特開 2024-72849 発光素子

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024072849

(43)【公開日】2024-05-28

(54)【発明の名称】発光素子

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/32 20100101AFI20240521BHJP

   H01S 5/343 20060101ALI20240521BHJP

【ＦＩ】

H01L33/32

H01S5/343 610

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024038017

(22)【出願日】2024-03-12

(62)【分割の表示】P 2021146483の分割

【原出願日】2021-09-08

(71)【出願人】

【識別番号】000226057

【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100145403

【弁理士】

【氏名又は名称】山尾 憲人

(74)【代理人】

【識別番号】100138863

【弁理士】

【氏名又は名称】言上 惠一

(74)【代理人】

【識別番号】100187584

【弁理士】

【氏名又は名称】村石 桂一

(72)【発明者】

【氏名】白▲濱▼ 達夫

(72)【発明者】

【氏名】岩生 直也

(72)【発明者】

【氏名】兼平 真吾

(72)【発明者】

【氏名】福森 孝典

(57)【要約】

【課題】高い光取り出し効率を有する発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ側半導体層と、ｐ側半導体層と、ｎ側半導体層とｐ側半導体層との間に配置され井戸層を含む活性層と、を含む窒化物半導体からなる半導体構造体を含む発光素子であって、ｐ側半導体層は、活性層側から順に、Ｇａ、Ａｌ、及びＩｎを含む第１層と、Ｇａ及びＡｌを含み、第１層の厚さよりも薄い第２層と、Ｇａを含む第３層と、を有し、第２層のバンドギャップエネルギーは、井戸層のバンドギャップエネルギーよりも大きく、第３層のｐ型不純物濃度は、第１層のｐ型不純物濃度よりも高く、第２層のＡｌ組成比は、第１層のＡｌ組成比よりも大きい発光素子。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ｎ側半導体層と、ｐ側半導体層と、前記ｎ側半導体層と前記ｐ側半導体層との間に配置され井戸層を含む活性層と、を含む窒化物半導体からなる半導体構造体を含む発光素子であって、
前記ｐ側半導体層は、前記活性層側から順に、Ｇａ、Ａｌ、及びＩｎを含む第１層と、Ｇａ及びＡｌを含み、前記第１層の厚さよりも薄い第２層と、Ｇａを含む第３層と、を有し、
前記第２層のバンドギャップエネルギーは、前記井戸層のバンドギャップエネルギーよりも大きく、
前記第３層のｐ型不純物濃度は、前記第１層のｐ型不純物濃度よりも高く、
前記第２層のＡｌ組成比は、前記第１層のＡｌ組成比よりも大きい発光素子。

【請求項2】

前記第１層のバンドギャップエネルギーは、前記井戸層のバンドギャップエネルギーよりも大きい請求項１に記載の発光素子。

【請求項3】

前記第２層のｐ型不純物濃度は、前記第１層のｐ型不純物濃度よりも高い請求項１又は２に記載の発光素子。

【請求項4】

前記第２層のｐ型不純物濃度は、前記第３層のｐ型不純物濃度よりも低い請求項１～３のいずれか１つに記載の発光素子。

【請求項5】

前記ｐ側半導体層は、前記活性層と前記第１層の間に配置され、Ｇａを含む第４層をさらに含み、
前記第４層の厚さは、前記第１層よりも厚い請求項１～４のいずれか１つに記載の発光素子。

【請求項6】

前記第１層のＡｌ組成比と前記第２層のＡｌ組成比との差は５％以上１０％以下である請求項１～５のいずれか１つに記載の発光素子。

【請求項7】

前記第２層の厚さは、前記第２層及び前記第３層の合計厚さの６０％以上８０％以下である請求項１～６のいずれか１つに記載の発光素子。

【請求項8】

前記活性層が発する光の発光ピーク波長は、４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下である請求項１～７のいずれか１つに記載の発光素子。

【請求項9】

前記ｎ側半導体層と電気的に接続されたｎ電極と、
前記第３層と電気的に接続されたｐ電極と、を有する請求項１～８のいずれか１つに記載の発光素子。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、発光素子に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、複数の窒化物半導体からなる層を積層させた発光素子が開示されている。このような発光素子において、光取り出し効率を向上することが望まれる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００１－０７７４８０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明の一実施形態は、高い光取り出し効率を有する発光素子を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の一実施形態に係る発光素子は、ｎ側半導体層と、ｐ側半導体層と、前記ｎ側半導体層と前記ｐ側半導体層との間に配置され井戸層を含む活性層と、を含む窒化物半導体からなる半導体構造体を含む発光素子であって、前記ｐ側半導体層は、前記活性層側から順に、Ｇａ、Ａｌ、及びＩｎを含む第１層と、Ｇａ及びＡｌを含み、前記第１層の厚さよりも薄い第２層と、Ｇａを含む第３層と、を有し、前記第２層のバンドギャップエネルギーは、前記井戸層のバンドギャップエネルギーよりも大きく、前記第３層のｐ型不純物濃度は、前記第１層のｐ型不純物濃度よりも高く、前記第２層のＡｌ組成比は、前記第１層のＡｌ組成比よりも大きい。

【発明の効果】

【0006】

本発明の一実施形態によれば、高い光取り出し効率を有する発光素子を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本発明の一実施形態に係る発光素子の構成を示す模式断面図である。

【図2A】本発明の一実施形態に係る発光素子の構成を示す模式断面図である。

【図2B】本発明の一実施形態に係る発光素子の構成を示す模式断面図である。

【図3】本発明の一実施形態に係る発光素子のバンド構造を模式的に示すバンドダイヤグラムである。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、本発明に係る発光素子の実施形態について説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、本発明を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。

【0009】

図１は、発光素子１の模式断面図である。図２Ａ及び図２Ｂは、ｐ側半導体層４０の積層構造を示す模式断面図である。図３は、活性層３０及びｐ側半導体層４０のバンド構造を模式的に示すバンドダイヤグラムである。

【0010】

図１に示すように、発光素子１は、基板１０と、基板１０上に配置された半導体構造体１００を有する。半導体構造体１００は、ｎ側半導体層２０と、ｐ側半導体層４０と、ｎ側半導体層２０とｐ側半導体層４０との間に位置する活性層３０と、を含む。発光素子１は、ｎ側半導体層２０に電気的に接続されたｎ電極５１と、ｐ側半導体層４０に電気的に接続されたｐ電極５２と、を有する。

【0011】

基板１０の材料は、例えば、サファイア、シリコン、ＳｉＣ、ＧａＮなどを用いることができる。基板１０上に半導体構造体１００との間にバッファ層を配置してよい。バッファ層としては、例えば、ＡｌＧａＮやＡｌＮからなる層を用いることができる。基板１０は、最終的に取り除いてよい。

【0012】

半導体構造体１００は、窒化物半導体からなる複数の半導体層が積層された積層体である。窒化物半導体は、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１－ｘ－ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）からなる化学式において組成比ｘ及びｙをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含み得る。

【0013】

下地層２２は、基板１０とｎ側半導体層２０との間に配置されている。下地層２２は、例えば、アンドープのＧａＮ層である。下地層２２の厚さは、例えば、５μｍ以上１０μｍ以下とすることができる。なお、下地層２２は、配置しなくてもよい。ここで、アンドープの層とは、ｎ型不純物やｐ型不純物を意図的にドープしていない層である。アンドープの層がｎ型不純物及び／又はｐ型不純物を意図的にドープした層と隣接している場合は、その隣接した層からの拡散等によって、アンドープの層にｎ型不純物及び／又はｐ型不純物が含まれる場合がある。なお、本明細書において各半導体層の厚さとは、半導体構造体１００の積層方向における厚さである。

【0014】

ｎ側半導体層２０は、１以上のｎ型半導体層を含む。ｎ型半導体層としては、シリコン（Ｓｉ）やゲルマニウム（Ｇｅ）等のｎ型不純物を含有する半導体層が挙げられる。ｎ型半導体層は、例えば、ガリウム（Ｇａ）及び窒素（Ｎ）を含むＧａＮからなる層であり、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）を含んでいてもよい。例えば、Ｓｉをｎ型不純物として含むｎ型半導体層のｎ型不純物濃度は、１×１０^１８／ｃｍ^３以上２×１０^１９／ｃｍ^３以下である。ｎ側半導体層２０は、電子を供給する機能を有していればよく、アンドープの層を含んでいてもよい。また、ｎ側半導体層２０は、異なる材料からなる複数の半導体層が交互に積層された超格子層を含んでいてもよい。

【0015】

ｎ側半導体層２０は、他の半導体層が配置されていない上面を有する。他の半導体層が配置されていないｎ側半導体層２０の上面にｎ電極５１が配置される。

【0016】

活性層３０は、ｎ側半導体層２０とｐ側半導体層４０との間に配置されている。活性層３０は、井戸層３１及び障壁層３２を含む。活性層３０は、例えば、複数の井戸層３１と、複数の障壁層３２とを含む多重量子井戸構造を有する。図３に示すように、障壁層３２のバンドギャップエネルギーは、井戸層３１のバンドギャップエネルギーよりも大きい。
活性層３０に含まれる井戸層３１から、その井戸層３１のバンドギャップエネルギーに応じた波長の光が出射される。複数の井戸層３１には、例えば、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮからなる層を用いる。複数の障壁層には、例えば、ＧａＮやＡｌＧａＮからなる層を用いる。活性層３０に含まれる井戸層３１及び障壁層３２は、例えば、アンドープの層である。活性層３０に含まれる井戸層３１及び障壁層３２の少なくとも一部にｎ型不純物及び／又はｐ型不純物を含有してもよい。

【0017】

活性層３０が発する光は、例えば、紫外光又は可視光である。活性層３０は、例えば、可視光として青色光や緑色光を発することができる。青色光の発光ピーク波長は、４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下である。緑色光の発光ピーク波長は、５００ｎｍ以上５４０ｎｍ以下である。紫外光の発光ピーク波長は、４００ｎｍ以下である。

【0018】

ｐ側半導体層４０は、１以上のｐ型半導体層を含む。ｐ型半導体層としては、マグネシウム（Ｍｇ）等のｐ型不純物を含有する半導体層が挙げられる。図２Ａに示すように、ｐ側半導体層４０は、活性層３０側から順に、第１層４１と、第２層４２と、第３層４３と、を有する。ｐ側半導体層４０は、さらに、活性層３０と第１層４１との間に配置された第４層４４と、活性層３０と第４層４４との間に配置された第５層４５と、を有する。

【0019】

第１層４１は、Ｇａ、Ａｌ、及びＩｎを含む半導体層である。第２層４２は、Ｇａ及びＡｌを含む半導体層である。第３層４３は、Ｇａを含む半導体層である。第４層４４は、Ｇａを含む半導体層である。第５層４５は、Ｇａ、Ａｌを含む半導体層を有している。第１層４１は、例えばＡｌＩｎＧａＮからなる層である。第２層４２は、例えば、ＡｌＧａＮからなる層である。第３層４３は、例えば、ＧａＮからなる層である。第４層４４は、例えば、ＧａＮからなる層である。第５層４５は、例えば、ＡｌＧａＮやＧａＮからなる層を含む。

【0020】

活性層３０上にＧａ、Ａｌ、及びＩｎを含む半導体層からなる第１層４１を配置することで、活性層３０を形成した後の半導体層の上面に形成されたＶピットを埋め込みやすくできる。これは、第１層４１を形成する際、Ａｌ及びＩｎが含まれることでＶピット内での成長が促され、例えば、ＧａＮからなる層を形成する場合に比べて、Ｖピットが埋め込まれやすくなったことが要因であると推測される。なお、Ｖピットとは半導体層の上面に形成される凹部のことである。このようなＶピットが埋め込まれやすくなることで、活性層３０の上面が露出された状態で第１層４１、第２層４２、及び第３層４３が形成されることによる活性層３０への熱ダメージが低減される。その結果、活性層３０の結晶性の悪化が低減されることで発光素子１の発光効率を高くすることができる。

【0021】

第３層４３のｐ型不純物濃度は、第１層４１のｐ型不純物濃度よりも高い。第３層４３のｐ型不純物濃度を高くすることで、ｐ側半導体層４０から活性層３０にホールを供給しやすくし、発光素子１の発光効率を高くすることができる。また、第２層４２及び第３層４３のｐ型不純物濃度は、第１層４１のｐ型不純物濃度よりも高いことが好ましい。これにより、第３層４３のみを配置する場合よりも、さらにｐ側半導体層４０から活性層３０にホールを供給しやすくできる。第２層４２及び第３層４３のｐ型不純物濃度は、例えば、１×１０^２０／ｃｍ^３以上５×１０^２０／ｃｍ^３以下である。第１層４１は、例えば、アンドープの層からなる。第１層４１のｐ型不純物濃度は、例えば、５×１０^１８／ｃｍ^３以上３×１０^１９／ｃｍ^３以下である。

【0022】

第２層４２のｐ型不純物濃度は、第３層４３のｐ型不純物濃度よりも低いことが好ましい。第２層４２のｐ型不純物濃度を低くすることで、高い濃度でｐ型不純物が含まれることによる第２層４２における光の透過率の低下を低減できる。そのため、第２層４２及び第３層４３のｐ型不純物濃度を同じとする場合に比べて、第２層４２により活性層３０が発する光が吸収されることを低減でき、光取り出し効率を高くすることができる。第２層４２のｐ型不純物濃度を、第３層４３のｐ型不純物濃度よりも低くする場合、例えば、第２層４２のｐ型不純物濃度を、第３層４３のｐ型不純物濃度の６０％以上８０％以下とすることができる。具体的には、第２層４２のｐ型不純物濃度を１×１０^２０／ｃｍ^３以上３×１０^２０／ｃｍ^３以下とし、第３層４３のｐ型不純物濃度を３×１０^２０／ｃｍ^３以上５×１０^２０／ｃｍ^３以下とすることができる。

【0023】

第２層４２は、Ａｌを含む半導体層からなり、図３に示すように、活性層３０の井戸層３１のバンドギャップエネルギーよりも大きいバンドギャップエネルギーを有する。第２層４２は、例えば、ＩｎＧａＮからなる井戸層３１に比べてバンドギャップエネルギーが大きく、活性層３０が発する光が吸収されにくい半導体層である。このような第２層４２を配置することで、活性層３０が発する光の吸収を低減し、光取り出し効率を高くすることができる。また、第１層４１及び第２層４２は、図３に示すように、活性層３０の井戸層３１のバンドギャップエネルギーよりも大きいバンドギャップエネルギーを有することが好ましい。このような第１層４１を配置することで、上述した第２層４２と同様に、活性層３０が発する光の吸収を低減し、光取り出し効率を高くすることができる。なお、活性層３０の井戸層３１のバンドギャップエネルギーは、活性層３０が発する光の発光ピーク波長から算出する。例えば、活性層３０が発する光の発光ピーク波長が４５０ｎｍである場合、活性層３０の井戸層３１のバンドギャップエネルギーは、バンドギャップエネルギー[ｅＶ]＝１２４０／発光ピーク波長[ｎｍ]から約２．７６ｅＶと算出する。また、各半導体層のバンドギャップエネルギーは、半導体層を構成する材料の組成比から算出する。

【0024】

第２層４２のＡｌ組成比は、第１層４１のＡｌ組成比よりも大きい。例えば、第１層４１がＩｎ_ｘ１Ａｌ_ｙ１Ｇａ_{１－ｘ１－ｙ１}Ｎからなり、第２層４２がＩｎ_ｘ２Ａｌ_ｙ２Ｇａ_{１－ｘ２－ｙ２}Ｎからなる場合、ｙ１はｙ２よりも大きい。これにより、第２層４２のバンドギャップエネルギーを第１層４１のバンドギャップエネルギーよりも大きくし、第２層４２により活性層３０が発する光が吸収されることを低減できる。

【0025】

第２層４２は第１層４１よりもＡｌ組成比が高い半導体層からなる。このような第２層４２を、例えばＧａＮ層上に形成する場合、第２層４２とＧａＮ層との格子定数差により格子緩和が生じ第２層４２の結晶性が悪化するおそれがある。本実施形態では、第２層４２をＡｌ組成比が第２層４２よりも低い第１層４１上に形成することで、第１層４１と第２層４２との格子定数差を小さくし格子緩和の発生を低減している。これにより、第２層４２及び第２層４２上に配置される第３層４３の結晶性を向上させることができる。

【0026】

第１層４１のＡｌ組成比と第２層４２のＡｌ組成比との差は５％以上１０％以下とすることが好ましい。第１層４１のＡｌ組成比と第２層４２のＡｌ組成比との差を５％以上とすることで、活性層３０が発する光が第２層４２により吸収されることを低減しやすい。
第１層４１のＡｌ組成比と第２層４２のＡｌ組成比との差を１０％以下とすることで、第１層４１と第２層４２とによる格子緩和の発生を低減し第２層４２を結晶性よく形成することができる。

【0027】

第１層４１のＡｌ組成比は、例えば、１％以上４％以下とすることができる。第２層のＡｌ組成比は、例えば、３％以上１０％以下とすることができる。例えば、第１層４１のＡｌ組成比を３％程度とし、第２層４２のＡｌ組成比を８％程度とすることができる。

【0028】

第１層４１のＩｎ組成比は、１％以上３％以下とすることが好ましい。第１層４１のＩｎ組成比を１％以上とすることで、第４層４４の上面に形成されたＶピットを第１層４１により埋め込む効果が得られやすい。第１層４１のＩｎ組成比を３％以下とすることで、第１層４１の結晶性の悪化を低減することができる。

【0029】

第２層４２の厚さは、第１層４１の厚さよりも薄い。第１層４１よりもＡｌ組成比が大きく結晶性が悪くなりやすい第２層４２を比較的薄く配置することでｐ側半導体層４０の結晶性の悪化を低減することができる。

【0030】

第２層４２の厚さは、第３層４３の厚さ以上とすることができ、図２Ｂに示すように、第２層４２の厚さは、第３層４３の厚さよりも厚くすることが好ましい。これにより、第２層４２と第３層４３とを同じ厚さとする場合よりも、活性層３０が発する光の吸収を低減できるので光取り出し効率を高くすることができる。第２層４２の厚さは、例えば、第２層４２及び第３層４３の合計厚さの６０％以上８０％以下とすることができる。第２層４２の厚さを、第２層４２及び第３層４３の合計厚さの６０％以上とすることで、光取り出し効率を高くすることができる。第２層４２の厚さを、第２層４２及び第３層４３の合計厚さの８０％以下とすることで、Ａｌを含み高いｐ型不純物濃度の第２層４２を厚く配置することによる結晶性の悪化を低減することができる。第２層４２の厚さは、例えば、６ｎｍ以上１０ｎｍ以下とすることができる。第３層４３の厚さは、例えば、８ｎｍ以上１２ｎｍ以下とすることができる。

【0031】

第４層４４は、第５層４５の上面に配置される。第４層４４は第１層４１よりも厚いことが好ましい。第１層４１は、第４層４４の上面に配置される。活性層３０を形成した後の半導体層の上面に形成されたＶピットは、第４層４４により埋め込まれ、第４層４４の上面に形成されたＶピットは、第１層４１によりさらに埋め込まれる。そのため、第１層４１を配置する前に、Ｇａを含み、第１層４１よりも厚い第４層４４を配置することで、活性層３０を形成した後の半導体層の上面に形成されたＶピットを、第１層４１のみを配置する場合よりもより埋め込みやすくできる。第１層４１の厚さは、例えば、１５ｎｍ以上２５ｎｍ以下とすることができる。第４層４４の厚さは、例えば、２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下とすることができる。なお、第４層４４は、配置しなくてもよい。

【0032】

第４層４４は、例えば、アンドープのＧａＮからなる層である。第４層４４のｐ型不純物濃度は、例えば、５×１０^１８／ｃｍ^３以上３×１０^１９／ｃｍ^３以下である。なお、第４層４４は配置しなくてもよい。

【0033】

第５層４５は、活性層３０の上面に配置される。第５層４５は、キャリアを活性層３０に閉じ込めるために配置される層である。第５層４５は、例えば、ｐ型不純物を含むＧａＮ層と、ｐ型不純物を含むＡｌＧａＮ層とを有する積層構造とすることができる。第５層４５のｐ型不純物濃度は、第１層４１、第２層４２、及び第３層４３のｐ型不純物濃度よりも高いことが好ましい。第５層４５のｐ型不純物濃度は、例えば、５×１０^１９／ｃｍ^３以上３×１０^２０／ｃｍ^３以下である。なお、第５層４５は、配置しなくてもよい。

【0034】

第５層４５に含まれるＡｌＧａＮ層のＡｌ組成比は、第１層４１のＡｌ組成比及び第２層４２のＡｌ組成比よりも高い。これにより、キャリアを活性層３０に閉じ込めることができ発光効率を向上させることができる。図３に示すように、第５層４５のバンドギャップエネルギーは、第２層４２のバンドギャップエネルギーよりも大きい。第５層４５に含まれるＡｌＧａＮ層のＡｌ組成比は、例えば、３０％以上４０％以下とすることが好ましい。第５層４５の厚さは、例えば、１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下とすることができる。

【0035】

ｎ電極５１は、ｎ側半導体層２０上に配置され、ｎ側半導体層２０と電気的に接続される。ｐ電極５２は、ｐ側半導体層４０の第３層４３上に配置され、ｐ側半導体層４０と電気的に接続される。ｎ電極５１及びｐ電極５２の材料は、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗなどの金属、又はこれらの金属を主成分とする合金を用いることができる。ｎ電極５１及びｐ電極５２は、例えば、Ｔｉ層と、Ａｕ層とを含む積層構造とすることができる。

【0036】

ｎ電極５１とｐ電極５２との間に、順方向電圧を印加すると、ｐ側半導体層４０とｎ側半導体層２０との間に順方向電圧が印加され、活性層３０にホールおよび電子が供給されることで活性層３０が発光する。

【0037】

以上、説明した通り、本実施形態の発光素子によれば、井戸層３１よりもバンドギャップエネルギーの大きい第１層４１及び第２層４２を配置することで光取り出し効率を高くすることができる。さらに、第１層４１により、活性層３０上を形成した後の半導体層の上面に形成されたＶピットが埋め込まれやすくなることで、活性層３０への熱ダメージを低減され発光素子１の発光効率を高くすることができる。

【0038】

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。本発明の上述した実施形態を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての形態も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものである。

【符号の説明】

【0039】

１ 発光素子
１０ 基板
２０ ｎ側半導体層
２２ 下地層
３０ 活性層
３１ 井戸層
３２ 障壁層
４０ ｐ側半導体層
４１ 第１層
４２ 第２層
４３ 第３層
４４ 第４層
４５ 第５層
５１ ｎ電極
５２ ｐ電極
１００ 半導体構造体

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図3】