知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
特開2024-63496積層体、配線形成用導体シート及びキャリア付き配線形成用導体シート
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024063496
(43)【公開日】2024-05-13
(54)【発明の名称】積層体、配線形成用導体シート及びキャリア付き配線形成用導体シート
(51)【国際特許分類】
H05K 1/03 20060101AFI20240502BHJP
B32B 7/025 20190101ALI20240502BHJP
【ＦＩ】
H05K1/03 630D
B32B7/025
【審査請求】未請求
【請求項の数】7
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022171502
(22)【出願日】2022-10-26
(71)【出願人】
【識別番号】000004455
【氏名又は名称】株式会社レゾナック
(74)【代理人】
【識別番号】100088155
【弁理士】
【氏名又は名称】長谷川 芳樹
(74)【代理人】
【識別番号】100128381
【弁理士】
【氏名又は名称】清水 義憲
(74)【代理人】
【識別番号】100169454
【弁理士】
【氏名又は名称】平野 裕之
(74)【代理人】
【識別番号】100211018
【弁理士】
【氏名又は名称】財部 俊正
(72)【発明者】
【氏名】米倉 元気
(72)【発明者】
【氏名】浦島 航介
(72)【発明者】
【氏名】曽根 圭太
(72)【発明者】
【氏名】小竹 智彦
(72)【発明者】
【氏名】水嶋 悦男
【テーマコード（参考）】
4F100
【Ｆターム（参考）】
4F100AB17A
4F100AB17E
4F100AT00C
4F100BA03
4F100BA04
4F100BA05
4F100BA06
4F100BA07
4F100DH01C
4F100GB41
4F100GB43
4F100JG01A
4F100JG01E
4F100JG04B
4F100JG04D
4F100JG06B
4F100JG06D
4F100JG10
(57)【要約】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
導体層と、該導体層上に位置する絶縁磁性層と、を備える、積層体。
【請求項2】
前記絶縁磁性層の前記導体層とは反対側上に、基板を更に備える、請求項１に記載の積層体。
【請求項3】
前記基板の前記絶縁磁性層とは反対側上に、第２の絶縁磁性層を更に備える、請求項２に記載の積層体。
【請求項4】
前記第２の絶縁磁性層の前記基板とは反対側上に、第２の導体層を更に備える、請求項３に記載の積層体。
【請求項5】
前記基板の前記絶縁磁性層とは反対側上に、第２の導体層を更に備える、請求項２に記載の積層体。
【請求項6】
導体層と、該導体層上に位置する絶縁磁性層と、を備える、配線形成用導体シート。
【請求項7】
請求項６に記載の導体シートと、
前記導体シートの前記導体層側に設けられたキャリアと、を備える、キャリア付き配線形成用導体シート。
前記導体シートの前記導体層側に設けられたキャリアと、を備える、キャリア付き配線形成用導体シート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、積層体、配線形成用導体シート及びキャリア付き配線形成用導体シートに関する。
【背景技術】
【0002】
携帯電話に代表される移動体通信機器やその基地局装置、サーバー、ルーター等のネットワーク関連電子機器、あるいは大型コンピュータ等では、大容量の情報を低損失かつ高速で伝送・処理することが要求されている。かかる要求に対応するため、上述のような装置に搭載されるプリント配線板では、扱う電気信号の高周波数化が進んでいる。しかしながら、電気信号は、高周波になるほど減衰しやすくなる性質を有することから、高周波の電気信号を扱うプリント配線板には、従来以上に伝送損失を低くすることが求められる。
【0003】
上記の要求に対し、例えば、配線を含む導体層の表面粗さを小さくして、導体層の表面粗度が大きいことに起因する伝送損失を抑制すること（例えば、下記特許文献１を参照。）や、基板材料に、誘電率、誘電正接が小さいポリフェニレンエーテル含有樹脂等を用いて、誘電体に起因する伝送損失を低減すること（例えば、下記特許文献２を参照。）などの対策が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０２１－０１６００６号公報
【特許文献2】国際公開第２０１４／０３４１０３号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、ポスト５Ｇ／６Ｇにおいて電気信号が更に高周波数化すると、上記の対策だけでは伝送損失の低下への対応が困難となる。これに対し、本発明者らは、導体配線の周囲の少なくとも一部を、絶縁性を有する磁性体（絶縁磁性体）で被覆することにより高周波帯の伝送損失を抑制できることを見出した。
【0006】
本発明は、高周波帯の伝送損失が小さい配線基板の製造に有用な積層体を提供することを目的とする。本発明はまた、高周波帯の伝送損失が小さい配線基板が有する導体配線の形成に有用な配線形成用導体シート及びキャリア付き配線形成用導体シートを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明は、下記［１］～［７］を提供する。
【0008】
［１］
導体層と、該導体層上に位置する絶縁磁性層と、を備える、積層体。
導体層と、該導体層上に位置する絶縁磁性層と、を備える、積層体。
【0009】
［２］
前記絶縁磁性層の前記導体層とは反対側上に、基板を更に備える、［１］に記載の積層体。
前記絶縁磁性層の前記導体層とは反対側上に、基板を更に備える、［１］に記載の積層体。
【0010】
［３］
前記基板の前記絶縁磁性層とは反対側上に、第２の絶縁磁性層を更に備える、［２］に記載の積層体。
前記基板の前記絶縁磁性層とは反対側上に、第２の絶縁磁性層を更に備える、［２］に記載の積層体。
【0011】
［４］
前記第２の絶縁磁性層の前記基板とは反対側上に、第２の導体層を更に備える、［３］に記載の積層体。
前記第２の絶縁磁性層の前記基板とは反対側上に、第２の導体層を更に備える、［３］に記載の積層体。
【0012】
［５］
前記基板の前記絶縁磁性層とは反対側上に、第２の導体層を更に備える、［２］に記載の積層体。
前記基板の前記絶縁磁性層とは反対側上に、第２の導体層を更に備える、［２］に記載の積層体。
【0013】
［６］
導体層と、該導体層上に位置する絶縁磁性層と、を備える、配線形成用導体シート。
導体層と、該導体層上に位置する絶縁磁性層と、を備える、配線形成用導体シート。
【0014】
［７］
［６］に記載の導体シートと、
前記導体シートの前記導体層側に設けられたキャリアと、を備える、キャリア付き配線形成用導体シート。
［６］に記載の導体シートと、
前記導体シートの前記導体層側に設けられたキャリアと、を備える、キャリア付き配線形成用導体シート。
【発明の効果】
【0015】
本発明によれば、高周波帯の伝送損失が小さい配線基板の製造に有用な積層体を提供することができる。本発明によればまた、高周波帯の伝送損失が小さい配線基板が有する導体配線の形成に有用な配線形成用導体シート及びキャリア付き配線形成用導体シートを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。
【0018】
なお、以下で例示する材料は、特に断らない限り、一種単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する該複数の物質の合計量を意味する。「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値又は下限値は、他の段階の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
【0019】
＜積層体、配線形成用導体シート及びキャリア付き配線形成用導体シート＞
図１は、本発明の一実施形態に係る積層体を示す模式断面図である。図１に示す積層体１０Ａは、導体層１と、該導体層１上に位置する絶縁磁性層２と、を備える。
図１は、本発明の一実施形態に係る積層体を示す模式断面図である。図１に示す積層体１０Ａは、導体層１と、該導体層１上に位置する絶縁磁性層２と、を備える。
【0020】
積層体１０Ａは、例えば、導体配線の形成に用いられる導体シート（配線形成用導体シート）である。配線形成用導体シートは、例えば、プリプレグ等の基板に貼り付けられた後、配線形成プロセス（例えば、サブトラクティブプロセス又はセミアディティブプロセス）に供される。これにより、周囲の少なくとも一部に絶縁磁性被覆層を有する導体配線が提供される。
【0021】
導体層１は、例えば、パターニング等によって一部が除去されることにより導体配線となる層である。導体層１は、導体配線を形成するためのシード層（めっきシード層）となる層であってもよい。導体層１は導体を含む。導体としては、例えば、銅、金、銀、ニッケル等の金属が挙げられる。導体層は１種の金属のみを含んでいてよく、２種以上の金属を含んでいてもよい。導体層１に含まれる導体の含有量は、例えば、導体層の構成成分全量を基準として、９５質量％以上、９８質量％以上又は９９質量％以上であってよい。導体層１は導体のみからなっていてもよい。
【0022】
導体層１は、導体箔であってよく、電解めっき又は無電解めっきにより形成されためっき膜であってもよく、スパッタリングにより形成されたスパッタリング膜であってもよい。
【0023】
導体層１の絶縁磁性層２とは反対側の表面の表面粗さＲｚは、高周波帯の伝送損失がより抑制された配線基板が得られやすい観点では、０．０１～３．０μｍ、０．０１～２．０μｍ又は０．０１～１．０μｍであってよい。上記表面粗さＲｚは、ＪＩＳ規格（ＪＩＳ Ｂ ０６０１ー２００１）に規定される方法を準拠して測定される十点平均粗さＲｚｊｉｓを意味し、市販の表面粗さ形状測定機を用いて測定された値をいう。例えば、ナノサーチ顕微鏡（株式会社島津製作所製「ＳＦＴ－３５００」）を用いて測定可能である。
【0024】
導体層１の厚さは、目的とする導体配線の厚さに応じて適宜設定してよい。導体層１の厚さは、例えば、１～５０μｍであり、５～５０μｍであってもよい。導体層１の厚さは、高周波帯の伝送損失がより抑制された配線基板が得られやすい観点では、０．１～５０μｍであってよく、０．５～３０μｍであってもよい。導体層１の厚さは、５０μｍより大きくてもよい。
【0025】
絶縁磁性層２は、例えば、絶縁性を有する磁性体（絶縁磁性体）からなる層である。絶縁磁性体は、絶縁性の磁性材又は磁性材を含む絶縁性樹脂組成物であってよい。
【0026】
磁性材は、例えば、金属単体、合金及び金属化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種を含んでいてよい。合金は、固溶体、共晶、アモルファス（非晶質）金属、及び金属間化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種を含んでよい。金属化合物としては、金属酸化物が挙げられる。
【0027】
磁性材は、絶縁性の観点から、金属酸化物又はアモルファス（非晶質）金属であってもよく、金属ガラス磁性粉であってもよい。金属酸化物としては、フェライトが挙げられる。アモルファス（非晶質）金属としては、Ｆｅ基ナノ結晶合金、Ｃｏ基ナノ結晶合金が挙げられる。
【0028】
磁性材は、一種の金属元素又は複数種の金属元素を含んでよい。磁性材に含まれる金属元素は、例えば、卑金属元素、貴金属元素、遷移金属元素、又は希土類元素であってよい。磁性粉に含まれる金属元素は、例えば、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、スズ（Ｓｎ）、クロム（Ｃｒ）、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）及びジスプロシウム（Ｄｙ）からなる群より選ばれる少なくとも一種であってよい。磁性材は、金属元素以外の元素を含んでもよい。磁性材は、例えば、酸素、ホウ素、又はケイ素を含んでもよい。
【0029】
磁性材は、Ｆｅ－Ｓｉ系合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ系合金（センダスト）、Ｆｅ－Ｎｉ系合金（パーマロイ）Ｆｅ－Ｃｕ－Ｎｉ系合金（パーマロイ）、Ｆｅ－Ｃｒ－Ｓｉ系合金、Ｆｅ－Ｃｒ系合金、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｒ系合金（電磁ステンレス鋼）、Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ系合金（希土類磁石）、Ａｌ－Ｎｉ－Ｃｏ系合金（アルニコ磁石）及びフェライトからなる群より選ばれる少なくとも一種の組成物を含んでいてよい。フェライトは、例えば、スピネルフェライト、六方晶フェライト、又はガーネットフェライトであってよい。
【0030】
Ｆｅ系合金は、Ｆｅアモルファス合金粉であってもよい。Ｆｅアモルファス合金粉は、主成分となるＦｅをＳｉ等の他の元素と一緒に高温溶融した合金を急冷して得られる非晶質の粉末であり、金属ガラスとしても知られている。Ｆｅアモルファス合金粉は、当技術分野で周知の方法に従って製造することができる。Ｆｅアモルファス合金粉は、エプソンアトミックス株式会社製の製品名「ＡＷ２－０８」、及び「ＫＵＡＭＥＴ－６Ｂ２」、大同特殊鋼株式会社製の製品名「ＤＡＰＭＳ３」、「ＤＡＰＭＳ７」、「ＤＡＰＭＳＡ１０」、「ＤＡＰＰＢ」、「ＤＡＰＰＣ」、「ＤＡＰＭＫＶ４９」、「ＤＡＰ４１０Ｌ」、「ＤＡＰ４３０Ｌ」、及び「ＤＡＰＨＹＢシリーズ」、並びに株式会社神戸製鋼所製の製品名「ＭＨ４５Ｄ」、「ＭＨ２８Ｄ」、「ＭＨ２５Ｄ」、及び「ＭＨ２０Ｄ」などの市販品を用いることができる。
【0031】
磁性材は、上記の元素及び組成物のうち一種を含んでよく、上記の元素及び組成物のうち複数種を含んでもよい。
【0032】
磁性材は、例えば磁性粉である。磁性粉は、絶縁磁性層２中に分散されていてよい。磁性粉は、球状、略球状、フレーク状、又は楕円状であってもよい。また、磁性粉は、一部に角が形成されるその他の様々な形状であってもよい。流動性に優れる観点から、磁性粉は、球状であってもよい。
【0033】
磁性粉の平均粒子径は、例えば、０．００５～５０μｍであってもよい。本明細書において記載する「平均粒子径」は、粒度分布における積算値５０％（体積基準）での粒径を意味する。磁性粉は、細密充填するように、２～３種類の平均粒子径の粒子の混合物を用いることができる。
【0034】
磁性粉は、表面に被膜を有していてもよい。被膜は、例えば、無機塩、アクリル樹脂、ケイ素酸化合物などから形成することができる。また、磁性粉は、表面の全体又は一部が表面処理剤によって被覆されていてもよい。表面処理剤は、例えば、無機酸化物、リン酸系化合物及びリン酸塩系化合物、並びにシランカップリング剤等の無機系表面処理剤、モンタンワックス等の有機系表面処理剤、樹脂硬化物であってよい。表面処理剤として、後述するカップリング剤を使用することもできる。例えば、Ｆｅ系合金等の金属系の磁性粉は、その表面の全体又は一部が絶縁性材料によって被覆されていてもよい。絶縁性材料として、例えば、シリカ、チタニア、リン酸カルシウム、モンタンワックス、及びエポキシ樹脂硬化物が挙げられる。
【0035】
磁性粉は、表面が絶縁性材料で被覆された磁性粉（以下、絶縁被覆磁性粉という）を含んでよい。絶縁被覆磁性粉は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。２種以上の絶縁被覆磁性粉の平均粒子径は互いに同じであっても、異なっていてもよい。また、絶縁被覆磁性粉と、絶縁被覆を持たない磁性粉（以下、未被覆磁性粉という）とを併用してもよい。未被覆磁性粉の平均粒子径は、絶縁被覆磁性粉の平均粒子径と同じであっても、異なっていてもよい。例えば、絶縁性を発現させる観点から、未被覆磁性粉の平均粒子径は、絶縁被覆磁性粉の平均粒子径よりも小さくてもよい。
【0036】
絶縁被覆磁性粉は、絶縁被覆を有するＦｅアモルファス合金粉であってよい。このような絶縁被覆磁性粉は、例えば、エプソンアトミックス株式会社製の「ＫＵＡＭＥＴ９Ａ４」（Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ系合金、Ｄ５０：２０μｍ、絶縁被覆あり)、及び新東工業株式会社製の「ＳＡＰ－２Ｄ（Ｃ）」（Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ－ＰＮｂ－Ｃｒ系合金、Ｄ５０：２．３μｍ、絶縁被覆あり）などの市販品を用いることができる。未被覆磁性粉は、例えば、新東工業株式会社製の「ＳＡＰ－２Ｄ」（Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ－ＰＮｂ－Ｃｒ系合金、Ｄ５０：２．３μｍ、絶縁被覆なし）や、戸田工業株式会社製のソフトフェライト粉「ＢＳＮ－１２５」（Ｎｉ－Ｚｎ系合金、Ｄ５０：１０μｍ、絶縁被覆なし）などの市販品を用いることができる。
【0037】
絶縁磁性層２における磁性材の含有量は、例えば、絶縁磁性層２の全質量を１００質量部としたときに、７０～９９質量部又は８０～９０質量部であってよい。
絶縁磁性層２における磁性材の含有量は、例えば、絶縁磁性層２の全質量を１００質量部としたときに、７０質量部未満であってもよい。
絶縁磁性層２における磁性材の含有量は、例えば、絶縁磁性層２の全質量を１００質量部としたときに、７０質量部未満であってもよい。
【0038】
絶縁磁性層２は、絶縁性樹脂を含有してよい。絶縁性樹脂は、熱可塑樹脂であってよく、熱硬化性樹脂が硬化してなる樹脂であってもよい。
【0039】
絶縁磁性層２は、後述する絶縁磁性層形成用組成物からなる層であってよく、絶縁磁性層形成用組成物の硬化物からなる層（絶縁磁性層形成用組成物からなる層を硬化してなる層）であってよい。
【0040】
伝送損失を抑制する観点から、絶縁磁性層２の比透磁率は、１．５～１００、１．７～５０、１．９～３０又は２～１０であってもよい。
【0041】
伝送損失を抑制する観点から、絶縁磁性層２の比誘電率は、１～３０、１～２０、１～１０又は１～５であってもよい。
【0042】
絶縁磁性層２の厚さは、例えば、０．０１～１００μｍであってもよく、０．０２～３０μｍであってもよく、０．０５～１０μｍであってもよい。絶縁磁性層２の厚さは、信号伝搬のしやすさの観点から、０．０１～１０μｍ又は０．０１～５μｍであってもよい。
【0043】
本明細書において、絶縁磁性層２の厚さとは、絶縁磁性層２が導体層１と離れて設けられている場合は下記（ｉ）、絶縁磁性層２が導体層１と接するように設けられている場合は下記（ｉｉ）を意味する。
（ｉ）絶縁磁性層２の導体層１側の表面における点Ａと、この点Ａを通り、点Ａから導体層１までを最短距離で結ぶ線を延ばしたときに、絶縁磁性層２の導体層１側とは反対側の表面と交差する点Ｂ、との距離。
（ｉｉ）絶縁磁性層２と導体層１との界面に直交する方向における厚さ。
（ｉ）絶縁磁性層２の導体層１側の表面における点Ａと、この点Ａを通り、点Ａから導体層１までを最短距離で結ぶ線を延ばしたときに、絶縁磁性層２の導体層１側とは反対側の表面と交差する点Ｂ、との距離。
（ｉｉ）絶縁磁性層２と導体層１との界面に直交する方向における厚さ。
【0044】
絶縁磁性層２は、導体層１上の少なくとも一部に位置していればよいが、高周波帯の伝送損失がより抑制された配線基板が得られやすい観点では、平面視で、導体層１の９０面積％以上、９５面積％以上又は９９面積％以上が絶縁磁性層２で被覆されていてよい。絶縁磁性層２は、導体層１の全面に形成されていてもよい。
【0045】
積層体１０Ａは、例えば、導体層１となる導体膜（例えば導体箔）上に絶縁磁性層２を形成することにより得てよく、絶縁磁性層２となる絶縁磁性膜上に、めっき等により導体層１を形成することにより得てもよい。
【0046】
導体膜上に絶縁磁性層２を形成する方法としては、例えば、導体膜上に、絶縁磁性層形成用組成物を塗布すること、又は、絶縁磁性層形成用組成物からなるシート（例えばフィルム状のシート）をラミネートすること等によって絶縁磁性層形成用組成物からなる層を形成する方法、絶縁磁性層形成用組成物からなる層を形成した後、該絶縁磁性層形成用組成物を硬化させる方法などが挙げられる。
【0047】
絶縁磁性層形成用組成物の塗布方法は、特に制限はないが、スクリーン印刷、転写印刷、オフセット印刷、ジェットプリンティング法、ディスペンサ、ジェットディスペンサ、ニードルディスペンサ、カンマコータ、スリットコータ、ダイコータ、グラビアコータ、スリットコート、凸版印刷、凹版印刷、グラビア印刷、ステンシル印刷、ソフトリソグラフ、バーコート、アプリケータ、粒子堆積法、スプレーコータ、スピンコータ、ディップコータ等によって塗布する方法が挙げられる。
【0048】
絶縁磁性層形成用組成物からなるシートは、例えば、上記塗布方法で、支持フィルム上に絶縁磁性層形成用組成物を塗布することで形成することができる。絶縁磁性層形成用組成物からなるシートのラミネート方法は、特に制限はないが、ロールラミネータ、ダイヤフラム式ラミネータ、真空ロールラミネータ、真空ダイヤフラム式ラミネータ等を採用することができる。
【0049】
絶縁磁性層形成用組成物の硬化は、例えば加熱により行うことができる。絶縁磁性層形成用組成物の硬化は、絶縁磁性層形成用組成物の乾燥による硬化であってよく、絶縁磁性層形成用組成物が熱硬化性樹脂を含む場合は、絶縁磁性層形成用組成物の熱硬化であってもよい。加熱温度及び加熱時間は、絶縁磁性層形成用組成物に含まれる溶剤の種類、熱硬化性樹脂の種類等に応じて適宜調整してよい。
【0050】
絶縁磁性層形成用組成物は、磁性材を含む硬化性の組成物である。絶縁磁性層形成用組成物は、例えば、バインダ樹脂ワニスと、上述した磁性材（例えば磁性粉）とを混合して形成することができる。
【0051】
バインダ樹脂ワニスとしては、樹脂組成物を用いることができる。樹脂組成物はエポキシ樹脂を含有することができる。
【0052】
エポキシ樹脂としては、例えば、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等の縮合環構造を有するエポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂；トリスフェノール型エポキシ樹脂；ノボラック型エポキシ樹脂；ナフトールノボラック型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂；ｔｅｒｔ－ブチル－カテコール型エポキシ樹脂；グリシジルアミン型エポキシ樹脂；グリシジルエステル型エポキシ樹脂；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；線状脂肪族エポキシ樹脂；ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂；脂環式エポキシ樹脂；複素環式エポキシ樹脂；スピロ環含有エポキシ樹脂；シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂；トリメチロール型エポキシ樹脂；テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂；ビキシレノール型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【0053】
エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であってもよい。また、エポキシ樹脂は、温度２５℃で液状又は固体状であってもよい。
【0054】
２５℃で液状のエポキシ樹脂（以下、「液状エポキシ樹脂」ともいう。）としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂を用いることができる。液状エポキシ樹脂は、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、三菱ケミカル社製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）、「６３０」、「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）、ナガセケムテックス社製の「ＥＸ－７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）、ダイセル社製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）、「ＰＢ－３６００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４－グリシジルシクロヘキサン）、三菱ケミカル社製の「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、ＡＤＥＫＡ社製の「ＥＰ－３９８０Ｓ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）等の市販品を用いることができる。
【0055】
２５℃で固体状のエポキシ樹脂としては、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂を用いることができる。固体状エポキシ樹脂は、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ－４７００」、「ＨＰ－４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）、「Ｎ－６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ－６９５」、「Ｎ－６８０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ－７２００」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ－７２００ＨＨ」、「ＨＰ－７２００Ｈ」、「ＥＸＡ－７３１１」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ３」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ４」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）、日本化薬社製の「ＥＰＰＮ－５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）、「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）、大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ－１００」、「ＣＧ－５００」、三菱ケミカル社製の「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）、「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）、三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）、「１５７Ｓ７０」（ノボラック型エポキシ樹脂）等の市販品を用いることができる。
【0056】
樹脂組成物は、硬化剤を含有してもよい。硬化剤としては、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、及びシアネートエステル系硬化剤などが挙げられる。硬化剤は、１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【0057】
フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤、ノボラック構造を有するナフトール系硬化剤、含窒素フェノール系硬化剤、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤を用いることができる。
【0058】
フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤は、明和化成社製の「ＭＥＨ－７７００」、「ＭＥＨ－７８１０」、「ＭＥＨ－７８５１」、日本化薬社製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、新日鉄住金化学社製の「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５Ｖ」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」、ＤＩＣ社製の「ＴＤ２０９０」、「ＴＤ２０９０－６０Ｍ」、「ＬＡ－７０５２」、「ＬＡ－７０５４」、「ＬＡ－１３５６」、「ＬＡ－３０１８」、「ＬＡ－３０１８－５０Ｐ」、「ＥＸＢ－９５００」、「ＨＰＣ－９５００」、「ＫＡ－１１６０」、「ＫＡ－１１６３」、「ＫＡ－１１６５」、群栄化学社製の「ＧＤＰ－６１１５Ｌ」、「ＧＤＰ－６１１５Ｈ」、「ＥＬＰＣ７５」等の市販品を用いることができる。
【0059】
ベンゾオキサジン系硬化剤は、昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業社製の「Ｐ－ｄ」、「Ｆ－ａ」等の市販品を用いることができる。
【0060】
シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ（３－メチレン－１，５－フェニレンシアネート）、４，４’－メチレンビス（２，６－ジメチルフェニルシアネート）、４，４’－エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２－ビス（４－シアネート）フェニルプロパン、１，１－ビス（４－シアネートフェニルメタン）、ビス（４－シアネート－３，５－ジメチルフェニル）メタン、１，３－ビス（４－シアネートフェニル－１－（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４－シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４－シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。
【0061】
シアネートエステル系硬化剤は、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等の市販品を用いることができる。
【0062】
樹脂組成物における硬化剤の含有量は、樹脂組成物中の樹脂成分を１００質量部としたときに、０．１質量部以上、０．３質量部以上、又は０．５質量部以上であってもよく、５質量部以下、３質量部以下、又は２質量部以下であってもよい。
【0063】
樹脂組成物は、硬化促進剤を含有してもよい。硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が挙げられる。硬化促進剤は、１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【0064】
リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ－ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４－メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられる。
【0065】
アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、４－ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，－トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）－ウンデセン等が挙げられ、４－ジメチルアミノピリジン、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）－ウンデセンが挙げられる。
【0066】
イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２－メチルイミダゾール、２－ウンデシルイミダゾール、２－ヘプタデシルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾール、１－シアノエチル－２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－ウンデシルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－エチル－４’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加物、２－フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３－ジヒドロ－１Ｈ－ピロロ［１，２－ａ］ベンズイミダゾール、１－ドデシル－２－メチル－３－ベンジルイミダゾリウムクロライド、２－メチルイミダゾリン、２－フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられる。
【0067】
イミダゾール系硬化促進剤は、三菱ケミカル社製の「Ｐ２００－Ｈ５０」等の市販品を用いることができる。
【0068】
グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１－メチルグアニジン、１－エチルグアニジン、１－シクロヘキシルグアニジン、１－フェニルグアニジン、１－（ｏ－トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、７－メチル－１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、１－メチルビグアニド、１－エチルビグアニド、１－ｎ－ブチルビグアニド、１－ｎ－オクタデシルビグアニド、１，１－ジメチルビグアニド、１，１－ジエチルビグアニド、１－シクロヘキシルビグアニド、１－アリルビグアニド、１－フェニルビグアニド、１－（ｏ－トリル）ビグアニド等が挙げられる。
【0069】
金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。
【0070】
樹脂組成物における硬化促進剤の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量部としたときに、０．００１質量部以上、０．００５質量部以上、又は０．０１質量部以上であってもよく、０．１質量部以下、０．０８質量部以下、又は０．０５質量部以下であってもよい。
【0071】
樹脂組成物は、熱可塑性樹脂を含有してもよい。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリブタジエン樹脂、シロキサン樹脂、ポリ（メタ）アクリル樹脂、ポリアルキレン樹脂、ポリアルキレンオキシ樹脂、ポリイソプレン樹脂、ポリイソブチレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエステル樹脂が挙げられる。
【0072】
フェノキシ樹脂は、三菱ケミカル社製の「１２５６」及び「４２５０」（いずれもビスフェノールＡ構造含有フェノキシ樹脂）、「ＹＸ８１００」（ビスフェノールＳ骨格含有フェノキシ樹脂）、及び「ＹＸ６９５４」（ビスフェノールアセトフェノン構造含有フェノキシ樹脂）が挙げられ、その他にも、新日鉄住金化学社製の「ＦＸ２８０」及び「ＦＸ２９３」、三菱ケミカル社製の「ＹＸ７１８０」、「ＹＸ６９５４」、「ＹＸ７５５３」、「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、「ＹＬ７５５３ＢＨ３０」、「ＹＬ７７６９」、「ＹＬ６７９４」、「ＹＬ７２１３」、「ＹＬ７２９０」、「ＹＬ７８９１」、「ＹＬ７４８２」等の市販品を用いることができる。
【0073】
熱可塑性樹脂は、分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有していてもよい。これらの構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。ポリブタジエン構造は、一部又は全てが水素添加されていてもよい。ポリアルキレンオキシ構造は、炭素原子数２～１５のポリアルキレンオキシ構造、炭素原子数３～１０のポリアルキレンオキシ構造、又は炭素原子数５～６のポリアルキレンオキシ構造であってもよい。
【0074】
熱可塑性樹脂は、数平均分子量（Ｍｎ）が１，０００以上、１，５００以上、３，０００以上、又は５，０００以上であってもよく、１，０００，０００以下、又は９００，０００以下であってもよい。数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量を意味する。
【0075】
熱可塑性樹脂は、エポキシ樹脂と反応し得る官能基を有していてもよい。エポキシ樹脂と反応し得る官能基は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基からなる群から選択される１種以上の官能基であってもよい。
【0076】
ポリブタジエン樹脂は、クレイバレー社製の「Ｒｉｃｏｎ １３０ＭＡ８」、「Ｒｉｃｏｎ １３０ＭＡ１３」、「Ｒｉｃｏｎ １３０ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ５」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ１０」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ１７」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ １８４ＭＡ６」（酸無水物基含有ポリブタジエン）、日本曹達社製の「ＧＱ－１０００」（水酸基、カルボキシル基導入ポリブタジエン）、「Ｇ－１０００」、「Ｇ－２０００」、「Ｇ－３０００」（両末端水酸基ポリブタジエン）、「ＧＩ－１０００」、「ＧＩ－２０００」、「ＧＩ－３０００」（両末端水酸基水素化ポリブタジエン）、ナガセケムテックス社製の「ＦＣＡ－０６１Ｌ」（水素化ポリブタジエン骨格エポキシ樹脂）等の市販品を用いることができる。
【0077】
ポリ（メタ）アクリル樹脂は、ナガセケムテックス社製のテイサンレジン、根上工業社製の「ＭＥ－２０００」、「Ｗ－１１６．３」、「Ｗ－１９７Ｃ」、「ＫＧ－２５」、「ＫＧ－３０００」等の市販品を用いることができる。
【0078】
ポリカーボネート樹脂は、旭化成ケミカルズ社製の「Ｔ６００２」、「Ｔ６００１」（ポリカーボネートジオール）、クラレ社製の「Ｃ－１０９０」、「Ｃ－２０９０」、「Ｃ－３０９０」（ポリカーボネートジオール）等の市販品を用いることができる。
【0079】
熱可塑性樹脂は、信越シリコーン社製の「ＳＭＰ－２００６」、「ＳＭＰ－２００３ＰＧＭＥＡ」、「ＳＭＰ－５００５ＰＧＭＥＡ」、アミン基末端ポリシロキサンおよび四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド（国際公開第２０１０／０５３１８５号、特開２００２－１２６６７号公報及び特開２０００－３１９３８６号公報等）、旭化成せんい社製の「ＰＴＸＧ－１０００」、「ＰＴＸＧ－１８００」、クラレ社製の「ＫＬ－６１０」、「ＫＬ６１３」、カネカ社製の「ＳＩＢＳＴＡＲ－０７３Ｔ」（スチレン－イソブチレン－スチレントリブロック共重合体）、「ＳＩＢＳＴＡＲ－０４２Ｄ」（スチレン－イソブチレンジブロック共重合体）、電気化学工業社製の「電化ブチラール４０００－２」、「電化ブチラール５０００－Ａ」、「電化ブチラール６０００－Ｃ」、「電化ブチラール６０００－ＥＰ」、積水化学工業社製のエスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ（例えばＢＸ－５Ｚ）、ＫＳシリーズ（例えばＫＳ－１）、ＢＬシリーズ、ＢＭシリーズ、新日本理化社製の「リカコートＳＮ２０」及び「リカコートＰＮ２０」、東洋紡社製の「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」及び「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」、日立化成社製の「ＫＳ９１００」及び「ＫＳ９３００」、住友化学社製の「ＰＥＳ５００３Ｐ」、ソルベイアドバンストポリマーズ社製のポリスルホン「Ｐ１７００」及び「Ｐ３５００」、ガンツ化成社製の「ＡＣ３８３２」等の市販品を用いてもよい。
【0080】
樹脂組成物における熱可塑性樹脂の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量部としたときに、０．１質量部以上、０．３質量部以上、又は０．５質量部以上であってもよく、２０質量部以下、１０質量部以下、５質量部以下、又は３質量部以下であってもよい。
【0081】
樹脂組成物は、１分子中に活性エステル基を１個以上有する活性エステル化合物を含有することができる。活性エステル化合物は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0082】
活性エステル化合物としては、フェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ－ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の、反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物を用いることができる。このような活性エステル化合物は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが挙げられる。
【0083】
活性エステル化合物は、耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル化合物であってもよく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル化合物であってもよい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール、カテコール、α－ナフトール、β－ナフトール、１，５－ジヒドロキシナフタレン、１，６－ジヒドロキシナフタレン、２，６－ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。
【0084】
活性エステル化合物の具体例としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が挙げられる。なお、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン－ジシクロペンチレン－フェニレンからなる２価の構造単位を表す。
【0085】
ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ－８０００－６５Ｔ」、「ＨＰＣ－８０００Ｈ－６５ＴＭ」、「ＥＸＢ－８０００Ｌ－６５ＴＭ」、「ＥＸＢ－８１５０－６５Ｔ」（ＤＩＣ社製）、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として、「ＥＸＢ９４１６－７０ＢＫ」（ＤＩＣ社製）、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として、「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として、「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）、フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル化合物として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０３０」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０４８」（三菱ケミカル社製）等の市販品を用いてもよい。
【0086】
樹脂組成物が活性エステル化合物及びエポキシ樹脂を含有する場合、エポキシ樹脂と活性エステル化合物との量比は、［エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数］：［活性エステル化合物の活性エステル基の合計数］の比率で、１：０．０１～１：５、１：０．０５～１：３、又は、１：０．１～１：１．５であってもよい。
【0087】
樹脂組成物における活性エステル化合物の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量部としたときに、１質量部以上、１．５質量部以上、又は２質量部以上であってもよく、４０質量部以下、３０質量部以下、２０質量部以下、１０質量部以下、８質量部以下、又は５質量部以下であってもよい。
【0088】
樹脂組成物は、１分子中にカルボジイミド基（－Ｎ＝Ｃ＝Ｎ－）を１個以上有するカルボジイミド化合物を含有することができる。カルボジイミド化合物としては、１分子中にカルボジイミド基を２個以上有する化合物を用いてもよい。カルボジイミド化合物は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0089】
カルボジイミド化合物としては、下記式（Ａ）で表される構造を含有する化合物が挙げられる。
－（Ｘ）ｐ－Ｎ＝Ｃ＝Ｎ－ …（Ａ）
［式中、Ｘは、アルキレン基、シクロアルキレン基又はアリーレン基を表し、これらは置換基を有していてもよい。ｐは１～５の整数を表す。Ｘが複数存在する場合、それらは同一でも相異なってもよい。］
－（Ｘ）ｐ－Ｎ＝Ｃ＝Ｎ－ …（Ａ）
［式中、Ｘは、アルキレン基、シクロアルキレン基又はアリーレン基を表し、これらは置換基を有していてもよい。ｐは１～５の整数を表す。Ｘが複数存在する場合、それらは同一でも相異なってもよい。］
【0090】
Ｘで表されるアルキレン基の炭素原子数（置換基の炭素原子数は含まれない）は、１～２０、１～１０、１～６、１～４、又は１～３であってもよい。アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基が挙げられる。
【0091】
Ｘで表されるシクロアルキレン基の炭素原子数（置換基の炭素原子数は含まれない）は、３～２０、３～１２、３～６であってもよい。シクロアルキレン基としては、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基が挙げられる。
【0092】
Ｘで表されるアリーレン基は、芳香族炭化水素から芳香環上の水素原子を２個除いた基である。アリーレン基の炭素原子数（置換基の炭素原子数は含まれない）は、６～２４、６～１８、６～１４、又は６～１０であってもよい。アリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基が挙げられる。
【0093】
Ｘで表されるアルキレン基、シクロアルキレン基又はアリール基は置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アシル基及びアシルオキシ基が挙げられる。置換基として用いられるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。置換基としてのアルキル基、アルコキシ基は、直鎖状、分岐状のいずれであってもよく、その炭素原子数は、１～２０、１～１０、１～６、１～４、又は１～３であってもよい。置換基としてのシクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基の炭素原子数は、３～２０、３～１２、又は３～６であってもよい。置換基としてのアリール基は、芳香族炭化水素から芳香環上の水素原子を１個除いた基であり、その炭素原子数は、６～２４、６～１８、６～１４、又は６～１０であってもよい。置換基としてのアリールオキシ基の炭素原子数は、６～２４、６～１８、６～１４、又は６～１０であってもよい。置換基としてのアシル基は、式：－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ１で表される基（式中、Ｒ１はアルキル基又はアリール基を表す。）をいう。Ｒ１で表されるアルキル基は、直鎖状、分岐状のいずれであってもよく、その炭素原子数は、１～２０、１～１０、１～６、１～４、又は１～３であってもよい。Ｒ１で表されるアリール基の炭素原子数は、６～２４、６～１８、６～１４、又は６～１０であってもよい。置換基としてのアシルオキシ基は、式：－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ２で表される基（式中、Ｒ２はアルキル基又はアリール基を表す。）をいう。
【0094】
式（Ａ）中、ｐは１～５の整数を表す。ｐは、１～４、２～４、２又は３であってもよい。
【0095】
カルボジイミド化合物における式（Ａ）で表される構造の含有量は、カルボジイミド化合物の分子全体の質量を１００質量部としたとき、５０質量部以上、６０質量部以上、７０質量部以上、８０質量部以上又は９０質量部以上であってもよい。カルボジイミド化合物は、末端構造を除いて、式（Ａ）で表される構造から実質的になってもよい。カルボジイミド化合物の末端構造としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。末端構造として用いられるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基は、Ｘで表される基が有していてもよい置換基について説明したアルキル基、シクロアルキル基、アリール基と同じであってよい。また、末端構造として用いられる基が有していてもよい置換基は、Ｘで表される基が有していてもよい置換基と同じであってよい。
【0096】
カルボジイミド化合物の重量平均分子量は、５００以上、６００以上、７００以上、８００以上、９００以上又は１０００以上であってもよく、５０００以下、４５００以下、４０００以下、３５００以下、又は３０００以下であってもよい。カルボジイミド化合物の重量平均分子量は、例えば、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法（ポリスチレンン換算）で測定することができる。
【0097】
カルボジイミド化合物が分子中にイソシアネート基（－Ｎ＝Ｃ＝Ｏ）を含有する場合、カルボジイミド化合物中のイソシアネート基の含有量（「ＮＣＯ含有量」ともいう。）は、５質量％以下、４質量％以下、３質量％以下、２質量％以下、１質量％以下又は０．５質量％以下であってもよい。
【0098】
カルボジイミド化合物は、日清紡ケミカル社製のカルボジライト（登録商標）Ｖ－０２Ｂ、Ｖ－０３、Ｖ－０４Ｋ、Ｖ－０７及びＶ－０９、ラインケミー社製のスタバクゾール（登録商標）Ｐ、Ｐ４００、及びハイカジル５１０等の市販品を用いてもよい。
【0099】
樹脂組成物におけるカルボジイミド化合物の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量部としたときに、０．１質量部以上、０．３質量部以上、又は０．５質量部以上であってもよく、３質量部以下、２質量部以下、又は１．５質量部以下であってもよい。
【0100】
樹脂組成物は、さらに必要に応じて、他の添加剤を含んでいてもよい。他の添加剤としては、例えば、難燃剤、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、バインダー、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、並びに着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。
【0101】
絶縁磁性層形成用組成物は、ペースト状であってもよい（以下、「ペースト」という）。ペーストは、上述した磁性粉と、エポキシ基含有化合物と、硬化剤と、を含んでいてもよい。
【0102】
ペーストに含まれる磁性粉の平均粒子径は、０．０５～２００μｍ、０．５～１００μｍ、又は１～５０μｍであってよい。磁性粉が被覆されている場合は、被覆膜を含めた磁性粉の平均粒子径が上記範囲内であってよい。
【0103】
ペーストにおける磁性粉の含有量は、ペーストの全質量を基準として、７０質量％以上、又は８０質量％以上であってよく、９９質量％以下、又は９０質量％以下であってよい。ペーストにおける磁性粉の含有量は、ペーストの全質量を基準として、７０～９９質量％、又は８０～９０質量％であってもよい。
【0104】
エポキシ基含有化合物は、分子内に１以上のエポキシ基を有する化合物を意味し、モノマー、並びにモノマーの重合化によって形成される構造単位を有するオリゴマー及びポリマーのいずれの形態であってもよい。エポキシ基含有化合物は、加熱処理によって硬化し、金属元素含有粉を結着するバインダ樹脂として機能することができる。エポキシ基含有化合物の一例として、一般的にエポキシ樹脂として知られる、分子内に２以上のエポキシ基を有するオリゴマー及びポリマーが挙げられる。エポキシ基含有化合物の他の例として、分子内に１以上のエポキシ基を有するが、重合化によって形成される構造単位を含まない化合物（以下、エポキシ化合物と称す）が挙げられる。このようなエポキシ化合物は、一般的に反応性希釈剤として知られている。エポキシ基含有化合物は、エポキシ樹脂、及びエポキシ化合物からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。
【0105】
エポキシ樹脂は、上述した樹脂組成物で配合されるものと同様のものを用いることができる。
よい。
よい。
【0106】
エポキシ化合物の分子量は、１００以上であってよく、１５０以上であってよく、２００以上であってよい。分子量が１００以上であるエポキシ化合物を使用した場合、適切な硬化条件を設定することで硬化剤と反応する前の揮発を抑制することができる。また、低分子量であることで反応後の架橋点間の距離が短く硬化物が割れやすくなる不具合の発生を低減できる。一方、エポキシ化合物の分子量は、７００以下であってよく、５００以下であってよく、３００以下であってよい。分子量が７００以下であるエポキシ化合物を使用した場合、希釈剤として適切な粘度を容易に得ることができる。
【0107】
エポキシ化合物の分子量は、１００～７００、１５０～５００、又は２００～３００であってもよい。このような範囲の分子量を有するエポキシ化合物を使用した場合、ペーストの粘度調整が容易となる。エポキシ化合物は、加熱時に揮発する有機溶剤等の成分とは異なり、加熱時に硬化して硬化物中に取り込まれる。そのため、エポキシ化合物を使用した場合、ペーストの粘度調整に寄与し、その一方で硬化物の特性低下を抑制することが可能である。
【0108】
エポキシ化合物は、分子内にエポキシ基を１個、又は２個以上含んでよい。エポキシ化合物は、例えば、ｎ－ブチルグリシジルエーテル、バーサティック酸グリシジルエーテル、スチレンオキサイド、エチルヘキシルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、ブチルフェニルグリシジルエーテル、１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、及びトリメチロールプロパントリグリシジルエーテルからなる群から選択される少なくとも１種であってよい。エポキシ化合物は、遊離Ｎａイオン、及び遊離Ｃｌイオンといったイオン性不純物が５００ｐｐｍ以下であってもよい。
【0109】
エポキシ基含有化合物のエポキシ当量は、８０ｇ／ｅｑ～３５０ｇ／ｅｑ、１００ｇ／ｅｑ～３００ｇ／ｅｑ、１２０ｇ／ｅｑ～２５０ｇ／ｅｑであってよい。エポキシ当量が上記範囲内である場合、エポキシ基含有化合物自体の粘度が低くなるため、ペーストの粘度を調整することが容易となる。
【0110】
エポキシ基含有化合物は、２５℃において液状であるエポキシ基含有化合物を含むことが好ましい。本明細書において「２５℃において液状である」とは、２５℃におけるエポキシ基含有化合物の粘度が、２００Ｐａ・ｓ以下であることを意味する。上記粘度は、Ｅ型粘度計を用い、温度：２５℃、コーンプレートタイプ：ＳＰＰ、コーン角度：１°３４’、回転速度：２．５ｒｐｍの条件下で測定した値である。Ｅ型粘度計として、例えば、東機産業株式会社製のＴＶ－３３型粘度計を使用することができる。
【0111】
２５℃において液状のエポキシ基含有化合物を使用した場合、通常、流動性を得るために使用される有機溶剤等の揮発性成分の配合量を大幅に減らすことができる。一実施形態において、有機溶剤を含まないペーストを構成することもできる。また、ペーストとして適切な流動性を確保しながら、磁性粉の含有量を容易に高めることができる。これらの観点から、エポキシ基含有化合物の粘度は、１００Ｐａ・ｓ以下、５０Ｐａ・ｓ以下、１０Ｐａ・ｓ以下であってよい。
【0112】
上記エポキシ基含有化合物のなかでもエポキシ化合物の粘度は、ペースト粘度を調整する観点から、液状エポキシ樹脂の粘度よりも低くてもよい。エポキシ化合物の粘度は、１Ｐａ・ｓ以下、０．５Ｐａ・ｓ以下、０．１Ｐａ・ｓ以下であってよい。
【0113】
２５℃において液状のエポキシ基含有化合物は、２５℃において液状のエポキシ樹脂、及び２５℃において液状のエポキシ化合物からなる群から選択される少なくとも１種を含んでよい。２５℃において液状のエポキシ樹脂の含有量は、エポキシ基含有化合物の全質量を基準として、５０質量％以上、７０質量％以上、９０質量％以上、又は１００質量％であってもよい。
【0114】
２５℃において液状のエポキシ樹脂は、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、及びアミノグリシジルエーテル型エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも１種の液状エポキシ樹脂を含んでよい。
【0115】
２５℃において液状のエポキシ基含有化合物は、市販品として入手することもできる。例えば、液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及び液状ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂として、新日鐵化学株式会社から販売されている。例えば、液状ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂として、製品名「ＹＤＦ－８１７０Ｃ」（エポキシ当量１６５、粘度１，０００～１，５００ｍＰａ・ｓ）を用いることができる。エポキシ化合物として、株式会社ＡＤＥＫＡ製のアデカグリシロール（製品名）のシリーズが挙げられる。例えば、製品名「アデカグリシロールＥＤ－５０３Ｇ」（エポキシ当量１３５、粘度１５ｍＰａ・ｓ）を用いることができる。
【0116】
ペーストは、上記エポキシ基含有化合物に加えて、他の樹脂をさらに含んでもよい。他の樹脂は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂を除く）及び熱可塑性樹脂からなる群から選択される少なくとも１種を含んでよい。熱硬化性樹脂は、例えば、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、及びポリアミドイミド樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種であってよい。エポキシ基含有化合物に加えてフェノール樹脂を使用した場合、フェノール樹脂は、エポキシ基含有化合物の硬化剤として機能することもできる。
【0117】
熱可塑性樹脂は、例えば、アクリル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、及びポリエチレンテレフタレートからなる群より選ばれる少なくとも１種であってよい。樹脂成分は、エポキシ基含有化合物に加えて、さらにシリコーン樹脂を含んでもよい。
【0118】
ペーストが、エポキシ基含有化合物以外の樹脂を含む場合、その他の樹脂の含有量は、エポキシ基含有化合物による効果を低減させない範囲で調整することが好ましい。例えば、その他の樹脂の含有量は、ペースト中の樹脂の全質量を基準として、５０質量％以下、３０質量％以下、又は１０質量％以下であってよい。エポキシ基含有化合物とその他の樹脂との混合物の粘度が、２５℃において５０Ｐａ・ｓ以下となる範囲で、配合量を調整することができる。上記粘度は、Ｅ型粘度計を用いて、温度：２５℃、コーンプレートタイプ：ＳＰＰ、コーン角度：１°３４’、回転速度：２．５ｒｐｍの条件下で測定した値である。Ｅ型粘度計として、例えば、東機産業株式会社製のＴＶ－３３型粘度計を使用することができる。
【0119】
硬化剤としては、ペーストに適度な粘性を付与し、かつエポキシ基含有化合物のエポキシ基と反応し硬化物を形成することができる化合物を用いることができる。硬化剤は、エポキシ樹脂の硬化剤として一般的に使用される周知の硬化剤を用いることができる。硬化剤として、例えば、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、及びアミン系硬化剤が挙げられる。
【0120】
硬化剤は、低温から室温の温度範囲でエポキシ樹脂を硬化させる硬化剤と、加熱に伴ってエポキシ樹脂を硬化させる加熱硬化型硬化剤とに分類される。低温から室温の温度範囲でエポキシ樹脂を硬化させる硬化剤としては、例えば、脂肪族ポリアミン、ポリアミノアミド、及びポリメルカプタンが挙げられる。加熱硬化型硬化剤としては、例えば、芳香族ポリアミン、酸無水物、フェノールノボラック樹脂、及びジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）が挙げられる。低温から室温の温度範囲でエポキシ樹脂を硬化させる硬化剤を用いた場合、エポキシ樹脂の硬化物のガラス転移点は低く、エポキシ樹脂の硬化物は軟らかい傾向がある。その結果、ペーストから形成された絶縁磁性層も軟らかくなる傾向がある。絶縁磁性層の耐熱性及び機械的強度を向上させる観点から、硬化剤は、加熱硬化型硬化剤を含むことが好ましい。
【0121】
加熱硬化型硬化剤のなかでも、ペーストの低粘度化の観点から、２５℃において液状の硬化剤を使用することができる。液状の硬化剤としては、例えば、脂肪族ポリアミン、ポリメルカプタン、芳香族ポリアミン、及び酸無水物、及びイミダゾール系硬化剤からなる群から選択される少なくとも１種を使用することができる。ペーストの粘度上昇を抑えることができれば、２５℃において固形の硬化剤を使用してもよく、液状の硬化剤と固形の硬化剤とを併用してもよい。固形の硬化剤としては、例えば、ジシアンジアミド、三級アミン、イミダゾール系硬化剤、及びイミダゾリン系硬化剤を使用することができる。例示した固形の硬化剤は、多官能であるか、又は触媒的に作用するため、少量でも十分に機能することができる。
【0122】
硬化剤は、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、及びイミダゾリン系硬化剤からなる群から選択される少なくとも１種を含んでいてもよい。硬化剤は、少なくともアミン系硬化剤を含むことができる。アミン系硬化剤（より具体的には第３級アミン）、イミダゾール系硬化剤、及びイミダゾリン系硬化剤は、他の硬化剤との組合せにおいて硬化促進剤として使用することもできる。
【0123】
アミン系硬化剤は、分子内に少なくとも２つのアミノ基を有する化合物であってよい。アミン系硬化剤は、脂肪族アミン、及び芳香族アミンからなる群から選択される少なくとも１種を含む。脂肪族アミン化合物としては、例えば、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ｎ－プロピルアミン、２－ヒドロキシエチルアミノブロピルアミン、シクロへキシルアミン、４，４’－ジアミノ－ジシクロへキシルメタンが挙げられる。芳香族アミン化合物としては、例えば、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、２－メチルアニリン、下式（１）で表されるアミン化合物、下式（２）で表されるアミン化合物が挙げられる。
【化1】
【化2】
【0124】
イミダゾール系硬化剤は、イミダゾール骨格を有する化合物であり、分子内の水素原子を置換基で置換したイミダゾール系化合物であってよい。イミダゾール系硬化剤は、アルキル基置換イミダゾール等のイミダゾール骨格を有する化合物であってよい。イミダゾール系硬化剤として、例えば、イミダゾール、２－メチルイミダゾール、２－エチルイミダゾール、及び２－イソプロピルイミダゾールが挙げられる。イミダゾール系硬化剤は、四国化成工業株式会社製の「キュアゾール２Ｅ４ＭＺ」（２－エチル－４－メチルイミダゾール）などの市販品を使用することができる。
【0125】
イミダゾリン系硬化剤は、イミダゾリン骨格を有する化合物であり、分子内の水素原子を置換基で置換したイミダゾリン系化合物であってよい。イミダゾリン系硬化剤は、アルキル基置換イミダゾリン等のイミダゾリン骨格を有する化合物であってよい。イミダゾリン系硬化剤として、例えば、イミダゾリン、２－メチルイミダゾリン、及び２－エチルイミダゾリンが挙げられる。
【0126】
２５℃で液状のエポキシ樹脂との適合性及び保存安定性の観点から、硬化剤は芳香族アミンを含んでいてもよい。芳香族アミンの芳香環は、アミノ基以外の置換基を有していてもよい。例えば、炭素数１～５のアルキル基を有していてもよく、炭素数１又は３のアルキル基を有していてもよい。芳香族アミンにおける芳香環の数は、１つでも２つ以上であってもよい。芳香環の数が２以上である場合、芳香環同士は単結合で結合していても、アルキレン基等の連結基を介して結合していてもよい。
【0127】
ペーストの粘度の観点から、硬化剤は液状の芳香族アミンを含むことが好ましい。例えば、上記式（１）で表される化合物及び上記式（２）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種を使用することができる。
【0128】
硬化剤として使用できる液状の芳香族アミンは、市販品として入手することもできる。例えば、三菱ケミカル株式会社製の製品名「グレード：ｊＥＲキュアＷＡ」、日本化薬株式会社製の製品名「カヤハードＡＡ」が挙げられる。
【0129】
ペーストにおける硬化剤の含有量は、エポキシ樹脂等のエポキシ基含有化合物のエポキシ基の当量数と、硬化剤における活性基の当量数との比率を考慮して設定することができる。例えば、エポキシ基含有化合物のエポキシ基１当量に対する硬化剤の比率は、０．５～１．５当量であってよく、０．９～１．４当量であってよく、１．０～１．２当量であってよい。
【0130】
硬化剤における活性基の上記比率が０．５当量以上である場合、加熱硬化後のエポキシ樹脂の単位重量当たりのＯＨ量が少なくなり、エポキシ樹脂の硬化速度が低下することを抑制できる。また、得られる硬化物のガラス転移温度の低下、及び硬化物の弾性率の低下を抑制できる。さらに、バインダ樹脂中の未反応の樹脂成分よって硬化物の絶縁信頼性が低下することを抑制できる。一方、硬化剤中の活性基の比率が１．５当量以下である場合、ペーストから形成される加熱硬化後の絶縁磁性層の機械的強度の低下を抑制できる。また、未反応の硬化剤によって硬化物の絶縁性が低下することを抑制できる。
【0131】
ペーストは、必要に応じて、さらに硬化促進剤を含んでよい。ペーストは、磁性粉と、エポキシ基含有化合物と、硬化剤と、硬化促進剤とを含んでよい。他の実施形態において、ペーストは、上記成分に加えて、例えば、カップリング剤及び難燃剤等の添加剤をさらに含んでもよい。
【0132】
硬化促進剤は、エポキシ樹脂と硬化剤との硬化反応を促進できる化合物であれば限定されない。硬化促進剤として、例えば、第３級アミン、イミダゾール系硬化促進剤、イミダゾリン系硬化促進剤、及びリン化合物が挙げられる。イミダゾール系硬化促進剤及びイミダゾリン系硬化促進剤として、イミダゾール系硬化剤及びイミダゾリン系硬化剤として先に例示した化合物を使用してもよい。液状の硬化剤のなかでも、液状の酸無水物を使用した場合は、硬化促進剤を併用することができる。ペーストは、１種又は２種以上の硬化促進剤を含んでよい。硬化促進剤を使用した場合、ペーストから形成された絶縁磁性層の機械的強度を向上させ、またペーストの硬化温度を容易に低下させることができる。
【0133】
硬化促進剤の配合量は、硬化促進効果が得られる量であればよく、特に限定されない。ただし、ペーストの吸湿時の硬化性及び流動性を改善する観点からは、硬化促進剤の配合量は、エポキシ樹脂及び硬化剤の合計１００質量部に対して、０．００１質量部以上であってよい。上記硬化促進剤の配合量は、０．０１質量部以上であってよく、０．１質量部以上であってよい。一方、上記硬化促進剤の配合量は、５質量部以下であってよく、４質量部以下であってよく、３質量部以下であってよい。硬化促進剤の配合量を０．００１質量部以上にした場合、十分な硬化促進効果を容易に得ることができる。硬化促進剤の配合量が５質量部以下である場合、ペーストにおいて優れた保存安定性を容易に得ることができる。
【0134】
カップリング剤を使用した場合、ペースト中の磁性粉の分散性の向上、及びペースト粘度の制御が容易となる。また、バインダ樹脂と、磁性粉との密着性の向上が容易となる。さらに、ペーストから形成される絶縁磁性層の導体層に対する密着性、可撓性、機械的強度の向上が容易となる。カップリング剤は、例えば、シラン系化合物（シランカップリング剤）、チタン系化合物、アルミニウム化合物（アルミニウムキレート類）、及びアルミニウム／ジルコニウム系化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種であってよい。シランカップリング剤は、例えば、エポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、酸無水物系シラン及びビニルシランからなる群より選ばれる少なくとも１種であってよい。また、シランカップリング剤は、アミノフェニル系のシランカップリング剤であってもよい。ペーストは、上記カップリング剤の少なくとも１種を含んでよく、上記２種以上のカップリング剤を含んでもよい。
【0135】
ペーストの環境安全性、リサイクル性、成形加工性及び低コストのために、ペーストは難燃剤を含んでよい。難燃剤は、例えば、臭素系難燃剤、リン系難燃剤、水和金属化合物系難燃剤、シリコーン系難燃剤、窒素含有化合物、ヒンダードアミン化合物、有機金属化合物及び芳香族エンジニアリングプラスチックからなる群より選ばれる少なくとも１種であってよい。ペーストは、上記で例示した難燃剤の１種を含んでも、又は２種以上を含んでもよい。
【0136】
ペーストは、必要に応じて有機溶剤を含んでもよい。有機溶剤は、特に限定されない。例えば、バインダ樹脂を溶解可能な有機溶剤を使用することができる。有機溶剤は、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ベンゼン、トルエン、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、シクロヘキサノン、及びキシレンからなる群より選ばれる少なくとも１種であってよい。作業性の観点から、有機溶剤は、常温（２５℃）で液体であってもよい。作業性の観点から、有機溶剤の沸点は、５０℃以上、１６０℃以下であってもよい。
【0137】
ペーストが有機溶剤を含む場合、その含有量は、ペーストの全質量を基準として、５質量％以下、３質量％以下、又は１質量％以下であってもよい。ペーストは、実質的に有機溶剤を含まないものであってもよい。本明細書おいて「実質的に含まない」とは、ペーストに対して有機溶剤を意図的に添加していないことを意味する。そのため、ペーストは、例えば、樹脂の製造時に使用され、樹脂中に残存した有機溶剤を含んでいてもよい。
【0138】
ペーストの粘度は、１Ｐａ・ｓ以上、１０Ｐａ・ｓ以上、１００Ｐａ・ｓ以上であってよい。１Ｐａ・ｓ以上の粘度に調整することで、塗布後の液ダレを抑制し、印刷後にパターン形状が崩れることを容易に防止することができる。また、ペースト中の磁性粉の沈降を抑止し、ペースト撹拌後の時間経過による塗布性の低下を容易に改善することができる。一方、ペーストの粘度は、６００Ｐａ・ｓ以下、４００Ｐａ・ｓ以下、２００Ｐａ・ｓ以下であってよい。粘度を６００Ｐａ・ｓ以下に調整することで、ペーストに流動性が生じ、良好な塗布性を容易に得ることができる。
【0139】
ペーストをスクリーン印刷に適用する場合、ペーストの粘度は、１０Ｐａ・ｓ～４００Ｐａ・ｓ、５０Ｐａ・ｓ～３００Ｐａ・ｓ、又は１００Ｐａ・ｓ～２５０Ｐａ・ｓであってよい。粘度を上記範囲に調整した場合、スクリーン印刷においては、版の開口部をペーストが透過しなくなる不具合の発生を抑制することができる。ペーストの粘度は、エポキシ基含有化合物の構造及び特性、硬化剤の構造及び特性、並びにこれらの組合せ及び配合比、さらに硬化促進剤及びカップリング剤等の添加剤の構造及び配合比等によって自在に調整することができる。ペーストは、粘度調整剤、チキソ性付与剤、及び分散安定剤等の添加剤を含んでもよい。
【0140】
以上説明した積層体１０Ａによれば、簡易なプロセスで、周囲の少なくとも一部に絶縁磁性被覆層を有する導体配線を形成することができるため、高周波帯の伝送損失を抑制できる配線基板を容易に製造することができる。
【0141】
図示しないが、積層体１０Ａは、本発明の効果を阻害しない限り、導体層１及び絶縁磁性層２以外の層を備えていてもよい。また、シート状の積層体１０Ａ（配線形成用導体シート）は、ロール状に巻回可能な厚さ及び硬さであってよく、ロール状に巻回されていてもよい。
【0142】
図２は、本発明の他の一実施形態に係る積層体を示す模式断面図である。図２に示す積層体１０Ｂは、導体層１’及び該導体層１’上に位置する絶縁磁性層２’を備える積層体１０Ａ’と、該積層体１０Ａ’の導体層１’側、すなわち、導体層１’からみて絶縁磁性層２’とは反対側に、キャリア（支持体）３と、を備える。
【0143】
積層体１０Ａ’は、上記実施形態の積層体１０Ａと同様に、例えば、導体配線の形成に用いられる導体シート（配線形成用導体シート）である。したがって、積層体１０Ｂは、キャリア付き配線形成用導体シートということができる。積層体１０Ｂは、セミアディティブプロセスに好適に用いられる。
【0144】
導体層１’は、例えば、導体配線を形成するためのシード層（めっきシード層）となる層であってよい。導体層１’は、例えば、無電解めっき又はスパッタリングにより形成された層であってよい。導体層１’の厚さは、例えば、０．００１～１０μｍであってよく、０．０１～１０μｍ又は０．１～５μｍであってもよい。その他の導体層１’の詳細は、上記実施形態の積層体１０Ａにおける導体層１の詳細と同じである。導体層１’は、銅箔又は電解めっきにより形成された層であってもよく、５μｍ超（例えば５μｍ超５０μｍ以下）の厚さを有していてもよい。
【0145】
絶縁磁性層２’の詳細は、上記実施形態の積層体１０Ａにおける絶縁磁性層２の詳細と同じである。
【0146】
キャリア３は、例えば、導体膜（例えば導体箔）であってよい。導体膜を構成する導体は、導体層１’を構成する導体と同じ種類の導体であってよく、例えば、銅、金、銀、ニッケル等であってよい。
【0147】
キャリア３は、積層体１０Ａ’（配線形成用導体シート）に剥離可能に貼り付けられており、最終的に除去される。キャリア３と積層体１０Ａ’（配線形成用導体シート）との間の２５℃における剥離強度は、例えば、１～５００Ｎ／ｍである。
【0148】
キャリア３の厚さは、例えば、５～５０μｍ、１０～４０μｍ又は１５～２０μｍであってよい。キャリア３の厚さは、導体層１’よりも厚くてよく、例えば、導体層１’の厚さの２～４０倍であってよい。
【0149】
積層体１０Ｂは、例えば、キャリア付き導体膜上に、積層体１０Ａの場合と同様にして絶縁磁性層２’を形成することにより得てよい。したがって、積層体１０Ｂは、キャリア付き導体膜と、キャリア付き導体膜の導体膜側、すなわち、導体膜からみてキャリアとは反対側に設けられた絶縁磁性層と、を備える積層体（キャリア付き配線形成用導体シート）であってもよい。
【0150】
キャリア付き導体膜としては、例えば、三井金属鉱業株式会社製の「Ｍｉｃｒｏ Ｔｈｉｎ」等を用いることができる。
【0151】
積層体１０Ｂは、絶縁磁性層２’となる絶縁磁性膜上に、めっき等により導体層１’を形成した後、導体層１’にキャリア３を貼り付けることにより得てもよい。
【0152】
積層体１０Ｂは、キャリアを備えることから、積層体１０Ａと比較して取り扱いが容易である。そのため、積層体１０Ｂによれば、より簡便に、高周波帯の伝送損失を抑制できる配線基板を製造することができる。
【0153】
図示しないが、積層体１０Ｂは、本発明の効果を阻害しない限り、導体層１’、絶縁磁性層２’及びキャリア３以外の層を備えていてもよい。また、シート状の積層体１０Ｂ（キャリア付き配線形成用導体シート）は、ロール状に巻回可能な厚さ及び硬さであってよく、ロール状に巻回されていてもよい。
【0154】
＜導体配線の形成方法、配線基板の製造方法＞
以下、図３～図６を参照して、上記積層体１０Ａ（配線形成用導体シート）又は積層体１０Ｂ（キャリア付き配線形成用導体シート）を用いた導体配線の形成方法、及び、配線基板の製造方法について説明する。
以下、図３～図６を参照して、上記積層体１０Ａ（配線形成用導体シート）又は積層体１０Ｂ（キャリア付き配線形成用導体シート）を用いた導体配線の形成方法、及び、配線基板の製造方法について説明する。
【0155】
（第一実施形態）
図３及び図４は、第一実施形態の導体配線の形成方法（サブトラクティブプロセス）を説明するための模式断面図である。第一実施形態の導体配線の形成方法は、基板４を用意し、積層体１０Ａを絶縁磁性層２側から基板４上に配置する工程ａ１と、工程ａ１を経て得られた積層体（積層体１０Ｃ）の導体層１側上に感光層７ａを形成する工程ａ２と、該感光層７ａを所定のパターンで露光し、現像することにより、開口部Ｈ１を有するレジスト膜８ａを形成する工程ａ３と、導体層１（及び絶縁磁性層２）における、基板４とレジスト膜８ａの開口部Ｈ１との間に位置する部分を除去することにより、導体配線１１を形成する工程ａ４と、を備える。
図３及び図４は、第一実施形態の導体配線の形成方法（サブトラクティブプロセス）を説明するための模式断面図である。第一実施形態の導体配線の形成方法は、基板４を用意し、積層体１０Ａを絶縁磁性層２側から基板４上に配置する工程ａ１と、工程ａ１を経て得られた積層体（積層体１０Ｃ）の導体層１側上に感光層７ａを形成する工程ａ２と、該感光層７ａを所定のパターンで露光し、現像することにより、開口部Ｈ１を有するレジスト膜８ａを形成する工程ａ３と、導体層１（及び絶縁磁性層２）における、基板４とレジスト膜８ａの開口部Ｈ１との間に位置する部分を除去することにより、導体配線１１を形成する工程ａ４と、を備える。
【0156】
［工程ａ１］
工程ａ１では、例えば、積層体１０Ａを絶縁磁性層２側から基板４に貼り付けることで積層体１０Ｃを得る（図３の（ａ）参照）。積層体１０Ａの絶縁磁性層２が未硬化の硬化性樹脂組成物からなる層である場合には、工程ａ１では、積層体１０Ａを基板４に貼り付けた後に、絶縁磁性層２を硬化させてよい。また、基板４と積層体１０Ａとの間に他の材料（例えば粘着剤フィルム等）を介在させてもよい。
工程ａ１では、例えば、積層体１０Ａを絶縁磁性層２側から基板４に貼り付けることで積層体１０Ｃを得る（図３の（ａ）参照）。積層体１０Ａの絶縁磁性層２が未硬化の硬化性樹脂組成物からなる層である場合には、工程ａ１では、積層体１０Ａを基板４に貼り付けた後に、絶縁磁性層２を硬化させてよい。また、基板４と積層体１０Ａとの間に他の材料（例えば粘着剤フィルム等）を介在させてもよい。
【0157】
基板４は、配線基板の形成に用いられる公知の基板を使用可能である。基板４は、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ）等の低誘電樹脂材料を用いた基板などの公知の低誘電基板であってよい。基板４は、プリプレグを含む基板であってもよい。具体的には、例えば、公知のプリプレグを数枚貼り合わせ、加圧加熱処理を行って得られるものが使用できる。かかるプリプレグとしては、調製された樹脂ワニスをガラス繊維、有機繊維等の繊維基材（強化繊維）に含浸させて公知の方法により作製されたものを用いることができ、例えば、ガラスエポキシ複合基板が挙げられる。
【0158】
基板４を構成する樹脂材料としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などの樹脂が挙げられる。樹脂材料は、単独使用又は２種以上の併用であってもよい。
【0159】
熱硬化性樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂、熱硬化性フッ化ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ウレタン樹脂、フッ素樹脂、液晶ポリマーなどが挙げられる。フッ素樹脂としては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等の含フッ素オレフィンの重合体が挙げられる。
【0160】
熱可塑性樹脂としては、例えば、オレフィン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、マレイミド樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、エチレン－酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアルコール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリアリルスルホン樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、熱可塑性フッ化ポリイミド樹脂、熱可塑性ウレタン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、セルロース樹脂、液晶ポリマー、アイオノマーなどが挙げられる。
【0161】
基板４は、単層であってもよく、多層であってもよい。基板は、表面に接着層を有していてもよい。
【0162】
基板４の厚さは、例えば、１０μｍ～１ｍｍであってよい。
【0163】
［工程ａ２］
工程ａ２では、積層体１０Ｃの導体層１側上に感光層７ａを形成する（図３の（ｂ）参照）。
工程ａ２では、積層体１０Ｃの導体層１側上に感光層７ａを形成する（図３の（ｂ）参照）。
【0164】
感光層７ａは、感光性を有する層である。感光層７ａは、例えば、バインダーポリマーと、光重合性化合物と、光重合開始剤と、を含む感光性樹脂組成物からなっていてよい。図３に示す感光層７ａはネガ型であるが、ポジ型であってもよい。
【0165】
感光層７ａは、積層体１０Ｃの導体層１側上に感光性樹脂組成物を塗布すること、又は、感光性樹脂組成物からなるシート（例えばフィルム状のシート）をラミネートすることなどによって形成することができる。感光性樹脂組成物の塗布方法、及び、感光性樹脂組成物からなるシートのラミネート方法としては、上述した絶縁磁性層形成用組成物の塗布方法、及び、絶縁磁性層形成用組成物からなるシートのラミネート方法を採用することができる。
【0166】
感光層７ａの厚さは、例えば、１０～１００μｍである。
【0167】
［工程ａ３］
工程ａ３では、感光層７ａを所定のパターンで露光し、現像することにより、開口部Ｈ１を有するレジスト膜８ａを形成する（図３の（ｃ）参照）。
工程ａ３では、感光層７ａを所定のパターンで露光し、現像することにより、開口部Ｈ１を有するレジスト膜８ａを形成する（図３の（ｃ）参照）。
【0168】
具体的には、まず、所定のマスクパターンを介して、感光層７ａを所定のパターンで露光する。露光に用いられる活性光線としては、例えば、ｇ線ステッパーを光源とする光線；低圧水銀灯、高圧水銀灯、メタルハライドランプ、ｉ線ステッパー等を光源とする紫外線；電子線；レーザー光線などが挙げられる。露光量は、使用する光源、感光層７ａの厚さ等によって適宜選定される。
【0169】
次いで、露光後の感光層７ａを現像液により現像する。図３に示すように感光層７ａがネガ型である場合、露光により露光部が硬化し、未露光部が現像により除去される。これにより、除去された未露光部に対応する形状の開口部Ｈ１を有するレジスト膜８ａが形成される。感光層７ａがポジ型である場合、露光により露光部が現像液に対して可溶化するため、露光部が現像により除去され、除去された露光部に対応する形状の開口部を有するレジスト膜が形成される。
【0170】
現像液は、例えばアルカリ性現像液であり、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等のアルカリ性化合物を濃度が１～１０質量％程度になるように水に溶解したアルカリ性水溶液、アンモニア水等のアルカリ性水溶液などを用いることができる。現像方法としては、シャワー現像法、スプレー現像法、浸漬現像法、パドル現像法等が挙げられる。
【0171】
［工程ａ４］
工程ａ４では、導体層１（及び絶縁磁性層２）における、基板４とレジスト膜８ａの開口部Ｈ１との間に位置する部分を除去することにより、導体配線１１を形成する（図４の（ｄ）参照。）。
工程ａ４では、導体層１（及び絶縁磁性層２）における、基板４とレジスト膜８ａの開口部Ｈ１との間に位置する部分を除去することにより、導体配線１１を形成する（図４の（ｄ）参照。）。
【0172】
具体的には、塩化第二銅溶液、塩化第二鉄溶液等の公知のエッチング液を用いてウェットエッチングを行う。これにより、導体層１及び絶縁磁性層２における、基板４とレジスト膜８ａの開口部Ｈ１との間に位置する部分（レジスト膜によって保護されていない部分）が除去される。
【0173】
図４では、絶縁磁性層２における、基板４とレジスト膜８ａの開口部Ｈ１との間に位置する部分が導体層１と共に除去されて絶縁磁性被覆層１２が形成されているが、該部分の一部又は全部が除去されずに基板４上に残ってもよい。
【0174】
上記方法によれば、周囲の少なくとも一部に絶縁磁性被覆層を有する導体配線が形成されるため、上記方法を用いることで、高周波帯の伝送損失を抑制できる配線基板が得られる。したがって、上記工程（ａ１）～（ａ４）を含む方法は、配線基板の製造方法ということもできる。なお、配線基板の製造方法では、工程（ａ１）は、導体層１と、導体層１上に位置する絶縁磁性層２と、絶縁磁性層２の導体層１とは反対側上に位置する基板４と、を備える積層体を用意する工程であってもよい。すなわち、配線基板の製造方法では、工程(ａ２)において、あらかじめ用意された積層体（例えば積層体１０Ｃ）を用いてよい。
【0175】
上記方法は、上記工程（ａ１）～（ａ４）以外の工程を更に備えていてもよい。例えば、上記方法は、レジスト膜８ａを除去する工程ａ５（図４の（ｅ）参照）を更に備えてもよい。レジスト膜８ａは、例えば、工程ａ３において現像に使用したアルカリ性現像液よりも更に強いアルカリ性の水溶液を用いることで除去することができる。レジスト膜８ａの除去方式としては、浸漬方式、スプレー方式等が挙げられる。
【0176】
また、図示しないが、例えば、導体配線１１の基板４とは反対側に位置する上面Ｓ１と、底面Ｓ２と上面Ｓ１との間に位置する一対の側面Ｓ３ａ，Ｓ３ｂと、の少なくとも一部に絶縁磁性被覆層を形成する工程を更に備えていてもよい。
【0177】
上記方法で得られる配線基板は、例えば、図４の（ｄ）の配線基板１００Ａ又は図４（ｅ）の配線基板１００Ｂに示されるように、基板４と、基板４の主面上に設けられた導体配線１１と、導体配線１１の周囲（基板４側に位置する底面Ｓ２）に設けられた絶縁磁性被覆層１２とを備える。
【0178】
導体配線１１の厚さは、例えば、１～５０μｍであり、５～５０μｍであってもよい。導体配線１１の幅は、例えば、５～３００μｍであってよい。
【0179】
信号伝搬のしやすさの観点から、絶縁磁性被覆層１２の厚さは、０．１～１００μｍであってもよく、０．２～３０μｍであってもよく、０．５～１０μｍであってもよい。
【0180】
本明細書において、絶縁磁性被覆層１２の厚さとは、絶縁磁性被覆層１２が導体配線１１と離れて設けられている場合は下記（ｉ）、絶縁磁性被覆層１２が導体配線１１と接するように設けられている場合は下記（ｉｉ）を意味する。
（ｉ）絶縁磁性被覆層１２の導体配線１１側の表面における点Ａと、この点Ａを通り、点Ａから導体配線１１までを最短距離で結ぶ線を延ばしたときに、絶縁磁性被覆層１２の導体配線１１側とは反対側の表面と交差する点Ｂ、との距離。
（ｉｉ）絶縁磁性被覆層１２と導体配線１１との界面に直交する方向における厚さ。
（ｉ）絶縁磁性被覆層１２の導体配線１１側の表面における点Ａと、この点Ａを通り、点Ａから導体配線１１までを最短距離で結ぶ線を延ばしたときに、絶縁磁性被覆層１２の導体配線１１側とは反対側の表面と交差する点Ｂ、との距離。
（ｉｉ）絶縁磁性被覆層１２と導体配線１１との界面に直交する方向における厚さ。
【0181】
上記方法では、工程ａ１において、積層体１０Ａに代えて積層体１０Ｂ（キャリア付き配線形成用導体シート）を用いてもよい。この場合、積層体１０Ｂを基板４に貼り付けた後に、キャリア３を剥離除去してよい。
【0182】
（第二実施形態）
図５及び図６は、第二実施形態の導体配線の形成方法（セミアディティブプロセス）を説明するための模式断面図である。第二実施形態の導体配線の形成方法は、基板４を用意し、積層体１０Ｂを絶縁磁性層２側から基板４上に配置した後、キャリア３を剥離除去する工程ｂ１と、工程ｂ１を経て得られた積層体（積層体１０Ｃ’）の導体層１’側上に感光層７ｂを形成する工程ｂ２と、該感光層７ｂを所定のパターンで露光し、現像することにより、開口部Ｈ２を有するレジスト膜８ｂを形成する工程ｂ３と、積層体１０Ｃ’における、レジスト膜８ｂの開口部Ｈ２から露出する領域上にめっき層９を形成する工程ｂ４と、レジスト膜８ｂ及び導体層１’のレジスト膜８ｂ下に位置する部分を除去することにより導体配線１１’を形成する工程ｂ５と、を備える。
図５及び図６は、第二実施形態の導体配線の形成方法（セミアディティブプロセス）を説明するための模式断面図である。第二実施形態の導体配線の形成方法は、基板４を用意し、積層体１０Ｂを絶縁磁性層２側から基板４上に配置した後、キャリア３を剥離除去する工程ｂ１と、工程ｂ１を経て得られた積層体（積層体１０Ｃ’）の導体層１’側上に感光層７ｂを形成する工程ｂ２と、該感光層７ｂを所定のパターンで露光し、現像することにより、開口部Ｈ２を有するレジスト膜８ｂを形成する工程ｂ３と、積層体１０Ｃ’における、レジスト膜８ｂの開口部Ｈ２から露出する領域上にめっき層９を形成する工程ｂ４と、レジスト膜８ｂ及び導体層１’のレジスト膜８ｂ下に位置する部分を除去することにより導体配線１１’を形成する工程ｂ５と、を備える。
【0183】
［工程ｂ１］
工程ｂ１では、例えば、積層体１０Ｂを絶縁磁性層２側から基板４に貼り付けた後、キャリア３を剥離除去することで積層体１０Ｃ’を得る（図５の（ａ）参照）。積層体１０Ｂの絶縁磁性層２’が未硬化の硬化性樹脂組成物からなる層である場合には、工程ｂ１では、積層体１０Ｂを基板４に貼り付けた後に、絶縁磁性層２’を硬化させてよい。また、基板４と積層体１０Ｂとの間に他の材料（例えば粘着剤フィルム等）を介在させてもよい。基板４は、第一実施形態の工程ａで使用される基板と同じであり、配線基板の形成に用いられる公知の基板を使用可能である。
工程ｂ１では、例えば、積層体１０Ｂを絶縁磁性層２側から基板４に貼り付けた後、キャリア３を剥離除去することで積層体１０Ｃ’を得る（図５の（ａ）参照）。積層体１０Ｂの絶縁磁性層２’が未硬化の硬化性樹脂組成物からなる層である場合には、工程ｂ１では、積層体１０Ｂを基板４に貼り付けた後に、絶縁磁性層２’を硬化させてよい。また、基板４と積層体１０Ｂとの間に他の材料（例えば粘着剤フィルム等）を介在させてもよい。基板４は、第一実施形態の工程ａで使用される基板と同じであり、配線基板の形成に用いられる公知の基板を使用可能である。
【0184】
［工程ｂ２］
工程ｂ２では、積層体１０Ｃ’の導体層１’側上に感光層７ｂを形成する（図５の（ｂ）参照）。感光層７ｂ及びその形成方法の詳細は、第一実施形態の工程ａ２における感光層７ａ及びその形成方法と同様である。
工程ｂ２では、積層体１０Ｃ’の導体層１’側上に感光層７ｂを形成する（図５の（ｂ）参照）。感光層７ｂ及びその形成方法の詳細は、第一実施形態の工程ａ２における感光層７ａ及びその形成方法と同様である。
【0185】
感光層７ｂの厚さは、目的とする導体配線１１’の厚さに応じて適宜設定してよい。感光層７ｂの厚さは、例えば、１０～１００μｍである。
【0186】
［工程ｂ３］
工程ｂ３では、感光層７ｂを所定のパターンで露光し、現像することにより、開口部Ｈ２を有するレジスト膜８ｂを形成する（図５の（ｃ）参照）。露光方法及び現像方法の詳細は、第一実施形態の工程ａ３と同様である。
工程ｂ３では、感光層７ｂを所定のパターンで露光し、現像することにより、開口部Ｈ２を有するレジスト膜８ｂを形成する（図５の（ｃ）参照）。露光方法及び現像方法の詳細は、第一実施形態の工程ａ３と同様である。
【0187】
［工程ｂ４］
工程ｂ４では、積層体１０Ｃ’における、レジスト膜８ｂの開口部Ｈ２から露出する領域上にめっき層９を形成する（図６の（ｄ）参照）。めっきの方法は、特に制限されないが、例えば、電解めっき、無電解めっき又はスパッタリングを用いる方法であってよい。
工程ｂ４では、積層体１０Ｃ’における、レジスト膜８ｂの開口部Ｈ２から露出する領域上にめっき層９を形成する（図６の（ｄ）参照）。めっきの方法は、特に制限されないが、例えば、電解めっき、無電解めっき又はスパッタリングを用いる方法であってよい。
【0188】
［工程ｂ５］
工程ｂ５では、レジスト膜８ｂ及び導体層１’のレジスト膜８ｂ下に位置する部分を除去することにより、絶縁磁性被覆層１２’で被覆された導体配線１１’を形成する（図６の（ｅ）及び（ｆ）参照）。レジスト膜の除去方法の詳細は、第一実施形態の工程ａ５と同様である。導体層１’の除去には、機械式ドリル、レーザー、エッチング、サンドブラスト等を用いた方法を適用できる。エッチングは、例えば、塩化第二銅溶液、塩化第二鉄溶液等の公知のエッチング液を用いたウェットエッチングであってよい。ウェットエッチングにより導体層１’を除去する場合、工程ｂ４で形成されためっき層９の一部も同時に除去されるため、レジスト膜の厚さを調整することにより、工程ｂ４で形成されるめっき層９の厚さを厚めに形成しておくことが好ましい。
工程ｂ５では、レジスト膜８ｂ及び導体層１’のレジスト膜８ｂ下に位置する部分を除去することにより、絶縁磁性被覆層１２’で被覆された導体配線１１’を形成する（図６の（ｅ）及び（ｆ）参照）。レジスト膜の除去方法の詳細は、第一実施形態の工程ａ５と同様である。導体層１’の除去には、機械式ドリル、レーザー、エッチング、サンドブラスト等を用いた方法を適用できる。エッチングは、例えば、塩化第二銅溶液、塩化第二鉄溶液等の公知のエッチング液を用いたウェットエッチングであってよい。ウェットエッチングにより導体層１’を除去する場合、工程ｂ４で形成されためっき層９の一部も同時に除去されるため、レジスト膜の厚さを調整することにより、工程ｂ４で形成されるめっき層９の厚さを厚めに形成しておくことが好ましい。
【0189】
図６の（ｆ）に示されるように、工程ｂ５では、導体層１’とともに、絶縁磁性層２’におけるレジスト膜８ｂ下に位置する部分を除去してもよい。絶縁磁性層２’は、導体層１’と同様にして除去することができる。絶縁磁性層２’の除去は、導体層１’の除去と同時に実施してよく、導体層１’の除去後に実施してもよい。なお、絶縁磁性層２’におけるレジスト膜８ｂ下に位置する部分は除去されずに基板４上に残ってもよい。
【0190】
以上の操作により、図６の（ｆ）に示す配線基板１００Ｃが得られる。配線基板１００Ｃの詳細は、導体配線１１’が、導体層１’とめっき層９とによって構成されることを除き、配線基板１００Ｂと同様である。
【0191】
上記方法では、工程ｂ１において、積層体１０Ｂに代えて積層体１０Ａ（キャリアを有しない配線形成用導体シート）を用いてもよい。
【0192】
以上、本発明のいくつかの実施形態に係る積層体（配線形成用導電性シート及びキャリア付き配線形成用導電性シート）、並びに、導体配線の形成方法及び配線基板の製造方法について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。
【0193】
【0194】
図７の（ａ）に示す積層体１０Ｃは、導体層１と、導体層１上に位置する絶縁磁性層２と、絶縁磁性層２の導体層１とは反対側上に位置する基板４と、を備える。積層体１０Ｃは、上記配線基板の製造方法に用いられる。積層体１０Ｃは、上記工程（ａ１）に例示した方法の他、基板４上に絶縁磁性層２を形成した後、絶縁磁性層２上に導体層１を形成する方法等によって得ることができるが、上記積層体１０Ａ（配線形成用導電性シート）又は積層体１０Ｂ（キャリア付き配線形成用導電性シート）を用いる場合、絶縁磁性層２と導体層１との間にシワが発生することを抑制しやすい。
【0195】
図７の（ｂ）に示す積層体５０Ｄは、導体層１と、導体層１上に位置する絶縁磁性層２（第１の絶縁磁性層）と、絶縁磁性層２の導体層１とは反対側上に位置する基板４と、基板４の絶縁磁性層２とは反対側上に位置する第２の絶縁磁性層５と、を備える。積層体１０Ｄは、上記配線基板の製造方法に用いられる。換言すれば、上記配線基板の製造方法において、積層体１０Ｃの代わりに積層体１０Ｄを用いることで、高周波帯の伝送損失を抑制できる配線基板を得ることができる。積層体１０Ｄの第２の絶縁磁性層５は第１の絶縁磁性層２と同様にして形成できる。
【0196】
図７の（ｃ）に示す積層体５０Ｅは、導体層１（第１の導体層）と、導体層１上に位置する絶縁磁性層２と、絶縁磁性層２の導体層１とは反対側上に位置する基板４と、基板４の絶縁磁性層２とは反対側上に位置する第２の導体層６と、を備える。積層体１０Ｅは、上記配線基板の製造方法に用いられる。換言すれば、上記配線基板の製造方法において、積層体１０Ｃの代わりに積層体１０Ｅを用いることで、高周波帯の伝送損失を抑制できる配線基板を得ることができる。積層体１０Ｅの第２の導体層６は第１の導体層１と同様にして形成できる。
【0197】
図７の（ｄ）に示す積層体５０Ｆは、導体層１（第１の導体層）と、導体層１上に位置する絶縁磁性層２（第１の絶縁磁性層）と、絶縁磁性層２の導体層１とは反対側上に位置する基板４と、基板４の絶縁磁性層２とは反対側上に位置する第２の絶縁磁性層５と、第２の絶縁磁性層５の基板４とは反対側上に位置する第２の導体層６と、を備える。積層体１０Ｆは、上記配線基板の製造方法に用いられる。換言すれば、上記配線基板の製造方法において、積層体１０Ｃの代わりに積層体１０Ｆを用いることで、高周波帯の伝送損失を抑制できる配線基板を得ることができる。積層体１０Ｆの第２の導体層６及び第２の絶縁磁性層５は、それぞれ第１の導体層１及び第１の絶縁磁性層２と同様にして形成できる。
【実施例0198】
以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
【0199】
＜比較例１＞
基板であるプリプレグ（商品名：ＧＥＡ－７０５Ｇ、昭和電工マテリアルズ株式会社製、厚さ：２５μｍ）を、銅箔と貼り合わせることで、積層体Ａ（基板／銅箔）を得た。
基板であるプリプレグ（商品名：ＧＥＡ－７０５Ｇ、昭和電工マテリアルズ株式会社製、厚さ：２５μｍ）を、銅箔と貼り合わせることで、積層体Ａ（基板／銅箔）を得た。
【0200】
次に、積層体Ａの銅箔側上にネガ型の感光性樹脂組成物溶液（商品名：ＰＭＥＲ Ｐ－ＬＡ９００ＰＭ、東京応化工業株式会社製）を塗布することにより、感光層（厚さ：５０μｍ）を形成した。次いで、露光部が幅１９０μｍの配線パターンとなるように、感光層をパターン露光し、現像した。現像液としては、ＰＭＥＲ現像液Ｐ－７Ｇ（東京応化工業株式会社製）を用いた。これにより、銅箔上に、開口部を有するレジスト膜を形成した。このレジスト膜は、開口部以外の部分が幅１９０μｍの配線パターンを有する。
【0201】
次に、ＣＰＥ－７００（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）を用いて、積層体Ａの銅箔のうち、上記レジスト膜の開口部と積層体Ａの基板との間に位置する部分を除去した後、メチルエチルケトンを用いてレジスト膜を除去した。こうして、基板と、基板上に設けられた導体配線（厚さ：３０μｍ、幅：１９０μｍ）と、を備える配線基板を得た。
【0202】
＜実施例１＞
（絶縁磁性層形成用組成物の調製）
表１に示す組成で配合された軟膏容器内の全原料を、自公転撹拌機（シンキー株式会社製、「ＡＲＥ－５００」）で攪拌・混合することにより、バインダ樹脂ワニスＩを得た。なお、攪拌・混合工程では、先ず、自公転撹拌機の公転速度を２０００ｒｐｍに維持し、３００秒攪拌・混合した。次に、自公転撹拌機の公転を止めて、薬さじを用いて容器内の混合物を撹拌した後、再び自公転撹拌機の公転速度を２０００ｒｐｍに維持し、１２０秒攪拌・混合した。
（絶縁磁性層形成用組成物の調製）
表１に示す組成で配合された軟膏容器内の全原料を、自公転撹拌機（シンキー株式会社製、「ＡＲＥ－５００」）で攪拌・混合することにより、バインダ樹脂ワニスＩを得た。なお、攪拌・混合工程では、先ず、自公転撹拌機の公転速度を２０００ｒｐｍに維持し、３００秒攪拌・混合した。次に、自公転撹拌機の公転を止めて、薬さじを用いて容器内の混合物を撹拌した後、再び自公転撹拌機の公転速度を２０００ｒｐｍに維持し、１２０秒攪拌・混合した。
【0203】
【表1】
【0204】
表１に示す各成分の詳細を以下に示す。
・ＹＤＦ－８１７０Ｃ：日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社製の商品名、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂
・ｊＥＲキュアＷＡ（「ｊＥＲキュア」は登録商標）：三菱ケミカル株式会社製の商品名、アミン系エポキシ樹脂硬化剤
・２Ｅ４ＭＺ：四国化成株式会社製の硬化促進剤、２－エチル－４－メチルイミダゾール
・テイサンレジン ＨＴＲ－８６０－Ｐ３：ナガセケムテックス株式会社製の商品名、アクリル樹脂（シクロヘキサノン溶液）
・ＫＢＭ－５７３：信越シリコーン株式会社製の商品名、Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン
・ＹＤＦ－８１７０Ｃ：日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社製の商品名、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂
・ｊＥＲキュアＷＡ（「ｊＥＲキュア」は登録商標）：三菱ケミカル株式会社製の商品名、アミン系エポキシ樹脂硬化剤
・２Ｅ４ＭＺ：四国化成株式会社製の硬化促進剤、２－エチル－４－メチルイミダゾール
・テイサンレジン ＨＴＲ－８６０－Ｐ３：ナガセケムテックス株式会社製の商品名、アクリル樹脂（シクロヘキサノン溶液）
・ＫＢＭ－５７３：信越シリコーン株式会社製の商品名、Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン
【0205】
次に、バインダ樹脂ワニスＩを８．５質量部と、磁性粉（ＳＡＰ－２Ｄ（Ｃ）：新東工業製）を７３質量部とを計り取り、これらを５０ｍｌの軟膏容器に容れた。軟膏容器内のバインダ樹脂ワニスＩ及び磁性粉を、自公転撹拌機を用いて公転速度２０００ｒｐｍで４５秒撹拌した。次に、自公転撹拌機の公転を止めて、薬さじを用いて容器内の混合物を撹拌後、自公転撹拌機の公転速度２０００ｒｐｍで４５秒２回撹拌した。これにより、ペースト状の絶縁磁性層形成用組成物を得た。
【0206】
（配線形成用導電シート及び配線基板の作製）
上記で得られた絶縁磁性層形成用組成物を、銅箔（厚さ：３０μｍ）の表面にスピンコートによって塗布し、乾燥し、硬化した。これにより、銅箔上に絶縁磁性層（厚さ：５μｍ）を形成し、配線形成用導電シートを得た。次いで、配線形成用導電シートを、基板であるプリプレグ（商品名：ＧＥＡ-７０５Ｇ、昭和電工マテリアルズ株式会社製、厚さ：２５μｍ）に、上記絶縁磁性層の銅箔とは反対側から貼り合わせることで、積層体Ｂ（基板／絶縁磁性層／銅箔）を得た。
上記で得られた絶縁磁性層形成用組成物を、銅箔（厚さ：３０μｍ）の表面にスピンコートによって塗布し、乾燥し、硬化した。これにより、銅箔上に絶縁磁性層（厚さ：５μｍ）を形成し、配線形成用導電シートを得た。次いで、配線形成用導電シートを、基板であるプリプレグ（商品名：ＧＥＡ-７０５Ｇ、昭和電工マテリアルズ株式会社製、厚さ：２５μｍ）に、上記絶縁磁性層の銅箔とは反対側から貼り合わせることで、積層体Ｂ（基板／絶縁磁性層／銅箔）を得た。
【0207】
次に、積層体Ｂの銅箔側上に、比較例１と同様にして、銅箔上に、開口部以外の部分が幅１９０μｍの配線パターンを有するレジスト膜を形成した。次に、比較例１と同様にして、積層体Ｂの銅箔及び絶縁磁性層のうち、上記レジスト膜の開口部と積層体Ｂの基板との間に位置する部分を除去した後、メチルエチルケトンを用いてレジスト膜を除去した。こうして、基板と、基板上に設けられた導体配線（厚さ：３０μｍ、幅：１９０μｍ）と、導体配線の底面を被覆する厚さ５μｍの絶縁磁性被覆層と、を備える配線基板を得た。
【0208】
次に、上記で得られた絶縁磁性層形成用組成物を、ＰＥＴフィルムの表面にバーコーターによって塗布することで、ＰＥＴフィルム上に絶縁磁性層形成用組成物からなるシートを形成した。得られたシートを、上記で得られた配線基板の導体配線が形成されている領域上にラミネートすることで、当該領域上に絶縁磁性層形成用組成物からなる層を形成し、導体配線の上面及び一対の側面を被覆した。
【0209】
次に、絶縁磁性層形成用組成物を硬化させて絶縁磁性層（厚さ：５μｍ）を形成した後、該絶縁磁性層の基板とは反対側上に、上記と同様にして、感光層を形成した。次いで、感光層の、導体配線上に位置する部分を露光し、現像した。現像液としては、ＰＭＥＲ現像液Ｐ－７Ｇ（東京応化工業株式会社製）を用いた。これにより、導体配線上に位置する部分以外の部分に開口部を有するレジスト膜を形成した。
【0210】
次に、ＣＰＥ－７００（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）を用いて、導体配線を被覆する絶縁磁性層のうち、上記レジスト膜の開口部と基板との間に位置する部分を除去した後、メチルエチルケトンを用いてレジスト膜を除去した。こうして、基板と、基板上に設けられた導体配線（厚さ：３０μｍ、幅：１９０μｍ）と、導体配線の底面及び上面を被覆する厚さ５μｍの絶縁磁性被覆層と、を備える配線基板を得た。
【0211】
＜配線基板の伝送損失の評価＞
上記で作製した配線基板の伝送損失について、トリプレート線路共振器法により評価した。なお、トリプレート線路共振器法には、ベクトル型ネットワークアナライザー（キーサイト・テクノロジー社製、Ｅ８３６４Ｂ）を用いた。測定条件は、ライン幅：０．１５ｍｍ、ライン長：１０ｍｍ、特性インピーダンス：約５０Ω、周波数：１０、３０、５０ＧＨｚ、測定温度：２５℃とした。実施例１では、比較例１の測定値よりも伝送損失が小さくなったことが確認された。
上記で作製した配線基板の伝送損失について、トリプレート線路共振器法により評価した。なお、トリプレート線路共振器法には、ベクトル型ネットワークアナライザー（キーサイト・テクノロジー社製、Ｅ８３６４Ｂ）を用いた。測定条件は、ライン幅：０．１５ｍｍ、ライン長：１０ｍｍ、特性インピーダンス：約５０Ω、周波数：１０、３０、５０ＧＨｚ、測定温度：２５℃とした。実施例１では、比較例１の測定値よりも伝送損失が小さくなったことが確認された。
【符号の説明】
【0212】
１…導体層、２…絶縁磁性層、３…キャリア、４…基板、７ａ…感光層、８ａ…レジスト膜、１０Ａ…積層体（配線形成用導体シート）、１０Ｂ…積層体（キャリア付き配線形成用導体シート）、１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆ…積層体、１１…導体配線、１２…絶縁磁性被覆層、１００Ａ，１００Ｂ…配線基板、Ｈ１…開口部。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】