特開 2024-74281 半導体素子の製造装置用部品、これを含む半導体素子の製造装置および半導体素子の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024074281

(43)【公開日】2024-05-30

(54)【発明の名称】半導体素子の製造装置用部品、これを含む半導体素子の製造装置および半導体素子の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/3065 20060101AFI20240523BHJP

   C30B 29/06 20060101ALI20240523BHJP

   C23F 1/00 20060101ALI20240523BHJP

【ＦＩ】

H01L21/302 101G

H01L21/302 101C

C30B29/06 C

C23F1/00 C

【審査請求】有

【請求項の数】13

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023195909

(22)【出願日】2023-11-17

(31)【優先権主張番号】10-2022-0155435

(32)【優先日】2022-11-18

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(31)【優先権主張番号】10-2022-0155434

(32)【優先日】2022-11-18

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(31)【優先権主張番号】10-2022-0161228

(32)【優先日】2022-11-28

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(31)【優先権主張番号】10-2023-0087240

(32)【優先日】2023-07-05

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】505232852

【氏名又は名称】エスケー エンパルス カンパニー リミテッド

【氏名又は名称原語表記】ＳＫ ｅｎｐｕｌｓｅ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．

【住所又は居所原語表記】１０４３，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄａｅｒｏ，Ｐｙｅｏｎｇｔａｅｋ－ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ １７７８４， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ

(74)【代理人】

【識別番号】110001139

【氏名又は名称】ＳＫ弁理士法人

(74)【代理人】

【識別番号】100130328

【弁理士】

【氏名又は名称】奥野 彰彦

(74)【代理人】

【識別番号】100130672

【弁理士】

【氏名又は名称】伊藤 寛之

(72)【発明者】

【氏名】イ、ヒョンス

(72)【発明者】

【氏名】カン、ヘミ

(72)【発明者】

【氏名】チェ、ドヒョン

(72)【発明者】

【氏名】ヨン、イルグ

(72)【発明者】

【氏名】イ、ジョンキュ

(72)【発明者】

【氏名】ハン、ホグン

(72)【発明者】

【氏名】ソン、ジュヨン

【テーマコード（参考）】

4G077

4K057

5F004

【Ｆターム（参考）】

4G077AA02

4G077BA04

4K057WN03

5F004AA06

5F004BA20

5F004BB13

5F004BB18

5F004BB22

5F004BB23

5F004BB28

5F004DA15

5F004DA16

5F004DA23

5F004DA24

5F004DA25

(57)【要約】      （修正有）

【課題】半導体を製造するためのプラズマ工程において、半導体基板上にディフェクトを効率良く抑制する製造装置用部品、これを含む半導体素子の製造装置及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の製造装置用部品である上部電極２２０は、単結晶シリコンを含み、少なくとも一表面において、水の接触角が４５゜～７４゜であり、ジヨードメタンの接触角が４１゜～５７゜である。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

単結晶シリコンを含み、
少なくとも一表面において、水の接触角が４５゜～７４゜であり、ジヨードメタンの接触角が４１゜～５７゜である、
半導体素子の製造装置用部品。

【請求項2】

前記表面における表面自由エネルギーは、４０ｍＮ／ｍ～６５ｍＮ／ｍである、
請求項１に記載の半導体素子の製造装置用部品。

【請求項3】

前記表面における分散自由エネルギーは、３０ｍＮ／ｍ～４５ｍＮ／ｍである、
請求項２に記載の半導体素子の製造装置用部品。

【請求項4】

前記表面における極性自由エネルギーは、５ｍＮ／ｍ～２５ｍＮ／ｍである、
請求項３に記載の半導体素子の製造装置用部品。

【請求項5】

半導体基板の周囲を囲むボディ部；
前記ボディ部から前記半導体基板の中心方向に延びる傾斜部；及び
前記傾斜部から前記半導体基板の中心方向に延びて、前記半導体基板の下に配置されるガイド部；を含み、
前記ボディ部は、
上面と、
前記上面に対向する下面とを含み、
前記上面において、水の接触角が４５゜～７４゜であり、ジヨードメタンの接触角が４１゜～５７゜である、
請求項１に記載の半導体素子の製造装置用部品。

【請求項6】

前記傾斜部は、前記上面から、前記上面に対して傾く方向に延びる傾斜面を含み、
前記傾斜面において、水の接触角が４５゜～７４゜であり、ジヨードメタンの接触角が４１゜～５７゜である、
請求項５に記載の半導体素子の製造装置用部品。

【請求項7】

前記ガイド部は、前記傾斜面から延びるガイド面を含み、
前記ガイド面において、水の接触角が４５゜～７４゜であり、ジヨードメタンの接触角が４１゜～５７゜である、
請求項６に記載の半導体素子の製造装置用部品。

【請求項8】

全体のうち７０％以上の表面において、水の接触角が４５゜～７４゜であり、ジヨードメタンの接触角が４１゜～５７゜である、
請求項１に記載の半導体素子の製造装置用部品。

【請求項9】

前記ボディ部、前記傾斜部、及び前記ガイド部は、単結晶シリコンで一体に形成される、
請求項５に記載の半導体素子の製造装置用部品。

【請求項10】

前記上面における表面自由エネルギーは、４０ｍＮ／ｍ～６５ｍＮ／ｍである、
請求項５に記載の半導体素子の製造装置用部品。

【請求項11】

上面；
前記上面に対向する下面；及び
前記上面から前記下面まで貫通する貫通孔を含み、
前記下面において、水の接触角が４５゜～７４゜であり、ジヨードメタンの接触角が４１゜～５７゜である、
請求項１に記載の半導体素子の製造装置用部品。

【請求項12】

前記上面における第１減殺ピークバレー粗さは、０．００５μｍ～２μｍであり、
前記第１減殺ピークバレー粗さは、前記上面の第１Ｓｐｋ粗さと前記上面の第１Ｓｖｋ粗さの和である、
請求項５に記載の半導体素子の製造装置用部品。

【請求項13】

少なくとも一表面におけるＳｉ－ＯＨの比率が０．１６～０．２８であり、
前記Ｓｉ－ＯＨの比率は、前記表面におけるラマンスペクトルにおいて、Ｓｉ－ＯＨピークの面積をＳｉ単結晶ピークの面積で除した値であり、
前記Ｓｉ単結晶ピークは、前記表面におけるラマンスペクトルにおいて、５２０ｃｍ^－１～５２２ｃｍ^－１のラマンシフトにおけるピークであり、
前記Ｓｉ－ＯＨピークは、前記表面におけるラマンスペクトルにおいて、９４０ｃｍ^－１～９８０ｃｍ^－１のラマンシフトにおけるピークである、
請求項１に記載の半導体素子の製造装置用部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

実施例は、半導体素子の製造装置用部品、これを含む半導体素子の製造装置および半導体素子の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

通常、半導体エッチング用シャワーヘッドは、半導体製造チャンバにおけるシリコンウエハにプラズマ状態のガスを噴射して、ウエハをエッチングするために使用される装備である。

【0003】

前記シャワーヘッドは、多数のガス噴射用孔を具備し、ガス噴射用孔を介してプラズマ状態のガスを通過させる。

【0004】

ウエハを精密にエッチングするために、シャワーヘッドの孔は、精密に生成されなければならない。

【0005】

このために、先行文献１（韓国登録特許第１０－０２９９９７５号）及び先行文献２（韓国登録特許１０－０９３５４１８号）のように、複数個のチップが突出形成されたドリリングプレートに研磨剤とシリコン材質の円板を対向させ、ドリリングプレート及び円板に研磨剤を供給するとともに、ドリリングプレートに超音波を印加して、円板を穿孔した。

【0006】

先行文献１及び先行文献２は、厚いシャワーヘッドを加工するとき、ドリリングプレートに挿入されたピンの長さが長くなる。これは、超音波を生成するとき、ピンが振動するようになり、シャワーヘッドの孔が均一に形成されない問題点を引き起こす。

【0007】

特に、ケイ素（Ｓｉ）と炭素（Ｃ）が１：１で結合されている炭化ケイ素（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅ：Ｓｉｃ））の場合、強い共有結合物質であって、他のセラミック材料に比べて熱伝導率が高く、耐磨耗性、高温強度、及び耐化学性に優れるため、機械的物性の側面から弱いものの、必須分野でこれを補強、補完または取り替えられるように幅広く応用されており、特に、モース硬度が９．２であって、ダイヤモンドの次に高くて、耐久性に優れ、半導体部品の分野でも広く使用されている。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

実施例は、半導体を製造するためのプラズマ工程において、半導体基板上にディフェクトを効率良く抑制することができる部品、これを含む半導体素子の製造装置および半導体素子の製造方法を提供しようとする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

実施例による半導体素子の製造装置用部品は、単結晶シリコンを含み、少なくとも一表面において、水の接触角が４５゜～７４゜であり、ジヨードメタンの接触角が４１゜～５７゜である。

【0010】

一実施例による半導体素子の製造装置用部品において、前記表面における表面自由エネルギーは、４０ｍＮ／ｍ～６５ｍＮ／ｍであってもよい。

【0011】

一実施例による半導体素子の製造装置用部品において、前記表面における分散自由エネルギーは、３０ｍＮ／ｍ～４５ｍＮ／ｍであってもよい。

【0012】

一実施例による半導体素子の製造装置用部品において、前記表面における極性自由エネルギーは、５ｍＮ／ｍ～２５ｍＮ／ｍであってもよい。

【0013】

一実施例による半導体素子の製造装置用部品は、半導体基板の周囲を囲むボディ部；前記ボディ部から前記半導体基板の中心方向に延びる傾斜部；及び前記傾斜部から前記半導体基板の中心方向に延びて、前記半導体基板の下に配置されるガイド部；を含み、前記ボディ部は、上面と前記上面に対向する下面とを含み、前記上面において、水の接触角が４５゜～７４゜であり、ジヨードメタンの接触角が４１゜～５７゜であってもよい。

【0014】

一実施例による半導体素子の製造装置用部品において、前記傾斜部は、前記上面から、前記上面に対して傾く方向に延びる傾斜面を含み、前記傾斜面において、水の接触角が４５゜～７４゜であり、ジヨードメタンの接触角が４１゜～５７゜であってもよい。

【0015】

一実施例による半導体素子の製造装置用部品において、前記ガイド部は、前記傾斜面から延びるガイド面を含み、前記ガイド面において、水の接触角が４５゜～７４゜であり、ジヨードメタンの接触角が４１゜～５７゜であってもよい。

【0016】

一実施例による半導体素子の製造装置用部品において、全体のうち７０％以上の表面において、水の接触角が４５゜～７４゜であり、ジヨードメタンの接触角が４１゜～５７゜であってもよい。

【0017】

一実施例による半導体素子の製造装置用部品において、前記ボディ部、前記傾斜部、及び前記ガイド部は、単結晶シリコンで一体に形成することができる。

【0018】

一実施例による半導体素子の製造装置用部品において、前記上面における表面自由エネルギーは、４０ｍＮ／ｍ～６５ｍＮ／ｍであってもよい。

【0019】

一実施例による半導体素子の製造装置用部品は、上面；前記上面に対向する下面；及び前記上面から前記下面まで貫通する貫通孔を含み、前記下面において、水の接触角が４５゜～７４゜であり、ジヨードメタンの接触角が４１゜～５７゜であってもよい。

【0020】

実施例による半導体素子の製造装置は、半導体基板を収容するチャンバ；前記チャンバ内に配置されて、前記半導体基板に対向し、プロセスガスを噴射する上部電極；前記半導体基板を支持し、前記半導体基板の下に配置される静電チャック；及び前記半導体基板の周囲を囲み、前記静電チャックに具備されるフォーカスリングを含み、前記フォーカスリングまたは前記上部電極の少なくとも一表面において、水の接触角が４５゜～７４゜であり、ジヨードメタンの接触角が４１゜～５７゜であってもよい。

【0021】

実施例による半導体素子の製造方法は、半導体素子の製造装置に半導体基板を配置する段階と、前記半導体基板を処理する段階とを含み、前記半導体素子の製造装置は、前記半導体基板を収容するチャンバ；前記チャンバ内に配置されて、前記半導体基板に対向し、プロセスガスを噴射する上部電極；前記半導体基板を支持し、前記半導体基板の下に配置される静電チャック；及び前記半導体基板の周囲を囲み、前記静電チャックに具備されるフォーカスリングを含み、前記上部電極及び前記フォーカスリングの少なくとも一表面において、水の接触角が４５゜～７４゜であり、ジヨードメタンの接触角が４１゜～５７゜であってもよい。

【0022】

実施例による半導体素子の製造装置用部品は、シリコン単結晶を含み、少なくとも一表面におけるＳｉ－ＯＨの比率が０．１６～０．２８であり、前記Ｓｉ－ＯＨの比率は、前記表面におけるラマンスペクトルにおいて、Ｓｉ－ＯＨピークの面積をＳｉ単結晶ピークの面積で除した値であり、前記Ｓｉ単結晶ピークは、前記表面におけるラマンスペクトルにおいて、５２０ｃｍ^－１～５２２ｃｍ^－１のラマンシフトにおけるピークであり、前記Ｓｉ－ＯＨピークは、前記表面におけるラマンスペクトルにおいて、９４０ｃｍ^－１～９８０ｃｍ^－１のラマンシフトにおけるピークである。

【0023】

一実施例による半導体素子の製造装置用部品において、前記表面におけるドーパントの比率が０．１２未満であり、前記ドーパントの比率は、前記表面におけるラマンスペクトルにおいて、ドーパントピークの面積を前記Ｓｉ単結晶ピークの面積で除した値であり、前記ドーパントピークは、前記表面におけるラマンスペクトルにおいて、３０３ｃｍ^－１～３０５ｃｍ^－１のラマンシフトにおけるピーク強度であってもよい。

【0024】

一実施例による半導体素子の製造装置用部品において、前記表面における体心立方の比率が０．０１未満であり、前記体心立方の比率は、前記表面におけるラマンスペクトルにおいて、体心立方ピークの面積を前記Ｓｉ単結晶ピークの面積で除した値であり、前記体心立方ピークは、前記表面におけるラマンスペクトルにおいて、４３３ｃｍ^－１～４３５ｃｍ^－１のラマンシフトにおけるピークであってもよい。

【0025】

一実施例による半導体素子の製造装置用部品において、前記表面における菱面の比率が０．０１未満であり、前記菱面の比率は、前記表面におけるラマンスペクトルにおいて、菱面ピークの面積を前記Ｓｉ単結晶ピークの面積で除した値であり、前記菱面ピークは、前記表面におけるラマンスペクトルにおいて、３４８ｃｍ^－１～３５０ｃｍ^－１のラマンシフトにおけるピークであってもよい。

【0026】

一実施例による半導体素子の装置用部品は、半導体基板の周囲を囲むボディ部；前記ボディ部から前記半導体基板の中心方向に延びる傾斜部；及び前記傾斜部から前記半導体基板の中心方向に延びて、前記半導体基板の下に配置されるガイド部；を含み、前記ボディ部は、上面と前記上面に対向する下面とを含み、前記上面におけるＳｉ－ＯＨの比率は、０．１６～０．２８であってもよい。

【0027】

一実施例において、前記Ｓｉ－ＯＨの比率は、０．１７～０．２８であってもよい。

【0028】

一実施例において、前記Ｓｉ－ＯＨの比率は、０．１８～０．２８であってもよい。

【0029】

一実施例において、全体表面のうち７０％以上におけるＳｉ－ＯＨの比率は、０．１６～０．２８であってもよい。

【0030】

一実施例において、前記ボディ部、前記傾斜部及び前記ガイド部は、単結晶シリコンで一体に形成することができる。

【0031】

実施例による半導体素子の製造装置用部品の製造方法は、シリコンインゴットを切断して、シリコンプレートを製造する段階；前記シリコンプレートを切削して、未加工部品を製造する段階；前記未加工部品の一表面を加工する段階；及び前記加工された部品の少なくとも一表面を処理し、前記処理された表面におけるＳｉ－ＯＨの比率を０．１６～０．２８に調節する段階；を含み、前記Ｓｉ－ＯＨの比率は、前記表面におけるラマンスペクトルにおいて、Ｓｉ－ＯＨピークの面積をＳｉ単結晶ピークの面積で除した値であり、前記Ｓｉ単結晶ピークは、前記表面におけるラマンスペクトルにおいて、５２０ｃｍ^－１～５２２ｃｍ^－１のラマンシフトにおけるピークであり、前記Ｓｉ－ＯＨピークは、前記表面におけるラマンスペクトルにおいて、９４０ｃｍ^－１～９８０ｃｍ^－１のラマンシフトにおけるピークである。

【0032】

一実施例において、上記加工された部品の少なくとも一表面を処理する段階は、酸素を含む気体雰囲気で、前記表面に光を照射する段階を含んでいてもよい。

【0033】

実施例による半導体素子の製造装置は、半導体基板を収容するチャンバ；前記チャンバ内に配置されて、前記半導体基板に対向し、プロセスガスを噴射する上部電極；前記半導体基板を支持して、前記半導体基板の下に配置される静電チャック；及び前記半導体基板の周囲を囲み、前記静電チャックに具備されるフォーカスリングを含み、前記上部電極または前記フォーカスリングは、シリコン単結晶を含み、前記上部電極または前記フォーカスリングの少なくとも一表面におけるＳｉ－ＯＨの比率が０．１６～０．２８であり、前記Ｓｉ－ＯＨの比率は、前記表面におけるラマンスペクトルにおいて、Ｓｉ－ＯＨピークの面積をＳｉ単結晶ピークの面積で除した値であり、前記Ｓｉ単結晶ピークは、前記表面におけるラマンスペクトルにおいて、５２０ｃｍ^－１～５２２ｃｍ^－１のラマンシフトにおけるピークであり、前記Ｓｉ－ＯＨピークは、前記表面におけるラマンスペクトルにおいて、９４０ｃｍ^－１～９８０ｃｍ^－１のラマンシフトにおけるピークである。

【0034】

実施例による半導体素子の製造方法は、半導体素子の製造装置に半導体基板を配置する段階と、前記半導体基板を処理する段階とを含み、前記半導体素子の製造装置は、前記半導体基板を収容するチャンバ；前記チャンバ内に配置されて、前記半導体基板に対向し、プロセスガスを噴射する上部電極；前記半導体基板を支持して、前記半導体基板の下に配置される静電チャック；及び前記半導体基板の周囲を囲み、前記静電チャックに具備されるフォーカスリングを含み、前記上部電極または前記フォーカスリングは、シリコン単結晶を含み、前記上部電極または前記フォーカスリングの少なくとも一表面におけるＳｉ－ＯＨの比率が０．１６～０．２８であり、前記Ｓｉ－ＯＨの比率は、前記表面におけるラマンスペクトルにおいて、Ｓｉ－ＯＨピークの面積をＳｉ単結晶ピークの面積で除した値であり、前記Ｓｉ単結晶ピークは、前記表面におけるラマンスペクトルにおいて、５２０ｃｍ^－１～５２２ｃｍ^－１のラマンシフトにおけるピークであり、前記Ｓｉ－ＯＨピークは、前記表面におけるラマンスペクトルにおいて、９４０ｃｍ^－１～９８０ｃｍ^－１のラマンシフトにおけるピークである。

【0035】

実施例によるフォーカスリングは、半導体基板の周囲を囲むボディ部；及び前記ボディ部の内側に配置されて、前記半導体基板の下に配置されるガイド部；を含み、前記ボディ部は上面と前記上面に対向する下面とを含み、前記上面における第１減殺ピークバレー粗さが０．００５μｍ～２μｍであり、前記第１減殺ピークバレー粗さは、前記上面の第１Ｓｐｋ粗さと前記上面の第１Ｓｖｋ粗さの和である。

【0036】

実施例によるフォーカスリングは、前記ボディ部から前記ガイド部に延びる傾斜部をさらに含み、前記傾斜部は、前記上面から、前記上面に対して傾く方向に延びる傾斜面を含み、前記傾斜面における第２減殺ピークバレー粗さが０．００５μｍ～２μｍであり、前記第２減殺ピークバレー粗さは、前記傾斜面の第２Ｓｐｋ粗さと前記傾斜面の第２Ｓｖｋ粗さの和であってもよい。

【0037】

一実施例によるフォーカスリングにおいて、前記ガイド部は、前記傾斜面から前記半導体基板の下に延びるガイド面を含み、前記ガイド面における第３減殺ピークバレー粗さが０．５μｍ～２μｍであり、前記第３減殺ピークバレー粗さは、前記ガイド面の第３Ｓｐｋ粗さと前記ガイド面の第３Ｓｖｋ粗さの和であってもよい。

【0038】

一実施例によるフォーカスリングにおいて、前記第３Ｓｐｋ粗さは、前記第１Ｓｐｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。

【0039】

一実施例によるフォーカスリングにおいて、前記第３Ｓｖｋ粗さは、前記第１Ｓｖｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。

【0040】

一実施例によるフォーカスリングにおいて、前記上面における第１Ｓｖ粗さは、－３μｍ～－０．０１μｍであり、前記上面における第１Ｓｐ粗さは、０．０１μｍ～４μｍであってもよい。

【0041】

一実施例によるフォーカスリングにおいて、前記上面における第１Ｓｐｖ粗さは、０．０１μｍ～６μｍであり、前記第１Ｓｐｖ粗さは、前記第１Ｓｖ粗さの絶対値と前記第１Ｓｐ粗さの絶対値の和であってもよい。

【0042】

一実施例によるフォーカスリングにおいて、前記上面における第１Ｓｚ粗さは、０．０１μｍ～６μｍであってもよい。

【0043】

一実施例によるフォーカスリングにおいて、前記上面における第１Ｓｋ粗さは、０．００５μｍ～３μｍであり、前記上面における第１減殺ピークバレーの比率は、０．５～１．３であり、前記第１減殺ピークバレーの比率は、前記第１Ｓｐｋ粗さと前記第１Ｓｖｋ粗さの和を前記第１Ｓｋ粗さで除した値であってもよい。

【0044】

一実施例によるフォーカスリングにおいて、前記ボディ部、前記傾斜部、及び前記ガイド部は、単結晶シリコンで一体に形成することができる。

【0045】

一実施例によるフォーカスリングにおいて、前記第１Ｓｐｋ粗さは、０．００１μｍ～１μｍであり、前記第１Ｓｖｋ粗さは、０．００２μｍ～１．７μｍであってもよい。

【0046】

実施例による半導体素子の製造装置は、半導体基板を収容するチャンバ；前記チャンバ内に配置されて、前記半導体基板に対向し、プロセスガスを噴射する上部電極；前記半導体基板を支持して、前記半導体基板の下に配置される静電チャック；及び前記半導体基板の周囲を囲み、前記静電チャックに具備されるフォーカスリングを含み、前記フォーカスリングは、前記半導体基板の周囲を囲むボディ部；及び前記ボディ部の内側に配置されて、前記半導体基板の下に配置されるガイド部；を含み、前記ボディ部は、上面と前記上面に対向する下面とを含み、前記上面における第１減殺ピークバレー粗さは、０．００５μｍ～約２μｍであり、前記第１減殺ピークバレー粗さは、前記上面の第１Ｓｐｋ粗さと前記上面の第１Ｓｖｋ粗さの和である。

【0047】

実施例による半導体素子の製造方法は、半導体素子の製造装置に半導体基板を配置する段階と、前記半導体基板を処理する段階とを含み、前記半導体素子の製造装置は、前記半導体基板を収容するチャンバ；前記チャンバ内に配置されて、前記半導体基板に対向し、プロセスガスを噴射する上部電極；前記半導体基板を支持し、前記半導体基板の下に配置される静電チャック；及び前記半導体基板の周囲を囲み、前記静電チャックに具備されるフォーカスリングを含み、前記フォーカスリングは、前記半導体基板の周囲を囲むボディ部；及び前記ボディ部の内側に配置されて、前記半導体基板の下に配置されるガイド部；を含み、前記ボディ部は、上面と前記上面に対向する下面とを含み、前記上面における第１減殺ピークバレー粗さは、０．００５μｍ～約２μｍであり、前記第１減殺ピークバレー粗さは、前記上面の第１Ｓｐｋ粗さと前記上面の第１Ｓｖｋ粗さの和である。

【0048】

実施例による半導体素子の製造装置は、実施例による部品が取り付けられていてもよい。

【発明の効果】

【0049】

実施例による半導体素子の製造装置用部品は、水の接触角が４５゜～７４゜であり、ジヨードメタンの接触角が４１゜～５７゜である表面を含む。前記表面は、適宜な水の接触角及びジヨードメタンの接触角を有するため、実施例による半導体素子の製造装置用部品の内部を外部の汚染から容易に保護することができる。

【0050】

また、実施例による半導体素子の製造装置用部品の表面は、上記のような範囲で、水の接触角及びジヨードメタンの接触角を有するため、外部からパーティクルのような汚染物質が付くことを防止することができる。

【0051】

これによって、実施例による半導体素子の製造装置用部品は、外部及び内部の汚染を防止し、半導体素子の製造装置のチャンバの内部に前記汚染物質が転移することを防止することができる。これによって、実施例による半導体素子の製造装置用部品は、半導体素子の製造工程で発生するディフェクトを最小化することができる。

【0052】

また、実施例による半導体素子の製造装置用部品の表面は、適宜な表面エネルギーを含む。これによって、実施例による半導体素子の製造装置用部品は、適宜な表面特性を有し、半導体プラズマ工程によって発生する残留物を最小化することができる。

【0053】

実施例による半導体素子の製造装置用部品は、Ｓｉ－ＯＨの比率が０．１６～０．２８である表面を含む。前記表面は、適宜な含量でＳｉ－ＯＨを含むため、実施例による半導体素子の製造装置用部品の内部を外部の汚染から容易に保護することができる。

【0054】

また、実施例による半導体素子の製造装置用部品の表面は、上記のような範囲でＳｉ－ＯＨを含むため、外部からパーティクルのような汚染物質が付くことを防止することができる。

【0055】

これによって、実施例による半導体素子の製造装置用部品は、外部及び内部の汚染を防止し、半導体素子の製造装置のチャンバの内部に前記汚染物質が転移することを防止することができる。これによって、実施例による半導体素子の製造装置用部品は、半導体基板の製造工程で発生するディフェクトを最小化することができる。

【0056】

また、実施例による半導体素子の製造装置用部品の表面は、適宜なドーパントピークを含む。これによって、実施例による半導体素子の製造装置用部品は、適宜な電気的物性を有し、前記ドーパントによって発生するディフェクトを最小化することができる。

【0057】

また、実施例による半導体素子の製造装置用部品は、低い体心立方の比率及び低い菱面の比率を有する表面を有する。これによって、実施例による半導体素子の製造装置用部品の表面における結晶欠陷の頻度が低くてもよい。

【0058】

よって、実施例による半導体素子の製造装置用部品は、半導体基板を製造するための工程において、前記結晶欠陷で発生する過度な摩耗を防止することができる。これによって、実施例による半導体素子の製造装置用部品は、前記過度な摩耗による工程チャンバ内にパーティクルの発生を抑制することができる。これによって、実施例による半導体素子の製造装置用部品は、半導体基板の製造過程で発生するディフェクトを防止することができる。また、前記過度な摩耗が抑制されるため、実施例による半導体素子の製造装置用部品は、向上した耐久性を有することができる。

【0059】

実施例によるフォーカスリングは、適宜な減殺ピークバレー粗さを含む。実施例による上部電極及びフォーカスリングは、適宜な高さを有する微細山及び適宜な深さを有する微細バレーを含む表面を有していてもよい。

【0060】

実施例によるフォーカスリングは、適宜な表面の凹凸状を有する表面を含むため、表面におけるプラズマの流れ性を向上させることができる。これによって、前記フォーカスリングは、前記プラズマを半導体基板に効率良く誘導することができる。

【0061】

これによって、実施例によるフォーカスリングを含む半導体素子の製造装置は、前記半導体基板の表面を効果的に処理することができる。

【0062】

また、実施例によるフォーカスリングは、適宜な表面の凹凸状を有する表面を含むため、工程残留物が堆積することを防止することができる。すなわち、実施例によるフォーカスリングは、適宜な減殺ピークバレー粗さを有するため、適宜な凹凸を有していてもよい。これによって、実施例によるフォーカスリングの表面と工程残留物の接触面積が低くてもよい。これによって、前記工程残留物は、実施例によるフォーカスリングの表面に一時的に付着しても、着脱しやすい。

【0063】

実施例によるフォーカスリングは、適宜な高さの微細山及び適宜な高さの微細バレーが繰り返される形状を有する表面を含むため、プラズマの流れ性を向上させて、工程残留物の付着を抑制することができる。

【0064】

これによって、実施例によるフォーカスリングは、プラズマエッチング工程などのようなプラズマ工程が行われるとき、前記フォーカスリングの表面から引き起こされるパーティクルによるディフェクトを容易に抑制することができる。すなわち、実施例によるフォーカスリングは、適宜な表面の形状を有するため、前記フォーカスリングの微細山の一部が落ちて発生するディフェクトを防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【0065】

【図1】一実施例による上部電極を示した斜視図である。

【図2】一実施例による上部電極の一断面を示した断面図である。

【図3】他の実施例による上部電極の一断面を示した断面図である。

【図4】一実施例によるフォーカスリングを示した斜視図である。

【図5】一実施例によるフォーカスリングの一断面を示した断面図である。

【図6】一実施例による半導体素子の製造装置を示した図面である。

【図7】一実施例によるプラズマ領域を限定する組立体を示した断面図である。

【図8】実施例７によるフォーカスリングの上面のラマンスペクトルを示した図面である。

【発明を実施するための形態】

【0066】

実施例の説明において、各部、面、層または基板などが各部、面、層たは基板などの「上（ｏｎ）」にまたは「下（ｕｎｄｅｒ）」に形成されると記載される場合において、「上（ｏｎ）」と「下（ｕｎｄｅｒ）」は、「直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）」または「他の構成要素を介して（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）」形成されるものをいずれも含む。また、各構成要素の上または下に関する基準は、図面を基準に説明する。図面における各構成要素の大きさは、説明のため誇張し得、実際に適用される大きさを意味するものではない。

【0067】

実施例による上部電極は、半導体素子を製造するための製造装置に使用される部品であってもよい。すなわち、前記上部電極は、前記半導体素子の製造装置の一部を構成する部品であってもよい。

【0068】

前記上部電極は、半導体素子を製造するためのプラズマ処理装置に使用される部品であってもよい。前記上部電極は、半導体基板を選択的にエッチングするためのプラズマエッチング装置に使用される部品であってもよい。

【0069】

前記上部電極は、プラズマを形成するため気体を噴射するための上部電極アセンブリの一部を構成する部品であってもよい。

【0070】

また、前記上部電極は、ウエハを収容し、プラズマ領域を限定するアセンブリの一部を構成する部品であってもよい。

【0071】

図１は、一実施例による上部電極を示した斜視図である。図２は、一実施例による上部電極の一断面を示した断面図である。図３は、他の実施例による上部電極の一断面を示した断面図である。図４は、一実施例によるフォーカスリングを示した斜視図である。図５は、一実施例によるフォーカスリングの一断面を示した断面図である。図６は、一実施例による半導体素子の製造装置を示した図面である。図７は、一実施例によるプラズマ領域を限定する組立体を示した断面図である。図８は、実施例７によるフォーカスリングの上面のラマンスペクトルを示した図面である。

【0072】

図１～図３を参照すると、実施例による上部電極２２０は、全体的に平板状を有していてもよい。

【0073】

前記上部電極２２０は、第１上面２２１、第１下面２２２、及び第１側面２２３を含んでいてもよい。

【0074】

前記第１上面２２１及び前記第１下面２２２は、互いに対向する。

【0075】

前記第１上面２２１は、プラズマを形成するため気体が流入する領域に位置していてもよい。前記第１上面２２１は、全体的に扁平であってもよい。

【0076】

前記第１下面２２２は、前記プラズマ領域１１４に位置していてもよい。前記第１下面２２２は、全体的に扁平であってもよい。前記第１下面２２２の一部は、傾いていてもよい。前記第１下面２２２の一部は、段差を形成することができる。前記第１下面２２２の一部は、屈曲していてもよい。

【0077】

前記第１側面２２３は、前記第１上面２２１から前記第１下面２２２に延びる。前記第１側面２２３は、前記上部電極２２０の外周面であってもよい。

【0078】

前記上部電極２２０は、多数個の貫通孔２２６を含んでいてもよい。前記貫通孔２２６は、前記第１上面２２１から前記第１下面２２２に延びる。前記貫通孔２２６を介して、前記第１上面２２１から前記上部電極２２０の下にプラズマの形成のため気体が噴射し得る。

【0079】

前記貫通孔２２６の直径は、約０．３ｍｍ～約１ｍｍであってもよい。

【0080】

前記第１側面２２３に段差が形成されていてもよい。すなわち、前記第１側面２２３の一部及び前記第１側面２２３の他の一部は、互いに異なる平面に配置されていてもよい。これによって、前記上部電極２２０は、前記第１側面２２３に段差部２２５を含んでいてもよい。

【0081】

前記段差部２２５は、前記半導体素子の製造装置に使用される他の部品に引っかかるか、結合されていてもよい。

【0082】

図３に示されたように、前記第１側面２２３には段差が形成されず、全体的に扁平であってもよい。すなわち、前記第１側面２２３において、前記段差部は、省略することができる。

【0083】

また、前記上部電極２２０は、第１傾斜面２２４を含んでいてもよい。前記第１傾斜面２２４は、前記第１下面２２２から側下方に延びていてもよい。前記第１傾斜面２２４は、前記貫通孔２２６から噴射されるプラズマをガイドすることができる。すなわち、前記第１傾斜面２２４は、前記貫通孔２２６から噴射されるプラズマを処理しようとする半導体基板３０にガイドして、半導体素子の製造工程の効率を向上させることができる。また、前記第１傾斜面２２４は、他の部品にプラズマが流れることを抑制するため、前記上部電極２２０は、前記プラズマによって他の部品が浸食することを防止することができる。

【0084】

また、図３に示されたように、前記第１傾斜面は、省略することができる。すなわち、前記第１下面２２２は、前記第１側面２２３まで全体的に扁平であってもよい。

【0085】

また、前記上部電極２２０は、他の部品と締結されるための締結溝（不図示）をさらに含んでいてもよい。

【0086】

前記上部電極２２０は、単結晶シリコンを含んでいてもよい。前記上部電極２２０は、前記単結晶シリコンを主成分として含んでいてもよい。前記上部電極２２０は、約９０ｗｔ％以上の含量で前記単結晶シリコンを含んでいてもよい。前記上部電極２２０は、約９５ｗｔ％以上の含量で前記単結晶シリコンを含んでいてもよい。前記上部電極２２０は、約９９ｗｔ％以上の含量で前記単結晶シリコンを含んでいてもよい。前記上部電極２２０は、実質的に前記単結晶シリコンからなっていてもよい。

【0087】

前記上部電極２２０は、少なくとも一表面におけるＳｉ－ＯＨの比率を有していてもよい。

【0088】

前記Ｓｉ－ＯＨの比率は、Ｓｉ－ＯＨピークの面積をＳｉ単結晶ピークの面積で除した値である。また、前記Ｓｉ－ＯＨピークは、前記上部電極２２０またはフォーカスリング２３０などのような半導体素子の製造装置用部品の一表面におけるラマンスペクトルにおいて、９４０ｃｍ^－１～９８０ｃｍ^－１のラマンシフトにおけるピークであってもよい。前記Ｓｉ単結晶ピークは、前記上部電極２２０または前記フォーカスリング２３０などのような半導体素子の製造装置用部品の一表面におけるラマンスペクトルにおいて、５２０ｃｍ^－１～５２２ｃｍ^－１のラマンシフトにおけるピークであってもよい。

【0089】

前記Ｓｉ－ＯＨの比率は、下記の数式１で表することができる。

【0090】

［数式１］
Ｓｉ－ＯＨの比率＝Ｏ／Ｓ

【0091】

ここで、前記Ｏは、前記Ｓｉ－ＯＨピークの面積であり、前記Ｓは、Ｓｉ単結晶ピークの面積である。

【0092】

前記上部電極２２０の少なくとも一表面におけるＳｉ－ＯＨの比率は、約０．１６～約０．２８であってもよい。前記上部電極２２０の少なくとも一表面におけるＳｉ－ＯＨの比率は、約０．１７～約０．２７であってもよい。前記上部電極２２０の少なくとも一表面におけるＳｉ－ＯＨの比率は、約０．１８～約０．２６であってもよい。前記上部電極２２０の少なくとも一表面におけるＳｉ－ＯＨの比率は、約０．１９～約０．２６であってもよい。

【0093】

前記上部電極２２０の表面は、上記のような範囲でＳｉ－ＯＨの比率を有するため、工程副産物が吸着しても、容易に着脱し、排出し得る。また、前記上部電極２２０の表面は、上記のような範囲でＳｉ－ＯＨの比率を有するため、プラズマによって、前記表面の一部がイオン化しても、ディフェクトを引き起こす物質の発生を抑制することができる。

【0094】

前記第１上面２２１、前記第１下面２２２、前記第１側面２２３、及び前記第１傾斜面２２４のうち少なくとも１つ以上は、上記のような範囲で前記Ｓｉ－ＯＨの比率を有していてもよい。

【0095】

前記上部電極２２０の表面のうち約６０％以上は、上記のような範囲で前記Ｓｉ－ＯＨの比率を有していてもよい。前記上部電極２２０の表面のうち約７０％以上は、上記のような範囲で前記Ｓｉ－ＯＨの比率を有していてもよい。前記上部電極２２０の表面のうち約８０％以上は、上記のような範囲で前記Ｓｉ－ＯＨの比率を有していてもよい。前記上部電極２２０の表面のうち約９０％以上は、上記のような範囲で前記Ｓｉ－ＯＨの比率を有していてもよい。前記上部電極２２０の表面のうち約９５％以上は、上記のような範囲で前記Ｓｉ－ＯＨの比率を有していてもよい。

【0096】

前記上部電極２２０の表面が全体的に、上記のような範囲で前記Ｓｉ－ＯＨの比率を有するため、前記上部電極２２０は、プラズマ工程中で発生する副産物を減少させることができる。

【0097】

前記上部電極２２０は、上記のような範囲で前記Ｓｉ－ＯＨの比率を有するため、適宜な表面特性を有していてもよい。これによって、前記上部電極２２０の表面に汚染物質の残留を防止することができる。

【0098】

また、前記上部電極２２０は、上記のような範囲で前記Ｓｉ－ＯＨの比率を有するため、前記上部電極２２０は、表面に保護膜を含んでいてもよい。これによって、前記上部電極２２０は、外部の汚染物質から効率良く保護することができる。

【0099】

前記上部電極２２０は、少なくとも一表面におけるドーパントの比率を有していてもよい。前記ドーパントの比率は、ドーパントピークの面積を前記Ｓｉ単結晶ピークの面積で除した値である。前記ドーパントピークは、前記上部電極２２０の表面におけるラマンスペクトルにおいて、約３０３ｃｍ^－１～約３０５ｃｍ^－１のラマンシフトにおけるピークであってもよい。

【0100】

前記上部電極２２０の表面におけるドーパントの比率は、下記の数式２で算出することができる。

【0101】

［数式２］
ドーパントの比率＝Ｄ／Ｓ

【0102】

ここで、前記Ｄは、前記ドーパントピークの面積であり、前記Ｓは、前記Ｓｉ単結晶ピークの面積である。

【0103】

前記上部電極２２０の少なくとも一表面におけるドーパントの比率は、約０．１２未満であってもよい。前記上部電極２２０の少なくとも一表面におけるドーパントの比率は、約０．０５～約０．１２であってもよい。前記上部電極２２０の少なくとも一表面におけるドーパントの比率は、約０．０１～約０．１２であってもよい。前記上部電極２２０の少なくとも一表面におけるドーパントの比率は、約０．０６～約０．１３であってもよい。

【0104】

前記第１上面２２１、前記第１下面２２２、前記第１側面２２３、及び前記第１傾斜面２２４のうち少なくとも１つ以上は、上記のような範囲で前記ドーパントの比率を有していてもよい。

【0105】

前記上部電極２２０の表面のうち約６０％以上は、上記のような範囲で前記ドーパントの比率を有していてもよい。前記上部電極２２０の表面のうち約７０％以上は、上記のような範囲で前記ドーパントの比率を有していてもよい。前記上部電極２２０の表面のうち約８０％以上は、上記のような範囲で前記ドーパントの比率を有していてもよい。前記上部電極２２０の表面のうち約９０％以上は、上記のような範囲で前記ドーパントの比率を有していてもよい。前記上部電極２２０の表面のうち約９５％以上は、上記のような範囲で前記ドーパントの比率を有していてもよい。

【0106】

前記上部電極２２０の少なくとも一表面は、上記のような範囲でドーパントの比率を有するため、適宜な表面電導度を有していてもよい。これによって、前記上部電極２２０は、容易にプラズマを生成することができる。また、前記上部電極２２０の少なくとも一表面が、上記のような範囲でドーパントの比率を有するため、プラズマによる浸食を抑制することができる。これによって、前記上部電極２２０は、向上した耐久性を有することができる。

【0107】

前記上部電極２２０は、少なくとも一表面において、体心立方の比率を有していてもよい。前記ドーパントの比率は、体心立方ピークの面積を前記Ｓｉ単結晶ピークの面積で除した値である。前記体心立方ピークは、前記上部電極２２０の表面におけるラマンスペクトルにおいて、４３３ｃｍ^－１～４３５ｃｍ^－１のラマンシフトにおけるピークであってもよい。

【0108】

前記上部電極２２０の表面における体心立方の比率は、下記の数式３で算出することができる。

【0109】

［数式３］
体心立方の比率＝Ｃ／Ｓ

【0110】

ここで、前記Ｃは、前記体心立方ピークの面積であり、前記Ｓは、前記Ｓｉ単結晶ピークの面積である。

【0111】

前記上部電極２２０の少なくとも一表面における体心立方の比率は、約０．０１未満であってもよい。前記上部電極２２０の少なくとも一表面における体心立方の比率は、約０．００５未満であってもよい。前記上部電極２２０の少なくとも一表面における体心立方の比率は、約０．００４未満であってもよい。前記上部電極２２０の少なくとも一表面における体心立方の比率は、約０．００１未満であってもよい。

【0112】

前記第１上面２２１、前記第１下面２２２、前記第１側面２２３、及び前記第１傾斜面２２４のうち少なくとも１つ以上は、上記のような範囲で前記体心立方の比率を有していてもよい。

【0113】

前記上部電極２２０の表面のうち約６０％以上は、上記のような範囲で前記体心立方の比率を有していてもよい。前記上部電極２２０の表面のうち約７０％以上は、上記のような範囲で前記体心立方の比率を有していてもよい。前記上部電極２２０の表面のうち約８０％以上は、上記のような範囲で前記体心立方の比率を有していてもよい。前記上部電極２２０の表面のうち約９０％以上は、上記のような範囲で前記体心立方の比率を有していてもよい。前記上部電極２２０の表面のうち約９５％以上は、上記のような範囲で前記体心立方の比率を有していてもよい。

【0114】

前記上部電極２２０の少なくとも一表面が、上記のような範囲で体心立方の比率を有するため、表面のディフェクト密度を低くすることができる。特に、前記上部電極２２０の少なくとも一表面は、上記のような範囲で前記体心立方の比率を有するため、体心立方構造（ｂｏｄｙ ｃｅｎｔｅｒｅｄ ｃｕｂｉｃ）のＳｉ－ＩＩＩの欠陥比率を低くすることができる。

【0115】

これによって、前記上部電極２２０は、表面にディフェクトを抑制することができる。また、前記上部電極２２０の少なくとも一表面が、上記のような範囲で体心立方の比率を有するため、プラズマによる浸食を抑制することができる。これによって、前記上部電極２２０は、向上した耐久性を有することができる。

【0116】

前記上部電極２２０は、少なくとも一表面において、菱面の比率を有していてもよい。前記ドーパントの比率は、菱面ピークの面積を前記Ｓｉ単結晶ピークの面積で除した値である。前記菱面ピークは、前記上部電極２２０の表面におけるラマンスペクトルにおいて、３４８ｃｍ^－１～３５０ｃｍ^－１のラマンシフトにおけるピークであってもよい。

【0117】

前記上部電極２２０の表面における菱面の比率は、下記の数式４で算出することができる。

【0118】

［数式４］
菱面の比率＝Ｃ／Ｓ

【0119】

ここで、前記Ｃは、前記菱面ピークの面積であり、前記Ｓは、前記Ｓｉ単結晶ピークの面積である。

【0120】

前記上部電極２２０の少なくとも一表面における菱面の比率は、約０．０１未満であってもよい。前記上部電極２２０の少なくとも一表面における菱面の比率は、約０．００５未満であってもよい。前記上部電極２２０の少なくとも一表面における菱面の比率は、約０．００４未満であってもよい。前記上部電極２２０の少なくとも一表面における菱面の比率は、約０．００１未満であってもよい。

【0121】

前記第１上面２２１、前記第１下面２２２、前記第１側面２２３、及び前記第１傾斜面２２４のうち少なくとも１つ以上は、上記のような範囲で前記菱面の比率を有していてもよい。

【0122】

前記上部電極２２０の表面のうち約６０％以上は、上記のような範囲で前記菱面の比率を有していてもよい。前記上部電極２２０の表面のうち約７０％以上は、上記のような範囲で前記菱面の比率を有していてもよい。前記上部電極２２０の表面のうち約８０％以上は、上記のような範囲で前記菱面の比率を有していてもよい。前記上部電極２２０の表面のうち約９０％以上は、上記のような範囲で前記菱面の比率を有していてもよい。前記上部電極２２０の表面のうち約９５％以上は、上記のような範囲で前記菱面の比率を有していてもよい。

【0123】

前記上部電極２２０の少なくとも一表面が、上記のような範囲で菱面の比率を有するため、表面のディフェクト密度を低くすることができる。前記上部電極２２０の少なくとも一表面が、上記のような範囲で菱面の比率を有するため、表面のディフェクト密度を低くすることができる。特に、前記上部電極２２０の少なくとも一表面は、上記のような範囲で前記菱面の比率を有するため、菱面構造（ｒｈｏｍｂｏｈｅｄｒａｌ）のＳｉ－ＸＩＩの欠陥比率を低くすることができる。

【0124】

前記上部電極２２０の個々の面のうち、約９０％超は、上記のような範囲で前記Ｓｉ－ＯＨの比率、前記ドーパントの比率、前記体心立方の比率または前記菱面の比率を有していてもよい。

【0125】

これによって、前記上部電極２２０は、表面にディフェクトを抑制することができる。また、前記上部電極２２０の少なくとも一表面が、上記のような範囲で菱面の比率を有するため、プラズマによる浸食を抑制することができる。これによって、前記上部電極２２０は、向上した耐久性を有することができる。

【0126】

前記ラマンスペクトルは、アルゴンレーザソースを使用するラマン分光器によって測定することができる。このとき、前記レーザソースの波長は、約５１４．５ｎｍであってもよい。前記Ｓｉ単結晶ピーク、前記Ｓｉ－ＯＨピーク、前記ドーパントピーク、前記体心立方ピーク、及び前記菱面ピークの面積は、前記ラマン分光器内のプログラムによって自動に計算することができる。前記ピークの面積は、マイクロラマン分光器（ｍｉｃｒｏ Ｒａｍａｎ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｅ：Ｊｏｂｉｎ Ｙｖｏｎ Ｓｐｅｘ Ｔ６４０００）、Ｐｒｉｎｃｅｔｏｎ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社のＴＰＩＲ－７８５、Ａｎｔｏｎ Ｐａａｒ社のＭｏｎｏｗａｖｅ ４００Ｒ、Ｂｒｕｋｅｒ社のＦＴ－ラマン分光器：マルチラムまたはＴｅｃｈｎｏｓｐｅｘ社のｕＲａｍａｎ－Ｍによって測定して、計算することができる。

【0127】

前記ピークの面積は、手動に計算することができる。例えば、前記ピークのベースラインが定義され、個々のピーク及び個々のピークに対するベースライン内における面積が、前記ピークの面積に計算され得る。例えば、前記Ｓｉ－ＯＨピークのベースラインは、９０３ｃｍ^－１のラマンスペクトル強度から１０５６ｃｍ^－１のラマンスペクトル強度までの直線であってもよい。前記Ｓｉ単結晶ピークのベースラインは、４６８ｃｍ^－１のラマンスペクトル強度から５５６ｃｍ^－１のラマンスペクトル強度までの直線であってもよい。前記ドーパントピークのベースラインは、２７４ｃｍ^－１のラマンスペクトル強度から３３９ｃｍ^－１のラマンスペクトル強度までの直線であってもよい。前記体心立方ピークのベースラインは、４２３ｃｍ^－１のラマンスペクトル強度から４４５ｃｍ^－１のラマンスペクトル強度までの直線であってもよい。前記菱面ピークのベースラインは、３３８ｃｍ^－１のラマンスペクトル強度から３６０ｃｍ^－１のラマンスペクトル強度までの直線であってもよい。

【0128】

前記第１上面２２１は、Ｓｋ粗さを有していてもよい。前記第１上面２２１のＳｋ粗さは、約０．００５μｍ～約３μｍであってもよい。前記第１上面２２１のＳｋ粗さは、約０．００５μｍ～約１μｍであってもよい。前記第１上面２２１のＳｋ粗さは、約０．０１μｍ～約０．５μｍであってもよい。前記第１上面２２１のＳｋ粗さは、約１μｍ～約２μｍであってもよい。前記第１上面２２１のＳｋ粗さは、約１μｍ～約１．５μｍであってもよい。

【0129】

前記第１下面２２２は、Ｓｋ粗さを有していてもよい。前記第１下面２２２のＳｋ粗さは、約０．００５μｍ～約３μｍであってもよい。前記第１下面２２２のＳｋ粗さは、約０．００５μｍ～約１μｍであってもよい。前記第１下面２２２のＳｋ粗さは、約０．０１μｍ～約０．５μｍであってもよい。前記第１下面２２２のＳｋ粗さは、約１μｍ～約２μｍであってもよい。前記第１下面２２２のＳｋ粗さは、約１μｍ～約１．５μｍであってもよい。

【0130】

前記第１側面２２３は、Ｓｋ粗さを有していてもよい。前記第１側面２２３のＳｋ粗さは、前記第１上面２２１のＳｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第１側面２２３のＳｋ粗さは、前記第１下面２２２のＳｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第１側面２２３のＳｋ粗さは、約０．００５μｍ～約１μｍであってもよい。前記第１側面２２３のＳｋ粗さは、約０．０１μｍ～約０．５μｍであってもよい。前記第１側面２２３のＳｋ粗さは、約１μｍ～約２μｍであってもよい。前記第１側面２２３のＳｋ粗さは、約１μｍ～約１．５μｍであってもよい。

【0131】

前記第１傾斜面２２４は、Ｓｋ粗さを有していてもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｋ粗さは、前記第１上面２２１のＳｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｋ粗さは、前記第１下面２２２のＳｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｋ粗さは、約０．００５μｍ～約１μｍであってもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｋ粗さは、約０．０１μｍ～約０．５μｍであってもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｋ粗さは、約１μｍ～約２μｍであってもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｋ粗さは、約１μｍ～約１．５μｍであってもよい。

【0132】

前記第１上面２２１、前記第１下面２２２、前記第１側面２２３または前記第１傾斜面２２４は、上記のような範囲でＳｋ粗さを有するため、プラズマが自由に流れる微細流動チャンネルを含んでいてもよい。これによって、前記第１上面２２１、前記第１下面２２２、前記第１側面２２３または前記第１傾斜面２２４において、前記プラズマが適宜に流れ得る。

【0133】

前記第１上面２２１は、Ｓｐｋ粗さを有していてもよい。前記第１上面２２１のＳｐｋ粗さは、約０．００１μｍ～約１μｍであってもよい。前記第１上面２２１のＳｐｋ粗さは、約０．００１μｍ～約０．７μｍであってもよい。前記第１上面２２１のＳｐｋ粗さは、約０．００３μｍ～約０．７μｍであってもよい。前記第１上面２２１のＳｐｋ粗さは、約０．１μｍ～約１μｍであってもよい。前記第１上面２２１のＳｐｋ粗さは、約０．００１μｍ～約０．１μｍであってもよい。

【0134】

前記第１下面２２２は、Ｓｐｋ粗さを有していてもよい。前記第１下面２２２のＳｐｋ粗さは、約０．００１μｍ～約０．７μｍであってもよい。前記第１下面２２２のＳｐｋ粗さは、約０．００３μｍ～約０．７μｍであってもよい。前記第１下面２２２のＳｐｋ粗さは、約０．１μｍ～約１μｍであってもよい。前記第１下面２２２のＳｐｋ粗さは、約０．００１μｍ～約０．１μｍであってもよい。

【0135】

前記第１側面２２３は、Ｓｐｋ粗さを有していてもよい。前記第１側面２２３のＳｐｋ粗さは、前記第１上面２２１のＳｐｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第１側面２２３のＳｐｋ粗さは、前記第１下面２２２のＳｐｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第１側面２２３のＳｐｋ粗さは、約０．１μｍ～約１μｍであってもよい。前記第１側面２２３のＳｐｋ粗さは、約０．０８μｍ～約０．７μｍであってもよい。前記第１側面２２３のＳｐｋ粗さは、約０．２μｍ～約１μｍであってもよい。前記第１側面２２３のＳｐｋ粗さは、約０．２μｍ～約０．７μｍであってもよい。

【0136】

前記第１傾斜面２２４は、Ｓｐｋ粗さを有していてもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｐｋ粗さは、前記第１上面２２１のＳｐｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｐｋ粗さは、前記第１下面２２２のＳｐｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第１側面２２３のＳｐｋ粗さは、前記第１下面２２２のＳｐｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第１側面２２３のＳｐｋ粗さは、約０．１μｍ～約１μｍであってもよい。前記第１側面２２３のＳｐｋ粗さは、約０．０８μｍ～約０．７μｍであってもよい。前記第１側面２２３のＳｐｋ粗さは、約０．２μｍ～約１μｍであってもよい。前記第１側面２２３のＳｐｋ粗さは、約０．２μｍ～約０．７μｍであってもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｐｋ粗さは、約０．００２μｍ～約０．２μｍであってもよい。

【0137】

前記Ｓｐｋ粗さは、表面のエッチング工程中、前記プラズマが表面に接触したとき、初期接触面積が提供される数値の重要なパラメータのうち１つであってもよい。また、前記Ｓｐｋ粗さは、前記プラズマ工程中に除去され得る微細山の高さを示すことができる。

【0138】

前記第１上面２２１、前記第１下面２２２、前記第１側面２２３または前記第１傾斜面２２４は、上記のような範囲でＳｐｋ粗さを有するため、微細山のエッチングによる不純物及び工程副産物の発生が減少し得る。

【0139】

前記第１上面２２１は、Ｓｖｋ粗さを有していてもよい。前記第１上面２２１のＳｖｋ粗さは、約０．００２μｍ～約２μｍであってもよい。前記第１上面２２１のＳｖｋ粗さは、約０．００２μｍ～約１．７μｍであってもよい。前記第１上面２２１のＳｖｋ粗さは、約０．００４μｍ～約１．５μｍであってもよい。前記第１上面２２１のＳｖｋ粗さは、約０．１μｍ～約１．５μｍであってもよい。前記第１上面２２１のＳｖｋ粗さは、約０．００１μｍ～約０．２μｍであってもよい。

【0140】

前記第１下面２２２は、Ｓｖｋ粗さを有していてもよい。前記第１下面２２２のＳｖｋ粗さは、約０．００１μｍ～約０．７μｍであってもよい。前記第１下面２２２のＳｖｋ粗さは、約０．００２μｍ～約１．７μｍであってもよい。前記第１下面２２２のＳｖｋ粗さは、約０．００４μｍ～約１．５μｍであってもよい。前記第１下面２２２のＳｖｋ粗さは、約０．１μｍ～約１．５μｍであってもよい。前記第１下面２２２のＳｖｋ粗さは、約０．００１μｍ～約０．２μｍであってもよい。

【0141】

前記第１側面２２３は、Ｓｖｋ粗さを有していてもよい。前記第１側面２２３のＳｖｋ粗さは、前記第１上面２２１のＳｖｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第１側面２２３のＳｖｋ粗さは、前記第１下面２２２のＳｖｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第１側面２２３のＳｖｋ粗さは、約０．１５μｍ～約１．５μｍであってもよい。前記第１側面２２３のＳｖｋ粗さは、約０．２μｍ～約１．７μｍであってもよい。前記第１側面２２３のＳｖｋ粗さは、約０．５μｍ～約１．８μｍであってもよい。前記第１側面２２３のＳｖｋ粗さは、約０．４μｍ～約１．５μｍであってもよい。

【0142】

前記第１傾斜面２２４は、Ｓｖｋ粗さを有していてもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｖｋ粗さは、前記第１上面２２１のＳｖｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｖｋ粗さは、前記第１下面２２２のＳｖｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｖｋ粗さは、約０．１５μｍ～約１．５μｍであってもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｖｋ粗さは、約０．２μｍ～約１．７μｍであってもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｖｋ粗さは、約０．５μｍ～約１．８μｍであってもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｖｋ粗さは、約０．４μｍ～約１．５μｍであってもよい。

【0143】

前記第１上面２２１、前記第１下面２２２、前記第１側面２２３または前記第１傾斜面２２４は、上記のような範囲でＳｖｋ粗さを有するため、前記表面における微細バレーに工程副産物が堆積することを防止することができる。

【0144】

前記第１上面２２１は、Ｓｖ粗さを有していてもよい。前記第１上面２２１のＳｖ粗さは、約－３μｍ～約－０．０１μｍであってもよい。前記第１上面２２１のＳｖ粗さは、約－２．５μｍ～約－０．０１μｍであってもよい。前記第１上面２２１のＳｖ粗さは、約－０．１μｍ～約－０．０１μｍであってもよい。前記第１上面２２１のＳｖ粗さは、約－２．５μｍ～約－１μｍであってもよい。前記第１上面２２１のＳｖ粗さは、約－３μｍ～約－０．７μｍであってもよい。

【0145】

前記第１下面２２２は、Ｓｖ粗さを有していてもよい。前記第１下面２２２のＳｖ粗さは、約－３μｍ～約－０．０１μｍであってもよい。前記第１下面２２２のＳｖ粗さは、約－２．５μｍ～約－０．０１μｍであってもよい。前記第１下面２２２のＳｖ粗さは、約－０．１μｍ～約－０．０１μｍであってもよい。前記第１下面２２２のＳｖ粗さは、約－２．５μｍ～約－１μｍであってもよい。前記第１下面２２２のＳｖ粗さは、約－３μｍ～約－０．７μｍであってもよい。

【0146】

前記第１側面２２３は、Ｓｖ粗さを有していてもよい。前記第１側面２２３のＳｖ粗さは、前記第１上面２２１のＳｖ粗さよりもさらに小さくてもよい。前記第１側面２２３のＳｖ粗さは、前記第１下面２２２のＳｖ粗さよりもさらに小さくてもよい。前記第１側面２２３のＳｖ粗さは、約－３μｍ～約－０．１μｍであってもよい。前記第１側面２２３のＳｖ粗さは、約－２．５μｍ～約－０．３μｍであってもよい。前記第１側面２２３のＳｖ粗さは、約－２．５μｍ～約－０．５μｍであってもよい。前記第１側面２２３のＳｖ粗さは、約－２．５μｍ～約－１μｍであってもよい。前記第１側面２２３のＳｖ粗さは、約－３μｍ～約－０．７μｍであってもよい。

【0147】

前記第１傾斜面２２４は、Ｓｖ粗さを有していてもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｖ粗さは、前記第１上面２２１のＳｖ粗さよりもさらに小さくてもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｖ粗さは、前記第１下面２２２のＳｖ粗さよりもさらに小さくてもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｖ粗さは、約－３μｍ～約－０．１μｍであってもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｖ粗さは、約－２．５μｍ～約－０．３μｍであってもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｖ粗さは、約－２．５μｍ～約－０．５μｍであってもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｖ粗さは、約－２．５μｍ～約－１μｍであってもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｖ粗さは、約－３μｍ～約－０．７μｍであってもよい。

【0148】

前記第１上面２２１は、Ｓｚ粗さを有していてもよい。前記第１上面２２１のＳｚ粗さは、約０．０１μｍ～約６μｍであってもよい。前記第１上面２２１のＳｚ粗さは、約０．０２μｍ～約１μｍであってもよい。前記第１上面２２１のＳｚ粗さは、約１．５μｍ～約６μｍであってもよい。前記第１上面２２１のＳｚ粗さは、約１．５μｍ～約５μｍであってもよい。前記第１上面２２１のＳｚ粗さは、約０．０３μｍ～約０．７μｍであってもよい。

【0149】

前記第１下面２２２は、Ｓｚ粗さを有していてもよい。前記第１下面２２２のＳｚ粗さは、約０．０１μｍ～約６μｍであってもよい。前記第１下面２２２のＳｚ粗さは、約０．０２μｍ～約１μｍであってもよい。前記第１下面２２２のＳｚ粗さは、約１．５μｍ～約６μｍであってもよい。前記第１下面２２２のＳｚ粗さは、約１．５μｍ～約５μｍであってもよい。前記第１下面２２２のＳｚ粗さは、約０．０３μｍ～約０．７μｍであってもよい。

【0150】

前記第１側面２２３は、Ｓｚ粗さを有していてもよい。前記第１側面２２３のＳｚ粗さは、前記第１上面２２１のＳｚ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第１側面２２３のＳｚ粗さは、前記第１下面２２２のＳｚ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第１側面２２３のＳｚ粗さは、約１．５μｍ～約６μｍであってもよい。前記第１側面２２３のＳｚ粗さは、約１．５μｍ～約５μｍであってもよい。前記第１側面２２３のＳｚ粗さは、約０．０３μｍ～約０．７μｍであってもよい。

【0151】

前記第１傾斜面２２４は、Ｓｚ粗さを有していてもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｚ粗さは、前記第１上面２２１のＳｚ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｚ粗さは、前記第１下面２２２のＳｚ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｚ粗さは、約１．５μｍ～約６μｍであってもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｚ粗さは、約１．５μｍ～約５μｍであってもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｚ粗さは、約０．０３μｍ～約０．７μｍであってもよい。

【0152】

前記第１上面２２１、前記第１下面２２２、前記第１側面２２３、及び前記第１傾斜面２２４は、上記のような範囲でＳｚ粗さを有するため、前記プラズマの流れ性が向上し得る。これによって、前記第１上面２２１、前記第１下面２２２、前記第１側面２２３、及び前記第１傾斜面２２４は、上記のような範囲でＳｚ粗さを有するため、前記表面における工程副産物が堆積することを防止することができる。これによって、前記上部電極２２０は、ディフェクトを抑制することができる。

【0153】

前記第１上面２２１は、Ｓｐ粗さを有していてもよい。前記第１上面２２１のＳｐ粗さは、約０．０１μｍ～約４μｍであってもよい。前記第１上面２２１のＳｐ粗さは、約０．０２μｍ～約３．５μｍであってもよい。前記第１上面２２１のＳｐ粗さは、約０．８μｍ～約３μｍであってもよい。前記第１上面２２１のＳｐ粗さは、約１μｍ～約３μｍであってもよい。前記第１上面２２１のＳｐ粗さは、約０．０１μｍ～約０．７μｍであってもよい。

【0154】

前記第１下面２２２は、Ｓｐ粗さを有していてもよい。前記第１下面２２２のＳｐ粗さは、約０．０１μｍ～約４μｍであってもよい。前記第１下面２２２のＳｐ粗さは、約０．０２μｍ～約３．５μｍであってもよい。前記第１下面２２２のＳｐ粗さは、約０．８μｍ～約３μｍであってもよい。前記第１下面２２２のＳｐ粗さは、約１μｍ～約３μｍであってもよい。前記第１下面２２２のＳｐ粗さは、約０．０１μｍ～約０．７μｍであってもよい。

【0155】

前記第１側面２２３は、Ｓｐ粗さを有していてもよい。前記第１側面２２３のＳｐ粗さは、前記第１上面２２１のＳｐ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第１側面２２３のＳｐ粗さは、前記第１下面２２２のＳｐ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第１側面２２３のＳｐ粗さは、約０．０２μｍ～約３．５μｍであってもよい。前記第１側面２２３のＳｐ粗さは、約０．８μｍ～約３μｍであってもよい。前記第１側面２２３のＳｐ粗さは、約１μｍ～約３μｍであってもよい。前記第１側面２２３のＳｐ粗さは、約１μｍ～約４μｍであってもよい。

【0156】

前記第１傾斜面２２４は、Ｓｐ粗さを有していてもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｐ粗さは、前記第１上面２２１のＳｐ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｐ粗さは、前記第１下面２２２のＳｐ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｐ粗さは、約０．０２μｍ～約３．５μｍであってもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｐ粗さは、約０．８μｍ～約３μｍであってもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｐ粗さは、約１μｍ～約３μｍであってもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｐ粗さは、約１μｍ～約４μｍであってもよい。

【0157】

前記Ｓｋ粗さ、前記Ｓｐｋ粗さ、前記Ｓｖｋ粗さ、前記Ｓｖ粗さ、前記Ｓｚ粗さ、及び前記Ｓｐ粗さは、非接触式三次元粗さ測定機によって測定することができる。前記Ｓｋ粗さ、前記Ｓｐｋ粗さ、前記Ｓｖｋ粗さ、前記Ｓｖ粗さ、前記Ｓｚ粗さ、及び前記Ｓｐ粗さは、ＩＳＯ ２５１７８－２によって導出することができる。前記Ｓｋ粗さ、前記Ｓｐｋ粗さ、前記Ｓｖｋ粗さ、前記Ｓｖ粗さ、前記Ｓｚ粗さ、及び前記Ｓｐ粗さは、５ポイント～１０ポイントで測定され、最小測定値及び最大測定値を除く他の測定値の平均に導出することができる。

【0158】

また、前記Ｓｋ粗さ、前記Ｓｐｋ粗さ、及び前記Ｓｖｋ粗さは、三次元粗さ測定機によって得られる前記上部電極２２０の表面におけるベアリング面積曲線から導出することができる。前記ベアリング面積曲線は、表面粗さ測定機によって単位面積に対して測定された高さによる累積データをプロット（ｐｌｏｔ）したグラフであってもよい。このとき、前記Ｓｋ粗さは、前記累積データプロットにおいて、中心表面（ｃｏｒｅ ｓｕｒｆａｃｅ）における高さの幅を意味する。また、前記Ｓｐｋ粗さは、前記中心表面上へのピークの平均高さを意味し、前記Ｓｖｋ粗さは、前記中心表面の下へのバレーの平均深さを意味する。

【0159】

前記上部電極２２０の少なくとも一表面は、減殺ピークバレー（ｒｅｄｕｃｅｄ ｐｅａｋ ｖａｌｌｅｙ ｈｅｉｇｈｔ，Ｓｐｖｋ）粗さを有していてもよい。前記Ｓｐｖｋ粗さは、前記Ｓｐｋ粗さと前記Ｓｖｋ粗さの和である。前記減殺ピークバレー粗さは、下記の数式５で表される。

【0160】

［数式５］
Ｓｐｖｋ粗さ＝Ｓｐｋ粗さ＋Ｓｖｋ粗さ

【0161】

前記第１上面２２１は、Ｓｐｖｋ粗さを有していてもよい。前記第１上面２２１のＳｐｖｋ粗さは、約０．００５μｍ～約２μｍであってもよい。前記第１上面２２１のＳｐｖｋ粗さは、約０．００７μｍ～約２μｍであってもよい。前記第１上面２２１のＳｐｖｋ粗さは、約０．００５μｍ～約０．１μｍであってもよい。前記第１上面２２１のＳｐｖｋ粗さは、約０．５μｍ～約２μｍであってもよい。前記第１上面２２１のＳｐｖｋ粗さは、約０．７μｍ～約１．７μｍであってもよい。

【0162】

前記第１下面２２２は、Ｓｐｖｋ粗さを有していてもよい。前記第１下面２２２のＳｐｖｋ粗さは、約０．００５μｍ～約２μｍであってもよい。前記第１下面２２２のＳｐｖｋ粗さは、約０．００７μｍ～約２μｍであってもよい。前記第１下面２２２のＳｐｖｋ粗さは、約０．００５μｍ～約０．１μｍであってもよい。前記第１下面２２２のＳｐｖｋ粗さは、約０．５μｍ～約２μｍであってもよい。前記第１下面２２２のＳｐｖｋ粗さは、約０．７μｍ～約１．７μｍであってもよい。

【0163】

前記第１側面２２３は、Ｓｐｖｋ粗さを有していてもよい。前記第１側面２２３のＳｐｖｋ粗さは、前記第１上面２２１のＳｐｖｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第１側面２２３のＳｐｖｋ粗さは、前記第１下面２２２のＳｐｖｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第１側面２２３のＳｐｖｋ粗さは、約０．５μｍ～約２μｍであってもよい。前記第１側面２２３のＳｐｖｋ粗さは、約０．７μｍ～約１．７μｍであってもよい。

【0164】

前記第１傾斜面２２４は、Ｓｐｖｋ粗さを有していてもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｐｖｋ粗さは、前記第１上面２２１のＳｐｖｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｐｖｋ粗さは、前記第１下面２２２のＳｐｖｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｐｖｋ粗さは、約０．００７μｍ～約２μｍであってもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｐｖｋ粗さは、約０．００５μｍ～約０．１μｍであってもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｐｖｋ粗さは、約０．５μｍ～約２μｍであってもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｐｖｋ粗さは、約０．７μｍ～約１．７μｍであってもよい。

【0165】

前記Ｓｐｖｋ粗さは、微細凹凸（微細山及び微細バレー）の形状と大きさに関する粗さであってもよい。前記第１上面２２１、前記第１下面２２２、前記第１下面２２３または前記第１傾斜面２２４は、上記のような範囲でＳｐｖｋ粗さを有するため、前記表面における微細凹凸は、適宜な形状及び大きさを有していてもよい。これによって、前記第１上面２２１、前記第１下面２２２、前記第１下面２２３または前記第１傾斜面２２４は、上記のような範囲でＳｐｖｋ粗さを有するため、前記表面における微細凹凸に工程副産物が堆積するか、ディフェクトを引き起こす破片が引き起こされることを防止することができる。また、前記第１上面２２１、前記第１下面２２２、前記第１下面２２３または前記第１傾斜面２２４は、上記のような範囲でＳｐｖｋ粗さを有するため、前記表面における前記プラズマの流れ性が向上し得る。

【0166】

前記上部電極２２０の少なくとも一表面は、減殺ピークバレーの比率（ｒｅｄｕｃｅｄ ｐｅａｋ ｖａｌｌｅｙ ｈｅｉｇｈｔ，Ｒｐｖｋ）を有していてもよい。

【0167】

前記減殺ピークバレーの比率は、前記減殺ピークバレー粗さを前記Ｓｋ粗さで除した値である。前記減殺ピークバレーの比率は、下記の数式６で表される。

【0168】

［数式６］
Ｒｐｖｋ＝Ｓｐｖｋ粗さ／Ｓｋ粗さ

【0169】

前記第１上面２２１は、Ｒｐｖｋを有していてもよい。前記第１上面２２１のＲｐｖｋは、約０．５～約４であってもよい。前記第１上面２２１のＲｐｖｋは、約０．５～約１．３であってもよい。前記第１上面２２１のＲｐｖｋは、約０．５～約１であってもよい。前記第１上面２２１のＲｐｖｋは、約０．６～約１．２であってもよい。前記第１上面２２１のＲｐｖｋは、約０．５～約１．１であってもよい。

【0170】

前記第１下面２２２は、Ｒｐｖｋを有していてもよい。前記第１下面２２２のＲｐｖｋは、約０．５～約４であってもよい。前記第１下面２２２のＲｐｖｋは、約０．５～約１．３であってもよい。前記第１下面２２２のＲｐｖｋは、約０．５～約１であってもよい。前記第１下面２２２のＲｐｖｋは、約０．６～約１．２であってもよい。前記第１下面２２２のＲｐｖｋは、約０．５～約１．１であってもよい。

【0171】

前記第１側面２２３は、Ｒｐｖｋを有していてもよい。前記第１側面２２３のＲｐｖｋは、約０．５～約４であってもよい。前記第１側面２２３のＲｐｖｋは、約０．５～約１．３であってもよい。前記第１側面２２３のＲｐｖｋは、約０．５～約１であってもよい。前記第１側面２２３のＲｐｖｋは、約０．６～約１．２であってもよい。前記第１側面２２３のＲｐｖｋは、約０．５～約１．１であってもよい。

【0172】

前記第１傾斜面２２４は、Ｒｐｖｋを有していてもよい。前記第１傾斜面２２４のＲｐｖｋは、約０．５～約４であってもよい。前記第１傾斜面２２４のＲｐｖｋは、約０．５～約１．３であってもよい。前記第１傾斜面２２４のＲｐｖｋは、約０．５～約１であってもよい。前記第１傾斜面２２４のＲｐｖｋは、約０．６～約１．２であってもよい。前記第１傾斜面２２４のＲｐｖｋは、約０．５～約１．１であってもよい。

【0173】

前記Ｒｐｖｋは、微細凹凸の中間部分に対して、微細山及び微細バレーの比率であってもよい。前記第１上面２２１、前記第１下面２２２、あるいは前記第１傾斜面２２３または前記第２傾斜面２３４は、上記のような範囲でＲｐｖｋを有するため、前記表面における微細凹凸は、適宜な形状を有していてもよい。これによって、前記第１上面２２１、前記第１下面２２２、あるいは前記第１傾斜面２２３または前記第２傾斜面２３４は、上記のような範囲でＲｐｖｋを有するため、前記表面における微細凹凸に工程副産物が堆積するか、ディフェクトを引き起こす破片が引き起こされることを防止することができる。また、前記第１上面２２１、前記第１下面２２２、あるいは前記第１傾斜面２２３または前記第２傾斜面２３４は、上記のような範囲でＲｐｖｋを有するため、前記表面における前記プラズマの流れ性が向上し得る。

【0174】

前記上部電極２２０の少なくとも一表面は、全体ピークバレー（ｔｏｔａｌ ｐｅａｋ ｖａｌｌｅｙ，Ｓｐｖ）粗さを有していてもよい。前記全体ピークバレー粗さは、前記Ｓｐ粗さの絶対値と前記Ｓｖ粗さの絶対値の和である。前記全体ピークバレー粗さは、下記の数式７で表される。

【0175】

［数式７］
Ｓｐｖ粗さ＝|Ｓｐ粗さ|＋|Ｓｖ粗さ|

【0176】

前記第１上面２２１は、前記Ｓｐｖ粗さを有していてもよい。前記第１上面２２１のＳｐｖ粗さは、約０．０１μｍ～約６μｍであってもよい。前記第１上面２２１のＳｐｖ粗さは、約０．０２μｍ～約５．５μｍであってもよい。前記第１上面２２１のＳｐｖ粗さは、約０．０１μｍ～約１μｍであってもよい。前記第１上面２２１のＳｐｖ粗さは、約１μｍ～約６μｍであってもよい。前記第１上面２２１のＳｐｖ粗さは、約１．５μｍ～約５μｍであってもよい。

【0177】

前記第１下面２２２は、前記Ｓｐｖ粗さを有していてもよい。前記第１下面２２２のＳｐｖ粗さは、約０．０１μｍ～約６μｍであってもよい。前記第１下面２２２のＳｐｖ粗さは、約０．０２μｍ～約５．５μｍであってもよい。前記第１下面２２２のＳｐｖ粗さは、約０．０１μｍ～約１μｍであってもよい。前記第１下面２２２のＳｐｖ粗さは、約１μｍ～約６μｍであってもよい。前記第１下面２２２のＳｐｖ粗さは、約１．５μｍ～約５μｍであってもよい。

【0178】

前記第１側面２２３は、Ｓｐｖ粗さを有していてもよい。前記第１側面２２３のＳｐｖ粗さは、前記第１上面２２１のＳｐｖ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第１側面２２３のＳｐｖ粗さは、前記第１下面２２２のＳｐｖ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第１側面２２３のＳｐｖ粗さは、約０．０２μｍ～約５．５μｍであってもよい。前記第１側面２２３のＳｐｖ粗さは、約１μｍ～約６μｍであってもよい。前記第１側面２２３のＳｐｖ粗さは、約１．５μｍ～約５μｍであってもよい。

【0179】

前記第１傾斜面２２４は、Ｓｐｖ粗さを有していてもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｐｖ粗さは、前記第１上面２２１のＳｐｖ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｐｖ粗さは、前記第１下面２２２のＳｐｖ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｐｖｋ粗さは、約０．００７μｍ～約２μｍであってもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｐｖ粗さは、約０．０２μｍ～約５．５μｍであってもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｐｖ粗さは、約１μｍ～約６μｍであってもよい。前記第１傾斜面２２４のＳｐｖ粗さは、約１．５μｍ～約５μｍであってもよい。

【0180】

前記Ｓｐｖ粗さは、微細山から微細バレーまで微細凹凸の全体大きさを示す粗さであってもよい。前記第１上面２２１、前記第１下面２２２、前記第１側面２２３または前記第１傾斜面２２４は、上記のような範囲でＳｐｖ粗さを有するため、前記表面における微細凹凸は、適宜な形状を有していてもよい。これによって、前記第１上面２２１、前記第１下面２２２、前記第１側面２２３または前記第１傾斜面２２４は、上記のような範囲でＳｐｖ粗さを有するため、前記表面における微細凹凸に工程副産物が堆積するか、ディフェクトを引き起こす破片が引き起こされることを防止することができる。また、前記第１上面２２１、前記第１下面２２２、前記第１側面２２３または前記第１傾斜面２２４は、上記のような範囲でＳｐｖ粗さを有するため、前記表面における前記プラズマの流れ性が向上し得る。

【0181】

前記上部電極２２０の各面において、約９０％超は、上記のような範囲で前記Ｓｋ粗さ、前記Ｓｐｋ粗さ、前記Ｓｖｋ粗さ、前記Ｓｖ粗さ、前記Ｓｚ粗さ、前記Ｓｐ粗さ、前記Ｓｐｖｋ粗さ、前記Ｓｐｖ粗さ、及び／又は前記Ｒｐｖｋを有していてもよい。

【0182】

前記上部電極２２０は、上記のような範囲で前記Ｓｋ粗さ、前記Ｓｐｋ粗さ、前記Ｓｖｋ粗さ、前記Ｓｖ粗さ、前記Ｓｚ粗さ、前記Ｓｐ粗さ、前記Ｓｐｖｋ粗さ、前記Ｓｐｖ粗さ、及び／又は前記Ｒｐｖｋを有するため、効果的にプラズマを発生させて制御することができる。

【0183】

また、前記上部電極２２０は、上記のような範囲で前記Ｓｋ粗さ、前記Ｓｐｋ粗さ、前記Ｓｖｋ粗さ、前記Ｓｖ粗さ、前記Ｓｚ粗さ、前記Ｓｐ粗さ、前記Ｓｐｖｋ粗さ、前記Ｓｐｖ粗さ、及び／又は前記Ｒｐｖｋを有するため、ディフェクトを引き起こす粒子の生成を防止することができる。

【0184】

また、前記上部電極２２０は、上記のような範囲で前記Ｓｋ粗さ、前記Ｓｐｋ粗さ、前記Ｓｖｋ粗さ、前記Ｓｖ粗さ、前記Ｓｚ粗さ、前記Ｓｐ粗さ、前記Ｓｐｖｋ粗さ、前記Ｓｐｖ粗さ、及び／又は前記Ｒｐｖｋを有するため、浸食を抑制し、向上した耐久性を有することができる。

【0185】

前記上部電極２２０の少なくとも一表面は、水に対する第１接触角を有していてもよい。

【0186】

前記第１上面２２１における前記第１接触角は、約４５゜～約７４゜であってもよい。前記第１上面２２１における前記第１接触角は、約４７゜～約７３゜であってもよい。前記第１上面２２１における前記第１接触角は、約６０゜～約７４゜であってもよい。前記第１上面２２１における前記第１接触角は、約４５゜～約６０゜であってもよい。

【0187】

前記第１下面２２２における前記第１接触角は、約４５゜～約７４゜であってもよい。前記第１下面２２２における前記第１接触角は、約４７゜～約７３゜であってもよい。前記第１下面２２２における前記第１接触角は、約６０゜～約７４゜であってもよい。前記第１下面２２２における前記第１接触角は、約４５゜～約６０゜であってもよい。

【0188】

前記第１側面２２３における第１接触角は、前記第１上面２２１における第１接触角よりもさらに小さくてもよい。前記第１側面２２３における前記第１接触角は、前記第１下面２２２における第１接触角よりもさらに小さくてもよい。前記第１側面２２３における前記第１接触角は、約４５゜～約７３゜であってもよい。前記第１側面２２３における前記第１接触角は、約４５゜～約７０゜であってもよい。前記第１側面２２３における前記第１接触角は、約５５゜～約６５゜であってもよい。前記第１側面２２３における前記第１接触角は、約４５゜～約６０゜であってもよい。

【0189】

前記第１傾斜面２２４における第１接触角は、前記第１上面２２１における第１接触角よりもさらに小さくてもよい。前記第１傾斜面２２４における前記第１接触角は、前記第１下面２２２における第１接触角よりもさらに小さくてもよい。前記第１傾斜面２２４における前記第１接触角は、約４５゜～約７３゜であってもよい。前記第１傾斜面２２４における前記第１接触角は、約４５゜～約７０゜であってもよい。前記第１傾斜面２２４における前記第１接触角は、約５５゜～約６５゜であってもよい。前記第１傾斜面２２４における前記第１接触角は、約４５゜～約６０゜であってもよい。

【0190】

前記上部電極２２０の少なくとも一表面は、ジヨードメタンに対する第２接触角を有していてもよい。

【0191】

前記第１上面２２１における前記第２接触角は、約４１゜～約５７゜であってもよい。前記第１上面２２１における前記第２接触角は、約４２゜～約５５゜であってもよい。前記第１上面２２１における前記第２接触角は、約４５゜～約５５゜であってもよい。前記第１上面２２１における前記第２接触角は、約４０゜～約５０゜であってもよい。

【0192】

前記第１下面２２２における前記第２接触角は、約４１゜～約５７゜であってもよい。前記第１下面２２２における前記第２接触角は、約４２゜～約５５゜であってもよい。前記第１下面２２２における前記第２接触角は、約４５゜～約５５゜であってもよい。前記第１下面２２２における前記第２接触角は、約４０゜～約５０゜であってもよい。

【0193】

前記第１側面２２３における前記第２接触角は、約４１゜～約５７゜であってもよい。前記第１側面２２３における前記第２接触角は、約４２゜～約５５゜であってもよい。前記第１側面２２３における前記第２接触角は、約４５゜～約５５゜であってもよい。前記第１側面２２３における前記第２接触角は、約４０゜～約５０゜であってもよい。

【0194】

前記第１傾斜面２２４における前記第２接触角は、約４１゜～約５７゜であってもよい。前記第１傾斜面２２４における前記第２接触角は、約４２゜～約５５゜であってもよい。前記第１傾斜面２２４における前記第２接触角は、約４５゜～約５５゜であってもよい。前記第１傾斜面２２４における前記第２接触角は、約４０゜～約５０゜であってもよい。

【0195】

前記上部電極２２０の少なくとも一表面は、表面自由エネルギー（ｓｕｒｆａｃｅ ｆｒｅｅ ｅｎｅｒｇｙ）を有していてもよい。

【0196】

前記第１上面２２１における前記表面自由エネルギーは、約４０ｍＮ／ｍ～約６５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１上面２２１における前記表面自由エネルギーは、約３５ｍＮ／ｍ～約６５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１上面２２１における前記表面自由エネルギーは、約４０ｍＮ／ｍ～約５５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１上面２２１における前記表面自由エネルギーは、約５０ｍＮ／ｍ～約６５ｍＮ／ｍであってもよい。

【0197】

前記第１下面２２２における前記表面自由エネルギーは、約４０ｍＮ／ｍ～約６５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１下面２２２における前記表面自由エネルギーは、約３５ｍＮ／ｍ～約６５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１下面２２２における前記表面自由エネルギーは、約４０ｍＮ／ｍ～約５５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１下面２２２における前記表面自由エネルギーは、約５０ｍＮ／ｍ～約６５ｍＮ／ｍであってもよい。

【0198】

前記第１側面２２３における表面自由エネルギーは、前記第１上面２２１における表面自由エネルギーよりもさらに大きくてもよい。前記第１側面２２３における表面自由エネルギーは、前記第１下面２２２における表面自由エネルギーよりもさらに大きくてもよい。前記第１側面２２３における前記表面自由エネルギーは、約４２ｍＮ／ｍ～約６５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１側面２２３における前記表面自由エネルギーは、約４０ｍＮ／ｍ～約６５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１側面２２３における前記表面自由エネルギーは、約４７ｍＮ／ｍ～約６５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１側面２２３における前記表面自由エネルギーは、約５０ｍＮ／ｍ～約６５ｍＮ／ｍであってもよい。

【0199】

前記第１傾斜面２２４における表面自由エネルギーは、前記第１上面２２１における表面自由エネルギーよりもさらに大きくてもよい。前記第１傾斜面２２４における表面自由エネルギーは、前記第１下面２２２における表面自由エネルギーよりもさらに大きくてもよい。前記第１傾斜面２２４における前記表面自由エネルギーは、約４２ｍＮ／ｍ～約６５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１傾斜面２２４における前記表面自由エネルギーは、約４７ｍＮ／ｍ～約６５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１傾斜面２２４における前記表面自由エネルギーは、約５０ｍＮ／ｍ～約６５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１傾斜面２２４における前記表面自由エネルギーは、約４０ｍＮ／ｍ～約６５ｍＮ／ｍであってもよい。

【0200】

前記上部電極２２０の少なくとも一表面は、分散自由エネルギー（ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ ｆｒｅｅ ｅｎｅｒｇｙ）を有していてもよい。

【0201】

前記第１上面２２１における前記分散自由エネルギーは、約３０ｍＮ／ｍ～約４５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１上面２２１における前記分散自由エネルギーは、約３０ｍＮ／ｍ～約４０ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１上面２２１における前記分散自由エネルギーは、約２５ｍＮ／ｍ～約４０ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１上面２２１における前記分散自由エネルギーは、約３０ｍＮ／ｍ～約３７ｍＮ／ｍであってもよい。

【0202】

前記第１下面２２２における前記分散自由エネルギーは、約３０ｍＮ／ｍ～約４５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１下面２２２における前記分散自由エネルギーは、約３０ｍＮ／ｍ～約４０ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１下面２２２における前記分散自由エネルギーは、約２５ｍＮ／ｍ～約４０ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１下面２２２における前記分散自由エネルギーは、約３０ｍＮ／ｍ～約３７ｍＮ／ｍであってもよい。

【0203】

前記第１側面２２３における前記分散自由エネルギーは、約３０ｍＮ／ｍ～約４５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１側面２２３における前記分散自由エネルギーは、約３０ｍＮ／ｍ～約４０ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１側面２２３における前記分散自由エネルギーは、約２５ｍＮ／ｍ～約４０ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１側面２２３における前記分散自由エネルギーは、約３０ｍＮ／ｍ～約３７ｍＮ／ｍであってもよい。

【0204】

前記第１傾斜面２２４における前記分散自由エネルギーは、約３０ｍＮ／ｍ～約４５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１傾斜面２２４における前記分散自由エネルギーは、約３０ｍＮ／ｍ～約４０ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１傾斜面２２４における前記分散自由エネルギーは、約２５ｍＮ／ｍ～約４０ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１傾斜面２２４における前記分散自由エネルギーは、約３０ｍＮ／ｍ～約３７ｍＮ／ｍであってもよい。

【0205】

前記上部電極２２０の一表面は、極性自由エネルギー（ｐｏｌａｒ ｆｒｅｅ ｅｎｅｒｇｙ）を有していてもよい。

【0206】

前記第１上面２２１における前記極性自由エネルギーは、約５ｍＮ／ｍ～約２５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１上面２２１における前記極性自由エネルギーは、約７ｍＮ／ｍ～約２１ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１上面２２１における前記極性自由エネルギーは、約５ｍＮ／ｍ～約１５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１上面２２１における前記極性自由エネルギーは、約１０ｍＮ／ｍ～約２２ｍＮ／ｍであってもよい。

【0207】

前記第１下面２２２における前記極性自由エネルギーは、約５ｍＮ／ｍ～約２５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１下面２２２における前記極性自由エネルギーは、約７ｍＮ／ｍ～約２１ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１下面２２２における前記極性自由エネルギーは、約５ｍＮ／ｍ～約１５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１下面２２２における前記極性自由エネルギーは、約１０ｍＮ／ｍ～約２２ｍＮ／ｍであってもよい。

【0208】

前記第１側面２２３における前記極性自由エネルギーは、約５ｍＮ／ｍ～約２５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１側面２２３における前記極性自由エネルギーは、約７ｍＮ／ｍ～約２１ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１側面２２３における前記極性自由エネルギーは、約５ｍＮ／ｍ～約１５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１側面２２３における前記極性自由エネルギーは、約１０ｍＮ／ｍ～約２２ｍＮ／ｍであってもよい。

【0209】

前記第１傾斜面２２４における前記極性自由エネルギーは、約５ｍＮ／ｍ～約２５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１傾斜面２２４における前記極性自由エネルギーは、約７ｍＮ／ｍ～約２１ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１傾斜面２２４における前記極性自由エネルギーは、約５ｍＮ／ｍ～約１５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第１傾斜面２２４における前記極性自由エネルギーは、約１０ｍＮ／ｍ～約２２ｍＮ／ｍであってもよい。

【0210】

前記表面自由エネルギーは、前記分散自由エネルギーと前記極性自由エネルギーの和であってもよい。

【0211】

前記上部電極２２０の各面のうち９０％超は、上記のような範囲で前記第１接触角、前記第２接触角、前記表面自由エネルギー、前記分散自由エネルギー、及び前記極性自由エネルギーを有していてもよい。

【0212】

前記上部電極２２０は、上記のような範囲で前記第１接触角、前記第２接触角、前記表面自由エネルギー、前記分散自由エネルギー、及び前記極性自由エネルギーを有するため、効果的にプラズマを発生させて制御することができる。

【0213】

また、前記上部電極２２０は、上記のような範囲で前記第１接触角、前記第２接触角、前記表面自由エネルギー、前記分散自由エネルギー、及び前記極性自由エネルギーを有するため、ディフェクトを引き起こす粒子の生成を防止することができる。

【0214】

また、前記上部電極２２０は、上記のような範囲で前記第１接触角、前記第２接触角、前記表面自由エネルギー、前記分散自由エネルギー、及び前記極性自由エネルギーを有するため、浸食を抑制し、向上した耐久性を有することができる。

【0215】

測定しようとする表面に水またはジヨードメタンが吐出し、画像撮影によって、前記第１接触角及び前記第２接触角を測定することができる。例示的に、ＫＲＵＳＳ社の移動式表面自由エネルギーの測定装置であるＭＳＡ（ｍｏｂｉｌｅ ｓｕｒｆａｃｅ ａｎａｌｙｚｅｒ）を用いて、前記表面自由エネルギーは、測定した値から計算することができる。具体的には、溶媒の積荷量１マイクロリットル、滴下後、経過時間４秒で、前記第１接触角及び前記第２接触角を測定することができる。極性自由エネルギー溶媒としては水を選択し、非極性自由エネルギー溶媒としてはジヨードメタンを選択することができる。幾何平均法（ｇｅｏｍｅｔｒｉｃ ｍｅａｎ ｃｏｍｂｉｎｉｎｇ ｒｕｌｅ、例えば、ＯＷＲＫ（Ｏｗｅｎｓ，Ｗｅｎｄｔ，Ｒａｂｅｌ ａｎｄ Ｋａｅｌｂｌｅ）方法）を選択して、前記表面自由エネルギー、分散自由エネルギー、及び極性自由エネルギーが得られる。正確な計算のためには、同じ試片の表面の他の位置が選択されて、５回以上繰り返して評価され、前記第１接触角、前記第２接触角、前記表面自由エネルギー、前記分散自由エネルギー、及び前記極性自由エネルギーは、上限下限を除く３点の平均値に評価することができる。

【0216】

実施例によるフォーカスリング２３０は、半導体素子を製造するための製造装置に使用される部品であってもよい。すなわち、前記フォーカスリング２３０は、前記半導体素子の製造装置の一部を構成する部品であってもよい。

【0217】

前記フォーカスリング２３０は、半導体素子を製造するためのプラズマ処理装置に使用される部品であってもよい。前記フォーカスリング２３０は、半導体基板３０を選択的にエッチングするためのプラズマエッチング装置に使用される部品であってもよい。前記半導体基板３０は、プラズマ処理されて、半導体素子を製造するための半導体ウエハを含んでいてもよい。

【0218】

前記フォーカスリング２３０は、プラズマをガイドし、前記半導体基板３０を支持するための下部電極アセンブリの一部を構成する部品であってもよい。前記フォーカスリング２３０は、前記下部電極アセンブリのエッジに配置されるエッジリングであってもよい。

【0219】

また、前記フォーカスリング２３０は、前記半導体基板３０を収容し、プラズマ領域１１４を限定するアセンブリの一部を構成する部品であってもよい。

【0220】

図４は、一実施例によるフォーカスリングを示した斜視図である。図５は、一実施例によるフォーカスリングの一断面を示した断面図である。

【0221】

図４及び図５を参照すると、実施例によるフォーカスリング２３０は、全体的にリング状を有していてもよい。

【0222】

前記フォーカスリング２３０は、ボディ部２３７、傾斜部２３８、及びガイド部２３９を含んでいてもよい。前記ボディ部２３７は、前記半導体基板３０の周囲に沿って延びていてもよい。前記ボディ部２３７は、前記半導体基板３０の周囲に沿って配置されていてもよい。前記ボディ部２３７は、リング状を有していてもよい。

【0223】

前記傾斜部２３８は、前記ボディ部２３７から延びる。前記傾斜部２３８は、前記ボディ部２３７から内側に延びていてもよい。前記傾斜部２３８は、前記ボディ部２３７から前記半導体基板３０の中心に向かって延びていてもよい。前記傾斜部２３８は、リング状を有していてもよい。すなわち、前記傾斜部２３８は、前記ボディ部２３７の内周面に配置されていてもよい。

【0224】

前記ガイド部２３９は、前記傾斜部２３８から延びる。前記ガイド部２３９は、前記傾斜部２３８から内側に延びていてもよい。前記ガイド部２３９は、前記傾斜部２３８から前記半導体基板３０の中心に向かって延びていてもよい。前記ガイド部２３９は、リング状を有していてもよい。前記ガイド部２３９の少なくとも一部は、前記半導体基板３０の下に配置されていてもよい。

【0225】

前記ボディ部２３７、前記傾斜部２３８、及び前記ガイド部２３９は、一体に形成することができる。すなわち、前記ボディ部２３７、前記傾斜部２３８、及び前記ガイド部２３９は、結合した構造ではなく、一体化した構造を有していてもよい。前記ボディ部２３７、前記傾斜部２３８、及び前記ガイド部２３９は、一体に単結晶シリコンで形成することができる。

【0226】

前記フォーカスリング２３０は、第２上面２３１、第２下面２３２、及び第２側面２３３を含んでいてもよい。

【0227】

前記第２上面２３１及び前記第２下面２３２は、互いに対向する。

【0228】

前記第２上面２３１は、前記ボディ部２３７に含まれていてもよい。

【0229】

前記第２下面２３２は、全体的に扁平であってもよい。

【0230】

前記第２側面２３３は、前記第２上面２３１から前記第２下面２３２に延びる。前記第２側面２３３は、前記フォーカスリング２３０の外周面であってもよい。

【0231】

また、前記フォーカスリング２３０は、第２傾斜面２３４を含んでいてもよい。前記第２傾斜面２３４は、前記第２上面２３１から側下方に延びていてもよい。前記第２傾斜面２３４は、前記半導体基板３０から発生するプラズマ工程後、生成物を側方にガイドすることができる。すなわち、前記第２傾斜面２３４は、前記半導体基板３０に噴射されるプラズマによって発生する工程副産物を外部にガイドして、半導体素子の製造工程の効率を向上させることができる。また、前記第２傾斜面２３４は、副産物を適宜にガイドすることができるため、前記フォーカスリング２３０は、前記プラズマ工程の副産物によって他の部品が汚染することを防止することができる。

【0232】

また、前記フォーカスリング２３０は、ガイド面２３５をさらに含んでいてもよい。前記ガイド面２３５は、前記第２傾斜面２３４から延びる。前記ガイド面２３５は、前記第２傾斜面２３４から内側に延びていてもよい。前記ガイド面２３５は、前記半導体基板３０の下に延びていてもよい。前記ガイド面２３５は、前記第２傾斜面２３４から前記半導体基板３０の中心に延びていてもよい。前記ガイド面２３５の少なくとも一部は、前記半導体基板３０下に配置されていてもよい。

【0233】

また、前記フォーカスリング２３０は、第３側面２４１をさらに含んでいてもよい。前記第３側面２４１は、前記ガイド面２３５から前記第２下面２３２に延びていてもよい。前記第３側面２４１は、前記フォーカスリング２３０の内周面であってもよい。

【0234】

また、前記フォーカスリング２３０は、他の部品と締結するための締結溝（不図示）をさらに含んでいてもよい。

【0235】

前記フォーカスリング２３０は、単結晶シリコンを含んでいてもよい。前記フォーカスリング２３０は、前記単結晶シリコンを主成分として含んでいてもよい。前記フォーカスリング２３０は、約９０ｗｔ％以上の含量で前記単結晶シリコンを含んでいてもよい。前記フォーカスリング２３０は、約９５ｗｔ％以上の含量で前記単結晶シリコンを含んでいてもよい。前記フォーカスリング２３０は、約９９ｗｔ％以上の含量で前記単結晶シリコンを含んでいてもよい。前記フォーカスリング２３０は、実質的に前記単結晶シリコンからなっていてもよい。

【0236】

前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面におけるＳｉ－ＯＨの比率は、約０．１６～約０．２８であってもよい。前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面におけるＳｉ－ＯＨの比率は、約０．１７～約０．２７であってもよい。前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面におけるＳｉ－ＯＨの比率は、約０．１８～約０．２６であってもよい。前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面におけるＳｉ－ＯＨの比率は、約０．１９～約０．２６であってもよい。

【0237】

前記第２上面２３１、前記第２下面２３２、前記第２側面２３３、前記第２傾斜面２３４、前記ガイド面２３５、及び前記第３側面２４１のうち少なくとも１つ以上は、上記のような範囲で前記Ｓｉ－ＯＨの比率を有していてもよい。

【0238】

前記フォーカスリング２３０の表面のうち約６０％以上は、上記のような範囲で前記Ｓｉ－ＯＨの比率を有していてもよい。前記フォーカスリング２３０の表面のうち約７０％以上は、上記のような範囲で前記Ｓｉ－ＯＨの比率を有していてもよい。前記フォーカスリング２３０の表面のうち約８０％以上は、上記のような範囲で前記Ｓｉ－ＯＨの比率を有していてもよい。前記フォーカスリング２３０の表面のうち約９０％以上は、上記のような範囲で前記Ｓｉ－ＯＨの比率を有していてもよい。前記フォーカスリング２３０の表面のうち約９５％以上は、上記のような範囲で前記Ｓｉ－ＯＨの比率を有していてもよい。

【0239】

前記フォーカスリング２３０は、上記のような範囲で前記Ｓｉ－ＯＨの比率を有するため、適宜な表面特性を有していてもよい。これによって、前記フォーカスリング２３０の表面に汚染物質の残留を防止することができる。

【0240】

また、前記フォーカスリング２３０は、上記のような範囲で前記Ｓｉ－ＯＨの比率を有するため、前記フォーカスリング２３０は、表面に保護膜を含んでいてもよい。これによって、前記フォーカスリング２３０は、外部の汚染物質から効率良く保護することができる。

【0241】

前記フォーカスリング２３０は、少なくとも一表面におけるドーパントの比率を有していてもよい。

【0242】

前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面におけるドーパントの比率は、約０．１２未満であってもよい。前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面におけるドーパントの比率は、約０．０５～約０．１２であってもよい。前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面におけるドーパントの比率は、約０．０１～約０．１２であってもよい。前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面におけるドーパントの比率は、約０．０６～約０．１３であってもよい。

【0243】

前記第２上面２３１、前記第２下面２３２、前記第２側面２３３、前記第２傾斜面２３４、及び前記第３側面２４１のうち少なくとも１つ以上は、上記のような範囲で前記ドーパントの比率を有していてもよい。

【0244】

前記フォーカスリング２３０の表面のうち約６０％以上は、上記のような範囲で前記ドーパントの比率を有していてもよい。前記フォーカスリング２３０の表面のうち約７０％以上は、上記のような範囲で前記ドーパントの比率を有していてもよい。前記フォーカスリング２３０の表面のうち約８０％以上は、上記のような範囲で前記ドーパントの比率を有していてもよい。前記フォーカスリング２３０の表面のうち約９０％以上は、上記のような範囲で前記ドーパントの比率を有していてもよい。前記フォーカスリング２３０の表面のうち約９５％以上は、上記のような範囲で前記ドーパントの比率を有していてもよい。

【0245】

前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面が、上記のような範囲でドーパントの比率を有するため、適宜な表面伝導度を有していてもよい。これによって、前記フォーカスリング２３０は、容易にプラズマを生成することができる。また、前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面が、上記のような範囲でドーパントの比率を有するため、プラズマによる浸食を抑制することができる。これによって、前記フォーカスリング２３０は、向上した耐久性を有することができる。

【0246】

前記フォーカスリング２３０は、少なくとも一表面における体心立方の比率を有していてもよい。

【0247】

前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面における体心立方の比率は、約０．０１未満であってもよい。前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面における体心立方の比率は、約０．００５未満であってもよい。前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面における体心立方の比率は、約０．００４未満であってもよい。前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面における体心立方の比率は、約０．００１未満であってもよい。

【0248】

前記第２上面２３１、前記第２下面２３２、前記第２側面２３３、前記第２傾斜面２３４、及び前記第３側面２４１のうち少なくとも１つ以上は、上記のような範囲で前記体心立方の比率を有していてもよい。

【0249】

前記フォーカスリング２３０の表面のうち約６０％以上は、上記のような範囲で前記体心立方の比率を有していてもよい。前記フォーカスリング２３０の表面のうち約７０％以上は、上記のような範囲で前記体心立方の比率を有していてもよい。前記フォーカスリング２３０の表面のうち約８０％以上は、上記のような範囲で前記体心立方の比率を有していてもよい。前記フォーカスリング２３０の表面のうち約９０％以上は、上記のような範囲で前記体心立方の比率を有していてもよい。前記フォーカスリング２３０の表面のうち約９５％以上は、上記のような範囲で前記体心立方の比率を有していてもよい。

【0250】

前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面が、上記のような範囲で体心立方の比率を有するため、表面のディフェクト密度を低くすることができる。前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面が、上記のような範囲で体心立方の比率を有するため、表面のディフェクト密度を低くすることができる。特に、前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面は、上記のような範囲で前記体心立方の比率を有するため、体心立方構造（ｂｏｄｙ ｃｅｎｔｅｒｅｄ ｃｕｂｉｃ）のＳｉ－ＩＩＩの欠陥比率を低くすることができる。

【0251】

これによって、前記フォーカスリング２３０は、表面にディフェクトを抑制することができる。また、前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面が、上記のような範囲で体心立方の比率を有するため、プラズマによる浸食を抑制することができる。これによって、前記フォーカスリング２３０は、向上した耐久性を有することができる。

【0252】

前記フォーカスリング２３０は、少なくとも一表面における菱面の比率を有していてもよい。

【0253】

前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面における菱面の比率は、約０．０１未満であってもよい。前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面における菱面の比率は、約０．００５未満であってもよい。前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面における菱面の比率は、約０．００４未満であってもよい。前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面における菱面の比率は、約０．００１未満であってもよい。

【0254】

前記第２上面２３１、前記第２下面２３２、前記第２側面２３３、前記第２傾斜面２３４、前記ガイド面２３５、及び前記第３側面２４１のうち少なくとも１つ以上は、上記のような範囲で前記菱面の比率を有していてもよい。

【0255】

前記フォーカスリング２３０の表面のうち約６０％以上は、上記のような範囲で前記菱面の比率を有していてもよい。前記フォーカスリング２３０の表面のうち約７０％以上は、上記のような範囲で前記菱面の比率を有していてもよい。前記フォーカスリング２３０の表面のうち約８０％以上は、上記のような範囲で前記菱面の比率を有していてもよい。前記フォーカスリング２３０の表面のうち約９０％以上は、上記のような範囲で前記菱面の比率を有していてもよい。前記フォーカスリング２３０の表面のうち約９５％以上は、上記のような範囲で前記菱面の比率を有していてもよい。

【0256】

前記フォーカスリング２３０の個々の面のうち約９０％超は、上記のような範囲で前記Ｓｉ－ＯＨの比率、前記ドーパントの比率、前記体心立方の比率または前記菱面の比率を有していてもよい。

【0257】

前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面が、上記のような範囲で菱面の比率を有するため、表面のディフェクト密度を低くすることができる。前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面が、上記のような範囲で菱面の比率を有するため、表面のディフェクト密度を低くすることができる。特に、前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面は、上記のような範囲で前記菱面の比率を有するため、菱面構造（ｒｈｏｍｂｏｈｅｄｒａｌ）のＳｉ－ＸＩＩの欠陥比率を低くすることができる。

【0258】

これによって、前記フォーカスリング２３０は、表面にディフェクトを抑制することができる。また、前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面が、上記のような範囲で菱面の比率を有するため、プラズマによる浸食を抑制することができる。これによって、前記フォーカスリング２３０は、向上した耐久性を有することができる。

【0259】

前記第２上面２３１は、Ｓｋ粗さを有していてもよい。前記第２上面２３１のＳｋ粗さは、約０．００５μｍ～約３μｍであってもよい。前記第２上面２３１のＳｋ粗さは、約０．００５μｍ～約１μｍであってもよい。前記第２上面２３１のＳｋ粗さは、約０．０１μｍ～約０．５μｍであってもよい。前記第２上面２３１のＳｋ粗さは、約１μｍ～約２μｍであってもよい。前記第２上面２３１のＳｋ粗さは、約１μｍ～約１．５μｍであってもよい。

【0260】

前記第２下面２３２は、Ｓｋ粗さを有していてもよい。前記第２下面２３２のＳｋ粗さは、約０．００５μｍ～約３μｍであってもよい。前記第２下面２３２のＳｋ粗さは、約０．００５μｍ～約１μｍであってもよい。前記第２下面２３２のＳｋ粗さは、約０．０１μｍ～約０．５μｍであってもよい。前記第２下面２３２のＳｋ粗さは、約１μｍ～約２μｍであってもよい。前記第２下面２３２のＳｋ粗さは、約１μｍ～約１．５μｍであってもよい。

【0261】

前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１は、Ｓｋ粗さを有していてもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｋ粗さは、前記第２上面２３１のＳｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｋ粗さは、前記第２下面２３２のＳｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｋ粗さは、約０．００５μｍ～約１μｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｋ粗さは、約０．０１μｍ～約０．５μｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｋ粗さは、約１μｍ～約２μｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｋ粗さは、約１μｍ～約１．５μｍであってもよい。

【0262】

前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５は、Ｓｋ粗さを有していてもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｋ粗さは、前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｋ粗さは、前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｋ粗さは、約０．００５μｍ～約１μｍであってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｋ粗さは、約０．０１μｍ～約０．５μｍであってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｋ粗さは、約１μｍ～約２μｍであってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｋ粗さは、約１μｍ～約１．５μｍであってもよい。

【0263】

前記第２上面２３１、前記第２下面２３２、前記第２傾斜面２３４または前記ガイド面２３５は、上記のような範囲でＳｋ粗さを有するため、プラズマが自由に流れる微細流動チャンネルを含んでいてもよい。これによって、前記第２上面２３１、前記第２下面２３２、前記第２傾斜面２３４または前記ガイド面２３５において、前記プラズマが適宜に流れ得る。

【0264】

前記第２上面２３１は、Ｓｐｋ粗さを有していてもよい。前記第２上面２３１のＳｐｋ粗さは、約０．００１μｍ～約１μｍであってもよい。前記第２上面２３１のＳｐｋ粗さは、約０．００１μｍ～約０．７μｍであってもよい。前記第２上面２３１のＳｐｋ粗さは、約０．００３μｍ～約０．７μｍであってもよい。前記第２上面２３１のＳｐｋ粗さは、約０．１μｍ～約１μｍであってもよい。前記第２上面２３１のＳｐｋ粗さは、約０．００１μｍ～約０．１μｍであってもよい。

【0265】

前記第２下面２３２は、Ｓｐｋ粗さを有していてもよい。前記第２下面２３２のＳｐｋ粗さは、約０．００１μｍ～約０．７μｍであってもよい。前記第２下面２３２のＳｐｋ粗さは、約０．００３μｍ～約０．７μｍであってもよい。前記第２下面２３２のＳｐｋ粗さは、約０．１μｍ～約１μｍであってもよい。前記第２下面２３２のＳｐｋ粗さは、約０．００１μｍ～約０．１μｍであってもよい。

【0266】

前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１は、Ｓｐｋ粗さを有していてもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｐｋ粗さは、前記第２上面２３１のＳｐｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｐｋ粗さは、前記第２下面２３２のＳｐｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｐｋ粗さは、約０．１μｍ～約１μｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｐｋ粗さは、約０．０８μｍ～約０．７μｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｐｋ粗さは、約０．２μｍ～約１μｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｐｋ粗さは、約０．２μｍ～約０．７μｍであってもよい。

【0267】

前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５は、Ｓｐｋ粗さを有していてもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｐｋ粗さは、前記第２上面２３１のＳｐｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｐｋ粗さは、前記第２下面２３２のＳｐｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｐｋ粗さは、前記第２下面２３２のＳｐｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｐｋ粗さは、約０．１μｍ～約１μｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｐｋ粗さは、約０．０８μｍ～約０．７μｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｐｋ粗さは、約０．２μｍ～約１μｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｐｋ粗さは、約０．２μｍ～約０．７μｍであってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｐｋ粗さは、約０．００２μｍ～約０．２μｍであってもよい。

【0268】

前記Ｓｐｋ粗さは、表面のエッチング工程中、前記プラズマが表面に接触したとき、初期接触面積が提供される数値の重要なパラメータのうち１つであってもよい。また、前記Ｓｐｋ粗さは、前記プラズマ工程中に除去され得る微細山の高さを示すことができる。

【0269】

前記第２上面２３１、前記第２下面２３２、前記第２傾斜面２３４または前記ガイド面２３５は、上記のような範囲でＳｐｋ粗さを有するため、微細山のエッチングによる不純物及び工程副産物の発生が減少し得る。

【0270】

前記第２上面２３１は、Ｓｖｋ粗さを有していてもよい。前記第２上面２３１のＳｖｋ粗さは、約０．００２μｍ～約２μｍであってもよい。前記第２上面２３１のＳｖｋ粗さは、約０．００２μｍ～約１．７μｍであってもよい。前記第２上面２３１のＳｖｋ粗さは、約０．００４μｍ～約１．５μｍであってもよい。前記第２上面２３１のＳｖｋ粗さは、約０．１μｍ～約１．５μｍであってもよい。前記第２上面２３１のＳｖｋ粗さは、約０．００１μｍ～約０．２μｍであってもよい。

【0271】

前記第２下面２３２は、Ｓｖｋ粗さを有していてもよい。前記第２下面２３２のＳｖｋ粗さは、約０．００１μｍ～約０．７μｍであってもよい。前記第２下面２３２のＳｖｋ粗さは、約０．００２μｍ～約１．７μｍであってもよい。前記第２下面２３２のＳｖｋ粗さは、約０．００４μｍ～約１．５μｍであってもよい。前記第２下面２３２のＳｖｋ粗さは、約０．１μｍ～約１．５μｍであってもよい。前記第２下面２３２のＳｖｋ粗さは、約０．００１μｍ～約０．２μｍであってもよい。

【0272】

前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１は、Ｓｖｋ粗さを有していてもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｖｋ粗さは、前記第２上面２３１のＳｖｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｖｋ粗さは、前記第２下面２３２のＳｖｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｖｋ粗さは、約０．１５μｍ～約１．５μｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｖｋ粗さは、約０．２μｍ～約１．７μｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｖｋ粗さは、約０．５μｍ～約１．８μｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｖｋ粗さは、約０．４μｍ～約１．５μｍであってもよい。

【0273】

前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５は、Ｓｖｋ粗さを有していてもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｖｋ粗さは、前記第２上面２３１のＳｖｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｖｋ粗さは、前記第２下面２３２のＳｖｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｖｋ粗さは、約０．１５μｍ～約１．５μｍであってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｖｋ粗さは、約０．２μｍ～約１．７μｍであってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｖｋ粗さは、約０．５μｍ～約１．８μｍであってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｖｋ粗さは、約０．４μｍ～約１．５μｍであってもよい。

【0274】

前記第２上面２３１、前記第２下面２３２、前記第２傾斜面２３４または前記ガイド面２３５は、上記のような範囲でＳｖｋ粗さを有するため、前記表面における微細バレーに工程副産物が堆積することを防止することができる。

【0275】

前記第２上面２３１は、Ｓｖ粗さを有していてもよい。前記第２上面２３１のＳｖ粗さは、約－３μｍ～約－０．０１μｍであってもよい。前記第２上面２３１のＳｖ粗さは、約－２．５μｍ～約－０．０１μｍであってもよい。前記第２上面２３１のＳｖ粗さは、約－０．１μｍ～約－０．０１μｍであってもよい。前記第２上面２３１のＳｖ粗さは、約－２．５μｍ～約－１μｍであってもよい。前記第２上面２３１のＳｖ粗さは、約－３μｍ～約－０．７μｍであってもよい。

【0276】

前記第２下面２３２は、Ｓｖ粗さを有していてもよい。前記第２下面２３２のＳｖ粗さは、約－３μｍ～約－０．０１μｍであってもよい。前記第２下面２３２のＳｖ粗さは、約－２．５μｍ～約－０．０１μｍであってもよい。前記第２下面２３２のＳｖ粗さは、約－０．１μｍ～約－０．０１μｍであってもよい。前記第２下面２３２のＳｖ粗さは、約－２．５μｍ～約－１μｍであってもよい。前記第２下面２３２のＳｖ粗さは、約－３μｍ～約－０．７μｍであってもよい。

【0277】

前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１は、Ｓｖ粗さを有していてもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｖ粗さは、前記第２上面２３１のＳｖ粗さよりもさらに小さくてもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｖ粗さは、前記第２下面２３２のＳｖ粗さよりもさらに小さくてもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｖ粗さは、約－３μｍ～約－０．１μｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｖ粗さは、約－２．５μｍ～約－０．３μｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｖ粗さは、約－２．５μｍ～約－０．５μｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｖ粗さは、約－２．５μｍ～約－１μｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｖ粗さは、約－３μｍ～約－０．７μｍであってもよい。

【0278】

前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５は、Ｓｖ粗さを有していてもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｖ粗さは、前記第２上面２３１のＳｖ粗さよりもさらに小さくてもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｖ粗さは、前記第２下面２３２のＳｖ粗さよりもさらに小さくてもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｖ粗さは、約－３μｍ～約－０．１μｍであってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｖ粗さは、約－２．５μｍ～約－０．３μｍであってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｖ粗さは、約－２．５μｍ～約－０．５μｍであってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｖ粗さは、約－２．５μｍ～約－１μｍであってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｖ粗さは、約－３μｍ～約－０．７μｍであってもよい。

【0279】

前記第２上面２３１は、Ｓｚ粗さを有していてもよい。前記第２上面２３１のＳｚ粗さは、約０．０１μｍ～約６μｍであってもよい。前記第２上面２３１のＳｚ粗さは、約０．０２μｍ～約１μｍであってもよい。前記第２上面２３１のＳｚ粗さは、約１．５μｍ～約６μｍであってもよい。前記第２上面２３１のＳｚ粗さは、約１．５μｍ～約５μｍであってもよい。前記第２上面２３１のＳｚ粗さは、約０．０３μｍ～約０．７μｍであってもよい。

【0280】

前記第２下面２３２は、Ｓｚ粗さを有していてもよい。前記第２下面２３２のＳｚ粗さは、約０．０１μｍ～約６μｍであってもよい。前記第２下面２３２のＳｚ粗さは、約０．０２μｍ～約１μｍであってもよい。前記第２下面２３２のＳｚ粗さは、約１．５μｍ～約６μｍであってもよい。前記第２下面２３２のＳｚ粗さは、約１．５μｍ～約５μｍであってもよい。前記第２下面２３２のＳｚ粗さは、約０．０３μｍ～約０．７μｍであってもよい。

【0281】

前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１は、Ｓｚ粗さを有していてもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｚ粗さは、前記第２上面２３１のＳｚ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｚ粗さは、前記第２下面２３２のＳｚ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｚ粗さは、約１．５μｍ～約６μｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｚ粗さは、約１．５μｍ～約５μｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｚ粗さは、約０．０３μｍ～約０．７μｍであってもよい。

【0282】

前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５は、Ｓｚ粗さを有していてもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｚ粗さは、前記第２上面２３１のＳｚ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｚ粗さは、前記第２下面２３２のＳｚ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｚ粗さは、約１．５μｍ～約６μｍであってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｚ粗さは、約１．５μｍ～約５μｍであってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｚ粗さは、約０．０３μｍ～約０．７μｍであってもよい。

【0283】

前記第２上面２３１、前記第２下面２３２、前記第２傾斜面２３４または前記ガイド面２３５は、上記のような範囲でＳｚ粗さを有するため、前記プラズマの流れ性が向上し得る。これによって、前記第２上面２３１、前記第２下面２３２、前記第２傾斜面２３４または前記ガイド面２３５は、上記のような範囲でＳｚ粗さを有するため、前記表面における工程副産物が堆積することを防止することができる。これによって、前記フォーカスリング２３０は、ディフェクトを抑制することができる。

【0284】

前記第２上面２３１は、Ｓｐ粗さを有していてもよい。前記第２上面２３１のＳｐ粗さは、約０．０１μｍ～約４μｍであってもよい。前記第２上面２３１のＳｐ粗さは、約０．０２μｍ～約３．５μｍであってもよい。前記第２上面２３１のＳｐ粗さは、約０．８μｍ～約３μｍであってもよい。前記第２上面２３１のＳｐ粗さは、約１μｍ～約３μｍであってもよい。前記第２上面２３１のＳｐ粗さは、約０．０１μｍ～約０．７μｍであってもよい。

【0285】

前記第２下面２３２は、Ｓｐ粗さを有していてもよい。前記第２下面２３２のＳｐ粗さは、約０．０１μｍ～約４μｍであってもよい。前記第２下面２３２のＳｐ粗さは、約０．０２μｍ～約３．５μｍであってもよい。前記第２下面２３２のＳｐ粗さは、約０．８μｍ～約３μｍであってもよい。前記第２下面２３２のＳｐ粗さは、約１μｍ～約３μｍであってもよい。前記第２下面２３２のＳｐ粗さは、約０．０１μｍ～約０．７μｍであってもよい。

【0286】

前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１は、Ｓｐ粗さを有していてもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｐ粗さは、前記第２上面２３１のＳｐ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｐ粗さは、前記第２下面２３２のＳｐ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｐ粗さは、約０．０２μｍ～約３．５μｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｐ粗さは、約０．８μｍ～約３μｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｐ粗さは、約１μｍ～約３μｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｐ粗さは、約１μｍ～約４μｍであってもよい。

【0287】

前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５は、Ｓｐ粗さを有していてもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｐ粗さは、前記第２上面２３１のＳｐ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｐ粗さは、前記第２下面２３２のＳｐ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｐ粗さは、約０．０２μｍ～約３．５μｍであってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｐ粗さは、約０．８μｍ～約３μｍであってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｐ粗さは、約１μｍ～約３μｍであってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｐ粗さは、約１μｍ～約４μｍであってもよい。

【0288】

前記Ｓｋ粗さ、前記Ｓｐｋ粗さ、前記Ｓｖｋ粗さ、前記Ｓｖ粗さ、前記Ｓｚ粗さ、及び前記Ｓｐ粗さは、非接触式三次元粗さ測定機によって測定することができる。前記Ｓｋ粗さ、前記Ｓｐｋ粗さ、前記Ｓｖｋ粗さ、前記Ｓｖ粗さ、前記Ｓｚ粗さ、及び前記Ｓｐ粗さは、ＩＳＯ ２５１７８－２によって導出することができる。前記Ｓｋ粗さ、前記Ｓｐｋ粗さ、前記Ｓｖｋ粗さ、前記Ｓｖ粗さ、前記Ｓｚ粗さ、及び前記Ｓｐ粗さは、５ポイント～１０ポイントで測定され、最小測定値及び最大測定値を除く他の測定値の平均に導出することができる。

【0289】

また、前記Ｓｋ粗さ、前記Ｓｐｋ粗さ、及び前記Ｓｖｋ粗さは、三次元粗さ測定機によって得られる前記フォーカスリング２３０の表面におけるベアリング面積曲線から導出することができる。前記ベアリング面積曲線は、表面粗さ測定機によって単位面積に対して測定された高さによる累積データをプロット（ｐｌｏｔ）したグラフであってもよい。このとき、前記Ｓｋ粗さは、前記累積データプロットにおいて、中心表面（ｃｏｒｅ ｓｕｒｆａｃｅ）における高さの幅を意味する。また、前記Ｓｐｋ粗さは、前記中心表面上へのピークの平均高さを意味し、前記Ｓｖｋ粗さは、前記中心表面の下へのバレーの平均深さを意味する。

【0290】

前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面は、減殺ピークバレー（ｒｅｄｕｃｅｄ ｐｅａｋ ｖａｌｌｅｙ ｈｅｉｇｈｔ，Ｓｐｖｋ）粗さを有していてもよい。

【0291】

前記第２上面２３１は、Ｓｐｖｋ粗さを有していてもよい。前記第２上面２３１のＳｐｖｋ粗さは、約０．００５μｍ～約２μｍであってもよい。前記第２上面２３１のＳｐｖｋ粗さは、約０．００７μｍ～約２μｍであってもよい。前記第２上面２３１のＳｐｖｋ粗さは、約０．００５μｍ～約０．１μｍであってもよい。前記第２上面２３１のＳｐｖｋ粗さは、約０．５μｍ～約２μｍであってもよい。前記第２上面２３１のＳｐｖｋ粗さは、約０．７μｍ～約１．７μｍであってもよい。

【0292】

前記第２下面２３２は、Ｓｐｖｋ粗さを有していてもよい。前記第２下面２３２のＳｐｖｋ粗さは、約０．００５μｍ～約２μｍであってもよい。前記第２下面２３２のＳｐｖｋ粗さは、約０．００７μｍ～約２μｍであってもよい。前記第２下面２３２のＳｐｖｋ粗さは、約０．００５μｍ～約０．１μｍであってもよい。前記第２下面２３２のＳｐｖｋ粗さは、約０．５μｍ～約２μｍであってもよい。前記第２下面２３２のＳｐｖｋ粗さは、約０．７μｍ～約１．７μｍであってもよい。

【0293】

前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１は、Ｓｐｖｋ粗さを有していてもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｐｖｋ粗さは、前記第２上面２３１のＳｐｖｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｐｖｋ粗さは、前記第２下面２３２のＳｐｖｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｐｖｋ粗さは、約０．５μｍ～約２μｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｐｖｋ粗さは、約０．７μｍ～約１．７μｍであってもよい。

【0294】

前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５は、Ｓｐｖｋ粗さを有していてもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｐｖｋ粗さは、前記第２上面２３１のＳｐｖｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｐｖｋ粗さは、前記第２下面２３２のＳｐｖｋ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｐｖｋ粗さは、約０．００７μｍ～約２μｍであってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｐｖｋ粗さは、約０．００５μｍ～約０．１μｍであってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｐｖｋ粗さは、約０．５μｍ～約２μｍであってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｐｖｋ粗さは、約０．７μｍ～約１．７μｍであってもよい。

【0295】

前記Ｓｐｖｋ粗さは、微細凹凸（微細山及び微細バレー）の形状と大きさに関する粗さであってもよい。前記第２上面２３１、前記第２下面２３２、前記第２傾斜面２３４または前記ガイド面２３５は、上記のような範囲でＳｐｖｋ粗さを有するため、前記表面における微細凹凸は、適宜な形状及び大きさを有していてもよい。これによって、前記第２上面２３１、前記第２下面２３２、前記第２傾斜面２３４または前記ガイド面２３５は、上記のような範囲でＳｐｖｋ粗さを有するため、前記表面における微細凹凸に工程副産物が堆積するか、ディフェクトを引き起こす破片が引き起こされることを防止することができる。また、前記第２上面２３１、前記第２下面２３２、前記第２傾斜面２３４または前記ガイド面２３５は、上記のような範囲でＳｐｖｋ粗さを有するため、前記表面における前記プラズマの流れ性が向上し得る。

【0296】

前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面は、減殺ピークバレーの比率（ｒｅｄｕｃｅｄ ｐｅａｋ ｖａｌｌｅｙ ｈｅｉｇｈｔ，Ｒｐｖｋ）を有していてもよい。

【0297】

前記第２上面２３１は、Ｒｐｖｋを有していてもよい。前記第２上面２３１のＲｐｖｋは、約０．５～約４であってもよい。前記第２上面２３１のＲｐｖｋは、約０．５～約１．３であってもよい。前記第２上面２３１のＲｐｖｋは、約０．５～約１であってもよい。前記第２上面２３１のＲｐｖｋは、約０．６～約１．２であってもよい。前記第２上面２３１のＲｐｖｋは、約０．５～約１．１であってもよい。

【0298】

前記第２下面２３２は、Ｒｐｖｋを有していてもよい。前記第２下面２３２のＲｐｖｋは、約０．５～約４であってもよい。前記第２下面２３２のＲｐｖｋは、約０．５～約１．３であってもよい。前記第２下面２３２のＲｐｖｋは、約０．５～約１であってもよい。前記第２下面２３２のＲｐｖｋは、約０．６～約１．２であってもよい。前記第２下面２３２のＲｐｖｋは、約０．５～約１．１であってもよい。

【0299】

前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１は、Ｒｐｖｋを有していてもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＲｐｖｋは、約０．５～約４であってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＲｐｖｋは、約０．５～約１．３であってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＲｐｖｋは、約０．５～約１であってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＲｐｖｋは、約０．６～約１．２であってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＲｐｖｋは、約０．５～約１．１であってもよい。

【0300】

前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５は、Ｒｐｖｋを有していてもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＲｐｖｋは、約０．５～約４であってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＲｐｖｋは、約０．５～約１．３であってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＲｐｖｋは、約０．５～約１であってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＲｐｖｋは、約０．６～約１．２であってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＲｐｖｋは、約０．５～約１．１であってもよい。

【0301】

前記Ｒｐｖｋは、微細凹凸の中間部分に対して、微細山及び微細バレーの比率であってもよい。前記第２上面２３１、前記第２下面２３２、前記第２傾斜面２３４または前記ガイド面２３５は、上記のような範囲でＲｐｖｋを有するため、前記表面における微細凹凸は、適宜な形状を有していてもよい。これによって、前記第２上面２３１、前記第２下面２３２、前記第２傾斜面２３４または前記ガイド面２３５は、上記のような範囲でＲｐｖｋを有するため、前記表面における微細凹凸に工程副産物が堆積するか、ディフェクトを引き起こす破片が引き起こされることを防止することができる。また、前記第２上面２３１、前記第２下面２３２、前記第２傾斜面２３４または前記ガイド面２３５は、上記のような範囲でＲｐｖｋを有するため、前記表面における前記プラズマの流れ性が向上し得る。

【0302】

前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面は、全体ピークバレー（ｔｏｔａｌ ｐｅａｋ ｖａｌｌｅｙ，Ｓｐｖ）粗さを有していてもよい。

【0303】

前記第２上面２３１は、前記Ｓｐｖ粗さを有していてもよい。前記第２上面２３１のＳｐｖ粗さは、約０．０１μｍ～約６μｍであってもよい。前記第２上面２３１のＳｐｖ粗さは、約０．０２μｍ～約５．５μｍであってもよい。前記第２上面２３１のＳｐｖ粗さは、約０．０１μｍ～約１μｍであってもよい。前記第２上面２３１のＳｐｖ粗さは、約１μｍ～約６μｍであってもよい。前記第２上面２３１のＳｐｖ粗さは、約１．５μｍ～約５μｍであってもよい。

【0304】

前記第２下面２３２は、前記Ｓｐｖ粗さを有していてもよい。前記第２下面２３２のＳｐｖ粗さは、約０．０１μｍ～約６μｍであってもよい。前記第２下面２３２のＳｐｖ粗さは、約０．０２μｍ～約５．５μｍであってもよい。前記第２下面２３２のＳｐｖ粗さは、約０．０１μｍ～約１μｍであってもよい。前記第２下面２３２のＳｐｖ粗さは、約１μｍ～約６μｍであってもよい。前記第２下面２３２のＳｐｖ粗さは、約１．５μｍ～約５μｍであってもよい。

【0305】

前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１は、Ｓｐｖ粗さを有していてもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｐｖ粗さは、前記第２上面２３１のＳｐｖ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｐｖ粗さは、前記第２下面２３２のＳｐｖ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｐｖ粗さは、約０．０２μｍ～約５．５μｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｐｖ粗さは、約１μｍ～約６μｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１のＳｐｖ粗さは、約１．５μｍ～約５μｍであってもよい。

【0306】

前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５は、Ｓｐｖ粗さを有していてもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｐｖ粗さは、前記第２上面２３１のＳｐｖ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｐｖ粗さは、前記第２下面２３２のＳｐｖ粗さよりもさらに大きくてもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｐｖｋ粗さは、約０．００７μｍ～約２μｍであってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｐｖ粗さは、約０．０２μｍ～約５．５μｍであってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｐｖ粗さは、約１μｍ～約６μｍであってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５のＳｐｖ粗さは、約１．５μｍ～約５μｍであってもよい。

【0307】

前記Ｓｐｖ粗さは、微細山から微細バレーまで微細凹凸の全体大きさを示す粗さであってもよい。前記第２上面２３１、前記第２下面２３２、前記第２傾斜面２３４または前記ガイド面２３５は、上記のような範囲でＳｐｖ粗さを有するため、前記表面における微細凹凸は、適宜な形状を有していてもよい。これによって、前記第２上面２３１、前記第２下面２３２、前記第２傾斜面２３４または前記ガイド面２３５は、上記のような範囲でＳｐｖ粗さを有するため、前記表面における微細凹凸に工程副産物が堆積するか、ディフェクトを引き起こす破片が引き起こされることを防止することができる。また、前記第２上面２３１、前記第２下面２３２、前記第２傾斜面２３４または前記ガイド面２３５は、上記のような範囲でＳｐｖ粗さを有するため、前記表面における前記プラズマの流れ性が向上し得る。

【0308】

前記フォーカスリング２３０の個々の面のうち９０％超は、上記のような範囲で前記Ｓｋ粗さ、前記Ｓｐｋ粗さ、前記Ｓｖｋ粗さ、前記Ｓｖ粗さ、前記Ｓｚ粗さ、前記Ｓｐ粗さ、前記Ｓｐｖｋ粗さ、前記Ｓｐｖ粗さ、及び／又は前記Ｒｐｖｋを有していてもよい。

【0309】

前記フォーカスリング２３０は、上記のような範囲で前記Ｓｋ粗さ、前記Ｓｐｋ粗さ、前記Ｓｖｋ粗さ、前記Ｓｖ粗さ、前記Ｓｚ粗さ、前記Ｓｐ粗さ、前記Ｓｐｖｋ粗さ、前記Ｓｐｖ粗さ、及び／又は前記Ｒｐｖｋを有するため、効果的にプラズマを発生させて制御することができる。

【0310】

また、前記フォーカスリング２３０は、上記のような範囲で前記Ｓｋ粗さ、前記Ｓｐｋ粗さ、前記Ｓｖｋ粗さ、前記Ｓｖ粗さ、前記Ｓｚ粗さ、前記Ｓｐ粗さ、前記Ｓｐｖｋ粗さ、前記Ｓｐｖ粗さ、及び／又は前記Ｒｐｖｋを有するため、ディフェクトを引き起こす粒子の生成を防止することができる。

【0311】

また、前記フォーカスリング２３０は、上記のような範囲で前記Ｓｋ粗さ、前記Ｓｐｋ粗さ、前記Ｓｖｋ粗さ、前記Ｓｖ粗さ、前記Ｓｚ粗さ、前記Ｓｐ粗さ、前記Ｓｐｖｋ粗さ、前記Ｓｐｖ粗さ、及び／又は前記Ｒｐｖｋを有するため、浸食を抑制し、向上した耐久性を有することができる。

【0312】

前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面は、水に対する第１接触角を有していてもよい。

【0313】

前記第２上面２３１における前記第１接触角は、約４５゜～約７４゜であってもよい。前記第２上面２３１における前記第１接触角は、約４７゜～約７３゜であってもよい。前記第２上面２３１における前記第１接触角は、約６０゜～約７４゜であってもよい。前記第２上面２３１における前記第１接触角は、約４５゜～約６０゜であってもよい。

【0314】

前記第２下面２３２における前記第１接触角は、約４５゜～約７４゜であってもよい。前記第２下面２３２における前記第１接触角は、約４７゜～約７３゜であってもよい。前記第２下面２３２における前記第１接触角は、約６０゜～約７４゜であってもよい。前記第２下面２３２における前記第１接触角は、約４５゜～約６０゜であってもよい。

【0315】

前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１における第１接触角は、前記第２上面２３１における第１接触角よりもさらに小さくてもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１における前記第１接触角は、前記第２下面２３２における第１接触角よりもさらに小さくてもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１における前記第１接触角は、約４５゜～約７３゜であってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１における前記第１接触角は、約４５゜～約７０゜であってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１における前記第１接触角は、約５５゜～約６５゜であってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１における前記第１接触角は、約４５゜～約６０゜であってもよい。

【0316】

前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５における第１接触角は、前記第２上面２３１における第１接触角よりもさらに小さくてもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５における前記第１接触角は、前記第２下面２３２における第１接触角よりもさらに小さくてもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５における前記第１接触角は、約４５゜～約７３゜であってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５における前記第１接触角は、約４５゜～約７０゜であってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５における前記第１接触角は、約５５゜～約６５゜であってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５における前記第１接触角は、約４５゜～約６０゜であってもよい。

【0317】

前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面は、ジヨードメタンに対する第２接触角を有していてもよい。

【0318】

前記第２上面２３１における前記第２接触角は、約４１゜～約５７゜であってもよい。前記第２上面２３１における前記第２接触角は、約４２゜～約５５゜であってもよい。前記第２上面２３１における前記第２接触角は、約４５゜～約５５゜であってもよい。前記第２上面２３１における前記第２接触角は、約４０゜～約５０゜であってもよい。

【0319】

前記第２下面２３２における前記第２接触角は、約４１゜～約５７゜であってもよい。前記第２下面２３２における前記第２接触角は、約４２゜～約５５゜であってもよい。前記第２下面２３２における前記第２接触角は、約４５゜～約５５゜であってもよい。前記第２下面２３２における前記第２接触角は、約４０゜～約５０゜であってもよい。

【0320】

前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１における前記第２接触角は、約４１゜～約５７゜であってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１における前記第２接触角は、約４２゜～約５５゜であってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１における前記第２接触角は、約４５゜～約５５゜であってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１における前記第２接触角は、約４０゜～約５０゜であってもよい。

【0321】

前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５における前記第２接触角は、約４１゜～約５７゜であってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５における前記第２接触角は、約４２゜～約５５゜であってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５における前記第２接触角は、約４５゜～約５５゜であってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５における前記第２接触角は、約４０゜～約５０゜であってもよい。

【0322】

前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面は、表面自由エネルギー（ｓｕｒｆａｃｅ ｆｒｅｅ ｅｎｅｒｇｙ）を有していてもよい。

【0323】

前記第２上面２３１における前記表面自由エネルギーは、約４０ｍＮ／ｍ～約６５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２上面２３１における前記表面自由エネルギーは、約３５ｍＮ／ｍ～約６５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２上面２３１における前記表面自由エネルギーは、約４０ｍＮ／ｍ～約５５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２上面２３１における前記表面自由エネルギーは、約５０ｍＮ／ｍ～約６５ｍＮ／ｍであってもよい。

【0324】

前記第２下面２３２における前記表面自由エネルギーは、約４０ｍＮ／ｍ～約６５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２下面２３２における前記表面自由エネルギーは、約３５ｍＮ／ｍ～約６５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２下面２３２における前記表面自由エネルギーは、約４０ｍＮ／ｍ～約５５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２下面２３２における前記表面自由エネルギーは、約５０ｍＮ／ｍ～約６５ｍＮ／ｍであってもよい。

【0325】

前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１における表面自由エネルギーは、前記第２上面２３１における表面自由エネルギーよりもさらに大きくてもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１における表面自由エネルギーは、前記第２下面２３２における表面自由エネルギーよりもさらに大きくてもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１における前記表面自由エネルギーは、約４２ｍＮ／ｍ～約６５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１における前記表面自由エネルギーは、約４０ｍＮ／ｍ～約６５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１における前記表面自由エネルギーは、約４７ｍＮ／ｍ～約６５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１における前記表面自由エネルギーは、約５０ｍＮ／ｍ～約６５ｍＮ／ｍであってもよい。

【0326】

前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５における表面自由エネルギーは、前記第２上面２３１における表面自由エネルギーよりもさらに大きくてもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５における表面自由エネルギーは、前記第２下面２３２における表面自由エネルギーよりもさらに大きくてもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５における前記表面自由エネルギーは、約４２ｍＮ／ｍ～約６５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５における前記表面自由エネルギーは、約４７ｍＮ／ｍ～約６５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５における前記表面自由エネルギーは、約５０ｍＮ／ｍ～約６５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５における前記表面自由エネルギーは、約４０ｍＮ／ｍ～約６５ｍＮ／ｍであってもよい。

【0327】

前記フォーカスリング２３０の少なくとも一表面は、分散自由エネルギーを有していてもよい。

【0328】

前記第２上面２３１における前記分散自由エネルギーは、約３０ｍＮ／ｍ～約４５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２上面２３１における前記分散自由エネルギーは、約３０ｍＮ／ｍ～約４０ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２上面２３１における前記分散自由エネルギーは、約２５ｍＮ／ｍ～約４０ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２上面２３１における前記分散自由エネルギーは、約３０ｍＮ／ｍ～約３７ｍＮ／ｍであってもよい。

【0329】

前記第２下面２３２における前記分散自由エネルギーは、約３０ｍＮ／ｍ～約４５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２下面２３２における前記分散自由エネルギーは、約３０ｍＮ／ｍ～約４０ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２下面２３２における前記分散自由エネルギーは、約２５ｍＮ／ｍ～約４０ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２下面２３２における前記分散自由エネルギーは、約３０ｍＮ／ｍ～約３７ｍＮ／ｍであってもよい。

【0330】

前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１における前記分散自由エネルギーは、約３０ｍＮ／ｍ～約４５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１における前記分散自由エネルギーは、約３０ｍＮ／ｍ～約４０ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１における前記分散自由エネルギーは、約２５ｍＮ／ｍ～約４０ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１における前記分散自由エネルギーは、約３０ｍＮ／ｍ～約３７ｍＮ／ｍであってもよい。

【0331】

前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５における前記分散自由エネルギーは、約３０ｍＮ／ｍ～約４５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５における前記分散自由エネルギーは、約３０ｍＮ／ｍ～約４０ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５における前記分散自由エネルギーは、約２５ｍＮ／ｍ～約４０ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５における前記分散自由エネルギーは、約３０ｍＮ／ｍ～約３７ｍＮ／ｍであってもよい。

【0332】

前記フォーカスリング２３０の一表面は、極性自由エネルギーを有していてもよい。

【0333】

前記第２上面２３１における前記極性自由エネルギーは、約５ｍＮ／ｍ～約２５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２上面２３１における前記極性自由エネルギーは、約７ｍＮ／ｍ～約２１ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２上面２３１における前記極性自由エネルギーは、約５ｍＮ／ｍ～約１５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２上面２３１における前記極性自由エネルギーは、約１０ｍＮ／ｍ～約２２ｍＮ／ｍであってもよい。

【0334】

前記第２下面２３２における前記極性自由エネルギーは、約５ｍＮ／ｍ～約２５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２下面２３２における前記極性自由エネルギーは、約７ｍＮ／ｍ～約２１ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２下面２３２における前記極性自由エネルギーは、約５ｍＮ／ｍ～約１５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２下面２３２における前記極性自由エネルギーは、約１０ｍＮ／ｍ～約２２ｍＮ／ｍであってもよい。

【0335】

前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１における前記極性自由エネルギーは、約５ｍＮ／ｍ～約２５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１における前記極性自由エネルギーは、約７ｍＮ／ｍ～約２１ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１における前記極性自由エネルギーは、約５ｍＮ／ｍ～約１５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２側面２３３及び／又は第３側面２４１における前記極性自由エネルギーは、約１０ｍＮ／ｍ～約２２ｍＮ／ｍであってもよい。

【0336】

前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５における前記極性自由エネルギーは、約５ｍＮ／ｍ～約２５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５における前記極性自由エネルギーは、約７ｍＮ／ｍ～約２１ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５における前記極性自由エネルギーは、約５ｍＮ／ｍ～約１５ｍＮ／ｍであってもよい。前記第２傾斜面２３４及び／又はガイド面２３５における前記極性自由エネルギーは、約１０ｍＮ／ｍ～約２２ｍＮ／ｍであってもよい。

【0337】

前記フォーカスリング２３０の個々の面のうち９０％超は、上記のような範囲で前記第１接触角、前記第２接触角、前記表面自由エネルギー、前記分散自由エネルギー、及び／又は前記極性自由エネルギーを有していてもよい。

【0338】

前記フォーカスリング２３０は、上記のような範囲で前記第１接触角、前記第２接触角、前記表面自由エネルギー、前記分散自由エネルギー、及び／又は前記極性自由エネルギーを有するため、効果的にプラズマを発生させて制御することができる。

【0339】

また、前記フォーカスリング２３０は、上記のような範囲で前記第１接触角、前記第２接触角、前記表面自由エネルギー、前記分散自由エネルギー、及び／又は前記極性自由エネルギーを有するため、ディフェクトを引き起こす粒子の生成を防止することができる。また、前記フォーカスリング２３０は、上記のような範囲で前記第１接触角、前記第２接触角、前記表面自由エネルギー、前記分散自由エネルギー、及び／又は前記極性自由エネルギーを有するため、浸食を抑制し、向上した耐久性を有することができる。

【0340】

実施例による上部電極２２０及びフォーカスリング２３０は、下記の過程によって製造することができる。

【0341】

先ず、前記上部電極２２０及びフォーカスリング２３０を製造するための原料を準備する。

【0342】

前記原料は、シリコンであってもよい。前記シリコンは、高い純度を有していてもよい。前記シリコンは、約９９．９９９９９９％を超える純度を有していてもよい。

【0343】

前記原料は、ドーパントを含んでいてもよい。前記ドーパントは、窒素またはリンなどのようなｎ型ドーパント、あるいはホウ素またはアルミニウムなどのようなｐ型ドーパントを含んでいてもよい。

【0344】

前記原料からインゴットを製造することができる。すなわち、実施例による電極及びフォーカスリング２３０を製造するために、シリコン単結晶インゴットを製造することができる。

【0345】

実施例によるシリコン単結晶インゴットの製造装置は、チャンバ、ルツボ、ヒーター、引上手段などを含んでいてもよい。例えば、実施例による単結晶成長装置は、前記チャンバと、前記チャンバの内部に具備されて、シリコン融液を収容するルツボと、前記チャンバの内部に具備されて、前記ルツボを加熱するヒーターと、種子結晶が一端に結合した引上手段と、を含んでいてもよい。

【0346】

前記チャンバは、前記半導体素子を製造するため部品を生産するためのシリコン単結晶インゴット（Ｉｎｇｏｔ）を成長させるために、所定の工程が行われる空間を提供することができる。

【0347】

前記チャンバの内壁には、ヒーターの熱が前記チャンバの側壁部に放出できないように、輻射断熱体を設置することができる。

【0348】

シリコン単結晶が成長するときの酸素濃度を制御するために、石英ルツボの回転の内部圧力条件など、様々な因子を調節することができる。例えば、実施例は、酸素濃度を制御するために、シリコン単結晶の成長装置のチャンバの内部にアルゴンガスなどを注入して、下部に排出することができる。

【0349】

前記ルツボは、シリコン融液を浸すことができるように、前記チャンバの内部に具備されて、石英材質からなっていてもよい。前記ルツボの外部には、ルツボを支持できるように黒鉛からなるルツボ支持台を具備することができる。前記ルツボ支持台は、回転軸上に固定設置され、この回転軸は、駆動手段によって回転されて、ルツボを回転及び昇降運動させつつ、高－液界面が同じ高さを維持できるようにすることができる。

【0350】

前記ヒーターは、前記ルツボを加熱するように、前記チャンバの内部に具備することができる。例えば、前記ヒーターは、前記ルツボ支持台を囲む円筒状からなっていてもよい。前記ヒーターは、前記ルツボ内に積載した高純度の多結晶シリコン塊を溶融して、シリコン融液を形成することができる。

【0351】

前記シリコン単結晶インゴットは、チョクラルスキー（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋ：ＣＺ）法によって形成することができる。前記チョクラルスキー（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋ：ＣＺ）法は、単結晶である種子結晶（ｓｅｅｄ ｃｒｙｓｔａｌ）をシリコン融液に浸した後、ゆっくり引き上げながら結晶を成長させる方法である。

【0352】

前記シリコン単結晶インゴットは、約３ｍｍ～約２５ｍｍの厚さでスライスすることができる。前記スライス工程は、ワイヤソーによって行うことができる。前記ワイヤソーは、ワイヤ及び前記ワイヤの周辺に接合したダイヤモンド粒子を含んでいてもよい。

【0353】

これによって、前記スライス工程によってシリコン単結晶プレートが製造される。

【0354】

その後、前記シリコン単結晶プレートは、面取り工程を経る。すなわち、前記シリコン単結晶プレートの角が研削される。これによって、前記単結晶プレートの上面から延び、前記第１上面２２１に対して傾く第１面取り面と、前記単結晶プレートの下面から延び、前記第１下面２２２に対して傾く第２面取り面と、を形成することができる。

【0355】

前記面取り工程は、ハンドグラインダで行うことができる。

【0356】

前記シリコン単結晶プレートは、研削工程を経ることができる。

【0357】

前記シリコン単結晶プレートは、上定盤と下定盤との間に配置されて、前記シリコン単結晶プレートが、前記上定盤及び前記下定盤と相対運動し、前記シリコン単結晶プレートは、研削し得る。

【0358】

前記シリコン単結晶プレートの外周面を加工することができる。前記外周面加工は、第２グラインダによって行うことができる。

【0359】

前記外周面加工工程を経たシリコン単結晶プレートは、形状加工することができる。前記シリコン単結晶プレートは、第３グラインダによって形状加工することができる。

【0360】

前記第３グラインダによって、前記フォーカスリング２３０及び／又は前記上部電極２２０の大略的な外形を形成することができる。前記第３グラインダによって、切削されて、中央部分にオープン領域を形成することができる。また、前記第３グラインダによって、前記傾斜部２３８及び前記ガイド部２３９の大略的な外形を形成することができる。

【0361】

前記第３グラインダヘッドの回転数は、約１５００ｒｐｍ～約８０００ｒｐｍであってもよい。前記第３グラインダヘッドの回転数は、約１７００ｒｐｍ～約７５００ｒｐｍであってもよい。前記第３グラインダヘッドの回転数は、約１０００ｒｐｍ～約６５００ｒｐｍであってもよい。

【0362】

前記第３グラインダヘッドは、約１００メッシュ～約２０００メッシュを有していてもよい。前記第３グラインダヘッドは、約５００メッシュ～約２０００メッシュを有していてもよい。前記第３グラインダヘッドは、約１０００メッシュ～約２０００メッシュを有していてもよい。

【0363】

前記形状加工工程において、フィードは、約１ｍｍ／分～約１５ｍｍ／分であってもよい。前記形状加工工程において、フィードは、約２ｍｍ／分～約１０ｍｍ／分であってもよい。前記形状加工工程において、フィードは、約３ｍｍ／分～約８ｍｍ／分であってもよい。

【0364】

前記形状加工によって、前記段差部、前記第１傾斜面２２４、及び前記第２傾斜面２３４を形成することができる。また、前記形状加工によって、他の部品と締結するための締結溝を形成することができる。前記形状加工によって、前記フォーカスリング２３０に前記半導体基板３０が安着するためのオープン領域を形成することができる。また、前記形状加工によって、前記フォーカスリング２３０に前記傾斜部２３８及び前記ガイド部２３９を形成することができる。

【0365】

前記シリコン単結晶プレートに貫通孔２２６を形成することができる。

【0366】

前記貫通孔２２６は、ドリルによって形成することができる。

【0367】

前記貫通孔２２６は、放電加工によって形成することができる。

【0368】

前記形状加工工程及び／又は前記貫通孔２２６の形成工程によって、未加工フォーカスリング及び／又は未加工上部電極を形成することができる。

【0369】

前記未加工フォーカスリング及び／又は前記未加工上部電極は、ラッピング工程を経ることができる。

【0370】

前記未加工フォーカスリング及び／又は前記未加工上部電極は、上定盤と下定盤との間に配置されて、前記未加工フォーカスリング及び／又は前記未加工上部電極が、前記上定盤及び前記下定盤と相対運動し、前記未加工フォーカスリング及び／又は前記未加工上部電極は、ラッピングされ得る。

【0371】

前記未加工フォーカスリング及び／又は前記未加工上部電極は、前記上定盤及び／又は前記下定盤に対して、約５ｒｐｍ～約２５ｒｐｍの速度で相対回転することができる。

【0372】

前記ラッピング工程において、前記上定盤及び前記下定盤は、約８００メッシュ～約１８００メッシュを有していてもよい。

【0373】

前記ラッピング工程において、前記上定盤及び前記下定盤の圧力は、約６０ｐｓｉ～約２００ｐｓｉであってもよい。

【0374】

前記研削工程を経たシリコン単結晶プレートにおいて、研削した上面及び下面のＲａ粗さは、約０．１μｍ～約０．２μｍであってもよい。

【0375】

前記未加工フォーカスリング及び前記未加工上部電極は、湿式エッチング工程によって表面加工することができる。

【0376】

前記湿式エッチング工程のためエッチング液は、前記未加工フォーカスリング及び前記未加工上部電極の表面をエッチングすることができる。前記エッチング液は、脱イオン水及び酸を含んでいてもよい。前記エッチング液は、硫酸または不酸などのような酸を含んでいてもよい。前記エッチング液は、フッ化水素アンモニウム、硫酸アンモニウム、及びスルファミン酸ンモニウムからなる塩のうち少なくとも１つ以上を含んでいてもよい。

【0377】

前記エッチング液は、全体重量を基準に、約２０ｗｔ％～約５０ｗｔ％の含量で脱イオン水を含んでいてもよい。

【0378】

前記エッチング液は、前記脱イオン水１００重量部を基準に、約７０重量部～約２００重量部の含量で前記酸を含んでいてもよい。前記エッチング液は、前記脱イオン水１００重量部を基準に、前記酸を約９０重量部～約１５０重量部の含量で含んでいてもよい。

【0379】

前記エッチング液は、前記脱イオン水１００重量部を基準に、約１５重量部～約４５重量部の含量で前記フッ化水素アンモニウムを含んでいてもよい。前記エッチング液は、前記脱イオン水１００重量部を基準に、約１７重量部～約３０重量部の含量で前記フッ化水素アンモニウムを含んでいてもよい。

【0380】

前記エッチング液は、前記脱イオン水１００重量部を基準に、約１５重量部～約４５重量部の含量で前記硫酸アンモニウムを含んでいてもよい。前記エッチング液は、前記脱イオン水１００重量部を基準に、約１７重量部～約３０重量部の含量で前記硫酸アンモニウムを含んでいてもよい。

【0381】

前記エッチング液は、前記脱イオン水１００重量部を基準に、約５重量部～約２０重量部の含量で前記スルファミン酸ンモニウムを含んでいてもよい。前記エッチング液は、前記脱イオン水１００重量部を基準に、約５重量部～約１５重量部の含量で前記スルファミン酸ンモニウムを含んでいてもよい。

【0382】

前記未加工フォーカスリング及び／又は前記未加工上部電極が、前記エッチング液に浸漬して、前記エッチング工程を行うことができる。前記浸漬時間は、約１０分～約１００分であってもよい。前記浸漬時間は、約５分～約２０分であってもよい。前記浸漬時間は、約１０分～約３０分であってもよい。

【0383】

前記エッチング工程は、前記組成のエッチング液及び上記範囲の浸漬時間を有するため、前記未加工フォーカスリング及び前記未加工上部電極の表面は、適宜にエッチングすることができる。これによって、実施例によるフォーカスリング２３０及び実施例による上部電極２２０は、適宜な表面特性を有していてもよい。

【0384】

前記未加工フォーカスリング及び／又は前記未加工上部電極は、研磨工程によって表面処理することができる。

【0385】

前記研磨工程に研磨パッドを使用することができる。前記研磨パッドのショアＣ硬度は、約５０～約９０であってもよい。前記研磨パッドは、スエード型または不織布型のパッドであってもよい。

【0386】

前記研磨工程において、研磨スラリーを使用することができる。前記研磨スラリーは、脱イオン水及びコロイダルシリカを含んでいてもよい。

【0387】

前記研磨スラリーは、全体重量を基準に、約２０ｗｔ％～約５０ｗｔ％の含量で前記コロイダルシリカを含んでいてもよい。前記研磨スラリーは、全体重量を基準に、約３０ｗｔ％～約４５ｗｔ％の含量で前記コロイダルシリカを含んでいてもよい。

【0388】

前記コロイダルシリカの平均粒径は、約２０ｎｍ～約１００ｎｍであってもよい。前記コロイダルシリカの平均粒径は、約５０ｎｍ～約１００ｎｍであってもよい。前記コロイダルシリカの平均粒径は、約６０ｎｍ～約８５ｎｍであってもよい。

【0389】

前記研磨スラリーのｐＨは、約８．５～約１１であってもよい。前記研磨スラリーのｐＨは、約９．０～約１０．５であってもよい。

【0390】

前記研磨工程において、研磨圧力は、約２００ｐｓｉ～約３５０ｐｓｉであってもよい。

【0391】

また、前記研磨工程において、定盤回転数は、約６ｒｐｍ～約１５ｒｐｍであってもよい。

【0392】

また、前記研磨工程時間は、約６０分～約７５分であってもよい。

【0393】

前記研磨工程を経たフォーカスリング及び上部電極は、洗浄液によって洗浄される。

【0394】

前記洗浄液は、脱イオン水、過酸化水素、及びアンモニアを含んでいてもよい。

【0395】

前記洗浄液は、全体重量を基準に、約９０ｗｔ％～約９７ｗｔ％の含量で前記脱イオン水を含んでいてもよい。

【0396】

前記洗浄液は、前記脱イオン水１００重量部を基準に、約１重量部～約１０重量部の含量で前記過酸化水素を含んでいてもよい。前記洗浄液は、前記脱イオン水１００重量部を基準に、約１重量部～約７重量部の含量で前記過酸化水素を含んでいてもよい。

【0397】

前記洗浄液は、前記脱イオン水１００重量部を基準に、約１重量部～約８重量部の含量でアンモニアを含んでいてもよい。前記洗浄液は、前記脱イオン水１００重量部を基準に、約１重量部～約５重量部の含量でアンモニアを含んでいてもよい。

【0398】

前記フォーカスリング２３０及び前記上部電極は、前記洗浄液に約２０分～約３０分間浸漬し得る。

【0399】

また、前記フォーカスリング２３０及び／又は前記上部電極に前記洗浄液を噴射して、洗浄工程を行うことができる。

【0400】

また、前記洗浄液は、前記貫通孔２２６の内部に噴射して、前記貫通孔２２６の内部を洗浄することができる。

【0401】

その後、前記フォーカスリング２３０及び／又は前記上部電極は、脱イオン水によって仕上げ洗浄することができる。

【0402】

その後、前記洗浄されたフォーカスリング２３０及び／又は上部電極は、表面処理することができる。

【0403】

前記フォーカスリング２３０及び／又は前記上部電極２２０は、酸素雰囲気で表面処理することができる。前記フォーカスリング２３０及び／又は前記上部電極２２０は、大気雰囲気で表面処理され得る。

【0404】

前記表面処理工程において、前記フォーカスリング２３０及び／又は前記上部電極２２０の表面に熱エネルギー及び／又は光エネルギーを加えることができる。

【0405】

前記表面処理工程において、前記フォーカスリング２３０及び／又は前記上部電極２２０は、酸素雰囲気で熱処理することができる。前記フォーカスリング２３０及び／又は前記上部電極２２０は、約１００℃～約２００℃の温度で、約３０秒～約５分間、大気雰囲気で熱処理することができる。

【0406】

また、前記表面処理工程において、前記フォーカスリング２３０及び／又は前記上部電極２２０に酸素雰囲気で光を照射することができる。前記フォーカスリング２３０及び／又は前記上部電極２２０の表面に約３０秒～約５分間、大気雰囲気で光を照射することができる。

【0407】

前記表面処理工程で使用される光のスペクトルは、約４００ｎｍ～約５００ｎｍの波長帯で、第１ピークを有していてもよい。前記第１ピークは、約４２０ｎｍ～約４８０ｎｍの波長帯の間に位置していてもよい。

【0408】

また、前記表面処理工程で使用される光のスペクトルは、約５００ｎｍ～約６５０ｎｍの波長帯で、第２ピークを有していてもよい。前記第２ピークは、約５５０ｎｍ～約６５０ｎｍの波長帯の間に位置していてもよい。

【0409】

また、前記表面処理工程で使用される光のスペクトルは、約３００ｎｍ～約３２０ｎｍの波長帯で、最大ピークを有していてもよい。

【0410】

また、前記表面処理工程で使用される光のスペクトルは、約３６０ｎｍ～約３８０ｎｍの波長帯で、最大ピークを有していてもよい。

【0411】

前記表面処理工程で使用される光源は、ＵＶＡランプであってもよい。前記表面処理工程で使用される光源は、ＵＶＢランプであってもよい。前記表面処理工程で使用される光源は、ホワイトＬＥＤであってもよい。

【0412】

前記表面処理工程で使用される光源の出力は、約２０Ｗ～約２００Ｗであってもよい。前記表面処理工程で使用される光源の出力は、約２５Ｗ～約１６０Ｗであってもよい。

【0413】

前記表面処理工程で使用される光は、前記フォーカスリング２３０及び／又は前記上部電極２２０の表面に、約３０ルックス（ｌｕｘ）～約１００００ルックスの照度で照射し得る。前記表面処理工程で使用される光は、前記フォーカスリング２３０及び／又は前記上部電極２２０の表面に、約５０ルックス（ｌｕｘ）～約５０００ルックスの照度で照射し得る。前記表面処理工程で使用される光は、前記フォーカスリング２３０及び／又は前記上部電極２２０の表面に、約５０ルックス（ｌｕｘ）～約２０００ルックスの照度で照射され得る。

【0414】

前記光の照射工程時間は、約３０秒～約１０分であってもよい。前記光の照射工程時間は、約１分～約５分であってもよい。前記光の照射工程時間は、約３０秒～約３分であってもよい。

【0415】

その後、前記表面処理工程が完了したフォーカスリング２３０及び／又は上部電極２２０は、密封し得る。前記表面処理工程が完了したフォーカスリング２３０及び／又は上部電極２２０は、外部の酸素から遮断するように密封し得る。前記表面処理工程が完了したフォーカスリング２３０及び／又は上部電極２２０は、密封し、密封した内部に窒素充電を行うことができる。

【0416】

実施例による半導体素子の製造装置用部品は、Ｓｉ－ＯＨの比率が０．１６～０．２８である表面を含む。前記表面は、適宜な含量でＳｉ－ＯＨを含むため、実施例による半導体素子の製造装置用部品の内部を外部の汚染から容易に保護することができる。

【0417】

また、実施例による半導体素子の製造装置用部品の表面は、上記のような範囲でＳｉ－ＯＨを含むため、外部からパーティクルのような汚染物質が付くことを防止することができる。

【0418】

これによって、実施例による半導体素子の製造装置用部品は、外部及び内部の汚染を防止し、半導体素子の製造装置のチャンバの内部に前記汚染物質が転移することを防止することができる。これによって、実施例による半導体素子の製造装置用部品は、半導体基板３０の製造工程で発生するディフェクトを最小化することができる。

【0419】

また、実施例による半導体素子の製造装置用部品の表面は、適宜なドーパントピークを含んでいてもよい。これによって、実施例による半導体素子の製造装置用部品は、適宜な電気的物性を有し、前記ドーパントによって発生するディフェクトを最小化することができる。

【0420】

また、実施例による半導体素子の製造装置用部品は、低い体心立方の比率と、低い菱面の比率を有する表面を有する。これによって、実施例による半導体素子の製造装置用部品の表面における結晶欠陷の頻度が低くてもよい。

【0421】

よって、実施例による半導体素子の製造装置用部品は、半導体基板３０を製造するための工程において、前記結晶欠陷で発生する過度な摩耗を防止することができる。これによって、実施例による半導体素子の製造装置用部品は、前記過度な摩耗による工程チャンバ内にパーティクルの発生を抑制することができる。これによって、実施例による半導体素子の製造装置用部品は、半導体基板３０の製造過程で発生するディフェクトを防止することができる。また、前記過度な摩耗が抑制されるため、実施例による半導体素子の製造装置用部品は、向上した耐久性を有することができる。

【0422】

図６は、一実施例による半導体素子の製造装置を示した図面である。図７は、一実施例によるプラズマ領域を限定する組立体を示した断面図である。

【0423】

図６及び図７を参照すると、実施例による半導体素子の製造装置１０は、内部にプラズマプロセッシングチャンバ１０４を有するプラズマ反応器１０２を含んでいてもよい。また、実施例による半導体素子の製造装置は、前記プラズマプロセッシングチャンバ１０４内に配置されるプラズマ領域を限定する組立体２０をさらに含んでいてもよい。前記プラズマプロセッシングチャンバ１０４は、前記プラズマ領域を限定する組立体２０と実質的に同一であってもよい。

【0424】

また、実施例による半導体素子の製造装置は、マッチングネットワーク１０８を含んでいてもよい。実施例による半導体素子の製造装置は、前記マッチングネットワーク１０８によってチューニングされたプラズマ電力供給部１０６を含んでいてもよい。前記プラズマ電力供給部１０６は、前記プラズマ反応器１０２に誘導結合した電力を提供することができる。これによって、前記プラズマ領域を限定する組立体２０内にプラズマが生成し得る。より詳細は、前記プラズマ電力供給部１０６は、前記プラズマが生成されるように、電力ウインドウ１１２近くに位置したＴＣＰコイル１１０に電力を供給することができる。前記ＴＣＰコイル１１０は、プラズマ領域を限定する組立体２０内に前記プラズマが均一な拡散プロファイルに生成されるように構成することもできる。例えば、前記ＴＣＰコイル１１０は、前記プラズマ限定組立体内にトロイダル（ｔｏｒｏｉｄａｌ）電力分布が生成されるように構成することができる。

【0425】

前記電力ウインドウ１１２は、前記ＴＣＰコイルを前記プラズマプロセッシングチャンバ１０４と一定間隔で離隔させることができる。また、前記ＴＣＰコイル１１０は、前記プラズマプロセッシングチャンバ１０４と離隔した状態で、前記エネルギーを前記プラズマプロセッシングチャンバ１０４に供給することができる。

【0426】

実施例による半導体素子の製造装置は、前記マッチングネットワーク１１８によってチューニングされたバイアス電圧電力供給部１１６をさらに含んでいてもよい。

【0427】

前記バイアス電圧電力供給部１１６は、静電チャック２７０によって、前記半導体基板３０にバイアス電圧を設定することができる。すなわち、前記バイアス電圧電力供給部１１６は、前記半導体基板３０にバイアス電圧を設定するため電力を供給することができる。

【0428】

実施例による半導体素子の製造装置は、制御部１２４をさらに含んでいてもよい。前記制御部１２４は、前記プラズマ電力供給部１０６、ガスソース供給部１３０、及び前記バイアス電圧電力供給部１１６を駆動制御することができる。

【0429】

前記プラズマ電力供給部１０６及び前記バイアス電圧電力供給部１１６は、例えば、約１３．５６ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、２ＭＨｚ、６０ＭＨｚ、４００ｋＨｚ、２．５４ＧＨｚ、またはこれらの組み合わせのような特定の無線周波数で動作するように構成することもできる。

【0430】

前記プラズマ電力供給部１０６及び前記バイアス電圧電力供給部１１６は、目標としたプロセス性能を達成するように、供給される電力の強度を調節することができる。例えば、前記プラズマ電力供給部１０６は、約５０Ｗ～約５０００Ｗ範囲内の電力を供給することもできる。前記バイアス電圧電力供給部１１６は、約２０Ｖ～約２０００Ｖ範囲内のバイアス電圧を供給することもできる。

【0431】

また、実施例による半導体素子の製造装置は、前記ガスソース供給部１３０をさらに含んでいてもよい。前記ガスソース供給部１３０は、ガス注入器１４０のようなガス流入部によって、前記プラズマ領域を限定する組立体２０と流体に連結されていてもよい。

【0432】

また、実施例による半導体素子の製造装置は、前記プラズマプロセッシングチャンバ１０４内の特定の圧力を維持する役割を担う、圧力制御弁１４２及びポンプ１４４を含んでいてもよい。前記圧力制御弁１４２及び前記ポンプによって、前記プラズマプロセスを限定するチャンバ１０４から副産物などが除去される。前記圧力制御弁１４２は、プロセッシングするうち、１Ｔｏｒｒ未満の工程圧力を維持させることができる。

【0433】

図７に示されたように、前記プラズマ領域を限定する組立体２０は、カバー部２１０、前記上部電極２２０、前記フォーカスリング２３０、第１絶縁リング２５０、第２絶縁リング２４０、第３絶縁リング２６０、及び前記静電チャック２７０を含んでいてもよい。

【0434】

前記カバー部２１０は、前記プラズマ領域１１４の外側部に配置される。前記カバー部２１０は、前記プラズマ領域１１４の外側部に沿って延びていてもよい。前記カバー部２１０は、前記プラズマ領域１１４の周囲に沿って配置されていてもよい。

【0435】

前記カバー部２１０は、前記上部電極２２０を支持することができる。前記カバー部２１０は、前記上部電極２２０と締結されていてもよい。また、前記カバー部２１０は、前記第２絶縁リング２４０に締結されていてもよい。また、前記カバー部２１０は、前記第３絶縁リング２６０に締結されていてもよい。前記カバー部２１０は、前記第３絶縁リング２６０を支持することができる。

【0436】

前記カバー部２１０は、シリコンを含んでいてもよい。前記カバー部２１０は、シリコンからなっていてもよい。前記カバー部２１０は、ポリシリコンまたはシリコン単結晶を含んでいてもよい。前記カバー部２１０は、前記ポリシリコンからなっていてもよい。

【0437】

前記カバー部２１０は、前記プラズマ領域１１４で発生する工程副産物が排出されるための排出部２８０を含んでいてもよい。前記排出部２８０は、前記プラズマ領域１１４に連結されていてもよい。

【0438】

前記上部電極２２０及び前記フォーカスリング２３０は、上述したような特徴を有していてもよい。

【0439】

前記上部電極２２０は、前記カバー部２１０に安着し得る。前記上部電極２２０は、前記カバー部２１０に安着し得る。前記上部電極２２０は、前記カバー部２１０に締結されていてもよい。前記上部電極２２０は、前記カバー部２１０に結合することができる。

【0440】

前記上部電極２２０は、前記プラズマ領域１１４上に配置される。前記上部電極２２０は、前記プラズマ領域１１４の上部を全体的に覆うことができる。前記上部電極２２０は、前記プラズマ領域１１４を介して、前記半導体基板３０と互いに向かい合っていてもよい。

【0441】

前記フォーカスリング２３０は、前記半導体基板３０の周囲に沿って延びていてもよい。前記フォーカスリング２３０は、前記静電チャック２７０上に配置されていてもよい。前記フォーカスリング２３０は、前記プラズマ領域１１４の外郭に沿って延びていてもよい。前記フォーカスリング２３０は、前記第１絶縁リング２５０の内側に配置されていてもよい。

【0442】

前記フォーカスリング２３０は、前記半導体基板３０が配置される部分を囲むものであってもよい。前記フォーカスリング２３０は、前記半導体基板３０が配置される空間２３６を形成することができる。前記フォーカスリング２３０は、前記半導体基板３０のエッジ部分に配置されていてもよい。

【0443】

前記第１絶縁リング２５０は、前記フォーカスリング２３０の周囲を囲む。前記第１絶縁リング２５０は、前記静電チャック２７０の周囲を囲むものであってもよい。前記第１絶縁リング２５０は、前記静電チャック２７０の外周面に沿って延びていてもよい。前記第１絶縁リング２５０は、前記フォーカスリング２３０の外周面に沿って延びていてもよい。前記第１絶縁リング２５０は、前記フォーカスリング２３０の外周面及び前記静電チャック２７０の外周面を覆うことができる。

【0444】

前記第１絶縁リング２５０は、前記カバー部２１０と前記フォーカスリング２３０との間に配置される。また、前記第１絶縁リング２５０は、前記カバー部２１０と前記静電チャック２７０との間に配置されていてもよい。

【0445】

また、前記第１絶縁リング２５０は、高い電気抵抗を有していてもよい。すなわち、前記第１絶縁リング２５０は、高い絶縁性を有していてもよい。これによって、前記第１絶縁リング２５０は、前記フォーカスリング２３０と前記カバー部２１０との間を絶縁させることができる。また、前記第１絶縁リング２５０は、前記静電チャック２７０と前記カバー部２１０との間を絶縁させることができる。

【0446】

前記第１絶縁リング２５０は、高い電気抵抗を有し、かつ、高い耐エッチング性を有する物質を含んでいてもよい。前記第１絶縁リング２５０は、石英を含んでいてもよい。前記第１絶縁リング２５０は、溶融石英及び／又は合成石英を含んでいてもよい。

【0447】

前記第１絶縁リング２５０は、石英からなっていてもよい。前記第１絶縁リング２５０は、約９９．９９％以上の純度を有する石英からなっていてもよい。

【0448】

前記第２絶縁リング２４０は、前記第１絶縁リング２５０の外側に配置される。前記第２絶縁リング２４０は、前記第１絶縁リング２５０の外周面を囲むものであってもよい。前記第２絶縁リング２４０は、前記第１絶縁リング２５０の周囲に沿って延びていてもよい。

【0449】

前記第２絶縁リング２４０は、前記第１絶縁リング２５０の絶縁特性を補強することができる。前記第２絶縁リング２４０は、前記フォーカスリング２３０と前記カバー部２１０との間を絶縁させることができる。また、前記第２絶縁リング２４０は、前記静電チャック２７０と前記カバー部２１０との間を絶縁させることができる。

【0450】

前記第２絶縁リング２４０は、高い電気抵抗を有し、かつ、高い耐エッチング性を有する物質を含んでいてもよい。前記第２絶縁リング２４０は、石英を含んでいてもよい。前記第２絶縁リング２４０は、溶融石英及び／又は合成石英を含んでいてもよい。

【0451】

前記第２絶縁リング２４０は、石英からなっていてもよい。前記第２絶縁リング２４０は、約９９．９９％以上の純度を有する石英からなっていてもよい。

【0452】

前記第３絶縁リング２６０は、前記カバー部２１０の下に配置されていてもよい。前記第３絶縁リング２６０は、前記カバー部２１０の下に配置されていてもよい。前記第３絶縁リング２６０は、前記第１絶縁リング２５０の外側に配置されていてもよい。前記第３絶縁リング２６０は、前記第１絶縁リング２５０の外周面に沿って延びていてもよい。前記第３絶縁リング２６０は、前記静電チャック２７０の外側に配置されていてもよい。

【0453】

前記第３絶縁リング２６０は、前記排出部２８０の周囲に配置されていてもよい。前記排出部２８０は、前記プラズマ領域１１４で発生する工程副産物を排出するための排気口であってもよい。

【0454】

前記第３絶縁リング２６０は、高い電気抵抗を有し、かつ、高い耐エッチング性を有する物質を含んでいてもよい。前記第３絶縁リング２６０は、石英を含んでいてもよい。前記第３絶縁リング２６０は、溶融石英及び／又は合成石英を含んでいてもよい。

【0455】

前記第３絶縁リング２６０は、石英からなっていてもよい。前記第３絶縁リング２６０は、約９９．９９％以上の純度を有する石英からなっていてもよい。

【0456】

実施例による半導体素子の製造装置は、前記半導体基板３０をプラズマ処理することができる。実施例による半導体素子の製造装置は、前記半導体基板３０をプラズマ処理して、半導体素子を製造することができる。

【0457】

前記半導体基板３０は、ウエハ、前記ウエハ上に配置されるエッチング対象層、及び前記エッチング対象層上に配置されるマスクパターンを含んでいてもよい。

【0458】

前記エッチング対象層は、金属層を含む導電層であってもよい。前記エッチング対象層は、酸化膜を含む誘電体層であってもよい。

【0459】

前記マスクパターンは、前記エッチング対象層を選択的に露出させることができる。前記マスクパターンは、フォトレジスト層を含んでいてもよい。前記フォトレジスト層は、光によってパターニングすることができる。

【0460】

前記半導体基板３０がプラズマ処理されるために前記半導体基板３０は、前記静電チャック２７０上に配置される。また、前記半導体基板３０は、前記フォーカスリング２３０内に配置されていてもよい。前記半導体基板３０は、前記ガイド部２３９上に配置されていてもよい。

【0461】

その後、前記半導体基板３０にプラズマが噴射され得る。前記プラズマは、前記上部電極２２０を介して噴射される気体によって形成され、前記半導体基板３０に噴射され得る。

【0462】

前記ガスソースは、水素気体（Ｈ_２）、窒素気体（Ｎ_２）、及びフッ素系気体を含んでいてもよい。前記フッ素系気体は、フッ化水素またはフッ化炭素（ＣＨ_ｘＦ_４－ｘ、ｘは、１～３の定数）を含んでいてもよい。

【0463】

前記水素気体及び前記窒素気体のフロー比は、約３：１～約７：１であってもよい。また、前記水素及び前記フッ素系気体のフロー比は、約１０：１～約１００：１であってもよい。

【0464】

前記プラズマによって、前記エッチング対象層は、選択的にエッチングすることができる。これによって、前記ウエハ上に導電パターンまたは絶縁パターンを形成することができる。

【0465】

前記フォーカスリング２３０及び前記上部電極２２０は、上記のような特徴を有するため、実施例による半導体素子の製造装置は、半導体基板３０の製造過程で発生するディフェクトを防止することができる。

【0466】

実施例による半導体素子の製造装置用部品は、水の接触角が４５゜～７４゜であり、ジヨードメタンの接触角が３７゜～５７゜である表面を含んでいてもよい。前記表面は、適宜な水の接触角及びジヨードメタンの接触角を有するため、実施例による半導体素子の製造装置用部品の内部を外部の汚染から容易に保護することができる。

【0467】

また、実施例による半導体素子の製造装置用部品の表面は、上記のような範囲で水の接触角及びジヨードメタンの接触角を有するため、外部からパーティクルのような汚染物質が付くことを防止することができる。

【0468】

これによって、実施例による半導体素子の製造装置用部品は、外部及び内部の汚染を防止し、半導体素子の製造装置のチャンバの内部に前記汚染物質が転移することを防止することができる。これによって、実施例による半導体素子の製造装置用部品は、半導体素子の製造工程で発生するディフェクトを最小化することができる。

【0469】

また、実施例による半導体素子の製造装置用部品の表面は、適宜な表面エネルギーを含む。これによって、実施例による半導体素子の製造装置用部品は、適宜な表面特性を有し、半導体プラズマ工程で発生する残留物を最小化することができる。

【0470】

また、実施例による半導体素子の製造装置は、前記フォーカスリング２３０を省略することができる。すなわち、前記フォーカスリング２３０が省略された半導体素子の製造装置は、追って、前記フォーカスリング２３０を別途取り付けることができる。実施例による半導体素子の製造装置は、前記フォーカスリング２３０を省略し、追って取り付けることができる。

【0471】

前記フォーカスリング２３０及び前記上部電極２２０は、上記のような特徴を有するため、実施例による半導体素子の製造装置は、半導体基板３０の製造過程で発生するディフェクトを防止することができる。

【0472】

実施例による半導体素子の製造装置用部品は、Ｓｉ－ＯＨの比率が約０．１６～約０．２８である表面を含んでいてもよい。前記表面は、適宜な含量でＳｉ－ＯＨを含むため、実施例による半導体素子の製造装置用部品の内部を外部の汚染から容易に保護することができる。

【0473】

また、実施例による半導体素子の製造装置用部品の表面は、上記のような範囲でＳｉ－ＯＨを含むため、外部からパーティクルのような汚染物質が付くことを防止することができる。

【0474】

これによって、実施例による半導体素子の製造装置用部品は、外部及び内部の汚染を防止し、半導体素子の製造装置のチャンバの内部に前記汚染物質が転移することを防止することができる。これによって、実施例による半導体素子の製造装置用部品は、半導体基板の製造工程で発生するディフェクトを最小化することができる。

【0475】

また、実施例による半導体素子の製造装置用部品の表面は、適宜なドーパントピークを含んでいてもよい。これによって、実施例による半導体素子の製造装置用部品は、適宜な電気的物性を有し、前記ドーパントによって発生するディフェクトを最小化することができる。

【0476】

また、実施例による半導体素子の製造装置用部品は、低い体心立方の比率及び低い菱面の比率を有する表面を有する。これによって、実施例による半導体素子の製造装置用部品の表面における結晶欠陷の頻度が低くてもよい。

【0477】

実施例によるフォーカスリングは、適宜な減殺ピークバレー粗さを含む。実施例による上部電極及びフォーカスリングは、適宜な高さを有する微細山と、適宜な深さを有する微細バレーと、を含む表面を有していてもよい。

【0478】

実施例によるフォーカスリングは、適宜な表面の凹凸状を有する表面を含むため、表面におけるプラズマの流れ性を向上させることができる。これによって、前記フォーカスリングは、前記プラズマを半導体基板に効率良く誘導することができる。

【0479】

これによって、実施例によるフォーカスリングを含む半導体素子の製造装置は、前記半導体基板の表面を効果的に処理することができる。

【0480】

また、実施例によるフォーカスリングは、適宜な表面の凹凸状を有する表面を含むため、工程残留物が堆積することを防止することができる。すなわち、実施例によるフォーカスリングは、適宜な減殺ピークバレー粗さを有するため、適宜な凹凸を有していてもよい。これによって、実施例によるフォーカスリングの表面と工程残留物の接触面積が低くてもよい。これによって、前記工程残留物は、実施例によるフォーカスリングの表面に一時的に付着しても、着脱しやすい。

【0481】

実施例によるフォーカスリングは、適宜な高さの微細山及び適宜な高さの微細バレーが繰り返される形状を有する表面を含むため、プラズマの流れ性を向上させて、工程残留物の付着を抑制することができる。

【0482】

これによって、実施例によるフォーカスリングは、プラズマエッチング工程などのようなプラズマ工程が行われるとき、前記フォーカスリングの表面から引き起こされるパーティクルによるディフェクトを容易に抑制することができる。すなわち、実施例によるフォーカスリングは、適宜な表面形状を有するため、前記フォーカスリングの微細山の一部が落ちて発生するディフェクトを防止することができる。

【0483】

また、以上の実施例で説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも１つの実施例に含まれ、必ずしも１つの実施例のみに限定されるのではない。さらに、各実施例で例示された特徴、構造、効果などは、実施例の属する分野における通常の知識を有する者にとって他の実施例についても組み合わせまたは変形して実施可能である。よって、これらの組み合わせと変形に関する内容は、本発明の範囲に含まれると解釈すべきである。

【0484】

以上、実施例を中心に説明したが、これは単に例示であるだけで、本発明を限定するものではなく、本発明の属する分野における通常の知識を有する者であれば、本実施例の本質的な特性を外れない範囲で、以上で例示していない様々な変形と応用が可能であることが分かる。例えば、実施例に具体的に示した各構成要素は、変形して実施することができる。そして、これらの変形と応用に関する相違点は、添付の請求範囲で規定する本発明の範囲に含まれると解釈すべきである。

【0485】

製造例１
チョクラルスキー法によって、約３３０ｍｍの直径を有するシリコンインゴットが製造された。前記シリコンインゴットは、ダイヤモンドワイヤソーによって切断されて、約２０ｍｍの厚さを有するシリコン単結晶プレートが製造された。その後、前記シリコン単結晶プレートの角部分が切削されて、面取り面が形成された。

【0486】

その後、前記面取り工程が行われたシリコン単結晶プレートは、上定盤と下定盤との間に配置され、前記上定盤及び前記下定盤によってラッピングされる。その後、前記ラッピングされたシリコン単結晶プレートは、グラインダによって形状加工される。これによって、未加工上部電極が形成される。

【0487】

前記形状加工工程は、次のような条件で行われた。
１）グラインダヘッド：１０００メッシュ
２）グラインダ回転数：６０００ｒｐｍ
３）フィード：０．５ｍｍ／分

【0488】

その後、前記未加工リングは、常温で、エッチング液に約７分間浸漬して、前記未加工リングの外部表面が処理されて、フォーカスリングが製造された。

【0489】

前記エッチング液の成分は、次のとおりである。
１）脱イオン水：３４．５％／ｗｔ重量部
２）硫酸：４５％／ｗｔ重量部
３）フッ化水素アンモニウム：８．５％／ｗｔ重量部
４）硫酸アンモニウム：８．５％／ｗｔ重量部
５）スルファミン酸ンモニウム：３．５％／ｗｔ重量部

【0490】

エッチング液によって表面処理されたフォーカスリングの上面は、研磨された。

【0491】

前記研磨工程の条件は、次のとおりである。
１）研磨パッド：デュポン社、ＩＣ１０００
２）研磨圧力：２００ｐｓｉ
３）研磨回転数：上定盤１５ｒｐｍ、下定盤３０ｒｐｍ
４）研磨スラリー：シリカ粒子（平均粒径、８０ｎｍ）、純水、重量の比率１：３
５）研磨時間：９０分

【0492】

その後、脱イオン水によって前記フォーカスリングが洗浄された。

【0493】

その後、前記洗浄したフォーカスリングの上面、傾斜面、及びガイド面に大気雰囲気で光が照射された。
１）光源：ホワイトLＥＤ
２）出力：１００Ｗ
３）時間：５分

【0494】

直ちに、前記フォーカスリングの下面に、上記と同様に光を照射した。

【0495】

その後、前記フォーカスリングは、密封された。

【0496】

製造例２～製造例６
下記の表１のように、エッチング時間、研磨工程可否、及び光の照射条件が変更されている。他の工程は、製造例１の工程を参照した。

【0497】

製造例５では、エッチング時間が１０分であったし、研磨工程は、実施例１のように行われた。また、製造例６では、前記洗浄工程が完了したフォーカスリングは、約１５０℃の温度で、大気雰囲気で約２０分間放置された。

【0498】

製造例６では、エッチング工程、研磨工程、及び光の照射工程が行われず、洗浄完了したフォーカスリングは、直ちに密封された。

【0499】

【表1】

【0500】

製造例７
チョクラルスキー法によって、約３００ｍｍの直径を有するシリコンインゴットが製造された。前記シリコンインゴットは、ダイヤモンドワイヤソーによって切断されて、約２０ｍｍの厚さを有するシリコン単結晶プレートが製造された。その後、前記シリコン単結晶プレートの角部分が切削されて、面取り面が形成された。

【0501】

その後、前記面取り工程が行われたシリコン単結晶プレートは、上定盤と下定盤との間に配置され、前記上定盤及び前記下定盤によってラッピングされる。その後、前記ラッピングされたシリコン単結晶プレートは、グラインダによって形状加工される。これによって、表面未加工リングが形成される。

【0502】

前記形状加工工程は、次のような条件で行われた。
１）グラインダヘッド：８００メッシュ
２）グラインダ回転数：６０００ｒｐｍ
３）フィード：０．７ｍｍ／分

【0503】

その後、前記未加工リングは、常温で、エッチング液に約７分間浸漬して、前記未加工リングの外部表面が処理されて、フォーカスリングが製造された。

【0504】

前記エッチング液の成分は、次のとおりである。
１）脱イオン水：３４．５％／ｗｔ重量部
２）硫酸：４０％／ｗｔ重量部
３）フッ化水素アンモニウム：１０％／ｗｔ重量部
４）硫酸アンモニウム：１２％／ｗｔ重量部
５）スルファミン酸ンモニウム：３．５％／ｗｔ重量部

【0505】

エッチング液によって表面処理されたフォーカスリングの上面は、研磨された。

【0506】

前記研磨工程の条件は、次のとおりである。
１）研磨パッド：ＳＫＣソルミックス、ＳＲ３００
２）研磨圧力：３００ｐｓｉ
３）研磨回転数：上定盤１５ｒｐｍ、下定盤３０ｒｐｍ
４）研磨スラリー：シリカ粒子（平均粒径、８０ｎｍ）、純水、重量の比率１：３
５）研磨時間：６０分

【0507】

その後、脱イオン水によって前記フォーカスリングが洗浄された。

【0508】

その後、前記洗浄されたフォーカスリングの上面、傾斜面、及びガイド面に大気雰囲気で光が照射された。
１）光源：ホワイトＬＥＤ
２）出力：８０Ｗ
３）時間：７分

【0509】

直ちに、前記フォーカスリングの下面に、上記と同様に光を照射した。

【0510】

その後、前記フォーカスリングは、密封された。

【0511】

製造例８～製造例１０
下記の表２のように、エッチング時間、研磨工程可否、及び光の照射条件が変更されている。他の工程は、製造例７の工程を参照した。

【0512】

製造例１１では、エッチング工程、研磨工程、及び光の照射工程を行わず、洗浄完了したフォーカスリングは、直ちに密封された。

【0513】

製造例１２では、エッチング工程、研磨工程、及び光の照射工程が行われず、洗浄完了したフォーカスリングは、大気雰囲気で、約２００℃の温度で、約３分間熱処理された。

【0514】

【表2】

【0515】

製造例１３
チョクラルスキー法によって、約３００ｍｍの直径を有するシリコンインゴットが製造された。前記シリコンインゴットは、ダイヤモンドワイヤソーによって切断されて、約２０ｍｍの厚さを有するシリコン単結晶プレートが製造された。その後、前記シリコン単結晶プレートの角部分が切削されて、面取り面が形成された。

【0516】

その後、前記面取り工程が行われたシリコン単結晶プレートは、上定盤と下定盤との間に配置されて、前記上定盤及び前記下定盤によってラッピングされる。その後、前記ラッピングされたシリコン単結晶プレートは、グラインダによって形状加工される。これによって、表面未加工リングが形成される。

【0517】

前記形状加工工程は、次のような条件で行われた。
１）グラインダヘッド：１１００メッシュ
２）グラインダ回転数：６１００ｒｐｍ
３）フィード：０．６ｍｍ／分

【0518】

その後、前記未加工リングは、常温で、エッチング液に約６分間浸漬して、前記未加工リングの外部表面が処理され、フォーカスリングが製造された。

【0519】

前記エッチング液の成分は、次のとおりである。
１）脱イオン水：３４．５％／ｗｔ重量部
２）硫酸：４０％／ｗｔ重量部
３）フッ化水素アンモニウム：１０％／ｗｔ重量部
４）硫酸アンモニウム：１２％／ｗｔ重量部
５）スルファミン酸ンモニウム：３．５％／ｗｔ重量部

【0520】

エッチング液によって表面処理されたフォーカスリングの上面は、研磨された。

【0521】

前記研磨工程の条件は、次のとおりである。
１）研磨パッド：ＳＫＣソルミックス、ＳＲ３００
２）研磨圧力：３００ｐｓｉ
３）研磨回転数：上定盤１５ｒｐｍ、下定盤３０ｒｐｍ
４）研磨スラリー：シリカ粒子（平均粒径、８０ｎｍ）、純水、重量の比率１：３
５）研磨時間：６０分

【0522】

その後、脱イオン水によって前記フォーカスリングが洗浄された。

【0523】

その後、前記フォーカスリングは、密封された。

【0524】

製造例１４～製造例１８
下記の表３のように、エッチング時間及び研磨工程可否が変更されている。他の工程は、製造例１３の工程を参照した。

【0525】

製造例１７では、下記のように研磨工程が行われた。
１）研磨パッド：ＳＫＣソルミックス、ＳＲ３００
２）研磨圧力：２００ｐｓｉ
３）研磨回転数：上定盤１５ｒｐｍ、下定盤３０ｒｐｍ
４）研磨スラリー：シリカ粒子（平均粒径、４０ｎｍ）、純水、重量の比率１：３
５）研磨時間：９０分

【0526】

【表3】

【0527】

実施例１～１３及び比較例１～５
下記の表４のように、ウエハエッチング装置にフォーカスリングが取り付けられ、シリコンウエハが前記エッチング装置に安着する。その後、水素気体、窒素気体、及びＣＨ_３Ｆが約５：１：０．５のフロー比で上部電極に噴射されて、プラズマ化し、約１０分間、前記シリコンウエハに噴射されて、エッチング工程が行われた。

【0528】

【表4】

【0529】

評価例
１．水の接触角、ジヨードメタンの接触角、分散自由エネルギー、極性自由エネルギー、及び表面自由エネルギー
実施例及び比較例で製造されたフォーカスリングは、ＫＲＵＳＳ社のＭＳＡ（Ｍｏｂｉｌｅ Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｎａｌｙｚｅｒ）に取り付けられ、下記の測定条件によって、表面における水の接触角、ジヨードメタン（ｄｉｉｏｄｏｍｅｔｈａｎｅ）の接触角、及び幾何平均法（ＯＷＲＫ Ｍｅｔｈｏｄ）で計算される分散自由エネルギー、極性自由エネルギー、及び表面自由エネルギーが測定された。同じ測定が５回繰り返されており、上限と下限を除く３回の測定値の平均値が導出された。
測定時間：２秒
体積用量：１μｌ

【0530】

２．ラマンスペクトル
マイクロラマン分光器（ｍｉｃｒｏ Ｒａｍａｎ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｅ：Ｊｏｂｉｎ Ｙｖｏｎ Ｓｐｅｘ Ｔ６４０００）によって測定しており、分解能は、１μｍであった。個々のピークの面積は、前記マイクロラマン分光器に内装したプログラムによって自動に計算された。

【0531】

前記ラマンスペクトルを測定するための条件は、下記のとおりである。
レーザソース：５１４．５３２ｎｍ波長帯のＡｒイオンレーザ
Ｐｏｗｅｒ：３．９ｍＷ
Ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｔｉｍｅ：１００Ｈｚ
#Ｓｃａｎ：７０
Ｌｅｎｓ：ｘ１００ＷＤ
２．５μｍ ｃｏｎｆｏｃａｌ ｐｉｎｈｏｌｅ

【0532】

３．三次元表面粗さ
（１）サンプリング＆前処理方法
保管／前処理条件：上記で製造されたサンプルを２０℃、３０ＲＨ％に２４時間保管して、取り出して直ちに測定する。
サンプルサイズ：５ｃｍ＊５ｃｍ
測定部位：エッジから１ｃｍ以内の領域でランダムな５ポイント

【0533】

（２）評価方法
３Ｄ粗さを測定装置によっててｍａｔｅｒｉａｌ Ｒａｔｉｏを測定することで計算した。ブルカー社（Ｂｒｕｋｅｒ）の非接触式三次元粗さ測定機（３Ｄ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ、モデルＣｏｎｔｏｕｒ ＧＴ）を用いて、ＶＳＩ Ｍｏｄｅ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｒｙ）で３Ｄ粗さを測定した。測定倍率は、接眼レンズ１．０Ｘ（倍）、対物レンズ２０Ｘ（対物レンズ＊接眼レンズ＝測定倍率）に設定して、測定された結果値が導出された。その後、測定値は、ガウシアンフィルターを適用して、１回補正された後、ＩＳＯ ２５１７８－２標準に定義する計算式によって表面粗さパラメータ（例えば、Ｓｚなど）が得られた。データは、計５つ部位を測定したもののうち、最大値と最小値を除いた後、３つ部位の平均を計算して記録した。

【0534】

４．欠陥の評価
ウエハ表面分析機（ＷＭ－３０００、ゼウス社）装備によって、前記エッチングされたシリコンウエハの欠陥個数を測定した。
欠陥個数５個以下：非常に良好、◎
欠陥個数６個～１０個：良好、○
欠陥個数１１個以上：不良、×

【0535】

５．残留有機物の評価
前記エッチング工程が行われた後、前記フォーカスリングの表面に含まれた残留物がＥｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－Ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ（ＥＤＳ）によって測定されている。
表面の全体元素のうち炭素含量１０％以下：良好、Ｏ
表面の全体元素のうち炭素含量１０％超過：不良、Ｘ

【0536】

下記の表５のように、ボディ部の上面における水の接触角、ジヨードメタンの接触角、分散自由エネルギー、極性自由エネルギー、及び表面自由エネルギーが測定されている。

【0537】

【表5】

【0538】

下記の表６のように、傾斜部の傾斜面における水の接触角、ジヨードメタンの接触角、分散自由エネルギー、極性自由エネルギー、及び表面自由エネルギーが測定されている。

【0539】

【表6】

【0540】

下記の表７のように、ガイド部のガイド面における水の接触角、ジヨードメタンの接触角、分散自由エネルギー、極性自由エネルギー、及び表面自由エネルギーが測定されている。

【0541】

【表7】

【0542】

下記の表８のように、下面における水の接触角、ジヨードメタンの接触角、分散自由エネルギー、極性自由エネルギー、及び表面自由エネルギーが測定されている。

【0543】

【表8】

【0544】

下記の表９のように、実施例１～４における半導体素子の製造方法は、欠陷の個数及び残留物の含量が低かった。

【0545】

【表9】

【0546】

上記表５～表９のように、実施例によるフォーカスリングは、適宜な表面特性を有し、かつ、実施例による半導体素子の製造方法は、欠陥及び残留物の含量を低くすることができる。

【0547】

下記の表１０のように、ボディ部の上面におけるマンシフトによる個々のピーク面積が測定されている。

【0548】

【表10】

【0549】

下記の表１１のように、傾斜部の傾斜面において、ラマンシフトによる個々のピーク面積が測定されている。

【0550】

【表11】

【0551】

下記の表１２のように、ガイド部のガイド面において、ラマンシフトによる個々のピーク面積が測定されている。

【0552】

【表12】

【0553】

下記の表１３のように、下面のラマンシフトによる個々のピーク面積が測定されている。

【0554】

【表13】

【0555】

下記の表１４のように、実施例５～８に従って製造された半導体素子において、欠陷の個数及び残留物の含量は、低かった。

【0556】

【表14】

【0557】

上記表１０～表１４のように、実施例による半導体素子の製造方法は、低い欠陥及び残留物を有する。

【0558】

下記の表１５のように、ボディ部の上面の粗さが測定されている。

【0559】

【表15】

【0560】

下記の表１６のように、傾斜部の傾斜面の粗さが測定されている。

【0561】

【表16】

【0562】

下記の表１７のように、ガイド部のガイド面の粗さが測定されている。

【0563】

【表17】

【0564】

下記の表１８のように、ボディ部の下面の粗さが測定されている。

【0565】

【表18】

【0566】

下記の表１９のように、実施例９～１３及び比較例５において、欠陷の個数及び残留物の含量が導出されている。

【0567】

【表19】

【0568】

上記表１５～表１９のように、実施例によるフォーカスリングは、欠陷を抑制し、残留物を低くすることができる。

【符号の説明】

【0569】

２１０ カバー部
２２０ 上部電極
２３０ フォーカスリング
２５０ 第１絶縁リング
２４０ 第２絶縁リング
２６０ 第３絶縁リング
２７０ 静電チャック

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】