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特開2024-83937極端紫外光生成用チャンバ装置及び電子デバイスの製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024083937
(43)【公開日】2024-06-24
(54)【発明の名称】極端紫外光生成用チャンバ装置及び電子デバイスの製造方法
(51)【国際特許分類】
G03F 7/20 20060101AFI20240617BHJP
H05G 2/00 20060101ALI20240617BHJP
【ＦＩ】
G03F7/20 503
H05G2/00 K
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022198038
(22)【出願日】2022-12-12
(71)【出願人】
【識別番号】300073919
【氏名又は名称】ギガフォトン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100143764
【弁理士】
【氏名又は名称】森村 靖男
(72)【発明者】
【氏名】植田 篤
【テーマコード（参考）】
2H197
4C092
【Ｆターム（参考）】
2H197CA10
2H197GA01
2H197GA05
2H197GA10
2H197GA20
2H197GA24
2H197HA03
4C092AA06
4C092AA15
4C092AB19
4C092AC09
(57)【要約】 （修正有）
【課題】フラグメントの堆積によるガスの排気能力の低下を抑制した極端紫外光生成用チャンバ装置を提供する。
【解決手段】極端紫外光生成用チャンバ装置は、レーザ光が照射されるドロップレットターゲットからプラズマが生成されるプラズマ生成領域を内部空間に含むチャンバと、エッチングガス供給口と、内部空間からチャンバの外部に延在し、プラズマ生成領域を囲い、内部空間側の開口がガスの流入口であり、チャンバの外部側の開口がガスの排気口である筒状の隔壁１８と、内部空間における隔壁の外側に配置され、プラズマ生成領域で生成され流入口を通過した極端紫外光を極端紫外光の入射方向と異なる方向に反射する集光ミラーと、を備え、隔壁の内周面１８４のうちプラズマ生成領域よりもレーザ光の進行方向側において、プラズマ生成領域を通りレーザ光の光軸と４５度をなす曲面で囲われる第１領域１８４ａの少なくとも一部に第１凹部１８５ａが設けられる。
【選択図】図７
【解決手段】極端紫外光生成用チャンバ装置は、レーザ光が照射されるドロップレットターゲットからプラズマが生成されるプラズマ生成領域を内部空間に含むチャンバと、エッチングガス供給口と、内部空間からチャンバの外部に延在し、プラズマ生成領域を囲い、内部空間側の開口がガスの流入口であり、チャンバの外部側の開口がガスの排気口である筒状の隔壁１８と、内部空間における隔壁の外側に配置され、プラズマ生成領域で生成され流入口を通過した極端紫外光を極端紫外光の入射方向と異なる方向に反射する集光ミラーと、を備え、隔壁の内周面１８４のうちプラズマ生成領域よりもレーザ光の進行方向側において、プラズマ生成領域を通りレーザ光の光軸と４５度をなす曲面で囲われる第１領域１８４ａの少なくとも一部に第１凹部１８５ａが設けられる。
【選択図】図７
【特許請求の範囲】
【請求項1】
レーザ光が照射されるドロップレットターゲットからプラズマが生成されるプラズマ生成領域を内部空間に含むチャンバと、
前記チャンバに設けられ、エッチングガスを前記内部空間に供給するエッチングガス供給口と、
前記内部空間から前記チャンバの外部に延在し、前記プラズマ生成領域を囲い、前記内部空間側の開口がガスの流入口であり、前記チャンバの外部側の開口が前記ガスの排気口である筒状の隔壁と、
前記内部空間における前記隔壁の外側に配置され、前記プラズマ生成領域で生成され前記流入口を通過した極端紫外光を前記極端紫外光の入射方向と異なる方向に反射する集光ミラーと、
を備え、
前記隔壁の内周面のうち前記プラズマ生成領域よりも前記レーザ光の進行方向側において、前記プラズマ生成領域を通り前記レーザ光の光軸と４５度をなす曲面で囲われる第１領域の少なくとも一部に第１凹部が設けられる
極端紫外光生成用チャンバ装置。
前記チャンバに設けられ、エッチングガスを前記内部空間に供給するエッチングガス供給口と、
前記内部空間から前記チャンバの外部に延在し、前記プラズマ生成領域を囲い、前記内部空間側の開口がガスの流入口であり、前記チャンバの外部側の開口が前記ガスの排気口である筒状の隔壁と、
前記内部空間における前記隔壁の外側に配置され、前記プラズマ生成領域で生成され前記流入口を通過した極端紫外光を前記極端紫外光の入射方向と異なる方向に反射する集光ミラーと、
を備え、
前記隔壁の内周面のうち前記プラズマ生成領域よりも前記レーザ光の進行方向側において、前記プラズマ生成領域を通り前記レーザ光の光軸と４５度をなす曲面で囲われる第１領域の少なくとも一部に第１凹部が設けられる
極端紫外光生成用チャンバ装置。
【請求項2】
請求項１に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記第１凹部は、前記光軸上に設けられる。
前記第１凹部は、前記光軸上に設けられる。
【請求項3】
請求項１に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記第１凹部は、前記第１領域全体に設けられる。
前記第１凹部は、前記第１領域全体に設けられる。
【請求項4】
請求項１に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記隔壁には、前記プラズマ生成領域又はその周囲の様子を監視するための第１監視用開口が設けられ、
前記内周面における前記第１監視用開口の前記光軸側の脇に第２凹部が設けられる。
前記隔壁には、前記プラズマ生成領域又はその周囲の様子を監視するための第１監視用開口が設けられ、
前記内周面における前記第１監視用開口の前記光軸側の脇に第２凹部が設けられる。
【請求項5】
請求項４に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記第１凹部は、前記第１領域の一部に設けられ、
前記第２凹部は、前記第１領域に設けられる。
前記第１凹部は、前記第１領域の一部に設けられ、
前記第２凹部は、前記第１領域に設けられる。
【請求項6】
請求項４に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記隔壁には、前記第１監視用開口の前記光軸側と反対側に前記プラズマ生成領域又はその周囲の様子を監視するための第２監視用開口が設けられ、
前記内周面における前記第２監視用開口の前記光軸側の脇に第３凹部が設けられる。
前記隔壁には、前記第１監視用開口の前記光軸側と反対側に前記プラズマ生成領域又はその周囲の様子を監視するための第２監視用開口が設けられ、
前記内周面における前記第２監視用開口の前記光軸側の脇に第３凹部が設けられる。
【請求項7】
請求項１に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記第１凹部が設けられる位置における前記内周面で囲われる空間の前記隔壁の長手方向に垂直な断面積は、他の位置における当該断面積よりも大きい。
前記第１凹部が設けられる位置における前記内周面で囲われる空間の前記隔壁の長手方向に垂直な断面積は、他の位置における当該断面積よりも大きい。
【請求項8】
請求項１に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記隔壁の前記第１凹部を含む位置に第１設置用開口が設けられ、
前記第１凹部を含む第１アタッチメントが前記第１設置用開口に挿入される。
前記隔壁の前記第１凹部を含む位置に第１設置用開口が設けられ、
前記第１凹部を含む第１アタッチメントが前記第１設置用開口に挿入される。
【請求項9】
請求項８に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記第１アタッチメントは、取り外し可能である。
前記第１アタッチメントは、取り外し可能である。
【請求項10】
請求項８に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記チャンバは、前記第１アタッチメントが露出する位置に前記第１アタッチメントが通過可能な交換用開口と、前記交換用開口を塞ぐ交換用開口蓋とを含む。
前記チャンバは、前記第１アタッチメントが露出する位置に前記第１アタッチメントが通過可能な交換用開口と、前記交換用開口を塞ぐ交換用開口蓋とを含む。
【請求項11】
レーザ光が照射されるドロップレットターゲットからプラズマが生成されるプラズマ生成領域を内部空間に含むチャンバと、
前記チャンバに設けられ、エッチングガスを前記内部空間に供給するエッチングガス供給口と、
前記内部空間から前記チャンバの外部に延在し、前記プラズマ生成領域を囲い、前記内部空間側の開口がガスの流入口であり、前記チャンバの外部側の開口が前記ガスの排気口である筒状の隔壁と、
前記内部空間における前記隔壁の外側に配置され、前記プラズマ生成領域で生成され前記流入口を通過した極端紫外光を前記極端紫外光の入射方向と異なる方向に反射する集光ミラーと、
を備え、
前記隔壁の内周面のうち前記プラズマ生成領域よりも前記レーザ光の進行方向側において、前記プラズマ生成領域を通り前記レーザ光の光軸と４５度をなす曲面で囲われる第１領域の少なくとも一部に第１凹部が設けられる極端紫外光生成用チャンバ装置を含む極端紫外光生成装置によって生成される前記極端紫外光を露光装置に出力し、
電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光する
ことを含む電子デバイスの製造方法。
前記チャンバに設けられ、エッチングガスを前記内部空間に供給するエッチングガス供給口と、
前記内部空間から前記チャンバの外部に延在し、前記プラズマ生成領域を囲い、前記内部空間側の開口がガスの流入口であり、前記チャンバの外部側の開口が前記ガスの排気口である筒状の隔壁と、
前記内部空間における前記隔壁の外側に配置され、前記プラズマ生成領域で生成され前記流入口を通過した極端紫外光を前記極端紫外光の入射方向と異なる方向に反射する集光ミラーと、
を備え、
前記隔壁の内周面のうち前記プラズマ生成領域よりも前記レーザ光の進行方向側において、前記プラズマ生成領域を通り前記レーザ光の光軸と４５度をなす曲面で囲われる第１領域の少なくとも一部に第１凹部が設けられる極端紫外光生成用チャンバ装置を含む極端紫外光生成装置によって生成される前記極端紫外光を露光装置に出力し、
電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光する
ことを含む電子デバイスの製造方法。
【請求項12】
レーザ光が照射されるドロップレットターゲットからプラズマが生成されるプラズマ生成領域を内部空間に含むチャンバと、
前記チャンバに設けられ、エッチングガスを前記内部空間に供給するエッチングガス供給口と、
前記内部空間から前記チャンバの外部に延在し、前記プラズマ生成領域を囲い、前記内部空間側の開口がガスの流入口であり、前記チャンバの外部側の開口が前記ガスの排気口である筒状の隔壁と、
前記内部空間における前記隔壁の外側に配置され、前記プラズマ生成領域で生成され前記流入口を通過した極端紫外光を前記極端紫外光の入射方向と異なる方向に反射する集光ミラーと、
を備え、
前記隔壁の内周面のうち前記プラズマ生成領域よりも前記レーザ光の進行方向側において、前記プラズマ生成領域を通り前記レーザ光の光軸と４５度をなす曲面で囲われる第１領域の少なくとも一部に第１凹部が設けられる極端紫外光生成用チャンバ装置を含む極端紫外光生成装置によって生成される前記極端紫外光をマスクに照射して前記マスクの欠陥を検査し、
前記検査の結果を用いてマスクを選定し、
前記選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写する
ことを含む電子デバイスの製造方法。
前記チャンバに設けられ、エッチングガスを前記内部空間に供給するエッチングガス供給口と、
前記内部空間から前記チャンバの外部に延在し、前記プラズマ生成領域を囲い、前記内部空間側の開口がガスの流入口であり、前記チャンバの外部側の開口が前記ガスの排気口である筒状の隔壁と、
前記内部空間における前記隔壁の外側に配置され、前記プラズマ生成領域で生成され前記流入口を通過した極端紫外光を前記極端紫外光の入射方向と異なる方向に反射する集光ミラーと、
を備え、
前記隔壁の内周面のうち前記プラズマ生成領域よりも前記レーザ光の進行方向側において、前記プラズマ生成領域を通り前記レーザ光の光軸と４５度をなす曲面で囲われる第１領域の少なくとも一部に第１凹部が設けられる極端紫外光生成用チャンバ装置を含む極端紫外光生成装置によって生成される前記極端紫外光をマスクに照射して前記マスクの欠陥を検査し、
前記検査の結果を用いてマスクを選定し、
前記選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写する
ことを含む電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、極端紫外光生成用チャンバ装置及び電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、１０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長約１３ｎｍの極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた半導体露光装置の開発が期待されている。
【0003】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ（ＬＰＰ）式の装置の開発が進んでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】米国特許公開第２０２２／０１４６９４３号明細書
【特許文献2】米国特許公開第２０２０／０２４１４２５号明細書
【概要】
【0005】
本開示の一態様による極端紫外光生成用チャンバ装置は、レーザ光が照射されるドロップレットターゲットからプラズマが生成されるプラズマ生成領域を内部空間に含むチャンバと、チャンバに設けられ、エッチングガスを内部空間に供給するエッチングガス供給口と、内部空間からチャンバの外部に延在し、プラズマ生成領域を囲い、内部空間側の開口がガスの流入口であり、チャンバの外部側の開口がガスの排気口である筒状の隔壁と、内部空間における隔壁の外側に配置され、プラズマ生成領域で生成され流入口を通過した極端紫外光を極端紫外光の入射方向と異なる方向に反射する集光ミラーと、を備え、隔壁の内周面のうちプラズマ生成領域よりもレーザ光の進行方向側において、プラズマ生成領域を通りレーザ光の光軸と４５度をなす曲面で囲われる第１領域の少なくとも一部に第１凹部が設けられてもよい。
【0006】
また、本開示の一態様による電子デバイスの製造方法は、レーザ光が照射されるドロップレットターゲットからプラズマが生成されるプラズマ生成領域を内部空間に含むチャンバと、チャンバに設けられ、エッチングガスを内部空間に供給するエッチングガス供給口と、内部空間からチャンバの外部に延在し、プラズマ生成領域を囲い、内部空間側の開口がガスの流入口であり、チャンバの外部側の開口がガスの排気口である筒状の隔壁と、内部空間における隔壁の外側に配置され、プラズマ生成領域で生成され流入口を通過した極端紫外光を極端紫外光の入射方向と異なる方向に反射する集光ミラーと、を備え、隔壁の内周面のうちプラズマ生成領域よりもレーザ光の進行方向側において、プラズマ生成領域を通りレーザ光の光軸と４５度をなす曲面で囲われる第１領域の少なくとも一部に第１凹部が設けられる極端紫外光生成用チャンバ装置を含む極端紫外光生成装置によって生成される極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光することを含んでもよい。
【0007】
また、本開示の他の一態様による電子デバイスの製造方法は、レーザ光が照射されるドロップレットターゲットからプラズマが生成されるプラズマ生成領域を内部空間に含むチャンバと、チャンバに設けられ、エッチングガスを内部空間に供給するエッチングガス供給口と、内部空間からチャンバの外部に延在し、プラズマ生成領域を囲い、内部空間側の開口がガスの流入口であり、チャンバの外部側の開口がガスの排気口である筒状の隔壁と、内部空間における隔壁の外側に配置され、プラズマ生成領域で生成され流入口を通過した極端紫外光を極端紫外光の入射方向と異なる方向に反射する集光ミラーと、を備え、隔壁の内周面のうちプラズマ生成領域よりもレーザ光の進行方向側において、プラズマ生成領域を通りレーザ光の光軸と４５度をなす曲面で囲われる第１領域の少なくとも一部に第１凹部が設けられる極端紫外光生成用チャンバ装置を含む極端紫外光生成装置によって生成される極端紫外光をマスクに照射してマスクの欠陥を検査し、検査の結果を用いてマスクを選定し、選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写することを含んでもよい。
【図面の簡単な説明】
【0008】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【実施形態】
【0009】
１．概要
２．電子デバイスの製造装置の説明
３．比較例の極端紫外光生成装置の説明
３．１ 構成
３．２ 動作
３．３ 課題
４．実施形態１の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用・効果
４．４ 変形例の説明
５．実施形態２の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
５．１ 構成
５．２ 作用・効果
５．３ 変形例の説明
６．実施形態３の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
６．１ 構成
６．２ 作用・効果
２．電子デバイスの製造装置の説明
３．比較例の極端紫外光生成装置の説明
３．１ 構成
３．２ 動作
３．３ 課題
４．実施形態１の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用・効果
４．４ 変形例の説明
５．実施形態２の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
５．１ 構成
５．２ 作用・効果
５．３ 変形例の説明
６．実施形態３の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
６．１ 構成
６．２ 作用・効果
【0010】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【0011】
１．概要
本開示の実施形態は、極端紫外（ＥＵＶ）と呼ばれる波長の光を生成する極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造装置に関するものである。なお、以下では、極端紫外光をＥＵＶ光という場合がある。
本開示の実施形態は、極端紫外（ＥＵＶ）と呼ばれる波長の光を生成する極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造装置に関するものである。なお、以下では、極端紫外光をＥＵＶ光という場合がある。
【0012】
２．電子デバイスの製造装置の説明
図１は、電子デバイス製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。図１に示す電子デバイス製造装置は、ＥＵＶ光生成装置１００、及び露光装置２００を含む。露光装置２００は、反射光学系である複数のミラー２１１，２１２を含むマスク照射部２１０と、マスク照射部２１０の反射光学系とは別の反射光学系である複数のミラー２２１，２２２を含むワークピース照射部２２０とを含む。マスク照射部２１０は、ＥＵＶ光生成装置１００から入射したＥＵＶ光１０１によって、ミラー２１１，２１２を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部２２０は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光１０１を、ミラー２２１，２２２を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された不図示のワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置２００は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光１０１をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで半導体デバイスを製造することができる。
図１は、電子デバイス製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。図１に示す電子デバイス製造装置は、ＥＵＶ光生成装置１００、及び露光装置２００を含む。露光装置２００は、反射光学系である複数のミラー２１１，２１２を含むマスク照射部２１０と、マスク照射部２１０の反射光学系とは別の反射光学系である複数のミラー２２１，２２２を含むワークピース照射部２２０とを含む。マスク照射部２１０は、ＥＵＶ光生成装置１００から入射したＥＵＶ光１０１によって、ミラー２１１，２１２を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部２２０は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光１０１を、ミラー２２１，２２２を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された不図示のワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置２００は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光１０１をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで半導体デバイスを製造することができる。
【0013】
図２は、図１に示す電子デバイス製造装置とは別の電子デバイス製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。図２に示す電子デバイス製造装置は、ＥＵＶ光生成装置１００、及び検査装置３００を含む。検査装置３００は、反射光学系である複数のミラー３１１，３１３，３１５を含む照明光学系３１０と、照明光学系３１０の反射光学系とは別の反射光学系である複数のミラー３２１，３２３、及び検出器３２５を含む検出光学系３２０とを含む。照明光学系３１０は、ＥＵＶ光生成装置１００から入射したＥＵＶ光１０１をミラー３１１，３１３，３１５で反射して、マスクステージ３３１に配置されているマスク３３３を照射する。マスク３３３は、パターンが形成される前のマスクブランクスを含む。検出光学系３２０は、マスク３３３からのパターンを反映したＥＵＶ光１０１をミラー３２１，３２３で反射して検出器３２５の受光面に結像させる。ＥＵＶ光１０１を受光した検出器３２５は、マスク３３３の画像を取得する。検出器３２５は、例えばＴＤＩ（Time Delay Integration）カメラである。以上のような工程によって取得したマスク３３３の画像により、マスク３３３の欠陥を検査し、検査の結果を用いて、電子デバイスの製造に適するマスクを選定する。そして、選定したマスクに形成されたパターンを、露光装置２００を用いて感光基板上に露光転写することで電子デバイスを製造することができる。
【0014】
３．比較例の極端紫外光生成装置の説明
３．１ 構成
比較例のＥＵＶ光生成装置１００について説明する。なお、本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。また、以下では、図１に示すように次工程装置としての露光装置２００に向けてＥＵＶ光１０１を出射するＥＵＶ光生成装置１００を用いて説明する。なお、図２に示すように次工程装置としての検査装置３００にＥＵＶ光１０１を出射するＥＵＶ光生成装置１００についても、同様の作用・効果を得ることができる。
３．１ 構成
比較例のＥＵＶ光生成装置１００について説明する。なお、本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。また、以下では、図１に示すように次工程装置としての露光装置２００に向けてＥＵＶ光１０１を出射するＥＵＶ光生成装置１００を用いて説明する。なお、図２に示すように次工程装置としての検査装置３００にＥＵＶ光１０１を出射するＥＵＶ光生成装置１００についても、同様の作用・効果を得ることができる。
【0015】
図３は、本例のＥＵＶ光生成装置１００の全体の概略構成例を示す模式図である。図３に示すように、ＥＵＶ光生成装置１００は、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０、レーザ装置ＬＤ、及びレーザ光デリバリ光学系３０を主な構成として含む。また、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、チャンバ１０及びプロセッサ１２０を主な構成として含む。
【0016】
チャンバ１０は、密閉可能な容器である。チャンバ１０はサブチャンバ１１を含み、サブチャンバ１１には、サブチャンバ１１の壁を貫通するようにターゲット供給部４０が取り付けられている。ターゲット供給部４０は、タンク４１、ノズル４２、及び圧力調節器４３を含み、ドロップレットターゲットＤＬをチャンバ１０の内部空間に供給する。ドロップレットターゲットＤＬは、ドロップレットやターゲットと省略して呼ばれる場合がある。
【0017】
タンク４１は、その内部にドロップレットターゲットＤＬとなるターゲット物質を貯蔵する。ターゲット物質は、スズを含む。タンク４１の内部は、タンク４１内の圧力を調節する圧力調節器４３と連通している。タンク４１には、ヒータ４４及び温度センサ４５が取り付けられている。ヒータ４４は、ヒータ電源４６から供給される電流により、タンク４１を加熱する。この加熱により、タンク４１内のターゲット物質は溶融する。温度センサ４５は、タンク４１を介してタンク４１内のターゲット物質の温度を測定する。圧力調節器４３、温度センサ４５、及びヒータ電源４６は、プロセッサ１２０に電気的に接続されている。
【0018】
ノズル４２は、タンク４１に取り付けられ、ターゲット物質を吐出する。ノズル４２には、ピエゾ素子４７が取り付けられている。ピエゾ素子４７は、ピエゾ電源４８に電気的に接続されており、ピエゾ電源４８から印加される電圧で駆動される。ピエゾ電源４８は、プロセッサ１２０に電気的に接続されている。ピエゾ素子４７の動作により、ノズル４２から吐出するターゲット物質はドロップレットターゲットＤＬにされる。
【0019】
チャンバ１０は、ターゲット回収部１４を含む。ターゲット回収部１４は、チャンバ１０に取り付けられる箱体であり、チャンバ１０に設けられる開口１４ａを介してチャンバ１０の内部空間に連通している。開口１４ａはノズル４２の直下に設けられ、ターゲット回収部１４は、開口１４ａを通過してターゲット回収部１４に到達する不要なドロップレットターゲットＤＬを回収するドレインタンクである。
【0020】
チャンバ１０には、外部から光を透過させるためのウィンドウ１２が設けられ、ウィンドウ１２をレーザ装置ＬＤから出射されるパルス状のレーザ光９０が透過する。
【0021】
また、チャンバ１０の内部空間には、レーザ集光光学系１３が配置されている。レーザ集光光学系１３は、レーザ光集光ミラー１３Ａ及び高反射ミラー１３Ｂを含む。レーザ光集光ミラー１３Ａは、ウィンドウ１２を透過するレーザ光９０を反射して集光する。高反射ミラー１３Ｂは、レーザ光集光ミラー１３Ａが集光するレーザ光９０を反射する。レーザ光集光ミラー１３Ａ及び高反射ミラー１３Ｂの位置は、レーザ光マニュピレータ１３Ｃにより、チャンバ１０の内部空間でのレーザ光９０の集光位置がプロセッサ１２０から指定された位置になるように調節される。当該集光位置はノズル４２の直下に位置するように調節されており、レーザ光９０が当該集光位置においてターゲット物質を照射すると、ターゲット物質からプラズマが生成されると共に、プラズマからＥＵＶ光１０１が放射される。プラズマが生成される領域をプラズマ生成領域ＡＲと呼ぶことがある。プラズマ生成領域ＡＲは、プラズマ点を中心に半径が例えば４０ｍｍの領域であり、チャンバ１０の内部空間に位置する。
【0022】
チャンバ１０の内部空間には、例えば、回転楕円面形状の反射面１５ａを含むＥＵＶ光集光ミラー１５が配置される。ＥＵＶ光集光ミラー１５は、例えばシリコン層とモリブデン層とが交互に積層された多層膜を備え、当該多層膜によりＥＵＶ光１０１を反射する。ＥＵＶ光集光ミラー１５は、チャンバ１０の内部空間におけるレーザ光９０と重ならない位置に設けられている。反射面１５ａは、プラズマ生成領域ＡＲにおいてプラズマから放射されるＥＵＶ光１０１を反射する。反射面１５ａは、第１焦点及び第２焦点を含む。反射面１５ａは、例えば、第１焦点がプラズマ生成領域ＡＲに位置し、第２焦点が中間集光点ＩＦに位置するように配置されてもよい。
【0023】
ＥＵＶ光生成装置１００は、チャンバ１０の内部空間及び露光装置２００の内部空間を連通させる接続部１９を含む。接続部１９には、アパーチャが形成された壁が配置されている。この壁は、アパーチャが第２焦点に位置するように配置されることが好ましい。接続部１９はチャンバ１０におけるＥＵＶ光１０１の出射口でもあり、ＥＵＶ光１０１は接続部１９から出射されて露光装置２００に入射する。
【0024】
また、ＥＵＶ光生成装置１００は、圧力センサ２６及びターゲットセンサとしての検出部２７を含む。圧力センサ２６及び検出部２７は、チャンバ１０に取り付けられ、プロセッサ１２０に電気的に接続されている。圧力センサ２６は、チャンバ１０の内部空間の圧力を計測し、この圧力を示す信号をプロセッサ１２０に出力する。
【0025】
検出部２７は、例えば撮像機能を含み、プロセッサ１２０からの指示によってノズル４２のノズル孔から吐出するドロップレットターゲットＤＬの存在、軌跡、位置、流速等を検出する。検出部２７は、チャンバ１０の内部に配置されてもよいし、チャンバ１０の外部に配置されてチャンバ１０の壁に設けられる不図示のウィンドウを介してドロップレットターゲットＤＬを検出してもよい。検出部２７は、不図示の受光光学系と、例えばＣＣＤ（Charge-Coupled Device）又はフォトダイオード等の不図示の撮像部とを含む。受光光学系は、ドロップレットターゲットＤＬの検出精度を向上させるために、ドロップレットターゲットＤＬの軌跡及びその周囲における像を撮像部の受光面に結像する。検出部２７の視野内のコントラストを向上させるために配置される不図示の光源による光の集光領域をドロップレットターゲットＤＬが通過するときに、撮像部はドロップレットターゲットＤＬの軌跡及びその周囲を通る光の変化を検出する。撮像部は、検出した光の変化を、ドロップレットターゲットＤＬのイメージデータに係る信号に変換する。撮像部は、この電気信号をプロセッサ１２０に出力する。
【0026】
レーザ装置ＬＤは、バースト動作する光源であるマスターオシレータを含む。マスターオシレータは、バーストオンでパルス状のレーザ光９０を出射する。マスターオシレータは、例えば、ニオブ（Ｎｂ）やイッテルビウム（Ｙｂ）を添加したＹＡＧ結晶を励起する固体レーザ装置や、ヘリウムや窒素等が炭酸ガス中に混合される気体を放電によって励起することで、レーザ光９０を出射するレーザ装置である。或いは、マスターオシレータは、量子カスケードレーザ装置でもよい。また、マスターオシレータは、Ｑスイッチ方式により、パルス状のレーザ光９０を出射してもよい。また、マスターオシレータは、光スイッチや偏光子等を含んでもよい。レーザ装置ＬＤは、マスターオシレータが出射したレーザ光９０を増幅する増幅器を含んでもよい。なお、バースト動作とは、バーストオン時に連続するパルス状のレーザ光９０を所定の繰り返し周波数で出射し、バーストオフ時にレーザ光９０の出射を抑制する動作である。
【0027】
レーザ装置ＬＤから出射するレーザ光９０の進行方向は、レーザ光デリバリ光学系３０によって調節される。レーザ光デリバリ光学系３０は、レーザ光９０の進行方向を調節する複数のミラー３１，３２を含む。ミラー３１，３２の少なくとも１つの位置は、不図示のアクチュエータで調節される。ミラー３１，３２の少なくとも１つの位置が調節されることで、レーザ光９０がウィンドウ１２から適切にチャンバ１０の内部空間に伝搬し得る。
【0028】
本開示のプロセッサ１２０は、制御プログラムが記憶された記憶装置と、当該制御プログラムを実行するＣＰＵ（Central Processing Unit）とを含む処理装置である。プロセッサ１２０は、本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされ、ＥＵＶ光生成装置１００全体を制御する。プロセッサ１２０には、圧力センサ２６で計測されたチャンバ１０の内部空間の圧力に係る信号や、検出部２７によって撮像されたドロップレットターゲットＤＬのイメージデータに係る信号や、露光装置２００からバースト動作を指示するバースト信号等が入力される。プロセッサ１２０は、上記各種信号を処理し、例えば、ドロップレットターゲットＤＬが吐出されるタイミング、ドロップレットターゲットＤＬの吐出方向等を制御してもよい。また、プロセッサ１２０は、レーザ装置ＬＤの出射タイミング、レーザ光９０の進行方向や集光位置等を制御してもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて後述のように他の制御が追加されてもよい。
【0029】
図４は、比較例におけるドロップレットターゲットＤＬの軌道に垂直なチャンバ１０の断面を含む模式図であり、図５は、ドロップレットターゲットＤＬの軌道に沿ったチャンバ１０の断面を含む模式図である。図４では、図示の簡略化のために、レーザ光集光ミラー１３Ａ及び高反射ミラー１３Ｂを省略し、ウィンドウ１２からプラズマ生成領域ＡＲへのレーザ光９０の進行経路を簡単に図示している。
【0030】
ＥＵＶ光生成装置１００は、プラズマ生成領域ＡＲ又はその近傍の様子を監視する複数のセンサ２８ａ，２８ｂ，２８ｃを備える。センサ２８ａ，２８ｂ，２８ｃは、例えば、ドロップレットターゲットＤＬの存在、軌跡、位置、速度の内の少なくとも１つを検出するターゲットセンサを含んでもよく、ＥＵＶ光１０１の発光点を検出するセンサを含んでもよい。センサ２８ａ，２８ｂ，２８ｃは、例えば、イメージセンサ又は光センサと、プラズマ生成領域ＡＲ又はその近傍の像をイメージセンサ又は光センサに結像する光学系と、を含む。また、特に図示しないが、プラズマ生成領域ＡＲを可視光で照明する光源が配置されてもよい。なお、図３では、センサ２８ａ，２８ｂ，２８ｃの図示を省略している。
【0031】
ＥＵＶ光生成装置１００は、チャンバ１０の内部空間からチャンバ１０の外部空間に延在する筒状の隔壁１８を含む。図４及び図５では、チャンバ１０の内部空間のうちの隔壁１８の外部の空間を第１空間１０ａとし、隔壁１８の内部の空間を第２空間１０ｂとして示している。なお、図３では、隔壁１８の図示を省略している。
【0032】
隔壁１８は、例えば、ステンレス、金属モリブデン等で構成される。隔壁１８の互いに向かい合う開口のうち、チャンバ１０の内部空間に位置する開口はガス流入口１８１ａであり、チャンバ１０の外部に位置する開口はガス排気口１８１ｂである。ガス排気口１８１ｂは、排気ポンプを含む排気装置１８０に接続されている。
【0033】
隔壁１８は、プラズマ生成領域ＡＲを囲っている。つまり、プラズマ生成領域ＡＲは、第２空間１０ｂに位置する。プラズマ生成領域ＡＲにおいてプラズマから生成されるＥＵＶ光１０１は、第２空間１０ｂからガス流入口１８１ａを介して第１空間１０ａに配置されるＥＵＶ光集光ミラー１５に入射する。ＥＵＶ光集光ミラー１５は、ＥＵＶ光１０１をＥＵＶ光１０１の入射方向と異なる方向に位置する中間集光点ＩＦに向かって反射する。
【0034】
また、隔壁１８は、隔壁１８の側面に形成されるレーザ光透過開口１８３、ドロップレット供給開口１８２ａ、ドロップレット排出開口１８２ｂ、第１監視用開口１８８ａ、第２監視用開口１８８ｂ、及び第３監視用開口１８８ｃを含む。レーザ光透過開口１８３は、チャンバ１０の内部空間におけるプラズマ生成領域ＡＲへのレーザ光９０の光路上に設けられ、レーザ光９０は、第１空間１０ａからレーザ光透過開口１８３を介してプラズマ生成領域ＡＲに入射する。ドロップレット供給開口１８２ａ及びドロップレット排出開口１８２ｂは、ドロップレットターゲットＤＬの軌道上に設けられ、互いに向かい合う。ドロップレットターゲットＤＬは、ターゲット供給部４０からドロップレット供給開口１８２ａを介してプラズマ生成領域ＡＲに供給される。ドロップレット排出開口１８２ｂは、ターゲット回収部１４に繋がる開口１４ａに向かい合い、プラズマ生成領域ＡＲを通過したドロップレットターゲットＤＬは、ドロップレット排出開口１８２ｂを介してターゲット回収部１４内に侵入する。なお、本例では、ドロップレット供給開口１８２ａ及びドロップレット排出開口１８２ｂのそれぞれの面積は、互いに概ね同じであり、レーザ光透過開口１８３の面積よりも大きい。第１～第３監視用開口１８８ａ，１８８ｂ，１８８ｃは、プラズマ生成領域ＡＲ又はその近傍とセンサ２８ａ，２８ｂ，２８ｃとの間に設けられており、プラズマ生成領域ＡＲ又はその近傍からの光は、第１～第３監視用開口１８８ａ，１８８ｂ，１８８ｃを介して、センサ２８ａ，２８ｂ，２８ｃに入射する。隔壁１８は、チャンバ１０の内部空間において、上記開口以外においてプラズマ生成領域ＡＲを囲う。
【0035】
チャンバ１０には、エッチングガス供給部１６が接続されている。エッチングガス供給部１６は、ガス供給口１６０を含む。エッチングガスには水素ガスが含まれ、本例のエッチングガスは、水素濃度が１００％と見做せる水素ガスである。このため、エッチングガス供給部１６は、水素タンク１６１とガス配管１６２とを更に含む。なお、エッチングガスは、例えば水素ガス濃度が３％程度のバランスガスでもよく、この場合、バランスガスには、例えば窒素（Ｎ２）ガスやアルゴン（Ａｒ）ガスが含まれる。ガス配管１６２には、バルブである不図示の供給ガス流量調節部が設けられてもよい。エッチングガス供給部１６は、プロセッサ１２０によって制御される。例えば、供給ガス流量調節部が設けられる場合には、プロセッサ１２０が供給ガス流量調節部を制御して、供給されるエッチングガスの流量が調整される。
【0036】
エッチングガス供給部１６は、ガス配管１６２を介して水素タンク１６１内の水素ガスをガス供給口１６０からチャンバ１０の内部空間における第１空間１０ａに供給する。エッチングガス供給部１６から第１空間１０ａに供給されるエッチングガスの流量は、例えば、１０ｌ／ｍｉｎ以上１００ｌ／ｍｉｎ以下である。なお、エッチングガスの流量は、１分あたりに流れるエッチングガスの０℃、１気圧に換算した体積であるｎｌｍで示される場合がある。ガス流入口１８１ａの面積はレーザ光透過開口１８３、ドロップレット供給開口１８２ａ、ドロップレット排出開口１８２ｂ、及び第１～第３監視用開口１８８ａ，１８８ｂ，１８８ｃのそれぞれの面積よりも大きい。このため、第１空間１０ａに供給されたエッチングガスは、図４及び図５において矢印で示すように、主にガス流入口１８１ａを通じて第２空間１０ｂに流入する。ただし、エッチングガスは、レーザ光透過開口１８３、ドロップレット供給開口１８２ａ、ドロップレット排出開口１８２ｂ、及び第１～第３監視用開口１８８ａ，１８８ｂ，１８８ｃからも第２空間１０ｂに流入してもよい。
【0037】
上記のようにターゲット物質はスズであるため、ターゲット物質がプラズマ生成領域ＡＲにおいてレーザ光９０を照射されてプラズマ化すると、スズの微粒子及びスズの荷電粒子が生じる。また、エッチングガス供給部１６からチャンバ１０の内部空間に供給されるエッチングガスに含まれる水素は、ＥＵＶ光１０１のエネルギーにより水素ラジカルとなる。微粒子及び荷電粒子を構成するスズは、水素ラジカルと反応する。スズが水素ラジカルと反応すると、常温で気体のスタンナン（ＳｎＨ４）が生成される。
【0038】
ターゲット物質がプラズマ生成領域ＡＲでプラズマ化する際、排ガスとしての残留ガスが第２空間１０ｂに生成される。残留ガスは、ターゲット物質のプラズマ化により生じたスズの微粒子及び荷電粒子と、それらがエッチングガスと反応したスタンナンと、未反応のエッチングガスとを含む。なお、荷電粒子の一部は第２空間１０ｂで中性化するが、この中性化した荷電粒子も残留ガスに含まれる。ガス排気口１８１ｂは、第１空間１０ａから第２空間１０ｂに流れたエッチングガスを残留ガスと共に、チャンバ１０の外部に排気する。具体的には、ガス排気口１８１ｂは、排気装置１８０の吸引によってエッチングガス及び残留ガスを排気装置１８０に排気する。
【0039】
以下では、ドロップレットターゲットＤＬの軌道に沿う方向をＹ方向、プラズマ生成領域ＡＲから排気装置１８０に向かう方向でありＹ方向に直交する方向をＸ方向、Ｙ方向及びＸ方向に直交する方向をＺ方向として説明することがある。
【0040】
３．２ 動作
次に、比較例のＥＵＶ光生成装置１００の動作について説明する。
次に、比較例のＥＵＶ光生成装置１００の動作について説明する。
【0041】
ＥＵＶ光生成装置１００では、例えば、新規導入時やメンテナンス時等において、チャンバ１０の内部空間の大気が排気される。その際、大気成分の排気のために、チャンバ１０の内部空間のパージと排気とを繰り返してもよい。パージガスには、例えば、窒素やアルゴンなどの不活性ガスが用いられることが好ましい。その後、チャンバ１０の内部空間の圧力が所定の圧力以下になると、プロセッサ１２０は、エッチングガス供給部１６のガス供給口１６０を通じて、チャンバ１０の第１空間１０ａへのエッチングガスの導入を開始させる。このときプロセッサ１２０は、チャンバ１０の内部空間の圧力が所定の圧力に維持されるように、供給ガス流量調節部や排気装置１８０を制御してもよい。その後、プロセッサ１２０は、エッチングガスの導入開始から所定時間が経過するまで待機する。
【0042】
また、プロセッサ１２０は、排気装置１８０によりチャンバ１０の内部空間の気体をガス排気口１８１ｂから排気させ、圧力センサ２６で計測されたチャンバ１０の内部空間の圧力を示す信号に基づいてチャンバ１０の内部空間の圧力を略一定に保つ。
【0043】
また、プロセッサ１２０は、タンク４１内のターゲット物質を融点以上の所定温度に加熱及び維持するために、ヒータ電源４６からヒータ４４に電流を供給させ、ヒータ４４を昇温させる。このとき、プロセッサ１２０は、温度センサ４５からの出力に基づいて、ヒータ電源４６からヒータ４４へ供給される電流の値を調節し、ターゲット物質の温度を所定温度に制御する。なお、所定温度は、ターゲット物質がスズである場合、スズの融点２３１．９３℃以上の温度であり、例えば２４０℃以上２９０℃以下である。こうしてドロップレットターゲットＤＬを吐出する準備が完了する。
【0044】
準備が完了すると、プロセッサ１２０は、ノズル４２のノズル孔から溶融したターゲット物質が所定の流速で吐出するように、圧力調節器４３によって、不図示のガス供給源から不活性ガスをタンク４１内に供給し、タンク４１内の圧力を調節する。この圧力下で、ターゲット物質は、ノズル４２のノズル孔からチャンバ１０の第１空間１０ａに吐出する。ノズル孔から吐出するターゲット物質は、ジェットの形態をとってもよい。このとき、プロセッサ１２０は、ドロップレットターゲットＤＬを生成するために、ピエゾ電源４８からピエゾ素子４７に所定波形の電圧を印加する。ピエゾ電源４８は、電圧値の波形が例えば正弦波状、矩形波状、或いはのこぎり波状となるように、電圧を印加する。ピエゾ素子４７の振動は、ノズル４２を経由してノズル４２のノズル孔から吐出するターゲット物質へと伝搬し得る。ターゲット物質は、この振動により所定周期で分断され、液滴のドロップレットターゲットＤＬとなる。ドロップレットターゲットＤＬの直径は、概ね１０μｍ以上３０μｍ以下である。
【0045】
ドロップレットターゲットＤＬは、吐出されると、ドロップレット供給開口１８２ａを通過してプラズマ生成領域ＡＲに進行する。検出部２７は、チャンバ１０の第２空間１０ｂの所定位置を通過するドロップレットターゲットＤＬの通過タイミングを検出する。プロセッサ１２０は、ドロップレットターゲットＤＬにレーザ光９０が照射されるように、検出部２７からの信号に基づいて、レーザ装置ＬＤからレーザ光９０が出射するタイミングを制御するトリガ信号を出力する。プロセッサ１２０から出力されたトリガ信号は、レーザ装置ＬＤに入力する。レーザ装置ＬＤは、トリガ信号が入力されると、パルス状のレーザ光９０を出射する。
【0046】
出射されたレーザ光９０は、レーザ光デリバリ光学系３０とウィンドウ１２とを経由して、レーザ集光光学系１３に入射する。レーザ光９０は、レーザ集光光学系１３からレーザ光透過開口１８３を通過してプラズマ生成領域ＡＲに向かって進行する。そして、レーザ光９０は、プラズマ生成領域ＡＲでドロップレットターゲットＤＬに照射される。このとき、プロセッサ１２０は、レーザ光９０がプラズマ生成領域ＡＲに集光するように、レーザ集光光学系１３のレーザ光マニュピレータ１３Ｃを制御する。また、プロセッサ１２０は、レーザ光９０がドロップレットターゲットＤＬに照射されるように、検出部２７からの信号に基づいて、レーザ装置ＬＤからレーザ光９０を出射するタイミングを制御する。これにより、レーザ光集光ミラー１３Ａによって集光するレーザ光９０は、プラズマ生成領域ＡＲでドロップレットターゲットＤＬに照射される。当該照射によりプラズマが生成され、当該プラズマからＥＵＶ光１０１を含む光が放射される。
【0047】
プラズマ生成領域ＡＲで発生したＥＵＶ光１０１を含む光のうち、ＥＵＶ光１０１は、ガス流入口１８１ａを通過してＥＵＶ光集光ミラー１５に進行し、ＥＵＶ光集光ミラー１５によって中間集光点ＩＦで集光された後、接続部１９から露光装置２００に入射する。
【0048】
上記のように、エッチングガス供給部１６は、ガス供給口１６０を通じてチャンバ１０の第１空間１０ａにエッチングガスを供給する。エッチングガスに含まれる水素は、ＥＵＶ光１０１のエネルギーにより、水素ラジカルとされる。従って、スズが、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射面１５ａ上や、隔壁１８の内周面１８４上に堆積している場合、スズは水素ラジカルと反応してスタンナンとなり、反射面１５ａ上や内周面１８４上から除去される。第１空間１０ａにおけるエッチングガスやスタンナンは、主にガス流入口１８１ａから第２空間１０ｂに流入する。排気装置１８０は、エッチングガスを第２空間１０ｂにおける残留ガスと共に、ガス排気口１８１ｂを通じて吸引する。これにより、第２空間１０ｂにおけるガスは、チャンバ１０の外部に排気される。排気装置１８０に吸引されたガスは、無害化等の所定の排気処理が施される。
【0049】
３．３ 課題
図６は、隔壁１８のプラズマ生成領域ＡＲ近傍の様子を示す図である。図６に示すように、スズのフラグメントＦＲが隔壁１８の内周面１８４におけるプラズマ生成領域ＡＲの近傍に堆積する場合がある。このフラグメントＦＲは、ドロップレットターゲットＤＬの一部がプラズマ化せずに液体のスズの粒子として飛散して堆積したものであり、エッチングガスでは除去しきれない。フラグメントＦＲは、プラズマ生成領域ＡＲよりもレーザ光９０の進行方向側において、プラズマ生成領域ＡＲからレーザ光９０の光軸９０Ｃと４５度をなす範囲内に多く堆積することが分かった。フラグメントＦＲが堆積すると、隔壁１８内の空間である第２空間１０ｂを狭めて、ガスの排気能力が低下する懸念がある。ガスの排気能力が低下すると、チャンバ１０の内部空間の圧力が上昇し、ＥＵＶ光生成装置１００の運転条件が変化する場合がある。
図６は、隔壁１８のプラズマ生成領域ＡＲ近傍の様子を示す図である。図６に示すように、スズのフラグメントＦＲが隔壁１８の内周面１８４におけるプラズマ生成領域ＡＲの近傍に堆積する場合がある。このフラグメントＦＲは、ドロップレットターゲットＤＬの一部がプラズマ化せずに液体のスズの粒子として飛散して堆積したものであり、エッチングガスでは除去しきれない。フラグメントＦＲは、プラズマ生成領域ＡＲよりもレーザ光９０の進行方向側において、プラズマ生成領域ＡＲからレーザ光９０の光軸９０Ｃと４５度をなす範囲内に多く堆積することが分かった。フラグメントＦＲが堆積すると、隔壁１８内の空間である第２空間１０ｂを狭めて、ガスの排気能力が低下する懸念がある。ガスの排気能力が低下すると、チャンバ１０の内部空間の圧力が上昇し、ＥＵＶ光生成装置１００の運転条件が変化する場合がある。
【0050】
そこで、以下の実施形態では、ガスの排気能力が低下することを抑制し得るＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が例示される。
【0051】
４．実施形態１の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
実施形態１のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
実施形態１のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
【0052】
４．１ 構成
図７は、本実施形態における隔壁１８のプラズマ生成領域ＡＲ近傍の様子を示す図である。図７に示すように、本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、隔壁１８に第１凹部１８５ａが設けられる点において、比較例のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０と異なる。
図７は、本実施形態における隔壁１８のプラズマ生成領域ＡＲ近傍の様子を示す図である。図７に示すように、本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、隔壁１８に第１凹部１８５ａが設けられる点において、比較例のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０と異なる。
【0053】
第１凹部１８５ａは、隔壁１８の内周面１８４のうちプラズマ生成領域ＡＲよりもレーザ光９０の進行方向側において、プラズマ生成領域ＡＲを通りレーザ光９０の光軸９０Ｃと４５度をなす曲面９１で囲われる第１領域１８４ａに設けられている。このように定義される曲面９１は、プラズマ生成領域ＡＲを頂点とし、プラズマ生成領域ＡＲからレーザ光９０の進行方向側に光軸９０Ｃと４５度をなして広がる円錐の側面である。この場合、円錐の軸は光軸９０Ｃである。図では、曲面９１の一部である母線が示されている。本実施形態では、第１凹部１８５ａは、第１領域１８４ａの一部に設けられている。また、本実施形態では、第１凹部１８５ａは、光軸９０Ｃ上に設けられている。第１凹部１８５ａの深さは、例えば、隔壁１８の肉厚の５０％以上９０％以下である。このような第１凹部１８５ａが設けられることで、第１凹部１８５ａが設けられる位置における内周面１８４で囲われる空間の隔壁１８の長手方向に垂直な断面積は、他の位置における当該断面積よりも大きい。
【0054】
４．２ 動作
本実施形態では、比較例と同様にして、ＥＵＶ光１０１が生成される。このときに第１領域１８４ａにフラグメントＦＲが堆積する場合がある。このフラグメントＦＲの少なくとも一部は、第１凹部１８５ａ内に堆積する。
本実施形態では、比較例と同様にして、ＥＵＶ光１０１が生成される。このときに第１領域１８４ａにフラグメントＦＲが堆積する場合がある。このフラグメントＦＲの少なくとも一部は、第１凹部１８５ａ内に堆積する。
【0055】
４．３ 作用・効果
本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、隔壁１８を備え、隔壁１８の内周面１８４のうち第１領域１８４ａの一部に第１凹部１８５ａが設けられている。このため、フラグメントＦＲの少なくとも一部が第１凹部１８５ａに堆積するので、第１凹部１８５ａが設けられない場合と比べて、チャンバ１０の排気能力が低下することを抑制することができる。従って、隔壁１８やＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の交換といったメンテナンスのインターバルを延ばすことができ、ＥＵＶ光生成装置１００の稼働効率を上げることができる。
本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、隔壁１８を備え、隔壁１８の内周面１８４のうち第１領域１８４ａの一部に第１凹部１８５ａが設けられている。このため、フラグメントＦＲの少なくとも一部が第１凹部１８５ａに堆積するので、第１凹部１８５ａが設けられない場合と比べて、チャンバ１０の排気能力が低下することを抑制することができる。従って、隔壁１８やＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の交換といったメンテナンスのインターバルを延ばすことができ、ＥＵＶ光生成装置１００の稼働効率を上げることができる。
【0056】
４．４ 変形例の説明
次に、実施形態１のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の変形例について説明する。図８は、本変形例における隔壁１８のプラズマ生成領域ＡＲ近傍の様子を示す図である。図８に示すように、本変形例のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、隔壁１８の第１領域１８４ａ全体に第１凹部１８５ａが設けられる点において、実施形態１のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０と異なる。
次に、実施形態１のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の変形例について説明する。図８は、本変形例における隔壁１８のプラズマ生成領域ＡＲ近傍の様子を示す図である。図８に示すように、本変形例のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、隔壁１８の第１領域１８４ａ全体に第１凹部１８５ａが設けられる点において、実施形態１のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０と異なる。
【0057】
本変形例のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０によれば、フラグメントＦＲが堆積し易い第１領域１８４ａ全体に第１凹部１８５ａが設けられるため、チャンバ１０の排気能力が低下することをより抑制することができる。
【0058】
５．実施形態２の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
次に、実施形態２のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
次に、実施形態２のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
【0059】
５．１ 構成
図９は、本実施形態における隔壁１８のプラズマ生成領域ＡＲ近傍の様子を示す図である。図９に示すように、本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、隔壁１８に第２凹部１８５ｂが設けられる点において、実施形態１のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０と異なる。センサ２８ａがプラズマ生成領域ＡＲ又はその周囲を監視するための第１監視用開口１８８ａは、第１領域１８４ａの脇に設けられている。第２凹部１８５ｂは、第１監視用開口１８８ａの光軸９０Ｃ側の脇であって、第１領域１８４ａに設けられている。第２凹部１８５ｂと第１監視用開口１８８ａとの距離は、例えば、３ｍｍ以下である。
図９は、本実施形態における隔壁１８のプラズマ生成領域ＡＲ近傍の様子を示す図である。図９に示すように、本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、隔壁１８に第２凹部１８５ｂが設けられる点において、実施形態１のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０と異なる。センサ２８ａがプラズマ生成領域ＡＲ又はその周囲を監視するための第１監視用開口１８８ａは、第１領域１８４ａの脇に設けられている。第２凹部１８５ｂは、第１監視用開口１８８ａの光軸９０Ｃ側の脇であって、第１領域１８４ａに設けられている。第２凹部１８５ｂと第１監視用開口１８８ａとの距離は、例えば、３ｍｍ以下である。
【0060】
本実施形態では、第２凹部１８５ｂは、深さ方向が隔壁１８の長手方向に垂直な方向に沿うように設けられている。ただし、第２凹部１８５ｂは、光軸９０Ｃから離れるほど深くなるように、隔壁１８の長手方向に垂直な方向に対して、深さ方向が斜めとなるように設けられてもよい。また、本実施形態では、第１凹部１８５ａの深さと第２凹部１８５ｂの深さとは互いに概ね等しい。また、第２凹部１８５ｂの面積は、第１凹部１８５ａの面積よりも小さい。ただし、第１凹部１８５ａの深さと第２凹部１８５ｂの深さとが異なってもよく、第２凹部１８５ｂの面積が、第１凹部１８５ａの面積以上であってもよい。このような第２凹部１８５ｂが設けられることで、第２凹部１８５ｂが設けられる位置における内周面１８４で囲われる空間の隔壁１８の長手方向に垂直な断面積は、第１凹部１８５ａ及び第２凹部１８５ｂが設けられる位置以外の他の位置における当該断面積よりも大きい。
【0061】
５．２ 作用・効果
本実施形態と異なり、第１監視用開口１８８ａの光軸９０Ｃ側の脇に第２凹部１８５ｂが設けられない場合、図９において点線で示すようにフラグメントＦＲが堆積する。このようにフラグメントＦＲが堆積すると、センサ２８ａが監視するプラズマ生成領域ＡＲ又はその周囲とセンサ２８ａとの間にフラグメントＦＲが位置し、センサ２８ａによる監視を阻害しかねない。しかし、本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０によれば、内周面１８４における第１監視用開口１８８ａの光軸９０Ｃ側の脇に第２凹部１８５ｂが設けられるため、第２凹部１８５ｂが設けられる位置において、フラグメントＦＲによって、センサ２８ａによる監視が阻害されることを抑制し得る。従って、本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０によれば、センサ２８ａによる監視の阻害による隔壁１８やＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の交換といったメンテナンスのインターバルを延ばすことができ、ＥＵＶ光生成装置１００の稼働効率を上げることができる。
本実施形態と異なり、第１監視用開口１８８ａの光軸９０Ｃ側の脇に第２凹部１８５ｂが設けられない場合、図９において点線で示すようにフラグメントＦＲが堆積する。このようにフラグメントＦＲが堆積すると、センサ２８ａが監視するプラズマ生成領域ＡＲ又はその周囲とセンサ２８ａとの間にフラグメントＦＲが位置し、センサ２８ａによる監視を阻害しかねない。しかし、本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０によれば、内周面１８４における第１監視用開口１８８ａの光軸９０Ｃ側の脇に第２凹部１８５ｂが設けられるため、第２凹部１８５ｂが設けられる位置において、フラグメントＦＲによって、センサ２８ａによる監視が阻害されることを抑制し得る。従って、本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０によれば、センサ２８ａによる監視の阻害による隔壁１８やＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の交換といったメンテナンスのインターバルを延ばすことができ、ＥＵＶ光生成装置１００の稼働効率を上げることができる。
【0062】
５．３ 変形例の説明
次に、実施形態２のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の変形例について説明する。図１０は、本変形例における隔壁１８のプラズマ生成領域ＡＲ近傍の様子を示す図である。図１０に示すように、本変形例のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、隔壁１８に第３凹部１８５ｃが設けられる点において、実施形態２のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０と異なる。第３凹部１８５ｃは、隔壁１８の内周面１８４における第２監視用開口１８８ｂの光軸９０Ｃ側の脇に設けられている。第２監視用開口１８８ｂは、隔壁１８の第１監視用開口１８８ａの光軸９０Ｃ側と反対側に設けられているため、第３凹部１８５ｃは、第１監視用開口１８８ａと第２監視用開口１８８ｂとの間に設けられている。第２監視用開口１８８ｂは、第１領域１８４ａの外側に設けられているため、第３凹部１８５ｃは、第１領域１８４ａの外側に設けられている。
次に、実施形態２のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の変形例について説明する。図１０は、本変形例における隔壁１８のプラズマ生成領域ＡＲ近傍の様子を示す図である。図１０に示すように、本変形例のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、隔壁１８に第３凹部１８５ｃが設けられる点において、実施形態２のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０と異なる。第３凹部１８５ｃは、隔壁１８の内周面１８４における第２監視用開口１８８ｂの光軸９０Ｃ側の脇に設けられている。第２監視用開口１８８ｂは、隔壁１８の第１監視用開口１８８ａの光軸９０Ｃ側と反対側に設けられているため、第３凹部１８５ｃは、第１監視用開口１８８ａと第２監視用開口１８８ｂとの間に設けられている。第２監視用開口１８８ｂは、第１領域１８４ａの外側に設けられているため、第３凹部１８５ｃは、第１領域１８４ａの外側に設けられている。
【0063】
本変形例では、第３凹部１８５ｃは、隔壁１８の長手方向に垂直な方向に対して、深さ方向が斜めとなるように設けられている。ただし、第３凹部１８５ｃは、深さ方向が隔壁１８の長手方向に垂直な方向に沿うように設けられてもよい。第３凹部１８５ｃの深さと第２凹部１８５ｂの深さとは互いに概ね等しい。また、第３凹部１８５ｃの面積は、第２凹部１８５ｂの面積よりも小さい。ただし、第２凹部１８５ｂの深さと第３凹部１８５ｃの深さとが異なってもよく、第３凹部１８５ｃの面積が、第２凹部１８５ｂの面積以上であってもよい。このような第３凹部１８５ｃが設けられることで、第３凹部１８５ｃが設けられる位置における内周面１８４で囲われる空間の隔壁１８の長手方向に垂直な断面積は、第１凹部１８５ａから第３凹部１８５ｃが設けられる位置以外の他の位置における当該断面積よりも大きい。
【0064】
第１領域１８４ａの外側には、第１領域１８４ａに堆積する量よりも少ない量のフラグメントＦＲが堆積する場合がある。しかし、本変形例のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０によれば、第２監視用開口１８８ｂの光軸９０Ｃ側の脇に第３凹部１８５ｃが設けられるため、第３凹部１８５ｃが設けられる位置において、フラグメントＦＲによって、センサ２８ｂによる監視が阻害されることを抑制し得る。
【0065】
６．実施形態３の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
次に、実施形態３のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
次に、実施形態３のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
【0066】
６．１ 構成
図１１は、本実施形態における隔壁１８のプラズマ生成領域ＡＲ近傍の様子を示す図である。図１１に示すように、本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、隔壁１８に第１アタッチメント１８６ａ及び第２アタッチメント１８６ｂが配置される点において、実施形態２のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０と異なる。
図１１は、本実施形態における隔壁１８のプラズマ生成領域ＡＲ近傍の様子を示す図である。図１１に示すように、本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、隔壁１８に第１アタッチメント１８６ａ及び第２アタッチメント１８６ｂが配置される点において、実施形態２のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０と異なる。
【0067】
本実施形態では、第２実施形態における隔壁１８の第１凹部１８５ａを含む位置に第１設置用開口１８７ａが設けられ、第２凹部１８５ｂを含む位置に第２設置用開口１８７ｂが設けられている。第１設置用開口１８７ａには、第１アタッチメント１８６ａが挿入され、第２設置用開口１８７ｂには、第２アタッチメント１８６ｂが挿入されている。第１アタッチメント１８６ａ及び第２アタッチメント１８６ｂは、それぞれ有底筒状の部材であり、第１アタッチメント１８６ａの側壁の内周面と内周面に連続する底面とにより第１凹部１８５ａが形成され、第２アタッチメント１８６ｂの側壁の内周面と内周面に連続する底面とにより第２凹部１８５ｂが形成されている。
【0068】
第１アタッチメント１８６ａ及び第２アタッチメント１８６ｂは、隔壁１８から取り外し可能であり、ねじ止めや嵌入により隔壁１８に固定されている。第１アタッチメント１８６ａ及び第２アタッチメント１８６ｂの材料としては、隔壁１８の材料と同様の材料を挙げることができる。
【0069】
６．２ 作用・効果
図１２は、本実施形態におけるドロップレットターゲットＤＬの軌道に垂直な断面におけるＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０を示す模式図である。本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０のチャンバ１０は、交換用開口１７Ｈ及び交換用開口１７Ｈを塞ぐことができる交換用開口蓋１７Ｌを含む。交換用開口１７Ｈは、第１アタッチメント１８６ａ及び第２アタッチメント１８６ｂが露出すると共に通過可能な開口である。従って、交換用開口蓋１７Ｌを開けて、交換用開口１７ＨからフラグメントＦＲが堆積した第１アタッチメント１８６ａ及び第２アタッチメント１８６ｂを交換することができる。
図１２は、本実施形態におけるドロップレットターゲットＤＬの軌道に垂直な断面におけるＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０を示す模式図である。本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０のチャンバ１０は、交換用開口１７Ｈ及び交換用開口１７Ｈを塞ぐことができる交換用開口蓋１７Ｌを含む。交換用開口１７Ｈは、第１アタッチメント１８６ａ及び第２アタッチメント１８６ｂが露出すると共に通過可能な開口である。従って、交換用開口蓋１７Ｌを開けて、交換用開口１７ＨからフラグメントＦＲが堆積した第１アタッチメント１８６ａ及び第２アタッチメント１８６ｂを交換することができる。
【0070】
なお、本実施形態において、例えば、実施形態２の変形例で説明した第３凹部１８５ｃを含む位置に第３設置用開口が設けられ、第３設置用開口に第３凹部１８５ｃを含む第３アタッチメントが挿入されてもよい。また、本実施形態において、隔壁１８に第２設置用開口１８７ｂが設けられず、第２アタッチメント１８６ｂが備えられなくてもよい。この場合、隔壁１８の内周面１８４には、第１凹部１８５ａのみが設けられることになる。また、第１設置用開口１８７ａが第１領域１８４ａを含む大きさとされ、第１アタッチメント１８６ａの第１凹部１８５ａが実施形態１の変形例で説明した第１凹部１８５ａの大きさであってもよい。
【0071】
以上本発明について、実施形態を例に説明したが、上記実施形態を適宜変更することができる。例えば、第１凹部１８５ａは、第１領域１８４ａに設けられる限り、光軸９０Ｃ上に位置しなくてもよい。
【0072】
また、隔壁１８には第１～第３監視用開口１８８ａ～１８８ｃが設けられなくてもよい。この場合、隔壁１８に第２凹部１８５ｂ及び第３凹部１８５ｃが設けられても設けられなくてもよい。
【0073】
また、実施形態１の隔壁１８に実施形態２の変形例での第３凹部１８５ｃが設けられてもよい。
【0074】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」、「有する」、「備える」、「具備する」などの用語は、「記載されたもの以外の構成要素の存在を除外しない」と解釈されるべきである。また、修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきであり、さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】