎｍとなるようにスパッタリングして第２の金属層を作製した。
【0109】
・配線層の作製
（ａ）ドライフィルムのラミネート
第２の金属層上に、真空ラミネーター（ニッコー・マテリアルズ株式会社製、真空ラミネーターＣＶ３００）を用いて、感光性ドライフィルム（昭和電工マテリアルズ株式会社製、ＲＹ－５１１０ＵＴ）を貼り付けた。ラミネート条件は、真空度：３．０ｈＰａ、真空引き時間：３０秒、真空加圧力：０．５ＭＰａ、加圧時間：６０秒、上／下温度：９０℃／４０℃、冷却時間：２０秒、及び上／下張力：１００Ｎ／１００Ｎとした。
（ａ）ドライフィルムのラミネート
第２の金属層上に、真空ラミネーター（ニッコー・マテリアルズ株式会社製、真空ラミネーターＣＶ３００）を用いて、感光性ドライフィルム（昭和電工マテリアルズ株式会社製、ＲＹ－５１１０ＵＴ）を貼り付けた。ラミネート条件は、真空度：３．０ｈＰａ、真空引き時間：３０秒、真空加圧力：０．５ＭＰａ、加圧時間：６０秒、上／下温度：９０℃／４０℃、冷却時間：２０秒、及び上／下張力：１００Ｎ／１００Ｎとした。
【0110】
（ｂ）めっきレジスト層の作製
露光装置（株式会社サーマプレシジョン製、ｉ線ステッパＳｃ６ｋ）を用いて、レクチル（フォトマスク、ＨＣＣＴ－ＦＯＰ０３Ｖ２－０３）を介して、感光性ドライフィルムを露光した。露光条件は、露光量：２１０ｍＪ／ｃｍ２、ＡＦ：－８．５ｕｍとした。次いで、現像機（株式会社サーマプレシジョン製、ＰＬＰ対応平置き現像機ＹＣ－Ｓ６００）を用いて、１質量％の炭酸ナトリウム水溶液を使用して３０℃、２５秒の条件で現像した。現像後、スピン洗浄機（株式会社ジャパンクリエイト社製、枚葉式スピン洗浄機ＳＣＰ－Ｓ３００）を用いて、露光後の感光性ドライフィルムの残部に対してスピン洗浄を行い、めっきレジスト層を作製した。
露光装置（株式会社サーマプレシジョン製、ｉ線ステッパＳｃ６ｋ）を用いて、レクチル（フォトマスク、ＨＣＣＴ－ＦＯＰ０３Ｖ２－０３）を介して、感光性ドライフィルムを露光した。露光条件は、露光量：２１０ｍＪ／ｃｍ２、ＡＦ：－８．５ｕｍとした。次いで、現像機（株式会社サーマプレシジョン製、ＰＬＰ対応平置き現像機ＹＣ－Ｓ６００）を用いて、１質量％の炭酸ナトリウム水溶液を使用して３０℃、２５秒の条件で現像した。現像後、スピン洗浄機（株式会社ジャパンクリエイト社製、枚葉式スピン洗浄機ＳＣＰ－Ｓ３００）を用いて、露光後の感光性ドライフィルムの残部に対してスピン洗浄を行い、めっきレジスト層を作製した。
【0111】
（ｃ）配線層の作製
プラズマ処理装置（ノードソン株式会社製、プラズマアッシャＡＰ－１０００）を用いて、作製しためっきレジスト層に対して、Ｏ２プラズマ処理を行った。処理条件は、ＲＦ出力：５００Ｗ、ベース圧力：１５０ｍＴｏｒｒ（２０Ｐａ）、プロセス圧力：２００ｍＴｏｒｒ（２７Ｐａ）、圧力範囲：２００ｍＴｏｒｒ（２７Ｐａ）、Ｏ２ガス流量：１００ｓｃｃｍ（ｍＬ／分）、及び処理時間：６０秒とした。続いて、めっきレジスト層を酸洗浄し、めっき装置を用いて、電解めっき法によってめっき層を作製した。電解めっきの条件は、電流値：２．４５Ａ、電圧：２．３～２．４Ｖ、及びめっき時間：２２分とした。次いで、作製しためっき層に対して、上記と同様にして、スピン洗浄及びＯ２プラズマ処理を行い、剥離液（三菱ガスケミカル社製、Ｒ１００－Ｓ＋Ｒ１０１）を用いて、めっきレジスト層を剥離した。さらに、めっき層に対して、上記と同様にして、スピン洗浄及びＯ２プラズマ処理を行うことによって、配線層を作製した。
プラズマ処理装置（ノードソン株式会社製、プラズマアッシャＡＰ－１０００）を用いて、作製しためっきレジスト層に対して、Ｏ２プラズマ処理を行った。処理条件は、ＲＦ出力：５００Ｗ、ベース圧力：１５０ｍＴｏｒｒ（２０Ｐａ）、プロセス圧力：２００ｍＴｏｒｒ（２７Ｐａ）、圧力範囲：２００ｍＴｏｒｒ（２７Ｐａ）、Ｏ２ガス流量：１００ｓｃｃｍ（ｍＬ／分）、及び処理時間：６０秒とした。続いて、めっきレジスト層を酸洗浄し、めっき装置を用いて、電解めっき法によってめっき層を作製した。電解めっきの条件は、電流値：２．４５Ａ、電圧：２．３～２．４Ｖ、及びめっき時間：２２分とした。次いで、作製しためっき層に対して、上記と同様にして、スピン洗浄及びＯ２プラズマ処理を行い、剥離液（三菱ガスケミカル社製、Ｒ１００－Ｓ＋Ｒ１０１）を用いて、めっきレジスト層を剥離した。さらに、めっき層に対して、上記と同様にして、スピン洗浄及びＯ２プラズマ処理を行うことによって、配線層を作製した。
【0112】
・絶縁層の形成
スピンコーター（ミカサ株式会社製、ＭＡ－Ａ５００）を用いて、熱硬化性樹脂材料（昭和電工マテリアルズ株式会社製、ＡＲ－５１００）を配線層と配線層との間に塗布（充填）し、絶縁層を形成した。絶縁層をホットプレート上で４分加熱してプリベークを行った。続いて、支持部材と、第１の金属層と、樹脂層と、第２の金属層と、配線層及び絶縁層とを備える積層体を、クリーンオーブン（株式会社ジェイテクトサーモシステム製、ＣＬＨ２１ＣＤ（Ｖ）－Ｓ）を用いて、窒素雰囲気下、２３０℃で２時間加熱し、観察用サンプルを作製した。
スピンコーター（ミカサ株式会社製、ＭＡ－Ａ５００）を用いて、熱硬化性樹脂材料（昭和電工マテリアルズ株式会社製、ＡＲ－５１００）を配線層と配線層との間に塗布（充填）し、絶縁層を形成した。絶縁層をホットプレート上で４分加熱してプリベークを行った。続いて、支持部材と、第１の金属層と、樹脂層と、第２の金属層と、配線層及び絶縁層とを備える積層体を、クリーンオーブン（株式会社ジェイテクトサーモシステム製、ＣＬＨ２１ＣＤ（Ｖ）－Ｓ）を用いて、窒素雰囲気下、２３０℃で２時間加熱し、観察用サンプルを作製した。
【0113】
・絶縁層形成後の樹脂層の観察
作製した観察用サンプルにおいて、絶縁層から樹脂層を観察し、樹脂層内の発泡の有無を観察した。評価は、樹脂層内の発泡が観測されなかった場合を「Ａ」、樹脂層内の発泡がわずかに観測された場合を「Ｂ」、樹脂層内の発泡が多く観測された場合を「Ｃ」とした。結果を表１に示す。
作製した観察用サンプルにおいて、絶縁層から樹脂層を観察し、樹脂層内の発泡の有無を観察した。評価は、樹脂層内の発泡が観測されなかった場合を「Ａ」、樹脂層内の発泡がわずかに観測された場合を「Ｂ」、樹脂層内の発泡が多く観測された場合を「Ｃ」とした。結果を表１に示す。
【0114】
【表1】
【0115】
表１に示すとおり、アクリルゴムとエポキシ樹脂とを含む実施例の硬化性樹脂フィルムにおいては、樹脂層内の発泡が観測されなかったのに対して、所定の成分を含まない比較例の硬化性樹脂フィルムにおいては、樹脂層内の発泡が観測された。また、樹脂層内の発泡は、硬化後の硬化性樹脂フィルムの重量減少率が小さいほど、抑制される傾向があることが判明した。これらの結果から、本開示の配線形成用部材は、配線層（再配線層）を形成する際の樹脂層内の発泡を抑制することが可能であることが確認された。
【符号の説明】
【0116】
１…支持部材、３ａ…第１の金属層、３ｂ…第２の金属層、５…樹脂層、１０…配線形成用部材、１１，１２…配線層、１３…絶縁層、１５…半導体部材、１７…はんだボール、３０，６０…配線層付き半導体部材、４０，７０…積層体、５０，８０…半導体装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】