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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024058754
(43)【公開日】2024-04-30
(54)【発明の名称】極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法
(51)【国際特許分類】
G03F 7/20 20060101AFI20240422BHJP
H05G 2/00 20060101ALI20240422BHJP
【ＦＩ】
G03F7/20 503
H05G2/00 K
G03F7/20 521
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022166045
(22)【出願日】2022-10-17
(71)【出願人】
【識別番号】300073919
【氏名又は名称】ギガフォトン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100143764
【弁理士】
【氏名又は名称】森村 靖男
(72)【発明者】
【氏名】植野 能史
(72)【発明者】
【氏名】北阪 翔伍
(72)【発明者】
【氏名】西村 祐一
【テーマコード（参考）】
2H197
4C092
【Ｆターム（参考）】
2H197GA05
2H197GA24
2H197HA03
4C092AA06
4C092AA15
4C092AB12
4C092AC09
(57)【要約】 （修正有）
【課題】ドロップレットターゲットＤＬにおける照射位置のずれを抑制する。
【解決手段】極端紫外光生成装置は、ターゲット供給部と、ターゲット通過検出装置と、遅延回路と、レーザ装置と、ターゲット画像撮像装置と、プロセッサとを備え、プロセッサは、隣り合うドロップレットターゲットの間隔が不規則となるように加振素子を制御し、異なる時刻に撮像された複数の画像データを積算して積算画像データを生成し、積算画像データのなかで最も強調されたドロップレットターゲットの積算画像データにおける位置を特定し、最も強調されたドロップレットターゲットの位置から第２検出位置までの距離に基づいて遅延時間を設定する。
【選択図】図４
【解決手段】極端紫外光生成装置は、ターゲット供給部と、ターゲット通過検出装置と、遅延回路と、レーザ装置と、ターゲット画像撮像装置と、プロセッサとを備え、プロセッサは、隣り合うドロップレットターゲットの間隔が不規則となるように加振素子を制御し、異なる時刻に撮像された複数の画像データを積算して積算画像データを生成し、積算画像データのなかで最も強調されたドロップレットターゲットの積算画像データにおける位置を特定し、最も強調されたドロップレットターゲットの位置から第２検出位置までの距離に基づいて遅延時間を設定する。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ターゲット物質を貯蔵するタンクと、前記タンク内の圧力を調節する圧力調節器と、前記タンクから前記ターゲット物質を吐出するノズルと、前記ノズルから吐出される前記ターゲット物質に振動を与えて前記ターゲット物質のドロップレットターゲットを発生させる加振素子とを含むターゲット供給部と、
前記ターゲット供給部からチャンバの内部に供給される前記ドロップレットターゲットの第１検出位置での通過を検出し、検出の度に通過タイミング信号を出力するターゲット通過検出装置と、
前記通過タイミング信号が入力され、前記通過タイミング信号の入力時から所定の遅延時間遅延させたタイミングで発光トリガ信号及び撮像トリガ信号を出力する遅延回路と、
前記発光トリガ信号が入力する度に、前記第１検出位置よりも前記ドロップレットターゲットの進行方向の下流側の第２検出位置にて前記ドロップレットターゲットに光を照射して極端紫外光を生成するレーザ装置と、
前記撮像トリガ信号が入力する度に、前記第２検出位置を含む領域内に位置する前記ドロップレットターゲットを撮像し、前記領域及び前記領域に位置する前記ドロップレットターゲットの画像データを生成するターゲット画像撮像装置と、
プロセッサと、
を備え、
前記プロセッサは、隣り合う前記ドロップレットターゲットの間隔が不規則となるように前記加振素子を制御し、異なる時刻に撮像された複数の前記画像データを積算して積算画像データを生成し、前記積算画像データのなかで最も強調された前記ドロップレットターゲットの前記積算画像データにおける位置を特定し、最も強調された前記ドロップレットターゲットの前記位置から前記第２検出位置までの距離に基づいて前記遅延時間を設定する
極端紫外光生成装置。
前記ターゲット供給部からチャンバの内部に供給される前記ドロップレットターゲットの第１検出位置での通過を検出し、検出の度に通過タイミング信号を出力するターゲット通過検出装置と、
前記通過タイミング信号が入力され、前記通過タイミング信号の入力時から所定の遅延時間遅延させたタイミングで発光トリガ信号及び撮像トリガ信号を出力する遅延回路と、
前記発光トリガ信号が入力する度に、前記第１検出位置よりも前記ドロップレットターゲットの進行方向の下流側の第２検出位置にて前記ドロップレットターゲットに光を照射して極端紫外光を生成するレーザ装置と、
前記撮像トリガ信号が入力する度に、前記第２検出位置を含む領域内に位置する前記ドロップレットターゲットを撮像し、前記領域及び前記領域に位置する前記ドロップレットターゲットの画像データを生成するターゲット画像撮像装置と、
プロセッサと、
を備え、
前記プロセッサは、隣り合う前記ドロップレットターゲットの間隔が不規則となるように前記加振素子を制御し、異なる時刻に撮像された複数の前記画像データを積算して積算画像データを生成し、前記積算画像データのなかで最も強調された前記ドロップレットターゲットの前記積算画像データにおける位置を特定し、最も強調された前記ドロップレットターゲットの前記位置から前記第２検出位置までの距離に基づいて前記遅延時間を設定する
極端紫外光生成装置。
【請求項2】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記プロセッサは、前記加振素子の振動数をゼロに制御する。
前記プロセッサは、前記加振素子の振動数をゼロに制御する。
【請求項3】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記プロセッサは、前記ターゲット画像撮像装置が前記画像データを生成する度に、前記加振素子の振動数を異なる振動数に変更する。
前記プロセッサは、前記ターゲット画像撮像装置が前記画像データを生成する度に、前記加振素子の振動数を異なる振動数に変更する。
【請求項4】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記プロセッサは、前記ドロップレットターゲットの速度に基づいて前記遅延時間の変更時間Δｔ１を設定して前記遅延時間を設定する。
前記プロセッサは、前記ドロップレットターゲットの速度に基づいて前記遅延時間の変更時間Δｔ１を設定して前記遅延時間を設定する。
【請求項5】
請求項４に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記プロセッサは、前記ドロップレットターゲットの速度を、前記加振素子の周波数と前記ターゲット画像撮像装置によって予め撮像された前記画像データから得られた隣り合う結合ドロップレットターゲットの間隔とから算出し、
前記結合ドロップレットターゲットは、隣り合う前記ドロップレットターゲットの間隔が一定であるドロップレットターゲットである。
前記プロセッサは、前記ドロップレットターゲットの速度を、前記加振素子の周波数と前記ターゲット画像撮像装置によって予め撮像された前記画像データから得られた隣り合う結合ドロップレットターゲットの間隔とから算出し、
前記結合ドロップレットターゲットは、隣り合う前記ドロップレットターゲットの間隔が一定であるドロップレットターゲットである。
【請求項6】
請求項４に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記プロセッサは、前記遅延時間を設定後に前記第２検出位置から前記領域内の前記ドロップレットターゲットまでの距離が閾値よりも大きい場合、前記遅延時間の再変更時間Δｔ２を前記変更時間Δｔ１未満に設定して前記遅延時間を再設定する。
前記プロセッサは、前記遅延時間を設定後に前記第２検出位置から前記領域内の前記ドロップレットターゲットまでの距離が閾値よりも大きい場合、前記遅延時間の再変更時間Δｔ２を前記変更時間Δｔ１未満に設定して前記遅延時間を再設定する。
【請求項7】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記プロセッサは、前記遅延時間を設定後、前記加振素子の振動数を制御し、隣り合う前記ドロップレットターゲットの間隔を一定にする。
前記プロセッサは、前記遅延時間を設定後、前記加振素子の振動数を制御し、隣り合う前記ドロップレットターゲットの間隔を一定にする。
【請求項8】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記プロセッサは、前記積算画像データのうちの非同期ドロップレットターゲットが位置する領域とのコントラストが最も大きい領域を設定し、前記コントラストが最も大きい領域の位置を最も強調された前記ドロップレットターゲットの前記位置として特定し、
前記非同期ドロップレットターゲットは、前記ターゲット画像撮像装置の撮像タイミングに非同期で隣り合う前記ドロップレットターゲットの間隔が不規則なドロップレットターゲットである。
前記プロセッサは、前記積算画像データのうちの非同期ドロップレットターゲットが位置する領域とのコントラストが最も大きい領域を設定し、前記コントラストが最も大きい領域の位置を最も強調された前記ドロップレットターゲットの前記位置として特定し、
前記非同期ドロップレットターゲットは、前記ターゲット画像撮像装置の撮像タイミングに非同期で隣り合う前記ドロップレットターゲットの間隔が不規則なドロップレットターゲットである。
【請求項9】
ターゲット物質を貯蔵するタンクと、前記タンク内の圧力を調節する圧力調節器と、前記タンクから前記ターゲット物質を吐出するノズルと、前記ノズルから吐出される前記ターゲット物質に振動を与えて前記ターゲット物質のドロップレットターゲットを発生させる加振素子とを含むターゲット供給部と、
前記ターゲット供給部からチャンバの内部に供給される前記ドロップレットターゲットの第１検出位置での通過を検出し、検出の度に通過タイミング信号を出力するターゲット通過検出装置と、
前記通過タイミング信号が入力され、前記通過タイミング信号の入力時から所定の遅延時間遅延させたタイミングで発光トリガ信号及び撮像トリガ信号を出力する遅延回路と、
前記発光トリガ信号が入力する度に、前記第１検出位置よりも前記ドロップレットターゲットの進行方向の下流側の第２検出位置にて前記ドロップレットターゲットに光を照射して極端紫外光を生成するレーザ装置と、
前記撮像トリガ信号が入力する度に、前記第２検出位置を含む領域内に位置する前記ドロップレットターゲットを撮像し、前記領域及び前記領域に位置する前記ドロップレットターゲットの画像データを生成するターゲット画像撮像装置と、
プロセッサと、
を備え、
前記プロセッサは、隣り合う前記ドロップレットターゲットの間隔が不規則となるように前記加振素子を制御し、異なる時刻に撮像された複数の前記画像データを積算して積算画像データを生成し、前記積算画像データのなかで最も強調された前記ドロップレットターゲットの前記積算画像データにおける位置を特定し、最も強調された前記ドロップレットターゲットの前記位置から前記第２検出位置までの距離に基づいて前記遅延時間を設定する極端紫外光生成装置によって生成される前記極端紫外光を露光装置に出力し、
電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光する
ことを含む電子デバイスの製造方法。
前記ターゲット供給部からチャンバの内部に供給される前記ドロップレットターゲットの第１検出位置での通過を検出し、検出の度に通過タイミング信号を出力するターゲット通過検出装置と、
前記通過タイミング信号が入力され、前記通過タイミング信号の入力時から所定の遅延時間遅延させたタイミングで発光トリガ信号及び撮像トリガ信号を出力する遅延回路と、
前記発光トリガ信号が入力する度に、前記第１検出位置よりも前記ドロップレットターゲットの進行方向の下流側の第２検出位置にて前記ドロップレットターゲットに光を照射して極端紫外光を生成するレーザ装置と、
前記撮像トリガ信号が入力する度に、前記第２検出位置を含む領域内に位置する前記ドロップレットターゲットを撮像し、前記領域及び前記領域に位置する前記ドロップレットターゲットの画像データを生成するターゲット画像撮像装置と、
プロセッサと、
を備え、
前記プロセッサは、隣り合う前記ドロップレットターゲットの間隔が不規則となるように前記加振素子を制御し、異なる時刻に撮像された複数の前記画像データを積算して積算画像データを生成し、前記積算画像データのなかで最も強調された前記ドロップレットターゲットの前記積算画像データにおける位置を特定し、最も強調された前記ドロップレットターゲットの前記位置から前記第２検出位置までの距離に基づいて前記遅延時間を設定する極端紫外光生成装置によって生成される前記極端紫外光を露光装置に出力し、
電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光する
ことを含む電子デバイスの製造方法。
【請求項10】
ターゲット物質を貯蔵するタンクと、前記タンク内の圧力を調節する圧力調節器と、前記タンクから前記ターゲット物質を吐出するノズルと、前記ノズルから吐出される前記ターゲット物質に振動を与えて前記ターゲット物質のドロップレットターゲットを発生させる加振素子とを含むターゲット供給部と、
前記ターゲット供給部からチャンバの内部に供給される前記ドロップレットターゲットの第１検出位置での通過を検出し、検出の度に通過タイミング信号を出力するターゲット通過検出装置と、
前記通過タイミング信号が入力され、前記通過タイミング信号の入力時から所定の遅延時間遅延させたタイミングで発光トリガ信号及び撮像トリガ信号を出力する遅延回路と、
前記発光トリガ信号が入力する度に、前記第１検出位置よりも前記ドロップレットターゲットの進行方向の下流側の第２検出位置にて前記ドロップレットターゲットに光を照射して極端紫外光を生成するレーザ装置と、
前記撮像トリガ信号が入力する度に、前記第２検出位置を含む領域内に位置する前記ドロップレットターゲットを撮像し、前記領域及び前記領域に位置する前記ドロップレットターゲットの画像データを生成するターゲット画像撮像装置と、
プロセッサと、
を備え、
前記プロセッサは、隣り合う前記ドロップレットターゲットの間隔が不規則となるように前記加振素子を制御し、異なる時刻に撮像された複数の前記画像データを積算して積算画像データを生成し、前記積算画像データのなかで最も強調された前記ドロップレットターゲットの前記積算画像データにおける位置を特定し、最も強調された前記ドロップレットターゲットの前記位置から前記第２検出位置までの距離に基づいて前記遅延時間を設定する極端紫外光生成装置によって生成される前記極端紫外光をマスクに照射して前記マスクの欠陥を検査し、
前記検査の結果を用いてマスクを選定し、
前記選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写する
ことを含む電子デバイスの製造方法。
前記ターゲット供給部からチャンバの内部に供給される前記ドロップレットターゲットの第１検出位置での通過を検出し、検出の度に通過タイミング信号を出力するターゲット通過検出装置と、
前記通過タイミング信号が入力され、前記通過タイミング信号の入力時から所定の遅延時間遅延させたタイミングで発光トリガ信号及び撮像トリガ信号を出力する遅延回路と、
前記発光トリガ信号が入力する度に、前記第１検出位置よりも前記ドロップレットターゲットの進行方向の下流側の第２検出位置にて前記ドロップレットターゲットに光を照射して極端紫外光を生成するレーザ装置と、
前記撮像トリガ信号が入力する度に、前記第２検出位置を含む領域内に位置する前記ドロップレットターゲットを撮像し、前記領域及び前記領域に位置する前記ドロップレットターゲットの画像データを生成するターゲット画像撮像装置と、
プロセッサと、
を備え、
前記プロセッサは、隣り合う前記ドロップレットターゲットの間隔が不規則となるように前記加振素子を制御し、異なる時刻に撮像された複数の前記画像データを積算して積算画像データを生成し、前記積算画像データのなかで最も強調された前記ドロップレットターゲットの前記積算画像データにおける位置を特定し、最も強調された前記ドロップレットターゲットの前記位置から前記第２検出位置までの距離に基づいて前記遅延時間を設定する極端紫外光生成装置によって生成される前記極端紫外光をマスクに照射して前記マスクの欠陥を検査し、
前記検査の結果を用いてマスクを選定し、
前記選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写する
ことを含む電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、１０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長約１３ｎｍの極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた半導体露光装置の開発が期待されている。
【0003】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ（ＬＰＰ）式の装置の開発が進んでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】米国特許第９９４９３５４号明細書
【特許文献2】米国特許第１０１４１１８６号明細書
【概要】
【0005】
本開示の一態様による極端紫外光生成装置は、ターゲット物質を貯蔵するタンクと、タンク内の圧力を調節する圧力調節器と、タンクからターゲット物質を吐出するノズルと、ノズルから吐出されるターゲット物質に振動を与えてターゲット物質のドロップレットターゲットを発生させる加振素子とを含むターゲット供給部と、ターゲット供給部からチャンバの内部に供給されるドロップレットターゲットの第１検出位置での通過を検出し、検出の度に通過タイミング信号を出力するターゲット通過検出装置と、通過タイミング信号が入力され、通過タイミング信号の入力時から所定の遅延時間遅延させたタイミングで発光トリガ信号及び撮像トリガ信号を出力する遅延回路と、発光トリガ信号が入力する度に、第１検出位置よりもドロップレットターゲットの進行方向の下流側の第２検出位置にてドロップレットターゲットに光を照射して極端紫外光を生成するレーザ装置と、撮像トリガ信号が入力する度に、第２検出位置を含む領域内に位置するドロップレットターゲットを撮像し、領域及び領域に位置するドロップレットターゲットの画像データを生成するターゲット画像撮像装置と、プロセッサと、を備え、プロセッサは、隣り合うドロップレットターゲットの間隔が不規則となるように加振素子を制御し、異なる時刻に撮像された複数の画像データを積算して積算画像データを生成し、積算画像データのなかで最も強調されたドロップレットターゲットの積算画像データにおける位置を特定し、最も強調されたドロップレットターゲットの位置から第２検出位置までの距離に基づいて遅延時間を設定してもよい。
【0006】
また、本開示の一態様による電子デバイスの製造方法は、ターゲット物質を貯蔵するタンクと、タンク内の圧力を調節する圧力調節器と、タンクからターゲット物質を吐出するノズルと、ノズルから吐出されるターゲット物質に振動を与えてターゲット物質のドロップレットターゲットを発生させる加振素子とを含むターゲット供給部と、ターゲット供給部からチャンバの内部に供給されるドロップレットターゲットの第１検出位置での通過を検出し、検出の度に通過タイミング信号を出力するターゲット通過検出装置と、通過タイミング信号が入力され、通過タイミング信号の入力時から所定の遅延時間遅延させたタイミングで発光トリガ信号及び撮像トリガ信号を出力する遅延回路と、発光トリガ信号が入力する度に、第１検出位置よりもドロップレットターゲットの進行方向の下流側の第２検出位置にてドロップレットターゲットに光を照射して極端紫外光を生成するレーザ装置と、撮像トリガ信号が入力する度に、第２検出位置を含む領域内に位置するドロップレットターゲットを撮像し、領域及び領域に位置するドロップレットターゲットの画像データを生成するターゲット画像撮像装置と、プロセッサと、を備え、プロセッサは、隣り合うドロップレットターゲットの間隔が不規則となるように加振素子を制御し、異なる時刻に撮像された複数の画像データを積算して積算画像データを生成し、積算画像データのなかで最も強調されたドロップレットターゲットの積算画像データにおける位置を特定し、最も強調されたドロップレットターゲットの位置から第２検出位置までの距離に基づいて遅延時間を設定する極端紫外光生成装置によって生成される極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光することを含んでもよい。
【0007】
また、本開示の他の一態様による電子デバイスの製造方法は、ターゲット物質を貯蔵するタンクと、タンク内の圧力を調節する圧力調節器と、タンクからターゲット物質を吐出するノズルと、ノズルから吐出されるターゲット物質に振動を与えてターゲット物質のドロップレットターゲットを発生させる加振素子とを含むターゲット供給部と、ターゲット供給部からチャンバの内部に供給されるドロップレットターゲットの第１検出位置での通過を検出し、検出の度に通過タイミング信号を出力するターゲット通過検出装置と、通過タイミング信号が入力され、通過タイミング信号の入力時から所定の遅延時間遅延させたタイミングで発光トリガ信号及び撮像トリガ信号を出力する遅延回路と、発光トリガ信号が入力する度に、第１検出位置よりもドロップレットターゲットの進行方向の下流側の第２検出位置にてドロップレットターゲットに光を照射して極端紫外光を生成するレーザ装置と、撮像トリガ信号が入力する度に、第２検出位置を含む領域内に位置するドロップレットターゲットを撮像し、領域及び領域に位置するドロップレットターゲットの画像データを生成するターゲット画像撮像装置と、プロセッサと、を備え、プロセッサは、隣り合うドロップレットターゲットの間隔が不規則となるように加振素子を制御し、異なる時刻に撮像された複数の画像データを積算して積算画像データを生成し、積算画像データのなかで最も強調されたドロップレットターゲットの積算画像データにおける位置を特定し、最も強調されたドロップレットターゲットの位置から第２検出位置までの距離に基づいて遅延時間を設定する極端紫外光生成装置によって生成される極端紫外光をマスクに照射してマスクの欠陥を検査し、検査の結果を用いてマスクを選定し、選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写することを含んでもよい。
【図面の簡単な説明】
【0008】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【実施形態】
【0009】
１．概要
２．電子デバイスの製造装置の説明
３．比較例の極端紫外光生成装置の説明
３．１ 構成
３．２ 動作
３．３ 課題
４．実施形態１の極端紫外光生成装置の説明
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用・効果
５．実施形態２の極端紫外光生成装置の説明
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ 作用・効果
２．電子デバイスの製造装置の説明
３．比較例の極端紫外光生成装置の説明
３．１ 構成
３．２ 動作
３．３ 課題
４．実施形態１の極端紫外光生成装置の説明
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用・効果
５．実施形態２の極端紫外光生成装置の説明
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ 作用・効果
【0010】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【0011】
１．概要
本開示の実施形態は、極端紫外（ＥＵＶ）と呼ばれる波長の光を生成する極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造装置に関するものである。なお、以下では、極端紫外光をＥＵＶ光という場合がある。
本開示の実施形態は、極端紫外（ＥＵＶ）と呼ばれる波長の光を生成する極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造装置に関するものである。なお、以下では、極端紫外光をＥＵＶ光という場合がある。
【0012】
２．電子デバイスの製造装置の説明
図１は、電子デバイス製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。図１に示す電子デバイス製造装置は、ＥＵＶ光生成装置１００及び露光装置２００を含む。露光装置２００は、反射光学系である複数のミラー２１１，２１２を含むマスク照射部２１０と、マスク照射部２１０の反射光学系とは別の反射光学系である複数のミラー２２１，２２２を含むワークピース照射部２２０とを含む。マスク照射部２１０は、ＥＵＶ光生成装置１００から入射したＥＵＶ光１０１によって、ミラー２１１，２１２を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部２２０は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光１０１を、ミラー２２１，２２２を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された不図示のワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置２００は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光１０１をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで半導体デバイスを製造することができる。
図１は、電子デバイス製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。図１に示す電子デバイス製造装置は、ＥＵＶ光生成装置１００及び露光装置２００を含む。露光装置２００は、反射光学系である複数のミラー２１１，２１２を含むマスク照射部２１０と、マスク照射部２１０の反射光学系とは別の反射光学系である複数のミラー２２１，２２２を含むワークピース照射部２２０とを含む。マスク照射部２１０は、ＥＵＶ光生成装置１００から入射したＥＵＶ光１０１によって、ミラー２１１，２１２を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部２２０は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光１０１を、ミラー２２１，２２２を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された不図示のワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置２００は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光１０１をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで半導体デバイスを製造することができる。
【0013】
図２は、ＥＵＶ光生成装置１００に接続された検査装置３００の全体の概略構成例を示す模式図である。検査装置３００は、反射光学系である複数のミラー３１１，３１３，３１５を含む照明光学系３１０と、照明光学系３１０の反射光学系とは別の反射光学系である複数のミラー３２１，３２３、及び検出器３２５を含む検出光学系３２０とを含む。照明光学系３１０は、ＥＵＶ光生成装置１００から入射したＥＵＶ光１０１をミラー３１１，３１３，３１５で反射して、マスクステージ３３１に配置されているマスク３３３を照射する。マスク３３３は、パターンが形成される前のマスクブランクスを含む。検出光学系３２０は、マスク３３３からのパターンを反映したＥＵＶ光１０１をミラー３２１，３２３で反射して検出器３２５の受光面に結像させる。ＥＵＶ光１０１を受光した検出器３２５は、マスク３３３の画像を取得する。検出器３２５は、例えばＴＤＩ（Time Delay Integration）カメラである。以上のような工程によって取得したマスク３３３の画像により、マスク３３３の欠陥を検査し、検査の結果を用いて、電子デバイスの製造に適するマスクを選定する。そして、選定したマスクに形成されたパターンを、露光装置２００を用いて感光基板上に露光転写することで電子デバイスを製造することができる。
【0014】
３．比較例の極端紫外光生成装置の説明
３．１ 構成
比較例のＥＵＶ光生成装置１００について説明する。なお、本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。また、以下では、図１に示すように外部装置としての露光装置２００に向けてＥＵＶ光１０１を出射するＥＵＶ光生成装置１００を用いて説明する。なお、図２に示すように外部装置としての検査装置３００に向けてＥＵＶ光１０１を出射するＥＵＶ光生成装置１００についても、同様の作用・効果を得ることができる。
３．１ 構成
比較例のＥＵＶ光生成装置１００について説明する。なお、本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。また、以下では、図１に示すように外部装置としての露光装置２００に向けてＥＵＶ光１０１を出射するＥＵＶ光生成装置１００を用いて説明する。なお、図２に示すように外部装置としての検査装置３００に向けてＥＵＶ光１０１を出射するＥＵＶ光生成装置１００についても、同様の作用・効果を得ることができる。
【0015】
図３は、本例のＥＵＶ光生成装置１００の全体の概略構成例を示す模式図である。図３に示すように、ＥＵＶ光生成装置１００は、チャンバ１０、レーザ装置ＬＤ、レーザ光デリバリ光学系３０、プロセッサ１２１、及び遅延回路１２２を主な構成として含む。
【0016】
チャンバ１０は、密閉可能な容器である。チャンバ１０は、低圧雰囲気の内部空間を囲う内壁１０ｂを含む。また、チャンバ１０はサブチャンバ１５を含む。サブチャンバ１５には、サブチャンバ１５の壁を貫通するようにターゲット供給部４０が取り付けられている。ターゲット供給部４０は、タンク４１、ノズル４２、及び圧力調節器４３を含み、ドロップレットターゲットＤＬをチャンバ１０の内部空間に供給する。ドロップレットターゲットＤＬは、ドロップレットやターゲットと省略して呼ばれる場合がある。
【0017】
タンク４１は、その内部にドロップレットターゲットＤＬとなるターゲット物質を貯蔵する。ターゲット物質は、スズを含む。タンク４１の内部は、タンク４１内の圧力を一定に調節する圧力調節器４３と連通している。タンク４１には、ヒータ４４及び温度センサ４５が取り付けられている。ヒータ４４は、ヒータ電源４６から供給される電流により、タンク４１を加熱する。この加熱により、タンク４１内のターゲット物質は溶融する。温度センサ４５は、タンク４１を介してタンク４１内のターゲット物質の温度を測定する。圧力調節器４３、温度センサ４５、及びヒータ電源４６は、プロセッサ１２１に電気的に接続されている。
【0018】
ノズル４２は、タンク４１に取り付けられ、ターゲット物質を吐出する。ノズル４２には、加振素子であるピエゾ素子４７が取り付けられている。ピエゾ素子４７は、ピエゾ電源４８に電気的に接続されており、ピエゾ電源４８から印加される電圧で駆動される。ピエゾ電源４８は、プロセッサ１２１に電気的に接続されている。ピエゾ素子４７は、ノズル４２から吐出されるターゲット物質に振動を与えてターゲット物質のドロップレットターゲットＤＬを発生させる。
【0019】
チャンバ１０は、ターゲット回収部１４を含む。ターゲット回収部１４は、チャンバ１０の内壁１０ｂに取り付けられる箱体であり、チャンバ１０の内壁１０ｂに設けられる開口１０ａを介してチャンバ１０の内部空間に連通している。開口１０ａはノズル４２の直下に設けられ、ターゲット回収部１４は、開口１０ａを通過してターゲット回収部１４に到達する不要なドロップレットターゲットＤＬを回収するドレインタンクである。
【0020】
チャンバ１０の内壁１０ｂには、少なくとも１つの貫通孔が設けられている。この貫通孔はウィンドウ１２によって塞がれており、ウィンドウ１２をレーザ装置ＬＤから出射されるパルス状のレーザ光９０が透過する。
【0021】
また、チャンバ１０の内部空間には、レーザ集光光学系１３が配置されている。レーザ集光光学系１３は、レーザ光集光ミラー１３Ａ及び高反射ミラー１３Ｂを含む。レーザ光集光ミラー１３Ａは、ウィンドウ１２を透過するレーザ光９０を反射して集光する。高反射ミラー１３Ｂは、レーザ光集光ミラー１３Ａが集光するレーザ光９０を反射する。レーザ光集光ミラー１３Ａ及び高反射ミラー１３Ｂの位置は、レーザ光マニュピレータ１３Ｃにより、チャンバ１０の内部空間でのレーザ光９０の集光位置がプロセッサ１２１から指定された位置になるように調節される。当該集光位置はノズル４２の直下に位置するように調節されており、レーザ光９０が当該集光位置においてターゲット物質を照射すると、照射によってプラズマが生成されると共に、プラズマからＥＵＶ光１０１が生成される。プラズマが生成される領域をプラズマ生成領域ＡＲと呼ぶことがある。
【0022】
チャンバ１０の内部空間には、例えば、回転楕円面形状の反射面７５ａを含むＥＵＶ光集光ミラー７５が配置される。反射面７５ａは、プラズマ生成領域ＡＲにおいてプラズマから放射されるＥＵＶ光１０１を反射する。反射面７５ａは、第１焦点及び第２焦点を有する。反射面７５ａは、例えば、第１焦点がプラズマ生成領域ＡＲに位置し、第２焦点が中間集光点ＩＦに位置するように配置されてもよい。図３では、第１焦点及び第２焦点を通る直線が焦点直線Ｌａとして示されている。焦点直線Ｌａは、反射面７５ａの中心軸方向に沿っている。
【0023】
また、ＥＵＶ光生成装置１００は、チャンバ１０の内部空間及び露光装置２００の内部空間を連通させる接続部１９を含む。接続部１９の内部には、アパーチャが形成された壁が配置されている。この壁は、アパーチャが第２焦点に位置するように配置されることが好ましい。接続部１９はＥＵＶ光生成装置１００におけるＥＵＶ光１０１の出射口であり、ＥＵＶ光１０１は接続部１９から出射されて露光装置２００に入射する。
【0024】
また、ＥＵＶ光生成装置１００は、圧力センサ２６を含む。圧力センサ２６は、チャンバ１０に取り付けられ、プロセッサ１２１に電気的に接続されている。圧力センサ２６は、チャンバ１０の内部空間の圧力を計測し、この圧力を示す信号をプロセッサ１２１に出力する。
【0025】
本開示のプロセッサ１２１は、制御プログラムが記憶された記憶装置と、当該制御プログラムを実行するＣＰＵ（Central Processing Unit）とを含む処理装置である。プロセッサ１２１は、本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされ、ＥＵＶ光生成装置１００全体を制御する。プロセッサ１２１には、圧力センサ２６で計測されたチャンバ１０の内部空間の圧力に係る信号や、露光装置２００からバースト動作を指示するバースト信号等が入力される。プロセッサ１２１は、上記各種信号を処理し、例えば、ドロップレットターゲットＤＬが吐出されるタイミング、ドロップレットターゲットＤＬの吐出方向等を制御してもよい。また、プロセッサ１２１は、レーザ装置ＬＤの出射タイミング、レーザ光９０の進行方向や集光位置等を制御してもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて後述のように他の制御が追加されてもよい。
【0026】
本例のプロセッサ１２１は、レーザ装置ＬＤに、遅延回路１２２を介して電気的に接続されている。遅延回路１２２は、後述するターゲット通過検出装置からプロセッサ１２１を経由して通過タイミング信号を入力される。遅延回路１２２は、通過タイミング信号の入力時から所定の遅延時間だけ遅延させたタイミングで、レーザ装置ＬＤに発光トリガ信号を出力する。
【0027】
レーザ装置ＬＤは、発光トリガ信号が入力すると、レーザ光９０を出射する。このようなレーザ装置ＬＤは、バースト動作する光源であるマスターオシレータを含む。マスターオシレータは、バーストオンでパルス状のレーザ光９０を出射する。マスターオシレータは、例えば、ヘリウムや窒素等が炭酸ガス中に混合される気体を放電によって励起することで、レーザ光９０を出射するレーザ装置である。或いは、マスターオシレータは、量子カスケードレーザ装置でもよい。また、マスターオシレータは、Ｑスイッチ方式により、パルス状のレーザ光９０を出射してもよい。また、マスターオシレータは、光スイッチや偏光子等を含んでもよい。なお、バースト動作とは、バーストオン時に連続するパルス状のレーザ光９０を所定の繰り返し周波数で出射し、バーストオフ時にレーザ光９０の出射を抑制する動作である。
【0028】
レーザ装置ＬＤから出射するレーザ光９０の進行方向は、レーザ光デリバリ光学系３０によって調節される。レーザ光デリバリ光学系３０は、レーザ光９０の進行方向を調節する複数のミラー３１，３２を含む。ミラー３１，３２の少なくとも１つの位置は、不図示のアクチュエータで調節される。ミラー３１，３２の少なくとも１つの位置が調節されることで、レーザ光９０がウィンドウ１２から適切にチャンバ１０の内部空間に伝搬し得る。
【0029】
チャンバ１０には、エッチングガスをチャンバ１０の内部空間に供給する中心側ガス供給部８１が配置されている。上記のように、ターゲット物質はスズを含むため、エッチングガスは、例えば水素ガス濃度が１００％と見做せる水素含有ガスである。或いは、エッチングガスは、例えば水素ガス濃度が３％程度のバランスガスでもよい。バランスガスには、窒素（Ｎ２）ガスやアルゴン（Ａｒ）ガスが含まれている。ところで、ドロップレットターゲットＤＬを構成するターゲット物質がプラズマ生成領域ＡＲでレーザ光９０を照射されてプラズマ化すると、スズの微粒子及びスズの荷電粒子が生じる。これら微粒子及び荷電粒子を構成するスズは、チャンバ１０の内部空間に供給されたエッチングガスに含まれる水素と反応する。スズが水素と反応すると、常温で気体のスタンナン（ＳｎＨ４）になる。
【0030】
中心側ガス供給部８１は、円錐台の側面状の形状をしており、ＥＵＶ光集光ミラー７５の中央部に形成された貫通孔７５ｃを挿通している。中心側ガス供給部８１は、コーンと呼ばれる場合がある。また、中心側ガス供給部８１は、ノズルである中心側ガス供給口８１ａを含む。中心側ガス供給口８１ａは、反射面７５ａにおける焦点直線Ｌａ上に設けられる。中心側ガス供給口８１ａは、反射面７５ａの中心側からプラズマ生成領域ＡＲに向かってエッチングガスを供給する。なお、エッチングガスは、焦点直線Ｌａに沿って反射面７５ａの中心側から反射面７５ａから離れる方向に沿って、中心側ガス供給口８１ａから供給されることが好ましい。中心側ガス供給口８１ａは、中心側ガス供給部８１の不図示の配管を介してタンクである不図示のガス供給装置に接続されており、ガス供給装置からエッチングガスが供給される。ガス供給装置は、プロセッサ１２１によって駆動を制御される。不図示の配管には、バルブである不図示の供給ガス流量調節部が配置されてもよい。
【0031】
中心側ガス供給口８１ａは、エッチングガスをチャンバ１０の内部空間に供給するガス供給口であると共に、レーザ光９０がチャンバ１０の内部空間に出射する出射口でもある。レーザ光９０は、ウィンドウ１２と中心側ガス供給口８１ａとを通過してチャンバ１０の内部空間に向かって進行する。
【0032】
チャンバ１０の内壁１０ｂには、排気口１０Ｅが設けられている。焦点直線Ｌａ上には露光装置２００が配置されるため、排気口１０Ｅは、焦点直線Ｌａの側方における内壁１０ｂに設けられている。排気口１０Ｅの中心軸に沿う方向は、例えば、焦点直線Ｌａに直交している。また、排気口１０Ｅは、焦点直線Ｌａに垂直な方向から見る場合において、プラズマ生成領域ＡＲを基準として反射面７５ａとは反対側に設けられている。排気口１０Ｅは、チャンバ１０の内部空間のガスを排気する。排気口１０Ｅは排気管１０Ｐに接続されており、排気管１０Ｐは排気ポンプ６０に接続されている。
【0033】
上記のようにターゲット物質がプラズマ生成領域ＡＲにおいてプラズマ化する際、排ガスとしての残留ガスがチャンバ１０の内部空間に生成される。残留ガスは、ターゲット物質のプラズマ化により生じたスズの微粒子及び荷電粒子と、それらがエッチングガスと反応したスタンナンと、未反応のエッチングガスとを含む。なお、荷電粒子の一部はチャンバ１０の内部空間で中性化するが、この中性化した荷電粒子も残留ガスに含まれる。残留ガスは、排気口１０Ｅと排気管１０Ｐとを介して排気ポンプ６０に吸引される。
【0034】
図４は、本例のＥＵＶ光生成装置１００のチャンバ１０に設けられるターゲット通過検出装置及びターゲット画像撮像装置を説明する図である。図４では、図３に示したＥＵＶ光集光ミラー７５等の一部の部材の図示を省略している。以下では、単に、ターゲット通過検出装置を検出装置４００、ターゲット画像撮像装置を撮像装置５００と呼ぶ場合がある。
【0035】
検出装置４００は、撮像装置５００よりもドロップレットターゲットＤＬの進行方向の上流側に配置される。検出装置４００はドロップレットターゲットＤＬの通過を検出し、撮像装置５００はドロップレットターゲットＤＬを撮像する。
【0036】
検出装置４００は、照明部４１０と検出部４２０とを含む。照明部４１０は、ドロップレットターゲットＤＬの軌道を基準として検出部４２０の反対側に配置される。照明部４１０及び検出部４２０が並ぶ方向は、当該軌道と直交しているが、当該軌道と非直交でもよい。照明部４１０及び検出部４２０はチャンバ１０の外側にて内壁１０ｂに取り付けられ、照明部４１０は内壁１０ｂに設けられるウィンドウ７３１ａと同軸上に配置され、検出部４２０は内壁１０ｂに設けられるウィンドウ７３１ｂと同軸上に配置される。
【0037】
照明部４１０は、容器４１１と、容器４１１に収容される光源４１３及び照明光学系４１５とを含む。光源４１３は、プロセッサ１２１に電気的に接続されており、光源４１３から出射される光９２の出射のタイミングを制御される。光源４１３は、例えば、単色のレーザ光を出射する光源でもよいし、複数の波長を含む光を出射するランプでもよい。照明光学系４１５は、集光レンズを含み、光９２をウィンドウ７３１ａを介してドロップレットターゲットＤＬの軌道上に集光する。
【0038】
検出部４２０は、容器４２１と、容器４２１に収容される受光光学系４２３及び光センサ４２５とを含む。受光光学系４２３は、光９２を照明されたドロップレットターゲットＤＬの像を光センサ４２５上に転写するレンズを含む。光センサ４２５は、例えば、フォトダイオード等である。ドロップレットターゲットＤＬが光９２を遮ると、光センサ４２５にて受光される光９２の光量が変動する。光センサ４２５は、この変動に基づいて、ドロップレットターゲットＤＬの通過を知らせる通過タイミング信号を生成してプロセッサ１２１に出力する。以下において、検出装置４００によるドロップレットターゲットＤＬの検出位置を第１検出位置Ｐ１と呼ぶ場合がある。第１検出位置Ｐ１は、検出装置４００の照明部４１０及び検出部４２０の間に位置し、ドロップレットターゲットＤＬの軌道上における照明部４１０からの光９２の集光位置である。
【0039】
撮像装置５００は、照明部５１０と撮像部５２０とを含む。照明部５１０は、ドロップレットターゲットＤＬの軌道を基準として撮像部５２０の反対側に配置される。照明部５１０及び撮像部５２０が並ぶ方向は、当該軌道と直交しているが、当該軌道と非直交でもよい。照明部５１０及び撮像部５２０はチャンバ１０の外側にて内壁１０ｂに取り付けられ、照明部５１０は内壁１０ｂに設けられるウィンドウ７３１ｃと同軸上に配置され、撮像部５２０は内壁１０ｂに設けられるウィンドウ７３１ｄと同軸上に配置される。
【0040】
照明部５１０は、容器５１１と、容器５１１に収容される光源５１３及び照明光学系５１５とを含む。光源５１３は、プロセッサ１２１に電気的に接続されており、光源５１３からプラズマ生成領域ＡＲにおけるドロップレットターゲットＤＬに出射される光９４の出射のタイミングを制御される。光源５１３は、例えば、複数の波長を含む光を出射するフラッシュランプである。照明光学系５１５は、コリメートレンズを含む。
【0041】
撮像部５２０は、容器５２１と、容器５２１に収容される結像光学系５２３、シャッタ５２５、及び撮像本体部５２７とを含む。結像光学系５２３は、第１レンズ及び第２レンズを含む。シャッタ５２５は、遅延回路１２２に電気的に接続されている。撮像本体部５２７は、例えばＣＣＤ（Charge-Coupled Device）等であり、プロセッサ１２１及び遅延回路１２２に電気的に接続されている。プロセッサ１２１は、検出装置４００から通過タイミング信号を入力されると、遅延回路１２２を介してシャッタ５２５及び撮像本体部５２７のそれぞれに撮像トリガ信号を通過タイミング信号の入力から所定の遅延時間遅らせて出力する。以下では、シャッタ５２５に対する撮像トリガ信号をシャッタトリガ信号と呼び、撮像本体部５２７に対する撮像トリガ信号を撮像トリガ信号と呼ぶ場合がある。シャッタ５２５は、遅延回路１２２からシャッタトリガ信号を入力されると極めて短い時間開き、その後に閉じる。撮像本体部５２７は、遅延回路１２２から撮像トリガ信号を入力されて、シャッタ５２５が開いている間に光９４を受光する。そして、撮像本体部５２７は、ドロップレットターゲットＤＬを撮像して画像データを生成し、当該画像データを電気信号としてプロセッサ１２１に出力する。以下において、撮像装置５００によるドロップレットターゲットＤＬの検出位置を第２検出位置Ｐ２と呼ぶ場合がある。第２検出位置Ｐ２は、第１検出位置Ｐ１よりもドロップレットターゲットＤＬの進行方向の下流側、かつプラズマ生成領域ＡＲ内、かつドロップレットターゲットＤＬの軌道上における照明部５１０からの光９４の照明領域に位置する。
【0042】
以下では、ドロップレットターゲットＤＬの軌道に沿う方向をＹ方向、照明部４１０及び検出部４２０が並ぶ方向でありＹ方向に直交する方向をＸ方向、Ｙ方向及びＸ方向に直交する方向をＺ方向として説明することがある。なお、Ｘ方向は、照明部５１０及び撮像部５２０が並ぶ方向でもある。
【0043】
３．２ 動作
次に、比較例のプロセッサ１２１の動作について説明する。図５は、比較例のプロセッサ１２１の制御フローチャートの一例を示す図である。この制御フローは、ステップＳＰ１１～ステップＳＰ１６を含む。図５に示す開始の状態では、プロセッサ１２１には、露光装置２００の露光プロセッサからターゲット供給部４０の駆動指示信号が入力されている。また、開始の状態では、プロセッサ１２１は、照明部４１０から光９２を出射させ、照明部５１０から光９４を出射させている。
次に、比較例のプロセッサ１２１の動作について説明する。図５は、比較例のプロセッサ１２１の制御フローチャートの一例を示す図である。この制御フローは、ステップＳＰ１１～ステップＳＰ１６を含む。図５に示す開始の状態では、プロセッサ１２１には、露光装置２００の露光プロセッサからターゲット供給部４０の駆動指示信号が入力されている。また、開始の状態では、プロセッサ１２１は、照明部４１０から光９２を出射させ、照明部５１０から光９４を出射させている。
【0044】
（ステップＳＰ１１）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、タンク４１内のターゲット物質を融点以上の所定温度に加熱及び維持するために、ヒータ電源４６からヒータ４４に電流を供給させ、ヒータ４４を昇温させる。このとき、プロセッサ１２１は、温度センサ４５からの出力に基づいて、ヒータ電源４６からヒータ４４へ供給される電流の値を調節し、ターゲット物質の温度を所定温度に制御する。なお、所定温度は、ターゲット物質がスズである場合、スズの融点２３１℃以上の温度であり、例えば２４０℃以上２９０℃以下である。こうしてドロップレットターゲットＤＬを吐出する準備が完了する。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、タンク４１内のターゲット物質を融点以上の所定温度に加熱及び維持するために、ヒータ電源４６からヒータ４４に電流を供給させ、ヒータ４４を昇温させる。このとき、プロセッサ１２１は、温度センサ４５からの出力に基づいて、ヒータ電源４６からヒータ４４へ供給される電流の値を調節し、ターゲット物質の温度を所定温度に制御する。なお、所定温度は、ターゲット物質がスズである場合、スズの融点２３１℃以上の温度であり、例えば２４０℃以上２９０℃以下である。こうしてドロップレットターゲットＤＬを吐出する準備が完了する。
【0045】
準備が完了すると、プロセッサ１２１は、ノズル４２のノズル孔から溶融したターゲット物質が所定の速度で吐出するように、圧力調節器４３によって、不図示のガス供給源から不活性ガスをタンク４１内に供給し、タンク４１内の圧力を調節する。この圧力下で、ターゲット物質は、ノズル４２のノズル孔からチャンバ１０中に吐出する。ノズル孔から吐出するターゲット物質は、ジェットの形態をとってもよい。このとき、プロセッサ１２１は、ドロップレットターゲットＤＬを生成するために、ピエゾ電源４８からピエゾ素子４７に所定波形の電圧を印加する。ピエゾ電源４８は、電圧値の波形が例えば正弦波状、矩形波状、或いはのこぎり波状となるように、電圧を印加する。これにより、ピエゾ素子４７は、所定の周波数で振動する。ピエゾ素子４７の振動は、ノズル４２を経由してノズル４２のノズル孔から吐出するターゲット物質へと伝搬し得る。ターゲット物質は、この振動により所定周期で分断され、液滴のドロップレットターゲットＤＬとなり、隣り合うドロップレットターゲットＤＬの間隔が概ね一定となる。以下では、隣り合うドロップレットターゲットＤＬの間隔が概ね一定のドロップレットターゲットＤＬを、結合ドロップレットターゲットＤＬと呼ぶ場合がある。ドロップレットターゲットＤＬの直径は、概ね２０μｍ以下である。プロセッサ１２１は、ドロップレットターゲットＤＬを吐出させると、制御フローをステップＳＰ１２に進める。なお、本例の以下の各ステップにおけるドロップレットターゲットＤＬは、全て結合ドロップレットターゲットＤＬである。
【0046】
ステップＳＰ１２に先立ち、ターゲット供給部４０から吐出されたドロップレットターゲットＤＬは、ターゲット回収部１４に進行する。この進行過程において、ドロップレットターゲットＤＬは、検出装置４００によるドロップレットターゲットＤＬの第１検出位置Ｐ１、及び撮像装置５００によるドロップレットターゲットＤＬの第２検出位置Ｐ２つまりプラズマ生成領域ＡＲを通過する。
【0047】
ドロップレットターゲットＤＬが第１検出位置Ｐ１を通過する際、ドロップレットターゲットＤＬは検出装置４００の光源４１３からの光９２を遮る。これにより、検出装置４００の光センサ４２５にて受光される光量が変動する。光センサ４２５は、この変動に基づいて、ドロップレットターゲットＤＬの通過を知らせる通過タイミング信号を生成してプロセッサ１２１に出力する。なお、ドロップレットターゲットＤＬが光９２を遮る度に、光センサ４２５は通過タイミング信号を出力する。
【0048】
プロセッサ１２１は、入力された複数の通過タイミング信号にマスク処理を施し、入力された複数の通過タイミング信号のうちの所定の時間間隔の通過タイミング信号のみを認識する。認識された通過タイミング信号の数は、複数であるが、プロセッサ１２１に入力された通過タイミング信号の数よりも少ない。この認識された通過タイミング信号に対応するドロップレットターゲットＤＬは、撮像装置５００の撮像対象及びレーザ装置ＬＤのレーザ光９０の照射対象となる。つまり、全てのドロップレットターゲットＤＬが撮像対象及び照射対象になるのではなく、全てのドロップレットターゲットＤＬのうちの概ね所定周期のドロップレットターゲットＤＬが撮像対象及び照射対象になる。そして、プロセッサ１２１は、マスク処理後に認識された通過タイミング信号のそれぞれに対して、撮像トリガ信号及び発光トリガ信号の起点となる信号であるトリガ信号を遅延回路１２２に入力する。このトリガ信号は、プロセッサ１２１を介して遅延回路１２２に入力する通過タイミング信号とも理解できる。遅延回路１２２は、トリガ信号が入力する度に、トリガ信号の入力時から所定の遅延時間遅延させたタイミングで、撮像トリガ信号をシャッタ５２５及び撮像本体部５２７に、発光トリガ信号をレーザ装置ＬＤに出力する。従って、プロセッサ１２１は、マスク処理後に認識された通過タイミング信号の入力時から所定の遅延時間遅らせて、遅延回路１２２を介して撮像トリガ信号及び発光トリガ信号を出力すると理解できる。
【0049】
撮像トリガ信号が入力されると、シャッタ５２５が開き、撮像本体部５２７は、シャッタ５２５が開いている間において、第２検出位置Ｐ２を含む所定の撮像領域内に位置するドロップレットターゲットＤＬを撮像する。そして、撮像本体部５２７は、撮像領域及び撮像領域に位置するドロップレットターゲットＤＬの画像データを生成する。
【0050】
なお、撮像トリガ信号は、マスク処理後に認識された複数の通過タイミング信号のそれぞれに応じて個別に出力される。撮像装置５００は、撮像トリガ信号が入力する度に、第２検出位置Ｐ２を含む撮像領域内に位置するドロップレットターゲットＤＬを撮像し、撮像領域及び撮像領域に位置するドロップレットターゲットＤＬの画像データを生成する。撮像本体部５２７は、それぞれの画像データを電気信号としてプロセッサ１２１に出力する。撮像本体部５２７が撮像トリガ信号によって駆動することで、撮像装置５００は、検出装置４００によって第１検出位置Ｐ１の通過を検出されると共にプロセッサ１２１のマスク処理によって測定対象となったドロップレットターゲットＤＬを撮像することができる。
【0051】
（ステップＳＰ１２）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、ピエゾ素子４７の周波数と、隣り合うドロップレットターゲットＤＬの間隔とから、ドロップレットターゲットＤＬの速度を算出する。隣り合うドロップレットターゲットＤＬの間隔は、撮像本体部５２７によって撮像されたドロップレットターゲットＤＬの画像データからプロセッサ１２１によって測定される。そして、プロセッサ１２１は、ノズル４２のノズル孔から溶融したターゲット物質が目標となる速度で吐出すると共に、ドロップレットターゲットＤＬが当該速度でプラズマ生成領域ＡＲに到達するように、圧力調節器４３によってタンク４１内の圧力を調節する。つまり、本ステップでは、プロセッサ１２１は、結合ドロップレットターゲットＤＬの速度を制御する。これにより、ドロップレットターゲットＤＬは、ノズル４２からプラズマ生成領域ＡＲに、所定の速度及び所定の周波数で供給される。プロセッサ１２１は、タンク４１内の圧力を調節すると、制御フローをステップＳＰ１３に進める。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、ピエゾ素子４７の周波数と、隣り合うドロップレットターゲットＤＬの間隔とから、ドロップレットターゲットＤＬの速度を算出する。隣り合うドロップレットターゲットＤＬの間隔は、撮像本体部５２７によって撮像されたドロップレットターゲットＤＬの画像データからプロセッサ１２１によって測定される。そして、プロセッサ１２１は、ノズル４２のノズル孔から溶融したターゲット物質が目標となる速度で吐出すると共に、ドロップレットターゲットＤＬが当該速度でプラズマ生成領域ＡＲに到達するように、圧力調節器４３によってタンク４１内の圧力を調節する。つまり、本ステップでは、プロセッサ１２１は、結合ドロップレットターゲットＤＬの速度を制御する。これにより、ドロップレットターゲットＤＬは、ノズル４２からプラズマ生成領域ＡＲに、所定の速度及び所定の周波数で供給される。プロセッサ１２１は、タンク４１内の圧力を調節すると、制御フローをステップＳＰ１３に進める。
【0052】
（ステップＳＰ１３）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、ステップＳＰ１２において算出したドロップレットターゲットＤＬの速度と、第１検出位置Ｐ１から第２検出位置Ｐ２までの距離とに基づいて遅延時間を算出し、算出した遅延時間を遅延回路１２２に設定する。距離は、予め設計された設計距離である。プロセッサ１２１は、遅延時間を固定値として遅延回路１２２に設定すると、制御フローをステップＳＰ１４に進める。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、ステップＳＰ１２において算出したドロップレットターゲットＤＬの速度と、第１検出位置Ｐ１から第２検出位置Ｐ２までの距離とに基づいて遅延時間を算出し、算出した遅延時間を遅延回路１２２に設定する。距離は、予め設計された設計距離である。プロセッサ１２１は、遅延時間を固定値として遅延回路１２２に設定すると、制御フローをステップＳＰ１４に進める。
【0053】
（ステップＳＰ１４）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、発光トリガ信号を、マスク処理後に認識された通過タイミング信号のそれぞれに応じて個別に遅延回路１２２を介して出力する。そして、発光トリガ信号は、レーザ装置ＬＤにステップＳＰ１３において遅延回路１２２に設定された遅延時間遅れて入力する。レーザ装置ＬＤは、発光トリガ信号が入力する度に、レーザ光９０を出力し、第２検出位置Ｐ２にてドロップレットターゲットＤＬにレーザ光９０を照射する。レーザ光９０は、レーザ光デリバリ光学系３０及びレーザ集光光学系１３を通じて第２検出位置Ｐ２においてドロップレットターゲットＤＬを照射する。このドロップレットターゲットＤＬは、マスク処理によって認識された通過タイミング信号に対応するドロップレットターゲットＤＬである。なお、プロセッサ１２１は、レーザ光９０がプラズマ生成領域ＡＲに集光するように、レーザ集光光学系１３のレーザ光マニュピレータ１３Ｃを制御する。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、発光トリガ信号を、マスク処理後に認識された通過タイミング信号のそれぞれに応じて個別に遅延回路１２２を介して出力する。そして、発光トリガ信号は、レーザ装置ＬＤにステップＳＰ１３において遅延回路１２２に設定された遅延時間遅れて入力する。レーザ装置ＬＤは、発光トリガ信号が入力する度に、レーザ光９０を出力し、第２検出位置Ｐ２にてドロップレットターゲットＤＬにレーザ光９０を照射する。レーザ光９０は、レーザ光デリバリ光学系３０及びレーザ集光光学系１３を通じて第２検出位置Ｐ２においてドロップレットターゲットＤＬを照射する。このドロップレットターゲットＤＬは、マスク処理によって認識された通過タイミング信号に対応するドロップレットターゲットＤＬである。なお、プロセッサ１２１は、レーザ光９０がプラズマ生成領域ＡＲに集光するように、レーザ集光光学系１３のレーザ光マニュピレータ１３Ｃを制御する。
【0054】
また、本ステップでは、プロセッサ１２１は、上記のように、撮像トリガ信号を、マスク処理後に認識された複数の通過タイミング信号のそれぞれに応じて個別に遅延回路１２２を介して出力する。これにより撮像装置５００は、検出装置４００によって第１検出位置Ｐ１の通過を検出されると共にプロセッサ１２１のマスク処理によって測定対象となったドロップレットターゲットＤＬを第２検出位置Ｐ２にて撮像することができる。
【0055】
プロセッサ１２１は、発光トリガ信号及び撮像トリガ信号を出力すると、制御フローをステップＳＰ１５に進める。
【0056】
（ステップＳＰ１５）
本ステップでは、レーザ光９０がプラズマ生成領域ＡＲでドロップレットターゲットＤＬに照射されると、当該照射によりプラズマが生成され、当該プラズマからＥＵＶ光１０１を含む光が生成される。プラズマ生成領域ＡＲで発生したＥＵＶ光１０１を含む光のうち、ＥＵＶ光１０１は、ＥＵＶ光集光ミラー７５によって中間集光点ＩＦで集光された後、接続部１９から露光装置２００に入射する。
本ステップでは、レーザ光９０がプラズマ生成領域ＡＲでドロップレットターゲットＤＬに照射されると、当該照射によりプラズマが生成され、当該プラズマからＥＵＶ光１０１を含む光が生成される。プラズマ生成領域ＡＲで発生したＥＵＶ光１０１を含む光のうち、ＥＵＶ光１０１は、ＥＵＶ光集光ミラー７５によって中間集光点ＩＦで集光された後、接続部１９から露光装置２００に入射する。
【0057】
（ステップＳＰ１６）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、露光装置２００から停止信号を入力されなければ制御フローをステップＳＰ１４に戻してＥＵＶ光１０１の生成を継続し、停止信号が入力されれば制御フローを終了する。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、露光装置２００から停止信号を入力されなければ制御フローをステップＳＰ１４に戻してＥＵＶ光１０１の生成を継続し、停止信号が入力されれば制御フローを終了する。
【0058】
図６は、図５に示す制御フローチャートのタイミングチャートを示す図である。図６（Ａ）は、ステップＳＰ１１に対応する図であり、通過タイミング信号の生成のタイミングチャートを示す図である。上記したように、第１検出位置Ｐ１を通過するドロップレットターゲットＤＬのそれぞれに対して通過タイミング信号が生成される。通過タイミング信号の間隔は、一定である。図６（Ａ）の縦軸は、通過タイミング信号の生成のＯＮ、ＯＦＦを示す。図６（Ａ）の黒塗りの部分はマスク処理後に認識される通過タイミング信号であり、それ以外の部分はマスク処理によって認識されない通過タイミング信号である。
【0059】
図６（Ｂ）は、ステップＳＰ１１に対応する図であり、トリガ信号の生成のタイミングチャートを示す図である。トリガ信号は、マスク処理後に認識された通過タイミング信号と時間間隔Ｔ１とに基づいて生成され、上記したように発光トリガ信号及び撮像トリガ信号の起点となる信号である。図６（Ｂ）の縦軸は、トリガ信号の生成のＯＮ、ＯＦＦを示す。図６（Ｂ）では、時間間隔Ｔ１は通過タイミング信号に同期して生成するトリガ信号の遅延時間を示し、時間間隔ｄｔはトリガ信号の時間間隔、つまりマスク処理によって認識される通過タイミング信号に対応する結合ドロップレットターゲットＤＬの時間間隔を示している。
【0060】
図６（Ｃ）は、ステップＳＰ１４に対応する図であり、レーザ装置ＬＤが第２検出位置Ｐ２に到達したドロップレットターゲットＤＬにレーザ光９０を照射する際の発光トリガ信号のタイミングチャートを示す図である。図６（Ｃ）では、レーザ装置ＬＤへのトリガ信号の入力からドロップレットターゲットＤＬへのレーザ光９０の照射までの時間間隔をＴ２及びＴ３で示している。すなわち、レーザ光９０は、時間間隔Ｔ２の後、レーザ装置ＬＤから固定値であるＴ３で示す時間をかけてプラズマ生成領域ＡＲに進行し、ドロップレットターゲットＤＬを照射する。なお、時間間隔Ｔ２は、遅延時間Ｔ１の後の時間間隔であり、レーザ光９０がドロップレットターゲットＤＬに照射されるよう固定値であるＴ３の長さに応じて算出された長さに設定される。図６（Ｃ）の縦軸は、発光トリガ信号のＯＮ、ＯＦＦを示す。
【0061】
図６（Ｄ）は、ステップＳＰ１４に対応する図であり、撮像装置５００が第２検出位置Ｐ２に到達したドロップレットターゲットＤＬを撮像する際の撮像トリガ信号のタイミングチャートを示す図である。図６（Ｄ）の縦軸は、撮像トリガ信号のＯＮ、ＯＦＦを示す。図６（Ｄ）では、撮像装置５００へのトリガ信号の入力から光９４による撮像までの時間間隔をＴ４及びＴ５で示している。すなわち、光９４は、時間間隔Ｔ４の後、光源５１３から固定値であるＴ５で示す時間をかけて撮像本体部５２７に到達する。なお、時間間隔Ｔ４は、遅延時間Ｔ１の後の時間間隔であり、ドロップレットターゲットＤＬが所望のタイミングで撮像されるよう固定値であるＴ５の長さに応じて算出した長さに設定される。
【0062】
３．３ 課題
比較例のＥＵＶ光生成装置１００では、ステップＳＰ１３で説明したように、遅延時間は、ドロップレットターゲットＤＬの速度と、第１検出位置Ｐ１から第２検出位置Ｐ２までの距離とに基づいて算出される。この距離は、検出装置４００及び撮像装置５００がチャンバ１０に設置された後に実際に測定された測定距離であることが好ましいが、設置後に測定することが容易ではないため、予め設計された設計距離が用いられている。つまり、遅延時間は、ドロップレットターゲットＤＬの速度と、第１検出位置Ｐ１から第２検出位置Ｐ２までの設計距離とに基づいて算出される。ところで、ＥＵＶ光生成装置１００の組立の際に検出装置４００及び撮像装置５００がチャンバ１０にて予め設定された設置位置からずれてしまうことがあるため、第１検出位置Ｐ１から第２検出位置Ｐ２までの距離は設計距離に対して誤差が生じることがある。この場合、遅延時間が正確に算出されない場合がある。これにより、レーザ光９０が予め想定されたドロップレットターゲットＤＬとは別のドロップレットターゲットＤＬを照射してしまうことがある。さらにドロップレットターゲットＤＬの速度は微小変動するため、レーザ光９０を想定されたドロップレットターゲットＤＬに照射したとしても、当該ドロップレットターゲットＤＬにおける照射位置がずれることがある。これにより、露光装置２００や検査装置３００から要求される性能を満たすＥＵＶ光１０１が出射されず、ＥＵＶ光生成装置１００の信頼性が低下するという懸念が生じる。
比較例のＥＵＶ光生成装置１００では、ステップＳＰ１３で説明したように、遅延時間は、ドロップレットターゲットＤＬの速度と、第１検出位置Ｐ１から第２検出位置Ｐ２までの距離とに基づいて算出される。この距離は、検出装置４００及び撮像装置５００がチャンバ１０に設置された後に実際に測定された測定距離であることが好ましいが、設置後に測定することが容易ではないため、予め設計された設計距離が用いられている。つまり、遅延時間は、ドロップレットターゲットＤＬの速度と、第１検出位置Ｐ１から第２検出位置Ｐ２までの設計距離とに基づいて算出される。ところで、ＥＵＶ光生成装置１００の組立の際に検出装置４００及び撮像装置５００がチャンバ１０にて予め設定された設置位置からずれてしまうことがあるため、第１検出位置Ｐ１から第２検出位置Ｐ２までの距離は設計距離に対して誤差が生じることがある。この場合、遅延時間が正確に算出されない場合がある。これにより、レーザ光９０が予め想定されたドロップレットターゲットＤＬとは別のドロップレットターゲットＤＬを照射してしまうことがある。さらにドロップレットターゲットＤＬの速度は微小変動するため、レーザ光９０を想定されたドロップレットターゲットＤＬに照射したとしても、当該ドロップレットターゲットＤＬにおける照射位置がずれることがある。これにより、露光装置２００や検査装置３００から要求される性能を満たすＥＵＶ光１０１が出射されず、ＥＵＶ光生成装置１００の信頼性が低下するという懸念が生じる。
【0063】
そこで、以下の実施形態では、信頼性の低下が抑制され得るＥＵＶ光生成装置１００が例示される。
【0064】
４．実施形態１の極端紫外光生成装置の説明
次に、実施形態１のＥＵＶ光生成装置１００について説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
次に、実施形態１のＥＵＶ光生成装置１００について説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
【0065】
４．１ 構成
本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００の構成は、比較例のＥＵＶ光生成装置１００の構成と同様であるため、説明を省略する。
本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００の構成は、比較例のＥＵＶ光生成装置１００の構成と同様であるため、説明を省略する。
【0066】
４．２ 動作
次に、本実施形態のプロセッサ１２１の動作について説明する。図７は、本実施形態のプロセッサ１２１の制御フローチャートの一部を示す図である。図８は、当該制御フローチャートの残りの一部を示す図である。本実施形態の制御フローチャートは、ステップＳＰ２１～ステップＳＰ３４を含む。
次に、本実施形態のプロセッサ１２１の動作について説明する。図７は、本実施形態のプロセッサ１２１の制御フローチャートの一部を示す図である。図８は、当該制御フローチャートの残りの一部を示す図である。本実施形態の制御フローチャートは、ステップＳＰ２１～ステップＳＰ３４を含む。
【0067】
図７に示す開始の状態では、プロセッサ１２１には、露光装置２００の露光プロセッサからターゲット供給部４０の駆動指示信号が入力されている。また、開始の状態では、プロセッサ１２１は、照明部４１０から光９２を出射させ、照明部５１０から光９４を出射させている。開始の状態では、プロセッサ１２１は、比較例と同様に、タンク４１内のターゲット物質を溶融させるといった、ドロップレットターゲットＤＬを吐出する準備を完了させている。
【0068】
（ステップＳＰ２１）
本ステップからステップＳＰ２４は、ＥＵＶ光生成装置１００が本稼働する前の準備ステップである。本ステップでは、プロセッサ１２１は、パラメータを記憶装置から読み込む。本実施形態のパラメータは、ピエゾ素子４７の目標印加電圧Ｖｐｚ、ピエゾ素子４７の目標印加電圧周波数Ｆｐｚ、設計遅延時間ｔｄ０、後述する非結合ドロップレットターゲットＤＬの撮像回数ｎに対する目標数ｎ_ｔａｒｇｅｔ、閾値ｄ_ｌｉｍｉｔ、及び撮像本体部５２７の撮像領域における観測領域の幅Ｌを含む。
本ステップからステップＳＰ２４は、ＥＵＶ光生成装置１００が本稼働する前の準備ステップである。本ステップでは、プロセッサ１２１は、パラメータを記憶装置から読み込む。本実施形態のパラメータは、ピエゾ素子４７の目標印加電圧Ｖｐｚ、ピエゾ素子４７の目標印加電圧周波数Ｆｐｚ、設計遅延時間ｔｄ０、後述する非結合ドロップレットターゲットＤＬの撮像回数ｎに対する目標数ｎ_ｔａｒｇｅｔ、閾値ｄ_ｌｉｍｉｔ、及び撮像本体部５２７の撮像領域における観測領域の幅Ｌを含む。
【0069】
目標印加電圧Ｖｐｚは、当該電圧を印加されたピエゾ素子４７の振動によって結合ドロップレットターゲットＤＬが吐出される電圧である。設計遅延時間ｔｄ０は、第１検出位置Ｐ１から第２検出位置Ｐ２までの設計距離と結合ドロップレットターゲットＤＬの設計速度とから算出される時間である。結合ドロップレットターゲットＤＬの設計速度は、ノズル４２のノズル孔と、ターゲット供給部４０への背圧、つまり圧力調節器４３によって調節されるタンク４１内の圧力とによって予め算出されている。目標数ｎ_ｔａｒｇｅｔは、２以上であり、後述する遅延時間ｔｄの調整処理であるステップＳＰ２４にて用いられる。閾値ｄ_ｌｉｍｉｔ及び観測領域の幅Ｌは、後述する遅延時間ｔｄの微調整処理であるステップＳＰ３０にて用いられる。閾値ｄ_ｌｉｍｉｔは、第２検出位置Ｐ２から結合ドロップレットターゲットＤＬまでの距離の閾値である。観測領域は第２検出位置Ｐ２を含み、観測領域の幅Ｌは、ドロップレットターゲットＤＬの軌道に沿うＹ方向における長さであり、１つの結合ドロップレットターゲットＤＬが観測領域内の第２検出位置Ｐ２周辺に存在する大きさに設定される。プロセッサ１２１は、各種のパラメータを読み込むと、制御フローをステップＳＰ２２に進める。
【0070】
（ステップＳＰ２２）
本ステップでは、ステップＳＰ１１と同様に、プロセッサ１２１は、圧力調節器４３によってタンク４１内の圧力を調節し、タンク４１内のターゲット物質をノズル４２のノズル孔からチャンバ１０中に吐出させる。このとき、プロセッサ１２１は、比較例と異なり、ピエゾ電源４８からピエゾ素子４７に目標印加電圧Ｖｐｚ及び目標印加電圧周波数Ｆｐｚを印加して、ピエゾ素子４７を振動させる。従って、本ステップでは、プロセッサ１２１は、ピエゾ素子４７を駆動させて結合ドロップレットターゲットＤＬを生成して吐出させる。つまり、隣り合うドロップレットターゲットＤＬの間隔は、概ね一定となる。プロセッサ１２１は、結合ドロップレットターゲットＤＬとしてのドロップレットターゲットＤＬを吐出させると、制御フローをステップＳＰ２３に進める。
本ステップでは、ステップＳＰ１１と同様に、プロセッサ１２１は、圧力調節器４３によってタンク４１内の圧力を調節し、タンク４１内のターゲット物質をノズル４２のノズル孔からチャンバ１０中に吐出させる。このとき、プロセッサ１２１は、比較例と異なり、ピエゾ電源４８からピエゾ素子４７に目標印加電圧Ｖｐｚ及び目標印加電圧周波数Ｆｐｚを印加して、ピエゾ素子４７を振動させる。従って、本ステップでは、プロセッサ１２１は、ピエゾ素子４７を駆動させて結合ドロップレットターゲットＤＬを生成して吐出させる。つまり、隣り合うドロップレットターゲットＤＬの間隔は、概ね一定となる。プロセッサ１２１は、結合ドロップレットターゲットＤＬとしてのドロップレットターゲットＤＬを吐出させると、制御フローをステップＳＰ２３に進める。
【0071】
ステップＳＰ２３に先立ち、ドロップレットターゲットＤＬが第１検出位置Ｐ１を通過すると、比較例と同様に、検出装置４００は、通過タイミング信号を電気信号としてプロセッサ１２１に出力する。検出装置４００は、第１検出位置Ｐ１を通過するドロップレットターゲットＤＬのそれぞれに対して通過タイミング信号を出力する。プロセッサ１２１は、入力された複数の通過タイミング信号にマスク処理を施し、所定の通過タイミング信号のみを認識する。また、プロセッサ１２１は、遅延回路１２２を介してシャッタ５２５及び撮像本体部５２７のそれぞれに撮像トリガ信号を、マスク処理後に認識された通過タイミング信号の入力から設計遅延時間ｔｄ０と時間間隔Ｔ４との和の時間遅らせて出力する。これにより、さらに時間間隔Ｔ５の後にシャッタ５２５は開き、撮像本体部５２７は第２検出位置Ｐ２を含む撮像領域内に位置するドロップレットターゲットＤＬを撮像する。そして、撮像本体部５２７は、撮像領域及び撮像領域に位置するドロップレットターゲットＤＬの画像データを生成する。撮像本体部５２７は、生成した当該画像データを電気信号としてプロセッサ１２１に出力する。またプロセッサ１２１は、撮像トリガ信号を、マスク処理後に認識された複数の通過タイミング信号のそれぞれに応じて個別に出力する。これにより、撮像本体部５２７は、撮像トリガ信号が入力する度に、撮像し、画像データを生成及び出力する。
【0072】
（ステップＳＰ２３）
本ステップでは、ステップＳＰ１２と同様に、プロセッサ１２１は、ピエゾ素子４７の周波数である目標印加電圧周波数Ｆｐｚと結合ドロップレットターゲットＤＬの間隔とから結合ドロップレットターゲットＤＬの速度ＤＬｖを算出し、結合ドロップレットターゲットＤＬの速度ＤＬｖを制御する。そして、プロセッサ１２１は、制御フローをステップＳＰ２４に進める。
本ステップでは、ステップＳＰ１２と同様に、プロセッサ１２１は、ピエゾ素子４７の周波数である目標印加電圧周波数Ｆｐｚと結合ドロップレットターゲットＤＬの間隔とから結合ドロップレットターゲットＤＬの速度ＤＬｖを算出し、結合ドロップレットターゲットＤＬの速度ＤＬｖを制御する。そして、プロセッサ１２１は、制御フローをステップＳＰ２４に進める。
【0073】
（ステップＳＰ２４）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、後述する遅延時間ｔｄの設定処理に移行する。遅延時間ｔｄの設定処理では、比較例で説明した遅延時間Ｔ１に相当する遅延時間ｔｄが設定され、遅延時間ｔｄの設定処理が終了すると、プロセッサ１２１は、制御フローを図８に示すステップＳＰ２５に進める。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、後述する遅延時間ｔｄの設定処理に移行する。遅延時間ｔｄの設定処理では、比較例で説明した遅延時間Ｔ１に相当する遅延時間ｔｄが設定され、遅延時間ｔｄの設定処理が終了すると、プロセッサ１２１は、制御フローを図８に示すステップＳＰ２５に進める。
【0074】
次に、図８を用いて、ステップＳＰ２５～ステップＳＰ３４を説明する。ステップＳＰ２５以降のステップは、ＥＵＶ光生成装置１００が本稼働するステップである。
【0075】
（ステップＳＰ２５）
本ステップでは、ステップＳＰ２２と同様に、プロセッサ１２１は、ピエゾ素子４７に目標印加電圧Ｖｐｚ及び目標印加電圧周波数Ｆｐｚを印加させ、結合ドロップレットターゲットＤＬとしてのドロップレットターゲットＤＬを生成して吐出させる。プロセッサ１２１は、ドロップレットターゲットＤＬを吐出させると、制御フローをステップＳＰ２６に進める。
本ステップでは、ステップＳＰ２２と同様に、プロセッサ１２１は、ピエゾ素子４７に目標印加電圧Ｖｐｚ及び目標印加電圧周波数Ｆｐｚを印加させ、結合ドロップレットターゲットＤＬとしてのドロップレットターゲットＤＬを生成して吐出させる。プロセッサ１２１は、ドロップレットターゲットＤＬを吐出させると、制御フローをステップＳＰ２６に進める。
【0076】
なお、ドロップレットターゲットＤＬが第１検出位置Ｐ１を通過すると、比較例と同様に、検出装置４００は、通過タイミング信号をプロセッサ１２１に出力する。検出装置４００は、第１検出位置Ｐ１を通過するドロップレットターゲットＤＬのそれぞれに対して通過タイミング信号を出力する。プロセッサ１２１は、入力された複数の通過タイミング信号にマスク処理を施し、所定の通過タイミング信号のみを認識する。また、プロセッサ１２１は、遅延回路１２２を介してシャッタ５２５及び撮像本体部５２７のそれぞれに撮像トリガ信号を、マスク処理後に認識された通過タイミング信号の入力から遅延時間ｔｄと時間間隔Ｔ４との和の時間遅らせて出力する。撮像本体部５２７は、撮像トリガ信号が入力する度に、さらに時間間隔Ｔ５の後に撮像し、画像データを生成及び出力する。
【0077】
（ステップＳＰ２６）
本ステップでは、ステップＳＰ２３と同様に、プロセッサ１２１は、ピエゾ素子４７の周波数である目標印加電圧周波数ＦｐｚとドロップレットターゲットＤＬの間隔とからドロップレットターゲットＤＬの速度ＤＬｖを算出し、結合ドロップレットターゲットＤＬの速度ＤＬｖを制御する。そして、プロセッサ１２１は、制御フローをステップＳＰ２７に進める。
本ステップでは、ステップＳＰ２３と同様に、プロセッサ１２１は、ピエゾ素子４７の周波数である目標印加電圧周波数ＦｐｚとドロップレットターゲットＤＬの間隔とからドロップレットターゲットＤＬの速度ＤＬｖを算出し、結合ドロップレットターゲットＤＬの速度ＤＬｖを制御する。そして、プロセッサ１２１は、制御フローをステップＳＰ２７に進める。
【0078】
（ステップＳＰ２７）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、発光トリガ信号を、遅延回路１２２を介してレーザ装置ＬＤに出力する。発光トリガ信号は、ステップＳＰ２４において設定された遅延時間ｔｄによって、通過タイミング信号がプロセッサ１２１に入力されてから遅延時間ｔｄと時間間隔Ｔ２との和の時間遅れてレーザ装置ＬＤに入力する。レーザ装置ＬＤは、発光トリガ信号を入力されると、さらに時間間隔Ｔ３の後にレーザ光９０を出力する。レーザ光９０は、レーザ光デリバリ光学系３０及びレーザ集光光学系１３を通じてプラズマ生成領域ＡＲにおいてドロップレットターゲットＤＬを照射する。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、発光トリガ信号を、遅延回路１２２を介してレーザ装置ＬＤに出力する。発光トリガ信号は、ステップＳＰ２４において設定された遅延時間ｔｄによって、通過タイミング信号がプロセッサ１２１に入力されてから遅延時間ｔｄと時間間隔Ｔ２との和の時間遅れてレーザ装置ＬＤに入力する。レーザ装置ＬＤは、発光トリガ信号を入力されると、さらに時間間隔Ｔ３の後にレーザ光９０を出力する。レーザ光９０は、レーザ光デリバリ光学系３０及びレーザ集光光学系１３を通じてプラズマ生成領域ＡＲにおいてドロップレットターゲットＤＬを照射する。
【0079】
また、本ステップでは、プロセッサ１２１は、検出装置４００からの通過タイミング信号を入力されると、遅延回路１２２を介してシャッタ５２５及び撮像本体部５２７のそれぞれに撮像トリガ信号を通過タイミング信号の入力から遅延時間ｔｄと時間間隔Ｔ４との和の時間遅らせて出力する。これにより、さらに時間間隔Ｔ５の後に撮像装置５００は、検出装置４００によって第１検出位置Ｐ１の通過を検出されると共にプロセッサ１２１のマスク処理によって測定対象となった結合ドロップレットターゲットＤＬを撮像することができる。
【0080】
プロセッサ１２１は、発光トリガ信号及び撮像トリガ信号を出力すると、制御フローをステップＳＰ２８に進める。
【0081】
（ステップＳＰ２８）
本ステップでは、ステップＳＰ１５と同様に、レーザ光９０がプラズマ生成領域ＡＲでドロップレットターゲットＤＬに照射されると、ＥＵＶ光１０１を含む光が放射される。ＥＵＶ光１０１は、ＥＵＶ光集光ミラー７５によって中間集光点ＩＦで集光された後、接続部１９から露光装置２００に入射する。
本ステップでは、ステップＳＰ１５と同様に、レーザ光９０がプラズマ生成領域ＡＲでドロップレットターゲットＤＬに照射されると、ＥＵＶ光１０１を含む光が放射される。ＥＵＶ光１０１は、ＥＵＶ光集光ミラー７５によって中間集光点ＩＦで集光された後、接続部１９から露光装置２００に入射する。
【0082】
ステップＳＰ２９～ステップＳＰ３４は、ＥＵＶ光生成装置１００が露光装置２００からのＥＵＶ出力信号に基づいて本稼働するステップである。
【0083】
（ステップＳＰ２９）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、ＥＵＶ光１０１を連続して生成する場合、露光装置２００から停止信号が入力されていない場合、或いは遅延時間ｔｄが所定値から逸脱していない場合には、ＥＵＶ光１０１の生成を継続するために、制御フローをステップＳＰ３０に進める。また、プロセッサ１２１は、露光装置２００から停止信号が入力されていれば、ＥＵＶ光１０１の生成を停止するために、制御フローをステップＳＰ３１に進める。また、プロセッサ１２１は、ＥＵＶ光１０１の性能の未達等によりＥＵＶ光１０１を生成しない場合や、遅延時間ｔｄが所定値から逸脱していた場合にも、露光装置２００にＥＵＶ光１０１の生成を停止する必要があるか否かを判断させるために、制御フローをステップＳＰ３１に進める。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、ＥＵＶ光１０１を連続して生成する場合、露光装置２００から停止信号が入力されていない場合、或いは遅延時間ｔｄが所定値から逸脱していない場合には、ＥＵＶ光１０１の生成を継続するために、制御フローをステップＳＰ３０に進める。また、プロセッサ１２１は、露光装置２００から停止信号が入力されていれば、ＥＵＶ光１０１の生成を停止するために、制御フローをステップＳＰ３１に進める。また、プロセッサ１２１は、ＥＵＶ光１０１の性能の未達等によりＥＵＶ光１０１を生成しない場合や、遅延時間ｔｄが所定値から逸脱していた場合にも、露光装置２００にＥＵＶ光１０１の生成を停止する必要があるか否かを判断させるために、制御フローをステップＳＰ３１に進める。
【0084】
（ステップＳＰ３０）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、後述する遅延時間ｔｄの微調整処理を行い、制御フローをステップＳＰ２７に戻す。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、後述する遅延時間ｔｄの微調整処理を行い、制御フローをステップＳＰ２７に戻す。
【0085】
（ステップＳＰ３１）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、エラー信号を露光装置２００に出力しない場合には制御フローをステップＳＰ３０に進め、エラー信号を露光装置２００に出力する場合には制御フローをステップＳＰ３２に進める。プロセッサ１２１は、遅延時間ｔｄが露光装置２００が許容できる値の場合はエラー信号は出力せず、露光装置２００から停止信号が入力されている場合や、遅延時間ｔｄが露光装置２００が許容できない値の場合には、エラー信号を出力する。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、エラー信号を露光装置２００に出力しない場合には制御フローをステップＳＰ３０に進め、エラー信号を露光装置２００に出力する場合には制御フローをステップＳＰ３２に進める。プロセッサ１２１は、遅延時間ｔｄが露光装置２００が許容できる値の場合はエラー信号は出力せず、露光装置２００から停止信号が入力されている場合や、遅延時間ｔｄが露光装置２００が許容できない値の場合には、エラー信号を出力する。
【0086】
（ステップＳＰ３２）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、エラー信号の出力後、露光装置２００からメンテナンス信号が入力されなければ待機し、メンテナンス信号が入力されれば制御フローをステップＳＰ３３に進める。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、エラー信号の出力後、露光装置２００からメンテナンス信号が入力されなければ待機し、メンテナンス信号が入力されれば制御フローをステップＳＰ３３に進める。
【0087】
（ステップＳＰ３３）
本ステップでは、プロセッサ１２１はＥＵＶ光生成装置１００を停止させ、ＥＵＶ光生成装置１００のメンテナンスが行われる。ＥＵＶ光生成装置１００のメンテナンスが終わると、制御フローはステップＳＰ３４に進む。
本ステップでは、プロセッサ１２１はＥＵＶ光生成装置１００を停止させ、ＥＵＶ光生成装置１００のメンテナンスが行われる。ＥＵＶ光生成装置１００のメンテナンスが終わると、制御フローはステップＳＰ３４に進む。
【0088】
（ステップＳＰ３４）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、ＥＵＶ光生成装置１００を再起動し、制御フローをステップＳＰ２２に戻す。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、ＥＵＶ光生成装置１００を再起動し、制御フローをステップＳＰ２２に戻す。
【0089】
次に、図９及び図１０を用いて、ステップＳＰ２４の本実施形態の遅延時間ｔｄの設定処理について説明する。図９は、ステップＳＰ２４の本実施形態の遅延時間ｔｄの設定処理におけるプロセッサ１２１の制御フローチャートの一部である。図１０は、当該制御フローチャートの残りの一部である。本実施形態の制御フローチャートは、ステップＳＰ５１～ステップＳＰ６４を含む。
【0090】
はじめに、図９を用いて、ステップＳＰ５１～ステップＳＰ５７を説明する。ステップＳＰ５１～ステップＳＰ５７は、ＥＵＶ光生成装置１００が本稼働する前の準備ステップである。遅延時間ｔｄの設定処理においては、比較例と異なりドロップレットターゲットＤＬとして非結合ドロップレットターゲットＤＬを用いる。非結合ドロップレットターゲットＤＬは、隣り合うドロップレットターゲットＤＬの間隔が不規則なドロップレットターゲットＤＬである。
【0091】
（ステップＳＰ５１）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、非結合ドロップレットターゲットＤＬが発生するように、ピエゾ素子４７に印加する電圧を制御する。本実施形態では、プロセッサ１２１は、ピエゾ素子４７に印加する電圧をステップＳＰ２２で説明した目標印加電圧Ｖｐｚから０Ｖに変更する。これにより、ピエゾ素子４７が停止して振動しないため、ピエゾ素子４７の振動数がゼロに制御される。この状態で、ドロップレットターゲットＤＬが吐出されると、隣り合うドロップレットターゲットＤＬの間隔は、ステップＳＰ２２で説明した概ね一定の間隔から不規則な間隔に変更される。従って、ドロップレットターゲットＤＬは、非結合ドロップレットターゲットＤＬとして吐出される。なお、タンク４１内の圧力が圧力調節器４３によって調節されているため、吐出する非結合ドロップレットターゲットＤＬの速度は概ね一定である。プロセッサ１２１は、非結合ドロップレットターゲットＤＬであるドロップレットターゲットＤＬを吐出させると、制御フローをステップＳＰ５２に進める。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、非結合ドロップレットターゲットＤＬが発生するように、ピエゾ素子４７に印加する電圧を制御する。本実施形態では、プロセッサ１２１は、ピエゾ素子４７に印加する電圧をステップＳＰ２２で説明した目標印加電圧Ｖｐｚから０Ｖに変更する。これにより、ピエゾ素子４７が停止して振動しないため、ピエゾ素子４７の振動数がゼロに制御される。この状態で、ドロップレットターゲットＤＬが吐出されると、隣り合うドロップレットターゲットＤＬの間隔は、ステップＳＰ２２で説明した概ね一定の間隔から不規則な間隔に変更される。従って、ドロップレットターゲットＤＬは、非結合ドロップレットターゲットＤＬとして吐出される。なお、タンク４１内の圧力が圧力調節器４３によって調節されているため、吐出する非結合ドロップレットターゲットＤＬの速度は概ね一定である。プロセッサ１２１は、非結合ドロップレットターゲットＤＬであるドロップレットターゲットＤＬを吐出させると、制御フローをステップＳＰ５２に進める。
【0092】
（ステップＳＰ５２）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、遅延時間ｔｄを設計遅延時間ｔｄ０に設定する。本ステップの設計遅延時間ｔｄ０は、ステップＳＰ２１における設計遅延時間ｔｄ０ではなく、第１検出位置Ｐ１から第２検出位置Ｐ２までの設計距離とステップＳＰ２３で算出されたドロップレットターゲットＤＬの速度ＤＬｖとから算出される。プロセッサ１２１は、遅延時間ｔｄを設計遅延時間ｔｄ０に設定すると、制御フローをステップＳＰ５３に進める。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、遅延時間ｔｄを設計遅延時間ｔｄ０に設定する。本ステップの設計遅延時間ｔｄ０は、ステップＳＰ２１における設計遅延時間ｔｄ０ではなく、第１検出位置Ｐ１から第２検出位置Ｐ２までの設計距離とステップＳＰ２３で算出されたドロップレットターゲットＤＬの速度ＤＬｖとから算出される。プロセッサ１２１は、遅延時間ｔｄを設計遅延時間ｔｄ０に設定すると、制御フローをステップＳＰ５３に進める。
【0093】
ステップＳＰ５３に先立ち、非結合ドロップレットターゲットＤＬが第１検出位置Ｐ１を通過すると、比較例と同様に、検出装置４００は、通過タイミング信号をプロセッサ１２１に出力する。検出装置４００は、第１検出位置Ｐ１を通過する非結合ドロップレットターゲットＤＬのそれぞれに対して通過タイミング信号を出力する。プロセッサ１２１は、入力された複数の通過タイミング信号にマスク処理を施し、所定の通過タイミング信号のみを認識する。プロセッサ１２１は、遅延回路１２２を介してシャッタ５２５及び撮像本体部５２７のそれぞれに撮像トリガ信号を、マスク処理後に認識された通過タイミング信号の入力から遅延時間ｔｄと時間間隔Ｔ４との和の時間遅らせて出力する。
【0094】
（ステップＳＰ５３）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、撮像トリガ信号を、マスク処理後に認識された複数の通過タイミング信号のそれぞれに応じて個別に出力する。撮像本体部５２７に最初の撮像トリガ信号が入力すると、撮像本体部５２７は撮像を開始する。また、撮像本体部５２７には複数の撮像トリガ信号が入力し、撮像本体部５２７は、撮像トリガ信号が入力する度に、撮像する。このため、互いに異なる時刻に撮像された複数の画像データが生成される。この画像データには、第２検出位置Ｐ２を含む撮像領域内に位置する非結合ドロップレットターゲットＤＬが写っている。撮像本体部５２７に最初の撮像トリガ信号が入力し、撮像本体部５２７が最初に撮像して最初の画像データを生成すると、制御フローをステップＳＰ５４に進める。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、撮像トリガ信号を、マスク処理後に認識された複数の通過タイミング信号のそれぞれに応じて個別に出力する。撮像本体部５２７に最初の撮像トリガ信号が入力すると、撮像本体部５２７は撮像を開始する。また、撮像本体部５２７には複数の撮像トリガ信号が入力し、撮像本体部５２７は、撮像トリガ信号が入力する度に、撮像する。このため、互いに異なる時刻に撮像された複数の画像データが生成される。この画像データには、第２検出位置Ｐ２を含む撮像領域内に位置する非結合ドロップレットターゲットＤＬが写っている。撮像本体部５２７に最初の撮像トリガ信号が入力し、撮像本体部５２７が最初に撮像して最初の画像データを生成すると、制御フローをステップＳＰ５４に進める。
【0095】
（ステップＳＰ５４）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、上記のように最初の画像データを生成すると、非結合ドロップレットターゲットＤＬの撮像回数ｎを１に設定し、撮像回数ｎをカウントし始め、制御フローをステップＳＰ５５に進める。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、上記のように最初の画像データを生成すると、非結合ドロップレットターゲットＤＬの撮像回数ｎを１に設定し、撮像回数ｎをカウントし始め、制御フローをステップＳＰ５５に進める。
【0096】
（ステップＳＰ５５）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、撮像回数ｎがステップＳＰ２１にて説明した目標数ｎ_ｔａｒｇｅｔに到達していなければ、制御フローをステップＳＰ５６に進める。また、プロセッサ１２１は、撮像回数ｎが目標数ｎ_ｔａｒｇｅｔに到達したならば、制御フローを図１０に示すステップＳＰ５８に進める。目標数ｎ_ｔａｒｇｅｔは、２以上である。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、撮像回数ｎがステップＳＰ２１にて説明した目標数ｎ_ｔａｒｇｅｔに到達していなければ、制御フローをステップＳＰ５６に進める。また、プロセッサ１２１は、撮像回数ｎが目標数ｎ_ｔａｒｇｅｔに到達したならば、制御フローを図１０に示すステップＳＰ５８に進める。目標数ｎ_ｔａｒｇｅｔは、２以上である。
【0097】
（ステップＳＰ５６）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、ステップＳＰ５３にて撮像本体部５２７によって生成された画像データ、つまり第２検出位置Ｐ２を含む撮像領域内に非結合ドロップレットターゲットＤＬがある画像データをプロセッサ１２１の記憶装置に保存する。プロセッサ１２１は、保存する画像データを撮像回数ｎの画像データとして保存する。つまり、撮像回数が１回目であれば、プロセッサ１２１は、画像データを撮像回数が１回目の画像データとして保存し、現在の撮像回数ｎが２以上である場合は、プロセッサ１２１は、次々と生成される画像データを撮像回数ｎの画像データとしてプロセッサ１２１の記憶装置に保存する。以下では、保存された画像データを画像データＤｎと呼ぶ場合がある。プロセッサ１２１は、画像データＤｎを保存すると、制御フローをステップＳＰ５７に進める。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、ステップＳＰ５３にて撮像本体部５２７によって生成された画像データ、つまり第２検出位置Ｐ２を含む撮像領域内に非結合ドロップレットターゲットＤＬがある画像データをプロセッサ１２１の記憶装置に保存する。プロセッサ１２１は、保存する画像データを撮像回数ｎの画像データとして保存する。つまり、撮像回数が１回目であれば、プロセッサ１２１は、画像データを撮像回数が１回目の画像データとして保存し、現在の撮像回数ｎが２以上である場合は、プロセッサ１２１は、次々と生成される画像データを撮像回数ｎの画像データとしてプロセッサ１２１の記憶装置に保存する。以下では、保存された画像データを画像データＤｎと呼ぶ場合がある。プロセッサ１２１は、画像データＤｎを保存すると、制御フローをステップＳＰ５７に進める。
【0098】
（ステップＳＰ５７）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、撮像回数ｎに１を加算して、制御フローをステップＳＰ５５に戻す。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、撮像回数ｎに１を加算して、制御フローをステップＳＰ５５に戻す。
【0099】
ステップＳＰ５３からステップＳＰ５７において、撮像本体部５２７は、撮像トリガ信号が入力する度に撮像し、複数の画像データＤｎが生成される。画像データが生成される度に、生成された画像データＤｎがプロセッサ１２１の記憶装置に保存され、撮像回数ｎが１加算される。そして、撮像回数ｎが目標数ｎ_ｔａｒｇｅｔに到達するまで、プロセッサ１２１は、画像データＤｎを保存する。つまり、撮像回数ｎが目標数ｎ_ｔａｒｇｅｔに到達するまで、撮像が繰り返され、複数の画像データＤｎがプロセッサ１２１の記憶装置に保存される。画像データＤｎの数は、目標数ｎ_ｔａｒｇｅｔに等しい。そして、撮像回数ｎが目標数ｎ_ｔａｒｇｅｔに到達すると、制御フローは、ステップＳＰ５８に進む。
【0100】
次に、図１０を用いて、ステップＳＰ５８～ステップＳＰ６４を説明する。ステップＳＰ５８～ステップＳＰ６４は、ＥＵＶ光生成装置１００が本稼働する前の準備ステップである。
【0101】
（ステップＳＰ５８）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、非結合ドロップレットターゲットＤＬの生成及び撮像装置５００を制御して非結合ドロップレットターゲットＤＬの撮像を停止する。非結合ドロップレットターゲットＤＬの生成の停止において、プロセッサ１２１は、ステップＳＰ２２と同様に、圧力調節器４３によってタンク４１内の圧力を調節し、ノズル４２のノズル孔からチャンバ１０中への結合ドロップレットターゲットＤＬを吐出させる。また、本ステップでは、プロセッサ１２１は、撮像回数ｎのカウントを停止する。プロセッサ１２１は、生成、撮像、及びカウントを停止すると、制御フローをステップＳＰ５９に進める。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、非結合ドロップレットターゲットＤＬの生成及び撮像装置５００を制御して非結合ドロップレットターゲットＤＬの撮像を停止する。非結合ドロップレットターゲットＤＬの生成の停止において、プロセッサ１２１は、ステップＳＰ２２と同様に、圧力調節器４３によってタンク４１内の圧力を調節し、ノズル４２のノズル孔からチャンバ１０中への結合ドロップレットターゲットＤＬを吐出させる。また、本ステップでは、プロセッサ１２１は、撮像回数ｎのカウントを停止する。プロセッサ１２１は、生成、撮像、及びカウントを停止すると、制御フローをステップＳＰ５９に進める。
【0102】
（ステップＳＰ５９）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、プロセッサ１２１の記憶装置に保存されているｎ個の画像データＤｎを積算して積算画像データＤΣを生成する。上記したように、遅延時間ｔｄの設定処理では、ステップＳＰ５３からステップＳＰ５７において、目標数ｎ_ｔａｒｇｅｔと同数の画像データＤｎが生成される。以下にて、画像データＤｎの数が３である場合を例にして、積算画像データＤΣの生成について説明する。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、プロセッサ１２１の記憶装置に保存されているｎ個の画像データＤｎを積算して積算画像データＤΣを生成する。上記したように、遅延時間ｔｄの設定処理では、ステップＳＰ５３からステップＳＰ５７において、目標数ｎ_ｔａｒｇｅｔと同数の画像データＤｎが生成される。以下にて、画像データＤｎの数が３である場合を例にして、積算画像データＤΣの生成について説明する。
【0103】
図１１は、３つの画像データＤ１，Ｄ２，Ｄ３を示す図である。画像データＤ１，Ｄ２，Ｄ３は、互いに異なる時刻に撮像された画像データである。画像データＤ１，Ｄ２，Ｄ３において、第２検出位置Ｐ２から最も遠い順に、非結合ドロップレットターゲットＤＬ１ａ～ＤＬ１ｃ，ＤＬ２ａ～ＤＬ２ｃ，ＤＬ３ａ～ＤＬ３ｃを示している。
【0104】
３つの画像データＤ１，Ｄ２，Ｄ３を比較すると、それぞれの画像データＤ１，Ｄ２，Ｄ３には、位置偏差のばらつきが小さく位置が概ねフィックスされた非結合ドロップレットターゲットＤＬ１ａ，ＤＬ２ａ，ＤＬ３ａと、位置偏差のばらつきが大きく位置がランダムな非結合ドロップレットターゲットＤＬ１ｂ，ＤＬ１ｃ，ＤＬ２ｂ，ＤＬ２ｃ，ＤＬ３ｂ，ＤＬ３ｃとが混在する。非結合ドロップレットターゲットＤＬ１ａ，ＤＬ２ａ，ＤＬ３ａは、マスク処理によって認識される通過タイミング信号に対応し、撮像装置５００の撮像タイミングに同期する非結合ドロップレットターゲットＤＬである。これに対して、非結合ドロップレットターゲットＤＬ１ｂ，ＤＬ１ｃ，ＤＬ２ｂ，ＤＬ２ｃ，ＤＬ３ｂ，ＤＬ３ｃは、撮像装置５００の撮像タイミングに非同期である非結合ドロップレットターゲットＤＬである。以下では、非結合ドロップレットターゲットＤＬ１ａ，ＤＬ２ａ，ＤＬ３ａを同期ドロップレットターゲットＤＬ１ａ，ＤＬ２ａ，ＤＬ３ａと呼び、非結合ドロップレットターゲットＤＬ１ｂ，ＤＬ１ｃ，ＤＬ２ｂ，ＤＬ２ｃ，ＤＬ３ｂ，ＤＬ３ｃを非同期ドロップレットターゲットＤＬ１ｂ，ＤＬ１ｃ，ＤＬ２ｂ，ＤＬ２ｃ，ＤＬ３ｂ，ＤＬ３ｃと呼ぶ場合がある。
【0105】
本ステップにおける複数の画像データＤ１，Ｄ２，Ｄ３の積算では、プロセッサ１２１は、画像データＤ１のあるピクセルの輝度値と、このピクセルに対応する画像データＤ２，Ｄ３のそれぞれのピクセルの輝度値とを足し合わせる。また、プロセッサ１２１は、この足し合わせを、ピクセル毎に行う。つまり、積算では、プロセッサ１２１は画像データＤ１，Ｄ２，Ｄ３のそれぞれのピクセルの輝度値を足し合わせており、積算画像データＤΣは、画像データＤ１，Ｄ２，Ｄ３のそれぞれのピクセルの輝度値を足し合わせた画像データである。従って、積算画像データＤΣとは、それぞれの画像データＤ１，Ｄ２，Ｄ３が重ね合わさった１つの画像データである。なお、積算では、プロセッサ１２１は画像データＤ１，Ｄ２，Ｄ３のそれぞれのピクセルの輝度値を足し合わせたうえで、それぞれのピクセルの輝度値に平均化処理を行って積算画像データＤΣを生成してもよい。
【0106】
図１２は、積算画像データＤΣを示す図である。図１２では、見易さのために積算画像データＤΣを図１１に示す画像データＤ１，Ｄ２，Ｄ３よりも大きく示している。積算画像データＤΣでは、同期ドロップレットターゲットＤＬ１ａ，ＤＬ２ａ，ＤＬ３ａは、上記したように位置偏差のばらつきが小さいため、互いに重なる傾向にある。これに対して、非同期ドロップレットターゲットＤＬ１ｂ，ＤＬ１ｃ，ＤＬ２ｂ，ＤＬ２ｃ，ＤＬ３ｂ，ＤＬ３ｃは、上記したように位置偏差のばらつきが大きいため、互いに重ならない傾向にある。図１２では、同期ドロップレットターゲットＤＬ１ａ，ＤＬ２ａのうちの同期ドロップレットターゲットＤＬ３ａに重なる部分を破線で示している。
【0107】
このように、プロセッサ１２１は、積算画像データＤΣを生成すると、制御フローをステップＳＰ６０に進める。
【0108】
（ステップＳＰ６０）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、積算画像データＤΣにおいて非同期ドロップレットターゲットＤＬ１ｂ，ＤＬ１ｃ，ＤＬ２ｂ，ＤＬ２ｃ，ＤＬ３ｂ，ＤＬ３ｃが位置する領域Ａ２との明暗の差であるコントラストが最も大きい領域を領域Ａ１として設定する。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、積算画像データＤΣにおいて非同期ドロップレットターゲットＤＬ１ｂ，ＤＬ１ｃ，ＤＬ２ｂ，ＤＬ２ｃ，ＤＬ３ｂ，ＤＬ３ｃが位置する領域Ａ２との明暗の差であるコントラストが最も大きい領域を領域Ａ１として設定する。
【0109】
図１２に示す積算画像データＤΣにおいて、領域Ａ２は、領域Ａ１以外の領域であり、積算画像データＤΣの背景となる領域である。領域Ａ１は、同期ドロップレットターゲットＤＬ１ａ，ＤＬ２ａ，ＤＬ３ａが重なる領域である。図１２では、見易さのために領域Ａ１を同期ドロップレットターゲットＤＬ１ａ，ＤＬ２ａ，ＤＬ３ａよりも大きく示している。領域Ａ１は、領域Ａ１と領域Ａ２とのコントラストによって、領域Ａ２に比べて積算画像データＤΣにおいて人間の視覚的に強調されて目立ち易くなる。領域Ａ１は、領域Ａ２とのコントラストが最も大きいため、領域Ａ２に比べて積算画像データＤΣにおいて人間の視覚的に最も強調されて目立ち易くなる。
【0110】
画像データＤ１，Ｄ２，Ｄ３において、例えば、非結合ドロップレットターゲットＤＬが人間の視覚的に暗く写り、非結合ドロップレットターゲットＤＬ以外の領域が非結合ドロップレットターゲットＤＬに比べて人間の視覚的に明るく写る場合、積算画像データＤΣでは、領域Ａ１は、領域Ａ２に比べて人間の視覚的に暗く写る。領域Ａ１は、画像データＤｎの数が多いほど、領域Ａ１において互いに重なる同期ドロップレットターゲットＤＬの数が増えるため、暗く写る。上記とは逆に、例えば、非結合ドロップレットターゲットＤＬが人間の視覚的に明るく写り、非結合ドロップレットターゲットＤＬ以外の領域が非結合ドロップレットターゲットＤＬに比べて人間の視覚的に暗く写る場合、積算画像データＤΣでは、領域Ａ１は、領域Ａ２に比べて人間の視覚的に明るく写る。領域Ａ１は、画像データＤｎの数が多いほど、領域Ａ１において互いに重なる同期ドロップレットターゲットＤＬの数が増えるため、明るく写る。上記のように領域Ａ１は、領域Ａ２に比べて、暗く写るまたは明るく写るため、積算画像データＤΣにおいて人間の視覚的に強調されて目立ち易くなる。図１２では、領域Ａ１が目立つ様子を実線で示している。
【0111】
なお、積算画像データＤΣにおいて、非同期ドロップレットターゲットＤＬ１ｂ，ＤＬ１ｃ，ＤＬ２ｂ，ＤＬ２ｃ，ＤＬ３ｂ，ＤＬ３ｃは、領域Ａ２に溶け込み、領域Ａ２に比べてコントラストが小さくなる。具体的には、画像データＤ２，Ｄ３において非同期ドロップレットターゲットＤＬ１ｂに対応する領域は、積算画像データＤΣにおける領域Ａ２である。このため、積算画像データＤΣにおける領域Ａ２が領域Ａ１に比べて人間の視覚的に明るく写る場合、積算画像データＤΣにおける非同期ドロップレットターゲットＤＬ１ｂは、画像データＤ２，Ｄ３における非同期ドロップレットターゲットＤＬ１ｂに対応する領域によって明るくなる。上記とは逆に、積算画像データＤΣにおける領域Ａ２が領域Ａ１に比べて人間の視覚的に暗く写る場合、積算画像データＤΣにおける非同期ドロップレットターゲットＤＬ１ｂは、画像データＤ２，Ｄ３における非同期ドロップレットターゲットＤＬ１ｂに対応する領域によって明るくならない。上記において、非同期ドロップレットターゲットＤＬ１ｂを用いて説明したが、他の非同期ドロップレットターゲットＤＬ１ｃ，ＤＬ２ｂ，ＤＬ２ｃ，ＤＬ３ｂ，ＤＬ３ｃについても同様である。従って、非同期ドロップレットターゲットＤＬ１ｂ，ＤＬ１ｃ，ＤＬ２ｂ，ＤＬ２ｃ，ＤＬ３ｂ，ＤＬ３ｃは、領域Ａ２に溶け込み、積算画像データＤΣにおいて人間の視覚的に強調されず目立ち難くなる。図１２では、非同期ドロップレットターゲットＤＬ１ｂ，ＤＬ１ｃ，ＤＬ２ｂ，ＤＬ２ｃ，ＤＬ３ｂ，ＤＬ３ｃが目立たない様子を破線で示している。
【0112】
なお、本ステップにおける同期ドロップレットターゲットＤＬ及び非同期ドロップレットターゲットＤＬの数は、特に限定されない。このため、それぞれの画像データＤ１，Ｄ２，Ｄ３において複数の同期ドロップレットターゲットＤＬが存在する場合、プロセッサ１２１は、第２検出位置Ｐ２に最も近い同期ドロップレットターゲットＤＬを用いて領域Ａ１を設定すればよい。
【0113】
プロセッサ１２１は、領域Ａ１を設定すると、制御フローをステップＳＰ６１に進める。
【0114】
（ステップＳＰ６１）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、領域Ａ１のＹ方向における中心位置Ｐ３を特定する。上記したように領域Ａ１では同期ドロップレットターゲットＤＬ１ａ，ＤＬ２ａ，ＤＬ３ａが重なる。このため、領域Ａ１は、同期ドロップレットターゲットＤＬ１ａ，ＤＬ２ａ，ＤＬ３ａからなり、積算画像データＤΣのなかで最も強調された同期ドロップレットターゲットとみなせる。従って、中心位置Ｐ３は、互いに重なる同期ドロップレットターゲットＤＬ１ａ，ＤＬ２ａ，ＤＬ３ａのＹ方向における中心位置、つまり積算画像データＤΣのなかで最も強調された同期ドロップレットターゲットのＹ方向における中心位置でもある。このように本ステップでは、プロセッサ１２１は、積算画像データＤΣのなかで最も強調された同期ドロップレットターゲットＤＬ１ａ，ＤＬ２ａ，ＤＬ３ａからなる同期ドロップレットターゲットＤＬの積算画像データＤΣにおける位置を特定する。つまり、プロセッサ１２１は、領域Ａ１の位置を最も強調された同期ドロップレットターゲットの位置として特定する。本ステップでは、プロセッサ１２１は、中心位置Ｐ３を特定すると、制御フローをステップＳＰ６２に進める。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、領域Ａ１のＹ方向における中心位置Ｐ３を特定する。上記したように領域Ａ１では同期ドロップレットターゲットＤＬ１ａ，ＤＬ２ａ，ＤＬ３ａが重なる。このため、領域Ａ１は、同期ドロップレットターゲットＤＬ１ａ，ＤＬ２ａ，ＤＬ３ａからなり、積算画像データＤΣのなかで最も強調された同期ドロップレットターゲットとみなせる。従って、中心位置Ｐ３は、互いに重なる同期ドロップレットターゲットＤＬ１ａ，ＤＬ２ａ，ＤＬ３ａのＹ方向における中心位置、つまり積算画像データＤΣのなかで最も強調された同期ドロップレットターゲットのＹ方向における中心位置でもある。このように本ステップでは、プロセッサ１２１は、積算画像データＤΣのなかで最も強調された同期ドロップレットターゲットＤＬ１ａ，ＤＬ２ａ，ＤＬ３ａからなる同期ドロップレットターゲットＤＬの積算画像データＤΣにおける位置を特定する。つまり、プロセッサ１２１は、領域Ａ１の位置を最も強調された同期ドロップレットターゲットの位置として特定する。本ステップでは、プロセッサ１２１は、中心位置Ｐ３を特定すると、制御フローをステップＳＰ６２に進める。
【0115】
（ステップＳＰ６２）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、積算画像データＤΣにおいて中心位置Ｐ３から第２検出位置Ｐ２までの距離Ｄを算出する。第２検出位置Ｐ２の座標は、積算画像データＤΣで指定されている。プロセッサ１２１は、距離Ｄを算出すると、制御フローをステップＳＰ６３に進める。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、積算画像データＤΣにおいて中心位置Ｐ３から第２検出位置Ｐ２までの距離Ｄを算出する。第２検出位置Ｐ２の座標は、積算画像データＤΣで指定されている。プロセッサ１２１は、距離Ｄを算出すると、制御フローをステップＳＰ６３に進める。
【0116】
（ステップＳＰ６３）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、遅延時間ｔｄの変更時間Δｔ１を算出する。変更時間Δｔ１は、ステップＳＰ６２で算出された距離ＤをステップＳＰ２３で算出された結合ドロップレットターゲットＤＬの速度ＤＬｖで除した値である。プロセッサ１２１は、変更時間Δｔ１を算出すると、制御フローをステップＳＰ６４に進める。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、遅延時間ｔｄの変更時間Δｔ１を算出する。変更時間Δｔ１は、ステップＳＰ６２で算出された距離ＤをステップＳＰ２３で算出された結合ドロップレットターゲットＤＬの速度ＤＬｖで除した値である。プロセッサ１２１は、変更時間Δｔ１を算出すると、制御フローをステップＳＰ６４に進める。
【0117】
（ステップＳＰ６４）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、ステップＳＰ５２にて設定した設計遅延時間ｔｄ０にステップＳＰ６３で算出された変更時間Δｔ１を加算した値を遅延時間ｔｄとして設定する。つまり、プロセッサ１２１は、ステップＳＰ６３で説明した結合ドロップレットターゲットＤＬの速度ＤＬｖに基づいて遅延時間の変更時間Δｔ１を設定して遅延時間ｔｄを設定する。プロセッサ１２１は、遅延時間ｔｄを設定すると、遅延時間ｔｄの調整処理を終了し、制御フローをステップＳＰ２５に進める。この遅延時間ｔｄは、比較例で説明した遅延時間Ｔ１に相当する。ステップＳＰ２５では、プロセッサ１２１は、遅延時間ｔｄを設定後、ピエゾ素子４７の振動数を制御し、隣り合うドロップレットターゲットＤＬの間隔を一定にする。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、ステップＳＰ５２にて設定した設計遅延時間ｔｄ０にステップＳＰ６３で算出された変更時間Δｔ１を加算した値を遅延時間ｔｄとして設定する。つまり、プロセッサ１２１は、ステップＳＰ６３で説明した結合ドロップレットターゲットＤＬの速度ＤＬｖに基づいて遅延時間の変更時間Δｔ１を設定して遅延時間ｔｄを設定する。プロセッサ１２１は、遅延時間ｔｄを設定すると、遅延時間ｔｄの調整処理を終了し、制御フローをステップＳＰ２５に進める。この遅延時間ｔｄは、比較例で説明した遅延時間Ｔ１に相当する。ステップＳＰ２５では、プロセッサ１２１は、遅延時間ｔｄを設定後、ピエゾ素子４７の振動数を制御し、隣り合うドロップレットターゲットＤＬの間隔を一定にする。
【0118】
次に、図１３を用いて、ステップＳＰ３０の遅延時間ｔｄの微調整処理について説明する。図１３は、遅延時間ｔｄの微調整処理におけるプロセッサ１２１の制御フローチャートである。本実施形態の制御フローチャートは、ステップＳＰ８１～ステップＳＰ８５を含む。ステップＳＰ２４の遅延時間ｔｄの設定処理において遅延時間ｔｄが設定された後においても、ドロップレットターゲットＤＬの速度の微小変動により、ドロップレットターゲットＤＬの進行方向においてドロップレットターゲットＤＬの位置がすれる場合がある。このずれを補正するために、遅延時間ｔｄを本フローチャートでずれに応じて微調整する。
【0119】
（ステップＳＰ８１）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、ステップＳＰ２１で説明した観測領域を用いて、ステップＳＰ２５で撮像された画像データから第２検出位置Ｐ２から観測領域内の結合ドロップレットターゲットＤＬまでの距離ｄを算出する。観測領域の幅Ｌは、ステップＳＰ２１で説明したように、１つの結合ドロップレットターゲットＤＬが観測領域内の第２検出位置Ｐ２周辺に存在する大きさに設定されており、距離ｄよりも長い。第２検出位置Ｐ２の座標は、画像データ内で指定されている。プロセッサ１２１は、距離ｄを算出すると、制御フローをステップＳＰ８２に進める。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、ステップＳＰ２１で説明した観測領域を用いて、ステップＳＰ２５で撮像された画像データから第２検出位置Ｐ２から観測領域内の結合ドロップレットターゲットＤＬまでの距離ｄを算出する。観測領域の幅Ｌは、ステップＳＰ２１で説明したように、１つの結合ドロップレットターゲットＤＬが観測領域内の第２検出位置Ｐ２周辺に存在する大きさに設定されており、距離ｄよりも長い。第２検出位置Ｐ２の座標は、画像データ内で指定されている。プロセッサ１２１は、距離ｄを算出すると、制御フローをステップＳＰ８２に進める。
【0120】
（ステップＳＰ８２）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、距離ｄの絶対値がステップＳＰ２１で説明した閾値ｄ_ｌｉｍｉｔ以下であれば、遅延時間ｔｄの微調整処理を終了し、制御フローをステップＳＰ２７に戻す。また、プロセッサ１２１は、距離ｄの絶対値が閾値ｄ_ｌｉｍｉｔよりも大きければ、制御フローをステップＳＰ８３に進める。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、距離ｄの絶対値がステップＳＰ２１で説明した閾値ｄ_ｌｉｍｉｔ以下であれば、遅延時間ｔｄの微調整処理を終了し、制御フローをステップＳＰ２７に戻す。また、プロセッサ１２１は、距離ｄの絶対値が閾値ｄ_ｌｉｍｉｔよりも大きければ、制御フローをステップＳＰ８３に進める。
【0121】
（ステップＳＰ８３）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、結合ドロップレットターゲットＤＬが第２検出位置Ｐ２よりも結合ドロップレットターゲットＤＬの進行方向下流側に位置している場合、制御フローをステップＳＰ８４に進める。また、プロセッサ１２１は、結合ドロップレットターゲットＤＬが第２検出位置Ｐ２よりも結合ドロップレットターゲットＤＬの進行方向上流側に位置している場合、制御フローをステップＳＰ８５に進める。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、結合ドロップレットターゲットＤＬが第２検出位置Ｐ２よりも結合ドロップレットターゲットＤＬの進行方向下流側に位置している場合、制御フローをステップＳＰ８４に進める。また、プロセッサ１２１は、結合ドロップレットターゲットＤＬが第２検出位置Ｐ２よりも結合ドロップレットターゲットＤＬの進行方向上流側に位置している場合、制御フローをステップＳＰ８５に進める。
【0122】
（ステップＳＰ８４）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、遅延時間ｔｄから遅延時間ｔｄの再変更時間Δt２を減算した値を遅延時間ｔｄとして設定し、遅延時間ｔｄの微調整処理を終了し、制御フローをステップＳＰ２７に戻す。再変更時間Δt２は、変更時間Δt１よりも短い時間である。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、遅延時間ｔｄから遅延時間ｔｄの再変更時間Δt２を減算した値を遅延時間ｔｄとして設定し、遅延時間ｔｄの微調整処理を終了し、制御フローをステップＳＰ２７に戻す。再変更時間Δt２は、変更時間Δt１よりも短い時間である。
【0123】
（ステップＳＰ８５）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、遅延時間ｔｄに遅延時間ｔｄの再変更時間Δt２を加算した値を遅延時間ｔｄとして設定し、遅延時間ｔｄの微調整処理を終了し、制御フローをステップＳＰ２７に戻す。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、遅延時間ｔｄに遅延時間ｔｄの再変更時間Δt２を加算した値を遅延時間ｔｄとして設定し、遅延時間ｔｄの微調整処理を終了し、制御フローをステップＳＰ２７に戻す。
【0124】
ステップＳＰ８４，ＳＰ８５において、プロセッサ１２１は、遅延時間ｔｄの再変更時間Δｔ２を、変更時間Δｔ１未満に設定する。従って、プロセッサ１２１は、ステップＳＰ２４の遅延時間ｔｄの設定処理にて遅延時間ｔｄを設定した後、ステップＳＰ８２において第２検出位置Ｐ２から撮像領域内の結合ドロップレットターゲットＤＬまでの距離の絶対値が閾値ｄ_ｌｉｍｉｔよりも大きい場合、変更時間Δｔ１未満の遅延時間ｔｄの再変更時間Δｔ２を基に遅延時間ｔｄを再設定する。
【0125】
４．３ 作用・効果
本実施形態のプロセッサ１２１は、複数の画像データＤ１，Ｄ２，Ｄ３を積算して積算画像データＤΣを生成し、積算画像データＤΣのなかで最も強調されたドロップレットターゲットＤＬの積算画像データＤΣにおける位置を特定し、最も強調されたドロップレットターゲットＤＬの位置から第２検出位置Ｐ２までの距離Ｄに基づいて遅延時間ｔｄを設定する。プロセッサ１２１が遅延時間ｔｄを設定すると、遅延回路１２２はマスク処理後に認識される通過タイミング信号のそれぞれに対して遅延時間ｔｄ遅延させたタイミングで発光トリガ信号を出力する。これにより、予め想定された結合ドロップレットターゲットＤＬ、つまりマスク処理によって認識された通過タイミング信号に対応する結合ドロップレットターゲットＤＬにレーザ光９０を照射し得、当該ドロップレットターゲットＤＬにおける照射位置のずれが抑制され得る。従って、検出装置４００及び撮像装置５００がチャンバ１０にて予め設定された設置位置からずれても、予め想定されたドロップレットターゲットＤＬとは別のドロップレットターゲットＤＬへのレーザ光９０の照射が抑制され得、予め想定された結合ドロップレットターゲットＤＬにおける照射位置のずれが抑制され得る。また、ドロップレットターゲットＤＬの速度が微小変動しても、予め想定された結合ドロップレットターゲットＤＬにおける照射位置のずれが抑制され得る。従って、露光装置２００や検査装置３００から要求される性能を満たすレーザ光９０が出射され得、ＥＵＶ光生成装置１００の信頼性の低下が抑制され得る。また、プロセッサ１２１は、積算画像データＤΣから遅延時間ｔｄを設定する。この構成によれば、検出装置４００及び撮像装置５００がチャンバ１０に設置された後に第１検出位置Ｐ１から第２検出位置Ｐ２までの距離を実際に測定して遅延時間ｔｄを設定する場合に比べて、遅延時間ｔｄを短時間に設定し得る。また、この構成によれば、検出装置４００及び撮像装置５００がチャンバ１０に設置された後に第１検出位置Ｐ１から第２検出位置Ｐ２までの距離の測定を不要にし得る。また、この構成によれば、検出装置４００及び撮像装置５００がチャンバ１０にて予め設定された設置位置からずれていても、遅延時間ｔｄのための検出装置４００及び撮像装置５００の設置位置の調整を不要にし得る。
本実施形態のプロセッサ１２１は、複数の画像データＤ１，Ｄ２，Ｄ３を積算して積算画像データＤΣを生成し、積算画像データＤΣのなかで最も強調されたドロップレットターゲットＤＬの積算画像データＤΣにおける位置を特定し、最も強調されたドロップレットターゲットＤＬの位置から第２検出位置Ｐ２までの距離Ｄに基づいて遅延時間ｔｄを設定する。プロセッサ１２１が遅延時間ｔｄを設定すると、遅延回路１２２はマスク処理後に認識される通過タイミング信号のそれぞれに対して遅延時間ｔｄ遅延させたタイミングで発光トリガ信号を出力する。これにより、予め想定された結合ドロップレットターゲットＤＬ、つまりマスク処理によって認識された通過タイミング信号に対応する結合ドロップレットターゲットＤＬにレーザ光９０を照射し得、当該ドロップレットターゲットＤＬにおける照射位置のずれが抑制され得る。従って、検出装置４００及び撮像装置５００がチャンバ１０にて予め設定された設置位置からずれても、予め想定されたドロップレットターゲットＤＬとは別のドロップレットターゲットＤＬへのレーザ光９０の照射が抑制され得、予め想定された結合ドロップレットターゲットＤＬにおける照射位置のずれが抑制され得る。また、ドロップレットターゲットＤＬの速度が微小変動しても、予め想定された結合ドロップレットターゲットＤＬにおける照射位置のずれが抑制され得る。従って、露光装置２００や検査装置３００から要求される性能を満たすレーザ光９０が出射され得、ＥＵＶ光生成装置１００の信頼性の低下が抑制され得る。また、プロセッサ１２１は、積算画像データＤΣから遅延時間ｔｄを設定する。この構成によれば、検出装置４００及び撮像装置５００がチャンバ１０に設置された後に第１検出位置Ｐ１から第２検出位置Ｐ２までの距離を実際に測定して遅延時間ｔｄを設定する場合に比べて、遅延時間ｔｄを短時間に設定し得る。また、この構成によれば、検出装置４００及び撮像装置５００がチャンバ１０に設置された後に第１検出位置Ｐ１から第２検出位置Ｐ２までの距離の測定を不要にし得る。また、この構成によれば、検出装置４００及び撮像装置５００がチャンバ１０にて予め設定された設置位置からずれていても、遅延時間ｔｄのための検出装置４００及び撮像装置５００の設置位置の調整を不要にし得る。
【0126】
また、プロセッサ１２１は、ステップＳＰ５１において加振素子であるピエゾ素子４７の振動数をゼロに制御する。この構成によれば、ピエゾ素子４７が振動しないため、隣り合うドロップレットターゲットＤＬの間隔が不規則な非結合ドロップレットターゲットＤＬを生成し得る。
【0127】
また、プロセッサ１２１は、ステップＳＰ２４の遅延時間ｔｄの設定処理にて遅延時間ｔｄを設定した後に、ステップＳＰ８２において第２検出位置Ｐ２から撮像領域内の結合ドロップレットターゲットＤＬまでの距離ｄが閾値ｄ_ｌｉｍｉｔよりも大きい場合、変更時間Δｔ１未満の遅延時間の再変更時間Δｔ２を基に遅延時間ｔｄを再設定する。この構成では、遅延時間ｔｄを変更した後にドロップレットターゲットＤＬが第２検出位置Ｐ２からずれていても、遅延時間ｔｄは再変更される。これにより、レーザ光９０が検出装置４００によって検出されたドロップレットターゲットＤＬとは別のドロップレットターゲットＤＬを照射してしまうことがさらに抑制され得る。
【0128】
５．実施形態２の極端紫外光生成装置の説明
次に、実施形態２のＥＵＶ光生成装置１００について説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
次に、実施形態２のＥＵＶ光生成装置１００について説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
【0129】
５．１ 構成
本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００の構成は、比較例及び実施形態１のＥＵＶ光生成装置１００の構成と同様であるため、説明を省略する。
本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００の構成は、比較例及び実施形態１のＥＵＶ光生成装置１００の構成と同様であるため、説明を省略する。
【0130】
５．２ 動作
次に、本実施形態のプロセッサ１２１の動作について説明する。図１４は、本実施形態のプロセッサ１２１の制御フローチャートの一部を示す図である。本実施形態の制御フローチャートは、ステップＳＰ２１の代わりにステップＳＰ９１を含む点で実施形態１の制御フローチャートと異なる。ステップＳＰ９１は、ＥＵＶ光生成装置１００が本稼働する前の準備ステップである。
次に、本実施形態のプロセッサ１２１の動作について説明する。図１４は、本実施形態のプロセッサ１２１の制御フローチャートの一部を示す図である。本実施形態の制御フローチャートは、ステップＳＰ２１の代わりにステップＳＰ９１を含む点で実施形態１の制御フローチャートと異なる。ステップＳＰ９１は、ＥＵＶ光生成装置１００が本稼働する前の準備ステップである。
【0131】
実施形態１のＥＵＶ光生成装置１００は、ピエゾ素子４７に印加する電圧を０Ｖに変更して非結合ドロップレットターゲットＤＬを生成する。これに対して、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００は、撮像装置５００の撮像本体部５２７が画像データを生成する度に、ピエゾ素子４７の印加電圧周波数を異なる印加電圧周波数に変更してドロップレットターゲットＤＬを生成する。隣り合うドロップレットターゲットＤＬの間隔は、ピエゾ素子４７の振動数に依存するため、ピエゾ素子４７の電圧の周波数を不規則に制御することにより、振動数が不規則に制御され、疑似的に間隔が不規則な結合ドロップレットターゲットＤＬを発生させる。
【0132】
（ステップＳＰ９１）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、パラメータを記憶装置から読み込む。本実施形態のパラメータは、実施形態１のパラメータ及び撮像回数ｎのそれぞれに対するピエゾ素子４７の印加電圧周波数ｆｎｐｚを含む。図１５は、撮像回数ｎと印加電圧周波数ｆｎｐｚとの関係を示す図である。ｎは、２以上である。それぞれの印加電圧周波数ｆｎｐｚは、互いに異なる値であればよい。このため、撮像回数ｎが増加すると、印加電圧周波数ｆｎｐｚは、上昇してもよいし、下降してもよいし、所定の倍数で増減してもよいし、ランダムの値に変化してもよい。印加電圧周波数ｆ１ｐｚは、目標印加電圧周波数Ｆｐｚであってもよい。それぞれの印加電圧周波数ｆｎｐｚでは、結合ドロップレットターゲットＤＬが生成される。プロセッサ１２１は、各種のパラメータを読み込むと、制御フローをステップＳＰ２２に進める。本実施形態のステップＳＰ２２以降の動作は、実施形態１のステップＳＰ２２以降の動作と同じであるため、説明を省略する。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、パラメータを記憶装置から読み込む。本実施形態のパラメータは、実施形態１のパラメータ及び撮像回数ｎのそれぞれに対するピエゾ素子４７の印加電圧周波数ｆｎｐｚを含む。図１５は、撮像回数ｎと印加電圧周波数ｆｎｐｚとの関係を示す図である。ｎは、２以上である。それぞれの印加電圧周波数ｆｎｐｚは、互いに異なる値であればよい。このため、撮像回数ｎが増加すると、印加電圧周波数ｆｎｐｚは、上昇してもよいし、下降してもよいし、所定の倍数で増減してもよいし、ランダムの値に変化してもよい。印加電圧周波数ｆ１ｐｚは、目標印加電圧周波数Ｆｐｚであってもよい。それぞれの印加電圧周波数ｆｎｐｚでは、結合ドロップレットターゲットＤＬが生成される。プロセッサ１２１は、各種のパラメータを読み込むと、制御フローをステップＳＰ２２に進める。本実施形態のステップＳＰ２２以降の動作は、実施形態１のステップＳＰ２２以降の動作と同じであるため、説明を省略する。
【0133】
また、本実施形態では、遅延時間ｔｄの設定処理が実施形態１とは異なる。図１６は、本実施形態の遅延時間ｔｄの設定処理におけるプロセッサ１２１の制御フローチャートの一部である。本実施形態の制御フローチャートでは、ステップＳＰ５１が省略され、ステップＳＰ１０１がステップＳＰ５７とステップＳＰ５５との間に設けられる点で実施形態１の制御フローチャートと異なる。
【0134】
（ステップＳＰ１０１）
本ステップでは、プロセッサ１２１は、ピエゾ素子４７の印加電圧周波数を、現在の撮像回数ｎに対する印加電圧周波数ｆｎｐｚに変更し、制御フローをステップＳＰ５５に戻す。ステップＳＰ５３からステップＳＰ５７及びステップＳＰ１０１において、撮像本体部５２７が画像データを生成する度に、プロセッサ１２１は、ピエゾ素子４７の印加電圧周波数ｆｎｐｚを変更してドロップレットターゲットＤＬを生成する。そして、撮像回数ｎが目標数ｎ_ｔａｒｇｅｔに到達するまで、撮像及び印加電圧周波数ｆｎｐｚの変更が繰り返される。
本ステップでは、プロセッサ１２１は、ピエゾ素子４７の印加電圧周波数を、現在の撮像回数ｎに対する印加電圧周波数ｆｎｐｚに変更し、制御フローをステップＳＰ５５に戻す。ステップＳＰ５３からステップＳＰ５７及びステップＳＰ１０１において、撮像本体部５２７が画像データを生成する度に、プロセッサ１２１は、ピエゾ素子４７の印加電圧周波数ｆｎｐｚを変更してドロップレットターゲットＤＬを生成する。そして、撮像回数ｎが目標数ｎ_ｔａｒｇｅｔに到達するまで、撮像及び印加電圧周波数ｆｎｐｚの変更が繰り返される。
【0135】
５．３ 作用・効果
本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００では、プロセッサ１２１は、ステップＳＰ１０１において、撮像装置５００が画像データを生成する度に、ピエゾ素子４７の振動数を異なる振動数に変更する。隣り合うドロップレットターゲットＤＬの間隔は、ピエゾ素子４７の振動数に依存する。このため、この構成によれば、ピエゾ素子４７が駆動しても、隣り合うドロップレットターゲットＤＬの間隔が不規則な結合ドロップレットターゲットＤＬを生成し得る。
本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００では、プロセッサ１２１は、ステップＳＰ１０１において、撮像装置５００が画像データを生成する度に、ピエゾ素子４７の振動数を異なる振動数に変更する。隣り合うドロップレットターゲットＤＬの間隔は、ピエゾ素子４７の振動数に依存する。このため、この構成によれば、ピエゾ素子４７が駆動しても、隣り合うドロップレットターゲットＤＬの間隔が不規則な結合ドロップレットターゲットＤＬを生成し得る。
【0136】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」、「有する」、「備える」、「具備する」などの用語は、「記載されたもの以外の構成要素の存在を除外しない」と解釈されるべきである。また、修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきであり、さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】