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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024081399
(43)【公開日】2024-06-18
(54)【発明の名称】極端紫外光生成システム、及び電子デバイスの製造方法
(51)【国際特許分類】
G03F 7/20 20060101AFI20240611BHJP
H05G 2/00 20060101ALI20240611BHJP
【ＦＩ】
G03F7/20 503
H05G2/00 K
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022195004
(22)【出願日】2022-12-06
(71)【出願人】
【識別番号】300073919
【氏名又は名称】ギガフォトン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100105212
【弁理士】
【氏名又は名称】保坂 延寿
(72)【発明者】
【氏名】西村 祐一
(72)【発明者】
【氏名】植野 能史
(72)【発明者】
【氏名】宮下 光太郎
【テーマコード（参考）】
2H197
4C092
【Ｆターム（参考）】
2H197CA10
2H197GA05
2H197GA12
2H197GA24
4C092AA06
4C092AB12
4C092AC09
(57)【要約】 （修正有）
【課題】極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する。
【解決手段】ＥＵＶ光生成システムは、第１領域を含むチャンバと、第１領域にターゲットを供給するターゲット供給部と、パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、パルスレーザ光を第１領域に導く光学素子を含む光学系と、第１領域に入射するパルスレーザ光の光路軸に直交し第１領域と交差する平面内でターゲットに対するレーザ照射位置を調整する照射位置調整機構と、パルスレーザ光がＥＵＶ集光ミラーの外側を通過して第１領域に導かれるように配置されたＥＵＶ集光ミラーと、第１領域から互いに異なる放射方向に放射されたＥＵＶ光の放射エネルギーを計測する複数のＥＵＶセンサと、パルスレーザ光の目標照射位置を複数のＥＵＶセンサで計測される放射エネルギーの平均値が最大となる基準位置からＥＵＶ集光ミラーに近づく方向に離れたレーザ照射位置に設定して照射位置調整機構を制御するプロセッサと、を備える。
【選択図】図１４
【解決手段】ＥＵＶ光生成システムは、第１領域を含むチャンバと、第１領域にターゲットを供給するターゲット供給部と、パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、パルスレーザ光を第１領域に導く光学素子を含む光学系と、第１領域に入射するパルスレーザ光の光路軸に直交し第１領域と交差する平面内でターゲットに対するレーザ照射位置を調整する照射位置調整機構と、パルスレーザ光がＥＵＶ集光ミラーの外側を通過して第１領域に導かれるように配置されたＥＵＶ集光ミラーと、第１領域から互いに異なる放射方向に放射されたＥＵＶ光の放射エネルギーを計測する複数のＥＵＶセンサと、パルスレーザ光の目標照射位置を複数のＥＵＶセンサで計測される放射エネルギーの平均値が最大となる基準位置からＥＵＶ集光ミラーに近づく方向に離れたレーザ照射位置に設定して照射位置調整機構を制御するプロセッサと、を備える。
【選択図】図１４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１領域を含むチャンバと、
前記第１領域にターゲットを供給するターゲット供給部と、
パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、
前記パルスレーザ光を前記第１領域に導く光学素子を含む光学系と、
前記光学素子の位置又は姿勢を変化させることにより、前記第１領域に入射する前記パルスレーザ光の光路軸に直交し前記第１領域と交差する平面内で前記ターゲットに対するレーザ照射位置を調整する照射位置調整機構と、
前記第１領域から放射されるＥＵＶ光を反射して第２領域に集光するＥＵＶ集光ミラーであって、前記パルスレーザ光が前記ＥＵＶ集光ミラーの外側を通過して前記第１領域に導かれるように配置された前記ＥＵＶ集光ミラーと、
前記第１領域から互いに異なる放射方向に放射されたＥＵＶ光の放射エネルギーを計測する複数のＥＵＶセンサと、
前記パルスレーザ光の目標照射位置を前記ＥＵＶセンサで計測される前記放射エネルギーの平均値が最大となる基準位置から前記ＥＵＶ集光ミラーに近づく方向に離れたレーザ照射位置に設定して前記照射位置調整機構を制御するプロセッサと、
を備える、極端紫外光生成システム。
前記第１領域にターゲットを供給するターゲット供給部と、
パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、
前記パルスレーザ光を前記第１領域に導く光学素子を含む光学系と、
前記光学素子の位置又は姿勢を変化させることにより、前記第１領域に入射する前記パルスレーザ光の光路軸に直交し前記第１領域と交差する平面内で前記ターゲットに対するレーザ照射位置を調整する照射位置調整機構と、
前記第１領域から放射されるＥＵＶ光を反射して第２領域に集光するＥＵＶ集光ミラーであって、前記パルスレーザ光が前記ＥＵＶ集光ミラーの外側を通過して前記第１領域に導かれるように配置された前記ＥＵＶ集光ミラーと、
前記第１領域から互いに異なる放射方向に放射されたＥＵＶ光の放射エネルギーを計測する複数のＥＵＶセンサと、
前記パルスレーザ光の目標照射位置を前記ＥＵＶセンサで計測される前記放射エネルギーの平均値が最大となる基準位置から前記ＥＵＶ集光ミラーに近づく方向に離れたレーザ照射位置に設定して前記照射位置調整機構を制御するプロセッサと、
を備える、極端紫外光生成システム。
【請求項2】
請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
前記プロセッサは、
前記基準位置に前記パルスレーザ光が照射された場合よりも前記第２領域に到達するＥＵＶ光の出力エネルギーが大きくなるレーザ照射位置を改善照射位置として取得し、
前記改善照射位置に基づいて前記目標照射位置を設定する、
極端紫外光生成システム。
前記プロセッサは、
前記基準位置に前記パルスレーザ光が照射された場合よりも前記第２領域に到達するＥＵＶ光の出力エネルギーが大きくなるレーザ照射位置を改善照射位置として取得し、
前記改善照射位置に基づいて前記目標照射位置を設定する、
極端紫外光生成システム。
【請求項3】
請求項２に記載の極端紫外光生成システムであって、
前記プロセッサは、
レーザ照射位置を変えて前記パルスレーザ光を前記ターゲットに照射させ、前記出力エネルギーの計測結果をレーザ照射位置ごとに取得し、
前記計測結果に基づいて前記改善照射位置を取得する、
極端紫外光生成システム。
前記プロセッサは、
レーザ照射位置を変えて前記パルスレーザ光を前記ターゲットに照射させ、前記出力エネルギーの計測結果をレーザ照射位置ごとに取得し、
前記計測結果に基づいて前記改善照射位置を取得する、
極端紫外光生成システム。
【請求項4】
請求項２に記載の極端紫外光生成システムであって、
前記改善照射位置は、前記第２領域に到達するＥＵＶ光の出力エネルギーが最大となるレーザ照射位置である、
極端紫外光生成システム。
前記改善照射位置は、前記第２領域に到達するＥＵＶ光の出力エネルギーが最大となるレーザ照射位置である、
極端紫外光生成システム。
【請求項5】
請求項２に記載の極端紫外光生成システムであって、
前記プロセッサは、前記目標照射位置を前記基準位置から前記改善照射位置に近づく方向に離れたレーザ照射位置に設定する、
極端紫外光生成システム。
前記プロセッサは、前記目標照射位置を前記基準位置から前記改善照射位置に近づく方向に離れたレーザ照射位置に設定する、
極端紫外光生成システム。
【請求項6】
請求項５に記載の極端紫外光生成システムであって、
前記プロセッサは、
前記基準位置と前記改善照射位置との距離が許容値以下であれば、前記目標照射位置を前記改善照射位置に設定し、
前記基準位置と前記改善照射位置との距離が前記許容値よりも大きければ、前記目標照射位置を前記基準位置から前記改善照射位置に近づく方向に前記許容値離れた位置に設定する、
極端紫外光生成システム。
前記プロセッサは、
前記基準位置と前記改善照射位置との距離が許容値以下であれば、前記目標照射位置を前記改善照射位置に設定し、
前記基準位置と前記改善照射位置との距離が前記許容値よりも大きければ、前記目標照射位置を前記基準位置から前記改善照射位置に近づく方向に前記許容値離れた位置に設定する、
極端紫外光生成システム。
【請求項7】
請求項５に記載の極端紫外光生成システムであって、
前記プロセッサは、前記基準位置と前記目標照射位置との距離が、前記ターゲットの半径未満に設定された許容値以下となるように、前記目標照射位置を設定する、
極端紫外光生成システム。
前記プロセッサは、前記基準位置と前記目標照射位置との距離が、前記ターゲットの半径未満に設定された許容値以下となるように、前記目標照射位置を設定する、
極端紫外光生成システム。
【請求項8】
請求項７に記載の極端紫外光生成システムであって、
前記許容値は３μｍ以上８μｍ以下である、
極端紫外光生成システム。
前記許容値は３μｍ以上８μｍ以下である、
極端紫外光生成システム。
【請求項9】
請求項５に記載の極端紫外光生成システムであって、
前記プロセッサは、前記ターゲットに由来するデブリの発生量が許容値以下となるように、前記目標照射位置を設定する、
極端紫外光生成システム。
前記プロセッサは、前記ターゲットに由来するデブリの発生量が許容値以下となるように、前記目標照射位置を設定する、
極端紫外光生成システム。
【請求項10】
請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
前記複数のＥＵＶセンサは、第１のセンサと、前記第１のセンサよりも前記第１領域を中心とした前記ＥＵＶ集光ミラーとの方向の偏差が小さい第２のセンサと、を含み、
前記プロセッサは、前記第１のセンサにより計測される第１の放射エネルギーよりも前記第２のセンサにより計測される第２の放射エネルギーを重視するように前記第１及び第２の放射エネルギーのいずれかを補正して得られる前記放射エネルギーの補正平均値が、前記基準位置に前記パルスレーザ光が照射された場合よりも大きくなるレーザ照射位置に前記パルスレーザ光が照射されるように、前記照射位置調整機構を制御する、
極端紫外光生成システム。
前記複数のＥＵＶセンサは、第１のセンサと、前記第１のセンサよりも前記第１領域を中心とした前記ＥＵＶ集光ミラーとの方向の偏差が小さい第２のセンサと、を含み、
前記プロセッサは、前記第１のセンサにより計測される第１の放射エネルギーよりも前記第２のセンサにより計測される第２の放射エネルギーを重視するように前記第１及び第２の放射エネルギーのいずれかを補正して得られる前記放射エネルギーの補正平均値が、前記基準位置に前記パルスレーザ光が照射された場合よりも大きくなるレーザ照射位置に前記パルスレーザ光が照射されるように、前記照射位置調整機構を制御する、
極端紫外光生成システム。
【請求項11】
請求項１０に記載の極端紫外光生成システムであって、
前記プロセッサは、前記補正平均値が最大となるレーザ照射位置に前記パルスレーザ光が照射されるように、前記照射位置調整機構を制御する、
極端紫外光生成システム。
前記プロセッサは、前記補正平均値が最大となるレーザ照射位置に前記パルスレーザ光が照射されるように、前記照射位置調整機構を制御する、
極端紫外光生成システム。
【請求項12】
請求項１０に記載の極端紫外光生成システムであって、
前記プロセッサは、前記基準位置に前記パルスレーザ光が照射された場合よりも前記目標照射位置に前記パルスレーザ光が照射された場合の方が前記補正平均値が大きくなるように、前記第１及び第２の放射エネルギーのいずれかを補正する、
極端紫外光生成システム。
前記プロセッサは、前記基準位置に前記パルスレーザ光が照射された場合よりも前記目標照射位置に前記パルスレーザ光が照射された場合の方が前記補正平均値が大きくなるように、前記第１及び第２の放射エネルギーのいずれかを補正する、
極端紫外光生成システム。
【請求項13】
請求項１０に記載の極端紫外光生成システムであって、
前記プロセッサは、前記基準位置と前記目標照射位置との位置偏差に基づいて、前記第１及び第２の放射エネルギーのいずれかを補正するための補正係数を算出する、
極端紫外光生成システム。
前記プロセッサは、前記基準位置と前記目標照射位置との位置偏差に基づいて、前記第１及び第２の放射エネルギーのいずれかを補正するための補正係数を算出する、
極端紫外光生成システム。
【請求項14】
請求項１３に記載の極端紫外光生成システムであって、
前記プロセッサは、
前記位置偏差に基づいて、前記放射エネルギーが前記第１領域に入射する前記パルスレーザ光の入射方向と反対の方向よりも大きくなるＥＵＶ放射方向を算出し、
前記第１及び第２のセンサの位置を示す第１及び第２の位置ベクトルのいずれかに前記補正係数による重み付けをして得られる補正幾何重心ベクトルの方向が、前記入射方向と反対の方向よりも前記ＥＵＶ放射方向に近くなるように、前記補正係数を算出する、
極端紫外光生成システム。
前記プロセッサは、
前記位置偏差に基づいて、前記放射エネルギーが前記第１領域に入射する前記パルスレーザ光の入射方向と反対の方向よりも大きくなるＥＵＶ放射方向を算出し、
前記第１及び第２のセンサの位置を示す第１及び第２の位置ベクトルのいずれかに前記補正係数による重み付けをして得られる補正幾何重心ベクトルの方向が、前記入射方向と反対の方向よりも前記ＥＵＶ放射方向に近くなるように、前記補正係数を算出する、
極端紫外光生成システム。
【請求項15】
請求項１３に記載の極端紫外光生成システムであって、
前記プロセッサは、
前記位置偏差に基づいて、前記放射エネルギーが最大となるＥＵＶ放射方向を最大放射方向として算出し、
前記第１及び第２のセンサの位置を示す第１及び第２の位置ベクトルのいずれかに前記補正係数による重み付けをして得られる補正幾何重心ベクトルの方向が、前記最大放射方向に一致するように、前記補正係数を算出する、
極端紫外光生成システム。
前記プロセッサは、
前記位置偏差に基づいて、前記放射エネルギーが最大となるＥＵＶ放射方向を最大放射方向として算出し、
前記第１及び第２のセンサの位置を示す第１及び第２の位置ベクトルのいずれかに前記補正係数による重み付けをして得られる補正幾何重心ベクトルの方向が、前記最大放射方向に一致するように、前記補正係数を算出する、
極端紫外光生成システム。
【請求項16】
請求項１０に記載の極端紫外光生成システムであって、
前記プロセッサは、前記第１及び第２のセンサの位置を示す第１及び第２の位置ベクトルのいずれかに前記補正平均値を得るための補正係数による重み付けをして得られる補正幾何重心ベクトルの前記光路軸と垂直な方向成分が、前記光路軸から前記ＥＵＶ集光ミラーに近づく方向となるように、前記補正係数を算出する、
極端紫外光生成システム。
前記プロセッサは、前記第１及び第２のセンサの位置を示す第１及び第２の位置ベクトルのいずれかに前記補正平均値を得るための補正係数による重み付けをして得られる補正幾何重心ベクトルの前記光路軸と垂直な方向成分が、前記光路軸から前記ＥＵＶ集光ミラーに近づく方向となるように、前記補正係数を算出する、
極端紫外光生成システム。
【請求項17】
請求項１６に記載の極端紫外光生成システムであって、
前記プロセッサは、前記補正平均値が最大となるレーザ照射位置と、前記目標照射位置と、の距離が閾値以上である場合に前記補正係数を修正する、
極端紫外光生成システム。
前記プロセッサは、前記補正平均値が最大となるレーザ照射位置と、前記目標照射位置と、の距離が閾値以上である場合に前記補正係数を修正する、
極端紫外光生成システム。
【請求項18】
請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
前記パルスレーザ光が前記ターゲットに照射される前に前記ターゲットに照射されるプリパルスレーザ光を出力するプリパルスレーザ装置をさらに備え、
前記プリパルスレーザ光は前記パルスレーザ光のレーザ照射位置よりも前記基準位置に近い位置に照射される、
極端紫外光生成システム。
前記パルスレーザ光が前記ターゲットに照射される前に前記ターゲットに照射されるプリパルスレーザ光を出力するプリパルスレーザ装置をさらに備え、
前記プリパルスレーザ光は前記パルスレーザ光のレーザ照射位置よりも前記基準位置に近い位置に照射される、
極端紫外光生成システム。
【請求項19】
電子デバイスの製造方法であって、
第１領域を含むチャンバと、
前記第１領域にターゲットを供給するターゲット供給部と、
パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、
前記パルスレーザ光を前記第１領域に導く光学素子を含む光学系と、
前記光学素子の位置又は姿勢を変化させることにより、前記第１領域に入射する前記パルスレーザ光の光路軸に直交し前記第１領域と交差する平面内で前記ターゲットに対するレーザ照射位置を調整する照射位置調整機構と、
前記第１領域から放射されるＥＵＶ光を反射して第２領域に集光するＥＵＶ集光ミラーであって、前記パルスレーザ光が前記ＥＵＶ集光ミラーの外側を通過して前記第１領域に導かれるように配置された前記ＥＵＶ集光ミラーと、
前記第１領域から互いに異なる放射方向に放射されたＥＵＶ光の放射エネルギーを計測する複数のＥＵＶセンサと、
前記パルスレーザ光の目標照射位置を前記ＥＵＶセンサで計測される前記放射エネルギーの平均値が最大となる基準位置から前記ＥＵＶ集光ミラーに近づく方向に離れたレーザ照射位置に設定して前記照射位置調整機構を制御するプロセッサと、
を備える極端紫外光生成システムによって極端紫外光を生成し、
前記極端紫外光を露光装置に出力し、
電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光する
ことを含む、電子デバイスの製造方法。
第１領域を含むチャンバと、
前記第１領域にターゲットを供給するターゲット供給部と、
パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、
前記パルスレーザ光を前記第１領域に導く光学素子を含む光学系と、
前記光学素子の位置又は姿勢を変化させることにより、前記第１領域に入射する前記パルスレーザ光の光路軸に直交し前記第１領域と交差する平面内で前記ターゲットに対するレーザ照射位置を調整する照射位置調整機構と、
前記第１領域から放射されるＥＵＶ光を反射して第２領域に集光するＥＵＶ集光ミラーであって、前記パルスレーザ光が前記ＥＵＶ集光ミラーの外側を通過して前記第１領域に導かれるように配置された前記ＥＵＶ集光ミラーと、
前記第１領域から互いに異なる放射方向に放射されたＥＵＶ光の放射エネルギーを計測する複数のＥＵＶセンサと、
前記パルスレーザ光の目標照射位置を前記ＥＵＶセンサで計測される前記放射エネルギーの平均値が最大となる基準位置から前記ＥＵＶ集光ミラーに近づく方向に離れたレーザ照射位置に設定して前記照射位置調整機構を制御するプロセッサと、
を備える極端紫外光生成システムによって極端紫外光を生成し、
前記極端紫外光を露光装置に出力し、
電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光する
ことを含む、電子デバイスの製造方法。
【請求項20】
電子デバイスの製造方法であって、
第１領域を含むチャンバと、
前記第１領域にターゲットを供給するターゲット供給部と、
パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、
前記パルスレーザ光を前記第１領域に導く光学素子を含む光学系と、
前記光学素子の位置又は姿勢を変化させることにより、前記第１領域に入射する前記パルスレーザ光の光路軸に直交し前記第１領域と交差する平面内で前記ターゲットに対するレーザ照射位置を調整する照射位置調整機構と、
前記第１領域から放射されるＥＵＶ光を反射して第２領域に集光するＥＵＶ集光ミラーであって、前記パルスレーザ光が前記ＥＵＶ集光ミラーの外側を通過して前記第１領域に導かれるように配置された前記ＥＵＶ集光ミラーと、
前記第１領域から互いに異なる放射方向に放射されたＥＵＶ光の放射エネルギーを計測する複数のＥＵＶセンサと、
前記パルスレーザ光の目標照射位置を前記ＥＵＶセンサで計測される前記放射エネルギーの平均値が最大となる基準位置から前記ＥＵＶ集光ミラーに近づく方向に離れたレーザ照射位置に設定して前記照射位置調整機構を制御するプロセッサと、
を備える極端紫外光生成システムによって生成した極端紫外光をマスクに照射してマスクの欠陥を検査し、
前記検査の結果を用いてマスクを選定し、
前記選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写する
ことを含む、電子デバイスの製造方法。
第１領域を含むチャンバと、
前記第１領域にターゲットを供給するターゲット供給部と、
パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、
前記パルスレーザ光を前記第１領域に導く光学素子を含む光学系と、
前記光学素子の位置又は姿勢を変化させることにより、前記第１領域に入射する前記パルスレーザ光の光路軸に直交し前記第１領域と交差する平面内で前記ターゲットに対するレーザ照射位置を調整する照射位置調整機構と、
前記第１領域から放射されるＥＵＶ光を反射して第２領域に集光するＥＵＶ集光ミラーであって、前記パルスレーザ光が前記ＥＵＶ集光ミラーの外側を通過して前記第１領域に導かれるように配置された前記ＥＵＶ集光ミラーと、
前記第１領域から互いに異なる放射方向に放射されたＥＵＶ光の放射エネルギーを計測する複数のＥＵＶセンサと、
前記パルスレーザ光の目標照射位置を前記ＥＵＶセンサで計測される前記放射エネルギーの平均値が最大となる基準位置から前記ＥＵＶ集光ミラーに近づく方向に離れたレーザ照射位置に設定して前記照射位置調整機構を制御するプロセッサと、
を備える極端紫外光生成システムによって生成した極端紫外光をマスクに照射してマスクの欠陥を検査し、
前記検査の結果を用いてマスクを選定し、
前記選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写する
ことを含む、電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、極端紫外光生成システム、及び電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、１０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長約１３ｎｍの極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた半導体露光装置の開発が期待されている。
【0003】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置の開発が進んでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】米国特許出願公開第２０２１／４１０２６２号明細書
【概要】
【0005】
本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成システムは、第１領域を含むチャンバと、第１領域にターゲットを供給するターゲット供給部と、パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、パルスレーザ光を第１領域に導く光学素子を含む光学系と、光学素子の位置又は姿勢を変化させることにより、第１領域に入射するパルスレーザ光の光路軸に直交し第１領域と交差する平面内でターゲットに対するレーザ照射位置を調整する照射位置調整機構と、第１領域から放射されるＥＵＶ光を反射して第２領域に集光するＥＵＶ集光ミラーであって、パルスレーザ光がＥＵＶ集光ミラーの外側を通過して第１領域に導かれるように配置されたＥＵＶ集光ミラーと、第１領域から互いに異なる放射方向に放射されたＥＵＶ光の放射エネルギーを計測する複数のＥＵＶセンサと、パルスレーザ光の目標照射位置を複数のＥＵＶセンサで計測される放射エネルギーの平均値が最大となる基準位置からＥＵＶ集光ミラーに近づく方向に離れたレーザ照射位置に設定して照射位置調整機構を制御するプロセッサと、を備える。
【0006】
本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、第１領域を含むチャンバと、第１領域にターゲットを供給するターゲット供給部と、パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、パルスレーザ光を第１領域に導く光学素子を含む光学系と、光学素子の位置又は姿勢を変化させることにより、第１領域に入射するパルスレーザ光の光路軸に直交し第１領域と交差する平面内でターゲットに対するレーザ照射位置を調整する照射位置調整機構と、第１領域から放射されるＥＵＶ光を反射して第２領域に集光するＥＵＶ集光ミラーであって、パルスレーザ光がＥＵＶ集光ミラーの外側を通過して第１領域に導かれるように配置されたＥＵＶ集光ミラーと、第１領域から互いに異なる放射方向に放射されたＥＵＶ光の放射エネルギーを計測する複数のＥＵＶセンサと、パルスレーザ光の目標照射位置を複数のＥＵＶセンサで計測される放射エネルギーの平均値が最大となる基準位置からＥＵＶ集光ミラーに近づく方向に離れたレーザ照射位置に設定して照射位置調整機構を制御するプロセッサと、を備える極端紫外光生成システムによって極端紫外光を生成し、極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光することを含む。
【0007】
本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、第１領域を含むチャンバと、第１領域にターゲットを供給するターゲット供給部と、パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、パルスレーザ光を第１領域に導く光学素子を含む光学系と、光学素子の位置又は姿勢を変化させることにより、第１領域に入射するパルスレーザ光の光路軸に直交し第１領域と交差する平面内でターゲットに対するレーザ照射位置を調整する照射位置調整機構と、第１領域から放射されるＥＵＶ光を反射して第２領域に集光するＥＵＶ集光ミラーであって、パルスレーザ光がＥＵＶ集光ミラーの外側を通過して第１領域に導かれるように配置されたＥＵＶ集光ミラーと、第１領域から互いに異なる放射方向に放射されたＥＵＶ光の放射エネルギーを計測する複数のＥＵＶセンサと、パルスレーザ光の目標照射位置を複数のＥＵＶセンサで計測される放射エネルギーの平均値が最大となる基準位置からＥＵＶ集光ミラーに近づく方向に離れたレーザ照射位置に設定して照射位置調整機構を制御するプロセッサと、を備える極端紫外光生成システムによって生成した極端紫外光をマスクに照射してマスクの欠陥を検査し、検査の結果を用いてマスクを選定し、選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写することを含む。
【図面の簡単な説明】
【0008】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【実施形態】
【0009】
＜内容＞
１．比較例
１．１ 構成
１．２ 動作
１．３ レーザ照射位置調整
１．３．１ レーザ照射位置マップＳｍ（ｘ，ｙ）の取得
１．３．２ レーザ照射位置ごとの平均値Ｅａｖｇの取得
１．３．３ 最適位置の計算
１．３．４ アクチュエータ３４４の調整
１．３．５ さらなる最適化
２．比較例の課題
３．パルスレーザ光３３の光路軸をずらしたＥＵＶ光生成システム１１ａ
３．１ 構成
３．２ レーザ照射位置調整
３．２．１ 基準位置Ｐｉｎｉの決定
３．２．２ 改善照射位置Ｐｍａｘの決定
３．２．３ 目標照射位置Ｐｏｐの決定
３．２．４ 補正係数ｋ１～ｋ３の算出
３．２．５ 補正係数ｋ１～ｋ３の算出の詳細
３．２．５．１ 補正係数ｋ１～ｋ３の説明
３．２．５．２ 補正係数ｋ１～ｋ３の算出方法
３．２．５．３ 補正係数ｋ１～ｋ３の検証及び修正
３．３ 作用
４．プリパルスレーザ装置ＰＰＬを含むＥＵＶ光生成システム１１ｂ
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用
５．その他
５．１ ＥＵＶ光利用装置６の例
５．２ 補足
１．比較例
１．１ 構成
１．２ 動作
１．３ レーザ照射位置調整
１．３．１ レーザ照射位置マップＳｍ（ｘ，ｙ）の取得
１．３．２ レーザ照射位置ごとの平均値Ｅａｖｇの取得
１．３．３ 最適位置の計算
１．３．４ アクチュエータ３４４の調整
１．３．５ さらなる最適化
２．比較例の課題
３．パルスレーザ光３３の光路軸をずらしたＥＵＶ光生成システム１１ａ
３．１ 構成
３．２ レーザ照射位置調整
３．２．１ 基準位置Ｐｉｎｉの決定
３．２．２ 改善照射位置Ｐｍａｘの決定
３．２．３ 目標照射位置Ｐｏｐの決定
３．２．４ 補正係数ｋ１～ｋ３の算出
３．２．５ 補正係数ｋ１～ｋ３の算出の詳細
３．２．５．１ 補正係数ｋ１～ｋ３の説明
３．２．５．２ 補正係数ｋ１～ｋ３の算出方法
３．２．５．３ 補正係数ｋ１～ｋ３の検証及び修正
３．３ 作用
４．プリパルスレーザ装置ＰＰＬを含むＥＵＶ光生成システム１１ｂ
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用
５．その他
５．１ ＥＵＶ光利用装置６の例
５．２ 補足
【0010】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【0011】
１．比較例
１．１ 構成
図１に、比較例に係るＥＵＶ光生成システム１１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、レーザシステム３とともに用いられる。本開示においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザシステム３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。
１．１ 構成
図１に、比較例に係るＥＵＶ光生成システム１１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、レーザシステム３とともに用いられる。本開示においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザシステム３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。
【0012】
レーザシステム３は、メインパルスレーザ装置ＭＰＬと、高反射ミラー３０１、３０２、及び３０４と、ビームスプリッタ３０３と、エネルギーセンサ３０５と、を含む。メインパルスレーザ装置ＭＰＬは本開示におけるレーザ装置に相当し、パルスレーザ光３１を出力する。エネルギーセンサ３０５によるパルスエネルギーの計測結果に基づいてパルスレーザ光３１のパルスエネルギーが制御される。
【0013】
ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２及びターゲット供給部２６を含む。チャンバ２は、密閉可能な容器である。ターゲット供給部２６は、ターゲット物質を含むターゲット２７をチャンバ２内部に供給する。ターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよい。
【0014】
チャンバ２の壁には、貫通孔が備えられている。その貫通孔は、ウインドウ２１によって塞がれ、ウインドウ２１をレーザシステム３から出力されるパルスレーザ光３２が透過する。チャンバ２の内部には、回転楕円面形状の反射面を備えたＥＵＶ集光ミラー２３が配置される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を備える。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点２９２に位置するように配置される。プラズマ生成領域２５は本開示における第１領域に相当し、中間集光点２９２は本開示における第２領域に相当する。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が備えられ、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過する。
【0015】
第１の焦点から第２の焦点へ向かう方向をＺ方向とする。Ｚ方向に垂直なターゲット２７の進行方向を－Ｙ方向とし、その反対の方向をＹ方向とする。Ｙ方向とＺ方向との両方に垂直な方向をＸ方向とする。
【0016】
ＥＵＶ光生成装置１は、プロセッサ５、ターゲットセンサ４、ＥＵＶセンサＥＳ１～ＥＳ３等を含む。プロセッサ５は、制御プログラムが記憶されたメモリ５０１と、制御プログラムを実行するＣＰＵ（central processing unit）５０２と、を含む処理装置である。プロセッサ５は本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。ターゲットセンサ４は、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度の内の少なくとも１つを検出する。ターゲットセンサ４は、撮像機能を備えてもよい。ＥＵＶセンサＥＳ１～ＥＳ３の各々はプラズマ生成領域２５に向けて配置され、プラズマ生成領域２５から互いに異なる放射方向に放射されたＥＵＶ光の放射エネルギーを計測する。ＥＵＶセンサＥＳ１は本開示における第１のセンサに相当し、ＥＵＶセンサＥＳ２は本開示における第２のセンサに相当する。
【0017】
また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部とＥＵＶ光利用装置６の内部とを連通させる接続部２９を含む。ＥＵＶ光利用装置６は、図２４に示される露光装置６ａでもよいし図２５に示される検査装置６ｂでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が備えられる。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点に位置するように配置される。
【0018】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光伝送装置３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含む。レーザ光伝送装置３４は、高反射ミラー３４１、３４２、及び３４３と、アクチュエータ３４４と、を含む。高反射ミラー３４１、３４２、及び３４３はレーザ光の伝送状態を規定し、アクチュエータ３４４は高反射ミラー３４１の位置、姿勢等を変化させることによりレーザ照射位置を調整する。アクチュエータ３４４は、高反射ミラー３０１からレーザ光集光ミラー２２までの光学素子のいずれかに配置されてもよい。アクチュエータ３４４は本開示における照射位置調整機構に相当し、高反射ミラー３０１からレーザ光集光ミラー２２までの光学素子は本開示における光学系に相当する。
【0019】
１．２ 動作
図１を参照して、ＥＵＶ光生成システム１１の動作を説明する。レーザシステム３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光伝送装置３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射する。パルスレーザ光３２は、レーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３としてプラズマ生成領域２５に導かれる。
図１を参照して、ＥＵＶ光生成システム１１の動作を説明する。レーザシステム３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光伝送装置３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射する。パルスレーザ光３２は、レーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３としてプラズマ生成領域２５に導かれる。
【0020】
ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力する。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３が照射される。パルスレーザ光３３が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射される。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって他の波長域の光に比べて高い反射率で反射される。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光を含む反射光２５２は、中間集光点２９２で集光され、ＥＵＶ光利用装置６に出力される。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
【0021】
プロセッサ５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体を制御する。プロセッサ５は、ターゲットセンサ４の検出結果を処理する。ターゲットセンサ４の検出結果に基づいて、プロセッサ５は、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御する。さらに、プロセッサ５は、レーザシステム３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御する。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
【0022】
１．３ レーザ照射位置調整
図２は、比較例におけるレーザ照射位置調整の処理手順を示すフローチャートである。図２に示される処理は、ＥＵＶ光生成システム１１の初期設定時に、あるいはキャリブレーション時に行われる。
図２は、比較例におけるレーザ照射位置調整の処理手順を示すフローチャートである。図２に示される処理は、ＥＵＶ光生成システム１１の初期設定時に、あるいはキャリブレーション時に行われる。
【0023】
１．３．１ レーザ照射位置マップＳｍ（ｘ，ｙ）の取得
Ｓ１１において、プロセッサ５は、レーザ照射位置マップＳｍ（ｘ，ｙ）をメモリ５０１等の記憶装置から読み込む。
Ｓ１１において、プロセッサ５は、レーザ照射位置マップＳｍ（ｘ，ｙ）をメモリ５０１等の記憶装置から読み込む。
【0024】
図３は、レーザ照射位置マップＳｍ（ｘ，ｙ）の例を示す。レーザ照射位置マップＳｍ（ｘ，ｙ）は、Ｚ方向に進むパルスレーザ光３３の光路軸に直交しプラズマ生成領域２５と交差するＸＹ平面内でのレーザ照射位置を規定するマトリクスの情報を含む。図３においては、ｘ＝ｙ＝０の位置を中心座標とし、±Ｘ方向及び±Ｙ方向に２０μｍごとにレーザ照射位置を規定した例が示されている。ｘ＝ｙ＝０の位置は過去に設定した最適位置でもよいし、設計上の最適位置でもよい。以下のＳ１２からＳ１５までの処理において、例えば図３の左上の位置から順番にパルスレーザ光３３が照射される。
【0025】
１．３．２ レーザ照射位置ごとの平均値Ｅａｖｇの取得
図２を再び参照し、Ｓ１２において、プロセッサ５は、レーザ照射位置マップＳｍ（ｘ，ｙ）の１つのレーザ照射位置にパルスレーザ光３３が照射されるようにアクチュエータ３４４を駆動する。
図２を再び参照し、Ｓ１２において、プロセッサ５は、レーザ照射位置マップＳｍ（ｘ，ｙ）の１つのレーザ照射位置にパルスレーザ光３３が照射されるようにアクチュエータ３４４を駆動する。
【0026】
Ｓ１４において、プロセッサ５は、パルスレーザ光３３をターゲット２７に照射させ、複数のＥＵＶセンサＥＳ１～ＥＳ３で計測される放射エネルギーＥ１～Ｅ３の平均値Ｅａｖｇを取得する。
【0027】
図４は、比較例におけるＥＵＶセンサＥＳ１～ＥＳ３の配置と、各放射方向におけるＥＵＶ光の放射エネルギーＥの大きさとを示す。図４に示されるＥＵＶセンサＥＳ１～ＥＳ３は、例えば、パルスレーザ光３３の光路軸周りに回転対称の位置に配置される。図４において、放射エネルギーＥを示す破線の円の半径は、放射光２５１の到達距離を示すのではなく、各放射方向におけるＥＵＶ光の放射エネルギーＥの大きさを概念的に示す。放射エネルギーＥ１～Ｅ３を示す矢印の長さは、ＥＵＶセンサＥＳ１～ＥＳ３で計測される放射光２５１の放射エネルギーＥ１～Ｅ３の大きさを示す。放射エネルギーＥ１は本開示における第１の放射エネルギーに相当し、放射エネルギーＥ２は本開示における第２の放射エネルギーに相当する。
【0028】
パルスレーザ光３３の光路軸がターゲット２７の中心に一致したと仮定すると、放射エネルギーＥの分布はパルスレーザ光３３の光路軸に対して軸対称の分布になる。このとき、以下の式で計算される平均値Ｅａｖｇは最大値になると考えられる。
Ｅａｖｇ＝（Ｅ１＋Ｅ２＋Ｅ３）／３
Ｅａｖｇ＝（Ｅ１＋Ｅ２＋Ｅ３）／３
【0029】
一方、パルスレーザ光３３の光路軸がターゲット２７の中心からずれると、放射エネルギーＥの分布はパルスレーザ光３３の光路軸に対して非対称の分布になり、平均値Ｅａｖｇは低下すると考えられる。
【0030】
そこで、レーザ照射位置マップＳｍ（ｘ，ｙ）に含まれるレーザ照射位置の各々において平均値Ｅａｖｇを算出することで、レーザ照射の最適位置を算出し得る。
【0031】
図２を再び参照し、Ｓ１５において、プロセッサ５は、レーザ照射位置マップＳｍ（ｘ，ｙ）に含まれるレーザ照射位置のすべてにパルスレーザ光３３を照射したか否かを判定する。レーザ照射位置のすべてにパルスレーザ光３３を照射した場合（Ｓ１５：ＹＥＳ）、プロセッサ５は、Ｓ１６に処理を進める。未照射のレーザ照射位置がある場合（Ｓ１５：ＮＯ）、プロセッサ５は、Ｓ１２に処理を戻し、未照射のレーザ照射位置への照射を行う。
【0032】
図５は、レーザ照射位置マップＳｍ（ｘ，ｙ）に含まれるマトリクスのすべての要素を平均値Ｅａｖｇの計測結果で埋めた例を示す。図６は、レーザ照射位置マップＳｍ（ｘ，ｙ）に含まれるマトリクスのうちのＸ＝０の要素とＹ＝０の要素だけを平均値Ｅａｖｇの計測結果で埋めた例を示す。図５に示されるように平均値Ｅａｖｇのデータをすべて取得する場合は、レーザ照射の最適位置をより正確に求め得る。図６に示されるように一部の平均値Ｅａｖｇのデータだけを取得する場合は、データ取得及び計算に要する時間を低減し得る。
【0033】
１．３．３ 最適位置の計算
図２を再び参照し、Ｓ１６において、プロセッサ５は、平均値Ｅａｖｇの分布に基づいてレーザ照射の最適位置を計算する。
図２を再び参照し、Ｓ１６において、プロセッサ５は、平均値Ｅａｖｇの分布に基づいてレーザ照射の最適位置を計算する。
【0034】
図７は、Ｘ方向に沿ったレーザ照射位置ごとの平均値Ｅａｖｇの分布を示すグラフである。図８は、Ｙ方向に沿ったレーザ照射位置ごとの平均値Ｅａｖｇの分布を示すグラフである。Ｘ方向及びＹ方向の各々において、平均値Ｅａｖｇの分布から近似曲線を求め、そのピーク位置を最適位置とすることができる。なお、平均値Ｅａｖｇに限らず、合計値が用いられてもよい。
【0035】
１．３．４ アクチュエータ３４４の調整
図２を再び参照し、Ｓ１７において、プロセッサ５は、最適位置にパルスレーザ光３３が照射されるようにアクチュエータ３４４を調整する。
図２を再び参照し、Ｓ１７において、プロセッサ５は、最適位置にパルスレーザ光３３が照射されるようにアクチュエータ３４４を調整する。
【0036】
Ｓ１８において、プロセッサ５は、Ｓ１７における調整量が閾値未満か否かを判定する。調整量は、レーザ照射位置マップＳｍ（ｘ，ｙ）の中心座標からの調整量である。調整量が閾値未満である場合（Ｓ１８：ＹＥＳ）、レーザ照射位置調整が完了し、プロセッサ５は本フローチャートの処理を終了する。調整量が閾値以上である場合（Ｓ１８：ＮＯ）、プロセッサ５はＳ１９に処理を進める。
【0037】
１．３．５ さらなる最適化
Ｓ１９において、プロセッサ５は、レーザ照射位置マップＳｍ（ｘ，ｙ）の中心座標を最適位置に更新する。Ｓ１９の後、プロセッサ５は、Ｓ１１に処理を戻す。
Ｓ１９において、プロセッサ５は、レーザ照射位置マップＳｍ（ｘ，ｙ）の中心座標を最適位置に更新する。Ｓ１９の後、プロセッサ５は、Ｓ１１に処理を戻す。
【0038】
図９は、中心座標を更新して新たに読み込まれたレーザ照射位置マップＳｍ（ｘ，ｙ）の例を示す。図９においては、ｘ＝－５［μｍ］、ｙ＝－１０［μｍ］の位置を中心座標とし、±Ｘ方向及び±Ｙ方向に２０μｍごとにレーザ照射位置を規定した例が示されている。最適位置を中心としたレーザ照射位置マップＳｍ（ｘ，ｙ）を用いて平均値Ｅａｖｇを取得し直すことで、さらなる最適化を行うことができる。
【0039】
２．比較例の課題
図１０は、本開示で使用する極座標系の定義を示す。プラズマ生成領域２５内の１つの点を原点とし、原点からの距離をｒとする。Ｙ軸周りの回転角度をθとする。ＸＺ面に対する傾斜角度をφとする。θ＝φ＝０となる方向は－Ｚ方向に一致する。
図１０は、本開示で使用する極座標系の定義を示す。プラズマ生成領域２５内の１つの点を原点とし、原点からの距離をｒとする。Ｙ軸周りの回転角度をθとする。ＸＺ面に対する傾斜角度をφとする。θ＝φ＝０となる方向は－Ｚ方向に一致する。
【0040】
図１１は、プラズマ生成領域２５から各放射方向に放射されるＥＵＶ光の光強度分布を示すグラフである。傾斜角度φを０とし、回転角度θを０からπ［ｒａｄ］まで変化させると、ターゲット２７に対するパルスレーザ光３３の入射方向と反対の方向、すなわち、θ＝０の方向に放射されるＥＵＶ光の光強度が最も高くなる。そして、ターゲット２７に対するパルスレーザ光３３の入射方向と同じ方向、すなわち、θ＝πの方向に放射されるＥＵＶ光の光強度が最も低くなる。
【0041】
図１２及び図１３は、ＥＵＶセンサＥＳ１～ＥＳ３及びＥＵＶ集光ミラー２３ａの配置と、各放射方向におけるＥＵＶ光の放射エネルギーＥの大きさとを示す。但し、図１２において、ＥＵＶセンサＥＳ３はＥＵＶセンサＥＳ２とＹ方向に重なるため図示されていない。パルスレーザ光３３の光路軸をターゲット２７の中心に一致させた場合、図１３に示されるように、放射エネルギーＥの分布はＺ軸に対して軸対称の分布になり、この点は図４を参照しながら説明したのと同様である。
【0042】
しかし、図１１を参照しながら説明した通り、Ｙ軸周りの回転角度θが変わると光強度が変わる。このため図１２に示されるように、－Ｚ方向の放射エネルギーＥは大きいが、－Ｚ方向から離れるに従って放射エネルギーＥが低下し得る。－Ｚ方向から離れた位置にＥＵＶ集光ミラー２３ａを配置すると、各放射方向に放射されるＥＵＶ光のうちの放射エネルギーＥがピーク値を示す部分はＥＵＶ集光ミラー２３ａに入射せず、放射エネルギーＥがピーク値より小さい部分がＥＵＶ集光ミラー２３ａに入射する。このため、プラズマ生成領域２５から放射されたＥＵＶ光のうちのＥＵＶ集光ミラー２３ａに入射する部分の割合が低く、ＥＵＶ光利用装置６に出力されるＥＵＶ光の出力エネルギーが不十分となり得る。
【0043】
以下に説明する本開示の実施形態は、パルスレーザ光３３の光路軸を、基準位置ＰｉｎｉからＥＵＶ集光ミラー２３ａに近づく方向に離れた位置にずらすことで、ＥＵＶ光の出力エネルギーを向上することに関連している。
【0044】
３．パルスレーザ光３３の光路軸をずらしたＥＵＶ光生成システム１１ａ
３．１ 構成
図１４は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１ａの構成を概略的に示す。ＥＵＶ集光ミラー２３ａはパルスレーザ光３３の光路軸からずれた位置に配置されている。比較例においては図１に示されるようにパルスレーザ光３３がＥＵＶ集光ミラー２３の貫通孔２４を通過してプラズマ生成領域２５に集光されるのに対し、第１の実施形態においてはパルスレーザ光３３がＥＵＶ集光ミラー２３ａの外側を通過してプラズマ生成領域２５に集光される。図１３にも示されるように、ＥＵＶセンサＥＳ２又はＥＳ３は、ＥＵＶセンサＥＳ１よりも、プラズマ生成領域２５を中心としたＥＵＶ集光ミラー２３ａとの方向の偏差が小さい。すなわち、プラズマ生成領域２５内の点を頂点としたＥＵＶセンサＥＳ２又はＥＳ３の位置とプラズマ生成領域２５の位置との角度が、プラズマ生成領域２５内の点を頂点としたＥＵＶセンサＥＳ１の位置とプラズマ生成領域２５の位置との角度よりも小さい。
３．１ 構成
図１４は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１ａの構成を概略的に示す。ＥＵＶ集光ミラー２３ａはパルスレーザ光３３の光路軸からずれた位置に配置されている。比較例においては図１に示されるようにパルスレーザ光３３がＥＵＶ集光ミラー２３の貫通孔２４を通過してプラズマ生成領域２５に集光されるのに対し、第１の実施形態においてはパルスレーザ光３３がＥＵＶ集光ミラー２３ａの外側を通過してプラズマ生成領域２５に集光される。図１３にも示されるように、ＥＵＶセンサＥＳ２又はＥＳ３は、ＥＵＶセンサＥＳ１よりも、プラズマ生成領域２５を中心としたＥＵＶ集光ミラー２３ａとの方向の偏差が小さい。すなわち、プラズマ生成領域２５内の点を頂点としたＥＵＶセンサＥＳ２又はＥＳ３の位置とプラズマ生成領域２５の位置との角度が、プラズマ生成領域２５内の点を頂点としたＥＵＶセンサＥＳ１の位置とプラズマ生成領域２５の位置との角度よりも小さい。
【0045】
第１の実施形態においては、ＥＵＶ光利用装置６とプロセッサ５とを結ぶ信号線が追加されている。ＥＵＶ光利用装置６は、中間集光点２９２に到達するＥＵＶ光の出力エネルギーを計測し、信号線を介してプロセッサ５に送信する。プロセッサ５は、ＥＵＶ光利用装置６から出力エネルギーを受信する。ＥＵＶ光利用装置６は、露光装置６ａでも検査装置６ｂでもよく、中間集光点２９２に到達するＥＵＶ光の出力エネルギーを計測するための計測器でもよい。
【0046】
３．２ レーザ照射位置調整
図１５は、第１の実施形態におけるレーザ照射位置調整の処理手順を示すフローチャートである。図１５に示される処理は、ＥＵＶ光生成システム１１ａの初期設定時に、あるいはキャリブレーション時に行われる。
図１５は、第１の実施形態におけるレーザ照射位置調整の処理手順を示すフローチャートである。図１５に示される処理は、ＥＵＶ光生成システム１１ａの初期設定時に、あるいはキャリブレーション時に行われる。
【0047】
３．２．１ 基準位置Ｐｉｎｉの決定
Ｓ３１において、プロセッサ５は、パルスレーザ光３３をターゲット２７に照射させ、複数のＥＵＶセンサＥＳ１～ＥＳ３で計測される放射エネルギーＥ１～Ｅ３の平均値Ｅａｖｇが最大となるレーザ照射位置を基準位置Ｐｉｎｉとする。この処理は、図２を参照しながら説明したレーザ照射位置調整の処理と同様である。図２において計算される最適位置が、図１５における基準位置Ｐｉｎｉに相当する。基準位置Ｐｉｎｉは、例えば図１２に示されており、パルスレーザ光３３の光路軸をターゲット２７の中心に一致させるようなレーザ照射位置である。
Ｓ３１において、プロセッサ５は、パルスレーザ光３３をターゲット２７に照射させ、複数のＥＵＶセンサＥＳ１～ＥＳ３で計測される放射エネルギーＥ１～Ｅ３の平均値Ｅａｖｇが最大となるレーザ照射位置を基準位置Ｐｉｎｉとする。この処理は、図２を参照しながら説明したレーザ照射位置調整の処理と同様である。図２において計算される最適位置が、図１５における基準位置Ｐｉｎｉに相当する。基準位置Ｐｉｎｉは、例えば図１２に示されており、パルスレーザ光３３の光路軸をターゲット２７の中心に一致させるようなレーザ照射位置である。
【0048】
３．２．２ 改善照射位置Ｐｍａｘの決定
Ｓ３２において、プロセッサ５は、ＥＵＶ光をＥＵＶ光利用装置６に向けて出力させ、中間集光点２９２に到達するＥＵＶ光の出力エネルギーの計測結果をレーザ照射位置ごとに受信する。このときのレーザ照射位置は、例えば、基準位置ＰｉｎｉからＸＹ平面内でＥＵＶ集光ミラー２３ａに近づく方向に少しずつ移動するように設定される。プロセッサ５は、基準位置Ｐｉｎｉにパルスレーザ光３３が照射された場合よりも出力エネルギーが大きくなるレーザ照射位置を改善照射位置Ｐｍａｘとする。改善照射位置Ｐｍａｘは、好ましくは出力エネルギーが最大となるレーザ照射位置である。
Ｓ３２において、プロセッサ５は、ＥＵＶ光をＥＵＶ光利用装置６に向けて出力させ、中間集光点２９２に到達するＥＵＶ光の出力エネルギーの計測結果をレーザ照射位置ごとに受信する。このときのレーザ照射位置は、例えば、基準位置ＰｉｎｉからＸＹ平面内でＥＵＶ集光ミラー２３ａに近づく方向に少しずつ移動するように設定される。プロセッサ５は、基準位置Ｐｉｎｉにパルスレーザ光３３が照射された場合よりも出力エネルギーが大きくなるレーザ照射位置を改善照射位置Ｐｍａｘとする。改善照射位置Ｐｍａｘは、好ましくは出力エネルギーが最大となるレーザ照射位置である。
【0049】
図１７は、改善照射位置Ｐｍａｘにパルスレーザ光３３が照射された場合の各放射方向における放射エネルギーＥの大きさを示す。レーザ照射位置をずらすことで、放射エネルギーＥの分布を傾けることができる。各放射方向に放射されるＥＵＶ光のうちの放射エネルギーＥがピーク値を示す部分ＥｍａｘがＥＵＶ集光ミラー２３ａの中心付近に入射するときに、出力エネルギーが最大となる。
【0050】
３．２．３ 目標照射位置Ｐｏｐの決定
図１５を再び参照し、Ｓ３３において、プロセッサ５は、基準位置Ｐｉｎｉと改善照射位置Ｐｍａｘとの距離が許容値ｄＰｆｒｇ以下であるか否かを判定する。許容値ｄＰｆｒｇは、ターゲット２７に由来するデブリの発生量が許容値以下になるかどうかを基準として予め設定される。許容値ｄＰｆｒｇはターゲット２７の半径未満、例えば３μｍ以上８μｍ以下に設定される。基準位置Ｐｉｎｉと改善照射位置Ｐｍａｘとの距離が許容値ｄＰｆｒｇ以下である場合（Ｓ３３：ＹＥＳ）、プロセッサ５はＳ３４に処理を進める。基準位置Ｐｉｎｉと改善照射位置Ｐｍａｘとの距離が許容値ｄＰｆｒｇより大きい場合（Ｓ３３：ＮＯ）、プロセッサ５はＳ３５に処理を進める。
図１５を再び参照し、Ｓ３３において、プロセッサ５は、基準位置Ｐｉｎｉと改善照射位置Ｐｍａｘとの距離が許容値ｄＰｆｒｇ以下であるか否かを判定する。許容値ｄＰｆｒｇは、ターゲット２７に由来するデブリの発生量が許容値以下になるかどうかを基準として予め設定される。許容値ｄＰｆｒｇはターゲット２７の半径未満、例えば３μｍ以上８μｍ以下に設定される。基準位置Ｐｉｎｉと改善照射位置Ｐｍａｘとの距離が許容値ｄＰｆｒｇ以下である場合（Ｓ３３：ＹＥＳ）、プロセッサ５はＳ３４に処理を進める。基準位置Ｐｉｎｉと改善照射位置Ｐｍａｘとの距離が許容値ｄＰｆｒｇより大きい場合（Ｓ３３：ＮＯ）、プロセッサ５はＳ３５に処理を進める。
【0051】
図１８は、ターゲット２７とパルスレーザ光３３の光路軸との位置関係を示す。図１８は、図１７と見ている方向は同じであるが、図１７より狭い範囲を拡大して示している。図１８に示されるように、基準位置Ｐｉｎｉから許容値ｄＰｆｒｇ離れた位置まではデブリの発生量が許容値以下であり、その場合はＳ３４の処理が行われる。基準位置Ｐｉｎｉから許容値ｄＰｆｒｇ離れた位置よりさらに離れると、デブリの発生が急激に増加する場合があり、Ｓ３５の処理が行われる。
【0052】
図１５を再び参照し、Ｓ３４において、プロセッサ５は、目標照射位置Ｐｏｐを改善照射位置Ｐｍａｘに設定する。Ｓ３５において、プロセッサ５は、目標照射位置Ｐｏｐを基準位置Ｐｉｎｉから改善照射位置Ｐｍａｘに近づく方向に許容値ｄＰｆｒｇ離れた位置に設定する。いずれの場合も、目標照射位置Ｐｏｐは基準位置Ｐｉｎｉから改善照射位置Ｐｍａｘに近づく方向に離れた位置に設定される。いずれの場合も、基準位置Ｐｉｎｉと目標照射位置Ｐｏｐとの距離は許容値ｄＰｆｒｇ以下となる。
【0053】
３．２．４ 補正係数ｋ１～ｋ３の算出
Ｓ３４又はＳ３５の後、Ｓ３６において、プロセッサ５は、複数のＥＵＶセンサＥＳ１～ＥＳ３の補正係数ｋ１～ｋ３を算出する。補正係数ｋ１～ｋ３は、平均値Ｅａｖｇの代わりに補正平均値Ｅｗａｖｇを算出するために用いられる。比較例においては平均値Ｅａｖｇが大きくなるようにレーザ照射位置を制御することでパルスレーザ光３３の光路軸をターゲット２７の中心に近づけるのに対し、第１の実施形態においては補正平均値Ｅｗａｖｇが大きくなるようにレーザ照射位置を制御することで光路軸を目標照射位置Ｐｏｐに近づける。具体的には、補正平均値Ｅｗａｖｇが最大となるようにレーザ照射位置を制御する。Ｓ３６の詳細については図１６を参照しながら説明する。Ｓ３６の処理が終了するとレーザ照射位置調整が完了し、プロセッサ５は、本フローチャートの処理を終了する。
Ｓ３４又はＳ３５の後、Ｓ３６において、プロセッサ５は、複数のＥＵＶセンサＥＳ１～ＥＳ３の補正係数ｋ１～ｋ３を算出する。補正係数ｋ１～ｋ３は、平均値Ｅａｖｇの代わりに補正平均値Ｅｗａｖｇを算出するために用いられる。比較例においては平均値Ｅａｖｇが大きくなるようにレーザ照射位置を制御することでパルスレーザ光３３の光路軸をターゲット２７の中心に近づけるのに対し、第１の実施形態においては補正平均値Ｅｗａｖｇが大きくなるようにレーザ照射位置を制御することで光路軸を目標照射位置Ｐｏｐに近づける。具体的には、補正平均値Ｅｗａｖｇが最大となるようにレーザ照射位置を制御する。Ｓ３６の詳細については図１６を参照しながら説明する。Ｓ３６の処理が終了するとレーザ照射位置調整が完了し、プロセッサ５は、本フローチャートの処理を終了する。
【0054】
【0055】
３．２．５．１ 補正係数ｋ１～ｋ３の説明
Ｓ３６１において、プロセッサ５は、基準位置Ｐｉｎｉにパルスレーザ光３３が照射された場合よりも目標照射位置Ｐｏｐにパルスレーザ光３３が照射された場合の方が放射エネルギーＥ１～Ｅ３の補正平均値Ｅｗａｖｇが大きくなるように、補正係数ｋ１～ｋ３を算出する。具体的には、目標照射位置Ｐｏｐにパルスレーザ光３３が照射された場合の補正平均値Ｅｗａｖｇが最大となる補正係数ｋ１～ｋ３を算出する。
Ｓ３６１において、プロセッサ５は、基準位置Ｐｉｎｉにパルスレーザ光３３が照射された場合よりも目標照射位置Ｐｏｐにパルスレーザ光３３が照射された場合の方が放射エネルギーＥ１～Ｅ３の補正平均値Ｅｗａｖｇが大きくなるように、補正係数ｋ１～ｋ３を算出する。具体的には、目標照射位置Ｐｏｐにパルスレーザ光３３が照射された場合の補正平均値Ｅｗａｖｇが最大となる補正係数ｋ１～ｋ３を算出する。
【0056】
図１９及び図２０は、目標照射位置Ｐｏｐにパルスレーザ光３３が照射された場合の各放射方向におけるＥＵＶ光の放射エネルギーＥの大きさを示す。ＥＵＶセンサＥＳ１～ＥＳ３及びＥＵＶ集光ミラー２３ａの配置は図１２及び図１３と同様である。レーザ照射位置を変えることで放射エネルギーＥの分布を傾けることができ、放射エネルギーＥの分布の傾きを変えることで、図２０に示されるようにＥＵＶセンサＥＳ１～ＥＳ３で計測される放射エネルギーＥ１～Ｅ３の比率が変わる。従って、補正係数ｋ１～ｋ３を適切に設定しておけば、補正平均値Ｅｗａｖｇが最大となるようにレーザ照射位置を制御したときに目標照射位置Ｐｏｐにパルスレーザ光３３を照射できるようになる。補正平均値Ｅｗａｖｇは以下の式により算出される。
Ｅｗａｖｇ＝（ｋ１・Ｅ１＋ｋ２・Ｅ２＋ｋ３・Ｅ３）／３
Ｅｗａｖｇ＝（ｋ１・Ｅ１＋ｋ２・Ｅ２＋ｋ３・Ｅ３）／３
【0057】
例えば、補正係数ｋ１よりも補正係数ｋ２及びｋ３が大きな値に設定された場合には、放射エネルギーＥ１を大きくするよりも放射エネルギーＥ２及びＥ３を大きくする方が、補正平均値Ｅｗａｖｇがより大きくなる。そのように設定された補正平均値Ｅｗａｖｇを最大化することで、放射エネルギーＥ２及びＥ３が大きくなり、ＥＵＶ光の放射エネルギーＥのピークがＸ方向、すなわちＥＵＶ集光ミラー２３ａに近づく方向に傾けられるので、ＥＵＶ集光ミラー２３ａに入射するＥＵＶ光のエネルギーを大きくすることができる。なお、放射エネルギーＥ１～Ｅ３の補正平均値Ｅｗａｖｇが用いられる場合に限らず、放射エネルギーＥ１～Ｅ３に補正係数ｋ１～ｋ３による重み付けをした合計値が用いられてもよい。
【0058】
３．２．５．２ 補正係数ｋ１～ｋ３の算出方法
補正係数ｋ１～ｋ３は、基準位置Ｐｉｎｉから目標照射位置Ｐｏｐまでの位置偏差ｄＰ（ｄｘ，ｄｙ）に基づいて以下のように算出することができる。
補正係数ｋ１～ｋ３は、基準位置Ｐｉｎｉから目標照射位置Ｐｏｐまでの位置偏差ｄＰ（ｄｘ，ｄｙ）に基づいて以下のように算出することができる。
【0059】
図２１は、位置偏差ｄＰ（ｄｘ，ｄｙ）とＥＵＶ放射方向Ｒ（θｔ，φｔ）との関係を示す。図２１は、図１９と見ている方向は同じであるが、図１９より狭い範囲を拡大して示している。ＥＵＶ放射方向Ｒ（θｔ，φｔ）は、各放射方向に放射されるＥＵＶ光のうちの放射エネルギーＥが－Ｚ方向の放射エネルギーよりも大きい部分の放射方向であり、好ましくは、放射エネルギーＥがピーク値を示す部分Ｅｍａｘの放射方向である。位置偏差ｄＰ（ｄｘ，ｄｙ）とＥＵＶ放射方向Ｒ（θｔ，φｔ）とは一定範囲内で線形性があるとみなすことができる。その係数は、予め計測したデータから得ることができ、行列αで表せる。例えば、レーザ照射位置を１μｍ移動すると、放射エネルギーＥがピーク値を示す部分Ｅｍａｘの放射方向は５°～６°程度変化する。目標照射位置Ｐｏｐにパルスレーザ光３３を照射したときのＥＵＶ放射方向Ｒ（θｔ，φｔ）は、行列αを用いて以下の式で算出できる。
Ｒ（θｔ，φｔ）＝α・ｄＰ（ｄｘ，ｄｙ）
Ｒ（θｔ，φｔ）＝α・ｄＰ（ｄｘ，ｄｙ）
【0060】
図２２は、ＥＵＶセンサＥＳ１～ＥＳ３の配置を示す。ＥＵＶセンサＥＳ１～ＥＳ３の位置は、例えば、ＥＵＶセンサＥＳ１～ＥＳ３の受光面の中心位置である。ＥＵＶセンサＥＳ１～ＥＳ３の位置は、以下のように極座標を用いた位置ベクトルＰ１～Ｐ３で表せる。位置ベクトルＰ１は本開示における第１の位置ベクトルに相当し、位置ベクトルＰ２は本開示における第２の位置ベクトルに相当する。
Ｐ１［ｒ１，θ１，φ１］
Ｐ２［ｒ２，θ２，φ２］
Ｐ３［ｒ３，θ３，φ３］
Ｐ１［ｒ１，θ１，φ１］
Ｐ２［ｒ２，θ２，φ２］
Ｐ３［ｒ３，θ３，φ３］
【0061】
これらの位置ベクトルＰ１～Ｐ３に補正係数ｋ１～ｋ３による重み付けをしたとき、以下の補正位置ベクトルＰｗ１～Ｐｗ３が与えられる。
Ｐｗ１［ｋ１・ｒ１，θ１，φ１］
Ｐｗ２［ｋ２・ｒ２，θ２，φ２］
Ｐｗ３［ｋ３・ｒ３，θ３，φ３］
Ｐｗ１［ｋ１・ｒ１，θ１，φ１］
Ｐｗ２［ｋ２・ｒ２，θ２，φ２］
Ｐｗ３［ｋ３・ｒ３，θ３，φ３］
【0062】
例えば、補正係数ｋ２及びｋ３を大きくすることは、補正位置ベクトルＰｗ２及びＰｗ３の和をＸ方向及び－Ｚ方向に伸長することに相当する。
【0063】
補正位置ベクトルＰｗ１～Ｐｗ３の幾何重心をＥＵＶセンサＥＳ１～ＥＳ３の補正幾何重心ベクトルＣと呼ぶことにし、補正幾何重心ベクトルＣは以下のように表すことができる。
Ｃ＝［ｒｃ（ｋ１，ｋ２，ｋ３），θｃ（ｋ１，ｋ２，ｋ３），φｃ（ｋ１，ｋ２，ｋ３）］
Ｃ＝［ｒｃ（ｋ１，ｋ２，ｋ３），θｃ（ｋ１，ｋ２，ｋ３），φｃ（ｋ１，ｋ２，ｋ３）］
【0064】
例えば、補正係数ｋ１よりも補正係数ｋ２及びｋ３を大きくすることは、補正幾何重心ベクトルＣをＸ方向に傾けることに相当する。図１９及び図２０を参照しながら説明したように、補正係数ｋ１よりも補正係数ｋ２及びｋ３を大きな値に設定して補正平均値Ｅｗａｖｇを最大化することで、ＥＵＶ光の放射エネルギーＥのピークをＸ方向に傾けて、ＥＵＶ集光ミラー２３ａに入射するＥＵＶ光のエネルギーを大きくすることができる。補正幾何重心ベクトルＣのパルスレーザ光３３の光路軸と垂直な方向成分は、この光路軸からＥＵＶ集光ミラー２３ａに近づく方向であることが望ましい。
【0065】
以上の説明から、補正幾何重心ベクトルＣがＸ方向に傾くように補正係数ｋ１～ｋ３を設定することは、ＥＵＶ光の放射エネルギーＥのピークをＸ方向に傾けることに相当する。補正幾何重心ベクトルＣの方向がＥＵＶ放射方向Ｒ（θｔ，φｔ）に近づけば補正平均値Ｅｗａｖｇが大きくなり、補正幾何重心ベクトルＣの方向がＥＵＶ放射方向Ｒ（θｔ，φｔ）に一致するときに補正平均値Ｅｗａｖｇが最大となる。そこで、次の式で与えられる目的関数Ｏが最小となるように、補正係数ｋ１～ｋ３を算出することができる。
Ｏ＝（θｔ－θｃ（ｋ１，ｋ２，ｋ３））２＋（φｔ－φｃ（ｋ１，ｋ２，ｋ３））２
Ｏ＝（θｔ－θｃ（ｋ１，ｋ２，ｋ３））２＋（φｔ－φｃ（ｋ１，ｋ２，ｋ３））２
【0066】
但し、補正係数ｋ１～ｋ３はいずれも１以上とし、補正幾何重心ベクトルＣの大きさｒｃ（ｋ１，ｋ２，ｋ３）は０以上とし、θｃ（ｋ１，ｋ２，ｋ３）は－π以上π以下とし、φｃ（ｋ１，ｋ２，ｋ３）は－π／２以上π／２以下とする。
【0067】
ここでは３つのＥＵＶセンサＥＳ１～ＥＳ３を用いて補正平均値Ｅｗａｖｇを算出するための補正係数ｋ１～ｋ３が算出される場合について説明したが、３つ以上のＥＵＶセンサＥＳ１，ＥＳ２，・・・，ＥＳｉを用いて補正平均値Ｅｗａｖｇを算出するための補正係数ｋ１，ｋ２，・・・，ｋｉが算出されてもよい。
【0068】
３．２．５．３ 補正係数ｋ１～ｋ３の検証及び修正
図１６を再び参照し、算出された補正係数ｋ１～ｋ３が適切か否かを検証して、補正係数ｋ１～ｋ３を修正する処理について説明する。
図１６を再び参照し、算出された補正係数ｋ１～ｋ３が適切か否かを検証して、補正係数ｋ１～ｋ３を修正する処理について説明する。
【0069】
Ｓ３６２において、プロセッサ５は、パルスレーザ光３３をターゲット２７に照射させ、補正係数ｋ１～ｋ３を用いて算出される補正平均値Ｅｗａｖｇが最大となるようにレーザ照射位置を制御する。プロセッサ５は、そのレーザ照射位置を調整後照射位置Ｐａｄｊとする。
【0070】
Ｓ３６３において、プロセッサ５は、調整後照射位置Ｐａｄｊと目標照射位置Ｐｏｐとの距離が閾値未満であるか否かを判定する。距離が閾値未満である場合（Ｓ３６３：ＹＥＳ）、プロセッサ５は本フローチャートの処理を終了して図１５に示される処理に戻る。距離が閾値以上である場合（Ｓ３６３：ＮＯ）、プロセッサ５はＳ３６４に処理を進める。
【0071】
Ｓ３６４において、プロセッサ５は、調整後照射位置Ｐａｄｊが目標照射位置Ｐｏｐに近づくように補正係数ｋ１～ｋ３を修正する。例えば、調整後照射位置Ｐａｄｊが目標照射位置Ｐｏｐに対して－Ｘ方向にずれていた場合には、調整後照射位置ＰａｄｊをＸ方向に調整するためＥＵＶセンサＥＳ１の補正係数ｋ１を小さくし、あるいはＥＵＶセンサＥＳ２及びＥＳ３の補正係数ｋ２及びｋ３を大きくする。
【0072】
Ｓ３６４の後、プロセッサ５はＳ３６２に処理を戻し、修正された補正係数ｋ１～ｋ３が適切か否かを再度検証する。
【0073】
３．３ 作用
（１）第１の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成システム１１ａは、チャンバ２と、ターゲット供給部２６と、メインパルスレーザ装置ＭＰＬと、高反射ミラー３４１を含む光学系と、アクチュエータ３４４と、ＥＵＶ集光ミラー２３ａと、複数のＥＵＶセンサＥＳ１及びＥＳ２と、プロセッサ５と、を含む。チャンバ２はプラズマ生成領域２５を含む。ターゲット供給部２６はプラズマ生成領域２５にターゲット２７を供給する。メインパルスレーザ装置ＭＰＬはパルスレーザ光３３を出力する。高反射ミラー３４１を含む光学系はパルスレーザ光３３をプラズマ生成領域２５に導く。アクチュエータ３４４は、高反射ミラー３４１の位置又は姿勢を変化させることにより、プラズマ生成領域２５に入射するパルスレーザ光３３の光路軸に直交しプラズマ生成領域２５と交差するＸＹ平面内でターゲット２７に対するレーザ照射位置を調整する。ＥＵＶ集光ミラー２３ａは、プラズマ生成領域２５から放射されるＥＵＶ光を反射して中間集光点２９２に集光するＥＵＶ集光ミラー２３ａであって、パルスレーザ光３３がＥＵＶ集光ミラー２３ａの外側を通過してプラズマ生成領域２５に導かれるように配置される。ＥＵＶセンサＥＳ１及びＥＳ２は、プラズマ生成領域２５から互いに異なる放射方向に放射されたＥＵＶ光の放射エネルギーＥを計測する。プロセッサ５は、パルスレーザ光３３の目標照射位置ＰｏｐをＥＵＶセンサＥＳ１及びＥＳ２で計測される放射エネルギーＥ１及びＥ２の平均値Ｅａｖｇが最大となる基準位置ＰｉｎｉからＥＵＶ集光ミラー２３ａに近づく方向に離れたレーザ照射位置に設定してアクチュエータ３４４を制御する。
（１）第１の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成システム１１ａは、チャンバ２と、ターゲット供給部２６と、メインパルスレーザ装置ＭＰＬと、高反射ミラー３４１を含む光学系と、アクチュエータ３４４と、ＥＵＶ集光ミラー２３ａと、複数のＥＵＶセンサＥＳ１及びＥＳ２と、プロセッサ５と、を含む。チャンバ２はプラズマ生成領域２５を含む。ターゲット供給部２６はプラズマ生成領域２５にターゲット２７を供給する。メインパルスレーザ装置ＭＰＬはパルスレーザ光３３を出力する。高反射ミラー３４１を含む光学系はパルスレーザ光３３をプラズマ生成領域２５に導く。アクチュエータ３４４は、高反射ミラー３４１の位置又は姿勢を変化させることにより、プラズマ生成領域２５に入射するパルスレーザ光３３の光路軸に直交しプラズマ生成領域２５と交差するＸＹ平面内でターゲット２７に対するレーザ照射位置を調整する。ＥＵＶ集光ミラー２３ａは、プラズマ生成領域２５から放射されるＥＵＶ光を反射して中間集光点２９２に集光するＥＵＶ集光ミラー２３ａであって、パルスレーザ光３３がＥＵＶ集光ミラー２３ａの外側を通過してプラズマ生成領域２５に導かれるように配置される。ＥＵＶセンサＥＳ１及びＥＳ２は、プラズマ生成領域２５から互いに異なる放射方向に放射されたＥＵＶ光の放射エネルギーＥを計測する。プロセッサ５は、パルスレーザ光３３の目標照射位置ＰｏｐをＥＵＶセンサＥＳ１及びＥＳ２で計測される放射エネルギーＥ１及びＥ２の平均値Ｅａｖｇが最大となる基準位置ＰｉｎｉからＥＵＶ集光ミラー２３ａに近づく方向に離れたレーザ照射位置に設定してアクチュエータ３４４を制御する。
【0074】
これによれば、基準位置ＰｉｎｉからＥＵＶ集光ミラー２３ａに近づく方向に離れたレーザ照射位置にパルスレーザ光３３を照射することで、ＥＵＶ集光ミラー２３ａに向かうＥＵＶ光の放射エネルギーＥが大きくなるように、ＥＵＶ光の放射エネルギー分布を傾けることができる。その結果、中間集光点２９２に到達するＥＵＶ光の出力エネルギーを大きくすることができる。
【0075】
（２）第１の実施形態によれば、プロセッサ５は、基準位置Ｐｉｎｉにパルスレーザ光３３が照射された場合よりも中間集光点２９２に到達するＥＵＶ光の出力エネルギーが大きくなるレーザ照射位置を改善照射位置Ｐｍａｘとして取得する。プロセッサ５は、改善照射位置Ｐｍａｘに基づいて目標照射位置Ｐｏｐを設定する。
【0076】
これによれば、基準位置Ｐｉｎｉにパルスレーザ光３３が照射された場合よりも出力エネルギーが大きくなるように目標照射位置Ｐｏｐを設定することができる。
【0077】
（３）第１の実施形態によれば、プロセッサ５は、レーザ照射位置を変えてパルスレーザ光３３をターゲット２７に照射させ、出力エネルギーの計測結果をレーザ照射位置ごとに取得し、計測結果に基づいて改善照射位置Ｐｍａｘを取得する。
【0078】
これによれば、実際の計測結果に基づいて改善照射位置Ｐｍａｘを取得することで、出力エネルギーが大きくなる改善照射位置Ｐｍａｘを正確に求めることができる。
【0079】
（４）第１の実施形態によれば、改善照射位置Ｐｍａｘは、中間集光点２９２に到達するＥＵＶ光の出力エネルギーが最大となるレーザ照射位置である。
【0080】
これによれば、ＥＵＶ光の出力エネルギーを大きくすることができる。
【0081】
（５）第１の実施形態によれば、プロセッサ５は、目標照射位置Ｐｏｐを基準位置Ｐｉｎｉから改善照射位置Ｐｍａｘに近づく方向に離れたレーザ照射位置に設定する。
【0082】
これによれば、ＥＵＶ光の出力エネルギーが大きくなるように目標照射位置Ｐｏｐを設定することができる。
【0083】
（６）第１の実施形態によれば、プロセッサ５は、基準位置Ｐｉｎｉと改善照射位置Ｐｍａｘとの距離が許容値ｄＰｆｒｇ以下であれば、目標照射位置Ｐｏｐを改善照射位置Ｐｍａｘに設定する。プロセッサ５は、基準位置Ｐｉｎｉと改善照射位置Ｐｍａｘとの距離が許容値ｄＰｆｒｇよりも大きければ、目標照射位置Ｐｏｐを基準位置Ｐｉｎｉから改善照射位置Ｐｍａｘに近づく方向に許容値ｄＰｆｒｇ離れた位置に設定する。
【0084】
これによれば、ＥＵＶ光の出力エネルギーをできるだけ大きくしつつ、レーザ照射位置が基準位置Ｐｉｎｉからずれることによる不具合を抑制し得る。
【0085】
（７）第１の実施形態によれば、プロセッサ５は、基準位置Ｐｉｎｉと目標照射位置Ｐｏｐとの距離が、ターゲット２７の半径未満に設定された許容値ｄＰｆｒｇ以下となるように、目標照射位置Ｐｏｐを設定する。
【0086】
これによれば、レーザ照射位置が基準位置Ｐｉｎｉからずれることによる不具合を抑制し得る。
【0087】
（８）第１の実施形態によれば、許容値ｄＰｆｒｇは３μｍ以上８μｍ以下である。
【0088】
これによれば、ＥＵＶ光の出力エネルギーを大きくしつつ、レーザ照射位置が基準位置Ｐｉｎｉからずれることによる不具合を抑制し得る。
【0089】
（９）第１の実施形態によれば、プロセッサ５は、ターゲット２７に由来するデブリの発生量が許容値以下となるように、目標照射位置Ｐｏｐを設定する。
【0090】
これによれば、レーザ照射位置が基準位置Ｐｉｎｉからずれることによるデブリの発生を抑制し得る。
【0091】
（１０）第１の実施形態によれば、複数のＥＵＶセンサは、ＥＵＶセンサＥＳ１と、ＥＵＶセンサＥＳ１よりも、プラズマ生成領域２５を中心としたＥＵＶ集光ミラー２３ａとの方向の偏差が小さいＥＵＶセンサＥＳ２と、を含む。プロセッサ５は、ＥＵＶセンサＥＳ１により計測される放射エネルギーＥ１よりもＥＵＶセンサＥＳ２により計測される放射エネルギーＥ２を重視するように放射エネルギーＥ１及びＥ２のいずれかを補正して得られる補正平均値Ｅｗａｖｇが、基準位置Ｐｉｎｉにパルスレーザ光３３が照射された場合よりも大きくなるレーザ照射位置にパルスレーザ光３３が照射されるように、アクチュエータ３４４を制御する。
【0092】
これによれば、プラズマ生成領域２５からの方向がＥＵＶ集光ミラー２３ａに近いＥＵＶセンサＥＳ２により計測される放射エネルギーＥ２を重視することで、ＥＵＶ集光ミラー２３ａ側に放射分布を傾けるようにパルスレーザ光３３を照射することができる。
【0093】
（１１）第１の実施形態によれば、プロセッサ５は、補正平均値Ｅｗａｖｇが最大となるレーザ照射位置にパルスレーザ光３３が照射されるように、アクチュエータ３４４を制御する。
【0094】
これによれば、補正平均値Ｅｗａｖｇを最大とすることで、最適なレーザ照射位置にパルスレーザ光３３を照射することができる。
【0095】
（１２）第１の実施形態によれば、プロセッサ５は、基準位置Ｐｉｎｉにパルスレーザ光３３が照射された場合よりも目標照射位置Ｐｏｐにパルスレーザ光３３が照射された場合の方が補正平均値Ｅｗａｖｇが大きくなるように、放射エネルギーＥ１及びＥ２のいずれかを補正する。
【0096】
これによれば、目標照射位置Ｐｏｐにパルスレーザ光３３を照射した場合の補正平均値Ｅｗａｖｇが大きくなるように補正を行うことで、補正平均値Ｅｗａｖｇに基づく制御において最適なレーザ照射位置に照射できる。
【0097】
（１３）第１の実施形態によれば、プロセッサ５は、基準位置Ｐｉｎｉと目標照射位置Ｐｏｐとの位置偏差ｄＰ（ｄｘ，ｄｙ）に基づいて、放射エネルギーＥ１及びＥ２のいずれかを補正するための補正係数ｋ１又はｋ２を算出する。
【0098】
これによれば、位置偏差ｄＰ（ｄｘ，ｄｙ）に基づいて補正係数ｋ１又はｋ２を算出することで、目標照射位置Ｐｏｐに照射できるように放射エネルギーＥ１及びＥ２のいずれかを補正することができる。
【0099】
（１４）第１の実施形態によれば、プロセッサ５は、位置偏差ｄＰ（ｄｘ，ｄｙ）に基づいて、放射エネルギーＥがプラズマ生成領域２５に入射するパルスレーザ光３３の入射方向と反対の－Ｚ方向よりも大きくなるＥＵＶ放射方向Ｒ（θｔ，φｔ）を算出する。プロセッサ５は、ＥＵＶセンサＥＳ１及びＥＳ２の位置を示す第１及び第２の位置ベクトルＰ１及びＰ２のいずれかに補正係数ｋ１又はｋ２による重み付けをして得られる補正幾何重心ベクトルＣの方向が、入射方向と反対の－Ｚ方向よりもＥＵＶ放射方向Ｒ（θｔ，φｔ）に近くなるように、補正係数ｋ１又はｋ２を算出する。
【0100】
これによれば、ＥＵＶセンサＥＳ１及びＥＳ２の補正幾何重心ベクトルＣの方向がＥＵＶ放射方向Ｒ（θｔ，φｔ）に近くなるように補正係数ｋ１又はｋ２を算出することで、補正平均値Ｅｗａｖｇに基づくレーザ照射位置の制御において放射エネルギーＥをＥＵＶ放射方向Ｒ（θｔ，φｔ）に傾けることができる。
【0101】
（１５）第１の実施形態によれば、プロセッサ５は、位置偏差ｄＰ（ｄｘ，ｄｙ）に基づいて、放射エネルギーＥが最大となるＥＵＶ放射方向Ｒ（θｔ，φｔ）を最大放射方向として算出する。プロセッサ５は、ＥＵＶセンサＥＳ１及びＥＳ２の位置を示す第１及び第２の位置ベクトルＰ１及びＰ２のいずれかに補正係数ｋ１又はｋ２による重み付けをして得られる補正幾何重心ベクトルＣの方向が、最大放射方向に一致するように、補正係数ｋ１又はｋ２を算出する。
【0102】
これによれば、ＥＵＶセンサＥＳ１及びＥＳ２の補正幾何重心ベクトルＣの方向がＥＵＶ光の最大放射方向に一致するように補正係数ｋ１又はｋ２を算出することで、補正平均値Ｅｗａｖｇに基づくレーザ照射位置の制御において放射エネルギーＥを最大放射方向に傾けることができる。
【0103】
（１６）第１の実施形態によれば、プロセッサ５は、ＥＵＶセンサＥＳ１及びＥＳ２の位置を示す第１及び第２の位置ベクトルＰ１及びＰ２のいずれかに補正平均値Ｅｗａｖｇを得るための補正係数ｋ１又はｋ２による重み付けをして得られる補正幾何重心ベクトルＣのパルスレーザ光３３の光路軸と垂直な方向成分が、光路軸からＥＵＶ集光ミラー２３ａに近づく方向となるように、補正係数ｋ１又はｋ２を算出する。
【0104】
これによれば、ＥＵＶセンサＥＳ１及びＥＳ２の補正幾何重心ベクトルＣの方向がＥＵＶ集光ミラー２３ａに近づく方向となるように補正係数ｋ１又はｋ２を算出することで、補正平均値Ｅｗａｖｇに基づくレーザ照射位置の制御において放射エネルギーＥをＥＵＶ集光ミラー２３ａに近づく方向に傾けることができる。
【0105】
（１７）第１の実施形態によれば、プロセッサ５は、補正平均値Ｅｗａｖｇが最大となるレーザ照射位置と、目標照射位置Ｐｏｐと、の距離が閾値以上である場合に補正係数ｋ１又はｋ２を修正する。
【0106】
これによれば、算出された補正係数ｋ１又はｋ２が適切か否かを判定し、補正係数ｋ１又はｋ２を修正することができる。
【0107】
その他の点については、第１の実施形態は比較例と同様である。
【0108】
４．プリパルスレーザ装置ＰＰＬを含むＥＵＶ光生成システム１１ｂ
４．１ 構成
図２３は、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１ｂの構成を概略的に示す。図２３において、レーザシステム３はメインパルスレーザ装置ＭＰＬの他にプリパルスレーザ装置ＰＰＬを含む。また、図１４に示される高反射ミラー３０４の代わりにビームコンバイナ３０４ｂを含む。高反射ミラー３０２にはアクチュエータ３０６ｂが配置されている。
４．１ 構成
図２３は、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１ｂの構成を概略的に示す。図２３において、レーザシステム３はメインパルスレーザ装置ＭＰＬの他にプリパルスレーザ装置ＰＰＬを含む。また、図１４に示される高反射ミラー３０４の代わりにビームコンバイナ３０４ｂを含む。高反射ミラー３０２にはアクチュエータ３０６ｂが配置されている。
【0109】
プリパルスレーザ装置ＰＰＬは、メインパルスレーザ装置ＭＰＬから出力されたパルスレーザ光３３がターゲット２７に照射される前に、そのターゲット２７に照射されるプリパルスレーザ光を出力する。プリパルスレーザ光は液滴状のターゲット２７を拡散させてターゲット２７の密度を低減させることで、メインパルスレーザ装置ＭＰＬから出力されたパルスレーザ光３３がターゲット２７を効率よく励起してプラズマ化させることを可能にする。
【0110】
ビームコンバイナ３０４ｂは、メインパルスレーザ装置ＭＰＬから出力されたパルスレーザ光３１とプリパルスレーザ装置ＰＰＬから出力されたプリパルスレーザ光との一方を反射して他方を透過させることによりこれらの光路をほぼ一致させる。その結果、プリパルスレーザ光はメインパルスレーザ装置ＭＰＬから出力されたパルスレーザ光３１、３２、及び３３と共通の光路を通ってプラズマ生成領域２５に入射する。
【0111】
アクチュエータ３０６ｂは、メインパルスレーザ装置ＭＰＬから出力されたパルスレーザ光３１がプリパルスレーザ光と合流する前に入射する高反射ミラー３０２の位置又は姿勢を制御する。これにより、プリパルスレーザ光とは別にパルスレーザ光３１の光路軸を調整することができる。アクチュエータ３４４は、パルスレーザ光３１の光路軸とプリパルスレーザ光の光路軸とを併せて調整できるようになっている。
【0112】
４．２ 動作
メインパルスレーザ装置ＭＰＬから出力されたパルスレーザ光３３は基準位置ＰｉｎｉからＥＵＶ集光ミラー２３ａに近づく方向に離れたレーザ照射位置に照射されるのに対し、プリパルスレーザ光は、パルスレーザ光３３のレーザ照射位置よりも基準位置Ｐｉｎｉに近い位置に照射される。好ましくは、プリパルスレーザ光の光路軸は液滴状のターゲット２７の中心と一致する。これにより、プリパルスレーザ光の光路軸に対してほぼ軸対称にターゲット２７を拡散させることができる。
メインパルスレーザ装置ＭＰＬから出力されたパルスレーザ光３３は基準位置ＰｉｎｉからＥＵＶ集光ミラー２３ａに近づく方向に離れたレーザ照射位置に照射されるのに対し、プリパルスレーザ光は、パルスレーザ光３３のレーザ照射位置よりも基準位置Ｐｉｎｉに近い位置に照射される。好ましくは、プリパルスレーザ光の光路軸は液滴状のターゲット２７の中心と一致する。これにより、プリパルスレーザ光の光路軸に対してほぼ軸対称にターゲット２７を拡散させることができる。
【0113】
４．３ 作用
（１８）第２の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成システム１１ｂは、パルスレーザ光３３がターゲット２７に照射される前にターゲット２７に照射されるプリパルスレーザ光を出力するプリパルスレーザ装置ＰＰＬを備える。プリパルスレーザ光は、パルスレーザ光３３のレーザ照射位置よりも基準位置Ｐｉｎｉに近い位置に照射される。
（１８）第２の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成システム１１ｂは、パルスレーザ光３３がターゲット２７に照射される前にターゲット２７に照射されるプリパルスレーザ光を出力するプリパルスレーザ装置ＰＰＬを備える。プリパルスレーザ光は、パルスレーザ光３３のレーザ照射位置よりも基準位置Ｐｉｎｉに近い位置に照射される。
【0114】
これによれば、プリパルスレーザ光を基準位置Ｐｉｎｉに近い位置に照射することで、ターゲット２７の拡散状態を良好にすることができる。
【0115】
その他の点については、第２の実施形態は第１の実施形態と同様である。
【0116】
【0117】
図２４において、ＥＵＶ光利用装置６（図１参照）としての露光装置６ａは、マスク照射部６０８とワークピース照射部６０９とを含む。マスク照射部６０８は、ＥＵＶ光生成システム１１ａから入射したＥＵＶ光によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部６０９は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置６ａは、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで電子デバイスを製造できる。
【0118】
図２５は、ＥＵＶ光生成システム１１ａに接続された検査装置６ｂの構成を概略的に示す。
【0119】
図２５において、ＥＵＶ光利用装置６（図１参照）としての検査装置６ｂは、照明光学系６０３と検出光学系６０６とを含む。照明光学系６０３は、ＥＵＶ光生成システム１１ａから入射したＥＵＶ光を反射して、マスクステージ６０４に配置されたマスク６０５を照射する。ここでいうマスク６０５はパターンが形成される前のマスクブランクスを含む。検出光学系６０６は、照明されたマスク６０５からのＥＵＶ光を反射して検出器６０７の受光面に結像させる。ＥＵＶ光を受光した検出器６０７はマスク６０５の画像を取得する。検出器６０７は例えばＴＤＩ（time delay integration）カメラである。以上のような工程によって取得したマスク６０５の画像により、マスク６０５の欠陥を検査し、検査の結果を用いて、電子デバイスの製造に適するマスクを選定する。そして、選定したマスクに形成されたパターンを、露光装置６ａを用いて感光基板上に露光転写することで電子デバイスを製造できる。
【0120】
【0121】
５．２ 補足
上述の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
上述の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
【0122】
本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」、「有する」、「備える」、「具備する」などの用語は、「記載されたもの以外の構成要素の存在を除外しない」と解釈されるべきである。また、修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきであり、さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】