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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024075365
(43)【公開日】2024-06-03
(54)【発明の名称】光源装置
(51)【国際特許分類】
H01S 5/022 20210101AFI20240527BHJP
H01S 5/40 20060101ALI20240527BHJP
【ＦＩ】
H01S5/022
H01S5/40
【審査請求】未請求
【請求項の数】13
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022186764
(22)【出願日】2022-11-22
(71)【出願人】
【識別番号】000226057
【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000202
【氏名又は名称】弁理士法人新樹グローバル・アイピー
(72)【発明者】
【氏名】田路 知一
【テーマコード（参考）】
5F173
【Ｆターム（参考）】
5F173MC01
5F173MC11
5F173MD64
5F173ME22
5F173ME32
5F173MF10
5F173MF28
5F173MF40
(57)【要約】
【課題】半導体レーザの駆動時における半導体レーザ間での熱干渉を低減することができ、ワイヤ長の短縮による駆動電圧の低減を実現する光源装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基部と、各々が配列方向に沿って基部に配列され且つ各々が前記配列方向に直交する第１光軸方向にレーザ光を出射する複数の第１半導体レーザ素子と、隣り合う第１半導体レーザ素子に挟まれた領域に配置され、前記第１半導体レーザ素子と電気的に接続する１以上の第１給電端子と、第１半導体レーザ素子から第１光軸方向に離れた位置に配置される複数の第１反射部材と、前記配列方向に直交し且つ第１光軸方向とは反対の方向である第２光軸方向にレーザ光を出射する１以上の第２半導体レーザ素子と、１以上の第２給電端子と、１以上の第２反射部材とを備え、少なくとも１の前記第２反射部材が、前記配列方向に隣り合う２つの第１反射部材に挟まれた領域に配置される光源装置。
【選択図】図１Ａ
【解決手段】基部と、各々が配列方向に沿って基部に配列され且つ各々が前記配列方向に直交する第１光軸方向にレーザ光を出射する複数の第１半導体レーザ素子と、隣り合う第１半導体レーザ素子に挟まれた領域に配置され、前記第１半導体レーザ素子と電気的に接続する１以上の第１給電端子と、第１半導体レーザ素子から第１光軸方向に離れた位置に配置される複数の第１反射部材と、前記配列方向に直交し且つ第１光軸方向とは反対の方向である第２光軸方向にレーザ光を出射する１以上の第２半導体レーザ素子と、１以上の第２給電端子と、１以上の第２反射部材とを備え、少なくとも１の前記第２反射部材が、前記配列方向に隣り合う２つの第１反射部材に挟まれた領域に配置される光源装置。
【選択図】図１Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基部と、
各々が配列方向に沿って、前記基部に配列され、且つ、各々が前記配列方向に直交する第１光軸方向にレーザ光を出射する複数の第１半導体レーザ素子と、
各々が、前記複数の第１半導体レーザ素子のうち隣り合う２つの第１半導体レーザ素子に挟まれた領域に配置され、前記第１半導体レーザ素子と電気的に接続する１以上の第１給電端子と、
各々が前記配列方向に沿って、前記基部に配列され、且つ、前記複数の第１半導体レーザ素子から前記第１光軸方向に離れた位置に配置される複数の第１反射部材と、
前記配列方向に直交し且つ前記第１光軸方向とは反対の方向である第２光軸方向にレーザ光を出射する１以上の第２半導体レーザ素子と、
前記第２半導体レーザ素子と電気的に接続する１以上の第２給電端子と、
前記１以上の第２半導体レーザ素子から前記第２光軸方向に離れた位置に配置される１以上の第２反射部材と、を備え、
少なくとも１の前記第２反射部材が、前記複数の第１反射部材のうち前記配列方向に隣り合う２つの第１反射部材に挟まれた領域に配置される、光源装置。
各々が配列方向に沿って、前記基部に配列され、且つ、各々が前記配列方向に直交する第１光軸方向にレーザ光を出射する複数の第１半導体レーザ素子と、
各々が、前記複数の第１半導体レーザ素子のうち隣り合う２つの第１半導体レーザ素子に挟まれた領域に配置され、前記第１半導体レーザ素子と電気的に接続する１以上の第１給電端子と、
各々が前記配列方向に沿って、前記基部に配列され、且つ、前記複数の第１半導体レーザ素子から前記第１光軸方向に離れた位置に配置される複数の第１反射部材と、
前記配列方向に直交し且つ前記第１光軸方向とは反対の方向である第２光軸方向にレーザ光を出射する１以上の第２半導体レーザ素子と、
前記第２半導体レーザ素子と電気的に接続する１以上の第２給電端子と、
前記１以上の第２半導体レーザ素子から前記第２光軸方向に離れた位置に配置される１以上の第２反射部材と、を備え、
少なくとも１の前記第２反射部材が、前記複数の第１反射部材のうち前記配列方向に隣り合う２つの第１反射部材に挟まれた領域に配置される、光源装置。
【請求項2】
前記１以上の第２半導体レーザ素子は、各々が前記配列方向に沿って、前記基部に配列され、且つ、各々が前記第２光軸方向に光を出射する複数の第２半導体レーザ素子で構成され、
前記１以上の第２給電端子の各々が、前記複数の第２半導体レーザ素子のうち隣り合う２つの第２半導体レーザ素子に挟まれた領域に配置され、
前記１以上の第２反射部材は、各々が前記配列方向に沿って、前記基部に配列され、且つ、各々が前記複数の第２半導体レーザ素子よりも前記第２光軸方向に離れた位置に配置される複数の第２反射部材で構成され、
前記複数の第２反射部材のうち隣り合う２つの第２反射部材に挟まれた領域に前記複数の第１反射部材のうちの少なくとも１つが配置される、請求項１に記載の光源装置。
前記１以上の第２給電端子の各々が、前記複数の第２半導体レーザ素子のうち隣り合う２つの第２半導体レーザ素子に挟まれた領域に配置され、
前記１以上の第２反射部材は、各々が前記配列方向に沿って、前記基部に配列され、且つ、各々が前記複数の第２半導体レーザ素子よりも前記第２光軸方向に離れた位置に配置される複数の第２反射部材で構成され、
前記複数の第２反射部材のうち隣り合う２つの第２反射部材に挟まれた領域に前記複数の第１反射部材のうちの少なくとも１つが配置される、請求項１に記載の光源装置。
【請求項3】
前記第１給電端子と前記第１半導体レーザ素子を接続する第１導電部材と、
前記第２給電端子と前記第２半導体レーザ素子を接続する第２導電部材と、を有する、請求項２に記載の光源装置。
前記第２給電端子と前記第２半導体レーザ素子を接続する第２導電部材と、を有する、請求項２に記載の光源装置。
【請求項4】
前記第１導電部材は各々の前記第１給電端子ごとに複数配置され、前記第２導電部材は各々の前記第２給電端子ごとに複数配置される、請求項３に記載の光源装置。
【請求項5】
前記第１反射部材は、前記第１半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を受け、前記配列方向及び前記第１光軸方向に直交する光出射方向に前記レーザ光を反射させる第１反射面を有する第１ミラー部材であり、
前記第２反射部材は、前記第２半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を受け、前記光出射方向に前記レーザ光を反射させる第２反射面を有する第２ミラー部材である、請求項４に記載の光源装置。
前記第２反射部材は、前記第２半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を受け、前記光出射方向に前記レーザ光を反射させる第２反射面を有する第２ミラー部材である、請求項４に記載の光源装置。
【請求項6】
前記第１半導体レーザ素子及び前記第２半導体レーザ素子にそれぞれ対応する複数の波長変換部をさらに備える請求項５に記載の光源装置。
【請求項7】
基部上にさらに蓋部材を備え、前記複数の波長変換部が互いに離隔して前記蓋部材に配置されている請求項６に記載の光源装置。
【請求項8】
前記蓋部材は、ガラス、サファイア、金属又はセラミックスを含む請求項７に記載の光源装置。
【請求項9】
前記複数の第１反射面と前記第１半導体レーザ素子の光軸との交点、及び前記１以上の第２反射面と前記第２半導体レーザ素子の光軸との交点が、上面視において、仮想直線を構成するように配置されている請求項８に記載の光源装置。
【請求項10】
前記複数の第１半導体レーザ素子及び前記１以上の第２半導体レーザ素子はすべて波長ピークが青色を示す請求項９に記載の光源装置。
【請求項11】
前記第１給電端子は、前記第２反射部材を基準として、前記第２半導体レーザ素子の反対側に存在し、前記第１給電端子と前記第２反射部材との距離は、前記第１給電端子の前記第１光軸方向における長さより短く、
前記第２給電端子は、前記第１反射部材を基準として、前記第１半導体レーザ素子の反対側に存在し、前記第２給電端子と前記第１反射部材との距離は、前記第２給電端子の前記第２光軸方向における長さより短い、請求項１０に記載の光源装置。
前記第２給電端子は、前記第１反射部材を基準として、前記第１半導体レーザ素子の反対側に存在し、前記第２給電端子と前記第１反射部材との距離は、前記第２給電端子の前記第２光軸方向における長さより短い、請求項１０に記載の光源装置。
【請求項12】
前記基部に複数のサブマウントが配置され、前記複数の第１半導体レーザ素子及び前記複数の第２半導体レーザ素子はそれぞれが対応するサブマウントを介して基部に配置され、前記サブマウントの配列方向における幅は前記第１給電端子の前記配列方向における幅及び前記第２給電端子の前記配列方向における幅よりも大きい、請求項１１に記載の光源装置。
【請求項13】
前記複数の第１半導体レーザ素子及び前記複数の第２半導体レーザ素子はそれぞれ個別に外部電源に接続されている、請求項１２に記載の光源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、光源装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、励起光源として複数の半導体レーザなどを備え、この励起光源から出射された光を蛍光体等で波長変換し、光を取り出す光源装置が種々提案されている（例えば、特許文献１等）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１９－１６１０６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
このような光源装置では、より少ない電力で稼働させるために、駆動電圧を抑えるための工夫が求められている。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本願において開示される光源装置は、
基部と、
各々が配列方向に沿って、前記基部に配列され、且つ、各々が前記配列方向に直交する第１光軸方向にレーザ光を出射する複数の第１半導体レーザ素子と、
各々が、前記複数の第１半導体レーザ素子のうち隣り合う２つの第１半導体レーザ素子に挟まれた領域に配置され、前記第１半導体レーザ素子と電気的に接続する１以上の第１給電端子と、
各々が前記配列方向に沿って、前記基部に配列され、且つ、前記複数の第１半導体レーザ素子から第１光軸方向に離れた位置に配置される複数の第１反射部材と、
前記配列方向に直交し且つ前記第１光軸方向とは反対の方向である第２光軸方向にレーザ光を出射する１以上の第２半導体レーザ素子と、
前記第２半導体レーザ素子と電気的に接続する１以上の第２給電端子と、
前記１以上の第２半導体レーザ素子から第２光軸方向に離れた位置に配置される１以上の第２反射部材と、
を備え、
少なくとも１つの前記第２反射部材が、前記複数の第１反射部材のうち前記配列方向に隣り合う２つの第１反射部材に挟まれた領域に配置される。
基部と、
各々が配列方向に沿って、前記基部に配列され、且つ、各々が前記配列方向に直交する第１光軸方向にレーザ光を出射する複数の第１半導体レーザ素子と、
各々が、前記複数の第１半導体レーザ素子のうち隣り合う２つの第１半導体レーザ素子に挟まれた領域に配置され、前記第１半導体レーザ素子と電気的に接続する１以上の第１給電端子と、
各々が前記配列方向に沿って、前記基部に配列され、且つ、前記複数の第１半導体レーザ素子から第１光軸方向に離れた位置に配置される複数の第１反射部材と、
前記配列方向に直交し且つ前記第１光軸方向とは反対の方向である第２光軸方向にレーザ光を出射する１以上の第２半導体レーザ素子と、
前記第２半導体レーザ素子と電気的に接続する１以上の第２給電端子と、
前記１以上の第２半導体レーザ素子から第２光軸方向に離れた位置に配置される１以上の第２反射部材と、
を備え、
少なくとも１つの前記第２反射部材が、前記複数の第１反射部材のうち前記配列方向に隣り合う２つの第１反射部材に挟まれた領域に配置される。
【発明の効果】
【0006】
本発明によれば、半導体レーザの駆動時における半導体レーザ間での熱干渉を低減することができ、ワイヤ長の短縮による駆動電圧の低減を実現し得る光源装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
本発明を実施するための形態を、図面を参照しながら以下に説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、本発明を限定するものではない。なお、各図面が示す部材の大きさ及び位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。また、各図面において、特定の方向又は位置を示すために、ＸＹＺによる３次元直交座標系を用いることがある。この場合、ＸＹ平面において第１半導体レーザ素子が配列する方向をＸ方向、ＸＹ平面に直交する方向をＺ方向又は上下方向と称することがある。Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向は、特定の一方向のみならず、それと反対の方向も含む双方向を意味する。ただし、第１半導体レーザ素子の第１光軸方向及び第２半導体レーザ素子の第２光軸方向は、それぞれ、Ｙ方向の一方、例えば、Ｙ１及びＹ２を指す。また、断面図として、切断面のみを示す端面図を示す場合がある。
本明細書または特許請求の範囲において、台形、三角形、四角形などの多角形の形状は、数学的に厳密な意味の多角形に限定されず、多角形の隅に角丸め、面取り、角取り、丸取り等の加工が施された形状も含むものとする。また、多角形の隅（辺の端）に限らず、辺の中間部分に加工が施された形状も同様に多角形と呼ぶものとする。つまり、多角形をベースに残しつつ、部分的な加工が施された形状は、本明細書及び特許請求の範囲で記載される多角形に含まれる。多角形に限らず、円形、凹凸形状等についても同様である。また、特定の部材を示す場合、第１部材及び第２部材を併せて「部材」と示すことがある。
本明細書または特許請求の範囲において、台形、三角形、四角形などの多角形の形状は、数学的に厳密な意味の多角形に限定されず、多角形の隅に角丸め、面取り、角取り、丸取り等の加工が施された形状も含むものとする。また、多角形の隅（辺の端）に限らず、辺の中間部分に加工が施された形状も同様に多角形と呼ぶものとする。つまり、多角形をベースに残しつつ、部分的な加工が施された形状は、本明細書及び特許請求の範囲で記載される多角形に含まれる。多角形に限らず、円形、凹凸形状等についても同様である。また、特定の部材を示す場合、第１部材及び第２部材を併せて「部材」と示すことがある。
【0009】
本願における一実施形態の光源装置１０は、例えば、図１Ａに示すように、基部９と、複数の第１半導体レーザ素子１１と、１以上の第１給電端子１２と、複数の第１反射部材１３と、１以上の第２半導体レーザ素子２１と、１以上の第２給電端子２２と、１以上の第２反射部材２３とを備える。
複数の第１半導体レーザ素子１１は、各々が配列方向（例えば、Ｘ方向）に沿って基部９に配列され、各々が配列方向に直交する第１光軸方向（例えば、Ｙ１方向）にレーザ光を出射する。
１以上の第１給電端子１２は、各々が、複数の第１半導体レーザ素子１１のうち隣り合う２つの第１半導体レーザ素子１１に挟まれた領域に配置され、第１半導体レーザ素子１１と電気的に接続している。ただし、複数配列された第１半導体レーザ素子１１の一方端に配置する第１半導体レーザ素子１１に対しては、隣り合う２つの第１半導体レーザ素子１１に挟まれた領域でなくても、一方端の第１半導体レーザ素子１１の側方に配置されていればよい。
複数の第１反射部材１３は、各々が配列方向に沿って基部９に配列され、複数の第１半導体レーザ素子１１から第１光軸方向Ｙ１に離れた位置に配置されている。
１以上の第２半導体レーザ素子２１は、配列方向に直交し且つ第１光軸方向Ｙ１とは反対の方向である第２光軸方向（例えば、Ｙ２方向）にレーザ光を出射するように配置されている。
１以上の第２給電端子２２は、第２半導体レーザ素子２１と電気的に接続している。
１以上の第２反射部材２３は、１以上の第２半導体レーザ素子２１から第２光軸方向Ｙ２に離れた位置に配置されている。
少なくとも１つの第２反射部材２３は、複数の第１反射部材１３のうち配列方向に隣り合う２つの第１反射部材１３に挟まれた領域に配置されている。
複数の第１半導体レーザ素子１１は、各々が配列方向（例えば、Ｘ方向）に沿って基部９に配列され、各々が配列方向に直交する第１光軸方向（例えば、Ｙ１方向）にレーザ光を出射する。
１以上の第１給電端子１２は、各々が、複数の第１半導体レーザ素子１１のうち隣り合う２つの第１半導体レーザ素子１１に挟まれた領域に配置され、第１半導体レーザ素子１１と電気的に接続している。ただし、複数配列された第１半導体レーザ素子１１の一方端に配置する第１半導体レーザ素子１１に対しては、隣り合う２つの第１半導体レーザ素子１１に挟まれた領域でなくても、一方端の第１半導体レーザ素子１１の側方に配置されていればよい。
複数の第１反射部材１３は、各々が配列方向に沿って基部９に配列され、複数の第１半導体レーザ素子１１から第１光軸方向Ｙ１に離れた位置に配置されている。
１以上の第２半導体レーザ素子２１は、配列方向に直交し且つ第１光軸方向Ｙ１とは反対の方向である第２光軸方向（例えば、Ｙ２方向）にレーザ光を出射するように配置されている。
１以上の第２給電端子２２は、第２半導体レーザ素子２１と電気的に接続している。
１以上の第２反射部材２３は、１以上の第２半導体レーザ素子２１から第２光軸方向Ｙ２に離れた位置に配置されている。
少なくとも１つの第２反射部材２３は、複数の第１反射部材１３のうち配列方向に隣り合う２つの第１反射部材１３に挟まれた領域に配置されている。
【0010】
第１半導体レーザ素子１１及び第１反射部材１３と、第２半導体レーザ素子２１及び第２反射部材２３とが、配列方向において互い違いに並ぶように、基部９上に配列することにより、隣接する第１半導体レーザ素子１１間に、所定のスペースを設けることができる。この所定のスペースに第１給電端子１２を配置することにより、第１半導体レーザ素子１１と第１給電端子１２との距離を近づけることができるために、第１給電端子１２と第１半導体レーザ素子１１とを接続する第１導電部材１４の長さを低減することができる。その結果、駆動電圧を低減することができる。また、この所定のスペースに第１給電端子１２及び第２給電端子２２を配置することにより、他に給電端子を配置するためのスペースを設ける必要がなくなり、装置を小型化することができる。
【0011】
言い換えると、光源装置１０は、図１Ａに示すように、基部９上において、複数の第１半導体レーザ素子１１の配列方向（つまり、Ｘ方向）に対して直交する方向（例えば、Ｙ方向、特に、Ｙ１方向）に、第１半導体レーザ素子１１、第１反射部材１３及び第２給電端子２２がこの順に配置された第１行が複数存在し、また、Ｙ１方向に、第１給電端子１２、第２反射部材２３及び第２半導体レーザ素子２１がこの順に配置された第２行が複数存在する。そして、第１行と第２行とは、配列方向に沿って、交互に配置されている。また、図２に示すように、光源装置１０Ａは、基部９上において、Ｙ１方向に、第１半導体レーザ素子１１、第１反射部材１３及び第２給電端子２２がこの順に配置された第１行が１行存在し、また、Ｙ１方向に、第１給電端子１２、第２反射部材２３及び第２半導体レーザ素子２１がこの順に配置された第２行が１行存在する。そして、第２行は、第１行に隣接して配置されていてもよい。
【0012】
（基部９）
基部９は、半導体レーザ素子、光学部材及び給電端子を配置するための部材である。
基部９は、セラミックスを主材料として又はセラミックスによって形成することができる。セラミックスとしては、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、炭化ケイ素等が挙げられる。セラミックスは線膨張係数が小さいため、基部９がセラミックスで形成されていることにより、熱による膨張及び／又は収縮の影響を低減させることができる。その結果、光学部材等のずれを抑制することができる。基部９は、その一部に金属、無機物又はそれらの複合物を有していてもよい。金属、無機物又はそれらの複合物としては、金、銀、タングステン、ニッケル、銅、アルミニウム、鉄、ダイヤモンド、銅モリブデン、銅－ダイヤモンド複合材料、銅タングステン等が挙げられる。
基部９は、電気的に接続するための配線等として、その表面又は内部に、金属部等が設けられていてもよい。金属部の材料としては、例えば、金、アルミニウム、銀、銅、タングステン、チタン、プラチナ、ニッケル、鉄、錫等又はそれらの合金等を用いることができる。
基部９は、その形状が、平面視で、三角形、四角形等の多角形、円形、楕円形等のいずれであってもよい。なかでも、矩形であることが好ましい。基部９の平面形状が矩形である場合、基部９の平面視におけるＸ方向およびＹ方向の長さは、例えば、１．０ｍｍ以上１０．０ｍｍ以下が挙げられ、２．０ｍｍ以上６．０ｍｍ以下が好ましい。基部９の厚み、つまり、基部９のＺ方向における長さは、その上に配置する半導体レーザ素子等を支持し得る強度を確保できるように適宜設定することができる。基部９は、平板形状であるものが好ましく、半導体レーザ素子等が配置される面は平坦な面であることが好ましい。
基部９は、半導体レーザ素子、光学部材及び給電端子を配置するための部材である。
基部９は、セラミックスを主材料として又はセラミックスによって形成することができる。セラミックスとしては、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、炭化ケイ素等が挙げられる。セラミックスは線膨張係数が小さいため、基部９がセラミックスで形成されていることにより、熱による膨張及び／又は収縮の影響を低減させることができる。その結果、光学部材等のずれを抑制することができる。基部９は、その一部に金属、無機物又はそれらの複合物を有していてもよい。金属、無機物又はそれらの複合物としては、金、銀、タングステン、ニッケル、銅、アルミニウム、鉄、ダイヤモンド、銅モリブデン、銅－ダイヤモンド複合材料、銅タングステン等が挙げられる。
基部９は、電気的に接続するための配線等として、その表面又は内部に、金属部等が設けられていてもよい。金属部の材料としては、例えば、金、アルミニウム、銀、銅、タングステン、チタン、プラチナ、ニッケル、鉄、錫等又はそれらの合金等を用いることができる。
基部９は、その形状が、平面視で、三角形、四角形等の多角形、円形、楕円形等のいずれであってもよい。なかでも、矩形であることが好ましい。基部９の平面形状が矩形である場合、基部９の平面視におけるＸ方向およびＹ方向の長さは、例えば、１．０ｍｍ以上１０．０ｍｍ以下が挙げられ、２．０ｍｍ以上６．０ｍｍ以下が好ましい。基部９の厚み、つまり、基部９のＺ方向における長さは、その上に配置する半導体レーザ素子等を支持し得る強度を確保できるように適宜設定することができる。基部９は、平板形状であるものが好ましく、半導体レーザ素子等が配置される面は平坦な面であることが好ましい。
【0013】
（第１半導体レーザ素子１１及び第２半導体レーザ素子２１）
半導体レーザ素子は、端面発光型又は面発光型半導体レーザ素子を使用することができるが、第１半導体レーザ素子１１及び第２半導体レーザ素子２１としては、端面発光型を用いることが好ましい。端面発光型の半導体レーザ素子から出射される光は、光の出射端面と平行な面において楕円形状のファーフィールドパターン（以下「ＦＦＰ」ということがある）を形成するが、ＦＦＰの楕円形状の中心を通る光、つまりＦＦＰの光強度分布においてピーク強度の光を、半導体レーザ素子の光軸と称する。なお、面発光型の半導体レーザ素子では、光出射面から出射される光の光強度分布におけるピーク強度の光が半導体レーザ素子の光軸となる。
第１半導体レーザ素子１１は、基部９に複数配列される。この配列方向を、上述したようにＸ方向という。複数の第１半導体レーザ素子１１は、配列方向であるＸ方向に対して、直交する方向であるＹ方向の一方（Ｙ１方向）が、それぞれ第１半導体レーザ素子１１からレーザ光を出射する第１光軸方向と一致する。つまり、Ｘ方向に複数の第１半導体レーザ素子１１が配列し、各第１半導体レーザ素子１１は、Ｙ１方向にレーザ光を出射するように配置される。
第２半導体レーザ素子２１は、基部９に配列される。この場合、第２半導体レーザ素子２１は、図２に示すように、１つでもよい。図１Ａに示すようにＸ方向に複数の第２半導体レーザ素子２１が配置されていてもよい。第２半導体レーザ素子２１は、Ｙ方向の一方（Ｙ２方向）が、第２半導体レーザ素子２１からレーザ光を出射する第２光軸方向と一致する。つまり、第２半導体レーザ素子２１は、Ｙ２方向である第２光軸方向にレーザ光を出射するように配置される。また、２以上の第２半導体レーザ素子２１は、Ｘ方向に配列し、それぞれ、Ｙ２方向にレーザ光を出射するように配置される。
第１光軸方向（Ｙ１）と第２光軸方向（Ｙ２）とは、互いに平行であり、かつ互いに逆の方向とすることが好ましい。
半導体レーザ素子は、端面発光型又は面発光型半導体レーザ素子を使用することができるが、第１半導体レーザ素子１１及び第２半導体レーザ素子２１としては、端面発光型を用いることが好ましい。端面発光型の半導体レーザ素子から出射される光は、光の出射端面と平行な面において楕円形状のファーフィールドパターン（以下「ＦＦＰ」ということがある）を形成するが、ＦＦＰの楕円形状の中心を通る光、つまりＦＦＰの光強度分布においてピーク強度の光を、半導体レーザ素子の光軸と称する。なお、面発光型の半導体レーザ素子では、光出射面から出射される光の光強度分布におけるピーク強度の光が半導体レーザ素子の光軸となる。
第１半導体レーザ素子１１は、基部９に複数配列される。この配列方向を、上述したようにＸ方向という。複数の第１半導体レーザ素子１１は、配列方向であるＸ方向に対して、直交する方向であるＹ方向の一方（Ｙ１方向）が、それぞれ第１半導体レーザ素子１１からレーザ光を出射する第１光軸方向と一致する。つまり、Ｘ方向に複数の第１半導体レーザ素子１１が配列し、各第１半導体レーザ素子１１は、Ｙ１方向にレーザ光を出射するように配置される。
第２半導体レーザ素子２１は、基部９に配列される。この場合、第２半導体レーザ素子２１は、図２に示すように、１つでもよい。図１Ａに示すようにＸ方向に複数の第２半導体レーザ素子２１が配置されていてもよい。第２半導体レーザ素子２１は、Ｙ方向の一方（Ｙ２方向）が、第２半導体レーザ素子２１からレーザ光を出射する第２光軸方向と一致する。つまり、第２半導体レーザ素子２１は、Ｙ２方向である第２光軸方向にレーザ光を出射するように配置される。また、２以上の第２半導体レーザ素子２１は、Ｘ方向に配列し、それぞれ、Ｙ２方向にレーザ光を出射するように配置される。
第１光軸方向（Ｙ１）と第２光軸方向（Ｙ２）とは、互いに平行であり、かつ互いに逆の方向とすることが好ましい。
【0014】
３以上の第１半導体レーザ素子１１が配列される場合、Ｘ方向に対して、隣接する第１半導体レーザ素子１１同士は、一部又は全部において種々の間隔で配置されていてもよいが、図１Ａに示すように、全部が同じ間隔で配置されることが好ましい。例えば、図１Ｄに示すように、互いに隣接する第１半導体レーザ素子１１同士のＸ方向における間隔Ｄ１は、１．４ｍｍ以上１．７ｍｍ以下が挙げられる。間隔Ｄ１を１．４ｍｍ以上にすることで、互いに隣接する第１半導体レーザ素子１１同士の熱干渉を低減できる。また、間隔Ｄ１を１．７ｍｍ以下とすることで配線長を抑え、駆動電圧の上昇を抑えることができる。
２以上の第２半導体レーザ素子２１が配列される場合、Ｘ方向に対して、隣接する第２半導体レーザ素子２１同士は、一部又は全部において種々の間隔で配置されていてもよいが、図１Ａに示すように、全部が同じ間隔で配置されることが好ましい。例えば、図１Ｄに示すように、互いに隣接する第２半導体レーザ素子２１同士のＸ方向における間隔Ｄ２は、１．４ｍｍ以上１．７ｍｍ以下が挙げられる。間隔Ｄ２を１．４ｍｍ以上にすることで、互いに隣接する第２半導体レーザ素子２１同士の熱干渉を低減できる。また、間隔Ｄ２を１．７ｍｍ以下とすることで配線長を抑え、駆動電圧の上昇を抑えることができる。
隣接する第１半導体レーザ素子１１同士の間隔Ｄ１及び隣接する第２半導体レーザ素子２１同士の間隔Ｄ２は、半導体レーザ素子が基部上に直接配列される場合は、半導体レーザ素子の幅Ｌ１、Ｌ２よりも大きく、半導体レーザ素子の幅の１５０％以下が挙げられ、１３０％以下が好ましく、１２０％以下がより好ましい。半導体レーザ素子の幅Ｌ１、Ｌ２は、０．１０ｍｍ以上０．５０ｍｍ以下が挙げられる。半導体レーザ素子が後述するように、サブマウント上に配置されて基部上に配列される場合は、隣接する第１半導体レーザ素子同士の間隔及び隣接する第２半導体レーザ素子同士の間隔は、サブマウントの幅よりも大きく、サブマウントの幅の１５０％以下が挙げられ、１３０％以下が好ましく、１２０％以下がより好ましい。サブマウントの幅ＳＳ１、ＳＳ２は、０．７０ｍｍ以上０．９０ｍｍ以下が挙げられる。
２以上の第２半導体レーザ素子２１が配列される場合、Ｘ方向に対して、隣接する第２半導体レーザ素子２１同士は、一部又は全部において種々の間隔で配置されていてもよいが、図１Ａに示すように、全部が同じ間隔で配置されることが好ましい。例えば、図１Ｄに示すように、互いに隣接する第２半導体レーザ素子２１同士のＸ方向における間隔Ｄ２は、１．４ｍｍ以上１．７ｍｍ以下が挙げられる。間隔Ｄ２を１．４ｍｍ以上にすることで、互いに隣接する第２半導体レーザ素子２１同士の熱干渉を低減できる。また、間隔Ｄ２を１．７ｍｍ以下とすることで配線長を抑え、駆動電圧の上昇を抑えることができる。
隣接する第１半導体レーザ素子１１同士の間隔Ｄ１及び隣接する第２半導体レーザ素子２１同士の間隔Ｄ２は、半導体レーザ素子が基部上に直接配列される場合は、半導体レーザ素子の幅Ｌ１、Ｌ２よりも大きく、半導体レーザ素子の幅の１５０％以下が挙げられ、１３０％以下が好ましく、１２０％以下がより好ましい。半導体レーザ素子の幅Ｌ１、Ｌ２は、０．１０ｍｍ以上０．５０ｍｍ以下が挙げられる。半導体レーザ素子が後述するように、サブマウント上に配置されて基部上に配列される場合は、隣接する第１半導体レーザ素子同士の間隔及び隣接する第２半導体レーザ素子同士の間隔は、サブマウントの幅よりも大きく、サブマウントの幅の１５０％以下が挙げられ、１３０％以下が好ましく、１２０％以下がより好ましい。サブマウントの幅ＳＳ１、ＳＳ２は、０．７０ｍｍ以上０．９０ｍｍ以下が挙げられる。
【0015】
Ｘ方向に配列する複数の第１半導体レーザ素子１１は、各々から出射される光の光軸が互いに平行となるように配置されていることが好ましい。また、Ｘ方向に配列する複数の第１半導体レーザ素子１１は、各出射面がＹ方向においてランダムな位置に配置されていてもよいが、図１Ｄに示すように、各出射面がＸ方向に一直線上（例えば、直線Ｆ上）に配列するように配置されていることが好ましい。
第２半導体レーザ素子２１が複数配列する場合、Ｘ方向に配列する複数の第２半導体レーザ素子２１は、各々から出射される光の光軸が互いに平行となるように配置されていることが好ましい。また、Ｘ方向に配列する複数の第２半導体レーザ素子２１は、各出射面がＹ方向においてランダムな位置に配置されていてもよいが、図１Ｄに示すように、各出射面がＸ方向に一直線上（例えば、直線Ｓ上）に配列するように配置されていることが好ましい。
直線Ｆ上に配列する複数の第１半導体レーザ素子１１の各出射面と、直線Ｓ上に配列する複数の第２半導体レーザ素子２１の各出射面とは、Ｘ方向に平行であることが好ましい。この場合、それらの直線Ｆ、Ｓの間隔Ｄは、例えば、０．８０ｍｍ以上１．２０ｍｍ以下が挙げられ、０．９５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下が好ましい。これらの直線Ｆ、Ｓは重なっていてもよい。
Ｘ方向に配列する複数の第１半導体レーザ素子１１と、Ｘ方向に配列する１以上の第２半導体レーザ素子２１とは、Ｘ方向において、互いに重ならないように配置されることが好ましい。互いに重ならないとは、ＹＺ平面で切断した全断面において、第１半導体レーザ素子１１と第２半導体レーザ素子２１とが併存しないことを意味する。また、ＸＺ平面で切断した全断面においても、第１半導体レーザ素子１１と第２半導体レーザ素子２１とが併存しないことが好ましい。このような配列によって、第１半導体レーザ素子１１同士、第１半導体レーザ素子１１と第２半導体レーザ素子２１、第２半導体レーザ素子２１同士が近接して配列されているとしても、互いに所定の距離を空け、半導体レーザ素子間のスペースに第１給電端子１２及び第２給電端子２２を配置することができる。従って、配線長を抑え、駆動電圧の上昇を抑えることができる。
第２半導体レーザ素子２１が複数配列する場合、Ｘ方向に配列する複数の第２半導体レーザ素子２１は、各々から出射される光の光軸が互いに平行となるように配置されていることが好ましい。また、Ｘ方向に配列する複数の第２半導体レーザ素子２１は、各出射面がＹ方向においてランダムな位置に配置されていてもよいが、図１Ｄに示すように、各出射面がＸ方向に一直線上（例えば、直線Ｓ上）に配列するように配置されていることが好ましい。
直線Ｆ上に配列する複数の第１半導体レーザ素子１１の各出射面と、直線Ｓ上に配列する複数の第２半導体レーザ素子２１の各出射面とは、Ｘ方向に平行であることが好ましい。この場合、それらの直線Ｆ、Ｓの間隔Ｄは、例えば、０．８０ｍｍ以上１．２０ｍｍ以下が挙げられ、０．９５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下が好ましい。これらの直線Ｆ、Ｓは重なっていてもよい。
Ｘ方向に配列する複数の第１半導体レーザ素子１１と、Ｘ方向に配列する１以上の第２半導体レーザ素子２１とは、Ｘ方向において、互いに重ならないように配置されることが好ましい。互いに重ならないとは、ＹＺ平面で切断した全断面において、第１半導体レーザ素子１１と第２半導体レーザ素子２１とが併存しないことを意味する。また、ＸＺ平面で切断した全断面においても、第１半導体レーザ素子１１と第２半導体レーザ素子２１とが併存しないことが好ましい。このような配列によって、第１半導体レーザ素子１１同士、第１半導体レーザ素子１１と第２半導体レーザ素子２１、第２半導体レーザ素子２１同士が近接して配列されているとしても、互いに所定の距離を空け、半導体レーザ素子間のスペースに第１給電端子１２及び第２給電端子２２を配置することができる。従って、配線長を抑え、駆動電圧の上昇を抑えることができる。
【0016】
第１半導体レーザ素子１１及び第２半導体レーザ素子２１は、例えば、波長ピークが青色を示す半導体レーザ素子、緑色を示す半導体レーザ素子、赤色を示す半導体レーザ素子、また、これら以外の色を示す半導体レーザ素子を採用することができる。波長ピークが青色とは、４２０ｎｍ～４９４ｎｍの範囲内にある光、波長ピークが緑色とは、４９５ｎｍ～５７０ｎｍの範囲内にある光、波長ピークが赤色とは、６０５ｎｍ～７５０ｎｍの範囲内にある光を指す。
波長ピークが青色の半導体レーザ素子及び波長ピークが緑色の半導体レーザ素子としては、窒化物半導体を含む半導体レーザ素子が挙げられる。窒化物半導体は、例えば、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、及びＡｌＧａＮ等の半導体層を用いることができる。波長ピークが赤色の半導体レーザ素子は、ＩｎＡｌＧａＰ系、ＧａＩｎＰ系、ＧａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系の半導体層を含むものが挙げられる。
複数の第１半導体レーザ素子及び１以上の第２半導体レーザ素子は一部又は全てが同じ又は異なる波長ピークを有するものであってもよく、なかでも、複数の第１半導体レーザ素子及び１以上の第２半導体レーザ素子の全てが、青色の波長ピークを示すものが好ましい。このように全ての半導体レーザ素子を青色の波長ピークを示すものとすることにより、上述したような熱干渉の低減効果を、より有利に利用することができるとともに、駆動電圧の低減効果をより有利に利用することが可能となる。
半導体レーザ素子は、１つのエミッターを有するシングルエミッター、２つ以上のエミッターを有するマルチエミッター等のいずれであってもよい。半導体レーザ素子が複数のエミッターを有する場合、それぞれのエミッターに係る出射端面から、楕円形状のＦＦＰを形成するレーザ光が出射される。
波長ピークが青色の半導体レーザ素子及び波長ピークが緑色の半導体レーザ素子としては、窒化物半導体を含む半導体レーザ素子が挙げられる。窒化物半導体は、例えば、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、及びＡｌＧａＮ等の半導体層を用いることができる。波長ピークが赤色の半導体レーザ素子は、ＩｎＡｌＧａＰ系、ＧａＩｎＰ系、ＧａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系の半導体層を含むものが挙げられる。
複数の第１半導体レーザ素子及び１以上の第２半導体レーザ素子は一部又は全てが同じ又は異なる波長ピークを有するものであってもよく、なかでも、複数の第１半導体レーザ素子及び１以上の第２半導体レーザ素子の全てが、青色の波長ピークを示すものが好ましい。このように全ての半導体レーザ素子を青色の波長ピークを示すものとすることにより、上述したような熱干渉の低減効果を、より有利に利用することができるとともに、駆動電圧の低減効果をより有利に利用することが可能となる。
半導体レーザ素子は、１つのエミッターを有するシングルエミッター、２つ以上のエミッターを有するマルチエミッター等のいずれであってもよい。半導体レーザ素子が複数のエミッターを有する場合、それぞれのエミッターに係る出射端面から、楕円形状のＦＦＰを形成するレーザ光が出射される。
【0017】
第１半導体レーザ素子１１及び第２半導体レーザ素子２１は、接合部材等を介して基部９に配置してもよいし、サブマウント等を介して基部９に配置されていてもよい。
なかでも、第１半導体レーザ素子１１及び第２半導体レーザ素子２１は、サブマウントの上に配置されていることが好ましい。このような構成とすることで、半導体レーザ素子から出射された光が基部９に当たり、迷光が発生することを抑制することができる。
なかでも、第１半導体レーザ素子１１及び第２半導体レーザ素子２１は、サブマウントの上に配置されていることが好ましい。このような構成とすることで、半導体レーザ素子から出射された光が基部９に当たり、迷光が発生することを抑制することができる。
【0018】
（接合部材）
接合部材は、上述したように、基部９に半導体レーザ素子を配置する際又は後述するサブマウントに半導体レーザ素子を配置する際に用いることができる。接合部材は、例えば、錫－ビスマス系、錫－銅系、錫－銀系、金－錫系等の半田、ＡｕとＳｎとを主成分とする合金、ＡｕとＳｉとを主成分とする合金、ＡｕとＧｅとを主成分とする合金等の共晶合金、銀、金、パラジウムなどの導電性ペースト、ＡＣＰ、ＡＣＦ等の異方性導電材、低融点金属のろう材、これらを組み合わせた導電性接着剤、導電性複合接着剤等が挙げられる。
接合部材は、上述したように、基部９に半導体レーザ素子を配置する際又は後述するサブマウントに半導体レーザ素子を配置する際に用いることができる。接合部材は、例えば、錫－ビスマス系、錫－銅系、錫－銀系、金－錫系等の半田、ＡｕとＳｎとを主成分とする合金、ＡｕとＳｉとを主成分とする合金、ＡｕとＧｅとを主成分とする合金等の共晶合金、銀、金、パラジウムなどの導電性ペースト、ＡＣＰ、ＡＣＦ等の異方性導電材、低融点金属のろう材、これらを組み合わせた導電性接着剤、導電性複合接着剤等が挙げられる。
【0019】
（サブマウント）
半導体レーザ素子を基部９に配置するために、半導体レーザ素子をサブマウントに配置し、半導体レーザ素子が配置されたサブマウントを基部に配置することが好ましい。つまり、基部９には、複数の第１サブマウント１５が配列方向に配置され、その上に対応する第１半導体レーザ素子１１がそれぞれ配置される。また、基部９には、１つの第２サブマウント２５が配置され又は複数の第２サブマウント２５が配列方向に配置され、その上に対応する第２半導体レーザ素子２１がそれぞれ配置される。サブマウントは、２つの接合面を有し、２つの接合面が互いに平行な円柱、四角柱等の多角形柱の形状であることが好ましい。なかでも、直方体であるものが好ましい。
サブマウントは、例えば、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素等のセラミックス、金、銀、銅、タングステン、ニッケル等の金属、ダイヤモンド等を用いて形成することができる。なかでも、サブマウントは放熱性の良い材料を用いて形成されていることが好ましい。接合面には、接合のための金属膜が設けられていることが好ましい。半導体レーザ素子は、サブマウントの一方の接合面に固定されることが好ましい。
サブマウントの幅ＳＳ１、ＳＳ２（Ｘ方向の長さ）は、半導体レーザ素子の幅Ｌ１、Ｌ２よりも大きく、例えば、半導体レーザ素子の幅の２００％以上５００％以下が挙げられ、２００％以上４００％以下が挙げられる。また、例えば、サブマウントの幅ＳＳ１、ＳＳ２は、０．７０ｍｍ以上０．９０ｍｍ以下が挙げられる。
第１サブマウント１５間の幅Ｓ１は、０．９０ｍｍ以上、１．２０ｍｍ以下が好ましい。第２サブマウント２５が複数配置されている場合、それらの幅Ｓ２は、０．９０ｍｍ以上、１．２０ｍｍ以下が好ましい。
また、サブマウントの幅ＳＳ１、ＳＳ２は、後述する給電端子の幅ＴＴ１、ＴＴ２よりも大きく、例えば、給電端子の幅ＴＴ１、ＴＴ２の２００％以上５００％以下が挙げられ、２００％以上４００％以下が挙げられる。厚みは、半導体レーザ素子の性能によって、適宜設定することができる。
また、第１半導体レーザ素子１１が配置されるサブマウントの幅ＳＳ１は、後述する第１反射部材１３の幅（Ｘ方向の長さ）以上である。このように第１サブマウント１５の接合面の面積を確保することで放熱性を向上させることができる。
半導体レーザ素子を基部９に配置するために、半導体レーザ素子をサブマウントに配置し、半導体レーザ素子が配置されたサブマウントを基部に配置することが好ましい。つまり、基部９には、複数の第１サブマウント１５が配列方向に配置され、その上に対応する第１半導体レーザ素子１１がそれぞれ配置される。また、基部９には、１つの第２サブマウント２５が配置され又は複数の第２サブマウント２５が配列方向に配置され、その上に対応する第２半導体レーザ素子２１がそれぞれ配置される。サブマウントは、２つの接合面を有し、２つの接合面が互いに平行な円柱、四角柱等の多角形柱の形状であることが好ましい。なかでも、直方体であるものが好ましい。
サブマウントは、例えば、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素等のセラミックス、金、銀、銅、タングステン、ニッケル等の金属、ダイヤモンド等を用いて形成することができる。なかでも、サブマウントは放熱性の良い材料を用いて形成されていることが好ましい。接合面には、接合のための金属膜が設けられていることが好ましい。半導体レーザ素子は、サブマウントの一方の接合面に固定されることが好ましい。
サブマウントの幅ＳＳ１、ＳＳ２（Ｘ方向の長さ）は、半導体レーザ素子の幅Ｌ１、Ｌ２よりも大きく、例えば、半導体レーザ素子の幅の２００％以上５００％以下が挙げられ、２００％以上４００％以下が挙げられる。また、例えば、サブマウントの幅ＳＳ１、ＳＳ２は、０．７０ｍｍ以上０．９０ｍｍ以下が挙げられる。
第１サブマウント１５間の幅Ｓ１は、０．９０ｍｍ以上、１．２０ｍｍ以下が好ましい。第２サブマウント２５が複数配置されている場合、それらの幅Ｓ２は、０．９０ｍｍ以上、１．２０ｍｍ以下が好ましい。
また、サブマウントの幅ＳＳ１、ＳＳ２は、後述する給電端子の幅ＴＴ１、ＴＴ２よりも大きく、例えば、給電端子の幅ＴＴ１、ＴＴ２の２００％以上５００％以下が挙げられ、２００％以上４００％以下が挙げられる。厚みは、半導体レーザ素子の性能によって、適宜設定することができる。
また、第１半導体レーザ素子１１が配置されるサブマウントの幅ＳＳ１は、後述する第１反射部材１３の幅（Ｘ方向の長さ）以上である。このように第１サブマウント１５の接合面の面積を確保することで放熱性を向上させることができる。
【0020】
（第１給電端子１２及び第２給電端子２２）
第１給電端子１２及び第２給電端子２２は、それぞれ、第１半導体レーザ素子１１及び第２半導体レーザ素子２１と電気的に接続して、半導体レーザ素子に駆動電圧を印加するための部材である。第１給電端子１２は、第１半導体レーザ素子１１ごとに複数配置されている。第２給電端子２２は、第２半導体レーザ素子２１ごとに１又は複数配置されている。
第１給電端子１２及び第２給電端子２２は、壁部８又は／及び基部９の内部に埋設されている導電回路を経由して、外部接続電極４と電気的に接続されている。また、第１給電端子１２及び第２給電端子２２は、上面視で、壁部８から第１反射部材１３又は第２反射部材２３の方向に向かって延伸している。図１Ａにおいては、第１給電端子１２及び第２給電端子２２は、壁部８の内側面と接する矩形である。
第１給電端子１２及び第２給電端子２２の幅ＴＴ１、ＴＴ２（Ｘ方向の長さ）は、例えば、０．２５ｍｍ以上０．３５ｍｍ以下が挙げられる。また、第１給電端子１２及び第２給電端子２２のＹ方向の長さは、例えば、１．４０ｍｍ以上１．６０ｍｍ以下が挙げられる。
第１給電端子１２及び第２給電端子２２の寸法は、設置される位置に応じて適宜設定してもよい。図１Ａにおいては、複数の第１半導体レーザ素子１１に挟まれていない第１給電端子１２、及び複数の第２半導体レーザ素子２１に挟まれていない第２給電端子２２は、それ以外の給電端子と異なる寸法であり、Ｘ方向の長さは０．６５ｍｍ、Ｙ方向の長さは０．９０ｍｍである。
第１給電端子１２は、第１半導体レーザ素子１１と電気的に接続するために、複数の第１半導体レーザ素子１１のうち隣り合う２つの第１半導体レーザ素子１１に挟まれた領域に配置される。ただし、複数配列された第１半導体レーザ素子１１の一方端に配置する第１半導体レーザ素子１１に対しては、図１Ａに示すように、隣り合う２つの第１半導体レーザ素子１１に挟まれた領域でなくても、一方端の第１半導体レーザ素子１１の側方に配置されていればよい。また、第１給電端子１２は、後述する第２反射部材２３を基準として、第２半導体レーザ素子２１の反対側に存在する。図１Ｄに示すように、第１給電端子１２と第２反射部材２３との距離Ｍ１（つまり、Ｙ方向における間隔）は、第１給電端子１２の第１光軸方向Ｙ１における長さより短い。例えば、第１給電端子１２と第２反射部材２３との距離Ｍ１は、第１給電端子１２の第１光軸方向Ｙ１における長さの１００％未満が挙げられ、９０％以下、８０％以下が好ましく、２０％以上、３０％以上が好ましい。このような構成とすることで、後述する第１導電部材１４の長さを短くすることができ、駆動電圧を低減することができる。
第２給電端子２２は、第２半導体レーザ素子２１と電気的に接続するために配置される領域であって、第２半導体レーザ素子２１が１つのみ配置される場合は、図２に示すように、上述した一方端の第１半導体レーザ素子１１の側方に配置されるのと同様に、第２半導体レーザ素子２１の側方に１つ配置されていればよい。この場合は、第２半導体レーザ素子２１のいずれの側方に配置されていてもよい。複数の第２半導体レーザ素子２１が配置される場合には、図１Ａに示すように、隣り合う２つの第２半導体レーザ素子２１に挟まれた領域に配置される。ただし、複数配列された第２半導体レーザ素子２１の一方端に配置する第２半導体レーザ素子２１に対しては、隣り合う２つの第２半導体レーザ素子に挟まれた領域でなくても、一方端の第２半導体レーザ素子２１の側方に配置されていればよい。また、第２給電端子２２は、後述する第１反射部材１３を基準として、第１半導体レーザ素子１１の反対側に存在する。図１Ｄに示すように、第２給電端子２２と第１反射部材１３との距離Ｍ２（つまり、Ｙ方向における間隔）は、第２給電端子２２の第２光軸方向Ｙ２における長さより短い。例えば、第２給電端子２２と第１反射部材１３との距離Ｍ２は、第２給電端子２２の第２光軸方向Ｙ２における長さの１００％未満が挙げられ、９０％以下、８０％以下が好ましく、２０％以上、３０％以上が好ましい。このような構成とすることで、後述する第２導電部材２４の長さを短くすることができ、駆動電圧を低減することができる。
第１給電端子１２及び第２給電端子２２は、それぞれ、第１半導体レーザ素子１１及び第２半導体レーザ素子２１と電気的に接続して、半導体レーザ素子に駆動電圧を印加するための部材である。第１給電端子１２は、第１半導体レーザ素子１１ごとに複数配置されている。第２給電端子２２は、第２半導体レーザ素子２１ごとに１又は複数配置されている。
第１給電端子１２及び第２給電端子２２は、壁部８又は／及び基部９の内部に埋設されている導電回路を経由して、外部接続電極４と電気的に接続されている。また、第１給電端子１２及び第２給電端子２２は、上面視で、壁部８から第１反射部材１３又は第２反射部材２３の方向に向かって延伸している。図１Ａにおいては、第１給電端子１２及び第２給電端子２２は、壁部８の内側面と接する矩形である。
第１給電端子１２及び第２給電端子２２の幅ＴＴ１、ＴＴ２（Ｘ方向の長さ）は、例えば、０．２５ｍｍ以上０．３５ｍｍ以下が挙げられる。また、第１給電端子１２及び第２給電端子２２のＹ方向の長さは、例えば、１．４０ｍｍ以上１．６０ｍｍ以下が挙げられる。
第１給電端子１２及び第２給電端子２２の寸法は、設置される位置に応じて適宜設定してもよい。図１Ａにおいては、複数の第１半導体レーザ素子１１に挟まれていない第１給電端子１２、及び複数の第２半導体レーザ素子２１に挟まれていない第２給電端子２２は、それ以外の給電端子と異なる寸法であり、Ｘ方向の長さは０．６５ｍｍ、Ｙ方向の長さは０．９０ｍｍである。
第１給電端子１２は、第１半導体レーザ素子１１と電気的に接続するために、複数の第１半導体レーザ素子１１のうち隣り合う２つの第１半導体レーザ素子１１に挟まれた領域に配置される。ただし、複数配列された第１半導体レーザ素子１１の一方端に配置する第１半導体レーザ素子１１に対しては、図１Ａに示すように、隣り合う２つの第１半導体レーザ素子１１に挟まれた領域でなくても、一方端の第１半導体レーザ素子１１の側方に配置されていればよい。また、第１給電端子１２は、後述する第２反射部材２３を基準として、第２半導体レーザ素子２１の反対側に存在する。図１Ｄに示すように、第１給電端子１２と第２反射部材２３との距離Ｍ１（つまり、Ｙ方向における間隔）は、第１給電端子１２の第１光軸方向Ｙ１における長さより短い。例えば、第１給電端子１２と第２反射部材２３との距離Ｍ１は、第１給電端子１２の第１光軸方向Ｙ１における長さの１００％未満が挙げられ、９０％以下、８０％以下が好ましく、２０％以上、３０％以上が好ましい。このような構成とすることで、後述する第１導電部材１４の長さを短くすることができ、駆動電圧を低減することができる。
第２給電端子２２は、第２半導体レーザ素子２１と電気的に接続するために配置される領域であって、第２半導体レーザ素子２１が１つのみ配置される場合は、図２に示すように、上述した一方端の第１半導体レーザ素子１１の側方に配置されるのと同様に、第２半導体レーザ素子２１の側方に１つ配置されていればよい。この場合は、第２半導体レーザ素子２１のいずれの側方に配置されていてもよい。複数の第２半導体レーザ素子２１が配置される場合には、図１Ａに示すように、隣り合う２つの第２半導体レーザ素子２１に挟まれた領域に配置される。ただし、複数配列された第２半導体レーザ素子２１の一方端に配置する第２半導体レーザ素子２１に対しては、隣り合う２つの第２半導体レーザ素子に挟まれた領域でなくても、一方端の第２半導体レーザ素子２１の側方に配置されていればよい。また、第２給電端子２２は、後述する第１反射部材１３を基準として、第１半導体レーザ素子１１の反対側に存在する。図１Ｄに示すように、第２給電端子２２と第１反射部材１３との距離Ｍ２（つまり、Ｙ方向における間隔）は、第２給電端子２２の第２光軸方向Ｙ２における長さより短い。例えば、第２給電端子２２と第１反射部材１３との距離Ｍ２は、第２給電端子２２の第２光軸方向Ｙ２における長さの１００％未満が挙げられ、９０％以下、８０％以下が好ましく、２０％以上、３０％以上が好ましい。このような構成とすることで、後述する第２導電部材２４の長さを短くすることができ、駆動電圧を低減することができる。
【0021】
第１給電端子１２及び第２給電端子２２が半導体レーザ素子間に配置される場合、図１Ｄに示すように、第１半導体レーザ素子１１から第１給電端子１２までのＸ方向における間隔Ｔ１、第２半導体レーザ素子２１から及び第２給電端子２２までのＸ方向における間隔Ｔ２は、一部又は全部において異なっていてもよいが、全部が同じであることが好ましい。これによって、各半導体レーザ素子に接続する後述の導電部材の長さを均一にすることができるために、各半導体レーザ素子の駆動電力を均一にすることができる。また、半導体レーザ素子がサブマウントに載置されている場合、第１サブマウント１５から第１給電端子１２までのＸ方向における間隔Ｕ１、第２サブマウント２５から及び第２給電端子２２までのＸ方向における間隔Ｕ２は、一部又は全部において異なっていてもよいが、全部が同じであることが好ましい。
第１給電端子１２及び第２給電端子２２の端部は、それぞれ、第１半導体レーザ素子１１及び第２半導体レーザ素子２１の端部のうち壁部８の内側面に近い端部と同等の距離に位置するように配置されていてもよい。また、第１給電端子１２及び第２給電端子２２のうち壁部８の内側面に近い端部は、それぞれ、第１半導体レーザ素子１１及び第２半導体レーザ素子２１の端部のうち壁部８の内側面に近い端部よりも、内側面側に位置するように配置されていてもよい。なかでも、第１給電端子１２及び第２給電端子２２の端部のうち壁部８の内側面に近い端部は、それぞれ、第１半導体レーザ素子１１及び第２半導体レーザ素子２１よりも、壁部８の内側面に近い位置に配置されることが好ましい。このような構成とすることで、第１導電部材１４及び第２導電部材２４と、第１反射部材１３及び第２反射部材２３との接触を防ぐことができる。
第１給電端子１２及び第２給電端子２２の平面形状、大きさ、厚み等は、電圧を供給する半導体レーザ素子の性能等によって、適宜設定することができ、第１半導体レーザ素子１１及び／又は第２半導体レーザ素子２１に挟まれた領域又はそれらの側方の領域に収まる平面形状及び大きさであることが好ましい。例えば、半導体レーザ素子の平面形状及び大きさと同等かそれよりも大きい又は小さいものが挙げられる。
第１給電端子１２及び第２給電端子２２の幅ＴＴ１、ＴＴ２は、使用する電圧等によって、適宜設定することができる。例えば、半導体レーザ素子の幅Ｌ１、Ｌ２よりも大きくてもよく、例えば、０．１０ｍｍ以上０．５０ｍｍ以下が挙げられ、０．２０ｍｍ以上０．４０ｍｍ以下がより好ましい。また、第１給電端子１２及び第２給電端子２２のＹ方向における長さは、半導体レーザ素子の長さの±５０％が挙げられ、±３０％が好ましく、±２０％がより好ましい。
第１給電端子１２及び第２給電端子２２の端部は、それぞれ、第１半導体レーザ素子１１及び第２半導体レーザ素子２１の端部のうち壁部８の内側面に近い端部と同等の距離に位置するように配置されていてもよい。また、第１給電端子１２及び第２給電端子２２のうち壁部８の内側面に近い端部は、それぞれ、第１半導体レーザ素子１１及び第２半導体レーザ素子２１の端部のうち壁部８の内側面に近い端部よりも、内側面側に位置するように配置されていてもよい。なかでも、第１給電端子１２及び第２給電端子２２の端部のうち壁部８の内側面に近い端部は、それぞれ、第１半導体レーザ素子１１及び第２半導体レーザ素子２１よりも、壁部８の内側面に近い位置に配置されることが好ましい。このような構成とすることで、第１導電部材１４及び第２導電部材２４と、第１反射部材１３及び第２反射部材２３との接触を防ぐことができる。
第１給電端子１２及び第２給電端子２２の平面形状、大きさ、厚み等は、電圧を供給する半導体レーザ素子の性能等によって、適宜設定することができ、第１半導体レーザ素子１１及び／又は第２半導体レーザ素子２１に挟まれた領域又はそれらの側方の領域に収まる平面形状及び大きさであることが好ましい。例えば、半導体レーザ素子の平面形状及び大きさと同等かそれよりも大きい又は小さいものが挙げられる。
第１給電端子１２及び第２給電端子２２の幅ＴＴ１、ＴＴ２は、使用する電圧等によって、適宜設定することができる。例えば、半導体レーザ素子の幅Ｌ１、Ｌ２よりも大きくてもよく、例えば、０．１０ｍｍ以上０．５０ｍｍ以下が挙げられ、０．２０ｍｍ以上０．４０ｍｍ以下がより好ましい。また、第１給電端子１２及び第２給電端子２２のＹ方向における長さは、半導体レーザ素子の長さの±５０％が挙げられ、±３０％が好ましく、±２０％がより好ましい。
【0022】
第１給電端子１２及び第２給電端子２２は、例えば、導電性材料の層によって形成することができる。導電性材料の層は、基部９に配置されていてもよいし、上述したサブマウント等の放熱性の部材の上に配置されていてもよい。導電性材料の層は、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｓｉ等の金属又はこれらの合金を含む単層構造又は積層構造とすることができる。具体的には、Ｔｉ／Ｒｈ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｗ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｒｈ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｒｕ／Ｔｉ、Ｔｉ／Ａｌ－Ｓｉ／Ｔａ／Ｒｕ、Ｒｈ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｒｕ／Ｎｉ／Ａｕ等の積層構造とすることができる。
【0023】
第１給電端子１２は、第１導電部材１４を介して、第１半導体レーザ素子１１と接続されている。第２給電端子２２は、第２導電部材２４を介して、第２半導体レーザ素子２１と接続されている。第１導電部材１４は、各々の第１給電端子１２ごとに対して複数配置され、また、各々の第１半導体レーザ素子１１ごとに対して複数配置される。第２導電部材２４は、各々の第２給電端子２２ごとに対して複数配置され、また、各々の第２半導体レーザ素子２１ごとに複数配置される。例えば、第１導電部材１４及び第２導電部材２４は、給電端子ごと又は半導体レーザ素子ごとに、それぞれ２以上１０以下配置することができ、３以上６以下配置することが好ましい。１つの給電端子又は１つの半導体レーザ素子に配置される複数の導電部材は、上面視でみたときの長手方向（図のＹ方向）に並んで配列されることが好ましい。このような構成とすることで、発光装置の出力が上がっても電流が各導電部材に分配され、各導電部材の長さを短くしても断線が発生しにくくなる。
第１導電部材１４及び第２導電部材２４は、例えば、線状の形状とするものが挙げられ、金属のワイヤであることが好ましい。金属には、例えば、金、アルミニウム、銀、銅、これらの合金等を用いることができる。
第１導電部材１４及び第２導電部材２４は、例えば、線状の形状とするものが挙げられ、金属のワイヤであることが好ましい。金属には、例えば、金、アルミニウム、銀、銅、これらの合金等を用いることができる。
【0024】
第１給電端子１２及び第１導電部材１４は、図１Ａに示すように、複数の第１半導体レーザ素子１１を、外部接続電極４を介して、個別に外部電源に接続することができる。また、第２給電端子２２及び第２導電部材２４は、第２半導体レーザ素子２１が複数ある場合に、複数の第２半導体レーザ素子２１を、外部接続電極４を介して、個別に外部電源に接続することができる。
複数の第１半導体レーザ素子１１と、１以上の第２半導体レーザ素子２１とは、個別に、外部接続電極４を介して、外部電源に接続されていることが好ましい。
なお、図１Ａ及び図２に示すように、光源装置が、半導体レーザ素子ごとにツェナーダイオード等の保護素子３を備える場合には、各保護素子３も給電端子に接続される。この場合、半導体レーザ素子と保護素子３とを給電端子によって、個別に外部電源に接続することが好ましい。このような接続によって、半導体レーザ素子及び保護素子の組が複数配列されている場合には、それらは並列接続又は直列接続することができる。
複数の第１半導体レーザ素子１１と、１以上の第２半導体レーザ素子２１とは、個別に、外部接続電極４を介して、外部電源に接続されていることが好ましい。
なお、図１Ａ及び図２に示すように、光源装置が、半導体レーザ素子ごとにツェナーダイオード等の保護素子３を備える場合には、各保護素子３も給電端子に接続される。この場合、半導体レーザ素子と保護素子３とを給電端子によって、個別に外部電源に接続することが好ましい。このような接続によって、半導体レーザ素子及び保護素子の組が複数配列されている場合には、それらは並列接続又は直列接続することができる。
【0025】
（第３給電端子３２及び第４給電端子４２）
第３給電端子３２は、第１半導体レーザ素子１１と電気的に接続して、駆動電圧を印加するための部材であって、第１給電端子１２と対応する部材である。第４給電端子４２は、第２半導体レーザ素子２１と電気的に接続して、駆動電圧を印加するための部材であって、第２給電端子２２と対応する部材である。第３給電端子３２は、第１半導体レーザ素子１１ごとに配置されている。第４給電端子４２は、第２半導体レーザ素子２１ごとに配置されている。第３給電端子３２及び第４給電端子４２は、壁部８又は／及び基部９の内部に埋設されている導電回路を経由して、外部接続電極４と電気的に接続されている。
第３給電端子３２及び第４給電端子４２は、上面視で、壁部８の内側面と、半導体レーザ素子の端部のうち壁部８の内側面に近い端部と、の間に設けられていてもよい。また、図のように、壁部８に段差を設け、該段差に第３給電端子３２及び第４給電端子４２を設けることができる。第３給電端子３２及び第４給電端子４２は、対応する半導体レーザ素子を基準として、第１反射部材又は第２反射部材とは反対側に配置されている。隣り合う２つのレーザ間に第１給電端子１２及び第３給電端子３２、または、第２給電端子２２及び第４給電端子４２を設けるよりも、一方のみを２つのレーザ間に設け、他方を別の箇所に設ける方が、パッケージのサイズを小型化できる場合がある。
第３給電端子３２と第１半導体レーザ素子１１は、金属ワイヤ等の第３導電部材３４を介し電気的に接続されている。第４給電端子４２と第２半導体レーザ素子２１は、金属ワイヤ等の第４導電部材４４を介し電気的に接続されている。この場合、第３導電部材３４の一端は第３給電端子３２に、また、第４導電部材４４の一端は第４給電端子４２に接合されている。また、第３導電部材３４の他の一端は第１半導体レーザ素子１１に直接接合されているか、あるいは第１半導体レーザ素子１１が配されるサブマウントに接合されている。また、第４導電部材４４の他の一端は第２半導体レーザ素子２１に直接接合されているか、あるいは第２半導体レーザ素子２１が配されるサブマウントに接合されている。サブマウントに接合されている場合、第３給電端子３２及び第４給電端子４２は、導電部材及びサブマウント表面に設けられた金属膜を介して半導体レーザ素子と電気的に接続されている。
１つの第３給電端子３２又は第４給電端子４２に設けられる導電部材は複数である。なお、１つの第３給電端子３２又は第４給電端子４２に設けられる導電部材は１つであってもよい。第１半導体レーザ素子１１に係る第１給電端子１２及び第３給電端子３２に関し、第１給電端子１２に設けられる第１導電部材１４の数は、第３給電端子３２に設けられる第３導電部材３４の数よりも多い。第２半導体レーザ素子２１に係る第２給電端子２２及び第４給電端子４２に関し、第２給電端子２２に設けられる第２導電部材２４の数は、第４給電端子４２に設けられる第４導電部材４４の数よりも多い。１つの第３給電端子３２又は第４給電端子４２に複数の導電部材を設ける場合、Ｘ方向に配列することが好ましい。このように、有効にスペースを活用して給電端子を設け、給電端子の形状に合わせてそこに設ける導電部材の数を調整することで、パッケージのサイズを小型化できる。
さらに、第３給電端子３２及び第４給電端子４２のＸ方向における大きさは、第１半導体レーザ素子１１及び第２半導体レーザ素子２１のＹ方向における長さよりも短いことが好ましい。また、第３給電端子３２及び第４給電端子４２のＸ方向における大きさは、第１給電端子１２及び第２給電端子２２のＹ方向における長さよりも短いことが好ましい。また、第３給電端子３２及び第４給電端子４２のＸ方向における大きさは、サブマウントのＸ方向における長さよりも短いことが好ましい。このような大きさとすることで、第３給電端子３２及び第４給電端子４２と第１半導体レーザ素子１１及ぶ第２半導体レーザ素子２１との距離を近づけることができ、駆動電圧を抑えることができる。なお、第３給電端子３２及び第４給電端子４２のＸ方向における長さを、第１半導体レーザ素子１１、第２半導体レーザ素子２１、第１給電端子１２及び第２給電端子２２のＹ方向における長さより長くしてもよい。
第１給電端子１２に設けられる複数の第１導電部材１４のうち、Ｙ方向において両端に配される２つの第１導電部材１４のＹ方向に係る距離は、第１半導体レーザ素子１１のＸ方向における長さよりも長い。第１給電端子１２に設けられる複数の第１導電部材１４のうち、Ｙ方向において両端に配される２つの第１導電部材１４のＹ方向に係る距離は、第１半導体レーザ素子１１が配されるサブマウントのＸ方向における長さよりも長い。第１給電端子１２に設けられる複数の第１導電部材１４のうち、Ｙ方向において両端に配される２つの第１導電部材１４のＹ方向に係る距離は、第１半導体レーザ素子１１からの光を反射する第１反射部材１３のＸ方向における長さよりも長い。このような第１給電端子１２を、Ｘ方向ではなく、隣り合う第１半導体レーザ素子１１の間にＹ方向に設けることで、パッケージのサイズを小型化できる。
第３給電端子３２及び第４給電端子４２は、例えば、第１給電端子１２及び第２給電端子２２と同じ材料によって形成されてよい。
第３給電端子３２は、第１半導体レーザ素子１１と電気的に接続して、駆動電圧を印加するための部材であって、第１給電端子１２と対応する部材である。第４給電端子４２は、第２半導体レーザ素子２１と電気的に接続して、駆動電圧を印加するための部材であって、第２給電端子２２と対応する部材である。第３給電端子３２は、第１半導体レーザ素子１１ごとに配置されている。第４給電端子４２は、第２半導体レーザ素子２１ごとに配置されている。第３給電端子３２及び第４給電端子４２は、壁部８又は／及び基部９の内部に埋設されている導電回路を経由して、外部接続電極４と電気的に接続されている。
第３給電端子３２及び第４給電端子４２は、上面視で、壁部８の内側面と、半導体レーザ素子の端部のうち壁部８の内側面に近い端部と、の間に設けられていてもよい。また、図のように、壁部８に段差を設け、該段差に第３給電端子３２及び第４給電端子４２を設けることができる。第３給電端子３２及び第４給電端子４２は、対応する半導体レーザ素子を基準として、第１反射部材又は第２反射部材とは反対側に配置されている。隣り合う２つのレーザ間に第１給電端子１２及び第３給電端子３２、または、第２給電端子２２及び第４給電端子４２を設けるよりも、一方のみを２つのレーザ間に設け、他方を別の箇所に設ける方が、パッケージのサイズを小型化できる場合がある。
第３給電端子３２と第１半導体レーザ素子１１は、金属ワイヤ等の第３導電部材３４を介し電気的に接続されている。第４給電端子４２と第２半導体レーザ素子２１は、金属ワイヤ等の第４導電部材４４を介し電気的に接続されている。この場合、第３導電部材３４の一端は第３給電端子３２に、また、第４導電部材４４の一端は第４給電端子４２に接合されている。また、第３導電部材３４の他の一端は第１半導体レーザ素子１１に直接接合されているか、あるいは第１半導体レーザ素子１１が配されるサブマウントに接合されている。また、第４導電部材４４の他の一端は第２半導体レーザ素子２１に直接接合されているか、あるいは第２半導体レーザ素子２１が配されるサブマウントに接合されている。サブマウントに接合されている場合、第３給電端子３２及び第４給電端子４２は、導電部材及びサブマウント表面に設けられた金属膜を介して半導体レーザ素子と電気的に接続されている。
１つの第３給電端子３２又は第４給電端子４２に設けられる導電部材は複数である。なお、１つの第３給電端子３２又は第４給電端子４２に設けられる導電部材は１つであってもよい。第１半導体レーザ素子１１に係る第１給電端子１２及び第３給電端子３２に関し、第１給電端子１２に設けられる第１導電部材１４の数は、第３給電端子３２に設けられる第３導電部材３４の数よりも多い。第２半導体レーザ素子２１に係る第２給電端子２２及び第４給電端子４２に関し、第２給電端子２２に設けられる第２導電部材２４の数は、第４給電端子４２に設けられる第４導電部材４４の数よりも多い。１つの第３給電端子３２又は第４給電端子４２に複数の導電部材を設ける場合、Ｘ方向に配列することが好ましい。このように、有効にスペースを活用して給電端子を設け、給電端子の形状に合わせてそこに設ける導電部材の数を調整することで、パッケージのサイズを小型化できる。
さらに、第３給電端子３２及び第４給電端子４２のＸ方向における大きさは、第１半導体レーザ素子１１及び第２半導体レーザ素子２１のＹ方向における長さよりも短いことが好ましい。また、第３給電端子３２及び第４給電端子４２のＸ方向における大きさは、第１給電端子１２及び第２給電端子２２のＹ方向における長さよりも短いことが好ましい。また、第３給電端子３２及び第４給電端子４２のＸ方向における大きさは、サブマウントのＸ方向における長さよりも短いことが好ましい。このような大きさとすることで、第３給電端子３２及び第４給電端子４２と第１半導体レーザ素子１１及ぶ第２半導体レーザ素子２１との距離を近づけることができ、駆動電圧を抑えることができる。なお、第３給電端子３２及び第４給電端子４２のＸ方向における長さを、第１半導体レーザ素子１１、第２半導体レーザ素子２１、第１給電端子１２及び第２給電端子２２のＹ方向における長さより長くしてもよい。
第１給電端子１２に設けられる複数の第１導電部材１４のうち、Ｙ方向において両端に配される２つの第１導電部材１４のＹ方向に係る距離は、第１半導体レーザ素子１１のＸ方向における長さよりも長い。第１給電端子１２に設けられる複数の第１導電部材１４のうち、Ｙ方向において両端に配される２つの第１導電部材１４のＹ方向に係る距離は、第１半導体レーザ素子１１が配されるサブマウントのＸ方向における長さよりも長い。第１給電端子１２に設けられる複数の第１導電部材１４のうち、Ｙ方向において両端に配される２つの第１導電部材１４のＹ方向に係る距離は、第１半導体レーザ素子１１からの光を反射する第１反射部材１３のＸ方向における長さよりも長い。このような第１給電端子１２を、Ｘ方向ではなく、隣り合う第１半導体レーザ素子１１の間にＹ方向に設けることで、パッケージのサイズを小型化できる。
第３給電端子３２及び第４給電端子４２は、例えば、第１給電端子１２及び第２給電端子２２と同じ材料によって形成されてよい。
【0026】
（第１反射部材１３及び第２反射部材２３）
第１反射部材１３及び第２反射部材２３は、基部９に配列されている。
第１反射部材１３は、配列方向（Ｘ方向）に沿って複数配列され、複数の第１半導体レーザ素子１１から第１光軸方向Ｙ１に離れた位置に配置されている。第２反射部材２３は、１以上の第２半導体レーザ素子２１から第２光軸方向Ｙ２に離れた位置に１以上配置されている。第２反射部材２３が複数配置される場合には、配列方向に沿って複数配列されている。第１反射部材１３と第１半導体レーザ素子１１との距離及び第２反射部材２３と第２半導体レーザ素子２１との距離は、任意に設定することができる。
複数の第１反射部材１３及び１以上の第２反射部材２３は、配列方向に沿って交互に配置することができる。第１反射部材１３及び第２反射部材２３は、Ｘ方向において、その一部又は全部が互いに対向するように配置されることが好ましい。
第１反射部材１３及び第２反射部材２３は、基部９に配列されている。
第１反射部材１３は、配列方向（Ｘ方向）に沿って複数配列され、複数の第１半導体レーザ素子１１から第１光軸方向Ｙ１に離れた位置に配置されている。第２反射部材２３は、１以上の第２半導体レーザ素子２１から第２光軸方向Ｙ２に離れた位置に１以上配置されている。第２反射部材２３が複数配置される場合には、配列方向に沿って複数配列されている。第１反射部材１３と第１半導体レーザ素子１１との距離及び第２反射部材２３と第２半導体レーザ素子２１との距離は、任意に設定することができる。
複数の第１反射部材１３及び１以上の第２反射部材２３は、配列方向に沿って交互に配置することができる。第１反射部材１３及び第２反射部材２３は、Ｘ方向において、その一部又は全部が互いに対向するように配置されることが好ましい。
【0027】
第１反射部材１３は、例えば、図１Ｃに示すように、第１半導体レーザ素子１１から出射されたレーザ光を受け、配列方向（Ｘ方向）及び第１光軸方向（Ｙ１方向）に直交する光出射方向（Ｚ方向）にレーザ光を反射させる第１反射面１３ａを有する第１ミラー部材である。
第２反射部材２３は、第２半導体レーザ素子２１から出射されたレーザ光を受け、光出射方向、つまり、第２光軸方向（Ｙ２方向）に直交する光出射方向（Ｚ方向）にレーザ光を反射させる第２反射面２３ａを有する第２ミラー部材である。
反射面は、基部９の面のうち、第１半導体レーザ素子１１及び第２半導体レーザ素子２１が配置される面に対して傾斜している。反射面は、基部９の表面に対して５度以８５度以下、例えば、４５度の傾斜角をなす傾斜面となるように基部９に配置される。反射面は、平面形状、曲面形状のいずれであってもよい。曲面形状の場合、局所的に下面から見て垂直又は平行な部分を有することがある。反射面は、なかでも、平面形状であるものが好ましい。
反射部材は、ガラス、金属等を用いて形成することができる。具体的には、石英、ＢＫ７（硼珪酸ガラス）等のガラス、アルミニウム等の金属、Ｓｉを主材料として含むものを用いて形成することができる。反射面は、例えば、Ａｇ、Ａｌ等の金属、Ｔａ２Ｏ５／ＳｉＯ２、ＴｉＯ２／ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５／ＳｉＯ２等の誘電体多層膜を用いて形成することができる。反射面は、反射させるレーザ光のピーク波長に対する光反射率が、９９％以上の光反射率を実現するものが挙げられ、９５％以上、９０％以上であってもよい。
複数の第１反射面１３ａと第１半導体レーザ素子１１の光軸との交点及び１以上の第２反射面と第２半導体レーザ素子２１の光軸との交点は、上面視において、それぞれ仮想直線を構成するように配置されていることが好ましい。言い換えると、第１反射部材及び第２反射部材は、後述するように、それらの反射面における光反射点、つまり、第１半導体レーザ素子及び第２半導体レーザ素子からの光が反射する点が、上面視において、それぞれ直線上に配置するように、配置されることが好ましい。なかでも、第１半導体レーザ素子からの光が反射する点及び第２半導体レーザ素子からの光が反射する点が、同一直線上に配置されることがより好ましい。このような構造とすることで、各発光部を点灯・消灯した際の照射ムラが低減され、均一なパターンを得ることができる。
また、第１半導体レーザ素子１１の出射端面を通る仮想平面は第２反射部材を通過する。第２半導体レーザ素子２１の出射端面を通る仮想平面は第１反射部材を通過する。更に、上面視で、第１反射面１３ａのＹ方向の長さは、第１反射部材１３のＹ方向の長さの８５％以上９５％以下とすることができ、上面視で、第２反射面２３ａのＹ方向の長さは、第２反射部材２３のＹ方向の長さの８５％以上９５％以下とすることができる。
第２反射部材２３は、第２半導体レーザ素子２１から出射されたレーザ光を受け、光出射方向、つまり、第２光軸方向（Ｙ２方向）に直交する光出射方向（Ｚ方向）にレーザ光を反射させる第２反射面２３ａを有する第２ミラー部材である。
反射面は、基部９の面のうち、第１半導体レーザ素子１１及び第２半導体レーザ素子２１が配置される面に対して傾斜している。反射面は、基部９の表面に対して５度以８５度以下、例えば、４５度の傾斜角をなす傾斜面となるように基部９に配置される。反射面は、平面形状、曲面形状のいずれであってもよい。曲面形状の場合、局所的に下面から見て垂直又は平行な部分を有することがある。反射面は、なかでも、平面形状であるものが好ましい。
反射部材は、ガラス、金属等を用いて形成することができる。具体的には、石英、ＢＫ７（硼珪酸ガラス）等のガラス、アルミニウム等の金属、Ｓｉを主材料として含むものを用いて形成することができる。反射面は、例えば、Ａｇ、Ａｌ等の金属、Ｔａ２Ｏ５／ＳｉＯ２、ＴｉＯ２／ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５／ＳｉＯ２等の誘電体多層膜を用いて形成することができる。反射面は、反射させるレーザ光のピーク波長に対する光反射率が、９９％以上の光反射率を実現するものが挙げられ、９５％以上、９０％以上であってもよい。
複数の第１反射面１３ａと第１半導体レーザ素子１１の光軸との交点及び１以上の第２反射面と第２半導体レーザ素子２１の光軸との交点は、上面視において、それぞれ仮想直線を構成するように配置されていることが好ましい。言い換えると、第１反射部材及び第２反射部材は、後述するように、それらの反射面における光反射点、つまり、第１半導体レーザ素子及び第２半導体レーザ素子からの光が反射する点が、上面視において、それぞれ直線上に配置するように、配置されることが好ましい。なかでも、第１半導体レーザ素子からの光が反射する点及び第２半導体レーザ素子からの光が反射する点が、同一直線上に配置されることがより好ましい。このような構造とすることで、各発光部を点灯・消灯した際の照射ムラが低減され、均一なパターンを得ることができる。
また、第１半導体レーザ素子１１の出射端面を通る仮想平面は第２反射部材を通過する。第２半導体レーザ素子２１の出射端面を通る仮想平面は第１反射部材を通過する。更に、上面視で、第１反射面１３ａのＹ方向の長さは、第１反射部材１３のＹ方向の長さの８５％以上９５％以下とすることができ、上面視で、第２反射面２３ａのＹ方向の長さは、第２反射部材２３のＹ方向の長さの８５％以上９５％以下とすることができる。
【0028】
（パッケージ）
上述したように、基部９は、パッケージの一部を構成する。パッケージとしては、例えば、図１Ｃに示すように、凹部内に半導体レーザ素子を収容する筐体状のパッケージが挙げられる。この場合、パッケージは、基部９と、基部９を囲う壁部８を有し、基部９と壁部８の内側面によって凹部７が構成される。壁部８は、内側面、内側面と反対側の外側面、内側面と外側面とに接する上面を有する。壁部８の内側面には、さらに段が設けられていてもよい。壁部８は、基部９と同じ材料によって一体的に形成したものであってもよいし、異なる材料であってもよい。壁部８は、電気的に接続する配線等として、図１Ａ及び１Ｃに示したように、その表面又は内部に、外部接続電極４として金属部等が設けられていてもよい。金属部の材料としては、基部９の金属部と同様のものが挙げられる。
基部９と壁部８とがパッケージを構成する場合、パッケージは蓋部材６を有していてもよい。図１Ｃにおいては、蓋部材６は、放熱部材６ａと波長変換部材５によって構成されている。また、図１Ｃにおいては、波長変換部材５は、包囲部５ａと波長変換部５ｂから構成されている。蓋部材６は、所定の雰囲気下で壁部８に接合され、基部９、壁部８及び蓋部材６によって気密封止された空間を形成することができる。気密封止された空間内に半導体レーザ素子等を配置することにより、集塵による品質劣化を低減することができる。気密封止するために、蓋部材６は、壁部８に、例えば、接着剤、金属接合材等によって、接合されている。金属接合材としては、ＡｕＳｎなどの金属ろう、はんだ等が挙げられる。図１Ｃにおいては、放熱部材６ａが、壁部８に接合されている。放熱部材６ａは、下面と、上面とを有する。放熱部材６ａは、例えば、平板形状であることが好ましく、上面視において、基部９の外形又はそれよりも小さい形状に相当する外形を有するものが好ましい。
放熱部材６ａは、光を透過する透光性を有するものが好ましい。ここで、透光性とは、パッケージ内に収容される半導体レーザ素子が出射する光の透過率が５０％以上であるものが挙げられ、６０％以上、７０％以上、８０％以上のものが好ましい。放熱部材６ａは、全部が透光性を有していてもよいし、その一部にのみ透光性を有する領域を有するものであってもよい。放熱部材６ａは、セラミックス、サファイア、ガラス等によって形成することができる。なかでも、サファイア、ガラス等の透光性部材によって形成されているものが好ましい。金属としては、基部９と同様のものが挙げられる。サファイアは透光性を有しており、比較的屈折率が高く、比較的強度も高い材料である。放熱部材６ａには、図１Ｃに示すように、包囲部５ａ及び波長変換部５ｂが接触して配置されていてもよい。波長変換部５ｂは、当該分野で公知の蛍光体を含有させることができる。波長変換部材５は、上面において互いに離隔する複数の光出射面を有し、それぞれの光出射面は波長変換部５ｂによって形成される。光出射面は、第１半導体レーザ素子１１及び第２半導体レーザ素子２１にそれぞれ対応するように、第１半導体レーザ素子１１の数と第２半導体レーザ素子２１の数との和と同数設けられることが好ましい。言い換えると、波長変換部５ｂは、第１半導体レーザ素子１１及び第２半導体レーザ素子２１にそれぞれ対応するように、例えば、第１反射部材１３及び第２反射部材２３の上方において、複数互いに離間して配置されていることが好ましい。波長変換部５ｂは、一体的に形成されていてもよい。隣り合う光出射面の中心間の距離は、隣り合う第１反射部材１３の中心と、第２反射部材２３の中心との距離と略同等であってよい。波長変換部５ｂの大きさ及び形状は任意に設定することができる。例えば、波長変換部５ｂは、その周囲を包囲部５ａが取り囲んで平板形状とし、放熱部材６ａ上であって、放熱部材６ａに接触して配置することができる。包囲部５ａは、放熱部材６ａと同様の材料で形成されていてもよいし、異なる材料で形成されていてもよい。例えば、包囲部５ａは、セラミックスによって形成することができる。
上述したように、基部９は、パッケージの一部を構成する。パッケージとしては、例えば、図１Ｃに示すように、凹部内に半導体レーザ素子を収容する筐体状のパッケージが挙げられる。この場合、パッケージは、基部９と、基部９を囲う壁部８を有し、基部９と壁部８の内側面によって凹部７が構成される。壁部８は、内側面、内側面と反対側の外側面、内側面と外側面とに接する上面を有する。壁部８の内側面には、さらに段が設けられていてもよい。壁部８は、基部９と同じ材料によって一体的に形成したものであってもよいし、異なる材料であってもよい。壁部８は、電気的に接続する配線等として、図１Ａ及び１Ｃに示したように、その表面又は内部に、外部接続電極４として金属部等が設けられていてもよい。金属部の材料としては、基部９の金属部と同様のものが挙げられる。
基部９と壁部８とがパッケージを構成する場合、パッケージは蓋部材６を有していてもよい。図１Ｃにおいては、蓋部材６は、放熱部材６ａと波長変換部材５によって構成されている。また、図１Ｃにおいては、波長変換部材５は、包囲部５ａと波長変換部５ｂから構成されている。蓋部材６は、所定の雰囲気下で壁部８に接合され、基部９、壁部８及び蓋部材６によって気密封止された空間を形成することができる。気密封止された空間内に半導体レーザ素子等を配置することにより、集塵による品質劣化を低減することができる。気密封止するために、蓋部材６は、壁部８に、例えば、接着剤、金属接合材等によって、接合されている。金属接合材としては、ＡｕＳｎなどの金属ろう、はんだ等が挙げられる。図１Ｃにおいては、放熱部材６ａが、壁部８に接合されている。放熱部材６ａは、下面と、上面とを有する。放熱部材６ａは、例えば、平板形状であることが好ましく、上面視において、基部９の外形又はそれよりも小さい形状に相当する外形を有するものが好ましい。
放熱部材６ａは、光を透過する透光性を有するものが好ましい。ここで、透光性とは、パッケージ内に収容される半導体レーザ素子が出射する光の透過率が５０％以上であるものが挙げられ、６０％以上、７０％以上、８０％以上のものが好ましい。放熱部材６ａは、全部が透光性を有していてもよいし、その一部にのみ透光性を有する領域を有するものであってもよい。放熱部材６ａは、セラミックス、サファイア、ガラス等によって形成することができる。なかでも、サファイア、ガラス等の透光性部材によって形成されているものが好ましい。金属としては、基部９と同様のものが挙げられる。サファイアは透光性を有しており、比較的屈折率が高く、比較的強度も高い材料である。放熱部材６ａには、図１Ｃに示すように、包囲部５ａ及び波長変換部５ｂが接触して配置されていてもよい。波長変換部５ｂは、当該分野で公知の蛍光体を含有させることができる。波長変換部材５は、上面において互いに離隔する複数の光出射面を有し、それぞれの光出射面は波長変換部５ｂによって形成される。光出射面は、第１半導体レーザ素子１１及び第２半導体レーザ素子２１にそれぞれ対応するように、第１半導体レーザ素子１１の数と第２半導体レーザ素子２１の数との和と同数設けられることが好ましい。言い換えると、波長変換部５ｂは、第１半導体レーザ素子１１及び第２半導体レーザ素子２１にそれぞれ対応するように、例えば、第１反射部材１３及び第２反射部材２３の上方において、複数互いに離間して配置されていることが好ましい。波長変換部５ｂは、一体的に形成されていてもよい。隣り合う光出射面の中心間の距離は、隣り合う第１反射部材１３の中心と、第２反射部材２３の中心との距離と略同等であってよい。波長変換部５ｂの大きさ及び形状は任意に設定することができる。例えば、波長変換部５ｂは、その周囲を包囲部５ａが取り囲んで平板形状とし、放熱部材６ａ上であって、放熱部材６ａに接触して配置することができる。包囲部５ａは、放熱部材６ａと同様の材料で形成されていてもよいし、異なる材料で形成されていてもよい。例えば、包囲部５ａは、セラミックスによって形成することができる。
【0029】
（光学部材）
パッケージの上、つまり、蓋部材６の上には、光学部材が配置されていてもよい。光学部材は、集光等、任意の配光を行うための部材である。光学部材は、上面と、下面と、側面とを有し、レンズ面を有していてもよい。レンズ面は、上面又は下面のいずれかに形成されていることが好ましい。例えば、光学部材は、全体として、平板形状の一面にドーム型等のレンズ面が配されたような形状が挙げられる。レンズ面は、１つのドーム型のレンズによって形成されていてもよいし、複数のレンズ面が連なった形状、複数のレンズが並列された形状等のいずれであってもよい。この場合、複数のレンズ面は、上述した複数の波長変換部の上方にそれぞれ配置されることが好ましい。光学部材は、平板形状の部分とレンズとが一体となって形成されていてもよいし、別体のものを接合したものであってもよい。光学部材は、例えば、上面視において、その外形は、基部９と同様、種々の形状であってもよいが、矩形であるものが好ましい。
光学部材は、透光性を有し、レンズ面及びそれ以外の部分においても透光性を有するものが好ましい。光学部材は、例えば、ＢＫ７等のガラスを用いて形成することができる。
パッケージの上、つまり、蓋部材６の上には、光学部材が配置されていてもよい。光学部材は、集光等、任意の配光を行うための部材である。光学部材は、上面と、下面と、側面とを有し、レンズ面を有していてもよい。レンズ面は、上面又は下面のいずれかに形成されていることが好ましい。例えば、光学部材は、全体として、平板形状の一面にドーム型等のレンズ面が配されたような形状が挙げられる。レンズ面は、１つのドーム型のレンズによって形成されていてもよいし、複数のレンズ面が連なった形状、複数のレンズが並列された形状等のいずれであってもよい。この場合、複数のレンズ面は、上述した複数の波長変換部の上方にそれぞれ配置されることが好ましい。光学部材は、平板形状の部分とレンズとが一体となって形成されていてもよいし、別体のものを接合したものであってもよい。光学部材は、例えば、上面視において、その外形は、基部９と同様、種々の形状であってもよいが、矩形であるものが好ましい。
光学部材は、透光性を有し、レンズ面及びそれ以外の部分においても透光性を有するものが好ましい。光学部材は、例えば、ＢＫ７等のガラスを用いて形成することができる。
【0030】
（保護素子３）
保護素子３は、半導体レーザ素子に過剰な電流が流れて破壊されることを防止する素子である。保護素子３としては、例えば、ツェナーダイオードが挙げられる。ツェナーダイオードは、Ｓｉで形成されたものであってもよい。
図１Ａ及び図２に示すように、保護素子３を、半導体レーザ素子のそれぞれに配置することができる。この場合、半導体レーザ素子から出射するレーザ光の光軸を含む仮想直線を避けた領域に保護素子３を配置することが好ましい。
保護素子３は、半導体レーザ素子に過剰な電流が流れて破壊されることを防止する素子である。保護素子３としては、例えば、ツェナーダイオードが挙げられる。ツェナーダイオードは、Ｓｉで形成されたものであってもよい。
図１Ａ及び図２に示すように、保護素子３を、半導体レーザ素子のそれぞれに配置することができる。この場合、半導体レーザ素子から出射するレーザ光の光軸を含む仮想直線を避けた領域に保護素子３を配置することが好ましい。
【0031】
本願は、以下の発明を開示する。
（１）基部と、
各々が配列方向に沿って、前記基部に配列され、且つ、各々が前記配列方向に直交する第１光軸方向にレーザ光を出射する複数の第１半導体レーザ素子と、
各々が、前記複数の第１半導体レーザ素子のうち隣り合う２つの第１半導体レーザ素子に挟まれた領域に配置され、前記第１半導体レーザ素子と電気的に接続する１以上の第１給電端子と、
各々が前記配列方向に沿って、前記基部に配列され、且つ、前記複数の第１半導体レーザ素子から第１光軸方向に離れた位置に配置される複数の第１反射部材と、
前記配列方向に直交し且つ前記第１光軸方向とは反対の方向である第２光軸方向にレーザ光を出射する１以上の第２半導体レーザ素子と、
前記第２半導体レーザ素子と電気的に接続する１以上の第２給電端子と、
前記１以上の第２半導体レーザ素子から第２光軸方向に離れた位置に配置される１以上の第２反射部材と、を備え、
少なくとも１の前記第２反射部材が、前記複数の第１反射部材のうち前記配列方向に隣り合う２つの第１反射部材に挟まれた領域に配置される、光源装置。
（２）前記１以上の第２半導体レーザ素子は、各々が配列方向に沿って、前記基部に配列され、且つ、各々が前記第２光軸方向に光を出射する複数の第２半導体レーザ素子で構成され、
前記１以上の第２給電端子の各々が、前記複数の第２半導体レーザ素子のうち隣り合う２つの第２半導体レーザ素子に挟まれた領域に配置され、
前記１以上の第２反射部材は、各々が配列方向に沿って、前記基部に配列され、且つ、各々が前記複数の第２半導体レーザ素子よりも前記第２光軸方向に離れた位置に配置される複数の第２反射部材で構成され、
前記複数の第２反射部材のうち隣り合う２つの第２反射部材に挟まれた領域に前記複数の第１反射部材のうちの少なくとも１つが配置される（１）に記載の光源装置。
（３）前記第１給電端子と前記第１半導体レーザ素子を接続する第１導電部材と、
前記第２給電端子と前記第２半導体レーザ素子を接続する第２導電部材と、を有する（１）又は（２）に記載の光源装置。
（４）前記第１導電部材は各々の前記第１給電端子ごとに複数配置され、前記第２導電部材は各々の前記第２給電端子ごとに複数配置される（１）～（３）のいずれかに記載の光源装置。
（５）前記第１反射部材は、前記第１半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を受け、前記配列方向及び前記第１光軸方向に直交する光出射方向に前記レーザ光を反射させる第１反射面を有する第１ミラー部材であり、
前記第２反射部材は、前記第２半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を受け、前記光出射方向に前記レーザ光を反射させる第２反射面を有する第２ミラー部材である（１）～（４）のいずれかにに記載の光源装置。
（６）前記第１半導体レーザ素子及び前記第２半導体レーザ素子にそれぞれ対応する複数の波長変換部をさらに備える（１）～（５）のいずれかにに記載の光源装置。
（７）基部上にさらに蓋部材を備え、前記複数の波長変換部が互いに離隔して前記蓋部材に接して配置されている（１）～（６）のいずれかに記載の光源装置。
（８）前記蓋部材は、ガラス、サファイア、金属又はセラミックスを含む（１）～（７）のいずれかに記載の光源装置。
（９）前記複数の第１反射面と前記第１半導体レーザ素子の光軸との交点、及び前記１以上の第２反射面と前記第２半導体レーザ素子の光軸との交点が、上面視において、仮想直線を構成するように配置されている（１）～（８）のいずれかに記載の光源装置。
（１０）前記複数の第１半導体レーザ素子及び前記１以上の第２半導体レーザ素子はすべて波長ピークが青色を示す（１）～（９）のいずれかに記載の光源装置。
（１１）前記第１給電端子は、前記第２反射部材を基準として、前記第２半導体レーザ素子の反対側に存在し、前記第１給電端子と前記第２反射部材との距離は、前記第１給電端子の第１光軸方向における長さより短く、
前記第２給電端子は、前記第１反射部材を基準として、前記第１半導体レーザ素子の反対側に存在し、前記第２給電端子と前記第１反射部材との距離は、前記第２給電端子の第２光軸方向における長さより短い（１）～（１０）のいずれかに記載の光源装置。
（１２）前記基部に複数のサブマウントが配置され、前記複数の第１半導体レーザ素子及び前記複数の第２半導体レーザ素子はそれぞれが対応するサブマウントを介して基部に配置され、前記サブマウントの配列方向における幅は前記第１給電端子の配列方向における幅及び前記第２給電端子の配列方向における幅よりも大きい（１）～（１１）のいずれかに記載の光源装置。
（１３）前記複数の第１半導体レーザ素子及び前記複数の第２半導体レーザ素子はそれぞれ個別に外部電源に接続されている（１）～（１２）のいずれかに記載の光源装置。
（１）基部と、
各々が配列方向に沿って、前記基部に配列され、且つ、各々が前記配列方向に直交する第１光軸方向にレーザ光を出射する複数の第１半導体レーザ素子と、
各々が、前記複数の第１半導体レーザ素子のうち隣り合う２つの第１半導体レーザ素子に挟まれた領域に配置され、前記第１半導体レーザ素子と電気的に接続する１以上の第１給電端子と、
各々が前記配列方向に沿って、前記基部に配列され、且つ、前記複数の第１半導体レーザ素子から第１光軸方向に離れた位置に配置される複数の第１反射部材と、
前記配列方向に直交し且つ前記第１光軸方向とは反対の方向である第２光軸方向にレーザ光を出射する１以上の第２半導体レーザ素子と、
前記第２半導体レーザ素子と電気的に接続する１以上の第２給電端子と、
前記１以上の第２半導体レーザ素子から第２光軸方向に離れた位置に配置される１以上の第２反射部材と、を備え、
少なくとも１の前記第２反射部材が、前記複数の第１反射部材のうち前記配列方向に隣り合う２つの第１反射部材に挟まれた領域に配置される、光源装置。
（２）前記１以上の第２半導体レーザ素子は、各々が配列方向に沿って、前記基部に配列され、且つ、各々が前記第２光軸方向に光を出射する複数の第２半導体レーザ素子で構成され、
前記１以上の第２給電端子の各々が、前記複数の第２半導体レーザ素子のうち隣り合う２つの第２半導体レーザ素子に挟まれた領域に配置され、
前記１以上の第２反射部材は、各々が配列方向に沿って、前記基部に配列され、且つ、各々が前記複数の第２半導体レーザ素子よりも前記第２光軸方向に離れた位置に配置される複数の第２反射部材で構成され、
前記複数の第２反射部材のうち隣り合う２つの第２反射部材に挟まれた領域に前記複数の第１反射部材のうちの少なくとも１つが配置される（１）に記載の光源装置。
（３）前記第１給電端子と前記第１半導体レーザ素子を接続する第１導電部材と、
前記第２給電端子と前記第２半導体レーザ素子を接続する第２導電部材と、を有する（１）又は（２）に記載の光源装置。
（４）前記第１導電部材は各々の前記第１給電端子ごとに複数配置され、前記第２導電部材は各々の前記第２給電端子ごとに複数配置される（１）～（３）のいずれかに記載の光源装置。
（５）前記第１反射部材は、前記第１半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を受け、前記配列方向及び前記第１光軸方向に直交する光出射方向に前記レーザ光を反射させる第１反射面を有する第１ミラー部材であり、
前記第２反射部材は、前記第２半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を受け、前記光出射方向に前記レーザ光を反射させる第２反射面を有する第２ミラー部材である（１）～（４）のいずれかにに記載の光源装置。
（６）前記第１半導体レーザ素子及び前記第２半導体レーザ素子にそれぞれ対応する複数の波長変換部をさらに備える（１）～（５）のいずれかにに記載の光源装置。
（７）基部上にさらに蓋部材を備え、前記複数の波長変換部が互いに離隔して前記蓋部材に接して配置されている（１）～（６）のいずれかに記載の光源装置。
（８）前記蓋部材は、ガラス、サファイア、金属又はセラミックスを含む（１）～（７）のいずれかに記載の光源装置。
（９）前記複数の第１反射面と前記第１半導体レーザ素子の光軸との交点、及び前記１以上の第２反射面と前記第２半導体レーザ素子の光軸との交点が、上面視において、仮想直線を構成するように配置されている（１）～（８）のいずれかに記載の光源装置。
（１０）前記複数の第１半導体レーザ素子及び前記１以上の第２半導体レーザ素子はすべて波長ピークが青色を示す（１）～（９）のいずれかに記載の光源装置。
（１１）前記第１給電端子は、前記第２反射部材を基準として、前記第２半導体レーザ素子の反対側に存在し、前記第１給電端子と前記第２反射部材との距離は、前記第１給電端子の第１光軸方向における長さより短く、
前記第２給電端子は、前記第１反射部材を基準として、前記第１半導体レーザ素子の反対側に存在し、前記第２給電端子と前記第１反射部材との距離は、前記第２給電端子の第２光軸方向における長さより短い（１）～（１０）のいずれかに記載の光源装置。
（１２）前記基部に複数のサブマウントが配置され、前記複数の第１半導体レーザ素子及び前記複数の第２半導体レーザ素子はそれぞれが対応するサブマウントを介して基部に配置され、前記サブマウントの配列方向における幅は前記第１給電端子の配列方向における幅及び前記第２給電端子の配列方向における幅よりも大きい（１）～（１１）のいずれかに記載の光源装置。
（１３）前記複数の第１半導体レーザ素子及び前記複数の第２半導体レーザ素子はそれぞれ個別に外部電源に接続されている（１）～（１２）のいずれかに記載の光源装置。
【産業上の利用可能性】
【0032】
各実施形態に記載の発光装置は、プロジェクタ、車載ヘッドライト、ヘッドマウントディスプレイ、照明、ディスプレイ等に使用することができる。
【符号の説明】
【0033】
３ 保護素子
４ 外部接続電極
５ 波長変換部材
５ａ 包囲部
５ｂ 波長変換部
６ 蓋部材
６ａ 放熱部材
７ 凹部
８ 壁部
９ 基部
１０、１０Ａ 光源装置
１１ 第１半導体レーザ素子
１２ 第１給電端子
１３ 第１反射部材
１３ａ 第１反射面
１４ 第１導電部材
１５ 第１サブマウント
２１ 第２半導体レーザ素子
２２ 第２給電端子
２３ 第２反射部材
２３ａ 第２反射面
２４ 第２導電部材
２５ 第２サブマウント
３２ 第３給電端子
３４ 第３導電部材
４２ 第４給電端子
４４ 第４導電部材
４ 外部接続電極
５ 波長変換部材
５ａ 包囲部
５ｂ 波長変換部
６ 蓋部材
６ａ 放熱部材
７ 凹部
８ 壁部
９ 基部
１０、１０Ａ 光源装置
１１ 第１半導体レーザ素子
１２ 第１給電端子
１３ 第１反射部材
１３ａ 第１反射面
１４ 第１導電部材
１５ 第１サブマウント
２１ 第２半導体レーザ素子
２２ 第２給電端子
２３ 第２反射部材
２３ａ 第２反射面
２４ 第２導電部材
２５ 第２サブマウント
３２ 第３給電端子
３４ 第３導電部材
４２ 第４給電端子
４４ 第４導電部材
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図1D】
【図2】