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特開2024-84063磁気検出装置、磁気抵抗素子、磁気検出システム、および、磁気検出装置の製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024084063
(43)【公開日】2024-06-24
(54)【発明の名称】磁気検出装置、磁気抵抗素子、磁気検出システム、および、磁気検出装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
G01D 5/245 20060101AFI20240617BHJP
【ＦＩ】
G01D5/245 M
G01D5/245 110B
【審査請求】未請求
【請求項の数】22
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022198233
(22)【出願日】2022-12-12
(71)【出願人】
【識別番号】303046277
【氏名又は名称】旭化成エレクトロニクス株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000877
【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】牛田 彩希
【テーマコード（参考）】
2F077
【Ｆターム（参考）】
2F077AA12
2F077AA25
2F077AA46
2F077NN03
2F077NN04
2F077NN21
2F077PP14
2F077QQ03
2F077TT16
(57)【要約】 （修正有）
【課題】複数の磁気抵抗素子をそれぞれ個別にパッケージングすることで、複数の磁気抵抗素子を基板の一方の主面上に配置する際の自由度を確保した磁気検出装置を提供する。
【解決手段】基板と、それぞれがパッケージングされており、基板の一方の主面上で一方向に並んで配置されている複数の磁気抵抗素子１２０－１～１２０－４と、基板の他方の主面上に配置されている磁石とを備え、複数の磁気抵抗素子１２０－１～１２０－４はそれぞれ、細長い外形の主面を有し、主面の長手方向が一方向に向いた状態で、一方の主面上に配置されており、複数の磁気抵抗素子１２０－１～１２０－４はそれぞれ、主面の短手方向に沿って互いに連結された複数の磁気抵抗体１２４から成る磁気抵抗体列１２２を、主面の長手方向に沿って繰り返し折り返して複数配列することにより、互いに直列接続させた磁気抵抗ユニット１２１を有す。
【選択図】図３
【解決手段】基板と、それぞれがパッケージングされており、基板の一方の主面上で一方向に並んで配置されている複数の磁気抵抗素子１２０－１～１２０－４と、基板の他方の主面上に配置されている磁石とを備え、複数の磁気抵抗素子１２０－１～１２０－４はそれぞれ、細長い外形の主面を有し、主面の長手方向が一方向に向いた状態で、一方の主面上に配置されており、複数の磁気抵抗素子１２０－１～１２０－４はそれぞれ、主面の短手方向に沿って互いに連結された複数の磁気抵抗体１２４から成る磁気抵抗体列１２２を、主面の長手方向に沿って繰り返し折り返して複数配列することにより、互いに直列接続させた磁気抵抗ユニット１２１を有す。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
それぞれがパッケージングされており、前記基板の一方の主面上で一方向に並んで配置されている複数の磁気抵抗素子と、
前記基板の他方の主面上に配置されている磁石と
を備える磁気検出装置。
それぞれがパッケージングされており、前記基板の一方の主面上で一方向に並んで配置されている複数の磁気抵抗素子と、
前記基板の他方の主面上に配置されている磁石と
を備える磁気検出装置。
【請求項2】
前記複数の磁気抵抗素子はそれぞれ、細長い外形の主面を有し、前記主面の長手方向が前記一方向に向いた状態で、前記一方の主面上に配置されている、
請求項１に記載の磁気検出装置。
請求項１に記載の磁気検出装置。
【請求項3】
前記複数の磁気抵抗素子はそれぞれ、前記主面の短手方向に沿って互いに連結された複数の磁気抵抗体から成る磁気抵抗体列を、前記主面の長手方向に沿って繰り返し折り返して複数配列することにより、互いに直列接続させた磁気抵抗ユニットを有する、
請求項２に記載の磁気検出装置。
請求項２に記載の磁気検出装置。
【請求項4】
前記複数の磁気抵抗素子は、４×Ｍ（Ｍは自然数）個であり、少なくとも４個の前記磁気抵抗素子がフルブリッジ構造で接続されている、
請求項２に記載の磁気検出装置。
請求項２に記載の磁気検出装置。
【請求項5】
前記少なくとも４個の磁気抵抗素子において、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子は、前記一方の主面の平面方向のうち前記一方向に直交する方向から見た場合に互いに重なっていない、
請求項４に記載の磁気検出装置。
請求項４に記載の磁気検出装置。
【請求項6】
前記少なくとも４個の磁気抵抗素子において、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子、および、互いに直列接続された他の２個の磁気抵抗素子は、前記一方の主面上で前記一方向に交互に並んで配置されている、
請求項４に記載の磁気検出装置。
請求項４に記載の磁気検出装置。
【請求項7】
前記２個の磁気抵抗素子の少なくとも一方は、前記一方の主面の平面方向のうち前記一方向に直交する方向から見た場合に、前記他の２個の磁気抵抗素子の少なくとも一方と互いに一部のみが重なっている、
請求項６に記載の磁気検出装置。
請求項６に記載の磁気検出装置。
【請求項8】
前記一方向から見た場合に、前記２個の磁気抵抗素子は互いに少なくとも部分的に重なっており、前記他の２個の磁気抵抗素子は互いに少なくとも部分的に重なっている、
請求項６に記載の磁気検出装置。
請求項６に記載の磁気検出装置。
【請求項9】
前記２個の磁気抵抗素子および前記他の２個の磁気抵抗素子はそれぞれ、一方の磁気抵抗素子の前記主面の長手方向が、他方の磁気抵抗素子の前記主面の長手方向に沿うように、前記一方の主面上に配置されている、
請求項８に記載の磁気検出装置。
請求項８に記載の磁気検出装置。
【請求項10】
前記少なくとも４個の磁気抵抗素子はそれぞれ、前記主面の短手方向に沿って互いに連結された複数の磁気抵抗体から成る磁気抵抗体列を、前記主面の長手方向に沿って繰り返し折り返して複数配列することにより、互いに直列接続させた磁気抵抗ユニットを有する、
請求項９に記載の磁気検出装置。
請求項９に記載の磁気検出装置。
【請求項11】
前記一方の主面の平面方向のうち前記一方向に直交する方向から見た場合に、前記２個の磁気抵抗素子の少なくとも一方の前記磁気抵抗ユニットにおいて一端に位置する前記磁気抵抗体列と、前記他の２個の磁気抵抗素子の少なくとも一方の前記磁気抵抗ユニットにおいて一端に位置する前記磁気抵抗体列との間隔は、前記少なくとも４個の磁気抵抗素子のそれぞれにおける複数の磁気抵抗体列の間隔と等しい、
請求項１０に記載の磁気検出装置。
請求項１０に記載の磁気検出装置。
【請求項12】
前記少なくとも４個の磁気抵抗素子はそれぞれ、前記主面の長手方向における前記磁気抵抗ユニットの両端に接続された端子電極を有する、
請求項１０に記載の磁気検出装置。
請求項１０に記載の磁気検出装置。
【請求項13】
前記複数の磁気抵抗素子は、第１電位および第２電位の間に電気的に接続され、
前記複数の磁気抵抗素子の中点電圧を出力する出力端子を更に備える、
請求項１から１２の何れか一項に記載の磁気検出装置。
前記複数の磁気抵抗素子の中点電圧を出力する出力端子を更に備える、
請求項１から１２の何れか一項に記載の磁気検出装置。
【請求項14】
前記複数の磁気抵抗素子は、対向して設けられる歯車の回転に伴って、正弦波状の中点電圧を前記出力端子から出力するように構成される、
請求項１３に記載の磁気検出装置。
請求項１３に記載の磁気検出装置。
【請求項15】
前記基板は、第１基板と、前記一方の主面側から前記第１基板に貼り合わされた第２基板とを有し、
前記第１基板は、前記磁石が挿入される貫通孔を含み、
前記第２基板は、前記貫通孔を塞ぐ領域を含み、前記領域において前記磁石と接しており、
前記複数の磁気抵抗素子は、前記第２基板の前記一方の主面における前記領域に対応する位置に配置されている、
請求項１から１２の何れか一項に記載の磁気検出装置。
前記第１基板は、前記磁石が挿入される貫通孔を含み、
前記第２基板は、前記貫通孔を塞ぐ領域を含み、前記領域において前記磁石と接しており、
前記複数の磁気抵抗素子は、前記第２基板の前記一方の主面における前記領域に対応する位置に配置されている、
請求項１から１２の何れか一項に記載の磁気検出装置。
【請求項16】
前記第２基板は、前記第１基板よりも薄い、
請求項１５に記載の磁気検出装置。
請求項１５に記載の磁気検出装置。
【請求項17】
前記第２基板における前記貫通孔を塞ぐ領域の厚みは０．１ｍｍ以上０．６ｍｍ以下である、
請求項１６に記載の磁気検出装置。
請求項１６に記載の磁気検出装置。
【請求項18】
前記磁石によって前記複数の磁気抵抗素子に印加される磁束密度は、４００ｍＴ以上である、
請求項１５に記載の磁気検出装置。
請求項１５に記載の磁気検出装置。
【請求項19】
細長い外形の主面を有する磁気抵抗素子であって、
前記主面の短手方向に沿って互いに連結された複数の磁気抵抗体から成る磁気抵抗体列を、前記主面の長手方向に沿って繰り返し折り返して複数配列することにより、互いに直列接続させた磁気抵抗ユニットと、
前記主面の長手方向における前記磁気抵抗ユニットの両端に接続された端子電極と、
前記端子電極の少なくとも一部を露出させた状態で、前記磁気抵抗ユニットおよび前記端子電極をパッケージングするパッケージと
を備える磁気抵抗素子。
前記主面の短手方向に沿って互いに連結された複数の磁気抵抗体から成る磁気抵抗体列を、前記主面の長手方向に沿って繰り返し折り返して複数配列することにより、互いに直列接続させた磁気抵抗ユニットと、
前記主面の長手方向における前記磁気抵抗ユニットの両端に接続された端子電極と、
前記端子電極の少なくとも一部を露出させた状態で、前記磁気抵抗ユニットおよび前記端子電極をパッケージングするパッケージと
を備える磁気抵抗素子。
【請求項20】
前記主面の長手方向における前記磁気抵抗ユニットの両端に配置された前記磁気抵抗体列の少なくとも１つの位置を前記パッケージの外部から認識可能にするべく前記パッケージ上に設けられた指標を更に備える、請求項１９に記載の磁気抵抗素子。
【請求項21】
被検出ユニットと、
前記被検出ユニットに対向して設けられ、前記被検出ユニットの相対移動に伴う磁束密度の変化を検出する磁気検出装置と
を備え、
前記磁気検出装置は、
基板と、
それぞれがパッケージングされており、前記基板の前記被検出ユニットに対向する側の主面上で一方向に並んで配置されている複数の磁気抵抗素子と、
前記基板の前記対向する側の反対側の主面上に配置されている磁石と
を有する、
磁気検出システム。
前記被検出ユニットに対向して設けられ、前記被検出ユニットの相対移動に伴う磁束密度の変化を検出する磁気検出装置と
を備え、
前記磁気検出装置は、
基板と、
それぞれがパッケージングされており、前記基板の前記被検出ユニットに対向する側の主面上で一方向に並んで配置されている複数の磁気抵抗素子と、
前記基板の前記対向する側の反対側の主面上に配置されている磁石と
を有する、
磁気検出システム。
【請求項22】
複数の磁気抵抗素子をそれぞれパッケージングすることと、
前記複数の磁気抵抗素子を基板の一方の主面上で一方向に並べて配置することと、
前記基板の他方の主面上に磁石を配置することと
を備える磁気検出装置の製造方法。
前記複数の磁気抵抗素子を基板の一方の主面上で一方向に並べて配置することと、
前記基板の他方の主面上に磁石を配置することと
を備える磁気検出装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、磁気検出装置、磁気抵抗素子、磁気検出システム、および、磁気検出装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、「回転センサ２は永久磁石３に２個一対の磁気抵抗素子４，５を設けるものとして述べたが、２個の磁気抵抗素子を一組として、複数組の磁気抵抗素子を永久磁石３に設ける」（第３貢、右下欄から第４貢、左上欄）と記載されている。特許文献２には、「歯車センサは、…フィールド磁石１…の磁極面に支持された特性の等しい２個の素子ＭＲ１'、ＭＲ２'を、…歯車ピッチＰの二分の一間隔で配列したもの」（［０００７］）と記載されている。特許文献３には、「磁気抵抗素子１１は、端子電極１９ａ，１９ｂ及び端子電極１９ｃとを、例えば、図４に示すように、金ワイヤー２３により、図示しない端子ピン１３に接続されるリードフレーム２４にワイヤーボンドした後、これらをエポキシ樹脂などのモールド樹脂２５によりパッケージされ、永久磁石１２を保持した磁石ホルダー１５とともに円筒状の樹脂ケース１６に収納される。これにより、全体が円柱状である回転検出器１０を得ることができる。」（［００１８］）と記載されている。
［先行技術文献］
［特許文献］
［特許文献１］ 特開昭６２－６６１１５号公報
［特許文献２］ 特開２００４－２７１４２３号公報
［特許文献３］ 特許第４２４０３０６号
［先行技術文献］
［特許文献］
［特許文献１］ 特開昭６２－６６１１５号公報
［特許文献２］ 特開２００４－２７１４２３号公報
［特許文献３］ 特許第４２４０３０６号
【発明の概要】
【0003】
本発明の第１の態様においては、磁気検出装置を提供する。磁気検出装置は、基板と、それぞれがパッケージングされており、前記基板の一方の主面上で一方向に並んで配置されている複数の磁気抵抗素子と、前記基板の他方の主面上に配置されている磁石とを備える。
【0004】
上記の磁気検出装置において、前記複数の磁気抵抗素子はそれぞれ、細長い外形の主面を有し、前記主面の長手方向が前記一方向に向いた状態で、前記一方の主面上に配置されていてもよい。
【0005】
上記の何れかの磁気検出装置において、前記複数の磁気抵抗素子はそれぞれ、前記主面の短手方向に沿って互いに連結された複数の磁気抵抗体から成る磁気抵抗体列を、前記主面の長手方向に沿って繰り返し折り返して複数配列することにより、互いに直列接続させた磁気抵抗ユニットを有してもよい。
【0006】
上記の何れかの磁気検出装置において、前記複数の磁気抵抗素子は、４×Ｍ（Ｍは自然数）個であり、少なくとも４個の前記磁気抵抗素子がフルブリッジ構造で接続されていてもよい。
【0007】
上記の何れかの磁気検出装置では、前記少なくとも４個の磁気抵抗素子において、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子は、前記一方の主面の平面方向のうち前記一方向に直交する方向から見た場合に互いに重なっていなくてもよい。
【0008】
上記の何れかの磁気検出装置では、前記少なくとも４個の磁気抵抗素子において、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子、および、互いに直列接続された他の２個の磁気抵抗素子は、前記一方の主面上で前記一方向に交互に並んで配置されていてもよい。
【0009】
上記の何れかの磁気検出装置において、前記２個の磁気抵抗素子の少なくとも一方は、前記一方の主面の平面方向のうち前記一方向に直交する方向から見た場合に、前記他の２個の磁気抵抗素子の少なくとも一方と互いに一部のみが重なっていてもよい。
【0010】
上記の何れかの磁気検出装置において、前記一方向から見た場合に、前記２個の磁気抵抗素子は互いに少なくとも部分的に重なっており、前記他の２個の磁気抵抗素子は互いに少なくとも部分的に重なっていてもよい。
【0011】
上記の何れかの磁気検出装置において、前記２個の磁気抵抗素子および前記他の２個の磁気抵抗素子はそれぞれ、一方の磁気抵抗素子の前記主面の長手方向が、他方の磁気抵抗素子の前記主面の長手方向に沿うように、前記一方の主面上に配置されていてもよい。
【0012】
上記の何れかの磁気検出装置において、前記少なくとも４個の磁気抵抗素子はそれぞれ、前記主面の短手方向に沿って互いに連結された複数の磁気抵抗体から成る磁気抵抗体列を、前記主面の長手方向に沿って繰り返し折り返して複数配列することにより、互いに直列接続させた磁気抵抗ユニットを有してもよい。
【0013】
上記の何れかの磁気検出装置において、前記一方の主面の平面方向のうち前記一方向に直交する方向から見た場合に、前記２個の磁気抵抗素子の少なくとも一方の前記磁気抵抗ユニットにおいて一端に位置する前記磁気抵抗体列と、前記他の２個の磁気抵抗素子の少なくとも一方の前記磁気抵抗ユニットにおいて一端に位置する前記磁気抵抗体列との間隔は、前記少なくとも４個の磁気抵抗素子のそれぞれにおける複数の磁気抵抗体列の間隔と等しくてもよい。
【0014】
上記の何れかの磁気検出装置において、前記少なくとも４個の磁気抵抗素子はそれぞれ、前記主面の長手方向における前記磁気抵抗ユニットの両端に接続された端子電極を有してもよい。
【0015】
上記の何れかの磁気検出装置において、前記複数の磁気抵抗素子は、第１電位および第２電位の間に電気的に接続されてもよい。上記の何れかの磁気検出装置は、前記複数の磁気抵抗素子の中点電圧を出力する出力端子を更に備えてもよい。
【0016】
上記の何れかの磁気検出装置において、前記複数の磁気抵抗素子は、対向して設けられる歯車の回転に伴って、正弦波状の中点電圧を前記出力端子から出力するように構成されてもよい。
【0017】
上記の何れかの磁気検出装置において、前記基板は、第１基板と、前記一方の主面側から前記第１基板に貼り合わされた第２基板とを有してもよい。上記の何れかの磁気検出装置において、前記第１基板は、前記磁石が挿入される貫通孔を含んでもよい。上記の何れかの磁気検出装置において、前記第２基板は、前記貫通孔を塞ぐ領域を含み、前記領域において前記磁石と接していてもよい。上記の何れかの磁気検出装置において、前記複数の磁気抵抗素子は、前記第２基板の前記一方の主面における前記領域に対応する位置に配置されていてもよい。
【0018】
上記の何れかの磁気検出装置において、前記第２基板は、前記第１基板よりも薄くてもよい。
【0019】
上記の何れかの磁気検出装置において、前記第２基板における前記貫通孔を塞ぐ領域の厚みは０．１ｍｍ以上０．６ｍｍ以下であってもよい。
【0020】
上記の何れかの磁気検出装置において、前記磁石によって前記複数の磁気抵抗素子に印加される磁束密度は、４００ｍＴ以上であってもよい。
【0021】
本発明の第２の態様においては、磁気抵抗素子を提供する。磁気抵抗素子は、細長い外形の主面を有し、前記主面の短手方向に沿って互いに連結された複数の磁気抵抗体から成る磁気抵抗体列を、前記主面の長手方向に沿って繰り返し折り返して複数配列することにより、互いに直列接続させた磁気抵抗ユニットと、前記主面の長手方向における前記磁気抵抗ユニットの両端に接続された端子電極と、前記端子電極の少なくとも一部を露出させた状態で、前記磁気抵抗ユニットおよび前記端子電極をパッケージングするパッケージとを備える。
【0022】
上記の磁気抵抗素子は、前記主面の長手方向における前記磁気抵抗ユニットの両端に配置された前記磁気抵抗体列の少なくとも１つの位置を前記パッケージの外部から認識可能にするべく前記パッケージ上に設けられた指標を更に備えてもよい。
【0023】
本発明の第３の態様においては、磁気検出システムを提供する。磁気検出システムは、被検出ユニットと、前記被検出ユニットに対向して設けられ、前記被検出ユニットの相対移動に伴う磁束密度の変化を検出する磁気検出装置とを備え、前記磁気検出装置は、基板と、それぞれがパッケージングされており、前記基板の前記被検出ユニットに対向する側の主面上で一方向に並んで配置されている複数の磁気抵抗素子と、前記基板の前記対向する側の反対側の主面上に配置されている磁石とを有する。
【0024】
本発明の第４の態様においては、磁気検出装置の製造方法を提供する。磁気検出装置の製造方法は、複数の磁気抵抗素子をそれぞれパッケージングすることと、前記複数の磁気抵抗素子を基板の一方の主面上で一方向に並べて配置することと、前記基板の他方の主面上に磁石を配置することとを備える。
【0025】
なお、上記の発明の概要は、本発明の特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
【図面の簡単な説明】
【0026】
【図1】第１実施形態による磁気検出システム１０の模式的な側面図である。
【図2】第１実施形態による磁気検出装置１００の模式的な平面図である。
【図3】第１実施形態による磁気検出装置１００における、磁気抵抗素子１２０－１等の詳細を示す模式的な平面図である。
【図4】第１実施形態による磁気検出装置１００の製造方法の流れを説明するフロー図である。
【図5】第２実施形態による磁気検出装置２００における、磁気抵抗素子１２０－１等の詳細を示す模式的な平面図である。
【図6】第３実施形態による磁気検出装置３００における、磁気抵抗素子１２０－１等の詳細を示す模式的な平面図である。
【図7】第４実施形態による磁気検出装置４００における、磁気抵抗素子１２０－１等の詳細を示す模式的な平面図である。
【図8】第５実施形態による磁気検出装置５００における、磁気抵抗素子１２０－１等の詳細を示す模式的な平面図である。
【図9】第６実施形態による磁気検出装置６００の模式的な側面図である。
【発明を実施するための形態】
【0027】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【0028】
【0029】
磁気検出システム１０は、回転体２０と、磁気検出装置１００とを備える。本実施形態による磁気検出システム１０は、磁気検出装置１００によって回転体２０の回転角度、回転速度、回転方向、または回転数の少なくとも１つ等の回転動作を検出する。
【0030】
回転体２０は、磁性体であって、凸部および／または凹部を有し、Ｘ軸方向に沿う回転軸を中心に回転する。回転体２０は、例えば、回転軸に対して略直交する断面形状において凸部の頂点が回転軸を中心とする円周上に位置する。
【0031】
回転体２０は、例えば歯車であってもよく、歯車状の部品であってもよい。図１は、回転体２０が円盤状の形状を有し、当該円盤の円周における回転の移動方向に沿って凹部および凸部が交互に配列された例を示す。なお、回転体２０は、被検出ユニットの一例である。
【0032】
磁気検出装置１００は、回転体２０のＺ軸負側で回転体２０に対向して設けられ、回転体２０の相対移動に伴う磁束密度の変化を検出する。磁気検出装置１００は、回転体２０と磁石Ｍとの間で磁石Ｍよりも回転体２０に近接して配置され、回転体２０が有する凸部および／または凹部に対向する。磁気検出装置１００は、磁石Ｍから発生する磁力の磁束密度が、回転体２０の凸部および／または凹部で変化するのを検出する。磁気検出装置１００は、回転体２０の回転に応じて変化する磁束密度に基づいて、回転体２０の回転動作を検出する。
【0033】
磁気検出装置１００は、基板１１０と、複数の磁気抵抗素子１２０と、磁石Ｍとを備える。本実施形態の磁気検出装置１００では、図１に示すように、回転体２０が設けられているＺ軸正側から、磁気検出装置１００、基板１１０、磁石Ｍの順に配置される。
【0034】
基板１１０は、例えば非磁性体の板状部材である。基板１１０は、一例として、略方形の外形から成る主面を有する。図１において、基板１１０の主面は、ＸＹ平面上にある。基板１１０のＺ軸方向の厚みは、略一定であってもよく、ＸＹ平面内の任意の箇所で部分的に変化していてもよい。
【0035】
複数の磁気抵抗素子１２０は、磁石Ｍが発する磁場の大きさと向きを検知する。各磁気抵抗素子１２０は、例えばアンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）を用いた半導体磁気抵抗素子（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ：ＳＭＲ）である。各磁気抵抗素子１２０は、ＳＭＲに代えてまたは加えて、他の種類の磁気抵抗素子、例えば異方性磁気抵抗素子（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ：ＡＭＲ）、巨大磁気抵抗素子（Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ：ＧＭＲ）、トンネル磁気抵抗素子（Ｔｕｎｎｅｌ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ：ＴＭＲ）などであってもよい。なお、上述のＩｎＳｂは、インジウムヒ素（ＩｎＡｓ）やアルミインジウムアンチモン（ＡｌＩｎＳｂ）などに比べて移動度が高く、ＳＭＲの材料として好適である。
【0036】
複数の磁気抵抗素子１２０は、それぞれがパッケージングされており、基板１１０の回転体２０に対向する側の主面上で一方向に並んで配置されている。本実施形態では、それぞれがパッケージングされている４個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－２、１２０－３、１２０－４が、基板１１０のＺ軸正側の主面上で、Ｙ軸方向、すなわち回転体２０の相対移動方向に並んで配置されている。４個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－２、１２０－３、１２０－４は、基板１１０上に形成されている不図示の電極にはんだ付けされている。以降の説明において、４個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－２、１２０－３、１２０－４のうちの幾つか又は全てを、単に磁気抵抗素子１２０と称したり、磁気抵抗素子１２０－１等と称したりする場合がある。
【0037】
磁石Ｍは、基板１１０の回転体２０に対向する側の反対側の主面上に配置されている。本実施形態では、磁石Ｍは、基板１１０のＺ軸負側の主面上に配置されている。磁石Ｍは、予め定められた略一定の磁場を発生させる。磁石Ｍは、一例として、ネオジウムやサマリウムコバルト等を含む永久磁石であってもよい。当該永久磁石の残留磁束密度は、例えば約８００ｍＴである。
【0038】
磁石Ｍは、Ｎ極またはＳ極の磁極の作用面が回転体２０の方向を向くように配置される。磁石Ｍは、回転体２０が有する凸部および／または凹部に対して、磁束密度の変化が検出できる程度に、回転体２０に近接して配置される。
【0039】
このように、本実施形態の磁気検出装置１００では、複数の磁気抵抗素子１２０をそれぞれ個別にパッケージングすることで、複数の磁気抵抗素子１２０を基板１１０の一方の主面上に配置する際の自由度を確保する。
【0040】
図２は、第１実施形態による磁気検出装置１００の模式的な平面図である。図２では、回転体２０の相対移動方向と複数の磁気抵抗素子１２０との相対位置関係を示すべく、回転体２０を一点鎖線で示す。図２中、一点鎖線で示す回転体２０のＹ軸方向の両端は、波線で図示を省略している。以降の複数の図においても同様とし、重複する説明を省略する。図２ではまた、基板１１０のＺ軸負側の主面上に配置されている磁石Ｍを破線で示す。
【0041】
図２に示すように、本実施形態の複数の磁気抵抗素子１２０はそれぞれ、細長い外形の主面を有し、当該主面の長手方向が複数の磁気抵抗素子１２０の配列方向に向いた状態で、基板１１０の一方の主面上に配置されている。より具体的には、磁気抵抗素子１２０－１等はそれぞれ、細長い外形の主面の長手方向がＹ軸方向、すなわち、図２に一点鎖線で示す回転体２０の相対移動方向に向いた状態で、基板１１０のＺ軸正側の主面上に配置されている。
【0042】
図２に一点鎖線で示す回転体２０の相対移動方向において、順に並んで配置される複数の磁気抵抗素子１２０の相互間隔は、当該方向に並ぶ磁気抵抗素子１２０の数をＮ（Ｎは自然数）とした場合に、回転体２０の凸部または凹部のピッチＰをＮで除算した値と略等しくてもよい。回転体２０の凸部または凹部のピッチＰとは、回転体２０の隣接する凸部同士の間隔または隣接する凹部同士の間隔を指す。当該方向における複数の磁気抵抗素子１２０の相互間隔は、回転体２０の凸部の先端と磁気抵抗素子１２０の感磁面との間隔、すなわちエアーギャップの大きさに応じて決定されてもよい。
【0043】
本実施形態では、４個の磁気抵抗素子１２０－１等は、回転体２０の相対移動方向において、それぞれの中心が互いに略Ｐ／４の間隔を置いて配置されている。より具体的には、４個の磁気抵抗素子１２０－１等は、Ｙ軸正方向に向かって磁気抵抗素子１２０－１、１２０－２、１２０－３、１２０－４の順に、それぞれの中心が互いに略Ｐ／４の間隔を置いて配置されている。換言すると、Ｙ軸方向において、磁気抵抗素子１２０－１の中心と磁気抵抗素子１２０－２の中心との間の距離、磁気抵抗素子１２０－２の中心と磁気抵抗素子１２０－３の中心との間の距離、および、磁気抵抗素子１２０－３の中心と磁気抵抗素子１２０－４の中心との間の距離はそれぞれ、略Ｐ／４である。
【0044】
複数の磁気抵抗素子１２０は、４×Ｍ（Ｍは自然数）個であってもよい。本実施形態では一例として、磁気抵抗素子１２０の数を４個としているが、例えば８個や１６個などであってもよい。この場合、複数の磁気抵抗素子１２０における少なくとも４個の磁気抵抗素子１２０が、フルブリッジ構造で接続されている。
【0045】
なお、磁気抵抗素子１２０の数は２個であってもよく、この場合、互いに直列接続させた磁気抵抗素子１２０－１および磁気抵抗素子１２０－３の組合せ、または、互いに直列接続させた磁気抵抗素子１２０－２および磁気抵抗素子１２０－４の組合せであってもよい。これらの組合せにおける２個の磁気抵抗素子１２０の中心間隔は、略Ｐ／４であってもよい。
【0046】
図２に示すように、複数の磁気抵抗素子１２０は、基板１１０の一方の主面側から見た場合に、破線で示す磁石Ｍの外形を成す輪郭で囲まれる範囲内に配置されていてもよい。これにより、磁石Ｍの磁場を複数の磁気抵抗素子１２０の全体に亘って均等に印加することができる。
【0047】
本実施形態において、磁石Ｍの大きさは、各磁気抵抗素子１２０に対して予め定められた大きさ以上の磁力を印加するために予め定められたサイズ以上とすることが必要とされるが、その一方で、各磁気抵抗素子１２０の大きさの下限に制約はないので、設計需要に応じて各磁気抵抗素子１２０を相対的に小型化することができる。各磁気抵抗素子１２０を小型化することにより、製造コストを下げることもでき、基板１１０上の複数の磁気抵抗素子１２０による専有面積が縮小することで他の部品の実装スペースを拡張することもできる。
【0048】
図２に示すように、磁気検出装置１００は更に、導体パターン１１６と、電源端子１１７と、出力端子１１８とを備える。導体パターン１１６は、基板１１０のＺ軸正側の主面に形成されている。導体パターン１１６の一端は、磁気抵抗素子１２０がはんだ付けされている上述の電極に電気的に接続されている。導体パターン１１６の他端は、電源端子１１７または出力端子１１８に電気的に接続されている。
【0049】
導体パターン１１６は、各磁気抵抗素子１２０と電源端子１１７とを電気的に接続している。より具体的には、導体パターン１１６－１は、２個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－２と、第１電位（ＶＤＤ）側の電源端子１１７とを電気的に接続しており、導体パターン１１６－２は、２個の磁気抵抗素子１２０－３、１２０－４と、第２電位（ＧＮＤ）側の電源端子１１７とを電気的に接続している。
【0050】
導体パターン１１６はまた、各磁気抵抗素子１２０と出力端子１１８とを電気的に接続している。より具体的には、導体パターン１１６－３は、２個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－３と、一の出力端子１１８とを電気的に接続しており、導体パターン１１６－４は、２個の磁気抵抗素子１２０－２、１２０－４と、他の出力端子１１８とを電気的に接続している。
【0051】
このように、導体パターン１１６および電源端子１１７を介して、磁気抵抗素子１２０－１等は、フルブリッジ構造で、第１電位（ＶＤＤ）および第２電位（ＧＮＤ）の間に電気的に接続されている。磁気抵抗素子１２０－１等は、導体パターン１１６および電源端子１１７を介して不図示の電源に接続され、電源から電圧（ＶＤＤ）を供給される。なお、磁気抵抗素子１２０－１等は、当該導体パターン１１６に代えてまたは加えて、例えば導線や電気配線などの他の電気的導通手段によって電源に接続されていてもよい。
【0052】
導体パターン１１６－３を介して２個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－３に電気的に接続された出力端子１１８は、２個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－３の中点電圧ＶＡを出力し、導体パターン１１６－４を介して２個の磁気抵抗素子１２０－２、１２０－４に電気的に接続された出力端子１１８は、２個の磁気抵抗素子１２０－２、１２０－４の中点電圧ＶＢを出力する。
【0053】
２個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－３は、図２に一点鎖線で示すように対向して設けられた回転体２０の回転に伴って、正弦波状の中点電圧ＶＡを出力端子１１８から出力するように構成される。２個の磁気抵抗素子１２０－２、１２０－４は、回転体２０の回転に伴って、正弦波状の中点電圧ＶＢを出力端子１１８から出力するように構成される。なお、正弦波状の中点電圧とは、完全な正弦波ではないが、周期的でかつ滑らかに値が変化する電圧を指してもよい。
【0054】
なお、図２に示すように、略方形の外形を有する基板１１０の主面の四隅には、基板１１０を他の装置やフレームなどに固定するための手段が挿通される孔が基板１１０を貫通して形成されていてもよい。なお、基板１１０の外形は、上述の略方形に限られず、例えば円形、楕円形など任意の他の形状であってもよい。なお、図２に示すように、磁気抵抗素子１２０の表面には指標１２８が形成されていてもよい。
【0055】
図３は、第１実施形態による磁気検出装置１００における、磁気抵抗素子１２０－１等の詳細を示す模式的な平面図である。図３では、磁気検出装置１００における磁気抵抗素子１２０－１等を図示し、磁気検出装置１００における基板１１０や導体パターン１１６等の他の構成の図示を省略する。図３には、磁気抵抗素子１２０－４において破線の円で囲う部分領域５０を拡大して示す。
【0056】
本実施形態による磁気検出装置１００が備える４個の磁気抵抗素子１２０－１等は、一例として、互いに同じ構成を備える。よって、以降の説明では、４個の磁気抵抗素子１２０－１等のそれぞれの構成を個別に詳述せず、１つの磁気抵抗素子１２０の構成のみを詳述する場合がある。
【0057】
磁気抵抗素子１２０は、磁気抵抗ユニット１２１と、端子電極１２６と、パッケージ１２７と、指標１２８とを有する。磁気抵抗ユニット１２１は、図３に示すように、磁気抵抗素子１２０の主面の短手方向に沿って互いに連結された複数の磁気抵抗体１２４から成る磁気抵抗体列１２２を複数有する。より具体的には、磁気抵抗ユニット１２１において、磁気抵抗体列１２２は、磁気抵抗素子１２０の主面の長手方向に沿って繰り返し折り返して複数配列されている。磁気抵抗ユニット１２１において、当該長手方向に複数配列されている複数の磁気抵抗体列１２２は、互いに直列接続されている。磁気抵抗素子１２０は、このように構成された磁気抵抗ユニット１２１を有することにより、磁気抵抗体列１２２を１つだけ含む場合や、磁気抵抗体１２４を１つだけ含む場合などと比較して、歪率が小さな正弦波状の中点電圧を出力することができる。
【0058】
図３では、各磁気抵抗体列１２２のＸＹ平面内の中心を通ってＸ軸方向に延伸する線分を破線で示す。以降の説明では、磁気抵抗体列１２２のＸＹ平面内の中心を、基準点１２５と称する場合がある。図３では、拡大して示す部分領域５０において、基準点１２５を黒塗りの丸で示す。
【0059】
図３では、磁気抵抗ユニット１２１内でＹ軸方向に互いに隣接する磁気抵抗体列１２２の基準点１２５間距離Ｄ１、すなわち互いに隣接する破線の線分間の距離Ｄ１を白抜きの矢印で示す。図３ではまた、Ｙ軸方向に互いに隣接する磁気抵抗素子１２０において、一方の磁気抵抗ユニット１２１における他方の磁気抵抗ユニット１２１側の端に位置する磁気抵抗体列１２２の基準点１２５と、他方の磁気抵抗ユニット１２１における一方の磁気抵抗ユニット１２１側の端に位置する磁気抵抗体列１２２の基準点１２５との間の距離Ｄ２を白抜きの矢印で示す。距離Ｄ２は、これら２個の磁気抵抗体列１２２のそれぞれの基準点１２５を通る線分間の距離である。図３ではまた、Ｘ軸方向に互いに隣接する磁気抵抗素子１２０間の距離Ｄ３を白抜きの矢印で示す。
【0060】
端子電極１２６は、磁気抵抗素子１２０の主面の長手方向における磁気抵抗ユニット１２１の両端に電気的に接続されている。換言すると、磁気抵抗素子１２０において、１つの端子電極１２６が、磁気抵抗ユニット１２１の一端に位置する磁気抵抗体列１２２に電気的に接続されており、他の１つの端子電極１２６が、磁気抵抗ユニット１２１の他端に位置する磁気抵抗体列１２２に電気的に接続されている。図３では、磁気抵抗ユニット１２１の両端と各端子電極１２６との間を電気的に接続する導電部材の一部を破線で示す。なお、磁気抵抗素子１２０の各端子電極１２６は、図２に示した導体パターン１１６に電気的に接続されている。
【0061】
磁気抵抗素子１２０は、磁気抵抗素子１２０の主面の長手方向の両端に配置された端子電極１２６を有することにより、端子電極１２６が磁気抵抗素子１２０の主面の短手方向の両端に配置される場合と比較して、当該短手方向の幅を狭めることができる。換言すると、磁気抵抗素子１２０は、ＸＹ平面内における回転体２０の相対移動方向に直交する方向の幅を狭めることができる。これにより、磁気抵抗素子１２０は、基板１１０の一方の主面上に配置される場合に、当該直交する方向において磁石Ｍの磁束密度が相対的に大きくなる回転体２０の厚みの中央付近に、より密に配置されることができ、磁気検出精度を高めることができる。基板１１０上でこのように配置される磁気抵抗素子１２０によれば、回転体２０の厚み方向の位置ずれが生じた場合であっても、磁気検出精度が低下し難い。
【0062】
パッケージ１２７は、端子電極１２６の少なくとも一部を露出させた状態で、磁気抵抗ユニット１２１および端子電極１２６をパッケージングする。パッケージ１２７は、例えばモールド樹脂であってもよく、セラミックであってもよく、ＣＡＮ（缶）パッケージであってもよい。パッケージ１２７は、一例として、黒色であって可視光に対し不透明な材料で形成されていてもよく、パッケージ１２７に内包される磁気抵抗ユニット１２１等は外部から視認できなくてもよい。なお、図３では、パッケージ１２７に内包される磁気抵抗ユニット１２１等の構成を説明するため、パッケージ１２７の一部を透かして図示している。
【0063】
指標１２８は、磁気抵抗素子１２０の主面の長手方向における磁気抵抗ユニット１２１の両端に配置された磁気抵抗体列１２２の少なくとも１つの位置をパッケージ１２７の外部から認識可能にするべく、パッケージ１２７上に設けられている。図２および図３に示す例では、磁気抵抗素子１２０の長手方向の両端に位置する２個の磁気抵抗体列１２２のそれぞれに対応して、２個の指標１２８がパッケージ１２７上に設けられている。図３では、指標１２８を破線の円で示す。指標１２８は、磁気抵抗体列１２２の位置をパッケージ１２７の外部から視認可能にできる限りにおいて、マーカや窪みや突起など任意の形態であってよい。なお、以降の図では、指標１２８の図示を省略する。
【0064】
図３に示すように、本実施形態による磁気検出装置１００では、基板１１０上において、２個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－３の組と２個の磁気抵抗素子１２０－２、１２０－４の組が同じ向きに交互に配列されている。
【0065】
具体的には、４個の磁気抵抗素子１２０－１等において、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０は、基板１１０の一方の主面の平面方向のうち、４個の磁気抵抗素子１２０－１等が並ぶ方向に直交する方向から見た場合に互いに重なっていない。より具体的には、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－３は、４個の磁気抵抗素子１２０－１等が並ぶＹ軸方向に直交するＸ軸方向から見た場合に、互いに重なっていない。同様に、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－２、１２０－４は、Ｘ軸方向から見た場合に互いに重なっていない。互いに直列接続された磁気抵抗素子１２０の組は、このように配置されることにより、正弦波状の中点電圧を出力することができる。
【0066】
また具体的には、４個の磁気抵抗素子１２０－１等において、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－３、および、互いに直列接続された他の２個の磁気抵抗素子１２０－２、１２０－４は、基板１１０の一方の主面上で、４個の磁気抵抗素子１２０－１等が並ぶ方向に交互に並んで配置されている。より具体的には、４個の磁気抵抗素子１２０－１等は、Ｙ軸正方向に向かって磁気抵抗素子１２０－１、１２０－２、１２０－３、１２０－４の順に並んで配置されている。上述のように、フルブリッジ構造で接続されている４個の磁気抵抗素子１２０－１等が、磁気抵抗素子１２０－１、１２０－２、１２０－３、１２０－４の順に、それぞれの中心が互いに略Ｐ／４の間隔を置いて配置されていてもよい。これにより、４個の磁気抵抗素子１２０－１等は、２個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－３、および、２個の磁気抵抗素子１２０－２、１２０－４の各組から、互いに１／４周期ずれた正弦波状の中点電圧を出力可能である。
【0067】
また具体的には、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－３の少なくとも一方は、基板１１０の一方の主面の平面方向のうち、４個の磁気抵抗素子１２０－１等が並ぶ方向に直交する方向から見た場合に、互いに直列接続された他の２個の磁気抵抗素子１２０－２、１２０－４の少なくとも一方と互いに一部のみが重なっている。より具体的には、４個の磁気抵抗素子１２０－１等が並ぶＹ軸方向に直交するＸ軸方向から見た場合に、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－３のうち、磁気抵抗素子１２０－１は、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－２、１２０－４のうち磁気抵抗素子１２０－２のみと互いに一部のみが重なっており、磁気抵抗素子１２０－３は、磁気抵抗素子１２０－２、１２０－４のそれぞれと互いに一部のみが重なっている。磁気抵抗素子１２０において、複数の磁気抵抗体列１２２はパッケージ１２７によってパッケージングされているため、磁気抵抗素子１２０の長手方向の両端に位置する磁気抵抗体列１２２の基準点１２５は、磁気抵抗素子１２０の長手方向の外縁よりもパッケージ１２７の厚み分だけ内側に位置する。４個の磁気抵抗素子１２０－１等は、上述した距離Ｄ２が距離Ｄ１に近い長さである程、２個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－３、および、２個の磁気抵抗素子１２０－２、１２０－４の各組から、低歪率の正弦波状の中点電圧を出力することができる。そこで、距離Ｄ２を距離Ｄ１に近い長さにするべく、パッケージ１２７の厚み分を考慮して、上述のようにＸ軸方向から見て磁気抵抗素子１２０－１等の一部のみが互いに重なるようにしてもよい。なお、距離Ｄ１は、例えば、回転体２０の相対移動方向における４個の磁気抵抗素子１２０－１等の間隔が８００μｍの場合に、１００μｍであってもよい。
【0068】
また具体的には、基板１１０の一方の主面の平面方向のうち、４個の磁気抵抗素子１２０－１等が並ぶ方向から見た場合に、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－３は互いに少なくとも部分的に重なっており、互いに直列接続された他の２個の磁気抵抗素子１２０－２、１２０－４は互いに少なくとも部分的に重なっている。より具体的には、４個の磁気抵抗素子１２０－１等が並ぶＹ軸方向から見た場合に、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－３は互いに重なっており、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－２、１２０－４は互いに重なっている。磁気抵抗素子１２０－１等は、このように配置されることにより、ＸＹ平面内における回転体２０の相対移動方向に直交する方向の幅を狭めることができる。これにより、磁気抵抗素子１２０－１等は、基板１１０の一方の主面上に配置される場合に、当該直交する方向において磁石Ｍの磁束密度が相対的に大きくなる回転体２０の厚みの中央付近に、より密に配置されることができ、磁気検出精度を高めることができる。基板１１０上でこのように配置される磁気抵抗素子１２０－１等によれば、回転体２０の厚み方向の位置ずれが生じた場合であっても、磁気検出精度が低下し難い。なお、磁気抵抗素子１２０－１等は、ＸＹ平面内における回転体２０の相対移動方向に直交する方向の幅を狭めるべく、上述の距離Ｄ３を小さくしてもよく、距離Ｄ３は例えば１００μｍ以上であってもよい。
【0069】
また具体的には、４個の磁気抵抗素子１２０－１等において、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－３、および、互いに直列接続された他の２個の磁気抵抗素子１２０－２、１２０－４はそれぞれ、一方の磁気抵抗素子１２０の主面の長手方向が、他方の磁気抵抗素子１２０の主面の長手方向に沿うように、基板１１０の一方の主面上に配置されている。より具体的には、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－３は、磁気抵抗素子１２０－１の主面の長手方向が磁気抵抗素子１２０－３の主面の長手方向に沿うように、基板１１０の一方の主面上に配置されている。互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－２、１２０－４は、磁気抵抗素子１２０－２の主面の長手方向が磁気抵抗素子１２０－４の主面の長手方向に沿うように、基板１１０の一方の主面上に配置されている。磁気抵抗素子１２０－１等は、このように配置されることにより、互いに直列接続された磁気抵抗素子１２０の組の主面の長手方向が互いに沿うように配置されていない場合と比較して、歪率が小さな正弦波状の中点電圧を出力することができる。
【0070】
また具体的には、基板１１０の一方の主面の平面方向のうち、４個の磁気抵抗素子１２０－１等が並ぶ方向に直交する方向から見た場合に、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－３の少なくとも一方の磁気抵抗ユニット１２１において一端に位置する磁気抵抗体列１２２と、互いに直列接続された他の２個の磁気抵抗素子１２０－２、１２０－４の少なくとも一方の磁気抵抗ユニット１２１において一端に位置する磁気抵抗体列１２２との間隔は、４個の磁気抵抗素子１２０－１等のそれぞれにおける複数の磁気抵抗体列１２２の間隔と等しい。より具体的には、Ｘ軸方向から見た場合に、磁気抵抗素子１２０－１の磁気抵抗ユニット１２１においてＹ軸正方向側の端に位置する磁気抵抗体列１２２の基準点１２５と、磁気抵抗素子１２０－２の磁気抵抗ユニット１２１においてＹ軸負方向側の端に位置する磁気抵抗体列１２２の基準点１２５との間の距離Ｄ２は、距離Ｄ１と等しくてもよい。同様に、Ｘ軸方向から見た場合に、磁気抵抗素子１２０－２の磁気抵抗ユニット１２１においてＹ軸正方向側の端に位置する磁気抵抗体列１２２の基準点１２５と、磁気抵抗素子１２０－３の磁気抵抗ユニット１２１においてＹ軸負方向側の端に位置する磁気抵抗体列１２２の基準点１２５との間の距離Ｄ２は、距離Ｄ１と等しくてもよい。同様に、Ｘ軸方向から見た場合に、磁気抵抗素子１２０－３の磁気抵抗ユニット１２１においてＹ軸正方向側の端に位置する磁気抵抗体列１２２の基準点１２５と、磁気抵抗素子１２０－４の磁気抵抗ユニット１２１においてＹ軸負方向側の端に位置する磁気抵抗体列１２２の基準点１２５との間の距離Ｄ２は、距離Ｄ１と等しくてもよい。磁気抵抗素子１２０－１等は、このように配置されることにより、距離Ｄ２が距離Ｄ１と異なる場合と比べて、歪率が小さな正弦波状の中点電圧を出力することができる。
【0071】
図４は、第１実施形態による磁気検出装置１００の製造方法の流れを説明するフロー図である。図４のフローは、例えば磁気抵抗素子１２０における磁気抵抗ユニット１２１を構成する部材を用意することにより開始してもよい。
【0072】
複数の磁気抵抗素子１２０をそれぞれパッケージングする（ステップＳ１１）。複数の磁気抵抗素子１２０をそれぞれパッケージングすることは、それぞれの磁気抵抗素子１２０について、主面の短手方向に沿って互いに連結された複数の磁気抵抗体１２４から成る磁気抵抗体列１２２を、主面の長手方向に沿って繰り返し折り返して複数配列することにより、互いに直列接続させることを含んでもよい。
【0073】
複数の磁気抵抗素子１２０をそれぞれパッケージングすることは、それぞれの磁気抵抗素子１２０について、主面の長手方向における磁気抵抗ユニット１２１の両端に接続された端子電極１２６の少なくとも一部を露出させた状態で、磁気抵抗ユニット１２１および端子電極１２６をパッケージングすることを含んでもよい。
【0074】
複数の磁気抵抗素子１２０をそれぞれパッケージングすることは、それぞれの磁気抵抗素子１２０について、主面の長手方向における磁気抵抗ユニット１２１の両端に配置された磁気抵抗体列１２２の少なくとも１つの位置をパッケージ１２７の外部から認識可能にするべく、パッケージ１２７上に指標１２８を設けることを含んでもよい。
【0075】
複数の磁気抵抗素子１２０を基板１１０の一方の主面上で一方向に並べて配置する（ステップＳ１２）。複数の磁気抵抗素子１２０を配置することは、それぞれの磁気抵抗素子１２０のパッケージ１２７上に設けられた指標１２８を基準として、複数の磁気抵抗素子１２０が並べられる方向における、隣接する２個の磁気抵抗素子１２０の両指標１２８の間隔Ｄ２が、例えば複数の磁気抵抗体列１２２の間隔Ｄ１と同じになるように、複数の磁気抵抗素子１２０を配置することを含んでもよい。
【0076】
基板１１０の他方の主面上に磁石Ｍを配置し（ステップＳ１３）、これによって磁気検出装置１００を完成させ、当該フローは終了する。
【0077】
以上で説明した第１実施形態による磁気検出装置１００によれば、基板１１０と、それぞれがパッケージングされており、基板１１０の一方の主面上で一方向に並んで配置されている複数の磁気抵抗素子１２０と、基板１１０の他方の主面上に配置されている磁石Ｍとを備える。このように、本実施形態の磁気検出装置１００では、複数の磁気抵抗素子１２０をそれぞれ個別にパッケージングすることで、複数の磁気抵抗素子１２０を基板１１０の一方の主面上に配置する際の自由度を確保することができる。
【0078】
ここで、相対移動に伴う磁束密度の変化を検出する対象となる被検出ユニットが、例えば歯車のような回転体２０である場合、回転体２０の凸部または凹部のピッチＰは回転体２０の寸法などに応じて異なり得る。本実施形態の磁気検出装置１００との比較例として、複数の磁気抵抗素子が包括的にパッケージングされて基板上に配置された磁気検出装置を仮定する。比較例の磁気検出装置によれば、複数の磁気抵抗素子の相互間隔は、複数の磁気抵抗素子が包括的にパッケージングされる前に決定する必要がある。そのため、比較例の磁気検出装置によれば、例えば、磁気変化の検出対象とする回転体２０の凸部または凹部のピッチＰのバリエーションを予め想定して、当該相互間隔が異なる磁気検出装置のバリエーションを用意する必要があり、磁気検出装置の設計開発工数が多くなる。
【0079】
これに対して、本実施形態の磁気検出装置１００によれば、回転体２０の相対移動方向に順に並べて配置する複数の磁気抵抗素子１２０の相互間隔を、回転体２０の凸部または凹部のピッチＰに応じて自由に決定することができる。これにより、本実施形態の磁気検出装置１００によれば、比較例の磁気検出装置と比較して、磁気検出装置１００の設計開発工数を削減することができる。
【0080】
以上の第１実施形態の磁気検出装置１００では、図３に示したように、基板１１０上において、２個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－３の組と２個の磁気抵抗素子１２０－２、１２０－４の組が同じ向きに交互に配列されているものとして説明した。具体的な一例として、基板１１０の一方の主面の平面方向のうち、４個の磁気抵抗素子１２０－１等が並ぶ方向に直交する方向から見た場合に、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－３の少なくとも一方の磁気抵抗ユニット１２１において一端に位置する磁気抵抗体列１２２と、互いに直列接続された他の２個の磁気抵抗素子１２０－２、１２０－４の少なくとも一方の磁気抵抗ユニット１２１において一端に位置する磁気抵抗体列１２２との間隔は、４個の磁気抵抗素子１２０－１等のそれぞれにおける複数の磁気抵抗体列１２２の間隔と等しいものとして説明した。すなわち、Ｙ軸方向に隣接する２つの磁気抵抗素子１２０において隣接する２つの磁気抵抗体列１２２の基準点１２５間の距離Ｄ２が距離Ｄ１と等しいものとして説明した。
【0081】
距離Ｄ２が距離Ｄ１と等しくなる４個の磁気抵抗素子１２０－１等の配置は、図３に示した例に限られず、他の配置であってもよい。以下、距離Ｄ２が距離Ｄ１と等しくなる４個の磁気抵抗素子１２０－１等の他の配置例を、図５から図８に示す。図５から図８では、図３と同様に、磁気抵抗素子１２０－１等を図示し、基板１１０や導体パターン１１６等の他の構成の図示を省略する。なお、以降の複数の実施形態において、第１実施形態による磁気検出装置１００と同様の構成については同様の参照番号を用い、重複する説明を省略する。
【0082】
図５は、第２実施形態による磁気検出装置２００における、磁気抵抗素子１２０－１等の詳細を示す模式的な平面図である。第２実施形態による磁気検出装置２００においては、第１実施形態による磁気検出装置１００とは異なる点として、４個の磁気抵抗素子１２０－１等が並ぶＹ軸方向から見た場合に、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－３は互いに重なっておらず、且つ、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－２、１２０－４は互いに重なっていない。より具体的には、４個の磁気抵抗素子１２０－１等が並ぶＹ軸方向から見た場合に、４個の磁気抵抗素子１２０－１等の何れも互いに重なっていない。
【0083】
そのため、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－３は、磁気抵抗素子１２０－１の主面の長手方向が磁気抵抗素子１２０－３の主面の長手方向に沿うように、基板１１０の一方の主面上に配置されていない。同様に、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－２、１２０－４は、磁気抵抗素子１２０－２の主面の長手方向が磁気抵抗素子１２０－４の主面の長手方向に沿うように、基板１１０の一方の主面上に配置されていない。ただし、４個の磁気抵抗素子１２０－１等は全て、主面の長手方向がＹ軸方向に沿うように配列されている。このように配置された磁気抵抗素子１２０－１等を備える第２実施形態による磁気検出装置２００によっても、第１実施形態による磁気検出装置１００と同様の効果を有する。
【0084】
図６は、第３実施形態による磁気検出装置３００における、磁気抵抗素子１２０－１等の詳細を示す模式的な平面図である。第３実施形態による磁気検出装置３００においては、第１実施形態による磁気検出装置１００とは異なる点として、４個の磁気抵抗素子１２０－１等が並ぶＹ軸方向から見た場合に、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－３は互いに重なっておらず、且つ、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－２、１２０－４は互いに重なっていない。
【0085】
そのため、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－３は、磁気抵抗素子１２０－１の主面の長手方向が磁気抵抗素子１２０－３の主面の長手方向に沿うように、基板１１０の一方の主面上に配置されていない。同様に、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－２、１２０－４は、磁気抵抗素子１２０－２の主面の長手方向が磁気抵抗素子１２０－４の主面の長手方向に沿うように、基板１１０の一方の主面上に配置されていない。
【0086】
ただし、互いに直列接続されていない２個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－４が、磁気抵抗素子１２０－１の主面の長手方向が磁気抵抗素子１２０－４の主面の長手方向に沿うように、基板１１０の一方の主面上に配置されている。他の２個の磁気抵抗素子１２０－２、１２０－３については、４個の磁気抵抗素子１２０－１等が並ぶＹ軸方向から見た場合に、４個の磁気抵抗素子１２０－１等の何れも互いに重なっていない。また、４個の磁気抵抗素子１２０－１等は全て、主面の長手方向がＹ軸方向に沿うように配列されている。このように配置された磁気抵抗素子１２０－１等を備える第３実施形態による磁気検出装置３００によっても、第１実施形態による磁気検出装置１００と同様の効果を有する。
【0087】
図７は、第４実施形態による磁気検出装置４００における、磁気抵抗素子１２０－１等の詳細を示す模式的な平面図である。第４実施形態による磁気検出装置４００においては、第１実施形態による磁気検出装置１００とは異なる点として、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－３は、磁気抵抗素子１２０－１の主面の長手方向が磁気抵抗素子１２０－３の主面の長手方向に沿うように、基板１１０の一方の主面上に配置されていない。ただし、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－３は、磁気抵抗素子１２０－１の主面の長手方向が、磁気抵抗素子１２０－３の主面の長手方向と同じ方向（Ｘ軸に対して予め定められた第１角度を有する方向）となるように、基板１１０の一方の主面上に配置されている。
【0088】
同様に、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－２、１２０－４は、磁気抵抗素子１２０－２の主面の長手方向が磁気抵抗素子１２０－４の主面の長手方向に沿うように、基板１１０の一方の主面上に配置されていない。ただし、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－２、１２０－４は、磁気抵抗素子１２０－２の主面の長手方向が、磁気抵抗素子１２０－４の主面の長手方向と同じ方向（Ｘ軸に対して予め定められた第２角度を有する方向）となるように、基板１１０の一方の主面上に配置されている。
【0089】
互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－３は、主面の長手方向（Ｘ軸に対して予め定められた第１角度を有する方向）が、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－２、１２０－４の主面の長手方向（Ｘ軸に対して予め定められた第２角度を有する方向）と異なるように、基板１１０の一方の主面上に配置されている。このように配置された磁気抵抗素子１２０－１等を備える第４実施形態による磁気検出装置４００によっても、第１実施形態による磁気検出装置１００と同様の効果を有する。なお、図７に示す例では、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－３は、４個の磁気抵抗素子１２０－１等が並ぶＹ軸方向に直交するＸ軸方向から見た場合に、互いに一部が重なっているが、互いに重なっていなくてもよい。同様に、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－２、１２０－４は、Ｘ軸方向から見た場合に互いに一部が重なっているが、互いに重なっていなくてもよい。
【0090】
図８は、第５実施形態による磁気検出装置５００における、磁気抵抗素子１２０－１等の詳細を示す模式的な平面図である。第５実施形態による磁気検出装置５００においては、第１実施形態による磁気検出装置１００とは異なる点として、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－３は、磁気抵抗素子１２０－１の主面の長手方向が磁気抵抗素子１２０－３の主面の長手方向に沿うように、基板１１０の一方の主面上に配置されていない。ただし、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－３は、磁気抵抗素子１２０－１の主面の長手方向が、磁気抵抗素子１２０－３の主面の長手方向と同じ方向（Ｘ軸に対して予め定められた第３角度を有する方向）となるように、基板１１０の一方の主面上に配置されている。
【0091】
同様に、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－２、１２０－４は、磁気抵抗素子１２０－２の主面の長手方向が磁気抵抗素子１２０－４の主面の長手方向に沿うように、基板１１０の一方の主面上に配置されていない。ただし、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－２、１２０－４は、磁気抵抗素子１２０－２の主面の長手方向が、磁気抵抗素子１２０－４の主面の長手方向と同じ方向（Ｘ軸に対して予め定められた第３角度を有する方向）となるように、基板１１０の一方の主面上に配置されている。
【0092】
互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－１、１２０－３は、主面の長手方向（Ｘ軸に対して予め定められた第３角度を有する方向）が、互いに直列接続された２個の磁気抵抗素子１２０－２、１２０－４の主面の長手方向（Ｘ軸に対して予め定められた第３角度を有する方向）と同じになるように、基板１１０の一方の主面上に配置されている。このように配置された磁気抵抗素子１２０－１等を備える第５実施形態による磁気検出装置５００によっても、第１実施形態による磁気検出装置１００と同様の効果を有する。
【0093】
【0094】
第６実施形態による磁気検出装置６００は、第１実施形態による磁気検出装置１００と異なる点として、基板１１０に代えて、第１基板６１１および第２基板６１４を有する基板６１０を備える。
【0095】
第１基板６１１は、磁石Ｍが挿入される貫通孔６１２を含む。第２基板６１４は、複数の磁気抵抗素子１２０が配置される側から、すなわち回転体２０に対向する側から第１基板６１１に貼り合わされている。
【0096】
第１基板６１１および第２基板６１４は、接着剤、例えば薄膜粘着フィルムのような粘着シートによって互いに接着されていてもよい。第１基板６１１および第２基板６１４は、粘着シートに代えてまたは加えて、液体の接着剤で互いに接着されていてもよい。図９に示すように、第１基板６１１および第２基板６１４のそれぞれの主面の外形を成す輪郭は、実質的に同一であってもよい。これにより、第１基板６１１および第２基板６１４は、互いに向かい合う面の全体に亘って、互いに接着されていてもよい。
【0097】
磁石Ｍは、一例として、磁極の作用面を除く面の少なくとも一部が、貫通孔６１２の側面に接着剤などで固定されている。なお、磁気検出システム１０の動作時においては、磁性体である回転体２０が常に磁気抵抗素子１２０側に位置し、磁石Ｍは自身の磁力によって第２基板６１４に吸着したような状態にあるため、磁石Ｍを接着剤で貫通孔６１２の側面に固定しなくてもよい。なお、磁石Ｍは、接着剤以外の他の手段によって貫通孔６１２の側面に固定されていてもよい。
【0098】
第２基板６１４は、第１基板６１１の貫通孔６１２を塞ぐ領域を含み、当該領域において磁石Ｍと接している。第２基板６１４は、第１基板６１１の貫通孔６１２に挿入された磁石Ｍを、第１基板６１１の回転体２０に対向する側から係止する。これにより、第２基板６１４は、磁石Ｍが第２基板６１４の回転体２０に対向する側へと突出するのを抑止する。
【0099】
第２基板６１４の一方の主面における当該領域に対応する位置には、複数の磁気抵抗素子１２０が配置されている。第２基板６１４と、第１基板６１１の貫通孔６１２との組合わせは、磁石Ｍが基板６１０の回転体２０に対向する側の反対側、すなわちＺ軸負側の主面よりも、基板６１０の回転体２０に対向する側、すなわちＺ軸正側の主面に寄って位置することを可能にする一方で、磁石Ｍが磁気抵抗素子１２０を回転体２０側に押すことを防止する機能を有する、と定義してもよい。第２基板６１４は、磁石Ｍと磁気抵抗素子１２０とを隔離する壁として、磁気抵抗素子１２０が磁石Ｍによって回転体２０側に押されることを不可能にしている、とも言える。
【0100】
第１基板６１１および第２基板６１４のＺ軸方向の厚みはそれぞれ、略一定であってもよく、ＸＹ平面内の任意の箇所で部分的に変化していてもよい。図９は、第１基板６１１の主たる厚みをＤ４で示し、第２基板６１４の主たる厚みをＤ５で示す。
【0101】
第２基板６１４は、第１基板６１１よりも薄くてよい。一例として、第２基板６１４における、第１基板６１１の貫通孔６１２を塞ぐ領域の厚みは、０．１ｍｍ以上０．６ｍｍ以下であってもよい。全体的にまたは部分的に０．１ｍｍ未満の厚みを有する第２基板６１４を製造することは困難であってもよい。第２基板６１４の当該領域の厚みを０．６ｍｍ以下にして、且つ、磁石Ｍとして例えば残留磁束密度が約８００ｍＴのサマリウムコバルトを含む永久磁石を用いることにより、磁石Ｍによって複数の磁気抵抗素子１２０に印加される磁束密度を４００ｍＴ以上とすることができる。これにより、磁気抵抗素子１２０の出力信号振幅（Ｖｐｐ）を予め定められた大きさ以上とすることができ、よって、磁気検出装置６００による磁束密度変化の検出精度を予め定められた閾値以上とすることができる。
【0102】
以上で説明した第６実施形態による磁気検出装置６００によっても、第１実施形態による磁気検出装置１００と同様の効果を有する。ここで、第６実施形態による磁気検出装置６００との第１比較例として、基板に形成された貫通孔を覆うように磁気センサを配置し、当該貫通孔に磁石を挿入した磁気検出装置を想定する。当該磁気検出装置において、磁気センサは、数か所を基板上の電極にはんだ付けされている。磁気センサの基板側の主面における、基板の貫通孔を塞ぐ領域には、磁石が接着剤で固定されている。基板は、他の装置やフレームなどに固定されている。
【0103】
このような第１比較例によれば、固定された基板に対して相対移動する被検出ユニットに磁気センサを対向させた状態で磁気検出装置を使用する場合、被検出ユニットを引き付けようとする磁石の磁力によって、磁気センサには被検出ユニット側に押す力が加わる。その結果、磁気センサを基板に固定している部分が断裂し、磁気センサが磁石と被検出ユニットとの間に挟まれるように被検出ユニット上に打ち付けられる事態が生じ得る。
【0104】
第６実施形態による磁気検出装置６００との第２比較例として、貫通孔が形成されていない基板の一方の主面上に磁気センサを配置し、基板の他方の主面上の対応する位置に磁石を配置した磁気検出装置を想定する。当該磁気検出装置において、磁気センサは、数か所を基板上の電極にはんだ付けされている。磁石は、基板上に接着剤で固定されている。基板は、他の装置やフレームなどに固定されている。
【0105】
このような第２比較例によれば、基板の厚みは、強度を担保するために、１．４ｍｍ程度に設定される。すなわち、磁気センサと磁石との間の距離は１．４ｍｍ程度となる。このような距離を介して磁石から４００ｍＴ以上の磁束密度を磁気センサに印加するためには、磁石として、サイズの大きなサマリウムコバルト磁石を用いたりすることが必要とされる。
【0106】
サイズの大きなサマリウムコバルト磁石を使う場合には、１．４ｍｍ程度の距離を介して４００ｍＴ以上の磁束密度を磁気センサに印加するために、サマリウムコバルト磁石をかなり大型化する必要がある。このような大型のサマリウムコバルト磁石を備えた磁気検出装置は、大きさに制約があるエンコーダに搭載することが困難である。
【0107】
これに対して、第６実施形態による磁気検出装置６００によれば、磁石Ｍと磁気抵抗素子１２０との間の距離を、基板６１０の主たる厚み、例えば１．４ｍｍ程度よりも短くすること、例えば０．２ｍｍ程度にすることができる。磁石Ｍと磁気抵抗素子１２０との間の距離を予め定められた長さよりも短くすることで、磁石Ｍとしてエンコーダに適用可能なサイズのサマリウムコバルト磁石を用いた場合であっても、磁石Ｍによって磁気抵抗素子１２０に印加される磁束密度を４００ｍＴ以上とすることができる。これにより、磁気抵抗素子１２０の出力信号振幅（Ｖｐｐ）を予め定められた大きさ以上とすることができ、その結果、上述の角度誤差を抑止して、磁気抵抗素子１２０による磁束密度変化の検出精度を予め定められた閾値以上とすることができる。
【0108】
その一方で、磁気検出装置６００によれば、磁石Ｍが基板６１０の被検出ユニットに対向する側へと突出するのを抑止することにより、磁気抵抗素子１２０が被検出ユニット側へと押されるのを防止することができ、磁気抵抗素子１２０が被検出ユニットに打ち付けられる事態を回避できる。
【0109】
以上の第６実施形態による磁気検出装置６００において、互いに貼り合わせる第１基板６１１および第２基板６１４は、それぞれの主面の外形を成す輪郭が互いに異なっていてもよい。上述の貫通孔６１２は、磁石ＭをＺ軸負側から基板内部に挿入できる限りにおいて、連続的にまたは段階的に大きさが変化している貫通孔であってもよく、第１基板６１１を貫通しない窪みまたは凹みであってもよい。
【0110】
以上の複数の実施形態による磁気検出装置において、ＸＹ平面における磁気抵抗体列の形状を、回転体の相対移動方向に対して垂直方向に延伸する長方形として図示したが、これに限定されることはない。ＸＹ平面における磁気抵抗体列の形状は、三角形、正方形、台形、多角形、円形、および楕円形等であってもよい。また、それぞれの磁気抵抗素子が磁気抵抗体列を８個ずつ有する例を図示したが、これに限定されることはない。それぞれの磁気抵抗素子は、１または複数の磁気抵抗体列を有してよい。
【0111】
また、以上の複数の実施形態に係る磁気検出システムは、被検出ユニットとして、歯車である回転体を備えることを説明したが、これに限定されることはない。回転体は、磁気検出システムに設けられた検出対象である被検出ユニットの一例である。被検出ユニットは、磁気検出装置に対向する側において、相対移動方向に沿って交互に配列された凹部および／または凸部を有し、磁石Ｍから磁気検出素子に入る磁束密度が変化するように構成できる部材であればよい。
【0112】
被検出ユニットは、平歯車、はすば歯車、やまば歯車、かさ歯車、内歯車、冠歯車、ねじ歯車、ウォームギヤ、スプロケット、および、ラックまたはピニオン等でよい。また、被検出ユニットは、単に、円盤状の板部に凸部および／または凹部が形成された部材でよい。また、被検出ユニットは、磁気検出装置との相対移動方向に沿って磁気検出装置に対向する複数の貫通孔が配列された板部を有してもよい。
【0113】
なお、以上の複数の実施形態において、被検出ユニットが回転動作することを説明したが、これに限定されることはない。被検出ユニットがラック等である場合、被検出ユニットの凸部および／または凹部が一方向に移動してもよい。また、被検出ユニットが固定され、磁気検出装置が移動してもよい。この場合、磁気検出装置は、被検出ユニットが相対移動するものとして、動作してよい。
【0114】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【0115】
特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
【符号の説明】
【0116】
１０ 磁気検出システム
２０ 回転体
５０ 部分領域
１００ 磁気検出装置
１１０ 基板
１１６ 導体パターン
１１７ 電源端子
１１８ 出力端子
１２０、１２０－１、１２０－２、１２０－３、１２０－４ 磁気抵抗素子
１２１ 磁気抵抗ユニット
１２２ 磁気抵抗体列
１２４ 磁気抵抗体
１２５ 基準点
１２６ 端子電極
１２７ パッケージ
１２８ 指標
Ｍ 磁石
２００ 磁気検出装置
３００ 磁気検出装置
４００ 磁気検出装置
５００ 磁気検出装置
６００ 磁気検出装置
６１０ 基板
６１１ 第１基板
６１２ 貫通孔
６１４ 第２基板
２０ 回転体
５０ 部分領域
１００ 磁気検出装置
１１０ 基板
１１６ 導体パターン
１１７ 電源端子
１１８ 出力端子
１２０、１２０－１、１２０－２、１２０－３、１２０－４ 磁気抵抗素子
１２１ 磁気抵抗ユニット
１２２ 磁気抵抗体列
１２４ 磁気抵抗体
１２５ 基準点
１２６ 端子電極
１２７ パッケージ
１２８ 指標
Ｍ 磁石
２００ 磁気検出装置
３００ 磁気検出装置
４００ 磁気検出装置
５００ 磁気検出装置
６００ 磁気検出装置
６１０ 基板
６１１ 第１基板
６１２ 貫通孔
６１４ 第２基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】