ホーム > 特許ランキング > 日亜化学工業株式会社
知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024065281
(43)【公開日】2024-05-15
(54)【発明の名称】発光装置およびその製造方法
(51)【国際特許分類】
H01S 5/0233 20210101AFI20240508BHJP
H01S 5/02335 20210101ALI20240508BHJP
H01S 5/0234 20210101ALI20240508BHJP
H01S 5/02355 20210101ALI20240508BHJP
H01S 5/183 20060101ALI20240508BHJP
【ＦＩ】
H01S5/0233
H01S5/02335
H01S5/0234
H01S5/02355
H01S5/183
【審査請求】未請求
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022174053
(22)【出願日】2022-10-31
(71)【出願人】
【識別番号】000226057
【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100101683
【弁理士】
【氏名又は名称】奥田 誠司
(74)【代理人】
【識別番号】100155000
【弁理士】
【氏名又は名称】喜多 修市
(74)【代理人】
【識別番号】100184985
【弁理士】
【氏名又は名称】田中 悠
(74)【代理人】
【識別番号】100202197
【弁理士】
【氏名又は名称】村瀬 成康
(74)【代理人】
【識別番号】100218981
【弁理士】
【氏名又は名称】武田 寛之
(72)【発明者】
【氏名】宮田 忠明
(72)【発明者】
【氏名】木村 圭宏
【テーマコード（参考）】
5F173
【Ｆターム（参考）】
5F173MC01
5F173MD58
5F173MD62
5F173MD63
5F173MD64
5F173MD65
5F173MD84
5F173ME44
5F173ME47
(57)【要約】
【課題】小型化が可能な発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置は、複数の導電部材が設けられた主面を有する支持基板と、支持基板の主面に支持された第１の面発光型レーザ素子と、フレキシブルプリント基板とを有する。第１の面発光型レーザ素子は、支持基板側の第１下面および第１下面と反対側の第１上面を有し、第１上面は第１の光を出射する第１出射領域を含み、第１上面に設けられた複数の第１電極を有する。フレキシブルプリント基板は、第１の面発光型レーザ素子の第１上面および支持基板の主面に接続され、第１電極と導電部材とを電気的に接続する配線層を有する。
【選択図】図２
【解決手段】発光装置は、複数の導電部材が設けられた主面を有する支持基板と、支持基板の主面に支持された第１の面発光型レーザ素子と、フレキシブルプリント基板とを有する。第１の面発光型レーザ素子は、支持基板側の第１下面および第１下面と反対側の第１上面を有し、第１上面は第１の光を出射する第１出射領域を含み、第１上面に設けられた複数の第１電極を有する。フレキシブルプリント基板は、第１の面発光型レーザ素子の第１上面および支持基板の主面に接続され、第１電極と導電部材とを電気的に接続する配線層を有する。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数の導電部材が設けられた主面を有する支持基板と、
前記支持基板の前記主面に支持された第１の面発光型レーザ素子であって、前記支持基板側の第１下面および前記第１下面と反対側の第１上面を有し、前記第１上面は第１の光を出射する第１出射領域を含み、前記第１上面に設けられた複数の第１電極を有する、第１の面発光型レーザ素子と、
前記第１の面発光型レーザ素子の前記第１上面および前記支持基板の前記主面に接続され、前記第１電極と前記導電部材とを電気的に接続する配線層を有するフレキシブルプリント基板と
を有する、発光装置。
前記支持基板の前記主面に支持された第１の面発光型レーザ素子であって、前記支持基板側の第１下面および前記第１下面と反対側の第１上面を有し、前記第１上面は第１の光を出射する第１出射領域を含み、前記第１上面に設けられた複数の第１電極を有する、第１の面発光型レーザ素子と、
前記第１の面発光型レーザ素子の前記第１上面および前記支持基板の前記主面に接続され、前記第１電極と前記導電部材とを電気的に接続する配線層を有するフレキシブルプリント基板と
を有する、発光装置。
【請求項2】
前記第１の面発光型レーザ素子の活性層は、前記第１下面よりも前記第１上面に近く配置されている、請求項１に記載の発光装置。
【請求項3】
前記第１の面発光型レーザ素子の前記第１下面は、接合層を介して前記支持基板の前記主面に接合されている、請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項4】
前記フレキシブルプリント基板は、前記主面の法線方向からみた平面視において、前記第１出射領域を露出する開口部を有する、請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項5】
前記フレキシブルプリント基板は、前記第１の面発光型レーザ素子の前記第１上面における前記第１出射領域以外の領域を少なくとも部分的に覆っている、請求項４に記載の発光装置。
【請求項6】
前記フレキシブルプリント基板は、前記第１の面発光型レーザ素子の前記第１上面の上に配置される第１部分と、前記第１部分以外の第２部分とを有し、
前記支持基板の前記主面の法線方向からみた平面視において、前記第２部分の面積は前記第１部分の面積よりも大きい、請求項１または２に記載の発光装置。
前記支持基板の前記主面の法線方向からみた平面視において、前記第２部分の面積は前記第１部分の面積よりも大きい、請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項7】
前記第１上面は、複数の前記第１出射領域を含み、
前記複数の第１電極のそれぞれは、前記複数の第１出射領域のいずれかから前記第１の光を出射させるように設けられており、
前記複数の第１電極のそれぞれは、前記複数の導電部材のうちの対応する導電部材と電気的に接続される、請求項１または２に記載の発光装置。
前記複数の第１電極のそれぞれは、前記複数の第１出射領域のいずれかから前記第１の光を出射させるように設けられており、
前記複数の第１電極のそれぞれは、前記複数の導電部材のうちの対応する導電部材と電気的に接続される、請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項8】
前記支持基板の前記主面に支持された第２の面発光型レーザ素子であって、前記支持基板側の第２下面および前記第２下面と反対側の第２上面を有し、前記第２上面は第２の光を出射する第２出射領域を含み、前記第２下面に設けられた複数の第２電極を有する、第２の面発光型レーザ素子をさらに有する、請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項9】
前記第２の面発光型レーザ素子の活性層は、前記第２上面よりも前記第２下面に近く配置されている、請求項８に記載の発光装置。
【請求項10】
前記第２電極は、前記支持基板の前記主面に設けられた複数の他の導電部材と電気的に接合されている、請求項８に記載の発光装置。
【請求項11】
前記支持基板の前記主面に支持された第３の面発光型レーザ素子であって、前記支持基板側の第３下面および前記第３下面と反対側の第３上面を有し、前記第３上面は第３の光を出射する第３出射領域を含み、前記第３下面に設けられた第３電極を有する、第３の面発光型レーザ素子をさらに有する、請求項８に記載の発光装置。
【請求項12】
前記第１の光は、赤色の光であり、
前記第２の光は、青色または緑色の一方の光であり、
前記第３の光は、青色または緑色の他方の光である、請求項１１に記載の発光装置。
前記第２の光は、青色または緑色の一方の光であり、
前記第３の光は、青色または緑色の他方の光である、請求項１１に記載の発光装置。
【請求項13】
第１下面および前記第１下面と反対側の第１上面を有し、前記第１上面は第１の光を出射する第１出射領域を含み、前記第１上面に設けられた複数の第１電極を有する、第１の面発光型レーザ素子を用意する工程と、
主面を有する支持基板を用意する工程と、
配線層を有するフレキシブルプリント基板を用意する工程と、
前記第１電極が前記配線層に電気的に接続されるように、前記第１の面発光型レーザ素子の前記第１上面を前記フレキシブルプリント基板に接合する工程と、
前記第１上面に前記フレキシブルプリント基板が接合された前記第１の面発光型レーザ素子の前記第１下面を、接合層を介して前記支持基板の前記主面に接合する工程と、
前記第１電極と前記支持基板の前記主面に設けられた複数の導電部材とが前記配線層を介して電気的に接続されるように、前記フレキシブルプリント基板と前記支持基板の前記主面とを接合する工程と
を含む、発光装置の製造方法。
主面を有する支持基板を用意する工程と、
配線層を有するフレキシブルプリント基板を用意する工程と、
前記第１電極が前記配線層に電気的に接続されるように、前記第１の面発光型レーザ素子の前記第１上面を前記フレキシブルプリント基板に接合する工程と、
前記第１上面に前記フレキシブルプリント基板が接合された前記第１の面発光型レーザ素子の前記第１下面を、接合層を介して前記支持基板の前記主面に接合する工程と、
前記第１電極と前記支持基板の前記主面に設けられた複数の導電部材とが前記配線層を介して電気的に接続されるように、前記フレキシブルプリント基板と前記支持基板の前記主面とを接合する工程と
を含む、発光装置の製造方法。
【請求項14】
前記フレキシブルプリント基板は、開口部を有し、
前記第１上面を前記フレキシブルプリント基板に接合する工程において、前記第１出射領域が前記開口部によって露出されるように、前記第１上面を前記フレキシブルプリント基板に接合する、請求項１３に記載の発光装置の製造方法。
前記第１上面を前記フレキシブルプリント基板に接合する工程において、前記第１出射領域が前記開口部によって露出されるように、前記第１上面を前記フレキシブルプリント基板に接合する、請求項１３に記載の発光装置の製造方法。
【請求項15】
前記第１上面を前記フレキシブルプリント基板に接合する工程において、前記第１上面と前記配線層とが対向するように、前記第１の面発光型レーザ素子よりも鉛直方向下方に配置した前記フレキシブルプリント基板に、前記第１上面を接合する、請求項１３または１４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項16】
前記第１下面を前記支持基板の前記主面に接合する工程において、前記第１下面と前記主面とが対向するように、前記第１の面発光型レーザ素子よりも鉛直方向下方に配置した前記支持基板に、前記第１下面を接合する、請求項１３または１４に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、発光装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
垂直共振器面発光レーザ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｃａｖｉｔｙ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｓｅｒ；以下、「ＶＣＳＥＬ」と称する。）素子を備える発光装置が、特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００９－１４６９７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ＶＣＳＥＬ素子のような面発光型レーザ素子を備える発光装置の小型化が求められている。
【0005】
本開示は、小型化が可能な発光装置およびそのような発光装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の発光装置は、例示的な実施形態において、複数の導電部材が設けられた主面を有する支持基板と、前記支持基板の前記主面に支持された第１の面発光型レーザ素子であって、前記支持基板側の第１下面および前記第１下面と反対側の第１上面を有し、前記第１上面は第１の光を出射する第１出射領域を含み、前記第１上面に設けられた複数の第１電極を有する、第１の面発光型レーザ素子と、前記第１の面発光型レーザ素子の前記第１上面および前記支持基板の前記主面に接続され、前記第１電極と前記導電部材とを電気的に接続する配線層を有するフレキシブルプリント基板とを有する。
【0007】
本開示の発光装置の製造方法は、例示的な実施形態において、第１下面および前記第１下面と反対側の第１上面を有し、前記第１上面は第１の光を出射する第１出射領域を含み、前記第１上面に設けられた複数の第１電極を有する、第１の面発光型レーザ素子を用意する工程と、主面を有する支持基板を用意する工程と、配線層を有するフレキシブルプリント基板を用意する工程と、前記第１電極が前記配線層に電気的に接続されるように、前記第１の面発光型レーザ素子の前記第１上面を前記フレキシブルプリント基板に接合する工程と、前記第１上面に前記フレキシブルプリント基板が接合された前記第１の面発光型レーザ素子の前記第１下面を、接合層を介して前記支持基板の前記主面に接合する工程と、前記第１電極と前記支持基板の前記主面に設けられた複数の導電部材とが前記配線層を介して電気的に接続されるように、前記フレキシブルプリント基板と前記支持基板の前記主面とを接合する工程とを含む。
【発明の効果】
【0008】
本開示の実施形態によれば、小型化が可能な発光装置およびその製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、図面を参照しながら、本開示の実施形態による発光装置を説明する。複数の図面に表れる同一符号の部分は同一または同等の部分を示す。
【0011】
以下は、本発明の技術思想を具体化するために例示しているのであって、本発明を以下に限定しない。また、構成要素のサイズ、材質、形状、その相対的配置などの記載は、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、例示することを意図している。各図面が示す部材の大きさや位置関係などは、理解を容易にするなどのために誇張している場合がある。
【0012】
また、本明細書または特許請求の範囲において、ある構成要素に関し、これに該当する構成要素が複数あり、それぞれを区別して表現する場合に、その構成要素の頭に“第１”、“第２”と付記して区別することがある。本明細書と特許請求の範囲とで区別する対象や観点が異なる場合、本明細書と特許請求の範囲との間で、同一の付記が、同一の対象を指さない場合がある。
【0013】
【0014】
図１は、本実施形態による発光装置１００Ａの構成例を模式的に示す上面図である。図２は、発光装置１００Ａの模式的な断面図であり、図１のＡ－Ａ線に沿った断面図である。図面では、参考のために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸が模式的に示されている。Ｘ軸の矢印の方向を＋Ｘ方向と称し、その反対の方向を－Ｘ方向と称する。±Ｘ方向を区別しない場合、単にＸ方向と称する。±Ｙ方向および±Ｚ方向についても同様である。
【0015】
図１および図２に例示する発光装置１００Ａは、主面１０ｓ１を有する支持基板１０と、支持基板１０の主面１０ｓ１に支持された複数の面発光型レーザ素子２０ａ、２０ｂ、および２０ｃとを有する。以下、面発光型レーザ素子２０ａ、２０ｂ、および２０ｃを総称して、「面発光型レーザ素子２０」ということがある。また、それぞれを区別するため、「第１の面発光型レーザ素子２０ａ」、「第２の面発光型レーザ素子２０ｂ」、および「第３の面発光型レーザ素子２０ｃ」ということがある。なお、第２の面発光型レーザ素子２０ｂおよび第３の面発光型レーザ素子２０ｃは、必須ではなく、いずれか一方または両方が省略されてもよい。
【0016】
本実施形態において、支持基板１０に対する第１の面発光型レーザ素子２０ａの実装の向きは、支持基板１０に対する第２の面発光型レーザ素子２０ｂおよび第３の面発光型レーザ素子２０ｃの実装の向きとは反対である。のちに詳しく説明するように、第１の面発光型レーザ素子２０ａの実装の向きは、「フェイスアップ」と呼ばれる。これに対して、第２の面発光型レーザ素子２０ｂおよび第３の面発光型レーザ素子２０ｃの実装の向きは、「フェイスダウン」と呼ばれる。本実施形態においては、後述する図９および図１０に示すように、第１の面発光型レーザ素子２０ａの複数の第１電極２２ａ、第２の面発光型レーザ素子２０ｂの複数の第２電極２２ｂおよび第３の面発光型レーザ素子２０ｃの複数の第３電極２２ｃが、半導体基板２０１（図９、図１０参照）側ではなく、半導体基板２０１とは反対側に配置されている。本実施形態においては、第１の面発光型レーザ素子２０ａの複数の第１電極２２ａは、第１の面発光型レーザ素子２０ａの第１上面２０ａｓ１に設けられており、第２の面発光型レーザ素子２０ｂの複数の第２電極２２ｂは、第２の面発光型レーザ素子２０ｂの第２下面２０ｂｓ２に設けられており、第３の面発光型レーザ素子２０ｃの複数の第３電極２２ｃは、第３の面発光型レーザ素子２０ｃの第３下面２０ｃｓ２に設けられている。
【0017】
支持基板１０の主面１０ｓ１には、第１の面発光型レーザ素子２０ａに電気的に接続される複数の導電部材１８ａと、第２の面発光型レーザ素子２０ｂに電気的に接続される複数の導電部材１８ｂと、第３の面発光型レーザ素子２０ｃに電気的に接続される複数の導電部材１８ｃとが設けられている。複数の導電部材１８ａ、１８ｂおよび１８ｃを総称して、「複数の導電部材１８」ということがある。
【0018】
発光装置１００Ａは、第１の面発光型レーザ素子２０ａを複数の導電部材１８ａに電気的に接続するフレキシブルプリント基板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ：ＦＰＣ）５０をさらに有している。フレキシブルプリント基板５０の構成例の詳細については、後述する。
【0019】
第１の面発光型レーザ素子２０ａは、支持基板１０側の第１下面２０ａｓ２と、第１下面２０ａｓ２と反対側の第１上面２０ａｓ１とを有する。面発光型レーザ素子２０ａは、第１上面２０ａｓ１に設けられた複数の第１電極２２ａを有する。フレキシブルプリント基板５０は、面発光型レーザ素子２０ａの第１上面２０ａｓ１と支持基板１０の主面１０ｓ１とに接続され、複数の第１電極２２ａと複数の導電部材１８ａとを電気的に接続する配線層を有する。複数の導電部材１８ａは、支持基板１０が有する複数の配線を介して、発光装置の外部の給電装置に電気的に接続され得る。給電用の複数の導電部材１８ａが、フレキシブルプリント基板５０を介して、面発光型レーザ素子２０ａの複数の第１電極２２ａと電気的に接続されることによって、面発光型レーザ素子２０ａを給電できる。フレキシブルプリント基板５０は、後述するように、配線層を支持するフレキシブル基材を有しており、配線層に含まれる複数の配線のピッチは５０μｍ以下であり得る。
【0020】
本明細書において、支持基板１０の主面１０ｓ１（「上面１０ｓ１」ということがある。）の法線方向を「上方」と称し、主面１０ｓ１の法線方向から見ることを「上面視」と称することがある。本明細書において、「平行」とは、厳密に平行である場合だけでなく、－５°以上５°以下の角度のずれがある場合も含む。
【0021】
発光装置１００Ａは、面発光型レーザ素子２０ａの第１上面２０ａｓ１に設けられた複数の第１電極２２ａと、複数の導電部材１８ａとの電気的接続を、フレキシブルプリント基板５０を用いて行うので、複数のワイヤを用いる場合に比べて小型化することが可能である。これらの電気的接続を、フレキシブルプリント基板５０に代えて複数のワイヤを用いて行う場合、隣接するワイヤ間の距離（ピッチ）を例えば８０μｍ程度以上にする必要がある。
【0022】
特に、複数の出射領域（マルチエミッタ）を有する面発光型レーザ素子２０ａを用いた場合、フレキシブルプリント基板５０を用いることによって、例えば複数のワイヤを用いる場合に比べて、複数の出射領域を狭ピッチで配置することができる。出射領域の数が増えると、それに伴って面発光型レーザ素子２０ａが有する第１電極２２ａの数も増加するので、ワイヤを用いた場合、接続のための広いスペースが必要になり、発光装置の十分な小型化が難しい。これに対して、発光装置１００Ａでは、フレキシブルプリント基板５０を用いることによって、狭ピッチで配列された多数の第１電極２２ａを支持基板１０上の導電部材１８ａに接続することができる。その結果、面発光型レーザ素子２０ａの出射領域の個数増加、出射領域の集積（すなわち狭ピッチ化）を実現することが可能になる。
【0023】
第１の面発光型レーザ素子２０ａから出射される第１レーザ光、第２の面発光型レーザ素子２０ｂから出射される第２レーザ光、および、第３の面発光型レーザ素子２０ｃから出射される第３レーザ光の波長は、互いに異なり得る。例えば、第１レーザ光は赤色の光であり、第２レーザ光は緑色または青色の一方の光であり、第３レーザ光は緑色または青色の他方の光である。
【0024】
発光装置１００Ａは、図８に示す例のように、支持基板１０に固定されたキャップ６０をさらに有してもよい。図８は、発光装置１００Ａの他の構成例を模式的に示す断面図である。キャップ６０は、１または複数の面発光型レーザ素子２０を囲む側壁部６２と、側壁部６２に支持された蓋部６４とを有する。図示される例における側壁部６２は、面発光型レーザ素子２０ａ、２０ｂおよび２０ｃを囲む。支持基板１０およびキャップ６０によって、面発光型レーザ素子２０が気密に封止されていることが発光装置１００Ａの信頼性の観点から好ましい。このような気密封止の利点は、面発光型レーザ素子２０から出射されるレーザ光の波長が短くなるほど高くなる。レーザ光の波長が短くなると、当該レーザ光を出射する部分に集塵が生じやすくなり、その結果レーザ光の出力が低下するからである。
【0025】
キャップ６０は、例えば、側壁部６２および／または蓋部６４に、１または複数の面発光型レーザ素子２０から出射されるレーザ光を透過させる透光性領域を有する。図示される例では、蓋部６４が、面発光型レーザ素子２０ａから出射される第１レーザ光、面発光型レーザ素子２０ｂから出射される第２レーザ光、および、面発光型レーザ素子２０ｃから出射される第３レーザ光を透過させる透光性領域を有する。透光性領域は、少なくとも蓋部６４に設けられていることが好ましい。側壁部６２および蓋部６４の全てが透光性材料から形成されていてもよい。
【0026】
以下、各構成要素の詳細を説明する。なお、以下で説明する面発光型レーザ素子２０の数、各面発光型レーザ素子２０の発振波長、各面発光型レーザ素子２０が有する出射領域（エミッタ）の数および配置、各面発光型レーザ素子２０が有する発光領域の数および配置、各面発光型レーザ素子２０が有する電極の数、配置、および形状、支持基板１０が有する配線の数、配置、および形状、等はすべて例示である。面発光型レーザ素子２０の数は１または複数であり得る。面発光型レーザ素子２０の数が複数である場合、複数の面発光型レーザ素子２０の発振波長は互いに異なっていてもよいし、すべて同じであってもよい。あるいは、複数の面発光型レーザ素子２０のうちのいくつかの発振波長が同じであってもよい。各面発光型レーザ素子２０における出射領域の数は１または複数であり得る。出射領域の数が複数である場合、複数の出射領域は支持基板１０の上面１０ｓ１に沿って１次元的または２次元的に配置され得る。電極および配線における正極および負極の関係は逆であってもよい。
【0027】
［面発光型レーザ素子２０ａ］
図１、図２、図３Ａ、図３Ｂおよび図３Ｄを参照して面発光型レーザ素子２０ａの構成例を説明する。図３Ａは、発光装置１００Ａが有する面発光型レーザ素子２０ａの構成例を模式的に示す斜視図である。図３Ｂは、発光装置１００Ａが有する面発光型レーザ素子２０ａ、２０ｂおよび２０ｃを上方から（すなわち＋Ｚ方向から）見たときの模式的な平面図である。図３Ｄは、発光装置１００Ａが有する面発光型レーザ素子２０ａをより詳細に示す、上方から（すなわち＋Ｚ方向から）見たときの模式的な平面図である。
図１、図２、図３Ａ、図３Ｂおよび図３Ｄを参照して面発光型レーザ素子２０ａの構成例を説明する。図３Ａは、発光装置１００Ａが有する面発光型レーザ素子２０ａの構成例を模式的に示す斜視図である。図３Ｂは、発光装置１００Ａが有する面発光型レーザ素子２０ａ、２０ｂおよび２０ｃを上方から（すなわち＋Ｚ方向から）見たときの模式的な平面図である。図３Ｄは、発光装置１００Ａが有する面発光型レーザ素子２０ａをより詳細に示す、上方から（すなわち＋Ｚ方向から）見たときの模式的な平面図である。
【0028】
面発光型レーザ素子２０ａは、上面発光が可能な面発光型レーザ素子であり、例えばＶＣＳＥＬ素子である。面発光型レーザ素子２０ａは、ＶＣＳＥＬ素子の他に、例えばフォトニック結晶面発光レーザ素子であってもよい。面発光型レーザ素子２０ａの第１上面２０ａｓ１は、第１の光（第１レーザ光）を出射する複数の第１出射領域２１ａＲを含む。面発光型レーザ素子２０ａの第１上面２０ａｓ１の第１出射領域２１ａＲから上方に向けて第１レーザ光が出射される。面発光型レーザ素子２０ａは、複数のエミッタを有するマルチエミッタである。図示される例では、面発光型レーザ素子２０ａは、６個の第１出射領域２１ａＲを有するが、面発光型レーザ素子２０ａが有する出射領域（エミッタ）の数は、５個以下であってもよく、７個以上であってもよい。なお、面発光型レーザ素子２０ａは、１のエミッタを有するシングルエミッタであってもよい。第１レーザ光は、例えば、発振波長が６０５ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の赤色の光である。
【0029】
第１の面発光型レーザ素子２０ａの活性層は、第１下面２０ａｓ２よりも第１上面２０ａｓ１に近く配置されている。面発光型レーザ素子２０ａは、半導体基板２０１（後述する図９参照）が下側になるように、いわゆるフェイスアップの状態で支持基板１０の主面１０ｓ１に実装されている。すなわち、第１の面発光型レーザ素子２０ａは、フェイスアップ実装されている。
【0030】
図３Ａ、図３Ｂおよび図３Ｄに示すように、第１の面発光型レーザ素子２０ａは、第１上面２０ａｓ１に、第１正電極２２ａｐおよび第１負電極２２ａｎを備える。第１正電極２２ａｐおよび第１負電極２２ａｎを総称して「第１電極２２ａ」ということがある。第１正電極２２ａｐおよび第１負電極２２ａｎのそれぞれは、１または複数設けられ得る。図示される例では、第１の面発光型レーザ素子２０ａの第１上面２０ａｓ１は、６個の第１出射領域２１ａＲを有する。６個の第１出射領域２１ａＲのそれぞれから第１レーザ光を出射させるための、６個の第１出射領域２１ａＲにそれぞれ対応する６個の第１正電極２２ａｐと、２個の第１負電極２２ａｎとが、第１上面２０ａｓ１に設けられている。図３Ｄに示すように、第１負電極２２ａｎは、上面視で、複数の第１出射領域２１ａＲをそれぞれ囲む複数のＣ字状（切れ目を有する略リング形状）の部分と、当該複数のＣ字状の部分から延びる直線部分とを有する。第１正電極２２ａｐおよび第１負電極２２ａｎのそれぞれは、対応する導電部材１８ａと電気的に接続されている。なお、図３Ａ、図３Ｂおよび図３Ｄは、第１電極２２ａの一例を示しているに過ぎず、第１の面発光型レーザ素子２０ａが有する第１正電極２２ａｐおよび第１負電極２２ａｎの数、形状、配置等は、図示される例に限定されない。また、本開示の実施形態では、第１の面発光型レーザ素子２０ａが有する第１正電極２２ａｐおよび第１負電極２２ａｎはすべて第１上面２０ａｓ１に設けられているが、一部が第１下面２０ａｓ２に設けられていてもよい。複数の第１電極２２ａは、複数の正電極のみを含んでいてもよいし、複数の負電極のみを含んでいてもよい。複数の第１出射領域２１ａＲのそれぞれと電気的に接続される共通の第１正電極を備える面発光型レーザ素子を用いることもできる。すなわち、面発光型レーザ素子２０ａが有する正電極の数は１個であってもよい。また同様に負電極の数が1個であってもよい。
【0031】
第１の面発光型レーザ素子２０ａが有する複数の第１出射領域２１ａＲは、上面視において、２次元に配列されていてもよい。複数の第１出射領域２１ａＲは、上面視において、行および列を有するマトリクス状に配列され得る。図示される例では、６個の第１出射領域２１ａＲが、２行３列に配列されている。複数の第１出射領域２１ａＲは、上面視において、１次元に（すなわち直線状に）配列されていてもよいし、ランダムに配置されていてもよい。
【0032】
面発光型レーザ素子２０ａの第１下面２０ａｓ２は、接合層３２を介して支持基板１０の主面１０ｓ１に接合されている。第１の面発光型レーザ素子２０ａの第１下面２０ａｓ２は、支持基板１０の主面１０ｓ１に、例えば、はんだ付け、焼結、またはろう付けが可能な接合材で接合され得る。はんだ付けでは、はんだを昇温によって溶融し、降温によって固化させることにより、部材同士が接合される。焼結では、金属の粒子を含む金属ペースト、または金属の粉末を、当該金属の融点よりも低い温度で加熱して焼き固めることにより、部材同士が接合される。はんだ付けが可能な接合材は、例えばＡｕＳｎ、ＳｎＣｕ、ＳｎＡｇ、およびＳｎＡｇＣｕからなる群から選択される少なくとも１つの合金であり得る。焼結が可能な接合材は、例えばＡｇ粒子、Ｃｕ粒子、およびＡｕ粒子からなる群から選択される少なくとも１種類の粒子を含む金属ペーストであり得る。ろう付けが可能な接合材は、例えば、金ろう材、錫ろう材、および銀ろう材からなる群から選択される少なくとも１つのろう材であり得る。また、接着剤やＡＣＦ（異方性導電フィルム）、ＡＣＰ（異方性導電ペースト）などを用いてもよい。
【0033】
［面発光型レーザ素子２０ｂおよび２０ｃ］
次に、図３Ｃをさらに参照して面発光型レーザ素子２０ｂおよび２０ｃの構成例を説明する。図３Ｃは、発光装置１００Ａが有する面発光型レーザ素子２０ａ、２０ｂおよび２０ｃを下方から（すなわち－Ｚ方向から）見たときの模式的な平面図である。
次に、図３Ｃをさらに参照して面発光型レーザ素子２０ｂおよび２０ｃの構成例を説明する。図３Ｃは、発光装置１００Ａが有する面発光型レーザ素子２０ａ、２０ｂおよび２０ｃを下方から（すなわち－Ｚ方向から）見たときの模式的な平面図である。
【0034】
面発光型レーザ素子２０ｂおよび面発光型レーザ素子２０ｃは、上面発光が可能な面発光型レーザ素子であり、例えばＶＣＳＥＬ素子である。面発光型レーザ素子２０ｂおよび面発光型レーザ素子２０ｃの一方または両方は、ＶＣＳＥＬ素子に限定されず、例えばフォトニック結晶面発光レーザ素子であってもよい。図３Ｂに示すように、面発光型レーザ素子２０ｂの第２上面２０ｂｓ１の複数の第２出射領域２１ｂＲから上方に向けて第２レーザ光が出射され、面発光型レーザ素子２０ｃの第３上面２０ｃｓ１の複数の第３出射領域２１ｃＲから上方に向けて第３レーザ光が出射される。面発光型レーザ素子２０ｂおよび２０ｃは、２つ以上のエミッタ（出射領域）を有するマルチエミッタであるが、１のエミッタを有するシングルエミッタであってもよい。図示される例では、面発光型レーザ素子２０ｃは、面発光型レーザ素子２０ｂと同様の構造を有し、面発光型レーザ素子２０ｂと同様の半導体材料から形成され得る。特に断らない限り、面発光型レーザ素子２０ｂについての説明は、面発光型レーザ素子２０ｃについてもあてはまる。
【0035】
面発光型レーザ素子２０ｂは、支持基板１０側の第２下面２０ｂｓ２および第２下面２０ｂｓ２と反対側の第２上面２０ｂｓ１を有し、第２上面２０ｂｓ１は第２の光（第２レーザ光）を出射する複数の第２出射領域２１ｂＲを含む。第２レーザ光は、例えば、発振波長が４９５ｎｍ以上５７０ｎｍ以下の緑色の光である。
【0036】
面発光型レーザ素子２０ｂの活性層は、第２上面２０ｂｓ１よりも第２下面２０ｂｓ２に近く配置されており、半導体基板２０１（後述する図１０参照）が上側になるように、いわゆるフェイスダウンの状態で支持基板１０の主面１０ｓ１に実装されている。すなわち、面発光型レーザ素子２０ｂはフェイスダウン実装されている。面発光型レーザ素子２０ｂの第２下面２０ｂｓ２には、正電極および負電極（第２電極２２ｂと総称することがある。）が設けられている。第２電極２２ｂのそれぞれは、支持基板１０の主面１０ｓ１に設けられた複数の導電部材１８のうちの対応する導電部材１８ｂと電気的に接合されている。
【0037】
本開示の実施形態では、面発光型レーザ素子２０ｃは、面発光型レーザ素子２０ｂと同様の構造を有する。面発光型レーザ素子２０ｃは、支持基板１０側の第３下面２０ｃｓ２および第３下面２０ｃｓ２と反対側の第３上面２０ｃｓ１を有し、第３上面２０ｃｓ１は第３の光（第３レーザ光）を出射する複数の第３出射領域２１ｃＲを含む。第３レーザ光は、例えば、発振波長が４２０ｎｍ以上４９４ｎｍ以下の青色の光である。面発光型レーザ素子２０ｃの活性層は、第３上面２０ｃｓ１よりも第３下面２０ｃｓ２に近く配置されており、いわゆるフェイスダウンの状態で支持基板１０の主面１０ｓ１に実装されている。すなわち、面発光型レーザ素子２０ｃは、フェイスダウン実装されている。面発光型レーザ素子２０ｃの第３下面２０ｃｓ２には、正電極および負電極（第３電極２２ｃと総称することがある。）が設けられている。第３電極２２ｃのそれぞれは、支持基板１０の主面１０ｓ１に設けられた複数の導電部材１８のうちの対応する導電部材１８ｃと電気的に接合されている。
【0038】
なお、面発光型レーザ素子２０ｂおよび／または面発光型レーザ素子２０ｃは、図示される例に限られず、例えば、面発光型レーザ素子２０ａと同様に半導体基板２０１（後述する図１０参照）が下側になるように、フェイスアップ実装されていてもよい。
【0039】
［支持基板１０］
図４および図５を参照して支持基板１０の構成例を説明する。図４は、発光装置１００Ａを上方から（すなわち＋Ｚ方向から）みた模式的な平面図であり、図１に示す構成から、発光装置１００Ａが有する第２の面発光型レーザ素子２０ｂおよび第３の面発光型レーザ素子２０ｃを除いたときの上面図である。図５は、支持基板１０の下面１０ｓ２を下方から（すなわち－Ｚ方向から）見た模式的な平面図である。
図４および図５を参照して支持基板１０の構成例を説明する。図４は、発光装置１００Ａを上方から（すなわち＋Ｚ方向から）みた模式的な平面図であり、図１に示す構成から、発光装置１００Ａが有する第２の面発光型レーザ素子２０ｂおよび第３の面発光型レーザ素子２０ｃを除いたときの上面図である。図５は、支持基板１０の下面１０ｓ２を下方から（すなわち－Ｚ方向から）見た模式的な平面図である。
【0040】
支持基板１０は、全体として、例えば矩形、円形、または楕円形の平板形状を有し得る。支持基板１０は、主面１０ｓ１（上面１０ｓ１）と、主面１０ｓ１と反対側の主面１０ｓ２（下面１０ｓ２と）を有する。
【0041】
支持基板１０は、上面１０ｓ１に、上述したように、各面発光型レーザ素子２０に給電するための、互いに電気的に独立な複数の導電部材１８を有する。支持基板１０は、図４に示すように、上面１０ｓ１に、面発光型レーザ素子２０ｂに給電するための複数の電極１６ｂと、面発光型レーザ素子２０ｃに給電するための複数の電極１６ｃとを有する。複数の電極１６ｂのそれぞれは、第２の面発光型レーザ素子２０ｂの第２下面２０ｂｓ２に設けられた複数の第２電極２２ｂのいずれかに電気的に接続され、複数の電極１６ｃのそれぞれは、第３の面発光型レーザ素子２０ｃの第３下面２０ｃｓ２に設けられた複数の第３電極２２ｃのいずれかに電気的に接続される。図示される例では、８個の第２電極２２ｂに対応して８個の電極１６ｂが設けられ、８個の第３電極２２ｃに対応して８個の電極１６ｃが設けられている。複数の電極１６ｂのそれぞれは、支持基板１０の上面１０ｓ１に設けられた対応する配線１４ｂを介して、複数の導電部材１８ｂのいずれかと電気的に接続され、複数の電極１６ｃのそれぞれは、支持基板１０の上面１０ｓ１に設けられた対応する配線１４ｃを介して、複数の導電部材１８ｃのいずれかと電気的に接続される。複数の電極１６ｂのそれぞれは、対応する配線１４ｂと一体として、支持基板１０の上面１０ｓ１に形成されていてもよく、複数の電極１６ｃのそれぞれは、対応する配線１４ｃと一体として、支持基板１０の上面１０ｓ１に形成されていてもよい。
【0042】
支持基板１０は、それぞれが、上面１０ｓ１から下面１０ｓ２までＺ方向に延びる複数の内部配線１１（図５参照）を有する。図５に示すように、複数の内部配線１１のそれぞれの下面１０ｓ２において露出された部分は、対応する引出部１３を介して、複数の端子電極１５のいずれかと電気的に接続される。複数の端子電極１５は、発光装置の外部の給電装置と電気的に接続され得る。複数の端子電極１５のそれぞれは対応する引出部１３と一体として、支持基板１０の下面１０ｓ２に形成されていてもよい。複数の内部配線１１のそれぞれの上面１０ｓ１において露出された部分が、対応する導電部材１８と電気的に接続（例えばバンプ接続）される。導電部材１８は、Ａｕのような金属材料を含む接合部材によって形成され得る。
【0043】
内部配線１１、引出部１３、端子電極１５、配線１４ｂ、１４ｃ、電極１６ｂ、１６ｃは、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄからなる群から選択される少なくとも１つの金属から形成され得る。支持基板１０のうち、上記の配線や電極以外の部分は、例えば、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＳｉＮおよびアルミナからなる群から選択される少なくとも１つを含むセラミック、またはＡｇ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄからなる群から選択される少なくとも１つを含む金属またはその合金および絶縁層から形成され得る。セラミックから形成される場合、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ：低温同時焼成セラミック）を用いてもよい。支持基板１０のＸ方向およびＹ方向のそれぞれにおける寸法は、例えば２ｍｍ以上１００ｍｍ以下であり、Ｚ方向における寸法は、例えば０．３ｍｍ以上３．０ｍｍ以下であり得る。
【0044】
［フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）５０］
図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃおよび図６Ｄを参照して、フレキシブルプリント基板５０を説明する。これらの図におけるフレキシブルプリント基板５０の形状は、図１および図２の発光装置１００からフレキシブルプリント基板５０を抜き出した状態の形状に対応しているが、フレキシブルプリント基板５０は、それ自体では柔軟性を有しているため、重力その他の外力に応じて変形され得る。また、図では、フレキシブルプリント基板５０が急峻に折れ曲がった屈曲部を有するように記載されているが、フレキシブルプリント基板５０は緩やかに湾曲し得る。図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃおよび図６Ｄには、フレキシブルプリント基板５０とともに、第１電極２２ａおよび導電部材１８ａが記載されている。また、図６Ｄには、図６Ａの構成に加えて、フレキシブルプリント基板５０に接続された第１の面発光型レーザ素子２０ａも記載されている。簡単のため、図６Ａおよび図６Ｄでは、フレキシブルプリント基板５０の有する配線層５２の図示を省略する。
図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃおよび図６Ｄを参照して、フレキシブルプリント基板５０を説明する。これらの図におけるフレキシブルプリント基板５０の形状は、図１および図２の発光装置１００からフレキシブルプリント基板５０を抜き出した状態の形状に対応しているが、フレキシブルプリント基板５０は、それ自体では柔軟性を有しているため、重力その他の外力に応じて変形され得る。また、図では、フレキシブルプリント基板５０が急峻に折れ曲がった屈曲部を有するように記載されているが、フレキシブルプリント基板５０は緩やかに湾曲し得る。図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃおよび図６Ｄには、フレキシブルプリント基板５０とともに、第１電極２２ａおよび導電部材１８ａが記載されている。また、図６Ｄには、図６Ａの構成に加えて、フレキシブルプリント基板５０に接続された第１の面発光型レーザ素子２０ａも記載されている。簡単のため、図６Ａおよび図６Ｄでは、フレキシブルプリント基板５０の有する配線層５２の図示を省略する。
【0045】
フレキシブルプリント基板５０は、プラスチックから形成されたフレキシブル基材５１と、フレキシブル基材５１に支持された配線層５２とを有する。配線層５２は、図６Ｂに示されるように、複数の配線５２ｗを含む。配線層５２は、例えば銅箔のような薄い導電層から形成され得る。配線５２ｗは、フレキシブル基材５１上の導電層をパターニングすることによって任意の配線形状を有するように形成され得る。
【0046】
フレキシブル基材５１の厚さは、例えば１０μｍから５０μｍまでの範囲にある。配線層５２の厚さ（配線５２ｗの厚さに等しい）は、例えば、フレキシブル基材５１の厚さと同程度である。フレキシブルプリント基板５０は、加工性に優れるため、種々の形状に加工され得る。配線層５２に含まれる複数の配線５２ｗによって、面発光型レーザ素子２０ａの複数の第１電極２２ａのそれぞれは、複数の導電部材１８のうちの対応する導電部材１８と電気的に接続される。フレキシブルプリント基板５０は柔軟性を有し、軽量である。図６Ｂに示されるフレキシブルプリント基板５０では、面発光型レーザ素子２０ａに接続される領域における配線５２ｗのピッチ（Ｐ０）は、支持基板１０の導電部材１８に接続される領域における配線５２ｗのピッチ（Ｐ１）よりも小さい。ピッチＰ０は、面発光型レーザ素子２０ａの第１電極２２ａとの接続に適した大きさに設定され得る。ピッチＰ０は、例えば５０μｍ以下であり、１０μｍ以上３０μｍ以下の範囲内にあり得る。これに対して、ピッチＰ１は、支持基板１０上の導電部材１８との接続に適した大きさに設定され得る。ピッチＰ１は、例えば５０μｍを超え、例えば１００μｍ以上であってもよい。このように、フレキシブルプリント基板５０を用いることにより、ピッチＰ０をピッチＰ１に拡大（変換）する機能が実現する。また、支持基板１０の主面１０ｓ１に設けられた導電部材１８と、面発光型レーザ素子２０ａの第１電極２２ａとの間には、支持基板１０の主面１０ｓ１からの高さに数１００μｍの差異が存在するが、フレキシブルプリント基板５０であれば、この差異の大きさに応じて柔軟に変形するため、面発光型レーザ素子２０ａのサイズによらず、信頼性の高い実装が可能になる。
【0047】
なお、配線層５２は、フレキシブル基材５１の両面に設けられ得る。フレキシブルプリント基板５０が多層配線構造を有している場合、配線５２ｗのレイアウトの自由度が向上するため、面発光型レーザ素子２０ａの第１電極２２ａの個数の増加に対応しやすい。フレキシブルプリント基板５０と面発光型レーザ素子２０および支持基板１０との接続は、導電性を有する材料を用いて、公知の方法によって接続することができる。
【0048】
フレキシブルプリント基板５０は、図１に示す例では、支持基板１０の主面１０ｓ１の法線方向からみた平面視において、第１出射領域２１ａＲを露出する開口部５０ｈを有する。すなわち、フレキシブルプリント基板５０は、支持基板１０の主面１０ｓ１の法線方向からみた平面視において、第１出射領域２１ａＲと重ならない。フレキシブルプリント基板５０は、面発光型レーザ素子２０ａの第１上面２０ａｓ１における第１出射領域２１ａＲ以外の領域を少なくとも部分的に覆っている。フレキシブルプリント基板５０が、第１出射領域２１ａＲを露出する開口部５０ｈを有する場合、第１出射領域２１ａＲから出射される第１レーザ光の形状（ビーム形状）の乱れる可能性が低減される。また、フレキシブルプリント基板５０が、第１上面２０ａｓ１における第１出射領域２１ａＲ以外の領域を少なくとも部分的に覆っていることにより、フレキシブルプリント基板５０（フレキシブル基材）が迷光を吸収し、迷光の発生を低減することができる。
【0049】
フレキシブルプリント基板５０のうち、面発光型レーザ素子２０ａの第１上面２０ａｓ１の上に配置される部分を第１部分５０ａとし、第１部分５０ａ以外の部分を第２部分５０ｂとしたとき、支持基板１０の主面１０ｓ１の法線方向からみた平面視において、第２部分５０ｂの面積は、第１部分５０ａの面積よりも大きい（図６Ｂ）。フレキシブルプリント基板５０は、支持基板１０の主面１０ｓ１の法線方向からみた平面視において、ピッチＰ１（例えば１００μｍ以上）を、ピッチＰ０（例えば１０μｍ以上３０μｍ以下）よりも大きくすることができる形状を有している。ピッチＰ１は、ピッチＰ０の、例えば３倍以上３０倍以下である。また、配線５２ｗの幅は、第１部分５０ａおよび第２部分５０ｂにおいて略同じ幅であってもよいし、第１部分５０ａ側から第２部分５０ｂ側に向けて広がるようなテーパ形状を有してもよい。第１部分５０ａは、面発光型レーザ素子２０ａの第１上面２０ａｓ１と実質的に平行であり得る。図示される例では、開口部５０ｈが、フレキシブルプリント基板５０の第１部分５０ａに設けられているが、開口部５０ｈは省略されてもよい。すなわち、第１部分５０ａは、上面視において、面発光型レーザ素子２０ａの第１上面２０ａｓ１を覆うように設けられていてもよい。
【0050】
また、図示される例では、第２部分５０ｂは、面発光型レーザ素子２０ａの第１上面２０ａｓ１と実質的に平行な平行部分５０ｂ２と、平行部分５０ｂ２と第１部分５０ａとをつなぐ連結部分５０ｂ１とを有する。第２部分５０ｂ（または平行部分５０ｂ２）は、上面視において、複数の導電部材１８のうち、面発光型レーザ素子２０ａの第１電極２２ａと接続される導電部材１８ａを覆うように形成される。第２部分５０ｂは、上面視において、複数の導電部材１８のうち、面発光型レーザ素子２０ｂの第２電極２２ｂと接続される導電部材１８ｂおよび面発光型レーザ素子２０ｃの第３電極２２ｃと接続される導電部材１８ｃを露出するように形成される。
【0051】
［キャップ６０］
側壁部６２は、例えば上面視で矩形、円形、または楕円形であり得る。図示される例では、側壁部６２は、上面視で略矩形であり、側壁部６２の外周面６２ｏは、例えば、Ｚ方向に平行な平面である。側壁部６２の内周面６２ｉは、Ｚ方向に平行な平面であってもよいし、図示される例のように、ＸＺ平面に対して平行な断面において、Ｘ軸方向に対する傾斜角度θａが例えば４５°以上９０°以下であってもよい。言い換えると、Ｚ方向に垂直な平面から、Ｙ軸方向を中心に例えば４５°以上９０°以下回転させた平面であってもよい。側壁部６２の形状は、支持基板１０の形状に応じて設計されてもよい。側壁部６２は、例えば樹脂、Ｓｉ、セラミック、ガラス、金属、およびＳＰＣ（Ｓｔｅｅｌ Ｐｌａｔｅ Ｃｏｌｏｄ）材からなる群から選択される少なくとも１つから形成され得る。支持基板１０と側壁部６２とが一体成型される場合、側壁部６２は、支持基板１０と同じ材料から形成される。側壁部６２のＸ方向およびＹ方向における寸法は、例えば、支持基板１０のＸ方向およびＹ方向における寸法にそれぞれ等しい。側壁部６２のＺ方向における寸法は、例えば０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下であり得る。
側壁部６２は、例えば上面視で矩形、円形、または楕円形であり得る。図示される例では、側壁部６２は、上面視で略矩形であり、側壁部６２の外周面６２ｏは、例えば、Ｚ方向に平行な平面である。側壁部６２の内周面６２ｉは、Ｚ方向に平行な平面であってもよいし、図示される例のように、ＸＺ平面に対して平行な断面において、Ｘ軸方向に対する傾斜角度θａが例えば４５°以上９０°以下であってもよい。言い換えると、Ｚ方向に垂直な平面から、Ｙ軸方向を中心に例えば４５°以上９０°以下回転させた平面であってもよい。側壁部６２の形状は、支持基板１０の形状に応じて設計されてもよい。側壁部６２は、例えば樹脂、Ｓｉ、セラミック、ガラス、金属、およびＳＰＣ（Ｓｔｅｅｌ Ｐｌａｔｅ Ｃｏｌｏｄ）材からなる群から選択される少なくとも１つから形成され得る。支持基板１０と側壁部６２とが一体成型される場合、側壁部６２は、支持基板１０と同じ材料から形成される。側壁部６２のＸ方向およびＹ方向における寸法は、例えば、支持基板１０のＸ方向およびＹ方向における寸法にそれぞれ等しい。側壁部６２のＺ方向における寸法は、例えば０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下であり得る。
【0052】
支持基板１０と側壁部６２とは、例えば、上述した、支持基板１０の上面１０ｓ１と第１の面発光型レーザ素子２０ａとを接合するときと同様の方法および材料を用いて接合され得る。
【0053】
蓋部６４は、例えば上面視で矩形、円形、または楕円形であり得る。蓋部６４の形状は、側壁部６２の形状に応じて設計されてもよい。蓋部６４は、例えば、ガラス、石英、サファイア、透明セラミック、およびプラスチックからなる群から選択される少なくとも１つから形成される、透光性材料から形成され得る。蓋部６４全体が透光性を有していてもよい。あるいは、蓋部６４のうち、面発光型レーザ素子２０から出射されるレーザ光が通過する部分が透光性を有し、残りの部分は透光性を有していなくてもよい。蓋部６４のうち透光性を有する部分（透光性領域）の光透過率は、例えば、第１レーザ光、第２レーザ光および第３レーザ光に対して６０％以上、好ましくは７０％以上、より好ましくは８０％以上であり得る。蓋部６４のＸ方向およびＹ方向における寸法は、例えば、側壁部６２のＸ方向およびＹ方向における寸法にそれぞれ等しい。蓋部６４のＺ方向における寸法は、例えば０．３ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であり得る。側壁部６２と蓋部６４とは、例えば、上述した、支持基板１０の上面１０ｓ１と第１の面発光型レーザ素子２０ａとを接合するときと同様の方法および材料を用いて接合され得る。また、蓋部６４のうち、透光性を有する部分の光入射側もしくは光出射側またはその両方には反射防止膜や反射防止構造が設けられていてもよい。
【0054】
［発光装置１００Ａの製造方法］
図７Ａ、図７Ｂおよび図７Ｃを参照しながら、発光装置１００Ａの製造方法の一例を説明する。図７Ａ、図７Ｂおよび図７Ｃは、発光装置１００Ａの製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。
図７Ａ、図７Ｂおよび図７Ｃを参照しながら、発光装置１００Ａの製造方法の一例を説明する。図７Ａ、図７Ｂおよび図７Ｃは、発光装置１００Ａの製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。
【0055】
まず、第１の面発光型レーザ素子２０ａ、支持基板１０およびフレキシブルプリント基板５０をそれぞれ用意する。
【0056】
続いて、図７Ａに示すように、第１の面発光型レーザ素子２０ａが、フレキシブルプリント基板５０の配線層に電気的に接続されるように、第１の面発光型レーザ素子２０ａの第１上面２０ａｓ１をフレキシブルプリント基板５０に接合する。フレキシブルプリント基板５０の配線層が、第１の面発光型レーザ素子２０ａ側に配置された状態で、接合される。このとき、例えば図示するように、第１の面発光型レーザ素子２０ａの第１上面２０ａｓ１とフレキシブルプリント基板５０の配線層とが対向するように、第１の面発光型レーザ素子２０ａよりも鉛直方向下方に配置したフレキシブルプリント基板５０に、第１上面２０ａｓ１を接合してもよい。すなわち、第１の面発光型レーザ素子２０ａが上下逆の状態で、第１の面発光型レーザ素子２０ａの第１上面２０ａｓ１をフレキシブルプリント基板５０に接合する工程が行われ得る。フレキシブルプリント基板５０が開口部５０ｈを有する場合は、第１の面発光型レーザ素子２０ａの第１上面２０ａｓ１をフレキシブルプリント基板５０に接合する工程において、第１上面２０ａｓ１の第１出射領域２１ａＲが開口部５０ｈによって露出されるように、第１上面２０ａｓ１をフレキシブルプリント基板５０に接合する。
【0057】
次に、図７Ｂに示すように、第１上面２０ａｓ１にフレキシブルプリント基板５０が接合された第１の面発光型レーザ素子２０ａの第１下面２０ａｓ２を、接合層３２を介して支持基板１０の主面１０ｓ１に接合する。このとき、例えば図示するように、第１の面発光型レーザ素子２０ａの第１下面２０ａｓ２と支持基板１０の主面１０ｓ１とが対向するように、第１の面発光型レーザ素子２０ａよりも鉛直方向下方に配置した支持基板１０に、第１下面２０ａｓ２を接合してもよい。
【0058】
続いて、図７Ｃに示すように、複数の第１電極２２ａと支持基板１０の主面１０ｓ１に設けられた複数の導電部材１８ａとが配線層を介して電気的に接続されるように、フレキシブルプリント基板５０と支持基板１０の主面１０ｓ１とを接合する。フレキシブルプリント基板５０と支持基板１０の主面１０ｓ１とを接合する工程において、フレキシブルプリント基板５０が柔軟に変形し、第１の面発光型レーザ素子２０ａの第１上面２０ａｓ１と支持基板１０の主面１０ｓ１とに接合される。図７Ｃでは、フレキシブルプリント基板５０が折れ曲がっているように記載されているが、フレキシブルプリント基板５０は、緩やかに曲がっていてもよいし、波状部分または弛みを一部に形成してよい。
【0059】
第２の面発光型レーザ素子２０ｂの第２下面２０ｂｓ２に設けられた第２電極２２ｂが、支持基板１０の主面１０ｓ１に設けられた導電部材１８ｂと電気的に接合されるように、第２下面２０ｂｓ２を主面１０ｓ１に接合する工程、および／または、第３の面発光型レーザ素子２０ｃの第３下面２０ｃｓ２に設けられた第３電極２２ｃが、支持基板１０の主面１０ｓ１に設けられた導電部材１８ｃと電気的に接合されるように、第３下面２０ｃｓ２を主面１０ｓ１に接合する工程が、例えば、上述した、フレキシブルプリント基板５０と支持基板１０の主面１０ｓ１とを接合する工程の後、または、フレキシブルプリント基板５０と支持基板１０の主面１０ｓ１とを接合する工程と同時に、行われ得る。これらが同時に行われる場合、例えば、先に、第２電極２２ｂおよび第３電極２２ｃを導電部材１８ｂおよび１８ｃにそれぞれ仮圧着し、その後、フレキシブルプリント基板５０と支持基板１０の主面１０ｓ１とを接合する加熱工程において、第２電極２２ｂおよび第３電極２２ｃを導電部材１８ｂおよび１８ｃとそれぞれ接合する。
【0060】
［面発光型レーザ素子２０ａの構成例］
図９を参照して、第１の面発光型レーザ素子２０ａの構成例を説明する。図９は、第１の面発光型レーザ素子２０ａの構成例の一部を模式的に示す、ＹＺ平面に対して平行な断面図であり、図３Ｄに示した上面図を示した第１の面発光型レーザ素子２０ａの一部の断面を示す断面図である。
図９を参照して、第１の面発光型レーザ素子２０ａの構成例を説明する。図９は、第１の面発光型レーザ素子２０ａの構成例の一部を模式的に示す、ＹＺ平面に対して平行な断面図であり、図３Ｄに示した上面図を示した第１の面発光型レーザ素子２０ａの一部の断面を示す断面図である。
【0061】
図９に示すように、第１の面発光型レーザ素子２０ａは、半導体基板２０１と、ｎ側反射膜２０２と、ｎ側半導体層２０３と、活性層２０４と、ｐ側半導体層２０５と、ｐ側反射膜２０６とをこの順に積層した積層構造を備える。例えば、ｎ側半導体層２０３およびｐ側半導体層２０５のいずれか一方は、ｎ型半導体を含み、他方はｐ型半導体を含むが、これに限られない。半導体基板２０１は省略され得る。ｎ側半導体層２０３は平板部およびそこから＋Ｚ方向に突出する凸部を有する。ｎ側半導体層２０３の凸部の上面には活性層２０４が設けられている。活性層２０４の上面にはｐ側半導体層２０５が設けられており、ｐ側半導体層２０５の上面のうち、周縁領域以外の領域にはｐ側反射膜２０６が設けられている。
【0062】
第１の面発光型レーザ素子２０ａは、ｎ側半導体層２０３のうち、平板部の上面および凸部の側面、活性層２０４の側面、ならびにｐ側半導体層２０５の側面および上面の周縁領域を覆う絶縁層２０７を備える。第１の面発光型レーザ素子２０ａは、ｐ側半導体層２０５に電気的に接続される第１正電極２２ａｐと、ｎ側半導体層２０３に電気的に接続される第１負電極２２ａｎとを備える。第１負電極２２ａｎは、絶縁層２０７に設けられる開口部２０７оを介して、ｎ側半導体層２０３に電気的に接続されている。第１の面発光型レーザ素子２０ａの最上面は、ｐ側反射膜２０６のうち、ｐ側半導体層２０５に接触する面とは反対側の面である。第１の面発光型レーザ素子２０ａの第１下面２０ａｓ２は、図示される例では、半導体基板２０１の下面である。
【0063】
第１の面発光型レーザ素子２０ａにおいては、以下で説明するように、ｎ側反射膜２０２とｐ側反射膜２０６とによって垂直共振器が形成されている。すなわち、ｎ側反射膜２０２とｐ側反射膜２０６との間で垂直方向（Ｚ軸方向）にレーザ光を共振させ、＋Ｚ方向に出射させる。ｎ側反射膜２０２およびｐ側反射膜２０６はそれぞれ、例えばＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）から形成され得る。ＤＢＲは、複数の高屈折率層と複数の低屈折率層とが交互に積層された構造を有する。ＤＢＲは、ストップバンドと呼ばれる高反射率の波長域を有する。ストップバンドの中心波長および波長幅は、高屈折率層の屈折率および厚さならびに低屈折率層の屈折率および厚さによって決まる。ＤＢＲのストップバンドにおける反射率は、高屈折率層および低屈折率層の屈折率差ならびに積層数とともに増加する。
【0064】
図９に示す例において、ｎ側反射膜２０２とｐ側反射膜２０６との間では定在波が形成される。定在波の空気中の波長はｎ側反射膜２０２およびｐ側反射膜２０６のストップバンド内にあり、当該波長が第１レーザ光の第１発振波長である。第１発振波長の半分の整数倍は、ｎ側反射膜２０２とｐ側反射膜２０６とが互いに対向する反射面の間の光学的距離に等しい。光学的距離とは、光が実際にある媒質を伝搬する距離に当該媒質の屈折率を乗算して得られる距離である。第１正電極２２ａｐと第１負電極２２ａｎとの間に順電圧を印加することにより、活性層２０４に電流注入することができる。電流注入によって活性層２０４では反転分布が生じ、第１発振波長で誘導放出による光の増幅が生じ、レーザ発振が生じる。
【0065】
第１の面発光型レーザ素子２０ａにおいて、ｎ側反射膜２０２のストップバンド内での反射率はほぼ１００％であり、ｐ側反射膜２０６のストップバンド内での反射率はｎ側反射膜２０２の反射率よりも少し低く、例えば９８％である。その結果、両者のストップバンド内に第１発振波長を有する第１レーザ光は、ｐ側反射膜２０６を通過して＋Ｚ方向に向けて出射される。このようにして、第１の面発光型レーザ素子２０ａの第１上面２０ａｓ１が有する複数の第１出射領域２１ａＲ（図３Ａおよび図３Ｂ）から、第１レーザ光が出射される。複数の第１出射領域２１ａＲ（図３Ａおよび図３Ｂ）は、ここでは、ｐ側反射膜２０６と対応する領域であり、典型的には、上面視において、ｐ側反射膜２０６を有する領域と一致する。
【0066】
ここで、活性層２０４のうち、上面視において、ｎ側反射膜２０２およびｐ側反射膜２０６と重なる領域を第１発光領域２０ａＲということにする。第１の面発光型レーザ素子２０ａは、この例では、上面視において互いに離隔して配置された複数の第１発光領域２０ａＲを活性層２０４に有する。支持基板１０の主面１０ｓ１の法線方向からみた平面視において（すなわち、上面視において）、複数の第１出射領域２１ａＲのそれぞれは、対応する第１発光領域２０ａＲと少なくとも部分的に重複し、複数の第１出射領域２１ａＲのそれぞれは、対応する第１発光領域２０ａＲと同一の領域であってもよい。第１の面発光型レーザ素子２０ａが単一の第１発光領域を活性層２０４に有する場合は、第１上面２０ａｓ１に、対応する単一の第１発光領域が含まれる。第１の面発光型レーザ素子２０ａが有する活性層２０４の第１発光領域２０ａＲは、第１レーザ光の強度がそのピーク強度の１／ｅ２以上である領域を含む。ｅは自然対数の底である。図９に示す太線によって囲まれた領域は、第１発光領域２０ａＲを表す。第１発光領域２０ａＲは、第１の面発光型レーザ素子２０ａの第１下面２０ａｓ２よりも最上面の近くに位置する。
【0067】
赤色の第１レーザ光を出射する第１の面発光型レーザ素子２０ａは、例えば、ＩｎＡｌＧａＰ系、ＧａＩｎＰ系、ＧａＡｓ系、およびＡｌＧａＡｓ系の半導体材料からなる群から選択される少なくとも１つから形成され得る。ある態様による第１の面発光型レーザ素子２０ａにおいて、半導体基板２０１は例えばｎ型ＧａＡｓから形成されている。ｎ側反射膜２０２（ｐ側反射膜２０６）の積層構造は、組成比が異なるｎ型（ｐ型）ＡｌＧａＡｓから形成されている。ｎ側半導体層２０３およびｐ側半導体層２０５は、それぞれ、例えば、ｎ型ＧａＮおよびｐ型ＧａＮの少なくとも一方から形成されている。例えば、ｎ側半導体層２０３およびｐ側半導体層２０５の一方はｎ型ＡｌＧａＩｎＰを含み、他方がｐ型ＡｌＧａＩｎＰを含んでもよい。活性層２０４は例えばＧａＩｎＰから形成されている。
【0068】
［面発光型レーザ素子２０ｂの構成例］
図１０は、第２の面発光型レーザ素子２０ｂの構成例の一部を模式的に示す、ＹＺ平面に対して平行な断面図である。図１０に示す第２の面発光型レーザ素子２０ｂと、図９に示す第１の面発光型レーザ素子２０ａとの相違点は、第２の面発光型レーザ素子２０ｂが、第１の面発光型レーザ素子２０ａと比較して、上下が反転した構成を備えることである。半導体基板２０１を省略してもよいし、半導体基板２０１の上に反射防止膜を設けてもよい。また、第２の面発光型レーザ素子２０ｂは、ｐ側半導体層２０５と第２正電極２２ｂｐとの間に設けられ、ｐ側半導体層２０５および第２正電極２２ｂｐと電気的に接続された、透明電極２２ｂｐｔをさらに有する。透明電極２２ｂｐｔと第２正電極２２ｂｐとで、第２の面発光型レーザ素子２０ｂの正電極として機能する。透明電極２２ｂｐｔは、例えばＩＴＯ等の透明導電材料から形成されている。ｐ側半導体層２０５が、例えばｐ型ＧａＮ系の半導体材料等、抵抗率の高い半導体材料から形成されている場合、透明電極２２ｂｐｔが設けられていることが好ましい。ｐ側半導体層２０５の材料やによっては、透明電極２２ｂｐｔは省略可能である。
図１０は、第２の面発光型レーザ素子２０ｂの構成例の一部を模式的に示す、ＹＺ平面に対して平行な断面図である。図１０に示す第２の面発光型レーザ素子２０ｂと、図９に示す第１の面発光型レーザ素子２０ａとの相違点は、第２の面発光型レーザ素子２０ｂが、第１の面発光型レーザ素子２０ａと比較して、上下が反転した構成を備えることである。半導体基板２０１を省略してもよいし、半導体基板２０１の上に反射防止膜を設けてもよい。また、第２の面発光型レーザ素子２０ｂは、ｐ側半導体層２０５と第２正電極２２ｂｐとの間に設けられ、ｐ側半導体層２０５および第２正電極２２ｂｐと電気的に接続された、透明電極２２ｂｐｔをさらに有する。透明電極２２ｂｐｔと第２正電極２２ｂｐとで、第２の面発光型レーザ素子２０ｂの正電極として機能する。透明電極２２ｂｐｔは、例えばＩＴＯ等の透明導電材料から形成されている。ｐ側半導体層２０５が、例えばｐ型ＧａＮ系の半導体材料等、抵抗率の高い半導体材料から形成されている場合、透明電極２２ｂｐｔが設けられていることが好ましい。ｐ側半導体層２０５の材料やによっては、透明電極２２ｂｐｔは省略可能である。
【0069】
図１０に示す第２正電極２２ｂｐは、図９に示す第１正電極２２ａｐと同じ構成を有する。第２の面発光型レーザ素子２０ｂにおいても、第１の面発光型レーザ素子２０ａと同様に、ｎ側反射膜２０２とｐ側反射膜２０６とによって垂直共振器が形成されている。すなわち、ｎ側反射膜２０２とｐ側反射膜２０６との間で垂直方向（Ｚ軸方向）にレーザ光を共振させ、＋Ｚ方向に出射させる。図１０に示す例においても、ｎ側反射膜２０２とｐ側反射膜２０６との間で定在波が形成され、第２正電極２２ｂｐと第２負電極２２ｂｎとの間に順電圧を印加することによってレーザ発振が生じることは、図９を参照して説明した通りである。第２の面発光型レーザ素子２０ｂにおいて、ｐ側反射膜２０６のストップバンド内での反射率はほぼ１００％であり、ｎ側反射膜２０２のストップバンド内での反射率はｐ側反射膜２０６の反射率よりも少し低く、例えば９８％である。その結果、両者のストップバンド内に第２発振波長を有する第２レーザ光は、ｎ側反射膜２０２および半導体基板２０１をこの順に透過して＋Ｚ方向に向けて出射される。このようにして、第２の面発光型レーザ素子２０ｂの第２上面２０ｂｓ１が有する複数の第２出射領域２１ｂＲ（図３Ｂ）から第２レーザ光が出射される。複数の第２出射領域２１ｂＲ（図３Ｂ）は、ここでは、ｐ側反射膜２０６と対応する領域であり、典型的には、上面視において、ｐ側反射膜２０６を有する領域と一致する。
【0070】
第２の面発光型レーザ素子２０ｂについても、第１の面発光型レーザ素子２０ａと同様に、活性層２０４のうち、上面視において、ｎ側反射膜２０２およびｐ側反射膜２０６と重なる領域を第２発光領域２０ｂＲということにする。第２の面発光型レーザ素子２０ｂは、この例では、上面視において、互いに離隔して配置された複数の第２発光領域２０ｂＲを有する。第２上面２０ｂｓ１の複数の第２出射領域２１ｂＲは、第２の面発光型レーザ素子２０ｂの活性層２０４が有する複数の第２発光領域２０ｂＲに対応する領域である。第２出射領域２１ｂＲと第２発光領域２０ｂＲとの関係についても、第１の面発光型レーザ素子２０ａと同様のことがいえる。第２の面発光型レーザ素子２０ｂにおける第２発光領域２０ｂＲは、第２レーザ光の強度がそのピーク強度の１／ｅ２である領域を含む。図１０に示す太線によって囲まれた領域は、第２発光領域２０ｂＲを表す。第３の面発光型レーザ素子２０ｃにおける第３発光領域についても同様である。第２発光領域は、第２の面発光型レーザ素子２０ｂの上面よりも最下面の近くに位置する。
【0071】
第２の面発光型レーザ素子２０ｂの第２上面２０ｂｓ１は、半導体基板２０１のうち、ｎ側反射膜２０２に接触する面の反対側の面である。第２の面発光型レーザ素子２０ｂの最下面は、ｐ側反射膜２０６のうち、ｐ側半導体層２０５に接触する面とは反対側の面である。第３の面発光型レーザ素子２０ｃの第３上面２０ｃｓ１および第３下面２０ｃｓ２についても同様である。
【0072】
緑色の第２レーザ光を出射する第２の面発光型レーザ素子２０ｂは、例えば、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、およびＡｌＧａＮからなる群から選択される少なくとも１つの半導体材料から形成され得る。ある態様による第２の面発光型レーザ素子２０ｂにおいて、半導体基板２０１は例えばｎ型ＧａＮから形成されている。ｎ側反射膜２０２の積層構造はＡｌＩｎＮおよびＧａＮから形成されている。ｐ側反射膜２０６の積層構造はＳｉＯ２およびＮｂ２Ｏ５などの誘電体膜から形成されている。ｎ側半導体層２０３およびｐ側半導体層２０５は、それぞれ、例えば、ｎ型ＧａＮおよびｐ型ＧａＮの少なくとも一方から形成されている。例えば、ｎ側半導体層２０３およびｐ側半導体層２０５の一方はｎ型ＡｌＧａＩｎＰを含み、他方がｐ型ＡｌＧａＩｎＰを含んでもよい。活性層２０４はＩｎＧａＮなどから形成されている。
【0073】
図１０に示す第２の面発光型レーザ素子２０ｂの第２下面２０ｂｓ２と、前述した図１に示す支持基板１０の上面１０ｓ１との隙間を熱伝導率の高い材料で埋めることにより、活性層２０４で発せられる熱を支持基板１０に効率的に伝えることができる。放熱性を考慮しないのであれば、第２の面発光型レーザ素子２０ｂは第１の面発光型レーザ素子２０ａと同様の構成を有していてもよい。逆に、第１の面発光型レーザ素子２０ａが第２の面発光型レーザ素子２０ｂと同様の構成を有していてもよい。ただし、その場合、長波長のレーザ光が半導体基板２０１に吸収されて減衰する可能性がある。
【0074】
なお、図９に示す第１の面発光型レーザ素子２０ａおよび図１０に示す第２の面発光型レーザ素子２０ｂの構成は例示である。各面発光型レーザ素子２０に含まれる構成要素は公知の材料から形成され得る。各面発光型レーザ素子２０に含まれる構成要素の一部の形状を変更してもよい。各面発光型レーザ素子２０は他の構成要素をさらに備えていてもよい。例えば、第２の面発光型レーザ素子２０ｂおよび／または第３の面発光型レーザ素子２０ｃとして、特開２０２０－１２３６０５号公報に開示されているＶＣＳＥＬ素子を用いてもよい。参考のために、特開２０２０－１２３６０５号公報の開示内容のすべてを参照によって本明細書に援用する。
【0075】
本開示は、以下の項目に記載の発光装置および発光装置の製造方法を含む。
【0076】
［項目１］
複数の導電部材が設けられた主面を有する支持基板と、
前記支持基板の前記主面に支持された第１の面発光型レーザ素子であって、前記支持基板側の第１下面および前記第１下面と反対側の第１上面を有し、前記第１上面は第１の光を出射する第１出射領域を含み、前記第１上面に設けられた複数の第１電極を有する、第１の面発光型レーザ素子と、
前記第１の面発光型レーザ素子の前記第１上面および前記支持基板の前記主面に接続され、前記第１電極と前記導電部材とを電気的に接続する配線層を有するフレキシブルプリント基板と
を有する、発光装置。
複数の導電部材が設けられた主面を有する支持基板と、
前記支持基板の前記主面に支持された第１の面発光型レーザ素子であって、前記支持基板側の第１下面および前記第１下面と反対側の第１上面を有し、前記第１上面は第１の光を出射する第１出射領域を含み、前記第１上面に設けられた複数の第１電極を有する、第１の面発光型レーザ素子と、
前記第１の面発光型レーザ素子の前記第１上面および前記支持基板の前記主面に接続され、前記第１電極と前記導電部材とを電気的に接続する配線層を有するフレキシブルプリント基板と
を有する、発光装置。
【0077】
［項目２］
前記第１の面発光型レーザ素子の活性層は、前記第１下面よりも前記第１上面に近く配置されている、項目１に記載の発光装置。
前記第１の面発光型レーザ素子の活性層は、前記第１下面よりも前記第１上面に近く配置されている、項目１に記載の発光装置。
【0078】
［項目３］
前記第１の面発光型レーザ素子の前記第１下面は、接合層を介して前記支持基板の前記主面に接合されている、項目１または２に記載の発光装置。
前記第１の面発光型レーザ素子の前記第１下面は、接合層を介して前記支持基板の前記主面に接合されている、項目１または２に記載の発光装置。
【0079】
［項目４］
前記フレキシブルプリント基板は、前記主面の法線方向からみた平面視において、前記第１出射領域を露出する開口部を有する、項目１から３のいずれか１項に記載の発光装置。
前記フレキシブルプリント基板は、前記主面の法線方向からみた平面視において、前記第１出射領域を露出する開口部を有する、項目１から３のいずれか１項に記載の発光装置。
【0080】
［項目５］
前記フレキシブルプリント基板は、前記第１の面発光型レーザ素子の前記第１上面における前記第１出射領域以外の領域を少なくとも部分的に覆っている、項目４に記載の発光装置。
前記フレキシブルプリント基板は、前記第１の面発光型レーザ素子の前記第１上面における前記第１出射領域以外の領域を少なくとも部分的に覆っている、項目４に記載の発光装置。
【0081】
［項目６］
前記フレキシブルプリント基板は、前記第１の面発光型レーザ素子の前記第１上面の上に配置される第１部分と、前記第１部分以外の第２部分とを有し、
前記支持基板の前記主面の法線方向からみた平面視において、前記第２部分の面積は前記第１部分の面積よりも大きい、項目１から５のいずれか１項に記載の発光装置。
前記フレキシブルプリント基板は、前記第１の面発光型レーザ素子の前記第１上面の上に配置される第１部分と、前記第１部分以外の第２部分とを有し、
前記支持基板の前記主面の法線方向からみた平面視において、前記第２部分の面積は前記第１部分の面積よりも大きい、項目１から５のいずれか１項に記載の発光装置。
【0082】
［項目７］
前記第１上面は、複数の前記第１出射領域を含み、
前記複数の第１電極のそれぞれは、前記複数の第１出射領域のいずれかから前記第１の光を出射させるように設けられており、
前記複数の第１電極のそれぞれは、前記複数の導電部材のうちの対応する導電部材と電気的に接続される、項目１から６のいずれか１項に記載の発光装置。
前記第１上面は、複数の前記第１出射領域を含み、
前記複数の第１電極のそれぞれは、前記複数の第１出射領域のいずれかから前記第１の光を出射させるように設けられており、
前記複数の第１電極のそれぞれは、前記複数の導電部材のうちの対応する導電部材と電気的に接続される、項目１から６のいずれか１項に記載の発光装置。
【0083】
［項目８］
前記支持基板の前記主面に支持された第２の面発光型レーザ素子であって、前記支持基板側の第２下面および前記第２下面と反対側の第２上面を有し、前記第２上面は第２の光を出射する第２出射領域を含み、前記第２下面に設けられた複数の第２電極を有する、第２の面発光型レーザ素子をさらに有する、項目１から７のいずれか１項に記載の発光装置。
前記支持基板の前記主面に支持された第２の面発光型レーザ素子であって、前記支持基板側の第２下面および前記第２下面と反対側の第２上面を有し、前記第２上面は第２の光を出射する第２出射領域を含み、前記第２下面に設けられた複数の第２電極を有する、第２の面発光型レーザ素子をさらに有する、項目１から７のいずれか１項に記載の発光装置。
【0084】
［項目９］
前記第２の面発光型レーザ素子の活性層は、前記第２上面よりも前記第２下面に近く配置されている、項目８に記載の発光装置。
前記第２の面発光型レーザ素子の活性層は、前記第２上面よりも前記第２下面に近く配置されている、項目８に記載の発光装置。
【0085】
［項目１０］
前記第２電極は、前記支持基板の前記主面に設けられた複数の他の導電部材と電気的に接合されている、項目８または９に記載の発光装置。
前記第２電極は、前記支持基板の前記主面に設けられた複数の他の導電部材と電気的に接合されている、項目８または９に記載の発光装置。
【0086】
［項目１１］
前記支持基板の前記主面に支持された第３の面発光型レーザ素子であって、前記支持基板側の第３下面および前記第３下面と反対側の第３上面を有し、前記第３上面は第３の光を出射する第３出射領域を含み、前記第３下面に設けられた第３電極を有する、第３の面発光型レーザ素子をさらに有する、項目８から１０のいずれか１項に記載の発光装置。
前記支持基板の前記主面に支持された第３の面発光型レーザ素子であって、前記支持基板側の第３下面および前記第３下面と反対側の第３上面を有し、前記第３上面は第３の光を出射する第３出射領域を含み、前記第３下面に設けられた第３電極を有する、第３の面発光型レーザ素子をさらに有する、項目８から１０のいずれか１項に記載の発光装置。
【0087】
［項目１２］
前記第１の光は、赤色の光であり、
前記第２の光は、青色または緑色の一方の光であり、
前記第３の光は、青色または緑色の他方の光である、項目１１に記載の発光装置。
前記第１の光は、赤色の光であり、
前記第２の光は、青色または緑色の一方の光であり、
前記第３の光は、青色または緑色の他方の光である、項目１１に記載の発光装置。
【0088】
［項目１３］
第１下面および前記第１下面と反対側の第１上面を有し、前記第１上面は第１の光を出射する第１出射領域を含み、前記第１上面に設けられた複数の第１電極を有する、第１の面発光型レーザ素子を用意する工程と、
主面を有する支持基板を用意する工程と、
配線層を有するフレキシブルプリント基板を用意する工程と、
前記第１電極が前記配線層に電気的に接続されるように、前記第１の面発光型レーザ素子の前記第１上面を前記フレキシブルプリント基板に接合する工程と、
前記第１上面に前記フレキシブルプリント基板が接合された前記第１の面発光型レーザ素子の前記第１下面を、接合層を介して前記支持基板の前記主面に接合する工程と、
前記第１電極と前記支持基板の前記主面に設けられた複数の導電部材とが前記配線層を介して電気的に接続されるように、前記フレキシブルプリント基板と前記支持基板の前記主面とを接合する工程と
を含む、発光装置の製造方法。
第１下面および前記第１下面と反対側の第１上面を有し、前記第１上面は第１の光を出射する第１出射領域を含み、前記第１上面に設けられた複数の第１電極を有する、第１の面発光型レーザ素子を用意する工程と、
主面を有する支持基板を用意する工程と、
配線層を有するフレキシブルプリント基板を用意する工程と、
前記第１電極が前記配線層に電気的に接続されるように、前記第１の面発光型レーザ素子の前記第１上面を前記フレキシブルプリント基板に接合する工程と、
前記第１上面に前記フレキシブルプリント基板が接合された前記第１の面発光型レーザ素子の前記第１下面を、接合層を介して前記支持基板の前記主面に接合する工程と、
前記第１電極と前記支持基板の前記主面に設けられた複数の導電部材とが前記配線層を介して電気的に接続されるように、前記フレキシブルプリント基板と前記支持基板の前記主面とを接合する工程と
を含む、発光装置の製造方法。
【0089】
［項目１４］
前記フレキシブルプリント基板は、開口部を有し、
前記第１上面を前記フレキシブルプリント基板に接合する工程において、前記第１出射領域が前記開口部によって露出されるように、前記第１上面を前記フレキシブルプリント基板に接合する、項目１３に記載の発光装置の製造方法。
前記フレキシブルプリント基板は、開口部を有し、
前記第１上面を前記フレキシブルプリント基板に接合する工程において、前記第１出射領域が前記開口部によって露出されるように、前記第１上面を前記フレキシブルプリント基板に接合する、項目１３に記載の発光装置の製造方法。
【0090】
［項目１５］
前記第１上面を前記フレキシブルプリント基板に接合する工程において、前記第１上面と前記配線層とが対向するように、前記第１の面発光型レーザ素子よりも鉛直方向下方に配置した前記フレキシブルプリント基板に、前記第１上面を接合する、項目１３または１４に記載の発光装置の製造方法。
前記第１上面を前記フレキシブルプリント基板に接合する工程において、前記第１上面と前記配線層とが対向するように、前記第１の面発光型レーザ素子よりも鉛直方向下方に配置した前記フレキシブルプリント基板に、前記第１上面を接合する、項目１３または１４に記載の発光装置の製造方法。
【0091】
［項目１６］
前記第１下面を前記支持基板の前記主面に接合する工程において、前記第１下面と前記主面とが対向するように、前記第１の面発光型レーザ素子よりも鉛直方向下方に配置した前記支持基板に、前記第１下面を接合する、項目１３から１５のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
前記第１下面を前記支持基板の前記主面に接合する工程において、前記第１下面と前記主面とが対向するように、前記第１の面発光型レーザ素子よりも鉛直方向下方に配置した前記支持基板に、前記第１下面を接合する、項目１３から１５のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【産業上の利用可能性】
【0092】
本開示の発光装置は、ヘッドマウントディスプレイ、プロジェクタ、ディスプレイ、および照明器具などの装置に利用され得る。
【符号の説明】
【0093】
１０：支持基板、１０ｓ１：主面（上面）、１０ｓ２：主面（下面）、１８、１８ａ、１８ｂ、１８ｃ：導電部材、２０：面発光型レーザ素子、２０ａ：第１の面発光型レーザ素子、２０ｂ：第２の面発光型レーザ素子、２０ｃ：第３の面発光型レーザ素子、５０：フレキシブルプリント基板、１００Ａ：発光装置
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図4】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図6D】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図8】
【図9】
【図10】
