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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024059559
(43)【公開日】2024-05-01
(54)【発明の名称】除電方法、および発光装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/683 20060101AFI20240423BHJP
【ＦＩ】
H01L21/68 R
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023132807
(22)【出願日】2023-08-17
(31)【優先権主張番号】P 2022166719
(32)【優先日】2022-10-18
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000226057
【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100107766
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠重
(74)【代理人】
【識別番号】100070150
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠彦
(72)【発明者】
【氏名】増田 圭太
(72)【発明者】
【氏名】今枝 泰三
【テーマコード（参考）】
5F131
【Ｆターム（参考）】
5F131AA02
5F131CA18
5F131CA68
5F131EB15
5F131EB78
5F131EB84
5F131HA25
(57)【要約】
【課題】第１基体の位置ずれを低減しつつ、静電チャックのそれぞれを短時間で除電可能な除電方法および発光装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】除電方法は、第１面と、前記第１面とは反対側に位置する第２面と、を有する第１基体を準備する工程と、吸着面にガス供給孔の開口を有する静電チャックに電圧を印加することで、前記第１面を前記吸着面に吸着させた前記第１基体を処理容器内に配置する工程と、前記第１基体の前記第２面と第２基体とを当接させる工程と、前記第１基体の前記第２面と前記第２基体とを当接させた状態で、前記静電チャックへの電圧の印加を停止するとともに、前記静電チャックと前記第１基体の前記第１面との間に前記ガス供給孔からガスを供給する工程と、前記静電チャックから前記第１基体を離す工程と、を含む。
【選択図】図１
【解決手段】除電方法は、第１面と、前記第１面とは反対側に位置する第２面と、を有する第１基体を準備する工程と、吸着面にガス供給孔の開口を有する静電チャックに電圧を印加することで、前記第１面を前記吸着面に吸着させた前記第１基体を処理容器内に配置する工程と、前記第１基体の前記第２面と第２基体とを当接させる工程と、前記第１基体の前記第２面と前記第２基体とを当接させた状態で、前記静電チャックへの電圧の印加を停止するとともに、前記静電チャックと前記第１基体の前記第１面との間に前記ガス供給孔からガスを供給する工程と、前記静電チャックから前記第１基体を離す工程と、を含む。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１面と、前記第１面とは反対側に位置する第２面と、を有する第１基体を準備する工程と、
吸着面にガス供給孔の開口を有する静電チャックに電圧を印加することで、前記第１面を前記吸着面に吸着させた前記第１基体を処理容器内に配置する工程と、
前記第１基体の前記第２面と第２基体とを当接させる工程と、
前記第１基体の前記第２面と前記第２基体とを当接させた状態で、前記静電チャックへの電圧の印加を停止するとともに、前記静電チャックと前記第１基体の前記第１面との間に前記ガス供給孔からガスを供給する工程と、
前記静電チャックから前記第１基体を離す工程と、を含む除電方法。
吸着面にガス供給孔の開口を有する静電チャックに電圧を印加することで、前記第１面を前記吸着面に吸着させた前記第１基体を処理容器内に配置する工程と、
前記第１基体の前記第２面と第２基体とを当接させる工程と、
前記第１基体の前記第２面と前記第２基体とを当接させた状態で、前記静電チャックへの電圧の印加を停止するとともに、前記静電チャックと前記第１基体の前記第１面との間に前記ガス供給孔からガスを供給する工程と、
前記静電チャックから前記第１基体を離す工程と、を含む除電方法。
【請求項2】
前記第１基体を前記第２基体に当接させる工程は、前記第１基体を前記第２基体に当接させることにより、前記第１基体と前記第２基体とを接合する工程を含み、
前記第１基体と前記第２基体とを接合する工程、および前記ガスを供給する工程を、並行に行う、請求項１に記載の除電方法。
前記第１基体と前記第２基体とを接合する工程、および前記ガスを供給する工程を、並行に行う、請求項１に記載の除電方法。
【請求項3】
前記第１基体と前記第２基体とを接合する工程を複数回行い、
前記第１基体を処理容器内に配置する工程では、複数回の前記接合する工程ごとで前記静電チャックに印加する電圧を、順方向に印加する順電圧、または逆方向に印加する逆電圧に交互に切り替える、請求項２に記載の除電方法。
前記第１基体を処理容器内に配置する工程では、複数回の前記接合する工程ごとで前記静電チャックに印加する電圧を、順方向に印加する順電圧、または逆方向に印加する逆電圧に交互に切り替える、請求項２に記載の除電方法。
【請求項4】
前記接合する工程では、前記第１基体により前記吸着面が覆われた状態において、前記第１基体に高速原子ビームが照射される、請求項３に記載の除電方法。
【請求項5】
前記第１基体と前記第２基体とを接合する工程、および前記ガスを供給する工程のそれぞれにおける処理時間を同じとする、請求項２に記載の除電方法。
【請求項6】
前記第２基体の厚みは、前記第１基体の厚みよりも薄く、
前記静電チャックに吸着される前記第１基体の下方に前記第２基体を配置する、請求項１または請求項２に記載の除電方法。
前記静電チャックに吸着される前記第１基体の下方に前記第２基体を配置する、請求項１または請求項２に記載の除電方法。
【請求項7】
前記第１基体を前記第２基体に当接した際の単位面積当たりの荷重は、０．１ＭＰａ以上０．５ＭＰａ以下である、請求項１または請求項２に記載の除電方法。
【請求項8】
前記静電チャックと前記第１基体との間の隙間は５μｍ以上５０μｍ以下である、請求項１または請求項２に記載の除電方法。
【請求項9】
前記静電チャックと前記第１基体の前記第１面との間に供給する前記ガスは、希ガスを含む不活性ガスである、請求項１または請求項２に記載の除電方法。
【請求項10】
第１面と、前記第１面とは反対側に位置し、発光部が配置された第２面と、を有する第１基体を準備する工程と、
吸着面にガス供給孔の開口を有する静電チャックに電圧を印加することで、前記第１面を前記吸着面に吸着させた前記第１基体を処理容器内に配置する工程と、
波長変換物質を含む第２基体に、前記第１基体を当接させることにより、前記第１基体における前記発光部と前記第２基体とを接合する工程と、
前記第１基体と前記第２基体とを当接させた状態で、前記静電チャックへの電圧の印加を停止するとともに、前記静電チャックと前記第１基体の前記第１面との間に前記ガス供給孔からガスを供給する工程と、
前記静電チャックから前記第１基体を離す工程と、を含む、発光装置の製造方法。
吸着面にガス供給孔の開口を有する静電チャックに電圧を印加することで、前記第１面を前記吸着面に吸着させた前記第１基体を処理容器内に配置する工程と、
波長変換物質を含む第２基体に、前記第１基体を当接させることにより、前記第１基体における前記発光部と前記第２基体とを接合する工程と、
前記第１基体と前記第２基体とを当接させた状態で、前記静電チャックへの電圧の印加を停止するとともに、前記静電チャックと前記第１基体の前記第１面との間に前記ガス供給孔からガスを供給する工程と、
前記静電チャックから前記第１基体を離す工程と、を含む、発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、除電方法、および発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
例えば、特許文献１には、静電チャックに電圧を印加することで被処理体を吸着した後、被処理体と静電チャックとの間にガスを供給する工程を含む被処理体の除電方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２０－０８８４０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、第１基体の位置ずれを低減しつつ、静電チャックを短時間で除電可能な除電方法および発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一態様によれば、除電方法は、第１面と、前記第１面とは反対側に位置する第２面と、を有する第１基体を準備する工程と、吸着面にガス供給孔の開口を有する静電チャックに電圧を印加することで、前記第１面を前記吸着面に吸着させた前記第１基体を処理容器内に配置する工程と、前記第１基体の前記第２面と第２基体とを当接させる工程と、前記第１基体の前記第２面と前記第２基体とを当接させた状態で、前記静電チャックへの電圧の印加を停止するとともに、前記静電チャックと前記第１基体の前記第１面との間に前記ガス供給孔からガスを供給する工程と、前記静電チャックから前記第１基体を離す工程と、を含む。
【0006】
本開示の一態様によれば、発光装置の製造方法は、第１面と、前記第１面とは反対側に位置し、発光部が配置された第２面と、を有する第１基体を準備する工程と、吸着面にガス供給孔の開口を有する静電チャックに電圧を印加することで、前記第１面を前記吸着面に吸着させた前記第１基体を処理容器内に配置する工程と、波長変換物質を含む第２基体に、前記第１基体を当接させることにより、前記第１基体における前記発光部と前記第２基体とを接合する工程と、前記第１基体と前記第２基体とを当接させた状態で、前記静電チャックへの電圧の印加を停止するとともに、前記静電チャックと前記第１基体の前記第１面との間に前記ガス供給孔からガスを供給する工程と、前記静電チャックから前記第１基体を離す工程と、を含む。
【発明の効果】
【0007】
本開示によれば、第１基体の位置ずれを低減しつつ、静電チャックを短時間で除電可能な除電方法および発光装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】第１実施形態に係る除電方法を行う接合装置の模式的断面図である。
【図9】第１基体を処理容器内に配置する工程を説明する模式的断面図である。
【図10】第１基体の第２面と第２基体とを当接させる工程を説明する模式的断面図である。
【図11】ガスを供給する工程を説明する模式的断面図である。
【図12】第１静電チャックから第１基体を離す工程を説明する模式的断面図である。
【図13】第２実施形態に係る発光装置の製造方法により製造される発光装置の模式的断面図である。
【図14】第３実施形態に係る除電方法を行う接合装置の模式的断面図である。
【図15】第４実施形態に係る除電方法を行う接合装置の模式的断面図である。
【図16】第４実施形態に係る除電方法を含む接合装置の動作を示すフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
本開示の実施形態に係る除電方法および発光装置の製造方法について図面を参照しながら詳細に説明する。但し、以下に示す形態は、本実施形態の技術思想を具現化するための除電方法および発光装置の製造方法を例示するものであって、以下に限定するものではない。また、実施形態に記載されている構成部の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本開示の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさ、位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。また、以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており詳細説明を適宜省略する。断面図として、切断面のみを示す端面図を用いる場合がある。
【0010】
各図面において、方向表現として、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸を有する直交座標を用いる。Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸は互いに直交する。本明細書では、上下方向に沿う軸をＺ軸とする。該上下方向に直交する軸をＸ軸およびＹ軸とする。Ｘ軸に沿うＸ方向で矢印が向いている方向を＋Ｘ方向または＋Ｘ側、＋Ｘ方向の反対方向を－Ｘ方向または－Ｘ側と表記する。Ｙ軸に沿うＹ方向で矢印が向いている方向を＋Ｙ方向または＋Ｙ側、＋Ｙ方向の反対方向を－Ｙ方向または－Ｙ側と表記する。Ｚ軸に沿うＺ方向で矢印が向いている方向を＋Ｚ方向または＋Ｚ側、＋Ｚ方向の反対方向を－Ｚ方向または－Ｚ側と表記する。但し、これらの方向表現は、本開示の実施形態の方向を限定するものではない。
【0011】
本明細書において、平面視とは、Ｚ方向、すなわち上下方向から対象を見ることをいう。また本明細書において、＋Ｚ方向または＋Ｚ側を上、－Ｚ方向または－Ｚ側を下という。また本明細書において、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸に沿うとは、対象がこれら軸に対して±１０°の範囲内の傾きを有することを含む。また直交は、９０°に対して±１０°以内の誤差を含んでもよい。
【0012】
以下、第１実施形態、第３実施形態および第４実施形態では、実施形態に係る除電方法の一例として、基体を接合する接合装置による除電方法を説明する。第２実施形態では、実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。
【0013】
［第１実施形態］
＜接合装置１００の構成例＞
図１は、第１実施形態に係る除電方法を行う接合装置１００の模式的断面図である。図１の断面は、Ｘ軸に直交し、Ｙ軸およびＺ軸のそれぞれに平行な断面を示している。図１に示すように、接合装置１００は、処理容器１と、真空ポンプ２と、第１静電チャック３と、載置台４と、押圧機構５と、第１ガス供給部６と、を有する。
＜接合装置１００の構成例＞
図１は、第１実施形態に係る除電方法を行う接合装置１００の模式的断面図である。図１の断面は、Ｘ軸に直交し、Ｙ軸およびＺ軸のそれぞれに平行な断面を示している。図１に示すように、接合装置１００は、処理容器１と、真空ポンプ２と、第１静電チャック３と、載置台４と、押圧機構５と、第１ガス供給部６と、を有する。
【0014】
処理容器１は、接合装置１００による接合処理が内側で行われる容器である。処理容器１は、第１基体１０と第２基体２０とが配置される領域Ｓ１を、予め設定された基準真空度以上の真空度で維持する。基準真空度は、１０－６Ｐａ程度が好ましい。処理容器１には真空チャンバ等を使用できる。
【0015】
処理容器１は、排気管および排気弁を介して真空ポンプ２に接続されている。排気弁を開状態にして真空ポンプ２を作動させると、処理容器１内の気体が、排気管を通して処理容器１外へ排出され、処理容器１内の気圧が減圧される。また、排気弁の開閉量を変動させて排気量を調節することにより、処理容器１内の気圧（真空度）を調節することができる。処理容器１内を減圧するための構成部は、真空ポンプ２に限らず、クライオポンプ等であってもよい。
【0016】
第１静電チャック３と載置台４は、処理容器１内において、上下方向で互いに向き合うように配置される。第１静電チャック３は、第１基体１０を支持する。載置台４は、第２基体２０を載置する。第１基体１０は、第１面１０ａと第２面１０ｂとを有する。第２面１０ｂは、第１面１０ａとは反対側に位置する面である。図１に示した例では、第１面１０ａは、第１基体１０の＋Ｚ側の面である。第２面１０ｂは、第１基体１０の－Ｚ側の面である。
【0017】
第１静電チャック３は、第１吸着面３ａ（吸着面）に第１ガス供給孔３１（ガス供給孔）の開口を有する静電チャックの一例である。第１静電チャック３は、電圧が印加されることにより、第１吸着面３ａ（－Ｚ側の面）に第１基体１０の第１面１０ａを吸着させ、第１基体１０を支持する。例えば第１静電チャック３の第１吸着面３ａには、第１基体１０全体が面接触した状態で第１基体１０が支持される。第１静電チャック３には、順方向に印加する順電圧または逆方向に印加する逆電圧が印加される。第１ガス供給孔３１は、第１基体１０の第２面１０ｂと第２基体２０とを当接させた状態で、第１静電チャック３と第１基体１０の第１面１０ａとの間に、第１ガス供給部６からのガスを供給するための孔である。後述するように、第１基体１０の第２面１０ｂと第２基体２０とを当接させた状態において、第１吸着面３ａと第１基体１０の第１面１０ａとの間には隙間Ｇが存在する。例えば第１ガス供給孔３１は、第１静電チャック３を上下方向に貫通する孔である。第１静電チャック３の第１吸着面３ａは、複数の第１ガス供給孔３１の開口を有していてもよい。
【0018】
載置台４は、載置面４ａ（＋Ｚ側の面）に第２基体２０の－Ｚ側の面が向き合うように、載置面４ａ上に第２基体２０を載置する。例えば載置台４は、その載置面４ａが第２基体２０全体に面接触した状態で第２基体２０を載置する。載置台４は、図１に示した例では支持台３０上に固定されているが、処理容器１に固定されてもよい。
【0019】
押圧機構５は、支持部材５１と、移動機構５２と、移動駆動部５３と、を有する。支持部材５１は、ネジ部材、接着部材等により第１静電チャック３を固定することで第１静電チャック３を支持する。移動機構５２は、Ｚ方向に第１静電チャック３を移動させる機構である。移動駆動部５３は、移動機構５２を駆動させる。押圧機構５には、移動駆動部５３として、サーボモータを用いたサーボプレス、シリンダを用いたシリンダプレス等を使用できる。
【0020】
押圧機構５は、移動駆動部５３により移動機構５２を駆動させることで、支持部材５１により支持した第１静電チャック３の第１吸着面３ａと載置台４の載置面４ａとを略平行に維持しつつ、第１静電チャック３を上下方向（Ｚ方向）に移動させる。押圧機構５は、第１静電チャック３を－Ｚ方向に移動させることで、第１静電チャック３に吸着された第１基体１０を、第１基体１０の－Ｚ方向側に配置された第２基体２０に当接させることができる。また、押圧機構５は、第１静電チャック３を＋Ｚ方向に移動させることで、第１静電チャック３を第２基体２０から離すことができる。なお、押圧機構５は、上記の構成部の他、Ｘ方向およびＹ方向に第１静電チャック３を移動させる水平移動機構、第１静電チャック３をＺ軸回りに回転させる回転機構、Ｚ軸に対する第１静電チャック３の傾きを調整する傾き調整機構等を有してもよい。
【0021】
第１ガス供給部６は、第１ガス供給源６１と、第１ガス調整部６２と、第１ガス供給管６３と、を有する。第１ガス供給部６は、第１ガス供給源６１により発生されたガスを、第１ガス調整部６２および第１ガス供給管６３を介して、第１静電チャック３と第１基体１０の第１面１０ａとの間に供給する。第１ガス供給源６１は、例えばアルゴンガスをガスとして供給する。第１ガス調整部６２は、第１ガス供給源６１からのガスの流量、流速等を調整するレギュレータ等の調整機構である。第１ガス供給管６３は、第１ガス供給孔３１に接続する管状部材である。第１ガス供給部６は、第１ガス供給管６３を介して、第１ガス調整部６２で流量、流速等が調整されたガスを第１ガス供給孔３１に供給することができる。
【0022】
第１ガス供給部６からのガスは、希ガスを含む不活性ガスであることが好ましい。希ガスは、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン等である。希ガスを含む不活性ガスを供給することにより、供給されたガスとの化学反応による第１基体１０または第２基体２０の損傷、汚染等を防止することができる。また不活性ガスは、反応しても第１基体１０または第２基体２０の損傷、汚染等への影響が少ない窒素、酸素、水素等のガスであってもよい。
【0023】
＜第１静電チャック３の構成例＞
図２～図７を参照して、第１静電チャック３の構成について説明する。図２は、図１における第１静電チャック３の模式的平面図である。図３は、図２におけるIII－III線の模式的断面図である。図４は、図３における領域Ａの模式的拡大平面図である。図５は、図４における領域Ｂの模式的拡大平面図である。図６は、図４における領域Ｃの模式的拡大平面図である。図７は、図４における領域Ｄの模式的拡大平面図である。図８は、図４における領域Ｅの模式的拡大平面図である。
図２～図７を参照して、第１静電チャック３の構成について説明する。図２は、図１における第１静電チャック３の模式的平面図である。図３は、図２におけるIII－III線の模式的断面図である。図４は、図３における領域Ａの模式的拡大平面図である。図５は、図４における領域Ｂの模式的拡大平面図である。図６は、図４における領域Ｃの模式的拡大平面図である。図７は、図４における領域Ｄの模式的拡大平面図である。図８は、図４における領域Ｅの模式的拡大平面図である。
【0024】
図２および図３に示すように、第１静電チャック３は、台部３２と、台部３２から下方向（－Ｚ方向）に突出する凸部３３と、誘電層３４と、を有する。凸部３３において最も下方に位置する下面３３ａは略平坦である。台部３２および凸部３３のそれぞれの平面視における外形形状は略円形である。但し、これに限定されず、該外形形状は、略矩形、略楕円形、略多角形であってもよい。下面３３ａ上には、絶縁性を有する誘電層３４が配置されている。誘電層３４は、例えばポリイミド樹脂等を含んで構成される。誘電層３４における下面３３ａと向き合う面とは反対側の面（－Ｚ側の面）は、第１吸着面３ａに対応する。第１ガス供給孔３１は、台部３２、凸部３３および誘電層３４のそれぞれを上下方向に貫通する孔である。
【0025】
【0026】
電極３３０は、Ｘ方向に延伸するように配置される。また、電極３３０は、電極の極性がＹ方向において正極性および負極性が交互に並ぶように配置される。例えば、図５および図６において、電極３３１，３３３，３３４，３３６は正極性、電極３３２，３３５は負極性であり、正極性および負極性の電極が交互に並んでいる。このような電極３３０は、グラディエント型または櫛歯型の電極と呼ばれる。電極３３０において、隣り合う電極同士のＹ方向における中心間距離ｄ（図５を参照）は、略０．４５ｍｍである。
【0027】
第１静電チャック３の第１吸着面３ａに第１基体１０を当接させた状態で、電極３３０に含まれる正極性の電極には正電圧を、負極性の電極には負電圧をそれぞれ印加する。第１基体１０内の正電荷と負電荷が電極３３０の電極の極性と引き合うように移動する。この第１静電チャック３と第１基体１０の間で発現する引き寄せ合う力によって、第１基体１０は第１静電チャック３の第１吸着面３ａに吸着される。
【0028】
＜第１実施形態に係る除電方法例＞
次に、第１実施形態に係る除電方法について説明する。本実施形態に係る除電方法は、（ａ）第１基体１０を準備する工程と、（ｂ）第１基体１０を処理容器１内に配置する工程と、（ｃ）第１基体１０と第２基体とを当接させる工程と、を含む。また本実施形態に係る除電方法は、（ｄ）第１静電チャック３と第１基体１０との間にガスを供給する工程と、（ｅ）第１静電チャック３から第１基体１０を離す工程と、を含む。以下、図９～図１２を参照して、各工程を詳細に説明する。図９は、第１基体１０を処理容器１内に配置する工程を説明する模式的断面図である。図１０は、第１基体１０の第２面１０ｂと第２基体２０とを当接させる工程を説明する模式的断面図である。図１１は、ガスを供給する工程を説明する模式的断面図である。図１２は、第１静電チャック３から第１基体１０を離す工程を説明する模式的断面図である。
次に、第１実施形態に係る除電方法について説明する。本実施形態に係る除電方法は、（ａ）第１基体１０を準備する工程と、（ｂ）第１基体１０を処理容器１内に配置する工程と、（ｃ）第１基体１０と第２基体とを当接させる工程と、を含む。また本実施形態に係る除電方法は、（ｄ）第１静電チャック３と第１基体１０との間にガスを供給する工程と、（ｅ）第１静電チャック３から第１基体１０を離す工程と、を含む。以下、図９～図１２を参照して、各工程を詳細に説明する。図９は、第１基体１０を処理容器１内に配置する工程を説明する模式的断面図である。図１０は、第１基体１０の第２面１０ｂと第２基体２０とを当接させる工程を説明する模式的断面図である。図１１は、ガスを供給する工程を説明する模式的断面図である。図１２は、第１静電チャック３から第１基体１０を離す工程を説明する模式的断面図である。
【0029】
（ａ）第１基体１０を準備する工程
まず、上述した第１基体１０を準備する。なお、本明細書において第１基体１０を準備するとは、第１基体１０を製造することの他、第１基体１０の購入を含む譲受等により準備することも含む。
まず、上述した第１基体１０を準備する。なお、本明細書において第１基体１０を準備するとは、第１基体１０を製造することの他、第１基体１０の購入を含む譲受等により準備することも含む。
【0030】
（ｂ）第１基体１０を処理容器１内に配置する工程
次に、第１吸着面３ａに第１ガス供給孔３１の開口を有する第１静電チャック３に電圧を印加することで、第１面１０ａを第１吸着面３ａに吸着させた第１基体１０を処理容器１内に配置する。図９は、処理容器１内に配置された第１基体１０を示している。第１基体１０は、処理容器１内において、第１面１０ａが第１静電チャック３の第１吸着面３ａに吸着された状態で、載置台４の載置面４ａ上に載置された第２基体２０に向き合うように配置される。この工程では、処理容器１の内部は、予め設定された基準真空度以上の真空度で維持される。なお、この工程では、第１ガス供給孔３１からガスは供給されていない。
次に、第１吸着面３ａに第１ガス供給孔３１の開口を有する第１静電チャック３に電圧を印加することで、第１面１０ａを第１吸着面３ａに吸着させた第１基体１０を処理容器１内に配置する。図９は、処理容器１内に配置された第１基体１０を示している。第１基体１０は、処理容器１内において、第１面１０ａが第１静電チャック３の第１吸着面３ａに吸着された状態で、載置台４の載置面４ａ上に載置された第２基体２０に向き合うように配置される。この工程では、処理容器１の内部は、予め設定された基準真空度以上の真空度で維持される。なお、この工程では、第１ガス供給孔３１からガスは供給されていない。
【0031】
（ｃ）第１基体１０と第２基体とを当接させる工程
次に、第１基体１０の第２面１０ｂと第２基体２０とを当接させる。図１０に示すように、第１静電チャック３により吸着された第１基体１０は、処理容器１内において下方向４０に移動し、載置台４上に載置された第２基体２０に当接する。この当接により、第１基体１０と第２基体２０を接合することができる。この接合は、接合力が低く、第１基体１０と第２基体２０を簡単に離すことが可能な仮接合であってもよいし、接合力が高く、第１基体１０と第２基体２０を簡単には離すことができない本接合であってもよい。第１基体１０と第２基体２０との接合には、例えば表面活性化接合法等の直接接合法を用いることができる。なお、この工程では、第１ガス供給孔３１からガスは供給されていない。
次に、第１基体１０の第２面１０ｂと第２基体２０とを当接させる。図１０に示すように、第１静電チャック３により吸着された第１基体１０は、処理容器１内において下方向４０に移動し、載置台４上に載置された第２基体２０に当接する。この当接により、第１基体１０と第２基体２０を接合することができる。この接合は、接合力が低く、第１基体１０と第２基体２０を簡単に離すことが可能な仮接合であってもよいし、接合力が高く、第１基体１０と第２基体２０を簡単には離すことができない本接合であってもよい。第１基体１０と第２基体２０との接合には、例えば表面活性化接合法等の直接接合法を用いることができる。なお、この工程では、第１ガス供給孔３１からガスは供給されていない。
【0032】
（ｄ）第１静電チャック３と第１基体１０との間にガスを供給する工程
次に、第１基体１０の第２面１０ｂと第２基体２０とを当接させた状態で、第１静電チャック３への電圧の印加を停止するとともに、第１静電チャック３と第１基体１０の第１面１０ａとの間に第１ガス供給孔３１からガスを供給する。例えば、第１ガス供給部６から供給されるアルゴンガスを第１静電チャック３と第１基体１０の第１面１０ａとの間に供給する。アルゴンガスを第１静電チャック３と第１基体１０の第１面１０ａとの間に供給する時間は、例えば、４０秒以上１００秒以下とすることできる。第１静電チャック３と第１基体１０の第１面１０ａの隙間におけるガス圧力は、１０１Ｐａ以上１０５Ｐａ以下であることが好ましい。
次に、第１基体１０の第２面１０ｂと第２基体２０とを当接させた状態で、第１静電チャック３への電圧の印加を停止するとともに、第１静電チャック３と第１基体１０の第１面１０ａとの間に第１ガス供給孔３１からガスを供給する。例えば、第１ガス供給部６から供給されるアルゴンガスを第１静電チャック３と第１基体１０の第１面１０ａとの間に供給する。アルゴンガスを第１静電チャック３と第１基体１０の第１面１０ａとの間に供給する時間は、例えば、４０秒以上１００秒以下とすることできる。第１静電チャック３と第１基体１０の第１面１０ａの隙間におけるガス圧力は、１０１Ｐａ以上１０５Ｐａ以下であることが好ましい。
【0033】
図１１に示すように、第１静電チャック３の第１吸着面３ａおよび第１基体１０の第１面１０ａのそれぞれは、加工における平面度誤差、表面粗さ等に応じて表面に微小な凹凸を含む。この微小な凹凸に応じて、第１吸着面３ａと第１面１０ａとの間には隙間Ｇが存在する。本実施形態では、第１基体１０の第２面１０ｂと第２基体２０とを当接させた状態で、第１静電チャック３と第１基体１０の第１面１０ａとの間に第１ガス供給孔３１からガスを上記の隙間Ｇ内に供給する。隙間Ｇにガスを供給することで、第１静電チャック３および第１基体１０のそれぞれを除電できる。
【0034】
（ｅ）第１静電チャック３から第１基体１０を離す工程
次に、第１静電チャック３から第１基体１０を離す。図１２に示すように、第１静電チャック３により吸着された第１基体１０は、処理容器１内において上方向５０に移動し、載置台４上に載置された第２基体２０から第１基体１０が離される。これにより、第１基体１０と第２基体２０とが接合された基体を得ることができる。
次に、第１静電チャック３から第１基体１０を離す。図１２に示すように、第１静電チャック３により吸着された第１基体１０は、処理容器１内において上方向５０に移動し、載置台４上に載置された第２基体２０から第１基体１０が離される。これにより、第１基体１０と第２基体２０とが接合された基体を得ることができる。
【0035】
【0036】
従来、第１基体と第２基体とを接合した後、第１基体を吸着した静電チャックを第１基体から離す際には、静電チャックへの電圧の印加を停止させ、静電チャックと第１基体の間における引き寄せ合う力を低減させる。しかしながら、静電チャックへの電圧の印加を停止させても、静電チャックおよび第１基体のそれぞれに電荷が残ることで、静電チャックが第１基体を吸着する力が残り、静電チャックを第１基体から離せない場合がある。
【0037】
静電チャックおよび第１基体のそれぞれに残った電荷が自然に除電されて、静電チャックを第１基体から離せる状態になるには、長い時間がかかる。その間、接合装置を使用できなくなる。従って、自然に除電する方法では、接合装置の生産性が低下する場合がある。
【0038】
また、静電チャックおよび第１基体に電荷が残った状態で、静電チャックと第１基体との間にガスを供給したり、リフトピン等で第１基体を静電チャックから離れる方向に押したりすることで、静電チャックから第１基体を強制的に離すと、第１基体の破損、位置ずれ等が生じる。これにより、接合装置による接合品質が低下する場合がある。また、静電チャックに電荷が残った状態で静電チャックによる第１基体の吸着を繰り返すと、静電チャックが故障する場合がある。
【0039】
本実施形態では、第１基体１０を第２基体２０に当接させた状態で、第１静電チャック３と第１基体１０の第１面１０ａとの間に第１ガス供給孔３１からガスを供給するため、ガスの供給に伴う第１基体の位置ずれを低減できる。また第１静電チャック３と第１基体１０との間のガス圧力が、処理容器１内における第１静電チャック３と第１基体１０との間以外の領域のガス圧力よりも高くなるため、第１静電チャック３と第１基体１０との間におけるガス内の気体分子の密度が高くなる。これにより、第１静電チャック３と第１基体１０に残った電荷が気体分子により中和することを促進し、第１静電チャック３および第１基体１０のそれぞれを短時間で除電することができる。また処理容器１内全体のガス圧力を上げず、処理容器１内のガス圧力を上げるために必要な時間が不要であるため、除電にかかる時間を短くできる。これらにより、第１基体１０の位置ずれを低減しつつ、第１基体１０および第１静電チャック３のそれぞれを短時間で除電可能な除電方法を提供することができる。
【0040】
また、本実施形態では、（ｃ）第１基体１０を第２基体２０に当接させる工程は、第１基体１０を第２基体２０に当接させることにより、（ｃ－１）第１基体１０と第２基体２０とを接合する工程を含み、（ｃ－１）第１基体１０と第２基体２０とを接合する工程、および（ｄ）ガスを供給する工程を、並行に行ってもよい。これにより、実施形態に係る除電方法の工程数および工程にかかる時間を増やすことなく除電でき、工程を簡素化するとともに、工程にかかる時間を短縮することができる。なお、「（ｃ）第１基体１０を第２基体２０に当接させる工程が、（ｃ－１）第１基体１０と第２基体２０とを接合する工程を含む」とは、第１基体１０を第２基体２０に当接させることにより、第１基体１０と第２基体２０とを接合することを意味する。例えば、上記の（ｃ）当接させる工程は、第１基体１０と第２基体２０を接合させるために必要な力よりも大きな力で、第１基体１０を第２基体２０に当接させることによって、上記の（ｃ－１）接合させる工程を含むことができる。
【0041】
また、本実施形態では、（ｃ－１）第１基体１０と第２基体２０とを接合する工程、および（ｄ）ガスを供給する工程のそれぞれにおける処理時間を同じとしてもよい。この処理時間は、例えば７０秒である。上記の処理時間を同じにすることにより、実施形態に係る除電方法の工程数および工程にかかる時間を増やすことなく除電でき、工程を簡素化するとともに、工程にかかる時間を短縮することができる。
【0042】
また、本実施形態では、第２基体２０の厚みを第１基体１０の厚みよりも薄くし、第１静電チャック３に吸着される第１基体１０の下方に第２基体２０を配置してよい。これにより、第１基体１０と第２基体２０とを接合するために、第１基体１０よりも薄い第２基体２０を第１基体１０よりも下方に配置した状態で、主に第１静電チャック３を用いて第１基体１０をハンドリングできる。この結果、第１基体１０と比較して薄くてハンドリングしにくい第２基体２０のハンドリングを低減できるため、接合処理を行う際の第１基体１０および第２基体２０のハンドリング性を向上させることができる。
【0043】
また、本実施形態では、第１基体１０を第２基体２０に当接させた際の単位面積当たりの荷重は、０．１ＭＰａ以上０．５ＭＰａ以下であってもよい。この荷重をかけることにより、第１基体１０と第１静電チャック３との間にガスを供給した際に、第１基体１０の位置ずれを低減することができる。これにより、第１基体１０の位置ずれを低減しつつ、供給したガスの作用で第１基体１０および第１静電チャック３のそれぞれを短時間で除電することができる。
【0044】
また、本実施形態では、第１静電チャック３と第１基体１０との間の隙間は５μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。このような隙間を確保することにより、第１基体１０および第１静電チャック３それぞれに残った電荷を短時間で中和するために必要なガス量を第１静電チャック３と第１基体１０との間に供給できる。この結果、第１基体１０の位置ずれを低減しつつ、第１基体１０および第１静電チャック３のそれぞれを短時間で除電することができる。
【0045】
［第２実施形態］
次に、第２実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。なお、既に説明した実施形態と同一の名称、符号については、同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。この点は以降に示す実施形態においても同様とする。
次に、第２実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。なお、既に説明した実施形態と同一の名称、符号については、同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。この点は以降に示す実施形態においても同様とする。
【0046】
＜発光装置２００の構成例＞
まず、本実施形態に係る発光装置の製造方法により製造される発光装置の構成について説明する。図１３は、本実施形態に係る発光装置の製造方法により製造される発光装置２００の模式的断面図である。発光装置２００は、第１基体１０Ａと、第２基体２０Ａと、を有する。第１基体１０Ａは、基板１０１と、樹脂層１０２と、発光部１０３と、を含む。基板１０１、樹脂層１０２および発光部１０３は、上から下に向けてこの順に配置される。以下、基板１０１、樹脂層１０２、発光部１０３および第２基体２０Ａのそれぞれについて詳細に説明する。
まず、本実施形態に係る発光装置の製造方法により製造される発光装置の構成について説明する。図１３は、本実施形態に係る発光装置の製造方法により製造される発光装置２００の模式的断面図である。発光装置２００は、第１基体１０Ａと、第２基体２０Ａと、を有する。第１基体１０Ａは、基板１０１と、樹脂層１０２と、発光部１０３と、を含む。基板１０１、樹脂層１０２および発光部１０３は、上から下に向けてこの順に配置される。以下、基板１０１、樹脂層１０２、発光部１０３および第２基体２０Ａのそれぞれについて詳細に説明する。
【0047】
（基板１０１）
基板１０１は、発光部１０３を支持する。基板１０１の材料としては、例えば、サファイア、シリコン、ガラス、樹脂を用いることができる。本実施形態では一例として、基板１０１はサファイアからなる基板である。基板１０１の厚みは、例えば、８００μｍ以上１０００μｍ以下である。
基板１０１は、発光部１０３を支持する。基板１０１の材料としては、例えば、サファイア、シリコン、ガラス、樹脂を用いることができる。本実施形態では一例として、基板１０１はサファイアからなる基板である。基板１０１の厚みは、例えば、８００μｍ以上１０００μｍ以下である。
【0048】
（樹脂層１０２）
樹脂層１０２は、基板１０１と発光部１０３との間に配置される。樹脂層１０２は、基板１０１と発光部１０３を接着するために使用される。樹脂層１０２の材料としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等の樹脂材料を用いることができる。樹脂層１０２の材料として、具体的にはポリイミド樹脂を使用できる。樹脂層１０２の厚みは、例えば、３μｍ以上２０μｍ以下である。
樹脂層１０２は、基板１０１と発光部１０３との間に配置される。樹脂層１０２は、基板１０１と発光部１０３を接着するために使用される。樹脂層１０２の材料としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等の樹脂材料を用いることができる。樹脂層１０２の材料として、具体的にはポリイミド樹脂を使用できる。樹脂層１０２の厚みは、例えば、３μｍ以上２０μｍ以下である。
【0049】
（発光部１０３）
発光部１０３は、発光ダイオード等の半導体発光素子である。発光部１０３からの出射光のピーク波長に特に制限はない。発光部１０３からの出射光は、例えば紫外光、青色光から緑色光の可視光である。本実施形態では、発光装置２００は１つの発光部１０３を含んでいるが、複数の発光部１０３を含んでいてもよい。発光部１０３の厚みは、例えば、５０μｍ以上２００μｍ以下である。
発光部１０３は、発光ダイオード等の半導体発光素子である。発光部１０３からの出射光のピーク波長に特に制限はない。発光部１０３からの出射光は、例えば紫外光、青色光から緑色光の可視光である。本実施形態では、発光装置２００は１つの発光部１０３を含んでいるが、複数の発光部１０３を含んでいてもよい。発光部１０３の厚みは、例えば、５０μｍ以上２００μｍ以下である。
【0050】
発光部１０３は、積層された複数の半導体層を含む。例えば、発光部１０３は、発光層と、発光層を挟む第１導電型半導体層（例えばｎ型半導体層）および第２導電型半導体層（例えばｐ型半導体層）と、を含む。発光層は、例えば、複数の障壁層と、複数の井戸層とを含む多重量子井戸構造とすることができる。発光層は、第１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間に位置している。発光部１０３は、発光層に含まれる井戸層のバンドギャップに対応した波長の光を出射する。紫外光、青色光から緑色光の可視光を発光可能な半導体層は、例えば、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体、ＩＩ－ＶＩ族化合物半導体等の半導体材料を含んでいてもよい。具体的には、発光部１０３は、ＩｎＸＡｌＹＧａ１－Ｘ－ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等組成を有する窒化物系の半導体材を含んでもよい。
【0051】
（第２基体２０Ａ）
第２基体２０Ａは、波長変換物質を含む。第２基体２０Ａは、例えば、発光部１０３から入射する光の一部の波長を変換して出射する波長変換部材である。以下では、第２基体２０Ａが波長変換部材である場合の形態について説明する。
第２基体２０Ａは、波長変換物質を含む。第２基体２０Ａは、例えば、発光部１０３から入射する光の一部の波長を変換して出射する波長変換部材である。以下では、第２基体２０Ａが波長変換部材である場合の形態について説明する。
【0052】
第２基体２０Ａは、発光部１０３と直接接している。第２基体２０Ａは、発光部１０３から入射する光の一部の波長を変換して放射する蛍光体等の波長変換物質を含む。第２基体２０Ａが波長変換物質を含むことにより、第２基体２０Ａから外部に出射される光は、発光部１０３からの出射光と、波長変換物質により波長変換された光との混色光となる。例えば、発光部１０３から出射された青色光と、その青色光の一部が波長変換物質により波長変換された黄色光とを混合させることにより、白色系の光を発する発光装置２００を得ることができる。
【0053】
第２基体２０Ａは、例えば、波長変換物質の焼結体、あるいは、セラミックス、ガラス等の無機材料に波長変換物質を含有させたものである。波長変換物質には、発光部１０３が出射する光で励起可能なものが使用される。例えば、波長変換物質としては、以下に示す具体例のうちの１種を単独で、または、２種以上を組み合わせて用いることができる。波長変換物質としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、（Ｙ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｌｕ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｔｂ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ＣＣＡ系蛍光体（例えば、Ｃａ１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ）、ＳＡＥ系蛍光体（例えば、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ）、クロロシリケート系蛍光体（例えば、Ｃａ８ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２：Ｅｕ）、シリケート系蛍光体（例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ）、βサイアロン系蛍光体（例えば、（Ｓｉ，Ａｌ）３（Ｏ，Ｎ）４：Ｅｕ）若しくはαサイアロン系蛍光体（例えば、Ｃａ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６：Ｅｕ）等の酸窒化物系蛍光体、ＬＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｌａ，Ｙ）３Ｓｉ６Ｎ１１：Ｃｅ）、ＢＳＥＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｂａ，Ｓｒ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ）、ＳＬＡ系蛍光体（例えば、ＳｒＬｉＡｌ３Ｎ４：Ｅｕ）、ＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）若しくはＳＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（例えば、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）、ＫＳＡＦ系蛍光体（例えば、Ｋ２（Ｓｉ１－ｘＡｌｘ）Ｆ６－ｘ：Ｍｎ ここで、ｘは、０＜ｘ＜１を満たす。）若しくはＭＧＦ系蛍光体（例えば、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎ）等のフッ化物系蛍光体、ペロブスカイト構造を有する量子ドット（例えば、（Ｃｓ，ＦＡ，ＭＡ）（Ｐｂ，Ｓｎ）（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）３ ここで、ＦＡとＭＡは、それぞれホルムアミジニウムとメチルアンモニウムを表す。）、ＩＩ－ＶＩ族量子ドット（例えば、ＣｄＳｅ）、ＩＩＩ－Ｖ族量子ドット（例えば、ＩｎＰ）、又はカルコパイライト構造を有する量子ドット（例えば、（Ａｇ，Ｃｕ）（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）２）等を用いることができる。これらの波長変換物質と、青色発光素子または紫外線発光素子と組み合わせることにより、所望の発光色の発光装置（例えば白色系の発光装置）を得ることができる。例えば、第２基体２０Ａに含まれる波長変換物質の種類および濃度を調整することにより白色光を出射する発光装置２００を得ることができる。第２基体２０Ａ中の波長変換物質の含有量は、例えば、５～５０質量％程度である。
【0054】
第２基体２０Ａは、波長変換物質の他に光拡散材を含んでもよい。光拡散材としては、例えば、酸化チタン、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素等を用いることができる。第２基体２０Ａが無機材料のみを含むことにより、つまり、有機材料を含まないことにより、第２基体２０Ａの熱伝導率を大きくし、放熱性を高めることができる。第２基体２０Ａの厚みは、例えば３０μｍ以上２００μｍ以下である。
【0055】
＜発光装置２００の製造方法例＞
次に、本実施形態に係る発光装置２００の製造方法について説明する。本実施形態に係る発光装置２００の製造方法には、第１実施形態で示した接合装置１００を使用できる。本実施形態では、第１基体１０Ａが第１静電チャック３により吸着され、第２基体２０Ａが載置台４に載置される点が、上述した第１実施形態とは異なる。
次に、本実施形態に係る発光装置２００の製造方法について説明する。本実施形態に係る発光装置２００の製造方法には、第１実施形態で示した接合装置１００を使用できる。本実施形態では、第１基体１０Ａが第１静電チャック３により吸着され、第２基体２０Ａが載置台４に載置される点が、上述した第１実施形態とは異なる。
【0056】
本実施形態に係る発光装置２００の製造方法は、（ｆ）第１基体１０Ａを準備する工程と、（ｇ）第１基体１０Ａを処理容器１内に配置する工程と、（ｈ）第１基体１０Ａと第２基体Ａとを接合する工程と、を含む。また本実施形態に係る発光装置２００の製造方法は、（ｉ）第１静電チャック３と第１基体１０Ａとの間にガスを供給する工程と、（ｊ）第１静電チャック３から第１基体１０Ａを離す工程と、を含む。
【0057】
（ｆ）第１基体１０Ａを準備する工程は、第１基体１０が第１基体１０Ａである点を除き、上述した第１実施形態における（ａ）第１基体１０を準備する工程とほぼ同じである。（ｇ）第１基体１０Ａを処理容器１内に配置する工程は、第１基体１０が第１基体１０Ａである点を除き、上述した第１実施形態における（ｂ）第１基体１０を処理容器１内に配置する工程とほぼ同じである。
【0058】
（ｈ）第１基体１０Ａと第２基体２０Ａとを接合する工程は、波長変換物質を含む第２基体２０Ａに、第１基体１０Ａを当接させることにより、第１基体１０Ａにおける発光部１０３と第２基体２０Ａとを接合する。第１基体１０Ａと第２基体２０Ａとを接合する工程は、第１基体１０の基板１０１が第１静電チャック３に吸着された状態で行われる。
【0059】
（ｉ）ガスを供給する工程は、第１基体１０が第１基体１０Ａである点を除き、上述した第１実施形態における（ｄ）ガスを供給する工程とほぼ同じである。（ｊ）第１静電チャック３から第１基体１０Ａを離す工程は、第１基体１０が第１基体１０Ａである点を除き、上述した第１実施形態における（ｅ）第１静電チャック３から第１基体１０を離す工程とほぼ同じである。
【0060】
本実施形態に係る発光装置２００の製造方法の作用効果は、上述した第１実施形態に係る除電方法の作用効果とほぼ同じである。
【0061】
［第３実施形態］
次に、第３実施形態に係る除電方法について説明する。図１４は、第３実施形態に係る除電方法を行う接合装置１００ａの模式的断面図である。接合装置１００ａは、静電チャックを備えない載置台４に替えて、第２静電チャック７と、第２ガス供給部８と、を有する点が、上述した第１実施形態に係る除電方法を行う接合装置１００とは異なる。
次に、第３実施形態に係る除電方法について説明する。図１４は、第３実施形態に係る除電方法を行う接合装置１００ａの模式的断面図である。接合装置１００ａは、静電チャックを備えない載置台４に替えて、第２静電チャック７と、第２ガス供給部８と、を有する点が、上述した第１実施形態に係る除電方法を行う接合装置１００とは異なる。
【0062】
第１静電チャック３と第２静電チャック７は、処理容器１内において、上下方向で互いに向き合うように配置されている。第１静電チャック３は、第１基体１０を支持する。第２静電チャック７は、第２基体２０を支持する。第２基体２０は、第１面２０ａと第２面２０ｂとを有する。第２面２０ｂは、第１面２０ａとは反対側に位置する面である。図１４に示した例では、第１面２０ａは、第２基体２０の－Ｚ側の面である。第２面２０ｂは、第２基体２０の＋Ｚ側の面である。
【0063】
第２静電チャック７は、第２吸着面７ａに第２ガス供給孔７１の開口を有する静電チャックである。第２静電チャック７は、電圧が印加されることにより、第２吸着面７ａ（＋Ｚ側の面）に第２基体２０の第１面２０ａを吸着させ、第２基体２０を支持する。例えば第２静電チャック７は、その第２吸着面７ａが第２基体２０に当接した状態で第２基体２０を支持する。第２ガス供給孔７１は、第１基体１０と第２基体２０の第２面２０ｂとを当接させた状態で、第２静電チャック７と第２基体２０の第１面２０ａとの間に、第２ガス供給部８からのガスを供給するための孔である。第１基体１０と第２基体２０の第２面２０ｂとを当接させた状態において、第２吸着面７ａと第２基体２０の第１面２０ａとの間には隙間が存在する。例えば第２ガス供給孔７１は、第２静電チャック７を上下方向に貫通する。第２静電チャック７は、図１４に示した例では支持台３０上に固定されているが、処理容器１に固定されてもよい。第２静電チャック７の第２吸着面７ａは、複数の第２ガス供給孔７１の開口を有していてもよい。
【0064】
第２ガス供給部８は、第２ガス供給源８１と、第２ガス調整部８２と、第２ガス供給管８３と、を有する。第２ガス供給部８は、第２ガス供給源８１により発生されたガスを、第２ガス調整部８２および第２ガス供給管８３を介して、第２静電チャック７と第２基体２０の第１面２０ａとの間に供給する。第２ガス供給源８１は、例えばアルゴンガスを供給する。第２ガス調整部８２は、第２ガス供給源８１からのガスの流量、流速等を調整するレギュレータ等の調整機構である。第２ガス供給管８３は、第２ガス供給孔７１に接続する管状部材である。第２ガス供給部８は、第２ガス供給管８３を介して、第２ガス調整部８２で流量、流速等が調整されたガスを第２ガス供給孔７１に供給することができる。
【0065】
第２ガス供給部８からのガスは、希ガスを含む不活性ガスであることが好ましい。希ガスは、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン等である。希ガスを含む不活性ガスを供給することにより、供給されたガスとの化学反応による第１基体１０または第２基体２０の損傷、汚染等を防止することができる。また不活性ガスは、反応しても第１基体１０または第２基体２０の損傷、汚染等への影響が少ない窒素、酸素、水素等のガスであってもよい。
【0066】
本実施形態に係る除電方法は、第２基体２０を吸着する第２静電チャック７を有する接合装置１００ａによっても行うことができる。すなわち、第２静電チャック７により第２基体２０を吸着した後、第２基体２０を離す際に、第２基体２０の第２面２０ｂと第１基体１０とを当接させた状態で、第２静電チャック７の第２吸着面７ａと第２基体２０の第１面２０ａとの間にガスを供給する。これにより、第２基体２０の位置ずれを低減しつつ、第２基体２０および第２静電チャック７のそれぞれを短時間で除電可能な除電方法を提供できる。
【0067】
第１静電チャック３により上述した第１基体１０Ａを支持し、第２静電チャック７により上述した第２基体２０Ａを支持することにより、接合装置１００ａを発光装置２００の製造方法に適用することもできる。
【0068】
［第４実施形態］
次に、第４実施形態に係る除電方法について説明する。本実施形態に係る除電方法は、第１基体１０と第２基体２０とを接合する工程（以下、単に接合工程という）を複数回行う。また、第１基体１０を処理容器１内に配置する工程では、複数回の接合工程ごとで静電チャックに印加する電圧を、順方向に印加する順電圧または逆方向に印加する逆電圧に交互に切り替える。
次に、第４実施形態に係る除電方法について説明する。本実施形態に係る除電方法は、第１基体１０と第２基体２０とを接合する工程（以下、単に接合工程という）を複数回行う。また、第１基体１０を処理容器１内に配置する工程では、複数回の接合工程ごとで静電チャックに印加する電圧を、順方向に印加する順電圧または逆方向に印加する逆電圧に交互に切り替える。
【0069】
本実施形態に係る除電方法は、第１実施形態に係る除電方法と同様に、静電チャックの吸着面と第１基体との間に残る電荷を短時間で除電することができることに加えて、後述するように、複数回の接合工程を行う場合であっても、静電チャック内に電荷が蓄積されることによる静電チャックの吸着力の低下を低減することができる。
【0070】
静電チャックは、電圧を印加されることにより第１基体１０等の対象物を吸着できるが、吸着を繰り返し行うと、静電チャック内に電荷が蓄積されることによって吸着力が低下する可能性がある。本実施形態において、後述するように、第１基体１０の第２面１０ｂと第２基体２０とを直接接合法により接合するために、第１基体１０の第２面１０ｂ及び第２基体２０の第２面２０ｂに高速原子ビームが照射される。このとき、第１基体１０の第２面１０ｂおよび第２基体２０の第２面２０ｂに高速原子ビームから照射された荷電粒子が第１基体１０を介して静電チャックに供給される。このような接合工程を複数回行うにあたり、静電チャックに対して同じ順電圧を印加する場合、静電チャックの一方の極性側に電荷が蓄積されやすくなり吸着力が低下すると推測される。本実施形態に係る除電方法では、複数回の接合工程ごとで静電チャックに印加する電圧を順電圧または逆電圧に交互に切り替える。これにより、静電チャックの一方の極性側に電荷が蓄積されにくくなる、または静電チャック内に蓄積される電荷と第１基体１０または第２基体２０から供給される荷電粒子とが中和される等して、静電チャックに蓄積される電荷を低減し、静電チャックの吸着力の低下を低減することができる。
【0071】
＜接合装置１００ｂの構成例＞
図１５は、本実施形態に係る除電方法を行う接合装置１００ｂの一例を示す模式的断面図である。図１５に示すように、接合装置１００ｂは、第１静電チャック３の第１吸着面３ａに吸着された第１基体１０に第１高速原子ビーム（ＦＡＢ：Ｆａｓｔ Ａｔｏｍ Ｂｅａｍ）Ｂ１を照射する第１ＦＡＢガン３００と、第１ＦＡＢガン３００を支持する第１支持部材３０１と、を有する。また接合装置１００ｂは、第２静電チャック７の第２吸着面７ａに吸着された第２基体２０に第２高速原子ビームＢ２を照射する第２ＦＡＢガン４００と、第２ＦＡＢガン４００を支持する第２支持部材４０１と、を有する。
図１５は、本実施形態に係る除電方法を行う接合装置１００ｂの一例を示す模式的断面図である。図１５に示すように、接合装置１００ｂは、第１静電チャック３の第１吸着面３ａに吸着された第１基体１０に第１高速原子ビーム（ＦＡＢ：Ｆａｓｔ Ａｔｏｍ Ｂｅａｍ）Ｂ１を照射する第１ＦＡＢガン３００と、第１ＦＡＢガン３００を支持する第１支持部材３０１と、を有する。また接合装置１００ｂは、第２静電チャック７の第２吸着面７ａに吸着された第２基体２０に第２高速原子ビームＢ２を照射する第２ＦＡＢガン４００と、第２ＦＡＢガン４００を支持する第２支持部材４０１と、を有する。
【0072】
また、図１５に示す例では、接合装置１００ｂは、第３ガス供給部３１０と、第４ガス供給部４１０と、を有する。第３ガス供給部３１０は、第３ガス供給源３１１と、第３ガス調整部３１２と、第３ガス供給管３１３と、を有する。第４ガス供給部４１０は、第４ガス供給源４１１と、第４ガス調整部４１２と、第４ガス供給管４１３と、を有する。第３ガス供給部３１０は、第３ガス供給源３１１により発生されたガスを、第３ガス調整部３１２および第３ガス供給管３１３を介して、第１ＦＡＢガン３００に供給する。第４ガス供給部４１０は、第４ガス供給源４１１により発生されたガスを、第４ガス調整部４１２および第４ガス供給管４１３を介して、第２ＦＡＢガン４００に供給する。
【0073】
図１５において、第１静電チャック３および第２静電チャック７のそれぞれは、複数回の接合工程ごとで静電チャックに印加する電圧を、順電圧または逆電圧に交互に切り替えることができる。例えば、第１静電チャック３および第２静電チャック７に順電圧を印加することによる接合工程を行った後、第１静電チャック３および第２静電チャック７に逆電圧を印加することによる接合工程を行う。
【0074】
第３ガス供給源３１１は、ガスの一例としてアルゴンガスを供給する。第３ガス調整部３１２は、第３ガス供給源３１１からのガスの流量、流速等を調整するレギュレータ等の調整機構である。第３ガス供給管３１３は、第１ＦＡＢガン３００に接続する管状部材である。第３ガス供給部３１０は、第３ガス調整部３１２で流量、流速等が調整されたガスを、第３ガス供給管３１３を介して第１ＦＡＢガン３００に供給することができる。
【0075】
第４ガス供給源４１１は、ガスの一例としてアルゴンガスを供給する。第４ガス調整部４１２は、第４ガス供給源４１１からのガスの流量、流速等を調整するレギュレータ等の調整機構である。第４ガス供給管４１３は、第２ＦＡＢガン４００に接続する管状部材である。第４ガス供給部４１０は、第４ガス調整部４１２で流量、流速等が調整されたガスを、第４ガス供給管４１３を介して第２ＦＡＢガン４００に供給することができる。
【0076】
図１５に示す例では、第１ＦＡＢガン３００は、第３ガス供給部３１０から供給されるアルゴン原子を、第１高速原子ビームＢ１として第１基体１０に照射することにより、第１基体１０の第２面１０ｂを活性化させる。また、第２ＦＡＢガン４００は、第４ガス供給部４１０から供給されるアルゴン原子を、第２高速原子ビームＢ２として第２基体２０に照射することにより、第２基体２０の第２面２０ｂを活性化させる。接合装置１００ｂは、活性化した第１基体１０の第２面１０ｂと、活性化した第２基体２０の第２面２０ｂと、を当接させて接合する直接接合法によって第１基体１０と第２基体２０とを接合することができる。
【0077】
ここで、第１高速原子ビームＢ１および第２高速原子ビームＢ２の照射に応じて、第１吸着面３ａおよび第２吸着面７ａにイオンが照射されると、第１静電チャック３および第２静電チャック７に電荷が蓄積することにより、第１静電チャック３および第２静電チャック７が絶縁破壊を起こす可能性がある。このため、本実施形態に係る除電方法は、第１基体１０と第２基体２０とを接合する工程では、第１基体１０により第１吸着面３ａが覆われた状態において、第１基体１０に第１高速原子ビームＢ１を照射することが好ましい。また、本実施形態に係る除電方法は、第１基体１０と第２基体２０とを接合する工程では、第２基体２０により第２吸着面７ａが覆われた状態において、第２基体２０に第２高速原子ビームＢ２を照射することが好ましい。これらにより、第１吸着面３ａおよび第２吸着面７ａに直接的に第１高速原子ビームＢ１および第２高速原子ビームＢ２が照射されないため、第１静電チャック３および第２静電チャック７が絶縁破壊を起こすことを回避することができる。
【0078】
＜接合装置１００ｂの動作例＞
図１６は、本実施形態に係る除電方法を含む接合装置の動作の一例を示すフローチャートである。例えば、接合装置１００ｂは、接合装置１００ｂが備える操作部を介して動作開始の操作入力を受け付けたときに、図１６に示す動作を開始する。
図１６は、本実施形態に係る除電方法を含む接合装置の動作の一例を示すフローチャートである。例えば、接合装置１００ｂは、接合装置１００ｂが備える操作部を介して動作開始の操作入力を受け付けたときに、図１６に示す動作を開始する。
【0079】
まず、ステップＳ１１において、接合装置１００ｂは、第１静電チャック３および第２静電チャック７のそれぞれに順電圧を印加する。これにより、第１静電チャック３の第１吸着面３ａに第１基体１０を吸着可能になるとともに、第２静電チャック７の第２吸着面７ａに第２基体２０を吸着可能になる。第１面１０ａを第１吸着面３ａに吸着させた第１基体１０、並びに第１面２０ａを第２吸着面７ａに吸着させた第２基体２０を、それぞれ処理容器１内に配置する。
【0080】
続いて、ステップＳ１２において、接合装置１００ｂは、第１ＦＡＢガン３００により、第１吸着面３ａに吸着された第１基体１０の第２面１０ｂに第１高速原子ビームＢ１を照射する。また、接合装置１００ｂは、第２ＦＡＢガン４００により、第２吸着面７ａに吸着された第２基体２０の第２面２０ｂに第２高速原子ビームＢ２を照射する。これらにより、第１基体１０の第２面１０ｂおよび第２基体２０の第２面２０ｂをそれぞれ活性化させることができる。また、第１ＦＡＢガン３００による第１高速原子ビームＢ１の照射に応じて、第１基体１０の第２面１０ｂに照射された荷電粒子が第１基体１０を介して第１静電チャック３に供給される。また、第２ＦＡＢガン４００による第２高速原子ビームＢ２の照射に応じて、第２基体２０の第２面２０ｂに照射された荷電粒子が第２基体２０を介して第２静電チャック７に供給される。
【0081】
続いて、ステップＳ１３において、接合装置１００ｂは、第１ＦＡＢガン３００による第１高速原子ビームＢ１の照射、並びに第２ＦＡＢガン４００による第２高速原子ビームＢ２の照射をそれぞれ停止する。
【0082】
続いて、ステップＳ１４において、接合装置１００ｂは、移動機構５２により第１静電チャック３を第２静電チャック７に向けて移動させる。これにより、第１基体１０の第１面１０ａと第２基体２０の第１面２０ａが当接する。活性化した第１基体１０の第２面１０ｂと第２基体２０の第２面２０ｂが当接することにより、第１基体１０と第２基体２０が、直接接合法によって接合される。
【0083】
続いて、ステップＳ１５において、接合装置１００ｂは、第１静電チャック３および第２静電チャック７のそれぞれへの順電圧の印加を停止する。
【0084】
続いて、ステップＳ１６において、接合装置１００ｂは、第１ガス供給部６により、第１吸着面３ａと第１基体１０の第１面１０ａとの間に、第１ガス供給孔３１からガスを供給する。また、接合装置１００ｂは、第２ガス供給部８により、第２吸着面７ａと第２基体２０の第１面２０ａとの間に、第２ガス供給孔７１からガスを供給する。これらにより、第１静電チャック３と第１基体１０の間および、第２静電チャック７と第２基体２０との間に残る電荷を短時間で除電することができる。
【0085】
続いて、ステップＳ１７において、接合装置１００ｂは、移動機構５２により第１静電チャック３を第２静電チャック７が位置する方向とは反対方向に移動させる。これにより、第１静電チャック３から第１基体１０を、また第２静電チャック７から第２基体２０を、それぞれ離すことが可能な状態になる。離す動作は、例えば接合装置１００ｂの操作者が手動で行うことができる。
【0086】
続いて、ステップＳ１８において、接合装置１００ｂは、第１静電チャック３および第２静電チャック７のそれぞれに逆電圧を印加する。これにより、第１静電チャック３の第１吸着面３ａに第１基体１０を吸着可能になるとともに、第２静電チャック７の第２吸着面７ａに第２基体２０を吸着可能になる。第１面１０ａを第１吸着面３ａに吸着させた第１基体１０、並びに第１面２０ａを第２吸着面７ａに吸着させた第２基体２０を、それぞれ処理容器１内に配置する。なお、ステップＳ１８で第１静電チャック３に吸着させた第１基体１０および第２静電チャック７に吸着させた第２基体２０は、ステップＳ１１で第１静電チャック３に吸着させた第１基体１０および第２静電チャック７に吸着させた第２基体２０とは別の基体である。
【0087】
また、ステップＳ１８では、第１静電チャック３および第２静電チャック７のそれぞれに逆電圧を印加することにより、順電圧が印加されたときとは逆方向に電荷が移動する。これにより、順電圧を繰り返し印加する場合と比較して、第１静電チャック３および第２静電チャック７のそれぞれに蓄積する電荷を低減することができる。
【0088】
続いて、ステップＳ１９において、接合装置１００ｂは、第１ＦＡＢガン３００により、第１吸着面３ａに吸着された第１基体１０の第２面１０ｂに第１高速原子ビームＢ１を照射する。また接合装置１００ｂは、第２ＦＡＢガン４００により、第２吸着面７ａに吸着された第２基体２０の第２面２０ｂに第２高速原子ビームＢ２を照射する。これらにより、第１基体１０の第２面１０ｂおよび第２基体２０の第２面２０ｂをそれぞれ活性化させることができる。また、第１ＦＡＢガン３００による第１高速原子ビームＢ１の照射に応じて、第１基体１０の第２面１０ｂに照射された荷電粒子が第１基体１０を介して第１静電チャック３に供給される。ステップ１９では、ステップＳ１２とは異なり第１静電チャック３に順電圧ではなく逆電圧が印加されている。そのため、第１基体１０の第２面１０ｂから第１基体１０を介して静電チャックに供給される荷電粒子および第１静電チャック３内の電荷は、ステップ１９とは異なる第１静電チャック３の極性側に移動しやすい。これにより、第１静電チャック３の一方の極性側に電荷が蓄積されることを低減し、第１静電チャック３への電荷の蓄積を低減することができる。また、第２ＦＡＢガン４００による第２高速原子ビームＢ２の照射に応じて、第２基体２０の第２面２０ｂに照射された荷電粒子が第２基体２０を介して第２静電チャック７に供給される。第２基体２０の第２面１０ｂから第２基体２０を介して静電チャックに供給される荷電粒子および第２静電チャック７内の電荷は、ステップ１９とは異なる第２静電チャック７の極性側に移動しやすい。これにより、第２静電チャック７の一方の極性側に電荷が蓄積されることを低減し、第２静電チャック７への電荷の蓄積を低減することができる。
【0089】
続いて、ステップＳ２０において、接合装置１００ｂは、第１ＦＡＢガン３００による第１高速原子ビームＢ１の照射、並びに第２ＦＡＢガン４００による第２高速原子ビームＢ２の照射をそれぞれ停止する。
【0090】
続いて、ステップＳ２１において、接合装置１００ｂは、移動機構５２により第１静電チャック３を第２静電チャック７に向けて移動させる。これにより、第１基体１０の第２面１０ｂと第２基体２０の第２面２０ｂが当接する。活性化した第１基体１０の第２面１０ｂと第２基体２０の第２面２０ｂが当接することにより、第１基体１０と第２基体２０が、直接接合法によって接合される。
【0091】
続いて、ステップＳ２２において、接合装置１００ｂは、第１静電チャック３および第２静電チャック７のそれぞれへの逆電圧の印加を停止する。
【0092】
続いて、ステップＳ２３において、接合装置１００ｂは、第１ガス供給部６により、第１吸着面３ａと第１基体１０の第１面１０ａとの間に、第１ガス供給孔３１からガスを供給する。また、接合装置１００ｂは、第２ガス供給部８により、第２吸着面７ａと第２基体２０の第１面２０ａとの間に、第２ガス供給孔７１からガスを供給する。第１静電チャック３と第１基体１０の間および、第２静電チャック７と第２基体２０との間に残る電荷を短時間で除電することができる。
【0093】
続いて、ステップＳ２４において、接合装置１００ｂは、移動機構５２により第１静電チャック３を第２静電チャック７が位置する方向とは反対方向に移動させる。これにより、第１静電チャック３から第１基体１０を、また第２静電チャック７から第２基体２０を、それぞれ離すことが可能な状態になる。離す動作は、例えば接合装置１００ｂの操作者が手動で行うことができる。
【0094】
続いて、ステップＳ２５において、接合装置１００ｂは、接合動作を終了するか否かを判定する。例えば、接合装置１００ｂは、接合装置１００ｂの操作部を介した操作者の操作入力に基づき、接合動作を終了するか否かを判定することができる。
【0095】
ステップＳ２５において、終了しないと判定した場合には（ステップＳ２５、ＮＯ）、接合装置１００ｂは、ステップＳ１１以降の動作を再度行い、終了すると判定するまでステップＳ１１以降の動作を繰り返す。一方、ステップＳ２５において、終了すると判定した場合には（ステップＳ２５、ＹＥＳ）、接合装置１００ｂは、動作を終了する。
【0096】
以上のようにして、接合装置１００ｂは、本実施形態に係る除電方法を含む、第１基体１０と第２基体２０との接合動作を行うことができる。
【0097】
以上、具体例を参照しつつ、本開示の実施形態について説明した。しかし、本開示は、これらの具体例に限定されるものではない。本開示の上述した実施形態を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての形態も、本開示の要旨を包含する限り、本開示の範囲に属する。その他、本開示の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本開示の範囲に属するものである。
【0098】
本開示の態様は、例えば、以下のとおりである。
＜項１＞ 第１面と、前記第１面とは反対側に位置する第２面と、を有する第１基体を準備する工程と、吸着面にガス供給孔の開口を有する静電チャックに電圧を印加することで、前記第１面を前記吸着面に吸着させた前記第１基体を処理容器内に配置する工程と、前記第１基体の前記第２面と第２基体とを当接させる工程と、前記第１基体の前記第２面と前記第２基体とを当接させた状態で、前記静電チャックへの電圧の印加を停止するとともに、前記静電チャックと前記第１基体の前記第１面との間に前記ガス供給孔からガスを供給する工程と、前記静電チャックから前記第１基体を離す工程と、を含む除電方法である。
＜項２＞ 前記第１基体を前記第２基体に当接させる工程は、前記第１基体を前記第２基体に当接させることにより、前記第１基体と前記第２基体とを接合する工程を含み、前記第１基体と前記第２基体とを接合する工程、および前記ガスを供給する工程を、並行に行う、前記＜項１＞に記載の除電方法である。
＜項３＞ 前記第１基体と前記第２基体とを接合する工程を複数回行い、前記第１基体を処理容器内に配置する工程では、複数回の前記接合する工程ごとで前記静電チャックに印加する電圧を、順方向に印加する順電圧、または逆方向に印加する逆電圧に交互に切り替える、前記＜項２＞に記載の除電方法である。
＜項４＞ 前記接合する工程では、前記第１基体により前記吸着面が覆われた状態において、前記第１基体に高速原子ビームが照射される、前記＜項３＞に記載の除電方法である。
＜項５＞ 前記第１基体と前記第２基体とを接合する工程、および前記ガスを供給する工程のそれぞれにおける処理時間を同じとする、前記＜２＞に記載の除電方法である。
＜項６＞ 前記第２基体の厚みは、前記第１基体の厚みよりも薄く、前記静電チャックに吸着される前記第１基体の下方に前記第２基体を配置する、前記＜項１＞から前記＜項５＞のいずれか１つに記載の除電方法である。
＜項７＞ 前記第１基体を前記第２基体に押し当てた際の単位面積当たりの荷重は、０．１ＭＰａ以上０．５ＭＰａ以下である、前記＜項１＞から前記＜項６＞のいずれか１つに記載の除電方法である。
＜項８＞ 前記静電チャックと前記第１基体との間の隙間は５μｍ以上５０μｍ以下である、前記＜項１＞から前記＜項７＞のいずれか１つに記載の除電方法である。
＜項９＞ 前記静電チャックと前記第１基体の前記第１面との間に供給する前記ガスは、希ガスを含む不活性ガスである、前記＜項１＞から前記＜項８＞のいずれか１つに記載の除電方法である。
＜項１０＞ 第１面と、前記第１面とは反対側に位置し、発光部が配置された第２面と、を有する第１基体を準備する工程と、吸着面にガス供給孔の開口を有する静電チャックに電圧を印加することで、前記第１面を前記吸着面に吸着させた前記第１基体を処理容器内に配置する工程と、波長変換物質を含む第２基体に、前記第１基体を当接させることにより、前記第１基体における前記発光部と前記第２基体とを接合する工程と、前記第１基体と前記第２基体とを当接させた状態で、前記静電チャックへの電圧の印加を停止するとともに、前記静電チャックと前記第１基体の前記第１面との間に前記ガス供給孔からガスを供給する工程と、前記静電チャックから前記第１基体を離す工程と、を含む、発光装置の製造方法である。
＜項１＞ 第１面と、前記第１面とは反対側に位置する第２面と、を有する第１基体を準備する工程と、吸着面にガス供給孔の開口を有する静電チャックに電圧を印加することで、前記第１面を前記吸着面に吸着させた前記第１基体を処理容器内に配置する工程と、前記第１基体の前記第２面と第２基体とを当接させる工程と、前記第１基体の前記第２面と前記第２基体とを当接させた状態で、前記静電チャックへの電圧の印加を停止するとともに、前記静電チャックと前記第１基体の前記第１面との間に前記ガス供給孔からガスを供給する工程と、前記静電チャックから前記第１基体を離す工程と、を含む除電方法である。
＜項２＞ 前記第１基体を前記第２基体に当接させる工程は、前記第１基体を前記第２基体に当接させることにより、前記第１基体と前記第２基体とを接合する工程を含み、前記第１基体と前記第２基体とを接合する工程、および前記ガスを供給する工程を、並行に行う、前記＜項１＞に記載の除電方法である。
＜項３＞ 前記第１基体と前記第２基体とを接合する工程を複数回行い、前記第１基体を処理容器内に配置する工程では、複数回の前記接合する工程ごとで前記静電チャックに印加する電圧を、順方向に印加する順電圧、または逆方向に印加する逆電圧に交互に切り替える、前記＜項２＞に記載の除電方法である。
＜項４＞ 前記接合する工程では、前記第１基体により前記吸着面が覆われた状態において、前記第１基体に高速原子ビームが照射される、前記＜項３＞に記載の除電方法である。
＜項５＞ 前記第１基体と前記第２基体とを接合する工程、および前記ガスを供給する工程のそれぞれにおける処理時間を同じとする、前記＜２＞に記載の除電方法である。
＜項６＞ 前記第２基体の厚みは、前記第１基体の厚みよりも薄く、前記静電チャックに吸着される前記第１基体の下方に前記第２基体を配置する、前記＜項１＞から前記＜項５＞のいずれか１つに記載の除電方法である。
＜項７＞ 前記第１基体を前記第２基体に押し当てた際の単位面積当たりの荷重は、０．１ＭＰａ以上０．５ＭＰａ以下である、前記＜項１＞から前記＜項６＞のいずれか１つに記載の除電方法である。
＜項８＞ 前記静電チャックと前記第１基体との間の隙間は５μｍ以上５０μｍ以下である、前記＜項１＞から前記＜項７＞のいずれか１つに記載の除電方法である。
＜項９＞ 前記静電チャックと前記第１基体の前記第１面との間に供給する前記ガスは、希ガスを含む不活性ガスである、前記＜項１＞から前記＜項８＞のいずれか１つに記載の除電方法である。
＜項１０＞ 第１面と、前記第１面とは反対側に位置し、発光部が配置された第２面と、を有する第１基体を準備する工程と、吸着面にガス供給孔の開口を有する静電チャックに電圧を印加することで、前記第１面を前記吸着面に吸着させた前記第１基体を処理容器内に配置する工程と、波長変換物質を含む第２基体に、前記第１基体を当接させることにより、前記第１基体における前記発光部と前記第２基体とを接合する工程と、前記第１基体と前記第２基体とを当接させた状態で、前記静電チャックへの電圧の印加を停止するとともに、前記静電チャックと前記第１基体の前記第１面との間に前記ガス供給孔からガスを供給する工程と、前記静電チャックから前記第１基体を離す工程と、を含む、発光装置の製造方法である。
【符号の説明】
【0099】
１ 処理容器
２ 真空ポンプ
３ 第１静電チャック
３ａ 第１吸着面
３１ 第１ガス供給孔
３２ 台部
３３ 凸部
３３ａ 下面
３３０ 電極
３３１～３３６ 電極
３４ 誘電層
４ 載置台
４ａ 載置面
５ 押圧機構
５１ 支持部材
５２ 移動機構
５３ 移動駆動部
６ 第１ガス供給部
６１ 第１ガス供給源
６２ 第１ガス調整部
６３ 第１ガス供給管
７ 第２静電チャック
７ａ 第２吸着面
７１ 第２ガス供給孔
８ 第２ガス供給部
８１ 第２ガス供給源
８２ 第２ガス調整部
８３ 第２ガス供給管
１０、１０Ａ 第１基体
１０ａ 第１面
１０ｂ 第２面
１０１ 基板
１０２ 樹脂層
１０３ 発光部
２０、２０Ａ 第２基体
２０ａ 第１面
２０ｂ 第２面
３０ 支持台
４０ 下方向
５０ 上方向
１００、１００ａ 接合装置
２００ 発光装置
３００ 第１ＦＡＢガン
３０１ 第１支持部材
３１０ 第３ガス供給部
３１１ 第３ガス供給源
３１２ 第３ガス調整部
３１３ 第３ガス供給管
４００ 第２ＦＡＢガン
４０１ 第２支持部材
４１０ 第４ガス供給部
４１１ 第４ガス供給源
４１２ 第４ガス調整部
４１３ 第４ガス供給管
Ｂ１ 第１高速原子ビーム
Ｂ２ 第２高速原子ビーム
Ｇ 隙間
Ｓ１ 領域
２ 真空ポンプ
３ 第１静電チャック
３ａ 第１吸着面
３１ 第１ガス供給孔
３２ 台部
３３ 凸部
３３ａ 下面
３３０ 電極
３３１～３３６ 電極
３４ 誘電層
４ 載置台
４ａ 載置面
５ 押圧機構
５１ 支持部材
５２ 移動機構
５３ 移動駆動部
６ 第１ガス供給部
６１ 第１ガス供給源
６２ 第１ガス調整部
６３ 第１ガス供給管
７ 第２静電チャック
７ａ 第２吸着面
７１ 第２ガス供給孔
８ 第２ガス供給部
８１ 第２ガス供給源
８２ 第２ガス調整部
８３ 第２ガス供給管
１０、１０Ａ 第１基体
１０ａ 第１面
１０ｂ 第２面
１０１ 基板
１０２ 樹脂層
１０３ 発光部
２０、２０Ａ 第２基体
２０ａ 第１面
２０ｂ 第２面
３０ 支持台
４０ 下方向
５０ 上方向
１００、１００ａ 接合装置
２００ 発光装置
３００ 第１ＦＡＢガン
３０１ 第１支持部材
３１０ 第３ガス供給部
３１１ 第３ガス供給源
３１２ 第３ガス調整部
３１３ 第３ガス供給管
４００ 第２ＦＡＢガン
４０１ 第２支持部材
４１０ 第４ガス供給部
４１１ 第４ガス供給源
４１２ 第４ガス調整部
４１３ 第４ガス供給管
Ｂ１ 第１高速原子ビーム
Ｂ２ 第２高速原子ビーム
Ｇ 隙間
Ｓ１ 領域
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】