特開 2024-66782 伸縮性を有する半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024066782

(43)【公開日】2024-05-16

(54)【発明の名称】伸縮性を有する半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/12 20060101AFI20240509BHJP

   H01L 25/04 20230101ALI20240509BHJP

   H01L 33/62 20100101ALI20240509BHJP

【ＦＩ】

H01L23/12 F

H01L25/04 Z

H01L33/62

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022176469

(22)【出願日】2022-11-02

(71)【出願人】

【識別番号】000004352

【氏名又は名称】日本放送協会

(74)【代理人】

【識別番号】100141139

【弁理士】

【氏名又は名称】及川 周

(74)【代理人】

【識別番号】100171446

【弁理士】

【氏名又は名称】高田 尚幸

(74)【代理人】

【識別番号】100114937

【弁理士】

【氏名又は名称】松本 裕幸

(74)【代理人】

【識別番号】100171930

【弁理士】

【氏名又は名称】木下 郁一郎

(72)【発明者】

【氏名】宮川 幹司

(72)【発明者】

【氏名】中田 充

(72)【発明者】

【氏名】辻 博史

【テーマコード（参考）】

5F142

【Ｆターム（参考）】

5F142AA52

5F142BA32

5F142CB11

5F142CB23

5F142CD02

5F142CD17

5F142CD23

5F142CD24

5F142CD25

5F142CD32

5F142CD44

5F142CD49

5F142FA03

5F142GA01

(57)【要約】

【課題】伸縮による半導体素子への影響を軽減し、半導体素子の動作の安定化を図ると共に、半導体素子の実装密度を高めることを可能とした伸縮性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の伸縮性樹脂基板２Ａ及び第２の伸縮性樹脂基板２Ｂは、互いに積層された状態で、複数の第１の非伸縮性樹脂基板３Ａの隣り合うもの同士の間及び複数の第２の非伸縮性樹脂基板３Ｂの隣り合うもの同士の間で伸縮自在とされており、第１の半導体素子４Ａと第２の半導体素子４Ｂとは、平面視において互いに重ならない位置に配置されると共に、第１の半導体素子４Ａと第２の半導体素子４Ｂとの隣り合うもの同士の間隔Ｄ_１２は、第１の半導体素子４Ａの隣り合うもの同士の間隔Ｄ_１１及び第２の半導体素子４Ｂの隣り合うもの同士の間隔Ｄ_２２よりも狭くなっている。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

伸縮自在な第１の伸縮性樹脂基板と、
前記第１の伸縮性樹脂基板の上に並んで配置された複数の第１の非伸縮性樹脂基板と、
前記複数の第１の非伸縮性樹脂基板の各々の面上に配置された複数の第１の半導体素子と、
前記複数の第１の非伸縮性樹脂基板の上に配置された伸縮自在な第２の伸縮性樹脂基板と、
前記第２の伸縮性樹脂基板の上に並んで配置された複数の第２の非伸縮性樹脂基板と、
前記複数の第２の非伸縮性樹脂基板の各々の面上に配置された複数の第２の半導体素子とを備え、
前記第１の伸縮性樹脂基板及び前記第２の伸縮性樹脂基板は、互いに積層された状態で、前記複数の第１の非伸縮性樹脂基板の隣り合うもの同士の間及び前記複数の第２の非伸縮性樹脂基板の隣り合うもの同士の間で伸縮自在とされており、
前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子とは、平面視において互いに重ならない位置に配置されていることを特徴とする伸縮性を有する半導体装置。

【請求項2】

前記平面視において、前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子との隣り合うもの同士の間隔は、前記第１の半導体素子の隣り合うもの同士の間隔及び前記第２の半導体素子の隣り合うもの同士の間隔よりも狭くなっていることを特徴とする請求項１に記載の伸縮性を有する半導体装置。

【請求項3】

前記第１の非伸縮性樹脂基板と前記第２の非伸縮性樹脂基板とは、平面視において互いに隣り合った状態で配置されていることを特徴とする請求項１に記載の伸縮性を有する半導体装置。

【請求項4】

前記第１の非伸縮性樹脂基板と前記第２の非伸縮性樹脂基板とは、平面視において互いの一部が重なり合った状態で配置されていることを特徴とする請求項１に記載の伸縮性を有する半導体装置。

【請求項5】

前記第１の伸縮性樹脂基板及び前記第２の伸縮性樹脂基板は、粘着性を有し、
前記第１の非伸縮性樹脂基板は、前記第１の伸縮性樹脂基板の粘着力により前記第１の伸縮性樹脂基板に貼着され、
前記第２の非伸縮性樹脂基板は、前記第２の伸縮性樹脂基板の粘着力により前記第２の伸縮性樹脂基板に貼着されていることを特徴とする請求項１に記載の伸縮性を有する半導体装置。

【請求項6】

前記第１の非伸縮性樹脂基板は、前記第１の伸縮性樹脂基板との間に設けられた第１の密着層を介して前記第１の伸縮性樹脂基板に貼着され、
前記第２の非伸縮性樹脂基板は、前記第２の伸縮性樹脂基板との間に設けられた第２の密着層を介して前記第２の伸縮性樹脂基板に貼着されていることを特徴とする請求項１に記載の伸縮性を有する半導体装置。

【請求項7】

前記第１の伸縮性樹脂基板の前記第１の非伸縮性樹脂基板と対向する面側に伸縮自在に設けられた第１の配線層と、
前記第１の非伸縮性樹脂基板を貫通した状態で、前記第１の配線層と電気的に接続された第１の貫通電極と、
前記第２の伸縮性樹脂基板の前記第２の非伸縮性樹脂基板と対向する面側に伸縮自在に設けられた第２の配線層と、
前記第２の非伸縮性樹脂基板を貫通した状態で、前記第２の配線層と電気的に接続された第２の貫通電極とを備えることを特徴とする請求項１に記載の伸縮性を有する半導体装置。

【請求項8】

前記第１の半導体素子及び前記第２の半導体素子は、発光素子であることを特徴とする請求項１に記載の伸縮性を有する半導体装置。

【請求項9】

伸縮自在な伸縮性樹脂基板と、
前記伸縮性樹脂基板の上に並んで配置された複数の非伸縮性樹脂基板と、
前記複数の非伸縮性樹脂基板の各々の面上に配置された複数の半導体素子とを含む積層ユニットが少なくとも２層以上積層された構造を有し、
前記伸縮性樹脂基板は、前記複数の非伸縮性樹脂基板の隣り合うもの同士の間で伸縮自在とされており、
前記複数の半導体素子は、平面視において互いに重ならない位置に配置されていることを特徴とする伸縮性を有する半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、伸縮性を有する半導体装置に関する。

【背景技術】

【0002】

例えば、伸縮性を有する半導体装置がある（例えば、下記特許文献１，２を参照。）。このような伸縮性を有する半導体装置は、球面や自由曲面などの３次元形状に変形可能な有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）ディスプレイや、感圧センサなどの電子デバイスの駆動に必要である。

【0003】

具体的に、下記特許文献１には、支持表面を有するフレキシブル基板と、曲面状内表面を有する半導体構造とを備え、曲面状内表面の少なくとも一部がフレキシブル基板の支持表面に結合されている伸縮性半導体素子が開示されている。

【0004】

また、下記特許文献２には、樹脂基板上に１つ又は複数の半導体素子を形成し、半導体素子を内側封止層で覆って構成した半導体搭載基材が、エラストマーからなる伸縮性樹脂フィルムに１つ又は複数埋設され、伸縮性樹脂フィルムに半導体素子に接続される導電回路が形成され、半導体搭載基材の周囲が外側封止層で覆われた伸縮性デバイスが開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２００７－２８１４０６号公報

【特許文献2】特開２０１５－１４９３６４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

ところで、上述した伸縮性を有する半導体装置では、伸縮性を有する基板の上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などの半導体素子を形成している。しかしながら、従来の半導体装置では、基板を伸縮させた際に、伸縮部となる基板と、非伸縮部となる半導体素子との間で剥離が生じ易く、半導体素子の特性が不安定となることがあった。

【0007】

また、基板を伸縮させた際に、伸縮する基板側の配線と、半導体素子側の電極との間で電気的な接続を維持することが困難となり、断線してしまうおそれがある。特に、基板が伸張するほど、基板と共に配線が伸張されるものの、配線の伸張率には自ずと限界がある。

【0008】

さらに、半導体素子の実装密度と配線の伸張率とはトレードオフの関係があり、非伸縮部となる半導体素子の実装間隔が狭くなるほど、隣り合う半導体素子の間で伸張する配線の伸張率が限界に達してしまうため、半導体素子の実装密度を高めることが困難となる。

【0009】

本発明は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、伸縮による半導体素子への影響を軽減し、半導体素子の動作の安定化を図ると共に、半導体素子の実装密度を高めることを可能とした伸縮性を有する半導体装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0010】

上記目的を達成するために、本発明は以下の手段を提供する。
〔１〕 伸縮自在な第１の伸縮性樹脂基板と、
前記第１の伸縮性樹脂基板の上に並んで配置された複数の第１の非伸縮性樹脂基板と、
前記複数の第１の非伸縮性樹脂基板の各々の面上に配置された複数の第１の半導体素子と、
前記複数の第１の非伸縮性樹脂基板の上に配置された伸縮自在な第２の伸縮性樹脂基板と、
前記第２の伸縮性樹脂基板の上に並んで配置された複数の第２の非伸縮性樹脂基板と、
前記複数の第２の非伸縮性樹脂基板の各々の面上に配置された複数の第２の半導体素子とを備え、
前記第１の伸縮性樹脂基板及び前記第２の伸縮性樹脂基板は、互いに積層された状態で、前記複数の第１の非伸縮性樹脂基板の隣り合うもの同士の間及び前記複数の第２の非伸縮性樹脂基板の隣り合うもの同士の間で伸縮自在とされており、
前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子とは、平面視において互いに重ならない位置に配置されていることを特徴とする伸縮性を有する半導体装置。
〔２〕 前記平面視において、前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子との隣り合うもの同士の間隔は、前記第１の半導体素子の隣り合うもの同士の間隔及び前記第２の半導体素子の隣り合うもの同士の間隔よりも狭くなっていることを特徴とする前記〔１〕に記載の伸縮性を有する半導体装置。
〔３〕 前記第１の非伸縮性樹脂基板と前記第２の非伸縮性樹脂基板とは、平面視において互いに隣り合った状態で配置されていることを特徴とする前記〔１〕に記載の伸縮性を有する半導体装置。
〔４〕 前記第１の非伸縮性樹脂基板と前記第２の非伸縮性樹脂基板とは、平面視において互いの一部が重なり合った状態で配置されていることを特徴とする前記〔１〕に記載の伸縮性を有する半導体装置。
〔５〕 前記第１の伸縮性樹脂基板及び前記第２の伸縮性樹脂基板は、粘着性を有し、
前記第１の非伸縮性樹脂基板は、前記第１の伸縮性樹脂基板の粘着力により前記第１の伸縮性樹脂基板に貼着され、
前記第２の非伸縮性樹脂基板は、前記第２の伸縮性樹脂基板の粘着力により前記第２の伸縮性樹脂基板に貼着されていることを特徴とする前記〔１〕に記載の伸縮性を有する半導体装置。
〔６〕 前記第１の非伸縮性樹脂基板は、前記第１の伸縮性樹脂基板との間に設けられた第１の密着層を介して前記第１の伸縮性樹脂基板に貼着され、
前記第２の非伸縮性樹脂基板は、前記第２の伸縮性樹脂基板との間に設けられた第２の密着層を介して前記第２の伸縮性樹脂基板に貼着されていることを特徴とする前記〔１〕に記載の伸縮性を有する半導体装置。
〔７〕 前記第１の伸縮性樹脂基板の前記第１の非伸縮性樹脂基板と対向する面側に伸縮自在に設けられた第１の配線層と、
前記第１の非伸縮性樹脂基板を貫通した状態で、前記第１の配線層と電気的に接続された第１の貫通電極と、
前記第２の伸縮性樹脂基板の前記第２の非伸縮性樹脂基板と対向する面側に伸縮自在に設けられた第２の配線層と、
前記第２の非伸縮性樹脂基板を貫通した状態で、前記第２の配線層と電気的に接続された第２の貫通電極とを備えることを特徴とする前記〔１〕に記載の伸縮性を有する半導体装置。
〔８〕 前記第１の半導体素子及び前記第２の半導体素子は、発光素子であることを特徴とする前記〔１〕に記載の伸縮性を有する半導体装置。
〔９〕 伸縮自在な伸縮性樹脂基板と、
前記伸縮性樹脂基板の上に並んで配置された複数の非伸縮性樹脂基板と、
前記複数の非伸縮性樹脂基板の各々の面上に配置された複数の半導体素子とを含む積層ユニットが少なくとも２層以上積層された構造を有し、
前記伸縮性樹脂基板は、前記複数の非伸縮性樹脂基板の隣り合うもの同士の間で伸縮自在とされており、
前記複数の半導体素子は、平面視において互いに重ならない位置に配置されていることを特徴とする伸縮性を有する半導体装置。

【発明の効果】

【0011】

以上のように、本発明によれば、伸縮による半導体素子への影響を軽減し、半導体素子の動作の安定化を図ると共に、半導体素子の実装密度を高めることを可能とした伸縮性を有する半導体装置を提供することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】本発明の一実施形態に係る半導体装置の構成を示す平面図である。

【図2】図１中に示す半導体装置の断面図である。

【図3】図１中に示す線分Ａ－Ａによる半導体装置の要部を拡大した断面図である。

【図4】図１中に示す線分Ｂ－Ｂによる半導体装置の要部を拡大した断面図である。

【図5】図１に示す半導体装置の伸張時の状態を示す平面図である。

【図6】図２に示す半導体装置の伸張時の状態を示す断面図である。

【図7】図１に示す半導体装置の製造工程を順に説明するための断面図である。

【図8】図１に示す半導体装置の製造工程を順に説明するための断面図である。

【図9】図１に示す半導体装置の製造工程を順に説明するための断面図である。

【図10】図１に示す半導体装置の製造工程を順に説明するための断面図である。

【図11】図１に示す半導体装置の製造工程を順に説明するための断面図である。

【図12】図１に示す半導体装置の製造工程を順に説明するための断面図である。

【図13】図１に示す半導体装置の製造工程を順に説明するための断面図である。

【図14】第１の積層ユニットの構成を示す平面図である。

【図15】第２の積層ユニットの構成を示す平面図である。

【図16】非伸縮部と伸縮部との寸法を示す平面図である。

【図17】非伸縮部と伸縮部との寸法割合に対する素子間の伸張率と配線層の伸張率との関係をグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本発明はそれらに必ずしも限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。

【0014】

また、以下に示す図面では、ＸＹＺ直交座標系を設定し、Ｘ軸方向を半導体装置の面内における第１の方向Ｘとし、Ｙ軸方向を半導体装置の面内における第１の方向Ｘとは直交する第２の方向Ｙとし、Ｚ軸方向を半導体装置の面内に対して直交する第３の方向Ｚとして示すものとする。

【0015】

（半導体装置）
先ず、本発明の一実施形態として、例えば図１～図６に示す伸縮性を有する半導体装置１の構成について説明する。
なお、図１は、半導体装置１の構成を示す斜視図である。図２は、図１中に示す半導体装置１の断面図である。図３は、図１中に示す線分Ａ－Ａによる半導体装置１の要部を拡大した断面図である。図４は、図１中に示す線分Ｂ－Ｂによる半導体装置１の要部を拡大した断面図である。図５は、図１に示す半導体装置１の伸張時の状態を示す平面図である。図６は、図２に示す半導体装置１の伸張時の状態を示す断面図である。なお、図２では、便宜上、第１の積層ユニット５０Ａと第２の積層ユニット５０Ｂの断面との図１中に示す線分Ａ－Ａに対応した断面をまとめて示している。

【0016】

本実施形態の半導体装置１は、図１～図３に示すように、伸縮自在な第１の伸縮性樹脂基板２Ａと、第１の伸縮性樹脂基板２Ａの面内に並んで配置された複数の第１の非伸縮性樹脂基板３Ａと、複数の第１の非伸縮性樹脂基板３Ａの各々の面上に配置された複数の第１の発光素子４Ａと、複数の第１の非伸縮性樹脂基板３Ａの上に配置された伸縮自在な第２の伸縮性樹脂基板２Ｂと、複数の第２の伸縮性樹脂基板２Ｂの面内に並んで配置された複数の第２の非伸縮性樹脂基板３Ｂと、複数の第２の非伸縮性樹脂基板３Ｂの各々の面上に配置された複数の第２の発光素子４Ｂとを備えている。

【0017】

第１の伸縮性樹脂基板２Ａ及び第２の伸縮性樹脂基板２Ｂは、粘着性を有するアクリル系粘着組成物を含むフィルム基板であり、その中でも、透明性や耐候性、耐熱性に優れ、凹凸面に対する追従性や曲面接着力及び保持力に優れたアクリル系樹脂を用いることが好ましい。

【0018】

第１及び第２の伸縮性樹脂基板２Ａ，２Ｂには、例えば、粘着性を有するアクリル系粘着組成物として、アクリロイル基及びメタクリロイル基を有するモノマーを５０質量％以上の割合で含む粘着性を有するアクリル系ポリマーを用いることができる。また、第１及び第２の伸縮性樹脂基板２Ａ，２Ｂは、粘着付与樹脂として、例えば、ロジン系粘着付与樹脂、テルペン系粘着付与樹脂、エポキシ系粘着付与樹脂などを含む構成としてもよい。また、第１及び第２の伸縮性樹脂基板２Ａ，２Ｂは、フィルム基板を構成する樹脂材料として、引張伸び率が１００％以上の樹脂であり、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、スチレンブタジエン樹脂などを用いることができる。また、第１及び第２の伸縮性樹脂基板２Ａ，２Ｂの厚さは、０．００５～１．５ｍｍであることが好ましく、より好ましくは０．０５～１ｍｍである。

【0019】

第１及び第２の伸縮性樹脂基板２Ａ，２Ｂの粘着力は、「ＪＩＳ Ｚ ０２３７」に基づいて測定される１８０°引き剥がし粘着力において、例えば、５Ｎ／２ｍｍ以上であることが好ましく、より好ましくは７Ｎ／２０ｍｍ以上である。第１及び第２の伸縮性樹脂基板２Ａ，２Ｂの粘着力の高さは、第１及び第２の非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂとの剥離を抑制し、一体化するために必要な要素であり、粘着力の上限については特に制限されるものではない。

【0020】

第１及び第２の伸縮性樹脂基板２Ａ，２Ｂは、長寿命化及び耐久性の向上を図るため、伸縮させた後に元の形状への復元性があることが好ましい。具体的には、１００％伸張させた後の復元率が７０％以上であることが好ましく、より好ましくは８５％以上である。復元率が低いと耐久性が得られにくくなる。復元率の調整は、アクリル系ポリマーの架橋度や平均分子量により調整することが知られており、この手法により調整が可能である。

【0021】

第１の非伸縮性樹脂基板３Ａ及び第２の非伸縮性樹脂基板３Ｂは、可撓性を有する樹脂（プラスチック）製のフィルム基板であり、各伸縮性樹脂基板２Ａ，２Ｂの面内において互いに交差（本実施形態では直交）する第１の方向Ｘと第２の方向Ｙとにマトリックス状に並んで配置されている。また、各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂは、上述した各伸縮性樹脂基板２Ａ，２Ｂが有する粘着力によって、各伸縮性樹脂基板２Ａ，２Ｂの一方の面（表面）側に貼着可能となっている。

【0022】

第１及び第２の非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂには、例えば、ポリイミド（ＰＩ）やポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ナノセルロースなどを用いることができる。その中でも、半導体素子等の形成時に必要や熱焼成や薬液処理などに対する耐熱性や耐薬品性に優れたＰＩを用いることが好ましい。また、第１及び第２の非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂの厚さは、０．１～１００μｍであることが好ましく、より好ましくは１～１０μｍである。

【0023】

また、各第１の非伸縮性樹脂基板３Ａは、各第１の伸縮性樹脂基板２Ａに第１の密着層５Ａを介して貼着されていることが好ましい。一方、各第２の非伸縮性樹脂基板３Ｂは、各第２の伸縮性樹脂基板２Ｂに第２の密着層５Ｂを介して貼着されていることが好ましい。

【0024】

第１及び第２の密着層５Ａ，５Ｂは、伸縮部となる各伸縮性樹脂基板２Ａ，２Ｂと、非伸縮部となる各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂとの間の密着性を向上させるための層であり、各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂの各伸縮性樹脂基板２Ａ，２Ｂと対向する面上に形成されている。

【0025】

第１及び第２の密着層５Ａ，５Ｂには、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜や窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）膜などの無機酸化膜、又はこれらの積層膜を用いることができる。また、各密着層５Ａ，５Ｂの厚さは、５～２００ｎｍであることが好ましく、より好ましくは１０～２０ｎｍである。

【0026】

複数の第１の発光素子４Ａは、複数の第１の非伸縮性樹脂基板３Ａと共に、第１の伸縮性樹脂基板２Ａの面内において互いに交差（本実施形態では直交）する第１の方向Ｘと第２の方向Ｙとにマトリックス状に並んで配置されている。

【0027】

複数の第２の発光素子４Ｂは、複数の第２の非伸縮性樹脂基板３Ｂと共に、第２の伸縮性樹脂基板２Ｂの面内において互いに交差（本実施形態では直交）する第１の方向Ｘと第２の方向Ｙとにマトリックス状に並んで配置されている。

【0028】

各発光素子４Ａ，４Ｂは、発光ダイオード（ＬＥＤ）素子であり、各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂに実装されることによって、各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂの一方の面（上面）上に配置された第１の上部電極層６及び第２の上部電極層７と電気的に接続されている。

【0029】

第１の上部電極層６及び第２の上部電極層７には、例えば、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）などの金属又はそれらの合金、若しくはそれらの金属を２種類以上積層した導電膜を用いることができる。

【0030】

第１の上部電極層６と第２の上部電極層７とは、各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂの面上において互いに交差（本実施形態では直交）する第１の方向Ｘと第２の方向Ｙとに延在しながら、互いに立体的に交差するように配置されている。

【0031】

このため、第１の上部電極層６と第２の上部電極層７との互いに交差する位置には、第１の上部電極層６と第２の上部電極層７との間を電気的に絶縁する絶縁層８が設けられている。絶縁層８には、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）膜や酸化シリコン（ＳｉＯ_２）などを用いることができる。

【0032】

各発光素子４Ａ，４Ｂの一端は、第１の上部電極層６から幅方向に突出した電極部６ａを介して第１の上部電極層６と電気的に接続されている。各発光素子４Ａ，４Ｂの他端は、第２の上部電極層７と電気的に接続されている。

【0033】

第１の上部電極層６の両端は、各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂを貫通して設けられた一対の第１の貫通電極９ａ，９ｂと電気的接続されている。一対の第１の貫通電極９ａ，９ｂは、各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂを貫通する一対の第１の孔部１０ａ，１０ｂに埋め込まれた状態で設けられている。

【0034】

また、第２の上部電極層７の両端は、各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂを貫通して設けられた一対の第２の貫通電極１１ａ，１１ｂと電気的接続されている。一対の第２の貫通電極１１ａ，１１ｂは、各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂを貫通する一対の第２の孔部１２ａ，１２ｂに埋め込まれた状態で設けられている。

【0035】

第１の貫通電極９ａ，９ｂ及び第２の貫通電極１１ａ，１１ｂは、第１の孔部１０ａ，１０ｂ及び第２の孔部１２ａ，１２ｂに、例えば、弾性のあるエラストマーに導電性フィラーを分散させた導電性弾性材料を埋め込むことによって形成されている。

【0036】

エラストマーとしては、柔軟性を付与することから、例えば、シリコーンゴム、フッ素ゴム、スチレン－ブタジエンゴム、ブタジエンゴム（ＢＲ）、ブチルゴム、エチレン－プロピレン共重合体、ニトリルゴム（ＮＢＲ）、クロロプレンゴム（ＣＲ）、クロロスルホン化ポリエチレン、ウレタンゴム、アクリルゴム、エピクロルヒドリンゴムなどを用いることができる。

【0037】

導電性フィラーとしては、例えば、カーボンナノチューブ、金属ナノワイヤー、金属ナノ粒子、金属ナノフレークなどを用いることができる。

【0038】

第１及び第２の伸縮性樹脂基板２Ａ，２Ｂの一方の面（上面）上には、伸縮性を有する一対の第１の配線層１３ａ，１３ｂ及び一対の第２の配線層１４ａ，１４ｂが設けられている。第１の配線層１３ａ，１３ｂ及び第２の配線層１４ａ，１４ｂには、例えば、弾性のあるエラストマーに導電性フィラーを分散させて導電性を持たせた導電性弾性材料や、金などの金属配線を蛇腹状に湾曲形状をさせたものなどの伸縮性を有する導電層を用いることができる。

【0039】

エラストマーとしては、柔軟性を付与することから、例えば、シリコーンゴム、フッ素ゴム、スチレン－ブタジエンゴム、ブタジエンゴム（ＢＲ）、ブチルゴム、エチレン－プロピレン共重合体、ニトリルゴム（ＮＢＲ）、クロロプレンゴム（ＣＲ）、クロロスルホン化ポリエチレン、ウレタンゴム、アクリルゴム、エピクロルヒドリンゴムなどを用いることができる。

【0040】

導電性フィラーとしては、例えば、カーボンナノチューブ、金属ナノワイヤー、金属ナノ粒子、金属ナノフレークなどを用いることができる。また、伸縮時に導電性を損なわないためには、ワイヤー状やフレーク状のものを用いることが好ましく、伸張時にネットワーク状の構造を形成することが可能であり、導電性パスを維持することが可能である。

【0041】

一対の第１の配線層１３ａ，１３ｂは、一対の第１の貫通電極９ａ，９ｂと一体に形成されることによって、これら一対の第１の貫通電極９ａ，９ｂと電気的に接続されている。また、一対の第１の配線層１３ａ，１３ｂは、各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂの第１の方向Ｘにおいて隣り合うもの同士の間を電気的に接続するように、第１の方向Ｘに延在して設けられている。

【0042】

一対の第２の配線層１４ａ，１４ｂは、一対の第２の貫通電極１１ａ，１１ｂと一体に形成されることによって、これら一対の第２の貫通電極１１ａ，１１ｂと電気的に接続されている。また、一対の第２の配線層１４ａ，１４ｂは、各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂの第２の方向Ｙにおいて隣り合うもの同士の間を電気的に接続するように、第２の方向Ｙに延在して設けられている。

【0043】

なお、本実施形態の半導体装置１では、各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂの上に、各発光素子４Ａ，４Ｂの少なくとも一部を覆う保護層（図示せず。）が設けられた構成としてもよい。保護層は、各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂの上に形成される各発光素子４Ａ，４Ｂの歪みを抑制し、各発光素子４Ａ，４Ｂの特性を安定化させる効果を有している。

【0044】

保護層には、例えばエポキシ系樹脂、オレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂などの有機膜を用いることができる。その中でも、１μｍ以上の厚膜化が可能であり、光によるパターン形成が可能な光反応性のエポキシ系樹脂を用いることが好ましい。具体的には、ネガ型のフォトレジスト材料であるＳＵ－８などを用いることができる。また、保護層の厚みは、０．１～５μｍであることが好ましく、より好ましくは１～２μｍである。

【0045】

本実施形態の半導体装置１は、第１の伸縮性樹脂基板２Ａ、複数の第１の非伸縮性樹脂基板３Ａ及び複数の第１の発光素子４Ａを含む第１の積層ユニット５０Ａと、第２の伸縮性樹脂基板２Ｂ、複数の第２の非伸縮性樹脂基板３Ｂ及び複数の第２の発光素子４Ｂを含む第２の積層ユニット５０Ｂとが順次積層された構造を有している。

【0046】

このため、第１の伸縮性樹脂基板２Ａと第２の伸縮性樹脂基板２Ｂとは、互いに積層された状態で一体化された伸縮性樹脂基板２０を構成している。また、複数の第１の非伸縮性樹脂基板３Ａは、第２の伸縮性樹脂基板２Ｂに埋め込まれた状態で配置されている。一方、各第１の発光素子４Ａは、第２の伸縮性樹脂基板２Ｂの一方の面（上面）から露出している。

【0047】

なお、各第１の発光素子４Ａについては、必ずしも第２の伸縮性樹脂基板２Ｂの一方の面（上面）から露出している必要はなく、第２の伸縮性樹脂基板２Ｂが透明樹脂からなる場合には、第２の伸縮性樹脂基板２Ｂの一方の面（上面）から露出していなくてもよい。

【0048】

第１の発光素子４Ａと第２の発光素子４Ｂとは、伸縮性樹脂基板２０の面内に対して直交する第３の方向Ｚにおいて異なる位置に配置されている。また、第１の発光素子４Ａと第２の発光素子４Ｂとは、伸縮性樹脂基板２０の平面視において互いに重ならない位置に配置されている。具体的に、第１の発光素子４Ａと第２の発光素子４Ｂとは、第１の方向Ｘと第２の方向Ｙとにおいて、千鳥状に交互にずらして配置されている。

【0049】

第１の非伸縮性樹脂基板３Ａと第２の非伸縮性樹脂基板３Ｂとは、平面視において互いに隣り合った状態で配置されている。また、第１の非伸縮性樹脂基板３Ａと第２の非伸縮性樹脂基板３Ｂとは、平面視において互いの一部が重なり合った状態で配置されている。

【0050】

これにより、第１の方向Ｘと第２の方向Ｙとにおいて、第１の発光素子４Ａと第２の発光素子４Ｂとの隣り合うもの同士の間隔Ｄ_１２は、第１の発光素子４Ａの隣り合うもの同士の間隔Ｄ_１１及び第２の発光素子４Ｂの隣り合うもの同士の間隔Ｄ_２２よりも狭くなっている。

【0051】

以上のような構成を有する本実施形態の半導体装置１では、上述した第１及び第２の密着層５Ａ，５Ｂを介して各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂが各伸縮性樹脂基板２Ａ，２Ｂと強固に貼着されている。

【0052】

これにより、伸縮性樹脂基板２０を伸縮させた際に、各伸縮性樹脂基板２Ａ，２Ｂと各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂとの間で剥離することを防止することが可能である。また、各発光素子４Ａ，４Ｂは、各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂの上に設けられているため、各伸縮性樹脂基板２Ａ，２Ｂによる伸縮の影響を軽減することが可能である。

【0053】

本実施形態の半導体装置１では、上述した伸縮性樹脂基板２０を伸縮させた際に、複数の第１の非伸縮性樹脂基板３Ａの隣り合うもの同士の間で第１の伸縮性樹脂基板２Ａと、複数の第２の非伸縮性樹脂基板３Ｂの隣り合うもの同士の間で第２の伸縮性樹脂基板２Ｂとが伸縮自在とされている。

【0054】

ところで、本実施形態の半導体装置１では、上述した第１の発光素子４Ａと第２の発光素子４Ｂとが平面視において互いに重ならないように、これら第１の発光素子４Ａと第２の発光素子４Ｂとの隣り合うもの同士の間隔Ｄ_１２を狭めて配置することで、第１の発光素子４Ａと第２の発光素子４Ｂとの実装間隔を狭めて、これら発光素子４Ａ，４Ｂの実装密度を実質的に高めることが可能である。

【0055】

また、本実施形態の半導体装置１では、上述した第１の発光素子４Ａと第２の発光素子４Ｂとの隣り合うもの同士の間隔Ｄ_１２よりも、第１の発光素子４Ａの隣り合うもの同士の間隔Ｄ_１１及び第２の発光素子４Ｂの隣り合うもの同士の間隔Ｄ_２２が広くなっている。

【0056】

この場合、伸縮性樹脂基板２０の伸張時に、第１の発光素子４Ａと第２の発光素子４Ｂとの隣り合うもの同士の間隔Ｄ_１２が広がる割合よりも、第１の発光素子４Ａの隣り合うもの同士の間隔Ｄ_１１及び第２の発光素子４Ｂの隣り合うもの同士の間隔Ｄ_２２が広がる割合を小さくすることが可能である。

【0057】

これにより、伸縮性樹脂基板２０の伸張時に、第１の発光素子４Ａと第２の発光素子４Ｂとの隣り合うもの同士の間隔Ｄ_１２が広がる割合に対して、第１の伸縮性樹脂基板２Ａ及び第２の伸縮性樹脂基板２Ｂと共に伸張される第１の配線層１３ａ，１３ｂ及び第２の配線層１４ａ，１４ｂの伸張率を低く抑えて、これら第１の配線層１３ａ，１３ｂ及び第２の配線層１４ａ，１４ｂの断線を防ぐことが可能である。

【0058】

さらに、伸縮性樹脂基板２０を伸縮させた際の、各第１の配線層１３ａ，１３ｂと各第１の貫通電極９ａ，９ｂとの間の電気的な接続を維持すると共に、各第２の配線層１４ａ，１４ｂと各第２の貫通電極１１ａ，１１ｂとの間の電気的な接続を維持することが可能である。

【0059】

したがって、本実施形態の半導体装置１では、伸縮性樹脂基板２０の伸縮による各発光素子４Ａ，４Ｂへの影響を軽減し、各発光素子４Ａ，４Ｂの動作の安定化を図ると共に、各発光素子４Ａ，４Ｂの実装密度を高めることが可能である。

【0060】

（半導体装置の製造方法）
次に、上記半導体装置１の製造方法について、図７～図１５を参照しながら説明する。
なお、図７～図１３は、半導体装置１の製造工程を順に説明するための断面図である。図１４は、第１の積層ユニット５０Ａの構成を示す平面図である。図１５は、第２の積層ユニット５０Ｂの構成を示す平面図である。また、図７～図１３では、図１中に示す線分Ａ－Ａに対応した断面図を示している。

【0061】

上記半導体装置１を製造する際は、上述した第１の積層ユニット５０Ａ及び第２の積層ユニット５０Ｂを作製する。具体的には、先ず、図７に示すように、第１の支持基板２１の上に、複数の第１及び第２の非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂとなる非伸縮性樹脂基材３０を形成する。具体的には、第１の支持基板２１にガラス基板を用い、この第１の支持基板２１の上に、上述した各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３ＢとなるＰＩを含む塗液をスピンコートにより塗布して塗膜を形成した後に、この塗膜を乾燥させることによって、ＰＩフィルムからなる非伸縮性樹脂基材３０を形成する。

【0062】

次に、図８に示すように、非伸縮性樹脂基材３０の各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂとなる部分の周囲と、各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂの第１の孔部１０ａ，１０ｂ及び第２の孔部１２ａ，１２ｂとなる部分とを、フォトリソグラフィー技術を用いたドライエッチングにより除去することによって、各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂと、各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂを貫通する第１の孔部１０ａ，１０ｂ及び第２の孔部１２ａ，１２ｂとを形成する。

【0063】

次に、図９に示すように、各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂの第１の孔部１０ａ，１０ｂ及び第２の孔部１２ａ，１２ｂに第１の貫通電極９ａ，９ｂ及び第２の貫通電極１１ａ，１１ｂを埋め込み形成する。

【0064】

第１の貫通電極９ａ，９ｂ及び第２の貫通電極１１ａ，１１ｂは、ディスプレンサによる吐出法などを用いて、第１の孔部１０ａ，１０ｂ及び第２の孔部１２ａ，１２ｂに導電性弾性材料を埋め込んだ後、必要に応じて焼成することによって形成される。

【0065】

その後、各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂの上に、第１の上部電極層６、絶縁層８及び第２の上部電極層７を形成する。

【0066】

次に、図１０に示すように、各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂの上に再剥離用フィルムテープ２２を介して第２の支持基板２３を貼り付ける。

【0067】

次に、図１１に示すように、第１の支持基板２１を剥離する。具体的には、レーザーリフトオフを用いて、第１の支持基板２１側からレーザー光を照射し、各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂと第１の支持基板２１との界面をアブレーションすることによって、各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂから剥離した第１の支持基板２１を除去する。

【0068】

次に、図１２に示すように、第１及び第２の伸縮性樹脂基板２Ａ，２Ｂの上に、エラストマーに導電性フィラーを分散させた導電性弾性材料を用いて、第１の配線層１３ａ，１３ｂ及び第２の配線層１４ａ，１４ｂを形成した後、複数の第１及び第２の非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂの上に第１及び第２の密着層５Ａ，５Ｂを介して第１及び第２の伸縮性樹脂基板２Ａ，２Ｂを貼着する。

【0069】

第１の配線層１３ａ，１３ｂ及び第２の配線層１４ａ，１４ｂのパターン形成には、例えば、スクリーン印刷、インクジェット印刷、フレキソグラフィー印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、エアロゾルジェット印刷、ステンシル印刷などの印刷法や、ディスプレンサによる吐出法などを用いて、導電性弾性材料を第１の配線層１３ａ，１３ｂ及び第２の配線層１４ａ，１４ｂの形状にパターン形成する。

【0070】

その後、必要に応じて、導電性弾性材料を焼成することで伸縮性を有する第１の配線層１３ａ，１３ｂ及び第２の配線層１４ａ，１４ｂを形成することが可能である。また、第１の配線層１３ａ，１３ｂ及び第２の配線層１４ａ，１４ｂは、第１の貫通電極９ａ，９ｂ及び第２の貫通電極１１ａ，１１ｂと一体に形成された状態となる。

【0071】

なお、導電性弾性材料の焼成については、第１の貫通電極９ａ，９ｂ及び第２の貫通電極１１ａ，１１ｂを形成する導電性弾性材料と、第１の配線層１３ａ，１３ｂ及び第２の配線層１４ａ，１４ｂを形成する導電性弾性材料とを別々に焼成してもよく、これらの導電性弾性材料を同時に焼成してもよい。

【0072】

次に、図１３に示すように、第２の支持基板２３を再剥離用フィルムテープ２２と共に、複数の第１及び第２の非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂから剥離して除去する。その後、各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂの第１の上部電極層６及び第２の上部電極層７と電気的に接続されるように、各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂの上に各発光素子４Ａ，４Ｂを実装する。

【0073】

以上の工程を経ることによって、図１４に示すような第１の積層ユニット５０Ａと、図１５に示すような第２の積層ユニット５０Ｂとを作製することが可能である。

【0074】

次に、第１の積層ユニット５０Ａと第２の積層ユニット５０Ｂとを積層し、第１の伸縮性樹脂基板２Ａと第２の伸縮性樹脂基板２Ｂとを一体化した伸縮性樹脂基板２０を形成する。

【0075】

第１の積層ユニット５０Ａと第２の積層ユニット５０Ｂとの積層には、上記各伸縮性樹脂基板２Ａ，２Ｂと同じ材料を用いた層間密着層（図示せず。）を介して第１の伸縮性樹脂基板２Ａと第２の伸縮性樹脂基板２Ｂとを貼着する。

【0076】

また、第１の積層ユニット５０Ａと第２の積層ユニット５０Ｂとを貼着する際は、第１の積層ユニット５０Ａと第２の積層ユニット５０Ｂとの互いに対向する面とは反対側の面に、再剥離用フィルムテープを介して支持基板を貼り付けた後に、アライメント装置を用いて、第１の積層ユニット５０Ａと第２の積層ユニット５０Ｂとを貼着することが好ましい。

【0077】

その後、支持基板を再剥離用フィルムテープと共に剥離して除去する。以上の工程を経ることによって、上記図１に示すような半導体装置１を作製することが可能である。

【0078】

本実施形態の半導体装置１の製造方法では、上述した伸縮性樹脂基板２０の伸縮による各発光素子４Ａ，４Ｂへの影響を軽減し、各発光素子４Ａ，４Ｂの動作の安定化を図ると共に、各発光素子４Ａ，４Ｂの実装密度を高めることを可能とした半導体装置１を歩留まり良く製造することが可能である。

【0079】

（配線層の伸張率）
次に、配線層の伸張率について説明する。
なお、以下の説明では、第１の配線層１３ａ，１３ｂ及び第２の配線層１４ａ，１４ｂをまとめて「配線層」として扱うものとする。

【0080】

図１６に示すように、非伸縮部となる各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂの寸法（以下、「非伸縮部の寸法」という。）Ｒと、各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂの隣り合うもの同士の間に位置する伸縮部となる各伸縮性樹脂基板２Ａ，２Ｂの寸法（以下、「伸縮部の寸法」という。）Ｓとしたときに、１画素分の寸法（以下、「画素ピッチ」という。）は、「Ｒ＋Ｓ」である。

【0081】

また、配線層は、伸縮部と共に伸縮することから、伸縮部の伸張時における配線層の寸法をＳ’とした場合、配線層の伸張率［％］は、下記式（１）で表される。
配線層の伸張率＝｛（Ｒ＋Ｓ’）／（Ｒ＋Ｓ）｝×１００ …（１）

【0082】

ここで、非伸縮部と伸縮部との寸法割合（Ｒ：Ｓ）を「４：１」、「２：１」、「１：１」、「１：２」、「１：３」とした場合について、伸縮部の伸張時に、各発光素子４Ａ，４Ｂの隣り合うもの同士の間隔Ｄ_１１，Ｄ_２２が広がる割合（以下、「素子間の伸張率」という。）と、配線層の伸張率との関係を図１７に示す。

【0083】

また、各寸法割合（Ｒ：Ｓ）に対して、伸縮部の伸張時に、素子間の伸張率を４０％とするのに必要な配線層の伸張率を下記表１に示す。

【0084】

【表1】

【0085】

図１７及び表１に示すように、非伸縮部と伸縮部との寸法割合（Ｒ：Ｓ）を「１：１」とした場合、伸縮部の伸張時に、素子間の伸張率を４０％とするのに必要な配線層の伸張率は８０％である。

【0086】

本実施形態の半導体装置１では、上述した第１の積層ユニット５０Ａと第２の積層ユニット５０Ｂとを積層することで、伸縮性樹脂基板２０の伸張時に、第１の発光素子４Ａと第２の発光素子４Ｂとの隣り合うもの同士の間隔Ｄ_１２が広がる割合を、第１の発光素子４Ａの隣り合うもの同士の間隔Ｄ_１１及び第２の発光素子４Ｂの隣り合うもの同士の間隔Ｄ_２２が広がる割合の１／２とすることが可能である。

【0087】

したがって、本実施形態の半導体装置１では、伸縮部の伸張時に、素子間の伸張率を４０％とするのに必要な配線層の伸張率を４０％に低く抑えることが可能である。

【0088】

（積層ユニットの積層）
次に、積層ユニットの積層について説明する。
上記半導体装置１では、上述した第１の積層ユニット５０Ａと第２の積層ユニット５０Ｂとを積層した２層構造となっている。一方、積層ユニットの積層数については、少なくとも２層以上であればよく、３層以上とすることも可能である。

【0089】

複数の積層ユニットの積層する場合、各積層ユニットの発光素子が平面視において互いに重ならないように、発光素子の隣り合うもの同士の間隔を狭めて配置することで、発光素子の実装間隔を狭めて、発光素子の実装密度を実質的に高めることが可能である。

【0090】

また、各積層ユニットの発光素子を平面視において互いに重ならないようにずらして配置する場合、発光素子の隣り合うもの同士の間隔は、Ｒ／（Ｒ＋Ｓ）画素ピッチ以上、１画素ピッチ未満の範囲でずらして配置することが好ましい。

【0091】

例えば、非伸縮部と伸縮部との寸法割合（Ｒ：Ｓ）を「１：１」とした場合は、０．５画素ピッチ以上、１画素ピッチ未満の範囲で、発光素子の隣り合うもの同士の間隔をずらして配置することが好ましい。

【0092】

さらに、積層ユニットの最大積層数は、（Ｒ／Ｒ＋Ｓ）^－２枚以下となる範囲で、積層ユニットを積層することが可能である。

【0093】

なお、本発明は、上記実施形態のものに必ずしも限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記各伸縮性樹脂基板２Ａ，２Ｂは、上述した粘着性を有するものに必ずしも限定されるものではなく、粘着性を持たないものであってよい。この場合、各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂは、各伸縮性樹脂基板２Ａ，２Ｂに各密着層５Ａ，５Ｂを介して貼着すればよい。

【0094】

なお、本実施形態の半導体装置１は、半導体素子の一例として、上記発光素子４Ａ，４Ｂを備えた構成となっているが、各非伸縮性樹脂基板３Ａ，３Ｂの上にＴＦＴ等を形成し、各積層ユニット５０Ａ，５０Ｂが１つの画素デバイスを構成することによって、伸縮自在なストレッチャブルディスプレイを実現すると共に、球面や自由曲面などの３次元形状に変形可能なディスプレイを形成することが可能である。なお、画素デバイスを構成する場合、上述したＬＥＤ素子の代わりに、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子などの発光素子を用いることも可能である。

【0095】

また、３層の画素デバイスを積層した場合、各画素デバイスが備える発光素子が発する光を赤色光（Ｒ）と緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）との３原色とすることで、カラー表示を行うことが可能である。

【0096】

また、本発明が適用される半導体装置については、上述した発光素子を備えた構成に必ずしも限定されるものではなく、例えば、受光素子、歪みセンサ、圧力センサなどの半導体素子を備えた電子デバイスとすることも可能である。

【符号の説明】

【0097】

１…半導体装置 ２Ａ…第１の伸縮性樹脂基板 ２Ｂ…第２の伸縮性樹脂基板 ３Ａ…第１の非伸縮性樹脂基板 ３Ｂ…第２の非伸縮性樹脂基板 ４Ａ…第１の発光素子（半導体素子） ４Ｂ…第２の発光素子（半導体素子） ５Ａ…第１の密着層 ５Ｂ…第２の密着層 ６…第１の上部電極層 ７…第２の上部電極層 ８…絶縁層 ９ａ，９ｂ…第１の貫通電極 １０ａ，１０ｂ…第１の孔部 １１ａ，１１ｂ…第２の貫通電極 １２ａ，１２ｂ…第２の孔部 １３ａ，１３ｂ…第１の配線層 １４ａ，１４ｂ…第２の配線層 ２０…伸縮性樹脂基板 ５０Ａ…第１の積層ユニット ５０Ｂ…第２の積層ユニット

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】