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特開2024-72618極端紫外光生成用チャンバ装置及び電子デバイスの製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024072618
(43)【公開日】2024-05-28
(54)【発明の名称】極端紫外光生成用チャンバ装置及び電子デバイスの製造方法
(51)【国際特許分類】
G03F 7/20 20060101AFI20240521BHJP
H05G 2/00 20060101ALI20240521BHJP
【ＦＩ】
G03F7/20 503
H05G2/00 K
【審査請求】未請求
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022183560
(22)【出願日】2022-11-16
(71)【出願人】
【識別番号】300073919
【氏名又は名称】ギガフォトン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100143764
【弁理士】
【氏名又は名称】森村 靖男
(72)【発明者】
【氏名】本田 能之
【テーマコード（参考）】
2H197
4C092
【Ｆターム（参考）】
2H197AA10
2H197CA10
2H197DA09
2H197DC02
2H197DC12
2H197FA02
2H197GA01
2H197GA05
2H197GA12
2H197GA20
2H197GA24
2H197HA03
4C092AA06
4C092AA15
4C092AB19
4C092BD18
(57)【要約】 （修正有）
【課題】効率的なエッチングとブリスタリング抑制とを両立することで、極端紫外光生成装置から出射する極端紫外光のパワーが低下することを抑制し得る極端紫外光生成用チャンバ装置を提供する。
【解決手段】内部空間において、スズのドロップレットターゲットがレーザ光９０の照射によりプラズマ化することで極端紫外光が生成されるチャンバ１０と、内部空間にドロップレットターゲットを供給するターゲット供給部と、内部空間に配置され、極端紫外光を反射する反射面を含む極端紫外光集光ミラー１５と、反射面における流速を可変として水素ガスを含むエッチングガスを反射面に供給する第１エッチングガス供給部１６と、極端紫外光集光ミラーの反射率を反映するデータを生成するデータ生成部と、反射率の低下量が基準値以上であることをデータが示す場合に、流速を低下させるよう第１エッチングガス供給部を制御するプロセッサ１２０と、を備える。
【選択図】図６
【解決手段】内部空間において、スズのドロップレットターゲットがレーザ光９０の照射によりプラズマ化することで極端紫外光が生成されるチャンバ１０と、内部空間にドロップレットターゲットを供給するターゲット供給部と、内部空間に配置され、極端紫外光を反射する反射面を含む極端紫外光集光ミラー１５と、反射面における流速を可変として水素ガスを含むエッチングガスを反射面に供給する第１エッチングガス供給部１６と、極端紫外光集光ミラーの反射率を反映するデータを生成するデータ生成部と、反射率の低下量が基準値以上であることをデータが示す場合に、流速を低下させるよう第１エッチングガス供給部を制御するプロセッサ１２０と、を備える。
【選択図】図６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
内部空間において、スズのドロップレットターゲットがレーザ光の照射によりプラズマ化することで極端紫外光が生成されるチャンバと、
前記内部空間に前記ドロップレットターゲットを供給するターゲット供給部と、
前記内部空間に配置され、前記極端紫外光を反射する反射面を含む極端紫外光集光ミラーと、
前記反射面における流速を可変として水素ガスを含むエッチングガスを前記反射面に供給する第１エッチングガス供給部と、
前記極端紫外光集光ミラーの反射率を反映するデータを生成するデータ生成部と、
前記反射率の低下量が基準値以上であることを前記データが示す場合に、前記流速を低下させるよう前記第１エッチングガス供給部を制御するプロセッサと、
を備える
極端紫外光生成用チャンバ装置。
前記内部空間に前記ドロップレットターゲットを供給するターゲット供給部と、
前記内部空間に配置され、前記極端紫外光を反射する反射面を含む極端紫外光集光ミラーと、
前記反射面における流速を可変として水素ガスを含むエッチングガスを前記反射面に供給する第１エッチングガス供給部と、
前記極端紫外光集光ミラーの反射率を反映するデータを生成するデータ生成部と、
前記反射率の低下量が基準値以上であることを前記データが示す場合に、前記流速を低下させるよう前記第１エッチングガス供給部を制御するプロセッサと、
を備える
極端紫外光生成用チャンバ装置。
【請求項2】
請求項１に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
水素ガスを含むエッチングガスを前記内部空間に供給する第２エッチングガス供給部を備え、
前記プロセッサは、前記反射率の低下量が前記基準値以上であることを前記データが含む場合には、前記第１エッチングガス供給部及び前記第２エッチングガス供給部を制御し、前記第１エッチングガス供給部からの前記エッチングガスの前記流速を低下させると共に、前記第２エッチングガス供給部から前記エッチングガスを供給させる。
水素ガスを含むエッチングガスを前記内部空間に供給する第２エッチングガス供給部を備え、
前記プロセッサは、前記反射率の低下量が前記基準値以上であることを前記データが含む場合には、前記第１エッチングガス供給部及び前記第２エッチングガス供給部を制御し、前記第１エッチングガス供給部からの前記エッチングガスの前記流速を低下させると共に、前記第２エッチングガス供給部から前記エッチングガスを供給させる。
【請求項3】
請求項２に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記プロセッサは、前記第１エッチングガス供給部から供給される前記エッチングガスの前記流速が低下されない状態と、前記第１エッチングガス供給部からの前記エッチングガスの前記流速を低下させると共に、前記第２エッチングガス供給部から前記エッチングガスを供給させる状態とで、前記第１エッチングガス供給部及び前記第２エッチングガス供給部から前記ドロップレットターゲットがプラズマ化するプラズマ生成領域に流れるエッチングガスの流速が一定となるように、前記第１エッチングガス供給部及び前記第２エッチングガス供給部を制御する。
前記プロセッサは、前記第１エッチングガス供給部から供給される前記エッチングガスの前記流速が低下されない状態と、前記第１エッチングガス供給部からの前記エッチングガスの前記流速を低下させると共に、前記第２エッチングガス供給部から前記エッチングガスを供給させる状態とで、前記第１エッチングガス供給部及び前記第２エッチングガス供給部から前記ドロップレットターゲットがプラズマ化するプラズマ生成領域に流れるエッチングガスの流速が一定となるように、前記第１エッチングガス供給部及び前記第２エッチングガス供給部を制御する。
【請求項4】
請求項１に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記プロセッサは、前記流速を低下させるよう前記第１エッチングガス供給部を制御している状態で、前記反射率の低下量が前記基準値より小さいことを前記データが示す場合に、前記流速を増加させるよう前記第１エッチングガス供給部を制御する。
前記プロセッサは、前記流速を低下させるよう前記第１エッチングガス供給部を制御している状態で、前記反射率の低下量が前記基準値より小さいことを前記データが示す場合に、前記流速を増加させるよう前記第１エッチングガス供給部を制御する。
【請求項5】
請求項１に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記レーザ光のショット数をカウントするパルスカウンターを備え、
前記プロセッサは、前記流速を低下させるよう前記第１エッチングガス供給部を制御してからの前記レーザ光のショット数が所定のショット数に達する場合に、前記流速を増加させるよう前記第１エッチングガス供給部を制御する。
前記レーザ光のショット数をカウントするパルスカウンターを備え、
前記プロセッサは、前記流速を低下させるよう前記第１エッチングガス供給部を制御してからの前記レーザ光のショット数が所定のショット数に達する場合に、前記流速を増加させるよう前記第１エッチングガス供給部を制御する。
【請求項6】
請求項１に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記データ生成部は、前記極端紫外光集光ミラーで反射された前記極端紫外光のパワーを計測する極端紫外光計測器であり、
前記データは、前記極端紫外光計測器が計測する前記極端紫外光のパワーのデータであり、前記極端紫外光のパワーが所定値以上低下することを示す場合に、前記反射率の低下量が前記基準値以上であることを示す。
前記データ生成部は、前記極端紫外光集光ミラーで反射された前記極端紫外光のパワーを計測する極端紫外光計測器であり、
前記データは、前記極端紫外光計測器が計測する前記極端紫外光のパワーのデータであり、前記極端紫外光のパワーが所定値以上低下することを示す場合に、前記反射率の低下量が前記基準値以上であることを示す。
【請求項7】
請求項６に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記チャンバは、次工程装置に前記極端紫外光集光ミラーで反射された前記極端紫外光を出射する第１出射口と、前記極端紫外光計測器に前記極端紫外光集光ミラーで反射された前記極端紫外光を出射する第２出射口と、を含み、
前記内部空間内に、前記極端紫外光集光ミラーで反射された前記極端紫外光を前記第１出射口に反射する第１状態と前記第２出射口に反射する第２状態とを切り替え可能な光路切替ミラーが設けられる。
前記チャンバは、次工程装置に前記極端紫外光集光ミラーで反射された前記極端紫外光を出射する第１出射口と、前記極端紫外光計測器に前記極端紫外光集光ミラーで反射された前記極端紫外光を出射する第２出射口と、を含み、
前記内部空間内に、前記極端紫外光集光ミラーで反射された前記極端紫外光を前記第１出射口に反射する第１状態と前記第２出射口に反射する第２状態とを切り替え可能な光路切替ミラーが設けられる。
【請求項8】
請求項１に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記レーザ光のパワーを計測し当該パワーに係るデータを生成するレーザ光計測器と、
前記極端紫外光集光ミラーで反射された前記極端紫外光のパワーを計測し当該パワーに係るデータを生成する極端紫外光計測器と、
を備え、
前記データ生成部は、前記レーザ光計測器が計測する前記レーザ光の前記パワーと、前記極端紫外光計測器が計測する前記極端紫外光のパワーとの比を生成するパワー比生成部であり、
前記データは、前記比のデータであり、前記レーザ光計測器が計測する前記レーザ光のパワーに対する前記極端紫外光計測器が計測する前記極端紫外光のパワーが所定値以上低下することを示す場合に、前記反射率の低下量が前記基準値以上であることを示す。
前記レーザ光のパワーを計測し当該パワーに係るデータを生成するレーザ光計測器と、
前記極端紫外光集光ミラーで反射された前記極端紫外光のパワーを計測し当該パワーに係るデータを生成する極端紫外光計測器と、
を備え、
前記データ生成部は、前記レーザ光計測器が計測する前記レーザ光の前記パワーと、前記極端紫外光計測器が計測する前記極端紫外光のパワーとの比を生成するパワー比生成部であり、
前記データは、前記比のデータであり、前記レーザ光計測器が計測する前記レーザ光のパワーに対する前記極端紫外光計測器が計測する前記極端紫外光のパワーが所定値以上低下することを示す場合に、前記反射率の低下量が前記基準値以上であることを示す。
【請求項9】
請求項８に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記チャンバは、次工程装置に前記極端紫外光集光ミラーで反射された前記極端紫外光を出射する第１出射口と、前記極端紫外光計測器に前記極端紫外光集光ミラーで反射された前記極端紫外光を出射する第２出射口と、を含み、
前記内部空間内に、前記極端紫外光集光ミラーで反射された前記極端紫外光を前記第１出射口に反射する第１状態と前記第２出射口に反射する第２状態とを切り替え可能な光路切替ミラーが設けられる。
前記チャンバは、次工程装置に前記極端紫外光集光ミラーで反射された前記極端紫外光を出射する第１出射口と、前記極端紫外光計測器に前記極端紫外光集光ミラーで反射された前記極端紫外光を出射する第２出射口と、を含み、
前記内部空間内に、前記極端紫外光集光ミラーで反射された前記極端紫外光を前記第１出射口に反射する第１状態と前記第２出射口に反射する第２状態とを切り替え可能な光路切替ミラーが設けられる。
【請求項10】
請求項１に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記データ生成部は、前記反射面を撮影するカメラであり、
前記データは、前記カメラが撮影する画像のデータであり、前記反射面における反射率が劣化した領域の面積の比率が所定の比率以上であることを示す場合に、前記反射率の低下量が前記基準値以上であることを示す。
前記データ生成部は、前記反射面を撮影するカメラであり、
前記データは、前記カメラが撮影する画像のデータであり、前記反射面における反射率が劣化した領域の面積の比率が所定の比率以上であることを示す場合に、前記反射率の低下量が前記基準値以上であることを示す。
【請求項11】
請求項１に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記極端紫外光集光ミラーに光を照射する光源を備え、
前記データ生成部は、前記極端紫外光集光ミラーで鏡面反射する前記光のパワーを計測する光計測器であり、
前記データは、前記光計測器が計測する前記光のパワーを示すデータであり、前記光のパワーが所定値以上低下する場合に、前記反射率の低下量が前記基準値以上であることを示す。
前記極端紫外光集光ミラーに光を照射する光源を備え、
前記データ生成部は、前記極端紫外光集光ミラーで鏡面反射する前記光のパワーを計測する光計測器であり、
前記データは、前記光計測器が計測する前記光のパワーを示すデータであり、前記光のパワーが所定値以上低下する場合に、前記反射率の低下量が前記基準値以上であることを示す。
【請求項12】
請求項１に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記極端紫外光集光ミラーに光を照射する光源を備え、
前記データ生成部は、前記極端紫外光集光ミラーで散乱する前記光のパワーを計測する光計測器であり、
前記データは、前記光計測器が計測する前記光のパワーを示すデータであり、前記光のパワーが所定値以上増加する場合に、前記反射率の低下量が前記基準値以上であることを示す。
前記極端紫外光集光ミラーに光を照射する光源を備え、
前記データ生成部は、前記極端紫外光集光ミラーで散乱する前記光のパワーを計測する光計測器であり、
前記データは、前記光計測器が計測する前記光のパワーを示すデータであり、前記光のパワーが所定値以上増加する場合に、前記反射率の低下量が前記基準値以上であることを示す。
【請求項13】
請求項１に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記データ生成部は、前記レーザ光のショット数をカウントするパルスカウンターであり、
前記データは、前記パルスカウンターがカウントするショット数を示すデータであり、前記ショット数が所定値以上である場合に、前記反射率の低下量が前記基準値以上であることを示す。
前記データ生成部は、前記レーザ光のショット数をカウントするパルスカウンターであり、
前記データは、前記パルスカウンターがカウントするショット数を示すデータであり、前記ショット数が所定値以上である場合に、前記反射率の低下量が前記基準値以上であることを示す。
【請求項14】
内部空間において、スズのドロップレットターゲットがレーザ光の照射によりプラズマ化することで極端紫外光が生成されるチャンバと、
前記内部空間に前記ドロップレットターゲットを供給するターゲット供給部と、
前記内部空間に配置され、前記極端紫外光を反射する反射面を含む極端紫外光集光ミラーと、
前記反射面における流速を可変として水素ガスを含むエッチングガスを前記反射面に供給する第１エッチングガス供給部と、
前記極端紫外光集光ミラーの反射率を反映するデータを生成するデータ生成部と、
前記反射率の低下量が基準値以上であることを前記データが示す場合に、前記流速を低下させるよう前記第１エッチングガス供給部を制御するプロセッサと、
を備える極端紫外光生成用チャンバ装置を含む極端紫外光生成装置によって生成される前記極端紫外光を露光装置に出力し、
電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光する
ことを含む電子デバイスの製造方法。
前記内部空間に前記ドロップレットターゲットを供給するターゲット供給部と、
前記内部空間に配置され、前記極端紫外光を反射する反射面を含む極端紫外光集光ミラーと、
前記反射面における流速を可変として水素ガスを含むエッチングガスを前記反射面に供給する第１エッチングガス供給部と、
前記極端紫外光集光ミラーの反射率を反映するデータを生成するデータ生成部と、
前記反射率の低下量が基準値以上であることを前記データが示す場合に、前記流速を低下させるよう前記第１エッチングガス供給部を制御するプロセッサと、
を備える極端紫外光生成用チャンバ装置を含む極端紫外光生成装置によって生成される前記極端紫外光を露光装置に出力し、
電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光する
ことを含む電子デバイスの製造方法。
【請求項15】
内部空間において、スズのドロップレットターゲットがレーザ光の照射によりプラズマ化することで極端紫外光が生成されるチャンバと、
前記内部空間に前記ドロップレットターゲットを供給するターゲット供給部と、
前記内部空間に配置され、前記極端紫外光を反射する反射面を含む極端紫外光集光ミラーと、
前記反射面における流速を可変として水素ガスを含むエッチングガスを前記反射面に供給する第１エッチングガス供給部と、
前記極端紫外光集光ミラーの反射率を反映するデータを生成するデータ生成部と、
前記反射率の低下量が基準値以上であることを前記データが示す場合に、前記流速を低下させるよう前記第１エッチングガス供給部を制御するプロセッサと、
を備える極端紫外光生成用チャンバ装置を含む極端紫外光生成装置によって生成される前記極端紫外光をマスクに照射して前記マスクの欠陥を検査し、
前記検査の結果を用いてマスクを選定し、
前記選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写する
ことを含む電子デバイスの製造方法。
前記内部空間に前記ドロップレットターゲットを供給するターゲット供給部と、
前記内部空間に配置され、前記極端紫外光を反射する反射面を含む極端紫外光集光ミラーと、
前記反射面における流速を可変として水素ガスを含むエッチングガスを前記反射面に供給する第１エッチングガス供給部と、
前記極端紫外光集光ミラーの反射率を反映するデータを生成するデータ生成部と、
前記反射率の低下量が基準値以上であることを前記データが示す場合に、前記流速を低下させるよう前記第１エッチングガス供給部を制御するプロセッサと、
を備える極端紫外光生成用チャンバ装置を含む極端紫外光生成装置によって生成される前記極端紫外光をマスクに照射して前記マスクの欠陥を検査し、
前記検査の結果を用いてマスクを選定し、
前記選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写する
ことを含む電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、極端紫外光生成用チャンバ装置及び電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、１０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長約１３ｎｍの極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた半導体露光装置の開発が期待されている。
【0003】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ（ＬＰＰ）式の装置の開発が進んでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】米国特許第１００３４３６２号明細書
【特許文献2】米国特許第９７７６２１８号明細書
【特許文献3】特開２００８－４１３９１号公報
【概要】
【0005】
本開示の一態様による極端紫外光生成用チャンバ装置は、内部空間において、スズのドロップレットターゲットがレーザ光の照射によりプラズマ化することで極端紫外光が生成されるチャンバと、内部空間にドロップレットターゲットを供給するターゲット供給部と、内部空間に配置され、極端紫外光を反射する反射面を含む極端紫外光集光ミラーと、反射面における流速を可変として水素ガスを含むエッチングガスを反射面に供給する第１エッチングガス供給部と、極端紫外光集光ミラーの反射率を反映するデータを生成するデータ生成部と、反射率の低下量が基準値以上であることをデータが示す場合に、流速を低下させるよう第１エッチングガス供給部を制御するプロセッサと、を備えてもよい。
【0006】
また、本開示の一態様による電子デバイスの製造方法は、内部空間において、スズのドロップレットターゲットがレーザ光の照射によりプラズマ化することで極端紫外光が生成されるチャンバと、内部空間にドロップレットターゲットを供給するターゲット供給部と、内部空間に配置され、極端紫外光を反射する反射面を含む極端紫外光集光ミラーと、反射面における流速を可変として水素ガスを含むエッチングガスを反射面に供給する第１エッチングガス供給部と、極端紫外光集光ミラーの反射率を反映するデータを生成するデータ生成部と、反射率の低下量が基準値以上であることをデータが示す場合に、流速を低下させるよう第１エッチングガス供給部を制御するプロセッサと、を備える極端紫外光生成用チャンバ装置を含む極端紫外光生成装置によって生成される極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光することを含んでもよい。
【0007】
また、本開示の他の一態様による電子デバイスの製造方法は、内部空間において、スズのドロップレットターゲットがレーザ光の照射によりプラズマ化することで極端紫外光が生成されるチャンバと、内部空間にドロップレットターゲットを供給するターゲット供給部と、内部空間に配置され、極端紫外光を反射する反射面を含む極端紫外光集光ミラーと、反射面における流速を可変として水素ガスを含むエッチングガスを反射面に供給する第１エッチングガス供給部と、極端紫外光集光ミラーの反射率を反映するデータを生成するデータ生成部と、反射率の低下量が基準値以上であることをデータが示す場合に、流速を低下させるよう第１エッチングガス供給部を制御するプロセッサと、を備える極端紫外光生成用チャンバ装置を含む極端紫外光生成装置によって生成される極端紫外光をマスクに照射してマスクの欠陥を検査し、検査の結果を用いてマスクを選定し、選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写することを含んでもよい。
【図面の簡単な説明】
【0008】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【実施形態】
【0009】
１．概要
２．電子デバイスの製造装置の説明
３．比較例の極端紫外光生成装置の説明
３．１ 構成
３．２ 動作
３．３ 課題
４．実施形態１の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用・効果
４．４ 変形例の説明
５．実施形態２の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ 作用・効果
６．実施形態３の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
６．１ 構成
６．２ 動作
６．３ 作用・効果
６．４ 変形例の説明
７．実施形態４の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
７．１ 構成
７．２ 動作
７．３ 作用・効果
２．電子デバイスの製造装置の説明
３．比較例の極端紫外光生成装置の説明
３．１ 構成
３．２ 動作
３．３ 課題
４．実施形態１の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用・効果
４．４ 変形例の説明
５．実施形態２の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ 作用・効果
６．実施形態３の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
６．１ 構成
６．２ 動作
６．３ 作用・効果
６．４ 変形例の説明
７．実施形態４の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
７．１ 構成
７．２ 動作
７．３ 作用・効果
【0010】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【0011】
１．概要
本開示の実施形態は、極端紫外（ＥＵＶ）と呼ばれる波長の光を生成する極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造装置に関するものである。なお、以下では、極端紫外光をＥＵＶ光という場合がある。
本開示の実施形態は、極端紫外（ＥＵＶ）と呼ばれる波長の光を生成する極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造装置に関するものである。なお、以下では、極端紫外光をＥＵＶ光という場合がある。
【0012】
２．電子デバイスの製造装置の説明
図１は、電子デバイス製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。図１に示す電子デバイス製造装置は、ＥＵＶ光生成装置１００、及び露光装置２００を含む。露光装置２００は、反射光学系である複数のミラー２１１，２１２を含むマスク照射部２１０と、マスク照射部２１０の反射光学系とは別の反射光学系である複数のミラー２２１，２２２を含むワークピース照射部２２０とを含む。マスク照射部２１０は、ＥＵＶ光生成装置１００から入射したＥＵＶ光１０１によって、ミラー２１１，２１２を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部２２０は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光１０１を、ミラー２２１，２２２を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された不図示のワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置２００は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光１０１をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで半導体デバイスを製造することができる。
図１は、電子デバイス製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。図１に示す電子デバイス製造装置は、ＥＵＶ光生成装置１００、及び露光装置２００を含む。露光装置２００は、反射光学系である複数のミラー２１１，２１２を含むマスク照射部２１０と、マスク照射部２１０の反射光学系とは別の反射光学系である複数のミラー２２１，２２２を含むワークピース照射部２２０とを含む。マスク照射部２１０は、ＥＵＶ光生成装置１００から入射したＥＵＶ光１０１によって、ミラー２１１，２１２を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部２２０は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光１０１を、ミラー２２１，２２２を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された不図示のワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置２００は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光１０１をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで半導体デバイスを製造することができる。
【0013】
図２は、図１に示す電子デバイス製造装置とは別の電子デバイス製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。図２に示す電子デバイス製造装置は、ＥＵＶ光生成装置１００、及び検査装置３００を含む。検査装置３００は、反射光学系である複数のミラー３１１，３１３，３１５を含む照明光学系３１０と、照明光学系３１０の反射光学系とは別の反射光学系である複数のミラー３２１，３２３、及び検出器３２５を含む検出光学系３２０とを含む。照明光学系３１０は、ＥＵＶ光生成装置１００から入射したＥＵＶ光１０１をミラー３１１，３１３，３１５で反射して、マスクステージ３３１に配置されているマスク３３３を照射する。マスク３３３は、パターンが形成される前のマスクブランクスを含む。検出光学系３２０は、マスク３３３からのパターンを反映したＥＵＶ光１０１をミラー３２１，３２３で反射して検出器３２５の受光面に結像させる。ＥＵＶ光１０１を受光した検出器３２５は、マスク３３３の画像を取得する。検出器３２５は、例えばＴＤＩ（Time Delay Integration）カメラである。以上のような工程によって取得したマスク３３３の画像により、マスク３３３の欠陥を検査し、検査の結果を用いて、電子デバイスの製造に適するマスクを選定する。そして、選定したマスクに形成されたパターンを、露光装置２００を用いて感光基板上に露光転写することで電子デバイスを製造することができる。
【0014】
３．比較例の極端紫外光生成装置の説明
３．１ 構成
比較例のＥＵＶ光生成装置１００について説明する。なお、本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。また、以下では、図１に示すように次工程装置としての露光装置２００に向けてＥＵＶ光１０１を出射するＥＵＶ光生成装置１００を用いて説明する。なお、図２に示すように次工程装置としての検査装置３００にＥＵＶ光１０１を出射するＥＵＶ光生成装置１００についても、同様の作用・効果を得ることができる。
３．１ 構成
比較例のＥＵＶ光生成装置１００について説明する。なお、本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。また、以下では、図１に示すように次工程装置としての露光装置２００に向けてＥＵＶ光１０１を出射するＥＵＶ光生成装置１００を用いて説明する。なお、図２に示すように次工程装置としての検査装置３００にＥＵＶ光１０１を出射するＥＵＶ光生成装置１００についても、同様の作用・効果を得ることができる。
【0015】
図３は、本例のＥＵＶ光生成装置１００の全体の概略構成例を示す模式図である。図３に示すように、ＥＵＶ光生成装置１００は、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０、レーザ装置ＬＤ、及びレーザ光デリバリ光学系３０を主な構成として含む。また、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、チャンバ１０、プロセッサ１２０を主な構成として含む。
【0016】
チャンバ１０は、密閉可能な容器である。チャンバ１０はサブチャンバ１１を含み、サブチャンバ１１には、サブチャンバ１１の壁を貫通するようにターゲット供給部４０が取り付けられている。ターゲット供給部４０は、タンク４１、ノズル４２、及び圧力調節器４３を含み、ドロップレットターゲットＤＬをチャンバ１０の内部空間に供給する。ドロップレットターゲットＤＬは、ドロップレットやターゲットと省略して呼ばれる場合がある。
【0017】
タンク４１は、その内部にドロップレットターゲットＤＬとなるターゲット物質を貯蔵する。ターゲット物質は、スズを含む。タンク４１の内部は、タンク４１内の圧力を調節する圧力調節器４３と連通している。タンク４１には、ヒータ４４及び温度センサ４５が取り付けられている。ヒータ４４は、ヒータ電源４６から供給される電流により、タンク４１を加熱する。この加熱により、タンク４１内のターゲット物質は溶融する。温度センサ４５は、タンク４１を介してタンク４１内のターゲット物質の温度を測定する。圧力調節器４３、温度センサ４５、及びヒータ電源４６は、プロセッサ１２０に電気的に接続されている。
【0018】
ノズル４２は、タンク４１に取り付けられ、ターゲット物質を吐出する。ノズル４２には、ピエゾ素子４７が取り付けられている。ピエゾ素子４７は、ピエゾ電源４８に電気的に接続されており、ピエゾ電源４８から印加される電圧で駆動される。ピエゾ電源４８は、プロセッサ１２０に電気的に接続されている。ピエゾ素子４７の動作により、ノズル４２から吐出するターゲット物質はドロップレットターゲットＤＬにされる。
【0019】
チャンバ１０は、ターゲット回収部１４を含む。ターゲット回収部１４は、チャンバ１０に取り付けられる箱体であり、チャンバ１０に設けられる開口１４ａを介してチャンバ１０の内部空間に連通している。開口１４ａはノズル４２の直下に設けられ、ターゲット回収部１４は、開口１４ａを通過してターゲット回収部１４に到達する不要なドロップレットターゲットＤＬを回収するドレインタンクである。
【0020】
チャンバ１０には、少なくとも１つの貫通孔が設けられている。この貫通孔は、ウィンドウ１２によって塞がれ、ウィンドウ１２をレーザ装置ＬＤから出射されるパルス状のレーザ光９０が透過する。
【0021】
また、チャンバ１０の内部空間には、レーザ集光光学系１３が配置されている。レーザ集光光学系１３は、レーザ光集光ミラー１３Ａ及び高反射ミラー１３Ｂを含む。レーザ光集光ミラー１３Ａは、ウィンドウ１２を透過するレーザ光９０を反射して集光する。高反射ミラー１３Ｂは、レーザ光集光ミラー１３Ａが集光するレーザ光９０を反射する。レーザ光集光ミラー１３Ａ及び高反射ミラー１３Ｂの位置は、レーザ光マニュピレータ１３Ｃにより、チャンバ１０の内部空間でのレーザ光９０の集光位置がプロセッサ１２０から指定された位置になるように調節される。当該集光位置はノズル４２の直下に位置するように調節されており、レーザ光９０が当該集光位置においてターゲット物質を照射すると、ターゲット物質からプラズマが生成されると共に、プラズマからＥＵＶ光１０１が放射される。プラズマが生成される領域をプラズマ生成領域ＡＲと呼ぶことがある。プラズマ生成領域ＡＲは、プラズマ点を中心に半径が例えば４０ｍｍの領域であり、チャンバ１０の内部空間に位置する。
【0022】
チャンバ１０の内部空間には、例えば、回転楕円面形状の反射面１５ａを含むＥＵＶ光集光ミラー１５が配置される。ＥＵＶ光集光ミラー１５は、例えばシリコン層とモリブデン層とが交互に積層された多層膜を備え、当該多層膜によりＥＵＶ光１０１を反射する。ＥＵＶ光集光ミラー１５は、チャンバ１０の内部空間におけるレーザ光９０と重ならない位置に設けられている。反射面１５ａは、プラズマ生成領域ＡＲにおいてプラズマから放射されるＥＵＶ光１０１を反射する。反射面１５ａは、第１焦点及び第２焦点を含む。反射面１５ａは、例えば、第１焦点がプラズマ生成領域ＡＲに位置し、第２焦点が中間集光点ＩＦに位置するように配置されてもよい。
【0023】
ＥＵＶ光生成装置１００は、チャンバ１０の内部空間及び露光装置２００の内部空間を連通させる接続部１９を含む。接続部１９には、アパーチャが形成された壁が配置されている。この壁は、アパーチャが第２焦点に位置するように配置されることが好ましい。接続部１９はチャンバ１０におけるＥＵＶ光１０１の出射口でもあり、ＥＵＶ光１０１は接続部１９から出射されて露光装置２００に入射する。
【0024】
チャンバ１０には、第１エッチングガス供給部１６が接続されている。第１エッチングガス供給部１６は、第１ガス供給口１６０を含む。後述のようにエッチングガスには水素ガスが含まれ、本例のエッチングガスは、水素濃度が１００％と見做せる水素ガスである。このため、本例では、第１エッチングガス供給部１６は、水素タンク１６１とガス配管１６２とを更に含む。第１エッチングガス供給部１６は、ガス配管１６２を介して水素タンク１６１内の水素ガスを第１ガス供給口１６０からＥＵＶ光集光ミラー１５の反射面１５ａに供給する。
【0025】
また、ＥＵＶ光生成装置１００は、圧力センサ２６及びターゲットセンサとしての検出部２７を含む。圧力センサ２６及び検出部２７は、チャンバ１０に取り付けられ、プロセッサ１２０に電気的に接続されている。圧力センサ２６は、チャンバ１０の内部空間の圧力を計測し、この圧力を示す信号をプロセッサ１２０に出力する。
【0026】
検出部２７は、例えば撮像機能を含み、プロセッサ１２０からの指示によってノズル４２のノズル孔から吐出するドロップレットターゲットＤＬの存在、軌跡、位置、流速等を検出する。検出部２７は、チャンバ１０の内部に配置されてもよいし、チャンバ１０の外部に配置されてチャンバ１０の壁に設けられる不図示のウィンドウを介してドロップレットターゲットＤＬを検出してもよい。検出部２７は、不図示の受光光学系と、例えばＣＣＤ（Charge-Coupled Device）又はフォトダイオード等の不図示の撮像部とを含む。受光光学系は、ドロップレットターゲットＤＬの検出精度を向上させるために、ドロップレットターゲットＤＬの軌跡及びその周囲における像を撮像部の受光面に結像する。検出部２７の視野内のコントラストを向上させるために配置される不図示の光源による光の集光領域をドロップレットターゲットＤＬが通過するときに、撮像部はドロップレットターゲットＤＬの軌跡及びその周囲を通る光の変化を検出する。撮像部は、検出した光の変化を、ドロップレットターゲットＤＬのイメージデータに係る信号に変換する。撮像部は、この電気信号をプロセッサ１２０に出力する。
【0027】
レーザ装置ＬＤは、バースト動作する光源であるマスターオシレータを含む。マスターオシレータは、バーストオンでパルス状のレーザ光９０を出射する。マスターオシレータは、例えば、ニオブ（Ｎｂ）やイッテルビウム（Ｙｂ）を添加したＹＡＧ結晶を励起する固体レーザ装置や、ヘリウムや窒素等が炭酸ガス中に混合される気体を放電によって励起することで、レーザ光９０を出射するレーザ装置である。或いは、マスターオシレータは、量子カスケードレーザ装置でもよい。また、マスターオシレータは、Ｑスイッチ方式により、パルス状のレーザ光９０を出射してもよい。また、マスターオシレータは、光スイッチや偏光子等を含んでもよい。なお、バースト動作とは、バーストオン時に連続するパルス状のレーザ光９０を所定の繰り返し周波数で出射し、バーストオフ時にレーザ光９０の出射を抑制する動作である。レーザ装置ＬＤは、マスターオシレータが出射したレーザ光を増幅する増幅器を含んでもよい。
【0028】
レーザ装置ＬＤから出射するレーザ光９０の進行方向は、レーザ光デリバリ光学系３０によって調節される。レーザ光デリバリ光学系３０は、レーザ光９０の進行方向を調節する複数のミラー３１，３２を含む。ミラー３１，３２の少なくとも１つの位置は、不図示のアクチュエータで調節される。ミラー３１，３２の少なくとも１つの位置が調節されることで、レーザ光９０がウィンドウ１２から適切にチャンバ１０の内部空間に伝搬し得る。
【0029】
ミラー３２とウィンドウ１２との間には、ビームスプリッタ３３が設けられている。ビームスプリッタ３３は、ミラー３２で反射するレーザ光９０の多くを透過させて、一部のレーザ光９０を反射する。ビームスプリッタ３３で反射されるレーザ光９０が進行する先にはレーザ光計測器３４が設けられている。レーザ光計測器３４は、受光素子を含み、受光するレーザ光９０のパワーを計測し、レーザ光９０のパワーに係る信号を出力する。レーザ光計測器３４は、プロセッサ１２０に電気的に接続され、レーザ光９０のパワーに係る信号はプロセッサ１２０に入力する。
【0030】
本開示のプロセッサ１２０は、制御プログラムが記憶された記憶装置と、当該制御プログラムを実行するＣＰＵ（Central Processing Unit）とを含む処理装置である。プロセッサ１２０は、本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされ、ＥＵＶ光生成装置１００全体を制御する。プロセッサ１２０には、圧力センサ２６で計測されたチャンバ１０の内部空間の圧力に係る信号や、検出部２７によって撮像されたドロップレットターゲットＤＬのイメージデータに係る信号や、露光装置２００からバースト動作を指示するバースト信号等が入力される。プロセッサ１２０は、上記各種信号を処理し、例えば、ドロップレットターゲットＤＬが吐出されるタイミング、ドロップレットターゲットＤＬの吐出方向等を制御してもよい。また、プロセッサ１２０は、レーザ装置ＬＤの出射タイミング、レーザ光９０の進行方向や集光位置等を制御してもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて後述のように他の制御が追加されてもよい。
【0031】
図４は、比較例におけるドロップレットターゲットＤＬの軌道に垂直なチャンバ１０の断面を含む模式図であり、図５は、ドロップレットターゲットＤＬの軌道に沿ったチャンバ１０の断面を含む模式図である。図４では、図示の簡略化のために、レーザ光集光ミラー１３Ａ及び高反射ミラー１３Ｂを省略し、ウィンドウ１２からプラズマ生成領域ＡＲへのレーザ光９０の進行経路を簡単に図示している。
【0032】
ＥＵＶ光生成装置１００は、チャンバ１０の内部空間に配置される筒状の隔壁１８を含む。図４及び図５では、チャンバ１０の内部空間のうちの隔壁１８の外部の空間を第１空間１０ａとし、隔壁１８の内部の空間を第２空間１０ｂとして示している。なお、図３では、隔壁１８の図示を省略している。
【0033】
隔壁１８は、例えば、ステンレス、金属モリブデン等で構成される。隔壁１８は、プラズマ生成領域ＡＲを囲っている。つまり、プラズマ生成領域ＡＲは、第２空間１０ｂに位置する。隔壁１８は、チャンバ１０の内部空間からチャンバ１０の外部空間に直線状に延在している。隔壁１８のうちのチャンバ１０の内部空間に位置する一端には第１開口１８１が設けられ、隔壁１８のうちのチャンバ１０の外部に位置する他端にはガス排気口１８２が設けられている。
【0034】
プラズマ生成領域ＡＲにおいてプラズマから生成されるＥＵＶ光１０１は、第２空間１０ｂから第１開口１８１を介して第１空間１０ａに配置されるＥＵＶ光集光ミラー１５に入射する。ＥＵＶ光集光ミラー１５は、ＥＵＶ光１０１をＥＵＶ光１０１の入射方向と異なる方向に位置する中間集光点ＩＦに向かって反射する。
【0035】
第１開口１８１はガス排気口１８２に向かい合い、第１開口１８１とガス排気口１８２との間にはプラズマ生成領域ＡＲが位置する。ガス排気口１８２は、排気ポンプを含む排気装置１８０に接続されている。本例では、ガス排気口１８２の面積は第１開口１８１の面積より大きい。
【0036】
また、隔壁１８は、隔壁１８の側面に形成される第２開口１８３、ドロップレット供給開口１８４、及びドロップレット排出開口１８５を含む。第２開口１８３は、チャンバ１０の内部空間におけるプラズマ生成領域ＡＲへのレーザ光９０の光路上に設けられ、レーザ光９０は、第１空間１０ａから第２開口１８３を介してプラズマ生成領域ＡＲに入射する。ドロップレット供給開口１８４及びドロップレット排出開口１８５は、ドロップレットターゲットＤＬの軌道上に設けられ、互いに向かい合う。ドロップレットターゲットＤＬは、ターゲット供給部４０からドロップレット供給開口１８４を介してプラズマ生成領域ＡＲに供給される。ドロップレット排出開口１８５は、ターゲット回収部１４に繋がる開口１４ａに向かい合い、プラズマ生成領域ＡＲを通過したドロップレットターゲットＤＬは、ドロップレット排出開口１８５を介してターゲット回収部１４内に侵入する。なお、本例では、ドロップレット供給開口１８４及びドロップレット排出開口１８５のそれぞれの面積は、互いに概ね同じであり、第２開口１８３の面積よりも大きい。隔壁１８は、チャンバ１０の内部空間におけるドロップレットターゲットＤＬの軌道上及び当該内部空間におけるプラズマ生成領域ＡＲへのレーザ光９０の光路上以外においてプラズマ生成領域ＡＲを囲う。
【0037】
上記のようにターゲット物質はスズであるため、ターゲット物質がプラズマ生成領域ＡＲにおいてレーザ光９０を照射されてプラズマ化すると、スズの微粒子及びスズの荷電粒子が生じる。また、第１エッチングガス供給部１６からチャンバ１０の内部空間に供給されるエッチングガスに含まれる水素は、ＥＵＶ光１０１のエネルギーにより水素ラジカルとなる。微粒子及び荷電粒子を構成するスズは、水素ラジカルと反応する。スズが水素ラジカルと反応すると、常温で気体のスタンナン（ＳｎＨ４）を生成する。なお、エッチングガスは、水素ガスを含み、例えば水素ガス濃度が１００％と見做せるガスであるが、例えば水素ガス濃度が３％程度のバランスガスでもよく、この場合、バランスガスには、例えば窒素（Ｎ２）ガスやアルゴン（Ａｒ）ガスが含まれる。図４及び図５において、第１エッチングガス供給部１６からＥＵＶ光集光ミラー１５の反射面１５ａに供給されるエッチングガスの流れが矢印で示されている。第１エッチングガス供給部１６から第１空間１０ａに供給されるエッチングガスの流量は、例えば、１０ｌ／ｍｉｎ以上１００ｌ／ｍｉｎ以下である。なお、エッチングガスの流量は、１分あたりに流れるエッチングガスの０℃、１気圧に換算した体積であるｎｌｍで示される場合がある。第１開口１８１の面積は第２開口１８３、ドロップレット供給開口１８４、及びドロップレット排出開口１８５のそれぞれの面積よりも大きい。このため、第１空間１０ａに供給され反射面１５ａに流入したエッチングガスは、主に第１開口１８１を通じて第２空間１０ｂに流入する。ただし、エッチングガスは、第２開口１８３、ドロップレット供給開口１８４、及びドロップレット排出開口１８５からも第２空間１０ｂに流入してもよい。
【0038】
ターゲット物質がプラズマ生成領域ＡＲでプラズマ化する際、排ガスとしての残留ガスが第２空間１０ｂに生成される。残留ガスは、ターゲット物質のプラズマ化により生じたスズの微粒子及び荷電粒子と、それらがエッチングガスと反応したスタンナンと、未反応のエッチングガスとを含む。なお、荷電粒子の一部は第２空間１０ｂで中性化するが、この中性化した荷電粒子も残留ガスに含まれる。ガス排気口１８２は、第１空間１０ａから第２空間１０ｂに流れたエッチングガスを残留ガスと共に、チャンバ１０の外部に排気する。具体的には、ガス排気口１８２は、排気装置１８０の吸引によってエッチングガス及び残留ガスを排気装置１８０に排気する。
【0039】
以下では、ドロップレットターゲットＤＬの軌道に沿う方向をＹ方向、プラズマ生成領域ＡＲから排気装置１８０に向かう方向でありＹ方向に直交する方向をＸ方向、Ｙ方向及びＸ方向に直交する方向をＺ方向として説明することがある。
【0040】
３．２ 動作
次に、比較例のＥＵＶ光生成装置１００の動作について説明する。
次に、比較例のＥＵＶ光生成装置１００の動作について説明する。
【0041】
ＥＵＶ光生成装置１００では、例えば、新規導入時やメンテナンス時等において、チャンバ１０の内部空間の大気が排気される。その際、大気成分の排出のために、チャンバ１０の内部空間のパージと排気とを繰り返してもよい。パージガスには、例えば、窒素やアルゴンなどの不活性ガスが用いられることが好ましい。その後、チャンバ１０の内部空間の圧力が所定の圧力以下になると、プロセッサ１２０は、第１エッチングガス供給部１６の第１ガス供給口１６０を通じて、チャンバ１０の第１空間１０ａへのエッチングガスの導入を開始させる。このエッチングガスは、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射面１５ａに向けて供給される。このときプロセッサ１２０は、チャンバ１０の内部空間の圧力が所定の圧力に維持されるように、不図示の供給ガス流量調節部や排気装置１８０を制御してもよい。その後、プロセッサ１２０は、エッチングガスの導入開始から所定時間が経過するまで待機する。
【0042】
また、プロセッサ１２０は、排気装置１８０によりチャンバ１０の内部空間の気体をガス排気口１８２から排気させ、圧力センサ２６で計測されたチャンバ１０の内部空間の圧力を示す信号に基づいてチャンバ１０の内部空間の圧力を略一定に保つ。
【0043】
また、プロセッサ１２０は、タンク４１内のターゲット物質を融点以上の所定温度に加熱及び維持するために、ヒータ電源４６からヒータ４４に電流を供給させ、ヒータ４４を昇温させる。このとき、プロセッサ１２０は、温度センサ４５からの出力に基づいて、ヒータ電源４６からヒータ４４へ供給される電流の値を調節し、ターゲット物質の温度を所定温度に制御する。なお、所定温度は、ターゲット物質がスズである場合、スズの融点２３１．９３℃以上の温度であり、例えば２４０℃以上２９０℃以下の温度である。こうしてドロップレットターゲットＤＬを吐出する準備が完了する。
【0044】
準備が完了すると、プロセッサ１２０は、ノズル４２のノズル孔から溶融したターゲット物質が所定の流速で吐出するように、圧力調節器４３によって、不図示のガス供給源から不活性ガスをタンク４１内に供給し、タンク４１内の圧力を調節する。この圧力下で、ターゲット物質は、ノズル４２のノズル孔からチャンバ１０の第１空間１０ａに吐出する。ノズル孔から吐出するターゲット物質は、ジェットの形態をとってもよい。このとき、プロセッサ１２０は、ドロップレットターゲットＤＬを生成するために、ピエゾ電源４８からピエゾ素子４７に所定波形の電圧を印加する。ピエゾ電源４８は、電圧値の波形が例えば正弦波状、矩形波状、或いはのこぎり波状となるように、電圧を印加する。ピエゾ素子４７の振動は、ノズル４２を経由してノズル４２のノズル孔から吐出するターゲット物質へと伝搬し得る。ターゲット物質は、この振動により所定周期で分断され、液滴のドロップレットターゲットＤＬとなる。ドロップレットターゲットＤＬの直径は、概ね１０μｍ以上３０μｍ以下である。
【0045】
ドロップレットターゲットＤＬは、吐出されると、ドロップレット供給開口１８４を通過してプラズマ生成領域ＡＲに進行する。検出部２７は、チャンバ１０の第２空間１０ｂの所定位置を通過するドロップレットターゲットＤＬの通過タイミングを検出する。プロセッサ１２０は、ドロップレットターゲットＤＬにレーザ光９０が照射されるように、検出部２７からの信号に基づいて、レーザ装置ＬＤからレーザ光９０が出射するタイミングを制御するトリガ信号を出力する。プロセッサ１２０から出力されたトリガ信号は、レーザ装置ＬＤに入力する。レーザ装置ＬＤは、トリガ信号が入力されると、パルス状のレーザ光９０を出射する。
【0046】
出射されたレーザ光９０は、レーザ光デリバリ光学系３０とウィンドウ１２とを経由して、レーザ集光光学系１３に入射する。このとき、ビームスプリッタ３３で反射されるレーザ光９０は、レーザ光計測器３４で受光されて、そのパワーが計測される。レーザ光計測器３４は、計測されたレーザ光９０のパワーに係る信号をプロセッサ１２０に出力する。プロセッサ１２０は、レーザ光計測器３４から入力する信号に基づいて、レーザ装置ＬＤを制御し、所望のパワーのレーザ光９０をレーザ装置ＬＤから出射させる。
【0047】
レーザ光９０は、レーザ集光光学系１３から第２開口１８３を通過してプラズマ生成領域ＡＲに向かって進行する。そして、レーザ光９０は、プラズマ生成領域ＡＲでドロップレットターゲットＤＬに照射される。このとき、プロセッサ１２０は、レーザ光９０がプラズマ生成領域ＡＲに集光するように、レーザ集光光学系１３のレーザ光マニュピレータ１３Ｃを制御する。また、プロセッサ１２０は、レーザ光９０がドロップレットターゲットＤＬに照射されるように、検出部２７からの信号に基づいて、レーザ装置ＬＤからレーザ光９０を出射するタイミングを制御する。これにより、レーザ光集光ミラー１３Ａによって集光するレーザ光９０は、プラズマ生成領域ＡＲでドロップレットターゲットＤＬに照射される。当該照射によりプラズマが生成され、当該プラズマからＥＵＶ光１０１を含む光が放射される。
【0048】
プラズマ生成領域ＡＲで発生したＥＵＶ光１０１を含む光のうち、ＥＵＶ光１０１は、第１開口１８１を通過してＥＵＶ光集光ミラー１５に進行し、ＥＵＶ光集光ミラー１５によって中間集光点ＩＦで集光された後、接続部１９から露光装置２００に入射する。
【0049】
上記のように、第１エッチングガス供給部１６は、第１ガス供給口１６０を通じてチャンバ１０の第１空間１０ａにエッチングガスを供給する。エッチングガスは、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射面１５ａに供給される。このとき、ＥＵＶ光１０１のエネルギーにより、エッチングガスに含まれる水素が水素ラジカルとされる。従って、スズが反射面１５ａ上に堆積している場合、スズは水素ラジカルと反応してスタンナンとなり、反射面１５ａ上から除去される。エッチングガスやスタンナンは、反射面１５ａに沿って流れた後、主に第１開口１８１から第２空間１０ｂに流入する。排気装置１８０は、エッチングガスを第２空間１０ｂにおける残留ガスと共に、ガス排気口１８２を通じて吸引する。これにより、第２空間１０ｂにおけるガスは、チャンバ１０の外部に排気される。排気装置１８０に吸引されたガスは、無害化等の所定の排気処理が施される。
【0050】
３．３ 課題
スズが反射面１５ａに付着すると、ＥＵＶ光１０１の反射率が低下し、ＥＵＶ光生成装置１００から出射するＥＵＶ光１０１のパワーが低下する懸念がある。反射面１５ａから効果的にスズを除去するには、反射面１５ａの水素ラジカル密度を高めればよい。水素ラジカル密度を高めるために、エッチングガスを反射面１５ａに滞留させＥＵＶ光を照射する時間を長くすることが考えられる。しかし長時間水素ラジカル密度が高い状態が続くと、反射面１５ａの多層膜内部に水素ラジカルが進入し水素ブリスタリングの発生リスクが高まる可能性がある。水素ブリスタリングは、多層膜構造を破壊し反射率の低下を招くため好ましくない。このように、反射面１５ａから効果的にスズを除去しようとすると、水素ブリスタリングの発生が懸念されるという課題があった。
スズが反射面１５ａに付着すると、ＥＵＶ光１０１の反射率が低下し、ＥＵＶ光生成装置１００から出射するＥＵＶ光１０１のパワーが低下する懸念がある。反射面１５ａから効果的にスズを除去するには、反射面１５ａの水素ラジカル密度を高めればよい。水素ラジカル密度を高めるために、エッチングガスを反射面１５ａに滞留させＥＵＶ光を照射する時間を長くすることが考えられる。しかし長時間水素ラジカル密度が高い状態が続くと、反射面１５ａの多層膜内部に水素ラジカルが進入し水素ブリスタリングの発生リスクが高まる可能性がある。水素ブリスタリングは、多層膜構造を破壊し反射率の低下を招くため好ましくない。このように、反射面１５ａから効果的にスズを除去しようとすると、水素ブリスタリングの発生が懸念されるという課題があった。
【0051】
そこで、以下の実施形態では、効率的なエッチングとブリスタリング抑制とを両立することで、ＥＵＶ光生成装置１００から出射するＥＵＶ光１０１のパワーが低下することを抑制し得るＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が例示される。
【0052】
４．実施形態１の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
実施形態１のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
実施形態１のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
【0053】
４．１ 構成
図６は、本実施形態におけるＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０を図４と同様に示す模式図である。本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、光路切替機構５０、ＥＵＶ光計測器６０、及び第２エッチングガス供給部１７を備える点において、比較例におけるＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０と主に異なる。
図６は、本実施形態におけるＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０を図４と同様に示す模式図である。本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、光路切替機構５０、ＥＵＶ光計測器６０、及び第２エッチングガス供給部１７を備える点において、比較例におけるＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０と主に異なる。
【0054】
また、本実施形態の第１エッチングガス供給部１６は、第１バルブ１６３を備えている。従って、本実施形態では、第１エッチングガス供給部１６は、第１バルブ１６３の開度が変更されることで、エッチングガスを流速を可変に供給することができる。従って、第１エッチングガス供給部１６は、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射面１５ａにエッチングガスを流速を可変に供給することができる。流速を可変にすることには、流速をゼロにする、すなわちエッチングガスの供給を停止することが含まれる。第１バルブ１６３は、プロセッサ１２０に電気的に接続されている。従って、プロセッサ１２０は、第１バルブ１６３の開度を制御することができる。つまり、プロセッサ１２０は、供給されるエッチングガスの流速を変化させるよう第１エッチングガス供給部１６を制御することができる。
【0055】
第２エッチングガス供給部１７は、チャンバ１０に接続されている。本実施形態では、第２エッチングガス供給部１７は、第２ガス供給口１７０を含む。本例では、第２ガス供給口１７０は、ＥＵＶ光集光ミラー１５と隔壁１８の第１開口１８１との間の領域を介して、第１ガス供給口１６０と概ね対向している。第２エッチングガス供給部１７は、エッチングガスを第１空間１０ａに供給する。第２エッチングガス供給部１７から供給されるエッチングガスは、第１エッチングガス供給部１６から供給されるエッチングガスと比べて、反射面１５ａに流れずらい。第２エッチングガス供給部１７は、第１エッチングガス供給部１６が供給するエッチングガスと同じガスを含むエッチングガスを供給する。ただし、第２エッチングガス供給部１７は、水素ガスを含むエッチングガスを供給する限りにおいて、第１エッチングガス供給部１６が供給するエッチングガスと異なるエッチングガスを供給してもよい。本例では、第２エッチングガス供給部１７は、水素タンク１７１と、ガス配管１７２と、第２バルブ１７３と、を備えている。従って、第２エッチングガス供給部１７は、第２バルブ１７３の開度が変更されることで、エッチングガスを流速を可変に供給することができる。第２バルブ１７３は、プロセッサ１２０に電気的に接続されている。従って、プロセッサ１２０は、第２バルブ１７３の開度を制御することができる。つまり、プロセッサ１２０は、供給されるエッチングガスの流速を変化させるよう第２エッチングガス供給部１７を制御することができる。第２エッチングガス供給部１７から供給されるエッチングガスは、第１空間１０ａから、主に第１開口１８１を介して、第２空間１０ｂに流れる。
【0056】
図７は、図６の光路切替機構５０を含むチャンバ１０の様子を示す模式図である。図７に示すように、本実施形態では、チャンバ１０は、ＥＵＶ光集光ミラー１５で反射されたＥＵＶ光１０１を出射する第１出射口１１１及び第２出射口１１２を備える。第１出射口１１１及び第２出射口１１２は、ＥＵＶ光１０１の中間集光点ＩＦに設けられるアパーチャであることが好ましい。第１出射口１１１は、比較例と同様に接続部１９に繋がり、接続部１９には、露光装置２００が接続される。なお、次工程装置が検査装置３００であってもよい。第２出射口１１２は、ＥＵＶ光計測器６０に繋がる。
【0057】
光路切替機構５０は、光路切替ミラー５１、アクチュエータ５２、及び回転軸５３を備える。光路切替ミラー５１は、例えばＥＵＶ光集光ミラー１５と同様の多層膜を備え、ＥＵＶ光集光ミラー１５で反射されたＥＵＶ光１０１の光路上に配置され、ＥＵＶ光１０１を反射する。本例では、光路切替ミラー５１は、両面に上記多層膜が設けられ、両面が反射面である。回転軸５３は、光路切替ミラー５１とアクチュエータ５２とに接続される。この際、不図示のギア構造を介して回転方向を変換するようにしてもよい。アクチュエータ５２は、回転軸５３を回転させる。従って、アクチュエータ５２は、光路切替ミラー５１を回転させることができる。アクチュエータ５２は、プロセッサ１２０に電気的に接続されており、プロセッサ１２０はアクチュエータ５２を制御する。従って、プロセッサ１２０は、アクチュエータ５２を制御することで、光路切替ミラー５１の角度を制御することができる。
【0058】
光路切替ミラー５１は、プロセッサ１２０によって角度が制御されることで、ＥＵＶ光集光ミラー１５で反射されたＥＵＶ光１０１を第１出射口１１１に反射する第１状態と、第２出射口１１２に反射する第２状態とに切り替えられる。従って、ＥＵＶ光１０１は、第１状態では、第１出射口１１１から露光装置２００に出射し、第２状態では、第２出射口１１２からＥＵＶ光計測器６０に出射する。光路切替ミラー５１は、第１状態では、ＥＵＶ光１０１を一方側の反射面で反射し、第２状態では、ＥＵＶ光１０１を他方側の反射面で反射する。図７では、第１状態における光路切替ミラー５１を実線で示し、第２状態における光路切替ミラー５１を破線で示している。
【0059】
ＥＵＶ光計測器６０は、ＥＵＶ光１０１のパワーを計測する。ＥＵＶ光計測器６０は、ＥＵＶ光１０１を受光するＥＵＶセンサ６１を含む。ＥＵＶセンサ６１は、ＥＵＶ光１０１を受光する受光素子を含み、受光素子が受光するＥＵＶ光１０１のパワーに係るデータを出力する。ＥＵＶ光計測器６０は、プロセッサ１２０に電気的に接続されており、ＥＵＶ光計測器６０から出力されるデータは、プロセッサ１２０に入力する。従って、プロセッサ１２０は、ＥＵＶ光集光ミラー１５で反射されるＥＵＶ光１０１のパワーを検知することができる。
【0060】
ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率が低下すると、ＥＵＶ光計測器６０が計測するＥＵＶ光１０１のパワーも低下する。従って、ＥＵＶ光計測器６０が計測するＥＵＶ光１０１のパワーに係るデータは、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率を反映するデータである。従って、本実施形態では、ＥＵＶ光計測器６０は、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率を反映するデータを生成するデータ生成部である。
【0061】
４．２ 動作
図８は、本実施形態のプロセッサ１２０の制御フローチャートの一例を示す図である。この制御フローは、ステップＳＰ１１～ステップＳＰ１８を含む。
図８は、本実施形態のプロセッサ１２０の制御フローチャートの一例を示す図である。この制御フローは、ステップＳＰ１１～ステップＳＰ１８を含む。
【0062】
図８に示す開始の状態において、プロセッサ１２０は、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が交換された直後におけるＥＵＶ光計測器６０が計測するＥＵＶ光１０１のパワーに係るデータを内部メモリに格納している。具体的には、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が交換された直後において、プロセッサ１２０は、光路切替ミラー５１を第２状態にして、ＥＵＶ光１０１が生成されるよう、レーザ装置ＬＤ、ターゲット供給部４０等を制御する。従って、生成されたＥＵＶ光１０１は、ＥＵＶ光集光ミラー１５及び光路切替ミラー５１で反射され、第２出射口１１２からＥＵＶ光計測器６０に出射する。ＥＵＶ光計測器６０に入射するＥＵＶ光１０１は、ＥＵＶセンサ６１で受光される。ＥＵＶセンサ６１は、ＥＵＶ光１０１を受光すると受光したＥＵＶ光１０１のパワーに係るデータを出力する。このデータは、プロセッサ１２０に入力する。プロセッサ１２０は、このデータを内部メモリに格納する。こうして、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が交換された直後におけるＥＵＶ光計測器６０が計測するＥＵＶ光１０１のパワーに係るデータがプロセッサ１２０内のメモリに格納される。なお、このＥＵＶ光１０１のパワーに係るデータは、予め実験等で求められて、プロセッサ１２０内のメモリに格納されてもよい。
【0063】
また、図８に示す開始の状態は、プロセッサ１２０は、光路切替ミラー５１を第１状態にしている。また、プロセッサ１２０は、ＥＵＶ光１０１が生成されるよう、レーザ装置ＬＤ、ターゲット供給部４０等を制御している。
【0064】
（ステップＳＰ１１）
本ステップは、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射面１５ａに所定の流速でエッチングガスを供給するステップである。本ステップでは、プロセッサ１２０は、第１エッチングガス供給部１６を制御し、第１バルブ１６３を開状態にする。このとき、第１エッチングガス供給部１６から供給されるエッチングガスの流量を例えば２５ｌ／ｍｉｎとする。また、プロセッサ１２０は、第２エッチングガス供給部１７を制御し、第２バルブ１７３を閉状態にする。従って、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射面１５ａには、第１エッチングガス供給部１６から所定の流速でエッチングガスが供給される。このエッチングガスは、第１空間１０ａから第１開口１８１を介してプラズマ生成領域ＡＲに流入し、排気装置１８０により排気される。なお、開始の状態において、第１バルブ１６３が開状態とされ、第２バルブ１７３が閉状態とされ、反射面１５ａに所定の流速でエッチングガスが供給されている場合、プロセッサ１２０は、その状態を維持する。
本ステップは、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射面１５ａに所定の流速でエッチングガスを供給するステップである。本ステップでは、プロセッサ１２０は、第１エッチングガス供給部１６を制御し、第１バルブ１６３を開状態にする。このとき、第１エッチングガス供給部１６から供給されるエッチングガスの流量を例えば２５ｌ／ｍｉｎとする。また、プロセッサ１２０は、第２エッチングガス供給部１７を制御し、第２バルブ１７３を閉状態にする。従って、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射面１５ａには、第１エッチングガス供給部１６から所定の流速でエッチングガスが供給される。このエッチングガスは、第１空間１０ａから第１開口１８１を介してプラズマ生成領域ＡＲに流入し、排気装置１８０により排気される。なお、開始の状態において、第１バルブ１６３が開状態とされ、第２バルブ１７３が閉状態とされ、反射面１５ａに所定の流速でエッチングガスが供給されている場合、プロセッサ１２０は、その状態を維持する。
【0065】
（ステップＳＰ１２）
本ステップは、ＥＵＶ光１０１を生成するステップである。本ステップでは、プロセッサ１２０は、レーザ装置ＬＤ、ターゲット供給部４０等を制御し、ＥＵＶ光１０１を生成させる。生成されたＥＵＶ光１０１は、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射面１５ａで反射される。本ステップ開始時に既にＥＵＶ光１０１が生成されている場合には、プロセッサ１２０は、ＥＵＶ光１０１の生成を継続させる。
本ステップは、ＥＵＶ光１０１を生成するステップである。本ステップでは、プロセッサ１２０は、レーザ装置ＬＤ、ターゲット供給部４０等を制御し、ＥＵＶ光１０１を生成させる。生成されたＥＵＶ光１０１は、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射面１５ａで反射される。本ステップ開始時に既にＥＵＶ光１０１が生成されている場合には、プロセッサ１２０は、ＥＵＶ光１０１の生成を継続させる。
【0066】
（ステップＳＰ１３）
本ステップは、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射面１５ａにスズが付着しているかの計測を行うか否かを判定するステップである。計測を行うと判定するのは、例えば、ＥＵＶ光生成装置１００が立ち上がった直後や、ＥＵＶ光生成装置１００の立ち下げ前や、ＥＵＶ光生成装置１００の待機状態の場合である。ＥＵＶ光を生成して出射中であれば計測は行わない。プロセッサ１２０は、計測を行う場合、ステップＳＰ１４に進み、計測を行わない場合、ステップＳＰ１２に戻り、ＥＵＶ光１０１の生成を継続させる。
本ステップは、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射面１５ａにスズが付着しているかの計測を行うか否かを判定するステップである。計測を行うと判定するのは、例えば、ＥＵＶ光生成装置１００が立ち上がった直後や、ＥＵＶ光生成装置１００の立ち下げ前や、ＥＵＶ光生成装置１００の待機状態の場合である。ＥＵＶ光を生成して出射中であれば計測は行わない。プロセッサ１２０は、計測を行う場合、ステップＳＰ１４に進み、計測を行わない場合、ステップＳＰ１２に戻り、ＥＵＶ光１０１の生成を継続させる。
【0067】
（ステップＳＰ１４）
本ステップは、ＥＵＶ光集光ミラー１５で反射するＥＵＶ光１０１のパワーを計測するステップである。プロセッサ１２０は、光路切替ミラー５１が第２状態となるように、アクチュエータ５２を制御する。プロセッサ１２０は、本ステップの際に既に光路切替ミラー５１が第２状態となっている場合には、その状態を維持させる。従って、本ステップでは、生成されたＥＵＶ光１０１は、ＥＵＶ光集光ミラー１５及び光路切替ミラー５１で反射して、ＥＵＶ光計測器６０に出射する。ＥＵＶ光計測器６０に入射するＥＵＶ光１０１は、ＥＵＶセンサ６１で受光される。ＥＵＶセンサ６１は、ＥＵＶ光１０１を受光すると受光したＥＵＶ光１０１のパワーに係るデータを出力する。出力するデータは、プロセッサ１２０に入力する。プロセッサ１２０は、データを受信すると光路切替ミラー５１が第１状態となるように、アクチュエータ５２を制御する。
本ステップは、ＥＵＶ光集光ミラー１５で反射するＥＵＶ光１０１のパワーを計測するステップである。プロセッサ１２０は、光路切替ミラー５１が第２状態となるように、アクチュエータ５２を制御する。プロセッサ１２０は、本ステップの際に既に光路切替ミラー５１が第２状態となっている場合には、その状態を維持させる。従って、本ステップでは、生成されたＥＵＶ光１０１は、ＥＵＶ光集光ミラー１５及び光路切替ミラー５１で反射して、ＥＵＶ光計測器６０に出射する。ＥＵＶ光計測器６０に入射するＥＵＶ光１０１は、ＥＵＶセンサ６１で受光される。ＥＵＶセンサ６１は、ＥＵＶ光１０１を受光すると受光したＥＵＶ光１０１のパワーに係るデータを出力する。出力するデータは、プロセッサ１２０に入力する。プロセッサ１２０は、データを受信すると光路切替ミラー５１が第１状態となるように、アクチュエータ５２を制御する。
【0068】
（ステップＳＰ１５）
本ステップは、ＥＵＶ光計測器６０が計測するＥＵＶ光１０１のパワーが所定値以上低下しているかを判定するステップである。本ステップでは、プロセッサ１２０は、内部のメモリに格納されているデータを用いて、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が交換された直後においてＥＵＶ光計測器６０が計測したＥＵＶ光１０１のパワーと、ステップＳＰ１４においてＥＵＶ光計測器６０が計測するＥＵＶ光１０１のパワーとを比較する。そして、ステップＳＰ１４でプロセッサ１２０に入力するデータがＥＵＶ光１０１のパワーが所定値以上低下していることを示す場合、プロセッサ１２０はステップＳＰ１６に進む。一方、当該データがＥＵＶ光１０１のパワーが所定値以上低下していることを示さない場合、プロセッサ１２０はステップＳＰ１７に進む。ここで、所定値は、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が交換された直後におけるＥＵＶ光１０１のパワーとステップＳＰ１４におけるＥＵＶ光１０１のパワーとの差分を、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が交換された直後におけるパワーで除した値を百分率で表現した値である。所定値をＸ％とすると、Ｘ％は例えば０．１％以上１０％以下におけるいずれかの値である。
本ステップは、ＥＵＶ光計測器６０が計測するＥＵＶ光１０１のパワーが所定値以上低下しているかを判定するステップである。本ステップでは、プロセッサ１２０は、内部のメモリに格納されているデータを用いて、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が交換された直後においてＥＵＶ光計測器６０が計測したＥＵＶ光１０１のパワーと、ステップＳＰ１４においてＥＵＶ光計測器６０が計測するＥＵＶ光１０１のパワーとを比較する。そして、ステップＳＰ１４でプロセッサ１２０に入力するデータがＥＵＶ光１０１のパワーが所定値以上低下していることを示す場合、プロセッサ１２０はステップＳＰ１６に進む。一方、当該データがＥＵＶ光１０１のパワーが所定値以上低下していることを示さない場合、プロセッサ１２０はステップＳＰ１７に進む。ここで、所定値は、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が交換された直後におけるＥＵＶ光１０１のパワーとステップＳＰ１４におけるＥＵＶ光１０１のパワーとの差分を、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が交換された直後におけるパワーで除した値を百分率で表現した値である。所定値をＸ％とすると、Ｘ％は例えば０．１％以上１０％以下におけるいずれかの値である。
【0069】
ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率が低下すると、ＥＵＶ光計測器６０に入射するＥＵＶ光１０１のパワーが低下する。従って、ステップＳＰ１４でプロセッサ１２０に入力するデータがＥＵＶ光１０１のパワーが所定値以上低下していることを示す場合、当該データはＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率の低下量が基準値以上であることを示す。この基準値は、スズが付着する反射面１５ａの面積が、反射面１５ａ全体の面積の例えば０．１％以上１０％以下におけるいずれかの値である。本実施形態の場合、上記のように所定値をＸ％とする場合、基準値もＸ％である。また、所定値として上記のようにパワー低下量を百分率とせず、例えばワット等の値を用いてもよい。このように所定値と基準値とで単位や表し方が異なる場合、所定値と基準値とが一致しなくてもよい。
【0070】
（ステップＳＰ１６）
本ステップは、第１エッチングガス供給部１６から供給されるエッチングガスの反射面１５ａにおける流速を低下させるステップである。なお、本ステップに進むことは、反射面１５ａに付着しているスズを除去するクリーニングモードとなることを意味する。図９は、本実施形態におけるクリーニングモードでのＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０を図４と同様に示す模式図である。図９に示すように、本ステップでは、プロセッサ１２０は、第１エッチングガス供給部１６を制御して、第１バルブ１６３を閉める。本例では、プロセッサ１２０は、第１バルブ１６３を完全には閉めず、その開度を小さくする。従って、第１ガス供給口１６０からＥＵＶ光集光ミラー１５の反射面１５ａに供給されるエッチングガスの流速は低下する。反射面１５ａにおけるエッチングガスの流速が低下すると、反射面１５ａ上の水素ラジカルの密度が高くなる。このため、反射面１５ａに付着しているスズが水素ラジカルと反応し易くなり、スズのエッチングが進む。
本ステップは、第１エッチングガス供給部１６から供給されるエッチングガスの反射面１５ａにおける流速を低下させるステップである。なお、本ステップに進むことは、反射面１５ａに付着しているスズを除去するクリーニングモードとなることを意味する。図９は、本実施形態におけるクリーニングモードでのＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０を図４と同様に示す模式図である。図９に示すように、本ステップでは、プロセッサ１２０は、第１エッチングガス供給部１６を制御して、第１バルブ１６３を閉める。本例では、プロセッサ１２０は、第１バルブ１６３を完全には閉めず、その開度を小さくする。従って、第１ガス供給口１６０からＥＵＶ光集光ミラー１５の反射面１５ａに供給されるエッチングガスの流速は低下する。反射面１５ａにおけるエッチングガスの流速が低下すると、反射面１５ａ上の水素ラジカルの密度が高くなる。このため、反射面１５ａに付着しているスズが水素ラジカルと反応し易くなり、スズのエッチングが進む。
【0071】
また、プロセッサ１２０は、図９に示すように、第２エッチングガス供給部１７を制御して、第２バルブ１７３を開く。従って、第２ガス供給口１７０からエッチングガスが第１空間１０ａに供給され、エッチングガスは、第１開口１８１から第２空間１０ｂ内のプラズマ生成領域ＡＲに流入する。プロセッサ１２０は、本ステップの前の状態と、本ステップの状態とで、プラズマ生成領域ＡＲに流れるエッチングガスの流速が一定となるように、第１エッチングガス供給部１６及び第２エッチングガス供給部１７を制御することが好ましい。なお、本ステップの前の状態は、第１エッチングガス供給部１６から供給されるエッチングガスの流速が低下されない状態である。また、本ステップの状態は、第１エッチングガス供給部１６からのエッチングガスの流速が低下されると共に、第２エッチングガス供給部１７からエッチングガスが供給される状態である。プラズマ生成領域ＡＲに流れるエッチングガスの流速が一定であることで、ドロップレットターゲットＤＬの軌道が変化することを抑制でき、ＥＵＶ光１０１の生成効率が低下することを抑制できる。
【0072】
プロセッサ１２０は、ステップＳＰ１６の制御が完了した後、ステップＳＰ１２に戻り、ＥＵＶ光１０１の生成を継続させる。このとき、第１エッチングガス供給部１６及び第２エッチングガス供給部１７は、ステップＳＰ１６で制御された状態を維持しており、第１エッチングガス供給部１６から供給されるエッチングガスの流速は低下されたままである。つまり、クリーニングモードが継続されている。プロセッサ１２０は、再びステップＳＰ１３に進む。ＥＵＶ光生成装置１００が立ち上がった直後や、ＥＵＶ光生成装置１００の立ち下げ前や、ＥＵＶ光生成装置１００の待機状態のタイミングであれば、ステップＳＰ１４に進み、再びステップＳＰ１５に進む。従って、プロセッサ１２０は、ステップＳＰ１４でプロセッサ１２０に入力するデータがＥＵＶ光１０１のパワーが所定値以上低下することを示さなくなるまで、ステップＳＰ１２からステップＳＰ１６までのループを繰り返し、クリーニングモードを継続する。
【0073】
（ステップＳＰ１７）
本ステップは、第１エッチングガス供給部１６から供給されるエッチングガスの流速を所定の流速にするステップである。本ステップの前にステップＳＰ１６が行われている場合には、第１エッチングガス供給部１６から供給されるエッチングガスの流速は低下されている。そこで、プロセッサ１２０は、本ステップにおいて、第１エッチングガス供給部１６を制御して、第１バルブ１６３を開いて、第１ガス供給口１６０から所定の流速でエッチングガスを供給させる。つまり、プロセッサ１２０は、第１エッチングガス供給部１６から供給されるエッチングガスの反射面１５aにおける流速を低下させるよう第１エッチングガス供給部１６を制御している状態で、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率の低下量が基準値より小さいことをデータが示す場合に、第１エッチングガス供給部１６から供給されるエッチングガスの流速を増加させるよう第１エッチングガス供給部１６を制御する。また、本ステップでは、プロセッサ１２０は、第２エッチングガス供給部１７を制御して、第２バルブ１７３を閉める。従って、第２ガス供給口１７０からはエッチングガスが供給されなくなる。こうして、クリーニングモードが終了する。なお、本ステップの前にステップＳＰ１６が行われていない場合には、プロセッサ１２０は、第１ガス供給口１６０から所定の流速でエッチングガスが供給される状態を維持させる。
本ステップは、第１エッチングガス供給部１６から供給されるエッチングガスの流速を所定の流速にするステップである。本ステップの前にステップＳＰ１６が行われている場合には、第１エッチングガス供給部１６から供給されるエッチングガスの流速は低下されている。そこで、プロセッサ１２０は、本ステップにおいて、第１エッチングガス供給部１６を制御して、第１バルブ１６３を開いて、第１ガス供給口１６０から所定の流速でエッチングガスを供給させる。つまり、プロセッサ１２０は、第１エッチングガス供給部１６から供給されるエッチングガスの反射面１５aにおける流速を低下させるよう第１エッチングガス供給部１６を制御している状態で、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率の低下量が基準値より小さいことをデータが示す場合に、第１エッチングガス供給部１６から供給されるエッチングガスの流速を増加させるよう第１エッチングガス供給部１６を制御する。また、本ステップでは、プロセッサ１２０は、第２エッチングガス供給部１７を制御して、第２バルブ１７３を閉める。従って、第２ガス供給口１７０からはエッチングガスが供給されなくなる。こうして、クリーニングモードが終了する。なお、本ステップの前にステップＳＰ１６が行われていない場合には、プロセッサ１２０は、第１ガス供給口１６０から所定の流速でエッチングガスが供給される状態を維持させる。
【0074】
次にプロセッサ１２０は、ステップＳＰ１８に進む。
【0075】
（ステップＳＰ１８）
本ステップは、ＥＵＶ光１０１の出射を継続するか否かを判断するステップである。プロセッサ１２０は、ＥＵＶ光１０１の出射を継続する場合には、ステップＳＰ１２に戻り、ＥＵＶ光１０１の出射を継続しない場合には、終了のステップに進む。プロセッサ１２０は、終了のステップにおいて、レーザ装置ＬＤ、ターゲット供給部４０等を制御して、ＥＵＶ光１０１の生成を停止させる。このとき、プロセッサ１２０は、終了のステップにおいて、光路切替ミラー５１が第２状態となるようにアクチュエータ５２を制御し、第１出射口１１１からＥＵＶ光１０１が出射しないようにしてもよい。
本ステップは、ＥＵＶ光１０１の出射を継続するか否かを判断するステップである。プロセッサ１２０は、ＥＵＶ光１０１の出射を継続する場合には、ステップＳＰ１２に戻り、ＥＵＶ光１０１の出射を継続しない場合には、終了のステップに進む。プロセッサ１２０は、終了のステップにおいて、レーザ装置ＬＤ、ターゲット供給部４０等を制御して、ＥＵＶ光１０１の生成を停止させる。このとき、プロセッサ１２０は、終了のステップにおいて、光路切替ミラー５１が第２状態となるようにアクチュエータ５２を制御し、第１出射口１１１からＥＵＶ光１０１が出射しないようにしてもよい。
【0076】
４．３ 作用・効果
本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率を反映するデータを生成するデータ生成部としてのＥＵＶ光計測器６０を備える。プロセッサ１２０は、反射率の低下量が基準値以上であることをＥＵＶ光計測器６０が出力するデータが示す場合に、反射面１５ａに供給されるエッチングガスの流速を低下させるよう第１エッチングガス供給部１６を制御する。従って、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率が低下する場合に、反射面１５ａでの水素ラジカルの密度を高くすることができ、反射面１５ａに付着したスズのエッチングを促進することができる。このため、本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０によれば、ＥＵＶ光生成装置１００から出射するＥＵＶ光１０１のパワーが低下することを抑制し得る。
本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率を反映するデータを生成するデータ生成部としてのＥＵＶ光計測器６０を備える。プロセッサ１２０は、反射率の低下量が基準値以上であることをＥＵＶ光計測器６０が出力するデータが示す場合に、反射面１５ａに供給されるエッチングガスの流速を低下させるよう第１エッチングガス供給部１６を制御する。従って、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率が低下する場合に、反射面１５ａでの水素ラジカルの密度を高くすることができ、反射面１５ａに付着したスズのエッチングを促進することができる。このため、本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０によれば、ＥＵＶ光生成装置１００から出射するＥＵＶ光１０１のパワーが低下することを抑制し得る。
【0077】
また、プロセッサ１２０は、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率の低下量が基準値以上であることをデータが示さない場合に、第１エッチングガス供給部１６から供給されるエッチングガスの流速を低下させるよう制御をしない。反射面１５ａにおけるエッチングガスの流速が不要に低下しないことで、反射面１５ａで水素ラジカル密度が高い状態が不要に生じることが抑制され水素ブリスタリングの発生を抑制することができる。
【0078】
また、本実施形態では、ＥＵＶ光計測器６０が計測するＥＵＶ光１０１のパワーのデータが、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率を反映するデータである。ＥＵＶ光計測器６０に入射するＥＵＶ光１０１のパワーは、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率に依存する。従って、本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０によれば、正確にＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率の低下を計測することができる。
【0079】
また、本実施形態では、ＥＵＶ光集光ミラー１５で反射されたＥＵＶ光１０１を第１出射口１１１に反射する第１状態と第２出射口１１２に反射する第２状態とを切り替え可能な光路切替ミラー５１が設けられる。光路切替ミラー５１によりＥＵＶ光１０１がＥＵＶ光計測器６０に入射するように制御されることで、ＥＵＶ光集光ミラー１５で反射されたＥＵＶ光１０１のうちの一部のＥＵＶ光１０１がＥＵＶ光計測器６０に入射する場合と比べて、ＥＵＶ光計測器６０はＥＵＶ光１０１のパワーを正確に計測することができる。
【0080】
４．４ 変形例の説明
次に、実施形態１のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の変形例について説明する。図１０は、実施形態１の変形例におけるチャンバ１０の断面を含む模式図である。図１０に示すように、本変形例のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、パワー比生成部３５を備える点において、実施形態１のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０と異なる。なお、図６では、ビームスプリッタ３３及びレーザ光計測器３４の記載が省略されているが、図１０には示している。
次に、実施形態１のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の変形例について説明する。図１０は、実施形態１の変形例におけるチャンバ１０の断面を含む模式図である。図１０に示すように、本変形例のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、パワー比生成部３５を備える点において、実施形態１のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０と異なる。なお、図６では、ビームスプリッタ３３及びレーザ光計測器３４の記載が省略されているが、図１０には示している。
【0081】
パワー比生成部３５は、演算器かならなり、プロセッサ１２０と電気的に接続されている。従って、パワー比生成部３５は、プロセッサ１２０の一部であってもよい。パワー比生成部３５は、レーザ光計測器３４と電気的に接続されており、パワー比生成部３５には、レーザ光計測器３４が計測するレーザ光９０のパワーに係るデータが入力する。また、パワー比生成部３５は、ＥＵＶ光計測器６０と電気的に接続されており、パワー比生成部３５には、ＥＵＶ光計測器６０が計測するＥＵＶ光１０１のパワーに係るデータが入力する。本変形例では、パワー比生成部３５は、入力するこれらのデータから、ＥＵＶ光計測器６０が計測するＥＵＶ光１０１のパワーとレーザ光計測器３４が計測するレーザ光９０のパワーとの比を求める。パワー比生成部３５は生成した比に係るデータを出力し、当該データはプロセッサ１２０に入力する。
【0082】
ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率が低下すると、レーザ光９０のパワーに対してＥＵＶ光集光ミラー１５で反射されるＥＵＶ光１０１のパワーが低下する。従って、ＥＵＶ光計測器６０が計測するＥＵＶ光１０１のパワーが低下し、パワー比生成部３５が生成する比が変化する。例えば、ＥＵＶ光計測器６０が計測するＥＵＶ光１０１のパワーをレーザ光計測器３４が計測するレーザ光９０のパワーで除した比であれば、当該比は低下する。逆に、レーザ光計測器３４が計測するレーザ光９０のパワーをＥＵＶ光計測器６０が計測するＥＵＶ光１０１のパワーで除した比であれば、当該比は増加する。このように、本変形例では、パワー比生成部３５が生成する比のデータは、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率を反映するデータである。従って、本変形例では、パワー比生成部３５は、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率を反映するデータを生成するデータ生成部である。なお、以下、ＥＵＶ光計測器６０が計測するＥＵＶ光１０１のパワーをレーザ光計測器３４が計測するレーザ光９０のパワーで除した比を用いて説明する。
【0083】
次に、本変形例の動作について説明する。図１１は、本変形例におけるプロセッサ１２０の制御フローチャートの一例を示す図である。図１１に示すように、本変形例では、ステップＳＰ１４及びステップＳＰ１５が実施形態１のフローチャートと主に異なる。
【0084】
比較例で説明した様に、チャンバ１０に入射するレーザ光９０のパワーはレーザ光計測器３４で測定される。従って、ＥＵＶ光１０１が生成される間、レーザ光計測器３４からパワー比生成部３５にレーザ光９０のパワーに係るデータが入力する。
【0085】
また、図１１に示す開始の状態において、プロセッサ１２０は、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が交換された直後における、上記比に係るデータを内部メモリに格納している。具体的には、実施形態１と同様にして、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が交換された直後において、ＥＵＶ光計測器６０からＥＵＶ光１０１のパワーに係るデータが出力される。このデータはパワー比生成部３５に入力する。また、このときのレーザ光９０のパワーがレーザ光計測器３４で計測され、レーザ光９０のパワーに係るデータが、レーザ光計測器３４からパワー比生成部３５に入力する。パワー比生成部３５は、これらデータから上記比を生成し、当該比に係るデータを出力する。このデータは、プロセッサ１２０に入力する。プロセッサ１２０は、このデータを内部メモリに格納する。こうして、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が交換された直後における上記比に係るデータがプロセッサ１２０内のメモリに格納される。なお、この比に係るデータは、予め実験等で求められて、プロセッサ１２０内のメモリに格納されてもよい。
【0086】
（ステップＳＰ１４）
本変形例では、ステップＳＰ１４において、実施形態１と同様にして、ＥＵＶ光計測器６０は、ＥＵＶ光１０１のパワーを計測すると、当該パワーに係るデータをパワー比生成部３５に出力する。ＥＵＶ光１０１が生成される間、レーザ光９０のパワーに係るデータがレーザ光計測器３４からパワー比生成部３５に入力しているため、パワー比生成部３５は、上記比を生成する。
本変形例では、ステップＳＰ１４において、実施形態１と同様にして、ＥＵＶ光計測器６０は、ＥＵＶ光１０１のパワーを計測すると、当該パワーに係るデータをパワー比生成部３５に出力する。ＥＵＶ光１０１が生成される間、レーザ光９０のパワーに係るデータがレーザ光計測器３４からパワー比生成部３５に入力しているため、パワー比生成部３５は、上記比を生成する。
【0087】
（ステップＳＰ１５）
本変形例の本ステップは、ステップＳＰ１４でパワー比生成部３５が生成する比が、所定値以上低下することを示すかを判定するステップである。本ステップでは、プロセッサ１２０は、内部のメモリに格納されているデータを用いて、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が交換された直後における上記比と、ステップＳＰ１４においてパワー比生成部３５が生成する比とを比較する。そして、ステップＳＰ１４でプロセッサ１２０に入力するデータが、上記比が所定値以上低下することを示す場合、プロセッサ１２０は、ステップＳＰ１６に進む。一方、ステップＳＰ１４でプロセッサ１２０に入力するデータが、上記比が所定値以上低下することを示さない場合、プロセッサ１２０はステップＳＰ１７に進む。所定値は、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が交換された直後における上記比とステップＳＰ１４においてパワー比生成部３５が生成する比との差分を、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が交換された直後における上記比で除した値を百分率で表現した値である。所定値をＸ％とすると、Ｘ％は例えば０．１％以上１０％以下におけるいずれかの値である。ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率が低下すると、ＥＵＶ光計測器６０に入射するＥＵＶ光１０１のパワーが低下するため、上記比も低下する。従って、ステップＳＰ１４でプロセッサ１２０に入力するデータが上記比が所定値以上低下することを示す場合、当該データはＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率の低下量が基準値以上であることを示す。
本変形例の本ステップは、ステップＳＰ１４でパワー比生成部３５が生成する比が、所定値以上低下することを示すかを判定するステップである。本ステップでは、プロセッサ１２０は、内部のメモリに格納されているデータを用いて、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が交換された直後における上記比と、ステップＳＰ１４においてパワー比生成部３５が生成する比とを比較する。そして、ステップＳＰ１４でプロセッサ１２０に入力するデータが、上記比が所定値以上低下することを示す場合、プロセッサ１２０は、ステップＳＰ１６に進む。一方、ステップＳＰ１４でプロセッサ１２０に入力するデータが、上記比が所定値以上低下することを示さない場合、プロセッサ１２０はステップＳＰ１７に進む。所定値は、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が交換された直後における上記比とステップＳＰ１４においてパワー比生成部３５が生成する比との差分を、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が交換された直後における上記比で除した値を百分率で表現した値である。所定値をＸ％とすると、Ｘ％は例えば０．１％以上１０％以下におけるいずれかの値である。ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率が低下すると、ＥＵＶ光計測器６０に入射するＥＵＶ光１０１のパワーが低下するため、上記比も低下する。従って、ステップＳＰ１４でプロセッサ１２０に入力するデータが上記比が所定値以上低下することを示す場合、当該データはＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率の低下量が基準値以上であることを示す。
【0088】
なお、レーザ光計測器３４が計測するレーザ光９０のパワーをＥＵＶ光計測器６０が計測するＥＵＶ光１０１のパワーで除した比が用いられてもよい。この場合、ステップＳＰ１４でプロセッサ１２０に入力するデータが、比が所定値以上増加することを示す場合、プロセッサ１２０は、ステップＳＰ１６に進む。
【0089】
本変形例によれば、レーザ光計測器３４が計測するレーザ光９０のパワーと、ＥＵＶ光計測器６０が計測するＥＵＶ光１０１のパワーとの比を用いるため、レーザ光９０のパワーが変動する場合であっても、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率の低下を適切に検知することができる。
【0090】
５．実施形態２の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
次に、実施形態２のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
次に、実施形態２のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
【0091】
５．１ 構成
図１２は、本実施形態におけるＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０を図４と同様に示す模式図である。本実施形態におけるＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、カメラ７１、第２エッチングガス供給部１７を備える点において、実施形態１におけるＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０と主に異なる。また、光路切替機構５０、ＥＵＶ光計測器６０は備えなくてもよい。
図１２は、本実施形態におけるＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０を図４と同様に示す模式図である。本実施形態におけるＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、カメラ７１、第２エッチングガス供給部１７を備える点において、実施形態１におけるＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０と主に異なる。また、光路切替機構５０、ＥＵＶ光計測器６０は備えなくてもよい。
【0092】
カメラ７１は、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射面１５ａを撮影する。カメラ７１としては、例えばＣＣＤカメラを挙げることができる。カメラ７１は、静止画を撮影しても動画を撮影してもよい。カメラ７１は、チャンバ１０内に配置されてもよいが、スズの付着を抑制するため、チャンバ１０の外に配置され、不図示のウィンドウを介して第１空間１０ａの反射面１５ａを撮影してもよい。なお、カメラ７１が撮影する範囲は、反射面１５ａの全体でもよく、反射面１５ａのうちスズが付着し易い領域であってもよい。カメラ７１は、プロセッサ１２０に電気的に接続されており、カメラ７１が撮影する画像のデータは、プロセッサ１２０に入力する。なお、カメラ７１が反射面１５ａを撮影し易いように、反射面１５ａを明るくする不図示の照明が設けられてもよい。この場合も、スズの付着を抑制するため、照明は、チャンバ１０の外に配置され、不図示のウィンドウを介して、反射面１５ａを光が照射することが好ましい。
【0093】
ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率が低下する状態は、反射面１５ａにスズが付着している状態である。スズが付着する領域はそれ以外の領域と異なって観測される。例えば、暗くなる傾向にある。この状態をカメラ７１は撮影することができる。従って、カメラ７１が撮影する画像のデータは、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率を反映するデータである。また、本実施形態では、カメラ７１は、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率を反映するデータを生成するデータ生成部である。
【0094】
５．２ 動作
次に、本実施形態の動作について説明する。図１３は、本実施形態におけるプロセッサ１２０の制御フローチャートの一例を示す図である。図１３に示すように、本実施形態では、ステップＳＰ１３を備えずに、ステップＳＰ１４及びステップＳＰ１５が実施形態１のフローチャートと主に異なる。
次に、本実施形態の動作について説明する。図１３は、本実施形態におけるプロセッサ１２０の制御フローチャートの一例を示す図である。図１３に示すように、本実施形態では、ステップＳＰ１３を備えずに、ステップＳＰ１４及びステップＳＰ１５が実施形態１のフローチャートと主に異なる。
【0095】
（ステップＳＰ１４）
本実施形態の本ステップは、画像のデータを用いて、反射面１５ａにおけるスズが付着している領域の面積を算出するステップである。本ステップでは、カメラ７１は、反射面１５ａを撮影し、画像に係るデータを出力する。従って、プロセッサ１２０には、画像のデータが入力する。プロセッサ１２０は、画像のデータを受け取ると、例えば、画像の各画素をスズが付着しているか否かで異なるよう２値化する。２値化は、例えば、各画素の輝度に基づいて行われる。次に、プロセッサ１２０は、スズが付着している面積を算出し、この面積の反射面１５ａに対する比率を算出する。その後、プロセッサ１２０は、ステップＳＰ１５に進む。なお、本実施形態では、ＥＵＶ光１０１が生成されている間、カメラ７１は、反射面１５ａを撮影してもよい。この場合、開始の状態からプロセッサ１２０には、画像に係るデータが入力する。
本実施形態の本ステップは、画像のデータを用いて、反射面１５ａにおけるスズが付着している領域の面積を算出するステップである。本ステップでは、カメラ７１は、反射面１５ａを撮影し、画像に係るデータを出力する。従って、プロセッサ１２０には、画像のデータが入力する。プロセッサ１２０は、画像のデータを受け取ると、例えば、画像の各画素をスズが付着しているか否かで異なるよう２値化する。２値化は、例えば、各画素の輝度に基づいて行われる。次に、プロセッサ１２０は、スズが付着している面積を算出し、この面積の反射面１５ａに対する比率を算出する。その後、プロセッサ１２０は、ステップＳＰ１５に進む。なお、本実施形態では、ＥＵＶ光１０１が生成されている間、カメラ７１は、反射面１５ａを撮影してもよい。この場合、開始の状態からプロセッサ１２０には、画像に係るデータが入力する。
【0096】
（ステップＳＰ１５）
本実施形態の本ステップは、画像のデータが、反射面１５ａにおける反射率が劣化した領域の面積の比率が所定の比率以上であることを示すかを判定するステップである。本ステップでは、プロセッサ１２０は、ステップＳＰ１４で算出した比率と、予め内部のメモリに格納されている所定の比率とを比較する。この比較の結果、ステップＳＰ１４で算出した比率が、所定の比率以上である場合、プロセッサ１２０は、ステップＳＰ１６に進む。一方、ステップＳＰ１４で算出した比率が、所定の比率以上ではない場合、プロセッサ１２０は、ステップＳＰ１７に進む。所定の比率は、スズが付着している面積を反射面１５ａの面積で除した値を百分率で表現した値である。所定値をＸ％とすると、Ｘ％は、例えば０．１％以上１０％以下におけるいずれかの値である。プロセッサ１２０に入力するデータが、ステップＳＰ１４で算出した比率が所定の比率Ｘ％以上であることを示す場合、当該データはＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率の低下量が基準値以上であることを示す。この基準値は、実施形態１の基準値と同様である。
本実施形態の本ステップは、画像のデータが、反射面１５ａにおける反射率が劣化した領域の面積の比率が所定の比率以上であることを示すかを判定するステップである。本ステップでは、プロセッサ１２０は、ステップＳＰ１４で算出した比率と、予め内部のメモリに格納されている所定の比率とを比較する。この比較の結果、ステップＳＰ１４で算出した比率が、所定の比率以上である場合、プロセッサ１２０は、ステップＳＰ１６に進む。一方、ステップＳＰ１４で算出した比率が、所定の比率以上ではない場合、プロセッサ１２０は、ステップＳＰ１７に進む。所定の比率は、スズが付着している面積を反射面１５ａの面積で除した値を百分率で表現した値である。所定値をＸ％とすると、Ｘ％は、例えば０．１％以上１０％以下におけるいずれかの値である。プロセッサ１２０に入力するデータが、ステップＳＰ１４で算出した比率が所定の比率Ｘ％以上であることを示す場合、当該データはＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率の低下量が基準値以上であることを示す。この基準値は、実施形態１の基準値と同様である。
【0097】
５．３ 作用・効果
本実施形態によれば、カメラ７１が撮影する反射面１５ａの画像のデータを用いるため、スズが付着した割合を直接的に算出することができ、正確にスズの付着状況を把握し得る。さらに、反射率の劣化を判定するためにＥＵＶ光１０１のパワーを計測する必要がなく、ＥＵＶ光路を切り替える必要もない。なお、カメラ７１で撮影された画像を映像としてモニタに映し出せば、人が感覚的にスズの付着状況を把握することができる。
本実施形態によれば、カメラ７１が撮影する反射面１５ａの画像のデータを用いるため、スズが付着した割合を直接的に算出することができ、正確にスズの付着状況を把握し得る。さらに、反射率の劣化を判定するためにＥＵＶ光１０１のパワーを計測する必要がなく、ＥＵＶ光路を切り替える必要もない。なお、カメラ７１で撮影された画像を映像としてモニタに映し出せば、人が感覚的にスズの付着状況を把握することができる。
【0098】
６．実施形態３の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
次に、実施形態３のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
次に、実施形態３のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
【0099】
６．１ 構成
図１４は、本実施形態におけるＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０を図４と同様に示す模式図である。本実施形態におけるＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、光源７２と光計測器７３と、第２エッチングガス供給部１７と、を備える点において、第１実施形態におけるＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０と主に異なる。また、光路切替機構５０、ＥＵＶ光計測器６０は備えなくてもよい。
図１４は、本実施形態におけるＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０を図４と同様に示す模式図である。本実施形態におけるＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、光源７２と光計測器７３と、第２エッチングガス供給部１７と、を備える点において、第１実施形態におけるＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０と主に異なる。また、光路切替機構５０、ＥＵＶ光計測器６０は備えなくてもよい。
【0100】
光源７２は、光をＥＵＶ光集光ミラー１５の反射面１５ａに照射する。光源７２としては、レーザ光源、ＬＥＤ、白色光源を挙げることができる。光源７２は、スズの付着を抑制するため、チャンバ１０の外に配置され、不図示のウィンドウを介して、反射面１５ａに光を照射することが好ましい。光源７２は、反射面１５ａ全体に光を照射してもよいが、反射面１５ａのうちスズが付着し易い領域に光を照射してもよい。
【0101】
光計測器７３は、光源７２から反射面１５ａに照射される光が鏡面反射した光を受光する位置に設けられる。光計測器７３は、鏡面反射する光のパワーを計測する。光計測器７３としては、例えば市販の光パワーメータ等を挙げることができる。光計測器７３は、スズの付着を抑制するため、チャンバ１０の外に配置され、不図示のウィンドウを介して、反射面１５ａで鏡面反射する光を受光することが好ましい。光計測器７３は、プロセッサ１２０に電気的に接続されており、光計測器７３が計測する光のパワーに係るデータは、プロセッサ１２０に入力する。
【0102】
ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率が低下する状態は、反射面１５ａにスズが付着している状態である。従って、反射面１５ａにスズが付着する場合、光計測器７３が計測する光のパワーは小さくなる。従って、光計測器７３が計測する光のパワーに係るデータは、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率を反映するデータである。また、本実施形態では、光計測器７３は、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率を反映するデータを生成するデータ生成部である。
【0103】
６．２ 動作
次に、本実施形態の動作について説明する。図１５は、本実施形態におけるプロセッサ１２０の制御フローチャートの一例を示す図である。図１５に示すように、本実施形態では、ステップＳＰ１３を備えずに、ステップＳＰ１４及びステップＳＰ１５が実施形態１のフローチャートと主に異なる。
次に、本実施形態の動作について説明する。図１５は、本実施形態におけるプロセッサ１２０の制御フローチャートの一例を示す図である。図１５に示すように、本実施形態では、ステップＳＰ１３を備えずに、ステップＳＰ１４及びステップＳＰ１５が実施形態１のフローチャートと主に異なる。
【0104】
本実施形態では、図１５に示す開始の状態において、プロセッサ１２０は、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が交換された直後における、光計測器７３が計測する反射面１５ａで鏡面反射する光源７２からの光のパワーに係るデータを内部メモリに格納している。具体的には、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が交換された直後において、光源７２から反射面１５ａに光が照射され、光計測器７３は、反射面１５ａで鏡面反射する光を受光して、受光した光のパワーのデータを出力する。このデータは、プロセッサ１２０に入力する。こうして、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が交換された直後における光計測器７３が計測する光のパワーに係るデータがプロセッサ１２０内のメモリに格納される。なお、この光のパワーに係るデータは、予め実験等で求められて、プロセッサ１２０内のメモリに格納されてもよい。
【0105】
（ステップＳＰ１４）
本実施形態の本ステップは、反射面１５ａで鏡面反射する光源７２からの光のパワーを計測するステップである。本ステップにおいて、光源７２は反射面１５ａに光を照射し、光計測器７３は、反射面１５ａで鏡面反射する光を受光して、受光した光のパワーのデータを出力する。出力するデータは、プロセッサ１２０に入力する。その後、プロセッサ１２０は、ステップＳＰ１５に進む。なお、本実施形態では、ＥＵＶ光１０１が生成されている間、光源７２は反射面１５ａに光を照射してもよい。この場合、ＥＵＶ光１０１が生成されている間、光計測器７３は、計測する光のパワーのデータを出力してもよい。また、この場合、プロセッサ１２０には、開始の状態から光計測器７３が計測する光のパワーのデータが入力する。
本実施形態の本ステップは、反射面１５ａで鏡面反射する光源７２からの光のパワーを計測するステップである。本ステップにおいて、光源７２は反射面１５ａに光を照射し、光計測器７３は、反射面１５ａで鏡面反射する光を受光して、受光した光のパワーのデータを出力する。出力するデータは、プロセッサ１２０に入力する。その後、プロセッサ１２０は、ステップＳＰ１５に進む。なお、本実施形態では、ＥＵＶ光１０１が生成されている間、光源７２は反射面１５ａに光を照射してもよい。この場合、ＥＵＶ光１０１が生成されている間、光計測器７３は、計測する光のパワーのデータを出力してもよい。また、この場合、プロセッサ１２０には、開始の状態から光計測器７３が計測する光のパワーのデータが入力する。
【0106】
（ステップＳＰ１５）
本実施形態の本ステップは、光計測器７３が計測する光のパワーが所定値以上低下しているかを判定するステップである。本ステップでは、プロセッサ１２０は、内部のメモリに格納されているデータを用いて、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が交換された直後における光計測器７３が計測する光のパワーと、ステップＳＰ１４において光計測器７３が計測する光のパワーとを比較する。そして、ステップＳＰ１４でプロセッサ１２０に入力するデータが光計測器７３が計測する光のパワーが所定値以上低下することを示す場合、プロセッサ１２０はステップＳＰ１６に進む。一方、当該データが光計測器７３が計測する光のパワーが所定値以上低下していることを示さない場合、プロセッサ１２０はステップＳＰ１７に進む。所定値は、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が交換された直後における光のパワーとステップＳＰ１４における光のパワーとの差分を、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が交換された直後における光のパワーで除した値を百分率で表現した値である。所定値をＸ％とすると、Ｘ％は、例えば０．１％以上１０％以下におけるいずれかの値である。ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率が低下すると、光計測器７３が計測する光のパワーが低下する。従って、ステップＳＰ１４でプロセッサ１２０に入力するデータが光計測器７３が計測する光のパワーが所定値以上低下していることを示す場合、当該データはＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率の低下量が基準値以上であることを示す。この基準値は、実施形態１の基準値と同様である。
本実施形態の本ステップは、光計測器７３が計測する光のパワーが所定値以上低下しているかを判定するステップである。本ステップでは、プロセッサ１２０は、内部のメモリに格納されているデータを用いて、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が交換された直後における光計測器７３が計測する光のパワーと、ステップＳＰ１４において光計測器７３が計測する光のパワーとを比較する。そして、ステップＳＰ１４でプロセッサ１２０に入力するデータが光計測器７３が計測する光のパワーが所定値以上低下することを示す場合、プロセッサ１２０はステップＳＰ１６に進む。一方、当該データが光計測器７３が計測する光のパワーが所定値以上低下していることを示さない場合、プロセッサ１２０はステップＳＰ１７に進む。所定値は、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が交換された直後における光のパワーとステップＳＰ１４における光のパワーとの差分を、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が交換された直後における光のパワーで除した値を百分率で表現した値である。所定値をＸ％とすると、Ｘ％は、例えば０．１％以上１０％以下におけるいずれかの値である。ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率が低下すると、光計測器７３が計測する光のパワーが低下する。従って、ステップＳＰ１４でプロセッサ１２０に入力するデータが光計測器７３が計測する光のパワーが所定値以上低下していることを示す場合、当該データはＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率の低下量が基準値以上であることを示す。この基準値は、実施形態１の基準値と同様である。
【0107】
６．３ 作用・効果
本実施形態によれば、ＥＵＶ光１０１のパワーを測定せずに反射面１５ａの反射率の低下を検知し得るため、ＥＵＶ光１０１の出射を阻害することを抑制して、反射面１５ａにスズが付着していることを把握し得る。
本実施形態によれば、ＥＵＶ光１０１のパワーを測定せずに反射面１５ａの反射率の低下を検知し得るため、ＥＵＶ光１０１の出射を阻害することを抑制して、反射面１５ａにスズが付着していることを把握し得る。
【0108】
６．４ 変形例の説明
次に、実施形態３のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の変形例について説明する。本変形例では、光源７２から反射面１５ａに光が照射され、光計測器７３が反射面１５ａで散乱する光のパワーを計測する点において、実施形態３と異なる。従って、光計測器７３は、光源７２からの光が反射面１５ａで鏡面反射する光の光路上に設けられず、例えば図１４において破線で示す位置に設けられる。従って、反射面１５ａにスズが付着していない状態では、光計測器７３は、光源７２からの光を殆ど受光しない。
次に、実施形態３のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の変形例について説明する。本変形例では、光源７２から反射面１５ａに光が照射され、光計測器７３が反射面１５ａで散乱する光のパワーを計測する点において、実施形態３と異なる。従って、光計測器７３は、光源７２からの光が反射面１５ａで鏡面反射する光の光路上に設けられず、例えば図１４において破線で示す位置に設けられる。従って、反射面１５ａにスズが付着していない状態では、光計測器７３は、光源７２からの光を殆ど受光しない。
【0109】
次に、本変形例の動作について説明する。図１６は、本変形例におけるプロセッサ１２０の制御フローチャートの一例を示す図である。ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が交換された直後では、反射面１５ａにスズが付着していない。本変形例では、図１６に示す開始の状態において、プロセッサ１２０は、光計測器７３が計測する光のパワーとＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率との関係を内部メモリに記憶している。この関係は実験等により予め求められているとよい。また、プロセッサ１２０は、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が交換された直後における、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率である初期反射率を内部メモリに格納している。具体的には、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が交換された直後において、光源７２から反射面１５ａに光が照射され、光計測器７３は、反射面１５ａで散乱反射する光を受光して、受光した光のパワーのデータを出力する。このデータに基づいて、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率が算出され、当該反射率が内部メモリに格納される。
【0110】
（ステップＳＰ１４）
本変形例の本ステップは、反射面１５ａで散乱する光源７２からの光のパワーを計測するステップである。本ステップにおいて、光源７２は反射面１５ａに光を照射し、光計測器７３は、反射面１５ａで散乱する光を受光して、受光した光のパワーのデータを出力する。出力するデータは、プロセッサ１２０に入力する。その後、プロセッサ１２０は、ステップＳＰ１５に進む。なお、本変形例においても、ＥＵＶ光１０１が生成されている間、光源７２は反射面１５ａに光を照射してもよい。この場合、ＥＵＶ光１０１が生成されている間、光計測器７３は、計測する光のパワーのデータを出力してもよい。また、この場合、プロセッサ１２０には、開始の状態から光計測器７３が計測する光のパワーのデータが入力する。
本変形例の本ステップは、反射面１５ａで散乱する光源７２からの光のパワーを計測するステップである。本ステップにおいて、光源７２は反射面１５ａに光を照射し、光計測器７３は、反射面１５ａで散乱する光を受光して、受光した光のパワーのデータを出力する。出力するデータは、プロセッサ１２０に入力する。その後、プロセッサ１２０は、ステップＳＰ１５に進む。なお、本変形例においても、ＥＵＶ光１０１が生成されている間、光源７２は反射面１５ａに光を照射してもよい。この場合、ＥＵＶ光１０１が生成されている間、光計測器７３は、計測する光のパワーのデータを出力してもよい。また、この場合、プロセッサ１２０には、開始の状態から光計測器７３が計測する光のパワーのデータが入力する。
【0111】
（ステップＳＰ１５）
本変形例の本ステップは、光計測器７３が計測する光のパワーが所定値以上増加するかを判定するステップである。本ステップでは、ステップＳＰ１４において光計測器７３が計測する光のパワーが所定値以上増加することを示す場合、プロセッサ１２０はステップＳＰ１６に進む。一方、当該データが光計測器７３が計測する光のパワーが所定値以上増加することを示さない場合、プロセッサ１２０はステップＳＰ１７に進む。所定値は、ＥＵＶ光集光ミラー１５の初期反射率と計測された散乱光の光のパワーに対応したＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率との差分を、初期反射率で除した値を百分率で表現した値である。ここで、ＥＵＶ光集光ミラー１５の初期反射率とは、光計測器７３が計測する光のパワーとＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率との関係における散乱光の光のパワーがゼロである場合のＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率であってよい。あるいは、予め設定あるいは計測された値としてもよい。例えば、ＥＵＶ光集光ミラー１５が装置に組み込まれた直後の反射率でもよいし、メンテナンス直後の反射率でもよい。所定値をＸ％とすると、Ｘ％は、例えば０．１％以上１０％以下におけるいずれかの値である。
本変形例の本ステップは、光計測器７３が計測する光のパワーが所定値以上増加するかを判定するステップである。本ステップでは、ステップＳＰ１４において光計測器７３が計測する光のパワーが所定値以上増加することを示す場合、プロセッサ１２０はステップＳＰ１６に進む。一方、当該データが光計測器７３が計測する光のパワーが所定値以上増加することを示さない場合、プロセッサ１２０はステップＳＰ１７に進む。所定値は、ＥＵＶ光集光ミラー１５の初期反射率と計測された散乱光の光のパワーに対応したＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率との差分を、初期反射率で除した値を百分率で表現した値である。ここで、ＥＵＶ光集光ミラー１５の初期反射率とは、光計測器７３が計測する光のパワーとＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率との関係における散乱光の光のパワーがゼロである場合のＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率であってよい。あるいは、予め設定あるいは計測された値としてもよい。例えば、ＥＵＶ光集光ミラー１５が装置に組み込まれた直後の反射率でもよいし、メンテナンス直後の反射率でもよい。所定値をＸ％とすると、Ｘ％は、例えば０．１％以上１０％以下におけるいずれかの値である。
【0112】
７．実施形態４の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
次に、実施形態４のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
次に、実施形態４のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
【0113】
７．１ 構成
図１７は、本実施形態における極端紫外光生成用チャンバ装置を図４と同様に示す模式図である。本実施形態におけるＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、パルスカウンター３６と、第２エッチングガス供給部１７と、を備える点において、比較例におけるＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０と主に異なる。
図１７は、本実施形態における極端紫外光生成用チャンバ装置を図４と同様に示す模式図である。本実施形態におけるＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、パルスカウンター３６と、第２エッチングガス供給部１７と、を備える点において、比較例におけるＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０と主に異なる。
【0114】
パルスカウンター３６は、レーザ光計測器３４に電気的に接続されており、レーザ光計測器３４から出力されるレーザ光９０のパワーが大きくなる回数を計測することで、レーザ光９０のショット数を計測することができる。パルスカウンター３６は、プロセッサ１２０と電気的に接続されており、パルスカウンター３６が計測するレーザ光９０のショット数に係るデータはプロセッサ１２０に入力する。
【0115】
図１８は、レーザ光９０のショット数と、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率の低下率との関係を示す図である。図１８に示すように、通常の運転モードでは、レーザ光９０がドロップレットターゲットＤＬに照射され、ＥＵＶ光１０１が生成されるごとに、反射面１５ａにスズが付着して、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率が低下する。従って、レーザ光９０のショット数に係るデータは、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率を反映するデータである。また、本実施形態では、パルスカウンター３６は、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率を反映するデータを生成するデータ生成部である。
【0116】
７．２ 動作
次に、本実施形態の動作について説明する。図１９は、本実施形態におけるプロセッサ１２０の制御フローチャートの一例を示す図である。この制御フローは、ステップＳＰ２１～ステップＳＰ２５を含む。
次に、本実施形態の動作について説明する。図１９は、本実施形態におけるプロセッサ１２０の制御フローチャートの一例を示す図である。この制御フローは、ステップＳＰ２１～ステップＳＰ２５を含む。
【0117】
本実施形態では、パルスカウンター３６は、開始の状態からレーザ光９０のショット数をカウントしショット数に係るデータを出力し、当該データはプロセッサ１２０に入力している。
【0118】
（ステップＳＰ２１）
本ステップは、実施形態１のステップＳＰ１１と同様のステップである。
本ステップは、実施形態１のステップＳＰ１１と同様のステップである。
【0119】
（ステップＳＰ２２）
本ステップは、レーザ光９０のショット数が所定値に達したことをプロセッサ１２０が検知するステップである。所定のショット数は、例えば、ＸＢｐｌｓ（ビリオンパルス）である。ＸＢｐｌｓは、ＥＵＶ光集光ミラー１５の初期反射率に対するＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率の低下量が基準値Ｒ％以上となるパルス数である。初期反射率については実施形態３の変形例と同様でよい。Ｒ％は、例えば０．１％以上１０％以下におけるいずれかの値である。本ステップでプロセッサ１２０に入力するデータがショット数が所定値に達することを示す場合、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率の低下量が基準値以上であることを示す。
本ステップは、レーザ光９０のショット数が所定値に達したことをプロセッサ１２０が検知するステップである。所定のショット数は、例えば、ＸＢｐｌｓ（ビリオンパルス）である。ＸＢｐｌｓは、ＥＵＶ光集光ミラー１５の初期反射率に対するＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率の低下量が基準値Ｒ％以上となるパルス数である。初期反射率については実施形態３の変形例と同様でよい。Ｒ％は、例えば０．１％以上１０％以下におけるいずれかの値である。本ステップでプロセッサ１２０に入力するデータがショット数が所定値に達することを示す場合、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率の低下量が基準値以上であることを示す。
【0120】
（ステップＳＰ２３）
本ステップは、プロセッサ１２０が、実施形態１のステップＳＰ１６と同様にして、第１エッチングガス供給部１６及び第２エッチングガス供給部１７を制御するステップである。従って、反射面１５ａにおけるエッチングガスの流速が低下し、反射面１５ａに付着しているスズがエッチングされる。つまり、本ステップでは、クリーニングモードとなる。図２０は、クリーニングモードにおけるレーザ光９０のショット数と、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率の低下率との関係を示す図である。図２０に示すように、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率の低下量が基準値Ｒ％である状態からレーザ光９０のショット数がＹＢｐｌｓに達すると、反射面１５ａに付着しているスズが概ねエッチングされる。
本ステップは、プロセッサ１２０が、実施形態１のステップＳＰ１６と同様にして、第１エッチングガス供給部１６及び第２エッチングガス供給部１７を制御するステップである。従って、反射面１５ａにおけるエッチングガスの流速が低下し、反射面１５ａに付着しているスズがエッチングされる。つまり、本ステップでは、クリーニングモードとなる。図２０は、クリーニングモードにおけるレーザ光９０のショット数と、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率の低下率との関係を示す図である。図２０に示すように、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率の低下量が基準値Ｒ％である状態からレーザ光９０のショット数がＹＢｐｌｓに達すると、反射面１５ａに付着しているスズが概ねエッチングされる。
【0121】
（ステップＳＰ２４）
本ステップは、ステップＳＰ２３の状態となってからレーザ光９０のショット数がＹＢｐｌｓに達したことをプロセッサ１２０が検知するステップである。本ステップで、ショット数がＹＢｐｌｓに達したことが検知されると、プロセッサ１２０は、ステップＳＰ２５に進む。
本ステップは、ステップＳＰ２３の状態となってからレーザ光９０のショット数がＹＢｐｌｓに達したことをプロセッサ１２０が検知するステップである。本ステップで、ショット数がＹＢｐｌｓに達したことが検知されると、プロセッサ１２０は、ステップＳＰ２５に進む。
【0122】
（ステップＳＰ２５）
本ステップは、実施形態１のステップＳＰ１８と同様である。ただし、本実施形態では、ＥＵＶ光１０１の出射を継続する場合には、ステップＳＰ２１に戻る。
本ステップは、実施形態１のステップＳＰ１８と同様である。ただし、本実施形態では、ＥＵＶ光１０１の出射を継続する場合には、ステップＳＰ２１に戻る。
【0123】
７．３ 作用・効果
本実施形態によれば、パルスカウンター３６でのレーザ光９０のショット数により反射面１５ａのスズの付着を検知するため、構成が簡易である。
本実施形態によれば、パルスカウンター３６でのレーザ光９０のショット数により反射面１５ａのスズの付着を検知するため、構成が簡易である。
【0124】
以上本発明について、実施形態を例に説明したが、上記実施形態を適宜変更することができる。例えば、実施形態１から実施形態３において、実施形態４と同様のパルスカウンター３６が備えられ、ステップＳＰ１６の状態になってから、所定のショット数ＹＢｐｌｓに達する場合に、ステップＳＰ１１に戻ってもよい。すなわち、プロセッサ１２０は、供給されるエッチングガスの流速を低下させるよう第１エッチングガス供給部１６を制御してからのレーザ光９０のショット数が所定のショット数ＹＢｐｌｓに達する場合に、エッチングガスの流速を増加させるよう第１エッチングガス供給部１６を制御してもよい。
【0125】
また、上記実施形態において、プロセッサ１２０は、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射率の低下量が基準値以上である場合に、第１エッチングガス供給部１６からのエッチングガスの流速を低下させ、第２エッチングガス供給部１７からのエッチングガスを供給させなくてもよい。また、プロセッサ１２０は、第１エッチングガス供給部１６から供給されるエッチングガスの流速が低下されない状態と、第１エッチングガス供給部１６からのエッチングガスの流速を低下させると共に第２エッチングガス供給部１７からエッチングガスを供給させる状態とで、プラズマ生成領域ＡＲに流れるエッチングガスの流速が一定となるように、第１エッチングガス供給部１６及び第２エッチングガス供給部１７を制御してもよい。
【0126】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」、「有する」、「備える」、「具備する」などの用語は、「記載されたもの以外の構成要素の存在を除外しない」と解釈されるべきである。また、修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきであり、さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】